KR20230002981A - 플라즈마 스펙트럼에 의한 동적 플라즈마 컨디션에서의 프로세스 제어 및 모니터링의 방법 - Google Patents

Abstract

본 개시내용의 특정 양상들은 플라즈마 스펙트럼에 의한 동적 플라즈마 리프팅 컨디션에서의 프로세스 제어 및 모니터링을 위한 기법들, 시스템들, 및 방법들을 제공한다. 일부 경우들에서, 주어진 챔버에 대한 플라즈마 리프팅 컨디션 동안 변화하는 플라즈마 강도 데이터의 다수의 실행들이 수집되고, 변화하는 플라즈마 강도 데이터를 나타내는 통계 값이 발생된다. 데이터로부터, SPC(statistical process control) 트레이스가 발생된다. 후속 플라즈마 리프팅 컨디션들로부터의 변화하는 플라즈마 강도 데이터가 획득되고, SPC 트레이스와 비교되어 이상(abnormality)(예컨대, 외부 가스, 입자상 물질, 또는 다른 오염물)이 존재하는 시기가 결정된다.

Description

플라즈마 스펙트럼에 의한 동적 플라즈마 컨디션에서의 프로세스 제어 및 모니터링의 방법

[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, PECVD 시스템 및 프로세스를 위한 SPC(statistical process control)들에 관한 것으로, 더 구체적으로는 SPC에서 사용하기 위한 동적 플라즈마 강도 데이터(dynamic plasma intensity data)의 사용에 관한 것이다.

[0002] PECVD 프로세스에서 파워리프트(powerlift)("PL")로 알려진 동적 플라즈마 리프팅(dynamic plasma lifting)은 플라즈마 증착 동안 기판 상의 정전하를 제거하기 위한 프로세스이다. 이 프로세스에서, 플라즈마가 점화되고, 그런 다음, 2개의 전극들(예컨대, 제1 전극과 최하부 또는 척킹 전극) 사이의 갭이 서로에 대해 이동된다. PL 프로세스의 종료 시에, 기판은 리프팅 업되어 제2 전극으로부터 이격된다.

[0003] 예컨대, 스펙트럼 분석기를 이용하여 PL 프로세스와 연관된 다수의 파장들에 걸친 플라즈마 강도를 측정할 때, 플라즈마 강도는 전형적으로 전극들 사이의 갭이 더 넓어짐에 따라 감소된다. 일반적으로, 플라즈마 스펙트럼은 이러한 동일한 패턴을 따를 것인데, 즉, 스펙트럼은 전극들이 분리됨에 따라 강도의 감소를 보일 것이다.

[0004] 그러나, PL 프로세스(또는 적어도 2개의 전극들이 서로에 대해 자신들의 포지션을 변화시키는 다른 프로세스) 동안의 플라즈마 스펙트럼의 동적 성질 때문에, 이 프로세스 동안 제공된 동적 데이터를 활용하여 PECVD 프로세스를 제어하는 프로세스들을 개선하는 방법은 없다.

[0005] 주어진 프로세스에서 오염물들을 검출하기 위해, 플라즈마 강도는 전형적으로 사용되지 않는다. 전형적으로, 소량의 외부 가스가 프로세스를 오염시키는 경우, 플라즈마 강도의 변화들이 없다. 더욱이, 위에서 설명된 바와 같이, PL 프로세스 동안의 플라즈마 강도의 동적 성질로 인해, 빠르게 변화하는 강도 데이터는 전형적으로, 불안정하고, 오염 검출에 대해 신뢰할 수 없는 것으로 간주된다.

[0006] 따라서, 이를테면, PL 프로세스, 증착 프로세스, 챔버 세정 프로세스, 또는 2개의 전극들이 서로에 대해 이동하는 다른 프로세스에서, 2개의 전극들이 서로에 대해 이동할 때 생성되는 동적 플라즈마 강도 데이터를 활용하기 위한 방법들 및 시스템들이 필요하다.

[0007] 개시되는 실시예들은 일반적으로, PECVD 프로세스에서 이상(abnormality)들을 검출하기 위한 방법에 관한 것으로, 방법은, 제2 전극을 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 챔버 내의 플라즈마 강도를 변화시키는 단계, 변화하는 플라즈마 강도를 측정하기 위한 파장 범위를 제공하는 단계, 파장 범위에 걸쳐 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 함수를 정의하는 단계, 및 함수에 기반하여 SPC 기준을 디스플레이하는 단계 ― SPC 기준은 함수, 함수의 도함수, 및 함수의 적분 중 하나의, 최대치(maximum), 최소치(minimum), 평균치(average), 중앙치(median), 모드(mode), 및 평균(mean) 값 중 하나를 포함함 ― 를 포함한다.

[0008] 대안적인 실시예들을 일반적으로, PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템에 관한 것으로, 시스템은, PECVD 챔버, 및 PECVD 챔버에 커플링된, 플라즈마 강도를 측정하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며, 스펙트럼 분석기는 이상을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성되며, 방법은, 제2 전극을 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 챔버 내의 플라즈마 강도를 변화시키는 단계, 변화하는 플라즈마 강도를 측정하기 위한 제1 파장 범위를 제공하는 단계, 제1 파장 범위에 걸쳐 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 함수를 정의하는 단계, 및 함수로부터 적어도 하나의 값을 추출하는 단계 ― 적어도 하나의 값은 함수, 함수의 도함수, 및 함수의 적분 중 하나의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― 를 포함한다.

[0009] 추가의 실시예들은 일반적으로, PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 컴퓨터 판독가능 명령들을 포함하는 비-일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 관한 것으로, 방법은, 제2 전극을 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 챔버 내의 플라즈마 강도를 변화시키는 단계, 변화하는 플라즈마 강도를 측정하기 위한 제1 파장 범위를 제공하는 단계, 제1 파장 범위에 걸쳐 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 함수를 정의하는 단계, 함수로부터 적어도 하나의 값을 추출하는 단계 ― 적어도 하나의 값은 함수, 함수의 도함수, 및 함수의 적분 중 하나의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― 를 포함한다.

[0010] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하며 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
[0011] 도 1은 개시된 실시예들에 따른 증착 시스템을 묘사한다.
[0012] 도 2는 개시된 실시예들에 따른, PL 프로세스 동안 획득된 다수의 플라즈마 강도 측정치들을 묘사한다.
[0013] 도 3은 개시된 실시예들에 따른, 플라즈마 강도 측정치들의 샘플 트레이스(sample trace)들을 나타내는 플롯들의 그룹 및 샘플 트레이스 데이터의 SPC 플롯들을 묘사한다.
[0014] 도 4는 개시된 실시예들에 따른, 변화하는 플라즈마 강도의 구역을 나타내는 다수의 샘플 곡선들의 플롯들의 그룹, 및 SPC 그래프에서 각각의 샘플 곡선을 나타내는 통계 값의 플롯을 묘사한다.
[0015] 도 5는 개시된 실시예들에 따른, 동적 플라즈마 컨디션에서의 프로세스 제어 및 모니터링의 방법을 묘사한다.
[0016] 도 6은 개시된 실시예들에 따른, 동적 플라즈마-리프팅 컨디션에서의 프로세스 제어 및 모니터링을 위한 컴퓨터 시스템을 묘사한다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.

[0018] 다음에서, 본 개시내용의 실시예들에 대한 참조가 이루어진다. 그러나, 본 개시내용은 설명된 특정 실시예들로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 대신에, 상이한 실시예들과 관련되든 관련되지 않든, 본 개시내용을 구현하고 실시하기 위해 다음의 특징들 및 엘리먼트들의 임의의 조합이 고려된다. 게다가, 본 개시내용의 실시예들이 다른 가능한 솔루션들에 비해 그리고/또는 종래 기술에 비해 장점들을 달성할 수 있지만, 주어진 실시예에 의해 특정한 장점이 달성되는지 여부는 본 개시내용을 제한하지 않는다. 따라서, 다음의 양상들, 특징들, 실시예들 및 장점들은 단지 예시적이며, 청구항(들)에서 명시적으로 언급된 경우를 제외하고는 첨부된 청구항들의 엘리먼트들 또는 제한들로 간주되지 않는다. 마찬가지로, "본 개시내용"에 대한 참조는 본원에 개시된 임의의 본 발명의 청구 대상의 일반화로서 해석되지 않을 것이며, 청구항(들)에서 명시적으로 언급된 경우를 제외하고는 첨부된 청구항들의 엘리먼트 또는 제한으로 간주되지 않을 것이다.

[0019] 본 개시내용은 일반적으로, 이상들, 이를테면, 외부 가스들, 오염물들, 입자들, 챔버 이상들, 프로세스 이상들, 또는 PECVD 프로세스에서 플라즈마 스펙트럼 강도의 변화를 야기할 수 있는 다른 컨디션들의 검출을 위해 동적 플라즈마 강도 데이터를 사용하기 위한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다. 본 개시내용은 일반적으로, 프로세스 제어 및 챔버 모니터링 방법을 설명하며, 여기서, 동적 플라즈마 컨디션, 이를테면, PL 프로세스, 챔버 세정, 증착, 또는 상부 전극과 하부 전극이 서로에 대해 이동하는 다른 프로세스 동안 획득되는 플라즈마 강도 스펙트럼 데이터가, 하나 이상의 파장 범위들에 걸친 강도 값들의 그룹화의 하나 이상의 실행들에 피팅(fit)되는 하나 이상의 함수들을 설계하는 데 사용된다. 이들 함수들로부터, 함수로부터 유도된 통계 데이터(예컨대, 데이터 값들, 데이터 도함수들, 및/또는 데이터 적분들의, 평균치, 평균, 중앙치, 모드, 최대치, 최소치 등)를 나타내는 이산 값들이 각각의 실행에 대해 발생되며, 통계 데이터는 통계 프로세스 제어 차트를 파퓰레이팅(populate)하여 기준 통계 트레이스를 발생시키는 데 사용된다. 하나 이상의 후속 프로세싱 실행들에서, 추가적인 함수들이 설계되고, 통계 데이터가 각각의 실행에 대해 유도되어, 이들이 기준 트레이스와 비교된다. 후속 실행들에서 발견되는 차이들(만약 있다면)은, 프로세싱 실행들에서의 하나 이상의 이상들의 존재를 표시할 수 있다.

[0020] 도 1은 개시된 실시예들에 따른 증착 시스템(100)을 묘사한다. 증착 시스템(100)은 제1 전극(110), 제2 전극(120), 스펙트럼 분석기(130), 및 SPC(statistical process control) 컴퓨터(140)를 포함한다. 도 1이 제1 전극을 최상부 전극으로서 그리고 제2 전극(120)을 최하부 전극으로서 묘사하지만, 일부 실시예들에서, 제1 전극(110)은 최하부 전극일 수 있는 한편, 제2 전극(120)은 최상부 전극이다. SPC 컴퓨터(140) 및 스펙트럼 분석기는 일부 실시예들에서 동일한 물리적 컴퓨터 시스템의 일부일 수 있는 반면, 다른 실시예들에서, SPC 컴퓨터는 별개의 컴퓨터 시스템일 수 있다. SPC 컴퓨터(140)는 물리적 또는 가상 컴퓨터 시스템, 또는 물리적 및 가상 컴포넌트들의 조합일 수 있다.

[0021] 증착 시스템(100)은, 플라즈마를 점화(striking)시킬 수 있고 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이의 상대적인 이동을 제공할 수 있는 임의의 타입의 증착 시스템일 수 있다. 제1 전극(110) 및 제2 전극(120)은, 이를테면, 예컨대 플라즈마 증착 프로세스 동안 기판 상의 정전하를 제거하기 위해 수행될 수 있는, 때때로 파워리프트("PL") 프로세스로 알려진 플라즈마-리프팅 컨디션 동안, 동적 플라즈마 컨디션을 생성하기 위해 서로에 대해 이동할 수 있다. 추가적인 동적 플라즈마 컨디션들은 제1 전극과 제2 전극이 서로에 대해 이동하는 임의의 프로세스들을 포함할 수 있다. 이 프로세스 동안, 전극들 사이에서 플라즈마가 점화되고, 전극들 사이의 갭은 기판이 제2 전극(120)으로부터 리프팅 업되어 제2 전극(120)으로부터 분리될 때까지 점진적으로 증가된다. 제1 전극(110)과 제2 전극(120)이 서로에 대해 이동하게 하는 다른 플라즈마-증착 프로세스들, 이를테면, 예컨대, 본원에 개시된 기법들을 활용할 수 있는 플라즈마-세정 및 챔버 플라즈마-시즈닝 프로세스들이 있을 수 있다. 간략화를 위해, 임의의 그러한 프로세스는 본원에서 PL 프로세스로서 참조될 것이다. 일부 실시예들에서, 제1 전극(110)만이 이동할 수 있고, 제2 전극(129)만이 이동할 수 있으며, 다른 실시예들에서는, 전극들 둘 모두가 이동할 수 있다.

[0022] 여기서는 스펙트럼 분석기(130)가 구체적으로 언급되지만, PL 프로세스 동안 시간의 경과에 따라 변화하는 플라즈마 강도 값들을 측정할 수 있는 임의의 타입의 측정 디바이스 또는 센서가 본원에 개시된 기법들의 실시예들에서 활용될 수 있다.

[0023] 도 2는 개시된 실시예들에 따른, PL 프로세스 동안 획득된 다수의 플라즈마 강도 측정치들(200)을 묘사한다.

[0024] PL 프로세스 동안, 스펙트럼 분석기(130)는, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)이 서로에 대해 이동할 때, 시간의 경과에 따른 다수의 플라즈마 강도 트레이스들을 측정할 것이다. 주어진 세트의 트레이스들에서, 일부 실시예들에서, 전극들이 서로에 대해 이동할 때, 파장으로 측정되거나 또는 상대적인 강도들로 측정되는(전형적으로, 강도 카운트들로 측정됨), 플라즈마 강도의 국부적인 증가(또는 감소)를 나타내는 하나 이상의 구역들이 있을 수 있다. 예컨대, 제1 구역(210)은 제1 단계(215), 제2 단계(220) 및 제3 단계(225)를 가지며, 이들은, 전극들이 분리되어 제1 구역(210)에서의 플라즈마 강도의 감소를 야기함에 따른 상이한 시점들에서 측정된다. 부수적으로, 일부 실시예들에서, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)이 서로를 향해 이동함에 따라, 제1 구역(210)에서의 플라즈마 강도가 증가할 수 있다. 이러한 증가하는 예에서, 제3 단계(225)는 제1 시점에서의 측정치를 나타내고 제2 단계(220)는 제2 시점에서의 측정치를 나타낼 수 있는 한편, 제1 단계(215)는 제3 시점에서 획득된 측정치일 것이다. 여기서 3개의 측정치들이 도시되지만, 스펙트럼의 국부적인 구역들에서 시간의 경과에 따른 플라즈마 강도의 임의의 수의 측정치들이 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 획득되고 활용될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

[0025] 도 3은 개시된 실시예들에 따른, 플라즈마 강도 측정치들의 샘플 트레이스들을 나타내는 플롯들(300)의 그룹 및 샘플 트레이스들의 SPC 플롯들을 묘사한다. 다수의 플롯들 중 제1 스펙트럼 플롯(305)은, 도 2의 제1 구역(210)과 같은 구역의 스펙트럼 판독의 관심 구역의 구역에 대해, 주어진 챔버에서의 다수의 실행들 동안 시간의 경과에 따라 변화하는 플라즈마 강도를 나타낸다. 플롯들은 다음의 PN 함수로부터 구성된다:

[0026] RI는, 일부 실시예들에서, 곱셈 또는 나눗셈과 같은 수학적 관계를 사용하여 결합된 다수의 구역들 또는 파장 구역의 플라즈마 강도일 수 있는, 선택된 파장 범위로부터 측정된 상대적인 강도인 한편, 각각의 지수 n 계수 파라미터에는, 프로세스에 존재하는 가스들 및 프로세스에 존재할 수 있는 잠재적인 이상들에 기반하여, 함수의 원하는 감도에 기반하여 "파워 튜닝(power tuning)" 값이 할당된다. 예컨대, 지수 n 계수의 할당 없이, 64Xnm(예컨대, 640nm) 내지 72Xnm(예컨대, 720nm)으로부터 22개의 스펙트럼 측정치 샘플들을 획득하기 위한 샘플 PN 함수 플로팅은 다음과 같다:

[0027] 제1 스펙트럼 플롯(305)의 각각의 플롯으로부터, 플롯에 의해 정의된 기간에 걸쳐 플라즈마 강도를 표시하는 값들의 범위가 존재할 것이다. 값들의 범위의 샘플이 원(307)으로 도시된다. 통계 값은 각각의 플롯의 값들의 범위, 이를테면, 예컨대 평균치, 중앙치, 모드, 평균, 최대 값, 최소 값, 또는 표현된 값들의 범위 및/또는 그러한 값들의 도함수들 또는 적분들을 반영할 수 있는 다른 값으로부터 유도될 수 있다.

[0028] 일단 제1 스펙트럼 플롯(305)의 각각의 플롯에 대한 통계 값들이 결정되면, 원(307)으로 표시된 이들 값들의 샘플 범위는 제1 SPC 기준(312)에 의해 제1 SPC 플롯(310)에서 표현된다. 도시된 표현에서, 제1 SPC 평균(315)이 도시되지만, 이는 임의의 통계 값, 이를테면, 평균치, 중앙치, 모드, 평균, 최대 값, 최소 값, 또는 표현된 값들의 상대 값 및/또는 그러한 값들의 도함수들 또는 적분들을 반영할 수 있는 다른 값일 수 있다. 또한, 제1 SPC 경계(320)는, 예컨대 도 1에 표현된 것과 같은, 평가 하의 챔버 및 프로세스에 대해 적절하게 선택된, 제1 SPC 평균(315)으로부터의 하나 이상의 표준 편차들을 도시하기 위해 활용될 수 있다.

[0029] 제1 SPC 기준(312)이 위와 같이 제공되면, 이 데이터는 추후에 발생되는 데이터에 대한 비교로서 향후의 실행들에서 사용될 수 있다.

[0030] 챔버가 후속 실행, 예컨대 반도체 디바이스 또는 디스플레이의 생산을 위한 PECVD 프로세스에서 프로세싱을 위해 사용될 때, 후속 실행으로부터의 추가적인 데이터가 상기와 유사한 방식으로 수집되고, 제2 스펙트럼 플롯(330)에 도시된다. 새로운 스펙트럼 플롯 데이터 샘플들은 측정 포인트들에서 열린 원(open circle)들로 표시되며, 예컨대 샘플 구역(331)에서 수집된다. 위의 논의와 유사하게, 새로운 스펙트럼 플롯 데이터 샘플들을 나타내는 통계 값들이 발생되고, 샘플 구역(331)으로부터의 제2 SPC 데이터(333)가 제1 SPC 플롯(310)의 제1 SPC 기준(312)에 추가되어, 제2 SPC 플롯(335)을 유발하며, 새로운 스펙트럼 데이터에 대한 통계 값들은 제2 SPC 플롯(335)에서 열린 원들로 표시된다. 제2 SPC 플롯(335)에서 확인될 수 있는 바와 같이, 적어도 하나의 값은 제2 SPC 경계(340)의 외부에 있으며, 이는 원하는 SPC 경계 컨디션 하에서 발생한 이상들을 표시할 수 있다. 제2 SPC 경계는 제1 SPC 경계(320)와 동일할 수 있고, 일부 실시예들에서는 상이한 값일 수 있다. SPC 경계들을 고정시킴으로써, 챔버 및 프로세스 스펙트럼 데이터로부터 유도된 향후의 데이터가 제1 SPC 기준(312)에 대해 측정될 수 있다.

[0031] 도 4는 개시된 실시예들에 따른, 특정 지수 거듭제곱의 특정 또는 설계된 수치 함수들에 의해 결합될 수 있는 변화하는 플라즈마 강도의 구역을 나타내는 다수의 샘플 곡선들의 플롯들(400)의 그룹, 및 SPC 그래프에서 각각의 샘플 곡선을 나타내는 통계 값의 플롯을 묘사한다.

[0032] 플롯들(400)의 그룹은 위에서 설명된 바와 유사한 PN 함수로부터 발생되며, 파워 튜닝이 지수 계수 값(exponential coefficient value)들에 적용된다. 예컨대, 파워 튜닝 계수 값들을 갖는, 플롯들(400)의 그룹을 설명하는 PN 함수는 다음과 같다:

[0033] 지수 계수 값들에 적용되는 파워 튜닝을 수정함으로써, PN 함수는 원하는 챔버 및 프로세스 컨디션들에 대해 더 민감하게 또는 덜 민감하게 될 수 있다. 도 3d에서 확인될 수 있는 바와 같이, 하나의 데이터 포인트만이 제1 SPC 경계(320) 외부에 있는 것으로 나타난다. 그러나, 동일한 샘플 데이터 값들을 사용하면서 PN 함수의 지수 계수들을 수정함으로써, 예시적인 데이터에 추가적인 감도가 제공되어, 2개의 데이터 포인트들이 제2 SPC 경계(420)를 초과하게 한다. PN 함수의 지수 계수 값들의 수정을 위해 선택된 값들은, 이상들의 존재의 표시를 가능하게 하기 위해 원하는 레벨의 함수 감도를 제공하기 위하여, 특정 프로세스, 챔버, 챔버 내에 존재하는 가스들 및 다른 재료들 등에 대해 선택된다.

[0034] 도 5는 개시된 실시예들에 따른, 동적 플라즈마 컨디션에서의 프로세스 제어 및 모니터링의 방법(500)을 묘사한다.

[0035] 505에서, 방법은 제1 전극에 대해 제2 전극을 이동시킴으로써 챔버 내의 플라즈마 강도를 변화시키는 한편, 510에서, 방법(500)은 변화하는 플라즈마 강도를 측정하기 위한 파장 범위를 제공한다.

[0036] 515에서, 방법은 파장 범위에 걸쳐 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 함수를 정의한다. 일부 실시예들에서, 이는, 제1 파장 범위로부터, 시간(t)에서 함수의 수치 값에 의해 정의된 수치 성분을 갖는 상대 강도의 곱/비를 제공하고, 제1 지수 계수를 수치 성분에 할당함으로써 정의된다. 일부 실시예들에서, 지수 성분들은, 제2 값이 SPC 기준의 단일 표준 편차를 벗어나도록 조정될 수 있다.

[0037] 520에서, 방법은 함수로부터의 SPC 기준을 디스플레이하며, SPC 기준은 함수 및/또는 함수의 도함수 또는 함수의 적분의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 값 중 하나를 포함한다.

[0038] 실시예들에서, 방법(500)은, 제2 전극을 제1 전극에 대해 이동시킴으로써(또는 제1 전극을 제2 전극에 대해 이동시킴으로써) 챔버 내의 제2 플라즈마 강도를 변화시키는 단계, 제1 파장 범위에 걸쳐 변화하는 제2 플라즈마 강도를 설명하는 제2 함수를 정의하는 단계, 및 제2 함수로부터의 적어도 하나의 제2 값을 디스플레이하는 단계 ― 함수 및/또는 함수의 도함수 또는 함수의 적분의 적어도 하나의 제2 값은 제2 함수 및/또는 제2 함수의 도함수 또는 제2 함수의 적분의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― 를 더 포함할 수 있다. 추가의 실시예는 SPC 기준을 적어도 하나의 제2 값과 비교하는 단계 ― 적어도 하나의 제2 값에 대한 SPC 기준의 차이는 이상의 존재를 표시함 ―, 및 이상의 존재를 표시하기 위해 사용자 디스플레이를 업데이트하는 단계를 포함한다. 이러한 실시예들은, 플라즈마 강도를 변화시키는 단계가 제1 파장 범위에 걸쳐 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 다수의 함수들을 정의하기 위해 여러 번 수행되는 단계, 그리고 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터 적어도 하나의 값을 추출하는 단계를 포함할 수 있으며, 각각의 적어도 하나의 값은 다수의 함수들 및/또는 이들의 도함수들 또는 이들의 적분들 중 각각의 개개의 것의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함한다. 실시예들은 SPC 기준을 더 포함하도록 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터의 각각의 적어도 하나의 값을 플로팅하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 제2 값은 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터의 적어도 하나의 값 중 적어도 하나로부터의 적어도 하나의 표준 편차이다.

[0039] 도 6은 도 1 - 도 5와 관련하여 설명된 방법의 실시예들과 같은 개시된 실시예들에 따른, 동적 플라즈마-리프팅 컨디션에서의 프로세스 제어 및 모니터링을 위한 컴퓨터 시스템(600)을 묘사한다. 일부 실시예들에서, SPC 컴퓨터(140)는 컴퓨터 시스템(600)의 하나 이상의 컴포넌트들을 포함한다.

[0040] 컴퓨터 시스템(600)은 데이터 버스(616)에 연결된 CPU(central processing unit)(602)를 포함한다. CPU(602)는, 예컨대 메모리(608) 또는 저장소(610)에 저장된 컴퓨터-실행가능 명령들을 프로세싱하고, 서버(601)로 하여금, 예컨대 도 1 - 도 5와 관련하여 본원에서 설명된 방법들을 수행하게 하도록 구성된다. CPU(602)는 단일 CPU, 다수의 CPU들, 다수의 프로세싱 코어들을 갖는 단일 CPU, 및 컴퓨터-실행가능 명령들을 실행할 수 있는 다른 형태들의 프로세싱 아키텍처를 나타내도록 포함된다.

[0041] 컴퓨터 시스템(600)은 입력/출력(I/O) 디바이스(들)(612) 및 인터페이스들(604)을 더 포함하며, 이는 서버(601)가 입력/출력 디바이스들(612), 이를테면, 예컨대 키보드들, 디스플레이들, 마우스 디바이스들, 펜 입력, 및 서버(601)와의 상호작용을 가능하게 하는 다른 디바이스들과 인터페이싱할 수 있게 한다. 서버(601)는 물리적 및 무선 연결들을 통해 외부 I/O 디바이스들(예컨대, 외부 디스플레이 디바이스)과 연결될 수 있음을 주목한다.

[0042] 컴퓨터 시스템(600)은, 외부 네트워크(614)에 대한 액세스 그리고 이에 의한, 외부 컴퓨팅 디바이스들에 대한 액세스를 서버(601)에 제공하는 네트워크 인터페이스(606)를 더 포함한다.

[0043] 컴퓨터 시스템(600)은 메모리(608)를 더 포함하며, 메모리(608)는 이 예에서, 도 1 - 도 5에서 설명된 동작들을 수행하기 위한 변경 모듈(618), 제공 모듈(620), 정의 모듈(622), 디스플레이 모듈(624), 비교 모듈(626), 및 업데이트 모듈(628)을 포함한다.

[0044] 간략화를 위해 도 6에서 단일 메모리(608)로서 도시되지만, 메모리(608)에 저장된 다양한 양상들은, 컴퓨터 시스템(600)으로부터 원격인 메모리들을 포함한 상이한 물리적 메모리들에 저장될 수 있지만, 버스(616)와 같은 내부 데이터 연결들을 통해 CPU(602)가 이들 모두에 액세스가능할 수 있다는 것을 주목한다.

[0045] 저장소(610)는, 도 1 - 도 5에서 설명된 바와 같이, 측정된 플라즈마 강도와 유사할 수 있는 플라즈마 강도 데이터(630)를 더 포함한다.

[0046] 저장소(610)는, 도 1 - 도 5에서 설명된 바와 같은 파장 범위와 유사할 수 있는 파장 데이터(632)를 더 포함한다.

[0047] 저장소(610)는, 도 1 - 도 5에서 설명된 바와 같은 PN 함수와 유사할 수 있는 함수 데이터(634)를 더 포함한다.

[0048] 저장소(610)는, 도 1 - 도 5에서 설명된 바와 같은 SPC 기준과 유사할 수 있는 SPC 기준 데이터(636)를 더 포함한다.

[0049] 저장소(610)는, 위에서 설명된 바와 같은 이상들과 유사할 수 있는 이상 데이터(638)를 더 포함한다.

[0050] 도 6에 묘사되지 않았지만, 다른 양상들이 저장소(610)에 포함될 수 있다.

[0051] 메모리(608)에서와 같이, 간략화를 위해 단일 저장소(610)가 도 6에 묘사되지만, 저장소(610)에 저장된 다양한 양상들은 상이한 물리적 저장소들에 저장될 수 있지만, 버스(616)와 같은 내부 데이터 연결들을 통해 또는 외부 연결, 이를테면, 네트워크 인터페이스들(606)을 통해 CPU(602)가 이들 모두에 액세스가능할 수 있다. 당업자는 서버(601)의 하나 이상의 엘리먼트들이 원격으로 로케이팅되고 네트워크(614)를 통해 액세스될 수 있다는 것을 인식할 것이다.

[0052] 이전의 설명은 임의의 당업자가 본원에서 설명된 다양한 실시예들을 실시할 수 있도록 제공된다. 본원에서 논의된 예들은 청구항들에 제시된 범위, 적용가능성, 또는 실시예들을 제한하지 않는다. 이러한 실시예들의 대한 다양한 수정들이 당업자들에게 자명할 것이며, 본원에서 정의된 일반적 원리들은 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 예컨대, 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않으면서, 논의되는 엘리먼트들의 기능 및 배열은 변경될 수 있다. 다양한 예들은 다양한 절차들 또는 컴포넌트들을 적절히 생략, 치환, 또는 추가할 수 있다. 예컨대, 설명된 방법들은 설명된 것과 상이한 순서로 수행될 수 있으며, 다양한 단계들이 추가, 생략, 또는 조합될 수 있다. 또한, 일부 예들에 대해 설명되는 특징들은 일부 다른 예들에서 조합될 수 있다. 예컨대, 본원에 제시된 양상들 중 임의의 수의 양상들을 사용하여 장치가 구현될 수 있거나 또는 방법이 실시될 수 있다. 게다가, 본 개시내용의 범위는 본원에 제시된 본 개시내용의 다양한 양상들에 추가하여 또는 이러한 양상들 이외의 다른 구조, 기능성, 또는 구조 및 기능성을 사용하여 실시되는 그러한 장치 또는 방법을 커버하는 것으로 의도된다. 본원에 개시된 본 개시내용의 임의의 양상은 청구항의 하나 이상의 엘리먼트들에 의해 구현될 수 있다는 것을 이해해야 한다.

[0053] 본원에서 사용되는 바와 같이, 항목들의 리스트 "중 적어도 하나"를 지칭하는 문구는 단일 멤버들을 포함하여, 그러한 항목들의 임의의 조합을 지칭한다. 일 예로서, "a, b, 또는 c 중 적어도 하나"는 a, b, c, a-b, a-c, b-c, 및 a-b-c뿐만 아니라 동일한 엘리먼트의 집합들(multiples)과의 임의의 조합(예컨대, a-a, a-a-a, a-a-b, a-a-c, a-b-b, a-c-c, b-b, b-b-b, b-b-c, c-c, 및 c-c-c 또는 a, b, 및 c의 임의의 다른 순서)을 커버하는 것으로 의도된다.

[0054] 본원에서 사용되는 바와 같이, "결정하는"이라는 용어는 광범위하게 다양한 액션들을 포함한다. 예컨대, "결정하는"은 계산, 컴퓨팅, 프로세싱, 유도, 조사, 룩업(예컨대, 표, 데이터베이스 또는 다른 데이터 구조에서의 룩업), 확인 등을 포함할 수 있다. 또한, "결정하는" 것은 수신하는 것(예컨대, 정보를 수신하는 것), 액세스하는 것(예컨대, 메모리의 데이터에 액세스하는 것) 등을 포함할 수 있다. 또한, "결정하는" 것은 해결하는 것, 선택하는 것, 선정하는 것, 확립하는 것 등을 포함할 수 있다.

[0055] 본원에 개시된 방법들은 방법들을 달성하기 위한 하나 이상의 단계들 또는 액션들을 포함한다. 방법 단계들 및/또는 액션들은 청구항들의 범위를 벗어나지 않으면서 서로 상호교환될 수 있다. 다시 말해서, 단계들 또는 액션들의 특정 순서가 특정되지 않으면, 특정 단계들 및/또는 액션들의 순서 및/또는 사용은 청구항들의 범위를 벗어나지 않으면서 수정될 수 있다. 또한, 위에서 설명된 방법들의 다양한 동작들은 대응하는 기능들을 수행할 수 있는 임의의 적절한 수단에 의해 수행될 수 있다. 이 수단은, 회로, ASIC(application specific integrated circuit), 또는 프로세서를 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 다양한 하드웨어 및/또는 소프트웨어 컴포넌트(들) 및/또는 모듈(들)을 포함할 수 있다. 일반적으로, 도면들에 예시된 동작들이 존재하는 경우, 그러한 동작들은 유사한 넘버링을 갖는 상응하는 대응부 수단-플러스-기능 컴포넌트들을 가질 수 있다.

[0056] 본 개시내용과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 로직 블록들, 모듈들 및 회로들은 범용 프로세서, DSP(digital signal processor), ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array) 또는 다른 PLD(programmable logic device), 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들, 또는 본원에서 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 조합으로 구현되거나 이들에 의해 수행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수 있지만, 대안적으로 프로세서는 임의의 상업적으로 입수가능한 프로세서, 제어기, 마이크로제어기, 또는 상태 머신일 수 있다. 프로세서는 또한, 컴퓨팅 디바이스들의 조합, 예컨대, DSP와 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 다른 그러한 구성으로서 구현될 수 있다.

[0057] 프로세싱 시스템은 버스 아키텍처로 구현될 수 있다. 버스는 프로세싱 시스템의 특정 애플리케이션 및 전체 설계 제약들에 따라 임의의 수의 상호연결 버스들 및 브리지들을 포함할 수 있다. 버스는, 다른 것들 중에서도 프로세서, 머신-판독가능 매체들, 및 입력/출력 디바이스들을 포함하는 다양한 회로들을 함께 링크시킬 수 있다. 사용자 인터페이스(예컨대, 키패드, 디스플레이, 마우스, 조이스틱 등)가 또한 버스에 연결될 수 있다. 버스는 또한, 타이밍 소스들, 주변장치들, 전압 조절기들, 전력 관리 회로들, 및 다른 회로 엘리먼트들과 같은 다양한 다른 회로들을 링크시킬 수 있으며, 이들은 당해 기술분야에 잘 알려져 있고 따라서 더 이상 설명되지 않을 것이다. 프로세서는 하나 이상의 범용 및/또는 특수 목적용 프로세서들로 구현될 수 있다. 예들은 마이크로프로세서들, 마이크로제어기들, DSP 프로세서들, 및 소프트웨어를 실행할 수 있는 다른 회로부를 포함한다. 당업자들은 특정 애플리케이션 및 전체 시스템에 부과되는 전체 설계 제약들에 따라 프로세싱 시스템에 대해 설명된 기능성을 어떻게 최상으로 구현할지를 인지할 것이다.

[0058] 소프트웨어로 구현되는 경우, 기능들은 컴퓨터-판독가능 매체 상에 하나 이상의 명령들 또는 코드로서 저장되거나 이를 통해 송신될 수 있다. 소프트웨어는 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어, 마이크로코드, 하드웨어 기술 언어 또는 다른 식으로 지칭되든지 간에, 명령들, 데이터, 또는 이들의 임의의 조합을 의미하는 것으로 광범위하게 해석될 것이다. 컴퓨터-판독가능 매체들은 한 장소에서 다른 장소로 컴퓨터 프로그램의 전달을 가능하게 하는 임의의 매체와 같은 통신 매체들 및 컴퓨터 저장 매체들 둘 모두를 포함한다. 프로세서는 컴퓨터-판독가능 저장 매체들에 저장된 소프트웨어 모듈들의 실행을 포함하여, 버스의 관리 및 일반적인 프로세싱을 담당할 수 있다. 컴퓨터-판독가능 저장 매체는 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독하고 저장 매체에 정보를 기록할 수 있도록 프로세서에 커플링될 수 있다. 대안적으로, 저장 매체는 프로세서에 통합될 수 있다. 예로서, 컴퓨터-판독가능 매체들은 송신 라인, 데이터에 의해 변조된 반송파, 및/또는 무선 노드와는 별개로 명령들이 저장된 컴퓨터 판독가능 저장 매체를 포함할 수 있으며, 이들 모두 버스 인터페이스를 통해 프로세서에 의해 액세스될 수 있다. 대안적으로 또는 추가하여, 컴퓨터-판독가능 매체들 또는 그의 임의의 부분은 프로세서에 통합될 수 있으며, 이를테면, 캐시 및/또는 일반적인 레지스터 파일들이 그러한 경우이다. 머신-판독가능 저장 매체들의 예들은 예로서, RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리, ROM(Read Only Memory), PROM(Programmable Read-Only Memory), EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 레지스터들, 자기 디스크들, 광학 디스크들, 하드 드라이브들, 또는 임의의 다른 적절한 저장 매체, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 머신-판독가능 매체들은 컴퓨터-프로그램 제품으로 구현될 수 있다.

[0059] 소프트웨어 모듈은 단일 명령 또는 많은 명령들을 포함할 수 있으며, 여러 상이한 코드 세그먼트들에 걸쳐, 상이한 프로그램들 사이에, 그리고 다수의 저장 매체들에 걸쳐 분산될 수 있다. 컴퓨터-판독가능 매체들은 다수의 소프트웨어 모듈들을 포함할 수 있다. 소프트웨어 모듈들은 프로세서와 같은 장치에 의해 실행될 때, 프로세싱 시스템으로 하여금 다양한 기능들을 수행하게 하는 명령들을 포함한다. 소프트웨어 모듈들은 송신 모듈 및 수신 모듈을 포함할 수 있다. 각각의 소프트웨어 모듈은 단일 저장 디바이스에 상주할 수 있거나, 다수의 저장 디바이스들에 걸쳐 분산될 수 있다. 예로서, 소프트웨어 모듈은 트리거링 이벤트가 발생하는 경우 하드 드라이브로부터 RAM으로 로딩될 수 있다. 소프트웨어 모듈의 실행 동안, 프로세서는 명령들 중 일부를 캐시로 로딩하여 액세스 속도를 높일 수 있다. 그런 다음, 하나 이상의 캐시 라인들이 프로세서에 의한 실행을 위해 일반적인 레지스터 파일로 로딩될 수 있다. 소프트웨어 모듈의 기능성을 참조하면, 그러한 기능성은 그 소프트웨어 모듈로부터의 명령들을 실행할 때 프로세서에 의해 구현된다고 이해될 것이다.

[0060] 아래의 청구항들은 본원에서 제시되는 실시예들로 제한되도록 의도되는 것이 아니라, 청구항들의 문언과 일치하는 최대 범위에 부합할 것이다. 청구항 내에서, 단수형의 엘리먼트에 대한 참조는 특별히 그렇게 언급되지 않으면 "하나 및 오직 하나"를 의미하기보다는 오히려 "하나 이상"을 의미하도록 의도된다. 구체적으로 달리 언급되지 않으면, "일부"라는 용어는 하나 이상을 나타낸다. 어떤 청구항 엘리먼트도, 그 엘리먼트가 "하기 위한 수단"이라는 문구를 사용하여 명시적으로 언급되지 않는 한, 또는 방법 청구항의 경우에서는 그 엘리먼트가 "하는 단계"라는 문구를 사용하여 언급되지 않는 한, 35 U.S.C.§112(f)의 조항들 하에서 해석되지 않아야 한다. 당업자들에게 알려지거나 추후 알려질 본 개시내용 전반에 걸쳐 설명되는 다양한 양상들의 엘리먼트들에 대한 모든 구조적 및 기능적 등가물들은 참조로 본원에 명백하게 통합되어 있고 청구항들에 의해 포함되는 것으로 의도된다. 더욱이, 본원에 개시된 어떤 것도, 그러한 개시내용이 청구항들에 명시적으로 기재되어 있는지 여부와 관계없이, 공중이 사용하도록 의도되는 것은 아니다.

Claims (15)

1. PECVD 프로세스에서 이상(abnormality)들을 검출하기 위한 방법으로서,
   제2 전극을 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 챔버 내의 플라즈마 강도를 변화시키는 단계;
   변화하는 플라즈마 강도를 측정하기 위한 파장 범위를 제공하는 단계;
   상기 파장 범위에 걸쳐 상기 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 함수를 정의하는 단계; 및
   상기 함수에 기반하여 SPC 기준을 디스플레이하는 단계 ― 상기 SPC 기준은 상기 함수, 상기 함수의 도함수, 및 상기 함수의 적분 중 하나의, 최대치(maximum), 최소치(minimum), 평균치(average), 중앙치(median), 모드(mode), 및 평균(mean) 값 중 하나를 포함함 ― 를 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 방법.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 제2 전극을 상기 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 상기 챔버 내의 제2 플라즈마 강도를 변화시키는 단계;
   상기 파장 범위에 걸쳐 변화하는 제2 플라즈마 강도를 설명하는 제2 함수를 정의하는 단계;
   상기 제2 함수로부터의 적어도 하나의 제2 값을 디스플레이하는 단계 ― 상기 적어도 하나의 제2 값은 상기 제2 함수, 상기 제2 함수의 도함수, 및 상기 제2 함수의 적분 중 하나의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― ; 및
   상기 SPC 기준을 상기 적어도 하나의 제2 값과 비교하는 단계 ― 상기 적어도 하나의 제2 값에 대한 상기 SPC 기준의 차이는 이상의 존재를 표시함 ―; 및
   상기 이상의 존재를 표시하기 위해 사용자 디스플레이를 업데이트하는 단계를 더 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 방법.
3. 제2 항에 있어서,
   상기 플라즈마 강도를 변화시키는 단계는 상기 파장 범위에 걸쳐 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 다수의 함수들을 정의하기 위해 여러 번 수행되고, 상기 다수의 함수들은 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수, 상기 다수의 함수들 중 적어도 하나의 함수의 도함수, 및 상기 다수의 함수들 중 하나의 함수의 적어도 하나의 적분 중 하나를 포함하고,
   상기 방법은,
   상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터 적어도 하나의 값을 추출하는 단계 ― 각각의 적어도 하나의 값은 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수의 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― 를 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 방법.
4. 제3 항에 있어서,
   상기 SPC 기준을 더 포함하도록 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터의 각각의 적어도 하나의 값을 플로팅하는 단계를 더 포함하며,
   상기 제2 값은 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터의 적어도 하나의 값 중 적어도 하나로부터의 적어도 하나의 표준 편차인,
   PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 방법.
5. 제1 항에 있어서,
   상기 함수를 정의하는 단계는,
   상기 파장 범위로부터, 시간(t)에서 상기 함수의 수치 값에 의해 정의된 수치 성분을 갖는 상대 강도의 곱(product)/비(ratio)를 제공하는 단계;
   제1 지수 계수(exponential coefficient)를 상기 수치 성분에 할당하는 단계; 및
   제2 지수 계수를 상기 곱/비에 할당하는 단계를 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 방법.
6. 제5 항에 있어서,
   상기 제2 값이 상기 SPC 기준에 대해 이상으로서 나타나도록, 상기 제1 지수 계수 및 상기 제2 지수 계수 중 하나를 조정하는 단계를 더 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 방법.
7. PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템으로서,
   PECVD 챔버; 및
   상기 PECVD 챔버에 커플링된, 플라즈마 강도를 측정하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
   상기 스펙트럼 분석기는 이상을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성되며, 상기 방법은,
   제2 전극을 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 챔버 내의 플라즈마 강도를 변화시키는 단계;
   변화하는 플라즈마 강도를 측정하기 위한 제1 파장 범위를 제공하는 단계;
   상기 제1 파장 범위에 걸쳐 상기 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 함수를 정의하는 단계; 및
   상기 함수로부터 적어도 하나의 값을 추출하는 단계 ― 상기 적어도 하나의 값은 상기 함수, 상기 함수의 도함수, 및 상기 함수의 적분 중 하나의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― 를 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템.
8. 제7 항에 있어서,
   상기 이상들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
   상기 방법은,
   상기 제2 전극을 상기 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 상기 챔버 내의 제2 플라즈마 강도를 변화시키는 단계;
   상기 제1 파장 범위에 걸쳐 변화하는 제2 플라즈마 강도를 설명하는 제2 함수를 정의하는 단계;
   상기 제2 함수로부터의 적어도 하나의 제2 값을 디스플레이하는 단계 ― 상기 적어도 하나의 제2 값은 상기 제2 함수의 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ―; 및
   상기 적어도 하나의 값을 상기 적어도 하나의 제2 값과 비교하는 단계 ― 상기 적어도 하나의 제2 값에 대한 상기 적어도 하나의 값의 차이는 이상의 존재를 표시함 ―; 및
   상기 이상의 존재를 표시하기 위해 사용자 디스플레이를 업데이트하는 단계를 더 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템.
9. 제8 항에 있어서,
   상기 이상들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
   상기 플라즈마 강도를 변화시키는 단계는 상기 제1 파장 범위에 걸쳐 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 다수의 함수들을 정의하기 위해 여러 번 수행되며, 상기 다수의 함수들은 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수, 상기 다수의 함수들 중 적어도 하나의 함수의 도함수, 및 상기 다수의 함수들 중 하나의 함수의 적어도 하나의 적분 중 하나를 포함하고,
   상기 방법은,
   상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터 적어도 하나의 값을 추출하는 단계 ― 각각의 적어도 하나의 값은 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수의 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― 를 포함하는,
   PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템.
10. 제8 항에 있어서,
    상기 이상들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
    상기 방법은,
    상기 적어도 하나의 값을 더 포함하도록 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터의 각각의 적어도 하나의 값을 플로팅하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제2 값은 상기 다수의 함수들 중 각각의 개개의 함수로부터의 적어도 하나의 값 중 적어도 하나로부터의 적어도 하나의 표준 편차인,
    PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템.
11. 제7 항에 있어서,
    오염물들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
    상기 함수를 정의하는 단계는,
    상기 제1 파장 범위로부터, 시간(t)에서 상기 함수의 수치 값에 의해 정의된 수치 성분을 갖는 상대 강도의 곱/비를 제공하는 단계;
    제1 지수 계수를 상기 수치 성분에 할당하는 단계; 및
    제2 지수 계수를 상기 곱/비에 할당하는 단계를 포함하는,
    PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템.
12. 제11 항에 있어서,
    상기 이상들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
    상기 방법은,
    상기 제2 값이 상기 SPC 기준에 대해 이상으로서 나타나도록, 상기 제1 지수 계수 및 상기 제2 지수 계수 중 하나를 조정하는 단계를 더 포함하는,
    PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템.
13. 제11 항에 있어서,
    상기 이상들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
    상기 제1 파장 범위는 다수의 파장 범위들, 및 상기 다수의 파장 범위들 중 각각의 파장 범위에 대응하는 적어도 하나의 수치 성분을 포함하는,
    PECVD 프로세스에서 이상을 검출하기 위한 시스템.
14. PECVD 프로세스에서 이상들을 검출하기 위한 컴퓨터 판독가능 명령들을 포함하는 비-일시적 컴퓨터 판독가능 매체로서,
    방법은,
    제2 전극을 제1 전극에 대해 이동시킴으로써 챔버 내의 플라즈마 강도를 변화시키는 단계;
    변화하는 플라즈마 강도를 측정하기 위한 제1 파장 범위를 제공하는 단계;
    상기 제1 파장 범위에 걸쳐 상기 변화하는 플라즈마 강도를 설명하는 함수를 정의하는 단계; 및
    상기 함수로부터 적어도 하나의 값을 추출하는 단계 ― 상기 적어도 하나의 값은 상기 함수, 상기 함수의 도함수, 및 상기 함수의 적분 중 하나의, 최대치, 최소치, 평균치, 중앙치, 모드, 및 평균 중 하나를 포함함 ― 를 포함하는,
    비-일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
15. 제14 항에 있어서,
    오염물들을 검출하기 위한 방법을 수행하도록 구성된 스펙트럼 분석기를 포함하며,
    상기 함수를 정의하는 단계는,
    상기 제1 파장 범위로부터, 시간(t)에서 상기 함수의 수치 값에 의해 정의된 수치 성분을 갖는 상대 강도의 곱/비를 제공하는 단계;
    제1 지수 계수를 상기 수치 성분에 할당하는 단계; 및
    제2 지수 계수를 상기 곱/비에 할당하는 단계를 포함하는,
    비-일시적 컴퓨터 판독가능 매체.

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