KR20220168780A

KR20220168780A - 키리스 터치 센서 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치

Info

Publication number: KR20220168780A
Application number: KR1020210078696A
Authority: KR
Inventors: 조은성
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2021-06-17
Filing date: 2021-06-17
Publication date: 2022-12-26

Abstract

전자 장치의 키리스 터치 센서 모듈은, 센서 구조체, 제1 센서 전극층, 제2 센서 전극층, 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함할 수 있다. 상기 센서 구조체는 상기 전자 장치의 측면 부재의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 센서 전극층은 복수의 제1 센서 전극들을 포함하여 상기 센서 구조체의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제2 센서 전극층은 복수의 제2 센서 전극들을 포함하여 상기 제1 센서 전극층의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착층은 상기 센서 구조체와 상기 제1 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 센서 구조체를 상기 제1 선서 전극층에 부착할 수 있다. 상기 제2 접착층은 상기 제1 센서 전극층과 상기 제2 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 제1 센서 전극층을 상기 제2 센서 전극층에 부착할 수 있다. 상기 센서 구조체는, 상기 측면 부재에 부착되는 제1 부분과, 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제2 부분과, 상기 제2 부분과 이격되어 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제3 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제4 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제3 부분을 연결하는 제5 부분을 포함할 수 있다. 상기 제4 부분과 상기 제5 부분의 길이가 상이하게 형성될 수 있다.

Description

키리스 터치 센서 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치{KEYLESS TOUCH SENSOR MODULE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 개시의 다양한 실시 예들은 키리스 터치 센서 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.

전자 장치의 기능(예: 볼륨 업, 볼륨 다운, 및 특수 기능) 입력을 위한 키(key)가 외부에 노출되지 않는 키리스(keyless) 센서 모듈이 적용되고 있다. 터치 입력의 위치를 센싱하기 위한 센서들과 터치 세기를 센싱하기 위한 센서들을 별도로 배치하여 키리스 센서 모듈을 구성할 수 있다. 최근에 들어, 터치 위치와 터치 세기를 동시에 판단하기 위한 키리스 센서 모듈이 개발되고 있다.

일반적인 키리스 센서 모듈은 다수의 스트레인 게이지 센서(strain gauge sensor)를 배열하여 터치 위치와 터치 세기를 동시에 센싱할 수 있으나, 키(key)(또는 버튼)의 개수보다 많은 수량의 스트레인 게이지 센서가 배치되어야 하는 문제가 있다. 키리스 센서 모듈은 전자 장치의 측면에 배치될 수 있는데, 구현해야 하는 기능 키의 개수가 많은 경우에는 다수의 스트레인 게이지 센서들의 배치 구조가 복잡해지고, 다수의 스트레인 게이지 센서들을 배치할 공간이 부족할 수 있다. 본 개시의 다양한 실시 예들은, 터치 위치와 터치 세기를 동시에 센싱할 수 있고, 센서들의 개수를 줄일 수 있는 키리스 터치 센서 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 키리스 터치 센서 모듈은, 센서 구조체, 제1 센서 전극층, 제2 센서 전극층, 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함할 수 있다. 상기 센서 구조체는 상기 전자 장치의 측면 부재의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 센서 전극층은 복수의 제1 센서 전극들을 포함하여 상기 센서 구조체의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제2 센서 전극층은 복수의 제2 센서 전극들을 포함하여 상기 제1 센서 전극층의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착층은 상기 센서 구조체와 상기 제1 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 센서 구조체를 상기 제1 선서 전극층에 부착할 수 있다. 상기 제2 접착층은 상기 제1 센서 전극층과 상기 제2 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 제1 센서 전극층을 상기 제2 센서 전극층에 부착할 수 있다. 상기 센서 구조체는, 상기 측면 부재에 부착되는 제1 부분과, 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제2 부분과, 상기 제2 부분과 이격되어 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제3 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제4 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제3 부분을 연결하는 제5 부분을 포함할 수 있다. 상기 제4 부분과 상기 제5 부분의 길이가 상이하게 형성될 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 하우징, 디스플레이 모듈, 측면 부재, 키리스 터치 센서 모듈, 및 터치 드라이버를 포함할 수 있다. 상기 디스플레이 모듈은 상기 하우징의 내부 공간에 배치될 수 있다. 상기 측면 부재는 상기 하우징의 측면에 배치될 수 있다. 상기 키리스 터치 센서 모듈은 상기 측면 부재의 하부에 배치될 수 있다. 상기 터치 드라이버는 키리스 터치 센서 모듈로부터의 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 함께 판단할 수 있다. 상기 키리스 터치 센서 모듈은, 상기 측면 부재의 하부에 부착되는 센서 구조체, 복수의 제1 센서 전극들을 포함하여 상기 센서 구조체의 하부에 배치되는 제1 센서 전극층, 복수의 제2 센서 전극들을 포함하여 상기 제1 센서 전극층의 하부에 배치되는 제2 센서 전극층, 상기 센서 구조체와 상기 제1 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 센서 구조체를 상기 제1 선서 전극층에 부착하는 제1 접착층, 및 상기 제1 센서 전극층과 상기 제2 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 제1 센서 전극층을 상기 제2 센서 전극층에 부착하는 제2 접착층을 포함할 수 있다. 상기 센서 구조체는, 상기 측면 부재에 부착되는 제1 부분과, 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제2 부분과, 상기 제2 부분과 이격되어 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제3 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제4 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제3 부분을 연결하는 제5 부분을 포함할 수 있다. 상기 제4 부분과 상기 제5 부분의 길이가 상이하게 형성될 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예에 키리스 터치 센서 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치는, 측면 부재의 외부에서 터치가 이루어져 센서 구조체에 터치 압력이 가해졌을 때, 센서 구조체의 일 부분(예: 제1 힘 전달 영역)을 통해 제1 압력(예: 제1 터치 세기)을 센서 전극들로 전달하고, 센서 구조체의 일 부분(예: 제2 힘 전달 영역)을 통해 상기 제1 압력과 상이한 제2 압력(예: 제2 터치 세기)을 센서 전극들로 전달하여 터치 위치와 터치 세기를 동시에 센싱할 수 있도록 한다.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.

도 1은 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른 디스플레이 모듈의 블록도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면을 나타내는 사시도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면을 나타내는 사시도이다.
도 5a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈을 나타내는 도면이다.
도 5b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈의 복수의 센서 전극들의 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈을 나타내는 도면이다.

도 1은, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 개시의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정일 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 개시의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 도 1에 도시된 디스플레이 모듈(160)은, 접히거나 펼치질 수 있도록 구성된 플렉서블 디스플레이를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 도 1에 도시된 디스플레이 모듈(160)은, 슬라이딩 가능하게 배치되어 화면(예: 디스플레이 화면)을 제공하는 플렉서블 디스플레이를 포함할 수 있다.

예를 들면, 전자 장치(101)의 디스플레이 영역은, 시각적으로 노출되어 이미지를 출력 가능하게 하는 영역으로써, 전자 장치(101)는 슬라이딩 플레이트(미도시)의 이동 또는 디스플레이의 이동에 따라 디스플레이 영역을 조절할 수 있다. 전자 장치(101)의 적어도 일부(예: 하우징)가, 적어도 부분적으로 슬라이딩 가능하게 동작함으로써, 디스플레이 영역의 선택적인 확장을 도모하도록 구성되는 롤러블(rollable) 방식의 전자 장치가 이와 같은 디스플레이 모듈(160)을 포함하는 일 예일 수 있다. 예를 들면, 디스플레이 모듈(160)은 슬라이드 아웃 디스플레이(slide-out display) 또는 익스펜더블 디스플레이(expandable display)로 지칭될 수도 있다.

도 2는 다양한 실시 예들에 따른 디스플레이 모듈의 블록도이다.

도 2를 참조하면, 디스플레이 모듈(160)은 디스플레이(200), 및 디스플레이 드라이버 IC(display driver IC)(230)(이하, 'DDI(230)'라 함)를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, DDI(230)는 인터페이스 모듈(231), 메모리(233)(예: 버퍼 메모리), 이미지 처리 모듈(235), 및/또는 맵핑 모듈(237)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, DDI(230)는 디스플레이(200)를 제어할 수 있다. DDI(230)는 영상 데이터, 또는 상기 영상 데이터를 제어하기 위한 명령에 대응하는 영상 제어 신호를 포함하는 영상 정보를 인터페이스 모듈(231)을 통해 전자 장치(101)의 다른 구성요소로부터 수신할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 영상 정보는 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))(예: 도 1의 메인 프로세서(121))(예: 어플리케이션 프로세서) 또는 메인 프로세서(121)의 기능과 독립적으로 운영되는 보조 프로세서(예: 도 1의 보조 프로세서(123))(예: 그래픽 처리 장치)로부터 수신될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, DDI(230)는 터치 회로(250) 또는 센서 모듈(176)과 인터페이스 모듈(231)을 통하여 커뮤니케이션할 수 있다. 또한, DDI(230)는 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(233)에 저장할 수 있다. 일 예로서, DDI(230)는 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(233)에 프레임 단위로 저장할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 이미지 처리 모듈(235)은 상기 영상 데이터의 적어도 일부를 상기 영상 데이터의 특성 또는 디스플레이(200)의 특성에 적어도 기반하여 전처리 또는 후처리(예: 해상도, 밝기, 또는 크기 조정)를 수행할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 맵핑 모듈(237)은 이미지 처리 모듈(235)을 통해 전처리 또는 후처리된 상기 영상 데이터에 대응하는 전압 값 또는 전류 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예로서, 전압 값 또는 전류 값의 생성은 예를 들면, 디스플레이(200)의 픽셀들의 속성(예: 픽셀들의 배열(RGB stripe 또는 pentile 구조), 또는 서브 픽셀들 각각의 크기)에 적어도 일부 기반하여 수행될 수 있다.

일 실시 예로서, 디스플레이(200)의 적어도 일부 픽셀들은, 상기 전압 값 또는 전류 값에 적어도 일부 기반하여 구동됨으로써 상기 영상 데이터에 대응하는 시각적 정보(예: 텍스트, 이미지, 또는 아이콘)가 디스플레이(200)를 통해 표시될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치 회로(250)를 더 포함할 수 있다. 터치 회로(250)는 디스플레이(200)의 화면의 터치를 센싱하기 위한 터치 센서(251), 하우징(예: 도 3 및 도 4의 하우징(310))의 측면의 터치를 센싱하기 위한 키리스(keyless) 터치 센서 모듈(예: 도 4 및 도 5a의 키리스 터치 센서 모듈(500)) 및 터치 센서(251)와 키리스 터치 센서 모듈(예: 도 4 및 도 5a의 키리스 터치 센서 모듈(500))을 제어하기 위한 터치 센서 IC(253)를 포함할 수 있다.

일 실시 예로서, 터치 센서 IC(253)는 디스플레이(200)의 특정 위치에 대한 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지하기 위해 터치 센서(251)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC(253)는 디스플레이(200)의 특정 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC(253)는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))에 제공할 수 있다.

일 실시 예로서, 터치 센서 IC(253)는 하우징(예: 도 3 및 도 4의 하우징(310))의 측면의 특정 위치에 대한 터치 입력 및 호버링 입력을 감지하기 위해 키리스 터치 센서 모듈(예: 도 4 및 도 5a의 키리스 터치 센서 모듈(500))을 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC(253)는 하우징(예: 도 3 및 도 4의 하우징(310))의 측면의 특정 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC(253)는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))에 제공할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 터치 회로(250)의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC(253))는 디스플레이 드라이버 IC(230) 또는 디스플레이(200)의 일부로 포함될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 터치 회로(250)의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC(253))는 디스플레이 모듈(160)의 외부에 배치된 다른 구성요소(예: 보조 프로세서(123))의 일부로 포함될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 센서 모듈(176)의 적어도 하나의 센서(예: 지문 센서, 홍채 센서, 압력 센서 또는 조도 센서), 또는 이에 대한 제어 회로를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 적어도 하나의 센서 또는 이에 대한 제어 회로는 디스플레이 모듈(160)의 일부(예: 디스플레이(200) 또는 DDI(230)) 또는 터치 회로(250)의 일부에 임베디드될 수 있다.

일 실시 예로서, 디스플레이 모듈(160)에 임베디드된 센서 모듈(176)이 생체 센서(예: 지문 센서)를 포함할 경우, 상기 생체 센서는 디스플레이(200)의 일부 영역을 통해 터치 입력과 연관된 생체 정보(예: 지문 이미지)를 획득할 수 있다.

일 실시 예로서, 디스플레이 모듈(160)에 임베디드된 센서 모듈(176)이 압력 센서를 포함할 경우, 상기 압력 센서는 디스플레이(200)의 일부 또는 전체 영역을 통해 터치 입력과 연관된 압력 정보를 획득할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 터치 센서(251) 또는 센서 모듈(176)은 디스플레이(200)의 픽셀 레이어의 픽셀들 사이에, 또는 상기 픽셀 레이어의 위에 또는 아래에 배치될 수 있다.

도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면을 나타내는 사시도이다. 도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 전면을 나타내는 사시도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(300)는, 제1 면(또는 “전면”)(310A), 제2 면(또는 “후면”)(310B), 및 제1 면(310A)과 제2 면(310B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(또는 “측벽”)(310C)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서, 하우징(310)은 도 3 및 도 4의 제1 면(310A), 제2 면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 면(310A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(302)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 실시 예에 따라, 전면 플레이트(302)는, 적어도 일측 단부(side edge portion)에서 제1 면(310A)으로부터 후면 플레이트(311) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제2 면(310B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(311)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시 예로서, 후면 플레이트(311)는, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 실시 예에 따라, 후면 플레이트(311)는, 적어도 일측 단부에서 제2 면(310B)으로부터 전면 플레이트(302) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 곡면 부분을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 측면(310C)은, 전면 플레이트(302) 및 후면 플레이트(311)와 결합하며, 금속 물질의 측면 부재(또는 "브라켓")(318)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시 예로서, 측면 부재(318)은 금속 물질 및/또는 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 후면 플레이트(311) 및 측면 부재(318)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(300)는, 디스플레이(301)(예: 도 1의 디스플레이 모듈(160) 또는 도 2의 디스플레이(200)), 오디오 모듈(303)(예: 도 1의 오디오 모듈(170)), 센서 모듈(미도시)(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 복수의 카메라 모듈(305, 312, 313, 314, 315)(예: 도 1의 카메라 모듈(180)), 플래시(306), 키 입력 장치(317)(예: 전원 키)(예: 도 1의 입력 모듈(150)), 커넥터 홀(308)(예: 도 1의 연결 단자(178)), 및 키리스 터치 센서 모듈(500) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.

일 실시 예로서, 전자 장치(300)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(317))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(300)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함할 수 있다. 예컨대, 전면 플레이트(302)가 제공하는 영역 내에는 근접 센서 또는 조도 센서와 같은 센서가 디스플레이(301)에 통합되거나, 디스플레이(301)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 전자 장치(300)는 발광 소자를 더 포함할 수 있으며, 발광 소자는 전면 플레이트(302)가 제공하는 영역 내에서 디스플레이(301)와 인접한 위치에 배치될 수 있다. 발광 소자는, 예를 들어, 전자 장치(300)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 발광 소자는, 예를 들어, 카메라 모듈(305)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 디스플레이(301)(예: 도 2의 디스플레이(200))는 전면 플레이트(302)의 상당 부분을 통하여 전자 장치(300)의 외부로 보여질 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 디스플레이(301)의 가장자리를 전면 플레이트(302)의 인접한 외곽 형상(예: 곡면)과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(301)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(301)의 외곽과 전면 플레이트(302)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)가 형성될 수 있다. 전자 장치(300)는 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 다른 전자 부품, 예를 들어, 카메라 모듈(305, 또는 카메라 장치), 도시되지 않은 근접 센서 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 복수의 카메라 모듈(305, 312, 313, 314, 315)은 전자 장치(300)의 제1 면(310A)에 배치된 제1 카메라 모듈(305), 및 제2 면(310B)에 배치된 제2 카메라 모듈(312, 313, 314, 315)를 포함할 수 있다.

디스플레이(301)의 전면 방향(예: z축 방향)에 제1 카메라 모듈(305)이 배치될 수 있다. 또한, 디스플레이(310)의 후면 방향(예: -z축 방향)에 제2 카메라 모듈(312, 313, 314, 315)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 제 1 카메라 모듈(305)은 카메라 화각(FOV, field of view)에 대응하는 디스플레이(301)의 적어도 일부 영역에 배치될 수 있다. 제1 카메라 모듈(305)이 카메라 화각(FOV)에 대응되는 디스플레이(301)의 적어도 일부 영역에 배치됨에 따라, 제 1 카메라 모듈(305)의 위치가 시각적으로 구별(또는 노출)되지 않을 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 디스플레이(301)를 제1 면(310A)에서 볼 때, 제 1 카메라 모듈(305)은 디스플레이(301)의 적어도 일부인, 카메라 화각(FOV)에 대응되는 부분에 배치되어, 외부로 시각적으로 노출되지 않으면서, 외부 피사체의 이미지를 획득할 수 있다. 예를 들면, 제 1 카메라 모듈(305)은 디스플레이 배면 카메라(UDC, under display camera)일 수 있다.

상술한 카메라 모듈들(305, 312, 313, 314, 315)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서, 플래시(206)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(300)의 한 면에 배치될 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치(300)는, 슬라이딩 운동 가능하게 배치되어 화면(예: 디스플레이 영역)을 제공하는 디스플레이(예: 플렉서블 디스플레이)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(300)의 디스플레이 영역은, 시각적으로 노출되어 이미지를 출력 가능하게 하는 영역일 수 있다. 일 예시에서, 전자 장치(300)는 슬라이딩 플레이트(미도시)의 이동 또는 디스플레이의 이동에 따라 디스플레이 영역을 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(300)는, 전자 장치(300)의 적어도 일부(예: 하우징(310))가 적어도 부분적으로 슬라이딩 가능하게 동작함으로써, 디스플레이 영역의 선택적인 확장을 도모할 수 있도록 구성되는 롤러블(rollable) 방식의 전자 장치를 포함할 수 있다. 상술한 디스플레이는, 예를 들어, 슬라이드 아웃 디스플레이(slide-out display) 또는 익스펜더블 디스플레이(expandable display)로 지칭될 수도 있다.

일 실시 예로서, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 배면(예: 제2 면(310B))에, 복수의 카메라 모듈(예: 312, 313, 314, 315), 지문 센서, 및 플래시(306) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 또 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(301)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.

일 실시 예에서, 오디오 모듈(303)은 마이크 홀 및/또는 스피커 홀을 포함할 수 있다. 마이크 홀은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시 예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치(300)는 도시되지 않은 센서 모듈을 포함함으로써, 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈은, 예를 들어, 하우징(310)의 제1 면(310A)에 배치된 근접 센서, 디스플레이(301)에 통합된 또는 인접하게 배치된 지문 센서, 및/또는 상기 하우징(310)의 제2 면(310B)에 배치된 생체 센서(예: HRM 센서)를 더 포함할 수 있다. 전자 장치(300)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 키 입력 장치(317)는 하우징(310)의 2개의 측면(310C) 중 어느 한 곳에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서는, 전자 장치(300)는 상기 언급된 키 입력 장치(317) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(317)는 디스플레이(301) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 키 입력 장치(317)는 하우징(310)의 제2 면(310B)에 배치된 지문 센서의 적어도 일부를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 커넥터 홀(308)은 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터, 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있다. 예를 들어, 커넥터 홀(308)은 USB 커넥터 또는 이어폰 잭을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서는, USB 커넥터와 이어폰 잭은 하나의 홀(예: 도 3 및 도 4의 커넥터 홀(308))로 구현될 수도 있다. 다른 실시 예(미도시)에 따르면, 전자 장치(300)는 별도의 커넥터 홀 없이 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하거나, 오디오 신호를 송수신할 수도 있다.

일 실시 예에 따르면, 키리스 터치 센서 모듈(500)은 하우징(310)의 2개의 측면(310C) 중 어느 한 곳(또는 양 측면)에 배치될 수 있다. 키리스 터치 센서 모듈(500)은 하우징(310))의 측면(310C)에서의 터치를 센싱하기 위한 것으로, 하우징(310))의 측면(310C)의 특정 위치에 대한 터치 입력 및 호버링 입력을 감지할 수 있다. 일 실시 예로서, 키리스 터치 센서 모듈(500)은 복수의 키(key)(예: 볼륨 업 키, 볼륨 다운 키, 특수 기능 키(예: 음성 인식 기능 키) 입력을 위한 복수의 센서 영역(501, 502, 503)을 포함할 수 있다.

도 5a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈(500)을 나타내는 도면이다. 도 5b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈의 복수의 센서 전극들의 등가회로를 나타내는 도면이다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(300)(예: 도 4의 전자 장치(300))는 키리스 터치 센서 모듈(500)을 포함할 수 있다. 키리스 터치 센서 모듈(500)은, 전자 장치(300)의 측면 부재(510)(예: 도 4의 측면 부재(318)의 하부(예: 전자 장치의 안쪽)(예: -y축 방향)에 배치될 수 있다.

키리스 터치 센서 모듈(500)은, 완충 부재(520)(예: 쿠션 접착층), 센서 구조체(530)(예: 힘 전달부재), 제1 접착층(540), 제1 센서 전극층(550), 제2 접착층(560), 및 제2 센서 전극층(570)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 측면 부재(510) 하부에 일정 간격을 두고 완충 부재(520)가 배치될 수 있다. 완충 부재(520)의 하부에 센서 구조체(530)가 배치될 수 있다. 완충 부재(520)에 의해서 측면 부재(510)에 가해지는 압력이 완충될 수 있다. 완충 부재(520)의 상면과 하면에는 접착층(또는 접착 물질, 접착 테이프)이 형성될 수 있다. 완충 부재(520)에 의해서 측면 부재(510)의 하부에 센서 구조체(530)가 배치될 수 있다. 센서 구조체(530)의 하부에는 제1 접착층(540)이 배치될 수 있다. 제1 접착층(540)의 하부에는 제1 센서 전극층(550)이 배치될 수 있다. 제1 접착층(540)에 의해서 센서 구조체(530)의 하부에 제1 센서 전극층(550)이 배치될 수 있다. 제1 센서 전극층(550)의 하부에 제2 접착층(560)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(560)의 하부에 제2 센서 전극층(570)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(560)에 의해서 제1 센서 전극층(550)의 하부에 제2 센서 전극층(570)이 배치될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 센서 전극층(550)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제1 센서 전극(555)들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 센서 전극층(570)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제2 센서 전극(575)들을 포함할 수 있다.

제1 센서 전극층(550)에 배치되는 제1 센서 전극(555)들에 의해서 제1 저항(R1), 제2 저항(R2)을 형성할 수 있다. 제2 센서 전극층(570)에 배치되는 제2 센서 전극(575)들에 의해서 제3 저항(R3), 제4 저항(R4)을 형성할 수 있다.

도 5b에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 센서 전극(555)들로 구성된 제1 저항(R1), 제2 저항(R2) 및 복수의 제2 센서 전극(575)들로 구성된 제3 저항(R3), 및 제4 저항(R4)으로 센싱 회로(590)를 구성할 수 있다. 일 실시 예로서, 제1 저항(R1), 제2 저항(R2), 제3 저항(R3), 및 제4 저항(R4)들을 포함하는 휘스톤 브리지로 형태로 센싱 회로(590)가 구성될 수 있다.

하기의 수학식 1과 같이, 센싱 회로(590)의 제1 저항(R1), 제2 저항(R2), 제3 저항(R3), 및 제4 저항(R4)들의 값에 기초하여 압력을 센싱할 수 있다.

제2 저항(R2)과 제3 저항(R3)의 값이 크고, 제1 저항(R1)과 제4 저항(R4)의 값이 작을 때 키리스 터치 센서 모듈(500)의 감도를 최대(max)로 높일 수 있다. 일 실시 예로서, 제1 저항(R1)과 제4 저항(R4)는 압력이 작은 부분(예: 제1 하부 영역(501))에 배치되고, 제2 저항(R2)과 제3 저항(R3)은 압력이 큰 부분(예: 제2 하부 영역(502))에 배치될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 센서 구조체(530)는 스테인레스 금속(SUS)(예: 알루미늄)와 같은 메탈 재질로 형성될 수 있다. 복수의 센서 구조체(530)들이 어레이(array) 형태로 전기적으로 연결될 수 있다.

일 실시 예로서, 완충 부재(520)와 제1 접착층(540)의 사이에 형성된 제1 간격(G1)에 센서 구조체(530)가 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)는 제1 부분(531)(예: 상부 영역), 제2 부분(532)(예: 제1 하부 영역(501)), 제3 부분(533)(예: 제2 하부 영역(502)), 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역), 및 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)을 포함할 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)를 구성하는 제1 부분(531)(예: 상부 영역), 제2 부분(532)(예: 제1 하부 영역(501)), 제3 부분(533)(예: 제2 하부 영역(502)), 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역), 및 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)은 각각의 구성들이 연결되어 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)를 구성하는 제1 부분(531)(예: 상부 영역), 제2 부분(532)(예: 제1 하부 영역(501)), 제3 부분(533)(예: 제2 하부 영역(502)), 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역), 및 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)은 하나의 연속적인 재질로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)를 구성하는 제1 부분(531)(예: 상부 영역), 제2 부분(532)(예: 제1 하부 영역(501)), 제3 부분(533)(예: 제2 하부 영역(502)), 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역), 및 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)은 구간 별로 불연속적으로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)의 제1 부분(531)(예: 상부 영역)은 완충 부재(520)에 의해서 측면 부재(510)의 하부(예: -y축 방향)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)의 제2 부분(532)(예: 제2 하부 영역(502))은 제1 접착층(540)에 의해서 제1 센서 전극층(550)의 적어도 일부에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)의 제3 부분(533)(예: 제1 하부 영역(501))은 제1 접착층(540)에 의해서 제1 센서 전극층(550)의 적어도 일부에 부착될 수 있다. 센서 구조체(530)의 제2 부분(532)(예: 제1 하부 영역(501))과 제3 부분(533)(예: 제2 하부 영역(502))은 제1 센서 전극층(550)의 서로 다른 부분에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)의 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 부분(531)(예: 상부 영역)과 제2 부분(532)(예: 제1 하부 영역(501))을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 방향(예: -x축 방향)으로 제1 방향(예: -x축 방향)과 제2 방향(예: -y축 방향) 사이에서 소정 각도로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 즉, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(510)와 접한 면으로부터 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)의 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제1 부분(531)(예: 상부 영역)과 제3 부분(533)(예: 제2 하부 영역)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)은 수직하게 배치될 수 있다. 즉, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(510)와 접한 면으로부터 수직하게 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)은 서로 상이한 길이로 형성될 수 있다. 예로서, 제1 방향(예: -x축 방향)과 제2 방향(예: -y축 방향) 사이에서 사선 형태로 배치되는 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 길이로 형성될 수 있다. 예로서, 제1 방향(예: -x축 방향)으로 수직하게 배치되는 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)은 상기 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)의 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(555) 및/또는 제2 센서 전극(575)이 중첩(536)될 수 있다.

일 실시 예로서, y축 방향을 기준으로 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)의 아래에 제1 센서 전극(555)이 배치되어, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(555)이 중첩될 수 있다. 제1 센서 전극(555)의 아래에 제2 센서 전극(575)이 배치될 수 있다. 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제2 센서 전극(557)이 중첩될 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(555) 및/또는 제2 센서 전극(575)이 중첩(536)될 수 있다.

예로서, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(555)과 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(555)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

예로서, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(575)과 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(575)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

일 실시 예로서, y축 방향을 기준으로 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)의 아래에 제1 센서 전극(555)이 배치되어, 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(555)이 중첩될 수 있다. 제1 센서 전극(555)의 아래에 제2 센서 전극(575)이 배치될 수 있다. 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제2 센서 전극(557)이 중첩될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(530)의 일부분(CL)을 기준으로, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)이 형성된 제1 측(CL1)과 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역(502))이 형성된 제2 측(CL2)은 서로 비대칭 형태로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)이 제1 길이로 형성되고, 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)이 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성되어 있다. 따라서, 측면 부재(510)의 외부에서 터치가 이루어져 센서 구조체(530)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)과 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)이 상이할 수 있다. 예를 들면, 센서 구조체(530)에 터치 압력이 가해졌을 때, 측면 부재(510)와 접한 면으로부터 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 배치된 제4 부분(534)(예: 제1 힘 전달 영역)을 통해 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 제1 센서 전극(555) 및 제2 센서 전극(575)에 가해질 수 있다. 센서 구조체(530)에 터치 압력이 가해졌을 때, 측면 부재(510)와 접한 면으로부터 수직하게 배치된 제5 부분(535)(예: 제2 힘 전달 영역)을 통해 상기 제1 압력(예: 제1 터치 세기) 보다 큰 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 제1 센서 전극(555) 및 제2 센서 전극(575)에 가해질 수 있다. 즉, 측면 부재(510)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 작은 크기의 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 가해지고, 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 큰 크기의 제2 압력(예: 제2 터치 세기)가 가해질 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자가 측면 부재(510)를 터치하여 센서 구조체(530)에 터치 압력이 가해질 수 있다. 사용자의 터치에 의해 발생한 압력은 두 부분(예: 제1 하부 영역(501) 및 제2 하부 영역(502)으로 분산되고, 분산된 압력들에 대한 센싱이 동시에 발생할 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자의 터치에 의해 발생한 압력이 센서 구조체(530)에 가해지면, 압력이 2개의 경로로 분산되어 전달될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제1 경로는 제1 부분(531)(예: 상부 영역), 제4 부분(535) 및 제2 부분(532)을 포함할 수 있다. 제1 경로를 통해서 제1 부분(531)(예: 상부 영역)에서 제4 부분(535)을 거쳐 제2 부분(532)(예: 제1 하부 영역(501))으로 제1 압력이 전달될 수 있다. 제1 하부 영역(501)에 전달된 제1 압력에 의해서 제1 하부 영역(501)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(555) 및 제2 센서 전극(575)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제2 경로는 제1 부분(531)(예: 상부 영역), 제5 부분(534), 및 제3 부분(533)을 포함할 수 있다. 제2 경로를 통해서, 제1 부분(531)(예: 상부 영역)에서 제5 부분(534)을 거쳐 제3 부분(533)(예: 제2 하부 영역(502))으로 제2 압력이 전달될 수 있다. 제2 하부 영역(502)에 전달된 제2 압력에 의해서 제2 하부 영역(502)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(555) 및 제2 센서 전극(575)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 제1 하부 영역(501)과 중첩되는 제1 센서 전극(555) 및 제2 센서 전극(575)에서 발생되는 센싱 신호 및 제2 하부 영역(502)과 중첩되는 제1 센서 전극(555) 및 제2 센서 전극(575)에서 발생되는 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로 출력될 수 있다. 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))는 센서 구조체(530)를 통해서 입력되는 센싱 신호들을 터치 센싱 신호로 변환하고, 터치 센싱 신호를 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로 출력할 수 있다. 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로부터 입력되는 터치 센싱 신호를 분석하여 터치 위치 및 압력을 검출할 수 있다.

이와 같이, 센서 구조체(530)의 제4 부분(535)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제1 압력(예: 제1 터치 세기)과 제5 부분(534)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 상이함으로, 전자 장치(300)는 서로 다른 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 동시에 검출할 수 있다.

도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈(600)을 나타내는 도면이다. 도 6의 키리스 터치 센서 모듈(600)을 설명함에 있어서 도 5에 도시된 키리스 터치 센서 모듈(500)과 실질적으로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

도 6을 참조하면, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(300)(예: 도 4의 전자 장치(300))는 키리스 터치 센서 모듈(600)을 포함할 수 있다. 키리스 터치 센서 모듈(600)은, 전자 장치(300)의 측면 부재(610)(예: 도 3 및 도 4의 측면 부재(318)의 하부(예: 전자 장치의 안쪽)(예: -y축 방향)에 배치될 수 있다.

키리스 터치 센서 모듈(600)은, 완충 부재(620)(예: 쿠션 접착층), 센서 구조체(630)(예: 힘 전달부재), 제1 접착층(640), 제1 센서 전극층(650), 제2 접착층(660), 및 제2 센서 전극층(670)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 완충 부재(620)의 상면과 하면에는 접착층(또는 접착 물질, 접착 테이프)이 형성될 수 있다. 완충 부재(620)에 의해서 측면 부재(610)의 하부에 센서 구조체(630)가 배치될 수 있다. 제1 접착층(640)에 의해서 센서 구조체(630)의 하부에 제1 센서 전극층(650)이 배치될 수 있다. 제1 센서 전극층(650)의 하부에 제2 접착층(660)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(660)의 하부에 제2 센서 전극층(670)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(660)에 의해서 제1 센서 전극층(650)의 하부에 제2 센서 전극층(670)이 배치될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 센서 전극층(650)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제1 센서 전극(655)들을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제2 센서 전극층(670)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제2 센서 전극(675)들을 포함할 수 있다.

제1 센서 전극층(650)에 배치되는 제1 센서 전극(655)들에 의해서 제1 저항(R1), 제2 저항(R2)을 형성할 수 있다. 제2 센서 전극층(670)에 배치되는 제2 센서 전극(675)들에 의해서 제3 저항(R3), 제4 저항(R4)을 형성할 수 있다.

일 실시 예로서, 완충 부재(620)와 제1 접착층(640)의 사이에 형성된 제1 간격에 센서 구조체(630)가 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(630)는 제1 부분(631)(예: 상부 영역), 제2 부분(632)(예: 제1 하부 영역), 제3 부분(633)(예: 제2 하부 영역), 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역(601)), 및 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)(602)을 포함할 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(630)의 제1 부분(631)(예: 상부 영역)은 완충 부재(620)에 의해서 측면 부재(610)의 하부(예: -y축 방향)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(630)의 제2 부분(632)(예: 제1 하부 영역(601))은 제1 접착층(640)에 의해서 제1 센서 전극층(650)의 적어도 일부에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(630)의 제3 부분(633)(예: 제2 하부 영역(602))은 제1 접착층(640)에 의해서 제1 센서 전극층(650)의 적어도 일부에 부착될 수 있다. 센서 구조체(630)의 제2 부분(632)(예: 제1 하부 영역(601))과 제3 부분(633)(예: 제2 하부 영역(602))은 제1 센서 전극층(650)의 서로 다른 부분에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(630)의 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 부분(631)(예: 상부 영역)과 제2 부분(632)(예: 제1 하부 영역(601))을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 방향(예: -x축 방향)과 제2 방향(예: -y축 방향) 사이에서 일 방향으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 즉, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(610)와 접한 면으로부터 일 방향(예: -x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(630)의 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제1 부분(631)(예: 상부 영역)과 제3 부분(633)(예: 제2 하부 영역)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제3 방향(예: x축 방향)과 제2 방향(예: y축 방향) 사이에서 일 방향(예: x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 즉, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 측면 부재(610)와 접한 면으로부터 일 방향(예: x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 여기서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 서로 반대 방향으로 기울어질 수 있다. 예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)이 기울어지는 방향이 상이하고, 기울어지는 각도는 동일할 수 있다. 예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)이 기울어지는 방향이 상이하고, 기울어지는 각도가 서로 상이할 수 있다.

그러나, 이에 한정되지 않고, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 동일한 방향으로 기울어질 수도 있다. 예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)이 동일한 방향으로 기울어지더라도, 기울어지는 각도가 서로 상이할 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(610)와 접한 면으로부터 제1 각도를 이루도록 제1 방향으로 기울어질 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 측면 부재(610)와 접한 면으로부터 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 이루도록 제2 방향으로 기울어질 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 측면 부재(610)와 접한 면으로부터 상기 제1 각도보다 큰 제3 각도를 이루도록 제2 방향으로 기울어질 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 서로 상이한 길이로 형성될 수 있다. 예를 들면, 측면 부재(610)와 접한 면으로부터 제1 각도를 이루도록 제1 방향으로 기울어진 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 길이로 형성될 수 있다. 예를 들면, 측면 부재(610)와 접한 면으로부터 제2 각도(또는 제3 각도)를 이루도록 제2 방향으로 기울어진 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)은 상기 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)의 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(655) 및/또는 제2 센서 전극(675)이 중첩(636)될 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(655) 및/또는 제2 센서 전극(675)이 중첩(636)될 수 있다.

예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(655)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(655)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(675)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(675)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)이 제1 길이로 형성되고, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)이 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다. 따라서, 측면 부재(610)의 외부에서 터치가 이루어져 센서 구조체(630)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)이 상이할 수 있다. 예를 들면, 센서 구조체(630)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)을 통해 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 제1 센서 전극(655) 및 제2 센서 전극(675)에 가해질 수 있다. 센서 구조체(630)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)을 통해 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 제1 센서 전극(655) 및 제2 센서 전극(675)에 가해질 수 있다. 즉, 측면 부재(610)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 작은 크기의 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 가해지고, 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 큰 크기의 제2 압력(예: 제2 터치 세기)가 가해질 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자가 측면 부재(610)를 터치하여 센서 구조체(630)에 터치 압력이 가해질 수 있다. 사용자의 터치에 의해 발생한 압력은 두 부분(예: 제1 하부 영역(601) 및 제2 하부 영역(602)으로 분산되고, 분산된 압력들에 대한 센싱이 동시에 발생할 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자의 터치에 의해 발생한 압력이 센서 구조체(630)에 가해지면, 압력이 2개의 경로로 분산되어 전달될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제1 경로는 제1 부분(631)(예: 상부 영역), 제4 부분(635) 및 제2 부분(632)을 포함할 수 있다. 제1 경로를 통해서 제1 부분(631)(예: 상부 영역)에서 제4 부분(635)을 거쳐 제2 부분(632)(예: 제1 하부 영역(601))으로 제1 압력이 전달될 수 있다. 제1 하부 영역(601)에 전달된 제1 압력에 의해서 제1 하부 영역(601)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(655) 및 제2 센서 전극(675)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제2 경로는 제1 부분(631)(예: 상부 영역), 제5 부분(634), 및 제3 부분(633)을 포함할 수 있다. 제2 경로를 통해서, 제1 부분(631)(예: 상부 영역)에서 제5 부분(634)을 거쳐 제3 부분(633)(예: 제2 하부 영역(602))으로 제2 압력이 전달될 수 있다. 제2 하부 영역(602)에 전달된 제2 압력에 의해서 제2 하부 영역(602)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(655) 및 제2 센서 전극(675)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 제1 하부 영역(601)과 중첩되는 제1 센서 전극(655) 및 제2 센서 전극(675)에서 발생되는 센싱 신호 및 제2 하부 영역(602)과 중첩되는 제1 센서 전극(655) 및 제2 센서 전극(675)에서 발생되는 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로 출력될 수 있다. 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))는 센서 구조체(630)를 통해서 입력되는 센싱 신호들을 터치 센싱 신호로 변환하고, 터치 센싱 신호를 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로 출력할 수 있다. 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로부터 입력되는 터치 센싱 신호를 분석하여 터치 위치 및 압력을 검출할 수 있다.

이와 같이, 센서 구조체(630)의 제4 부분(635)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제1 압력(예: 제1 터치 세기)과 제5 부분(634)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 상이함으로, 전자 장치(300)는 서로 다른 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 동시에 검출할 수 있다.

도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈(700)을 나타내는 도면이다. 도 7의 키리스 터치 센서 모듈(700)을 설명함에 있어서, 도 5의 키리스 터치 센서 모듈(500) 및 도 6에 도시된 키리스 터치 센서 모듈(600)과 실질적으로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

도 7을 참조하면, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(300)는 키리스 터치 센서 모듈(700)을 포함할 수 있다. 키리스 터치 센서 모듈(700)은, 전자 장치(300)의 측면 부재(710)(예: 도 4의 측면 부재(318)의 하부(예: 전자 장치의 안쪽)(예: -y축 방향)에 배치될 수 있다.

키리스 터치 센서 모듈(700)은, 완충 부재(720)(예: 쿠션 접착층), 센서 구조체(730)(예: 힘 전달부재), 제1 접착층(740), 제1 센서 전극층(750), 제2 접착층(760), 및 제2 센서 전극층(770)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 완충 부재(720)의 상면과 하면에는 접착층(또는 접착 물질, 접착 테이프)이 형성될 수 있다. 완충 부재(720)에 의해서 측면 부재(710)의 하부에 센서 구조체(730)가 부착될 수 있다. 제1 접착층(740)에 의해서 센서 구조체(730)의 하부에 제1 센서 전극층(750)이 부착될 수 있다. 제1 센서 전극층(750)의 하부에 제2 접착층(760)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(760)의 하부에 제2 센서 전극층(770)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(760)에 의해서 제1 센서 전극층(750)의 하부에 제2 센서 전극층(770)이 부착될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 센서 전극층(750)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제1 센서 전극(755)들을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제2 센서 전극층(770)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제2 센서 전극(775)들을 포함할 수 있다.

제1 센서 전극층(750)에 배치되는 제1 센서 전극(755)들에 의해서 제1 저항(R1), 제2 저항(R2)을 형성할 수 있다. 제2 센서 전극층(770)에 배치되는 제2 센서 전극(775)들에 의해서 제3 저항(R3), 제4 저항(R4)을 형성할 수 있다.

일 실시 예로서, 완충 부재(720)와 제1 접착층(740)의 사이에 형성된 제1 간격에 센서 구조체(730)가 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(730)는 제1 부분(731)(예: 상부 영역), 제2 부분(732)(예: 제1 하부 영역(701)), 제3 부분(733)(예: 제2 하부 영역(702)), 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역), 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)을 포함할 수 있다. 인접한 센서 구조체(730)들의 제2 부분(732)(예: 제1 하부 영역(701))과 제3 부분(733)(예: 제2 하부 영역(702))는 사이에는 일정 간격(780)을 두고 서로 이격되도록 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(730)의 제1 부분(731)(예: 상부 영역)은 완충 부재(720)에 의해서 측면 부재(710)의 하부(예: -y축 방향)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(730)의 제2 부분(732)(예: 제1 하부 영역)은 제1 접착층(740)에 의해서 제1 센서 전극층(750)의 적어도 일부에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(730)의 제3 부분(733)(예: 제2 하부 영역)은 제1 접착층(740)에 의해서 제1 센서 전극층(750)의 적어도 일부에 부착될 수 있다. 센서 구조체(730)의 제2 부분(732)(예: 제1 하부 영역(701))과 제3 부분(733)(예: 제2 하부 영역(702))은 제1 센서 전극층(750)의 서로 다른 부분에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(730)의 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 부분(731)(예: 상부 영역)과 제2 부분(732)(예: 제1 하부 영역)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 방향(예: -x축 방향)과 제2 방향(예: -y축 방향) 사이에서 제1 방향으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 즉, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(710)와 접한 면으로부터 일 방향(예: -x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(730)의 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제1 부분(731)(예: 상부 영역)과 제3 부분(733)(예: 제2 하부 영역)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제3 방향(예: x축 방향)과 제2 방향(예: -y축 방향) 사이에서 일 방향(예: x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 즉, 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 측면 부재(710)와 접한 면으로부터 일 방향(예: x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 여기서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 센서 구조체(730)의 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 서로 반대 방향으로 기울어질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 동일한 방향으로 기울어질 수도 있다. 예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)이 기울어지는 방향이 상이하고, 기울어지는 각도는 동일할 수 있다. 예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)이 기울어지는 방향이 상이하고, 기울어지는 각도가 서로 상이할 수 있다.

그러나, 이에 한정되지 않고, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 동일한 방향으로 기울어질 수도 있다. 예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)이 동일한 방향으로 기울어지더라도, 기울어지는 각도가 서로 상이할 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(710)와 접한 면으로부터 제1 각도를 이루도록 일 방향(예: -x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어질 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 측면 부재(710)와 접한 면으로부터 상기 제1 각도보다 큰 제2 각도를 이루도록 일 방향(예: x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어질 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 서로 상이한 길이로 형성될 수 있다. 예를 들면, 측면 부재(710)와 접한 면으로부터 제1 각도를 이루도록 일 방향(예: -x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 길이로 형성될 수 있다. 예를 들면, 측면 부재(710)와 접한 면으로부터 제2 각도를 이루도록 일 방향(예: x축과 -y축 사이의 방향)으로 기울어진 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)은 상기 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)의 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 복수의 센서 구조체(730)들이 어레이(array) 형태로 배열되어 있고, 일정 간격(780)을 두고 서로 이격된 부분(780)은 인접한 센서 구조체(730)들 사이에 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(755) 및/또는 제2 센서 전극(775)이 중첩(736)될 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(755) 및/또는 제2 센서 전극(775)이 중첩(736)될 수 있다.

예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(755)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(755)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(775)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(775)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)이 제1 길이로 형성되고, 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)이 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다. 따라서, 측면 부재(710)의 외부에서 터치가 이루어져 센서 구조체(730)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)이 상이할 수 있다. 예를 들면, 센서 구조체(730)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)을 통해 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 제1 센서 전극(755) 및 제2 센서 전극(775)에 가해질 수 있다. 센서 구조체(730)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)을 통해 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 제1 센서 전극(755) 및 제2 센서 전극(775)에 가해질 수 있다. 즉, 측면 부재(710)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 작은 크기의 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 가해지고, 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 큰 크기의 제2 압력(예: 제2 터치 세기)가 가해질 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자가 측면 부재(710)를 터치하여 센서 구조체(730)에 터치 압력이 가해질 수 있다. 사용자의 터치에 의해 발생한 압력은 두 부분(예: 제1 하부 영역(701) 및 제2 하부 영역(702)으로 분산되고, 분산된 압력들에 대한 센싱이 동시에 발생할 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자의 터치에 의해 발생한 압력이 센서 구조체(730)에 가해지면, 압력이 2개의 경로로 분산되어 전달될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제1 경로는 제1 부분(731)(예: 상부 영역), 제4 부분(735) 및 제2 부분(732)을 포함할 수 있다. 제1 경로를 통해서 제1 부분(731)(예: 상부 영역)에서 제4 부분(735)을 거쳐 제2 부분(732)(예: 제1 하부 영역(501))으로 제1 압력이 전달될 수 있다. 제1 하부 영역(701)에 전달된 제1 압력에 의해서 제1 하부 영역(701)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(755) 및 제2 센서 전극(775)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제2 경로는 제1 부분(731)(예: 상부 영역), 제5 부분(734), 및 제3 부분(733)을 포함할 수 있다. 제2 경로를 통해서, 제1 부분(731)(예: 상부 영역)에서 제5 부분(734)을 거쳐 제3 부분(733)(예: 제2 하부 영역(702))으로 제2 압력이 전달될 수 있다. 제2 하부 영역(702)에 전달된 제2 압력에 의해서 제2 하부 영역(702)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(755) 및 제2 센서 전극(775)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 제1 하부 영역(701)과 중첩되는 제1 센서 전극(755) 및 제2 센서 전극(775)에서 발생되는 센싱 신호 및 제2 하부 영역(702)과 중첩되는 제1 센서 전극(755) 및 제2 센서 전극(775)에서 발생되는 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로 출력될 수 있다. 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))는 센서 구조체(730)를 통해서 입력되는 센싱 신호들을 터치 센싱 신호로 변환하고, 터치 센싱 신호를 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로 출력할 수 있다. 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로부터 입력되는 터치 센싱 신호를 분석하여 터치 위치 및 압력을 검출할 수 있다.

이와 같이, 센서 구조체(730)의 제4 부분(735)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제1 압력(예: 제1 터치 세기)과 제5 부분(734)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 상이함으로, 전자 장치(300)는 서로 다른 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 동시에 검출할 수 있다.

도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈(800)을 나타내는 도면이다. 도 8의 키리스 터치 센서 모듈(800)을 설명함에 있어서 도 5에 도시된 키리스 터치 센서 모듈(500), 도 6에 도시된 키리스 터치 센서 모듈(600), 및 도 7에 도시된 키리스 터치 센서 모듈(700)과 실질적으로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

도 8을 참조하면, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(300)는 키리스 터치 센서 모듈(800)을 포함할 수 있다. 키리스 터치 센서 모듈(800)은, 측면 부재(810(예: 도 3 및 도 4의 측면 부재(318))의 하부(예: 전자 장치의 안쪽)(예: -y축 방향)에 배치될 수 있다. 키리스 터치 센서 모듈(800)은, 완충 부재(820)(예: 쿠션 접착층), 센서 구조체(830)(예: 힘 전달부재), 제1 접착층(840), 제1 센서 전극층(850), 제2 접착층(860), 및 제2 센서 전극층(870)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 완충 부재(820)의 상면과 하면에는 접착층(또는 접착 물질, 접착 테이프)이 형성될 수 있다. 완충 부재(820)에 의해서 측면 부재(810)의 하부에 센서 구조체(830)가 배치될 수 있다. 제1 접착층(840)에 의해서 센서 구조체(830)의 하부에 제1 센서 전극층(850)이 배치될 수 있다. 제1 센서 전극층(850)의 하부에 제2 접착층(860)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(860)의 하부에 제2 센서 전극층(870)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(860)에 의해서 제1 센서 전극층(850)의 하부에 제2 센서 전극층(870)이 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(830)는 제1 부분(831)(예: 상부 영역), 제2 부분(832)(예: 제1 하부 영역(801)), 제3 부분(833)(예: 제2 하부 영역(802)), 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역), 및 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)을 포함할 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(830)의 제1 부분(831)(예: 상부 영역)은 완충 부재(820)에 의해서 측면 부재(810)의 하부(예: -y축 방향)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(830)의 제2 부분(832)(예: 제1 하부 영역)은 제1 접착층(840)에 의해서 제1 센서 전극층(850)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(830)의 제3 부분(833)(예: 제2 하부 영역)은 제1 접착층(840)에 의해서 제1 센서 전극층(850)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(830)의 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 부분(831)(예: 상부 영역)과 제2 부분(832)(예: 제1 하부 영역(802))을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 방향(예: -x축 방향)과 제2 방향(예: -y축 방향) 사이에서 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다. 즉, 제4 부분(834)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(810)와 접한 면으로부터 기울어진 사선 형태로 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(830)의 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제1 부분(831)(예: 상부 영역)과 제3 부분(833)(예: 제2 하부 영역)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제1 방향(예: -y축 방향)으로 수직하게 배치될 수 있다. 즉, 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)은 측면 부재(810)와 접한 면으로부터 제1 방향(예: -y축 방향)으로 수직하게 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)은 서로 상이한 길이로 형성될 수 있다. 예를 들면, 측면 부재(810)로부터 일 방향으로 기울어진 제4 부분(835) (예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 길이를 가지도록 형성될 수 있다. 측면 부재(810)로부터 수직하게 형성된 제5 부분(834)은 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이를 가지도록 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(855) 및/또는 제2 센서 전극(875)이 중첩(836)될 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(855) 및/또는 제2 센서 전극(875)이 중첩(836)될 수 있다.

예로서, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(855)과 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제1 센서 전극(855)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

예로서, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)과 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(875)과 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 중첩되는 제2 센서 전극(875)은 일정 간격을 두고 이격된 서로 다른 전극일 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 센서 전극층(850)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제1 센서 전극(855)들을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제2 센서 전극층(870)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제2 센서 전극(875)들을 포함할 수 있다.

일 실시 예로서, 복수의 제1 센서 전극(855)들은 불균일하게 배치될 수 있다. 복수의 제1 센서 전극(855)들은 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역) 및/또는 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)과 중첩(836)되는 부분(또는 주변에)에 배치될 수 있다. 복수의 제2 센서 전극(875)들은 불균일하게 배치될 수 있다. 복수의 제2 센서 전극(875)들은 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역) 및/또는 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)과 적어도 일부가 중첩(836)되는 부분(또는 주변에)배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)이 제1 길이로 형성되고, 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)이 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다. 따라서, 측면 부재(810)의 외부에서 터치가 이루어져 센서 구조체(830)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)과 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)이 상이할 수 있다. 예를 들면, 센서 구조체(830)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)을 통해 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 제1 센서 전극(855) 및 제2 센서 전극(875)에 가해질 수 있다. 센서 구조체(830)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)을 통해 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 제1 센서 전극(855) 및 제2 센서 전극(875)에 가해질 수 있다. 즉, 측면 부재(810)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 작은 크기의 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 가해지고, 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 큰 크기의 제2 압력(예: 제2 터치 세기)가 가해질 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자가 측면 부재(810)를 터치하여 센서 구조체(830)에 터치 압력이 가해질 수 있다. 사용자의 터치에 의해 발생한 압력은 두 부분(예: 제1 하부 영역(801) 및 제2 하부 영역(802)으로 분산되고, 분산된 압력들에 대한 센싱이 동시에 발생할 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자의 터치에 의해 발생한 압력이 센서 구조체(830)에 가해지면, 압력이 2개의 경로로 분산되어 전달될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제1 경로는 제1 부분(831)(예: 상부 영역), 제4 부분(835) 및 제2 부분(832)을 포함할 수 있다. 제1 경로를 통해서 제1 부분(831)(예: 상부 영역)에서 제4 부분(835)을 거쳐 제2 부분(832)(예: 제1 하부 영역(801))으로 제1 압력이 전달될 수 있다. 제1 하부 영역(801)에 전달된 제1 압력에 의해서 제1 하부 영역(801)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(855) 및 제2 센서 전극(875)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제2 경로는 제1 부분(831)(예: 상부 영역), 제5 부분(834), 및 제3 부분(833)을 포함할 수 있다. 제2 경로를 통해서, 제1 부분(831)(예: 상부 영역)에서 제5 부분(834)을 거쳐 제3 부분(833)(예: 제2 하부 영역(802))으로 제2 압력이 전달될 수 있다. 제2 하부 영역(802)에 전달된 제2 압력에 의해서 제2 하부 영역(802)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(855) 및 제2 센서 전극(875)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 제1 하부 영역(801)과 중첩되는 제1 센서 전극(855) 및 제2 센서 전극(875)에서 발생되는 센싱 신호 및 제2 하부 영역(802)과 중첩되는 제1 센서 전극(855) 및 제2 센서 전극(875)에서 발생되는 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로 출력될 수 있다. 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))는 센서 구조체(830)를 통해서 입력되는 센싱 신호들을 터치 센싱 신호로 변환하고, 터치 센싱 신호를 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로 출력할 수 있다. 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로부터 입력되는 터치 센싱 신호를 분석하여 터치 위치 및 압력을 검출할 수 있다.

이와 같이, 센서 구조체(830)의 제4 부분(835)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제1 압력(예: 제1 터치 세기)과 제5 부분(834)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 상이함으로, 전자 장치(300)는 서로 다른 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 동시에 검출할 수 있다.

도 9는 본 개시의 일 실시 예에 따른 키리스 터치 센서 모듈(900)을 나타내는 도면이다. 도 9의 키리스 터치 센서 모듈(900)을 설명함에 있어서 도 5에 도시된 키리스 터치 센서 모듈(500), 도 6의 키리스 터치 센서 모듈(600), 도 7의 키리스 터치 센서 모듈(700), 도 8의 키리스 터치 센서 모듈(800)과 실질적으로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

도 9를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(300)는 키리스 터치 센서 모듈(900)을 포함할 수 있다. 키리스 터치 센서 모듈(900)은, 전자 장치(300)의 측면 부재(910(예: 도 3 및 도 4의 측면 부재(318))의 하부(예: 전자 장치의 안쪽)(예: -y축 방향)에 배치될 수 있다.

키리스 터치 센서 모듈(900)은, 완충 부재(920)(예: 쿠션 접착층), 센서 구조체(930)(예: 힘 전달부재), 제1 접착층(940), 제1 센서 전극층(950), 제2 접착층(960), 및 제2 센서 전극층(970)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 완충 부재(920)의 상면과 하면에는 접착층(또는 접착 물질, 접착 테이프)이 형성될 수 있다. 완충 부재(920)에 의해서 측면 부재(910)의 하부에 센서 구조체(930)가 부착될 수 있다. 제1 접착층(940)에 의해서 센서 구조체(930)의 하부에 제1 센서 전극층(950)이 부착될 수 있다. 제1 센서 전극층(950)의 하부에 제2 접착층(960)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(960)의 하부에 제2 센서 전극층(970)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(960)에 의해서 제1 센서 전극층(950)의 하부에 제2 센서 전극층(970)이 부착될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제1 센서 전극층(950)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제1 센서 전극(955)들을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 제2 센서 전극층(970)은, 일정 간격을 두고 배치되는 복수의 제2 센서 전극(975)들을 포함할 수 있다.

제1 센서 전극층(950)에 배치되는 제1 센서 전극(955)들에 의해서 제1 저항(R1), 제2 저항(R2)을 형성할 수 있다. 제2 센서 전극층(970)에 배치되는 제2 센서 전극(975)들에 의해서 제3 저항(R3), 제4 저항(R4)을 형성할 수 있다.

일 실시 예로서, 완충 부재(920)와 제1 접착층(940)의 사이에 형성된 제1 간격에 센서 구조체(930)가 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(955) 및 제2 센서 전극(975)이 중첩(936)될 수 있다. 센서 구조체(930)는 일정 곡률은 가지는 곡선 형태로 형성되어 완충 부재(920)와 제1 접착층(940)의 사이의 제1 간격에 배치될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)는 제1 부분(931)(예: 상부 영역), 제2 부분(932)(예: 제1 하부 영역), 제3 부분(933)(예: 제2 하부 영역), 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역), 및 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)을 포함할 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)의 제1 부분(931)(예: 상부 영역)은 완충 부재(920)에 의해서 측면 부재(910)의 하부(예: -y축 방향)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)의 제2 부분(932)(예: 제1 하부 영역)은 제1 접착층(940)에 의해서 제1 센서 전극층(950)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)의 제3 부분(933)(예: 제2 하부 영역)은 제1 접착층(940)에 의해서 제1 센서 전극층(950)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)의 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 부분(931)(예: 상부 영역)과 제2 부분(932)(예: 제1 하부 영역)을 연결할 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)의 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)은 제1 부분(931)(예: 상부 영역)과 제3 부분(933)(예: 제2 하부 영역)을 연결할 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)은 측면 부재(910)와 접한 면으로부터 일정 곡률로 기울어져 제1 접착층(940)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)은 측면 부재(910)와 접한 면으로부터 일정 곡률로 기울어져 제1 접착층(940)에 부착될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)과 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)은 서로 상이한 길이로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)은 제1 길이로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)은 상기 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)의 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(955) 및/또는 제2 센서 전극(975)이 중첩(936)될 수 있다.

일 실시 예로서, 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)의 적어도 일부와 제1 센서 전극(955) 및/또는 제2 센서 전극(975)이 중첩(936)될 수 있다.

일 실시 예로서, 센서 구조체(930)의 일부분(CL)을 기준으로, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)이 형성된 제1 측(CL1)과 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)이 형성된 제2 측(CL2)은 서로 비대칭 형태로 형성될 수 있다.

일 실시 예로서, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)이 제1 길이로 형성되고, 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)이 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다. 따라서, 측면 부재(910)의 외부에서 터치가 이루어져 센서 구조체(930)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)과 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 압력(예: 터치 세기)이 상이할 수 있다. 예를 들면, 센서 구조체(930)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)을 통해 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 제1 센서 전극(955) 및 제2 센서 전극(975)에 가해질 수 있다. 센서 구조체(930)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)을 통해 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 제1 센서 전극(955) 및 제2 센서 전극(975)에 가해질 수 있다. 즉, 측면 부재(910)에 터치 압력이 가해졌을 때, 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 작은 크기의 제1 압력(예: 제1 터치 세기)이 가해지고, 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해서 상대적으로 큰 크기의 제2 압력(예: 제2 터치 세기)가 가해질 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자가 측면 부재(910)를 터치하여 센서 구조체(930)에 터치 압력이 가해질 수 있다. 사용자의 터치에 의해 발생한 압력은 두 부분(예: 제1 하부 영역 및 제2 하부 영역으로 분산되고, 분산된 압력들에 대한 센싱이 동시에 발생할 수 있다.

일 실시 예로서, 사용자의 터치에 의해 발생한 압력이 센서 구조체(930)에 가해지면, 압력이 2개의 경로로 분산되어 전달될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제1 경로는 제1 부분(931)(예: 상부 영역), 제4 부분(935) 및 제2 부분(932)을 포함할 수 있다. 제1 경로를 통해서 제1 부분(931)(예: 상부 영역)에서 제4 부분(935)을 거쳐 제2 부분(932)(예: 제1 하부 영역)으로 제1 압력이 전달될 수 있다. 제1 하부 영역에 전달된 제1 압력에 의해서 제1 하부 영역과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(955) 및 제2 센서 전극(975)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 압력이 전달되는 2개의 경로 중, 제2 경로는 제1 부분(931)(예: 상부 영역), 제5 부분(934), 및 제3 부분(933)을 포함할 수 있다. 제2 경로를 통해서, 제1 부분(931)(예: 상부 영역)에서 제5 부분(934)을 거쳐 제3 부분(933)(예: 제2 하부 영역)으로 제2 압력이 전달될 수 있다. 제2 하부 영역에 전달된 제2 압력에 의해서 제2 하부 영역과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된 제1 센서 전극(955) 및 제2 센서 전극(975)에서 센싱 신호를 발생시킬 수 있다. 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))으로 출력될 수 있다.

예로서, 제1 하부 영역과 중첩되는 제1 센서 전극(955) 및 제2 센서 전극(975)에서 발생되는 센싱 신호 및 제2 하부 영역과 중첩되는 제1 센서 전극(955) 및 제2 센서 전극(975)에서 발생되는 센싱 신호는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로 출력될 수 있다. 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))는 센서 구조체(930)를 통해서 입력되는 센싱 신호들을 터치 센싱 신호로 변환하고, 터치 센싱 신호를 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로 출력할 수 있다. 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 터치 센서 IC(예: 도 2의 터치 센서 IC(253))로부터 입력되는 터치 센싱 신호를 분석하여 터치 위치 및 압력을 검출할 수 있다.

이와 같이, 센서 구조체(930)의 제4 부분(935)(예: 제1 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제1 압력(예: 제1 터치 세기)과 제5 부분(934)(예: 제2 힘 전달 영역)에 의해 전달되는 제2 압력(예: 제2 터치 세기)이 상이함으로, 전자 장치(300)는 서로 다른 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 동시에 검출할 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 3의 전자 장치(300), 도 5a의 전자 장치(300), 도 6의 전자 장치(300), 도 7의 전자 장치(300), 도 8의 전자 장치(300), 도 9의 전자 장치(300))의 키리스 터치 센서 모듈(예: 도 5a의 키리스 터치 센서 모듈(500), 도 6의 키리스 터치 센서 모듈(600), 도 7의 키리스 터치 센서 모듈(700), 도 8의 키리스 터치 센서 모듈(800), 도 9의 키리스 터치 센서 모듈(900))은, 센서 구조체(예: 도 5a의 센서 구조체(530), 도 6의 센서 구조체(630), 도 7의 센서 구조체(730), 도 8의 센서 구조체(830), 도 9의 센서 구조체(930)), 제1 센서 전극층(예: 도 5a의 제1 센서 전극층(550), 도 6의 제1 센서 전극층(650), 도 7의 제1 센서 전극층(750), 도 8의 제1 센서 전극층(850), 도 9의 제1 센서 전극층(950)), 제2 센서 전극층(예: 도 5a의 제2 센서 전극층(570), 도 6의 제2 센서 전극층(670), 도 7의 제2 센서 전극층(770), 도 8의 제2 센서 전극층(870), 도 9의 제2 센서 전극층(970)), 제1 접착층(예: 도 5a의 제1 접착층(540), 도 6의 제1 접착층(640), 도 7의 제1 접착층(740), 도 8의 제1 접착층(840), 도 9의 제1 접착층(940)), 및 제2 접착층(예: 도 5a의 제2 접착층(560), 도 6의 제2 접착층(660), 도 7의 제2 접착층(760), 도 8의 제2 접착층(860), 도 9의 제2 접착층(960))을 포함할 수 있다. 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)는 상기 전자 장치(101, 300)의 측면 부재(예: 도 3 및 도 4의 측면 부재(318), 도 5a의 측면 부재(510), 도 6의 측면 부재(610), 도 7의 측면 부재(710), 도 8의 측면 부재(810), 도 9의 측면 부재(910))의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)은 복수의 제1 센서 전극(예: 도 5a의 제1 센서 전극(555), 도 6의 제1 센서 전극(655), 도 7의 제1 센서 전극(755), 도 8의 제1 센서 전극(855), 도 9의 제1 센서 전극(955))들을 포함하여 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제2 센서 전극층(570, 670, 770, 870, 970)은 복수의 제2 센서 전극(예: 도 5a의 제2 센서 전극(575), 도 6의 제2 센서 전극(675), 도 7의 제2 센서 전극(775), 도 8의 제2 센서 전극(875), 도 9의 제2 센서 전극(975))들을 포함하여 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제1 접착층(540, 640, 740, 840, 940)은 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)와 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950) 사이에 배치되어 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)를 상기 제1 선서 전극층에 부착할 수 있다. 상기 제2 접착층(560, 660, 760, 860, 960)은 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)과 상기 제2 센서 전극층(570, 670, 770, 870, 970) 사이에 배치되어 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)을 상기 제2 센서 전극층(570, 670, 770, 870, 970)에 부착할 수 있다. 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)는, 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)에 부착되는 제1 부분(예: 도 5a의 제1 부분(531), 도 6의 제1 부분(631), 도 7의 제1 부분(731), 도 8의 제1 부분(831), 도 9의 제1 부분(931))과, 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)에 부착되는 제2 부분(예: 도 5a의 제2 부분(532), 도 6의 제2 부분(632), 도 7의 제2 부분(732), 도 8의 제2 부분(832), 도 9의 제2 부분(932))과, 상기 제2 부분(532, 632, 732, 832, 932)과 이격되어 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)에 부착되는 제3 부분(예: 도 5a 의 제3 부분(533), 도 6의 제3 부분(633), 도 7의 제3 부분(733), 도 8의 제3 부분(833), 도 9의 제3 부분(933))과, 상기 제1 부분(531, 631, 731, 831, 931)과 상기 제2 부분(532, 632, 732, 832, 932)을 연결하는 제4 부분(예: 도 5a의 제4 부분(535), 도 6의 제4 부분(635), 도 7의 제4 부분(735), 도 8의 제4 부분(835), 도 9의 제4 부분(935)), 및 상기 제1 부분(531, 631, 731, 831, 931)과 상기 제3 부분(533, 633, 733, 833, 933)을 연결하는 제5 부분(예: 도 5a의 제5 부분(534), 도 6의 제5 부분(634), 도 7의 제5 부분(734), 도 8의 제5 부분(834), 도 9의 제5 부분(934))을 포함할 수 있다. 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)과 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)의 길이가 상이하게 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)와 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930) 사이에 배치되는 완충 부재를 포함할 수 있다. 상기 완충 부재의 상면 및 하면에는 접착층이 형성되고, 상기 완충 부재에 의해서 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)의 하부에 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)가 부착될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)은 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)와 접한 면으로부터 제1 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)은 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)와 접한 면으로부터 수직하게 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)은 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)와 접한 면으로부터 상기 제1 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)은 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)와 접한 면으로부터 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)의 적어도 일부는 상기 제1 센서 전극(555, 655, 755, 855, 955) 및 상기 제2 센서 전극(575, 675, 775, 875, 975)과 중첩될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)의 적어도 일부는 상기 제1 센서 전극(555, 655, 755, 855, 955) 및 상기 제2 센서 전극(575, 675, 775, 875, 975)과 중첩될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)의 일부분을 기준으로 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)과 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)이 비대칭으로 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)은 제1 길이로 형성될 수 있다. 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)은 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)에 압력이 가해지면, 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)을 통해 상기 복수의 제1 센서 전극(555, 655, 755, 855, 955)들 중 제1 전극에 제1 압력이 가해지고, 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)을 통해 상기 복수의 제1 센서 전극(555, 655, 755, 855, 955)들 중 제2 전극에 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력이 가해지고, 상기 제1 전극은 상기 제1 압력에 따른 센싱 신호를 출력하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 압력에 따른 센싱 신호를 출력할 수 있다.

본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(101, 300)는, 하우징, 디스플레이 모듈, 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910), 키리스 터치 센서 모듈(500, 600, 700, 800, 900), 및 터치 드라이버를 포함할 수 있다. 상기 디스플레이 모듈은 상기 하우징의 내부 공간에 배치될 수 있다. 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)는 상기 하우징의 측면에 배치될 수 있다. 상기 키리스 터치 센서 모듈(500, 600, 700, 800, 900)은 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 터치 드라이버는 키리스 터치 센서 모듈(500, 600, 700, 800, 900)로부터의 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 함께 판단할 수 있다. 상기 키리스 터치 센서 모듈(500, 600, 700, 800, 900)은, 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)의 하부에 부착되는 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930), 복수의 제1 센서 전극(555, 655, 755, 855, 955)들을 포함하여 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)의 하부에 배치되는 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950), 복수의 제2 센서 전극(575, 675, 775, 875, 975)들을 포함하여 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)의 하부에 배치되는 제2 센서 전극층(570, 670, 770, 870, 970), 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)와 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950) 사이에 배치되어 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)를 상기 제1 선서 전극층에 부착하는 제1 접착층(540, 640, 740, 840, 940), 및 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)과 상기 제2 센서 전극층(570, 670, 770, 870, 970) 사이에 배치되어 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)을 상기 제2 센서 전극층(570, 670, 770, 870, 970)에 부착하는 제2 접착층(560, 660, 760, 860, 960)을 포함할 수 있다. 상기 센서 구조체(530, 630, 730, 830, 930)는, 상기 측면 부재(318, 510, 610, 710, 810, 910)에 부착되는 제1 부분(531, 631, 731, 831, 931)과, 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)에 부착되는 제2 부분(532, 632, 732, 832, 932)과, 상기 제2 부분(532, 632, 732, 832, 932)과 이격되어 상기 제1 센서 전극층(550, 650, 750, 850, 950)에 부착되는 제3 부분(533, 633, 733, 833, 933)과, 상기 제1 부분(531, 631, 731, 831, 931)과 상기 제2 부분(532, 632, 732, 832, 932)을 연결하는 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935), 및 상기 제1 부분(531, 631, 731, 831, 931)과 상기 제3 부분(533, 633, 733, 833, 933)을 연결하는 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)을 포함할 수 있다. 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)과 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)의 길이가 상이하게 형성될 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 상기 제4 부분(535, 635, 735, 835, 935)은 제1 길이로 형성되고, 상기 제5 부분(534, 634, 734, 834, 934)은 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성될 수 있다.

101: 전자 장치 160: 디스플레이 모듈
200: 디스플레이
230: 디스플레이 드라이버 IC(DDI)
250: 터치 회로 300: 전자 장치
310: 하우징 318: 측면 부재
500: 터치 센서 모듈 510: 측면 부재
520: 완충 부재 530: 센서 구조체
501: 제1 하부 영역
502: 제2 하부 영역
531: 제1 부분(예: 상부 영역)
532: 제2 부분
533: 제3 부분
534: 제4 부분(예: 제1 힘 전달 영역)
535: 제5 부분(예: 제2 힘 전달 영역)
540: 제1 접착층 550: 제1 센서 전극층
555: 제1 센서 전극 560: 제2 접착층
570: 제2 센서 전극층 575: 제2 센서 전극

Claims

전자 장치의 키리스 터치 센서 모듈에 있어서,
상기 전자 장치의 측면 부재의 하부에 배치되는 센서 구조체;
복수의 제1 센서 전극들을 포함하여 상기 센서 구조체의 하부에 배치되는 제1 센서 전극층;
복수의 제2 센서 전극들을 포함하여 상기 제1 센서 전극층의 하부에 배치되는 제2 센서 전극층;
상기 센서 구조체와 상기 제1 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 센서 구조체를 상기 제1 선서 전극층에 부착하는 제1 접착층; 및
상기 제1 센서 전극층과 상기 제2 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 제1 센서 전극층을 상기 제2 센서 전극층에 부착하는 제2 접착층;을 포함하고,
상기 센서 구조체는,
상기 측면 부재에 부착되는 제1 부분과, 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제2 부분과, 상기 제2 부분과 이격되어 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제3 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제4 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제3 부분을 연결하는 제5 부분을 포함하고,
상기 제4 부분과 상기 제5 부분의 길이가 상이하게 형성되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 1에 있어서,
상기 측면 부재와 상기 센서 구조체 사이에 배치되는 완충 부재를 포함하고,
상기 완충 부재의 상면 및 하면에는 접착층이 형성되고, 상기 완충 부재에 의해서 상기 측면 부재의 하부에 상기 센서 구조체가 부착되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 1에 있어서,
상기 제4 부분은 상기 측면 부재와 접한 면으로부터 제1 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 3에 있어서,
상기 제5 부분은 상기 측면 부재와 접한 면으로부터 수직하게 형성되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 3항에 있어서,
상기 제5 부분은 상기 측면 부재와 접한 면으로부터 상기 제1 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 3항에 있어서,
상기 제5 부분은 상기 측면 부재와 접한 면으로부터 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 1항에 있어서,
상기 제4 부분의 적어도 일부는 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극과 중첩되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 1항에 있어서,
상기 제5 부분의 적어도 일부는 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극과 중첩되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 1에 있어서,
상기 센서 구조체의 일부분을 기준으로 상기 제4 부분과 상기 제5 부분이 비대칭으로 형성되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 9에 있어서,
상기 제4 부분은 제1 길이로 형성되고,
상기 제5 부분은 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성되는,
키리스 터치 센서 모듈.
청구항 10에 있어서,
상기 센서 구조체에 압력이 가해지면, 상기 제4 부분을 통해 상기 복수의 제1 센서 전극들 중 제1 전극에 제1 압력이 가해지고,
상기 제5 부분을 통해 상기 복수의 제1 센서 전극들 중 제2 전극에 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력이 가해지고,
상기 제1 전극은 상기 제1 압력에 따른 센싱 신호를 출력하고,
상기 제2 전극은 상기 제2 압력에 따른 센싱 신호를 출력하는,
키리스 터치 센서 모듈.
전자 장치에 있어서,
하우징;
상기 하우징의 내부 공간에 배치되는 디스플레이 모듈;
상기 하우징의 측면에 배치되는 측면 부재;
상기 측면 부재의 하부에 배치되는 키리스 터치 센서 모듈; 및
키리스 터치 센서 모듈로부터의 센싱 신호들에 기초하여 터치 위치와 터치 세기를 함께 판단하는 터치 드라이버;를 포함하고,
상기 키리스 터치 센서 모듈은,
상기 측면 부재의 하부에 부착되는 센서 구조체;
복수의 제1 센서 전극들을 포함하여 상기 센서 구조체의 하부에 배치되는 제1 센서 전극층;
복수의 제2 센서 전극들을 포함하여 상기 제1 센서 전극층의 하부에 배치되는 제2 센서 전극층;
상기 센서 구조체와 상기 제1 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 센서 구조체를 상기 제1 선서 전극층에 부착하는 제1 접착층; 및
상기 제1 센서 전극층과 상기 제2 센서 전극층 사이에 배치되어 상기 제1 센서 전극층을 상기 제2 센서 전극층에 부착하는 제2 접착층;을 포함하고,
상기 센서 구조체는,
상기 측면 부재에 부착되는 제1 부분과, 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제2 부분과, 상기 제2 부분과 이격되어 상기 제1 센서 전극층에 부착되는 제3 부분과, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제4 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제3 부분을 연결하는 제5 부분을 포함하고,
상기 제4 부분과 상기 제5 부분의 길이가 상이하게 형성되는,
전자 장치.
청구항 12에 있어서,
상기 측면 부재와 상기 센서 구조체 사이에 배치되는 완충 부재를 포함하고,
상기 완충 부재의 상면 및 하면에는 접착층이 형성되고, 상기 완충 부재에 의해서 상기 측면 부재의 하부에 상기 센서 구조체가 부착되는,
전자 장치.
청구항 12에 있어서,
상기 제4 부분은 상기 측면 부재와 접한 면으로부터 제1 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성되는,
전자 장치.
청구항 14에 있어서,
상기 제5 부분은 상기 측면 부재와 접한 면으로부터 수직하게 형성되는,
전자 장치.
청구항 14항에 있어서,
상기 제5 부분은 상기 측면 부재와 접한 면으로부터 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 소정 각도로 기울어져 사선 형태로 형성되는,
전자 장치.
청구항 12항에 있어서,
상기 제4 부분의 적어도 일부는 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극과 중첩되는,
전자 장치.
청구항 12항에 있어서,
상기 제5 부분의 적어도 일부는 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극과 중첩되는,
전자 장치.
청구항 12에 있어서,
상기 센서 구조체의 일부분을 기준으로 상기 제4 부분과 상기 제5 부분이 비대칭으로 형성되는,
전자 장치.
청구항 19에 있어서,
상기 제4 부분은 제1 길이로 형성되고,
상기 제5 부분은 상기 제1 길이보다 짧은 제2 길이로 형성되는,
전자 장치.