KR20220169707A - Semiconductor processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same - Google Patents

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Abstract

A semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a wafer position adjusting part for flipping a wafer including a plurality of diced dies to allow the surface of the die to face a substrate; and a die bonding device configured to pressurize and bond the die of the wafer to be bonded to the substrate. The wafer position adjusting part is configured to simultaneously flip the plurality of dies.

Description

반도체 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법{SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}Semiconductor processing device and method of manufacturing a semiconductor device using the same

본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing technology, and more particularly, to a semiconductor processing apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

플립 칩 본딩 공정은 플립 칩 제품으로 절단된 웨이퍼에서 개별 칩으로 뒤집어(flip), 접착제를 도포한 후, 접착제가 도포된 칩을 전기 회로 기판에 안착시키는 공정일 수 있다.The flip-chip bonding process may be a process of flipping a wafer cut into flip-chip products into individual chips, applying an adhesive, and then seating the chip to which the adhesive is applied on an electric circuit board.

이때, 플립 칩 본딩 장치는 절단된 낱개의 칩으로 분리하고, 분리된 칩을 뒤집는 동작을 반복수행하기 때문에, 개별 칩 단위로 회전할 수 있는 공간이 확보되어야 한다. 또한, 플립 칩 본딩 장치는 뒤집힌 칩을 보관할 수 있는 공간이 확보되어야, 보관된 칩을 본딩을 위한 이동 공간 또한 확보되어야 한다. At this time, since the flip-chip bonding device separates into individual cut chips and repeatedly performs an operation of flipping the separated chips, a space capable of rotating in units of individual chips must be secured. In addition, the flip-chip bonding device must secure a space for storing the flipped chip, and a moving space for bonding the stored chip must also be secured.

이와 같은 플립 칩 본딩 장치는 별도의 공간들이 확보되어야 하며, 칩 단위로 공정이 진행되어야 하므로 작업 시간이 증대될 수 있다.In such a flip-chip bonding device, separate spaces must be secured and processing must be performed in units of chips, so working time can be increased.

본 발명의 실시 예는 다이의 본딩 성능이 향상된 반도체 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.An embodiment of the present invention is to provide a semiconductor processing device with improved die bonding performance and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 처리 장치는, 복수 개로 다이싱된 다이를 포함하는 웨이퍼의 상기 다이의 표면을 기판과 대향되도록 상기 웨이퍼를 플립하는 웨이퍼 위치 조절부; 및 상기 웨이퍼의 본딩 대상 다이를 가압하여 상기 기판에 본딩시키도록 구성되는 다이 본딩 장치를 포함하며, 상기 웨이퍼 위치 조절부는 상기 복수의 다이를 동시에 플립하도록 구성된다. A semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a wafer position adjusting unit for flipping a wafer including a plurality of diced dies so that a surface of the die faces a substrate; and a die bonding device configured to pressurize and bond dies of the wafer to be bonded to the substrate, wherein the wafer position adjusting unit is configured to simultaneously flip the plurality of dies.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 방법은, 개별의 다이로 다이싱된 웨이퍼를 투입하는 단계, 상기 웨이퍼의 다이와 표면과 기판이 대향되도록 상기 웨이퍼를 위치 이동시키는 단계, 본딩 대상 다이와 상기 기판의 예정 영역을 얼라인하는 단계, 상기 본딩 대상 다이의 상부에 다이 본딩 장치를 이동시키는 단계, 및 다이 본딩 장치를 상기 본딩 대상 다이 방향으로 가압하여, 상기 기판에 본딩하는 단계를 포함한다. A semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention includes the step of inputting a wafer diced into individual dies, the step of positionally moving the wafer so that the die and the surface of the wafer face each other, and the predetermined bonding target die and the substrate. The method may include aligning regions, moving a die bonding device above the die to be bonded, and bonding the die bonding device to the substrate by pressing the die bonding device toward the die to be bonded.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 방법은, 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 웨이퍼를 제공하는 단계; 상기 웨이퍼의 상기 제 1 표면에 소자들을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼를 개별의 다이로 다이싱하는 단계; 상기 웨이퍼의 제 2 표면에 접착층을 도포하는 단계; 상기 웨이퍼의 제 1 면이 기판 처리 장치에 로딩되어 있는 기판 표면과 대향할 수 있도록 상기 웨이퍼를 사전 플립하는 단계; 플립된 상기 웨이퍼를 상기 기판 처리 장치에 투입하는 단계; 상기 웨이퍼의 본딩 대상 다이와 상기 기판의 예정 영역을 얼라인하는 단계; 상기 본딩 대상 다이의 상부에 다이 본딩 장치를 이동시키는 단계; 및 상기 다이 본딩 장치를 이용하여, 상기 다이를 픽업한 후, 상기 본딩 대상 다이 방향으로 가압하여, 상기 기판에 본딩하는 단계를 포함한다.A semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention includes providing a wafer having a first surface and a second surface; forming devices on the first surface of the wafer; dicing the wafer into individual dies; applying an adhesive layer to the second surface of the wafer; flipping the wafer in advance so that the first side of the wafer faces the surface of the substrate loaded in the substrate processing apparatus; putting the flipped wafer into the substrate processing apparatus; aligning a die to be bonded of the wafer and a predetermined area of the substrate; moving a die bonding device above the die to be bonded; and using the die bonding device to pick up the die, press it toward the die to be bonded, and bond the die to the substrate.

본 실시 예들에 따르면, 칩 본딩 시 개별 칩 단위로 뒤집고 이동시켜야 하는 공정을 웨이퍼 단위로 수행하기 때문에, 반도체 제조 공정에서 발생할 수 있는 개별 칩 단위별로 발생하는 회전, 보관 및 이동에 따른 시간을 줄여 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present embodiments, since the process of flipping and moving individual chips during chip bonding is performed in wafer units, productivity is reduced by reducing the time required for rotation, storage, and movement of individual chip units that may occur in the semiconductor manufacturing process. can improve

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 처리 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 위치 조절부의 구성을 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 실시 예에 따른 다이 본딩 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 다른 반도체 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.1 is a diagram showing the configuration of a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing the configuration of a wafer position adjusting unit according to an embodiment of the present invention.
3A to 3B are diagrams showing the configuration of a die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart for explaining a semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
5A to 5C are exemplary diagrams for explaining a semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
6A to 6D are exemplary diagrams for explaining a semiconductor manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described based on the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 처리 장치의 구성을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 위치 조절부의 구성을 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing the configuration of a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a wafer position adjusting unit according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참고하면, 반도체 처리 장치(100)는 웨이퍼 위치 조절부(110), 다이 본딩 장치(140) 및 제어부(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the semiconductor processing apparatus 100 may include a wafer position adjusting unit 110 , a die bonding apparatus 140 and a control unit 150 .

상기 웨이퍼 위치 조절부(110)는 각각 분리된 상태의 복수의 다이(311, 혹은 칩)를 포함하되 일면에 점착 테이프(320)가 점착된 웨이퍼(310)의 위치를 조절할 수 있다. 이때, 점착 테이프(320)는 라미네이션 필름(lamination film)일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The wafer position adjusting unit 110 may adjust the position of the wafer 310 including a plurality of dies 311 (or chips) in a separate state but having an adhesive tape 320 attached to one surface thereof. In this case, the adhesive tape 320 may be a lamination film, but is not limited thereto.

후술하겠지만, 반도체 처리 장치(100)에 로딩되는 웨이퍼(310)는 개별의 다이(311)로 다이싱 되었을 뿐, 웨이퍼 형태를 유지한 상태일 수 있다. 또한, 개별로 분리된 다이들(311)은 웨이퍼 배면에 부착되는 점착 테이프(320)에 의해 웨이퍼 형태를 유지할 수 있고, 점착 테이프(320)의 테두리에 웨이퍼 고정판(330)이 결합될 수 있다.As will be described later, the wafer 310 loaded into the semiconductor processing apparatus 100 may be only diced into individual dies 311 and may remain in a wafer shape. In addition, the individually separated dies 311 may maintain their wafer shape by the adhesive tape 320 attached to the rear surface of the wafer, and the wafer fixing plate 330 may be coupled to an edge of the adhesive tape 320 .

상기 웨이퍼 위치 조절부(110)는 웨이퍼 플리퍼(flipper:120) 및 웨이퍼 이동부(130)를 포함할 수 있다.The wafer position adjusting unit 110 may include a wafer flipper 120 and a wafer moving unit 130 .

웨이퍼 플리퍼(120)는 투입된 웨이퍼(310)의 복수의 다이(311)의 상태를 확인하여, 복수의 다이(311)가 반도체 처리 장치에 로딩된 기판(도시되지 않음)과 대향되도록 웨이퍼(310)를 이동 및/또는 회전시키는 구성일 수 있다.The wafer flipper 120 checks the state of the plurality of dies 311 of the loaded wafer 310, and moves the wafer 310 so that the plurality of dies 311 face the substrate (not shown) loaded in the semiconductor processing device. It may be configured to move and / or rotate.

상기 반도체 처리 장치내에 장착된 기판은 반도체 패키지용 기판을 비롯한 회로 기판일 수 있다. The substrate mounted in the semiconductor processing apparatus may be a circuit board including a substrate for a semiconductor package.

도 2를 참고하면, 반도체 처리 장치(100)에 투입된 웨이퍼(310)는 그것의 배면에 점착 테이프(320)가 점착되고, 웨이퍼 고정판(330)은 상기 점착 테이프(320) 상부의 웨이퍼(310)의 가장자리에 위치될 수 있다. Referring to FIG. 2 , an adhesive tape 320 is attached to the back surface of the wafer 310 put into the semiconductor processing apparatus 100, and the wafer fixing plate 330 is attached to the wafer 310 above the adhesive tape 320. may be located at the edge of

일예로, 웨이퍼(310) 및 점착 테이프(320)는 테두리 형태의 웨이퍼 고정판(330)에 점착 테이프(320)가 고정된 상태로 투입될 수 있는 것이다.For example, the wafer 310 and the adhesive tape 320 may be put in a state in which the adhesive tape 320 is fixed to the frame-shaped wafer fixing plate 330 .

이와 같은 웨이퍼(310)는 웨이퍼(310) 배면이 상기 기판에 대향되는 형태로 상기 반도체 처리 장치(100)에 로딩되거나, 배면 또는 웨이퍼(310) 배면에 점착 테이프(320)가 부착된 상태로 상기 기판에 대향되는 상태로 투입될 수 있다.Such a wafer 310 is loaded into the semiconductor processing apparatus 100 with the rear surface of the wafer 310 facing the substrate, or the wafer 310 is loaded in the state where the adhesive tape 320 is attached to the rear surface or the rear surface of the wafer 310. It may be put in a state facing the substrate.

본 실시예의 웨이퍼 플리퍼(120)는 투입된 웨이퍼(310)의 다이면과 상기 기판이 대향되도록 웨이퍼(310)를 회전시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 플리퍼(120)는 상기 웨이퍼 고정판(330)에 고정될 수 있으며, 상기 웨이퍼(310)의 회전은 상기 웨이퍼 고정판(330)의 회전에 의해 수행될 수 있다. The wafer flipper 120 of this embodiment may rotate the wafer 310 such that the die surface of the loaded wafer 310 and the substrate face each other. The wafer flipper 120 may be fixed to the wafer fixing plate 330 , and the rotation of the wafer 310 may be performed by the rotation of the wafer fixing plate 330 .

도시하지 않았지만, 웨이퍼 플리퍼(120)는 별도의 센서(도시되지 않음)를 구비하여 웨이퍼(310)의 일면 및 배면 중 어느 면이 상기 기판에 대향되는 검출할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 플리퍼(120)는 예를 들어, 광학 센서(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 상기 광학 센서를 통해 촬영된 이미지와 기 저장된 웨이퍼의 일면 또는 배면의 이미지간의 비교를 통해 웨이퍼(310)의 표면 상태를 확인할 수 있다. 또한, 웨이퍼 플리퍼(120)는 거리 센서(도시되지 않음)를 포함할 수도 있다. 상기 거리 센서는 상기 웨이퍼와 상기 거리 센서 간의 측정된 거리를 투입된 웨이퍼 상면이 반도체 소자가 형성되어 있는 면인지 혹은 웨이퍼 배면인지 확인할 수 있다. 본 실시예에서는 상기 센서로서 광학 센서 및 거리 센서 등을 일 예로 설명하였지만, 상기 거리 센서는 상기 광학 센서의 한 종류에 해당할 수도 있고, 비젼 카메라와 같이 다양한 매체가 상기 센서로서 이용될 수도 있다. Although not shown, the wafer flipper 120 may be provided with a separate sensor (not shown) to detect which one of the one surface and the rear surface of the wafer 310 faces the substrate. For example, the wafer flipper 120 may include, for example, an optical sensor (not shown). A surface state of the wafer 310 may be confirmed by comparing an image captured by the optical sensor with a pre-stored image of one side or the back side of the wafer. Also, the wafer flipper 120 may include a distance sensor (not shown). The distance sensor may determine whether the upper surface of the wafer inputted from the measured distance between the wafer and the distance sensor is a surface on which semiconductor elements are formed or a rear surface of the wafer. Although an optical sensor and a distance sensor have been described as examples in this embodiment, the distance sensor may correspond to one type of the optical sensor, and various media such as a vision camera may be used as the sensor.

웨이퍼 이동부(130)는 투입된 웨이퍼(310)의 복수의 다이(311) 중 본딩 대상 다이가 상기 기판의 본딩 영역에 대향되도록 상기 웨이퍼(310)를 다양한 방향으로 이동시킬 수 있다. The wafer moving unit 130 may move the wafer 310 in various directions such that a die to be bonded among the plurality of dies 311 of the loaded wafer 310 faces the bonding area of the substrate.

본 실시예에서 상술한 웨이퍼 플리퍼(120) 및 웨이퍼 이동부(130)를 포함한 웨이퍼 위치 조절부(110)가 하나만 구현된 것을 예로 들어 도시하였지만, 운용자의 필요에 따라, 웨이퍼 플리퍼(120) 및 웨이퍼 이동부(130)가 2개로 구현할 수 있다. 이렇게 웨이퍼 플리퍼(120) 및 웨이퍼 이동부(130)가 2개로 구현되는 경우, 웨이퍼 고정판(330)을 양측에서 고정시키는 형태로 동작할 수 있다.In this embodiment, only one wafer position adjusting unit 110 including the above-described wafer flipper 120 and wafer moving unit 130 is illustrated as an example, but according to the needs of the operator, the wafer flipper 120 and the wafer The moving unit 130 can be implemented with two. In this way, when the wafer flipper 120 and the wafer moving unit 130 are implemented as two, the wafer fixing plate 330 may be operated in a form in which both sides are fixed.

도 2에서 도시된웨이퍼 플리퍼(120) 및 웨이퍼 이동부(130)는 일 예에 불과할 뿐, 투입된 웨이퍼(310)를 뒤집고 본딩 영역에 대향되도록 이동시킬 수 있는 구성이라면 어떠한 형태라도 가능하다.The wafer flipper 120 and the wafer moving unit 130 shown in FIG. 2 are merely examples, and any configuration can be used as long as the loaded wafer 310 can be turned over and moved to face the bonding area.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예에 따른 다이 본딩 장치의 구성을 나타낸 도면이다.3A and 3B are diagrams showing the configuration of a die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

다이 본딩 장치(140)는 상기 기판에 부착될 다이(311) 뒷면(예를 들어, 웨이퍼의 배면)의 점착 테이프(320)를 가압하여, 상기 기판에 본딩시키는 장치이다. The die bonding device 140 presses the adhesive tape 320 on the back side (eg, the back side of a wafer) of the die 311 to be attached to the substrate and bonds it to the substrate.

도 3a를 참고하면, 다이 본딩 장치(140)는 본체(141), 제1 진공 영역부(142), 제2 진공 영역부(143), 가압 툴(144), 가압 툴 지지부(145), 진공 처리부(146) 및 구동부(147)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3A , the die bonding apparatus 140 includes a main body 141, a first vacuum region 142, a second vacuum region 143, a pressure tool 144, a pressure tool support 145, a vacuum It may include a processing unit 146 and a driving unit 147 .

제1 진공 영역부(142)는 본체(141)의 내측 테두리 영역에 형성될 수 있다. The first vacuum region 142 may be formed in an inner edge region of the main body 141 .

본딩 대상 다이(311)를 상기 기판에 본딩하기 위해, 상기 제어부(150)의 제어에 따라, 다이 본딩 장치(140)를 상기 기판 예정 영역과 얼라인시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 진공 영역부(142)는 본딩 대상 다이(311)에 인접한 점착 테이프(320)를 흡입할 수 있다. 이에 따라, 점착 테이프(320)와 본딩 대상 다이(311) 간의 접착력이 약화되어, 상기 다이(311)는 점착 테이프(320)로부터 분리가 용이한 상태가 된다. 반면, 상기 본딩 대상 다이(311) 외측에 위치하는 다른 다이(311)들과 점착 테이프(320)간의 유지시킬 수 있다. In order to bond the die 311 to be bonded to the substrate, the die bonding device 140 may be aligned with the planned area of the substrate under the control of the controller 150 . Also, the first vacuum region 142 may suck the adhesive tape 320 adjacent to the die 311 to be bonded. Accordingly, the adhesive force between the adhesive tape 320 and the die 311 to be bonded is weakened, so that the die 311 can be easily separated from the adhesive tape 320 . On the other hand, the other dies 311 located outside the bonding target die 311 and the adhesive tape 320 may be maintained.

이후 설명하겠지만,점착 테이프(320)와 접착되는 제1 진공 영역부(142)의 일면(예를 들어, 하면)은 가압 툴(144)이 상기 기판을 향해 하강시, 가압 툴(144)에 의해서 펀칭(punching)되는 점착 테이프(320)의 주변을 고정시킬 수 있다. As will be described later, when the pressure tool 144 descends toward the substrate, one surface (eg, the lower surface) of the first vacuum region 142 that is bonded to the adhesive tape 320 is removed by the pressure tool 144. The periphery of the adhesive tape 320 to be punched may be fixed.

제2 진공 영역부(143)는 상기 제1 진공 영역부(142) 내측에 하단에 구비될 수 있다. The second vacuum region 143 may be provided at a lower end inside the first vacuum region 142 .

제2 진공 영역부(143)는 상기 가압 툴(144)에 의해 점착 테이브(320)로부터 분리된 본딩 대상 다이(311)를 상기 기판측으로 하강시킬 때, 본딩 대상의 다이(311)가 가압 툴(144)로부터 분리되지 않고 픽업 고정될 수 있도록 흡입력을 제공할 수 있다. When the bonding target die 311 separated from the adhesive tape 320 by the pressure tool 144 is lowered toward the substrate, the second vacuum region 143 lowers the bonding target die 311 to the pressure tool. It is possible to provide a suction force so that the pick-up can be fixed without being separated from (144).

즉, 본딩 대상 다이(311)는 점착 테이프(320)로부터 분리된 후 하부에 위치한 상기 기판의 본딩 영역까지 안전하게 안착되기 전까지 추락되지 않도록, 가압 툴(144)의 제2 진공 영역부(143)에서 제공되는 진공 흡입력에 의해 본딩 대상 다이(311)는 픽업 상태를 유지할 수 있다. That is, the die to be bonded 311 is separated from the adhesive tape 320 in the second vacuum region 143 of the pressure tool 144 so as not to fall until it is safely seated in the bonding region of the substrate located below. The die 311 to be bonded may be maintained in a picked-up state by the provided vacuum suction force.

또한, 제2 진공 영역부(143)는 제어부(150)의 제어에 따라, 본딩 대상 다이(311)가 상기 기판에 안착된 후, 가압 툴(144)의 일면(예를 들어, 하면)과 본딩 대상 다이(311)가 분리될 수 있도록 흡입력을 조절할 수 있다. 제2 진공 영역부(143)의 흡입력은 본딩 대상 다이(311)를 분리시킬 때 뿐만 아니라 제어부(150)의 제어에 따라 다이(311)를 픽업 고정시키는 데에도 이용될 수 있다.In addition, the second vacuum area unit 143 performs bonding with one surface (eg, lower surface) of the pressure tool 144 after the bonding target die 311 is seated on the substrate under the control of the controller 150. The suction force may be adjusted so that the target die 311 can be separated. The suction force of the second vacuum area unit 143 may be used not only to separate the bonding target die 311 but also to pick up and fix the die 311 under the control of the control unit 150 .

또한, 상기 가압 툴(144)은 하부 외측면이 모따기 처리되어, 제2 진공 영역(143)이 한정될 수 있다. In addition, the lower outer surface of the pressure tool 144 may be chamfered to define the second vacuum region 143 .

도 3b를 참고하면, 가압 툴(144)은 제2 진공 영역부(143)의 내부로부터 외부까지 돌출될 수 있도록 승하강이 가능한 형태로 구성된다. 이에 따라, 본딩 대상 다이(311)는 상기 가압 툴(144)에 의해 상기 기판에 안착될 수 있다.Referring to FIG. 3B , the pressure tool 144 is configured to move up and down so as to protrude from the inside of the second vacuum region 143 to the outside. Accordingly, the bonding target die 311 may be seated on the substrate by the pressure tool 144 .

가압 툴(144)은 중심에 길이 방향의 홀이 구비된 봉 형태이거나, 또는 일정 간격 이격된 제1 및 제2 기둥 형태를 가질 수 있다. 이때, 중앙 홀 또는 제1 및 제2 기둥 사이에 이격된 영역(이하, 중공 영역)은 상기 제2 진공 영역부(143)의 일부에 해당되며, 상기 중공 영역을 통해 진공 압력이 제공될 수 있다. The pressing tool 144 may have a rod shape having a longitudinal hole in the center, or may have first and second pillar shapes spaced apart at predetermined intervals. At this time, the center hole or the spaced area between the first and second pillars (hereinafter referred to as hollow area) corresponds to a part of the second vacuum area part 143, and vacuum pressure may be provided through the hollow area. .

가압 툴(144)은 제2 진공 영역부(143)에 의해 제공되는 진공 압력에 의한 흡입력으로 상기 본딩 대상 다이(311)를 고정시키는 동시에, 상기 가압 툴(144)에 인가되는 기계적 구동력에 의해 가압 툴(144)의 하강 시, 본딩 대상 다이(311)에 점착된 점착 테이프(320)를 뚫고 하강할 수 있다.The pressure tool 144 fixes the bonding target die 311 with a suction force by vacuum pressure provided by the second vacuum region 143 and pressurizes the die 311 by a mechanical driving force applied to the pressure tool 144. When the tool 144 descends, it can descend through the adhesive tape 320 attached to the die 311 to be bonded.

한편, 다이 본딩 장치(140)의 웨이퍼(310)와 대향되는 면의 사이즈는 개별 다이(311) 사이즈와 동일하거나, 또는 개별 다이(311) 사이즈보다 약간 크거나 작게 형성될 수 있다. 보다 자세하게는, 상기 다이 본딩 장치(140)의 가압 툴(144)은 상기 다이(311)의 사이즈와 유사할 수 있다. 가압 툴(144)의 하단부는 상기 다이와 동일한 크기 또는 상기 다이 보다 약간 크거나 약간 작은 크기로 형성될 수 있다. Meanwhile, the size of the surface of the die bonding device 140 facing the wafer 310 may be the same as the size of the individual die 311 or slightly larger or smaller than the size of the individual die 311 . More specifically, the pressure tool 144 of the die bonding device 140 may have a size similar to that of the die 311 . The lower end of the pressure tool 144 may be formed to have the same size as the die or a size slightly larger or slightly smaller than the die.

가압 툴 지지부(145)는 제1 진공 영역부(142)의 내측벽과 가압 툴(144) 사이에 개재되어, 가압 툴(144)의 승하강 시, 상기 가압 툴(144)을 고정 및 지지를 위한 구성일 수 있다.The pressure tool support 145 is interposed between the inner wall of the first vacuum region 142 and the pressure tool 144 to fix and support the pressure tool 144 when the pressure tool 144 moves up and down. may be configured for

예를 들어, 가압 툴 지지부(145)는 볼 베어링(ball bearing)을 비롯한 다양한 형태의 베어링으로 구현될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.For example, the pressing tool support 145 may be implemented with various types of bearings, including ball bearings, but is not limited thereto.

진공 처리부(146)는 제1 및 제2 진공 영역부(142, 143)에 진공을 제공하도록 구성될 수 있다.The vacuum processing unit 146 may be configured to provide vacuum to the first and second vacuum region units 142 and 143 .

이때, 진공 처리부(146)는 제어부(150)의 제어에 따라 제1 및 제2 진공 영역부(142, 143)에 발생하는 진공 압력을 조정할 수 있다.At this time, the vacuum processing unit 146 may adjust the vacuum pressure generated in the first and second vacuum region units 142 and 143 according to the control of the controller 150 .

구동부(147)는 가압 툴(144)을 승하강 시키는 기계적 구동력을 제공할 수 있다. 예를 들어, 구동부(147)는 구동 모터로 구현될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The driving unit 147 may provide a mechanical driving force for moving the pressure tool 144 up and down. For example, the driving unit 147 may be implemented as a driving motor, but is not limited thereto.

제어부(150)는 웨이퍼 위치 조절부(110) 및 다이 본딩 장치(140)를 비롯하여 반도체 처리 장치(100)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. The control unit 150 may control overall operations of the semiconductor processing apparatus 100 including the wafer position adjusting unit 110 and the die bonding apparatus 140 .

본 실시예의 제어부(150)는 진공 처리부(146)를 통해 제1 진공 영역부(142) 및 제2 진공 영역부(143)의 진공 압력을 각각 별도로 제어할 수 있다.The controller 150 of the present embodiment may separately control the vacuum pressures of the first vacuum region 142 and the second vacuum region 143 through the vacuum processing unit 146 .

또한, 제어부(150)는 가압 툴(144)을 통해 본딩 대상 다이(311)를 상기 기판에 본딩할 때, 제1 진공 영역부(142)의 일단에 접촉된 점착 테이프(320)를 제1 흡입 압력으로 흡입하고, 제2 진공 영역부(143)의 일단에 접촉된 본딩 대상 다이(311)를 제2 흡입 압력으로 흡입하도록 진공 처리부(146)를 통해 진공 압력을 제어할 수 있다. 즉, 제1 흡입 압력과 제2 흡입 압력은 별도로 제어될 수 있는 것이다.In addition, when the bonding target die 311 is bonded to the substrate through the pressure tool 144, the controller 150 first sucks the adhesive tape 320 in contact with one end of the first vacuum region 142. The vacuum pressure may be controlled through the vacuum processing unit 146 so that the die 311 to be bonded in contact with one end of the second vacuum region 143 is sucked in with the second suction pressure. That is, the first suction pressure and the second suction pressure can be separately controlled.

도 4a 내지 도 4d 본 발명의 실시 예들에 따른 따른 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다. 4A to 4D are flowcharts illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to example embodiments. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment, and FIGS. 6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to another exemplary embodiment. to be.

먼저, 도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 공정이 완료된 웨이퍼(310)를 반도체 처리 장치(100)에 투입한다(S110). First, referring to FIGS. 4A to 4D , the processed wafer 310 is loaded into the semiconductor processing apparatus 100 (S110).

상기 웨이퍼(310)를 상기 반도체 처리 장치(100)에 투입하는 단계(S110) 이전에, 웨이퍼(310)를 개별 다이(311)로 다이싱하여 상기 복수의 다이(311)로 분리하는 단계가 수행될 수 있다. Prior to inputting the wafer 310 into the semiconductor processing apparatus 100 (S110), a step of dicing the wafer 310 into individual dies 311 and separating the plurality of dies 311 is performed. It can be.

경우에 따라, 상기 반도체 처리 장치(100)에 웨이퍼(310)를 투입하기 이전 상기 웨이퍼(310)의 배면에 접착층을 도포하는 단계(S105, 도 4d 참조)를 더 포함할 수 있다. 상기 접착층을 사전 도포하는 단계(S105)는 접착층, 예를 들어 플럭스(flux) 물질을 스크린 도포 방식을 이용하여 웨이퍼(310) 배면에 형성하거나, 상기 웨이퍼(310)의 배면에 DAF(die attach film) 필름을 점착할 수 있다. 또한, 점착 테이프(320)가 점착된 웨이퍼(310)는 웨이퍼 고정판(330)에 의해 고정 및 상호 분리가 용이하도록 익스펜딩(expanding)될 수 있다. 경우에 따라, 상기 웨이퍼(310)는 반도체 처리 장치(100)에 투입되기 이전, 상기 반도체 처리 장치(100)내에 내장되어 있는 기판(200)과 마주하는 형태로 사전 플립하는 단계(S107)를 수행할 수 있다(도 4d 참조).In some cases, a step of applying an adhesive layer to the back surface of the wafer 310 before putting the wafer 310 into the semiconductor processing apparatus 100 ( S105 , see FIG. 4D ) may be further included. In the step of pre-coating the adhesive layer (S105), an adhesive layer, for example, a flux material, is formed on the rear surface of the wafer 310 using a screen coating method, or a die attach film (DAF) is formed on the rear surface of the wafer 310. ) film can be adhered. In addition, the wafer 310 to which the adhesive tape 320 is attached may be expanded by the wafer fixing plate 330 so as to be easily fixed and separated from each other. In some cases, before the wafer 310 is put into the semiconductor processing device 100, a pre-flip step (S107) is performed to face the substrate 200 embedded in the semiconductor processing device 100. can (see Fig. 4d).

상기 사전 플립 단계(S107)를 수행하지 않은 경우, 상기 투입된 웨이퍼(310)는 도 5a에 도시된 바와 같이, 상기 점착 테이프(320)와 기판(200), 예컨대, 패키지 기판(200)이 서로 마주하는 형태로 투입될 수 있다. If the pre-flip step (S107) is not performed, in the loaded wafer 310, as shown in FIG. 5A, the adhesive tape 320 and the substrate 200, for example, the package substrate 200 face each other. It can be put in the form of

다음, 도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 투입된 웨이퍼(310)의 상태 및 위치를 조정할 수 있다(S120). 상기 웨이퍼의 상태 및 위치를 조정하는 단계(S120)는, 도 5a와 같이, 상기 웨이퍼(310)의 점착 테이프(320)와 상기 기판(200)이 마주하도록 웨이퍼(310)가 투입된 경우, 도 4b, 도 4c 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 다이(311)와 상기 기판(200)이 마주할 수 있도록 웨이퍼를 플립(R)시키는 단계(S121)를 포함할 수 있다.Next, as shown in FIG. 4A , the state and position of the loaded wafer 310 may be adjusted (S120). In the step of adjusting the state and position of the wafer (S120), as shown in FIG. 5A, when the wafer 310 is put so that the adhesive tape 320 of the wafer 310 and the substrate 200 face each other, FIG. 4B , as shown in FIGS. 4C and 5B , flipping the wafer so that the die 311 and the substrate 200 face each other (S121).

웨이퍼(310)의 배면에 점착 테이프가 부착되지 않은 상태로 반도체 처리 장치(100)내에 투입된 경우라면, 상기 웨이퍼 플립 단계(S121) 이후, 상기 반도체 처리 장치(100)내에서 상기 웨이퍼(310)의 배면에 점착 테이프(320)를 형성하는 단계(S123)를 수행할 수 있다. 상기 반도체 처리 장치(100)내에서 접착 테이프(320)를 형성하는 단계는 점착 물질인 플럭스(flux) 물질에 침지하는 도포 방식으로 진행될 수 있다. If the wafer 310 is put into the semiconductor processing apparatus 100 in a state in which the adhesive tape is not attached to the rear surface of the wafer 310, after the wafer flip step (S121), the wafer 310 within the semiconductor processing apparatus 100 Forming the adhesive tape 320 on the back surface (S123) may be performed. The forming of the adhesive tape 320 in the semiconductor processing apparatus 100 may be performed by a coating method in which it is immersed in a flux material, which is an adhesive material.

한편, 사전 플립(S107)이 수행된 상태로 반도체 처리 장치(100)내에 웨이퍼(310)가 투입된 경우, 또는 상기 웨이퍼 플립 단계(S121)를 수행한 경우, 상기 웨이퍼(310)의 상태 및 위치를 조정하는 단계(S120)는 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 본딩 대상 다이(311)와 기판(200)의 본딩 예정 영역에 대응될 수 있도록 다이 얼라인 단계(S122)를 포함할 수 있다(도 4b 내지 도 4d 참조). 그 밖에, 투입된 웨이퍼(310)의 상태 및 위치를 조정하는 단계(S120)는 웨이퍼(310)의 편심을 유지하는 단계 등을 추가로 포함할 수 있다. 도 5c에서 “IN”은 웨이퍼 얼라인 방향을 지시할 수 있다. Meanwhile, when the wafer 310 is put into the semiconductor processing apparatus 100 while the pre-flip (S107) has been performed, or when the wafer flip step (S121) is performed, the state and position of the wafer 310 are changed. As shown in FIG. 5C , the adjusting step ( S120 ) may include a dial line step ( S122 ) so as to correspond to the area to be bonded between the die 311 to be bonded and the substrate 200 ( FIG. 5C ). 4b to 4d). In addition, the step of adjusting the state and position of the loaded wafer 310 ( S120 ) may further include a step of maintaining the eccentricity of the wafer 310 . In FIG. 5C, “IN” may indicate a wafer alignment direction.

다음, 도 4a 내지 도 4d 및 도 6a에서 도시하는 바와 같이, 다이 얼라인(S125)가 완료된 경우, 즉, 복수의 다이(311) 중 본딩 대상 다이(311)의 점착 테이프 면이 기판(200)의 다이 본딩 면(200a)에 대응되는 경우, 상기 다이 본딩 장치(140)가 상기 본딩 대상 다이(311)와 대응될 수 있도록 상기 다이 본딩 장치(140)를 이동시킨다(S130). 도 6a의 점선 박스는 상기 가압 툴(144)에 구동력을 제공하는 구동부(147)일 수 있다.Next, as shown in FIGS. 4A to 4D and 6A, when the die alignment (S125) is completed, that is, the adhesive tape surface of the die 311 to be bonded among the plurality of dies 311 is the substrate 200. When corresponding to the die bonding surface 200a of , the die bonding device 140 is moved so that the die bonding device 140 can correspond to the die 311 to be bonded (S130). A dotted line box in FIG. 6A may be a driving unit 147 that provides a driving force to the pressure tool 144 .

그후, 도 4a 내지 도 4d 및 도 6b에서 도시하는 바와 같이, 다이 본딩 장치(140)가 상기 본딩 대상 다이(311)를 가압하여 점착 테이프(320)로부터 본딩 대상 다이(311)를 분리시킨 후, 상기 기판(200)에 상기 다이(311)를 본딩한다(S140). 상기 기판(200)에 다이(311)를 본딩시키는 방식은 DAF(Die attach film)을 이용하여 부착시키는 방식 또는 범프(Bump)의 열 압착 방식을 포함할 수 있다. Then, as shown in FIGS. 4A to 4D and 6B, the die bonding device 140 presses the bonding target die 311 to separate the bonding target die 311 from the adhesive tape 320, The die 311 is bonded to the substrate 200 (S140). A method of bonding the die 311 to the substrate 200 may include a method of attaching the die 311 using a die attach film (DAF) or a thermal compression method of a bump.

상기 다이 본딩 장치(140)는 본체(141), 본체(141)의 내측 테두리 영역에 형성된 제1 진공 영역부(142), 제1 진공 영역부(142) 내측에 형성된 제2 진공 영역부(143), 제2 진공 영역부(143) 내측에 형성되되 제2 진공 영역부(143) 내부로부터 외부까지 돌출되게 승하강이 가능한 형태로 형성되어, 본딩 대상 다이(311)가 기판(200)에 안착되도록 본딩 대상 다이(311)를 기판 방향으로 가압하는 가압 툴(144)을 포함할 수 있다.The die bonding device 140 includes a body 141, a first vacuum region 142 formed on the inner edge of the body 141, and a second vacuum region 143 formed inside the first vacuum region 142. ), formed inside the second vacuum region 143 and formed in a form capable of rising and falling so as to protrude from the inside of the second vacuum region 143 to the outside, so that the die 311 to be bonded is seated on the substrate 200 A pressing tool 144 for pressing the bonding target die 311 toward the substrate may be included.

단계 S140에서, 반도체 처리 장치(100)는 다이 본딩 장치(140)의 제1 및 제2 진공 영역부(142, 143)의 진공 압력을 각각 별도로 제어할 수 있다.In operation S140 , the semiconductor processing apparatus 100 may separately control the vacuum pressures of the first and second vacuum regions 142 and 143 of the die bonding apparatus 140 .

단계 S140에서, 반도체 처리 장치(100)는 점착 테이프(320)로부터 본딩 대상 다이(311)를 분리시킬 때, 점착 테이프(320)의 흡입력이 상승되도록 제1 진공 영역부(142)의 진공 압력을 상승 조절할 수 있다.In step S140, when the semiconductor processing apparatus 100 separates the bonding target die 311 from the adhesive tape 320, the vacuum pressure of the first vacuum region 142 is applied so that the suction force of the adhesive tape 320 is increased. Elevation can be adjusted.

단계 S140에서, 반도체 처리 장치(100)는 본딩 대상 다이(311)의 흡입력이 공정 상황에 따라 변경되도록 제2 진공 영역부(143)의 진공 압력을 공정 상황별 흡입 조건에 따라 조절할 수 있다. .In operation S140 , the semiconductor processing apparatus 100 may adjust the vacuum pressure of the second vacuum region 143 according to the suction condition for each process situation so that the suction power of the die 311 to be bonded is changed according to the process situation. .

도 6c 및 도 6d에서 도시하는 바와 같이, 반도체 처리 장치(100)는 이전 본딩 대상 다이(311)에 대한 본딩 과정을 완료한 후, 다음 본딩 대상 다이(311)에 대한 본딩 과정을 순차적으로 반복할 수 있다. As shown in FIGS. 6C and 6D , the semiconductor processing apparatus 100 may sequentially repeat the bonding process for the next bonding target die 311 after completing the bonding process for the previous bonding target die 311 . can

본 발명에 따르면, 다이싱된 웨이퍼 자체를 플립핑하므로써, 개별적으로 다이를 플립핑하는 경우보다 다량의 다이를 동시에 플립핑이 가능하므로, 다이 본딩 특성을 개선할 수 있다. According to the present invention, by flipping the diced wafer itself, it is possible to simultaneously flip a large number of dies rather than individually flipping the dies, so that die bonding characteristics can be improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics of the present invention, so the embodiments described above are illustrative in all respects and are not limiting. You have to understand. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

100: 반도체 처리 장치 110: 웨이퍼 위치 조절부
120: 웨이퍼 플리퍼 130: 웨이퍼 이동부
140: 다이 본딩 장치 150: 제어부100: semiconductor processing device 110: wafer position control unit
120: wafer flipper 130: wafer moving unit
140: die bonding device 150: control unit

Claims (18)

복수 개로 다이싱된 다이를 포함하는 웨이퍼의 상기 다이의 표면을 기판과 대향되도록 상기 웨이퍼를 플립하는 웨이퍼 위치 조절부; 및
상기 웨이퍼의 본딩 대상 다이를 가압하여 상기 기판에 본딩시키도록 구성되는 다이 본딩 장치를 포함하며,
상기 웨이퍼 위치 조절부는 상기 복수의 다이를 동시에 플립하도록 구성되는 반도체 처리 장치.a wafer position adjusting unit flipping a wafer including a plurality of diced dies so that a surface of the die of the wafer faces a substrate; and
A die bonding device configured to pressurize and bond a die to be bonded of the wafer to the substrate;
The wafer position adjusting unit is configured to simultaneously flip the plurality of dies. 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼는 소자층이 형성되지 않는 상기 웨이퍼의 배면에 다이싱된 상기 복수의 다이를 고정하도록 부착된 점착 테이프를 더 포함하는 반도체 처리 장치. According to claim 1,
The semiconductor processing apparatus of claim 1 , wherein the wafer further includes an adhesive tape attached to a rear surface of the wafer on which an element layer is not formed to fix the plurality of diced dies. 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 위치 조절부는 상기 본딩 대상 다이를 상기 기판의 예정 영역과 마주하도록 상기 웨이퍼를 이동시키는 웨이퍼 이동부를 더 포함하는 반도체 처리 장치. According to claim 1,
The semiconductor processing apparatus of claim 1 , wherein the wafer position adjusting unit further includes a wafer moving unit configured to move the wafer so that the bonding target die faces a predetermined area of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 다이 본딩 장치는,
중심부에 진공을 제공하는 진공 영역을 구비하는 봉 형태로 구비되어, 상기 진공에 의해 상기 웨이퍼상의 다이를 개별 분리 및 픽업하고, 승하강 구동에 의해 상기 기판에 상기 분리된 상기 다이를 안착시키도록 구성되는 가압 툴을 포함하는 반도체 처리 장치. According to claim 1,
The die bonding device,
It is provided in the form of a rod having a vacuum region providing vacuum at the center, and is configured to separate and pick up dies on the wafer individually by the vacuum, and seat the separated dies on the substrate by lifting and lowering driving. A semiconductor processing apparatus including a pressing tool to be. 제4항에 있어서,
상기 가압 툴의 하단부는 상기 상단부 보다 좁은 면적을 갖도록 구성되며,
상기 가압 툴의 하단부는 상기 다이 사이즈와 유사한 크기로 구성되는 반도체 처리 장치. According to claim 4,
The lower end of the pressure tool is configured to have a smaller area than the upper end,
The semiconductor processing apparatus of claim 1 , wherein the lower end of the pressing tool has a size similar to that of the die. 제4항에 있어서,
상기 다이 본딩 장치는,
상기 가압 툴을 수용하는 본체;
상기 본체의 내측 테두리 영역에 구비된 제1 진공 영역부; 및
상기 제1 진공 영역부 내측에 구비된 제2 진공 영역부를 구비하며,
상기 제2 진공 영역부는 상기 중심부에 진공을 제공하는 진공 영역을 포함하는 반도체 처리 장치. According to claim 4,
The die bonding device,
a main body accommodating the pressure tool;
a first vacuum area provided in an inner edge area of the main body; and
A second vacuum region provided inside the first vacuum region,
The second vacuum region includes a vacuum region providing a vacuum to the central portion. 제6항에 있어서,
상기 제1 진공 영역과 상기 가압 툴 사이에 구비되어, 상기 가압 툴의 승 하강시, 상기 가압 툴을 지지하도록 구성되는 지지부 반도체 처리 장치.According to claim 6,
A support portion provided between the first vacuum region and the pressure tool, configured to support the pressure tool when the pressure tool ascends and descends. 제7항에 있어서,
상기 가압 툴의 하측벽부는 사선 형태의 모따기 구조로 되어 있으며,
상기 제2 진공 영역부는 상기 가압 툴의 하측벽부와 상기 지지부 사이의 공간 및 상기 가압 툴의 중심부에 위치하는 공간을 포함하는 반도체 처리 장치. According to claim 7,
The lower wall of the pressure tool has an oblique chamfer structure,
The second vacuum region includes a space between the lower wall portion of the pressure tool and the support portion and a space located at a central portion of the pressure tool. 제6항에 있어서,
상기 다이 본딩 장치는,
상기 제1 및 제2 진공 영역부에 진공압력을 제공하는 진공 처리부; 및
상기 가압 툴을 승하강 시키기 위한 구동부,
를 더 포함하는 반도체 처리 장치.According to claim 6,
The die bonding device,
a vacuum processing unit providing vacuum pressure to the first and second vacuum regions; and
A driving unit for raising and lowering the pressure tool;
A semiconductor processing device further comprising a. 제9항에 있어서,
상기 제1 진공 영역부 및 상기 제2 진공 영역부의 상기 진공 압력은 동일 또는 상이하게 인가되는 반도체 처리 장치.According to claim 9,
The semiconductor processing apparatus of claim 1 , wherein the same or different vacuum pressures are applied to the first vacuum region and the second vacuum region. 개별의 다이로 다이싱된 웨이퍼를 투입하는 단계;
상기 웨이퍼의 다이와 표면과 기판이 대향되도록 상기 웨이퍼를 위치 이동시키는 단계;
본딩 대상 다이와 상기 기판의 예정 영역을 얼라인하는 단계;
상기 본딩 대상 다이의 상부에 다이 본딩 장치를 이동시키는 단계; 및
상기 다이 본딩 장치를 상기 본딩 대상 다이 방향으로 가압하여, 상기 기판에 본딩하는 단계,
를 포함하는 반도체 제조 방법.Injecting wafers diced into individual dies;
positioning the wafer so that the die and surface of the wafer and the substrate face each other;
aligning a die to be bonded with a predetermined area of the substrate;
moving a die bonding device above the die to be bonded; and
bonding the die bonding device to the substrate by pressing the die bonding device toward the die to be bonded;
A semiconductor manufacturing method comprising a. 제11항에 있어서,
상기 웨이퍼의 배면에 점착 테이프를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 제조 방법.According to claim 11,
The semiconductor manufacturing method further comprising forming an adhesive tape on the rear surface of the wafer. 제12항에 있어서,
상기 점착 테이프를 형성하는 단계는, 상기 웨이퍼가 반도체 처리 장치내에 투입되기 전에 형성하는 반도체 제조 방법. According to claim 12,
The step of forming the adhesive tape is a semiconductor manufacturing method formed before the wafer is put into a semiconductor processing device. 제12항에 있어서,
상기 점착 테이프를 형성하는 단계는,
상기 웨이퍼 배면에 접착체를 마스크 도포(screen printing)하는 단계를 더 포함하는 반도체 제조방법. According to claim 12,
Forming the adhesive tape,
A semiconductor manufacturing method further comprising the step of screen printing an adhesive on the back surface of the wafer. 제12항에 있어서,
상기 접착 테이프를 형성하는 단계는, 상기 웨이퍼를 플립하는 단계 이후,
상기 웨이퍼를 점착 물질에 침지시켜, 상기 웨이퍼 배면에 점착 테이프를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 제조 방법. According to claim 12,
Forming the adhesive tape, after flipping the wafer,
The semiconductor manufacturing method further comprising the step of immersing the wafer in an adhesive material to form an adhesive tape on the back surface of the wafer. 제12항에 있어서,
상기 다이를 본딩하는 단계는,
상기 웨이퍼상에 다이 본딩 장치를 배치하는 단계;
상기 다이 본딩 장치를 이용하여, 상기 본딩될 다이를 픽업하는 단계; 및
상기 픽업된 다이를 가압하여 상기 기판에 부착시키는 단계 더 포함하는 반도체 제조방법. According to claim 12,
The step of bonding the die,
placing a die bonding device on the wafer;
picking up the die to be bonded using the die bonding device; and
The semiconductor manufacturing method further comprising the step of attaching the picked-up die to the substrate by pressing. 제16항에 있어서,
상기 픽업된 다이를 가압하여, 상기 기판에 부착시키는 단계시, 상기 웨이퍼의 배면은 상기 기판 표면과 DAF(die attach film) 및 범프(Bump)를 이용하여 부착시키는 단계를 포함하는 반도체 제조방법. According to claim 16,
In the step of pressing the picked-up die and attaching it to the substrate, the semiconductor manufacturing method comprising the step of attaching the back surface of the wafer to the substrate surface using a die attach film (DAF) and a bump. 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 웨이퍼를 제공하는 단계;
상기 웨이퍼의 상기 제 1 표면에 소자들을 형성하는 단계;
상기 웨이퍼를 개별의 다이로 다이싱하는 단계;
상기 웨이퍼의 제 2 표면에 접착층을 도포하는 단계;
상기 웨이퍼의 제 1 면이 기판 처리 장치에 로딩되어 있는 기판 표면과 대향할 수 있도록 상기 웨이퍼를 사전 플립하는 단계;
플립된 상기 웨이퍼를 상기 기판 처리 장치에 투입하는 단계;
상기 웨이퍼의 본딩 대상 다이와 상기 기판의 예정 영역을 얼라인하는 단계;
상기 본딩 대상 다이의 상부에 다이 본딩 장치를 이동시키는 단계; 및
상기 다이 본딩 장치를 이용하여, 상기 다이를 픽업한 후, 상기 본딩 대상 다이 방향으로 가압하여, 상기 기판에 본딩하는 단계,
를 포함하는 반도체 제조 방법.providing a wafer having a first surface and a second surface;
forming devices on the first surface of the wafer;
dicing the wafer into individual dies;
applying an adhesive layer to the second surface of the wafer;
flipping the wafer in advance so that the first side of the wafer faces the surface of the substrate loaded in the substrate processing apparatus;
putting the flipped wafer into the substrate processing apparatus;
aligning a die to be bonded of the wafer and a predetermined area of the substrate;
moving a die bonding device above the die to be bonded; and
After picking up the die by using the die bonding device, bonding the die to the substrate by pressing it in the direction of the die to be bonded;
A semiconductor manufacturing method comprising a.
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