KR20230018314A - Heat treating device - Google Patents

Heat treating device Download PDF

Info

Publication number
KR20230018314A
KR20230018314A KR1020220073397A KR20220073397A KR20230018314A KR 20230018314 A KR20230018314 A KR 20230018314A KR 1020220073397 A KR1020220073397 A KR 1020220073397A KR 20220073397 A KR20220073397 A KR 20220073397A KR 20230018314 A KR20230018314 A KR 20230018314A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
plate
temperature control
workpiece
unit
Prior art date
Application number
KR1020220073397A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102707185B1 (en
Inventor
아키노리 이소
다카시 다카하시
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Publication of KR20230018314A publication Critical patent/KR20230018314A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102707185B1 publication Critical patent/KR102707185B1/en

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • F27D99/0001Heating elements or systems
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D21/00Arrangements of monitoring devices; Arrangements of safety devices
    • F27D21/0014Devices for monitoring temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • F27D99/0001Heating elements or systems
    • F27D2099/0061Indirect heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)

Abstract

The present invention provides a heating treatment device, which can more minutely control the temperature of the surface of a workpiece to which an object for heat treatment is attached, the temperature of the rear surface of the workpiece, and the uneven temperature distribution in the plane of the workpiece, even if heating is performed from both sides of the workpiece, by a simplified method. The heat treatment device according to an aspect comprises: a chamber; a first heating unit which is provided inside the chamber, and has at least one first heater; a second heating unit which is provided inside the chamber, has at least one second heater, and faces the first heating unit; at least one first cracked plate which is provided between the first heating unit and the second heating unit; at least one second cracked plate which is provided between the first cracked plate and the second heating unit; a first treatment area which is provided between the first cracked plate and the second cracked plate, and on which the workpiece is supported; a first temperature control unit which is provided on the first cracked plate; and a second temperature control unit which is provided on the second cracked plate. The first temperature control unit comprises a first radiation unit which is provided with a gap intervening between the first radiation unit and the first cracked plate. The second temperature control unit comprises a second radiation unit which is provided with a gap intervening between the second radiation unit and the second cracked plate.

Description

가열 처리 장치{HEAT TREATING DEVICE}Heat treatment device {HEAT TREATING DEVICE}

본 발명의 실시형태는 가열 처리 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a heat treatment device.

워크를 가열하여, 워크의 표면에 막 등을 형성하거나, 워크의 표면을 처리하거나 하는 가열 처리 장치가 있다.There is a heat treatment device that heats a work to form a film or the like on the surface of the work or treats the surface of the work.

예컨대, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 기판 위에 도포하고, 이것을 가열함으로써 기판 위에 유기막을 형성하는 가열 처리 장치가 제안되어 있다. 이러한 가열 처리 장치에 있어서는, 예컨대, 챔버의 내부 공간을 대기압보다 감압하고, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서, 용액이 도포된 기판을 100℃∼600℃ 정도의 온도까지 가열하는 경우가 있다. 또한, 워크의 표면측(상측)과, 워크의 이면측(하측)에 히터를 마련하고, 워크의 양면측으로부터 균열판을 통해 가열을 행함으로써, 처리 시간의 단축을 도모하는 일도 행해지고 있다.For example, a heat treatment apparatus has been proposed that forms an organic film on a substrate by applying a solution containing an organic material and a solvent onto a substrate and heating the solution. In such a heat treatment apparatus, for example, the internal space of the chamber is reduced in pressure from atmospheric pressure, and the substrate coated with the solution is heated to a temperature of about 100° C. to 600° C. in an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure. In addition, by providing heaters on the front side (upper side) and the back side (lower side) of the work, and heating from both sides of the work through a soaking plate, shortening the treatment time is also being performed.

여기서, 일반적으로는, 가열 처리의 대상이 되는 용액이나, 층 등은, 워크의 표면에 마련되어 있다. 가열 처리의 대상물의 표면으로부터 화학 반응이 진행되면, 가열 처리의 대상물의 기판과 접하는 영역에서 반응이 충분히 진행되지 않을 우려가 있다. 이 경우, 형성되는 막이나, 처리된 층의 품질이 저하할 우려가 있다. 그 때문에, 형성되는 막이나, 처리된 층의 품질을 향상시키기 위해, 워크의 표면에 마련된 용액이나, 층 등의 표면의 온도를 워크의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열하는 것이 요구되고 있다.Here, in general, a solution or a layer to be subjected to the heat treatment is provided on the surface of the workpiece. When a chemical reaction proceeds from the surface of the object to be heat-treated, there is a risk that the reaction may not sufficiently proceed in a region in contact with the substrate of the object to be heat-treated. In this case, there is a possibility that the quality of the formed film or the processed layer may deteriorate. Therefore, in order to improve the quality of the formed film or the processed layer, it is required to heat the surface of the solution or layer provided on the surface of the workpiece in a state lower than the temperature of the back surface of the workpiece.

또한, 보다 고품질의 막이나, 층이 요구되고 있다. 그 때문에, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포를 보다 균일하게 제어하는 기술이 요구되고 있다.Further, higher quality films and layers are required. Therefore, a technique for more uniformly controlling the temperature distribution within the plane of the workpiece is required.

그래서, 워크의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크의 표면의 온도 및 워크의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어 가능한 가열 처리 장치의 개발이 요구되고 있었다.Therefore, even when heating is performed from both sides of the workpiece, the temperature of the surface of the workpiece to which the object to be subjected to heat treatment is adhered, the temperature of the backside of the workpiece, and the unevenness of the temperature distribution within the surface of the workpiece can be reduced more easily by a simple method. Development of a heat treatment device that can be controlled in detail has been desired.

특허문헌 1: 국제 공개 제2019/117250호Patent Document 1: International Publication No. 2019/117250

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 워크의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크의 표면의 온도 및 워크의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어 가능한 가열 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to determine the temperature of the surface of the workpiece to which the object to be subjected to heat treatment is attached, the temperature of the backside of the workpiece, and the temperature distribution within the surface of the workpiece, even when heating is performed from both sides of the workpiece. It is to provide a heat treatment device capable of more detailed control of non-uniformity by a simple method.

실시형태에 따른 가열 처리 장치는, 챔버와, 상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와, 상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 제1 가열부와 대향하는 제2 가열부와, 상기 제1 가열부와 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제1 균열판과, 상기 제1 균열판과 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제2 균열판과, 상기 제1 균열판과 상기 제2 균열판 사이로서, 워크가 지지되는 제1 처리 영역과, 상기 제1 균열판에 마련된 제1 온도 제어부와, 상기 제2 균열판에 마련된 제2 온도 제어부를 구비하고 있다. 상기 제1 온도 제어부는, 상기 제1 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제1 방사부를 갖고 있다. 상기 제2 온도 제어부는, 상기 제2 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제2 방사부를 갖는다.A heat processing apparatus according to an embodiment includes a chamber, a first heating unit provided inside the chamber and having at least one first heater, provided inside the chamber, and including at least one second heater. , a second heating unit facing the first heating unit, at least one first cracking plate provided between the first heating unit and the second heating unit, and between the first cracking plate and the second heating unit at least one second soaking plate, a first processing region between the first soaking plate and the second soaking plate in which a work is supported, a first temperature controller provided on the first soaking plate, and It is equipped with the 2nd temperature control part provided in the 2 soak board. The first temperature control unit has a first radiation unit provided with the first soaking plate and a gap therebetween. The second temperature control section has a second radiation section provided with the second soaking plate and a gap therebetween.

본 발명의 실시형태에 따르면, 워크의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크의 표면의 온도 및 워크의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어 가능한 가열 처리 장치가 제공된다.According to the embodiment of the present invention, even when heating is performed from both sides of the workpiece, the temperature of the surface of the workpiece to which the object to be subjected to heat treatment is attached and the temperature of the backside of the workpiece, and the temperature distribution within the plane of the workpiece are not uniform. A heat treatment device capable of more detailed control by a simple method is provided.

도 1은 본 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2는 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 3은 온도 제어부의 평면 형상을 예시하기 위한 모식 평면도이다.
도 4는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 평면도이다.
도 5는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 8은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 9는 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 10은 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 11은 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 12는 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 13은 복수의 온도 제어부를 중첩되어 마련하는 경우의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
1 is a schematic perspective view for illustrating a heat treatment apparatus according to the present embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature control unit.
3 is a schematic plan view for illustrating the planar shape of a temperature control unit.
4 is a schematic plan view for illustrating a temperature control unit according to another embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature control unit according to another embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature control unit according to another embodiment.
7 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature control unit according to another embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature control unit according to another embodiment.
Fig. 9 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature control unit in the case where processing regions are provided overlapping each other.
10 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where processing regions are provided overlapping.
11 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where processing regions are provided overlapping.
Fig. 12 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where processing regions are overlapped.
13 is a schematic perspective view for illustrating a form in the case of overlapping and providing a plurality of temperature control units.

이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대해서 예시를 한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, an illustration is given about embodiment, referring drawings. In addition, in each drawing, the same code|symbol is attached|subjected to the same component, and detailed description is abbreviate|omitted suitably.

이하에 있어서는, 일례로서, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 워크를 가열하여, 워크의 표면에 유기막을 형성하는 가열 처리 장치를 설명한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 본 발명은 워크를 가열하여, 워크의 표면에 무기막 등을 형성하거나, 워크의 표면을 처리하거나 하는 가열 처리 장치에도 적용할 수 있다.In the following, as an example, a heat treatment apparatus for forming an organic film on the surface of a workpiece by heating a workpiece in an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure will be described. However, the present invention is not limited thereto. For example, the present invention can be applied to a heat treatment apparatus that heats a work to form an inorganic film or the like on the surface of the work, or treats the surface of the work.

또한, 가열 전의 워크는, 예컨대, 기판과, 기판의 표면에 도포된 용액을 갖는 것이어도 좋고, 기판만이어도 좋다. 이하에 있어서는, 일례로서, 가열 전의 워크가, 기판과, 기판의 표면에 도포된 용액을 갖는 경우를 설명한다.In addition, the workpiece before heating may have, for example, a substrate and a solution applied to the surface of the substrate, or may be only the substrate. In the following, as an example, a case where the workpiece before heating has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate will be described.

또한, 기판의 표면에 도포된 용액 및 기판의 표면에 형성된 층 등을 일반적으로 가열 처리의 대상물이라고 부르는 경우도 있다.Also, in some cases, the solution applied to the surface of the substrate, the layer formed on the surface of the substrate, and the like are generally referred to as objects to be subjected to heat treatment.

도 1은 본 실시형태에 따른 가열 처리 장치(1)를 예시하기 위한 모식 사시도이다.1 is a schematic perspective view for illustrating a heat processing apparatus 1 according to the present embodiment.

또한, 도 1 중 X 방향, Y 방향 및 Z 방향은, 서로 직교하는 3방향을 나타내고 있다. 본 명세서에 있어서의 상하 방향은, Z 방향으로 할 수 있다.In Fig. 1, the X direction, the Y direction, and the Z direction represent three directions orthogonal to each other. The vertical direction in this specification can be referred to as the Z direction.

가열 전의 워크(100)는, 기판과, 기판의 표면에 도포된 용액을 갖는다.The work 100 before heating has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate.

기판은, 예컨대, 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등이다. 단, 기판은, 예시를 한 것에 한정되는 것이 아니다.The substrate is, for example, a glass substrate or a semiconductor wafer. However, the board|substrate is not limited to what was exemplified.

용액은, 예컨대, 유기 재료와 용제를 포함하고 있다. 유기 재료는, 용제에 의해 용해가 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 용액은, 예컨대, 폴리아미드산을 포함하는 바니시 등으로 할 수 있다. 단, 용액은, 예시를 한 것에 한정되는 것이 아니다.The solution contains, for example, an organic material and a solvent. The organic material is not particularly limited as long as it is soluble in a solvent. The solution can be, for example, a varnish containing polyamic acid. However, the solution is not limited to what was exemplified.

도 1에 나타내는 바와 같이, 가열 처리 장치(1)에는, 예컨대, 챔버(10), 배기부(20), 처리부(30), 냉각부(40) 및 컨트롤러(50)가 마련되어 있다.As shown in FIG. 1 , the heat treatment apparatus 1 includes, for example, a chamber 10 , an exhaust unit 20 , a processing unit 30 , a cooling unit 40 , and a controller 50 .

챔버(10)는, 상자형을 나타내고 있다. 챔버(10)는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖고 있다. 챔버(10)의 외관 형상에는 특별히 한정은 없다. 챔버(10)의 외관 형상은, 예컨대, 직방체나 원통으로 할 수 있다. 챔버(10)는, 예컨대, 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수 있다.The chamber 10 has a box shape. The chamber 10 has an airtight structure capable of maintaining an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure. The outer shape of the chamber 10 is not particularly limited. The outer shape of the chamber 10 can be, for example, a rectangular parallelepiped or a cylinder. The chamber 10 may be formed of, for example, metal such as stainless steel.

예컨대, 챔버(10)의 한쪽의 단부에는 플랜지(11)가 마련되어 있다. 플랜지(11)에는, O링 등의 시일재(12)를 마련할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(11)가 마련된 측의 개구는, 개폐 도어(13)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 도시하지 않는 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)(시일재(12))에 압박됨으로써, 챔버(10)의 개구가 기밀이 되도록 폐쇄된다. 도시하지 않는 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)로부터 이격함으로써, 챔버(10)의 개구를 통한 워크(100)의 반입 또는 반출이 가능해진다.For example, a flange 11 is provided at one end of the chamber 10 . The flange 11 can be provided with a sealing material 12 such as an O-ring. The opening of the chamber 10 on the side where the flange 11 is provided can be opened and closed by the opening and closing door 13 . The opening and closing door 13 is pressed against the flange 11 (seal member 12) by a drive device not shown, so that the opening of the chamber 10 is closed so as to be airtight. When the opening/closing door 13 separates from the flange 11 by a drive device not shown, carrying in or carrying out the workpiece 100 through the opening of the chamber 10 becomes possible.

챔버(10)의 다른쪽의 단부에는 플랜지(14)를 마련할 수 있다. 플랜지(14)에는, O링 등의 시일재(12)를 마련할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(14)가 마련된 측의 개구는, 덮개(15)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 예컨대, 덮개(15)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 플랜지(14)에 착탈 가능하게 마련할 수 있다. 메인터넌스 등을 행할 때에는, 덮개(15)를 제거함으로써, 챔버(10)의, 플랜지(14)가 마련된 측의 개구를 노출시킨다.A flange 14 may be provided at the other end of the chamber 10 . The flange 14 can be provided with a sealing material 12 such as an O-ring. The opening of the chamber 10 on the side where the flange 14 is provided can be opened and closed by the cover 15 . For example, the cover 15 can be provided to the flange 14 so that attachment or detachment is possible using fastening members such as screws. When performing maintenance or the like, the opening on the side where the flange 14 is provided in the chamber 10 is exposed by removing the cover 15 .

챔버(10)의 외벽에는 냉각부(16)를 마련할 수 있다. 냉각부(16)에는, 도시하지 않는 냉각수 공급부가 접속되어 있다. 냉각부(16)는, 예컨대, 워터 재킷(Water Jacket)으로 할 수 있다. 냉각부(16)가 마련되어 있으면, 챔버(10)의 외벽 온도가 소정의 온도보다 높아지는 것을 억제할 수 있다.A cooling unit 16 may be provided on an outer wall of the chamber 10 . A cooling water supply unit (not shown) is connected to the cooling unit 16 . The cooling unit 16 can be, for example, a water jacket. When the cooling unit 16 is provided, it is possible to suppress the temperature of the outer wall of the chamber 10 from being higher than a predetermined temperature.

배기부(20)는, 챔버(10)의 내부를 배기한다. 배기부(20)는, 제1 배기부(21)와, 제2 배기부(22)를 갖는다.The exhaust unit 20 exhausts the inside of the chamber 10 . The exhaust unit 20 has a first exhaust unit 21 and a second exhaust unit 22 .

제1 배기부(21)는, 챔버(10)의 저면에 마련된 배기구(17)에 접속되어 있다.The first exhaust unit 21 is connected to an exhaust port 17 provided on the bottom surface of the chamber 10 .

제1 배기부(21)는, 배기 펌프(21a)와, 압력 제어부(21b)를 갖는다.The first exhaust unit 21 includes an exhaust pump 21a and a pressure control unit 21b.

배기 펌프(21a)는, 대기압으로부터 소정의 압력까지 러핑 배기를 행하는 배기 펌프로 할 수 있다. 그 때문에, 배기 펌프(21a)는, 후술하는 배기 펌프(22a)보다 배기량이 많다. 배기 펌프(21a)는, 예컨대, 드라이 진공 펌프 등으로 할 수 있다.The exhaust pump 21a can be an exhaust pump that performs rough exhaust from atmospheric pressure to a predetermined pressure. Therefore, the exhaust pump 21a has a larger exhaust volume than the exhaust pump 22a described later. The exhaust pump 21a can be, for example, a dry vacuum pump or the like.

압력 제어부(21b)는, 배기구(17)와 배기 펌프(21a) 사이에 마련되어 있다. 압력 제어부(21b)는, 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않는 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 소정의 압력이 되도록 제어한다. 압력 제어부(21b)는, 예컨대, APC(Auto Pressure Controller) 등으로 할 수 있다.The pressure controller 21b is provided between the exhaust port 17 and the exhaust pump 21a. The pressure controller 21b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on an output of a vacuum gauge or the like not shown which detects the internal pressure of the chamber 10 . The pressure controller 21b can be, for example, an APC (Auto Pressure Controller) or the like.

제2 배기부(22)는, 챔버(10)의 저면에 마련된 배기구(18)에 접속되어 있다.The second exhaust unit 22 is connected to an exhaust port 18 provided on the bottom surface of the chamber 10 .

제2 배기부(22)는, 배기 펌프(22a)와, 압력 제어부(22b)를 갖는다.The second exhaust unit 22 includes an exhaust pump 22a and a pressure control unit 22b.

배기 펌프(22a)는, 배기 펌프(21a)에 의한 러핑 배기 후, 더욱 낮은 소정의 압력까지 배기를 행한다. 배기 펌프(22a)는, 예컨대, 고진공의 분자류 영역까지 배기 가능한 배기 능력을 갖는다. 예컨대, 배기 펌프(22a)는, 터보 분자 펌프(TMP: Turbo Molecular Pump) 등으로 할 수 있다.The exhaust pump 22a performs exhaust to a predetermined lower pressure after rough exhaust by the exhaust pump 21a. The exhaust pump 22a has an exhaust capability capable of exhausting to, for example, a high vacuum molecular flow region. For example, the exhaust pump 22a can be a turbo molecular pump (TMP) or the like.

압력 제어부(22b)는, 배기구(18)와 배기 펌프(22a) 사이에 마련되어 있다. 압력 제어부(22b)는, 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않는 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 소정의 압력이 되도록 제어한다. 압력 제어부(22b)는, 예컨대, APC 등으로 할 수 있다.The pressure controller 22b is provided between the exhaust port 18 and the exhaust pump 22a. The pressure controller 22b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on an output of a vacuum gauge or the like not shown which detects the internal pressure of the chamber 10 . The pressure controller 22b can be, for example, an APC or the like.

배기구(17) 및 배기구(18)는, 챔버(10)의 저면에 배치되어 있다. 그 때문에, 챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간에, 챔버(10)의 저면을 향하는 다운 플로우의 기류가 형성된다. 상기 공간에 다운 플로우의 기류가 형성되면, 워크(100)를 가열하였을 때에 생긴, 유기 재료를 포함하는 승화물이, 처리부(30)의 내부로부터 상기 공간에 흘러, 상기 공간의 다운 플로우의 기류를 타고 챔버(10)의 외부로 배출된다. 그 때문에, 워크(100)에 승화물 등의 이물이 부착되는 것을 억제할 수 있다.The exhaust port 17 and the exhaust port 18 are arranged on the bottom surface of the chamber 10 . Therefore, a downflow airflow toward the bottom surface of the chamber 10 is formed in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing unit 30 . When a downflow airflow is formed in the space, the sublimated material containing an organic material generated when the workpiece 100 is heated flows into the space from the inside of the processing unit 30, thereby reducing the downflow airflow in the space. Riding is discharged to the outside of the chamber (10). Therefore, adhesion of foreign matter such as sublimated material to the work 100 can be suppressed.

또한, 이상에 있어서는, 배기구(17) 및 배기구(18)가 챔버(10)의 저면에 마련되는 경우를 예시하였지만, 배기구(17) 및 배기구(18)는, 예컨대, 챔버(10)의 천장면이나 측면에 마련할 수도 있다. 배기구(17) 및 배기구(18)가 챔버(10)의 저면, 또는 천장면에 마련되어 있으면, 챔버(10)의 내부에, 챔버(10)의 저면, 또는 천장면을 향하는 기류를 형성할 수 있다.Further, in the above, the case where the exhaust vent 17 and the exhaust vent 18 are provided on the bottom surface of the chamber 10 has been exemplified, but the exhaust vent 17 and the exhaust vent 18 are, for example, the ceiling surface of the chamber 10. or can be placed on the side. If the exhaust port 17 and the exhaust port 18 are provided on the bottom or ceiling surface of the chamber 10, an airflow directed toward the bottom or ceiling surface of the chamber 10 can be formed inside the chamber 10. .

처리부(30)는, 예컨대, 프레임(31), 가열부(32)(제1 가열부 또는 제2 가열부의 일례에 상당함), 지지부(33), 균열부(34), 균열판 지지부(35), 커버(36) 및 온도 제어부(37)(제1 온도 제어부 또는 제2 온도 제어부의 일례에 상당함)를 갖는다.The processing unit 30 includes, for example, the frame 31, the heating unit 32 (corresponding to an example of the first heating unit or the second heating unit), the support unit 33, the split unit 34, and the split plate support unit 35. ), a cover 36 and a temperature controller 37 (corresponding to an example of the first temperature controller or the second temperature controller).

처리부(30)의 내부에는, 처리 영역(30a)(제1 처리 영역의 일례에 상당함) 및 처리 영역(30b)(제2 처리 영역의 일례에 상당함)이 마련되어 있다. 처리 영역(30a, 30b)은, 워크(100)에 처리를 실시하는 공간이 된다. 워크(100)는, 처리 영역(30a, 30b)의 내부에 지지된다. 처리 영역(30b)은, 처리 영역(30a) 위에 중첩되어 마련되어 있다. 또한, 2개의 처리 영역이 마련되는 경우를 예시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 1개의 처리 영역만을 마련하거나, 3개 이상의 처리 영역을 마련하거나 할 수도 있다. 본 실시형태에 있어서는, 일례로서, 2개의 처리 영역이 마련되는 경우를 예시하지만, 1개의 처리 영역 및 3개 이상의 처리 영역이 마련되는 경우도 동일하게 생각할 수 있다.Inside the processing unit 30, a processing area 30a (corresponding to an example of the first processing area) and a processing area 30b (corresponding to an example of the second processing area) are provided. The processing areas 30a and 30b become spaces in which the workpiece 100 is processed. The work 100 is supported inside the processing regions 30a and 30b. The processing region 30b is provided so as to overlap the processing region 30a. In addition, although a case in which two processing regions are provided has been exemplified, it is not limited thereto. Only one processing area may be provided, or three or more processing areas may be provided. In this embodiment, as an example, the case where two processing areas are provided is illustrated, but the case where one processing area and three or more processing areas are provided is also conceivable.

처리 영역(30a, 30b)은, 가열부(32)와 가열부(32) 사이에 마련되어 있다. 처리 영역(30a, 30b)은, 균열부(34)에 의해 둘러싸여 있다.The processing regions 30a and 30b are provided between the heating unit 32 and the heating unit 32 . The processing regions 30a and 30b are surrounded by cracks 34 .

후술하는 바와 같이, 균열부(34)는, 복수의 균열판에 의해 구성되어 있다. 그 때문에, 균열부(34)는, 밀폐 구조가 아니다. 따라서, 챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간의 압력이 감압되면, 처리 영역(30a, 30b)의 내부의 공간도 감압된다.As will be described later, the crack portion 34 is constituted by a plurality of crack plates. Therefore, the crack portion 34 is not a closed structure. Therefore, when the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing unit 30 is reduced, the space inside the processing regions 30a and 30b is also reduced.

챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간의 압력이 감압되어 있으면, 처리 영역(30a, 30b)으로부터 외부로 방출되는 열을 억제할 수 있다. 즉, 가열 효율과 축열 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 후술하는 히터(32a)(제1 히터 또는 제2 히터의 일례에 상당함)에 인가하는 전력을 저감할 수 있다. 히터(32a)에 인가하는 전력을 저감할 수 있으면, 히터(32a)의 온도가 소정의 온도 이상이 되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 히터(32a)의 수명을 길게 할 수 있다.When the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing unit 30 is reduced, heat emitted from the processing regions 30a and 30b to the outside can be suppressed. That is, heating efficiency and heat storage efficiency can be improved. Therefore, the electric power applied to the heater 32a (corresponding to an example of a 1st heater or a 2nd heater) mentioned later can be reduced. If the electric power applied to the heater 32a can be reduced, since the temperature of the heater 32a can be suppressed from becoming more than a predetermined temperature, the lifetime of the heater 32a can be lengthened.

프레임(31)은, 예컨대, 가늘고 긴 판재나 형강 등을 이용한 골조 구조를 갖고 있다. 프레임(31)의 외관 형상은, 챔버(10)의 외관 형상과 동일하게 할 수 있다. 프레임(31)의 외관 형상은, 예컨대, 직방체로 할 수 있다. 본 실시형태에서는, 프레임(31)은, 챔버(10)의 바닥면과 4개소에서 접촉하고 있다. 프레임(31)의, 챔버(10)와의 접촉 개소에는, 단열 부재가 마련된다. 프레임(31)과 챔버(10)의 접촉 면적을 줄이고, 접촉하는 부분에 단열 부재를 이용함으로써, 프레임(31)의 축열 효율을 높일 수 있다.The frame 31 has a frame structure using, for example, a long and thin plate material, a section steel, or the like. The outer shape of the frame 31 can be the same as that of the chamber 10 . The outer shape of the frame 31 can be, for example, a rectangular parallelepiped. In this embodiment, the frame 31 is in contact with the bottom surface of the chamber 10 at four locations. A heat insulating member is provided at a contact location of the frame 31 with the chamber 10 . The heat storage efficiency of the frame 31 may be increased by reducing the contact area between the frame 31 and the chamber 10 and using a heat insulating member in the contact portion.

가열부(32)는, 복수 마련되어 있다. 가열부(32)는, 처리 영역(30a, 30b)의 하부 및 처리 영역(30a, 30b)의 상부에 마련할 수 있다. 처리 영역(30a, 30b)의 하부에 마련된 가열부(32)는, 하부 가열부가 된다. 처리 영역(30a, 30b)의 상부에 마련된 가열부(32)는, 상부 가열부가 된다. 하부 가열부는, 상부 가열부와 대향하고 있다. 또한, 복수의 처리 영역이 상하 방향으로 중첩되어 마련되는 경우에는, 하측의 처리 영역에 마련된 상부 가열부는, 상측의 처리 영역에 마련된 하부 가열부와 겸용할 수 있다. 예컨대, 처리 영역(30a)와 처리 영역(30b) 사이에 마련된 가열부(32)가, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에서 겸용되고 있다.A plurality of heating units 32 are provided. The heating unit 32 may be provided below the processing regions 30a and 30b and above the processing regions 30a and 30b. The heating unit 32 provided below the processing regions 30a and 30b serves as a lower heating unit. The heating part 32 provided in the upper part of processing area|region 30a, 30b becomes an upper heating part. The lower heating part faces the upper heating part. In addition, when a plurality of processing regions are overlapped in the vertical direction, the upper heating unit provided in the lower processing region can serve as the lower heating unit provided in the upper processing region. For example, the heating unit 32 provided between the processing region 30a and the processing region 30b is used in both the processing region 30a and the processing region 30b.

가열부(32)는, 챔버(10)의 내부에 마련되어, 워크(100)를 가열한다.The heating unit 32 is provided inside the chamber 10 and heats the work 100 .

예컨대, 처리 영역(30a)에 지지된 워크(100)의 이면(하면)은, 처리 영역(30a)의 하부에 마련된 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리 영역(30a)에 지지된 워크(100)의 표면(상면)은, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다.For example, the lower surface (lower surface) of the workpiece 100 supported by the treatment region 30a is heated by the heating unit 32 provided under the treatment region 30a. The surface (upper surface) of the workpiece 100 supported by the processing region 30a is heated by the heating unit 32 that serves both the treatment region 30a and the treatment region 30b.

처리 영역(30b)에 지지된 워크(100)의 이면은, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리 영역(30b)에 지지된 워크(100)의 표면은, 처리 영역(30b)의 상부에 마련된 가열부(32)에 의해 가열된다.The back surface of the workpiece 100 supported by the processing region 30b is heated by the heating unit 32 that is used both by the processing region 30a and the processing region 30b. The surface of the workpiece 100 supported by the processing region 30b is heated by the heating unit 32 provided above the processing region 30b.

이와 같이 하면, 가열부(32)의 수를 줄일 수 있기 때문에 소비 전력의 저감, 제조 비용의 저감, 공간 절약화 등을 도모할 수 있다.In this way, since the number of heating units 32 can be reduced, power consumption reduction, manufacturing cost reduction, space saving, and the like can be achieved.

복수의 가열부(32)의 각각은, 적어도 하나의 히터(32a)와, 한쌍의 홀더(32b)를 갖는다. 또한, 이하에 있어서는, 복수의 히터(32a)가 마련되는 경우를 설명한다.Each of the plurality of heaters 32 has at least one heater 32a and a pair of holders 32b. In addition, below, the case where the some heater 32a is provided is demonstrated.

히터(32a)는, 막대형을 나타내며, 한쌍의 홀더(32b) 사이를 Y 방향으로 연장되어 있다. 복수의 히터(32a)는, X 방향으로 배열하여 마련할 수 있다. 복수의 히터(32a)는, 등간격으로 마련할 수 있다. 히터(32a)는, 예컨대, 시즈 히터, 원적외선 히터, 원적외선 램프, 세라믹 히터, 카트리지 히터 등이다. 또한, 각종 히터를 석영 커버로 덮을 수도 있다.The heater 32a has a bar shape and extends in the Y direction between the pair of holders 32b. A plurality of heaters 32a can be provided by arranging them in the X direction. A plurality of heaters 32a can be provided at regular intervals. The heater 32a is, for example, a sheath heater, a far infrared heater, a far infrared lamp, a ceramic heater, a cartridge heater, or the like. In addition, various heaters may be covered with quartz covers.

또한, 본 명세서에 있어서는, 석영 커버로 덮인 각종 히터도 포함시켜 「막대형의 히터」라고 칭한다. 또한, 「막대형」의 외관 형상에는 한정이 없고, 예컨대, 원기둥형이나 각기둥형 등으로 할 수 있다.In addition, in this specification, various heaters covered with quartz covers are also referred to as "rod-shaped heaters". In addition, there is no limitation on the external shape of the "rod shape", and it can be made into a cylinder shape, a prismatic shape, etc., for example.

또한, 히터(32a)는, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 워크(100)를 가열할 수 있으면, 전술한 것에 한정되지 않는다. 즉, 히터(32a)는, 방사에 의한 열 에너지를 이용하는 것이면 좋다.In addition, the heater 32a is not limited to the above as long as it can heat the workpiece 100 in an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure. That is, the heater 32a may be one that uses thermal energy by radiation.

상부 가열부 및 하부 가열부에 있어서의 복수의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은, 가열하는 용액의 조성(용액의 가열 온도), 워크(100)의 크기 등에 따라 적절하게 변경할 수 있다. 복수의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은, 시뮬레이션이나 실험 등을 행함으로써 적절하게 결정할 수 있다.The specifications, number, spacing, etc. of the plurality of heaters 32a in the upper heating section and the lower heating section can be appropriately changed depending on the composition of the solution to be heated (heating temperature of the solution), the size of the workpiece 100, and the like. . The specification, number, spacing, etc. of the plurality of heaters 32a can be appropriately determined by conducting simulations, experiments, and the like.

워크(100)는, 처리 영역(30a, 30b)에 있어서, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 통해 양면측으로부터 가열된다. 여기서, 용액을 가열할 때에 생긴 승화물을 포함하는 증기는, 가열 대상인 워크(100)의 온도보다 낮은 온도의 물건에 부착되기 쉽다. 이 경우, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)은 가열되어 있기 때문에, 승화물이 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 부착되는 것이 억제된다. 또한, 승화물은, 전술한 다운 플로우의 기류를 타고 챔버(10)의 밖으로 배출된다. 그 때문에, 승화물이 워크(100)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.The workpiece 100 is heated from both sides through the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b in the treatment regions 30a and 30b. Here, the vapor containing the sublimated material generated when the solution is heated tends to adhere to an object at a temperature lower than the temperature of the workpiece 100 to be heated. In this case, since the upper cracked plate 34a and the lower cracked plate 34b are heated, adhesion of the sublimated material to the upper cracked plate 34a and the lower cracked plate 34b is suppressed. In addition, the sublimated material is discharged out of the chamber 10 on the air current of the above-mentioned down flow. Therefore, adhesion of the sublimated material to the work 100 can be suppressed.

한쌍의 홀더(32b)는, X 방향으로 연장되어 있다. 한쌍의 홀더(32b)는, Y 방향에 있어서, 서로 대향하고 있다. 한쪽의 홀더(32b)는, 프레임(31)의, 개폐 도어(13)측의 단부면에 고정되어 있다. 다른쪽의 홀더(32b)는, 프레임(31)의, 개폐 도어(13)측과는 반대측의 단부면에 고정되어 있다. 한쌍의 홀더(32b)는, 예컨대, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 프레임(31)에 고정된다. 한쌍의 홀더(32b)는, 히터(32a)의 단부 근방의 비발열부를 유지한다. 한쌍의 홀더(32b)는, 예컨대, 가늘고 긴 금속의 판재나 형강 등으로 형성된다. 한쌍의 홀더(32b)의 재료는, 예컨대, 스테인레스 등으로 할 수 있다.A pair of holders 32b extend in the X direction. The pair of holders 32b face each other in the Y direction. One holder 32b is fixed to an end face of the frame 31 on the side of the opening and closing door 13 . The other holder 32b is fixed to the end face of the frame 31 on the side opposite to the opening/closing door 13 side. The pair of holders 32b are fixed to the frame 31 using fastening members such as screws, for example. The pair of holders 32b hold the non-heating portion near the end of the heater 32a. The pair of holders 32b are made of, for example, an elongated metal plate or shaped steel. The material of the pair of holders 32b can be, for example, stainless steel.

복수의 지지부(33)는, 챔버(10)의 내부에 마련되며, 워크(100)를 지지한다. 예컨대, 복수의 지지부(33)는, 상부 가열부와 하부 가열부 사이에 워크(100)를 지지한다. 복수의 지지부(33)는, 처리 영역(30a)의 하부 및 처리 영역(30b)의 하부에 마련되어 있다. 복수의 지지부(33)는, 막대형체로 할 수 있다.A plurality of support parts 33 are provided inside the chamber 10 and support the work 100 . For example, the plurality of support parts 33 support the work 100 between the upper heating part and the lower heating part. The plurality of support parts 33 are provided below the processing region 30a and below the processing region 30b. The plurality of support portions 33 can be rod-shaped.

복수의 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상은, 반구형 등으로 할 수 있다. 복수의 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상이 반구형이면, 워크(100)의 하면에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 워크(100)의 하면과 복수의 지지부(33)의 접촉 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 워크(100)로부터 복수의 지지부(33)에 전해지는 열을 적게 할 수 있다.The shape of one end of the plurality of support portions 33 can be hemispherical or the like. When the shape of one end of the plurality of support portions 33 is hemispherical, it is possible to suppress damage to the lower surface of the work 100. In addition, since the contact area between the lower surface of the work 100 and the plurality of support portions 33 can be reduced, heat transmitted from the work 100 to the plurality of support portions 33 can be reduced.

복수의 지지부(33)의 다른쪽의 단부(하측의 단부)는, 예컨대, 한쌍의 프레임(31) 사이에 가설된 복수의 막대형 부재 또는 판형 부재 등에 고정할 수 있다.The other end (lower end) of the plurality of support portions 33 can be fixed to a plurality of rod-like members or plate-like members constructed between the pair of frames 31, for example.

복수의 지지부(33)의 수, 배치, 간격 등은, 워크(100)의 크기나 강성(휘어짐) 등에 따라 적절하게 변경할 수 있다.The number, arrangement, spacing, and the like of the plurality of support parts 33 can be appropriately changed depending on the size, stiffness (bending), and the like of the work 100 .

균열부(34)는, 복수의 상부 균열판(34a)(제1 균열판의 일례에 상당함), 복수의 하부 균열판(34b)(제2 균열판의 일례에 상당함), 복수의 측부 균열판(34c) 및 복수의 측부 균열판(34d)을 갖는다. 복수의 상부 균열판(34a), 복수의 하부 균열판(34b), 복수의 측부 균열판(34c) 및 복수의 측부 균열판(34d)은, 판형을 나타내고 있다.The split portion 34 includes a plurality of upper cracked plates 34a (corresponding to an example of the first cracked plate), a plurality of lower cracked plates 34b (corresponding to an example of the second cracked plate), and a plurality of side portions. It has a crack plate 34c and a plurality of side crack plates 34d. The plurality of upper cracked plates 34a, the plurality of lower cracked plates 34b, the plurality of side cracked plates 34c, and the plurality of side cracked plates 34d are plate-shaped.

복수의 상부 균열판(34a)은, 상부 가열부에 있어서 하부 가열부측(워크(100)측)에 마련되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)은, 복수의 히터(32a)와 이격하여 마련되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)은, X 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)끼리의 사이에는 간극이 마련되어 있다. 간극이 마련되어 있으면, 열 팽창에 의해 상부 균열판(34a)의 치수가 증가한 만큼을 흡수할 수 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a)끼리가 간섭하여 변형이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 이 간극을 통해, 처리 영역(30a, 30b)의 분위기의 압력을 감압할 수 있다.A plurality of upper crack plates 34a are provided on the lower heating unit side (work 100 side) in the upper heating unit. The plurality of upper crack plates 34a are provided apart from the plurality of heaters 32a. A plurality of upper split plates 34a are arranged in the X direction and provided. A gap is provided between the plurality of upper cracked plates 34a. If the gap is provided, the increase in the size of the upper cracked plate 34a due to thermal expansion can be absorbed. Therefore, it is possible to suppress deformation caused by interference between the upper cracked plates 34a. Also, as described above, the pressure of the atmosphere in the processing regions 30a and 30b can be reduced through this gap.

복수의 하부 균열판(34b)은, 하부 가열부에 있어서 상부 가열부측(워크(100)측)에 마련되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)은, 복수의 히터(32a)와 이격하여 마련되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)은, X 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)끼리의 사이에는 간극이 마련되어 있다. 간극이 마련되어 있으면, 열 팽창에 의해 하부 균열판(34b)의 치수가 증가한 만큼을 흡수할 수 있다. 그 때문에, 하부 균열판(34b)끼리가 간섭하여 변형이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 이 간극을 통해, 처리 영역(30a, 30b)의 분위기의 압력을 감압할 수 있다.A plurality of lower crack plates 34b are provided on the upper heating unit side (work 100 side) in the lower heating unit. The plurality of lower crack plates 34b are provided apart from the plurality of heaters 32a. A plurality of lower split plates 34b are arranged in the X direction and provided. A gap is provided between the plurality of lower crack plates 34b. If the gap is provided, the increase in the size of the lower cracked plate 34b due to thermal expansion can be absorbed. Therefore, it is possible to suppress deformation caused by interference between the lower cracked plates 34b. Also, as described above, the pressure of the atmosphere in the processing regions 30a and 30b can be reduced through this gap.

측부 균열판(34c)은, X 방향에 있어서, 처리 영역(30a, 30b)의 양측의 측부의 각각에 마련되어 있다. 측부 균열판(34c)은, 커버(36)의 내측에 마련할 수 있다. 또한, 적어도 하나의 히터(32a)를, 측부 균열판(34c)과 커버(36) 사이에 마련할 수도 있다.The side crack plates 34c are provided on each side of both sides of the treatment regions 30a and 30b in the X direction. The side crack plate 34c can be provided inside the cover 36. In addition, at least one heater 32a may be provided between the side crack plate 34c and the cover 36.

측부 균열판(34d)은, Y 방향에 있어서, 처리 영역(30a, 30b)의 양측의 측부의 각각에 마련되어 있다.34 d of side crack plates are provided in each of the side part of the both sides of process area|region 30a, 30b in the Y direction.

전술한 바와 같이, 복수의 히터(32a)는, 막대형을 나타내며, 소정의 간격을 두고 배열되어 마련되어 있다. 히터(32a)가 막대형인 경우, 히터(32a)의 중심축으로부터 방사형으로 열이 방사된다. 이 경우, 히터(32a)의 중심축과 가열되는 부분 사이의 거리가 짧아질수록 가열되는 부분의 온도가 높아진다. 그 때문에, 복수의 히터(32a)에 대하여 대향하도록 워크(100)가 유지된 경우에는, 히터(32a)의 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)의 영역은, 복수의 히터(32a)끼리의 사이의 공간의 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)의 영역보다 온도가 높아진다. 즉, 막대형을 나타내는 복수의 히터(32a)를 이용하여 워크(100)를 직접 가열하면, 가열된 워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생긴다.As described above, the plurality of heaters 32a are rod-shaped and arranged at predetermined intervals. When the heater 32a is rod-shaped, heat is radiated radially from the central axis of the heater 32a. In this case, the shorter the distance between the central axis of the heater 32a and the heated portion, the higher the temperature of the heated portion. Therefore, when the workpiece 100 is held so as to face the plurality of heaters 32a, the area of the workpiece 100 located directly above or directly below the heater 32a is the plurality of heaters 32a. The temperature is higher than the region of the workpiece 100 located right above or just below the space between them. That is, when the workpiece 100 is directly heated using a plurality of bar-shaped heaters 32a, unevenness in temperature distribution occurs within the surface of the heated workpiece 100.

워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생기면, 형성된 유기막의 품질이 저하할 우려가 있다. 예컨대, 온도가 높아진 부분에 있어서, 거품이 발생하거나, 유기막의 조성이 변화하거나 할 우려가 있다.When unevenness in temperature distribution occurs within the plane of the work 100, the quality of the formed organic film may deteriorate. For example, there is a possibility that bubbles may be generated or the composition of the organic film may change in a portion where the temperature is increased.

복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이 마련되어 있으면, 복수의 히터(32a)로부터 방사된 열은, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)에 입사한다. 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)에 입사한 열은, 이들의 내부를 면방향으로 전파하면서 워크(100)를 향하여 방사된다. 그 때문에, 워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있고, 나아가서는 형성되는 유기막의 품질을 향상시킬 수 있다.When a plurality of upper cracked plates 34a and a plurality of lower cracked plates 34b are provided, the heat radiated from the plurality of heaters 32a is transferred to the plurality of upper cracked plates 34a and the plurality of lower cracked plates 34b. join in The heat incident on the plurality of upper cracked plates 34a and the plurality of lower cracked plates 34b is radiated toward the work 100 while propagating the insides of these in the plane direction. Therefore, it is possible to suppress unevenness of the temperature distribution within the surface of the work 100, and furthermore, the quality of the formed organic film can be improved.

복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 재료는, 열전도율이 높은 재료로 하는 것이 바람직하다. 이들 재료는, 예컨대, 알루미늄, 구리, 스테인레스 등으로 할 수 있다. 또한, 알루미늄이나 구리 등의 산화되기 쉬운 재료를 이용하는 경우에는, 산화되기 어려운 재료를 포함하는 층을 표면에 마련할 수 있다.The material of the plurality of upper cracked plates 34a and the plurality of lower cracked plates 34b is preferably a material having high thermal conductivity. These materials can be, for example, aluminum, copper, or stainless steel. In addition, when using a material that is easily oxidized, such as aluminum or copper, a layer containing a material that is difficult to be oxidized can be provided on the surface.

또한, 하부 균열판(34b)의 열전도율은, 상부 균열판(34a)의 열전도율보다 높게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 하부 균열판(34b)으로부터 방사되는 열에 비해서, 상부 균열판(34a)으로부터 방사되는 열이 적어지기 때문에, 워크(100)의 표면에 마련되는 용액이나, 층 등의 표면의 온도를 워크(100)의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열할 수 있다.Further, the thermal conductivity of the lower cracked plate 34b can be higher than that of the upper cracked plate 34a. In this way, since the heat radiated from the upper cracked plate 34a is smaller than the heat radiated from the lower cracked plate 34b, the temperature of the surface of the solution, layer, etc. provided on the surface of the work 100 It can be heated in a state lower than the temperature of the back surface of the workpiece 100.

복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)으로부터 방사된 열의 일부는, 처리 영역의 측방을 향한다. 그 때문에, 처리 영역의 측부에는, 전술한 측부 균열판(34c, 34d)이 마련되어 있다. 측부 균열판(34c, 34d)에 입사한 열은, 측부 균열판(34c, 34d)을 면방향으로 전파하면서, 그 일부가 워크(100)를 향하여 방사된다. 그 때문에, 워크(100)의 가열 효율을 향상시킬 수 있다.Some of the heat radiated from the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b is directed to the side of the treatment area. Therefore, the above-mentioned side crack plates 34c and 34d are provided on the sides of the treatment area. The heat incident on the side crack plates 34c and 34d is partially radiated toward the work 100 while propagating through the side crack plates 34c and 34d in the plane direction. Therefore, the heating efficiency of the work 100 can be improved.

측부 균열판(34c, 34d)의 재료는, 전술한 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 재료와 동일하다고 할 수 있다.It can be said that the material of the side cracked plates 34c and 34d is the same as that of the above-mentioned upper cracked plate 34a and lower cracked plate 34b.

또한, 이상에 있어서는, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이, 마련되는 경우를 예시하였지만, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b) 중 적어도 한쪽은, 단일의 판형 부재로 할 수도 있다.In addition, in the above, the case where a plurality of upper cracked plates 34a and a plurality of lower cracked plates 34b are provided has been exemplified, but at least one of the upper cracked plates 34a and lower cracked plates 34b is It can also be set as a single plate-like member.

복수의 균열판 지지부(35)는, X 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 균열판 지지부(35)는, X 방향에 있어서, 상부 균열판(34a)끼리의 사이의 바로 아래에 마련된다. 복수의 균열판 지지부(35)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 한쌍의 홀더(32b)에 고정된다. 한쌍의 균열판 지지부(35)는, 상부 균열판(34a)의 양단을 착탈 가능하게 지지한다. 또한, 복수의 하부 균열판(34b)을 지지하는 복수의 균열판 지지부(35)도 동일한 구성을 가질 수 있다.A plurality of cracked plate support portions 35 are arranged in the X direction. The cracked plate support portion 35 is provided directly below the gap between the upper cracked plates 34a in the X direction. The plurality of crack plate support portions 35 are fixed to the pair of holders 32b using fastening members such as screws. The pair of crack plate support portions 35 detachably support both ends of the upper crack plate 34a. In addition, the plurality of crack plate support portions 35 supporting the plurality of lower crack plates 34b may also have the same configuration.

한쌍의 균열판 지지부(35)에 의해, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 지지되어 있으면, 열팽창에 의한 치수차를 흡수할 수 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형되는 것을 억제할 수 있다.When the upper cracked plate 34a and the lower cracked plate 34b are supported by the pair of cracked plate support portions 35, the difference in dimensions due to thermal expansion can be absorbed. Therefore, deformation of the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b can be suppressed.

커버(36)는, 판형을 나타내며, 프레임(31)의 상면, 저면 및 측면을 덮고 있다. 즉, 커버(36)에 의해 프레임(31)의 내부가 덮여 있다. 단, 개폐 도어(13)측의 커버(36)는, 예컨대, 개폐 도어(13)에 마련할 수 있다. 커버(36)는 처리 영역(30a, 30b)을 둘러싸고 있지만, 프레임(31)의 상면과 측면의 경계선, 프레임(31)의 측면과 저면의 경계선, 개폐 도어(13)의 부근에는, 간극이 마련되어 있다.The cover 36 has a plate shape and covers the top, bottom and side surfaces of the frame 31 . That is, the inside of the frame 31 is covered by the cover 36 . However, the cover 36 on the side of the opening and closing door 13 can be provided in the opening and closing door 13, for example. The cover 36 surrounds the treatment areas 30a and 30b, but gaps are provided at the boundary between the top and side surfaces of the frame 31, the boundary between the side and bottom surfaces of the frame 31, and in the vicinity of the opening/closing door 13. there is.

또한, 프레임(31)의 상면 및 저면에 마련되는 커버(36)는 복수로 분할되어 있다. 또한, 분할된 커버(36)끼리의 사이에는 간극이 마련되어 있다. 즉, 처리부(30)(처리 영역(30a), 처리 영역(30b))의 내부 공간은, 이들 간극을 통해, 챔버(10)의 내부 공간에 연통하고 있다. 그 때문에, 처리 영역(30a, 30b)의 압력이, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간의 압력과 동일해지게 할 수 있다. 커버(36)는, 예컨대, 스테인레스 등으로 형성된다.In addition, the cover 36 provided on the upper and lower surfaces of the frame 31 is divided into a plurality. Further, a gap is provided between the divided covers 36 comrades. That is, the internal space of the processing unit 30 (processing region 30a, processing region 30b) communicates with the internal space of the chamber 10 through these gaps. Therefore, the pressure in the processing regions 30a and 30b can be equal to the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36 . The cover 36 is made of, for example, stainless steel.

온도 제어부(37)는, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 마련되어 있다. 온도 제어부(37)는, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)으로부터 방사되는 열을 제어함으로써, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크(100)의 표면의 온도 및 워크(100)의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 제어한다.The temperature controller 37 is provided on the upper cracked plate 34a and the lower cracked plate 34b. The temperature controller 37 controls the heat radiated from the upper soaking plate 34a and the lower soaking plate 34b, thereby controlling the temperature of the surface of the workpiece 100 to which the object to be subjected to heat treatment is adhered and the temperature of the workpiece 100. The temperature of the back surface and the unevenness of the temperature distribution within the plane of the workpiece are controlled.

또한, 워크(100)의 표면에는, 기판의 표면, 기판의 표면에 도포된 용액의 표면 및 기판의 표면에 형성된 층 등의 표면이 포함된다.In addition, the surface of the work 100 includes surfaces such as the surface of the substrate, the surface of the solution applied to the surface of the substrate, and the layer formed on the surface of the substrate.

또한, 온도 제어부(37)에 관한 상세는 후술한다.In addition, the detail regarding the temperature control part 37 is mentioned later.

냉각부(40)는, 복수의 히터(32a)가 마련된 공간에 냉각 가스를 공급한다. 냉각부(40)는, 처리 영역(30a, 30b)에도 냉각 가스를 공급하도록 하여도 좋다. 냉각부(40)는, 냉각 가스에 의해, 처리 영역(30a, 30b)을 둘러싸는 균열부(34)를 냉각한다. 균열부(34)가 냉각됨으로써, 고온 상태에 있는 워크(100)가 간접적으로 냉각된다. 또한, 균열부(34)가 냉각됨으로써, 균열부(34)의 열이 워크(100)에 전해지는 것을 억제할 수 있다. 냉각 가스가, 처리 영역(30a, 30b)에 공급되는 경우에는, 고온 상태에 있는 워크(100)가 직접 냉각된다.The cooling unit 40 supplies a cooling gas to a space in which a plurality of heaters 32a are provided. The cooling unit 40 may also supply a cooling gas to the processing regions 30a and 30b. The cooling unit 40 cools the cracks 34 surrounding the processing regions 30a and 30b with a cooling gas. By cooling the crack portion 34, the workpiece 100 in a high temperature state is indirectly cooled. In addition, by cooling the cracked portion 34, heat from the cracked portion 34 can be suppressed from being transmitted to the work 100. When the cooling gas is supplied to the processing regions 30a and 30b, the workpiece 100 in a high temperature state is directly cooled.

또한, 냉각부(40)는 반드시 필요한 것은 아니며, 생략할 수도 있다. 단, 냉각부(40)가 마련되어 있으면, 워크(100)의 냉각 시간을 단축할 수 있다.In addition, the cooling unit 40 is not necessarily required and may be omitted. However, if the cooling part 40 is provided, the cooling time of the workpiece 100 can be shortened.

냉각부(40)는, 노즐(41), 가스원(42) 및 가스 제어부(43)를 갖는다.The cooling unit 40 has a nozzle 41 , a gas source 42 and a gas control unit 43 .

노즐(41)은, 복수의 히터(32a)가 마련된 공간에 접속된다. 또한, 냉각 가스를 처리 영역(30a, 30b)에 공급하는 경우에는, 노즐(41)이 처리 영역(30a, 30b)에 접속된다. 또한, 노즐(41)의 수나 배치는 적절하게 변경할 수 있다.The nozzle 41 is connected to a space in which a plurality of heaters 32a are provided. In the case of supplying the cooling gas to the processing regions 30a and 30b, the nozzle 41 is connected to the processing regions 30a and 30b. In addition, the number and arrangement of nozzles 41 can be changed appropriately.

가스원(42)은, 노즐(41)에 냉각 가스를 공급한다. 가스원(42)은, 예컨대, 고압 가스 봄베, 공장 배관 등으로 할 수 있다. 또한, 가스원(42)은, 복수 마련할 수도 있다.The gas source 42 supplies cooling gas to the nozzle 41 . The gas source 42 can be, for example, a high-pressure gas cylinder, a factory pipe, or the like. In addition, a plurality of gas sources 42 may be provided.

냉각 가스는, 가열된 워크(100)와 반응하기 어려운 가스로 할 수 있다. 냉각 가스는, 예컨대, 질소 가스, 탄산 가스(CO2), 희가스 등이다. 희가스는, 예컨대, 아르곤 가스나 헬륨 가스 등이다. 냉각 가스의 온도는, 예컨대, 실온(예컨대, 25℃) 이하로 할 수 있다.The cooling gas can be a gas that does not easily react with the heated work 100 . The cooling gas is, for example, nitrogen gas, carbon dioxide gas (CO 2 ), or rare gas. The noble gas is, for example, argon gas or helium gas. The temperature of the cooling gas can be, for example, room temperature (eg, 25°C) or less.

가스 제어부(43)는, 노즐(41)과 가스원(42) 사이에 마련되어 있다. 가스 제어부(43)는, 예컨대, 냉각 가스의 공급과, 공급의 정지와, 냉각 가스의 유속 및 유량 중 적어도 어느 하나의 제어를 행할 수 있다.The gas controller 43 is provided between the nozzle 41 and the gas source 42 . The gas control unit 43 can control at least one of, for example, supply of the cooling gas, stop of the supply, and flow rate and flow rate of the cooling gas.

컨트롤러(50)는, 예컨대, CPU(Central Processing Unit) 등의 연산부와, 메모리 등의 기억부를 구비하고 있다. 컨트롤러(50)는, 예컨대, 컴퓨터 등이다. 컨트롤러(50)는, 기억부에 저장되어 있는 제어 프로그램에 기초하여, 가열 처리 장치(1)에 마련된 각 요소의 동작을 제어한다.The controller 50 includes, for example, an arithmetic unit such as a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit such as a memory. The controller 50 is, for example, a computer or the like. The controller 50 controls the operation of each element provided in the heat processing apparatus 1 based on the control program stored in the storage unit.

다음에, 온도 제어부(37)에 대해서 더욱 설명한다.Next, the temperature controller 37 will be further explained.

전술한 바와 같이, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 마련되어 있으면, 가열된 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있다. 그러나, 가열 처리의 대상이 되는 용액은, 워크(100)의 표면측에 마련되어 있다. 가열 처리의 대상물의 표면으로부터 화학 반응이 진행되면, 가열 처리의 대상물의 기판과 접하는 영역에서 반응이 충분히 진행되지 않을 우려가 있다. 이 경우, 형성되는 막이나, 처리된 층의 품질이 저하할 우려가 있다. 그 때문에, 가열 처리의 대상물의 표면, 즉, 워크의 표면의 온도를 워크의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열하는 것이 요구되고 있다.As described above, if the upper cracked plate 34a and the lower cracked plate 34b are provided, it is possible to suppress the occurrence of non-uniformity in the temperature distribution within the plane of the heated workpiece 100. However, the solution to be subjected to the heat treatment is provided on the surface side of the work 100 . When a chemical reaction proceeds from the surface of the object to be heat-treated, there is a risk that the reaction may not sufficiently proceed in a region in contact with the substrate of the object to be heat-treated. In this case, there is a possibility that the quality of the formed film or the processed layer may deteriorate. Therefore, it is required to heat the surface of the object to be subjected to heat treatment, that is, the temperature of the surface of the workpiece in a state lower than the temperature of the back surface of the workpiece.

또한, 보다 고품질의 막이나, 층이 요구되고 있다. 그 때문에, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포를 보다 균일하게 제어하는 기술이 요구되고 있다. 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포에 불균일이 생기면, 형성된 유기막의 면내에 품질의 불균일이 생길 우려가 있다.Further, higher quality films and layers are required. Therefore, a technique for more uniformly controlling the temperature distribution within the plane of the work 100 is required. If non-uniformity occurs in the temperature distribution within the surface of the work 100, there is a risk that non-uniformity in quality may occur within the surface of the formed organic film.

그래서, 워크(100)의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크(100)의 표면의 온도 및 워크(100)의 이면의 온도와, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어하기 위해, 온도 제어부(37)가 마련되어 있다.Therefore, even when heating is performed from both sides of the workpiece 100, the temperature of the surface of the workpiece 100 to which the object to be subjected to heat treatment is attached and the temperature of the backside of the workpiece 100, and the inside of the surface of the workpiece 100 A temperature control unit 37 is provided in order to more precisely control the unevenness of the temperature distribution in a simple method.

도 2는 온도 제어부(37)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view for illustrating the temperature control unit 37.

도 2는 워크(100)의, 둘레 가장자리 영역과 중앙 영역 사이에 존재하는 영역(중간 영역)에 대향하는 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 예시한다.FIG. 2 illustrates an upper cracked plate 34a and a lower cracked plate 34b opposed to a region (intermediate region) existing between the peripheral edge region and the central region of the work 100 .

도 3은 온도 제어부(37)의 평면 형상을 예시하기 위한 모식 평면도이다.3 is a schematic plan view for illustrating the planar shape of the temperature control unit 37.

도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(37)는, 워크(100)의 중앙 영역 및 중간 영역과 대향하는 복수의 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면(히터(32a)측의 면) 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 2에 예시를 한 온도 제어부(37)는, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면에 마련되어 있다. 또한, 예컨대, 온도 제어부(37)는, 워크(100)의 중앙 영역 및 중간 영역과 대향하는 복수의 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면(히터(32a)측의 면) 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 2에 예시를 한 온도 제어부(37)는, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측과는 반대측의 면에 마련되어 있다.As shown in FIGS. 2 and 3 , the temperature control unit 37 controls the surface of the work 100 side and the workpiece ( 100) side and can be provided on at least any one of the surface (surface on the side of the heater 32a) on the opposite side. The temperature controller 37 exemplified in FIG. 2 is provided on the surface of the upper crack plate 34a on the work 100 side. Further, for example, the temperature controller 37 controls the surface of the work 100 side and the side opposite to the work 100 side of the plurality of lower cracked plates 34b facing the central region and the middle region of the work 100. It can be provided on at least any one of the surfaces (surface on the side of the heater 32a). The temperature controller 37 exemplified in FIG. 2 is provided on the surface of the lower crack plate 34b, opposite to the work 100 side.

온도 제어부(37)는, 방사부(37a)(제1 방사부 또는 제2 방사부의 일례에 상당함) 및 복수의 볼록부(37b)를 갖는다.The temperature control part 37 has a radiation part 37a (corresponding to an example of a 1st radiation part or a 2nd radiation part) and several convex part 37b.

방사부(37a)는, 판형을 나타내고 있다. 방사부(37a)는, 상부 균열판(34a)과 간극을 개재시켜 마련되어 있다. 또한, 방사부(37a)는, 하부 균열판(34b)과 간극을 개재시켜 마련되어 있다. 복수의 볼록부(37b)는, 돌기형을 나타내고 있다. 복수의 볼록부(37b)는, 방사부(37a)의, 상부 균열판(34a)측의 면, 또는 하부 균열판(34b)측의 면에 마련할 수 있다. 또한, 복수의 볼록부(37b)는, 방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 사이에, 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b) 사이에 간극을 마련하기 위해 마련되어 있다.The radiation portion 37a has a plate shape. The radiation portion 37a is provided with an upper crack plate 34a and a gap therebetween. In addition, the radiating part 37a is provided with the lower crack plate 34b and the gap therebetween. The plurality of convex portions 37b have a protruding shape. The plurality of convex portions 37b may be provided on the surface of the radiation portion 37a on the side of the upper crack plate 34a or the surface of the side of the lower crack plate 34b. In addition, a plurality of convex portions 37b are provided to provide a gap between the radiation portion 37a and the upper crack plate 34a or between the radiation portion 37a and the lower crack plate 34b.

방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b)의 거리에 의해, 워크(100)의 표면 또는 이면에 입사하는 열량은 변화하지 않는다. 그 때문에, 복수의 볼록부(37b)의 높이는, 방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b)이 접촉하지 않는 높이로 하면 좋다. 예컨대, 복수의 볼록부(37b)의 높이는, 0.2 ㎜ 이상으로 하면 좋다. 또한, 방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b)의 거리를 크게 하면, 챔버(10)의 대형화를 초래한다. 그 때문에, 복수의 볼록부(37b)의 높이는, 1 ㎜ 이하로 하면 좋다.Depending on the distance between the radiating portion 37a and the upper cracked plate 34a or between the radiated portion 37a and the lower cracked plate 34b, the amount of heat incident on the front or back surface of the work 100 does not change. Therefore, the height of the plurality of convex portions 37b may be such that the radiation portion 37a and the upper crack plate 34a or the radiation portion 37a and the lower crack plate 34b do not contact each other. For example, the height of the plurality of convex portions 37b may be 0.2 mm or more. In addition, if the distance between the radiation portion 37a and the upper crack plate 34a or between the radiation portion 37a and the lower crack plate 34b is increased, the size of the chamber 10 is increased. Therefore, the height of the plurality of convex portions 37b may be 1 mm or less.

전술한 바와 같이, 복수의 히터(32a)로부터 방사되어, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 입사한 열은, 이들의 내부를 면방향으로 전파하면서 워크(100)측에 방사된다. 워크(100)측에 방사된 열에 의해, 워크(100)의 온도가 상승하지만, 워크(100)의 둘레 가장자리측은, 워크(100)의 중앙측보다 방열하기 쉽다. 그 때문에, 워크(100)의 중앙 영역의 온도는, 워크(100)의 둘레 가장자리 영역의 온도보다 높아진다.As described above, the heat radiated from the plurality of heaters 32a and incident on the upper cracked plate 34a and the lower cracked plate 34b is radiated to the work 100 side while propagating the inside of these in the plane direction. do. The temperature of the work 100 rises due to the heat radiated to the work 100 side, but the peripheral side of the work 100 is more likely to dissipate heat than the center side of the work 100. Therefore, the temperature of the central region of the work 100 is higher than the temperature of the peripheral region of the work 100 .

여기서, 온도 제어부(37)가 마련되어 있는 영역에 있어서는, 상부 균열판(34a)으로부터 방사된 열이 온도 제어부(37)에 입사하고, 온도 제어부(37)에 입사한 열이 워크(100)를 향하여 방사된다. 이 경우, 온도 제어부(37)에는, 복수의 볼록부(37b)가 마련되어 있기 때문에, 상부 균열판(34a)으로부터 방사된 열이 간극을 통해 방사부(37a)에 입사하고, 방사부(37a)로부터 워크(100)를 향하여 방사된다. 또한, 하부 균열판(34b)측에 있어서는, 온도 제어부(37)로부터 방사된 열이 하부 균열판(34b)에 입사하고, 하부 균열판(34b)에 입사한 열이 워크(100)를 향하여 방사된다. 이 경우, 온도 제어부(37)에는, 복수의 볼록부(37b)가 마련되어 있기 때문에, 방사부(37a)로부터 방사된 열이 간극을 통해 하부 균열판(34b)에 입사하고, 하부 균열판(34b)으로부터 워크(100)를 향하여 방사된다. 즉, 온도 제어부(37)가 마련되어 있는 영역에서는, 온도 제어부(37)가 개재됨으로써, 방사열의 전파 효율이 저하한다. 그 때문에, 워크(100)의, 온도 제어부(37)에 대향하는 영역의 온도가, 워크(100)의, 온도 제어부(37)에 대향하지 않는 영역의 온도보다 낮아진다.Here, in the region where the temperature control unit 37 is provided, the heat radiated from the upper cracked plate 34a enters the temperature control unit 37, and the heat incident on the temperature control unit 37 is directed toward the workpiece 100. is radiated In this case, since the temperature controller 37 is provided with a plurality of convex portions 37b, the heat radiated from the upper crack plate 34a enters the radiation portion 37a through the gap, and the radiation portion 37a Radiated toward the work 100 from the Further, on the lower soaked plate 34b side, the heat radiated from the temperature controller 37 is incident on the lower cracked plate 34b, and the heat incident on the lower cracked plate 34b is radiated toward the work 100. do. In this case, since the temperature controller 37 is provided with a plurality of convex portions 37b, the heat radiated from the radiation portion 37a enters the lower cracked plate 34b through the gap, and the lower cracked plate 34b ) is emitted toward the work 100. That is, in the area|region where the temperature control part 37 is provided, the propagation efficiency of radiant heat declines because the temperature control part 37 interposes. Therefore, the temperature of the region of the work 100 facing the temperature control unit 37 is lower than the temperature of the region of the work 100 that does not face the temperature control unit 37 .

이 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이, 평면으로 보아, 온도 제어부(37)가, 워크(100)의 중앙 영역과 대향하는, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 중앙 영역에 마련되어 있으면, 워크(100)의 중앙 영역에 입사하는 열을 적게 할 수 있다. 그 때문에, 워크(100)의 면내에 있어서, 워크(100)로부터의 방열량과, 워크(100)에 입사하는 열량의 밸런스를 취할 수 있다. 그 결과, 워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생기는 것을 더욱 억제할 수 있고, 나아가서는 형성되는 유기막의 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.In this case, as shown in FIG. 3 , in plan view, the temperature control unit 37 is provided in the central region of the upper cracked plate 34a and the lower cracked plate 34b opposite to the central region of the work 100. If there is, heat incident on the central region of the work 100 can be reduced. Therefore, in the surface of the work 100, it is possible to balance the amount of heat released from the work 100 and the amount of heat incident on the work 100. As a result, it is possible to further suppress the occurrence of non-uniformity in temperature distribution within the surface of the work 100, and further improve the quality of the formed organic film.

또한, 방사부(37a)의 평면 형상과, 방사부(37a)의 평면 치수에 의해, 워크(100)의 표면 또는 이면에 입사하는 열량과, 워크(100)의 면내에 입사하는 열량의 불균일을 제어할 수 있다. 또한, 상부 균열판(34a)에 마련되는 방사부(37a)의 평면 치수를, 하부 균열판(34b)에 마련되는 방사부(37a)의 평면 치수보다 크게 함으로써, 워크(100)의 표면의 온도를 워크(100)의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열할 수 있다. 이 경우, 워크(100)의 둘레 가장자리 영역에 대향하는 상부 균열판(34a)에도 온도 제어부(37)를 마련하도록 하여도 좋다. 또한, 상부 균열판(34a)의 양측의 면에 온도 제어부(37)를 마련하고, 하부 균열판(34b)의 편측의 면에 온도 제어부(37)를 마련하도록 하여도 좋다.In addition, the unevenness of the amount of heat incident on the front surface or back surface of the workpiece 100 and the amount of heat incident on the surface of the workpiece 100 is determined by the planar shape of the radiation section 37a and the planar dimension of the radiation section 37a. You can control it. In addition, by making the planar dimension of the radiation portion 37a provided on the upper crack plate 34a larger than the plane dimension of the radiation portion 37a provided on the lower crack plate 34b, the temperature of the surface of the work 100 It can be heated in a state lower than the temperature of the back surface of the work 100. In this case, the temperature controller 37 may also be provided on the upper cracked plate 34a facing the periphery of the work 100. In addition, the temperature control unit 37 may be provided on both sides of the upper cracked plate 34a, and the temperature control unit 37 may be provided on one side of the lower cracked plate 34b.

또한, 워크(100)의 온도의 면내 분포는, 워크(100)의 주변에 마련된 요소나 처리 조건 등의 영향을 받는다. 그 때문에, 방사부(37a)의 평면 형상과, 방사부(37a)의 평면 치수는, 예컨대, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 적절하게 결정하는 것이 바람직하다.In addition, the in-plane distribution of the temperature of the work 100 is affected by factors provided around the work 100, processing conditions, and the like. Therefore, the planar shape of the radiating portion 37a and the planar dimensions of the radiating portion 37a are preferably determined appropriately by, for example, experiments or simulations.

방사부(37a) 및 복수의 볼록부(37b)는, 예컨대, 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수 있다. 방사부(37a) 및 복수의 볼록부(37b)는, 예컨대, 엠보스 가공, 프레스 성형 등에 의해, 일체 성형할 수 있다.The radiation portion 37a and the plurality of convex portions 37b can be formed of, for example, metal such as stainless steel. The radiation portion 37a and the plurality of convex portions 37b can be integrally formed by, for example, embossing, press molding, or the like.

도 4는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(137)를 예시하기 위한 모식 평면도이다.4 is a schematic plan view for illustrating a temperature controller 137 according to another embodiment.

도 4에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(137)는, 방사부(137a) 및 볼록부(137b∼137d)를 갖는다.As shown in FIG. 4 , the temperature control unit 137 has a radiation portion 137a and convex portions 137b to 137d.

방사부(137a)는, 전술한 방사부(37a)와 동일하게 할 수 있다. 단, 방사부(137a)의 평면 형상은 직사각형으로 하고 있다.The radiation part 137a can be the same as the above-mentioned radiation part 37a. However, the planar shape of the radiating portion 137a is a rectangle.

볼록부(137b∼137d)는, 돌기형을 나타내고 있다. 볼록부(137b)는, 방사부(137a)의 중앙 영역에 마련된다. 볼록부(137d)는, 방사부(137a)의 둘레 가장자리 영역에 마련된다. 볼록부(137c)는, 방사부(137a)의 볼록부(137b)가 마련되는 영역과 볼록부(137d)가 마련되는 영역 사이의 중간 영역에 마련된다.The convex portions 137b to 137d have a protruding shape. The convex portion 137b is provided in the central region of the radiation portion 137a. The convex portion 137d is provided in the circumferential edge region of the radiation portion 137a. The convex portion 137c is provided in an intermediate region between the area where the convex portion 137b of the radiation portion 137a is provided and the area where the convex portion 137d is provided.

또한, 방사부(137a)의, 볼록부(137b∼137d)가 마련되는 면에 평행인 방향에 있어서, 볼록부(137b)의 단면적은 볼록부(137c)의 단면적보다 작고, 볼록부(137c)의 단면적은 볼록부(137d)의 단면적보다 작게 되어 있다.Further, in a direction parallel to the plane of the radiation portion 137a on which the convex portions 137b to 137d are provided, the cross-sectional area of the convex portion 137b is smaller than that of the convex portion 137c, and the convex portion 137c The cross-sectional area of is smaller than the cross-sectional area of the convex portion 137d.

전술한 바와 같이, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))으로부터 방사된 열의 대부분은, 간극을 통해, 복사에 의해 방사부(137a)에 전해진다. 그러나, 볼록부(137b∼137d)는 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))과 접촉하기 때문에, 볼록부(137b∼137d)가 마련되어 있는 부분에 있어서는, 열전도에 의해 열이 전해진다. 이 경우, 볼록부의 단면적을 작게 하면 열이 전해지기 어려워지고, 볼록부의 단면적을 크게 하면 열이 전해지기 쉬워진다. 그 때문에, 볼록부가 마련되는 영역에 따라, 볼록부의 단면적을 변화시키면, 방사부(137a)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.As described above, most of the heat radiated from the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b) is transmitted to the radiation portion 137a by radiation through the gap. However, since the convex portions 137b to 137d contact the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b), heat is transmitted by thermal conduction in the portion where the convex portions 137b to 137d are provided. In this case, when the cross-sectional area of the convex portion is reduced, heat is difficult to transmit, and when the cross-sectional area of the convex portion is increased, heat is easily transmitted. Therefore, if the cross-sectional area of the convex portion is changed according to the region where the convex portion is provided, the unevenness of the temperature distribution within the surface of the radiation portion 137a can be reduced.

예컨대, 방사부(137a)의 둘레 가장자리 영역은 방열하기 쉽기 때문에 온도가 내려가기 쉽다. 한편, 방사부(137a)의 중앙 영역은 방열하기 어렵기 때문에 온도가 오르기 쉽다. 그 때문에, 볼록부(137b∼137d)의 배치와 단면적을 전술한 것으로 하면, 열전도에 의해 방사부(137a)의 둘레 가장자리 영역에 전해지는 열을 가장 많게 하고, 중간 영역에 전해지는 열을 다음으로 많게 하고, 중앙 영역에 전해지는 열을 가장 적게 할 수 있다. 그 때문에, 방사부(137a)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.For example, the peripheral area of the radiation portion 137a is easy to dissipate heat, so the temperature is easy to drop. On the other hand, since it is difficult to dissipate heat in the central region of the radiation portion 137a, the temperature tends to rise. Therefore, if the arrangement and cross-sectional area of the convex portions 137b to 137d are as described above, the heat transmitted to the peripheral region of the radiation portion 137a by heat conduction is the largest, and the heat transmitted to the middle region is next to and the heat transmitted to the central area can be minimized. Therefore, unevenness in the temperature distribution within the surface of the radiation portion 137a can be reduced.

또한, 방사부의 온도의 면내 분포는, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b)) 온도, 방사부의 주변에 마련된 요소나 처리 조건 등의 영향을 받는다. 그 때문에, 볼록부의 배치, 수, 단면적은, 예컨대, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 적절하게 결정하는 것이 바람직하다.In addition, the in-plane temperature distribution of the radiation part is affected by the temperature of the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b), elements provided around the radiation part, processing conditions, and the like. Therefore, it is preferable to determine the arrangement, number, and cross-sectional area of the convex portions appropriately, for example, by conducting experiments or simulations.

또한, 이상에 설명한 것은, 방사부의 면내의 온도 분포의 불균일을 작게 하는 경우이지만, 볼록부의 배치, 수, 단면적을 적절하게 설정함으로써, 방사부의 특정한 영역에 있어서의 온도를 제어할 수도 있다.In addition, although what has been described above is the case of reducing the unevenness of the temperature distribution in the surface of the radiation part, the temperature in a specific region of the radiation part can also be controlled by appropriately setting the arrangement, number, and cross-sectional area of the convex parts.

도 5는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(237)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature controller 237 according to another embodiment.

전술한 온도 제어부(37)는, 판형의 방사부(37a)와, 방사부(37a)의 한쪽의 면에 마련된 돌기형의 복수의 볼록부(37b)를 갖고 있다.The temperature controller 37 described above has a plate-shaped radiation portion 37a and a plurality of protruding projections 37b provided on one surface of the radiation portion 37a.

이에 대하여, 온도 제어부(237)는, 파판으로 되어있다. 예컨대, 프레스 성형 등에 의해, 평판을 파판형으로 가공하여, 온도 제어부(237)로 할 수 있다. 온도 제어부(237)는, 예컨대, 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수 있다.In contrast, the temperature control unit 237 is made of corrugated plate. For example, a flat plate can be processed into a corrugated plate shape by press molding or the like to form the temperature controller 237 . The temperature controller 237 can be made of, for example, metal such as stainless steel.

이 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(237)의, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))측의 부분(237b)이, 전술한 복수의 볼록부(37b)로서 기능하고, 온도 제어부(237)의, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))측과는 반대측의 부분(237a)이 방사부(37a)로서 기능한다.In this case, as shown in FIG. 5 , the portion 237b on the side of the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b) of the temperature control unit 237 functions as the plurality of convex portions 37b described above. And, the portion 237a on the opposite side of the temperature controller 237 to the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b) side functions as the radiation portion 37a.

즉, 온도 제어부는, 간극을 개재시켜, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 마련된 방사부를 갖고 있으면 좋다.That is, the temperature control unit should just have a radiation part provided in the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b) through the gap.

도 6은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(337) 및 온도 제어부(437)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature controller 337 and a temperature controller 437 according to another embodiment.

도 6에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(337)는, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 6에 예시를 한 온도 제어부(337)는, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면에 마련되어 있다. 온도 제어부(337)는, 온도 제어부(37)와 비교하여, 워크(100)에 방사되는 열을 적게 할 수 있다.As shown in FIG. 6 , the temperature control unit 337 can be provided on at least one of the surface on the work 100 side and the surface on the opposite side to the work 100 side of the upper cracked plate 34a. The temperature controller 337 exemplified in FIG. 6 is provided on the surface of the upper crack plate 34a on the work 100 side. The temperature controller 337 can reduce the heat radiated to the workpiece 100 compared to the temperature controller 37 .

온도 제어부(337)는, 방사부(37a), 복수의 볼록부(37b) 및 반사막(37c)을 갖는다.The temperature controller 337 has a radiation portion 37a, a plurality of convex portions 37b, and a reflective film 37c.

반사막(37c)은, 온도 제어부(337)의 히터(32a)측의 면(도 6에 예시한 온도 제어부(337)에서는, 상부 균열판(34a)측의 면)에 마련되어 있다. 반사막(37c)은, 방사부(37a)보다 열을 흡수하기 어려운 재료로 형성된다. 예컨대, 반사막(37c)은, 금으로 형성할 수 있다. 반사막(37c)이 마련되어 있으면, 도 6에서 예시한 온도 제어부(337)에서는, 상부 균열판(34a)으로부터 방사된 열이 온도 제어부(337)의 방사부(37a)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 온도 제어부(337)의 방사부(37a)로부터 워크(100)에 방사되는 열을 적게 할 수 있기 때문에, 워크(100)의, 온도 제어부(337)와 대향하는 영역(예컨대, 워크(100)의 중앙 영역)의 온도를 저하시키는 것이 용이해진다.The reflective film 37c is provided on the surface of the temperature control unit 337 on the side of the heater 32a (in the temperature control unit 337 illustrated in FIG. 6, the surface on the side of the upper soaking plate 34a). The reflective film 37c is made of a material that is less heat absorbing than the radiation portion 37a. For example, the reflective film 37c can be formed of gold. If the reflective film 37c is provided, in the temperature control unit 337 illustrated in FIG. 6 , it is possible to suppress heat radiated from the upper cracked plate 34a from entering the radiation unit 37a of the temperature control unit 337. . Therefore, since the heat radiated to the workpiece 100 from the radiation portion 37a of the temperature controller 337 can be reduced, the area of the workpiece 100 facing the temperature controller 337 (eg, the workpiece ( It becomes easy to lower the temperature of the central region of 100).

또한, 파선으로 나타낸 온도 제어부(37)에서는, 히터(32a)로부터 방사된 열이 온도 제어부(337)의 방사부(37a)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 온도 제어부(337)로부터 상부 균열판(34a)에 방사되는 열을 억제할 수 있다. 따라서, 상부 균열판(34a)으로부터 워크(100)에 방사되는 열을 적게 할 수 있기 때문에, 워크(100)의, 온도 제어부(337)가 부착된 상부 균열판(34a)과 대향하는 영역(예컨대, 워크(100)의 중앙 영역)의 온도를 저하시키는 것이 용이해진다.In addition, in the temperature controller 37 indicated by the broken line, it is possible to suppress heat emitted from the heater 32a from entering the radiation portion 37a of the temperature controller 337 . Therefore, the heat radiated from the temperature controller 337 to the upper crack plate 34a can be suppressed. Therefore, since the heat radiated from the upper cracked plate 34a to the work 100 can be reduced, the region of the work 100 facing the upper cracked plate 34a to which the temperature control unit 337 is attached (e.g., , It becomes easy to lower the temperature of the central region of the work 100).

온도 제어부(437)는, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 6에 예시를 한 온도 제어부(437)는, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측과는 반대측의 면에 마련되어 있다. 온도 제어부(437)는, 온도 제어부(37)와 비교하여, 워크(100)에 방사되는 열을 많게 할 수 있다.The temperature controller 437 can be provided on at least one of the surface on the work 100 side and the surface on the opposite side to the work 100 side of the lower crack plate 34b. The temperature controller 437 exemplified in FIG. 6 is provided on the surface of the lower cracked plate 34b, opposite to the work 100 side. The temperature controller 437 can increase the heat radiated to the workpiece 100 compared to the temperature controller 37 .

온도 제어부(437)는, 방사부(37a), 복수의 볼록부(37b) 및 흡수막(37d)을 갖는다.The temperature controller 437 has a radiation portion 37a, a plurality of convex portions 37b, and an absorption film 37d.

흡수막(37d)은, 온도 제어부(437)의 히터(32a)측의 면(도 6에 예시한 온도 제어부(437)에서는 방사부(37a)의 표면)에 마련되어 있다. 흡수막(37d)은, 방사부(37a)보다 열을 흡수하기 쉬운 재료(열을 방사하기 쉬운 재료)로 형성된다. 예컨대, 흡수막(37d)은, 표면 거칠기를 거칠게 한, 산화막이나 질화막이나 흑색의 막 등으로 할 수 있다. 흡수막(37d)이 마련되어 있으면, 히터(32a)로부터 방사된 열을 온도 제어부(437)가 보다 효율적으로 흡수할 수 있다. 그 때문에, 하부 균열판(34b)의, 온도 제어부(437)에 대향하는 영역으로부터, 워크(100)에 방사되는 열을 많게 할 수 있다.The absorption film 37d is provided on the surface of the temperature controller 437 on the side of the heater 32a (the surface of the radiation portion 37a in the temperature controller 437 illustrated in FIG. 6). The absorption film 37d is formed of a material that absorbs heat more easily than the radiation portion 37a (a material that easily radiates heat). For example, the absorption film 37d may be an oxide film, a nitride film, or a black film having a rough surface. If the absorption film 37d is provided, the temperature controller 437 can more efficiently absorb the heat radiated from the heater 32a. Therefore, it is possible to increase the heat radiated to the work 100 from the region of the lower cracked plate 34b facing the temperature controller 437.

이상에 설명한 바와 같이, 반사막(37c)이나 흡수막(37d)을 마련하면, 워크(100)의, 온도 제어부(337, 437)에 대향하는 영역의 온도 제어가 더욱 용이해진다. 따라서, 워크(100)의 표면 온도와 이면 온도를 보다 상세하게 제어할 수 있다.As described above, when the reflective film 37c or the absorbing film 37d is provided, the temperature control of the region of the workpiece 100 facing the temperature controllers 337 and 437 becomes easier. Therefore, the surface temperature and the back surface temperature of the work 100 can be controlled in more detail.

또한, 온도 제어부(437)는, 흡수막(37d) 대신에 반사막(37c)을 마련하도록 하여도 좋다. 반사막(37c)이 마련된 온도 제어부(437)로부터 워크(100)에 방사되는 열을 많게 하는 경우에는, 흡수막(37d)이 마련된 측과는 반대의 면에 반사막(37c)을 마련하도록 하면 좋다.In addition, the temperature controller 437 may provide a reflective film 37c instead of the absorbing film 37d. In the case of increasing the heat radiated from the temperature controller 437 provided with the reflective film 37c to the workpiece 100, the reflective film 37c may be provided on the surface opposite to the side provided with the absorbing film 37d.

도 7은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(37)의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature controller 37 according to another embodiment.

도 7에 나타내는 바와 같이, 상부 균열판(34a)의 적어도 한쪽의 면에, 복수의 온도 제어부(37)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)를 중첩하여 마련할 수도 있다. 예컨대, 도 7에 나타내는 바와 같이, 상부 균열판(34a)의 워크(100)측의 면에, 2개의 온도 제어부(37)를 중첩하여 마련할 수 있다.As shown in FIG. 7 , a plurality of temperature control units 37 (corresponding to an example of a third temperature control unit) may be overlapped and provided on at least one surface of the upper cracked plate 34a. For example, as shown in FIG. 7 , two temperature control units 37 may be superimposed on the surface of the upper crack plate 34a on the work 100 side.

복수의 온도 제어부(37)가 중첩하여 마련되어 있으면, 워크(100)의, 복수의 온도 제어부(37)와 대향하는 영역의 온도(예컨대, 워크(100)의 중앙 영역의 온도)를 저하시키는 것이 용이해진다.When a plurality of temperature control units 37 are overlapped and provided, it is easy to lower the temperature of the region of the work 100 facing the plurality of temperature control units 37 (for example, the temperature of the central region of the work 100). it gets done

전술한 반사막(37c)을 갖는 온도 제어부(337)의 경우는, 상부 균열판(34a)의 적어도 한쪽의 면에 중첩하여 복수 마련할 수 있다.In the case of the temperature control part 337 having the above-mentioned reflective film 37c, a plurality can be provided by overlapping on at least one surface of the upper cracked plate 34a.

또한, 전술한 흡수막(37d)을 갖는 온도 제어부(437)의 경우는, 예컨대, 하부 균열판(34b)의 적어도 한쪽의 면에, 중첩하여 복수 마련할 수 있다.In addition, in the case of the temperature controller 437 having the absorber film 37d described above, a plurality of layers may be provided, overlapping each other, on at least one surface of the lower cracked plate 34b, for example.

또한, 필요에 따라, 온도 제어부(37, 337, 437)를 조합하여 복수 중첩하거나 하여도 좋다.In addition, you may overlap a plurality of them by combining the temperature control parts 37, 337, 437 as needed.

도 8은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(37)의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature controller 37 according to another embodiment.

전술한 바와 같이, 볼록부(37b)가 마련되어 있는 부분에 있어서는, 열전도에 의해 열이 전해진다. 복수의 온도 제어부(37)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)를 중첩하여 마련하는 경우에, 평면으로 보아, 볼록부(37b)끼리가 중첩되어 있으면, 방사부(37a)의, 볼록부(37b)가 마련되어 있는 부분의 온도가 지나치게 높아지는 경우가 있다.As described above, in the portion where the convex portion 37b is provided, heat is transmitted by heat conduction. In the case where a plurality of temperature control units 37 (corresponding to an example of the third temperature control unit) are superimposed and provided, when the convex portions 37b overlap each other in plan view, the convex portion of the radiation portion 37a The temperature of the part where 37b is provided may become excessively high.

이 경우, 도 8에 나타내는 바와 같이, 평면으로 보아, 볼록부(37b)끼리가 중첩되지 않도록 하면, 방사부(37a)의 면내에 있어서 온도 분포의 불균일이 커지는 것을 억제할 수 있다.In this case, as shown in Fig. 8, if the convex portions 37b are not overlapped with each other in plan view, it is possible to suppress an increase in unevenness in the temperature distribution within the surface of the radiation portion 37a.

도 9는 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩하여 마련된 경우의 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.Fig. 9 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of the temperature controller in the case where the treatment region 30a and the treatment region 30b are provided overlapping each other.

도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩하여 마련되는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 전술한 바와 같이, 하측의 처리 영역(30a)에 마련된 상부 가열부는, 상측의 처리 영역(30b)에 마련된 하부 가열부와 겸용할 수 있다. 이 경우, 워크(100)의 표면을 지나치게 가열하지 않도록 하기 위해, 처리 영역(30a) 내의 워크(100)의 표면측의 히터(32a)에 가하는 전력을 작게 하는 것이 생각된다. 그러나, 이와 같이 하면, 처리 영역(30b) 내의 워크(100)의 이면측의 온도도 저하하여 버린다. 따라서, 복수의 처리부(30)가 중첩되어 마련되고, 또한, 워크(100)를 양면측으로부터 가열하는 경우에는, 히터(32a)에 가하는 전력을 제어하는 것만으로는, 가열 처리의 대상물의 온도를 보다 상세하게 제어하는 것은 곤란하다.As shown in Fig. 1, there is a case where the processing region 30a and the processing region 30b overlap each other. In this case, as described above, the upper heating unit provided in the lower processing region 30a may serve as the lower heating unit provided in the upper processing region 30b. In this case, it is conceivable to reduce the electric power applied to the heater 32a on the surface side of the workpiece 100 in the processing region 30a in order to prevent excessive heating of the surface of the workpiece 100 . However, in this case, the temperature of the back side of the workpiece 100 in the processing region 30b also decreases. Therefore, in the case where a plurality of processing units 30 are overlapped and the workpiece 100 is heated from both sides, the temperature of the object to be subjected to heat treatment can be controlled simply by controlling the electric power applied to the heater 32a. More detailed control is difficult.

이러한 경우에도, 전술한 온도 제어부(37, 137, 237, 337, 437)를 마련함으로써, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일이 작아지도록 할 수 있다.Even in such a case, by providing the temperature controllers 37, 137, 237, 337, and 437 described above, it is possible to reduce unevenness in the temperature distribution within the surface of the work 100.

예컨대, 도 9에 나타내는 바와 같이, 하측의 처리 영역(30a)에 있어서, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면에 온도 제어부(37)를 마련할 수 있다. 상측의 처리 영역(30b)에 있어서, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측과는 반대측의 면(히터(32a)측의 면)에 온도 제어부(37)를 마련할 수 있다. 이와 같이 하면, 전술한 경우와 같이, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다고 하는 효과를 향수할 수 있다. 이때, 워크(100) 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록, 각 온도 제어부(37, 137, 237, 337, 437)를 선택하거나, 온도 제어부의 평면 치수를 조절하거나 하는 것이 바람직하다.For example, as shown in FIG. 9 , in the lower processing region 30a, the temperature control unit 37 can be provided on the surface of the upper cracked plate 34a on the work 100 side. In the upper processing region 30b, the temperature control unit 37 can be provided on the surface of the lower soaking plate 34b on the side opposite to the work 100 side (the surface on the heater 32a side). In this way, as in the case described above, the effect of being able to reduce the non-uniformity of the temperature distribution within the surface of the workpiece 100 can be enjoyed. At this time, each temperature controller 37, 137, 237, 337, 437 is selected or the plane size of the temperature controller is adjusted so that the temperature on the front side of the work 100 is lower than the temperature on the back side of the work 100 It is preferable to do

도 10은 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.10 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where the processing region 30a and the processing region 30b are overlapped and provided.

도 10에서는, 워크(100)의 중앙 영역 및 중간 영역과 대향하는 복수의 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 예시한다.10 illustrates a plurality of upper cracked plates 34a and lower cracked plates 34b opposing the central region and the middle region of the work 100 .

전술한 바와 같이, 워크(100)를 가열하였을 때에, 워크(100)의 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록 하는 것이 바람직하다.As described above, when the workpiece 100 is heated, it is preferable to make the temperature on the surface side of the workpiece 100 lower than the temperature on the backside side of the workpiece 100.

그 때문에, 예컨대, 도 10에 나타내는 바와 같이, 하측의 처리 영역(30a)의 상부 균열판(34a)에 마련되는 온도 제어부(537)의 평면 치수를, 상측의 처리 영역(30b)의 하부 균열판(34b)에 마련되는 온도 제어부(37)의 평면 치수보다 크게 할 수 있다.Therefore, for example, as shown in FIG. 10 , the planar dimensions of the temperature controller 537 provided on the upper soaking plate 34a of the lower treatment region 30a are set to the lower soaking plate of the upper treatment region 30b. It can be larger than the planar dimension of the temperature control part 37 provided in (34b).

온도 제어부(537)는, 예컨대, 도 1에 나타내는 5개의 상부 균열판(34a)에 볼록부(37b)를 개재시켜 마련할 수 있다. 볼록부(37b)는, 상부 균열판(34a)의 바깥 가장자리 주변에 마련할 수 있다. 또한, 온도 제어부(537)의 방사부(37a)의 X 방향에 있어서의 길이는, 워크(100)의 바깥 가장자리 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)의 중앙 영역에는 닿지 않는 길이로 되어 있다.The temperature controller 537 can be provided, for example, with the convex portions 37b interposed in the five upper cracked plates 34a shown in FIG. 1 . The convex portion 37b may be provided around the outer edge of the upper split plate 34a. In addition, the length of the radiation part 37a of the temperature controller 537 in the X direction is such that it does not reach the central region of the upper cracked plate 34a facing the outer edge region of the work 100.

이와 같이 하면, 하측의 처리 영역(30a)에 있어서, 워크(100)의 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록 할 수 있다. 또한, 온도 제어부(537)를 소정의 간격으로 상부 균열판(34a)에 볼록부(37b)를 개재시켜 마련하고 있기 때문에, 온도 제어부(537)가 휘는 것을 방지할 수 있다. 또한, 온도 제어부(537)의 방사부(37a)의 X 방향에 있어서의 길이를 워크(100)의 바깥 가장자리 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)의 중앙 영역에는 닿지 않는 길이로 하고 있기 때문에, 워크(100) 이면측의 바깥 가장자리의 온도가 상승하기 쉬워지며, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포를 보다 균일하게 제어할 수 있다.In this way, in the lower processing region 30a, the temperature on the surface side of the workpiece 100 can be made lower than the temperature on the backside side of the workpiece 100. In addition, since the temperature control section 537 is provided at predetermined intervals on the upper crack plate 34a with the convex portion 37b interposed therebetween, the temperature control section 537 can be prevented from bending. In addition, since the length in the X direction of the radiation portion 37a of the temperature control unit 537 is set to a length that does not reach the central region of the upper cracked plate 34a facing the outer edge region of the work 100, The temperature of the outer edge of the back surface side of the work 100 increases easily, and the temperature distribution within the surface of the work 100 can be more uniformly controlled.

또한, 온도 제어부(537)의 방사부(37a)의 평면 형상을 마름모형으로 하면, 방열에 의한 온도 저하가 생기기 쉬운 워크(100)의 둘레 가장자리 영역에 입사하는 열을 많게 하고, 방열에 의한 온도 저하가 생기기 어려운 워크(100)의 중앙 영역에 입사하는 열을 적게 할 수 있다.In addition, if the planar shape of the radiation part 37a of the temperature controller 537 is a rhombic shape, the heat incident on the periphery of the workpiece 100, which tends to decrease in temperature due to heat radiation, is increased, and the temperature due to heat radiation is increased. Heat incident on the central region of the work 100, which is unlikely to deteriorate, can be reduced.

도 11은 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.11 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where the processing region 30a and the processing region 30b are overlapped and provided.

도 11에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(537)에는, 전술한 반사막(37c)을 더 마련할 수 있다. 이 경우, 반사막(37c)은, 평면으로 보아, 방사부의 중앙 영역에 마련할 수 있다. 반사막(37c)이 마련되어 있으면, 하측의 처리 영역(30a)에 있어서, 워크(100)의 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록 하는 것이 더욱 용이해진다.As shown in FIG. 11 , the above-described reflective film 37c can be further provided in the temperature control unit 537 . In this case, the reflective film 37c can be provided in the central region of the radiating portion in plan view. If the reflective film 37c is provided, it becomes easier to make the temperature of the surface side of the workpiece 100 lower than the temperature of the backside side of the workpiece 100 in the lower processing region 30a.

또한, 반사막(37c)은, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련할 수 있다. 전술한 바와 같이, 워크(100)의 중앙 영역은 방열하기 어렵기 때문에 온도가 높아지기 쉽다. 그 때문에, 반사막(37c)이, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련되어 있으면, 워크(100)의 표면의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.In addition, the reflective film 37c can be provided at a position facing the central region of the surface of the work 100 . As described above, since the central region of the work 100 is difficult to dissipate heat, the temperature tends to increase. Therefore, when the reflective film 37c is provided at a position facing the central region of the surface of the work 100, the unevenness of the temperature distribution within the plane of the surface of the work 100 can be reduced.

도 12는 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.12 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where the processing region 30a and the processing region 30b are overlapped and provided.

도 12에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(537)에는, 전술한 온도 제어부(37)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)를 중첩하여 마련할 수 있다. 예컨대, 방사부의 평면 치수가 다른 온도 제어부를 중첩하여 마련할 수 있다. 이 경우, 온도 제어부(37)는, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련할 수 있다. 전술한 바와 같이, 워크(100)의 중앙 영역은 방열하기 어렵기 때문에 온도가 높아지기 쉽다. 그 때문에, 온도 제어부(37)가, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련되어 있으면, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.As shown in FIG. 12, the above-mentioned temperature control part 37 (corresponding to an example of the 3rd temperature control part) can be overlapped and provided in the temperature control part 537. For example, temperature controllers having different planar dimensions of the radiating portion may be overlapped. In this case, the temperature controller 37 can be provided at a position facing the central region of the surface of the work 100 . As described above, since the central region of the work 100 is difficult to dissipate heat, the temperature tends to increase. Therefore, if the temperature control part 37 is provided in the position facing the central region of the surface of the work 100, the unevenness of the temperature distribution within the surface of the work 100 can be reduced.

이상에 예시를 한 온도 제어부(37, 137, 237, 337, 437, 537)는, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 열적으로 접속되어 있으면 좋다. 예컨대, 이들 온도 제어부를 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 용접하거나, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 접합하거나 할 수 있다.The temperature controllers 37, 137, 237, 337, 437, and 537 exemplified above may be thermally connected to the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b). For example, these temperature controllers may be welded to the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b) or bonded to the upper cracked plate 34a (lower cracked plate 34b) using fastening members such as screws. can

도 13은 복수의 온도 제어부를 중첩하여 마련하는 경우의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.13 is a schematic perspective view for illustrating a form in the case of overlapping and providing a plurality of temperature control units.

도 13에 나타내는 바와 같이, 하측의 온도 제어부(637a)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)에 볼록형의 위치 결정부(637a1)를 마련하고, 상측의 온도 제어부(637b)에 위치 결정부(637a1)가 삽입되는 위치 결정부(637b1)를 마련할 수 있다. 위치 결정부(637b1)는, 예컨대, 절결이나 구멍 등으로 할 수 있다.As shown in Fig. 13, a convex positioning unit 637a1 is provided in the lower temperature control unit 637a (corresponding to an example of the third temperature control unit), and the positioning unit ( A positioning unit 637b1 into which 637a1 is inserted may be provided. The positioning portion 637b1 can be, for example, a notch or a hole.

이와 같이 하면, 온도 제어부(637a, 637b)의 착탈이 용이해지기 때문에, 메인터넌스성의 향상을 도모할 수 있다.Since attaching and detaching the temperature controllers 637a and 637b in this way becomes easy, maintenance can be improved.

이상, 실시형태에 대해서 예시를 하였다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것이 아니다.In the above, examples were given about the embodiment. However, the present invention is not limited to these techniques.

전술한 실시형태에 관해서, 당업자가 적절하게 설계 변경을 가한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.Regarding the above-described embodiment, those skilled in the art appropriately made design changes are also included in the scope of the present invention as long as they have the characteristics of the present invention.

예컨대, 가열 처리 장치(1)의 형상, 치수, 배치 등은, 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니며 적절하게 변경할 수 있다.For example, the shape, size, arrangement, etc. of the heat processing apparatus 1 are not limited to those illustrated and can be appropriately changed.

또한, 전술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는, 가능한 한에 있어서 조합할 수 있고, 이들을 조합한 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.In addition, each element provided in each embodiment described above can be combined as much as possible, and a combination thereof is also included in the scope of the present invention as long as the features of the present invention are included.

도 7 및 도 12에 나타낸 다른 형태의 형태에서는, 온도 제어부를 중첩하여 마련하는 경우를 설명하였다. 그러나, 온도 제어부는, 중첩하여 마련하는 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 온도 제어부(537)를 상부 균열판(34a)의 히터(32a)측의 면에 마련하고, 온도 제어부(37)를 워크(100)의 중앙 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)의 워크(100)측의 면에 마련하도록 하여도 좋다.In the form of another form shown in FIG. 7 and FIG. 12, the case where the temperature control part is overlapped and provided was demonstrated. However, the temperature control unit is not limited to being overlapped and provided. For example, the temperature control unit 537 is provided on the surface of the upper soaking plate 34a on the side of the heater 32a, and the temperature control unit 37 is placed on the workpiece of the upper soaking plate 34a facing the central region of the work 100. It may be provided on the surface on the (100) side.

또한, 워크(100)의, 중앙 영역으로부터 바깥 가장자리 영역을 향하여, 온도 제어부(37)의 개수를 변화시켜도 좋다. 예컨대, 중앙 영역으로부터 바깥 가장자리 영역을 향하여, 온도 제어부(37)의 개수가 감소하도록 배치할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.Further, the number of temperature controllers 37 may be changed from the central region to the outer edge region of the work 100 . For example, the number of temperature controllers 37 may decrease from the central area toward the outer edge area. By doing in this way, the non-uniformity of the temperature distribution within the plane of the workpiece 100 can be reduced.

또한, 온도 제어부(37) 및 온도 제어부(337)를 병용하여도 좋다. 예컨대, 워크(100)의 중앙 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)에 온도 제어부(337)를 마련하고, 그 양측에 배치된 상부 균열판(34a)에 온도 제어부(37)를 마련하도록 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.Moreover, you may use together the temperature control part 37 and the temperature control part 337. For example, the temperature controller 337 may be provided on the upper soaked plate 34a facing the central region of the work 100, and the temperature controller 37 may be provided on the upper soaked plate 34a disposed on both sides thereof. there is. By doing in this way, the non-uniformity of the temperature distribution within the plane of the workpiece 100 can be reduced.

또한, 온도 제어부(37)의 형상은, 직사각형에 한정되지 않는다. 예컨대, 균열부만으로 가열한 경우의, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포를 미리 구해 두고, 온도 분포에 맞추어 온도 제어부(37)의 형상을 결정하도록 하여도 좋다. 이 경우, 온도 제어부(37)는, 예컨대, 삼각형이나, 타원, 표주박 형상이나 부채 형상 등, 여러 가지 형상으로 할 수 있다.In addition, the shape of the temperature control part 37 is not limited to a rectangle. For example, the temperature distribution within the surface of the workpiece 100 in the case of heating only the cracked portion may be obtained in advance, and the shape of the temperature control unit 37 may be determined according to the temperature distribution. In this case, the temperature control part 37 can be made into various shapes, such as a triangle, an ellipse, a gourd shape, and a fan shape, for example.

또한, 복수의 가열부(32)를 갖는 가열 처리 장치에서는, 가열부(32)마다 온도 제어부(37)의 형상이나 구성을 바꾸도록 하여도 좋다. 예컨대, 상부 균열판(34a)에 마련된 온도 제어부(37)의 형상이나 구성이 가열부(32)마다 다르게 하여도 좋다. 또한, 최하단과 최상단의 가열부(32)는, 다른 가열부(32)와 다르게, 열이 빠져나가기 쉽다. 그 때문에, 최하단과 최상단의 가열부(32)에 대해서는, 가열부(32)의, 워크(100)측과는 반대측에 마련된 균열부(34)에 온도 제어부(37)를 마련하지 않아도 좋다. 이와 같이 함으로써, 최하단과 최상단의 처리부(30)에 마련된 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.Further, in a heat treatment apparatus having a plurality of heating units 32, the shape and configuration of the temperature control unit 37 may be changed for each heating unit 32. For example, the shape or configuration of the temperature controller 37 provided on the upper soaking plate 34a may be different for each heating unit 32 . In addition, unlike the other heating units 32, heat escapes easily from the lowermost and uppermost heating units 32. Therefore, it is not necessary to provide the temperature control part 37 in the split part 34 provided on the side opposite to the workpiece|work 100 side of the heating part 32 about the heating part 32 of the lowermost stage and the uppermost stage. By doing in this way, the non-uniformity of the temperature distribution within the surface of the work 100 provided in the process part 30 of the lowermost stage and the uppermost stage can be reduced.

1 가열 처리 장치, 10 챔버, 20 배기부, 30 처리부, 30a 처리 영역, 30b 처리 영역, 32 가열부, 33 지지부, 34a 상부 균열판, 34b 하부 균열판, 37 온도 제어부, 37a 방사부, 37b 볼록부, 37c 반사막, 100 워크, 137 온도 제어부, 237 온도 제어부, 337 온도 제어부, 437 온도 제어부, 537 온도 제어부1 heating processing unit, 10 chamber, 20 exhaust unit, 30 processing unit, 30a processing area, 30b processing area, 32 heating unit, 33 support unit, 34a upper soaking plate, 34b lower soaking plate, 37 temperature control unit, 37a radiation part, 37b convex part, 37c reflective film, 100 workpiece, 137 temperature controller, 237 temperature controller, 337 temperature controller, 437 temperature controller, 537 temperature controller

Claims (11)

챔버와,
상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와,
상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 제1 가열부와 대향하는 제2 가열부와,
상기 제1 가열부와 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제1 균열판(均熱板)과,
상기 제1 균열판과 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제2 균열판과,
상기 제1 균열판과 상기 제2 균열판 사이로서, 워크가 지지되는 제1 처리 영역과,
상기 제1 균열판에 마련된 제1 온도 제어부와,
상기 제2 균열판에 마련된 제2 온도 제어부
를 구비하고,
상기 제1 온도 제어부는, 상기 제1 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제1 방사부를 갖고,
상기 제2 온도 제어부는, 상기 제2 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제2 방사부를 갖는 것인 가열 처리 장치.
chamber,
A first heating unit provided inside the chamber and having at least one first heater;
A second heating unit provided inside the chamber, having at least one second heater, and facing the first heating unit;
At least one first soaking plate provided between the first heating unit and the second heating unit;
at least one second soaking plate provided between the first soaking plate and the second heating part;
A first processing region in which a work is supported, between the first soaking plate and the second soaking plate;
A first temperature controller provided on the first soaking plate;
A second temperature controller provided on the second soaking plate
to provide,
The first temperature control unit has a first radiation unit provided with the first soaking plate and a gap therebetween,
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the second temperature control unit has a second radiation unit provided with the second soaking plate and a gap therebetween.
챔버와,
상기 챔버의 내부를 배기하여, 상기 챔버의 내부를 진공으로 하는 배기부와,
상기 챔버의 내부에 마련되며, 워크가 지지되는 제1 처리 영역과,
상기 제1 처리 영역의 상부에 마련되며, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와,
상기 제1 처리 영역의 하부에 마련되며, 적어도 하나의 제2 히터를 갖는 제2 가열부와,
상기 제1 처리 영역과 상기 제1 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제1 균열판과,
상기 제1 처리 영역과 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제2 균열판과,
상기 제1 균열판에 마련된 제1 온도 제어부
를 구비하고,
상기 제1 온도 제어부는, 상기 제1 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제1 방사부를 갖는 것인 가열 처리 장치.
chamber,
An exhaust unit that exhausts the inside of the chamber to vacuum the inside of the chamber;
A first processing region provided inside the chamber and supporting a workpiece;
a first heating unit provided above the first processing region and having at least one first heater;
a second heating unit provided below the first processing region and having at least one second heater;
at least one first soaking plate provided between the first treatment region and the first heating part;
at least one second soaking plate provided between the first treatment region and the second heating part;
A first temperature controller provided on the first soaking plate
to provide,
The heat treatment apparatus according to claim 1 , wherein the first temperature control unit has a first radiation unit provided with the first soaking plate and a gap therebetween.
제2항에 있어서,
상기 제2 균열판에 마련된 제2 온도 제어부
를 구비하고,
상기 제2 온도 제어부는, 제2 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제2 방사부를 갖는 것인 가열 처리 장치.
According to claim 2,
A second temperature controller provided on the second soaking plate
to provide,
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the second temperature control unit has a second radiation unit provided with a second soaking plate and a gap therebetween.
제1항에 있어서, 상기 제1 방사부의 평면 치수는 상기 제2 방사부의 평면 치수보다 큰 것인 가열 처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein a plane dimension of the first radiation part is larger than a plane dimension of the second radiation part. 제3항에 있어서, 상기 제1 방사부의 평면 치수는 상기 제2 방사부의 평면 치수보다 큰 것인 가열 처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein a plane dimension of the first radiation part is larger than a plane dimension of the second radiation part. 제1항에 있어서, 상기 제1 방사부에는, 상기 제1 방사부보다 열을 흡수하기 어려운 반사막이 마련되어 있는 것인 가열 처리 장치.The heat processing apparatus according to claim 1, wherein the first radiation part is provided with a reflective film that absorbs heat more easily than the first radiation part. 제6항에 있어서, 상기 반사막은, 평면으로 보아, 상기 제1 방사부의 중앙 영역에 마련되어 있는 것인 가열 처리 장치.The heat processing apparatus according to claim 6, wherein the reflective film is provided in a central region of the first radiation portion when viewed in plan. 제1항에 있어서, 상기 제2 균열판의 열전도율은 상기 제1 균열판의 열전도율보다 높은 것인 가열 처리 장치.The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the thermal conductivity of the second soaked plate is higher than that of the first soaked plate. 제1항에 있어서,
상기 제1 온도 제어부에 중첩되어 마련된 제3 온도 제어부
를 더 구비한 가열 처리 장치.
According to claim 1,
A third temperature controller overlapping the first temperature controller
A heat treatment device further comprising.
제9항에 있어서, 상기 제3 온도 제어부는, 상기 제1 온도 제어부와 간극을 개재시켜 마련된 제3 방사부를 갖고,
상기 제3 방사부의 평면 치수는, 상기 제1 온도 제어부에 마련된 상기 제1 방사부의 평면 치수와는 다른 것인 가열 처리 장치.
The method of claim 9, wherein the third temperature control unit has a third radiation unit provided with the first temperature control unit and a gap therebetween,
A plane dimension of the third radiation part is different from a plane dimension of the first radiation part provided in the first temperature control unit.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 처리 영역 위에 중첩되어 마련된 제2 처리 영역
을 더 갖고,
상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역 사이에 마련된 상기 제1 가열부가 상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역에서 겸용되는 것인 가열 처리 장치.
According to any one of claims 1 to 10,
A second processing region overlapping the first processing region
have more
wherein the first heating unit provided between the first processing region and the second processing region is used in both the first processing region and the second processing region.
KR1020220073397A 2021-07-29 2022-06-16 Heat treating device KR102707185B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-123920 2021-07-29
JP2021123920A JP7366086B2 (en) 2021-07-29 2021-07-29 Heat treatment equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230018314A true KR20230018314A (en) 2023-02-07
KR102707185B1 KR102707185B1 (en) 2024-09-13

Family

ID=85060178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220073397A KR102707185B1 (en) 2021-07-29 2022-06-16 Heat treating device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7366086B2 (en)
KR (1) KR102707185B1 (en)
CN (1) CN115672686B (en)
TW (1) TWI823437B (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112437A (en) * 1996-10-04 1998-04-28 Hitachi Ltd Semiconductor board treatment device
JP2019117250A (en) 2017-12-27 2019-07-18 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 Image forming apparatus
KR20200058493A (en) * 2017-12-15 2020-05-27 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Organic film forming device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002195755A (en) * 2000-10-16 2002-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Heat treatment system
JP2006170534A (en) * 2004-12-16 2006-06-29 Seiko Epson Corp Heating method for body to be heated, heating furnace, and manufacturing method of device
CN102633442B (en) * 2012-04-19 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 Temperature control pin supporting substrate carries out the pre-dried device and method of alignment film
JP6240440B2 (en) * 2013-08-30 2017-11-29 東京応化工業株式会社 Chamber apparatus and heating method
KR102226624B1 (en) * 2018-03-30 2021-03-12 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Apparatus for forming organic film and method for producing organic film
JP6940541B2 (en) * 2018-04-16 2021-09-29 芝浦メカトロニクス株式会社 Organic film forming device
CN110391132B (en) * 2018-04-16 2023-05-16 芝浦机械电子株式会社 Organic film forming apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112437A (en) * 1996-10-04 1998-04-28 Hitachi Ltd Semiconductor board treatment device
KR20200058493A (en) * 2017-12-15 2020-05-27 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Organic film forming device
JP2019117250A (en) 2017-12-27 2019-07-18 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 Image forming apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW202305992A (en) 2023-02-01
CN115672686B (en) 2024-06-11
CN115672686A (en) 2023-02-03
TWI823437B (en) 2023-11-21
JP2023019295A (en) 2023-02-09
KR102707185B1 (en) 2024-09-13
JP7366086B2 (en) 2023-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102231061B1 (en) Apparatus for forming organic film
KR102391759B1 (en) organic film forming device
KR102226624B1 (en) Apparatus for forming organic film and method for producing organic film
JP6871959B2 (en) Organic film forming apparatus and method for producing an organic film
JP5436429B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
CN110391132B (en) Organic film forming apparatus
KR20230018314A (en) Heat treating device
TWI844060B (en) Heat treatment device
KR102611238B1 (en) Heat treating device
JP4227578B2 (en) Heating method and image display device manufacturing method
US20220248502A1 (en) Heat treatment device
KR20240143881A (en) Heat treatment device
JP2022118690A (en) Heat treatment device
KR20240143880A (en) Heat treatment device
KR20240037924A (en) Organic film formation apparatus and cleaning method of organic film formation apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant