KR20230036835A - 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 - Google Patents
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Abstract
(A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 제1 용매 및 제2 용매를 포함하는 용매를 포함하고, 상기 제1 용매는 감마부티로락톤이고, 상기 제2 용매는 상기 제1 용매와 상이한 구조의 화합물을 포함하고, 상기 제2 용매는 상기 제1 용매 및 제2 용매 총량에 대해 3 중량부 내지 10 중량부로 포함되고, 상기 제2 용매는 하기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물 및/또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자소자가 제공된다.
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)
Description
본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자에 관한 것이다.
종래부터 디스플레이 장치 패널의 소재나 반도체 장치에 사용되는 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성, 전기 특성, 기계 특성 등을 겸비하는 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지 등이 널리 사용되고 있다. 이들 수지는, 각종 용제에 대한 용해성이 낮기 때문에, 일반적으로 전구체의 형태로 용제에 용해시킨 조성물로서 제공되는 경우가 많다.
그런데, 최근의 환경 문제의 고조 등으로부터 탈유기 용제 대책이 요구되고 있으며, 포토레지스트와 동일하게, 알칼리성 수용액으로 현상 가능한 내열성 감광성 수지 재료의 제안이 이루어지고 있다.
그 중에서도, 가열 경화 후에 내열성 수지가 되는 알칼리성 수용액 가용성의 폴리아믹산 수지 또는 폴리하이드록시아마이드 수지를 나프토퀴논디아지드 화합물 등의 광산 발생제와 혼합한 감광성 수지 조성물로서 사용하는 방법이 제안되어 있다.
이러한 알칼리 가용성 수지는 고점도의 후막 재료인데, 공정 중 결함을 제어하기 위해 필터를 사용할 경우, 상기 알칼리 가용성 수지의 고점도 특성으로 인해 필터 포어 사이즈를 줄이는 데 한계가 있어, 상기 알칼리 가용성 수지의 용해도를 향상시킬 수 있는 방법들에 대한 연구가 끊임없이 계속되고 있다.
일 구현예는 특정 조성을 가지는 용매를 사용하여, 점도가 높은 알칼리 가용성 수지의 용해도를향상시킬 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 제1 용매 및 제2 용매를 포함하는 용매를 포함하고, 상기 제1 용매는 감마부티로락톤이고, 상기 제2 용매는 상기 제1 용매와 상이한 구조의 화합물을 포함하고, 상기 제2 용매는 상기 제1 용매 및 제2 용매 총량에 대해 3 중량% 내지 10 중량%로 포함되는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
상기 제2 용매는 하기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물 및/또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
X1은 탄소 원자 또는 황 원자이고,
X2는 *-CR1R2-* 또는 *-NR3-*(여기서, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기임)이고,
X3은 산소 원자 또는 황 원자이고,
X4 및 X5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이고,
m은 1 내지 5의 정수이다.
상기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서,
Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
상기 화학식 2-1에서,
Rd는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리아믹산 수지 또는 폴리하이드록시아마이드 수지를 포함할 수 있다. 상기 폴리아믹산 수지 또는 폴리하이드록시아마이드 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
Y1과 Y4은 디아민 단량체로부터 유도된 잔기이고,
Y2는 다이언하이드라이드 단량체로부터 유도된 잔기이고,
Y3는 다이에시드로부터 유도된 잔기이고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기이다.
상기 화학식 3에서, 다이에시드 유도체는 4,4'-옥시비스벤조일클로라이드(4,4'-Oxybisbenzoyl chloride)나 4,4'-옥시비스벤조익에시드(4,4'-Oxybisbenzoic acid)의 유도체일 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 50 중량부 포함하고, 상기 용매를 100 중량부 내지 300 중량부 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 계면활성제, 실란커플링제, 용해조절제, 에폭시화합물, 경화제, 빛산 발생제, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 특정 조성을 가지는 용매를 사용하여, 고점도의 알칼리 가용성 수지의 용해도 향상을 꾀할 수 있다.
도 1은 용해도 평가방법의 원리를 설명한 그림이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C7 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C7 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합, 교대 공중합 또는 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체, 교대 공중합체 또는 랜덤 공중합체를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소원자간의 다중결합뿐만 아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.
본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "＊"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 제1 용매 및 제2 용매를 포함하는 용매를 포함하고, 상기 제1 용매는 감마부티로락톤이고, 상기 제2 용매는 상기 제1 용매와 상이한 구조의 화합물을 포함하고, 상기 제2 용매는 상기 제1 용매 및 제2 용매 총량에 대해 3 중량% 내지 10 중량%로 포함된다.
일반적으로 감광성 수지 조성물에 사용되는 알칼리 가용성 수지는 반도체나 디스플레이 장치에서 보호막이나 절연층 등의 패키징 소재로 패시베이션, 절연, 알파선 차단(alpha-ray shield) 등의 기능을 수행하며, 상기 감광성 수지 조성물을 코팅하고 UV 노광 후, 현상 및 경화하여 적용하고 있다. 감광성 수지 조성물에 사용되는 알칼리 가용성 수지는 다이언하이드라이드 단량체나 다이에시드의 유도체와 디아민 단량체의 중합반응에 의해 제조되는데, 상기 다이언하이드라이드 단량체 또는 다이에시드의 유도체로부터 발생되는 부산물이 상기 중합반응 중에 배출되어, 알칼리 가용성 수지의 용해도를 저하시켜 문제가 되고 있다. 이에 종래에는 알칼리 가용성 수지의 비율을 조정하거나 자체의 구조를 변경하거나 다른 첨가제 등을 추가하는 시도를 통해 알칼리 가용성 수지의 용해도 개선을 꾀하려 했는데, 본원 발명자들은 종래 시도되었던 수단들과 상이하게, 용매의 조성을 변경하는 것만으로, 상기 부산물이 배출되는 구조를 가지는 알칼리 가용성 수지를 사용하더라도, 상기 알칼리 가용성 수지의 용해도를 향상시킬 수 있음을 확인하고, 본원 발명을 완성하기에 이르렀다.
이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
(C) 용매
상기 감광성 수지 조성물은 서로 상이한 구조를 가지는 2종의 용매, 즉 제1 용매 및 제2 용매를 포함한다. 구체적으로 상기 제1 용매는 감마부티로락톤이고, 상기 제2 용매는 상기 감마부티로락톤과 상이한 구조를 가지는 화합물을 포함하며, 이 때 상기 제2 용매는 상기 제1 용매 및 제2 용매 총량에 대해 3 중량% 내지 10 중량%로 포함된다.
종래에도 감마부티로락톤 및 이와 상이한 구조를 가지는 다른 용매를 함께 사용하는 구성을 채용하려는 시도가 있기는 했으나, 대부분 용매 총량에 대한 상기 감마부티로락톤이 아닌 다른 구조의 용매의 상대적 함량이 너무 높았으며, 이러한 용매 조성을 통해 알칼리 가용성 수지, 특히 다이언하이드라이드 단량체 또는 다이에시드의 유도체로부터 부산물이 발생될 수 밖에 없는 구조를 가지는 알칼리 가용성 수지의 용해도를 향상시킬 수 있음에 대해서는 연구되거나 고려된 바가 없다.
상기 제2 용매가 상기 제1 용매 및 제2 용매 총량에 대해 3 중량% 미만으로 포함될 경우에는 상기 제2 용매의 함량이 너무 적어 알칼리 가용성 수지의 부산물에 대한 용해도 저하 문제가 발생할 수 밖에 없으며, 상기 제2 용매가 상기 제1 용매 및 제2 용매 총량에 대해 10 중량% 초과로 포함될 경우에는 두께 증가나 언코팅이나 미스코팅 등으로 인한 공정성 저하 문제가 발생할 수 밖에 없다.
예컨대, 상기 제2 용매는 하기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물 및/또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
X1은 탄소 원자 또는 황 원자이고,
X2는 *-CR1R2-* 또는 *-NR3-*(여기서, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기임)이고,
X3은 산소 원자 또는 황 원자이고,
X4 및 X5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이고,
m은 1 내지 5의 정수이다.
예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물은 사슬형 구조의 화합물일 수도 있고, 고리형 구조의 화합물일 수도 있다.
예컨대, 상기 사슬형 구조의 화합물은 하기 화학식 1A 또는 화학식 1B로 표시될 수 있다.
[화학식 1A]
[화학식 1B]
상기 화학식 1A 및 화학식 1B에서,
X1은 탄소 원자 또는 황 원자이고,
R6 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
예컨대, 상기 고리형 구조의 화합물은 하기 화학식 1C로 표시될 수 있다.
[화학식 1C]
상기 화학식 1C에서,
X1은 탄소 원자 또는 황 원자이고,
R6는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서,
Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
예컨대, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 2-1]
상기 화학식 2-1에서,
Rd는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
상기 용매는 전술한 제1 용매 및 제2 용매 외에도, 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 또다른 종류의 용매를 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 내지 300 중량부로, 예컨대 100 중량부 내지 250 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 너무 얇지도 너무 두껍지도 않은 적절한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수할 수 있다.
(A) 알칼리 가용성 수지
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 사용되는 알칼리 가용성 수지로는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체(폴리아믹산 수지), 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, (메타)아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합 등이 있고, 구체적으로는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체(폴리아믹산 수지) 또는 이들의 조합을 알칼리 가용성 수지로 사용할 수 있으나, 알칼리 가용성 수지의 종류가 반드시 이에 한정되어야만 하는 것은 아니다.
예컨대, 상기 알칼리 가용성 수지는 폴리아믹산 전구체 수지 또는 폴리벤조옥사졸 전구체 수지일 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다. 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함함으로써 고온경화 시 레진 경화가 신속하게 이루어져, 열적 특성을 향상시킬 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
Y1과 Y4은 디아민 단량체로부터 유도된 잔기이고,
Y2는 다이언하이드라이드 단량체로부터 유도된 잔기이고,
Y3는 다이에시드로부터 유도된 잔기이고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기이다.
예컨대, 상기 화학식 3에서, 다이에시드 유도체는 4,4'-옥시비스벤조일클로라이드(4,4'-Oxybisbenzoyl chloride)나 4,4'-옥시비스벤조익에시드(4,4'-Oxybisbenzoic acid)의 유도체일 수 있다.
즉, 상기 화학식 3에서, Y1이 4,4'-옥시비스벤조익에시드(4,4′bisbenzoic acid)로부터 유도된 잔기인 경우, 이로부터 제조된 알칼리 가용성 수지는 상기 4,4'-옥시비스벤조익에시드(4,4′bisbenzoic acid)의 구조로부터 유래된, 하기 화학식 4로 표시되는 부산물을 감광성 수지 조성물 내에 배출하게 되고, 이는 알칼리 가용성 수지의 용해도 저하의 큰 원인이 된다.
[화학식 4]
예컨대, 상기 화학식 4로 표시되는 부산물은 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 5ppm 이상,예컨대 5ppm 내지 5,000ppm으로 포함될 수 있다.
종래에는 상기 화학식 4로 표시되는 부산물이 생성되지 않도록 하기 위해 다이에시드 단량체의 구조를 변형하거나, 투입 비율이나 순서 변경, 새로운 첨가제 등을 추가하는 등의 방법을 사용하려 했는데, 다이에시드 단량체의 구조 변형 시 알칼리 가용성 수지의 구조도 변하여 용해도가 더 저하되거나 또는 용해도 이외의 다른 문제(공정성 등)가 발생하였고, 비율이나 순서 변경 시 분자량이 변하는 문제가 생기며, 새로운 첨가제 추가 시에도 용해도 개선 효과가 미미하거나 조액이 잘 되지 않는 등의 문제가 발생하였다.
그러나, 일 구현예에 따르면 전술한 용매 조성을 통해 상기 화학식 4로 표시되는 부산물이 감광성 수지 조성물 내에 생성되더라도, 상기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지의 용해도를 개선시킬 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000g/mol 내지 300,000g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지의 중량평균분자량이 상기 범위인 경우, 충분한 물성이 얻어질 수 있으며, 유기 용매에 대한 용해성이 우수하여 취급이 용이하다.
한편, 상기 다이언하이드라이드 단량체로는 하기 화학식 5로 표시되는 단량체, 하기 화학식 6으로표시되는 단량체, 하기 화학식 7로 표시되는 단량체, 부탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드
(butanetetracarboxylic dianhydride), 펜탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드 (pentanetetracarboxylic dianhydride), 헥산테트라카르복실릭 다이언하이드라이드 (hexanetetracarboxylic dianhydride), 시클로펜탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드 (cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 바이시클로펜탄테트라카르복실릭 다이언하이드라이드 (bicyclohexanetetracarboxylic dianhydride), 시클로프로판테트라카르복실릭 다이언하이드라이드 (cyclopropanetetracarboxylic dianhydride), 메틸시클로헥산테트라카르복실릭 디이언하이드라이드
(methylcyclohexanetetracarboxylic dianhydride), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride), 피로멜리틱 다이언하이드라이드(pyromellitic dianhydride), 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(3,4,9,10-perylenetetracaboxylicdianhydride), 4,4-술포닐디프탈릭 다이언하이드라이드(4,4-sulfonyldiphthalic dianhydride), 3,3',4,4'-바이페닐 테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(1,2,5,6-naphthalenetetracaboxylic dianhydride), 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(2,3,6,7-naphthalenetetracaboxylic dianhydride), 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(1,4,5,8-naphthalene tetracaboxylic dianhydride), 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(2,3,5,6-pyridinetetracaboxylic dianhydride), m-터페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(m-terphenyl-3,3',4,4'-tetracaboxylic dianhydride), p-터페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(p-terphenyl-3,3',4,4'-tetracaboxylic dianhydride), 4,4-옥시디프탈릭다이
언하이드라이드(4,4-oxydiphthalic dianhydride), 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(2,3-디카르복시페녹시)페닐프로판다이언하이드라이드(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (2,3-dicarboxyphenoxy)phenylpropanedianhydride), 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3,4-디카르복시페녹시)페닐프로판다이언하이드라이드(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)phenylpropane dianhydride), 2,2-비스[4-(2,3-디카르복시페녹시)페닐]프로판 다이언하이드라이드(2,2-bis[4-(2,3-dicarboxyphenoxy)phenyl]propanedianhydride), 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 다이언하이드라이드(2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride), 1,1,1,3,3,3,-헥사플루오로-2,2-비스[4-(2,3-디카르복시페녹시)페닐]프로판 다이언하이드라이드(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis[4-(2,3-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride) 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 다이언하이드라이드(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride) 등을 들 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 Y2는 상기 다이언하이드라이드 단량체의 산이무수물로부터 유도된 4가의 작용기일 수 있다.
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
예컨대, 상기 알칼리 가용성 수지는 양 말단 중 적어도 하나 이상에 하기 화학식 9 내지 화학식 13-1로 표시되는 중합성 관능기를 더 포함할 수 있고, 상기 중합성 관능기는 공정 중 가교될 수 있다.
[화학식 9]
[화학식 9-1]
(상기 화학식 9 및 화학식 9-1에서, R16은 H, CH2COOH 또는 CH2CHCHCH3이다.)
[화학식 10]
[화학식 10-1]
(상기 화학식 10 및 화학식 10-1에서, R17 및 R18은 각각 독립적으로 H 또는 CH3이다.)
[화학식 11]
[화학식 11-1]
[화학식 12]
[화학식 12-1]
(상기 화학식 12 및 화학식 12-1에서, R19는 H 또는 CH3이고, R20은 *-CH2-* 또는 산소 원자이다.)
[화학식 13]
[화학식 13-1]
(상기 화학식 13 및 화학식 13-1에서, R21 및 R22는 각각 독립적으로, H, CH3 또는 OCOCH3이다.)
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물
상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 71 및 하기 화학식 73 내지 화학식 75로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 71]
상기 화학식 71에서,
R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,
D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 72a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 72b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,
n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.
[화학식 72a]
[화학식 72b]
[화학식 73]
상기 화학식 73에서,
R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,
D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 71에서 정의된 것과 동일하고,
n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.
[화학식 74]
상기 화학식 74에서,
A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,
D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 71에서 정의된 것과 동일하고,
n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,
n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,
단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.
[화학식 75]
상기 화학식 75에서,
R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,
n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,
Q는 상기 화학식 71에서 정의된 것과 동일하다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상 시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
(D) 기타 첨가제
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 다이에시드(예컨대 말론산 등), 알카놀아민(예컨대 3-아미노-1,2-프로판디올 등), 계면활성제, 실란커플링제, 용해조절제, 에폭시 화합물, 경화제, 빛산 발생제, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.
예컨대, 상기 실란커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다.
상기 실란커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 실란커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수할 수 있다.
예컨대, 상기 계면활성제는 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있다.
상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이닛폰잉키가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 메카팩 F 172®, 메카팩 F 173®, 메카팩 F 183®, 메카팩 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 프로라드 FC-170C®, 프로라드 FC-430®, 프로라드 FC-431® 등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 사프론 S-113®, 사프론 S-131®, 사프론 S-141®, 사프론 S-145® 등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, SH-190®, SH-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.
상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325, BYK-378 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.
상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, ITO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수할 수 있다.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.
상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성, 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 용해 조절제를 더 포함할 수 있다. 상기 용해조절제는 알칼리 수용액으로 현상 시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시키며, 고해상도로 패터닝할 수 있도록 돕는다. 예컨대, 상기 용해조절제로 페놀계 호합물, 구체적으로 레조르시놀계 화합물을 사용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 용해 조절제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 약 50 중량부로 사용되는 것이 바람직할 수 있다. 상기 용해 조절제의 함량이 상기 범위일 때는 현상 시 감도 저하를 유발하지 않고, 비노광부의 용해 속도를 적당하게 증가시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 냉동보관 시 석출이 일어나지 않아 우수한 보관안정성을 나타낼 수 있어 바람직하다.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다.
다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.
상기 감광성 수지막 제조 방법은 다음과 같다.
(1) 도포 및 도막 형성 단계
상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판, Si wafer, SiNx wafer 등의 기판 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.
(2) 노광 단계
상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200nm 내지 500nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.
노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500mJ/cm2(365nm 센서에 의함) 이하이다.
(3) 현상 단계
현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 노광부를 현상액을 이용하여 용해, 제거함으로써 비노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 얻는다.
(4) 후처리 단계
상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 350℃의 오븐에서 질소분위기로 1시간 동안 가열할 수 있다.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자소자를 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예)
(알칼리 가용성 수지 합성)
제조예 1
교반기, 온도 조절장치, 질소가스 주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 Bis-APAF(2,2-Bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane) 216g을 NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone) 690g에 용해시켰다. 이후 Pyridine 83g을 투입하고 온도를 3°C 이하로 수행하고 ODBC(4,4'-Oxybisbenzochloride) 154g을 NMP 630g에 녹인 용액을 40분 동안 적가 투입하고 4시간 교반시켰다. 이후 온도를 상온으로 변경하여 NBDA(5-Norbornene-2,3-dicarboxylic Anhydride) 25g을 넣고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 반응 혼합물을 물/메탄올=10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량평균분자량이 11,300g/mol인 폴리벤조옥사졸 전구체를 제조하였다.
(감광성 수지 조성물 제조)
실시예 1
상기 제조예 1의 알칼리 가용성 수지 30g을 용매(감마부티로락톤 및 화학식 1-1로 표시되는 화합물이 97:3의 중량비로 혼합) 53g에 첨가하여 용해시킨 후, 감광성 디아조퀴논 화합물인 4-나프토퀴논디아지드(4-NQD) 감광제 4.5g, 용해조절제인 4-부틸레조르시놀(4-Butylresorcinol) 3.0g, 실란커플링제(KBM-573; 신에츠) 0.6g, 실리콘계 계면활성제(BYK-378; BYK Chem) 0.01g, 경화제(PD1174) 3.0g을 넣고 용해한 후, 0.45㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 1-1]
실시예 2
감마부티로락톤 및 화학식 1-1로 표시되는 화합물이 95:5의 중량비로 혼합된 용매를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 3
감마부티로락톤 및 화학식 1-1로 표시되는 화합물이 90:10의 중량비로 혼합된 용매를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 4
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 5
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 하였다.
실시예 6
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 하였다.
실시예 7
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 8
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 하였다.
실시예 9
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 하였다.
실시예 10
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 11
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 하였다.
실시예 12
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 하였다.
실시예 13
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-4로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 14
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-4로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 하였다.
실시예 15
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-4로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 하였다.
비교예 1
감마부티로락톤 및 화학식 1-1로 표시되는 화합물이 98:2의 중량비로 혼합된 용매를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 2
감마부티로락톤 및 화학식 1-1로 표시되는 화합물이 89:11의 중량비로 혼합된 용매를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 3
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일하게 하였다.
비교예 4
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2와 동일하게 하였다.
비교예 5
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일하게 하였다.
비교예 6
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2와 동일하게 하였다.
비교예 7
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일하게 하였다.
비교예 8
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2와 동일하게 하였다.
비교예 9
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-4로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일하게 하였다.
비교예 10
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 화학식 1-4로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2와 동일하게 하였다.
비교예 11
감마부티로락톤을 단독 용매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 12
화학식 1-1로 표시되는 화합물을 단독 용매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 13
화학식 2-1로 표시되는 화합물을 단독 용매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 14
화학식 1-2로 표시되는 화합물을 단독 용매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 15
화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 단독 용매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 16
화학식 1-4로 표시되는 화합물을 단독 용매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 17
화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신 하기 화학식 C-1로 표시되는 화합물을 용매로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.
[화학식 C-1]
평가 1: 용해도 평가
실시예 1 내지 실시예 15 및 비교예 1 내지 비교예 17에 따른 감광성 수지 조성물을 PSA(Particle Size Analyzer)를 통해 ACF(Auto Correlation Function)을 확인하였으며, 원리는 도 1과 같다. 불용성 입자가 있을 경우 주사된 빛이 투과하여 나올 때까지 시간이 길어지는 것을 이용하였고, 평가결과를 하기 표 1에 나타내었다.
평가 2: Defect 평가
실시예 1 내지 실시예 15 및 비교예 1 내지 비교예 17에 따른 감광성 수지 조성물을 8인치 웨이퍼에 스핀코팅 후 120°C에서 4분간 가열하여 두께 10μm의 막을 형성하였다. 이후 KLA社 SP1 설비로 5장의 웨이퍼를 측정하여 1μm size 이상의 SOB(소프트베이킹 또는 프리베이킹) 후 Defect을 확인하고 두께 10μm의 웨이퍼를 별도 제작 후 TMAH 2.38 wt%의 용액에 100초(50초씩 Double Puddle) 현상한 후 SP1 설비로 5장의 웨이퍼를 측정하여 1μm size 이상의 Dev.(현상) 후 Defect을 확인하고 Defect을 계측하였고, 평가결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 용해도@ACF(uSec) | SOB후 Defect(ea/wafer) | Dev.후 Defect(ea/wafer) | |
| 실시예 1 | 10 | 5 | 5 |
| 실시예 2 | 11 | 5 | 3 |
| 실시예 3 | 11 | 3 | 3 |
| 실시예 4 | 10 | 3 | 3 |
| 실시예 5 | 10 | 3 | 3 |
| 실시예 6 | 11 | 3 | 3 |
| 실시예 7 | 10 | 5 | 5 |
| 실시예 8 | 10 | 3 | 3 |
| 실시예 9 | 10 | 3 | 3 |
| 실시예 10 | 11 | 5 | 5 |
| 실시예 11 | 10 | 3 | 3 |
| 실시예 12 | 11 | 3 | 3 |
| 실시예 13 | 10 | 5 | 5 |
| 실시예 14 | 10 | 3 | 3 |
| 실시예 15 | 10 | 3 | 3 |
| 비교예 1 | 70,000 | 50 | 52 |
| 비교예 2 | 70,000 | 60 | 60 |
| 비교예 3 | 70,000 | 60 | 55 |
| 비교예 4 | 80,000 | 55 | 52 |
| 비교예 5 | 80,000 | 62 | 68 |
| 비교예 6 | 80,000 | 55 | 58 |
| 비교예 7 | 70,000 | 65 | 68 |
| 비교예 8 | 80,000 | 55 | 60 |
| 비교예 9 | 80,000 | 62 | 66 |
| 비교예 10 | 100,000 | 68 | 56 |
| 비교예 11 | 100,000 | 55 | 60 |
| 비교예 12 | 100,000 | 64 | 7 |
| 비교예 13 | 100,000 | 66 | 67 |
| 비교예 14 | 70,000 | 64 | 65 |
| 비교예 15 | 70,000 | 64 | 62 |
| 비교예 16 | 80,000 | 55 | 58 |
| 비교예 17 | 80,000 | 52 | 55 |
상기 표 1을 통하여, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 특정 조성의 용매를 사용함으로써, 알칼리 가용성 수지의 용해도를 크게 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (10)
- (A) 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물;
(C) 제1 용매 및 제2 용매를 포함하는 용매
를 포함하고,
상기 제1 용매는 감마부티로락톤이고,
상기 제2 용매는 상기 제1 용매와 상이한 구조의 화합물을 포함하고,
상기 제2 용매는 상기 제1 용매 및 제2 용매 총량에 대해 3 중량% 내지 10 중량%로 포함되고,
상기 제2 용매는 하기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물 및/또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
X1은 탄소 원자 또는 황 원자이고,
X2는 *-CR1R2-* 또는 *-NR3-*(여기서, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기임)이고,
X3은 산소 원자 또는 황 원자이고,
X4 및 X5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이고,
m은 1 내지 5의 정수이다.
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 모이어티 함유 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시되는 감광성 수지 조성물.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서,
Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시되는 감광성 수지 조성물.
[화학식 2-1]
상기 화학식 2-1에서,
Rd는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
- 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리아믹산 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물.
- 제4항에 있어서,
상기 상기 폴리아믹산 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
Y1과 Y4은 디아민 단량체로부터 유도된 잔기이고,
Y2는 다이언하이드라이드 단량체로부터 유도된 잔기이고,
Y3는 다이에시드로부터 유도된 잔기이고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기이다.
- 제5항에 있어서,
상기 다이에시드 유도체는 4,4'-옥시비스벤조일클로라이드(4,4'-Oxybisbenzoyl chloride)나 4,4'-옥시비스벤조익에시드(4,4'-Oxybisbenzoic acid)의 유도체인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은,
상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해
상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 50 중량부 포함하고,
상기 용매를 100 중량부 내지 300 중량부 포함하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 계면활성제, 실란커플링제, 용해조절제, 에폭시화합물, 경화제, 빛산 발생제, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
- 제9항의 감광성 수지막을 포함하는 전자소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210119805A KR20230036835A (ko) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210119805A KR20230036835A (ko) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20230036835A true KR20230036835A (ko) | 2023-03-15 |
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ID=85512070
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210119805A KR20230036835A (ko) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 |
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|---|---|
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-
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- 2021-09-08 KR KR1020210119805A patent/KR20230036835A/ko unknown
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