KR20220154787A - 알루미늄 함유 막 제거를 위한 시스템들 및 방법들 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 97
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 67
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- -1 aluminum halide Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 55
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 20
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 14
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 13
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 10
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 80
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 40
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 5
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 5
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUSRJGFIPGOATB-UHFFFAOYSA-L [W+2]=O.[F-].[F-] Chemical class [W+2]=O.[F-].[F-] WUSRJGFIPGOATB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004812 organic fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCLAPXQWWIRXCV-UHFFFAOYSA-J tetrachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)Cl FCLAPXQWWIRXCV-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I tungsten(v) chloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)Cl WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000011850 water-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
예시적인 식각 방법들은 할로겐 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 할로겐 함유 전구체는 약 5 g/L 이상의 가스 밀도를 특징으로 할 수 있다. 방법들은 기판 처리 영역에 수납된 기판을 할로겐 함유 전구체와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 알루미늄 함유 물질의 노출된 영역을 한정할 수 있다. 접촉은 할로겐화알루미늄 물질을 생성할 수 있다. 방법들은 식각제 전구체를 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 할로겐화알루미늄 물질을 식각제 전구체와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 할로겐화알루미늄 물질을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
관련 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은 2020년 9월 11일자로 출원되고 발명의 명칭이 "SYSTEMS AND METHODS FOR ALUMINUM-CONTAINING FILM REMOVAL"인 미국 정식 출원 번호 17/018,229의 이익 및 그에 대한 우선권을 주장하며, 상기 미국 정식 출원의 내용은 그 전체가 모든 목적을 위해 본원에 참조로 포함된다.
본 기술은 반도체 프로세스들 및 장비에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 기술은 알루미늄 함유 구조들을 선택적으로 식각하는 것에 관한 것이다.
집적 회로들은, 복잡하게 패터닝된 물질 층들을 기판 표면들 상에 생성하는 프로세스들에 의해 가능해진다. 패터닝된 물질을 기판 상에 생성하는 것은, 노출된 물질의 제거를 위한 제어된 방법들을 필요로 한다. 포토레지스트의 패턴을 아래 놓인 층들 내에 전사하는 것, 층들을 박형화하는 것, 또는 표면 상에 이미 존재하는 피처들의 측방향 치수들을 박형화하는 것을 포함하는 다양한 목적들을 위해 화학적 식각이 사용된다. 종종, 하나의 물질을 다른 물질보다 더 빠르게 식각하여, 예를 들어, 패턴 전사 프로세스를 용이하게 하는 식각 프로세스를 갖는 것이 바람직하다. 그러한 식각 프로세스를 제1 물질에 대해 선택적이라고 한다. 물질들, 회로들, 및 프로세스들의 다양성의 결과로서, 다양한 물질들에 대하여 선택도를 갖는 식각 프로세스들이 개발되었다.
식각 프로세스들은 프로세스에 사용되는 물질들에 기초하여 습식 또는 건식으로 칭해질 수 있다. 예를 들어, 습식 식각은 다른 유전체들 및 물질들에 비해 일부 산화물 유전체들을 우선적으로 제거할 수 있다. 그러나, 습식 프로세스들은 일부 제약된 트렌치들에 침투하는데 어려움을 가질 수 있고, 또한, 때로는 나머지 물질을 변형시킬 수 있다. 기판 처리 영역 내에 형성된 국부 플라즈마들에서 생성되는 건식 식각들은, 더 제약된 트렌치들을 관통할 수 있고 섬세한 나머지 구조들의 더 적은 변형을 보여줄 수 있다. 그러나, 국부 플라즈마들은 방전 시에 전기 아크들의 생성을 통해 기판을 손상시킬 수 있다.
따라서, 고품질 디바이스들 및 구조들을 생성하기 위해 사용될 수 있는 개선된 시스템들 및 방법들이 필요하다. 이러한 그리고 다른 필요들이 본 기술에 의해 해결된다.
예시적인 식각 방법들은 할로겐 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 할로겐 함유 전구체는 약 5 g/L 이상의 가스 밀도를 특징으로 할 수 있다. 방법들은 기판 처리 영역에 수납된 기판을 할로겐 함유 전구체와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 알루미늄 함유 물질의 노출된 영역을 한정할 수 있다. 접촉은 할로겐화알루미늄 물질을 생성할 수 있다. 방법들은 식각제 전구체를 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 할로겐화알루미늄 물질을 식각제 전구체와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 할로겐화알루미늄 물질을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 할로겐 함유 전구체는 전이 금속을 포함할 수 있고, 식각제 전구체는 염소 함유 전구체일 수 있거나 염소 함유 전구체를 포함할 수 있다. 할로겐 함유 전구체는 텅스텐 또는 니오븀을 포함할 수 있다. 알루미늄 함유 물질은 산화알루미늄일 수 있거나 산화알루미늄을 포함할 수 있다. 식각 방법은 플라즈마가 없는(plasma-free) 식각 프로세스일 수 있다. 식각 방법은 약 300 ℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 식각 방법은 약 0.1 Torr 이상의 압력에서 수행될 수 있다. 식각 방법은 약 50 Torr 이하의 압력에서 수행될 수 있다. 방법들은 할로겐 함유 전구체를 유동시키기 전에 수행되는 전처리를 포함할 수 있다. 전처리는 기판을 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 플라즈마와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 식각 방법에 후속하여 수행되는 후처리를 포함할 수 있다. 후처리는 기판을 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 플라즈마와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 기술의 일부 실시예들은 식각 방법들을 포함할 수 있다. 방법들은 처리 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 처리 전구체의 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은, 처리 플라즈마 유출물들을 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 기판 처리 영역에 수납된 기판을 처리 플라즈마 유출물들과 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 알루미늄 함유 물질의 노출된 영역을 한정할 수 있다. 처리 플라즈마 유출물들은 알루미늄 함유 물질의 표면으로부터 잔류물을 제거하도록 구성될 수 있다. 방법들은 제1 할로겐 함유 물질을 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 기판을 제1 할로겐 함유 물질과 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 제2 할로겐 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 알루미늄 함유 물질을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 제1 할로겐 함유 물질은 플루오린 함유 전구체의 플라즈마 유출물들 또는 니오븀 또는 텅스텐을 포함할 수 있다. 제2 할로겐 함유 전구체는 삼염화붕소일 수 있거나 삼염화붕소를 포함할 수 있다. 방법들은 제1 할로겐 함유 물질을 유동시키기 전에 플라즈마 형성을 중단하는 단계를 포함할 수 있다. 식각 방법은 약 300 ℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 식각 방법은 약 0.1 Torr 이상의 압력에서 수행될 수 있다. 방법들은 식각 방법에 후속하여 수행되는 후처리를 포함할 수 있다. 후처리는 기판을 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 플라즈마와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 기술의 일부 실시예들은 식각 방법들을 포함할 수 있다. 식각 방법들은 플루오린 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 플루오린 함유 전구체는 약 5 g/L 이상의 가스 밀도를 특징으로 할 수 있다. 방법들은 기판 처리 영역에 수납된 기판을 플루오린 함유 전구체와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 알루미늄 함유 물질의 노출된 영역을 한정할 수 있다. 방법들은 염소 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 기판을 염소 함유 전구체와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 알루미늄 함유 물질을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 처리 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 처리 전구체의 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 기판을 처리 플라즈마 유출물들과 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 플루오린 함유 전구체는 텅스텐 또는 니오븀을 포함할 수 있고, 염소 함유 전구체는 붕소를 포함할 수 있다. 처리 플라즈마 유출물들은 기판 또는 반도체 처리 챔버 중 하나 이상으로부터 잔류 텅스텐 또는 니오븀을 제거하도록 구성될 수 있다. 식각 방법은 약 300 ℃ 이상의 온도에서 그리고 약 0.1 Torr 이상의 압력에서 수행될 수 있다.
그러한 기술은 종래의 시스템들 및 기법들에 비해 많은 이익들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 프로세스들은 기판의 피처들을 보호할 수 있는 건식 식각이 수행되는 것을 허용할 수 있다. 추가적으로, 프로세스들은 알루미늄 함유 막들을 기판 상의 다른 노출된 물질들에 대해 선택적으로 제거할 수 있다. 이러한 실시예들 및 다른 실시예들은, 자신들의 많은 장점들 및 피처들과 함께, 이하의 설명 및 첨부 도면들과 함께 더 상세히 설명된다.
개시된 기술의 속성 및 장점들의 추가적인 이해는, 본 명세서의 나머지 부분들 및 도면들을 참조하여 실현될 수 있다.
도 1은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 처리 시스템의 일 실시예의 상면도를 도시한다.
도 2a는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 처리 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 2b는, 본 기술의 일부 실시예들에 따른, 도 2a에 예시된 처리 챔버의 부분의 상세도를 도시한다.
도 3은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 샤워헤드의 저면도를 도시한다.
도 4는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 방법의 예시적인 작동들을 도시한다.
도 5a-5b는 본 기술의 일부 실시예들에 따라 식각되는 물질들의 개략적인 단면도들을 도시한다.
도면들 중 몇몇은 개략도들로서 포함된다. 도면들은 예시적인 목적들을 위한 것이며, 축척을 고려했다고 구체적으로 언급되지 않는 한, 축척을 고려하지 않은 것임을 이해해야 한다. 추가적으로, 개략도들로서, 도면들은 이해를 돕기 위해 제공되며, 현실적인 표현들과 비교하여 모든 양상들 또는 정보를 포함하지 않을 수 있고, 예시의 목적들을 위해 추가적이거나 과장된 성분을 포함할 수 있다.
첨부 도면들에서, 유사한 구성요소들 및/또는 피처들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 또한, 동일한 유형의 다양한 구성요소들은, 유사한 구성요소들을 구별하는 문자를 참조 라벨 뒤에 둠으로써 구별될 수 있다. 제1 참조 라벨만이 본 명세서에 사용되는 경우, 본 설명은, 문자에 관계없이, 동일한 제1 참조 라벨을 갖는 유사한 구성요소들 중 임의의 구성요소에 적용가능하다.
도 1은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 처리 시스템의 일 실시예의 상면도를 도시한다.
도 2a는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 처리 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 2b는, 본 기술의 일부 실시예들에 따른, 도 2a에 예시된 처리 챔버의 부분의 상세도를 도시한다.
도 3은 본 기술의 일부 실시예들에 따른 예시적인 샤워헤드의 저면도를 도시한다.
도 4는 본 기술의 일부 실시예들에 따른 방법의 예시적인 작동들을 도시한다.
도 5a-5b는 본 기술의 일부 실시예들에 따라 식각되는 물질들의 개략적인 단면도들을 도시한다.
도면들 중 몇몇은 개략도들로서 포함된다. 도면들은 예시적인 목적들을 위한 것이며, 축척을 고려했다고 구체적으로 언급되지 않는 한, 축척을 고려하지 않은 것임을 이해해야 한다. 추가적으로, 개략도들로서, 도면들은 이해를 돕기 위해 제공되며, 현실적인 표현들과 비교하여 모든 양상들 또는 정보를 포함하지 않을 수 있고, 예시의 목적들을 위해 추가적이거나 과장된 성분을 포함할 수 있다.
첨부 도면들에서, 유사한 구성요소들 및/또는 피처들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 또한, 동일한 유형의 다양한 구성요소들은, 유사한 구성요소들을 구별하는 문자를 참조 라벨 뒤에 둠으로써 구별될 수 있다. 제1 참조 라벨만이 본 명세서에 사용되는 경우, 본 설명은, 문자에 관계없이, 동일한 제1 참조 라벨을 갖는 유사한 구성요소들 중 임의의 구성요소에 적용가능하다.
희석된 산들은, 기판들을 세정하고, 이러한 기판들로부터 물질들을 제거하기 위해 많은 상이한 반도체 프로세스들에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 희석된 플루오린화수소산은 산화규소, 산화알루미늄, 및 다른 물질들에 대한 효과적인 식각제일 수 있고, 이러한 물질들을 기판 표면들로부터 제거하는 데 사용될 수 있다. 식각 또는 세정 작동이 완료된 후에, 산은 웨이퍼 또는 기판 표면으로부터 건조될 수 있다. 희석 플루오린화수소산("DHF")을 사용하는 것은 "습식" 식각으로 칭해질 수 있고, 희석제는 종종 물이다. 기판에 전달되는 전구체들을 활용하는 추가적인 식각 프로세스들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 강화 프로세스들은 또한, 건식 식각을 수행하기 위해 플라즈마를 통해 전구체들을 강화함으로써 물질들을 선택적으로 식각할 수 있다.
수용액들 또는 수계 프로세스들을 사용하는 습식 식각제들이 특정 기판 구조들에 대해 효과적으로 작동할 수 있지만, 물은 다양한 조건들에서 난제들을 제기할 수 있다. 예를 들어, 식각 프로세스들 동안 물을 활용하는 것은, 금속 물질들을 포함하는 기판들 상에 배치될 때 문제들을 야기할 수 있다. 예를 들어, 이후의 특정 제조 프로세스들, 예컨대, 갭들을 함몰시키는 것, 산화물 유전체를 제거하는 것, 또는 산소 함유 물질들을 제거하기 위한 다른 프로세스들은, 금속화의 소정의 양이 기판 상에 형성된 후에 수행될 수 있다. 식각 동안 일부 방식으로 물이 활용되는 경우, 전해질이 생성될 수 있고, 이는, 금속 물질과 접촉할 때, 유사하지 않은 금속들 사이에 갈바니 부식을 발생시킬 수 있고, 금속은 다양한 프로세스들에서 부식되거나 변위될 수 있다. 추가적으로, 물 희석제의 표면 장력 때문에, 미세 구조들에 따라 패턴 변형 및 붕괴가 발생할 수 있다. 수계 물질은 또한, 표면 장력 효과들로 인해 일부 고종횡비 피처들에 침투할 수 없을 수 있다.
플라즈마 식각은 수계 식각과 연관된 문제들을 극복할 수 있지만, 추가적인 문제들이 발생할 수 있다. 예를 들어, 산화알루미늄 및 다른 알루미늄 기재의 유전체들이, 많은 반도체 구조들에 포함되었고, 유전체 특성들을 나타낸다. 유전체 속성 때문에, 이러한 알루미늄 물질들은 전기를 쉽게 전도하지 않는다. 이에 따라, 대전된 플라즈마 종들이 이러한 물질들을 향해 유동될 때, 알루미늄 기재의 유전체의 표면을 따라 전하 축적이 발생할 수 있다. 축적이 임계치를 초과하고 나면, 전압은 항복(breakdown)을 야기할 수 있고, 이는 알루미늄 물질을 손상시킬 수 있다.
본 기술은, 식각될 물질에 대해 다수의 물질들을 부동태화(passivate)할 수 있는 건식 식각 프로세스를 수행함으로써 이러한 문제들을 극복하고, 일부 실시예들에서 프로세스는 식각 동안 플라즈마가 없을 수 있다. 식각제 물질들을 제공하기 위해 할로겐 해리를 용이하게 할 수 있는 특정 전구체들을 활용함으로써, 주변 구조들을 보호할 수 있는 식각 프로세스가 수행될 수 있다. 추가적으로, 사용되는 물질들 및 조건들은 종래의 기법들에 비해 개선된 식각을 허용할 수 있다.
나머지 개시내용은 개시된 기술을 활용하는 특정 식각 프로세스들을 일상적으로 식별할 것이지만, 시스템들 및 방법들이, 설명된 챔버들에서 발생할 수 있는 바와 같은 퇴적 및 세정 프로세스들뿐만 아니라, 중간 및 후공정 처리(mid and back-end-of-line processing), 및 유지될 수 있거나 실질적으로 유지될 수 있는 다양한 노출된 물질들로 수행될 수 있는 다른 식각을 포함하는 다른 식각 기술에 동등하게 적용가능하다는 것을 쉽게 이해할 것이다. 이에 따라, 본 기술은 오직 예시적인 식각 프로세스들 또는 챔버들과만 사용하기 위한 것으로 제한되는 것으로 간주되어서는 안 된다. 게다가, 예시적인 챔버가 본 기술에 대한 토대를 제공하는 것으로 설명되지만, 본 기술은 설명된 작동들을 허용할 수 있는 사실상 임의의 반도체 처리 챔버에 적용될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
도 1은, 실시예들에 따른 퇴적, 식각, 베이킹, 및 경화 챔버들의 처리 시스템(100)의 일 실시예의 상면도를 도시한다. 도면에서, 전방 개구부 통합 포드들(front opening unified pods)(FOUP들)(102)의 쌍이, 다양한 크기들의 기판들을 공급하며, 이 기판들은, 탠덤 섹션들(109a-c)에 위치된 기판 처리 챔버들(108a-f) 중 하나 내에 배치되기 전에, 로봇 암들(104)에 의해 수용되고 저압 유지 영역(106) 내에 배치된다. 제2 로봇 암(110)은, 기판 웨이퍼들을 유지 영역(106)으로부터 기판 처리 챔버들(108a-f)로 그리고 되돌려 운송하는 데 사용될 수 있다. 각각의 기판 처리 챔버(108a-f)는, 주기적 층 퇴적(CLD), 원자 층 퇴적(ALD), 화학 기상 퇴적(CVD), 물리 기상 퇴적(PVD), 식각, 사전 세정, 탈기, 배향, 및 다른 기판 프로세스들에 추가하여, 본원에 설명된 건식 식각 프로세스들을 포함하는 다수의 기판 처리 작동들을 수행하도록 구비될 수 있다.
기판 처리 챔버들(108a-f)은 유전체 막을 기판 웨이퍼 상에 퇴적, 어닐링, 경화 및/또는 식각하기 위한 하나 이상의 시스템 구성요소를 포함할 수 있다. 일 구성에서, 처리 챔버들의 2개의 쌍들(예를 들어, 108c-d 및 108e-f)은 기판 상에 유전체 물질을 퇴적시키는 데에 사용될 수 있고, 처리 챔버들의 제3 쌍(예를 들어, 108a-b)은 퇴적된 유전체를 식각하는 데 사용될 수 있다. 다른 구성에서, 챔버들의 3개의 쌍들 전부(예를 들어, 108a-f)가 기판 상의 유전체 막을 식각하도록 구성될 수 있다. 설명되는 프로세스들 중 임의의 하나 이상의 프로세스는 상이한 실시예들에 도시된 제조 시스템으로부터 분리된 챔버(들)에서 수행될 수 있다. 유전체 막들을 위한 퇴적, 식각, 어닐링, 및 경화 챔버들의 추가적인 구성들이 시스템(100)에 의해 고려될 수 있음을 이해할 것이다.
도 2a는 구획된 플라즈마 생성 영역들을 처리 챔버 내에 갖는 예시적인 프로세스 챔버 시스템(200)의 단면도를 도시한다. 막, 예를 들어, 질화티타늄, 질화탄탈럼, 텅스텐, 규소, 폴리실리콘, 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 산탄화규소 등의 식각 동안, 프로세스 가스는 가스 유입구 조립체(205)를 통해 제1 플라즈마 영역(215) 내로 유동될 수 있다. 원격 플라즈마 시스템(RPS)(201)이 시스템에 선택적으로 포함될 수 있고, 제1 가스를 처리할 수 있으며, 이 가스는 그 후 가스 유입구 조립체(205)를 통해 이동한다. 유입구 조립체(205)는 2개 이상의 별개의 가스 공급 채널들을 포함할 수 있고, 가스 공급 채널들에서 제2 채널(도시되지 않음)은, 포함된 경우, RPS(201)를 우회할 수 있다.
냉각 판(203), 면판(217), 이온 억제기(223), 샤워헤드(225), 및 페디스털(265) 또는 기판 지지부 - 기판 지지부는 기판 지지부 상에 배치된 기판(255)을 가짐 - 가 도시되며, 실시예들에 따라 각각 포함될 수 있다. 페디스털(265)은 열 교환 채널을 가질 수 있으며, 기판의 온도를 제어하기 위해 열 교환 채널을 통해 열 교환 유체가 유동하고, 열 교환 채널은 처리 작동들 동안 기판 또는 웨이퍼를 가열하고/거나 냉각하도록 작동될 수 있다. 알루미늄, 세라믹, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있는, 페디스털(265)의 웨이퍼 지지 플래터는 또한, 비교적 높은 온도들, 예컨대, 약 100 ℃까지 또는 약 100 ℃ 내지 약 1100 ℃ 이상을 달성하기 위해, 내장된 저항성 가열기 요소를 사용하여 저항성 가열될 수 있다.
면판(217)은 피라미드형, 원뿔형, 또는 좁은 최상부 부분이 넓은 바닥 부분으로 확장되는 다른 유사한 구조일 수 있다. 면판(217)은 추가적으로, 도시된 바와 같이 평평할 수 있고, 프로세스 가스들을 분배하는 데에 사용되는 복수의 관통 채널들을 포함할 수 있다. RPS(201)의 사용에 따라, 플라즈마 생성 가스들 및/또는 플라즈마 여기된 종들은, 제1 플라즈마 영역(215) 내로의 더 균일한 전달을 위해 면판(217)의, 도 2b에 도시된 복수의 홀들을 통과할 수 있다.
예시적인 구성들은, 가스들/종들이 면판(217)의 홀들을 통해 제1 플라즈마 영역(215) 내로 유동하도록, 면판(217)에 의해 제1 플라즈마 영역(215)으로부터 구획된 가스 공급 영역(258) 내로 개방된 가스 유입구 조립체(205)를 갖는 것을 포함할 수 있다. 구조적 및 작동적 피처들은 제1 플라즈마 영역(215)으로부터 다시 공급 영역(258), 가스 유입구 조립체(205) 및 유체 공급 시스템(210) 내로의 플라즈마의 상당한 역류를 방지하도록 선택될 수 있다. 면판(217), 또는 챔버의 전도성 최상부 부분, 및 샤워헤드(225)는 피처들 사이에 위치된 절연 링(220)을 갖는 것으로 도시되며, 절연 링은 AC 전위가 샤워헤드(225) 및/또는 이온 억제기(223)에 대해서 면판(217)에 인가되는 것을 허용한다. 절연 링(220)은 면판(217)과 샤워헤드(225) 및/또는 이온 억제기(223) 사이에 위치되어, 용량성 결합된 플라즈마(CCP)가 제1 플라즈마 영역에 형성되는 것을 가능하게 할 수 있다. 가스 유입구 조립체(205)를 통하는, 영역 내로의 유체의 유동에 영향을 미치기 위해 배플(도시되지 않음)이 제1 플라즈마 영역(215)에 추가적으로 위치되거나, 다른 방식으로 가스 유입구 조립체(205)와 결합될 수 있다.
이온 억제기(223)는, 이온성 대전된 종들이 제1 플라즈마 영역(215) 밖으로 이동하는 것을 억제하는 한편, 대전되지 않은 중성 또는 라디칼 종들이 이온 억제기(223)를 통과하여 억제기와 샤워헤드 사이의 활성화된 가스 전달 영역 내로 전달되는 것을 허용하도록 구성된 구조 전반에 걸쳐 복수의 애퍼처들을 한정하는 판 또는 다른 기하형상을 포함할 수 있다. 실시예들에서, 이온 억제기(223)는 다양한 애퍼처 구성들을 갖는 천공된 판을 포함할 수 있다. 이러한 대전되지 않은 종들은, 덜 반응성인 캐리어 가스와 함께 애퍼처들을 통해 운송되는 고도의 반응성 종들을 포함할 수 있다. 위에서 언급된 바와 같이, 홀들을 통한 이온 종들의 이동이 감소될 수 있고, 일부 경우들에서는 완전히 억제될 수 있다. 이온 억제기(223)를 통과하는 이온 종들의 양을 제어하는 것은 유리하게, 아래 놓인 웨이퍼 기판과 접촉하게 되는 가스 혼합물에 대한 증가된 제어를 제공할 수 있고, 이는 차례로, 가스 혼합물의 퇴적 및/또는 식각 특징들의 제어를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 가스 혼합물의 이온 농도의 조정들은 가스 혼합물의 식각 선택도, 예를 들어, SiNx:SiOx 식각 비율들, Si:SiOx 식각 비율들 등을 상당히 변경할 수 있다. 퇴적이 수행되는 대안적인 실시예들에서, 또한, 유전체 물질들에 대한 등각성-대-유동성 양식의 퇴적들의 균형이 변화될 수 있다.
이온 억제기(223)의 복수의 애퍼처들은, 이온 억제기(223)를 통해, 활성화된 가스, 즉, 이온, 라디칼, 및/또는 중성 종의 통과를 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 홀들의 종횡비, 또는 홀 직경 대 길이, 및/또는 홀들의 기하형상은, 이온 억제기(223)를 통과하는 활성화된 가스의 이온성 대전된 종들의 유동이 감소되도록 제어될 수 있다. 이온 억제기(223)의 홀들은 플라즈마 여기 영역(215)을 향하는 점감 부분, 및 샤워헤드(225)를 향하는 원통형 부분을 포함할 수 있다. 원통형 부분은 샤워헤드(225)로 전달되는 이온 종들의 유동을 제어하기 위해 형상 및 치수가 결정될 수 있다. 조정가능한 전기 바이어스가 또한, 억제기를 통해 이온 종들의 유동을 제어하기 위한 추가적인 수단으로서 이온 억제기(223)에 인가될 수 있다.
이온 억제기(223)는 플라즈마 생성 영역으로부터 기판으로 이동하는 이온성 대전된 종들의 양을 감소시키거나 제거하도록 기능할 수 있다. 대전되지 않은 중성 및 라디칼 종들은 기판과 반응하기 위해 이온 억제기의 개구부들을 여전히 통과할 수 있다. 실시예들에서, 기판을 둘러싸는 반응 영역에서의 이온성 대전된 종들의 완전한 제거가 수행되지 않을 수 있다는 점을 주목해야 한다. 특정 경우들에서, 이온 종들은 식각 및/또는 퇴적 프로세스를 수행하기 위해 기판에 도달하도록 의도된다. 이러한 경우들에서, 이온 억제기는 반응 영역에서의 이온 종들의 농도를 프로세스를 보조하는 수준으로 제어하는 것을 도울 수 있다.
이온 억제기(223)와 조합된 샤워헤드(225)는, 여기된 종들이 챔버 플라즈마 영역(215)으로부터 기판 처리 영역(233) 내로 이동하는 것을 여전히 허용하면서, 제1 플라즈마 영역(215)에 존재하는 플라즈마가 기판 처리 영역(233)의 가스들을 직접 여기시키는 것을 회피하는 것을 허용할 수 있다. 이러한 방식으로, 챔버는, 플라즈마가, 식각되는 기판(255)과 접촉하는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 이는 생성된 플라즈마에 의해 직접 접촉된 경우에 손상되거나, 전위되거나, 다른 방식으로 휠 수 있는, 기판 상에 패터닝된 다양한 복잡한 구조들 및 막들을 유리하게 보호할 수 있다. 추가적으로, 플라즈마가 기판과 접촉하거나 기판 수준에 접근하는 것이 허용될 때, 산화물 종들이 식각되는 레이트가 증가할 수 있다. 이에 따라, 물질의 노출된 영역이 산화물인 경우, 이러한 물질은, 플라즈마를 기판으로부터 원격으로 유지함으로써 더 보호될 수 있다.
처리 시스템은 플라즈마를 제1 플라즈마 영역(215) 또는 처리 영역(233)에 생성하기 위해 면판(217), 이온 억제기(223), 샤워헤드(225), 및/또는 페디스털(265)에 전력을 제공하기 위해 처리 챔버와 전기적으로 결합된 전력 공급부(240)를 더 포함할 수 있다. 전력 공급부는, 수행되는 프로세스에 따라, 조정가능한 양의 전력을 챔버에 전달하도록 구성될 수 있다. 그러한 구성은 조정가능한 플라즈마가, 수행되는 프로세스들에 사용되는 것을 허용할 수 있다. 종종 활성 또는 비활성 기능성이 제공되는 원격 플라즈마 유닛과 달리, 조정가능한 플라즈마는 특정 양의 전력을 플라즈마 영역(215)에 전달하도록 구성될 수 있다. 이는 차례로, 이러한 전구체들에 의해 생성되는 식각 프로파일들을 향상시키기 위해 전구체들이 특정 방식들로 해리될 수 있도록, 특정 플라즈마 특징들의 발달을 허용할 수 있다.
플라즈마는 샤워헤드(225) 위의 챔버 플라즈마 영역(215)에서 또는 샤워헤드(225) 아래의 기판 처리 영역(233)에서 점화될 수 있다. 예를 들어, 플루오린 함유 전구체 또는 다른 전구체의 유입으로부터 라디칼 전구체들을 생성하기 위해, 플라즈마가 챔버 플라즈마 영역(215)에 존재할 수 있다. 퇴적 동안 챔버 플라즈마 영역(215)의 플라즈마를 점화하기 위해, 처리 챔버의 전도성 최상부 부분, 예컨대, 면판(217)과 샤워헤드(225) 및/또는 이온 억제기(223) 사이에 전형적인 무선 주파수(RF) 범위의 AC 전압이 인가될 수 있다. RF 전력 공급부는 13.56 MHz의 높은 RF 주파수를 생성할 수 있지만, 또한, 다른 주파수들을 단독으로 또는 13.56 MHz 주파수와 조합하여 생성할 수 있다.
도 2b는 면판(217)을 통한 처리 가스 분배에 영향을 미치는 피처들의 상세도(253)를 도시한다. 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같이, 면판(217), 냉각 판(203), 및 가스 유입구 조립체(205)는 가스 공급 영역(258)을 한정하도록 교차하며, 프로세스 가스들이 가스 유입구(205)로부터 가스 공급 영역 내로 전달될 수 있다. 가스들은 가스 공급 영역(258)을 채울 수 있고, 면판(217)의 애퍼처들(259)을 통해 제1 플라즈마 영역(215)으로 유동할 수 있다. 애퍼처들(259)은, 프로세스 가스들이 처리 영역(233) 내로 유동할 수 있지만, 면판(217)을 횡단한 후에 가스 공급 영역(258) 내로의 역류가 부분적으로 또는 완전히 방지될 수 있도록, 유동을 실질적으로 단방향 방식으로 지향시키도록 구성될 수 있다.
처리 챔버 섹션(200)에서 사용하기 위한 가스 분배 조립체들, 예컨대, 샤워헤드(225)는 이중 채널 샤워헤드들(DCSH)로서 지칭될 수 있고, 도 3에 설명된 실시예들에서 추가적으로 상세히 설명된다. 이중 채널 샤워헤드는, 처리 영역 내에 전달되기 전에 챔버 구성요소들과의 그리고 서로 간의 제한된 상호작용을 제공하기 위해 처리 영역(233) 외부에서의 식각제들의 분리를 허용하는 식각 프로세스들을 제공할 수 있다.
샤워헤드(225)는 상부 판(214) 및 하부 판(216)을 포함할 수 있다. 판들은 판들 사이에 체적(218)을 한정하기 위해 서로 결합될 수 있다. 판들의 결합은 상부 판 및 하부 판을 통한 제1 유체 채널들(219) 및 하부 판(216)을 통한 제2 유체 채널들(221)을 제공하기 위한 것일 수 있다. 형성된 채널들은, 제2 유체 채널들(221)만을 통해 하부 판(216)을 통해 체적(218)으로부터의 유체 접근을 제공하도록 구성될 수 있고, 제1 유체 채널들(219)은 판들과 제2 유체 채널들(221) 사이의 체적(218)으로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 체적(218)은 샤워헤드(225)의 측을 통해 유체적으로 접근가능할 수 있다.
도 3은 실시예들에 따른 처리 챔버와 사용하기 위한 샤워헤드(325)의 저면도이다. 샤워헤드(325)는 도 2a에 도시된 샤워헤드(225)에 대응할 수 있다. 제1 유체 채널들(219)의 모습을 보여주는 관통 홀들(365)은 샤워헤드(225)를 통한 전구체들의 유동을 제어하고 그에 영향을 미치기 위해 복수의 형상들 및 구성들을 가질 수 있다. 제2 유체 채널들(221)의 모습을 보여주는 작은 홀들(375)이 샤워헤드의 표면에 걸쳐, 심지어는 관통 홀들(365) 사이에도 실질적으로 균일하게 분포될 수 있고, 전구체들이 샤워헤드를 빠져나갈 때 다른 구성들보다 전구체들의 더 균일한 혼합을 제공하는 것을 도울 수 있다.
이전에 논의된 챔버는 식각 방법들을 포함하는 예시적인 방법들을 수행하는 데 사용될 수 있다. 도 4를 참조하면, 본 기술의 실시예들에 따른 방법(400)에서의 예시적인 작동들이 도시된다. 방법(400)은, 방법의 개시 전에, 전공정 처리(front end processing), 퇴적, 게이트 형성, 식각, 연마, 세정, 또는 설명된 작동들 전에 수행될 수 있는 임의의 다른 작동들을 포함하는 하나 이상의 작동을 포함할 수 있다. 방법은, 본 기술에 따른 방법들의 일부 실시예들과 구체적으로 연관될 수 있거나 연관되지 않을 수 있는 다수의 선택적 작동들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 작동들 중 다수는 수행되는 프로세스들의 더 넓은 범위를 제공하기 위해 설명되지만, 본 기술에 중요하지 않거나, 아래에 더 논의될 바와 같은 대안적인 방법에 의해 수행될 수 있다. 방법(400)은 도 5a-5b에 개략적으로 도시된 작동들을 설명할 수 있고, 그 예시들은 방법(400)의 작동들과 함께 설명될 것이다. 도면들은 부분적인 개략도들만을 예시하고, 기판은 도면들에 예시된 바와 같은 다양한 특징들 및 양상들을 갖는 임의의 개수의 추가적인 물질들 및 피처들을 포함할 수 있다는 것을 이해해야 한다.
방법(400)은 반도체 구조를 특정 제조 작동으로 발달시키기 위한 선택적 작동들을 수반할 수 있거나 수반하지 않을 수 있다. 방법(400)이, 도 5a에 예시된 바와 같이, 산화물 제거 작동이 수행될 수 있는 예시적인 구조들을 포함하는 임의의 개수의 반도체 구조 또는 기판(505)에 대해 수행될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 예시적인 반도체 구조들은 트렌치, 비아, 또는 하나 이상의 노출된 물질을 포함할 수 있는 다른 함몰된 피처들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 예시적인 기판은 규소 또는 일부 다른 반도체 기판 물질뿐만 아니라 층간 유전체 물질들을 포함할 수 있으며, 이를 통해, 함몰부, 트렌치, 비아, 또는 격리 구조가 형성될 수 있다. 식각 프로세스 동안 임의의 시간에서의 노출된 물질들은, 예컨대, 게이트를 위한 금속 물질들, 유전체 물질, 접촉 물질, 트랜지스터 물질, 또는 반도체 프로세스들에서 사용될 수 있는 임의의 다른 물질일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 예시적인 기판들은 알루미늄 함유 물질(515), 예컨대, 산화알루미늄, 또는 일부 다른 알루미늄 함유 유전체를 포함할 수 있다. 알루미늄 함유 물질은 금속들을 포함하는 하나 이상의 다른 물질(510), 산화규소 또는 질화규소를 포함하는 다른 유전체들, 또는 알루미늄 함유 물질이 그에 대해 제거되어야 하는 다수의 다른 반도체 물질들, 예컨대, 티타늄, 탄탈럼, 또는 다른 물질들의 질화물 중 임의의 것에 대해 노출될 수 있다.
언급된 구조는 제한적인 것으로 의도되지 않고, 알루미늄 함유 물질들을 포함하는 다양한 다른 반도체 구조들 중 임의의 것이 유사하게 포함된다는 것을 이해해야 한다. 본 기술이, 알루미늄 함유 물질들을 다른 노출된 물질들, 예컨대, 규소 함유 물질들, 및 다른 데서 논의된 다른 물질들 중 임의의 물질에 대해 선택적으로 제거할 수 있기 때문에, 다른 예시적인 구조들은 2차원 및 3차원 구조들을 포함할 수 있는데, 이러한 구조들은 반도체 제조에서 일반적이며, 구조 내에서 알루미늄 함유 물질, 예컨대, 산화알루미늄이 하나 이상의 다른 물질에 대해 제거되어야 한다. 추가적으로, 고종횡비 구조가 본 기술로부터 이익을 얻을 수 있지만, 본 기술은 더 낮은 종횡비들 및 임의의 다른 구조들에 동등하게 적용가능할 수 있다.
예를 들어, 일부 실시예들에서, 물질들은 종래의 기술 또는 방법을 활용해서는 충분한 식각을 허용하지 않을 수 있는 더 큰 종횡비들을 특징으로 할 수 있지만, 본 기술에 따른 물질의 층들은 구조의 임의의 종횡비들 또는 높이 대 폭 비율을 특징으로 할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 예시적인 구조의 임의의 층의 종횡비는 약 10:1 이상, 약 20:1 이상, 약 30:1 이상, 약 40:1 이상, 약 50:1 이상, 또는 그 초과일 수 있다. 추가적으로, 각각의 층은 약 100 nm 이하, 약 80 nm 이하, 약 60 nm 이하, 약 50 nm 이하, 약 40 nm 이하, 약 30 nm 이하, 약 20 nm 이하, 약 10 nm 이하, 약 5 nm 이하, 약 1 nm 이하, 또는 그 미만, 언급된 수치들 중 임의의 수치의 임의의 분율, 예컨대, 20.5 nm, 1.5 nm 등을 포함하는 감소된 폭 또는 두께를 특징으로 할 수 있다. 고종횡비들 및 최소 두께들의 이러한 조합은, 많은 종래의 식각 작동들을 방해할 수 있거나, 한정된 폭을 통한 수직 또는 수평 거리를 따라 층을 제거하기 위해 실질적으로 더 긴 식각 시간들을 요구할 수 있다. 게다가, 다른 노출된 층들에 대한 손상 또는 다른 노출된 층들의 제거가 종래의 기술들에 의해 또한 발생할 수 있다.
실시예들에서, 노출된 알루미늄 함유 물질을 제거하기 위해 방법(400)이 수행될 수 있지만, 본 기술의 실시예들에서, 임의의 개수의 산화물 또는 알루미늄 함유 물질들이 임의의 개수의 구조들에서 제거될 수 있다. 방법들은 알루미늄 함유 물질들의 제거를 위한 특정 작동들을 포함할 수 있고, 알루미늄 함유 물질들을 준비하거나 처리하기 위한 하나 이상의 선택적 작동을 포함할 수 있다. 예를 들어, 예시적인 기판 구조는, 제거될 막, 예컨대, 산화알루미늄 상에 이전의 처리 잔류물들을 가질 수 있다. 예를 들어, 이전 처리로부터의 잔류 포토레지스트 또는 부산물들이 산화알루미늄 층 상에 놓여 있을 수 있다. 이러한 물질들은 산화알루미늄에 대한 접근을 방지할 수 있거나, 깨끗한 산화알루미늄 표면과는 상이하게 식각제들과 상호작용할 수 있고, 이는 식각의 하나 이상의 양상을 방해할 수 있다. 이에 따라, 일부 실시예들에서, 알루미늄 함유 막 또는 물질의 선택적 전처리가 선택적 작동(405)에서 발생할 수 있다. 예시적인 전처리 작동들은, 예를 들어, 챔버(200)에서는 물론이고, 위에서 설명된 시스템(100) 상에 포함될 수 있는 임의의 개수의 챔버들에서도 수행될 수 있는, 열 처리, 습식 처리, 또는 플라즈마 처리를 포함할 수 있다.
하나의 예시적인 플라즈마 처리에서, 원격 또는 국부 플라즈마는 하나 이상의 방식으로 잔류물들과 상호작용하도록 의도된 전구체로부터 생성될 수 있다. 예를 들어, 위에서 설명된 챔버(200)와 같은 챔버들을 활용하면, 하나 이상의 전구체로부터 원격 또는 국부 플라즈마가 생성될 수 있다. 예를 들어, 산소 함유 전구체, 수소 함유 전구체, 질소 함유 전구체, 헬륨 함유 전구체, 또는 일부 다른 전구체가 원격 플라즈마 영역 내로 또는 처리 영역 내로 유동될 수 있고, 여기서 플라즈마가 타격될 수 있다. 플라즈마 유출물들은 기판으로 유동될 수 있고, 잔류 물질과 접촉할 수 있다. 플라즈마 프로세스는 알루미늄 함유 물질을 노출시키기 위해 제거될 물질에 따라 물리적이거나 화학적일 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 유출물들은, 예컨대, 스퍼터링 작동에 의해, 잔류물과 접촉하고 잔류물을 물리적으로 제거하도록 유동될 수 있거나, 전구체들은, 챔버로부터 제거될 수 있는 휘발성 부산물들을 생성하기 위해 잔류물들과 상호작용하도록 유동될 수 있다.
전처리에 사용되는 예시적인 전구체들은, 통상의 기술자에 의해 이해될 바와 같이, 수소, 탄화수소, 수증기, 알콜, 과산화수소, 또는 수소를 포함할 수 있는 다른 물질들일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 예시적인 산소 함유 전구체들은 분자 산소, 오존, 아산화질소, 산화질소, 또는 다른 산소 함유 물질들을 포함할 수 있다. 질소 가스가 또한 사용될 수 있거나, 수소, 산소, 및/또는 질소 중 하나 이상을 갖는 조합 전구체가 특정 잔류물들을 제거하는 데 활용될 수 있다. 일단 잔류물 또는 부산물들이 제거되면, 깨끗한 산화알루미늄 표면이 식각을 위해 노출될 수 있다.
방법(400)은, 작동(410)에서, 제1 할로겐 함유 전구체를 포함하는 할로겐 함유 전구체를, 설명된 기판 또는 일부 다른 기판을 수납하는 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 할로겐 함유 전구체는 처리 챔버의 원격 플라즈마 영역, 예컨대, 위에서 설명된 영역(215)을 통해 유동될 수 있지만, 일부 실시예들에서, 방법(400)은 식각 작동들 동안 플라즈마 유출물들을 활용하지 않을 수 있다. 예를 들어, 방법(400)은 전구체를 플라즈마에 노출시키지 않고서 플루오린 함유 또는 다른 할로겐 함유 전구체를 기판으로 유동시킬 수 있고, 플라즈마 유출물들의 생성 없이 알루미늄 함유 물질의 제거를 수행할 수 있다. 일부 실시예들에서, 할로겐 함유 전구체는 플라즈마 강화될 수 있고, 이는 기판 상의 물질들을 플라즈마 유출물들과의 접촉으로부터 보호하기 위해 원격 플라즈마 영역에서 발생할 수 있다. 할로겐 함유 전구체는 노출된 알루미늄 함유 물질을 포함하는 반도체 기판과 접촉할 수 있고, 반도체 기판 상에 남아있을 수 있는 플루오린화 물질, 예컨대, 풀루오린화알루미늄 또는 할로겐화알루미늄 물질을 생성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 할로겐 함유 전구체는 하나 이상의 산소 원자를 수용하면서, 하나 이상의 플루오린 원자를 공여할 수 있다. 일부 할로겐 함유 전구체들, 예컨대, 플라즈마 강화 전구체들은 플루오린 라디칼들을 제공할 수 있는 반면, 다른 플라즈마 라디칼들은 막으로부터 산소를 수용할 수 있다.
플루오린화 작동에 후속하여, 작동(415)에서, 식각제 전구체가 처리 영역 내로 유동될 수 있다. 일부 실시예들에서, 식각제 전구체는 제2 할로겐 함유 전구체일 수 있고, 제1 할로겐 함유 전구체와 동일하거나 상이한 할로겐을 포함할 수 있다. 식각제 전구체는 알루미늄 부산물을 생성하기 위해 더 치환될 수 있고, 알루미늄 부산물은 처리 조건들 하에서 휘발성일 수 있고 기판으로부터 방출될 수 있다. 이에 따라, 식각제 전구체는 도 5b에 도시된 바와 같이 작동(420)에서 알루미늄 물질을 식각 또는 제거할 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 본 기술은 식각 작동들(410-420) 동안 플라즈마 발달 없이 수행될 수 있다. 특정 전구체들을 활용하고, 특정 프로세스 조건들 내에서 식각을 수행함으로써, 플라즈마가 없는 제거가 수행될 수 있고, 제거는 또한, 건식 식각일 수 있다. 이에 따라, 좁은 피처들뿐만 아니라 고종횡비 피처들, 및 그렇지 않으면 습식 식각에 부적합할 수 있는 얇은 치수들로부터 산화알루미늄을 제거하기 위해 본 기술의 양상들에 따른 기법들이 수행될 수 있다. 선택적 작동이 잔류물들이 있는 기판 또는 챔버를 깨끗이 하기 위해 수행될 수 있고, 선택적 작동(425)에서 후처리를 포함할 수 있다. 후처리는 전처리와 유사한 작동들을 포함할 수 있고, 전처리에 대해 위에서 논의된 전구체들 또는 작동들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 후처리는 기판 또는 챔버로부터 잔류 전이 금속을 제거할 수 있다. 전처리 및/또는 후처리 작동들이 플라즈마 생성 및 기판으로의 플라즈마 유출물 전달을 포함할 수 있지만, 식각 작동들 동안 플라즈마가 형성되지 않을 수 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 할로겐 함유 전구체 또는 전구체들이 처리 챔버 내로 전달되고 있는 동안 플라즈마는 생성되지 않을 수 있다. 추가적으로, 일부 실시예들에서, 식각 전구체들은 일부 실시예들에서 수소가 없을 수 있고, 식각 방법은 식각 동안 수소 함유 전구체들을 포함하지 않을 수 있지만, 선택적인 전처리 또는 후처리 작동들 중 어느 하나 또는 둘 다 동안 수소 함유 전구체들이 사용될 수 있다.
2단계 작동 각각 동안의 전구체들은 할로겐 함유 전구체들을 포함할 수 있고, 일부 실시예들에서는 플루오린 또는 염소 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 특정 전구체들은 전구체들의 결합 또는 안정성에 기초할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 제1 할로겐 함유 전구체는 전이 금속을 포함할 수 있고/거나 특정 가스 밀도를 특징으로 할 수 있다. 전이 금속은, 할로겐들과 결합할 수 있고 아래에 논의되는 바와 같은 작동 조건들 하에서 해리될 수 있는 임의의 전이 금속을 포함할 수 있다. 예시적인 전이 금속들은 텅스텐, 니오븀, 또는 임의의 다른 물질들을 포함할 수 있고, 약 3 g/L 이상의 가스 밀도를 특징으로 하는 전이 금속 및 할로겐 함유 전구체들을 포함할 수 있고, 약 4 g/L 이상, 약 5 g/L 이상, 약 6 g/L 이상, 약 7 g/L 이상, 약 8 g/L 이상, 약 9 g/L 이상, 약 10 g/L 이상, 약 11 g/L 이상, 약 12 g/L 이상, 약 13 g/L 이상, 또는 그 초과의 가스 밀도를 특징으로 할 수 있다.
이러한 전구체들은 중금속과 할로겐 사이의 결합의 속성으로 인한 비교적 높은 열적 및 화학적 안정성을 특징으로 할 수 있다. 전구체들은 또한, 비교적 낮은 비저항을 특징으로 하는 전이 금속을 특징으로 할 수 있고, 이는 더 낮은 온도들에서 결합 안정성을 더 용이하게 할 수 있고, 상승된 온도들에서 해리를 용이하게 할 수 있다. 이에 따라, 물질들은 약 50 μΩ·cm 이하의 비저항을 특징으로 할 수 있고, 약 40 μΩ·cm 이하, 약 30 μΩ·cm 이하, 약 20 μΩ·cm 이하, 약 15 μΩ·cm 이하, 약 10 μΩ·cm 이하, 약 5 μΩ·cm 이하, 또는 그 미만의 비저항을 특징으로 할 수 있다. 전구체들은 또한, 질소, 헬륨, 아르곤, 또는 다른 희귀, 불활성 또는 유용한 전구체들을 포함할 수 있는 임의의 개수의 캐리어 가스들을 포함할 수 있다.
언급된 특징들을 포함할 수 있는 일부 예시적인 전구체들은, 육플루오린화텅스텐, 오염화텅스텐, 사염화니오븀, 또는 다른 전이 금속 할로겐화물들뿐만 아니라, 플루오린화수소, 삼플루오린화질소, 또는 임의의 유기플루오린화물을 포함하는 다른 할로겐화물들을 포함할 수 있다. 전구체들은 또한, 다양한 조합들로 함께 유동될 수 있다. 일부 실시예들에서, 삼플루오린화질소, 또는 일부 다른 플루오린 함유 전구체는 제1 작동에서 알루미늄의 플루오린화 표면을 생성하도록 강화된 플라즈마 및 수소와 함께 원격 플라즈마 영역에 전달될 수 있다. 본 기술의 일부 실시예들에 따른 식각제 전구체들은 구체적으로, 증가된 온도에서 비교적 용이한 해리와 함께, 대기 조건들에서의 안정성을 특징으로 할 수 있는 중금속 할로겐화물들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 예시적인 전구체들은, 할로겐 식각제들에 대한 산화알루미늄의 제어된 노출을 허용할 수 있는, 상승된 온도들에서의 비교적 약한 결합을 특징으로 할 수 있다.
비제한적인 예로서, 육플루오린화텅스텐은 상승된 온도들에서 플루오린 원자 또는 2개를 쉽게 공여할 수 있고, 예컨대, 산화알루미늄으로부터 산소 원자를 수용할 수 있고, 기체 상으로 유지될 수 있다. 이에 따라, 산화텅스텐 플루오린화물들이, 가스 분자들일 수 있고 처리 챔버로부터 펌핑되거나 제거될 수 있는 반응 부산물들로서 생성될 수 있다. 플루오린화알루미늄은 휘발성이 아닐 수 있으므로, 염소 함유 전구체, 브롬 함유 전구체 또는 아이오딘 함유 전구체는, 이들 중 임의의 것은 붕소, 티타늄, 주석, 몰리브데넘, 텅스텐 또는 니오븀을 포함할 수 있고, 염소, 브롬 또는 아이오딘을 공여하고 동일한 온도들에서 플루오린를 수용하는 데 사용될 수 있다. 염소, 브롬 또는 아이오딘이 산화알루미늄에 대하여 쉽게 공여되지 않을 수 있지만, 물질들은 플루오린화알루미늄에 공여될 수 있는 한편, 식각제 전구체는 플루오린를 수용할 수 있고, 처리 챔버로부터 배기될 수 있는, 염화알루미늄을 포함하는 두가지 휘발성 성분들을 생성한다. 이에 따라, 프로세스는, 식각제와 노출된 표면 사이에서 플루오린 및 산소를 교환하고, 이어서 플루오린을 염소로 교환하고, 휘발성 알루미늄 부산물들을 생성하고, 텅스텐 및 식각제 전구체의 대부분을 증기 형태로 유지하도록 구성된 처리 조건들 하에서 산화알루미늄을 제거할 수 있다. 이에 따라, 본 기술에 의해 유사하게 포함되는 텅스텐 및 다른 중금속들은, 식각될 물질들에 할로겐들을 전달하면서, 프로세스와의 상호작용이 제한되거나 본질적으로 없을 수 있다. 제어된 전달 때문에, 산화알루미늄을 쉽게 제거하면서, 산화텅스텐 및 다른 금속 할로겐화물들은 다른 노출된 표면들을 식각하지 않을 수 있거나 다른 노출된 표면들과 최소로 상호작용할 수 있으며, 이는 종래의 기법들에 비해 증대된 선택도를 생성할 수 있다.
처리 조건들은 본 기술에 따른 식각에 영향을 주고 식각을 용이하게 할 수 있다. 식각 반응은 전이 금속들로부터의 할로겐의 열 해리에 기초하여 진행될 수 있기 때문에, 온도들은 해리를 개시하기 위해 전구체의 특정 할로겐 및/또는 전이 금속에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 예시된 바와 같이, 온도가 약 300 ℃ 이상으로 증가함에 따라, 식각이 발생하거나 증가하기 시작하고, 이는 전구체의 해리 및/또는 산화알루미늄과의 반응의 활성화를 나타낼 수 있다. 온도가 계속 증가함에 따라, 산화알루미늄과의 반응과 같이 해리가 더 용이하게 될 수 있다.
이에 따라, 본 기술의 일부 실시예들에서, 식각 방법들은 약 300 ℃ 이상의 기판, 페디스털, 및/또는 챔버 온도들에서 수행될 수 있고, 약 350 ℃ 이상, 약 400 ℃ 이상, 약 450 ℃ 이상, 약 500 ℃ 이상, 또는 그 초과의 온도들에서 수행될 수 있다. 온도는 또한, 이러한 범위들 내의 임의의 온도, 이러한 범위들에 의해 포함되는 더 작은 범위들 내의 임의의 온도, 또는 이러한 범위들 중 임의의 범위 사이의 임의의 온도로 유지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 방법은 열 예산을 생성할 수 있는 다수의 생성된 피처들을 가질 수 있는 기판들 상에서 수행될 수 있다. 이에 따라, 일부 실시예들에서, 방법들은 약 800 ℃ 이하의 온도들에서 수행될 수 있고, 약 750 ℃ 이하, 약 700 ℃ 이하, 약 650 ℃ 이하, 약 600 ℃ 이하, 약 550 ℃ 이하, 약 500 ℃ 이하, 또는 그 미만의 온도들에서 수행될 수 있다.
챔버 내의 압력은 또한, 수행되는 작동들에 영향을 미칠 수 있을뿐만 아니라 할로겐이 전이 금속으로부터 해리될 수 있는 온도에 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 일부 실시예들에서, 압력은, 약 50 Torr 미만, 약 40 Torr 이하, 약 30 Torr 이하, 약 25 Torr 이하, 약 20 Torr 이하, 약 15 Torr 이하, 약 10 Torr 이하, 약 9 Torr 이하, 약 8 Torr 이하, 약 7 Torr 이하, 약 6 Torr 이하, 약 5 Torr 이하, 약 4 Torr 이하, 약 3 Torr 이하, 약 2 Torr 이하, 약 1 Torr 이하, 약 0.1 Torr 이하, 또는 그 미만으로 유지될 수 있다. 압력은 또한, 이러한 범위들 내의 임의의 압력, 이러한 범위들에 의해 포함되는 더 작은 범위들 내의 임의의 압력, 또는 이러한 범위들 중 임의의 범위 사이의 임의의 압력으로 유지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 압력이 약 1 Torr 위로 증가함에 따라 식각 양이 용이해질 수 있고 개시될 수 있다. 추가적으로, 압력이 계속 증가함에 따라, 식각은 감소하기 시작하기 전의 지점까지 개선될 수 있고, 압력이 계속 증가함에 따라 결국 중지될 수 있다.
임의의 특정 이론에 얽매이지 않고, 챔버 내의 압력은 위에서 설명된 전구체들을 이용한 처리에 영향을 미칠 수 있다. 낮은 압력들에서, 기판에 걸친 유동이 감소될 수 있고, 유사하게, 해리가 감소될 수 있다. 압력이 증가함에 따라, 식각제 전구체와 기판 사이의 상호작용들이 증가할 수 있고, 이는 반응들 및 식각 레이트들을 증가시킬 수 있다. 그러나, 압력이 계속 증가함에 따라, 분자들의 상대적 안정성으로 인해, 해리된 할로겐 원자들과 중금속 염기의 재결합이 증가할 수 있다. 따라서, 전구체들은 기판과 반응하지 않고서 챔버로부터 다시 효과적으로 펌핑될 수 있다. 추가적으로, 산화알루미늄 표면과의 상호작용들은 압력이 계속 증가함에 따라 억제될 수 있거나, 부산물 플루오린화알루미늄이, 식각되고 있는 막에 재도입될 수 있고, 제거를 더 제한한다. 이에 따라, 일부 실시예들에서, 처리 챔버 내의 압력은 일부 실시예들에서 약 10 Torr 이하로 유지될 수 있다.
할로겐 함유 전구체의 유량들은 식각 프로세스를 제어하기 위해 인 시튜를 포함하여 조정될 수 있다. 예를 들어, 제거 작동들 동안 할로겐 함유 전구체의 유량은 감소되거나, 유지되거나, 증가될 수 있다. 할로겐 함유 전구체의 유량을 증가시킴으로써, 식각 레이트들은 포화 지점까지 증가될 수 있다. 방법(400)의 작동들 중 임의의 작동 동안, 플루오린 함유 전구체의 유량은 약 5 sccm 내지 약 1,000 sccm일 수 있다. 추가적으로, 할로겐 함유 전구체의 유량은 약 900 sccm 이하, 약 800 sccm 이하, 약 700 sccm 이하, 약 600 sccm 이하, 약 500 sccm 이하, 약 400 sccm 이하, 약 300 sccm 이하, 약 200 sccm 이하, 약 100 sccm 이하, 또는 그 미만으로 유지될 수 있다. 유량은 또한, 이러한 언급된 유량들 중 임의의 유량 사이, 또는 이러한 수들 중 임의의 수에 의해 포함되는 더 작은 범위들 내일 수 있다.
식각 프로세스에 추가의 제어를 추가하면, 일부 실시예들에서 할로겐 함유 전구체가 펄스화될 수 있고, 식각 프로세스 전체에 걸쳐 연속적으로, 또는 시간에 따라 일관되거나 변할 수 있는 일련의 펄스들로 전달될 수 있다. 펄스식 전달은, 할로겐 함유 전구체가 유동되는 제1 기간, 및 할로겐 함유 전구체가 일시정지되거나 중단되는 제2 기간을 특징으로 할 수 있다. 임의의 펄스화 작동을 위한 기간들은 서로 유사하거나 어느 하나의 기간이 더 길게 상이할 수 있다. 실시예들에서, 전구체의 기간 또는 연속적인 유동은 약 1초 이상의 기간 동안 수행될 수 있고, 약 2초 이상, 약 3초 이상, 약 4초 이상, 약 5초 이상, 약 6초 이상, 약 7초 이상, 약 8초 이상, 약 9초 이상, 약 10초 이상, 약 11초 이상, 약 12초 이상, 약 13초 이상, 약 14초 이상, 약 15초 이상, 약 20초 이상, 약 30초 이상, 약 45초 이상, 약 60초 이상, 또는 그 초과일 수 있다. 시간들은 또한, 이러한 범위들 중 임의의 범위에 의해 포함되는 임의의 더 작은 범위일 수 있다. 일부 실시예들에서, 전구체의 전달이 더 긴 기간 동안 발생하기 때문에, 식각 레이트가 증가할 수 있다.
본 기술의 실시예들에 따른 작동들을 수행함으로써, 산화알루미늄 또는 다른 알루미늄 함유 물질들은 다른 산화물들을 포함하는 다른 물질들에 대해 선택적으로 식각될 수 있다. 예를 들어, 본 기술은 금속들, 산화규소를 포함하는 규소 함유 물질들을 포함하는 유전체들, 또는 다른 물질들의 노출된 영역들에 대해 산화알루미늄을 선택적으로 식각할 수 있다. 본 기술의 실시예들은 산화알루미늄을 산화규소 또는 다른 물질들 중 임의의 것에 대해 적어도 약 20:1의 레이트로 식각할 수 있고, 산화알루미늄을 언급된 산화규소 또는 다른 물질들에 대해 약 25:1 이상, 약 30:1 이상, 약 50:1 이상, 약 100:1 이상, 약 150:1 이상, 약 200:1 이상, 약 250:1 이상, 약 300:1 이상, 약 350:1 이상, 약 400:1 이상, 약 450:1 이상, 약 500:1 이상, 또는 그 초과의 선택도로 식각할 수 있다. 예를 들어, 본 기술의 일부 실시예들에 따라 수행되는 식각은 산화규소 또는 다른 물질들, 예컨대, 규소, 티타늄, 탄탈럼, 또는 다른 물질들의 질화물들을 실질적으로 또는 본질적으로 유지하면서 산화알루미늄을 식각할 수 있다.
선택도는 부분적으로, 사용되는 전구체들, 및 더 제어된 온도 범위들에서 해리되는 능력에 기초할 수 있다. 예를 들어, 삼플루오린화질소를 포함하는 종래의 전구체들은 작동 압력들에서 약 500 ℃ 이하의 온도들에서 쉽게 해리되지 않을 수 있고, 또한, 제거될 물질과의 더 느린 반응 레이트를 특징으로 할 수 있으며, 이는 기판 상의 다른 물질들의 노출 시간을 증가시킬 수 있고, 이는 이러한 물질들의 제거를 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 종래의 건식 식각제들은 본 기술의 실시예들의 식각 선택도들을 생성하지 못할 수 있다. 유사하게, 습식 식각제들은 산화규소를 쉽게 제거하기 때문에, 습식 식각제들은 또한, 본 기술의 실시예들에 필적하는 식각 레이트들로 선택적으로 식각할 수 없을 수 있다.
이전에 논의된 방법들은 다수의 다른 노출된 물질들에 대한 알루미늄 함유 물질들의 제거를 허용할 수 있다. 이전에 설명된 바와 같이 전이 금속들을 활용함으로써, 산화알루미늄의 개선된 식각이 수행될 수 있고, 이는 종래의 기법들에 비해 선택도를 증가시킬 수 있을뿐만 아니라, 작은 피치의 피처들에서의 식각 접근을 개선할 수 있다.
앞의 설명에서, 설명의 목적들을 위해, 본 기술의 다양한 실시예들의 이해를 제공하기 위해 다수의 세부사항들이 열거되었다. 그러나, 특정 실시예들은 이러한 세부사항들 중 일부가 없이, 또는 추가적인 세부사항들과 함께 실시될 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 자명할 것이다.
몇몇 실시예들을 개시하였지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자들은, 실시예들의 사상으로부터 벗어나지 않고 다양한 수정들, 대안적인 구성들, 및 등가물들이 사용될 수 있음을 인식할 것이다. 추가적으로, 본 기술을 불필요하게 모호하게 하는 것을 회피하기 위해, 다수의 잘 알려진 프로세스들 및 요소들은 설명되지 않았다. 이에 따라, 위의 설명은 본 기술의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다. 추가적으로, 방법들 또는 프로세스들은 순차적이거나 단계들로서 설명될 수 있지만, 작동들은 동시에 또는 나열된 것과 상이한 순서들로 수행될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
값들의 범위가 제공되는 경우, 맥락이 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 그 범위의 상한과 하한 사이에서 하한의 단위의 최소 분율(smallest fraction)까지, 각각의 중간 값이 또한 구체적으로 개시된다는 점을 이해해야 한다. 언급된 범위의 임의의 언급된 값들 또는 언급되지 않은 중간 값들과, 그 언급된 범위의 임의의 다른 언급된 값 또는 중간 값 사이의 임의의 더 좁은 범위가 포함된다. 그러한 더 작은 범위들의 상한 및 하한은 그 범위에 독립적으로 포함되거나 제외될 수 있고, 더 작은 범위들에 그 한계치들 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두가 포함되는, 또는 양쪽 모두가 포함되지 않는 각각의 범위는 또한, 언급된 범위의 임의의 구체적으로 제외된 한계치를 조건으로 하여 본 기술 내에 포함된다. 언급된 범위가 한계치들 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 포함하는 경우, 그러한 포함된 한계치들 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 제외한 범위들이 또한 포함된다.
본원 및 첨부된 청구항들에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 맥락이 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 복수 지시대상을 포함한다. 따라서, 예를 들어, "전구체"에 대한 언급은 복수의 그러한 전구체들을 포함하고, "층"에 대한 언급은, 하나 이상의 층 및 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 알려진 그의 등가물들에 대한 언급을 포함하는 것 등이다.
또한, "포함"이라는 단어는, 본 명세서 및 이하의 청구항들에서 사용될 때, 언급된 특징들, 정수들, 구성요소들, 또는 작동들의 존재를 명시하도록 의도되지만, 이는 하나 이상의 다른 특징들, 정수들, 구성요소들, 작동들, 작용들, 또는 군들의 추가 또는 존재를 배제하지 않는다.
Claims (20)
- 식각 방법으로서,
할로겐 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계 - 상기 할로겐 함유 전구체는 약 5 g/L 이상의 가스 밀도를 특징으로 함 -;
상기 기판 처리 영역에 수납된 기판을 상기 할로겐 함유 전구체와 접촉시키는 단계 - 상기 기판은 알루미늄 함유 물질의 노출된 영역을 한정하고, 상기 접촉시키는 단계는 할로겐화알루미늄 물질을 생성함 -;
식각제 전구체를 상기 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계;
상기 할로겐화알루미늄 물질을 상기 식각제 전구체와 접촉시키는 단계; 및
상기 할로겐화알루미늄 물질을 제거하는 단계
를 포함하는, 식각 방법. - 제1항에 있어서,
상기 할로겐 함유 전구체는 전이 금속을 포함하고, 상기 식각제 전구체는 염소 함유 전구체를 포함하는, 식각 방법. - 제2항에 있어서,
상기 할로겐 함유 전구체는 텅스텐 또는 니오븀을 포함하는, 식각 방법. - 제1항에 있어서,
상기 알루미늄 함유 물질은 산화알루미늄을 포함하는, 식각 방법. - 제1항에 있어서,
상기 식각 방법은 플라즈마가 없는 식각 프로세스를 포함하는, 식각 방법. - 제1항에 있어서,
상기 식각 방법은, 약 300 ℃ 이상의 온도에서 수행되는, 식각 방법. - 제1항에 있어서,
상기 식각 방법은 약 0.1 Torr 이상의 압력에서 수행되는, 식각 방법. - 제7항에 있어서,
상기 식각 방법은 약 50 Torr 이하의 압력에서 수행되는, 식각 방법. - 제1항에 있어서,
상기 할로겐 함유 전구체를 유동시키기 전에 수행되는 전처리를 더 포함하고, 상기 전처리는 상기 기판을 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 플라즈마와 접촉시키는 단계를 포함하는, 식각 방법. - 제1항에 있어서,
상기 식각 방법에 후속하여 수행되는 후처리를 더 포함하고, 상기 후처리는 상기 기판을 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 플라즈마와 접촉시키는 단계를 포함하는, 식각 방법. - 식각 방법으로서,
처리 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 처리 전구체의 플라즈마를 형성하는 단계;
상기 처리 플라즈마 유출물들을 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계;
상기 기판 처리 영역에 수납된 기판을 상기 처리 플라즈마 유출물들과 접촉시키는 단계 - 상기 기판은 알루미늄 함유 물질의 노출된 영역을 한정하고, 상기 처리 플라즈마 유출물들은 상기 알루미늄 함유 물질의 표면으로부터 잔류물을 제거하도록 구성됨 -;
제1 할로겐 함유 물질을 상기 반도체 처리 챔버의 상기 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계;
상기 기판을 상기 제1 할로겐 함유 물질과 접촉시키는 단계;
제2 할로겐 함유 전구체를 상기 반도체 처리 챔버의 상기 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계; 및
상기 알루미늄 함유 물질을 제거하는 단계
를 포함하는, 식각 방법. - 제11항에 있어서,
상기 제1 할로겐 함유 물질은 플루오린 함유 전구체의 플라즈마 유출물들 또는 니오븀 또는 텅스텐을 포함하고, 상기 제2 할로겐 함유 전구체는 삼염화붕소를 포함하는, 식각 방법. - 제11항에 있어서,
상기 제1 할로겐 함유 물질을 유동시키기 전에 상기 플라즈마 형성을 중단하는 단계를 더 포함하는, 식각 방법. - 제11항에 있어서,
상기 식각 방법은, 약 300 ℃ 이상의 온도에서 수행되는, 식각 방법. - 제11항에 있어서,
상기 식각 방법은 약 0.1 Torr 이상의 압력에서 수행되는, 식각 방법. - 제11항에 있어서,
상기 식각 방법에 후속하여 수행되는 후처리를 더 포함하고, 상기 후처리는 상기 기판을 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 플라즈마와 접촉시키는 단계를 포함하는, 식각 방법. - 식각 방법으로서,
플루오린 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계 - 상기 플루오린 함유 전구체는 약 5 g/L 이상의 가스 밀도를 특징으로 함 -;
상기 기판 처리 영역에 수납된 기판을 상기 플루오린 함유 전구체와 접촉시키는 단계 - 상기 기판은 알루미늄 함유 물질의 노출된 영역을 한정함 -;
염소 함유 전구체를 상기 반도체 처리 챔버의 상기 기판 처리 영역 내로 유동시키는 단계;
상기 기판을 상기 염소 함유 전구체와 접촉시키는 단계;
상기 알루미늄 함유 물질을 제거하는 단계;
처리 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 산소, 수소, 또는 질소 중 하나 이상을 포함하는 처리 전구체의 플라즈마를 형성하는 단계; 및
상기 기판을 상기 처리 플라즈마 유출물들과 접촉시키는 단계
를 포함하는, 식각 방법. - 제17항에 있어서,
상기 플루오린 함유 전구체는 텅스텐 또는 니오븀을 포함하고, 상기 염소 함유 전구체는 붕소를 포함하는, 식각 방법. - 제18항에 있어서,
상기 처리 플라즈마 유출물들은, 상기 기판 또는 상기 반도체 처리 챔버 중 하나 이상으로부터 잔류 텅스텐 또는 니오븀을 제거하도록 구성되는, 식각 방법. - 제17항에 있어서,
상기 식각 방법은, 약 300 ℃ 이상의 온도에서 그리고 약 0.1 Torr 이상의 압력에서 수행되는, 식각 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/018,229 | 2020-09-11 | ||
| US17/018,229 US11062921B1 (en) | 2020-09-11 | 2020-09-11 | Systems and methods for aluminum-containing film removal |
| PCT/US2021/049276 WO2022055876A1 (en) | 2020-09-11 | 2021-09-07 | Systems and methods for aluminum-containing film removal |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220154787A true KR20220154787A (ko) | 2022-11-22 |
Family
ID=76764699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020227035842A KR20220154787A (ko) | 2020-09-11 | 2021-09-07 | 알루미늄 함유 막 제거를 위한 시스템들 및 방법들 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11062921B1 (ko) |
| JP (1) | JP2023529534A (ko) |
| KR (1) | KR20220154787A (ko) |
| CN (1) | CN115485821A (ko) |
| TW (1) | TWI781757B (ko) |
| WO (1) | WO2022055876A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11062921B1 (en) * | 2020-09-11 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for aluminum-containing film removal |
| US11631589B2 (en) * | 2021-05-04 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Metal etch in high aspect-ratio features |
| US20230015080A1 (en) * | 2021-07-15 | 2023-01-19 | Applied Materials, Inc. | Metal oxide directional removal |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59189633A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7270761B2 (en) * | 2002-10-18 | 2007-09-18 | Appleid Materials, Inc | Fluorine free integrated process for etching aluminum including chamber dry clean |
| KR20060116482A (ko) * | 2005-05-10 | 2006-11-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치의 세정방법 |
| US8808562B2 (en) * | 2011-09-12 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Dry metal etching method |
| US9299583B1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| JP2018500767A (ja) * | 2014-12-18 | 2018-01-11 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ コロラド，ア ボディー コーポレイトＴＨＥ ＲＥＧＥＮＴＳ ＯＦ ＴＨＥ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＯＦ ＣＯＬＯＲＡＤＯ，ａ ｂｏｄｙ ｃｏｒｐｏｒａｔｅ | 逐次的な自己制御熱反応を使用する原子層エッチング（ａｌｅ）の新規の方法 |
| WO2017213842A2 (en) * | 2016-05-23 | 2017-12-14 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Enhancement of thermal atomic layer etching |
| US11062921B1 (en) * | 2020-09-11 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for aluminum-containing film removal |
-
2020
- 2020-09-11 US US17/018,229 patent/US11062921B1/en active Active
-
2021
- 2021-09-07 KR KR1020227035842A patent/KR20220154787A/ko unknown
- 2021-09-07 JP JP2022562707A patent/JP2023529534A/ja active Pending
- 2021-09-07 CN CN202180032187.1A patent/CN115485821A/zh active Pending
- 2021-09-07 WO PCT/US2021/049276 patent/WO2022055876A1/en active Application Filing
- 2021-09-09 TW TW110133557A patent/TWI781757B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202217959A (zh) | 2022-05-01 |
| US11062921B1 (en) | 2021-07-13 |
| WO2022055876A1 (en) | 2022-03-17 |
| JP2023529534A (ja) | 2023-07-11 |
| TWI781757B (zh) | 2022-10-21 |
| CN115485821A (zh) | 2022-12-16 |
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