KR20230013120A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 방법은, 황산 및 과산화수소수 중 일방을 포함하는 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하는 제 1 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액이 도포된 상기 기판의 표면에, 황산 및 과산화수소수 중 타방을 포함하고, 상기 제 1 처리액보다 점도가 낮은 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 표면에서 혼합되어 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액으로 상기 기판의 표면을 처리하는 혼합액 처리 공정과, 상기 혼합액 처리 공정의 후, 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 황산 과산화수소수 혼합액을 상기 기판의 표면으로부터 씻어내는 린스 공정을 포함한다.A substrate treatment method includes: a first treatment liquid supply step of applying a first treatment liquid containing one of sulfuric acid and hydrogen peroxide to a surface of a substrate; sulfuric acid and hydrogen peroxide on the surface of the substrate coated with the first treatment liquid; a second treatment liquid supply step of supplying a second treatment liquid containing the other liquid in water and having a lower viscosity than the first treatment liquid; and mixing the first treatment liquid and the second treatment liquid on the surface of the substrate. A mixed solution treatment step of treating the surface of the substrate with the generated sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture, and a rinse step of supplying a rinse solution to the substrate after the mixture solution treatment step to wash the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture from the surface of the substrate include

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

이 출원은, 2020년 7월 14일에 제출된 일본 특허출원 2020-120953호에 기초한 우선권을 주장하고 있으며, 이 출원의 전체 내용은 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-120953 filed on July 14, 2020, and the entire content of this application is incorporated herein by reference.

이 발명은, 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.This invention relates to an apparatus and method for processing a substrate. Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates such as organic EL (Electroluminescence) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and optical disk substrates. A substrate for a magnetic disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and the like are included.

기판 상에서 제 1 처리액과 제 2 처리액을 혼합하여 반응시키고, 그 반응 생성 물질을 이용하여 기판에 대한 처리를 실시하는 방법이 알려져 있다. 구체적으로는, 드라이 에칭 후의 기판 상에 남는 레지스트를 박리하기 위한 레지스트 박리 처리에 있어서는, 황산과 과산화수소수를 혼합시켜 생성되는 SPM (황산 과산화수소수 혼합액) 이 사용되는 경우가 있다.A method is known in which a first treatment liquid and a second treatment liquid are mixed and reacted on a substrate, and the substrate is treated using the reaction product material. Specifically, in the resist stripping treatment for stripping the resist remaining on the substrate after dry etching, SPM (sulfuric acid and hydrogen peroxide solution mixture) produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution may be used.

특허문헌 1 은, 황산과 과산화수소수를 노즐 내에서 혼합하여 SPM 을 조제하고, 그 SPM 을 기판의 표면에 공급하는 기판 처리를 개시하고 있다. 특허문헌 2 는, 황산 및 과산화수소수를 별도의 노즐로부터 기판 상에 공급하고, 기판 상에서 그것들을 혼합시켜 SPM 을 생성시키는 기판 처리를 개시하고 있다.Patent Literature 1 discloses a substrate treatment in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed in a nozzle to prepare SPM, and the SPM is supplied to the surface of the substrate. Patent Literature 2 discloses a substrate treatment in which sulfuric acid and hydrogen peroxide are supplied onto a substrate from separate nozzles and mixed on the substrate to generate SPM.

일본 공개특허공보 2019-207948호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-207948 일본 공개특허공보 2004-349669호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-349669

특허문헌 1 의 기판 처리에서는, 처리액을 흘리면서 처리를 실시하기 때문에, 처리액의 소비량이 많아진다. 구체적으로는, 0.5 ∼ 2 리터/분 정도의 유량으로 노즐로부터 SPM 을 토출할 필요가 있다. 따라서, 기판 처리의 비용 및 환경 부하에 관하여 개선의 여지가 있다.In the substrate processing of Patent Literature 1, since the processing is performed while flowing the processing liquid, the consumption of the processing liquid increases. Specifically, it is necessary to discharge the SPM from the nozzle at a flow rate of about 0.5 to 2 liters/minute. Therefore, there is room for improvement with respect to the cost and environmental load of substrate processing.

특허문헌 2 에는, 황산의 액막을 기판 상에 형성하고, 그 액막에 대하여 과산화수소수를 안개상으로 공급하는 기판 처리가 개시되어 있다. 이 처리는, 특히 황산의 소비량이 저감되는 점에서 바람직하지만, 기판 표면의 전역을 균일하게 덮는 액막의 형성이 어렵고, 또한 액막이 기판 표면 전역을 덮은 상태를 유지하는 것도 어렵다. 그 때문에, 처리의 균일성에 관하여 개선의 여지가 있다.Patent Literature 2 discloses a substrate treatment in which a sulfuric acid liquid film is formed on a substrate and hydrogen peroxide solution is supplied in the form of a mist to the liquid film. This treatment is particularly preferable in that the consumption of sulfuric acid is reduced, but it is difficult to form a liquid film that uniformly covers the entire surface of the substrate, and it is also difficult to maintain a state in which the liquid film covers the entire surface of the substrate. Therefore, there is room for improvement regarding the uniformity of processing.

그래서, 이 발명의 일 실시형태는, 기판 표면을 균일하게 처리할 수 있고, 또한 처리액의 소비량을 저감시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.Accordingly, an embodiment of the present invention provides a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of uniformly processing a substrate surface and reducing the consumption of a processing liquid.

이 발명의 일 실시형태는, 황산 및 과산화수소수 중 일방을 포함하는 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하는 제 1 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액이 도포된 상기 기판의 표면에, 황산 및 과산화수소수 중 타방을 포함하고, 상기 제 1 처리액보다 점도가 낮은 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 표면에서 혼합되어 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액으로 상기 기판의 표면을 처리하는 혼합액 처리 공정과, 상기 혼합액 처리 공정의 후, 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 황산 과산화수소수 혼합액을 상기 기판의 표면으로부터 씻어내는 린스 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention, a first treatment liquid supply step of applying a first treatment liquid containing one of sulfuric acid and hydrogen peroxide to the surface of a substrate, and the first treatment liquid is applied to the surface of the substrate, a second treatment liquid supply step of supplying a second treatment liquid containing the other of sulfuric acid and hydrogen peroxide and having a viscosity lower than that of the first treatment liquid; A mixed solution treatment step of treating the surface of the substrate with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution generated by mixing in the mixed solution treatment step, and after the mixed solution treatment step, supplying a rinse solution to the substrate to wash the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution from the surface of the substrate A substrate processing method including a rinse process is provided.

이 방법에 의하면, 비교적 고점도의 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하므로, 제 1 처리액의 소비량을 억제하면서, 기판의 표면에 균일하게 제 1 처리액을 널리 퍼지게 하고, 또한 밀착시킬 수 있다. 이 제 1 처리액이 도포된 기판의 표면에 제 2 처리액이 공급된다. 그것에 의해, 기판의 표면에 있어서, 제 1 처리액 및 제 2 처리액이 혼합되어, 황산 과산화수소수 혼합액이 생성된다. 제 1 처리액이 기판 표면에 균일하게 널리 퍼져 밀착되어 있기 때문에, 기판의 표면에 황산 과산화수소수 혼합액을 빠짐없이 균일하게 널리 퍼지게 할 수 있다. 제 2 처리액은, 비교적 저점도이기 때문에, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 혼합이 신속하게 진행된다. 제 1 처리액 및 제 2 처리액이 기판 상에서 혼합되기 때문에, 그 혼합시의 반응에 의해 발생하는 발열을 유효하게 활용하여, 기판의 표면을 처리할 수 있다. 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 처리 후에는, 기판의 표면에 린스액을 공급하여 황산 과산화수소수 혼합액을 씻어내고, 처리를 정지시킬 수 있다.According to this method, since the relatively high-viscosity first treatment liquid is applied to the surface of the substrate, the first treatment liquid can be uniformly spread and adhered to the surface of the substrate while suppressing the consumption of the first treatment liquid. . The second processing liquid is supplied to the surface of the substrate coated with the first processing liquid. As a result, on the surface of the substrate, the first treatment liquid and the second treatment liquid are mixed to generate a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Since the first treatment liquid is uniformly spread and adhered to the surface of the substrate, the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide can be uniformly spread all over the surface of the substrate. Since the second treatment liquid has a relatively low viscosity, mixing of the first treatment liquid and the second treatment liquid proceeds rapidly. Since the first processing liquid and the second processing liquid are mixed on the substrate, the surface of the substrate can be treated by effectively utilizing heat generated by the reaction during the mixing. After the treatment with the sulfuric acid-hydrogen-peroxide solution mixture, a rinsing solution is supplied to the surface of the substrate to wash away the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture, and the treatment can be stopped.

이와 같이 하여, 기판의 표면에 대하여 균일한 처리를 실시할 수 있고, 또한 처리액의 소비량을 저감시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.In this way, it is possible to provide a substrate processing method capable of uniformly processing the surface of the substrate and reducing the consumption of the processing liquid.

기판에 대한 처리의 일례는, 기판의 표면에 존재하는 이물질의 제거이다. 이물질의 구체예는, 잔류물이나 막이다. 막의 제거는, 막의 박리여도 되고, 막의 일부의 에칭이어도 된다. 막의 하나의 예는, 레지스트막이다.An example of a treatment for a substrate is removal of foreign matter present on the surface of the substrate. Specific examples of the foreign matter are residues and films. Film removal may be film peeling or partial etching of the film. One example of the film is a resist film.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 1 처리액이 증점제를 포함한다. 이로써, 제 1 처리액의 점도를 증점제에 의해 조정할 수 있으므로, 처리에 적합한 점도로 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first treatment liquid contains a thickener. In this way, since the viscosity of the first treatment liquid can be adjusted with the thickener, the first treatment liquid can be applied to the surface of the substrate with a viscosity suitable for the treatment.

이 발명의 일 실시형태는, 증점제가 포함된 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하는 제 1 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액이 도포된 상기 기판의 표면에 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 표면에서 혼합되어 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액으로 상기 기판의 표면을 처리하는 혼합액 처리 공정과, 상기 혼합액 처리 공정의 후, 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 황산 과산화수소수 혼합액을 상기 기판의 표면으로부터 씻어내는 린스 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention, a first treatment liquid supply step of applying a first treatment liquid containing a thickener to the surface of a substrate, and supplying a second treatment liquid to the surface of the substrate coated with the first treatment liquid. a second treatment liquid supply step of performing a process, and a mixture treatment process of treating the surface of the substrate with a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture generated by mixing the first treatment liquid and the second treatment liquid on the surface of the substrate; After the step, a rinsing step of supplying a rinsing solution to the substrate to wash the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide from the surface of the substrate is provided.

이 방법에 의하면, 증점제를 포함하는 제 1 처리액의 소비량을 억제하면서, 기판의 표면에 제 1 처리액을 널리 퍼지게 하고, 또한 밀착시킬 수 있다. 이 제 1 처리액이 도포된 기판의 표면에 제 2 처리액이 공급된다. 그것에 의해, 기판의 표면에 있어서, 제 1 처리액 및 제 2 처리액이 혼합되어, 황산 과산화수소수 혼합액이 생성된다. 제 1 처리액이 기판 표면에 균일하게 널리 퍼져 밀착되어 있기 때문에, 기판의 표면에 황산 과산화수소수 혼합액을 빠짐없이 균일하게 널리 퍼지게 할 수 있다. 그리고, 제 1 처리액 및 제 2 처리액이 기판 상에서 혼합되기 때문에, 그 혼합시의 반응에 의해 발생하는 발열을 유효하게 이용하여, 기판의 표면을 처리할 수 있다. 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 처리 후에는, 기판의 표면에 린스액을 공급하여 황산 과산화수소수 혼합액을 씻어내고, 처리를 정지시킬 수 있다.According to this method, it is possible to spread the first treatment liquid on the surface of the substrate and bring it into close contact while suppressing the consumption of the first treatment liquid containing the thickener. The second processing liquid is supplied to the surface of the substrate coated with the first processing liquid. As a result, on the surface of the substrate, the first treatment liquid and the second treatment liquid are mixed to generate a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Since the first treatment liquid is uniformly spread and adhered to the surface of the substrate, the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide can be uniformly spread all over the surface of the substrate. Further, since the first processing liquid and the second processing liquid are mixed on the substrate, the surface of the substrate can be treated by effectively utilizing heat generated by the reaction during the mixing. After the treatment with the sulfuric acid-hydrogen-peroxide solution mixture, a rinsing solution is supplied to the surface of the substrate to wash away the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture, and the treatment can be stopped.

전술한 실시형태의 경우와 동일하게, 기판에 대한 처리의 일례는, 기판의 표면에 존재하는 이물질의 제거이다. 이물질의 구체예는, 잔류물이나 막이다. 막의 제거는, 막의 박리여도 되고, 막의 일부의 에칭이어도 된다. 막의 하나의 예는, 레지스트막이다.As in the case of the foregoing embodiment, one example of processing for the substrate is removal of foreign matter present on the surface of the substrate. Specific examples of the foreign matter are residues and films. Film removal may be film peeling or partial etching of the film. One example of the film is a resist film.

이 발명의 일 실시형태는, 과산화수소수 및 증점제를 포함하는 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하는 제 1 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액이 도포된 상기 기판의 표면에, 황산을 포함하는 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급 공정과, 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 표면에서 혼합되어 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액으로 상기 기판의 표면을 처리하는 혼합액 처리 공정과, 상기 혼합액 처리 공정의 후, 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 황산 과산화수소수 혼합액을 상기 기판의 표면으로부터 씻어내는 린스 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention, a first treatment liquid supply step of applying a first treatment liquid containing hydrogen peroxide and a thickener to the surface of a substrate, and sulfuric acid to the surface of the substrate coated with the first treatment liquid a second treatment liquid supplying step of supplying a second treatment liquid comprising: treating the surface of the substrate with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide generated by mixing the first treatment liquid and the second treatment liquid on the surface of the substrate; A substrate processing method comprising a mixed solution treatment step and a rinse step of supplying a rinse solution to the substrate to wash the sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture solution from the surface of the substrate after the mixed solution treatment step.

이 방법에 의하면, 과산화수소수는 증점제를 포함하는 제 1 처리액의 형태로 기판의 표면에 도포되므로, 과산화수소수의 소비량을 억제하면서, 기판의 표면에 과산화수소수를 널리 퍼지게 하고, 또한 밀착시킬 수 있다. 이 제 1 처리액 (과산화수소수) 이 도포된 기판의 표면에 황산을 포함하는 제 2 처리액이 공급된다. 그것에 의해, 기판의 표면에 있어서, 과산화수소수 및 황산이 혼합되어, 황산 과산화수소수 혼합액이 생성된다. 제 1 처리액이 기판 표면에 균일하게 널리 퍼져 밀착되어 있기 때문에, 기판의 표면에 황산 과산화수소수 혼합액을 빠짐없이 균일하게 널리 퍼지게 할 수 있다. 그리고, 황산 및 과산화수소수가 기판 상에서 혼합되기 때문에, 그 혼합시의 반응에 의해 발생하는 발열을 유효하게 이용하여, 기판의 표면을 처리할 수 있다. 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 처리 후에는, 기판의 표면에 린스액을 공급하여 황산 과산화수소수 혼합액을 씻어내고, 처리를 정지시킬 수 있다.According to this method, since the hydrogen peroxide solution is applied to the surface of the substrate in the form of the first treatment liquid containing a thickener, the hydrogen peroxide solution can be spread widely on the surface of the substrate and adhered to it while suppressing the consumption of the hydrogen peroxide solution. . A second treatment liquid containing sulfuric acid is supplied to the surface of the substrate coated with the first treatment liquid (hydrogen peroxide solution). As a result, on the surface of the substrate, the hydrogen peroxide solution and sulfuric acid are mixed, and a sulfuric acid and hydrogen peroxide solution mixture is generated. Since the first treatment liquid is uniformly spread and adhered to the surface of the substrate, the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide can be uniformly spread all over the surface of the substrate. And, since sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed on the substrate, the surface of the substrate can be treated by effectively utilizing the heat generated by the reaction during the mixing. After the treatment with the sulfuric acid-hydrogen-peroxide solution mixture, a rinsing solution is supplied to the surface of the substrate to wash away the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture, and the treatment can be stopped.

전술한 실시형태의 경우와 동일하게, 기판에 대한 처리의 일례는, 기판의 표면에 존재하는 이물질의 제거이다. 이물질의 구체예는, 잔류물이나 막이다. 막의 제거는, 막의 박리여도 되고, 막의 일부의 에칭이어도 된다. 막의 하나의 예는, 레지스트막이다.As in the case of the foregoing embodiment, one example of processing for the substrate is removal of foreign matter present on the surface of the substrate. Specific examples of the foreign matter are residues and films. Film removal may be film peeling or partial etching of the film. One example of the film is a resist film.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 증점제가, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산나트륨, 폴리아크릴산암모늄, 가교형 폴리아크릴산, 가교형 폴리아크릴산나트륨, 가교형 아크릴계 폴리머, 및 카르복실산계 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the thickener is polyvinylpyrrolidone, polyacrylic acid, sodium polyacrylate, ammonium polyacrylate, crosslinked polyacrylic acid, crosslinked sodium polyacrylate, crosslinked acrylic polymer, and carboxylic acid copolymer. It contains at least 1 sort(s) selected from the group which consists of coalescence.

증점제는, 예를 들어, 기판의 표면에 공급될 때의 제 1 처리액의 온도에 있어서, 제 1 처리액의 점도를 소요의 값 이상으로 유지할 수 있는 내열성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이 경우의 소요의 값이란, 기판의 표면에 빠짐없이 균일하게 제 1 처리액을 도포할 수 있고, 또한 그 도포 상태를 적어도 일정 시간 유지할 수 있는 값이며, 예를 들어, 30 mPa·s ∼ 3000 Pa·s 의 범위가 바람직하다. 증점제는, 혼합액 처리 공정에 있어서의 황산 과산화수소수 혼합액의 온도에 있어서, 당해 혼합액의 점도를 소요의 값 이상으로 유지할 수 있는 내열성을 갖고 있으면 더욱 바람직하다. 이 경우의 소요의 값이란, 기판의 표면에 빠짐없이 황산 과산화수소수 혼합액이 퍼진 상태를 적어도 일정 시간 유지할 수 있는 값이며, 예를 들어, 30 mPa·s ∼ 3000 Pa·s 의 범위가 바람직하다.The thickener preferably has heat resistance capable of maintaining the viscosity of the first treatment liquid above a required value at the temperature of the first treatment liquid when it is supplied to the surface of the substrate, for example. The required value in this case is a value capable of uniformly applying the first treatment liquid to the surface of the substrate and maintaining the applied state for at least a certain period of time, for example, 30 mPa s to 3000 The range of Pa·s is preferable. The thickener is more preferable if it has heat resistance capable of maintaining the viscosity of the mixed solution above a required value at the temperature of the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide in the mixed solution treatment step. The required value in this case is a value capable of maintaining a state in which the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide is spread all over the surface of the substrate for at least a certain period of time, and is preferably in the range of, for example, 30 mPa·s to 3000 Pa·s.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 2 처리액이 증점제를 포함하지 않는다. 제 2 처리액이 증점제를 포함하지 않음으로써, 점도가 낮은 상태에서 제 2 처리액을 기판의 표면에 공급할 수 있다. 그것에 의해, 기판 상에 있어서, 제 1 처리액과 제 2 처리액의 혼합을 촉진시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second treatment liquid does not contain a thickener. Since the second treatment liquid does not contain a thickener, the second treatment liquid can be supplied to the surface of the substrate in a low viscosity state. Accordingly, mixing of the first processing liquid and the second processing liquid can be promoted on the substrate.

제 1 처리액에 증점제가 포함되어 있는 경우에는, 그 증점제는, 기판 상에서 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액 중에 존재하고, 그 점도를 높인다. 따라서, 기판의 표면에 빠짐없이 황산 과산화수소수 혼합액을 밀착시킨 상태에서, 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 처리를 진행시킬 수 있다. 그것에 의해, 기판 표면에 대하여 균일한 처리를 실시할 수 있다.When the first treatment liquid contains a thickener, the thickener is present in the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution generated on the substrate and increases its viscosity. Therefore, the treatment with the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture can proceed in a state where the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture is in close contact with the surface of the substrate. Thereby, uniform treatment can be performed on the surface of the substrate.

제 2 처리액의 소비량을 저감시키기 위해, 제 2 처리액에 증점제가 포함되어 있어도 된다. 단, 그 함유량은, 제 1 처리액과의 혼합을 저해하지 않을 정도에 그치는 것이 바람직하다.In order to reduce the consumption of the second treatment liquid, a thickener may be included in the second treatment liquid. However, the content thereof is preferably limited to a level that does not impede mixing with the first treatment liquid.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 1 처리액 공급 공정에 있어서, 상기 제 1 처리액이 상기 기판의 표면에 도포되어, 상기 기판의 표면의 전역을 덮는 상기 제 1 처리액의 도포막이 형성된다.In one embodiment of the present invention, in the step of supplying the first treatment liquid, the first treatment liquid is applied to the surface of the substrate to form a coating film of the first treatment liquid covering the entire surface of the substrate. .

이 방법에서는, 제 1 처리액의 도포막 (예를 들어 겔상 도포막) 이 기판 표면의 전역을 덮으므로, 기판 표면의 전역에 제 1 처리액을 밀착시킬 수 있다. 따라서, 제 1 처리액 및 제 2 처리액이 혼합되어 생기는 황산 과산화수소수 혼합액을 기판의 표면의 전역에 밀착시킬 수 있어, 기판의 표면 전역을 균일하게 처리할 수 있다.In this method, since the coating film of the first treatment liquid (for example, a gel-like coating film) covers the entire surface of the substrate, the first treatment liquid can be adhered to the entire surface of the substrate. Therefore, the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution obtained by mixing the first treatment liquid and the second treatment liquid can adhere to the entire surface of the substrate, so that the entire surface of the substrate can be treated uniformly.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 2 처리액 공급 공정에 있어서, 상기 제 1 처리액의 도포막의 표면에 상기 제 2 처리액이 공급된다. 이 방법에서는, 제 1 처리액의 도포막이 기판의 표면에 형성되고, 그 도포막의 표면에 제 2 처리액이 공급된다. 따라서, 제 2 처리액에 의한 유동에 의해 제 1 처리액이 기판 밖으로 취거되는 것을 억제할 수 있으므로, 제 1 처리액의 소비량을 저감시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the second treatment liquid supply step, the second treatment liquid is supplied to the surface of the coating film of the first treatment liquid. In this method, a coating film of the first processing liquid is formed on the surface of the substrate, and the second processing liquid is supplied to the surface of the coating film. Therefore, it is possible to suppress the first processing liquid from being taken out of the substrate by the flow of the second processing liquid, and thus the consumption of the first processing liquid can be reduced.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 2 처리액 공급 공정은, 상기 기판의 표면에 대한 상기 제 1 처리액의 공급을 정지시킨 상태에서 개시된다.In one embodiment of the present invention, the step of supplying the second processing liquid is started in a state where the supply of the first processing liquid to the surface of the substrate is stopped.

이 방법에서는, 제 1 처리액의 공급 (보다 구체적으로는 신액 (新液) 의 공급) 을 정지시키고, 제 2 처리액의 공급이 개시된다. 따라서, 저점도의 제 2 처리액에 의한 유동에 의해 제 1 처리액이 기판 밖으로 취거되는 것을 억제할 수 있으므로, 제 1 처리액의 소비량을 저감시킬 수 있다.In this method, the supply of the first treatment liquid (more specifically, the supply of the new liquid) is stopped, and the supply of the second treatment liquid is started. Therefore, it is possible to suppress the first processing liquid from being taken out of the substrate by the flow of the low-viscosity second processing liquid, thereby reducing the consumption of the first processing liquid.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 혼합액 처리 공정의 적어도 일부의 기간이, 상기 제 2 처리액 공급 공정의 적어도 일부의 기간과 중복되고 있다.In one embodiment of the present invention, at least a part of the period of the mixed liquid treatment step overlaps with at least a part of the period of the second treatment liquid supply step.

기판의 표면에 제 1 처리액이 존재하고 있는 상태에서 제 2 처리액을 기판의 표면에 공급함으로써, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 혼합이 시작된다. 따라서, 제 2 처리액 공급 공정의 실행 중에 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 기판 표면의 처리가 시작되는 경우가 있다.Mixing of the first processing liquid and the second processing liquid is started by supplying the second processing liquid to the surface of the substrate in a state where the first processing liquid exists on the surface of the substrate. Therefore, in some cases, the treatment of the surface of the substrate with the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture is started during the execution of the second treatment solution supplying step.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 혼합액 처리 공정의 적어도 일부의 기간에 있어서, 상기 기판의 표면에 대한 상기 제 2 처리액의 공급이 정지되고 있다.In one embodiment of the present invention, supply of the second processing liquid to the surface of the substrate is stopped during at least a part of the mixed liquid processing step.

이 방법에서는, 제 2 처리액의 공급 (구체적으로는 신액의 공급) 을 정지시킨 상태에서, 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 기판 표면의 처리가 실시되는 기간이 존재한다.In this method, there is a period in which the substrate surface is treated with the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture while the supply of the second treatment liquid (specifically, the supply of the new liquid) is stopped.

예를 들어, 기판의 표면을 상방을 향하게 하여 수평하게 유지한 상태에서, 제 1 처리액의 도포막이 형성된 기판의 표면에 제 2 처리액을 공급하고, 그 공급을 정지시킴으로써, 기판의 표면에 황산 과산화수소수 혼합액의 액막이 담지된 패들 상태로 할 수 있다. 이 패들 상태를 유지함으로써, 제 1 처리액 및 제 2 처리액을 공급하지 않고, 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 기판 처리를 진행시킬 수 있다. 이와 같은 패들 처리 기간 중에, 필요에 따라, 제 1 처리액 및 제 2 처리액 중 일방 또는 양방을 기판의 표면에 보충해도 된다.For example, while the surface of the substrate is held horizontally upward, the second processing liquid is supplied to the surface of the substrate on which the coating film of the first processing liquid has been formed, and the supply is stopped so that sulfuric acid is formed on the surface of the substrate. It can be set as a paddle state on which a liquid film of a mixed liquid of hydrogen peroxide is supported. By maintaining this paddle state, it is possible to process the substrate with the sulfuric acid-hydrogen peroxide solution mixture without supplying the first processing liquid and the second processing liquid. During the paddle processing period, one or both of the first processing liquid and the second processing liquid may be replenished to the surface of the substrate, if necessary.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 1 처리액 공급 공정과 상기 제 2 처리액 공급 공정이, 교대로 반복하여 실행된다. 이 방법에 의해, 제 1 처리액 및 제 2 처리액을 필요에 따라 반복하여 교대로 공급하면서, 황산 과산화수소수 혼합액에 의한 처리를 기판 상에서 진행시킬 수 있다. 따라서, 기판의 표면을 처리 부족이 없도록 충분히 처리할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first treatment liquid supply process and the second treatment liquid supply process are alternately and repeatedly performed. With this method, the treatment with the sulfuric acid-hydrogen-peroxide solution mixture can be performed on the substrate while the first treatment liquid and the second treatment liquid are supplied alternately and repeatedly as needed. Therefore, the surface of the substrate can be sufficiently treated so that there is no shortage of treatment.

제 2 처리액 공급 공정의 후, 다시 제 1 처리액 공급 공정을 실시할 때에, 그것들의 사이에 별도의 공정이 개재되어도 된다. 즉, 제 2 처리액 공급 공정의 후, 제 1 처리액도 제 2 처리액도 공급하지 않고 실시하는 혼합액 처리 공정의 후에, 제 1 처리액을 공급해도 된다. 또, 상기 린스 공정을 실시한 후, 제 1 처리액 공급 공정을 실시해도 된다.When the first processing liquid supplying process is performed again after the second processing liquid supplying process, another process may be interposed therebetween. That is, the first treatment liquid may be supplied after the mixed liquid treatment step performed without supplying either the first treatment liquid or the second treatment liquid after the second treatment liquid supply step. Further, after the rinsing step is performed, the first treatment liquid supply step may be performed.

이 발명의 일 실시형태는, 전술한 바와 같은 기판 처리 방법을 실시하기 위한 기판 처리 장치를 제공한다. 이 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지 수단 (기판 홀더) 과, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 상기 제 1 처리액을 공급하는 제 1 처리액 노즐과, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 노즐과, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 상기 린스액을 공급하는 린스액 노즐과, 제어 수단 (컨트롤러) 을 포함한다. 상기 제어 수단은, 상기 제 1 처리액 노즐로부터의 상기 제 1 처리액의 공급을 제어하며 상기 제 1 처리액 공급 공정을 실행하고, 상기 제 2 처리액 노즐로부터의 상기 제 2 처리액의 공급을 제어하며 상기 제 2 처리액 공급 공정을 실행하고, 상기 린스액 노즐로부터의 상기 린스액의 공급을 제어하며 상기 린스 공정을 실행한다.One embodiment of this invention provides a substrate processing apparatus for carrying out the substrate processing method as described above. This substrate processing apparatus includes a substrate holding means (substrate holder) holding a substrate, a first processing liquid nozzle supplying the first processing liquid to the substrate held by the substrate holding means, and a substrate holding means holding the substrate. and a second processing liquid nozzle for supplying the second processing liquid to a substrate, a rinse liquid nozzle for supplying the rinsing liquid to the substrate held in the substrate holding unit, and a control unit (controller). The control unit controls the supply of the first processing liquid from the first processing liquid nozzle to execute the first processing liquid supply step, and controls the supply of the second processing liquid from the second processing liquid nozzle. The second processing liquid supplying process is executed while controlling, and the rinsing process is executed while controlling the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle.

이 구성에 의해, 전술한 기판 처리 방법을 실시할 수 있다. 따라서, 기판의 표면에 대하여 균일한 처리를 실시할 수 있고, 또한 처리액의 소비량을 저감시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.With this configuration, the substrate processing method described above can be implemented. Therefore, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly processing the surface of the substrate and reducing the consumption of the processing liquid.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 유지 수단은, 기판의 표면을 상방 을 향하게 하여 수평하게 유지하며 회전하는 스핀 척을 포함한다. 이 경우, 상기 제어 수단은, 상기 제 1 처리액 공급 공정에 있어서, 상기 제 1 처리액 노즐로부터의 상기 제 1 처리액의 공급, 및 상기 스핀 척의 회전을 제어하며, 상기 기판의 표면에 상기 제 1 처리액을 스핀 코트하는 것이 바람직하다.In one embodiment of the present invention, the substrate holding means includes a spin chuck that rotates while holding the surface of the substrate upward and horizontally. In this case, the control unit controls the supply of the first processing liquid from the first processing liquid nozzle and the rotation of the spin chuck in the first processing liquid supplying step, and controls the rotation of the spin chuck so that the first processing liquid is applied to the surface of the substrate. 1 It is preferable to spin-coat the treatment liquid.

이 구성에 의해, 이른바 스핀 코트에 의해, 기판의 표면에 제 1 처리액을 도포할 수 있다. 그것에 의해, 소량의 제 1 처리액을 기판의 표면에 균일하게 펴바를 수 있으므로, 제 1 처리액의 소비량을 저감시키면서, 기판의 표면을 균일하게 처리할 수 있다.With this configuration, the first processing liquid can be applied to the surface of the substrate by so-called spin coating. Accordingly, since a small amount of the first treatment liquid can be evenly spread on the surface of the substrate, the surface of the substrate can be uniformly treated while reducing the consumption of the first treatment liquid.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리 위치와, 상기 처리 위치로부터 퇴피한 대기 위치의 사이에서, 상기 제 1 처리액 노즐을 이동시키는 노즐 이동 유닛과, 상기 대기 위치에 있어서 상기 제 1 처리액 노즐의 토출구를 노즐 세정액 중에 침지시키는 세정 포트를 추가로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus may include the first processing liquid between a processing position for supplying the processing liquid to the substrate held by the substrate holding means and a standby position retracted from the processing position. It further includes a nozzle moving unit that moves the nozzle, and a cleaning port that immerses the discharge port of the first treatment liquid nozzle in the nozzle cleaning liquid in the standby position.

이 구성에 의하면, 제 1 처리액 노즐이 사용되고 있지 않을 때에, 제 1 처리액의 대기 위치에서 토출구를 세정할 수 있다. 그것에 의해, 고점도의 제 1 처리액에 의한 토출구의 막힘을 억제 또는 방지할 수 있다.According to this configuration, when the first treatment liquid nozzle is not in use, the discharge port can be cleaned at the standby position of the first treatment liquid. Accordingly, clogging of the discharge port by the high-viscosity first treatment liquid can be suppressed or prevented.

본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음으로 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.The above-mentioned or another objective, characteristic, and effect in this invention becomes clear by description of embodiment described next with reference to an accompanying drawing.

도 1A ∼ 도 1E 는, 이 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 1F ∼ 도 1H 는, 상기 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 2A ∼ 도 2D 는, 주요한 공정에 있어서의 기판 표면의 상태의 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3 은, 전술한 바와 같은 기판 처리 방법을 실행하기 위한 기판 처리 장치의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 4 는, 제 1 처리액 공급원의 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 는, 제 2 처리액 공급원의 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은, 상기 기판 처리 장치의 각 부의 제어에 관한 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7 은, 제 1 처리액 공급원의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 은, 이 발명의 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다.1A to 1E are process charts for explaining a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
1F to 1H are process charts for explaining the substrate processing method.
2A to 2D are schematic cross-sectional views for explaining examples of states of the substrate surface in major steps.
3 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a substrate processing apparatus for executing the substrate processing method as described above.
4 is a diagram for explaining a configuration example of a first processing liquid supply source.
5 is a diagram for explaining a configuration example of a second processing liquid supply source.
6 is a block diagram for explaining a configuration related to control of each unit of the substrate processing apparatus.
7 is a diagram for explaining another configuration example of the first processing liquid supply source.
8 is a process chart for explaining a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention.

도 1A ∼ 도 1H 는, 이 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 이 기판 처리 방법은, 제 1 처리액 도포 공정 S1 (제 1 처리액 공급 공정, 도 1A - 도 1B), 제 2 처리액 공급 공정 S2 (도 1C), 혼합액 처리 공정 S3 (도 1C - 도 1D), 린스 공정 S4 (도 1E), 잔류물 제거 공정 S5 (도 1F - 도 1G) 및 건조 공정 S6 (도 1H) 을 포함한다. 처리 대상의 기판 (W) 은, 표면 (이 실시형태에서는 상면) 에 레지스트막 (도시 생략) 이 형성된 기판이다. 기판 (W) 은, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판일 수 있다. 레지스트막은, 전형적으로는, 드라이 에칭을 위한 마스크로서 사용된 후의 레지스트막이다. 이 실시형태의 기판 처리 방법은, 기판 (W) 의 표면의 레지스트막을 박리하는 레지스트 박리 처리를 실시한다. 보다 구체적으로는, 황산 과산화수소수 혼합액 (SPM : Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture) 에 의해, 기판 (W) 의 표면으로부터 레지스트를 박리하여 제거한다.1A to 1H are process charts for explaining a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. This substrate processing method includes a first treatment liquid application step S1 (first treatment solution supply step, Fig. 1A to Fig. 1B), a second treatment solution supply step S2 (Fig. 1C), and a mixed solution treatment step S3 (Fig. 1C to Fig. 1D). ), rinsing step S4 (Fig. 1E), residue removal step S5 (Fig. 1F-Fig. 1G) and drying step S6 (Fig. 1H). The substrate W to be processed is a substrate having a resist film (not shown) formed on its surface (upper surface in this embodiment). The substrate W may be a semiconductor substrate or a substrate for a liquid crystal display device. The resist film is typically a resist film after being used as a mask for dry etching. In the substrate processing method of this embodiment, a resist stripping treatment for stripping the resist film on the surface of the substrate W is performed. More specifically, the resist is peeled off and removed from the surface of the substrate W with a sulfuric acid hydrogen peroxide mixture (SPM).

표면에 레지스트막이 형성된 기판 (W) 이 처리 챔버 (1) (도 3 참조) 에 반입되고, 그 기판 (W) 은, 스핀 척 (5) 에 의해 유지된다. 그것에 의해, 기판 (W) 은, 스핀 척 (5) 에 의해 수평 자세로 유지되고, 그 상태에서, 중앙부를 통과하는 연직의 회전 축선 (A) 둘레로 회전된다. 기판 (W) 은, 레지스트막이 형성된 기판 (W) 의 표면을 상향으로 한 자세로, 스핀 척 (5) 에 유지된다.A substrate W having a resist film formed thereon is carried into the processing chamber 1 (see FIG. 3 ), and the substrate W is held by a spin chuck 5 . Thereby, the substrate W is held in a horizontal posture by the spin chuck 5 and, in that state, is rotated around the vertical axis of rotation A passing through the central portion. The substrate W is held by the spin chuck 5 in an orientation with the surface of the substrate W on which the resist film is formed facing upward.

제 1 처리액 도포 공정 S1 은, 스핀 척 (5) 에 의해 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 의 표면 (상면) 에 제 1 처리액 (L1) 을 공급하고, 그 제 1 처리액 (L1) 을 기판 (W) 의 표면에 도포 (이른바 스핀 코트) 하는 공정이다. 제 1 처리액 (L1) 은, 이 실시형태에서는, SPM 의 원료인 황산 및 과산화수소수 중 일방을 포함하고, 그 타방은 포함하지 않는다. 이 실시형태에서는, 제 1 처리액 (L1) 은, 추가로 증점제 (고점도화제) 를 포함하는 고점도의 처리액이다.In the first processing liquid application step S1, the first processing liquid L1 is supplied to the surface (upper surface) of the substrate W while the substrate W is rotated by the spin chuck 5. This is a step of applying (L1) to the surface of the substrate W (so-called spin coating). In this embodiment, the first treatment liquid L1 contains one of sulfuric acid and hydrogen peroxide, which are raw materials of SPM, and does not contain the other. In this embodiment, the first treatment liquid (L1) is a high-viscosity treatment liquid that further contains a thickener (high viscosity agent).

제 1 처리액 도포 공정 S1 에 있어서, 도 1A 에 나타내는 바와 같이, 제 1 처리액 노즐 (N1) 로부터 기판 (W) 의 중앙 부근에 제 1 처리액 (L1) 을 소정 공급량만큼 공급한다. 소정 공급량만큼 공급된 후에는, 제 1 처리액 노즐 (N1) 로부터의 제 1 처리액 (L1) 의 공급은 정지된다. 기판 (W) 의 표면에 공급된 제 1 처리액 (L1) 은, 기판 (W) 의 회전에 수반되는 원심력에 의해 기판 (W) 의 표면에서 둘레 가장자리부를 향하여 퍼진다. 그것에 의해, 도 1B 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 표면 (상면) 의 전역을 덮는 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 을 형성할 수 있다. 제 1 처리액 (L1) 의 소정 공급량은, 기판 (W) 의 회전에 의해, 기판 (W) 의 표면 (상면) 의 전역을 덮는 도포막 (F1) 을 형성하기에 충분한 양으로 정해진다. 그 소정 공급량은, 또한, 기판 (W) 의 표면 (상면) 의 전역을 덮는 도포막 (F1) 을 형성하는 데에 필요한 양으로 정해지는 것이 바람직하고, 그것에 의해, 제 1 처리액 (L1) 의 소비량을 최소한으로 할 수 있다.In the first processing liquid application step S1, as shown in FIG. 1A, the first processing liquid L1 is supplied from the first processing liquid nozzle N1 to the vicinity of the center of the substrate W by a predetermined supply amount. After a predetermined supply amount has been supplied, the supply of the first processing liquid L1 from the first processing liquid nozzle N1 is stopped. The first treatment liquid L1 supplied to the surface of the substrate W spreads from the surface of the substrate W toward the periphery due to the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W. Thereby, as shown in FIG. 1B, the coating film F1 of the first treatment liquid L1 covering the entire surface (upper surface) of the substrate W can be formed. The predetermined supply amount of the first processing liquid L1 is determined to be an amount sufficient to form the coating film F1 covering the entire surface (upper surface) of the substrate W by rotation of the substrate W. The predetermined supply amount is also preferably determined as an amount necessary for forming the coating film F1 covering the entire surface (upper surface) of the substrate W, and thereby the first treatment liquid L1 consumption can be kept to a minimum.

제 2 처리액 공급 공정 S2 는, 제 1 처리액 도포 공정 S1 의 후에 실시된다. 즉, 기판 (W) 의 표면 (상면) 의 전역에 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 이 형성된 상태에서 개시된다. 제 2 처리액 (L2) 은, 이 실시형태에서는, SPM 의 원료인 황산 및 과산화수소수 중, 제 1 처리액 (L1) 에 포함되어 있지 않은 상기 타방을 포함하고, 제 1 처리액 (L1) 에 포함되어 있는 상기 일방을 포함하지 않는다. 제 2 처리액 (L2) 은, 바람직하게는, 제 1 처리액 (L1) 보다 점도가 낮은 저점도의 처리액이다. 제 2 처리액 (L2) 은 증점제를 포함하지 않는 것이 바람직하지만, 필요에 따라 미량의 증점제가 포함되어 있어도 된다.The second treatment liquid supply step S2 is performed after the first treatment liquid application step S1. That is, the process starts in a state where the coating film F1 of the first treatment liquid L1 is formed over the entire surface (upper surface) of the substrate W. In this embodiment, the second treatment liquid L2 contains the other of sulfuric acid and hydrogen peroxide, which are raw materials of SPM, which are not included in the first treatment liquid L1, and It does not include the said one which is included. The second treatment liquid (L2) is preferably a low-viscosity treatment liquid having a viscosity lower than that of the first treatment liquid (L1). The second treatment liquid (L2) preferably does not contain a thickener, but may contain a small amount of a thickener if necessary.

제 2 처리액 공급 공정 S2 에서는, 도 1C 에 나타내는 바와 같이, 스핀 척 (5) 에 의해 기판 (W) 을 회전 축선 (A) 둘레로 회전시키면서, 기판 (W) 의 표면 (상면) 의 전역에 형성된 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 상에, 제 2 처리액 노즐 (N2) 로부터 제 2 처리액 (L2) 을 공급한다. 이 공급은, 소정 유량으로의 연속 공급이어도 된다. 제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 도 1C 에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리액 (L2) 을 기둥상의 연속류의 형태로 토출하는 스트레이트 노즐이어도 된다. 또, 제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 콘상의 프로파일을 이루도록 제 2 처리액 (L2) 을 분무하는 스프레이 노즐이어도 된다. 또, 제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 제 2 처리액 공급 공정 S2 중에, 기판 (W) 상에서의 착액 위치가 실질적으로 일정 위치 (예를 들어 회전 축선 (A) 상) 로 유지되는 고정식 토출을 실시해도 되고, 제 2 처리액 공급 공정 S2 중에 기판 (W) 상의 착액 위치가 이동하는 이동식 토출을 실시해도 된다. 이동식 토출의 경우에는, 제 2 처리액 노즐 (N2) 로부터 토출되는 제 2 처리액 (L2) 의 착액 위치가 기판 (W) 의 표면 상에서, 회전 중심으로부터 둘레 가장가리부까지의 범위에서 이동하고, 그것에 의해, 착액 위치가 기판 (W) 의 표면을 스캔하는 것이 바람직하다. 제 2 처리액 공급 공정 S2 는, 소정 시간에 걸쳐서 실시된다.In the second processing liquid supply step S2, as shown in FIG. 1C, while the substrate W is rotated around the rotational axis A by the spin chuck 5, the entire surface (upper surface) of the substrate W is The second processing liquid L2 is supplied from the second processing liquid nozzle N2 onto the formed coating film F1 of the first processing liquid L1. This supply may be continuous supply at a predetermined flow rate. As shown in FIG. 1C , the second processing liquid nozzle N2 may be a straight nozzle that discharges the second processing liquid L2 in a columnar continuous flow. Also, the second processing liquid nozzle N2 may be a spray nozzle that sprays the second processing liquid L2 so as to form a cone-shaped profile. In addition, the second processing liquid nozzle N2 is a fixed discharge type in which the liquid landing position on the substrate W is maintained at a substantially constant position (eg, on the rotational axis A) during the second processing liquid supply step S2. may be performed, or movable discharge may be performed in which the position of the liquid landing on the substrate W moves during the second treatment liquid supply step S2. In the case of movable discharge, the landing position of the second treatment liquid L2 discharged from the second treatment liquid nozzle N2 moves on the surface of the substrate W in a range from the center of rotation to the periphery; Thereby, it is preferable that the liquid landing position scans the surface of the substrate W. The second processing liquid supply step S2 is performed over a predetermined period of time.

혼합액 처리 공정 S3 은, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 이 기판 (W) 상에서 혼합되어 생기는 혼합액, 즉, SPM 에 의해, 기판 (W) 의 표면의 레지스트막을 박리하는 공정이다. 구체적으로는, 황산 및 과산화수소수가 기판 (W) 상에서 혼합되어 발열 반응을 일으키면서 SPM 이 되고, 그 SPM 이 기판 (W) 의 표면의 레지스트막을 부식시킨다. 제 2 처리액 (L2) 의 공급이 개시되면, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 의 혼합이 시작되므로, 제 2 처리액 공급 공정 S2 의 적어도 일부의 기간은, 혼합액 처리 공정 S3 의 적어도 일부의 기간과 중복되고 있어도 된다 (도 1C 참조).The mixed liquid treatment step S3 is a process of peeling off the resist film on the surface of the substrate W with the mixed liquid formed by mixing the first treatment liquid L1 and the second treatment liquid L2 on the substrate W, that is, SPM. to be. Specifically, sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed on the substrate W to generate SPM while generating an exothermic reaction, and the SPM corrodes the resist film on the surface of the substrate W. When the supply of the second processing liquid L2 is started, mixing of the first processing liquid L1 and the second processing liquid L2 starts, so at least part of the period of the second processing liquid supply step S2 is mixed liquid processing. It may overlap with at least a part of the period of process S3 (refer FIG. 1C).

제 2 처리액 공급 공정 S2 의 후에도, 즉, 제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시킨 후에도, 도 1D 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 표면에서는, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 의 혼합 반응 (SPM 반응) 이 진행되고, 또한 SPM 에 의한 레지스트막의 부식이 진행된다. 제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시킨 후에는, 기판 (W) 의 회전을 정지시켜도 되고, 기판 (W) 상에 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 그리고 그것들이 혼합되어 생기는 SPM 을 유지할 수 있을 정도의 저속으로 기판 (W) 을 회전시켜도 된다 (도 1D 참조). 이로써, 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 상에 제 2 처리액 (L2) 이 담지된 패들 상태가 된다. 따라서, 그것들이 혼합되어 생기는 SPM 이 기판 (W) 상에 담지된 패들 상태가 된다. 그 패들 상태가 유지됨으로써, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 중 어느 것도 공급하지 않고, SPM 에 의한 레지스트 부식 처리를 진행시킬 수 있다.Even after the second processing liquid supply step S2, that is, even after the supply of the second processing liquid L2 is stopped, as shown in FIG. 1D, on the surface of the substrate W, the first processing liquid L1 and the second processing liquid L2 are 2 A mixing reaction (SPM reaction) of the treatment liquid L2 proceeds, and further, corrosion of the resist film by SPM proceeds. After stopping the supply of the second processing liquid (L2), the rotation of the substrate (W) may be stopped, and the first processing liquid (L1) and the second processing liquid (L2) are deposited on the substrate (W). The substrate W may be rotated at a speed low enough to maintain the SPM generated by mixing (see Fig. 1D). Thereby, the paddle state in which the second treatment liquid L2 is supported on the coating film F1 of the first treatment liquid L1 is obtained. Therefore, the SPM produced by mixing them becomes a paddle state supported on the substrate W. By maintaining the paddle state, the resist corrosion treatment by SPM can proceed without supplying either the first treatment liquid L1 or the second treatment liquid L2.

제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시킨 후의 혼합액 처리 공정 S3 에 있어서, 필요에 따라, 제 1 처리액 노즐 (N1) 로부터 제 1 처리액 (L1) 을 기판 (W) 의 표면에 보충해도 되고, 제 2 처리액 노즐 (N2) 로부터 제 2 처리액 (L2) 을 기판 (W) 의 표면에 보충해도 된다. 필요에 따라, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 중 일방만을 보충해도 되고, 양방을 보충해도 된다. 또, 제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시키지 않고, 혼합액 처리 공정 S3 의 전체 기간에 있어서, 제 2 처리액 (L2) 의 공급이 계속되어도 된다.In the mixed liquid treatment step S3 after stopping the supply of the second treatment liquid L2, the first treatment liquid L1 may be supplied to the surface of the substrate W from the first treatment liquid nozzle N1 as necessary. Alternatively, the surface of the substrate W may be replenished with the second processing liquid L2 from the second processing liquid nozzle N2. If necessary, only one of the first treatment liquid (L1) and the second treatment liquid (L2) may be replenished, or both may be replenished. In addition, the supply of the second treatment liquid L2 may be continued for the entire period of the mixed liquid treatment step S3 without stopping the supply of the second treatment liquid L2.

린스 공정 S4 는, 혼합액 처리 공정 S3 에 의해 기판 (W) 상의 레지스트막을 충분히 부식시킨 후에 실시된다. 구체적으로는, 도 1E 에 나타내는 바와 같이, 스핀 척 (5) 에 의해 기판 (W) 을 회전시키면서, 린스액 노즐 (NR) 로부터, 순수 (탈이온수), 탄산수 등의 린스액 (R) 이 공급되고, 기판 (W) 상에서 부식된 레지스트막 및 SPM 이 기판 (W) 의 표면 밖으로 씻어내어진다. 기판 (W) 은, 혼합액 처리 공정 S3 의 때보다 고속으로 회전되어, 원심력을 이용하여, 회전 중심으로부터 둘레 가장자리를 향하는 린스액 (R) 의 흐름을 기판 (W) 의 표면에 형성하는 것이 바람직하다.The rinse step S4 is performed after the resist film on the substrate W is sufficiently eroded by the mixed liquid treatment step S3. Specifically, as shown in FIG. 1E, a rinse liquid R such as pure water (deionized water) or carbonated water is supplied from the rinse liquid nozzle NR while the substrate W is rotated by the spin chuck 5. and the resist film and SPM corroded on the substrate W are washed out of the surface of the substrate W. Preferably, the substrate W is rotated at a higher speed than in the mixed liquid treatment step S3, and a flow of the rinse liquid R from the center of rotation toward the periphery is formed on the surface of the substrate W using centrifugal force. .

제 1 처리액 도포 공정 S1, 제 2 처리액 공급 공정 S2, 혼합액 처리 공정 S3 및 린스 공정 S4 는, 순환적으로 복수 회 반복하여 실시되어도 된다. 즉, 린스 공정 S4 의 후, 다시 제 1 처리액 도포 공정 S1, 제 2 처리액 공급 공정 S2, 혼합액 처리 공정 S3 및 린스 공정 S4 를 실시해도 된다. 이 경우, 2 회째 이후의 제 1 처리액 도포 공정 S1 에서 공급하는 제 1 처리액의 점도는, 1 회째의 제 1 처리액 도포 공정 S1 에서 사용하는 제 1 처리액의 점도보다 작아도 된다.The first treatment liquid applying step S1, the second treatment liquid supplying step S2, the mixed liquid treatment step S3, and the rinsing step S4 may be cyclically repeated a plurality of times. That is, after the rinse step S4, the first treatment liquid application step S1, the second treatment solution supply step S2, the mixed solution treatment step S3, and the rinse step S4 may be performed again. In this case, the viscosity of the first treatment liquid supplied in the second and subsequent first treatment liquid application step S1 may be smaller than the viscosity of the first treatment liquid used in the first treatment liquid application step S1.

또, 제 1 처리액 도포 공정 S1, 제 2 처리액 공급 공정 S2 및 혼합액 처리 공정 S3 을 순환적으로 복수 회 반복하여 실시해도 된다. 그리고, 소정 횟수의 반복 후에 린스 공정 S4 를 실시해도 된다. 이 경우, 2 회째 이후의 제 1 처리액 도포 공정 S1 에서 공급하는 제 1 처리액의 점도는, 1 회째의 제 1 처리액 도포 공정 S1 에서 사용하는 제 1 처리액의 점도보다 작아도 된다.Further, the first treatment liquid application step S1, the second treatment liquid supply step S2, and the mixed liquid treatment step S3 may be cyclically repeated a plurality of times. Then, after repeating the predetermined number of times, the rinsing step S4 may be performed. In this case, the viscosity of the first treatment liquid supplied in the second and subsequent first treatment liquid application step S1 may be smaller than the viscosity of the first treatment liquid used in the first treatment liquid application step S1.

잔류물 제거 공정 S5 는, 린스 공정 S4 에서 완전히 제거되지 않은 이물질을 제거하기 위한 세정 공정이다. 보다 구체적으로는, 잔류물 제거 공정 S5 는, 혼합액 처리 공정 S3 에 있어서의 생성물 (처리 잔류물) 이나 파티클을 기판 (W) 의 표면으로부터 제거한다. 잔류물 제거 공정 S5 는, 도 1F 에 나타내는 세정액 공급 공정 S51 과, 도 1G 에 나타내는 린스 공정 S52 를 포함한다. 필요해지는 처리 내용에 따라서는, 잔류물 제거 공정 S5 는 생략되어도 된다.Residue removal step S5 is a cleaning step for removing foreign substances not completely removed in rinse step S4. More specifically, the residue removal step S5 removes the product (process residue) and particles from the mixed liquid treatment step S3 from the surface of the substrate W. Residue removal step S5 includes cleaning liquid supply step S51 shown in Fig. 1F and rinse step S52 shown in Fig. 1G. Depending on the processing contents required, the residue removal step S5 may be omitted.

세정액 공급 공정 S51 은, 스핀 척 (5) 에 의해 기판 (W) 을 회전시키면서, 약액 노즐 (NC) 로부터 기판 (W) 의 표면에 세정액 (C) (보다 구체적으로는 세정 약액) 을 공급한다. 세정액 공급 공정 S51 은, 세정액 (C) 으로서 암모니아 과산화수소수 혼합액 (예를 들어 SC1) 을 사용하여 기판 (W) 을 세정하는 알칼리 세정 공정이어도 된다.In the cleaning liquid supply step S51, the cleaning liquid C (more specifically, the cleaning liquid) is supplied from the chemical nozzle NC to the surface of the substrate W while the substrate W is rotated by the spin chuck 5. The cleaning liquid supply step S51 may be an alkaline cleaning process in which the substrate W is cleaned using an ammonia-hydrogen peroxide solution mixture (eg, SC1) as the cleaning liquid C.

린스 공정 S52 는, 세정액 공급 공정 S51 의 후, 기판 (W) 의 표면의 세정액 (C) 을 린스액 (R) 으로 치환하고, 세정액 (C) 을 기판 (W) 의 표면으로부터 씻어내는 공정이다. 린스 공정 S52 는, 스핀 척 (5) 에 의해 기판 (W) 을 회전시키면서, 린스액 노즐 (NR) 로부터 기판 (W) 의 표면을 향하여 린스액 (R) 을 공급한다.The rinsing step S52 is a step of replacing the washing liquid C on the surface of the substrate W with the rinsing liquid R and rinsing the washing liquid C from the surface of the substrate W after the cleaning liquid supplying step S51. In the rinsing step S52 , the rinsing liquid R is supplied from the rinsing liquid nozzle NR toward the surface of the substrate W while the substrate W is rotated by the spin chuck 5 .

건조 공정 S6 은, 잔류물 제거 공정 S5 의 린스 공정 S52 (도 1G 참조) 의 후에 실시된다. 잔류물 제거 공정 S5 가 생략되는 경우에는, 린스 공정 S4 (도 1E 참조) 의 후에 실시된다. 즉, 건조 공정 S6 은, 기판 (W) 의 표면에 대한 린스액 (R) 의 공급을 정지시킨 후에 실시된다. 건조 공정 S6 은, 도 1H 에 나타내는 바와 같이, 스핀 척 (5) 에 의해 기판 (W) 을 고속으로 회전시켜 기판 (W) 상의 액체를 원심력에 의해 떨쳐내는 스핀 드라이 공정이어도 된다. 이 건조 공정 S6 에 의해, 일련의 기판 처리가 완료되고, 처리 챔버 (1) (도 3 참조) 로부터 처리가 완료된 기판 (W), 즉, 레지스트막이 표면으로부터 박리되고, 그 표면이 세정 및 건조된 기판 (W) 이 반출된다.Drying process S6 is performed after rinsing process S52 (refer FIG. 1G) of residue removal process S5. When residue removal process S5 is omitted, it is implemented after rinse process S4 (refer FIG. 1E). That is, the drying step S6 is performed after stopping the supply of the rinsing liquid R to the surface of the substrate W. As shown in FIG. 1H, the drying step S6 may be a spin drying step in which the substrate W is rotated at high speed by the spin chuck 5 and the liquid on the substrate W is removed by centrifugal force. In this drying step S6, a series of substrate treatments are completed, the treated substrate W from the processing chamber 1 (see FIG. 3), that is, the resist film is peeled off from the surface, and the surface is washed and dried. The substrate W is taken out.

도 2A ∼ 도 2D 는, 주요한 공정에 있어서의 기판 표면의 상태의 예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 이 예에서는, 제 1 처리액 (L1) 은, 고점도의 과산화수소수, 즉, 증점제를 포함하는 과산화수소수이다. 또, 제 2 처리액 (L2) 은, 황산이다. 제 2 처리액 (L2) 은, 바람직하게는, 제 1 처리액 (L1) 보다 저점도의 황산이다. 예를 들어, 제 2 처리액 (L2) 은 증점제를 포함하지 않는 황산이다. 기판 (W) 의 표면에 공급될 때의 온도 (예를 들어 실온) 에서의 제 1 처리액 (L1) 의 점도는, 30 mPa·s 이상, 바람직하게는 50 mPa·s 이상, 보다 바람직하게는 100 mPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 200 mPa·s 이상이다. 제 1 처리액 (L1) 의 점도의 상한에 대해서는, 기판 (W) 의 표면에 스핀 코트할 수 있는 범위이면 되며, 예를 들어, 3000 mPa·s 이다.2A to 2D are schematic cross-sectional views for explaining examples of states of the substrate surface in major steps. In this example, the first treatment liquid L1 is a high-viscosity hydrogen peroxide solution, that is, a hydrogen peroxide solution containing a thickener. Also, the second treatment liquid (L2) is sulfuric acid. The second treatment liquid (L2) is preferably sulfuric acid having a lower viscosity than that of the first treatment liquid (L1). For example, the second treatment liquid (L2) is sulfuric acid without a thickener. The viscosity of the first treatment liquid L1 at the temperature (for example, room temperature) when supplied to the surface of the substrate W is 30 mPa·s or more, preferably 50 mPa·s or more, more preferably 100 mPa·s or more, more preferably 200 mPa·s or more. The upper limit of the viscosity of the first treatment liquid L1 may be within a range that can be spin-coated on the surface of the substrate W, and is, for example, 3000 mPa·s.

증점제의 예로는, 폴리비닐피롤리돈, 아크릴계 증점제 등을 들 수 있다. 아크릴계 증점제로는, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산나트륨, 폴리아크릴산암모늄, 가교형 폴리아크릴산, 가교형 폴리아크릴산나트륨 등의 폴리아크릴산계 증점제 외에, 가교형 아크릴계 폴리머, 카르복실산계 공중합체 (암모늄염 또는 나트륨염) 등도 포함된다. 이들 증점제의 1 종 이상, 즉, 1 종 또는 2 종 이상이 사용되어도 된다. 증점제는, 분말, 수용액, 또는 에멀션의 형태로 제공될 수 있다.Examples of the thickener include polyvinylpyrrolidone and acrylic thickeners. Examples of the acrylic thickener include polyacrylic acid-based thickeners such as polyacrylic acid, sodium polyacrylate, ammonium polyacrylate, cross-linked polyacrylic acid, and cross-linked sodium polyacrylate, as well as cross-linked acrylic polymers and carboxylic acid-based copolymers (ammonium salt or sodium salt) etc. are also included. One or more of these thickeners, that is, one or two or more may be used. The thickening agent may be provided in the form of a powder, aqueous solution, or emulsion.

제 1 처리액 도포 공정 S1 (도 2A 참조) 에서는, 기판 (W) 의 표면에 고점도 과산화수소수 (제 1 처리액 (L1)) 의 도포막 (F1) (예를 들어 젤리상의 막) 이 형성된다. 이 도포막 (F1) 은, 기판 (W) 의 표면의 전역에 밀착된다.In the first treatment liquid application step S1 (see FIG. 2A), a coating film F1 (for example, a jelly-like film) of high-viscosity hydrogen peroxide solution (first treatment liquid L1) is formed on the surface of the substrate W. . This coating film F1 adheres to the entire surface of the substrate W.

제 2 처리액 공급 공정 S2 (도 2B 참조) 에서는, 고점도 과산화수소수의 도포막 (제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1)) 상에, 예를 들어, 그것보다 점도가 낮은 황산 (제 2 처리액 (L2)) 이 공급되고, 그 액층이 생긴다. 그리고, 고점도 과산화수소수 (제 1 처리액 (L1)) 와 황산 (제 2 처리액 (L2)) 의 혼합이 시작된다.In the second treatment liquid supply step S2 (see FIG. 2B ), on the coating film of high viscosity hydrogen peroxide solution (the coating film F1 of the first treatment liquid L1), for example, sulfuric acid (a 2 treatment liquid (L2)) is supplied, and the liquid layer is formed. Then, mixing of high-viscosity hydrogen peroxide solution (first treatment liquid (L1)) and sulfuric acid (second treatment liquid (L2)) starts.

혼합액 처리 공정 S3 (도 2C 참조) 에서는, 고점도 과산화수소수와 황산의 혼합에 의해 SPM 이 생성된다. 그 SPM 이 기판 (W) 의 표면에 도달함으로써, 그 표면에 형성되어 있는 레지스트막을 부식시킨다. 과산화수소수가 고점도의 상태에서 기판 (W) 의 표면에 존재하고 있으므로, 기판 (W) 상으로부터의 SPM 의 유출을 억제 또는 방지한 상태에서 반응이 진행된다. 그것에 의해, 소량의 고점도 과산화수소수 및 소량의 황산의 공급에 의해, 기판 (W) 의 표면의 레지스트막을 부식시킬 수 있다. 과산화수소수 및/또는 황산이 부족한 경우, 그것들을 보충해도 되는 것은 전술한 바와 같다. 고점도 과산화수소수의 도포막 (F1) 은, 기판 (W) 의 전역에 밀착되어 있으므로, 기판 (W) 의 전역에서 균일하게 처리를 진행시킬 수 있고, 그 결과, 균일성이 양호한 기판 처리 (레지스트 박리 처리) 를 실현할 수 있다.In the mixed liquid treatment step S3 (see Fig. 2C), SPM is generated by mixing high-viscosity hydrogen peroxide solution and sulfuric acid. When the SPM reaches the surface of the substrate W, it erodes the resist film formed on the surface. Since the hydrogen peroxide solution exists on the surface of the substrate W in a high viscosity state, the reaction proceeds in a state where the outflow of SPM from the substrate W is suppressed or prevented. Accordingly, the resist film on the surface of the substrate W can be corroded by supplying a small amount of high-viscosity hydrogen peroxide solution and a small amount of sulfuric acid. As described above, when hydrogen peroxide solution and/or sulfuric acid are insufficient, they may be supplemented. Since the coating film F1 of high-viscosity hydrogen peroxide is in close contact with the entire surface of the substrate W, the process can be uniformly performed over the entire surface of the substrate W, and as a result, substrate processing with good uniformity (resist peeling) processing) can be realized.

제 1 처리액 (L1) 중에 포함되는 증점제는, 기판 (W) 상에서 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 이 혼합되어 SPM 이 생성되었을 때, 그 SPM 의 점도를 30 mPa·s 이상, 바람직하게는 50 mPa·s 이상, 보다 바람직하게는 100 mPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 200 mPa·s 이상으로 할 수 있는 것인 것이 바람직하다. 그것에 의해, 기판 (W) 상에서 SPM 을 패들 상태로 유지하기 쉬우므로, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 의 소비량을 효과적으로 저감시키면서, 균일한 기판 처리를 실현하기 쉽다.The thickener contained in the first treatment liquid (L1), when the first treatment liquid (L1) and the second treatment liquid (L2) are mixed on the substrate (W) to generate SPM, the viscosity of the SPM to 30 mPa s or more, preferably 50 mPa·s or more, more preferably 100 mPa·s or more, and still more preferably 200 mPa·s or more. Accordingly, since it is easy to hold the SPM on the substrate W in a paddle state, it is easy to realize uniform substrate processing while effectively reducing the consumption of the first processing liquid L1 and the second processing liquid L2.

혼합액 처리 공정 S3 의 후, 린스 공정 S4 (도 2D 참조) 에 의해, 기판 (W) 상의 SPM 이 린스액 (R) 으로 치환되고, 부식된 레지스트막과 함께 기판 (W) 의 표면으로부터 제거된다.After the mixed solution treatment step S3, by a rinse step S4 (see FIG. 2D), the SPM on the substrate W is replaced with the rinse solution R, and the corroded resist film is removed from the surface of the substrate W together.

제 1 처리액 (L1) 에 고점도의 황산, 즉 증점제를 첨가한 황산을 사용하고, 제 2 처리액 (L2) 에 그것보다 과산화수소수 (바람직하게는, 제 1 처리액 (L1) 보다 저점도의 것) 를 사용하는 경우의 처리는, 전술한 설명에 있어서,「과산화수소수」와「황산」을 바꿔 놓으면 된다. 이 경우에도, 균일성이 양호한 기판 처리 (레지스트 박리 처리) 를 실현할 수 있다.High-viscosity sulfuric acid, that is, sulfuric acid with a thickener added to the first treatment liquid (L1) is used, and hydrogen peroxide water (preferably, less viscous than the first treatment liquid (L1)) is used as the second treatment liquid (L2). For processing in the case of using), in the above description, "hydrogen peroxide solution" and "sulfuric acid" should be replaced. Even in this case, substrate treatment (resist removal treatment) with good uniformity can be realized.

도 3 은, 전술한 바와 같은 기판 처리 방법을 실행하기 위한 기판 처리 장치 (100) (처리 유닛) 의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 유지 수단 (기판 홀더) 의 일례인 스핀 척 (5) 과, 제 1 처리액 노즐 (N1) 과, 제 2 처리액 노즐 (N2) 과, 약액 노즐 (NC) 과, 린스액 노즐 (NR) 과, 대기 포트 (3) 를 포함하고, 이것들은 처리 챔버 (1) 내에 수용되어 있다. 기판 처리 장치 (100) 는, 추가로, 처리 챔버 (1) 밖에 배치된 제 1 처리액 공급원 (15) 및 제 2 처리액 공급원 (25) 을 포함한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 추가로, 처리 챔버 (1) 밖에 배치된 약액 공급원 (35) 을 포함한다.3 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a substrate processing apparatus 100 (processing unit) for executing the substrate processing method as described above. The substrate processing apparatus 100 includes a spin chuck 5 as an example of a substrate holding means (substrate holder), a first processing liquid nozzle N1, a second processing liquid nozzle N2, and a chemical liquid nozzle NC. , a rinse liquid nozzle NR, and an air port 3 , which are accommodated in the processing chamber 1 . The substrate processing apparatus 100 further includes a first processing liquid supply source 15 and a second processing liquid supply source 25 disposed outside the processing chamber 1 . The substrate processing apparatus 100 further includes a chemical liquid supply source 35 disposed outside the processing chamber 1 .

스핀 척 (5) 은, 처리 챔버 (1) 내에서 1 장의 기판 (W) 을 수평 자세로 유지하며, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직의 회전 축선 (A) 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 기판 유지 회전 장치이다. 스핀 척 (5) 은, 회전 축선 (A) 을 따라 연장되는 회전축 (51) 과, 회전축 (51) 의 상단에 결합된 스핀 베이스 (52) 와, 회전축 (51) 을 회전시키기 위한 스핀 모터 (53) 를 포함한다. 스핀 베이스 (52) 는, 회전축 (51) 의 상단에 수평 자세로 유지된 원반 형상을 갖고 있다. 스핀 베이스 (52) 의 둘레 가장자리부에는, 복수의 협지 핀 (54) 이 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 복수의 협지 핀 (54) 은, 기판 (W) 의 둘레 단면 (端面) 에 맞닿아, 기판 (W) 을 협지하도록 구성되어 있다. 이와 같은 메커니컬 척 대신에, 기판 (W) 의 하면 중앙을 흡착하며 유지하는 배큠형 척이 채용되어도 된다.The spin chuck 5 holds one substrate W in a horizontal position in the processing chamber 1, and rotates the substrate W around a vertical axis of rotation A passing through the center of the substrate W. It is a substrate holding and rotating device that rotates. The spin chuck 5 includes a rotation shaft 51 extending along the rotation axis A, a spin base 52 coupled to an upper end of the rotation shaft 51, and a spin motor 53 for rotating the rotation shaft 51. ), including The spin base 52 has a disk shape held in a horizontal attitude at the upper end of the rotating shaft 51 . At the periphery of the spin base 52, a plurality of holding pins 54 are arranged at intervals in the circumferential direction. The plurality of clamping pins 54 are configured to clamp the substrate W by abutting against the circumferential end surface of the substrate W. Instead of such a mechanical chuck, a vacuum-type chuck that attracts and holds the center of the lower surface of the substrate W may be employed.

제 1 처리액 노즐 (N1) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면 (상면) 에 제 1 처리액 (L1) 을 공급하는 노즐이다. 제 1 처리액 노즐 (N1) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면에 제 1 처리액 (L1) 을 토출하는 처리 위치 (실선으로 나타내는 위치) 와, 스핀 척 (5) 의 측방에 설정된 대기 위치 (이점쇄선으로 나타내는 위치) 의 사이에서 이동하는 이동 노즐의 형태를 갖고 있다. 보다 구체적으로는, 제 1 처리액 노즐 (N1) 은, 제 1 노즐 이동 유닛 (11) 에 의해 이동된다. 제 1 노즐 이동 유닛 (11) 은, 예를 들어, 수평하게 연장된 제 1 요동 아암 (12) 을 포함하고, 그 제 1 요동 아암 (12) 의 요동단 (端) 에 제 1 처리액 노즐 (N1) 이 결합되어 있다. 상세한 도시는 생략하지만, 제 1 노즐 이동 유닛 (11) 은, 추가로, 제 1 요동 아암 (12) 의 기단부에 결합된 요동 구동 기구를 포함하고, 요동 구동 기구는, 제 1 요동 아암 (12) 의 기단부를 통과하는 연직의 요동 축선 둘레로 제 1 요동 아암 (12) 을 요동시킨다. 그것에 의해, 제 1 처리액 노즐 (N1) 은, 처리 위치와 대기 위치 사이에서 이동한다. 제 1 처리액 (L1) 은, 전술한 바와 같이, 고점도의 처리액이다. 처리 위치는, 기판 (W) 의 회전 중심에 제 1 처리액 (L1) 이 착액되는 위치여도 된다. 기판 (W) 의 회전 중심에 착액된 제 1 처리액 (L1) 은, 기판 (W) 의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 기판 (W) 의 표면의 전역에 펴발라진다.The first processing liquid nozzle N1 is a nozzle that supplies the first processing liquid L1 to the surface (upper surface) of the substrate W held by the spin chuck 5 . The first processing liquid nozzle N1 has a processing position at which the first processing liquid L1 is discharged to the surface of the substrate W held by the spin chuck 5 (a position indicated by a solid line) and a spin chuck 5 It has a form of a movable nozzle that moves between a standby position (a position indicated by a dashed-dotted line) set on the side of . More specifically, the first processing liquid nozzle N1 is moved by the first nozzle moving unit 11 . The first nozzle moving unit 11 includes, for example, a first rocking arm 12 extending horizontally, and a first processing liquid nozzle ( N1) is combined. Although detailed illustration is omitted, the first nozzle moving unit 11 further includes a rocking drive mechanism coupled to the proximal end of the first rocking arm 12, and the rocking drive mechanism includes the first rocking arm 12 The first rocking arm 12 is rocked around a vertical rocking axis passing through the proximal end. As a result, the first processing liquid nozzle N1 moves between the processing position and the standby position. As described above, the first treatment liquid L1 is a high-viscosity treatment liquid. The treatment position may be a position where the first treatment liquid L1 comes into contact with the center of rotation of the substrate W. The first treatment liquid L1 contacting the center of rotation of the substrate W is spread over the entire surface of the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W.

제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면 (상면) 에 제 2 처리액 (L2) 을 공급하는 노즐이다. 제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면에 제 2 처리액 (L2) 을 토출하는 처리 위치와, 스핀 척 (5) 의 측방에 설정된 대기 위치의 사이에서 이동하는 이동 노즐의 형태를 갖고 있다. 보다 구체적으로는, 제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 제 2 노즐 이동 유닛 (21) 에 의해 이동된다. 제 2 노즐 이동 유닛 (21) 은, 예를 들어, 제 1 노즐 이동 유닛 (11) 과 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 제 2 노즐 이동 유닛 (21) 은, 예를 들어, 수평하게 연장된 제 2 요동 아암 (22) 을 포함하고, 그 제 2 요동 아암 (22) 의 요동단에 제 2 처리액 노즐 (N2) 이 결합되어 있다. 제 1 노즐 이동 유닛 (11) 과 동일하게, 제 2 노즐 이동 유닛 (21) 은, 제 2 요동 아암 (22) 을 요동시키는 요동 구동 기구를 구비하고 있다. 제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 제 2 처리액 (L2) 을 토출하면서, 기판 (W) 상에서의 착액 위치를 스캔시키는 스캔 노즐로서 작동해도 된다. 이 경우, 처리 위치는, 기판 (W) 의 회전 중심과 둘레 가장자리의 사이에서 변동된다.The second processing liquid nozzle N2 is a nozzle that supplies the second processing liquid L2 to the surface (upper surface) of the substrate W held by the spin chuck 5 . The second processing liquid nozzle N2 has a processing position for discharging the second processing liquid L2 onto the surface of the substrate W held by the spin chuck 5 and a standby position set on the side of the spin chuck 5. It has the form of a moving nozzle that moves between More specifically, the second processing liquid nozzle N2 is moved by the second nozzle moving unit 21 . The 2nd nozzle moving unit 21 has the same structure as the 1st nozzle moving unit 11, for example. That is, the second nozzle moving unit 21 includes, for example, a second rocking arm 22 extending horizontally, and the second treatment liquid nozzle N2 is disposed at the rocking end of the second rocking arm 22. ) are combined. Similar to the first nozzle moving unit 11 , the second nozzle moving unit 21 is provided with a rocking drive mechanism for rocking the second rocking arm 22 . The second processing liquid nozzle N2 may operate as a scan nozzle that scans a liquid landing position on the substrate W while discharging the second processing liquid L2. In this case, the processing position fluctuates between the rotational center of the substrate W and the periphery.

약액 노즐 (NC) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면 (상면) 에 세정액 (C) (세정용의 약액) 을 공급하는 노즐이다. 약액 노즐 (NC) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면에 세정액 (C) 을 토출하는 처리 위치와, 스핀 척 (5) 의 측방에 설정된 대기 위치의 사이에서 이동하는 이동 노즐의 형태를 갖고 있다. 보다 구체적으로는, 약액 노즐 (NC) 은, 제 3 노즐 이동 유닛 (31) 에 의해 이동된다. 제 3 노즐 이동 유닛 (31) 은, 예를 들어, 제 1 노즐 이동 유닛 (11) 과 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 제 3 노즐 이동 유닛 (31) 은, 예를 들어, 수평하게 연장된 제 3 요동 아암 (32) 을 포함하고, 그 제 3 요동 아암 (32) 의 요동단에 약액 노즐 (NC) 이 결합되어 있다. 제 1 노즐 이동 유닛 (11) 과 동일하게, 제 3 노즐 이동 유닛 (31) 은, 제 3 요동 아암 (32) 을 요동시키는 요동 구동 기구를 구비하고 있다. 세정액 (C) 은, 전술한 바와 같이, 예를 들어, 암모니아 과산화수소수 혼합액 (예를 들어 SC1) 이다. 약액 노즐 (NC) 은, 세정액 (C) 을 토출하면서, 기판 (W) 상에서의 착액 위치를 스캔시키는 스캔 노즐로서 작동해도 된다. 즉, 처리 위치는, 기판 (W) 의 회전 중심과 둘레 가장자리의 사이에서 이동해도 된다.The chemical nozzle NC is a nozzle that supplies a cleaning liquid C (chemical liquid for cleaning) to the surface (upper surface) of the substrate W held by the spin chuck 5 . The chemical nozzle (NC) moves between a processing position where the cleaning liquid (C) is discharged onto the surface of the substrate (W) held by the spin chuck (5) and a standby position set on the side of the spin chuck (5). It has the shape of a nozzle. More specifically, the chemical liquid nozzle NC is moved by the third nozzle moving unit 31 . The 3rd nozzle moving unit 31 has the same structure as the 1st nozzle moving unit 11, for example. That is, the third nozzle moving unit 31 includes, for example, a third swinging arm 32 extending horizontally, and the chemical liquid nozzle NC is coupled to the swinging end of the third swinging arm 32. has been Similar to the first nozzle moving unit 11 , the third nozzle moving unit 31 is provided with a rocking drive mechanism for rocking the third rocking arm 32 . As described above, the washing liquid (C) is, for example, an ammonia-hydrogen peroxide solution mixture (eg, SC1). The chemical liquid nozzle NC may operate as a scan nozzle that scans a liquid landing position on the substrate W while discharging the cleaning liquid C. That is, the processing position may move between the rotational center of the substrate W and the periphery.

린스액 노즐 (NR) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면 (상면) 에 린스액 (R) 을 공급하는 노즐이다. 린스액 노즐 (NR) 은, 이 실시형태에서는, 위치 고정된 고정 노즐의 형태를 갖고 있다. 물론, 린스액 노즐 (NR) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 표면에 린스액 (R) 을 토출하는 처리 위치와, 스핀 척 (5) 의 측방에 설정된 대기 위치의 사이에서 이동하는 이동 노즐의 형태를 갖고 있어도 된다. 린스액 노즐 (NR) 은, 이 실시형태에서는, 기판 (W) 의 회전 중심을 향하여 린스액 (R) 을 토출하도록 고정되어 있다. 린스액 (R) 은, 전형적으로는, 순수 (탈이온수) 이다.The rinse liquid nozzle NR is a nozzle that supplies the rinse liquid R to the surface (upper surface) of the substrate W held by the spin chuck 5 . In this embodiment, the rinse liquid nozzle NR has the form of a fixed nozzle with a fixed position. Of course, the rinsing liquid nozzle NR is located between the processing position for discharging the rinsing liquid R to the surface of the substrate W held by the spin chuck 5 and the standby position set on the side of the spin chuck 5. You may have the form of a moving nozzle which moves in . In this embodiment, the rinse liquid nozzle NR is fixed so as to discharge the rinse liquid R toward the rotation center of the substrate W. The rinse liquid R is typically pure water (deionized water).

대기 포트 (3) 는, 제 1 처리액 노즐 (N1) 의 대기 위치 (도 3 에 이점쇄선으로 나타낸다) 에 배치되어 있고, 제 1 처리액 노즐 (N1) 의 토출구 (10) 를 세정하는 세정 포트의 일례이다. 대기 포트 (3) 는, 제 1 처리액 노즐 (N1) 의 토출구 (10) 를 세정하기 위한 노즐 세정액을 저류하는 용기의 형태를 갖고 있어도 된다. 제 1 처리액 노즐 (N1) 은, 대기 위치에 있어서, 그 토출구 (10) 를 대기 포트 (3) 내의 노즐 세정액 중에 침지시킬 수 있다. 그것에 의해, 고점도의 제 1 처리액 (L1) 의 고화를 억제하여, 제 1 처리액 노즐 (N1) 의 토출구 (10) 의 막힘을 방지할 수 있다.The standby port 3 is disposed at the standby position of the first processing liquid nozzle N1 (indicated by a dotted-dot chain line in FIG. 3 ), and cleans the discharge port 10 of the first processing liquid nozzle N1. is an example of The standby port 3 may have the form of a container for storing a nozzle cleaning liquid for cleaning the discharge port 10 of the first processing liquid nozzle N1. In the standby position, the first treatment liquid nozzle N1 can immerse its discharge port 10 in the nozzle cleaning liquid in the standby port 3 . Accordingly, solidification of the high-viscosity first processing liquid L1 can be suppressed, and clogging of the discharge port 10 of the first processing liquid nozzle N1 can be prevented.

제 1 처리액 노즐 (N1) 은, 제 1 처리액 배관 (13) 을 개재하여 제 1 처리액 공급원 (15) 에 접속되어 있다. 제 1 처리액 배관 (13) 의 도중에는, 제 1 처리액 밸브 (14) 가 개재 장착되어 있다. 제 1 처리액 밸브 (14) 는, 제 1 처리액 배관 (13) 의 유로를 개폐한다.The first processing liquid nozzle N1 is connected to the first processing liquid supply source 15 via the first processing liquid pipe 13 . A first processing liquid valve 14 is interposed in the middle of the first processing liquid pipe 13 . The first processing liquid valve 14 opens and closes the flow path of the first processing liquid pipe 13 .

제 2 처리액 노즐 (N2) 은, 제 2 처리액 배관 (23) 을 개재하여 제 2 처리액 공급원 (25) 에 접속되어 있다. 제 2 처리액 배관 (23) 의 도중에는, 제 2 처리액 밸브 (24) 가 개재 장착되어 있다. 제 2 처리액 밸브 (24) 는, 제 2 처리액 배관 (23) 의 유로를 개폐한다.The second processing liquid nozzle N2 is connected to the second processing liquid supply source 25 via the second processing liquid pipe 23 . A second processing liquid valve 24 is interposed in the middle of the second processing liquid pipe 23 . The second processing liquid valve 24 opens and closes the passage of the second processing liquid pipe 23 .

약액 노즐 (NC) 은, 약액 배관 (33) 을 개재하여 약액 공급원 (35) 에 접속되어 있다. 약액 배관 (33) 의 도중에는, 약액 밸브 (34) 가 개재 장착되어 있다. 약액 밸브 (34) 는, 약액 배관 (33) 의 유로를 개폐한다. 도시는 생략하지만, 약액 공급원 (35) 은, 세정 약액 (예를 들어 암모니아 과산화수소수 혼합액) 을 저류하는 약액 탱크와, 약액 탱크로부터 약액 노즐 (NC) 을 향하여, 약액 배관 (33) 으로 약액을 내보내는 약액 펌프를 포함한다. 약액 탱크에는, 세정액이 저류된다. 보다 구체적으로는, 암모니아수와 과산화수소수를 포함하는 세정용의 약액이 소정의 비율로 혼합되어 세정액이 조제되고, 약액 탱크에 저류된다. 약액 탱크 또는 약액 배관 (33) 에는, 필요에 따라, 약액을 적절한 온도로 가열하는 히터가 배치되어도 된다.The chemical liquid nozzle NC is connected to the chemical liquid supply source 35 via a chemical liquid pipe 33 . A chemical liquid valve 34 is interposed in the middle of the chemical liquid pipe 33 . The chemical liquid valve 34 opens and closes the flow path of the chemical liquid pipe 33 . Although not shown, the chemical solution supply source 35 includes a chemical solution tank storing a cleaning chemical solution (for example, an ammonia-hydrogen peroxide solution mixture) and a chemical solution discharged from the chemical solution tank to the chemical solution nozzle NC toward the chemical solution pipe 33. Includes a chemical liquid pump. A cleaning liquid is stored in the chemical liquid tank. More specifically, a cleaning liquid is prepared by mixing chemical liquids for cleaning containing ammonia water and hydrogen peroxide water in a predetermined ratio, and stored in the chemical liquid tank. A heater for heating the chemical liquid to an appropriate temperature may be disposed in the chemical liquid tank or the chemical liquid pipe 33 as needed.

린스액 노즐 (NR) 은, 린스액 배관 (43) 을 개재하여 린스액 공급원 (45) 에 접속되어 있다. 린스액 배관 (43) 의 도중에는, 린스액 밸브 (44) 가 개재 장착되어 있다. 린스액 밸브 (44) 는, 린스액 배관 (43) 의 유로를 개폐한다. 린스액 공급원 (45) 은, 탈이온수 등의 린스액을 공급하는 공장 내 유틸리티여도 된다.The rinse liquid nozzle NR is connected to the rinse liquid supply source 45 via a rinse liquid pipe 43 . A rinse liquid valve 44 is interposed in the middle of the rinse liquid pipe 43 . The rinse liquid valve 44 opens and closes the passage of the rinse liquid pipe 43 . The rinse liquid supply source 45 may be a utility in a factory that supplies a rinse liquid such as deionized water.

도 4 는, 제 1 처리액 공급원 (15) 의 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 제 1 처리액 공급원 (15) 은, 제 1 처리액 (L1) 을 저류하는 제 1 처리액 탱크 (16) 와, 제 1 처리액 탱크 (16) 로부터 제 1 처리액 노즐 (N1) 을 향하여, 제 1 처리액 배관 (13) 으로 제 1 처리액 (L1) 을 내보내는 제 1 처리액 펌프 (17) 를 포함한다. 제 1 처리액 배관 (13) 에는, 제 1 처리액 (L1) 중의 이물질을 제거하기 위한 제 1 필터 (18) 가 개재 장착되어 있어도 된다. 제 1 처리액 탱크 (16) 에는, 미리 조제된 고점도의 제 1 처리액 (L1) 이 저류된다. 고점도의 제 1 처리액 (L1) 은, 황산 및 과산화수소수 중 일방과 증점제를 혼합하여 조제된다. 제 1 처리액 (L1) 이 황산을 포함하는 경우에는, 제 1 처리액 탱크 (16) 또는 제 1 처리액 배관 (13) 에 제 1 처리액 히터 (19) 가 배치되는 것이 바람직하다. 그것에 의해, 제 1 처리액 (L1) 이 실온보다 고온 (예를 들어 120 ℃ ∼ 130 ℃ 정도) 으로 가열된다. 제 1 처리액 (L1) 이 과산화수소수를 포함하는 경우에는, 이와 같은 제 1 처리액 히터 (19) 는 불필요하고, 실온 (환경 온도이며, 일반적으로는 0 ℃ ∼ 30 ℃. 예를 들어 25 ℃ 정도) 의 제 1 처리액 (L1) 이 제 1 처리액 노즐 (N1) 에 공급되어 토출된다.FIG. 4 is a diagram for explaining an example of the configuration of the first processing liquid supply source 15. As shown in FIG. The first processing liquid supply source 15 flows from the first processing liquid tank 16 storing the first processing liquid L1 and from the first processing liquid tank 16 toward the first processing liquid nozzle N1, and a first processing liquid pump 17 for discharging the first processing liquid L1 through the first processing liquid pipe 13 . A first filter 18 for removing foreign substances in the first treatment liquid L1 may be interposed in the first treatment liquid pipe 13 . In the first treatment liquid tank 16 , a previously prepared high-viscosity first treatment liquid L1 is stored. The high-viscosity first treatment liquid L1 is prepared by mixing one of sulfuric acid and hydrogen peroxide with a thickener. When the first treatment liquid L1 contains sulfuric acid, it is preferable that the first treatment liquid heater 19 is disposed in the first treatment liquid tank 16 or the first treatment liquid pipe 13 . As a result, the first processing liquid L1 is heated to a higher temperature than room temperature (for example, about 120°C to 130°C). When the first treatment liquid L1 contains aqueous hydrogen peroxide, such a first treatment liquid heater 19 is unnecessary, and room temperature (environmental temperature, generally 0°C to 30°C. For example, 25°C degree) of the first treatment liquid L1 is supplied to the first treatment liquid nozzle N1 and discharged.

도 5 는, 제 2 처리액 공급원 (25) 의 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 제 2 처리액 공급원 (25) 은, 제 2 처리액 (L2) 을 저류하는 제 2 처리액 탱크 (26) 와, 제 2 처리액 탱크 (26) 로부터 제 2 처리액 노즐 (N2) 을 향하여, 제 2 처리액 배관 (23) 으로 제 2 처리액 (L2) 을 내보내는 제 2 처리액 펌프 (27) 를 포함한다. 제 2 처리액 배관 (23) 에는, 제 2 처리액 (L2) 중의 이물질을 제거하기 위한 제 2 필터 (28) 가 개재 장착되어 있어도 된다. 제 2 처리액 탱크 (26) 에는, 제 2 처리액 (L2) (바람직하게는, 제 1 처리액 (L1) 보다 저점도의 제 2 처리액 (L2)) 이 저류된다. 제 2 처리액 (L2) 은, 황산 및 과산화수소수 중 타방을 포함하고, 이 실시형태에서는, 증점제를 포함하지 않는다. 제 2 처리액 (L2) 이 황산을 포함하는 경우에는, 제 2 처리액 탱크 (26) 또는 제 2 처리액 배관 (23) 에 제 2 처리액 히터 (29) 가 배치된다. 그것에 의해, 제 2 처리액 (L2) 이 실온보다 고온 (예를 들어 120 ℃ ∼ 130 ℃ 정도) 으로 가열된다. 제 2 처리액 (L2) 이 과산화수소수를 포함하는 경우에는, 이와 같은 제 2 처리액 히터 (29) 는 불필요하고, 실온 (환경 온도이며, 일반적으로는 0 ℃ ∼ 30 ℃. 예를 들어 25 ℃ 정도) 의 제 2 처리액 (L2) 이 제 2 처리액 노즐 (N2) 에 공급되어 토출된다.5 is a diagram for explaining an example of the configuration of the second processing liquid supply source 25 . The second processing liquid supply source 25 flows from the second processing liquid tank 26 storing the second processing liquid L2 and from the second processing liquid tank 26 toward the second processing liquid nozzle N2, and a second processing liquid pump 27 that discharges the second processing liquid L2 to the second processing liquid pipe 23 . A second filter 28 for removing foreign substances in the second processing liquid L2 may be interposed in the second processing liquid pipe 23 . In the second processing liquid tank 26, a second processing liquid L2 (preferably, a second processing liquid L2 having a lower viscosity than the first processing liquid L1) is stored. The second treatment liquid L2 contains the other of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and does not contain a thickener in this embodiment. When the second processing liquid L2 contains sulfuric acid, a second processing liquid heater 29 is disposed in the second processing liquid tank 26 or the second processing liquid pipe 23 . As a result, the second treatment liquid L2 is heated to a higher temperature than room temperature (for example, about 120°C to 130°C). When the second treatment liquid L2 contains hydrogen peroxide, such a second treatment liquid heater 29 is unnecessary, and room temperature (environmental temperature, generally 0°C to 30°C. For example, 25°C degree) of the second treatment liquid L2 is supplied to the second treatment liquid nozzle N2 and discharged.

도 6 은, 기판 처리 장치 (100) 의 각 부의 제어에 관한 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 그 각 부를 제어하기 위한 제어 수단으로서의 컨트롤러 (2) 를 포함한다. 컨트롤러 (2) 는, 프로세서 (CPU) (2a) 및 메모리 (2b) 를 포함한다. 프로세서 (2a) 는, 메모리 (2b) 에 격납된 프로그램을 실행함으로써, 컨트롤러 (2) 의 다양한 기능을 실현한다. 바꿔 말하면, 컨트롤러 (2) 는, 다양한 기능을 실현하도록 구성 (프로그램) 되어 있다. 컨트롤러 (2) 는, 제 1 처리액 밸브 (14), 제 2 처리액 밸브 (24), 약액 밸브 (34) 및 린스액 밸브 (44) 의 개폐를 제어한다. 또한, 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 의 회전, 제 1 노즐 이동 유닛 (11), 제 2 노즐 이동 유닛 (21) 및 제 3 노즐 이동 유닛 (31) 의 동작 등을 제어한다. 또, 컨트롤러 (2) 는, 제 1 처리액 공급원 (15), 제 2 처리액 공급원 (25) 및 약액 공급원 (35) 의 동작을 제어한다.6 is a block diagram for explaining a configuration related to control of each unit of the substrate processing apparatus 100. As shown in FIG. The substrate processing apparatus 100 includes a controller 2 as control means for controlling each part thereof. The controller 2 includes a processor (CPU) 2a and a memory 2b. The processor 2a implements various functions of the controller 2 by executing programs stored in the memory 2b. In other words, the controller 2 is configured (programmed) to realize various functions. The controller 2 controls opening and closing of the first processing liquid valve 14 , the second processing liquid valve 24 , the chemical liquid valve 34 and the rinse liquid valve 44 . The controller 2 also controls rotation of the spin chuck 5, operations of the first nozzle moving unit 11, the second nozzle moving unit 21, and the third nozzle moving unit 31, and the like. Also, the controller 2 controls operations of the first processing liquid supply source 15 , the second processing liquid supply source 25 , and the chemical liquid supply source 35 .

그것에 의해, 컨트롤러 (2) 는, 제 1 처리액 (L1), 제 2 처리액 (L2), 세정액 (C) 및 린스액 (R) 의 공급 및 그 정지를 제어한다. 또, 컨트롤러 (2) 는, 기판 (W) 의 회전 (회전/정지 및 회전 속도 등) 을 제어한다. 또한, 컨트롤러 (2) 는, 제 1 처리액 노즐 (N1), 제 2 처리액 노즐 (N2) 및 약액 노즐 (NC) 의 위치를 제어한다. 이와 같은 제어에 의해, 컨트롤러 (2) 는, 전술한 제 1 처리액 도포 공정 S1, 제 2 처리액 공급 공정 S2, 혼합액 처리 공정 S3, 린스 공정 S4, 잔류물 제거 공정 S5 및 건조 공정 S6 을 실행한다.Thereby, the controller 2 controls the supply and stop of the first treatment liquid L1, the second treatment liquid L2, the washing liquid C, and the rinsing liquid R. Also, the controller 2 controls the rotation of the substrate W (rotation/stop and rotation speed, etc.). The controller 2 also controls the positions of the first processing liquid nozzle N1, the second processing liquid nozzle N2, and the chemical liquid nozzle NC. Under such control, the controller 2 executes the aforementioned first treatment liquid application step S1, second treatment liquid supply step S2, mixed solution treatment step S3, rinse step S4, residue removal step S5, and drying step S6. do.

도시되지 않은 기판 반송 로봇에 의해 스핀 척 (5) 에 미처리의 기판 (W) 이 전달되면, 컨트롤러 (2) 는, 제 1 처리액 도포 공정 S1 (도 1A 및 도 1B 참조) 을 실행한다. 즉, 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 을 제 1 처리액 도포 속도 (예를 들어 500 rpm ∼ 1500 rpm) 로 회전시키면서, 제 1 처리액 노즐 (N1) 을 처리 위치에 배치하고, 제 1 처리액 밸브 (14) 를 개방하여, 제 1 처리액 노즐 (N1) 로부터 기판 (W) 의 표면 (상면) 의 회전 중심을 향하여 소정량의 제 1 처리액 (L1) 을 토출시킨다. 기판 (W) 의 표면에 접한 제 1 처리액 (L1) 은, 원심력에 의해 기판 (W) 의 둘레 가장자리로 퍼지고, 그것에 의해, 기판 (W) 의 전체면에 펴발라진다. 그것에 의해, 기판 (W) 의 표면의 전역을 덮는 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 이 형성된다.When the unprocessed substrate W is transferred to the spin chuck 5 by the substrate transfer robot (not shown), the controller 2 executes the first processing liquid application step S1 (see FIGS. 1A and 1B). That is, the controller 2 rotates the spin chuck 5 at a first processing liquid application speed (for example, 500 rpm to 1500 rpm), disposes the first processing liquid nozzle N1 at the processing position, and 1 The processing liquid valve 14 is opened, and a predetermined amount of the first processing liquid L1 is discharged from the first processing liquid nozzle N1 toward the center of rotation of the surface (upper surface) of the substrate W. The first treatment liquid L1 in contact with the surface of the substrate W spreads to the circumferential edge of the substrate W by centrifugal force, thereby spreading it over the entire surface of the substrate W. As a result, the coating film F1 of the first treatment liquid L1 covering the entire surface of the substrate W is formed.

제 1 처리액 도포 공정 S1 의 후, 컨트롤러 (2) 는, 제 2 처리액 공급 공정 S2 (도 1C 참조) 를 실행한다. 즉, 컨트롤러 (2) 는, 제 1 처리액 노즐 (N1) 을 대기 위치 (도 3 에 이점쇄선으로 나타낸다) 로 이동시키고, 대신에, 제 2 처리액 노즐 (N2) 을 처리 위치까지 이동시킨다. 제 1 처리액 노즐 (N1) 은, 대기 위치에 있어서, 대기 포트 (3) 내의 노즐 세정액에 토출구 (10) 가 침지되고, 그것에 의해, 토출구 (10) 가 세정된다. 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 을 제 2 처리액 처리 속도 (예를 들어 300 rpm ∼ 800 rpm) 로 회전시킨다. 제 2 처리액 처리 속도는, 제 1 처리액 도포 속도와 동등하거나, 그것보다 저속인 것이 바람직하다. 또한, 컨트롤러 (2) 는, 예를 들어, 제 2 처리액 (L2) 이 기판 (W) 의 표면의 회전 중심에 착액되도록 제 2 처리액 노즐 (N2) 을 배치한다.After the first treatment liquid application step S1, the controller 2 executes a second treatment liquid supply step S2 (see Fig. 1C). That is, the controller 2 moves the first processing liquid nozzle N1 to the stand-by position (indicated by a two-dot chain line in FIG. 3) and moves the second processing liquid nozzle N2 to the processing position instead. When the first treatment liquid nozzle N1 is in the standby position, the discharge port 10 is immersed in the nozzle cleaning liquid in the standby port 3, thereby cleaning the discharge port 10. The controller 2 rotates the spin chuck 5 at the second processing liquid processing speed (eg, 300 rpm to 800 rpm). The treatment rate of the second treatment solution is preferably equal to or lower than the application rate of the first treatment solution. Further, the controller 2 arranges the second processing liquid nozzle N2 so that the second processing liquid L2 comes into contact with the center of rotation of the surface of the substrate W, for example.

컨트롤러 (2) 는, 제 2 처리액 (L2) 이 기판 (W) 의 표면의 회전 중심에 착액되는 상태에서, 제 2 처리액 노즐 (N2) 을 정지 (靜止) 시키고 제 2 처리액 공급 공정 S2 를 실시해도 된다. 또, 컨트롤러 (2) 는, 제 2 처리액 (L2) 의 착액 위치를 기판 (W) 의 표면의 회전 중심과 둘레 가장자리의 사이에서 스캔시키도록, 제 2 처리액 노즐 (N2) 을 이동시키면서, 제 2 처리액 공급 공정 S2 를 실시해도 된다. 제 2 처리액 노즐 (N2) 이 스프레이 노즐일 때에는, 착액 위치를 정지시키고 제 2 처리액 공급 공정 S2 를 실시하는 것이 적절한 경우가 있다. 또, 제 2 처리액 노즐 (N2) 이 스트레이트 노즐일 때에는, 착액 위치를 스캔시켜 제 2 처리액 공급 공정 S2 를 실시하는 것이 적절한 경우가 있다.The controller 2 stops the second processing liquid nozzle N2 in a state where the second processing liquid L2 comes into contact with the center of rotation of the surface of the substrate W, and performs the second processing liquid supply step S2 may be carried out. In addition, the controller 2 moves the second processing liquid nozzle N2 so as to scan the position of the second processing liquid L2 between the center of rotation and the circumferential edge of the surface of the substrate W, while moving the second processing liquid nozzle N2. You may perform the 2nd processing liquid supply process S2. When the second processing liquid nozzle N2 is a spray nozzle, there are cases where it is appropriate to stop the liquid landing position and perform the second processing liquid supplying step S2. In addition, when the second processing liquid nozzle N2 is a straight nozzle, there are cases where it is appropriate to perform the second processing liquid supply step S2 by scanning the liquid arrival position.

제 2 처리액 공급 공정 S2 의 후, 컨트롤러 (2) 는, 제 2 처리액 노즐 (N2) 로부터의 제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시키고, 제 2 처리액 노즐 (N2) 을 대기 위치로 이동시킨다. 또, 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 의 회전 속도를 혼합액 처리 속도 (예를 들어 0 rpm ∼ 50 rpm) 로 한다. 혼합액 처리 속도는, 제 2 처리액 공급 속도보다 저속인 것이 바람직하고, 제로 (즉 회전 정지) 여도 된다. 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 상에 제 2 처리액 (L2) 이 공급됨으로써, 그것들이 혼합되어 SPM 이 생성된다. 따라서, 제 2 처리액 (L2) 의 공급 직후부터 SPM 에 의한 처리 공정, 즉, 혼합액 처리 공정 S3 이 시작된다 (도 1C 및 도 1D 참조). 제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시킨 후에도, 기판 (W) 의 표면 상에 있어서, 고점도의 제 1 처리액 (L1) 과 제 2 처리액 (L2) 의 혼합이 계속되므로, 혼합액 처리 공정 S3 은, 제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시킨 후에도 계속된다.After the second processing liquid supply step S2, the controller 2 stops the supply of the second processing liquid L2 from the second processing liquid nozzle N2, and moves the second processing liquid nozzle N2 to the standby position. move to Further, the controller 2 sets the rotational speed of the spin chuck 5 to the mixed liquid processing speed (for example, 0 rpm to 50 rpm). The mixed liquid processing speed is preferably lower than the second processing liquid supply speed, and may be zero (ie, rotation is stopped). By supplying the second treatment liquid (L2) onto the coating film (F1) of the first treatment liquid (L1), they are mixed to generate SPM. Therefore, immediately after the supply of the second treatment liquid L2, the treatment process by SPM, that is, the mixed liquid treatment step S3 starts (see Figs. 1C and 1D). Even after the supply of the second processing liquid L2 is stopped, mixing of the high-viscosity first processing liquid L1 and the second processing liquid L2 continues on the surface of the substrate W, so that the mixed liquid processing step S3 continues even after the supply of the second treatment liquid L2 is stopped.

제 2 처리액 (L2) 의 공급을 정지시킨 후, 미리 정하는 반응 시간이 경과하면, 컨트롤러 (2) 는, 린스 공정 S4 를 실행한다 (도 1E 참조). 즉, 컨트롤러 (2) 는, 린스액 노즐 (NR) 을 처리 위치로 이동시킨다. 그리고, 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 을 소정의 린스 속도 (예를 들어 300 rpm ∼ 1000 rpm) 로 회전시킨다. 그 상태에서, 컨트롤러 (2) 는, 린스액 밸브 (44) 를 개방하여, 린스액 노즐 (NR) 로부터 기판 (W) 을 향하여 린스액 (R) 을 토출시킨다. 기판 (W) 의 표면에 있어서의 린스액 (R) 의 착액 위치는, 이 실시형태에서는, 기판 (W) 의 중심에 고정이다. 단, 이동 노즐의 형태의 린스액 노즐 (NR) 을 사용하여, 린스액 (R) 의 착액 위치를, 기판 (W) 의 중심과 둘레 가장자리의 사이에서 이동 (스캔) 시켜도 된다.After the supply of the second treatment liquid L2 is stopped, when a predetermined reaction time elapses, the controller 2 executes the rinse step S4 (see FIG. 1E). That is, the controller 2 moves the rinse liquid nozzle NR to the treatment position. Then, the controller 2 rotates the spin chuck 5 at a predetermined rinsing speed (for example, 300 rpm to 1000 rpm). In that state, the controller 2 opens the rinse liquid valve 44 to discharge the rinse liquid R from the rinse liquid nozzle NR toward the substrate W. The landing position of the rinsing liquid R on the surface of the substrate W is fixed at the center of the substrate W in this embodiment. However, the rinsing liquid R may be moved (scanned) between the center and the periphery of the substrate W using a rinsing liquid nozzle NR in the form of a moving nozzle.

미리 정하는 린스 처리 시간의 경과 후, 컨트롤러 (2) 는, 린스액 노즐 (NR) 로부터의 린스액 (R) 의 토출을 정지시켜, 린스 공정 S4 를 종료하고, 린스액 노즐 (NR) 을 대기 위치로 이동시킨다.After the predetermined rinsing processing time has elapsed, the controller 2 stops the discharge of the rinsing liquid R from the rinsing liquid nozzle NR, ends the rinsing step S4, and moves the rinsing liquid nozzle NR to a standby position. move to

그리고, 컨트롤러 (2) 는, 잔류물 제거 공정 S5 를 실행한다 (도 1F 및 도 1G 참조). 즉, 컨트롤러 (2) 는, 약액 노즐 (NC) 을 처리 위치로 이동시킨다. 그리고, 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 을 소정의 세정액 처리 속도 (예를 들어 500 rpm ∼ 1500 rpm) 로 회전시킨다. 그 상태에서, 컨트롤러 (2) 는, 약액 밸브 (34) 를 개방하여, 세정액 (C) (예를 들어 암모니아 과산화수소수 혼합액) 을 기판 (W) 을 향하여 토출시켜, 세정액 공급 공정 S51 을 실행한다 (도 1F 참조). 기판 (W) 의 표면에 있어서의 세정액 (C) 의 착액 위치는, 기판 (W) 의 중심에 고정이어도 되고, 기판 (W) 의 중심과 둘레 가장자리의 사이에서 이동 (스캔) 시켜도 된다. 미리 정하는 시간만큼 세정액 (C) 을 공급한 후, 컨트롤러 (2) 는, 약액 노즐 (NC) 로부터의 세정액 (C) 의 토출을 정지시키고, 약액 노즐 (NC) 을 대기 위치로 이동시킨다.And the controller 2 executes residue removal process S5 (refer FIG. 1F and FIG. 1G). That is, the controller 2 moves the chemical liquid nozzle NC to the treatment position. Then, the controller 2 rotates the spin chuck 5 at a predetermined washing liquid processing speed (eg, 500 rpm to 1500 rpm). In this state, the controller 2 opens the chemical liquid valve 34, discharges the cleaning liquid C (for example, a mixture of ammonia and hydrogen peroxide) toward the substrate W, and executes the cleaning liquid supply step S51 ( see Figure 1F). The landing position of the cleaning liquid C on the surface of the substrate W may be fixed at the center of the substrate W or may be moved (scanned) between the center of the substrate W and the periphery. After supplying the cleaning liquid C for a predetermined time, the controller 2 stops the discharge of the cleaning liquid C from the chemical liquid nozzle NC and moves the chemical liquid nozzle NC to the stand-by position.

이어서, 컨트롤러 (2) 는, 세정액 처리 후의 린스 공정 S52 를 실행한다 (도 1G 참조). 이 린스 공정 S52 는, 혼합액 처리 공정 S3 의 직후의 린스 공정 S4 (도 1E 참조) 와 실질적으로 동일해도 된다.Next, the controller 2 executes the rinsing step S52 after the washing liquid treatment (see Fig. 1G). This rinsing step S52 may be substantially the same as the rinsing step S4 immediately after the mixed liquid treatment step S3 (see Fig. 1E).

미리 정하는 린스 처리 시간의 경과 후, 컨트롤러 (2) 는, 린스액 노즐 (NR) 로부터의 린스액 (R) 의 토출을 정지시켜, 린스 공정 S52 를 종료한다. 그리고, 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 을 건조 회전 속도 (예를 들어 2500 rpm ∼ 4000 rpm) 까지 가속시켜, 기판 (W) 상의 린스액 (R) 을 떨쳐내는 건조 공정 S6 (스핀 드라이) 을 실행한다 (도 1H 참조). 이 건조 공정 S6 을 소정 시간만큼 실시한 후, 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 의 회전을 정지시켜, 처리를 종료한다.After the predetermined rinsing processing time has elapsed, the controller 2 stops the discharge of the rinsing liquid R from the rinsing liquid nozzle NR, and ends the rinsing process S52. Then, the controller 2 accelerates the spin chuck 5 to a drying rotational speed (for example, 2500 rpm to 4000 rpm) to shake off the rinsing liquid R on the substrate W in a drying step S6 (spin dry ) is executed (see Fig. 1H). After performing this drying step S6 for a predetermined time, the controller 2 stops rotation of the spin chuck 5 to end the process.

처리가 완료된 기판 (W) 은, 기판 반송 로봇 (도시 생략) 에 의해 스핀 척 (5) 으로부터 수취되고, 처리 챔버 (1) 로부터 반출된다.The processed substrate W is picked up from the spin chuck 5 by a substrate transfer robot (not shown) and carried out from the processing chamber 1 .

도 7 은, 제 1 처리액 공급원 (15) 의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 7 is a diagram for explaining another configuration example of the first processing liquid supply source 15. As shown in FIG.

전술한 도 4 에 나타낸 제 1 처리액 공급원 (15) 의 구성예에서는, 제 1 처리액 탱크 (16) 에 조정이 완료된 제 1 처리액 (L1) 을 공급하거나, 또는 제 1 처리액 탱크 (16) 내에서 제 1 처리액 (L1) 을 조제할 수 있다. 구체적으로는, 황산 또는 과산화수소수 중 일방과 증점제를 혼합하여 조제된 제 1 처리액 (L1) 이 제 1 처리액 탱크 (16) 에 공급되거나, 그러한 조제가 제 1 처리액 탱크 (16) 내에서 실시된다.In the configuration example of the first processing liquid supply source 15 shown in FIG. 4 described above, the adjusted first processing liquid L1 is supplied to the first processing liquid tank 16, or the first processing liquid tank 16 ), the first treatment liquid (L1) can be prepared. Specifically, the first treatment liquid L1 prepared by mixing either sulfuric acid or hydrogen peroxide with a thickener is supplied to the first treatment liquid tank 16, or such preparation is supplied to the first treatment liquid tank 16. It is carried out.

이에 대하여, 도 7 에 나타낸 제 1 처리액 공급원 (15) 의 구성예에서는, 제 1 처리액 배관 (13) 의 도중에서, 황산 또는 과산화수소수 중 일방과 증점제가 혼합된다.In contrast, in the configuration example of the first processing liquid supply source 15 shown in FIG. 7 , one of sulfuric acid or hydrogen peroxide and a thickener are mixed in the middle of the first processing liquid pipe 13 .

구체적으로는, 제 1 처리액 배관 (13) 에는, 황산 또는 과산화수소수 중 일방인 제 1 처리액 성분 (L1a) 을 공급하는 제 1 처리액 성분 배관 (131) 과, 액체상의 증점제를 공급하는 증점제 배관 (132) 이 접속되어 있다. 따라서, 제 1 처리액 성분 (L1a) 과 증점제가 제 1 처리액 배관 (13) 에서 합류하여 혼합된다. 그 혼합을 촉진시키기 위해, 제 1 처리액 배관 (13) 에는 인라인 믹서 (133) 가 개재 장착되어 있다.Specifically, to the first treatment liquid pipe 13, the first treatment liquid component pipe 131 for supplying the first treatment liquid component L1a, which is either sulfuric acid or hydrogen peroxide, and a thickener for supplying a liquid thickener A pipe 132 is connected. Accordingly, the first treatment liquid component L1a and the thickener are joined and mixed in the first treatment liquid pipe 13 . In order to promote the mixing, an inline mixer 133 is interposed in the first treatment liquid pipe 13.

인라인 믹서 (133) 는, 예를 들어 교반 엘리먼트를 갖고, 제 1 처리액 배관 (13) 을 흐르는 유체를 교반함으로써, 제 1 처리액 성분 (L1a) 과 증점제를 충분히 혼합시켜, 고점도의 제 1 처리액 (L1) 의 생성을 보조한다. 이와 같은 교반형의 인라인 믹서 뿐만 아니라, 제 1 처리액 성분 (L1a) 과 증점제를 합류시킬 때에, 주유로를 흐르는 유체에 혼합 노즐로부터 유체를 분산 토출하여 분산 혼합시키는 분산 혼합형의 인라인 믹서가 사용되어도 된다.The in-line mixer 133, for example, has an agitation element and stirs the fluid flowing through the first treatment liquid pipe 13 to sufficiently mix the first treatment liquid component L1a and the thickener, thereby performing high-viscosity first processing. It assists in the production of liquid (L1). In addition to such an agitation-type in-line mixer, a dispersion-mixing-type in-line mixer in which, when the first treatment liquid component (L1a) and the thickener are brought together, the fluid flowing through the main oil passage is dispersed and discharged from a mixing nozzle to disperse and mix the fluid may be used. do.

이 구성예의 제 1 처리액 공급원 (15) 은, 증점제가 액체 또는 에멀션인 경우에 특히 바람직하다. 증점제가 고체 (분체 등) 인 경우에는, 도 4 에 나타낸 구성의 제 1 처리액 공급원 (15) 의 쪽이 적합하다.The first treatment liquid supply source 15 of this constitutional example is particularly preferable when the thickener is a liquid or an emulsion. When the thickener is a solid (powder or the like), the first treatment liquid supply source 15 having the configuration shown in FIG. 4 is more suitable.

이상과 같이, 이 실시형태에 의하면, 증점제를 첨가하여 고점도의 액체로 한 제 1 처리액 (L1) 이 기판 (W) 의 표면 (상면) 의 전역에 도포된다. 그것에 의해, 제 1 처리액 (L1) 의 소비량을 억제하면서, 기판 (W) 의 표면의 전역에 제 1 처리액 (L1) 을 균일하게 널리 퍼지게 하고, 또한 밀착시킬 수 있다. 이 제 1 처리액 (L1) 이 도포된 기판 (W) 의 표면에 제 2 처리액 (L2) 이 공급됨으로써, 기판 (W) 상에서 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 이 혼합되어, SPM 이 생성된다. 제 1 처리액 (L1) 이 기판 (W) 의 표면의 전역에 균일하게 빠짐없이 널리 퍼져 밀착되어 있으므로, 기판 (W) 의 표면의 전역에 SPM 을 빠짐없이 균일하게 널리 퍼지게 할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 표면 전역에서 SPM 에 의한 처리 (레지스트를 부식시키는 처리) 를 균일하게 진행시킬 수 있다. 게다가, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 이 기판 (W) 상에서 혼합되므로, 그 혼합시의 반응열을 이용할 수 있고, 그것에 따라, 효율적인 처리가 가능하다. SPM 에 의한 처리는, 기판 (W) 의 표면에 린스액 (R) 을 공급하여 SPM 을 치환함으로써 정지시킬 수 있다.As described above, according to this embodiment, the first treatment liquid L1 made into a high-viscosity liquid by adding a thickener is applied to the entire surface (upper surface) of the substrate W. Accordingly, the first processing liquid L1 can be uniformly spread over the entire surface of the substrate W and brought into close contact while suppressing the consumption of the first processing liquid L1. By supplying the second processing liquid L2 to the surface of the substrate W coated with the first processing liquid L1, the first processing liquid L1 and the second processing liquid L2 on the substrate W Mixed, SPM is created. Since the first treatment liquid L1 is uniformly spread over the entire surface of the substrate W and closely adhered thereto, the SPM can be uniformly spread throughout the entire surface of the substrate W. Therefore, the treatment by SPM (resist erosion treatment) can be uniformly performed over the entire surface of the substrate W. In addition, since the first processing liquid L1 and the second processing liquid L2 are mixed on the substrate W, the heat of reaction at the time of mixing can be used, thereby enabling efficient processing. The treatment with SPM can be stopped by supplying the rinse liquid R to the surface of the substrate W to replace the SPM.

제 2 처리액 (L2) 이 비교적 저점도 (예를 들어 제 1 처리액 (L1) 보다 저점도) 이면, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 의 혼합이 신속하게 진행되므로, 그것들의 혼합액인 SPM 을 신속하게 생성시킬 수 있다. 그것에 의해, 한층 효율적인 처리가 가능해진다.When the second treatment liquid L2 has a relatively low viscosity (for example, lower viscosity than the first treatment liquid L1), mixing of the first treatment liquid L1 and the second treatment liquid L2 proceeds quickly. , it is possible to quickly produce SPM, which is a mixture of them. This enables more efficient processing.

제 1 처리액 (L1) 의 점도는, 증점제에 의해 적절히 조정할 수 있으므로, 기판 (W) 의 표면에 도포할 때의 연신성, 기판 (W) 의 표면에 있어서의 도포막 (F1) 의 유지성, 제 2 처리액 (L2) 과의 혼합 정도 등을 고려하여, 적절한 점도를 설정할 수 있다. 그것에 의해, 특히, 제 1 처리액 (L1) 의 소비량을 저감시키면서, 기판 (W) 에 대하여 균일한 처리를 실시할 수 있다.Since the viscosity of the first treatment liquid (L1) can be appropriately adjusted with a thickener, the stretchability when applied to the surface of the substrate (W), the retention of the coating film (F1) on the surface of the substrate (W), An appropriate viscosity may be set in consideration of the degree of mixing with the second treatment liquid (L2). As a result, it is possible to perform uniform processing on the substrate W while reducing the consumption of the first processing liquid L1 in particular.

특히, 과산화수소수 및 증점제를 포함하는 액을 제 1 처리액 (L1) 으로 하고, 황산을 포함하는 액을 제 2 처리액 (L2) 으로서 사용함으로써, 과산화수소수의 소비량을 저감시킬 수 있으므로 바람직하다.In particular, using a liquid containing hydrogen peroxide and a thickener as the first treatment liquid (L1) and using a liquid containing sulfuric acid as the second treatment liquid (L2) is preferable because the consumption of hydrogen peroxide can be reduced.

제 1 처리액 도포 공정 S1 에 있어서, 기판 (W) 의 표면에 도포막 (F1) (예를 들어 겔상의 도포막) 이 형성되면, 기판 (W) 의 표면의 전역에 확실하게 제 1 처리액 (L1) 을 밀착시킬 수 있다. 그것에 따라, 제 2 처리액 (L2) 을 공급하여 생기는 SPM 을 기판 (W) 의 표면의 전역에 확실하게 밀착시킬 수 있으므로, 효율적이고 또한 균일한 처리가 가능해진다.In the first treatment liquid application step S1, when the coating film F1 (for example, a gel-like coating film) is formed on the surface of the substrate W, the first treatment liquid is reliably applied to the entire surface of the substrate W. (L1) can be brought into close contact. As a result, since SPM generated by supplying the second processing liquid L2 can be firmly adhered to the entire surface of the substrate W, efficient and uniform processing is possible.

제 2 처리액 공급 공정 S2 는, 제 1 처리액 (L1) 의 공급 (신액의 공급) 을 정지시킨 상태에서 실시하는 것이 바람직하다. 그것에 의해, 제 1 처리액 (L1) 의 소비량을 확실하게 저감시킬 수 있다. 게다가, 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 상에 제 2 처리액 (L2) 을 공급할 수 있으므로, 제 2 처리액 (L2) 의 유동에 의해, 제 1 처리액 (L1) 이 기판 (W) 밖으로 취거되는 것을 억제할 수 있다.The second treatment liquid supply step S2 is preferably performed in a state where the supply of the first treatment liquid L1 (supply of the new liquid) is stopped. Thereby, the consumption amount of the 1st process liquid L1 can be reduced reliably. In addition, since the second processing liquid (L2) can be supplied onto the coating film (F1) of the first processing liquid (L1), the flow of the second processing liquid (L2) causes the first processing liquid (L1) to flow to the substrate. (W) It can be restrained from being taken out.

혼합액 처리 공정 S3 의 적어도 일부의 기간에는, 제 2 처리액 (L2) 의 공급 (신액의 공급) 을 정지시키는 것이 바람직하다. 그것에 의해, 제 2 처리액 (L2) 의 소비량을 한층 억제할 수 있다. 즉, 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 상에 제 2 처리액 (L2) 의 액막이 담지된 상태에서 그것들의 혼합이 진행되는 패들 처리에 의해, 그것들의 혼합액인 SPM 에 의한 기판 처리를 진행시킬 수 있다. 이 때, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 모두가 공급되지 않으므로, 어느 처리액의 소비량도 저감시킬 수 있다.It is preferable to stop the supply of the second treatment liquid L2 (supply of the new liquid) during at least a part of the mixed liquid treatment step S3. Thereby, consumption of the second processing liquid L2 can be further suppressed. That is, substrate processing by SPM, which is a mixed solution, by paddle processing in which the liquid film of the second processing liquid L2 is mixed in a state where the film F1 of the first processing liquid L1 is supported on the coating film F1 of the first processing liquid L1. can proceed. At this time, since both the first treatment liquid L1 and the second treatment liquid L2 are not supplied, the consumption of either treatment liquid can be reduced.

도 8 은, 이 발명의 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 이 실시형태에서는, 제 1 처리액 도포 공정 S1 의 전에, 전처리 공정 S0 이 실행된다. 그 후의 공정 S1 ∼ S6 은, 전술한 제 1 실시형태 (도 1A ∼ 도 1H 참조) 와 동일하다.8 is a process chart for explaining a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, before the first treatment liquid application step S1, the pretreatment step S0 is executed. Subsequent steps S1 to S6 are the same as those in the first embodiment described above (see Figs. 1A to 1H).

전처리 공정 S0 은, 고점도의 제 1 처리액 (L1) 을 기판 (W) 의 표면에 도포하기 전에, 제 2 처리액 (바람직하게는 제 1 처리액 (L1) 보다 저점도의 제 2 처리액 (L2)) 을 기판 (W) 의 표면에 공급하는 공정이다. 전처리 공정 S0 에서는, 기판 처리 장치 (100) 는, 제 2 처리액 공급 공정 S2 와 실질적으로 동일하게 작동해도 된다.In the pretreatment step S0, before applying the high-viscosity first treatment liquid L1 to the surface of the substrate W, the second treatment liquid (preferably a second treatment liquid having a lower viscosity than the first treatment liquid L1) This is a step of supplying L2) to the surface of the substrate W. In the pre-processing step S0 , the substrate processing apparatus 100 may operate substantially the same as the second processing liquid supplying step S2 .

전처리 공정 S0 에서는, 기판 (W) 에 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 이 존재하지 않으므로, 제 2 처리액 (L2) 은 제 1 처리액 (L1) 의 도포막 (F1) 상이 아니라, 기판 (W) 의 표면에 공급된다. 컨트롤러 (2) 는, 스핀 척 (5) 을 제 2 처리액 처리 속도로 회전시키고, 그 상태에서, 제 2 처리액 노즐 (N2) 로부터 제 2 처리액 (L2) 을 기판 (W) 의 표면을 향하여 토출시킨다.In the pretreatment step S0, since the coating film F1 of the first treatment liquid L1 does not exist on the substrate W, the second treatment liquid L2 is different from the coating film F1 of the first treatment liquid L1. Rather, it is supplied to the surface of the substrate W. The controller 2 rotates the spin chuck 5 at the second processing liquid processing speed, and in that state, the second processing liquid L2 is applied from the second processing liquid nozzle N2 to the surface of the substrate W. discharge towards

이와 같은 전처리 공정 S0 의 후, 제 2 처리액 노즐 (N2) 이 대기 위치로 이동되고, 제 1 처리액 도포 공정 S1 이 실행된다. 기판 (W) 의 표면에 공급되는 제 1 처리액 (L1) 은, 이미 기판 (W) 상에 존재하는 제 2 처리액 (L2) 과 접하므로, 제 1 처리액 (L1) 및 제 2 처리액 (L2) 의 혼합 (SPM 반응) 이 발생한다. 따라서, 제 1 처리액 (L1) 의 공급 직후부터, 기판 (W) 의 표면에 있어서, 혼합액 처리 공정 S3 을 개시시킬 수 있다.After such pretreatment step S0, the second treatment liquid nozzle N2 is moved to the standby position, and the first treatment liquid application step S1 is executed. Since the first processing liquid L1 supplied to the surface of the substrate W comes into contact with the second processing liquid L2 already present on the substrate W, the first processing liquid L1 and the second processing liquid L1 Mixing of (L2) (SPM reaction) takes place. Therefore, immediately after the supply of the first treatment liquid L1, the mixed liquid treatment step S3 can be started on the surface of the substrate W.

제 1 처리액 도포 공정 S1 의 전에 전처리 공정 S0 을 실행함으로써, 고점도의 제 1 처리액 (L1) 을 기판 (W) 의 표면 전역에 펴바르기 쉬워지고, 또한 기판 (W) 의 표면에 있어서의 혼합액 처리를 촉진시킬 수 있으므로, 보다 효율적인 레지스트 박리 처리를 실시할 수 있다.By performing the pretreatment step S0 before the first treatment liquid application step S1, it becomes easy to spread the high-viscosity first treatment liquid L1 over the entire surface of the substrate W, and the liquid mixture on the surface of the substrate W Since the process can be accelerated, a more efficient resist stripping process can be performed.

이상, 이 발명의 2 개의 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 이 발명은, 또 다른 형태로 실시할 수도 있다. 예를 들어, 전술한 실시형태에서는, 실온의 과산화수소수와 그것보다 고온의 황산을 기판 (W) 의 표면에 공급하는 처리를 주로 설명하고 있다. 그러나, 실온의 과산화수소수와 실온의 황산을 기판 (W) 의 표면에 공급해도 된다. 이 경우에도, 과산화수소수 및 황산이 혼합될 때의 발열 반응에 의해 고온의 SPM 이 기판 (W) 상에서 생성되고, 기판 (W) 의 표면의 레지스트를 부식시킬 수 있다. 기판 (W) 상의 반응을 촉진시키기 위해, 기판 (W) 을 히터에 의해 가열해도 된다. 히터는, 스핀 척 (5) 에 내장되어도 되고, 할로겐 히터 등의 별도의 열원이 사용되어도 된다.As mentioned above, although two embodiments of this invention have been described, this invention can also be implemented in another form. For example, in the above-described embodiment, the treatment of supplying hydrogen peroxide solution at room temperature and sulfuric acid at a higher temperature than that to the surface of the substrate W is mainly described. However, room temperature hydrogen peroxide solution and room temperature sulfuric acid may be supplied to the surface of the substrate W. Even in this case, high-temperature SPM is generated on the substrate W due to an exothermic reaction when hydrogen peroxide and sulfuric acid are mixed, which can corrode the resist on the surface of the substrate W. In order to accelerate the reaction on the substrate W, the substrate W may be heated by a heater. The heater may be incorporated in the spin chuck 5, or a separate heat source such as a halogen heater may be used.

또, 전술한 실시형태에서는, 기판 (W) 을 1 장씩 유지하며 처리하는 매엽식의 기판 처리에 대해 설명하였지만, 복수 장의 기판에 대하여 일괄 처리하는 배치식의 기판 처리에 이 발명이 적용되어도 된다.Further, in the above-described embodiment, the single-wafer type substrate processing in which the substrate W is held and processed one by one has been described, but the present invention may be applied to a batch type substrate processing in which a plurality of substrates are collectively processed.

본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이것들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해 사용된 구체예에 불과하며, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어서는 안되고, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail, these are only specific examples used to clarify the technical content of the present invention, and the present invention should not be construed as being limited to these specific examples, and the scope of the present invention It is limited only by the scope of the appended claims.

S1 : 제 1 처리액 도포 공정
S2 : 제 2 처리액 공급 공정
S3 : 혼합액 처리 공정
S4 : 린스 공정
S5 : 잔류물 제거 공정
S6 : 건조 공정
W : 기판
L1 : 제 1 처리액
L2 : 제 2 처리액
R : 린스액
C : 세정액
F1 : 제 1 처리액의 도포막
N1 : 제 1 처리액 노즐
N2 : 제 2 처리액 노즐
NR : 린스액 노즐
NC : 약액 노즐
100 : 기판 처리 장치
1 : 처리 챔버
2 : 컨트롤러
3 : 대기 포트
5 : 스핀 척
10 : 토출구
14 : 제 1 처리액 밸브
15 : 제 1 처리액 공급원
24 : 제 2 처리액 밸브
25 : 제 2 처리액 공급원
44 : 린스액 밸브S1: 1st treatment liquid application process
S2: Second treatment liquid supply process
S3: mixed liquid treatment process
S4: rinse process
S5: Residue Removal Process
S6: Drying process
W: Substrate
L1: first treatment liquid
L2: 2nd treatment liquid
R: rinse liquid
C: washing liquid
F1: coating film of the first treatment liquid
N1: 1st treatment liquid nozzle
N2: 2nd treatment liquid nozzle
NR: rinse liquid nozzle
NC: Chemical nozzle
100: substrate processing device
1: processing chamber
2: controller
3 : standby port
5 : Spin Chuck
10: discharge port
14: first treatment liquid valve
15: first treatment liquid supply source
24: second treatment liquid valve
25: second treatment liquid supply source
44: rinse liquid valve

Claims (15)

황산 및 과산화수소수 중 일방을 포함하는 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하는 제 1 처리액 공급 공정과,
상기 제 1 처리액이 도포된 상기 기판의 표면에, 황산 및 과산화수소수 중 타방을 포함하고, 상기 제 1 처리액보다 점도가 낮은 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급 공정과,
상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 표면에서 혼합되어 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액으로 상기 기판의 표면을 처리하는 혼합액 처리 공정과,
상기 혼합액 처리 공정의 후, 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 황산 과산화수소수 혼합액을 상기 기판의 표면으로부터 씻어내는 린스 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.a first processing liquid supply step of applying a first processing liquid containing either sulfuric acid or hydrogen peroxide to the surface of the substrate;
a second treatment liquid supply step of supplying a second treatment liquid containing the other of sulfuric acid and hydrogen peroxide and having a lower viscosity than the first treatment liquid to the surface of the substrate coated with the first treatment liquid;
a mixture solution treatment step of treating the surface of the substrate with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution generated by mixing the first treatment liquid and the second treatment liquid on the surface of the substrate;
and a rinsing step of supplying a rinsing solution to the substrate to wash the sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture from the surface of the substrate after the mixed solution processing step. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 처리액이 증점제를 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 1,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the first treatment liquid contains a thickener. 증점제가 포함된 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하는 제 1 처리액 공급 공정과,
상기 제 1 처리액이 도포된 상기 기판의 표면에 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급 공정과,
상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 표면에서 혼합되어 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액으로 상기 기판의 표면을 처리하는 혼합액 처리 공정과,
상기 혼합액 처리 공정의 후, 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 황산 과산화수소수 혼합액을 상기 기판의 표면으로부터 씻어내는 린스 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A first treatment liquid supply step of applying a first treatment liquid containing a thickener to the surface of the substrate;
a second treatment liquid supply step of supplying a second treatment liquid to the surface of the substrate coated with the first treatment liquid;
a mixture solution treatment step of treating the surface of the substrate with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution generated by mixing the first treatment liquid and the second treatment liquid on the surface of the substrate;
and a rinsing step of supplying a rinsing solution to the substrate to wash the sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture from the surface of the substrate after the mixed solution processing step. 과산화수소수 및 증점제를 포함하는 제 1 처리액을 기판의 표면에 도포하는 제 1 처리액 공급 공정과,
상기 제 1 처리액이 도포된 상기 기판의 표면에, 황산을 포함하는 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급 공정과,
상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액이 상기 기판의 표면에서 혼합되어 생성되는 황산 과산화수소수 혼합액으로 상기 기판의 표면을 처리하는 혼합액 처리 공정과,
상기 혼합액 처리 공정의 후, 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 황산 과산화수소수 혼합액을 상기 기판의 표면으로부터 씻어내는 린스 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.a first treatment liquid supply step of applying a first treatment liquid containing hydrogen peroxide and a thickener to the surface of the substrate;
a second treatment liquid supply step of supplying a second treatment liquid containing sulfuric acid to the surface of the substrate coated with the first treatment liquid;
a mixture solution treatment step of treating the surface of the substrate with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution generated by mixing the first treatment liquid and the second treatment liquid on the surface of the substrate;
and a rinsing step of supplying a rinsing solution to the substrate to wash the sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture from the surface of the substrate after the mixed solution processing step. 제 2 항, 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 증점제가, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산나트륨, 폴리아크릴산암모늄, 가교형 폴리아크릴산, 가교형 폴리아크릴산나트륨, 가교형 아크릴계 폴리머, 및 카르복실산계 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 2, 3 or 4,
The thickener is at least selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone, polyacrylic acid, sodium polyacrylate, ammonium polyacrylate, crosslinked polyacrylic acid, crosslinked sodium polyacrylate, crosslinked acrylic polymer, and carboxylic acid copolymer. A substrate processing method comprising one type. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 처리액이 증점제를 포함하지 않는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the second processing liquid does not contain a thickener. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 처리액 공급 공정에 있어서, 상기 제 1 처리액이 상기 기판의 표면에 도포되어, 상기 기판의 표면의 전역을 덮는 상기 제 1 처리액의 도포막이 형성되는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 6,
In the first processing liquid supply step, the first processing liquid is applied to the surface of the substrate to form a coating film of the first processing liquid covering the entire surface of the substrate. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 처리액 공급 공정에 있어서, 상기 제 1 처리액의 도포막의 표면에 상기 제 2 처리액이 공급되는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 7,
In the second processing liquid supply step, the second processing liquid is supplied to the surface of the coating film of the first processing liquid. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 처리액 공급 공정은, 상기 기판의 표면에 대한 상기 제 1 처리액의 공급을 정지시킨 상태에서 개시되는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 8,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the step of supplying the second processing liquid is started in a state in which supply of the first processing liquid to the surface of the substrate is stopped. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 혼합액 처리 공정의 적어도 일부의 기간이, 상기 제 2 처리액 공급 공정의 적어도 일부의 기간과 중복되고 있는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 9,
The substrate processing method of claim 1 , wherein at least a part of the period of the mixed liquid processing step overlaps with at least a part of the period of the second processing liquid supplying step. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 혼합액 처리 공정의 적어도 일부의 기간에 있어서, 상기 기판의 표면에 대한 상기 제 2 처리액의 공급이 정지되고 있는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 10,
The substrate processing method of claim 1 , wherein supply of the second processing liquid to the surface of the substrate is stopped during at least a part of the mixed liquid processing step. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 처리액 공급 공정과 상기 제 2 처리액 공급 공정이, 교대로 반복하여 실행되는, 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 11,
The substrate processing method, wherein the first processing liquid supplying process and the second processing liquid supplying process are alternately and repeatedly performed. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실시하기 위한 기판 처리 장치로서,
기판을 유지하는 기판 유지 수단과,
상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 상기 제 1 처리액을 공급하는 제 1 처리액 노즐과,
상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 노즐과,
상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 상기 린스액을 공급하는 린스액 노즐과,
상기 제 1 처리액 노즐로부터의 상기 제 1 처리액의 공급을 제어하며 상기 제 1 처리액 공급 공정을 실행하고, 상기 제 2 처리액 노즐로부터의 상기 제 2 처리액의 공급을 제어하며 상기 제 2 처리액 공급 공정을 실행하고, 상기 린스액 노즐로부터의 상기 린스액의 공급을 제어하며 상기 린스 공정을 실행하는 제어 수단을 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing the substrate processing method according to any one of claims 1 to 12,
substrate holding means for holding the substrate;
a first processing liquid nozzle supplying the first processing liquid to the substrate held in the substrate holding means;
a second processing liquid nozzle supplying the second processing liquid to the substrate held in the substrate holding means;
a rinsing liquid nozzle supplying the rinsing liquid to the substrate held in the substrate holding means;
The supply of the first treatment liquid from the first treatment liquid nozzle is controlled to execute the first treatment liquid supply process, and the supply of the second treatment liquid from the second treatment liquid nozzle is controlled to perform the supply process of the second treatment liquid. and control means for executing a treatment liquid supplying process, controlling supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle, and executing the rinsing process. 제 13 항에 있어서,
상기 기판 유지 수단은, 기판의 표면을 상방을 향하게 하여 수평하게 유지하며 회전하는 스핀 척을 포함하고,
상기 제어 수단은, 상기 제 1 처리액 공급 공정에 있어서, 상기 제 1 처리액 노즐로부터의 상기 제 1 처리액의 공급, 및 상기 스핀 척의 회전을 제어하며, 상기 기판의 표면에 상기 제 1 처리액을 스핀 코트하는, 기판 처리 장치.According to claim 13,
The substrate holding means includes a spin chuck that rotates while keeping the surface of the substrate facing upward and horizontally,
In the first processing liquid supply step, the control unit controls supply of the first processing liquid from the first processing liquid nozzle and rotation of the spin chuck, and controls the supply of the first processing liquid to the surface of the substrate. A substrate processing device that spin-coats. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리 위치와,상기 처리 위치로부터 퇴피한 대기 위치의 사이에서, 상기 제 1 처리액 노즐을 이동시키는 노즐 이동 유닛과,
상기 대기 위치에 있어서 상기 제 1 처리액 노즐의 토출구를 노즐 세정액 중에 침지시키는 세정 포트를 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 13 or 14,
a nozzle moving unit for moving the first processing liquid nozzle between a processing position for supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding means and a standby position retracted from the processing position;
and a cleaning port for immersing the discharge port of the first processing liquid nozzle in the nozzle cleaning liquid at the standby position.
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