KR20220144335A - Position adjusting method of substrate holder, substrate processing system, and recording medium - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The present invention can properly set a reference height location of a substrate holding unit possessed by a substrate conveying device, without being affected by a reduction in suction force used to hold the substrate and the like. Provided is a location adjustment method for the substrate holding unit possessed by the substrate conveying device. The location adjustment method comprises: a step (A) of horizontally moving the substrate holding unit supporting a substrate to above a substrate placing unit on which the substrate is to be placed; a step (B) of lowering the substrate holding unit supporting the substrate to a reference height location being currently set; a step (C) of moving the substrate holding unit to a detection unit for detecting a horizontal location of the substrate on the substrate holding unit and detecting the substrate on the substrate holding unit by the detection unit; and a step (D) of determining whether the substrate is placed on the substrate placing unit from the substrate holding unit in step (B) based on detection results obtained by step (C). The step (A) to step (D) are repeatedly performed in sequence until it is determined that the substrate is located on the substrate placing unit from the substrate holding unit in step (B), and each time the step is performed, the reference height location is corrected downward by a predetermined distance.

Description

기판 유지부의 위치 조정 방법, 기판 처리 시스템 및 기억 매체 {POSITION ADJUSTING METHOD OF SUBSTRATE HOLDER, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND RECORDING MEDIUM}A method for adjusting the position of a substrate holding unit, a substrate processing system, and a storage medium

본 개시는, 기판 유지부의 위치 조정 방법, 기판 처리 시스템 및 기억 매체에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of adjusting the position of a substrate holding unit, a substrate processing system, and a storage medium.

특허 문헌 1은, 기판 유지부를 가지는 기판 반송 장치의 위치 조정 방법을 개시하고 있다. 이 방법은, 기판을 흡인하여 유지할 수 있는 기판 유지부에 의해 기판을 지지하는 단계와, 기판을 유지하는 기판 유지부를, 기판이 배치되어야 할 기판 배치부의 상방으로부터, 당해 기판 배치부를 향해 약 0.1 mm 하강하고, 하강 후에 상기 흡인을 개시하여, 기판이 흡인에 의해 기판 유지부에 유지되어 있는지를 검출하는 단계를 포함한다. 또한 상기 방법은, 상기 검출하는 단계에 있어서 기판이 흡인 유지되어 있다고 판정된 경우에, 상기 검출하는 단계를 반복하는 단계와, 상기 검출하는 단계에 있어서 기판이 흡인에 의해 유지되어 있지 않다고 판정된 경우에, 이 시점에 있어서의 기판 유지부의 위치를, 기판 유지부의 상하 방향의 기준 위치로 설정하는 단계를 포함한다.Patent Document 1 discloses a method for adjusting the position of a substrate transport apparatus having a substrate holding unit. This method comprises the steps of: supporting the substrate by a substrate holding portion capable of sucking and holding the substrate; descending, and starting the suction after the lowering, so as to detect whether the substrate is being held by the substrate holding portion by the suction. Further, the method includes repeating the detecting step when it is determined that the substrate is held by suction in the detecting step, and when it is determined in the detecting step that the substrate is not held by suction and setting the position of the substrate holding unit at this point in time to the reference position in the vertical direction of the substrate holding unit.

일본특허공개공보 2013-110444호Japanese Patent Laid-Open No. 2013-110444

본 개시에 따른 기술은, 기판의 유지 등에 이용되는 흡인력의 저하의 영향을 받지 않고, 기판 반송 장치가 가지는 기판 유지부의 기준 높이 위치의 설정을 적절하게 행한다.The technique according to the present disclosure appropriately sets the reference height position of the substrate holding portion of the substrate transport apparatus without being affected by a decrease in the suction force used for holding the substrate or the like.

본 개시의 일태양은, 기판 반송 장치가 가지는 기판 유지부의 위치 조정 방법으로서, (A) 기판을 지지한 상기 기판 유지부를, 기판이 배치되어야 할 기판 배치부의 상방까지 수평으로 이동시키는 공정과, (B) 기판을 지지한 상기 기판 유지부를, 현재 설정 중인 기준 높이 위치까지 하강시키는 공정과, (C) 상기 기판 유지부 상에 있어서의 기판의 수평 방향의 위치를 검출하기 위한 검출부까지, 상기 기판 유지부를 이동시키고, 상기 기판 유지부 상의 기판을 상기 검출부에서 검출하는 공정과, (D) 상기 (C) 공정에 의한 검출 결과에 기초하여, 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었는지 여부를 판정하는 공정을 포함하고, 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었다고 상기 (D) 공정에 있어서 판정될 때까지, 상기 (A) 공정 ~ 상기 (D) 공정을 반복하여 차례로 행하고, 행할 때마다 상기 기준 높이 위치를 정해진 거리 하방으로 수정한다.One aspect of the present disclosure is a method for adjusting the position of a substrate holding unit of a substrate transport apparatus, comprising the steps of: (A) horizontally moving the substrate holding unit supporting the substrate to an upper side of the substrate mounting unit on which the substrate is to be placed; ( B) a step of lowering the substrate holding unit supporting the substrate to a currently set reference height position; and (C) holding the substrate up to a detection unit for detecting the horizontal position of the substrate on the substrate holding unit. Based on the detection result by the steps of moving the unit and detecting the substrate on the substrate holding unit with the detection unit, and (D) the step (C), in the step (B), the substrate placing unit is moved from the substrate holding unit. until it is determined in the step (D) that it has been disposed from the substrate holding unit to the substrate placing unit in the step (B), the steps (A) to the ( D) The process is repeated one after another, and each time the process is performed, the reference height position is corrected to be below a predetermined distance.

본 개시에 따르면, 기판의 유지 등에 이용되는 흡인력의 저하의 영향을 받지 않고, 기판 반송 장치가 가지는 기판 유지부의 기준 높이 위치의 설정을 적절하게 행할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this indication, setting of the reference height position of the board|substrate holding part which a board|substrate conveying apparatus has can be performed appropriately, without being affected by the fall of the attraction|suction force used for holding|maintenance of a board|substrate etc.

도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 정면측의 내부 구성의 개략을 나타내는 도이다.
도 3은 도포 현상 처리 시스템의 배면측의 내부 구성의 개략을 나타내는 도이다.
도 4는 카세트의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 5는 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 6은 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
도 7은 열 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 8은 열 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
도 9는 반송 장치의 측면도이다.
도 10은 반송 암의 상면도이며, 프레임의 도시를 생략하고 있다.
도 11은 포크의 기준 높이 위치의 조정 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 12는 조정 처리 중의 반송 암과 레지스트 도포 장치의 상태를 나타내는 도이다.
도 13은 엄밀 조정 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 14는 포크의 기준 높이 위치의 거친 조정 처리의, 다른 예를 나타내는 순서도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is explanatory drawing which shows the outline of the internal structure of the application|coating and developing processing system as a substrate processing system which concerns on this embodiment.
Fig. 2 is a diagram schematically showing the internal configuration of the front side of the coating and developing processing system.
Fig. 3 is a diagram schematically showing the internal configuration of the rear side of the coating and developing processing system.
Fig. 4 is a perspective view schematically showing the configuration of the cassette.
Fig. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a resist coating apparatus.
6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a resist coating apparatus.
7 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus.
8 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus.
9 is a side view of the conveying apparatus.
Fig. 10 is a top view of the carrying arm, and illustration of the frame is omitted.
It is a flowchart which shows an example of the adjustment process of the reference height position of a fork.
It is a figure which shows the state of the conveyance arm and resist coating apparatus during an adjustment process.
13 is a flowchart showing an example of strict adjustment processing.
14 is a flowchart showing another example of coarse adjustment processing of the reference height position of the fork.

예를 들면 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정은, 레지스트 도포 장치 등의 기판 처리 장치가 마련된 기판 처리 시스템에서 행해지고 있다. 이 기판 처리 시스템에는, 기판 처리 장치 등에 대하여 기판을 반송하는 기판 반송 장치도 마련되어 있다.For example, the photolithography process in the manufacturing process of a semiconductor device is performed in the substrate processing system provided with substrate processing apparatuses, such as a resist coating apparatus. The substrate processing system is also provided with a substrate transport device that transports a substrate with respect to a substrate processing device or the like.

상기 기판 반송 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부로서 포크를 가지고, 예를 들면 당해 포크가 전후 방향, 좌우 방향 및 상하 방향으로 삼차원 이동하여, 기판 처리 장치 등에 대하여 기판을 반입반출한다.The substrate transfer apparatus has a fork as a substrate holding unit for holding a substrate, and the fork moves three-dimensionally in the front-back direction, the left-right direction, and the vertical direction to carry the substrate into and out of the substrate processing apparatus or the like.

그런데, 기판을 지지한 포크가 하강하고, 기판 처리 장치 등의 기판 배치부로 포크로부터 기판이 전달될 때에, 포크의 하강 속도가 빠르면, 기판에 대하여 기판 배치부로부터 충격이 가해져, 기판 배치부에 대한 기판의 수평 방향의 위치가 어긋나거나, 기판이 낙하한다. 포크의 하강 속도를 단순히 느리게 하면, 기판에 가해지는 충격을 억제할 수 있지만, 스루풋이 저하된다. 이 때문에, 포크에 지지된 기판이 기판 처리 장치 등의 기판 배치부에 가까울 때만, 포크의 하강 속도를 저하시키는 제어가 행해지고 있다. 이 제어 등을 위해서는, 포크의 기준 높이 위치를 적절하게 설정할 필요가 있다. 구체적으로, 기판을 지지한 포크로부터 기판 배치부로 기판이 전달될 때의 포크의 위치의 하방 근방에, 상기 기준 높이 위치를 설정할 필요가 있다.However, when the fork supporting the substrate is lowered and the substrate is transferred from the fork to the substrate placing unit such as the substrate processing apparatus, if the lowering speed of the fork is fast, an impact is applied from the substrate placing unit to the substrate, The position of the board|substrate in a horizontal direction shifts, or a board|substrate falls. If the lowering speed of the fork is simply slowed, the impact applied to the substrate can be suppressed, but the throughput is lowered. For this reason, the control which reduces the lowering speed of a fork is performed only when the board|substrate supported by the fork is close to the board|substrate mounting part, such as a substrate processing apparatus. For this control or the like, it is necessary to appropriately set the reference height position of the fork. Specifically, it is necessary to set the reference height position in the vicinity below the position of the fork when the substrate is transferred from the fork supporting the substrate to the substrate placing unit.

특허 문헌 1에 개시된 기술에서는, 기판이 포크에 유지되어 있는지 여부에 기초하여, 포크의 기준 높이 위치를 설정하고 있다. 또한, 이 기술에서는, 기판이 포크에 유지되어 있는지 여부는, 포크의 흡착 홀과 연통하는 진공 배관과 진공 배기부를 잇는 배관 중에 마련된 진공 센서 등에 기초하여, 검출되고 있다.In the technique disclosed in Patent Document 1, the reference height position of the fork is set based on whether or not the substrate is held by the fork. In this technology, whether the substrate is held by the fork is detected based on a vacuum sensor or the like provided in the pipe connecting the vacuum pipe communicating with the suction hole of the fork and the vacuum exhaust unit.

그러나, 예를 들면, 진공 배기부가 공장 내의 배기 용력 설비인 경우, 배기 용력 설비를 공유하는 다른 장치의 상태 등에 따라서는, 기판을 흡착하기 위한 흡착력이 변화하는 경우가 있다. 이러한 변화가 생기면, 진공 센서에 의한 검출 결과가 변동하기 때문에, 기판이 포크에 유지되어 있는지 여부를 적절하게 판정할 수 없어, 포크의 기준 높이 위치를 적절하게 설정할 수 없는 경우가 있다.However, for example, when the vacuum exhaust unit is an exhaust power facility in a factory, the adsorption force for adsorbing the substrate may change depending on the state of other devices sharing the exhaust power facility, for example. When such a change occurs, since the detection result by the vacuum sensor fluctuates, it is not possible to properly determine whether the substrate is held by the fork, and the reference height position of the fork cannot be properly set in some cases.

따라서, 본 개시에 따른 기술은, 기판의 유지 등에 이용되는 흡인력의 저하의 영향을 받지 않고, 기판 반송 장치가 가지는 포크의 기준 높이 위치의 설정을 적절하게 행한다.Accordingly, the technique according to the present disclosure appropriately sets the reference height position of the fork of the substrate transport apparatus without being affected by a decrease in the suction force used for holding the substrate or the like.

이하, 본 실시 형태에 따른 기판 유지부의 위치 조정 방법 및 기판 처리 시스템을, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the position adjustment method of the board|substrate holding part which concern on this embodiment, and a board|substrate processing system are demonstrated with reference to drawings. In addition, in this specification and drawing, in the element which has substantially the same functional structure, the same code|symbol is attached|subjected, and duplicate description is abbreviate|omitted.

<도포 현상 처리 시스템><Applying and developing processing system>

도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은 각각, 도포 현상 처리 시스템(1)의 정면측과 배면측의 내부 구성의 개략을 나타내는 도이다. 도 4는 후술하는 카세트(C)의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is explanatory drawing which shows the outline of the internal structure of the application|coating and developing processing system as a substrate processing system which concerns on this embodiment. 2 and 3 are diagrams schematically showing the internal configuration of the front side and the back side of the coating and developing processing system 1, respectively. 4 is a perspective view schematically showing the configuration of a cassette C to be described later.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1 ~ 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)를 복수 수용 가능한 용기인 카세트(C)가 반입반출되는 카세트 스테이션(2)과, 레지스트 도포 처리 등의 정해진 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 복수 구비한 처리 스테이션(3)을 가진다. 그리고, 도포 현상 처리 시스템(1)은 카세트 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 또한, 도포 현상 처리 시스템(1)은, 후술하는 반송 장치(70)의 제어를 포함하는 당해 도포 현상 처리 시스템(1)의 제어를 행하는 제어부(6)를 가지고 있다.As shown in Figs. 1 to 3, the coating and developing processing system 1 includes a cassette station 2 to which a cassette C, which is a container capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers) as substrates, is carried in and out; , a processing station 3 provided with a plurality of various processing devices for performing predetermined processing such as a resist coating processing and the like. Then, the coating and developing processing system 1 is an interface station that transfers the wafer W between the cassette station 2 , the processing station 3 , and the exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 . It has a structure in which (5) is connected integrally. In addition, the coating and developing system 1 has a control unit 6 that controls the coating and developing system 1 including control of a conveying device 70 described later.

카세트 스테이션(2)은, 예를 들면 카세트 반입반출부(10)와 웨이퍼 반송부(11)로 나누어져 있다. 예를 들면 카세트 반입반출부(10)는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 Y 방향 부방향(도 1의 좌방향)측의 단부에 마련되어 있다. 카세트 반입반출부(10)에는, 카세트 배치대(12)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(12) 상에는, 복수, 예를 들면 4 개의 배치판(13)이 마련되어 있다. 배치판(13)은, 수평 방향인 X 방향(도 1의 상하 방향)으로 일렬로 배열되어 마련되어 있다. 이들 배치판(13)에는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입반출할 시에, 카세트(C)를 배치할 수 있다.The cassette station 2 is divided into, for example, a cassette carry-in/out section 10 and a wafer transfer section 11 . For example, the cassette carry-in/out section 10 is provided at the end of the coating and developing system 1 in the negative Y direction (left direction in FIG. 1 ). The cassette carrying-in/out unit 10 is provided with a cassette mounting table 12 . On the cassette mounting table 12, a plurality, for example, four mounting plates 13 are provided. The arrangement plates 13 are arranged in a line in the horizontal X direction (up-and-down direction in FIG. 1 ). The cassette C can be disposed on these placement plates 13 when the cassette C is loaded and unloaded from the outside of the coating and developing processing system 1 .

카세트(C)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, Y 방향 정측이 되는 측에 개구를 가지는 상자 형상의 본체(C1)와, 본체(C1)의 상기 개구를 폐색하는 덮개체(도시하지 않음)를 가진다. 본체(C1)의 양 측벽에는, 상하 방향을 따라 기판 배치부로서의 선반 판(C11)이 복수 마련되어 있다. 카세트(C)에는, 웨이퍼(W)는, 선반 판(C11)에 배치된 상태로 수용된다.As shown in FIG. 4, the cassette C includes a box-shaped main body C1 having an opening on the positive side in the Y direction, and a cover body (not shown) for closing the opening of the main body C1. have A plurality of shelf plates C11 as substrate placing portions are provided on both sidewalls of the main body C1 in the vertical direction. In the cassette C, the wafer W is accommodated in a state arranged on the shelf plate C11.

도 1 ~ 도 3의 설명으로 돌아온다.Returning to the description of Figures 1-3.

웨이퍼 반송부(11)에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(20)가 마련되어 있다. 반송 장치(20)는, X 방향으로 연장되는 반송로(21)와, 반송로(21) 상을 이동 가능한 반송 유닛(22)이 마련되어 있다. 반송 유닛(22)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 배치판(13) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer transfer unit 11 is provided with a transfer device 20 that transfers the wafer W. The conveyance apparatus 20 is provided with the conveyance path 21 extended in the X direction, and the conveyance unit 22 which can move on the conveyance path 21 top. The conveying unit 22 is movable also in the vertical direction and around the vertical axis (the θ direction), and conveys the cassette C on each arrangement plate 13 and the third block G3 of the processing station 3 to be described later. The wafer W can be transported between the device and the device.

처리 스테이션(3)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들면 제 1 ~ 제 4의 4 개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 마련되어 있다. 예를 들면 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는 제 1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는 제 2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는 제 3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는 제 4 블록(G4)이 마련되어 있다.The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, first to fourth four blocks G1 , G2 , G3 , G4 equipped with various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (the negative X-direction side in FIG. 1 ), and the first block G1 is provided on the rear side of the processing station 3 (the X-direction positive side in FIG. 1 ). A second block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side of the processing station 3 (the negative direction side in the Y direction in FIG. 1 ), and the interface station 5 side of the processing station 3 ( FIG. 1 ). A fourth block G4 is provided on the Y-direction positive side).

제 1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(31)가 아래로부터 이 순으로 배치되어 있다.In the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing processing apparatus 30 for developing the wafer W, apply a resist liquid to the wafer W and apply a resist film The resist coating apparatuses 31 to be formed are arranged in this order from the bottom.

예를 들면 현상 처리 장치(30), 레지스트 도포 장치(31)는, 각각 수평 방향으로 3 개 배열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 레지스트 도포 장치(31)의 수 및 배치는, 임의로 선택할 수 있다.For example, the developing processing apparatus 30 and the resist coating apparatus 31 are arranged in three horizontal directions, respectively. In addition, the number and arrangement|positioning of these developing processing apparatuses 30 and the resist coating apparatus 31 can be selected arbitrarily.

이들 현상 처리 장치(30), 레지스트 도포 장치(31)에서는, 예를 들면 스핀 도포법으로 웨이퍼(W) 상에 정해진 처리액을 도포한다. 스핀 코팅에서는, 예를 들면 토출 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 처리액을 토출하고, 또한 웨이퍼(W)를 회전시켜, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다.In the developing processing apparatus 30 and the resist coating apparatus 31, a predetermined processing liquid is applied onto the wafer W by, for example, a spin coating method. In spin coating, for example, a processing liquid is discharged onto the wafer W from a discharge nozzle, and the wafer W is rotated to diffuse the processing liquid on the surface of the wafer W.

예를 들면 제 2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열 또는 냉각과 같은 열 처리를 행하는 열 처리 장치(40), 및 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(41)가 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 이들 열 처리 장치(40), 주변 노광 장치(41)의 수 및 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다.For example, in the second block G2 , as shown in FIG. 3 , a heat treatment device 40 for performing heat treatment such as heating or cooling of the wafer W, and peripheral exposure for exposing the outer periphery of the wafer W The devices 41 are arranged in an up-down direction and a horizontal direction. The number and arrangement of these heat processing apparatuses 40 and peripheral exposure apparatuses 41 can also be arbitrarily selected.

제 3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50)가 마련되어 있다. 또한, 제 4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60)가 마련되어 있다.A plurality of transmission devices 50 are provided in the third block G3. Moreover, the some delivery device 60 is provided in the 4th block G4.

도 1에 나타내는 바와 같이 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 반송하는 기판 반송 장치로서의 반송 장치(70)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, the wafer transfer area|region D is formed in the area|region surrounded by the 1st block G1 - the 4th block G4. In the wafer transfer region D, for example, a transfer apparatus 70 as a substrate transfer apparatus for transferring the wafer W is disposed.

반송 장치(70)는, 예를 들면 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(70a)을 가지고 있다. 반송 장치(70)는, 웨이퍼(W)를 유지한 반송 암(70a)을 웨이퍼 반송 영역(D) 내에서 이동시켜, 주위의 제 1 블록(G1), 제 2 블록(G2), 제 3 블록(G3) 및 제 4 블록(G4) 내의 정해진 장치로, 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 반송 장치(70)는, 예를 들면 도 3에 나타내는 바와 같이 상하로 복수 대 배치되고, 예를 들면 각 블록(G1 ~ G4)의 동일한 정도의 높이의 정해진 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 반송 장치(70)의 상세에 대해서는 후술한다.The conveying apparatus 70 has the conveying arm 70a which can move, for example in a Y direction, the θ direction, and an up-down direction. The transfer device 70 moves the transfer arm 70a holding the wafer W within the wafer transfer region D, and the first block G1, the second block G2, and the third block around it. The wafer W can be transported to a predetermined device in the (G3) and fourth blocks (G4). For example, as shown in FIG. 3 , a plurality of transfer devices 70 are arranged vertically and, for example, the wafers W can be transported by a predetermined device having the same height of each block G1 to G4 . have. The detail of the conveyance apparatus 70 is mentioned later.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)과의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(71)가 마련되어 있다.Further, in the wafer transfer region D, a shuttle transfer device 71 for transferring the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.

셔틀 반송 장치(71)는, 지지한 웨이퍼(W)를 Y 방향으로 직선적으로 이동시켜, 동일한 정도의 높이의 제 3 블록(G3)의 전달 장치(50)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(60)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle transfer device 71 linearly moves the supported wafer W in the Y direction, and the delivery device 50 for the third block G3 and the delivery device for the fourth block G4 have the same height. The wafer W can be transported between the wafer (60) and (60).

도 1에 나타내는 바와 같이 제 3 블록(G3)의 X 방향 정방향측에는, 반송 장치(72)가 마련되어 있다. 반송 장치(72)는, 예를 들면 θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(72a)을 가지고 있다. 반송 장치(72)는, 웨이퍼(W)를 유지한 반송 암(70a)을 상하로 이동시켜, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치(50)로, 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the conveying apparatus 72 is provided in the X direction positive direction side of 3rd block G3. The conveying apparatus 72 has the conveying arm 72a movable in the θ direction and the vertical direction, for example. The transfer apparatus 72 can move the transfer arm 70a holding the wafer W up and down to transfer the wafer W to each transfer apparatus 50 in the third block G3 .

인터페이스 스테이션(5)에는, 반송 장치(73)와 전달 장치(74)가 마련되어 있다. 반송 장치(73)는, 예를 들면 θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(73a)을 가지고 있다. 반송 장치(73)는, 반송 암(73a)에 웨이퍼(W)를 유지하여, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치(60), 전달 장치(74) 및 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 5 is provided with a conveying device 73 and a conveying device 74 . The conveying apparatus 73 has the conveying arm 73a movable in the θ direction and the vertical direction, for example. The transfer device 73 holds the wafer W on the transfer arm 73a , and moves the wafer between each transfer device 60 , the transfer device 74 , and the exposure apparatus 4 in the fourth block G4 . (W) can be returned.

상술한 제어부(6)는, 예를 들면 CPU 및 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치 및 각종 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 후술하는 웨이퍼 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 후술하는 위치 조정 처리를 제어하는 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 비일시적인 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 당해 기억 매체(H)로부터 제어부(6)에 인스톨된 것이어도 된다. 기억 매체(H)는 일시적인 것이어도, 비일시적인 것이어도 된다. 프로그램의 일부 또는 전부는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현해도 된다.The above-described control unit 6 is, for example, a computer provided with a CPU and a memory, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling the operation of the drive systems of the above-described various processing apparatuses and various conveying apparatuses to control wafer processing, which will be described later. Moreover, the program which controls the operation|movement of the drive system of a conveyance apparatus etc. and controls the position adjustment process mentioned later is also stored in the program storage part. The program may be recorded on a computer-readable non-transitory storage medium H, and may be installed in the control unit 6 from the storage medium H. The storage medium H may be temporary or non-transitory. Part or all of the program may be realized by dedicated hardware (circuit board).

<웨이퍼 처리><Wafer processing>

이어서, 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용한 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다.Next, wafer processing using the coating and developing processing system 1 will be described.

도포 현상 처리 시스템(1)을 이용한 웨이퍼 처리에서는, 먼저, 반송 장치(20)에 의해, 카세트 배치대(12) 상의 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)가 취출되어, 처리 스테이션(3)의 전달 장치(50)로 반송된다.In wafer processing using the coating and developing processing system 1 , first, the wafer W is taken out from the cassette C on the cassette mounting table 12 by the transfer device 20 and transferred to the processing station 3 . It is conveyed to the device 50 .

이어서 웨이퍼(W)는, 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열 처리 장치(40)로 반송되어 온도 조절 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 제 1 블록(G1)의 레지스트 도포 장치(31)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 열 처리 장치(40)로 반송되어, 프리베이크 처리(PAB : Pre-Applied Bake)된다. 또한, 프리베이크 처리 및 후단의 PEB(Post Exposure Bake) 처리, 포스트베이크 처리에서는, 동일한 열 처리가 행해진다. 단, 각 열 처리에 제공되는 열 처리 장치(40)는 서로 상이하다.Next, the wafer W is transferred to the heat processing apparatus 40 of the second block G2 by the transfer apparatus 70 and subjected to temperature control processing. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating apparatus 31 of the first block G1 , and a resist film is formed on the wafer W . Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and subjected to a pre-baking process (PAB: Pre-Applied Bake). In addition, in a pre-baking process and the PEB (Post Exposure Bake) process of a subsequent stage, and a post-baking process, the same heat processing is performed. However, the heat treatment apparatuses 40 provided for each heat treatment are different from each other.

이 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(41)로 반송되어, 주변 노광 처리된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure apparatus 41 and subjected to peripheral exposure processing.

이어서 웨이퍼(W)는, 노광 장치(4)로 반송되어, 정해진 패턴으로 노광 처리된다.Next, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 4 and subjected to exposure processing in a predetermined pattern.

이어서, 웨이퍼(W)는, 열 처리 장치(40)로 반송되어, PEB 처리된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 예를 들면 현상 처리 장치(30)로 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는, 열 처리 장치(40)로 반송되어, 포스트베이크 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 반송 유닛(22) 등에 의해, 카세트 배치대(12) 상의 카세트(C)로 반송되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료된다.Next, the wafer W is transferred to the thermal processing apparatus 40 and subjected to PEB processing. Thereafter, the wafer W is transferred to, for example, the developing apparatus 30 to be developed. After the development process is completed, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and subjected to a post-baking process. Thereafter, the wafer W is transferred to the cassette C on the cassette mounting table 12 by the transfer unit 22 or the like, and a series of photolithography processes are completed.

<레지스트 도포 장치(31)><Resist coating device 31>

이어서, 상술한 레지스트 도포 장치(31)의 구성에 대하여 설명한다. 도 5 및 도 6은 각각, 레지스트 도포 장치(31)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도 및 횡단면도이다.Next, the structure of the resist coating apparatus 31 mentioned above is demonstrated. 5 and 6 are a longitudinal cross-sectional view and a cross-sectional view respectively showing the outline of the structure of the resist coating apparatus 31. As shown in FIG.

레지스트 도포 장치(31)는, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(100)를 가지고 있다. 처리 용기(100)의 반송 장치(70)측의 측면에는, 웨이퍼(W)의 반입반출구(도시하지 않음)가 형성되고, 당해 반입반출구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 마련되어 있다.The resist coating apparatus 31 has the processing container 100 which can seal the inside, as shown in FIG.5 and FIG.6. A carry-in/out port (not shown) of the wafer W is formed on the side surface of the processing container 100 on the transfer device 70 side, and an opening/closing shutter (not shown) is provided at the carrying-in/out port.

처리 용기(100) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)가 배치되는, 기판 배치부로서의 스핀 척(110)이 마련되어 있다. 스핀 척(110)은, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 것이며, 수평인 상면을 가지고, 당해 상면에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(110) 상에 흡착 유지할 수 있다.A spin chuck 110 serving as a substrate placing unit on which the wafer W is placed is provided in the central portion of the processing chamber 100 . The spin chuck 110 holds and rotates the wafer W, has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. The wafer W can be sucked and held on the spin chuck 110 by the suction from the suction port.

스핀 척(110)은, 척 구동 기구(111)에 접속되어 있고, 그 척 구동 기구(111)에 의해 원하는 속도로 회전 가능하다. 척 구동 기구(111)에는, 스핀 척(110)의 회전을 위한 구동력을 발생시키는 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)을 가진다. 또한, 척 구동 기구(111)에는, 실린더 등의 승강 구동원이 마련되어 있고, 척 구동 기구(111)에 의해 스핀 척(110)은 상하동 가능하다. 척 구동 기구(111)는 제어부(6)에 의해 제어된다.The spin chuck 110 is connected to a chuck drive mechanism 111 , and is rotatable at a desired speed by the chuck drive mechanism 111 . The chuck driving mechanism 111 includes a rotation driving source (not shown) such as a motor that generates a driving force for rotation of the spin chuck 110 . In addition, the chuck drive mechanism 111 is provided with a lifting/lowering drive source such as a cylinder, and the spin chuck 110 is vertically movable by the chuck drive mechanism 111 . The chuck drive mechanism 111 is controlled by the control unit 6 .

스핀 척(110)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아, 회수하는 컵(112)이 마련되어 있다. 컵(112)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(113)과, 컵(112) 내의 분위기를 진공 배기하여 배기하는 배기관(114)이 접속되어 있다.A cup 112 is provided around the spin chuck 110 , which receives and collects the liquid scattered or falling from the wafer W . A discharge pipe 113 for discharging the recovered liquid and an exhaust pipe 114 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 112 are connected to the lower surface of the cup 112 .

도 6에 나타내는 바와 같이 컵(112)의 X 방향 부방향(도 6 중의 하방향)측에는, Y 방향(도 6 중의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(120)이 형성되어 있다. 레일(120)은, 예를 들면 컵(112)의 Y 방향 부방향(도 6 중의 좌방향)측의 외방으로부터 Y 방향 정방향(도 6 중의 우측향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(120)에는, 암(121)이 장착되어 있다.As shown in FIG. 6, the rail 120 extended along the Y direction (left-right direction in FIG. 6) is formed in the X-direction negative direction (lower direction in FIG. 6) side of the cup 112. In FIG. The rail 120 is formed, for example, from the outside of the Y-direction negative direction (left direction in FIG. 6) side of the cup 112 to the outside of the Y-direction positive direction (right direction in FIG. 6) side. An arm 121 is attached to the rail 120 .

암(121)에는, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 레지스트액을 웨이퍼(W) 상에 공급하는 도포 노즐(122)이 지지되어 있다. 암(121)은, 도 6에 나타내는 노즐 구동부(123)에 의해, 레일(120) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 도포 노즐(122)은, 컵(112)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(124)로부터 컵(112) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W) 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 암(121)은, 노즐 구동부(123)에 의해 승강 가능하며, 도포 노즐(122)의 높이를 조절할 수 있다. 도포 노즐(122)은, 당해 도포 노즐(122)에 레지스트액을 공급하는 공급부(도시하지 않음)가 접속되어 있다.As shown in FIGS. 5 and 6 , the arm 121 supports a coating nozzle 122 for supplying a resist solution onto the wafer W. As shown in FIGS. The arm 121 is movable on the rail 120 by the nozzle drive part 123 shown in FIG. Thereby, the application nozzle 122 can move from the standby part 124 provided outside on the positive Y-direction side of the cup 112 to the upper part of the center of the wafer W in the cup 112, and the wafer ( W) The phase can be moved in the radial direction of the wafer (W). In addition, the arm 121 can be raised and lowered by the nozzle driving unit 123 , and the height of the application nozzle 122 can be adjusted. The application nozzle 122 is connected to a supply unit (not shown) for supplying a resist solution to the application nozzle 122 .

또한 현상 처리 장치(30)의 구성은, 상술한 레지스트 도포 장치(31)의 구성과 동일하다. 단, 현상 처리 장치(30) 등과 레지스트 도포 장치(31)에서는 도포 노즐로부터 공급되는 처리액은 상이하다.In addition, the structure of the developing processing apparatus 30 is the same as that of the resist coating apparatus 31 mentioned above. However, the processing liquid supplied from the application nozzle is different in the developing processing apparatus 30 etc. and the resist coating apparatus 31 .

<레지스트 도포 처리><Resist coating process>

여기서, 레지스트 도포 장치(31)에 있어서의 레지스트막 형성 처리의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 처리는, 제어부(6)의 제어 하에서 행해진다.Here, an example of the resist film formation process in the resist coating apparatus 31 is demonstrated. In addition, the following processes are performed under the control of the control part 6 .

먼저, 스핀 척(110)이, 반송 장치(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 위치로 상승된다. 이어서, 웨이퍼(W)를 유지한 반송 장치(70)의 반송 암(70a)이, 처리 용기(100) 내에 삽입되고, 스핀 척(110)의 상방의 전달 개시 위치로 이동된다. 이어서, 반송 암(70a)이 전달 완료 위치까지 하강되어, 웨이퍼(W)가 반송 암(70a)으로부터 스핀 척(110)으로 전달된다. 또한, 상기 전달 완료 위치는, 후술하는 포크의 위치 조정 처리 시에 조정되는 기준 높이 위치에 기초하여 정해지고, 기준 높이 위치로부터, 하방으로 정해진 거리 이간되어 있다. 이 후, 반송 암(70a)이 처리 용기(100) 내로부터 빼내지고, 또한 스핀 척(110)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착 및 스핀 척(110)의 처리 위치까지의 하강이 행해진다.First, the spin chuck 110 is raised to a transfer position for transferring the wafer W to and from the transfer device 70 . Next, the transfer arm 70a of the transfer apparatus 70 holding the wafer W is inserted into the processing chamber 100 and moved to the upper transfer start position of the spin chuck 110 . Then, the transfer arm 70a is lowered to the transfer completion position, and the wafer W is transferred from the transfer arm 70a to the spin chuck 110 . In addition, the said delivery completion position is determined based on the reference height position adjusted at the time of the position adjustment process of the fork mentioned later, and is spaced apart by the predetermined distance downward from the reference height position. Thereafter, the transfer arm 70a is removed from the processing container 100 , and the wafer W is adsorbed by the spin chuck 110 and lowered to the processing position of the spin chuck 110 .

이어서, 도포 노즐(122)이, 토출을 행하는 처리 위치(예를 들면, 웨이퍼(W)의 중심의 상방의 위치)로 이동된다. 이어서, 스핀 척(110)이 회전되고, 이에 의해 웨이퍼(W)가 회전되고, 이 회전 중에, 도포 노즐(122)로부터 레지스트액이 웨이퍼(W)에 연속적으로 토출된다. 토출된 레지스트액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W) 전면에 확산된다.Next, the application nozzle 122 is moved to a discharge processing position (eg, a position above the center of the wafer W). Then, the spin chuck 110 is rotated, whereby the wafer W is rotated, and during this rotation, the resist liquid is continuously discharged from the application nozzle 122 to the wafer W. The discharged resist liquid is diffused over the entire surface of the wafer W by rotation of the wafer W.

이 후, 레지스트액의 토출이 정지되고, 도포 노즐(122)이 대기부(124)로 퇴피된다. 또한, 스핀 척(110)의 회전은 계속되고, 즉, 웨이퍼(W)의 회전은 계속되고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액의 건조가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다.After this, discharge of the resist liquid is stopped, and the application nozzle 122 is evacuated to the standby portion 124 . Further, the rotation of the spin chuck 110 is continued, that is, the rotation of the wafer W is continued, and the resist liquid on the wafer W is dried. Thereby, a resist film is formed on the wafer W.

이 후, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)가, 처리 용기(100)로의 반입 순서와 반대의 순서로, 처리 용기(100)로부터 반출된다. 이에 의해 일련의 레지스트막 형성 처리가 완료된다.Thereafter, the wafer W on which the resist film is formed is unloaded from the processing container 100 in a procedure opposite to that of loading into the processing container 100 . This completes a series of resist film forming processes.

<열 처리 장치(40)><Heat processing unit 40>

이어서, 열 처리 장치(40)의 구성에 대하여 설명한다. 도 7 및 도 8은 각각, 열 처리 장치(40)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도 및 횡단면도이다.Next, the structure of the heat processing apparatus 40 is demonstrated. 7 and 8 are a longitudinal cross-sectional view and a cross-sectional view respectively showing the outline of the structure of the heat processing apparatus 40. As shown in FIG.

예를 들면 열 처리 장치(40)는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 하우징(130) 내에, 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열부(131)와, 웨이퍼(W)를 냉각 처리하는 냉각부(132)를 구비하고 있다. 하우징(130)의 냉각부(132) 근방의 측면에는, 웨이퍼(W)를 반입반출하기 위한 반입반출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다.For example, as shown in FIG. 7 , the heat treatment apparatus 40 includes a heating unit 131 for heating the wafer W and a cooling unit for cooling the wafer W in the housing 130 , as shown in FIG. 7 . 132) are provided. A carry-in/out port (not shown) for carrying in and out of the wafer W is formed on a side surface of the housing 130 in the vicinity of the cooling unit 132 .

가열부(131)는, 상측에 위치하여 상하동 가능한 덮개체(140)와, 하측에 위치하여 그 덮개체(140)와 일체가 되어 처리실(S)을 형성하는 열판 수용부(141)를 구비하고 있다.The heating unit 131 includes a cover body 140 positioned on the upper side and movable vertically, and a hot plate receiving unit 141 positioned on the lower side and integral with the cover body 140 to form a processing chamber (S). have.

덮개체(140)는, 하면이 개구된 대략 통 형상을 가지고, 후술하는 열판(142) 상에 배치된 웨이퍼(W)의 피처리면인 상면을 덮는다. 덮개체(140)의 상면 중앙부에는, 배기부(140a)가 마련되어 있다. 처리실(S) 내의 분위기는, 배기부(140a)로부터 배기된다.The cover body 140 has a substantially cylindrical shape with an open lower surface, and covers an upper surface, which is a to-be-processed surface, of a wafer W disposed on a hot plate 142 to be described later. An exhaust portion 140a is provided in the central portion of the upper surface of the cover body 140 . The atmosphere in the processing chamber S is exhausted from the exhaust unit 140a.

열판 수용부(141)의 중앙에는, 웨이퍼(W)가 배치되고, 이 배치된 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(142)이 마련되어 있다. 열판(142)은, 두께가 있는 대략 원반 형상을 가지고 있고, 열판(142)의 상면 즉 웨이퍼(W)의 탑재면을 가열하는 히터(150)가 그 내부에 마련되어 있다. 히터(150)로서는, 예를 들면 전기 히터가 이용된다.A wafer W is placed in the center of the hot plate accommodating portion 141 , and a hot plate 142 for heating the placed wafer W is provided. The hot plate 142 has a substantially disk shape with a thickness, and a heater 150 for heating the upper surface of the hot plate 142 , that is, the mounting surface of the wafer W, is provided therein. As the heater 150, an electric heater is used, for example.

열판 수용부(141)에는, 열판(142)을 두께 방향으로 관통하는 승강 핀(151)이 마련되어 있다. 승강 핀(151)은, 승강 구동 기구(152)에 접속되어 있다. 승강 구동 기구(152)는, 실린더 등의 승강 구동원이 마련되어 있고, 승강 구동 기구(152)에 의해, 승강 핀(151)은, 상하동 가능하다. 승강 핀(151)은, 상하동함으로써, 열판(142)의 상면으로 돌출되어 후술하는 냉각판(170)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 승강 구동 기구(152)는 제어부(6)에 의해 제어된다.In the hot plate accommodating part 141 , a lifting pin 151 penetrating the hot plate 142 in the thickness direction is provided. The lift pin 151 is connected to the lift drive mechanism 152 . The lift drive mechanism 152 is provided with a lift drive source, such as a cylinder, and the lift pin 151 is vertically movable by the lift drive mechanism 152 . The lifting fins 151 protrude from the upper surface of the hot plate 142 by vertically moving, so that the wafer W can be transferred to and from the cooling plate 170 to be described later. The lift drive mechanism 152 is controlled by the control unit 6 .

열판 수용부(141)는, 예를 들면 열판(142)을 수용하여 열판(142)의 외주부를 유지하는 환상의 유지 부재(160)와, 그 유지 부재(160)의 외주를 둘러싸는 대략 통 형상의 서포트 링(161)을 가지고 있다.The hot plate accommodating part 141 includes, for example, an annular holding member 160 that receives the hot plate 142 and holds the outer periphery of the hot plate 142 , and a substantially cylindrical shape surrounding the outer periphery of the holding member 160 . has a support ring 161 of

가열부(131)에 인접하는 냉각부(132)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 배치하여 냉각하는 냉각판(170)이 마련되어 있다. 냉각판(170)은, 예를 들면 도 8에 나타내는 바와 같이 대략 방형의 평판 형상을 가지고, 가열부(131)측의 단면이 원호 형상으로 만곡해 있다. 냉각판(170)의 내부에는, 예를 들면 펠티에 소자 등의 도시하지 않는 냉각 부재가 내장되어 있어, 냉각판(170)을 정해진 설정 온도로 조정할 수 있다.The cooling unit 132 adjacent to the heating unit 131 is provided with, for example, a cooling plate 170 on which the wafer W is disposed and cooled. The cooling plate 170 has a substantially rectangular flat plate shape, for example, as shown in FIG. 8, and the cross section on the side of the heating part 131 is curved in arc shape. A cooling member (not shown) such as a Peltier element is built inside the cooling plate 170 , and the cooling plate 170 can be adjusted to a predetermined set temperature.

냉각판(170)은, 예를 들면 도 7에 나타내는 바와 같이 지지 암(171)에 지지되고, 그 지지 암(171)은, 가열부(131)측의 X 방향을 향해 연신하는 레일(172)에 장착되어 있다. 냉각판(170)은, 지지 암(171)에 장착된 구동 기구(173)에 의해 레일(172) 상을 이동할 수 있다. 이에 의해, 냉각판(170)은, 가열부(131)측의 열판(142)의 상방까지 이동할 수 있다.The cooling plate 170 is supported by the support arm 171 as shown in FIG. 7, for example, The support arm 171 is a rail 172 extending toward the X direction on the side of the heating part 131 side. is mounted on The cooling plate 170 may move on the rail 172 by the drive mechanism 173 mounted on the support arm 171 . Accordingly, the cooling plate 170 can move up to the top of the hot plate 142 on the heating unit 131 side.

냉각판(170)에는, 예를 들면 도 8의 X 방향을 따른 2 개의 슬릿(174)이 형성되어 있다. 슬릿(174)은, 냉각판(170)의 가열부(131)측의 단면으로부터 냉각판(170)의 중앙부 부근까지 형성되어 있다. 이 슬릿(174)에 의해, 가열부(131)측으로 이동한 냉각판(170)과, 열판(142) 상의 승강 핀(151)과의 간섭이 방지된다.In the cooling plate 170, for example, two slits 174 along the X direction in FIG. 8 are formed. The slit 174 is formed from the end face of the cooling plate 170 on the heating part 131 side to the vicinity of the central part of the cooling plate 170 . Interference between the cooling plate 170 moved toward the heating unit 131 and the lifting pins 151 on the hot plate 142 is prevented by the slit 174 .

도 7에 나타내는 바와 같이 냉각부(132) 내에 위치하는 냉각판(170)의 하방에는, 기판 배치부로서의 승강 핀(175)이 마련되어 있다. 승강 핀(175)은, 승강 구동 기구(176)에 접속되어 있다. 승강 구동 기구(176)는, 실린더 등의 승강 구동원이 마련되어 있고, 승강 구동 기구(176)에 의해, 승강 핀(175)은, 상하동 가능하다. 승강 핀(175)은, 상하동함으로써, 냉각판(170)의 하방으로부터 상승하여 슬릿(174)을 통과하고, 냉각판(170)의 상방으로 돌출되어, 예를 들면 전술한 반입반출구로부터 하우징(130)의 내부로 진입하는 반송 장치(70)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 승강 구동 기구(176)는 제어부(6)에 의해 제어된다.7, below the cooling plate 170 located in the cooling part 132, the raising/lowering pin 175 as a board|substrate arrangement|positioning part is provided. The lift pin 175 is connected to the lift drive mechanism 176 . The lift drive mechanism 176 is provided with a lift drive source, such as a cylinder, and the lift pin 175 is vertically movable by the lift drive mechanism 176 . The elevating pin 175 moves vertically, rises from the lower side of the cooling plate 170, passes through the slit 174, protrudes above the cooling plate 170, The wafer W can be transferred between the transfer device 70 entering the interior of the 130 . The lifting drive mechanism 176 is controlled by the control unit 6 .

<열 처리><Heat treatment>

여기서, 열 처리 장치(40)에 있어서의 열 처리의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 처리는, 제어부(6)의 제어 하에서 행해진다.Here, an example of the heat treatment in the heat treatment apparatus 40 is demonstrated. In addition, the following processes are performed under the control of the control part 6 .

먼저, 승강 핀(175)이, 반송 장치(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 위치로 상승된다. 이어서, 웨이퍼(W)를 유지한 반송 장치(70)의 반송 암(70a)이, 하우징(130) 내에 삽입되고, 승강 핀(175)의 상방의 전달 개시 위치로 이동된다. 이어서, 반송 암(70a)이 전달 완료 위치까지 하강되고, 웨이퍼(W)가 반송 암(70a)으로부터 승강 핀(175)으로 전달된다. 이 후, 반송 암(70a)이 하우징(130) 내로부터 빼내지고, 또한 승강 핀(175)의 하강이 행해져, 웨이퍼(W)가 승강 핀(175)으로부터 냉각판(170)으로 전달된다.First, the lifting pins 175 are raised to a transfer position for transferring the wafer W to and from the transfer device 70 . Next, the transfer arm 70a of the transfer device 70 holding the wafer W is inserted into the housing 130 and moved to the transfer start position above the lifting pins 175 . Then, the transfer arm 70a is lowered to the transfer completion position, and the wafer W is transferred from the transfer arm 70a to the lifting pins 175 . Thereafter, the transfer arm 70a is withdrawn from the inside of the housing 130 , and the lifting pins 175 are lowered, so that the wafer W is transferred from the lifting pins 175 to the cooling plate 170 .

이어서 냉각판(170)이 열판(142)의 상방으로 이동된다. 이어서, 승강 핀(151)이 상승하고, 냉각판(170) 상의 웨이퍼(W)가 승강 핀(151)으로 전달된다. 이 후, 냉각판(170)이 열판(142)의 상방으로부터 퇴피하고, 승강 핀(151)이 하강되어, 열판(142) 상으로 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한, 덮개체(140)가 하강하여 처리실(S)이 형성되고, 웨이퍼(W)의 가열 처리가 개시된다.Then, the cooling plate 170 is moved above the hot plate 142 . Subsequently, the lifting fins 151 are raised, and the wafer W on the cooling plate 170 is transferred to the lifting fins 151 . Thereafter, the cooling plate 170 is retracted from above the hot plate 142 , and the lifting pins 151 are lowered to transfer the wafer W onto the hot plate 142 . Further, the lid body 140 is lowered to form the processing chamber S, and the heating process of the wafer W is started.

정해진 시간 웨이퍼(W)의 가열 처리가 행해지면, 덮개체(140)가 상승되고, 또한 승강 핀(151)이 상승되어, 웨이퍼(W)가 열판(142)의 상방으로 이동한다. 또한, 냉각판(170)이 웨이퍼(W)와 열판(142)의 사이의 위치까지 이동된다. 그리고, 승강 핀(151)이 하강되고, 냉각판(170)으로 웨이퍼(W)가 전달된다. 이 후, 냉각판(170)이 냉각부(132)로 이동된다. 냉각판(170)으로 전달된 웨이퍼(W)는, 예를 들면 냉각부(132)에 있어서 실온까지 냉각된 후, 하우징(130)으로의 반입 순서와 반대의 순서로, 하우징(130)으로부터 반출된다. 이에 의해 일련의 열 처리가 완료된다.When the heat treatment of the wafer W is performed for a predetermined time, the lid 140 is raised, and the lifting pins 151 are raised to move the wafer W above the hot plate 142 . Also, the cooling plate 170 is moved to a position between the wafer W and the hot plate 142 . Then, the lifting pins 151 are lowered, and the wafer W is transferred to the cooling plate 170 . After that, the cooling plate 170 is moved to the cooling unit 132 . After the wafer W transferred to the cooling plate 170 is cooled to room temperature in the cooling unit 132 , for example, the wafer W is unloaded from the housing 130 in a reverse order to that of the loading into the housing 130 . do. This completes the series of heat treatments.

<반송 장치(70)><Transfer device 70>

이어서, 반송 장치(70)의 구성에 대하여 설명한다. 도 9는 반송 장치(70)의 측면도이다. 도 10은 반송 암(70a)의 상면도이며, 후술하는 프레임의 도시를 생략하고 있다.Next, the structure of the conveying apparatus 70 is demonstrated. 9 is a side view of the conveying device 70 . 10 : is a top view of the conveyance arm 70a, and illustration of the frame mentioned later is abbreviate|omitted.

반송 장치(70)는, 도 9에 나타내는 바와 같이 반송 영역(D)의 길이 방향인 Y 방향으로 연신하는 가이드(301)를 따라 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(70a)을 가지고 있다.The transfer apparatus 70 has a transfer arm 70a that transfers the wafer W along a guide 301 extending in the Y direction, which is the longitudinal direction of the transfer region D, as shown in FIG. 9 .

반송 암(70a)은, 가이드(301)를 따라 이동하는 프레임(302)과, 이 프레임(302)을 따라 승강하는 승강체(303)와, 이 승강체(303) 상을 회동하는 회동체(304)와, 이 회동체(304) 상을 진퇴하는 기판 유지부로서의 포크(305)를 가진다.The conveying arm 70a includes a frame 302 moving along a guide 301 , an elevating body 303 elevating and lowering along the frame 302 , and a rotating body rotating on the elevating body 303 . It has 304 and the fork 305 as a board|substrate holding part which advances and retreats on this rotating body 304 top.

포크(305)는, 예를 들면 도 10에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)보다 약간 큰 직경의 대략 C자형으로 형성되어 있다. 포크(305)의 내측에는, 내측을 향해 돌출되고, 웨이퍼(W)의 외주부를 지지하는 클로(310)가 복수 개소에 마련되어 있다. 클로(310) 각각에는, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하기 위한 흡착 홀(도시하지 않음)이 마련되어 있다.The fork 305 is formed, for example, in a substantially C-shape with a diameter slightly larger than that of the wafer W, as shown in FIG. 10 . Claws 310 protruding inwardly and supporting the outer periphery of the wafer W are provided at a plurality of places inside the fork 305 . Each of the claws 310 is provided with a suction hole (not shown) for holding the wafer W by suction.

또한, 반송 장치(70)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 암 구동 기구(320)를 가진다. 암 구동 기구(320)는, 승강체(303)의 승강을 위한 구동력을 발생시키는 실린더 등의 구동원(도시하지 않음)을 가진다. 암 구동 기구(320)는, 마찬가지로, 회동체(304)의 회동을 위한 구동력을 발생시키는 모터 등의 구동원(도시하지 않음)과, 포크(305)의 진퇴를 위한 구동력을 발생시키는 모터 등의 구동원(도시하지 않음)을 가진다. 암 구동 기구(320)는 제어부(6)에 의해 제어된다.Moreover, the conveyance apparatus 70 has the arm drive mechanism 320, as shown in FIG. The arm drive mechanism 320 has a drive source (not shown) such as a cylinder that generates a driving force for raising/lowering the lifting body 303 . Similarly, the arm drive mechanism 320 includes a driving source (not shown) such as a motor that generates a driving force for rotating the rotating body 304 and a driving source such as a motor that generates a driving force for moving the fork 305 forward and backward. (not shown). The arm drive mechanism 320 is controlled by the control unit 6 .

또한 반송 장치(70)는, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출하기 위한 검출부(330)를 가진다. 검출부(330)는, 포크(305) 상의 웨이퍼(W)의 엣지를 검출하는 수발광 유닛(331)을 복수 가진다.In addition, the transfer device 70 includes a detection unit 330 for detecting the horizontal position of the wafer W on the fork 305 . The detection unit 330 includes a plurality of light-receiving units 331 that detect the edge of the wafer W on the fork 305 .

각 수발광 유닛(331)은, 수광 센서(332)와 광원(333)을 가진다. 수광 센서(332) 및 광원(333) 중 어느 일방은, 기단측으로 후퇴한 포크(305)의 상방에 배치되고, 타방은 하방에 배치되어 있다. 본 예에서는, 수광 센서(332)가 상방에 배치되어 있다.Each light-receiving unit 331 has a light-receiving sensor 332 and a light source 333 . Any one of the light receiving sensor 332 and the light source 333 is arrange|positioned above the fork 305 which retreated to the base end side, and the other is arrange|positioned below. In this example, the light receiving sensor 332 is disposed above.

수광 센서(332)는 예를 들면 CCD 라인 센서이며, 포크(305)에 지지된 웨이퍼(W)의 엣지를 가로지르도록 마련되어 있다.The light receiving sensor 332 is, for example, a CCD line sensor, and is provided so as to cross the edge of the wafer W supported by the fork 305 .

각 수발광 유닛(331)에 있어서, 광원(333)은, 수광 센서에 대향하도록 마련되어 있다. 각 광원(333)은, 예를 들면, 직선 형상으로 배열된 LED에 의해 구성된다.In each light-receiving unit 331 , the light source 333 is provided so as to face the light-receiving sensor. Each light source 333 is constituted by, for example, LEDs arranged in a straight line.

각 수광 센서(332)와 광원(333)은, 회동체(304)에 대하여 고정되어 있다. 구체적으로, 예를 들면, 수광 센서(332)는, 지지 부재(도시하지 않음)를 개재하여 회동체(304)에 지지되고, 광원(333)은, 회동체(304)의 상면 상에 배치된다. 이 때문에, 포크(305)가 진퇴했을 때에, 수광 센서(332)와 광원(333)은 이동하지 않는다.Each light receiving sensor 332 and the light source 333 are fixed with respect to the rotating body 304 . Specifically, for example, the light receiving sensor 332 is supported by the rotating body 304 via a supporting member (not shown), and the light source 333 is disposed on the upper surface of the rotating body 304 . . For this reason, when the fork 305 advances and retreats, the light receiving sensor 332 and the light source 333 do not move.

수광 센서(332)에 의한 검출 결과는 제어부(6)에 출력된다. 또한, 광원(333)은 제어부(6)에 의해 제어된다.The detection result by the light receiving sensor 332 is output to the control part 6 . In addition, the light source 333 is controlled by the control unit 6 .

<위치 조정 처리의 예 1><Example 1 of position adjustment processing>

이어서, 본 실시 형태에 있어서의, 포크(305)의 기준 높이 위치의 조정 처리의 일례에 대하여, 레지스트 도포 장치(31)의 스핀 척(110)에 대한 기준 높이 위치를 예로 설명한다. 이 기준 높이 위치의 조정 처리는, 예를 들면, 도포 현상 처리 시스템(1)의 기동 시, 또는 메인터넌스 시에 행해진다. 도 11은 포크(305)의 기준 높이 위치의 조정 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 도 12는 상기 조정 처리 중의 반송 암(70a)과 레지스트 도포 장치(31)의 상태를 나타내는 도이며, 조정 처리에 관계되는 부분 이외의 도시를 생략하고 있다. 또한, 이하의 처리는, 제어부(6)의 제어 하에서 행해진다.Next, with respect to an example of the adjustment process of the reference height position of the fork 305 in this embodiment, the reference height position of the resist coating apparatus 31 with respect to the spin chuck 110 is demonstrated as an example. The adjustment process of this reference height position is performed at the time of startup or maintenance of the application|coating and developing processing system 1, for example. 11 : is a flowchart which shows an example of the adjustment process of the reference height position of the fork 305. As shown in FIG. 12 : is a figure which shows the state of the conveyance arm 70a and the resist coating apparatus 31 during the said adjustment process, and illustration other than the part related to an adjustment process is abbreviate|omitted. In addition, the following processes are performed under the control of the control part 6 .

(단계(S1))(Step (S1))

도 11에 나타내는 바와 같이, 먼저, 포크(305)에 의해 웨이퍼(W)가 지지된다. 여기서 이용되는 웨이퍼(W)는, 센서 등이 마련된 지그 웨이퍼가 아닌, 예를 들면 베어 웨이퍼이다.As shown in FIG. 11 , first, the wafer W is supported by the fork 305 . The wafer W used here is not a jig wafer provided with a sensor or the like, but is, for example, a bare wafer.

(단계(S2))(Step (S2))

이어서, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 스핀 척(110)의 상방까지 이동된다.Next, the fork 305 supporting the wafer W is moved upwards of the spin chuck 110 .

(단계(S2a))(Step (S2a))

구체적으로, 먼저, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305) 상에 있어서의 당해 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출부(330)에 의해 검출된다.Specifically, first, the horizontal position of the wafer W on the fork 305 supporting the wafer W is detected by the detection unit 330 .

보다 구체적으로, 예를 들면, 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가 기단측으로 후퇴되어 처리 용기(100) 밖에 위치한 상태에서, 광원(333)으로부터의 발광이 행해져, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가, 수광 센서(332)에 의한 수광 결과에 기초하여, 제어부(6)에 의해 산출 즉 검출된다.More specifically, for example, as shown in FIG. 12A , in a state in which the fork 305 supporting the wafer W is retracted to the proximal end and located outside the processing vessel 100 , the light source 333 is emitted, and the horizontal position of the wafer W on the fork 305 is calculated or detected by the control unit 6 based on the light reception result by the light receiving sensor 332 .

(단계(S2b))(Step (S2b))

검출 후, 예를 들면, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 전달 위치까지 상승된 스핀 척(110)의 상방까지 수평으로 이동된다.After detection, for example, the fork 305 holding the wafer W is moved horizontally to the upper side of the spin chuck 110 raised to the transfer position.

보다 구체적으로, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 삽입 높이 위치까지 상승된 후, 수평으로 전진되고, 이에 의해, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(100) 내에 삽입되어, 상기 스핀 척(110)의 상방까지 이동된다.More specifically, after the fork 305 supporting the wafer W is raised to the insertion height position, it is advanced horizontally, and thereby, as shown in FIG. 12B , in the processing container 100 . It is inserted and moved up to the upper side of the spin chuck 110 .

(단계(S3))(Step (S3))

단계(S2)에 이어, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 현재 설정 중인 기준 높이 위치까지 하강된다.Following step S2, the fork 305 supporting the wafer W is lowered to the currently set reference height position.

구체적으로, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 도 12의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흡착하지 않는 상태에서, 현재 설정 중인 기준 높이까지 하강된다.Specifically, as shown in FIG. 12C , the fork 305 supporting the wafer W is lowered to the currently set reference height in a state in which the wafer W is not adsorbed.

후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 위치 조정 처리에서는, 단계(S3)를 포함하는 단계(S2 ~ S5)가 반복하여 행해질 수 있다. 도포 현상 처리 시스템(1)의 기동 시에 있어서의 첫 회의 단계(S3)에서는, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 초기 설정의 기준 높이 위치까지 하강된다.As will be described later, in the position adjustment processing according to the present embodiment, steps S2 to S5 including step S3 may be repeatedly performed. In the first step S3 when the coating and developing processing system 1 is started, the fork 305 supporting the wafer W is lowered to a reference height position of an initial setting.

현재 설정 중인 기준 높이가 충분히 낮으면, 본 단계(S3)의 종료 후, 웨이퍼(W)가, 포크(305)로부터 스핀 척(110)으로 전달되어 배치되지만, 충분히 낮지 않은 경우, 웨이퍼(W)는, 포크(305)에 지지된 채가 된다.If the currently set reference height is sufficiently low, after the end of this step S3, the wafer W is transferred from the fork 305 to the spin chuck 110 and disposed, but if it is not low enough, the wafer W is supported by the fork 305 .

또한, 이 단계(S3)에 있어서의 포크(305)의 하강은, 예를 들면, 레지스트막 형성 처리 시의 포크(305)의 하강 속도보다 저속으로 행해진다.In addition, the lowering of the fork 305 in this step S3 is performed at a lower speed than the lowering speed of the fork 305 in the resist film forming process, for example.

또한, 초기 설정의 기준 높이 위치는, 예를 들면 기준 높이 위치의 설계값보다 높은 위치로 설정된다.In addition, the reference height position of an initial setting is set to the position higher than the design value of the reference height position, for example.

(단계(S4))(Step (S4))

단계(S3)에 이어, 포크(305)가, 검출부(330)까지 이동되고, 포크(305) 상의 웨이퍼(W)가 검출부(330)에 의해 검출된다.Following step S3 , the fork 305 is moved to the detection unit 330 , and the wafer W on the fork 305 is detected by the detection unit 330 .

(단계(S4a))(Step (S4a))

구체적으로, 먼저, 포크(305)가, 도 12의 (d)에 나타내는 바와 같이, 상기 현재 설정 중인 기준 높이 위치에서 수평으로, 정해진 거리(L)(예를 들면 1 mm) 전진 또는 후퇴 된다.Specifically, first, as shown in FIG. 12( d ), the fork 305 moves forward or backward by a predetermined distance L (eg, 1 mm) horizontally from the currently set reference height position.

여기서는, 포크(305)가 전진된 것으로 한다. 또한, 상기 정해진 거리(L)는, 후술하는 단계(S4b)에서, 웨이퍼(W)를 지지하고 있지 않았던 포크(305)가 상승되었을 때에, 웨이퍼(W)가, 스핀 척(110)으로부터 당해 포크(305)로 적절하게 전달되도록, 미소한 값이 설정된다.Here, it is assumed that the fork 305 is advanced. In addition, the predetermined distance L is determined so that the wafer W moves from the spin chuck 110 when the fork 305 that does not support the wafer W is raised in step S4b to be described later. A small value is set so that it is properly passed to (305).

(단계(S4b))(Step (S4b))

이어서, 포크(305)가, 스핀 척(110)의 상방까지 상승된다.Next, the fork 305 is raised to the upper side of the spin chuck 110 .

예를 들면, 포크(305)가, 예를 들면 전술한 삽입 높이 위치까지 상승된다.For example, the fork 305 is raised to, for example, the aforementioned insertion height position.

이에 의해, 단계(S3)에 있어서 현재 설정 중인 기준 높이 위치가 충분히 낮아, 웨이퍼(W)가 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되어 있었을 경우, 포크(305)에 웨이퍼(W)가 되돌려져, 재지지된다. 이와 같이 되돌려지는 경우, 단계(S4a)에서 포크(305)의 수평 이동이 행해지기 때문에, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는, 포크(305)로 되돌려지기 전과 후에서, 즉, 단계(S4)의 전과 단계(S4b)의 후에서 변화한다.As a result, when the currently set reference height position in step S3 is sufficiently low and the wafer W is placed on the spin chuck 110 from the fork 305 , the wafer W is placed on the fork 305 . turned back and re-supported. In the case of returning in this way, since the fork 305 is moved horizontally in step S4a, the horizontal position of the wafer W on the fork 305 is the same as before returning to the fork 305 . after, that is, before step S4 and after step S4b.

한편, 단계(S3)에 있어서 현재 설정 중인 기준 높이가 높아, 웨이퍼(W)가 포크(305)로부터 스핀 척(110)으로 전달되어 있지 않았을 경우, 단계(S4)에 있어서, 웨이퍼(W)가 포크(305)에 계속 지지되고, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치는, 단계(S4)의 전과 단계(S4b)의 후에서 변화하지 않는다.On the other hand, when the reference height currently being set is high in step S3 and the wafer W has not been transferred from the fork 305 to the spin chuck 110, in step S4, the wafer W is It is continuously supported by the fork 305 and the horizontal position of the wafer W on the fork 305 does not change before step S4 and after step S4b.

(단계(S4c))(Step (S4c))

이어서, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305) 상에 있어서의 당해 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가 검출부(330)에 의해 검출된다.Next, the horizontal position of the wafer W on the fork 305 supporting the wafer W is detected by the detection unit 330 .

보다 구체적으로, 예를 들면, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가 기단측으로 후퇴되어 처리 용기(100) 밖으로 이동되고, 이 후, 광원(333)으로부터의 발광이 행해져, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치가, 수광 센서(332)에 의한 수광 결과에 기초하여, 제어부(6)에 의해 산출 즉 검출된다.More specifically, for example, the fork 305 supporting the wafer W is retracted to the base end side and moved out of the processing vessel 100 , and then, light is emitted from the light source 333 , and the fork 305 . The horizontal position of the wafer W on the image is calculated, ie, detected, by the control unit 6 based on the light reception result by the light receiving sensor 332 .

(단계(S5))(Step (S5))

단계(S4)에 이어, 단계(S4)에 의한 검출 결과에 기초하여, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되었는지 여부가, 제어부(6)에 의해 판정된다.Following step S4, based on the detection result by step S4, whether the wafer W has been placed on the spin chuck 110 from the fork 305 in step S3 is determined by the control unit 6 judged by

구체적으로, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치의, 단계(S2a)에서의 검출 결과와 단계(S4c)에서의 검출 결과에 기초하여, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되었는지 여부가, 제어부(6)에 의해 판정된다.Specifically, based on the detection result in step S2a and the detection result in step S4c of the horizontal position of the wafer W on the fork 305, in step S3, the wafer ( Whether or not W) is disposed on the spin chuck 110 from the fork 305 is determined by the control unit 6 .

보다 구체적으로, 예를 들면, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치의, 단계(S2a)에서의 검출 결과(Amm)와, 단계(S4c)에서의 검출 결과(Bmm)와의 차분(A - B)이 임계치(S4b에서 L = 1 mm의 경우, 예를 들면 0.1 mm) 미만인지 여부에 기초하여, 판정된다. 임계치 미만인 경우, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있지 않다고 판정되고, 임계치 이상인 경우, 배치되어 있다고 판정된다.More specifically, for example, the detection result Amm in step S2a and the detection result Bmm in step S4c of the position in the horizontal direction of the wafer W on the fork 305 . ) is determined based on whether the difference A - B is less than the threshold value (0.1 mm, for example, in the case of L = 1 mm in S4b). If it is less than the threshold, it is determined in step S3 that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 , and if it is equal to or greater than the threshold, it is determined that it is placed.

(단계(S6))(Step (S6))

그리고, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있지 않다고 판정된 경우(단계(S5), No의 경우), 제어부(6)에 의해, 기준 높이 위치가 정해진 거리(H)(예를 들면 2 mm) 하방으로 수정된다.Then, when it is determined in step S3 that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 (in the case of step S5 or No), the control unit 6 determines the distance ( H) (eg 2 mm) is corrected downward.

상술한 바와 같은 수정 후, 단계(S2 ~ S5)가 재차 행해진다.After the correction as described above, steps S2 to S5 are performed again.

재차 행한 결과, 단계(S5)에 있어서, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있지 않다고 다시 판정된 경우, 제어부(6)에 의해, 기준 높이 위치가 더 정해진 거리(H)(예를 들면 2 mm) 하방으로 수정된다.As a result of the re-execution, when it is determined again in step S3 that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 in step S5, the distance at which the reference height position is further determined by the control unit 6 (H) (eg 2 mm) is corrected downward.

즉, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되었다고 단계(S5)에 있어서 판정될 때까지, 단계(S2 ~ S5)가 반복하여 행해지고, 행할 때마다 기준 높이 위치가 정해진 거리(H) 하방으로 수정된다.That is, until it is determined in step S5 that the wafer W has been placed on the spin chuck 110 in step S3, steps S2 to S5 are repeatedly performed, each time the reference height position is determined. The distance (H) is corrected downward.

또한, 단계(S2 ~ S5)를 반복하여 행하는 경우, 2 회째 이후는, 단계(S2a)를 생략하고, 단계(S5)에 있어서, 이하와 같이 해도 된다. 즉, 직전의 단계(S4)에 있어서의 검출부(330)에서의 검출 결과(B)와, 1 회 전의 단계(S4)에 있어서의 검출부(330)에서의 검출 결과(B′)에 기초하여, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되었는지 여부가 판정되도록 해도 된다.In addition, when performing repeatedly step S2 - S5, after the 2nd time, step S2a is abbreviate|omitted, and in step S5, it is good also as follows. That is, based on the detection result B by the detection unit 330 in the immediately preceding step S4 and the detection result B′ by the detection unit 330 in the previous step S4, It may be determined whether the wafer W has been placed on the spin chuck 110 from the fork 305 in step S3.

구체적으로, n(n은 2 이상의 자연수) 회째의 단계(S5)에 있어서는, n 회째의 단계(S4)에 있어서의 검출부(330)에서의 검출 결과(B)와, n-1 회 전에 있어서의 단계(S4)에 있어서의 검출부(330)에서의 검출 결과(B′)와의 차가, 임계치 미만인지 여부에 기초하여, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 배치되었는지 여부가 판정되어도 된다.Specifically, in step S5 of the nth (n is a natural number equal to or greater than 2), the detection result B by the detection unit 330 in the nth step S4, and the result of n-1 times before Based on whether or not the difference with the detection result B' by the detection unit 330 in step S4 is less than a threshold, it may be determined in step S3 whether the wafer W is placed.

단계(S5)에 있어서, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있다고 판정된 경우(YES의 경우), 현재 설정 중인 기준 높이 위치가 실제의 기준 높이 위치로서 설정되고, 또는, 후술하는 엄밀 조정 처리가 행해진다. 또한, 이하에서는, 도 11을 이용하여 설명한 기준 높이 위치의 조정 처리를 거친 조정 처리라고 한다.In step S5, when it is determined in step S3 that the wafer W is placed on the spin chuck 110 (YES), the currently set reference height position is set as the actual reference height position, and , or a strict adjustment process described later is performed. In addition, below, it is called the adjustment process which passed the adjustment process of the reference height position demonstrated using FIG.

<엄밀 조정 처리의 예><Example of strict adjustment processing>

도 13은 엄밀 조정 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 본 처리도, 제어부(6)의 제어 하에서 행해진다.13 is a flowchart showing an example of strict adjustment processing. This process is also performed under the control of the control part 6 .

(단계(S11))(Step (S11))

엄밀 조정 처리에서는, 먼저, 제어부(6)에 의해, 현재 설정 중인 기준 높이 위치가 상술한 정해진 거리(H)보다 짧은 거리 상방으로 수정된다.In strict adjustment processing, first, the reference height position currently being set is corrected by the control part 6 to the upper distance shorter than the predetermined distance H mentioned above.

정해진 거리(H)보다 짧은 거리란, 예를 들면 정해진 거리(H)의 1/2, 즉 H/2이다.The distance shorter than the predetermined distance H is, for example, 1/2 of the predetermined distance H, that is, H/2.

(단계(S12))(Step (S12))

그런 다음, 단계(S2 ~ S5)가 재차 차례로 행해진다. 또한, 이 때, 포크(305)가, 단계(S4a)에 있어서 기준 높이 위치에서 수평 방향으로 이동될 시, 거친 조정 처리와는 반대측(역측)으로 이동되어도 된다. 이에 의해, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 어긋남이 축적되는 것을 방지할 수 있어, 이 어긋남의 축적을 기인으로 한 문제(예를 들면 웨이퍼(W)의 포크(305) 상으로부터의 낙하 등)를 방지할 수 있다.Then, steps S2 to S5 are performed in sequence again. Also, at this time, when the fork 305 is moved horizontally from the reference height position in step S4a, it may be moved to the opposite side (reverse side) to the coarse adjustment process. Thereby, it is possible to prevent accumulation of deviation in the horizontal direction of the wafer W on the fork 305 , and a problem due to accumulation of this deviation (for example, the fork 305 of the wafer W) can be prevented. ) from falling from the top, etc.) can be prevented.

(단계(S13))(Step (S13))

재차 차례로 행해진 단계(S2 ~ S5) 중 단계(S5)에 있어서 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되었다고 판정된 경우, 제어부(6)에 의해, 현재 설정 중인 기준 높이 위치가, 상술한 짧은 거리 보다 더 짧은 거리, 상방으로 수정된다.When it is determined in step S3 that the wafer W is placed on the spin chuck 110 in step S5 among steps S2 to S5 performed again in sequence, the control unit 6 controls the reference height currently being set. The position is corrected upward, a shorter distance than the short distance described above.

상기 더 짧은 거리란, 예를 들면 정해진 거리(H)의 1/4, 즉 H/4이다.The shorter distance is, for example, 1/4 of the predetermined distance H, that is, H/4.

(단계(S14))(Step (S14))

또한, 재차 차례로 행해진 단계(S2 ~ S5) 중 단계(S5)에 있어서, 단계(S3)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되었다고 판정되지 않았던 경우, 제어부(6)에 의해, 현재 설정 중인 기준 높이 위치가, 상술한 짧은 거리 보다 더 짧은 거리, 하방으로 수정된다.In addition, if it is not determined in step S3 that the wafer W has been placed on the spin chuck 110 in step S5 among steps S2 to S5 performed again in sequence, the control unit 6 determines the present The reference height position being set is corrected downward by a distance shorter than the above-described short distance.

(단계(S15))(Step (S15))

단계(S13) 또는 단계(S14) 후, 단계(S2 ~ S5)가 재차 차례로 행해진다.After step S13 or step S14, steps S2 to S5 are performed in sequence again.

이후, 단계(S13) 및 단계(S14)와 같은 아주 가까운 단계(S5)에 있어서의 판정 결과에 기초하는, 현재 설정 중인 기준 높이 위치의 수정과, 단계(S15)와 같은 단계(S2 ~ S5)의 재실시가, 정해진 조건을 충족할 때까지 반복된다. 이 때, 기준 높이 위치의 수정량은 서서히 작게 된다.Thereafter, based on the determination result in a very close step S5 such as steps S13 and S14, correction of the reference height position currently being set, and steps S2 to S5 similar to step S15 is repeated until a predetermined condition is satisfied. At this time, the correction amount of the reference height position gradually becomes small.

즉, 단계(S5)에 있어서 단계(S3)에서 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되었다고 처음으로 판정된 후에는,That is, after it is first determined in step S5 that it is disposed on the spin chuck 110 from the fork 305 in step S3,

마지막에 행해진 단계(S5)에 있어서 단계(S3)에서 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되었다고 판정되었을 때에는, 현재 설정 중인 기준 높이 위치를 상방으로 수정한 다음, 단계(S2 ~ S5)가 재차 차례로 행해지고,When it is determined that the fork 305 is disposed on the spin chuck 110 from the fork 305 in step S3 in the last step S5, the currently set reference height position is corrected upward, and then steps S2 to S5. is done again in turn,

마지막에 행해진 단계(S5)에 있어서 단계(S3)에서 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되어 있지 않다고 판정되었을 때에는, 현재 설정 중인 기준 높이 위치를 하방으로 수정한 다음, 단계(S2 ~ S5)가 재차 차례로 행해지는 것이,When it is determined in step S3 that the fork 305 is not disposed on the spin chuck 110 in the last performed step S5, the currently set reference height position is corrected downward, and then steps S2 to S5) is performed in sequence again,

기준 높이 위치의 수정량이 서서히 작게 되면서, 정해진 조건을 충족할 때까지 반복된다.As the correction amount of the reference height position gradually decreases, it is repeated until a predetermined condition is satisfied.

예를 들면, 수정량은 수정 때마다 반감된다.For example, the correction amount is halved with each correction.

또한, 상기 정해진 조건이란, 예를 들면, 기준 높이 위치의 정밀도가 원하는 범위가 된다고 하는 조건, 즉, 현재 설정 중인 기준 높이 위치의 점차적인 수정과 단계(S2 ~ S5)의 재실시의 반복 횟수가 미리 정해진 횟수가 된다고 하는 조건이다.In addition, the predetermined condition is, for example, the condition that the precision of the reference height position is within the desired range, that is, the number of repetitions of the gradual correction of the currently set reference height position and the re-implementation of steps S2 to S5. It is a condition that a predetermined number of times is reached.

또한, 단계(S15)에 있어서 단계(S4a)를 재실시할 시에, 포크(305)가, 전회의 단계(S4a)의 때와 반대측으로 수평으로 이동되어도 된다. 전술한 바와 같이, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 어긋남이 축적되는 것을 방지하기 위함이다. 예를 들면, 현재 설정 중인 기준 높이 위치를 하방으로 수정한 후의 단계(S4a)에서는, 포크(305)가 수평으로 전진되고, 현재 설정 중인 기준 높이 위치를 하방으로 수정한 후의 단계(S4a)에서는, 포크(305)가 수평으로 후퇴되도록 해도 된다.In addition, when step S4a is re-executed in step S15, the fork 305 may be horizontally moved to the opposite side to that of the previous step S4a. As described above, this is to prevent the horizontal displacement of the wafer W on the fork 305 from accumulating. For example, in the step S4a after correcting the currently set reference height position downward, the fork 305 is moved horizontally, and in the step S4a after correcting the currently set reference height position downward, The fork 305 may be horizontally retracted.

<거친 조정 처리의 예 2><Example 2 of coarse adjustment processing>

도 14는 포크(305)의 기준 높이 위치의 거친 조정 처리의, 다른 예를 나타내는 순서도이다. 또한, 본 처리도, 제어부(6)의 제어 하에서 행해진다.14 is a flowchart showing another example of coarse adjustment processing of the reference height position of the fork 305 . In addition, this process is also performed under the control of the control part 6 .

(단계(S1))(Step (S1))

도시하는 바와 같이, 본 예에 있어서도, 상기 거친 조정 처리의 예 1과 마찬가지로, 먼저, 포크(305)에 의해 웨이퍼(W)가 지지된다.As shown, also in this example, as in Example 1 of the coarse adjustment process, first, the wafer W is supported by the fork 305 .

(단계(S2′))(Step (S2′))

이어서, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 스핀 척(110)의 상방까지 이동된다.Next, the fork 305 supporting the wafer W is moved upwards of the spin chuck 110 .

(단계(S2b))(Step (S2b))

단, 본 예에서는, 상기 거친 조정 처리의 예 1과 달리, 단계(S2a)가 행해지지 않고 생략되고, 단계(S2b)가 행해진다. 즉, 예를 들면, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 전달 위치까지 상승된 스핀 척(110)의 상방까지 수평으로 이동된다.However, in this example, unlike Example 1 of the coarse adjustment process, step S2a is not performed and is omitted, and step S2b is performed. That is, for example, the fork 305 supporting the wafer W is horizontally moved upwards of the spin chuck 110 raised to the transfer position.

(단계(S3′))(Step (S3′))

이어서, 상기 거친 조정 처리의 예 1의 단계(S3)와 마찬가지로, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)가, 현재 설정 중인 기준 높이 위치까지 하강된다.Next, similarly to step S3 of Example 1 of the coarse adjustment process, the fork 305 supporting the wafer W is lowered to the currently set reference height position.

현재 설정 중인 기준 높이가 충분히 낮으면, 본 단계(S3)의 종료 후, 웨이퍼(W)가, 포크(305)로부터 스핀 척(110)으로 전달되어 배치되지만, 충분히 낮지 않은 경우, 웨이퍼(W)는, 포크(305)에 지지된 채가 된다.If the currently set reference height is sufficiently low, after the end of this step S3, the wafer W is transferred from the fork 305 to the spin chuck 110 and disposed, but if it is not low enough, the wafer W is supported by the fork 305 .

(단계(S4′))(Step (S4′))

이어서, 포크(305)가, 검출부(330)까지 이동되어, 포크(305) 상의 웨이퍼(W)가 검출부(330)에 의해 검출된다.Then, the fork 305 is moved to the detection unit 330 , and the wafer W on the fork 305 is detected by the detection unit 330 .

(단계(S4c′))(Step (S4c′))

구체적으로, 상기 예 1과 달리, 단계(S4a) 및 단계(S4b)가 행해지지 않고 생략되고, 먼저, 포크(305)가, 상기 현재 설정 중인 기준 높이 위치에서 수평으로 후퇴된 후, 처리 용기(100) 밖으로 이동되고, 이 후, 광원(333)으로부터의 발광이 행해져, 포크(305) 상의 웨이퍼(W)의 유무가, 수광 센서(332)에 의한 수광 결과에 기초하여, 제어부(6)에 의해 판정 즉 검출된다.Specifically, unlike Example 1 above, steps S4a and S4b are not performed and are omitted, first, the fork 305 is horizontally retracted from the currently set reference height position, and then the processing container ( 100) is moved outward, and thereafter, light is emitted from the light source 333, and the presence or absence of the wafer W on the fork 305 is determined by the control unit 6 based on the light reception result by the light receiving sensor 332. It is determined, i.e., detected by

(단계(S5′))(Step (S5′))

단계(S4′)에 이어, 단계(S4′)에 의한 검출 결과에 기초하여, 단계(S3′)에서 웨이퍼(W)가 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되었는지 여부가, 제어부(6)에 의해 판정 즉 검출된다.Following step S4', based on the detection result by step S4', in step S3', whether the wafer W has been placed on the spin chuck 110 from the fork 305 is determined by the control unit ( 6) is judged, i.e., detected.

구체적으로, 단계(S4c)에 있어서 포크(305) 상에 웨이퍼(W)가 있다고 판정된 경우, 단계(S3′)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있지 않다고 판정되고, 단계(S4c)에 있어서 웨이퍼(W)가 없다고 판정된 경우, 단계(S3′)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있다고 판정된다.Specifically, when it is determined in step S4c that the wafer W is on the fork 305, it is determined in step S3' that the wafer W is not placed on the spin chuck 110, If it is determined in step S4c that there is no wafer W, it is determined in step S3' that the wafer W is placed on the spin chuck 110.

(단계(S6))(Step (S6))

그리고, 단계(S3′)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있지 않다고 판정된 경우(단계(S5′), No의 경우), 제어부(6)에 의해, 기준 높이 위치가 정해진 거리(H)(예를 들면 2 mm) 하방으로 수정된다.Then, when it is determined in step S3' that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 (step S5', in the case of No), the control unit 6 determines the reference height position. The distance H (eg 2 mm) is corrected downward.

상술한 바와 같은 수정 후, 단계(S2′ ~ S5′)가 재차 행해진다.After the correction as described above, steps S2' to S5' are performed again.

단계(S5′)에 있어서, 단계(S3′)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있다고 판정된 경우(YES의 경우), 현재 설정 중인 기준 높이 위치가, 실제의 기준 높이 위치로서 설정되고, 또는, 엄밀 조정 처리가 행해진다.In step S5', when it is determined in step S3' that the wafer W is placed on the spin chuck 110 (YES), the currently set reference height position is the actual reference height position. , or strict adjustment processing is performed.

엄밀 조정 처리가, 거친 조정 처리의 예 2와 마찬가지로, 단계(S2′ ~ S5′)의 재실시를 수반하는 경우, 단계(S4c)에 있어서 포크(305) 상에 웨이퍼(W)가 없다고 판정되고, 단계(S5′)에 있어서 단계(S3′)에서 웨이퍼(W)가 스핀 척(110)에 배치되어 있다고 판정되었을 때는, 단계(S2′ ~ S5′)는 이하와 같이 하여 재차 행해진다. 즉, 스핀 척(110) 상의 웨이퍼(W)가 포크(305)로 회수되고 나서, 단계(S2′ ~ S5′)는 재차 행해진다. 전술한 예의 엄밀 조정 처리에서는, 이러한 포크(305)에 의한 웨이퍼(W)의 회수 동작이 불필요하기 때문에, 보다 고속으로, 기준 높이 위치를 조정할 수 있다.When the strict adjustment process is accompanied by re-execution of steps S2' to S5', similarly to Example 2 of the coarse adjustment process, it is determined in step S4c that there is no wafer W on the fork 305 and , when it is determined in step S3' in step S5' that the wafer W is placed on the spin chuck 110, steps S2' to S5' are performed again as follows. That is, after the wafer W on the spin chuck 110 is retrieved by the fork 305, steps S2' to S5' are performed again. In the strict adjustment process of the above-described example, since the recovery operation of the wafer W by the fork 305 is unnecessary, the reference height position can be adjusted at a higher speed.

이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 제어부(6)가,As described above, in this embodiment, the control unit 6,

(a) 반송 장치(70)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)를, 스핀 척(110)의 상방까지 수평으로 이동시키고,(a) controlling the transfer device 70 to horizontally move the fork 305 supporting the wafer W up to the upper side of the spin chuck 110;

(b) 반송 장치(70)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 지지한 포크(305)를, 현재 설정 중인 기준 높이 위치까지 하강시키고,(b) controlling the transfer device 70 to lower the fork 305 supporting the wafer W to the currently set reference height position;

(c) 반송 장치(70) 및 검출부(330)를 제어하여, 검출부(330)까지, 포크(305)를 이동시키고, 당해 포크(305) 상의 웨이퍼를 검출부(300)에서 검출하고,(c) control the transfer device 70 and the detection unit 330 to move the fork 305 to the detection unit 330, and detect the wafer on the fork 305 by the detection unit 300;

(d) 상기 (c)에 의한 검출 결과에 기초하여, 상기 (b)에서 포크(305) 또는 스핀 척(110)에 배치되었는지 여부를 판정하고,(d) based on the detection result by (c), it is determined whether the fork 305 or the spin chuck 110 in (b) is disposed,

상기 (b) 공정에서 포크(305)로부터 스핀 척(110)에 배치되었다고 판정될 때까지, 상기 (a) ~ 상기 (d)를 반복하여 차례로 행하고, 반복할 때마다 현재 설정 중인 기준 높이 위치를 정해진 거리 하방으로 수정한다.In the step (b), until it is determined that the fork 305 is placed on the spin chuck 110, the steps (a) to (d) are repeated in order, and the reference height position currently being set is determined each time it is repeated. It is corrected to below the specified distance.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 포크(305)의 기준 높이 위치의 설정에, 포크(305)에 의한 웨이퍼(W)의 유지 등에 이용되는 흡인력의 검출 결과를 이용하고 있지 않다. 따라서, 상기 흡인력의 저하의 영향을 받지 않고, 포크(305)의 기준 높이 위치의 조정을 적절하게 행할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the detection result of the suction force used for holding the wafer W by the fork 305 or the like is not used for setting the reference height position of the fork 305 . Accordingly, it is possible to appropriately adjust the reference height position of the fork 305 without being affected by the lowering of the suction force.

상술한 바와 같이, 포크(305)의 기준 높이 위치의 조정을 적절하게 행할 수 있기 때문에, 포크(305)의 하강 속도를 균일하게 저하시키는 것이 아니라, 포크(305)로부터 스핀 척(110)으로 웨이퍼(W)가 전달되는 순간만, 포크(305)의 하강 속도를 저하시킬 수 있다. 따라서, 스루풋을 저하시키지 않고, 웨이퍼(W)에 대하여 스핀 척(110)으로부터 충격이 가해지는 것을 억제할 수 있다.As described above, since the reference height position of the fork 305 can be appropriately adjusted, the lowering speed of the fork 305 is not reduced uniformly, but the wafer is transferred from the fork 305 to the spin chuck 110 . Only the moment (W) is transmitted, it is possible to reduce the descending speed of the fork (305). Accordingly, it is possible to suppress the application of an impact from the spin chuck 110 to the wafer W without lowering the throughput.

또한, 본 실시 형태에 있어서 포크(305)의 기준 높이 위치의 설정에 이용한 검출부(330)는, 포크(305) 상에 있어서의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출하는 것이며, 스핀 척(110)에 대한 포크(305)의 수평 방향의 기준 위치의 설정에도 이용되는 것이다. 즉, 본 실시 형태에서는, 포크(305)의 기준 높이 위치의 설정과, 포크(305)의 수평 방향의 기준 위치의 설정에 공통의 검출부(330)를 이용하고 있기 때문에, 양 설정에 별개의 유닛을 이용하는 경우에 비해 고비용화를 방지할 수 있다.In addition, in the present embodiment, the detection unit 330 used to set the reference height position of the fork 305 detects the horizontal position of the wafer W on the fork 305, and the spin chuck ( It is also used to set the reference position in the horizontal direction of the fork 305 with respect to 110). That is, in this embodiment, since the common detection part 330 is used for setting of the reference height position of the fork 305 and setting of the reference position of the horizontal direction of the fork 305, it is a separate unit for both setting. It is possible to prevent high cost compared to the case of using

이상의 거친 조정 처리의 예 1 및 엄밀 조정 처리의 예에서는, 스핀 척(110)에 웨이퍼(W)가 배치된 상태에서의, 포크(305)의 큰 수평 이동이 없다. 이 때문에, 포크(305)가 수평 이동했을 때에, 스핀 척(110)에 배치된 웨이퍼(W)와 접촉하는 것을 억제할 수 있다.In Example 1 of the coarse adjustment process and the example of the strict adjustment process, there is no large horizontal movement of the fork 305 in a state where the wafer W is placed on the spin chuck 110 . For this reason, when the fork 305 moves horizontally, contact with the wafer W disposed on the spin chuck 110 can be suppressed.

이상에서는, 반송 장치(70)의 포크(305)의, 스핀 척(110)에 대한 기준 높이 위치를 조정하고 있었다. 그러나, 본 개시에 따른 기술은, 반송 장치(70)의 포크(305)의, 열 처리 장치(40)의 승강 핀(175)에 대한 기준 높이 위치를 조정하는 경우, 또는 반송 장치(20)의 반송 암의, 배치판(13) 상의 카세트(C)의 선반 판(C11)에 대한 기준 높이 위치를 조정하는 경우 등에도 적용할 수 있다.In the above, the reference height position of the fork 305 of the conveying apparatus 70 with respect to the spin chuck 110 was adjusted. However, in the technique according to the present disclosure, when adjusting the reference height position of the fork 305 of the conveying device 70 with respect to the lifting pins 175 of the heat treatment device 40 , or of the conveying device 20 , It is applicable also to the case where the reference height position of the cassette C on the mounting plate 13 is adjusted with respect to the shelf board C11 of a conveyance arm, etc.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.It should be considered that embodiment disclosed this time is not restrictive by an illustration in all points. Said embodiment may be abbreviate|omitted, substituted, and may be changed in various forms, without deviating from the attached claim and its main point.

Claims (9)

기판 반송 장치가 가지는 기판 유지부의 위치 조정 방법으로서,
(A) 기판을 지지한 상기 기판 유지부를, 기판이 배치되어야 할 기판 배치부의 상방까지 수평으로 이동시키는 공정과,
(B) 기판을 지지한 상기 기판 유지부를, 현재 설정 중인 기준 높이 위치까지 하강시키는 공정과,
(C) 상기 기판 유지부 상에 있어서의 기판의 수평 방향의 위치를 검출하기 위한 검출부까지 상기 기판 유지부를 이동시키고, 상기 기판 유지부 상의 기판을 상기 검출부에서 검출하는 공정과,
(D) 상기 (C) 공정에 의한 검출 결과에 기초하여, 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었는지 여부를 판정하는 공정을 포함하고,
상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었다고 상기 (D) 공정에 있어서 판정될 때까지, 상기 (A) 공정 ~ 상기 (D) 공정을 반복하여 차례로 행하고, 행할 때마다 상기 기준 높이 위치를 정해진 거리 하방으로 수정하는, 기판 유지부의 위치 조정 방법.A method for adjusting the position of a substrate holding part of a substrate transport apparatus, comprising:
(A) a step of horizontally moving the substrate holding portion supporting the substrate to an upper side of the substrate placing portion where the substrate is to be placed;
(B) a step of lowering the substrate holding unit supporting the substrate to the currently set reference height position;
(C) moving the substrate holding unit to a detection unit for detecting the horizontal position of the substrate on the substrate holding unit, and detecting the substrate on the substrate holding unit with the detection unit;
(D) a step of determining whether or not the substrate has been disposed from the substrate holding unit to the substrate placement unit in the step (B) based on the detection result by the step (C);
In the step (B), the steps (A) to (D) are repeated in sequence until it is determined in the step (D) that it has been placed from the substrate holding unit to the substrate placing unit, and each time it is performed A method of adjusting the position of the substrate holding part by correcting the reference height position below a predetermined distance. 제 1 항에 있어서,
상기 (D) 공정에 있어서 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었다고 처음으로 판정되었을 때, 상기 기준 높이 위치를 상기 정해진 거리보다 짧은 거리 상방으로 수정한 다음, 상기 (A) 공정 ~ 상기 (D) 공정을 재차 차례로 행하는, 기판 유지부의 위치 조정 방법.The method of claim 1,
In the step (D), when it is first determined in the step (B) that it has been disposed on the substrate placing unit from the substrate holding unit, the reference height position is corrected to a distance shorter than the predetermined distance upward, and then ( A method for adjusting the position of the substrate holding portion, in which the step to the step (D) are sequentially performed again. 제 2 항에 있어서,
상기 (D) 공정에 있어서 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었다고 처음으로 판정된 후에는,
마지막에 행해진 상기 (D) 공정에 있어서 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었다고 판정되었을 때에는, 상기 기준 높이 위치를 상방으로 수정한 다음, 상기 (A) 공정 ~ 상기 (D) 공정을 재차 차례로 행하고,
마지막에 행해진 상기 (D) 공정에 있어서 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되어 있지 않다고 판정되었을 때에는, 상기 기준 높이 위치를 하방으로 수정한 다음, 상기 (A) 공정 ~ 상기 (D) 공정을 재차 차례로 행하는 것을,
상기 기준 높이 위치의 수정량을 서서히 작게 하면서, 정해진 조건을 충족할 때까지 반복하는, 기판 유지부의 위치 조정 방법.3. The method of claim 2,
In the step (D), after it is first determined from the substrate holding unit to the substrate placing unit in the step (B),
In the last step (D), when it is determined in the step (B) that it has been disposed from the substrate holding portion to the substrate placing portion, the reference height position is corrected upward, and then the (A) to the above steps (D) perform the steps in sequence again,
In the last step (D), when it is determined in the step (B) that it is not disposed on the substrate placement unit from the substrate holding unit, the reference height position is corrected downward, and then, after the step (A) ~ Performing the steps (D) in sequence again,
A method of adjusting the position of the substrate holding part, which is repeated until a predetermined condition is satisfied while gradually decreasing the correction amount of the reference height position. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (A) 공정은, 적어도 첫 회에 있어서, 기판을 지지한 상기 기판 유지부 상에 있어서의 상기 기판의 수평 방향의 위치를 상기 검출부에서 검출하는 공정을 포함하고,
상기 (C) 공정은,
상기 기판 유지부를, 상기 현재 설정 중인 기준 높이 위치에서 수평으로 다른 정해진 거리 전진 또는 후퇴시키는 공정과,
이어서, 상기 기판 유지부를 상기 기판 배치부의 상방까지 상승시키는 공정을 포함하고,
이 후, 상기 기판 유지부 상에 있어서의 기판의 수평 방향의 위치를 상기 검출부에서 검출하고, 상기 (D) 공정은, 적어도 첫 회에 있어서, 직전의 상기 (A) 공정에 있어서의 상기 검출부에서의 검출 결과와 직전의 상기 (C) 공정에 있어서의 상기 검출부에서의 검출 결과에 기초하여, 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었는지 여부를 판정하는, 위치 조정 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The step (A) includes a step of detecting a position in the horizontal direction of the substrate on the substrate holding unit supporting the substrate by the detection unit at least at the first time,
The step (C) is,
a step of advancing or retreating the substrate holding unit by another predetermined distance horizontally from the currently set reference height position;
Then, a step of raising the substrate holding unit to the upper side of the substrate placing unit,
Thereafter, the detection unit detects a position in the horizontal direction of the substrate on the substrate holding unit, and in the step (D), at least in the first time, the detection unit in the immediately preceding step (A) A position adjustment method for determining whether or not the device has been disposed from the substrate holding unit to the substrate placing unit in the step (B) based on a detection result of . 제 4 항에 있어서,
상기 (D) 공정은, 2 회째 이후에 있어서, 직전의 상기 (C) 공정에 있어서의 상기 검출부에서의 검출 결과와 1 회 전의 상기 (C) 공정에 있어서의 상기 검출부에서의 검출 결과에 기초하여, 상기 (B) 공정에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었는지 여부를 판정하는, 위치 조정 방법.5. The method of claim 4,
The step (D) is performed in the second and subsequent times, based on the detection result by the detection unit in the immediately preceding step (C) and the detection result by the detection unit in the previous step (C). , a position adjustment method for determining whether or not it has been disposed from the substrate holding unit to the substrate placing unit in the step (B). 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 (A) 공정 ~ 상기 (D) 공정을 복수 회 차례로 행하는 경우, 상기 (C) 공정에 있어서의 상기 현재 설정 중인 기준 높이 위치에서의 수평 이동 방향이 전회와 반대 방향인 회를 포함하는, 위치 조정 방법.6. The method according to claim 4 or 5,
When the step (A) to the step (D) are sequentially performed a plurality of times, the horizontal movement direction at the currently set reference height position in the step (C) includes times in the opposite direction to the previous time. How to adjust. 제 1 항에 있어서,
상기 검출부는, 상기 기판 반송 장치에 마련되어 있는, 위치 조정 방법.The method of claim 1,
The said detection part is a position adjustment method provided in the said board|substrate conveyance apparatus. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 위치 조정 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 기억한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.A readable computer storage medium storing a program operating on a computer of a control unit for controlling the substrate processing system so as to cause the substrate processing system to execute the position adjustment method according to any one of claims 1 to 7. 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서,
기판을 유지 가능하게 구성된 기판 유지부를 가지고, 상기 기판 유지부가 이동함으로써 기판을 반송하는 기판 반송 장치와,
기판이 배치되는 기판 배치부와,
상기 기판 유지부 상에 있어서의 기판의 수평 방향의 위치를 검출하기 위한 검출부와,
제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
(a) 상기 기판 반송 장치를 제어하고, 기판을 지지한 상기 기판 유지부를, 상기 기판 배치부의 상방까지 수평으로 이동시키고,
(b) 상기 기판 반송 장치를 제어하여, 기판을 지지한 상기 기판 유지부를, 현재 설정 중인 기준 높이 위치까지 하강시키고,
(c) 상기 기판 반송 장치 및 상기 검출부를 제어하여, 상기 검출부까지 상기 기판 유지부를 이동시키고, 상기 기판 유지부 상의 기판을 상기 검출부에서 검출하고,
(d) 상기 (c)에 의한 검출 결과에 기초하여, 상기 (b)에서 상기 기판 유지부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었는지 여부를 판정하고,
상기 (b)에서 상기 기판 배치부로부터 상기 기판 배치부에 배치되었다고 판정될 때까지, 상기 (a) ~ 상기 (d)를 반복하여 차례로 행하고, 반복할 때마다 상기 기준 높이 위치를 정해진 거리 하방으로 수정하는, 기판 처리 시스템.A substrate processing system for processing a substrate, comprising:
a substrate transport apparatus having a substrate holding unit configured to hold a substrate, and conveying the substrate by moving the substrate holding unit;
a substrate arrangement unit on which the substrate is disposed;
a detection unit for detecting a horizontal position of the substrate on the substrate holding unit;
having a control unit,
The control unit is
(a) controlling the substrate transfer apparatus, and horizontally moving the substrate holding unit supporting the substrate to an upper side of the substrate placing unit;
(b) controlling the substrate transfer device to lower the substrate holding unit supporting the substrate to the currently set reference height position;
(c) controlling the substrate transfer apparatus and the detection unit to move the substrate holding unit to the detection unit, and detecting the substrate on the substrate holding unit by the detection unit;
(d) based on the detection result according to (c), it is determined whether or not it has been disposed from the substrate holding unit to the substrate placing unit in the above (b);
In (b), the above (a) to (d) are repeated and sequentially performed until it is determined that the substrate is disposed from the substrate placing unit to the substrate placing unit, and each time the reference height position is set to a predetermined distance below the reference height. Modified, substrate processing system.
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