KR20230034678A - 디지털 노광장치 - Google Patents

디지털 노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230034678A
KR20230034678A KR1020210117726A KR20210117726A KR20230034678A KR 20230034678 A KR20230034678 A KR 20230034678A KR 1020210117726 A KR1020210117726 A KR 1020210117726A KR 20210117726 A KR20210117726 A KR 20210117726A KR 20230034678 A KR20230034678 A KR 20230034678A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alignment mark
adjacent
alignment
alignment marks
exposure apparatus
Prior art date
Application number
KR1020210117726A
Other languages
English (en)
Inventor
임창민
문영성
심상범
Original Assignee
주식회사 에스디에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스디에이 filed Critical 주식회사 에스디에이
Priority to KR1020210117726A priority Critical patent/KR20230034678A/ko
Publication of KR20230034678A publication Critical patent/KR20230034678A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

복수개의 얼라인 마크를 생성하고 복수개의 얼라인 마크를 재정렬할 수 있는 본 발명에 따른 디지털 노광장치는 기판에 복수개의 얼라인 마크를 미리 정해진 기준간격으로 생성하는 마킹 생성장치; 상기 복수개의 얼라인 마크를 촬영하여 복수개의 얼라인 마크의 위치가 기록된 얼라인 정보를 생성하는 촬영부; 및 상기 얼라인 정보를 기초로 상기 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단하여 손상된 얼라인 마크의 위치를 보정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

디지털 노광장치{Digital Exposure Apparatus}
본 발명은 디지털 노광장치에 관한 것이다.
본 명세서에서 달리 표시되지 않는 한, 이 식별항목에 설명되는 내용들은 이 출원의 청구항들에 대한 종래 기술이 아니며, 이 식별항목에 기재된다고 하여 종래 기술이라고 인정되는 것은 아니다.
일반적으로 프린트 인쇄회로 기판, 반도체 웨이퍼 및 액정표시패널의 기판 등을 제조하는 공정에서는 절연 기판 또는 글라스 기판과 같은 기판의 상면에 복잡한 회로 패턴을 형성한다. 이러한 회로 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피법이 가장 광범위하게 사용되고 있다.
포토리소그래피법은 베이스 기판 상에 감광막을 형성하고, 회로 패턴에 상응하는 전사 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용하여 감광막을 노광하는 공정방법이다. 이와 같은 포토리소그래피법은 포토 마스크가 정밀하게 제작되어야 하기 때문에 제조가 어렵고, 비용이 많이 소모되었다.
이에 따라, 포토 마스크를 사용하지 않고서도 기판에 회로 패턴을 형성할 수 있는 디지털 노광장치가 개발되고 있다. 디지털 노광장치는 복수개의 디지털 미리 디바이스(DMD, Digital Micromirror Device)의 온/오프를 제어하여 기판 상에 광 빔을 조사함으로써 회로 패턴을 생성하는 장치이다.
디지털 노광장치는 스테이지 상에 기판을 배치하고, 기판 상에 회로 패턴을 노광하게 되는데, 회로 패턴이 정밀해짐에 따라 기판과 디지털 노광장치 간의 정렬이 요구되었다.
이에 따라, 디지털 노광장치는 기판에 얼라인 마크를 생성하여 기판의 정렬을 수행하였다. 하지만, 종래의 얼라인 마크는 도 1에 도시된 바와 같이, 단순히 하나로 형성되어 타겟의 재질이나 외부환경에 의해 얼라인마크의 인식에 오류가 발생하거나, 공정 중에 쉽게 훼손된다는 문제가 있었다.
본 발명은 복수개의 얼라인 마크를 생성하고 복수개의 얼라인 마크를 보정할 수 있는 디지털 노광장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 복수개의 얼라인 마크의 재정렬을 고속으로 수행할 수 있는 디지털 노광장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 디지털 노광장치는 기판에 복수개의 얼라인 마크를 미리 정해진 기준간격으로 생성하는 마킹 생성장치; 상기 복수개의 얼라인 마크를 촬영하여 복수개의 얼라인 마크의 위치가 기록된 얼라인 정보를 생성하는 촬영부; 및 상기 얼라인 정보를 기초로 상기 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단하여 손상된 얼라인 마크의 위치를 보정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 복수개의 얼라인 마크를 생성하고 복수개의 얼라인 마크를 보정할 수 있어, 오차없이 기판 상에 초미세 회로패턴을 형성할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 복수개의 얼라인 마크의 재정렬을 고속으로 수행할 수 있어 전체 공정과정 속도를 향상시킴으로써 생산성을 극대화시킬 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 종래에 디지털 노광장치가 생성하는 얼라인마크의 일예를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 얼라인 마크를 보정하는 디지털 노광장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디지털 노광장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 노광장치가 생성한 복수개의 얼라인 마크의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 얼라인 마크 보정방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 복수개의 얼라인 마크 손상여부를 판단하여 얼라인 마크의 위치를 보정하는 것을 보여주는 플로우차트이다.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분 품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1 항목, 제2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1 항목, 제2 항목, 또는 제3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제2 항목, 및 제3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항 목의 조합을 의미한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 얼라인 마크를 보정하는 디지털 노광장치(이하 '노광장치'라고 함)를 보여주는 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 노광장치는, 회로패턴이 형성된 노광이미지에 따라 노광을 수행한다. 특히, 본 발명에 따른 노광장치는 디지털 노광장치로서, 별도의 마스크없이 노광이미지에 따라 노광을 수행한다.
본 발명에 따른, 노광장치(100)는 스테이지 상에 배치된 기판에 복수개의 얼라인 마크를 생성한다. 노광장치(100)는 얼라인 마크를 촬영하여 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단하고, 판단결과에 따라 얼라인 마크의 위치를 보정한다.
특히, 종래의 경우, 노광장치(100)는 하나의 얼라인마크를 생성하여 얼라인 마크가 조명이나 기판의 재질 등에 의해 부정확하게 인식될 수 있고, 공정과정 등의 외부요인으로 인해 얼라인 마크가 손상될 수 있어 기판과 노광장치가 정렬되지 않는다는 문제가 있었다.
이에 따라, 노광장치(100)가 손상된 얼라인 마크를 기초로 노광을 수행하는 경우, 기판 상의 회로패턴이 부정확하게 형성되어 불량률이 높아지게 되었다.
하지만, 본 발명에 따른 노광장치(100)는 복수개의 얼라인 마크의 정렬여부를 판단하고, 판단결과에 따라 복수개의 얼라인 마크를 보정함으로써, 정확한 복수개의 얼라인 마크를 기초로 노광을 수행할 수 있어 불량률 최소화는 물론, 초미세패턴의 회로를 기판 상에 정확하게 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 노광장치(100)의 구성을 보여주는 도면이다. 본 발명에 따른 노광장치(100)는 도 3에 도시된 바와 같이 마킹 생성장치(110), 촬영부(120), 및 제어부(130)를 포함한다.
마킹 생성장치(110)는 기판 상에 얼라인 마크를 생성한다. 구체적으로, 마킹 생성장치(110)는 기판 상에 복수개의 얼라인 마크를 생성한다. 마킹 생성장치(110)는 복수개의 얼라인 마크를 미리 정해진 기준간격으로 생성할 수 있다. 여기서 기준간격은 얼라인 마크들의 중심점 사이 거리를 의미한다.
예컨대, 마킹 생성장치(110)는 도 4에 도시된 바와 같이, 복수개의 얼라인 마크를 생성할 수 있다. 각 얼라인 마크 간의 간격은 기준간격으로 형성될 수 있다. 도 4에서는 원형으로 얼라인 마크를 형성하는 것으로 도시하였으나, 이는 하나의 예일뿐, 삼각형, 사각형 등의 다각형 등으로 형성될 수 있으며, 일정한 형상을 가지는 모든 얼라인 마크를 포함할 수 있다.
마킹 생성장치(110)는 UV, 레이저 등을 통해 기판 상에 얼라인 마크를 생성할 수 있으며, 이외의 모든 수단을 통해 얼라인 마크를 생성할 수 있을 것이다. 또한, 마킹 생성장치(110)는 적어도 하나일 수 있다. 도 4에서는 마킹 생성장치(110)가 복수개가 있는 것으로 도시하였으나, 이는 하나의 예로서, 1개일 수도 있고, 2개일 수도 있으며, 4개일 수도 있는 등 개수에 한정되지 않는다.
촬영부(120)는 마킹 생성장치(110)에 의해 생성된 얼라인 마크를 촬영한다. 구체적으로, 촬영부(120)는 복수개의 얼라인 마크를 촬영하고, 촬영된 얼라인 마크의 위치가 기록된 얼라인 정보를 생성한다.
촬영부(120)는 생성된 얼라인 정보를 제어부(130)로 전달한다.
도 3에서는 촬영부(120)가 3개로 구성된 것으로 도시하였으나 이는 하나의 예일뿐, 1개일 수도 있고, 2개일 수도 있는 등 개수에 한정되지 않는다.
제어부(130)는 얼라인 정보를 기초로 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단한다. 구체적으로, 제어부(130)는 얼라인 정보에 기록된 각 얼라인 마크의 위치를 기초로 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단한다.
일 실시예에 있어서, 제어부(130)는 복수개의 얼라인 마크 중 어느 하나의 얼라인 마크를 중심 얼라인 마크로 선택할 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 제어부(130)는 제2 얼라인 마크(B)를 중심 얼라인 마크로 선택할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제어부(130)는 선택된 중심 얼라인 마크를 기준으로 가장 인접한 복수개의 인접 얼라인 마크를 추출할 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 제어부(130)는 중심 얼라인 마크(B)를 기준으로 가장 인접한 제1 얼라인 마크(A), 제3 얼라인 마크(C), 제4 얼라인 마크(D), 제5 얼라인 마크(E)를 인접 얼라인 마크로 추출할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제어부(130)는 추출된 각 인접 얼라인 마크 및 중심 얼라인 마크와의 인접간격이 기준간격과 일치하는지 판단할 수 있다. 제어부(130)는 각 인접 얼라인 마크 및 중심 얼라인마크와의 인접간격이 기준간격과 일치하지 않으면, 얼라인 마크에 손상이 있는 것으로 판단한다.
예컨대, 기준간격이 1mm이면, 도 4에 도시된 바와 같이, 제어부(130)는 중심 얼라인마크(B)와 인접 얼라인 마크(A,C,D,E)들과의 인접간격 각각을 기준간격과 비교한다. 제어부(130)는 중심 얼라인마크(B)와 제1 인접 얼라인 마크(A)와의 인접간격이 0.9mm이면 기준간격과 일치하지 않으므로, 얼라인 마크에 손상이 있는 것으로 판단한다. 제어부(130)는 중심 얼라인마크(B)와 제3 인접 얼라인 마크(C)와의 인접간격이 1mm이면 기준간격과 일치하므로, 얼라인마크가 정상인 것으로 판단한다.
일 실시예에 있어서, 제어부(130)는 정상 얼라인마크와 중심 얼라인마크를 기준으로 손상된 얼라인 마크의 위치를 보정할 수 있다.
여기서 정상 인접 얼라인 마크는 인접간격과 기준간격이 일치하는 인접 얼라인 마크를 의미한다. 손상된 얼라인 마크는 인접간격과 기준간격이 불일치하는 얼라인 마크를 의미한다.
예컨대, 제어부(130)는 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 인접 얼라인 마크(A)가 정상이고, 제3 인접 얼라인 마크(C)가 손상된 경우, 제1 인접 얼라인 마크(A)와 중심 얼라인 마크(B)를 기준으로 제3 인접 얼라인 마크(C)의 위치를 보정한다.
제어부(130)는 손상된 얼라인 마크의 위치를 보정하여 정상 얼라인 정보를 생성한다.
이와 같이, 본 발명은, 정상적인 두개의 얼라인 마크를 기준으로 손상된 얼라인 마크를 보정함으로써, 정확한 얼라인 정보를 획득할 수 있어, 불량률을 극소화할 수 있을 뿐만 아니라, 초미세패턴을 구현가능하게 하는 효과가 있다.
일 실시예에 있어서, 제어부(130)는 각 인접간격이 기준간격과 모두 불일치하면, 중심 얼라인 마크가 손상된 것으로 판단할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제어부(130)는 중심 얼라인 마크가 손상된 경우, 복수개의 얼라인 마크 중 중심 얼라인 마크를 재선택할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 제어부(130)는 중심 얼라인 마크가 손상된 경우, 복수개의 인접 얼라인 마크 간의 제2 인접간격을 기초로 중심 얼라인 마크의 위치를 보정할 수 있다. 이러한 실시예를 따르는 경우, 제어부(130)는 복수개의 인접 얼라인 마크 간의 제2 인접간격이 제2 기준간격과 일치하는지 판단하여 일치하는 인접 얼라인 마크들을 기준으로 중심 얼라인 마크의 위치를 보정할 수 있다.
예컨대, 제어부(130)는 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 인접 얼라인 마크(A), 제3 인접 얼라인 마크(C), 제4 인접 얼라인 마크(D), 제5 인접 얼라인 마크(E) 각각이 중심 얼라인 마크(B)와의 인접거리가 기준거리와 일치하지 않으면, 중심 얼라인 마크(B)가 손상된 것으로 판단할 수 있다.
이러한 경우, 제어부(130)는 제1 인접 얼라인 마크(A), 제3 인접 얼라인 마크(C), 제4 인접 얼라인 마크(D), 제5 인접 얼라인 마크(E) 중 어느 하나를 중심 얼라인 마크로 재 선택할 수 있다. 도 4에는 제1 내지 제5 얼라인 마크(A-E)로 도시되어 있지만, 재선택하는 경우, 제1 내지 제5 얼라인 마크에 한정되지 않고, 복수개의 얼라인마크가 더 존재할 수 있다.
또한, 제어부(130)는 제1 인접 얼라인 마크(A), 제3 인접 얼라인 마크(C), 제4 인접 얼라인 마크(D), 제5 인접 얼라인 마크(E)간의 제2 인접간격을 기초로 중심 얼라인 마크(B)의 위치를 보정할 수도 있다.
제어부(130)는 제1 인접 얼라인 마크(A)와 제4 인접 얼라인 마크(D)와의 제2 인접거리가 제2 기준거리와 일치하는지 판단한다. 제어부(130)는 제1 인접 얼라인 마크(A)와 제5 인접 얼라인 마크(E)와의 제2 인접거리가 제2 기준거리와 일치하는지 판단한다. 제어부(130)는 제3 인접 얼라인 마크(C)와 제5 인접 얼라인 마크(E)와의 제2 인접거리가 제2 기준거리와 일치하는지 판단한다. 제어부(130)는 제3 인접 얼라인 마크(C)와 제4 인접 얼라인 마크(D)와의 제2 인접거리가 제2 기준거리와 일치하는지 판단한다.
제1 인접 얼라인 마크(A)와 제4 인접 얼라인 마크(D)의 제2 인접거리가 제2 기준거리와 일치하면 제어부(130)는 제1 인접 얼라인 마크(A)와 제4 인접 얼라인 마크(D)를 기준으로 중심 얼라인 마크(B)의 위치를 보정한다.
여기서 제2 기준간격은 인접 얼라인 마크 간의 중심점 사이 거리를 의미한다. 제2 기준간격은 기준간격으로 산출될 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 중심 얼라인 마크를 기준으로 인접 얼라인 마크가 수평방향 및 수직방향에 위치하는 경우, 제2 기준간격은 기준간격에
Figure pat00001
를 곱한 값일 수 있다.
이러한 예와 달리, 각 얼라인 마크들이 정삼각형 형태로 배열되는 경우, 제2 기준간격은 기준간격과 동일한 값일 수 있다.
제어부(130)는 손상된 중심 얼라인 마크의 위치를 보정하여 정상 얼라인 정보를 생성한다.
제어부(130)는 정상 얼라인 정보를 기초로 기판 상에 노광을 수행할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 얼라인 마크 보정방법에 대해 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 얼라인 마크 보정방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5에 도시된 얼라인 마크 보정방법은 노광장치에 의해 수행될 수 있다.
노광장치는 기판 상에 복수개의 얼라인 마크를 생성한다(S300). 노광장치는 복수개의 얼라인 마크를 미리 정해진 기준간격으로 생성할 수 있다. 여기서 기준간격은 얼라인 마크들의 중심점 사이 거리를 의미한다.
노광장치는 UV, 레이저 등을 통해 기판 상에 얼라인 마크를 생성할 수 있으며, 이외의 모든 수단을 통해 얼라인 마크를 생성할 수 있을 것이다.
노광장치는 얼라인 마크를 촬영한다. 구체적으로, 노광장치는 복수개의 얼라인 마크를 촬영하고, 촬영된 얼라인 마크의 위치가 기록된 얼라인 정보를 생성한다(S310).
노광장치는 얼라인 정보를 기초로 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단한다(S320). 구체적으로, 노광장치는 얼라인 정보에 기록된 각 얼라인 마크의 위치를 기초로 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단한다.
이후, 노광장치는 손상된 얼라인 마크의 위치를 보정한다(S330).
이하, 도 6을 참조하여 노광장치가 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단하고, 얼라인 마크의 위치를 보정하는 것을 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단하여 얼라인 마크의 위치를 보정하는 것을 보여주는 플로우차트이다.
노광장치는 복수개의 얼라인 마크 중 어느 하나의 얼라인 마크를 중심 얼라인 마크로 선택할 수 있다(S400).
이후, 노광장치는 선택된 중심 얼라인 마크를 기준으로 가장 인접한 복수개의 인접 얼라인 마크를 추출할 수 있다(S410).
이후, 노광장치는 추출된 각 인접 얼라인 마크 및 중심 얼라인 마크와의 인접간격이 기준간격과 일치하는지 판단할 수 있다(S420). 노광장치는 각 인접 얼라인 마크 및 중심 얼라인마크와의 인접간격이 기준간격과 일치하지 않으면, 손상된 것으로 판단한다. 노광장치는 각 인접 얼라인 마크 및 중심 얼라인마크와의 인접간격이 기준간격과 일치하면, 정상인 것으로 판단한다.
이후, 노광장치는 각 인접간격 중 일부가 기준간격과 불일치하면(S425), 정상 인접 얼라인 마크와 중심 얼라인 마크를 기준으로 손상된 인접 얼라인 마크의 위치를 보정할 수 있다(S430). 여기서 정상 인접 얼라인 마크는 인접간격과 기준간격이 일치하는 인접 얼라인 마크를 의미한다. 손상된 인접 얼라인 마크는 인접간격과 기준간격이 불일치하는 얼라인 마크를 의미한다.
노광장치는 각 인접간격이 기준간격과 모두 불일치하면(S425), 중심 얼라인 마크가 손상된 것으로 판단할 수 있다(S440).
노광장치는 중심 얼라인 마크가 손상된 경우, 복수개의 인접 얼라인 마크 간의 제2 인접간격을 기초로 중심 얼라인 마크의 위치를 보정할 수 있다(S450). 이러한 실시예를 따르는 경우, 제어부(130)는 복수개의 인접 얼라인 마크 간의 제2 인접간격이 제2 기준간격과 일치하는지 판단하여 일치하는 인접 얼라인 마크들을 기준으로 중심 얼라인 마크의 위치를 보정할 수 있다.
다시, 도 5를 참조하면, 노광장치는 보정된 얼라인 마크의 위치를 기초로 얼라인 정보를 재생성한다(S340).
노광장치는 얼라인 정보를 기초로 기판 상에 노광을 수행한다(S350).
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 본 발명이 복수개의 프로그램으로 분할되어 구현되는 경우 각 프로그램은 서로 다른 매체에 탑재될 수 있다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한 다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 디지털 노광장치 110: 마킹 생성장치
120: 촬영부 130: 제어부

Claims (5)

  1. 기판에 복수개의 얼라인 마크를 미리 정해진 기준간격으로 생성하는 마킹 생성장치;
    상기 복수개의 얼라인 마크를 촬영하여 복수개의 얼라인 마크의 위치가 기록된 얼라인 정보를 생성하는 촬영부; 및
    상기 얼라인 정보를 기초로 상기 복수개의 얼라인 마크의 손상여부를 판단하여 손상된 얼라인 마크의 위치를 보정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 디지털 노광장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    복수개의 얼라인 마크 중 어느 하나의 얼라인 마크를 중심 얼라인 마크로 선택하여 상기 선택된 중심 얼라인 마크를 기준으로 가장 인접한 복수개의 인접 얼라인 마크를 추출하고,
    추출된 각 인접 얼라인 마크 및 상기 중심 얼라인 마크와의 인접간격이 기준간격과 일치하는지 판단하여 일치하는 인접 얼라인 마크와 중심 얼라인 마크를 기준으로 불일치하는 인접 얼라인 마크의 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 디지털 노광장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 각 인접간격이 상기 기준간격과 모두 불일치하면, 상기 중심 얼라인 마크가 손상된 것으로 판단하여 상기 중심 얼라인 마크를 재 선택하는 것을 특징으로 하는 디지털 노광장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 각 인접간격이 상기 기준간격과 모두 불일치하면, 상기 복수개의 인접 얼라인 마크 간의 제2 인접간격이 상기 기준간격에 따라 산출되는 제2 기준간격과 일치하는지 판단하여 일치하는 제1 인접 얼라인 마크 및 제2 인접 얼라인 마크를 기준으로 상기 중심 얼라인 마크의 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 디지털 노광장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제2 기준간격은, 상기 기준간격의
    Figure pat00002
    배 길이인 것을 특징으로 하는 디지털 노광장치.
KR1020210117726A 2021-09-03 2021-09-03 디지털 노광장치 KR20230034678A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210117726A KR20230034678A (ko) 2021-09-03 2021-09-03 디지털 노광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210117726A KR20230034678A (ko) 2021-09-03 2021-09-03 디지털 노광장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230034678A true KR20230034678A (ko) 2023-03-10

Family

ID=85570448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210117726A KR20230034678A (ko) 2021-09-03 2021-09-03 디지털 노광장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230034678A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008294353A (ja) 描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2010103216A (ja) 露光装置
JP2010122526A (ja) マスクレス露光方法
US8367284B2 (en) Exposure device, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device
KR0171453B1 (ko) 노광장치 및 노광방법
TW201706728A (zh) 評估方法，儲存媒體，曝光裝置，曝光方法以及製造物品之方法
JP2006214816A (ja) 半導体検査装置
KR100544029B1 (ko) 주사노광방법및주사노광방법을이용한회로소자제조방법
JP6688273B2 (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、決定方法及び物品の製造方法
US20170351180A1 (en) Reticle transmittance measurement method, projection exposure method using the same, and projection exposure device
KR20230034678A (ko) 디지털 노광장치
JP2005148531A (ja) 基板伸縮に対応したプリント配線基板用露光装置
US7939222B2 (en) Method and system for improving printing accuracy of a contact layout
KR101089839B1 (ko) 노광장치 및 위치맞춤 방법
JP2006269624A (ja) 光学式外観検査装置のアライメント高速化法、これを用いたパターン検査装置
JP2020525828A (ja) インコヒーレント照明の混合を介した位置合わせのための画像の改善
JP2009163110A (ja) マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラム、マスクパターン補正装置、露光条件設定方法、露光条件設定プログラム、露光条件設定装置、半導体装置製造方法、半導体装置製造プログラムおよび半導体装置製造装置
TW200304669A (en) Multi-exposure lithography method and system providing increased overlay accuracy
JP2003224058A (ja) 露光装置及び露光方法
JP6591482B2 (ja) 露光方法
JP2006128447A (ja) 基板処理装置及び方法並びに情報管理方法
JPH05304075A (ja) 投影露光方法及び投影露光装置
KR20080018684A (ko) 반도체 제조설비 및 그를 이용한 웨이퍼 정렬방법
JP2006203032A (ja) 素子の製造方法
KR20060106379A (ko) 오버레이 키 및 그를 이용한 오버레이 계측방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right