KR20230000665A - 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
본 발명의 실시예는 a)기판(10)과 크롬층(20) 및 레지스트리(도시되지 않음)가 순차 적층되는 단계와, b)마스크를 설치하고, 노광하는 단계와, c)현상 및 에칭하여 크롬층(20)에 패턴을 형성하는 단계 및 d)페리클(31)(Pellicle) 및 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)을 설치하는 단계를 포함하고, c)단계에서 패턴이 형성되는 영역을 제외한 나머지 크롬층(20)을 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법을 포함한다.
Description
본 발명은 레티클(Reticle) 취급시 발생되는 정전기에 의한 패턴(Pattern)의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 방법에서, 포토리소그래피(photolithography) 기술이 반도체 기판(10) 상에 패턴 형성을 위해 사용된다. 포토리소그래피에서, 포토 마스크 패턴은 축소 투영 노광 장치에 의해 반도체 기판(10) 상에 증착된 감광성 수지(photosensitive resin) 상으로 전사되어, 감광성 수지의 소망 패턴이 현상되어 얻어진다.
포토 마스크는 투명 기판(10) 상에 차광층을 증착시키고, 이 차광층을 부분적으로 제거하여, 투과 영역과 차광층 영역을 형성함으로서 형성된 투영 노광용 네가티브 플레이트이다. 즉, 투영 노광장치의 축소비(포토 마스크상의 패턴 크기 대 형성된 화상의 크기)는 1:1이 아니며, 축소 투영 노광의 네가티브 플레이트를, 특히 레티클(Reticle))이라 한다.
그러나 종래의 레티클(Reticle)은 이송과정에서 접촉되는 로봇암 또는 작업자의 접촉에 의해 정전기가 발생될 수 있다. 이와 같은 정전기는 도 1에 도시된 바와 같이 패턴을 손상을 주는 문제점이 있었다.
따라서 기존에는 레티클(Reticle)의 제조과정에서 정전기를 방지하기 위하여 주변 환경이나 작업복 및 기타 정전기 방지를 위하여 다양한 기술들이 제안되었다. 따라서 종래에는 정전기 방지를 위한 기술이나 환경을 조성하기 위하여 보다 많은 비용을 지출할 수 밖에 없었다.
그러므로 근본적으로 레티클(Reticle) 자체 내에 정전기를 발생할 수 없는 구성으로 제조할 수 있는 기술이 요구되었으나, 현재까지 이와 같은 시장의 니즈에 부합된 기술이 제안되지 못했다.
그러므로 본 발명은 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법을 제공하는 것으로 목적으로 한다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성할 수 있도록 하기와 같은 실시예를 포함한다.
본 발명의 실시예는 a)기판과 크롬층 및 레지스트리가 순차 적층되는 단계와, b)마스크를 설치하고, 노광하는 단계와, c)현상 및 에칭하여 크롬층에 패턴을 형성하는 단계 및 d)페리클(Pellicle) 및 페리클 프레임(Pellicle Frame)을 설치하는 단계를 포함하고, c)단계에서 패턴이 형성되는 영역을 제외한 나머지 크롬층을 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법을 제공할 수 있다.
위 실시예에서, a)단계 내지 c) 단계의 크롬층은 페리클 프레임(Pellicle Frame)의 설치되는 지점을 기준으로 내측에 위치되어 패턴이 형성되는 패턴층과, 외측에 위치되어 크롬이 제거되는 외곽층으로 설정되는 것을 특징으로 한다.
위 실시예에서, d)단계의 페리클 프레임은 패턴층과 외곽층의 경계지점에 접착되는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명은 레티클(Reticle)에 정전기를 방지할 수 있어 레티클(Reticle) 제조 과정에서의 불량율을 낮출 수 있고, 레티클 구조 자체에 정전기를 방지할 수 있는 특성을 추가함에 따라 비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 레티클(Reticle)의 예를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 3은 S110 단계를 간략 도시한 도면이다.
도 4는 S130 단계를 도시한 도면이다.
도 5는 S150 단계를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 3은 S110 단계를 간략 도시한 도면이다.
도 4는 S130 단계를 도시한 도면이다.
도 5는 S150 단계를 도시한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있지만, 특정 실시예를 도면에 예시하여 상세하게 설명하고자 한다. 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 서로 다른 방향으로 연장되는 구조물을 연결 및/또는 고정시키기 위한 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물중 어느 하나에 해당되는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명에 따른 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법을 도시한 순서도이고, 도 3 내지 도 5는 각 단계를 간략 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명은 기판(10)에 크롬층(20) 및 레지스트리(도시되지 않음)를 순차 형성하는 S100 단계와, 노광하는 S120 단계와, 현상 및 에칭으로 크롬 패턴 형성 및 외곽층(22)을 제거하는 S130 단계와, 레지스트리(도시되지 않음)를 제거하는 S140 단계와, 페리클(31)(Pellicle) 및 페리클 프레임(32)을 설치하는 S150 단계를 포함한다.
S110 단계는 기판(10)에 크롬층(20)과 레지스트리(도시되지 않음)를 순차 적층하는 단계이다. 여기서 기판(10)은 투명기판(10)을 적용할 수 있고, 크롬층(20)은 투명기판(10)에 도포되어 빛을 차단하도는 크롬(Cr)으로 이루어진다. 레지스트리(도시되지 않음)는 광의 조사 여부에 따라 감응하는 화학 물질인 포토레지스트일 수 있다. 즉, 레지스트리(도시되지 않음)는 감광막을 형성한다. 이와 같은 투명기판(10) 및 크롬층(20)은 도 3에 그 일예가 도시되었다. 다만 도 3에는 레지스트리(도시되지 않음)를 생략하였다.
S120 단계는 기판(10)과 크롬층(20) 및 레지스트리(도시되지 않음)가 순차 적층되는 시료에 광을 투사하여 노광하는 단계이다. 노광은 레지스트리(도시되지 않음)의 상부에 마스크가 설치된 이후에 광을 조사하면서 이루어진다. 여기서 마스크는 크롬층(20)에서 패턴이 형성되는 패턴층(20a)과, 외곽층(20b)으로 구분되도록 설정된다.
S130 단계는 노광 이후에 현장 및 에칭 공정을 통하여 크롬층(20)에 패턴을 형성하고, 설정된 외곽층(22)을 제거하는 단계이다. 여기서 크롬층(20)은 후술되는 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)의 결합위치를 기준으로 패턴이 형성되는 영역으로 설정된 패턴층(21)과 크롬이 제거되는 외곽층(22)으로 형성된다.
예를 들면, 패턴층(21)은 패턴이 형성되는 영역이며, 외곽층(22)은 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)의 외측에 위치되는 영역으로서 크롬(Cr)이 제거된 영역이다.
정전기는 일반적으로 레티클(Reticle)을 이송하는 로봇암과의 접촉 또는 작업자의 접촉으로 인해 발생될 수 있다. 이때, 주 접촉 지점은 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)의 외측에 형성되는 외곽층(22)에 해당된다.
종래에는 이와 같은 외곽층(22)에도 크롬층(20)이 형성됨에 따라 로봇암 및 작업자 또는 기타 물건의 접촉시에 정전기가 발생하였다.
따라서 본 발명은 이와 같은 접촉 영역인 외곽층(22)의 크롬을 제거하는 것을 특징으로 한다.
즉, S130 단계는 현상 및 에칭공정으로 크롬층(20)에 패턴을 형성하고, 패턴이 형성되는 패턴이 형성된 패턴층을 제외한 나머지 영역에서 크롬을 모두 제거하는 단계이다. 이는 도 4에 그 예가 도시되었다.
S140 단계는 레지스트리(도시되지 않음)를 제거하는 단계이다. 레지스트리(도시되지 않음) 제거 공정은 일반적으로 공지된 기술임에 따라 그 설명을 생략한다.
S150 단계는 페리클(31)(Pellicle) 및 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)을 부착하는 단계이다. 여기서 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)은 패턴층(21)과 외곽층(22) 사이의 경계선에 해당된다. 따라서 패턴층(21)은 페리클(31)(Pellicle) 및 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)의 의해 밀폐되고, 크롬(Cr)이 제거된 외곽층(22)은 외부로 노출된다.
따라서 로봇암은 크롬이 제거된 외곽층(22)에 접촉되어 레티클(Reticle)을 이송할 수 있다. 이와 같은 로봇암의 접촉된 지점은 크롬이 제거됨에 따라 종래와 같은 정전기가 발생되지 않는다.
즉. 본 발명은 레티클(Reticle)에 정전기를 방지하기 위하여 추가적인 정전기 방지용 치구를 적용하는 것이 아닌 레티클(Reticle) 자체의 구조를 개선하여 정전기를 방지함에 따라 보다 저렴함 비용으로 정전기에 의한 불량을 방지할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해 되어서는 안될 것이다.
10 : 기판
20 : 크롬층
20a, 21 : 패턴층
20b, 22 : 외곽층
31 : 페리클
32 : 페리클 프레임
20 : 크롬층
20a, 21 : 패턴층
20b, 22 : 외곽층
31 : 페리클
32 : 페리클 프레임
Claims (3)
- a)기판(10)과 크롬층(20) 및 레지스트리(도시되지 않음)가 순차 적층되는 단계;
b)마스크를 설치하고, 노광하는 단계;
c)현상 및 에칭하여 크롬층(20)에 패턴을 형성하는 단계; 및
d)페리클(31)(Pellicle) 및 페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)을 설치하는 단계; 를 포함하고,
c)단계에서
패턴이 형성되는 영역을 제외한 나머지 크롬층(20)을 모두 제거하는 것; 을 특징으로 하는 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서, a)단계 내지 c) 단계에서, 크롬층(20)은
페리클 프레임(32)(Pellicle Frame)의 설치되는 지점을 기준으로 내측에 위치되어 패턴이 형성되는 패턴층(21)과, 외측에 위치되어 크롬이 제거되는 외곽층(22)으로 설정되는 것;을 특징으로 하는 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법.
- 청구항 2에 있어서, d)단계에서 페리클 프레임은
패턴층과 외곽층의 경계지점에 접착되는 것;을 특징으로 하는 정전기에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 레티클 제조 방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR20230000665A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070107810A (ko) | 2000-09-18 | 2007-11-07 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 이중층 레티클 블랭크 및 이것의 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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