KR20230027146A - Polyamic acid, polyamic acid solution, polyimide, polyimide film, laminate, method for manufacturing laminate and electronic device - Google Patents

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KR20230027146A KR1020237000492A KR20237000492A KR20230027146A KR 20230027146 A KR20230027146 A KR 20230027146A KR 1020237000492 A KR1020237000492 A KR 1020237000492A KR 20237000492 A KR20237000492 A KR 20237000492A KR 20230027146 A KR20230027146 A KR 20230027146A
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Abstract

폴리아미드산은, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함한다. 폴리아미드산 용액은, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산과 유기 용매를 함유한다. 폴리이미드는, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물이다. 폴리이미드막은, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물을 함유한다. 적층체는, 지지체와, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물을 함유하는 폴리이미드막을 갖는다. 전자 디바이스는, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물을 함유하는 폴리이미드막과, 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는다.

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A polyamic acid contains a structural unit represented by following formula (1). The polyamic acid solution contains a polyamic acid containing a structural unit represented by the following formula (1) and an organic solvent. A polyimide is an imide of a polyamic acid containing a structural unit represented by the following formula (1). The polyimide film contains an imide of a polyamic acid containing a structural unit represented by the following formula (1). The layered product has a support and a polyimide film containing an imide of polyamic acid containing a structural unit represented by the following formula (1). An electronic device has a polyimide film containing an imide of a polyamic acid containing a structural unit represented by the following formula (1), and an electronic element disposed on the polyimide film.
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Description

폴리아미드산, 폴리아미드산 용액, 폴리이미드, 폴리이미드막, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스Polyamic acid, polyamic acid solution, polyimide, polyimide film, laminate, method for manufacturing laminate and electronic device

본 발명은 폴리아미드산, 폴리아미드산 용액, 폴리이미드, 폴리이미드막, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 폴리이미드를 사용한 전자 디바이스 재료, 박막 트랜지스터(TFT) 기판, 플렉시블 디스플레이 기판, 컬러 필터, 인쇄물, 광학 재료, 화상 표시 장치(보다 구체적으로는, 액정 표시 장치, 유기 EL, 전자 페이퍼 등), 3D 디스플레이, 태양 전지, 터치 패널, 투명 도전막 기판, 및 현재 유리가 사용되고 있는 부재의 대체 재료에 관한 것이다.The present invention relates to a polyamic acid, a polyamic acid solution, a polyimide, a polyimide film, a laminate, a method for manufacturing the laminate, and an electronic device. The present invention also relates to electronic device materials using polyimide, thin film transistor (TFT) substrates, flexible display substrates, color filters, printed materials, optical materials, image display devices (more specifically, liquid crystal display devices, organic EL, electronic paper etc.), 3D displays, solar cells, touch panels, transparent conductive film substrates, and alternative materials for members currently using glass.

액정 디스플레이, 유기 EL, 전자 페이퍼 등의 디스플레이나, 태양 전지, 터치 패널 등의 일렉트로닉스 디바이스의 급속한 진보에 수반하여, 디바이스의 박형화나 경량화, 플렉시블화가 진행하고 있다. 이들 디바이스에서는 유리 기판 대신에 폴리이미드가 기판 재료로서 사용되고 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART With the rapid progress of displays, such as a liquid crystal display, organic EL, and electronic paper, and electronic devices, such as a solar cell and a touch panel, thinning, weight reduction, and flexibility of devices are progressing. In these devices, polyimide is used as a substrate material instead of a glass substrate.

이들 디바이스에서는, 기판 상에 여러가지 전자 소자, 예를 들어, 박막 트랜지스터나 투명 전극 등이 형성되어 있고, 이들 전자 소자의 형성에는 고온 프로세스가 필요하다. 폴리이미드는, 고온 프로세스에 적응 가능할 만큼의 충분한 내열성을 갖고 있고, 열팽창 계수(CTE)도 유리 기판이나 전자 소자와 가깝기 때문에, 내부 응력이 발생하기 어려워, 플렉시블 디스플레이 등의 기판 재료에 적합하다.In these devices, various electronic elements such as thin film transistors and transparent electrodes are formed on a substrate, and high-temperature processes are required to form these electronic elements. Polyimide has sufficient heat resistance to be able to adapt to high-temperature processes, and its coefficient of thermal expansion (CTE) is close to that of glass substrates and electronic elements, so internal stress is unlikely to occur, making it suitable for substrate materials such as flexible displays.

일반적으로 방향족 폴리이미드는 분자 내 공액이나 전하 이동(CT) 착체의 형성에 의해 황갈색으로 착색되어 있지만, 톱 에미션형의 유기 EL 등에서는, 기판의 반대측으로부터 광을 취출하기 때문에, 기판에 투명성은 요구되지 않고, 종전의 방향족 폴리이미드가 사용되어 왔다. 그러나, 투명 디스플레이나 보텀 에미션형의 유기 EL, 액정 디스플레이와 같이 표시 소자로부터 발해지는 광이 기판을 통하여 출사되는 경우나, 스마트폰 등을 전체면 디스플레이(노치리스)로 하기 위하여 센서나 카메라 모듈을 기판의 배면에 배치하는 경우에는, 기판에도 높은 광학 특성(보다 구체적으로는, 투명성 등)이 요구되게 되었다.In general, aromatic polyimide is colored yellowish brown due to intramolecular conjugation or formation of charge transfer (CT) complexes. Instead, conventional aromatic polyimide has been used. However, when light emitted from a display element is emitted through a substrate, such as a transparent display, a bottom emission type organic EL, or a liquid crystal display, or a sensor or camera module is used to make a smartphone or the like a full-surface display (notchless). In the case of disposing on the back side of a substrate, high optical properties (more specifically, transparency, etc.) are required of the substrate as well.

이러한 배경으로부터, 기존의 방향족 폴리이미드와 동등한 내열성을 가지면서, 투명성이 우수한 재료가 요구되고 있다.From such a background, a material having excellent transparency while having heat resistance equal to that of existing aromatic polyimides has been demanded.

폴리이미드의 착색을 저감시키기 위해서, 지방족계 모노머를 사용하여 CT 착체의 형성을 억제하는 기술(특허문헌 1 및 2), 및 불소 원자나 황 원자를 갖는 모노머를 사용하여 투명성을 높이는 기술(특허문헌 3)이 알려져 있다.In order to reduce the coloring of polyimide, a technique for suppressing the formation of a CT complex using an aliphatic monomer (Patent Documents 1 and 2) and a technique for increasing transparency using a monomer having a fluorine atom or a sulfur atom (Patent Documents 1 and 2) 3) is known.

특허문헌 1 및 2에 기재된 폴리이미드는, 투명성이 높고, CTE도 낮으나, 지방족 구조를 갖기 때문에 열분해 온도가 낮아, 전자 소자를 형성할 때의 고온 프로세스에 적용하는 것은 어렵다.Although the polyimides described in Patent Literatures 1 and 2 have high transparency and low CTE, they have a low thermal decomposition temperature because they have an aliphatic structure, and it is difficult to apply them to high-temperature processes when forming electronic elements.

일본 특허 공개 제2016-29177호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-29177 일본 특허 공개 제2012-41530호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-41530 일본 특허 공개 제2014-70139호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-70139

특허문헌 3에 기재된 폴리이미드는, 투명성이 높지만, 불소 원자를 포함하기 때문에, 표면 자유 에너지의 저하에 의해, 폴리이미드 기판 상에 형성되는 배리어막이나 전자 소자와의 밀착성이 낮아져, 고온 프로세스에 있어서 폴리이미드와의 계면에서 박리가 발생할 가능성이 있는 것이, 본 발명자의 검토에 의해 판명되었다. 또한, 특허문헌 3에 기재된 폴리이미드는, 고온 프로세스에서 발생하는 불소계의 분해 가스에 기인하여 폴리이미드와 배리어막이나 전자 소자 간에 밀착성 불량이 발생할 가능성이 있는 것이, 본 발명자의 검토에 의해 판명되었다.Although the polyimide described in Patent Literature 3 has high transparency, since it contains fluorine atoms, a decrease in surface free energy reduces adhesion to a barrier film formed on a polyimide substrate or an electronic element, and in a high-temperature process. It became clear by the present inventor's examination that peeling may occur at the interface with polyimide. Further, the polyimide described in Patent Literature 3 has a possibility of causing poor adhesion between the polyimide and the barrier film or electronic element due to fluorine-based decomposition gas generated in a high-temperature process.

본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 투명성이 우수하고, 높은 내열성을 갖고, 고온 프로세스 중에서 무기 재료(보다 구체적으로는, 유리 기판, 배리어막 등)와의 밀착성을 확보할 수 있는 폴리이미드 및 그의 전구체로서의 폴리아미드산을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 당해 폴리이미드 및 폴리아미드산을 사용하여 제조된, 내열성 및 투명성이 요구되는 제품 또는 부재를 제공하는 것도 목적으로 한다. 특히, 본 발명의 폴리이미드막이, 유리, 금속, 금속 산화물 및 단결정 실리콘 등의 무기물 표면에 형성된 제품 또는 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above situation, and has excellent transparency, high heat resistance, and a polyimide capable of securing adhesion to an inorganic material (more specifically, a glass substrate, a barrier film, etc.) in a high-temperature process, and its It aims to provide a polyamic acid as a precursor. Another object is to provide a product or member manufactured using the polyimide and polyamic acid and requiring heat resistance and transparency. In particular, it is an object of the present invention to provide a product or member in which the polyimide film of the present invention is formed on the surface of an inorganic material such as glass, metal, metal oxide, and single crystal silicon.

본 발명자는, 예의 검토한 결과, 플루오렌 골격(플루오렌 구조)을 갖는 특정한 폴리아미드산을 이미드화하여 얻어진 폴리이미드가, 투명성이 우수하고, 높은 내열성을 갖고, 고온 프로세스 중에서 유리 기판이나 배리어막과의 밀착성을 확보할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성하였다.As a result of intensive studies, the present inventors have found that a polyimide obtained by imidizing a specific polyamic acid having a fluorene skeleton (fluorene structure) has excellent transparency, high heat resistance, and can be used as a glass substrate or barrier film in a high-temperature process. It was found that adhesion to the surface could be secured, and the present invention was completed.

본 발명에 관계되는 폴리아미드산은, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함한다.The polyamic acid according to the present invention includes a structural unit represented by the following formula (1).

Figure pct00001
Figure pct00001

본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산은, 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위를 더 포함한다.The polyamic acid according to one embodiment of the present invention further includes a structural unit represented by the following general formula (2).

Figure pct00002
Figure pct00002

상기 일반식 (2) 중, X는, 상기 화학식 (1) 중의 테트라카르복실산 이무수물 잔기와는 다른 4가의 유기기를 나타낸다.In the general formula (2), X represents a tetravalent organic group different from the tetracarboxylic dianhydride residue in the general formula (1).

본 발명에 관계되는 폴리아미드산의 일 실시 형태에서는, 상기 일반식 (2) 중의 X가, 하기 화학식 (3)으로 표시되는 4가의 유기기 및 하기 화학식 (4)로 표시되는 4가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이다.In one embodiment of the polyamic acid according to the present invention, X in the general formula (2) is composed of a tetravalent organic group represented by the following formula (3) and a tetravalent organic group represented by the following formula (4) It is one or more types selected from the group.

Figure pct00003
Figure pct00003

본 발명에 관계되는 폴리아미드산의 일 실시 형태에서는, 상기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위의 함유율이, 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상이다.In one embodiment of the polyamic acid according to the present invention, the content of the structural unit represented by the above formula (1) is 1 mol% or more with respect to all structural units.

본 발명에 관계되는 폴리아미드산의 일 실시 형태에서는, 테트라카르복실산 이무수물 잔기의 총 물질량을 디아민 잔기의 총 물질량으로 제산한 물질량비가, 0.900 이상 1.100 미만이다.In one embodiment of the polyamic acid according to the present invention, the ratio of the amount of substances obtained by dividing the total amount of tetracarboxylic acid dianhydride residues by the total amount of diamine residues is 0.900 or more and less than 1.100.

본 발명에 관계되는 폴리아미드산 용액은, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산과 유기 용매를 함유한다.The polyamic acid solution according to the present invention contains the polyamic acid according to the present invention and an organic solvent.

본 발명에 관계되는 폴리이미드는, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산의 이미드화물이다.The polyimide according to the present invention is an imide of a polyamic acid according to the present invention.

본 발명에 관계되는 폴리이미드는, 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 관계되는 폴리이미드는, 유리 전이 온도가 400℃ 이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the 1% weight loss temperature of the polyimide concerning this invention is 500 degreeC or more. Moreover, it is preferable that the glass transition temperature of the polyimide concerning this invention is 400 degreeC or more.

본 발명에 관계되는 폴리이미드막은, 본 발명에 관계되는 폴리이미드를 포함한다.The polyimide film according to the present invention includes the polyimide according to the present invention.

본 발명에 관계되는 폴리이미드막은, 황색도가 25 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 관계되는 폴리이미드막은, 헤이즈가 1.0% 미만인 것이 바람직하다.It is preferable that the yellowness of the polyimide film concerning this invention is 25 or less. Moreover, it is preferable that the haze of the polyimide film concerning this invention is less than 1.0 %.

본 발명에 관계되는 적층체는, 지지체와, 본 발명에 관계되는 폴리이미드막을 갖는다.A laminate according to the present invention has a support and a polyimide film according to the present invention.

본 발명에 관계되는 적층체의 제조 방법은, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산 용액을 지지체 상에 도포함으로써 상기 폴리아미드산을 포함하는 도포막을 형성하고, 상기 도포막을 가열하여 상기 폴리아미드산을 이미드화한다.In the method for producing a laminate according to the present invention, a coating film containing the polyamic acid is formed by applying the polyamic acid solution according to the present invention onto a support, and the coating film is heated to dissolve the polyamic acid. to degenerate

본 발명에 관계되는 전자 디바이스는, 본 발명에 관계되는 폴리이미드막과, 상기 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는다.An electronic device according to the present invention includes a polyimide film according to the present invention and an electronic element disposed on the polyimide film.

본 발명에 관계되는 폴리아미드산을 사용하여 제조되는 폴리이미드는, 투명성 및 내열성이 우수하고, 고온 프로세스 중에서 무기 재료와의 밀착성을 확보할 수 있다. 그 때문에, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산을 사용하여 제조되는 폴리이미드는, 투명성 및 내열성이 요구되고, 또한 고온 프로세스를 거쳐서 제조되는 전자 디바이스의 재료로서 적합하다.The polyimide produced using the polyamic acid according to the present invention is excellent in transparency and heat resistance, and can secure adhesion to inorganic materials during a high-temperature process. Therefore, the polyimide produced using the polyamic acid according to the present invention is suitable as a material for electronic devices that require transparency and heat resistance and are manufactured through a high-temperature process.

이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited thereto.

먼저, 본 명세서 중에서 사용되는 용어에 대하여 설명한다. 「구조 단위」란, 중합체를 구성하는 반복 단위를 말한다. 「폴리아미드산」은, 하기 일반식 (5)로 표시되는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (5)」라고 기재하는 경우가 있다)를 포함하는 중합체이다.First, terms used in this specification will be described. A "structural unit" refers to a repeating unit constituting a polymer. "Polyamic acid" is a polymer containing a structural unit represented by the following general formula (5) (hereinafter sometimes referred to as "structural unit (5)").

Figure pct00004
Figure pct00004

일반식 (5) 중, A는, 테트라카르복실산 이무수물 잔기(테트라카르복실산 이무수물 유래의 4가의 유기기)를 나타내고, B는, 디아민 잔기(디아민 유래의 2가의 유기기)를 나타낸다.In general formula (5), A represents a tetracarboxylic dianhydride residue (a tetravalent organic group derived from tetracarboxylic dianhydride), and B represents a diamine residue (a divalent organic group derived from diamine). .

폴리아미드산을 구성하는 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 (5)의 함유율은, 예를 들어 50몰% 이상 100몰% 이하이며, 바람직하게는 60몰% 이상 100몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 70몰% 이상 100몰% 이하이며, 더욱 바람직하게는 80몰% 이상 100몰% 이하이며, 더욱 보다 바람직하게는 90몰% 이상 100몰% 이하이며, 100몰%여도 된다.The content of the structural unit (5) relative to all the structural units constituting the polyamic acid is, for example, 50 mol% or more and 100 mol% or less, preferably 60 mol% or more and 100 mol% or less, more preferably It is 70 mol% or more and 100 mol% or less, More preferably, it is 80 mol% or more and 100 mol% or less, Even more preferably, it is 90 mol% or more and 100 mol% or less, 100 mol% may be sufficient.

「1% 중량 감소 온도」는, 측정 온도 150℃에서의 폴리이미드의 중량을 기준(100중량%)으로 하여, 상기 기준의 중량에 대하여 1중량% 감소했을 때의 측정 온도이다. 1% 중량 감소 온도의 측정 방법은, 후술하는 실시예와 동일한 방법 또는 그에 준하는 방법이다."1% weight reduction temperature" is a measurement temperature when the weight of polyimide at a measurement temperature of 150°C is reduced by 1% by weight relative to the reference weight (100% by weight). The measuring method of 1% weight loss temperature is the same method as that of the Example mentioned later, or a method similar to it.

이하, 화합물명의 뒤에 「계」를 붙여서, 화합물 및 그의 유도체를 포괄적으로 총칭하는 경우가 있다. 화합물명의 뒤에 「계」를 붙여서 중합체명을 나타내는 경우에는, 중합체의 반복 단위가 화합물 또는 그의 유도체에서 유래되는 것을 의미한다. 또한, 테트라카르복실산 이무수물을 「산 이무수물」이라고 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, "system" is appended to the name of a compound to collectively refer to a compound and its derivatives in some cases. When a polymer name is indicated by attaching "system" to the end of the compound name, it means that the repeating unit of the polymer is derived from a compound or a derivative thereof. In addition, tetracarboxylic dianhydride may be described as "acid dianhydride".

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산은, 하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (1)」이라고 기재하는 경우가 있다)를 포함한다.The polyamic acid according to the present embodiment includes a structural unit represented by the following formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (1)”).

Figure pct00005
Figure pct00005

구조 단위 (1)은 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 이무수물(이하, 「BPAF」라고 기재하는 경우가 있다) 유래의 부분 구조와, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트(이하, 「4-BAAB」라고 기재하는 경우가 있다) 유래의 부분 구조를 갖는다. 즉, 구조 단위 (1)은 상술한 일반식 (5) 중의 A로서 BPAF 잔기를 갖고, 또한 일반식 (5) 중의 B로서 4-BAAB 잔기를 갖는다.Structural unit (1) has a partial structure derived from 9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride (hereinafter sometimes referred to as "BPAF"), and 4-aminophenyl-4- It has a partial structure derived from aminobenzoate (hereinafter sometimes referred to as "4-BAAB"). That is, structural unit (1) has a BPAF residue as A in the above-mentioned general formula (5), and also has a 4-BAAB residue as B in general formula (5).

4-BAAB는, 강직한 구조를 갖고 있기 때문에, 유리 전이 온도가 높은(내열성이 우수한) 폴리이미드의 원료(모노머)로서 적합하다. 또한, 강직 구조를 갖는 4-BAAB는, 내부 응력의 발생을 억제하면서 기계 강도가 높은 폴리이미드의 원료(모노머)로서도 적합하다. BPAF는, 부피가 큰 플루오렌 구조를 갖고 있기 때문에, 내열성 및 투명성이 우수한 폴리이미드의 원료(모노머)로서 적합하다.Since 4-BAAB has a rigid structure, it is suitable as a raw material (monomer) of polyimide having a high glass transition temperature (excellent in heat resistance). In addition, 4-BAAB having a rigid structure is also suitable as a raw material (monomer) of polyimide having high mechanical strength while suppressing generation of internal stress. Since BPAF has a bulky fluorene structure, it is suitable as a raw material (monomer) of polyimide having excellent heat resistance and transparency.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산을 합성할 때는, 그 성능을 손상시키지 않는 범위에서, 4-BAAB 이외의 디아민을 모노머로서 사용해도 된다. 4-BAAB 이외의 디아민으로서는, 예를 들어, 1,4-디아미노시클로헥산, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-옥시디아닐린, 3,4'-옥시디아닐린, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, N,N'-비스(4-아미노페닐)테레프탈아미드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, m-톨리딘, o-톨리딘, 4,4'-비스(아미노페녹시)비페닐, 2-(4-아미노페닐)-6-아미노벤조옥사졸, 3,5-디아미노벤조산, 4,4'-디아미노-3,3'디히드록시비페닐, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥산아민), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 및 이들의 유도체를 들 수 있고, 이들을 단독 또는 2종류 이상 사용해도 된다. 내열성 향상, 기계 강도 향상 및 내부 응력 저감의 관점에서, 4-BAAB 이외의 디아민으로서는, p-페닐렌디아민 및 4,4'-디아미노벤즈아닐리드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하고, p-페닐렌디아민이 보다 바람직하다. 투명성 향상, 내열성 향상, 기계 강도 향상 및 내부 응력 저감의 관점에서, 폴리아미드산을 구성하는 전체 디아민 잔기에 대한 4-BAAB 잔기의 함유율은, 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 70몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100몰%여도 상관없다.When synthesizing the polyamic acid according to the present embodiment, a diamine other than 4-BAAB may be used as a monomer within a range not impairing its performance. Examples of diamines other than 4-BAAB include 1,4-diaminocyclohexane, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-oxydianiline, and 3,4'-oxydianiline. , 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzanilide, N, N'-bis (4-aminophenyl) terephthalamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, m-tolidine, o-tolidine, 4,4'-bis(aminophenoxy)biphenyl, 2-(4-aminophenyl)-6-aminobenzoxazole , 3,5-diaminobenzoic acid, 4,4'-diamino-3,3'dihydroxybiphenyl, 4,4'-methylenebis(cyclohexanamine), 1,3-bis(3-aminopropyl ) tetramethyldisiloxane and derivatives thereof, and these may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of improving heat resistance, improving mechanical strength, and reducing internal stress, as diamines other than 4-BAAB, at least one selected from the group consisting of p-phenylenediamine and 4,4'-diaminobenzanilide is preferable, p-phenylenediamine is more preferred. From the viewpoints of improving transparency, improving heat resistance, improving mechanical strength, and reducing internal stress, the content of 4-BAAB residues relative to all diamine residues constituting the polyamic acid is preferably 50 mol% or more, and more preferably 70 mol% or more. It is preferable, and it is more preferable that it is 80 mol% or more, and it does not matter even if it is 100 mol%.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산은, 투명성 향상 및 내부 응력 저감의 관점에서, 구조 단위 (1)에 추가로, 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (2)」라고 기재하는 경우가 있다)를 포함하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산이 구조 단위 (1) 및 구조 단위 (2)를 포함하는 경우, 폴리아미드산에 있어서의 구조 단위 (1)과 구조 단위 (2)의 배열은 랜덤이어도 되고, 블록이어도 된다.The polyamic acid according to the present embodiment is a structural unit represented by the following general formula (2) in addition to the structural unit (1) from the viewpoint of improving transparency and reducing internal stress (hereinafter referred to as “structural unit (2)”). It is preferable to include). When the polyamic acid according to the present embodiment includes the structural unit (1) and the structural unit (2), the arrangement of the structural unit (1) and the structural unit (2) in the polyamic acid may be random, or a block may be continued

Figure pct00006
Figure pct00006

일반식 (2) 중, X는, 화학식 (1) 중의 테트라카르복실산 이무수물 잔기와는 다른 4가의 유기기를 나타낸다. X는, 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.In general formula (2), X represents a tetravalent organic group different from the tetracarboxylic dianhydride residue in general formula (1). X may be 1 type or 2 or more types may be sufficient as it.

구조 단위 (2)를 형성하기 위한 산 이무수물(일반식 (2) 중의 X를 부여하는 산 이무수물)의 적합한 예로서는, 피로멜리트산 이무수물(이하, 「PMDA」라고 기재하는 경우가 있다), 3,3'4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(이하, 「BPDA」라고 기재하는 경우가 있다), p-페닐렌비스(트리멜리테이트 무수물), 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물, 디시클로헥실-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 2'-옥소디스피로[비시클로[2.2.1]헵탄-2,1''-시클로헵탄-3,2''-비시클로[2.2.1]헵탄]-5,5'-6,6'-테트라카르복실산 이무수물 및 이들의 유도체를 들 수 있고, 이들을 단독 또는 2종류 이상 사용해도 된다.Preferable examples of the acid dianhydride (an acid dianhydride giving X in general formula (2)) for forming the structural unit (2) include pyromellitic dianhydride (hereinafter sometimes referred to as "PMDA"), 3,3'4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (hereinafter sometimes referred to as "BPDA"), p-phenylene bis(trimellitate anhydride), 2,3,6,7 -Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4 ,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride, dicyclohexyl-3,3',4 ,4'-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 2'-oxodispiro[bicyclo[2.2.1 ]heptane-2,1''-cycloheptane-3,2''-bicyclo[2.2.1]heptane]-5,5'-6,6'-tetracarboxylic dianhydride and derivatives thereof; may be used alone or in combination of two or more.

내열성 향상, 기계 강도 향상 및 내부 응력 저감의 관점에서, 일반식 (2) 중의 X를 부여하는 산 이무수물로서는, PMDA 및 BPDA로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하고, BPDA가 보다 바람직하다. 산 이무수물로서 PMDA를 사용한 경우, 일반식 (2) 중의 X는 하기 화학식 (3)으로 표시되는 4가의 유기기이다. 또한, 산 이무수물로서 BPDA를 사용한 경우, 일반식 (2) 중의 X는 하기 화학식 (4)로 표시되는 4가의 유기기이다.From the viewpoint of improving heat resistance, improving mechanical strength, and reducing internal stress, as the acid dianhydride giving X in the general formula (2), at least one selected from the group consisting of PMDA and BPDA is preferable, and BPDA is more preferable. . When PMDA is used as the acid dianhydride, X in the general formula (2) is a tetravalent organic group represented by the following general formula (3). In the case of using BPDA as the acid dianhydride, X in the general formula (2) is a tetravalent organic group represented by the following general formula (4).

Figure pct00007
Figure pct00007

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산이 PMDA 잔기 및 BPDA 잔기의 적어도 한쪽을 포함하는 경우, 투명성 향상, 내열성 향상, 기계 강도 향상 및 내부 응력 저감의 관점에서, 폴리아미드산을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대한, BPAF 잔기, PMDA 잔기 및 BPDA 잔기의 합계 함유율은, 60몰% 이상인 것이 바람직하고, 70몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100몰%여도 상관없다.When the polyamic acid according to the present embodiment contains at least one of a PMDA residue and a BPDA residue, from the viewpoints of improving transparency, improving heat resistance, improving mechanical strength, and reducing internal stress, all acid dianhydride residues constituting the polyamic acid The total content of BPAF residue, PMDA residue and BPDA residue is preferably 60 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, still more preferably 80 mol% or more, and may be 100 mol%.

특히 BPAF 잔기는, 플루오렌 구조에서 유래되는 부피가 큰 구조를 갖고 있어, 내열성 향상, 투명성 향상 및 황색도 저감에 기여하는 동시에, 소량 포함하는 것만으로 폴리이미드의 결정화를 억제할 수 있다. 그 때문에, BPAF 잔기를 포함하는 구조 단위 (1)의 함유율은, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산의 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상인 것이 바람직하고, 3몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 5몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 10몰% 이상인 것이 더욱 보다 바람직하다. 또한, 내부 응력 저감의 관점에서, BPAF 잔기를 포함하는 구조 단위 (1)의 함유율은, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산의 전체 구조 단위에 대하여 50몰% 이하인 것이 바람직하고, 40몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 30몰% 이하인 것이 더욱 바람직하다.Particularly, the BPAF residue has a bulky structure derived from a fluorene structure, and contributes to improvement in heat resistance, improvement in transparency, and reduction in yellowness, while containing only a small amount can suppress polyimide crystallization. Therefore, the content of the structural unit (1) containing the BPAF residue is preferably 1 mol% or more, more preferably 3 mol% or more, based on all structural units of the polyamic acid according to the present embodiment. It is more preferable that it is mol% or more, and it is still more preferable that it is 10 mol% or more. Further, from the viewpoint of reducing internal stress, the content of the structural unit (1) containing a BPAF residue is preferably 50 mol% or less, and 40 mol% or less, based on all structural units of the polyamic acid according to the present embodiment. It is more preferable, and it is still more preferable that it is 30 mol% or less.

구조 단위 (1)의 함유율을 상기 범위로 함으로써, 내부 응력의 발생을 억제하면서, 고투명성, 저황색도 및 고내열성의 폴리이미드를 얻을 수 있다.By setting the content of the structural unit (1) within the above range, a polyimide having high transparency, low yellowness and high heat resistance can be obtained while suppressing generation of internal stress.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산이 구조 단위 (1) 및 구조 단위 (2)를 포함하는 경우, 투명성 향상, 내열성 향상, 기계 강도 향상 및 내부 응력 저감의 관점에서, 폴리아미드산을 구성하는 전체 구조 단위에 대한, 구조 단위 (1) 및 구조 단위 (2)의 합계 함유율은, 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 70몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100몰%여도 상관없다.When the polyamic acid according to the present embodiment includes the structural unit (1) and the structural unit (2), the overall structure constituting the polyamic acid from the viewpoints of improving transparency, improving heat resistance, improving mechanical strength, and reducing internal stress The total content of structural unit (1) and structural unit (2) relative to the unit is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, still more preferably 80 mol% or more, even if it is 100 mol% Does not matter.

투명성 및 내열성이 보다 우수하고, 고온 프로세스 중에서 무기 재료와의 밀착성을 보다 확실하게 확보할 수 있는 폴리이미드를 얻기 위해서는, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산은, 하기 조건 1을 충족하는 것이 바람직하고, 하기 조건 2를 충족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 조건 3을 충족하는 것이 더욱 바람직하고, 하기 조건 4를 충족하는 것이 더욱 보다 바람직하다.In order to obtain a polyimide that is more excellent in transparency and heat resistance and can more reliably secure adhesion to an inorganic material during a high-temperature process, the polyamic acid according to the present embodiment preferably satisfies the following condition 1, It is more preferable to satisfy the following condition 2, more preferably to satisfy the following condition 3, and even more preferably to satisfy the following condition 4.

조건 1: 폴리아미드산이 PMDA 잔기 및 BPDA 잔기의 적어도 한쪽을 포함하고, 또한 폴리아미드산을 구성하는 전체 테트라카르복실산 이무수물 잔기에 대한, BPAF 잔기, PMDA 잔기 및 BPDA 잔기의 합계 함유율이, 100몰%이다.Condition 1: the polyamic acid contains at least one of PMDA residues and BPDA residues, and the total content of BPAF residues, PMDA residues, and BPDA residues relative to all tetracarboxylic dianhydride residues constituting the polyamic acid is 100 is mol%.

조건 2: 상기 조건 1을 충족하고, 또한 폴리아미드산을 구성하는 전체 디아민 잔기에 대한 4-BAAB 잔기의 함유율이 50몰% 이상 100몰% 이하이다.Condition 2: The condition 1 above is satisfied, and the content of 4-BAAB residues relative to all diamine residues constituting the polyamic acid is 50 mol% or more and 100 mol% or less.

조건 3: 상기 조건 1을 충족하고, 또한 구조 단위 (1)의 함유율이, 폴리아미드산의 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 30몰% 이하이다.Condition 3: The condition 1 above is satisfied, and the content of the structural unit (1) is 1 mol% or more and 30 mol% or less with respect to all the structural units of the polyamic acid.

조건 4: 상기 조건 2를 충족하고, 또한 구조 단위 (1)의 함유율이, 폴리아미드산의 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 30몰% 이하이다.Condition 4: The condition 2 above is satisfied, and the content of the structural unit (1) is 1 mol% or more and 30 mol% or less with respect to all the structural units of the polyamic acid.

폴리이미드 형성 시의 미반응 모노머의 잔존에 기인하는 투명성 저하를 억제하는 관점에서, 테트라카르복실산 이무수물 잔기의 총 물질량을 디아민 잔기의 총 물질량으로 제산한 물질량비(몰비)가 0.900 이상 1.100 미만인 것이 바람직하고, 0.950 이상 1.080 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.000 이상 1.050 이하인 것이 더욱 바람직하다. 물질량비를 상기 범위 내으로 조정함으로써, 투명성이 우수한 폴리이미드가 얻어진다.From the viewpoint of suppressing the decrease in transparency due to the remaining unreacted monomer at the time of polyimide formation, the ratio (molar ratio) of the total amount of tetracarboxylic dianhydride residues divided by the total amount of diamine residues is 0.900 or more and less than 1.100. It is preferably 0.950 or more and 1.080 or less, more preferably 1.000 or more and 1.050 or less. By adjusting the material amount ratio within the above range, a polyimide excellent in transparency is obtained.

본 발명의 폴리아미드산은, 공지된 일반적인 방법으로 합성할 수 있고, 예를 들어, 유기 용매 중에서 디아민과 테트라카르복실산 이무수물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 폴리아미드산의 구체적인 합성 방법의 일례에 대하여 설명한다. 먼저, 아르곤, 질소 등의 불활성 가스 분위기 중에 있어서, 디아민을, 유기 용매 중에 용해 또는 슬러리상으로 분산시켜서 디아민 용액을 조제한다. 그리고, 테트라카르복실산 이무수물을, 유기 용매에 용해 또는 슬러리상으로 분산시킨 상태로 한 후, 혹은 고체의 상태에서, 상기 디아민 용액 중에 첨가한다.The polyamic acid of the present invention can be synthesized by a known general method, and can be obtained, for example, by reacting diamine with tetracarboxylic dianhydride in an organic solvent. An example of a specific method for synthesizing polyamic acid will be described. First, in an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen, a diamine solution is prepared by dissolving or dispersing diamine in an organic solvent in the form of a slurry. Then, tetracarboxylic dianhydride is dissolved in an organic solvent or dispersed in a slurry state, or added to the diamine solution in a solid state.

디아민과 테트라카르복실산 이무수물을 사용하여 폴리아미드산을 합성하는 경우, 디아민의 물질량(디아민을 복수종 사용하는 경우에는, 각 디아민의 물질량)과, 테트라카르복실산 이무수물의 물질량(테트라카르복실산 이무수물을 복수종 사용하는 경우에는, 각 테트라카르복실산 이무수물의 물질량)을 조정함으로써, 원하는 폴리아미드산(디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 중합체)을 얻을 수 있다. 폴리아미드산 중의 각 잔기의 물질량비(몰비)는 예를 들어, 폴리아미드산의 합성에 사용하는 각 모노머(디아민 및 테트라카르복실산 이무수물)의 물질량비와 일치한다. 또한, 2종의 폴리아미드산을 블렌드함으로써, 복수종의 테트라카르복실산 이무수물 잔기 및 복수종의 디아민 잔기를 함유하는 폴리아미드산을 얻을 수도 있다. 디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 반응, 즉, 폴리아미드산의 합성 반응의 온도 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 20℃ 이상 150℃ 이하의 범위이다. 폴리아미드산의 합성 반응의 반응 시간은, 예를 들어 10분 이상 30시간 이하의 범위이다.In the case of synthesizing polyamic acid using diamine and tetracarboxylic dianhydride, the amount of substance of diamine (substance amount of each diamine when using plural types of diamine) and the amount of substance of tetracarboxylic dianhydride (tetracarboxylic dianhydride) When using multiple types of acid dianhydride, desired polyamic acid (polymer of diamine and tetracarboxylic dianhydride) can be obtained by adjusting the amount of substance of each tetracarboxylic dianhydride. The mass ratio (molar ratio) of each residue in the polyamic acid corresponds to, for example, the mass ratio of each monomer (diamine and tetracarboxylic dianhydride) used in the synthesis of the polyamic acid. Further, by blending two types of polyamic acid, a polyamic acid containing plural types of tetracarboxylic dianhydride residues and plural types of diamine residues can be obtained. The temperature conditions for the reaction between diamine and tetracarboxylic dianhydride, that is, the synthesis reaction of polyamic acid, are not particularly limited, but are, for example, in the range of 20°C or more and 150°C or less. The reaction time of the synthesis reaction of polyamic acid is in the range of, for example, 10 minutes or more and 30 hours or less.

폴리아미드산의 합성에 사용하는 유기 용매는, 사용하는 테트라카르복실산 이무수물 및 디아민을 용해 가능한 용매가 바람직하고, 생성되는 폴리아미드산을 용해 가능한 용매가 보다 바람직하다. 폴리아미드산의 합성에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어, 테트라메틸요소, N,N-디메틸에틸우레아와 같은 우레아계 용매; 디메틸술폭시드와 같은 술폭시드계 용매; 디페닐술폰, 테트라메틸술폰과 같은 술폰계 용매; N,N-디메틸아세트아미드(DMAC), N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 헥사메틸인산트리아미드 등의 아미드계 용매; γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용매; 클로로포름, 염화메틸렌 등의 할로겐화알킬계 용매; 벤젠, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 용매; 페놀, 크레졸 등의 페놀계 용매; 시클로펜타논 등의 케톤계 용매; 테트라히드로푸란, 1,3-디옥솔란, 1,4-디옥산, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, p-크레졸메틸에테르 등의 에테르계 용매를 들 수 있다. 통상적으로 이들 용매를 단독으로 사용하지만, 필요에 따라 2종 이상을 적절히 조합시켜서 사용해도 된다. 폴리아미드산의 용해성 및 반응성을 높이기 위해서, 폴리아미드산의 합성 반응에 사용하는 유기 용매로서는, 아미드계 용매, 케톤계 용매, 에스테르계 용매 및 에테르계 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 용매가 바람직하고, 아미드계 용매(보다 구체적으로는, DMF, DMAC, NMP 등)가 보다 바람직하다. 또한, 폴리아미드산의 합성 반응은, 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다.The organic solvent used for synthesis of the polyamic acid is preferably a solvent capable of dissolving the tetracarboxylic dianhydride and diamine used, and more preferably a solvent capable of dissolving the resulting polyamic acid. Examples of organic solvents used for synthesis of polyamic acid include urea solvents such as tetramethylurea and N,N-dimethylethylurea; sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide; sulfone solvents such as diphenyl sulfone and tetramethyl sulfone; N,N-dimethylacetamide (DMAC), N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), hexamethylphosphate triamide, etc. of amide-based solvent; ester solvents such as γ-butyrolactone; halogenated alkyl solvents such as chloroform and methylene chloride; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and toluene; phenolic solvents such as phenol and cresol; ketone solvents such as cyclopentanone; ether solvents such as tetrahydrofuran, 1,3-dioxolane, 1,4-dioxane, dimethyl ether, diethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and p-cresol methyl ether; can Although these solvents are usually used individually, you may use them combining 2 or more types suitably as needed. In order to increase the solubility and reactivity of polyamic acid, as an organic solvent used in the synthesis reaction of polyamic acid, at least one solvent selected from the group consisting of amide solvents, ketone solvents, ester solvents and ether solvents is used. It is preferable, and an amide solvent (more specifically, DMF, DMAC, NMP, etc.) is more preferable. In addition, it is preferable to carry out the synthesis reaction of polyamic acid under an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산의 중량 평균 분자량은, 그 용도에 따라 다르지만, 10,000 이상 1,000,000 이하의 범위인 것이 바람직하고, 20,000 이상 500,000 이하의 범위인 것이 보다 바람직하고, 30,000 이상 200,000 이하의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 중량 평균 분자량이 10,000 이상이면, 폴리아미드산, 또는 폴리아미드산을 사용하여 얻어지는 폴리이미드를, 도포막 또는 폴리이미드막(필름)으로 하는 것이 용이하게 된다. 한편, 중량 평균 분자량이 1,000,000 이하이면, 용매에 대하여 충분한 용해성을 나타내기 때문에, 후술하는 폴리아미드산 용액을 사용하여 표면이 평활하고 두께가 균일한 도포막 또는 폴리이미드막이 얻어진다. 본 명세서에서 사용하고 있는 중량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)를 사용하여 측정한 폴리에틸렌옥시드 환산값을 말한다.The weight average molecular weight of the polyamic acid according to the present embodiment varies depending on the application, but is preferably in the range of 10,000 or more and 1,000,000 or less, more preferably in the range of 20,000 or more and 500,000 or less, and is in the range of 30,000 or more and 200,000 or less. It is more preferable to be When the weight average molecular weight is 10,000 or more, it becomes easy to use polyamic acid or polyimide obtained using polyamic acid as a coating film or a polyimide film (film). On the other hand, if the weight average molecular weight is 1,000,000 or less, sufficient solubility in solvents is exhibited, so that a coated film or polyimide film having a smooth surface and uniform thickness can be obtained using a polyamide acid solution described later. The weight average molecular weight used in this specification refers to the value in terms of polyethylene oxide measured using gel permeation chromatography (GPC).

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드는, 상술한 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산의 이미드화물이다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드는, 공지된 방법으로 얻을 수 있고, 그 제조 방법은, 특별히 제한되지 않는다. 이하, 상기 폴리아미드산을 이미드화하여 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드를 얻는 방법의 일례에 대하여 설명한다. 이미드화는, 폴리아미드산을 탈수 폐환함으로써 행하여진다. 이 탈수 폐환은, 공비 용매를 사용한 공비법, 열적 방법 또는 화학적 방법에 의해 행할 수 있다. 또한, 폴리아미드산으로부터 폴리이미드로의 이미드화는, 1% 이상 100% 이하의 임의의 비율을 취할 수 있다. 즉, 일부가 이미드화된 폴리아미드산을 합성해도 된다. 특히 가열 승온에 의해 이미드화하는 경우에는, 폴리아미드산으로부터 폴리이미드로의 폐환 반응과 폴리아미드산의 가수 분해가 동시에 진행하고 있고, 폴리이미드로 했을 때의 분자량이 폴리아미드산의 분자량보다도 낮아지거나, 가수 분해에 의해 생성된 디아민의 산화 등에 의해 착색될 가능성도 있기 때문에, 후술하는 폴리이미드막을 형성하기 전에, 폴리아미드산 용액 중의 폴리아미드산의 일부를 미리 이미드화해 두는 것이 투명성 향상이나 기계 특성 향상의 관점에서 바람직하다. 본 명세서에서는, 일부가 이미드화한 폴리아미드산도, 「폴리아미드산」이라고 기재하는 경우가 있다.The polyimide according to the present embodiment is an imide of the polyamic acid according to the present embodiment described above. The polyimide according to the present embodiment can be obtained by a known method, and the production method thereof is not particularly limited. Hereinafter, an example of a method of imidizing the polyamic acid to obtain the polyimide according to the present embodiment will be described. Imidation is performed by dehydration ring closure of polyamic acid. This dehydration ring closure can be performed by an azeotropic method using an azeotrope solvent, a thermal method, or a chemical method. In addition, imidation from polyamic acid to polyimide can take an arbitrary ratio of 1% or more and 100% or less. That is, you may synthesize|combine the polyamic acid which was partially imidized. In particular, when imidation is performed by heating, the ring closure reaction from polyamic acid to polyimide and the hydrolysis of polyamic acid proceed simultaneously, and the molecular weight of polyimide is lower than that of polyamic acid. , there is a possibility of coloring due to oxidation of diamine generated by hydrolysis, etc., therefore, before forming the polyimide film described later, it is recommended to imidize a part of the polyamic acid in the polyamic acid solution in advance to improve transparency and mechanical properties. It is desirable from the point of view of improvement. In this specification, a polyamic acid partially imidated is sometimes described as "polyamic acid".

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액은, 상술한 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산과 유기 용매를 포함한다. 여기서, 폴리아미드산 용액에 포함되는 유기 용매로서는, 상기 폴리아미드산의 합성 반응에 사용 가능한 유기 용매로서 예시한 유기 용매를 들 수 있고, 아미드계 용매, 케톤계 용매, 에스테르계 용매 및 에테르계 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 용매가 바람직하고, 아미드계 용매(보다 구체적으로는, DMF, DMAC, NMP 등)가 보다 바람직하다. 상술한 방법으로 폴리아미드산을 얻었을 경우, 반응 용액(반응 후의 용액) 자체를 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액이라고 해도 된다. 또한, 반응 용액으로부터 용매를 제거하여 얻어진 고체의 폴리아미드산을 용매에 용해하여, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액을 조제해도 된다. 또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액 중의 폴리아미드산의 함유율은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 폴리아미드산 용액 전량에 대하여 1중량% 이상 80중량% 이하이다.The polyamic acid solution according to the present embodiment contains the polyamic acid according to the present embodiment described above and an organic solvent. Here, examples of the organic solvent contained in the polyamic acid solution include organic solvents exemplified as organic solvents that can be used for the synthesis reaction of the polyamic acid, and amide solvents, ketone solvents, ester solvents, and ether solvents One or more solvents selected from the group consisting of are preferable, and amide solvents (more specifically, DMF, DMAC, NMP, etc.) are more preferable. When polyamic acid is obtained by the method described above, the reaction solution (the solution after the reaction) itself may be the polyamic acid solution according to the present embodiment. Alternatively, the polyamic acid solution according to the present embodiment may be prepared by dissolving the solid polyamic acid obtained by removing the solvent from the reaction solution in a solvent. The content of the polyamic acid in the polyamic acid solution according to the present embodiment is not particularly limited, but is, for example, 1% by weight or more and 80% by weight or less with respect to the total amount of the polyamic acid solution.

폴리아미드산의 탈수 폐환은, 폴리아미드산을 가열하여 행하면 된다. 폴리아미드산을 가열하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 유리 기판, 금속판, PET 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 등의 지지체 상에 상술한 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액을 도포한 후, 온도 40℃ 이상 500℃ 이하의 범위 내에서 폴리아미드산의 열처리를 행하면 된다. 이 방법에 의하면, 지지체와, 이 지지체 상에 배치된 폴리이미드막(상세하게는, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산의 이미드화물을 포함하는 폴리이미드막)을 갖는 본 실시 형태에 관계되는 적층체가 얻어진다. 혹은, 불소계 수지에 의한 코팅 등의 이형 처리를 실시한 용기에 직접 폴리아미드산 용액을 넣고, 당해 폴리아미드산 용액을 감압 하에서 가열·건조시킴으로써, 폴리아미드산의 탈수 폐환을 행할 수도 있다. 이들 방법에 의한 폴리아미드산의 탈수 폐환에 의해 폴리이미드를 얻을 수 있다. 또한, 상기 각 처리의 가열 시간은, 탈수 폐환을 행하는 폴리아미드산 용액의 처리량이나 가열 온도에 따라 다르지만, 일반적으로는, 처리 온도가 최고 온도에 달하고 나서 1분 이상 300분 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한, 가열 시간의 단축이나 특성 발현을 위해서, 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 폴리아미드산 용액에 첨가하고, 이 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 첨가한 폴리아미드산 용액을 상기 방법으로 가열하여 이미드화해도 된다.The dehydration ring closure of the polyamic acid may be performed by heating the polyamic acid. The method of heating the polyamic acid is not particularly limited. For example, the polyamic acid solution according to the present embodiment described above is applied onto a support such as a glass substrate, a metal plate, or a PET film (polyethylene terephthalate film). After that, the polyamic acid may be heat-treated within a temperature range of 40°C or more and 500°C or less. According to this method, according to the present embodiment having a support and a polyimide film (specifically, a polyimide film containing an imide of polyamic acid according to the present embodiment) disposed on the support. A laminate is obtained. Alternatively, the polyamic acid solution may be directly put into a container subjected to release treatment such as coating with a fluorine-based resin, and the polyamic acid solution may be heated and dried under reduced pressure to dehydrate the polyamic acid. Polyimide can be obtained by dehydration ring closure of polyamic acid by these methods. The heating time of each of the above treatments varies depending on the treatment amount and heating temperature of the polyamic acid solution subjected to dehydration ring closure, but in general, it is preferable to set the treatment temperature within the range of 1 minute or more and 300 minutes or less after the treatment temperature reaches the maximum temperature. desirable. In addition, in order to shorten the heating time or develop characteristics, an imidation agent and/or a dehydration catalyst are added to a polyamic acid solution, and the polyamic acid solution to which the imidation agent and/or a dehydration catalyst is added is heated by the above method. You can imidize it.

상기 이미드화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 3급 아민을 사용할 수 있다. 3급 아민으로서는 복소환식의 3급 아민이 바람직하다. 복소환식의 3급 아민의 바람직한 구체예로서는, 피리딘, 피콜린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 1,2-디메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 상기 탈수 촉매로서는, 무수 아세트산, 프로피온산 무수물, n-부티르산 무수물, 벤조산 무수물, 트리플루오로아세트산 무수물 등을 바람직한 구체예로서 들 수 있다.Although it does not specifically limit as said imidation agent, A tertiary amine can be used. As the tertiary amine, a heterocyclic tertiary amine is preferable. Preferable specific examples of the heterocyclic tertiary amine include pyridine, picoline, quinoline, isoquinoline, and 1,2-dimethylimidazole. Preferable examples of the dehydration catalyst include acetic anhydride, propionic anhydride, n-butyric anhydride, benzoic anhydride, and trifluoroacetic anhydride.

이미드화제의 첨가량으로서는, 폴리아미드산의 아미드기에 대하여 0.5배 몰 당량 이상 5.0배 몰 당량 이하가 바람직하고, 0.7배 몰 당량 이상 2.5배 몰 당량 이하가 보다 바람직하고, 0.8배 몰 당량 이상 2.0배 몰 당량 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 탈수 촉매의 첨가량으로서는, 폴리아미드산의 아미드기에 대하여 0.5배 몰 당량 이상 10.0배 몰 당량 이하가 바람직하고, 0.7배 몰 당량 이상 5.0배 몰 당량 이하가 보다 바람직하고, 0.8배 몰 당량 이상 3.0배 몰 당량 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 본 명세서 중에 있어서, 「폴리아미드산의 아미드기」란, 디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 중합 반응에 의해 생성된 아미드기를 가리킨다. 폴리아미드산 용액에 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 첨가할 때, 유기 용매에 녹이지 않고 직접 첨가해도 되고, 유기 용매에 녹인 것을 첨가해도 된다. 유기 용매에 녹이지 않고 직접 첨가하는 방법에서는 이미드화제 및/또는 탈수 촉매가 확산되기 전에 반응이 급격하게 진행하여, 겔이 생성되는 경우가 있다. 따라서, 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 유기 용매에 녹여서 얻어진 용액을, 폴리아미드산 용액에 첨가하는 것이 보다 바람직하다.The addition amount of the imidizing agent is preferably 0.5 times the molar equivalent or more and 5.0 times the molar equivalent or less, more preferably 0.7 times the molar equivalent or more and 2.5 times the molar equivalent or less, and 0.8 times the molar equivalent or more and 2.0 times or less with respect to the amide group of the polyamic acid. A molar equivalent or less is more preferred. The addition amount of the dehydration catalyst is preferably 0.5-fold molar equivalent or more and 10.0-fold molar equivalent or less, more preferably 0.7-fold molar equivalent or more and 5.0-fold molar equivalent or less, and 0.8-fold molar equivalent or more with respect to the amide group of the polyamic acid, 3.0 A pear molar equivalent or less is more preferred. In addition, in this specification, "the amide group of a polyamic acid" refers to the amide group produced|generated by the polymerization reaction of diamine and tetracarboxylic dianhydride. When adding an imidation agent and/or a dehydration catalyst to the polyamic acid solution, it may be added directly without dissolving in an organic solvent, or may be added dissolved in an organic solvent. In the method of adding directly without dissolving in an organic solvent, the reaction proceeds rapidly before the imidation agent and/or the dehydration catalyst diffuse, and a gel may be formed. Therefore, it is more preferable to add a solution obtained by dissolving the imidation agent and/or the dehydration catalyst in an organic solvent to the polyamic acid solution.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막(상세하게는, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산의 이미드화물을 포함하는 폴리이미드막)은 무색 투명하고 황색도가 낮으며, TFT 제작 공정에 견딜 수 있는 유리 전이 온도(내열성)를 갖고 있는 것으로부터, 플렉시블 디스플레이의 투명 기판 재료에 적합하다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막 중의 폴리이미드(상세하게는, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산의 이미드화물)의 함유율은, 폴리이미드막 전량에 대하여 예를 들어 70중량% 이상이며, 80중량% 이상인 것이 바람직하고, 90중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 100중량%여도 된다. 폴리이미드막 중의 폴리이미드 이외의 성분으로서는, 예를 들어, 후술하는 첨가제(보다 구체적으로는, 나노실리카 입자 등)를 들 수 있다.The polyimide film according to the present embodiment (specifically, the polyimide film containing an imide of polyamic acid according to the present embodiment) is colorless and transparent, has a low yellowness, and can withstand the TFT fabrication process. Since it has a certain glass transition temperature (heat resistance), it is suitable for a transparent substrate material of a flexible display. The content of polyimide in the polyimide film according to the present embodiment (specifically, the imidide of polyamic acid according to the present embodiment) is, for example, 70% by weight or more with respect to the total amount of the polyimide film, It is preferably 80% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, and may be 100% by weight. Examples of components other than the polyimide in the polyimide film include additives described later (more specifically, nanosilica particles and the like).

본 실시 형태에 관계되는 전자 디바이스는, 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막과, 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는다. 플렉시블 디스플레이용으로서 본 실시 형태에 관계되는 전자 디바이스를 제조하는 경우, 먼저, 유리 등의 무기 기재를 지지체로 하고, 그 위에 폴리이미드막을 형성한다. 그리고, 폴리이미드막 상에 TFT 등의 전자 소자를 배치(형성)함으로써, 지지체 상에 전자 디바이스를 형성한다. TFT를 형성하는 공정은, 일반적으로 150℃ 이상 650℃ 이하의 넓은 온도 영역에서 실제 실시되나, 실제로 원하는 성능을 달성하기 위해서는 300℃ 이상에서 산화물 반도체층이나 a-Si층을 형성하고, 경우에 따라서는 또한 레이저 등으로 a-Si 등을 결정화시키는 경우도 있다.An electronic device according to this embodiment includes the polyimide film according to this embodiment and an electronic element disposed on the polyimide film. In the case of manufacturing the electronic device according to the present embodiment for a flexible display, first, a polyimide film is formed on an inorganic substrate such as glass as a support. And an electronic device is formed on a support body by arrange|positioning (forming) electronic elements, such as TFT, on a polyimide film. The process of forming a TFT is generally carried out in a wide temperature range of 150°C or more and 650°C or less. In some cases, a-Si or the like is crystallized by a laser or the like.

이때, 폴리이미드막의 열분해 온도가 낮은 경우, 전자 소자 형성 중에 아웃 가스가 발생하여, 승화물로서 오븐 내에 부착되어, 로내 오염의 원인이 되거나, 폴리이미드막 상에 형성한 무기막(후술하는 배리어막 등)이나 전자 소자가 박리될 가능성이 있기 때문에, 폴리이미드의 1% 중량 감소 온도는 500℃ 이상인 것이 바람직하다. 폴리이미드의 1% 중량 감소 온도의 상한은, 높으면 높을수록 좋지만, 예를 들어 520℃이다. 1% 중량 감소 온도는, 예를 들어, 강직한 구조를 갖는 잔기(보다 구체적으로는, 4-BAAB 잔기, BPDA 잔기 등)의 함유율을 변경함으로써 조정할 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면 TFT 형성 전에, 폴리이미드막 상에 배리어막으로서 산화실리콘막(SiOx막)이나 질화실리콘막(SiNx막) 등의 무기막을 형성한다. 폴리이미드의 내열성이 낮으면, 무기막 적층 후의 고온 프로세스에서 폴리이미드의 분해 가스 등의 휘발 성분에서 유래하여 폴리이미드와 무기막이 박리되는 경우가 있다. 이 때문에, 폴리이미드의 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인 것에 추가로, 폴리이미드를 400℃ 이상 450℃ 이하의 범위 내의 온도에서 등온 유지했을 때의 중량 감소율이 1% 미만인 것이 바람직하다.At this time, when the thermal decomposition temperature of the polyimide film is low, outgas is generated during the formation of the electronic element and adheres to the oven as a sublimated product, causing contamination in the furnace, or an inorganic film formed on the polyimide film (a barrier film described later). etc.) or electronic elements may peel off, so the 1% weight loss temperature of polyimide is preferably 500°C or higher. The higher the upper limit of the 1% weight loss temperature of polyimide, the better, but it is, for example, 520°C. The 1% weight reduction temperature can be adjusted by, for example, changing the content of residues having a rigid structure (more specifically, 4-BAAB residues, BPDA residues, etc.). More specifically, an inorganic film such as a silicon oxide film (SiOx film) or a silicon nitride film (SiNx film) is formed as a barrier film on the polyimide film before forming the TFT. When the heat resistance of the polyimide is low, the polyimide and the inorganic film may separate from each other due to volatile components such as decomposition gas of the polyimide in a high-temperature process after the inorganic film is laminated. For this reason, in addition to the 1% weight reduction temperature of polyimide being 500°C or higher, it is preferable that the weight reduction rate when isothermally maintaining the polyimide at a temperature within the range of 400°C or higher and 450°C or lower is less than 1%.

또한 본 발명자가 검증한 바, 불소 원자를 포함하는 폴리이미드막과 불소 원자를 포함하지 않는 폴리이미드막에서, 폴리이미드막과 무기막의 밀착성에 명확한 차가 보였다. 이것은, 불소 원자를 포함하는 폴리이미드막의 표면 자유 에너지가 현저하게 낮은 것에 기인하는 것으로 생각된다. 따라서, 고온 프로세스에서의 무기막과 폴리이미드막의 박리를 억제하기 위해서는, 폴리이미드의 불소 원자 함유량이 적은 것이 바람직하고, 불소 원자를 포함하지 않는 모노머 유래의 폴리이미드인 것이 보다 바람직하다.Further, as verified by the present inventors, a clear difference was observed in the adhesion between the polyimide film and the inorganic film between the polyimide film containing fluorine atoms and the polyimide film not containing fluorine atoms. This is considered to be due to the remarkably low surface free energy of the polyimide film containing fluorine atoms. Therefore, in order to suppress separation between the inorganic film and the polyimide film in a high-temperature process, a polyimide having a small content of fluorine atoms is preferable, and a polyimide derived from a monomer containing no fluorine atoms is more preferable.

또한, 폴리이미드의 유리 전이 온도(Tg)가 프로세스 온도보다도 현저하게 낮은 경우에는, 전자 소자 형성 중에 위치 어긋남 등이 발생할 가능성이 있기 때문에, 폴리이미드의 Tg는, 300℃ 이상인 것이 바람직하고, 350℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 폴리이미드의 Tg의 상한은, 높으면 높을수록 좋지만, 예를 들어 450℃이다. 또한, 일반적으로, 유리 기판의 열팽창 계수는 수지와 비교하여 작기 때문에, 유리 기판과 폴리이미드막 간에 내부 응력이 발생한다. 지지체로서 사용한 유리 기판이나 전자 소자와, 폴리이미드막의 적층체의 내부 응력이 높으면, 폴리이미드막을 포함하는 적층체가, 고온의 TFT 형성 공정에서 팽창한 후, 상온까지 냉각될 때에 수축하여, 유리 기판의 휨이나 파손, 폴리이미드막의 유리 기판으로부터의 박리 등의 문제가 발생한다. 그 때문에, 폴리이미드막과 유리 기판의 적층체에 발생하는 내부 응력이, 30MPa 이하인 것이 바람직하고, 25MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 20MPa 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the case where the glass transition temperature (Tg) of polyimide is significantly lower than the process temperature, misalignment or the like may occur during electronic element formation. Therefore, the Tg of polyimide is preferably 300°C or higher, and 350°C It is more preferable that it is above, and it is more preferable that it is 400 degreeC or more. The higher the upper limit of the Tg of polyimide, the better, but is, for example, 450°C. Also, since the coefficient of thermal expansion of a glass substrate is generally smaller than that of a resin, internal stress occurs between the glass substrate and the polyimide film. When the internal stress of a laminate of a glass substrate or electronic device used as a support and a polyimide film is high, the laminate containing the polyimide film expands in the high-temperature TFT formation step and then contracts when cooled to room temperature, resulting in the loss of the glass substrate. Problems such as warpage, breakage, and peeling of the polyimide film from the glass substrate occur. Therefore, the internal stress generated in the laminate of the polyimide film and the glass substrate is preferably 30 MPa or less, more preferably 25 MPa or less, and still more preferably 20 MPa or less.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드는, TFT 기판이나 터치 패널 기판 등의 디스플레이 기판의 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 폴리이미드를 상기 용도에 사용할 때, 상술한 바와 같이 지지체 상에 전자 디바이스(상세하게는, 폴리이미드막 상에 전자 소자가 형성된 전자 디바이스)를 형성한 후, 폴리이미드막을 지지체로부터 박리하는 방법을 채용하는 경우가 많다. 또한, 지지체의 재료로서는, 무알칼리 유리가 적합하게 사용된다. 이하, 폴리이미드막과 지지체의 적층체의 제조 방법의 일례에 대하여 상세하게 설명한다.The polyimide according to this embodiment can be suitably used as a material for display substrates such as TFT substrates and touch panel substrates. When polyimide is used for the above applications, a method of forming an electronic device (specifically, an electronic device in which electronic elements are formed on a polyimide film) on a support as described above, and then peeling the polyimide film from the support is adopted. often do Moreover, as a material of a support body, an alkali-free glass is used suitably. Hereinafter, an example of the manufacturing method of the laminated body of a polyimide film and a support body is demonstrated in detail.

먼저, 지지체 상에 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액을 도포하여, 폴리아미드산을 포함하는 도포막과 지지체를 포함하는 도포막 함유 적층체를 형성한다. 이어서, 도포막 함유 적층체를, 예를 들어 온도 40℃ 이상 200℃ 이하의 조건에서 가열한다. 이 때의 가열 시간은, 예를 들어 3분 이상 120분 이하이다. 또한, 예를 들어, 도포막 함유 적층체를, 온도 50℃에서 30분 가열한 후, 온도 100℃에서 30분 가열하는 등과 같이, 다단계의 가열 공정을 마련해도 된다. 이어서, 도포막 중의 폴리아미드산의 이미드화를 진행시키기 위해서, 도포막 함유 적층체를, 예를 들어, 최고 온도 200℃ 이상 500℃ 이하의 조건에서 가열한다. 이 때의 가열 시간(최고 온도에서의 가열 시간)은 예를 들어 1분 이상 300분 이하이다. 이때, 저온으로부터 최고 온도까지 서서히 승온하는 것이 바람직하다. 승온 속도는, 2℃/분 이상 10℃/분 이하인 것이 바람직하고, 4℃/분 이상 10℃/분 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 최고 온도는 250℃ 이상 450℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 최고 온도가 250℃ 이상이면, 충분히 이미드화가 진행하고, 최고 온도가 450℃ 이하이면 폴리이미드의 열 열화나 착색을 억제할 수 있다. 또한, 최고 온도에 도달할 때까지에 임의의 온도에서 임의의 시간 유지해도 된다. 이미드화 반응은, 공기 하, 감압 하, 또는 질소 등의 불활성 가스 중에서 행할 수 있는데, 더 높은 투명성을 발현시키기 위해서는, 감압 하, 또는 질소 등의 불활성 가스 중에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 가열 장치로서는, 열풍 오븐, 적외 오븐, 진공 오븐, 이너트 오븐, 핫 플레이트 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다. 이들 공정을 거쳐서 도포막 중의 폴리아미드산이 이미드화되어, 지지체와, 폴리이미드막(폴리아미드산의 이미드화물)의 적층체를 얻을 수 있다. 또한, 가열 시간의 단축이나 특성 발현을 위해서, 이미드화제나 탈수 촉매를 폴리아미드산 용액에 첨가하고, 이 용액을 상기 방법으로 가열하여 이미드화해도 된다.First, the polyamic acid solution according to the present embodiment is applied onto a support to form a coating film-containing laminate comprising a coating film containing polyamic acid and a support. Next, the coating film-containing laminate is heated under conditions of, for example, a temperature of 40°C or higher and 200°C or lower. The heating time at this time is 3 minutes or more and 120 minutes or less, for example. Further, for example, a multi-step heating step may be provided, such as heating the coated film-containing laminate at a temperature of 50°C for 30 minutes and then heating at a temperature of 100°C for 30 minutes. Next, in order to advance imidation of the polyamic acid in the coating film, the coating film-containing laminate is heated under conditions of, for example, a maximum temperature of 200°C or more and 500°C or less. The heating time (heating time at the highest temperature) at this time is, for example, 1 minute or more and 300 minutes or less. At this time, it is preferable to gradually raise the temperature from the low temperature to the highest temperature. The temperature increase rate is preferably 2°C/min or more and 10°C/min or less, and more preferably 4°C/min or more and 10°C/min or less. Further, the maximum temperature is preferably in the range of 250°C or more and 450°C or less. When the maximum temperature is 250°C or higher, imidization proceeds sufficiently, and when the maximum temperature is 450°C or lower, thermal deterioration and coloring of the polyimide can be suppressed. Further, it may be held at any temperature for any length of time until reaching the maximum temperature. Although the imidation reaction can be performed under air, under reduced pressure, or in an inert gas such as nitrogen, in order to develop higher transparency, it is preferable to carry out under reduced pressure or in an inert gas such as nitrogen. In addition, as a heating apparatus, well-known apparatuses, such as a hot-air oven, an infrared oven, a vacuum oven, an inert oven, and a hot plate, can be used. Through these steps, the polyamic acid in the coated film is imidized, and a laminate of the support and the polyimide film (imide compound of polyamic acid) can be obtained. In addition, in order to shorten the heating time or develop characteristics, an imidation agent or a dehydration catalyst may be added to the polyamic acid solution, and the solution may be heated by the above method to imidize.

얻어진 지지체와 폴리이미드막의 적층체로부터 폴리이미드막을 박리하는 방법은, 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 손으로 뜯어도 되고, 구동 롤, 로봇 등의 기계 장치를 사용하여 뜯어도 된다. 나아가서는, 지지체와 폴리이미드막 사이에 박리층을 마련하는 방법이나, 다수의 홈을 갖는 기판 상에 산화실리콘막을 형성하고, 산화실리콘막을 하지층으로 하여 폴리이미드막을 형성하고, 기판과 산화실리콘막 사이에 산화실리콘의 에칭액을 침윤시킴으로써 폴리이미드막을 박리하는 방법을 채용할 수도 있다. 또한, 레이저광의 조사에 의해 폴리이미드막을 분리시키는 방법을 채용할 수도 있다.A well-known method can be used for the method of peeling a polyimide film from the laminated body of the obtained support body and polyimide film. For example, it may be removed by hand or may be removed using a mechanical device such as a driving roll or a robot. Furthermore, a method of providing a peeling layer between the support and the polyimide film, forming a silicon oxide film on a substrate having a large number of grooves, forming a polyimide film with the silicon oxide film as a base layer, and forming the substrate and the silicon oxide film It is also possible to adopt a method of peeling the polyimide film by infiltrating the silicon oxide etchant therebetween. Alternatively, a method of separating the polyimide film by irradiation with laser light may be employed.

폴리이미드막과 지지체(예를 들어 유리 기판)의 계면에 들뜸이 있으면, 전자 소자의 형성 중에 폴리이미드막이 박리되거나, 전자 소자를 형성한 후, 폴리이미드막을 박리할 때의 수율 저하를 야기할 우려가 있다. 또한, 「들뜸」이란, 이미드화 시에 발생하는 부 성분(보다 구체적으로는, 탈리 성분 등)이나 잔존 용매에 기인하여 폴리이미드막과 다른 재료층(보다 구체적으로는, 유리 기판, 배리어막 등) 간에 밀착성 불량이 발생한 상태를 가리킨다. 구체적인 「들뜸」으로서는, 유리 기판으로부터 폴리이미드막이 부상된 상태, 폴리이미드막의 일부가 파괴되어서 폴리이미드막과 다른 재료층 사이에 있어서 층간 박리가 발생한 상태, 폴리이미드막으로부터 배리어막이 부상된 상태 등을 들 수 있다. 예를 들어, BPDA와 4-BAAB로 형성된 폴리이미드는, 고도로 배향한 분자쇄가 밀하게 패킹되어 있어, 이미드화 시에 발생하는 부 성분의 가스 빠짐성이 나빠서, 들뜸이 발생하기 쉽다. 본 발명자의 검토에 의해, 분자쇄 중 또는 말단에 부피가 큰 구조를 도입함으로써 들뜸을 방지할 수 있음이 판명되었다. 또한, 본 발명자의 검토에 의해, 부피가 크고, 회전 자유도가 낮은 구조를 갖는 BPAF와, 4-BAAB를 병용함으로써, 양호한 가스 빠짐성과 고Tg을 양립할 수 있음이 판명되었다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산에 의하면, BPAF 잔기 및 4-BAAB 잔기를 포함하는 구조 단위 (1)을 갖기 때문에, 들뜸의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산에 의하면, 고온 프로세스 중에 있어서의 무기 재료와의 밀착성을 확보할 수 있다.If the interface between the polyimide film and the support (for example, glass substrate) is lifted, the polyimide film may be peeled off during the formation of the electronic element, or the yield may be lowered when the polyimide film is peeled after the electronic element is formed. there is In addition, "floating" refers to a material layer different from the polyimide film (more specifically, a glass substrate, a barrier film, etc. ) refers to a state in which poor adhesion has occurred between As specific "floating", a state in which the polyimide film was lifted from the glass substrate, a state in which a part of the polyimide film was destroyed and interlayer separation occurred between the polyimide film and another material layer, a state in which the barrier film was lifted from the polyimide film, etc. can be heard For example, a polyimide formed of BPDA and 4-BAAB has highly oriented molecular chains densely packed, and the degassing of subcomponents generated during imidation is poor, and lifting is likely to occur. The present inventor's study revealed that lifting can be prevented by introducing a bulky structure in the middle of the molecular chain or at the end thereof. In addition, the present inventors' studies have revealed that both good gas release and high Tg can be achieved by using 4-BAAB together with BPAF, which has a bulky structure with a low degree of rotational freedom. According to the polyamic acid of this embodiment, since it has structural unit (1) containing a BPAF residue and a 4-BAAB residue, generation|occurrence|production of exfoliation can be suppressed. Therefore, according to the polyamic acid according to this embodiment, adhesion to the inorganic material during a high-temperature process can be ensured.

폴리이미드막의 투명성은, JIS K7361-1:1997에 따른 전광선 투과율(TT), 및 JIS K7136-2000에 따른 헤이즈로 평가할 수 있다. 높은 투명성이 요구되는 용도로 폴리이미드막을 사용하는 경우, 폴리이미드막의 전광선 투과율은, 75% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 높은 투명성이 요구되는 용도로 폴리이미드막을 사용하는 경우, 폴리이미드막의 헤이즈는, 1.5% 이하인 것이 바람직하고, 1.2% 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.0% 미만인 것이 더욱 바람직하고, 0%여도 된다. 높은 투명성이 요구되는 용도에 있어서는, 폴리이미드막은 전체 파장 영역에서 투과율이 높을 것이 요구되나, 폴리이미드막은 단파장측의 광을 흡수하기 쉬운 경향이 있고, 막 자체가 황색으로 착색되는 경우가 많다. 높은 투명성이 요구되는 용도에 폴리이미드막을 사용하기 위해서는, 폴리이미드막의 황색도(YI)는 25 이하인 것이 바람직하고, 20 이하인 것이 보다 바람직하고, 15 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0이어도 된다. YI는, JIS K7373-2006에 따라서 측정할 수 있다. 이와 같이 투명성이 부여된 폴리이미드막은, 유리 대체 용도 등의 투명 기판이나, 배면에 센서나 카메라 모듈이 마련되는 기판에 적합하다.Transparency of the polyimide film can be evaluated by total light transmittance (TT) according to JIS K7361-1:1997 and haze according to JIS K7136-2000. When using a polyimide film for a use requiring high transparency, the total light transmittance of the polyimide film is preferably 75% or more, and more preferably 80% or more. Further, when the polyimide film is used for applications requiring high transparency, the haze of the polyimide film is preferably 1.5% or less, more preferably 1.2% or less, still more preferably less than 1.0%, and may be 0%. In applications requiring high transparency, the polyimide film is required to have high transmittance in the entire wavelength range, but the polyimide film tends to absorb short wavelength light, and the film itself is often colored yellow. In order to use the polyimide film for applications requiring high transparency, the yellowness index (YI) of the polyimide film is preferably 25 or less, more preferably 20 or less, still more preferably 15 or less, and may be 0. YI can be measured according to JIS K7373-2006. The polyimide film imparted with transparency in this way is suitable for a transparent substrate for use as a substitute for glass or a substrate on which a sensor or camera module is provided on the back surface.

또한, 플렉시블 디스플레이의 광 취출 방식에는, TFT 소자측으로부터 광을 취출하는 톱 에미션 방식과 TFT 소자의 이면측으로부터 광을 취출하는 보텀 에미션 방식의 2종류가 있다. 톱 에미션 방식에서는, TFT 소자에 광이 차단되지 않기 때문에 개구율을 높이기 쉬워, 고정밀의 화질이 얻어진다는 특징이 있고, 보텀 에미션 방식은 TFT 소자와 화소 전극과의 위치 정렬이 용이하여 제조하기 쉽다고 하는 특징이 있다. TFT 소자가 투명하면 보텀 에미션 방식에 있어서도, 개구율을 향상시키는 것이 가능하게 되기 때문에, 대형 디스플레이에는 제조가 용이한 보텀 에미션 방식이 채용되는 경향이 있다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막은, YI가 낮고, 내열성도 우수하기 때문에, 상기 어느 광 취출 방식에든 적용할 수 있다.In addition, there are two types of light extraction methods of flexible displays: a top emission method in which light is extracted from the TFT element side and a bottom emission method in which light is extracted from the back side of the TFT element. In the top emission method, since light is not blocked to the TFT element, it is easy to increase the aperture ratio, and there is a feature that high-definition image quality is obtained. There is a feature that Since the aperture ratio can be improved even in the bottom emission method if the TFT element is transparent, the bottom emission method, which is easy to manufacture, tends to be adopted for large-sized displays. Since the polyimide film according to the present embodiment has a low YI and excellent heat resistance, it can be applied to any of the light extraction methods described above.

또한, 유리 기판 등의 지지체 상에 폴리아미드산 용액을 도포하고, 가열하여 이미드화하여, 전자 소자 등을 형성한 후, 폴리이미드막을 박리한다고 하는, 배치 타입의 디바이스 제작 프로세스에 있어서는, 지지체와 폴리이미드막 간의 밀착성이 우수한 것이 보다 바람직하다. 본 명세서에서 말하는 밀착성이란, 밀착 강도를 의미한다. 지지체 상의 폴리이미드막에 전자 소자 등을 형성한 후에, 지지체로부터, 전자 소자 등이 형성된 폴리이미드막을 박리한다고 하는 제작 프로세스에 있어서, 폴리이미드막과 지지체의 밀착성이 우수하면, 전자 소자 등을 보다 정확하게 형성 또는 실장할 수 있다. 지지체 상에 폴리이미드막을 통하여 전자 소자 등을 배치하는 제조 프로세스에 있어서, 생산성 향상의 관점에서, 지지체와 폴리이미드막 간의 필 강도는 높으면 높을수록 좋다. 구체적으로는, 상기 필 강도는, 0.05N/㎝ 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/㎝ 이상인 것이 보다 바람직하다.In addition, in a batch-type device manufacturing process in which a polyamic acid solution is applied onto a support such as a glass substrate, heated to imidize, and an electronic element or the like is formed, the polyimide film is peeled off. It is more preferable that the adhesion between the mid films is excellent. Adhesion as used herein means adhesion strength. In the production process of forming the electronic element or the like on the polyimide film on the support and then peeling the polyimide film on which the electronic element or the like is formed from the support, when the adhesion between the polyimide film and the support is excellent, the electronic element or the like can be formed more accurately. It can be formed or mounted. In the manufacturing process of arranging an electronic element or the like on a support through a polyimide film, the higher the peel strength between the support and the polyimide film, the better, from the viewpoint of productivity improvement. Specifically, the peel strength is preferably 0.05 N/cm or more, and more preferably 0.1 N/cm or more.

상술한 바와 같은 제조 프로세스에 있어서, 지지체와 폴리이미드막의 적층체로부터 폴리이미드막을 박리할 때, 레이저 조사에 의해 지지체로부터 폴리이미드막을 박리하는 경우가 많다. 이 경우, 폴리이미드막에 레이저광을 흡수시킬 필요가 있기 때문에, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 박리에 사용하는 레이저광의 파장보다도 장파장일 것이 요구된다. 레이저 박리에는, 파장 308㎚의 XeCl 엑시머 레이저가 사용되는 경우가 많기 때문에, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 312㎚ 이상인 것이 바람직하고, 330㎚ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 컷오프 파장이 장파장이면, 폴리이미드막이 황색으로 착색되는 경향이 있기 때문에, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 390㎚ 이하인 것이 바람직하다. 투명성(저황색 정도)과 레이저 박리의 가공성을 양립시키는 관점에서, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 320㎚ 이상 390㎚ 이하인 것이 바람직하고, 330㎚ 이상 380㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서 중에 있어서의 컷오프 파장이란, 자외-가시 분광 광도계에 의해 측정되는, 투과율이 0.1% 이하로 되는 파장을 의미한다.In the manufacturing process as described above, when peeling the polyimide film from the laminate of the support and the polyimide film, the polyimide film is often peeled from the support by laser irradiation. In this case, since it is necessary to make the polyimide film absorb the laser beam, the cutoff wavelength of the polyimide film is required to be longer than the wavelength of the laser beam used for peeling. Since a XeCl excimer laser with a wavelength of 308 nm is often used for laser ablation, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 312 nm or more, and more preferably 330 nm or more. On the other hand, since the polyimide film tends to be colored yellow when the cutoff wavelength is a long wavelength, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 390 nm or less. From the viewpoint of achieving both transparency (low yellowness) and laser ablation processability, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 320 nm or more and 390 nm or less, and more preferably 330 nm or more and 380 nm or less. In addition, the cutoff wavelength in this specification means the wavelength at which the transmittance|permeability measured by the ultraviolet-visible spectrophotometer becomes 0.1 % or less.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 및 폴리이미드는, 그대로 제품이나 부재를 제작하기 위한 코팅이나 성형 프로세스에 사용해도 되지만, 필름상으로 성형된 성형물에 또한 코팅 등의 처리를 행하기 위한 재료로서 사용할 수도 있다. 코팅 또는 성형 프로세스에 사용하기 위해서, 폴리아미드산 또는 폴리이미드를, 필요에 따라 유기 용매에 용해 또는 분산시키고, 또한, 필요에 따라 광경화성 성분, 열경화성 성분, 비중합성 결합제 수지 및 그 밖의 성분을 배합하여, 폴리아미드산 조성물 또는 폴리이미드 수지 조성물을 조제해도 된다.The polyamic acid and polyimide according to the present embodiment may be used as they are in a coating or molding process for producing products or members, but may be used as materials for further processing such as coating on a molded article molded into a film. may be For use in the coating or molding process, polyamic acid or polyimide is dissolved or dispersed in an organic solvent as necessary, and a photocurable component, thermosetting component, non-polymerizable binder resin and other components are blended as necessary. Thus, a polyamic acid composition or a polyimide resin composition may be prepared.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 및 폴리이미드에 가공 특성이나 각종 기능성을 부여하기 위해서, 첨가제로서, 여러가지 유기 혹은 무기의 저분자 화합물, 또는 고분자 화합물을 배합해도 된다. 첨가제로서는, 예를 들어, 염료, 계면 활성제, 레벨링제, 가소제, 실리콘, 미립자, 증감제 등을 사용할 수 있다. 미립자에는, 폴리스티렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 등을 포함하는 유기 미립자나, 콜로이달 실리카, 카본, 층상 규산염 등을 포함하는 무기 미립자 등이 포함되고, 그들은 다공질 구조나 중공 구조여도 된다. 또한, 미립자의 기능 및 형태는, 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 안료여도, 필러여도 되고, 섬유상 입자여도 된다.In order to impart processing characteristics and various functionalities to the polyamic acid and polyimide according to the present embodiment, various organic or inorganic low-molecular compounds or high-molecular compounds may be blended as additives. As additives, dyes, surfactants, leveling agents, plasticizers, silicones, fine particles, sensitizers and the like can be used, for example. The fine particles include organic fine particles made of polystyrene, polytetrafluoroethylene, etc., inorganic fine particles made of colloidal silica, carbon, layered silicate, etc., and they may have a porous structure or a hollow structure. In addition, the function and shape of the fine particles are not particularly limited, and may be, for example, pigments, fillers, or fibrous particles.

폴리이미드막의 투명성을 유지하면서 내열성을 향상시키기 위해서, 상기 첨가제로서 나노실리카 입자를 사용하여, 폴리아미드산과 나노실리카 입자를 복합화해도 된다. 폴리이미드막의 투명성을 유지하는 관점에서, 나노실리카 입자의 평균 1차 입자경은, 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 100㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 30㎚ 이하여도 된다. 한편, 폴리아미드산에의 분산성을 확보하는 관점에서, 나노실리카 입자의 평균 1차 입자경은, 5㎚ 이상인 것이 바람직하고, 10㎚ 이상인 것이 보다 바람직하다. 폴리아미드산과 나노실리카 입자를 복합화하는 방법으로서는, 공지된 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 유기 용매에 나노실리카 입자를 분산시킨 오르가노실리카졸을 사용하는 방법을 들 수 있다. 오르가노실리카졸을 사용하여 폴리아미드산과 나노실리카 입자를 복합화하는 방법으로서는, 폴리아미드산을 합성한 후, 합성한 폴리아미드산과 오르가노실리카졸을 혼합해도 되지만, 보다 고도로 나노실리카 입자를 폴리아미드산 중에 분산시키기 위해서는, 오르가노실리카졸 중에서 폴리아미드산을 합성하는 것이 바람직하다.In order to improve the heat resistance while maintaining the transparency of the polyimide film, nanosilica particles may be used as the additive, and polyamic acid and nanosilica particles may be composited. From the viewpoint of maintaining the transparency of the polyimide film, the average primary particle diameter of the nanosilica particles is preferably 200 nm or less, more preferably 100 nm or less, still more preferably 50 nm or less, and may be 30 nm or less. On the other hand, from the viewpoint of securing the dispersibility to polyamic acid, the average primary particle diameter of the nanosilica particles is preferably 5 nm or more, and more preferably 10 nm or more. As a method of compounding the polyamic acid and the nanosilica particles, a known method can be used. For example, a method of using an organosilica sol obtained by dispersing nanosilica particles in an organic solvent is exemplified. As a method of compounding polyamic acid and nanosilica particles using organosilica sol, after synthesizing polyamic acid, the synthesized polyamic acid and organosilica sol may be mixed. In order to disperse in the inside, it is preferable to synthesize the polyamic acid in organosilica sol.

또한, 폴리아미드산과의 상호 작용을 높이기 위해서, 나노실리카 입자를 표면 처리제로 표면 처리할 수도 있다. 표면 처리제로서는, 실란 커플링제 등의 공지된 것을 사용할 수 있다. 실란 커플링제로서는, 관능기로서 아미노기 또는 글리시딜기 등을 갖는 알콕시실란 화합물 등이 널리 알려져 있고, 적절히 선택할 수 있다. 폴리아미드산과의 상호 작용을 보다 높이기 위해서는, 실란 커플링제로서는, 아미노기 함유 알콕시실란이 바람직하다. 아미노기 함유 알콕시실란의 예로서는, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노페닐트리메톡시실란 및 3-아미노페닐트리메톡시실란 등을 들 수 있는데, 원료의 안정성의 관점에서 3-아미노프로필트리에톡시실란을 사용하는 것이 바람직하다. 나노실리카 입자의 표면 처리 방법으로서는, 분산액(오르가노실리카졸)에 실란 커플링제를 첨가한 혼합물을, 20℃ 이상 80℃ 이하의 분위기 온도 하에서 교반하는 방법을 들 수 있다. 이 때의 교반 시간은, 예를 들어 1시간 이상 10시간 이하이다. 이때, 반응을 촉진시키는 촉매 등을 첨가해도 된다.In addition, in order to increase the interaction with polyamic acid, the surface of the nano-silica particles may be treated with a surface treatment agent. As a surface treatment agent, known things, such as a silane coupling agent, can be used. As a silane coupling agent, the alkoxysilane compound etc. which have an amino group or a glycidyl group etc. as a functional group are widely known, and can select suitably. In order to further enhance the interaction with the polyamic acid, an amino group-containing alkoxysilane is preferable as the silane coupling agent. Examples of the amino group-containing alkoxysilane include 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, and 3-(2-aminoethyl). ) Aminopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 2-aminophenyltrimethoxysilane and 3-aminophenyltrimethoxysilane, etc. Preference is given to using propyltriethoxysilane. As a method of surface treatment of nanosilica particles, a method of stirring a mixture obtained by adding a silane coupling agent to a dispersion (organosilica sol) at an atmospheric temperature of 20°C or higher and 80°C or lower is exemplified. The stirring time at this time is 1 hour or more and 10 hours or less, for example. At this time, you may add a catalyst etc. which promote reaction.

폴리아미드산과 나노실리카 입자를 복합화시킨 나노실리카 입자 함유 폴리아미드산 조성물은, 폴리아미드산 100중량부에 대하여 나노실리카 입자를, 1중량부 이상 30중량부 이하의 범위 내에서 포함하는 것이 바람직하고, 1중량부 이상 20중량부 이하의 범위 내에서 포함하는 것이 보다 바람직하다. 나노실리카 입자의 함유량이 1중량부 이상이면 나노실리카 입자 함유 폴리이미드의 내열성을 향상시켜, 내부 응력을 충분히 저하시킬 수 있고, 나노실리카 입자의 함유량이 30중량부 이하이면 나노실리카 입자 함유 폴리이미드의 기계 특성 및 투명성에 대한 악영향을 억제할 수 있다.The polyamic acid composition containing nanosilica particles in which polyamic acid and nanosilica particles are combined preferably contains nanosilica particles in an amount of 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of polyamic acid, It is more preferable to include within the range of 1 part by weight or more and 20 parts by weight or less. When the content of the nano-silica particles is 1 part by weight or more, the heat resistance of the polyimide containing nano-silica particles can be improved and the internal stress can be sufficiently reduced. Adverse effects on mechanical properties and transparency can be suppressed.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산에는, 상술한 기능성 부여를 위한 첨가제로서, 이미다졸류를 첨가할 수도 있다. 본 명세서 중에 있어서 이미다졸류란, 1,3-디아졸환(1,3-디아졸환 구조)을 갖는 화합물을 가리킨다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산에 첨가하는 이미다졸류로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1H-이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 1,2-디메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하고, 1,2-디메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸이 보다 바람직하다.Imidazoles may be added to the polyamic acid according to the present embodiment as an additive for imparting the functionality described above. In this specification, imidazole refers to a compound having a 1,3-diazole ring (1,3-diazole ring structure). The imidazoles added to the polyamic acid according to the present embodiment are not particularly limited, and examples thereof include 1H-imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-heptadecyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, etc. are mentioned. Among these, 1,2-dimethylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable, and 1,2-dimethylimidazole and 1-benzyl -2-methylimidazole is more preferable.

이미다졸류의 함유량은, 폴리아미드산의 아미드기 1몰에 대하여 0.005몰 이상 0.1몰 이하인 것이 바람직하고, 0.01몰 이상 0.08몰 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.015몰 이상 0.050몰 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이미다졸류를 0.005몰 이상 함유시킴으로써 폴리이미드의 막 강도 및 투명성을 향상시킬 수 있고, 이미다졸류의 함유량을 0.1몰 이하로 함으로써, 폴리아미드산의 보존 안정성을 유지하면서, Tg나 내열성을 향상시킬 수 있다. 투명성의 향상에 대하여 설명하면 NMP와 같은 중합 용매는 폴리아미드산의 카르복시기와 수소 결합에 의한 착체를 형성하는 것이 알려져 있고, 이미드화 속도가 느릴 경우, NMP 등이, 폴리이미드막 중에 잔존하여, 산화나 분해됨으로써 착색의 원인이 될 가능성이 있다. 이미다졸류를 첨가하면, 이미다졸류가 폴리아미드산의 카르복시기에 배위하여, 이미드화를 촉진시키기 때문에, NMP 등이 폴리이미드막 중에 잔존하기 어려워짐과 동시에, 열이미드화 과정의 폴리아미드산 분해도 억제되기 때문에, 투명성이 향상되는 것으로 생각된다.The content of the imidazoles is preferably 0.005 mol or more and 0.1 mol or less, more preferably 0.01 mol or more and 0.08 mol or less, and still more preferably 0.015 mol or more and 0.050 mol or less with respect to 1 mol of the amide group of the polyamic acid. By containing 0.005 mol or more of imidazoles, the film strength and transparency of polyimide can be improved, and by making the content of imidazoles 0.1 mol or less, Tg and heat resistance can be improved while maintaining the storage stability of polyamic acid. can To explain the improvement in transparency, it is known that a polymerization solvent such as NMP forms a complex with a carboxy group of polyamic acid by hydrogen bonding. B. Decomposition may cause discoloration. When imidazoles are added, imidazoles coordinate with the carboxyl group of polyamic acid to promote imidation, making it difficult for NMP and the like to remain in the polyimide film, and at the same time, polyamic acid in the thermal imidation process. Since decomposition is also suppressed, it is thought that transparency improves.

폴리아미드산과 이미다졸류의 혼합 방법은 특별히 제한되지 않는다. 폴리아미드산의 분자량 제어의 용이성의 관점에서, 중합 후의 폴리아미드산에 이미다졸류를 첨가하는 것이 바람직하다. 이때, 이미다졸류를 그대로 폴리아미드산에 첨가해도 되고, 미리 이미다졸류를 용매에 용해시켜 두고, 이 용액을 폴리아미드산에 첨가해도 되고, 첨가 방법은 특별히 제한되지 않는다. 중합 후의 폴리아미드산을 포함하는 용액(반응 후의 용액)에 이미다졸류를 첨가하여, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액(폴리아미드산과 이미다졸류를 포함하는 용액)을 조제해도 된다.A mixing method of polyamic acid and imidazoles is not particularly limited. From the viewpoint of the ease of controlling the molecular weight of the polyamic acid, it is preferable to add imidazoles to the polyamic acid after polymerization. At this time, the imidazoles may be added directly to the polyamic acid, or the imidazoles may be dissolved in a solvent beforehand and the solution may be added to the polyamic acid, and the addition method is not particularly limited. The polyamic acid solution (solution containing polyamic acid and imidazole) according to the present embodiment may be prepared by adding imidazoles to a solution containing polyamic acid after polymerization (solution after reaction).

또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액에는, 지지체와의 적절한 밀착성을 발현시키기 위해서, 실란 커플링제를 함유시킬 수 있다. 실란 커플링제의 종류는, 공지된 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있지만, 폴리아미드산과의 반응성의 관점에서 아미노기를 함유하는 화합물이 특히 바람직하다.In addition, the polyamic acid solution according to the present embodiment may contain a silane coupling agent in order to develop appropriate adhesion to the support. A known type of silane coupling agent can be used without particular limitation, but a compound containing an amino group is particularly preferred from the viewpoint of reactivity with polyamic acid.

실란 커플링제의 폴리아미드산 100중량부에 대한 배합 비율은, 0.01중량부 이상 0.50중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01중량부 이상 0.10중량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01중량부 이상 0.05중량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. 실란 커플링제의 배합 비율을 0.01중량부 이상으로 함으로써 지지체에 대한 박리 억제 효과가 충분히 발휘되어, 실란 커플링제의 배합 비율을 0.50중량부 이하로 함으로써, 폴리아미드산의 분자량 저하가 억제되기 때문에, 폴리이미드막의 취화를 억제할 수 있다.The blending ratio of the silane coupling agent to 100 parts by weight of polyamic acid is preferably 0.01 part by weight or more and 0.50 part by weight or less, more preferably 0.01 part by weight or more and 0.10 part by weight or less, and 0.01 part by weight or more and 0.05 part by weight or less. more preferable When the blending ratio of the silane coupling agent is 0.01 part by weight or more, the peeling inhibitory effect on the support is sufficiently exhibited, and when the blending ratio of the silane coupling agent is 0.50 part by weight or less, the molecular weight decrease of the polyamic acid is suppressed. The embrittlement of the mid film can be suppressed.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막의 표면에는, 금속 산화물 박막이나 투명 전극 등의 각종 무기 박막을 형성해도 된다. 이들 무기 박막의 제막 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, CVD법, 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등의 PVD법 등을 들 수 있다.Various inorganic thin films such as metal oxide thin films and transparent electrodes may be formed on the surface of the polyimide film according to the present embodiment. The method for forming these inorganic thin films is not particularly limited, and examples thereof include PVD methods such as CVD method, sputtering method, vacuum deposition method, and ion plating method.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막은, 내열성, 저열 팽창성, 투명성에 추가로, 유리 기판과 적층체를 형성했을 때에 발생하는 내부 응력이 작고, 고온 프로세스 중에서 무기 재료와의 밀착성을 확보할 수 있기 때문에, 이들 특성이 유효하게 되는 분야 및 제품에 사용되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막은, 액정 표시 장치, 유기 EL, 전자 페이퍼 등의 화상 표시 장치, 인쇄물, 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이, 광학 필름, 3D 디스플레이, 터치 패널, 투명 도전막 기판, 태양 전지 등에 사용되는 것이 바람직하고, 나아가서는 현재 유리가 사용되고 있는 부분의 대체 재료로 하는 것이 보다 바람직하다. 이들 용도에 있어서, 폴리이미드막의 두께는, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이며, 5㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하다. 폴리이미드막의 두께는, 레이저 홀로게이지를 사용하여 측정할 수 있다.In addition to heat resistance, low thermal expansion, and transparency, the polyimide film according to the present embodiment has low internal stress generated when a laminate is formed with a glass substrate, and adhesion to inorganic materials can be secured during a high-temperature process. , it is preferred to be used in fields and products in which these properties are effective. For example, the polyimide film according to the present embodiment is used in image display devices such as liquid crystal display devices, organic EL and electronic paper, printed materials, color filters, flexible displays, optical films, 3D displays, touch panels, and transparent conductive film substrates. , solar cells, etc., and it is more preferable to use it as a substitute material for the part where glass is currently used. In these applications, the thickness of the polyimide film is, for example, 1 μm or more and 200 μm or less, and preferably 5 μm or more and 100 μm or less. The thickness of the polyimide film can be measured using a laser holo gauge.

또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 용액은, 지지체 상에 폴리아미드산 용액을 도포하고, 가열하여 이미드화하여, 전자 소자 등을 형성한 후, 폴리이미드막을 박리한다고 하는, 배치 타입의 디바이스 제작 프로세스에 적합하게 사용할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에는, 지지체 상에 폴리아미드산 용액을 도포하고, 가열하여 이미드화하여, 지지체 상에 형성된 폴리이미드막에 전자 소자 등을 형성하는 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법도 포함된다. 또한, 이러한 전자 디바이스의 제조 방법은, 또한, 지지체로부터, 전자 소자 등이 형성된 폴리이미드막을 박리하는 공정을 포함하고 있어도 된다.In addition, the polyamic acid solution according to the present embodiment is a batch-type device in which the polyimide film is peeled off after applying the polyamic acid solution on a support, imidizing it by heating, and forming an electronic element or the like. It can be used appropriately for the manufacturing process. Therefore, this embodiment also includes a method for manufacturing an electronic device including a step of applying a polyamic acid solution on a support, imidizing it by heating, and forming an electronic element or the like in the polyimide film formed on the support. . Moreover, the manufacturing method of such an electronic device may further include the process of peeling the polyimide film in which the electronic element etc. were formed from the support body.

실시예Example

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples of the present invention will be described, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.

<물성의 측정 방법 및 평가 방법><Methods for measuring and evaluating physical properties>

먼저, 폴리이미드의 물성의 측정 방법 및 평가 방법에 대하여 설명한다.First, a method for measuring and evaluating physical properties of polyimide will be described.

[황색도(YI)][Yellowness Index (YI)]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드막에 대해서, 자외 가시 근적외 분광 광도계(니혼 분코사제 「V-650」)를 사용하여 파장 200㎚ 이상 800㎚ 이하의 광 투과율을 측정하고, JIS K7373-2006에 기재된 식으로부터, 폴리이미드막의 황색도(YI)를 산출하였다.For the polyimide films obtained in Examples and Comparative Examples described later, the light transmittance at a wavelength of 200 nm or more and 800 nm or less was measured using a spectrophotometer ("V-650" manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd.), and JIS K7373 - From the formula described in 2006, the yellowness (YI) of the polyimide film was calculated.

[헤이즈][Haze]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드막에 대해서, 적분구식 헤이즈 미터(무라카미시키사이 기쥬츠 겐큐죠사제 「HM-150N」)를 사용하여, JIS K7136-2000에 기재된 방법에 의해 헤이즈를 측정하였다.For the polyimide films obtained in Examples and Comparative Examples described later, haze was measured by the method described in JIS K7136-2000 using an integrating sphere haze meter ("HM-150N" manufactured by Murakami Shikisai Kijutsu Genkyujo Co., Ltd.) did

[내부 응력][Internal Stress]

미리 휨양을 계측하고 있었던 코닝사제의 유리 기판(재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 후술하는 실시예 및 비교예에서 조제한 각 폴리아미드산 용액을 스핀 코터로 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 폴리이미드막의 흡수의 영향을 배제하기 위해서, 적층체를 120℃에서 10분 건조시킨 후, 온도 25℃의 질소 분위기 하에 있어서의 적층체의 휨양을, 박막 응력 측정 장치(케이엘에이 텐코사제 「FLX-2320-S」)를 사용하여 측정하였다. 그리고, 폴리이미드막 형성 전의 유리 기판의 휨양 및 적층체의 휨양으로부터, 스토니의 식에 의해 유리 기판과 폴리이미드막 간에 발생한 내부 응력을 산출하였다.Each polyamic acid solution prepared in Examples and Comparative Examples described later was applied to a glass substrate (material: non-alkali glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) manufactured by Corning, the amount of warp of which was measured in advance, by a spin coater. was applied, heated in air at 120°C for 30 minutes, and then heated at 430°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 µm on a glass substrate. In order to eliminate the effect of absorption of the polyimide film, after drying the laminate at 120 ° C. for 10 minutes, the amount of warping of the laminate in a nitrogen atmosphere at a temperature of 25 ° C. was measured using a thin film stress measuring device (“FLX- 2320-S”) was used. Then, the internal stress generated between the glass substrate and the polyimide film was calculated by Stoney's equation from the amount of warp of the glass substrate before formation of the polyimide film and the amount of warp of the laminate.

[유리 전이 온도(Tg)][Glass Transition Temperature (Tg)]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드막을 폭 3㎜ 또한 길이 10㎜로 샘플링하여 Tg 측정용의 시료를 얻었다. 열분석 장치(히타치 하이테크 사이언스사제 「TMA/SS7100」)를 사용하여, 얻어진 시료에 98.0mN의 하중을 가하고, 10℃/분으로 20℃로부터 450℃까지 승온하고, 온도와 변형량(신장)을 플롯하여 TMA 곡선을 얻었다. 얻어진 TMA 곡선의 변곡점 온도(TMA 곡선의 미분 곡선에 있어서의 피크에 대응하는 온도)를 유리 전이 온도(Tg)로 하였다.Polyimide films obtained in Examples and Comparative Examples described later were sampled at a width of 3 mm and a length of 10 mm to obtain samples for Tg measurement. Using a thermal analysis device (“TMA/SS7100” manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.), a load of 98.0 mN was applied to the obtained sample, the temperature was raised from 20° C. to 450° C. at 10° C./min, and the temperature and strain amount (elongation) were plotted. to obtain the TMA curve. The temperature of the inflection point of the obtained TMA curve (the temperature corresponding to the peak in the differential curve of the TMA curve) was taken as the glass transition temperature (Tg).

[1% 중량 감소 온도(TD1)][1% Weight Loss Temperature (TD1)]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드막(시료)에 대해서, 시차열 열중량 동시 측정 장치(히타치 하이테크 사이언스사제 「TG/DTA7200」)를 사용하여, 질소 분위기 하에서, 20℃/분의 조건에서 25℃로부터 650℃까지 승온하고, 측정 온도 150℃에서의 시료 중량을 기준으로 하여, 이 기준의 중량에 대하여 1중량% 감소했을 때의 측정 온도를, 1% 중량 감소 온도(TD1)로 하였다.Regarding the polyimide film (sample) obtained in Examples and Comparative Examples described later, a differential thermal thermogravimetric simultaneous measuring device (“TG/DTA7200” manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.) was used in a nitrogen atmosphere at 20° C./min. The temperature was raised from 25 ° C. to 650 ° C., and the measured temperature when the sample weight at the measured temperature of 150 ° C. was reduced by 1% by weight relative to the standard weight was taken as the 1% weight loss temperature (TD1). .

[유리 기판과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무][Presence or absence of lifting between the glass substrate and the polyimide film]

코닝사제의 유리 기판(재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 후술하는 실시예 및 비교예에서 조제한 각 폴리아미드산 용액을 스핀 코터로 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대해서, 유리 기판과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무를 눈으로 보아 확인하였다.Each polyamic acid solution prepared in Examples and Comparative Examples described later was applied on a glass substrate (material: non-alkali glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) manufactured by Corning Corporation by a spin coater, and then in the air. After heating at 120°C for 30 minutes, it was heated at 430°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 µm on a glass substrate. About the obtained laminated body, the presence or absence of the floating between the glass substrate and the polyimide film|membrane was visually confirmed.

[SiOx막과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무][Presence or absence of lifting between the SiOx film and the polyimide film]

코닝사제의 유리 기판(재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 후술하는 실시예 및 비교예에서 조제한 각 폴리아미드산 용액을 스핀 코터로 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 형성하였다. 이어서, 얻어진 폴리이미드막 상에 플라스마 CVD법으로 SiOx막(두께: 1㎛)을 적층하고, 얻어진 적층체를, 질소 분위기 하에서 430℃에서 60분 가열하였다. 그리고, 가열 후의 적층체에 대해서, SiOx막과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무를 눈으로 보아 확인하였다.Each polyamic acid solution prepared in Examples and Comparative Examples described later was applied on a glass substrate (material: non-alkali glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) manufactured by Corning Corporation by a spin coater, and then in the air. After heating at 120 ° C. for 30 minutes, heating at 430 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to form a polyimide film having a thickness of 10 μm on a glass substrate. Subsequently, a SiOx film (thickness: 1 μm) was laminated on the obtained polyimide film by a plasma CVD method, and the obtained laminate was heated at 430° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere. And about the laminated body after heating, the presence or absence of lifting between the SiOx film and the polyimide film was visually confirmed.

<폴리이미드막의 제작><Production of Polyimide Film>

이하, 실시예 및 비교예의 폴리이미드막(적층체)의 제작 방법에 대하여 설명한다. 또한, 이하에 있어서, 화합물 및 시약류를 하기의 약칭으로 기재하고 있다. 또한, 실시예 및 비교예의 어느 것에 대해서든, 폴리아미드산의 합성은 질소 분위기 하에서 행하였다.Hereinafter, the manufacturing method of the polyimide film (laminate|laminate) of an Example and a comparative example is demonstrated. In addition, in the following, compounds and reagents are described with the following abbreviations. In both Examples and Comparative Examples, synthesis of polyamic acid was performed under a nitrogen atmosphere.

NMP: N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

BPAF: 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 이무수물BPAF: 9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride

BPDA: 3,3'-4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물BPDA: 3,3'-4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

PMDA: 피로멜리트산 이무수물PMDA: pyromellitic dianhydride

4-BAAB: 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트4-BAAB: 4-aminophenyl-4-aminobenzoate

PDA: p-페닐렌디아민PDA: p-phenylenediamine

TFMB: 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine

DMI: 1,2-디메틸이미다졸DMI: 1,2-dimethylimidazole

[실시예 3][Example 3]

스테인리스강제 교반봉을 구비한 교반기 및 질소 도입관을 장착한 300mL의 유리제 세퍼러블 플라스크에, 중합용의 유기 용매로서, 39.6g의 NMP를 넣었다. 이어서, 플라스크 내용물을 교반하면서, 3.030g의 4-BAAB를 플라스크에 넣어서 용해시켰다. 이어서, 플라스크 내용물에 0.183g의 BPAF를 첨가한 후, 3.788g의 BPDA를 첨가하고, 온도 25℃의 분위기 하에서, 플라스크 내용물을 24시간 교반하여, 폴리아미드산 용액을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산 용액을, 스핀 코터를 사용하여 유리 기판(코닝사제, 재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다.39.6 g of NMP was placed as an organic solvent for polymerization in a 300 mL glass separable flask equipped with a stirrer with a stainless steel stirrer and a nitrogen inlet tube. Then, while stirring the contents of the flask, 3.030 g of 4-BAAB was added to the flask and dissolved. Next, after adding 0.183 g of BPAF to the contents of the flask, 3.788 g of BPDA was added, and the contents of the flask were stirred for 24 hours in an atmosphere at a temperature of 25°C to obtain a polyamic acid solution. The obtained polyamic acid solution was coated on a glass substrate (manufactured by Corning, material: alkali-free glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) using a spin coater, and in air at 120 ° C. for 30 minutes. After heating, it heated at 430 degreeC for 30 minutes in nitrogen atmosphere, and obtained the laminated body provided with the polyimide film of thickness 10 micrometers on the glass substrate.

[실시예 4][Example 4]

스테인리스강제 교반봉을 구비한 교반기 및 질소 도입관을 장착한 300mL의 유리제 세퍼러블 플라스크에, 중합용의 유기 용매로서, 39.6g의 NMP를 넣었다. 이어서, 플라스크 내용물을 교반하면서, 3.030g의 4-BAAB를 플라스크에 넣어서 용해시켰다. 이어서, 플라스크 내용물에 0.183g의 BPAF를 첨가한 후, 3.788g의 BPDA를 첨가하고, 온도 25℃의 분위기 하에서, 플라스크 내용물을 24시간 교반하였다. 이어서, 플라스크에, 플라스크 내용물 중의 폴리아미드산 100중량부에 대하여 1중량부의 DMI를 넣어서, 폴리아미드산 용액을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산 용액을, 스핀 코터를 사용하여 유리 기판(코닝사제, 재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다.39.6 g of NMP was placed as an organic solvent for polymerization in a 300 mL glass separable flask equipped with a stirrer with a stainless steel stirrer and a nitrogen inlet tube. Then, while stirring the contents of the flask, 3.030 g of 4-BAAB was added to the flask and dissolved. Next, after adding 0.183 g of BPAF to the contents of the flask, 3.788 g of BPDA was added, and the contents of the flask were stirred for 24 hours in an atmosphere at a temperature of 25°C. Next, 1 part by weight of DMI was added to the flask with respect to 100 parts by weight of polyamic acid in the contents of the flask to obtain a polyamic acid solution. The obtained polyamic acid solution was coated on a glass substrate (manufactured by Corning, material: alkali-free glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) using a spin coater, and in air at 120 ° C. for 30 minutes. After heating, it heated at 430 degreeC for 30 minutes in nitrogen atmosphere, and obtained the laminated body provided with the polyimide film of thickness 10 micrometers on the glass substrate.

[실시예 1, 5, 7, 9 및 11][Examples 1, 5, 7, 9 and 11]

BPAF와 BPDA의 투입 비율을 표 1에 기재된 비율로 변경한 것 이외에는, 실시예 3과 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 실시예 1, 5, 7, 9 및 11의 어느 것에 대해서든, 산 이무수물의 합계 물질량은 실시예 3과 동일하였다.Except for changing the input ratio of BPAF and BPDA to the ratio described in Table 1, a laminate provided with a polyimide film having a thickness of 10 μm was obtained on a glass substrate by the same method as in Example 3. In addition, in any of Examples 1, 5, 7, 9 and 11, the total amount of acid dianhydride was the same as in Example 3.

[실시예 2, 6, 8, 10 및 12][Examples 2, 6, 8, 10 and 12]

BPAF와 BPDA의 투입 비율을 표 1에 기재된 비율로 변경한 것 이외에는, 실시예 4와 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 실시예 2, 6, 8, 10 및 12의 어느 것에 대해서든, 산 이무수물의 합계 물질량은 실시예 4와 동일하였다.A laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 μm was obtained on a glass substrate in the same manner as in Example 4, except that the ratio of BPAF and BPDA added was changed to the ratio shown in Table 1. In addition, for any of Examples 2, 6, 8, 10 and 12, the total amount of acid dianhydride was the same as in Example 4.

[실시예 13 및 15][Examples 13 and 15]

BPAF와 BPDA의 투입 비율을 표 1에 기재된 비율로 변경한 것, 및 폴리아미드산의 합성용의 디아민으로서, 4-BAAB 및 PDA를 표 1에 기재된 비율로 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 실시예 13 및 15의 어느 것에 대해서든, 산 이무수물의 합계 물질량 및 디아민의 합계 물질량은 실시예 3과 동일하였다.The same method as in Example 3 except that the input ratio of BPAF and BPDA was changed to the ratio shown in Table 1, and that 4-BAAB and PDA were used as diamines for synthesis of polyamic acid in the ratio shown in Table 1. Thus, a laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 μm was obtained on a glass substrate. In addition, for any of Examples 13 and 15, the total amount of acid dianhydride and the total amount of diamine were the same as in Example 3.

[실시예 14 및 16][Examples 14 and 16]

BPAF와 BPDA의 투입 비율을 표 1에 기재된 비율로 변경한 것, 및 폴리아미드산의 합성용의 디아민으로서, 4-BAAB 및 PDA를 표 1에 기재된 비율로 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 실시예 14 및 16의 어느 것에 대해서든, 산 이무수물의 합계 물질량 및 디아민의 합계 물질량은 실시예 4와 동일하였다.The same method as in Example 4 except that the input ratio of BPAF and BPDA was changed to the ratio shown in Table 1, and 4-BAAB and PDA were used as diamines for synthesis of polyamic acid in the ratio shown in Table 1 Thus, a laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 μm was obtained on a glass substrate. In addition, for any of Examples 14 and 16, the total amount of acid dianhydride and the total amount of diamine were the same as in Example 4.

[실시예 17][Example 17]

BPDA 대신에 PMDA를 사용하고, 또한 BPAF와 PMDA를 표 1에 기재된 투입 비율로 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 실시예 17에서 사용한 산 이무수물의 합계 물질량은, 실시예 4에서 사용한 산 이무수물의 합계 물질량과 동일하였다.Except for using PMDA instead of BPDA and using BPAF and PMDA at the input ratios shown in Table 1, in the same manner as in Example 4, a laminate having a polyimide film having a thickness of 10 μm was obtained on a glass substrate. . In addition, the total amount of acid dianhydrides used in Example 17 was the same as the total amount of acid dianhydrides used in Example 4.

[비교예 1][Comparative Example 1]

스테인리스강제 교반봉을 구비한 교반기 및 질소 도입관을 장착한 300mL의 유리제 세퍼러블 플라스크에, 중합용의 유기 용매로서, 39.6g의 NMP를 넣었다. 이어서, 플라스크 내용물을 교반하면서, 3.058g의 4-BAAB를 플라스크에 넣어서 용해시켰다. 이어서, 플라스크 내용물에 3.942g의 BPDA를 첨가하고, 온도 25℃의 분위기 하에서, 플라스크 내용물을 24시간 교반하여, 폴리아미드산 용액을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산 용액을, 스핀 코터를 사용하여 유리 기판(코닝사제, 재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다.39.6 g of NMP was placed as an organic solvent for polymerization in a 300 mL glass separable flask equipped with a stirrer with a stainless steel stirrer and a nitrogen inlet tube. Then, while stirring the contents of the flask, 3.058 g of 4-BAAB was added to the flask and dissolved. Next, 3.942 g of BPDA was added to the contents of the flask, and the contents of the flask were stirred for 24 hours in an atmosphere at a temperature of 25°C to obtain a polyamic acid solution. The obtained polyamic acid solution was coated on a glass substrate (manufactured by Corning, material: alkali-free glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) using a spin coater, and in air at 120 ° C. for 30 minutes. After heating, it heated at 430 degreeC for 30 minutes in nitrogen atmosphere, and obtained the laminated body provided with the polyimide film of thickness 10 micrometers on the glass substrate.

[비교예 2][Comparative Example 2]

스테인리스강제 교반봉을 구비한 교반기 및 질소 도입관을 장착한 300mL의 유리제 세퍼러블 플라스크에, 중합용의 유기 용매로서, 39.6g의 NMP를 넣었다. 이어서, 플라스크 내용물을 교반하면서, 3.058g의 4-BAAB를 플라스크에 넣어서 용해시켰다. 이어서, 플라스크 내용물에 3.942g의 BPDA를 첨가하고, 온도 25℃의 분위기 하에서, 플라스크 내용물을 24시간 교반하였다. 이어서, 플라스크에, 플라스크 내용물 중의 폴리아미드산 100중량부에 대하여 1중량부의 DMI를 넣어서, 폴리아미드산 용액을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산 용액을, 스핀 코터를 사용하여 유리 기판(코닝사제, 재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다.39.6 g of NMP was placed as an organic solvent for polymerization in a 300 mL glass separable flask equipped with a stirrer with a stainless steel stirrer and a nitrogen inlet tube. Then, while stirring the contents of the flask, 3.058 g of 4-BAAB was added to the flask and dissolved. Next, 3.942 g of BPDA was added to the contents of the flask, and the contents of the flask were stirred for 24 hours in an atmosphere at a temperature of 25°C. Next, 1 part by weight of DMI was added to the flask with respect to 100 parts by weight of polyamic acid in the contents of the flask to obtain a polyamic acid solution. The obtained polyamic acid solution was coated on a glass substrate (manufactured by Corning, material: alkali-free glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) using a spin coater, and in air at 120 ° C. for 30 minutes. After heating, it heated at 430 degreeC for 30 minutes in nitrogen atmosphere, and obtained the laminated body provided with the polyimide film of thickness 10 micrometers on the glass substrate.

[비교예 3][Comparative Example 3]

4-BAAB 대신에 PDA를 사용한 것 이외에는, 비교예 1과 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 비교예 3에서 사용한 PDA의 물질량은, 비교예 1에서 사용한 4-BAAB의 물질량과 동일하였다.Except for using PDA instead of 4-BAAB, a laminate provided with a polyimide film having a thickness of 10 µm was obtained on a glass substrate in the same manner as in Comparative Example 1. In addition, the amount of PDA used in Comparative Example 3 was the same as that of 4-BAAB used in Comparative Example 1.

[비교예 4][Comparative Example 4]

4-BAAB 대신에 TFMB를 사용한 것 이외에는, 비교예 2와 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 비교예 4에서 사용한 TFMB의 물질량은, 비교예 2에서 사용한 4-BAAB의 물질량과 동일하였다.Except for using TFMB instead of 4-BAAB, a laminate provided with a polyimide film having a thickness of 10 μm was obtained on a glass substrate by the same method as in Comparative Example 2. In addition, the substance amount of TFMB used in Comparative Example 4 was the same as the substance amount of 4-BAAB used in Comparative Example 2.

[비교예 5][Comparative Example 5]

4-BAAB 대신에 TFMB를 사용하고, 또한 BPAF와 BPDA의 투입 비율을 표 1에 기재된 비율로 변경한 것 이외에는, 실시예 4와 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 비교예 5에서 사용한 TFMB의 물질량은, 실시예 4에서 사용한 4-BAAB의 물질량과 동일하였다. 또한, 비교예 5에서 사용한 산 이무수물의 합계 물질량은, 실시예 4에서 사용한 산 이무수물의 합계 물질량과 동일하였다.A polyimide film having a thickness of 10 μm was formed on a glass substrate in the same manner as in Example 4, except that TFMB was used instead of 4-BAAB and the input ratio of BPAF and BPDA was changed to the ratio shown in Table 1. A laminate was obtained. In addition, the substance amount of TFMB used in Comparative Example 5 was the same as the substance amount of 4-BAAB used in Example 4. In addition, the total amount of acid dianhydrides used in Comparative Example 5 was the same as the total amount of acid dianhydrides used in Example 4.

실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 5 각각에 대해서, 사용한 재료 및 그의 비율을 표 1에 나타내고, 물성 및 평가를 표 2에 나타내었다. 또한, 표 1에 있어서, 「-」은, 당해 성분을 사용하지 않은 것을 의미한다. 또한, 표 1에 있어서, 「산 이무수물」의 란의 수치는, 사용한 산 이무수물의 전량에 대한 각 산 이무수물의 함유율(단위: 몰%)이다. 또한, 「디아민」의 란의 수치는, 사용한 디아민의 전량에 대한 각 디아민의 함유율(단위: 몰%)이다. 또한, 「첨가제」의 란의 수치는, 플라스크 내용물 중의 폴리아미드산 100중량부에 대한 첨가제의 첨가량(단위: 중량부)이다.For each of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 5, the materials used and their ratios are shown in Table 1, and the physical properties and evaluation are shown in Table 2. In Table 1, "-" means that the component was not used. In addition, in Table 1, the numerical value of the "acid dianhydride" column is the content rate (unit: mol%) of each acid dianhydride with respect to the total amount of the acid dianhydride used. In addition, the numerical value of the column of "diamine" is the content rate (unit: mol%) of each diamine with respect to the whole amount of diamine used. In addition, the numerical value in the column of "additives" is the addition amount of the additive with respect to 100 parts by weight of polyamic acid in the contents of the flask (unit: parts by weight).

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

상기에 나타내는 바와 같이, 구조 단위 (1)을 갖는 폴리아미드산을 사용한 본 실시예에서는, 하기 (1) 내지 (4)의 모든 조건을 충족하고 있었다.As shown above, in this Example using the polyamic acid having the structural unit (1), all conditions (1) to (4) below were satisfied.

(1) TD1이 500℃를 초과하고 있다.(1) TD1 exceeds 500°C.

(2) YI가 25 이하이다.(2) YI is 25 or less.

(3) 내부 응력이 30MPa 이하이다.(3) Internal stress is 30 MPa or less.

(4) Tg가 400℃를 초과하고 있다.(4) Tg exceeds 400°C.

비교예 1 및 2에서는, Tg 및 TD1은 높지만, 헤이즈가 높고, 유리 기판과 폴리이미드막 사이에 들뜸이 발생하고 있었다. 비교예 3에서는, Tg 및 TD1은 높지만, YI가 높고, 유리 기판과 폴리이미드막 사이에 들뜸이 발생하고 있었다. 실시예 1 내지 17에서는, Tg 및 TD1이 높고, 또한 YI 및 헤이즈가 낮았다. 또한, 실시예 1 내지 17에서는, 유리 기판과 폴리이미드막 사이에 들뜸이 없고, 또한 SiOx막과 폴리이미드막 사이에 들뜸이 없었다.In Comparative Examples 1 and 2, although Tg and TD1 were high, the haze was high, and lifting occurred between the glass substrate and the polyimide film. In Comparative Example 3, although Tg and TD1 were high, YI was high, and lifting occurred between the glass substrate and the polyimide film. In Examples 1 to 17, Tg and TD1 were high, and YI and haze were low. Further, in Examples 1 to 17, there was no lifting between the glass substrate and the polyimide film, and no lifting between the SiOx film and the polyimide film.

불소 원자를 포함하는 비교예 4 및 5에서는, YI는 낮으나, SiOx막과 폴리이미드막 사이에 들뜸이 발생하고 있었다.In Comparative Examples 4 and 5 containing fluorine atoms, YI was low, but lifting occurred between the SiOx film and the polyimide film.

이상의 결과로부터, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산으로부터 얻어지는 폴리이미드가, 투명성 및 내열성이 우수하고, 고온 프로세스 중에서 무기 재료와의 밀착성을 확보할 수 있음이 나타내졌다.From the above results, it was shown that the polyimide obtained from the polyamic acid according to the present invention is excellent in transparency and heat resistance, and can secure adhesion to inorganic materials during a high-temperature process.

Claims (15)

하기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산.
Figure pct00010
A polyamic acid containing a structural unit represented by the following formula (1).
Figure pct00010
제1항에 있어서, 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조 단위를 더 포함하는, 폴리아미드산.
Figure pct00011

(상기 일반식 (2) 중, X는, 상기 화학식 (1) 중의 테트라카르복실산 이무수물 잔기와는 다른 4가의 유기기를 나타낸다.)
The polyamic acid according to claim 1, further comprising a structural unit represented by the following general formula (2).
Figure pct00011

(In the above general formula (2), X represents a tetravalent organic group different from the tetracarboxylic dianhydride residue in the above general formula (1).)
제2항에 있어서, 상기 일반식 (2) 중의 X가, 하기 화학식 (3)으로 표시되는 4가의 유기기 및 하기 화학식 (4)로 표시되는 4가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인, 폴리아미드산.
Figure pct00012
The method according to claim 2, wherein X in the general formula (2) is at least one member selected from the group consisting of a tetravalent organic group represented by the following general formula (3) and a tetravalent organic group represented by the following general formula (4), polyamic acid.
Figure pct00012
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화학식 (1)로 표시되는 구조 단위의 함유율이, 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상인, 폴리아미드산.The polyamic acid according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the structural unit represented by the general formula (1) is 1 mol% or more with respect to all structural units. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 테트라카르복실산 이무수물 잔기의 총 물질량을 디아민 잔기의 총 물질량으로 제산한 물질량비가, 0.900 이상 1.100 미만인, 폴리아미드산.The polyamic acid according to any one of claims 1 to 4, wherein a ratio of the total amount of tetracarboxylic acid dianhydride residues divided by the total amount of diamine residues is 0.900 or more and less than 1.100. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 폴리아미드산과 유기 용매를 함유하는 폴리아미드산 용액.A polyamic acid solution containing the polyamic acid according to any one of claims 1 to 5 and an organic solvent. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 폴리아미드산의 이미드화물인 폴리이미드.A polyimide which is an imide product of the polyamic acid according to any one of claims 1 to 5. 제7항에 있어서, 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인, 폴리이미드.The polyimide according to claim 7, wherein the 1% weight loss temperature is 500°C or higher. 제7항 또는 제8항에 있어서, 유리 전이 온도가 400℃ 이상인, 폴리이미드.The polyimide according to claim 7 or 8, having a glass transition temperature of 400°C or higher. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드막.A polyimide film comprising the polyimide according to any one of claims 7 to 9. 제10항에 있어서, 황색도가 25 이하인, 폴리이미드막.The polyimide film according to claim 10, having a yellowness of 25 or less. 제10항 또는 제11항에 있어서, 헤이즈가 1.0% 미만인, 폴리이미드막.The polyimide film according to claim 10 or 11, having a haze of less than 1.0%. 지지체와, 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드막을 갖는 적층체.A laminate comprising a support and the polyimide film according to any one of claims 10 to 12. 지지체와 폴리이미드막을 갖는 적층체의 제조 방법으로서,
제6항에 기재된 폴리아미드산 용액을 지지체 상에 도포함으로써 상기 폴리아미드산을 포함하는 도포막을 형성하고, 상기 도포막을 가열하여 상기 폴리아미드산을 이미드화하는, 적층체의 제조 방법.
As a method for producing a laminate having a support and a polyimide film,
A method for producing a laminate comprising applying the polyamic acid solution according to claim 6 onto a support to form a coating film containing the polyamic acid, and imidizing the polyamic acid by heating the coating film.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드막과, 상기 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는 전자 디바이스.An electronic device comprising the polyimide film according to any one of claims 10 to 12 and an electronic element disposed on the polyimide film.
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