KR20230034843A - Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device - Google Patents

Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device Download PDF

Info

Publication number
KR20230034843A
KR20230034843A KR1020210194722A KR20210194722A KR20230034843A KR 20230034843 A KR20230034843 A KR 20230034843A KR 1020210194722 A KR1020210194722 A KR 1020210194722A KR 20210194722 A KR20210194722 A KR 20210194722A KR 20230034843 A KR20230034843 A KR 20230034843A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
scan
emission control
level
signal
Prior art date
Application number
KR1020210194722A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
지혜림
김연경
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to CN202211014236.1A priority Critical patent/CN115762408A/en
Priority to US17/899,259 priority patent/US11869442B2/en
Publication of KR20230034843A publication Critical patent/KR20230034843A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275Details of drivers for data electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0876Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits

Abstract

The present specification relates to a light emission control driver capable of reducing a bezel area. According to one embodiment, in the light emission control driver, each light emission control stage includes: an output buffer outputting a light emission control signal to an output line using a clock signal and outputting a first scan signal to a scan output line by control of a Q node, and outputting a high-potential power voltage to the output line and outputting a low-potential power voltage to the scan output line by control of QB node; a charging/discharging part charging the Q node by using a scan signal supplied from a scan driver, and discharging the Q node by control of the QB node; and an inverter charging and discharging the QB node opposite to the Q node.

Description

발광 제어 드라이버, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치{Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device}Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device

본 명세서는 베젤 영역을 저감할 수 있는 발광 제어 드라이버, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present specification relates to a light emission control driver capable of reducing a bezel area, a display panel, and a display device.

발광 디스플레이 장치는 전자와 정공의 재결합으로 유기 발광층을 발광시키는 자발광 소자를 이용하여 휘도가 높고 구동 전압이 낮으며 초박막화가 가능할 뿐만 아니라 자유로운 형상으로 구현이 가능한 장점이 있다.The light emitting display device uses a self-emitting device that emits light through an organic light emitting layer by recombination of electrons and holes, and has advantages of high luminance, low driving voltage, ultra-thin film, and free shape.

발광 디스플레이 장치는 픽셀 매트릭스를 통해 영상을 표시하는 패널과, 패널을 구동하는 구동 회로를 포함한다. 픽셀 매트릭스를 구성하는 픽셀들 각각은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)에 의해 독립적으로 구동된다.A light emitting display device includes a panel that displays an image through a pixel matrix and a driving circuit that drives the panel. Each of the pixels constituting the pixel matrix is independently driven by a thin film transistor (TFT).

픽셀들의 TFT를 제어하는 게이트 드라이버는 디스플레이 패널의 베젤 영역에 배치될 수 있다. 게이트 드라이버는 각 픽셀의 스위칭 TFT를 제어하는 복수의 스캔 드라이버와, 발광 제어 TFT를 제어하는 발광 제어 드라이버를 포함하기 때문에 베젤 영역이 증가할 수 있다. A gate driver controlling TFTs of pixels may be disposed in a bezel area of a display panel. Since the gate driver includes a plurality of scan drivers that control the switching TFTs of each pixel and a light emission control driver that controls the light emission control TFTs, a bezel area can be increased.

위에서 설명한 배경기술의 내용은 본 명세서의 발명자가 본 명세서의 예를 도출하기 위해 보유하고 있었거나, 본 명세서의 예를 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 명세서의 출원 이전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.The content of the background art described above is technical information that the inventor of the present specification possesses to derive examples of the present specification or acquired in the course of deriving examples of the present specification, and must be disclosed to the general public prior to filing the present specification. It cannot be said that it is a well-known technology.

본 명세서는 베젤 영역을 저감할 수 있는 발광 제어 드라이버, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치를 제공한다.The present specification provides a light emission control driver, a display panel, and a display device capable of reducing a bezel area.

본 명세서의 다양한 실시예에서 해결하고자 하는 과제들은 위에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재 내용으로부터 본 명세서의 기술 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved in various embodiments of the present specification are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned are clear to those skilled in the art from the description below. will be understandable.

일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서 각 발광 제어 스테이지는, Q 노드의 제어에 의해, 클럭 신호를 이용하여 출력 라인에 발광 제어 신호를 출력하고 스캔 출력 라인에 제1 스캔 신호를 출력하며, QB 노드의 제어에 의해 출력 라인으로 고전위 전원 전압을 출력하고 스캔 출력 라인에 저전위 전원 전압을 출력하는 출력 버퍼, 스캔 드라이버로부터 공급되는 스캔 신호를 이용하여 Q 노드를 충전하고, QB 노드의 제어에 의해 Q 노드를 방전하는 충방전부, 및 Q 노드와 상반되게 QB 노드를 충방전하는 인버터를 포함할 수 있다.In the emission control driver according to an exemplary embodiment, each emission control stage outputs an emission control signal to an output line using a clock signal and outputs a first scan signal to a scan output line using a clock signal under control of a Q node, and outputs a first scan signal to a scan output line. An output buffer that outputs a high-potential power supply voltage to an output line under the control of and a low-potential power supply voltage to a scan output line, charges the Q node by using the scan signal supplied from the scan driver, and controls the QB node. It may include a charging/discharging unit that discharges the Q node, and an inverter that charges and discharges the QB node opposite to the Q node.

일 실시예에 따른 디스플레이 패널은, 서브픽셀들을 통해 영상을 표시하는 디스플레이 영역, 디스플레이 영역을 둘러싸는 베젤 영역, 베젤 영역에 배치되고, 서브픽셀들과 접속된 제2 게이트 라인들 각각에 제2 스캔 신호를 공급하는 스캔 드라이버, 베젤 영역에 배치되고, 서브픽셀들과 접속된 제1 게이트 라인들 각각에 제1 스캔 신호를 공급하고, 서브픽셀들과 접속된 제3 게이트 라인들 각각에 발광 제어 신호를 공급하는 상기 발광 제어 드라이버를 포함할 수 있다.A display panel according to an embodiment includes a display area displaying an image through subpixels, a bezel area surrounding the display area, and second gate lines arranged in the bezel area and connected to the subpixels in a second scan. A scan driver for supplying a signal, disposed in the bezel area, supplying a first scan signal to each of the first gate lines connected to the subpixels, and providing a light emission control signal to each of the third gate lines connected to the subpixels It may include the emission control driver that supplies.

일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 서브픽셀들을 통해 영상을 표시하는 디스플레이 패널, 디스플레이 패널에 내장되고, 서브픽셀들과 접속된 제2 게이트 라인들 각각에 제2 스캔 신호를 공급하는 스캔 드라이버, 디스플레이 패널에 내장되고, 서브픽셀들과 접속된 제1 게이트 라인들 각각에 제1 스캔 신호를 공급하고, 서브픽셀들과 접속된 제3 게이트 라인들 각각에 발광 제어 신호를 공급하는 상기 발광 제어 드라이버를 포함할 수 있다.A display device according to an embodiment includes a display panel displaying an image through subpixels, a scan driver embedded in the display panel and supplying a second scan signal to each of second gate lines connected to the subpixels, and a display device. the emission control driver, which is built into the panel, supplies a first scan signal to each of the first gate lines connected to the subpixels, and supplies a light emission control signal to each of the third gate lines connected to the subpixels; can include

위에서 언급된 과제의 해결 수단 이외의 다양한 실시예에 따른 구체적인 사항들은 아래의 기재 내용 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details according to various embodiments other than the means for solving the problems mentioned above are included in the description and drawings below.

일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서 각 발광 제어 스테이지는 스캔 드라이버에서 출력되는 제2 스캔 신호를 이용하여 발광 제어 신호 및 제1 스캔 신호를 출력함으로써 게이트 드라이버의 회로 구성 및 크기를 감소시킬 수 있다. In the emission control driver according to an exemplary embodiment, each emission control stage outputs an emission control signal and a first scan signal using a second scan signal output from the scan driver, thereby reducing the circuit configuration and size of the gate driver.

이에 따라, 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치는 베젤 영역을 저감할 수 있다.Accordingly, the light emission control driver, the display panel, and the display device according to an exemplary embodiment may reduce a bezel area.

위에서 언급된 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과의 내용은 청구범위의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구범위의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the problem to be solved, the means for solving the problem, and the effect mentioned above do not specify essential features of the claims, the scope of the claims is not limited by the matters described in the contents of the invention.

이하에 첨부되는 도면들은 본 명세서의 실시예에 관한 이해를 돕기 위한 것으로, 상세한 설명과 함께 실시예들을 제공한다. 다만, 본 실시예의 기술적 특징이 특정 도면에 한정되는 것은 아니며, 각 도면에서 개시하는 특징들은 서로 조합되어 새로운 실시 예로 구성될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 픽셀 회로의 구성을 나타낸 등가회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 픽셀 회로의 구동 파형도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 일부 스테이지 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서 한 발광 제어 스테이지의 회로 구성을 나타낸 등가회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 발광 제어 스테이지의 구동 파형도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 일부 TFT 구조를 나타낸 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 발광 제어 스테이지의 제1 기간 동안 동작과 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 발광 제어 스테이지의 제2 기간 동안 동작과 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 발광 제어 스테이지의 제3 기간 동안 동작과 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 11은 일 실시예에 따른 발광 제어 스테이지의 제4 기간 동안 동작과 동 파형을 나타낸 도면이다.
The accompanying drawings are provided to aid understanding of the embodiments of the present specification, and provide embodiments along with detailed descriptions. However, the technical features of this embodiment are not limited to specific drawings, and features disclosed in each drawing may be combined with each other to form a new embodiment.
1 is a block diagram illustrating a configuration of a display device according to an exemplary embodiment.
2 is an equivalent circuit diagram illustrating a configuration of a pixel circuit according to an exemplary embodiment.
FIG. 3 is a driving waveform diagram of the pixel circuit shown in FIG. 2 .
4 is a block diagram schematically illustrating configurations of some stages of an emission control driver according to an exemplary embodiment.
5 is an equivalent circuit diagram showing a circuit configuration of one emission control stage in an emission control driver according to an exemplary embodiment.
FIG. 6 is a driving waveform diagram of the emission control stage shown in FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view illustrating a partial TFT structure of an emission control driver according to an exemplary embodiment.
8 is a diagram illustrating operation and driving waveforms during a first period of an emission control stage according to an exemplary embodiment.
9 is a diagram illustrating operation and driving waveforms during a second period of an emission control stage according to an exemplary embodiment.
10 is a diagram illustrating operation and driving waveforms during a third period of an emission control stage according to an exemplary embodiment.
11 is a diagram illustrating an operation and a same waveform during a fourth period of an emission control stage according to an exemplary embodiment.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of this specification, and methods of achieving them, will become clear with reference to embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, this specification is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments make the disclosure of this specification complete, and common knowledge in the art to which this specification belongs. It is provided to completely inform the person who has the scope of the invention, and this specification is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 "포함한다," "갖는다," "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of this specification are illustrative, so this specification is not limited to the matters shown. Like reference numbers designate like elements throughout the specification. In addition, in describing the present specification, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present specification, the detailed description will be omitted. When "comprises," "has," "consists of," etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless "only" is used. In the case where a component is expressed in the singular, the case including the plural is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 오차 범위에 대한 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, even if there is no separate explicit description of the error range, it is interpreted as including the error range.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, "상에," "상부에," "하부에," "옆에" 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, 예를 들면, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as “on top,” “upper,” “lower,” “next to,” etc., for example, “right” Or, unless "directly" is used, one or more other parts may be located between the two parts.

시간 관계에 대한 설명일 경우, "후에," 에 "이어서," "다음에," "전에" 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, when a temporal precedence relationship is described with “after,” “next to,” “next to,” “before,” etc., unless “immediately” or “directly” is used, it is not continuous. cases may be included.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present specification.

본 명세서의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결" "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 간접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있는 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present specification, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being "connected," "coupled to," or "connected to" another element, that element is directly connected or capable of being connected to the other element, but indirectly unless specifically stated otherwise. It should be understood that other components may be “interposed” between each component that is or can be connected.

"적어도 하나"는 연관된 구성요소의 하나 이상의 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다. 예를 들면, "제1, 제2, 및 제3 구성요소의 적어도 하나"의 의미는 제1, 제2, 또는 제3 구성요소뿐만 아니라, 제1, 제2, 및 제3 구성요소의 두 개 이상의 모든 구성요소의 조합을 포함한다고 할 수 있다. “At least one” should be understood to include all combinations of one or more of the associated elements. For example, "at least one of the first, second, and third elements" means not only the first, second, or third elements, but also two of the first, second, and third elements. It can be said to include a combination of all components of one or more.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present specification can be partially or entirely combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or can be implemented together in an association relationship. may be

이하, 첨부된 도면 및 실시예를 통해 본 명세서의 실시예를 살펴보면 다음과 같다. 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다.Hereinafter, looking at the embodiments of the present specification through the accompanying drawings and embodiments are as follows. Since the scales of the components shown in the drawings have different scales from actual ones for convenience of explanation, they are not limited to the scales shown in the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram schematically showing the configuration of a display device according to an embodiment of the present invention.

일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED) 디스플레이 장치, 퀀텀닷 발광 다이오드(Quantum-dot Light Emitting Diode) 디스플레이 장치, 또는 무기 발광 다이오드(Inorganic Light Emitting Diode) 디스플레이 장치를 포함하는 전계발광 디스플레이 장치(Electroluminescent Display)일 수 있다.A display device according to an embodiment includes an organic light emitting diode (OLED) display device, a quantum-dot light emitting diode display device, or an inorganic light emitting diode display device. It may be an electroluminescent display including

도 1을 참조하면, 디스플레이 장치는 디스플레이 패널(100), 디스플레이 패널(100)에 내장된 게이트 드라이버(200), 데이터 드라이버(300)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , a display device may include a display panel 100 , a gate driver 200 and a data driver 300 built into the display panel 100 .

디스플레이 패널(100)은 복수의 서브픽셀(P)이 매트릭스 형태로 배열된 디스플레이 영역(DA)을 통해 영상을 표시한다. 서브픽셀(P)은 적색광을 방출하는 적색(R) 서브픽셀, 녹색광을 방출하는 녹색(G) 서브픽셀, 청색광을 방출하는 청색(B) 서브픽셀, 백색광을 방출하는 백색(W) 서브픽셀 중 어느 하나일 수 있다. 단위 픽셀은 발광 색이 서로 다른 적어도 2개의 서브픽셀을 포함할 수 있다. 각 서브픽셀(P)은 발광 소자와 발광 소자를 독립적으로 구동하는 복수의 TFT를 포함할 수 있다. 디스플레이 패널(100)에는 각 서브픽셀(P)과 접속된 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL1, GL2, GL3), 전원 라인, 기타 신호 라인을 포함하는 복수의 신호 라인이 배치될 수 있다.The display panel 100 displays an image through a display area DA in which a plurality of subpixels P are arranged in a matrix form. The subpixel P is a red (R) subpixel emitting red light, a green (G) subpixel emitting green light, a blue (B) subpixel emitting blue light, and a white (W) subpixel emitting white light. It can be any one. A unit pixel may include at least two subpixels having different emission colors. Each subpixel P may include a light emitting element and a plurality of TFTs independently driving the light emitting element. A plurality of signal lines including data lines DL, gate lines GL1 , GL2 , and GL3 , power lines, and other signal lines connected to each subpixel P may be disposed in the display panel 100 .

디스플레이 패널(100)은 디스플레이 영역(DA)에 배치되어 사용자의 터치를 센싱하는 터치 센서 스크린을 더 포함할 수 있다.The display panel 100 may further include a touch sensor screen disposed in the display area DA to sense a user's touch.

게이트 드라이버(200)는 디스플레이 패널(100)에서 디스플레이 영역(DA)을 둘러싸며 외곽부에 위치하는 베젤 영역(BZ1~BZ2) 중 적어도 어느 하나의 베젤 영역에 배치될 수 있다. 예를 들면, 게이트 드라이버(200)는 디스플레이 영역(DA)을 두고 마주하는 제1 및 제2 베젤 영역(BZ1, BZ2) 중 어느 하나의 베젤 영역에 배치되거나, 제1 및 제2 베젤 영역(BZ1, BZ2) 양측에 배치될 수 있다. 게이트 드라이버(200)는 디스플레이 영역(DA)에 배치되는 TFT 어레이와 동일 공정에서 형성된 TFT들로 구성되는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 될 수 있다.The gate driver 200 may be disposed in at least one of the bezel areas BZ1 to BZ2 surrounding the display area DA in the display panel 100 and located on the outer edge. For example, the gate driver 200 is disposed in one of the first and second bezel areas BZ1 and BZ2 facing the display area DA, or the first and second bezel areas BZ1. , BZ2) can be placed on both sides. The gate driver 200 may be a gate in panel (GIP) type composed of TFTs formed in the same process as the TFT array disposed in the display area DA.

게이트 드라이버(200)는 각 수평 라인의 픽셀들(P)과 접속된 제1 내지 제3 게이트 라인(GL1, GL2, GL3) 중, 제2 게이트 라인(GL2)을 구동하는 스캔 드라이버(220), 제1 게이트 라인(GL1) 및 제3 게이트 라인(GL3)을 구동하는 발광 제어 드라이버(230)를 포함할 수 있다.The gate driver 200 includes a scan driver 220 that drives a second gate line GL2 among the first to third gate lines GL1, GL2, and GL3 connected to the pixels P of each horizontal line; An emission control driver 230 driving the first gate line GL1 and the third gate line GL3 may be included.

스캔 드라이버(220), 발광 제어 드라이버(230) 각각은 타이밍 컨트롤러(미도시)로부터 레벨 쉬프터(미도시)를 통해 공급되는 게이트 제어 신호를 공급받아 동작할 수 있다.Each of the scan driver 220 and the emission control driver 230 may operate by receiving a gate control signal supplied from a timing controller (not shown) through a level shifter (not shown).

스캔 드라이버(220)는 복수의 제2 게이트 라인(GL2)에 개별적으로 제2 스캔 신호를 공급하는 복수의 제2 스캔 스테이지를 포함할 수 있다. 제2 스캔 신호는 제2 게이트 라인(GL2)과 연결된 복수의 서브픽셀(P) 각각의 제2 스위칭 TFT를 제어할 수 있다. The scan driver 220 may include a plurality of second scan stages that individually supply second scan signals to the plurality of second gate lines GL2 . The second scan signal may control the second switching TFT of each of the plurality of subpixels P connected to the second gate line GL2 .

발광 제어 드라이버(230)는 복수의 제1 게이트 라인(GL1)에 개별적으로 제1 스캔 신호를 공급하며, 복수의 제3 게이트 라인(GL3)에 개별적으로 발광 제어 신호를 공급하는 복수의 발광 제어 스테이지를 포함할 수 있다. 제1 스캔 신호는 제1 게이트 라인(GL1)과 연결된 복수의 서브픽셀(P) 각각의 제1 스위칭 TFT를 제어할 수 있다. 발광 제어 신호는 제3 게이트 라인(GL3)과 연결된 복수의 서브픽셀(P) 각각의 발광 제어 TFT를 제어할 수 있다. 이에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.The emission control driver 230 individually supplies first scan signals to a plurality of first gate lines GL1 and a plurality of emission control stages that individually supplies emission control signals to a plurality of third gate lines GL3. can include The first scan signal may control the first switching TFT of each of the plurality of subpixels P connected to the first gate line GL1. The emission control signal may control the emission control TFT of each of the plurality of subpixels P connected to the third gate line GL3 . A detailed description of this will be described later.

발광 제어 드라이버(230)는 스캔 드라이버(220)에서 출력되는 제2 스캔 신호를 이용하여 발광 제어 신호 및 제1 스캔 신호를 출력함으로써 게이트 드라이버의 회로 구성 및 크기를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 디스플레이 패널의 베젤 영역(BZ1, BZ2)을 저감할 수 있다.The emission control driver 230 outputs the emission control signal and the first scan signal using the second scan signal output from the scan driver 220, thereby reducing the circuit configuration and size of the gate driver. Accordingly, the bezel areas BZ1 and BZ2 of the display panel can be reduced.

데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(미도시)로부터 공급받은 디지털 데이터를 아날로그 데이터 신호로 변환하여 디스플레이 패널(100)의 각 데이터 라인(DL)에 각 데이터 전압 신호를 공급할 수 있다. 데이터 드라이버(300)는 감마 전압 생성부(미도시)로부터 공급된 복수의 기준 감마 전압들이 세분화된 계조 전압들을 이용하여 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압 신호로 변환할 수 있다.The data driver 300 may convert digital data supplied from a timing controller (not shown) into an analog data signal and supply each data voltage signal to each data line DL of the display panel 100 . The data driver 300 may convert digital data into an analog data voltage signal using grayscale voltages in which a plurality of reference gamma voltages supplied from a gamma voltage generator (not shown) are subdivided.

데이터 드라이버(300)는 디스플레이 패널(100)에 배치된 복수의 데이터 라인(DL)을 분할 구동하는 복수의 데이터 드라이브 IC(Integrated Circuit)(310)를 포함할 수 있다. 복수의 데이터 드라이브 IC(310) 각각은 COF(Chip On Film) 타입과 같이 각 회로 필름(320) 상에 개별적으로 실장될 수 있다. 데이터 드라이브 IC(310)가 실장된 복수의 COF(320)는 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 통해 디스플레이 패널(100)의 베젤 영역(BZ3)에 본딩될 수 있다.The data driver 300 may include a plurality of data drive integrated circuits (ICs) 310 that divide and drive the plurality of data lines DL disposed on the display panel 100 . Each of the plurality of data drive ICs 310 may be individually mounted on each circuit film 320 like a COF (Chip On Film) type. The plurality of COFs 320 on which the data drive IC 310 is mounted may be bonded to the bezel area BZ3 of the display panel 100 through an anisotropic conductive film (ACF).

디스플레이 패널(100)의 디스플레이 영역(DA)과, 게이트 드라이버(200)를 포함한 베젤 영역(BZ1~BZ4)에 배치되는 복수의 TFT에는 비정질 실리콘 반도체층을 이용하는 비정질 TFT, 폴리 실리콘 반도체층을 이용하는 폴리 TFT, 금속 산화물 반도체층을 이용하는 산화물 TFT 중 적어도 어느 하나가 적용될 수 있다. A plurality of TFTs disposed in the display area DA of the display panel 100 and the bezel areas BZ1 to BZ4 including the gate driver 200 include an amorphous TFT using an amorphous silicon semiconductor layer and a polysilicon semiconductor layer using a polysilicon semiconductor layer. At least one of a TFT and an oxide TFT using a metal oxide semiconductor layer may be applied.

예를 들면, 디스플레이 패널(100)에는 비정질 실리콘 TFT 보다 이동도가 높고, 폴리 실리콘 TFT 보다 저온 공정이 가능하고 대면적에 적용이 용이한 산화물 TFT가 적용될 수 있고, TFT 특성이 좋은 코플라나(Coplanar) 타입의 산화물 TFT가 적용될 수 있다. 산화물 TFT는 산화물 반도체층에 빛이 유입되는 것을 방지하기 위하여 산화물 반도체층의 아래에 버퍼막을 사이에 두고 배치되는 차광층을 추가로 포함할 수 있다. For example, the display panel 100 may employ oxide TFTs that have higher mobility than amorphous silicon TFTs, can be processed at a lower temperature than polysilicon TFTs, and can be easily applied to a large area, and have good TFT characteristics. ) type oxide TFT can be applied. The oxide TFT may further include a light blocking layer disposed under the oxide semiconductor layer with a buffer layer interposed therebetween to prevent light from entering the oxide semiconductor layer.

도 2는 일 실시예에 따른 픽셀 회로의 구성을 나타낸 등가회로도이고, 도 3은 도 2에 도시된 픽셀 회로의 구동 파형도이다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram illustrating a configuration of a pixel circuit according to an exemplary embodiment, and FIG. 3 is a driving waveform diagram of the pixel circuit shown in FIG. 2 .

도 2를 참조하면, 각 서브픽셀(P)의 픽셀 회로는 발광 소자(ED)에 전류를 공급하는 구동 TFT(DT), 스위칭 TFT(ST1), 초기화 TFT(ST2), 발광 제어 TFT(ET), 스토리지 커패시터(Cst1, Cst2)를 포함하는 4T2C 구조를 구비할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the pixel circuit of each subpixel P includes a driving TFT (DT) supplying current to the light emitting element (ED), a switching TFT (ST1), an initialization TFT (ST2), and an emission control TFT (ET). , a 4T2C structure including storage capacitors Cst1 and Cst2 may be provided.

각 서브픽셀(P)은 디스플레이 패널(100)에 배치되는 제1 내지 제3 게이트 라인(GL1, GL2, GL3), 데이터 라인(DL), 제1 및 제2 전원 라인(PL1, PL2), 및 초기화 전압 라인(IL)과 접속될 수 있다. Each subpixel P includes first to third gate lines GL1 , GL2 , and GL3 , data lines DL, first and second power lines PL1 , PL2 disposed on the display panel 100 , and It may be connected to the initialization voltage line IL.

스캔 드라이버(220)는 제2 게이트 라인(GL3)에 제2 스캔 신호(SCAN2)를 공급할 수 있다. 발광 제어 드라이버(230)는 제1 게이트 라인(GL1)에 제1 스캔 신호(SCAN1)를 공급하고, 제3 게이트 라인(GL3)에 발광 제어 신호(EM)를 공급할 수 있다. 데이터 드라이버(300)는 데이터 라인(DL)에 데이터 전압(Vdata)를 공급할 수 있다. 전원 회로(미도시)는 제1 전원 라인(PL)에 제1 고전위 전원 전압(ELVDD)을, 제2 전원 라인(PL2)에 저전위 전원 전압(ELVSS)을, 초기화 전압 라인(IL)에 초기화 전압(Vini)을 공급할 수 있다.The scan driver 220 may supply the second scan signal SCAN2 to the second gate line GL3. The emission control driver 230 may supply the first scan signal SCAN1 to the first gate line GL1 and the emission control signal EM to the third gate line GL3. The data driver 300 may supply the data voltage Vdata to the data line DL. The power circuit (not shown) applies the first high-potential power supply voltage ELVDD to the first power line PL, the low-potential power supply voltage ELVSS to the second power line PL2, and the initialization voltage line IL. An initialization voltage Vini may be supplied.

도 3을 참조하면, 각 서브픽셀(P)은 각 프레임마다 초기화(Initial) 기간, 샘플링(Sampling) 기간, 프로그램(Program) 기간, 발광(Emission) 기간을 포함하도록 구동될 수 있다.Referring to FIG. 3 , each subpixel P may be driven to include an initial period, a sampling period, a program period, and an emission period for each frame.

도 2 및 도 3을 참조하면, 스위칭 TFT(ST1)는 제1 게이트 라인(GL1)에 의해 제어되고 데이터 라인(DL)과, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(G)과 접속된 제1 노드(N1)를 연결시킬 수 있다. 초기화 기간, 샘플링 기간 및 프로그램 기간 동안, 스위칭 TFT(ST1)는 제1 게이트 라인(GL1)의 제1 스캔 신호(SCAN1)의 고전위 전원 전압에 의해 턴-온되어, 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref) 및 데이터 전압(Vdata)을 제1 노드(N1)에 순차적으로 공급할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3 , the switching TFT ST1 is controlled by the first gate line GL1 and is connected to the data line DL and the gate electrode G of the driving TFT DT. (N1) can be connected. During the initialization period, sampling period, and program period, the switching TFT (ST1) is turned on by the high-potential power supply voltage of the first scan signal (SCAN1) of the first gate line (GL1), through the data line (DL) The supplied reference voltage Vref and data voltage Vdata may be sequentially supplied to the first node N1.

초기화 TFT(ST2)는 제2 게이트 라인(GL2)에 의해 제어되고 구동 TFT(DT)의 소스 전극(S) 및 발광 소자(ED)의 애노드와 공통 접속된 제2 노드(N2)와, 초기화 전압 라인(IL)을 연결시킬 수 있다. 초기화 기간 동안, 초기화 TFT(ST2)는 제2 게이트 라인(GL2)의 제2 스캔 신호(SCAN2)의 고전위 전원 전압에 의해 턴-온되어, 초기화 전압 라인(IL)의 초기화 전압(Vini)을 제2 노드(N2)에 공급할 수 있다.The initialization TFT ST2 is controlled by the second gate line GL2 and includes a second node N2 commonly connected to the source electrode S of the driving TFT DT and the anode of the light emitting element ED, and an initialization voltage The line IL may be connected. During the initialization period, the initialization TFT ST2 is turned on by the high-potential power supply voltage of the second scan signal SCAN2 of the second gate line GL2 to set the initialization voltage Vini of the initialization voltage line IL. It can be supplied to the second node N2.

발광 제어 TFT(ET)는 제3 게이트 라인(GL3)에 의해 제어되고 제1 전원 라인(PL1)과, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(D)을 연결시킬 수 있다. 초기화 기간 및 발광 기간 동안, 발광 제어 TFT(ET)는 제3 게이트 라인(GL3)의 발광 제어 신호(EM)의 고전위 전원 전압에 의해 턴-온되어, 제1 전원 라인(PL1)의 제1 전원 전압(ELVDD)을 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(D)에 공급할 수 있다.The emission control TFT (ET) is controlled by the third gate line (GL3) and may connect the first power line (PL1) and the drain electrode (D) of the driving TFT (DT). During the initialization period and the emission period, the emission control TFT (ET) is turned on by the high-potential power supply voltage of the emission control signal EM of the third gate line GL3, and the first power supply voltage of the first power line PL1 is turned on. The power supply voltage ELVDD may be supplied to the drain electrode D of the driving TFT DT.

제1 스토리지 커패시터(Cst1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되어 구동 TFT(DT)의 임계 전압(Vth)이 보상된 데이터 전압(Vdata-Vth)을 충전할 수 있다.The first storage capacitor Cst1 is connected between the first node N1 and the second node N2 to charge the data voltage Vdata-Vth compensated for by the threshold voltage Vth of the driving TFT DT. there is.

제2 스토리지 커패시터(Cst2)는 제1 전원 라인(103)과, 구동 TFT(DT)의 소스 전극(S) 및 발광 소자(ED)의 애노드와 공통 접속된 제2 노드(N2) 사이에 접속되어, 발광 기간 동안 제2 노드(N2)의 전위를 안정적으로 유지시킬 수 있다.The second storage capacitor Cst2 is connected between the first power line 103 and the second node N2 commonly connected to the source electrode S of the driving TFT DT and the anode of the light emitting element ED. , it is possible to stably maintain the potential of the second node N2 during the light emission period.

구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터(Cst1)에 충전된 구동 전압(Vdata-Vth)에 따라 발광 소자(ED)로 흐르는 전류(Ids)를 제어함으로써 발광 소자(ED)의 발광 강도를 제어할 수 있다. The driving TFT DT controls the current Ids flowing to the light emitting element ED according to the driving voltage Vdata-Vth charged in the storage capacitor Cst1, thereby controlling the light emitting intensity of the light emitting element ED. .

발광 소자(ED)는 구동 TFT(DT)의 소스 전극(S)에 접속되는 애노드와, 저전위전원 전압(ELVSS)을 공급하는 제2 전원 라인(PL2)과 접속된 캐소드와, 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층을 구비할 수 있다. 발광 소자(ED)는 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 구동 전류의 전류값에 비례하는 밝기의 광을 발생할 수 있다.The light emitting element ED has an anode connected to the source electrode S of the driving TFT DT, a cathode connected to the second power supply line PL2 supplying the low potential power supply voltage ELVSS, and an anode and a cathode. It may be provided with an organic light emitting layer of. The light emitting element ED may generate light of brightness proportional to the current value of the driving current supplied from the driving TFT DT.

도 3을 참조하면, 초기화 기간 동안, 제1 노드(N1)는 데이터 라인(DL) 및 스위칭 TFT(ST1)를 통해 레퍼런스 전압(Vref)으로 초기화되고, 제2 노드(N2)는 초기화 전압 라인(IL) 및 초기화 TFT(ST2)를 통해 초기화 전압(Vini)으로 초기화되며, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(D)에는 제1 전원 라인(PL1) 및 발광 제어 TFT(ET)를 통해 고전위 전압 전압(ELVDD)이 공급될 수 있다.Referring to FIG. 3 , during the initialization period, the first node N1 is initialized to the reference voltage Vref through the data line DL and the switching TFT ST1, and the second node N2 is the initialization voltage line ( IL) and the initialization TFT (ST2) to the initialization voltage (Vini), and the drain electrode (D) of the driving TFT (DT) has a high potential voltage through the first power line (PL1) and the emission control TFT (ET). A voltage ELVDD may be supplied.

샘플링 기간 동안, 구동 TFT(DT)의 소스 팔로우(Source Follow) 동작에 의해 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 임계 전압(Vth)이 될 때까지 소스 전극(S)의 전압이 상승하여 스토리지 커패시터(Cst1)는 구동 TFT(DT)의 임계 전압(Vth)을 충전할 수 있다.During the sampling period, the voltage of the source electrode (S) rises until the gate-source voltage (Vgs) reaches the threshold voltage (Vth) by the source follow operation of the driving TFT (DT), and the storage capacitor ( Cst1) can charge the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT).

프로그램 기간 동안, 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 공급되어 스토리지 커패시터(Cst1)는 구동 TFT(DT)의 임계 전압(Vth)이 보상된 데이터 전압(Vdata+Vth)을 충전할 수 있다. 이에 따라, 이후 발광 기간에서 서브픽셀들(P) 간의 구동 TFT(DT)의 임계 전압에 의한 특성 편차가 보상될 수 있다. During the program period, the data voltage Vdata is supplied to the first node N1 so that the storage capacitor Cst1 can be charged with the data voltage Vdata+Vth compensated for by the threshold voltage Vth of the driving TFT DT. there is. Accordingly, a characteristic deviation due to the threshold voltage of the driving TFT DT between the subpixels P in the subsequent light emitting period may be compensated.

발광 기간 동안, 구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터(Cst1)에 충전된 구동 전압(Vdata+Vth)에 따라 발광 소자(ED)를 구동하여 발광 강도를 제어할 수 있다. During the light emitting period, the driving TFT DT drives the light emitting device ED according to the driving voltage Vdata+Vth charged in the storage capacitor Cst1 to control the light emitting intensity.

도 4는 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버(230)의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram schematically illustrating the configuration of an emission control driver 230 according to an exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버(230)는 복수의 발광 제어 신호(EM(N)~EM(N+4))(N은 양의 정수)를 순차적으로 출력하는 복수의 발광 제어 스테이지(EM_ST(N)~EM_ST(N+4))를 포함할 수 있다. 도 4에서는 편의상 5개의 발광 제어 스테이지(EM_ST(N)~EM_ST(N+4))만 도시되어 있다.Referring to FIG. 4 , the emission control driver 230 according to an exemplary embodiment sequentially outputs a plurality of emission control signals EM(N) to EM(N+4) (where N is a positive integer). Emission control stages EM_ST(N) to EM_ST(N+4) may be included. In FIG. 4, for convenience, only five emission control stages EM_ST(N) to EM_ST(N+4) are shown.

복수의 발광 제어 스테이지(EM_ST(N)~EM_ST(N+4))는 위상이 서로 다른 복수의 클럭 신호(CLK1~CLK4) 중 어느 하나의 클럭 신호를 공급받을 수 있다. 복수의 발광 제어 스테이지(EM_ST(N)~EM_ST(N+4))는 고전위 전원 전압(VDD)과, 저전위 전원 전압(VSS)을 공통적으로 공급받을 수 있다.The plurality of emission control stages EM_ST(N) to EM_ST(N+4) may receive any one clock signal among a plurality of clock signals CLK1 to CLK4 having different phases. The plurality of emission control stages EM_ST(N) to EM_ST(N+4) may receive a high-potential power supply voltage VDD and a low-potential power supply voltage VSS in common.

복수의 발광 제어 스테이지(EM_ST(N)~EM_ST(N+4)) 각각은 스캔 드라이버(220)로부터 출력되는 복수의 제2 스캔 신호를 제1 및 제2 입력 신호로 공급받을 수 있다.Each of the plurality of emission control stages EM_ST(N) to EM_ST(N+4) may receive a plurality of second scan signals output from the scan driver 220 as first and second input signals.

예를 들면, N번째 발광 제어 스테이지(EM_ST(N))는 스캔 드라이버(220)의 N-1번째 스캔 스테이지로부터 N-1번째 수평 라인의 제2 게이트 라인(GL2)에 공급되는 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN2(N-1))와, N+2번째 스캔 스테이지로부터 N+2번째 수평 라인의 제2 게이트 라인(GL2)에 공급되는 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))를 제1 및 제2 입력 신호로 공급받아 Q 노드 및 QB 노드를 충방전할 수 있다.For example, the N-th emission control stage EM_ST(N) is supplied from the N-1-th scan stage of the scan driver 220 to the second gate line GL2 of the N-1-th horizontal line. -1) The scan signal SCAN2(N-1) and the second (N+2) scan signal SCAN2 supplied to the second gate line GL2 of the N+2 th horizontal line from the N+2 th scan stage. (N+2)) may be supplied as the first and second input signals to charge and discharge the Q node and the QB node.

N+1번째 발광 제어 스테이지(EM_ST(N+1))는 스캔 드라이버(220)의 N번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N) 스캔 신호(SCAN2(N))와 N+3번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+3) 스캔 신호(SCAN2(N+3))를 제1 및 제2 입력 신호로 공급받아 Q 노드 및 QB 노드를 충방전할 수 있다. The N+1 th emission control stage EM_ST(N+1) generates the second (N) scan signal SCAN2(N) from the N th scan stage of the scan driver 220 and the N+3 th scan stage. The Q node and the QB node may be charged and discharged by receiving the second (N+3) scan signal SCAN2(N+3) as the first and second input signals.

N+2번째 발광 제어 스테이지(EM_ST(N+2))는 스캔 드라이버(220)의 N+1번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+1) 스캔 신호(SCAN2(N+1))와 N+4번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+4) 스캔 신호(SCAN2(N+4))를 제1 및 제2 입력 신호로 공급받아 Q 노드 및 QB 노드를 충방전할 수 있다. The N+2 th emission control stage EM_ST(N+2) is connected to the 2nd (N+1) scan signal SCAN2(N+1) from the N+1 th scan stage of the scan driver 220 and the N+ The Q node and the QB node may be charged and discharged by receiving the second (N+4) scan signal SCAN2 (N+4) from the fourth scan stage as the first and second input signals.

N+3번째 발광 제어 스테이지(EM_ST(N+3))는 스캔 드라이버(220)의 N+2번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))와 N+5번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+5) 스캔 신호(SCAN2(N+5))를 제1 및 제2 입력 신호로 공급받아 Q 노드 및 QB 노드를 충방전할 수 있다.The N+3 light emission control stage EM_ST(N+3) is connected to the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) from the N+2 scan stage of the scan driver 220 and the N+ The Q node and the QB node may be charged and discharged by receiving the second (N+5) scan signal SCAN2 (N+5) from the fifth scan stage as the first and second input signals.

N+4번째 발광 제어 스테이지(EM_ST(N+4))는 스캔 드라이버(220)의 N+3번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+3) 스캔 신호(SCAN2(N+3))와 N+6번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+6) 스캔 신호(SCAN2(N+6))를 제1 및 제2 입력 신호로 공급받아 Q 노드 및 QB 노드를 충방전할 수 있다.The N+4 th emission control stage EM_ST(N+4) is connected to the second (N+3) scan signal SCAN2(N+3) from the N+3 scan stage of the scan driver 220 and the N+ The Q node and the QB node may be charged and discharged by receiving the second (N+6) scan signal SCAN2 (N+6) from the sixth scan stage as the first and second input signals.

도 5는 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서 각 발광 제어 스테이지의 구성을 나타낸 등가회로도이고, 도 6은 도 5에 도시된 발광 제어 스테이지의 구동 파형도이다. FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing the configuration of each light emission control stage in the light emission control driver according to an exemplary embodiment, and FIG. 6 is a driving waveform diagram of the light emission control stage shown in FIG. 5 .

도 5를 참조하면, 각 발광 제어 스테이지(EM_STn)는 스캔 드라이버(220)의 N-1번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN2(N-1))가 공급되는 제1 입력 라인(21), 스캔 드라이버(220)의 N+2번째 스캔 스테이지로부터의 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))가 공급되는 제2 입력 라인(22), 클럭 신호(CLK(N))가 공급되는 클럭 라인(23), 고전위 전원 전압(VDD)이 공급되는 제1 전원 라인(24), 저전위 전원 전압(VSS)이 공급되는 제2 전원 라인(25), 발광 제어 신호(EM(N))를 출력하는 출력 라인(26), 제1 스캔 신호(SCAN1(N))를 출력하는 스캔 출력 라인(27)과 접속될 수 있다.Referring to FIG. 5 , each emission control stage EM_STn has a first stage to which the second (N−1) scan signal SCAN2(N−1) from the N−1 th scan stage of the scan driver 220 is supplied. An input line 21, a second input line 22 to which the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) from the N+2 th scan stage of the scan driver 220 is supplied, and a clock signal A clock line 23 supplied with (CLK(N)), a first power line 24 supplied with a high-potential power supply voltage VDD, and a second power line 25 supplied with a low-potential power supply voltage VSS , the output line 26 outputting the emission control signal EM(N), and the scan output line 27 outputting the first scan signal SCAN1(N).

고전위 전원 전압(VDD)은 게이트 하이 전압 또는 게이트 온 전압으로 정의될 수 있다. 고전위 전원 전압(VDD)보다 낮은 저전위 전원 전압(VSS)은 게이트 로우 전압 또는 게이트 오프 전압으로 정의될 수 있다. The high potential supply voltage VDD may be defined as a gate high voltage or a gate on voltage. The low potential power supply voltage VSS lower than the high potential power supply voltage VDD may be defined as a gate low voltage or a gate off voltage.

클럭 신호(CLK(N))는 위상이 서로 다른 복수의 클럭 신호 중 어느 하나일 수 있다. 각 클럭 신호(CLK(N))는 특정 수평 기간의 게이트 온(하이) 레벨과 특정 수평 기간의 게이트 오프(로우) 레벨이 교번하는 펄스 형태로 공급될 수 있다. 각 클럭 신호(CLK(N))의 게이트 온 레벨은 고전위 전원 전압(VDD)과 같고, 게이트 오프 레벨은 저전위 전원 전압(VSS)과 같을 수 있다.The clock signal CLK(N) may be any one of a plurality of clock signals having different phases. Each clock signal CLK(N) may be supplied in a pulse form in which a gate-on (high) level of a specific horizontal period and a gate-off (low) level of a specific horizontal period alternate. The gate-on level of each clock signal CLK(N) may be the same as the high-potential power supply voltage VDD, and the gate-off level may be the same as the low-potential power supply voltage VSS.

도 6에서 제1 내지 제4 기간(t1, t2, t3, t4)는, 제1 스캔 신호(SCAN1(N)) 및 발광 제어 신호(EM(N))가 공급되는 픽셀 회로의 초기화 기간, 샘플링 기간, 프로그램 기간, 발광 기간에 각각 대응할 수 있다. In FIG. 6 , the first to fourth periods t1 , t2 , t3 , and t4 are an initialization period of the pixel circuit to which the first scan signal SCAN1(N) and the emission control signal EM(N) are supplied, sampling Each of the period, program period, and light emission period can be corresponded to.

각 발광 제어 스테이지(EM_ST(N))는 초기화 기간에 대응하는 제1 기간(t1) 및 프로그램 기간에 대응하는 제3 기간(t2)에서 게이트 오프 전압을 갖고, 샘플링 기간에 대응하는 제2 기간(t) 및 발광 기간에 대응하는 제4 기간(t4) 동안 게이트 온 전압을 갖는 펄스 형태의 발광 제어 신호(EM(N))를 출력할 수 있다. Each emission control stage EM_ST(N) has a gate-off voltage in a first period t1 corresponding to an initialization period and a third period t2 corresponding to a program period, and has a gate-off voltage in a second period corresponding to a sampling period ( t) and during the fourth period t4 corresponding to the light emission period, the light emission control signal EM(N) in the form of a pulse having a gate-on voltage may be output.

각 발광 제어 스테이지(EM_ST(N))는 제2 기간(t) 게이트 온 전압을 갖고, 제1, 제3, 제4 기간(t1, t3, t4) 동안 게이트 오프 전압을 갖는 펄스 형태의 제1 스캔 신호(SCAN1(N))를 출력할 수 있다. Each emission control stage EM_ST(N) has a gate-on voltage for the second period (t), and a gate-off voltage for the first, third, and fourth periods (t1, t3, and t4). A scan signal SCAN1(N) may be output.

각 발광 제어 스테이지(EM_ST(N))는 충방전부(232), 인버터(234), 출력 버퍼(236)를 구비할 수 있다. 충방전부(232)는 출력 버퍼(236)의 제1 제어 노드인 Q 노드를 제어하는 제1 노드 제어부로 정의되고, 인버터(234)는 출력 버퍼(236)의 제2 제어 노드인 QB 노드를 제어하는 제2 노드 제어부로 정의될 수 있다. 충방전부(232) 및 인버터(234)는 모두 Q 노드 및 QB 노드를 제어하는 제어부로 정의될 수 있다.Each emission control stage EM_ST(N) may include a charging/discharging unit 232 , an inverter 234 , and an output buffer 236 . The charge/discharge unit 232 is defined as a first node controller that controls the Q node, which is the first control node of the output buffer 236, and the inverter 234 controls the QB node, which is the second control node of the output buffer 236. It can be defined as a second node control unit. Both the charging/discharging unit 232 and the inverter 234 may be defined as control units that control the Q node and the QB node.

충방전부(232)는 Q 노드를 충전하는 충전 트랜지스터(T1a, T1b)와, Q 노드를 방전하는 방전 트랜지스터(T3)을 포함할 수 있다. 인버터(234)는 QB 노드를 충전하는 충전 트랜지스터(T4)와, QB 노드를 방전하는 방전 트랜지스터(T5a, T5b, T5q)를 포함할 수 있다. 출력 버퍼(236)는 발광 제어 신호(EM(N))를 출력하는 출력 라인(28)을 충반전하는 출력 트랜지스터(T6, T7)와, 제1 스캔 신호(SCAN1(N))를 출력하는 스캔 출력 라인(27)을 충방전하는 출력 트랜지스터(T62, T72)와, 커패시터(CE)를 포함할 수 있다.The charging/discharging unit 232 may include charging transistors T1a and T1b for charging the Q node and a discharging transistor T3 for discharging the Q node. The inverter 234 may include a charging transistor T4 for charging the QB node and discharging transistors T5a, T5b, and T5q for discharging the QB node. The output buffer 236 includes output transistors T6 and T7 for charging and inverting the output line 28 outputting the emission control signal EM(N) and scan outputting the first scan signal SCAN1(N). Output transistors T62 and T72 for charging and discharging the output line 27 and a capacitor CE may be included.

충방전부(232)는 제1 입력 라인(21)에 공급되는 스캔 드라이버(220)의 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN2(N-1))에 응답하여 Q 노드를 충전시킬 수 있고, 제2 입력 라인(22)에 공급되는 스캔 드라이버(220)의 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))에 응답하여 Q 노드를 충전시킬 수 있다. 충방전부(232)는 QB 노드의 제어에 응답하여 Q 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. The charging/discharging unit 232 may charge the Q node in response to the second (N−1) scan signal SCAN2(N−1) of the scan driver 220 supplied to the first input line 21, The Q node may be charged in response to the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) of the scan driver 220 supplied to the second input line 22 . The charging/discharging unit 232 may discharge the Q node to the low potential power supply voltage VSS in response to the control of the QB node.

충방전부(232)는 제1 입력 라인(21)에 게이트 전극 및 드레인 전극이 다이오드 구조로 접속되고 Q 노드에 소스 전극이 접속된 제1 충전 트랜지스터(T1a)를 포함할 수 있다. 제1 충전 트랜지스터(T1a)는 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN2(N-1))가 온 레벨로 활성화되는 기간(t1) 동안, 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN2(N-1))의 온 레벨로 Q 노드를 충전할 수 있다. 제1 충전 트랜지스터(T1a)는 제1 충전 다이오드로 정의될 수 있다.The charging/discharging unit 232 may include a first charging transistor T1a having a gate electrode and a drain electrode connected to the first input line 21 in a diode structure and a source electrode connected to the Q node. The first charging transistor T1a is connected to the second (N-1) scan signal SCAN2(N-1) during a period t1 in which the second (N-1) scan signal SCAN2(N-1) is activated to an on level. The Q node can be charged with an on level of -1)). The first charging transistor T1a may be defined as a first charging diode.

충방전부(232)는 제2 입력 라인(22)에 게이트 전극 및 드레인 전극이 다이오드 구조로 접속되고 Q 노드에 소스 전극이 접속된 제2 충전 트랜지스터(T1b)를 포함할 수 있다. 제2 충전 트랜지스터(T1b)는 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))가 온 레벨로 활성화되는 기간(t3) 동안, 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))의 온 레벨로 Q 노드를 충전할 수 있다. 제2 충전 트랜지스터(T1b)는 제2 충전 다이오드로 정의될 수 있다.The charging/discharging unit 232 may include a second charging transistor T1b having a gate electrode and a drain electrode connected to the second input line 22 in a diode structure and a source electrode connected to the Q node. The second charging transistor T1b outputs the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) during a period t3 in which the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) is activated to an on level. It is possible to charge the Q node with an on level of +2)). The second charging transistor T1b may be defined as a second charging diode.

충방전부(232)는 QB 노드에 게이트 전극이 접속되고 Q 노드에 드레인 전극이 접속되고 제2 전원 라인(25)에 소스 전극이 접속된 제1 방전 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 제1 방전 트랜지스터(T3)는 QB 노드가 온 레벨로 활성화되는 기간(t4) 동안, Q 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다.The charge/discharge unit 232 may include a first discharge transistor T3 having a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the second power line 25 . The first discharge transistor T3 may discharge the Q node to the low-potential power supply voltage VSS during the period t4 in which the QB node is activated to an on level.

인버터(234)는 Q 노드와 상반되게 QB 노드를 제어할 수 있다. 인버터(234)는 제1 전원 라인(24)과 QB 노드 사이에 다이오드 구조로 연결된 제3 충전 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 제3 충전 트랜지스터(T4)는 고전위 전원 전압(VDD)에 의해 턴-온되어 고전위 전원 전압(VDD)으로 QB 노드를 충전할 수 있다. 제3 충전 트랜지스터(T4)는 제3 충전 다이오드로 정의될 수 있다. Inverter 234 may control the QB node as opposed to the Q node. The inverter 234 may include a third charging transistor T4 connected in a diode structure between the first power line 24 and the QB node. The third charging transistor T4 is turned on by the high-potential power supply voltage VDD to charge the QB node with the high-potential power supply voltage VDD. The third charging transistor T4 may be defined as a third charging diode.

인버터(234)는 제1 입력 라인(21)에 공급되는 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN2(N-1))에 의해 제어되어 QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전하는 제2 방전 트랜지스터(T5a)를 포함할 수 있다. 제2 방전 트랜지스터(T5a)는 제2(N-2) 스캔 신호(SCAN2(N-2))가 온 레벨로 활성화되는 기간(t1) 동안, QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. The inverter 234 is controlled by the second (N−1) scan signal SCAN2(N−1) supplied to the first input line 21 to discharge the QB node to the low potential power supply voltage VSS. Two discharge transistors T5a may be included. The second discharge transistor T5a discharges the QB node to the low-potential supply voltage VSS during a period t1 in which the second (N-2) scan signal SCAN2 (N-2) is activated to an on level. can

인버터(234)는 제2 입력 라인(22)에 공급되는 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))에 의해 제어되어 QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전하는 제3 방전 트랜지스터(T5b)를 포함할 수 있다. 제3 방전 트랜지스터(T5b)는 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))가 온 레벨로 활성화되는 기간(t3) 동안, QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. The inverter 234 is controlled by the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) supplied to the second input line 22 to discharge the QB node to the low potential supply voltage VSS. 3 discharge transistor T5b may be included. The third discharge transistor T5b discharges the QB node to the low potential supply voltage VSS during the period t3 in which the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) is activated to an on level. can

인버터(234)는 Q 노드에 의해 제어되어 QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전하는 제4 방전 트랜지스터(T5q)를 포함할 수 있다. 제4 방전 트랜지스터(T5q)는 Q노드가 온 레벨로 활성화되는 기간(t1, t2, t3) 동안, QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. The inverter 234 may include a fourth discharge transistor T5q that is controlled by the Q node to discharge the QB node to the low potential power supply voltage VSS. The fourth discharge transistor T5q may discharge the QB node to the low-potential power supply voltage VSS during periods t1 , t2 , and t3 in which the Q node is activated to an on level.

출력 버퍼(236)는 Q 노드의 제어에 응답하여, 클럭 라인(23)에 공급되는 클럭 신호(CLK(N))를 출력 라인(26)으로 출력하는 제1 출력 트랜지스터(T6)와, 클럭 신호(CLK(N))를 스캔 출력 라인(27)으로 출력하는 제2 출력 트랜지스터(T62)를 포함할 수 있다. 제1 출력 트랜지스터(T6)는 Q 노드가 온 레벨로 활성화되는 기간 동안(t1, t2, t3), 클럭 신호(CLK(N))를 출력 라인(26)을 통해 발광 제어 신호(EM(N))의 오프 레벨 및 온 레벨로 출력할 수 있다. 제2 출력 트랜지스터(T62)는 Q 노드가 온 레벨로 활성화되는 기간 동안(t1, t2, t3), 클럭 신호(CLK(N))를 스캔 출력 라인(27)을 통해 제1 스캔 신호(SCAN1(N))의 오프 레벨 및 온 레벨로 출력할 수 있다.The output buffer 236 includes a first output transistor T6 for outputting the clock signal CLK(N) supplied to the clock line 23 to the output line 26 in response to control of the Q node, and a clock signal A second output transistor T62 outputting (CLK(N)) to the scan output line 27 may be included. The first output transistor T6 outputs the clock signal CLK(N) to the emission control signal EM(N) through the output line 26 during periods (t1, t2, t3) when the Q node is activated to an on level. ) can be output with an off level and an on level. The second output transistor T62 transmits the clock signal CLK(N) through the scan output line 27 to the first scan signal SCAN1( N)) can be output with an off level and an on level.

출력 버퍼(236)는 QB 노드의 제어에 응답하여, 제1 전원 라인(24)에 공급되는 고전위 전원 전압(VDD)을 출력 라인(26)으로 출력하는 제3 출력 트랜지스터(T7)와, 제2 전원 라인(25)에 공급되는 저전위 전원 전압(VSS)을 스캔 출력 라인(27)로 출력하는 제4 출력 트랜지스터(T72)를 포함할 수 있다. 제3 출력 트랜지스터(T7)는 QB 노드가 온 레벨로 활성화되는 대부분의 기간(t4) 동안, 고전위 전원 전압(VDD)을 출력 라인(26)을 통해 발광 제어 신호(EM)의 온 레벨로 안정적으로 공급할 수 있다. 제4 출력 트랜지스터(T72)는 QB 노드가 온 레벨로 활성화되는 대부분의 기간(t4) 동안, 저전위 전원 전압(VSS)을 스캔 출력 라인(27)을 통해 제1 스캔 신호(SCAN1(N))의 오프 레벨로 안정적으로 공급할 수 있다.The output buffer 236 includes a third output transistor T7 for outputting the high-potential power voltage VDD supplied to the first power line 24 to the output line 26 in response to control of the QB node; A fourth output transistor T72 may be included to output the low-potential power supply voltage VSS supplied to the second power supply line 25 to the scan output line 27 . The third output transistor T7 stabilizes the high-potential power supply voltage VDD through the output line 26 to the on-level of the emission control signal EM during most of the period t4 when the QB node is activated to the on-level. can be supplied with The fourth output transistor T72 transmits the low-potential power supply voltage VSS to the first scan signal SCAN1(N) through the scan output line 27 during most of the period t4 when the QB node is activated to an on level. can be supplied stably with an off level of

각 스테이지(EM_ST(N))를 구성하는 트랜지스터들(T1a, T1b, T3, T4, T5a, T5b, T5q, T6, T7, T62, T72)은 도 7에 도시된 바와 같이 차광층(112)을 포함하는 코플라나 타입의 산화물 TFT일 수 있다. As shown in FIG. It may be a coplanar type oxide TFT including

도 7은 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버의 일부 TFF, 예를 들면 출력 트랜지스터(T6, T7)의 단순화된 단면 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.7 is a diagram showing a simplified cross-sectional structure of some TFFs, eg, output transistors T6 and T7, of a light emission control driver according to an exemplary embodiment.

출력 트랜지스터(T6, T7)는, 기판(110) 상에 배치된 차광층(112), 차광층(112)을 덮는 버퍼막(114), 버퍼막(114) 상에 배치된 반도체층(116), 반도체층(116)을 덮는 게이트 절연막(118), 게이트 절연막(118) 상에 배치된 게이트 전극(120), 게이트 전극(120)을 덮는 층간 절연막(122), 층간 절연막(112) 상에 배치되고 컨택홀(101, 103)을 통해 반도체층(116)의 도체화 영역과 각각 접속된 소스 전극(126) 및 드레인 전극(124)을 포함할 수 있다. 발광 제어 드라이버(230)의 나머지 트랜지스터들(T1a, T1b, T3, T4, T5a, T5b, T5q, T62, T72)도 출력 트랜지스터(T6, T7)와 유사한 구조를 가질 수 있다.The output transistors T6 and T7 include a light blocking layer 112 disposed on the substrate 110, a buffer film 114 covering the light blocking layer 112, and a semiconductor layer 116 disposed on the buffer film 114. , Gate insulating film 118 covering the semiconductor layer 116, gate electrode 120 disposed on the gate insulating film 118, interlayer insulating film 122 covering the gate electrode 120, disposed on the interlayer insulating film 112 and a source electrode 126 and a drain electrode 124 respectively connected to the conductive region of the semiconductor layer 116 through the contact holes 101 and 103. The remaining transistors T1a, T1b, T3, T4, T5a, T5b, T5q, T62, and T72 of the emission control driver 230 may also have structures similar to those of the output transistors T6 and T7.

발광 제어 드라이버(230)는 소스 전극(126) 및 드레인 전극(124)을 덮으며 적층된 무기 절연막(130) 및 유기 절연막(132), 유기 절연막(132) 상에 배치된 클럭 라인(23) 및 전원 라인(24), 클럭 라인(23) 및 전원 라인(24)을 유기 절연막(138), 유기 절연막(138) 상에 적층된 무기 절연막(142), 유기 절연막(144), 무기 절연막(146)을 구비하는 봉지층(140)을 더 포함할 수 있다. 클럭 라인(23)은 컨택홀(107)을 통해 출력 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(124)와 접속되고, 전원 라인(24)는 컨택홀(109)를 통해 출력 트랜지스터(T7)의 소스 전극(126)과 접속될 수 있다. 클럭 라인(23) 및 전원 라인(24)과 동일층에 다른 전원 라인(25)이 배치될 수 있다.The emission control driver 230 includes an inorganic insulating film 130 and an organic insulating film 132 stacked covering the source electrode 126 and the drain electrode 124, the clock line 23 disposed on the organic insulating film 132, and The power line 24, the clock line 23, and the power line 24 are formed by an organic insulating film 138, an inorganic insulating film 142, an organic insulating film 144, and an inorganic insulating film 146 stacked on the organic insulating film 138. It may further include an encapsulation layer 140 having a. The clock line 23 is connected to the drain electrode 124 of the output transistor T6 through the contact hole 107, and the power line 24 is connected to the source electrode of the output transistor T7 through the contact hole 109 ( 126) can be connected. Another power line 25 may be disposed on the same layer as the clock line 23 and the power line 24 .

반도체층(116)은 게이트 절연막(118)을 사이에 두고 게이트 전극(120과 오버랩하는 채널 영역, 채널 영역의 양측에 배치되고 소스 전극(126) 및 드레인 전극(124)과 각각 오믹(ohmic) 컨택하도록 도체화된 도체화 영역을 구비할 수 있다. 반도체층(116)은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 반도체층(116)은 IZO(InZnO)계, IGO(InGaO)계, ITO(InSnO)계, IGZO(InGaZnO)계, IGZTO(InGaZnSnO)계, GZTO(GaZnSnO)계, GZO(GaZnO)계 및 ITZO(InSnZnO)계 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The semiconductor layer 116 is disposed on both sides of the channel region overlapping the gate electrode 120 with the gate insulating film 118 interposed therebetween and makes ohmic contact with the source electrode 126 and the drain electrode 124, respectively. The semiconductor layer 116 may include an oxide semiconductor material, such as IZO (InZnO), IGO (InGaO), It may include at least one of ITO (InSnO)-based, IGZO (InGaZnO)-based, IGZTO (InGaZnSnO)-based, GZTO (GaZnSnO)-based, GZO (GaZnO)-based, and ITZO (InSnZnO)-based.

차광층(112)은 불투명한 금속으로 이루어지고 외부광 또는 내부광을 흡수함으로써 산화물 반도체층(116)에 빛이 유입되는 것을 방지할 수 있다. The light blocking layer 112 is made of an opaque metal and absorbs external light or internal light, thereby preventing light from entering the oxide semiconductor layer 116 .

각 스테이지(EM_ST(N))를 구성하는 트랜지스터들(T1a, T1b, T3, T4, T5a, T5b, T5q, T6, T7)의 차광층(112)은 플로팅 되거나, 게이트 전극(120) 또는 소스 전극(126)과 접속될 수 있다.The light-blocking layer 112 of the transistors T1a, T1b, T3, T4, T5a, T5b, T5q, T6, and T7 constituting each stage EM_ST(N) is floated, or the gate electrode 120 or the source electrode (126) can be connected.

도 8 내지 도 11은 도 5에 도시된 발광 제어 스테이지(EM_ST(N))의 제1 내지 제4 기간(t1, t2, t3, t4)의 동작 및 구동 파형을 나타낸 도면이다. 8 to 11 are diagrams illustrating operations and driving waveforms of the emission control stage EM_ST(N) shown in FIG. 5 during the first to fourth periods t1, t2, t3, and t4.

도 8을 참조하면, 제1 기간(t1) 동안, 스캔 드라이버(220)로부터 공급된 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN2(N-1))의 온 레벨에 응답하여, 제1 충전 트랜지스터(T1a)는 Q 노드를 온 레벨로 충전하고, 제2 및 제4 방전 트랜지스터(T5a, T5q)는 QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. Q 노드의 온 레벨에 의해 제1 및 제2 출력 트랜지스터(T6, T62)가 턴-온되어, 클럭 신호(CLK(N))의 오프 레벨을 출력 라인(26)을 통해 발광 제어 신호(EM(N))의 오프 레벨로 출력할 수 있음과 아울러, 클럭 신호(CLK(N))의 오프 레벨을 스캔 출력 라인(27)을 통해 제1 스캔 신호(SCAN1(N))의 오프 레벨로 출력할 수 있다. Referring to FIG. 8 , in response to the on level of the second (N−1) scan signal SCAN2(N−1) supplied from the scan driver 220 during the first period t1, the first charging transistor (T1a) may charge the Q node to an on level, and the second and fourth discharge transistors T5a and T5q may discharge the QB node to the low potential power voltage VSS. The first and second output transistors T6 and T62 are turned on by the on level of the Q node, and the off level of the clock signal CLK(N) is transmitted through the output line 26 to the emission control signal EM( N)), and the off level of the clock signal CLK(N) can be output as the off level of the first scan signal SCAN1(N) through the scan output line 27. can

도 9를 참조하면, 제2 기간(t2) 동안, 제2(N-1) 스캔 신호(SCAN1(N-2))의 오프 레벨에 의해 Q 노드를 온 레벨 상태로 플로팅되고, 제4 방전 트랜지스터(T5a, T5q)는 QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. Q 노드의 온 레벨에 의해 턴-온 상태를 유지하는 제1 및 제2 출력 트랜지스터(T6, T62)는 클럭 신호(CLK(N))의 온 레벨을 발광 제어 신호(EM(N))와 제1 스캔 신호(SCAN1[N])의 온 레벨로 출력할 수 있다. 이때, Q 노드와 출력 라인(26) 사이에 접속된 커패시터(CE)의 부트스트래핑 동작에 의해 Q 노드 온 레벨이 상승하여 제1 및 제2 출력 트랜지스터(T6, T62)의 전류 능력을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 발광 제어 신호(EM(N)) 및 제1 스캔 신호(SCAN1[N])의 라이징 타임을 개선할 수 있다. Referring to FIG. 9 , during the second period t2, the Q node is floated in an on-level state by the off-level of the second (N-1) scan signal SCAN1 (N-2), and the fourth discharge transistor (T5a, T5q) may discharge the QB node to a low potential power supply voltage (VSS). The first and second output transistors T6 and T62, which are turned on by the on level of the Q node, divide the on level of the clock signal CLK(N) from the light emission control signal EM(N). It can be output with the ON level of 1 scan signal (SCAN1[N]). At this time, the Q node on level is raised by the bootstrapping operation of the capacitor CE connected between the Q node and the output line 26, thereby improving the current capability of the first and second output transistors T6 and T62. there is. Accordingly, the rising time of the emission control signal EM(N) and the first scan signal SCAN1[N] may be improved.

도 10을 참조하면, 참조하면, 제3 기간(t3) 동안, 스캔 드라이버(220)로부터 공급된 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))의 온 레벨에 응답하여, 제2 충전 트랜지스터(T1b)는 Q 노드를 온 레벨로 충전하고, 제3 방전 트랜지스터(T5b)는 QB 노드를 저전위 전원 전압(VSS)으로 방전시킬 수 있다. Q 노드의 온 레벨에 의해 제1 및 제2 출력 트랜지스터(T6, T62)는 턴-온 상태를 유지하고, 클럭 신호(CLK(N))의 오프 레벨을 발광 제어 신호(EM(N)) 및 제1 스캔 신호(SCAN1[N])의 오프 레벨로 출력할 수 있다. Referring to FIG. 10 , in response to the on level of the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) supplied from the scan driver 220 during the third period t3, the first The second charging transistor T1b may charge the Q node to an on level, and the third discharging transistor T5b may discharge the QB node to the low potential power supply voltage VSS. The first and second output transistors T6 and T62 are maintained in a turned-on state by the on level of the Q node, and the off level of the clock signal CLK(N) is changed to the emission control signal EM(N) and It can be output at an off level of the first scan signal SCAN1[N].

도 11을 참조하면, 제4 기간(t4) 동안, 제2(N+2) 스캔 신호(SCAN2(N+2))의 오프 레벨에 응답하여 제2 충전 트랜지스터(T1b)와 제3 방전 트랜지스터(T5b)가 턴-오프되고, QB 노드는 제3 충전 트랜지스터(T4)를 통해 공급되는 고전위 전원 전압(VDD)에 의해 온 레벨로 충전될 수 있다. QB 노드의 온 레벨에 의해 제3 출력 트랜지스터(T7)는 고전위 전원 전압(VDD)을 발광 제어 신호(EM(N))의 온 레벨로 출력할 수 있고, 제4 출력 트랜지스터(T72)는 저전위 전원 전압(VSS)를 제1 스캔 신호(SCAN1[N]의 오프 레벨로 출력할 수 있다. QB 노드의 온 레벨에 의해 제1 방전 트랜지스터(T3)가 턴-온되어 Q 노드는 저전위 전워 전압(VSS)의 오프 레벨로 방전되고 제1 및 제2 출력 트랜지스터(T6, T62)는 턴-오프될 수 있다.Referring to FIG. 11 , in response to the off level of the second (N+2) scan signal SCAN2(N+2) during the fourth period t4, the second charging transistor T1b and the third discharging transistor ( T5b) is turned off, and the QB node can be charged to an on level by the high-potential power supply voltage VDD supplied through the third charging transistor T4. Due to the on level of the QB node, the third output transistor T7 can output the high-potential power voltage VDD to the on level of the emission control signal EM(N), and the fourth output transistor T72 can output the low potential power supply voltage VDD to the on level of the emission control signal EM(N). The potential power supply voltage VSS may be output at the off level of the first scan signal SCAN1[N]. The first discharge transistor T3 is turned on by the on level of the QB node, and the Q node has a low potential power. Discharged to the off level of the voltage VSS, and the first and second output transistors T6 and T62 may be turned off.

이와 같이, 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버에서 각 발광 제어 스테이지는 스캔 드라이버에서 출력되는 제2 스캔 신호를 이용하여 발광 제어 신호 및 제1 스캔 신호를 출력함으로써 게이트 드라이버의 회로 구성 및 크기를 감소시킬 수 있다. As such, in the light emission control driver according to an embodiment, each light emission control stage outputs a light emission control signal and a first scan signal using a second scan signal output from the scan driver, thereby reducing the circuit configuration and size of the gate driver. can

이에 따라, 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치는 베젤 영역을 저감할 수 있다.Accordingly, the light emission control driver, the display panel, and the display device according to an exemplary embodiment may reduce a bezel area.

일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버는 각 프레임에서 대부분의 시간을 차지하는 발광 기간 동안 QB 노드에 의해 제어되는 제3 출력 트랜지스터가 고전위 전원 전압을 이용하여 발광 제어 신호의 게이트 온 전압을 안정적으로 공급하고, 제4 출력 트랜지스터가 저전위 전원 전압을 이용하여 제1 스캔 신호의 게이트 오프 전압을 안정적으로 공급할 수 있다. In an emission control driver according to an exemplary embodiment, a third output transistor controlled by the QB node stably supplies a gate-on voltage of an emission control signal using a high-potential power supply voltage during an emission period that takes up most of the time in each frame. , the fourth output transistor can stably supply the gate-off voltage of the first scan signal using the low-potential power supply voltage.

일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버는 Q 노드에 의해 제어되는 제1 및 제2 출력 트랜지스터가 스캔 드라이버로부터의 스캔 신호와 클럭 신호를 이용하여 발광 제어 신호 및 제1 스캔 신호의 게이트 오프 전압 및 게이트 온 전압을 공급함으로써 발광 제어 신호 및 제1 스캔 신호의 라이징 타임을 개선할 수 있다.In an emission control driver according to an exemplary embodiment, first and second output transistors controlled by a Q node use a scan signal and a clock signal from the scan driver to obtain a gate-off voltage and gate-on voltage of the emission control signal and the first scan signal. By supplying the voltage, the rising time of the emission control signal and the first scan signal may be improved.

이에 따라, 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치는 발광 제어 신호 및 스캔 신호의 라이징 타임을 개선하여 신뢰성을 개선할 수 있다.Accordingly, the light emitting control driver, the display panel, and the display device according to an embodiment may improve reliability by improving the rising time of the light emitting control signal and the scan signal.

일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버 및 그를 포함하는 디스플레이 장치는 다양한 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따른 발광 제어 드라이버 및 그를 포함하는 디스플레이 장치는 모바일 디바이스, 영상 전화기, 스마트 와치(smart watch), 와치 폰(watch phone), 웨어러블 기기(wearable device), 폴더블 기기(foldable device), 롤러블 기기(rollable device), 벤더블 기기(bendable device), 플렉서블 기기(flexible device), 커브드 기기(curved device), 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), PDA(personal digital assistant), MP3 플레이어, 모바일 의료기기, 데스크탑 PC(desktop PC), 랩탑 PC(laptop PC), 넷북 컴퓨터(netbook computer), 워크스테이션(workstation), 네비게이션, 차량용 네비게이션, 차량용 표시장치, 텔레비전, 월페이퍼(wall paper) 표시장치, 샤이니지(signage) 기기, 게임기기, 노트북, 모니터, 카메라, 캠코더, 및 가전 기기 등에 적용될 수 있다.An emission control driver and a display device including the same according to an embodiment may be applied to various electronic devices. For example, a light emission control driver and a display device including the same according to an embodiment are mobile devices, video phones, smart watches, watch phones, wearable devices, foldable devices ( foldable device), rollable device, bendable device, flexible device, curved device, electronic notebook, e-book, PMP (portable multimedia player), PDA ( personal digital assistant), MP3 player, mobile medical device, desktop PC, laptop PC, netbook computer, workstation, navigation, vehicle navigation, vehicle display, television, It can be applied to wallpaper display devices, signage devices, game devices, laptop computers, monitors, cameras, camcorders, and home appliances.

상술한 본 명세서의 다양한 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 명세서의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 명세서의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 명세서의 기술 사상이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 명세서의 기술 범위 또는 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in various examples of the above-described specification are included in at least one example of the present specification, and are not necessarily limited to only one example. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in at least one example in this specification can be combined or modified with respect to other examples by those skilled in the art to which the technical idea of this specification belongs. Therefore, contents related to these combinations and variations should be construed as being included in the technical scope or scope of rights of this specification.

이상에서 설명한 본 명세서는 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 명세서의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 명세서의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 명세서의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present specification described above is not limited to the foregoing embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes are possible within a range that does not deviate from the technical spirit of the present specification. It will be clear to those who have knowledge of Therefore, the scope of the present specification is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present specification.

100: 디스플레이 패널 200: 게이트 드라이버
210, 220: 스캔 드라이버 230: 발광 제어 드라이버
300: 데이터 드라이버 310: 데이터 드라이버 IC
320: 회로 필름 232: 충방전부
234: 인버터 236: 출력 버퍼
21: 제1 입력 라인 22: 제2 입력 라인
23: 클럭 라인 24: 제1 전원 라인
25: 제2 전원 라인 26: 출력 라인
110: 기판 112: 차광층
114: 버퍼막 116: 반도체층
118: 게이트 절연막 122: 층간 절연막
124: 드레인 전극 126: 소스 전극
130, 142, 146: 무기 절연막 132, 138, 144: 유기 절연막
140: 봉지층 120: 게이트 전극
100: display panel 200: gate driver
210, 220: scan driver 230: emission control driver
300: data driver 310: data driver IC
320: circuit film 232: charging and discharging unit
234: inverter 236: output buffer
21: first input line 22: second input line
23: clock line 24: first power line
25: second power line 26: output line
110: substrate 112: light blocking layer
114: buffer film 116: semiconductor layer
118: gate insulating film 122: interlayer insulating film
124: drain electrode 126: source electrode
130, 142, 146: inorganic insulating film 132, 138, 144: organic insulating film
140: encapsulation layer 120: gate electrode

Claims (14)

복수의 발광 제어 신호를 각각 공급하는 복수의 발광 제어 스테이지를 포함하고,
상기 복수의 발광 제어 스테이지 각각은,
제1 제어 노드(이하 Q 노드)의 제어에 의해, 클럭 신호를 이용하여 출력 라인에 발광 제어 신호를 출력하고 스캔 출력 라인에 제1 스캔 신호를 출력하며, 제2 제어 노드(이하 QB 노드)의 제어에 의해 상기 출력 라인으로 고전위 전원 전압을 출력하고 상기 스캔 출력 라인에 저전위 전원 전압을 출력하는 출력 버퍼;
스캔 드라이버로부터 공급되는 스캔 신호를 이용하여 상기 Q 노드를 충전하고, 상기 QB 노드의 제어에 의해 상기 Q 노드를 방전하는 충방전부; 및
상기 Q 노드와 상반되게 상기 QB 노드를 충방전하는 인버터를 구비하는 발광 제어 드라이버.
a plurality of light emission control stages respectively supplying a plurality of light emission control signals;
Each of the plurality of emission control stages,
Under the control of the first control node (hereinafter referred to as Q node), a light emission control signal is output to an output line using a clock signal and a first scan signal is output to a scan output line using a clock signal, and a second control node (hereinafter referred to as QB node) is controlled. an output buffer outputting a high-potential power supply voltage to the output line and a low-potential power supply voltage to the scan output line under control;
a charge/discharge unit that charges the Q node using a scan signal supplied from a scan driver and discharges the Q node under control of the QB node; and
A light emission control driver comprising an inverter for charging and discharging the QB node opposite to the Q node.
청구항 1에 있어서,
상기 출력 버퍼는
상기 Q 노드에 의해 제어되고, 클럭 라인에 공급되는 상기 클럭 신호를 상기 출력 라인으로 출력하는 제1 출력 트랜지스터;
상기 Q 노드에 의해 제어되고, 클럭 라인에 공급되는 상기 클럭 신호를 상기 스캔 출력 라인으로 출력하는 제2 출력 트랜지스터;
상기 QB 노드에 의해 제어되고, 제1 전원 라인에 공급되는 상기 고전위 전원 전압을 상기 출력 라인으로 출력하는 제3 출력 트랜지스터; 및
상기 QB 노드에 의해 제어되고, 제2 전원 라인에 공급되는 상기 저전위 전원 전압을 상기 스캔 출력 라인으로 출력하는 제4 출력 트랜지스터를 포함하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 1,
The output buffer is
a first output transistor controlled by the Q node and configured to output the clock signal supplied to a clock line to the output line;
a second output transistor controlled by the Q node and configured to output the clock signal supplied to a clock line to the scan output line;
a third output transistor controlled by the QB node and configured to output the high-potential power voltage supplied to the first power line to the output line; and
and a fourth output transistor controlled by the QB node and outputting the low potential power voltage supplied to a second power line to the scan output line.
청구항 2에 있어서,
상기 출력 버퍼는
상기 Q 노드와 상기 출력 라인 사이에 접속된 커패시터를 추가로 포함하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 2,
The output buffer is
The emission control driver further comprising a capacitor connected between the Q node and the output line.
청구항 2에 있어서,
상기 충방전부는
상기 스캔 드라이버로부터 공급되는 제2-1 스캔 신호를 이용하여 상기 Q 노드를 상기 제2 스캔 신호로 충전하는 제1 충전 트랜지스터;
상기 스캔 드라이버로부터 공급되는 제2-2 스캔 신호를 이용하여 상기 Q 노드를 상기 제2 스캔 신호로 충전하는 제2 충전 트랜지스터; 및
상기 QB 노드에 의해 제어되어 상기 Q 노드를 상기 저전위 전원 전압으로 방전시키는 제1 방전 트랜지스터를 포함하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 2,
The charge/discharge unit
a first charging transistor charging the Q node with the second scan signal using the 2-1 scan signal supplied from the scan driver;
a second charging transistor for charging the Q node with the second scan signal using the 2-2 scan signal supplied from the scan driver; and
and a first discharge transistor controlled by the QB node to discharge the Q node to the low potential power supply voltage.
청구항 4에 있어서,
상기 인버터는
상기 고전위 전원 전압을 이용하여 상기 QB 노드를 충전하는 제2 충전 트랜지스터;
상기 제2-1 스캔 신호에 의해 제어되어 상기 QB 노드를 상기 저전위 전원 전압으로 방전시키는 제2 방전 트랜지스터;
상기 제2-1 스캔 신호에 의해 제어되어 상기 QB 노드를 상기 저전위 전원 전압으로 방전시키는 제3 방전 트랜지스터; 및
상기 Q 노드에 의해 제어되어 상기 QB 노드를 상기 저전위 전원 전압으로 방전시키는 제4 방전 트랜지스터를 포함하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 4,
The inverter
a second charging transistor charging the QB node using the high-potential power supply voltage;
a second discharge transistor controlled by the 2-1st scan signal to discharge the QB node to the low potential power supply voltage;
a third discharge transistor controlled by the 2-1 scan signal to discharge the QB node to the low potential power supply voltage; and
and a fourth discharge transistor controlled by the Q node to discharge the QB node to the low potential power supply voltage.
청구항 5에 있어서,
상기 발광 제어 스테이지는 N번째(N은 2보다 큰 정수) 발광 제어 신호 및 N번째 제1 스캔 신호를 출력하는 N번째 발광 제어 스테이지이고,
상기 제2-1 스캔 신호는 상기 스캔 드라이버의 N-1번째 스캔 스테이지에서 출력되는 N-1번째 제2 스캔 신호이고,
상기 제2-2 스캔 신호는 상기 스캔 드라이버의 N+2번째 스캔 스테이지에서 출력되는 N+2번째 제2 스캔 신호인 발광 제어 드라이버.
The method of claim 5,
The emission control stage is an N-th emission control stage outputting an N-th (N is an integer greater than 2) emission control signal and an N-th first scan signal;
The 2-1 scan signal is an N-1 second scan signal output from an N-1 scan stage of the scan driver,
Wherein the 2-2 scan signal is an N+2 second scan signal output from an N+2 scan stage of the scan driver.
청구항 6에 있어서,
상기 N번째 발광 제어 신호는 각 프레임에 포함되는 제1 내지 제4 기간 중, 상기 제1 기간 및 제3 기간에서 게이트 오프 레벨을 갖고, 상기 제2 기간 및 제4 기간에서 게이트 온 레벨을 가지며,
상기 N번째 제1 스캔 신호는 상기 제2 기간에서 게이트 온 레벨을 갖고 상기 제1, 제3, 제4 기간에서 게이트 오프 레벨을 갖는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 6,
The N-th light emission control signal has a gate-off level in the first to fourth periods included in each frame, a gate-off level in the first period and a third period, and a gate-on level in the second and fourth periods;
The N-th first scan signal has a gate-on level in the second period and a gate-off level in the first, third, and fourth periods.
청구항 7에 있어서,
상기 N번째 발광 제어 신호 및 상기 N번째 제1 스캔 신호의 상기 제1 내지 제4 기간에서,
상기 제1 기간은 상기 N번째 발광 제어 신호 및 상기 N번째 제1 스캔 신호가 공급되는 픽셀 회로의 초기화 기간에 대응하고,
상기 제2 기간은 상기 픽셀 회로의 샘플링 기간에 대응하고,
상기 제3 기간은 상기 픽셀 회로의 프로그램 기간에 대응하고,
상기 제4 기간은 상기 픽셀 회로의 발광 기간에 대응하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 7,
In the first to fourth periods of the Nth light emission control signal and the Nth first scan signal,
The first period corresponds to an initialization period of a pixel circuit to which the Nth emission control signal and the Nth first scan signal are supplied;
the second period corresponds to a sampling period of the pixel circuit;
the third period corresponds to a programming period of the pixel circuit;
The fourth period corresponds to a light emission period of the pixel circuit.
청구항 7에 있어서,
상기 제1 기간 동안,
상기 제1 충전 트랜지스터는 상기 N-1번째 제2 스캔 신호의 온 레벨로 상기 Q 노드를 충전하여, 상기 제1 출력 트랜지스터는 상기 클럭 신호의 오프 레벨을 상기 N번째 발광 제어 신호의 게이트 오프 레벨로 출력하고, 상기 제2 출력 트랜지스터는 상기 클럭 신호의 오프 레벨을 상기 N번재 제1 스캔 신호의 게이트 오프 레벨로 출력하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 7,
During the first period,
The first charging transistor charges the Q node with the on level of the N−1 th second scan signal, and the first output transistor converts the off level of the clock signal to the gate off level of the N th light emission control signal. and the second output transistor outputs an off level of the clock signal as a gate off level of the Nth first scan signal.
청구항 7에 있어서,
상기 제2 기간 동안,
상기 N-1번째 제2 스캔 신호의 오프 레벨에 의해 상기 Q 노드가 온 레벨로 플로팅되어, 상기 제1 출력 트랜지스터는 상기 클럭 신호의 온 레벨을 상기 N번째 발광 제어 신호의 게이트 온 레벨로 출력하고, 상기 제2 출력 트랜지스터는 상기 클럭 신호의 온 레벨을 상기 N번재 제1 스캔 신호의 게이트 온 레벨로 출력하며,
상기 Q 노드는 상기 클럭 신호의 온 레벨을 따라 상승하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 7,
During the second period,
The Q node is floated to an on level by the off level of the N−1 th second scan signal, and the first output transistor outputs the on level of the clock signal as the gate on level of the N th light emission control signal. , the second output transistor outputs the on level of the clock signal to the gate on level of the Nth first scan signal,
The Q node increases according to the on level of the clock signal.
청구항 7에 있어서,
상기 제3 기간 동안,
상기 제2 충전 트랜지스터는 상기 N+2번째 제2 스캔 신호의 온 레벨로 상기 Q 노드를 충전하여, 상기 제1 출력 트랜지스터는 상기 클럭 신호의 오프 레벨을 상기 N번째 발광 제어 신호의 게이트 오프 레벨로 출력하고, 상기 제2 출력 트랜지스터는 상기 클럭 신호의 오프 레벨을 상기 N번재 제1 스캔 신호의 게이트 오프 레벨로 출력하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 7,
During the third period,
The second charging transistor charges the Q node with the on level of the N+2 second scan signal, and the first output transistor converts the off level of the clock signal to the gate off level of the Nth light emission control signal. and the second output transistor outputs an off level of the clock signal as a gate off level of the Nth first scan signal.
청구항 7에 있어서,
상기 제4 기간 동안,
상기 QB 노드는 상기 고전위 전원 전압을 온 레벨로 충전하고, 상기 제3 출력 트랜지스터는 상기 고전위 전원 전압을 상기 N번째 발광 제어 신호의 게이트 온 레벨로 출력하고, 상기 제4 출력 트랜지스터는 상기 저전위 전원 전압을 상기 N번째 제1 스캔 신호의 게이트 오프 레벨로 출력하는 발광 제어 드라이버.
The method of claim 7,
During the fourth period,
The QB node charges the high-potential power supply voltage to an on level, the third output transistor outputs the high-potential power supply voltage to a gate-on level of the N-th light emission control signal, and the fourth output transistor charges the high-potential power supply voltage to a gate-on level of the N-th light emission control signal. An emission control driver that outputs a potential power supply voltage as a gate-off level of the N-th first scan signal.
서브픽셀들을 통해 영상을 표시하는 디스플레이 영역;
상기 디스플레이 영역을 둘러싸는 베젤 영역;
상기 베젤 영역에 배치되고, 상기 서브픽셀들과 접속된 제2 게이트 라인들 각각에 제2 스캔 신호를 공급하는 스캔 드라이버; 및
상기 베젤 영역에 배치되고, 상기 서브픽셀들과 접속된 제3 게이트 라인들 각각에 상기 발광 제어 신호를 공급하고, 상기 서브픽셀들과 접속된 제1 게이트 라인들 각각에 제1 스캔 신호를 공급하는 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 청구항에 기재된 발광 제어 드라이버를 포함하는 디스플레이 패널.
a display area displaying an image through subpixels;
a bezel area surrounding the display area;
a scan driver disposed in the bezel area and supplying a second scan signal to each of second gate lines connected to the subpixels; and
supplying the emission control signal to each of the third gate lines disposed in the bezel area and connected to the subpixels, and supplying a first scan signal to each of the first gate lines connected to the subpixels; A display panel comprising the emission control driver according to any one of claims 1 to 12.
서브픽셀들을 통해 영상을 표시하는 디스플레이 패널;
상기 디스플레이 패널에 내장되고, 상기 서브픽셀들과 접속된 제2 게이트 라인들 각각에 제2 스캔 신호를 공급하는 스캔 드라이버; 및
상기 디스플레이 패널에 내장되고, 상기 서브픽셀들과 접속된 제3 게이트 라인들 각각에 상기 발광 제어 신호를 공급하고, 상기 서브픽셀들과 접속된 제1 게이트 라인들 각각에 제1 스캔 신호를 공급하는 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 청구항에 기재된 발광 제어 드라이버를 포함하는 디스플레이 장치.
a display panel displaying an image through subpixels;
a scan driver built into the display panel and supplying a second scan signal to each of second gate lines connected to the subpixels; and
supplying the emission control signal to each of the third gate lines embedded in the display panel and connected to the subpixels, and supplying a first scan signal to each of the first gate lines connected to the subpixels; A display device comprising the emission control driver according to any one of claims 1 to 12.
KR1020210194722A 2021-09-03 2021-12-31 Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device KR20230034843A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211014236.1A CN115762408A (en) 2021-09-03 2022-08-23 Display panel and display device with light emission control driver
US17/899,259 US11869442B2 (en) 2021-09-03 2022-08-30 Display panel and display device having emission control driver

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210117597 2021-09-03
KR20210117597 2021-09-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230034843A true KR20230034843A (en) 2023-03-10

Family

ID=85511941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210194722A KR20230034843A (en) 2021-09-03 2021-12-31 Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230034843A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9214506B2 (en) Pixel unit driving circuit, method for driving pixel unit driving circuit and display device
US10204555B2 (en) Pixel circuit and driving method thereof, and display device
EP3098804A2 (en) Organic light emitting display
KR101878189B1 (en) Display panel and electroluminescence display using the same
US9734763B2 (en) Pixel circuit, driving method and display apparatus
KR20180061524A (en) Display panel and electroluminescence display using the same
WO2015188533A1 (en) Pixel-driving circuit, driving method, array substrate, and display device
CN114220401B (en) Display device with gate driver
CN114220400B (en) Display device with gate driver
US10726790B2 (en) OLED pixel circuit and method for driving the same, display apparatus
US11869442B2 (en) Display panel and display device having emission control driver
WO2019047701A1 (en) Pixel circuit, driving method therefor, and display device
US11769454B2 (en) Display panel and display device having emission control driver
CN111341788A (en) Thin film transistor and display panel
US11670239B2 (en) Gate driving circuit and display device
US11790856B2 (en) Display device having emission control driver
KR20230034843A (en) Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device
KR20230034842A (en) Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device
KR102473279B1 (en) Organic Light Emitting Diode
KR20230034841A (en) Emission Control Driver, Display Panel, and Display Device
US11908419B2 (en) Gate driver without using carry signal and display device comprising the same
US20230217759A1 (en) Display panel and display device
KR20220096845A (en) Display Device having Gate Drivier
KR20210144401A (en) Display device and driving method thereof
KR20220087742A (en) Gate driver and display device having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination