KR20230056652A - Polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, laminate, method for producing laminate and electronic device - Google Patents

Polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, laminate, method for producing laminate and electronic device Download PDF

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Abstract

폴리아미드산 조성물은, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산과, 가소제를 함유한다. 폴리이미드는, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물이다. 폴리이미드막은, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물을 함유한다. 적층체는, 지지체와, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물을 함유하는 폴리이미드막을 갖는다. 전자 디바이스는, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산의 이미드화물을 함유하는 폴리이미드막과, 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는다.

Figure pct00014
The polyamic acid composition contains a polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1) and a plasticizer. A polyimide is an imide of a polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1). The polyimide film contains an imide of a polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1). The layered product has a support and a polyimide film containing an imide of polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1). An electronic device has a polyimide film containing an imide of a polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1), and an electronic element disposed on the polyimide film.
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Figure P1020237000493
Figure P1020237000493

Description

폴리아미드산 조성물, 폴리이미드, 폴리이미드막, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스Polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, laminate, method for producing laminate and electronic device

본 발명은 폴리아미드산 조성물, 폴리이미드, 폴리이미드막, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 폴리이미드를 사용한 전자 디바이스 재료, 박막 트랜지스터(TFT) 기판, 플렉시블 디스플레이 기판, 컬러 필터, 인쇄물, 광학 재료, 화상 표시 장치(보다 구체적으로는, 액정 표시 장치, 유기 EL, 전자 페이퍼 등), 3D 디스플레이, 태양 전지, 터치 패널, 투명 도전막 기판, 및 현재 유리가 사용되고 있는 부재의 대체 재료에 관한 것이다.The present invention relates to a polyamic acid composition, a polyimide, a polyimide film, a laminate, a method for producing the laminate, and an electronic device. The present invention also relates to electronic device materials using polyimide, thin film transistor (TFT) substrates, flexible display substrates, color filters, printed materials, optical materials, image display devices (more specifically, liquid crystal display devices, organic EL, electronic paper etc.), 3D displays, solar cells, touch panels, transparent conductive film substrates, and alternative materials for members currently using glass.

액정 디스플레이, 유기 EL, 전자 페이퍼 등의 디스플레이나, 태양 전지, 터치 패널 등의 일렉트로닉스 디바이스의 급속한 진보에 수반하여, 디바이스의 박형화나 경량화, 플렉시블화가 진행하고 있다. 이들 디바이스에서는 유리 기판 대신에 폴리이미드가 기판 재료로서 사용되어 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART With the rapid progress of displays, such as a liquid crystal display, organic EL, and electronic paper, and electronic devices, such as a solar cell and a touch panel, thinning, weight reduction, and flexibility of devices are progressing. In these devices, polyimide is used as a substrate material instead of a glass substrate.

이들 디바이스에서는, 기판 상에 여러가지 전자 소자, 예를 들어, 박막 트랜지스터나 투명 전극 등이 형성되어 있고, 이들 전자 소자의 형성에는 고온 프로세스가 필요하다. 폴리이미드는, 고온 프로세스에 적응 가능할 만큼의 충분한 내열성을 갖고 있고, 열팽창 계수(CTE)도 유리 기판이나 전자 소자와 가깝기 때문에, 내부 응력이 발생하기 어려워, 플렉시블 디스플레이 등의 기판 재료에 적합하다.In these devices, various electronic elements such as thin film transistors and transparent electrodes are formed on a substrate, and high-temperature processes are required to form these electronic elements. Polyimide has sufficient heat resistance to be able to adapt to high-temperature processes, and its coefficient of thermal expansion (CTE) is close to that of glass substrates and electronic elements, so internal stress is unlikely to occur, making it suitable for substrate materials such as flexible displays.

일반적으로 방향족 폴리이미드는 분자 내 공액이나 전하 이동(CT) 착체의 형성에 의해 황갈색으로 착색되어 있지만, 톱 에미션형의 유기 EL 등에서는, 기판의 반대측으로부터 광을 취출하기 때문에, 기판에 투명성은 요구되지 않고, 종전의 방향족 폴리이미드가 사용되어 왔다. 그러나, 투명 디스플레이나 보텀 에미션형의 유기 EL, 액정 디스플레이와 같이 표시 소자로부터 발해지는 광이 기판을 통하여 출사되는 경우나, 스마트폰 등을 전체면 디스플레이(노치리스)로 하기 위하여 센서나 카메라 모듈을 기판의 배면에 배치하는 경우에는, 기판에도 높은 광학 특성(보다 구체적으로는, 투명성 등)이 구해지게 되어 왔다.In general, aromatic polyimide is colored yellowish brown due to intramolecular conjugation or formation of charge transfer (CT) complexes. Instead, conventional aromatic polyimide has been used. However, when light emitted from a display element is emitted through a substrate, such as a transparent display, a bottom emission type organic EL, or a liquid crystal display, or a sensor or camera module is used to make a smartphone or the like a full-surface display (notchless). In the case of disposing on the back side of a substrate, high optical properties (more specifically, transparency, etc.) have been sought for the substrate as well.

이러한 배경으로부터, 기존의 방향족 폴리이미드와 동등한 내열성을 가지면서, 착색이 저감되고, 투명성이 우수한 재료가 요구되고 있다.From this background, there is a demand for a material with reduced coloration and excellent transparency while having heat resistance equivalent to that of conventional aromatic polyimides.

폴리이미드의 착색을 저감시키기 위해서, 지방족계 모노머를 사용하여 CT 착체의 형성을 억제하는 기술(특허문헌 1 및 2), 및 불소 원자나 황 원자를 갖는 모노머를 사용하여 투명성을 높이는 기술(특허문헌 3)이 알려져 있다.In order to reduce the coloring of polyimide, a technique for suppressing the formation of a CT complex using an aliphatic monomer (Patent Documents 1 and 2) and a technique for increasing transparency using a monomer having a fluorine atom or a sulfur atom (Patent Documents 1 and 2) 3) is known.

특허문헌 1 및 2에 기재된 폴리이미드는, 투명성이 높고, CTE도 낮으나, 지방족 구조를 갖기 때문에 열분해 온도가 낮아, 전자 소자를 형성할 때의 고온 프로세스에 적용하는 것은 어렵다.Although the polyimides described in Patent Literatures 1 and 2 have high transparency and low CTE, they have a low thermal decomposition temperature because they have an aliphatic structure, and it is difficult to apply them to high-temperature processes when forming electronic elements.

일본 특허 공개 제2016-29177호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-29177 일본 특허 공개 제2012-41530호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-41530 일본 특허 공개 제2014-70139호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-70139

특허문헌 3에 기재된 폴리이미드는, 불소 원자를 포함하기 때문에, 고온 프로세스에서 불화수소가 발생할 가능성이 있는 것이, 본 발명자들의 검토에 의해 판명되었다. 불화수소가 발생하면, 폴리이미드와 배리어막 등 간에 밀착성 불량이 발생하거나, 폴리이미드막 상에 마련된 전자 소자의 부식이 발생하거나 하는 경우가 있다.Since the polyimide described in Patent Literature 3 contains fluorine atoms, it has been found by the present inventors' examination that there is a possibility of generating hydrogen fluoride in a high-temperature process. When hydrogen fluoride is generated, poor adhesion may occur between the polyimide film and the barrier film or the like, or corrosion of electronic elements provided on the polyimide film may occur.

본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 착색이 저감되고, 투명성이 우수하고, 높은 내열성을 갖고, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 억제할 수 있는 폴리이미드 및 그의 전구체로서의 폴리아미드산 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 당해 폴리이미드 및 폴리아미드산 조성물을 사용하여 제조된, 내열성 및 투명성이 요구되는 제품 또는 부재를 제공하는 것도 목적으로 한다. 특히, 본 발명의 폴리이미드막이, 유리, 금속, 금속 산화물, 단결정 실리콘 등의 무기물 표면에 형성된 제품 또는 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a polyimide with reduced coloration, excellent transparency, high heat resistance, and capable of suppressing the generation of hydrogen fluoride in a high-temperature process, and a polyamic acid composition as a precursor thereof. intended to provide Another object is to provide a product or member manufactured using the polyimide and polyamic acid compositions and requiring heat resistance and transparency. In particular, an object of the present invention is to provide a product or member in which the polyimide film is formed on the surface of an inorganic material such as glass, metal, metal oxide, and single crystal silicon.

본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 특정한 폴리아미드산 및 가소제를 함유하는 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드가, 착색이 저감되고, 투명성이 우수하고, 높은 내열성을 갖고, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 억제할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성하였다.As a result of intensive studies, the present inventors have found that a polyimide obtained from a composition containing a specific polyamic acid and a plasticizer has reduced coloring, excellent transparency, high heat resistance, and suppresses the generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process. It was found that it could be done, and the present invention was completed.

본 발명에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산과, 가소제를 함유한다.The polyamic acid composition according to the present invention contains a polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1) and a plasticizer.

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 일반식 (1) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 1가의 지방족기 또는 1가의 방향족기를 나타내고, X는, 4가의 유기기를 나타낸다.In the above general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group or a monovalent aromatic group, and X represents a tetravalent organic group.

본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에서는, 상기 일반식 (1) 중의 R1 및 R2가, 모두 수소 원자를 나타낸다.In the polyamic acid composition according to one embodiment of the present invention, both R 1 and R 2 in the general formula (1) represent a hydrogen atom.

본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에서는, 상기 일반식 (1) 중의 X가, 하기 화학식 (2)로 표시되는 4가의 유기기, 하기 화학식 (3)으로 표시되는 4가의 유기기, 하기 화학식 (4)로 표시되는 4가의 유기기, 및 하기 화학식 (5)로 표시되는 4가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이다.In the polyamic acid composition according to one embodiment of the present invention, X in the general formula (1) is a tetravalent organic group represented by the following formula (2) or a tetravalent organic group represented by the following formula (3) , a tetravalent organic group represented by the following formula (4), and a tetravalent organic group represented by the following formula (5).

Figure pct00002
Figure pct00002

본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에서는, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위의 함유율이, 상기 폴리아미드산의 전체 구조 단위에 대하여 50몰% 이상 100몰% 이하이다.In the polyamic acid composition according to one embodiment of the present invention, the content of the structural unit represented by the general formula (1) is 50 mol% or more and 100 mol% or less with respect to all structural units of the polyamic acid.

본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에서는, 상기 가소제의 양이, 상기 폴리아미드산 100중량부에 대하여 20중량부 이하이다.In the polyamic acid composition according to one embodiment of the present invention, the amount of the plasticizer is 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid.

본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에서는, 상기 가소제가, 인 함유 화합물, 폴리알킬렌글리콜 및 지방족 이염기산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이다.In the polyamic acid composition according to one embodiment of the present invention, the plasticizer is at least one selected from the group consisting of phosphorus-containing compounds, polyalkylene glycols, and aliphatic dibasic acid esters.

본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 또한 유기 용매를 함유한다.The polyamic acid composition according to one embodiment of the present invention further contains an organic solvent.

본 발명에 관계되는 폴리이미드는, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 포함되는 폴리아미드산의 이미드화물이다.The polyimide according to the present invention is an imide product of polyamic acid contained in the polyamic acid composition according to the present invention.

본 발명에 관계되는 폴리이미드는, 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the 1% weight loss temperature of the polyimide concerning this invention is 500 degreeC or more.

본 발명에 관계되는 폴리이미드막은, 본 발명에 관계되는 폴리이미드를 포함한다.The polyimide film according to the present invention includes the polyimide according to the present invention.

본 발명에 관계되는 폴리이미드막은, 황색도가 20 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the yellowness of the polyimide film concerning this invention is 20 or less.

본 발명에 관계되는 적층체는, 지지체와, 본 발명에 관계되는 폴리이미드막을 갖는다.A laminate according to the present invention has a support and a polyimide film according to the present invention.

본 발명에 관계되는 적층체의 제조 방법은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물을 지지체 상에 도포함으로써, 폴리아미드산 및 가소제를 포함하는 도포막을 형성하고, 상기 도포막을 가열하여 상기 폴리아미드산을 이미드화한다.In the method for producing a laminate according to the present invention, the polyamic acid composition according to one embodiment of the present invention is coated on a support to form a coating film containing polyamic acid and a plasticizer, and the coating film is heated. The polyamic acid is imidized.

본 발명에 관계되는 전자 디바이스는, 본 발명에 관계되는 폴리이미드막과, 상기 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는다.An electronic device according to the present invention includes a polyimide film according to the present invention and an electronic element disposed on the polyimide film.

본 발명에 관계되는 폴리아미드산 조성물을 사용하여 제조되는 폴리이미드는, 착색이 저감되고, 투명성 및 내열성이 우수하고, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산 조성물을 사용하여 제조되는 폴리이미드는, 저착색성, 투명성 및 내열성이 요구되고, 또한 고온 프로세스를 거쳐서 제조되는 전자 디바이스의 재료로서 적합하다.The polyimide produced using the polyamic acid composition according to the present invention has reduced coloration, excellent transparency and heat resistance, and can suppress generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process. Therefore, the polyimide produced using the polyamic acid composition according to the present invention is suitable as a material for electronic devices that require low colorability, transparency, and heat resistance, and are manufactured through a high-temperature process.

도 1은 실시예 18 및 비교예 5에 관계되는 폴리이미드막을 사중극형 질량 분석계로 분석하여 얻어진 결과를 나타내는 그래프이다.1 is a graph showing the results obtained by analyzing polyimide films according to Example 18 and Comparative Example 5 with a quadrupole mass spectrometer.

이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited thereto.

먼저, 본 명세서 중에서 사용되는 용어에 대하여 설명한다. 「구조 단위」란, 중합체를 구성하는 반복 단위를 말한다. 「폴리아미드산」은, 하기 일반식 (6)으로 표시되는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (6)」이라고 기재하는 경우가 있다)를 포함하는 중합체이다. 또한, 본 명세서에서는, 폴리아미드산뿐만 아니라, 폴리아미드산에스테르(폴리아미드산알킬에스테르, 폴리아미드산아릴에스테르 등)도 「폴리아미드산」이라고 기재한다.First, terms used in this specification will be described. A "structural unit" refers to a repeating unit constituting a polymer. "Polyamic acid" is a polymer containing a structural unit represented by the following general formula (6) (hereinafter sometimes referred to as "structural unit (6)"). In addition, in this specification, not only polyamic acid but also polyamic acid esters (polyamic acid alkyl esters, polyamic acid aryl esters, etc.) are described as "polyamic acid".

Figure pct00003
Figure pct00003

일반식 (6) 중, R3 및 R4는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 1가의 지방족기 또는 1가의 방향족기를 나타내고, A1은, 예를 들어, 테트라카르복실산 이무수물 잔기(테트라카르복실산 이무수물 유래의 4가의 유기기)를 나타내고, A2는, 예를 들어, 디아민 잔기(디아민 유래의 2가의 유기기)를 나타낸다.In general formula (6), R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group, or a monovalent aromatic group, and A 1 is, for example, a tetracarboxylic dianhydride residue (tetracarb represents a tetravalent organic group derived from boxylic acid dianhydride), and A 2 represents, for example, a diamine residue (divalent organic group derived from diamine).

폴리아미드산을 구성하는 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 (6)의 함유율은, 예를 들어 50몰% 이상 100몰% 이하이며, 바람직하게는 60몰% 이상 100몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 70몰% 이상 100몰% 이하이며, 더욱 바람직하게는 80몰% 이상 100몰% 이하이며, 더욱 보다 바람직하게는 90몰% 이상 100몰% 이하이며, 100몰%여도 된다.The content of the structural unit (6) relative to all the structural units constituting the polyamic acid is, for example, 50 mol% or more and 100 mol% or less, preferably 60 mol% or more and 100 mol% or less, more preferably It is 70 mol% or more and 100 mol% or less, More preferably, it is 80 mol% or more and 100 mol% or less, Even more preferably, it is 90 mol% or more and 100 mol% or less, 100 mol% may be sufficient.

「1% 중량 감소 온도」는, 측정 온도 150℃에서의 폴리이미드의 중량을 기준(100중량%)으로 하여, 상기 기준의 중량에 대하여 1중량% 감소했을 때의 측정 온도이다. 1% 중량 감소 온도의 측정 방법은, 후술하는 실시예와 동일한 방법 또는 그에 준하는 방법이다."1% weight reduction temperature" is a measurement temperature when the weight of polyimide at a measurement temperature of 150°C is reduced by 1% by weight relative to the reference weight (100% by weight). The measuring method of 1% weight loss temperature is the same method as that of the Example mentioned later, or a method similar to it.

「m/z」는, 질량 분석의 측정 결과인 매스스펙트럼의 횡축으로부터 판독할 수 있는 측정값이며, 「이온의 질량을 통일 원자 질량 단위(달톤)로 나누어서 얻어진 무차원량을 또한 이온의 전하수의 절댓값으로 나누어서 얻어지는 무차원량」이다."m/z" is a measurement value that can be read from the horizontal axis of the mass spectrum, which is the measurement result of mass spectrometry, and "the dimensionless quantity obtained by dividing the mass of an ion by the unified atomic mass unit (dalton) is also It is a dimensionless quantity obtained by dividing by the absolute value.

「가소제」란, 폴리아미드산의 적어도 일부의 이미드화 시에 액체로 존재하는 재료를 가리킨다.A "plasticizer" refers to a material that exists as a liquid at the time of imidation of at least a part of polyamic acid.

이하, 화합물명의 뒤에 「계」를 붙여서, 화합물 및 그의 유도체를 포괄적으로 총칭하는 경우가 있다. 화합물명의 뒤에 「계」를 붙여서 중합체명을 나타내는 경우에는, 중합체의 반복 단위가 화합물 또는 그의 유도체에서 유래되는 것을 의미한다. 또한, 테트라카르복실산 이무수물을 「산 이무수물」이라고 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, "system" is appended to the name of a compound to collectively refer to a compound and its derivatives in some cases. When a polymer name is indicated by attaching "system" to the end of the compound name, it means that the repeating unit of the polymer is derived from a compound or a derivative thereof. In addition, tetracarboxylic dianhydride may be described as "acid dianhydride".

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위(이하, 「구조 단위 (1)」이라고 기재하는 경우가 있다)를 포함하는 폴리아미드산과, 가소제를 함유한다.The polyamic acid composition according to the present embodiment contains a polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1) (hereinafter sometimes referred to as "structural unit (1)") and a plasticizer do.

Figure pct00004
Figure pct00004

일반식 (1) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 1가의 지방족기 또는 1가의 방향족기를 나타내고, X는, 4가의 유기기를 나타낸다. 이미드화를 용이하게 행하기 위해서는, R1 및 R2로서는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, R1 및 R2가, 모두 수소 원자를 나타내는 것이 보다 바람직하다. 이하, 특별히 언급이 없는 한, 일반식 (1) 중의 R1 및 R2가, 모두 수소 원자를 나타내는 구조 단위를, 구조 단위 (1)로 한다.In General Formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group or a monovalent aromatic group, and X represents a tetravalent organic group. In order to imidate easily, as R1 and R2 , a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group is each independently preferable, and it is more preferable that both R1 and R2 represent a hydrogen atom. Hereinafter, unless otherwise specified, a structural unit in which R 1 and R 2 in General Formula (1) both represent hydrogen atoms is referred to as structural unit (1).

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 구조 단위 (1)을 포함하는 폴리아미드산과, 가소제를 함유하기 때문에, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물을 사용하여 폴리이미드를 제조하면, 착색이 저감되고, 투명성 및 내열성이 우수하고, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 억제할 수 있는 폴리이미드를 얻을 수 있다.Since the polyamic acid composition according to the present embodiment contains the polyamic acid containing the structural unit (1) and a plasticizer, when polyimide is produced using the polyamic acid composition according to the present embodiment, coloring It is possible to obtain a polyimide that is reduced, has excellent transparency and heat resistance, and can suppress the generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process.

구조 단위 (1)은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(이하, 「TFMB」라고 기재하는 경우가 있다) 유래의 부분 구조를 갖는다. 즉, 구조 단위 (1)은 상술한 일반식 (6) 중의 A2로서 TFMB 잔기를 갖는다.Structural unit (1) has a partial structure derived from 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (hereinafter sometimes referred to as "TFMB"). That is, structural unit (1) has a TFMB residue as A 2 in the above-mentioned general formula (6).

TFMB는, 강직한 구조를 갖고 있어, 유리 전이 온도가 높은(내열성이 우수한) 폴리이미드의 원료(모노머)로서 적합하다. 또한, TFMB는, 트리플루오로메틸기를 갖고 있기 때문에, 착색이 저감되고, 또한 높은 투명성을 갖는 폴리이미드의 원료(모노머)로서 적합하다.TFMB has a rigid structure and is suitable as a raw material (monomer) of polyimide having a high glass transition temperature (excellent in heat resistance). In addition, since TFMB has a trifluoromethyl group, it is suitable as a raw material (monomer) of polyimide with reduced coloring and high transparency.

구조 단위 (1)을 포함하는 폴리아미드산(이하, 「폴리아미드산 (1)」이라고 기재하는 경우가 있다)을 합성할 때는, 그 성능을 손상시키지 않는 범위에서, TFMB 이외의 디아민을 모노머로서 사용해도 된다. TFMB 이외의 디아민으로서는, 예를 들어, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트(이하, 「4-BAAB」라고 기재하는 경우가 있다), 1,4-디아미노시클로헥산, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-옥시디아닐린, 3,4'-옥시디아닐린, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, N,N'-비스(4-아미노페닐)테레프탈아미드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, m-톨리딘, o-톨리딘, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 2-(4-아미노페닐)-6-아미노벤조옥사졸, 3,5-디아미노벤조산, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥산아민), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 및 이들의 유도체를 들 수 있고, 이들을 단독 또는 2종류 이상 사용해도 된다.When synthesizing a polyamic acid containing structural unit (1) (hereinafter sometimes referred to as "polyamic acid (1)"), a diamine other than TFMB is used as a monomer within a range that does not impair its performance. You can use it. Examples of diamines other than TFMB include 4-aminophenyl-4-aminobenzoate (hereinafter sometimes referred to as "4-BAAB"), 1,4-diaminocyclohexane, and p-phenylenediamine. , m-phenylenediamine, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene, 4,4'-oxydianiline, 3,4'-oxydianiline, 2,2'-bis(trifluoromethyl )-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzanilide, N,N'-bis(4-aminophenyl)terephthalamide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, m -Tolidine, o-tolidine, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 2-(4-aminophenyl)-6-aminobenzoxazole, 3,5-diaminobenzoic acid, 4 ,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-methylenebis(cyclohexanamine), 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane and their derivatives are mentioned, and you may use these individually or 2 or more types.

내열성 향상의 관점에서, TFMB 이외의 디아민으로서는, 4-BAAB가 바람직하다. 따라서, 내열성 향상의 관점에서, 폴리아미드산 (1)은 4-BAAB 잔기를 갖는 것이 바람직하다. 4-BAAB는, 강직한 구조를 갖고 있기 때문에, 내열성이 우수한 폴리이미드의 원료(모노머)로서 적합하다. 또한, 강직 구조를 갖는 4-BAAB는, 내부 응력의 발생을 억제하면서 기계 강도가 높은 폴리이미드의 원료(모노머)로서도 적합하다.From the viewpoint of improving heat resistance, 4-BAAB is preferred as diamines other than TFMB. Therefore, from the viewpoint of improving heat resistance, the polyamic acid (1) preferably has a 4-BAAB residue. Since 4-BAAB has a rigid structure, it is suitable as a raw material (monomer) of polyimide having excellent heat resistance. In addition, 4-BAAB having a rigid structure is also suitable as a raw material (monomer) of polyimide having high mechanical strength while suppressing generation of internal stress.

착색이 보다 저감되고, 내열성이 보다 우수하고, 더 높은 투명성을 갖는 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)은 디아민 잔기로서 TFMB 잔기만을 갖거나, 또는 디아민 잔기로서 TFMB 잔기 및 4-BAAB 잔기만을 갖는 것이 바람직하다.In order to obtain a polyimide with reduced coloration, better heat resistance, and higher transparency, the polyamic acid (1) has only TFMB residues as diamine residues, or TFMB residues and 4-BAAB residues as diamine residues It is desirable to have only

착색이 보다 저감되고, 내열성이 보다 우수한 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 디아민 잔기에 대한 TFMB 잔기의 함유율은, 30몰% 이상인 것이 바람직하고, 40몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 50몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 60몰% 이상인 것이 더욱 보다 바람직하고, 70몰% 이상, 80몰% 이상 또는 90몰% 이상이어도 되고, 100몰%여도 상관없다.In order to obtain a polyimide with reduced coloration and superior heat resistance, the content of the TFMB residue relative to all the diamine residues constituting the polyamic acid (1) is preferably 30 mol% or more, and more preferably 40 mol% or more. It is preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, even more preferably 70 mol% or more, 80 mol% or more, 90 mol% or more, or even 100 mol%.

착색이 보다 저감되고, 내열성이 보다 우수한 폴리이미드를 얻기 위해서는, 구조 단위 (1)의 함유율이, 폴리아미드산 (1)의 전체 구조 단위에 대하여 30몰% 이상 100몰% 이하인 것이 바람직하고, 40몰% 이상 100몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50몰% 이상 100몰% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60몰% 이상 100몰% 이하인 것이 더욱 보다 바람직하고, 70몰% 이상 100몰% 이하, 80몰% 이상 100몰% 이하 또는 90몰% 이상 100몰% 이하여도 되고, 100몰%여도 상관없다.In order to obtain a polyimide with reduced coloring and more excellent heat resistance, the content of the structural unit (1) is preferably 30 mol% or more and 100 mol% or less with respect to all the structural units of the polyamic acid (1), and 40 It is more preferably 100 mol% or less, more preferably 50 mol% or more and 100 mol% or less, still more preferably 60 mol% or more and 100 mol% or less, 70 mol% or more and 100 mol% or less, 80 mol% or more It may be % or more and 100 mol% or less, or 90 mol% or more and 100 mol% or less, and even if it is 100 mol%, it does not matter.

폴리아미드산 (1)이 4-BAAB 잔기를 갖는 경우, 내열성이 보다 우수한 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 디아민 잔기에 대한 4-BAAB 잔기의 함유율은, 10몰% 이상인 것이 바람직하고, 20몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 30몰% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 폴리아미드산 (1)이 4-BAAB 잔기를 갖는 경우, 착색이 보다 저감된 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 디아민 잔기에 대한 4-BAAB 잔기의 함유율은, 70몰% 이하인 것이 바람직하고, 60몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50몰% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 40몰% 이하인 것이 더욱 보다 바람직하다.When the polyamic acid (1) has a 4-BAAB residue, in order to obtain a polyimide having better heat resistance, the content of the 4-BAAB residue relative to all the diamine residues constituting the polyamic acid (1) is 10 mol%. It is preferably above, more preferably 20 mol% or more, and still more preferably 30 mol% or more. In addition, when polyamic acid (1) has a 4-BAAB residue, in order to obtain a polyimide with reduced coloring, the content of 4-BAAB residue relative to all diamine residues constituting polyamic acid (1) is It is preferably 70 mol% or less, more preferably 60 mol% or less, still more preferably 50 mol% or less, and still more preferably 40 mol% or less.

폴리아미드산 (1)이 TFMB 잔기 및 4-BAAB 잔기를 갖는 경우, 착색이 보다 저감되고, 내열성이 보다 우수하고, 더 높은 투명성을 갖는 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 디아민 잔기에 대한, TFMB 잔기 및 4-BAAB 잔기의 합계 함유율은, 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 60몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 70몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 더욱 보다 바람직하고, 90몰% 이상이어도 되고, 100몰%여도 상관없다.When the polyamic acid (1) has a TFMB residue and a 4-BAAB residue, in order to obtain a polyimide with reduced coloration, better heat resistance, and higher transparency, constituting the polyamic acid (1) The total content of TFMB residues and 4-BAAB residues relative to all diamine residues is preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, still more preferably 70 mol% or more, and still more 80 mol% or more. More preferably, 90 mol% or more may be sufficient, and even if it is 100 mol%, it does not matter.

폴리아미드산 (1)을 합성하기 위한 테트라카르복실산 이무수물(일반식 (1) 중의 X를 부여하는 산 이무수물)로서는, 예를 들어, 피로멜리트산 이무수물(이하, 「PMDA」라고 기재하는 경우가 있다), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(이하, 「BPDA」라고 기재하는 경우가 있다), p-페닐렌비스(트리멜리테이트 무수물), 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 이무수물(이하, 「BPAF」라고 기재하는 경우가 있다), 4,4'-옥시디프탈산 무수물(이하, 「ODPA」라고 기재하는 경우가 있다), 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물, 9,9-비스(트리플루오로메틸)크산텐테트라카르복실산 이무수물, 디시클로헥실-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 2'-옥소디스피로[비시클로[2.2.1]헵탄-2,1'-시클로펜탄-3',2''-비시클로[2.2.1]헵탄]-5,6:5'',6''-테트라카르복실산 이무수물 및 이들의 유도체를 들 수 있고, 이들을 단독 또는 2종류 이상 사용해도 된다.As the tetracarboxylic acid dianhydride (acid dianhydride giving X in general formula (1)) for synthesizing the polyamic acid (1), for example, pyromellitic acid dianhydride (hereinafter described as "PMDA") may be used), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (hereinafter sometimes referred to as "BPDA"), p-phenylene bis(trimellitate anhydride), 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride , 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride (hereinafter sometimes referred to as "BPAF") ), 4,4'-oxydiphthalic anhydride (hereinafter sometimes referred to as "ODPA"), 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride, 9,9-bis(trifluoro) Romethyl) xanthene tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 2'-oxodispiro[bicyclo[2.2.1]heptane-2,1'-cyclopentane-3',2''-bicyclo [2.2.1]heptane]-5,6:5'',6''-tetracarboxylic dianhydride and derivatives thereof, and these may be used alone or in combination of two or more.

고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 보다 억제할 수 있는 폴리이미드를 얻기 위해서는, 일반식 (1) 중의 X를 부여하는 산 이무수물로서는, 불소 원자를 포함하지 않는 산 이무수물이 바람직하다. 즉, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 보다 억제할 수 있는 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 산 이무수물 잔기가, 불소 원자를 포함하지 않는 것이 바람직하다.In order to obtain a polyimide capable of further suppressing the generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process, an acid dianhydride that does not contain a fluorine atom is preferable as the acid dianhydride giving X in the general formula (1). That is, in order to obtain a polyimide capable of further suppressing the generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process, it is preferable that the acid dianhydride residue constituting the polyamic acid (1) does not contain a fluorine atom.

일반식 (1) 중의 X를 부여하는 산 이무수물로서는, PMDA, BPDA, BPAF 및 ODPA로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하다. 즉, 폴리아미드산 (1)은 일반식 (1) 중의 X로서, PMDA 잔기, BPDA 잔기, BPAF 잔기 및 ODPA 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 갖는 것이 바람직하다.As the acid dianhydride giving X in General Formula (1), at least one selected from the group consisting of PMDA, BPDA, BPAF and ODPA is preferable. That is, the polyamic acid (1) preferably has at least one selected from the group consisting of a PMDA residue, a BPDA residue, a BPAF residue, and an ODPA residue as X in the general formula (1).

PMDA 잔기는, 하기 화학식 (2)로 표시되는 4가의 유기기이다. BPDA 잔기는, 하기 화학식 (3)으로 표시되는 4가의 유기기이다. BPAF 잔기는, 하기 화학식 (4)로 표시되는 4가의 유기기이다. ODPA 잔기는, 하기 화학식 (5)로 표시되는 4가의 유기기이다.The PMDA residue is a tetravalent organic group represented by the following formula (2). The BPDA residue is a tetravalent organic group represented by the following formula (3). The BPAF residue is a tetravalent organic group represented by the following formula (4). The ODPA residue is a tetravalent organic group represented by the following formula (5).

Figure pct00005
Figure pct00005

내열성이 보다 우수하면서 내부 응력을 저감할 수 있는 동시에, 기계 강도가 높은 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)이 PMDA 잔기 및 BPDA 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 갖는 것이 바람직하다. 투명성이 보다 높은 폴리이미드를 얻기 위해서는, 폴리아미드산 (1)이 BPAF 잔기 및 ODPA 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 갖는 것이 바람직하다.In order to obtain a polyimide having excellent heat resistance, reducing internal stress, and having high mechanical strength, the polyamic acid (1) preferably contains at least one selected from the group consisting of PMDA residues and BPDA residues. . In order to obtain a polyimide with higher transparency, it is preferable that the polyamic acid (1) has at least one selected from the group consisting of a BPAF residue and an ODPA residue.

폴리아미드산 (1)이 PMDA 잔기, BPDA 잔기, BPAF 잔기 및 ODPA 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 갖는 경우, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대한, PMDA 잔기, BPDA 잔기, BPAF 잔기 및 ODPA 잔기의 합계 함유율이, 60몰% 이상인 것이 바람직하고, 70몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 90몰% 이상인 것이 더욱 보다 바람직하고, 100몰%여도 된다. 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대한, PMDA 잔기, BPDA 잔기, BPAF 잔기 및 ODPA 잔기의 합계 함유율이 60몰% 이상인 경우, 투명성 및 내열성이 보다 우수하면서 내부 응력을 저감할 수 있는 동시에, 기계 강도가 높은 폴리이미드를 얻을 수 있다.When polyamic acid (1) has at least one selected from the group consisting of PMDA residues, BPDA residues, BPAF residues and ODPA residues, PMDA residues for all acid dianhydride residues constituting polyamic acid (1) , the total content of BPDA residue, BPAF residue and ODPA residue is preferably 60 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, still more preferably 80 mol% or more, and still more preferably 90 mol% or more, It may be 100 mol%. When the total content of PMDA residues, BPDA residues, BPAF residues and ODPA residues relative to all acid dianhydride residues constituting polyamic acid (1) is 60 mol% or more, internal stress can be reduced while transparency and heat resistance are better. At the same time, polyimide with high mechanical strength can be obtained.

폴리아미드산 (1)이 PMDA 잔기를 갖는 경우, 내열성이 보다 우수하면서 내부 응력을 저감할 수 있는 동시에, 기계 강도가 높은 폴리이미드를 얻기 위해서는, PMDA 잔기의 함유율이, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대하여 30몰% 이상 100몰% 이하인 것이 바람직하고, 40몰% 이상 90몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50몰% 이상 80몰% 이하인 것이 더욱 바람직하다.When the polyamic acid (1) has a PMDA residue, in order to obtain a polyimide having excellent heat resistance, reduced internal stress and high mechanical strength, the content of the PMDA residue is It is preferably 30 mol% or more and 100 mol% or less, more preferably 40 mol% or more and 90 mol% or less, and still more preferably 50 mol% or more and 80 mol% or less with respect to the total acid dianhydride residues constituting it.

폴리아미드산 (1)이 BPDA 잔기를 갖는 경우, 내열성이 보다 우수하면서 내부 응력을 저감할 수 있는 동시에, 기계 강도가 높은 폴리이미드를 얻기 위해서는, BPDA 잔기의 함유율이, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대하여 10몰% 이상 100몰% 이하인 것이 바람직하고, 10몰% 이상 90몰% 이하인 것이 보다 바람직하다.When the polyamic acid (1) has a BPDA residue, in order to obtain a polyimide having excellent heat resistance, reduced internal stress and high mechanical strength, the content of the BPDA residue is It is preferably 10 mol% or more and 100 mol% or less, and more preferably 10 mol% or more and 90 mol% or less with respect to the total acid dianhydride residues constituting it.

폴리아미드산 (1)이 BPAF 잔기를 갖는 경우, 투명성이 보다 높은 폴리이미드를 얻기 위해서는, BPAF 잔기의 함유율이, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대하여 1몰% 이상인 것이 바람직하고, 3몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 5몰% 이상인 것이 더욱 바람직하고, 10몰% 이상이어도 된다. 또한, 폴리아미드산 (1)이 BPAF 잔기를 갖는 경우, 내부 응력을 저감하기 위해서는, BPAF 잔기의 함유율이, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대하여 50몰% 이하인 것이 바람직하고, 40몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 30몰% 이하인 것이 더욱 바람직하다.When the polyamic acid (1) has a BPAF residue, in order to obtain a polyimide having higher transparency, the content of the BPAF residue is 1 mol% or more relative to the total acid dianhydride residues constituting the polyamic acid (1). It is preferably 3 mol% or more, more preferably 5 mol% or more, still more preferably 10 mol% or more. Further, when the polyamic acid (1) has a BPAF residue, in order to reduce the internal stress, the content of the BPAF residue is preferably 50 mol% or less relative to the total acid dianhydride residues constituting the polyamic acid (1). And, it is more preferably 40 mol% or less, and even more preferably 30 mol% or less.

폴리아미드산 (1)이 ODPA 잔기를 갖는 경우, 투명성이 보다 높은 폴리이미드를 얻기 위해서는, ODPA 잔기의 함유율이, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대하여 1몰% 이상인 것이 바람직하고, 3몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 5몰% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 폴리아미드산 (1)이 ODPA 잔기를 갖는 경우, 내부 응력을 저감하기 위해서는, ODPA 잔기의 함유율이, 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대하여 50몰% 이하인 것이 바람직하고, 40몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 30몰% 이하인 것이 더욱 바람직하다.When the polyamic acid (1) has an ODPA residue, in order to obtain a polyimide having higher transparency, the content of the ODPA residue is 1 mol% or more relative to the total acid dianhydride residues constituting the polyamic acid (1). It is preferable, and it is more preferable that it is 3 mol% or more, and it is more preferable that it is 5 mol% or more. Further, when the polyamic acid (1) has an ODPA residue, in order to reduce the internal stress, the content of the ODPA residue is preferably 50 mol% or less relative to the total acid dianhydride residues constituting the polyamic acid (1). And, it is more preferably 40 mol% or less, and even more preferably 30 mol% or less.

폴리아미드산 (1)은 공지된 일반적인 방법으로 합성할 수 있고, 예를 들어, 유기 용매 중에서 디아민과 테트라카르복실산 이무수물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 폴리아미드산 (1)의 구체적인 합성 방법의 일례에 대하여 설명한다. 먼저, 아르곤, 질소 등의 불활성 가스 분위기 중에 있어서, 디아민을, 유기 용매 중에 용해 또는 슬러리상으로 분산시켜서 디아민 용액을 조제한다. 그리고, 테트라카르복실산 이무수물을, 유기 용매에 용해 또는 슬러리상으로 분산시킨 상태로 한 후, 혹은 고체의 상태에서, 상기 디아민 용액 중에 첨가한다.Polyamic acid (1) can be synthesized by a known general method, and can be obtained, for example, by reacting diamine with tetracarboxylic dianhydride in an organic solvent. An example of a specific method for synthesizing polyamic acid (1) will be described. First, in an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen, a diamine solution is prepared by dissolving or dispersing diamine in an organic solvent in the form of a slurry. Then, tetracarboxylic dianhydride is dissolved in an organic solvent or dispersed in a slurry state, or added to the diamine solution in a solid state.

디아민과 테트라카르복실산 이무수물을 사용하여 폴리아미드산 (1)을 합성하는 경우, 디아민의 물질량(디아민을 복수종 사용하는 경우에는, 각 디아민의 물질량)과, 테트라카르복실산 이무수물의 물질량(테트라카르복실산 이무수물을 복수종 사용하는 경우에는, 각 테트라카르복실산 이무수물의 물질량)을 조정함으로써, 원하는 폴리아미드산 (1)(디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 중합체)을 얻을 수 있다. 폴리아미드산 (1) 중의 각 잔기의 몰 분율은, 예를 들어, 폴리아미드산 (1)의 합성에 사용하는 각 모노머(디아민 및 테트라카르복실산 이무수물)의 몰 분율과 일치한다. 또한, 2종의 폴리아미드산을 블렌드함으로써, 복수종의 테트라카르복실산 이무수물 잔기 및 복수종의 디아민 잔기를 함유하는 폴리아미드산 (1)을 얻을 수도 있다. 디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 반응, 즉, 폴리아미드산 (1)의 합성 반응의 온도 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 20℃ 이상 150℃ 이하의 범위이다. 폴리아미드산 (1)의 합성 반응의 반응 시간은, 예를 들어 10분 이상 30시간 이하의 범위이다.In the case of synthesizing polyamic acid (1) using diamine and tetracarboxylic dianhydride, the amount of substance of diamine (substance amount of each diamine when using plural types of diamine) and the amount of substance of tetracarboxylic dianhydride ( When using multiple types of tetracarboxylic dianhydride, desired polyamic acid (1) (diamine and the polymer of tetracarboxylic dianhydride) can be obtained by adjusting the amount of substance of each tetracarboxylic dianhydride. The molar fraction of each residue in the polyamic acid (1) coincides with the molar fraction of each monomer (diamine and tetracarboxylic dianhydride) used in the synthesis of the polyamic acid (1), for example. Further, by blending two types of polyamic acid, polyamic acid (1) containing plural types of tetracarboxylic dianhydride residues and plural types of diamine residues can also be obtained. The temperature conditions for the reaction between diamine and tetracarboxylic dianhydride, ie, the synthesis reaction of polyamic acid (1), are not particularly limited, but are, for example, in the range of 20°C or more and 150°C or less. The reaction time of the synthesis reaction of polyamic acid (1) is in the range of, for example, 10 minutes or more and 30 hours or less.

폴리아미드산 (1)의 합성에 사용하는 유기 용매는, 사용하는 테트라카르복실산 이무수물 및 디아민을 용해 가능한 용매가 바람직하고, 생성되는 폴리아미드산 (1)을 용해 가능한 용매가 보다 바람직하다. 폴리아미드산 (1)의 합성에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어, 테트라메틸요소, N,N-디메틸에틸우레아와 같은 우레아계 용매; 디메틸술폭시드와 같은 술폭시드계 용매; 디페닐술폰, 테트라메틸술폰과 같은 술폰계 용매; N,N-디메틸아세트아미드(DMAC), N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 헥사메틸인산트리아미드 등의 아미드계 용매; γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용매; 클로로포름, 염화메틸렌 등의 할로겐화알킬계 용매; 벤젠, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 용매; 페놀, 크레졸 등의 페놀계 용매; 시클로펜타논 등의 케톤계 용매; 테트라히드로푸란, 1,3-디옥솔란, 1,4-디옥산, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, p-크레졸메틸에테르 등의 에테르계 용매를 들 수 있다. 통상적으로 이들 용매를 단독으로 사용하지만, 필요에 따라 2종 이상을 적절히 조합시켜서 사용해도 된다. 폴리아미드산 (1)의 용해성 및 반응성을 높이기 위해서는, 폴리아미드산 (1)의 합성 반응에 사용하는 유기 용매로서는, 아미드계 용매, 케톤계 용매, 에스테르계 용매 및 에테르계 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 용매가 바람직하고, 아미드계 용매(보다 구체적으로는, DMF, DMAC, NMP 등)가 보다 바람직하다. 또한, 폴리아미드산 (1)의 합성 반응은, 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다.The organic solvent used for synthesis of polyamic acid (1) is preferably a solvent capable of dissolving the tetracarboxylic dianhydride and diamine used, and more preferably a solvent capable of dissolving the produced polyamic acid (1). Examples of organic solvents used for synthesis of polyamic acid (1) include urea solvents such as tetramethylurea and N,N-dimethylethylurea; sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide; sulfone solvents such as diphenyl sulfone and tetramethyl sulfone; N,N-dimethylacetamide (DMAC), N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), hexamethylphosphate triamide, etc. of amide-based solvent; ester solvents such as γ-butyrolactone; halogenated alkyl solvents such as chloroform and methylene chloride; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and toluene; phenolic solvents such as phenol and cresol; ketone solvents such as cyclopentanone; ether solvents such as tetrahydrofuran, 1,3-dioxolane, 1,4-dioxane, dimethyl ether, diethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and p-cresol methyl ether; can Although these solvents are usually used individually, you may use them combining 2 or more types suitably as needed. In order to increase the solubility and reactivity of polyamic acid (1), the organic solvent used in the synthesis reaction of polyamic acid (1) is selected from the group consisting of amide solvents, ketone solvents, ester solvents and ether solvents One or more solvents are preferred, and amide-based solvents (more specifically, DMF, DMAC, NMP, etc.) are more preferred. The synthesis reaction of polyamic acid (1) is preferably carried out under an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen.

폴리아미드산 (1)의 중량 평균 분자량은, 그 용도에 따라 다르지만, 10,000 이상 1,000,000 이하의 범위인 것이 바람직하고, 20,000 이상 500,000 이하의 범위인 것이 보다 바람직하고, 30,000 이상 200,000 이하의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 중량 평균 분자량이 10,000 이상이면, 폴리아미드산 (1), 또는 폴리아미드산 (1)을 사용하여 얻어지는 폴리이미드를, 도포막 또는 폴리이미드막(필름)으로 하는 것이 용이하게 된다. 한편, 중량 평균 분자량이 1,000,000 이하이면, 용매에 대하여 충분한 용해성을 나타내기 때문에, 후술하는 폴리아미드산 조성물을 사용하여 표면이 평활하고 두께가 균일한 도포막 또는 폴리이미드막이 얻어진다. 본 명세서에서 사용하고 있는 중량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)를 사용하여 측정한 폴리에틸렌옥시드 환산값을 말한다.The weight average molecular weight of the polyamic acid (1) varies depending on the application, but is preferably in the range of 10,000 or more and 1,000,000 or less, more preferably in the range of 20,000 or more and 500,000 or less, and still more in the range of 30,000 or more and 200,000 or less. desirable. When the weight average molecular weight is 10,000 or more, it becomes easy to use the polyamic acid (1) or the polyimide obtained using the polyamic acid (1) as a coating film or a polyimide film (film). On the other hand, if the weight average molecular weight is 1,000,000 or less, sufficient solubility in solvents is exhibited, so that a coating film or polyimide film having a smooth surface and uniform thickness can be obtained using the polyamide acid composition described later. The weight average molecular weight used in this specification refers to the value in terms of polyethylene oxide measured using gel permeation chromatography (GPC).

또한, 폴리아미드산 (1)의 분자량을 제어하는 방법으로서, 산 이무수물과 디아민의 어느 쪽인가를 과잉으로 하는 방법이나, 프탈산 무수물이나 아닐린과 같은 1 관능성의 산 무수물이나 아민과 반응시킴으로써 반응을 ??칭시키는 방법을 들 수 있다. 산 이무수물과 디아민의 어느 쪽인가를 과잉으로 하여 중합하는 경우, 이들의 투입 몰비가 0.95 내지 1.05의 사이에 있으면, 충분한 강도를 갖는 폴리이미드막을 얻을 수 있다. 또한, 상기 투입 몰비는, 폴리아미드산 (1)의 합성에 사용한 산 이무수물의 합계 물질량에 대한, 폴리아미드산 (1)의 합성에 사용한 디아민의 합계 물질량의 비(디아민의 합계 물질량/산 이무수물의 합계 물질량)이다. 또한, 프탈산 무수물, 말레산 무수물, 아닐린 등으로 말단 밀봉함으로써, 폴리아미드산 (1)을 사용하여 얻어지는 폴리이미드의 착색을 보다 저감할 수도 있다.In addition, as a method for controlling the molecular weight of polyamic acid (1), a method in which either acid dianhydride or diamine is excessive, or a reaction by reacting with a monofunctional acid anhydride or amine such as phthalic anhydride or aniline, There are ways to name it. In the case of polymerization with an excess of either acid dianhydride or diamine, a polyimide film having sufficient strength can be obtained when the charged molar ratio thereof is between 0.95 and 1.05. In addition, the molar ratio above is the ratio of the total amount of diamine used in the synthesis of polyamic acid (1) to the total amount of acid dianhydride used in the synthesis of polyamic acid (1) (total amount of diamine/acid dianhydride) total amount of substance). Moreover, coloring of the polyimide obtained using polyamic acid (1) can also be further reduced by terminal sealing with phthalic anhydride, maleic anhydride, aniline, etc.

이어서, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 포함되는 가소제(이하, 간단히 「가소제」라고 기재하는 경우가 있다)의 효과에 대하여 설명한다. 일반적으로, 투명한 폴리이미드막을 얻고자 하는 경우, 원리적으로는 HOMO와 LUMO의 밴드 갭이 큰 폴리이미드를 설계하면 되기 때문에, 전자 공여성이 낮은 TFMB는 투명한 폴리이미드막을 얻기 위하여 효과적이다. 한편, 전자 공여성이 낮은 TFMB는, 친핵성이 낮아지기 때문에 반응 속도가 느리고, 이미드화 속도도 느릴 것이 예상된다. 이미드화율에 대하여 본 발명자들이 검토한 바, 이하의 지견이 얻어졌다. 즉, BPDA와 p-페닐렌디아민으로부터 얻어지는 일반적인 유색 폴리이미드와, PMDA나 BPDA와 TFMB로부터 얻어지는 투명 폴리이미드의 이미드화율을 비교한 바, 유색 폴리이미드는, 이미드화 반응 온도 300℃에서 90% 이상, 이미드화 반응 온도 350℃에서 100% 가까이 이미드화하고 있었지만, 투명 폴리이미드에서는, 이미드화 반응 온도 300℃에서 75% 정도, 이미드화 반응 온도 350℃에서도 80% 정도밖에 이미드화하고 있지 않아, 이미드화 속도에 명확한 차가 보였다.Next, the effect of the plasticizer contained in the polyamic acid composition according to the present embodiment (hereinafter, simply referred to as "plasticizer") will be described. In general, when it is desired to obtain a transparent polyimide film, in principle, a polyimide having a large HOMO and LUMO band gap can be designed, so TFMB having a low electron donating property is effective for obtaining a transparent polyimide film. On the other hand, since TFMB with low electron donating property has low nucleophilicity, it is expected that the reaction rate and imidation rate will be slow. When the present inventors examined the imidation rate, the following findings were obtained. That is, when the imidation rates of general colored polyimides obtained from BPDA and p-phenylenediamine and transparent polyimides obtained from PMDA, BPDA, and TFMB were compared, the colored polyimide was 90% at an imidation reaction temperature of 300 ° C. As described above, nearly 100% of imidation was achieved at an imidation reaction temperature of 350°C, but in transparent polyimide, only about 75% was imidized at an imidation reaction temperature of 300°C and only about 80% was imidized even at an imidation reaction temperature of 350°C. A clear difference was observed in the imidization rate.

일반적으로, 열이미드화에 의해 폴리아미드산으로부터 폴리이미드로 탈수 폐환할 때의 드라이빙 포스는, 열에 의한 분자 운동과 용매에 의한 가소 효과에 의한 것이 크고, 완전히 이미드화시키기 위해서는, 폴리이미드의 유리 전이 온도 이상에서 처리하는 것이 바람직하다. 그러나, PMDA 등의 강직한 산 이무수물과 TFMB의 조합에서는, 얻어지는 폴리이미드의 유리 전이 온도가 400℃를 초과하고, 유리 전이 온도가 필름화 시의 열처리 온도보다도 높은 경우도 있다. 따라서, PMDA 등의 강직한 산 이무수물과 TFMB의 이미드화 반응에서는, 이미드화가 완전히 진행하고 있지 않을 가능성이 있다. 이 때문에, 예를 들어 폴리이미드막을 사용한 고온 프로세스(예를 들어 TFT의 어닐 처리 등)에 있어서, 폴리이미드막 중의 미반응 개소의 이미드화가 진행하여, 폴리이미드막으로부터의 저분자량 성분의 생성에 의한 아웃 가스(예를 들어 불화수소 등)가 발생하여, 배리어막의 박리나 TFT의 부식 등이 발생할 가능성이 있다. 이에 반해, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 의하면, 가소제를 사용함으로써 폴리아미드산 (1)의 이미드화 시에 충분한 분자 운동이 부여되어, 이미드화가 완전히 진행할뿐만 아니라, 폴리아미드산 (1)의 해중합도 억제되어, 아웃 가스(특히, 불화수소)의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 의하면, 폴리아미드산 (1)에 분자 운동이 부여됨으로써 용매도 제거되기 쉬워져, 필름(폴리이미드막) 중의 잔존 용매량이 감소하고, 필름의 착색도 저감된다.In general, the driving force at the time of dehydration ring closure from polyamic acid to polyimide by thermal imidation is largely due to molecular motion by heat and plasticizing effect by solvent. Treatment above the transition temperature is preferred. However, in a combination of rigid acid dianhydride such as PMDA and TFMB, the polyimide obtained has a glass transition temperature exceeding 400°C, and the glass transition temperature may be higher than the heat treatment temperature during film formation. Therefore, in the imidation reaction between rigid acid dianhydrides such as PMDA and TFMB, there is a possibility that imidation does not proceed completely. For this reason, for example, in a high-temperature process using a polyimide film (for example, TFT annealing), imidation of unreacted portions in the polyimide film proceeds, and the production of low molecular weight components from the polyimide film Outgas (for example, hydrogen fluoride, etc.) is generated, and peeling of the barrier film or corrosion of the TFT may occur. On the other hand, according to the polyamic acid composition according to the present embodiment, sufficient molecular motion is imparted at the time of imidation of polyamic acid (1) by using a plasticizer, and imidation not only proceeds completely, but also polyamic acid ( Depolymerization of 1) is also suppressed, and generation of outgas (particularly, hydrogen fluoride) can be suppressed. In addition, according to the polyamic acid composition according to the present embodiment, molecular motion is imparted to the polyamic acid (1) so that the solvent is easily removed, the amount of residual solvent in the film (polyimide film) is reduced, and the degree of coloration of the film is reduced. is reduced

본 발명자들이 검토한 결과, 가소제 존재 하에서 이미드화함으로써, 필름 중의 잔존 용매량이 감소하고, 발생하는 아웃 가스 자체도 크게 저감됨을 알았다. 특히, TFMB를 모노머로서 사용하는 경우, 가소제 존재 하에서 이미드화함으로써, 얻어진 폴리이미드를 고온 프로세스에서 사용할 때의 불화수소 가스의 발생량이 억제됨을 알았다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 가소제를 포함하기 때문에, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 억제할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 의하면, 예를 들어, 플렉시블 디스플레이의 제조 공정에 있어서, 폴리이미드막의 위에 형성되는 배리어막이나 지지 기판인 유리의 부식이 억제되기 때문에, 플렉시블 디스플레이의 신뢰성(장해가 발생하기 어려움)을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 의하면, 가소제를 사용함으로써 폴리아미드산 (1)의 이미드화 시에 충분한 분자 운동이 부여되기 때문에, 이미드화가 촉진되어, 내열성이 우수한 폴리이미드가 얻어진다. 또한, 가소제는, 폴리이미드막 중에 잔존하고 있어도 되고, 이미드화의 과정에 있어서 분해되어, 폴리이미드막 중으로부터 제거되어도 된다. 가소제가 폴리이미드막 중에 잔존하는 경우, 내열성이 보다 우수한 폴리이미드막을 얻기 위해서는, 폴리이미드막 전량에 대한 가소제의 함유율이, 0.01중량% 이하인 것이 바람직하고, 0.001중량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.0001중량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.As a result of investigation by the present inventors, it was found that imidation in the presence of a plasticizer reduces the amount of residual solvent in the film and greatly reduces the generated outgas itself. In particular, in the case of using TFMB as a monomer, it was found that the amount of hydrogen fluoride gas generated when the obtained polyimide was used in a high-temperature process was suppressed by imidation in the presence of a plasticizer. Since the polyamic acid composition according to the present embodiment contains a plasticizer, generation of hydrogen fluoride can be suppressed during a high-temperature process. For this reason, according to the polyamic acid composition according to the present embodiment, in the manufacturing process of the flexible display, for example, since corrosion of the barrier film formed on the polyimide film or the glass serving as the support substrate is suppressed, the flexible display Reliability (hard to cause trouble) can be improved. Furthermore, according to the polyamic acid composition according to the present embodiment, since sufficient molecular motion is imparted at the time of imidation of the polyamic acid (1) by using a plasticizer, imidation is promoted and a polyimide excellent in heat resistance is obtained. is obtained In addition, the plasticizer may remain in the polyimide film, or may be decomposed and removed from the polyimide film in the process of imidation. When the plasticizer remains in the polyimide film, in order to obtain a polyimide film having more excellent heat resistance, the content of the plasticizer relative to the total amount of the polyimide film is preferably 0.01% by weight or less, more preferably 0.001% by weight or less, and 0.0001% by weight It is more preferable that it is % or less.

또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 가소제를 함유하기 때문에, TFMB 잔기의 함유율이 높더라도(예를 들어 전체 디아민 잔기에 대하여 50몰% 이상이더라도), 얻어진 폴리이미드를 고온 프로세스에서 사용할 때의 불화수소의 발생을 억제할 수 있다.In addition, since the polyamic acid composition according to the present embodiment contains a plasticizer, even if the content of TFMB residues is high (for example, even if it is 50 mol% or more with respect to all diamine residues), the obtained polyimide is subjected to a high-temperature process. Generation of hydrogen fluoride during use can be suppressed.

폴리아미드산 (1)의 이미드화물(본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드)을 고온 프로세스에서 사용할 때의 불화수소 가스의 발생량의 지표로서, 매스스펙트럼으로부터 얻어지는 검출 강도를 들 수 있다. 상세하게는, 먼저, 헬륨 가스 기류 하, 분위기 온도 60℃로부터 10℃/분의 승온 속도로 상기 폴리이미드를 가열하여 분위기 온도 470℃에 도달했을 때에 상기 폴리이미드로부터 발생한 가스를, 사중극형 질량 분석계로 분석한다. 그리고, 얻어진 매스스펙트럼(상세하게는, 분위기 온도 470℃에 도달했을 때에 상기 폴리이미드로부터 발생한 가스의 성분을 분석한 결과를 나타내는 매스스펙트럼)으로부터, 불화수소에 기인한다고 추정되는 m/z=20의 피크 검출 강도(이하, 「20 피크 강도」라고 기재하는 경우가 있다)를 판독한다. 불화수소의 발생량이 많아질수록, 20 피크 강도가 커지는 경향이 있다. 또한, 사중극형 질량 분석계로 분석할 때의 헬륨 가스 유량은, 상기 폴리이미드로부터 발생한 가스를 실시간으로 상기 사중극형 질량 분석계에 의해 분석할 수 있도록 설정하면 되고, 예를 들어 50mL/분 이상 150mL/분 이하의 범위이며, 바람직하게는 80mL/분 이상 120mL/분 이하의 범위이다.As an indicator of the amount of hydrogen fluoride gas generated when the imidate of polyamic acid (1) (the polyimide according to the present embodiment) is used in a high-temperature process, the detection intensity obtained from the mass spectrum can be cited. In detail, first, the polyimide is heated under a helium gas flow at an atmospheric temperature of 60 ° C. at a heating rate of 10 ° C./min, and when the atmospheric temperature reaches 470 ° C., the gas generated from the polyimide is measured with a quadrupole mass spectrometer. Analyze with And, from the obtained mass spectrum (specifically, a mass spectrum showing the result of analyzing the components of the gas generated from the polyimide when the atmospheric temperature reached 470 ° C.), m / z = 20 estimated to be due to hydrogen fluoride The peak detection intensity (hereinafter sometimes referred to as "20 peak intensity") is read. As the amount of hydrogen fluoride generated increases, the 20 peak intensity tends to increase. In addition, the helium gas flow rate at the time of analysis with the quadrupole mass spectrometer may be set so that the gas generated from the polyimide can be analyzed with the quadrupole mass spectrometer in real time, for example, 50 mL/min or more and 150 mL/min. It is the following range, Preferably it is the range of 80 mL/min or more and 120 mL/min or less.

본 발명자들이 검토한 결과, 20 피크 강도와, 가열 시험 후의 배리어막과 폴리이미드막의 밀착성이, 매우 높은 상관을 나타냄을 알았다. 또한, 본 발명자들이 검토한 결과, 폴리이미드막과 무기막이나 유리를 적층한 적층체로 함으로써, 폴리이미드막을 포함하는 단층 구조의 경우보다, 불화수소가 발생하기 시작하는 온도가 낮아지고, 발생량도 많아짐을 알았다. 이것은, 적층체로 함으로써, 열에 의해 발생한 라디칼을 포함하는 성분을 휘발할 수 없게 되어, 폴리이미드의 자동 산화 사이클을 촉진시켰기 때문이라고 추측된다.As a result of investigation by the present inventors, it was found that the 20 peak intensity and the adhesion between the barrier film and the polyimide film after the heating test exhibited a very high correlation. Further, as a result of investigation by the present inventors, the temperature at which hydrogen fluoride starts to be generated is lowered and the amount of hydrogen fluoride generated is lower than in the case of a single-layer structure including a polyimide film by forming a laminate in which a polyimide film and an inorganic film or glass are laminated. I knew This is presumed to be because, by forming a laminate, components containing radicals generated by heat cannot be volatilized, and the auto-oxidation cycle of polyimide is promoted.

본 실시 형태에서 사용되는 가소제로서는, 폴리아미드산 (1)의 이미드화 시에 사용하는 용매에 용해되는 재료가 바람직하다. 또한, 가소제는, 이미드화 시, 폴리아미드산 (1)에 충분한 분자 운동성을 부여시키기 위해서, 저온에서 휘발하지 않는 것이 바람직하다. 따라서, 가소제의 비점은, 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 100℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 가소제는, 이미드화 시, 폴리아미드산 (1)에 충분한 분자 운동성을 부여시키기 위해서, 비점 이하에서 분해 온도를 갖지 않는 것이 바람직하다.As the plasticizer used in the present embodiment, a material that dissolves in the solvent used in imidation of the polyamic acid (1) is preferable. In addition, it is preferable that the plasticizer does not volatilize at low temperatures in order to impart sufficient molecular mobility to the polyamic acid (1) during imidation. Therefore, the boiling point of the plasticizer is preferably 50°C or higher, more preferably 100°C or higher, and still more preferably 150°C or higher. Further, the plasticizer preferably does not have a decomposition temperature below the boiling point in order to impart sufficient molecular mobility to the polyamic acid (1) during imidation.

가소제의 양은, 가소제 자체의 분해를 피하는 관점에서, 100중량부의 폴리아미드산 (1)에 대하여 20중량부 이하인 것이 바람직하다. 또한, 가소제의 양은, 폴리아미드산 (1)에 충분한 분자 운동성을 부여하면서 가소제 자체의 분해를 피하는 관점에서, 100중량부의 폴리아미드산 (1)에 대하여 0.001중량부 이상 20중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01중량부 이상 15중량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.05중량부 이상 10중량부 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.05중량부 이상 5중량부 이하인 것이 더욱 보다 바람직하다.The amount of the plasticizer is preferably 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid (1) from the viewpoint of avoiding decomposition of the plasticizer itself. Further, the amount of the plasticizer is preferably 0.001 part by weight or more and 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid (1) from the viewpoint of avoiding decomposition of the plasticizer itself while imparting sufficient molecular mobility to the polyamic acid (1). , It is more preferably 0.01 part by weight or more and 15 parts by weight or less, more preferably 0.05 part by weight or more and 10 parts by weight or less, and still more preferably 0.05 part by weight or more and 5 parts by weight or less.

가소제는, 폴리아미드산 (1)이 폴리이미드로 탈수 폐환할 때의 분자 운동을 향상시킬뿐만 아니라, 유리 전이 온도의 조정이나 난연성 등의 기능을 부여할 수도 있다. 가소제로서는, 예를 들어 공지된 가소제 중에서 1종 또는 2종 이상을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.The plasticizer not only improves the molecular motion at the time of dehydration ring closure of the polyamic acid (1) into the polyimide, but can also impart functions such as adjustment of the glass transition temperature and flame retardancy. As a plasticizer, it can use, selecting suitably 1 type(s) or 2 or more types from well-known plasticizers, for example.

고온 프로세스에서 사용할 때의 불화수소의 발생을 보다 억제하기 위해서는, 가소제로서는, 인 함유 화합물, 폴리알킬렌글리콜 및 지방족 이염기산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하다.In order to further suppress the generation of hydrogen fluoride when used in a high-temperature process, the plasticizer is preferably at least one selected from the group consisting of phosphorus-containing compounds, polyalkylene glycols, and aliphatic dibasic acid esters.

인 함유 화합물로서는, 하기 일반식 (7-1) 내지 (7-10)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 하기 일반식 (7-1) 내지 (7-10)에 있어서, R5, R6 및 R7은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 1가의 유기기 또는 다가의 유기기를 나타내고, R8은, 다가의 유기기를 나타내고, n은, 중합도를 나타낸다.Examples of the phosphorus-containing compound include compounds represented by the following general formulas (7-1) to (7-10). In the following general formulas (7-1) to (7-10), R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent organic group or a polyvalent organic group, and R 8 is a polyvalent organic group. represents an organic group, and n represents a degree of polymerization.

Figure pct00006
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인 함유 화합물의 바람직한 예로서는, 인산계 화합물, 아인산계 화합물, 포스폰산계 화합물, 포스핀산계 화합물, 포스핀계 화합물, 포스핀옥시드계 화합물, 포스폴란계 화합물, 포스파젠계 화합물 등을 들 수 있다. 인 함유 화합물은, 상기 열거한 화합물의 에스테르체나 그의 축합체여도 되고, 환상 구조를 포함하고 있어도 되고, 아민 등과 염을 형성하고 있어도 된다. 또한, 이들 인 함유 화합물 중에는, 아인산계 화합물과 포스폰산계 화합물과 같이 호변 이성의 관계에 있는 것도 존재하는데, 어느 쪽의 상태로 존재하고 있어도 된다.Preferable examples of the phosphorus-containing compound include phosphoric acid compounds, phosphorous acid compounds, phosphonic acid compounds, phosphinic acid compounds, phosphine compounds, phosphine oxide compounds, phospholane compounds, phosphazene compounds and the like. The phosphorus-containing compound may be an ester of the compounds listed above or a condensate thereof, may contain a cyclic structure, or may form a salt with an amine or the like. In addition, among these phosphorus-containing compounds, there are also those having a tautomeric relationship, such as phosphorous acid-based compounds and phosphonic acid-based compounds, but they may exist in either state.

인산계 화합물의 구체예로서는, 트리메틸포스페이트, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 트리(2-에틸헥실)포스페이트, 트리부톡시에틸포스페이트, 트리페닐포스페이트, 트리크레실포스페이트, 트리크실레닐포스페이트, 트리스(이소프로필페닐)포스페이트, 트리나프틸포스페이트, 크레실디페닐포스페이트, 크실레닐디페닐포스페이트, 디페닐(2-에틸헥실)포스페이트, 디(이소프로필페닐)페닐포스페이트, 모노이소데실포스페이트, 2-아크릴로일옥시에틸애시드포스페이트, 2-메타크릴로일옥시에틸애시드포스페이트, 디페닐-2-아크릴로일옥시에틸포스페이트, 디페닐-2-메타크릴로일옥시에틸포스페이트, 멜라민포스페이트, 디멜라민포스페이트, 비스페놀 A 비스(디페닐포스페이트), 트리스(β-클로로프로필)포스페이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the phosphoric acid compound include trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, tri(2-ethylhexyl) phosphate, tributoxyethyl phosphate, triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, trixylenyl phosphate, tris( isopropylphenyl)phosphate, trinaphthylphosphate, cresyldiphenylphosphate, xylenyldiphenylphosphate, diphenyl(2-ethylhexyl)phosphate, di(isopropylphenyl)phenylphosphate, monoisodecylphosphate, 2-acrylo ethyloxyethyl acid phosphate, 2-methacryloyloxyethyl acid phosphate, diphenyl-2-acryloyloxyethyl phosphate, diphenyl-2-methacryloyloxyethyl phosphate, melamine phosphate, dimelamine phosphate, bisphenol A bis(diphenyl phosphate), tris(β-chloropropyl) phosphate, etc. are mentioned.

아인산계 화합물의 구체예로서는, 트리페닐포스파이트, 트리스노닐페닐포스파이트, 트리크레실포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리이소부틸포스파이트, 트리스(2-에틸헥실)포스파이트, 트리데실포스파이트, 트리라우릴포스파이트, 트리스(트리데실)포스파이트, 디페닐포스파이트, 디에틸포스파이트, 디부틸포스파이트, 디메틸포스파이트, 디페닐모노(2-에틸헥실)포스파이트, 디페닐모노데실포스파이트, 디페닐모노(트리데실)포스파이트, 트리라우릴트리티오포스파이트, 디에틸하이드로겐포스파이트, 비스(2-에틸헥실)히드로겐포스파이트, 디라우릴하이드로겐포스파이트, 디올레일하이드로겐포스파이트, 디페닐하이드로겐포스파이트, 테트라페닐디프로필렌글리콜디포스파이트, 비스(데실)펜타에리트리톨디포스파이트, 비스(트리데실)펜타에리트리톨디포스파이트, 트리스테아릴포스파이트, 디스테아릴펜타에리트리톨디포스파이트, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트, 트리이소데실포스파이트, 3,9-비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페녹시)-2,4,8,10-테트라옥사-3,9-디포스파스피로[5.5]운데칸 등을 들 수 있다.Specific examples of the phosphorous acid compound include triphenyl phosphite, trisnonylphenyl phosphite, tricresyl phosphite, triethyl phosphite, triisobutyl phosphite, tris(2-ethylhexyl) phosphite, and tridecyl phosphite. , trilauryl phosphite, tris (tridecyl) phosphite, diphenyl phosphite, diethyl phosphite, dibutyl phosphite, dimethyl phosphite, diphenylmono (2-ethylhexyl) phosphite, diphenyl monodecyl Phosphite, diphenylmono(tridecyl)phosphite, trilauryl trithiophosphite, diethylhydrogen phosphite, bis(2-ethylhexyl)hydrogen phosphite, dilauryl hydrogen phosphite, dioleyl hydro Genphosphite, diphenylhydrogenphosphite, tetraphenyldipropylene glycol diphosphite, bis(decyl)pentaerythritol diphosphite, bis(tridecyl)pentaerythritol diphosphite, tristearyl phosphite, distearylpenta Erythritol diphosphite, tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, triisodecyl phosphite, 3,9-bis (2,6-di-tert-butyl-4-methylphenoxy)- 2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro[5.5]undecane, etc. are mentioned.

상기 축합체로서는, 축합 인산에스테르를 들 수 있다. 축합 인산에스테르의 구체예로서는, 트리알킬폴리포스페이트, 레조르시놀폴리페닐포스페이트, 레조르시놀폴리(디-2,6-크실릴)포스페이트, 하이드로퀴논폴리(2,6-크실릴)포스페이트 등을 들 수 있다. 축합 인산에스테르의 시판품으로서는, 예를 들어, 다이하치 가가쿠 고교사제 「CR-733S」, 다이하치 가가쿠 고교사제 「CR-741」, ADEKA사제 「FP-600」 등을 들 수 있다.As said condensate, condensed phosphoric acid ester is mentioned. Specific examples of the condensed phosphoric acid ester include trialkyl polyphosphate, resorcinol polyphenyl phosphate, resorcinol poly(di-2,6-xylyl) phosphate, hydroquinone poly(2,6-xylyl) phosphate, and the like. can As a commercial item of condensed phosphate ester, "CR-733S" by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd., "CR-741" by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd., "FP-600" by ADEKA company etc. are mentioned, for example.

포스파젠계 화합물의 구체예로서는, 페녹시시클로포스파젠(후시미 세이야쿠소사제 「FP-110」), 환상 시아노페녹시포스파젠(후시미 세이야쿠소사제 「FP-300」) 등을 들 수 있다.Specific examples of the phosphazene-based compound include phenoxycyclophosphazene ("FP-110" manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd.) and cyclic cyanophenoxyphosphazene ("FP-300" manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd.). can

폴리알킬렌글리콜로서는, 하기 일반식 (8-1)로 표시되는 폴리프로필렌글리콜, 하기 일반식 (8-2)로 표시되는 폴리에틸렌글리콜 등을 들 수 있다. 하기 일반식 (8-1) 및 (8-2)에 있어서, n은 중합도를 나타낸다.As polyalkylene glycol, polypropylene glycol represented by the following general formula (8-1), polyethylene glycol represented by the following general formula (8-2), etc. are mentioned. In the following general formulas (8-1) and (8-2), n represents the degree of polymerization.

Figure pct00007
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폴리아미드산 (1)과의 상용성을 높이기 위해서는, 폴리알킬렌글리콜의 수 평균 중합도는, 10 이상 10,000 이하인 것이 바람직하고, 10 이상 6,000 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 이상 4,000 이하인 것이 더욱 바람직하다.In order to improve the compatibility with polyamic acid (1), the number average polymerization degree of polyalkylene glycol is preferably 10 or more and 10,000 or less, more preferably 10 or more and 6,000 or less, and still more preferably 10 or more and 4,000 or less.

지방족 이염기산에스테르의 구체예로서는, 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 비스(2-에틸헥실)아디페이트, 디이소노닐아디페이트, 디이소데실아디페이트, 비스[2-(2-부톡시에톡시)에틸]아디페이트, 비스(2-에틸헥실)아젤레이트, 디부틸세바케이트, 비스(2-에틸헥실)세바케이트, 디에틸숙시네이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic dibasic acid ester include dibutyl adipate, diisobutyl adipate, bis(2-ethylhexyl) adipate, diisononyl adipate, diisodecyl adipate, bis[2-(2-butoxy) Ethoxy) ethyl] adipate, bis (2-ethylhexyl) azelate, dibutyl sebacate, bis (2-ethylhexyl) sebacate, diethyl succinate, etc. are mentioned.

또한, 가소제는, 가소화 효과를 발휘하는 것이면, 저분자 유기 화합물이나 열가소성 수지여도 상관없다. 상기 저분자 유기 화합물로서는, 분자량이 1,000 이하 정도의 유기 화합물을 들 수 있고, 예를 들어, 페놀계 화합물; 프탈이미드, N-페닐프탈이미드, N-글리시딜프탈이미드, N-히드록시프탈이미드, 시클로헥실티오프탈이미드 등의 프탈이미드계 화합물; N,N-p-페닐렌비스말레이미드, 2,2-(에틸렌디옥시)비스(에틸말레이미드) 등의 말레이미드계 화합물을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 비대칭 구조를 갖는 폴리이미드나 폴리아미드 등을 들 수 있다.In addition, a low molecular weight organic compound or a thermoplastic resin may be sufficient as a plasticizer, as long as it exhibits a plasticizing effect. Examples of the low molecular weight organic compound include organic compounds having a molecular weight of about 1,000 or less, and examples thereof include phenolic compounds; phthalimide-based compounds such as phthalimide, N-phenylphthalimide, N-glycidylphthalimide, N-hydroxyphthalimide, and cyclohexylthiophthalimide; and maleimide compounds such as N,N-p-phenylenebismaleimide and 2,2-(ethylenedioxy)bis(ethylmaleimide). As said thermoplastic resin, polyimide, polyamide, etc. which have an asymmetric structure are mentioned.

고온 프로세스에서 사용할 때의 불화수소의 발생을 더욱 억제하기 위해서는, 가소제로서는, 아인산계 화합물이 바람직하고, 아인산에스테르가 보다 바람직하고, 트리페닐포스파이트가 더욱 바람직하다.In order to further suppress the generation of hydrogen fluoride when used in a high-temperature process, as the plasticizer, a phosphorous acid compound is preferable, a phosphorous acid ester is more preferable, and a triphenylphosphite is still more preferable.

착색이 더욱 저감되고, 투명성 및 내열성이 더욱 우수하고, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 더욱 억제할 수 있는 폴리이미드를 얻기 위해서는, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 하기 조건 1을 충족하는 것이 바람직하고, 하기 조건 2를 충족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 조건 3을 충족하는 것이 더욱 바람직하고, 하기 조건 4를 충족하는 것이 더욱 보다 바람직하다.In order to obtain a polyimide with further reduced coloration, further excellent transparency and heat resistance, and capable of further suppressing the generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process, the polyamide acid composition according to the present embodiment satisfies condition 1 below. It is preferable to satisfy, it is more preferable to satisfy condition 2 below, it is even more preferable to satisfy condition 3 below, and it is even more preferable to satisfy condition 4 below.

조건 1: 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 디아민 잔기에 대한 TFMB 잔기의 함유율이 50몰% 이상 100몰% 이하이며, 또한 폴리아미드산 (1)이 PMDA 잔기, BPDA 잔기, BPAF 잔기 및 ODPA 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 갖는다.Condition 1: The content of TFMB residues relative to all diamine residues constituting polyamic acid (1) is 50 mol% or more and 100 mol% or less, and polyamic acid (1) is PMDA residue, BPDA residue, BPAF residue, and ODPA It has 1 or more types selected from the group which consists of residues.

조건 2: 상기 조건 1을 충족하고, 또한 폴리아미드산 (1)이 디아민 잔기로서 TFMB 잔기만을 갖거나, 또는 디아민 잔기로서 TFMB 잔기 및 4-BAAB 잔기만을 갖는다.Condition 2: The above condition 1 is satisfied, and the polyamic acid (1) has only TFMB residues as diamine residues, or only TFMB residues and 4-BAAB residues as diamine residues.

조건 3: 상기 조건 2를 충족하고, 또한 폴리아미드산 (1)을 구성하는 전체 산 이무수물 잔기에 대한, PMDA 잔기, BPDA 잔기, BPAF 잔기 및 ODPA 잔기의 합계 함유율이 100몰%이다.Condition 3: The above condition 2 is satisfied, and the total content ratio of PMDA residues, BPDA residues, BPAF residues, and ODPA residues to all acid dianhydride residues constituting polyamic acid (1) is 100 mol%.

조건 4: 상기 조건 3을 충족하고, 또한 가소제가 아인산계 화합물이다.Condition 4: The condition 3 above is satisfied, and the plasticizer is a phosphorous acid-based compound.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 폴리아미드산 (1) 및 가소제에 추가로, 유기 용매를 더 함유해도 된다. 폴리아미드산 조성물에 포함되는 유기 용매로서는, 상기 폴리아미드산 (1)의 합성 반응에 사용 가능한 유기 용매로서 예시한 유기 용매를 들 수 있고, 아미드계 용매, 케톤계 용매, 에스테르계 용매 및 에테르계 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 용매가 바람직하고, 아미드계 용매(보다 구체적으로는, DMF, DMAC, NMP 등)가 보다 바람직하다. 상술한 방법으로 폴리아미드산 (1)을 얻었을 경우, 반응 용액(반응 후의 용액)에 가소제를 첨가한 용액 자체를 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물로 해도 된다. 또한, 반응 용액으로부터 용매를 제거하여 얻어진 고체의 폴리아미드산 (1) 및 가소제를, 유기 용매에 용해하여, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물을 조제해도 된다. 또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물 중의 폴리아미드산 (1)의 함유율은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 폴리아미드산 조성물 전량에 대하여 1중량% 이상 80중량% 이하이다.The polyamic acid composition according to the present embodiment may further contain an organic solvent in addition to the polyamic acid (1) and the plasticizer. Examples of the organic solvent contained in the polyamic acid composition include organic solvents exemplified as organic solvents usable for the synthesis reaction of the polyamic acid (1), amide solvents, ketone solvents, ester solvents, and ether solvents. One or more solvents selected from the group consisting of solvents are preferred, and amide-based solvents (more specifically, DMF, DMAC, NMP, etc.) are more preferred. When polyamic acid (1) is obtained by the method described above, the solution itself obtained by adding a plasticizer to the reaction solution (solution after reaction) may be used as the polyamic acid composition according to the present embodiment. Alternatively, the polyamic acid composition according to the present embodiment may be prepared by dissolving the solid polyamic acid (1) obtained by removing the solvent from the reaction solution and the plasticizer in an organic solvent. The content of the polyamic acid (1) in the polyamic acid composition according to the present embodiment is not particularly limited, but is, for example, 1% by weight or more and 80% by weight or less with respect to the total amount of the polyamic acid composition.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드는, 상술한 폴리아미드산 (1)의 이미드화물이다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드는, 공지된 방법으로 얻을 수 있고, 그 제조 방법은, 특별히 제한되지 않는다. 이하, 폴리아미드산 (1)을 이미드화하여 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드를 얻는 방법의 일례에 대하여 설명한다. 이미드화는, 폴리아미드산 (1)을 탈수 폐환함으로써 행하여진다. 이 탈수 폐환은, 공비 용매를 사용한 공비법, 열적 방법 또는 화학적 방법에 의해 행할 수 있다. 또한, 폴리아미드산 (1)로부터 폴리이미드로의 이미드화는, 1% 이상 100% 이하의 임의의 비율을 취할 수 있다. 즉, 일부가 이미드화된 폴리아미드산 (1)을 합성해도 된다. 특히 가열 승온에 의해 이미드화하는 경우에는, 폴리아미드산 (1)로부터 폴리이미드로의 폐환 반응과 폴리아미드산 (1)의 가수 분해가 동시에 진행하고 있고, 폴리이미드로 했을 때의 분자량이 폴리아미드산 (1)의 분자량보다도 낮아질 가능성이 있기 때문에, 후술하는 폴리이미드막을 형성하기 전에, 폴리아미드산 조성물 중의 폴리아미드산 (1)의 일부를 미리 이미드화해 두는 것이 기계 특성 향상의 관점에서 바람직하다. 본 명세서에서는, 일부가 이미드화한 폴리아미드산도, 「폴리아미드산」이라고 기재하는 경우가 있다.The polyimide according to the present embodiment is an imide of the polyamic acid (1) described above. The polyimide according to the present embodiment can be obtained by a known method, and the production method thereof is not particularly limited. Hereinafter, an example of a method for obtaining the polyimide according to the present embodiment by imidizing the polyamic acid (1) will be described. Imidation is performed by dehydration ring closure of polyamic acid (1). This dehydration ring closure can be performed by an azeotropic method using an azeotrope solvent, a thermal method, or a chemical method. In addition, imidation from polyamic acid (1) to polyimide can take any ratio of 1% or more and 100% or less. That is, you may synthesize|combine the polyamic acid (1) which partly imidated. In particular, in the case of imidation by heating, the ring closure reaction from polyamic acid (1) to polyimide and the hydrolysis of polyamic acid (1) proceed simultaneously, and the molecular weight when made into polyimide is polyamide. Since the molecular weight of the acid (1) may be lower than that, it is preferable from the viewpoint of improving mechanical properties to imidize a part of the polyamic acid (1) in the polyamic acid composition in advance before forming the polyimide film described later. . In this specification, a polyamic acid partially imidated is sometimes described as "polyamic acid".

폴리아미드산 (1)의 탈수 폐환은, 폴리아미드산 (1)을 가열하여 행하면 된다. 폴리아미드산 (1)을 가열하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 유리 기판, 금속판, PET 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 등의 지지체 상에 상술한 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물(바람직하게는, 폴리아미드산 (1), 가소제 및 유기 용매를 포함하는 폴리아미드산 조성물)을 도포한 후, 온도 40℃ 이상 500℃ 이하의 범위 내에서 폴리아미드산 (1)의 열처리를 행하면 된다. 이 방법에 의하면, 지지체와, 이 지지체 상에 배치된 폴리이미드막(상세하게는, 폴리아미드산 (1)의 이미드화물을 포함하는 폴리이미드막)을 갖는 본 실시 형태에 관계되는 적층체가 얻어진다. 혹은, 불소계 수지에 의한 코팅 등의 이형 처리를 실시한 용기에 직접 폴리아미드산 조성물을 넣고, 당해 폴리아미드산 조성물을 감압 하에서 가열·건조시킴으로써, 폴리아미드산 (1)의 탈수 폐환을 행할 수도 있다. 이들 방법에 의한 폴리아미드산 (1)의 탈수 폐환에 의해 폴리이미드를 얻을 수 있다. 또한, 상기 각 처리의 가열 시간은, 탈수 폐환을 행하는 폴리아미드산 조성물의 처리량이나 가열 온도에 따라 다르지만, 일반적으로는, 처리 온도가 최고 온도에 달하고 나서 1분 이상 300분 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한, 가열 시간의 단축이나 특성 발현을 위해서, 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 폴리아미드산 조성물에 첨가하고, 이 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 첨가한 폴리아미드산 조성물을 상기 방법으로 가열하여 이미드화해도 된다.The dehydration ring closure of the polyamic acid (1) may be performed by heating the polyamic acid (1). The method of heating the polyamic acid (1) is not particularly limited. For example, the polyamic acid composition according to the present embodiment described above is placed on a support such as a glass substrate, a metal plate, or a PET film (polyethylene terephthalate film). (Preferably, the polyamic acid composition containing polyamic acid (1), a plasticizer and an organic solvent) is applied, and then heat treatment of the polyamic acid (1) is performed within a temperature range of 40 ° C. or more and 500 ° C. or less. do. According to this method, a laminate according to the present embodiment having a support and a polyimide film (specifically, a polyimide film containing an imide of polyamic acid (1)) disposed on the support is obtained. lose Alternatively, the polyamic acid composition (1) can also be dehydrated and cyclized by directly putting the polyamic acid composition into a container subjected to release treatment such as coating with a fluorine-based resin, and heating and drying the polyamic acid composition under reduced pressure. Polyimide can be obtained by dehydration ring closure of polyamic acid (1) by these methods. The heating time for each of the above treatments varies depending on the treatment amount of the polyamic acid composition subjected to dehydration and ring closure and the heating temperature, but generally, it is preferable to set the treatment temperature within the range of 1 minute or more to 300 minutes or less after the treatment temperature reaches the maximum temperature. desirable. In addition, in order to shorten the heating time or develop characteristics, an imidation agent and/or a dehydration catalyst are added to the polyamic acid composition, and the polyamic acid composition to which the imidation agent and/or dehydration catalyst is added is heated by the above method. You can imidize it.

상기 이미드화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 3급 아민을 사용할 수 있다. 3급 아민으로서는 복소환식의 3급 아민이 바람직하다. 복소환식의 3급 아민의 바람직한 구체예로서는, 피리딘, 피콜린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 1,2-디메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 상기 탈수 촉매로서는, 무수 아세트산, 프로피온산 무수물, n-부티르산 무수물, 벤조산 무수물, 트리플루오로아세트산 무수물 등을 바람직한 구체예로서 들 수 있다.Although it does not specifically limit as said imidation agent, A tertiary amine can be used. As the tertiary amine, a heterocyclic tertiary amine is preferable. Preferable specific examples of the heterocyclic tertiary amine include pyridine, picoline, quinoline, isoquinoline, and 1,2-dimethylimidazole. Preferable examples of the dehydration catalyst include acetic anhydride, propionic anhydride, n-butyric anhydride, benzoic anhydride, and trifluoroacetic anhydride.

이미드화제의 첨가량으로서는, 폴리아미드산 (1)의 아미드기에 대하여 0.5배 몰 당량 이상 5.0배 몰 당량 이하가 바람직하고, 0.7배 몰 당량 이상 2.5배 몰 당량 이하가 보다 바람직하고, 0.8배 몰 당량 이상 2.0배 몰 당량 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 탈수 촉매의 첨가량으로서는, 폴리아미드산 (1)의 아미드기에 대하여 0.5배 몰 당량 이상 10.0배 몰 당량 이하가 바람직하고, 0.7배 몰 당량 이상 5.0배 몰 당량 이하가 보다 바람직하고, 0.8배 몰 당량 이상 3.0배 몰 당량 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 본 명세서 중에 있어서, 「폴리아미드산 (1)의 아미드기」란, 디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 중합 반응에 의해 생성된 아미드기를 가리킨다. 폴리아미드산 조성물에 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 첨가할 때, 유기 용매에 녹이지 않고 직접 첨가해도 되고, 유기 용매에 녹인 것을 첨가해도 된다. 유기 용매에 녹이지 않고 직접 첨가하는 방법에서는 이미드화제 및/또는 탈수 촉매가 확산되기 전에 반응이 급격하게 진행하여, 겔이 생성되는 경우가 있다. 따라서, 이미드화제 및/또는 탈수 촉매를 유기 용매에 녹여서 얻어진 용액을, 폴리아미드산 조성물에 첨가하는 것이 바람직하다.The addition amount of the imidation agent is preferably 0.5 times molar equivalent or more and 5.0 times molar equivalent or less, more preferably 0.7 times molar equivalent or more and 2.5 times molar equivalent or less, relative to the amide group of polyamic acid (1), and 0.8 times molar equivalent Above 2.0 times molar equivalent or less is more preferable. The addition amount of the dehydration catalyst is preferably 0.5-fold molar equivalent or more and 10.0-fold molar equivalent or less, more preferably 0.7-fold molar equivalent or more and 5.0-fold molar equivalent or less, relative to the amide group of polyamic acid (1), and 0.8-fold molar equivalent It is more preferable to have an equivalent weight or more and 3.0 times molar equivalent or less. In addition, in this specification, "the amide group of polyamic acid (1)" refers to the amide group produced|generated by the polymerization reaction of diamine and tetracarboxylic dianhydride. When adding an imidation agent and/or a dehydration catalyst to the polyamic acid composition, it may be added directly without dissolving in an organic solvent, or may be added dissolved in an organic solvent. In the method of adding directly without dissolving in an organic solvent, the reaction proceeds rapidly before the imidation agent and/or the dehydration catalyst diffuse, and a gel may be formed. Therefore, it is preferable to add a solution obtained by dissolving the imidation agent and/or the dehydration catalyst in an organic solvent to the polyamic acid composition.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막(상세하게는, 폴리아미드산 (1)의 이미드화물을 포함하는 폴리이미드막)은 무색 투명하고 황색도가 낮으며, TFT 제작 공정에 견딜 수 있는 유리 전이 온도(내열성)를 갖고 있는 것으로부터, 플렉시블 디스플레이의 투명 기판 재료에 적합하다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막 중의 폴리이미드(상세하게는, 폴리아미드산 (1)의 이미드화물)의 함유율은, 폴리이미드막 전량에 대하여 예를 들어 70중량% 이상이며, 80중량% 이상인 것이 바람직하고, 90중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 100중량%여도 된다. 폴리이미드막 중의 폴리이미드 이외의 성분으로서는, 예를 들어, 후술하는 첨가제(보다 구체적으로는, 나노실리카 입자 등)를 들 수 있다.The polyimide film (specifically, the polyimide film containing the imidide of polyamic acid (1)) according to the present embodiment is colorless and transparent, has a low yellowness, and has a glass transition that can withstand the TFT fabrication process. Since it has temperature (heat resistance), it is suitable for the transparent substrate material of a flexible display. The content rate of the polyimide (more specifically, the imidide of polyamic acid (1)) in the polyimide film according to the present embodiment is, for example, 70% by weight or more, and 80% by weight relative to the total amount of the polyimide film. It is preferably more than that, more preferably 90% by weight or more, and 100% by weight may be sufficient. Examples of components other than the polyimide in the polyimide film include additives described later (more specifically, nanosilica particles and the like).

본 실시 형태에 관계되는 전자 디바이스는, 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막과, 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는다. 플렉시블 디스플레이용으로서 본 실시 형태에 관계되는 전자 디바이스를 제조하는 경우, 먼저, 유리 등의 무기 기재를 지지체로 하고, 그 위에 폴리이미드막을 형성한다. 그리고, 폴리이미드막 상에 TFT 등의 전자 소자를 배치(형성)함으로써, 지지체 상에 전자 디바이스를 형성한다. TFT를 형성하는 공정은, 일반적으로 150℃ 이상 650℃ 이하의 넓은 온도 영역에서 실제 실시되나, 실제로 원하는 성능을 달성하기 위해서는 300℃ 이상에서 산화물 반도체층이나 a-Si층을 형성하고, 경우에 따라서는 또한 레이저 등으로 a-Si 등을 결정화시키는 경우도 있다.An electronic device according to this embodiment includes the polyimide film according to this embodiment and an electronic element disposed on the polyimide film. In the case of manufacturing the electronic device according to the present embodiment for a flexible display, first, a polyimide film is formed on an inorganic substrate such as glass as a support. And an electronic device is formed on a support body by arrange|positioning (forming) electronic elements, such as TFT, on a polyimide film. The process of forming a TFT is generally carried out in a wide temperature range of 150°C or more and 650°C or less. In some cases, a-Si or the like is crystallized by a laser or the like.

이때, 폴리이미드막의 열분해 온도가 낮은 경우, 전자 소자 형성 중에 아웃 가스가 발생하여, 승화물로서 오븐 내에 부착되어, 로내 오염의 원인이 되거나, 폴리이미드막 상에 형성한 무기막(후술하는 배리어막 등)이나 전자 소자가 박리될 가능성이 있기 때문에, 폴리이미드의 1% 중량 감소 온도는 500℃ 이상인 것이 바람직하다. 폴리이미드의 1% 중량 감소 온도의 상한은, 높으면 높을수록 좋지만, 예를 들어 520℃이다. 1% 중량 감소 온도는, 예를 들어, 강직한 구조를 갖는 잔기(보다 구체적으로는, TFMB 잔기, PMDA 잔기, BPDA 잔기 등)의 함유율을 변경함으로써 조정할 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면 TFT 형성 전에, 폴리이미드막 상에 배리어막으로서 산화실리콘막(SiOx막)이나 질화실리콘막(SiNx막) 등의 무기막을 형성한다. 이때, 폴리이미드의 내열성이 낮은 경우나 이미드화가 완전히 진행하고 있지 않은 경우, 혹은 잔존 용매가 많은 경우에는, 무기막 적층 후의 고온 프로세스에서 폴리이미드의 분해 가스 등의 휘발 성분에 기인하여 폴리이미드와 무기막이 박리되는 경우가 있다. 이 때문에, 폴리이미드의 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인 것에 추가로, 폴리이미드를 400℃ 이상 450℃ 이하의 범위 내의 온도에서 등온 유지했을 때의 중량 감소율이 1% 미만인 것이 바람직하다.At this time, when the thermal decomposition temperature of the polyimide film is low, outgas is generated during the formation of the electronic element and adheres to the oven as a sublimated product, causing contamination in the furnace, or an inorganic film formed on the polyimide film (a barrier film described later). etc.) or electronic elements may peel off, so the 1% weight loss temperature of polyimide is preferably 500°C or higher. The higher the upper limit of the 1% weight loss temperature of polyimide, the better, but it is, for example, 520°C. The 1% weight loss temperature can be adjusted by, for example, changing the content of residues having a rigid structure (more specifically, TFMB residues, PMDA residues, BPDA residues, etc.). More specifically, an inorganic film such as a silicon oxide film (SiOx film) or a silicon nitride film (SiNx film) is formed as a barrier film on the polyimide film before forming the TFT. At this time, when the heat resistance of polyimide is low, when imidation is not completely progressed, or when there is a large amount of residual solvent, due to volatile components such as decomposition gas of polyimide in the high-temperature process after inorganic film lamination, polyimide and The inorganic film may peel off. For this reason, in addition to the 1% weight reduction temperature of polyimide being 500°C or higher, it is preferable that the weight reduction rate when isothermally maintaining the polyimide at a temperature within the range of 400°C or higher and 450°C or lower is less than 1%.

또한, 폴리이미드의 유리 전이 온도(Tg)가 프로세스 온도보다도 현저하게 낮은 경우에는, 전자 소자 형성 중에 위치 어긋남 등이 발생할 가능성이 있기 때문에, 폴리이미드의 Tg는, 300℃ 이상인 것이 바람직하고, 350℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 폴리이미드의 Tg의 상한은, 높으면 높을수록 좋지만, 예를 들어 450℃이다. 또한, 일반적으로, 유리 기판의 열팽창 계수는 수지와 비교하여 작기 때문에, 유리 기판과 폴리이미드막 간에 내부 응력이 발생한다. 지지체로서 사용한 유리 기판이나 전자 소자와, 폴리이미드막의 적층체의 내부 응력이 높으면, 폴리이미드막을 포함하는 적층체가, 고온의 TFT 형성 공정에서 팽창한 후, 상온까지 냉각될 때에 수축하여, 유리 기판의 휨이나 파손, 폴리이미드막의 유리 기판으로부터의 박리 등의 문제가 발생한다. 그 때문에, 폴리이미드막과 유리 기판의 적층체에 발생하는 내부 응력이, 30MPa 이하인 것이 바람직하고, 25MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 20MPa 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the case where the glass transition temperature (Tg) of polyimide is significantly lower than the process temperature, misalignment or the like may occur during electronic element formation. Therefore, the Tg of polyimide is preferably 300°C or higher, and 350°C It is more preferable that it is above, and it is more preferable that it is 400 degreeC or more. The higher the upper limit of the Tg of polyimide, the better, but is, for example, 450°C. Also, since the coefficient of thermal expansion of a glass substrate is generally smaller than that of a resin, internal stress occurs between the glass substrate and the polyimide film. When the internal stress of a laminate of a glass substrate or electronic device used as a support and a polyimide film is high, the laminate containing the polyimide film expands in the high-temperature TFT formation step and then contracts when cooled to room temperature, resulting in the loss of the glass substrate. Problems such as warpage, breakage, and peeling of the polyimide film from the glass substrate occur. Therefore, the internal stress generated in the laminate of the polyimide film and the glass substrate is preferably 30 MPa or less, more preferably 25 MPa or less, and still more preferably 20 MPa or less.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드는, TFT 기판이나 터치 패널 기판 등의 디스플레이 기판의 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 폴리이미드를 상기 용도에 사용할 때, 상술한 바와 같이 지지체 상에 전자 디바이스(상세하게는, 폴리이미드막 상에 전자 소자가 형성된 전자 디바이스)를 형성한 후, 폴리이미드막을 지지체로부터 박리하는 방법을 채용하는 경우가 많다. 또한, 지지체의 재료로서는, 무알칼리 유리가 적합하게 사용된다. 이하, 폴리이미드막과 지지체의 적층체의 제조 방법의 일례에 대하여 상세하게 설명한다.The polyimide according to this embodiment can be suitably used as a material for display substrates such as TFT substrates and touch panel substrates. When polyimide is used for the above applications, a method of forming an electronic device (specifically, an electronic device in which electronic elements are formed on a polyimide film) on a support as described above, and then peeling the polyimide film from the support is adopted. often do Moreover, as a material of a support body, an alkali-free glass is used suitably. Hereinafter, an example of the manufacturing method of the laminated body of a polyimide film and a support body is demonstrated in detail.

먼저, 지지체 상에 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물(바람직하게는, 폴리아미드산 (1), 가소제 및 유기 용매를 포함하는 폴리아미드산 조성물)을 도포하고, 폴리아미드산 (1) 및 가소제를 포함하는 도포막과, 지지체를 포함하는 도포막 함유 적층체를 형성한다. 이어서, 도포막 함유 적층체를, 예를 들어 온도 40℃ 이상 200℃ 이하의 조건에서 가열한다. 이 때의 가열 시간은, 예를 들어 3분 이상 120분 이하이다. 또한, 예를 들어, 도포막 함유 적층체를, 온도 50℃에서 30분 가열한 후, 온도 100℃에서 30분 가열하는 등과 같이, 다단계의 가열 공정을 마련해도 된다. 이어서, 도포막 중의 폴리아미드산 (1)의 이미드화를 진행시키기 위해서, 도포막 함유 적층체를, 예를 들어, 최고 온도 200℃ 이상 500℃ 이하의 조건에서 가열한다. 이 때의 가열 시간(최고 온도에서의 가열 시간)은 예를 들어 1분 이상 300분 이하이다. 이때, 저온으로부터 최고 온도까지 서서히 승온하는 것이 바람직하다. 승온 속도는, 2℃/분 이상 10℃/분 이하인 것이 바람직하고, 4℃/분 이상 10℃/분 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 최고 온도는 250℃ 이상 450℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 최고 온도가 250℃ 이상이면, 충분히 이미드화가 진행하고, 최고 온도가 450℃ 이하이면 폴리이미드의 열 열화나 착색을 억제할 수 있다. 또한, 최고 온도에 도달할 때까지에 임의의 온도에서 임의의 시간 유지해도 된다. 이미드화 반응은, 공기 하, 감압 하, 또는 질소 등의 불활성 가스 중에서 행할 수 있는데, 더 높은 투명성을 발현시키기 위해서는, 감압 하, 또는 질소 등의 불활성 가스 중에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 가열 장치로서는, 열풍 오븐, 적외 오븐, 진공 오븐, 이너트 오븐, 핫 플레이트 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다. 이들 공정을 거쳐서 도포막 중의 폴리아미드산 (1)이 이미드화되어, 지지체와, 폴리이미드막(폴리아미드산 (1)의 이미드화물을 포함하는 막)의 적층체(즉, 본 실시 형태에 관계되는 적층체)를 얻을 수 있다. 또한, 가열 시간의 단축이나 특성 발현을 위해서, 이미드화제나 탈수 촉매를 폴리아미드산 조성물에 첨가하고, 이 용액을 상기 방법으로 가열하여 이미드화해도 된다.First, a polyamic acid composition according to the present embodiment (preferably, a polyamic acid composition containing polyamic acid (1), a plasticizer and an organic solvent) is applied onto a support, and polyamic acid (1) and A coating film-containing laminate comprising a coating film containing a plasticizer and a support is formed. Next, the coating film-containing laminate is heated under conditions of, for example, a temperature of 40°C or higher and 200°C or lower. The heating time at this time is 3 minutes or more and 120 minutes or less, for example. Further, for example, a multi-step heating step may be provided, such as heating the coated film-containing laminate at a temperature of 50°C for 30 minutes and then heating at a temperature of 100°C for 30 minutes. Next, in order to advance the imidation of the polyamic acid (1) in the coating film, the coating film-containing laminate is heated under conditions of, for example, a maximum temperature of 200°C or more and 500°C or less. The heating time (heating time at the highest temperature) at this time is, for example, 1 minute or more and 300 minutes or less. At this time, it is preferable to gradually raise the temperature from the low temperature to the highest temperature. The temperature increase rate is preferably 2°C/min or more and 10°C/min or less, and more preferably 4°C/min or more and 10°C/min or less. Further, the maximum temperature is preferably in the range of 250°C or more and 450°C or less. When the maximum temperature is 250°C or higher, imidization proceeds sufficiently, and when the maximum temperature is 450°C or lower, thermal deterioration and coloring of the polyimide can be suppressed. Further, it may be held at any temperature for any length of time until reaching the maximum temperature. Although the imidation reaction can be performed under air, under reduced pressure, or in an inert gas such as nitrogen, in order to develop higher transparency, it is preferable to carry out under reduced pressure or in an inert gas such as nitrogen. In addition, as a heating apparatus, well-known apparatuses, such as a hot-air oven, an infrared oven, a vacuum oven, an inert oven, and a hot plate, can be used. Through these steps, the polyamic acid (1) in the coating film is imidized, and the laminate of the support and the polyimide film (film containing the imidide of polyamic acid (1)) (that is, in the present embodiment) related laminates) can be obtained. In addition, in order to shorten the heating time or develop characteristics, an imidation agent or a dehydration catalyst may be added to the polyamic acid composition, and the solution may be heated by the above method to imidize.

얻어진 지지체와 폴리이미드막의 적층체로부터 폴리이미드막을 박리하는 방법은, 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 손으로 뜯어도 되고, 구동 롤, 로봇 등의 기계 장치를 사용하여 뜯어도 된다. 나아가서는, 지지체와 폴리이미드막 사이에 박리층을 마련하는 방법이나, 다수의 홈을 갖는 기판 상에 산화실리콘막을 형성하고, 산화실리콘막을 하지층으로 하여 폴리이미드막을 형성하고, 기판과 산화실리콘막 사이에 산화실리콘의 에칭액을 침윤시킴으로써 폴리이미드막을 박리하는 방법을 채용할 수도 있다. 또한, 레이저광의 조사에 의해 폴리이미드막을 분리시키는 방법을 채용할 수도 있다.A well-known method can be used for the method of peeling a polyimide film from the laminated body of the obtained support body and polyimide film. For example, it may be removed by hand or may be removed using a mechanical device such as a driving roll or a robot. Furthermore, a method of providing a peeling layer between the support and the polyimide film, forming a silicon oxide film on a substrate having a large number of grooves, forming a polyimide film with the silicon oxide film as a base layer, and forming the substrate and the silicon oxide film It is also possible to adopt a method of peeling the polyimide film by infiltrating the silicon oxide etchant therebetween. Alternatively, a method of separating the polyimide film by irradiation with laser light may be employed.

폴리이미드막과 지지체(예를 들어 유리 기판)의 계면에 들뜸이 있으면, 전자 소자의 형성 중에 폴리이미드막이 박리되거나, 전자 소자를 형성한 후, 폴리이미드막을 박리할 때의 수율 저하를 야기할 우려가 있다. 또한, 「들뜸」이란, 이미드화 시에 발생하는 부 성분(보다 구체적으로는, 불화수소 등)이나 잔존 용매에 기인하여 폴리이미드막과 다른 재료층(보다 구체적으로는, 유리 기판, 배리어막 등) 간에 밀착성 불량이 발생한 상태를 가리킨다. 구체적인 「들뜸」으로서는, 유리 기판으로부터 폴리이미드막이 부상된 상태, 폴리이미드막의 일부가 파괴되어서 폴리이미드막과 다른 재료층 사이에 있어서 층간 박리가 발생한 상태, 폴리이미드막으로부터 배리어막이 부상된 상태 등을 들 수 있다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 얻어진 폴리이미드를 고온 프로세스에서 사용할 때의 불화수소의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 들뜸의 발생을 억제할 수 있다.If the interface between the polyimide film and the support (for example, glass substrate) is lifted, the polyimide film may be peeled off during the formation of the electronic element, or the yield may be lowered when the polyimide film is peeled after the electronic element is formed. there is In addition, "floating" refers to a material layer different from the polyimide film (more specifically, a glass substrate, a barrier film, etc. ) refers to a state in which poor adhesion has occurred between As specific "floating", a state in which the polyimide film was lifted from the glass substrate, a state in which a part of the polyimide film was destroyed and interlayer separation occurred between the polyimide film and another material layer, a state in which the barrier film was lifted from the polyimide film, etc. can be heard Since the polyamic acid composition according to the present embodiment can suppress the generation of hydrogen fluoride when the obtained polyimide is used in a high-temperature process, it can suppress the generation of floating.

폴리이미드막의 투명성은, JIS K7361-1:1997에 따른 전광선 투과율(TT), 및 JIS K7136-2000에 따른 헤이즈로 평가할 수 있다. 높은 투명성이 요구되는 용도로 폴리이미드막을 사용하는 경우, 폴리이미드막의 전광선 투과율은, 75% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 높은 투명성이 요구되는 용도로 폴리이미드막을 사용하는 경우, 폴리이미드막의 헤이즈는, 1.5% 이하인 것이 바람직하고, 1.2% 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.0% 미만인 것이 더욱 바람직하고, 0%여도 된다. 높은 투명성이 요구되는 용도에 있어서는, 폴리이미드막은 전체 파장 영역에서 투과율이 높을 것이 요구되나, 폴리이미드막은 단파장측의 광을 흡수하기 쉬운 경향이 있고, 막 자체가 황색으로 착색되는 경우가 많다. 높은 투명성이 요구되는 용도에 폴리이미드막을 사용하기 위해서는, 폴리이미드막의 착색이 저감되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 높은 투명성이 요구되는 용도에 폴리이미드막을 사용하기 위해서는, 폴리이미드막의 황색도(YI)는 20 이하인 것이 바람직하고, 18 이하인 것이 보다 바람직하고, 15 이하인 것이 더욱 바람직하고, 12 이하인 것이 더욱 보다 바람직하고, 8 이하인 것이 특히 바람직하고, 0이어도 된다. YI는, JIS K7373-2006에 따라서 측정할 수 있다. YI는, 예를 들어 폴리아미드산 (1) 중의 TFMB 잔기의 함유율을 변경함으로써 조정할 수 있다. 이와 같이, 착색이 저감되고, 투명성이 부여된 폴리이미드막은, 유리 대체 용도 등의 투명 기판이나, 배면에 센서나 카메라 모듈이 마련되는 기판에 적합하다.Transparency of the polyimide film can be evaluated by total light transmittance (TT) according to JIS K7361-1:1997 and haze according to JIS K7136-2000. When using a polyimide film for a use requiring high transparency, the total light transmittance of the polyimide film is preferably 75% or more, and more preferably 80% or more. Further, when the polyimide film is used for applications requiring high transparency, the haze of the polyimide film is preferably 1.5% or less, more preferably 1.2% or less, still more preferably less than 1.0%, and may be 0%. In applications requiring high transparency, the polyimide film is required to have high transmittance in the entire wavelength range, but the polyimide film tends to absorb short wavelength light, and the film itself is often colored yellow. In order to use the polyimide film for applications requiring high transparency, it is preferable that the coloration of the polyimide film is reduced. Specifically, in order to use the polyimide film for applications requiring high transparency, the yellowness index (YI) of the polyimide film is preferably 20 or less, more preferably 18 or less, still more preferably 15 or less, and 12 or less. More preferably, it is particularly preferably 8 or less, and may be 0. YI can be measured according to JIS K7373-2006. YI can be adjusted by changing the content rate of the TFMB residue in polyamic acid (1), for example. In this way, the polyimide film with reduced coloring and imparted transparency is suitable for a transparent substrate for use as a substitute for glass or a substrate on which a sensor or camera module is provided on the back surface.

또한, 플렉시블 디스플레이의 광 취출 방식에는, TFT측으로부터 광을 취출하는 톱 에미션 방식과 TFT의 이면측으로부터 광을 취출하는 보텀 에미션 방식의 2종류가 있다. 톱 에미션 방식에서는, TFT에 광이 차단되지 않기 때문에 개구율을 높이기 쉬워, 고정밀의 화질이 얻어진다는 특징이 있고, 보텀 에미션 방식은 TFT와 화소 전극의 위치 정렬이 용이하여 제조하기 쉽다고 하는 특징이 있다. TFT가 투명하면 보텀 에미션 방식에 있어서도, 개구율을 향상시키는 것이 가능하게 되기 때문에, 대형 디스플레이에는 제조가 용이한 보텀 에미션 방식이 채용되는 경향이 있다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막은, YI가 낮고, 내열성도 우수하기 때문에, 상기 어느 광 취출 방식에든 적용할 수 있다.Further, there are two types of light extraction methods of flexible displays: a top emission method for extracting light from the TFT side and a bottom emission method for extracting light from the back side of the TFT. In the top emission method, since light is not blocked in the TFT, it is easy to increase the aperture ratio, and there is a feature that high-definition image quality is obtained. there is. If the TFT is transparent, it becomes possible to improve the aperture ratio even in the bottom emission method, so the bottom emission method, which is easy to manufacture, tends to be adopted for large-sized displays. Since the polyimide film according to the present embodiment has a low YI and excellent heat resistance, it can be applied to any of the light extraction methods described above.

또한, 유리 기판 등의 지지체 상에 폴리아미드산 조성물을 도포하고, 가열하여 이미드화하여, 전자 소자 등을 형성한 후, 폴리이미드막을 박리한다고 하는, 배치 타입의 디바이스 제작 프로세스에 있어서는, 지지체와 폴리이미드막 간의 밀착성이 우수한 것이 바람직하다. 본 명세서에서 말하는 밀착성이란, 밀착 강도를 의미한다. 지지체 상의 폴리이미드막에 전자 소자 등을 형성한 후에, 지지체로부터, 전자 소자 등이 형성된 폴리이미드막을 박리한다고 하는 제작 프로세스에 있어서, 폴리이미드막과 지지체의 밀착성이 우수하면, 전자 소자 등을 보다 정확하게 형성 또는 실장할 수 있다. 지지체 상에 폴리이미드막을 통하여 전자 소자 등을 배치하는 제조 프로세스에 있어서, 생산성 향상의 관점에서, 지지체와 폴리이미드막 간의 필 강도는 높으면 높을수록 좋다. 구체적으로는, 상기 필 강도는, 0.05N/㎝ 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/㎝ 이상인 것이 보다 바람직하다.Further, in a batch-type device fabrication process in which a polyamic acid composition is applied onto a support such as a glass substrate, heated to imidize, and an electronic element or the like is formed, and then the polyimide film is peeled off, the support and poly It is preferable that the adhesion between the mid films is excellent. Adhesion as used herein means adhesion strength. In the production process of forming the electronic element or the like on the polyimide film on the support and then peeling the polyimide film on which the electronic element or the like is formed from the support, when the adhesion between the polyimide film and the support is excellent, the electronic element or the like can be formed more accurately. It can be formed or mounted. In the manufacturing process of arranging an electronic element or the like on a support through a polyimide film, the higher the peel strength between the support and the polyimide film, the better, from the viewpoint of productivity improvement. Specifically, the peel strength is preferably 0.05 N/cm or more, and more preferably 0.1 N/cm or more.

상술한 바와 같은 제조 프로세스에 있어서, 지지체와 폴리이미드막의 적층체로부터 폴리이미드막을 박리할 때, 레이저 조사에 의해 지지체로부터 폴리이미드막을 박리하는 경우가 많다. 이 경우, 폴리이미드막에 레이저광을 흡수시킬 필요가 있기 때문에, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 박리에 사용하는 레이저광의 파장보다도 장파장일 것이 요구된다. 레이저 박리에는, 파장 308㎚의 XeCl 엑시머 레이저가 사용되는 경우가 많기 때문에, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 312㎚ 이상인 것이 바람직하고, 330㎚ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 컷오프 파장이 장파장이면, 폴리이미드막이 황색으로 착색되는 경향이 있기 때문에, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 390㎚ 이하인 것이 바람직하다. 투명성(저황색 정도)과 레이저 박리의 가공성을 양립시키는 관점에서, 폴리이미드막의 컷오프 파장은, 320㎚ 이상 390㎚ 이하인 것이 바람직하고, 330㎚ 이상 380㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서 중에 있어서의 컷오프 파장이란, 자외-가시 분광 광도계에 의해 측정되는, 투과율이 0.1% 이하로 되는 파장을 의미한다.In the manufacturing process as described above, when peeling the polyimide film from the laminate of the support and the polyimide film, the polyimide film is often peeled from the support by laser irradiation. In this case, since it is necessary to make the polyimide film absorb the laser beam, the cutoff wavelength of the polyimide film is required to be longer than the wavelength of the laser beam used for peeling. Since a XeCl excimer laser with a wavelength of 308 nm is often used for laser ablation, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 312 nm or more, and more preferably 330 nm or more. On the other hand, since the polyimide film tends to be colored yellow when the cutoff wavelength is a long wavelength, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 390 nm or less. From the viewpoint of achieving both transparency (low yellowness) and laser ablation processability, the cutoff wavelength of the polyimide film is preferably 320 nm or more and 390 nm or less, and more preferably 330 nm or more and 380 nm or less. In addition, the cutoff wavelength in this specification means the wavelength at which the transmittance|permeability measured by the ultraviolet-visible spectrophotometer becomes 0.1 % or less.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물 및 폴리이미드는, 그대로 제품이나 부재를 제작하기 위한 코팅이나 성형 프로세스에 사용해도 되지만, 필름상으로 성형된 성형물에 또한 코팅 등의 처리를 행하기 위한 재료로서 사용할 수도 있다. 코팅 또는 성형 프로세스에 사용하기 위해서, 폴리아미드산 조성물 또는 폴리이미드를, 필요에 따라 유기 용매에 용해 또는 분산시키고, 또한, 필요에 따라 광경화성 성분, 열경화성 성분, 비중합성 결합제 수지 및 그 밖의 성분을 배합하여, 폴리아미드산 (1) 또는 폴리이미드를 포함하는 조성물을 조제해도 된다.The polyamic acid composition and polyimide according to the present embodiment may be used as they are in coating or molding processes for producing products or members, but as materials for further processing such as coating on molded articles molded into films. can also be used For use in the coating or molding process, the polyamic acid composition or polyimide is dissolved or dispersed in an organic solvent, if necessary, and a photocurable component, thermosetting component, non-polymerizable binder resin and other components are added as necessary. It may be blended to prepare a composition containing polyamic acid (1) or polyimide.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물 및 폴리이미드에 가공 특성이나 각종 기능성을 부여하기 위해서, 첨가제로서, 여러가지 유기 혹은 무기의 저분자 화합물, 또는 고분자 화합물을 배합해도 된다. 첨가제로서는, 예를 들어, 염료, 계면 활성제, 레벨링제, 가소제, 실리콘, 미립자, 증감제 등을 사용할 수 있다. 미립자에는, 폴리스티렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 등을 포함하는 유기 미립자나, 콜로이달 실리카, 카본, 층상 규산염 등을 포함하는 무기 미립자 등이 포함되고, 그들은 다공질 구조나 중공 구조여도 된다. 또한, 미립자의 기능 및 형태는, 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 안료여도, 필러여도 되고, 섬유상 입자여도 된다.In order to impart processing properties and various functionalities to the polyamic acid composition and polyimide according to the present embodiment, various organic or inorganic low-molecular compounds or high-molecular compounds may be blended as additives. As additives, dyes, surfactants, leveling agents, plasticizers, silicones, fine particles, sensitizers and the like can be used, for example. The fine particles include organic fine particles made of polystyrene, polytetrafluoroethylene, etc., inorganic fine particles made of colloidal silica, carbon, layered silicate, etc., and they may have a porous structure or a hollow structure. In addition, the function and shape of the fine particles are not particularly limited, and may be, for example, pigments, fillers, or fibrous particles.

폴리이미드막의 투명성을 유지하면서 내열성을 향상시키기 위해서, 상기 첨가제로서 나노실리카 입자를 사용하여, 폴리아미드산 (1)과 나노실리카 입자를 복합화해도 된다. 폴리이미드막의 투명성을 유지하는 관점에서, 나노실리카 입자의 평균 1차 입자경은, 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 100㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 30㎚ 이하여도 된다. 한편, 폴리아미드산 (1)에의 분산성을 확보하는 관점에서, 나노실리카 입자의 평균 1차 입자경은, 5㎚ 이상인 것이 바람직하고, 10㎚ 이상인 것이 보다 바람직하다. 폴리아미드산 (1)과 나노실리카 입자를 복합화하는 방법으로서는, 공지된 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 유기 용매에 나노실리카 입자를 분산시킨 오르가노실리카졸을 사용하는 방법을 들 수 있다. 오르가노실리카졸을 사용하여 폴리아미드산 (1)과 나노실리카 입자를 복합화하는 방법으로서는, 폴리아미드산 (1)을 합성한 후, 합성한 폴리아미드산 (1)과 오르가노실리카졸을 혼합하는 방법을 사용해도 되지만, 보다 고도로 나노실리카 입자를 폴리아미드산 (1) 중에 분산시키기 위해서는, 오르가노실리카졸 중에서 폴리아미드산 (1)을 합성하는 것이 바람직하다.In order to improve the heat resistance while maintaining the transparency of the polyimide film, nanosilica particles may be used as the additive, and the polyamic acid (1) and the nanosilica particles may be composited. From the viewpoint of maintaining the transparency of the polyimide film, the average primary particle diameter of the nanosilica particles is preferably 200 nm or less, more preferably 100 nm or less, still more preferably 50 nm or less, and may be 30 nm or less. On the other hand, from the viewpoint of securing the dispersibility to the polyamic acid (1), the average primary particle diameter of the nanosilica particles is preferably 5 nm or more, and more preferably 10 nm or more. As a method of compounding the polyamic acid (1) and the nanosilica particles, a known method can be used. For example, a method of using organosilica sol obtained by dispersing nanosilica particles in an organic solvent is exemplified. As a method of compounding polyamic acid (1) and nanosilica particles using organosilica sol, polyamic acid (1) is synthesized, and then the synthesized polyamic acid (1) and organosilica sol are mixed. Although a method may be used, it is preferable to synthesize the polyamic acid (1) in an organosilica sol in order to disperse the nanosilica particles in the polyamic acid (1) more highly.

또한, 폴리아미드산 (1)과의 상호 작용을 높이기 위해서, 나노실리카 입자를 표면 처리제로 표면 처리할 수도 있다. 표면 처리제로서는, 실란 커플링제 등의 공지된 것을 사용할 수 있다. 실란 커플링제로서는, 관능기로서 아미노기 또는 글리시딜기 등을 갖는 알콕시실란 화합물 등이 널리 알려져 있고, 적절히 선택할 수 있다. 폴리아미드산 (1)과의 상호 작용을 보다 높이기 위해서는, 실란 커플링제로서는, 아미노기 함유 알콕시실란이 바람직하다. 아미노기 함유 알콕시실란의 예로서는, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노페닐트리메톡시실란 및 3-아미노페닐트리메톡시실란 등을 들 수 있는데, 원료의 안정성의 관점에서 3-아미노프로필트리에톡시실란을 사용하는 것이 바람직하다. 나노실리카 입자의 표면 처리 방법으로서는, 분산액(오르가노실리카졸)에 실란 커플링제를 첨가한 혼합물을, 20℃ 이상 80℃ 이하의 분위기 온도 하에서 교반하는 방법을 들 수 있다. 이 때의 교반 시간은, 예를 들어 1시간 이상 10시간 이하이다. 이때, 반응을 촉진시키는 촉매 등을 첨가해도 된다.Further, in order to enhance the interaction with the polyamic acid (1), the nanosilica particles may be surface-treated with a surface treatment agent. As a surface treatment agent, known things, such as a silane coupling agent, can be used. As a silane coupling agent, the alkoxysilane compound etc. which have an amino group or a glycidyl group etc. as a functional group are widely known, and can select suitably. In order to further enhance the interaction with the polyamic acid (1), an amino group-containing alkoxysilane is preferable as the silane coupling agent. Examples of the amino group-containing alkoxysilane include 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, and 3-(2-aminoethyl). ) Aminopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 2-aminophenyltrimethoxysilane and 3-aminophenyltrimethoxysilane, etc. Preference is given to using propyltriethoxysilane. As a method of surface treatment of nanosilica particles, a method of stirring a mixture obtained by adding a silane coupling agent to a dispersion (organosilica sol) at an atmospheric temperature of 20°C or higher and 80°C or lower is exemplified. The stirring time at this time is 1 hour or more and 10 hours or less, for example. At this time, you may add a catalyst etc. which promote reaction.

폴리아미드산 (1)과 나노실리카 입자를 복합화시킨 나노실리카-폴리아미드산 복합체는, 100중량부의 폴리아미드산 (1)에 대하여 나노실리카 입자를, 1중량부 이상 30중량부 이하의 범위 내에서 포함하는 것이 바람직하고, 1중량부 이상 20중량부 이하의 범위 내에서 포함하는 것이 보다 바람직하다. 나노실리카 입자의 함유량이 1중량부 이상이면 나노실리카 입자 함유 폴리이미드의 내열성을 향상시켜, 내부 응력을 충분히 저하시킬 수 있고, 나노실리카 입자의 함유량이 30중량부 이하이면 나노실리카 입자 함유 폴리이미드의 기계 특성 및 투명성에 대한 악영향을 억제할 수 있다.The nano-silica-polyamic acid complex, in which polyamic acid (1) and nanosilica particles are combined, contains nano-silica particles with respect to 100 parts by weight of polyamic acid (1) within the range of 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less. It is preferable to include, and it is more preferable to include within the range of 1 part by weight or more and 20 parts by weight or less. When the content of the nano-silica particles is 1 part by weight or more, the heat resistance of the polyimide containing nano-silica particles can be improved and the internal stress can be sufficiently reduced. Adverse effects on mechanical properties and transparency can be suppressed.

본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에는, 상술한 기능성 부여를 위한 첨가제로서, 이미다졸류를 첨가할 수도 있다. 본 명세서 중에 있어서 이미다졸류란, 1,3-디아졸환(1,3-디아졸환 구조)을 갖는 화합물을 가리킨다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 첨가하는 이미다졸류로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1H-이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 1,2-디메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하고, 1,2-디메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸이 보다 바람직하다.Imidazoles may be added to the polyamic acid composition according to the present embodiment as an additive for imparting the above-described functionality. In this specification, imidazole refers to a compound having a 1,3-diazole ring (1,3-diazole ring structure). The imidazoles added to the polyamic acid composition according to the present embodiment are not particularly limited, and examples thereof include 1H-imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-heptane. Decylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl imidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, etc. are mentioned. Among these, 1,2-dimethylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable, and 1,2-dimethylimidazole and 1-benzyl -2-methylimidazole is more preferable.

이미다졸류의 함유량은, 폴리아미드산 (1)의 아미드기 1몰에 대하여 0.005몰 이상 0.1몰 이하인 것이 바람직하고, 0.01몰 이상 0.08몰 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.015몰 이상 0.050몰 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이미다졸류를 0.005몰 이상 함유시킴으로써 폴리이미드의 막 강도 및 투명성을 향상시킬 수 있고, 이미다졸류의 함유량을 0.1몰 이하로 함으로써, 폴리아미드산 (1)의 보존 안정성을 유지하면서, Tg나 내열성을 향상시킬 수 있다. 투명성의 향상에 대하여 설명하면 NMP와 같은 중합 용매는 폴리아미드산 (1)의 카르복시기와 수소 결합에 의한 착체를 형성하는 것이 알려져 있고, 이미드화 속도가 느릴 경우, NMP 등이, 폴리이미드막 중에 잔존하여, 산화나 분해됨으로써 착색의 원인이 될 가능성이 있다. 이미다졸류를 첨가하면, 이미다졸류가 폴리아미드산 (1)의 카르복시기에 배위하여, 이미드화를 촉진시키기 때문에, NMP 등이 폴리이미드막 중에 잔존하기 어려워짐과 동시에, 열이미드화 과정의 폴리아미드산 (1)의 분해도 억제되기 때문에, 투명성이 향상되는 것으로 생각된다. 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에 의하면, 가소제를 사용함으로써 폴리아미드산 (1)의 이미드화 시에 충분한 분자 운동이 부여되기 때문에, 본 실시 형태에서는 이미다졸류를 사용하지 않아도 된다.The content of the imidazoles is preferably 0.005 mol or more and 0.1 mol or less, more preferably 0.01 mol or more and 0.08 mol or less, and still more preferably 0.015 mol or more and 0.050 mol or less with respect to 1 mol of the amide group of the polyamic acid (1). do. By containing 0.005 mol or more of imidazoles, the film strength and transparency of polyimide can be improved, and by making the content of imidazoles 0.1 mol or less, while maintaining the storage stability of polyamic acid (1), Tg and heat resistance are maintained. can improve To explain the improvement in transparency, it is known that a polymerization solvent such as NMP forms a complex with the carboxy group of polyamic acid (1) by hydrogen bonding, and when the imidation rate is slow, NMP or the like remains in the polyimide film. Therefore, oxidation or decomposition may cause coloration. When imidazoles are added, imidazoles coordinate with the carboxyl group of polyamic acid (1) to promote imidation, so NMP and the like are less likely to remain in the polyimide film, and at the same time, the thermal imidation process Since the decomposition of polyamic acid (1) is also suppressed, it is thought that transparency improves. According to the polyamic acid composition according to the present embodiment, since sufficient molecular motion is imparted at the time of imidation of the polyamic acid (1) by using a plasticizer, imidazoles do not need to be used in the present embodiment.

폴리아미드산 (1)과 이미다졸류의 혼합 방법은 특별히 제한되지 않는다. 폴리아미드산 (1)의 분자량 제어의 용이성의 관점에서, 중합 후의 폴리아미드산 (1)에 이미다졸류를 첨가하는 것이 바람직하다. 이때, 이미다졸류를 그대로 폴리아미드산 (1)에 첨가해도 되고, 미리 이미다졸류를 용매에 용해시켜 두고, 이 용액을 폴리아미드산 (1)에 첨가해도 되고, 첨가 방법은 특별히 제한되지 않는다. 중합 후의 폴리아미드산 (1)을 포함하는 용액(반응 후의 용액)에 이미다졸류 및 가소제를 첨가하여, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물을 조제해도 된다.The mixing method of polyamic acid (1) and imidazoles is not particularly limited. From the viewpoint of the ease of controlling the molecular weight of the polyamic acid (1), it is preferable to add imidazoles to the polyamic acid (1) after polymerization. At this time, the imidazoles may be added directly to the polyamic acid (1), or the imidazoles may be dissolved in a solvent beforehand and the solution may be added to the polyamic acid (1), and the addition method is not particularly limited. . The polyamide acid composition according to the present embodiment may be prepared by adding an imidazole and a plasticizer to a solution containing the polyamic acid (1) after polymerization (solution after reaction).

또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물에는, 지지체와의 적절한 밀착성을 발현시키기 위해서, 실란 커플링제를 함유시킬 수 있다. 실란 커플링제의 종류는, 공지된 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있지만, 폴리아미드산 (1)과의 반응성의 관점에서 아미노기를 함유하는 화합물이 특히 바람직하다.In addition, the polyamic acid composition according to the present embodiment may contain a silane coupling agent in order to develop appropriate adhesion to the support. A known silane coupling agent can be used without particular limitation, but a compound containing an amino group is particularly preferred from the viewpoint of reactivity with the polyamic acid (1).

100중량부의 폴리아미드산 (1)에 대한 실란 커플링제의 배합 비율은, 0.01중량부 이상 0.50중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01중량부 이상 0.10중량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01중량부 이상 0.05중량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. 실란 커플링제의 배합 비율을 0.01중량부 이상으로 함으로써 지지체에 대한 박리 억제 효과가 충분히 발휘되어, 실란 커플링제의 배합 비율을 0.50중량부 이하로 함으로써, 폴리아미드산 (1)의 분자량 저하가 억제되기 때문에, 폴리이미드막의 취화를 억제할 수 있다.The mixing ratio of the silane coupling agent to 100 parts by weight of polyamic acid (1) is preferably 0.01 part by weight or more and 0.50 part by weight or less, more preferably 0.01 part by weight or more and 0.10 part by weight or less, and 0.01 part by weight or more and 0.05 part by weight. It is more preferable that it is less than a part. By setting the blending ratio of the silane coupling agent to 0.01 part by weight or more, the peeling inhibitory effect on the support is sufficiently exhibited, and by setting the blending ratio of the silane coupling agent to 0.50 part by weight or less, the molecular weight decrease of the polyamic acid (1) is suppressed. Therefore, embrittlement of the polyimide film can be suppressed.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막의 표면에는, 금속 산화물 박막이나 투명 전극 등의 각종 무기 박막을 형성해도 된다. 이들 무기 박막의 제막 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등의 PVD법이나, CVD법을 들 수 있다.Various inorganic thin films such as metal oxide thin films and transparent electrodes may be formed on the surface of the polyimide film according to the present embodiment. The method for forming these inorganic thin films is not particularly limited, and examples thereof include PVD methods such as sputtering, vacuum deposition, and ion plating, and CVD methods.

본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막은, 내열성, 저열 팽창성, 투명성에 추가로, 유리 기판과 적층체를 형성했을 때에 발생하는 내부 응력이 작고, 고온 프로세스 중에서 무기 재료와의 밀착성을 확보할 수 있기 때문에, 이들 특성이 유효하게 되는 분야 및 제품에 사용되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 본 실시 형태에 관계되는 폴리이미드막은, 액정 표시 장치, 유기 EL, 전자 페이퍼 등의 화상 표시 장치, 인쇄물, 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이, 광학 필름, 3D 디스플레이, 터치 패널, 투명 도전막 기판, 태양 전지 등에 사용되는 것이 바람직하고, 나아가서는 현재 유리가 사용되고 있는 부분의 대체 재료로 하는 것이 보다 바람직하다. 이들 용도에 있어서, 폴리이미드막의 두께는, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이며, 5㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하다. 폴리이미드막의 두께는, 레이저 홀로게이지를 사용하여 측정할 수 있다.In addition to heat resistance, low thermal expansion, and transparency, the polyimide film according to the present embodiment has low internal stress generated when a laminate is formed with a glass substrate, and adhesion to inorganic materials can be secured during a high-temperature process. , it is preferred to be used in fields and products in which these properties are effective. For example, the polyimide film according to the present embodiment is used in image display devices such as liquid crystal display devices, organic EL and electronic paper, printed materials, color filters, flexible displays, optical films, 3D displays, touch panels, and transparent conductive film substrates. , solar cells, etc., and it is more preferable to use it as a substitute material for the part where glass is currently used. In these applications, the thickness of the polyimide film is, for example, 1 μm or more and 200 μm or less, and preferably 5 μm or more and 100 μm or less. The thickness of the polyimide film can be measured using a laser holo gauge.

또한, 본 실시 형태에 관계되는 폴리아미드산 조성물은, 지지체 상에 폴리아미드산 조성물을 도포하고, 가열하여 이미드화하여, 전자 소자 등을 형성한 후, 폴리이미드막을 박리한다고 하는, 배치 타입의 디바이스 제작 프로세스에 적합하게 사용할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에는, 지지체 상에 폴리아미드산 조성물을 도포하고, 가열하여 이미드화하여, 지지체 상에 형성된 폴리이미드막에 전자 소자 등을 형성하는 공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법도 포함된다. 또한, 이러한 전자 디바이스의 제조 방법은, 또한, 지지체로부터, 전자 소자 등이 형성된 폴리이미드막을 박리하는 공정을 포함하고 있어도 된다.In addition, the polyamic acid composition according to the present embodiment is a batch type device in which the polyimide film is peeled off after applying the polyamic acid composition on a support and imidizing it by heating to form an electronic element or the like. It can be used appropriately for the manufacturing process. Therefore, the present embodiment also includes a method for manufacturing an electronic device including a step of applying a polyamic acid composition on a support, imidizing it by heating, and forming an electronic element or the like in the polyimide film formed on the support. . Moreover, the manufacturing method of such an electronic device may further include the process of peeling the polyimide film in which the electronic element etc. were formed from the support body.

실시예Example

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples of the present invention will be described, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.

<물성의 측정 방법 및 밀착성의 평가 방법><Method for measuring physical properties and evaluation method for adhesion>

먼저, 폴리이미드(폴리이미드막)의 물성의 측정 방법 및 밀착성의 평가 방법에 대하여 설명한다.First, a method for measuring the physical properties of polyimide (polyimide film) and a method for evaluating adhesion will be described.

[황색도(YI)][Yellowness Index (YI)]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 적층체 중의 폴리이미드막에 대해서, 자외 가시 근적외 분광 광도계(니혼 분코사제 「V-650」)를 사용하여 파장 200㎚ 이상 800㎚ 이하의 광 투과율을 측정하고, JIS K7373-2006에 기재된 식으로부터, 폴리이미드막의 황색도(YI)를 산출하였다. YI가 20 이하인 경우, 「폴리이미드막의 착색을 저감할 수 있다」고 평가하였다. 한편, YI가 20을 초과하는 경우, 「폴리이미드막의 착색을 저감되어 있지 않다」고 평가하였다.For the polyimide film in each of the laminates obtained in Examples and Comparative Examples described later, the light transmittance at a wavelength of 200 nm or more and 800 nm or less was measured using a spectrophotometer (V-650 manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd.). Then, the yellowness (YI) of the polyimide film was calculated from the formula described in JIS K7373-2006. When YI was 20 or less, it was evaluated that "coloration of the polyimide film can be reduced." On the other hand, when YI exceeded 20, it was evaluated as "not reducing the coloring of the polyimide film."

[헤이즈][Haze]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 적층체로부터 박리한 폴리이미드막에 대해서, 적분구식 헤이즈 미터(무라카미시키사이 기쥬츠 겐큐죠사제 「HM-150N」)를 사용하여, JIS K7136-2000에 기재된 방법에 의해 헤이즈를 측정하였다. 헤이즈가 1.0% 미만인 경우, 「투명성이 우수하다」고 평가하였다. 한편, 헤이즈가 1.0% 이상인 경우 「투명성이 우수하지 않다」고 평가하였다.Regarding the polyimide film peeled from each laminate obtained in the examples and comparative examples described later, using an integrating sphere type haze meter ("HM-150N" manufactured by Murakami Shikisai Kijutsu Genkyujo Co., Ltd.), as described in JIS K7136-2000 Haze was measured by the method. When the haze was less than 1.0%, it was evaluated as "excellent in transparency". On the other hand, when the haze was 1.0% or more, it was evaluated as "not excellent in transparency".

[내부 응력][Internal Stress]

미리 휨양을 계측하고 있었던 코닝사제의 유리 기판(재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 후술하는 실시예 및 비교예에서 조제한 각 폴리아미드산 조성물을 스핀 코터로 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 폴리이미드막의 흡수의 영향을 배제하기 위해서, 적층체를 120℃에서 10분 건조시킨 후, 온도 25℃의 질소 분위기 하에 있어서의 적층체의 휨양을, 박막 응력 측정 장치(케이엘에이 텐코사제 「FLX-2320-S」)를 사용하여 측정하였다. 그리고, 폴리이미드막 형성 전의 유리 기판의 휨양 및 적층체의 휨양으로부터, 스토니의 식에 의해 유리 기판과 폴리이미드막 간에 발생한 내부 응력을 산출하였다.Each polyamic acid composition prepared in Examples and Comparative Examples described later was applied to a glass substrate (material: non-alkali glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) manufactured by Corning Co., whose warpage amount was measured in advance, using a spin coater. was applied, heated in air at 120°C for 30 minutes, and then heated at 430°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 µm on a glass substrate. In order to eliminate the effect of absorption of the polyimide film, after drying the laminate at 120 ° C. for 10 minutes, the amount of warping of the laminate in a nitrogen atmosphere at a temperature of 25 ° C. was measured using a thin film stress measuring device (“FLX- 2320-S”). Then, the internal stress generated between the glass substrate and the polyimide film was calculated by Stoney's equation from the amount of warp of the glass substrate before formation of the polyimide film and the amount of warp of the laminate.

[유리 전이 온도(Tg)][Glass Transition Temperature (Tg)]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 적층체로부터 폭 3㎜ 또한 길이 10㎜의 크기로 샘플링한 폴리이미드막을, Tg 측정용의 시료로서 사용하였다. 열분석 장치(히타치 하이테크 사이언스사제 「TMA/SS7100」)를 사용하여, 시료에 98.0mN의 하중을 가하고, 10℃/분으로 20℃로부터 450℃까지 승온하고, 온도와 변형량(신장)을 플롯하여 TMA 곡선을 얻었다. 얻어진 TMA 곡선의 변곡점 온도(TMA 곡선의 미분 곡선에 있어서의 피크에 대응하는 온도)를 유리 전이 온도(Tg)로 하였다. Tg가 350℃ 이상인 경우, 「내열성이 우수하다」고 평가하였다. 한편, Tg가 350℃ 미만인 경우, 「내열성이 우수하지 않다」고 평가하였다.A polyimide film sampled in a size of 3 mm in width and 10 mm in length from each laminate obtained in Examples and Comparative Examples described later was used as a sample for Tg measurement. Using a thermal analysis device (“TMA/SS7100” manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.), a load of 98.0 mN was applied to the sample, the temperature was raised from 20 ° C. to 450 ° C. at 10 ° C./min, and the temperature and strain amount (elongation) were plotted. TMA curves were obtained. The temperature of the inflection point of the obtained TMA curve (the temperature corresponding to the peak in the differential curve of the TMA curve) was taken as the glass transition temperature (Tg). When the Tg was 350°C or higher, it was evaluated as "excellent in heat resistance". On the other hand, when the Tg was less than 350°C, it was evaluated as "not excellent in heat resistance".

[1% 중량 감소 온도(TD1)][1% Weight Loss Temperature (TD1)]

후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 폴리이미드막(상세하게는, 중량이 10mg으로 되도록 각 적층체로부터 샘플링한 폴리이미드막)을 측정용의 시료로 하고, 시차열 열중량 동시 측정 장치(히타치 하이테크 사이언스사제 「TG/DTA7200」)를 사용하여, 질소 분위기 하에서, 20℃/분의 조건에서 25℃로부터 650℃까지 승온하고, 측정 온도 150℃에서의 시료 중량을 기준으로 하여, 이 기준의 중량에 대하여 1중량% 감소했을 때의 측정 온도를, 1% 중량 감소 온도(TD1)로 하였다.Each polyimide film (specifically, a polyimide film sampled from each laminate so that the weight is 10 mg) obtained in Examples and Comparative Examples described later is used as a sample for measurement, and a differential thermal thermogravimetric simultaneous measuring device (Hitachi Using "TG/DTA7200" manufactured by Hi-Tech Science Co., Ltd., the temperature was raised from 25 ° C. to 650 ° C. under the conditions of 20 ° C./min in a nitrogen atmosphere, and based on the sample weight at a measurement temperature of 150 ° C., the weight of this standard The measured temperature at the time of decreasing 1% by weight relative to 1% weight reduction temperature (TD1) was made.

[유리 기판과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무][Presence or absence of lifting between the glass substrate and the polyimide film]

코닝사제의 유리 기판(재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 후술하는 실시예 및 비교예에서 조제한 각 폴리아미드산 조성물을 스핀 코터로 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체에 대해서, 유리 기판과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무를 눈으로 보아 확인하였다.Each polyamic acid composition prepared in Examples and Comparative Examples described later was applied on a glass substrate (material: non-alkali glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) manufactured by Corning Corporation by a spin coater, and then in the air. After heating at 120°C for 30 minutes, it was heated at 430°C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 µm on a glass substrate. About the obtained laminated body, the presence or absence of the floating between the glass substrate and the polyimide film|membrane was visually confirmed.

[SiOx막과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무][Presence or absence of lifting between the SiOx film and the polyimide film]

코닝사제의 유리 기판(재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 후술하는 실시예 및 비교예에서 조제한 각 폴리아미드산 조성물을 스핀 코터로 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 형성하였다. 이어서, 얻어진 폴리이미드막 상에 플라스마 CVD법으로 SiOx막(두께: 1㎛)을 적층하고, 얻어진 적층체를, 질소 분위기 하에서 후술하는 표 4에 나타내는 가열 조건에서 가열하였다. 그리고, 가열 후의 적층체에 대해서, SiOx막과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무를 눈으로 보아 확인하였다. 또한, SiOx막과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무는, 후술하는 실시예 1 내지 18, 비교예 1 내지 5 및 비교예 10에 대하여 확인하였다.Each polyamic acid composition prepared in Examples and Comparative Examples described later was applied on a glass substrate (material: non-alkali glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) manufactured by Corning Corporation by a spin coater, and then in the air. After heating at 120 ° C. for 30 minutes, heating at 430 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to form a polyimide film having a thickness of 10 μm on a glass substrate. Subsequently, a SiOx film (thickness: 1 µm) was laminated on the obtained polyimide film by plasma CVD, and the obtained laminate was heated under a nitrogen atmosphere under heating conditions shown in Table 4 described later. And about the laminated body after heating, the presence or absence of lifting between the SiOx film and the polyimide film was visually confirmed. In addition, the presence or absence of lifting between the SiOx film and the polyimide film was confirmed for Examples 1 to 18, Comparative Examples 1 to 5, and Comparative Example 10 described later.

[폴리이미드막으로부터 발생한 가스의 분석][Analysis of Gas Generated from Polyimide Film]

열중량 측정 장치(NETZSCH사제 「STA449 F5」)와 사중극형 질량 분석계(니혼덴시사제 「JMS-Q1500GC」)를 결합시킨 분석 장치를 사용하여, 가열 시에 폴리이미드막으로부터 발생한 가스를 분석하였다. 이하, 분석 순서에 대하여 설명한다.Gas generated from the polyimide film during heating was analyzed using an analysis device in which a thermogravimetry device (“STA449 F5” manufactured by NETZSCH) and a quadrupole mass spectrometer (“JMS-Q1500GC” manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.) were combined. The analysis procedure will be described below.

먼저, 표준 물질로서 퍼플루오로트리부틸아민을 사용하여, m/z=69의 피크 검출 강도가 800,000이 되도록, 상기 사중극형 질량 분석계의 전압을 조정하였다. 이어서, 상기 열중량 측정 장치를 사용하여, 유량 100mL/분의 헬륨 가스 기류 하에 있어서 분위기 온도 60℃로부터 10℃/분의 승온 속도로, 후술하는 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 폴리이미드막(상세하게는, 질량이 140mg으로 되도록 각 적층체로부터 샘플링한 폴리이미드막)을 가열하여 분위기 온도 470℃에 도달했을 때에 폴리이미드막으로부터 발생한 가스를, 상기 사중극형 질량 분석계로 분석하였다. 또한, 상기 분석 장치를 사용하여 헬륨 가스 기류 하에서 폴리이미드막을 가열함으로써, 헬륨 가스가 캐리어 가스가 되어, 폴리이미드막으로부터 발생한 가스를 실시간으로 상기 사중극형 질량 분석계에 의해 분석할 수 있게 되어 있다. 그리고, 분위기 온도 470℃에 도달했을 때에 폴리이미드막으로부터 발생한 가스에 대하여 상기 사중극형 질량 분석계로 분석하여 얻어진 매스스펙트럼으로부터, m/z=20의 피크 검출 강도(20 피크 강도)를 판독하였다. 20 피크 강도가 60,000 이하인 경우, 「고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 억제할 수 있다」고 평가하였다. 한편, 20 피크 강도가 60,000을 초과하는 경우, 「고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생이 억제되어 있지 않다」고 평가하였다.First, the voltage of the quadrupole mass spectrometer was adjusted so that the peak detection intensity at m/z = 69 was 800,000 using perfluorotributylamine as a standard substance. Next, each polyimide film obtained in Examples and Comparative Examples described later (detailed More specifically, the polyimide film sampled from each laminate to have a mass of 140 mg) was heated and the gas generated from the polyimide film when the ambient temperature reached 470°C was analyzed with the quadrupole mass spectrometer. Further, by heating the polyimide film under a helium gas stream using the analyzer, the helium gas becomes a carrier gas, and the gas generated from the polyimide film can be analyzed in real time by the quadrupole mass spectrometer. Then, when the atmospheric temperature reached 470°C, the gas generated from the polyimide film was analyzed with the quadrupole mass spectrometer, and the peak detection intensity at m/z = 20 (20 peak intensity) was read from the obtained mass spectrum. When the 20 peak intensity was 60,000 or less, it was evaluated as "it is possible to suppress generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process." On the other hand, when the 20 peak intensity exceeded 60,000, it was evaluated as "generation of hydrogen fluoride is not suppressed during the high-temperature process".

<폴리이미드막의 제작><Production of Polyimide Film>

이하, 실시예 및 비교예의 폴리이미드막(적층체)의 제작 방법에 대하여 설명한다. 또한, 이하에 있어서, 화합물 및 시약류를 하기의 약칭으로 기재하고 있다. 또한, 폴리이미드막의 제작에 사용하는 폴리아미드산 용액의 조제는, 모두 질소 분위기 하에서 행하였다.Hereinafter, the manufacturing method of the polyimide film (laminate|laminate) of an Example and a comparative example is demonstrated. In addition, in the following, compounds and reagents are described with the following abbreviations. In addition, preparation of the polyamic acid solution used for preparation of a polyimide film was all performed in nitrogen atmosphere.

NMP: N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

PMDA: 피로멜리트산 이무수물PMDA: pyromellitic dianhydride

BPAF: 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 이무수물BPAF: 9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride

BPDA: 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

ODPA: 4,4'-옥시디프탈산 무수물ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride

4-BAAB: 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트4-BAAB: 4-aminophenyl-4-aminobenzoate

PDA: p-페닐렌디아민PDA: p-phenylenediamine

TFMB: 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine

ODA: 4,4'-옥시디아닐린ODA: 4,4'-oxydianiline

TPP: 트리페닐포스페이트TPP: Triphenylphosphate

TMP: 트리메틸포스페이트TMP: Trimethylphosphate

DEPi: 디에틸포스파이트DEPi: diethyl phosphite

TPPi: 트리페닐포스파이트TPPi: triphenylphosphite

PEP-36: 3,9-비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페녹시)-2,4,8,10-테트라옥사-3,9-디포스파스피로[5.5]운데칸PEP-36: 3,9-bis(2,6-di-tert-butyl-4-methylphenoxy)-2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro[5.5]undecane

3010: 트리이소데실포스파이트3010: triisodecyl phosphite

PX-200: 레조르시놀폴리(디-2,6-크실릴)포스페이트PX-200: Resorcinol poly(di-2,6-xylyl)phosphate

CR-741: 축합 인산에스테르(다이하치 가가쿠 고교제 「CR-741」)CR-741: condensed phosphate ester (“CR-741” manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.)

DBA: 디부틸아디페이트DBA: dibutyl adipate

BXA-N: 비스[2-(2-부톡시에톡시)에틸]아디페이트BXA-N: bis [2- (2-butoxyethoxy) ethyl] adipate

PEG600: 폴리에틸렌글리콜(평균 분자량 560 내지 640)PEG600: polyethylene glycol (average molecular weight 560 to 640)

[폴리아미드산 용액의 조제][Preparation of polyamic acid solution]

(폴리아미드산 용액 PA-2의 조제)(Preparation of polyamic acid solution PA-2)

스테인리스강제 교반봉을 구비한 교반기 및 질소 도입관을 장착한 300mL의 유리제 세퍼러블 플라스크에, 중합용의 유기 용매로서, 40.0g의 NMP를 넣었다. 이어서, 플라스크 내용물을 교반하면서, 5.453g의 TFMB를 플라스크에 넣어서 용해시켰다. 이어서, 플라스크 내용물에 2.439g의 PMDA, 0.788g의 BPAF, 및 1.265g의 BPDA를 첨가한 후, 온도 25℃의 분위기 하에서, 플라스크 내용물을 24시간 교반하여, 폴리아미드산 용액 PA-2를 얻었다.40.0 g of NMP was placed as an organic solvent for polymerization in a 300 mL glass separable flask equipped with a stirrer with a stainless steel stirrer and a nitrogen inlet tube. Then, while stirring the contents of the flask, 5.453 g of TFMB was added to the flask to dissolve. Next, after adding 2.439 g of PMDA, 0.788 g of BPAF, and 1.265 g of BPDA to the contents of the flask, the contents of the flask were stirred for 24 hours in an atmosphere at a temperature of 25°C to obtain polyamic acid solution PA-2.

(폴리아미드산 용액 PA-1 및 PA-3 내지 PA-10의 조제)(Preparation of polyamic acid solutions PA-1 and PA-3 to PA-10)

사용한 산 이무수물 및 그의 투입 비율, 사용한 디아민 및 그의 투입 비율, 그리고 사용한 산 이무수물의 합계 물질량에 대한 사용한 디아민의 합계 물질량의 비를, 표 1에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 폴리아미드산 용액 PA-2와 동일한 방법에 의해, 폴리아미드산 용액 PA-1 및 PA-3 내지 PA-10을 각각 조제하였다. 또한, 폴리아미드산 용액 PA-1 및 PA-3 내지 PA-10의 어느 것에 대해서든, 산 이무수물의 합계 물질량은 폴리아미드산 용액 PA-2와 동일하였다.Polyamic acid solution PA- Polyamic acid solutions PA-1 and PA-3 to PA-10 were prepared by the same method as in 2, respectively. In addition, for any of the polyamic acid solutions PA-1 and PA-3 to PA-10, the total amount of acid dianhydride was the same as that of the polyamic acid solution PA-2.

또한, 표 1에 있어서, 「-」은, 당해 성분을 사용하지 않은 것을 의미한다. 또한, 표 1에 있어서, 「산 이무수물」의 란의 수치는, 사용한 산 이무수물의 전량에 대한 각 산 이무수물의 함유율(단위: 몰%)이다. 표 1에 있어서, 「디아민」의 란의 수치는, 사용한 디아민의 전량에 대한 각 디아민의 함유율(단위: 몰%)이다. 표 1에 있어서, 「비」는, 사용한 산 이무수물의 합계 물질량에 대한 사용한 디아민의 합계 물질량의 비(디아민의 합계 물질량/산 이무수물의 합계 물질량)를 의미한다. 또한, 폴리아미드산 용액 PA-1 내지 PA-10의 어느 것에 대해서든, 조제한 폴리아미드산 용액 중의 폴리아미드산의 각 잔기의 몰 분율은, 폴리아미드산의 합성에 사용한 각 모노머(디아민 및 테트라카르복실산 이무수물)의 몰 분율과 일치하고 있었다.In Table 1, "-" means that the component was not used. In addition, in Table 1, the numerical value of the "acid dianhydride" column is the content rate (unit: mol%) of each acid dianhydride with respect to the total amount of the acid dianhydride used. In Table 1, the numerical value of the "diamine" column is the content rate (unit: mol%) of each diamine with respect to the total amount of diamine used. In Table 1, "ratio" means the ratio of the total amount of diamine used to the total amount of acid dianhydride used (total amount of diamine/total amount of acid dianhydride). In addition, for any of the polyamic acid solutions PA-1 to PA-10, the mole fraction of each residue of the polyamic acid in the prepared polyamic acid solution is the respective monomers (diamine and tetracarb) used in the synthesis of the polyamic acid. boxylic acid dianhydride) was consistent with the mole fraction.

Figure pct00008
Figure pct00008

[실시예 1][Example 1]

질소 분위기 하에서, 폴리아미드산 용액 PA-1에 가소제로서의 TMP를 첨가하고, 얻어진 혼합물을 5분간 교반하여 폴리아미드산 조성물을 얻었다. TMP의 첨가량은, 폴리아미드산 용액 PA-1 중의 폴리아미드산 100중량부에 대하여 1중량부였다. 얻어진 폴리아미드산 조성물을, 스핀 코터를 사용하여 유리 기판(코닝사제, 재질: 무알칼리 유리, 두께: 0.7㎜, 사이즈: 100㎜×100㎜) 상에 도포하고, 공기 중에 있어서 120℃에서 30분 가열한 후, 질소 분위기 하에서 430℃에서 30분 가열하여, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, TMP as a plasticizer was added to polyamic acid solution PA-1, and the resulting mixture was stirred for 5 minutes to obtain a polyamic acid composition. The addition amount of TMP was 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid in the polyamic acid solution PA-1. The obtained polyamic acid composition was coated on a glass substrate (manufactured by Corning, material: alkali-free glass, thickness: 0.7 mm, size: 100 mm × 100 mm) using a spin coater, and in air at 120 ° C. for 30 minutes. After heating, it heated at 430 degreeC for 30 minutes in nitrogen atmosphere, and obtained the laminated body provided with the polyimide film of thickness 10 micrometers on the glass substrate.

[실시예 2 내지 20 및 비교예 1 내지 10][Examples 2 to 20 and Comparative Examples 1 to 10]

사용한 폴리아미드산 용액의 종류, 그리고 사용한 가소제의 종류 및 첨가량을, 표 2에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 유리 기판 상에 두께 10㎛의 폴리이미드막을 구비하는 적층체를 얻었다. 또한, 표 2에 있어서, 「-」은, 가소제를 사용하지 않은 것을 의미한다. 따라서, 비교예 1 내지 10에서는, 폴리아미드산 조성물로서, 각각 폴리아미드산 용액 PA-1 내지 PA-10을 사용하였다. 또한, 표 2에 있어서, 가소제의 첨가량은, 사용한 폴리아미드산 용액 중의 폴리아미드산 100중량부에 대한 첨가량(단위: 중량부)이다.A laminate comprising a polyimide film having a thickness of 10 μm on a glass substrate in the same manner as in Example 1, except that the type of polyamide acid solution used and the type and amount of plasticizer used were changed as shown in Table 2. got a sieve In Table 2, "-" means that no plasticizer was used. Therefore, in Comparative Examples 1 to 10, as polyamic acid compositions, polyamic acid solutions PA-1 to PA-10 were used, respectively. In Table 2, the addition amount of the plasticizer is the addition amount (unit: parts by weight) relative to 100 parts by weight of the polyamic acid in the polyamic acid solution used.

Figure pct00009
Figure pct00009

<물성 및 평가 결과><Physical properties and evaluation results>

실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 10 각각에 대해서, 물성 및 평가 결과를, 표 3 및 표 4에 나타내었다. 또한, 표 3에 있어서, 「-」은, 측정하지 않은 것을 의미한다. 또한, 표 3에 있어서, 「유리 기판과의 사이의 들뜸의 유무」는, 유리 기판과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무이다. 또한, 표 4에 있어서, 「SiOx막과의 사이의 들뜸의 유무」는, SiOx막과 폴리이미드막 사이의 들뜸의 유무이다.For each of Examples 1 to 20 and Comparative Examples 1 to 10, physical properties and evaluation results are shown in Tables 3 and 4. In Table 3, "-" means not measured. In Table 3, "the presence or absence of lifting between the glass substrate" is the presence or absence of lifting between the glass substrate and the polyimide film. In Table 4, "presence or absence of lifting between the SiOx film" is the presence or absence of lifting between the SiOx film and the polyimide film.

또한, 도 1에, 실시예 18 및 비교예 5에 대해서, 상기 [폴리이미드막으로부터 발생한 가스의 분석]에 기재된 방법에 따라서, 폴리이미드막으로부터 발생한 가스를 사중극형 질량 분석계로 분석하여 얻어진 결과를 나타낸다. 도 1에 있어서, 종축이 검출 강도를 나타내고, 횡축이 온도(분위기 온도)를 나타낸다. 또한, 도 1에서는, 실선이, 비교예 5에 있어서의 m/z=20의 피크 검출 강도의 변화를 나타내고, 파선이, 실시예 18에 있어서의 m/z=20의 피크 검출 강도의 변화를 나타낸다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 실시예 18은, 비교예 5에 비해, 분위기 온도 470℃ 부근에 있어서의 m/z=20의 피크 검출 강도가 작은 것으로부터, 고온 프로세스에서 사용할 때의 불화수소의 발생을 억제할 수 있음을 알았다.1, in Example 18 and Comparative Example 5, the gas generated from the polyimide film was analyzed with a quadrupole mass spectrometer according to the method described in [Analysis of the gas generated from the polyimide film], and the results obtained were indicate In Fig. 1, the vertical axis represents the detected intensity, and the horizontal axis represents the temperature (atmospheric temperature). 1, the solid line represents the change in peak detection intensity at m/z = 20 in Comparative Example 5, and the broken line represents the change in peak detection intensity at m/z = 20 in Example 18. indicate As shown in Fig. 1, Example 18 has a smaller peak detection intensity at m/z = 20 in the ambient temperature of 470 ° C. It was found that the occurrence can be suppressed.

Figure pct00010
Figure pct00010

Figure pct00011
Figure pct00011

상기에 나타내는 바와 같이, 구조 단위 (1)을 갖는 폴리아미드산과 가소제를 함유하는 폴리아미드산 조성물을 사용한 실시예 1 내지 20에 있어서는, 하기 (1) 내지 (6)의 모든 조건을 충족하고 있었다.As shown above, in Examples 1 to 20 using polyamic acid compositions containing a polyamic acid having structural unit (1) and a plasticizer, all conditions (1) to (6) below were satisfied.

(1) YI가 20 이하이다.(1) YI is 20 or less.

(2) 헤이즈가 1.0% 미만이다.(2) Haze is less than 1.0%.

(3) 내부 응력이 30MPa 이하이다.(3) Internal stress is 30 MPa or less.

(4) Tg가 350℃ 이상이다.(4) Tg is 350°C or higher.

(5) TD1이 500℃ 이상이다.(5) TD1 is 500°C or higher.

(6) 20 피크 강도가 60,000 이하이다.(6) The 20 peak intensity is 60,000 or less.

비교예 1 내지 7에서는, 20 피크 강도가 60,000을 초과하고 있었다. 따라서, 비교예 1 내지 7에서 얻어진 폴리이미드막은, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생이 억제되어 있지 않았다. 비교예 8 및 9에서는, Tg가 350℃ 미만이었다. 따라서, 비교예 8 및 9에서 얻어진 폴리이미드막은, 내열성이 우수하지 않았다. 비교예 10에서는, YI가 20을 초과하고 있었다. 따라서, 비교예 10에서 얻어진 폴리이미드막은, 착색이 저감되어 있지 않았다.In Comparative Examples 1 to 7, the 20 peak intensity exceeded 60,000. Therefore, in the polyimide films obtained in Comparative Examples 1 to 7, generation of hydrogen fluoride was not suppressed during the high-temperature process. In Comparative Examples 8 and 9, Tg was less than 350°C. Therefore, the polyimide films obtained in Comparative Examples 8 and 9 were not excellent in heat resistance. In Comparative Example 10, YI exceeded 20. Therefore, the coloration of the polyimide film obtained in Comparative Example 10 was not reduced.

이상의 결과로부터, 본 발명에 관계되는 폴리아미드산 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드가, 저착색성, 투명성 및 내열성이 우수한 동시에, 고온 프로세스 중에 있어서 불화수소의 발생을 억제할 수 있음이 나타내졌다.From the above results, it was shown that the polyimide obtained from the polyamic acid composition according to the present invention is excellent in low colorability, transparency and heat resistance, and can suppress the generation of hydrogen fluoride during a high-temperature process.

Claims (14)

하기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 폴리아미드산과, 가소제를 함유하는 폴리아미드산 조성물.
Figure pct00012

(상기 일반식 (1) 중,
R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 1가의 지방족기 또는 1가의 방향족기를 나타내고,
X는, 4가의 유기기를 나타낸다.)
A polyamic acid composition containing a polyamic acid containing a structural unit represented by the following general formula (1), and a plasticizer.
Figure pct00012

(In the above general formula (1),
R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group or a monovalent aromatic group;
X represents a tetravalent organic group.)
제1항에 있어서, 상기 일반식 (1) 중, R1 및 R2는, 모두 수소 원자를 나타내는, 폴리아미드산 조성물.The polyamic acid composition according to claim 1, wherein in the general formula (1), both R 1 and R 2 represent a hydrogen atom. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 일반식 (1) 중, X는, 하기 화학식 (2)로 표시되는 4가의 유기기, 하기 화학식 (3)으로 표시되는 4가의 유기기, 하기 화학식 (4)로 표시되는 4가의 유기기, 및 하기 화학식 (5)로 표시되는 4가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인, 폴리아미드산 조성물.
Figure pct00013
According to claim 1 or 2, in the general formula (1), X is a tetravalent organic group represented by the following formula (2), a tetravalent organic group represented by the following formula (3), the following formula ( A polyamic acid composition comprising at least one member selected from the group consisting of a tetravalent organic group represented by 4) and a tetravalent organic group represented by the following formula (5).
Figure pct00013
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 일반식 (1)로 표시되는 구조 단위의 함유율이, 상기 폴리아미드산의 전체 구조 단위에 대하여 50몰% 이상 100몰% 이하인, 폴리아미드산 조성물.The polyamide according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the structural unit represented by the general formula (1) is 50 mol% or more and 100 mol% or less with respect to all structural units of the polyamic acid. acid composition. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가소제의 양이, 상기 폴리아미드산 100중량부에 대하여 20중량부 이하인, 폴리아미드산 조성물.The polyamic acid composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the amount of the plasticizer is 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가소제는, 인 함유 화합물, 폴리알킬렌글리콜 및 지방족 이염기산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인, 폴리아미드산 조성물.The polyamic acid composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the plasticizer is at least one selected from the group consisting of phosphorus-containing compounds, polyalkylene glycols, and aliphatic dibasic acid esters. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 또한 유기 용매를 함유하는, 폴리아미드산 조성물.The polyamic acid composition according to any one of claims 1 to 6, further containing an organic solvent. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 폴리아미드산 조성물에 포함되는 상기 폴리아미드산의 이미드화물인 폴리이미드.A polyimide which is an imide of the polyamic acid contained in the polyamic acid composition according to any one of claims 1 to 7. 제8항에 있어서, 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인, 폴리이미드.The polyimide according to claim 8, wherein the 1% weight loss temperature is 500°C or higher. 제8항 또는 제9항에 기재된 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드막.A polyimide film comprising the polyimide according to claim 8 or 9. 제10항에 있어서, 황색도가 20 이하인, 폴리이미드막.The polyimide film according to claim 10, having a yellowness of 20 or less. 지지체와, 제10항 또는 제11항에 기재된 폴리이미드막을 갖는 적층체.A laminate comprising a support and the polyimide film according to claim 10 or 11. 지지체와 폴리이미드막을 갖는 적층체의 제조 방법으로서,
제7항에 기재된 폴리아미드산 조성물을 지지체 상에 도포함으로써, 상기 폴리아미드산 및 상기 가소제를 포함하는 도포막을 형성하고, 상기 도포막을 가열하여 상기 폴리아미드산을 이미드화하는, 적층체의 제조 방법.
As a method for producing a laminate having a support and a polyimide film,
A method for producing a laminate comprising applying the polyamic acid composition according to claim 7 onto a support to form a coating film containing the polyamic acid and the plasticizer, and imidizing the polyamic acid by heating the coating film. .
제10항 또는 제11항에 기재된 폴리이미드막과, 상기 폴리이미드막 상에 배치된 전자 소자를 갖는 전자 디바이스.An electronic device comprising the polyimide film according to claim 10 or 11 and an electronic element disposed on the polyimide film.
KR1020237000493A 2020-08-26 2021-08-25 Polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, laminate, method for producing laminate and electronic device KR20230056652A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240015656A (en) * 2021-05-31 2024-02-05 가부시키가이샤 가네카 Polyamic acid composition, polyimide, laminate thereof, flexible device and method for producing laminate
WO2023228986A1 (en) * 2022-05-26 2023-11-30 三菱瓦斯化学株式会社 Laminate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012041530A (en) 2010-07-22 2012-03-01 Ube Industries Ltd Copolyimide precursor and copolyimide
JP2014070139A (en) 2012-09-28 2014-04-21 Asahi Kasei E-Materials Corp Polyimide precursor and resin composition including the same, polyimide film and method for manufacturing the same, and laminate and method for manufacturing the same
JP2016029177A (en) 2015-10-05 2016-03-03 宇部興産株式会社 Polyimide precursor and polyimide

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012041473A (en) * 2010-08-20 2012-03-01 Kaneka Corp Polyimide film and method of manufacturing the film
JP5814749B2 (en) * 2011-11-10 2015-11-17 日東電工株式会社 Polyimide precursor composition and printed circuit board using the same
JP6206071B2 (en) * 2013-10-15 2017-10-04 東レ株式会社 RESIN COMPOSITION, POLYIMIDE RESIN FILM USING THE SAME, COLOR FILTER CONTAINING THE SAME, TFT SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THEM
WO2015080139A1 (en) * 2013-11-27 2015-06-04 宇部興産株式会社 Polyimide precursor composition, method for producing polyimide, polyimide, polyimide film, and substrate
JP2018044180A (en) * 2017-12-26 2018-03-22 Jxtgエネルギー株式会社 Polyimide resin composition and polyimide varnish
WO2019163703A1 (en) * 2018-02-21 2019-08-29 Jxtgエネルギー株式会社 Polyimide precursor resin composition
WO2020262295A1 (en) * 2019-06-24 2020-12-30 株式会社カネカ Transparent polyimide film and production method therefor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012041530A (en) 2010-07-22 2012-03-01 Ube Industries Ltd Copolyimide precursor and copolyimide
JP2014070139A (en) 2012-09-28 2014-04-21 Asahi Kasei E-Materials Corp Polyimide precursor and resin composition including the same, polyimide film and method for manufacturing the same, and laminate and method for manufacturing the same
JP2016029177A (en) 2015-10-05 2016-03-03 宇部興産株式会社 Polyimide precursor and polyimide

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