JP2023522988A - プラズマスペクトルによる動的プラズマ状態におけるプロセス制御および監視の方法 - Google Patents
プラズマスペクトルによる動的プラズマ状態におけるプロセス制御および監視の方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023522988A JP2023522988A JP2022564261A JP2022564261A JP2023522988A JP 2023522988 A JP2023522988 A JP 2023522988A JP 2022564261 A JP2022564261 A JP 2022564261A JP 2022564261 A JP2022564261 A JP 2022564261A JP 2023522988 A JP2023522988 A JP 2023522988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- function
- functions
- plasma intensity
- varying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000004886 process control Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 100
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003070 Statistical process control Methods 0.000 abstract description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 5
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 abstract 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 13
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
PECVDプロセスにおいてパワーリフト(powerlift)(「PL」)として知られている動的プラズマリフティングは、プラズマ堆積中の基板上の静電荷の除去のためのプロセスである。このプロセスでは、プラズマが点火され、次いで、2つの電極(たとえば、第1の電極と下部またはチャッキング電極との)間の間隙が互いに対して移動する。PLプロセスの終わりに、基板が持ち上げられ、第2の電極から離れる。
から構築される。
である。
である。
Claims (15)
- PECVDプロセスにおける異常を検出するための方法であって、
第1の電極に対して第2の電極を移動させることによってチャンバ中のプラズマ強度を変化させることと、
波長範囲を提供することであって、前記波長範囲にわたって変化するプラズマ強度が測定される、波長範囲を提供することと、
前記波長範囲にわたって変化するプラズマ強度を記述する関数を定義することと、
前記関数に基づいてSPC基準を表示することであって、前記SPC基準が、前記関数、前記関数の微分、及び前記関数の積分のうちの1つの、最大値、最小値、代表値、中央値、最頻値、及び平均値のうちの1つを含む、SPC基準を表示することと
を含む、方法。 - 前記第1の電極に対して前記第2の電極を移動させることによって前記チャンバ中の第2のプラズマ強度を変化させることと、
前記波長範囲にわたって変化する第2のプラズマ強度を記述する第2の関数を定義することと、
前記第2の関数からの少なくとも1つの第2の値を表示することであって、前記少なくとも1つの第2の値が、前記第2の関数、前記第2の関数の微分、及び前記第2の関数の積分のうちの1つの、最大値、最小値、代表値、中央値、最頻値、及び平均値のうちの1つを含む、少なくとも1つの第2の値を表示することと
前記SPC基準を前記少なくとも1つの第2の値と比較することであって、
前記少なくとも1つの第2の値に対する前記SPC基準の差が異常の存在を示す、前記SPC基準を前記少なくとも1つの第2の値と比較することと
前記異常の存在を示すためにユーザディスプレイを更新することと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記波長範囲にわたって変化するプラズマ強度を記述する複数の関数を定義するために、前記プラズマ強度を変化させることが複数回実行され、前記複数の関数が、前記複数の関数の各々、前記複数の関数のうちの少なくとも1つの微分、及び前記複数の関数のうちの1つの少なくとも1つの積分のうちの1つを含み、
前記複数の関数の各々から少なくとも1つの値を抽出し、各少なくとも1つの値が、前記複数の関数の各々の最大値、最小値、代表値、中央値、最頻値、及び平均値のうちの1つを含む、請求項2に記載の方法。 - 前記SPC基準をさらに含むために前記複数の関数の各々からの各少なくとも1つの値をプロットすることをさらに含み、前記第2の値が、前記複数の関数の各々からの前記少なくとも1つの値のうちの少なくとも1つからの少なくとも1つの標準偏差である、請求項3に記載の方法。
- 前記関数を定義することが、
前記波長範囲から、時間tにおける前記関数の数値によって定義される数値成分を有する相対強度の積/比を提供することと、
前記数値成分に第1の指数係数を割り当てることと、
前記積/比に第2の指数係数を割り当てることと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2の値が前記SPC基準に対する異常として見えるように、前記第1の指数係数と第2の指数係数とのうちの1つを調整することをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- PECVDプロセス中の異常を検出するためのシステムであって、
PECVDチャンバと、
前記PECVDチャンバに結合された、プラズマ強度を測定するように構成されたスペクトラムアナライザと
を備え、前記スペクトラムアナライザが、異常を検出するための方法を実行するように構成され、前記方法が、
第1の電極に対して第2の電極を移動させることによってチャンバ中のプラズマ強度を変化させることと、
第1の波長範囲を提供することであって、前記第1の波長範囲にわたって変化するプラズマ強度が測定される、第1の波長範囲を提供することと、
前記第1の波長範囲にわたって変化するプラズマ強度を記述する関数を定義することと、
前記関数から少なくとも1つの値を抽出することであって、前記少なくとも1つの値が、前記関数、前記関数の微分、及び前記関数の積分のうちの1つの、最大値、最小値、代表値、中央値、最頻値、及び平均値のうちの1つを含む、少なくとも1つの値を抽出することとを含む、
システム。 - 異常を検出するための前記方法を実行するように構成された前記スペクトラムアナライザを備え、前記方法が、
前記第1の電極に対して前記第2の電極を移動させることによって前記チャンバ中の第2のプラズマ強度を変化させることと、
前記第1の波長範囲にわたって変化する第2のプラズマ強度を記述する第2の関数を定義することと、
前記第2の関数からの少なくとも1つの第2の値を表示することであって、前記少なくとも1つの第2の値が、前記第2の関数の最大値、最小値、代表値、中央値、最頻値、及び平均値のうちの1つを含む、少なくとも1つの第2の値を表示することと、
前記少なくとも1つの値を前記少なくとも1つの第2の値と比較することであって、
前記少なくとも1つの第2の値に対する前記少なくとも1つの値の差が異常の存在を示す、前記少なくとも1つの値を前記少なくとも1つの第2の値と比較することと、
前記異常の存在を示すためにユーザディスプレイを更新することと
をさらに含む、請求項7に記載のシステム。 - 異常を検出するための前記方法を実行するように構成された前記スペクトラムアナライザを備え、前記第1の波長範囲にわたって変化するプラズマ強度を記述する複数の関数を定義するために、前記プラズマ強度を変化させることが複数回実行され、前記複数の関数が、前記複数の関数の各々、前記複数の関数のうちの少なくとも1つの微分、及び前記複数の関数のうちの1つの少なくとも1つの積分のうちの1つを含み、
前記複数の関数の各々から少なくとも1つの値を抽出し、各少なくとも1つの値が、前記複数の関数の各々の最大値、最小値、代表値、中央値、最頻値、及び平均値のうちの1つを含む、請求項8に記載のシステム。 - 異常を検出するための前記方法を実行するように構成された前記スペクトラムアナライザを備え、
前記方法が、
前記少なくとも1つの値をさらに含むために、前記複数の関数の各々からの各少なくとも1つの値をプロットすること
をさらに含み、前記第2の値が前記複数の関数の各々からの前記少なくとも1つの値のうちの少なくとも1つからの少なくとも1つの標準偏差である、請求項8に記載のシステム。 - 汚染物質を検出するための前記方法を実行するように構成された前記スペクトラムアナライザを備え、前記関数を定義することが、
前記第1の波長範囲から、時間tにおける前記関数の数値によって定義される数値成分を有する相対強度の積/比を提供することと、
前記数値成分に第1の指数係数を割り当てることと
前記積/比に第2の指数係数を割り当てることと
を含む、請求項7に記載のシステム。 - 異常を検出するための前記方法を実行するように構成された前記スペクトラムアナライザを備え、前記方法が、
前記第2の値基準が前記SPC基準に対する異常として見えるように、前記第1の指数係数と第2の指数係数とのうちの1つを調整すること
をさらに含む、請求項11に記載のシステム。 - 異常を検出するための前記方法を実行するように構成された前記スペクトラムアナライザを備え、前記第1の波長範囲が、複数の波長範囲と、前記複数の波長範囲のうちの各々に対応する少なくとも1つの数値成分とを含む、請求項11に記載のシステム。
- PECVDプロセスにおいて異常を検出するためのコンピュータ可読命令を含む、非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
第1の電極に対して第2の電極を移動させることによってチャンバ中のプラズマ強度を変化させることと、
第1の波長範囲を提供することであって、前記第1の波長範囲にわたって変化するプラズマ強度が測定される、第1の波長範囲を提供することと、
前記第1の波長範囲にわたって変化するプラズマ強度を記述する関数を定義することと、
前記関数から少なくとも1つの値を抽出することであって、前記少なくとも1つの値が、前記関数、前記関数の微分、及び前記関数の積分のうちの1つの、最大値、最小値、代表値、中央値、最頻値、及び平均値のうちの1つを含む、少なくとも1つの値を抽出することと
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 汚染物質を検出するための前記方法を実行するように構成されたスペクトラムアナライザを備え、前記関数を定義することが、
前記第1の波長範囲から、時間tにおける前記関数の数値によって定義される数値成分を有する相対強度の積/比を提供することと、
前記数値成分に第1の指数係数を割り当てることと、
前記積/比に第2の指数係数を割り当てることと
を含む、請求項14に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2020/029898 WO2021216092A1 (en) | 2020-04-24 | 2020-04-24 | Method of process control and monitoring in dynamic plasma condition by plasma spectrum |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023522988A true JP2023522988A (ja) | 2023-06-01 |
Family
ID=78269879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022564261A Pending JP2023522988A (ja) | 2020-04-24 | 2020-04-24 | プラズマスペクトルによる動的プラズマ状態におけるプロセス制御および監視の方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023522988A (ja) |
KR (1) | KR20230002981A (ja) |
CN (1) | CN115428117A (ja) |
TW (1) | TW202140847A (ja) |
WO (1) | WO2021216092A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117148710B (zh) * | 2023-09-21 | 2024-02-09 | 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 | 一种自适应等离子监控方法及系统 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0610356B2 (ja) * | 1988-02-18 | 1994-02-09 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ温度測定方法 |
US5382911A (en) * | 1993-03-29 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Reaction chamber interelectrode gap monitoring by capacitance measurement |
US6153115A (en) * | 1997-10-23 | 2000-11-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Monitor of plasma processes with multivariate statistical analysis of plasma emission spectra |
JP5334787B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2013-11-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR20110103723A (ko) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 삼성전자주식회사 | 공정 모니터링 장치와, 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
-
2020
- 2020-04-24 CN CN202080098883.8A patent/CN115428117A/zh active Pending
- 2020-04-24 KR KR1020227040923A patent/KR20230002981A/ko unknown
- 2020-04-24 JP JP2022564261A patent/JP2023522988A/ja active Pending
- 2020-04-24 WO PCT/US2020/029898 patent/WO2021216092A1/en active Application Filing
-
2021
- 2021-01-26 TW TW110102760A patent/TW202140847A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021216092A1 (en) | 2021-10-28 |
TW202140847A (zh) | 2021-11-01 |
CN115428117A (zh) | 2022-12-02 |
KR20230002981A (ko) | 2023-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI553496B (zh) | 增加訊噪比以創造一般化且強健的預測模型 | |
US7504833B1 (en) | Automatically balanced sensing device and method for multiple capacitive sensors | |
JP2023505380A (ja) | 発光スペクトルに基づく予測モデルを使用して未知のサンプル組成を分析するためのシステムと方法 | |
JP2023522988A (ja) | プラズマスペクトルによる動的プラズマ状態におけるプロセス制御および監視の方法 | |
JP7074489B2 (ja) | データ処理方法、データ処理装置、および、データ処理プログラム | |
CN106796191A (zh) | 传感系统 | |
Mujezinovic et al. | Cleaning of raw peptide MS/MS spectra: improved protein identification following deconvolution of multiply charged peaks, isotope clusters, and removal of background noise | |
CN109580549B (zh) | 物质含量的计算、定标方法及装置 | |
Li et al. | Moving rate of positive patient results as a quality control tool for high-sensitivity cardiac troponin T assays | |
CN108805168B (zh) | 近红外光谱学和机器学习技术进行的制造过程的端点检测 | |
CN114441469A (zh) | 水分仪的校准方法、装置和计算机设备 | |
CN108760042B (zh) | 光传感器校准方法及装置、移动设备、介质和电子设备 | |
CN115509396A (zh) | 电容检测方法及电容检测装置 | |
CN111207676A (zh) | 基于自适应拟随机搜索的晶圆膜厚测量方法 | |
TW201533636A (zh) | 信號處理方法 | |
US20210389179A1 (en) | Measurements using systems having multiple spectrometers | |
CN112000717B (zh) | 半导体数据分析方法、系统及计算机可读存储介质 | |
US12055498B2 (en) | Data processing method and system for detection of deterioration of semiconductor process kits | |
CN116665397B (zh) | 火灾烟雾报警方法及报警装置、报警器与可读存储介质 | |
US9459226B2 (en) | Lens coating/contamination electronic detection | |
US11920980B2 (en) | Rolling principal component analysis for dynamic process monitoring and end point detection | |
KR102097096B1 (ko) | 컴포넌트 샘플의 재료 특성들을 검출하기 위한 검사 장치 및 방법 | |
Erzengin et al. | Diagnostics of calibration methods: model adequacy of UV‐based determinations | |
U Kulkarni et al. | In silico modeling for the design of 2-substitted benzimidazole derivatives, and prediction of activity as procaspase-3 activators and apoptosis inducer | |
WO2022254402A1 (en) | Time-domain optical metrology and inspection of semiconductor devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240416 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240709 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240806 |