KR20220163974A - 화합물 - Google Patents

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유지 아사츠
고우지 구몬
유키 니시카미
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스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
동우 화인켐 주식회사
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Abstract

[과제] 파장 440 ㎚ 부근의 광을 충분히 흡수하고, 또한, 내후성이 높은 신규 화합물을 제공한다.
[해결수단] 식 (X)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온을 포함하는 화합물.
Figure pct00100

[식 (X) 중, 고리 W1은, 적어도 하나의 치환기를 갖는 고리 구조를 나타낸다. 고리 W1은, 탄소수 5∼7의 고리인 것이 바람직하다.]

Description

화합물
본 발명은 화합물에 관한 것이다.
최근, 스마트 폰 등의 모바일 디바이스의 보급에 의해, 근거리에서 디스플레이를 육안으로 보는 시간이 계속해서 증가하고 있다. 근거리에서 디스플레이를 육안으로 보는 시간의 증가에 따라, 파장 400 ㎚∼500 ㎚ 영역의 광(소위 블루 라이트)에 의한 건강에의 영향도 크게 주목되고 있다.
블루 라이트에 의한 건강에의 영향의 경감 방법의 하나로서, 디스플레이 표면이나 안경, 콘택트 렌즈 등에 블루 라이트 컷트 기능을 부여하는 방법을 들 수 있다. 디스플레이 표면, 안경, 콘택트 렌즈 등에 파장 400∼500 ㎚의 광을 흡수하는 흡수체를 혼합하거나, 파장 400∼500 ㎚의 광을 흡수하는 흡수체를 포함하는 층을 적층하거나 함으로써, 블루 라이트 컷트 기능을 부여할 수 있다.
예컨대, 인용문헌 1에는, 블루 라이트 중에서도 파장 440 ㎚ 부근의 광을 효율적으로 흡수하는 화합물로서 퀴놀린계 화합물인 C.I. 솔벤트 옐로우 33의 사용이 기재되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2015-17152호 공보
그러나, C.I. 솔벤트 옐로우 33과 같은 퀴놀린계 화합물은 내후성이 충분하지 않은 경우가 있었다.
본 발명은 이하의 발명을 포함한다.
[1] 식 (X)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온을 포함하는 화합물.
Figure pct00001
[식 (X) 중, 고리 W1은, 적어도 하나의 치환기를 갖는 고리 구조를 나타낸다.]
[2] 식 (X)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온이, 식 (I)로 표시되는 음이온∼식 (VIII)로 표시되는 음이온 중 어느 하나인 [1]에 기재된 화합물.
Figure pct00002
Figure pct00003
[식 중, 고리 W1은, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
고리 W2, 고리 W3, 고리 W4, 고리 W5, 고리 W6, 고리 W7, 고리 W8, 고리 W9, 고리 W10, 고리 W11, 고리 W12, 고리 W13 및 고리 W14는 각각 독립적으로 고리 구조를 나타내고, 이 고리 구조는 치환기를 갖고 있어도 좋다.
R1, R2, R4, R5, R12, R14, R15, R22, R24, R25, R32, R34, R35, R42, R44, R45, R52, R54, R55, R62, R64, R65, R71, R72, R74, R75, R81, R82, R84, R85, R91, R92, R94, R95, R101, R102, R104, R105, R111, R112, R114, R115, R121, R122, R124, R125, R131, R132, R134 및 R135는 각각 독립적으로 전자 구인성 기를 나타낸다.
R3은 1가의 치환기를 나타낸다.
R13, R23, R33, R43, R53, R63 및 R133은 1가의 치환기를 나타낸다.
R1과 R2는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R2와 R3은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R3과 R4는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R4와 R5는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R12와 R13은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R13과 R14는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R14와 R15는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R22와 R23은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R23과 R24는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R24와 R25는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R32와 R33은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R33과 R34는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R34와 R35는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R42와 R43은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R43과 R44는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R44와 R45는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R52와 R53은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R53과 R54는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R54와 R55는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R62와 R63은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R63과 R64는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R64와 R65는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R71과 R72는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R74와 R75는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R81과 R82는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R84와 R85는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R91과 R92는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R94와 R95는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R101과 R102는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R104와 R105는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R111과 R112는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R114와 R115는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R121과 R122는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R124와 R125는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R131과 R132는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R132와 R133은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R133과 R134는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R134와 R135는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
Rx1, Rx4 및 Rx7은 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
Rx2는 및 Rx5는 각각 독립적으로 3가의 연결기를 나타낸다.
Rx3 및 Rx6은 각각 독립적으로 4가의 연결기를 나타낸다.]
[3] R3이 전자 구인성 기인 [2]에 기재된 화합물.
[4] R1, R2, R3, R4 및 R5에서 선택되는 적어도 하나가, 시아노기, 니트로기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3 또는 -SO3H인 [2] 또는 [3]에 기재된 화합물.
[5] R1, R2, R3, R4 및 R5에서 선택되는 적어도 하나가, 시아노기, 니트로기, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9(R1, R2 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -OCF3 또는 -SCF3인 [2]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 화합물.
[6] R1, R2, R3, R4 및 R5에서 선택되는 적어도 하나가, 시아노기 또는 니트로기인 [2]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 화합물.
[7] 파장 400 ㎚∼파장 550 ㎚ 사이에 극대 흡수를 나타내는 [1]∼[6] 중 어느 하나에 기재된 화합물.
[8] 극대 흡수 파장에 있어서의 그램 흡광 계수가 0.5 이상인 [1]∼[7] 중 어느 하나에 기재된 화합물.
[9] 하기 식 (a)를 만족시키는 [1]∼[8] 중 어느 하나에 기재된 화합물.
ε(λmax)/ε(λmax+30 ㎚)≥10 (a)
[식 중, ε(λmax)는, 극대 흡수 파장(λmax)에 있어서의 그램 흡광 계수를 나타낸다.
ε(λmax+30 ㎚)는, 극대 흡수 파장(λmax)+30 ㎚의 파장에 있어서의 그램 흡광 계수를 나타낸다.
또한, 그램 흡광 계수의 단위는 L/(g·㎝)이다.]
[10] [1]∼[9] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 포함하는 조성물.
[11] [10]에 기재된 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형물.
[12] 파장 440 ㎚에 있어서의 투과율이 50% 이하인 [11]에 기재된 성형물.
본 발명은 파장 440 ㎚ 부근의 광을 충분히 흡수하고, 또한, 내후성이 높은 신규 화합물을 제공한다.
본 발명의 화합물은, 식 (X)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온을 포함하는 화합물(이하, 화합물 (X)이라고 하는 경우가 있다.)이다.
Figure pct00004
[식 (X) 중, 고리 W1은 적어도 하나의 치환기를 갖는 고리를 나타낸다.]
고리 W1의 고리 구조는 특별히 한정되지 않는다. 고리 W1은 단고리여도 좋고, 축합 고리여도 좋다.
고리 W1은, 고리의 구성 요건으로서 헤테로 원자(예컨대, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등)를 포함하는 복소 고리여도 좋고, 탄소 원자와 수소 원자를 포함하는 지방족 탄화수소 고리여도 좋다.
고리 W1은, 통상, 탄소수 5∼18의 고리이고, 5∼7원 고리 구조인 것이 바람직하고, 6원 고리 구조인 것이 보다 바람직하다. 고리 W1은, 탄소수가 5∼7인 고리 구조인 것이 바람직하고, 탄소수가 6인 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
고리 W1은, 단고리인 것이 바람직하다.
고리 W1은, 지방족 탄화수소의 고리(지환식 탄화수소기)인 것이 바람직하다.
고리 W1은, 예컨대, 이하의 고리 구조를 들 수 있다.
Figure pct00005
고리 W1은 적어도 하나의 치환기를 갖고, 상기 치환기는 고리 W1에 결합하는 2개의 이중 결합 사이에 존재한다. 즉, 본 발명의 화합물은, 식 (X-1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온을 포함하는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00006
[식 (X-1) 중, 고리 W1은 상기와 동일한 의미를 나타내고, R3은 1가의 치환기를 나타낸다.]
R3은 1가의 치환기이면 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 1가의 지방족 탄화수소기, 1가의 방향족 탄화수소기, 전자 구인성 기, 전자 공여성 기, 헤테로 고리기 등을 들 수 있다.
R3으로 나타내는 1가의 지방족 탄화수소기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, n-헥실기, 이소헥실기, n-옥틸기, 이소옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기, 이소데실기, n-도데실기, 이소도데실기, 운데실기, 라우릴기, 미리스틸기, 세틸기, 스테아릴기, 2-에틸헥실기, 4-부틸옥틸기 등의 탄소수 1∼25의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기: 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 탄소수 3∼25의 시클로알킬기; 시클로헥실메틸기 등의 탄소수 4∼25의 시클로알킬알킬기: 이소보로닐기 등의 탄소수 4∼25의 알킬시클로알킬기를 들 수 있다. 바람직하게는 탄소수 1∼12의 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기이다.
R3으로 나타내는 1가의 방향족 탄화수소기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 페난트릴기, 크리세닐기, 트리페닐레닐기, 테트라페닐기, 피레닐기, 페릴레닐기, 코로네닐기, 비페닐기 등의 탄소수 6∼18의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 나프틸메틸기 등의 탄소수 7∼18의 아랄킬기; 페녹시에틸기, 페녹시디에틸렌글리콜기, 페녹시폴리알킬렌글리콜기의 아릴알콕시기 등을 들 수 있고, 탄소수 6∼18의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기 또는 벤질기인 것이 보다 바람직하다.
R3으로 나타내는 전자 공여성 기로서는, 수산기; 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기 등의 탄소수 1∼12의 알콕시기; 아미노기, 모노메틸아미노기, 모노에틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 메틸에틸아미노기 등의 하나 또는 2개의 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 아미노기 등을 들 수 있다.
R3으로 나타내는 헤테로 고리기로서는, 피롤리딘 고리기, 피롤린 고리기, 이미다졸리딘 고리기, 이미다졸린 고리기, 옥사졸린 고리기, 티아졸린 고리기, 피페리딘 고리기, 모르폴린 고리기, 피페라진 고리기, 인돌 고리기, 이소인돌 고리기, 퀴놀린 고리기, 티오펜 고리기, 피롤 고리기, 티아졸린 고리기 및 푸란 고리기 등의 탄소수 4∼20의 지방족 복소 고리기 또는 탄소수 3∼20의 방향족 복소 고리기 등을 들 수 있다.
R3으로 나타내는 전자 구인성 기로서는, 예컨대, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 카르복시기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, 식 (z-1)로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00007
[식 (z-1) 중, R222는, 수소 원자, 할로겐 원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기를 나타낸다.
X1은, -CO-, -COO-, -OCO-, -CS-, -CSS-, -COS-, -CSO-, -SO-, -SO2-, -NR223CO- 또는 -CONR224-를 나타낸다.
R223 및 R224는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 페닐기를 나타낸다.
*는 결합손을 나타낸다.]
할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
할로겐화 알킬기로서는, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로이소프로필기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로sec-부틸기, 퍼플루오로tert-부틸기, 퍼플루오로펜틸기, 퍼플루오로헥실기, 디클로로메틸기, 브로모메틸기, 요오도메틸기 등의 탄소수 1∼25의 할로겐화 알킬기를 들 수 있다. 바람직하게는 탄소수 1∼12의 할로겐화 알킬기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼12의 플루오로알킬기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 1∼12의 퍼플루오로알킬기이다.
할로겐화 아릴기로서는, 플루오로페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 등의 탄소수 6∼18의 할로겐화 아릴기를 들 수 있고, 탄소수 6∼18의 플루오로아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼12의 퍼플루오로아릴기인 것이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 펜타플루오로페닐기이다.
X1은, -CO-, -COO- 또는 -SO2-인 것이 바람직하다.
R222로 나타내는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
R222로 나타내는 탄화수소기로서는, 탄소수 1∼25의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6∼18의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼25의 지방족 탄화수소기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, n-옥틸기, n-데실, 2-헥실-옥틸기, 시클로헥실기 등의 직쇄, 분기쇄형, 환형의 탄소수 1∼25의 알킬기를 들 수 있고, 탄소수 1∼12의 알킬인 것이 바람직하다.
탄소수 6∼18의 방향족 탄화수소기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기 등의 탄소수 6∼18의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 나프틸메틸기 등의 탄소수 7∼18의 아랄킬기 등을 들 수 있다.
R222로 나타내는 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 히드록시기 등을 들 수 있다.
R223 및 R224로 나타내는 탄소수 1∼6의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸부틸기 등의 직쇄 또는 분기쇄형의 탄소수 1∼6의 알킬을 들 수 있다.
식 (z-1)로 표시되는 기는, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.)인 것이 바람직하고,
-CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9인 것이 보다 바람직하고,
-SO2-R9인 것이 더욱 바람직하고,
-SO2-R10(R10은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 방향족 탄화수소기), -SO2CF3, -SO2CHF2, -SO2CH2F인 것이 보다 더욱 바람직하다.
R3은, 전자 구인성 기인 것이 바람직하고,
시아노기, 니트로기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -OCF3 또는 -SCF3인 것이 보다 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9인 것이 더욱 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SO2CF3, -SO2-R10인 것이 보다 더욱 바람직하고,
시아노기 또는 니트로기인 것이 보다 특히 바람직하다.
고리 W1은, R3으로 나타내는 치환기 이외의 치환기를 갖고 있어도 좋다. 상기 치환기로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자; 메틸, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기 등의 탄소수 1∼25의 지방족 탄화수소기(바람직하게는 탄소수 1∼12의 알킬기); 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2-플루오로에틸기, 2,2-디플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1,2,2-테트라플루오로에틸기, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에틸기 등의 탄소수 1∼12의 할로겐화 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기 등의 탄소수 1∼12의 알콕시기; 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기 등의 탄소수 1∼12의 알킬티오기; 모노플루오로메톡시기, 디플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기, 2-플루오로에톡시기, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에톡시기 등의 탄소수 1∼12의 불소화 알콕시기; 트리플루오로메탄티오알콕시기 등의 탄소수 1∼12의 불소화 알콕시기; 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 메틸에틸 등의 하나 또는 2개의 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 아미노기; 카르바모일기, N-메틸카르바모일기, N,N-디메틸카르바모일기 등의 N-위치가 탄소수 1∼6의 알킬로 치환되어 있어도 좋은 카르바모일기; 메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기 등의 탄소수 2∼12의 알킬카르보닐옥시기; 메틸술포닐기, 에틸술포닐기 등의 탄소수 1∼12의 알킬술포닐기; 페닐기, 나프틸기, 디페닐기 등의 탄소수 6∼25의 방향족 탄화수소기(바람직하게는 탄화수소 6∼18의 아릴기); 페닐술포닐기 등의 탄소수 6∼12의 아릴술포닐기; 메톡시술포닐기, 에톡시술포닐기 등의 탄소수 1∼12의 알콕시술포닐기; 아세틸기, 에틸카르보닐기 등의 탄소수 2∼12의 아실기; 알데히드기; 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 프로폭시카르보닐기, 부틸옥시카르보닐기 등의 탄소수 2∼12의 알콕시카르보닐기; 메톡시티오카르보닐기, 에톡시티오카르보닐기 등의 탄소수 2∼12의 알콕시티오카르보닐기; 시아노기; 니트로기; 수산기; 티올기; 술포기; 카르바모일기; 카르복실기; -SF3; -SF5 등을 들 수 있다.
식 (X-1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온은, 식 (I)로 표시되는 음이온∼식 (IV)로 표시되는 음이온 또는 식 (VIII)로 표시되는 음이온인 것이 바람직하다.
Figure pct00008
[식 중, 고리 W1 및 R3은 각각 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
고리 W2, 고리 W3, 고리 W4, 고리 W5, 고리 W6, 고리 W7 및 고리 W14는 각각 독립적으로 고리 구조를 나타내고, 이 고리 구조는 치환기를 갖고 있어도 좋다.
R1, R2, R4, R5, R12, R14, R15, R22, R24, R25, R32, R34, R35, R42, R44, R45, R52, R54, R55, R62, R64, R65, R131, R132, R134 및 R135는 각각 독립적으로 전자 구인성 기를 나타낸다.
R13, R23, R33, R43, R53, R63 및 R133은 1가의 치환기를 나타낸다.
R1과 R2는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R2와 R3은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R3과 R4는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R4와 R5는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R12와 R13은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R13과 R14는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R14와 R15는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R22와 R23은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R23과 R24는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R24와 R25는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R32와 R33은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R33과 R34는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R34와 R35는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R42와 R43은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R43과 R44는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R44와 R45는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R52와 R53은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R53과 R54는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R54와 R55는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R62와 R63은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R63과 R64는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R64와 R65는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R131과 R132는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R132와 R133은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R133과 R134는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R134와 R135는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
Rx1 및 Rx7은 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
Rx2는 3가의 연결기를 나타낸다.
Rx3은 4가의 연결기를 나타낸다.]
고리 W2, 고리 W3, 고리 W4, 고리 W5, 고리 W6, 고리 W7 및 고리 W14에 있어서의 고리 구조는 특별히 한정되지 않는다. 고리 W2∼고리 W7 및 고리 14는 각각 단고리여도 좋고, 축합 고리여도 좋다. 고리 W2∼고리 W7 및 고리 14는, 고리의 구성 요소로서 헤테로 원자(예컨대, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등)를 포함하는 복소 고리여도 좋다.
고리 W2∼고리 W7 및 고리 14는, 통상, 탄소수 5∼18의 고리이고, 5∼7원 고리 구조인 것이 바람직하고, 6원 고리 구조인 것이 보다 바람직하다. 고리 W2∼고리 W7 및 고리 14는, 탄소수가 5∼7의 고리 구조인 것이 바람직하고, 탄소수가 6인 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
고리 W2∼고리 W7 및 고리 14는 각각 독립적으로 단고리인 것이 바람직하다.
고리 W2∼고리 W7 및 고리 14는, 치환기를 갖고 있어도 좋고, 구체적으로는, R3으로 나타내는 치환기 이외의 고리 W1이 갖고 있어도 좋은 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
고리 W2∼고리 W7 및 고리 14가 갖는 치환기는, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 1∼12의 알킬티오기 또는 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 아미노기인 것이 바람직하다.
고리 W2∼고리 W7 및 고리 14의 구체예로서는, 고리 W1의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다.
R13, R23, R33, R43, R53, R63 및 R133으로 나타내는 1가의 치환기는, 특별히 한정되지 않고, R3으로 나타내는 1가의 치환기와 동일한 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 1가의 지방족 탄화수소기, 1가의 방향족 탄화수소기, 전자 구인성 기, 전자 공여성 기, 헤테로 고리기 등을 들 수 있다.
R13, R23, R33, R43, R53, R63 및 R133은 각각 독립적으로 전자 구인성 기인 것이 바람직하고,
시아노기, 니트로기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO2H 또는 -SO3H인 것이 보다 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9인 것이 더욱 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SO2CF3, -SO2-R10인 것이 보다 더욱 바람직하고,
시아노기 또는 니트로기인 것이 보다 특히 바람직하다.
R1, R2, R4, R5, R12, R14, R15, R22, R24, R25, R32, R34, R35, R42, R44, R45, R52, R54, R55, R62, R64, R65, R131, R132, R134 및 R135로 나타내는 전자 구인성 기로서는, R3으로 나타내는 전자 구인성 기와 동일한 것을 들 수 있다.
R1, R2, R4, R5, R12, R14, R15, R22, R24, R25, R32, R34, R35, R42, R44, R45, R52, R54, R55, R62, R64, R65, R131, R132, R134 및 R135는 각각 독립적으로 시아노기, 니트로기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO2H 또는 -SO3H인 것이 보다 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9인 것이 더욱 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SO2CF3, -SO2-R10인 것이 보다 더욱 바람직하고,
시아노기 또는 니트로기인 것이 보다 특히 바람직하다.
R1과 R2는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R1과 R2가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 단고리여도 좋고, 축합 고리여도 좋지만, 단고리인 것이 바람직하다. R1과 R2가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 고리의 구성 요소로서 헤테로 원자(질소 원자, 산소 원자, 황 원자) 등을 포함하고 있어도 좋다.
R1과 R2가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 통상 3∼10원 고리이고, 5∼7원 고리인 것이 바람직하고, 5원 고리 또는 6원 고리인 것이 보다 바람직하다.
R1과 R2가 서로 결합하여 형성하는 고리로서는, 이하에 기재된 고리 구조 등을 들 수 있다.
Figure pct00009
[식 중, *는 결합손을 나타낸다.]
R1과 R2가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R4와 R5가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R4와 R5가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R14와 R15가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R14와 R15가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R24와 R25가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R24와 R25가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R34와 R35가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R34와 R35가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R44와 R45가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R44와 R45가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R54와 R55가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R54와 R55가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R64와 R65가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R64와 R65가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R131과 R132가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R131과 R132가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R134와 R135가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R134와 R135가 서로 연결하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R2와 R3은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R2와 R3이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W1에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R2와 R3이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W1로 축합 고리를 형성한다. R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리로서는, 예컨대, 이하에 기재된 식 (w11-1)∼식 (w11-12)로 표시되는 고리 구조를 들 수 있다.
Figure pct00010
[식 중, 고리 W1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
*1은 R1과의 결합손을 나타내고, *2는 R4와의 결합손을 나타내고, *3은 R5와의 결합손을 나타낸다.
Rf1, Rf2 및 Rf3은 각각 독립적으로 전자 구인성 기, 탄화수소기, 수산기를 나타낸다.
m1은 0∼6의 정수를 나타내고, m2는 0∼4의 정수를 나타내고, m3은 0∼2의 정수를 나타낸다.]
R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리의 보다 구체적인 예로서는, 이하에 기재된 고리 구조 등을 들 수 있다.
Figure pct00011
R12와 R13은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R12와 R13이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W2에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R12와 R13이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W2로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R22와 R23은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R22와 R23이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W3에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R22와 R23이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W3으로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R32와 R33은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R32와 R33이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W4에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R32와 R33이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W4로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R42와 R43은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R42와 R43이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W5에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R42와 R43이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W5로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R52와 R53은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R52와 R53이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W6에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R52와 R53이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W6으로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R62와 R63은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R62와 R63이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W7에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R62와 R63이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W7로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R132와 R133은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R132와 R133이 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W14에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다.
또한, R132와 R133이 연결하여 형성되는 고리와 고리 W14로 축합 고리를 형성한다.
구체적으로는, R2와 R3이 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R3과 R4는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R3과 R4가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W1에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R3과 R4가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W1로 축합 고리를 형성한다. R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리로서는, 구체적으로는, 이하에 기재된 고리를 들 수 있다.
Figure pct00012
[식 중, 고리 W1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
*4는 R1과의 결합손을 나타내고, *5는 R2와의 결합손을 나타내고, *6은 R5와의 결합손을 나타낸다.
Rf4, Rf5 및 Rf6은 각각 독립적으로 전자 구인성 기, 탄화수소기, 수산기를 나타낸다.
m4는 0∼6의 정수를 나타내고, m5는 0∼4의 정수를 나타내고, m6은 0∼2의 정수를 나타낸다.]
R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리의 보다 구체적인 예로서는, 이하에 기재된 고리 구조 등을 들 수 있다.
Figure pct00013
R13과 R14는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R13과 R14가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W2에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R13과 R14가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W2로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R23과 R24는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R23과 R24가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W3에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R23과 R24가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W3으로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R33과 R34는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R33과 R34가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W4에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R33과 R34가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W4로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R43과 R44는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R43과 R44가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W5에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R43과 R44가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W5로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R53과 R54는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R53과 R54가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W6에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R53과 R54가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W6으로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R63과 R64는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R63과 R64가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W7에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R63과 R64가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W7로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R133과 R134는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다. R133과 R134가 연결하여 형성되는 고리는, 고리의 구성 요소로서 고리 W14에 결합하고 있는 이중 결합을 포함한다. 또한, R133과 R134와가 연결하여 형성되는 고리와 고리 W14로 축합 고리를 형성한다. 구체적으로는, R3과 R4가 서로 결합하여 형성되는 고리와 고리 W1로 형성되는 축합 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
Rx1 및 Rx7로 나타내는 2가의 연결기로서는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 2가의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 2가의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다. 상기 2가의 지방족 탄화수소기 및 2가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -S-, -NR1B-(R1B는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다), -CO-, -SO2-, -SO-, -PO3-으로 치환되어 있어도 좋다.
또한, 상기 2가의 지방족 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 탄소수 6∼16의 아릴기 등을 들 수 있다.
상기 2가의 방향족 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 알데히드기 등을 들 수 있다.
Rx1 및 Rx7로 나타내는 2가의 연결기의 구체예로서는, 이하에 기재된 연결기를 들 수 있다. 식 중, *는 결합손을 나타낸다.
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
Rx1 및 Rx7로 나타내는 2가의 연결기는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼12의 2가의 지방족 탄화수소기 및 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼12의 2가의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하고(상기 2가의 지방족 탄화수소기 및 상기 2가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -S-, -NR1B-, -CO-, -SO2-로 치환되어 있어도 좋다)인 것이 바람직하고, 하기에 기재된 연결기인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00019
Rx2로 나타내는 3가의 연결기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 3가의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 3가의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 3가의 지방족 탄화수소기 및 상기 3가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -S-, -CS-, -CO-, -SO-, -SO2-, -NR11B-(R11B는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다.)로 치환되어 있어도 좋다.
상기 3가의 지방족 탄화수소기 및 상기 3가의 방향족 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있다.
Rx2로 나타내는 3가의 연결기는, 탄소수 1∼18의 3가의 지방족 탄화수소기(상기 3가의 지방족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -CO-, -SO2-로 치환되어 있어도 좋다.) 및 탄소수 6∼18의 3가의 방향족 탄화수소기(상기 3가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -CO-, -SO2-로 치환되어 있어도 좋다.)인 것이 바람직하다.
Rx2로 나타내는 3가의 연결기의 구체예로서는, 이하에 기재된 연결기를 들 수 있다.
Figure pct00020
Figure pct00021
Rx3으로 나타내는 4가의 연결기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 4가의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 4가의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 4가의 지방족 탄화수소기 및 상기 4가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -S-, -CS-, -CO-, -SO-, -SO2-, -NR11C-(R11C는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다.)로 치환되어 있어도 좋다.
상기 4가의 지방족 탄화수소기 및 상기 4가의 방향족 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있다.
Rx3으로 나타내는 4가의 연결기는, 탄소수 1∼18의 4가의 지방족 탄화수소기(상기 4가의 지방족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -CO-, -SO2-로 치환되어 있어도 좋다.) 및 탄소수 6∼18의 4가의 지방족 탄화수소기(상기 4가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -CO-, -SO2-로 치환되어 있어도 좋다.)인 것이 바람직하다.
Rx3으로 나타내는 4가의 연결기의 구체예로서는, 이하에 기재된 연결기를 들 수 있다.
Figure pct00022
Figure pct00023
식 (I)로 표시되는 음이온은, 식 (I-A)로 표시되는 음이온인 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00024
[식 (I-A) 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
RE1, RE2, RE3, RE4, RE5 및 RE6은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼25의 탄화수소기 또는 알콕시기를 나타낸다.]
식 (I-A) 중, R1, R2, R3, R4 및 R5에서 선택되는 적어도 하나가, 시아노기, 니트로기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -OCF3 또는 -SCF3인 것이 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9인 것이 보다 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9, -OCF3, -SCF3 또는 -SF5인 것이 더욱 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SO2CF3, -SO2-R10(R10은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 방향족 탄화수소기)인 것이 보다 더욱 바람직하고,
시아노기 또는 니트로기인 것이 보다 특히 바람직하다.
식 (I)로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
식 (II)로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
식 (III)으로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
식 (IV)로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00052
Figure pct00053
Figure pct00054
Figure pct00055
식 (VIII)로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00056
Figure pct00057
고리 W1이 적어도 하나 갖는 치환기가 R3 이외인 경우, 식 (X)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온으로서는, 예컨대, 식 (V)로 표시되는 음이온∼식 (VII)로 표시되는 음이온 등을 들 수 있다.
Figure pct00058
[식 중, 고리 W1, R1, R2, R4 및 R5는 각각 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
고리 W8, 고리 W9, 고리 W10, 고리 W11, 고리 W12 및 고리 W13은 각각 독립적으로 고리 구조를 나타내고, 이 고리 구조는 치환기를 갖고 있어도 좋다.
R71, R72, R74, R75, R81, R82, R84, R85, R91, R92, R94, R95, R101, R102, R104, R105, R111, R112, R114, R115, R121, R122, R124 및 R125는 각각 독립적으로 전자 구인성 기를 나타낸다.
R71과 R72는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R74와 R75는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R81과 R82는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R84와 R85는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R91과 R92는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R94와 R95는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R101과 R102는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R104와 R105는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R111과 R112는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R114와 R115는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R121과 R122는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
R124와 R125는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
Rx4는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
Rx5는 3가의 연결기를 나타낸다.
Rx6은 4가의 연결기를 나타낸다.]
고리 W8, 고리 W9, 고리 W10, 고리 W11, 고리 W12 및 고리 W13에 있어서의 고리 구조는 특별히 한정되지 않는다. 고리 W9∼고리 W12는 각각 단고리여도 좋고, 축합 고리여도 좋다. 고리 W9∼고리 W12는, 고리의 구성 요소로서 헤테로 원자(예컨대, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등)를 포함하는 복소 고리여도 좋다.
고리 W9∼고리 W12는, 통상, 탄소수 5∼18의 고리이고, 5∼7원 고리 구조인 것이 바람직하고, 6원 고리 구조인 것이 보다 바람직하다. 고리 W9∼고리 W12는, 탄소수가 5∼7인 고리 구조인 것이 바람직하고, 탄소수가 6인 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
고리 W9∼고리 W12는 각각 독립적으로 단고리인 것이 바람직하다.
고리 W9∼고리 W12는, 치환기를 갖고 있어도 좋고, 구체적으로는, R3으로 나타내는 치환기 이외의 고리 W1이 갖고 있어도 좋은 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
고리 W9∼고리 W12가 갖는 치환기는, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 1∼12의 알킬티오기 또는 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 아미노기인 것이 바람직하다.
고리 W9∼고리 W12의 구체예로서는, 고리 W1의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다.
R71, R72, R74, R75, R81, R82, R84, R85, R91, R92, R94, R95, R101, R102, R104, R105, R111, R112, R114, R115, R121, R122, R124 및 R125로 나타내는 전자 구인성 기로서는, R3으로 나타내는 전자 구인성 기와 동일한 것을 들 수 있다.
R71, R72, R74, R75, R81, R82, R84, R85, R91, R92, R94, R95, R101, R102, R104, R105, R111, R112, R114, R115, R121, R122, R124 및 R125는 각각 독립적으로 시아노기, 니트로기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -OCF3 또는 -SCF3인 것이 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9인 것이 보다 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9, -OCF3, -SCF3 또는 -SF5인 것이 더욱 바람직하고,
시아노기, 니트로기, -OCF3, -SCF3, -SF5, -SO2CF3, -SO2-R10(R10은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 방향족 탄화수소기)인 것이 보다 더욱 바람직하고,
시아노기 또는 니트로기인 것이 보다 특히 바람직하다.
R71과 R72는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R71과 R72가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 단고리여도 좋고, 축합 고리여도 좋지만, 단고리인 것이 바람직하다. R71과 R72가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 고리의 구성 요소로서 헤테로 원자(질소 원자, 산소 원자, 황 원자) 등을 포함하고 있어도 좋다.
R71과 R72가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 통상 3∼10원 고리이고, 5∼7원 고리인 것이 바람직하고, 5원 고리 또는 6원 고리인 것이 보다 바람직하다.
R71과 R72가 서로 결합하여 형성하는 고리로서는, R1과 R2가 서로 결합하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다.
R71과 R72가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R74와 R75가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R74와 R75가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R81과 R82가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R81과 R82가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R84와 R85가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R84와 R85가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R91과 R92가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R91과 R92가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R94와 R95가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R94와 R95가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R101과 R102가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R101과 R102가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R104와 R105가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R104와 R105가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R111과 R112가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R111과 R112가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R114와 R115가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R114와 R115가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R121과 R122가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R121과 R122가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
R124와 R125가 서로 연결하여 형성하는 고리로서는, R71과 R72가 서로 연결하여 형성하는 고리와 동일한 것을 들 수 있다. R124와 R125가 서로 결합하여 형성하는 고리는, 식 (w-1)∼식 (w-15), 식 (w-17), 식 (w-31), 식 (w-32), 식 (w-35)∼식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 바람직하고, 식 (w-1)∼식 (w-6), 식 (w-13), 식 (w-35), 식 (w-36), 식 (w-42) 및 식 (w-44)로 표시되는 고리 구조인 것이 보다 바람직하다.
Rx4로 나타내는 2가의 연결기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 2가의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 2가의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다. 상기 2가의 지방족 탄화수소기 및 2가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -S-, -NR1B-(R1B는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다), -CO-, -SO2-, -SO-, -PO3-으로 치환되어 있어도 좋다.
또한, 상기 2가의 지방족 탄화수소기 및 2가의 방향족 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있다.
Rx4로 나타내는 2가의 연결기의 구체예로서는, Rx1로 나타내는 2가의 연결기의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다.
Rx4로 나타내는 2가의 연결기는, 하기에 기재된 연결기인 것이 바람직하다.
Figure pct00059
Rx5로 나타내는 2가의 연결기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 3가의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 3가의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 3가의 지방족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -S-, -CS-, -CO-, -SO-, -NR11B-(R11B는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다.)-\로 치환되어 있어도 좋다.
상기 3가의 지방족 탄화수소기 및 상기 3가의 방향족 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있다.
Rx5로 나타내는 3가의 연결기는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼12의 3가의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
Rx5로 나타내는 3가의 연결기의 구체예로서는, Rx2로 나타내는 3가의 연결기의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다.
Rx5로 나타내는 연결기는, 이하에 기재된 연결기인 것이 바람직하다.
Figure pct00060
Rx6으로 나타내는 4가의 연결기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 4가의 지방족 탄화수소기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 4가의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 상기 4가의 지방족 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는, -O-, -S-, -CS-, -CO-, -SO-, -NR11C-(R11C는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다.)로 치환되어 있어도 좋다.
상기 4가의 지방족 탄화수소기 및 상기 4가의 방향족 탄화수소기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있다.
Rx6으로 나타내는 4가의 연결기는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 1∼12의 4가의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
Rx6으로 나타내는 4가의 연결기의 구체예로서는, Rx3으로 나타내는 4가의 연결기의 구체예와 동일한 것을 들 수 있다.
Rx6으로 나타내는 4가의 연결기는, 이하에 기재된 연결기인 것이 바람직하다.
Figure pct00061
식 (V)로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00062
Figure pct00063
식 (VI)으로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00064
Figure pct00065
식 (VII)로 표시되는 음이온으로서는, 예컨대, 이하에 기재된 음이온을 들 수 있다.
Figure pct00066
Figure pct00067
Figure pct00068
<양이온>
본 발명의 화합물은, 식 (X)으로 표시되는 음이온과 짝이 되는 양이온으로 구성된다. 식 (X)으로 표시되는 음이온의 가수와 양이온의 가수가 동일하면, 그 조합은 한정되지 않는다. 식 (X)으로 표시되는 음이온의 가수가 2 이상인 경우, 양이온은 식 (X)으로 표시되는 음이온과 동일한 가수의 양이온이어도 좋고, 식 (X)으로 표시되는 음이온의 가수와 동일한 가수가 되도록 1가의 양이온을 복수 갖고 있어도 좋다. 또한, 식 (X)으로 표시되는 음이온의 가수와 동일한 가수가 되는 것이면, 1가의 양이온과 1가 이외의 양이온(예컨대, 2가의 양이온 등)을 갖고 있어도 좋다. 한편, 양이온의 가수가 2 이상인 경우, 양이온과 동일한 가수가 되도록 1가의 식 (X)으로 표시되는 음이온을 복수 갖고 있어도 좋다. 또한, 양이온의 가수와 동일한 가수가 되는 것이면, 1가의 식 (X)으로 표시되는 음이온과 1가 이외의 식 (X)으로 표시되는 음이온을 갖고 있어도 좋다.
양이온은, 유기 양이온이어도 좋고, 무기 양이온이어도 좋다. 또한, 식 (X)으로 표시되는 음이온의 가수가 2 이상인 경우, 화합물 (X)은 양이온으로서 유기 양이온과 무기 양이온을 갖고 있어도 좋다.
유기 양이온으로서는, N-메틸피리디늄, N-에틸피리디늄, N-프로필피리디늄, N-에틸-2-메틸피리디늄, N-에틸-3-메틸피리디늄, 1-에틸-3-(히드록시메틸)피리디늄, N-부틸피리디늄, N-부틸-4-메틸피리디늄, N-부틸-3-메틸피리디늄, N-헥실피리디늄, N-옥틸피리디늄, N-옥틸-4-메틸피리디늄, 1,1'-디메틸-4,4'-비피리디늄, 1,1'-디벤질-4,4'-비피리디늄 등의 피리디늄 양이온;
1-부틸-1-메틸피페리디늄, 1-메틸-1-프로필피페리디늄 등의 피페리디늄 양이온;
1-알릴-1-메틸피롤리디늄, 1-부틸-1-메틸피롤리디늄, 1-에틸-1-메틸피롤리디늄, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄, 1-(2-메톡시에틸)-1-메틸피롤리디늄, 1-메틸-1-n-옥틸피롤리디늄, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄 등의 피롤리디늄 양이온;
2-메틸-1-피롤리늄 등의 피롤린 골격을 갖는 양이온;
1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨, 3,3'-(부탄-1,4-디일)비스(1-비닐-3-이미다졸륨), 1-벤질-3-메틸이미다졸륨, 1,3-디메틸이미다졸륨, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨, 1-데실-3-메틸이미다졸륨, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨, 3-에틸-1-비닐이미다졸륨, 3-에틸-1-비닐이미다졸륨, 1-메틸-3-(4-술포부틸)이미다졸륨, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 등의 이미다졸륨 양이온;
아밀트리에틸암모늄, 부틸트리메틸암모늄, 벤질(에틸)디메틸암모늄, 시클로헥실트리메틸암모늄, 디에틸(메틸)프로필암모늄, 디에틸(2-메톡시에틸)메틸암모늄, 에틸(2-메톡시에틸)디메틸암모늄, 에틸(디메틸)(2-페닐에틸)암모늄, 메틸트리-n-옥틸암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라헥실암모늄, 테트라펜틸암모늄, 테트라-n-옥틸암모늄, 테트라헵틸암모늄, 테트라프로필암모늄, N,N,N,N',N',N'-헥사메틸-3-[2-[(트리메틸암모니오)에틸]-1,5-펜탄디아미늄 등의 암모늄 양이온;
트리메틸술포늄, 트리부틸술포늄, 트리에틸술포늄 등의 트리알킬술포늄 양이온;
트리부틸헥사데실포스포늄, 트리부틸메틸포스포늄, 트리부틸-n-옥틸포스포늄, 트리부틸-n-옥틸포스포늄, 테트라-n-옥틸포스포늄, 트리부틸(2-메톡시에틸)포스포늄, 트리부틸메틸포스포늄, 트리헥실(테트라데실)포스포늄, 트리헥실(테트라데실)포스포늄 등의 포스포늄 양이온;
4-에틸-4-메틸모르폴리늄 등의 모르폴리늄 양이온;
트리페닐메틸륨 등의 트리아릴메탄 양이온 등을 들 수 있다.
무기 양이온으로서는, 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 루비듐 이온, 세슘 이온 등의 알칼리 금속 이온;
구리(I) 이온, 은 이온, 철(I) 이온 등의 1가의 금속 이온;
베릴륨 이온, 마그네슘 이온, 칼슘 이온, 스트론튬 이온, 바륨 이온 등의 알칼리 토류 금속 이온;
구리(II) 이온, 니켈 이온, 코발트 이온, 철(II) 이온, 망간 이온, 팔라듐 이온, 아연 이온, 게르마늄(IV) 이온 등의 2가의 금속 이온;
알루미늄 이온, 코발트(III) 이온, 철(III) 이온, 크롬(III) 이온, 스칸듐 이온, 이트륨 이온, 루테늄(III) 이온, 갈륨 이온, 인듐 이온 등의 3가의 금속 이온;
티타늄 이온, 바나듐(IV) 이온, 지르코늄 이온, 하프늄 이온, 게르마늄(IV) 이온, 몰리브덴(IV) 이온 등의 4가의 금속 이온;
NH4 + 등을 들 수 있다.
양이온은, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 구리(I) 이온, 구리(II) 이온, 니켈 이온, 코발트(III) 이온, 철(II) 이온, 철(III) 이온, 팔라듐 이온 및 유기 양이온인 것이 바람직하고, 칼륨 이온, 칼슘 이온, 바륨 이온, 마그네슘 이온, 구리(I) 이온, 구리(II) 이온, 니켈 이온 및 유기 양이온인 것이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 칼륨 이온 및 유기 양이온이다.
화합물 (X)으로서는, 예컨대, 이하의 표 1∼표 9에 기재된 화합물을 들 수 있다. 또한, 화합물 (1)은 하기에 나타내는 화합물이다.
Figure pct00069
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
식 (I)로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (I)이라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (1)∼화합물 (63) 등을 들 수 있고, 화합물 (2), 화합물 (3), 화합물 (7)∼화합물 (11), 화합물 (13)∼화합물 (18), 화합물 (24), 화합물 (28), 화합물 (31), 화합물 (32), 화합물 (37), 화합물 (40)∼화합물 (44), 화합물 (46), 화합물 (47), 화합물 (49), 화합물 (50), 화합물 (55), 화합물 (58), 화합물 (60)인 것이 바람직하다.
식 (II)로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (II)라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (64)∼화합물 (92) 등을 들 수 있고, 화합물 (64), 화합물 (65), 화합물 (67), 화합물 (70), 화합물 (72), 화합물 (75)∼화합물 (77), 화합물 (79), 화합물 (80), 화합물 (83), 화합물 (84), 화합물 (86), 화합물 (87)인 것이 바람직하다.
식 (III)으로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (III)이라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (93)∼화합물 (118) 등을 들 수 있고, 화합물 (93), 화합물 (94), 화합물 (96), 화합물 (101)∼화합물 (105), 화합물 (107), 화합물 (109), 화합물 (111), 화합물 (115), 화합물 (116)인 것이 바람직하다.
식 (IV)로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (IV)라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (119)∼화합물 (129) 등을 들 수 있고, 화합물 (125)인 것이 바람직하다.
식 (V)로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (V)라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (130)∼화합물 (139) 등을 들 수 있고, 화합물 (130), 화합물 (131), 화합물 (134), 화합물 (135)인 것이 바람직하다.
식 (VI)으로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (VI)이라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (140)∼화합물 (144) 등을 들 수 있고, 화합물 (140), 화합물 (142), 화합물 (144)인 것이 바람직하다.
식 (VII)로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (VII)이라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (145)∼화합물 (153) 등을 들 수 있다.
식 (VIII)로 표시되는 음이온을 갖는 화합물 (X)(이하, 화합물 (VIII)이라고 하는 경우가 있다)은, 화합물 (154)∼화합물 (163) 등을 들 수 있다.
<화합물 (I)의 제조 방법>
화합물 (I)은, 예컨대, 식 (M-1)로 표시되는 화합물(이하, 화합물 (M-1)이라고 하는 경우가 있다.)과 식 (M-2)로 표시되는 화합물(이하, 화합물 (M-2)라고 하는 경우가 있다.)을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
Figure pct00079
[식 (M-1) 중, R3, R4 및 R5는 상기와 동일한 의미를 나타내고, 고리 W1A는 고리 구조를 나타낸다.
식 (M-2) 중, R1 및 R2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응은, 통상, 화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)를 혼합함으로써 실시되고, 염기와 화합물 (M-1)의 혼합물에 화합물 (M-2)를 가하는 것이 바람직하다.
화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응은, 또한 메틸화제의 존재 하에서 실시되는 것이 바람직하고,
화합물 (M-1)과 메틸화제와 염기의 혼합물에, 화합물 (M-2)를 가하는 것이 보다 바람직하다.
염기로서는, 수산화나트륨, 수산화리튬, 수산화칼륨, 수산화세슘, 수산화루비듐, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물(바람직하게는 알칼리 금속 수산화물); 나트륨메톡시드, 칼륨메톡시드, 리튬메톡시드, 나트륨에톡시드, 나트륨이소프로폭시드, 나트륨터셔리부톡시드, 칼륨터셔리부톡시드 등의 금속 알콕시드(바람직하게는 알칼리 금속 알콕시드); 수소화리튬, 수소화나트륨, 수소화칼륨, 수소화리튬알루미늄, 수소화붕소나트륨, 수소화알루미늄, 수소화알루미늄나트륨 등의 금속 수소화물; 산화칼슘, 산화마그네슘 등의 금속 산화물; 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 금속 탄산염(바람직하게는 알칼리 토류 금속 탄산염); 노르말부틸리튬, 터셔리부틸리튬, 메틸리튬, 그리냐르 시약 등의 유기 알킬 금속 화합물; 암모니아, 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 에탄올아민, 피롤리딘, 피페리딘, 디아자비시클로운데센, 디아자비시클로노넨, 구아니딘, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 피리딘, 아닐린, 디메톡시아닐린, 아세트산암모늄, β-알라닌 등의 아민 화합물(바람직하게는 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민 등의 3급 아민); 리튬디이소프로필아미드, 나트륨아미드, 칼륨헥사메틸디실라지드 등의 금속 아미드 화합물(바람직하게는 알칼리 금속 아미드); 수산화트리메틸술포늄 등의 술포늄 화합물; 수산화디페닐요오도늄 등의 요오도늄 화합물; 포스파젠 염기 등을 들 수 있다.
염기의 사용량으로서는, 화합물 (M-1) 1 몰에 대하여, 통상 0.1∼10 몰이고, 0.5∼5 몰인 것이 바람직하다.
메틸화제로서는, 요오도메탄, 황산디메틸, 메탄술폰산메틸, 플루오로술폰산메틸, 파라톨루엔술폰산메틸, 트리플루오로메탄술폰산메틸, 트리메틸옥소늄테트라플루오로보레이트 등을 들 수 있다.
메틸화제의 사용량으로서는, 화합물 (M-1) 1 몰에 대하여, 통상 0.1∼10 몰이고, 0.5∼5 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응은, 용매의 존재 하에서 행하여도 좋다. 용매로서는, 아세토니트릴, 벤젠, 톨루엔, 아세톤, 아세트산에틸, 클로로포름, 디클로로에탄, 모노클로로벤젠, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, tert-부탄올, 2-부타논, 테트라히드로푸란, 디에틸에테르, 디메틸술폭시드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 물 등을 들 수 있다. 바람직하게는 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 클로로포름, 디클로로메탄, 디에틸에테르이고, 보다 바람직하게는 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 클로로포름이고, 더욱 바람직하게는 아세토니트릴이다.
또한, 용매는 탈수 용매인 것이 바람직하다.
화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응 시간은, 통상 0.1∼10시간이고, 바람직하게는 0.2∼3시간이다.
화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응 온도는, 통상 -50∼150℃이고, 바람직하게는 -20∼100℃이다.
화합물 (M-2)의 사용량은, 화합물 (M-1) 1 몰에 대하여, 통상 0.1∼10 몰이고, 0.5∼5 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-1)로서는, 이하에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
Figure pct00080
화합물 (M-2)로서는, 시판품을 이용하여도 좋고, 예컨대, 만토니트릴 등을 들 수 있다.
염기의 존재 하에서 화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)를 반응시킴으로써 얻어지는 화합물 (I)은, 통상, 짝양이온으로서 염기 유래의 양이온을 갖는다. 화합물 (I)의 양이온을 소망의 양이온으로 교환하고자 하는 경우는, 화합물 (I)과 소망의 양이온을 갖는 염을 혼합함으로써 이온 교환을 행하면 좋다. 상기 이온 교환은, 용매의 존재 하에서 행하여도 좋다. 소망의 양이온을 갖는 염은, 예컨대, 소망의 양이온과 염화물 이온을 포함하는 염화물염, 소망의 양이온과 브롬화물 이온을 포함하는 브롬화물염, 소망의 양이온과 요오드화물 이온을 포함하는 요오드화물염, 소망의 양이온과 불화물 이온을 포함하는 불화물염, 소망의 양이온과 질산 이온을 포함하는 질산염, 소망의 양이온과 황산 이온을 포함하는 황산염, 소망의 양이온과 과염소산 이온을 포함하는 과염소산염, 소망의 양이온과 술폰산 이온을 포함하는 술폰산염, 소망의 양이온과 카르복실산 이온을 포함하는 카르복실산염, 소망의 양이온과 차아염소산 이온을 포함하는 차아염소산염, 소망의 양이온과 헥사플루오로포스페이트를 포함하는 헥사플루오로포스페이트염, 소망의 양이온과 이미드를 포함하는 이미드염 등을 들 수 있다.
화합물 (M-1)은, 식 (M-3)으로 표시되는 화합물(이하, 화합물 (M-3)이라고 하는 경우가 있다.)과 식 (M-4)로 표시되는 화합물(이하, 화합물 (M-4)라고 하는 경우가 있다.)을 반응시켜 얻을 수 있다.
Figure pct00081
[식 (M-3) 중, 고리 W1A, R4 및 R5는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
식 (M-4) 중, R3은 상기와 동일한 의미를 나타내고, E1은 이탈기를 나타낸다.]
E1로 나타내는 이탈기로서는, 할로겐 원자, p-톨루엔술포닐기, 트리플루오로메틸술포닐기 등을 들 수 있다.
화합물 (M-3)과 화합물 (M-4)의 반응은, 화합물 (M-3)과 화합물 (M-4)를 혼합함으로써 실시된다.
화합물 (M-4)의 사용량은, 화합물 (M-3) 1 몰에 대하여 통상 0.1∼5 몰이고, 0.5∼2 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-3)과 화합물 (M-4)의 반응은, 염기의 존재 하에서 행하는 것이 바람직하다.
염기로서는, 나트륨메톡시드, 칼륨메톡시드, 리튬메톡시드, 나트륨에톡시드, 나트륨이소프로폭시드, 나트륨터셔리부톡시드, 칼륨터셔리부톡시드 등의 금속 알콕시드(바람직하게는 알칼리 금속 알콕시드) 등; 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 금속 수산화물, 수소화나트륨, 수소화알루미늄리튬, 수소화붕소나트륨 등의 금속 수소화물; 리튬디이소프로필아미드, 피리딘, 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 피페리딘, 피롤리딘, 프롤린 등의 아민 화합물을 들 수 있다.
염기의 사용량으로서는, 화합물 (M-3) 1 몰에 대하여, 통상 0.1∼10 몰이고, 0.5∼5 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-3)과 화합물 (M-4)의 반응은, 용매의 존재 하에서 행하여도 좋다. 용매로서는, 아세토니트릴, 벤젠, 톨루엔, 아세톤, 아세트산에틸, 클로로포름, 디클로로에탄, 모노클로로벤젠, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, tert-부탄올, 2-부타논, 테트라히드로푸란, 디에틸에테르, 디메틸술폭시드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 물 등을 들 수 있다. 바람직하게는 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 클로로포름, 디클로로메탄, 디에틸에테르이며, 보다 바람직하게는 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 클로로포름이고, 더욱 바람직하게는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 아세토니트릴이다.
화합물 (M-3)과 화합물 (M-4)의 반응 시간은, 통상 0.1∼10시간이다.
화합물 (M-3)과 화합물 (M-4)의 반응 온도는, 통상 -50∼150℃이다.
화합물 (M-3)으로서는, 이하에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
Figure pct00082
화합물 (M-4)로서는, 시판품을 이용하여도 좋다. 예컨대, 클로로시안, 브로모시안, 파라톨루엔술포닐시아니드, 트리플루오로메탄술포닐시아니드, 1-클로로메틸-4-플루오로-1,4-디아조니아비시클로[2.2.2]옥탄 비스(테트라플루오로보레이트(셀렉트플로어(Air Products and Chemicals의 등록상표)라고도 한다), 벤조일(페닐요오도니오)(트리플루오로메탄술포닐)메타니드, 2,8-디플루오로-5-(트리플루오로메틸)-5H-디벤조[b,d]티오펜-5-이움트리플루오로메탄술포네이트, N-브로모석신이미드, N-클로로석신이미드, N-요오도석신이미드 등을 들 수 있다.
화합물 (M-3)은, 식 (M-5)로 표시되는 화합물(이하, 화합물 (M-5)라고 하는 경우가 있다.)과 화합물 (M-2a)를 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
Figure pct00083
[식 (M-5) 중, 고리 W1A, R4 및 R5는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
화합물 (M-5)와 화합물 (M-2a)의 반응은, 화합물 (M-5)와 화합물 (M-2a)를 혼합함으로써 실시할 수 있다.
화합물 (M-5)와 화합물 (M-2a)의 반응은, 염기의 존재 하에서 행하는 것이 바람직하다. 염기로서는, 화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응에 이용되는 염기와 동일한 것을 들 수 있다. 염기의 사용량은, 화합물 (M-5) 1 몰에 대하여 통상 0.1∼5 몰이고, 0.5∼2 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-5)와 화합물 (M-2a)의 반응은, 용매의 존재 하에서 행하여도 좋다. 용매란, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 톨루엔, 아세토니트릴인 것이 바람직하다.
화합물 (M-5)와 화합물 (M-2a)의 반응 시간은, 통상 0.1∼10시간이다.
화합물 (M-5)와 화합물 (M-2a)의 반응 온도는, 통상 -50∼150℃이다.
화합물 (M-2a)의 사용량은, 화합물 (M-5) 1 몰에 대하여 통상 0.1∼10 몰이고, 0.5∼2 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-5)로서는, 하기에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
Figure pct00084
화합물 (I)에 있어서, R1 및 R2의 조합과, R4 및 R5의 조합이 동일한 경우, 화합물 (I)은, 식 (M-6)으로 표시되는 화합물(이하, 화합물 (M-6)이라고 하는 경우가 있다.)과 화합물 (M-2)를 반응시킴으로써 얻을 수도 있다.
Figure pct00085
[식 (M-6) 중, 고리 W1A 및 R3은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응은, 화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)를 혼합함으로써 실시할 수 있다.
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응은, 염기 또는 메틸화제의 존재 하에서 실시하는 것이 바람직하고, 염기 및 메틸의 존재 하에서 실시하는 것이 보다 바람직하다.
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응은, 화합물 (M-6), 화합물 (M-2), 염기 및 메틸화제를 혼합하는 것이 보다 바람직하고,
화합물 (M-6)과 메틸화제의 혼합물에, 화합물 (M-2)와 염기를 혼합하는 것이 더욱 바람직하다.
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응에 이용되는 염기로서는, 화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응에 이용되는 염기와 동일한 것을 들 수 있고, 금속 탄산염이 바람직하고, 알칼리 토류 금속 탄산염이 보다 바람직하다.
염기의 사용량으로서는, 화합물 (M-6) 1 몰에 대하여, 통상 0.1∼5 몰이고, 0.5∼2 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응에 이용되는 메틸화제로서는, 화합물 (M-1)과 화합물 (M-2)의 반응에 이용되는 메틸화제와 동일한 것을 들 수 있고, 디메틸황산인 것이 바람직하다.
메틸화제의 사용량으로서는, 화합물 (M-6) 1 몰에 대하여, 통상 0.1∼5 몰이고, 0.5∼2 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응은, 용매의 존재 하에서 행하여도 좋다. 용매로서는, 아세토니트릴, 벤젠, 톨루엔, 아세톤, 아세트산에틸, 클로로포름, 디클로로에탄, 모노클로로벤젠, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, tert-부탄올, 2-부타논, 테트라히드로푸란, 디에틸에테르, 디메틸술폭시드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 물 등을 들 수 있다. 바람직하게는 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 클로로포름, 디클로로메탄, 디에틸에테르이고, 보다 바람직하게는 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 클로로포름이고, 더욱 바람직하게는 아세토니트릴이다.
또한, 용매는 탈수 용매인 것이 바람직하다.
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응 시간은, 통상 0.1∼10시간이고, 바람직하게는, 0.2∼3시간이다.
화합물 (M-6)과 화합물 (M-2)의 반응 온도는, 통상 -50∼150℃이고, 바람직하게는 -20∼100℃이다.
화합물 (M-2)의 사용량은, 화합물 (M-6) 1 몰에 대하여, 통상 0.1∼10 몰이고, 0.5∼5 몰인 것이 바람직하다.
화합물 (M-6)으로서는, 2-메틸-1,3-시클로헥산디온 등을 들 수 있다.
화합물 (X)의 분자량은, 바람직하게는 3000 이하이고, 보다 바람직하게는 2000 이하이고, 더욱 바람직하게는 1000 이하이다. 또한, 바람직하게는 50 이상이고, 보다 바람직하게는 100 이상이고, 더욱 바람직하게는 200 이상이다.
화합물 (X)은, 파장 400∼파장 550 ㎚에 극대 흡수를 나타내는 것이 바람직하다. 화합물 (X)의 극대 흡수 파장(λmax)은 바람직하게는 파장 410∼500 ㎚이고, 보다 바람직하게는 파장 420∼480 ㎚이고, 더욱 바람직하게는 파장 430∼450 ㎚이다.
극대 흡수 파장(λmax)에 있어서의 그램 흡광 계수(ε)가 0.5 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 이상, 특히 바람직하게는 1.5 이상이다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 10 이하이다.
화합물 (X)의 λmax에 있어서의 그램 흡광 계수(ε)가 0.5 이상이면, 블루 라이트라고 불리는 광을 효율적으로 흡수할 수 있는 점에서 바람직하다.
화합물 (X)은, 하기 식 (a)를 만족시키는 것이 바람직하다.
ε(λmax)/ε(λmax+30 ㎚)≥5 (a)
[식 중, ε(λmax)는, 극대 흡수 파장(λmax)에 있어서의 그램 흡광 계수를 나타낸다.
ε(λmax+30 ㎚)는, 극대 흡수 파장(λmax)+30 ㎚의 파장에 있어서의 그램 흡광 계수를 나타낸다.
또한, 그램 흡광 계수의 단위는 그램 흡광 계수의 단위는 L/(g·㎝)이다.]
화합물 (X)은, ε(λmax)/ε(λmax+30 ㎚)가 5 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10 이상, 특히 바람직하게는 20 이상이다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 1000 이하이다.
ε(λmax)/ε(λmax+30 ㎚)가 5 이상이면, 화합물 (X)을 포함하는 조성물의 착색을 최소한으로 억제하여 블루 라이트만을 선택적으로 흡수할 수 있는 점에서 바람직하다. 특히 디스플레이 등의 색 표시에의 영향 억제나 색역 확대에 기여할 수 있기 때문에 적합하다.
<화합물 (X)을 포함하는 조성물>
본 발명은 화합물 (X)(바람직하게는 화합물 (I)∼화합물 (VIII) 중 어느 하나)을 함유하는 조성물도 포함한다.
본 발명의 화합물 (X)(바람직하게는 화합물 (I)∼화합물 (VIII) 중 어느 하나)을 포함하는 조성물은, 화합물 (X)(바람직하게는 화합물 (I)∼화합물 (VIII) 중 어느 하나)과 수지를 포함하는 수지 조성물인 것이 바람직하다.
상기 조성물은 모든 용도에 사용 가능하지만, 그 중에서도 일광 또는 자외선을 포함하는 광에 노출될 가능성이 있는 용도에 특히 적합하게 사용할 수 있다. 구체예로서는, 예컨대 유리 대체품과 그 표면 코팅재; 주거, 시설, 수송 기기 등의 창 유리, 채광 유리 및 광원 보호 유리용의 코팅재; 주거, 시설, 수송 기기 등의 윈도우 필름; 주거, 시설, 수송 기기 등의 내외장재 및 내외장용 도료 및 그 도료에 의해 형성시키는 도막; 알키드 수지 래커 도료 및 그 도료에 의해 형성되는 도막; 아크릴 래커 도료 및 그 도료에 의해 형성되는 도막; 형광등, 수은등 등의 자외선을 발하는 광원용 부재; 정밀 기계, 전자 전기 기기용 부재, 각종 디스플레이로부터 발생하는 전자파 등의 차단 용재; 식품, 화학품, 약품 등의 용기 또는 포장재; 병, 박스, 블리스터, 컵, 특수 포장용, 컴팩트 디스크 코트, 농공업용 시트 또는 필름재; 인쇄물, 염색물, 염안료 등의 퇴색 방지제; 폴리머 지지체용(예컨대, 기계 및 자동차 부품과 같은 플라스틱제 부품용)의 보호막; 인쇄물 오버 코트; 잉크젯 매체 피막; 적층 무광제; 옵티컬 라이트 필름; 안전 유리/자동차 앞유리 중간층; 일렉트로크로믹/포토크로믹 용도; 오버 라미네이트 필름; 태양열 제어막; 자외선 차단 크림, 샴푸, 린스, 이발료 등의 화장품; 스포츠웨어, 스타킹, 모자 등의 의료용 섬유 제품 및 섬유; 커튼, 융단, 벽지 등의 가정용 내장품; 플라스틱 렌즈, 콘택트 렌즈, 의안 등의 의료용 기구; 광학 필터, 백라이트 디스플레이 필름, 프리즘, 거울, 사진 재료 등의 광학 용품; 금형막, 전사식 스티커, 낙서 방지막, 테이프, 잉크 등의 문방구; 표시판, 표시기 등과 그 표면 코팅재 등을 들 수 있다.
상기 조성물을 성형하여 이루어지는 성형물은, 고분자 성형품인 것이 바람직하다. 성형물의 형상은, 평막형, 분말형, 구형 입자형, 파쇄 입자형, 괴상 연속체, 섬유형, 관형, 중공사형, 입자형, 판형, 다공질형 등 중 어떤 형상이어도 좋다.
상기 조성물이 수지 조성물인 경우, 수지 조성물에 이용되는 수지로서는, 공지의 각종 성형체, 시트, 필름 등의 제조에 종래부터 사용되고 있는 열가소성 수지 및 열경화성 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로서는, 예컨대, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리시클로올레핀 수지 등의 올레핀계 수지, 폴리(메트)아크릴산에스테르계 수지, 폴리스티렌계 수지, 스티렌-아크릴로니트릴계 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리아세트산비닐계 수지, 폴리비닐부티랄계 수지, 에틸렌-아세트산비닐계 공중합체, 에틸렌-비닐알코올계 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 액정 폴리에스테르 수지 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리아미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리우레탄 수지 및 폴리페닐렌설파이드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지의 1종을 또는 2종 이상을 폴리머 블렌드 혹은 폴리머 얼로이로서 사용하여도 좋다.
열경화성 수지로서는, 예컨대, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 알키드 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.
상기 수지 조성물을 자외선 흡수 필터나 자외선 흡수막으로서 이용하는 경우, 수지는 투명 수지인 것이 바람직하다.
상기 수지 조성물은, 화합물 (X)과 수지를 혼합함으로써 얻을 수 있다. 화합물 (X)은, 소망의 성능을 부여하기 위해 필요한 양을 함유하면 좋고, 예컨대, 수지 100 질량부에 대하여 0.00001∼99 질량부 등 함유할 수 있다.
본 발명의 조성물은, 필요에 따라, 용제, 가교 촉매, 태키파이어, 가소제, 연화제, 염료, 안료, 무기 필러 등 그 외의 첨가물을 포함하고 있어도 좋다.
<안경 렌즈용 조성물>
상기 조성물 및 상기 수지 조성물은, 안경 렌즈용 조성물이어도 좋다. 안경 렌즈용 조성물을 이용하여 성형 등을 함으로써 안경 렌즈를 형성할 수 있다. 안경 렌즈용 조성물의 성형 방법은, 사출 성형이어도 좋고, 주형 중합 성형이어도 좋다. 또한, 주형 중합 성형이란, 주로 모노머 또는 올리고머 수지를 포함하는 안경 렌즈용 조성물을 렌즈 몰드에 주입하고, 열 또는 광에 의해 안경 렌즈용 조성물을 경화하여 렌즈로 성형하는 방법이다.
안경 렌즈용 조성물은, 그 성형 방법에 맞추어 알맞은 조성으로 하면 좋다. 예컨대, 사출 성형에 의해 안경 렌즈를 형성하는 경우는, 수지와 화합물 (X)을 포함하는 안경 렌즈용 수지 조성물이어도 좋다. 또한, 주형 중합 성형에 의해 안경 렌즈를 형성하는 경우는, 열 또는 광에 의해 경화하는 경화성 모노머와 화합물 (X)을 포함하는 안경 렌즈용 조성물이어도 좋다.
안경 렌즈용 조성물에 포함되는 수지로서는 상기한 수지를 들 수 있고, 투명 수지인 것이 바람직하다. 안경 렌즈용 조성물에 포함되는 수지는, 폴리(메트)아크릴산에스테르계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 및 폴리티오우레탄 수지 중 1종을 또는 2종 이상을 폴리머 블렌드 혹은 폴리머 얼로이로서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 폴리머만이 아니라 모노머 성분을 포함하고 있어도 좋다.
안경용 렌즈 조성물은, 경화성 모노머와 화합물 (X)을 포함하는 조성물이어도 좋다. 경화성 모노머는 2종 이상 포함하고 있어도 좋다. 구체적으로는, 폴리올 화합물 및 이소시아네이트 화합물의 혼합물, 티올 화합물 및 이소시아네이트 화합물의 혼합물이어도 좋고, 티올 화합물 및 이소시아네이트의 혼합물인 것이 바람직하고, 다작용 티올 화합물 및 다작용 이소시아네이트 화합물의 혼합물인 것이 보다 바람직하다.
티올 화합물은, 분자 내에 적어도 하나의 티올기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 쇄형이어도 환형이어도 좋다. 또한, 분자 내에, 술피드 결합, 폴리술피드 결합, 또한 다른 작용기를 갖고 있어도 좋다. 구체적인 티올 화합물로서는, 지방족 폴리티올 화합물, 방향족 폴리티올 화합물, 티올기 함유 환형 화합물, 티올기 함유 술피드 화합물 등의 일본 특허 공개 제2004-315556호 공보에 기재된 1분자 중에 티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 유기 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 렌즈의 굴절률 및 유리 전이 온도가 향상하는 점에서, 티올기를 2개 이상 갖는 다작용 티올 화합물이 바람직하고, 티올기를 2개 이상 갖는 지방족 폴리티올 화합물, 티올기를 2개 이상 함유하는 술피드 화합물이 보다 바람직하고, 비스(메르캅토메틸)술피드, 1,2-비스[(2-메르캅토에틸)티오]-3-메르캅토프로판, 펜타에리트리톨테트라키스티오프로피오네이트, 4,8-디메르캅토메틸-1,11-메르캅토-3,6,9-트리티아운데칸이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 티올계 화합물은 단독으로 이용하여도 2종 이상을 병용하여도 좋다.
이소시아네이트 화합물로서는, 분자 내에 적어도 2개의 이소시아네이토기(-NCO)를 갖는 다작용 이소시아네이트 화합물이 바람직하고, 예컨대, 지방족 이소시아네이트계 화합물(예컨대 헥사메틸렌디이소시아네이트 등), 지환족 이소시아네이트계 화합물(예컨대 이소포론디이소시아네이트, 수첨 디페닐메탄디이소시아네이트, 수첨 크실릴렌디이소시아네이트), 방향족 이소시아네이트계 화합물(예컨대 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트 등) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 이소시아네이트 화합물의 다가 알코올 화합물에 의한 부가체(어덕트체)[예컨대, 글리세롤, 트리메틸올프로판 등에 의한 부가체], 이소시아누레이트화물, 뷰렛형 화합물, 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 아크릴폴리올, 폴리부타디엔폴리올, 폴리이소프렌폴리올 등과 부가 반응시킨 우레탄 프리폴리머형의 이소시아네이트 화합물 등의 유도체여도 좋다.
안경용 렌즈 조성물이 경화성 모노머를 포함하는 경우, 경화성을 향상시키기 위해 경화 촉매를 포함하고 있어도 좋다. 경화 촉매로서는, 디부틸주석클로라이드 등의 주석 화합물이나, 일본 특허 공개 제2004-315556호 공보에 기재된 아민류, 포스핀류, 제4급 암모늄염류, 제4급 포스포늄염류, 제3급 술포늄염류, 제2급 요오도늄염류, 광산류, 루이스산류, 유기산류, 규산류, 사불화붕산류, 과산화물, 아조계화합물, 알데히드와 암모니아계 화합물의 축합물, 구아니딘류, 티오요소류, 티아졸류, 술펜아미드류, 티우람류, 디티오카르바민산염류, 크산토겐산염류, 산성 인산에스테르류 등을 들 수 있다. 이들 경화 촉매는 단독으로 이용하여도 2종 이상을 병용하여도 좋다.
안경 렌즈용 조성물 중의 화합물 (X)의 함유량은, 안경 렌즈용 조성물이 수지 조성물인 경우, 예컨대 수지 100 질량부에 대하여 0.01∼20 질량부 함유할 수 있다. 또한, 안경 렌즈 조성물이 경화성 조성물인 경우, 예컨대, 화합물 (X)의 함유량은, 경화성 성분 100 질량부에 대하여 0.00001∼20 질량부 함유할 수 있다. 화합물 (X)의 함유량은, 수지 또는 경화성 성분 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.0001∼15 질량부이고, 보다 바람직하게는 0.001∼10 질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.01∼5 질량부이고, 특히 바람직하게는 0.1∼3 질량부이다.
경화 촉매의 첨가량은 안경용 렌즈 조성물 100 질량%에 대하여 0.0001∼10.0 질량%인 것이 바람직하고, 0.001∼5.0 질량%인 것이 보다 바람직하다.
안경 렌즈용 조성물에는, 그 외의 첨가제가 포함되어 있어도 좋다.
본 발명의 조성물을 광학 필터 등의 광학 용품에 이용하는 경우, 예컨대, 광학 표시 장치에 적용할 수 있다. 상기 수지 조성물을 광학 표시 장치에 적용하는 경우, 상기 수지 조성물로 형성되는 층은, 필름층, 점착제층, 코트층 등 중 어느 것이어도 좋고, 점착제층, 코트층인 것이 바람직하다.
<점착제 조성물>
본 발명의 조성물로 형성되는 층이 점착제층인 경우, 점착제층은, 수지 (A), 화합물 (X), 가교제 (B) 및 실란 화합물 (C)를 포함하는 점착제 조성물(이하, 점착제 조성물 (i)이라고 하는 경우가 있다.)로 형성된다. 점착제 조성물 (i)은, 또한, 라디칼 경화성 성분 (D), 개시제 (E), 화합물 (X) 이외의 광 흡수 화합물 (F)(이하, 광 선택 흡수 화합물 (F)라고 하는 경우가 있다.), 대전 방지제 등을 포함하고 있어도 좋고, 라디칼 경화성 성분 (D), 개시제 (E) 및 광 선택 흡수 화합물 (F)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
수지 (A)는, 점착제 조성물에 사용되는 수지이면 특별히 한정되지 않는다. 수지 (A)는, 파장 300 ㎚∼파장 780 ㎚의 범위에서 극대 흡수를 나타내지 않는 것이 바람직하다.
수지 (A)는, 유리 전이 온도(Tg)가 40℃ 이하인 수지인 것이 바람직하다. 수지 (A)의 유리 전이 온도(Tg)는, 20℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 수지 (A)의 유리 전이 온도는 통상 -80℃ 이상이고, -70℃ 이상인 것이 바람직하고, -60℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, -55℃ 이상인 것이 더욱 바람직하고, -50℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지 (A)의 유리 전이 온도가 40℃ 이하이면, 점착제 조성물 (i)로 형성되는 점착제층의 피착체에 대한 밀착성의 향상에 유리하다. 또한, 수지 (A)의 유리 전이 온도가 -80℃ 이상이면, 점착제 조성물 (i)로 형성되는 점착제층의 내구성의 향상에 유리하다. 또한, 유리 전이 온도는 시차 주사 열량계(DSC)에 의해 측정할 수 있다.
수지 (A)로서는, (메트)아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 고무계 수지, 우레탄계 수지 등을 들 수 있고, (메트)아크릴계 수지인 것이 바람직하다.
(메트)아크릴계 수지로서는, (메트)아크릴산에스테르 유래의 구성 단위를 주성분(바람직하게는 50 질량% 이상 포함한다)으로 하는 중합체인 것이 바람직하다. (메트)아크릴산에스테르에 유래하는 구조 단위는, 1종 이상의 (메트)아크릴산에스테르 이외의 단량체에 유래하는 구조 단위(예컨대, 수산기, 카르복실기, 아미노기 등의 극성 작용기를 갖는 단량체에 유래하는 구조 단위)를 포함하여도 좋다.
수지 (A)의 함유량은, 점착제 조성물 (i)의 고형분 100 질량% 중, 통상 50 질량%∼99.9 질량%이고, 바람직하게는 60 질량%∼95 질량%이고, 보다 바람직하게는 70 질량%∼90 질량%이다.
화합물 (X)의 함유량은, 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 통상 0.01∼20 질량부이고, 바람직하게는 0.1∼20 질량부이고, 보다 바람직하게는 0.2∼10 질량부이고, 특히 바람직하게는 0.5∼5 질량부이다.
가교제 (B)로서는, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있고, 특히 점착제 조성물 (i)의 포트라이프 및 점착제층의 내구성, 가교 속도 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다.
가교제 (B)의 함유량은, 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 통상 0.01∼25 질량부이고, 바람직하게는 0.1∼15 질량부이고, 보다 바람직하게는 0.15∼7 질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.2∼5 질량부이고, 특히 바람직하게는 0.25∼2 질량부이다.
실란 화합물 (C)로서는, 예컨대, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필에톡시디메틸실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
실란 화합물 (C)는, 실리콘올리고머여도 좋다.
실란 화합물 (C)의 함유량은, 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 통상 0.01∼20 질량부이고, 바람직하게는 0.1∼10 질량부이고, 보다 바람직하게는 0.15∼7 질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.2∼5 질량부이고, 특히 바람직하게는 0.25∼2 질량부이다.
라디칼 경화성 성분 (D)로서는, 라디칼 중합 반응에 의해 경화하는 화합물 또는 올리고머 등의 라디칼 경화성 성분을 들 수 있다.
라디칼 중합성 성분 (D)로서는, (메트)아크릴레이트계 화합물, 스티렌계 화합물, 비닐계 화합물 등을 들 수 있다.
점착제 조성물 (i)은 라디칼 경화성 성분 (D)를 2종 이상 포함하고 있어도 좋다.
(메트)아크릴레이트계 화합물로서는, 분자 내에 적어도 1개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 (메트)아크릴레이트모노머, (메트)아크릴아미드모노머, 및, 분자 내에 적어도 2개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴올리고머 등의 (메트)아크릴로일기 함유 화합물을 들 수 있다. (메트)아크릴올리고머는 바람직하게는, 분자 내에 적어도 2개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 (메트)아크릴레이트올리고머이다. (메트)아크릴레이트계 화합물은, 1종만을 단독으로 이용하여도 좋고 2종 이상을 병용하여도 좋다.
(메트)아크릴레이트모노머로서는, 분자 내에 1개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단작용 (메트)아크릴레이트모노머, 분자 내에 2개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 2작용 (메트)아크릴레이트모노머, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 다작용 (메트)아크릴레이트모노머를 들 수 있다.
(메트)아크릴레이트 화합물인 것이 바람직하고, 다작용 (메트)아크릴레이트 화합물인 것이 보다 바람직하다. 다작용 (메트)아크릴레이트 화합물은 3작용 이상인 것이 바람직하다.
라디칼 경화성 성분 (D)의 함유량은, 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 통상 0.5∼100 질량부이고, 1∼70 질량부인 것이 바람직하고, 3∼50 질량부인 것이 보다 바람직하고, 5∼30 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 7.5∼25 질량부인 것이 특히 바람직하다.
개시제 (E)는 열의 에너지를 흡수함으로써 중합 반응을 야기하는 화합물(열중합 개시제), 광의 에너지를 흡수함으로써 중합 반응을 야기하는 화합물(광중합 개시제) 중 어느 것이어도 좋다. 또한, 여기서 광이란, 가시광선, 자외선, X선, 또는 전자선과 같은 활성 에너지선인 것이 바람직하다.
열중합 개시제로서는, 가열 등에 의해 라디칼을 발생하는 화합물(열라디칼 발생제), 가열 등에 의해 산을 발생하는 화합물(열산 발생제), 가열 등에 의해 염기를 발생하는 화합물(열염기 발생제) 등을 들 수 있다.
광중합 개시제로서는, 광의 에너지를 흡수함으로써 라디칼을 발생하는 화합물(광라디칼 발생제), 광의 에너지를 흡수함으로써 산을 발생하는 화합물(광산 발생제), 광의 에너지를 흡수함으로써 염기를 발생하는 화합물(광염기 발생제) 등을 들 수 있다.
개시제 (E)는, 전술한 라디칼 경화성 성분 (D)의 중합 반응에 알맞은 것을 선택하는 것이 바람직하고, 라디칼 중합 개시제인 것이 보다 바람직하고, 광라디칼 중합 개시제인 것이 더욱 바람직하다.
라디칼 중합 개시제는, 예컨대, 알킬페논 화합물, 벤조인 화합물, 벤조페논 화합물, 옥심에스테르 화합물, 포스핀 화합물 등을 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제는, 광라디칼 중합 개시제인 것이 바람직하고, 중합 반응의 반응성의 관점에서 옥심에스테르계 광라디칼 중합 개시제인 것이 보다 바람직하다. 옥심에스테르계 광라디칼 중합 개시제를 사용함으로써, 조도 또는 광량이 약한 경화 조건이라도 라디칼 경화 성분 (D)의 반응률을 높일 수 있다.
개시제 (E)의 함유량은, 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 통상 0.01∼20 질량부이고, 0.3∼10 질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼5 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.75∼4 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 특히 바람직하게는 1∼3 질량부이다.
광 선택 흡수 화합물 (F)는, 화합물 (X) 이외의 광 흡수성 화합물이고, 예컨대, 파장 250 ㎚∼파장 380 ㎚(바람직하게는 파장 250 ㎚ 이상 파장 360 ㎚ 미만)의 광을 흡수하는 화합물(자외선 흡수제)이나, 파장 380 ㎚∼파장 780 ㎚의 광을 흡수하는 화합물(색소)이나, 파장 780 ㎚∼파장 1500 ㎚의 광을 흡수하는 화합물(적외선 흡수제)이다.
자외선 흡수제는, 파장 250 ㎚∼파장 380 ㎚의 광을 흡수하는 화합물이면, 그 구조는 특별히 한정되지 않지만, 벤조트리아졸계 화합물, 벤조페논계 화합물, 트리아진계 화합물, 살리실산계 화합물, 시아노아크릴레이트계 화합물, 벤조옥사진계 화합물 등의 화합물 등이 바람직하다.
광 선택 흡수 화합물 (F)의 함유량은, 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 통상 0.1∼50 질량부이고, 바람직하게는 0.2∼40 질량부이고, 보다 바람직하게는 0.5∼30 질량부이고, 더욱 바람직하게는 1∼25 질량부이고, 특히 바람직하게는 2∼20 질량부이다.
화합물 (X)을 포함하는 조성물로부터 성형되는 성형물은, 파장 440 ㎚에 있어서의 투과율이 50% 이하인 것이 바람직하고, 30% 이하인 것이 보다 바람직하다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것이 아니다. 예 중, 함유량 내지 사용량을 나타내는 % 및 부는, 특별히 언급이 없는 한 질량 기준이다.
(실시예 1) 식 (1)로 표시되는 화합물의 합성
Figure pct00086
딤로스 냉각관 및 온도계를 설치한 100 mL-사구 플라스크 내를 질소 분위기로 하고, 2-메틸-1,3-시클로헥산디온 2부, 디메틸황산 1.3부, 아세토니트릴 10부를 가하여 3시간 가열 환류 교반하였다. 얻어진 혼합물에 말로노니트릴 0.75부, 탄산칼륨 1.2부, 이소프로판올 10부를 혼합하고, 3시간 가열 환류하여 교반시켰다. 얻어진 혼합물로부터 용매를 증류 제거한 후, 정제하여, 식 (1)로 표시되는 화합물 0.1부를 얻었다.
LC-MS 측정 및 1H-NMR 해석을 행하여, 식 (1)로 표시되는 화합물이 생성된 것을 확인하였다.
1H-NMR: 1.70(m, 2H), 2.16(s, 3H), 2.50∼2.62(m, 4H)
LC-MS; [M]-=221.3
<극대 흡수 파장 및 그램 흡광 계수(ε) 측정>
얻어진 식 (1)로 표시되는 화합물의 2-부타논 용액(0.006 g/L)을 1 ㎝의 석영 셀에 넣고, 석영 셀을 분광 광도계 UV-2450(가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 제조)에 셋트하고, 더블 빔법에 의해 1 ㎚ 스텝마다 300∼800 ㎚의 파장 범위의 흡광도를 측정하였다. 얻어진 흡광도의 값과, 용액 중의 식 (1)로 표시되는 화합물의 농도, 석영 셀의 광로 길이로부터, 파장마다의 그램 흡광 계수를 산출하였다.
ε(λ)=A(λ)/CL
〔식 중, ε(λ)는 파장 λ ㎚에서의 식 (1)로 표시되는 화합물의 그램 흡광 계수(L/(g·㎝))를 나타내고, A(λ)는 파장 λ ㎚에서의 흡광도를 나타내고, C는 농도(g/L)를 나타내고, L은 석영 셀의 광로 길이(㎝)를 나타낸다.〕
얻어진 식 (1)로 표시되는 화합물의 극대 흡수 파장은 457 ㎚였다. 얻어진 식 (1)로 표시되는 화합물의 ε(λmax)는 150.6 L/(g·㎝), ε(λmax+30 ㎚)는 3.8 L/(g·㎝), ε(λmax)/ε(λmax+30 ㎚)는 39.6이었다.
(실시예 2) 식 (2)로 표시되는 화합물의 합성
Figure pct00087
딤로스 냉각관 및 온도계를 설치한 300 mL-사구 플라스크 내를 질소 분위기로 하고, 디메돈 70부, 말로노니트릴 10.4부, 디이소프로필에틸아민 40.6부, 에탄올 100부를 넣고, 3시간 가열 환류하여 교반시켰다. 얻어진 혼합물로부터 용매를 증류 제거하고, 정제하여, 식 (M-5)로 표시되는 화합물 15.1부를 얻었다.
Figure pct00088
질소 분위기 하에서, 식 (M-5)로 표시되는 화합물 5부, 파라톨루엔술포닐시아니드 5.8부, 칼륨tert-부톡시드 3부 및 에탄올 50부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 온도 0∼5℃에서 3시간 교반시켰다. 얻어진 혼합물로부터 용매를 증류 제거하고, 정제하여, 식 (M-6)으로 표시되는 화합물 3.3부를 얻었다.
Figure pct00089
질소 분위기 하에서, 식 (M-6)으로 표시되는 화합물 5부, 메틸트리플레이트 7.7부, 탄산칼륨 3.2부 및 메틸에틸케톤 50부를 혼합하였다. 얻어진 혼합물을 온도 0∼5℃에서 3시간 교반시켰다. 얻어진 혼합물에 말로노니트릴 4.6부 및 탄산칼륨 13.0부를 가하여 온도 0∼5℃에서 3시간 교반시켰다. 얻어진 혼합물로부터 용매를 증류 제거하고, 정제하여, 식 (2)로 표시되는 화합물 3.1부를 얻었다.
LC-MS 측정 및 1H-NMR 해석을 행하여, 식 (2)로 표시되는 화합물이 생성된 것을 확인하였다.
1H-NMR(중DMSO)δ: 0.92(s, 6H), 2.45∼2.52(s, 4H)
LC-MS; [M]-=260.2
또한, 상기와 동일하게 하여, 극대 흡수 파장 및 그램 흡광 계수를 측정하였다. 얻어진 식 (2)로 표시되는 화합물의 극대 흡수 파장은 432 ㎚였다. 얻어진 식 (2)로 표시되는 화합물의 ε(λmax)는 237 L/(g·㎝), ε(λmax+30 ㎚)는 4.4 L/(g·㎝), ε(λmax)/ε(λmax+30 ㎚)는 53.9였다.
(실시예 3) 수지 조성물 (1)(점착제 조성물 (1))의 제작
중합예 1: 아크릴 수지 (A)의 조제
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반기를 구비한 반응 용기에, 용매로서 아세트산에틸 81.8부, 아크릴산부틸 96부, 아크릴산2-히드록시에틸메틸 3부, 및 아크릴산 1부의 혼합 용액을 넣고, 질소 가스로 반응 용기 내의 공기를 치환하여 산소 불함유로 하면서 내온을 55℃로 올렸다. 그 후, 아조비스이소부티로니트릴(중합 개시제) 0.14부를 아세트산에틸 10부에 녹인 용액을 전량 첨가하였다. 중합 개시제를 첨가한 후, 1시간 이 온도로 유지하고, 계속해서 내온을 54∼56℃로 유지하면서 아세트산에틸을 첨가 속도 17.3부/hr로 반응 용기 내에 연속적으로 가하여, 아크릴 수지의 농도가 35%가 된 시점에 아세트산에틸의 첨가를 멈추고, 또한 아세트산에틸의 첨가 개시로부터 12시간 경과할 때까지 이 온도로 보온하였다. 마지막으로 아세트산에틸을 가하여 아크릴 수지의 농도가 20%가 되도록 조절하여, 아크릴 수지의 아세트산에틸 용액을 조제하였다. 얻어진 아크릴 수지는, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 147만, Mw/Mn이 5.5였다. 이것을 아크릴 수지 (A)로 한다.
<수지 조성물 (1)의 조제>
아크릴 수지 (A)의 아세트산에틸 용액(수지 농도: 20%)의 고형분 100부에 대하여, 가교제(도소 가부시키가이샤 제조: 상품명 「콜로네이트 L」, 이소시아네이트계 화합물, 고형분 75%) 0.3부, 실란 화합물(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조: 상품명 「KBM3066」) 0.28부, 식 (2)로 표시되는 화합물 1.5부를 혼합하고, 또한 고형분 농도가 14%가 되도록 아세트산에틸을 첨가하여 수지 조성물 (1)(점착제 조성물)을 얻었다. 또한, 상기 가교제의 배합량은, 유효 성분으로서의 질량부수이다.
(실시예 4∼7 및 비교예 1) 수지 조성물 (2)∼(6)의 제작
표 10에 나타내는 바와 같이 각 성분 및 각 성분의 함유량을 변경한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 점착제 조성물 (2)∼점착제 조성물 (6)을 제작하였다. 또한, 가교제의 배합량은 유효 성분으로서의 질량부수이고, 수지 (A)는 고형분의 질량부수이다.
Figure pct00090
또한, 표 1에 있어서의 각 약어는 이하의 의미를 나타낸다.
아크릴 수지 (A): 중합예 1에서 합성한 아크릴 수지 (A)
식 (2): 실시예 2에서 합성한 식 (2)로 표시되는 화합물
콜로네이트 L: 도소 가부시키가이샤 제조, 상품명: 콜로네이트 L, 이소시아네이트계 가교제
KBM3066: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조, 상품명: KBM3066, 실란 커플링제
A-DPH-12E: 신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤 제조, 상품명; A-DPH-12E, 6작용 (메트)아크릴레이트 화합물
NCI-730: 가부시키가이샤 ADEKA사 제조, 상품명: NCI-730, 옥심에스테르 화합물인 광라디칼 발생제
RUVA-93: 오오쓰카가가쿠 가부시키가이샤 제조, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 상품명: RUVA-93, 극대 흡수 파장(λmax)=337 ㎚
C.I.Y33: Sumiplast Lemon Yellow HL(C.I. 솔벤트 옐로우 33, 스미카켐텍스 가부시키가이샤 제조)
<수지 조성물 (1)의 성형체의 평가>
〔수지 성형체 (1)의 제작〕
얻어진 수지 조성물 (1)을, 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이트 필름〔린테크 가부시키가이샤에서 입수한 상품명 「PLR-382190」〕의 이형 처리면에, 애플리케이터를 이용하여 도포하고, 온도 100℃에서 1분간 건조하여 수지 성형체(점착제층) (1)을 제작하였다. 얻어진 수지 성형체 (1)의 두께는 15 ㎛였다.
얻어진 수지 성형체 (1)을 라미네이터에 의해, 두께 23 ㎛의 자외선 흡수제 함유 시클로올레핀 필름〔닛폰제온 가부시키가이샤에서 입수한 상품명 「ZEONOR」〕에 접합한 후, 온도 23℃, 상대 습도 65%의 조건에서 7일간 양생하여, 시클로올레핀 필름/수지 성형체 (1)/세퍼레이트 필름의 적층체 (1)을 얻었다.
〔수지 성형체 (1)의 흡광도 측정〕
얻어진 적층체 (1)을 30 ㎜×30 ㎜의 크기로 재단하고, 세퍼레이트 필름을 박리하고, 수지 성형체 (1)과 무알칼리 유리〔코닝사 제조의 상품명 "EAGLE XG"〕를 접합하여, 이것을 샘플 (1)로 하였다. 제작한 샘플 (1)의 파장 300∼800 ㎚ 범위의 흡광도를 1 ㎚ 스텝마다, 분광 광도계(UV-2450: 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 제조)를 이용하여 측정하였다. 측정한 파장 440 ㎚에서의 흡광도를, 수지 성형체 (1)의 파장 440 ㎚의 흡광도로 하였다. 그 결과를 표 11에 나타낸다. 또한, 무알칼리 유리 단체 및 시클로올레핀 필름 단체 각각의 파장 330 ㎚ 및 파장 440 ㎚의 흡광도는 0이다.
또한, 이하의 식에 기초하여 파장 440 ㎚ 및 파장 330 ㎚의 투과율을 구하였다. 결과를 표 11의 T440의 난에 파장 440 ㎚의 투과율을 나타내고, T330 ㎚의 난에 파장 330 ㎚의 난에 나타낸다.
T=10-A×100(T는 투과율을 나타내고, A는 흡광도를 나타낸다.)
〔수지 성형체 (1)의 흡광도 유지율의 측정〕
흡광도 측정 후의 샘플 (1)을, 온도 63℃, 상대 습도 50% RH의 조건에서 선샤인 웨더미터(스가시켄키 가부시키가이샤 제조)에 75시간 투입하여, 내후성 시험을 실시하였다. 추출한 샘플 (1)의 흡광도를 상기와 동일한 방법으로 측정하였다. 측정한 흡광도로부터, 하기 식에 기초하여, 파장 440 ㎚에서의 샘플의 흡광도 유지율을 구하였다. 하기 식 중, A(440)은, 파장 440 ㎚에서의 흡광도를 나타낸다. 결과를 표 11에 나타낸다. 흡광도 유지율이 100에 가까운 값일수록, 광 선택 흡수 기능의 열화가 없고 양호한 내후성을 갖는 것을 나타낸다.
흡광도 유지율(%)=(내구 시험 후의 A(440)/내구 시험 전의 A(440))×100
〔수지 성형체 (1)의 내블리드성 평가〕
얻어진 수지 성형체 (1)의 한쪽의 면에 또한 세퍼레이트 필름을 적층시켜 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (1)을 얻었다. 얻어진 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (1)을 온도 23∼25℃의 공기 하에서 1개월 보관하였다. 보관 후의 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (1)을 현미경을 이용하여 면 내의 화합물의 결정 석출의 유무를 확인하였다. 결정 석출이 없는 경우를 a로 하고, 결정 석출이 있는 경우를 b로 하였다. 평가 결과를 표 11의 내블리드성의 난에 나타낸다.
수지 조성물 (1) 대신에 수지 조성물 (2)를 이용하여 수지 성형체 (2), 적층체 (2), 및 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (2)를 제작하고, 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 11에 나타낸다.
수지 조성물 (1) 대신에 수지 조성물 (3)을 이용하여 수지 성형체 (3), 적층체 (3), 및 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (3)을 제작하고, 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 11에 나타낸다.
수지 조성물 (1) 대신에 수지 조성물 (6)을 이용하여 수지 성형체 (6), 적층체 (6), 및 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (6)을 제작하고, 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 11에 나타낸다.
<수지 조성물 (4)의 성형체의 평가>
〔수지 성형체 (4)의 제작〕
수지 조성물 (4)를, 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이트 필름〔린테크(주)로부터 입수한 상품명 「PLR-382190」〕의 이형 처리면에, 애플리케이터를 이용하여 건조 후의 두께가 5 ㎛가 되도록 도포하고, 온도 100℃에서 1분간 건조하였다. 그 후, 세퍼레이트 필름측으로부터 자외선 조사 장치(퓨전 UV 시스템사 제조 「무전극 UV 램프 시스템 H 벌브」)를 이용하여 UV-A(파장 320∼390 ㎚)가 조도 500 ㎽, 적산 광량이 500 mJ이 되도록 조정하여, 자외선 조사함으로써 수지 성형체(점착제층) (4)를 제작하였다.
얻어진 수지 성형체 (4)를 무알칼리 유리에 접합하고, 세퍼레이트 필름을 박리한 후, 수지 성형체 (4)에 23 ㎛의 자외선 흡수제 함유 시클로올레핀 필름〔닛폰제온 가부시키가이샤로부터 입수한 상품명 「ZEONOR」〕을 접합하여, 시클로올레핀필름/수지 성형체 (4)/유리의 구성을 갖는 적층체 (4)를 제작하였다.
〔수지 성형체 (4)의 흡광도 측정〕
제작한 적층체 (4)를 분광 광도계 UV-2450(가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 제조)에 셋트하고, 더블 빔법에 의해 1 ㎚ 스텝 300∼800 ㎚의 파장 범위에서 흡광도를 측정하였다. 측정한 파장 440 ㎚에서의 흡광도를, 수지 성형체 (4)의 파장 440 ㎚의 흡광도로 하였다. 또한, 무알칼리 유리 단체 및 시클로올레핀 필름 단체 각각의 파장 330 ㎚ 및 파장 440 ㎚의 흡광도는 0이다.
또한, 이하의 식에 기초하여 파장 440 ㎚ 및 파장 330 ㎚의 투과율을 구하였다. 결과를 표 11의 T440의 난에 파장 440 ㎚의 투과율을 나타내고, T330 ㎚의 난에 파장 330 ㎚의 난에 나타낸다.
T=10-A×100(T는 투과율을 나타내고, A는 흡광도를 나타낸다.)
〔수지 성형체 (4)의 흡광도 유지율의 측정〕
흡광도 측정 후의 적층체 (4)를, 온도 63℃, 상대 습도 50% RH의 조건에서 선샤인 웨더미터(스가시켄키 가부시키가이샤 제조)에 75시간 투입하여, 내후성 시험을 실시하였다. 추출한 적층체 (4)의 수지 성형체 (4)의 흡광도를 상기와 동일한 방법으로 측정하였다. 측정한 흡광도로부터, 하기 식에 기초하여, 파장 440 ㎚에서의 샘플의 흡광도 유지율을 구하였다. 하기 식 중, A(440)은, 파장 440 ㎚에서의 흡광도를 나타낸다. 결과를 표 11에 나타낸다. 흡광도 유지율이 100에 가까운 값일수록, 광 선택 흡수 기능의 열화가 없고 양호한 내후성을 갖는 것을 나타낸다.
흡광도 유지율(%)=(내구 시험 후의 A(440)/내구 시험 전의 A(440))×100
〔수지 성형체 (4)의 내블리드성 평가〕
얻어진 수지 성형체 (4)의 한쪽의 면에 또한 세퍼레이트 필름을 적층시켜 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (4)를 얻었다. 얻어진 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (4)를 온도 23∼25℃의 공기 하에서 1개월 보관하였다. 보관 후의 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (4)를, 현미경을 이용하여 면 내의 화합물의 결정 석출의 유무를 확인하였다. 결정 석출이 없는 경우를 a로 하고, 결정 석출이 있는 경우를 b로 하였다. 평가 결과를 표 11의 내블리드성의 난에 나타낸다.
수지 조성물 (4) 대신에 수지 조성물 (5)를 이용하여 수지 성형체 (5), 적층체 (5), 및 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (5)를 제작하고, 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 11에 나타낸다.
Figure pct00091
(실시예 8) 안경 렌즈용 수지 조성물 및 그 성형체의 조제
크실릴렌디이소시아네이트 40부, 트리메틸올프로판트리스(티오글리콜레이트) 60부, 실시예 2에서 합성한 식 (2)로 표시되는 화합물 0.01부, 이형제(상품명: ZELEC-UN, Sigme-Aldrich사로부터 입수) 0.2부, 경화 촉매로서의 디부틸디클로로주석 0.03부를 혼합 교반하였다. 얻어진 혼합물을 진공 건조기 내에서 1시간 정치하고, 탈기하였다. 얻어진 혼합물을 유리 몰드에 주입하고, 온도 120℃에서 1시간 가열하였다. 유리 몰드로부터 성형체만을 박리하여, 성형체로서 두께 2 ㎜, 3 ㎝×3 ㎝의 수지판을 제작하였다.
(실시예 9∼12) 안경 렌즈용 수지 조성물 및 그 성형체의 조제
식 (2)로 표시되는 화합물의 함유량을 표 12에 나타내는 함유량[부]으로 변경한 것 이외에는, 실시예 8과 동일하게 하여, 안경 렌즈용 수지 조성물 및 그 성형체인 수지판을 얻었다.
Figure pct00092
<수지판의 평가>
〔수지판의 흡광도의 측정〕
상기에서 얻어진 수지판의 파장 300∼800 ㎚ 범위의 흡광도를 1 ㎚ 스텝마다, 분광 광도계(UV-2450: 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 제조)를 이용하여 측정하였다.
또한, 이하의 식에 기초하여 파장 440 ㎚의 투과율을 구하였다. 결과를 표 13의 T440의 난에 나타내었다.
T=10-A×100(T는 투과율을 나타내고, A는 흡광도를 나타낸다.)
〔수지판의 흡광도 유지율의 측정〕
흡광도 측정 후의 수지판을 온도 63℃, 상대 습도 50% RH의 조건에서 선샤인 웨더미터(스가시켄키 가부시키가이샤 제조)에 75시간 투입하여, 내후성 시험을 실시하였다. 추출한 수지판의 흡광도를 상기와 동일한 방법으로 측정하였다. 측정한 흡광도로부터, 하기 식에 기초하여, 파장 440 ㎚에서의 수지판의 흡광도 유지율을 구하였다. 하기 식 중, A(440)은, 파장 440 ㎚에서의 흡광도를 나타낸다. 결과를 표 13에 나타내었다. 흡광도 유지율이 100에 가까운 값일수록, 광 선택 흡수 기능의 열화가 없고 양호한 내후성을 갖는 것을 나타낸다.
흡광도 유지율(%)=(내구 시험 후의 A(440)/내구 시험 전의 A(440))×100
Figure pct00093
(실시예 13∼15) 수지 조성물 (7)∼(9)(점착제 조성물 (7)∼(9))의 조제
중합예 2: 아크릴 수지 (A1)의 조제
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반기를 구비한 반응 용기에, 용매로서 아세트산에틸 81.8부, 아크릴산부틸 70부, 아크릴산2-히드록시에틸메틸 1부, 아크릴산 1부, 페녹시에틸아크릴레이트 8부, 부톡시메틸아크릴아미드 0.5부의 혼합 용액을 넣고, 질소 가스로 반응 용기 내의 공기를 치환하여 산소 불포함으로 하면서 내온을 55℃로 올렸다. 그 후, 아조비스이소부티로니트릴(중합 개시제) 0.14부를 아세트산에틸 10부에 녹인 용액을 전량 첨가하였다. 중합 개시제를 첨가한 후, 1시간 이 온도로 유지하고, 계속해서 내온을 54∼56℃로 유지하면서 아세트산에틸을 첨가 속도 17.3부/hr로 반응 용기 내에 연속적으로 가하여, 아크릴 수지의 농도가 35%가 된 시점에 아세트산에틸의 첨가를 멈추고, 또한 아세트산에틸의 첨가 개시로부터 12시간 경과할 때까지 이 온도로 보온하였다. 마지막으로 아세트산에틸을 가하여 아크릴 수지의 농도가 20%가 되도록 조절하여, 아크릴 수지의 아세트산에틸 용액을 조제하였다. 얻어진 아크릴 수지는, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 125만, Mw/Mn이 4.5였다. 이것을 아크릴 수지 (A1)로 한다.
표 14에 나타내는 바와 같이 각 성분 및 각 성분의 함유량을 변경한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 점착제 조성물 (7)∼점착제 조성물 (9)를 제작하였다. 또한, 가교제의 배합량은 유효 성분으로서의 질량부수이고, 수지 (A)는 고형분의 질량부수이다.
Figure pct00094
또한, 표 14에 있어서의 각 약어는 이하의 의미를 나타낸다.
아크릴 수지 (A1): 중합예 2로 합성한 아크릴 수지 (A1)
식 (2): 실시예 2로 합성한 식 (2)로 표시되는 화합물
콜로네이트 L: 도소 가부시키가이샤 제조, 상품명: 콜로네이트 L, 이소시아네이트계 가교제
KBM3066: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조, 상품명: KBM3066, 실란 커플링제
KBM403: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조, 상품명: KBM403, 실란 커플링제
M-130G: 신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤 제조, 상품명: M-130G, 단작용 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트
이온성 화합물: 하기 식으로 나타내는 이온성 화합물
Figure pct00095
<수지 조성물 (7)의 성형체의 평가>
〔수지 성형체 (7)의 제작〕
얻어진 수지 조성물 (7)을 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 세퍼레이트 필름〔린테크 가부시키가이샤로부터 입수한 상품명 「PLR-382190」〕의 이형 처리면에, 애플리케이터를 이용하여 도포하고, 온도 100℃에서 1분간 건조하여 수지 성형체(점착제층) (7)을 제작하였다. 얻어진 수지 성형체 (7)의 두께는 20 ㎛였다.
얻어진 수지 성형체 (7)를 라미네이터에 의해, 두께 23 ㎛의 자외선 흡수제 함유 시클로올레핀 필름〔닛폰제온 가부시키가이샤로부터 입수한 상품명 「ZEONOR」〕에 접합한 후, 온도 23℃, 상대 습도 65%의 조건에서 7일간 양생하여, 시클로올레핀 필름/수지 성형체 (7)/세퍼레이트 필름의 적층체 (7)을 얻었다.
〔수지 성형체 (7)의 흡광도 측정〕
얻어진 적층체 (7)을 30 ㎜×30 ㎜의 크기로 재단하고, 세퍼레이트 필름을 박리하고, 수지 성형체 (7)과 무알칼리 유리〔코닝사 제조의 상품명 "EAGLE XG"〕를 접합하여, 이것을 샘플 (7)로 하였다. 제작한 샘플 (7)의 파장 300∼800 ㎚ 범위의 흡광도를 1 ㎚ 스텝마다, 분광 광도계(UV-2450: 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 제조)를 이용하여 측정하였다. 측정한 파장 440 ㎚에서의 흡광도를, 수지 성형체 (7)의 파장 440 ㎚의 흡광도로 하였다. 그 결과를 표 15에 나타낸다. 또한, 무알칼리 유리 단체 및 시클로올레핀 필름 단체 각각의 파장 330 ㎚ 및 파장 440 ㎚의 흡광도는 0이다.
또한, 이하의 식에 기초하여 파장 440 ㎚ 및 파장 330 ㎚의 투과율을 구하였다. 결과를 표 15의 T440의 난에 파장 440 ㎚의 투과율을 나타내고, T330 ㎚의 난에 파장 330 ㎚의 난에 나타낸다.
T=10-A×100(T는 투과율을 나타내고, A는 흡광도를 나타낸다.)
〔수지 성형체 (7)의 흡광도 유지율의 측정〕
흡광도 측정 후의 샘플 (7)을, 온도 63℃, 상대 습도 50% RH의 조건에서 선샤인 웨더미터(스가시켄키 가부시키가이샤 제조)에 75시간 투입하여, 내후성 시험을 실시하였다. 추출한 샘플 (7)의 흡광도를 상기와 동일한 방법으로 측정하였다. 측정한 흡광도로부터, 하기 식에 기초하여, 파장 440 ㎚에서의 샘플의 흡광도 유지율을 구하였다. 하기 식 중, A(440)은, 파장 440 ㎚에서의 흡광도를 나타낸다. 결과를 표 15에 나타낸다. 흡광도 유지율이 100에 가까운 값일수록, 광 선택 흡수 기능의 열화가 없고 양호한 내후성을 갖는 것을 나타낸다.
흡광도 유지율(%)=(내구 시험 후의 A(440)/내구 시험 전의 A(440))×100
〔수지 성형체 (7)의 내블리드성 평가〕
얻어진 수지 성형체 (7)의 한쪽의 면에 또한 세퍼레이트 필름을 적층시켜 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (7)을 얻었다. 얻어진 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (7)을 23∼25℃의 공기 하에서 1개월 보관하였다. 보관 후의 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (7)을 현미경을 이용하여 면 내의 화합물의 결정 석출의 유무를 확인하였다. 결정 석출이 없는 경우를 a로 하고, 결정 석출이 있는 경우를 b로 하였다. 평가 결과를 표 15의 내블리드성의 난에 나타낸다.
수지 조성물 (7) 대신에 수지 조성물 (8)을 이용하여 수지 성형체 (8), 적층체 (8), 및 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (7)을 제작하고, 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 15에 나타낸다.
수지 조성물 (7) 대신에 수지 조성물 (9)를 이용하여 수지 성형체 (9), 적층체 (9), 및 양면 세퍼레이트 필름을 갖는 수지 성형체 (9)를 제작하고, 동일하게 평가를 행하였다. 결과를 표 15에 나타낸다.
Figure pct00096
본 발명의 화합물은, 파장 440 ㎚의 단파장의 가시광에 대한 높은 흡수 선택성을 갖는다. 또한, 본 발명의 화합물을 포함하는 수지 조성물은 내후성 시험 후에도 높은 흡광도 유지율을 갖고, 양호한 내후성을 갖는다.

Claims (12)

  1. 식 (X)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온을 포함하는 화합물.
    Figure pct00097

    [식 (X) 중, 고리 W1은, 적어도 하나의 치환기를 갖는 고리 구조를 나타낸다.]
  2. 제1항에 있어서, 식 (X)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 음이온이, 식 (I)로 표시되는 음이온∼식 (VIII)로 표시되는 음이온 중 어느 하나인 화합물.
    Figure pct00098

    Figure pct00099

    [식 중, 고리 W1은, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
    고리 W2, 고리 W3, 고리 W4, 고리 W5, 고리 W6, 고리 W7, 고리 W8, 고리 W9, 고리 W10, 고리 W11, 고리 W12, 고리 W13 및 고리 W14는 각각 독립적으로 고리 구조를 나타내고, 이 고리 구조는 치환기를 갖고 있어도 좋다.
    R1, R2, R4, R5, R12, R14, R15, R22, R24, R25, R32, R34, R35, R42, R44, R45, R52, R54, R55, R62, R64, R65, R71, R72, R74, R75, R81, R82, R84, R85, R91, R92, R94, R95, R101, R102, R104, R105, R111, R112, R114, R115, R121, R122, R124, R125, R131, R132, R134 및 R135는 각각 독립적으로 전자 구인성 기를 나타낸다.
    R3은 1가의 치환기를 나타낸다.
    R13, R23, R33, R43, R53, R63 및 R133은 1가의 치환기를 나타낸다.
    R1과 R2는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R2와 R3은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R3과 R4는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R4와 R5는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R12와 R13은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R13과 R14는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R14와 R15는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R22와 R23은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R23과 R24는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R24와 R25는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R32와 R33은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R33과 R34는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R34와 R35는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R42와 R43은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R43과 R44는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R44와 R45는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R52와 R53은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R53과 R54는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R54와 R55는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R62와 R63은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R63과 R64는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R64와 R65는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R71과 R72는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R74와 R75는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R81과 R82는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R84와 R85는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R91과 R92는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R94와 R95는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R101과 R102는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R104와 R105는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R111과 R112는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R114와 R115는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R121과 R122는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R124와 R125는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R131과 R132는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R132와 R133은 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R133과 R134는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    R134와 R135는 서로 연결하여 고리를 형성하여도 좋다.
    Rx1, Rx4 및 Rx7은 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
    Rx2는 및 Rx5는 각각 독립적으로 3가의 연결기를 나타낸다.
    Rx3 및 Rx6은 각각 독립적으로 4가의 연결기를 나타낸다.]
  3. 제2항에 있어서, R3이 전자 구인성 기인 화합물.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 R5에서 선택되는 적어도 하나가, 시아노기, 니트로기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 아릴기, -CO-R1, -CO-O-R2, -CO-NR3R3k, -CO-S-R4, -CS-R5, -CS-O-R6, -CS-S-R7, -SO-R8, -SO2-R9(R1, R2, R3, R3k, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -OCF3, -SCF3, -SF5, -SF3, -SO2H 또는 -SO3H인 화합물.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 R5에서 선택되는 적어도 하나가, 시아노기, 니트로기, -CO-R1, -CO-O-R2, -SO2-R9(R1, R2 및 R9는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.), -SF5, -SF3, -SO3H, -SO2H, -OCF3 또는 -SCF3인 화합물.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 R5에서 선택되는 적어도 하나가, 시아노기 또는 니트로기인 화합물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 400 ㎚∼파장 550 ㎚ 사이에 극대 흡수를 나타내는 화합물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 극대 흡수 파장에 있어서의 그램 흡광 계수가 0.5 이상인 화합물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 식 (a)를 만족시키는 화합물.
    ε(λmax)/ε(λmax+30 ㎚)≥5 (a)
    [식 중, ε(λmax)는, 극대 흡수 파장(λmax)에 있어서의 그램 흡광 계수를 나타낸다.
    ε(λmax+30 ㎚)는, 극대 흡수 파장(λmax)+30 ㎚의 파장에 있어서의 그램 흡광 계수를 나타낸다.
    또한, 그램 흡광 계수의 단위는 L/(g·㎝)이다.]
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 조성물.
  11. 제10항에 기재된 조성물을 성형하여 이루어지는 성형물.
  12. 제11항에 있어서, 파장 440 ㎚에 있어서의 투과율이 50% 이하인 성형물.
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