KR102226624B1 - Apparatus for forming organic film and method for producing organic film - Google Patents

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Abstract

유기막이 형성된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있고, 또한, 유기막의 품질을 유지할 수 있는 유기막 형성 장치, 및 유기막의 제조 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 유기막 형성 장치는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와, 상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부와, 상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와, 상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 제1 가열부와 대향시켜 설치된 제2 가열부와, 상기 제1 가열부와 상기 제2 가열부 사이로서, 기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 갖는 워크가 지지되는 처리 영역과, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 냉각 가스 또는 냉매를 공급하는 냉각부를 구비하고 있다. 상기 처리 영역에 지지된 상기 워크가, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나에 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매가 공급됨으로써 냉각된다.It is to provide an organic film forming apparatus capable of shortening the cooling time of a substrate on which an organic film is formed and maintaining the quality of the organic film, and a method of producing an organic film.
The organic film forming apparatus according to the embodiment includes: a chamber capable of maintaining an atmosphere reduced to atmospheric pressure, an exhaust unit capable of exhausting the interior of the chamber, and a first heating device installed in the chamber and having at least one first heater. A second heating unit installed in the interior of the chamber and having at least one second heater facing the first heating unit, and between the first heating unit and the second heating unit, the substrate and , A processing region in which a work having a solution containing an organic material and a solvent applied to the upper surface of the substrate is supported, and a cooling gas or a refrigerant inside at least one of the first heating unit and the second heating unit. It is equipped with a cooling part to supply. The work supported in the processing region is cooled by supplying the cooling gas or the refrigerant to at least one of the first heating unit and the second heating unit.

Figure R1020190036816
Figure R1020190036816

Description

유기막 형성 장치, 및 유기막의 제조 방법{APPARATUS FOR FORMING ORGANIC FILM AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FILM}An organic film forming apparatus, and a method for manufacturing an organic film TECHNICAL FIELD [APPARATUS FOR FORMING ORGANIC FILM AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FILM]

본 발명의 실시형태는, 유기막 형성 장치, 및 유기막의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an organic film forming apparatus and a method for producing an organic film.

유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 기판의 위에 도포하고, 이것을 가열함으로써 기판의 위에 유기막을 형성하는 기술이 있다. 예컨대, 액정 표시 패널의 제조에 있어서는, 투명 기판의 위에 설치된 투명 전극 등의 표면에 폴리아미드산을 포함하는 바니시를 도포하고, 이미드화시켜 폴리이미드막을 형성하며, 얻어진 막을 러빙 처리하여 배향막을 형성하고 있다. 또한, 플렉시블성을 가진 수지 기판의 제조에 있어서는, 유리 기판 등의 서포트 기판의 표면에 폴리아미드산을 포함하는 바니시를 도포하고, 이미드화시켜 폴리이미드막을 형성하여 서포트 기판으로부터 박리하고 있다. 이 때, 폴리아미드산을 포함하는 바니시가 도포된 기판을 가열하여 폴리아미드산을 이미드화하고 있다. 또한, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판을 가열하여 용매를 증발시키고, 기판의 위에 유기막을 형성하는 것도 행해지고 있다.There is a technique of forming an organic film on the substrate by applying a solution containing an organic material and a solvent on a substrate and heating the solution. For example, in the manufacture of a liquid crystal display panel, a varnish containing polyamic acid is applied to the surface of a transparent electrode or the like provided on a transparent substrate, imidized to form a polyimide film, and the obtained film is rubbed to form an alignment film. have. In addition, in the manufacture of a flexible resin substrate, a varnish containing polyamic acid is applied to the surface of a support substrate such as a glass substrate, imidized to form a polyimide film, and peeled from the support substrate. At this time, the substrate to which the varnish containing polyamic acid is applied is heated to imidize the polyamic acid. Further, a substrate to which a solution containing an organic material and a solvent is applied is heated to evaporate the solvent, and an organic film is formed on the substrate.

유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 기판의 위에 도포하고, 이것을 가열하여 유기막을 형성할 때에는, 100℃∼600℃ 정도의 매우 높은 온도에서의 처리가 필요해지는 경우가 있다. 또한, 유기막의 형성이, 대기압보다 감압된 챔버의 내부에서 행해지는 경우가 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).When a solution containing an organic material and a solvent is applied onto a substrate and heated to form an organic film, treatment at a very high temperature of about 100°C to 600°C is sometimes required. In addition, the formation of the organic film is sometimes performed inside a chamber that is reduced to atmospheric pressure (see, for example, Patent Document 1).

유기막이 형성된 기판은, 처리가 행해진 챔버 등의 내부로부터 추출되고, 다음 공정 등에 반송된다. 가열하여 유기막을 형성한 경우, 기판의 온도가 높아지기 때문에, 온도가 높은 기판을 챔버로부터 추출하거나, 반송하거나 하는 것은 곤란하다. 또한, 온도가 높은 기판을 냉각하기 위한 장치나 적재부를 별도 설치하면, 장치나 적재부를 설치하기 위한 장소가 필요해지거나, 제조 설비의 비용이 증대한다.The substrate on which the organic film is formed is extracted from the inside of a chamber or the like in which the treatment has been performed, and is conveyed to the next step or the like. When the organic film is formed by heating, the temperature of the substrate increases, so it is difficult to extract or transport the substrate having a high temperature from the chamber. In addition, if a device or a mounting unit for cooling a substrate having a high temperature is separately installed, a place for installing the device or a mounting unit is required, or the cost of manufacturing equipment is increased.

이 경우, 챔버의 내부에 냉각 가스를 공급하면, 유기막이 형성된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있다. 그 때문에, 기판상으로의 유기막의 형성이 종료하고 나서, 다음 기판상으로의 유기막의 형성이 개시되기까지 사이의 시간을 단축할 수 있다.In this case, if a cooling gas is supplied into the chamber, the cooling time of the substrate on which the organic film is formed can be shortened. Therefore, the time between the completion of the formation of the organic film on the substrate and the start of the formation of the organic film on the next substrate can be shortened.

그런데, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 가열하여 유기막을 형성하면, 승화물 등이 생성되어 챔버의 내벽 등에 부착된다. 그 때문에, 단순히, 챔버의 내부에 냉각 가스를 공급하면, 챔버의 내벽에 부착되고 있는 승화물 등이 박리하여, 유기막의 위에 부착될 우려가 있다. 유기막의 위에 승화물 등의 이물이 부착되면, 유기막의 품질이 나빠질 우려가 있다.By the way, when an organic film is formed by heating a solution containing an organic material and a solvent, a sublimation or the like is generated and adhered to the inner wall of the chamber or the like. Therefore, simply supplying the cooling gas into the interior of the chamber may cause the sublimation or the like adhered to the inner wall of the chamber to be peeled off and adhere to the organic film. When foreign substances such as a sublimation adhere to the organic film, there is a concern that the quality of the organic film may deteriorate.

따라서, 유기막이 형성된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있고, 또한, 유기막의 품질을 유지할 수 있는 기술의 개발이 요구되고 있었다.Accordingly, there has been a demand for the development of a technology capable of shortening the cooling time of the substrate on which the organic film is formed and maintaining the quality of the organic film.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평성9-320949호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 9-320949

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 유기막이 형성된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있고, 또한, 유기막의 품질을 유지할 수 있는 유기막 형성 장치, 및 유기막의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object to be solved by the present invention is to provide an organic film forming apparatus capable of shortening the cooling time of a substrate on which an organic film is formed, and maintaining the quality of an organic film, and a method of manufacturing an organic film.

실시형태에 따른 유기막 형성 장치는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와, 상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부와, 상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와, 상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 제2 히터를 갖고 상기 제1 가열부와 대향시켜 설치된 제2 가열부와, 상기 제1 가열부와 상기 제2 가열부 사이로서, 기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 갖는 워크가 지지되는 처리 영역과, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 냉각 가스 또는 냉매를 공급하는 냉각부를 구비하고 있다. 상기 처리 영역에 지지된 상기 워크가, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나에 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매가 공급됨으로써 냉각된다.The organic film forming apparatus according to the embodiment comprises: a chamber capable of maintaining an atmosphere reduced to atmospheric pressure, an exhaust unit capable of exhausting the interior of the chamber, and a first heating device installed in the chamber and having at least one first heater. A second heating unit installed inside the chamber and having at least one second heater facing the first heating unit, and between the first heating unit and the second heating unit, the substrate, A cooling gas or a refrigerant is supplied into at least one of a processing region in which a work having a solution containing an organic material and a solvent applied to the upper surface of the substrate is supported, and the first heating unit and the second heating unit It is equipped with a cooling part to do. The work supported in the processing region is cooled by supplying the cooling gas or the refrigerant to at least one of the first heating unit and the second heating unit.

본 발명의 실시형태에 의하면, 유기막이 형성된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있고, 또한, 유기막의 품질을 유지할 수 있는 유기막 형성 장치, 및 유기막의 제조 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, an organic film forming apparatus capable of shortening the cooling time of a substrate on which an organic film is formed and maintaining the quality of the organic film, and a method for producing an organic film are provided.

도 1은 본 실시의 형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2(a)∼(d)는, 냉각 가스의 공급 형태를 예시하기 위한 모식도이다.
도 3은 다른 실시형태에 따른 냉각부를 예시하기 위한 모식도이다.
도 4는 다른 형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식도이다.
도 5는 다른 형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식도이다.
도 6은 공급 배관을 일 계통으로 하는 경우를 예시하기 위한 모식도이다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식도이다.
도 8은 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식도이다.
도 9는 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식도이다.
도 10(a)∼(c)는, 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치를 예시하기 위한 모식도이다.1 is a schematic perspective view for illustrating an organic film forming apparatus according to the present embodiment.
2(a) to (d) are schematic diagrams for illustrating a supply mode of a cooling gas.
3 is a schematic diagram for illustrating a cooling unit according to another embodiment.
4 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus according to another form.
5 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus according to another form.
6 is a schematic diagram for illustrating a case in which the supply piping is used as one system.
7 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus according to another embodiment.
8 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus according to another embodiment.
9 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus according to another embodiment.
10A to 10C are schematic diagrams for illustrating an organic film forming apparatus according to another embodiment.

이하, 도면을 참조하면서, 실시의 형태에 관해서 예시를 한다. 또, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 상세한 설명은 적절하게 생략한다.Hereinafter, an embodiment is illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same components are denoted by the same reference numerals, and detailed descriptions are omitted as appropriate.

도 1은, 본 실시의 형태에 따른 유기막 형성 장치(1)를 예시하기 위한 모식 사시도이다.1 is a schematic perspective view for illustrating an organic film forming apparatus 1 according to the present embodiment.

또, 도 1 중의 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향은, 서로 직교하는 3방향을 나타내고 있다. 본 명세서에 있어서의 상하 방향은, Z 방향으로 할 수 있다.In addition, the X direction, the Y direction, and the Z direction in FIG. 1 have shown three directions orthogonal to each other. The vertical direction in this specification can be made into the Z direction.

워크(100)는 기판과, 기판의 상면에 도포된 용액을 갖는다.The work 100 has a substrate and a solution applied to the upper surface of the substrate.

기판은, 예컨대, 유리 기판이나 반도체웨이퍼 등으로 할 수 있다. 다만, 기판은 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니다.The substrate can be, for example, a glass substrate or a semiconductor wafer. However, the substrate is not limited to the example.

용액은 유기 재료와 용제를 포함하고 있다. 유기 재료는 용제에 의해 용해가 가능한 것이면 특별히 한정은 없다. 용액은 예컨대, 폴리아미드산을 포함하는 바니시 등으로 할 수 있다. 다만, 용액은 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니다.The solution contains organic materials and solvents. The organic material is not particularly limited as long as it can be dissolved by a solvent. The solution can be, for example, a varnish containing polyamic acid or the like. However, the solution is not limited to the one illustrated.

도 1에 나타내는 바와 같이, 유기막 형성 장치(1)에는 챔버(10), 배기부(20), 처리부(30), 냉각부(40), 및 제어부(50)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, the organic film forming apparatus 1 is provided with a chamber 10, an exhaust unit 20, a processing unit 30, a cooling unit 40, and a control unit 50.

챔버(10)는 상자형을 나타내고 있다. 챔버(10)는 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖고 있다. 챔버(10)의 외관 형상에는 특별히 한정은 없다. 챔버(10)의 외관 형상은 예컨대, 직방체로 할 수 있다. 챔버(10)는 예컨대, 스테인리스 등의 금속으로 형성할 수 있다.The chamber 10 has a box shape. The chamber 10 has an airtight structure capable of maintaining an atmosphere reduced to atmospheric pressure. There is no particular limitation on the external shape of the chamber 10. The external shape of the chamber 10 can be, for example, a rectangular parallelepiped. The chamber 10 may be formed of, for example, a metal such as stainless steel.

챔버(10)의 한쪽의 단부에는 플랜지(11)를 설치할 수 있다. 플랜지(11)에는 O 링 등의 시일재(12)를 설치할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(11)가 설치된 측의 개구는 개폐 도어(13)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 도시하지 않는 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)(시일재(12))에 가압됨으로써 챔버(10)의 개구가 기밀해지도록 폐쇄된다. 도시하지 않는 구동 장치에 의해, 개폐 도어(13)가 플랜지(11)로부터 이격함으로써, 챔버(10)의 개구를 개재한 워크(100)의 반입 또는 반출이 가능해진다.A flange 11 may be installed at one end of the chamber 10. The flange 11 can be provided with a sealing member 12 such as an O-ring. The opening of the chamber 10 on the side where the flange 11 is provided is openable and closed by the opening/closing door 13. The opening of the chamber 10 is closed so that the opening of the chamber 10 is airtight by pressing the opening/closing door 13 against the flange 11 (seal member 12) by a drive device (not shown). With a drive device (not shown), the opening/closing door 13 is spaced apart from the flange 11, so that the work 100 can be carried in or out of the chamber 10 through the opening.

챔버(10)의 다른쪽의 딘부에는 플랜지(14)를 설치할 수 있다. 플랜지(14)에는 O 링 등의 시일재(12)를 설치할 수 있다. 챔버(10)의, 플랜지(14)가 설치된 측의 개구는, 덮개(15)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 예컨대, 덮개(15)는, 나사 등의 체결 부재를 이용하여 플랜지(14)에 착탈 가능하게 설치할 수 있다. 메인터넌스 등을 행할 때에는, 덮개(15)를 제거함으로써 챔버(10)의, 플랜지(14)가 설치된 측의 개구를 노출시킨다.A flange 14 may be installed on the other side of the chamber 10. The flange 14 can be provided with a sealing member 12 such as an O-ring. The opening of the chamber 10 on the side where the flange 14 is provided is openable and closed by the lid 15. For example, the cover 15 can be detachably attached to the flange 14 using fastening members such as screws. When performing maintenance or the like, the opening of the chamber 10 on the side where the flange 14 is provided is exposed by removing the cover 15.

챔버(10)의 외벽에는 냉각부(16)를 설치할 수 있다. 냉각부(16)에는, 도시하지 않는 냉각수 공급부가 접속되어 있다. 냉각부(16)는 예컨대, 워터 재킷(Water Jacket)으로 할 수 있다. 냉각부(16)가 설치되어 있으면, 챔버(10)의 외벽 온도가 소정의 온도보다 높게 되는 것을 억제할 수 있다.A cooling unit 16 may be installed on the outer wall of the chamber 10. The cooling unit 16 is connected to a cooling water supply unit (not shown). The cooling unit 16 can be, for example, a water jacket. If the cooling unit 16 is provided, it is possible to suppress the temperature of the outer wall of the chamber 10 from becoming higher than a predetermined temperature.

배기부(20)는 챔버(10)의 내부를 배기한다. 배기부(20)는 제1 배기부(21)와, 제2 배기부(22)를 갖는다.The exhaust unit 20 exhausts the interior of the chamber 10. The exhaust part 20 has a first exhaust part 21 and a second exhaust part 22.

제1 배기부(21)는 챔버(10)의 바닥면에 설치된 배기구(17)에 접속되어 있다.The first exhaust part 21 is connected to an exhaust port 17 provided on the bottom surface of the chamber 10.

제1 배기부(21)는 배기 펌프(21a)와, 압력 제어부(21b)를 갖는다.The first exhaust unit 21 has an exhaust pump 21a and a pressure control unit 21b.

배기 펌프(21a)는 예컨대, 드라이 진공 펌프 등으로 할 수 있다.The exhaust pump 21a can be, for example, a dry vacuum pump.

압력 제어부(21b)는 배기구(17)와 배기 펌프(21a) 사이에 설치되어 있다.The pressure control unit 21b is provided between the exhaust port 17 and the exhaust pump 21a.

압력 제어부(21b)는 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않는 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 소정의 압력이 되도록 제어한다.The pressure control unit 21b controls the internal pressure of the chamber 10 to become a predetermined pressure based on an output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10.

압력 제어부(21b)는 예컨대, APC(Auto Pressure Controller) 등으로 할 수 있다.The pressure control unit 21b may be, for example, an Auto Pressure Controller (APC).

제2 배기부(22)는 챔버(10)의 바닥면에 설치된 배기구(18)에 접속되어 있다.The second exhaust part 22 is connected to an exhaust port 18 provided on the bottom surface of the chamber 10.

제2 배기부(22)는 배기 펌프(22a)와, 압력 제어부(22b)를 갖는다.The second exhaust unit 22 has an exhaust pump 22a and a pressure control unit 22b.

배기 펌프(22a)는 예컨대, 터보 분자 펌프(TMP:Turbo Molecular Pump) 등으로 할 수 있다.The exhaust pump 22a can be, for example, a turbo molecular pump (TMP).

제2 배기부(22)는 고진공의 분자류 영역까지 배기 가능한 배기 능력을 갖는다.The second exhaust unit 22 has an exhaust capability capable of exhausting to a high-vacuum molecular flow region.

압력 제어부(22b)는 배기구(18)와 배기 펌프(22a) 사이에 설치되어 있다.The pressure control unit 22b is provided between the exhaust port 18 and the exhaust pump 22a.

압력 제어부(22b)는 챔버(10)의 내압을 검출하는 도시하지 않는 진공계 등의 출력에 기초하여, 챔버(10)의 내압이 소정의 압력이 되도록 제어한다.The pressure control unit 22b controls the internal pressure of the chamber 10 to become a predetermined pressure based on an output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10.

압력 제어부(22b)는 예컨대, APC 등으로 할 수 있다.The pressure control unit 22b can be, for example, APC or the like.

챔버(10)의 내부를 감압하는 경우에는, 우선, 제1 배기부(21)에 의해 챔버(10)의 내압이 10 pa 정도가 되도록 한다. 다음으로, 제2 배기부(22)에 의해 챔버(10)의 내압이 10 Pa∼1×10-2 Pa 정도가 되도록 한다. 이와 같이 하면, 원하는 압력까지 감압하는 데 필요해지는 시간을 짧게 할 수 있다.In the case of depressurizing the inside of the chamber 10, first, the internal pressure of the chamber 10 is made to be about 10 pa by the first exhaust part 21. Next, the internal pressure of the chamber 10 is made to be about 10 Pa to 1×10 -2 Pa by the second exhaust part 22. In this way, the time required to reduce the pressure to a desired pressure can be shortened.

전술한 바와 같이, 제1 배기부(21)는, 대기압으로부터 소정의 내압까지 러핑 배기를 행하는 배기 펌프이다. 따라서, 제1 배기부(21)는 배기량이 많다. 또한, 제2 배기부(22)는, 러핑 배기 완료 후, 더 낮은 소정의 내압까지 배기를 행하는 배기펌프이다. 적어도 제1 배기부(21)에서 배기가 개시된 후, 후술하는 가열부(32)에 전력을 인가하여, 가열을 개시할 수 있다.As described above, the first exhaust unit 21 is an exhaust pump that performs rough exhaust from atmospheric pressure to a predetermined internal pressure. Therefore, the first exhaust part 21 has a large amount of exhaust. Moreover, the 2nd exhaust part 22 is an exhaust pump which exhausts to a lower predetermined internal pressure after rough exhaust is completed. After the exhaust is started from the first exhaust unit 21 at least, the heating may be started by applying electric power to the heating unit 32 to be described later.

제1 배기부(21)에 접속된 배기구(17) 및 제2 배기부(22)에 접속된 배기구(18)는, 챔버(10)의 바닥면에 배치되어 있다. 그 때문에, 챔버(10) 내 및 처리부(30) 내에 챔버(10)의 바닥면을 향하는 다운 플로우의 기류를 형성할 수 있다. 그 결과, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 워크(100)를 가열함으로써 생기는, 유기 재료가 포함된 승화물이 다운 플로우의 기류를 타고 챔버(10) 밖으로 배출되기 쉬워진다. 이렇게 하면, 워크(100)에 승화물 등의 이물이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 워크(100)에 승화물이 부착되지 않고 유기막을 형성할 수 있다.The exhaust port 17 connected to the first exhaust part 21 and the exhaust port 18 connected to the second exhaust part 22 are disposed on the bottom surface of the chamber 10. Therefore, a down-flow airflow toward the bottom surface of the chamber 10 can be formed in the chamber 10 and in the processing unit 30. As a result, a sublimation product containing an organic material, which is generated by heating the work 100 to which a solution containing an organic material and a solvent is applied, is easily discharged out of the chamber 10 through a down-flow air stream. In this way, it is possible to suppress the adhesion of foreign matters such as sublimation to the work 100. Thereby, an organic film can be formed without adhering a sublimation to the work 100.

또한, 배기량이 많은 제1 배기부(21)에 접속된 배기구(17)가 챔버(10)의 바닥면의 중심 부분에 배치되어 있으면, 챔버(10)를 평면에서 보았을 때에, 챔버(10)의 중심 부분을 향하는 균일한 기류를 형성할 수 있다. 그 때문에, 기류의 흐름의 치우침에 의한 승화물의 체류가 생기는 것이 억제되고, 승화물의 배출이 용이해진다. 이렇게 하면, 워크(100)에 승화물 등의 이물이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 워크(100)에 승화물이 부착되지 않고 유기막을 형성할 수 있다.In addition, when the exhaust port 17 connected to the first exhaust unit 21 with a large amount of exhaust is disposed at the center portion of the bottom surface of the chamber 10, the chamber 10 is It can form a uniform airflow toward the central part. For this reason, the occurrence of the sublimation due to the bias of the air current is suppressed, and the discharge of the sublimation is facilitated. In this way, it is possible to suppress the adhesion of foreign matters such as sublimation to the work 100. Therefore, an organic film can be formed without adhering a sublime to the work 100.

처리부(30)는 프레임(31), 가열부(32), 워크 지지부(33), 균열부(34), 균열판 지지부(35), 및 커버(36)를 갖는다.The processing part 30 has a frame 31, a heating part 32, a work support part 33, a soak part 34, a soak plate support part 35, and a cover 36.

처리부(30)의 내부에는 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)이 설치되어 있다. 처리 영역(30a, 30b)은 워크(100)에 처리를 실시하는 공간이 된다. 워크(100)는 처리 영역(30a, 30b)의 내부에 지지된다. 처리 영역(30b)은 처리 영역(30a)의 상방에 설치되어 있다. 또, 2개의 처리 영역이 설치되는 경우를 예시했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 하나의 처리 영역만이 설치되도록 할 수도 있다. 또한, 3개 이상의 처리 영역이 설치되도록 할 수도 있다. 본 실시의 형태에 있어서는, 일례로서, 2개의 처리 영역이 설치되는 경우를 예시하지만, 하나의 처리 영역, 및 3개 이상의 처리 영역이 설치되는 경우도 마찬가지로 생각할 수 있다.Inside the processing unit 30, a processing area 30a and a processing area 30b are provided. The processing areas 30a and 30b become spaces for processing the work 100. The work 100 is supported inside the processing regions 30a and 30b. The processing area 30b is provided above the processing area 30a. Moreover, although the case where two processing areas are provided is illustrated, it is not limited to this. It is also possible to have only one treatment area installed. In addition, three or more processing areas may be provided. In the present embodiment, as an example, a case where two processing regions are provided is exemplified, but a case where one processing region and three or more processing regions are provided is also conceivable.

처리 영역(30a, 30b)은 가열부(32)와 가열부(32) 사이에 설치되어 있다. 처리 영역(30a, 30b)은 균열부(34)(상부 균열판(34a)(제1 균열판의 일례에 상당함), 하부 균열판(34b)(제2 균열판의 일례에 상당함), 측부 균열판(34c), 측부 균열판(34d))에 의해 둘러싸여 있다. 후술하는 바와 같이, 상부 균열판(34a)끼리의 사이, 하부 균열판(34b)끼리의 사이에는 간극이 설치되어 있지만, 처리 영역(30a, 30b)은 구획된 공간이 된다.The processing regions 30a and 30b are provided between the heating unit 32 and the heating unit 32. The treatment regions 30a and 30b include a crack portion 34 (corresponding to an example of the upper crack plate 34a (corresponding to an example of the first crack plate), a lower crack plate 34b (corresponding to an example of the second crack plate), It is surrounded by the side cracking plate 34c and the side cracking plate 34d. As will be described later, a gap is provided between the upper crack plates 34a and between the lower crack plates 34b, but the processing regions 30a and 30b are partitioned spaces.

처리 영역(30a, 30b)과 챔버(10)의 내부의 공간은, 상부 균열판(34a)끼리의 사이, 및 하부 균열판(34b)끼리의 사이 등에 설치된 간극을 개재하여 연결되고 있다. 그 때문에, 처리 영역(30a, 30b)에 있어서 워크(100)를 가열할 때에는, 처리 영역(30a, 30b)의 내부의 공간과 함께 챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간의 압력이 감압된다. 챔버(10)의 내벽과 처리부(30) 사이의 공간의 압력이 감압되어 있으면, 처리 영역(30a, 30b)으로부터 외부로 방출되는 열을 억제할 수 있다. 즉, 축열 효률이 향상된다. 그 때문에, 히터(32a)(제1 히터, 및 제2 히터의 일례에 상당함)에 인가하는 전력을 저감시킬 수 있다. 또한, 히터(32a)의 온도가 소정의 온도 이상이 되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 히터(32a)의 수명을 길게 할 수 있다.The processing regions 30a and 30b and the space inside the chamber 10 are connected via a gap provided between the upper crack plates 34a and between the lower crack plates 34b, and the like. Therefore, when heating the workpiece 100 in the processing regions 30a, 30b, the pressure of the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing unit 30 together with the space inside the processing regions 30a, 30b It is depressurized. When the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the processing unit 30 is reduced, heat emitted from the processing regions 30a and 30b to the outside can be suppressed. That is, the heat storage efficiency is improved. Therefore, the electric power applied to the heater 32a (corresponding to an example of the first heater and the second heater) can be reduced. In addition, since it is possible to suppress the temperature of the heater 32a from exceeding a predetermined temperature, the life of the heater 32a can be lengthened.

또한, 축열 효율이 향상되기 때문에, 급격한 온도 상승을 필요로 하는 처리라도 원하는 온도 상승을 얻을 수 있다. 또한, 챔버(10)의 외벽의 온도가 높아지는 것을 억제할 수 있기때문에, 냉각부(16)를 간이한 것으로 할 수 있다.In addition, since the heat storage efficiency is improved, a desired temperature increase can be obtained even in a treatment requiring a rapid temperature increase. Further, since it is possible to suppress an increase in the temperature of the outer wall of the chamber 10, the cooling unit 16 can be simplified.

프레임(31)은 가늘고 긴 판재나 형강 등으로 이루어지는 뼈대 구조를 갖고 있다. 프레임(31)의 외관 형상은 챔버(10)의 외관 형상과 동일하다고 할 수 있다. 프레임(31)의 외관 형상은 예컨대, 직방체로 할 수 있다.The frame 31 has a skeleton structure made of an elongated plate or a section steel. It can be said that the external shape of the frame 31 is the same as the external shape of the chamber 10. The external shape of the frame 31 can be, for example, a rectangular parallelepiped.

가열부(32)는 복수개 설치되어 있다. 가열부(32)는 처리 영역(30a, 30b)의 하부, 및 처리 영역(30a, 30b)의 상부에 설치할 수 있다. 처리 영역(30a, 30b)의 하부에 설치된 가열부(32)는 하부 가열부(제2 가열부의 일례에 상당함)가 된다. 처리 영역(30a, 30b)의 상부에 설치된 가열부(32)는 상부 가열부(제1 가열부의 일례에 상당함)가 된다. 하부 가열부는 상부 가열부와 대향하고 있다. 또, 복수개의 처리 영역이 상하 방향으로 겹쳐 설치되는 경우에는, 하측의 처리 영역에 설치된 상부 가열부는, 상측의 처리 영역에 설치된 하부 가열부와 겸용으로 할 수 있다.A plurality of heating units 32 are provided. The heating unit 32 may be installed below the processing regions 30a and 30b and above the processing regions 30a and 30b. The heating unit 32 provided below the processing regions 30a and 30b becomes a lower heating unit (corresponding to an example of the second heating unit). The heating unit 32 provided above the processing regions 30a and 30b becomes an upper heating unit (corresponding to an example of the first heating unit). The lower heating part faces the upper heating part. In addition, when a plurality of processing regions are overlapped in the vertical direction, the upper heating part provided in the lower treatment region can be used both with the lower heating part provided in the upper treatment region.

예컨대, 처리 영역(30a)에 지지된 워크(100)의 하면(이면)은, 처리 영역(30a)의 하부에 설치된 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리 영역(30a)에 지지된 워크(100)의 상면은, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리 영역(30b)에 지지된 워크(100)의 하면(이면)은, 처리 영역(30a)과 처리 영역(30b)에 의해 겸용되는 가열부(32)에 의해 가열된다. 처리 영역(30b)에 지지된 워크(100)의 상면은, 처리 영역(30b)의 상부에 설치된 가열부(32)에 의해 가열된다.For example, the lower surface (back surface) of the work 100 supported by the processing region 30a is heated by the heating unit 32 provided under the processing region 30a. The upper surface of the work 100 supported by the processing region 30a is heated by a heating unit 32 that is used both by the processing region 30a and the processing region 30b. The lower surface (back surface) of the work 100 supported by the processing region 30b is heated by a heating unit 32 that is used both by the processing region 30a and the processing region 30b. The upper surface of the work 100 supported by the treatment region 30b is heated by the heating unit 32 provided above the treatment region 30b.

이렇게 하면, 가열부(32)의 수를 줄일 수 있기 때문에 소비 전력의 저감, 제조 비용의 저감, 공간 절약화 등을 도모할 수 있다.In this way, since the number of heating units 32 can be reduced, power consumption, manufacturing cost, and space saving can be achieved.

복수개의 가열부(32)의 각각은, 적어도 하나의 히터(32a)와, 한 쌍의 홀더(32b)를 갖는다. 또, 이하에 있어서는, 복수개의 히터(32a)가 설치되는 경우를 설명한다. 한 쌍의 홀더(32b)는, 처리 영역(30a, 30b)의 길이 방향(도 1 중의 X 방향)으로 연장되도록 설치되어 있다.Each of the plurality of heating units 32 has at least one heater 32a and a pair of holders 32b. In addition, in the following, a case where a plurality of heaters 32a are provided will be described. The pair of holders 32b is provided so as to extend in the longitudinal direction (X direction in FIG. 1) of the processing regions 30a and 30b.

히터(32a)는 막대형을 나타내고, 한 쌍의 홀더(32b) 사이를 Y 방향으로 연장되도록 설치되어 있다.The heater 32a has a rod shape and is provided so as to extend in the Y direction between the pair of holders 32b.

복수개의 히터(32a)는, 홀더(32b)가 연장되는 방향으로 나란히 설치할 수 있다. 예컨대, 복수개의 히터(32a)는, 처리 영역(30a, 30b)의 길이 방향(도 1 중의 X 방향)으로 나란히 설치할 수 있다. 복수개의 히터(32a)는 등간격으로 설치하는 것이 바람직하다. 히터(32a)는 예컨대, 시즈 히터, 원적외선 히터, 원적외선 램프, 세라믹 히터, 카트리지 히터 등으로 할 수 있다. 또한, 각종 히터를 석영 커버로 덮을 수도 있다. 본 명세서에 있어서는, 석영 커버로 덮어진 각종 히터도 포함시켜 「막대형의 히터」라고 칭한다.The plurality of heaters 32a can be installed side by side in the direction in which the holder 32b extends. For example, the plurality of heaters 32a can be installed side by side in the longitudinal direction (X direction in FIG. 1) of the processing regions 30a and 30b. It is preferable to install a plurality of heaters (32a) at equal intervals. The heater 32a can be, for example, a sheath heater, a far-infrared heater, a far-infrared lamp, a ceramic heater, a cartridge heater, or the like. In addition, various heaters may be covered with a quartz cover. In the present specification, various heaters covered with a quartz cover are also included and referred to as "rod-shaped heaters".

다만, 히터(32a)는 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니다. 히터(32a)는, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 워크(100)를 가열할 수 있는 것이면 좋다. 즉, 히터(32a)는 방사에 의한 열에너지를 이용한 것이면 좋다.However, the heater 32a is not limited to the example. The heater 32a may be one capable of heating the work 100 in an atmosphere reduced to atmospheric pressure. In other words, the heater 32a may be one that uses heat energy by radiation.

상부 가열부 및 하부 가열부에서의 복수개의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은, 가열하는 용액의 조성(용액의 가열 온도), 워크(100)의 크기 등에 따라서 적절하게 결정할 수 있다. 복수개의 히터(32a)의 사양, 수, 간격 등은 시뮬레이션이나 실험 등을 행함으로써 적절하게 결정할 수 있다. 또한, 「막대형을 띰」이란, 단면 형상이 한정되지 않고, 원주형이나 각기둥형 등도 포함된다.The specifications, number, and intervals of the plurality of heaters 32a in the upper and lower heating units can be appropriately determined according to the composition of the heating solution (heating temperature of the solution), the size of the work 100, and the like. The specifications, number, intervals, etc. of the plurality of heaters 32a can be appropriately determined by performing simulations or experiments. In addition, the "stick shape" is not limited in cross-sectional shape, and includes a columnar shape, a prism shape, and the like.

또한, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간은 홀더(32b), 상부 균열판(34a), 하부 균열판(34b), 측부 균열판(34c)에 의해 둘러싸여 있다. 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간은 균열부(34)에 의해 처리 영역(30a)과, 처리 영역(30b)으로 구획되고 있다. 이 경우, 상부 균열판(34a)끼리의 사이, 하부 균열판(34b)끼리의 사이에는 간극이 설치되어 있지만, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간은, 거의 폐쇄된 공간이 된다. 그 때문에, 냉각부(40)로부터, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 공급된 후술하는 냉각 가스가, 처리 영역(30a, 30b)에 새는 것을 억제할 수 있다.In addition, the space in which the plurality of heaters 32a are installed is surrounded by a holder 32b, an upper cracking plate 34a, a lower cracking plate 34b, and a side cracking plate 34c. The space in which the plurality of heaters 32a are provided is divided into a treatment region 30a and a treatment region 30b by the soaking portion 34. In this case, a gap is provided between the upper crack plates 34a and between the lower crack plates 34b, but the space in which the plurality of heaters 32a are installed becomes a substantially closed space. Therefore, it is possible to suppress leakage of the cooling gas to be described later supplied from the cooling unit 40 to the space in which the plurality of heaters 32a are installed, to the processing regions 30a and 30b.

워크(100)는 상부 가열부와 하부 가열부에 의해서 가열된다. 워크(100)는 처리 영역(30a, 30b)에 있어서, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)을 개재하여 가열된다. 여기서, 용액을 가열할 때에 생긴 승화물을 포함하는 증기는, 가열 대상인 워크(100)의 온도보다 낮은 온도의 물건에 부착되기 쉽다. 그러나, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)은 가열되고 있기 때문에, 승화물이 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 부착되는 것이 억제되고, 전술한 다운 플로우의 기류에 실려 챔버(10) 밖으로 배출된다. 그 때문에, 승화물이 워크(100)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 양면측으로부터 워크(100)를 가열하기 때문에, 워크(100)를 고온으로 하는 것이 용이해진다.The work 100 is heated by an upper heating unit and a lower heating unit. The work 100 is heated in the processing regions 30a and 30b through the upper soaking plate 34a and the lower soaking plate 34b. Here, the vapor containing the sublimated product generated when the solution is heated is likely to adhere to the object at a temperature lower than the temperature of the work 100 to be heated. However, since the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b are heated, the sublimation is suppressed from adhering to the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b, and the above-described downflow airflow It is carried on and discharged out of the chamber 10. Therefore, it is possible to suppress the sublimation from adhering to the work 100. Further, since the work 100 is heated from both sides, it becomes easy to heat the work 100 to a high temperature.

한 쌍의 홀더(32b)는, 복수개의 히터(32a)가 나란한 방향과 직교하는 방향에 있어서, 서로 대향시켜 설치되어 있다. 한쪽의 홀더(32b)는 프레임(31)의 개폐 도어(13)측의 단면에 고정되어 있다. 다른쪽의 홀더(32b)는 프레임(31)의 개폐 도어(13)측과는 반대측의 단면에 고정되어 있다. 한 쌍의 홀더(32b)는, 예컨대, 나사등의 체결 부재를 이용하여 프레임(31)에 고정할 수 있다. 한 쌍의 홀더(32b)는 히터(32a)의 단부 근방의 비발열부를 유지한다. 한 쌍의 홀더(32b)는 예컨대, 가늘고 긴 금속의 판재나 형강 등으로 형성할 수 있다. 한 쌍의 홀더(32b)의 재료에는 특별히 한정은 없지만, 내열성과 내식성을 갖는 재료로 하는 것이 바람직하다. 한 쌍의 홀더(32b)의 재료는, 예컨대, 스테인리스 등으로 할 수 있다.The pair of holders 32b are provided so as to face each other in a direction orthogonal to a direction in which the plurality of heaters 32a are parallel. One holder 32b is fixed to the end face of the frame 31 on the open/close door 13 side. The other holder 32b is fixed to the end face of the frame 31 on the opposite side to the opening and closing door 13 side. The pair of holders 32b can be fixed to the frame 31 using, for example, fastening members such as screws. The pair of holders 32b hold the non-heating portion near the end portion of the heater 32a. The pair of holders 32b can be formed of, for example, an elongated metal plate or a shape steel. Although there is no particular limitation on the material of the pair of holders 32b, it is preferable to use a material having heat resistance and corrosion resistance. The material of the pair of holders 32b can be, for example, stainless steel.

워크 지지부(33)는 상부 가열부와 하부 가열부 사이에 워크(100)를 지지한다. 워크 지지부(33)는 복수개 설치할 수 있다. 복수개의 워크 지지부(33)는 처리 영역(30a)의 하부, 및 처리 영역(30b)의 하부에 설치되어 있다. 복수개의 워크 지지부(33)는 막대형체로 할 수 있다.The work support part 33 supports the work 100 between the upper heating part and the lower heating part. A plurality of work support portions 33 can be provided. The plurality of work support portions 33 are provided below the processing region 30a and below the processing region 30b. The plurality of work support portions 33 can be rod-shaped.

복수개의 워크 지지부(33)의 한쪽의 단부(도 1에 있어서의 상방의 단부)는, 워크(100)의 하면(이면)에 접촉한다. 그 때문에, 복수개의 워크 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상은 반구형 등으로 하는 것이 바람직하다. 복수개의 워크 지지부(33)의 한쪽의 단부의 형상이 반구형이면, 워크(100)의 하면에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 워크(100)의 하면과 복수개의 워크 지지부(33)의 접촉 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 워크(100)로부터 복수개의 워크 지지부(33)에 전해지는 열을 적게 할 수 있다.One end (upper end in FIG. 1) of the plurality of work support portions 33 contacts the lower surface (rear surface) of the work 100. Therefore, it is preferable that the shape of one end of the plurality of work support portions 33 is hemispherical or the like. If the shape of one end of the plurality of work support portions 33 is hemispherical, it is possible to suppress the occurrence of damage to the lower surface of the work 100. In addition, since the contact area between the lower surface of the work 100 and the plurality of work support parts 33 can be reduced, the heat transmitted from the work 100 to the plurality of work support parts 33 can be reduced.

전술한 바와 같이, 워크(100)는 대기압보다 감압된 분위기에 있어서 방사에 의한 열에너지에 의해서 가열된다. 따라서, 복수개의 워크 지지부(33)는, 상부 가열부로부터 워크(100)의 상면까지의 거리, 및 하부 가열부로부터 워크(100)의 하면까지의 거리가, 워크(100)의 가열을 행하는 것이 가능한 거리가 되도록, 워크(100)를 지지한다.As described above, the work 100 is heated by thermal energy due to radiation in an atmosphere reduced to atmospheric pressure. Therefore, the plurality of workpiece support portions 33, the distance from the upper heating portion to the upper surface of the workpiece 100, and the distance from the lower heating portion to the lower surface of the workpiece 100, the heating of the workpiece 100 The work 100 is supported so as to be as far as possible.

또, 이 거리는, 방사에 의한 열에너지가 가열부(32)로부터 워크(100)에 도달할 수 있는 거리이다.In addition, this distance is a distance at which heat energy due to radiation can reach the work 100 from the heating unit 32.

복수개의 워크 지지부(33)의 다른쪽의 단부(도 1에 있어서의 하측의 단부)는, 처리부(30)의 양측의 측부의 한 쌍의 프레임(31) 사이에 걸쳐 놓여진 복수개의 막대형 부재 또는 판형 부재 등에 고정할 수 있다. 이 경우, 복수개의 워크 지지부(33)가 착탈 가능하게 설치되어 있으면, 메인터넌스 등의 작업이 용이해진다. 예컨대, 워크 지지부(33)의 다른쪽의 단부에 숫나사를 설치하고, 복수개의 막대형 부재 또는 판형 부재에 암나사를 설치할 수 있다.The other end (lower end in FIG. 1) of the plurality of work support portions 33 is a plurality of rod-shaped members placed between a pair of frames 31 on both sides of the processing unit 30 or It can be fixed to a plate member or the like. In this case, if the plurality of work support portions 33 are provided so as to be detachable, operations such as maintenance are facilitated. For example, a male screw may be installed at the other end of the work support part 33, and a female screw may be installed on a plurality of rod-shaped members or plate-shaped members.

또한, 예컨대, 복수개의 워크 지지부(33)는, 처리부(30)의 양측의 측부에 있는 프레임(31) 사이에 걸쳐 놓여진 복수개의 막대형 부재 또는 판형 부재 등에 고정되지 않고서 적재되는 것만이라도 좋다. 예컨대, 이 막대형 부재 또는 판형 부재에는 복수개의 구멍이 형성되어 있고, 복수개의 워크 지지부(33)를 이 구멍에 끼워넣음으로써, 복수개의 워크 지지부(33)가 막대형 부재 또는 판형 부재에 유지되도록 할 수 있다. 또, 구멍의 직경은, 워크 지지부(33)가 열팽창해도 이하와 같이 되는 것으로 할 수 있다. 예컨대, 구멍의 직경은 워크 지지부(33)가 열팽창해도, 워크 지지부(33)와 구멍의 내벽 사이의 공기가 도피하는 정도로 하는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 구멍의 안의 공기가 열팽창해도 워크 지지부(33)가 압출되지 않도록 할 수 있다.In addition, for example, the plurality of work support portions 33 may only be mounted without being fixed to a plurality of rod-shaped members or plate-shaped members placed between the frames 31 on both sides of the processing portion 30. For example, this rod-shaped member or plate-shaped member has a plurality of holes formed therein, and by inserting a plurality of work support portions 33 into the holes, the plurality of work support portions 33 are held in the rod-shaped member or plate-shaped member. can do. Moreover, even if the work support part 33 thermally expands, the diameter of a hole can be set as follows. For example, the diameter of the hole is preferably such that air between the work support part 33 and the inner wall of the hole escapes even if the work support part 33 thermally expands. In this way, even if the air in the hole expands thermally, the work support part 33 can be prevented from being extruded.

복수개의 워크 지지부(33)의 수, 배치, 간격 등은, 워크(100)의 크기나 강성(휨) 등에 따라서 적절하게 변경할 수 있다. 복수개의 워크 지지부(33)의 수, 배치, 간격 등은, 시뮬레이션이나 실험 등을 행함으로써 적절하게 결정할 수 있다.The number, arrangement, spacing, and the like of the plurality of work support portions 33 can be appropriately changed according to the size or rigidity (bending) of the work 100. The number, arrangement, spacing, and the like of the plurality of work support portions 33 can be appropriately determined by performing a simulation or experiment.

복수개의 워크 지지부(33)의 재료에는 특별히 한정은 없지만, 내열성과 내식성을 갖는 재료로 하는 것이 바람직하다. 복수개의 워크 지지부(33)의 재료는, 예컨대, 스테인리스 등으로 할 수 있다.Although there is no particular limitation on the material of the plurality of work support portions 33, it is preferable to use a material having heat resistance and corrosion resistance. The material of the plurality of work support portions 33 can be, for example, stainless steel or the like.

또한, 복수개의 워크 지지부(33)의, 적어도 워크(100)에 접촉하는 단부를 열전도율이 낮은 재료로 형성할 수 있다. 열전도율이 낮은 재료는, 예컨대, 세라믹스로 할 수 있다. 이 경우, 세라믹스 중에서도 20℃에 있어서의 열전도율이 32 W/(m·k) 이하인 재료로 하는 것이 바람직하다. 세라믹스는 예컨대 알루미나(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 지르코니아(Zr2) 등으로 할 수 있다.Further, at least the end portions of the plurality of work support portions 33 in contact with the work 100 can be formed of a material having a low thermal conductivity. A material with low thermal conductivity can be made of ceramics, for example. In this case, among ceramics, it is preferable to use a material having a thermal conductivity of 32 W/(m·k) or less at 20°C. Ceramics may be made of, for example, alumina (Al 2 O 3 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), zirconia (Zr 2 ), or the like.

균열부(34)는 복수개의 상부 균열판(34a), 복수개의 하부 균열판(34b), 복수개의 측부 균열판(34c), 및 복수개의 측부 균열판(34d)을 갖는다. 복수개의 상부 균열판(34a), 복수개의 하부 균열판(34b), 복수개의 측부 균열판(34c), 및 복수개의 측부 균열판(34d)은 판형을 나타내고 있다.The crack portion 34 has a plurality of upper crack plates 34a, a plurality of lower crack plates 34b, a plurality of side crack plates 34c, and a plurality of side crack plates 34d. The plurality of upper cracking plates 34a, the plurality of lower cracking plates 34b, the plurality of side cracking plates 34c, and the plurality of side cracking plates 34d have a plate shape.

복수개의 상부 균열판(34a)은 상부 가열부의 하부 가열부측(워크(100)측)에 설치되어 있다. 복수개의 상부 균열판(34a)은 복수개의 히터(32a)와 이격하여 설치되어 있다. 즉, 복수개의 상부 균열판(34a)의 상측 표면과 복수개의 히터(32a)의 하표면 사이에는 간극이 설치되어 있다. 복수개의 상부 균열판(34a)은, 복수개의 히터(32a)가 나란한 방향(도 1 중의 X 방향)으로 나란히 설치되어 있다.The plurality of upper soaking plates 34a are provided on the lower heating part side (work 100 side) of the upper heating part. The plurality of upper soaking plates 34a are installed to be spaced apart from the plurality of heaters 32a. That is, a gap is provided between the upper surface of the plurality of upper soaking plates 34a and the lower surface of the plurality of heaters 32a. The plurality of upper soaking plates 34a are provided side by side in a direction in which the plurality of heaters 32a are aligned (X direction in FIG. 1 ).

복수개의 하부 균열판(34b)은 하부 가열부의 상부 가열부측(워크(100)측)에 설치되어 있다. 복수개의 하부 균열판(34b)은 복수개의 히터(32a)와 이격하여 설치되어 있다. 즉, 복수개의 하부 균열판(34b)의 하측 표면과 복수개의 히터(32a)의 상측 표면 사이에는 간극이 설치되어 있다. 복수개의 하부 균열판(34b)은, 복수개의 히터(32a)가 나란한 방향(도 1 중의 X 방향)으로 나란히 설치되어 있다.The plurality of lower soaking plates 34b are provided on the upper heating part side (work 100 side) of the lower heating part. The plurality of lower crack plates 34b are installed to be spaced apart from the plurality of heaters 32a. That is, a gap is provided between the lower surface of the plurality of lower soaking plates 34b and the upper surface of the plurality of heaters 32a. The plurality of lower soaking plates 34b are provided side by side in a direction in which the plurality of heaters 32a are aligned (direction X in FIG. 1).

측부 균열판(34c)은 복수개의 히터(32a)가 나란한 방향에 있어서, 처리 영역(30a, 30b)의 양측(도 1의 X 방향)의 측부의 각각에 설치되어 있다. 측부 균열판(34c)은, 커버(36)의 내측에 설치할 수 있다. 또한, 측부 균열판(34c)과 커버(36) 사이에, 측부 균열판(34c) 및 커버(36)와 이격하여 설치된 적어도 하나의 히터(32a)를 설치할 수도 있다.The side cracking plate 34c is provided on each of the side portions of both sides (X direction in Fig. 1) of the treatment regions 30a and 30b in the direction in which the plurality of heaters 32a are parallel. The side cracking plate 34c can be installed inside the cover 36. In addition, between the side crack plate 34c and the cover 36, at least one heater 32a provided spaced apart from the side crack plate 34c and the cover 36 may be installed.

측부 균열판(34d)은 복수개의 히터(32a)가 나란한 방향과 직교하는 방향에 있어서, 처리 영역(30a, 30b)의 양측(도 1의 Y 방향)의 측부의 각각에 설치되고 있다.The side cracking plate 34d is provided on each of the side portions of both sides of the treatment regions 30a and 30b (Y direction in Fig. 1) in a direction orthogonal to a direction in which the plurality of heaters 32a are parallel.

처리 영역(30a, 30b)은 복수개의 상부 균열판(34a), 복수개의 하부 균열판(34b), 복수개의 측부 균열판(34c), 및 복수개의 측부 균열판(34d)에 의해 둘러싸여 있다. 또한, 이러한 외측을 커버(36)가 둘러싸고 있다.The treatment regions 30a and 30b are surrounded by a plurality of upper crack plates 34a, a plurality of lower crack plates 34b, a plurality of side crack plates 34c, and a plurality of side crack plates 34d. In addition, a cover 36 surrounds this outside.

전술한 바와 같이, 복수개의 히터(32a)는 막대형을 나타내고, 소정의 간격을 두고 나란히 설치되어 있다. 히터(32a)가 막대형인 경우, 히터(32a)의 중심축으로부터 방사형으로 열이 방사된다. 이 경우, 히터(32a)의 중심축과 가열되는 부분 사이의 거리가 짧아질수록 가열되는 부분의 온도가 높아진다. 그 때문에, 복수개의 히터(32a)에 대하여 대향하도록 워크(100)가 유지되었을 때, 히터(32a)의 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)에 있어서의 영역은, 복수개의 히터(32a)끼리의 사이의 공간의 바로 위 또는 바로 아래에 위치하는 워크(100)에 있어서의 영역보다 온도가 높아진다. 즉, 막대형을 띠는 복수개의 히터(32a)를 이용하여 워크(100)를 직접 가열하면, 가열된 워크(100)에 불균일한 온도 분포가 생긴다.As described above, the plurality of heaters 32a have a rod shape and are provided side by side at predetermined intervals. When the heater 32a has a rod shape, heat is radiated radially from the central axis of the heater 32a. In this case, the shorter the distance between the central axis of the heater 32a and the heated portion, the higher the temperature of the heated portion. Therefore, when the work 100 is held so as to face the plurality of heaters 32a, the area in the work 100 positioned immediately above or below the heater 32a is a plurality of heaters 32a. ) The temperature becomes higher than the region in the work 100 positioned immediately above or immediately below the space between each other. That is, when the work 100 is directly heated using a plurality of heaters 32a having a rod shape, a non-uniform temperature distribution occurs in the heated work 100.

워크(100)에 불균일한 온도 분포가 생기면, 형성된 유기막의 품질이 저하될 우려가 있다. 예컨대, 온도가 높아진 부분에 거품이 발생하거나, 온도가 높아진 부분에 있어서 유기막의 조성이 변화되거나 할 우려가 있다.If an uneven temperature distribution occurs in the work 100, there is a concern that the quality of the formed organic film may be deteriorated. For example, there is a concern that bubbles may occur in a portion where the temperature is increased, or the composition of the organic film may change in a portion where the temperature is increased.

본 실시의 형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에는, 전술한 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)이 설치되어 있다. 그 때문에, 복수개의 히터(32a)로부터 방사된 열은, 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)에 입사하고, 이들의 내부를 면방향으로 전파하면서 워크(100)를 향해서 방사된다. 그 결과, 워크(100)에 불균일인 온도 분포가 생기는 것을 억제할 수 있고, 나아가서는 형성된 유기막의 품질을 향상시킬 수 있다. 즉, 본 실시의 형태에 따른 유기막 형성 장치(1)에 의하면 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 기판을 균일하게 가열하여, 기판면 내에 있어서 균일한 유기막을 형성할 수 있다.In the organic film forming apparatus 1 according to the present embodiment, a plurality of upper crack plates 34a and a plurality of lower crack plates 34b described above are provided. Therefore, the heat radiated from the plurality of heaters 32a enters the plurality of upper soaking plates 34a and the plurality of lower soaking plates 34b, and propagates the inside of them in the plane direction, while spreading the work 100. It is radiated toward. As a result, it is possible to suppress the occurrence of non-uniform temperature distribution in the work 100, and further improve the quality of the formed organic film. That is, according to the organic film forming apparatus 1 according to the present embodiment, a substrate to which a solution containing an organic material and a solvent is applied is uniformly heated to form a uniform organic film within the substrate surface.

이 경우, 히터(32a)의 표면과 바로 아래에 있는 상부 균열판(34a) 사이의 거리, 및 히터(32a)의 표면과 바로 위에 있는 하부 균열판(34b) 사이의 거리를 지나치게 짧게 하면, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)에 불균일인 온도 분포가 생기고, 나아가서는 워크(100)에 불균일인 온도 분포가 생길 우려가 있다. 또한, 이들의 거리를 지나치게 길게 하면, 워크(100)의 온도 상승이 시간이 느려질 우려가 있다. 본 발명자들이 얻은 지견에 따르면, 이러한 거리는 20 mm 이상, 100 mm 이하로 하는 것이 바람직하다.In this case, if the distance between the surface of the heater 32a and the upper crack plate 34a immediately below, and the distance between the surface of the heater 32a and the lower crack plate 34b immediately above are too short, the upper There is a concern that a non-uniform temperature distribution occurs in the crack plate 34a and the lower crack plate 34b, and further, a non-uniform temperature distribution occurs in the work 100. In addition, if the distance between them is too long, there is a fear that the temperature rise of the work 100 slows down. According to the knowledge obtained by the present inventors, it is preferable that such a distance be 20 mm or more and 100 mm or less.

복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)의 재료는, 열전도율이 높은 재료로 하는 것이 바람직하다. 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)은, 예컨대, 알루미늄, 구리, 및 스테인리스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다.The material of the plurality of upper cracking plates 34a and the plurality of lower cracking plates 34b is preferably made of a material having a high thermal conductivity. The plurality of upper cracking plates 34a and the plurality of lower cracking plates 34b may include, for example, at least one of aluminum, copper, and stainless steel.

후술하는 바와 같이, 복수개의 히터(32a)가 설치된 영역에는 냉각부(40)로부터 냉각 가스가 공급된다. 이 경우, 냉각 가스로서 드라이 에어가 이용되는 경우가 있다. 그 때문에, 드라이 에어 중의 산소와, 가열된 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)의 재료가 반응할 우려가 있다.As described later, the cooling gas is supplied from the cooling unit 40 to the region in which the plurality of heaters 32a are installed. In this case, dry air may be used as the cooling gas. For this reason, there is a fear that the oxygen in the dry air and the materials of the heated plurality of upper soaking plates 34a and the plurality of lower soaking plates 34b react.

복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)이 구리나 알루미늄 등을 포함하는 경우에는, 산화되기 어려운 재료를 포함하는 층을 표면에 설치하는 것이 바람직하다. 예컨대, 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)이 구리를 포함하는 경우에는, 니켈을 포함하는 층을 표면에 설치하는 것이 바람직하다. 예컨대, 구리를 포함하는 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)의 표면을 니켈 도금할 수 있다. 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)이 알루미늄을 포함하는 경우에는, 산화알루미늄을 포함하는 층을 표면에 설치하는 것이 바람직하다. 예컨대, 알루미늄을 포함하는 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)의 표면을 알루마이트 처리할 수 있다.When the plurality of upper cracking plates 34a and the plurality of lower cracking plates 34b contain copper, aluminum, or the like, it is preferable to provide a layer containing a material that is difficult to oxidize on the surface. For example, when the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b contain copper, it is preferable to provide a layer containing nickel on the surface. For example, the surfaces of the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b containing copper may be nickel plated. When the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b contain aluminum, it is preferable to provide a layer containing aluminum oxide on the surface. For example, the surfaces of the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b including aluminum may be anodized.

가열의 시에, 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)의 온도가 300℃ 이하가 되는 경우에는, 알루미늄을 포함하는 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)을 이용할 수 있다.At the time of heating, when the temperature of the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b becomes 300°C or less, a plurality of upper crack plates 34a and a plurality of lower cracks containing aluminum A plate 34b can be used.

가열의 시에, 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)의 온도가 500℃ 이상이 되는 경우에는, 스테인리스를 포함하는 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)으로 하거나, 구리를 포함하여 표면에 니켈을 포함하는 층을 갖는 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 스테인리스를 포함하는 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)으로 하면, 범용성이나 메인터넌스성 등을 향상시킬 수 있다.At the time of heating, when the temperature of the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b is 500°C or higher, a plurality of upper crack plates 34a including stainless steel and a plurality of lower cracks It is preferable to use a plate 34b, or a plurality of upper cracking plates 34a and a plurality of lower cracking plates 34b having a layer containing nickel on the surface including copper. In this case, if a plurality of upper crack plates 34a and a plurality of lower crack plates 34b made of stainless steel are used, versatility, maintenance properties, and the like can be improved.

또한, 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)으로부터 방사된 열의 일부는, 처리 영역의 측방을 향한다. 그 때문에, 처리 영역의 측부에는, 전술한 측부 균열판(34c, 34d)이 설치되어 있다. 측부 균열판(34c, 34d)에 입사한 열은, 측부 균열판(34c, 34d)을 면방향으로 전파하면서, 그 일부가 워크(100)를 향해서 방사된다. 그 때문에, 워크(100)의 가열 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, some of the heat radiated from the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b faces the side of the processing region. Therefore, the side cracking plates 34c and 34d described above are provided on the side of the processing region. The heat incident on the side cracking plates 34c and 34d is radiated toward the work 100 while propagating the side cracking plates 34c and 34d in the plane direction. Therefore, the heating efficiency of the work 100 can be improved.

또한, 전술한 바와 같이, 측부 균열판(34c)의 외측에 적어도 하나의 히터(32a)를 설치하면, 워크(100)의 가열 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 유기막을 가열할 때에 생긴 승화물은 주위의 온도보다 낮은 개소에 부착되기 쉽다. 측부 균열판(34c)도 가열함으로써, 승화물이 측부 균열판(34c)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.In addition, as described above, if at least one heater 32a is provided outside the side crack plate 34c, the heating efficiency of the work 100 can be further improved. Further, the sublimation formed when heating the organic film tends to adhere to a location lower than the ambient temperature. By heating the side cracking plate 34c as well, it is possible to suppress the sublimation from adhering to the side cracking plate 34c.

여기서, 측부 균열판(34c, 34d)에 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)과는 상이한 불균일인 온도 분포가 생기면, 워크(100)에 불균일인 온도 분포가 생길 우려가 있다. 그 때문에, 측부 균열판(34c, 34d)의 재료는, 전술한 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 재료와 동일하다고 하는 것이 바람직하다.Here, if a non-uniform temperature distribution different from that of the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b occurs in the side crack plates 34c and 34d, there is a concern that a non-uniform temperature distribution may occur in the work 100. Therefore, it is preferable that the material of the side cracking plates 34c and 34d is the same as the material of the upper cracking plate 34a and the lower cracking plate 34b described above.

전술한 바와 같이, 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)의 온도는 500℃ 이상이 되는 경우가 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 신장량이 커지거나, 열변형에 의한 휘어짐이 발생하거나 할 우려가 있다. 그 때문에, 복수개의 상부 균열판(34a)끼리의 사이에는 간극을 설치하는 것이 바람직하다. 복수개의 하부 균열판(34b)끼리의 사이에는 간극을 설치하는 것이 바람직하다. 이들의 간극은, 가열 온도, 복수개의 상부 균열판(34a)이 나란한 방향에서의 상부 균열판(34a)의 치수, 복수개의 하부 균열판(34b)이 나란한 방향에서의 하부 균열판(34b)의 치수, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 재료 등에 의해 적절하게 결정할 수 있다. 예컨대, 소정의 최고 가열 온도에 있어서, 복수개의 상부 균열판(34a)끼리의 사이, 및 복수개의 하부 균열판(34b)끼리의 사이에, 각각 1 mm∼2 mm 정도의 간극이 생기도록 할 수 있다. 이렇게 하면, 가열시에, 복수개의 상부 균열판(34a)끼리가 간섭하거나, 복수개의 하부 균열판(34b)끼리가 간섭하거나 하는 것을 억제할 수 있다.As described above, the temperature of the plurality of upper crack plates 34a and the plurality of lower crack plates 34b may be 500°C or higher. Therefore, there is a fear that the elongation amount of the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b increases, or warping due to thermal deformation occurs. Therefore, it is preferable to provide a gap between the plurality of upper crack plates 34a. It is preferable to provide a gap between the plurality of lower crack plates 34b. These gaps are the heating temperature, the size of the upper crack plate 34a in the direction in which the plurality of upper crack plates 34a are parallel, and the size of the lower crack plate 34b in the direction in which the plurality of lower crack plates 34b are parallel. It can be appropriately determined by the dimensions, the material of the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b, and the like. For example, at a predetermined maximum heating temperature, a gap of about 1 mm to 2 mm can be formed between the plurality of upper crack plates 34a and between the plurality of lower crack plates 34b. have. In this way, it is possible to suppress interference between the plurality of upper crack plates 34a or between the plurality of lower crack plates 34b during heating.

또, 복수개의 상부 균열판(34a) 및 복수개의 하부 균열판(34b)은, 복수개의 히터(32a)가 나란한 방향으로 나란히 설치되어 있는 것으로서 설명했지만, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 적어도 한쪽은, 단일의 판형 부재로 할 수도 있다. 이 경우, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)의 적어도 한쪽은, 프레임(31)의 양단에 가장 가까운 한 쌍의 균열판 지지부(35)에 의해서 지지되게 된다.In addition, although the plurality of upper cracking plates 34a and the plurality of lower cracking plates 34b have been described as having a plurality of heaters 32a installed side by side in a parallel direction, the upper cracking plate 34a and the lower cracking plate ( At least one of 34b) may be a single plate member. In this case, at least one of the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b is supported by a pair of crack plate support portions 35 closest to both ends of the frame 31.

복수개의 균열판 지지부(35)(상부 균열판 지지부)는, 복수개의 상부 균열판(34a)이 나란한 방향으로 나란히 설치되어 있다. 균열판 지지부(35)는, 복수개의 상부 균열판(34a)이 나란한 방향에 있어서, 상부 균열판(34a)끼리의 사이의 바로 아래에 설치할 수 있다.The plurality of crack plate support portions 35 (upper crack plate support portions) are provided side by side in a direction in which a plurality of upper crack plates 34a are parallel. The crack plate support portion 35 can be provided immediately below the upper crack plates 34a in a direction in which the plurality of upper crack plates 34a are parallel.

복수개의 균열판 지지부(35)는 나사 등의 체결 부재를 이용하여 한 쌍의 홀더(32b)에 고정할 수 있다. 한 쌍의 균열판 지지부(35)는 상부 균열판(34a)의 양단을 착탈 가능하게 지지한다. 또, 복수개의 하부 균열판(34b)을 지지하는 복수개의 균열판 지지부(하부 균열판 지지부)도 동일한 구성을 갖는 것으로 할 수 있다.The plurality of crack plate support portions 35 may be fixed to the pair of holders 32b using fastening members such as screws. A pair of crack plate support portions 35 support detachably at both ends of the upper crack plate 34a. Further, a plurality of crack plate support portions (lower crack plate support portions) that support the plurality of lower crack plates 34b can also have the same configuration.

상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 나사 등의 체결 부재를 이용하여 고정되어 있으면, 열팽창에 의해 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형하게 된다. 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형하면, 상부 균열판(34a)과 워크(100) 사이의 거리, 및 하부 균열판(34b)과 워크(100) 사이의 거리가 국소적으로 변화되어, 워크(100)에 불균일인 온도 분포가 생길 우려가 있다.When the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b are fixed using fastening members such as screws, the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b are deformed by thermal expansion. When the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b are deformed, the distance between the upper crack plate 34a and the work 100, and the distance between the lower crack plate 34b and the work 100 are localized. It is changed to, there is a fear that a non-uniform temperature distribution occurs in the work (100).

한 쌍의 균열판 지지부(35)에 의해 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 지지되어 있으면, 열팽창에 의한 치수차를 흡수할 수 있다. 그 때문에, 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)이 변형하는 것을 억제할 수 있다.When the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b are supported by the pair of crack plate support portions 35, the dimensional difference due to thermal expansion can be absorbed. Therefore, it is possible to suppress deformation of the upper crack plate 34a and the lower crack plate 34b.

커버(36)는 판형을 나타내고, 프레임(31)의 상면, 바닥면, 및 측면을 덮고 있다. 즉, 커버(36)에 의해 프레임(31)의 내부가 덮여 있다. 다만, 개폐 도어(13)측의 커버(36)는 예컨대, 개폐 도어(13)에 설치할 수 있다.The cover 36 has a plate shape and covers an upper surface, a bottom surface, and a side surface of the frame 31. That is, the inside of the frame 31 is covered by the cover 36. However, the cover 36 on the side of the opening/closing door 13 may be installed on the opening/closing door 13, for example.

커버(36)는 처리 영역(30a, 30b)을 둘러싸고 있지만, 프레임(31)의 상면과 측면의 경계선, 프레임(31)의 측면과 바닥면의 경계선이나 개폐 도어(13)의 부근에는, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간과, 처리 영역(30a, 30b)이 연결되는 간극이 설치되어 있다.The cover 36 surrounds the processing regions 30a and 30b, but in the vicinity of the boundary line between the upper and side surfaces of the frame 31, the boundary between the side surface and the bottom surface of the frame 31, and the opening and closing door 13, the chamber ( A space between the inner wall of 10) and the cover 36 and a gap connecting the processing regions 30a and 30b are provided.

또한, 프레임(31)의 상면 및 바닥면에 설치되는 커버(36)는 복수개로 분할되어 있다. 또한, 분할된 커버(36)끼리의 사이에는 간극이 설치되어 있다. 즉, 처리부(30)(처리 영역(30a), 처리 영역(30b)) 내의 공간은 챔버(10) 내의 공간에 연통한 공간으로 되어 있다. 그 때문에, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간과, 처리 영역(30a, 30b)이 연결되어 있기 때문에, 처리 영역(30a, 30b) 내의 압력이, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간의 압력과 동일해지도록 할 수 있다. 커버(36)는, 예컨대, 스테인리스 등으로 형성할 수 있다.In addition, the cover 36 installed on the upper surface and the bottom surface of the frame 31 is divided into a plurality of pieces. Further, a gap is provided between the divided covers 36. In other words, the space in the processing unit 30 (the processing region 30a, the processing region 30b) is a space communicating with the space in the chamber 10. Therefore, since the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36 and the processing regions 30a and 30b are connected, the pressure in the processing regions 30a and 30b is It can be made equal to the pressure of the space between the covers 36. The cover 36 can be formed of, for example, stainless steel.

또, 프레임(31)의 상면 및 바닥면에 설치되는 커버(36)는 단일의 판형 부재로 할 수도 있다.Moreover, the cover 36 provided on the upper surface and the bottom surface of the frame 31 can also be made into a single plate-shaped member.

챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이에는 공간이 설치되어 있다. 즉, 유기막 형성 장치(1)는, 챔버(10)와 처리부(30)(처리 영역(30a, 30b))가 이루는 이중 구조로 되어 있다. 이렇게 하면, 처리 영역(30a, 30b)으로부터 외부로 도피하는 열을 적게 할 수 있기 때문에 가열 효율을 향상시킬 수 있다.A space is provided between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36. That is, the organic film forming apparatus 1 has a dual structure formed by the chamber 10 and the processing unit 30 (processing regions 30a and 30b). In this way, since the heat escaped to the outside from the processing regions 30a and 30b can be reduced, the heating efficiency can be improved.

또한, 커버(36)는 히터(32a)측으로부터 입사한 열을, 처리 영역(30a, 30b) 측으로 반사하는 기능을 가질 수도 있다. 따라서, 커버(36)를 설치하면, 처리실(30a, 30b)로부터 외부로 도피하는 열을 적게 할 수 있기 때문에 가열 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the cover 36 may have a function of reflecting heat incident from the heater 32a side to the processing regions 30a and 30b. Therefore, if the cover 36 is provided, the heat escaped from the processing chambers 30a and 30b to the outside can be reduced, so that the heating efficiency can be improved.

냉각부(40)는 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 냉각 가스를 공급한다. 냉각부(40)는 처리 영역(30a, 30b)에 냉각 가스를 직접 공급하지 않는다. 냉각부(40)는 냉각 가스에 의해, 처리 영역(30a, 30b)을 둘러싸는 균열부(34)를 냉각하고, 냉각된 균열부(34)에 의해 고온 상태에 있는 워크(100)를 냉각한다. 즉, 냉각부(40)는 냉각 가스에 의해, 고온 상태에 있는 워크(100)를 간접적으로 냉각한다.The cooling unit 40 supplies cooling gas to a space in which a plurality of heaters 32a are installed. The cooling unit 40 does not directly supply the cooling gas to the processing regions 30a and 30b. The cooling unit 40 cools the cracks 34 surrounding the processing regions 30a and 30b with a cooling gas, and cools the work 100 in a high temperature state by the cooled cracks 34. . That is, the cooling unit 40 indirectly cools the work 100 in a high-temperature state by the cooling gas.

냉각부(40)는 노즐(41), 가스원(42), 및 가스 제어부(43)를 갖는다.The cooling unit 40 has a nozzle 41, a gas source 42, and a gas control unit 43.

노즐(41)은 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 접속되어 있다. 노즐(41)은 예컨대, 측부 균열판(34c)이나 프레임(31) 등에 부착할 수 있다. 노즐(41)의 수나 배치는 적절하게 변경할 수 있다. 예컨대, 도 1에 예시를 한 것인 경우에는, 도 1 중의 처리부(30)에 있어서의 X 방향의 한쪽의 측에 노즐(41)을 설치하고 있지만, 도 1 중의 처리부(30)에 있어서의 X 방향의 양측에 노즐(41)을 설치할 수도 있다. 또한, 도 1 중의 Y 방향의 한쪽의 측이나 다른쪽의 측에 노즐(41)을 설치할 수도 있다.The nozzle 41 is connected to a space in which a plurality of heaters 32a are installed. The nozzle 41 can be attached to the side crack plate 34c or the frame 31, for example. The number and arrangement of the nozzles 41 can be appropriately changed. For example, in the case exemplified in FIG. 1, the nozzle 41 is provided on one side in the X direction in the processing unit 30 in FIG. 1, but X in the processing unit 30 in FIG. 1 It is also possible to install nozzles 41 on both sides of the direction. In addition, the nozzle 41 may be provided on one side or the other side in the Y direction in FIG. 1.

또한, 복수개의 노즐(41)을 나란히 설치할 수도 있다.Further, a plurality of nozzles 41 may be installed side by side.

가스원(42)은 냉각 가스를 노즐(41)에 공급한다. 가스원(42)은, 예컨대, 고압 가스 실린더, 공장 배관 등으로 할 수 있다. 또한, 가스원(42)은 복수개 설치되어 있어도 좋다. 예컨대, 제1 냉각 가스를 공급하는 제1 가스원과, 제2 냉각 가스를 공급하는 제2 가스원이 설치되어 있어도 좋다.The gas source 42 supplies cooling gas to the nozzle 41. The gas source 42 can be, for example, a high-pressure gas cylinder, a factory pipe, or the like. Further, a plurality of gas sources 42 may be provided. For example, a first gas source for supplying the first cooling gas and a second gas source for supplying the second cooling gas may be provided.

냉각 가스는 예컨대, 드라이 에어, 질소 가스, 헬륨 가스 등의 불활성 가스 등으로 할 수 있다. 다만, 냉각 가스의 종류는 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니다.The cooling gas can be, for example, an inert gas such as dry air, nitrogen gas, or helium gas. However, the type of the cooling gas is not limited to the example.

또, 냉각 가스가 산소를 포함하는 것인 경우에는, 고온 상태에 있는 균열부(34)나 유기막이 산화될 우려가 있다. 그 때문에, 냉각 가스는, 산소를 포함하지 않는 가스, 예컨대, 질소 가스나 불활성 가스 등으로 하는 것이 바람직하다. 다만, 질소 가스나 불활성 가스 등은 가격이 높다. 한편, 드라이 에어는 가격이 싸다. 그 때문에, 균열부(34)나 유기막이 고온 상태에 있는 경우에는 질소 가스나 불활성 가스 등을 이용하여, 균열부(34)나 유기막의 온도가 저하된 후에 드라이 에어를 이용할 수도 있다. 이렇게 하면, 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다.In addition, when the cooling gas contains oxygen, there is a fear that the cracks 34 and the organic film in a high temperature state may be oxidized. Therefore, the cooling gas is preferably a gas that does not contain oxygen, such as nitrogen gas or inert gas. However, nitrogen gas or inert gas is expensive. On the other hand, dry air is cheap. Therefore, when the soaked part 34 or the organic film is in a high temperature state, dry air may be used after the temperature of the soaked part 34 or the organic film is lowered by using nitrogen gas or an inert gas. In this way, reduction in manufacturing cost can be achieved.

또한, 냉각 가스의 온도는 예컨대 상온 이상 50℃ 이하로 할 수 있다. 다만, 냉각 가스의 온도는 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 워크(100)의 온도가, 유기막 형성 장치(1)로부터 대기 중에 워크(100)를 추출했을 때에 결로하지 않을 정도의 온도 이상, 또한, 유기막 형성 장치(1)로부터 다음 공정 등에 워크(100)를 반송할 때에 반송에 악영향이 생기지 않을 정도의 온도 이하가 되면 좋다.In addition, the temperature of the cooling gas can be, for example, room temperature or higher and 50°C or lower. However, the temperature of the cooling gas is not limited to this. For example, the temperature of the work 100 is higher than a temperature such that no condensation occurs when the work 100 is extracted from the organic film forming apparatus 1 into the atmosphere, and the next step from the organic film forming apparatus 1, etc. When (100) is conveyed, it is good to be at a temperature below a level at which no adverse effect on conveyance occurs.

가스 제어부(43)는 노즐(41)과 가스원(42) 사이에 설치되어 있다. 가스 제어부(43)는 예컨대, 냉각 가스의 공급과 정지, 유량이나 압력의 제어 등을 행함으로써 할 수 있다. 또한, 복수개 종류의 냉각 가스를 이용하는 경우에는, 가스 제어부(43)는 냉각 가스의 전환을 행할 수도 있다.The gas control unit 43 is provided between the nozzle 41 and the gas source 42. The gas control unit 43 can be performed, for example, by supplying and stopping the cooling gas, controlling the flow rate or pressure, and the like. In addition, when a plurality of types of cooling gases are used, the gas control unit 43 may switch the cooling gas.

가스 제어부(43)에 의한 냉각 가스의 공급 타이밍은 워크(100)에 대한 가열처리가 완료된 후로 할 수 있다. 또, 가열 처리의 완료란, 유기막이 형성되는 온도를 소정 시간 유지한 후로 할 수 있다.The timing of supplying the cooling gas by the gas control unit 43 may be after the heat treatment for the work 100 is completed. In addition, completion of the heat treatment can be after maintaining the temperature at which the organic film is formed for a predetermined time.

이 경우, 예컨대, 냉각 가스의 공급 타이밍은 유기막이 형성된 직후로 할 수도 있고, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리는 도중으로 할 수도 있다. 이 경우, 냉각 가스는 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리는 벤트 가스로서도 기능시킬 수 있다. 또한, 냉각 가스의 공급 타이밍을 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌린 후로 할 수도 있다.In this case, for example, the supply timing of the cooling gas may be immediately after the organic film is formed, or may be in the middle of returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure. In this case, the cooling gas can also function as a vent gas that returns the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure. Further, the supply timing of the cooling gas may be set after the internal pressure of the chamber 10 is returned to atmospheric pressure.

유기막이 형성된 직후에 있어서는, 챔버(10)의 내압이 대기압보다 낮다, 즉, 챔버(10)의 내부에 가스가 적은 상태로 되어 있다. 그 때문에, 냉각 가스를 챔버(10)의 내부에 공급해도, 공급된 냉각 가스에 의해 처리 영역(30a, 30b)에 존재하는 승화물 등이 비산하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 냉각 시간과, 대기압으로 되돌릴 때의 챔버(10)의 내압의 조정 시간을 중복시킬 수 있다. 즉, 실질적인 냉각 시간의 단축을 도모할 수 있다.Immediately after the organic film is formed, the internal pressure of the chamber 10 is lower than the atmospheric pressure, that is, the interior of the chamber 10 is in a state where there is little gas. Therefore, even if the cooling gas is supplied into the chamber 10, it is possible to suppress the scattering of sublimes and the like existing in the processing regions 30a and 30b by the supplied cooling gas. Further, the cooling time and the adjustment time of the internal pressure of the chamber 10 at the time of returning to atmospheric pressure can be overlapped. That is, it is possible to substantially shorten the cooling time.

한편, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리는 도중이나, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌린 후에 있어서는, 챔버(10)의 내부에 가스가 있기 때문에, 대류에 의한 방열을 이용할 수 있다.On the other hand, in the middle of returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure or after returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure, since there is gas inside the chamber 10, heat radiation by convection can be used. .

챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리는 도중에 냉각 가스의 공급을 행하는 경우는, 제2 배기부(22)를 정지시키고, 제1 배기부(21)만 가동시킨 상태로 냉각 가스를 공급할 수 있다. 이 상태에서는, 제1 배기부(21)에 의해서 챔버(10)의 내압은 10 Pa로부터 대기압 사이에서 계속 감압을 하고 있게 된다. 이 때문에, 챔버(10) 내 및 처리부(30) 내에 챔버(10)의 바닥면을 향하는 다운 플로우의 기류를 형성할 수 있다. 그 결과, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 워크(100)를 가열함으로써 생기는, 유기 재료가 포함된 승화물이 다운 플로우의 기류를 타고 챔버(10) 밖으로 배출되기 쉬워진다. 이렇게 하면, 승화물의 체류가 생기는 것이 억제되기 때문에 승화물의 배출이 용이해진다. 또한, 공급한 냉각 가스가 처리 영역(30a) 및 처리 영역(30b)에 새었다고 해도, 다운 플로우의 기류에 의해서 배출되기 때문에 워크(100)에 승화물 등의 이물이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 즉, 대류에 의한 방열과, 승화물의 체류의 억제가 가능해지는 냉각을 행할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 제1 배기부(21)의 배기 펌프(21a)는 배기량이 많은 펌프이기 때문에, 제1 배기부(21)를 사용함으로써, 빠른 배기 속도로 고온의 기체를 배출할 수 있다. 또, 배출되는 기체가 고온인 경우, 배기 펌프(21a)의 파손을 방지하기 위해서, 필요에 따라서 배기 펌프(21a)와 배기구(17) 사이에 냉각부를 설치하고, 소정 온도 이상의 기체가 배기 펌프(21a)에 수용되지 않도록 해도 좋다.In the case of supplying the cooling gas while the internal pressure of the chamber 10 is returned to atmospheric pressure, the cooling gas can be supplied with the second exhaust unit 22 stopped and only the first exhaust unit 21 operated. . In this state, the internal pressure of the chamber 10 by the first exhaust part 21 continues to be reduced between 10 Pa and atmospheric pressure. For this reason, it is possible to form a down-flow airflow in the chamber 10 and in the processing unit 30 toward the bottom of the chamber 10. As a result, a sublimation product containing an organic material, which is generated by heating the work 100 to which a solution containing an organic material and a solvent is applied, is easily discharged out of the chamber 10 through a down-flow air stream. In this way, since the residence of the sublime is suppressed, the discharge of the sublime is facilitated. In addition, even if the supplied cooling gas leaks into the treatment region 30a and the treatment region 30b, it is discharged by a down-flow air stream, so that foreign matter such as a sublimation substance from adhering to the work 100 can be suppressed. . That is, heat dissipation due to convection and cooling can be performed so that the retention of the sublimation can be suppressed. In addition, as described above, since the exhaust pump 21a of the first exhaust unit 21 is a pump with a large amount of exhaust, by using the first exhaust unit 21, high-temperature gas can be discharged at a high exhaust rate. have. In addition, when the exhausted gas is at a high temperature, in order to prevent damage to the exhaust pump 21a, a cooling unit is provided between the exhaust pump 21a and the exhaust port 17 as necessary, and a gas having a predetermined temperature or higher is supplied to the exhaust pump ( 21a) may not be accepted.

또한, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리는 도중에, 제1 배기부(21)는 일정 시간 동작하여 정지한 후, 재차, 배기 동작하도록 간헐적으로 동작시켜도 좋다. 이와 같이, 제1 배기부(21)를 간헐적으로 동작시킴으로써, 정지 중에는 챔버(10) 내에 대류에 의한 열교환을 재촉하고, 동작 중에는 열교환이 행해진 후의 열을 포함한 기체가 배출되기 때문에, 챔버(10) 내의 열을 보다 효율적으로 배출할 수 있다.Further, in the middle of returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure, the first exhaust unit 21 may be operated intermittently so that the first exhaust unit 21 operates for a certain period of time to stop, and then again, to perform the exhaust operation. In this way, by intermittently operating the first exhaust part 21, heat exchange by convection is promoted in the chamber 10 during stop, and gas including heat after heat exchange is discharged during operation. Heat inside can be discharged more efficiently.

이와 같이, 워크(100)의 종류나 크기 등에 의해, 승화물 등의 비산 억제나, 실질적인 냉각 시간의 단축을 도모하는 경우에는, 유기막이 형성된 직후에 냉각 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 또한, 냉각 효율의 향상을 도모하는 경우에는, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리는 도중이나, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌린 후에 냉각 가스를 공급하는 것이 바람직하다.As described above, in the case of suppressing scattering of sublimates or substantially shortening the cooling time depending on the type or size of the work 100, it is preferable to supply the cooling gas immediately after the organic film is formed. In addition, in the case of improving the cooling efficiency, it is preferable to supply the cooling gas during returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure or after returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure.

또, 냉각 가스의 공급 유량은 챔버(10)의 내압의 변화에 수반하여 가변으로 해도 좋다. 이 경우, 챔버(10)의 내압이 대기압보다 낮은 경우에는, 제1 유량의 냉각 가스를 공급하여 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리면서 냉각을 행하고, 그 후, 챔버(10)의 내압이 대기압으로 되돌아간 후에는 제1 유량보다 적은 제2 유량의 냉각 가스를 공급하여 계속 냉각을 행할 수 있다. 이렇게 하면, 보다 빠르게 대기압으로 되돌릴 수 있음과 함께, 대기압으로 되돌아간 후에는 대류를 될 수 있는 한 일으키지 않도록 하여 냉각을 계속할 수 있다.In addition, the supply flow rate of the cooling gas may be variable as the internal pressure of the chamber 10 changes. In this case, when the internal pressure of the chamber 10 is lower than the atmospheric pressure, cooling is performed by supplying a cooling gas of the first flow rate to return the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure, and then, the internal pressure of the chamber 10 is reduced. After returning to atmospheric pressure, cooling can be continued by supplying a cooling gas having a second flow rate less than the first flow rate. This makes it possible to return to atmospheric pressure more quickly, and to continue cooling by preventing convection as much as possible after returning to atmospheric pressure.

도 2(a)∼(d)는, 냉각 가스(G)의 공급 형태를 예시하기 위한 모식도이다.2(a) to (d) are schematic diagrams for illustrating a supply mode of the cooling gas G.

도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 냉각 가스(G)는, 도 1 중의 X 방향으로부터, 히터(32a)를 향해서 공급할 수 있다.As shown in FIG. 2A, the cooling gas G can be supplied from the X direction in FIG. 1 toward the heater 32a.

도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 냉각 가스(G)는, 도 1 중의 X 방향으로부터, 히터(32a)의 상방, 및 히터(32a)의 하방을 향해서 공급할 수 있다.As shown in FIG. 2B, the cooling gas G can be supplied from the X direction in FIG. 1 toward the upper side of the heater 32a and the lower side of the heater 32a.

도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 냉각 가스(G)는, 도 1 중의 X 방향의 한쪽의 측으로부터 히터(32a)의 상방에 공급하고, X 방향의 다른쪽의 측으로부터 히터(32a)의 하방에 공급할 수 있다. 이렇게 하면, 냉각 가스(G)의 흐름이 원활해진다. 냉각 가스(G)의 흐름이 원활해지면, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 공급된 냉각 가스(G)가, 처리 영역(30a, 30b)에 새는 것을 억제하는 것이 용이해진다.As shown in Fig. 2(c), the cooling gas G is supplied to the upper side of the heater 32a from one side in the X direction in Fig. 1, and the heater 32a is supplied from the other side in the X direction. It can be supplied down. In this way, the flow of the cooling gas G becomes smooth. When the flow of the cooling gas G becomes smooth, it becomes easy to prevent the cooling gas G supplied to the space in which the plurality of heaters 32a are installed from leaking into the processing regions 30a and 30b.

도 2(d)에 나타내는 바와 같이, 도 1 중의 X 방향의 한쪽의 측으로부터 냉각 가스(G)를 공급하고, X 방향의 다른쪽의 측으로부터 냉각 가스(G)를 흡인할 수도 있다. 예컨대, 배출 노즐(44)을 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 접속하고, 배출 노즐(44)에 흡인부(45)를 접속할 수 있다. 흡인부(45)는, 예컨대, 블로어 등으로 할 수 있다. 이렇게 하면, 냉각 가스(G)의 흐름 및 배출이 원활해진다. 또한, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간의 압력이 상승하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 공급된 냉각 가스가, 처리 영역(30a, 30b)에 새는 것을 억제하는 것이 용이해진다.As shown in FIG. 2(d), the cooling gas G may be supplied from one side in the X direction in FIG. 1, and the cooling gas G may be sucked from the other side in the X direction. For example, the discharge nozzle 44 can be connected to a space in which a plurality of heaters 32a are installed, and the suction part 45 can be connected to the discharge nozzle 44. The suction part 45 can be, for example, a blower or the like. In this way, the flow and discharge of the cooling gas G become smooth. Further, it is possible to suppress an increase in pressure in the space in which the plurality of heaters 32a are installed. Therefore, it becomes easy to suppress leakage of the cooling gas supplied to the space in which the plurality of heaters 32a are installed to the processing regions 30a and 30b.

냉각 가스(G)가 처리 영역(30a, 30b)에 새는 것을 억제할 수 있으면, 처리 영역(30a, 30b)에 존재하고 있는 승화물이 워크(100)의 유기막에 부착되는 것을 억제할 수 있다.If the cooling gas G can be suppressed from leaking into the processing regions 30a and 30b, it is possible to suppress the sublimation existing in the processing regions 30a and 30b from adhering to the organic film of the work 100. .

또, 도 1 중의 X 방향으로부터 냉각 가스(G)가 공급되는 경우를 예시했지만, 도 1 중의 Y 방향으로부터 냉각 가스(G)가 공급되는 경우도 동일하다고 할 수 있다.In addition, although the case where the cooling gas G is supplied from the X direction in FIG. 1 was illustrated, it can be said that the case where the cooling gas G is supplied from the Y direction in FIG. 1 is also the same.

도 2(a)∼(d)에 나타내는 바와 같이, 수평 방향(X 방향 또는 Y 방향)으로부터 냉각 가스(G)를 공급하면, 냉각 가스(G)는, 상부 균열판(34b) 및 하부 균열판(34a) 중 적어도 어느 하나의 주면을 따르도록 흘러, 수평 방향에서의 냉각 가스(G)의 흐름이 형성된다. 워크(100)의 표면은, 도 1 중의 수평 방향(X 방향 또는 Y 방향)으로 연장하고 있기 때문에, 워크(100)의 표면이 연장되는 방향으로 냉각 가스(G)가 흐르게 된다. 따라서, 처리 영역(30a, 30b)에 냉각 가스(G)가 새었다고 해도 워크(100)의 표면에 충돌하는 것 같은 Z 방향에서의 냉각 가스(G)의 흐름이 형성되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 냉각 가스(G)의 흐름을 타 승화물이 워크(100)의 표면에 충돌하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 처리 영역(30a, 30b)에 존재하고 있는 승화물이 워크(100)의 유기막에 부착되는 것을 억제할 수 있다.As shown in Figs. 2(a) to (d), when cooling gas G is supplied from the horizontal direction (X direction or Y direction), the cooling gas G is the upper crack plate 34b and the lower crack plate It flows along at least one main surface among (34a), and the flow of the cooling gas G in a horizontal direction is formed. Since the surface of the work 100 extends in the horizontal direction (X direction or Y direction) in FIG. 1, the cooling gas G flows in the direction in which the surface of the work 100 extends. Therefore, even if the cooling gas G leaks in the processing regions 30a and 30b, it is possible to suppress the formation of the flow of the cooling gas G in the Z direction as if colliding with the surface of the work 100. Thereby, since the flow of the cooling gas G can be suppressed from colliding with the surface of the work 100, the sublimation existing in the processing regions 30a and 30b is the work 100 It can be suppressed from adhering to the organic film of.

다음으로, 도 1에 되돌아가, 제어부(50)에 관해서 설명한다.Next, returning to FIG. 1, the control part 50 is demonstrated.

제어부(50)는 CPU(Central Processing Unit) 등의 연산부와, 메모리 등의 기억부를 구비하고 있다.The control unit 50 includes an operation unit such as a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit such as a memory.

제어부(50)는 기억부에 저장되어 있는 제어 프로그램에 기초하여, 유기막 형성 장치(1)에 설치된 각 요소의 동작을 제어한다.The control unit 50 controls the operation of each element installed in the organic film forming apparatus 1 based on a control program stored in the storage unit.

도 3은, 다른 실시형태에 따른 냉각부(40a)를 예시하기 위한 모식도이다.3 is a schematic diagram for illustrating a cooling unit 40a according to another embodiment.

냉각부(40a)는, 냉각체(41a) 및 냉매 공급부(42a)를 갖는다.The cooling part 40a has a cooling body 41a and a coolant supply part 42a.

냉각체(41a)는, 상부 균열판(34a)과 복수개의 히터(32a) 사이, 및 하부 균열판(34b)과 복수개의 히터(32a) 사이 중 적어도 어느 하나에 설치되어 있다.The cooling body 41a is provided in at least one of between the upper soaking plate 34a and the plurality of heaters 32a, and between the lower soaking plate 34b and the plurality of heaters 32a.

도 3에 예시를 한 냉각부(40a)는, 상부 균열판(34a)과 복수개의 히터(32a) 사이, 및 하부 균열판(34b)과 복수개의 히터(32a) 사이의 각각에 냉각체(41a)를 갖고 있다. 또, 냉각체(41a)의 배치는 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니다. 냉각체(41a)는, 예컨대, 히터(32a)와 히터(32a) 사이에, 히터(32a)와 평행하게 설치할 수도 있다.The cooling unit 40a illustrated in FIG. 3 is a cooling body 41a between the upper soaking plate 34a and the plurality of heaters 32a, and between the lower soaking plate 34b and the plurality of heaters 32a. ). In addition, the arrangement of the cooling body 41a is not limited to an example. The cooling body 41a may be provided, for example, between the heater 32a and the heater 32a in parallel with the heater 32a.

냉각체(41a)의 내부에는 냉매의 유로가 설치되어 있다.A refrigerant flow path is provided inside the cooling body 41a.

냉각을 행할 때에는, 냉매 공급부(42a)는 냉각체(41a)의 내부에 냉매를 공급하고, 냉각체(41a)로부터 배출된 냉매를 회수한다. 냉매 공급부(42a)는, 냉매를 순환시키는 것으로 할 수 있다.When cooling is performed, the refrigerant supply unit 42a supplies a refrigerant into the cooling body 41a and recovers the refrigerant discharged from the cooling body 41a. The coolant supply unit 42a can circulate the coolant.

복수개의 히터(32a)에 의한 가열을 행할 때에는, 냉매 공급부(42a)는, 냉각체(41a)의 내부로부터 냉매를 배출시킨다.When heating by the plurality of heaters 32a, the refrigerant supply unit 42a discharges the refrigerant from the inside of the cooling body 41a.

냉매 공급부(42a)는, 예컨대, 회수 탱크, 송액 펌프, 냉각기 등을 구비한 것으로 할 수 있다.The refrigerant supply unit 42a may be provided with, for example, a recovery tank, a liquid feeding pump, a cooler, or the like.

냉매는, 액체이면 특별히 한정은 없다. 냉매는, 예컨대, 물 등으로 할 수 있다.The refrigerant is not particularly limited as long as it is a liquid. The refrigerant can be, for example, water or the like.

이상에 설명한 바와 같이, 냉각부(40, 40a)는 상부 가열부, 및 하부 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 냉각 가스 또는 냉매를 공급한다.As described above, the cooling units 40 and 40a supply cooling gas or refrigerant into at least one of the upper heating unit and the lower heating unit.

또, 상부 가열부의 내부, 하부 가열부의 내부란, 히터(32a)가 존재하는 공간으로서, 또한, 상부 균열판 또는 하부 균열판에 의해서 처리 영역(30a, 30b)과는 구획된 공간이다.In addition, the inside of the upper heating part and the inside of the lower heating part are spaces in which the heater 32a exists, and are spaces separated from the processing regions 30a and 30b by the upper soaking plate or the lower soaking plate.

냉매는 상부 가열부, 및 하부 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 설치된 냉각체(41a)의 내부에 공급된다.The refrigerant is supplied to the inside of the cooling body 41a installed in at least one of the upper heating unit and the lower heating unit.

그리고, 처리 영역(30a, 30b)에 지지된 워크(100)가, 냉각 가스 또는 냉매가 공급된 상부 가열부, 및 하부 가열부 중 적어도 어느 하나에 의해 냉각된다.In addition, the work 100 supported in the processing regions 30a and 30b is cooled by at least one of an upper heating unit and a lower heating unit supplied with a cooling gas or a refrigerant.

또, 냉각부(40, 40a)를 양방 구비하고, 냉각 가스와 냉매에 의한 냉각을 함께 행할 수도 있다.In addition, both cooling units 40 and 40a are provided, and cooling by a cooling gas and a refrigerant can also be performed.

또한, 이상에 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에 따른 유기막의 제조 방법은, 이하의 공정을 구비할 수 있다.In addition, as described above, the method for manufacturing an organic film according to the present embodiment may include the following steps.

대기압보다 감압된 분위기에 있어서, 기판과, 기판의 상면에 도포된 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 갖는 워크(100)를 가열하는 공정.A step of heating the work 100 having a substrate and a solution containing an organic material and a solvent applied to the upper surface of the substrate in an atmosphere reduced to atmospheric pressure.

가열을 행함으로써 유기막이 형성된 워크(100)를 냉각하는 공정.A step of cooling the work 100 on which the organic film is formed by heating.

이 경우, 워크(100)를 가열하는 공정에 있어서는, 상부 가열부와, 하부 가열부 사이의 처리 영역(30a, 30b)에 있어서 워크(100)가 가열된다.In this case, in the step of heating the work 100, the work 100 is heated in the processing regions 30a and 30b between the upper heating part and the lower heating part.

워크(100)를 냉각하는 공정에 있어서는, 상부 가열부, 및 하부 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 냉각 가스 또는 냉매를 공급한다. 처리 영역(30a, 30b)에 지지된 워크(100)가, 냉각 가스 또는 냉매가 공급된 상부 가열부, 및 하부 가열부 중 적어도 어느 하나에 의해 냉각된다.In the process of cooling the work 100, a cooling gas or a refrigerant is supplied into at least one of an upper heating unit and a lower heating unit. The work 100 supported in the processing regions 30a and 30b is cooled by at least one of an upper heating unit and a lower heating unit supplied with a cooling gas or a refrigerant.

또, 각 공정의 내용은, 전술한 것과 동일하다고 할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.In addition, since the content of each step can be said to be the same as described above, detailed descriptions are omitted.

여기서, 워크(100)의 가열 온도, 즉, 유기 재료와 용제를 포함하는 용액의 가열 온도는, 100℃∼600℃ 정도가 되는 경우가 있다. 그 때문에, 유기막이 형성된 직후의 워크(100)의 온도는, 100℃∼600℃ 정도가 되는 경우가 있다.Here, the heating temperature of the work 100, that is, the heating temperature of a solution containing an organic material and a solvent may be about 100°C to 600°C. Therefore, the temperature of the work 100 immediately after the organic film is formed may be about 100°C to 600°C.

유기막이 형성된 기판은, 유기막 형성 장치(1)로부터 추출되고, 다음 공정 등에 반송된다. 이 경우, 고온 상태에 있는 워크(100)를 유기막 형성 장치(1)로부터 추출하거나, 반송하거나 하는 것은 곤란하다. 또한, 고온 상태에 있는 워크(100)를 냉각하기 위한 장치나 적재부를 별도 설치하면, 장치나 적재부를 설치하기 위한 장소가 필요해지거나, 제조 설비의 비용이 증대한다.The substrate on which the organic film was formed is extracted from the organic film forming apparatus 1 and transferred to the next step or the like. In this case, it is difficult to extract or transport the work 100 in a high-temperature state from the organic film forming apparatus 1. In addition, if a device or a loading part for cooling the work 100 in a high temperature state is separately installed, a place for installing the device or the loading part is required, or the cost of the manufacturing facility increases.

이 경우, 처리 영역(30a, 30b)에 냉각 가스를 직접 공급하여, 고온 상태에 있는 워크(100)를 냉각할 수도 있다. 냉각 가스에 의해, 고온 상태에 있는 워크(100)를 냉각하면 냉각 시간을 단축할 수 있다. 그 때문에, 워크(100)에 있어서의 유기막의 형성이 종료하고 나서, 다음 워크(100)에 있어서의 유기막의 형성이 개시되기까지의 사이의 시간을 단축할 수 있다.In this case, cooling gas may be directly supplied to the processing regions 30a and 30b to cool the work 100 in a high temperature state. The cooling time can be shortened by cooling the work 100 in a high-temperature state with the cooling gas. Therefore, the time between the formation of the organic film in the work 100 and the start of formation of the organic film in the next work 100 can be shortened.

그런데, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 가열하여 유기막을 형성하면, 승화물 등이 생성되어, 승화물 등이, 처리 영역(30a, 30b)의 내부에 부착되거나, 내부의 공간에 부유하고 있거나 하는 경우가 있다. 그 때문에, 처리 영역(30a, 30b)에 냉각 가스를 직접 공급하면, 부착되고 있는 승화물 등이 박리하거나, 부유하고 있는 승화물이 냉각 가스의 흐름을 타거나 하여, 유기막의 위에 부착될 우려가 있다. 유기막의 위에 승화물 등의 이물이 부착되면, 유기막의 품질이 나빠질 우려가 있다.However, when an organic film is formed by heating a solution containing an organic material and a solvent, a sublimation or the like is generated, and the sublimation or the like is attached to the interior of the processing regions 30a and 30b, or is floating in the interior space There are cases. Therefore, if the cooling gas is directly supplied to the processing regions 30a and 30b, there is a risk that the adhering sublimation or the like will be peeled off, or the floating sublimation may be adhering to the organic film due to the flow of the cooling gas. have. When foreign substances such as a sublimation adhere to the organic film, there is a concern that the quality of the organic film may deteriorate.

따라서, 본 실시의 형태에 따른 냉각부(40)는, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 냉각 가스를 공급하고 있다. 전술한 바와 같이, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간은, 균열부(34)에 의해 처리 영역(30a, 30b)과 구획되고 있다. 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간은, 구획된 공간이 된다. 그 때문에, 냉각부(40)로부터, 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 공급된 냉각 가스가, 처리 영역(30a, 30b)에 새는 것을 억제할 수 있다.Therefore, the cooling unit 40 according to the present embodiment supplies the cooling gas to the space in which the plurality of heaters 32a are installed. As described above, the space in which the plurality of heaters 32a are installed is partitioned from the processing regions 30a and 30b by the soaking portion 34. The space in which the plurality of heaters 32a are installed becomes a partitioned space. Therefore, the cooling gas supplied from the cooling unit 40 to the space in which the plurality of heaters 32a are installed can be suppressed from leaking into the processing regions 30a and 30b.

또한, 도 2에 예시를 한 바와 같이, 워크(100)의 표면이 연장되는 방향과 동일한 수평 방향(X 방향 또는 Y 방향)에, 냉각 가스(G)의 흐름을 형성할 수 있다. 균열부(34)에는 간극이 설치되어 있지만, 전술한 바와 같이, 균열판(34)의 간극으로부터 냉각 가스(G)가 새었다고 해도, 워크(100)의 표면에 충돌하는 것 같은 흐름은 형성되지 않는다.In addition, as illustrated in FIG. 2, the flow of the cooling gas G may be formed in the same horizontal direction (X direction or Y direction) as the direction in which the surface of the work 100 extends. Although a gap is provided in the crack portion 34, as described above, even if the cooling gas G leaks from the gap of the crack plate 34, a flow that strikes the surface of the work 100 is not formed. Does not.

워크(100)의 표면에 충돌하는 흐름이 형성되는 것을 억제할 수 있으면, 냉각 가스가 처리 영역(30a, 30b)에 새었다고 해도, 처리 영역(30a, 30b)의 내부에 부착되어 있는 승화물 등이 박리하여, 유기막의 위에 부착되는 것을 억제할 수 있다.If it is possible to suppress the formation of a flow impinging on the surface of the work 100, even if the cooling gas has leaked into the processing regions 30a, 30b, sublimates, etc. adhering to the interior of the processing regions 30a, 30b, etc. This peeling can be suppressed from being deposited on the organic film.

또한, 본 실시의 형태에 따른 냉각부(40)에 있어서는, 워크(100)를 끼워 상하에 설치된 상부 가열부의 내부 및 하부 가열부의 내부에 냉각 가스(G)를 도입하는 것이 가능하다. 상하의 가열부(32)의 내부에 냉각 가스(G)를 도입할 수 있으면, 워크(100)의 양면측으로부터 워크(100)를 간접적으로 냉각할 수 있다. 그 때문에, 냉각 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the cooling unit 40 according to the present embodiment, it is possible to introduce the cooling gas G into the interior of the upper heating unit and the interior of the lower heating unit provided above and below the workpiece 100 by inserting it. If the cooling gas G can be introduced into the upper and lower heating parts 32, the work 100 can be indirectly cooled from both sides of the work 100. Therefore, cooling efficiency can be improved.

이상에 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에 의하면, 유기막이 형성된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있고, 또한, 유기막의 품질을 유지할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the cooling time of the substrate on which the organic film is formed can be shortened, and the quality of the organic film can be maintained.

도 4는, 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1a)를 예시하기 위한 모식도이다. 또, 이 실시형태에서는, 전술한 실시형태와의 상이점(제3 배기부(23))에 관해서 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.4 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus 1a according to another embodiment. In addition, in this embodiment, the difference from the above-described embodiment (the third exhaust section 23) will be described, and other descriptions will be omitted.

챔버(10)의 내압이 대기압으로 되돌아갈 때에, 대류에 의해 온도가 높은 기체가 챔버(10)의 상방 공간에 체류하고, 하방 공간과 비교하여 상방 공간의 온도가 높아지는 경우가 있다. 즉, 챔버(10) 내의 상방 공간과 하방 공간에서 온도차가 생기는 경우가 있다. 이 경우, 유기막 형성 장치(1a)로부터 워크(100)를 추출하거나, 반송하기 위한 반송 장치가 챔버(10) 내에 침입할 때에, 온도가 높은 상방 공간의 온도가 소정의 온도로 내려가기까지 기다릴 필요가 생긴다. 또한, 다음 워크(100)가 상하의 처리 영역에 반입되고, 가열 처리될 때에, 상방의 처리 영역과 하방의 처리 영역에서 처리되는 복수개의 워크(100) 사이에서 형성되는 유기막의 품질에 변동이 생길 우려가 있다. 그 때문에, 챔버(10) 내의 온도 분포가 균일하게 되고 나서 다음 워크(100)를 반입하기 위해서, 온도가 높은 상방 공간의 온도가 내려가기까지 기다릴 필요가 생긴다.When the internal pressure of the chamber 10 returns to atmospheric pressure, the gas having a high temperature stays in the upper space of the chamber 10 due to convection, and the temperature of the upper space may increase compared to the lower space. That is, there may be a temperature difference between the upper space and the lower space within the chamber 10. In this case, when the work 100 is extracted from the organic film forming apparatus 1a, or when the conveying device for conveying enters the chamber 10, it waits for the temperature of the upper space with a high temperature to drop to a predetermined temperature. A need arises. In addition, when the next workpiece 100 is carried into the upper and lower processing regions and subjected to heat treatment, there is a concern that there may be a change in the quality of the organic film formed between the plurality of workpieces 100 processed in the upper processing region and the lower processing region. There is. Therefore, in order to carry in the next work 100 after the temperature distribution in the chamber 10 becomes uniform, it is necessary to wait until the temperature of the upper space with high temperature decreases.

따라서, 본 실시의 형태에 따른 유기막 형성 장치(1a)에는, 제3 배기부(23)가 설치되어 있다.Accordingly, in the organic film forming apparatus 1a according to the present embodiment, the third exhaust part 23 is provided.

제3 배기부(23)는 챔버(10)의 내부를 배기한다.The third exhaust part 23 exhausts the interior of the chamber 10.

제3 배기부(23)는 챔버(10)의 상방에 설치된 배기구(19)에 접속되어 있다.The third exhaust part 23 is connected to an exhaust port 19 provided above the chamber 10.

제3 배기부(23)는, 예컨대, 처리부(30)가 설치되는 공장 건물 내의 배기를 행하는 배기 장치로 할 수 있다.The 3rd exhaust part 23 can be an exhaust device that exhausts the inside of the factory building in which the processing part 30 is installed, for example.

제3 배기부(23)는, 배기구(19)와 배기 장치 사이에, 배출한 기체의 배열을 행하는 냉각부를 구비해도 좋다.The third exhaust unit 23 may be provided with a cooling unit between the exhaust port 19 and the exhaust device to arrange the exhausted gas.

배기구(19)는, 예컨대, 챔버(10)의 측벽의 Z 방향에 있어서 중앙보다 위의 위치, 또는 챔버(10)의 천장에 설치되어 있다. 챔버(10)의 측벽에 배기구(19)가 설치되는 경우, 보다 바람직하게는, 챔버(10)의 측벽의 Z 방향에 있어서, 가장 위에 위치하는 처리 영역(도 4의 경우는 처리 영역(30b))보다 상방에 배기구(19)가 설치되어 있다. 챔버(10)의 천장에 배기구(19)를 설치하는 경우는, 평면에서 보아서, 프레임(31)과 챔버(10)의 내벽 사이에 배기구(19)를 설치할 수 있다.The exhaust port 19 is provided, for example, at a position above the center of the side wall of the chamber 10 in the Z direction or on the ceiling of the chamber 10. When the exhaust port 19 is installed on the side wall of the chamber 10, more preferably, in the Z-direction of the side wall of the chamber 10, the treatment region positioned at the top (in the case of FIG. 4, the treatment region 30b) An exhaust port 19 is provided above ). When the exhaust port 19 is provided on the ceiling of the chamber 10, the exhaust port 19 can be provided between the frame 31 and the inner wall of the chamber 10 in plan view.

배기구(19)가 챔버(10)의 상방에 설치되어 있는 것에 의해, 제3 배기부(23)에 의해서, 배기구(19)를 개재하여 챔버(10)의 상방 공간의 기체를 적극적으로 배출할 수 있다. 그 결과, 상방 공간에 체류한 온도가 높은 기체가 배출되어, 상방 공간을 보다 효율적으로 강온할 수 있다. 또한, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액이 도포된 워크(100)를 가열함으로써 생기는, 유기 재료가 포함된 승화물이 상방 공간에 체류하고 있었다고 해도, 제3 배기부(23)에 의해서 배출할 수 있다. 이렇게 하면, 승화물의 체류가 상방 공간에 있어서도 생기는 것이 억제되고, 승화물의 배출이 용이해진다.Since the exhaust port 19 is provided above the chamber 10, the gas in the space above the chamber 10 can be actively discharged by the third exhaust unit 23 through the exhaust port 19. have. As a result, the gas with a high temperature stayed in the upper space is discharged, and the upper space can be cooled more efficiently. In addition, even if a sublimation product containing an organic material, which is generated by heating the work 100 to which a solution containing an organic material and a solvent is applied, has stayed in the upper space, it can be discharged by the third exhaust unit 23. have. In this way, retention of the sublimation is suppressed even in the upper space, and the discharge of the sublimation is facilitated.

도 5는, 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1b)를 예시하기 위한 모식도이다.5 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus 1b according to another embodiment.

도 6은, 공급 배관을 일 계통으로 하는 경우를 예시하기 위한 모식도이다. 또, 유기막 형성 장치(1b)에서의 냉각부(40)의 구성은, 도 2(a)∼(d)에 예시한 냉각부(40)와 동일하다고 할 수 있다.6 is a schematic diagram for illustrating a case in which a supply piping is used as one system. In addition, the configuration of the cooling unit 40 in the organic film forming apparatus 1b can be said to be the same as the cooling unit 40 illustrated in Figs. 2A to 2D.

도 5에 있어서는, 처리부(30)에 있어서, 하방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간보다, 상방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 공급하는 냉각 가스(G)의 공급량을 많게 한다. 예컨대, 도 5에 있어서의 하방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간 C보다 상방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간 A에 공급하는 냉각 가스(G)의 공급량을 많게 한다.In FIG. 5, in the processing unit 30, the supply amount of the cooling gas G supplied to the space in which the plurality of heaters 32a are installed is increased rather than the space in which the plurality of heaters 32a are provided below. For example, the supply amount of the cooling gas G supplied to the space A in which the plurality of heaters 32a are installed is increased from the space C in which the plurality of heaters 32a are provided below in FIG. 5.

또는 공간 C보다 공간 B, 공간 B보다 공간 A에 공급하는 냉각 가스(G)의 공급량을 많게 한다.Alternatively, the supply amount of the cooling gas G supplied to the space A is greater than the space B and the space B than the space C.

이 경우, 냉각부(40)는, 각각의 공간 A∼C에 공급하는 냉각 가스(G)의 공급량을 각각 제어하도록, 각각의 공간 A∼C에 접속된 노즐(41)을 각각 별도의 가스원(42)에 접속해도 좋다. 또는, 각각의 공간 A∼C에 접속된 노즐(41)을 동일의 가스원(42)에 접속하고, 가스원(42)과 노즐(41) 사이에 각각의 공간 A∼C에 공급하는 냉각 가스(G)의 공급량을 제어하는 유량 제어부를 설치해도 좋다.In this case, the cooling unit 40 controls nozzles 41 connected to each of the spaces A to C, respectively, so as to control the supply amount of the cooling gas G supplied to each of the spaces A to C. You may connect to (42). Alternatively, the nozzle 41 connected to each of the spaces A to C is connected to the same gas source 42, and the cooling gas supplied to each of the spaces A to C between the gas source 42 and the nozzle 41 A flow control unit that controls the supply amount of (G) may be provided.

이것에 의해, 챔버(10)의 내압이 대기압으로 되돌아갈 때에, 대류에 의해 온도가 높은 기체가 챔버(10)의 상방 공간에 체류했다고 해도, 상방 공간을 적극적으로 냉각함으로써 상방 공간의 강온 시간을 짧게 할 수 있다.As a result, when the internal pressure of the chamber 10 returns to atmospheric pressure, even if a gas having a high temperature stays in the upper space of the chamber 10 due to convection, the cooling time of the upper space is reduced by actively cooling the upper space. You can shorten it.

도 6에 나타내는 바와 같이, 공급 배관을 일 계통으로 하는 경우, 상방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간이 상류가 되도록 상방으로부터 냉각 가스(G)가 흐르도록 해도 좋다.As shown in Fig. 6, when the supply piping is formed as one system, the cooling gas G may flow from the upper side so that the space in which the plurality of upper heaters 32a are installed becomes upstream.

또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 냉각 가스(G)를 분사하는 노즐(41)에 있어서 분사구의 측을 가늘게 해도 좋다. 이것에 의해, 냉각 가스(G)의 유속을 빠르게 할 수 있고, 냉각 가스(G)가 복수개의 히터(32a)에 널리 퍼지도록 할 수 있다. 또한, 냉각 가스(G)의 유속을 빠르게 함으로써 챔버(10) 내의 대류를 보다 많이 일으켜, 상방 공간과 하방 공간의 온도차를 적게 할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, in the nozzle 41 for injecting the cooling gas G, the side of the injection port may be made thinner. Thereby, the flow velocity of the cooling gas G can be made fast, and the cooling gas G can be made to spread widely over the several heaters 32a. Further, by increasing the flow rate of the cooling gas G, more convection is generated in the chamber 10, and the temperature difference between the upper space and the lower space can be reduced.

도 7은, 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1c)를 예시하기 위한 모식도이다. 또, 유기막 형성 장치(1c)에서의 냉각부(40a)의 구성은, 도 3에 예시한 냉각부(40a)와 동일하다고 할 수 있다.7 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus 1c according to another embodiment. In addition, it can be said that the configuration of the cooling unit 40a in the organic film forming apparatus 1c is the same as that of the cooling unit 40a illustrated in FIG. 3.

도 7에 있어서는, 처리부(30)에 있어서, 하방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간보다 상방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간에 공급하는 냉매의 유량을 많게 한다. 예컨대, 도 7에 있어서의 하방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간 C보다 상방의 복수개의 히터(32a)가 설치된 공간 A에 공급하는 냉매의 공급량을 많게 한다.In FIG. 7, in the processing unit 30, the flow rate of the refrigerant supplied to the space in which the plurality of upper heaters 32a are installed is increased rather than the space in which the plurality of heaters 32a below are installed. For example, the amount of refrigerant supplied to the space A in which the plurality of heaters 32a are installed is increased from the space C in which the plurality of heaters 32a are installed below in FIG. 7.

또는 공간 C보다 공간 B, 공간 B보다 공간 A에 공급하는 냉매의 공급량을 많게 한다.Alternatively, the amount of refrigerant supplied to the space A is increased from the space B and the space B than the space C.

이 경우, 냉각부(40a)는, 각각의 공간 A∼C에 공급하는 냉매의 공급량을 각각 제어하도록, 각각의 공간 A∼C에 접속된 냉각체(41a)를 각각 별도의 냉매 공급부(42a)에 접속해도 좋다. 또는, 각각의 공간 A∼C에 접속된 냉각체(41a)를 동일의 냉매 공급부(42a)에 접속하고, 냉매 공급부(42a)와 냉각체(41a) 사이에 각각의 공간 A∼C에 공급하는 냉매의 공급량을 제어하는 유량 제어부를 설치해도 좋다.In this case, the cooling unit 40a provides a separate coolant supply unit 42a for each cooling body 41a connected to each of the spaces A to C so as to control the supply amount of the coolant supplied to each of the spaces A to C. You can also connect to. Alternatively, the cooling body 41a connected to each of the spaces A to C is connected to the same refrigerant supply unit 42a, and supplied to each of the spaces A to C between the coolant supply unit 42a and the cooling body 41a. A flow control unit that controls the amount of refrigerant supplied may be provided.

이것에 의해, 챔버(10)의 내압이 대기압으로 되돌아갈 때에, 대류에 의해 온도가 높은 기체가 챔버(10)의 상방 공간에 체류했다고 해도, 상방 공간을 적극적으로 냉각함으로써 상방 공간의 강온 시간을 짧게 할 수 있다.As a result, when the internal pressure of the chamber 10 returns to atmospheric pressure, even if a gas having a high temperature stays in the upper space of the chamber 10 due to convection, the cooling time of the upper space is reduced by actively cooling the upper space. You can shorten it.

또, 도 4의 배기부를 구비한 유기막 형성 장치(1a)에 있어서, 도 5의 냉각부(40) 또는 도 7의 냉각부(40a) 중 어느 한쪽 또는 양쪽 구비할 수도 있다.Moreover, in the organic film forming apparatus 1a provided with the exhaust part of FIG. 4, either or both of the cooling part 40 of FIG. 5 or the cooling part 40a of FIG. 7 may be provided.

도 8은 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1d)를 예시하기 위한 모식도이다.8 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus 1d according to another embodiment.

또, 이 실시형태에서는, 전술한 실시형태와의 상이점(배기 공간을 갖는 케이스(62))에 관해서 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.In addition, in this embodiment, the difference from the above-described embodiment (case 62 having an exhaust space) is described, and other descriptions are omitted.

전술한 대로, 냉각 가스(G)의 공급 개시 후, 챔버(10)의 내압이 대기압으로 되돌아갈 때에, 대류에 의해 온도가 높은 기체가 챔버(10)의 상방 공간에 체류하고, 하방 공간과 비교하여 상방 공간의 온도가 높아지는 경우가 있다. 챔버(10)의 내부 공간의 강온 시간을 단축하기 위해서는, 상방 공간의 온도가 높은 기체를 보다 빠르게 배기하는 것이 필요해진다.As described above, after the start of supply of the cooling gas G, when the internal pressure of the chamber 10 returns to atmospheric pressure, the gas having a high temperature stays in the upper space of the chamber 10 due to convection and is compared with the lower space. As a result, the temperature of the upper space may increase. In order to shorten the temperature-fall time of the inner space of the chamber 10, it is necessary to exhaust gas having a high temperature in the upper space more quickly.

따라서 본 실시형태의 유기막 형성 장치(1d)는, 챔버(10)에, 배기 공간을 갖는 케이스(62)가 접속되어 있다. 이 케이스(62)는, 제1 밸브(60)를 개재하여 챔버(10)에 접속되고, 제2 밸브(61)를 개재하여 제3 배기부(23)에 접속되어 있다.Accordingly, in the organic film forming apparatus 1d of the present embodiment, a case 62 having an exhaust space is connected to the chamber 10. This case 62 is connected to the chamber 10 via the first valve 60, and is connected to the third exhaust part 23 via the second valve 61.

냉각 가스(G)의 공급 개시 후, 일정 시간이 경과하기까지 제1 밸브(60) 및 제2 밸브(61)는 폐쇄되어 있다. 이 때, 챔버(10) 내부는 대류에 의해 온도가 높은 기체가 챔버(10)의 상방 공간에 체류한다. 또한, 제1 밸브(60) 및 제2 밸브(61)가 폐쇄하고 있는 상태의 챔버(10)의 내압은, 냉각 가스(G)의 공급 개시 후는 승압하고, 밀폐 공간인 케이스(62) 내부의 내압보다 상대적으로 높아진다.After the supply of the cooling gas G is started, the first valve 60 and the second valve 61 are closed until a predetermined time elapses. At this time, the gas having a high temperature due to convection inside the chamber 10 stays in the space above the chamber 10. In addition, the internal pressure of the chamber 10 in the state in which the first valve 60 and the second valve 61 are closed is increased after the supply of the cooling gas G is started, and the inside of the case 62 which is a closed space It is relatively higher than the internal pressure of.

계속해서, 냉각 가스(G)의 공급을 개시하고 나서 일정 시간이 경과한 후, 제1 밸브(60) 및 제2 밸브(61)가 개방된다. 제1 밸브(60) 및 제2 밸브(61)를 개방함으로써, 챔버(10) 내의 공간과, 케이스(62) 내부의 공간이 연통하고, 챔버(10)의 상방 공간에 체류하고 있는 온도가 높은 기체는, 챔버(10)의 내압보다 압력이 낮은 케이스(62) 내부에 흡인되고, 제3 배기부(23)에 의해서 배출된다.Subsequently, after a certain period of time has elapsed since the supply of the cooling gas G is started, the first valve 60 and the second valve 61 are opened. By opening the first valve 60 and the second valve 61, the space inside the chamber 10 and the space inside the case 62 communicate, and the temperature remaining in the space above the chamber 10 is high. The gas is sucked into the case 62 whose pressure is lower than the internal pressure of the chamber 10 and is discharged by the third exhaust part 23.

이와 같이, 챔버(10) 내의 내압보다 압력이 낮은 배기 공간을 갖는 케이스(62)를 챔버(10)에 접속함으로써, 케이스(62)와 챔버(10)의 차압에 의해서 생기는 케이스(62)에 끌어넣는 흡인력에 의해서 챔버 상부에 체류하는 고온의 기체를 급속히 배기할 수 있다. 이 때문에, 배기부에 이르는 배관의 유로 저항이나 배기부의 배기 능력에 의해서 배기 속도가 좌우되는 일없이, 챔버의 강온 시간을 단축할 수 있다.In this way, by connecting the case 62 having an exhaust space having a pressure lower than the internal pressure in the chamber 10 to the chamber 10, it is attracted to the case 62 caused by the differential pressure between the case 62 and the chamber 10. The high-temperature gas remaining in the upper chamber can be rapidly exhausted by the applied suction force. For this reason, the temperature-fall time of the chamber can be shortened without the exhaust speed being influenced by the flow path resistance of the pipe leading to the exhaust portion or the exhaust capacity of the exhaust portion.

도 9는, 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1e)를 예시하기 위한 모식도이다.9 is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus 1e according to another embodiment.

또, 이 실시형태에서는, 전술한 실시형태와의 상이점(산소 농도 센서(63), 진공 센서(64), 개구(66), 밸브(65), 배관(67))에 관해서 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.In addition, in this embodiment, differences from the above-described embodiment (oxygen concentration sensor 63, vacuum sensor 64, opening 66, valve 65, pipe 67) will be described. The explanation is omitted.

본 실시형태의 유기막 형성 장치(1e)에는, 산소 농도 센서(63), 진공 센서(64), 챔버(10)에 개구한 개구(66), 밸브(65)를 개재하여 접속된 배관(67)이 설치되어 있다.In the organic film forming apparatus 1e of the present embodiment, an oxygen concentration sensor 63, a vacuum sensor 64, an opening 66 opened in the chamber 10, and a pipe 67 connected via a valve 65 are provided. ) Is installed.

산소 농도 센서(63)는 챔버(10) 내의 산소 농도를 검출하고, 진공 센서(64)는 챔버(10) 내의 진공도를 검출한다. 이들의 센서는 다음과 같이 이용된다.The oxygen concentration sensor 63 detects the oxygen concentration in the chamber 10, and the vacuum sensor 64 detects the degree of vacuum in the chamber 10. Their sensors are used as follows.

산소 농도 센서(63)에 의해서 검출된 챔버(10) 내의 산소 농도에 따라서, 가열부(32)에 의한 가열의 개시·정지 동작이나, 가열부(32)에 인가하는 전력 파워(가열 온도)를 제어한다. 또한, 진공 센서(64)에 의해서 검출된 챔버(10) 내의 진공도에 따라서, 제1 배기부(21)와 제2 배기부(22)에 의한 배기의 개시·정지 동작을 제어한다. 예컨대, 제1 배기부(21)에 의해서 배기를 개시한 후, 소정의 내압에 도달한 것을 진공 센서(64)에 의해서 검출한 후, 제2 배기부(22)에 의해서 배기를 개시한다. 또한, 제1 배기부(21)에 의해서 배기를 개시한 후, 소정의 산소 농도 이하가 된 것을 산소 농도 센서(63)에 의해서 검출한 후, 가열부(32)에 의해서 가열을 개시한다.Depending on the oxygen concentration in the chamber 10 detected by the oxygen concentration sensor 63, the heating start/stop operation by the heating unit 32 or the electric power (heating temperature) applied to the heating unit 32 is applied. Control. Further, in accordance with the degree of vacuum in the chamber 10 detected by the vacuum sensor 64, the operation of starting and stopping the exhaust by the first exhaust unit 21 and the second exhaust unit 22 is controlled. For example, after the first exhaust unit 21 starts exhausting, the vacuum sensor 64 detects that the predetermined internal pressure has been reached, and then the second exhaust unit 22 starts exhausting. Further, after the first exhaust unit 21 starts exhausting, the oxygen concentration sensor 63 detects that the oxygen concentration has become less than or equal to the predetermined oxygen concentration, and then the heating unit 32 starts heating.

그러나, 이들 산소 농도 센서(63)나 진공 센서(64)는, 고온(예컨대 200℃ 이상) 환경 하에서의 사용을 상정하고 있지 않고, 내열 가공되어 있지 않은 경우가 있다.However, these oxygen concentration sensors 63 and vacuum sensors 64 are not intended to be used in a high temperature (for example, 200°C or higher) environment, and are not heat-resistant in some cases.

이러한 산소 농도 센서(63), 진공 센서(64)는 챔버(10) 내에 있어서 커버나 반사판에 의해서 둘러싸인 처리 영역(30a, 30b)의 밖에 설치되어 있다. 가열 처리 중, 챔버(10) 내는 감압 분위기이기 때문에, 처리 영역(30a, 30b) 내에서 발생하는 열이나 승화물은 처리 영역(30a, 30b)에 가두어지고, 처리 영역(30a, 30b)의 밖의 센서가 설치되어 있는 공간에는 열이나 승화물이 확산하지 않는다.The oxygen concentration sensor 63 and the vacuum sensor 64 are provided outside the processing regions 30a and 30b surrounded by a cover or a reflecting plate in the chamber 10. During the heat treatment, since the inside of the chamber 10 is in a reduced pressure atmosphere, heat or sublimation generated in the processing regions 30a and 30b is confined to the processing regions 30a and 30b, and outside the processing regions 30a and 30b. Heat or sublimation does not diffuse into the space where the sensor is installed.

그러나, 가열 처리가 종료하고, 챔버(10) 내가, 감압 분위기로부터 대기압으로 되돌아가는 과정에서 발생하는 대류에 의해 열이나 승화물이 처리 영역 밖까지 확산한다. 이러한 확산이 발생하면, 이러한 센서에 승화물이나 고온의 기체가 접촉하고, 센서가 고장나거나 센서의 검출 정밀도가 나빠질 우려가 있다.However, after the heat treatment is completed, heat or sublimation diffuses out of the processing region by convection generated in the chamber 10 in the process of returning from the reduced pressure atmosphere to atmospheric pressure. When such diffusion occurs, there is a concern that a sublime or a high-temperature gas comes into contact with such a sensor, and the sensor may fail or the detection accuracy of the sensor may deteriorate.

따라서, 산소 농도 센서(63)와 진공 센서(64)는, 개구(66)를 상류측으로 한 배관(66)에 있어서, 밸브(65)보다 하류측에 설치되어 있다. 즉, 밸브(65)를 폐쇄함으로써 이러한 센서가 설치된 공간이 챔버(10) 내의 공간과 격리되고, 밸브(65)를 개방함으로써, 이러한 센서가 설치된 공간을 챔버(10) 내의 공간에 연통시킬 수 있다. 배기부(20)에 의해서 챔버(10) 내를 감압하고 있을 때는, 이 밸브(65)를 개방하여, 챔버 내의 공간과 연통시키고, 진공도나 산소 농도를 검출한다. 또한, 가열을 개시하고 나서 일정한 시간이 경과하여 가열 처리가 완료한 후, 챔버(10) 내의 공간을 대기압으로 되돌릴 때에, 밸브(65)를 폐쇄하고, 챔버(10) 내의 공간으로부터 센서를 격리한다. 이와 같이 밸브(65)의 개폐 동작에 의해서, 필요할 때는 챔버(10) 내의 진공도나 산소 농도를 검출할 수 있다. 한편, 챔버(10) 내에 확산하는 승화물이나 고온의 기체가 센서에 접촉하는 것을 억지하여, 센서의 고장이나 센서의 검출 정밀도의 악화를 억지할 수 있다.Accordingly, the oxygen concentration sensor 63 and the vacuum sensor 64 are provided on the downstream side of the valve 65 in the pipe 66 with the opening 66 on the upstream side. That is, by closing the valve 65, the space in which such a sensor is installed is isolated from the space in the chamber 10, and by opening the valve 65, the space in which such a sensor is installed can be communicated with the space in the chamber 10. . When the inside of the chamber 10 is depressurized by the exhaust part 20, this valve 65 is opened to communicate with the space in the chamber, and the degree of vacuum and the oxygen concentration are detected. Further, when a certain period of time has elapsed from the start of heating and after the heating treatment is completed, when returning the space in the chamber 10 to atmospheric pressure, the valve 65 is closed and the sensor is isolated from the space in the chamber 10. . In this way, by the opening and closing operation of the valve 65, the degree of vacuum or the oxygen concentration in the chamber 10 can be detected when necessary. On the other hand, it is possible to prevent a failure of the sensor or a deterioration in detection accuracy of the sensor by inhibiting the sublimation or hot gas that diffuses in the chamber 10 from contacting the sensor.

또한, 전술한 바와 같이, 유기막이 형성된 직후나, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌리는 도중, 챔버(10)의 내압을 대기압으로 되돌린 후에 가스원(43)으로부터 냉각 가스(G)의 도입을 개시하고, 챔버(10) 내의 온도가 소정의 값 이하가 된 후, 챔버(10)의 개폐 도어(13)를 개방하여, 워크(100)를 반출한다. 챔버(10) 내의 온도가 소정의 값 이하가 된 후, 센서가 견길 수 있는 소정의 온도까지 챔버(10) 내의 온도가 강온한 경우, 밸브(65)를 재차 개방하고, 필요에 따라서 챔버 내의 산소 농도 또는 진공도를 검출하도록 해도 좋다. 챔버(10) 내의 온도가 소정의 값 이하가 된 것은, 챔버(10) 내의 온도를 측정하는 온도계에 의한 온도 검출, 또는 소정의 강온 시간이 경과했는지 어떤지로 판단된다.In addition, as described above, immediately after the organic film is formed or during returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure, after returning the internal pressure of the chamber 10 to atmospheric pressure, the cooling gas G from the gas source 43 After the introduction is started and the temperature in the chamber 10 reaches a predetermined value or less, the opening/closing door 13 of the chamber 10 is opened, and the work 100 is taken out. After the temperature in the chamber 10 falls below a predetermined value, when the temperature in the chamber 10 decreases to a predetermined temperature that can be endured by the sensor, the valve 65 is opened again, and oxygen in the chamber as necessary. The concentration or the degree of vacuum may be detected. When the temperature in the chamber 10 is less than or equal to a predetermined value, it is determined whether or not the temperature is detected by a thermometer measuring the temperature in the chamber 10 or a predetermined temperature-fall time has elapsed.

또, 전술한 산소 농도 센서(63)나 진공 센서(64)의 검출 결과에 기초한 가열부(32)에 의한 가열의 개시·정지 동작, 제1 배기부(21)와 제2 배기부(22)에 의한 배기의 개시·정지 동작, 밸브(65)의 개폐 동작 등, 각종 요소의 동작도 제어부(50)에 의해서 제어된다.In addition, the heating start/stop operation by the heating unit 32 based on the detection result of the above-described oxygen concentration sensor 63 or the vacuum sensor 64, the first exhaust unit 21 and the second exhaust unit 22 The operation of various elements, such as the start/stop operation of exhaust gas and the opening/closing operation of the valve 65, is also controlled by the control unit 50.

또, 도 9에서는 산소 농도 센서(63)와 진공 센서(64)는 동일한 배관(67) 내에 설치되는 것으로 했지만, 배관(67)은 복수개 설치되어도 좋고, 각각의 배관(67)에 산소 농도 센서(63)와 진공 센서(64)를 배치해도 좋다. 또한, 산소 농도 센서(63)와 진공 센서(64)를 함께 배관(67)에 설치하는 것에 한정되지 않고, 산소 농도 센서(63) 또는 진공 센서(64)의 어느 한쪽을 배관(67)에 설치하는 것으로 해도 좋다. 또한 배관(67)은, 밸브(65)에 의해서 폐색되는 공간을 유지할 수 있는 부재이면 되고, 관형상에 한정되지 않는다.In Fig. 9, although the oxygen concentration sensor 63 and the vacuum sensor 64 are provided in the same pipe 67, a plurality of pipes 67 may be provided, and each pipe 67 has an oxygen concentration sensor ( 63) and the vacuum sensor 64 may be disposed. In addition, it is not limited to installing the oxygen concentration sensor 63 and the vacuum sensor 64 together in the pipe 67, and either the oxygen concentration sensor 63 or the vacuum sensor 64 is installed in the pipe 67 You may do it. In addition, the pipe 67 may be a member capable of holding a space blocked by the valve 65, and is not limited to a tubular shape.

도 10(a)는, 다른 실시형태에 따른 유기막 형성 장치(1f)를 예시하기 위한 모식도이다.10A is a schematic diagram for illustrating an organic film forming apparatus 1f according to another embodiment.

도 10(b)는, 유기막 형성 장치(1f)에 따른 냉각 가스의 공급 형태를 예시하기 위한 모식도이다.10(b) is a schematic diagram for illustrating a supply mode of a cooling gas according to the organic film forming apparatus 1f.

또, 이 실시형태에서는, 전술한 실시형태와의 상이점(냉각 가스의 공급 형태)에 관해서 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.In addition, in this embodiment, the difference (the cooling gas supply mode) from the above-described embodiment is described, and other descriptions are omitted.

처리 영역(30a, 30b)의 복수개의 가열부(32)(상부 가열부, 하부 가열부)의 내부에 대하여, 전부 동일한 방향으로부터 냉각 가스를 도입하면, 가열부(32)의 내부의, 600℃ 정도까지 가열되는 복수개의 히터(32b) 표면을 동일한 방향으로 흘려 통과한다. 그리고, 히터(32b)로부터의 열이 전달됨으로써 온도가 상승한 냉각 가스는, 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간과, 처리 영역(30a, 30b)이 연결되는 간극 등으로부터 새어 나와 챔버(10)의 내벽과 커버(36) 사이의 공간에 동일한 방향으로부터 배출된다. 이와 같이, 복수개의 가열부(32)에 대하여, 동일한 방향으로부터 냉각 가스를 도입하면, 온도가 상승한 냉각 가스가 동일한 방향으로부터 배출된다. 즉, 온도가 상승한 냉각 가스가 배출되는 공간이 치우치고, 챔버(10) 내에 있어서 치우친 공간이 고온 공간이 된다. 치우친 공간이 고온 공간이 되면, 그 부분은 강온이 늦어지고, 챔버(10)의 개폐 도어(13)를 개방하기 전에 강온 시간을 요하여 대기 시간이 생긴다. 또한, 챔버(10) 내에서 온도차가 생기면, 고온 공간에서 가스화하고 있는 승화물이 저온 공간에서 석출하고, 챔버(10) 내의 부재, 예컨대 챔버(10)의 내벽에 부착된다. 챔버(10) 내의 부재에 승화물이 부착되면, 다음 처리를 행하는 워크(100)에 승화물이 부착될 우려가 있다. 또한 부착된 승화물을 제거할 필요가 생겨 메인터넌스성이 악화된다. 이 때문에, 냉각 가스를 가열부(32)의 내부에 도입할 때에, 치우친 공간이 고온 공간이 되지 않도록, 챔버(10) 내의 열분포를 균일하게 하는 것이 필요했다.When cooling gas is introduced from the same direction into the interior of the plurality of heating parts 32 (upper heating part and lower heating part) of the treatment regions 30a and 30b, the inside of the heating part 32 is 600°C. It passes through the surfaces of the plurality of heaters 32b heated to a degree in the same direction. In addition, the cooling gas whose temperature is increased by the transfer of heat from the heater 32b leaks out from the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36 and the gap between the processing regions 30a and 30b. It is discharged from the same direction in the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36. In this way, when the cooling gas is introduced from the same direction to the plurality of heating units 32, the cooling gas whose temperature has risen is discharged from the same direction. That is, the space in which the cooling gas whose temperature has risen is discharged is skewed, and the skewed space in the chamber 10 becomes a high-temperature space. When the skewed space becomes a high-temperature space, the temperature of the portion is delayed, and a waiting time is generated by requiring a temperature-falling time before opening the opening/closing door 13 of the chamber 10. Further, when a temperature difference occurs in the chamber 10, the sublimation gasified in the high-temperature space precipitates in the low-temperature space and adheres to a member in the chamber 10, for example, the inner wall of the chamber 10. When a sublime adheres to a member in the chamber 10, there is a possibility that the sublimation adheres to the work 100 to be processed next. In addition, it is necessary to remove the adhering sublimation, and maintainability deteriorates. For this reason, when introducing the cooling gas into the interior of the heating unit 32, it is necessary to make the heat distribution in the chamber 10 uniform so that the skewed space does not become a high-temperature space.

따라서, 복수개의 가열부(32) 중 적어도 하나의 가열부(32)의 냉각 가스의 도입 방향과, 다른 가열부(32)의 내부에 도입하는 냉각 가스의 도입 방향을 상이한 것으로 한다. 이것에 의해, 고온 공간이 분산되고, 챔버(10)의 열분포가 균일해진다. 그 결과, 고온 공간의 강온을 대기할 필요가 없고, 챔버(10)의 개방 시의 대기 시간이 없어져, 챔버(10) 내벽으로의 승화물의 부착을 억제할 수 있다.Therefore, the introduction direction of the cooling gas to the at least one heating unit 32 among the plurality of heating units 32 and the introduction direction of the cooling gas introduced into the other heating unit 32 are different from each other. As a result, the high-temperature space is dispersed, and the heat distribution of the chamber 10 becomes uniform. As a result, there is no need to wait for the temperature to fall in the high-temperature space, and there is no waiting time when the chamber 10 is opened, and adhesion of the sublimation to the inner wall of the chamber 10 can be suppressed.

예컨대, 도 10(a)(b)와 같이, 냉각부(40)는, 상부 가열부의 내부에 도입하는 냉각 가스의 도입 방향과는 상이한 방향으로부터 하부 가열부의 내부에 냉각 가스를 도입한다. 즉, Z 방향(상하 방향)에 인접하여 위치하는 복수개의 가열부(32)의 내부에 대하여, 각각 역방향으로부터 냉각 가스를 도입한다. 이것에 의해, 온도가 상승한 냉각 가스가, 챔버(10) 내부에 있어서 인접하여 위치하는 복수개의 가열부(32)로부터 각각 역방향으로부터 배출되고, 효율적으로 고온 공간(H)이 분산됨으로써 챔버(10)의 열분포가 균일해진다. 그 결과, 고온 공간의 강온을 대기할 필요가 없고, 챔버(10)의 개방시의 대기 시간이 없어져, 챔버(10) 내벽으로의 승화물의 부착을 억제할 수 있다.For example, as shown in Figs. 10A and 10B, the cooling unit 40 introduces cooling gas into the lower heating unit from a direction different from the introduction direction of the cooling gas introduced into the upper heating unit. That is, cooling gas is introduced from the opposite direction into the interior of the plurality of heating units 32 located adjacent to the Z direction (up and down direction). As a result, the cooling gas whose temperature has risen is discharged from the plurality of heating units 32 adjacent to each other in the chamber 10 from the opposite direction, and the high-temperature space H is efficiently dispersed, so that the chamber 10 The heat distribution of becomes uniform. As a result, there is no need to wait for the temperature to fall in the high-temperature space, and the waiting time when the chamber 10 is opened is eliminated, and adhesion of the sublimation to the inner wall of the chamber 10 can be suppressed.

또, 도 10(a),(b)는 X 방향에 있어서 역방향으로부터 냉각 가스를 도입하고 있지만, Y 방향에 있어서 역방향으로부터 냉각 가스를 도입해도 좋고, X 방향과 Y 방향을 조합하여 상이한 방향으로부터 냉각 가스를 도입해도 좋다.10(a) and (b) show that the cooling gas is introduced from the reverse direction in the X direction, but the cooling gas may be introduced from the reverse direction in the Y direction, and cooling from different directions by combining the X and Y directions. Gas may be introduced.

또, 도 10(a)(b)는 상부 균열판(34a) 및 하부 균열판(34b)은 복수개의 히터(32a)가 나란한 방향으로 나란히 설치되어 있는 것으로 하고 있지만, 전술한 다른 실시형태와 동일하게 적어도 한쪽은, 단일의 판형 부재로 할 수도 있다.In addition, in Fig. 10(a) (b), the upper soaking plate 34a and the lower soaking plate 34b are assumed to have a plurality of heaters 32a installed side by side in a parallel direction, but are the same as in the other embodiments described above. Thus, at least one of them may be a single plate member.

또한, 도 10(a)은, Z 방향(상하 방향)에 인접하여 위치하는 복수개의 가열부(32)의 내부에 대하여, 각각 역방향으로부터 냉각 가스를 도입하도록, 처리부(30)에 있어서의 X 방향의 한쪽의 측에 노즐(41)을 1단 걸러 역방향으로 배치하고 있지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 처리부(30)의 X 방향의 양측에 노즐(41)을 설치할 수도 있다. 이 경우, 양측의 노즐(41)은 각각 가스 제어부(43)를 개재하여 가스원(42)에 접속되고, 양측의 노즐(41)의 공급 유량을 각각 조정함으로써 냉각 가스가 배출되는 방향을 제어하도록 해도 좋다.In addition, Fig. 10(a) shows the X direction in the processing unit 30 so that cooling gas is introduced from the opposite direction to the inside of the plurality of heating units 32 located adjacent to the Z direction (up and down direction). Although the nozzle 41 is arranged in the reverse direction every other stage on one side of, it is not limited to this. For example, nozzles 41 may be installed on both sides of the processing unit 30 in the X direction. In this case, the nozzles 41 on both sides are connected to the gas source 42 via the gas control unit 43, respectively, and control the direction in which the cooling gas is discharged by adjusting the supply flow rates of the nozzles 41 on both sides, respectively. You can do it.

또한, 도 10(c)와 같이, 하나의 가열부(32)에 대하여 평면에서 보아 상이한 방향으로부터 냉각 가스를 도입하고, 상이한 방향으로부터 배출되도록 하여 고온 공간을 분산되도록 해도 좋다.In addition, as shown in Fig. 10(c), cooling gas may be introduced from different directions in plan view to one heating unit 32 and discharged from different directions to disperse the high-temperature space.

이상, 실시의 형태에 관해서 예시를 했다. 그러나, 본 발명은 이러한 기술에 한정되는 것은 아니다.As described above, the embodiment has been exemplified. However, the present invention is not limited to this technique.

전술의 실시의 형태에 관해서, 당업자가 적절하게 설계 변경을 가한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.Regarding the above-described embodiments, those skilled in the art who appropriately make design changes are included in the scope of the present invention as long as the features of the present invention are provided.

예컨대, 유기막 형성 장치(1)의 형상, 치수, 배치 등은, 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니고 적절하게 변경할 수 있다.For example, the shape, dimensions, arrangement, and the like of the organic film forming apparatus 1 are not limited to those illustrated and can be appropriately changed.

또한, 전술한 각 실시의 형태가 구비하는 각 요소는, 가능한 한에 있어서 조합할 수 있고, 이들을 조합시킨 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.In addition, each element included in each of the above-described embodiments can be combined as far as possible, and combinations thereof are also included in the scope of the present invention as long as the features of the present invention are included.

1 : 유기막 형성 장치 10 : 챔버
20 : 배기부 30 : 처리부
30a : 처리 영역 30b : 처리 영역
32 : 가열부 32a : 히터
33 : 워크 지지부 34 : 균열부
34a : 상부 균열판 34b : 하부 균열판
34c : 측부 균열판 36 : 커버
40 : 냉각부 40a : 냉각부
41 : 노즐 41a : 냉각체
42 : 가스원 42a : 냉매 공급부
43 : 가스 제어부 44 : 배출 노즐
45 : 흡인부 50 : 제어부
100 : 워크1: organic film forming apparatus 10: chamber
20: exhaust part 30: treatment part
30a: processing area 30b: processing area
32: heating unit 32a: heater
33: work support portion 34: crack portion
34a: upper crack plate 34b: lower crack plate
34c: side crack plate 36: cover
40: cooling unit 40a: cooling unit
41: nozzle 41a: cooling body
42: gas source 42a: refrigerant supply unit
43: gas control unit 44: discharge nozzle
45: suction unit 50: control unit
100: work

Claims (14)

유기막 형성 장치로서,
대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와,
상기 챔버의 내부를 배기 가능한 배기부와,
상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와,
상기 챔버의 내부에 설치되고 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 제1 가열부와 대향시켜 설치된 제2 가열부와,
상기 제1 가열부와 상기 제2 가열부 사이로서, 기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 유기 재료와 용매를 포함하는 용액를 갖는 워크가 지지되는 처리 영역과,
상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 냉각 가스 또는 냉매를 공급하는 냉각부
를 구비하고,
상기 처리 영역에 지지된 상기 워크에는 상기 제1 가열부 및 상기 제2 가열부로부터의 열에너지가 도달하고,
상기 처리 영역에 지지된 상기 워크는, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나에 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매가 공급됨으로써 냉각되는 것인, 유기막 형성 장치.As an organic film forming apparatus,
A chamber capable of maintaining an atmosphere depressurized than atmospheric pressure,
An exhaust unit capable of exhausting the interior of the chamber,
A first heating unit installed inside the chamber and having at least one first heater,
A second heating unit installed inside the chamber, having at least one second heater, and installed to face the first heating unit,
A processing region between the first heating unit and the second heating unit, wherein a substrate and a work having a solution containing an organic material and a solvent applied to the upper surface of the substrate are supported,
A cooling unit for supplying a cooling gas or a refrigerant into at least one of the first heating unit and the second heating unit
And,
Thermal energy from the first heating unit and the second heating unit reaches the work supported in the treatment region,
The organic film forming apparatus, wherein the work supported in the processing region is cooled by supplying the cooling gas or the refrigerant to at least one of the first heating unit and the second heating unit. 제1항에 있어서,
상기 제1 히터는 막대형을 나타내고, 상기 워크의 표면이 연장되는 방향으로 나란히 복수개 설치되고,
상기 제1 가열부는 상기 제2 가열부측에 상기 복수개의 제1 히터와 이격하여 설치된 적어도 하나의 제1 균열판을 더 갖고,
상기 냉각부는 상기 제1 균열판에 의해서 상기 처리 영역과 구획된 공간에 대하여, 상기 워크의 표면이 연장되는 방향으로 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매를 공급하는 것인, 유기막 형성 장치.The method of claim 1,
The first heater has a rod shape, and a plurality of the first heaters are installed side by side in a direction in which the surface of the work extends,
The first heating unit further has at least one first crack plate installed to be spaced apart from the plurality of first heaters on the side of the second heating unit,
The cooling unit supplies the cooling gas or the coolant in a direction in which the surface of the work extends to a space partitioned from the processing region by the first crack plate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 히터는 막대형을 나타내고, 상기 워크의 표면이 연장되는 방향으로 나란히 복수개 설치되고,
상기 제2 가열부는, 상기 제1 가열부측에 상기 복수개의 제2 히터와 이격하여 설치된 적어도 하나의 제2 균열판을 더 갖고,
상기 냉각부는, 상기 제2 균열판에 의해서 상기 처리 영역과 구획된 공간에 대하여, 상기 워크의 표면이 연장되는 방향으로 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매를 공급하는 것인, 유기막 형성 장치.The method according to claim 1 or 2,
The second heater has a rod shape, and a plurality of the second heaters are installed side by side in a direction in which the surface of the work extends,
The second heating unit further has at least one second soaking plate installed at a side of the first heating unit to be spaced apart from the plurality of second heaters,
The cooling unit supplies the cooling gas or the coolant in a direction in which the surface of the work extends to a space partitioned from the processing region by the second crack plate. 제1항에 있어서,
상기 냉매는, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 설치된 냉각체의 내부에 공급되는 것인, 유기막 형성 장치.The method of claim 1,
The refrigerant is supplied to the inside of a cooling body installed in at least one of the first heating unit and the second heating unit. 제1항에 있어서,
상기 배기부는, 상기 냉각부가 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매를 공급하는 동안, 일정 시간 동작하여 정지한 후, 재차 동작하도록 간헐적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 유기막 형성 장치.The method of claim 1,
The exhaust unit is intermittently operated to operate again after the cooling unit is operated for a certain period of time while supplying the cooling gas or the refrigerant, and then operated again. 유기막 형성 장치로서,
대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 챔버와,
상기 챔버의 내부를 대기압보다 낮은 압력까지 배기 가능한 제1 배기부와,
상기 챔버의 상방에 설치된 상방의 배기구와,
상기 상방의 배기구에 접속되고, 상기 챔버의 상방 공간에 체류한 온도가 높은 기체를 배출하는 제2 배기부와,
상기 챔버의 내부에 설치되고, 적어도 하나의 제1 히터를 갖는 제1 가열부와,
상기 챔버의 내부에 설치되고, 적어도 하나의 제2 히터를 갖고, 상기 제1 가열부와 대향시켜 설치된 제2 가열부와,
상기 제1 가열부와, 상기 제2 가열부 사이로서, 기판과, 상기 기판의 상면에 도포된, 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 갖는 워크가 지지되는 처리 영역과,
상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 냉각 가스 또는 냉매를 공급하는 냉각부
를 구비하고,
상기 처리 영역에 지지된 상기 워크에는 상기 제1 가열부 및 상기 제2 가열부로부터의 열에너지가 도달하고,
상기 처리 영역에 지지된 상기 워크는, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나에 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매가 공급됨으로써 냉각되는 것인, 유기막 형성 장치.As an organic film forming apparatus,
A chamber capable of maintaining an atmosphere depressurized than atmospheric pressure,
A first exhaust unit capable of exhausting the interior of the chamber to a pressure lower than atmospheric pressure,
An upper exhaust port installed above the chamber,
A second exhaust unit connected to the upper exhaust port and for discharging a gas having a high temperature remaining in the upper space of the chamber;
A first heating unit installed inside the chamber and having at least one first heater,
A second heating unit installed inside the chamber, having at least one second heater, and installed to face the first heating unit,
A processing region between the first heating unit and the second heating unit, wherein a substrate and a work applied on the upper surface of the substrate and having a solution containing an organic material and a solvent are supported,
A cooling unit for supplying a cooling gas or a refrigerant into at least one of the first heating unit and the second heating unit
And,
Thermal energy from the first heating unit and the second heating unit reaches the work supported in the treatment region,
The organic film forming apparatus, wherein the work supported in the processing region is cooled by supplying the cooling gas or the coolant to at least one of the first heating unit and the second heating unit. 제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1 가열부는, 상기 워크의 표면이 연장되는 방향과 교차하는 상하 방향으로 복수개 설치되고,
상기 냉각부는, 하방에 위치하는 상기 제1 가열부보다 상방에 위치하는 상기 제1 가열부의 내부에 공급하는 냉각 가스 또는 냉매의 유량을 많게 하는 것을 특징으로 하는 유기막 형성 장치.The method according to claim 1 or 6,
A plurality of the first heating units are installed in a vertical direction crossing a direction in which the surface of the work extends,
Wherein the cooling unit increases the flow rate of the cooling gas or refrigerant supplied to the inside of the first heating unit located above the first heating unit located below the first heating unit located below. 제6항에 있어서,
상기 제1 배기부는, 상기 냉각부가 냉각 가스 또는 냉매를 공급하는 동안, 일정 시간 동작하여 정지한 후, 재차 동작하도록 간헐적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 유기막 형성 장치.The method of claim 6,
The first exhaust unit is intermittently operated so that the first exhaust unit operates for a predetermined period of time while the cooling unit supplies the cooling gas or refrigerant, and then operates again. 제1항에 있어서,
상기 챔버 내의 진공도를 검출하는 진공 센서와,
상기 챔버 내의 산소 농도를 검출하는 산소 농도 센서와,
상기 챔버에 설치된 개구와, 밸브를 개재하여 접속된 배관
을 더 구비하고,
상기 진공 센서와 상기 산소 농도 센서 중 적어도 어느 하나는, 상기 개구를 상류측으로 한 상기 배관에 있어서 상기 밸브보다 하류측에 설치되는 것을 특징으로 하는 유기막 형성 장치.The method of claim 1,
A vacuum sensor for detecting a degree of vacuum in the chamber,
An oxygen concentration sensor for detecting the oxygen concentration in the chamber,
A pipe connected through an opening installed in the chamber and a valve
And more
At least one of the vacuum sensor and the oxygen concentration sensor is provided on a downstream side of the valve in the pipe having the opening as an upstream side. 제1항에 있어서,
상기 냉각부는, 상기 제1 가열부의 내부에 도입되는 냉각 가스의 도입 방향과는 상이한 방향으로부터 상기 제2 가열부의 내부에 냉각 가스를 도입하는 것을 특징으로 하는 유기막 형성 장치.The method of claim 1,
Wherein the cooling unit introduces a cooling gas into the second heating unit from a direction different from an introduction direction of the cooling gas introduced into the first heating unit. 유기막의 제조 방법으로서,
대기압보다 감압된 분위기에 있어서, 기판과, 상기 기판의 상면에 도포된 유기 재료와 용매를 포함하는 용액을 갖는 워크를 가열하는 공정과,
상기 가열을 행함으로써 유기막이 형성된 워크를 냉각하는 공정
을 포함하고,
상기 워크를 가열하는 공정에 있어서는, 제1 가열부와, 상기 제1 가열부와 대향시켜 설치된 제2 가열부 사이의 처리 영역에 있어서 상기 워크가 가열되고,
상기 처리 영역에 지지된 상기 워크에는 상기 제1 가열부 및 상기 제2 가열부로부터의 열에너지가 도달하고,
상기 워크를 냉각하는 공정에 있어서는,
상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나의 내부에 냉각 가스 또는 냉매를 공급하고,
상기 처리 영역에 지지된 상기 워크는, 상기 제1 가열부, 및 상기 제2 가열부 중 적어도 어느 하나에 상기 냉각 가스 또는 상기 냉매가 공급됨으로써 냉각되는 것인, 유기막의 제조 방법.As a method for producing an organic film,
A step of heating a substrate and a work having a solution containing an organic material and a solvent applied to the upper surface of the substrate in an atmosphere reduced to atmospheric pressure; and
Step of cooling the work on which the organic film is formed by performing the above heating
Including,
In the step of heating the work, the work is heated in a treatment region between a first heating unit and a second heating unit disposed opposite to the first heating unit,
Thermal energy from the first heating unit and the second heating unit reaches the work supported in the treatment region,
In the process of cooling the work,
Supplying a cooling gas or a refrigerant into at least one of the first heating unit and the second heating unit,
The method of manufacturing an organic film, wherein the work supported in the processing region is cooled by supplying the cooling gas or the coolant to at least one of the first heating unit and the second heating unit. 제11항에 있어서,
상기 워크를 냉각하는 공정에 있어서,
상기 대기압보다 감압된 분위기에 있어서의 상방 공간에 체류한 온도가 높은 기체를 배출하는 것인, 유기막의 제조 방법.The method of claim 11,
In the process of cooling the work,
The method for producing an organic film, wherein a gas having a high temperature stayed in an upper space in an atmosphere depressurized than the atmospheric pressure is discharged. 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 워크를 냉각하는 공정에 있어서,
상기 분위기를 감압하는 배기부는, 일정 시간 정지하여 상기 분위기 내에 열교환을 재촉하고, 열교환이 행해진 후의 열을 포함한 기체가 배출되도록 재차 동작하도록, 간헐적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 유기막의 제조 방법.The method of claim 11 or 12,
In the process of cooling the work,
The exhaust unit for depressurizing the atmosphere is intermittently operated to stop for a certain period of time to promote heat exchange in the atmosphere, and to operate again so that gas including heat after the heat exchange has been performed is discharged. 제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1 가열부는 상기 제2 가열부 측에 상기 복수의 제1 히터와 이격되어 설치된 복수의 제1 균열판을 더 갖고,
상기 제2 가열부는 상기 제1 가열부 측에 상기 복수의 제2 히터와 이격되어 설치된 복수의 제2 균열판을 더 갖고,
상기 복수의 제1 균열판 끼리의 사이에 간극이 마련되고,
상기 복수의 제2 균열판 끼리의 사이에 간극이 마련되며,
상기 냉각부는 상기 제1 균열판에 의해 상기 처리 영역과 구획된 공간 및 상기 제2 균열판에 의해 상기 처리 영역과 구획된 공간에 대하여, 상기 워크의 표면이 연장되는 방향으로 상기 냉각 가스를 공급하는 것인, 유기막 형성 장치.The method according to claim 1 or 6,
The first heating unit further has a plurality of first soaking plates installed to be spaced apart from the plurality of first heaters on the side of the second heating unit,
The second heating unit further has a plurality of second soaking plates installed to be spaced apart from the plurality of second heaters on the side of the first heating unit,
A gap is provided between the plurality of first crack plates,
A gap is provided between the plurality of second crack plates,
The cooling unit supplies the cooling gas in a direction in which the surface of the work extends to a space partitioned from the treatment region by the first crack plate and to a space partitioned from the treatment region by the second crack plate. The organic film forming apparatus.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11784040B2 (en) * 2020-02-25 2023-10-10 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment device
KR102508040B1 (en) * 2020-05-20 2023-03-08 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Cooling device, substrate processing device, cooling method, and substrate processing method
JP7106607B2 (en) * 2020-08-06 2022-07-26 芝浦メカトロニクス株式会社 Organic film forming device
CN114833048A (en) * 2021-02-02 2022-08-02 芝浦机械电子装置株式会社 Heat treatment apparatus
JP7291755B2 (en) 2021-02-02 2023-06-15 芝浦メカトロニクス株式会社 heat treatment equipment
CN115366546B (en) * 2021-05-21 2024-03-29 广东聚华印刷显示技术有限公司 Drying device
JP2023032160A (en) * 2021-08-26 2023-03-09 芝浦メカトロニクス株式会社 Heating processing device
JP7465855B2 (en) * 2021-09-27 2024-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 Heat treatment device, loading/unloading tool, and method for forming organic film
JP2023107329A (en) * 2022-01-24 2023-08-03 芝浦メカトロニクス株式会社 Heat treatment device and heat treatment method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076705A (en) * 2007-09-21 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd Load lock device and vacuum processing system
KR101796647B1 (en) * 2016-05-03 2017-11-10 (주)에스티아이 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3631847B2 (en) 1996-05-28 2005-03-23 大日本印刷株式会社 Vacuum drying equipment
JP3844608B2 (en) * 1998-10-12 2006-11-15 株式会社アルバック Vacuum deposition system
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
JP5089288B2 (en) * 2007-01-26 2012-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 Vacuum dryer
JP5478280B2 (en) * 2010-01-27 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate heating apparatus, substrate heating method, and substrate processing system
JP6560072B2 (en) * 2015-09-11 2019-08-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Vacuum drying apparatus and vacuum drying method
JP6649146B2 (en) * 2016-03-25 2020-02-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
CN109478501B (en) * 2016-07-27 2023-06-06 东京毅力科创株式会社 Coating film forming method, coating film forming apparatus, and computer-readable storage medium
JP6789040B2 (en) * 2016-08-30 2020-11-25 東京応化工業株式会社 Substrate heating device and substrate heating method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076705A (en) * 2007-09-21 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd Load lock device and vacuum processing system
KR101796647B1 (en) * 2016-05-03 2017-11-10 (주)에스티아이 Substrate processing apparatus and substrate processing method

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