KR20230011946A - Conductive particle, conductive material and connection structure using the same - Google Patents

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Abstract

우수한 보존 안정성, 우수한 내 부식성 및 낮은 접속 저항을 겸비한 도전성 입자를 제공하는 것이며, 코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈 도금층이 형성되어 이루어지는 도전성 입자에 있어서, 주사형 오제 전자 분광 분석 장치에 의해 측정한, 상기 도전층의 표면으로부터 깊이 방향 5㎚ 이내에 있어서의 니켈과 인의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+B))가 0.0002 이상 1.65 이하이고, 니켈과 인의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+B))가 0.0001 이상 1.8 이하이고, 또한, 니켈에 대한 인의 몰비(P/Ni), 또는 니켈에 대한 붕소의 몰비(B/Ni)가 0.003 이상 0.7 이하인 도전성 입자이다.To provide conductive particles having excellent storage stability, excellent corrosion resistance and low connection resistance, in which a nickel plating layer as a conductive layer is formed on the surface of core material particles, measured by a scanning type Auger electron spectrometer The molar ratio of carbon to the total of nickel and phosphorus within 5 nm in the depth direction from the surface of the conductive layer (C/(Ni+P)), or the molar ratio of carbon to the total of nickel and boron (C/(Ni +B)) is 0.0002 or more and 1.65 or less, the molar ratio of oxygen to the sum of nickel and phosphorus (O/(Ni+P)), or the molar ratio of oxygen to the sum of nickel and boron (O/(Ni+B)) is 0.0001 or more and 1.8 or less, and the molar ratio of phosphorus to nickel (P/Ni) or boron to nickel (B/Ni) is 0.003 or more and 0.7 or less.

Description

도전성 입자, 그것을 사용한 도전성 재료 및 접속 구조체Conductive particle, conductive material and connection structure using the same

본 발명은 도전성 입자, 그것을 포함하는 도전성 재료 및 그것을 사용한 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to conductive particles, a conductive material containing the same, and a connection structure using the same.

이방성 도전 필름이나 이방성 도전 페이스트와 같은 이방성 도전 재료의 도전성 재료로서 사용할 수 있는 도전성 입자로서는, 일반적으로 코어재 입자의 표면에 금속을 포함하는 도전층을 형성한 것이 알려져 있고, 이 도전층에 의해 전극이나 배선 간의 전기적인 접속을 행하고 있다.As conductive particles that can be used as a conductive material of an anisotropic conductive material such as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste, it is generally known that a conductive layer containing a metal is formed on the surface of a core material particle, and this conductive layer forms an electrode. or electrical connection between wires.

이 도전성 입자의 도전층으로서는, 무전해 도금법에 의한 니켈 도금 피막이 종종 사용되고 있는데, 목적으로 하는 특성을 발현시키기 위해서, 여러가지 연구가 이루어져 있다. 그의 일례로서 특허문헌 1에는, 보존 안정성이 우수한 도전성 입자를 얻기 위해서, 라디칼 중합성 화합물, 산성 화합물 및 물을 포함하는 처리액으로 도전성 입자의 표면을 처리하는 것이 기재되어 있고, 이에 의해, 도전성 입자의 표면에 균일한 수지 피막을 제작하여 도전층의 활성을 억제하는 것이 기재되어 있다. 또한 특허문헌 2에는, 도전성 입자의 표면의 적어도 일부를 피복하는 유기 금속 착체를 구비하는 도전성 입자에 의해, 보존 안정성 등이 우수한 피복 도전성 입자를 제공하는 것이 기재되어 있다.As the conductive layer of the conductive particles, a nickel plating film by an electroless plating method is often used, but various studies have been made in order to express target characteristics. As an example thereof, Patent Literature 1 describes treating the surface of conductive particles with a treatment liquid containing a radically polymerizable compound, an acidic compound and water in order to obtain conductive particles having excellent storage stability, thereby resulting in conductive particles. It is described that the activity of the conductive layer is suppressed by forming a uniform resin film on the surface of. Further, Patent Literature 2 describes providing coated conductive particles excellent in storage stability and the like by conductive particles provided with an organometallic complex that covers at least a part of the surface of the conductive particles.

또한, 우수한 보존 안정성을 갖는 도전성 입자를 얻기 위해서는, 도전층이 높은 내 부식성을 가질 필요도 있다. 이러한 기술로서, 예를 들어 특허문헌 3에서는, 도전층의 표면에 인 함유 소수성기를 도입한 도전성 입자가 기재되어 있다. 이에 의해 도전층의 산화를 억제할 수 있어, 내 부식성을 향상시킬 수 있다고 되어 있다. 또한 특허문헌 4에는, 니켈과 인과 텅스텐을 포함하는 도전층에 있어서, 도전층의 두께 내측의 영역에 인, 외측의 영역에 텅스텐을 특정 범위의 양으로 함유시킨 도전성 입자가 기재되어 있다. 이에 의해 산의 존재 하에 노출되더라도 부식이 진행하기 어려운 것이 보고되어 있다. 이들 특허문헌에서는, 도전층을 개질함으로써 내 부식성의 부여를 시도하고 있다.Moreover, in order to obtain electroconductive particle which has excellent storage stability, it is also necessary for a conductive layer to have high corrosion resistance. As such a technique, for example, Patent Literature 3 describes conductive particles in which a phosphorus-containing hydrophobic group is introduced into the surface of a conductive layer. It is said that oxidation of the conductive layer can be suppressed by this, and corrosion resistance can be improved. In addition, Patent Document 4 describes conductive particles in which, in a conductive layer containing nickel, phosphorus, and tungsten, phosphorus is contained in an inner region of the thickness of the conductive layer and tungsten is contained in an outer region in an amount within a specific range. As a result, it has been reported that corrosion hardly progresses even when exposed to the presence of an acid. In these patent documents, an attempt is made to impart corrosion resistance by modifying the conductive layer.

일본 특허 공개 제2003-77335호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-77335 일본 특허 공개 제2017-134902호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-134902 일본 특허 공개 제2010-278026호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-278026 일본 특허 공개 제2015-110834호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-110834

일반적으로 도전성 입자의 보존 안정성은, 금속의 산화 등의 도전층 표면의 열화를 억제함으로써 달성할 수 있는 것으로부터, 상기 특허문헌 1 내지 특허문헌 4와 같은 방법에 의해 도전층 표면 및 그의 근방을 보호하는 것이 행하여지고 있는데, 이방성 도전 필름이나 이방성 도전 페이스트와 같은 이방성 도전 재료로 했을 때에, 도전층 표면이 보호되어 있는 것에 기인하여 접속 저항이 증가해버리는 것이 문제로 되어 있었다.In general, since the storage stability of conductive particles can be achieved by suppressing deterioration of the surface of the conductive layer such as oxidation of metal, the surface of the conductive layer and its vicinity are protected by the same method as in Patent Literatures 1 to 4 above. However, when an anisotropic conductive material such as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste is used, it has been a problem that connection resistance increases due to the surface of the conductive layer being protected.

따라서 본 발명의 목적은, 우수한 보존 안정성, 우수한 내 부식성 및 낮은 접속 저항을 겸비한 도전성 입자를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide conductive particles having excellent storage stability, excellent corrosion resistance and low connection resistance.

본 발명자들은, 니켈 도금층을 포함하는 도전층의 표층에 존재하는 특정 원소가, 니켈과 인 또는 붕소의 합계량에 대하여 일정한 비율로 존재하면, 보존 안정성 및 내 부식성이 우수함을 알아내고, 본 발명을 완성하였다.The present inventors have found that storage stability and corrosion resistance are excellent when a specific element present in the surface layer of a conductive layer including a nickel plating layer is present in a constant ratio relative to the total amount of nickel and phosphorus or boron, and completed the present invention. did

즉 본 발명은 코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈 도금층이 형성되어 이루어지는 도전성 입자에 있어서, 주사형 오제 전자 분광 분석 장치에 의해 측정한, 상기 도전층의 표면으로부터 깊이 방향 5㎚ 이내에 있어서의 니켈과 인의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+B))가 0.0002 이상 1.65 이하이고, 니켈과 인의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+B))가 0.0001 이상 2.0 이하이고, 또한, 니켈에 대한 인의 몰비(P/Ni), 또는 니켈에 대한 붕소의 몰비(B/Ni)가 0.003 이상 0.7 이하인 도전성 입자를 제공하는 것이다.That is, in the present invention, in the conductive particles in which a nickel plating layer as a conductive layer is formed on the surface of the core material particle, the nickel within 5 nm in the depth direction from the surface of the conductive layer as measured by a scanning type Auger electron spectrometer. The molar ratio of carbon to the sum of nickel and phosphorus (C/(Ni+P)) or the molar ratio of carbon to the sum of nickel and boron (C/(Ni+B)) is 0.0002 or more and 1.65 or less, and The molar ratio of oxygen to (O/(Ni+P)) or the molar ratio of oxygen to the total of nickel and boron (O/(Ni+B)) is 0.0001 or more and 2.0 or less, and the molar ratio of phosphorus to nickel (P /Ni), or the molar ratio of boron to nickel (B/Ni) is 0.003 or more and 0.7 or less.

또한 본 발명은 코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈 도금층이 형성되어 이루어지는 도전성 입자에 있어서, 비행 시간형 2차 이온 질량 분석 장치(TOF-SIMS)에 의해 측정한, 상기 도전층의 표면으로부터 깊이 방향 1㎚ 이내에 있어서의 Ni+의 양이온의 카운트 강도에 대한 CH4N+의 양이온의 카운트 강도(CH4N+/Ni+)가 0.1 이하이거나, Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 C2H3O2 -의 음이온의 카운트 강도(C2H3O2 -/Ni-)가 10.0 이하이거나, Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 PO2 -의 음이온의 카운트 강도(PO2 -/Ni-)가 10.0 이하이거나, 또는 Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 B2O4H3 - 및 B3O6H4 -의 음이온의 카운트 강도((B2O4H3 -+B3O6H4 -)/Ni-)가 10.0 이하인 도전성 입자를 제공하는 것이다.Further, in the present invention, in the conductive particles in which a nickel plating layer as a conductive layer is formed on the surface of core material particles, the depth from the surface of the conductive layer measured by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS) The count intensity of CH 4 N + cations relative to the count intensity of Ni + cations within 1 nm in the direction (CH 4 N + /Ni + ) is 0.1 or less, or C 2 H relative to the count intensity of Ni - anions 3 The count intensity of the anion of O 2 - (C 2 H 3 O 2 - /Ni - ) is 10.0 or less, or the count intensity of the anion of PO 2 - relative to the count intensity of the anion of Ni - (PO 2 - /Ni - ) is 10.0 or less, or the count intensity of anions of B 2 O 4 H 3 - and B 3 O 6 H 4 - relative to the count intensity of anions of Ni - ((B 2 O 4 H 3 - +B 3 O 6 H 4 - )/Ni - ) is to provide conductive particles of 10.0 or less.

또한 본 발명은 코어재 입자의 표면에 도전층을 형성하여 얻어진 도전성 입자를, 1000Pa 이하의 진공 하, 온도 200 내지 600℃에서 가열하는 공정을 갖는 도전성 입자의 제조 방법을 제공하는 것이다.Moreover, this invention provides the manufacturing method of electroconductive particle which has the process of heating the electroconductive particle obtained by forming a conductive layer on the surface of a core material particle at a temperature of 200-600 degreeC under the vacuum of 1000 Pa or less.

본 발명에 따르면, 우수한 보존 안정성, 우수한 내 부식성 및 낮은 접속 저항을 겸비한 도전성 입자를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide conductive particles having excellent storage stability, excellent corrosion resistance and low connection resistance.

도 1은 실시예 1에서 얻어진 도전성 입자의 SEM 화상이다.
도 2는 실시예 4에서 얻어진 도전성 입자의 SEM 화상이다.
1 : is a SEM image of the electroconductive particle obtained in Example 1.
2 : is a SEM image of the electroconductive particle obtained in Example 4.

본 발명의 도전성 입자는, 코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈 도금층이 형성된 것이며, 도전층의 표면으로부터 5㎚ 이내에 있어서의 니켈과 인의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+B))가 0.0002 이상 1.65 이하, 바람직하게는 0.0005 이상 1.55 이하이고, 니켈과 인의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+B))가 0.0001 이상 2.0 이하, 바람직하게는 0.0003 이상 1.8 이하이고, 또한, 니켈에 대한 인의 몰비(P/Ni), 또는 니켈에 대한 붕소의 몰비(P/Ni)가 0.003 이상 0.7 이하, 바람직하게는 0.005 이상 0.5이다.In the conductive particles of the present invention, a nickel plating layer as a conductive layer is formed on the surface of core material particles, and the molar ratio of carbon to the total of nickel and phosphorus within 5 nm from the surface of the conductive layer (C/(Ni+P)) , or the molar ratio of carbon to the sum of nickel and boron (C/(Ni+B)) is 0.0002 or more and 1.65 or less, preferably 0.0005 or more and 1.55 or less, and the molar ratio of oxygen to the total of nickel and phosphorus (O/(Ni +P)), or the molar ratio of oxygen to the total of nickel and boron (O/(Ni+B)) is 0.0001 or more and 2.0 or less, preferably 0.0003 or more and 1.8 or less, and the molar ratio of phosphorus to nickel (P/(Ni+B)) Ni), or the molar ratio of boron to nickel (P/Ni) is 0.003 or more and 0.7 or less, preferably 0.005 or more and 0.5.

본 발명에 있어서, 상기한 각 원소의 몰비는, 주사형 오제 전자 분광 분석 장치(이하, AES 분석 장치라고 하는 경우도 있다.)를 사용하여, 도전층의 표면으로부터 5㎚ 이내의 탄소, 산소, 니켈 및 인 또는 붕소의 원자%를 계측하고, 니켈과 인 또는 니켈과 붕소의 계측값의 합계에 대한 탄소 및 산소의 각 원소의 계측값, 그리고 니켈의 계측값에 대한 인 또는 붕소의 계측값을 산출한 것이다. AES 분석 장치로서는, 예를 들어, 알백 파이사제 PHI-710을 사용할 수 있다.In the present invention, the molar ratio of each element described above is determined using a scanning type Auger electron spectroscopy device (hereinafter sometimes referred to as an AES analyzer) to obtain carbon, oxygen, and carbon within 5 nm from the surface of the conductive layer. The atomic % of nickel and phosphorus or boron is measured, the measured value of each element of carbon and oxygen relative to the total of the measured values of nickel and phosphorus or nickel and boron, and the measured value of phosphorus or boron relative to the measured value of nickel it was calculated As an AES analyzer, for example, PHI-710 manufactured by Albec Pyro Corporation can be used.

니켈과 인 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 탄소 및 산소의 각 원소의 몰비, 및 니켈에 대한 인 또는 붕소의 몰비가 상기 범위의 하한 미만이면, 결정 구조 부분이 너무 많아져서 부식의 개시점이 되는 것으로부터 보존 안정성이 나빠지고, 상기 범위의 상한을 초과하면 비정질 구조 부분이 너무 많아져서 접속 저항이 높아진다.If the molar ratio of each element of carbon and oxygen to the sum of nickel and phosphorus or nickel and boron, and the molar ratio of phosphorus or boron to nickel are less than the lower limit of the above range, the crystal structure portion becomes too large and becomes the starting point of corrosion Storage stability deteriorates from the above, and when the upper limit of the above range is exceeded, the amorphous structure portion becomes too large and the connection resistance increases.

또한 본 발명의 도전성 입자는, 코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈 도금층이 형성된 것이며, 비행 시간형 2차 이온 질량 분석 장치(이하, TOF-SIMS라고 하는 경우도 있다)에 의해 측정한, 도전층의 표면으로부터 1㎚ 이내에 있어서의 Ni+의 양이온의 카운트 강도에 대한 CH4N+의 양이온의 카운트 강도(CH4N+/Ni+)가 0.1 이하, 바람직하게는 0.05 이하이거나, Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 C2H3O2 -의 음이온의 카운트 강도(C2H3O2 -/Ni-)가 10.0 이하, 바람직하게는 9.0 이하이거나, Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 PO2 -의 음이온의 카운트 강도(PO2 -/Ni-)가 10.0 이하, 바람직하게는 9.0 이하이거나, 또는 Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 B2O4H3 - 및 B3O6H4 -의 음이온의 카운트 강도((B2O4H3 -+B3O6H4 -)/Ni-)가 10.0 이하, 바람직하게는 9.0 이하이다. TOF-SIMS로서는, 예를 들어, ION-TOF사제 TOF-SIMS5형을 사용할 수 있다.In the conductive particles of the present invention, a nickel plating layer as a conductive layer is formed on the surface of the core material particle, and the conductivity measured by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (hereinafter sometimes referred to as TOF-SIMS) The count intensity of CH 4 N + cations relative to the count intensity of Ni + cations within 1 nm from the surface of the layer (CH 4 N + /Ni + ) is 0.1 or less, preferably 0.05 or less, or Ni The count intensity of the anion of C 2 H 3 O 2 - relative to the count intensity of the anion (C 2 H 3 O 2 - /Ni - ) is 10.0 or less, preferably 9.0 or less, or the count intensity of the anion of Ni - The count intensity of the anion of PO 2 - (PO 2 - /Ni - ) is 10.0 or less, preferably 9.0 or less, or the count intensity of the anion of Ni - B 2 O 4 H 3 - and B 3 O 6 H The count intensity of the anion of 4 - ((B 2 O 4 H 3 - +B 3 O 6 H 4 - )/Ni - ) is 10.0 or less, preferably 9.0 or less. As TOF-SIMS, TOF-SIMS5 type manufactured by ION-TOF can be used, for example.

Ni+의 양이온의 카운트 강도에 대한 CH4N+의 양이온의 카운트 강도(CH4N+/Ni+), Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 C2H3O2 -의 음이온의 카운트 강도(C2H3O2 -/Ni-), Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 PO2 -의 음이온의 카운트 강도(PO2 -/Ni-), 또는 Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 B2O4H3 - 및 B3O6H4 -의 음이온의 카운트 강도((B2O4H3 -+B3O6H4 -)/Ni-)가 상기 범위 이하이면, 부식이 억제되어, 가압 접속 후의 접속 저항이 낮아지기 때문에 바람직하다. 반대로 상기 범위를 초과하면, 도전층이 부식되기 쉬워져, 가압 접속 후의 접속 신뢰성에 영향을 미친다.The count intensity of cations of CH 4 N + relative to the count intensity of cations of Ni + (CH 4 N + /Ni + ), the count intensity of anions of C 2 H 3 O 2 relative to the count intensity of anions of Ni ( C 2 H 3 O 2 - /Ni - ), count intensity of anion of PO 2 - against count intensity of anion of Ni - (PO 2 - /Ni - ), or B 2 against count intensity of anion of Ni - When the count intensity of the anions of O 4 H 3 - and B 3 O 6 H 4 - ((B 2 O 4 H 3 - +B 3 O 6 H 4 - )/Ni - ) is less than the above range, corrosion is suppressed. , which is preferable because the connection resistance after pressure connection becomes low. Conversely, when the above range is exceeded, the conductive layer is liable to corrode, which affects the connection reliability after pressure connection.

상기 CH4N+은 아민 화합물 유래의 양이온이며, 상기 C2H3O2 -은 유기산 유래의 음이온이며, 상기 PO2 -은 인산 화합물 유래의 음이온, 상기 B2O4H3 - 및 B3O6H4 -은 붕산 화합물 유래의 음이온이다.The CH 4 N + is a cation derived from an amine compound, the C 2 H 3 O 2 - is an anion derived from an organic acid, and the PO 2 - is an anion derived from a phosphoric acid compound, and the B 2 O 4 H 3 - and B 3 O 6 H 4 - is an anion derived from a boric acid compound.

상기 아민 화합물, 상기 유기산, 상기 인산 화합물, 및 상기 붕산 화합물은, 후술하는 본 발명의 도전성 입자의 제조 방법을 실시할 때의 무전해 도금액 중에 포함되는 착화제, 분산제, 환원제, pH 완충제, 및 계면 활성제 등에서 유래하는 것이다.The amine compound, the organic acid, the phosphoric acid compound, and the boric acid compound are a complexing agent, a dispersing agent, a reducing agent, a pH buffering agent, and an interface contained in an electroless plating solution when performing the method for producing conductive particles of the present invention described later. It is derived from an activator, etc.

상기 착화제는, 니켈 이온과 안정적인 착체를 형성함으로써, 수산화니켈과 같은 니켈 화합물의 침전을 방지하고, 또한, 니켈의 석출 반응을 적당한 속도로 하기 위해서 유효한 성분이며, 공지된 무전해 니켈 도금액에 있어서 사용되고 있는 각종 착화제를 사용할 수 있다. 이러한 착화제의 구체예로서는, 아세트산, 프로피온산, 부티르산 등의 모노카르복실산 및 그의 가용성 염, 옥살산, 아디프산 등의 디카르복실산 및 그의 가용성 염, 말산, 타르타르산 등의 옥시카르복실산 및 그의 가용성 염, 글리신, 알라닌 등의 아미노카르복실산 및 그의 가용성 염, 에틸렌디아민4아세트산, 버세놀(N-히드록시에틸에틸렌디아민-N,N',N'-3아세트산), 쿼드롤(N,N,N',N'-테트라히드록시에틸에틸렌디아민) 등의 에틸렌디아민 유도체 및 그의 가용성 염, 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산, 에틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산 등의 포스폰산 및 그의 가용성 염, 피로인산 및 그 가용성 염 등을 들 수 있다. 이들 착화제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The complexing agent is an effective component for preventing precipitation of a nickel compound such as nickel hydroxide by forming a stable complex with nickel ions, and also for speeding up the nickel precipitation reaction, in a known electroless nickel plating solution. Various complexing agents that are used can be used. Specific examples of such a complexing agent include monocarboxylic acids and soluble salts thereof such as acetic acid, propionic acid and butyric acid, dicarboxylic acids and soluble salts thereof such as oxalic acid and adipic acid, oxycarboxylic acids such as malic acid and tartaric acid, and soluble salts thereof. Soluble salts, aminocarboxylic acids such as glycine and alanine, and soluble salts thereof, ethylenediaminetetraacetic acid, versenol (N-hydroxyethylethylenediamine-N,N',N'-triacetic acid), quadrol (N, ethylenediamine derivatives and soluble salts thereof such as N,N',N'-tetrahydroxyethylethylenediamine), phosphonic acids such as 1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, and the like; soluble salts thereof, pyrophosphoric acid and soluble salts thereof, and the like. These complexing agents can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

상기 아민 화합물로서는, 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 트리에탄올아민, N,N-디이소프로필에틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 등의 지방족 아민류, 페닐아민, 벤질아민, N-페닐히드록실아민, 등의 방향족 아민, O-메틸히드록실 아민, O-카르복시히드록실아민, 등의 히드록실아민류, 및 피롤, 피라졸, 이미다졸, 피리딘, 옥사졸, 티아졸, 벤조티아졸, 트리아졸, 벤조트리아졸 등의 복소환식 아민과 그의 알칼리 금속염, 알라닌, 아르기닌, 글루타민, 글루탐산, 글리신, 류신, 페닐알라닌, 시스틴, 히스티딘, 글루타티온, 메티오닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 등의 아미노산류를 들 수 있다.Examples of the amine compound include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, triethanolamine, N,N-diisopropylethylamine, tetramethylethylenediamine, hexamethylenediamine, aliphatic amines such as phenylamine, benzylamine, N-phenylhydroxylamine, aromatic amines such as O-methylhydroxylamine, O-carboxyhydroxylamine, hydroxylamines such as pyrrole, pyrazole, Heterocyclic amines such as dazole, pyridine, oxazole, thiazole, benzothiazole, triazole, and benzotriazole and their alkali metal salts, alanine, arginine, glutamine, glutamic acid, glycine, leucine, phenylalanine, cystine, histidine, glutathione, and amino acids such as methionine, asparagine, and aspartic acid.

상기 유기산으로서는, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 라우르산, 트리데실산, 팔티민산, 스테아르산, 등의 포화 지방 카르복실산 및 그의 알칼리 금속염, 아크릴산, 메타크릴산, 올레산, 리놀레산, α-리놀렌산, 등의 불포화 지방 카르복실산 및 그의 알칼리 금속염, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 등의 포화 디카르복실산 및 그의 알칼리 금속염, 말레산, 푸마르산, 등의 불포화 디카르복실산 및 그의 알칼리 금속염, 아코니트산 및 그의 알칼리 금속염, 벤조산, 살리실산, 프탈산, 등의 방향족 카르복실산 및 그의 알칼리 금속염, 락트산, 글리세린산, 말산, 타르타르산, 2-히드록시부티르산, 3-히드록시부티르산, 4-히드록시부티르산, 시트르산, 류신산, 판토산, 판토텐산, 세레브론산 등의 히드록시카르복실산 및 그의 알칼리 금속염, 에틸렌디아민4아세트산, 에틸렌디아민4아세트산2나트륨을 들 수 있다.Examples of the organic acids include saturated fatty carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, lauric acid, tridecylic acid, paltimic acid, and stearic acid, and alkali metal salts thereof, acrylic acid, methacrylic acid, oleic acid, and linoleic acid. , α-linolenic acid, unsaturated fatty carboxylic acids and alkali metal salts thereof, saturated dicarboxylic acids such as oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, and alkali metal salts thereof, maleic acid, fumaric acid, etc. of unsaturated dicarboxylic acids and alkali metal salts thereof, aconitic acid and alkali metal salts thereof, aromatic carboxylic acids such as benzoic acid, salicylic acid, phthalic acid, and alkali metal salts thereof, lactic acid, glyceric acid, malic acid, tartaric acid, 2-hydroxybutyric acid , hydroxycarboxylic acids such as 3-hydroxybutyric acid, 4-hydroxybutyric acid, citric acid, leucic acid, pantoic acid, pantothenic acid, and cerebonic acid, and alkali metal salts thereof, ethylenediaminetetraacetic acid, and ethylenediaminetetraacetic acid disodium. can

상기 인산 화합물로서는, 아인산, 차아인산, 인산, 등의 옥시인산 및 그의 가용성 염, 피로인산 및 그의 가용성 염, 인산모노도데실에스테르 등의 인산에스테르 및 그의 가용성 염, 아인산에스테르 및 그의 가용성 염, 포스폰산 및 그의 유도체를 들 수 있다. 이 인산 화합물은, 무전해 도금액 중에 포함되는 환원제의 차아인산나트륨, 차아인산칼륨 등의 인계 화합물에서 유래하는 것이다.Examples of the phosphoric acid compound include oxyphosphoric acids such as phosphorous acid, hypophosphorous acid, phosphoric acid, and soluble salts thereof, pyrophosphoric acid and soluble salts thereof, phosphoric acid esters and soluble salts thereof such as phosphoric acid monododecyl ester, phosphorous acid esters and soluble salts thereof, phosphite phonic acid and its derivatives. This phosphoric acid compound originates from a phosphorus-based compound such as sodium hypophosphite or potassium hypophosphite as a reducing agent contained in the electroless plating solution.

상기 붕산 화합물로서는, 무수 붕산, 피로붕산, 오르토붕산 및 그의 유도체를 들 수 있다. 이 붕산 화합물은, 무전해 도금액 중에 포함되는 환원제의 메틸헥사보란, 디메틸아민보란, 디에틸아민보란, 모르폴린보란, 피리딘아민보란, 피페리딘보란, 에틸렌디아민보란, 에틸렌디아민비스보란, t-부틸아민보란, 이미다졸보란, 메톡시에틸아민보란, 수소화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨 등의 붕소계 화합물에서 유래하는 것이다.Examples of the boric acid compound include anhydrous boric acid, pyroboric acid, orthoboric acid, and derivatives thereof. This boric acid compound is methylhexaborane, dimethylamine borane, diethylamine borane, morpholine borane, pyridineamine borane, piperidine borane, ethylenediamine borane, ethylenediaminebisborane, t- It is derived from boron-type compounds, such as butylamine borane, imidazole borane, methoxyethylamine borane, sodium borohydride, and potassium borohydride.

본 발명의 도전성 입자는, 코어재 입자의 표면에 도전층이 형성되어 이루어지는 것이다.The conductive particles of the present invention are obtained by forming a conductive layer on the surface of core material particles.

상기 코어재 입자로서는, 입자상이면, 무기물이든 유기물이든 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 무기물의 코어재 입자로서는, 금, 은, 구리, 니켈, 팔라듐, 땜납 등의 금속 입자, 합금, 유리, 세라믹, 실리카, 금속 또는 비금속의 산화물(함수물도 포함한다), 알루미노규산염을 포함하는 금속 규산염, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 탄산염, 금속 황산염, 금속 인산염, 금속 황화물, 금속 산염, 금속 할로겐화물 및 탄소 등을 들 수 있다. 한편, 유기물의 코어재 입자로서는, 예를 들어, 천연 섬유, 천연 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리부텐, 폴리아미드, 폴리아크릴산에스테르, 폴리아크릴니트릴, 폴리아세탈, 아이오노머, 폴리에스테르 등의 열가소성 수지, 알키드 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 벤조구아나민 수지, 멜라민 수지, 크실렌 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 디알릴프탈레이트 수지 등의 열경화성 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the core material particles, as long as they are particulate, inorganic or organic materials can be used without particular limitation. Examples of inorganic core material particles include metal particles such as gold, silver, copper, nickel, palladium, and solder, alloys, glass, ceramics, silica, oxides of metals or nonmetals (including hydrated compounds), and metals containing aluminosilicates. silicates, metal carbides, metal nitrides, metal carbonates, metal sulfates, metal phosphates, metal sulfides, metal acid salts, metal halides, and carbon. On the other hand, as organic core material particles, for example, natural fiber, natural resin, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polybutene, polyamide, polyacrylic acid ester, polyacrylonitrile, polyacetal, ionomer, and thermosetting resins such as thermoplastic resins such as polyester, alkyd resins, phenol resins, urea resins, benzoguanamine resins, melamine resins, xylene resins, silicone resins, epoxy resins, and diallylphthalate resins. These may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

코어재 입자는, 상술한 무기물 및 유기물의 어느 한쪽을 포함하는 재질 대신에, 무기물 및 유기물의 양쪽을 포함하는 재질로 구성되어 있어도 된다. 코어재 입자가 무기물 및 유기물의 양쪽을 포함하는 재질로 구성되어 있는 경우, 코어재 입자에 있어서의 무기물 및 유기물의 존재 양태로서는, 예를 들어, 무기물을 포함하는 코어와, 해당 코어의 표면을 피복하는 무기물을 포함하는 셸을 구비하는 양태, 혹은, 유기물을 포함하는 코어와, 해당 코어의 표면을 피복하는 무기물을 포함하는 셸을 구비하는 양태 등의 코어 셸형의 구성 등을 들 수 있다. 이들 이외에, 하나의 코어재 입자 중에, 무기물과 유기물이 혼합되어 있거나, 혹은 랜덤하게 융합되어 있는 블렌드형의 구성 등을 들 수 있다.The core material particles may be made of a material containing both inorganic and organic substances instead of the above-described material containing either inorganic or organic substances. When the core material particles are composed of a material containing both inorganic and organic substances, examples of the presence of the inorganic and organic substances in the core material particles include a core containing an inorganic substance and covering the surface of the core core-shell type configurations, such as an aspect including a shell containing an inorganic substance, or an aspect including a core containing an organic substance and a shell containing an inorganic substance covering the surface of the core. In addition to these, a blend type configuration in which inorganic substances and organic substances are mixed or randomly fused in one core material particle, and the like are exemplified.

코어재 입자는, 유기물 혹은 무기물 및 유기물의 양쪽을 포함하는 재질로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 무기물 및 유기물의 양쪽을 포함하는 재질로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 상기 무기물은, 유리, 세라믹, 실리카, 금속 또는 비금속의 산화물(함수물도 포함한다), 알루미노규산염을 포함하는 금속 규산염, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 탄산염, 금속 황산염, 금속 인산염, 금속 황화물, 금속 산염, 금속 할로겐화물 및 탄소인 것이 바람직하다. 또한, 상기 유기물은 천연 섬유, 천연 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리부텐, 폴리아미드, 폴리아크릴산에스테르, 폴리아크릴니트릴, 폴리아세탈, 아이오노머, 폴리에스테르 등의 열가소성 수지인 것이 바람직하다. 이러한 재질을 포함하는 코어재를 사용함으로써, 입자끼리의 분산 안정성을 높일 수 있고, 또한, 전자 회로의 전기적 접속 시에, 적당한 탄성을 발현시켜서 도통을 높일 수 있다.The core material particles are preferably composed of an organic substance or a material containing both an inorganic substance and an organic substance, and more preferably a material containing both an inorganic substance and an organic substance. The inorganic material is glass, ceramic, silica, metal or non-metal oxide (including a hydrous compound), metal silicate including aluminosilicate, metal carbide, metal nitride, metal carbonate, metal sulfate, metal phosphate, metal sulfide, metal Acid salts, metal halides and carbon are preferred. In addition, the organic material is a thermoplastic resin such as natural fiber, natural resin, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polybutene, polyamide, polyacrylic acid ester, polyacrylonitrile, polyacetal, ionomer, and polyester. desirable. By using a core material containing such a material, dispersion stability between particles can be improved, and conduction can be enhanced by developing appropriate elasticity at the time of electrical connection of electronic circuits.

코어재 입자로서 유기물을 사용하는 경우, 유리 전이 온도를 갖지 않거나, 또는, 유리 전이 온도가 100℃ 초과인 것이, 코어재 입자의 형상이 유지되기 쉬운 것이나 금속 피막을 형성하는 공정에 있어서 코어재 입자의 형상을 유지하기 쉬운 점에서 바람직하다. 유리 전이 온도는, 예를 들어, 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 얻어지는 DSC 곡선의 베이스라인 시프트 부분에 있어서의 원래의 베이스라인과 변곡점의 접선 교점으로서 구할 수 있다.In the case of using an organic material as the core material particle, the core material particle does not have a glass transition temperature or has a glass transition temperature of more than 100 ° C., so that the shape of the core material particle is easily maintained or in the process of forming a metal film. It is preferable in that it is easy to maintain the shape of The glass transition temperature can be obtained, for example, as a tangential intersection between an original baseline and an inflection point in a baseline shift portion of a DSC curve obtained by differential scanning calorimetry (DSC).

코어재 입자로서 유기물을 사용하는 경우에 있어서, 그 유기물이 고도로 가교한 수지일 때는, 상기 방법으로 200℃까지 유리 전이 온도의 측정을 시도하더라도, 베이스라인 시프트는 거의 관측되지 않는다. 본 명세서 중에서는 이러한 입자를, 유리 전이 온도를 갖지 않는 입자라고도 하고, 본 발명에 있어서는, 이러한 코어재 입자를 사용해도 된다. 유리 전이 온도를 갖지 않는 코어재 입자 재료의 구체예로서는, 상기에서 예시한 유기물을 구성하는 단량체에 가교성의 단량체를 병용하여 공중합시켜서 얻을 수 있다. 가교성의 단량체로서는, 테트라메틸렌디(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥시드디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌옥시드(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 트리메텔올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트, 디비닐벤젠, 디비닐톨루엔 등의 다관능 비닐계 단량체, 비닐트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 실란 함유계 단량체, 트리알릴이소시아누레이트, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르 등의 단량체를 들 수 있다. 특히 COG(Chip on Glass) 분야에서는 이러한 경질의 유기 재료에 의한 코어재 입자가 많이 사용된다.In the case of using an organic substance as the core material particle, when the organic substance is a highly crosslinked resin, even if the glass transition temperature is measured up to 200 DEG C by the above method, almost no baseline shift is observed. In this specification, such particles are also referred to as particles having no glass transition temperature, and in the present invention, such core material particles may be used. As a specific example of the core material particulate material having no glass transition temperature, it can be obtained by copolymerizing a monomer constituting the above-exemplified organic substance in combination with a crosslinkable monomer. Examples of crosslinkable monomers include tetramethylene di(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, and ethylene oxide di(meth)acrylate. rate, tetraethylene oxide (meth) acrylate, 1,6-hexanedi (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, trimetelol Propane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane di(meth)acrylate, tetramethylolmethane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, tetramethylolpropanetetra(meth)acrylate Polyfunctional (meth)acrylates such as lactate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerol di(meth)acrylate, and glycerol tridi(meth)acrylate, polyfunctional such as divinylbenzene and divinyltoluene Vinyl monomers, vinyl trimethoxysilane, trimethoxysilyl styrene, silane-containing monomers such as γ-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, triallyl isocyanurate, diallyl phthalate, diallyl acrylamide , monomers such as diallyl ether. In particular, in the COG (Chip on Glass) field, core material particles made of such hard organic materials are widely used.

코어재 입자의 형상에 특별히 제한은 없다. 일반적으로, 코어재 입자는 구상이다. 그러나, 코어재 입자는 구상 이외의 형상, 예를 들어, 섬유상, 중공형, 판상 또는 바늘상이어도 되고, 그의 표면에 다수의 돌기를 갖는 것 또는 부정형의 것이어도 된다. 본 발명에 있어서는, 충전성이 우수하고, 금속을 피복하기 쉽다고 하는 점에서, 구상의 코어재 입자가 바람직하다.The shape of the core material particles is not particularly limited. Generally, the core material particles are spherical. However, the core material particles may be in a shape other than spherical, for example, fibrous, hollow, plate-like or needle-like, and may have a large number of projections on their surface or may be irregular. In the present invention, spherical core material particles are preferable from the viewpoint of excellent filling properties and easy coating of metal.

코어재 입자의 표면에 형성되는 도전층은, 도전성을 갖는 금속을 포함하는 것이다. 도전층을 구성하는 금속으로서는, 예를 들어, 금, 백금, 은, 구리, 철, 아연, 니켈, 주석, 납, 안티몬, 비스무트, 코발트, 인듐, 티타늄, 게르마늄, 알루미늄, 크롬, 팔라듐, 텅스텐, 몰리브덴, 칼슘, 마그네슘, 로듐, 나트륨, 이리듐, 베릴륨, 루테늄, 칼륨, 카드뮴, 오스뮴, 리튬, 루비듐, 갈륨, 탈륨, 탄탈, 세슘, 토륨, 스트론튬, 폴로늄, 지르코늄, 바륨, 망간 등의 금속 또는 이들의 합금 이외에, ITO, 땜납 등의 금속 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 금, 은, 구리, 니켈, 팔라듐, 로듐 또는 땜납이, 전기 저항이 적기 때문에 바람직하고, 특히, 니켈, 금, 니켈 합금 또는 금 합금이 적합하게 사용된다. 금속은 1종이어도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.The conductive layer formed on the surface of the core material particle contains a metal having conductivity. Examples of the metal constituting the conductive layer include gold, platinum, silver, copper, iron, zinc, nickel, tin, lead, antimony, bismuth, cobalt, indium, titanium, germanium, aluminum, chromium, palladium, tungsten, Metals such as molybdenum, calcium, magnesium, rhodium, sodium, iridium, beryllium, ruthenium, potassium, cadmium, osmium, lithium, rubidium, gallium, thallium, tantalum, cesium, thorium, strontium, polonium, zirconium, barium, manganese, or these In addition to the alloy of , metal compounds such as ITO and solder are exemplified. Among them, gold, silver, copper, nickel, palladium, rhodium, or solder is preferable because of its low electrical resistance, and nickel, gold, nickel alloys, or gold alloys are particularly suitably used. 1 type of metal may be sufficient as it, and it can also use it in combination of 2 or more types.

도전층은, 단층 구조여도 되고, 복수 층을 포함하는 적층 구조여도 된다. 복수 층을 포함하는 적층 구조일 경우에는, 최표층이, 니켈, 금, 은, 구리, 팔라듐, 니켈 합금, 금 합금, 은 합금, 구리 합금 및 팔라듐 합금으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The conductive layer may have a single layer structure or a laminated structure including a plurality of layers. In the case of a laminated structure including a plurality of layers, it is preferable that the outermost layer is at least one selected from nickel, gold, silver, copper, palladium, nickel alloys, gold alloys, silver alloys, copper alloys, and palladium alloys.

본 발명의 도전성 입자는, 도전층의 최표층이 니켈-인 도금층 또는 니켈-붕소 도금층이다.As for the electroconductive particle of this invention, the outermost layer of a conductive layer is a nickel- phosphorus plating layer or a nickel- boron plating layer.

또한 도전층은, 코어재 입자의 표면 전체를 피복하고 있지 않아도 되고, 그의 일부만을 피복하고 있어도 된다. 코어재 입자의 표면의 일부만을 피복하고 있는 경우에는, 피복 부위가 연속하고 있어도 되고, 예를 들어 아일랜드상으로 불연속으로 피복되어 있어도 된다.In addition, the conductive layer does not have to cover the entire surface of the core material particles, and may cover only a part thereof. In the case where only a part of the surface of the core material particle is covered, the covered portion may be continuous or, for example, may be discontinuously coated in an island shape.

도전층의 두께는, 5㎚ 이상 2,000㎚ 이하인 것이 바람직하고, 10㎚ 이상 1,500㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 도전층의 두께가 상기 범위 내에 있는 것에 의해, 전기 특성이 우수하면서 보존 안정성도 우수한 것이 된다. 도전성 입자가 후술하는 돌기를 갖는 경우, 돌기의 높이는, 여기에서 말하는 도전층의 두께에 포함하지 않는 것으로 한다. 또한, 본 발명에 있어서, 도전층의 두께는, 측정 대상의 입자를 2개로 절단하고, 그 절취부의 단면을 주사형 전자 현미경(Scanning Electron Microscope: SEM)으로 관찰하여 측정할 수 있다.It is preferable that they are 5 nm or more and 2,000 nm or less, and, as for the thickness of a conductive layer, it is more preferable that they are 10 nm or more and 1,500 nm or less. When the thickness of the conductive layer is within the above range, the electrical properties are excellent and the storage stability is also excellent. When electroconductive particle has a processus|protrusion mentioned later, the height of a processus|protrusion shall not be included in the thickness of the conductive layer here. In the present invention, the thickness of the conductive layer can be measured by cutting a particle to be measured into two pieces and observing a cross section of the cut portion with a scanning electron microscope (SEM).

도전성 입자의 평균 입자경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 도전성 입자의 평균 입자경이 상기 범위 내인 것에 의해, 대향 전극 간과는 다른 방향에서의 단락을 발생시키지 않아, 대향 전극 간에서의 도통을 확보하기 쉽다. 또한, 본 발명에 있어서, 도전성 입자의 평균 입자경은, SEM 관찰에 의해 측정한 값이다. 구체적으로는, 도전성 입자의 평균 입자경은 실시예에 기재된 방법으로 측정된다. 또한, 입자경은, 원형의 도전성 입자상의 직경이다. 도전성 입자가 구상이 아닐 경우, 입자경은, 도전성 입자상을 횡단하는 선분 중 가장 큰 길이(최대 길이)를 말한다.The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.1 μm or more and 50 μm or less, more preferably 1 μm or more and 30 μm or less. When the average particle diameter of the conductive particles is within the above range, it is easy to secure conduction between the counter electrodes without generating a short circuit in a direction different from that between the counter electrodes. In addition, in this invention, the average particle diameter of electroconductive particle is a value measured by SEM observation. Specifically, the average particle diameter of conductive particles is measured by the method described in Examples. In addition, the particle diameter is the diameter of the circular conductive particle phase. When the conductive particles are not spherical, the particle diameter refers to the largest length (maximum length) among the line segments crossing the conductive particle top.

도전성 입자가 그 표면에 돌기를 갖는 경우, 즉, 도전층의 외표면이 돌기를 갖는 형상일 경우, 돌기의 높이는, 바람직하게는 20㎚ 이상 1,000㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이상 800㎚ 이하이다. 돌기의 수는, 도전성 입자의 입경에 따라 다르지만, 도전성 입자 1개당, 바람직하게는 1개 이상 20,000개 이하, 더욱 바람직하게는 5개 이상 5,000개 이하인 것이, 도전성 입자의 도전성을 일층 향상시키는 점에서 유리하다. 또한, 돌기의 기부의 길이는, 바람직하게는 5㎚ 이상 1,000㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상 800㎚ 이하이다. 돌기의 기부의 길이는, 입자의 단면을 SEM 관찰했을 때에, 돌기가 형성되어 있는 부위에 있어서의 도전성 입자의 표면을 따르는 길이를 말하며, 돌기의 높이는, 돌기의 기부부터 돌기 정점까지의 최단 거리를 말한다. 또한, 하나의 돌기에 복수의 정점이 있는 경우에는, 가장 높은 정점을 그 돌기의 높이로 한다. 돌기의 기부의 길이 및 돌기의 높이는, 전자 현미경에 의해 관찰된 20개의 다른 입자에 대하여 측정한 값의 산술 평균값으로 한다.When the conductive particles have projections on their surfaces, that is, when the outer surface of the conductive layer has projections, the height of the projections is preferably 20 nm or more and 1,000 nm or less, more preferably 50 nm or more and 800 nm or less. to be. The number of protrusions varies depending on the particle size of the conductive particles, but per conductive particle, preferably 1 or more and 20,000 or less, more preferably 5 or more and 5,000 or less, from the point of further improving the conductivity of the conductive particles. It is advantageous. Further, the length of the base of the protrusion is preferably 5 nm or more and 1,000 nm or less, more preferably 10 nm or more and 800 nm or less. The length of the base of the projection refers to the length along the surface of the conductive particle in the portion where the projection is formed when the cross section of the particle is observed by SEM, and the height of the projection is the shortest distance from the base of the projection to the apex of the projection. say In addition, when one protrusion has a plurality of vertices, the highest apex is set as the height of the protrusion. The length of the base of the protrusion and the height of the protrusion are taken as the arithmetic average values of values measured for 20 different particles observed with an electron microscope.

도전성 입자의 형상은, 코어재 입자의 형상에 따라 다르지만, 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 섬유상, 중공형, 판상 또는 바늘상이어도 되고, 그의 표면에 다수의 돌기를 갖는 것 또는 부정형의 것이어도 된다. 본 발명에 있어서는, 충전성, 접속성이 우수하다고 하는 점에서, 구상 또는 외표면에 다수의 돌기를 갖는 형상인 것이 바람직하다.The shape of the conductive particles varies depending on the shape of the core material particles, but is not particularly limited. For example, it may be fibrous, hollow, plate-like or needle-like, and may have many protrusions on its surface or may be irregular. In the present invention, it is preferable to have a spherical shape or a shape having a large number of projections on the outer surface from the point of being excellent in fillability and connectivity.

코어재 입자의 표면에 도전층을 형성하는 방법으로서는, 증착법, 스퍼터법, 메카노케미컬법, 하이브리다이제이션법 등을 이용하는 건식법, 전해 도금법, 무전해 도금법 등을 이용하는 습식법을 들 수 있다. 또한, 이들 방법을 조합하여 코어재 입자의 표면에 도전층을 형성해도 된다.Examples of the method for forming a conductive layer on the surface of the core material particles include a dry method using a vapor deposition method, a sputtering method, a mechanochemical method, a hybridization method, and the like, and a wet method using an electrolytic plating method and an electroless plating method. Moreover, you may form a conductive layer on the surface of a core material particle by combining these methods.

본 발명에 있어서는, 무전해 도금법에 의해, 코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈-인 도금층 또는 니켈-붕소 도금층을 형성하는 것이, 원하는 입자 특성을 갖는 도전성 입자를 얻는 것이 용이하기 때문에 바람직하다.In the present invention, it is preferable to form a nickel-phosphorus plating layer or a nickel-boron plating layer as a conductive layer on the surface of the core material particles by an electroless plating method because it is easy to obtain conductive particles having desired particle characteristics.

이하, 도전층으로서 니켈 도금층을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the method of forming a nickel plating layer as a conductive layer is demonstrated.

무전해 도금법에 의해 코어재 입자의 표면에 도전층을 형성하는 경우, 코어재 입자는, 그 표면이 귀금속 이온의 포착능을 가지거나, 또는 귀금속 이온의 포착능을 갖도록 표면 개질되는 것이 바람직하다. 귀금속 이온은, 팔라듐이나 은의 이온인 것이 바람직하다. 귀금속 이온의 포착능을 갖는다란, 귀금속 이온을 킬레이트 또는 염으로서 포착할 수 있는 것을 말한다. 예를 들어 코어재 입자의 표면에, 아미노기, 이미노기, 아미드기, 이미드기, 시아노기, 수산기, 니트릴기, 카르복실기 등이 존재하는 경우에는, 해당 코어재 입자의 표면은 귀금속 이온의 포착능을 갖는다. 귀금속 이온의 포착능을 갖도록 표면 개질하는 경우에는, 예를 들어 일본 특허 공개 소61-64882호 공보 기재된 방법을 사용할 수 있다.When the conductive layer is formed on the surface of the core material particle by the electroless plating method, the surface of the core material particle has a noble metal ion trapping ability or is preferably surface-modified to have a noble metal ion trapping capability. The noble metal ion is preferably an ion of palladium or silver. Having noble metal ion trapping ability means being able to trap noble metal ions as a chelate or a salt. For example, when an amino group, an imino group, an amide group, an imide group, a cyano group, a hydroxyl group, a nitrile group, a carboxyl group, etc. are present on the surface of the core material particle, the surface of the core material particle has a noble metal ion trapping ability. have In the case of surface modification so as to have noble metal ion trapping ability, the method described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-64882 can be used, for example.

이러한 코어재 입자를 사용하여, 그 표면에 귀금속을 담지시킨다. 구체적으로는, 코어재 입자를 염화팔라듐이나 질산은과 같은 귀금속염의 희박한 산성 수용액에 분산시킨다. 이에 의해 귀금속 이온을 입자의 표면에 포착시킨다. 귀금속염의 농도는 입자의 표면적 1㎡당 1×10-7 내지 1×10-2몰의 범위이면 충분하다. 귀금속 이온이 포착된 코어재 입자는 계로부터 분리되어 수세된다. 계속해서, 코어재 입자를 물에 현탁시키고, 이것에 환원제를 첨가하여 귀금속 이온의 환원 처리를 행한다. 이에 의해 코어재 입자의 표면에 귀금속을 담지시킨다. 환원제는, 예를 들어 차아인산나트륨, 수산화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨, 디메틸아민보란, 히드라진, 포르말린 등이 사용되고, 이들 중으로부터, 목적으로 하는 도전층의 구성 재료에 기초하여 선택되는 것이 바람직하다.Using these core material particles, a noble metal is supported on the surface. Specifically, the core material particles are dispersed in a dilute acidic aqueous solution of a noble metal salt such as palladium chloride or silver nitrate. In this way, noble metal ions are trapped on the surface of the particles. The concentration of the noble metal salt is sufficient within the range of 1×10 -7 to 1×10 -2 mol per 1 m 2 of particle surface area. The core material particles in which noble metal ions have been captured are separated from the system and washed with water. Subsequently, the core material particles are suspended in water, and a reducing agent is added thereto to perform reduction treatment of noble metal ions. As a result, the noble metal is supported on the surface of the core material particles. As the reducing agent, for example, sodium hypophosphite, sodium borohydride, potassium borohydride, dimethylamine borane, hydrazine, formalin, etc. are used, and it is preferable to select from these based on the material of the target conductive layer.

귀금속 이온을 코어재 입자의 표면에 포착시키기 전에, 주석 이온을 입자의 표면에 흡착시키는 감수성화 처리를 실시해도 된다. 주석 이온을 입자의 표면에 흡착시키기 위해서는, 예를 들어 표면 개질 처리된 코어재 입자를 염화 제1 주석의 수용액에 투입하고 소정 시간 교반하면 된다.Prior to trapping noble metal ions on the surface of the core material particle, a sensitization treatment may be performed in which tin ions are adsorbed on the surface of the particle. In order to adsorb tin ions to the surface of the particles, for example, the surface-modified core material particles may be put into an aqueous solution of stannous chloride and stirred for a predetermined time.

이와 같이 하여 전처리가 실시된 코어재 입자에 대해서, 도전층의 형성 처리를 행한다. 도전층의 형성 처리로서, 돌기를 갖는 도전층을 형성하는 처리, 및 표면이 평활한 도전층을 형성하는 처리의 2종류가 있는데, 먼저, 돌기를 갖는 도전층을 형성하는 처리에 대하여 설명한다.In this way, the conductive layer formation treatment is performed on the core material particles subjected to the pretreatment. As the conductive layer formation process, there are two types of processes: a process for forming a conductive layer with projections and a process for forming a conductive layer with a smooth surface. First, the process for forming a conductive layer with projections will be described.

돌기를 갖는 도전층을 형성하는 처리에 있어서는, 이하의 제1 공정, 및 제2 공정을 행한다.In the process of forming the conductive layer having protrusions, the following first step and second step are performed.

제1 공정은, 코어재 입자의 수성 슬러리와, 분산제, 니켈염, 환원제 및 착화제 등을 포함한 무전해 니켈 도금욕을 혼합하는 무전해 니켈 도금 공정이다. 이러한 제1 공정에서는, 코어재 입자 상에의 도전층의 형성과 동시에 도금욕의 자기 분해가 일어난다. 이 자기 분해는, 코어재 입자의 근방에서 발생하기 때문에, 도전층의 형성 시에 자기 분해물이 코어재 입자 표면 상에 포착됨으로써, 미소 돌기의 핵이 생성되고, 그것과 동시에 도전층의 형성이 이루어진다. 생성한 미소 돌기의 핵을 기점으로 하여, 돌기가 성장한다.The first step is an electroless nickel plating step in which an aqueous slurry of core material particles is mixed with an electroless nickel plating bath containing a dispersant, a nickel salt, a reducing agent, a complexing agent, and the like. In this first step, self-decomposition of the plating bath occurs simultaneously with the formation of the conductive layer on the core material particles. Since this self-decomposition occurs in the vicinity of the core material particles, at the time of formation of the conductive layer, when the self-decomposed product is captured on the surface of the core material particle, nuclei of micro projections are generated, and at the same time, the conductive layer is formed. . The projections grow from the nuclei of the generated microprojections as a starting point.

제1 공정에서는, 전술한 코어재 입자를 바람직하게는 0.1 내지 500g/L, 더욱 바람직하게는 1 내지 300g/L의 범위에서 물에 충분히 분산시켜서, 수성 슬러리를 조제한다. 분산 조작은, 통상적으로 교반, 고속 교반 또는 콜로이드 밀 혹은 균질기와 같은 전단 분산 장치를 사용하여 행할 수 있다. 또한, 분산 조작에 초음파를 병용해도 상관없다. 필요에 따라, 분산 조작에 있어서는 계면 활성제 등의 분산제를 첨가하는 경우도 있다. 이어서, 니켈염, 환원제, 착화제 및 각종 첨가제 등을 포함한 무전해 니켈 도금욕에, 분산 조작을 행한 코어재 입자의 수성 슬러리를 첨가하고, 무전해 도금 제1 공정을 행한다.In the first step, an aqueous slurry is prepared by sufficiently dispersing the aforementioned core material particles in water, preferably in the range of 0.1 to 500 g/L, more preferably 1 to 300 g/L. The dispersing operation can be usually carried out using agitation, high-speed stirring, or a shear dispersing device such as a colloid mill or homogenizer. In addition, ultrasonic waves may be used in combination with the dispersing operation. As needed, a dispersing agent such as a surfactant may be added in the dispersing operation. Next, the aqueous slurry of core material particles subjected to the dispersion operation is added to an electroless nickel plating bath containing a nickel salt, a reducing agent, a complexing agent, and various additives, and a first electroless plating step is performed.

전술한 분산제로서는, 예를 들어 비이온 계면 활성제, 양성 이온 계면 활성제 및/또는 수용성 고분자를 들 수 있다. 비이온 계면 활성제로서는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 등의 폴리옥시알킬렌에테르계의 계면 활성제를 사용할 수 있다. 양성 이온 계면 활성제로서는, 알킬디메틸아세트산베타인, 알킬디메틸카르복시메틸아세트산베타인, 알킬디메틸아미노아세트산베타인 등의 베타인계의 계면 활성제를 사용할 수 있다. 수용성 고분자로서는, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리디논, 히드록시에틸셀룰로오스 등을 사용할 수 있다. 이들 분산제는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 분산제의 사용량은, 그 종류에 따라 다르지만, 일반적으로, 액체(무전해 니켈 도금욕)의 체적에 대하여 0.5 내지 30g/L이다. 특히, 분산제의 사용량이 액체(무전해 니켈 도금욕)의 체적에 대하여 1 내지 10g/L의 범위이면, 도전층의 밀착성이 일층 향상되는 관점에서 바람직하다.Examples of the above dispersing agent include nonionic surfactants, zwitterionic surfactants and/or water-soluble polymers. As the nonionic surfactant, polyoxyalkylene ether surfactants such as polyethylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, and polyoxyethylene alkyl phenyl ether can be used. As the zwitterionic surfactant, betaine-based surfactants such as alkyldimethylacetate betaine, alkyldimethylcarboxymethylacetate betaine, and alkyldimethylaminoacetic acid betaine can be used. As the water-soluble polymer, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidinone, hydroxyethyl cellulose and the like can be used. These dispersants can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The amount of the dispersant used varies depending on the type, but is generally 0.5 to 30 g/L with respect to the volume of the liquid (electroless nickel plating bath). In particular, when the amount of the dispersant is in the range of 1 to 10 g/L with respect to the volume of the liquid (electroless nickel plating bath), it is preferable from the viewpoint of further improving the adhesion of the conductive layer.

니켈염으로서는, 예를 들어 염화니켈, 황산니켈 또는 아세트산니켈 등이 사용되고, 그의 농도는 0.1 내지 50g/L이 범위로 하는 것이 바람직하다. 환원제로서는, 예를 들어 앞서 설명한 귀금속 이온의 환원에 사용되고 있는 것과 마찬가지의 것을 사용할 수 있고, 목적으로 하는 하지 피막의 구성 재료에 기초하여 선택된다. 환원제로서 인 화합물, 예를 들어 차아인산나트륨을 사용하는 경우, 그의 농도는, 0.1 내지 50g/L의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 환원제로서 붕소 화합물, 예를 들어 디메틸아민보란을 사용하는 경우, 그의 농도는, 0.01 내지 100g/L의 범위인 것이 바람직하다.As the nickel salt, for example, nickel chloride, nickel sulfate or nickel acetate is used, and the concentration thereof is preferably in the range of 0.1 to 50 g/L. As the reducing agent, for example, those similar to those used for the reduction of noble metal ions described above can be used, and are selected based on the constituent material of the target underlying film. When using a phosphorus compound such as sodium hypophosphite as the reducing agent, the concentration thereof is preferably in the range of 0.1 to 50 g/L. Moreover, when using a boron compound, for example, dimethylamine borane, as a reducing agent, it is preferable that the range of its concentration is 0.01-100 g/L.

착화제로서는, 예를 들어 시트르산, 히드록시아세트산, 타르타르산, 말산, 락트산, 글루콘산 혹은 그의 알칼리 금속염이나 암모늄염 등의 카르복실산(염), 글리신 등의 아미노산, 에틸렌디아민, 알킬아민 등의 아민산, 기타의 암모늄, EDTA 또는 피로인산(염) 등, 니켈 이온에 대하여 착화 작용이 있는 화합물이 사용된다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 그의 농도는 바람직하게는 1 내지 100g/L, 더욱 바람직하게는 5 내지 50g/L의 범위이다. 이 단계에서의 바람직한 무전해 니켈 도금욕의 pH는, 3 내지 14의 범위이다. 무전해 니켈 도금 반응은, 코어재 입자의 수성 슬러리를 첨가하면 빠르게 시작하고, 수소 가스의 발생을 수반한다. 제1 공정은, 그 수소 가스의 발생이 완전히 보이지 않게 된 시점을 갖고 종료로 한다.As the complexing agent, for example, citric acid, hydroxyacetic acid, tartaric acid, malic acid, lactic acid, gluconic acid or carboxylic acids (salts) such as alkali metal salts and ammonium salts thereof, amino acids such as glycine, amine acids such as ethylenediamine and alkylamines , other compounds having a complexing action for nickel ions, such as ammonium, EDTA or pyrophosphoric acid (salt), are used. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Its concentration is preferably in the range of 1 to 100 g/L, more preferably 5 to 50 g/L. A preferable pH of the electroless nickel plating bath at this stage is in the range of 3 to 14. The electroless nickel plating reaction starts rapidly when the aqueous slurry of core material particles is added, and is accompanied by the generation of hydrogen gas. The first step ends with the point at which generation of the hydrogen gas is completely invisible.

이어서 제2 공정에 있어서는, 상기한 제1 공정에 이어서, (i) 니켈염, 환원제 및 알칼리 중 1종을 포함하는 제1 수용액과, 나머지 2종을 포함하는 제2 수용액을 사용하거나, 또는 (ii) 니켈염을 포함하는 제1 수용액과, 환원제를 포함하는 제2 수용액과, 알칼리를 포함하는 제3 수용액을 사용하여, 이들 수용액을 각각 동시에 또한 경시적으로, 제1 공정의 액에 첨가하여 무전해 니켈 도금을 행한다. 이들 액을 첨가하면 다시 도금 반응이 시작되는데, 그의 첨가량을 조정함으로써, 형성되는 도전층을 원하는 막 두께로 제어할 수 있다. 무전해 니켈 도금액의 첨가 종료 후, 수소 가스의 발생이 완전히 보이지 않게 되고 나서 잠시 액온을 유지하면서 교반을 계속하여 반응을 완결시킨다.Subsequently, in the second step, following the first step described above, (i) a first aqueous solution containing one of a nickel salt, a reducing agent and an alkali and a second aqueous solution containing the other two are used, or ( ii) using a first aqueous solution containing a nickel salt, a second aqueous solution containing a reducing agent, and a third aqueous solution containing an alkali, and adding these aqueous solutions simultaneously and over time to the liquid in the first step, respectively, Electroless nickel plating is performed. When these liquids are added, the plating reaction starts again, but by adjusting the addition amount, the formed conductive layer can be controlled to a desired film thickness. After completion of the addition of the electroless nickel plating solution, after generation of hydrogen gas is completely invisible, stirring is continued while maintaining the liquid temperature for a while to complete the reaction.

상기한 (i)의 경우에는, 니켈염을 포함하는 제1 수용액과, 환원제 및 알칼리를 포함하는 제2 수용액을 사용하는 것이 바람직하지만, 이 조합에 한정되지 않는다. 이 경우에는, 제1 수용액에는 환원제 및 알칼리는 포함되지 않고, 제2 수용액에는 니켈염은 포함되지 않는다. 니켈염 및 환원제로서는, 앞서 설명한 것을 사용할 수 있다. 알칼리로서는, 예를 들어 수산화나트륨이나 수산화칼륨 등의 알칼리 금속의 수산화물을 사용할 수 있다. 상기한 (ii)의 경우에 대해서도 마찬가지이다.In the case of (i) described above, it is preferable to use a first aqueous solution containing a nickel salt and a second aqueous solution containing a reducing agent and an alkali, but it is not limited to this combination. In this case, the first aqueous solution does not contain a reducing agent and alkali, and the second aqueous solution does not contain a nickel salt. As the nickel salt and the reducing agent, those described above can be used. As the alkali, for example, an alkali metal hydroxide such as sodium hydroxide or potassium hydroxide can be used. The same applies to the case of (ii) above.

상기한 (ii)의 경우에는, 제1 내지 제3 수용액에 니켈염, 환원제 및 알칼리가 각각 포함되고, 또한 각 수용액에는 당해 성분 이외의 다른 2 성분은 포함되지 않는다.In the case of (ii) described above, the first to third aqueous solutions contain a nickel salt, a reducing agent, and an alkali, respectively, and each aqueous solution contains no other two components other than the components concerned.

(i) 및 (ii)의 경우의 어느 것이든, 수용액 중의 니켈염의 농도는 10 내지 1,000g/L, 특히 50 내지 500g/L인 것이 바람직하다. 환원제의 농도는, 환원제로서 인 화합물을 사용하는 경우, 100 내지 1,000g/L, 특히 100 내지 800g/L인 것이 바람직하다. 환원제로서 붕소 화합물을 사용하는 경우, 5 내지 200g/L, 특히 10 내지 100g/L인 것이 바람직하다. 환원제로서 히드라진 또는 그의 유도체를 사용하는 경우, 5 내지 200g/L, 특히 10 내지 100g/L인 것이 바람직하다. 알칼리의 농도는 5 내지 500g/L, 특히 10 내지 200g/L인 것이 바람직하다.In either case of (i) and (ii), the concentration of the nickel salt in the aqueous solution is preferably 10 to 1,000 g/L, particularly 50 to 500 g/L. The concentration of the reducing agent is preferably 100 to 1,000 g/L, particularly 100 to 800 g/L, when a phosphorus compound is used as the reducing agent. When using a boron compound as a reducing agent, it is 5-200 g/L, It is preferable that it is 10-100 g/L especially. In the case of using hydrazine or a derivative thereof as the reducing agent, it is preferably 5 to 200 g/L, particularly 10 to 100 g/L. The alkali concentration is preferably 5 to 500 g/L, particularly 10 to 200 g/L.

제2 공정은, 제1 공정의 종료 후에 연속하여 행하지만, 이 대신에, 제1 공정과 제2 공정을 단속하여 행해도 된다. 이 경우에는, 제1 공정의 종료 후, 여과 등의 방법에 의해 코어재 입자와 도금액을 분별하고, 새롭게 코어재 입자를 물에 분산시켜서 수성 슬러리를 조제하고, 거기에 착화제를 바람직하게는 1 내지 100g/L, 더욱 바람직하게는 5 내지 50g/L의 농도 범위에서 용해한 수용액을 첨가하고, 분산제를 바람직하게는 0.5 내지 30g/L, 더욱 바람직하게는 1 내지 10g/L의 범위에서 용해하여 수성 슬러리를 조제하고, 해당 수성 슬러리에 상기한 각 수용액을 첨가하는 제2 공정을 행하는 방법이어도 된다. 이와 같이 하여, 돌기를 갖는 도전층을 형성할 수 있다.Although the 2nd process is performed continuously after completion|finish of the 1st process, you may intermittently perform the 1st process and the 2nd process instead of this. In this case, after the first step is finished, the core material particles and the plating solution are separated by a method such as filtration, the core material particles are newly dispersed in water to prepare an aqueous slurry, and a complexing agent is preferably 1 to 100 g/L, more preferably 5 to 50 g/L, and adding a dispersant dissolved in a concentration range of preferably 0.5 to 30 g/L, more preferably 1 to 10 g/L to form an aqueous solution. A method of preparing a slurry and performing a second step of adding each of the above aqueous solutions to the aqueous slurry may be used. In this way, a conductive layer having protrusions can be formed.

계속해서, 이하에서는 표면이 평활한 도전층을 형성하는 처리에 대하여 설명한다.Continuing, below, the process of forming the conductive layer with a smooth surface is demonstrated.

표면이 평활한 도전층의 형성은, 상기 돌기를 갖는 도전층을 형성하는 처리의 제1 공정에서의 무전해 니켈 도금욕 중의 니켈염의 농도를 옅게 함으로써 행할 수 있다. 즉, 니켈염으로서는, 예를 들어 염화니켈, 황산니켈 또는 아세트산니켈 등이 사용되고, 그 농도를 바람직하게는 0.01 내지 0.5g/L이 범위로 한다. 무전해 니켈 도금욕 중의 니켈염의 농도를 옅게 하는 것 이외의 상기 제1 공정, 및 제2 공정을 행하는 방법에 의해, 표면이 평활한 도전층을 형성할 수 있다.The formation of the conductive layer with a smooth surface can be performed by reducing the concentration of the nickel salt in the electroless nickel plating bath in the first step of the treatment for forming the conductive layer having the protrusions. That is, as the nickel salt, for example, nickel chloride, nickel sulfate or nickel acetate is used, and the concentration is preferably in the range of 0.01 to 0.5 g/L. A conductive layer with a smooth surface can be formed by a method of performing the first step and the second step other than reducing the concentration of the nickel salt in the electroless nickel plating bath.

본 발명의 도전성 입자는, 상술한 방법에 의해 얻어진 도전성 입자를, 1,000Pa 이하, 바람직하게는 0.01 내지 900Pa, 특히 바람직하게는 0.01 내지 500Pa의 진공 하, 200 내지 600℃, 바람직하게는 250 내지 500℃, 특히 바람직하게는 300 내지 450℃의 온도에서 가열 처리함으로써 얻어진다. 이러한 진공 상태를 유지하면서 도전성 입자를 가열함으로써, 도전층의 표면에 존재하는 탄소 및 산소의 비율을 저하시킬 수 있어, 탄소, 산소 및 니켈에 대한 인의 몰비가 적절한 것이 된다. 또한, 본 발명에 있어서의 진공도는 절대압, 즉 절대 진공을 0으로 했을 때의 값이다.The conductive particles of the present invention, the conductive particles obtained by the method described above, 1,000Pa or less, preferably 0.01 to 900Pa, particularly preferably 0.01 to 500Pa under a vacuum of 200 to 600 ℃, preferably 250 to 500 ℃ °C, particularly preferably obtained by heat treatment at a temperature of 300 to 450 °C. By heating the conductive particles while maintaining such a vacuum state, the ratio of carbon and oxygen present on the surface of the conductive layer can be reduced, and the molar ratio of phosphorus to carbon, oxygen and nickel is appropriate. In addition, the degree of vacuum in the present invention is an absolute pressure, that is, a value when absolute vacuum is set to zero.

가열 처리 시간은 0.1 내지 10시간인 것이 바람직하고, 0.5 내지 5시간인 것이 더욱 바람직하다. 이 처리 시간을 채용함으로써, 제조 비용의 증대를 억제할 수 있고, 또한 열 이력에 의한 코어재 입자나 도전층의 변성이 억제되어, 품질에 미치는 영향을 작게 할 수 있다. 이 가열 처리 시간은, 목적으로 하는 처리 온도에 달하고 나서 가열 처리가 종료될 때까지의 시간이다.The heat treatment time is preferably 0.1 to 10 hours, more preferably 0.5 to 5 hours. By employing this processing time, an increase in manufacturing cost can be suppressed, and deterioration of the core material particles and the conductive layer due to thermal history can be suppressed, and the influence on quality can be reduced. This heat treatment time is the time from when the target treatment temperature is reached until the heat treatment is completed.

가열 처리는, 도전성 입자를 정치시킨 상태에서 행해도 되고, 교반하면서 행해도 된다. 도전성 입자를 정치시킨 상태에서 가열 처리를 행하는 경우, 0.1㎜ 내지 100㎜의 두께로 정치시켜 두는 것이 바람직하다. 이 두께로 정치시켜 둠으로써, 도전층에의 가열 처리가 순조롭게 행하여져, 제조 비용을 억제할 수 있다.The heat treatment may be performed in a state in which the conductive particles are left still, or may be performed while stirring. When heat-processing is performed in the state which left electroconductive particle still, it is preferable to leave it still with the thickness of 0.1 mm - 100 mm. By leaving it still at this thickness, heat treatment to a conductive layer is performed smoothly, and manufacturing cost can be held down.

가열 처리는, 도전성 입자를 넣은 용기를 진공화한 후, 정치한 상태에서 또는 교반하면서 행한다. 이때, 도전성 입자를 넣은 용기의 기상부를 질소 등의 불활성 가스로 치환하고 나서 진공화해도 되고, 그대로 진공화해도 된다. 또한 가열 처리는, 필요에 따라 복수회 행해도 된다.The heat treatment is performed in a stationary state or while stirring after vacuuming the container in which the conductive particles are placed. At this time, the vapor phase of the container containing the conductive particles may be evacuated after being substituted with an inert gas such as nitrogen, or may be evacuated as it is. In addition, you may perform heat treatment multiple times as needed.

이와 같이 하여, 본 발명의 도전성 입자가 얻어진다.In this way, the electroconductive particle of this invention is obtained.

본 발명의 도전성 입자는, 후술하는 바와 같이 도전성 접착제의 도전성 필러로서 사용하는 경우에, 도전성 입자 간의 쇼트의 발생을 방지하기 위해서, 그의 표면을 또한 절연 수지로 피복할 수 있다. 절연 수지의 피복은, 압력 등을 가하지 않는 상태에서는 도전성 입자의 표면이 최대한 노출되지 않도록, 또한 도전성 접착제를 사용하여 2매의 전극을 접착할 때에 가해지는 열 및 압력에 의해 파괴되어, 도전성 입자의 표면 중 적어도 돌기가 노출되도록 형성된다. 절연 수지의 두께는 0.1 내지 0.5㎛ 정도로 할 수 있다. 절연 수지는 도전성 입자의 표면 전체를 덮고 있어도 되고, 도전성 입자의 표면의 일부를 덮고 있기만 해도 된다.When the conductive particles of the present invention are used as conductive fillers for conductive adhesives as described later, their surfaces can be further coated with an insulating resin in order to prevent short circuit between the conductive particles. The coating of the insulating resin is destroyed by the heat and pressure applied when bonding the two electrodes using a conductive adhesive so that the surface of the conductive particles is not exposed as much as possible in a state where no pressure or the like is applied, and the conductive particles are damaged. It is formed so that at least a protrusion of the surface is exposed. The thickness of the insulating resin may be about 0.1 to 0.5 μm. The insulating resin may cover the entire surface of the conductive particles, or may only cover a part of the surface of the conductive particles.

절연 수지로서는, 당해 기술분야에서 공지된 것을 넓게 사용할 수 있다. 그의 일례를 나타내면, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알릴 수지, 푸란 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리아미드-이미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 불소 수지, 폴리올레핀 수지(예: 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌), 폴리알킬(메트)아크릴레이트 수지, 폴리(메트)아크릴산 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴로니트릴-스티렌-부타디엔 수지, 비닐 수지, 폴리아미드 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리아세탈 수지, 아이오노머 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐옥시드 수지, 폴리술폰 수지, 폴리불화비닐리덴 수지, 에틸셀룰로오스 수지 및 아세트산셀룰로오스 수지 등의 유기 폴리머를 포함하는 수지를 들 수 있다.As the insulating resin, those known in the art can be widely used. Examples thereof include phenol resins, urea resins, melamine resins, allyl resins, furan resins, polyester resins, epoxy resins, silicone resins, polyamide-imide resins, polyimide resins, polyurethane resins, fluororesins, and polyolefin resins. (e.g. polyethylene, polypropylene, polybutylene), polyalkyl(meth)acrylate resin, poly(meth)acrylic acid resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene-butadiene resin, vinyl resin, polyamide resin, polycar resins containing organic polymers such as bonate resins, polyacetal resins, ionomer resins, polyethersulfone resins, polyphenyloxide resins, polysulfone resins, polyvinylidene fluoride resins, ethylcellulose resins and cellulose acetate resins; can

도전성 입자의 표면에 절연 피복층을 형성하는 방법으로서는, 코아세르베이션법, 계면 중합법, 계내(in situ) 중합법 및 액중 경화 피복법 등의 화학적 방법, 스프레이 드라잉법, 기중 현탁 피복법, 진공 증착 피복법, 드라이 블렌드법, 하이브리다이제이션법, 정전적 합체법, 융해 분산 냉각법 및 무기질 캡슐화법 등의 물리 기계적 방법, 계면 침전법 등의 물리화학적 방법을 들 수 있다.As a method of forming an insulating coating layer on the surface of conductive particles, chemical methods such as coacervation method, interfacial polymerization method, in situ polymerization method and submerged curing coating method, spray drying method, suspension coating method in air, vacuum deposition Physio-mechanical methods such as coating method, dry blend method, hybridization method, electrostatic coalescence method, fusion dispersion cooling method and inorganic encapsulation method, and physicochemical methods such as interfacial precipitation method are exemplified.

상기 절연 수지를 구성하는 유기 폴리머는, 비도전성인 것을 조건으로 하여, 폴리머의 구조 중에 이온성기를 포함하는 화합물을 모노머 성분으로서 포함하고 있어도 된다. 이온성기를 포함하는 화합물은, 가교성 모노머여도 되고, 비가교성 모노머여도 된다. 즉, 가교성 모노머 및 비가교성 모노머 중 적어도 1종이 이온성기를 갖는 화합물을 사용하여, 유기 폴리머가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 「모노머 성분」이란, 유기 폴리머 중의 모노머에서 유래되는 구조를 가리키고, 모노머로부터 유도되는 성분이다. 모노머를 중합에 제공함으로써, 해당 모노머 성분을 구성 단위로서 포함하는 유기 폴리머가 형성된다.The organic polymer constituting the insulating resin may contain, as a monomer component, a compound containing an ionic group in the structure of the polymer, provided that it is non-conductive. The compound containing an ionic group may be a crosslinkable monomer or a non-crosslinkable monomer. That is, it is preferable that the organic polymer is formed using a compound in which at least one of the crosslinkable monomer and the non-crosslinkable monomer has an ionic group. A "monomer component" refers to a structure derived from a monomer in an organic polymer, and is a component derived from a monomer. By subjecting a monomer to polymerization, an organic polymer containing the monomer component as a constituent unit is formed.

이온성기는, 절연 수지를 구성하는 유기 폴리머의 계면에 존재하는 것이 바람직하다. 또한, 이온성기는, 유기 폴리머를 구성하는 모노머 성분에 화학 결합하고 있는 것이 바람직하다. 이온성기가 유기 폴리머의 계면에 존재하는지의 여부는, 이온성기를 갖는 유기 폴리머를 포함하는 절연 수지를 도전성 입자의 표면에 형성했을 때에, 주사형 전자 현미경 관찰에 의해 절연 수지가 도전성 입자의 표면에 부착되어 있는지 여부에 의해 판단할 수 있다.It is preferable that the ionic group exists in the interface of the organic polymer constituting the insulating resin. Moreover, it is preferable that the ionic group is chemically bonded to the monomer component constituting the organic polymer. Whether or not the ionic group exists at the interface of the organic polymer can be determined by observing the insulating resin on the surface of the conductive particle when an insulating resin containing an organic polymer having an ionic group is formed on the surface of the conductive particle. It can be judged by whether or not it is attached.

이온성기로서는, 예를 들어, 포스포늄기, 암모늄기, 술포늄기 등의 오늄계 관능기를 들 수 있다. 이들 중, 도전성 입자 및 절연 수지의 밀착성을 높이고, 절연성과 도통 신뢰성을 높은 레벨에서 겸비한 도전성 입자를 형성하는 관점에서, 암모늄기 또는 포스포늄기인 것이 바람직하고, 포스포늄기인 것이 더욱 바람직하다.As an ionic group, onium-type functional groups, such as a phosphonium group, an ammonium group, and a sulfonium group, are mentioned, for example. Among these, it is preferably an ammonium group or a phosphonium group, more preferably a phosphonium group, from the viewpoint of enhancing the adhesion between the conductive particles and the insulating resin and forming conductive particles having both insulation and conduction reliability at a high level.

오늄계 관능기는, 하기 일반식 (1)로 표시되는 것을 바람직하게 들 수 있다.As the onium-based functional group, those represented by the following general formula (1) are preferably exemplified.

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 중, X는 인 원자, 질소 원자, 또는 황 원자이며, R은 동일해도 되고, 달라도 되며, 수소 원자, 직쇄상, 분지쇄상 혹은 환상의 알킬기, 또는 아릴기이다. n은, X가 질소 원자, 인 원자인 경우에는 1이며, X가 황 원자인 경우에는 0이다. *은 결합손이다.)(Wherein, X is a phosphorus atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom, R may be the same or different, and is a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, or an aryl group. In n, X is nitrogen It is 1 when it is an atom or a phosphorus atom, and 0 when X is a sulfur atom. * is a bond.)

이온성기에 대한 반대 이온으로서는, 예를 들어 할로겐화물 이온을 들 수 있다. 할로겐화물 이온의 예로서는, Cl-, F-, Br-, I-를 들 수 있다.As a counter ion to an ionic group, a halide ion is mentioned, for example. Examples of halide ions include Cl , F , Br , and I .

식 (1) 중, R로 표시되는 직쇄상의 알킬기로서는, 예를 들어 탄소수 1 이상 20 이하의 직쇄상 알킬기를 들 수 있고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기 등을 들 수 있다.In Formula (1), as a linear alkyl group represented by R, a C1-C20 linear alkyl group is mentioned, for example, Specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group , n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetra A decyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-icosyl group, etc. are mentioned.

식 (1) 중, R로 표시되는 분지쇄상의 알킬기로서는, 예를 들어 탄소수 3 이상 8 이하의 분지쇄상 알킬기를 들 수 있고, 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 이소펜틸기, s-펜틸기, t-펜틸기, 이소헥실기, s-헥실기, t-헥실기, 에틸헥실기 등을 들 수 있다.In formula (1), examples of the branched chain alkyl group represented by R include a branched chain alkyl group having 3 or more and 8 or less carbon atoms, specifically, an isopropyl group, an isobutyl group, a s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, s-pentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, s-hexyl group, t-hexyl group, ethylhexyl group, etc. are mentioned.

식 (1) 중, R로 표시되는 환상의 알킬기로서는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로옥타데실기와 같은 시클로알킬기 등을 들 수 있다.Examples of the cyclic alkyl group represented by R in formula (1) include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, and cyclooctadecyl group. can

식 (1) 중, R로 표시되는 아릴기로서는, 페닐기, 벤질기, 톨릴기, o-크실릴기 등을 들 수 있다.In Formula (1), as an aryl group represented by R, a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, an o-xylyl group, etc. are mentioned.

일반식 (1) 중, R은, 탄소수 1 이상 12 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 이상 8 이하의 알킬기인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 일반식 (1) 중, R이 직쇄상 알킬기인 것도 더욱 바람직하다. 오늄계 관능기가 이러한 구성으로 되어 있는 것에 의해, 절연 수지와 도전성 입자의 밀착성을 높여서 절연성을 확보함과 함께, 열압착 시에 있어서의 도통 신뢰성을 일층 높일 수 있다.In general formula (1), R is preferably an alkyl group of 1 to 12 carbon atoms, more preferably an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, and still more preferably an alkyl group of 1 to 8 carbon atoms. Moreover, in general formula (1), it is more preferable that R is a linear alkyl group. When the onium-based functional group has such a structure, the adhesion between the insulating resin and the conductive particles is improved to ensure insulation, and the conduction reliability during thermal compression bonding can be further improved.

모노머의 입수 및 폴리머의 합성을 용이하게 함과 함께, 절연 수지의 제조 효율을 높이는 관점에서, 절연 수지를 구성하는 이온성기를 갖는 유기 폴리머는, 하기 일반식 (2) 또는 일반식 (3)으로 표시되는 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of facilitating the acquisition of monomers and synthesis of polymers and increasing the production efficiency of insulating resins, organic polymers having ionic groups constituting insulating resins are represented by the following general formula (2) or general formula (3). It is preferable to have the constituent units displayed.

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, X, R 및 n은 상기 일반식 (1)과 동의이다. m은 0 이상 5 이하의 정수이다. An-은 1가의 음이온을 나타낸다.)(In the formula, X, R and n have the same meaning as in the above general formula (1). m is an integer of 0 or more and 5 or less. An - represents a monovalent anion.)

Figure pct00003
Figure pct00003

(식 중, X, R 및 n은 상기 일반식 (1)과 동의이다. An-은 1가의 음이온을 나타낸다. m1은 1 이상 5 이하의 정수이다. R5는, 수소 원자 또는 메틸기이다.)(In the formula, X, R and n have the same meaning as in the above general formula (1). An - represents a monovalent anion. m 1 is an integer of 1 or more and 5 or less. R 5 is a hydrogen atom or a methyl group. )

식 (2) 및 식 (3) 중의 R의 예로서는, 상술한 일반식 (1) 중의 R의 관능기의 설명이 적절히 적용된다. 이온성기는, 식 (2)의 벤젠환의 CH기에 대하여 파라 위치, 오르토 위치, 메타 위치의 어느 곳에 결합하고 있어도 되고, 파라 위치에 결합하는 것이 바람직하다. 식 (2) 및 식 (3) 중, 1가의 An-로서는 할로겐화물 이온을 적합하게 들 수 있다. 할로겐화물 이온의 예로서는, Cl-, F-, Br-, I-를 들 수 있다.As an example of R in formulas (2) and (3), the description of the functional group of R in the above-described general formula (1) is appropriately applied. The ionic group may be bonded to any of the para-position, ortho-position, and meta-position with respect to the CH group of the benzene ring of formula (2), and it is preferably bonded to the para-position. In formulas (2) and (3), suitable examples of monovalent An - include halide ions. Examples of halide ions include Cl , F , Br , and I .

또한, 일반식 (2)에 있어서, m은 0 이상 2 이하의 정수가 바람직하고, 0 또는 1이 보다 바람직하고, 1이 특히 바람직하다. 일반식 (3)에 있어서 m1은 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하고, 2가 가장 바람직하다.In the general formula (2), m is preferably an integer of 0 or more and 2 or less, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 1. In general formula (3), 1 or more and 3 or less are preferable, as for m< 1 >, 1 or 2 is more preferable, and 2 is the most preferable.

이온성기를 갖는 유기 폴리머는, 예를 들어 오늄계의 관능기를 갖고 또한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머 성분을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다. 모노머의 입수 및 폴리머의 합성을 쉽게 하고, 절연 수지의 제조 효율을 높이는 관점에서, 이온성기를 갖는 유기 폴리머는, 비가교성 모노머 성분을 포함하는 것도 바람직하다.The organic polymer having an ionic group is preferably composed of a monomer component having, for example, an onium-based functional group and an ethylenically unsaturated bond. It is also preferable that the organic polymer having an ionic group contains a non-crosslinkable monomer component from the viewpoints of facilitating acquisition of monomers and synthesis of polymers and increasing production efficiency of insulating resins.

오늄계의 관능기를 갖고 또한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 비가교성 모노머로서는, 예를 들어, N,N-디메틸아미노에틸메타크릴레이트, N,N-디메틸아미노프로필아크릴아미드, N,N,N-트리메틸-N-2-메타크릴로일옥시에틸암모늄클로라이드 등의 암모늄기 함유 모노머; 메타크릴산페닐디메틸술포늄메틸황산염 등의 술포늄기를 갖는 모노머; 4-(비닐벤질)트리에틸포스포늄클로라이드, 4-(비닐벤질)트리메틸포스포늄클로라이드, 4-(비닐벤질)트리부틸포스포늄클로라이드, 4-(비닐벤질)트리옥틸포스포늄클로라이드, 4-(비닐벤질)트리페닐포스포늄클로라이드, 2-(메타크로일옥시에틸)트리메틸포스포늄클로라이드, 2-(메타크로일옥시에틸)트리에틸포스포늄클로라이드, 2-(메타크로일옥시에틸)트리부틸포스포늄클로라이드, 2-(메타크로일옥시에틸)트리옥틸포스포늄클로라이드, 2-(메타크로일옥시에틸)트리페닐포스포늄클로라이드 등의 포스포늄기를 갖는 모노머 등을 들 수 있다. 이온성기를 갖는 유기 폴리머에는, 2종 이상의 비가교성 모노머 성분이 포함되어 있어도 된다.Examples of the non-crosslinkable monomer having an onium-based functional group and an ethylenically unsaturated bond include N,N-dimethylaminoethyl methacrylate, N,N-dimethylaminopropyl acrylamide, and N,N,N-trimethyl - Ammonium group-containing monomers such as N-2-methacryloyloxyethylammonium chloride; monomers having sulfonium groups such as methacrylic acid phenyldimethylsulfonium methyl sulfate; 4-(vinylbenzyl)triethylphosphonium chloride, 4-(vinylbenzyl)trimethylphosphonium chloride, 4-(vinylbenzyl)tributylphosphonium chloride, 4-(vinylbenzyl)trioctylphosphonium chloride, 4-( Vinylbenzyl) triphenylphosphonium chloride, 2- (methacroyloxyethyl) trimethylphosphonium chloride, 2- (methacroyloxyethyl) triethylphosphonium chloride, 2- (methacroyloxyethyl) tributylphos and monomers having phosphonium groups such as phonium chloride, 2-(methacroyloxyethyl)trioctylphosphonium chloride, and 2-(metacroyloxyethyl)triphenylphosphonium chloride. Two or more types of non-crosslinkable monomer components may be contained in the organic polymer having an ionic group.

절연 수지를 구성하는 유기 폴리머에 있어서는, 모노머 성분의 모두에 이온성기가 결합한 것이어도 되고, 혹은, 유기 폴리머의 전체 구성 단위 중의 일부에 이온성기가 결합하고 있어도 된다. 유기 폴리머의 전체 구성 단위 중의 일부에 이온성기가 결합하고 있는 경우, 이온성기가 결합한 모노머 성분의 비율은, 0.01몰% 이상 99몰% 이하인 것이 바람직하고, 0.02몰% 이상 95몰% 이하인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 유기 폴리머 중의 모노머 성분의 수는, 하나의 에틸렌성 불포화 결합에서 유래되는 구조를 하나의 모노머의 구성 단위로서 카운트한다. 이온성기가 가교성 모노머 및 비가교성 모노머의 양쪽에 포함되는 경우, 모노머 성분의 비율은 그의 총량으로 한다.In the organic polymer constituting the insulating resin, ionic groups may be bonded to all of the monomer components, or ionic groups may be bonded to a part of all constituent units of the organic polymer. When an ionic group is partly bonded to all structural units of the organic polymer, the ratio of the monomer component to which the ionic group is bonded is preferably 0.01 mol% or more and 99 mol% or less, and more preferably 0.02 mol% or more and 95 mol% or less. Do. Here, the number of monomer components in an organic polymer counts a structure derived from one ethylenically unsaturated bond as a structural unit of one monomer. When the ionic group is contained in both the crosslinkable monomer and the non-crosslinkable monomer, the ratio of the monomer components is the total amount thereof.

절연 수지에 의한 피복의 형태로서는, 복수의 절연성 미립자가 층상으로 배치된 형태, 혹은, 절연성의 연속 피막을 들 수 있다.Examples of the form of coating with insulating resin include a form in which a plurality of insulating fine particles are arranged in a layered form, or an insulating continuous coating.

상기 절연 수지가 절연성 미립자를 포함하는 경우, 절연성 미립자로 피복된 도전성 입자를 전극 사이에서 열압착함으로써 절연성 미립자가 용융, 변형, 박리 또는 도전성 입자 표면에서 이동함으로써 열압착된 부분에 있어서의 도전성 입자의 금속 표면이 노출되고, 이에 의해 전극 간에서의 도통을 가능하게 하여 접속성이 얻어진다. 한편, 해당 도전성 입자에 있어서의 열압착 방향 이외의 방향을 향하는 표면 부분은, 절연성 미립자에 의한 도전성 입자 표면의 피복 상태가 대략 유지되어 있기 때문에, 열압착 방향 이외의 방향에 있어서의 도통이 방지된다.When the insulating resin contains insulating fine particles, by thermally compressing the conductive particles coated with the insulating fine particles between electrodes, the insulating fine particles are melted, deformed, peeled off, or moved on the surface of the conductive particles. The metal surface is exposed, thereby enabling conduction between the electrodes, and connectivity is obtained. On the other hand, since the surface portion of the conductive particles facing in directions other than the direction of thermal compression bonding is substantially maintained in the state of covering the surface of the conductive particles with the insulating fine particles, conduction in directions other than the direction of thermal compression bonding is prevented. .

절연성 미립자는, 그의 표면에 상기 이온성기를 포함함으로써, 도전성 입자에 밀착하기 쉽고, 이에 의해 도전성 입자 표면에 있어서의 절연성 미립자에 피복되는 비율을 충분한 것으로 할 수 있음과 함께, 도전성 입자로부터의 절연성 미립자의 박리 등이 효과적으로 방지된다. 이 때문에, 절연성 미립자에 의한 대향 전극 간과 다른 방향에 있어서의 단락 방지 효과가 발휘되기 쉬워, 당해 방향으로의 절연성의 향상을 기대할 수 있다.Insulating fine particles are easily adhered to conductive particles by including the ionic groups on their surface, and thereby the coating ratio of the insulating fine particles on the surface of the conductive particles can be made sufficient, and the insulating fine particles from the conductive particles peeling and the like are effectively prevented. For this reason, the short-circuit prevention effect in the direction other than between the opposing electrodes by the insulating fine particles is easily exhibited, and improvement in insulation in the direction can be expected.

절연성 미립자의 형상은, 특별히 제한은 없고, 구상이어도 되고, 혹은 구상 이외의 형상이어도 된다. 구상 이외의 형상으로서는 예를 들어, 섬유상, 중공형, 판상 또는 바늘상을 들 수 있다. 또한 절연성 미립자는 그의 표면에 다수의 돌기를 갖는 것 또는 부정형의 것이어도 된다. 도전성 입자에의 부착성의 점이나 합성의 용이성의 점에서 구상의 절연성 미립자가 바람직하다.The shape of the insulating fine particles is not particularly limited, and may be spherical or non-spherical. Examples of shapes other than spheres include fibrous, hollow, plate, and needle shapes. Also, the insulating fine particles may have a large number of protrusions on their surface or may be of irregular shape. Spherical insulating fine particles are preferable from the viewpoint of adhesion to conductive particles and ease of synthesis.

절연성 미립자의 평균 입자경(D)은 바람직하게는 10㎚ 이상 3,000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 15㎚ 이상 2,000㎚ 이하이다. 절연성 미립자의 평균 입자경이 상기 범위 내인 것에 의해, 얻어지는 피복 입자가 대향 전극 간과는 다른 방향에서의 단락을 발생시키지 않아, 대향 전극 간에서의 도통을 확보하기 쉽다. 또한, 본 발명에 있어서, 절연성 미립자의 평균 입자경은, 주사형 전자 현미경을 사용한 관찰에 있어서 측정한 값이며, 구체적으로는 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정된다.The average particle diameter (D) of the insulating fine particles is preferably 10 nm or more and 3,000 nm or less, more preferably 15 nm or more and 2,000 nm or less. When the average particle size of the insulating fine particles is within the above range, the obtained coated particles do not generate a short circuit in a direction different from that between the opposing electrodes, and conduction between the opposing electrodes is easily ensured. In the present invention, the average particle size of the insulating fine particles is a value measured by observation using a scanning electron microscope, and is specifically measured by the method described in Examples described later.

전술한 방법에 의해 측정된 절연성 미립자의 입도 분포에는 폭이 있다. 일반적으로, 분체의 입도 분포의 폭은, 하기 계산식 (1)로 표현되는 변동 계수(Coefficient of Variation, 이하 「C.V.」라고도 기재한다)에 의해 표현된다.The particle size distribution of the insulating fine particles measured by the above method has a width. In general, the width of the particle size distribution of powder is expressed by a coefficient of variation (Coefficient of Variation, hereinafter also referred to as "C.V.") expressed by the following formula (1).

C.V.(%)=(표준 편차/평균 입자경)×100 …(1)C.V. (%) = (Standard Deviation/Average Particle Diameter) x 100... (One)

이 C.V.가 크다고 하는 것은 입도 분포의 폭이 넓은 것을 나타내고, 한편, C.V.가 작다고 하는 것은 입도 분포가 샤프한 것을 나타낸다. 본 실시 형태의 피복 입자는, C.V.가 바람직하게는 0.1% 이상 20% 이하, 보다 바람직하게는 0.5% 이상 15% 이하, 가장 바람직하게는 1% 이상 10% 이하의 절연성 미립자를 사용하는 것이 바람직하다. C.V.가 이 범위인 것에 의해, 절연성 미립자에 의한 피복층의 두께를 균일하게 할 수 있는 이점이 있다.A large C.V. indicates a wide particle size distribution, while a small C.V. indicates a sharp particle size distribution. For the coated particles of the present embodiment, it is preferable to use insulating fine particles having a C.V. of preferably 0.1% or more and 20% or less, more preferably 0.5% or more and 15% or less, and most preferably 1% or more and 10% or less. . When C.V. is within this range, there is an advantage that the thickness of the coating layer made of insulating fine particles can be made uniform.

또한, 절연 수지로서는, 상기한 절연성 미립자를 포함하는 것 대신에, 폴리머를 포함하고 이온성기를 갖는 연속 피막이어도 된다. 절연 수지가, 이온성기를 갖는 연속 피막일 경우, 도전성 입자를 전극 사이에서 열압착함으로써 해당 연속 피막이 용융, 변형 또는 박리됨으로써 도전성 입자의 금속 표면이 노출되고, 이에 의해 전극 간에서의 도통을 가능하게 하여 접속성이 얻어진다. 특히, 도전성 입자를 전극 사이에서 열압착함으로써 연속 피막이 찢어지는 것에 의해 금속 표면이 노출되는 경우가 많다. 한편, 도전성 입자에 있어서의 열압착 방향과는 다른 방향을 향하는 표면 부분에서는, 연속 피막에 의한 도전성 입자의 피복 상태가 대략 유지되어 있기 때문에, 열압착 방향 이외의 방향에 있어서의 도통이 방지된다. 해당 연속 피막도 이온성기를 표면에 갖는 것이 바람직하다.Further, as the insulating resin, instead of containing the above-described insulating fine particles, a continuous film containing a polymer and having an ionic group may be used. When the insulating resin is a continuous film having an ionic group, the continuous film is melted, deformed or peeled off by thermally compressing the conductive particles between the electrodes, thereby exposing the metal surface of the conductive particles, thereby enabling conduction between the electrodes. Thus, connectivity is obtained. In particular, the metal surface is exposed in many cases when the continuous film is torn by thermally compressing the conductive particles between the electrodes. On the other hand, on the surface portion facing in a direction different from the thermal compression bonding direction in the conductive particles, since the state of covering the conductive particles with the continuous film is substantially maintained, conduction in directions other than the thermal compression bonding direction is prevented. It is preferable that the continuous film also has an ionic group on the surface.

연속 피막의 두께는, 10㎚ 이상인 것이, 대향 전극 간과 다른 방향에 있어서의 절연성의 향상의 점에서 바람직하고, 3,000㎚ 이하인 것이, 대향 전극 간에서의 도통 용이함의 점에서 바람직하다. 이 점에서, 연속 피막의 두께는, 10㎚ 이상 3,000㎚ 이하인 것이 바람직하고, 15㎚ 이상 2,000㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the continuous film is preferably 10 nm or more from the viewpoint of improving the insulating properties between the counter electrodes and in other directions, and is preferably 3,000 nm or less from the viewpoint of facilitating conduction between the counter electrodes. In this respect, the thickness of the continuous film is preferably 10 nm or more and 3,000 nm or less, and more preferably 15 nm or more and 2,000 nm or less.

절연성 미립자와 마찬가지로, 연속 피막에 있어서 이온성기는, 연속 피막을 구성하는 물질의 일부로서, 해당 물질의 화학 구조의 일부를 이루고 있는 것이 바람직하다. 연속 피막에 있어서 이온성기는, 연속 피막을 구성하는 폴리머의 구성 단위 중 적어도 1종의 구조 중에 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이온성기는, 연속 피막을 구성하는 폴리머에 화학 결합하고 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 폴리머의 측쇄에 결합하고 있다.Similar to the insulating fine particles, the ionic group in the continuous film is a part of the material constituting the continuous film, and preferably forms a part of the chemical structure of the material. In the continuous film, it is preferable that the ionic group is contained in at least one structure of the structural units of the polymer constituting the continuous film. The ionic group is preferably chemically bonded to the polymer constituting the continuous film, and more preferably bonded to the side chain of the polymer.

절연 수지가 연속 피막일 경우, 도전성 입자를, 그의 표면에 이온성기를 갖는 절연성 미립자로 피복한 후, 해당 절연성 미립자를 가열시켜서 얻어진 연속 피막인 것이 바람직하다. 또는, 해당 절연성 미립자를 유기 용제에 의해 용해시켜서 얻어진 연속 피막인 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 이온성기를 갖는 절연성 미립자는, 도전성 입자에 대하여 밀착하기 쉽고, 이에 의해 도전성 입자 표면에 있어서의 절연성 미립자에 피복되는 비율이 충분한 것이 됨과 함께, 도전성 입자로부터의 절연성 미립자의 박리가 방지되기 쉬워진다. 이 때문에, 도전성 입자를 피복하는 절연성 미립자를 가열 또는 용해하여 얻어진 연속 피막은, 두께가 균일하고 또한 도전성 입자 표면에 있어서의 피복 비율이 높은 것으로 할 수 있다.When the insulating resin is a continuous film, it is preferably a continuous film obtained by coating conductive particles with insulating fine particles having ionic groups on their surfaces and then heating the insulating fine particles. Alternatively, it is preferably a continuous film obtained by dissolving the insulating fine particles in an organic solvent. As described above, the insulating fine particles having an ionic group tend to adhere closely to the conductive particles, and as a result, the coating ratio of the insulating fine particles on the surface of the conductive particles is sufficient, and the insulating fine particles can be separated from the conductive particles. easier to prevent For this reason, the continuous film obtained by heating or melting the insulating fine particles that cover the conductive particles can have a uniform thickness and a high coverage ratio on the surface of the conductive particles.

또한 본 발명의 제조 방법에 따른 도전성 입자는, 상기 절연 수지와의 친화성을 높여서 밀착성을 우수한 것으로 할 목적으로, 표면 처리제로 처리해도 된다.In addition, the conductive particles according to the production method of the present invention may be treated with a surface treatment agent for the purpose of enhancing affinity with the insulating resin and making them excellent in adhesion.

상기 표면 처리제로서는, 예를 들어, 벤조트리아졸계 화합물, 티타늄계 화합물, 고급 지방산 또는 그의 유도체, 인산에스테르 및 아인산에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 필요에 따라 복수를 조합하여 사용해도 된다.Examples of the surface treatment agent include benzotriazole-based compounds, titanium-based compounds, higher fatty acids or derivatives thereof, phosphoric acid esters, and phosphorous acid esters. These may be used independently and may be used combining plurality as needed.

상기 표면 처리제는, 도전성 입자에 있어서의 표면의 금속과 화학적으로 결합하고 있어도 되고, 결합하고 있지 않아도 된다. 표면 처리제는, 도전성 입자의 표면에 존재하고 있으면 되고, 그 경우, 도전성 입자의 표면 전체에 존재하고 있어도 되고, 표면의 일부에만 존재하고 있어도 된다.The surface treatment agent may or may not be chemically bonded to the metal on the surface of the conductive particles. The surface treatment agent should just exist on the surface of electroconductive particle, and in that case, it may exist on the whole surface of electroconductive particle, and may exist only in part of the surface.

상기 트리아졸계 화합물로서는, 5원환에 3개의 질소 원자를 갖는 질소 함유 복소환 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.As said triazole type compound, the compound which has a nitrogen-containing heterocyclic structure which has 3 nitrogen atoms in a 5-membered ring is mentioned.

트리아졸계 화합물로서는, 다른 환과 축합하고 있지 않은 트리아졸 단환 구조를 갖는 화합물 이외에, 트리아졸환과 다른 환이 축합한 환 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다. 다른 환으로서는, 벤젠환, 나프탈렌환을 들 수 있다.Examples of the triazole-based compound include compounds having a ring structure in which a triazole ring and other rings are condensed, in addition to compounds having a monocyclic triazole ring structure that is not condensed with another ring. As another ring, a benzene ring and a naphthalene ring are mentioned.

그 중에서도, 절연 수지와의 밀착성이 우수하다는 점에서, 트리아졸환과 다른 환이 축합한 환 구조를 갖는 화합물이 바람직하고, 특히 트리아졸환과 벤젠환이 축합한 구조를 갖는 화합물인 벤조트리아졸계 화합물이 바람직하다.Among them, a compound having a ring structure in which a triazole ring and another ring are condensed is preferable in terms of excellent adhesion to an insulating resin, and a benzotriazole-based compound, which is a compound having a structure in which a triazole ring and a benzene ring are condensed, is particularly preferable. .

벤조트리아졸계 화합물로서는, 하기 일반식 (I)로 표시되는 것을 들 수 있다.As a benzotriazole type compound, what is represented by the following general formula (I) is mentioned.

Figure pct00004
Figure pct00004

(식 중, R11은, 음전하, 수소 원자, 알칼리 금속, 치환되어 있어도 되는 알킬기, 아미노기, 포르밀기, 히드록실기, 알콕시기, 술폰산기 또는 실릴기이며, R12, R13, R14 및 R15는 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 치환되어 있어도 되는 알킬기, 카르복실기, 히드록실기 또는 니트로기이다.)(Wherein, R 11 is a negative charge, a hydrogen atom, an alkali metal, an optionally substituted alkyl group, an amino group, a formyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group, a sulfonic acid group, or a silyl group, and R 12 , R 13 , R 14 and R 15 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted alkyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, or a nitro group.)

식 (I)에 있어서의 R11로 표시되는 알칼리 금속으로서는, 리튬, 나트륨, 칼륨 등을 들 수 있다. R11로 표시되는 알칼리 금속은, 알칼리 금속 양이온이며, 식 (I)에 있어서의 R11이 알칼리 금속일 경우, R11과 질소 원자의 결합은 이온 결합이 되어 있어도 된다.Lithium, sodium, potassium, etc. are mentioned as an alkali metal represented by R< 11 > in Formula (I). The alkali metal represented by R 11 is an alkali metal cation, and when R 11 in Formula (I) is an alkali metal, the bond between R 11 and a nitrogen atom may be an ionic bond.

식 (I)에 있어서의 R11, R12, R13, R14 및 R15로 표시되는 알킬기로서는, 탄소수 1 내지 20의 것을 들 수 있고, 탄소수 1 내지 12가 특히 바람직하다. 당해 알킬기는, 치환되어 있어도 되고, 치환기로서는 아미노기, 알콕시기, 카르복실기, 히드록실기, 알데히드기, 니트로기, 술폰산기, 제4급 암모늄기, 술포늄기, 술포닐기, 포스포늄기, 시아노기, 플루오로알킬기, 머캅토기, 및 할로겐 원자를 들 수 있다.Examples of the alkyl group represented by R 11 , R 12 , R 13 , R 14 and R 15 in the formula (I) include those having 1 to 20 carbon atoms, and those having 1 to 12 carbon atoms are particularly preferred. The alkyl group may be substituted, and examples of the substituent include an amino group, an alkoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, an aldehyde group, a nitro group, a sulfonic acid group, a quaternary ammonium group, a sulfonium group, a sulfonyl group, a phosphonium group, a cyano group, and a fluoro group. an alkyl group, a mercapto group, and a halogen atom.

R11로 표시되는 알콕시기로서는, 탄소수가 1 내지 12의 것을 바람직하게 들 수 있다.As the alkoxy group represented by R 11 , those having 1 to 12 carbon atoms are preferably used.

또한, R12, R13, R14 및 R15로 표시되는 알킬기의 치환기로서의 알콕시기의 탄소수는 1 내지 12인 것이 바람직하다. 식 (I)에 있어서의 R12, R13, R14 및 R15로 표시되는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.In addition, it is preferable that the number of carbon atoms of the alkoxy group as a substituent of the alkyl group represented by R 12 , R 13 , R 14 and R 15 is 1 to 12. Examples of the halogen atom represented by R 12 , R 13 , R 14 and R 15 in Formula (I) include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

구체적인 트리아졸계 화합물로서는, 트리아졸 단환 구조를 갖는 화합물로서 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 5-머캅토-1H-1,2,3-트리아졸나트륨, 4-아미노-3-히드라지노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸을 들 수 있는 것 이외에, 트리아졸환과 다른 환이 축합한 환 구조를 갖는 벤조트리아졸, 1-메틸-1H-벤조트리아졸, 4-메틸-1H-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 4-카르복시-1H-벤조트리아졸, 5-카르복시-1H-벤조트리아졸, 5-에틸-1H-벤조트리아졸, 5-프로필-1H-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1H-벤조트리아졸, 1-아미노벤조트리아졸, 5-니트로벤조트리아졸, 5-클로로벤조트리아졸, 4,5,6,7-테트라브로모벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-(메톡시메틸)-1H-벤조트리아졸, 1H-벤조트리아졸-1-메탄올, 1H-벤조트리아졸-1-카르복시알데히드, 1-(클로로메틸)-1H-벤조트리아졸, 1-히드록시-6-(트리플루오로메틸)벤조트리아졸, 벤조트리아졸부틸에스테르, 4-카르복실-1H-벤조트리아졸부틸에스테르, 4-카르복실-1H-벤조트리아졸옥틸에스테르, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]메틸벤조트리아졸, 2,2'-[[(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노]비스에탄올, 테트라부틸포스포늄벤조트리아졸레이트, 1H-벤조트리아졸-1-일옥시트리스(디메틸아미노)포스포늄헥사플루오로포스페이트, 1H-벤조트리아졸-1-일옥시트리피롤리디노포스포늄헥사플루오로포스페이트, 1-(포름아미드메틸)-1H-벤조트리아졸, 1-[비스(디메틸아미노)메틸렌]-1H-벤조트리아졸륨3-옥시드헥사플루오로포스페이트, 1-[비스(디메틸아미노)메틸렌]-1H-벤조트리아졸륨3-옥시드테트라플루오로보레이트, (6-클로로-1H-벤조트리아졸-1-일옥시)트리피롤리디노포스포늄헥사플루오로포스페이트, O-(벤조트리아졸-1-일)-N,N,N',N'-비스(테트라메틸렌)유로늄헥사플루오로포스페이트, O-(6-클로로벤조트리아졸-1-일)-N,N,N',N'-테트라메틸유로늄테트라플루오로보레이트, O-(6-클로로벤조트리아졸-1-일)-N,N,N',N'-테트라메틸유로늄헥사플루오로포스페이트, O-(벤조트리아졸-1-일)-N,N,N',N'-비스(펜타메틸렌)유로늄헥사플루오로포스페이트, 1-(트리메틸실릴)-1H-벤조트리아졸, 1-[2-(트리메틸실릴)에톡시카르보닐옥시]벤조트리아졸, 1-(트리플루오로메탄술포닐)-1H-벤조트리아졸, (트리플루오로아세틸)벤조트리아졸, 트리스(1H-벤조트리아졸-1-일)메탄, 9-(1H-벤조트리아졸-1-일메틸)-9H-카르바졸, [(1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]트리페닐포스포늄클로라이드, 1-(이소시아노메틸)-1H-벤조트리아졸, 1-[(9H-플루오렌-9-일메톡시)카르보닐옥시]벤조트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸나트륨염, 나프토트리아졸 등을 들 수 있다.Specific triazole-based compounds include 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, 5-mer as a compound having a triazole monocyclic structure. Sodium capto-1H-1,2,3-triazole, 4-amino-3-hydrazino-5-mercapto-1,2,4-triazole, 3-amino-5-mercapto-1,2, Benzotriazoles, 1-methyl-1H-benzotriazoles, 4-methyl-1H-benzotriazoles, and 5-methyl-, which have ring structures in which a triazole ring and other rings are condensed, in addition to 4-triazoles. 1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 5-carboxy-1H-benzotriazole, 5-ethyl-1H-benzotriazole, 5-propyl-1H-benzotriazole, 5,6- Dimethyl-1H-benzotriazole, 1-aminobenzotriazole, 5-nitrobenzotriazole, 5-chlorobenzotriazole, 4,5,6,7-tetrabromobenzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole sol, 1-(methoxymethyl)-1H-benzotriazole, 1H-benzotriazole-1-methanol, 1H-benzotriazole-1-carboxaldehyde, 1-(chloromethyl)-1H-benzotriazole, 1-Hydroxy-6-(trifluoromethyl)benzotriazole, benzotriazole butyl ester, 4-carboxyl-1H-benzotriazole butyl ester, 4-carboxyl-1H-benzotriazole octyl ester, 1 -[N,N-bis(2-ethylhexyl)aminomethyl]methylbenzotriazole, 2,2'-[[(methyl-1H-benzotriazol-1-yl)methyl]imino]bisethanol, tetra Butylphosphonium benzotriazolate, 1H-benzotriazol-1-yloxytris(dimethylamino)phosphonium hexafluorophosphate, 1H-benzotriazol-1-yloxytripyrrolidinophosphonium hexafluorophosphate, 1-(formamidemethyl)-1H-benzotriazole, 1-[bis(dimethylamino)methylene]-1H-benzotriazolium 3-oxide hexafluorophosphate, 1-[bis(dimethylamino)methylene]- 1H-benzotriazolium 3-oxidetetrafluoroborate, (6-chloro-1H-benzotriazol-1-yloxy)tripyrrolidinophosphonium hexafluorophosphate, O-(benzotriazole-1- yl)-N,N,N',N'-bis(tetramethylene)uronium hexafluorophosphate, O-(6-chlorobenzotriazol-1-yl) -N,N,N',N'-tetramethyluronium tetrafluoroborate, O-(6-chlorobenzotriazol-1-yl)-N,N,N',N'-tetramethyluronium hexa Fluorophosphate, O-(benzotriazol-1-yl)-N,N,N',N'-bis(pentamethylene)uronium hexafluorophosphate, 1-(trimethylsilyl)-1H-benzotriazole , 1-[2-(trimethylsilyl)ethoxycarbonyloxy]benzotriazole, 1-(trifluoromethanesulfonyl)-1H-benzotriazole, (trifluoroacetyl)benzotriazole, tris(1H -Benzotriazol-1-yl)methane, 9-(1H-benzotriazol-1-ylmethyl)-9H-carbazole, [(1H-benzotriazol-1-yl)methyl]triphenylphosphonium chloride , 1-(isocyanomethyl)-1H-benzotriazole, 1-[(9H-fluoren-9-ylmethoxy)carbonyloxy]benzotriazole, 1,2,3-benzotriazole sodium salt, Naphthotriazole etc. are mentioned.

상기 티타늄계 화합물로서는, 예를 들어 일반식 (II)로 표시되는 구조를 갖는 화합물이, 도전성 입자의 표면에 갖는 경우에 절연 수지와 도전성 입자의 친화성이 용이하게 얻어지는 점이나 용매에 분산하기 쉬워 도전성 입자 표면을 균일하게 처리할 수 있는 점에서 특히 바람직하다.As the titanium-based compound, for example, when a compound having a structure represented by general formula (II) is present on the surface of conductive particles, affinity between insulating resin and conductive particles is easily obtained, and it is easy to disperse in a solvent. It is particularly preferable from the viewpoint that the surface of the conductive particles can be treated uniformly.

Figure pct00005
Figure pct00005

(R21은 2가 또는 3가의 기이며, R22는 탄소 원자수 2 이상 30 이하의 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6 이상 22 이하의 아릴기 또는 탄소 원자수 7 이상 23 이하의 아릴알킬기이며, p 및 r은 각각 1 이상 3 이하의 정수이며, p+r=4를 충족하고, q는 1 또는 2인 정수이며, R21이 2가의 기일 경우, q는 1이며, R21이 3가의 기일 경우, q는 2이다. q가 2일 경우, 복수의 R22는 동일해도 되고, 달라도 된다. *은 결합손을 나타낸다.)(R 21 is a divalent or trivalent group, R 22 is an aliphatic hydrocarbon group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 22 carbon atoms, or an arylalkyl group having 7 to 23 carbon atoms, p and r are each an integer of 1 or more and 3 or less, satisfies p+r=4, q is an integer of 1 or 2, when R 21 is a divalent group, q is 1, and R 21 is a trivalent group In this case, q is 2. When q is 2, a plurality of R 22 may be the same or different. * indicates a bond.)

R22로 표시되는 탄소 원자수 4 이상 28 이하의 지방족 탄화수소기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다. 불포화 지방족 탄화수소기의 예로서는, 알케닐기로서, 도데세닐기, 트리데세닐기, 테트라데세닐기, 펜타데세닐기, 헥사데세닐기, 헵타데세닐기, 노나데세닐기, 이코세닐기, 에이코세닐기, 헨이코세닐기, 도코세닐기를 들 수 있다. 탄소 원자수 6 이상 22 이하의 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 안트릴기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 4 or more and 28 or less carbon atoms represented by R 22 include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, dodecyl, Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, henicosyl group, docosyl group, etc. are mentioned. Examples of the unsaturated aliphatic hydrocarbon group include an alkenyl group, dodecenyl group, tridecenyl group, tetradecenyl group, pentadecenyl group, hexadecenyl group, heptadecenyl group, nonadecenyl group, icocenyl group, eico A cenyl group, a henicocenyl group, and a dococenyl group are mentioned. Examples of the aryl group having 6 to 22 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group and an anthryl group.

탄소 원자수 7 이상 23 이하의 아릴알킬기로서는, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.Examples of the arylalkyl group having 7 to 23 carbon atoms include a benzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group.

소수성기로서는 직쇄상 또는 분지쇄상의 지방족 탄화수소기가 특히 바람직하고, 직쇄상의 지방족 탄화수소기가 특히 바람직하다.As the hydrophobic group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is particularly preferred, and a linear aliphatic hydrocarbon group is particularly preferred.

절연 수지와 도전성 입자의 친화성을 높이는 점에서, 소수성기로서의 지방족 탄화수소기로서는, 특히 탄소 원자수 4 이상 28 이하의 것이 더욱 바람직하고, 6 이상 24 이하의 것이 가장 바람직하다.From the viewpoint of enhancing the affinity between the insulating resin and the conductive particles, the aliphatic hydrocarbon group as the hydrophobic group is more preferably 4 or more and 28 or less carbon atoms, and most preferably 6 or more and 24 or less carbon atoms.

R21로 표시되는 2가의 기로서는, -O-, -COO-, -OCO-, -OSO2- 등을 들 수 있다. R21로 표시되는 3가의 기로서는, -P(OH)(O-)2, -OPO(OH)-OPO(O-)2 등을 들 수 있다.Examples of the divalent group represented by R 21 include -O-, -COO-, -OCO-, and -OSO 2 -. Examples of the trivalent group represented by R 21 include -P(OH)(O-) 2 , -OPO(OH)-OPO(O-) 2 , and the like.

일반식 (II)에 있어서 *은 결합손이며, 당해 결합손은 도전성 입자의 금속 피막에 결합하고 있어도 되고, 혹은, 다른 기 등에 결합하고 있어도 된다. 그 경우의 다른 기 등으로서는, 예를 들어, 탄화수소기를 들 수 있고, 구체적으로는 탄소 원자수 1 이상 12 이하의 알킬기를 들 수 있다.In the general formula (II), * is a bond, and the bond may be bonded to the metal film of the conductive particles, or may be bonded to other groups or the like. As another group etc. in that case, a hydrocarbon group is mentioned, for example, and, specifically, a C1-C12 alkyl group is mentioned.

일반식 (II)로 표시되는 구조를 갖는 티타늄계 화합물로서는, 일반식 (II)에 있어서의 R21이 2가의 기인 구조를 갖는 화합물이, 입수 용이성이나 도전성 입자의 도전 특성을 손상시킬 일 없이 처리할 수 있는 점에서 바람직하다. 일반식 (II)에 있어서 R21이 2가의 기인 구조는, 하기 일반식 (III)으로 표시된다.As a titanium-based compound having a structure represented by general formula (II), a compound having a structure in which R 21 in general formula (II) is a divalent group is treated without impairing availability or the electrical conductivity of conductive particles. It is desirable in that it can be done. The structure in which R 21 is a divalent group in the general formula (II) is represented by the following general formula (III).

Figure pct00006
Figure pct00006

(R21은, -O-, -COO-, -OCO-, -OSO2-로부터 선택되는 기이며, p, r 및 R22는 일반식 (II)와 동의이다.)(R 21 is a group selected from -O-, -COO-, -OCO-, and -OSO 2 -, and p, r and R 22 are synonymous with General Formula (II).)

일반식 (II) 및 (III)에 있어서, r은 2 또는 3인 것이, 절연 수지와 도전층의 밀착성이 높아지는 관점에서 바람직하고, r이 3인 것이 가장 바람직하다.In the general formulas (II) and (III), r is preferably 2 or 3 from the viewpoint of increasing the adhesion between the insulating resin and the conductive layer, and most preferably r is 3.

본 발명에 사용되는 티타네이트계 커플링제의 구체예로서는, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 테트라이소프로필(디옥틸포스파이트)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트 등을 들 수 있고, 이들은 1종 또는 2종 이상으로 사용할 수 있다.As specific examples of the titanate-based coupling agent used in the present invention, isopropyltriisostearoyltitanate, isopropyltridodecylbenzenesulfonyltitanate, isopropyltris(dioctylpyrophosphate)titanate, tetraiso Propyl (dioctylphosphite) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl ) Bis (ditridecyl) phosphite titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate and the like, these are one or two or more can be used

또한, 이들 티타네이트계 커플링제는, 예를 들어, 아지노모토 파인테크노 가부시키가이샤로부터 시판되고 있다.In addition, these titanate-type coupling agents are marketed from Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., for example.

고급 지방산으로서는, 포화 또는 불포화의 직쇄 또는 분지쇄의 모노 또는 폴리카르복실산인 것이 바람직하고, 포화 또는 불포화의 직쇄 또는 분지쇄의 모노카르복실산인 것이 더욱 바람직하고, 포화 또는 불포화의 직쇄 모노카르복실산인 것이 일층 바람직하다. 지방산은, 그의 탄소수가 바람직하게는 7 이상이다. 또한, 유도체란, 상기 지방산의 염 또는 아미드를 가리킨다.The higher fatty acids are preferably saturated or unsaturated straight-chain or branched monocarboxylic acids, more preferably saturated or unsaturated straight-chain or branched monocarboxylic acids, and saturated or unsaturated straight-chain monocarboxylic acids. It is more preferable. A fatty acid preferably has 7 or more carbon atoms. In addition, a derivative refers to the salt or amide of the said fatty acid.

본 발명에 사용되는 고급 지방산 또는 그의 유도체는, 고급 지방산의 탄소수가 바람직하게는 7 내지 23이며, 더욱 바람직하게는 10 내지 20이다. 이러한 고급 지방산 또는 그의 유도체로서는, 예를 들어 카프르산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산 등의 포화 지방산, 올레산, 리놀레산, 리놀렌산, 아라키돈산 등의 불포화 지방산, 또는 이들의 금속염 혹은 아미드 등을 들 수 있다. 고급 지방산의 금속염으로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag 등의 전이 금속, 및 Al, Zn 등의 전이 금속 이외의 다른 금속의 염을 들 수 있고, 바람직하게는 Al, Zn, W, V 등의 다가 금속염이다. 고급 지방산 금속염은, 금속의 가수에 따라, 모노체, 디체, 트리체, 테트라체 등일 수 있다. 고급 지방산 금속염은, 이들의 임의의 조합이어도 된다.The higher fatty acid or its derivative used in the present invention has preferably 7 to 23 carbon atoms, more preferably 10 to 20 carbon atoms. Examples of such higher fatty acids or derivatives thereof include saturated fatty acids such as capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, and stearic acid; unsaturated fatty acids such as oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, and arachidonic acid; A metal salt or an amide etc. are mentioned. Examples of metal salts of higher fatty acids include salts of alkali metals, alkaline earth metals, transition metals such as Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Ag, and metals other than transition metals such as Al and Zn. and preferably polyvalent metal salts such as Al, Zn, W, and V. The higher fatty acid metal salt may be a mono-, di-, tri-, or tetra-type, depending on the valency of the metal. The higher fatty acid metal salt may be any combination thereof.

인산에스테르 및 아인산에스테르로서는, 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 것이 바람직하게 사용된다.As the phosphoric acid ester and the phosphorous acid ester, those having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms are preferably used.

인산에스테르로서는, 예를 들어, 인산헥실에스테르, 인산헵틸에스테르, 인산모노옥틸에스테르, 인산모노노닐에스테르, 인산모노데실에스테르, 인산모노운데실에스테르, 인산모노도데실에스테르, 인산모노트리데실에스테르, 인산모노테트라데실에스테르, 인산모노펜타데실에스테르 등을 들 수 있다.As phosphoric acid ester, for example, hexyl phosphate ester, heptyl phosphate ester, monooctyl phosphate ester, monononyl phosphate ester, monodecyl phosphate ester, monoundecyl phosphate ester, monododecyl phosphate, monotridecyl phosphate ester, phosphoric acid Monotetradecyl ester, phosphoric acid monopentadecyl ester, etc. are mentioned.

아인산에스테르로서는, 예를 들어, 아인산헥실에스테르, 아인산헵틸에스테르, 아인산모노옥틸에스테르, 아인산모노노닐에스테르, 아인산모노데실에스테르, 아인산모노운데실에스테르, 아인산모노도데실에스테르, 아인산모노트리데실에스테르, 아인산모노테트라데실에스테르, 아인산모노펜타데실에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the phosphite ester include hexyl ester of phosphite, heptyl ester of phosphite, monooctyl ester of phosphite, monononyl ester of phosphite, monodecyl ester of phosphite, monodecyl ester of phosphite, monododecyl ester of phosphite, and monotridecyl ester of phosphite. , phosphorous acid monotetradecyl ester, phosphorous acid monopentadecyl ester, and the like.

본 발명에 있어서, 표면 처리제는, 절연 수지와의 친화성이 우수하고, 또한, 절연 수지의 피복률을 높이는 효과가 높은 점에서, 트리아졸계 화합물, 티타늄계 화합물이 바람직하고, 특히 벤조트리아졸, 4-카르복시벤조트리아졸, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 테트라이소프로필(디옥틸포스파이트)티타네이트가 특히 바람직하다.In the present invention, the surface treatment agent is preferably a triazole-based compound or a titanium-based compound, particularly benzotriazole, from the viewpoint of having excellent affinity with the insulating resin and a high effect of increasing the coverage of the insulating resin; 4-Carboxybenzotriazole, isopropyl triisostearoyl titanate, and tetraisopropyl (dioctylphosphite) titanate are particularly preferred.

도전성 입자를 표면 처리제에 의해 처리하는 방법은, 도전성 입자를 표면 처리제의 용액 중에서 분산시킨 후, 여과함으로써 얻어진다. 표면 처리제에 의한 처리 전에 있어서, 도전성 입자는 다른 처리제로 처리되어 있어도 되고, 미처리여도 된다.The method of treating electroconductive particle with a surface treatment agent is obtained by filtering after disperse|distributing electroconductive particle in the solution of a surface treatment agent. Before the treatment with the surface treatment agent, the conductive particles may be treated with another treatment agent or untreated.

도전성 입자를 분산시키는 표면 처리제의 용액(도전성 입자를 포함하는 용액)에 있어서의 표면 처리제의 농도로서는, 0.01질량% 이상 10.0질량% 이하를 들 수 있다. 또한 표면 처리제의 용액에 있어서의 용매는, 물, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 이소부틸알코올, 이소펜틸알코올, 시클로헥산올, 등의 알코올류, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-부틸케톤, 등의 케톤류, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 등의 에스테르류, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르류, 노르말헥산, 시클로헥사논, 톨루엔, 1,4-디옥산, N,N-디메틸포름아미드, 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다. 분산, 여과한 표면 처리 후의 도전성 입자는, 다시 용매 중에 분산시켜서 과잉의 표면 처리제를 제거하는 것이 바람직하다.The concentration of the surface treatment agent in the solution of the surface treatment agent for dispersing the conductive particles (solution containing the conductive particles) is 0.01% by mass or more and 10.0% by mass or less. In addition, the solvent in the solution of the surface treatment agent is alcohol such as water, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, isopentyl alcohol, cyclohexanol, Ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl-n-butyl ketone, esters such as methyl acetate and ethyl acetate, ethers such as diethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether, normal hexane, Cyclohexanone, toluene, 1,4-dioxane, N,N-dimethylformamide, tetrahydrofuran, etc. are mentioned. It is preferable to disperse|distribute the electroconductive particle after surface treatment after dispersion|distribution and filtration in a solvent again, and to remove excess surface treatment agent.

도전성 입자의 표면 처리제에 의한 표면 처리는, 실온에서 도전성 입자와 표면 처리제와 용매를 혼합함으로써 처리할 수 있다. 혹은, 도전성 입자와 표면 처리제를 용매 중에서 혼합 후, 가열하여 반응을 촉진해도 된다. 가열 온도는 예를 들어 30℃ 이상 50℃ 이하를 들 수 있다.The surface treatment by the surface treatment agent of electroconductive particle can be processed by mixing electroconductive particle, a surface treatment agent, and a solvent at room temperature. Alternatively, after mixing the conductive particles and the surface treatment agent in a solvent, the reaction may be promoted by heating. As for heating temperature, 30 degreeC or more and 50 degreeC or less are mentioned, for example.

본 발명의 도전성 입자는, 접속 저항이 낮기 때문에, 예를 들어 이방성 도전 필름(ACF)이나 히트 시일 커넥터(HSC), 액정 디스플레이 패널의 전극을 구동용 LSI칩의 회로 기판에 접속하기 위한 도전성 재료로서 적합하게 사용된다. 해당 도전성 재료로서는, 본 발명의 도전성 입자 그대로의 사용, 또는 본 발명의 도전성 입자를 결합제 수지에 분산하여 이루어지는 것을 들 수 있다. 도전성 재료의 기타의 형태는 특별히 한정되지 않고, 상기한 것 외에는, 예를 들어, 이방성 도전 페이스트, 도전성 접착제, 이방성 도전 잉크 등의 형태를 들 수 있다.Since the conductive particles of the present invention have low connection resistance, they are used, for example, as a conductive material for connecting an anisotropic conductive film (ACF), a heat seal connector (HSC), or an electrode of a liquid crystal display panel to a circuit board of an LSI chip for driving. used appropriately. As the said conductive material, use as it is of the conductive particle of this invention, or what is made by dispersing the conductive particle of this invention in binder resin is mentioned. Other forms of the conductive material are not particularly limited, and forms other than those described above include, for example, anisotropic conductive paste, conductive adhesive, and anisotropic conductive ink.

상기 결합제 수지로서는, 열가소성 수지 또는 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에틸렌-아세트산비닐 수지, 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 등을 들 수 있고, 열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. As said binder resin, a thermoplastic resin or a thermosetting resin is mentioned. Examples of the thermoplastic resin include acrylic resins, styrene resins, ethylene-vinyl acetate resins, and styrene-butadiene block copolymers. Examples of the thermosetting resins include epoxy resins, phenol resins, urea resins, poly Ester resin, urethane resin, polyimide resin, etc. are mentioned.

상기 도전성 재료는, 본 발명의 도전성 입자 및 결합제 수지 이외에, 필요에 따라 점착 부여제, 반응성 보조제, 에폭시 수지 경화제, 금속 산화물, 광 개시제, 증감제, 경화제, 가황제, 열화 방지제, 내열 첨가제, 열전도 향상제, 연화제, 착색제, 각종 커플링제 또는 금속 불활성제 등을 배합할 수 있다.The conductive material, in addition to the conductive particles and the binder resin of the present invention, as necessary, a tackifier, a reactive auxiliary agent, an epoxy resin curing agent, a metal oxide, a photoinitiator, a sensitizer, a curing agent, a vulcanizing agent, a deterioration inhibitor, a heat resistant additive, and a thermal conductivity Enhancers, softeners, colorants, various coupling agents or metal deactivators may be incorporated.

상기 도전성 재료에 있어서, 도전성 입자의 사용량은, 용도에 따라서 적절히 결정하면 되지만, 도전성 입자끼리가 접촉하지 않고 전기적 도통을 얻기 쉽게 하는 관점에서, 예를 들어 도전성 재료 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 50질량부 이하, 특히 0.03질량부 이상 40질량부 이하인 것이 바람직하다.In the above conductive material, the amount of conductive particles used may be appropriately determined depending on the application, but from the viewpoint of making it easy to obtain electrical conduction without contact between the conductive particles, for example, 0.01 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the conductive material. It is preferably 50 parts by mass or less, particularly preferably 0.03 parts by mass or more and 40 parts by mass or less.

본 발명의 도전성 입자는, 상기한 도전성 재료의 형태 중에서도, 특히, 도전성 접착제의 도전성 필러로서 적합하게 사용된다.The conductive particles of the present invention are particularly suitably used as conductive fillers for conductive adhesives among the forms of the conductive materials described above.

상기한 도전성 접착제는, 도전성 기재가 형성된 2매의 기판 사이에 배치되고, 가열 가압에 의해 상기 도전성 기재를 접착하여 도통하는 이방 도전성 접착제로서 바람직하게 사용된다. 이 이방 도전성 접착제는, 본 발명의 도전성 입자와 접착제 수지를 포함한다. 접착제 수지로서는, 절연성이며, 또한 접착제 수지로서 사용되고 있는 것이라면, 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 열가소성 수지 및 열경화성의 어느 것이어도 되고, 가열에 의해 접착 성능이 발현하는 것이 바람직하다. 그러한 접착제 수지에는, 예를 들어 열가소성 타입, 열경화성 타입, 자외선 경화 타입 등이 있다. 또한, 열가소성 타입과 열경화성 타입의 중간적인 성질을 나타내는, 소위 반열경화성 타입, 열경화성 타입과 자외선 경화 타입의 복합 타입 등이 있다. 이들 접착제 수지는 피착 대상인 회로 기판 등의 표면 특성이나 사용 형태에 맞춰서 적절히 선택할 수 있다. 특히, 열경화성 수지를 포함하여 구성되는 접착제 수지가, 접착 후의 재료적 강도가 우수한 점에서 바람직하다.The above-described conductive adhesive is preferably used as an anisotropic conductive adhesive that is disposed between two substrates on which a conductive substrate is formed and adheres the conductive substrate to conduction by heating and pressing. This anisotropic conductive adhesive contains the conductive particle of this invention and adhesive resin. As the adhesive resin, as long as it is insulating and is used as an adhesive resin, it can be used without particular limitation. Any of a thermoplastic resin and a thermosetting resin may be used, and it is preferable that adhesive performance is developed by heating. Such an adhesive resin includes, for example, a thermoplastic type, a thermosetting type, and an ultraviolet curing type. In addition, there is a so-called semi-thermosetting type, a composite type of a thermosetting type and an ultraviolet curing type, etc., which exhibit intermediate properties between the thermoplastic type and the thermosetting type. These adhesive resins can be appropriately selected according to the surface characteristics of the circuit board or the like to be adhered and the form of use. In particular, an adhesive resin composed of a thermosetting resin is preferable in terms of excellent material strength after bonding.

접착제 수지로서는, 구체적으로는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 카르복실 변성 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-이소부틸아크릴레이트 공중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리비닐에테르, 폴리비닐부티랄, 폴리우레탄, SBS 블록 공중합체, 카르복실 변성 SBS 공중합체, SIS 공중합체, SEBS 공중합체, 말레산 변성 SEBS 공중합체, 폴리부타디엔 고무, 클로로프렌 고무, 카르복실 변성 클로로프렌 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 이소부틸렌-이소프렌 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 고무(이하, NBR이라고 나타낸다.), 카르복실 변성 NBR, 아민 변성 NBR, 에폭시 수지, 에폭시에스테르 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지 또는 실리콘 수지 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 조합에 의해 얻어지는 것을 주제로 하여 조제된 것을 들 수 있다. 이들 중, 열가소성 수지로서는, 스티렌-부타디엔 고무나 SEBS 등이 리워크성이 우수하므로 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 이들 중 접착력이 높고, 내열성, 전기 절연성이 우수하고, 게다가 용융 점도가 낮아, 저압력으로 접속이 가능하다고 하는 이점으로부터, 에폭시 수지가 가장 바람직하다.As the adhesive resin, specifically, ethylene-vinyl acetate copolymer, carboxyl-modified ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-isobutyl acrylate copolymer, polyamide, polyimide, polyester, polyvinyl ether, polyvinylbuty Ral, polyurethane, SBS block copolymer, carboxyl-modified SBS copolymer, SIS copolymer, SEBS copolymer, maleic acid-modified SEBS copolymer, polybutadiene rubber, chloroprene rubber, carboxyl-modified chloroprene rubber, styrene-butadiene rubber, Selected from isobutylene-isoprene copolymer, acrylonitrile-butadiene rubber (hereinafter referred to as NBR), carboxyl-modified NBR, amine-modified NBR, epoxy resin, epoxy ester resin, acrylic resin, phenol resin, or silicone resin. What was prepared with the main thing obtained by 1 type or a combination of 2 or more types is mentioned. Among these, as a thermoplastic resin, styrene-butadiene rubber, SEBS, etc. are preferable since they are excellent in reworkability. As a thermosetting resin, an epoxy resin is preferable. Among these, epoxy resins are most preferred because of their high adhesive strength, excellent heat resistance and electrical insulation properties, and low melt viscosity, enabling connection at low pressure.

상기한 에폭시 수지로서는, 1 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 다가 에폭시 수지이면, 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지가 사용 가능하다. 구체적인 것으로서는, 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 노볼락 수지, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 레조르신, 비스히드록시디페닐에테르 등의 다가 페놀류, 에틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 폴리프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류, 에틸렌디아민, 트리에틸렌테트라민, 아닐린 등의 폴리아미노 화합물, 아디프산, 프탈산, 이소프탈산 등의 다가 카르복시 화합물 등과 에피클로로히드린 또는 2-메틸에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 글리시딜형의 에폭시 수지가 예시된다. 또한, 디시클로펜타디엔에폭사이드, 부타디엔 다이머 디에폭사이드 등의 지방족 및 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the above-described epoxy resin, a generally used epoxy resin can be used as long as it is a polyhydric epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Specifically, novolak resins such as phenol novolak and cresol novolac, polyhydric phenols such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, resorcin, and bishydroxydiphenyl ether, ethylene glycol, neopentyl glycol, glycerin, and trimethyl Polyhydric alcohols such as allpropane and polypropylene glycol, polyamino compounds such as ethylenediamine, triethylenetetramine and aniline, polyhydric carboxylic compounds such as adipic acid, phthalic acid and isophthalic acid, etc. A glycidyl-type epoxy resin obtained by reacting chlorohydrin is exemplified. Moreover, aliphatic and alicyclic epoxy resins, such as dicyclopentadiene epoxide and a butadiene dimer diepoxide, etc. are mentioned. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

또한, 상술한 각종 접착 수지로서는, 불순물 이온(Na나 Cl 등)이나 가수 분해성 염소 등이 저감된 고순도품을 사용하는 것이, 이온 마이그레이션의 방지의 관점에서 바람직하다.In addition, as the various adhesive resins described above, it is preferable to use a high-purity product in which impurity ions (such as Na or Cl) and hydrolyzable chlorine are reduced from the viewpoint of preventing ion migration.

이방 도전성 접착제에 있어서의 도전성 입자의 사용량은, 접착제 수지 성분 100질량부에 대하여 통상적으로 0.1 내지 30질량부, 바람직하게는 0.5 내지 25질량부, 보다 바람직하게는 1 내지 20질량부이다. 도전성 입자의 사용량이 이 범위 내에 있는 것에 의해, 접속 저항이나 용융 점도가 높아지는 것이 억제되어, 접속 신뢰성을 향상시켜, 접속의 이방성을 충분히 확보할 수 있다.The amount of conductive particles used in the anisotropic conductive adhesive is usually 0.1 to 30 parts by mass, preferably 0.5 to 25 parts by mass, and more preferably 1 to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin component. When the usage-amount of electroconductive particle exists in this range, it is suppressed that connection resistance and melt viscosity become high, connection reliability is improved, and connection anisotropy can fully be ensured.

상기한 이방 도전성 접착제에는, 상술한 도전성 입자 및 접착제 수지 이외에, 당해 기술분야에 있어서, 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 배합량도 당해 기술분야에 있어서 공지된 범위 내로 할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 점착 부여제, 반응성 보조제, 에폭시 수지 경화제, 금속 산화물, 광 개시제, 증감제, 경화제, 가황제, 열화 방지제, 내열 첨가제, 열전도 향상제, 연화제, 착색제, 각종 커플링제 또는 금속 불활성제 등을 예시할 수 있다.In addition to the above-mentioned conductive particles and adhesive resin, additives known in the art can be blended with the anisotropic conductive adhesive described above. The blending amount can also be within a range known in the art. Examples of other additives include tackifiers, reactive auxiliary agents, epoxy resin curing agents, metal oxides, photoinitiators, sensitizers, curing agents, vulcanizing agents, deterioration inhibitors, heat resistance additives, thermal conductivity improvers, softeners, colorants, various coupling agents or metals. An inactive agent etc. can be illustrated.

점착 부여제로서는, 예를 들어 로진, 로진 유도체, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 석유 수지, 쿠마론-인덴 수지, 스티렌계 수지, 이소프렌계 수지, 알킬페놀 수지, 크실렌 수지 등을 들 수 있다. 반응성 보조제 즉 가교제로서는, 예를 들어 폴리올, 이소시아네이트류, 멜라민 수지, 요소 수지, 우트로핀류, 아민류, 산 무수물, 과산화물 등을 들 수 있다. 에폭시 수지 경화제로서는, 1분 중에 2개 이상의 활성 수소를 갖는 것이라면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 구체적인 것으로서는, 예를 들어 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 메타페닐렌디아민, 디시안디아미드, 폴리아미드아민 등의 폴리아미노 화합물; 무수 프탈산, 무수 메틸나드산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산 등의 유기산 무수물; 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 잠재성 경화제를 사용해도 된다. 사용할 수 있는 잠재성 경화제로서는, 예를 들어, 이미다졸계, 히드라지드계, 3불화붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등 및 이들의 변성물을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상의 혼합체로서 사용할 수 있다.Examples of the tackifier include rosin, rosin derivatives, terpene resins, terpene phenol resins, petroleum resins, coumarone-indene resins, styrene-based resins, isoprene-based resins, alkylphenol resins, and xylene resins. Examples of the reactive auxiliary agent, that is, the crosslinking agent, include polyols, isocyanates, melamine resins, urea resins, utropins, amines, acid anhydrides, and peroxides. As the epoxy resin curing agent, any one having two or more active hydrogens per minute can be used without particular limitation. Specific examples thereof include polyamino compounds such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, metaphenylenediamine, dicyandiamide, and polyamideamine; organic acid anhydrides such as phthalic anhydride, methylnadic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and pyromellitic anhydride; Novolak resins, such as a phenol novolak and a cresol novolak, etc. are mentioned. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. Moreover, you may use a latent hardener as needed. Examples of the latent curing agent that can be used include imidazole-based, hydrazide-based, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amineimides, salts of polyamines, dicyandiamide, and the like, and modified products thereof. there is. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

상기한 이방 도전성 접착제는, 당해 기술분야에 있어서 통상적으로 사용되고 있는 제조 장치를 사용하여 제조된다. 예를 들어, 도전성 입자 및 접착제 수지 그리고 필요에 따라 경화제나 각종 첨가제를 배합하고, 접착제 수지가 열경화성 수지인 경우에는 유기 용매 중에서 혼합함으로써, 열가소성 수지의 경우에는 접착제 수지의 연화점 이상의 온도에서, 구체적으로는 바람직하게는 약 50 내지 130℃ 정도, 더욱 바람직하게는 약 60 내지 110℃ 정도에서 용융 혼련함으로써 제조된다. 이와 같이 하여 얻어진 이방 도전성 접착제는, 도포해도 되고, 필름상으로 하여 적용해도 된다.The above anisotropic conductive adhesive is manufactured using a manufacturing apparatus commonly used in the art. For example, conductive particles and an adhesive resin and, if necessary, a curing agent or various additives are mixed, and when the adhesive resin is a thermosetting resin, by mixing in an organic solvent, in the case of a thermoplastic resin, at a temperature equal to or higher than the softening point of the adhesive resin, specifically is preferably prepared by melt kneading at about 50 to 130°C, more preferably about 60 to 110°C. The anisotropic conductive adhesive obtained in this way may be applied or may be applied in the form of a film.

본 발명에 따른 접속 구조체는, 본 발명에 따른 도전성 입자, 또는 본 발명에 따른 도전성 재료를 사용하여 2개의 회로 기판끼리를 접속함으로써 얻어지는 것이다. 상기 접속 구조체의 형태로서는, 예를 들어, 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속 구조체, 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속 구조체, 반도체 칩과 유리 기판의 접속 구조체 등을 들 수 있다.The connection structure according to the present invention is obtained by connecting two circuit boards using the conductive particles according to the present invention or the conductive material according to the present invention. As a form of the said connection structure, the connection structure of a flexible printed circuit board and a glass substrate, the connection structure of a semiconductor chip and a flexible printed board, the connection structure of a semiconductor chip and a glass substrate, etc. are mentioned, for example.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더 설명한다. 그러나 본 발명의 범위는 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be further explained by examples. However, the scope of the present invention is not limited to these examples.

예 중의 특성은 하기의 방법에 의해 측정하였다.The properties in the examples were measured by the following methods.

(1) 도전층 표면의 원소 분석(1) Elemental analysis of the surface of the conductive layer

주사형 오제 전자 분광 분석 장치(울백-파이 가부시끼가이샤제, PHI710)를 사용하여, 도전성 입자의 표면으로부터 깊이 방향 5㎚ 이내의 탄소, 산소, 인, 붕소 및 니켈의 원자%를 산출하였다.The atomic percentages of carbon, oxygen, phosphorus, boron, and nickel within 5 nm in the depth direction from the surface of the conductive particles were calculated using a scanning type Auger electron spectroscopic analyzer (PHI710, manufactured by Woolbek-Pi Co., Ltd.).

(2) 도전층 표면의 이온 분석(2) Ion analysis on the surface of the conductive layer

비행 시간형 2차 이온 질량 분석 장치(ION-TOF사제 TOF-SIMS5형)를 사용하여, 도전 입자를 기판 상에 균일하고 또한 평탄하게 깔고, 그 중심 부근을 200㎛ 사방에 대하여 1차 이온원이 Bi3+, 가속 전압이 30kV의 조건에서, 도전성 입자의 표면으로부터 깊이 방향 1㎚ 이내에서, Ni의 양이온(Ni+: 질량수 57.94)의 카운트 강도에 대한 아민 화합물 유래의 양이온(CH4N+: 질량수 30.03), Ni의 음이온(질량수 57.94)의 카운트 강도에 대한 유기산 유래의 음이온(C2H3O2 -: 질량수 59.01), Ni의 음이온(Ni-: 질량수 57.94)의 카운트 강도에 대한 인산 화합물 유래의 음이온(PO2 -: 질량수 62.96), 및 Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 붕산 화합물 유래의 음이온(B2O4H3 -: 질량수 89.02 및 B3O6H4 -: 질량수 133.03)을 측정하였다.Using a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS5 type manufactured by ION-TOF), conductive particles are uniformly and flatly spread on a substrate, and a primary ion source is applied to a 200 μm square around the center thereof. Bi 3+ , under the condition of an accelerating voltage of 30 kV, cations derived from amine compounds ( CH 4 N + : Phosphoric acid compound for count intensity of organic acid-derived anion (C 2 H 3 O 2 - : mass number 59.01) and Ni anion (Ni - : mass number 57.94) for count intensity of Ni anion (mass number 57.94) anion derived from a boric acid compound (PO 2 - : mass number 62.96), and anion derived from a boric acid compound relative to the count intensity of anion of Ni - (B 2 O 4 H 3 - : mass number 89.02 and B 3 O 6 H 4 - : mass number 133.03) was measured.

(3) 평균 입자경(3) Average particle diameter

측정 대상의 주사형 전자 현미경(SEM) 사진으로부터, 임의로 200개의 입자를 추출하고, 배율 10,000배로 입자경을 측정하고, 그의 산술 평균값을 평균 입자경으로 하였다.From a scanning electron microscope (SEM) photograph of the measuring object, 200 particles were arbitrarily extracted, and the particle diameter was measured at a magnification of 10,000, and the arithmetic average value thereof was taken as the average particle diameter.

(4) 도전층의 두께(4) thickness of conductive layer

도전성 입자를 2개로 절단하고, 그 절취부의 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰하여 측정하였다.The conductive particles were cut into two pieces, and the cross section of the cut portion was observed and measured with a scanning electron microscope (SEM).

〔실시예 1〕[Example 1]

(1) 전처리(1) Pretreatment

평균 입자경 3.0㎛의 구상 스티렌-아크릴레이트-실리카 복합계 수지 입자를 코어재 입자로서 사용하였다. 그 9g을, 200mL의 컨디셔너 수용액(롬 앤드 하스 덴시 자이료제의 「클리너 컨디셔너 231」)에 교반하면서 투입하였다. 컨디셔너 수용액의 농도는 40mL/L였다. 계속해서, 액온 60℃에서 초음파를 부여하면서 30분간 교반하여 코어재 입자의 표면 개질 및 분산 처리를 행하였다. 이 수용액을 여과하고, 1회 리펄프 수세한 코어재 입자를 200mL의 슬러리로 하였다. 이 슬러리에 염화 제1 주석 0.1g을 투입하였다. 상온에서 5분간 교반하고, 주석 이온을 코어재 입자의 표면에 흡착시키는 감수성화 처리를 행하였다. 계속하여 이 수용액을 여과하고, 1회 리펄프 수세한 코어재 입자를 200mL의 슬러리로 하여 60℃로 유지하였다. 이 슬러리에 0.11mol/L의 염화팔라듐 수용액 1.5mL를 투입하였다. 60℃에서 5분간 교반하고, 팔라듐 이온을 코어재 입자의 표면에 포착시키는 활성화 처리를 행하였다. 계속하여 이 수용액을 여과하고, 1회 리펄프 탕세한 코어재 입자를 100mL의 슬러리로 하고, 0.5g/L 디메틸아민보란 수용액 10mL를 첨가하고, 초음파를 부여하면서 2분간 교반하여 전처리 완료 코어재 입자의 슬러리를 얻었다.Spherical styrene-acrylate-silica composite resin particles having an average particle diameter of 3.0 µm were used as core material particles. 9 g of this was injected into 200 mL of an aqueous conditioner solution ("Cleaner Conditioner 231" manufactured by Rohm and Haas Denshi Gyryo) while stirring. The concentration of the conditioner aqueous solution was 40 mL/L. Subsequently, it was stirred for 30 minutes at a liquid temperature of 60°C while applying ultrasonic waves to perform surface modification and dispersion treatment of the core material particles. This aqueous solution was filtered, and the core material particles repulped and washed once with water were used as a slurry of 200 mL. To this slurry was added 0.1 g of stannous chloride. The mixture was stirred at room temperature for 5 minutes to perform a sensitization treatment in which tin ions were adsorbed on the surface of the core material particles. Subsequently, this aqueous solution was filtered, and the core material particles repulped and washed once with water were used as a slurry of 200 mL, which was maintained at 60°C. 1.5 mL of 0.11 mol/L palladium chloride aqueous solution was added to this slurry. The mixture was stirred at 60°C for 5 minutes, and an activation treatment was performed to trap palladium ions on the surface of the core material particles. Subsequently, this aqueous solution was filtered, and the core material particles subjected to repulping and washed once were made into a slurry of 100 mL, 10 mL of 0.5 g/L dimethylamine borane aqueous solution was added, and stirred for 2 minutes while applying ultrasonic waves to pretreated core material particles of slurry was obtained.

(2) 도금욕의 조제(2) Preparation of plating bath

5g/L의 타르타르산나트륨, 2g/L의 황산니켈6수화물, 10g/L의 시트르산3나트륨, 0.1g/L의 차아인산나트륨, 및 2g/L의 폴리에틸렌글리콜을 용해한 수용액을 포함하는 무전해 니켈-인 도금욕 3L을 조제하고, 70℃로 승온하였다.Electroless nickel-containing aqueous solution containing 5 g/L sodium tartrate, 2 g/L nickel sulfate hexahydrate, 10 g/L trisodium citrate, 0.1 g/L sodium hypophosphite, and 2 g/L polyethylene glycol 3 L of a phosphorus plating bath was prepared and heated to 70°C.

(3) 무전해 도금 처리(3) Electroless plating treatment

이 무전해 도금욕에, 상기 전처리 완료 코어재 입자의 슬러리를 투입하고, 5분간 교반하여 수소의 발포가 정지함을 확인하였다.Into this electroless plating bath, the slurry of the pretreated core material particles was introduced and stirred for 5 minutes, confirming that hydrogen effervescence stopped.

이 슬러리에, 224g/L의 황산니켈 수용액 420mL와, 210g/L의 차아인산나트륨 및 80g/L의 수산화나트륨을 포함하는 혼합 수용액 420mL를, 첨가 속도는 모두 2.5mL/분으로 하고 정량 펌프에 의해 연속적으로 분별 첨가하고, 무전해 도금을 개시하였다.To this slurry, 420 mL of a 224 g/L nickel sulfate aqueous solution and 420 mL of a mixed aqueous solution containing 210 g/L sodium hypophosphite and 80 g/L sodium hydroxide were added at a rate of 2.5 mL/min by a metering pump. The fractional addition was continuously carried out, and electroless plating was started.

황산니켈 수용액과, 차아인산나트륨 및 수산화나트륨의 혼합 수용액 각각 전량을 첨가한 후, 70℃의 온도를 유지하면서 5분간 교반을 계속하였다. 이어서 액을 여과하고, 여과물을 3회 세정한 후, 110℃의 진공 건조기로 건조시켜서, 니켈-인 합금 피막을 갖는 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다.After adding the nickel sulfate aqueous solution and the mixed aqueous solution of sodium hypophosphite and sodium hydroxide respectively in whole amounts, stirring was continued for 5 minutes, maintaining the temperature of 70 degreeC. Then, the liquid was filtered, and after washing the filtrate three times, it was dried with a vacuum dryer at 110°C to obtain conductive particles having a nickel-phosphorus alloy coating. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion.

(4) 진공 가열 처리(4) vacuum heat treatment

얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 진공 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 10Pa의 진공 하, 390℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 1에, 이온 분석 결과를 표 2에 나타내었다.The obtained conductive particles were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a vacuum heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Heidental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 390°C for 2 hours under a vacuum of 10 Pa. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 1, and the ion analysis results are shown in Table 2.

〔실시예 2〕[Example 2]

실시예 1에 있어서의 (4) 진공 가열 처리를 다음 조작에 의해 행하였다. 실시예 1의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 100Pa의 진공 하, 390℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 1에, 이온 분석 결과를 표 2에 나타내었다.(4) Vacuum heat treatment in Example 1 was performed by the following operation. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 1 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Heidental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 390°C for 2 hours under a vacuum of 100 Pa. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 1, and the ion analysis results are shown in Table 2.

〔실시예 3〕[Example 3]

실시예 1에 있어서의 (4) 진공 가열 처리를 다음 조작에 의해 행하였다. 실시예 1의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 10Pa의 진공 하, 320℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 1에, 이온 분석 결과를 표 2에 나타내었다.(4) Vacuum heat treatment in Example 1 was performed by the following operation. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 1 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Hedental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 320°C for 2 hours under a vacuum of 10 Pa. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 1, and the ion analysis results are shown in Table 2.

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

실시예 1의 (3) 무전해 도금 처리에서 얻어진 도전성 입자를 비교예 1의 도전성 입자로 하였다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 1에, 이온 분석 결과를 표 2에 나타내었다.The conductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 1 were used as the conductive particles of Comparative Example 1. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 1, and the ion analysis results are shown in Table 2.

〔비교예 2〕[Comparative Example 2]

실시예 1에 있어서의 (4) 진공 가열 처리 대신에 다음 조작을 행하였다. 실시예 1의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 질소 분위기의 상압 하, 260℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 1에, 이온 분석 결과를 표 2에 나타내었다.Instead of (4) vacuum heat treatment in Example 1, the following operation was performed. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 1 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Hedental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 260° C. for 2 hours under normal pressure in a nitrogen atmosphere. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 1, and the ion analysis results are shown in Table 2.

〔비교예 3〕[Comparative Example 3]

실시예 1에 있어서의 (4) 진공 가열 처리 대신에 다음 조작을 행하였다. 실시예 1의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 질소 분위기의 상압 하, 390℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 1에, 이온 분석 결과를 표 2에 나타내었다.Instead of (4) vacuum heat treatment in Example 1, the following operation was performed. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 1 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Hedental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 390°C for 2 hours under normal pressure in a nitrogen atmosphere. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 1, and the ion analysis results are shown in Table 2.

Figure pct00007
Figure pct00007

Figure pct00008
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〔실시예 4〕[Example 4]

(1) 전처리(1) Pretreatment

평균 입자경 3.0㎛의 구상 스티렌-아크릴레이트-실리카 복합계 수지 입자를 코어재 입자로서 사용하였다. 그 9g을, 200mL의 컨디셔너 수용액(롬 앤드 하스 덴시 자이료제의 「클리너 컨디셔너 231」)에 교반하면서 투입하였다. 컨디셔너 수용액의 농도는 40mL/L였다. 계속해서, 액온 60℃에서 초음파를 부여하면서 30분간 교반하여 코어재 입자의 표면 개질 및 분산 처리를 행하였다. 이 수용액을 여과하고, 1회 리펄프 수세한 코어재 입자를 200mL의 슬러리로 하였다. 이 슬러리에 염화 제1 주석 0.1g을 투입하였다. 상온에서 5분간 교반하고, 주석 이온을 코어재 입자의 표면에 흡착시키는 감수성화 처리를 행하였다. 계속하여 이 수용액을 여과하고, 1회 리펄프 수세한 코어재 입자를 200mL의 슬러리로 하여 60℃로 유지하였다. 이 슬러리에 0.11mol/L의 염화팔라듐 수용액 1.5mL를 투입하였다. 60℃에서 5분간 교반하고, 팔라듐 이온을 코어재 입자의 표면에 포착시키는 활성화 처리를 행하였다. 계속하여 이 수용액을 여과하고, 1회 리펄프 탕세한 코어재 입자를 100mL의 슬러리로 하고, 0.5g/L 디메틸아민보란 수용액 10mL를 첨가하고, 초음파를 부여하면서 2분간 교반하여 전처리 완료 코어재 입자의 슬러리를 얻었다.Spherical styrene-acrylate-silica composite resin particles having an average particle diameter of 3.0 µm were used as core material particles. 9 g of this was injected into 200 mL of an aqueous conditioner solution ("Cleaner Conditioner 231" manufactured by Rohm and Haas Denshi Gyryo) while stirring. The concentration of the conditioner aqueous solution was 40 mL/L. Subsequently, it was stirred for 30 minutes at a liquid temperature of 60°C while applying ultrasonic waves to perform surface modification and dispersion treatment of the core material particles. This aqueous solution was filtered, and the core material particles repulped and washed once with water were used as a slurry of 200 mL. To this slurry was added 0.1 g of stannous chloride. The mixture was stirred at room temperature for 5 minutes to perform a sensitization treatment in which tin ions were adsorbed on the surface of the core material particles. Subsequently, this aqueous solution was filtered, and the core material particles repulped and washed once with water were used as a slurry of 200 mL, which was maintained at 60°C. 1.5 mL of 0.11 mol/L palladium chloride aqueous solution was added to this slurry. The mixture was stirred at 60°C for 5 minutes, and an activation treatment was performed to trap palladium ions on the surface of the core material particles. Subsequently, this aqueous solution was filtered, and the core material particles subjected to repulping and washed once were made into a slurry of 100 mL, 10 mL of 0.5 g/L dimethylamine borane aqueous solution was added, and stirred for 2 minutes while applying ultrasonic waves to pretreated core material particles of slurry was obtained.

(2) 도금욕의 조제(2) Preparation of plating bath

5g/L의 타르타르산나트륨, 2g/L의 황산니켈6수화물, 10g/L의 시트르산3나트륨, 0.1g/L의 디메틸아민보란, 및 2g/L의 폴리에틸렌글리콜을 용해한 수용액을 포함하는 무전해 니켈-붕소 도금욕 3L을 조제하고, 70℃로 승온하였다.Electroless nickel-containing aqueous solution containing 5 g/L sodium tartrate, 2 g/L nickel sulfate hexahydrate, 10 g/L trisodium citrate, 0.1 g/L dimethylamine borane, and 2 g/L polyethylene glycol A boron plating bath of 3 L was prepared and heated to 70°C.

(3) 무전해 도금 처리(3) Electroless plating treatment

이 무전해 도금욕에, 상기 전처리 완료 코어재 입자의 슬러리를 투입하고, 5분간 교반하여 수소의 발포가 정지함을 확인하였다.Into this electroless plating bath, the slurry of the pretreated core material particles was introduced and stirred for 5 minutes, confirming that hydrogen effervescence stopped.

이 슬러리에, 224g/L의 황산니켈 수용액 420mL와, 120g/L의 디메틸아민보란 및 80g/L의 수산화나트륨을 포함하는 혼합 수용액 420mL를, 첨가 속도는 모두 2.5mL/분으로 하고 정량 펌프에 의해 연속적으로 분별 첨가하고, 무전해 도금을 개시하였다.To this slurry, 420 mL of a 224 g/L nickel sulfate aqueous solution and 420 mL of a mixed aqueous solution containing 120 g/L dimethylamine borane and 80 g/L sodium hydroxide were added at a rate of 2.5 mL/min by a metering pump. The fractional addition was continuously carried out, and electroless plating was started.

황산니켈 수용액과, 디메틸아민보란 및 수산화나트륨의 혼합 수용액 각각 전량을 첨가한 후, 70℃의 온도를 유지하면서 5분간 교반을 계속하였다. 이어서 액을 여과하고, 여과물을 3회 세정한 후, 110℃의 진공 건조기로 건조시켜서, 니켈-붕소 합금 피막을 갖는 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다.After adding the nickel sulfate aqueous solution and the mixed aqueous solution of dimethylamine borane and sodium hydroxide in each of the entire amounts, stirring was continued for 5 minutes while maintaining the temperature at 70°C. Then, the liquid was filtered, and after washing the filtrate three times, it was dried with a vacuum dryer at 110°C to obtain conductive particles having a nickel-boron alloy coating. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion.

(4) 진공 가열 처리(4) vacuum heat treatment

얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 진공 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 10Pa의 진공 하, 390℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 1에, 이온 분석 결과를 표 2에 나타내었다.The obtained conductive particles were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a vacuum heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Heidental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 390°C for 2 hours under a vacuum of 10 Pa. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 1, and the ion analysis results are shown in Table 2.

〔실시예 5〕[Example 5]

실시예 4에 있어서의 (4) 진공 가열 처리를 다음 조작에 의해 행하였다. 실시예 4의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 100Pa의 진공 하, 390℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 3에, 이온 분석 결과를 표 4에 나타내었다.(4) Vacuum heat treatment in Example 4 was performed by the following operation. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 4 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Heidental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 390°C for 2 hours under a vacuum of 100 Pa. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 3, and the ion analysis results are shown in Table 4.

〔실시예 6〕[Example 6]

실시예 4에 있어서의 (4) 진공 가열 처리를 다음 조작에 의해 행하였다. 실시예 4의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 10Pa의 진공 하, 320℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 3에, 이온 분석 결과를 표 4에 나타내었다.(4) Vacuum heat treatment in Example 4 was performed by the following operation. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 4 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Hedental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 320°C for 2 hours under a vacuum of 10 Pa. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 3, and the ion analysis results are shown in Table 4.

〔비교예 4〕[Comparative Example 4]

실시예 4의 (3) 무전해 도금 처리에서 얻어진 도전성 입자를 비교예 4의 도전성 입자로 하였다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 3에, 이온 분석 결과를 표 4에 나타내었다.The conductive particles obtained in the (3) electroless plating treatment of Example 4 were used as the conductive particles of Comparative Example 4. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 3, and the ion analysis results are shown in Table 4.

〔비교예 5〕[Comparative Example 5]

실시예 4에 있어서의 (4) 진공 가열 처리 대신에 다음 조작을 행하였다. 실시예 4의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 질소 분위기의 상압 하, 260℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 3에, 이온 분석 결과를 표 4에 나타내었다.Instead of (4) vacuum heat treatment in Example 4, the following operation was performed. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 4 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Hedental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 260° C. for 2 hours under normal pressure in a nitrogen atmosphere. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 3, and the ion analysis results are shown in Table 4.

〔비교예 6〕[Comparative Example 6]

실시예 4에 있어서의 (4) 진공 가열 처리 대신에 다음 조작을 행하였다. 실시예 4의 (3) 무전해 도금 처리에 의해 얻어진 도전성 입자를, 5㎜의 두께로 되도록 각형상의 용기 내에 넣었다. 이것을 가열로(덴켄·하이덴탈사제, KDF-75)에 넣고, 질소 분위기의 상압 하, 390℃에서 2시간의 가열 처리를 행하였다. 가열 처리 후, 실온까지 방랭하여 가열 처리 완료된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자의 평균 입자경은 3.22㎛, 도전층의 두께는 110㎚이며 돌기를 갖고 있었다. 도전층 표면의 원소 분석 결과를 표 3에, 이온 분석 결과를 표 4에 나타내었다.Instead of (4) vacuum heat treatment in Example 4, the following operation was performed. The electroconductive particles obtained by the (3) electroless plating treatment of Example 4 were placed in a rectangular container so as to have a thickness of 5 mm. This was put into a heating furnace (KDF-75, manufactured by Denken Hedental Co., Ltd.), and heat treatment was performed at 390°C for 2 hours under normal pressure in a nitrogen atmosphere. After the heat treatment, it was allowed to cool to room temperature to obtain heat-treated conductive particles. The average particle diameter of the obtained electroconductive particle was 3.22 micrometers, and the thickness of the conductive layer was 110 nm, and had a processus|protrusion. The elemental analysis results of the surface of the conductive layer are shown in Table 3, and the ion analysis results are shown in Table 4.

Figure pct00009
Figure pct00009

Figure pct00010
Figure pct00010

〔보존 안정성 및 내 부식성의 평가〕[Evaluation of storage stability and corrosion resistance]

(1) 도전성 입자의 보존 안정성 및 내 부식성(1) Storage stability and corrosion resistance of conductive particles

실시예 및 비교예의 도전성 입자를 사용하여, 도전성 입자의 보존 안정성 및 내 부식성의 평가를 이하의 방법으로 행하였다.Using the conductive particles of Examples and Comparative Examples, the storage stability and corrosion resistance of the conductive particles were evaluated by the following method.

실시예 및 비교예에서 얻어진 도전성 입자를, 실온 하(25℃·50%RH), 표 2에 나타내는 시간 보존한 후, 수직으로 세운 내경 10㎜의 수지제 원통 내에, 해당 도전성 입자 1.0g을 넣고, 실온 하(25℃·50%RH), 2kN의 하중을 가한 상태에서 상하 전극 간의 체적 저항값을 구하였다. 결과를 표 5에 나타내었다.After storing the conductive particles obtained in Examples and Comparative Examples under room temperature (25°C/50% RH) for the time shown in Table 2, 1.0 g of the conductive particles were placed in a resin cylinder with an inner diameter of 10 mm standing upright. , The volume resistance value between the upper and lower electrodes was determined under room temperature (25° C. 50% RH) and with a load of 2 kN applied. The results are shown in Table 5.

Figure pct00011
Figure pct00011

이 결과로부터, 실시예에서 얻어진 도전성 입자는, 비교예에서 얻어진 도전성 입자에 비하여 체적 저항값의 증가가 적고, 보존 안정성 및 내 부식성이 우수함을 알 수 있다.From this result, it can be seen that the conductive particles obtained in Examples have less increase in volume resistivity than the conductive particles obtained in Comparative Examples, and are excellent in storage stability and corrosion resistance.

(2) 도전성 재료의 보존 안정성(2) Storage stability of conductive materials

실시예 및 비교예의 도전성 입자를 사용해서, 하기의 방법으로 도전성 재료를 제작하고, 프레셔 쿠커 테스트에 의해 도전성 재료의 보존 안정성을 평가하였다.Using the conductive particles of Examples and Comparative Examples, conductive materials were produced by the following method, and storage stability of the conductive materials was evaluated by a pressure cooker test.

에폭시 수지 100질량부, 경화제 150질량부 및 톨루엔 70질량부를 혼합한 절연성 접착제와, 실시예 및 비교예에서 얻어진 도전성 입자 15질량부를 혼합하여 페이스트를 얻었다. 이 페이스트를 실리콘 처리 폴리에스테르 필름 상에 바 코터를 사용하여 도포하고, 그 후, 페이스트를 건조시켜서, 필름 상에 박막을 형성하였다. 얻어진 박막 형성 필름을, 전체면이 알루미늄을 증착시킨 유리 기판과, 구리 패턴이 50㎛ 피치에 형성된 폴리이미드 필름 기판 사이에 배치하여, 접속 구조체를 제작하여 전기 접속을 행하고, 이 접속 구조체의 접속 저항값을 실온 하(25℃·50%RH)에서 측정하였다. 그 후, 상기 접속 구조체를 밀폐 용기에 배열하고, 온도 121℃, 상대 습도 100%, 2 기압의 환경 하에서 10시간 처리하는 프레셔 쿠커 테스트를 행하였다. 프레셔 쿠커 테스트 후, 접속 구조체의 접속 저항값을 실온 하(25℃·50%RH)에서 측정하였다. 프레셔 쿠커 테스트 전후의 접속 저항값의 차가 작을수록 도전성 재료의 보존 안정성이 높은 것이라고 평가할 수 있다. 결과를 표 6에 나타내었다.A paste was obtained by mixing an insulating adhesive obtained by mixing 100 parts by mass of an epoxy resin, 150 parts by mass of a curing agent, and 70 parts by mass of toluene, and 15 parts by mass of conductive particles obtained in Examples and Comparative Examples. This paste was applied on a silicone-treated polyester film using a bar coater, and then the paste was dried to form a thin film on the film. The obtained thin film forming film is disposed between a glass substrate on which aluminum is deposited on the entire surface and a polyimide film substrate on which a copper pattern is formed at a pitch of 50 μm to form a bonded structure to perform electrical connection, and the connection resistance of the bonded structure The value was measured under room temperature (25°C/50% RH). Then, a pressure cooker test was conducted in which the above-mentioned bonded structure was arranged in an airtight container and treated for 10 hours in an environment of a temperature of 121° C., a relative humidity of 100%, and a pressure of 2 atmospheres. After the pressure cooker test, the connection resistance value of the bonded structure was measured under room temperature (25°C/50% RH). It can be evaluated that the storage stability of the conductive material is so high that the difference between the connection resistance values before and after the pressure cooker test is small. The results are shown in Table 6.

Figure pct00012
Figure pct00012

이 결과로부터, 실시예에서 얻어진 도전성 재료는, 비교예에서 얻어진 도전성 재료에 비하여 프레셔 쿠커 테스트 전후의 접속 저항값의 차가 작고, 보존 안정성이 우수함을 알 수 있다.From these results, it can be seen that the conductive material obtained in Examples has a smaller difference in connection resistance values before and after the pressure cooker test and excellent storage stability compared to the conductive materials obtained in Comparative Examples.

〔접속 저항 및 접속 신뢰성의 평가〕[Evaluation of connection resistance and connection reliability]

실시예 및 비교예의 도전성 입자를 사용하여, 접속 저항 및 접속 신뢰성의 평가를 이하의 방법으로 행하였다.Evaluation of connection resistance and connection reliability was performed by the following method using the electroconductive particle of an Example and a comparative example.

수직으로 세운 내경 10㎜의 수지제 원통 내에, 실시예 및 비교예에서 얻어진 도전성 입자 1.0g을 넣고, 실온 하(25℃·50%RH), 2kN의 하중을 가한 상태에서 상하 전극 간의 전기 저항을 측정하고, 초기 체적 저항값을 구하였다. 초기 체적 저항값이 낮을수록, 전극에 형성되어 있는 산화막을 효과적으로 배제할 수 있어, 도전성 입자의 접속 저항이 낮다고 평가할 수 있다.1.0 g of conductive particles obtained in Examples and Comparative Examples were placed in a resin cylinder with an inner diameter of 10 mm standing upright, and the electrical resistance between the upper and lower electrodes was measured under room temperature (25 ° C. 50% RH) in a state where a load of 2 kN was applied. measured, and the initial volume resistance value was obtained. It can be evaluated that the oxide film currently formed in the electrode can be removed effectively, so that the initial volume resistance value is low, and the connection resistance of electroconductive particle is low.

또한, 85℃·85%RH의 조건에서 24시간 유지 후의 저항값도 측정하였다. 실온 하에서의 접속 저항값과 차가 작을수록 도전성 입자의 접속 신뢰성이 우수한 것으로 평가할 수 있다. 결과를 표 7에 나타내었다.In addition, the resistance value after holding for 24 hours under conditions of 85°C and 85% RH was also measured. It can evaluate that connection reliability of electroconductive particle is so excellent that a difference with connection resistance value in room temperature is small. The results are shown in Table 7.

Figure pct00013
Figure pct00013

이 결과로부터, 실시예에서 얻어진 도전성 입자는, 비교예에서 얻어진 도전성 입자에 비하여 초기 체적 저항값이 낮고, 접속 저항이 낮음을 알 수 있다. 또한, 실시예에서 얻어진 도전성 입자는, 비교예에서 얻어진 도전성 입자에 비하여, 초기 체적 저항값과 85℃·85%RH에서 24시간 후의 저항값의 차가 작아, 접속 신뢰성이 높은 것임을 알 수 있다. 특히, 니켈-인 도금층이 형성되어 있는 실시예 1 및 2에서 얻어진 도전성 입자와, 비교예 3에서 얻어진 도전성 입자를 대비하면, 진공 하에서 가열함으로써, 접속 저항이 낮고, 접속 신뢰성도 우수한 도전성 입자가 얻어짐을 알 수 있다. 또한, 니켈-붕소 도금층이 형성되어 있는 실시예 4 및 5에서 얻어진 도전성 입자와, 비교예 6에서 얻어진 도전성 입자를 대비하면, 진공 하에서 가열함으로써, 접속 저항이 낮고, 접속 신뢰성도 우수한 도전성 입자가 얻어짐을 알 수 있다.From this result, compared with the electroconductive particle obtained by the comparative example, the electroconductive particle obtained by the Example has a low initial volume resistance value, and it turns out that connection resistance is low. Moreover, compared with the electroconductive particle obtained by the comparative example, the electroconductive particle obtained by the Example has a small difference between the initial volume resistance value and the resistance value after 24 hours at 85 degreeC/85%RH, and it turns out that connection reliability is high. In particular, comparing the conductive particles obtained in Examples 1 and 2 in which the nickel-phosphorus plating layer was formed and the conductive particles obtained in Comparative Example 3, by heating under vacuum, conductive particles having low connection resistance and excellent connection reliability were obtained. load can be known. Further, comparing the conductive particles obtained in Examples 4 and 5 in which the nickel-boron plating layer was formed with the conductive particles obtained in Comparative Example 6, by heating under vacuum, conductive particles having low connection resistance and excellent connection reliability were obtained. load can be known.

Claims (10)

코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈 도금층이 형성되어 이루어지는 도전성 입자에 있어서,
주사형 오제 전자 분광 분석 장치에 의해 측정한, 상기 도전층의 표면으로부터 깊이 방향 5㎚ 이내에 있어서의 니켈과 인의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 탄소의 몰비(C/(Ni+B))가 0.0002 이상 1.65 이하이고, 니켈과 인의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+P)), 또는 니켈과 붕소의 합계에 대한 산소의 몰비(O/(Ni+B))가 0.0001 이상 2.0 이하이고, 또한, 니켈에 대한 인의 몰비(P/Ni), 또는 니켈에 대한 붕소의 몰비(B/Ni)가 0.003 이상 0.7 이하인 도전성 입자.
In the conductive particle formed by forming a nickel plating layer as a conductive layer on the surface of the core material particle,
The molar ratio of carbon to the total of nickel and phosphorus within 5 nm in the depth direction from the surface of the conductive layer (C/(Ni+P)) or the total of nickel and boron, as measured by a scanning Auger electron spectrometer The molar ratio of carbon to (C/(Ni+B)) is 0.0002 or more and 1.65 or less, the molar ratio of oxygen to the sum of nickel and phosphorus (O/(Ni+P)), or the molar ratio of oxygen to the sum of nickel and boron Electroconductive particle whose molar ratio (O/(Ni+B)) is 0.0001 or more and 2.0 or less, and the molar ratio of phosphorus to nickel (P/Ni) or the molar ratio of boron to nickel (B/Ni) is 0.003 or more and 0.7 or less.
코어재 입자의 표면에 도전층으로서의 니켈 도금층이 형성되어 이루어지는 도전성 입자에 있어서,
비행 시간형 2차 이온 질량 분석 장치(TOF-SIMS)에 의해 측정한, 상기 도전층의 표면으로부터 깊이 방향 1㎚ 이내에 있어서의 Ni+의 양이온의 카운트 강도에 대한 CH4N+의 양이온의 카운트 강도(CH4N+/Ni+)가 0.1 이하이거나, Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 C2H3O2 -의 음이온의 카운트 강도(C2H3O2 -/Ni-)가 10.0 이하이거나, Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 PO2 -의 음이온의 카운트 강도(PO2 -/Ni-)가 10.0 이하이거나, 또는 Ni-의 음이온의 카운트 강도에 대한 B2O4H3 - 및 B3O6H4 -의 음이온의 카운트 강도((B2O4H3 -+B3O6H4 -)/Ni-)가 10.0 이하인 도전성 입자.
In the conductive particle formed by forming a nickel plating layer as a conductive layer on the surface of the core material particle,
CH 4 N + cation count intensity relative to Ni + cation count intensity within 1 nm in the depth direction from the surface of the conductive layer, as measured by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS) (CH 4 N + /Ni + ) is 0.1 or less, or the count intensity of the anion of C 2 H 3 O 2 - relative to the count intensity of the anion of Ni - (C 2 H 3 O 2 - /Ni - ) is 10.0 or less , or the count intensity of the anion of PO 2 - relative to the count intensity of the anion of Ni - (PO 2 - /Ni - ) is 10.0 or less, or the count intensity of the anion of Ni - is B 2 O 4 H 3 - and B 3 O 6 H 4 - Anion count intensity ((B 2 O 4 H 3 - +B 3 O 6 H 4 - )/Ni - ) of conductive particles of 10.0 or less.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전층의 두께가 5㎚ 이상 2000㎚ 이하인 도전성 입자.Electroconductive particle of Claim 1 or 2 whose thickness of the said conductive layer is 5 nm or more and 2000 nm or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 평균 입자경이 0.1㎛ 이상 50㎛ 이하인 도전성 입자.The electroconductive particle of any one of Claims 1-3 whose average particle diameter is 0.1 micrometer or more and 50 micrometer or less. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전층의 외표면에 돌기를 갖는 도전성 입자.The electroconductive particle of any one of Claims 1-4 which has a processus|protrusion on the outer surface of the said conductive layer. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전층의 외표면이 평활한 도전성 입자.Electroconductive particle according to any one of claims 1 to 4, wherein the outer surface of the conductive layer is smooth. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전성 재료.An electroconductive material containing the electroconductive particle of any one of Claims 1-6 and binder resin. 제7항에 기재된 도전성 재료를 통하여 피접속 부재끼리가 접속되어 있는 접속 구조체.A connection structure in which members to be connected are connected to each other through the conductive material according to claim 7. 코어재 입자의 표면에 도전층을 갖는 도전성 입자를, 1000Pa 이하의 진공 하, 온도 200 내지 600℃에서 가열하는 공정을 갖는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자의 제조 방법.The manufacturing method of the electroconductive particle of any one of Claims 1-6 which has the process of heating the electroconductive particle which has a conductive layer on the surface of a core material particle at a temperature of 200-600 degreeC under the vacuum of 1000 Pa or less. 제9항에 있어서, 상기 코어재 입자의 표면에 무전해 도금법으로 상기 도전층을 형성하여 얻어진 도전성 입자를 가열하는 도전성 입자의 제조 방법.The method for producing conductive particles according to claim 9, wherein the conductive particles obtained by forming the conductive layer on the surface of the core material particles by an electroless plating method are heated.
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