JP2023019295A - Heat processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、加熱処理装置に関する。 An embodiment of the present invention relates to a heat treatment apparatus.
ワークを加熱して、ワークの表面に膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置がある。
例えば、有機材料と溶媒を含む溶液を基板の上に塗布し、これを加熱することで基板の上に有機膜を形成する加熱処理装置が提案されている。この様な加熱処理装置においては、例えば、チャンバの内部空間を大気圧よりも減圧し、大気圧よりも減圧された雰囲気において、溶液が塗布された基板を100℃~600℃程度の温度にまで加熱する場合がある。また、ワークの表面側(上側)と、ワークの裏面側(下側)にヒータを設け、ワークの両面側から均熱板を介して加熱を行うことで、処理時間の短縮を図ることも行われている。
2. Description of the Related Art There is a heat treatment apparatus that heats a work to form a film or the like on the surface of the work, or treats the surface of the work.
For example, a heat treatment apparatus has been proposed in which a solution containing an organic material and a solvent is applied onto a substrate and heated to form an organic film on the substrate. In such a heat treatment apparatus, for example, the pressure inside the chamber is reduced below the atmospheric pressure, and the substrate coated with the solution is heated to a temperature of about 100° C. to 600° C. in the atmosphere reduced below the atmospheric pressure. May be heated. In addition, by installing heaters on the front side (upper side) and the back side (lower side) of the work and heating the work from both sides via a heat equalizing plate, the processing time can be shortened. It is
ここで、一般的には、加熱処理の対象となる溶液や、層などは、ワークの表面に設けられている。加熱処理の対象物の表面から化学反応が進行すると、加熱処理の対象物の基板と接する領域で反応が十分に進まないおそれがある。この場合、形成される膜や、処理された層の品質が低下するおそれがある。そのため、形成される膜や、処理された層の品質を向上させるため、ワークの表面に設けられた溶液や、層などの表面の温度をワークの裏面の温度よりも低い状態として加熱することが要求されている。
また、より高品質な膜や、層が要求されている。そのため、ワークの面内における温度分布をより均一に制御する技術が求められている。
Here, generally, a solution, a layer, or the like to be subjected to heat treatment is provided on the surface of the workpiece. If a chemical reaction progresses from the surface of the object to be heat-treated, the reaction may not proceed sufficiently in a region of the object to be heat-treated that is in contact with the substrate. In this case, there is a risk that the quality of the formed film or the processed layer will be degraded. Therefore, in order to improve the quality of the formed film or the processed layer, it is possible to heat the surface of the solution or layer provided on the surface of the workpiece so that the surface temperature is lower than the temperature of the back surface of the workpiece. requested.
There is also a demand for higher quality films and layers. Therefore, there is a demand for a technique for controlling the temperature distribution in the surface of the workpiece more uniformly.
そこで、ワークの両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワークの表面の温度、およびワークの裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御可能な加熱処理装置の開発が望まれていた。 Therefore, even when heating is performed from both sides of the workpiece, the temperature of the surface of the workpiece to which the object to be heated is attached, the temperature of the back surface of the workpiece, and the variation in temperature distribution within the surface of the workpiece. There has been a demand for development of a heat treatment apparatus capable of controlling , in more detail by a simple method.
本発明が解決しようとする課題は、ワークの両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワークの表面の温度、およびワークの裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御可能な加熱処理装置を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is that, even when heating is performed from both sides of the work, the temperature of the surface of the work to which the object to be heated is attached, the temperature of the back surface of the work, and the temperature of the work. It is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus capable of controlling in-plane temperature distribution variations in more detail by a simple method.
実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも1つの第1のヒータを有する第1の加熱部と、前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも1つの第2のヒータを有し、前記第1の加熱部と対向する第2の加熱部と、前記第1の加熱部と、前記第2の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第1の均熱板と、前記第1の均熱板と、前記第2の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第2の均熱板と、前記第1の均熱板と、前記第2の均熱板と、の間であって、ワークが支持される第1の処理領域と、前記第1の均熱板に設けられた第1の温度制御部と、前記第2の均熱板に設けられた第2の温度制御部と、を備えている。前記第1の温度制御部は、前記第1の均熱板と隙間を介して設けられた第1の放射部を有している。前記第2の温度制御部は、前記第2の均熱板と隙間を介して設けられた第2の放射部を有する。 A heat treatment apparatus according to an embodiment includes a chamber, a first heating section provided inside the chamber and having at least one first heater, and at least one second heater provided inside the chamber. a second heating unit having a heater and facing the first heating unit; and at least one first soaking unit provided between the first heating unit and the second heating unit. At least one second heat equalizer provided between the plate, the first heat equalizer, and the second heating unit, the first heat equalizer, and the second equalizer. a first processing area in which a workpiece is supported, a first temperature control unit provided in the first heat equalizing plate, and a temperature control unit provided in the second heat equalizing plate, between the heat plate and and a second temperature control unit. The first temperature control section has a first radiation section provided with a gap from the first heat equalizing plate. The second temperature control section has a second radiation section provided with a gap from the second heat equalizing plate.
本発明の実施形態によれば、ワークの両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワークの表面の温度、およびワークの裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御可能な加熱処理装置が提供される。 According to the embodiment of the present invention, even when heating is performed from both sides of the work, the temperature of the surface of the work to which the object to be heated is attached, the temperature of the back surface of the work, and the temperature of the surface of the work Provided is a heat treatment apparatus capable of controlling variations in temperature distribution in the interior of the furnace in more detail by a simple method.
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下においては、一例として、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワークを加熱して、ワークの表面に有機膜を形成する加熱処理装置を説明する。しかしながら、本発明は、これに限定されるわけではない。例えば、本発明は、ワークを加熱して、ワークの表面に無機膜などを形成したり、ワークの表面を処理したりする加熱処理装置にも適用することができる。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same reference numerals are given to the same constituent elements, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
In the following, as an example, a heat treatment apparatus that heats a workpiece in an atmosphere that is reduced below atmospheric pressure to form an organic film on the surface of the workpiece will be described. However, the invention is not so limited. For example, the present invention can also be applied to a heat treatment apparatus that heats a work to form an inorganic film or the like on the surface of the work, or treats the surface of the work.
また、加熱前のワークは、例えば、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有するものであってもよいし、基板のみであってもよい。以下においては、一例として、加熱前のワークが、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する場合を説明する。
なお、基板の表面に塗布された溶液および基板の表面に形成された層などを総じて加熱処理の対象物と呼ぶこともある。
Moreover, the work before heating may have, for example, a substrate and a solution applied to the surface of the substrate, or may be only the substrate. In the following, as an example, a case where the work before heating has a substrate and a solution applied to the surface of the substrate will be described.
Note that the solution applied to the surface of the substrate, the layer formed on the surface of the substrate, and the like may be collectively referred to as an object to be subjected to heat treatment.
図1は、本実施の形態に係る加熱処理装置1を例示するための模式斜視図である。
なお、図1中のX方向、Y方向、およびZ方向は、互いに直交する三方向を表している。本明細書における上下方向は、Z方向とすることができる。
FIG. 1 is a schematic perspective view for illustrating a
Note that the X direction, Y direction, and Z direction in FIG. 1 represent three directions orthogonal to each other. The vertical direction in this specification can be the Z direction.
加熱前のワーク100は、基板と、基板の表面に塗布された溶液と、を有する。
基板は、例えば、ガラス基板や半導体ウェーハなどである。ただし、基板は、例示をしたものに限定されるわけではない。
溶液は、例えば、有機材料と溶剤を含んでいる。有機材料は、溶剤により溶解が可能なものであれば特に限定はない。溶液は、例えば、ポリアミド酸を含むワニスなどとすることができる。ただし、溶液は、例示をしたものに限定されるわけではない。
The
The substrate is, for example, a glass substrate or a semiconductor wafer. However, the substrate is not limited to those illustrated.
A solution includes, for example, an organic material and a solvent. The organic material is not particularly limited as long as it can be dissolved by a solvent. The solution can be, for example, a varnish containing polyamic acid. However, the solution is not limited to the exemplified one.
図1に示すように、加熱処理装置1には、例えば、チャンバ10、排気部20、処理部30、冷却部40、およびコントローラ50が設けられている。
チャンバ10は、箱状を呈している。チャンバ10は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ10の外観形状には特に限定はない。チャンバ10の外観形状は、例えば、直方体や円筒とすることができる。チャンバ10は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
As shown in FIG. 1, the
The
例えば、チャンバ10の一方の端部にはフランジ11が設けられている。フランジ11には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。チャンバ10の、フランジ11が設けられた側の開口は、開閉扉13により開閉可能となっている。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11(シール材12)に押し付けられることで、チャンバ10の開口が気密になるように閉鎖される。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11から離隔することで、チャンバ10の開口を介したワーク100の搬入または搬出が可能となる。
For example, one end of the
チャンバ10の他方の端部にはフランジ14を設けることができる。フランジ14には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。チャンバ10の、フランジ14が設けられた側の開口は、蓋15により開閉可能となっている。例えば、蓋15は、ネジなどの締結部材を用いてフランジ14に着脱可能に設けることができる。メンテナンスなどを行う際には、蓋15を取り外すことで、チャンバ10の、フランジ14が設けられた側の開口を露出させる。
A
チャンバ10の外壁には冷却部16を設けることができる。冷却部16には、図示しない冷却水供給部が接続されている。冷却部16は、例えば、ウォータージャケット(Water Jacket)とすることができる。冷却部16が設けられていれば、チャンバ10の外壁温度が所定の温度よりも高くなるのを抑制することができる。
A
排気部20は、チャンバ10の内部を排気する。排気部20は、第1の排気部21と、第2の排気部22を有する。
第1の排気部21は、チャンバ10の底面に設けられた排気口17に接続されている。
第1の排気部21は、排気ポンプ21aと、圧力制御部21bを有する。
排気ポンプ21aは、大気圧から所定の圧力まで粗引き排気を行う排気ポンプとすることができる。そのため、排気ポンプ21aは、後述する排気ポンプ22aよりも排気量が多い。排気ポンプ21aは、例えば、ドライ真空ポンプなどとすることができる。
The
The
The
The
圧力制御部21bは、排気口17と排気ポンプ21aとの間に設けられている。圧力制御部21bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部21bは、例えば、APC(Auto Pressure Controller)などとすることができる。
The
第2の排気部22は、チャンバ10の底面に設けられた排気口18に接続されている。
第2の排気部22は、排気ポンプ22aと、圧力制御部22bを有する。
排気ポンプ22aは、排気ポンプ21aによる粗引き排気の後、さらに低い所定の圧力まで排気を行う。排気ポンプ22aは、例えば、高真空の分子流領域まで排気可能な排気能力を有する。例えば、排気ポンプ22aは、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)などとすることができる。
The
The
After the rough evacuation by the
圧力制御部22bは、排気口18と排気ポンプ22aとの間に設けられている。圧力制御部22bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部22bは、例えば、APCなどとすることができる。
The
排気口17、および排気口18は、チャンバ10の底面に配置されている。そのため、チャンバ10の内壁と処理部30との間の空間に、チャンバ10の底面に向かうダウンフローの気流が形成される。上記の空間にダウンフローの気流が形成されれば、ワーク100を加熱した際に生じた、有機材料を含む昇華物が、処理部30の内部から上記の空間へと流れ、上記の空間のダウンフローの気流に乗ってチャンバ10の外部に排出される。そのため、ワーク100に昇華物などの異物が付着するのを抑制することができる。
The
なお、以上においては、排気口17および排気口18がチャンバ10の底面に設けられる場合を例示したが、排気口17および排気口18は、例えば、チャンバ10の天井面や側面に設けることもできる。排気口17および排気口18がチャンバ10の底面、または天井面に設けられていれば、チャンバ10の内部に、チャンバ10の底面、または天井面に向かう気流を形成することができる。
In the above, the case where the
処理部30は、例えば、フレーム31、加熱部32(第1の加熱部または第2の加熱部の一例に相当する)、支持部33、均熱部34、均熱板支持部35、カバー36、および、温度制御部37(第1の温度制御部または第2の温度制御部の一例に相当する)を有する。
処理部30の内部には、処理領域30a(第1の処理領域の一例に相当する)、および処理領域30b(第2の処理領域の一例に相当する)が設けられている。処理領域30a、30bは、ワーク100に処理を施す空間となる。ワーク100は、処理領域30a、30bの内部に支持される。処理領域30bは、処理領域30aの上に重ねて設けられている。なお、2つの処理領域が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。1つの処理領域のみを設けたり、3つ以上の処理領域を設けたりすることもできる。本実施の形態においては、一例として、2つの処理領域が設けられる場合を例示するが、1つの処理領域、および、3つ以上の処理領域が設けられる場合も同様に考えることができる。
The
Inside the
処理領域30a、30bは、加熱部32と加熱部32との間に設けられている。処理領域30a、30bは、均熱部34により囲まれている。
The
後述するように、均熱部34は、複数の均熱板によって構成されている。そのため、均熱部34は、密閉構造ではない。したがって、チャンバ10の内壁と処理部30との間の空間の圧力が減圧されると、処理領域30a、30bの内部の空間も減圧される。
As will be described later, the soaking
チャンバ10の内壁と処理部30との間の空間の圧力が減圧されていれば、処理領域30a、30bから外部に放出される熱を抑制することができる。すなわち、加熱効率と蓄熱効率を向上させることができる。そのため、後述するヒータ32a(第1のヒータまたは第2のヒータの一例に相当する)に印加する電力を低減できる。ヒータ32aに印加する電力を低減できれば、ヒータ32aの温度が所定の温度以上となるのを抑制できるので、ヒータ32aの寿命を長くすることができる。
If the pressure in the space between the inner wall of the
フレーム31は、例えば、細長い板材や形鋼などを用いた骨組み構造を有している。フレーム31の外観形状は、チャンバ10の外観形状と同様とすることができる。フレーム31の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。本実施の形態では、フレーム31は、チャンバ10の底面と4箇所で接触している。フレーム31の、チャンバ10との接触箇所には、断熱部材が設けられる。フレーム31とチャンバ10との接触面積を減らし、接触する部分に断熱部材を用いることで、フレーム31の蓄熱効率を高めることができる。
The
加熱部32は、複数設けられている。加熱部32は、処理領域30a、30bの下部、および処理領域30a、30bの上部に設けることができる。処理領域30a、30bの下部に設けられた加熱部32は、下部加熱部となる。処理領域30a、30bの上部に設けられた加熱部32は、上部加熱部となる。下部加熱部は、上部加熱部と対向している。なお、複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられる場合には、下側の処理領域に設けられた上部加熱部は、上側の処理領域に設けられた下部加熱部と兼用することができる。例えば、処理領域30aと処理領域30bとの間に設けられた加熱部32が、処理領域30aと処理領域30bとで兼用されている。
A plurality of
加熱部32は、チャンバ10の内部に設けられ、ワーク100を加熱する。
例えば、処理領域30aに支持されたワーク100の裏面(下面)は、処理領域30aの下部に設けられた加熱部32により加熱される。処理領域30aに支持されたワーク100の表面(上面)は、処理領域30aと処理領域30bとにより兼用される加熱部32により加熱される。
The
For example, the back surface (lower surface) of the
処理領域30bに支持されたワーク100の裏面は、処理領域30aと処理領域30bとにより兼用される加熱部32により加熱される。処理領域30bに支持されたワーク100の表面は、処理領域30bの上部に設けられた加熱部32により加熱される。
この様にすれば、加熱部32の数を減らすことができるので消費電力の低減、製造コストの低減、省スペース化などを図ることができる。
The back surface of the
By doing so, the number of
複数の加熱部32のそれぞれは、少なくとも1つのヒータ32aと、一対のホルダ32bを有する。なお、以下においては、複数のヒータ32aが設けられる場合を説明する。
ヒータ32aは、棒状を呈し、一対のホルダ32bの間をY方向に延びている。複数のヒータ32aは、X方向に並べて設けることができる。複数のヒータ32aは、等間隔に設けることができる。ヒータ32aは、例えば、シーズヒータ、遠赤外線ヒータ、遠赤外線ランプ、セラミックヒータ、カートリッジヒータなどである。また、各種ヒータを石英カバーで覆うこともできる。
Each of the plurality of
The
なお、本明細書においては、石英カバーで覆われた各種ヒータをも含めて「棒状のヒータ」と称する。また、「棒状」の外観形状には限定がなく、例えば、円柱状や角柱状などとすることができる。 In this specification, the term "rod-shaped heater" includes various heaters covered with a quartz cover. In addition, there is no limitation on the external shape of the "rod-like", and for example, it may be cylindrical, prismatic, or the like.
また、ヒータ32aは、大気圧よりも減圧された雰囲気においてワーク100を加熱できれば、前述したものに限定されない。すなわち、ヒータ32aは、放射による熱エネルギーを利用するものであればよい。
Moreover, the
上部加熱部および下部加熱部における複数のヒータ32aの仕様、数、間隔などは、加熱する溶液の組成(溶液の加熱温度)、ワーク100の大きさなどに応じて適宜変更することができる。複数のヒータ32aの仕様、数、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。
The specifications, number, spacing, and the like of the plurality of
ワーク100は、処理領域30a、30bにおいて、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bを介して両面側から加熱される。ここで、溶液を加熱する際に生じた昇華物を含む蒸気は、加熱対象であるワーク100の温度よりも低い温度の物に付着しやすい。この場合、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bは加熱されているので、昇華物が上部均熱板34aおよび下部均熱板34bに付着するのが抑制される。また、昇華物は、前述したダウンフローの気流に乗ってチャンバ10の外に排出される。そのため、昇華物がワーク100に付着するのを抑制できる。
The
一対のホルダ32bは、X方向に延びている。一対のホルダ32bは、Y方向において、互いに対向している。一方のホルダ32bは、フレーム31の、開閉扉13側の端面に固定されている。他方のホルダ32bは、フレーム31の、開閉扉13側とは反対側の端面に固定されている。一対のホルダ32bは、例えば、ネジなどの締結部材を用いてフレーム31に固定される。一対のホルダ32bは、ヒータ32aの端部近傍の非発熱部を保持する。一対のホルダ32bは、例えば、細長い金属の板材や形鋼などから形成される。一対のホルダ32bの材料は、例えば、ステンレスなどとすることができる。
A pair of
複数の支持部33は、チャンバ10の内部に設けられ、ワーク100を支持する。例えば、複数の支持部33は、上部加熱部と下部加熱部との間にワーク100を支持する。複数の支持部33は、処理領域30aの下部、および、処理領域30bの下部に設けられている。複数の支持部33は、棒状体とすることができる。
A plurality of
複数の支持部33の一方の端部の形状は、半球状などとすることができる。複数の支持部33の一方の端部の形状が半球状であれば、ワーク100の下面に損傷が発生するのを抑制することができる。また、ワーク100の下面と複数の支持部33との接触面積を小さくすることができるので、ワーク100から複数の支持部33に伝わる熱を少なくすることができる。
The shape of one end of the plurality of
複数の支持部33の他方の端部(下方の端部)は、例えば、一対のフレーム31の間に架け渡された複数の棒状部材または板状部材などに固定することができる。
複数の支持部33の数、配置、間隔などは、ワーク100の大きさや剛性(撓み)などに応じて適宜変更することができる。
The other ends (lower ends) of the plurality of
The number, arrangement, intervals, etc., of the plurality of
均熱部34は、複数の上部均熱板34a(第1の均熱板の一例に相当する)、複数の下部均熱板34b(第2の均熱板の一例に相当する)、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dを有する。複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dは、板状を呈している。
The soaking
複数の上部均熱板34aは、上部加熱部において下部加熱部側(ワーク100側)に設けられている。複数の上部均熱板34aは、複数のヒータ32aと離隔して設けられている。複数の上部均熱板34aは、X方向に並べて設けられている。複数の上部均熱板34a同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により上部均熱板34aの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、上部均熱板34a同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域30a、30bの雰囲気の圧力を減圧することができる。
The plurality of upper
複数の下部均熱板34bは、下部加熱部において上部加熱部側(ワーク100側)に設けられている。複数の下部均熱板34bは、複数のヒータ32aと離隔して設けられている。複数の下部均熱板34bは、X方向に並べて設けられている。複数の下部均熱板34b同士の間には隙間が設けられている。隙間が設けられていれば、熱膨張により下部均熱板34bの寸法が増加した分を吸収することができる。そのため、下部均熱板34b同士が干渉して変形が生じるのを抑制することができる。また、前述したように、この隙間を介して、処理領域30a、30bの雰囲気の圧力を減圧することができる。
The plurality of lower
側部均熱板34cは、X方向において、処理領域30a、30bの両側の側部のそれぞれに設けられている。側部均熱板34cは、カバー36の内側に設けることができる。また、少なくとも1つのヒータ32aを、側部均熱板34cとカバー36との間に設けることもできる。
側部均熱板34dは、Y方向において、処理領域30a、30bの両側の側部のそれぞれに設けられている。
The
The
前述したように、複数のヒータ32aは、棒状を呈し、所定の間隔を空けて並べて設けられている。ヒータ32aが棒状である場合、ヒータ32aの中心軸から放射状に熱が放射される。この場合、ヒータ32aの中心軸と加熱される部分との間の距離が短くなるほど加熱される部分の温度が高くなる。そのため、複数のヒータ32aに対して対向するようにワーク100が保持された場合には、ヒータ32aの直上または直下に位置するワーク100の領域は、複数のヒータ32a同士の間の空間の直上または直下に位置するワーク100の領域よりも温度が高くなる。すなわち、棒状を呈する複数のヒータ32aを用いてワーク100を直接加熱すると、加熱されたワーク100の面内に温度分布のばらつきが生じる。
As described above, the plurality of
ワーク100の面内に温度分布のばらつきが生じると、形成された有機膜の品質が低下するおそれがある。例えば、温度が高くなった部分において、泡が発生したり、有機膜の組成が変化したりするおそれがある。
Variations in temperature distribution within the surface of the
複数の上部均熱板34a、および複数の下部均熱板34bが設けられていれば、複数のヒータ32aから放射された熱は、複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bに入射する。複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bに入射した熱は、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の面内に温度分布のばらつきが生じるのを抑制することができ、ひいては形成される有機膜の品質を向上させることができる。
If a plurality of upper
複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bの材料は、熱伝導率の高い材料とすることが好ましい。これらの材料は、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどとすることができる。なお、アルミニウムや銅などの酸化しやすい材料を用いる場合には、酸化しにくい材料を含む層を表面に設けることができる。
また、下部均熱板34bの熱伝導率は、上部均熱板34aの熱伝導率よりも高くすることができる。この様にすれば、上部均熱板34aから放射される熱が少なくなるので、ワーク100の表面に設けられる溶液や、層などの表面の温度をワーク100の裏面の温度よりも低い状態として加熱することができる。
The materials of the plurality of upper
Also, the thermal conductivity of the lower
複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bから放射された熱の一部は、処理領域の側方に向かう。そのため、処理領域の側部には、前述した側部均熱板34c、34dが設けられている。側部均熱板34c、34dに入射した熱は、側部均熱板34c、34dを面方向に伝搬しながら、その一部がワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の加熱効率を向上させることができる。
側部均熱板34c、34dの材料は、前述した上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの材料と同じとすることができる。
A portion of the heat radiated from the plurality of upper
The material of the side
なお、以上においては、複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bが、設けられる場合を例示したが、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの少なくとも一方は、単一の板状部材とすることもできる。
In the above description, a case where a plurality of upper
複数の均熱板支持部35は、X方向に並べて設けられている。均熱板支持部35は、X方向において、上部均熱板34a同士の間の直下に設けられる。複数の均熱板支持部35は、ネジなどの締結部材を用いて一対のホルダ32bに固定される。一対の均熱板支持部35は、上部均熱板34aの両端を着脱自在に支持する。なお、複数の下部均熱板34bを支持する複数の均熱板支持部35も同様の構成を有することができる。
A plurality of heat
一対の均熱板支持部35により、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが支持されていれば、熱膨張による寸法差を吸収することができる。そのため、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが変形するのを抑制することができる。
If the upper and lower
カバー36は、板状を呈し、フレーム31の上面、底面、および側面を覆っている。すなわち、カバー36によりフレーム31の内部が覆われている。ただし、開閉扉13側のカバー36は、例えば、開閉扉13に設けることができる。
カバー36は処理領域30a、30bを囲っているが、フレーム31の上面と側面の境目、フレーム31の側面と底面の境目、開閉扉13の付近には、隙間が設けられている。
The
Although the
また、フレーム31の上面および底面に設けられるカバー36は複数に分割されている。また、分割されたカバー36同士の間には隙間が設けられている。すなわち、処理部30(処理領域30a、処理領域30b)の内部空間は、これらの隙間を介して、チャンバ10の内部空間に連通している。そのため、処理領域30a、30bの圧力が、チャンバ10の内壁とカバー36との間の空間の圧力と同じとなるようにすることができる。カバー36は、例えば、ステンレスなどから形成される。
Also, the
温度制御部37は、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bに設けられている。温度制御部37は、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bから放射される熱を制御することで、加熱処理の対象物が付着しているワーク100の表面の温度、およびワーク100の裏面の温度と、ワークの面内における温度分布のばらつきを制御する。
なお、ワーク100の表面には、基板の表面、基板の表面に塗布された溶液の表面および基板の表面に形成された層などの表面が含まれる。
なお、温度制御部37に関する詳細は後述する。
The
The surface of the
Details of the
冷却部40は、複数のヒータ32aが設けられた空間に冷却ガスを供給する。冷却部40は、処理領域30a、30bにも冷却ガスを供給するようにしてもよい。冷却部40は、冷却ガスにより、処理領域30a、30bを囲む均熱部34を冷却する。均熱部34が冷却されることで、高温状態にあるワーク100が間接的に冷却される。また、均熱部34が冷却されることで、均熱部34の熱がワーク100に伝わるのを抑制できる。冷却ガスが、処理領域30a、30bに供給される場合には、高温状態にあるワーク100が直接冷却される。
The cooling
なお、冷却部40は必ずしも必要ではなく、省くこともできる。ただし、冷却部40が設けられていれば、ワーク100の冷却時間を短縮することができる。
Note that the cooling
冷却部40は、ノズル41、ガス源42、およびガス制御部43を有する。
ノズル41は、複数のヒータ32aが設けられた空間に接続される。なお、冷却ガスを処理領域30a、30bに供給する場合には、ノズル41が処理領域30a、30bに接続される。なお、ノズル41の数や配置は適宜変更することができる。
The
The
ガス源42は、ノズル41に冷却ガスを供給する。ガス源42は、例えば、高圧ガスボンベ、工場配管などとすることができる。また、ガス源42は、複数設けることもできる。
A
冷却ガスは、加熱されたワーク100と反応し難いガスとすることができる。冷却ガスは、例えば、窒素ガス、炭酸ガス(CO2)、希ガスなどである。希ガスは、例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなどである。冷却ガスの温度は、例えば、室温(例えば、25℃)以下とすることができる。
The cooling gas can be a gas that does not readily react with the
ガス制御部43は、ノズル41とガス源42との間に設けられている。ガス制御部43は、例えば、冷却ガスの供給と、供給の停止と、冷却ガスの流速および流量の少なくともいずれかの制御と、を行うことができる。
A
コントローラ50は、例えば、CPU(Central Processing Unit)などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えている。コントローラ50は、例えば、コンピュータなどである。コントローラ50は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、加熱処理装置1に設けられた各要素の動作を制御する。
The
次に、温度制御部37についてさらに説明する。
前述したように、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが設けられていれば、加熱されたワーク100の面内における温度分布のばらつきが生じるのを抑制することができる。しかしながら、加熱処理の対象となる溶液は、ワーク100の表面側に設けられている。加熱処理の対象物の表面から化学反応が進行すると、加熱処理の対象物の基板と接する領域で反応が十分に進まないおそれがある。この場合、形成される膜や、処理された層の品質が低下するおそれがある。そのため、加熱処理の対象物の表面、つまり、ワークの表面の温度をワークの裏面の温度よりも低い状態として加熱することが要求されている。
また、より高品質な膜や、層が要求されている。そのため、ワーク100の面内における温度分布をより均一に制御する技術が求められている。ワーク100の面内における温度分布にばらつきが生じると、形成された有機膜の面内に品質のばらつきが生じるおそれがある。
そこで、ワーク100の両面側から加熱を行う場合であっても、加熱処理の対象物が付着しているワーク100の表面の温度、およびワーク100の裏面の温度と、ワーク100の面内における温度分布のばらつきと、を簡易な方法でより詳細に制御するために、温度制御部37が設けられている。
Next, the
As described above, if the upper
There is also a demand for higher quality films and layers. Therefore, a technique for controlling the temperature distribution in the surface of the
Therefore, even when heating is performed from both sides of the
図2は、温度制御部37を例示するための模式断面図である。
図2は、ワーク100の、周縁領域と中央領域との間に存在する領域(中間領域)に対向する上部均熱板34aおよび下部均熱板34bを例示する。
図3は、温度制御部37の平面形状を例示するための模式平面図である。
図2および図3に示すように、温度制御部37は、ワーク100の中央領域および中間領域と対向する複数の上部均熱板34aの、ワーク100側の面、およびワーク100側とは反対側の面(ヒータ32a側の面)の少なくともいずれかに設けることができる。図2に例示をした温度制御部37は、上部均熱板34aの、ワーク100側の面に設けられている。例えば、温度制御部37は、ワーク100の中央領域および中間領域と対向する複数の下部均熱板34bの、ワーク100側の面、およびワーク100側とは反対側の面(ヒータ32a側の面)の少なくともいずれかに設けることができる。図2に例示をした温度制御部37は、下部均熱板34bの、ワーク100側とは反対側の面に設けられている。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for illustrating the
FIG. 2 illustrates an
FIG. 3 is a schematic plan view for illustrating the planar shape of the
As shown in FIGS. 2 and 3, the
温度制御部37は、放射部37a(第1の放射部または第2の放射部の一例に相当する)、および複数の凸部37bを有する。
放射部37aは、板状を呈している。放射部37aは、上部均熱板34aと隙間を介して設けられている。放射部37aは、下部均熱板34bと隙間を介して設けられている。
複数の凸部37bは、突起状を呈している。複数の凸部37bは、放射部37aの、上部均熱板34a側の面、または下部均熱板34b側の面に設けることができる。複数の凸部37bは、放射部37aと上部均熱板34aとの間、または、放射部37aと下部均熱板34bとの間に隙間を設けるために設けられている。
The
The
The plurality of
放射部37aと上部均熱板34aまたは、放射部37aと下部均熱板34bとの距離によって、ワーク100の表面あるいは裏面に入射する熱量は変化しない。そのため、複数の凸部37bの高さは、放射部37aと上部均熱板34aまたは、放射部37aと下部均熱板34bとが接触しない高さとすればよい。例えば、複数の凸部37bの高さは、0.2mm以上とすればよい。また、放射部37aと上部均熱板34aまたは、放射部37aと下部均熱板34bとの距離を大きくすると、チャンバ10の大型化を招く。そのため、複数の凸部37bの高さは、1mm以下とすればよい。
The amount of heat incident on the front surface or back surface of the
前述したように、複数のヒータ32aから放射され、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bに入射した熱は、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク100側に放射される。ワーク100側に放射された熱により、ワーク100の温度が上昇するが、ワーク100の周縁側は、ワーク100の中央側よりも放熱しやすい。そのため、ワーク100の中央領域の温度は、ワーク100の周縁領域の温度よりも高くなる。
As described above, the heat radiated from the plurality of
ここで、温度制御部37が設けられている領域においては、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bから放射された熱が温度制御部37に入射し、温度制御部37に入射した熱がワーク100に向けて放射される。この場合、温度制御部37には、複数の凸部37bが設けられているので、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bから放射された熱が隙間を介して放射部37aに入射し、放射部37aからワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の、温度制御部37に対向する領域の温度が、ワーク100の、温度制御部37に対向していない領域の温度よりも低くなる。
Here, in the region where the
この場合、図3に示すように、平面視において、温度制御部37が、ワーク100の中央領域と対向する、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの中央領域に設けられていれば、ワーク100の中央領域に入射する熱を少なくすることができる。そのため、ワーク100の面内において、ワーク100からの放熱量と、ワーク100に入射する熱量とのバランスをとることができる。その結果、ワーク100の面内に温度分布のばらつきが生じるのをさらに抑制することができ、ひいては形成される有機膜の品質をさらに向上させることができる。
In this case, as shown in FIG. 3, if the
また、放射部37aの平面形状と、放射部37aの平面寸法により、ワーク100の表面あるいは裏面に入射する熱量と、ワーク100の面内に入射する熱量のばらつきを制御することができる。また、上部均熱板34aに設けられる放射部37aの平面寸法を、下部均熱板34bに設けられる放射部37aの平面寸法よりも大きくすることで、ワーク100の表面の温度をワーク100の裏面の温度よりも低い状態として加熱することができる。この場合、ワーク100の周縁領域に対向する上部均熱板34aにも温度制御部37を設けるようにしても良い。また、上部均熱板34aの両側の面に温度制御部37を設け、下部均熱板34bの片側の面に温度制御部37を設けるようにしてもよい。
In addition, variations in the amount of heat incident on the front or rear surface of the
なお、ワーク100の温度の面内分布は、ワーク100の周辺に設けられた要素や処理条件などの影響を受ける。そのため、放射部37aの平面形状と、放射部37aの平面寸法は、例えば、実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することが好ましい。
The in-plane distribution of the temperature of the
放射部37a、および複数の凸部37bは、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。放射部37a、および複数の凸部37bは、例えば、エンボス加工、プレス成形などにより、一体成形することができる。
The radiating
図4は、他の実施形態に係る温度制御部137を例示するための模式平面図である。
図4に示すように、温度制御部137は、放射部137a、および凸部137b~137dを有する。
FIG. 4 is a schematic plan view for illustrating the
As shown in FIG. 4, the
放射部137aは、前述した放射部37aと同様とすることができる。ただし、放射部137aの平面形状は長方形としている。
凸部137b~137dは、突起状を呈している。凸部137bは、放射部137aの中央領域に設けられる。凸部137dは、放射部137aの周縁領域に設けられる。凸部137cは、放射部137aの、凸部137bが設けられる領域と、凸部137dが設けられる領域との間の中間領域に設けられる。
The
The
また、放射部137aの、凸部137b~137dが設けられる面に平行な方向において、凸部137bの断面積は凸部137cの断面積よりも小さく、凸部137cの断面積は凸部137dの断面積よりも小さくなっている。
In addition, in the direction parallel to the surface of the radiating
前述した様に、上部均熱板34a(下部均熱板34b)から放射された熱の大部分は、隙間を介して、輻射により放射部137aに伝わる。しかしながら、凸部137b~137dは上部均熱板34a(下部均熱板34b)と接触するので、凸部137b~137dが設けられている部分においては、熱伝導により熱が伝わる。この場合、凸部の断面積を小さくすれば熱が伝わり難くなり、凸部の断面積を大きくすれば熱が伝わり易くなる。そのため、凸部が設けられる領域に応じて、凸部の断面積を変化させれば、放射部の温度の面内分布を小さくすることができる。
As described above, most of the heat radiated from the upper
例えば、放射部137aの周縁領域は放熱し易いので温度が下がりやすい。一方、放射部137aの中央領域は放熱し難いので温度が上がりやすい。そのため、凸部137b~137dの配置と断面積を前述したものとすれば、熱伝導により放射部137aの周縁領域に伝わる熱を最も多くし、中間領域に伝わる熱を次に多くし、中央領域に伝わる熱を最も少なくすることができる。そのため、放射部137aの温度の面内分布を小さくすることができる。
For example, the peripheral area of the radiating
なお、放射部の温度の面内分布は、上部均熱板34a(下部均熱板34b)温度、放射部の周辺に設けられた要素や処理条件などの影響を受ける。そのため、凸部の配置、数、断面積は、例えば、実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することが好ましい。
The in-plane distribution of the temperature of the radiation section is affected by the temperature of the upper
また、以上に説明したものは、放射部の面内の温度分布のばらつきを小さくする場合であるが、凸部の配置、数、断面積を適宜設定することで、放射部の特定の領域における温度を制御することもできる。 In the above-described case, the variation in the temperature distribution in the plane of the radiating section is reduced. Temperature can also be controlled.
図5は、他の実施形態に係る温度制御部237を例示するための模式断面図である。
前述した温度制御部37は、板状の放射部37aと、放射部37aの一方の面に設けられた突起状の複数の凸部37bとを有している。
これに対して、温度制御部237は、波板となっている。例えば、プレス成形などにより、平板を波板状に加工して、温度制御部237とすることができる。温度制御部237は、例えば、ステンレスなどの金属から形成することができる。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a
The
On the other hand, the
この場合、図5に示すように、温度制御部237の、上部均熱板34a(下部均熱板34b)側の部分237bが、前述した複数の凸部37bとして機能し、温度制御部237の、上部均熱板34a(下部均熱板34b)側とは反対側の部分237aが放射部37aとして機能する。
すなわち、温度制御部は、隙間を介して、上部均熱板34a(下部均熱板34b)に設けられた放射部を有していればよい。
In this case, as shown in FIG. 5, a
In other words, the temperature control section only needs to have a radiation section provided on the upper
図6は、他の実施形態に係る温度制御部337、および温度制御部437を例示するための模式断面図である。
図6に示すように、温度制御部337は、上部均熱板34aの、ワーク100側の面、およびワーク100側とは反対側の面の少なくともいずれかに設けることができる。図6に例示をした温度制御部337は、上部均熱板34aの、ワーク100側の面に設けられている。温度制御部337は、温度制御部37と比べて、ワーク100に放射される熱を少なくすることができる。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a
As shown in FIG. 6, the
温度制御部337は、放射部37a、複数の凸部37b、および反射膜37cを有する。
反射膜37cは、温度制御部337のヒータ32a側の面(図6に例示した温度制御部337では、上部均熱板34a側の面)に設けられている。反射膜37cは、放射部37aよりも熱を吸収しにくい材料から形成される。例えば、反射膜37cは、金から形成することができる。反射膜37cが設けられていれば、図6で例示した温度制御部337では、上部均熱板34aから放射された熱が温度制御部337の放射部37aに入射するのを抑制することができる。そのため、温度制御部337の放射部37aからワーク100に放射される熱を少なくすることができるので、ワーク100の、温度制御部337と対向する領域(例えば、ワーク100の中央領域)の温度を低下させるのが容易となる。
The
The
また、破線で示した温度制御部37では、ヒータ32aから放射された熱が温度制御部337の放射部37aに入射するのを抑制することができる。そのため、温度制御部337から上部均熱板34aへ放射される熱を抑制することができる。したがって、上部均熱板34aからワーク100に放射される熱を少なくすることができるので、ワーク100の、温度制御部337が取り付けられた上部均熱板34aと対向する領域(例えば、ワーク100の中央領域)の温度を低下させるのが容易となる。
In addition, the
温度制御部437は、下部均熱板34bの、ワーク100側の面、およびワーク100側とは反対側の面の少なくともいずれかに設けることができる。図6に例示をした温度制御部437は、下部均熱板34bの、ワーク100側とは反対側の面に設けられている。温度制御部437は、温度制御部37と比べて、ワーク100に放射される熱を多くすることができる。
The
温度制御部437は、放射部37a、複数の凸部37b、および吸収膜37dを有する。
吸収膜37dは、温度制御部437のヒータ32a側の面(図6に例示した温度制御部437では放射部37aの表面)に設けられている。吸収膜37dは、放射部37aよりも熱を吸収しやすい材料(熱を放射し易い材料)から形成される。例えば、吸収膜37dは、表面粗さを粗くした、酸化膜や窒化膜や黒色の膜などとすることができる。吸収膜37dが設けられていれば、ヒータ32aから放射された熱を温度制御部437がより効率的に吸収することができる。そのため、下部均熱板34bの、温度制御部437に対向する領域から、ワーク100に放射される熱を多くすることができる。
The
The
以上に説明した様に、反射膜37cや吸収膜37dを設ければ、ワーク100の、温度制御部337、437に対向する領域の温度制御がさらに容易となる。したがって、ワーク100の表面温度と裏面温度をより詳細に制御することができる。
なお、温度制御部437は、吸収膜37dに代えて反射膜37cを設けるようにしてもよい。反射膜37cが設けられた温度制御部437からワーク100に放射される熱を多くする場合には、吸収膜37dが設けられた側とは反対の面に反射膜37cを設けるようにすればよい。
As described above, if the reflecting
Note that the
図7は、他の実施形態に係る温度制御部37の配置を例示するための模式断面図である。
図7に示すように、上部均熱板34aの少なくとも一方の面に、複数の温度制御部37(第3の温度制御部の一例に相当する)を重ねて設けることもできる。例えば、図7に示すように、上部均熱板34aのワーク100側の面に、2つの温度制御部37を重ねて設けることができる。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of the
As shown in FIG. 7, a plurality of temperature control sections 37 (corresponding to an example of a third temperature control section) may be provided in an overlapping fashion on at least one surface of the upper
複数の温度制御部37が重ねて設けられていれば、ワーク100の、複数の温度制御部37と対向する領域の温度(例えば、ワーク100の中央領域の温度)を低下させるのが容易となる。
If the plurality of
前述した反射膜37cを有する温度制御部337の場合は、上部均熱板34aの少なくとも一方の面に重ねて複数設けることができる。
また、前述した吸収膜37dを有する温度制御部437の場合は、例えば、下部均熱板34bの少なくとも一方の面に、重ねて複数設けることができる。
なお、必要に応じて、温度制御部37、337、437を組み合わせて複数重ねたりしてもよい。
In the case of the
Moreover, in the case of the
It should be noted that the
図8は、他の実施形態に係る温度制御部37の配置を例示するための模式断面図である。
前述したように、凸部37bが設けられている部分においては、熱伝導により熱が伝わる。複数の温度制御部37(第3の温度制御部の一例に相当する)を重ねて設ける場合に、平面視において、凸部37b同士が重なっていると、放射部37aの、凸部37bが設けられている部分の温度が高くなり過ぎる場合がある。
この場合、図8に示すように、平面視において、凸部37b同士が重ならないようにすれば、放射部37aの面内において温度分布のばらつきが大きくなるのを抑制することができる。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for illustrating the arrangement of the
As described above, heat is transmitted by thermal conduction to the portion where the
In this case, as shown in FIG. 8, if the
図9は、処理領域30aおよび処理領域30bが重ねて設けられた場合の温度制御部の配置を例示するための模式断面図である。
図1に示すように、処理領域30aおよび処理領域30bが重ねて設けられる場合がある。この様な場合には、前述したように、下側の処理領域30aに設けられた上部加熱部は、上側の処理領域30bに設けられた下部加熱部と兼用することができる。この場合、ワーク100の表面を加熱し過ぎないようにするために、処理領域30a内のワーク100の表面側のヒータ32aに加える電力を小さくすることが考えられる。しかし、このようにすると、処理領域30b内のワーク100の裏面側の温度も低下してしまう。したがって、複数の処理部30が重ねて設けられ、かつ、ワーク100を両面側から加熱する場合には、ヒータ32aに加える電力を制御するだけでは、加熱処理の対象物の温度をより詳細に制御するのは困難である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for exemplifying the arrangement of the temperature control unit when the
As shown in FIG. 1,
この様な場合にも、前述した温度制御部37、137、237、337、437を設けることで、ワーク100の面内における温度分布のばらつきが小さくなる様にすることができる。
例えば、図9に示すように、下側の処理領域30aにおいて、上部均熱板34aの、ワーク100側の面に温度制御部37を設けることができる。上側の処理領域30bにおいて、下部均熱板34bの、ワーク100側とは反対側の面(ヒータ32a側の面)に温度制御部37を設けることができる。この様にすれば、前述した場合と同様の効果を享受することができる。
Even in such a case, by providing the
For example, as shown in FIG. 9, in the
図10は、処理領域30aおよび処理領域30bが重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。
図10では、ワーク100の中央領域および中間領域と対向する複数の上部均熱板34aおよび下部均熱板34bを例示する。
前述したように、ワーク100を加熱した際に、ワーク100の表面側の温度が、ワーク100の裏面側の温度よりも低くなるようにすることが好ましい。
そのため、例えば、図10に示すように、下側の処理領域30aの上部均熱板34aに設けられる温度制御部537の平面寸法を、上側の処理領域30bの下部均熱板34bに設けられる温度制御部37の平面寸法よりも大きくすることができる。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating another embodiment of the temperature control unit in which the
FIG. 10 illustrates a plurality of upper
As described above, when the
Therefore, for example, as shown in FIG. 10, the planar dimension of the
温度制御部537は、例えば、図1に示す5つの上部均熱板34aに凸部37bを介して設けることができる。凸部37bは、上部均熱板34aの外縁周辺に設けることができる。また、温度制御部537の放射部37aのX方向における長さは、ワーク100の外縁領域と対向する上部均熱板34aの中央領域には届かない長さとなっている。
The
この様にすれば、下側の処理領域30aにおいて、ワーク100の表面側の温度が、ワーク100の裏面側の温度よりも低くなるようにすることができる。また、温度制御部537を所定の間隔で上部均熱板34aに凸部37bを介して設けているので、温度制御部537が撓むことを防止することができる。また、温度制御部537の放射部37aのX方向における長さをワーク100の外縁領域と対向する上部均熱板34aの中央領域には届かない長さとしているので、ワーク100裏面側の外縁の温度が上昇し易くなり、ワーク100の面内における温度分布をより均一に制御することができる。
In this way, the temperature of the surface side of the
なお、温度制御部537の放射部37aの平面形状をひし形とすれば、放熱による温度低下が生じ易いワーク100の周縁領域に入射する熱を多くし、放熱による温度低下が生じ難いワーク100の中央領域に入射する熱を少なくすることができる。
If the planar shape of the radiating
図11は、処理領域30aおよび処理領域30bが重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。
図11に示すように、温度制御部537には、前述した反射膜37cをさらに設けることができる。この場合、反射膜37cは、平面視において、放射部の中央領域に設けることができる。反射膜37cが設けられていれば、下側の処理領域30aにおいて、ワーク100の表面側の温度が、ワーク100の裏面側の温度よりも低くなるようにすることがさらに容易となる。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating another embodiment of the temperature control unit in which the
As shown in FIG. 11, the
また、反射膜37cは、ワーク100の表面の中央領域に対向する位置に設けることができる。前述したように、ワーク100の中央領域は放熱し難いため温度が高くなりやすい。そのため、反射膜37cが、ワーク100の表面の中央領域に対向する位置に設けられていれば、ワーク100の表面の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。
Also, the
図12は、処理領域30aおよび処理領域30bが重ねて設けられた場合の温度制御部の他の実施形態を例示するための模式断面図である。
図12に示すように、温度制御部537には、前述した温度制御部37(第3の温度制御部の一例に相当する)を重ねて設けることができる。例えば、放射部の平面寸法が異なる温度制御部を重ねて設けることができる。この場合、温度制御部37は、ワーク100の表面の中央領域に対向する位置に設けることができる。前述したように、ワーク100の中央領域は放熱し難いため温度が高くなりやすい。そのため、温度制御部37が、ワーク100の表面の中央領域に対向する位置に設けられていれば、ワーク100の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating another embodiment of the temperature control unit in which the
As shown in FIG. 12, the
以上に例示をした温度制御部37、137、237、337、437、537は、上部均熱板34a(下部均熱板34b)に熱的に接続されていれば良い。例えば、これらの温度制御部を上部均熱板34a(下部均熱板34b)に溶接したり、ネジなどの締結部材を用いて上部均熱板34a(下部均熱板34b)に接合したりすることができる。
The
図13は、複数の温度制御部を重ねて設ける場合の形態を例示するための模式斜視図である。
図13に示すように、下側の温度制御部637a(第3の温度制御部の一例に相当する)に凸状の位置決め部637a1を設け、上側の温度制御部637bに位置決め部637a1が挿入される位置決め部637b1を設けることができる。位置決め部637b1は、例えば、切り欠きや孔などとすることができる。
この様にすれば、温度制御部637a、637bの着脱が容易となるので、メンテナンス性の向上を図ることができる。
FIG. 13 is a schematic perspective view for exemplifying a form in which a plurality of temperature control units are stacked.
As shown in FIG. 13, a convex positioning portion 637a1 is provided in the lower
In this way, the
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、加熱処理装置1の形状、寸法、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
The embodiments have been illustrated above. However, the invention is not limited to these descriptions.
Appropriate design changes made by those skilled in the art with respect to the above embodiments are also included in the scope of the present invention as long as they have the features of the present invention.
For example, the shape, dimensions, arrangement, etc. of the
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
図7および図12に示した他の形態の形態では、温度制御部を重ねて設ける場合を説明した。しかし、温度制御部は、重ねて設けることに限定されない。例えば、温度制御部537を上部均熱板34aのヒータ32a側の面に設け、温度制御部37をワーク100の中央領域と対向する上部均熱板34aのワーク100側の面に設けるようにしてもよい。
Moreover, each element provided in each of the above-described embodiments can be combined as much as possible, and a combination thereof is also included in the scope of the present invention as long as it includes the features of the present invention.
In other embodiments shown in FIGS. 7 and 12, the case where the temperature control units are provided in an overlapping manner has been described. However, the temperature control units are not limited to being provided in layers. For example, the
また、ワーク100の、中央領域から外縁領域に向かって、温度制御部37の個数を変化させてもよい。例えば、中央領域から外縁領域に向かって、温度制御部37の個数が減るように配置することができる。このようにすることで、ワーク100の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。
Also, the number of
また、温度制御部37および温度制御部337を併用してもよい。例えば、ワーク100の中央領域と対向する上部均熱板34aに温度制御部337を設け、その両側に配置された上部均熱板34aに温度制御部37を設けるようにすることができる。このようにすることで、ワーク100の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。
Also, the
また、温度制御部37の形状は、矩形に限定されない。例えば、均熱部のみで加熱した場合の、ワーク100の面内における温度分布を予め求めておき、温度分布に合わせて温度制御部37の形状を決定するようにしてもよい。この場合、温度制御部37は、例えば、三角形や、楕円、ひょうたん形状や扇形状など、様々な形状とすることができる。
また、複数の加熱部32を有する加熱処理装置では、加熱部32ごとに温度制御部37の形状や構成を変えるようにしてもよい。例えば、上部均熱板34aに設けられた温度制御部37の形状や構成が加熱部32ごとに異なるようにしてもよい。また、最下段と最上段の加熱部32は、他の加熱部32と異なり、熱が逃げやすい。そのため、最下段と最上段の加熱部32については、加熱部32の、ワーク100側とは反対側に設けられた均熱部34に温度制御部37を設けなくてもよい。このようにすることで、最下段と最上段の処理部30に設けられたワーク100の面内における温度分布のばらつきを小さくすることができる。
Also, the shape of the
Moreover, in a heat treatment apparatus having a plurality of
1 加熱処理装置、10 チャンバ、20 排気部、30 処理部、30a 処理領域、30b 処理領域、32 加熱部、33 支持部、34a 上部均熱板、34b 下部均熱板、37 温度制御部、37a 放射部、37b 凸部、37c 反射膜、100 ワーク、137 温度制御部、237 温度制御部、337 温度制御部、437 温度制御部、537 温度制御部
1
実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも1つの第1のヒータを有する第1の加熱部と、前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも1つの第2のヒータを有し、前記第1の加熱部と対向する第2の加熱部と、前記第1の加熱部と、前記第2の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第1の均熱板と、前記第1の均熱板と、前記第2の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第2の均熱板と、前記第1の均熱板と、前記第2の均熱板と、の間であって、ワークが支持される第1の処理領域と、前記第1の均熱板に設けられた第1の温度制御部と、前記第2の均熱板に設けられた第2の温度制御部と、を備えている。前記第1の温度制御部は、前記第1の均熱板と隙間を介して設けられた第1の放射部を有している。前記第2の温度制御部は、前記第2の均熱板と隙間を介して設けられた第2の放射部を有する。
また、実施形態に係る加熱処理装置は、チャンバと、前記チャンバの内部を排気して、前記チャンバの内部を真空にする排気部と、前記チャンバの内部に設けられ、ワークが支持される第1の処理領域と、前記第1の処理領域の上部に設けられ、少なくとも1つの第1のヒータを有する第1の加熱部と、前記第1の処理領域の下部に設けられ、少なくとも1つの第2のヒータを有する第2の加熱部と、前記第1の処理領域と、前記第1の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第1の均熱板と、前記第1の処理領域と、前記第2の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第2の均熱板と、前記第1の均熱板に設けられた第1の温度制御部と、を備え、前記第1の温度制御部は、前記第1の均熱板と隙間を介して設けられた第1の放射部を有する。
A heat treatment apparatus according to an embodiment includes a chamber, a first heating section provided inside the chamber and having at least one first heater, and at least one second heater provided inside the chamber. a second heating unit having a heater and facing the first heating unit; and at least one first soaking unit provided between the first heating unit and the second heating unit. At least one second heat equalizer provided between the plate, the first heat equalizer, and the second heating unit, the first heat equalizer, and the second equalizer. a first processing area in which a workpiece is supported, a first temperature control unit provided in the first heat equalizing plate, and a temperature control unit provided in the second heat equalizing plate, between the heat plate and and a second temperature control unit. The first temperature control section has a first radiation section provided with a gap from the first heat equalizing plate. The second temperature control section has a second radiation section provided with a gap from the second heat equalizing plate.
In addition, the heat treatment apparatus according to the embodiment includes a chamber, an exhaust unit for evacuating the inside of the chamber and evacuating the inside of the chamber, and a first heat treatment apparatus provided inside the chamber for supporting a work. a first heating unit provided above the first processing region and having at least one first heater; and provided below the first processing region and including at least one second heater. a second heating unit having a heater of , the first processing region, at least one first heat equalizing plate provided between the first heating unit, and the first processing region , at least one second heat equalizing plate provided between the second heating unit and a first temperature control unit provided in the first heat equalizing plate; The temperature control section of (1) has a first radiating section provided with a gap from the first heat equalizing plate.
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
図7および図12に示した他の実施の形態では、温度制御部を重ねて設ける場合を説明した。しかし、温度制御部は、重ねて設けることに限定されない。例えば、温度制御部537を上部均熱板34aのヒータ32a側の面に設け、温度制御部37をワーク100の中央領域と対向する上部均熱板34aのワーク100側の面に設けるようにしてもよい。
Moreover, each element provided in each of the above-described embodiments can be combined as much as possible, and a combination thereof is also included in the scope of the present invention as long as it includes the features of the present invention.
In other embodiments shown in FIGS. 7 and 12, the case where the temperature control units are provided in an overlapping manner has been described. However, the temperature control units are not limited to being provided in layers. For example, the
Claims (8)
前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも1つの第1のヒータを有する第1の加熱部と、
前記チャンバの内部に設けられ、少なくとも1つの第2のヒータを有し、前記第1の加熱部と対向する第2の加熱部と、
前記第1の加熱部と、前記第2の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第1の均熱板と、
前記第1の均熱板と、前記第2の加熱部との間に設けられた少なくとも1つの第2の均熱板と、
前記第1の均熱板と、前記第2の均熱板と、の間であって、ワークが支持される第1の処理領域と、
前記第1の均熱板に設けられた第1の温度制御部と、
前記第2の均熱板に設けられた第2の温度制御部と、
を備え、
前記第1の温度制御部は、前記第1の均熱板と隙間を介して設けられた第1の放射部を有し、
前記第2の温度制御部は、前記第2の均熱板と隙間を介して設けられた第2の放射部を有する加熱処理装置。 a chamber;
a first heating unit provided inside the chamber and having at least one first heater;
a second heating unit provided inside the chamber, having at least one second heater, and facing the first heating unit;
at least one first heat equalizing plate provided between the first heating unit and the second heating unit;
at least one second heat equalizer plate provided between the first heat equalizer plate and the second heating unit;
a first processing area between the first heat equalizing plate and the second heat equalizing plate, in which a workpiece is supported;
a first temperature control unit provided in the first heat equalizing plate;
a second temperature control unit provided in the second heat equalizing plate;
with
The first temperature control section has a first radiation section provided with a gap from the first heat equalizing plate,
The heat treatment apparatus, wherein the second temperature control section has a second radiating section provided with a gap from the second heat equalizing plate.
前記第3の放射部の平面寸法は、前記第1の温度制御部に設けられた前記第1の放射部の平面寸法とは異なる請求項6記載の加熱処理装置。 The third temperature control section has a third radiation section provided with a gap from the first temperature control section,
7. The heat treatment apparatus according to claim 6, wherein the planar dimensions of the third radiating section are different from the planar dimensions of the first radiating section provided in the first temperature control section.
前記第1の処理領域と、前記第2の処理領域と、の間に設けられた前記第1の加熱部が前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とで兼用されている請求項1~7のいずれか1つに記載の加熱処理装置。 further comprising a second processing region overlying the first processing region;
3. The first heating section provided between the first processing region and the second processing region is shared by the first processing region and the second processing region. 8. The heat treatment apparatus according to any one of 1 to 7.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10112437A (en) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor board treatment device |
JP2002195755A (en) * | 2000-10-16 | 2002-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat treatment system |
WO2019117250A1 (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Organic film formation device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006170534A (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | Heating method for body to be heated, heating furnace, and manufacturing method of device |
CN102633442B (en) * | 2012-04-19 | 2015-12-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Temperature control pin supporting substrate carries out the pre-dried device and method of alignment film |
JP6240440B2 (en) * | 2013-08-30 | 2017-11-29 | 東京応化工業株式会社 | Chamber apparatus and heating method |
JP6773019B2 (en) | 2017-12-27 | 2020-10-21 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | Image forming device |
KR102226624B1 (en) * | 2018-03-30 | 2021-03-12 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Apparatus for forming organic film and method for producing organic film |
JP6940541B2 (en) * | 2018-04-16 | 2021-09-29 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Organic film forming device |
CN110391132B (en) * | 2018-04-16 | 2023-05-16 | 芝浦机械电子株式会社 | Organic film forming apparatus |
-
2021
- 2021-07-29 JP JP2021123920A patent/JP7366086B2/en active Active
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2022
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JP2002195755A (en) * | 2000-10-16 | 2002-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat treatment system |
WO2019117250A1 (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Organic film formation device |
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