KR20220158711A - Al 본딩 와이어 - Google Patents

Al 본딩 와이어 Download PDF

Info

Publication number
KR20220158711A
KR20220158711A KR1020227032342A KR20227032342A KR20220158711A KR 20220158711 A KR20220158711 A KR 20220158711A KR 1020227032342 A KR1020227032342 A KR 1020227032342A KR 20227032342 A KR20227032342 A KR 20227032342A KR 20220158711 A KR20220158711 A KR 20220158711A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
bonding
bonding wire
temperature
solid solution
Prior art date
Application number
KR1020227032342A
Other languages
English (en)
Inventor
다카시 야마다
아키히토 니시바야시
데루오 하이바라
다이조 오다
모토키 에토
데츠야 오야마다
다카유키 고바야시
도모히로 우노
Original Assignee
닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤
닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤, 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 filed Critical 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤
Publication of KR20220158711A publication Critical patent/KR20220158711A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45005—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45149—Manganese (Mn) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/4516—Iron (Fe) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45171—Chromium (Cr) as principal constituent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

Al 본딩 와이어를 사용한 반도체 장치를 작동한 고온 상태에 있어서, 본딩 와이어의 접합부의 접합 신뢰성이 충분히 얻어지는 Al 본딩 와이어를 제공한다. 해당 Al 본딩 와이어는, 질량％로, Fe를 0.02 내지 1％ 함유하고, 또한 Mn, Cr 중 적어도 1종 이상을 합계로 0.05 내지 0.5％ 함유하고, 잔부가 Al 및 불가피 불순물로 이루어지고, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.01 내지 1％인 것을 특징으로 한다. Fe에 더하여 Mn, Cr을 함유함으로써, 용체화 처리 후의 급랭 처리로 Fe, Mn, Cr의 고용을 촉진할 수 있으므로, Fe, Mn, Cr의 합계 고용량 증대에 의한 와이어의 고용 강화 효과 및 반도체 장치의 고온 장시간 사용 중에 있어서의 재결정의 진행 방지 효과를 발휘할 수 있다.

Description

Al 본딩 와이어
본 발명은 Al 본딩 와이어에 관한 것이다.
반도체 장치에서는, 반도체 소자 상에 형성된 전극과, 리드 프레임이나 기판 상의 전극 사이를 본딩 와이어에 의해 접속하고 있다. 본딩 와이어에 사용하는 재질로서, 초LSI 등의 집적 회로 반도체 장치에서는 금(Au)이나 구리(Cu)가 사용되고, 한편 파워 반도체 장치에 있어서는 주로 알루미늄(Al)이 사용되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 파워 반도체 모듈에 있어서, 300㎛φ의 알루미늄 본딩 와이어(이하 「Al 본딩 와이어」라고 함)를 사용하는 예가 제시되어 있다. 또한, Al 본딩 와이어를 사용한 파워 반도체 장치에 있어서, 본딩 방법으로서는, 반도체 소자 상 전극과의 접속과 리드 프레임이나 기판 상의 전극과의 접속 모두, 웨지 접합이 사용되고 있다.
Al 본딩 와이어를 사용하는 파워 반도체 장치는, 에어컨이나 태양광 발전 시스템 등의 대전력 기기, 차량 탑재용의 반도체 장치로서 사용되는 경우가 많다. 이들 반도체 장치에 있어서는, Al 본딩 와이어의 접합부는 100 내지 150℃의 고온에 노출된다. Al 본딩 와이어로서 고순도의 Al만으로 이루어지는 재료를 사용한 경우, 이러한 온도 환경에서는 와이어가 연화되기 쉽기 때문에, 고온 환경에서 사용하는 것이 곤란하였다.
특허문헌 2에는, Fe를 0.02 내지 1중량％ 함유하는 Al 와이어가 개시되어 있다. Fe를 함유하지 않는 Al 와이어에서는, 반도체 사용 시의 고온에서 와이어 접합 계면 바로 위에서 재결정이 일어나, 작은 결정립이 되어, 크랙 발생의 원인이 된다. 이에 반해, Fe를 0.02％ 이상 함유함으로써 재결정 온도를 높일 수 있다. 신선 후의 어닐에 의해, 본딩 전의 와이어 결정 입경을 50㎛ 이상으로 한다. 결정 입경이 크고, 또한 반도체 사용 시의 고온에서도 재결정되지 않으므로, 크랙 발생이 없다고 하고 있다.
특허문헌 3의 발명품 3에는, 99.99wt％(4N) 고순도 Al-0.2wt％ Fe 합금 잉곳을 작성하고, 신선 가공 후에 300℃, 30분 소둔 후 서랭하여 가공 변형을 제거하여 연화시킨, 직경 300㎛의 와이어가 개시되어 있다. 본딩 후에 100 내지 200℃에서 1분 내지 1시간 동안 시효시키면, 최고 동작 온도 200℃가 되어도 사용 시의 대전류 반복 통전에 의해 접속부에 발생한 크랙의 진행을 억제하는 것이 가능하게 된다고 하고 있다.
특허문헌 4에는, 철(Fe)이 0.2 내지 2.0질량％, 잔부가 순도 99.99％ 이상의 알루미늄(Al)으로 이루어지는 본딩 와이어에 있어서, Al 매트릭스 중에 Fe가 0.01 내지 0.05％ 고용되고, 또한 신선 매트릭스 조직이 수㎛ 오더의 균질한 미세 재결정 조직으로, Fe·Al 금속간 화합물 입자가 균일하게 정출되어 있는 것이 개시되어 있다. 조질 열처리 전에 용체화·급랭 처리를 추가함으로써, 고용되는 Fe양을 650℃에서의 고용 한도인 0.052％까지 높이고, 그 후의 신선 가공과, 그 후의 조질 열처리에 의해 결정 입경을 미세화하고, Al을 고순도화함으로써, 본딩 시에 동적 재결정을 발현시켜 칩 대미지를 회피하였다고 하고 있다. 또한, 특허문헌 5에는, Fe가 0.01 내지 0.2질량％, Si가 1 내지 20 질량ppm 및 잔부가 순도 99.997질량％ 이상의 Al로 이루어지고, Fe의 고용량이 0.01 내지 0.06％이고, Fe의 석출량이 Fe 고용량의 7배 이하이며, 또한 평균 결정 입경이 6 내지 12㎛인 미세 조직인 알루미늄 합금 세선이 개시되어 있다. Fe의 함유량을 억제하고, Fe의 석출량과 Fe 고용량의 비율을 일정 범위로 유지함으로써 재결정 온도를 안정화시키고, 또한 Si를 미량 첨가함으로써 강도를 향상시켜, 결과적으로 열충격 시험 결과를 안정화시킨다고 하고 있다.
일본 특허 공개 제2002-314038호 공보 일본 특허 공개 평8-8288호 공보 일본 특허 공개 제2008-311383호 공보 일본 특허 공개 제2013-258324호 공보 일본 특허 공개 제2014-129578호 공보
특허문헌 2 내지 5에 기재하는 바와 같은, Fe를 함유하는 Al 본딩 와이어를 사용한 반도체 장치여도, 반도체 장치를 작동한 고온 상태에 있어서, 본딩 와이어의 접합부의 접합 신뢰성이 충분히 얻어지지 않는 경우가 있었다.
본 발명은 Al 본딩 와이어를 사용한 반도체 장치를 작동한 고온 상태에 있어서, 본딩 와이어의 접합부의 접합 신뢰성이 충분히 얻어지는 Al 본딩 와이어를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명이 요지로 하는 바는 이하와 같다.
[1] 질량％로, Fe를 0.02 내지 1％ 함유하고, 또한 Mn, Cr 중 적어도 1종 이상을 합계로 0.05 내지 0.5％ 함유하고, 잔부가 Al 및 불가피 불순물로 이루어지고, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.01 내지 1％인 것을 특징으로 하는 Al 본딩 와이어.
[2] 와이어 길이 방향에 수직인 단면에 있어서의 평균 결정 입경이 0.1 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 [1]에 기재된 Al 본딩 와이어.
[3] 와이어 길이 방향에 수직인 단면에 있어서, 결정 <111> 방위와 와이어 길이 방향의 각도 차가 15° 이내인 결정의 면적 비율이 30 내지 90％인 것을 특징으로 하는 [1] 또는 [2]에 기재된 Al 본딩 와이어.
[4] 비커스 경도가 Hv20 내지 40의 범위인 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 Al 본딩 와이어.
[5] 와이어 직경이 50 내지 600㎛인 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 Al 본딩 와이어.
본 발명의 Al 본딩 와이어는, 질량％로, Fe를 0.02 내지 1％ 함유하고, 또한 Mn, Cr 중 적어도 1종 이상을 합계로 0.05 내지 0.5％ 함유하고, 잔부가 Al 및 불가피 불순물로 이루어지고, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.01 내지 1％인 것에 의해, Al 본딩 와이어를 사용한 반도체 장치를 작동한 고온 상태에 있어서, 본딩 와이어의 접합부의 접합 신뢰성이 충분히 얻어진다.
특허문헌 4, 5에 기재된 발명에 있어서는, Al 본딩 와이어 중에 Fe를 함유시키고, 또한 와이어 제조 시의 용체화 열처리와 그 후의 급랭 처리에 의해 와이어 중에 있어서의 고용 Fe양을 증대시킴으로써, 결과적으로, 와이어의 강도가 증대됨과 함께, 재결정 온도가 상승하고, 고온에서의 사용 중에 있어서의 재결정의 진행을 방지하여 와이어 강도를 유지하려고 하고 있다.
그런데, Fe를 함유시키고, 고용 Fe양을 증대시킨 Al 본딩 와이어를 사용한 반도체 장치여도, 반도체 장치를 고온 상태에 있어서 장시간 작동시키면, 본딩 와이어의 접합부의 접합 강도가 저하되는 현상이 보이고, 즉 접합 신뢰성이 충분히 얻어지지 않는 것이 판명되었다. 고온 장시간 작동 후의 반도체 장치의 본딩 와이어 단면을 관찰하면, 본딩 시와 비교하여 와이어의 결정 입경이 증대되어 있고, 고온 장시간 작동에 의해 와이어의 재결정이 더욱 진행되고, 이에 의해 와이어 강도가 저하되어, 접합부의 신뢰성이 저하된 것으로 추정되었다.
이에 반해, 본 발명에서는, Al 본딩 와이어에 있어서, Fe의 함유에 더하여 Mn, Cr의 한쪽 또는 양쪽을 소정량 함유시킴으로써, 용체화 열처리와 그 후의 급랭 처리에 있어서, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계를 0.01 내지 1％로 한다. 이에 의해, 와이어의 재결정 온도가 상승하고, 반도체 장치를 고온 환경에서 장시간 계속 사용했을 때에 있어서도, 본딩 와이어의 재결정의 진행을 충분히 억제할 수 있어, 와이어의 강도 저하를 방지할 수 있다. 이하, 상세하게 설명한다.
고온 장시간 이력 후의 접합부 신뢰성 평가 시험에 대하여 설명한다.
사용한 본딩 와이어의 성분은, Fe만을 0.5질량％ 함유하는 비교예의 Al 본딩 와이어와, Fe를 0.5％, Mn을 0.5％ 함유하는 본 발명의 Al 본딩 와이어이다. 신선 후의 와이어 선 직경은 200㎛이다. 신선 공정의 도중에 용체화 열처리와 그 후의 급랭 처리를 실시하여 Fe, Mn 고용량을 증대시킴과 함께, 신선 후의 와이어에 조질 열처리를 실시하여, 본딩 와이어의 비커스 경도를 Hv40 이하로 조정하였다. 와이어의 평균 결정 입경은 모두 10㎛ 전후였다.
와이어 중의 Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계(질량％)에 대해서는, 잔류 저항비(RRR)에 의해 평가하였다. 잔류 저항비란 실온(293K)에 있어서의 전기 저항 ρ293K와 액체 헬륨 온도(4K)의 전기 저항 ρ4K의 비 ρ293K/ρ4K이다. 고용된 불순물량이 적을수록 액체 헬륨 온도(4K)에서의 전기 저항 ρ4K가 낮아지기 때문에, 잔류 저항비(RRR)가 커진다. 이와 같이, 초전도 상태에서의 전기 저항은 불순물량에 따라 변화하고, 고용량을 반영한 값으로 함으로써, 알루미늄 중의 Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계(질량％)를 산출할 수 있다. 비교예의 Al 본딩 와이어는 Fe의 고용량이 0.005 내지 0.009％였던 것에 반해, 본 발명의 Al 본딩 와이어는 Fe와 Mn의 고용량의 합계가 0.02 내지 0.94％였다. 또한, 잔류 저항비(RRR)는 4단자법으로, 실온(293K)에서의 전기 저항 ρ293K와 액체 헬륨 온도(4K)에서의 전기 저항 ρ4K를 측정하여 산출할 수 있다.
반도체 장치에 있어서, 반도체 칩과 본딩 와이어 사이의 제1 접합부, 외부 단자와 본딩 와이어 사이의 제2 접합부 모두, 웨지 본딩으로 하였다.
고온 장시간 이력은, 파워 사이클 시험에 의해 행하였다. 파워 사이클 시험은, Al 본딩 와이어가 접합된 반도체 장치에 대하여, 가열과 냉각의 반복을 행한다. 가열은, 반도체 장치에 있어서의 본딩 와이어의 접합부 온도가 140℃로 될 때까지 2초간에 걸쳐 가열하고, 그 후, 접합부의 온도가 30℃로 될 때까지 5초간에 걸쳐 냉각한다. 이 가열·냉각의 사이클을 20만회 반복한다.
상기 고온 장시간 이력 후, 제1 접합부의 접합 전단 강도를 측정하여, 접합부 신뢰성의 평가를 행하였다. 그 결과, Fe만을 0.5질량％ 함유하는 비교예의 Al 본딩 와이어에 대해서는, 접합부 전단 강도가 초기와 비교하여 50％ 미만이어서, 접합부의 신뢰성이 불충분하였다. 그에 반해, Fe를 0.5％, Mn을 0.5％ 함유하는 본 발명의 Al 본딩 와이어에 대해서는, 접합부 전단 강도가 초기와 비교하여 90％ 이상이어서, 접합부의 신뢰성을 충분히 확보할 수 있었다.
상기 고온 장시간 이력 후, 와이어 단면의 결정 관찰을 행한 바, Fe를 0.5％, Mn을 0.5％ 함유하는 본 발명의 Al 본딩 와이어는 평균 결정 입경이 50㎛ 이하를 유지하고 있었던 것에 반해, Fe만을 0.5질량％ 함유하는 비교예의 Al 본딩 와이어에 대해서는, 평균 결정 입경이 50㎛를 초과하고 있었다. Fe와 Mn을 모두 함유하고, 결과적으로 Fe와 Mn의 고용량의 합계가 0.01％ 이상이었던 본 발명의 와이어는, 재결정 온도가 높고, 고온 장시간 이력 후에도 재결정이 진행되지 않았다고 생각된다. 그에 반해, Fe만을 함유하고, 결과적으로 Fe의 고용량이 0.01％ 미만이었던 비교예의 와이어는, 재결정 온도가 낮고, 고온 장시간 이력에 있어서 재결정이 진행되어, 강도가 저하되었기 때문에, 접합부의 신뢰성을 충분히 확보할 수 없었다고 생각된다.
본 발명의 본딩 와이어 성분 조성에 대하여 설명한다. ％는 질량％를 의미한다.
《Fe를 0.02 내지 1％》
Al 본딩 와이어 중에 Fe를 0.02％ 이상 함유함으로써, 하기 Mn, Cr과의 복합 첨가 효과와 더불어, Fe, Mn, Cr의 고용량 합계의 증대에 의한 와이어의 고용 강화 효과 및 반도체 장치의 고온 장시간 사용 중에 있어서의 재결정의 진행 방지 효과를 발휘할 수 있다. Fe가 0.1％ 이상이면 보다 바람직하고, 0.3％ 이상이면 더욱 바람직하고, 0.5％ 이상이면 보다 더 바람직하다. 한편, Fe 함유량이 1％를 초과하면, 와이어 경도가 너무 높아져, 칩 크랙의 발생, 접합성의 악화, 접합부 신뢰성의 저하 등을 일으키기 때문에, 상한을 1％로 하였다. Fe가 0.8％ 이하이면 보다 바람직하다.
《Mn, Cr 중 적어도 1종 이상을 합계로 0.05 내지 0.5％》
Mn, Cr 중 적어도 1종 이상을 합계로 0.05％ 이상 함유함으로써, 상기 Fe와의 복합 첨가 효과와 더불어, 와이어의 Fe, Mn, Cr의 고용량 합계의 증대에 의한 고용 강화 효과 및 반도체 장치의 고온 장시간 사용 중에 있어서의 재결정의 진행 방지 효과를 발휘할 수 있다. Mn, Cr 중 어느 것이어도, 똑같이 효과를 발휘한다. Mn, Cr의 합계 함유량이 0.1％ 이상이면 보다 바람직하다. 0.3％ 이상이면 더욱 바람직하다. 한편, Mn, Cr의 합계 함유량이 0.5％를 초과하면, 와이어 경도가 너무 높아져, 칩 크랙의 발생, 접합성의 악화, 접합부 신뢰성의 저하 등을 일으키기 때문에, 상한을 0.5％로 하였다. Mn, Cr의 합계 함유량이 0.4％ 이하이면 보다 바람직하다.
본딩 와이어 중의 Fe, Mn, Cr의 농도 분석에는, ICP 발광 분광 분석 장치, ICP 질량 분석 장치를 이용할 수 있다. 본 발명에 있어서 제시하는 Fe, Mn, Cr의 함유량은, ICP 발광 분광 분석 또는 ICP 질량 분석에 의해 측정한 농도에 기초한다.
본딩 와이어의 잔부는, Al 및 불가피 불순물로 이루어진다. 불가피 불순물 원소로서는, Si, Cu를 들 수 있다. 불가피 불순물의 합계 함유량이 적을수록, 재료 특성의 변동을 작게 억제하는 것이 가능하여 바람직하다. 와이어를 제조할 때의 알루미늄 원료로서, 순도가 4N(Al: 99.99％ 이상)인 알루미늄을 사용함으로써, 바람직한 결과를 얻을 수 있다.
《Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.01 내지 1％》
Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계를 0.01％ 이상으로 함으로써, 와이어의 재결정 온도를 충분히 상승시킬 수 있다. 결과적으로, 반도체 장치의 고온 장시간 사용 중에 있어서의 재결정의 진행 방지 효과를 발휘할 수 있다. Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.02％ 이상이면 보다 바람직하고, 0.03％ 이상 또는 0.05％ 이상이면 보다 바람직하고, 0.1％ 이상, 0.3％ 이상 또는 0.5％ 이상이면 더욱 바람직하다. 한편, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 1％를 초과하면, 와이어 경도가 너무 높아져, 칩 크랙의 발생, 접합성의 악화 등을 일으키기 때문에, 상한을 1％로 하였다. Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.9％ 이하이면 보다 바람직하다. 0.8％ 이하이면 더욱 바람직하다. 또한, Fe 함유량으로부터 Fe 고용량을 차감함으로써, Fe 석출량을 산출할 수 있다.
《와이어의 평균 결정 입경》
본 발명에 있어서 바람직하게는, 본딩 와이어의 와이어 길이 방향에 수직인 단면(C 단면)에 있어서의 평균 결정 입경이 0.1 내지 50㎛이다. 평균 결정 입경의 측정 방법으로서는, EBSD(Electron Back Scatter Diffraction Patterns) 등의 측정 방법을 사용하여 각 결정립의 면적을 구하고, 각 결정립의 면적을 원의 면적으로 환산하여 그 직경의 평균으로 한다. 평균 결정 입경이 0.1㎛ 이상이면, 신선 시의 조질 열처리에 의한 재결정이 적절하게 진행되고 있어, 와이어 제조의 과정에서 용체화 열처리를 행하여 와이어 함유 성분을 강제 고용하는 것과 더불어, 와이어가 연화되어, 본딩 시의 칩 균열의 발생, 접합부의 접합성의 저하 등을 방지할 수 있다. 한편, 평균 결정 입경이 50㎛를 초과하면, 와이어의 재결정이 너무 진행되고 있음을 나타내고, 충분한 강도를 얻기 어렵다. 와이어 신선의 과정에서 조질 열처리를 행함으로써, 와이어의 C 단면에 있어서의 평균 결정 입경을 0.1 내지 50㎛로 할 수 있다.
《와이어의 <111> 방위 면적률》
본 발명에 있어서 바람직하게는, 본딩 와이어 길이 방향에 수직인 단면(C 단면)에 있어서, 결정 <111> 방위와 와이어 길이 방향의 각도 차가 15° 이내인 결정의 면적 비율(<111> 방위 면적률)이 30 내지 90％이다. <111> 방위 면적률의 측정에는, EBSD를 사용할 수 있다. 본딩 와이어 길이 방향에 수직인 단면을 검사면으로 하고, 장치에 부속되어 있는 해석 소프트웨어를 이용함으로써, <111> 방위 면적률을 산출할 수 있다. <111> 방위 면적률을 구하는 과정에서는, 결정 방위를 측정할 수 없는 부위, 혹은 측정할 수 있어도 방위 해석의 신뢰도가 낮은 부위 등은 제외하여 계산하였다. <111> 방위 면적률이 90％ 이하이면 신선 시의 조질 열처리에 의한 재결정이 적절하게 진행되어, 와이어가 연화되어, 본딩 시의 칩 균열의 발생, 접합부의 접합성의 저하 등을 방지할 수 있다. 한편, <111> 방위 면적률이 30％ 미만이면, 와이어의 재결정이 너무 진행되고 있음을 나타내고, 충분한 강도를 얻기 어렵다. 와이어 신선의 과정에서 조질 열처리를 행함으로써, 와이어 길이 방향에 수직인 단면에 있어서의 <111> 방위 면적률을 30 내지 90％로 할 수 있다.
《와이어의 비커스 경도》
본 발명에 있어서 바람직하게는, 본딩 와이어의 와이어 길이 방향에 수직인 단면(C 단면)에 있어서, 비커스 경도가 Hv20 내지 40의 범위이다. Hv40 이하로 함으로써, 본딩 시에 칩 균열을 발생시키지 않고, 양호한 접합성을 실현하고, 또한 용이하게 루프를 형성하여 반도체 장치에 대한 배선을 행할 수 있다. 한편, 비커스 경도가 Hv20 미만까지 저하되면, 와이어의 재결정이 너무 진행되고 있음을 나타내고, 접합부의 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 그 때문에, 비커스 경도의 하한은 Hv20으로 하면 바람직하다. 전술한 바와 같이, 와이어 제조의 과정에서 용체화 열처리와 급랭 처리를 행하여 Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계를 증대시키고, 또한 신선의 과정에서 조질 열처리를 행함으로써, 와이어의 비커스 경도를 Hv20 내지 40의 범위로 할 수 있다.
《와이어 직경》
본 발명에 있어서 바람직하게는, 본딩 와이어 직경이 50 내지 600㎛이다. 파워계 디바이스에는 대전류가 흐르기 때문에 일반적으로 50㎛ 이상의 와이어가 사용되지만, 600㎛ 이상이 되면 취급하기 어려워지거나 와이어 본더가 대응하고 있지 않기 때문에, 600㎛ 이하의 와이어가 사용되고 있다.
《본딩 와이어의 제조 방법》
본 발명의 본딩 와이어는, 소정의 성분을 함유하는 Al 합금을 얻은 후에, 통상의 방법의 압연과 신선 가공을 행함으로써 제조한다.
제조의 도중에, 용체화 열처리와 그 후의 급랭 처리를 행한다. 용체화 열처리는, 와이어 직경이 1mm 정도인 단계에서 행할 수 있다. 용체화 열처리 조건은, 570 내지 640℃, 1 내지 3시간으로 하면 바람직하다. 용체화 열처리 후의 급랭 처리는, 수중에서 급랭으로 하면 바람직하다. 이에 의해, Al 중에 Fe 및 Mn, Cr의 한쪽 또는 양쪽을 본 발명 범위 내에서 함유하고 있는 것과 더불어, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계를 본 발명 범위 내로 할 수 있다.
신선 가공 중과 신선 가공 후의 한쪽 또는 양쪽에 있어서, 조질 열처리를 행한다. 조질 열처리의 온도를 높게 하고, 시간을 길게 할수록, 평균 결정 입경이 증대되어, <111> 방위 비율을 저하시켜, 비커스 경도를 저하시킬 수 있다. 열처리 온도 250 내지 350℃의 범위, 열처리 시간 2 내지 4시간의 범위에 있어서, 적합한 평균 결정 입경, <111> 방위 비율, 비커스 경도를 실현하도록, 조질 열처리 조건을 선택할 수 있다.
실시예
순도 99.99질량％(4N)의 알루미늄과, 순도 99.9질량％ 이상의 Fe, Mn, Cr을 원료로서 용융하여, 표 1에 나타내는 조성의 Al 합금을 얻었다. 이 합금을 주괴로 하고, 주괴를 홈 롤 압연하고, 또한 신선 가공을 행하였다. 와이어 직경이 800㎛인 단계에서, 620℃, 3시간의 용체화 열처리를 행하고, 냉각하였다. 냉각 조건은, 급랭(수랭), 완냉(공랭)의 2종류로 하였다. 그 후, 최종 선 직경을 200㎛로 하여 다이 신선 가공을 행하고, 신선 가공 종료 후에 270℃, 10초로 조질 열처리를 행하였다.
와이어 중의 Fe, Mn, Cr 함유량에 대해서는, ICP(발광 분광 분석)를 사용하여 분석하였다. 또한, 와이어 중의 Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계(질량％)에 대해서는, 잔류 저항비(RRR)에 의해 평가하였다.
이 와이어를 사용하여, 와이어 길이 방향에 수직인 단면에 있어서의 평균 결정 입경, 결정 <111> 방위와 와이어 길이 방향의 각도 차가 15° 이내인 결정의 면적 비율(<111> 방위 면적률), 비커스 경도의 계측을 행하였다.
평균 결정 입경의 측정은, EBSD를 사용하여 각 결정립의 면적을 구하고, 각 결정립의 면적을 원으로 간주했을 때의 직경의 평균으로 하여 행하였다.
<111> 방위 면적률의 측정은, 본딩 와이어 길이 방향에 수직인 단면에 있어서 EBSD에 의한 측정을 행하고, 장치에 부속되어 있는 해석 소프트웨어를 이용함으로써, <111> 방위 면적률을 산출하였다.
비커스 경도의 측정은, C 단면의 경도를 사용하여, C 단면 중 반경 방향의 중심 위치에 있어서의 경도로서 측정을 행하였다.
반도체 장치에 있어서, 반도체 칩 전극은 Al-Cu이고, 외부 단자는 Ag를 사용하였다. 반도체 칩 전극과 본딩 와이어 사이의 제1 접합부, 외부 단자와 본딩 와이어 사이의 제2 접합부 모두, 웨지 본딩으로 하였다.
반도체 장치에 있어서의 본딩 와이어의 접합성에 대해서는, 제1 접합부의 초기(고온 장시간 이력 전)의 접합 불량(불착)의 유무로 판단하였다. 접합되어 있는 것을 ○로 하고, 접합되어 있지 않은 것을 ×로 하여 표 1의 「접합성」란에 기재하였다.
반도체 장치에 있어서의 칩 크랙 평가에 대해서는, 패드 표면의 금속을 산으로 녹이고, 패드 아래의 칩 크랙의 유무를 현미경으로 관찰하여 평가하였다. 크랙 없음을 ○로 하고, 크랙 있음을 ×로 하여, 표 1의 「칩 크랙」란에 기재하였다.
고온 장시간 이력은, 파워 사이클 시험에 의해 행하였다. 파워 사이클 시험은, Al 본딩 와이어가 접합된 반도체 장치에 대하여, 가열과 냉각의 반복을 행한다. 가열은, 반도체 장치에 있어서의 본딩 와이어의 접합부 온도가 140℃가 될 때까지 2초간에 걸쳐 가열하고, 그 후, 접합부의 온도가 30℃가 될 때까지 5초간에 걸쳐 냉각한다. 이 가열·냉각의 사이클을 20만회 반복한다.
상기 고온 장시간 경과 후, 제1 접합부의 접합 전단 강도를 측정하여, 접합부 신뢰성의 평가를 행하였다. 전단 강도 측정은 초기의 접합부의 전단 강도와의 비교로서 행하였다. 초기의 접합 강도의 95％ 이상을 ◎로 하고, 90％ 이상 95％ 미만을 ○로 하고, 50％ 이상 90％ 미만을 △로 하고, 50％ 미만을 ×로 하여, 표 1의 「신뢰성 시험」란에 기재하였다.
제조 조건, 제조 결과를 표 1에 나타낸다. Mn, Cr을 「제2 성분」으로서 나타내고 있다. 표 1에 있어서, 성분 함유량이 본 발명 범위에서 벗어나는 수치, 평가 결과가 본 발명 적합 범위를 벗어나는 수치에 밑줄을 치고 있다.
Figure pct00001
표 1의 본 발명예 No. 1 내지 18이 본 발명예이다. 용체화 처리 후는 급랭으로 하고 있다. 와이어의 성분 함유량 및 Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계는 본 발명 범위 내에 있고, 또한 와이어의 평균 결정 입경, <111> 방위 면적률, 비커스 경도는 모두, 본 발명의 적합 범위 내에 있고, 접합성과 칩 크랙의 평가 결과는 모두 「○」였다. 본 발명에서 규정하는 성분을 함유하고, 용체화 열처리와 급랭 처리를 행하여 석출 Fe/고용 Fe비를 저하시키고, 또한 조질 열처리에 의해 적당한 재결정을 행한 결과이다.
본 발명예 No. 1 내지 18의 고온 장시간 이력 후의 접합부 신뢰성의 평가에 있어서, 모두 「○」이거나 「◎」였다. 본 발명에서 규정하는 성분과 Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계를 함유하고 있는 결과로서, 와이어의 고용 강화를 도모함과 함께, 재결정 온도를 상승시켜, 고온 장시간 이력에 있어서의 재결정의 진행을 저지했기 때문이다. 특히 본 발명예 No. 7 내지 12에 대해서는, Fe 함유량이 본 발명의 적합 범위 내이고, 접합부 신뢰성 평가 결과는 모두 「◎」였다.
표 1의 비교예 No. 1 내지 13이 비교예이다. 용체화 처리 후의 냉각 조건은, 비교예 1 내지 10이 급랭, 비교예 11 내지 13이 완냉이다.
비교예 No. 1 내지 3은, Fe 함유량이 본 발명 하한 미만이고, 비교예 No. 1은 또한 Mn, Cr의 합계 함유량이 본 발명 하한 미만이고, 비교예 No. 3은 또한 Mn, Cr의 합계 함유량이 본 발명 상한을 초과하고 있다. 모두, 신뢰성 평가 결과가 「×」였다. 또한, 고온 장시간 이력 후의 와이어 내질을 평가한 바, 비교예 No. 1 내지 3 모두, 평균 결정 입경이 50㎛를 초과하고 있었다. 와이어 중의 Fe가 부족하여, 재결정 온도가 충분히 상승하지 않아, 고온 장시간 이력에 있어서 재결정이 과도하게 진행되었기 때문이라고 추정된다.
비교예 No. 4, 5는, Mn, Cr의 합계 함유량이 본 발명의 하한 미만이고, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.01％ 미만이었다. 모두, 신뢰성 평가 결과가 「×」였다. 고온 장시간 이력 후의 와이어 내질을 평가한 바, 모두, 평균 결정 입경이 50㎛를 초과하고 있었다. 와이어 중의 Mn, Cr의 합계 함유량이 부족하여, 용체화 처리와 급랭에 의해서도, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계를 0.01％ 이상으로 할 수 없어, 재결정 온도가 충분히 상승하지 않아, 고온 장시간 이력에 있어서 재결정이 과도하게 진행되었기 때문이라고 추정된다.
비교예 No. 6은, Mn, Cr의 합계 함유량이 본 발명의 상한을 초과하고 있다. 그 결과, 와이어의 비커스 경도는 적합 범위 상한을 벗어나 있었다. 또한, 본딩 후의 접합성, 칩 크랙은 모두 「×」이고, 신뢰성 평가 결과도 「×」였다.
비교예 No. 7 내지 10은, Fe 함유량이 본 발명의 상한을 초과하고 있다. 또한 비교예 No. 7, 8은 Mn, Cr의 합계 함유량이 본 발명 하한 미만, 비교예 No. 10은 Mn, Cr의 합계 함유량이 본 발명의 상한을 초과하고 있다. 비교예 No. 7 내지 10 모두, Fe 함유량이 본 발명의 상한을 초과하고 있기 때문에, 비커스 경도가 본 발명의 적합 상한 벗어남으로 되어 있다. 비교예 No. 10은 Mn, Cr의 합계 함유량도 상한을 초과하고 있기 때문에, 강제 고용해도 전부 고용할 수 없고 석출하게 되어, 평균 결정 입경이 본 발명의 적합 하한 미만, <111> 방위 면적률이 본 발명의 적합 상한 벗어남으로 되었다. 그 결과, 비교예 No. 7 내지 10 모두, 접합성, 칩 크랙에 대하여 모두 「×」임과 함께, 고온 장시간 이력 후의 접합부 신뢰성 평가 결과도 「×」였다.
비교예 No. 11 내지 13은, 성분 범위는 본 발명 범위 내이지만, 제조 시의 용체화 처리 후의 냉각 조건이 「완냉」이고, 결과적으로 와이어 중의 Fe, Mn의 고용이 충분히 진행되지 않아, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.01％ 미만이 되는 결과였다. 와이어의 경도도 적합 범위 하한 미만이었다. 모두, 신뢰성 평가 결과가 「×」였다. 또한, 고온 장시간 이력 후의 와이어 내질을 평가한 바, 모두, 평균 결정 입경이 50㎛를 초과하고 있었다. Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계를 0.01％ 이상으로 할 수 없었기 때문에, 재결정 온도가 충분히 상승하지 않아, 고온 장시간 이력에 있어서 재결정이 과도하게 진행되었기 때문이라고 추정된다.

Claims (5)

  1. 질량％로, Fe를 0.02 내지 1％ 함유하고, 또한 Mn, Cr 중 적어도 1종 이상을 합계로 0.05 내지 0.5％ 함유하고, 잔부가 Al 및 불가피 불순물로 이루어지고, Fe, Mn, Cr의 고용량의 합계가 0.01 내지 1％인 것을 특징으로 하는 Al 본딩 와이어.
  2. 제1항에 있어서,
    와이어 길이 방향에 수직인 단면에 있어서의 평균 결정 입경이 0.1 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 Al 본딩 와이어.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    와이어 길이 방향에 수직인 단면에 있어서, 결정 <111> 방위와 와이어 길이 방향의 각도 차가 15° 이내인 결정의 면적 비율이 30 내지 90％인 것을 특징으로 하는 Al 본딩 와이어.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    비커스 경도가 Hv20 내지 40의 범위인 것을 특징으로 하는 Al 본딩 와이어.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    와이어 직경이 50 내지 600㎛인 것을 특징으로 하는 Al 본딩 와이어.
KR1020227032342A 2020-03-25 2020-03-25 Al 본딩 와이어 KR20220158711A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/013474 WO2021192121A1 (ja) 2020-03-25 2020-03-25 Ａｌボンディングワイヤ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220158711A true KR20220158711A (ko) 2022-12-01

Family

ID=77891661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227032342A KR20220158711A (ko) 2020-03-25 2020-03-25 Al 본딩 와이어

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230142531A1 (ko)
EP (1) EP4131349A4 (ko)
KR (1) KR20220158711A (ko)
CN (1) CN115315793A (ko)
WO (1) WO2021192121A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088288A (ja) 1994-06-20 1996-01-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2002314038A (ja) 2001-04-18 2002-10-25 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2008311383A (ja) 2007-06-14 2008-12-25 Ibaraki Univ ボンディングワイヤ、それを使用したボンディング方法及び半導体装置並びに接続部構造
JP2013258324A (ja) 2012-06-13 2013-12-26 Tanaka Electronics Ind Co Ltd 半導体装置接続用アルミニウム合金細線
JP2014129578A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Tanaka Electronics Ind Co Ltd パワ−半導体装置用アルミニウム合金細線

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1183375B (it) * 1984-02-24 1987-10-22 Hitachi Ltd Dispositivo a semiconduttori comprendente una pallina, fili conduttori e porzioni conduttrici esterneche sono collegate alla pallina mediante tali fili conduttori
KR101707244B1 (ko) * 2009-07-30 2017-02-15 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 반도체용 본딩 와이어
US9422612B2 (en) * 2009-10-30 2016-08-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Aluminum alloy wire
SG190481A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-28 Heraeus Materials Tech Gmbh Alloyed 2n copper wire for bonding in microelectronics device
CN110475884A (zh) * 2017-03-27 2019-11-19 古河电气工业株式会社 铝合金材料及使用该材料的导电构件、导电部件、弹簧用构件、弹簧用部件、半导体模块用构件、半导体模块用部件、结构用构件和结构用部件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088288A (ja) 1994-06-20 1996-01-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2002314038A (ja) 2001-04-18 2002-10-25 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2008311383A (ja) 2007-06-14 2008-12-25 Ibaraki Univ ボンディングワイヤ、それを使用したボンディング方法及び半導体装置並びに接続部構造
JP2013258324A (ja) 2012-06-13 2013-12-26 Tanaka Electronics Ind Co Ltd 半導体装置接続用アルミニウム合金細線
JP2014129578A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Tanaka Electronics Ind Co Ltd パワ−半導体装置用アルミニウム合金細線

Also Published As

Publication number Publication date
CN115315793A (zh) 2022-11-08
US20230142531A1 (en) 2023-05-11
EP4131349A4 (en) 2023-12-27
WO2021192121A1 (ja) 2021-09-30
EP4131349A1 (en) 2023-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7126321B2 (ja) Ａｌボンディングワイヤ
JP7126322B2 (ja) Ａｌボンディングワイヤ
JP2014129578A (ja) パワ−半導体装置用アルミニウム合金細線
JP7377256B2 (ja) Ａｌボンディングワイヤ
WO2023188748A1 (ja) 帯状銅合金材、それを用いた半導体リードフレーム、半導体集積回路及び電子機器、並びにリードフレームを製造する方法及び帯状銅合金材をリードフレームとして使用する方法
US5989364A (en) Gold-alloy bonding wire
KR20220158711A (ko) Al 본딩 와이어
TWI845654B (zh) Al接合線
JP2003059964A (ja) ボンディングワイヤ及びその製造方法
TWI838488B (zh) Al接合線
WO2021181697A1 (ja) Ａｌボンディングワイヤ
JPH0717982B2 (ja) リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料
JP7518305B1 (ja) Ａｌ合金ボンディングワイヤ
JP2830520B2 (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法
JPS63118033A (ja) ボンデイングワイヤ−及びその製造方法
JP3426473B2 (ja) 半導体素子用金合金細線
JP3059314B2 (ja) ボンディング用金合金細線
TW202239982A (zh) 半導體裝置用Al接合線
JP2003023030A (ja) ボンディングワイヤ及びその製造方法
JPS6294969A (ja) 半導体装置用ボンデイングワイヤ
JPS6329938A (ja) 半導体装置
JPS63239960A (ja) 銅細線及びその製造方法
JPH0598373A (ja) 低線膨張率を有する銅系リードフレーム材料及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination