KR20230002795A - 고장 위치 확인 방법, 장치, 시스템 - Google Patents

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KR20230002795A
KR20230002795A KR1020227040077A KR20227040077A KR20230002795A KR 20230002795 A KR20230002795 A KR 20230002795A KR 1020227040077 A KR1020227040077 A KR 1020227040077A KR 20227040077 A KR20227040077 A KR 20227040077A KR 20230002795 A KR20230002795 A KR 20230002795A
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후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 출원은 광섬유 통신 기술 분야에 관한 것이며, 고장 위치 확인 방법, 장치, 및 시스템을 제공한다. 이 방법은: 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 획득하는 단계- 역방향 백홀은 후방 산란과 반사를 포함하거나 또는 후방 산란을 포함함 -; 제1 대응관계에 기초하여, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계; 및 제2 대응관계에 기초하여 ODN에서 고장 위치를 확인하는 단계를 포함한다.

Description

고장 위치 확인 방법, 장치, 시스템
본 출원은 2020년 4월 29일자로 중국 지적 재산권 관리국(China National Intellectual Property Administration)에 출원되고 발명의 명칭이 "FAULT LOCATING METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM"인 중국 특허 출원 제202010357617.4호에 대한 우선권을 주장하며, 이 출원은 그 전체가 본 명세서에 참고로 포함된다.
본 출원은 광섬유 통신 분야에 관한 것으로, 특히, 고장 위치 확인 방법, 장치, 및 시스템에 관한 것이다.
수동 광 네트워크 시스템은 광 회선 단말기(optical line terminal, OLT), 광 분배 네트워크(Optical Distribution Network, ODN), 및 복수의 광 액세스 네트워크 사용자 단말기를 포함한다. 광 액세스 네트워크 사용자 단말기는 광 네트워크 유닛(Optical Network Unit, ONU) 또는 광 네트워크 단말기(Optical Network Terminal, ONT)를 채택한다. ODN은 광 스플리터, 피더 광섬유(feeder optical fiber), 분배 광섬유(광 스플리터들의 복수의 스테이지에 존재함), 및 드롭 광섬유(drop optical fiber)로 분할될 수 있다. 피더 광섬유는 OLT와 ODN 사이의 광섬유이고, 분배 광섬유는 다양한 스테이지들에서의 광 스플리터들 사이의 광섬유이고, 드롭 광섬유는 광 스플리터와 광 액세스 네트워크 사용자 단말기 사이의 광섬유이다. 구축된 수동 광 네트워크 시스템들의 수량의 폭발적 증가는 유지 보수 엔지니어의 부족, 과중한 작업부하, 유지 보수 수단의 부족, 및 고장 포인트의 정확한 위치 확인의 어려움을 야기한다. 고장 위치 확인의 어려움은 주로 ODN에 존재하고, 주요 이유는 다량의 ODN이다. 그 결과, 네트워크는 복잡하고, 고장 위치를 신속하게 확인하는 것은 비교적 어렵다.
관련 기술에서, 광 시간 도메인 반사계(Optical Time Domain Reflectometer, OTDR)는 중앙 오피스 끝(OLT 측)에 배치된다. OTDR은 다운링크 송신을 위한 광 신호를 방출한다. 광 신호가 광섬유에서 송신될 때, 광 신호의 일부가 반사되고 후방 산란되어, 역방향 백홀을 통해 OTDR로 복귀하고 OTDR에 의해 검출된다. OTDR은 수신된 광 신호의 수신 전력 및 광 신호를 수신하는 수신 시간을 사용하여 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 확립한다. 송신 거리에서의 수신 전력은 ODN에서의 송신 거리에 있는 모든 분배 광섬유 및 드롭 광섬유에 의해 후방 산란되는 광 신호들의 중첩된 전력, 또는 송신 거리에 있는 모든 분배 광섬유 및 드롭 광섬유에 의해 반사되고 후방 산란되는 광 신호들의 중첩된 전력이다(광섬유는 광섬유의 파괴된 위치에서 광 신호를 반사한다). OTDR은 대응관계에 기초하여, 수신 전력이 갑자기 변하는 위치 포인트를 결정할 수 있고; 위치 포인트에 기초하여, ODN에서의 광섬유가 고장이 있는지를 결정할 수 있다.
광 스플리터가 사용된 후에, 송신 거리에서의 수신 전력은 ODN에서의 송신 거리에 있는 모든 분배 광섬유 및 드롭 광섬유에 의해 후방 산란되는 광 신호들의 중첩된 전력, 또는 송신 거리에 있는 모든 분배 광섬유 및 드롭 광섬유에 의해 반사되고 후방 산란되는 광 신호들의 중첩된 전력이다. 따라서, 수신 전력이 갑자기 변하는 위치 포인트가 획득되더라도, 고장이 있는 분배 광섬유 및 고장이 있는 드롭 광섬유가 결정될 수 없다.
본 출원의 실시예들은 고장 위치 확인 방법, 장치, 및 시스템을 제공한다. 이 출원은 ODN에서 고장 위치를 정확하게 확인하기 위해 사용될 수 있다.
제1 양태에 따르면, 고장 위치 확인 방법이 제공되고, 수동 광 네트워크에 적용된다. 수동 광 네트워크는 ODN을 포함하고, 상이한 파장들의 테스트 광 신호들을 반사하는 반사 컴포넌트는 ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된다. 이 방법은: 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 획득하는 단계- 역방향 백홀은 후방 산란과 반사를 포함하거나 또는 후방 산란을 포함함 -; 제1 대응관계에 기초하여, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계; 및 제2 대응관계에 기초하여 ODN에서 고장 위치를 확인하는 단계를 포함한다.
본 출원에 나타난 해결책에서, 고장 위치를 확인하기 위한 장치는 튜닝가능한 파장을 갖는 OTDR일 수 있다. ODN에서 고장 위치를 확인할 때, 고장 위치 확인 명령어는 OTDR에 전송될 수 있다(예를 들어, OLT는 고장 위치 확인 명령어를 전송한다). OTDR이 고장 위치 확인 명령어를 수신할 때, OTDR은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서의 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 파장들의 테스트 광 신호들을 순차적으로 전송하고, 전송 시간들을 기록할 수 있다. 이러한 파장들 중 임의의 파장의 테스트 광 신호가 ODN을 통과할 때, 파장에 대응하고 ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 포트에서의 반사 컴포넌트는 파장의 테스트 광 신호를 반사(기본적으로 전반사)한다. 그러나, 파장의 테스트 광 신호는 ODN 내의 다른 포트를 통과할 때 완전히 송신된다. 파장의 테스트 광 신호는 ODN 내의 다양한 광섬유들 및 특정 반사 컴포넌트에 의해서만 반사 및 후방 산란되어(광섬유는 파괴될 때 테스트 광 신호를 반사함), 파장의 테스트 광 신호의 일부가 역방향 백홀을 통해 OTDR로 복귀하고 OTDR에 의해 수신된다는 것을 알 수 있다. OTDR은 수신 시간과 수신 전력 사이의 대응관계를 기록할 수 있다. 이러한 방식으로, 파장에 대응하는 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계가 획득된다. OTDR은, 각각의 제1 대응관계를 사용하여, 테스트 광 신호가 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정할 수 있다. OTDR은 각각의 제2 대응관계에 기초하여, ODN에 고장이 존재하는지를 결정하고, 고장 위치 포인트를 결정할 수 있다. 이러한 방식으로, 광 스플리터의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유가 제2 대응관계에 대응하기 때문에, 제2 대응관계를 사용하여, ODN에서의 광섬유(드롭 광섬유, 피더 광섬유, 및 분배 광섬유)에 고장이 존재하는지, 및 고장이 발생한 위치를 정확하게 결정할 수 있다.
가능한 구현에서, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터이다. 제1 대응관계에 기초하여, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계는: ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 단계; 각각의 제1 대응관계를 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계로 변환하는 단계; 및 제3 대응관계 및 각각의 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 수행하여, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 획득하는 단계를 포함한다.
본 출원에 나타난 해결책에서, OTDR은 제3 대응관계를 획득할 수 있다. 제3 대응관계에서, 각각의 송신 거리에 대응하는 중첩된 수신 전력은 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 반사되고 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩, 또는 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩이다. 제1-스테이지 광 스플리터의 제1 포트(제1 포트는 제1-스테이지 광 스플리터의 임의의 포트임)에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계에 대해, OTDR은 제1 대응관계에서의 테스트 광 신호의 방출 시간 및 수신 시간을 사용하여, 제1 대응관계에서의 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 거리를 결정할 수 있다. 그 후, OTDR은 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 만들어, 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계를 획득한다. OTDR은 제3 대응관계 및 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 개별적으로 수행하여, 제4 대응관계에서의 각각의 송신 거리에 대응하는 수신 전력의 차이를 획득할 수 있다. OTDR은 송신 거리와 수신 전력의 차이 사이의 대응관계가 테스트 광 신호가 제1 포트와 제1 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계인 것으로 결정한다. 이러한 방식으로, 제2 대응관계가 정확하게 결정될 수 있다.
가능한 구현에서, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터와 제2-스테이지 광 스플리터를 포함한다. 제1 대응관계에 기초하여, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계는: ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 단계; 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계 및 제3 대응관계에 기초하여, 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제2-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계; 및 각각의 제1 대응관계 및 각각의 제2 대응관계에 기초하여, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계를 포함한다.
본 출원에 나타난 해결책에서, OTDR은 제3 대응관계를 획득할 수 있다. 제3 대응관계에서, 각각의 송신 거리에 대응하는 중첩된 수신 전력은 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 반사되고 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩, 또는 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩이다.
제2-스테이지 광 스플리터의 제2 포트(제2 포트는 제2-스테이지 광 스플리터의 임의의 포트임)에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계에 대해, OTDR은 제1 대응관계에서의 테스트 광 신호의 방출 시간 및 수신 시간을 사용하여, 제1 대응관계에서의 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 거리를 결정할 수 있다. 그 후, OTDR은 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 만들어, 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계를 획득한다. OTDR은 제3 대응관계 및 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 개별적으로 수행하여, 제4 대응관계에서의 각각의 송신 거리에 대응하는 수신 전력의 차이를 획득할 수 있다. OTDR은 송신 거리와 수신 전력의 차이 사이의 대응관계가 테스트 광 신호가 제2 포트와 제2 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계인 것으로 결정한다.
OTDR은, 테스트 광 신호가 제1 포트에 접속된 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트(제1 포트는 제1-스테이지 광 스플리터의 임의의 포트임)와 제2-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계 및 각각의 제1 대응관계를 사용하여, 테스트 광 신호가 제1 포트와 제1 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정할 수 있다. 이러한 방식으로, 제2 대응관계가 정확하게 결정될 수 있다.
가능한 구현에서, ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 단계는: 제1 파장의 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 획득하고, 대응관계를 ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계로서 결정하는 단계- 제1 파장은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호의 파장과 상이함 -; 또는 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 전력과 수신 시간 사이의 제1 대응관계에 기초하여 ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 결정하는 단계를 포함한다.
본 출원에 나타난 해결책에서, OTDR은 제1 파장의 테스트 광 신호를 전송하고, 제1 파장의 테스트 광 신호를 전송하는 전송 시간을 기록할 수 있다. 제1 파장의 테스트 광 신호가 ODN을 통과할 때, ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 포트들에 배치된 모든 반사 컴포넌트는 제1 파장의 테스트 광 신호를 송신하고, ODN 내의 다양한 광섬유들 및 광 스플리터들만이 제1 파장의 테스트 광 신호를 반사 및 후방 산란하거나 또는 후방 산란하여, 제1 파장의 테스트 광 신호의 일부가 OTDR로 복귀하고 OTDR에 의해 수신되게 한다. OTDR은 수신 시간과 수신 전력 사이의 대응관계를 기록하고, 다음으로 수신 시간과 전송 시간 사이의 차이를 사용하여 송신 거리를 결정하여, 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 획득할 수 있는데, 즉, 제3 대응관계를 획득할 수 있다.
대안적으로, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 획득한 후에, OTDR은 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계로 변환할 수 있다. 그 후, OTDR은 이러한 대응관계들에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력을 가산하여 소정 값을 획득하고, 그 후 (m-1)를 그 값으로 나누어 동일한 송신 거리에서의 수신 전력을 획득하는데, 여기서 m은 제1-스테이지 광 스플리터의 포트들의 수량이다. 이러한 방식으로, 각각의 송신 거리에서의 수신 전력이 결정되고, 송신 거리와 수신 전력 사이에 대응관계가 만들어질 수 있어서 제3 대응관계를 획득할 수 있다. 이러한 방식으로, 제1 파장의 테스트 광 신호가 전송될 필요가 없기 때문에, OTDR의 파장 조정 범위가 감소될 수 있다.
가능한 구현에서, 제2 대응관계에 기초하여 ODN에서 고장 위치를 확인하는 단계는: 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 타깃 포트와 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계에 기초하여, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재한다고 결정되면, 비정상 위치 포인트를 타깃 포트와 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유의 고장 위치 포인트로서 결정하는 단계를 포함한다.
본 출원에 나타난 해결책에서, OTDR은, 각각의 제2 대응관계에서, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재하는지를 볼 수 있다. 테스트 광 신호가 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 타깃 포트와 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계에 비정상 위치 포인트가 존재하는 경우, 비정상 위치 포인트는 타깃 포트와 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유의 고장 위치 포인트로서 결정될 수 있다. 이러한 방식으로, ODN 내의 고장이 있는 광섬유가 제공될 뿐만 아니라, 광섬유가 고장이 있는 위치 포인트도 제공된다.
제2 양태에 따르면, 고장 위치 확인 시스템이 제공되고 수동 광 네트워크에 적용되는데, 여기서 이 시스템은 광 시간 도메인 반사계 OTDR을 포함한다.
OTDR은 복수의 파장의 테스트 광 신호들을 출력하도록 구성된다.
OTDR은 제1 양태에 따른 방법을 수행하도록 추가로 구성된다.
제3 양태에 따르면, 고장 위치 확인 시스템이 제공되고 수동 광 네트워크에 적용되는데, 여기서 이 시스템은 광 시간 도메인 반사계 OTDR와 광 회선 단말기 OLT를 포함한다.
OTDR은 복수의 파장의 테스트 광 신호들을 출력하도록 구성된다.
OTDR은 수신된 테스트 광 신호의 수신 전력 및 수신 시간을 검출하도록 추가로 구성된다.
OLT는 OTDR에 대한 통신 접속을 확립한다.
OLT는 제1 양태에 따른 방법을 수행하도록 구성된다.
제4 양태에 따르면, 고장 위치 확인 장치가 제공되는데, 이 장치는 복수의 모듈을 포함하고, 복수의 모듈은 제1 양태에 따른 고장 위치 확인 방법을 구현하기 위한 명령어들을 실행한다.
제5 양태에 따르면, 고장 위치 확인 디바이스가 제공되는데, 여기서 이 고장 위치 확인 디바이스는 프로세서와 메모리를 포함한다.
메모리는 컴퓨터 명령어들을 저장한다.
프로세서는 제1 양태에 따른 방법을 구현하기 위한 컴퓨터 명령어들을 실행한다.
제6 양태에 따르면, 컴퓨터 판독가능 저장 매체가 제공되는데, 여기서 이 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 컴퓨터 명령어들을 저장한다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내의 컴퓨터 명령어들이 고장 위치 확인 디바이스에 의해 실행될 때, 고장 위치 확인 디바이스는 제1 양태에 따른 방법을 수행할 수 있게 된다.
제7 양태에 따르면, 본 출원은 컴퓨터 프로그램 제품을 제공하는데, 여기서 이 컴퓨터 프로그램 제품은 컴퓨터 명령어들을 포함한다. 컴퓨터 명령어들이 고장 위치 확인 디바이스에 의해 실행될 때, 고장 위치 확인 디바이스는 제1 양태에 따른 고장 위치 확인 방법을 수행한다.
도 1은 본 출원의 예시적인 실시예에 따른 적용 시나리오의 개략도이고;
도 2는 본 출원의 예시적인 실시예에 따른 튜닝가능한 OTDR의 구조의 개략도이고;
도 3은 본 출원의 예시적인 실시예에 따른 고장 위치 확인 디바이스의 구조의 개략도이고;
도 4는 본 출원의 예시적인 실시예에 따른 고장 위치 확인 방법의 절차의 개략도이고;
도 5는 본 출원의 예시적인 실시예에 따른 하나의 스테이지의 광 스플리터의 개략도이고;
도 6은 본 출원의 예시적인 실시예에 따른 광 스플리터들의 2개의 스테이지의 개략도이고;
도 7은 본 출원의 예시적인 실시예에 따른 고장 위치 확인 장치의 구조의 개략도이다.
본 출원의 목적들, 기술적 해결책들, 및 장점들을 더 명확하게 하기 위해, 다음은, 본 출원의 구현들을 첨부 도면들을 참조하여 상세히 추가로 설명한다.
본 출원은 PON 시스템에 적용가능하다. 도 1에 도시된 바와 같이, PON 시스템의 구조는 3개의 부분: OLT, ODN, 및 광 액세스 네트워크 사용자 단말기(ONT 등)을 포함한다. ODN은 일반적으로 4개의 부분: 광 스플리터, 피더 광섬유, 분배 광섬유, 및 드롭 광섬유로 분할된다. 피더 광섬유는 OLT와 ODN 사이의 광섬유이고, 분배 광섬유는 다양한 스테이지들에서의 광 스플리터들 사이의 광섬유이고, 드롭 광섬유는 광 스플리터와 광 액세스 네트워크 사용자 단말기 사이의 광섬유이다. 도 1은 2-스테이지 광학 분할을 갖는 ODN의 구조의 도면이다. 단지 1-스테이지 광학 분할만을 갖는 ODN은 피더 광섬유와 드롭 광섬유만을 갖는다.
ODN은 수동 컴포넌트를 포함하기 때문에, ODN에서 광섬유 고장을 식별하기 어렵다. 따라서, 본 출원은 고장 위치 확인 방법을 제공한다. ODN에서 고장 위치를 확인하기 위해, 상이한 파장들의 테스트 광 신호들을 반사하는 반사 컴포넌트가 ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된다. 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트의 반사율은 미리 설정된 값 이상이다. 일반적으로, 미리 설정된 값은 비교적 큰데, 예를 들어, 미리 설정된 값은 99% 또는 98%이다. 예를 들어, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터를 포함하고, 제1-스테이지 광 스플리터는 1*4 광 스플리터이고, 상이한 파장들의 테스트 광 신호들을 반사하는 반사 컴포넌트는 4개의 포트 각각에 배치된다. 반사 컴포넌트는 반사 격자일 수 있거나, 또는 다른 컴포넌트일 수 있다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
또한, PON 시스템은 OTDR을 추가로 포함하는데, 여기서 OTDR은 튜닝가능한 OTDR이다. 본 출원의 이 실시예에서, 튜닝가능한 OTDR은 튜닝가능한 파장을 갖는 OTDR이다. 튜닝가능한 OTDR은, OTDR이 원래의 OTDR에 기초하여, 복수의 파장의 테스트 광 신호들을 전송할 수 있게 된다는 것을 의미한다. 복수의 파장은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호의 파장을 포함한다. 튜닝가능한 OTDR은 수신된 테스트 광 신호의 수신 전력 및 수신 시간을 추가로 검출할 수 있다. 본 명세서에서 수신 전력이 존재하는 이유는, 테스트 광 신호가 광섬유에서 송신될 때 튜닝가능한 OTDR로 후방 산란되고, 테스트 광 신호가 광섬유가 파괴될 때 튜닝가능한 OTDR로 다시 반사되기 때문이거나, 또는 광 스플리터의 포트에 배치된 반사 컴포넌트가 테스트 광 신호를 튜닝가능 OTDR로 다시 반사하기 때문이다. 고장 위치 확인 방법이 튜닝가능한 OTDR에 의해 수행될 때, 튜닝가능한 OTDR은 추가로 고장 위치를 확인할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 튜닝가능한 OTDR의 개략도가 추가로 제공된다. 튜닝가능한 OTDR은 튜닝가능한 파장을 갖는 레이저, 광 결합기/스플리터(예를 들어, 커플러) 또는 서큘레이터, 수신 컴포넌트, 프로세서 등을 포함한다. 튜닝가능한 파장을 갖는 레이저는 복수의 파장의 테스트 광 신호들을 출력하도록 구성된다. 광 결합기/스플리터 또는 서큘레이터는 테스트 광 신호를 전송하고 테스트 광 신호를 수신하도록 구성된다. 수신 컴포넌트는 수신 전력을 검출하도록 구성되고, 프로세서는 수신 시간 등을 기록하도록 구성된다. 도 2는 일부 컴포넌트들만을 도시한다.
본 명세서에서는, 서비스 광 신호와 테스트 광 신호 양자 모두가 존재하면, 서비스 광 신호와 테스트 광 신호를 조합하도록 구성된 파장 분할 멀티플렉서와 같은 컴포넌트가 튜닝가능한 OTDR과 ODN 사이에 추가로 배치될 수 있다는 점에 유의하여야 한다. 이 경우, 컴포넌트는 또한 서비스 광 신호가 OLT와 ODN 사이에서 전송될 때 사용된다.
고장 위치 확인 방법은 고장 위치 확인 디바이스에 의해 수행될 수 있고, 고장 위치 확인 디바이스는 OLT 또는 튜닝가능한 OTDR일 수 있다. 구체적으로, OLT에 의해 수행될 때, 고장 위치 확인 방법은 OLT 내의 보드에 의해 수행될 수 있다. 물론, 고장 위치 확인 디바이스는 단말기 또는 서버와 같은 다른 디바이스일 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 고장 위치 확인 디바이스는 메모리(301)와 프로세서(302)를 포함한다. 메모리(301)는 판독 전용 메모리(Read-Only Memory, ROM), 정적 저장 디바이스, 동적 저장 디바이스 등일 수 있다. 메모리(301)는 컴퓨터 명령어들을 저장할 수 있다. 메모리(301)에 저장된 컴퓨터 명령어들이 프로세서(302)에 의해 실행될 때, 프로세서(302)는 고장 위치 확인 방법을 수행하도록 구성된다. 메모리는 데이터를 추가로 저장할 수 있다. 프로세서(302)는 범용 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit, CPU), ASIC, 그래픽 처리 유닛(Graphics Processing Unit, GPU), 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 프로세서(302)는 하나 이상의 칩을 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 고장 위치 확인 방법의 실행 절차가 제공된다. 이 절차는 고장 위치 확인 장치가 튜닝가능한 파장을 갖는 OTDR인 예를 사용하여 설명된다.
단계 401: 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 획득하는데, 여기서 역방향 백홀은 후방 산란과 반사를 포함하거나 또는 후방 산란을 포함한다.
다운링크 송신은 OLT로부터 ONT로의 송신 방향을 지칭한다. 역방향 백홀은 광섬유의 후방 산란이 존재할 때 발생하거나, 또는 광섬유의 후방 산란 및 반사가 존재할 때 발생한다(예를 들어, 반사는 광섬유가 파괴될 때 발생한다). 또한, 반사 컴포넌트가 테스트 광 신호를 반사할 때 역방향 백홀이 발생할 수도 있다.
이 실시예에서, ODN에서 고장 위치를 확인할 때, 고장 위치 확인 명령어는 OTDR에 전송될 수 있다(예를 들어, OLT는 고장 위치 확인 명령어를 전송한다). OTDR이 고장 위치 확인 명령어를 수신할 때, OTDR은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서의 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 파장들의 테스트 광 신호들을 순차적으로 전송하고, 이러한 파장들의 테스트 광 신호들을 전송하는 전송 시간들을 기록할 수 있다. 이러한 파장들 중 임의의 파장의 테스트 광 신호가 ODN을 통과할 때, 파장에 대응하고 ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 포트에서의 반사 컴포넌트는 파장의 테스트 광 신호를 반사(기본적으로 전반사)한다. 그러나, 파장의 테스트 광 신호는 ODN 내의 다른 포트를 통과할 때 완전히 송신된다. 파장의 테스트 광 신호는 ODN 내의 다양한 광섬유들 및 특정 반사 컴포넌트에 의해서만 반사 및 후방 산란되어(일반적으로, 광섬유는 테스트 광 신호만을 후방 산란하고, 광섬유는 또한 파괴될 때 테스트 광 신호를 반사함), 파장의 테스트 광 신호의 일부가 역방향 백홀을 통해 OTDR로 복귀하고 OTDR에 의해 수신된다는 것을 알 수 있다. OTDR은 수신 시간과 수신 전력 사이의 대응관계를 기록할 수 있다. 이러한 방식으로, 파장에 대응하는 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계가 획득된다. 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서의 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 파장의 테스트 광 신호가 전송될 필요가 있기 때문에, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터에서 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 간의 제1 대응관계가 획득될 수 있다(이하의 설명의 편의를 위해, 이 설명은 광 스플리터의 적어도 하나의 스테이지의 각각의 포트에 대응하는 제1 대응관계가 획득된다는 설명으로서 간략화된다).
단계 402: 제1 대응관계에 기초하여, 테스트 광 신호가 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정한다.
이 실시예에서, OTDR은, 각각의 제1 대응관계를 사용하여, 테스트 광 신호가 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정할 수 있다. 역방향 백홀은 후방 산란 및 반사에 의해 또는 후방 산란에 의해 야기된다. 이러한 방식으로, 후방 산란에 의해 생성된 수신 전력은 대안적으로 광섬유 손실로 변환될 수 있는데, 즉 제2 대응관계는 송신 거리와 광섬유 손실 사이의 대응관계일 수 있다. 후방 산란 및 반사 후에 생성된 수신 전력은 대안적으로 송신 거리 및 반사 이벤트로 변환될 수 있는데, 즉, 제2 대응관계는 대안적으로 송신 거리와 반사 이벤트 사이의 대응관계일 수 있다.
적어도 하나의 스테이지 광 스플리터가 i번째-스테이지 광 스플리터(i는 1 이상임)이고, i번째-스테이지 광 스플리터가 ONT에 직접 접속되는 경우, i번째-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유는 드롭 광섬유라고 지칭될 수 있다. 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터가 i번째-스테이지 광 스플리터이고, i번째-스테이지 광 스플리터가 (i+1)번째-스테이지 광 스플리터에 직접 접속되는 경우, i번째-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 (i+1)번째-스테이지 광 스플리터 사이의 광섬유는 분배 광섬유라고 지칭될 수 있다.
여기서, 이하의 설명의 편의를 위해, "테스트 광 신호가 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계"는 "적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 접속된 광섬유에 대응하는 제2 대응관계"로서 설명된다.
단계 403: 제2 대응관계에 기초하여 ODN에서 고장 위치를 확인한다.
이 실시예에서, OTDR은 단계 402에서 결정된 제2 대응관계에 기초하여, ODN에 고장이 존재하는지를 결정하고, 고장 위치 포인트를 결정할 수 있다.
그 후, OTDR은 ODN에서의 고장 위치 포인트를 운영 및 유지 보수 엔지니어에게 통지할 수 있어, 운영 및 유지 보수 엔지니어는 ODN의 고장 정보를 제시간에 알게 된다.
이러한 방식으로, 테스트 광 신호가 ODN에서의 광섬유의 각각의 세그먼트에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계가 직접 획득될 수 있어, ODN에서의 광섬유(드롭 광섬유, 피더 광섬유, 및 분배 광섬유)에 고장이 존재하는지가 정확하게 결정될 수 있고, 고장이 발생한 위치가 정확하게 결정될 수 있다.
가능한 구현에서, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터이다. 구체적으로, ODN은 하나의 스테이지의 광 스플리터만을 포함하거나, 또는 ODN은 복수의 스테이지의 광 스플리터를 포함하지만 반사 컴포넌트는 제1-스테이지 광 스플리터만의 각각의 포트에 배치된다. 단계 402에서, 제2 대응관계를 결정하는 처리는:
ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 것; 각각의 제1 대응관계를 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계로 변환하는 것; 및 제3 대응관계 및 각각의 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 수행하여, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 획득하는 것을 포함할 수 있다.
이 실시예에서, OTDR은 제3 대응관계를 획득할 수 있다. 제3 대응관계에서, 각각의 송신 거리에 대응하는 중첩된 수신 전력은 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 반사되고 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩, 또는 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩이다.
제1-스테이지 광 스플리터의 제1 포트(제1 포트는 제1-스테이지 광 스플리터의 임의의 포트임)에 대응하는 제1 대응관계에 대해, OTDR은 제1 대응관계를 획득하는 테스트 광 신호의 방출 시간 및 제1 대응관계에서의 수신 시간을 사용하여, 제1 대응관계에서의 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 시간을 결정하고, 그 후 송신 시간을 사용하여 송신 거리를 결정할 수 있다. OTDR은 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 만들어, 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계를 획득한다. OTDR은 제3 대응관계 및 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 개별적으로 수행하여, 제4 대응관계에서의 각각의 송신 거리에 대응하는 수신 전력의 차이를 획득할 수 있다. OTDR은 송신 거리와 수신 전력의 차이 사이의 대응관계가 테스트 광 신호가 제1 포트와 제1 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계인 것으로 결정한다. 구체적으로, 각각의 송신 시간이 송신 거리로 변환될 때, 다음의 공식이 변환을 위해 사용될 수 있다: 송신 거리(D)=(c*t)/2no이고, 여기서 공식에서의 c는 광속을 나타내고, t는 송신 시간, 즉 수신 시간과 전송 시간 사이의 차이를 나타내고, "no"는 ODN에서의 광섬유의 굴절률을 나타낸다.
전술한 방법이 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 대한 처리를 위해 사용되어, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 획득할 수 있다.
예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, ODN은 제1-스테이지 광 스플리터를 포함하고, 제1-스테이지 광 스플리터는 1*3 광 스플리터이고, ONT 1, ONT 2, 및 ONT 3에 접속된다. 제1-스테이지 광 스플리터의 3개의 포트(포트 A, 포트 B, 및 포트 C)에 배치된 반사 격자들은 각각 λ1. λ2 및 λ3의 테스트 광 신호들을 반사한다. 제3 대응관계는 ONT와 포트 A, 포트 B, 및 포트 C 사이에서 광섬유들에 의해 임의의 테스트 광 신호를 반사 및 후방 산란하기 위한 중첩된 전력과 송신 거리 사이의 대응관계, 또는 후방 산란을 위한 중첩된 전력과 송신 거리 사이의 대응관계이다. λ1의 테스트 광 신호가 전송될 때, 포트 A에서의 반사 격자는 λ1의 테스트 광 신호의 대부분을 반사하여, 수신 전력은 ONT와 포트 B 및 포트 C 사이의 광섬유들에 의해 λ1의 테스트 광 신호를 반사하고 후방 산란시키기 위한 중첩된 전력, 또는 후방 산란을 위한 중첩된 전력이 되게 한다. λ2의 테스트 광 신호가 전송될 때, 포트 B에서의 반사 격자는 λ2의 테스트 광 신호를 전반사하여, 수신 전력은 ONT와 포트 A 및 포트 C 사이의 광섬유들에 의해 λ2의 테스트 광 신호를 반사하고 후방 산란시키기 위한 중첩된 전력, 또는 후방 산란을 위한 중첩된 전력이 되게 한다. λ3의 테스트 광 신호가 전송될 때, 포트 C에서의 반사 격자는 λ3의 테스트 광 신호를 전반사하여, 수신 전력은 ONT와 포트 A 및 포트 B 사이의 광섬유들에 의해 λ3의 테스트 광 신호를 반사하고 후방 산란시키기 위한 중첩된 전력, 또는 후방 산란을 위한 중첩된 전력이 되게 한다. 따라서, λ1의 테스트 광 신호를 전송하기 위한 중첩된 전력은 제3 대응관계에서의 수신 전력으로부터 감산되어, 포트 A와 ONT 사이의 광섬유가 테스트 광 신호를 반사하고 후방 산란시킬 때 생성되는 수신 전력, 또는 후방 산란 동안 생성되는 수신 전력을 획득할 수 있다. 유사하게, λ2의 테스트 광 신호를 전송하기 위한 중첩된 전력은 포트 B와 ONT 사이의 광섬유가 테스트 광 신호를 반사하고 후방 산란시킬 때 생성되는 수신 전력, 또는 후방 산란 동안 생성되는 수신 전력을 획득하기 위해 제3 대응관계에서의 수신 전력으로부터 감산될 수 있다. λ3의 테스트 광 신호를 전송하기 위한 중첩된 전력은 제3 대응관계에서의 수신 전력으로부터 감산되어, 포트 C와 ONT 사이의 광섬유가 테스트 광 신호를 반사하고 후방 산란시킬 때 생성되는 수신 전력, 또는 후방 산란 동안 생성되는 수신 전력을 획득할 수 있다. 본 명세서에서는, 제3 대응관계에서의 수신 전력으로부터 중첩된 전력이 감산될 때, 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이에서 감산이 수행된다는 점에 유의해야 한다.
본 명세서에서는, 제1-스테이지 광 스플리터는 ONT에 직접 접속되기 때문에, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 접속된 광섬유는 드롭 광섬유라는 점에 유의해야 한다.
가능한 구현에서, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터와 제2-스테이지 광 스플리터를 포함한다. 구체적으로, ODN은 2개의 스테이지의 광 스플리터만을 포함하거나, 또는 ODN은 복수의 스테이지의 광 스플리터를 포함하지만 반사 컴포넌트는 제1-스테이지 광 스플리터 및 제2-스테이지 광 스플리터만의 각각의 포트에 배치된다. 단계 402에서, 제2 대응관계를 결정하는 처리는:
ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 것; 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계 및 제3 대응관계에 기초하여, 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제2-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 것; 및 각각의 제1 대응관계 및 각각의 제2 대응관계에 기초하여, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 것일 수 있다.
이 실시예에서, OTDR은 제3 대응관계를 획득할 수 있다. 제3 대응관계에서, 각각의 송신 거리에 대응하는 중첩된 수신 전력은 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 반사되고 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩, 또는 송신 거리에서 모든 광섬유에 의해 후방 산란되는 광 신호들의 전력의 중첩이다.
제2-스테이지 광 스플리터의 제2 포트(제2 포트는 제2-스테이지 광 스플리터의 임의의 포트임)에 대응하는 제1 대응관계에 대해, OTDR은 제1 대응관계룰 획득하는 테스트 광 신호의 방출 시간 및 제1 대응관계에서의 수신 시간을 사용하여, 제1 대응관계에서의 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 거리를 결정할 수 있다. 그 후, OTDR은 각각의 수신 시간에 대응하는 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 만들어, 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계를 획득한다. OTDR은 제3 대응관계 및 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 개별적으로 수행하여, 제4 대응관계에서의 각각의 송신 거리에 대응하는 수신 전력의 차이를 획득할 수 있다. OTDR은 송신 거리와 수신 전력의 차이 사이의 대응관계가 테스트 광 신호가 제2 포트와 제2 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계인 것으로 결정한다. 구체적으로, 각각의 송신 시간이 송신 거리로 변환될 때, 다음의 공식이 변환을 위해 사용될 수 있다: 송신 거리(D)=(c*t)/2n이고, 여기서 공식에서의 c는 광속을 나타내고, t는 송신 시간을 나타내고, n은 ODN에서의 광섬유의 굴절률을 나타낸다.
제1-스테이지 광 스플리터의 제1 포트(제1 포트는 제1-스테이지 광 스플리터의 임의의 포트임)에 대해, OTDR은 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 대응하는 제1 대응관계를 획득하고, 이어서 각각의 포트에 대응하는 제1 대응관계에서의 수신 시간을 송신 거리로 변환할 수 있는데, 즉 제1 대응관계를 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계로 변환할 수 있다. OTDR은 제1 포트에 접속된 제2-스테이지 광 스플리터의 모든 포트에 접속된 광섬유들에 개별적으로 대응하는 제2 대응관계들을 획득할 수 있다.
OTDR은 다음의 공식에 따라, 제1 포트에 접속된 광섬유에 대응하는 제2 대응관계에서의 제1 송신 거리에서 수신 전력을 결정할 수 있다:
P=(1/n)*[(P11)-(n-1)*(P0)]-(P21).
이 공식에서, P11은 제1-스테이지 광 스플리터의 제1 포트 이외의 포트들에 대응하는 제1 대응관계에서 제1 송신 거리에서의 수신 전력의 합이고; P0은 제1-스테이지 광 스플리터의 제1 포트에 대응하는 제1 대응관계에서 제1 송신 거리에서의 수신 전력이고; P21은 제1 포트에 접속된 제2-스테이지 광 스플리터의 모든 포트에 개별적으로 접속된 광섬유들에 대응하는 제2 대응관계에서 제1 송신 거리에서의 수신 전력의 합이고; n은 제1-스테이지 광 스플리터의 제1 포트 이외의 포트들의 수량이다.
이러한 방식으로, 제1 포트에 접속된 광섬유에 대응하는 제2 대응관계가 결정될 수 있다. 이 방식은 모든 포트들에 접속된 광섬유들에 대응하는 제2 대응관계들을 획득하기 위해, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 대해 사용될 수 있다.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, ODN은 제1-스테이지 광 스플리터와 제2-스테이지 광 스플리터를 포함한다. 제2-스테이지 광 스플리터는 ONT에 접속된다. 제1-스테이지 광 스플리터는 1*2 광 스플리터이다. 제2-스테이지 광 스플리터는 2개의 1*2 광 스플리터를 포함한다. 제1-스테이지 광 스플리터의 2개의 포트에서의 반사 격자들은 각각 λ1 및 λ2의 테스트 광 신호들을 반사한다. 2개의 포트에 접속된 광섬유는 각각 A 및 B이다. 제2-스테이지 광 스플리터의 2개의 1*2 광 스플리터의 포트들에서의 반사 격자들은 각각 λ3, λ4, λ5, 및 λ6의 테스트 광 신호들을 반사한다. 포트들에 접속된 광섬유들은 각각 C, D, E 및 F이다. OTDR은 각각의 포트에 대응하는 제1 대응관계를 획득하기 위해, λ1, λ2, λ3, λ4, λ5, 및 λ6의 테스트 광 신호들을 순차적으로 전송할 수 있다. λ1의 반사 컴포넌트가 위치하는 포트에 대응하는 제1 대응관계에서의 수신 전력은 B, E, 및 F의 중첩이다(즉, B+E+F). 유사하게, λ2의 반사 컴포넌트가 위치하는 포트에 대응하는 제1 대응관계에서의 수신 전력은 A, C 및 D의 중첩이다(즉, A+C+D). λ3의 반사 컴포넌트가 위치하는 포트에 대응하는 제1 대응관계에서의 수신 전력은 A, B, D, E, 및 F의 중첩이다(즉, A+B+D+E+F). λ4의 반사 컴포넌트가 위치하는 포트에 대응하는 제1 대응관계에서의 수신 전력은 A, B, C, E, 및 F의 중첩이다(즉, A+B+C+E+F). λ5의 반사 컴포넌트가 위치하는 포트에 대응하는 제1 대응관계에서의 수신 전력은 A, B, C, D, 및 F의 중첩이다(즉, A+B+C+D+F). λ6의 반사 컴포넌트가 위치하는 포트에 대응하는 제1 대응관계에서의 수신 전력은 A, B, C, D, 및 E의 중첩이다(즉, A+B+C+D+E). 따라서, A에 대응하는 제2 대응관계가 결정될 때, C와 D는 A+C+D로부터 감산될 수 있다. B에 대응하는 제2 대응관계가 결정될 때, E와 F는 B+E+F로부터 감산될 수 있다. C에 대응하는 제2 대응관계가 결정될 때, A+B+D+E+F는 A+B+C+D+E+F로부터 감산될 수 있다. D에 대응하는 제2 대응관계가 결정될 때, A+B+C+E+F는 A+B+C+D+E+F로부터 감산될 수 있다. E에 대응하는 제2 대응관계가 결정될 때, A+B+C+D+F는 A+B+C+D+E+F로부터 감산될 수 있다. F에 대응하는 제2 대응관계가 결정될 때, A+B+C+D+E는 A+B+C+D+E+F로부터 감산될 수 있다. ODN 내의 각각의 포트에 접속된 광섬유에 대응하는 제2 대응관계가 이러한 방식으로 획득될 수 있다. 본 명세서에서는, A+C+D로부터 C와 D를 감산하는 것은 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산이라는 점에 유의해야 한다. 다른 경우들은 이 경우와 유사하고, 상세사항들은 여기서 다시 설명되지 않는다. B, E, 및 F의 중첩은 광섬유들(B, E, 및 F)의 3개의 세그먼트가 개별적으로 테스트 광 신호를 후방 산란하거나 또는 후방 산란하고 반사한 후에 OTDR에 의해 수신되는 테스트 광 신호의 전력이다.
가능한 구현에서, 송신 거리와 수신 전력 사이에 있고 ODN 내의 모든 광섬유에 대응하는 제3 대응관계는 다음의 2가지 방식으로 결정될 수 있다.
방식 1: 제1 파장의 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 간의 대응관계가 획득되고, 이 대응관계는 ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 간의 제3 대응관계로서 결정되는데, 여기서 제1 파장은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호의 파장과 상이하다.
제1 파장은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호의 파장과 상이하다.
이 실시예에서, ODN에서 고장 위치를 확인할 때, 고장 위치 확인 명령어가 OTDR에 전송될 수 있다. 고장 위치 명령어를 수신할 때, OTDR은 제1 파장의 테스트 광 신호를 전송하고, 제1 파장의 테스트 광 신호를 전송하는 전송 시간을 기록할 수 있다. 제1 파장의 테스트 광 신호가 ODN을 통과할 때, ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 포트들에 배치된 모든 반사 컴포넌트는 제1 파장의 테스트 광 신호를 송신하고, ODN 내의 다양한 광섬유들 및 광 스플리터들만이 제1 파장의 테스트 광 신호를 반사 및 후방 산란하거나 또는 후방 산란시켜(반사는 파괴된 광섬유 또는 반사 컴포넌트의 위치에서 발생함), 제1 파장의 테스트 광 신호의 일부가 OTDR로 복귀하고 OTDR에 의해 수신되게 한다. OTDR은 수신 시간과 수신 전력 사이의 대응관계를 기록하고, 이어서 수신 시간과 전송 시간 사이의 차이를 사용하여 송신 거리를 결정하여(송신 거리는 전술한 공식을 사용하여 직접 결정될 수 있고, 상세사항들은 본 명세서에서 설명되지 않음), 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 획득할 수 있는데, 즉, 제3 대응관계를 획득할 수 있다. ODN 내의 반사 컴포넌트들 중 어느 것도 제1 파장의 테스트 광 신호를 반사하지 않기 때문에, 제1 파장의 테스트 광 신호는 ODN 내의 모든 광섬유를 통과할 수 있다. 따라서, 검출된 수신 전력은 모든 광섬유가 제1 파장의 테스트 광 신호를 후방 산란한 후에 획득된 중첩된 전력, 또는 후방 산란 및 반사 후에 획득된 중첩된 전력이다. 본 명세서에서는, 제3 대응관계가 먼저 획득될 수 있고, 이어서 제1 대응관계가 결정되거나, 또는 제1 대응관계가 먼저 결정될 수 있고, 이어서 제3 대응관계가 결정된다는 점에 유의해야 한다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
방식 2: ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계는 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 전력과 수신 시간 사이의 제1 대응관계에 기초하여 결정된다.
이 실시예에서, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 대응하는 제1 대응관계를 획득한 후에, OTDR은 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 대응하는 제1 대응관계를 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계로 변환할 수 있다. 그 후, OTDR은 이러한 대응관계들에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력을 가산하여 소정 값을 획득하고, 그 후 (m-1)를 그 값으로 나누어 동일한 송신 거리에서의 수신 전력을 획득한다. 이러한 방식으로, 각각의 송신 거리에서의 수신 전력이 결정되고, 송신 거리와 수신 전력 사이에 대응관계가 만들어져서 송신 거리와 수신 전력 사이에 있고 ODN 내의 모든 광섬유에 대응하는 제3 대응관계들을 획득할 수 있다. 이러한 방식으로, OTDR의 파장 조정 범위가 감소될 수 있다. 방식 2에서, m은 제1-스테이지 광 스플리터의 포트들의 수량이다.
가능한 구현에서, 단계 403에서, 다음의 방식으로 ODN에서 고장 위치를 확인할 수 있다.
테스트 광 신호가 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 제1 포트와 제1 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계에 기초하여, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재한다고 결정되면, 비정상 위치 포인트는 제1 포트와 제1 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유의 고장 위치 포인트로서 결정된다.
이 실시예에서, OTDR은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 접속된 광섬유에 대응하는 제2 대응관계에서, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재하는지를 볼 수 있다. 타깃 포트에 접속된 광섬유에 대응하는 제2 대응관계에서 비정상 위치 포인트가 존재하는 경우, 타깃 포트에 접속된 광섬유가 ODN 내의 고장이 있는 광섬유라고 결정되고, 비정상 위치 포인트는 타깃 포트에 접속된 광섬유의 고장 위치 포인트로서 결정될 수 있다. 이러한 방식으로, ODN 내의 고장이 있는 광섬유가 제공될 뿐만 아니라, 광섬유가 고장이 있는 위치 포인트도 제공된다.
본 명세서에서는, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재하는지는 다음의 이유로 인해 제2 대응관계에 기초하여 결정될 수 있다는 점에 유의해야 한다: 통상적으로, 테스트 광 신호가 광섬유에서 송신될 때, 송신 거리가 더 길어짐에 따라 수신 전력은 더 작아진다(이것은 광섬유에서의 송신에 대해서만 설명되고, 테스트 광 신호가 ONT에 송신되기 때문에 수신 전력도 더 커진다). 그러나, 광섬유가 분할되거나 파괴될 때, 테스트 광 신호에 대해 비교적 큰 반사율이 존재하며, 이는 비교적 큰 수신 전력을 야기한다. 따라서, 고장 위치는 수신 전력이 갑자기 변하는 위치 포인트에 기초하여 결정될 수 있다.
전술한 내용은 OTDR이 고장 위치 확인 장치인 예를 사용하여 설명된다. OLT가 고장 위치 확인 장치로서 사용될 때, OLT는 OTDR에 대한 통신 접속을 확립하고, OTDR 및 제1 대응관계에서의 각각의 수신 시간에 대응하는 전송 시간으로부터 제1 대응관계를 획득할 수 있다. 그 후, OLT는 제1 대응관계에 기초하여 후속 처리를 수행하고, 후속 처리는 OTDR에 의해 수행된 것과 동일하다. 상세사항들은 본 명세서에서 다시 설명하지 않는다.
본 출원의 이 실시예에서, 모든 설명된 전력은 수신 전력이라는 점에 유의해야 한다. 물론, 수신 전력은 대안적으로 ODN에서 고장 위치를 확인하기 위해 광섬유 손실로 변환될 수 있다. 구체적으로, 수신 전력과 광섬유 손실 사이의 변환을 위한 공식은 다음과 같다:
광섬유 손실=10*log(수신 전력/1mW), 여기서 mW는 밀리와트를 나타내고, 광섬유 손실의 단위는 dB이다.
본 출원의 이 실시예에서, 테스트 광 신호가 ODN 내의 각각의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 획득하여 광섬유가 고장이 있는지를 정확하게 결정한다. 따라서, 고장 위치를 ODN에서 더 정확하게 확인할 수 있다.
도 7은 본 출원의 실시예에 따른 고장 위치 확인 장치의 구조의 도면이다. 이 장치는 소프트웨어, 하드웨어, 또는 이들의 조합을 사용하여 완전히 또는 부분적으로 구현될 수 있다. 이 장치는 수동 광 네트워크에 적용된다. 수동 광 네트워크는 ODN을 포함하고, 상이한 파장들의 테스트 광 신호들을 반사하는 반사 컴포넌트는 ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된다. 본 출원의 이 실시예에서 제공되는 장치는 본 출원의 실시예들에서 도 4의 절차를 구현할 수 있다. 이 장치는 획득 모듈(710)과 결정 모듈(720)을 포함한다.
획득 모듈(710)은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 획득하도록 구성되는데, 여기서 역방향 백홀은 후방 산란 및 반사를 포함하거나 또는 후방 산란을 포함한다. 획득 모듈(710)은 단계 401에서의 획득 기능 및 단계 401에 포함된 숨겨진 단계를 구현하도록 구체적으로 구성될 수 있다.
결정 모듈(720)은, 제1 대응관계에 기초하여, 테스트 광 신호가 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하고; 제2 대응관계에 기초하여 ODN에서 고장 위치를 확인하도록 구성된다. 결정 모듈(720)은 단계 402 및 단계 403에서의 결정 기능들, 및 단계 402 및 단계 403에 포함된 숨겨진 단계들을 구현하도록 구체적으로 구성될 수 있다.
가능한 구현에서, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터이다.
결정 모듈(720)은:
ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하고;
각각의 제1 대응관계를 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계로 변환하고;
제3 대응관계 및 각각의 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 수행하여, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 획득하도록 구성된다.
가능한 구현에서, 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터와 제2-스테이지 광 스플리터를 포함한다.
결정 모듈(720)은:
ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하고;
제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계 및 제3 대응관계에 기초하여, 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제2-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하고;
각각의 제1 대응관계 및 각각의 제2 대응관계에 기초하여, 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하도록 구성된다.
가능한 구현에서, 결정 모듈(720)은:
제1 파장의 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 획득하고, 대응관계를 ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계로서 결정하거나- 제1 파장은 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호의 파장과 상이함 -; 또는
제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 전력과 수신 시간 사이의 제1 대응관계에 기초하여 ODN에서의 송신 거리와 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 결정하도록 구성된다.
가능한 구현에서, 결정 모듈(720)은:
적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 타깃 포트와 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계에 기초하여, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재한다고 결정되면, 비정상 위치 포인트를 타깃 포트와 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유의 고장 위치 포인트로서 결정하도록 구성된다.
본 출원의 실시예들에서의 모듈들로의 분할은 일례이고, 단지 논리적 기능들로의 분할이고, 실제 구현 동안 다른 분할일 수 있다. 또한, 본 출원의 실시예들에서의 기능 모듈들은 하나의 프로세서에 통합될 수 있거나, 또는 각각의 모듈들이 물리적으로 단독으로 존재할 수 있거나, 또는 2개 이상의 모듈이 하나의 모듈에 통합될 수 있다. 통합 모듈은 하드웨어의 형태로 구현되거나, 또는 소프트웨어 기능 모듈의 형태로 구현될 수 있다.
전술한 실시예들은 소프트웨어, 하드웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합을 사용하여 전부 또는 부분적으로 구현될 수 있다. 소프트웨어를 사용하여 구현될 때, 전술한 실시예들은 컴퓨터 프로그램 제품의 형태로 전부 또는 부분적으로 구현될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 하나 이상의 컴퓨터 명령어를 포함한다. 이러한 컴퓨터 프로그램 명령어들이 OLT 상에서 로딩되고 실행될 때, 본 출원의 실시예들에 따른 절차들 또는 기능들의 전부 또는 일부가 생성된다. 컴퓨터 명령어들은 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 저장되거나, 하나의 컴퓨터 판독가능 저장 매체로부터 다른 컴퓨터 판독가능 저장 매체로 송신될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 하나 이상의 사용가능 매체들을 통합하는 서버 또는 데이터 센터와 같은 OLT 또는 데이터 저장 디바이스에 의해 액세스가능한 임의의 사용가능 매체일 수 있다. 사용가능 매체는 (플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 자기 테이프와 같은) 자기 매체일 수 있거나, (디지털 비디오 디스크(Digital Video Disk, DVD)와 같은) 광학 매체 또는 (고체 상태 디스크와 같은) 반도체 매체일 수 있다.

Claims (13)

  1. 수동 광 네트워크에 적용되는 고장 위치 확인 방법으로서,
    상기 수동 광 네트워크는 광 분배 네트워크 ODN을 포함하고, 상이한 파장들의 테스트 광 신호들을 반사하는 반사 컴포넌트가 상기 ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치되고, 상기 방법은:
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 상기 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 획득하는 단계- 역방향 백홀은 후방 산란과 반사를 포함하거나 또는 후방 산란을 포함함 -;
    상기 제1 대응관계에 기초하여, 상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계; 및
    상기 제2 대응관계에 기초하여 상기 ODN에서 고장 위치를 확인하는 단계를 포함하는 고장 위치 확인 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터이고;
    상기 제1 대응관계에 기초하여, 상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계는:
    상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 단계;
    각각의 제1 대응관계를 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계로 변환하는 단계; 및
    상기 제3 대응관계 및 각각의 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 수행하여, 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 획득하는 단계를 포함하는 고장 위치 확인 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터와 제2-스테이지 광 스플리터를 포함하고;
    상기 제1 대응관계에 기초하여, 상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계는:
    상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 단계;
    상기 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계 및 상기 제3 대응관계에 기초하여, 상기 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 제2-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계; 및
    각각의 제1 대응관계 및 각각의 제2 대응관계에 기초하여, 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하는 단계를 포함하는 고장 위치 확인 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하는 단계는:
    제1 파장의 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 획득하고, 상기 대응관계를 상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 상기 제3 대응관계로서 결정하는 단계- 상기 제1 파장은 상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서 상기 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호의 파장과 상이함 -; 또는
    상기 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 전력과 수신 시간 사이의 제1 대응관계에 기초하여 상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 결정하는 단계를 포함하는 고장 위치 확인 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 대응관계에 기초하여 상기 ODN에서 고장 위치를 확인하는 단계는:
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 타깃 포트와 상기 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계에 기초하여, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재한다고 결정되면, 상기 비정상 위치 포인트를 상기 타깃 포트와 상기 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 상기 광섬유의 고장 위치 포인트로서 결정하는 단계를 포함하는 고장 위치 확인 방법.
  6. 수동 광 네트워크에 적용되는 고장 위치 확인 시스템으로서,
    상기 시스템은 광 시간 도메인 반사계(optical time domain reflectometer) OTDR 및 광 회선 단말기(optical line terminal) OLT를 포함하고,
    상기 OTDR은 복수의 파장의 테스트 광 신호들을 출력하도록 구성되고;
    상기 OTDR은 수신된 테스트 광 신호의 수신 전력 및 수신 시간을 검출하도록 추가로 구성되고;
    상기 OLT는 상기 OTDR에 대한 통신 접속을 확립하고;
    상기 OLT는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하도록 구성되는 고장 위치 확인 시스템.
  7. 수동 광 네트워크에 적용되는 고장 위치 확인 장치로서,
    상기 수동 광 네트워크는 광 분배 네트워크 ODN을 포함하고, 상이한 파장들의 테스트 광 신호들을 반사하는 반사 컴포넌트가 상기 ODN 내의 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치되고, 상기 장치는:
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 상기 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계를 획득하도록 구성된 획득 모듈- 역방향 백홀은 후방 산란과 반사를 포함하거나 또는 후방 산란을 포함함 -; 및
    상기 제1 대응관계에 기초하여, 상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하고; 상기 제2 대응관계에 기초하여 상기 ODN에서 고장 위치를 확인하도록 구성된 결정 모듈을 포함하는 고장 위치 확인 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터이고;
    상기 결정 모듈은:
    상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하고;
    각각의 제1 대응관계를 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제4 대응관계로 변환하고;
    상기 제3 대응관계 및 각각의 제4 대응관계에서 동일한 송신 거리에서의 수신 전력 사이의 감산을 수행하여, 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 획득하도록 구성되는 고장 위치 확인 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터는 제1-스테이지 광 스플리터와 제2-스테이지 광 스플리터를 포함하고;
    상기 결정 모듈은:
    상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 획득하고;
    상기 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 시간과 수신 전력 사이의 제1 대응관계 및 상기 제3 대응관계에 기초하여, 상기 제2-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 제2-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하고;
    각각의 제1 대응관계 및 각각의 제2 대응관계에 기초하여, 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트와 상기 제1-스테이지 광 스플리터의 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계를 결정하도록 구성되는 고장 위치 확인 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 결정 모듈은:
    제1 파장의 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 대응관계를 획득하고, 상기 대응관계를 상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 상기 제3 대응관계로서 결정하거나- 상기 제1 파장은 상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 각각의 포트에서 상기 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호의 파장과 상이함 -; 또는
    상기 제1-스테이지 광 스플리터의 각각의 포트에 배치된 반사 컴포넌트에 의해 반사될 수 있는 테스트 광 신호가 상기 ODN에서 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 수신 전력과 수신 시간 사이의 제1 대응관계에 기초하여 상기 ODN에서의 송신 거리와 상기 ODN 내의 모든 광섬유의 중첩된 수신 전력 사이의 제3 대응관계를 결정하도록 구성되는 고장 위치 확인 장치.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 결정 모듈은:
    상기 적어도 하나의 스테이지의 광 스플리터의 타깃 포트와 상기 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 광섬유에서 테스트 광 신호가 다운링크 송신에 있을 때 발생하는 역방향 백홀 동안의 송신 거리와 수신 전력 사이의 제2 대응관계에 기초하여, 수신 전력이 갑자기 변하는 비정상 위치 포인트가 존재한다고 결정되면, 상기 비정상 위치 포인트를 상기 타깃 포트와 상기 타깃 포트에 접속된 컴포넌트 사이의 상기 광섬유의 고장 위치 포인트로서 결정하도록 구성되는 고장 위치 확인 장치.
  12. 고장 위치 확인 디바이스로서,
    상기 고장 위치 확인 디바이스는 프로세서와 메모리를 포함하고,
    상기 메모리는 컴퓨터 명령어들을 저장하고;
    상기 프로세서는 상기 컴퓨터 명령어들을 실행하여 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 방법을 구현하는 고장 위치 확인 디바이스.
  13. 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서,
    상기 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 컴퓨터 명령어들을 저장하고; 상기 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내의 상기 컴퓨터 명령어들이 고장 위치 확인 디바이스에 의해 실행될 때, 상기 고장 위치 확인 디바이스는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행할 수 있게 되는 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
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