KR20230039524A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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히데하루 이따따니
나오후미 오하시
도시로 고시마끼
슌 마쯔이
šœ 마쯔이
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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

[과제] 기판의 적재면의 상태를 검출하는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 기판 처리 장치는, 기판을 성막 처리하는 처리실과, 상기 처리실 내에 마련되고, 또한 상기 기판이 적재되는 복수의 적재면을 갖는 기판 지지부와, 상기 처리실의 외측 또는 내측에 배치되고, 상기 적재면에 부착되는 성막 재료의 상태를 비접촉으로 검출하는 검출부를 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 제조 분야에서 사용되는 기판 처리 장치에서는, 적재면에 얹은 기판을 히터의 열로 가열하면서 성막 처리를 하고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그런데, 기판의 성막 처리 공정에서는, 기판의 외주로부터 이면으로 성막 재료가 돌아 들어가서, 적재면에 성막 재료가 부착되는 경우가 있다. 이와 같이 성막 재료가 적재면 상에 퇴적되어 가면, 기판의 성막 처리에 문제가 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 정기적인 메인터넌스에 의해 적재면 상에 퇴적된 성막 재료를 제거하고 있다.
일본 특허 공개 제2021-44419호 공보
본 개시의 목적은, 기판의 적재면의 상태를 검출하는 기술을 제공하는 데 있다.
본 개시의 일 양태에 따르면, 기판을 성막 처리하는 처리실과, 상기 처리실 내에 마련되고, 또한 상기 기판이 적재되는 복수의 적재면을 갖는 기판 지지부와, 상기 처리실의 외측 또는 내측에 배치되고, 상기 적재면에 부착되는 성막 재료의 상태를 비접촉으로 검출하는 검출부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 개시의 일 양태에 따르면, 기판의 적재면의 상태를 검출할 수 있다.
도 1은 본 개시의 제1 실시 형태의 기판 처리 장치가 구비하는 리액터의 횡단면 개략도이다.
도 2는 본 개시의 제1 실시 형태의 기판 처리 장치가 구비하는 리액터의 종단면 개략도이고, 도 1에 나타내는 리액터의 2X-2X선 단면도이다.
도 3은 본 개시의 제1 실시 형태의 기판 지지 기구를 설명하는 설명도이다.
도 4는 도 1의 4X-4X선 단면도이다.
도 5는 본 개시의 제1 실시 형태의 원료 가스 공급부를 설명하는 설명도이다.
도 6은 본 개시의 제1 실시 형태의 반응 가스 공급부를 설명하는 설명도이다.
도 7은 본 개시의 제1 실시 형태의 제1 불활성 가스 공급부를 설명하는 설명도이다.
도 8은 본 개시의 제1 실시 형태의 제2 불활성 가스 공급부를 설명하는 설명도이다.
도 9는 본 개시의 제1 실시 형태의 카메라의 이동 기구를 설명하는 설명도이다.
도 10은 본 개시의 제1 실시 형태의 카메라의 촬영 영역을 설명하기 위한 설명도이다.
도 11은 본 개시의 제1 실시 형태의 컨트롤러를 설명하는 설명도이다.
도 12는 본 개시의 제1 실시 형태의 기판 처리 공정을 설명하는 흐름도이다.
도 13은 본 개시의 제1 실시 형태의 검출 공정을 설명하는 흐름도이다.
도 14는 본 개시의 제1 실시 형태에 관한 메인터넌스 공정을 설명하는 흐름도이다.
이하, 본 개시의 일 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서 사용되는 도면은, 모두 모식적인 것이며, 도면에 도시되는, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실의 것과는 반드시 일치하고 있지는 않다. 또한, 복수의 도면의 상호 간에 있어서도, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은 반드시 일치하고 있지는 않다.
<제1 실시 형태>
본 개시의 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(100)는 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정인 기판 처리 공정에 있어서 사용되는 장치이다. 이하에서는, 먼저, 기판 처리 장치(100)의 구성에 대하여 설명하고, 다음으로, 기판 처리 장치(100)를 사용한 기판 처리 공정에 대하여 설명한다.
(기판 처리 장치)
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는 리액터(200)를 갖고 있다. 이 리액터(200)는 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 기판 S를 성막 처리하는 처리실(201)과, 처리실(201) 내에 마련되어 기판 S가 적재되는 복수의 적재면(217C)을 갖는 기판 지지부의 일례로서의 회전 테이블(217)을 갖고 있다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 리액터(200)는 적재면(217C)에 부착되는 성막 재료의 상태를 비접촉으로 검출하는 검출부(210)를 갖고 있다. 또한, 본 개시에 있어서, 『적재면(217C)에 부착된 성막 재료』란, 처리 가스의 재료 그 자체의 흡착물, 처리 가스가 반응함으로써 발생한 물질의 흡착물, 이 물질이 퇴적하여 생긴 막 등의 적어도 하나 이상을 의미한다. 또한, 처리 가스의 반응이란, 분해 반응, 화학 반응 등의 적어도 하나 이상을 의미한다.
도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 리액터(200)는 통 형상(일례로서 원통 형상)의 기밀 용기인 처리 용기(203)를 갖고 있고, 이 처리 용기(203) 내에 기판 S를 성막 처리하기 위한 처리실(201)이 형성되어 있다. 또한, 처리 용기(203)는, 예를 들어 스테인리스(SUS)나 알루미늄 합금 등으로 구성되어 있다.
처리 용기(203)에는, 게이트 밸브(205)가 접속되어 있다. 이 게이트 밸브(205)를 통해 처리실(201)에 기판 S가 반입출된다. 또한, 본 실시 형태의 게이트 밸브(205)가 마련되는 처리 용기(203)의 개구는, 본 개시에 있어서의 기판 반출구의 일례이다.
처리실(201)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리 가스를 공급하는 처리 영역(206)과, 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 영역(207)을 갖는다. 여기서는 처리 영역(206)과 퍼지 영역(207)은 원주 형상으로 교대로 배치되어 있다. 예를 들어, 제1 처리 영역(206A), 제1 퍼지 영역(207A), 제2 처리 영역(206B) 및 제2 퍼지 영역(207B)의 순으로 배치되어 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 처리 영역(206A) 내에는 원료 가스가 공급된다. 또한, 제2 처리 영역(206B) 내에는 반응 가스가 공급된다. 그리고, 제1 퍼지 영역(207A) 및 제2 퍼지 영역(207B)에는 불활성 가스가 공급된다. 이에 의해, 각각의 영역 내에 공급되는 가스에 따라, 기판 S에 대하여 소정의 처리가 실시된다.
퍼지 영역(207)은 제1 처리 영역(206A)과 제2 처리 영역(206B)을 공간적으로 잘라 나누는 영역이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 퍼지 영역(207)의 천장(208)은 처리 영역(206)의 천장(209)보다도 높이가 낮게 되어 있다. 제1 퍼지 영역(207A)에는 천장(208A)이 마련되어 있고, 제2 퍼지 영역(207B)에는 천장(208B)(도시하지 않음)이 마련되어 있다. 각 천장의 높이를 낮게 함으로써, 퍼지 영역(207)의 공간 압력을 높게 하고 있다. 이 공간에 퍼지 가스를 공급함으로써, 인접하는 처리 영역(206)을 구획하고 있다. 또한, 퍼지 가스는 기판 S 상의 여분의 가스를 제거하는 역할도 갖는다.
처리 용기(203)의 중앙에는, 예를 들어 처리 용기(203)의 중심에 회전축을 갖고, 회전 가능하게 구성되는 기판 지지부의 일례로서의 회전 테이블(217)이 마련되어 있다. 회전 테이블(217)은 기판 S에 대한 금속 오염의 영향이 없도록, 예를 들어, 석영, 카본 또는 SiC 등의 재료로 형성되어 있다.
회전 테이블(217)은 처리 용기(203) 내에, 복수매(예를 들어 5매)의 기판 S를 동일면 상에, 또한 회전 방향을 따라 동일 원주 상에 간격을 두고 배열하여 지지하도록 구성되어 있다. 여기서 말하는 「동일면」이란, 완전한 동일면에 한정되는 것은 아니며, 회전 테이블(217)을 상면으로부터 보았을 때, 복수매의 기판 S가 서로 겹치지 않도록 배열되어 있으면 된다.
회전 테이블(217) 표면에 있어서의 기판 S의 지지 위치에는, 기판 S가 적재되는 적재부로서의 오목부(217B)가 마련되어 있다. 처리할 기판 S의 매수와 동수의 오목부(217B)가 회전 테이블(217)의 중심으로부터 동심원 상의 위치에 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 또한 본 실시 형태에서는, 복수의 오목부(217B)가 등간격(예를 들어 72°의 간격)으로 배치되어 있다.
각각의 오목부(217B)는, 예를 들어 회전 테이블(217)의 상면으로부터 보아 원 형상이고, 측면으로부터 보아 오목 형상이다. 오목부(217B)의 직경은 기판 S의 직경보다도 조금 커지도록 구성하는 것이 바람직하다. 이 오목부(217B)의 저면이 적재면(217C)으로 되어 있다. 그리고, 오목부(217B) 내에 기판 S를 적재함으로써, 기판 S가 적재면(217C)에 적재된다. 각 오목부(217B)에는, 후술하는 핀(219)이 관통하는 관통 구멍(217A)이 복수 마련되어 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 처리 용기(203) 중, 회전 테이블(217) 하방이며 게이트 밸브(205)와 대향하는 개소에는, 기판 보유 지지 기구(218)가 마련되어 있다. 기판 보유 지지 기구(218)는 기판 S의 반입·반출 시에, 기판 S를 밀어 올려, 기판 S의 이면을 지지하는 복수의 핀(219)을 갖는다. 핀(219)은 연신 가능한 구성이며, 예를 들어 기판 보유 지지 기구(218)의 본체에 수납 가능하다. 기판 S를 이송할 때는, 핀(219)이 연신되어 관통 구멍(217A)을 관통함과 함께, 기판 S를 보유 지지한다. 그 후, 핀(219)의 선단이 하방으로 이동함으로써, 기판 S는 오목부(217B)에 적재된다. 기판 보유 지지 기구(218)는 일례로서 처리 용기(203)에 고정된다. 기판 보유 지지 기구(218)는 기판 적재 시에 핀(219)을 관통 구멍(217A)에 삽입 가능한 구성이면 되고, 후술하는 내주 볼록부(282)나 외주 볼록부(283)에 고정해도 된다.
회전 테이블(217)은 코어부(221)에 고정된다. 코어부(221)는 회전 테이블(217)의 중심에 마련되고, 회전 테이블(217)을 고정하는 역할을 갖는다. 회전 테이블(217)을 지지하는 구조이므로, 중량에 견딜 수 있도록 금속이 사용된다. 코어부(221)의 하방에는 샤프트(222)가 배치된다. 샤프트(222)는 코어부(221)를 지지한다.
샤프트(222)의 하방은, 처리 용기(203)의 저부에 마련된 구멍(223)을 관통하고, 처리 용기(203) 밖에서 기밀 가능한 용기(204)로 덮여 있다. 또한, 샤프트(222)의 하단은 회전부(224)에 접속된다. 회전부(224)는 회전축이나 모터 등을 탑재하고, 후술하는 제어부로서의 컨트롤러(300)의 지시에 따라 회전 테이블(217)을 회전 가능하게 구성된다. 즉, 컨트롤러(300)가 기판 S 밖의 어떤 점인 코어부(221)를 중심으로 하여, 회전부(224)가 회전 테이블(217)을 회전시킴으로써 제1 처리 영역(206A), 제1 퍼지 영역(207A), 제2 처리 영역(206B) 및 제2 퍼지 영역(207B)의 순으로 기판 S를 순차 통과시킨다.
코어부(221)를 덮도록 석영 커버(225)가 마련된다. 즉, 석영 커버(225)는 코어부(221)와 처리실(201) 사이에 마련되어 있다. 석영 커버(225)는 공간을 사이에 두고 코어부(221)를 덮도록 구성된다. 석영 커버(225)는 기판 S에 대한 금속 오염의 영향이 없도록, 예를 들어, 석영이나 SiC 등의 재료로 형성되어 있다. 코어부(221), 샤프트(222), 회전부(224), 석영 커버(225)를 통합하여 지지부라고 칭한다.
회전 테이블(217)의 하방에는, 가열부로서의 히터(280)를 내포하는 히터 유닛(281)이 배치된다. 히터(280)는 회전 테이블(217)에 적재된 각 기판 S를 가열한다. 히터(280)는 처리 용기(203)의 형상을 따라 원주 형상으로 구성된다.
히터 유닛(281)은 처리 용기(203)의 저부 상에 있고, 처리 용기(203)의 중심 측에 마련된 내주 볼록부(282)와, 히터(280)보다도 외주 측에 배치되는 외주 볼록부(283)와, 히터(280)로 주로 구성되어 있다. 내주 볼록부(282), 히터(280), 외주 볼록부(283)는 동심원 형상으로 배치되어 있다. 내주 볼록부(282)와 외주 볼록부(283) 사이에는 공간(284)이 형성되어 있다. 히터(280)는 공간(284)에 배치된다. 내주 볼록부(282), 외주 볼록부(283)는 처리 용기(203)에 고정되는 것이기도 하므로, 처리 용기(203)의 일부로서 생각해도 된다.
여기서는 원주 형상의 히터(280)로 설명했지만, 기판 S를 가열할 수 있으면 그에 한정되는 것은 아니며, 복수 분할한 구조로 해도 된다. 또한, 회전 테이블(217) 내에, 히터(280)를 내포한 구조로 해도 된다.
내주 볼록부(282)의 상부이며 히터(280) 측에는 플랜지(도시하지 않음)가 형성된다. 창(285)은 플랜지(282A)와 외주 볼록부(283)의 상면에서 지지되어 있다. 창(285)은 히터(280)로부터 발생하는 열을 투과시키는 재질이고, 예를 들어 석영으로 구성되어 있다. 창(285)은 후술하는 배기 구조(286)의 상부(286A)와 내주 볼록부(282)에 의해 끼워짐으로써 고정되어 있다.
히터(280)에는, 히터 제어부(287)가 접속되어 있다. 히터(280)는 후술하는 제어부로서의 컨트롤러(300)에 전기적으로 접속되고, 컨트롤러(300)의 지시에 따라 히터(280)에 대한 전력 공급을 제어하고, 온도 제어를 행한다.
처리 용기(203)의 저부에는, 공간(284)과 연통하는 불활성 가스 공급관(275)이 마련되어 있다. 불활성 가스 공급관(275)은 후술하는 제2 불활성 가스 공급부(270)에 접속되어 있다. 제2 불활성 가스 공급부(270)로부터 공급된 불활성 가스는, 불활성 가스 공급관(275)을 통해 공간(284)에 공급된다. 공간(284)을 불활성 가스 분위기로 함으로써, 처리 가스가 창(285) 부근의 간극 등으로부터 침입하는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다.
외주 볼록부(283)의 외주면과 처리 용기(203)의 내주면 사이에는, 금속제의 배기 구조(286)가 배치되어 있다. 배기 구조(286)는 배기 홈(288)과 배기 버퍼 공간(289)을 갖는다. 배기 홈(288), 배기 버퍼 공간(289)은 처리 용기(203)의 형상을 따라 원주 형상으로 구성되어 있다.
배기 구조(286) 중 외주 볼록부(283)와 접촉하지 않는 개소를 상부(286A)라고 칭한다. 전술한 바와 같이, 상부(286A)는 내주 볼록부(282)와 함께 창(285)을 고정한다.
본 실시 형태와 같은 회전형 기판 처리 장치에 있어서는, 기판 S의 높이와 배기구를 동일한 높이로 하거나, 혹은 높이를 접근시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 기판 S의 높이와 배기구와 동일한 높이로 하거나, 또는 높이를 접근시킴으로써, 배기구 측의 기판 에지에 있어서 난류의 발생을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는 배기 구조(286)의 상단을 회전 테이블(217)과 동일한 높이로 하고 있다. 이 경우, 도 2와 같이 상부(286A)가 창(285)으로부터 비어져 나오는 부분이 되기 때문에, 파티클 확산 방지의 관점에서, 그 비어져 나오는 부분에는 석영 커버(290)를 마련한다. 석영 커버(290)와 상부(286A) 사이에는 공간을 마련한다.
배기 구조(286)의 바닥에는, 제1 배기부로서의 배기구(291), 배기구(292)가 마련되어 있다. 배기구(291)는 제1 처리 영역(206A)에 공급되는 원료 가스와, 그 상류로부터 공급되는 퍼지 가스를 주로 배기한다. 배기구(292)는 처리 영역(206B)에 공급되는 반응 가스와, 그 상류로부터 공급되는 퍼지 가스를 주로 배기한다. 각 가스는 배기 홈(288), 배기 버퍼 공간(289)을 통해 배기구(291), 배기구(292)로부터 배기된다.
다음으로, 도 1 및 도 5를 사용하여 원료 가스 공급부(240)를 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 처리 용기(203)의 측방에는 처리 용기(203)의 중심 방향을 향하여 연장되는 노즐(245)이 삽입되어 있다. 노즐(245)은 제1 처리 영역(206A)에 배치되어 있다. 이 노즐(245)에는, 가스 공급관(241)의 하류 단부가 접속되어 있다. 노즐(245)에 대하여, 상세하게는 후술한다.
가스 공급관(241)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 원료 가스 공급원(242), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로 컨트롤러(MFC)(243), 및 개폐 밸브인 밸브(244)가 마련되어 있다.
원료 가스는, MFC(243), 밸브(244), 가스 공급관(241)을 통해, 노즐(245)로부터 제1 처리 영역(206A) 내에 공급된다.
여기서 말하는 「원료 가스」란, 처리 가스 중 하나이고, 박막 형성 시의 원료가 되는 가스이다. 이 원료 가스는, 박막을 구성하는 원소로서, 예를 들어 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 및 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 또한, 본 실시 형태의 원료 가스는, 본 개시의 성막 재료의 일례이다.
구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 원료 가스는, 예를 들어, 디클로로실란(Si2H2Cl2) 가스이다. 원료 가스의 원료가 상온에서 기체인 경우, MFC(243)는 기체용의 매스 플로 컨트롤러이다.
주로, 가스 공급관(241), MFC(243), 밸브(244), 노즐(245)에 의해, 원료 가스 공급부(제1 가스 공급계, 혹은 원료 가스 공급부라고 칭해도 됨)(240)가 구성된다. 또한, 원료 가스 공급원(242)을 원료 가스 공급부(240)에 포함시켜 생각해도 된다.
다음으로, 도 1 및 도 6을 사용하여 반응 가스 공급부(250)를 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 처리 용기(203)의 측방에는 처리 용기(203)의 중심 방향을 향하여 연장되는 노즐(255)이 삽입되어 있다. 노즐(255)은 제2 처리 영역(206B)에 배치되어 있다.
노즐(255)에는, 가스 공급관(251)의 하류 단부가 접속되어 있다. 가스 공급관(251)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 반응 가스 공급원(252), MFC(253), 및 밸브(254)가 마련되어 있다.
반응 가스는, MFC(253), 밸브(254), 가스 공급관(251)을 통해, 노즐(255)로부터 제2 처리 영역(206B) 내에 공급된다.
여기서 말하는 「반응 가스」란, 처리 가스 중 하나이고, 기판 S 상에 원료 가스에 의해 형성된 제1 층과 반응하는 가스이다. 반응 가스는, 예를 들어 암모니아(NH3) 가스, 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스 및 산소(O2) 가스 중 적어도 어느 하나이다. 여기서는, 반응 가스는, 예를 들어 NH3 가스이다.
주로, 가스 공급관(251), MFC(253), 밸브(254), 노즐(255)에 의해 반응 가스 공급부(제2 가스 공급부)(250)가 구성되어 있다. 또한, 반응 가스 공급원(252)을 반응 가스 공급부(250)에 포함시켜 생각해도 된다.
다음으로, 도 1 및 도 7을 사용하여 제1 불활성 가스 공급부(260)를 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 처리 용기(203)의 측방에는 처리 용기(203)의 중심 방향을 향하여 연장되는 노즐(265), 노즐(266)이 삽입되어 있다. 노즐(265)은 제1 퍼지 영역(207A)에 삽입되는 노즐이다. 노즐(265)은, 예를 들어, 제1 퍼지 영역(207A)의 천장(208A)에 고정되어 있다. 노즐(266)은 제2 퍼지 영역(207B)에 삽입되는 노즐이다. 노즐(266)은, 예를 들어, 제2 퍼지 영역(207B)의 천장(208B)(도시하지 않음)에 고정되어 있다.
노즐(265), 노즐(266)에는, 불활성 가스 공급관(261)의 하류 단부가 접속되어 있다. 불활성 가스 공급관(261)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 불활성 가스 공급원(262), MFC(263), 및 밸브(264)가 마련되어 있다. 불활성 가스는, MFC(263), 밸브(264), 불활성 가스 공급관(261)을 통해, 노즐(265) 및 노즐(266)로부터 제1 퍼지 영역(207A) 내 및 제2 퍼지 영역(207B) 내에 각각 공급된다. 제1 퍼지 영역(207A) 내 및 제2 퍼지 영역(207B) 내에 공급되는 불활성 가스는, 퍼지 가스로서 작용한다.
주로, 불활성 가스 공급관(261), MFC(263), 밸브(264), 노즐(265), 노즐(266)에 의해 제1 불활성 가스 공급부가 구성되어 있다. 또한, 불활성 가스 공급원(262)을 제1 불활성 가스 공급부에 포함시켜 생각해도 된다.
다음으로, 도 2 및 도 8을 사용하여 제2 불활성 가스 공급부(270)를 설명한다. 불활성 가스 공급관(275)에는, 불활성 가스 공급관(271)의 하류 단부가 접속되어 있다. 불활성 가스 공급관(271)에는, 상류 방향으로부터 차례로, 불활성 가스 공급원(272), MFC(273), 및 밸브(274)가 마련되어 있다. 불활성 가스는, MFC(273), 밸브(274), 불활성 가스 공급관(271)을 통해, 불활성 가스 공급관(275)으로부터 공간(284), 용기(204)에 공급된다.
용기(204)에 공급된 불활성 가스는, 회전 테이블(217)과 창(285) 사이의 공간을 통해, 배기 홈(288)으로부터 배기된다. 이러한 구조로 함으로써, 원료 가스나 반응 가스가 회전 테이블(217)과 창(285) 사이의 공간으로 돌아 들어가는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다.
주로, 불활성 가스 공급관(271), MFC(273), 밸브(274), 불활성 가스 공급관(275)에 의해 제2 불활성 가스 공급부(270)가 구성되어 있다. 또한, 불활성 가스 공급원(272)을 제2 불활성 가스 공급부(270)에 포함시켜 생각해도 된다.
여기서 「불활성 가스」는, 예를 들어 질소(N2) 가스, 헬륨(He) 가스, 네온(Ne) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 희가스 중 적어도 어느 하나이다. 여기서는, 불활성 가스는, 예를 들어 N2 가스이다.
도 1, 도 2 및 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 처리 용기(203)에는 배기구(291)와, 배기구(292)가 마련되어 있다. 또한, 회전 테이블(217)에는 배기구(296)가 마련되어 있다.
배기구(291)는 제1 처리 영역(206A)의 회전 방향(회전 테이블(217)의 회전 방향) R의 하류 측의 회전 테이블(217)보다도 외측에 마련되어 있다. 이 배기구(291)는 주로 원료 가스와 불활성 가스를 배기한다. 배기구(291)와 연통하도록, 배기부(234)의 일부인 배기관(234A)이 마련된다. 배기관(234A)에는, 개폐 밸브로서의 밸브(234D), 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(234C)를 통해, 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(234B)가 접속되어 있고, 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성되어 있다.
배기관(234A), 밸브(234D), APC 밸브(234C)를 통합하여 배기부(234)라고 칭한다. 또한, 진공 펌프(234B)를 배기부(234)에 포함시켜도 된다.
배기구(296)를 회전 테이블(217)의 기판 S를 적재하는 오목부(217B)보다도 처리실(201)의 중심 측에 마련하고 있다. 배기구(296)를 마련함으로써, 회전 테이블(217)의 중심 측에 공급된 가스는, 배기구(296)로부터, 회전 테이블(217)의 하측의 공간에 배기된다. 회전 테이블(217)의 하측의 공간에 배기된 가스는, 처리실(201)의 외측에 마련된 배기구(291)를 통해 배기된다. 배기구(296)는 회전 테이블(217)과 창(285) 사이의 공간에 연통하여, 주로 원료 가스와 불활성 가스를 배기한다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 배기구(292)와 연통하도록, 배기부(235)가 마련된다. 배기구(292)는 제2 처리 영역(206B)의 회전 방향 R의 하류 측의 회전 테이블(217)보다도 외측에 마련되어 있다. 주로 반응 가스와 불활성 가스를 배기한다.
배기구(292)와 연통하도록, 배기부(235)의 일부인 배기관(235A)이 마련된다. 배기관(235A)에는, 밸브(235D), APC 밸브(235C)를 통해, 진공 펌프(235B)가 접속되어 있고, 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성되어 있다.
배기관(235A), 밸브(235D), APC 밸브(235C)를 통합하여 배기부(235)라고 칭한다. 또한, 진공 펌프(235B)를 배기부(235)에 포함시켜도 된다.
상기한 바와 같이, 리액터(200)는 적재면(217C)에 부착되는 성막 재료(막)의 상태를 비접촉으로 검출하는 후술하는 검출부(210)를 갖고 있다. 구체적으로는, 검출부(210)는 기판 S의 성막 처리 후에 적재면(217C)에 부착(잔류)되어 있는 성막 재료의 상태(예를 들어, 막 두께 분포나 크랙의 발생 상황 등)를 검출하고 있다. 보다 구체적으로는, 검출부(210)는 적재면(217C)에 부착되는 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 검출하도록 구성되어 있다. 즉, 검출부(210)는 적재면(217C)을 촬영함으로써 막 두께 화상 정보를 얻는 촬영 장치(이하, 적절히 「카메라」라고 칭함)이다. 일례로서, 본 실시 형태에서는, 검출부(210)로서, 하이퍼 스펙트럼 카메라를 사용하고 있지만 본 개시는 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 검출부(210)에 의해 검출되는 막 두께 화상 정보란, 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 화상 정보와 파장 정보를 포함하는 정보이다. 또한, 검출부(210)에 의해 검출된 검출 정보로서의 막 두께 화상 정보는, 후술하는 제어부로서의 컨트롤러(300)에 송신된다.
도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 검출부(210)는 처리실(201)의 외측, 즉, 처리 용기(203)의 외측에 배치되어 있다. 구체적으로는, 검출부(210)는 천장(209)의 상방에 배치되어 있다. 천장(209)에는, 창부(209A)가 마련되어 있다. 이 창부(209A)는 천장(209)에 있어서, 게이트 밸브(205)에 근접하는 위치에 마련되어 있다. 구체적으로는, 천장(209)의 게이트 밸브(205) 측으로부터 처리 용기(203)의 중심 측을 향하여 연장되어 있다. 즉, 창부(209A)는 처리 용기(203)의 직경 방향을 따라 연장되어 있다. 창부(209A)는, 예를 들어, 석영 등으로 구성되어 있다. 이 때문에, 검출부(210)는 창부(209A)를 통해 처리실(201) 내를 촬영할 수 있다.
도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이, 검출부(210)는 회전 테이블(217)의 회전축과 직교하는 방향, 즉, 회전 테이블(217)의 직경 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 구체적으로는, 검출부(210)는 창부(209A)의 연장 방향을 따라 이동 가능하게 구성되어 있다. 여기서, 검출부(210)는 이동 기구(211)에 의해 회전 테이블(217)의 직경 방향으로 이동한다. 이동 기구(211)는 창부(209A)를 사이에 두고 양측에 마련된 한 쌍의 가이드 레일(211A)과, 한 쌍의 가이드 레일(211A)로 가이드되어 이동하는 이동 블록(211B)과, 이동 블록(211B)에 이동력을 부여하는 부여부(211C)를 갖고 있다. 한 쌍의 가이드 레일(211A)의 길이는, 창부(209A)의 길이 보다 길다. 또한, 이동 블록(211B)의 하면에 검출부(210)가 설치되어 있다. 그리고, 부여부(211C)는 이동 블록(211B)을 회전 테이블(217)의 직경 방향으로 이동시키는 전동 액추에이터이고, 컨트롤러(300)에 의해 제어되고 있다. 여기서, 검출부(210)는 이동 기구(211)에 의해 이동하면서 창부(209A)를 통해 적재면(217C)의 막 두께 화상 정보를 검출할 수 있다.
또한, 검출부(210)는 검출 개시 위치(도 9의 위치)로부터 회전 테이블(217)의 회전축을 향하여 이동한다. 여기서, 검출부(210)가 검출 개시 위치에 있을 때, 검출부(210)의 검출 영역 SR(바꾸어 말하면, 촬영 영역)에, 적재면(217C)의 외주부에 있어서 회전 테이블(217)의 직경 방향 외측의 부분이 포함된다(도 10 참조). 바꾸어 말하면, 검출 개시 시에는, 검출부(210)는 검출 영역 SR에 적재면(217C)의 외주부에 있어서 회전 테이블(217)의 직경 방향 외측의 부분이 포함되는 위치에 배치되어 있다. 그리고, 검출부(210)는 회전 테이블(217)의 직경 방향을 따라 이동하고, 검출부(210)가 반환 위치에 있을 때, 검출 영역 SR에 적재면(217C)의 외주부에 있어서 회전 테이블(217)의 직경 방향 내측(중심 측)의 부분이 포함된다(도 10 참조). 바꾸어 말하면, 반환 시에는, 검출부(210)는 검출 영역 SR에 적재면(217C)의 외주부에 있어서 회전 테이블(217)의 직경 방향 내측의 부분이 포함되는 위치에 배치되어 있다.
또한, 검출부(210)는 검출 개시 시에는, 게이트 밸브(205)에 근접하는 위치에 배치되어 있다. 즉, 검출부(210)가 검출 개시 위치에 있을 때, 검출부(210)는 게이트 밸브(205)에 근접하고 있다.
리액터(200)는 각 부의 동작을 제어하는 컨트롤러(300)를 갖고 있다. 컨트롤러(300)는 도 11에 도시된 바와 같이, 연산부(CPU)(301), 일시 기억부로서의 RAM(302), 기억부(303), 송수신부(304)를 적어도 갖는다. 컨트롤러(300)는 송수신부(304)를 통해 기판 처리 장치(100)의 각 구성에 접속되고, 상위 컨트롤러나 사용자의 지시에 따라 기억부(303)로부터 프로그램이나 레시피를 호출하고, 그 내용에 따라 각 구성의 동작을 제어한다. 또한, 컨트롤러(300)는 전용의 컴퓨터로서 구성해도 되고, 범용의 컴퓨터로서 구성해도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리(USB Flash Drive)나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(312)를 준비하고, 외부 기억 장치(312)를 사용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨함으로써, 본 실시 형태에 관한 컨트롤러(300)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(312)를 통해 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해도 되고, 상위 장치(320)로부터 송수신부(311)를 통해 정보를 수신하고, 외부 기억 장치(312)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 키보드나 터치 패널 등의 입출력 장치(313)를 사용하여, 컨트롤러(300)에 지시를 해도 된다. 또한, 입출력 장치(313)에 의해, 본 개시의 메인터넌스 프로그램을 포함하는 프로그램을 편집하고, 편집한 프로그램을 기억부(303)에 기록하도록 구성해도 된다.
또한, 기억부(303)나 외부 기억 장치(312)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 단순히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에 있어서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우에는, 기억부(303) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(312) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
CPU(301)는, 기억부(303)로부터 제어 프로그램(메인터넌스 프로그램 포함함)을 읽어내서 실행함과 함께, 입출력 장치(313)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억부(303)로부터 프로세스 레시피를 읽어내도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(301)는, 읽어낸 프로세스 레시피의 내용에 따르도록, 각 부품을 제어하도록 구성되어 있다.
(기판 처리 공정)
다음으로, 도 12를 사용하여, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 공정에 대하여 설명한다. 도 12는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 공정을 나타내는 흐름도이다. 이하의 설명에 있어서, 기판 처리 장치(100)의 리액터(200)의 구성의 각 부의 동작은, 컨트롤러(300)에 의해 제어된다.
여기서는, 원료 가스로서 Si2H2Cl2 가스를 사용하고, 반응 가스로서 NH3 가스를 사용하여, 기판 S 상에 박막으로서 실리콘 질화(SiN)막을 형성하는 예에 대하여 설명한다.
기판 반입·적재 공정 S110을 설명한다. 리액터(200)에서는, 핀(219)을 상승시키고, 회전 테이블(217)의 관통 구멍(217A)에 핀(219)을 관통시킨다. 그 결과, 핀(219)이 회전 테이블(217) 표면보다도 소정의 높이만큼 돌출된 상태로 된다. 계속해서, 게이트 밸브(205)를 열고, 반송부의 일례로서의 기판 이송기(214)를 사용하여, 도 3과 같이 핀(219) 상에 기판 S를 적재한다. 적재 후, 핀(219)을 하강시켜, 오목부(217B) 상에 기판 S를 적재한다.
그리고, 기판 S가 적재되어 있지 않은 오목부(217B)가 게이트 밸브(205)와 대향하도록, 회전 테이블(217)을 회전시킨다. 그 후, 마찬가지로 오목부(217B)에 기판 S를 적재한다. 모든 오목부(217B)에 기판 S가 적재될 때까지 반복한다.
오목부(217B)에 기판 S를 반입하면, 기판 이송기(214)를 리액터(200) 밖으로 퇴피시키고, 게이트 밸브(205)를 닫아 처리 용기(203) 내를 밀폐한다.
또한, 기판 S를 처리실(201) 내에 반입할 때는, 배기부(234, 235)에 의해 처리실(201) 내를 배기하면서, 제1 불활성 가스 공급부(260)로부터 처리실(201) 내에 불활성 가스로서의 N2 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 처리실(201) 내로의 파티클의 침입이나, 기판 S 상으로의 파티클의 부착을 억제하는 것이 가능하게 된다. 진공 펌프(234B, 235B)는 적어도 기판 반입·적재 공정(S110)으로부터 후술하는 기판 반출 공정(S170)이 종료될 때까지의 동안은, 항상 작동시킨 상태로 한다.
기판 S를 회전 테이블(217)에 적재할 때는, 미리 히터(280)에 전력을 공급하고, 기판 S의 표면이 소정의 온도가 되도록 제어된다. 기판 S의 온도는, 예를 들어 실온 이상 650℃ 이하이고, 바람직하게는 실온 이상이며 400℃ 이하이다. 히터(280)는 적어도 기판 반입·적재 공정(S110)으로부터 후술하는 기판 반출 공정(S170)이 종료될 때까지의 동안은, 항상 통전시킨 상태로 한다.
그와 병행하여, 제2 불활성 가스 공급부(270)로부터 처리 용기(203), 히터 유닛(281)에 불활성 가스가 공급된다. 불활성 가스는, 적어도 기판 반입·적재 공정(S110)으로부터 후술하는 기판 반출 공정(S170)이 종료될 때까지의 동안 공급한다.
회전 테이블 회전 개시 공정 S120을 설명한다. 기판 S가 각 오목부(217B)에 적재되면, 회전부(224)는 컨트롤러(300)에 의해 회전 테이블(217)을 R 방향으로 회전시키도록 제어된다. 회전 테이블(217)을 회전시킴으로써, 기판 S는, 제1 처리 영역(206A), 제1 퍼지 영역(207A), 제2 처리 영역(206B), 제2 퍼지 영역(207B)의 순으로 이동한다.
가스 공급 개시 공정 S130을 설명한다. 기판 S를 가열하여 원하는 온도에 달하고, 회전 테이블(217)이 원하는 회전 속도에 도달하면, 밸브(244)를 열어 제1 처리 영역(206A) 내에 Si2H2Cl2 가스의 공급을 개시한다. 그와 병행하여, 밸브(254)를 열어 제2 처리 영역(206B) 내에 NH3 가스를 공급한다.
이때, Si2H2Cl2 가스의 유량이 소정의 유량이 되도록, MFC(243)를 조정한다. 또한, Si2H2Cl2 가스의 공급 유량은, 예를 들어 50sccm 이상 500sccm 이하이다.
또한, NH3 가스의 유량이 소정의 유량이 되도록, MFC(253)를 조정한다. 또한, NH3 가스의 공급 유량은, 예를 들어 100sccm 이상 5000sccm 이하이다.
또한, 기판 반입·적재 공정 S110 후, 계속하여, 배기부(234, 235)에 의해 처리실(201) 내가 배기됨과 함께, 제1 불활성 가스 공급부(260)로부터 제1 퍼지 영역(207A) 내 및 제2 퍼지 영역(207B) 내에 퍼지 가스로서의 N2 가스가 공급되고 있다. 또한, APC 밸브(234C), APC 밸브(235C)의 밸브 개방도를 적정하게 조정함으로써, 처리실(201) 내의 압력을 소정의 압력으로 한다.
성막 공정 S140을 설명한다. 성막 공정 S140에서는, 각 기판 S는, 제1 처리 영역(206A)에서 실리콘 함유층이 형성되고, 또한 회전 후의 제2 처리 영역(206B)에서, 실리콘 함유층과 NH3 가스가 반응하여, 기판 S 상에 SiN막을 형성한다. 원하는 막 두께가 되도록 회전 테이블(217)을 소정 횟수 회전시킨다.
가스 공급 정지 공정 S150을 설명한다. 소정 횟수 회전시킨 후, 밸브(244) 및 밸브(254)를 닫아, 제1 처리 영역(206A)으로의 Si2H2Cl2 가스의 공급, 제2 처리 영역(206B)으로의 NH3 가스의 공급을 정지한다.
회전 테이블 회전 정지 공정 S160을 설명한다. 가스 공급 정지 공정 S150 후, 회전 테이블(217)의 회전을 정지한다.
기판 반출 공정 S170을 설명한다. 게이트 밸브(205)와 대향하는 위치에 기판 S를 이동시키도록 회전 테이블(217)을 회전시킨다. 그 후, 기판 반입 시와 마찬가지로 핀(219) 상에 기판 S를 지지시킨다. 지지 후 게이트 밸브(205)를 열고, 기판 이송기(214)를 사용하여 기판 S를 처리 용기(203) 밖으로 반출한다. 이를 처리한 기판 S의 매수만큼 반복하여, 모든 기판 S를 반출한다. 반출 후, 제1 불활성 가스 공급부(260), 제2 불활성 가스 공급부(270)에 의한 불활성 가스의 공급을 정지한다.
검출 공정 S180을 설명한다. 검출 공정 S180에서는, 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 상태를 검출한다. 또한, 검출 공정 S180의 상세는, 도 13에 도시한다. 먼저, 검출부(210)를 사용하여 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 상태(막 두께 화상 정보)를 검출한다(스텝 S181). 구체적으로는, 게이트 밸브(205)와 대향하는 위치에 첫 번째의 오목부(217B)를 이동시키도록 회전 테이블(217)을 회전시킨다. 그 후, 회전 테이블(217)을 정지시킨 상태에서, 이동 기구(211)를 동작시켜 검출부(210)를 회전 테이블(217)의 직경 방향으로 이동시킨다. 이 이동에 수반하여 검출부(210)에 의해 첫 번째의 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 연속하여 검출(취득)한다. 검출부(210)가 반환 위치에 도달한 후에는, 회전 테이블(217)을 소정 각도 회전시켜 회전 테이블(217)을 정지시킨다. 그리고, 검출부(210)를 반환 위치로부터 개시 위치까지 이동시키면서 검출부(210)에 의해 첫 번째의 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 연속하여 검출(취득)한다. 이와 같이 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 취득함으로써 정밀도가 높은 성막 재료의 막 두께 분포를 얻을 수 있다. 첫 번째의 오목부(217B)의 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 취득한 후에는, 게이트 밸브(205)와 대향하는 위치에 두 번째의 오목부(217B)를 이동시키도록 회전 테이블(217)을 회전시켜, 두 번째의 오목부(217B)의 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 첫 번째의 오목부(217B)와 마찬가지의 방법으로 취득한다. 컨트롤러(300)가 모든 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 취득한 후에는, 스텝 S182로 이행한다.
다음으로, 스텝 S182에서는, 스텝 S181에서 검출한 막 두께 화상 정보를 해석한다. 구체적으로는, 막 두께 화상 정보 중, 화상 정보로부터 막의 크랙(균열) 발생 또는 균열 발생의 전조를 구한다. 여기서, 균열 발생의 전조는, 성막 재료의 테두리에 미세한 균열이나 주름 등이 발생하고 있는지 여부로 판정한다. 또한, 화상 정보로부터 천장(209)과 적재면(217C) 사이의 거리와 천장(209)과 적재면(217C) 이외의 부분의 거리를 구하여 적재면(217C)의 변형을 구한다. 그리고, 파장 정보로부터 성막 재료의 막 두께 분포를 구한다. 여기서, 적재면(217C)의 변형이란, 적어도 적재면(217C)의 평탄성을 의미한다. 적재면(217C)에 퇴적하는 막은, 적재면(217C) 중, 웨이퍼가 놓여 있지 않은 부분에 두껍게 형성된다. 이에 의해, 적재면(217C)의 웨이퍼가 놓여 있던 부분과, 웨이퍼가 놓여 있지 않았던 부분에서, 높이가 달라, 평탄성이 악화된다. 여기서, 높이란, 적재면(217C)의 표면과 검출부(210) 사이의 거리를 의미한다. 또한, 이러한 적재면(217C)을 클리닝한 경우, 적재면(217C) 내의 막 두께 분포에 의해, 적절하게 클리닝이 행해진 장소와, 과도하게 클리닝이 행해져, 적재면(217C)의 표면이 에칭되어 버리는 장소가 발생한다. 이에 의해, 적재면(217C)의 평탄성이 악화(변형이 발생)되는 과제가 발생한다.
다음으로, 스텝 S182에서 해석한 정보로부터 성막 재료의 막 두께(최댓값)가 소정값을 초과하고 있는지 여부를 판정한다(스텝 S183). 성막 재료의 막 두께가 소정값을 초과하는 경우에는, 스텝 S185로 이행하여 메인터넌스를 실행한다. 한편, 성막 재료의 막 두께가 소정값을 초과하지 않은 경우에는, 스텝 S184로 이행한다.
계속하여 스텝 S182에서 해석한 정보로부터 성막 재료에 균열 발생 또는 균열 발생의 전조가 보이는지 여부를 판정한다(스텝 S184). 성막 재료에 균열 발생 또는 균열 발생의 전조가 보이는 경우에는, 스텝 S185로 이행하여 메인터넌스를 실행한다. 한편, 성막 재료의 막 두께가 소정값을 초과하지 않은 경우에는, 스텝 S186으로 이행한다.
스텝 S185에서는, 적재면(217C)의 메인터넌스를 실행한다. 구체적으로는, 처리실(201) 내에 클리닝 가스가 공급되어, 적재면(217C)에 부착된 성막 재료가 클리닝된다. 또한, 클리닝 가스 공급계에 대해서는 도시 생략하고 있지만, 기설의 각노즐로부터 공급하는 양태로 해도 되고, 전용의 노즐로부터 공급하는 양태로 해도 된다. 적재면(217C)의 클리닝이 종료된 후에는, 스텝 S181로 되돌아가서, 적재면(217C)에 부착되는 성막 재료의 상태를 검출한다. 즉, 스텝 S181로 되돌아감으로써, 적재면(217C)의 메인터넌스가 완료되었는지를 판정한다.
스텝 S186에서는, 스텝 S182에서 해석한 정보로부터 적재면(217C)의 변형이 소정값 이상인지 여부를 판정한다. 적재면(217C)의 변형이 소정값 이상인 경우에는, 스텝 S187로 이행하여, 회전 테이블(217)의 교환을 재촉하는 메시지를 발한다. 그 후, 스텝 S185로 이행하여, 적재면(217C)의 메인터넌스를 실행한다.
그리고, 검출 공정 S180이 종료되고, 기판 처리 공정이 종료된다.
(프로그램)
본 개시의 제1 실시 형태의 프로그램은, 컴퓨터로서의 컨트롤러(300)에, 처리실(201) 내에 마련된 회전 테이블(217)의 적재면(217C) 상에 기판 S를 적재하는 수순과,
처리실(201)에서 기판 S를 성막 처리하는 수순과,
적재면(217C)에 부착되는 성막 재료의 상태를 검출부(210)에 의해 검출하는 수순
을 실행시키는 프로그램이다.
다음으로 본 실시 형태의 작용 효과에 대하여 설명한다.
본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서는, 검출부(210)에 의해 기판 S의 적재면(217C)에 퇴적된 성막 재료의 상태가 검출된다. 이에 의해, 성막 재료의 막 두께 분포의 불균일이나 성막 재료의 박리에 의해, 적재면(217C) 상의 기판 S가 기울거나 하는 것이 억제되어, 기판 S의 처리 균일성이 향상된다.
또한, 성막 재료는, 기판 S의 외주로부터 적재면(217C)과 기판 S 사이로 돌아 들어가기 때문에, 적재면(217C)의 외주부를 검출 영역 SR의 범위 내로 함으로써, 효과적으로 성막 재료(막)의 상태를 검출할 수 있다.
또한, 검출부(210)를 게이트 밸브(205)에 근접시키고 있다. 검출부(210)를 게이트 밸브(205)에 근접시킴으로써, 기판 S를 반출 후, 빠르게 적재면(217C)의 성막 재료의 부착 상태를 검출할 수 있다.
또한, 검출부(210)에 의해 얻어지는 막 두께 화상 정보로부터 적재면(217C)의 막 두께 분포를 구하고, 이 막 두께 분포로부터 기판 이송기(214)의 반입 시의 위치를 조정하는 것이 가능하게 된다. 또한, 막 두께 화상 정보로부터 구해지는 막 두께나 균열 발생 상황에 의해, 적절한 메인터넌스 시기를 설정할 수 있다.
또한, 검출부(210)를 회전 테이블(217)의 직경 방향으로 이동시키면서, 적재면(217C)의 성막 재료 부착 상태를 검출하기 때문에, 하나의 검출부(210)로 정밀도가 좋은 막 두께 화상 정보를 얻을 수 있다.
(기타의 실시 형태)
전술한 실시 형태에서는, 회전 테이블(217)을 정지시킨 상태에서 막 두께 화상 정보를 취득하고 있지만, 본 개시는 이 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 회전 테이블(217)을 회전시킨 상태에서 막 두께 화상 정보를 회전시켜도 된다. 이 경우에는, 검출 공정에 걸리는 시간을 단축시킬 수 있다.
전술한 실시 형태에서는, 검출부(210)가 회전 테이블(217)의 직경 방향으로 이동 가능한 구성으로 하고 있지만, 본 개시는 이 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 검출부(210)가 개시 위치에서 고정되어 있는 구성으로 해도 된다. 또한, 검출부(210)가 고정되어 있는 경우에는, 도 14에 도시된 바와 같이, 검출부(210)를 복수(도 14에서는 2개) 마련해도 된다. 즉, 제1 검출부(210)는 적재면(217C)의 외주부에 있어서 회전 테이블(217)의 외주 측에 위치하는 부분이 검출 영역 SR에 포함되는 위치에 배치되고, 제2 검출부(210)는 적재면(217C)의 외주부에 있어서 회전 테이블(217)의 회전축 측에 위치하는 부분이 검출 영역 SR에 포함되는 위치에 배치되어도 된다.
전술한 실시 형태에서는, 검출부(210)가 회전 테이블(217)의 직경 방향으로 이동하는 구성으로 하고 있지만, 본 개시는 이 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 적재면(217C)의 외주를 따라 검출부(210)가 이동하는 구성이어도 되고, 기타의 이동을 하는 구성이어도 된다. 즉, 적재면(217C)에 부착된 성막 재료의 막 두께 화상 정보를 취득할 수 있으면, 검출부(210)의 이동 형태는 한정되지 않는다.
또한, 기억부에는, 복수의 메인터넌스 프로그램을 기록해 두고, 적재면(217C)의 막 두께 화상 정보로부터 구한 적재면 상의 막의 막 두께에 따라, 복수의 메인터넌스 프로그램 중에서, 최적의 메인터넌스 프로그램을 선택하고, 선택한 메인터넌스 프로그램을 실행하도록 구성해도 된다. 예를 들어, 적재면(217C) 상에 형성된 막의 두께에 비례한 메인터넌스 시간을 설정한 메인터넌스 프로그램을 복수 준비해 두고, 막 두께가, 미리 설정한 설정값을 초과하는 경우에, 기억부로부터 대응하는 메인터넌스 프로그램을 읽어내서 실행한다. 이와 같이 구성함으로써, 메인터넌스 시간을 최적화할 수 있어, 기판 처리 장치의 정지 시간(메인터넌스 시간)을 단축시킬 수 있다. 이에 의해, 반도체 디바이스의 제조 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 원료 가스로서 Si2H2Cl2 가스를 사용하고, 반응 가스로서 NH3 가스를 사용하고, 기판 S 상에 질화막으로서 SiN막을 형성하는 경우에 대하여 설명했지만, 원료 가스로서, SiH4, Si2H6, Si3H8, 아미노실란, TSA 가스를 사용해도 된다. 반응 가스로서 O2 가스를 사용하고, 산화막을 형성해도 된다. TaN, TiN 등의 기타 질화막, HfO, ZrO, SiO 등의 산화막, Ru, Ni, W 등의 메탈막을 기판 S 상에 형성해도 된다. 또한, TiN막 또는 TiO막을 형성하는 경우, 원료 가스로서는, 예를 들어 테트라클로로티타늄(TiCl4) 등을 사용할 수 있다.
이상, 본 개시의 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 본 개시는 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경 가능하다. 예를 들어, 컨트롤러(300)는 기판 S의 반입 시에 적재면(217C)에 퇴적된 성막 재료의 막 두께 화상 정보로부터 적재면(217C)에 대한 기판 S의 위치 어긋남을 검출한 경우, 기판 S의 반송을 재시도시키도록 기판 이송기(214)를 제어해도 된다. 이에 의해 기판 S의 위치 어긋남에 의한, 막 두께 분포의 변형 패턴을 억제할 수 있다.
100: 기판 처리 장치
201: 처리실
209A: 창부
210: 검출부
214: 기판 이송기(반송부)
217: 회전 테이블(기판 지지부)
300: 컨트롤러(제어부)
S: 기판

Claims (20)

  1. 기판을 성막 처리하는 처리실과,
    상기 처리실 내에 마련되고, 또한 상기 기판이 적재되는 복수의 적재면을 갖는 기판 지지부와,
    상기 처리실의 외측 또는 내측에 배치되고, 상기 적재면에 부착되는 성막 재료의 상태를 비접촉으로 검출하는 검출부
    를 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 적재면의 외주부가 검출 영역에 포함되는 위치에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 처리실의 기판 반출구에 근접하는 위치에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 검출부를 제어하는 것이 가능한 제어부를 갖고,
    상기 검출부는, 상기 적재면에 부착되는 상기 성막 재료의 막 퇴적 화상 정보를 검출하고, 상기 제어부에 송신하는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항의 기판 처리 장치로서,
    상기 기판 지지부를 상기 처리실 내에서 회전시키는 회전부를 갖고,
    복수의 상기 적재면이 상기 기판 지지부의 회전 방향으로 간격을 두고 배치되어 있는
    기판 처리 장치로서,
    상기 제어부에 의해 제어되는 것이 가능하며, 상기 기판을 반송하는 반송부를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 적재면의 화상 정보로부터 상기 적재면에 대한 상기 기판의 위치 어긋남을 검출하면, 상기 기판의 반송을 재시도시키도록 상기 반송부를 제어하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 회전부에 의한 상기 기판 지지부의 회전을 멈춘 상태에서, 상기 검출부에 의해 상기 적재면의 막 퇴적 화상 정보와 상기 적재면 이외의 부분의 막 퇴적 화상 정보를 얻는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 적재면의 막 퇴적 화상 정보 및 상기 적재면 이외의 부분의 막 퇴적 화상 정보 중 적어도 하나의 정보에 기초하여, 상기 기판 지지부의 메인터넌스 시기를 결정하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    복수의 상기 검출부를 구비하고,
    제1 상기 검출부는, 상기 적재면의 외주부에 있어서 상기 기판 지지부의 외주 측에 위치하는 부분이 검출 영역에 포함되는 위치에 배치되고,
    제2 상기 검출부는, 상기 적재면의 외주부에 있어서 상기 기판 지지부의 회전축 측에 위치하는 부분이 검출 영역에 포함되는 위치에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 기판 지지부의 회전축과 직교하는 방향으로 이동 가능하게 되고, 상기 적재면 상을 상기 직교하는 방향으로 이동하면서 상기 적재면의 막 퇴적 화상 정보를 검출하는, 기판 처리 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 적재면의 막 두께 화상 정보에 의해 성막 재료에 크랙을 검출한 경우, 상기 기판 지지부의 메인터넌스를 행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  11. 제4항에 있어서,
    복수의 메인터넌스 프로그램이 기록된 기억부를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 적재면의 막 두께 화상 정보로부터 구한 상기 적재면 상의 성막 재료의 막 두께가 미리 설정한 설정값을 초과하는 경우, 상기 기억부로부터 대응하는 메인터넌스 프로그램을 읽어내서, 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 메인터넌스 프로그램을 표시, 편집하는 것이 가능한 입출력 장치를 더 갖는, 기판 처리 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 적재면의 메인터넌스 후에 상기 검출부로부터 상기 적재면의 막 퇴적 화상 정보를 취득하여, 메인터넌스가 완료되었는지 판정하는, 기판 처리 장치.
  14. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는, 복수의 상기 적재면의 막 퇴적 화상 정보로부터 각각의 상기 적재면과 상기 검출부 사이의 거리를 구함으로써, 각각의 상기 적재면의 변형을 산출하는, 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제어부는, 적어도 하나의 상기 적재면의 변형이 소정값 이상이 된 경우, 상기 기판 지지부의 교환을 재촉하는 메시지를 발하는, 기판 처리 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제어부는, 적어도 하나의 상기 적재면의 변형이 소정값 이상이 된 경우, 상기 적재면을 클리닝하고, 클리닝 후에, 복수의 상기 적재면의 막 두께 화상 정보를 취득하여, 각각의 상기 적재면의 변형을 도출하는, 기판 처리 장치.
  17. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 회전부의 제어에 의해 상기 기판 지지부를 회전시킨 상태에서 상기 적재면의 막 퇴적 화상 정보를 연속하여 취득하는, 기판 처리 장치.
  18. 제5항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 기판 지지부의 회전 방향과 동일한 방향으로 회전 이동, 또는 상기 기판 지지부의 회전축과 직교하는 방향으로 이동 가능하게 되고,
    상기 제어부는, 상기 검출부를 이동시킨 상태에서 상기 적재면의 막 두께 화상 정보를 연속하여 취득하는, 기판 처리 장치.
  19. 처리실 내에 마련된 기판 지지부가 갖는 복수의 적재면 상에 기판을 적재하는 공정과,
    상기 처리실에서 상기 기판을 성막 처리하는 공정과,
    상기 적재면에 부착되는 성막 재료의 상태를 검출부에 의해 검출하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 처리실 내에 마련된 기판 지지부가 갖는 복수의 적재면 상에 기판을 적재하는 수순과,
    상기 처리실에서 상기 기판을 성막 처리하는 수순과,
    상기 적재면에 부착되는 성막 재료의 상태를 검출부에 의해 검출하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021044419A (ja) 2019-09-12 2021-03-18 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6229130A (ja) * 1985-07-30 1987-02-07 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの異物除去方式
JP3535785B2 (ja) 1999-11-26 2004-06-07 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法
JP6229130B2 (ja) 2013-10-08 2017-11-15 国立大学法人富山大学 鋳造用アルミニウム合金及びそれを用いた鋳物
JP6911705B2 (ja) * 2017-10-27 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜装置の運転方法
JP7042689B2 (ja) 2018-05-23 2022-03-28 東京エレクトロン株式会社 サセプタのドライクリーニング方法及び基板処理装置
JP7134033B2 (ja) * 2018-09-06 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板状態判定装置、基板処理装置、モデル作成装置及び基板状態判定方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021044419A (ja) 2019-09-12 2021-03-18 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体

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