JP2019207948A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.
半導体装置の製造工程において、たとえば、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の主面に処理液を供給する処理液供給ユニットとを備えている。スピンチャックとして、複数の挟持ピンを基板の周縁部に接触させて当該基板を水平方向に挟むことにより基板を水平に保持する挟持式のチャックが採用されることがある。挟持式のチャックでは、複数の挟持ピンは、基板の外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて設けられている。 In a semiconductor device manufacturing process, for example, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one includes, for example, a spin chuck that horizontally holds and rotates a substrate, and a main substrate that is held by the spin chuck. And a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the surface. As the spin chuck, a pinch type chuck that holds a substrate horizontally by bringing a plurality of pinching pins into contact with the peripheral edge of the substrate and pinching the substrate in a horizontal direction may be employed. In the clamping chuck, the plurality of clamping pins are provided at appropriate intervals on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the substrate.
典型的な基板処理工程では、スピンチャックに保持された基板に対して、処理液としての薬液が供給される薬液工程が実行される。薬液工程において、基板に供給された薬液は基板の回転による遠心力を受けて周縁部から排出される。その後、処理液としてのリンス液が基板に供給されるリンス工程が実行される。リンス工程において、基板に供給されたリンス液は基板の回転による遠心力を受けて周縁部から排出される。その後、基板の主面に付着しているリンス液を排除するためのスピンドライ工程が行われる。スピンドライ工程では、基板が高速回転されることにより、基板に付着しているリンス液が振り切られて排除(乾燥)される。一般的なリンス液は脱イオン水である。 In a typical substrate processing process, a chemical process is performed in which a chemical liquid as a processing liquid is supplied to a substrate held by a spin chuck. In the chemical liquid process, the chemical liquid supplied to the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate and is discharged from the peripheral portion. Thereafter, a rinsing process is performed in which a rinsing liquid as a processing liquid is supplied to the substrate. In the rinsing step, the rinsing liquid supplied to the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate and is discharged from the peripheral portion. Thereafter, a spin dry process for removing the rinse liquid adhering to the main surface of the substrate is performed. In the spin dry process, when the substrate is rotated at a high speed, the rinse liquid adhering to the substrate is shaken off and removed (dried). A common rinse solution is deionized water.
リンス工程の終了後には、挟持ピンの挟持部と基板の周縁部との間にリンス液が残存している。この残存するリンス液(挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液)に薬液が含まれていることがある。この状態でスピンドライ工程が実行されると、このリンス液に含まれる薬液が乾燥して、基板の主面の周縁部にパーティクルが発生するおそれがある。すなわち、挟持部と基板の周縁部との間に液体が残存したままスピンドライ工程が行われることに起因するパーティクル汚染の発生を抑制または防止することが求められていた。 After completion of the rinsing process, the rinsing liquid remains between the holding part of the holding pin and the peripheral part of the substrate. The remaining rinse liquid (the rinse liquid remaining between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate) may contain a chemical solution. When the spin dry process is performed in this state, the chemical liquid contained in the rinse liquid may be dried, and particles may be generated at the peripheral edge of the main surface of the substrate. That is, it has been demanded to suppress or prevent the occurrence of particle contamination due to the spin dry process being performed while the liquid remains between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate.
そこで、この発明の目的の一つは、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を抑制または防止できる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。 Accordingly, one object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing or preventing the generation of particles at the peripheral edge of the substrate.
前記の目的を達成するための請求項1に記載の発明は、基板の周縁部に接触可能な少なくとも3つの第1の挟持部を有し、前記少なくとも3つの第1の挟持部が前記基板の周縁部に接触することによって前記基板を挟持する第1の挟持ユニットと、前記第1の挟持ユニットとは別に設けられ、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも3つの第2の挟持部を有し、前記少なくとも3つの第2の挟持部が前記基板の周縁部に接触することによって前記基板を挟持する第2の挟持ユニットとを含む基板保持回転装置を含む基板処理装置において実行され、前記基板に対して薬液を用いた処理を施すための基板処理方法であって、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第1の挟持状態を実現し、その第1の挟持状態を所定の第1の期間維持する第1の挟持工程と、前記第1の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第2の挟持状態を実現し、その第2の挟持状態を所定の第2の期間維持する第2の挟持工程とを含む、基板処理方法を提供する。 In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 has at least three first holding portions that can contact a peripheral portion of the substrate, and the at least three first holding portions are provided on the substrate. A first sandwiching unit that sandwiches the substrate by contacting the peripheral portion and a first sandwiching unit provided separately from the first sandwiching unit and having at least three second sandwiching portions that can contact the peripheral portion of the substrate. And the substrate processing apparatus including a substrate holding and rotating device including a second holding unit that holds the substrate by contacting the peripheral edge of the substrate with the at least three second holding portions. A substrate processing method for performing a process using a chemical solution on the substrate, while rotating the substrate held by the substrate holding and rotating device around a rotation axis passing through a central portion of the substrate, A rinsing step for supplying a rinsing liquid to the main surface of the substrate, and a swing-off speed at which the rinsing liquid can be shaken off from the main surface of the substrate without supplying the rinsing liquid to the main surface of the substrate In parallel with at least one of the spin drying step of rotating around the rotation axis and the rinsing step and the spin drying step, the at least three second holding portions are separated from the peripheral portion of the substrate, By bringing the three first clamping portions into contact with the peripheral edge portion of the substrate, a first clamping state is achieved in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the second sandwiching unit. The first clamping step for maintaining the first clamping state for a predetermined first period, and after the first clamping step, in parallel with the spin dry step, By bringing the at least three second clamping parts into contact with the peripheral edge of the substrate while separating at least three first clamping parts from the peripheral edge of the substrate, the second clamping unit causes the substrate to be brought into contact with the peripheral edge of the substrate. And a second clamping step of realizing a second clamping state in which the substrate is not clamped by the first clamping unit and maintaining the second clamping state for a predetermined second period. I will provide a.
この方法によれば、リンス工程およびスピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、第1の挟持ユニットによって基板を挟持し第2の挟持ユニットによって基板を挟持しない第1の挟持状態が維持される(第1の挟持工程)。第1の挟持状態においては、各第2の挟持部が基板の周縁部から離間させられている。
第1の挟持工程において、各第2の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第2の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第1の挟持工程の開始前に第2の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第2の挟持部に付着している液体に遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第2の挟持部から振り切られる。そのため、第1の挟持工程の終了時においては、第2の挟持部から液体が除去されている。
According to this method, in parallel with at least one of the rinsing process and the spin drying process, the first sandwiching state in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the second sandwiching unit is maintained ( First clamping step). In the first clamping state, each second clamping part is separated from the peripheral edge part of the substrate.
In the first clamping step, each second clamping part rotates around the rotation axis while being separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the second holding part before the start of the first holding process, centrifugal force acts on the liquid attached to the second holding part as the substrate rotates. Thus, the liquid is shaken off from the second clamping unit. Therefore, at the end of the first clamping step, the liquid is removed from the second clamping unit.
第1の挟持工程の終了後、スピンドライ工程に並行して、第2の挟持ユニットによって基板を挟持し第1の挟持ユニットによって基板を挟持しない第2の挟持状態が維持される(第2の挟持工程)。第2の挟持状態においては、各第1の挟持部が基板の周縁部から離間させられ、かつ当該第2の挟持部が基板の周縁部に接触している。
既に液体除去済みの第2の挟持部が基板の周縁部に接触するので、第2の挟持工程において、第2の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第2の挟持工程では、第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第2の挟持ユニットによって基板を挟持できる。
After completion of the first clamping process, in parallel with the spin drying process, a second clamping state is maintained in which the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the first sandwiching unit (the second sandwiching state). Clamping process). In the second clamping state, each first clamping part is separated from the peripheral part of the substrate, and the second clamping part is in contact with the peripheral part of the substrate.
Since the second sandwiching portion from which the liquid has already been removed comes into contact with the peripheral portion of the substrate, there is no liquid between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate in the second sandwiching step. That is, in the second clamping step, the substrate can be sandwiched by the second sandwiching unit without causing a liquid containing a chemical solution to be present between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate.
また、第2の挟持工程において、各第1の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第1の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第2の挟持工程の開始前に第1の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第1の挟持部に付着している液体に大きな遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第1の挟持部から振り切られる。そのため、第2の挟持工程の終了後には第1の挟持部から液体が除去されている。 Further, in the second clamping step, the first clamping part rotates around the rotation axis while the first clamping parts are separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the first holding part before the start of the second holding process, a large centrifugal force acts on the liquid attached to the first holding part as the substrate rotates, Thereby, the liquid is shaken off from the first clamping unit. Therefore, the liquid is removed from the first clamping unit after the second clamping process is completed.
その後、第2の挟持ユニットによって基板を挟持する場合に、既に乾燥済みの第1の挟持部が基板の周縁部に接触する。このとき、第1の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第2の挟持工程の後の工程において、第1の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第1の挟持ユニットによって基板を挟持できる。 Thereafter, when the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit, the already-dried first sandwiching portion comes into contact with the peripheral portion of the substrate. At this time, there is no liquid between the first clamping part and the peripheral part of the substrate. That is, in the step subsequent to the second clamping step, the substrate can be clamped by the first clamping unit without causing the liquid containing the chemical liquid to exist between the first clamping portion and the peripheral edge portion of the substrate.
したがって、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
請求項2に記載のように、前記方法が、前記リンス工程の前に、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面に薬液を供給する薬液工程をさらに含んでいてもよい。
Therefore, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
The method according to
この方法によれば、リンス工程に先立って薬液工程が実行される。薬液の種類や薬液の温度および挟持部の材質によっては、薬液工程において挟持部の内部に薬液が染み込むおそれがある。そして、染み込んだ薬液が第1の挟持部と基板の周縁部との間や第2の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に染み出すことにより、リンス工程の終盤やリンス工程の終了時において、第1の挟持部と基板の周縁部との間や第2の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に薬液が含まれることがある。この状態でスピンドライ工程が実行されると、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。 According to this method, the chemical liquid process is performed prior to the rinsing process. Depending on the type of the chemical solution, the temperature of the chemical solution, and the material of the sandwiching portion, the chemical solution may permeate into the sandwiching portion in the chemical solution process. Then, the soaked chemical solution oozes out into the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate. At the end of the process, the chemical solution may be contained in the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate. If the spin dry process is performed in this state, particles may be generated at the peripheral edge of the substrate.
この方法によれば、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、抑制または防止できる。
請求項3に記載のように、前記薬液が、硫酸含有液を含んでいてもよい。
硫酸含有液は、一般的に、非常に高い液温を有している状態で基板処理に使用される。この場合、挟持ピンの材質によっては硫酸含有液が挟持ピンに染み込むおそれがある。そして、スピンドライ工程中に、挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に硫酸含有液が染み出すと、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。
According to this method, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the occurrence of particle contamination can be suppressed or prevented.
As described in
The sulfuric acid-containing liquid is generally used for substrate processing in a state having a very high liquid temperature. In this case, depending on the material of the pin, the sulfuric acid-containing liquid may penetrate into the pin. If the sulfuric acid-containing liquid oozes out in the rinsing liquid remaining between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate during the spin dry process, particles may be generated at the peripheral portion of the substrate.
この方法によれば、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、硫酸含有液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、薬液として硫酸含有液を用いる場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
請求項4に記載の発明は、前記第1の期間が、前記少なくとも3つの第1の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間であり、前記第2の期間が、前記少なくとも3つの第2の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
According to this method, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the sulfuric acid-containing liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, even when a sulfuric acid-containing liquid is used as the chemical liquid, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
According to a fourth aspect of the present invention, the first period is a period in which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three first holding portions, and the second period is the at least three third periods. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the rinse liquid can be shaken off from the two clamping portions.
この方法によれば、第1の挟持工程の終了の時点で、第2の挟持部を乾燥させることができる。また、第2の挟持工程の終了の時点で、第1の挟持部を乾燥させることができる。これにより、スピンドライ工程中における、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存を、より効果的に抑制できる。
請求項5に記載の発明は、前記方法が、前記第1の挟持状態において、前記基板の周縁部から離間している前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第1の挟持状態から、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態に遷移する第1の遷移工程と、前記両挟持状態において、前記基板の周縁部に接触している前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部から離間させることにより、前記両挟持状態から前記第2の挟持状態に遷移する第2の遷移工程とをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
According to this method, the second clamping unit can be dried at the end of the first clamping process. Further, the first clamping unit can be dried at the end of the second clamping process. Thereby, the remaining of the liquid containing the chemical solution between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate during the spin dry process can be more effectively suppressed.
According to a fifth aspect of the present invention, in the first clamping state, the method causes the at least three second clamping portions spaced apart from the peripheral edge portion of the substrate to contact the peripheral edge portion of the substrate. A first transition step of transitioning from the first sandwiched state to a sandwiched state in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the second sandwiching unit, and in the both sandwiched state, the substrate A second transition step in which the at least three first sandwiching portions in contact with the peripheral portion of the substrate are separated from the peripheral portion of the substrate to transition from the both sandwiched states to the second sandwiched state. Furthermore, it is a substrate processing method as described in any one of Claims 1-4.
この方法によれば、第1の挟持状態から両挟持状態を一旦経て第2の挟持状態に遷移させるので、基板の回転を停止させることなく、第1の挟持状態から第2の挟持状態へと遷移させることができる。
請求項6に記載の発明は、前記方法が、前記第2の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態を実現する両挟持工程をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
According to this method, since the first clamping state is transited from the first clamping state to the second clamping state once, the first clamping state is changed to the second clamping state without stopping the rotation of the substrate. Transition can be made.
According to a sixth aspect of the present invention, the method clamps the substrate by the first clamping unit and the second clamping unit in parallel with the spin dry process after the second clamping process. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 5, further comprising a both-clamping step for realizing a both-clamping state.
この方法によれば、第2の挟持工程の後、スピンドライ工程に並行して、第1の挟持ユニットおよび第2の挟持ユニットによって基板を挟持する両挟持状態が実現される(両挟持工程)。これにより、第2の挟持工程の後に、第1の挟持工程や第2の挟持工程よりも速い速度で基板を回転させることが可能である。
請求項7に記載の発明は、前記スピンドライ工程が、前記第1の挟持工程および前記第2の挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる第1の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第1のスピンドライ工程と、前記両挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができ、前記第1の乾燥速度よりも速い第2の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第2のスピンドライ工程とを含む、請求項6に記載の基板処理方法である。
According to this method, after the second clamping process, in parallel with the spin dry process, a both-clamping state in which the substrate is clamped by the first clamping unit and the second clamping unit is realized (both clamping processes). . Thereby, it is possible to rotate a board | substrate at a faster speed than a 1st clamping process or a 2nd clamping process after a 2nd clamping process.
According to a seventh aspect of the present invention, the spin dry process can shake off the rinse liquid from the main surface of the substrate in parallel with the first clamping process and the second clamping process. In parallel with the first spin-drying step of rotating around the rotation axis at a first drying speed and the sandwiching step, the rinse liquid can be shaken off from the main surface of the substrate, and the first The substrate processing method according to
この方法によれば、スピンドライ工程において、より速い第2の乾燥速度で基板を回転させることができるので、基板を良好に振り切り乾燥させることができる。
請求項8に記載の発明は、前記第1の挟持工程が、前記スピンドライ工程に並行して実行される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
仮に、第1の挟持工程がリンス工程に並行して実行される場合には、基板の周縁部から離間している第2の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがある。また、基板の回転速度が遅いために、第1の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第2の挟持部に作用する遠心力が大きくならないおそれがある。
According to this method, since the substrate can be rotated at a higher second drying speed in the spin drying process, the substrate can be satisfactorily shaken and dried.
The invention according to
If the first clamping step is executed in parallel with the rinsing step, the rinse liquid from the substrate may fall on the second clamping portion that is separated from the peripheral edge of the substrate. Further, since the rotation speed of the substrate is slow, there is a possibility that the centrifugal force acting on each second clamping part rotating while being separated from the peripheral part in the first clamping process is not increased.
これに対し、この方法によれば、第1の挟持工程が、スピンドライ工程に並行して実行されるので、基板の周縁部から離間している第2の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがない。また、リンス液を振り切るほどの基板の回転速度になるために、第1の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第2の挟持部に作用する遠心力が大きい。これにより、第1の挟持工程において、第2の挟持部をより良好に乾燥させることができる。 On the other hand, according to this method, since the first clamping step is executed in parallel with the spin drying step, the rinsing liquid from the substrate is applied to the second clamping portion that is separated from the peripheral portion of the substrate. There is no risk of falling. Further, since the rotation speed of the substrate is high enough to shake off the rinsing liquid, the centrifugal force acting on each of the second holding portions rotating while being separated from the peripheral portion in the first holding step is large. Thereby, in a 1st clamping process, a 2nd clamping part can be dried more favorably.
請求項9に記載の発明は、前記第2の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第1の挟持工程および前記第2の挟持工程が再度実行される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、第1の挟持工程および前記第2の挟持工程が複数回実行される。そのため、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存をより一層効果的に抑制しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、より効果的に抑制できる。
In the ninth aspect of the present invention, the first clamping step and the second clamping step are executed again in parallel with the spin dry step after the second clamping step. The substrate processing method according to
According to this method, the first clamping step and the second clamping step are executed a plurality of times. Therefore, the spin dry process can be executed while more effectively suppressing the remaining of the liquid containing the chemical liquid between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be more effectively suppressed.
前記の目的を達成するための請求項10に記載の発明は、基板に対して薬液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも3つの第1の挟持部を有し、前記少なくとも3つの第1の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第1の挟持ユニットと、前記第1の挟持ユニットとは別に設けられ、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも3つの第2の挟持部を有し、前記少なくとも3つの第2の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第2の挟持ユニットと、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットを、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットを駆動する挟持駆動ユニットとを含む基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板の主面に対してリンス液を供給するためのリンス液供給ユニットと、前記回転ユニット、前記挟持駆動ユニットおよび前記リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転ユニットによって当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記リンス液供給ユニットによって前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、前記回転ユニットによって、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも3つの第2の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第1の挟持状態を実現し、その第1の挟持状態を所定期間維持する第1の挟持工程と、前記第1の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも3つの第1の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第2の挟持状態を実現し、その第2の挟持状態を所定期間維持する第2の挟持工程とを実行する、基板処理装置を提供する。
In order to achieve the above object, an invention according to
この構成によれば、リンス工程およびスピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、第1の挟持ユニットによって基板を挟持し第2の挟持ユニットによって基板を挟持しない第1の挟持状態が維持される(第1の挟持工程)。第1の挟持状態においては、各第2の挟持部が基板の周縁部から離間させられている。
第1の挟持工程において、各第2の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第2の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第1の挟持工程の開始前に第2の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第2の挟持部に付着している液体に遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第2の挟持部から振り切られる。そのため、第1の挟持工程の終了時においては、第2の挟持部から液体が除去されている。
According to this configuration, in parallel with at least one of the rinsing process and the spin dry process, the first sandwiching state in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the second sandwiching unit is maintained ( First clamping step). In the first clamping state, each second clamping part is separated from the peripheral edge part of the substrate.
In the first clamping step, each second clamping part rotates around the rotation axis while being separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the second holding part before the start of the first holding process, centrifugal force acts on the liquid attached to the second holding part as the substrate rotates. Thus, the liquid is shaken off from the second clamping unit. Therefore, at the end of the first clamping step, the liquid is removed from the second clamping unit.
第1の挟持工程の終了後、スピンドライ工程に並行して、第2の挟持ユニットによって基板を挟持し第1の挟持ユニットによって基板を挟持しない第2の挟持状態が維持される(第2の挟持工程)。第2の挟持状態においては、各第1の挟持部が基板の周縁部から離間させられ、かつ当該第2の挟持部が基板の周縁部に接触している。
既に液体除去済みの第2の挟持部が基板の周縁部に接触するので、第2の挟持工程において、第2の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第2の挟持工程では、第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第2の挟持ユニットによって基板を挟持できる。
After completion of the first clamping process, in parallel with the spin drying process, a second clamping state is maintained in which the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit and the substrate is not sandwiched by the first sandwiching unit (the second sandwiching state). Clamping process). In the second clamping state, each first clamping part is separated from the peripheral part of the substrate, and the second clamping part is in contact with the peripheral part of the substrate.
Since the second sandwiching portion from which the liquid has already been removed comes into contact with the peripheral portion of the substrate, there is no liquid between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate in the second sandwiching step. That is, in the second clamping step, the substrate can be sandwiched by the second sandwiching unit without causing a liquid containing a chemical solution to be present between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate.
また、第2の挟持工程において、各第1の挟持部が基板の周縁部から離間させられながら当該第1の挟持部が回転軸線回りに回転する。そのため、第2の挟持工程の開始前に第1の挟持部に液体が付着していても、基板の回転に伴って第1の挟持部に付着している液体に大きな遠心力が作用し、これにより、当該液体が、第1の挟持部から振り切られる。そのため、第2の挟持工程の終了後には第1の挟持部から液体が除去されている。 Further, in the second clamping step, the first clamping part rotates around the rotation axis while the first clamping parts are separated from the peripheral edge of the substrate. Therefore, even if the liquid is attached to the first holding part before the start of the second holding process, a large centrifugal force acts on the liquid attached to the first holding part as the substrate rotates, Thereby, the liquid is shaken off from the first clamping unit. Therefore, the liquid is removed from the first clamping unit after the second clamping process is completed.
その後、第2の挟持ユニットによって基板を挟持する場合に、既に乾燥済みの第1の挟持部が基板の周縁部に接触する。このとき、第1の挟持部と基板の周縁部との間に液体が存在しない。すなわち、第2の挟持工程の後の工程において、第1の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体を存在させることなく、第1の挟持ユニットによって基板を挟持できる。 Thereafter, when the substrate is sandwiched by the second sandwiching unit, the already-dried first sandwiching portion comes into contact with the peripheral portion of the substrate. At this time, there is no liquid between the first clamping part and the peripheral part of the substrate. That is, in the step subsequent to the second clamping step, the substrate can be clamped by the first clamping unit without causing the liquid containing the chemical liquid to exist between the first clamping portion and the peripheral edge portion of the substrate.
したがって、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
請求項11に記載の発明は、前記制御装置が、前記リンス工程の前に、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面に薬液を供給する薬液工程をさらに実行する、請求項10に記載の基板処理装置である。
Therefore, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
According to an eleventh aspect of the present invention, the controller controls the main surface of the substrate while rotating the substrate held by the substrate holding and rotating device around the rotation axis before the rinsing step. The substrate processing apparatus according to
この構成によれば、リンス工程に先立って薬液工程が実行される。薬液の種類や薬液の温度および挟持部の材質によっては、薬液工程において挟持部の内部に薬液が染み込むおそれがある。そして、染み込んだ薬液が第1の挟持部と基板の周縁部との間や第2の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に染み出すことにより、リンス工程の終盤やリンス工程の終了時において、第1の挟持部と基板の周縁部との間や第2の挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に薬液が含まれることがある。この状態でスピンドライ工程が実行されると、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。 According to this structure, a chemical | medical solution process is performed prior to a rinse process. Depending on the type of the chemical solution, the temperature of the chemical solution, and the material of the sandwiching portion, the chemical solution may permeate into the sandwiching portion in the chemical solution process. Then, the soaked chemical solution oozes out into the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral edge portion of the substrate. At the end of the process, the chemical solution may be contained in the rinsing liquid remaining between the first sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate. If the spin dry process is performed in this state, particles may be generated at the peripheral edge of the substrate.
この方法によれば、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、抑制または防止できる。
請求項12に記載のように、前記薬液が、硫酸含有液を含んでいてもよい。
硫酸含有液は、一般的に、非常に高い液温を有している状態で基板処理に使用される。この場合、挟持ピンの材質によっては硫酸含有液が挟持ピンに染み込むおそれがある。そして、スピンドライ工程中に、挟持部と基板の周縁部との間に残存するリンス液に硫酸含有液が染み出すと、基板の周縁部においてパーティクルが発生するおそれがある。
According to this method, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the occurrence of particle contamination can be suppressed or prevented.
As recited in claim 12, the chemical solution may contain a sulfuric acid-containing solution.
The sulfuric acid-containing liquid is generally used for substrate processing in a state having a very high liquid temperature. In this case, depending on the material of the pin, the sulfuric acid-containing liquid may penetrate into the pin. If the sulfuric acid-containing liquid oozes out in the rinsing liquid remaining between the sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate during the spin dry process, particles may be generated at the peripheral portion of the substrate.
この方法によれば、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、硫酸含有液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、薬液として硫酸含有液を用いる場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
請求項13に記載の発明は、前記第1の期間が、前記少なくとも3つの第1の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間であり、前記第2の期間が、前記少なくとも3つの第2の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である、請求項10〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to this method, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the sulfuric acid-containing liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, even when a sulfuric acid-containing liquid is used as the chemical liquid, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be suppressed or prevented.
According to a thirteenth aspect of the present invention, the first period is a period during which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three first holding portions, and the second period is the at least three third periods. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 10-12 which is the period which can shake off the rinse liquid from 2 clamping parts.
この構成によれば、第1の挟持工程の終了の時点で、第2の挟持部を乾燥させることができる。また、第2の挟持工程の終了の時点で、第1の挟持部を乾燥させることができる。これにより、スピンドライ工程中における、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存を、より効果的に抑制できる。
請求項14に記載の発明は、前記制御装置が、前記第1の挟持状態において、前記基板の周縁部から離間している前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第1の挟持状態から、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態に遷移する第1の遷移工程と、前記両挟持状態において、前記基板の周縁部に接触している前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部から離間させることにより、前記両挟持状態から前記第2の挟持状態に遷移する第2の遷移工程とをさらに実行する、請求項10〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to this structure, the 2nd clamping part can be dried at the time of completion | finish of a 1st clamping process. Further, the first clamping unit can be dried at the end of the second clamping process. Thereby, the remaining of the liquid containing the chemical solution between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate during the spin dry process can be more effectively suppressed.
According to a fourteenth aspect of the present invention, the control device causes the at least three second sandwiching portions spaced apart from the peripheral portion of the substrate to contact the peripheral portion of the substrate in the first sandwiching state. Thus, in the first transition step of transitioning from the first sandwiched state to a both sandwiched state in which the substrate is sandwiched by the first sandwiching unit and the second sandwiching unit, and in the both sandwiched state, A second transition step in which the at least three first sandwiching portions in contact with the peripheral portion of the substrate are separated from the peripheral portion of the substrate to transition from the both sandwiched states to the second sandwiched state; The substrate processing apparatus according to
この構成によれば、第1の挟持状態から両挟持状態を一旦経て第2の挟持状態に遷移させるので、基板の回転を停止させることなく、第1の挟持状態から第2の挟持状態へと遷移させることができる。
請求項15に記載の発明は、前記制御装置が、前記第2の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持する両挟持状態を実現する両挟持工程をさらに実行する、請求項10〜14のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, since the first clamping state is transited from the first clamping state to the second clamping state once, the first clamping state is changed to the second clamping state without stopping the rotation of the substrate. Transition can be made.
According to a fifteenth aspect of the present invention, the control device clamps the substrate by the first clamping unit and the second clamping unit in parallel with the spin dry process after the second clamping process. The substrate processing apparatus according to
この構成によれば、第2の挟持工程の後、スピンドライ工程に並行して、第1の挟持ユニットおよび第2の挟持ユニットによって基板を挟持する両挟持状態が実現される(両挟持工程)。これにより、第2の挟持工程の後に、第1の挟持工程や第2の挟持工程よりも速い速度で基板を回転させることが可能である。
請求項16に記載の発明は、前記制御装置が、前記スピンドライ工程において、前記第1の挟持工程および前記第2の挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる第1の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第1のスピンドライ工程と、前記両挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができ、前記第1の乾燥速度よりも速い第2の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第2のスピンドライ工程とを実行する、請求項15に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, after the second clamping process, in parallel with the spin drying process, a both-clamping state in which the substrate is clamped by the first clamping unit and the second clamping unit is realized (both clamping processes). . Thereby, it is possible to rotate a board | substrate at a faster speed than a 1st clamping process or a 2nd clamping process after a 2nd clamping process.
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the spin dry process, the control device moves the substrate from the main surface of the substrate in parallel with the first sandwiching process and the second sandwiching process. In parallel with the first spin-drying step of rotating around the rotation axis at a first drying speed capable of shaking off the substrate and the both clamping steps, the rinse liquid is shaken off from the main surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein a second spin drying step of rotating around the rotation axis at a second drying speed faster than the first drying speed is performed.
この構成によれば、スピンドライ工程において、より速い第2の乾燥速度で基板を回転させることができるので、基板を良好に振り切り乾燥させることができる。
請求項17に記載の発明は、前記制御装置が、前記第1の挟持工程を、前記スピンドライ工程に並行して実行する、請求項10〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, since the substrate can be rotated at a higher second drying speed in the spin dry process, the substrate can be satisfactorily shaken and dried.
The invention according to claim 17 is the substrate processing apparatus according to any one of
仮に、第1の挟持工程がリンス工程に並行して実行される場合には、基板の周縁部から離間している第2の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがある。また、基板の回転速度が遅いために、第1の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第2の挟持部に作用する遠心力が大きくならないおそれがある。
これに対し、この構成によれば、第1の挟持工程が、スピンドライ工程に並行して実行されるので、基板の周縁部から離間している第2の挟持部に基板からのリンス液が降り掛かるおそれがない。また、リンス液を振り切るほどの基板の回転速度になるために、第1の挟持工程において周縁部から離間しながら回転している各第2の挟持部に作用する遠心力が大きい。これにより、第1の挟持工程において、第2の挟持部をより良好に乾燥させることができる。
If the first clamping step is executed in parallel with the rinsing step, the rinse liquid from the substrate may fall on the second clamping portion that is separated from the peripheral edge of the substrate. Further, since the rotation speed of the substrate is slow, there is a possibility that the centrifugal force acting on each second clamping part rotating while being separated from the peripheral part in the first clamping process is not increased.
On the other hand, according to this configuration, since the first clamping process is executed in parallel with the spin dry process, the rinse liquid from the substrate is applied to the second clamping part that is separated from the peripheral part of the substrate. There is no risk of falling. Further, since the rotation speed of the substrate is high enough to shake off the rinsing liquid, the centrifugal force acting on each of the second holding portions rotating while being separated from the peripheral portion in the first holding step is large. Thereby, in a 1st clamping process, a 2nd clamping part can be dried more favorably.
請求項18に記載の発明は、前記制御装置が、前記第2の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して前記第1の挟持工程および前記第2の挟持工程を再度実行する、請求項10〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第1の挟持工程および前記第2の挟持工程が複数回実行される。そのため、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間における薬液を含んだ液体の残存をより一層効果的に抑制しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、より効果的に抑制できる。
The invention according to
According to this configuration, the first clamping step and the second clamping step are executed a plurality of times. Therefore, the spin dry process can be executed while more effectively suppressing the remaining of the liquid containing the chemical liquid between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, the generation of particles at the peripheral edge of the substrate can be more effectively suppressed.
請求項19に記載の発明は、前記第1の挟持部および前記第2の挟持部が、樹脂部材を含む、請求項10〜18のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第1の挟持部および第2の挟持部が樹脂部材を含む場合には、第1の挟持ユニットおよび第2の挟持ユニットによって基板を挟持しながら、薬液を用いた処理を基板に対し施すことにより、第1の挟持部および第2の挟持部に薬液が染み込むおそれがある。そして、リンス工程において、第1の挟持部と基板の周縁部との間や第2の挟持部と基板の周縁部との間にリンス液が残存することがある。このリンス液に、薬液工程において染み込んだ薬液が染み出している状態でスピンドライ工程が実行されると、基板の主面にパーティクル汚染が発生するおそれがある。
The invention according to
According to this configuration, when the first clamping unit and the second clamping unit include the resin member, the processing using the chemical solution is performed while the substrate is clamped by the first clamping unit and the second clamping unit. By applying to the substrate, there is a possibility that the chemical solution may permeate into the first sandwiching portion and the second sandwiching portion. In the rinsing step, the rinsing liquid may remain between the first sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate or between the second sandwiching portion and the peripheral portion of the substrate. If the spin dry process is performed in a state where the chemical liquid soaked in the chemical liquid process is oozed out into the rinse liquid, there is a possibility that particle contamination occurs on the main surface of the substrate.
この構成によれば、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、第1の挟持部および第2の挟持部が樹脂部材を含む場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
請求項20に記載の発明は、前記樹脂部材には炭素が含まれている、請求項19に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, even when the first sandwiching portion and the second sandwiching portion include a resin member, the generation of particles at the peripheral portion of the substrate can be suppressed or prevented.
The invention according to claim 20 is the substrate processing apparatus according to
この構成によれば、第1の挟持部および第2の挟持部が、炭素を含む樹脂部材を含む場合には、経時劣化により、樹脂部材から炭素が抜け落ちる。そして、炭素が抜け落ちた後の樹脂部材には微細な空隙が発生し、その空隙に薬液が入り込むことにより、第1の挟持部および第2の挟持部に対して薬液が染み込むことが考えられる。
この構成によれば、第1および第2の挟持部と基板の周縁部との間に、薬液を含んだ液体が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程を実行できる。そのため、第1の挟持部および第2の挟持部が、炭素を含む樹脂部材を含む場合であっても、基板の周縁部におけるパーティクルの発生を、抑制または防止できる。
According to this structure, when the 1st clamping part and the 2nd clamping part contain the resin member containing carbon, carbon falls out from a resin member by deterioration with time. And it is possible that a fine space | gap generate | occur | produces in the resin member after carbon has fallen off, and a chemical | medical solution osmose | permeates a 1st clamping part and a 2nd clamping part by a chemical | medical solution entering into the space | gap.
According to this configuration, the spin dry process can be executed while suppressing or preventing the liquid containing the chemical liquid from remaining between the first and second sandwiching portions and the peripheral portion of the substrate. Therefore, even when the first sandwiching portion and the second sandwiching portion include a resin member containing carbon, generation of particles at the peripheral portion of the substrate can be suppressed or prevented.
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液およびリンス液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容する基板収容器Cが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送するインデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。インデクサロボットIRは、基板収容器Cと基板搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from above. The substrate processing apparatus 1 is a single wafer processing apparatus that processes substrates W such as silicon wafers one by one. In this embodiment, the substrate W is a disk-shaped substrate. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of
図2は、処理ユニット2の構成例を説明するための図解的な断面図である。
処理ユニット2は、内部空間を有する箱形のチャンバ4と、チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持回転装置)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの表面(主面。たとえばパターン形成面)に、薬液の一例としての硫酸含有液を供給するための硫酸含有液供給ユニット6と、スピンチャック5に保持されている基板Wの表面に、SC1(NH4OHとH2O2とを含む混合液)を供給するためのSC1供給ユニット7と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に対向する遮断部材8と、遮断部材8の内部を上下に挿通し、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面の中央部に向けて、リンス液を含む処理流体を吐出するための中心軸ノズル9と、中心軸ノズル9にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット10と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ11とを含む。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the
The
チャンバ4は、スピンチャック5を収容する箱状の隔壁14と、隔壁14の上部から隔壁14内に清浄空気(フィルタによってろ過された空気)を送る送風ユニットとしてのFFU(ファン・フィルタ・ユニット)15と、隔壁14の下部からチャンバ4内の気体を排出する排気ダクト16とを含む。FFU15は、隔壁14の上方に配置されており、隔壁14の天井に取り付けられている。FFU15は、隔壁14の天井からチャンバ4内に下向きに低湿度の清浄空気を送る。排気ダクト16は、処理カップ11の底部に接続されており、基板処理装置1が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバ4内の気体を導出する。したがって、チャンバ4内を下方に流れるダウンフロー(下降流)が、FFU15および排気ダクト16によって形成される。基板Wの処理は、チャンバ4内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
The
スピンチャック5として、基板Wを水平方向に挟んで基板Wを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。スピンチャック5の具体的な構成は後述する。
硫酸含有液供給ユニット6は、硫酸含有液ノズル18と、硫酸含有液ノズル18が先端部に取り付けられたノズルアーム19と、ノズルアーム19を移動させることにより、硫酸含有液ノズル18を移動させるノズル移動ユニット20(図13参照)とを含む。硫酸含有液供給ユニット6から供給される硫酸含有液は、たとえば、SPM(H2SO4(硫酸)およびH2O2(過酸化水素水)を含む硫酸過酸化水素水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture))である。
As the
The sulfuric acid-containing
硫酸含有液ノズル18は、たとえば、連続流の状態で、硫酸含有液の一例としてのSPMを吐出するストレートノズルである。硫酸含有液ノズル18は、たとえば、基板Wの上面に向けて、垂直方向、傾斜方向または水平な方向に、SPMを吐出する垂直姿勢でノズルアーム19に取り付けられている。ノズルアーム19は水平方向に延びている。
ノズル移動ユニット20は、揺動軸線まわりにノズルアーム19を水平移動させることにより、硫酸含有液ノズル18を水平に移動させる。ノズル移動ユニット20は、モータ等を含む構成である。ノズル移動ユニット20は、硫酸含有液ノズル18から吐出されたSPMが基板Wの上面に着液する処理位置と、硫酸含有液ノズル18が平面視でスピンチャック5の周囲に設定された退避位置との間で、硫酸含有液ノズル18を水平に移動させる。この実施形態では、処理位置は、たとえば、硫酸含有液ノズル18から吐出されたSPMが基板Wの上面中央部に着液する中央位置である。
The sulfuric acid-containing
The nozzle moving unit 20 moves the sulfuric acid-containing
硫酸含有液供給ユニット6は、硫酸含有液ノズル18にH2SO4を供給する硫酸供給ユニット21と、硫酸含有液ノズル18にH2O2を供給する過酸化水素水供給ユニット22とをさらに含む。
硫酸供給ユニット21は、硫酸含有液ノズル18に一端が接続された硫酸配管23と、硫酸配管23を開閉するための硫酸バルブ24とを含む。硫酸配管23には、硫酸供給源から所定の高温に保たれたH2SO4が供給される。硫酸供給ユニット21は、硫酸配管23の開度を調整して、硫酸配管23を流通するH2SO4の流量を調整する硫酸流量調整バルブをさらに備えていてもよい。この硫酸流量調整バルブは、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。
The sulfuric acid-containing
The sulfuric
過酸化水素水供給ユニット22は、硫酸含有液ノズル18に一端が接続された過酸化水素水配管25と、過酸化水素水配管25を開閉するための過酸化水素水バルブ26とを含む。過酸化水素水配管25には、過酸化水素水供給源から温度調整されていない常温(約23℃)程度のH2O2が供給される。過酸化水素水供給ユニット22は、過酸化水素水配管25の開度を調整して、過酸化水素水配管25を流通するH2O2の流量を調整する過酸化水素水量調整バルブをさらに備えていてもよい。
The hydrogen peroxide
硫酸バルブ24および過酸化水素水バルブ26が開かれると、硫酸配管23からのH2SO4および過酸化水素水配管25からのH2O2が、硫酸含有液ノズル18のケーシング内へと供給され、ケーシング内において十分に混合(攪拌)される。この混合によって、H2SO4とH2O2とが均一に混ざり合い、H2SO4とH2O2との反応によってH2SO4およびH2O2の混合液(SPM)が生成される。SPMは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸(Peroxymonosulfuric acid;H2SO5)を含み、混合前のH2SO4の温度よりも高い温度(100℃以上。たとえば160〜220℃)まで昇温させられる。生成された高温のSPMは、硫酸含有液ノズル18のケーシングに開口した吐出口から吐出される。
When the
SC1供給ユニット7は、SC1ノズル28と、SC1ノズル28が先端部に取り付けられたノズルアーム29と、ノズルアーム29を移動させることにより、SC1ノズル28を移動させるノズル移動ユニット30(図13参照)とを含む。ノズル移動ユニット30は、揺動軸線まわりにノズルアーム29を水平移動させることにより、SC1ノズル28を水平に移動させる。ノズル移動ユニット30は、モータ等を含む構成である。ノズル移動ユニット30は、SC1ノズル28から吐出されたSC1が基板Wの表面に着液する(SC1ノズル28から吐出されたSC1の液滴の噴流が基板Wの表面に吹き付けられる)処理位置と、SC1ノズル28が平面視でスピンチャック5の周囲に設定された退避位置との間で、SC1ノズル28を水平に移動させる。また、ノズル移動ユニット30は、SC1ノズル28から吐出されたSC1の着液位置(SC1ノズル28から吐出されたSC1の液滴の噴流の吹き付け位置)が基板Wの表面の中央部と基板Wの表面の周縁部との間で移動するように、硫酸含有液ノズル18を水平に移動させる。
The SC1 supply unit 7 includes an
SC1ノズル28は、スピンチャック5に保持されている基板Wの表面に、SC1の液滴の噴流を吐出する(SC1を噴霧状に吐出する)。SC1ノズル28は、SC1の微小の液滴を噴出する、公知の二流体ノズル(たとえば特開2017−005230号公報等参照)の形態を有している。SC1供給ユニット7は、SC1供給源からの常温の液体のSC1をSC1ノズル28に供給するSC1配管32と、SC1配管32からSC1ノズル28へのSC1の供給および供給停止を切り換えるべく、SC1配管32を開閉するSC1バルブ33と、気体供給源からの気体をSC1ノズル28に供給する気体配管34と、気体配管34からSC1ノズル28への気体の供給および供給停止を切り換えるべく、気体配管34を開閉する気体バルブ35とをさらに含む。SC1ノズル28に供給される気体としては、一例として窒素ガス(N2)等の不活性ガスを例示できるが、それ以外に、たとえば乾燥空気や清浄空気などを採用できる。SC1ノズル28は、二流体ノズルの形態ではなく、SC1を連続流の態様で吐出するストレートノズルの形態を有していてもよい。
The
気体バルブ35を開いてSC1ノズル28の気体吐出口から気体を吐出させながら、SC1バルブ33を開いて液体吐出口からSC1を吐出させることにより、第1の有機溶剤ノズル31の下方近傍でSC1に気体を衝突(混合)させることによりSC1の微小の液滴を生成することができ、SC1を噴霧状に吐出できる。
遮断部材8は、遮断板41と、遮断板41に一体回転可能に設けられた回転軸42とを含む。遮断板41は、基板Wとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状である。遮断板41は、その下面に基板Wの表面の全域に対向する円形の水平平坦面からなる基板対向面41aを有している。
While the
The blocking
回転軸42は、遮断板41の中心を通り鉛直に延びる回転軸線A2(基板Wの回転軸線A1と一致する軸線)まわりに回転可能に設けられている。回転軸42は、円筒状である。回転軸42は、遮断板41の上方で水平に延びる支持アーム43に相対回転可能に支持されている。
遮断板41の中央部には、遮断板41および回転軸42を上下に貫通する円筒状の貫通穴40が形成されている。貫通穴40には、中心軸ノズル9が上下に挿通している。すなわち、中心軸ノズル9は、遮断板41および回転軸42を上下に貫通している。
The
A cylindrical through-
中心軸ノズル9は、貫通穴40の内部を上下に延びる円柱状のケーシングを備えている。中心軸ノズル9の下端は、基板対向面41aに開口して、吐出口9aを形成している。 中心軸ノズル9は、支持アーム43によって、当該支持アーム43に対し回転不能に支持されている。中心軸ノズル9は、遮断板41、回転軸42、および支持アーム43と共に昇降する。中心軸ノズル9の上流端には、リンス液供給ユニット10が接続されている。
The
リンス液供給ユニット10は、中心軸ノズル9にリンス液を案内するリンス液配管44と、リンス液配管44を開閉するリンス液バルブ45とを含む。リンス液は、たとえば水である。この実施形態において、水は、純水(脱イオン水)、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)のアンモニア水のいずれかである。リンス液バルブ45が開かれると、リンス液供給源からのリンス液が、リンス液配管44から中心軸ノズル9に供給される。これにより、中心軸ノズル9の吐出口9aから下方に向けてリンス液が吐出される。
The rinse
中心軸ノズル9には、不活性ガス供給ユニット46が接続されている。不活性ガス供給ユニット46は、中心軸ノズル9の上流端に接続された不活性ガス配管47と、不活性ガス配管47の途中部に介装された不活性ガスバルブ48とを含む。不活性ガスは、たとえば窒素ガス(N2)である。不活性ガスバルブ48が開かれると、中心軸ノズル9の吐出口9aから下方に向けて不活性ガスが吐出される。不活性ガスバルブ48が閉じられると、吐出口9aからの不活性ガスの吐出が停止される。
An inert
遮断板41には、電動モータ等を含む構成の遮断板回転ユニット49が結合されている。遮断板回転ユニット49は、遮断板41および回転軸42を、支持アーム43に対して回転軸線A2まわりに回転させる。
支持アーム43には、電動モータ、ボールねじ等を含む構成の遮断部材昇降ユニット50が結合されている。遮断部材昇降ユニット50は、遮断部材8(遮断板41および回転軸42)ならびに中心軸ノズル9を、支持アーム43と共に鉛直方向に昇降する。
The
The
遮断部材昇降ユニット50は、遮断板41を、基板対向面41aがスピンチャック5に保持されている基板Wの上面に近接する遮断位置(図2に破線で図示。図16E〜図16G等に示す位置)と、遮断位置よりも大きく上方に退避した退避位置(図2に実線で図示)の間で昇降させる。遮断部材昇降ユニット50は、遮断位置、中間位置(図16Bおよび図16Dに示す位置)および退避位置で遮断板41を保持可能である。遮断板41が遮断位置にある状態の、基板対向面41aが基板Wの上面との間の空間は、その周囲の空間から完全に隔離されているわけではないが、当該空間に対する、周囲の空間からの気体の流入はない。すなわち、当該空間は、実質的にその周囲の空間と遮断されている。
The blocking member lifting / lowering
図2に示すように、処理カップ11は、スピンチャック5に保持されている基板Wよりも外方(回転軸線A1から離れる方向)に配置されている。処理カップ11は、次に述べるスピンベース51を取り囲んでいる。スピンチャック5が基板Wを回転させている状態で、薬液やリンス液、保護液等の液体が基板Wに供給されると、基板Wに供給された液体が基板Wの周囲に振り切られる。これらの液体が基板Wに供給されるとき、処理カップ11の上端部11aは、次に述べるスピンベース51よりも上方に配置される。したがって、基板Wの周囲に排出された液体は、処理カップ11によって受け止められる。そして、処理カップ11に受け止められた液体は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
As shown in FIG. 2, the
図3は、スピンチャック5の、より具体的な構成を説明するための側面図である。図4は、スピンチャック5の、より具体的な構成を説明するための平面図である。図5A,5Bは、第1の挟持ピン52Aの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図6A,6Bは、第2の挟持ピン52Bの近傍の構成を拡大して示す断面図である。図3は、図4を切断面線III-IIIから見た図である。
FIG. 3 is a side view for explaining a more specific configuration of the
図2および図3に示すように、スピンチャック5は、鉛直方向に沿う回転軸線A1のまわりに回転可能なスピンベース51と、スピンベース51の上面の周縁部に、スピンベース51の周方向Yに沿ってほぼ等間隔を開けて植設された複数(この実施形態では6つ)の挟持ピン52A,52Bと、スピンベース51の回転中心の下面に固定された回転軸53と、回転軸53を回転軸線A1まわりに回転させるスピンモータ54とを含む。スピンチャック5に備えられる挟持ピンは全て、基板Wの周縁部に接触する支持部(第1の挟持ユニット55や、第2の挟持ユニット56)が可動するピンである。6つの挟持ピン52A,52Bおよびスピンベース51は、回転軸53の回転に同伴して回転する。
As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the
図4に示すように、6つの挟持ピン52A,52Bは、互いに隣り合わない3つの挟持ピン52Aおよび互いに隣り合わない3つの挟持ピン52Bが、同時に開閉される一つの群(第1の挟持ユニット55または第2の挟持ユニット56)を構成している。換言すると、6つの挟持ピン52A,52Bは、第1の挟持ユニット55に含まれる3つの挟持ピン52A(以下、「第1の挟持ピン52A」という。)と、第2の挟持ユニット56に含まれる3つの挟持ピン52B(以下、「第2の挟持ピン52B」という。)とを含む。第1の挟持ピン52Aと、第2の挟持ピン52Bとは、周方向Yに関し交互に配置されている。第1の挟持ユニット55に着目すれば、3つの第1の挟持ピン52Aが等間隔(120°間隔)に配置されている。また、第2の挟持ユニット56に着目すれば、3つの第2の挟持ピン52Bが等間隔(120°間隔)に配置されている。
As shown in FIG. 4, the six
図5A,5Bに示すように、各第1の挟持ピン52Aは、第1の軸部61と、第1の軸部61の上端に一体的に形成された第1の挟持部62とを含み、第1の軸部61および第1の挟持部62がそれぞれ円柱形状に形成されている。第1の挟持部62は、第1の軸部61の中心軸線から偏心して設けられている。第1の軸部61の上端と第1の挟持部62の下端との間をつなぐ表面は、第1の挟持部62から第1の軸部61の周面に向かって下降する第1のテーパ面63を形成している。
As shown in FIGS. 5A and 5B, each first holding
図5A,5Bに示すように、各第1の挟持ピン52Aは、第1の軸部61がその中心軸線と同軸の回動軸線A3まわりに回転可能であるようにスピンベース51に取り付けられている。より詳細には、第1の軸部61の下端部には、スピンベース51に対して第1の軸受け64を介して支持された第1の支持軸65が設けられている。
図5A,5Bに示すように、第1の挟持ピン52Aは、導電性部材70を含む。導電性部材70は、第1の軸部61と第1の挟持部62とを含む。導電性部材70は、第1の支持軸65を介して接地されている。導電性部材70は、耐薬品性および導電性を有する複合材料で形成されている。複合材料の具体例は、樹脂と炭素とを含む材料である。導電性部材70は、樹脂で形成された樹脂部材に炭素材料が分散された態様を有している。導電性部材70に含まれる炭素は、たとえば炭素繊維(カーボンファイバー)である。導電性部材70に含まれる炭素は、炭素の粉末または粒子であってもよい。導電性部材70に含まれる樹脂の具体例は、PFA(tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PCTFE(Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、PTFE(polytetrafluoroethylene)、およびPEEK(polyetheretherketone)である。
As shown in FIGS. 5A and 5B, each
As shown in FIGS. 5A and 5B, the
図5A,5Bに示すように、第1の挟持部62の中心軸線は回動軸線A3からずれている。したがって、第1の軸部61の回転により、第1の挟持部62は、(中心軸線が)回転軸線A1から離れた遠い離間位置(図5Bに示す位置)と、中心軸線が回転軸線A1に近づいた接触位置(図5Aに示す位置)との間で変位することになる。第1の挟持ピン52Aが離間位置に位置する状態では、基板Wの周端面(周端部)と第1の挟持部62との間に所定のギャップが形成される。
As shown in FIGS. 5A and 5B, the central axis of the
図3および図4に示すように、スピンチャック5は、3つの第1の挟持ピン52Aを一括して開閉するための第1の開閉ユニット57をさらに含む。第1の開閉ユニット57は、各第1の挟持ピン52Aに一対一対応で設けられた第1の駆動用磁石66と、各第1の挟持ピン52Aに一対一対応で設けられた第1の付勢用磁石67と、各第1の挟持ピン52Aに一対一対応で設けられた第1の開閉用磁石68と、複数の第1の開閉用磁石68を一括して昇降させる第1の磁石昇降ユニット69とを含む。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
第1の駆動用磁石66は、各第1の挟持ピン52Aの第1の支持軸65の下端に固定されている。第1の駆動用磁石66の回動軸線A3回りの回動に伴って、第1の挟持ピン52Aが回動軸線A3回りに回動する。第1の駆動用磁石66は永久磁石であり、水平に沿って長手状に延びている。3つの複数(たとえば)の第1の挟持ピン52Aに対応する3つの第1の駆動用磁石66の磁極方向は、第1の挟持ピン52Aに外力が付与されていない状態で、基板Wの回転半径方向に関して共通している。
The
第1の付勢用磁石67は、対応する第1の挟持ピン52Aに隣接して、かつ第1の挟持ピン52Aの中心位置よりも回転軸線A1から離間する方向に寄るように配置されている。第1の付勢用磁石67は、対応する第1の駆動用磁石66に対して磁力を及ぼす。
第1の開閉用磁石68は、回転軸線A1を中心とする円弧状をなしている。3つの第1の開閉用磁石68は、互いに共通の高さ位置である。3つの第1の開閉用磁石68は、回転軸線A1と同軸の円周上において周方向Yに等間隔を空けて配置されている。
The
The first opening /
第1の磁石昇降ユニット69は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第1の磁石昇降ユニット69が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第1の磁石昇降ユニット69は、第1の開閉用磁石68を個別に昇降させる個別昇降ユニットを複数(たとえば3つ)含む構成であってもよい。
The 1st magnet raising / lowering
図6A,6Bに示すように、各第2の挟持ピン52Bは、第2の軸部71と、第2の軸部71の上端に一体的に形成された第2の挟持部72とを含み、第2の軸部71および第2の挟持部72がそれぞれ円柱形状に形成されている。第2の挟持部72は、第2の軸部71の中心軸線から偏心して設けられている。第2の軸部71の上端と第2の挟持部72の下端との間をつなぐ表面は、第2の挟持部72から第2の軸部71の周面に向かって下降する第2のテーパ面73を形成している。
As shown in FIGS. 6A and 6B, each
図6A,6Bに示すように、各第2の挟持ピン52Bは、第2の軸部71がその中心軸線と同軸の回動軸線A4まわりに回転可能であるようにスピンベース51に取り付けられている。より詳細には、第2の軸部71の下端部には、スピンベース51に対して第2の軸受け74を介して支持された第2の支持軸75が設けられている。
図6A,6Bに示すように、第2の挟持ピン52Bは、導電性部材80を含む。導電性部材80は、第2の軸部71と第2の挟持部72とを含む。導電性部材80は、第2の支持軸75を介して接地されている。導電性部材80は、耐薬品性および導電性を有する複合材料で形成されている。複合材料の具体例は、樹脂と炭素とを含む材料である。導電性部材80は、樹脂で形成された樹脂部材に炭素材料が分散された態様を有している。導電性部材80に含まれる炭素は、たとえば炭素繊維(カーボンファイバー)である。導電性部材80に含まれる炭素は、炭素の粉末または粒子であってもよい。導電性部材80に含まれる樹脂の具体例は、PFA(tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PCTFE(Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、PTFE(polytetrafluoroethylene)、およびPEEK(polyetheretherketone)である。
As shown in FIGS. 6A and 6B, each
As shown in FIGS. 6A and 6B, the
図6A,6Bに示すように、第2の挟持部72の中心軸線は回動軸線A4からずれている。したがって、第2の軸部71の回転により、第2の挟持部72は、(中心軸線が)回転軸線A1から離れた遠い離間位置(図6Bに示す位置)と、中心軸線が回転軸線A1に近づいた接触位置(図6Aに示す位置)との間で変位することになる。第2の挟持ピン52Bが離間位置に位置する状態では、基板Wの周端面(周端部)と所定のギャップが形成される。
As shown in FIGS. 6A and 6B, the center axis of the
図3および図4に示すように、スピンチャック5は、3つの第2の挟持ピン52Bを一括して開閉するための第2の開閉ユニット58をさらに含む。第2の開閉ユニット58は、各第2の挟持ピン52Bに一対一対応で設けられた第2の駆動用磁石76と、各第2の挟持ピン52Bに一対一対応で設けられた第2の付勢用磁石77と、各第2の挟持ピン52Bに一対一対応で設けられた第2の開閉用磁石78と、複数の第2の開閉用磁石78を一括して昇降させる第2の磁石昇降ユニット79とを含む。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
第2の駆動用磁石76は、各第2の挟持ピン52Bの第2の支持軸75の下端に固定されている。第2の駆動用磁石76の回動軸線A4回りの回動に伴って、第2の挟持ピン52Bが回動軸線A4回りに回動する。第2の駆動用磁石76は永久磁石であり、水平に沿って長手状に延びている。3つの複数(たとえば)の第2の挟持ピン52Bに対応する3つの第2の駆動用磁石76の磁極方向は、第2の挟持ピン52Bに外力が付与されていない状態で、基板Wの回転半径方向に関して共通している。
The
第2の付勢用磁石77は、対応する第2の挟持ピン52Bに隣接して、かつ第2の挟持ピン52Bの中心位置よりも回転軸線A1から離間する方向に寄るように配置されている。第2の付勢用磁石77は、対応する第2の駆動用磁石76に対して磁力を及ぼす。各第2の付勢用磁石77の磁極方向は、基板Wの回転半径方向に関して、各第1の付勢用磁石67の磁極方向と逆向きである。第1の付勢用磁石67と第2の付勢用磁石77とは、周方向Yに関し交互に配置されている。
The
第2の開閉用磁石78は、回転軸線A1を中心とする円弧状をなしている。3つの第2の開閉用磁石78は、互いに共通の高さ位置である。3つの第2の開閉用磁石78は、回転軸線A1と同軸の円周上において周方向Yに等間隔を空けて配置されている。3つの第1の開閉用磁石68と3つの第2の開閉用磁石78とは、周方向Yに関し交互に配置されている。
The second opening /
3つの第1の開閉用磁石68の磁極方向および3つの第2の開閉用磁石78の磁極方向は、ともに、スピンベース51の回転半径方向に沿う方向である。各第1の開閉用磁石68の磁極方向と、各第2の開閉用磁石78の磁極方向とは、互いに逆向きである。第1の開閉用磁石68の外周面がたとえばN極である場合には、第2の開閉用磁石78の外周面は逆極性のS極を有している
第2の磁石昇降ユニット79は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第2の磁石昇降ユニット79が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第2の磁石昇降ユニット79は、第2の開閉用磁石78を個別に昇降させる個別昇降ユニットを複数(たとえば3つ)含む構成であってもよい。
The magnetic pole directions of the three first opening /
第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78は、周方向Yに60°の間隔で交互に配置されている。また、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bも、周方向Yに60°間隔で配置されている。
図5A,図5Bでは、第1の開閉用磁石68と第1の挟持ピン52Aとが、周方向Yに揃っている(互いに対向している)。この状態で、図5Aでは、第1の開閉用磁石68が下位置にある状態を示し、図5Bでは、第1の開閉用磁石68が上位置にある状態を示す。図5Aに示すように、第1の開閉用磁石68が下位置にある状態では、第1の開閉用磁石68からの磁力が第1の駆動用磁石66に作用しない。そのため、第1の駆動用磁石66は、たとえばN極が回転半径方向の内方に向きかつS極が回転半径方向の外方に向くように配置されている。この状態で、第1の挟持ピン52Aは接触位置に位置している。すなわち、第1の開閉用磁石68が下位置にある状態では、第1の挟持ピン52Aの第1の挟持部62が接触位置に配置されている。
The first opening /
5A and 5B, the first opening /
図5Aに示す状態から、第1の開閉用磁石68を上昇させ、上位置に配置する。第1の開閉用磁石68の上面が第1の駆動用磁石66に接近することにより、第1の開閉用磁石68と第1の駆動用磁石66との間に離間力が発生する。そのため、第1の挟持ピン52Aが、第1の付勢用磁石67の反発磁力に抗って回動軸線A3回りに回動する。これにより、第1の挟持部62が接触位置から離間位置へと移動する。すなわち、第1の開閉用磁石68が上位置にある状態では、第1の挟持ピン52Aの第1の挟持部62が離間位置に配置される。
From the state shown in FIG. 5A, the first opening /
図6A,図6Bでは、第2の開閉用磁石78と第2の挟持ピン52Bとが、周方向Yに揃っている(互いに対向している)。この状態で、図6Aでは、第2の開閉用磁石78が下位置にある状態を示し、図6Bでは、第2の開閉用磁石78が上位置にある状態を示す。図5Aに示すように、第2の開閉用磁石78が下位置にある状態では、第2の開閉用磁石78からの磁力が第2の駆動用磁石76に作用しない。そのため、第2の駆動用磁石76は、たとえばS極が回転半径方向の内方に向きかつN極が回転半径方向の外方に向くように配置されている。この状態で、第2の挟持ピン52Bは接触位置に位置している。すなわち、第2の開閉用磁石78が下位置にある状態では、第2の挟持ピン52Bの第2の挟持部72が接触位置に配置されている。
6A and 6B, the second opening /
図6Aに示す状態から、第2の開閉用磁石78を上昇させ、上位置に配置する。第2の開閉用磁石78の上面が第2の駆動用磁石76に接近することにより、第2の開閉用磁石78と第2の駆動用磁石76との間に離間力が発生する。そのため、第2の挟持ピン52Bが、第2の付勢用磁石77の反発磁力に抗って回動軸線A4回りに回動する。これにより、第2の挟持部72が接触位置から離間位置へと移動する。すなわち、第2の開閉用磁石78が上位置にある状態では、第2の挟持ピン72Aの第2の挟持部72が離間位置に配置される。
From the state shown in FIG. 6A, the second opening /
図7A〜図12Bは、第1の挟持ユニット55および第2の挟持ユニット56の状態を示す模式的な図である。図7A,8A,9A,10A,11A,12Aには、第1の駆動用磁石66、第2の駆動用磁石76、第1の付勢用磁石67、第2の付勢用磁石77、第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78の状態を示し、図10B,11B,12B,13B,14B,15Bに、各挟持ピン52A,52Bの開閉状況を示す。ここで、平面図において開閉用磁石67および/または開閉用磁石78が図示されていないのは、下方に退避しているからである。
FIG. 7A to FIG. 12B are schematic views showing the states of the
図7A,7Bには、第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78、ならびに第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bが、それぞれ周方向Yに揃っており(互いに対向しており)、かつ第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78が共に上位置にある状態を示す。この状態において、図7Bに示すように、3つの第1の挟持ピン52Aおよび3つの第2の挟持ピン52Bのいずれも、挟持部(第1の挟持部62および第2の挟持部72)が離間位置に位置する開放状態(open)を呈する。
7A and 7B, the first opening /
図8A,8Bには、第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78、ならびに第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bが、それぞれ周方向Yに揃っており(互いに対向しており)、かつ第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78が共に下位置にある状態を示す。この状態において、図7Bに示すように、3つの第1の挟持ピン52Aおよび3つの第2の挟持ピン52Bのいずれも、挟持部(第1の挟持部62および第2の挟持部72)が挟持位置に位置する閉塞状態(close)を呈する。
8A and 8B, the first opening /
図9A,9Bおよび図10A,10Bには、第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78、ならびに第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bが、それぞれ周方向Yに揃っており(互いに対向しており)、第1の開閉用磁石68が上位置にあり、かつ第2の開閉用磁石78が下位置にある状態を示す。図9A,9Bはスピンベース51の非回転状態であり、図10A,10Bは、スピンベース51の回転状態である。スピンベース51の回転/非回転によらずに、3つの第1の挟持ピン52Aが、第1の挟持部62が離間位置に位置する開放状態(open)を呈し、かつ、3つの第2の挟持ピン52Bが、第2の挟持部72が接触位置に位置する閉塞状態(close)を呈する。
9A and 9B and FIGS. 10A and 10B, the first opening /
図11A,11Bおよび図12A,12Bには、第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78、ならびに第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bが、それぞれ周方向Yに揃っており(互いに対向しており)、第1の開閉用磁石68が下位置にあり、かつ第2の開閉用磁石78が上位置にある状態を示す。図11A,11Bはスピンベース51の非回転状態であり、図12A,12Bは、スピンベース51の回転状態である。スピンベース51の回転/非回転によらずに、3つの第1の挟持ピン52Aが、第1の挟持部62が接触位置に位置する閉塞状態(close)を呈し、第2の挟持部72が離間位置に位置する開放状態(open)を呈する。
11A and 11B and FIGS. 12A and 12B, the first opening /
図13は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
FIG. 13 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 1.
The
また、制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ54、第1の磁石昇降ユニット69、第2の磁石昇降ユニット79、遮断板回転ユニット49、遮断部材昇降ユニット50、ノズル移動ユニット20,30等の動作を制御する。さらに、制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、硫酸バルブ24、過酸化水素水バルブ26、SC1バルブ33、気体バルブ35、リンス液バルブ45、不活性ガスバルブ48等を開閉する。
Further, the
図14は、処理ユニット2による基板処理例を説明するための流れ図である。図15は、第2のリンス工程S6およびスピンドライ工程S7を説明するためのタイミングチャートである。図16A〜16Gは、この基板処理例の各工程を説明するための図解的な図である。図1〜図14を参照しながら基板処理例について説明する。図15および図16A〜16Gについては適宜参照する。
FIG. 14 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the
この基板処理例は、基板Wの上面からレジストを除去するレジスト除去処理である。レジストは、樹脂(ポリマー)、感光剤、添加剤、溶剤を主成分としている。処理ユニット2によって基板Wに基板処理例が施されるときには、チャンバ4の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Wが搬入される(図14のS1)。基板Wは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。
This substrate processing example is a resist removal process for removing the resist from the upper surface of the substrate W. The resist is mainly composed of a resin (polymer), a photosensitive agent, an additive, and a solvent. When the substrate processing example is performed on the substrate W by the
制御装置3は、ノズル等が全てスピンチャック5の上方から退避している状態で、基板Wを保持している基板搬送ロボットCR(図1参照)のハンドH(図1参照)をチャンバ4の内部に進入させることにより、基板Wがその表面を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡される。
制御装置3は、第1の磁石昇降ユニット69および第2の磁石昇降ユニット79を制御して、第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78を、上位置から下位置に向けて下降し、下位置のまま保持する。それによって、第1の挟持部62および第2の挟持部72の全てが離間位置から接触位置へと駆動されて、その接触位置に保持される。これにより、3つの第1の挟持ピン52Aおよび3つの第2の挟持ピン52Bによって基板Wが挟持される(両挟持状態)。
The
The
制御装置3は、スピンモータ54によって基板Wの回転を開始させる(図14のS2)。基板Wは予め定める液処理速度(300〜1500rpmの範囲内で、たとえば500rpm)まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
基板Wの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置3は、図16Aに示すように、硫酸含有液工程(薬液工程)S3を実行する。
The
When the rotation speed of the substrate W reaches the liquid processing speed, the
具体的には、制御装置3は、ノズル移動ユニット20を制御して、硫酸含有液ノズル18を、退避位置から処理位置に移動させる。また、制御装置3は、硫酸バルブ24および過酸化水素水バルブ26を同時に開く。これにより、硫酸配管23を通ってH2SO4が硫酸含有液ノズル18に供給されると共に、過酸化水素水配管25を通ってH2O2が硫酸含有液ノズル18に供給される。硫酸含有液ノズル18の内部においてH2SO4とH2O2とが混合され、高温(たとえば、160〜220℃)のSPMが生成される。そのSPMが、硫酸含有液ノズル18の吐出口から吐出され、基板Wの表面の中央部に着液する。
Specifically, the
硫酸含有液ノズル18から吐出されたSPMは、基板Wの表面に着液した後、遠心力によって基板Wの表面に沿って外方に流れる。そのため、SPMが基板Wの表面の全域に供給され、基板Wの表面の全域を覆うSPMの液膜が基板W上に形成される。これにより、レジストとSPMとが化学反応し、基板W上のレジストがSPMによって基板Wから除去される。基板Wの周縁部に移動したSPMは、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、処理カップ11に受け止められた後、処理される。
The SPM discharged from the sulfuric acid-containing
また、硫酸含有液工程S3において、制御装置3が、ノズル移動ユニット20を制御して、硫酸含有液ノズル18を、基板Wの表面の周縁部に対向する周縁位置と、基板Wの上面の中央部に対向する中央位置との間で移動するようにしてもよい。この場合、基板Wの上面におけるSPMの着液位置が、基板Wの上面の全域を走査させられる。これにより、基板Wの上面全域を均一に処理できる。
Further, in the sulfuric acid-containing liquid step S3, the
SPMの吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、硫酸バルブ24および過酸化水素水バルブ26を閉じて、硫酸含有液ノズル18からのSPMの吐出を停止する。これにより、硫酸含有液工程S3が終了する。その後、制御装置3がノズル移動ユニット20を制御して、硫酸含有液ノズル18を退避位置に戻させる。
硫酸含有液工程S3においては、高温のSPMが、基板Wを挟持している第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bに降り掛かる。このSPMは、硫酸を含有し、かつ高温(たとえば、160〜220℃)であるので、樹脂材料を含む、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bに染み込むおそれ
がある。とくに、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bの基材である樹脂部材には炭素繊維が含まれているので、経時によって樹脂部材から炭素繊維が離脱し、樹脂部材に空隙が形成されるおそれがある。この空隙にSPMが入り込むことにより、第1の挟持部および第2の挟持部に薬液が染み込む。
When a predetermined period has elapsed since the start of the SPM discharge, the
In the sulfuric acid-containing liquid process S3, the high-temperature SPM falls on the
次いで、図16Bに示すように、基板Wの表面に付着しているSPMを、リンス液を用いて洗い流す第1のリンス工程(図14のS4)が行われる。具体的には、制御装置3は遮断部材昇降ユニット50を制御して、退避位置に配置されている遮断部材8を、退避位置と遮断位置との間に設定されたリンス処理位置(図16Bに示す位置)まで降下させ、そのリンス処理位置に保持させる。また、制御装置3は、リンス液バルブ45を開く。これにより、液処理速度で回転している基板Wの表面中央部に向けて、中心軸ノズル9の吐出口9aからリンス液が吐出される。中心軸ノズル9から吐出されたリンス液は、SPMによって覆われている基板Wの表面中央部に着液する。基板Wの表面中央部に着液したリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの表面を基板Wの周縁部に向けて流れる。これにより、基板W上のSPMが、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、基板Wの表面の全域においてSPMおよびレジスト(およびレジスト残渣)が洗い流される。基板Wの周縁部に移動したリンス液は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、処理カップ11に受け止められた後、処理される。
Next, as shown in FIG. 16B, a first rinsing step (S4 in FIG. 14) is performed in which the SPM adhering to the surface of the substrate W is washed away using a rinsing liquid. Specifically, the
第1のリンス工程S4の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、リンス液バルブ45を閉じて、中心軸ノズル9の吐出口9aからのリンス液の吐出を停止させる。また、制御装置3は、遮断部材昇降ユニット50を制御して、遮断部材8を退避位置まで上昇させる。
次いで、図16Cに示すように、SC1を用いて基板Wの表面を洗浄するSC1工程(図14のS5)が行われる。具体的には、SC1工程S5において、制御装置3は、ノズル移動ユニット30を制御することにより、SC1ノズル28を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置3は、SC1バルブ33および気体バルブ35を開く。これにより、図16Cに示すように、SC1ノズル28から、SC1の液滴の噴流が吐出される。また、制御装置3は、SC1ノズル28からのSC1の液滴の噴流の吐出に並行して、ノズル移動ユニット30を制御して、SC1ノズル28を基板Wの中央位置と周縁位置との間で往復移動させる(ハーフスキャン)。これにより、SC1ノズル28からのSC1の着液位置を、基板Wの表面中央部と基板Wの表面周縁部との間で往復移動させることができる。これにより、SC1の着液位置を、基板Wの表面の全域を走査させること
ができる。基板Wの表面へのSC1の供給により、レジスト残渣を、基板Wの表面から除去できる。また、基板Wの表面へのSC1の供給により、基板Wの表面から硫黄成分を除去できる。
When a predetermined period elapses from the start of the first rinsing step S4, the
Next, as shown in FIG. 16C, an SC1 process (S5 in FIG. 14) for cleaning the surface of the substrate W using SC1 is performed. Specifically, in the SC1 step S5, the
SC1の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、SC1バルブ33および気体バルブ35を閉じて、SC1ノズル28からのSC1の液滴の噴流の吐出を停止する。これにより、SC1工程S5が終了する。その後、制御装置3がノズル移動ユニット30を制御して、SC1ノズル28を退避位置に戻させる。
次いで、図16Dに示すように、基板Wの表面に付着しているSC1を、リンス液を用いて洗い流す第2のリンス工程(図14のS6)が行われる。具体的には、制御装置3は遮断部材昇降ユニット50を制御して、退避位置に配置されている遮断部材8を、リンス処理位置まで降下させ、そのリンス処理位置に保持させる。また、制御装置3は、リンス液バルブ45を開く。これにより、液処理速度で回転している基板Wの表面中央部に向けて、中心軸ノズル9の吐出口9aからリンス液が吐出される。中心軸ノズル9から吐出されたリンス液は、SC1によって覆われている基板Wの表面中央部に着液する。基板Wの表面中央部に着液したリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの表面を基板Wの周縁部に向けて流れる。これにより、基板W上のSC1が、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、基板Wの表面の全域においてSC1およびレジスト残渣が洗い流される。基板Wの周縁部に移動したリンス液は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に向けて飛散し、処理カップ11に受け止められた後、処理される。
When a predetermined period elapses from the start of the SC1 discharge, the
Next, as shown in FIG. 16D, a second rinsing step (S6 in FIG. 14) is performed in which SC1 adhering to the surface of the substrate W is washed away using a rinsing liquid. Specifically, the
第2のリンス工程S6の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、リンス液バルブ45を閉じて、中心軸ノズル9の吐出口9aからのリンス液の吐出を停止させる。また、制御装置3は、遮断部材昇降ユニット50を制御して、遮断部材8を遮断位置まで下降させる。
第2のリンス工程S6において、第1の挟持部62および第2の挟持部72が挟持位置にある状態では、基板Wの周縁部と、第1の挟持部62および第2の挟持部72とは強い押圧力を介して接触している。しかしながら、このような状態であっても、リンス液の毛細管力の働きにより、基板Wの周縁部と、第1の挟持部62および第2の挟持部72との間にリンス液が進入する。こうして進入したリンス液は、排出することが困難である。そのため、第2のリンス工程S6の終盤や第2のリンス工程S6の終了時には、基板Wの周縁部と第1の挟持部62および第2の挟持部72との間にリンス液が残存する。
When a predetermined period has elapsed from the start of the second rinsing step S6, the
In the second rinsing step S6, in a state where the
次いで、図16E〜16Gに示すように、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程(図14のS7)が行われる。スピンドライ工程S7は、基板Wを所定の乾燥速度(たとえば千〜数千rpm)で回転させることにより、基板Wに付着している液に加わる大きな遠心力により、当該液を基板Wの周囲に振り切る工程である。
具体的には、制御装置3は、遮断部材昇降ユニット50を制御して、遮断部材8を遮断位置に向けて下降させ、遮断位置に保持する。また、この状態で、制御装置3は遮断板回転ユニット49を制御することにより、遮断板41を回転軸線A2回りに基板Wに同期して回転させる。また、制御装置3は、不活性ガスバルブ48を開いて、吐出口9aから不活性ガスを吐出する。この状態で、制御装置3はスピンモータ54を制御することにより、基板Wの回転を乾燥速度まで加速させ、乾燥速度に維持する。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。
Next, as shown in FIGS. 16E to 16G, a spin dry process (S7 in FIG. 14) for drying the substrate W is performed. In the spin dry step S7, the substrate W is rotated at a predetermined drying speed (for example, 1000 to several thousand rpm), so that the liquid is put around the substrate W by a large centrifugal force applied to the liquid adhering to the substrate W. It is a process of shaking off.
Specifically, the
ところで、第2のリンス工程S6の終盤や第2のリンス工程S6の終了時において、基板Wの周縁部と第1の挟持部62および第2の挟持部72との間に残存するリンス液がSPMを含有することがある。これは、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bの樹脂部材に染み込んだSPMが、リンス液に染み出すことが原因であると考えられる。この状態で、次に述べるスピンドライ工程(図14のS7)が実行されると、基板Wの表面にパーティクル汚染が発生するおそれがある。このようなパーティクル汚染の発生を防止するために、スピンドライ工程S7を以下のように実行している。
By the way, at the end of the second rinsing step S6 or at the end of the second rinsing step S6, the rinsing liquid remaining between the peripheral edge portion of the substrate W and the first holding
具体的には、制御装置3はスピンモータ54を制御することにより、基板Wの回転を第1の乾燥速度V1(たとえば800〜2500rpmの範囲で、たとえば1500rpm)まで加速させ、第1の乾燥速度V1に維持する(第1のスピンドライ工程)。この第1の乾燥速度V1は、基板W上の液体を基板Wの周囲に振り切ることが可能な速度であるが、比較的低速である。そのため、スピンドライ工程S7の全期間に亘って、第1の乾燥速度V1で基板Wを回転させると長時間を要してしまう、という問題がある。
Specifically, the
図15に示すように、制御装置3は、スピンドライ工程S7の初期(基板Wの表面ならびに第1の挟持部62および第2の挟持部72にリンス液が付着している状態)に並行して、第1の挟持ユニット55(3つの第1の挟持ピン52A)によって基板Wを挟持し第2の挟持ユニット56によって基板Wを挟持しない第1の挟持状態(図16E参照)と、第2の挟持ユニット56(3つの第2の挟持ピン52B)によって基板Wを挟持し第1の挟持ユニット55によって基板Wを挟持しない第2の挟持状態(図16F参照)とを順次実行する。
As shown in FIG. 15, the
具体的には、第1の乾燥速度V1での基板Wの回転開始時と同時、または、第1の乾燥速度V1での基板Wの回転開始から所定の期間が経過すると、制御装置3は、第2の磁石昇降ユニット79を制御して、それまで下位置にあった第2の開閉用磁石78を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第2の挟持ピン52Bの第2の挟持部72が接触位置から離間位置に移動する。これにより、前述のような第1の挟持状態が実現される。そして、この状態のまま、所定の第1の期間Te1だけ維持される(第1の挟持工程T1)。第1の期間Te1は、第1の乾燥速度V1でスピンベース51ならびに第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bを回転させたときに、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bに付着している液体が振り切るのに十分な期間(たとえば約3秒間)に設定されている。
Specifically, at the same time as the start of rotation of the substrate W at the first drying speed V1 or when a predetermined period has elapsed from the start of rotation of the substrate W at the first drying speed V1, the
第1の挟持工程T1において、各第2の挟持部72が基板Wの周縁部から離間させられながら当該第2の挟持部72が回転軸線A1回りに回転する。そのため、第1の挟持工程T1の開始前に第2の挟持部72に付着しているリンス液に、基板Wの回転に伴う大きな遠心力が作用する。これにより、当該リンス液が、第2の挟持部72から振り切られる。そのため、第1の挟持工程T1の終了時においては、第2の挟持部72が乾燥している。
In the first clamping step T1, the
第1の挟持状態の実現から第1の期間Te1(たとえば約3秒間)が経過すると、制御装置3は、第2の磁石昇降ユニット79を制御して、第2の開閉用磁石78を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第2の挟持ピン52Bの第2の挟持部72が離間位置から接触位置に移動する。これにより、6つの挟持ピン52A,52Bで基板Wを挟持する両挟持状態が実現される(第1の遷移工程)。
When a first period Te1 (for example, about 3 seconds) elapses from the realization of the first clamping state, the
その後、制御装置3は、第1の磁石昇降ユニット69を制御して、それまで下位置にあった第1の開閉用磁石68を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第1の挟持ピン52Aの第1の挟持部62が接触位置から離間位置に移動する。これにより、前述のような第2の挟持状態が実現される(第2の遷移工程)。そして、この状態のまま、所定の第2の期間Te2だけ維持される(第2の挟持工程T2)。第2の期間Te2は、第1の乾燥速度V1でスピンベース51ならびに第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bを回転させたときに、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bに付着している液体が振り切るのに十分な期間(たとえば約3秒間)に設定されている。
Thereafter, the
第2の挟持工程T2において、各第1の挟持部62が基板Wの周縁部から離間させられながら当該第1の挟持部62が回転軸線A1回りに回転する。そのため、第2の挟持工程T2の開始前に第1の挟持部62に付着しているリンス液に、基板Wの回転に伴う大きな遠心力が作用する。これにより、当該リンス液が、第1の挟持部62から振り切られる。そのため、第2の挟持工程T2の終了時においては、第1の挟持部62が乾燥している。
In the second clamping step T2, the
第2の挟持状態の実現から第2の期間Te2(たとえば約3秒間)が経過すると、制御装置3は、第1の磁石昇降ユニット69を制御して、第1の開閉用磁石68を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第1の挟持ピン52Aの第1の挟持部62が離間位置から接触位置に移動する。これにより、図16Gに示すように、6つの挟持ピン52A,52Bで基板Wを挟持する両挟持状態が実現される(両挟持工程T3)。
When a second period Te2 (for example, about 3 seconds) elapses from the realization of the second clamping state, the
このとき、既に乾燥している状態の第1の挟持部62が基板Wの周縁部に接触する。このとき、両挟持工程T3において、第1の挟持部62と基板Wの周縁部との間にリンス液が存在しない。すなわち、両挟持工程T3では、第1の挟持部62と基板Wの周縁部との間にリンス液を存在させることなく、第1の挟持ユニット55によって基板Wを挟持できる。
At this time, the
その後、制御装置3は、スピンモータ54を制御することにより、基板Wの回転を、第1の乾燥速度V1よりも速い第2の乾燥速度V2(たとえば約1200〜約2000rpmの範囲で、たとえば約1500rpm)まで加速させ、第2の乾燥速度V2に維持する(第2のスピンドライ工程)。これにより、より一層大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液が除去され、基板Wが乾燥させられる。
Thereafter, the
そして、スピンドライ工程S7の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、スピンモータ54を制御して、スピンチャック5による基板Wの回転を停止させる(図14のS8)。また、制御装置3は、遮断板回転ユニット49を制御して遮断板41の回転を停止させる。さらに、制御装置3は、遮断部材昇降ユニット50を制御して、遮断部材8を上昇させ、退避位置へと退避させる。
When a predetermined period has elapsed since the start of the spin drying step S7, the
次いで、チャンバ4内から基板Wが搬出される(図14のS9)。まず、制御装置3は、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bによる挟持を解除する。具体的には、制御装置3は、第1の磁石昇降ユニット69および第2の磁石昇降ユニット79を制御して、第1の開閉用磁石68および第2の開閉用磁石78を、下位置から上位置に向けて上昇し、上位置のまま保持する。それによって、第1の挟持部62および第2の挟持部72の全てが接触位置から離間位置へと駆動されて、その離間位置に保持される。これにより、3つの第1の挟持ピン52Aおよび3つの第2の挟持ピン52Bによる基板Wの挟持が解除される。
Next, the substrate W is unloaded from the chamber 4 (S9 in FIG. 14). First, the
また、制御装置3は、基板搬送ロボットCRのハンドHをチャンバ4の内部に進入させる。そして、制御装置3は、挟持ピン52A,52Bによる挟持が解除された基板Wを、基板搬送ロボットCRのハンドHに保持させる。その後、制御装置3は、基板搬送ロボットCRのハンドHをチャンバ4内から退避させる。これにより、表面(パターン形成面)からレジストが除去された基板Wがチャンバ4から搬出される。
Further, the
以上により、この発明の一実施形態によれば、スピンドライ工程S7の初期段階に並行して、第1の挟持ユニット55によって基板Wを挟持し第2の挟持ユニット56によって基板Wを挟持しない第1の挟持状態が維持される(第1の挟持工程T1)。第1の挟持状態においては、各第2の挟持部72が基板Wの周縁部から離間させられている。
第1の挟持工程T1において、各第2の挟持部72が基板Wの周縁部から離間させられながら当該第2の挟持部72が回転軸線A1回りに回転する。そのため、第1の挟持工程T1の開始前に第2の挟持部72にリンス液が付着していても、基板Wの回転に伴って第2の挟持部72に付着しているリンス液に大きな遠心力が作用し、これにより、当該リンス液が、第2の挟持部72から振り切られる。そのため、第1の挟持工程T1の終了時においては、第2の挟持部72が乾燥している。
As described above, according to one embodiment of the present invention, in parallel with the initial stage of the spin dry step S7, the
In the first clamping step T1, the
第1の挟持工程T1の終了後、スピンドライ工程S7に並行して、第2の挟持ユニット56によって基板Wを挟持し第1の挟持ユニット55によって基板Wを挟持しない第2の挟持状態が維持される(第2の挟持工程T2)。第2の挟持状態においては、各第1の挟持部62が基板Wの周縁部から離間させられ、かつ各第2の挟持部72が基板Wの周縁部に接触している。
After the first clamping step T1, the second clamping state in which the substrate W is clamped by the
既に乾燥している状態の第2の挟持部72が基板Wの周縁部に接触するので、第2の挟持工程T2において、第2の挟持部72と基板Wの周縁部との間にリンス液が存在しない。すなわち、第2の挟持工程T2では、第2の挟持部72と基板Wの周縁部との間にリンス液を存在させることなく、第2の挟持ユニット56によって基板Wを挟持できる。
また、第2の挟持工程T2において、各第1の挟持部62が基板Wの周縁部から離間させられながら当該第1の挟持部62が回転軸線A1回りに回転する。そのため、第2の挟持工程T2の開始前に第1の挟持部62にリンス液が付着していても、基板Wの回転に伴って第1の挟持部62に付着しているリンス液に大きな遠心力が作用し、これにより、当該リンス液が、第1の挟持部62から振り切られる。そのため、第2の挟持工程T2の終了時においては、第1の挟持部62が乾燥している。
Since the already-dried
Further, in the second clamping step T2, the
その後、両挟持工程T3において、第2の挟持ユニット56によって基板Wを挟持する場合に、既に乾燥している状態の第1の挟持部62が基板Wの周縁部に接触する。このとき、両挟持工程T3において、第1の挟持部62と基板Wの周縁部との間にリンス液が存在しない。すなわち、両挟持工程T3では、第1の挟持部62と基板Wの周縁部との間にリンス液を存在させることなく、第1の挟持ユニット55によって基板Wを挟持できる。
Thereafter, in both clamping steps T3, when the substrate W is sandwiched by the
したがって、第1の挟持部62と基板Wの周縁部との間および第2の挟持部72と基板Wの周縁部との間にリンス液が残存することを抑制または防止しながらスピンドライ工程S7を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、抑制または防止できる。
また、第1の挟持工程T1が、スピンドライ工程S7の開始後に開始される(すなわち、スピンドライ工程S7に並行して実行される)ので、基板Wの周縁部から離間している第2の挟持部72に基板Wからのリンス液が降り掛かるおそれがない。また、この場合、リンス液を振り切るほどの基板Wの回転速度になるために、第1の挟持工程T1において基板Wの周縁部から離間しながら回転している各第2の挟持部72に作用する遠心力が大きい。これにより、第1の挟持工程T1において、第2の挟持部72をより良好に乾燥させることができる。
Accordingly, the spin dry step S7 is performed while suppressing or preventing the rinsing liquid from remaining between the
In addition, since the first clamping process T1 is started after the start of the spin dry process S7 (that is, executed in parallel with the spin dry process S7), the second sandwiching process T1 is separated from the peripheral edge of the substrate W. There is no possibility that the rinsing liquid from the substrate W falls on the sandwiching
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、図17に示す第1の変形処理例のように、第2の挟持工程T2の後、スピンドライ工程S7に並行して第1の挟持工程T1および第2の挟持工程T2を再度実行するようにしてもよい。図17では、第1の挟持工程T1および第2の挟持工程T2の対を合計2対行う場合を記しているが、合計3対以上で行うようにしてもよい。第1の挟持工程T1および第2の挟持工程T2を複数回実行することにより、第1の挟持部62と基板Wの周縁部との間および第2の挟持部72と基板Wの周縁部との間のリンス液の残存をより一層効果的に抑制しながらスピンドライ工程S7を実行できる。そのため、パーティクル汚染の発生を、より効果的に抑制できる。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
For example, as in the first modification example shown in FIG. 17, after the second clamping step T2, the first clamping step T1 and the second clamping step T2 are executed again in parallel with the spin dry step S7. You may do it. FIG. 17 shows a case where a total of two pairs of the first clamping step T1 and the second clamping step T2 are performed, but a total of three or more pairs may be performed. By performing the first clamping step T1 and the second clamping step T2 a plurality of times, between the
また、図18に示す第2の変形処理例のように、第1の挟持工程T1を、スピンドライ工程S7の開始後ではなく、第2のリンス工程S6の終了前から開始するようにしてもよい。
また、図19に示す第3の変形処理例のように、第1の挟持工程T1から第2の挟持工程T2への切り換え時に、基板Wの回転速度を、第1の乾燥速度V1よりも低い切り換え速度(たとえば約200rpm)程度に一旦落とすようにしてもよい。この場合、第1の挟持ユニット55や第2の挟持ユニット56に大きな負荷を与えることなく、第1の挟持工程T1から第2の挟持工程T2への切り換えを行うことができる。
Further, as in the second modification example shown in FIG. 18, the first clamping step T1 may be started before the end of the second rinsing step S6, not after the start of the spin dry step S7. Good.
Further, as in the third modification example shown in FIG. 19, the rotation speed of the substrate W is lower than the first drying speed V1 when switching from the first clamping process T1 to the second clamping process T2. It may be once lowered to a switching speed (for example, about 200 rpm). In this case, the switching from the first clamping step T1 to the second clamping step T2 can be performed without applying a large load to the
また、図20に示す第4の変形処理例のように、両挟持工程T3に並行して基板Wの回転を第2の乾燥速度V2まで上昇させずに、第1の乾燥速度V1のまま基板Wを回転させ続けるようにしてもよい。
また、第1〜第4の変形処理例を適宜組み合わせることもできる。
また、図14および図15に示す基板処理例ならびに第1〜第4の変形処理例において、最後の第2の挟持工程T2の後、スピンドライ工程S7に並行して、当該第2の挟持工程T2が維持され続けてもよい。
Further, as in the fourth modification example shown in FIG. 20, the substrate is kept at the first drying speed V1 without increasing the rotation of the substrate W to the second drying speed V2 in parallel with the both clamping steps T3. W may continue to rotate.
Also, the first to fourth modification processing examples can be appropriately combined.
Further, in the substrate processing example and the first to fourth modification processing examples shown in FIGS. 14 and 15, the second clamping step is performed in parallel with the spin dry step S7 after the final second clamping step T2. T2 may continue to be maintained.
また、図14および図15に示す基板処理例ならびに第1〜第4の変形処理例において、第1の挟持工程T1を実行するための第1の期間Te1、および第2の挟持工程T2を実行するための第2の期間Te2は、それぞれ、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bに付着している液体が振り切るのに十分な期間であるとしたが、完全に乾かなくても、挟持ピン52A,52Bに付着しているリンス液に含まれる薬液成分が転写しない程度に液体が除去されるような期間であればよい。
Further, in the substrate processing example and the first to fourth modified processing examples shown in FIGS. 14 and 15, the first period Te1 and the second clamping step T2 for executing the first clamping step T1 are executed. It is assumed that the second period Te2 is a period sufficient for the liquid adhering to the
また、図14および図15に示す基板処理例ならびに第1〜第4の変形処理例において、硫酸含有液工程S3に先立って、基板Wの表面に除電液を供給する第1の除電液供給工程が実行されてもよい。除電液は、たとえば炭酸水である。この場合、基板Wの持ち込み帯電に起因する静電気放電の発生を効果的に抑制できる。リンス液として炭酸水を用いる場合には、第1の除電液供給工程として共通の炭酸水供給ユニットからの炭酸水を用いるようにしてもよい。 Further, in the substrate processing examples shown in FIGS. 14 and 15 and the first to fourth modified processing examples, a first charge removal liquid supply step for supplying a charge removal solution to the surface of the substrate W prior to the sulfuric acid-containing solution step S3. May be executed. The neutralizing liquid is, for example, carbonated water. In this case, the occurrence of electrostatic discharge due to the carry-in charging of the substrate W can be effectively suppressed. When carbonated water is used as the rinsing liquid, carbonated water from a common carbonated water supply unit may be used as the first charge eliminating liquid supply step.
また、前述の基板処理例において、硫酸含有液工程S3に先立って、基板Wの表面を、第1の洗浄薬液を用いて洗浄する第1の洗浄工程が実行されてもよい。このような第1の洗浄薬液として、たとえばフッ酸(HF)を例示できる。
また、前述の基板処理例において、硫酸含有液工程S3の後第1のリンス工程S4に先立って、H2O2を基板Wの上面(表面)に供給する過酸化水素水供給工程が実行されてもよい。この場合、制御装置3は、過酸化水素水バルブ26を開いた状態に維持しつつ硫酸バルブ24だけを閉じる。これにより、硫酸含有液ノズル18にH2O2だけが供給され、硫酸含有液ノズル18の吐出口からH2O2が吐出される。この過酸化水素水供給工
ンに対する熱影響を緩和することが出来ると共に、基板Wの表面への硫黄成分の残留(S残り)を防止または抑制できる。また、この過酸化水素水供給工程を設ける場合には、SC1工程を廃止することも可能である。
In the above-described substrate processing example, a first cleaning step of cleaning the surface of the substrate W with the first cleaning chemical may be performed prior to the sulfuric acid-containing liquid step S3. An example of such first cleaning chemical solution is hydrofluoric acid (HF).
Further, in the above-described substrate processing example, a hydrogen peroxide solution supplying process for supplying H 2 O 2 to the upper surface (front surface) of the substrate W is performed prior to the first rinsing process S4 after the sulfuric acid-containing liquid process S3. May be. In this case, the
また、スピンドライ工程S7に先立って、IPA(イソプロピルアルコール)などの低表面張力を有する有機溶剤(乾燥液)を供給して、基板Wの上面上のリンス液を有機溶剤によって置換する有機溶剤置換工程が実行されてもよい。さらに、供給した有機溶剤を撥水剤に置換し、撥水剤の膜を基板Wの上面に形成する工程が、有機溶剤置換工程の後に実行されていてもよい。 Prior to the spin drying step S7, an organic solvent (drying liquid) having a low surface tension such as IPA (isopropyl alcohol) is supplied to replace the rinsing liquid on the upper surface of the substrate W with the organic solvent. A process may be performed. Further, the step of replacing the supplied organic solvent with the water repellent and forming the water repellent film on the upper surface of the substrate W may be performed after the organic solvent replacement step.
また、第1の挟持工程T1および第2の挟持工程T2を、第2のリンス工程S6の終盤からスピンドライ工程S7の期間だけでなく、第2のリンス工程S6の序盤および中盤においても実行するようにしてもよい。
また、図14の基板処理例ではレジスト除去処理を例に挙げたが、レジストに限られず、SPMを用いて他の有機物の除去をする処理であってもよい。
Further, the first clamping step T1 and the second clamping step T2 are executed not only in the period from the end of the second rinsing step S6 to the spin dry step S7, but also in the beginning and middle of the second rinsing step S6. You may do it.
Further, in the substrate processing example of FIG. 14, the resist removal process has been described as an example, but the process is not limited to the resist, and may be a process of removing other organic substances using SPM.
また、リンス液を吐出するためのノズルを、遮断部材8に一体化された中心軸ノズル9ではなく、遮断部材8と別部材に設ける構成であってもよい。
また、第1の挟持ユニット55および第2の挟持ユニット56が、それぞれ3つの挟持ピン52A,52Bを備えているとして説明したが、それぞれ4つ以上の挟持ピン52A,52Bを備えていてもよい。
Further, the nozzle for discharging the rinsing liquid may be provided in a separate member from the blocking
In addition, the
また、基板Wの挟持状態を第1の挟持状態と第2の挟持状態との間で切り換え可能なスピンチャック5として、特開2004−111902号公報に示すように、リンク構造等機械的な構造を用いて第1の挟持状態と第2の挟持状態とを切り換える方式を採用することもできる。
また、前述の実施形態では、硫酸含有液供給ユニット6として、H2SO4およびH2O2の混合を硫酸含有液ノズル18の内部で行うノズル混合タイプのものを例に挙げて説明したが、硫酸含有液ノズル18の上流側に配管を介して接続された混合部を設け、この混合部において、H2SO4とH2O2との混合が行われる配管混合タイプのものを採用することもできる。
Further, as a
In the above-described embodiment, the sulfuric acid-containing
また、硫酸含有液工程S3において基板Wの表面に供給される硫酸含有液は、SPMの他、硫酸(濃硫酸)やSOM(硫酸オゾン(硫酸にオゾンを分散させた液体))であってもよい。また、薬液工程において基板Wの表面に供給される硫酸含有液は、硫酸含有液に限られず、それ以外の薬液であってもよい。
また、基板処理例が硫酸含有液工程S3を含んでいなくてもよい。たとえば、硫酸含有液工程S3を含まない場合であっても、その処理ユニット2において、過去に、硫酸含有液を用いて処理を行った場合には、リンス工程の終盤またはリンス工程の終了時に、第1の挟持ピン52Aおよび第2の挟持ピン52Bと基板Wの周縁部との間に残存するリンス液が硫酸含有液等を含有している。この場合に、本願発明を好適に適用できる。
Further, the sulfuric acid-containing liquid supplied to the surface of the substrate W in the sulfuric acid-containing liquid step S3 may be sulfuric acid (concentrated sulfuric acid) or SOM (sulfuric acid ozone (a liquid in which ozone is dispersed in sulfuric acid)) in addition to SPM. Good. Further, the sulfuric acid-containing liquid supplied to the surface of the substrate W in the chemical liquid process is not limited to the sulfuric acid-containing liquid, but may be other chemical liquids.
Further, the substrate processing example may not include the sulfuric acid-containing liquid step S3. For example, even when the sulfuric acid-containing liquid step S3 is not included, in the
また、前述の実施形態において、基板処理装置1が半導体ウエハからなる基板Wの表面を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのFPD(Flat Panel display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。 In the above-described embodiment, the case where the substrate processing apparatus 1 is an apparatus for processing the surface of the substrate W made of a semiconductor wafer has been described. However, the substrate processing apparatus is a substrate for a liquid crystal display, an organic EL (electroluminescence) display. Even devices that process substrates such as FPD (Flat Panel Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, etc. Good.
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
1 :基板処理装置
2 :処理ユニット
3 :制御装置
5 :スピンチャック(基板保持回転装置)
10 :リンス液供給ユニット
54 :スピンモータ(回転ユニット)
55 :第1の挟持ユニット
56 :第2の挟持ユニット
57 :第1の開閉ユニット(挟持駆動ユニット)
58 :第2の開閉ユニット(挟持駆動ユニット)
62 :第1の挟持部
72 :第2の挟持部
A1 :回転軸線
Te1 :第1の期間
Te2 :第2の期間
V1 :第2の乾燥速度
V2 :第2の乾燥速度
W :基板
Y :周方向
1: substrate processing device 2: processing unit 3: control device 5: spin chuck (substrate holding and rotating device)
10: Rinse solution supply unit 54: Spin motor (rotary unit)
55: 1st clamping unit 56: 2nd clamping unit 57: 1st opening / closing unit (clamping drive unit)
58: Second opening / closing unit (clamping drive unit)
62: 1st clamping part 72: 2nd clamping part A1: Rotation axis line Te1: 1st period Te2: 2nd period V1: 2nd drying speed V2: 2nd drying speed W: Substrate Y: Circumference direction
Claims (20)
前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、
前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、
前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第1の挟持状態を実現し、その第1の挟持状態を所定の第1の期間維持する第1の挟持工程と、
前記第1の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第2の挟持状態を実現し、その第2の挟持状態を所定の第2の期間維持する第2の挟持工程とを含む、基板処理方法。 A first clamping unit that has at least three first clamping parts that can come into contact with the peripheral edge of the substrate, and that holds the substrate by contacting the peripheral edge of the substrate with the at least three first clamping parts. And at least three second sandwiching portions that are provided separately from the first sandwiching unit and are capable of contacting the periphery of the substrate, and the at least three second sandwiching portions are the periphery of the substrate. A substrate processing method that is executed in a substrate processing apparatus including a substrate holding and rotating device that includes a second clamping unit that clamps the substrate by contacting the substrate, and performing a process using a chemical solution on the substrate. And
A rinsing step of supplying a rinsing liquid to the main surface of the substrate while rotating the substrate held by the substrate holding and rotating device around a rotation axis passing through a central portion of the substrate;
A spin drying step of rotating the substrate around the rotation axis at a swing-off speed at which the rinse liquid can be shaken off from the main surface of the substrate without supplying a rinse liquid to the main surface of the substrate;
In parallel with at least one of the rinsing step and the spin drying step, the at least three first holding portions are separated from the peripheral portion of the substrate while the at least three second holding portions are separated from the peripheral portion of the substrate. Is brought into contact with the first holding unit to realize a first holding state in which the substrate is not held by the second holding unit, and the first holding state is set to a predetermined first. A first clamping step for maintaining the period of
After the first clamping step, in parallel with the spin drying step, the at least three second clamping portions are placed on the substrate while separating the at least three first clamping portions from the peripheral edge of the substrate. By bringing the substrate into contact with the peripheral edge, the second holding unit holds the substrate and realizes a second holding state in which the substrate is not held by the first holding unit. A substrate processing method including a second clamping step of maintaining the second period.
前記第2の期間が、前記少なくとも3つの第2の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The first period is a period in which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three first holding parts,
The substrate processing method according to claim 1, wherein the second period is a period in which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three second holding portions.
前記両挟持状態において、前記基板の周縁部に接触している前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部から離間させることにより、前記両挟持状態から前記第2の挟持状態に遷移する第2の遷移工程とをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。 In the first clamping state, by bringing the at least three second clamping parts spaced apart from the peripheral part of the substrate into contact with the peripheral part of the substrate, the first clamping state causes the first clamping state to occur. A first transition step of transitioning to a sandwiching state in which the substrate is sandwiched by the sandwiching unit and the second sandwiching unit;
In the both sandwiched state, the at least three first sandwiching portions that are in contact with the peripheral portion of the substrate are separated from the peripheral portion of the substrate, thereby transitioning from the both sandwiched state to the second sandwiched state. The substrate processing method as described in any one of Claims 1-4 further including the 2nd transition process to perform.
前記第1の挟持工程および前記第2の挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる第1の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第1のスピンドライ工程と、
前記両挟持工程に並行して、前記基板を、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができ、前記第1の乾燥速度よりも速い第2の乾燥速度で前記回転軸線回りに回転させる第2のスピンドライ工程とを含む、請求項6に記載の基板処理方法。 The spin dry process includes
In parallel with the first clamping step and the second clamping step, the substrate is rotated around the rotation axis at a first drying speed capable of shaking off the rinse liquid from the main surface of the substrate. Spin drying process of
In parallel with the both sandwiching steps, the substrate can be rinsed from the main surface of the substrate with the rinsing liquid shaken, and rotated about the rotation axis at a second drying speed higher than the first drying speed. The substrate processing method of Claim 6 including 2 spin dry processes.
前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも3つの第1の挟持部を有し、前記少なくとも3つの第1の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第1の挟持ユニットと、前記第1の挟持ユニットとは別に設けられ、前記基板の周縁部に接触可能な少なくとも3つの第2の挟持部を有し、前記少なくとも3つの第2の挟持部によって前記基板を挟持することが可能な第2の挟持ユニットと、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットを、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、前記第1の挟持ユニットおよび前記第2の挟持ユニットを駆動する挟持駆動ユニットとを含む基板保持回転装置と、
前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板の主面に対してリンス液を供給するためのリンス液供給ユニットと、
前記回転ユニット、前記挟持駆動ユニットおよび前記リンス液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、前記基板保持回転装置によって保持されている前記基板を、前記回転ユニットによって当該基板の中央部を通る回転軸線回りに回転させながら、前記リンス液供給ユニットによって前記基板の主面にリンス液を供給するリンス工程と、前記基板の主面に対してリンス液を供給せずに、当該基板を、前記回転ユニットによって、当該基板の主面からリンス液を振り切ることができる振り切り速度で前記回転軸線回りに回転させるスピンドライ工程と、前記リンス工程および前記スピンドライ工程の少なくとも一方に並行して、前記少なくとも3つの第2の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第1の挟持状態を実現し、その第1の挟持状態を所定期間維持する第1の挟持工程と、前記第1の挟持工程の後、前記スピンドライ工程に並行して、前記少なくとも3つの第1の挟持部からリンス液を振り切るために、前記挟持駆動ユニットによって、前記少なくとも3つの第1の挟持部を前記基板の周縁部から離間させながら前記少なくとも3つの第2の挟持部を前記基板の周縁部に接触させることにより、前記第2の挟持ユニットによって前記基板を挟持し前記第1の挟持ユニットによって前記基板を挟持しない第2の挟持状態を実現し、その第2の挟持状態を所定期間維持する第2の挟持工程とを実行する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a process using a chemical on a substrate,
A first sandwiching unit having at least three first sandwiching portions that can contact a peripheral edge of the substrate, and capable of sandwiching the substrate by the at least three first sandwiching portions; A second clamping unit that is provided separately from the clamping unit, has at least three second clamping units that can contact the peripheral edge of the substrate, and is capable of clamping the substrate by the at least three second clamping units. Two clamping units, a rotation unit that rotates the first clamping unit and the second clamping unit around a rotation axis that passes through the center of the substrate, the first clamping unit, and the second clamping unit A substrate holding and rotating device including a clamping drive unit that drives the unit;
A rinsing liquid supply unit for supplying a rinsing liquid to the main surface of the substrate held by the substrate holding and rotating device;
A control device for controlling the rotation unit, the clamping drive unit and the rinse liquid supply unit;
While the control device rotates the substrate held by the substrate holding and rotating device around the rotation axis passing through the central portion of the substrate by the rotation unit, the rinse liquid supply unit causes the main surface of the substrate to be rotated. A rinsing step of supplying a rinsing liquid, and a swinging speed at which the rinsing liquid can be shaken off from the main surface of the substrate by the rotating unit without supplying the rinsing liquid to the main surface of the substrate. In parallel with at least one of the spin drying step of rotating around the rotation axis, the rinsing step and the spin drying step, the nip driving unit is configured to shake off the rinsing liquid from the at least three second nip portions. The at least three second holding portions are separated from the peripheral edge of the substrate while the at least three second holding portions are separated from each other. A first holding state in which the substrate is held by the first holding unit and the substrate is not held by the second holding unit by bringing one holding portion into contact with the peripheral edge of the substrate; In order to shake off the rinsing liquid from the at least three first clamping portions in parallel with the spin-drying process after the first clamping process for maintaining the first clamping state for a predetermined period and the first clamping process. Further, the at least three second sandwiching portions are brought into contact with the peripheral portion of the substrate while the at least three first sandwiching portions are separated from the peripheral portion of the substrate by the sandwiching drive unit. A second holding state in which the board is held by the two holding units and the board is not held by the first holding unit, and the second holding state is maintained for a predetermined period. Performing a second holding step of lifting, the substrate processing apparatus.
前記第2の期間が、前記少なくとも3つの第2の挟持部からリンス液を振り切ることが可能な期間である、請求項10〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The first period is a period in which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three first holding parts,
The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the second period is a period in which the rinsing liquid can be shaken off from the at least three second holding portions.
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