KR20220160500A

KR20220160500A - 도전막을 구비하는 기판 및 반사형 마스크 블랭크

Info

Publication number: KR20220160500A
Application number: KR1020220063861A
Authority: KR
Inventors: 소타로 나카무라; 마사요시 미조구치; 다케시 도미자와; 다카히라 미야기; 류스케 모리타
Original assignee: 에이지씨 가부시키가이샤
Priority date: 2021-05-27
Filing date: 2022-05-25
Publication date: 2022-12-06
Also published as: KR20240036548A; JP2023138546A; US20220390825A1; KR102649277B1; TW202314367A; TWI832258B

Abstract

본 발명은, 유리 기판과, 상기 유리 기판의 한쪽 주면 상에 배치된 도전막을 갖는 도전막을 구비하는 기판이며, 상기 도전막의 주연에 경사부를 갖고, 상기 경사부에 있어서의 상기 도전막의 두께가 상기 도전막의 중심부의 막 두께의 10%가 되는 위치로부터 상기 유리 기판의 연단부까지의 거리가 3.00㎜ 이하이고, 상기 경사부의 단부로부터 상기 유리 기판의 연단부까지의 거리가 0.00㎜ 초과인, 도전막을 구비하는 기판에 관한 것이다.

Description

도전막을 구비하는 기판 및 반사형 마스크 블랭크{CONDUCTIVE FILM-EQUIPPED SUBSTRATE AND REFLECTION TYPE MASK BLANK}

본 발명은 도전막을 구비하는 기판 및 반사형 마스크 블랭크에 관한 것이다.

근년, 반도체 디바이스를 구성하는 집적 회로의 미세화에 수반하여, 가시광이나 자외광(파장 193 내지 365㎚) 또는 ArF 엑시머 레이저광(파장 193㎚) 등을 사용한 종래의 노광 기술을 대신하는 노광 방법으로서, 극단 자외광(Extreme Ultra Violet: 이하, 「EUV」라고 칭한다.) 리소그래피가 검토되고 있다.

EUV 리소그래피에서는, 노광에 사용하는 광원으로서, ArF 엑시머 레이저광보다 단파장의 EUV 광이 사용된다. 또한, EUV 광이란, 연X선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장의 광을 말하며, 구체적으로는, 파장이 0.2 내지 100㎚ 정도인 광이다. EUV 광으로서는, 예를 들어 파장이 13.5㎚ 정도인 EUV 광이 사용된다.

EUV 광은, 모든 물질에 대하여 흡수되기 쉬우므로, 종래의 노광 기술에서 사용되고 있던 굴절 광학계를 사용할 수 없다. 그 때문에, EUV 리소그래피에서는, 반사형 마스크나 미러 등의 반사 광학계가 사용된다. EUV 리소그래피에 있어서는, 반사형 마스크가 전사용 마스크로서 사용된다.

마스크 블랭크는, 포토마스크 제조에 사용되는 패터닝 전의 적층체이다. 반사형 마스크 블랭크의 경우, 유리제 등의 기판 상에 EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순으로 형성된 구조를 갖고 있다. 반사층으로서는, EUV 광에 대하여 저굴절률이 되는 저굴절률층과, EUV 광에 대하여 고굴절률이 되는 고굴절률층을 교호로 적층함으로써, EUV 광을 층 표면에 조사했을 때의 광선 반사율이 높아진 다층 반사막이 통상 사용된다. 다층 반사막의 저굴절률층으로서는 몰리브덴(Mo)층이, 고굴절률층으로서는 규소(Si)층이 통상 사용된다.

흡수층에는, EUV 광에 대한 흡수 계수가 높은 재료, 구체적으로는 예를 들어, 크롬(Cr)이나 탄탈(Ta)을 주성분으로 하는 재료가 사용된다.

다층 반사막 및 흡수층은, 이온 빔 스퍼터링법이나 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 기판의 주면 상에 성막된다. 다층 반사막 및 흡수층을 성막할 때, 유리 기판은 보유 지지 수단에 의해 보유 지지된다. 기판의 보유 지지 수단으로서, 기계적 척 및 정전 척이 있지만, 발진성의 문제로부터, 다층 반사막 및 흡수층을 성막할 때의 기판의 보유 지지 수단, 특히 다층 반사막을 성막할 때의 기판의 보유 지지 수단으로서는, 정전 척에 의한 흡착 보유 지지가 바람직하게 사용된다.

정전 척은, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 흡착 보유 지지에 종래 사용되고 있는 기술이다. 이 때문에, 유리제의 기판과 같이, 유전율 및 도전율이 낮은 기판의 경우, 실리콘 웨이퍼의 경우와 동일 정도의 척킹력을 얻기 위해서는, 고전압을 인가할 필요가 있기 때문에, 절연 파괴를 일으킬 위험성이 있다.

이러한 문제를 해소하기 위해서, 기판의 이면(다층 반사막이나 흡수층이 형성되는 기판의 성막면에 대한 이면. 정전 척으로 흡착 보유 지지되는 측의 면)에 고유전율의 도전막을 형성하는 것이 행해지고 있다.

정전 척 시의 진동이나 정전 척의 클램프 구조물과의 접촉에 의해, 도전막의 막 박리가 발생하는 경우가 있다. 정전 척 시에 도전막의 막 박리 등에 의해 파티클이 발생하면, 예를 들어 반사형 마스크 블랭크에 전자선 조사 등에 의한 마스크 패턴을 형성해서 반사형 마스크를 제작하는 공정에서의 고품질의 반사형 마스크의 실현이나, 반사형 마스크에 의한 노광 공정에서의 고정밀도의 전사의 실현을 저해할 우려가 있다. 종래의 노광용 투과형 마스크를 사용한 패턴 전사의 경우에는, 노광광의 파장이 자외 영역에서 비교적 길기 때문에(157 내지 248㎚ 정도), 마스크면에 요철 결함이 발생해도, 이것이 중대한 결함으로까지는 되기 어렵고, 그 때문에 종래에는 성막 시의 파티클의 발생은 과제로서는 각별히 인식되어 있지 않았다. 그러나, EUV 광과 같은 단파장의 광을 노광광으로서 사용하는 경우에는, 마스크면 상의 미세한 요철 결함이 있어도, 전사상에 대한 영향이 커지기 때문에, 파티클의 발생은 무시할 수 없다.

특허문헌 1에 기재된 다층 반사막을 갖는 기판에서는, 기판을 사이에 두고 다층 반사막과 반대측에, 기판의 적어도 주연부를 제외한 영역에 도전막을 형성하고, 기판의 적어도 면취면과 측면에는 도전막이 형성되어 있지 않기 때문에, 기판의 주연부에도 도전막을 형성한 경우의 주연부의 막 박리에 의한 파티클의 발생을 방지할 수 있어, 정전 척 시에 기판의 휨이 발생해도, 기판 주연부로부터의 파티클의 발생을 방지할 수 있다고 되어 있다.

일본 특허 공개 제2005-210093호 공보

특허문헌 1에 기재된 다층 반사막을 구비하는 기판과 같이, 기판의 적어도 주연부를 제외한 영역에 도전막을 형성한 경우, 정전 척 시의 파티클의 발생을 충분히 억제할 수 없는 경우가 있다.

본 발명은 정전 척 시의 파티클의 발생이 억제된 반사형 마스크 블랭크 및 해당 마스크 블랭크용 도전막을 구비하는 기판의 제공을 과제로 한다.

본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 이하의 구성에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.

[1] 유리 기판과,

상기 유리 기판의 한쪽 주면 상에 배치된 도전막을 갖는 도전막을 구비하는 기판이며,

상기 도전막의 주연에 경사부를 갖고,

상기 경사부에 있어서의 상기 도전막의 두께가 상기 도전막의 중심부의 막 두께의 10%가 되는 위치로부터, 상기 유리 기판의 연단부까지의 거리가 3.00㎜ 이하이고,

상기 경사부의 단부로부터 상기 유리 기판의 연단부까지의 거리가 0.00㎜ 초과인, 도전막을 구비하는 기판.

[2] 상기 유리 기판의 상기 주면의 주연부에 면취면을 갖고, 상기 경사부의 단부의 적어도 일부가 상기 면취면 내에 위치하는, [1]에 기재된 도전막을 구비하는 기판.

[3] 상기 경사부의 단부 모두가 상기 면취면 내에 위치하는, [2]에 기재된 도전막을 구비하는 기판.

[4] 상기 경사부에 있어서의 상기 도전막의 두께가 상기 도전막의 중심부의 막 두께의 10%가 되는 위치가, 상기 면취면 내에 위치하지 않는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 도전막을 구비하는 기판.

[5] 상기 도전막의 영률이 50.0㎬ 이상인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 도전막을 구비하는 기판.

[6] 상기 도전막의 시트 저항이 150.00Ω/sq 이하인, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 도전막을 구비하는 기판.

[7] 상기 도전막이, 크롬(Cr), 탄탈(Ta), 규소(Si), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 도전막을 구비하는 기판.

[8] [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 도전막을 구비하는 기판과,

상기 도전막을 구비하는 기판의 상기 유리 기판의 상기 도전막이 배치된 주면과는 반대측의 주면 상에 배치된, EUV 광을 반사하는 반사층과,

상기 반사층 상에 배치된, EUV 광을 흡수하는 흡수층을 갖는, 반사형 마스크 블랭크.

본 발명의 반사형 마스크 블랭크 및 해당 마스크 블랭크용 도전막을 구비하는 기판은, 정전 척 시의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 일 실시 형태를 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 도전막을 구비하는 기판의 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 일 실시 형태의 유리 기판의 주연부를 확대한 개략 단면도이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 도전막을 구비하는 기판을 설명한다.

도 1은 본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 일 실시 형태를 도시하는 평면도이다. 도 1에 도시한 도전막을 구비하는 기판은, 유리 기판(10)과, 유리 기판(10)의 한쪽 주면 상에 배치된 도전막을 갖는다. 단, 기재의 사정상, 도 1에서는, 도전막이 생략되어 있다.

도 2는 도 1에 도시한 도전막을 구비하는 기판의 X-X선에 있어서의 개략 단면도이다.

도 2에 도시한 도전막을 구비하는 기판의 도전막(20)은 주연에 경사부(23)를 갖고 있다.

본 명세서에 있어서, 도전막(20)의 경사부(23)란, 막 두께가 대략 일정, 구체적으로는, 도전막(20)의 막 두께의 변화가 중심부(21)의 막 두께에 대하여 ±2% 이내인 평탄부(22)와의 경계 E,E'로부터, 도전막(20)의 단부(연단부) C,C'를 향해서 도전막(20)의 막 두께가 감소하는 부위를 가리킨다.

도전막(20)의 중심부(21)는, 유리 기판(10)의 주면의 중심과 대략 동일하면 되고, 예를 들어 유리 기판(10)의 주면의 중심으로부터 1㎜의 범위 내의 임의의 1점으로 해도 된다.

경사부(23)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 도전막(20)의 단부 C,C'를 향해서 점차 막 두께가 감소하는 것이 바람직하다. 경사부(23)의 단부란, 도전막의 막 두께가 대략 일정한 평탄부(22)와는 반대측에 위치하는 경사부(23)의 단부이다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판에 있어서의 도전막(20)의 크기는, 유리 기판(10)의 치수에 따라 다르지만, 유리 기판(10)이 한 변이 152㎜인 정사각형의 유리 기판인 경우, 도전막(20)은 한 변이 148㎜인 정사각형 이상 한 변이 152㎜인 정사각형 미만이 바람직하고, 한 변이 150㎜인 정사각형 이상 한 변이 152㎜인 정사각형 미만이 보다 바람직하다.

도 2 중, 평탄부(22)와의 경계 E,E'와, 도전막(20)의 단부 C,C'의 거리로 나타내어지는 경사부(23)의 길이의 평균값은, 0.10 내지 2.50㎜가 바람직하고, 0.10 내지 1.60㎜가 보다 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에서는 도전막(20)의 전체 둘레에 걸쳐서 경사부(23)가 마련되어 있고, 평탄부(22)와의 경계 E,E'와, 도전막(20)의 단부 C,C'의 거리로 나타내어지는 경사부(23)의 길이의 평균값은, 예를 들어 유리 기판(10)의 코너부로부터 변 방향으로 15㎜의 위치 계 8점에 있어서 경사부(23)의 길이를 측정하여, 그것들을 산술 평균한 값이다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판에 있어서, 도전막(20)의 단부 C-C'간의 거리로 나타내어지는 도전막(20)의 최대 길이에 대한, 경사부(23)의 길이의 비율은, 1.70% 이하가 바람직하고, 1.10% 이하가 보다 바람직하다. 상기 비율의 하한은, 0.07% 이상인 경우가 많다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판은, 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₁), 및 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A'까지의 거리(d'₁)가, 각각 3.00㎜ 이하이다. 또한, 상기 거리는, 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 막 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치로부터 가장 가까운 유리 기판(10)의 연단부까지의 거리에 해당한다. 이하에서는, 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₁), 및 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 막 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A'까지의 거리(d'₁)를, 통합해서 경사부(23)의 위치 D로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₁)라고도 기재한다. 또한, 경사부(23)의 위치 D로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₁)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 유리 기판(10)의 주면과 평행한 방향에 있어서의 거리이다.

도전막(20)의 두께가, 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 부위는, 경사부(23)여도 유리 기판(10)에 대한 밀착성이 충분히 높다. 도전막(20)의 경사부(23)의 위치 D로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₁)가 3.00㎜ 이하이면, 도전막(20)의 경사부(23)의 위치 D가 유리 기판(10)의 충분히 외측에 위치하고 있기 때문에, 정전 척 시에, 도전막(20)의 경사부(23) 중, 막 두께가 작고, 유리 기판(10)에 대한 밀착성이 낮은 부위가, 정전 척의 클램프 구조물과 접촉할 가능성이 낮다. 그 때문에, 도전막(20)의 경사부(23)의 위치 D로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₁)가 3.00㎜ 이하이면, 정전 척 시의 진동이나 정전 척의 클램프 구조물과의 접촉에 의한 도전막의 막 박리가 발생하기 어렵다.

또한, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판에 있어서의 경사부(23)의 위치 D,D'의 장소에 따라, 도전막(20)의 경사부(23)의 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리가 다른 경우, 도전막(20)의 경사부(23)의 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최댓값이 3.00㎜ 이하이다.

도전막(20)의 경사부(23)의 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리(거리의 최댓값)는 2.50㎜ 이하가 바람직하고, 1.50㎜ 이하가 보다 바람직하고, 1.00㎜ 이하가 더욱 바람직하다. 상기 거리의 하한은, 0.10㎜ 이상인 경우가 많다.

또한, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판은, 경사부를 가짐으로써, 경사부를 갖지 않는 경우(도전막의 막 두께가 일정한 경우)와 비교하여, 도전막 단부에서의 막응력을 작게 할 수 있어, 막응력에 의한 막 박리를 억제할 수 있다. 또한, 도전막을 구비하는 기판이 경사부를 가짐으로써, 도전막의 단부와 유리 기판이 이루는 각을 크게 할 수 있어, 도전막의 단부와 유리 기판이 접촉하는 부분에, 세정 시의 약액 및 파티클 등의 이물이 머무르는 것을 억제할 수 있다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판은, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₂), 및 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A'까지의 거리(d'₂)는, 각각 0.00㎜ 초과이다. 또한, 상기 거리는, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부로부터 가장 가까운 유리 기판(10)의 연단부까지의 거리에 해당한다. 이하에서는, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₂), 및 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A'까지의 거리(d'₂)를, 통합해서 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₂)라고도 기재한다. 또한, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리(d₂)는, 도 2에 도시한 바와 같이 유리 기판(10)의 주면과 평행한 방향에 있어서의 거리이다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판을 사용해서 반사형 마스크 블랭크를 제작하는 경우, 유리 기판의 양쪽 주면에 막이 형성된다. 즉, 도전막이 형성된 주면에 대하여 이면측의 주면에 다층 반사막 및 흡수층이 형성된다. 그 때문에, 유리 기판의 측면에 착막이 발생하면, 유리 기판의 양쪽 주면에 형성된 막 사이에서 도통이 발생할 가능성이 있다. 유리 기판의 양쪽 면에 형성된 막 사이에서 도통이 발생하면, 반사형 마스크 블랭크를 패터닝해서 반사형 포토마스크를 제작할 때에 실시하는 전자선 묘화에 있어서, 기존 기술인 투과형의 마스크 블랭크와 등가 회로가 변화되어 버리기 때문에, 기존의 전자선 묘화 장치에서 설계대로의 패턴을 묘화할 수 없게 되는 경우가 있다. 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리가 0.00㎜ 초과이면, 유리 기판(10)의 측면에 도전막(20)이 존재하지 않는다. 그 때문에, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판을 사용해서 반사형 마스크 블랭크를 제작했을 때에, 유리 기판의 양쪽 주면에 형성된 막 사이에서 도통이 발생할 우려가 없다.

또한, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판에 있어서의 경사부(23)의 단부 C,C'의 장소에 따라, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리가 다른 경우, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최솟값이 0.00㎜ 초과이다.

도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 평균값은 2.90㎜ 이하가 바람직하고, 2.40㎜ 이하가 보다 바람직하고, 1.40㎜ 이하가 더욱 바람직하고, 0.90㎜ 이하가 특히 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에서는 도전막(20)의 전체 둘레에 걸쳐서 경사부(23)가 마련되어 있고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 평균값은, 예를 들어 유리 기판(10)의 코너부로부터 변 방향으로 15㎜의 위치 계 8점에 있어서 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리를 측정하여, 그것들을 산술 평균한 값이다.

도 1, 도 2에 도시하는 도전막을 구비하는 기판과 같이, 유리 기판(10)의 주면의 주연부에 면취면(12)을 갖는 경우, 경사부의 단부 C,C'의 적어도 일부가 면취면(12) 내에 위치하는 것이 바람직하고, 경사부의 단부 C,C' 모두가 면취면(12) 내에 위치하는 것이 보다 바람직하다.

상기 양태에 대해서, 도 3을 사용해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 일 실시 형태의 유리 기판의 주연부를 확대한 개략 단면도이다. 도 3은 유리 기판의 주연부 중, 한쪽만을 확대한 개략 단면도이다. 도 3에 도시한 도전막을 구비하는 기판에 있어서, 유리 기판(10)은, 주연부에 면취면(12)을 갖고 있고, 유리 기판(10)의 한쪽 주면 상에 도전막(20)을 갖는다. 도전막(20)은, 도 2에서 설명한 양태와 마찬가지 경사부(23)를 갖고 있다. 도 3에 도시한 도전막을 구비하는 기판에서는, 경사부(23)의 단부 C는, 면취면(12) 내에 위치하고 있다. 또한, 상기와 마찬가지로, 경사부(23)는 도전막(20)의 중심부(도 3에서는 도시하지 않음)의 막 두께에 대한 막 두께의 변화가 ±2% 이내인 평탄부(22)와의 경계 E로부터, 도전막(20)의 단부 C를 향해서 도전막(20)의 막 두께가 감소하는 부위를 가리킨다.

또한, 도 3에 도시한 도전막을 구비하는 기판에 있어서도, 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(도 3에서는 도시하지 않음)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리는 3.00㎜ 이하이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C로부터 유리 기판(10)의 연단부 A까지의 거리는 0.00㎜ 초과이다. 상기 각각의 거리의 바람직한 범위는, 상술한 양태와 마찬가지이다.

도 3은 유리 기판(10)의 주연부 중, 한쪽에 대해서만 경사부(23)의 단부 C가 면취면(12) 내에 위치하는 확대도였지만, 다른 한쪽의 경사부(23)의 단부 C'에 대해서도 마찬가지로 면취면(12) 내에 위치하는 것이 바람직하다.

경사부의 단부 C,C'가 면취면(12) 내에 위치하면, 유리 기판(10)에 대한 도전막(20)의 밀착성이 높아지기 때문에, 도전막(20)의 막 박리가 발생하기 어렵다.

단, 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D,D'가, 유리 기판(10)의 면취면(12) 내에 위치하지 않는 경우, 도전막(20)의 막 박리가 발생하기 어렵다. 그 때문에, 위치 D,D'가, 유리 기판(10)의 면취면(12) 내에 위치하지 않는 것이 바람직하다. 도 3에서는, 위치 D,D'는 유리 기판(10)의 주면 상에 위치하고 있다.

또한, 본 실시 형태에서는 도전막(20)의 전체 둘레에 걸쳐서 경사부(23)가 마련되고, 또한 유리 기판(10)의 주면의 주연부의 전체 둘레에 걸쳐서 면취면이 마련되어 있다. 따라서, 도전막을 구비하는 기판의 전체 둘레에 대하여 상기 범위를 적용할 수 있다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 도전막(20)은, 영률이 50.0㎬ 이상인 것이 바람직하고, 100.0㎬ 이상인 것이 보다 바람직하다. 영률의 상한은, 400.0㎬ 이하인 경우가 많다. 도전막(20)의 영률이 50.0㎬ 이상이면, 도전막(20)이 표면 경도가 우수하여, 정전 척 시에 막 박리가 발생하기 어렵다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 도전막(20)은, 시트 저항이 150.00Ω/sq 이하인 것이 바람직하고, 100.00Ω/sq 이하인 것이 보다 바람직하고, 30.00Ω/sq 이하인 것이 더욱 바람직하다. 시트 저항의 하한은, 0.10Ω/sq 이상인 경우가 많다. 시트 저항이 100.00Ω/sq 이하이면, 도전막을 구비하는 기판을 확실하게 정전 척할 수 있다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 도전막(20)은, 크롬(Cr), 탄탈(Ta), 규소(Si), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 도전막(20)이 이들 원소를 포함하면, 도전막(20)의 시트 저항이 낮아지기 때문에, 정전 척 시의 척킹력이 향상된다.

상기 원소를 포함하는 도전막(20)의 구성 재료의 구체예로서는, CrN, TaB, SiN, TiN, ZrN, HfN, Ge 단체, Si 단체를 들 수 있다.

도전막(20)은, 중심부(21)의 막 두께가 5㎚ 이상인 것이 바람직하다. 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께가 5㎚ 이상이면, 정전 척 시에 척킹력이 충분해서, 정전 척 시에 고전압을 인가해도 유리 기판(10)이 절연 파괴될 우려가 없다. 중심부(21)의 막 두께는 10㎚ 이상이 보다 바람직하고, 20㎚ 이상이 더욱 바람직하다.

도전막(20)은, 중심부(21)의 막 두께가 500㎚ 이하인 것이 바람직하다. 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께가 500㎚ 이하이면, 도전막(20)의 형성에 요하는 시간이 증가하는 일이 없고, 도전막(20)의 형성에 요하는 비용이 증가하는 일이 없다. 또한, 도전막(20)의 막 두께가 필요 이상으로 크지 않기 때문에, 막 박리가 발생할 우려가 증가하는 일이 없다. 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께는 450㎚ 이하가 보다 바람직하고, 400㎚ 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께는, X선 반사법(XXR), X선 형광 분석법(XRF), 단면 SEM, 단면 TEM, 엘립소메트리 등, 공지된 수단으로 측정할 수 있다. 이들 중에서도, 정밀도의 관점에서, 단면 SEM 및 단면 TEM이 바람직하다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판에 있어서, 도전막(20)은, 공지된 성막 방법, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등의 스퍼터링법; CVD법; 진공 증착법과 같은 건식 성막법을 사용해서 형성할 수 있다. 예를 들어, 도전막(20)으로서, CrN막을 형성하는 경우, 타깃을 Cr 타깃으로 하고, 스퍼터 가스를 Ar과 N₂의 혼합 가스로 하고, 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 도전막을 형성하면 된다. 또한, 예를 들어 도전막(20)으로서, TaB막을 형성하는 경우, TaB의 화합물 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스를 Ar 가스로 하고, 마그네트론 스퍼터링법을 사용해서 도전막을 형성하면 된다.

또한, 면취부에 고정밀도로 도전막을 성막할 때, 성막 장치의 정밀한 제어가 요구되는 경우가 있다. 면취부에 대하여 제막을 행하는 경우, 예를 들어 일본 특허 출원 제2021-139521호에 기재된 기판 보유 지지 장치를 사용해서 유리 기판을 보유 지지하면, 고정밀도로 위치 조정을 할 수 있어, 고정밀도로 도전막을 성막 가능하다.

본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 유리 기판(10)을 구성하는 유리는, 열팽창 계수가 작고 또한 그 변동이 작은 것이 바람직하다. 구체적으로는 20℃에 있어서의 열팽창 계수의 절댓값이 600ppb/℃ 이하인 저열팽창 유리가 바람직하고, 20℃에 있어서의 열팽창 계수가 400ppb/℃ 이하인 초저열팽창 유리가 보다 바람직하고, 20℃에 있어서의 열팽창 계수가 100ppb/℃ 이하인 초저열팽창 유리가 더욱 바람직하고, 20℃에 있어서의 열팽창 계수가 30ppb/℃ 이하인 초저열팽창 유리가 특히 바람직하다.

상기 저열팽창 유리 및 초저열팽창 유리로서는, SiO₂를 주성분으로 하는 유리, 전형적으로는 합성 석영 유리를 사용할 수 있다. 구체적으로는, SiO₂를 주성분으로 하고 1 내지 12질량%의 TiO₂를 포함하는 합성 석영 유리를 들 수 있다.

유리 기판(10)의 크기나 두께 등은, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판을 사용해서 제작되는 반사형 마스크 블랭크의 설계값 등에 따라 적절히 결정된다. 일례를 들면, 외형 한 변이 152㎜인 정사각형이고, 두께 6.3㎜이다. 유리 기판(10)이 면취면(12)을 갖는 경우, 유리 기판(10)의 연단부 A,A'로부터 유리 기판(10)의 주면의 단부 B,B'까지의 거리로 나타내어지는 면취면(12)의 폭은 유리 기판의 사양에 따라 다르지만, 한 변이 152㎜인 정사각형의 유리 기판의 경우, 0.2 내지 0.6㎜이다.

본 발명의 반사형 마스크 블랭크는, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판과, 도전막을 구비하는 기판의 유리 기판의 도전막이 배치된 주면과는 반대측의 주면 상에 배치된, EUV 광을 반사하는 반사층과, 반사층 상에 배치된, EUV 광을 흡수하는 흡수층을 갖는다.

반사층은 반사형 마스크 블랭크의 반사층으로서, 특히, EUV 광의 반사율이 높은 특성이 요구된다. 구체적으로는, EUV 광을 입사각 6도로 반사층 표면에 조사했을 때에, 파장 13.5㎚ 부근의 광선 반사율의 최댓값은, 60% 이상이 바람직하고, 63% 이상이 보다 바람직하고, 65% 이상이 더욱 바람직하다.

반사층은, 높은 EUV 광의 반사율을 달성할 수 있다는 점에서, 통상은 EUV 광에 대하여 높은 굴절률을 나타내는 고굴절률층과, EUV 광에 대하여 낮은 굴절률을 나타내는 저굴절률층을 교호로 복수회 적층시킨 다층 반사막이 사용된다. 반사층이 다층 반사막인 경우, 고굴절률층에는 Si가 널리 사용되고, 저굴절률층에는 Mo가 널리 사용된다. 즉, Mo/Si 다층 반사막이 가장 일반적이다. 단, 다층 반사막은 이것에 한정되지 않고, Ru/Si 다층 반사막, Mo/Be 다층 반사막, Mo 화합물/Si 화합물 다층 반사막, Si/Mo/Ru 다층 반사막, Si/Mo/Ru/Mo 다층 반사막, Si/Ru/Mo/Ru 다층 반사막도 사용할 수 있다.

반사층을 이루는 다층 반사막을 구성하는 각 층의 막 두께 및 층의 반복 단위의 수는, 사용하는 막 재료 및 반사층에 요구되는 EUV 광의 반사율에 따라서 적절히 선택할 수 있다. Mo/Si 다층 반사막을 예로 들면, EUV 광의 반사율의 최댓값이 60% 이상인 반사층으로 하기 위해서는, 다층 반사막은 막 두께 2.3±0.1㎚의 Mo막과, 막 두께 4.5±0.1㎚의 Si막을 반복 단위수가 30 내지 60이 되도록 적층시키면 된다.

또한, 반사층이 다층 반사막인 경우, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판을 정전 척으로 보유 지지하여, 다층 반사막을 구성하는 각 층을, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법을 사용해서 원하는 두께가 되도록, 유리 기판의 도전막이 형성된 주면에 대하여 이면측의 주면에 성막한다.

흡수층에 특히 요구되는 특성은, EUV 광선 반사율이 매우 낮은 것이다. 구체적으로는, EUV 광의 파장 영역의 광선을 흡수층 표면에 조사했을 때의, 파장 13.5㎚ 부근의 최대 광선 반사율은, 5% 이하가 바람직하고, 3% 이하가 보다 바람직하고, 1% 이하가 특히 바람직하다.

상기의 특성을 달성하기 위해서, 흡수층은, EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로 구성된다. EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로서는, 탄탈(Ta)을 주성분으로 하는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 탄탈(Ta)을 주성분으로 하는 재료라고 한 경우, 당해 재료 중 Ta를 20at% 이상 포함하는 재료를 의미한다.

흡수층에 사용하는 Ta를 주성분으로 하는 재료는, Ta 이외에 하프늄(Hf), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 게르마늄(Ge), 붕소(B), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 인듐(In), 안티몬(Sb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au), 탈륨(Tl), 납(Pb), 비스무트(Bi), 탄소(C), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 비소(As), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te), 수소(H) 및 질소(N) 중 적어도 1 성분을 포함하는 것이 바람직하다. Ta와 상기 Ta 이외의 상기 원소를 포함하는 재료의 구체예로서는, 예를 들어 TaN, TaNH, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN, TaPd, TaSn, TaPdN, TaCr, TaMn, TaFe, TaCo, TaAg, TaCd, TaIn, TaSb, TaW를 들 수 있다.

상기한 구성의 흡수층은, 본 발명의 도전막을 구비하는 기판의 도전막을 정전 척으로 보유 지지하여, 마그네트론 스퍼터링법이나 이온 빔 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법을 사용하여, 반사층 상에 성막한다.

흡수층의 막 두께는, 20㎚ 내지 90㎚가 바람직하다.

본 발명의 반사형 마스크 블랭크에서는, 반사층과 흡수층 사이에 보호층이 형성되어도 된다. 보호층은 흡수층을 에칭하여, 흡수층에 마스크 패턴을 형성할 때에, 반사층이 에칭에 의한 대미지를 받지 않도록, 반사층을 보호하는 것을 목적으로 해서 마련된다. 따라서 보호층의 재질로서는, 흡수층의 에칭에 의한 영향을 받기 어려운, 즉 이 에칭 속도가 흡수층보다 느리고, 게다가 이 에칭에 의한 대미지를 받기 어려운 물질이 선택된다. 이 조건을 충족하는 물질로서는, 예를 들어 Cr, Al, Ta 및 이들의 질화물, Ru 및 Ru 화합물(RuB, RuSi 등), 그리고 SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃이나 이들의 혼합물이 예시된다.

또한, 보호층을 형성하는 경우, 그 두께는 1㎚ 내지 60㎚가 바람직하고, 1㎚ 내지 40㎚가 보다 바람직하다.

실시예

이하에 실시예를 사용해서 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예 1 내지 예 5 중, 예 1 내지 예 4가 실시예이고, 예 5가 비교예이다.

(예 1)

예 1에서는, 도 1, 도 2에 나타내는 도전막을 구비하는 기판을 제작했다.

성막용 유리 기판(10)으로서, SiO₂-TiO₂계의 유리 기판(외형 한 변이 6인치(152㎜)인 정사각형, 두께가 6.3㎜, 면취면(12)의 폭이 0.4㎜)을 사용했다.

다음으로, 유리 기판(10)의 한쪽 주면에, 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여, 도전막(20)으로서 CrN막을 형성하여, 도 1, 도 2에 나타내는 도전막을 구비하는 기판을 제작했다. CrN막의 형성 시, Cr 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서 Ar과 N₂의 혼합 가스를 사용했다.

CrN막이 형성되는 영역을 제한하기 위해서, 일본 특허 출원 제2021-139521호에 기재되어 있는 기판 보유 지지 장치를 사용해서 유리 기판(10)을 보유 지지하고, 유리 기판(10) 상에, 소정의 개구 사이즈의 차폐 부재를 유리 기판과의 간격이 소정이 되도록 배치했다.

제작한 도전막을 구비하는 기판은, 도전막(20)의 단부에 경사부(23)를 갖고 있고, 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최댓값은 2.85㎜이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리는 0㎜ 초과였다. 또한, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'는, 유리 기판(10)의 면취면 내에 위치하고 있지 않았다. 또한, 경사부(23)는, 그 단부 C,C'를 향해서 점차 막 두께가 감소하고 있었다.

또한, 도전막(20)의 길이를 나타내는 경사부(23)의 단부 C-C'간의 거리의 평균값은 149.90㎜이고, 경사부(23)의 단부 C,C'와, 유리 기판의 연단부 A,A'의 거리의 평균값은 1.05㎜이고, 경사부(23)의 길이를 나타내는 평탄부(22)와의 경계 E,E'와, 경사부(23)의 단부 C,C'의 거리의 평균값은 2.50㎜였다. 이들 평균값은, 유리 기판(10)의 코너부로부터 변 방향으로 15㎜의 위치 계 8점에 있어서 측정하여, 그것들을 산술 평균한 값이다.

도전막(20)의 영률을 iMicro(KLA사)를 사용하여 측정한바, 도전막(20)의 영률은 242.3㎬였다.

도전막(20)의 시트 저항을 로레스타-GX(닛토 세이코 아날리테크사)를 사용하여 측정한바, 도전막(20)의 시트 저항값은, 2.61Ω/□였다.

제작한 도전막을 구비하는 기판의 도전막(20)을 정전 척의 척면에 흡착시키고, 진공 중에서 정전 척을 30rpm으로 회전시키면서 2시간 유지했다. 정전 척은, 척면은 원형이며, 가장 외측에 위치하는 전극간 거리는 141.5㎜였다. 정전 척의 전극간 전압은 1200V로 하였다.

상기의 수순으로 도전막을 구비하는 기판을 6매 제작했다. 제작한 도전막을 구비하는 기판에 대해서, 정전 척에 의한 보유 지지 전후의 결함수를, 결함 검사 장치를 사용하여 측정했다. 구체적으로는, 도전막을 구비하는 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면에 있어서의, 크기 100 내지 150㎚의 결함의 수(결함수)를, 검사 에어리어를 한 변이 146㎜인 정사각형으로 하여 측정했다. 정전 척에 의한 보유 지지 전후의 결함수의 차를 구하고, 6매의 도전막을 구비하는 기판의 평균값을 한 변이 146㎜인 정사각형 검사 에어리어 영역의 결함수로서 나타냈다. 한 변이 146㎜인 정사각형 검사 에어리어 영역의 결함수가 15 이하인 경우, 정전 척 시의 파티클의 발생이 적다.

(예 2, 3)

차폐 부재의 개구 사이즈와 유리 기판과의 간격을 변경한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지 수순으로 도전막을 구비하는 기판을 제작했다. 제작한 도전막을 구비하는 기판은, 도전막(20)의 단부에 경사부(23)를 갖고 있고, 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최댓값이 하기 표에 나타내는 값이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리는 0㎜ 초과이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'는 유리 기판(10)의 면취면 내에 위치하고 있었다.

또한, 단부 C-C'간의 거리의 평균값, 단부 C,C'와, 연단부 A,A'의 거리의 평균값, 경계 E,E'와, 단부 C,C'의 거리의 평균값, 도전막(20)의 영률 및 시트 저항값은 하기 표에 나타내는 값이었다.

도전막을 구비하는 기판은, 각각 6매 제작하고, 정전 척에 의한 흡착 보유 지지 전후의 결함수를 측정했다. 6매의 도전막을 구비하는 기판의 정전 척에 의한 보유 지지 전후의 결함수의 차의 평균값을 한 변이 146㎜인 정사각형 검사 에어리어 영역의 결함수로서 나타냈다. 결과를 하기 표에 나타낸다.

(예 4)

TaB 화합물 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스로서, Ar 가스를 사용하고, 유리 기판(10)의 한쪽 주면에 형성하는 도전막(20)으로서 TaB막을 형성한 점, 및 차폐 부재의 개구 사이즈와 유리 기판과의 간격을 변경한 점 이외에는, 예 1과 마찬가지의 수순으로 도전막을 구비하는 기판을 제작했다. 도전막을 구비하는 기판은, 도전막(20)의 단부에 경사부(23)를 갖고 있고, 경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최댓값이 하기 표에 나타내는 값이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리는 0㎜ 초과이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'는, 유리 기판(10)의 면취면 내에 위치하고 있었다.

도전막을 구비하는 기판은 6매 제작하고, 정전 척에 의한 흡착 보유 지지 전후의 결함수를 측정했다. 6매의 도전막을 구비하는 기판의 정전 척에 의한 보유 지지 전후의 결함수의 차의 평균값을 한 변이 146㎜인 정사각형 검사 에어리어 영역의 결함수로서 나타냈다. 결과를 하기 표에 나타낸다.

(예 5)

차폐 부재의 개구 사이즈와 유리 기판과의 간격을 변경한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지 수순으로 도전막을 구비하는 기판을 제작했다. 제작한 도전막을 구비하는 기판은, 도전막(20)의 단부에 경사부(23)를 갖고 있고, 경사부(23)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최댓값이 하기 표에 나타내는 값이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리는 0㎜ 초과이고, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'는, 유리 기판(10)의 면취면 내에 위치하고 있지 않았다.

경사부(23)에 있어서의 도전막(20)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최댓값이 3.00㎜ 이하, 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리는 0.00㎜ 초과인 예 1 내지 예 4는, 한 변이 146㎜인 정사각형 검사 에어리어 영역의 결함수가 15.0 이하로, 정전 척 시의 파티클의 발생이 억제됨으로써, 파티클에 기인해서 발생하는 결함을 억제할 수 있었다고 생각된다. 도전막(20)의 경사부(23)의 단부 C,C'가, 유리 기판(10)의 면취면 내에 위치하고 있는 예 2 내지 4는, 한 변이 146㎜인 정사각형 검사 에어리어 영역의 결함수가 10.0 이하로, 정전 척 시의 파티클의 발생이 보다 억제되어, 파티클에 기인해서 발생하는 결함을 억제할 수 있었다고 생각된다. 경사부(23)의 두께가 도전막(20)의 중심부(21)의 막 두께의 10%가 되는 위치 D,D'로부터 유리 기판(10)의 연단부 A,A'까지의 거리의 최댓값이 3.00㎜ 초과인 예 5는, 한 변이 146㎜인 정사각형 검사 에어리어 영역의 결함수가 15.0 초과로, 정전 척 시에 많이 파티클이 발생했다고 생각된다.

본 발명을 상세하게 또한 특정 실시 양태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은, 당업자에게 있어서 자명하다.

본 출원은 2021년 5월 27일 출원의 일본 특허 출원 제2021-089510호, 2021년 8월 30일 출원의 일본 특허 출원 제2021-139521호, 및 2022년 4월 25일 출원의 일본 특허 출원 제2022-071912호에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 포함된다.

10: 유리 기판
12: 면취면
20: 도전막
21: 중심부
22: 평탄부
23: 경사부

Claims

유리 기판과,
상기 유리 기판의 한쪽 주면 상에 배치된 도전막을 갖는 도전막을 구비하는 기판이며,
상기 도전막의 주연에 경사부를 갖고,
상기 경사부에 있어서의 상기 도전막의 두께가 상기 도전막의 중심부의 막 두께의 10%가 되는 위치로부터, 상기 유리 기판의 연단부까지의 거리가 3.00㎜ 이하이고,
상기 경사부의 단부로부터 상기 유리 기판의 연단부까지의 거리가 0.00㎜ 초과인, 도전막을 구비하는 기판.
제1항에 있어서, 상기 유리 기판의 상기 주면의 주연부에 면취면을 갖고, 상기 경사부의 단부의 적어도 일부가 상기 면취면 내에 위치하는, 도전막을 구비하는 기판.
제2항에 있어서, 상기 경사부의 단부 모두가 상기 면취면 내에 위치하는, 도전막을 구비하는 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경사부에 있어서의 상기 도전막의 두께가 상기 도전막의 중심부의 막 두께의 10%가 되는 위치가, 상기 면취면 내에 위치하지 않는, 도전막을 구비하는 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전막의 영률이 50.0㎬ 이상인, 도전막을 구비하는 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전막의 시트 저항이 150.00Ω/sq 이하인, 도전막을 구비하는 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전막이, 크롬(Cr), 탄탈(Ta), 규소(Si), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 도전막을 구비하는 기판.
제1항 또는 제2항에 기재된 도전막을 구비하는 기판과,
상기 도전막을 구비하는 기판의 상기 유리 기판의 상기 도전막이 배치된 주면과는 반대측의 주면 상에 배치된, EUV 광을 반사하는 반사층과,
상기 반사층 상에 배치된, EUV 광을 흡수하는 흡수층을 갖는, 반사형 마스크 블랭크.