JP2022165157A - Location adjustment method for substrate holding unit, substrate processing system, and storage medium - Google Patents

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Abstract

To provide a location adjustment method and a substrate processing system for properly setting a reference height location of a substrate holding unit possessed by a substrate conveying device, without being affected by a reduction in suction force used to hold the substrate, etc.SOLUTION: In a coating/developing processing system as a substrate processing system, a location adjustment method for a substrate holding unit possessed by a substrate conveying device includes: Step S2 of moving horizontally the substrate holding unit holding a substrate to above a substrate placing unit on which the substrate is to be placed; Step S3 of lowering the substrate holding unit to a reference height location being currently set; Step S4 of moving the substrate holding unit to a detection unit for detecting a horizontal location of the substrate to detect the substrate on the substrate holding unit by the detection unit; and Step S5 of determining whether the substrate is placed on the substrate placing unit from the substrate holding unit.Steps S2 to S5 are repeatedly performed in sequence until it is determined that the substrate is located on the substrate placing unit, and each time the process is performed, the reference height location is corrected downward by a predetermined distance.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本開示は、基板保持部の位置調整方法、基板処理システム及び記憶媒体に関する。 The present disclosure relates to a position adjustment method of a substrate holder, a substrate processing system, and a storage medium.

特許文献1は、基板保持部を有する基板搬送装置の位置調整方法を開示している。この方法は、基板を吸引して保持することができる基板保持部により基板を支持するステップと、基板を保持する基板保持部を、基板が載置されるべき基板載置部の上方から、当該基板載置部に向かって約0.1mm下降し、下降後に前記吸引を開始して、基板が吸引により基板保持部に保持されているかを検出するステップと、を含む。さらに、上記方法は、上記検出するステップにおいて基板が吸引保持されていると判定された場合に、上記検出するステップを繰り返すステップと、上記検出するステップにおいて基板が吸引により保持されていないと判定された場合に、この時点における基板保持部の位置を、基板保持部の上下方向の基準位置に設定するステップと、を含む。 Patent Literature 1 discloses a position adjustment method for a substrate transfer device having a substrate holding portion. This method comprises the steps of: supporting a substrate by a substrate holding part capable of holding the substrate by suction; descending toward the substrate platform by about 0.1 mm, starting the suction after the descent, and detecting whether the substrate is held by the substrate holder by suction. Further, the method comprises repeating the detecting step when it is determined that the substrate is held by suction in the detecting step, and determining that the substrate is not held by suction in the detecting step. and setting the position of the substrate holder at this time to a reference position in the vertical direction of the substrate holder.

特開2013-110444号公報JP 2013-110444 A

本開示にかかる技術は、基板の保持等に用いられる吸引力の低下の影響を受けることなく、基板搬送装置が有する基板保持部の基準高さ位置の設定を適切に行う。 The technique according to the present disclosure appropriately sets the reference height position of the substrate holding portion of the substrate transfer device without being affected by a decrease in the suction force used to hold the substrate or the like.

本開示の一態様は、基板搬送装置が有する基板保持部の位置調整方法であって、(A)基板を支持した前記基板保持部を、基板が載置されるべき基板載置部の上方まで水平に移動させる工程と、(B)基板を支持した前記基板保持部を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させる工程と、(C)前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を検出するための検出部まで、前記基板保持部を移動させ、当該基板保持部上の基板を前記検出部で検出する工程と、(D)前記(C)工程による検出結果に基づいて、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定する工程と、を含み、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと前記(D)工程において判定されるまで、前記(A)工程~前記(D)工程を繰り返し順に行い、行う度に前記基準高さ位置を所定距離下方に修正する。 One aspect of the present disclosure is a method for adjusting the position of a substrate holding portion of a substrate transport device, comprising: (A) moving the substrate holding portion supporting a substrate to a position above a substrate placement portion on which the substrate is to be placed; (B) lowering the substrate holding part supporting the substrate to a currently set reference height position; and (C) adjusting the horizontal position of the substrate on the substrate holding part. a step of moving the substrate holding portion to a detection portion for detection, and detecting the substrate on the substrate holding portion with the detection portion; B) determining whether or not the substrate has been placed on the substrate platform from the substrate holder in step (B); The steps (A) to (D) are repeated in order until determination is made in the step (D), and each time the reference height position is corrected downward by a predetermined distance.

本開示によれば、基板の保持等に用いられる吸引力の低下の影響を受けることなく、基板搬送装置が有する基板保持部の基準高さ位置の設定を適切に行うことができる。 According to the present disclosure, it is possible to appropriately set the reference height position of the substrate holding portion of the substrate transfer device without being affected by a decrease in the suction force used to hold the substrate or the like.

本実施形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。1 is an explanatory diagram showing an outline of an internal configuration of a coating and developing system as a substrate processing system according to this embodiment; FIG. 塗布現像処理システムの正面側の内部構成の概略を示す図である。1 is a diagram showing an outline of an internal configuration on the front side of a coating and developing treatment system; FIG. 塗布現像処理システムの背面側の内部構成の概略を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the outline of the internal configuration on the rear side of the coating and developing treatment system; カセットの構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of a structure of a cassette. レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。1 is a vertical cross-sectional view showing the outline of the configuration of a resist coating apparatus; FIG. レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。1 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of a resist coating apparatus; FIG. 熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。1 is a vertical cross-sectional view showing the outline of the configuration of a heat treatment apparatus; FIG. 熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a heat processing apparatus. 搬送装置の側面図である。It is a side view of a conveying apparatus. 搬送アームの上面図であり、フレームの図示を省略している。It is a top view of the transfer arm, omitting the illustration of the frame. フォークの基準高さ位置の調整処理の一例を示すフローチャートである。7 is a flowchart showing an example of adjustment processing of the reference height position of the fork; 調整処理中の搬送アームとレジスト塗布装置の状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the state of the transport arm and the resist coating device during adjustment processing; 厳密調整処理の一例を示すフローチャートである。9 is a flowchart showing an example of strict adjustment processing; フォークの基準高さ位置の粗調整処理の、他の例を示すフローチャートである。9 is a flow chart showing another example of rough adjustment processing of the reference height position of the fork.

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程は、レジスト塗布装置等の基板処理装置が設けられた基板処理システムで行われている。この基板処理システムには、基板処理装置等に対し基板を搬送する基板搬送装置も設けられている。 For example, a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process is performed in a substrate processing system provided with a substrate processing apparatus such as a resist coating apparatus. This substrate processing system is also provided with a substrate transfer device for transferring a substrate to a substrate processing apparatus or the like.

上記基板搬送装置は、基板を保持する基板保持部としてフォークを有し、例えば当該フォークが前後方向、左右方向及び上下方向に三次元移動して、基板処理装置等に対し基板を搬入出する。 The substrate transfer apparatus has a fork as a substrate holding portion for holding the substrate, and for example, the fork moves three-dimensionally in the front-back direction, the left-right direction, and the up-down direction to carry the substrate in and out of the substrate processing apparatus or the like.

ところで、基板を支持したフォークが下降し、基板処理装置等の基板載置部にフォークから基板が受け渡されるときに、フォークの下降速度が速いと、基板に対し基板載置部から衝撃が加わり、基板載置部に対する基板の水平方向の位置がずれたり、基板が落下してしまったりする。フォークの下降速度を単純に遅くすれば、基板に加わる衝撃を抑えることができるが、スループットが低下してしまう。そのため、フォークに支持された基板が基板処理装置等の基板載置部に近いときのみ、フォークの下降速度を低下させる制御が行われている。この制御等のためには、フォークの基準高さ位置を適切に設定する必要がある。具体的には、基板を支持したフォークから基板載置部に基板が受け渡される時のフォークの位置の下方近傍に、上記基準高さ位置を設定する必要がある。 Incidentally, when the fork supporting the substrate descends and the substrate is transferred from the fork to the substrate mounting portion of the substrate processing apparatus or the like, if the fork descends at a high speed, the substrate is subjected to an impact from the substrate mounting portion. , the position of the substrate in the horizontal direction with respect to the substrate platform may shift, or the substrate may drop. Simply lowering the speed of the fork's descent can reduce the impact applied to the board, but it also reduces throughput. Therefore, only when the substrate supported by the fork is close to the substrate mounting portion of the substrate processing apparatus or the like, control is performed to reduce the descending speed of the fork. For this control, etc., it is necessary to appropriately set the reference height position of the fork. Specifically, it is necessary to set the reference height position below and near the position of the fork that supports the substrate when the substrate is transferred to the substrate platform.

特許文献1に開示の技術では、基板がフォークに保持されているか否かに基づいて、フォークの基準高さ位置を設定している。また、この技術では、基板がフォークに保持されているか否かは、フォークの吸着孔と連通する真空配管と真空排気部とを繋ぐ配管中に設けられたバキュームセンサ等に基づいて、検出されている。
しかし、例えば、真空排気部が工場内の排気用力設備である場合、排気用力設備を共有する他の装置の状態等によっては、基板を吸着するための吸着力が変化することがある。このような変化が生じると、バキュームセンサによる検出結果が変動するため、基板がフォークに保持されているか否かを適切に判定できず、フォークの基準高さ位置を適切に設定することができない場合がある。
In the technique disclosed in Patent Document 1, the reference height position of the fork is set based on whether or not the board is held by the fork. Further, in this technique, whether or not the substrate is held by the fork is detected based on a vacuum sensor or the like provided in the pipe connecting the vacuum pipe communicating with the suction hole of the fork and the vacuum evacuation unit. there is
However, for example, if the evacuation unit is an exhaust utility facility in a factory, the suction force for sucking the substrate may change depending on the state of other devices that share the exhaust utility facility. When such a change occurs, the detection result by the vacuum sensor fluctuates, so it is not possible to properly determine whether or not the board is held by the fork, and it is not possible to set the reference height position of the fork appropriately. There is

そこで、本開示にかかる技術は、基板の保持等に用いられる吸引力の低下の影響を受けることなく、基板搬送装置が有するフォークの基準高さ位置の設定を適切に行う。 Therefore, the technique according to the present disclosure appropriately sets the reference height position of the forks of the substrate transfer device without being affected by the reduction in the suction force used to hold the substrate.

以下、本実施形態にかかる基板保持部の位置調整方法及び基板処理システムを、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 A method for adjusting the position of a substrate holder and a substrate processing system according to the present embodiment will be described below with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.

<塗布現像処理システム>
図1は、本実施形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図2及び図3はそれぞれ、塗布現像処理システム1の正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。図4は、後述のカセットCの構成の概略を示す斜視図である。
<Coating and developing system>
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the outline of the internal configuration of a coating and developing system as a substrate processing system according to this embodiment. 2 and 3 are diagrams showing the outline of the internal configuration on the front side and the back side of the coating and developing treatment system 1, respectively. FIG. 4 is a perspective view showing an outline of the configuration of a cassette C, which will be described later.

塗布現像処理システム1は、図1~図3に示すように、基板としての半導体ウェハ(以下、ウェハという。)を複数収容可能な容器であるカセットCが搬入出されるカセットステーション2と、レジスト塗布処理等の所定の処理を施す各種処理装置を複数備えた処理ステーション3と、を有する。そして、塗布現像処理システム1は、カセットステーション2と、処理ステーション3と、処理ステーション3に隣接する露光装置4との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム1は、後述の搬送装置70の制御を含む当該塗布現像処理システム1の制御を行う制御部6を有している。 As shown in FIGS. 1 to 3, the coating and developing system 1 includes a cassette station 2 for loading and unloading a cassette C, which is a container capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers) as substrates, and a resist coating station. and a processing station 3 having a plurality of various processing devices for performing predetermined processing such as processing. The coating and developing system 1 has a configuration in which a cassette station 2, a processing station 3, and an interface station 5 for transferring wafers W between an exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 are integrally connected. is doing. The coating and developing treatment system 1 also has a control section 6 that controls the coating and developing treatment system 1 including control of the conveying device 70 which will be described later.

カセットステーション2は、例えばカセット搬入出部10とウェハ搬送部11に分かれている。例えばカセット搬入出部10は、塗布現像処理システム1のY方向負方向(図1の左方向)側の端部に設けられている。カセット搬入出部10には、カセット載置台12が設けられている。カセット載置台12上には、複数、例えば4つの載置板13が設けられている。載置板13は、水平方向のX方向(図1の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらの載置板13には、塗布現像処理システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。 The cassette station 2 is divided into, for example, a cassette loading/unloading section 10 and a wafer transfer section 11 . For example, the cassette loading/unloading section 10 is provided at the end of the coating and developing treatment system 1 in the negative Y direction (leftward direction in FIG. 1). A cassette mounting table 12 is provided in the cassette loading/unloading section 10 . A plurality of, for example, four mounting plates 13 are provided on the cassette mounting table 12 . The mounting plates 13 are arranged in a row in the horizontal X direction (vertical direction in FIG. 1). The cassette C can be placed on these mounting plates 13 when the cassette C is carried into and out of the coating and developing treatment system 1 .

カセットCは、図2に示すように、Y方向正側となる側に開口を有する箱状の本体C1と、本体C1の上記開口を塞ぐ蓋体(図示せず)とを有する。本体C1の両側壁には、上下方向に沿って基板載置部としての棚板C11が複数設けられている。カセットCには、ウェハWは、棚板C11に載置された状態で収容される。 As shown in FIG. 2, the cassette C has a box-shaped main body C1 having an opening on the positive side in the Y direction, and a lid (not shown) that closes the opening of the main body C1. A plurality of shelf plates C11 as substrate mounting portions are provided along the vertical direction on both side walls of the main body C1. In the cassette C, the wafers W are accommodated while being placed on the shelf board C11.

図1~図3の説明に戻る。
ウェハ搬送部11には、ウェハWを搬送する搬送装置20が設けられている。搬送装置20は、X方向に延びる搬送路21と、搬送路21上を移動自在な搬送ユニット22が設けられている。搬送ユニット22は、上下方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各載置板13上のカセットCと、後述する処理ステーション3の第3のブロックG3の受け渡し装置との間でウェハWを搬送できる。
Returning to the description of FIGS.
A transfer device 20 for transferring the wafer W is provided in the wafer transfer unit 11 . The conveying device 20 is provided with a conveying path 21 extending in the X direction and a conveying unit 22 movable on the conveying path 21 . The transport unit 22 is movable in the vertical direction and around the vertical axis (the direction of θ), and between the cassette C on each mounting plate 13 and the delivery device of the third block G3 of the processing station 3, which will be described later. , the wafer W can be transported.

処理ステーション3には、各種装置を備えた複数、例えば第1~第4の4つのブロックG1、G2、G3、G4が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3のカセットステーション2側(図1のY方向負方向側)には、第3のブロックG3が設けられ、処理ステーション3のインターフェイスステーション5側(図1のY方向正方向側)には、第4のブロックG4が設けられている。 The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, first to fourth blocks G1, G2, G3 and G4, each having various devices. For example, a first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (negative X direction side in FIG. 1), and a second block G1 is provided on the back side of the processing station 3 (positive X direction side in FIG. 1). A block G2 of is provided. A third block G3 is provided on the cassette station 2 side of the processing station 3 (negative Y direction side in FIG. 1), and the interface station 5 side of the processing station 3 (positive Y direction side in FIG. 1). is provided with a fourth block G4.

第1のブロックG1には、図2に示すように複数の液処理装置、例えばウェハWを現像処理する現像処理装置30、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置31が下からこの順に配置されている。 As shown in FIG. 2, the first block G1 includes a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing processing apparatus 30 for developing a wafer W, and a resist coating apparatus 31 for coating a wafer W with a resist liquid to form a resist film. are arranged in this order from the bottom.

例えば現像処理装置30、レジスト塗布装置31は、それぞれ水平方向に3つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置30、レジスト塗布装置31の数や配置は、任意に選択できる。 For example, three development processing devices 30 and three resist coating devices 31 are arranged in the horizontal direction. The number and arrangement of these developing devices 30 and resist coating devices 31 can be arbitrarily selected.

これら現像処理装置30、レジスト塗布装置31では、例えばスピン塗布法でウェハW上に所定の処理液を塗布する。スピンコーティングでは、例えば吐出ノズルからウェハW上に処理液を吐出すると共に、ウェハWを回転させて、処理液をウェハWの表面に拡散させる。 In the developing apparatus 30 and the resist coating apparatus 31, a predetermined processing liquid is applied onto the wafer W by spin coating, for example. In spin coating, for example, the processing liquid is discharged onto the wafer W from a discharge nozzle, and the wafer W is rotated to spread the processing liquid on the surface of the wafer W. FIG.

例えば第2のブロックG2には、図3に示すようにウェハWの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置40や、ウェハWの外周部を露光する周辺露光装置41が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置40、周辺露光装置41の数や配置についても、任意に選択できる。 For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a heat treatment device 40 for performing heat treatment such as heating and cooling of the wafer W, and a peripheral exposure device 41 for exposing the outer peripheral portion of the wafer W are arranged vertically and horizontally. is provided. The number and arrangement of these heat treatment devices 40 and peripheral exposure devices 41 can also be arbitrarily selected.

第3のブロックG3には、複数の受け渡し装置50が設けられている。また、第4のブロックG4には、複数の受け渡し装置60が設けられている。 A plurality of delivery devices 50 are provided in the third block G3. A plurality of transfer devices 60 are provided in the fourth block G4.

図1に示すように第1のブロックG1~第4のブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えばウェハWを搬送する基板搬送装置としての搬送装置70が配置されている。 As shown in FIG. 1, a wafer transfer area D is formed in an area surrounded by first block G1 to fourth block G4. In the wafer transfer area D, a transfer device 70 as a substrate transfer device for transferring the wafer W, for example, is arranged.

搬送装置70は、例えばY方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム70aを有している。搬送装置70は、ウェハWを保持した搬送アーム70aをウェハ搬送領域D内で移動させ、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定の装置に、ウェハWを搬送できる。搬送装置70は、例えば図3に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックG1~G4の同程度の高さの所定の装置にウェハWを搬送できる。搬送装置70の詳細については後述する。 The transport device 70 has a transport arm 70a that is movable in, for example, the Y direction, the θ direction, and the vertical direction. The transfer device 70 moves the transfer arm 70a holding the wafer W within the wafer transfer region D, and moves the transfer arm 70a within the surrounding first block G1, second block G2, third block G3 and fourth block G4. A wafer W can be transported to a predetermined device. For example, as shown in FIG. 3, a plurality of transport devices 70 are arranged vertically, and wafers W can be transported to predetermined devices having approximately the same height in blocks G1 to G4, for example. Details of the transport device 70 will be described later.

また、ウェハ搬送領域Dには、第3のブロックG3と第4のブロックG4との間で直線的にウェハWを搬送するシャトル搬送装置71が設けられている。 Further, in the wafer transfer area D, a shuttle transfer device 71 is provided for transferring the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4.

シャトル搬送装置71は、支持したウェハWをY方向に直線的に移動させ、同程度の高さの第3のブロックG3の受け渡し装置50と第4のブロックG4の受け渡し装置60との間でウェハWを搬送できる。 The shuttle transport device 71 linearly moves the supported wafer W in the Y direction, and transfers the wafer between the transfer device 50 of the third block G3 and the transfer device 60 of the fourth block G4 which are of approximately the same height. W can be transported.

図1に示すように第3のブロックG3のX方向正方向側には、搬送装置72が設けられている。搬送装置72は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム72aを有している。搬送装置72は、ウェハWを保持した搬送アーム70aを上下に移動させ、第3のブロックG3内の各受け渡し装置50に、ウェハWを搬送できる。 As shown in FIG. 1, a conveying device 72 is provided on the positive side of the third block G3 in the X direction. The transport device 72 has a transport arm 72a that is movable in, for example, the .theta. direction and the vertical direction. The transfer device 72 can move the transfer arm 70a holding the wafer W up and down to transfer the wafer W to each delivery device 50 in the third block G3.

インターフェイスステーション5には、搬送装置73と受け渡し装置74が設けられている。搬送装置73は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム73aを有している。搬送装置73は、搬送アーム73aにウェハWを保持して、第4のブロックG4内の各受け渡し装置60、受け渡し装置74及び露光装置4との間でウェハWを搬送できる。 The interface station 5 is provided with a transport device 73 and a delivery device 74 . The transport device 73 has a transport arm 73a that is movable in, for example, the .theta. direction and the vertical direction. The transfer device 73 can hold the wafer W on a transfer arm 73a and transfer the wafer W between the transfer devices 60, the transfer device 74 and the exposure device 4 in the fourth block G4.

上述の制御部6は、例えばCPUやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理装置や各種搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述の位置調整処理を制御するプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な非一時的な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御部6にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Hは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア(回路基板)で実現してもよい。 The control unit 6 described above is, for example, a computer equipped with a CPU, a memory, etc., and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing devices and various transfer devices, and for controlling wafer processing, which will be described later. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of a drive system such as a conveying device to control position adjustment processing, which will be described later. The program may be recorded in a computer-readable, non-temporary storage medium H and installed in the control unit 6 from the storage medium H. The storage medium H may be temporary or non-temporary. Part or all of the program may be realized by dedicated hardware (circuit board).

<ウェハ処理>
次に、塗布現像処理システム1を用いたウェハ処理について説明する。
<Wafer processing>
Next, wafer processing using the coating and developing system 1 will be described.

塗布現像処理システム1を用いたウェハ処理では、先ず、搬送装置20によって、カセット載置台12上のカセットCからウェハWが取り出され、処理ステーション3の受け渡し装置50に搬送される。 In the wafer processing using the coating and developing system 1 , first, the wafer W is taken out from the cassette C on the cassette mounting table 12 by the transfer device 20 and transferred to the transfer device 50 of the processing station 3 .

次にウェハWは、搬送装置70によって第2のブロックG2の熱処理装置40に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハWは、第1のブロックG1のレジスト塗布装置31に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される。その後ウェハWは、熱処理装置40に搬送され、プリベーク処理(PAB:Pre-Applied Bake)される。なお、プリベーク処理や後段のPEB(Post Exposure Bake)処理、ポストベーク処理では、同様な熱処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理装置40は互いに異なる。 Next, the wafer W is transferred by the transfer device 70 to the heat treatment device 40 of the second block G2 and subjected to temperature control processing. After that, the wafer W is transferred to the resist coating device 31 of the first block G1, and a resist film is formed on the wafer W. As shown in FIG. After that, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and pre-baked (PAB: Pre-Applied Bake). Note that the same heat treatment is performed in the pre-baking process, PEB (Post Exposure Bake) process in the latter stage, and post-baking process. However, the heat treatment apparatuses 40 used for each heat treatment are different from each other.

その後、ウェハWは、周辺露光装置41に搬送され、周辺露光処理される。
次にウェハWは、露光装置4に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
After that, the wafer W is transferred to the edge exposure device 41 and subjected to edge exposure processing.
Next, the wafer W is transferred to the exposure device 4 and exposed in a predetermined pattern.

次いで、ウェハWは、熱処理装置40に搬送され、PEB処理される。その後ウェハWは、たとえば現像処理装置30に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハWは、熱処理装置40に搬送され、ポストベーク処理される。その後、ウェハWは、搬送ユニット22等により、カセット載置台12上のカセットCに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。 The wafer W is then transported to the heat treatment apparatus 40 and subjected to PEB processing. After that, the wafer W is transported to, for example, the developing device 30 and developed. After the development process is completed, the wafer W is transported to the heat treatment apparatus 40 and post-baked. After that, the wafer W is transferred to the cassette C on the cassette mounting table 12 by the transfer unit 22 or the like, and a series of photolithography steps is completed.

<レジスト塗布装置31>
次に、上述したレジスト塗布装置31の構成について説明する。図5及び図6はそれぞれ、レジスト塗布装置31の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
レジスト塗布装置31は、図5及び図6に示すように、内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100の搬送装置70側の側面には、ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
<Resist coating device 31>
Next, the configuration of the resist coating device 31 described above will be described. 5 and 6 are a vertical cross-sectional view and a cross-sectional view, respectively, showing an outline of the configuration of the resist coating device 31. As shown in FIG.
As shown in FIGS. 5 and 6, the resist coating apparatus 31 has a processing container 100 whose inside can be sealed. A loading/unloading port (not shown) for the wafer W is formed on the side surface of the processing container 100 on the carrier device 70 side, and the loading/unloading port is provided with an open/close shutter (not shown).

処理容器100内の中央部には、ウェハWが載置される、基板載置部としてのスピンチャック110が設けられている。スピンチャック110は、ウェハWを保持して回転させるものであり、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック110上に吸着保持できる。 A spin chuck 110 as a substrate mounting section on which the wafer W is mounted is provided in the central portion within the processing container 100 . The spin chuck 110 holds and rotates the wafer W, has a horizontal upper surface, and is provided with a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example. The wafer W can be sucked and held on the spin chuck 110 by suction from this suction port.

スピンチャック110は、チャック駆動機構111に接続されており、そのチャック駆動機構111により所望の速度に回転可能である。チャック駆動機構111には、スピンチャック110の回転のための駆動力を発生するモータ等の回転駆動源(図示せず)を有する。また、チャック駆動機構111には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、チャック駆動機構111によりスピンチャック110は上下動可能である。チャック駆動機構111は制御部6により制御される。 The spin chuck 110 is connected to a chuck drive mechanism 111 and can be rotated at a desired speed by the chuck drive mechanism 111 . The chuck drive mechanism 111 has a rotation drive source (not shown) such as a motor that generates drive force for rotating the spin chuck 110 . Further, the chuck drive mechanism 111 is provided with an elevation drive source such as a cylinder, and the spin chuck 110 can be moved up and down by the chuck drive mechanism 111 . The chuck drive mechanism 111 is controlled by the controller 6 .

スピンチャック110の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ112が設けられている。カップ112の下面には、回収した液体を排出する排出管113と、カップ112内の雰囲気を真空引きして排気する排気管114が接続されている。 A cup 112 is provided around the spin chuck 110 to receive and collect the liquid that scatters or drops from the wafer W. As shown in FIG. A discharge pipe 113 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 114 for evacuating the atmosphere in the cup 112 are connected to the lower surface of the cup 112 .

図6に示すようにカップ112のX方向負方向(図6中の下方向)側には、Y方向(図6中の左右方向)に沿って延伸するレール120が形成されている。レール120は、例えばカップ112のY方向負方向(図6中の左方向)側の外方からY方向正方向(図6中の右方向)側の外方まで形成されている。レール120には、アーム121が取り付けられている。 As shown in FIG. 6, a rail 120 extending along the Y direction (horizontal direction in FIG. 6) is formed on the negative side of the cup 112 in the X direction (downward direction in FIG. 6). The rail 120 is formed, for example, from the outside of the cup 112 in the negative Y direction (left direction in FIG. 6) to the outside in the positive Y direction (right direction in FIG. 6). An arm 121 is attached to the rail 120 .

アーム121には、図5及び図6に示すように、レジスト液をウェハW上に供給する塗布ノズル122が支持されている。アーム121は、図6に示すノズル駆動部123により、レール120上を移動自在である。これにより、塗布ノズル122は、カップ112のY方向正方向側の外方に設置された待機部124からカップ112内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハW上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム121は、ノズル駆動部123によって昇降自在であり、塗布ノズル122の高さを調節できる。塗布ノズル122は、当該塗布ノズル122にレジスト液を供給する供給部(図示せず)が接続されている。 The arm 121 supports a coating nozzle 122 for supplying the resist solution onto the wafer W, as shown in FIGS. The arm 121 is movable on the rail 120 by a nozzle driving section 123 shown in FIG. As a result, the coating nozzle 122 can move from the standby section 124 installed outside the cup 112 in the positive direction in the Y direction to above the central portion of the wafer W in the cup 112, and the wafer W can be moved over the wafer W. Can move radially. Further, the arm 121 can be moved up and down by a nozzle driving section 123, and the height of the coating nozzle 122 can be adjusted. The coating nozzle 122 is connected to a supply unit (not shown) that supplies resist liquid to the coating nozzle 122 .

なお、現像処理装置30の構成は、上述のレジスト塗布装置31の構成と同様である。ただし、現像処理装置30等とレジスト塗布装置31とでは塗布ノズルから供給される処理液は異なる。 The structure of the developing device 30 is the same as that of the resist coating device 31 described above. However, the processing liquid supplied from the coating nozzle is different between the developing apparatus 30 and the like and the resist coating apparatus 31 .

<レジスト塗布処理>
ここで、レジスト塗布装置31におけるレジスト膜形成処理の一例について説明する。なお、以下の処理は、制御部6の制御の下、行われる。
<Resist coating process>
Here, an example of the resist film forming process in the resist coating device 31 will be described. Note that the following processing is performed under the control of the control unit 6 .

まず、スピンチャック110が、搬送装置70との間でウェハWを受け渡すための受け渡し位置に上昇される。次いで、ウェハWを保持した搬送装置70の搬送アーム70aが、処理容器100内に挿入され、スピンチャック110の上方の受け渡し開始位置に移動される。続いて、搬送アーム70aが受け渡し完了位置まで下降され、ウェハWが搬送アーム70aからスピンチャック110に受け渡される。また、上記受け渡し完了位置は、後述のフォークの位置調整処理時に調整される基準高さ位置に基づいて定められ、基準高さ位置から、下方に所定距離離間している。その後、搬送アーム70aが処理容器100内から抜き出されると共に、スピンチャック110によるウェハWの吸着及びスピンチャック110の処理位置までの下降が行われる。 First, the spin chuck 110 is raised to the transfer position for transferring the wafer W to and from the carrier device 70 . Next, the transfer arm 70 a of the transfer device 70 holding the wafer W is inserted into the processing container 100 and moved to the transfer start position above the spin chuck 110 . Subsequently, the transfer arm 70 a is lowered to the transfer completion position, and the wafer W is transferred from the transfer arm 70 a to the spin chuck 110 . The delivery completion position is determined based on a reference height position that is adjusted during fork position adjustment processing, which will be described later, and is spaced downward by a predetermined distance from the reference height position. After that, the transfer arm 70a is extracted from the processing container 100, and the wafer W is sucked by the spin chuck 110 and the spin chuck 110 is lowered to the processing position.

次いで、塗布ノズル122が、吐出を行う処理位置(例えば、ウェハWの中心の上方の位置)に移動される。続いて、スピンチャック110が回転され、これによりウェハWが回転され、この回転中に、塗布ノズル122からレジスト液がウェハWに連続的に吐出される。吐出されたレジスト液は、ウェハWの回転によりウェハW全面に拡散される。 Next, the coating nozzle 122 is moved to a processing position (for example, a position above the center of the wafer W) where ejection is performed. Subsequently, the spin chuck 110 is rotated, thereby rotating the wafer W, and the resist liquid is continuously discharged onto the wafer W from the coating nozzle 122 during this rotation. The discharged resist liquid is spread over the entire surface of the wafer W as the wafer W rotates.

その後、レジスト液の吐出が停止され、塗布ノズル122が待機部124に退避される。また、スピンチャック110の回転は継続され、つまり、ウェハWの回転は継続され、ウェハW上のレジスト液の乾燥が行われる。これにより、ウェハW上にレジスト膜が形成される。 After that, the ejection of the resist liquid is stopped, and the coating nozzle 122 is retracted to the standby section 124 . Further, the rotation of the spin chuck 110 is continued, that is, the rotation of the wafer W is continued, and the resist liquid on the wafer W is dried. Thereby, a resist film is formed on the wafer W. As shown in FIG.

その後、レジスト膜が形成されたウェハWが、処理容器100への搬入手順と逆の手順で、処理容器100から搬出される。これにより一連のレジスト膜形成処理が完了する。 After that, the wafer W on which the resist film is formed is unloaded from the processing container 100 in the reverse order of the loading procedure into the processing container 100 . This completes a series of resist film forming processes.

<熱処理装置40>
続いて、熱処理装置40の構成について説明する。図7及び図8はそれぞれ、熱処理装置40の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
<Heat Treatment Apparatus 40>
Next, the configuration of the heat treatment apparatus 40 will be described. 7 and 8 are a vertical cross-sectional view and a cross-sectional view, respectively, showing an outline of the configuration of the heat treatment apparatus 40. FIG.

例えば熱処理装置40は、図7に示すように、筐体130内に、ウェハWを加熱処理する加熱部131と、ウェハWを冷却処理する冷却部132を備えている。筐体130の冷却部132近傍の側面には、ウェハWを搬入出するための搬入出口(図示せず)が形成されている。 For example, the heat treatment apparatus 40 includes a heating unit 131 that heats the wafer W and a cooling unit 132 that cools the wafer W in the housing 130, as shown in FIG. A loading/unloading port (not shown) for loading/unloading the wafer W is formed on a side surface of the housing 130 near the cooling unit 132 .

加熱部131は、上側に位置して上下動自在な蓋体140と、下側に位置してその蓋体140と一体となって処理室Sを形成する熱板収容部141を備えている。 The heating unit 131 includes a lid body 140 which is positioned on the upper side and which can move up and down, and a hot plate housing part 141 which is positioned on the lower side and forms a processing chamber S together with the lid body 140 .

蓋体140は、下面が開口した略筒形状を有し、後述の熱板142上に載置されたウェハWの被処理面である上面を覆う。蓋体140の上面中央部には、排気部140aが設けられている。処理室S内の雰囲気は、排気部140aから排気される。 The lid body 140 has a substantially cylindrical shape with an open lower surface, and covers the upper surface, which is the surface to be processed, of the wafer W placed on a hot plate 142 which will be described later. An exhaust portion 140 a is provided in the central portion of the upper surface of the lid 140 . The atmosphere in the processing chamber S is exhausted from the exhaust part 140a.

熱板収容部141の中央には、ウェハWが載置され、該載置されたウェハWを加熱する熱板142が設けられている。熱板142は、厚みのある略円盤形状を有しており、熱板142の上面すなわちウェハWの搭載面を加熱するヒータ150がその内部に設けられている。ヒータ150としては、例えば電気ヒータが用いられる。 A hot plate 142 for heating the placed wafer W is provided in the center of the hot plate accommodating portion 141 . The hot plate 142 has a thick, substantially disk-like shape, and a heater 150 for heating the upper surface of the hot plate 142, that is, the mounting surface of the wafer W is provided therein. An electric heater, for example, is used as the heater 150 .

熱板収容部141には、熱板142を厚み方向に貫通する昇降ピン151が設けられている。昇降ピン151は、昇降駆動機構152に接続されている。昇降駆動機構152は、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、昇降駆動機構152により、昇降ピン151は、上下動可能である。昇降ピン151は、上下動することにより、熱板142の上面に突出して後述する冷却板170との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。昇降駆動機構152は制御部6により制御される。 The hot plate accommodating portion 141 is provided with lifting pins 151 that pass through the hot plate 142 in the thickness direction. The lifting pin 151 is connected to a lifting drive mechanism 152 . The elevation drive mechanism 152 is provided with an elevation drive source such as a cylinder, and the elevation drive mechanism 152 allows the elevation pin 151 to move up and down. By moving up and down, the lifting pins 151 protrude from the upper surface of the hot plate 142 so that the wafer W can be transferred to and from a cooling plate 170 which will be described later. The elevation drive mechanism 152 is controlled by the controller 6 .

熱板収容部141は、例えば熱板142を収容して熱板142の外周部を保持する環状の保持部材160と、その保持部材160の外周を囲む略筒状のサポートリング161を有している。 The hot plate accommodating portion 141 has, for example, an annular holding member 160 that accommodates the hot plate 142 and holds the outer peripheral portion of the hot plate 142, and a substantially cylindrical support ring 161 that surrounds the outer periphery of the holding member 160. there is

加熱部131に隣接する冷却部132には、例えばウェハWを載置して冷却する冷却板170が設けられている。冷却板170は、例えば図8に示すように略方形の平板形状を有し、加熱部131側の端面が円弧状に湾曲している。冷却板170の内部には、例えばペルチェ素子等の図示しない冷却部材が内蔵されており、冷却板170を所定の設定温度に調整できる。 A cooling unit 132 adjacent to the heating unit 131 is provided with a cooling plate 170 on which, for example, a wafer W is mounted and cooled. The cooling plate 170 has, for example, a substantially square flat plate shape as shown in FIG. 8, and the end surface on the heating unit 131 side is curved in an arc shape. A cooling member (not shown) such as a Peltier element is built in the cooling plate 170, and the cooling plate 170 can be adjusted to a predetermined set temperature.

冷却板170は、例えば図7に示すように支持アーム171に支持され、その支持アーム171は、加熱部131側のX方向に向かって延伸するレール172に取付けられている。冷却板170は、支持アーム171に取り付けられた駆動機構173によりレール172上を移動できる。これにより、冷却板170は、加熱部131側の熱板142の上方まで移動できる。 The cooling plate 170 is supported by a support arm 171, for example, as shown in FIG. A cooling plate 170 can be moved on rails 172 by a drive mechanism 173 attached to a support arm 171 . This allows the cooling plate 170 to move above the hot plate 142 on the heating unit 131 side.

冷却板170には、例えば図8のX方向に沿った2本のスリット174が形成されている。スリット174は、冷却板170の加熱部131側の端面から冷却板170の中央部付近まで形成されている。このスリット174により、加熱部131側に移動した冷却板170と、熱板142上の昇降ピン151との干渉が防止される。 The cooling plate 170 is formed with, for example, two slits 174 along the X direction in FIG. The slit 174 is formed from the end surface of the cooling plate 170 on the heating unit 131 side to the vicinity of the central portion of the cooling plate 170 . This slit 174 prevents interference between the cooling plate 170 moved to the heating unit 131 side and the lifting pin 151 on the heating plate 142 .

図7に示すように冷却部132内に位置する冷却板170の下方には、基板載置部としての昇降ピン175が設けられている。昇降ピン175は、昇降駆動機構176に接続されている。昇降駆動機構176は、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、昇降駆動機構176により、昇降ピン175は、上下動可能である。昇降ピン175は、上下動することにより、冷却板170の下方から上昇してスリット174を通過し、冷却板170の上方に突出して、例えば前述の搬入出口から筐体130の内部に進入する搬送装置70との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。昇降駆動機構176は制御部6により制御される。 As shown in FIG. 7, elevating pins 175 as a substrate mounting portion are provided below the cooling plate 170 located in the cooling portion 132 . The lifting pin 175 is connected to the lifting drive mechanism 176 . The elevation drive mechanism 176 is provided with an elevation drive source such as a cylinder, and the elevation drive mechanism 176 allows the elevation pins 175 to move up and down. By moving up and down, the lifting pin 175 rises from below the cooling plate 170, passes through the slit 174, protrudes above the cooling plate 170, and enters the inside of the housing 130 through the above-described loading/unloading port, for example. A wafer W can be transferred to and from the device 70 . The elevation drive mechanism 176 is controlled by the controller 6 .

<熱処理>
ここで、熱処理装置40における熱処理の一例について説明する。なお、以下の処理は、制御部6の制御の下、行われる。
<Heat treatment>
Here, an example of heat treatment in the heat treatment apparatus 40 will be described. Note that the following processing is performed under the control of the control unit 6 .

まず、昇降ピン175が、搬送装置70との間でウェハWを受け渡すための受け渡し位置に上昇される。次いで、ウェハWを保持した搬送装置70の搬送アーム70aが、筐体130内に挿入され、昇降ピン175の上方の受け渡し開始位置に移動される。続いて、搬送アーム70aが受け渡し完了位置まで下降され、ウェハWが搬送アーム70aから昇降ピン175に受け渡される。その後、搬送アーム70aが筐体130内から抜き出されると共に、昇降ピン175の下降が行われ、ウェハWが昇降ピン175から冷却板170に受け渡される。 First, the lift pins 175 are raised to the transfer position for transferring the wafer W to and from the carrier device 70 . Next, the transfer arm 70 a of the transfer device 70 holding the wafer W is inserted into the housing 130 and moved to the transfer start position above the lift pins 175 . Subsequently, the transfer arm 70 a is lowered to the transfer completion position, and the wafer W is transferred from the transfer arm 70 a to the lifting pins 175 . After that, the transfer arm 70 a is extracted from the housing 130 , the lift pins 175 are lowered, and the wafer W is transferred from the lift pins 175 to the cooling plate 170 .

続いて冷却板170が熱板142の上方に移動される。次いで、昇降ピン151が上昇し、冷却板170上のウェハWが昇降ピン151に受け渡される。その後、冷却板170が熱板142の上方から退避し、昇降ピン151が下降され、熱板142上にウェハWが受け渡される。また、蓋体140が下降して処理室Sが形成され、ウェハWの加熱処理が開始される。 Subsequently, the cold plate 170 is moved above the hot plate 142 . Next, the lifting pins 151 are lifted, and the wafer W on the cooling plate 170 is transferred to the lifting pins 151 . After that, the cooling plate 170 is withdrawn from above the hot plate 142 , the elevating pins 151 are lowered, and the wafer W is transferred onto the hot plate 142 . Further, the lid 140 is lowered to form the processing chamber S, and the heat treatment of the wafer W is started.

所定時間ウェハWの加熱処理が行われると、蓋体140が上昇されると共に、昇降ピン151が上昇され、ウェハWが熱板142の上方に移動する。また、冷却板170がウェハWと熱板142の間の位置まで移動される。そして、昇降ピン151が下降され、冷却板170にウェハWが受け渡される。その後、冷却板170が冷却部132に移動される。冷却板170に受け渡されたウェハWは、例えば冷却部132において室温まで冷却された後、筐体130への搬入手順と逆の手順で、筐体130から搬出される。これにより一連の熱処理が完了する。 When the wafer W is heated for a predetermined time, the lid 140 is lifted and the lift pins 151 are lifted to move the wafer W above the hot plate 142 . Also, the cooling plate 170 is moved to a position between the wafer W and the hot plate 142 . Then, the elevating pins 151 are lowered to transfer the wafer W to the cooling plate 170 . After that, the cooling plate 170 is moved to the cooling section 132 . The wafer W transferred to the cooling plate 170 is cooled to room temperature, for example, in the cooling unit 132 , and then unloaded from the housing 130 in the reverse order of the loading into the housing 130 . This completes a series of heat treatments.

<搬送装置70>
続いて、搬送装置70の構成について説明する。図9は、搬送装置70の側面図である。図10は、搬送アーム70aの上面図であり、後述のフレームの図示を省略している。
<Conveyor 70>
Next, the configuration of the transport device 70 will be described. FIG. 9 is a side view of the transport device 70. FIG. FIG. 10 is a top view of the transfer arm 70a, omitting the illustration of a frame, which will be described later.

搬送装置70は、図9に示すように搬送領域Dの長さ方向であるY方向に延伸するガイド301に沿ってウェハWを搬送する搬送アーム70aを有している。 The transport device 70 has a transport arm 70a that transports the wafer W along a guide 301 extending in the Y direction, which is the longitudinal direction of the transport area D, as shown in FIG.

搬送アーム70aは、ガイド301に沿って移動するフレーム302と、該フレーム302に沿って昇降する昇降体303と、該昇降体303上を回動する回動体304と、該回動体304上を進退する基板保持部としてのフォーク305と、を有する。 The conveying arm 70a includes a frame 302 that moves along a guide 301, an elevating body 303 that elevates and lowers along the frame 302, a rotating body 304 that rotates on the elevating body 303, and advances and retreats on the rotating body 304. and a fork 305 as a substrate holding portion.

フォーク305は、例えば図10に示すように、ウェハWより僅かに大きい径の略C字型に形成されている。フォーク305の内側には、内側に向かって突出し、ウェハWの外周部を支持する爪310が複数個所に設けられている。爪310それぞれには、ウェハWを吸着保持するための吸着孔(図示せず)が設けられている。 The fork 305 is formed in a substantially C shape with a slightly larger diameter than the wafer W, as shown in FIG. 10, for example. Inside the fork 305, claws 310 projecting inward and supporting the outer peripheral portion of the wafer W are provided at a plurality of locations. Each claw 310 is provided with a suction hole (not shown) for holding the wafer W by suction.

また、搬送装置70は、図9に示すように、アーム駆動機構320を有する。アーム駆動機構320は、昇降体303の昇降のための駆動力を発生するシリンダ等の駆動源(図示せず)を有する。アーム駆動機構320は、同様に、回動体304の回動のための駆動力を発生するモータ等の駆動源(図示せず)と、フォーク305の身体のための駆動力を発生するモータ等の駆動源(図示せず)を有する。アーム駆動機構320は制御部6により制御される。 Further, the transport device 70 has an arm drive mechanism 320 as shown in FIG. The arm drive mechanism 320 has a drive source (not shown) such as a cylinder that generates drive force for raising and lowering the lifting body 303 . The arm drive mechanism 320 similarly includes a drive source (not shown) such as a motor that generates a driving force for rotating the rotating body 304 and a motor that generates a driving force for the body of the fork 305. It has a drive source (not shown). The arm drive mechanism 320 is controlled by the controller 6 .

さらに、搬送装置70は、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置を検出するための検出部330を有する。検出部330は、フォーク305上のウェハWのエッジを検出する受発光ユニット331を複数有する。 Further, the transfer device 70 has a detector 330 for detecting the horizontal position of the wafer W on the fork 305 . The detector 330 has a plurality of light emitting/receiving units 331 that detect the edge of the wafer W on the fork 305 .

各受発光ユニット331は、受光センサ332と光源333とを有する。受光センサ332及び光源333のいずれか一方は、基端側に後退したフォーク305の上方に配設され、他方は下方に配設されている。本例では、受光センサ332が上方に配設されている。 Each light receiving/emitting unit 331 has a light receiving sensor 332 and a light source 333 . One of the light receiving sensor 332 and the light source 333 is arranged above the fork 305 retracted to the base end side, and the other is arranged below. In this example, the light receiving sensor 332 is arranged above.

受光センサ332は例えばCCDラインセンサであり、フォーク305に支持されたウェハWのエッジを横切るように設けられている。
各受発光ユニット331において、光源333は、受光センサに対向するように設けられている。各光源333は、例えば、直線状に配列されたLEDにより構成される。
The light receiving sensor 332 is, for example, a CCD line sensor and is provided across the edge of the wafer W supported by the fork 305 .
In each light receiving/emitting unit 331, the light source 333 is provided so as to face the light receiving sensor. Each light source 333 is composed of, for example, linearly arranged LEDs.

各受光センサ332と光源333は、回動体304に対して固定されている。具体的には、例えば、受光センサ332は、支持部材(図示せず)を介して回動体304に支持され、光源333は、回動体304の上面上に配設される。そのため、フォーク305が進退したときに、受光センサ332と光源333は移動しない。
受光センサ332による検出結果は制御部6に出力される。また、光源333は制御部6により制御される。
Each light receiving sensor 332 and light source 333 are fixed with respect to the rotating body 304 . Specifically, for example, the light receiving sensor 332 is supported by the rotating body 304 via a support member (not shown), and the light source 333 is arranged on the upper surface of the rotating body 304 . Therefore, when the fork 305 advances and retreats, the light receiving sensor 332 and the light source 333 do not move.
A detection result by the light receiving sensor 332 is output to the control section 6 . Also, the light source 333 is controlled by the controller 6 .

<位置調整処理の例1>
続いて、本実施形態における、フォーク305の基準高さ位置の調整処理の一例について、レジスト塗布装置31のスピンチャック110に対する基準高さ位置を例に説明する。この基準高さ位置の調整処理は、例えば、塗布現像処理システム1の立ち上げ時や、メンテナンス時に行われる。図11は、フォーク305の基準高さ位置の調整処理の一例を示すフローチャートである。図12は、上記調整処理中の搬送アーム70aとレジスト塗布装置31の状態を示す図であり、調整処理に係る部分以外の図示を省略している。なお、以下の処理は、制御部6の制御の下、行われる。
<Example 1 of position adjustment processing>
Next, an example of processing for adjusting the reference height position of the fork 305 according to the present embodiment will be described using the reference height position of the resist coating device 31 with respect to the spin chuck 110 as an example. This reference height position adjustment processing is performed, for example, when the coating and developing treatment system 1 is started up or during maintenance. FIG. 11 is a flowchart showing an example of processing for adjusting the reference height position of the fork 305. As shown in FIG. FIG. 12 is a diagram showing the state of the transport arm 70a and the resist coating device 31 during the adjustment process, and omits illustration of parts other than those related to the adjustment process. Note that the following processing is performed under the control of the control unit 6 .

(ステップS1)
図11に示すように、まず、フォーク305によりウェハWが支持される。ここで用いられるウェハWは、センサ等が設けられた治具ウェハではなく、例えばベアウェハである。
(Step S1)
As shown in FIG. 11, first, the wafer W is supported by the forks 305 . The wafer W used here is, for example, a bare wafer rather than a jig wafer provided with a sensor or the like.

(ステップS2)
続いて、ウェハWを支持したフォーク305が、スピンチャック110の上方まで移動される。
(Step S2)
Subsequently, fork 305 supporting wafer W is moved above spin chuck 110 .

(ステップS2a)
具体的には、まず、ウェハWを支持したフォーク305上における当該ウェハWの水平方向の位置が検出部330により検出される。
より具体的には、例えば、図12(a)に示すように、ウェハWを支持したフォーク305が基端側に後退され処理容器100外に位置した状態で、光源333からの発光が行われ、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置が、受光センサ332による受光結果に基づいて、制御部6により算出すなわち検出される。
(Step S2a)
Specifically, first, the horizontal position of the wafer W on the fork 305 supporting the wafer W is detected by the detection unit 330 .
More specifically, for example, as shown in FIG. 12(a), the light source 333 emits light while the fork 305 supporting the wafer W is retracted toward the proximal side and positioned outside the processing container 100. , the horizontal position of the wafer W on the fork 305 is calculated or detected by the controller 6 based on the light receiving result of the light receiving sensor 332 .

(ステップS2b)
検出後、例えば、ウェハWを支持したフォーク305が、受け渡し位置まで上昇されたスピンチャック110の上方まで水平に移動される。
より具体的には、ウェハWを支持したフォーク305が、挿入高さ位置まで上昇された後、水平に前進され、これにより、図12(b)に示すように、処理容器100内に挿入され、上記スピンチャック110の上方まで移動される。
(Step S2b)
After detection, for example, the fork 305 supporting the wafer W is horizontally moved above the spin chuck 110 which has been raised to the delivery position.
More specifically, the fork 305 supporting the wafer W is moved up to the insertion height position and then horizontally advanced, thereby being inserted into the processing container 100 as shown in FIG. 12(b). , is moved above the spin chuck 110 .

(ステップS3)
ステップS2に続いて、ウェハWを支持したフォーク305が、現在設定中の基準高さ位置まで下降される。
具体的には、ウェハWを支持したフォーク305が、図12(c)に示すように、ウェハWを吸着しない状態で、現在設定中の基準高さまで下降される。
後述するように、本実施形態にかかる位置調整処理では、ステップS3を含むステップS2~S5が繰り返し行われ得る。塗布現像処理システム1の立ち上げ時における初回のステップS3では、ウェハWを支持したフォーク305が、初期設定の基準高さ位置まで下降される。
現在設定中の基準高さが十分低ければ、本ステップS3の終了後、ウェハWが、フォーク305からスピンチャック110に受け渡され載置されるが、十分低くない場合、ウェハWは、フォーク305に支持されたままとなる。
なお、このステップS3におけるフォーク305の下降は、例えば、レジスト膜形成処理時のフォーク305の下降速度より低速で行われる。
また、初期設定の基準高さ位置は、例えば基準高さ位置の設計値より高い位置に設定される。
(Step S3)
Following step S2, the fork 305 supporting the wafer W is lowered to the currently set reference height position.
Specifically, the fork 305 supporting the wafer W is lowered to the currently set reference height without attracting the wafer W, as shown in FIG. 12(c).
As will be described later, in the position adjustment process according to this embodiment, steps S2 to S5 including step S3 can be repeatedly performed. In the first step S3 when starting up the coating and developing system 1, the fork 305 supporting the wafer W is lowered to the initial set reference height position.
If the currently set reference height is sufficiently low, the wafer W will be transferred from the fork 305 to the spin chuck 110 after step S3 and placed thereon. remains supported by
Note that the fork 305 is lowered in step S3, for example, at a lower speed than the fork 305 is lowered during the resist film forming process.
Further, the initial setting reference height position is set to a position higher than the design value of the reference height position, for example.

(ステップS4)
ステップS3に続いて、フォーク305が、検出部330まで移動され、フォーク305上のウェハWが検出部330により検出される。
(Step S4)
Following step S<b>3 , fork 305 is moved to detection unit 330 , and wafer W on fork 305 is detected by detection unit 330 .

(ステップS4a)
具体的には、まず、フォーク305が、図12(d)に示すように、上記現在設定中の基準高さ位置で水平に、所定の距離L(例えば1mm)前進または後退される。
ここでは、フォーク305が前進されたものとする。また、上記所定の距離Lは、後述のステップS4bで、ウェハWを支持していなかったフォーク305が上昇されたときに、ウェハWが、スピンチャック110から当該フォーク305に適切に受け渡されるよう、微小な値が設定される。
(Step S4a)
Specifically, first, as shown in FIG. 12(d), the fork 305 is horizontally moved forward or backward by a predetermined distance L (for example, 1 mm) at the currently set reference height position.
Here, it is assumed that the fork 305 is advanced. Further, the predetermined distance L is set so that the wafer W is properly transferred from the spin chuck 110 to the fork 305 when the fork 305 not supporting the wafer W is raised in step S4b described later. , a minute value is set.

(ステップS4b)
続いて、フォーク305が、スピンチャック110の上方まで上昇される。
例えば、フォーク305が、例えば前述の挿入高さ位置まで上昇される。
これにより、ステップS3において現在設定中の基準高さ位置が十分低く、ウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されていた場合、フォーク305にウェハWが戻され、再支持される。このように戻される場合、ステップS4aでフォーク305の水平移動が行われるため、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置は、フォーク305に戻される前と後とで、すなわち、ステップS4の前とステップS4bの後とで変化する。
一方、ステップS3において現在設定中の基準高さが高く、ウェハWがフォーク305からスピンチャック110に受け渡されていなかった場合、ステップS4において、ウェハWがフォーク305に支持され続け、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置は、ステップS4の前とステップS4bの後とで変化しない。
(Step S4b)
Subsequently, fork 305 is raised above spin chuck 110 .
For example, fork 305 is raised, for example, to the aforementioned insertion height position.
As a result, when the reference height position currently being set is sufficiently low in step S3 and the wafer W is placed on the spin chuck 110 from the fork 305, the wafer W is returned to the fork 305 and supported again. When returned in this way, the fork 305 is horizontally moved in step S4a, so the horizontal position of the wafer W on the fork 305 changes before and after being returned to the fork 305, that is, before step S4. and after step S4b.
On the other hand, if the currently set reference height is high in step S3 and the wafer W has not been transferred from the fork 305 to the spin chuck 110, in step S4, the wafer W continues to be supported by the fork 305 and The horizontal position of the wafer W in , does not change before step S4 and after step S4b.

(ステップS4c)
次いで、ウェハWを支持したフォーク305上における当該ウェハWの水平方向の位置が検出部330により検出される。
より具体的には、例えば、ウェハWを支持したフォーク305が基端側に後退され処理容器100外に移動され、その後、光源333からの発光が行われ、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置が、受光センサ332による受光結果に基づいて、制御部6により算出すなわち検出される。
(Step S4c)
Next, the horizontal position of the wafer W on the fork 305 supporting the wafer W is detected by the detection unit 330 .
More specifically, for example, the fork 305 supporting the wafer W is retracted to the base end side and moved out of the processing container 100 , and then the light source 333 emits light, causing the wafer W to move horizontally on the fork 305 . is calculated or detected by the control unit 6 based on the result of the light received by the light receiving sensor 332 .

(ステップS5)
ステップS4に続いて、ステップS4による検出結果に基づいて、ステップS3でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが、制御部6により判定される。
(Step S5)
Following step S4, the controller 6 determines whether or not the wafer W has been placed on the spin chuck 110 from the fork 305 in step S3 based on the detection result obtained in step S4.

具体的には、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置の、ステップS2aでの検出結果と、ステップS4cでの検出結果と、に基づいて、ステップS3でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが、制御部6により判定される。
より具体的には、例えば、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置の、ステップS2aでの検出結果(Amm)と、ステップS4cでの検出結果(Bmm)と、の差分(A-B)が閾値(S4bでL=1mmの場合、例えば0.1mm)未満であるか否かに基づいて、判定される。閾値未満の場合、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていない、と判定され、閾値以上の場合、載置されていると判定される。
Specifically, based on the detection result in step S2a and the detection result in step S4c of the horizontal position of wafer W on fork 305, wafer W is moved from fork 305 to spin chuck 110 in step S3. It is determined by the control unit 6 whether or not it is placed on the .
More specifically, for example, the difference (AB) between the detection result (Amm) in step S2a and the detection result (Bmm) in step S4c of the horizontal position of the wafer W on the fork 305. is less than a threshold value (for example, 0.1 mm when L=1 mm in S4b). If it is less than the threshold, it is determined in step S3 that the wafer W is not placed on the spin chuck 110, and if it is greater than or equal to the threshold, it is determined that it is placed.

(ステップS6)
そして、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていないと判定された場合(ステップS5、Noの場合)、制御部6により、基準高さ位置が所定距離H(例えば2mm)下方に修正される。
上述のような修正の上、ステップS2~S5が再度行われる。
(Step S6)
Then, when it is determined in step S3 that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 (step S5, No), the controller 6 moves the reference height position downward by a predetermined distance H (for example, 2 mm). Fixed.
After the correction as described above, steps S2 to S5 are performed again.

再度行った結果、ステップS5において、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていないと再び判定された場合、制御部6により、基準高さ位置がさらに所定距離H(例えば2mm)下方に修正される。
つまり、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されたとステップS5において判定されるまで、ステップS2~S5が繰り返し行われ、行う度に基準高さ位置が所定距離H下方に修正される。
As a result of re-execution, when it is determined again in step S5 that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 in step S3, the control unit 6 further moves the reference height position downward by a predetermined distance H (for example, 2 mm). is corrected to
That is, steps S2 to S5 are repeated until it is determined in step S5 that the wafer W is placed on the spin chuck 110 in step S3, and the reference height position is corrected downward by the predetermined distance H each time.

なお、ステップS2~S5を繰り返し行う場合、2回目以降は、ステップS2aを省略し、ステップS5において、以下のようにしてもよい。すなわち、直前のステップS4における検出部330での検出結果Bと、1回前のステップS4における検出部330での検出結果B´と、に基づいて、ステップS3でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが判定されるようにしてもよい。
具体的には、n(nは2以上の自然数)回目のステップS5においては、n回目のステップS4における検出部330での検出結果Bと、n-1回前におけるステップS4における検出部330での検出結果B´との差が、閾値未満であるか否かに基づいて、ステップS3でウェハWが載置されたか否かが判定されてもよい。
When steps S2 to S5 are repeated, step S2a may be omitted from the second time onwards, and step S5 may be performed as follows. That is, based on the detection result B of the detection unit 330 in the previous step S4 and the detection result B' of the detection unit 330 in the previous step S4, the wafer W is moved from the fork 305 to the spin chuck in step S3. It may be determined whether or not the object is placed on 110 .
Specifically, in the n-th (n is a natural number of 2 or more) step S5, the detection result B in the detection unit 330 in the n-th step S4 and the detection unit 330 in step S4 n-1 times before It may be determined whether or not the wafer W is placed in step S3 based on whether or not the difference from the detection result B' of is less than a threshold value.

ステップS5において、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定された場合(YESの場合)、現在設定中の基準高さ位置が、実際の基準高さ位置として設定され、または、後述の厳密調整処理が行われる。なお、以下では、図11を用いて説明した基準高さ位置の調整処理を粗調整処理という。 In step S5, if it is determined that the wafer W is placed on the spin chuck 110 in step S3 (if YES), the reference height position currently being set is set as the actual reference height position, Alternatively, strict adjustment processing, which will be described later, is performed. Note that the reference height position adjustment processing described with reference to FIG. 11 is hereinafter referred to as rough adjustment processing.

<厳密調整処理の例>
図13は、厳密調整処理の一例を示すフローチャートである。本処理も、制御部6の制御の下、行われる。
<Example of strict adjustment processing>
FIG. 13 is a flowchart illustrating an example of strict adjustment processing. This processing is also performed under the control of the control unit 6 .

(ステップS11)
厳密調整処理では、まず、制御部6により、現在設定中の基準高さ位置が上述の所定距離Hより短い距離上方に修正される。
所定距離Hより短い距離とは、例えば所定距離Hの1/2、すなわちH/2である。
(Step S11)
In the strict adjustment process, first, the control unit 6 corrects the currently set reference height position upward by a distance shorter than the predetermined distance H described above.
The distance shorter than the predetermined distance H is, for example, 1/2 of the predetermined distance H, that is, H/2.

(ステップS12)
その上で、ステップS2~S5が再度順に行われる。なお、この際、フォーク305が、ステップS4aにおいて基準高さ位置で水平方向に移動される際、粗調整処理とは反対側(逆側)に移動されてもよい。これにより、フォーク305上におけるウェハWの水平方向のずれが蓄積されるのを防止することができ、このずれの蓄積を起因とした不具合(例えばウェハWのフォーク305上からの落下等)を防ぐことができる。
(Step S12)
After that, steps S2 to S5 are sequentially performed again. At this time, when the fork 305 is horizontally moved at the reference height position in step S4a, the fork 305 may be moved to the opposite side (opposite side) to the rough adjustment process. As a result, it is possible to prevent the accumulation of horizontal misalignment of the wafer W on the fork 305, thereby preventing problems caused by the accumulation of this misalignment (for example, the wafer W falling from the fork 305). be able to.

(ステップS13)
再度順に行われたステップS2~S5のうちのステップS5においてステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されたと判定された場合、制御部6により、現在設定中の基準高さ位置が、上述の短い距離よりさらに短い距離、上方に修正される。
上記さらに短い距離とは、例えば所定距離Hの1/4、すなわちH/4である。
(Step S13)
If it is determined in step S5 of steps S2 to S5 that are sequentially performed again that the wafer W has been placed on the spin chuck 110 in step S3, the control unit 6 changes the reference height position currently being set to the above-mentioned is corrected upwards by a distance smaller than the short distance of .
The shorter distance is, for example, 1/4 of the predetermined distance H, that is, H/4.

(ステップS14)
また、再度順に行われたステップS2~S5のうちのステップS5において、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されたと判定されなかった場合、制御部6により、現在設定中の基準高さ位置が、上述の短い距離よりさらに短い距離、下方に修正される。
(Step S14)
Further, in step S5 of steps S2 to S5 which are sequentially performed again, if it is not determined in step S3 that the wafer W is placed on the spin chuck 110, the control unit 6 sets the reference height currently set. The position is corrected down a shorter distance than the short distance mentioned above.

(ステップS15)
ステップS13またはステップS14の後、ステップS2~S5が再度順に行われる。
以降、ステップS13及びステップS14のような直近のステップS5における判定結果に基づく、現在設定中の基準高さ位置の修正と、ステップS15のようなステップS2~S5の再実施が、所定の条件を満たすまで繰り返される。その際、基準高さ位置の修正量は徐々に小さくされる。
(Step S15)
After step S13 or step S14, steps S2 to S5 are sequentially performed again.
Thereafter, correction of the currently set reference height position based on the determination result in the most recent step S5, such as steps S13 and S14, and re-execution of steps S2 to S5, such as step S15, are performed to meet predetermined conditions. Repeat until full. At that time, the correction amount of the reference height position is gradually reduced.

つまり、ステップS5においてステップS3でフォーク305からスピンチャック110に載置されたと初めて判定された後は、
最後に行われたステップS5においてステップS3でフォーク305からスピンチャック110に載置されたと判定されたときには、現在設定中の基準高さ位置を上方に修正した上で、ステップS2~S5が再度順に行われ、
最後に行われたステップS5においてステップS3でフォーク305からスピンチャック110に載置されていないと判定されたときには、現在設定中の基準高さ位置を下方に修正した上で、ステップS2~S5が再度順に行われることが、
基準高さ位置の修正量が徐々に小さくされながら、所定の条件を満たすまで繰り返される。
That is, after it is first determined in step S5 that the fork 305 is placed on the spin chuck 110 in step S3,
When it is determined in step S5 that the fork 305 is placed on the spin chuck 110 in step S3, the reference height position currently being set is corrected upward, and then steps S2 to S5 are repeated in order. done,
When it is determined in step S5 that the fork 305 is not placed on the spin chuck 110 in step S3, the reference height position currently being set is corrected downward, and then steps S2 to S5 are performed. Again in order,
While the amount of correction of the reference height position is gradually reduced, the process is repeated until a predetermined condition is satisfied.

例えば、修正量は修正の度に半減される。
また、上記所定の条件とは、例えば、基準高さ位置の精度が所望の範囲になるという条件、すなわち、現在設定中の基準高さ位置の徐々の修正とステップS2~S5の再実施の繰り返し回数が予め定められた回数になるという条件である。
For example, the amount of correction is halved for each correction.
Further, the predetermined condition is, for example, a condition that the accuracy of the reference height position is within a desired range, that is, the gradual correction of the reference height position currently being set and repetition of re-execution of steps S2 to S5. The condition is that the number of times becomes a predetermined number of times.

なお、ステップS15においてステップS4aを再実施する際に、フォーク305が、前回のステップS4aのときと反対側に水平に移動されてもよい。前述のように、フォーク305上におけるウェハWの水平方向のずれが蓄積されるのを防止するためである。例えば、現在設定中の基準高さ位置を下方に修正した後のステップS4aでは、フォーク305が水平に前進され、現在設定中の基準高さ位置を下方に修正した後のステップS4aでは、フォーク305が水平に後退されるようにしてもよい。 Note that when step S4a is performed again in step S15, the fork 305 may be horizontally moved to the opposite side of the previous step S4a. This is to prevent the horizontal displacement of the wafer W on the fork 305 from accumulating, as described above. For example, in step S4a after the currently set reference height position is corrected downward, the fork 305 is horizontally advanced, and in step S4a after the currently set reference height position is corrected downward, the fork 305 may be retracted horizontally.

<粗調整処理の例2>
図14は、フォーク305の基準高さ位置の粗調整処理の、他の例を示すフローチャートである。なお、本処理も、制御部6の制御の下、行われる。
<Example 2 of coarse adjustment processing>
FIG. 14 is a flow chart showing another example of rough adjustment processing of the reference height position of the fork 305 . Note that this processing is also performed under the control of the control unit 6 .

(ステップS1)
図示するように、本例においても、上記粗調整処理の例1と同様に、まず、フォーク305によりウェハWが支持される。
(Step S1)
As shown in the figure, also in this example, the wafer W is first supported by the forks 305 in the same manner as in the rough adjustment process example 1 described above.

(ステップS2´)
続いて、ウェハWを支持したフォーク305が、スピンチャック110の上方まで移動される。
(Step S2')
Subsequently, fork 305 supporting wafer W is moved above spin chuck 110 .

(ステップS2b)
ただし、本例では、上記粗調整処理の例1と異なり、ステップS2aが行われず省略され、ステップS2bが行われる。すなわち、例えば、ウェハWを支持したフォーク305が、受け渡し位置まで上昇されたスピンチャック110の上方まで水平に移動される。
(Step S2b)
However, in this example, unlike Example 1 of the coarse adjustment process, step S2a is omitted and step S2b is performed. That is, for example, the fork 305 supporting the wafer W is moved horizontally above the spin chuck 110 which has been raised to the transfer position.

(ステップS3´)
次いで、上記粗調整処理の例1のステップS3と同様、ウェハWを支持したフォーク305が、現在設定中の基準高さ位置まで下降される。
現在設定中の基準高さが十分低ければ、本ステップS3の終了後、ウェハWが、フォーク305からスピンチャック110に受け渡され載置されるが、十分低くない場合、ウェハWは、フォーク305に支持されたままとなる。
(Step S3')
Next, the fork 305 supporting the wafer W is lowered to the currently set reference height position in the same manner as in step S3 of the example 1 of the coarse adjustment process.
If the currently set reference height is sufficiently low, the wafer W will be transferred from the fork 305 to the spin chuck 110 after step S3 and placed thereon. remains supported by

(ステップS4´)
続いて、フォーク305が、検出部330まで移動され、フォーク305上のウェハWが検出部330により検出される。
(Step S4')
Subsequently, fork 305 is moved to detection unit 330 , and wafer W on fork 305 is detected by detection unit 330 .

(ステップS4c´)
具体的には、上記例1と異なり、ステップS4a及びステップS4bが行われず省略され、まず、フォーク305が、上記現在設定中の基準高さ位置で水平に後退された後、処理容器100外に移動され、その後、光源333からの発光が行われ、フォーク305上のウェハWの有無が、受光センサ332による受光結果に基づいて、制御部6により判定すなわち検出される。
(Step S4c')
Specifically, unlike Example 1, steps S4a and S4b are not performed and are omitted. After that, light is emitted from the light source 333 , and the presence or absence of the wafer W on the fork 305 is determined, ie, detected by the control unit 6 based on the light receiving result of the light receiving sensor 332 .

(ステップS5´)
ステップS4´に続いて、ステップS4´による検出結果に基づいて、ステップS3´でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが、制御部6により判定すなわち検出される。
(Step S5')
Following step S4', the controller 6 determines, ie, detects whether or not the wafer W has been placed on the spin chuck 110 from the fork 305 in step S3' based on the detection result obtained in step S4'.

具体的には、ステップS4cにおいてフォーク305上にウェハWがあると判定された場合、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていない、と判定され、ステップS4cにおいてウェハWがないと判定された場合、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定される。 Specifically, if it is determined in step S4c that the wafer W is on the fork 305, it is determined in step S3' that the wafer W is not placed on the spin chuck 110, and in step S4c there is no wafer W. If so, it is determined that the wafer W is placed on the spin chuck 110 in step S3'.

(ステップS6)
そして、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていないと判定された場合(ステップS5´、Noの場合)、制御部6により、基準高さ位置が所定距離H(例えば2mm)下方に修正される。
上述のような修正の上、ステップS2´~S5´が再度行われる。
(Step S6)
Then, when it is determined that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 in step S3' (No in step S5'), the controller 6 sets the reference height position to a predetermined distance H (for example, 2 mm). modified downwards.
After the correction as described above, steps S2' to S5' are performed again.

ステップS5´において、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定された場合(YESの場合)、現在設定中の基準高さ位置が、実際の基準高さ位置として設定され、または、厳密調整処理が行われる。 In step S5', if it is determined that the wafer W is placed on the spin chuck 110 in step S3' (if YES), the reference height position currently being set is set as the actual reference height position. or a strict adjustment process is performed.

厳密調整処理が、粗調整処理の例2と同様、ステップS2´~S5´の再実施を伴う場合、ステップS4cにおいてフォーク305上にウェハWがないと判定され、ステップS5´においてステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定されたときは、ステップS2´~S5´は以下のようにして再度行われる。すなわち、スピンチャック110上のウェハWがフォーク305に回収されてから、ステップS2´~S5´は再度行われる。前述の例の厳密調整処理では、このようなフォーク305によるウェハWの回収動作が不要であるため、より高速に、基準高さ位置を調整することができる。 When the strict adjustment process involves re-execution of steps S2' to S5' as in the example 2 of the coarse adjustment process, it is determined in step S4c that there is no wafer W on the fork 305, and in step S5', in step S3' When it is determined that the wafer W is placed on the spin chuck 110, steps S2' to S5' are performed again as follows. That is, after the wafer W on the spin chuck 110 is collected by the fork 305, steps S2' to S5' are performed again. In the strict adjustment process of the example described above, the recovery operation of the wafer W by the fork 305 is unnecessary, so the reference height position can be adjusted at a higher speed.

以上のように、本実施形態では、制御部6が、
(a)搬送装置70を制御し、ウェハWを支持したフォーク305を、スピンチャック110の上方まで水平に移動させ、
(b)搬送装置70を制御し、ウェハWを支持したフォーク305を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させ、
(c)搬送装置70及び検出部330を制御し、検出部330まで、フォーク305を移動させ、当該フォーク305上のウェハを検出部300で検出し、
(d)上記(c)による検出結果に基づいて、上記(b)でフォーク305かスピンチャック110に載置されたか否か判定し、
上記(b)工程でフォーク305からスピンチャック110に載置されたと判定されるまで、上記(a)~上記(d)を繰り返し順に行い、繰り返す度に現在設定中の基準高さ位置を所定距離下方に修正する。
このように、本実施形態では、フォーク305の基準高さ位置の設定に、フォーク305によるウェハWの保持等に用いられる吸引力の検出結果を用いていない。したがって、上記吸引力の低下の影響を受けることなく、フォーク305の基準高さ位置の調整を適切に行うことができる。
As described above, in this embodiment, the control unit 6
(a) controlling the transfer device 70 to horizontally move the fork 305 supporting the wafer W to above the spin chuck 110;
(b) controlling the transfer device 70 to lower the fork 305 supporting the wafer W to the currently set reference height position;
(c) controlling the transfer device 70 and the detection unit 330, moving the fork 305 to the detection unit 330, detecting the wafer on the fork 305 with the detection unit 300;
(d) Based on the detection result of (c) above, determine whether or not the fork 305 or the spin chuck 110 is placed on the fork 305 or spin chuck 110 in (b) above,
Until it is determined that the fork 305 is placed on the spin chuck 110 in the step (b), the steps (a) to (d) are repeated in order, and each time the step (b) is repeated, the currently set reference height position is shifted by a predetermined distance. Correct downwards.
Thus, in this embodiment, the detection result of the suction force used for holding the wafer W by the fork 305 is not used for setting the reference height position of the fork 305 . Therefore, the reference height position of the fork 305 can be appropriately adjusted without being affected by the reduction in the suction force.

上述のように、フォーク305の基準高さ位置の調整を適切に行うことができるため、フォーク305の下降速度を一様に低下させるのではなく、フォーク305からスピンチャック110にウェハWが受け渡される瞬間のみ、フォーク305の下降速度を低下させることができる。したがって、スループットを低下させることなく、ウェハWに対しスピンチャック110から衝撃が加わるのを抑制することができる。 As described above, since the reference height position of the fork 305 can be appropriately adjusted, the wafer W is transferred from the fork 305 to the spin chuck 110 instead of uniformly decreasing the descending speed of the fork 305. Only at the moment when the fork 305 is pulled down, the descending speed of the fork 305 can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the impact applied to the wafer W from the spin chuck 110 without lowering the throughput.

また、本実施形態においてフォーク305の基準高さ位置の設定に用いた検出部330は、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置を検出するものであり、スピンチャック110に対するフォーク305の水平方向の基準位置の設定にも用いられるものである。つまり、本実施形態では、フォーク305の基準高さ位置の設定と、フォーク305の水平方向の基準位置の設定とに共通の検出部330を用いているため、両設定に別々のユニットを用いる場合に比べて高コスト化を防ぐことができる。 Further, the detection unit 330 used for setting the reference height position of the fork 305 in this embodiment detects the horizontal position of the wafer W on the fork 305, and the horizontal direction of the fork 305 with respect to the spin chuck 110 is detected. It is also used for setting the reference position of the . That is, in this embodiment, since the common detection unit 330 is used for setting the reference height position of the fork 305 and for setting the horizontal reference position of the fork 305, separate units are used for both settings. Higher costs can be prevented compared to

以上の粗調整処理の例1及び厳密調整処理の例では、スピンチャック110にウェハWが載置された状態での、フォーク305の大きな水平移動がない。そのため、フォーク305が水平移動したときに、スピンチャック110に載置されたウェハWと接触するのを抑制することができる。 In the rough adjustment processing example 1 and the strict adjustment processing example described above, there is no large horizontal movement of the fork 305 while the wafer W is placed on the spin chuck 110 . Therefore, contact with the wafer W placed on the spin chuck 110 can be suppressed when the fork 305 moves horizontally.

以上では、搬送装置70のフォーク305の、スピンチャック110に対する基準高さ位置を調整していた。しかし、本開示にかかる技術は、搬送装置70のフォーク305の、熱処理装置40の昇降ピン175に対する基準高さ位置を調整する場合や、搬送装置20の搬送アームの、載置板13上のカセットCの棚板C11に対する基準高さ位置を調整する場合等にも適用することができる。 In the above, the reference height position of the fork 305 of the transfer device 70 with respect to the spin chuck 110 is adjusted. However, the technique according to the present disclosure is used when adjusting the reference height position of the fork 305 of the conveying device 70 with respect to the lifting pin 175 of the heat treatment device 40, or when the conveying arm of the conveying device 20 moves the cassette on the mounting plate 13. It can also be applied to the case of adjusting the reference height position of C with respect to the shelf board C11.

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The embodiments described above may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

1 塗布現像処理システム
6 制御部
20 搬送装置
70 搬送装置
72 搬送装置
73 搬送装置
110 スピンチャック
175 昇降ピン
305 フォーク
330 検出部
C11 棚板
H 所定距離
W ウェハ
1 Coating and developing treatment system 6 Control unit 20 Transfer device 70 Transfer device 72 Transfer device 73 Transfer device 110 Spin chuck 175 Elevating pin 305 Fork 330 Detection unit C11 Shelf plate H Predetermined distance W Wafer

Claims (9)

基板搬送装置が有する基板保持部の位置調整方法であって、
(A)基板を支持した前記基板保持部を、基板が載置されるべき基板載置部の上方まで水平に移動させる工程と、
(B)基板を支持した前記基板保持部を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させる工程と、
(C)前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を検出するための検出部まで、前記基板保持部を移動させ、当該基板保持部上の基板を前記検出部で検出する工程と、
(D)前記(C)工程による検出結果に基づいて、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定する工程と、を含み、
前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと前記(D)工程において判定されるまで、前記(A)工程~前記(D)工程を繰り返し順に行い、行う度に前記基準高さ位置を所定距離下方に修正する、基板保持部の位置調整方法。
A method for adjusting the position of a substrate holding portion of a substrate transport device, comprising:
(A) horizontally moving the substrate holding part supporting the substrate to above the substrate placing part on which the substrate is to be placed;
(B) lowering the substrate holding part supporting the substrate to a currently set reference height position;
(C) moving the substrate holding part to a detection part for detecting the horizontal position of the substrate on the substrate holding part, and detecting the substrate on the substrate holding part with the detection part;
(D) determining whether or not the substrate has been placed on the substrate platform from the substrate holder in the step (B) based on the detection result in the step (C);
The steps (A) to (D) are repeated in order until it is determined in the step (D) that the substrate is placed on the substrate mounting portion from the holding portion in the step (B). and correcting the reference height position downward by a predetermined distance.
前記(D)工程において前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと初めて判定されたとき、前記基準高さ位置を前記所定距離より短い距離上方に修正した上で、前記(A)工程~前記(D)工程を再度順に行う、請求項1に記載の基板保持部の位置調整方法。 When it is first determined in the step (D) that the substrate has been placed on the substrate mounting portion from the substrate holding portion in the step (B), the reference height position is corrected upward by a distance shorter than the predetermined distance. 2. The method for adjusting the position of the substrate holder according to claim 1, wherein the steps (A) to (D) are sequentially performed again. 前記(D)工程において前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと初めて判定された後は、
最後に行われた前記(D)工程において前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと判定されたときには、前記基準高さ位置を上方に修正した上で、前記(A)工程~前記(D)工程を再度順に行い、
最後に行われた前記(D)工程において前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されていないと判定されたときには、前記基準高さ位置を下方に修正した上で、前記(A)工程~前記(D)工程を再度順に行うことを、
前記基準高さ位置の修正量を徐々に小さくしながら、所定の条件を満たすまで繰り返す、請求項2に記載の基板保持部の位置調整方法。
After it is first determined in the step (D) that the substrate has been placed on the substrate placement portion from the substrate holding portion in the step (B),
When it is determined in the last step (D) that the substrate has been placed on the substrate mounting portion from the substrate holding portion in the step (B), the reference height position is corrected upward, Performing the steps (A) to (D) again in order,
When it is determined in the last step (D) that the substrate is not placed on the substrate mounting portion from the substrate holding portion in the step (B), the reference height position is corrected downward. Then, performing the steps (A) to (D) again in order,
3. The method of adjusting the position of the substrate holding part according to claim 2, wherein the amount of correction of the reference height position is gradually decreased until a predetermined condition is satisfied.
前記(A)工程は、少なくとも初回において、基板を支持した前記基板保持部上における当該基板の水平方向の位置を前記検出部で検出する工程を含み、
前記(C)工程は、
前記基板保持部を、前記現在設定中の基準高さ位置で水平に別の所定距離前進または後退させる工程と、
続いて、前記基板保持部を前記基板載置部の上方まで上昇させる工程と、を含み、
その後、前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を前記検出部で検出し、
前記(D)工程は、少なくとも初回において、直前の前記(A)工程における前記検出部での検出結果と、直前の前記(C)工程における前記検出部での検出結果とに基づいて、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定する、請求項1~3のいずれか1項に記載の位置調整方法。
The step (A) includes, at least for the first time, detecting a horizontal position of the substrate on the substrate holding portion that supports the substrate with the detecting portion,
The step (C) is
a step of horizontally advancing or retreating the substrate holder by another predetermined distance at the currently set reference height position;
followed by a step of raising the substrate holding part above the substrate mounting part,
After that, the detection unit detects the horizontal position of the substrate on the substrate holding unit,
In the step (D), at least at the first time, the ( 4. The position adjustment method according to any one of claims 1 to 3, wherein in the step B), it is determined whether or not the substrate has been placed from the substrate holding portion to the substrate placement portion.
前記(D)工程は、2回目以降において、直前の前記(C)工程における前記検出部での検出結果と、1回前の前記(C)工程における前記検出部での検出結果とに基づいて、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定する、請求項4に記載の位置調整方法。 In the step (D), in the second and subsequent times, based on the detection result of the detection unit in the immediately preceding step (C) and the detection result of the detection unit in the step (C) one time before. 5. The position adjustment method according to claim 4, wherein it is determined whether or not the substrate has been placed on the substrate mounting part from the substrate holding part in the step (B). 前記(A)工程~前記(D)工程を複数回順に行う場合、前記(C)工程における前記現在設定中の基準高さ位置での水平移動方向が前回と反対方向である回を含む、請求項4または5に記載の位置調整方法。 When said (A) step to said (D) step are performed in order a plurality of times, said step (C) includes times in which the horizontal movement direction at said currently set reference height position is the opposite direction from the previous time. Item 6. The position adjustment method according to item 4 or 5. 前記検出部は、前記基板搬送装置に設けられている、請求項1に記載の位置調整方法。 2. The position adjustment method according to claim 1, wherein said detector is provided in said substrate transfer device. 請求項1~7のいずれか1項に記載の位置調整方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage storing a program that runs on a computer of a control unit that controls a substrate processing system so as to cause the substrate processing system to execute the position adjustment method according to any one of claims 1 to 7. medium. 基板を処理する基板処理システムであって、
基板を保持可能に構成された基板保持部を有し、前記基板保持部が移動することにより基板を搬送する基板搬送装置と、
基板が載置される基板載置部と、
前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を検出するための検出部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
(a)前記基板搬送装置を制御し、基板を支持した前記基板保持部を、前記基板載置部の上方まで水平に移動させ、
(b)前記基板搬送装置を制御し、基板を支持した前記基板保持部を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させ、
(c)前記基板搬送装置及び前記検出部を制御し、前記検出部まで、前記基板保持部を移動させ、当該基板保持部上の基板を前記検出部で検出し、
(d)前記(c)による検出結果に基づいて、前記(b)で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定し、
前記(b)工程で前記基板載置部から前記基板載置部に載置されたと判定されるまで、前記(a)~前記(d)を繰り返し順に行い、繰り返す度に前記基準高さ位置を所定距離下方に修正する、基板処理システム。
A substrate processing system for processing a substrate,
a substrate transport device having a substrate holding part configured to hold a substrate, and transporting the substrate by moving the substrate holding part;
a substrate mounting portion on which the substrate is mounted;
a detection unit for detecting the horizontal position of the substrate on the substrate holding unit;
a control unit;
The control unit
(a) controlling the substrate transport device to horizontally move the substrate holding unit supporting the substrate to above the substrate mounting unit;
(b) controlling the substrate transport device to lower the substrate holding unit supporting the substrate to a currently set reference height position;
(c) controlling the substrate transport device and the detection unit, moving the substrate holding unit to the detection unit, and detecting the substrate on the substrate holding unit with the detection unit;
(d) determining whether or not the substrate has been placed on the substrate placement portion from the substrate holding portion in (b) based on the detection result in (c);
The steps (a) to (d) are repeated in order until it is determined that the substrate is placed on the substrate placement portion from the substrate placement portion in the step (b), and the reference height position is adjusted each time it is repeated. A substrate processing system that corrects downward a predetermined distance.
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