KR20230018314A - Heat treating device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 실시형태는 가열 처리 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a heat treatment device.
워크를 가열하여, 워크의 표면에 막 등을 형성하거나, 워크의 표면을 처리하거나 하는 가열 처리 장치가 있다.There is a heat treatment device that heats a work to form a film or the like on the surface of the work or treats the surface of the work.
예컨대, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 기판 위에 도포하고, 이것을 가열함으로써 기판 위에 유기막을 형성하는 가열 처리 장치가 제안되어 있다. 이러한 가열 처리 장치에 있어서는, 예컨대, 챔버의 내부 공간을 대기압보다 감압하고, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서, 용액이 도포된 기판을 100℃∼600℃ 정도의 온도까지 가열하는 경우가 있다. 또한, 워크의 표면측(상측)과, 워크의 이면측(하측)에 히터를 마련하고, 워크의 양면측으로부터 균열판을 통해 가열을 행함으로써, 처리 시간의 단축을 도모하는 일도 행해지고 있다.For example, a heat treatment apparatus has been proposed that forms an organic film on a substrate by applying a solution containing an organic material and a solvent onto a substrate and heating the solution. In such a heat treatment apparatus, for example, the internal space of the chamber is reduced in pressure from atmospheric pressure, and the substrate coated with the solution is heated to a temperature of about 100° C. to 600° C. in an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure. In addition, by providing heaters on the front side (upper side) and the back side (lower side) of the work, and heating from both sides of the work through a soaking plate, shortening the treatment time is also being performed.
여기서, 일반적으로는, 가열 처리의 대상이 되는 용액이나, 층 등은, 워크의 표면에 마련되어 있다. 가열 처리의 대상물의 표면으로부터 화학 반응이 진행되면, 가열 처리의 대상물의 기판과 접하는 영역에서 반응이 충분히 진행되지 않을 우려가 있다. 이 경우, 형성되는 막이나, 처리된 층의 품질이 저하할 우려가 있다. 그 때문에, 형성되는 막이나, 처리된 층의 품질을 향상시키기 위해, 워크의 표면에 마련된 용액이나, 층 등의 표면의 온도를 워크의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열하는 것이 요구되고 있다.Here, in general, a solution or a layer to be subjected to the heat treatment is provided on the surface of the workpiece. When a chemical reaction proceeds from the surface of the object to be heat-treated, there is a risk that the reaction may not sufficiently proceed in a region in contact with the substrate of the object to be heat-treated. In this case, there is a possibility that the quality of the formed film or the processed layer may deteriorate. Therefore, in order to improve the quality of the formed film or the processed layer, it is required to heat the surface of the solution or layer provided on the surface of the workpiece in a state lower than the temperature of the back surface of the workpiece.
또한, 보다 고품질의 막이나, 층이 요구되고 있다. 그 때문에, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포를 보다 균일하게 제어하는 기술이 요구되고 있다.Further, higher quality films and layers are required. Therefore, a technique for more uniformly controlling the temperature distribution within the plane of the workpiece is required.
그래서, 워크의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크의 표면의 온도 및 워크의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어 가능한 가열 처리 장치의 개발이 요구되고 있었다.Therefore, even when heating is performed from both sides of the workpiece, the temperature of the surface of the workpiece to which the object to be subjected to heat treatment is adhered, the temperature of the backside of the workpiece, and the unevenness of the temperature distribution within the surface of the workpiece can be reduced more easily by a simple method. Development of a heat treatment device that can be controlled in detail has been desired.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 워크의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크의 표면의 온도 및 워크의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어 가능한 가열 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to determine the temperature of the surface of the workpiece to which the object to be subjected to heat treatment is attached, the temperature of the backside of the workpiece, and the temperature distribution within the surface of the workpiece, even when heating is performed from both sides of the workpiece. It is to provide a heat treatment device capable of more detailed control of non-uniformity by a simple method.
실시형태에 따른 가열 처리 장치는, 챔버와, 상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와, 상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 제1 가열부와 대향하는 제2 가열부와, 상기 제1 가열부와 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제1 균열판과, 상기 제1 균열판과 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제2 균열판과, 상기 제1 균열판과 상기 제2 균열판 사이로서, 워크가 지지되는 제1 처리 영역과, 상기 제1 균열판에 마련된 제1 온도 제어부와, 상기 제2 균열판에 마련된 제2 온도 제어부를 구비하고 있다. 상기 제1 온도 제어부는, 상기 제1 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제1 방사부를 갖고 있다. 상기 제2 온도 제어부는, 상기 제2 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제2 방사부를 갖는다.A heat processing apparatus according to an embodiment includes a chamber, a first heating unit provided inside the chamber and having at least one first heater, provided inside the chamber, and including at least one second heater. , a second heating unit facing the first heating unit, at least one first cracking plate provided between the first heating unit and the second heating unit, and between the first cracking plate and the second heating unit at least one second soaking plate, a first processing region between the first soaking plate and the second soaking plate in which a work is supported, a first temperature controller provided on the first soaking plate, and It is equipped with the 2nd temperature control part provided in the 2 soak board. The first temperature control unit has a first radiation unit provided with the first soaking plate and a gap therebetween. The second temperature control section has a second radiation section provided with the second soaking plate and a gap therebetween.
본 발명의 실시형태에 따르면, 워크의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크의 표면의 온도 및 워크의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어 가능한 가열 처리 장치가 제공된다.According to the embodiment of the present invention, even when heating is performed from both sides of the workpiece, the temperature of the surface of the workpiece to which the object to be subjected to heat treatment is attached and the temperature of the backside of the workpiece, and the temperature distribution within the plane of the workpiece are not uniform. A heat treatment device capable of more detailed control by a simple method is provided.
도 1은 본 실시형태에 따른 가열 처리 장치를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2는 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 3은 온도 제어부의 평면 형상을 예시하기 위한 모식 평면도이다.
도 4는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 평면도이다.
도 5는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 8은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 9는 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 10은 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 11은 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 12는 처리 영역이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 13은 복수의 온도 제어부를 중첩되어 마련하는 경우의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.1 is a schematic perspective view for illustrating a heat treatment apparatus according to the present embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature control unit.
3 is a schematic plan view for illustrating the planar shape of a temperature control unit.
4 is a schematic plan view for illustrating a temperature control unit according to another embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature control unit according to another embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view for illustrating a temperature control unit according to another embodiment.
7 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature control unit according to another embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature control unit according to another embodiment.
Fig. 9 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a temperature control unit in the case where processing regions are provided overlapping each other.
10 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where processing regions are provided overlapping.
11 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where processing regions are provided overlapping.
Fig. 12 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where processing regions are overlapped.
13 is a schematic perspective view for illustrating a form in the case of overlapping and providing a plurality of temperature control units.
이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대해서 예시를 한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, an illustration is given about embodiment, referring drawings. In addition, in each drawing, the same code|symbol is attached|subjected to the same component, and detailed description is abbreviate|omitted suitably.
이하에 있어서는, 일례로서, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 워크를 가열하여, 워크의 표면에 유기막을 형성하는 가열 처리 장치를 설명한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 본 발명은 워크를 가열하여, 워크의 표면에 무기막 등을 형성하거나, 워크의 표면을 처리하거나 하는 가열 처리 장치에도 적용할 수 있다.In the following, as an example, a heat treatment apparatus for forming an organic film on the surface of a workpiece by heating a workpiece in an atmosphere reduced in pressure from atmospheric pressure will be described. However, the present invention is not limited thereto. For example, the present invention can be applied to a heat treatment apparatus that heats a work to form an inorganic film or the like on the surface of the work, or treats the surface of the work.
또한, 가열 전의 워크는, 예컨대, 기판과, 기판의 표면에 도포된 용액을 갖는 것이어도 좋고, 기판만이어도 좋다. 이하에 있어서는, 일례로서, 가열 전의 워크가, 기판과, 기판의 표면에 도포된 용액을 갖는 경우를 설명한다.In addition, the workpiece before heating may have, for example, a substrate and a solution applied to the surface of the substrate, or may be only the substrate. In the following, as an example, a case where the workpiece before heating has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate will be described.
또한, 기판의 표면에 도포된 용액 및 기판의 표면에 형성된 층 등을 일반적으로 가열 처리의 대상물이라고 부르는 경우도 있다.Also, in some cases, the solution applied to the surface of the substrate, the layer formed on the surface of the substrate, and the like are generally referred to as objects to be subjected to heat treatment.
도 1은 본 실시형태에 따른 가열 처리 장치(1)를 예시하기 위한 모식 사시도이다.1 is a schematic perspective view for illustrating a heat processing apparatus 1 according to the present embodiment.
또한, 도 1 중 X 방향, Y 방향 및 Z 방향은, 서로 직교하는 3방향을 나타내고 있다. 본 명세서에 있어서의 상하 방향은, Z 방향으로 할 수 있다.In Fig. 1, the X direction, the Y direction, and the Z direction represent three directions orthogonal to each other. The vertical direction in this specification can be referred to as the Z direction.
가열 전의 워크(100)는, 기판과, 기판의 표면에 도포된 용액을 갖는다.The
기판은, 예컨대, 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등이다. 단, 기판은, 예시를 한 것에 한정되는 것이 아니다.The substrate is, for example, a glass substrate or a semiconductor wafer. However, the board|substrate is not limited to what was exemplified.
용액은, 예컨대, 유기 재료와 용제를 포함하고 있다. 유기 재료는, 용제에 의해 용해가 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 용액은, 예컨대, 폴리아미드산을 포함하는 바니시 등으로 할 수 있다. 단, 용액은, 예시를 한 것에 한정되는 것이 아니다.The solution contains, for example, an organic material and a solvent. The organic material is not particularly limited as long as it is soluble in a solvent. The solution can be, for example, a varnish containing polyamic acid. However, the solution is not limited to what was exemplified.
도 1에 나타내는 바와 같이, 가열 처리 장치(1)에는, 예컨대, 챔버(10), 배기부(20), 처리부(30), 냉각부(40) 및 컨트롤러(50)가 마련되어 있다.As shown in FIG. 1 , the heat treatment apparatus 1 includes, for example, a
챔버(10)는, 상자형을 나타내고 있다. 챔버(10)는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖고 있다. 챔버(10)의 외관 형상에는 특별히 한정은 없다. 챔버(10)의 외관 형상은, 예컨대, 직방체나 원통으로 할 수 있다. 챔버(10)는, 예컨대, 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수 있다.The
예컨대, 챔버(10)의 한쪽의 단부에는 플랜지(11)가 마련되어 있다. 플랜지(11)에는, O링 등의 시일재(12)를 마련할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(11)가 마련된 측의 개구는, 개폐 도어(13)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 도시하지 않는 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)(시일재(12))에 압박됨으로써, 챔버(10)의 개구가 기밀이 되도록 폐쇄된다. 도시하지 않는 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)로부터 이격함으로써, 챔버(10)의 개구를 통한 워크(100)의 반입 또는 반출이 가능해진다.For example, a
챔버(10)의 다른쪽의 단부에는 플랜지(14)를 마련할 수 있다. 플랜지(14)에는, O링 등의 시일재(12)를 마련할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(14)가 마련된 측의 개구는, 덮개(15)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 예컨대, 덮개(15)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 플랜지(14)에 착탈 가능하게 마련할 수 있다. 메인터넌스 등을 행할 때에는, 덮개(15)를 제거함으로써, 챔버(10)의, 플랜지(14)가 마련된 측의 개구를 노출시킨다.A
챔버(10)의 외벽에는 냉각부(16)를 마련할 수 있다. 냉각부(16)에는, 도시하지 않는 냉각수 공급부가 접속되어 있다. 냉각부(16)는, 예컨대, 워터 재킷(Water Jacket)으로 할 수 있다. 냉각부(16)가 마련되어 있으면, 챔버(10)의 외벽 온도가 소정의 온도보다 높아지는 것을 억제할 수 있다.A cooling
배기부(20)는, 챔버(10)의 내부를 배기한다. 배기부(20)는, 제1 배기부(21)와, 제2 배기부(22)를 갖는다.The
제1 배기부(21)는, 챔버(10)의 저면에 마련된 배기구(17)에 접속되어 있다.The
제1 배기부(21)는, 배기 펌프(21a)와, 압력 제어부(21b)를 갖는다.The
배기 펌프(21a)는, 대기압으로부터 소정의 압력까지 러핑 배기를 행하는 배기 펌프로 할 수 있다. 그 때문에, 배기 펌프(21a)는, 후술하는 배기 펌프(22a)보다 배기량이 많다. 배기 펌프(21a)는, 예컨대, 드라이 진공 펌프 등으로 할 수 있다.The
압력 제어부(21b)는, 배기구(17)와 배기 펌프(21a) 사이에 마련되어 있다. 압력 제어부(21b)는, 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않는 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 소정의 압력이 되도록 제어한다. 압력 제어부(21b)는, 예컨대, APC(Auto Pressure Controller) 등으로 할 수 있다.The
제2 배기부(22)는, 챔버(10)의 저면에 마련된 배기구(18)에 접속되어 있다.The
제2 배기부(22)는, 배기 펌프(22a)와, 압력 제어부(22b)를 갖는다.The
배기 펌프(22a)는, 배기 펌프(21a)에 의한 러핑 배기 후, 더욱 낮은 소정의 압력까지 배기를 행한다. 배기 펌프(22a)는, 예컨대, 고진공의 분자류 영역까지 배기 가능한 배기 능력을 갖는다. 예컨대, 배기 펌프(22a)는, 터보 분자 펌프(TMP: Turbo Molecular Pump) 등으로 할 수 있다.The
압력 제어부(22b)는, 배기구(18)와 배기 펌프(22a) 사이에 마련되어 있다. 압력 제어부(22b)는, 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않는 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 소정의 압력이 되도록 제어한다. 압력 제어부(22b)는, 예컨대, APC 등으로 할 수 있다.The
배기구(17) 및 배기구(18)는, 챔버(10)의 저면에 배치되어 있다. 그 때문에, 챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간에, 챔버(10)의 저면을 향하는 다운 플로우의 기류가 형성된다. 상기 공간에 다운 플로우의 기류가 형성되면, 워크(100)를 가열하였을 때에 생긴, 유기 재료를 포함하는 승화물이, 처리부(30)의 내부로부터 상기 공간에 흘러, 상기 공간의 다운 플로우의 기류를 타고 챔버(10)의 외부로 배출된다. 그 때문에, 워크(100)에 승화물 등의 이물이 부착되는 것을 억제할 수 있다.The
또한, 이상에 있어서는, 배기구(17) 및 배기구(18)가 챔버(10)의 저면에 마련되는 경우를 예시하였지만, 배기구(17) 및 배기구(18)는, 예컨대, 챔버(10)의 천장면이나 측면에 마련할 수도 있다. 배기구(17) 및 배기구(18)가 챔버(10)의 저면, 또는 천장면에 마련되어 있으면, 챔버(10)의 내부에, 챔버(10)의 저면, 또는 천장면을 향하는 기류를 형성할 수 있다.Further, in the above, the case where the
처리부(30)는, 예컨대, 프레임(31), 가열부(32)(제1 가열부 또는 제2 가열부의 일례에 상당함), 지지부(33), 균열부(34), 균열판 지지부(35), 커버(36) 및 온도 제어부(37)(제1 온도 제어부 또는 제2 온도 제어부의 일례에 상당함)를 갖는다.The
처리부(30)의 내부에는, 처리 영역(30a)(제1 처리 영역의 일례에 상당함) 및 처리 영역(30b)(제2 처리 영역의 일례에 상당함)이 마련되어 있다. 처리 영역(30a, 30b)은, 워크(100)에 처리를 실시하는 공간이 된다. 워크(100)는, 처리 영역(30a, 30b)의 내부에 지지된다. 처리 영역(30b)은, 처리 영역(30a) 위에 중첩되어 마련되어 있다. 또한, 2개의 처리 영역이 마련되는 경우를 예시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 1개의 처리 영역만을 마련하거나, 3개 이상의 처리 영역을 마련하거나 할 수도 있다. 본 실시형태에 있어서는, 일례로서, 2개의 처리 영역이 마련되는 경우를 예시하지만, 1개의 처리 영역 및 3개 이상의 처리 영역이 마련되는 경우도 동일하게 생각할 수 있다.Inside the
처리 영역(30a, 30b)은, 가열부(32)와 가열부(32) 사이에 마련되어 있다. 처리 영역(30a, 30b)은, 균열부(34)에 의해 둘러싸여 있다.The
후술하는 바와 같이, 균열부(34)는, 복수의 균열판에 의해 구성되어 있다. 그 때문에, 균열부(34)는, 밀폐 구조가 아니다. 따라서, 챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간의 압력이 감압되면, 처리 영역(30a, 30b)의 내부의 공간도 감압된다.As will be described later, the
챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간의 압력이 감압되어 있으면, 처리 영역(30a, 30b)으로부터 외부로 방출되는 열을 억제할 수 있다. 즉, 가열 효율과 축열 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 후술하는 히터(32a)(제1 히터 또는 제2 히터의 일례에 상당함)에 인가하는 전력을 저감할 수 있다. 히터(32a)에 인가하는 전력을 저감할 수 있으면, 히터(32a)의 온도가 소정의 온도 이상이 되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 히터(32a)의 수명을 길게 할 수 있다.When the pressure in the space between the inner wall of the
프레임(31)은, 예컨대, 가늘고 긴 판재나 형강 등을 이용한 골조 구조를 갖고 있다. 프레임(31)의 외관 형상은, 챔버(10)의 외관 형상과 동일하게 할 수 있다. 프레임(31)의 외관 형상은, 예컨대, 직방체로 할 수 있다. 본 실시형태에서는, 프레임(31)은, 챔버(10)의 바닥면과 4개소에서 접촉하고 있다. 프레임(31)의, 챔버(10)와의 접촉 개소에는, 단열 부재가 마련된다. 프레임(31)과 챔버(10)의 접촉 면적을 줄이고, 접촉하는 부분에 단열 부재를 이용함으로써, 프레임(31)의 축열 효율을 높일 수 있다.The
가열부(32)는, 복수 마련되어 있다. 가열부(32)는, 처리 영역(30a, 30b)의 하부 및 처리 영역(30a, 30b)의 상부에 마련할 수 있다. 처리 영역(30a, 30b)의 하부에 마련된 가열부(32)는, 하부 가열부가 된다. 처리 영역(30a, 30b)의 상부에 마련된 가열부(32)는, 상부 가열부가 된다. 하부 가열부는, 상부 가열부와 대향하고 있다. 또한, 복수의 처리 영역이 상하 방향으로 중첩되어 마련되는 경우에는, 하측의 처리 영역에 마련된 상부 가열부는, 상측의 처리 영역에 마련된 하부 가열부와 겸용할 수 있다. 예컨대, 처리 영역(30a)와 처리 영역(30b) 사이에 마련된 가열부(32)가, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에서 겸용되고 있다.A plurality of
가열부(32)는, 챔버(10)의 내부에 마련되어, 워크(100)를 가열한다.The
예컨대, 처리 영역(30a)에 지지된 워크(100)의 이면(하면)은, 처리 영역(30a)의 하부에 마련된 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리 영역(30a)에 지지된 워크(100)의 표면(상면)은, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다.For example, the lower surface (lower surface) of the
처리 영역(30b)에 지지된 워크(100)의 이면은, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리 영역(30b)에 지지된 워크(100)의 표면은, 처리 영역(30b)의 상부에 마련된 가열부(32)에 의해 가열된다.The back surface of the
이와 같이 하면, 가열부(32)의 수를 줄일 수 있기 때문에 소비 전력의 저감, 제조 비용의 저감, 공간 절약화 등을 도모할 수 있다.In this way, since the number of
복수의 가열부(32)의 각각은, 적어도 하나의 히터(32a)와, 한쌍의 홀더(32b)를 갖는다. 또한, 이하에 있어서는, 복수의 히터(32a)가 마련되는 경우를 설명한다.Each of the plurality of
히터(32a)는, 막대형을 나타내며, 한쌍의 홀더(32b) 사이를 Y 방향으로 연장되어 있다. 복수의 히터(32a)는, X 방향으로 배열하여 마련할 수 있다. 복수의 히터(32a)는, 등간격으로 마련할 수 있다. 히터(32a)는, 예컨대, 시즈 히터, 원적외선 히터, 원적외선 램프, 세라믹 히터, 카트리지 히터 등이다. 또한, 각종 히터를 석영 커버로 덮을 수도 있다.The
또한, 본 명세서에 있어서는, 석영 커버로 덮인 각종 히터도 포함시켜 「막대형의 히터」라고 칭한다. 또한, 「막대형」의 외관 형상에는 한정이 없고, 예컨대, 원기둥형이나 각기둥형 등으로 할 수 있다.In addition, in this specification, various heaters covered with quartz covers are also referred to as "rod-shaped heaters". In addition, there is no limitation on the external shape of the "rod shape", and it can be made into a cylinder shape, a prismatic shape, etc., for example.
또한, 히터(32a)는, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 워크(100)를 가열할 수 있으면, 전술한 것에 한정되지 않는다. 즉, 히터(32a)는, 방사에 의한 열 에너지를 이용하는 것이면 좋다.In addition, the
상부 가열부 및 하부 가열부에 있어서의 복수의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은, 가열하는 용액의 조성(용액의 가열 온도), 워크(100)의 크기 등에 따라 적절하게 변경할 수 있다. 복수의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은, 시뮬레이션이나 실험 등을 행함으로써 적절하게 결정할 수 있다.The specifications, number, spacing, etc. of the plurality of
워크(100)는, 처리 영역(30a, 30b)에 있어서, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 통해 양면측으로부터 가열된다. 여기서, 용액을 가열할 때에 생긴 승화물을 포함하는 증기는, 가열 대상인 워크(100)의 온도보다 낮은 온도의 물건에 부착되기 쉽다. 이 경우, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)은 가열되어 있기 때문에, 승화물이 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 부착되는 것이 억제된다. 또한, 승화물은, 전술한 다운 플로우의 기류를 타고 챔버(10)의 밖으로 배출된다. 그 때문에, 승화물이 워크(100)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.The
한쌍의 홀더(32b)는, X 방향으로 연장되어 있다. 한쌍의 홀더(32b)는, Y 방향에 있어서, 서로 대향하고 있다. 한쪽의 홀더(32b)는, 프레임(31)의, 개폐 도어(13)측의 단부면에 고정되어 있다. 다른쪽의 홀더(32b)는, 프레임(31)의, 개폐 도어(13)측과는 반대측의 단부면에 고정되어 있다. 한쌍의 홀더(32b)는, 예컨대, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 프레임(31)에 고정된다. 한쌍의 홀더(32b)는, 히터(32a)의 단부 근방의 비발열부를 유지한다. 한쌍의 홀더(32b)는, 예컨대, 가늘고 긴 금속의 판재나 형강 등으로 형성된다. 한쌍의 홀더(32b)의 재료는, 예컨대, 스테인레스 등으로 할 수 있다.A pair of
복수의 지지부(33)는, 챔버(10)의 내부에 마련되며, 워크(100)를 지지한다. 예컨대, 복수의 지지부(33)는, 상부 가열부와 하부 가열부 사이에 워크(100)를 지지한다. 복수의 지지부(33)는, 처리 영역(30a)의 하부 및 처리 영역(30b)의 하부에 마련되어 있다. 복수의 지지부(33)는, 막대형체로 할 수 있다.A plurality of
복수의 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상은, 반구형 등으로 할 수 있다. 복수의 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상이 반구형이면, 워크(100)의 하면에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 워크(100)의 하면과 복수의 지지부(33)의 접촉 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 워크(100)로부터 복수의 지지부(33)에 전해지는 열을 적게 할 수 있다.The shape of one end of the plurality of
복수의 지지부(33)의 다른쪽의 단부(하측의 단부)는, 예컨대, 한쌍의 프레임(31) 사이에 가설된 복수의 막대형 부재 또는 판형 부재 등에 고정할 수 있다.The other end (lower end) of the plurality of
복수의 지지부(33)의 수, 배치, 간격 등은, 워크(100)의 크기나 강성(휘어짐) 등에 따라 적절하게 변경할 수 있다.The number, arrangement, spacing, and the like of the plurality of
균열부(34)는, 복수의 상부 균열판(34a)(제1 균열판의 일례에 상당함), 복수의 하부 균열판(34b)(제2 균열판의 일례에 상당함), 복수의 측부 균열판(34c) 및 복수의 측부 균열판(34d)을 갖는다. 복수의 상부 균열판(34a), 복수의 하부 균열판(34b), 복수의 측부 균열판(34c) 및 복수의 측부 균열판(34d)은, 판형을 나타내고 있다.The
복수의 상부 균열판(34a)은, 상부 가열부에 있어서 하부 가열부측(워크(100)측)에 마련되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)은, 복수의 히터(32a)와 이격하여 마련되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)은, X 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 복수의 상부 균열판(34a)끼리의 사이에는 간극이 마련되어 있다. 간극이 마련되어 있으면, 열 팽창에 의해 상부 균열판(34a)의 치수가 증가한 만큼을 흡수할 수 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a)끼리가 간섭하여 변형이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 이 간극을 통해, 처리 영역(30a, 30b)의 분위기의 압력을 감압할 수 있다.A plurality of
복수의 하부 균열판(34b)은, 하부 가열부에 있어서 상부 가열부측(워크(100)측)에 마련되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)은, 복수의 히터(32a)와 이격하여 마련되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)은, X 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 복수의 하부 균열판(34b)끼리의 사이에는 간극이 마련되어 있다. 간극이 마련되어 있으면, 열 팽창에 의해 하부 균열판(34b)의 치수가 증가한 만큼을 흡수할 수 있다. 그 때문에, 하부 균열판(34b)끼리가 간섭하여 변형이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 이 간극을 통해, 처리 영역(30a, 30b)의 분위기의 압력을 감압할 수 있다.A plurality of
측부 균열판(34c)은, X 방향에 있어서, 처리 영역(30a, 30b)의 양측의 측부의 각각에 마련되어 있다. 측부 균열판(34c)은, 커버(36)의 내측에 마련할 수 있다. 또한, 적어도 하나의 히터(32a)를, 측부 균열판(34c)과 커버(36) 사이에 마련할 수도 있다.The
측부 균열판(34d)은, Y 방향에 있어서, 처리 영역(30a, 30b)의 양측의 측부의 각각에 마련되어 있다.34 d of side crack plates are provided in each of the side part of the both sides of process area|
전술한 바와 같이, 복수의 히터(32a)는, 막대형을 나타내며, 소정의 간격을 두고 배열되어 마련되어 있다. 히터(32a)가 막대형인 경우, 히터(32a)의 중심축으로부터 방사형으로 열이 방사된다. 이 경우, 히터(32a)의 중심축과 가열되는 부분 사이의 거리가 짧아질수록 가열되는 부분의 온도가 높아진다. 그 때문에, 복수의 히터(32a)에 대하여 대향하도록 워크(100)가 유지된 경우에는, 히터(32a)의 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)의 영역은, 복수의 히터(32a)끼리의 사이의 공간의 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)의 영역보다 온도가 높아진다. 즉, 막대형을 나타내는 복수의 히터(32a)를 이용하여 워크(100)를 직접 가열하면, 가열된 워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생긴다.As described above, the plurality of
워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생기면, 형성된 유기막의 품질이 저하할 우려가 있다. 예컨대, 온도가 높아진 부분에 있어서, 거품이 발생하거나, 유기막의 조성이 변화하거나 할 우려가 있다.When unevenness in temperature distribution occurs within the plane of the
복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이 마련되어 있으면, 복수의 히터(32a)로부터 방사된 열은, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)에 입사한다. 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)에 입사한 열은, 이들의 내부를 면방향으로 전파하면서 워크(100)를 향하여 방사된다. 그 때문에, 워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있고, 나아가서는 형성되는 유기막의 품질을 향상시킬 수 있다.When a plurality of upper cracked
복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)의 재료는, 열전도율이 높은 재료로 하는 것이 바람직하다. 이들 재료는, 예컨대, 알루미늄, 구리, 스테인레스 등으로 할 수 있다. 또한, 알루미늄이나 구리 등의 산화되기 쉬운 재료를 이용하는 경우에는, 산화되기 어려운 재료를 포함하는 층을 표면에 마련할 수 있다.The material of the plurality of upper cracked
또한, 하부 균열판(34b)의 열전도율은, 상부 균열판(34a)의 열전도율보다 높게 할 수 있다. 이와 같이 하면, 하부 균열판(34b)으로부터 방사되는 열에 비해서, 상부 균열판(34a)으로부터 방사되는 열이 적어지기 때문에, 워크(100)의 표면에 마련되는 용액이나, 층 등의 표면의 온도를 워크(100)의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열할 수 있다.Further, the thermal conductivity of the lower cracked
복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)으로부터 방사된 열의 일부는, 처리 영역의 측방을 향한다. 그 때문에, 처리 영역의 측부에는, 전술한 측부 균열판(34c, 34d)이 마련되어 있다. 측부 균열판(34c, 34d)에 입사한 열은, 측부 균열판(34c, 34d)을 면방향으로 전파하면서, 그 일부가 워크(100)를 향하여 방사된다. 그 때문에, 워크(100)의 가열 효율을 향상시킬 수 있다.Some of the heat radiated from the plurality of
측부 균열판(34c, 34d)의 재료는, 전술한 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 재료와 동일하다고 할 수 있다.It can be said that the material of the side cracked
또한, 이상에 있어서는, 복수의 상부 균열판(34a) 및 복수의 하부 균열판(34b)이, 마련되는 경우를 예시하였지만, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b) 중 적어도 한쪽은, 단일의 판형 부재로 할 수도 있다.In addition, in the above, the case where a plurality of upper cracked
복수의 균열판 지지부(35)는, X 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 균열판 지지부(35)는, X 방향에 있어서, 상부 균열판(34a)끼리의 사이의 바로 아래에 마련된다. 복수의 균열판 지지부(35)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 한쌍의 홀더(32b)에 고정된다. 한쌍의 균열판 지지부(35)는, 상부 균열판(34a)의 양단을 착탈 가능하게 지지한다. 또한, 복수의 하부 균열판(34b)을 지지하는 복수의 균열판 지지부(35)도 동일한 구성을 가질 수 있다.A plurality of cracked
한쌍의 균열판 지지부(35)에 의해, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 지지되어 있으면, 열팽창에 의한 치수차를 흡수할 수 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형되는 것을 억제할 수 있다.When the upper cracked
커버(36)는, 판형을 나타내며, 프레임(31)의 상면, 저면 및 측면을 덮고 있다. 즉, 커버(36)에 의해 프레임(31)의 내부가 덮여 있다. 단, 개폐 도어(13)측의 커버(36)는, 예컨대, 개폐 도어(13)에 마련할 수 있다. 커버(36)는 처리 영역(30a, 30b)을 둘러싸고 있지만, 프레임(31)의 상면과 측면의 경계선, 프레임(31)의 측면과 저면의 경계선, 개폐 도어(13)의 부근에는, 간극이 마련되어 있다.The
또한, 프레임(31)의 상면 및 저면에 마련되는 커버(36)는 복수로 분할되어 있다. 또한, 분할된 커버(36)끼리의 사이에는 간극이 마련되어 있다. 즉, 처리부(30)(처리 영역(30a), 처리 영역(30b))의 내부 공간은, 이들 간극을 통해, 챔버(10)의 내부 공간에 연통하고 있다. 그 때문에, 처리 영역(30a, 30b)의 압력이, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간의 압력과 동일해지게 할 수 있다. 커버(36)는, 예컨대, 스테인레스 등으로 형성된다.In addition, the
온도 제어부(37)는, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 마련되어 있다. 온도 제어부(37)는, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)으로부터 방사되는 열을 제어함으로써, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크(100)의 표면의 온도 및 워크(100)의 이면의 온도와, 워크의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 제어한다.The
또한, 워크(100)의 표면에는, 기판의 표면, 기판의 표면에 도포된 용액의 표면 및 기판의 표면에 형성된 층 등의 표면이 포함된다.In addition, the surface of the
또한, 온도 제어부(37)에 관한 상세는 후술한다.In addition, the detail regarding the
냉각부(40)는, 복수의 히터(32a)가 마련된 공간에 냉각 가스를 공급한다. 냉각부(40)는, 처리 영역(30a, 30b)에도 냉각 가스를 공급하도록 하여도 좋다. 냉각부(40)는, 냉각 가스에 의해, 처리 영역(30a, 30b)을 둘러싸는 균열부(34)를 냉각한다. 균열부(34)가 냉각됨으로써, 고온 상태에 있는 워크(100)가 간접적으로 냉각된다. 또한, 균열부(34)가 냉각됨으로써, 균열부(34)의 열이 워크(100)에 전해지는 것을 억제할 수 있다. 냉각 가스가, 처리 영역(30a, 30b)에 공급되는 경우에는, 고온 상태에 있는 워크(100)가 직접 냉각된다.The cooling
또한, 냉각부(40)는 반드시 필요한 것은 아니며, 생략할 수도 있다. 단, 냉각부(40)가 마련되어 있으면, 워크(100)의 냉각 시간을 단축할 수 있다.In addition, the cooling
냉각부(40)는, 노즐(41), 가스원(42) 및 가스 제어부(43)를 갖는다.The cooling
노즐(41)은, 복수의 히터(32a)가 마련된 공간에 접속된다. 또한, 냉각 가스를 처리 영역(30a, 30b)에 공급하는 경우에는, 노즐(41)이 처리 영역(30a, 30b)에 접속된다. 또한, 노즐(41)의 수나 배치는 적절하게 변경할 수 있다.The
가스원(42)은, 노즐(41)에 냉각 가스를 공급한다. 가스원(42)은, 예컨대, 고압 가스 봄베, 공장 배관 등으로 할 수 있다. 또한, 가스원(42)은, 복수 마련할 수도 있다.The
냉각 가스는, 가열된 워크(100)와 반응하기 어려운 가스로 할 수 있다. 냉각 가스는, 예컨대, 질소 가스, 탄산 가스(CO2), 희가스 등이다. 희가스는, 예컨대, 아르곤 가스나 헬륨 가스 등이다. 냉각 가스의 온도는, 예컨대, 실온(예컨대, 25℃) 이하로 할 수 있다.The cooling gas can be a gas that does not easily react with the
가스 제어부(43)는, 노즐(41)과 가스원(42) 사이에 마련되어 있다. 가스 제어부(43)는, 예컨대, 냉각 가스의 공급과, 공급의 정지와, 냉각 가스의 유속 및 유량 중 적어도 어느 하나의 제어를 행할 수 있다.The
컨트롤러(50)는, 예컨대, CPU(Central Processing Unit) 등의 연산부와, 메모리 등의 기억부를 구비하고 있다. 컨트롤러(50)는, 예컨대, 컴퓨터 등이다. 컨트롤러(50)는, 기억부에 저장되어 있는 제어 프로그램에 기초하여, 가열 처리 장치(1)에 마련된 각 요소의 동작을 제어한다.The
다음에, 온도 제어부(37)에 대해서 더욱 설명한다.Next, the
전술한 바와 같이, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 마련되어 있으면, 가열된 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있다. 그러나, 가열 처리의 대상이 되는 용액은, 워크(100)의 표면측에 마련되어 있다. 가열 처리의 대상물의 표면으로부터 화학 반응이 진행되면, 가열 처리의 대상물의 기판과 접하는 영역에서 반응이 충분히 진행되지 않을 우려가 있다. 이 경우, 형성되는 막이나, 처리된 층의 품질이 저하할 우려가 있다. 그 때문에, 가열 처리의 대상물의 표면, 즉, 워크의 표면의 온도를 워크의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열하는 것이 요구되고 있다.As described above, if the upper cracked
또한, 보다 고품질의 막이나, 층이 요구되고 있다. 그 때문에, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포를 보다 균일하게 제어하는 기술이 요구되고 있다. 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포에 불균일이 생기면, 형성된 유기막의 면내에 품질의 불균일이 생길 우려가 있다.Further, higher quality films and layers are required. Therefore, a technique for more uniformly controlling the temperature distribution within the plane of the
그래서, 워크(100)의 양면측으로부터 가열을 행하는 경우라도, 가열 처리의 대상물이 부착되어 있는 워크(100)의 표면의 온도 및 워크(100)의 이면의 온도와, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 간이한 방법으로 보다 상세하게 제어하기 위해, 온도 제어부(37)가 마련되어 있다.Therefore, even when heating is performed from both sides of the
도 2는 온도 제어부(37)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view for illustrating the
도 2는 워크(100)의, 둘레 가장자리 영역과 중앙 영역 사이에 존재하는 영역(중간 영역)에 대향하는 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 예시한다.FIG. 2 illustrates an upper cracked
도 3은 온도 제어부(37)의 평면 형상을 예시하기 위한 모식 평면도이다.3 is a schematic plan view for illustrating the planar shape of the
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(37)는, 워크(100)의 중앙 영역 및 중간 영역과 대향하는 복수의 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면(히터(32a)측의 면) 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 2에 예시를 한 온도 제어부(37)는, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면에 마련되어 있다. 또한, 예컨대, 온도 제어부(37)는, 워크(100)의 중앙 영역 및 중간 영역과 대향하는 복수의 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면(히터(32a)측의 면) 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 2에 예시를 한 온도 제어부(37)는, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측과는 반대측의 면에 마련되어 있다.As shown in FIGS. 2 and 3 , the
온도 제어부(37)는, 방사부(37a)(제1 방사부 또는 제2 방사부의 일례에 상당함) 및 복수의 볼록부(37b)를 갖는다.The
방사부(37a)는, 판형을 나타내고 있다. 방사부(37a)는, 상부 균열판(34a)과 간극을 개재시켜 마련되어 있다. 또한, 방사부(37a)는, 하부 균열판(34b)과 간극을 개재시켜 마련되어 있다. 복수의 볼록부(37b)는, 돌기형을 나타내고 있다. 복수의 볼록부(37b)는, 방사부(37a)의, 상부 균열판(34a)측의 면, 또는 하부 균열판(34b)측의 면에 마련할 수 있다. 또한, 복수의 볼록부(37b)는, 방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 사이에, 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b) 사이에 간극을 마련하기 위해 마련되어 있다.The
방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b)의 거리에 의해, 워크(100)의 표면 또는 이면에 입사하는 열량은 변화하지 않는다. 그 때문에, 복수의 볼록부(37b)의 높이는, 방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b)이 접촉하지 않는 높이로 하면 좋다. 예컨대, 복수의 볼록부(37b)의 높이는, 0.2 ㎜ 이상으로 하면 좋다. 또한, 방사부(37a)와 상부 균열판(34a) 또는, 방사부(37a)와 하부 균열판(34b)의 거리를 크게 하면, 챔버(10)의 대형화를 초래한다. 그 때문에, 복수의 볼록부(37b)의 높이는, 1 ㎜ 이하로 하면 좋다.Depending on the distance between the radiating
전술한 바와 같이, 복수의 히터(32a)로부터 방사되어, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 입사한 열은, 이들의 내부를 면방향으로 전파하면서 워크(100)측에 방사된다. 워크(100)측에 방사된 열에 의해, 워크(100)의 온도가 상승하지만, 워크(100)의 둘레 가장자리측은, 워크(100)의 중앙측보다 방열하기 쉽다. 그 때문에, 워크(100)의 중앙 영역의 온도는, 워크(100)의 둘레 가장자리 영역의 온도보다 높아진다.As described above, the heat radiated from the plurality of
여기서, 온도 제어부(37)가 마련되어 있는 영역에 있어서는, 상부 균열판(34a)으로부터 방사된 열이 온도 제어부(37)에 입사하고, 온도 제어부(37)에 입사한 열이 워크(100)를 향하여 방사된다. 이 경우, 온도 제어부(37)에는, 복수의 볼록부(37b)가 마련되어 있기 때문에, 상부 균열판(34a)으로부터 방사된 열이 간극을 통해 방사부(37a)에 입사하고, 방사부(37a)로부터 워크(100)를 향하여 방사된다. 또한, 하부 균열판(34b)측에 있어서는, 온도 제어부(37)로부터 방사된 열이 하부 균열판(34b)에 입사하고, 하부 균열판(34b)에 입사한 열이 워크(100)를 향하여 방사된다. 이 경우, 온도 제어부(37)에는, 복수의 볼록부(37b)가 마련되어 있기 때문에, 방사부(37a)로부터 방사된 열이 간극을 통해 하부 균열판(34b)에 입사하고, 하부 균열판(34b)으로부터 워크(100)를 향하여 방사된다. 즉, 온도 제어부(37)가 마련되어 있는 영역에서는, 온도 제어부(37)가 개재됨으로써, 방사열의 전파 효율이 저하한다. 그 때문에, 워크(100)의, 온도 제어부(37)에 대향하는 영역의 온도가, 워크(100)의, 온도 제어부(37)에 대향하지 않는 영역의 온도보다 낮아진다.Here, in the region where the
이 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이, 평면으로 보아, 온도 제어부(37)가, 워크(100)의 중앙 영역과 대향하는, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 중앙 영역에 마련되어 있으면, 워크(100)의 중앙 영역에 입사하는 열을 적게 할 수 있다. 그 때문에, 워크(100)의 면내에 있어서, 워크(100)로부터의 방열량과, 워크(100)에 입사하는 열량의 밸런스를 취할 수 있다. 그 결과, 워크(100)의 면내에 온도 분포의 불균일이 생기는 것을 더욱 억제할 수 있고, 나아가서는 형성되는 유기막의 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.In this case, as shown in FIG. 3 , in plan view, the
또한, 방사부(37a)의 평면 형상과, 방사부(37a)의 평면 치수에 의해, 워크(100)의 표면 또는 이면에 입사하는 열량과, 워크(100)의 면내에 입사하는 열량의 불균일을 제어할 수 있다. 또한, 상부 균열판(34a)에 마련되는 방사부(37a)의 평면 치수를, 하부 균열판(34b)에 마련되는 방사부(37a)의 평면 치수보다 크게 함으로써, 워크(100)의 표면의 온도를 워크(100)의 이면의 온도보다 낮은 상태로 하여 가열할 수 있다. 이 경우, 워크(100)의 둘레 가장자리 영역에 대향하는 상부 균열판(34a)에도 온도 제어부(37)를 마련하도록 하여도 좋다. 또한, 상부 균열판(34a)의 양측의 면에 온도 제어부(37)를 마련하고, 하부 균열판(34b)의 편측의 면에 온도 제어부(37)를 마련하도록 하여도 좋다.In addition, the unevenness of the amount of heat incident on the front surface or back surface of the
또한, 워크(100)의 온도의 면내 분포는, 워크(100)의 주변에 마련된 요소나 처리 조건 등의 영향을 받는다. 그 때문에, 방사부(37a)의 평면 형상과, 방사부(37a)의 평면 치수는, 예컨대, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 적절하게 결정하는 것이 바람직하다.In addition, the in-plane distribution of the temperature of the
방사부(37a) 및 복수의 볼록부(37b)는, 예컨대, 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수 있다. 방사부(37a) 및 복수의 볼록부(37b)는, 예컨대, 엠보스 가공, 프레스 성형 등에 의해, 일체 성형할 수 있다.The
도 4는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(137)를 예시하기 위한 모식 평면도이다.4 is a schematic plan view for illustrating a
도 4에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(137)는, 방사부(137a) 및 볼록부(137b∼137d)를 갖는다.As shown in FIG. 4 , the
방사부(137a)는, 전술한 방사부(37a)와 동일하게 할 수 있다. 단, 방사부(137a)의 평면 형상은 직사각형으로 하고 있다.The
볼록부(137b∼137d)는, 돌기형을 나타내고 있다. 볼록부(137b)는, 방사부(137a)의 중앙 영역에 마련된다. 볼록부(137d)는, 방사부(137a)의 둘레 가장자리 영역에 마련된다. 볼록부(137c)는, 방사부(137a)의 볼록부(137b)가 마련되는 영역과 볼록부(137d)가 마련되는 영역 사이의 중간 영역에 마련된다.The
또한, 방사부(137a)의, 볼록부(137b∼137d)가 마련되는 면에 평행인 방향에 있어서, 볼록부(137b)의 단면적은 볼록부(137c)의 단면적보다 작고, 볼록부(137c)의 단면적은 볼록부(137d)의 단면적보다 작게 되어 있다.Further, in a direction parallel to the plane of the
전술한 바와 같이, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))으로부터 방사된 열의 대부분은, 간극을 통해, 복사에 의해 방사부(137a)에 전해진다. 그러나, 볼록부(137b∼137d)는 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))과 접촉하기 때문에, 볼록부(137b∼137d)가 마련되어 있는 부분에 있어서는, 열전도에 의해 열이 전해진다. 이 경우, 볼록부의 단면적을 작게 하면 열이 전해지기 어려워지고, 볼록부의 단면적을 크게 하면 열이 전해지기 쉬워진다. 그 때문에, 볼록부가 마련되는 영역에 따라, 볼록부의 단면적을 변화시키면, 방사부(137a)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.As described above, most of the heat radiated from the upper cracked
예컨대, 방사부(137a)의 둘레 가장자리 영역은 방열하기 쉽기 때문에 온도가 내려가기 쉽다. 한편, 방사부(137a)의 중앙 영역은 방열하기 어렵기 때문에 온도가 오르기 쉽다. 그 때문에, 볼록부(137b∼137d)의 배치와 단면적을 전술한 것으로 하면, 열전도에 의해 방사부(137a)의 둘레 가장자리 영역에 전해지는 열을 가장 많게 하고, 중간 영역에 전해지는 열을 다음으로 많게 하고, 중앙 영역에 전해지는 열을 가장 적게 할 수 있다. 그 때문에, 방사부(137a)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.For example, the peripheral area of the
또한, 방사부의 온도의 면내 분포는, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b)) 온도, 방사부의 주변에 마련된 요소나 처리 조건 등의 영향을 받는다. 그 때문에, 볼록부의 배치, 수, 단면적은, 예컨대, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 적절하게 결정하는 것이 바람직하다.In addition, the in-plane temperature distribution of the radiation part is affected by the temperature of the upper cracked
또한, 이상에 설명한 것은, 방사부의 면내의 온도 분포의 불균일을 작게 하는 경우이지만, 볼록부의 배치, 수, 단면적을 적절하게 설정함으로써, 방사부의 특정한 영역에 있어서의 온도를 제어할 수도 있다.In addition, although what has been described above is the case of reducing the unevenness of the temperature distribution in the surface of the radiation part, the temperature in a specific region of the radiation part can also be controlled by appropriately setting the arrangement, number, and cross-sectional area of the convex parts.
도 5는 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(237)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view for illustrating a
전술한 온도 제어부(37)는, 판형의 방사부(37a)와, 방사부(37a)의 한쪽의 면에 마련된 돌기형의 복수의 볼록부(37b)를 갖고 있다.The
이에 대하여, 온도 제어부(237)는, 파판으로 되어있다. 예컨대, 프레스 성형 등에 의해, 평판을 파판형으로 가공하여, 온도 제어부(237)로 할 수 있다. 온도 제어부(237)는, 예컨대, 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수 있다.In contrast, the
이 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(237)의, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))측의 부분(237b)이, 전술한 복수의 볼록부(37b)로서 기능하고, 온도 제어부(237)의, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))측과는 반대측의 부분(237a)이 방사부(37a)로서 기능한다.In this case, as shown in FIG. 5 , the
즉, 온도 제어부는, 간극을 개재시켜, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 마련된 방사부를 갖고 있으면 좋다.That is, the temperature control unit should just have a radiation part provided in the upper cracked
도 6은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(337) 및 온도 제어부(437)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view for illustrating a
도 6에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(337)는, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 6에 예시를 한 온도 제어부(337)는, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면에 마련되어 있다. 온도 제어부(337)는, 온도 제어부(37)와 비교하여, 워크(100)에 방사되는 열을 적게 할 수 있다.As shown in FIG. 6 , the
온도 제어부(337)는, 방사부(37a), 복수의 볼록부(37b) 및 반사막(37c)을 갖는다.The
반사막(37c)은, 온도 제어부(337)의 히터(32a)측의 면(도 6에 예시한 온도 제어부(337)에서는, 상부 균열판(34a)측의 면)에 마련되어 있다. 반사막(37c)은, 방사부(37a)보다 열을 흡수하기 어려운 재료로 형성된다. 예컨대, 반사막(37c)은, 금으로 형성할 수 있다. 반사막(37c)이 마련되어 있으면, 도 6에서 예시한 온도 제어부(337)에서는, 상부 균열판(34a)으로부터 방사된 열이 온도 제어부(337)의 방사부(37a)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 온도 제어부(337)의 방사부(37a)로부터 워크(100)에 방사되는 열을 적게 할 수 있기 때문에, 워크(100)의, 온도 제어부(337)와 대향하는 영역(예컨대, 워크(100)의 중앙 영역)의 온도를 저하시키는 것이 용이해진다.The
또한, 파선으로 나타낸 온도 제어부(37)에서는, 히터(32a)로부터 방사된 열이 온도 제어부(337)의 방사부(37a)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 온도 제어부(337)로부터 상부 균열판(34a)에 방사되는 열을 억제할 수 있다. 따라서, 상부 균열판(34a)으로부터 워크(100)에 방사되는 열을 적게 할 수 있기 때문에, 워크(100)의, 온도 제어부(337)가 부착된 상부 균열판(34a)과 대향하는 영역(예컨대, 워크(100)의 중앙 영역)의 온도를 저하시키는 것이 용이해진다.In addition, in the
온도 제어부(437)는, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측의 면 및 워크(100)측과는 반대측의 면 중 적어도 어느 하나에 마련할 수 있다. 도 6에 예시를 한 온도 제어부(437)는, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측과는 반대측의 면에 마련되어 있다. 온도 제어부(437)는, 온도 제어부(37)와 비교하여, 워크(100)에 방사되는 열을 많게 할 수 있다.The
온도 제어부(437)는, 방사부(37a), 복수의 볼록부(37b) 및 흡수막(37d)을 갖는다.The
흡수막(37d)은, 온도 제어부(437)의 히터(32a)측의 면(도 6에 예시한 온도 제어부(437)에서는 방사부(37a)의 표면)에 마련되어 있다. 흡수막(37d)은, 방사부(37a)보다 열을 흡수하기 쉬운 재료(열을 방사하기 쉬운 재료)로 형성된다. 예컨대, 흡수막(37d)은, 표면 거칠기를 거칠게 한, 산화막이나 질화막이나 흑색의 막 등으로 할 수 있다. 흡수막(37d)이 마련되어 있으면, 히터(32a)로부터 방사된 열을 온도 제어부(437)가 보다 효율적으로 흡수할 수 있다. 그 때문에, 하부 균열판(34b)의, 온도 제어부(437)에 대향하는 영역으로부터, 워크(100)에 방사되는 열을 많게 할 수 있다.The
이상에 설명한 바와 같이, 반사막(37c)이나 흡수막(37d)을 마련하면, 워크(100)의, 온도 제어부(337, 437)에 대향하는 영역의 온도 제어가 더욱 용이해진다. 따라서, 워크(100)의 표면 온도와 이면 온도를 보다 상세하게 제어할 수 있다.As described above, when the
또한, 온도 제어부(437)는, 흡수막(37d) 대신에 반사막(37c)을 마련하도록 하여도 좋다. 반사막(37c)이 마련된 온도 제어부(437)로부터 워크(100)에 방사되는 열을 많게 하는 경우에는, 흡수막(37d)이 마련된 측과는 반대의 면에 반사막(37c)을 마련하도록 하면 좋다.In addition, the
도 7은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(37)의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a
도 7에 나타내는 바와 같이, 상부 균열판(34a)의 적어도 한쪽의 면에, 복수의 온도 제어부(37)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)를 중첩하여 마련할 수도 있다. 예컨대, 도 7에 나타내는 바와 같이, 상부 균열판(34a)의 워크(100)측의 면에, 2개의 온도 제어부(37)를 중첩하여 마련할 수 있다.As shown in FIG. 7 , a plurality of temperature control units 37 (corresponding to an example of a third temperature control unit) may be overlapped and provided on at least one surface of the upper cracked
복수의 온도 제어부(37)가 중첩하여 마련되어 있으면, 워크(100)의, 복수의 온도 제어부(37)와 대향하는 영역의 온도(예컨대, 워크(100)의 중앙 영역의 온도)를 저하시키는 것이 용이해진다.When a plurality of
전술한 반사막(37c)을 갖는 온도 제어부(337)의 경우는, 상부 균열판(34a)의 적어도 한쪽의 면에 중첩하여 복수 마련할 수 있다.In the case of the
또한, 전술한 흡수막(37d)을 갖는 온도 제어부(437)의 경우는, 예컨대, 하부 균열판(34b)의 적어도 한쪽의 면에, 중첩하여 복수 마련할 수 있다.In addition, in the case of the
또한, 필요에 따라, 온도 제어부(37, 337, 437)를 조합하여 복수 중첩하거나 하여도 좋다.In addition, you may overlap a plurality of them by combining the
도 8은 다른 실시형태에 따른 온도 제어부(37)의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of a
전술한 바와 같이, 볼록부(37b)가 마련되어 있는 부분에 있어서는, 열전도에 의해 열이 전해진다. 복수의 온도 제어부(37)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)를 중첩하여 마련하는 경우에, 평면으로 보아, 볼록부(37b)끼리가 중첩되어 있으면, 방사부(37a)의, 볼록부(37b)가 마련되어 있는 부분의 온도가 지나치게 높아지는 경우가 있다.As described above, in the portion where the
이 경우, 도 8에 나타내는 바와 같이, 평면으로 보아, 볼록부(37b)끼리가 중첩되지 않도록 하면, 방사부(37a)의 면내에 있어서 온도 분포의 불균일이 커지는 것을 억제할 수 있다.In this case, as shown in Fig. 8, if the
도 9는 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩하여 마련된 경우의 온도 제어부의 배치를 예시하기 위한 모식 단면도이다.Fig. 9 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of the temperature controller in the case where the
도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩하여 마련되는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 전술한 바와 같이, 하측의 처리 영역(30a)에 마련된 상부 가열부는, 상측의 처리 영역(30b)에 마련된 하부 가열부와 겸용할 수 있다. 이 경우, 워크(100)의 표면을 지나치게 가열하지 않도록 하기 위해, 처리 영역(30a) 내의 워크(100)의 표면측의 히터(32a)에 가하는 전력을 작게 하는 것이 생각된다. 그러나, 이와 같이 하면, 처리 영역(30b) 내의 워크(100)의 이면측의 온도도 저하하여 버린다. 따라서, 복수의 처리부(30)가 중첩되어 마련되고, 또한, 워크(100)를 양면측으로부터 가열하는 경우에는, 히터(32a)에 가하는 전력을 제어하는 것만으로는, 가열 처리의 대상물의 온도를 보다 상세하게 제어하는 것은 곤란하다.As shown in Fig. 1, there is a case where the
이러한 경우에도, 전술한 온도 제어부(37, 137, 237, 337, 437)를 마련함으로써, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일이 작아지도록 할 수 있다.Even in such a case, by providing the
예컨대, 도 9에 나타내는 바와 같이, 하측의 처리 영역(30a)에 있어서, 상부 균열판(34a)의, 워크(100)측의 면에 온도 제어부(37)를 마련할 수 있다. 상측의 처리 영역(30b)에 있어서, 하부 균열판(34b)의, 워크(100)측과는 반대측의 면(히터(32a)측의 면)에 온도 제어부(37)를 마련할 수 있다. 이와 같이 하면, 전술한 경우와 같이, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다고 하는 효과를 향수할 수 있다. 이때, 워크(100) 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록, 각 온도 제어부(37, 137, 237, 337, 437)를 선택하거나, 온도 제어부의 평면 치수를 조절하거나 하는 것이 바람직하다.For example, as shown in FIG. 9 , in the
도 10은 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.10 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where the
도 10에서는, 워크(100)의 중앙 영역 및 중간 영역과 대향하는 복수의 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 예시한다.10 illustrates a plurality of upper cracked
전술한 바와 같이, 워크(100)를 가열하였을 때에, 워크(100)의 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록 하는 것이 바람직하다.As described above, when the
그 때문에, 예컨대, 도 10에 나타내는 바와 같이, 하측의 처리 영역(30a)의 상부 균열판(34a)에 마련되는 온도 제어부(537)의 평면 치수를, 상측의 처리 영역(30b)의 하부 균열판(34b)에 마련되는 온도 제어부(37)의 평면 치수보다 크게 할 수 있다.Therefore, for example, as shown in FIG. 10 , the planar dimensions of the
온도 제어부(537)는, 예컨대, 도 1에 나타내는 5개의 상부 균열판(34a)에 볼록부(37b)를 개재시켜 마련할 수 있다. 볼록부(37b)는, 상부 균열판(34a)의 바깥 가장자리 주변에 마련할 수 있다. 또한, 온도 제어부(537)의 방사부(37a)의 X 방향에 있어서의 길이는, 워크(100)의 바깥 가장자리 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)의 중앙 영역에는 닿지 않는 길이로 되어 있다.The
이와 같이 하면, 하측의 처리 영역(30a)에 있어서, 워크(100)의 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록 할 수 있다. 또한, 온도 제어부(537)를 소정의 간격으로 상부 균열판(34a)에 볼록부(37b)를 개재시켜 마련하고 있기 때문에, 온도 제어부(537)가 휘는 것을 방지할 수 있다. 또한, 온도 제어부(537)의 방사부(37a)의 X 방향에 있어서의 길이를 워크(100)의 바깥 가장자리 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)의 중앙 영역에는 닿지 않는 길이로 하고 있기 때문에, 워크(100) 이면측의 바깥 가장자리의 온도가 상승하기 쉬워지며, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포를 보다 균일하게 제어할 수 있다.In this way, in the
또한, 온도 제어부(537)의 방사부(37a)의 평면 형상을 마름모형으로 하면, 방열에 의한 온도 저하가 생기기 쉬운 워크(100)의 둘레 가장자리 영역에 입사하는 열을 많게 하고, 방열에 의한 온도 저하가 생기기 어려운 워크(100)의 중앙 영역에 입사하는 열을 적게 할 수 있다.In addition, if the planar shape of the
도 11은 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.11 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where the
도 11에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(537)에는, 전술한 반사막(37c)을 더 마련할 수 있다. 이 경우, 반사막(37c)은, 평면으로 보아, 방사부의 중앙 영역에 마련할 수 있다. 반사막(37c)이 마련되어 있으면, 하측의 처리 영역(30a)에 있어서, 워크(100)의 표면측의 온도가, 워크(100)의 이면측의 온도보다 낮아지도록 하는 것이 더욱 용이해진다.As shown in FIG. 11 , the above-described
또한, 반사막(37c)은, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련할 수 있다. 전술한 바와 같이, 워크(100)의 중앙 영역은 방열하기 어렵기 때문에 온도가 높아지기 쉽다. 그 때문에, 반사막(37c)이, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련되어 있으면, 워크(100)의 표면의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.In addition, the
도 12는 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 중첩되어 마련된 경우의 온도 제어부의 다른 실시형태를 예시하기 위한 모식 단면도이다.12 is a schematic cross-sectional view for illustrating another embodiment of the temperature control unit in the case where the
도 12에 나타내는 바와 같이, 온도 제어부(537)에는, 전술한 온도 제어부(37)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)를 중첩하여 마련할 수 있다. 예컨대, 방사부의 평면 치수가 다른 온도 제어부를 중첩하여 마련할 수 있다. 이 경우, 온도 제어부(37)는, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련할 수 있다. 전술한 바와 같이, 워크(100)의 중앙 영역은 방열하기 어렵기 때문에 온도가 높아지기 쉽다. 그 때문에, 온도 제어부(37)가, 워크(100)의 표면의 중앙 영역에 대향하는 위치에 마련되어 있으면, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.As shown in FIG. 12, the above-mentioned temperature control part 37 (corresponding to an example of the 3rd temperature control part) can be overlapped and provided in the
이상에 예시를 한 온도 제어부(37, 137, 237, 337, 437, 537)는, 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 열적으로 접속되어 있으면 좋다. 예컨대, 이들 온도 제어부를 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 용접하거나, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 상부 균열판(34a)(하부 균열판(34b))에 접합하거나 할 수 있다.The
도 13은 복수의 온도 제어부를 중첩하여 마련하는 경우의 형태를 예시하기 위한 모식 사시도이다.13 is a schematic perspective view for illustrating a form in the case of overlapping and providing a plurality of temperature control units.
도 13에 나타내는 바와 같이, 하측의 온도 제어부(637a)(제3 온도 제어부의 일례에 상당함)에 볼록형의 위치 결정부(637a1)를 마련하고, 상측의 온도 제어부(637b)에 위치 결정부(637a1)가 삽입되는 위치 결정부(637b1)를 마련할 수 있다. 위치 결정부(637b1)는, 예컨대, 절결이나 구멍 등으로 할 수 있다.As shown in Fig. 13, a convex positioning unit 637a1 is provided in the lower
이와 같이 하면, 온도 제어부(637a, 637b)의 착탈이 용이해지기 때문에, 메인터넌스성의 향상을 도모할 수 있다.Since attaching and detaching the
이상, 실시형태에 대해서 예시를 하였다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것이 아니다.In the above, examples were given about the embodiment. However, the present invention is not limited to these techniques.
전술한 실시형태에 관해서, 당업자가 적절하게 설계 변경을 가한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.Regarding the above-described embodiment, those skilled in the art appropriately made design changes are also included in the scope of the present invention as long as they have the characteristics of the present invention.
예컨대, 가열 처리 장치(1)의 형상, 치수, 배치 등은, 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니며 적절하게 변경할 수 있다.For example, the shape, size, arrangement, etc. of the heat processing apparatus 1 are not limited to those illustrated and can be appropriately changed.
또한, 전술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는, 가능한 한에 있어서 조합할 수 있고, 이들을 조합한 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.In addition, each element provided in each embodiment described above can be combined as much as possible, and a combination thereof is also included in the scope of the present invention as long as the features of the present invention are included.
도 7 및 도 12에 나타낸 다른 형태의 형태에서는, 온도 제어부를 중첩하여 마련하는 경우를 설명하였다. 그러나, 온도 제어부는, 중첩하여 마련하는 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 온도 제어부(537)를 상부 균열판(34a)의 히터(32a)측의 면에 마련하고, 온도 제어부(37)를 워크(100)의 중앙 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)의 워크(100)측의 면에 마련하도록 하여도 좋다.In the form of another form shown in FIG. 7 and FIG. 12, the case where the temperature control part is overlapped and provided was demonstrated. However, the temperature control unit is not limited to being overlapped and provided. For example, the
또한, 워크(100)의, 중앙 영역으로부터 바깥 가장자리 영역을 향하여, 온도 제어부(37)의 개수를 변화시켜도 좋다. 예컨대, 중앙 영역으로부터 바깥 가장자리 영역을 향하여, 온도 제어부(37)의 개수가 감소하도록 배치할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.Further, the number of
또한, 온도 제어부(37) 및 온도 제어부(337)를 병용하여도 좋다. 예컨대, 워크(100)의 중앙 영역과 대향하는 상부 균열판(34a)에 온도 제어부(337)를 마련하고, 그 양측에 배치된 상부 균열판(34a)에 온도 제어부(37)를 마련하도록 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.Moreover, you may use together the
또한, 온도 제어부(37)의 형상은, 직사각형에 한정되지 않는다. 예컨대, 균열부만으로 가열한 경우의, 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포를 미리 구해 두고, 온도 분포에 맞추어 온도 제어부(37)의 형상을 결정하도록 하여도 좋다. 이 경우, 온도 제어부(37)는, 예컨대, 삼각형이나, 타원, 표주박 형상이나 부채 형상 등, 여러 가지 형상으로 할 수 있다.In addition, the shape of the
또한, 복수의 가열부(32)를 갖는 가열 처리 장치에서는, 가열부(32)마다 온도 제어부(37)의 형상이나 구성을 바꾸도록 하여도 좋다. 예컨대, 상부 균열판(34a)에 마련된 온도 제어부(37)의 형상이나 구성이 가열부(32)마다 다르게 하여도 좋다. 또한, 최하단과 최상단의 가열부(32)는, 다른 가열부(32)와 다르게, 열이 빠져나가기 쉽다. 그 때문에, 최하단과 최상단의 가열부(32)에 대해서는, 가열부(32)의, 워크(100)측과는 반대측에 마련된 균열부(34)에 온도 제어부(37)를 마련하지 않아도 좋다. 이와 같이 함으로써, 최하단과 최상단의 처리부(30)에 마련된 워크(100)의 면내에 있어서의 온도 분포의 불균일을 작게 할 수 있다.Further, in a heat treatment apparatus having a plurality of
1 가열 처리 장치, 10 챔버, 20 배기부, 30 처리부, 30a 처리 영역, 30b 처리 영역, 32 가열부, 33 지지부, 34a 상부 균열판, 34b 하부 균열판, 37 온도 제어부, 37a 방사부, 37b 볼록부, 37c 반사막, 100 워크, 137 온도 제어부, 237 온도 제어부, 337 온도 제어부, 437 온도 제어부, 537 온도 제어부1 heating processing unit, 10 chamber, 20 exhaust unit, 30 processing unit, 30a processing area, 30b processing area, 32 heating unit, 33 support unit, 34a upper soaking plate, 34b lower soaking plate, 37 temperature control unit, 37a radiation part, 37b convex part, 37c reflective film, 100 workpiece, 137 temperature controller, 237 temperature controller, 337 temperature controller, 437 temperature controller, 537 temperature controller
Claims (11)
상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와,
상기 챔버의 내부에 마련되며, 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 제1 가열부와 대향하는 제2 가열부와,
상기 제1 가열부와 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제1 균열판(均熱板)과,
상기 제1 균열판과 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제2 균열판과,
상기 제1 균열판과 상기 제2 균열판 사이로서, 워크가 지지되는 제1 처리 영역과,
상기 제1 균열판에 마련된 제1 온도 제어부와,
상기 제2 균열판에 마련된 제2 온도 제어부
를 구비하고,
상기 제1 온도 제어부는, 상기 제1 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제1 방사부를 갖고,
상기 제2 온도 제어부는, 상기 제2 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제2 방사부를 갖는 것인 가열 처리 장치.chamber,
A first heating unit provided inside the chamber and having at least one first heater;
A second heating unit provided inside the chamber, having at least one second heater, and facing the first heating unit;
At least one first soaking plate provided between the first heating unit and the second heating unit;
at least one second soaking plate provided between the first soaking plate and the second heating part;
A first processing region in which a work is supported, between the first soaking plate and the second soaking plate;
A first temperature controller provided on the first soaking plate;
A second temperature controller provided on the second soaking plate
to provide,
The first temperature control unit has a first radiation unit provided with the first soaking plate and a gap therebetween,
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the second temperature control unit has a second radiation unit provided with the second soaking plate and a gap therebetween.
상기 챔버의 내부를 배기하여, 상기 챔버의 내부를 진공으로 하는 배기부와,
상기 챔버의 내부에 마련되며, 워크가 지지되는 제1 처리 영역과,
상기 제1 처리 영역의 상부에 마련되며, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와,
상기 제1 처리 영역의 하부에 마련되며, 적어도 하나의 제2 히터를 갖는 제2 가열부와,
상기 제1 처리 영역과 상기 제1 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제1 균열판과,
상기 제1 처리 영역과 상기 제2 가열부 사이에 마련된 적어도 하나의 제2 균열판과,
상기 제1 균열판에 마련된 제1 온도 제어부
를 구비하고,
상기 제1 온도 제어부는, 상기 제1 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제1 방사부를 갖는 것인 가열 처리 장치.chamber,
An exhaust unit that exhausts the inside of the chamber to vacuum the inside of the chamber;
A first processing region provided inside the chamber and supporting a workpiece;
a first heating unit provided above the first processing region and having at least one first heater;
a second heating unit provided below the first processing region and having at least one second heater;
at least one first soaking plate provided between the first treatment region and the first heating part;
at least one second soaking plate provided between the first treatment region and the second heating part;
A first temperature controller provided on the first soaking plate
to provide,
The heat treatment apparatus according to claim 1 , wherein the first temperature control unit has a first radiation unit provided with the first soaking plate and a gap therebetween.
상기 제2 균열판에 마련된 제2 온도 제어부
를 구비하고,
상기 제2 온도 제어부는, 제2 균열판과 간극을 개재시켜 마련된 제2 방사부를 갖는 것인 가열 처리 장치.According to claim 2,
A second temperature controller provided on the second soaking plate
to provide,
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the second temperature control unit has a second radiation unit provided with a second soaking plate and a gap therebetween.
상기 제1 온도 제어부에 중첩되어 마련된 제3 온도 제어부
를 더 구비한 가열 처리 장치.According to claim 1,
A third temperature controller overlapping the first temperature controller
A heat treatment device further comprising.
상기 제3 방사부의 평면 치수는, 상기 제1 온도 제어부에 마련된 상기 제1 방사부의 평면 치수와는 다른 것인 가열 처리 장치.The method of claim 9, wherein the third temperature control unit has a third radiation unit provided with the first temperature control unit and a gap therebetween,
A plane dimension of the third radiation part is different from a plane dimension of the first radiation part provided in the first temperature control unit.
상기 제1 처리 영역 위에 중첩되어 마련된 제2 처리 영역
을 더 갖고,
상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역 사이에 마련된 상기 제1 가열부가 상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역에서 겸용되는 것인 가열 처리 장치.According to any one of claims 1 to 10,
A second processing region overlapping the first processing region
have more
wherein the first heating unit provided between the first processing region and the second processing region is used in both the first processing region and the second processing region.
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