JP2022165157A - Location adjustment method for substrate holding unit, substrate processing system, and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、基板保持部の位置調整方法、基板処理システム及び記憶媒体に関する。 The present disclosure relates to a position adjustment method of a substrate holder, a substrate processing system, and a storage medium.
特許文献1は、基板保持部を有する基板搬送装置の位置調整方法を開示している。この方法は、基板を吸引して保持することができる基板保持部により基板を支持するステップと、基板を保持する基板保持部を、基板が載置されるべき基板載置部の上方から、当該基板載置部に向かって約0.1mm下降し、下降後に前記吸引を開始して、基板が吸引により基板保持部に保持されているかを検出するステップと、を含む。さらに、上記方法は、上記検出するステップにおいて基板が吸引保持されていると判定された場合に、上記検出するステップを繰り返すステップと、上記検出するステップにおいて基板が吸引により保持されていないと判定された場合に、この時点における基板保持部の位置を、基板保持部の上下方向の基準位置に設定するステップと、を含む。
本開示にかかる技術は、基板の保持等に用いられる吸引力の低下の影響を受けることなく、基板搬送装置が有する基板保持部の基準高さ位置の設定を適切に行う。 The technique according to the present disclosure appropriately sets the reference height position of the substrate holding portion of the substrate transfer device without being affected by a decrease in the suction force used to hold the substrate or the like.
本開示の一態様は、基板搬送装置が有する基板保持部の位置調整方法であって、(A)基板を支持した前記基板保持部を、基板が載置されるべき基板載置部の上方まで水平に移動させる工程と、(B)基板を支持した前記基板保持部を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させる工程と、(C)前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を検出するための検出部まで、前記基板保持部を移動させ、当該基板保持部上の基板を前記検出部で検出する工程と、(D)前記(C)工程による検出結果に基づいて、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定する工程と、を含み、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと前記(D)工程において判定されるまで、前記(A)工程~前記(D)工程を繰り返し順に行い、行う度に前記基準高さ位置を所定距離下方に修正する。 One aspect of the present disclosure is a method for adjusting the position of a substrate holding portion of a substrate transport device, comprising: (A) moving the substrate holding portion supporting a substrate to a position above a substrate placement portion on which the substrate is to be placed; (B) lowering the substrate holding part supporting the substrate to a currently set reference height position; and (C) adjusting the horizontal position of the substrate on the substrate holding part. a step of moving the substrate holding portion to a detection portion for detection, and detecting the substrate on the substrate holding portion with the detection portion; B) determining whether or not the substrate has been placed on the substrate platform from the substrate holder in step (B); The steps (A) to (D) are repeated in order until determination is made in the step (D), and each time the reference height position is corrected downward by a predetermined distance.
本開示によれば、基板の保持等に用いられる吸引力の低下の影響を受けることなく、基板搬送装置が有する基板保持部の基準高さ位置の設定を適切に行うことができる。 According to the present disclosure, it is possible to appropriately set the reference height position of the substrate holding portion of the substrate transfer device without being affected by a decrease in the suction force used to hold the substrate or the like.
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程は、レジスト塗布装置等の基板処理装置が設けられた基板処理システムで行われている。この基板処理システムには、基板処理装置等に対し基板を搬送する基板搬送装置も設けられている。 For example, a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process is performed in a substrate processing system provided with a substrate processing apparatus such as a resist coating apparatus. This substrate processing system is also provided with a substrate transfer device for transferring a substrate to a substrate processing apparatus or the like.
上記基板搬送装置は、基板を保持する基板保持部としてフォークを有し、例えば当該フォークが前後方向、左右方向及び上下方向に三次元移動して、基板処理装置等に対し基板を搬入出する。 The substrate transfer apparatus has a fork as a substrate holding portion for holding the substrate, and for example, the fork moves three-dimensionally in the front-back direction, the left-right direction, and the up-down direction to carry the substrate in and out of the substrate processing apparatus or the like.
ところで、基板を支持したフォークが下降し、基板処理装置等の基板載置部にフォークから基板が受け渡されるときに、フォークの下降速度が速いと、基板に対し基板載置部から衝撃が加わり、基板載置部に対する基板の水平方向の位置がずれたり、基板が落下してしまったりする。フォークの下降速度を単純に遅くすれば、基板に加わる衝撃を抑えることができるが、スループットが低下してしまう。そのため、フォークに支持された基板が基板処理装置等の基板載置部に近いときのみ、フォークの下降速度を低下させる制御が行われている。この制御等のためには、フォークの基準高さ位置を適切に設定する必要がある。具体的には、基板を支持したフォークから基板載置部に基板が受け渡される時のフォークの位置の下方近傍に、上記基準高さ位置を設定する必要がある。 Incidentally, when the fork supporting the substrate descends and the substrate is transferred from the fork to the substrate mounting portion of the substrate processing apparatus or the like, if the fork descends at a high speed, the substrate is subjected to an impact from the substrate mounting portion. , the position of the substrate in the horizontal direction with respect to the substrate platform may shift, or the substrate may drop. Simply lowering the speed of the fork's descent can reduce the impact applied to the board, but it also reduces throughput. Therefore, only when the substrate supported by the fork is close to the substrate mounting portion of the substrate processing apparatus or the like, control is performed to reduce the descending speed of the fork. For this control, etc., it is necessary to appropriately set the reference height position of the fork. Specifically, it is necessary to set the reference height position below and near the position of the fork that supports the substrate when the substrate is transferred to the substrate platform.
特許文献1に開示の技術では、基板がフォークに保持されているか否かに基づいて、フォークの基準高さ位置を設定している。また、この技術では、基板がフォークに保持されているか否かは、フォークの吸着孔と連通する真空配管と真空排気部とを繋ぐ配管中に設けられたバキュームセンサ等に基づいて、検出されている。
しかし、例えば、真空排気部が工場内の排気用力設備である場合、排気用力設備を共有する他の装置の状態等によっては、基板を吸着するための吸着力が変化することがある。このような変化が生じると、バキュームセンサによる検出結果が変動するため、基板がフォークに保持されているか否かを適切に判定できず、フォークの基準高さ位置を適切に設定することができない場合がある。
In the technique disclosed in
However, for example, if the evacuation unit is an exhaust utility facility in a factory, the suction force for sucking the substrate may change depending on the state of other devices that share the exhaust utility facility. When such a change occurs, the detection result by the vacuum sensor fluctuates, so it is not possible to properly determine whether or not the board is held by the fork, and it is not possible to set the reference height position of the fork appropriately. There is
そこで、本開示にかかる技術は、基板の保持等に用いられる吸引力の低下の影響を受けることなく、基板搬送装置が有するフォークの基準高さ位置の設定を適切に行う。 Therefore, the technique according to the present disclosure appropriately sets the reference height position of the forks of the substrate transfer device without being affected by the reduction in the suction force used to hold the substrate.
以下、本実施形態にかかる基板保持部の位置調整方法及び基板処理システムを、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 A method for adjusting the position of a substrate holder and a substrate processing system according to the present embodiment will be described below with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.
<塗布現像処理システム>
図1は、本実施形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図2及び図3はそれぞれ、塗布現像処理システム1の正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。図4は、後述のカセットCの構成の概略を示す斜視図である。
<Coating and developing system>
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the outline of the internal configuration of a coating and developing system as a substrate processing system according to this embodiment. 2 and 3 are diagrams showing the outline of the internal configuration on the front side and the back side of the coating and developing
塗布現像処理システム1は、図1~図3に示すように、基板としての半導体ウェハ(以下、ウェハという。)を複数収容可能な容器であるカセットCが搬入出されるカセットステーション2と、レジスト塗布処理等の所定の処理を施す各種処理装置を複数備えた処理ステーション3と、を有する。そして、塗布現像処理システム1は、カセットステーション2と、処理ステーション3と、処理ステーション3に隣接する露光装置4との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム1は、後述の搬送装置70の制御を含む当該塗布現像処理システム1の制御を行う制御部6を有している。
As shown in FIGS. 1 to 3, the coating and developing
カセットステーション2は、例えばカセット搬入出部10とウェハ搬送部11に分かれている。例えばカセット搬入出部10は、塗布現像処理システム1のY方向負方向(図1の左方向)側の端部に設けられている。カセット搬入出部10には、カセット載置台12が設けられている。カセット載置台12上には、複数、例えば4つの載置板13が設けられている。載置板13は、水平方向のX方向(図1の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらの載置板13には、塗布現像処理システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。
The
カセットCは、図2に示すように、Y方向正側となる側に開口を有する箱状の本体C1と、本体C1の上記開口を塞ぐ蓋体(図示せず)とを有する。本体C1の両側壁には、上下方向に沿って基板載置部としての棚板C11が複数設けられている。カセットCには、ウェハWは、棚板C11に載置された状態で収容される。 As shown in FIG. 2, the cassette C has a box-shaped main body C1 having an opening on the positive side in the Y direction, and a lid (not shown) that closes the opening of the main body C1. A plurality of shelf plates C11 as substrate mounting portions are provided along the vertical direction on both side walls of the main body C1. In the cassette C, the wafers W are accommodated while being placed on the shelf board C11.
図1~図3の説明に戻る。
ウェハ搬送部11には、ウェハWを搬送する搬送装置20が設けられている。搬送装置20は、X方向に延びる搬送路21と、搬送路21上を移動自在な搬送ユニット22が設けられている。搬送ユニット22は、上下方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各載置板13上のカセットCと、後述する処理ステーション3の第3のブロックG3の受け渡し装置との間でウェハWを搬送できる。
Returning to the description of FIGS.
A
処理ステーション3には、各種装置を備えた複数、例えば第1~第4の4つのブロックG1、G2、G3、G4が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3のカセットステーション2側(図1のY方向負方向側)には、第3のブロックG3が設けられ、処理ステーション3のインターフェイスステーション5側(図1のY方向正方向側)には、第4のブロックG4が設けられている。
The
第1のブロックG1には、図2に示すように複数の液処理装置、例えばウェハWを現像処理する現像処理装置30、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置31が下からこの順に配置されている。
As shown in FIG. 2, the first block G1 includes a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing
例えば現像処理装置30、レジスト塗布装置31は、それぞれ水平方向に3つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置30、レジスト塗布装置31の数や配置は、任意に選択できる。
For example, three
これら現像処理装置30、レジスト塗布装置31では、例えばスピン塗布法でウェハW上に所定の処理液を塗布する。スピンコーティングでは、例えば吐出ノズルからウェハW上に処理液を吐出すると共に、ウェハWを回転させて、処理液をウェハWの表面に拡散させる。
In the developing
例えば第2のブロックG2には、図3に示すようにウェハWの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置40や、ウェハWの外周部を露光する周辺露光装置41が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置40、周辺露光装置41の数や配置についても、任意に選択できる。
For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a
第3のブロックG3には、複数の受け渡し装置50が設けられている。また、第4のブロックG4には、複数の受け渡し装置60が設けられている。
A plurality of
図1に示すように第1のブロックG1~第4のブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えばウェハWを搬送する基板搬送装置としての搬送装置70が配置されている。
As shown in FIG. 1, a wafer transfer area D is formed in an area surrounded by first block G1 to fourth block G4. In the wafer transfer area D, a
搬送装置70は、例えばY方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム70aを有している。搬送装置70は、ウェハWを保持した搬送アーム70aをウェハ搬送領域D内で移動させ、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定の装置に、ウェハWを搬送できる。搬送装置70は、例えば図3に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックG1~G4の同程度の高さの所定の装置にウェハWを搬送できる。搬送装置70の詳細については後述する。
The
また、ウェハ搬送領域Dには、第3のブロックG3と第4のブロックG4との間で直線的にウェハWを搬送するシャトル搬送装置71が設けられている。
Further, in the wafer transfer area D, a
シャトル搬送装置71は、支持したウェハWをY方向に直線的に移動させ、同程度の高さの第3のブロックG3の受け渡し装置50と第4のブロックG4の受け渡し装置60との間でウェハWを搬送できる。
The
図1に示すように第3のブロックG3のX方向正方向側には、搬送装置72が設けられている。搬送装置72は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム72aを有している。搬送装置72は、ウェハWを保持した搬送アーム70aを上下に移動させ、第3のブロックG3内の各受け渡し装置50に、ウェハWを搬送できる。
As shown in FIG. 1, a conveying
インターフェイスステーション5には、搬送装置73と受け渡し装置74が設けられている。搬送装置73は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム73aを有している。搬送装置73は、搬送アーム73aにウェハWを保持して、第4のブロックG4内の各受け渡し装置60、受け渡し装置74及び露光装置4との間でウェハWを搬送できる。
The
上述の制御部6は、例えばCPUやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理装置や各種搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述の位置調整処理を制御するプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な非一時的な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御部6にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Hは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア(回路基板)で実現してもよい。
The
<ウェハ処理>
次に、塗布現像処理システム1を用いたウェハ処理について説明する。
<Wafer processing>
Next, wafer processing using the coating and developing
塗布現像処理システム1を用いたウェハ処理では、先ず、搬送装置20によって、カセット載置台12上のカセットCからウェハWが取り出され、処理ステーション3の受け渡し装置50に搬送される。
In the wafer processing using the coating and developing
次にウェハWは、搬送装置70によって第2のブロックG2の熱処理装置40に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハWは、第1のブロックG1のレジスト塗布装置31に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される。その後ウェハWは、熱処理装置40に搬送され、プリベーク処理(PAB:Pre-Applied Bake)される。なお、プリベーク処理や後段のPEB(Post Exposure Bake)処理、ポストベーク処理では、同様な熱処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理装置40は互いに異なる。
Next, the wafer W is transferred by the
その後、ウェハWは、周辺露光装置41に搬送され、周辺露光処理される。
次にウェハWは、露光装置4に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
After that, the wafer W is transferred to the
Next, the wafer W is transferred to the
次いで、ウェハWは、熱処理装置40に搬送され、PEB処理される。その後ウェハWは、たとえば現像処理装置30に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハWは、熱処理装置40に搬送され、ポストベーク処理される。その後、ウェハWは、搬送ユニット22等により、カセット載置台12上のカセットCに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。
The wafer W is then transported to the
<レジスト塗布装置31>
次に、上述したレジスト塗布装置31の構成について説明する。図5及び図6はそれぞれ、レジスト塗布装置31の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
レジスト塗布装置31は、図5及び図6に示すように、内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100の搬送装置70側の側面には、ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
<Resist coating
Next, the configuration of the resist
As shown in FIGS. 5 and 6, the resist
処理容器100内の中央部には、ウェハWが載置される、基板載置部としてのスピンチャック110が設けられている。スピンチャック110は、ウェハWを保持して回転させるものであり、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック110上に吸着保持できる。
A
スピンチャック110は、チャック駆動機構111に接続されており、そのチャック駆動機構111により所望の速度に回転可能である。チャック駆動機構111には、スピンチャック110の回転のための駆動力を発生するモータ等の回転駆動源(図示せず)を有する。また、チャック駆動機構111には、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、チャック駆動機構111によりスピンチャック110は上下動可能である。チャック駆動機構111は制御部6により制御される。
The
スピンチャック110の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ112が設けられている。カップ112の下面には、回収した液体を排出する排出管113と、カップ112内の雰囲気を真空引きして排気する排気管114が接続されている。
A
図6に示すようにカップ112のX方向負方向(図6中の下方向)側には、Y方向(図6中の左右方向)に沿って延伸するレール120が形成されている。レール120は、例えばカップ112のY方向負方向(図6中の左方向)側の外方からY方向正方向(図6中の右方向)側の外方まで形成されている。レール120には、アーム121が取り付けられている。
As shown in FIG. 6, a
アーム121には、図5及び図6に示すように、レジスト液をウェハW上に供給する塗布ノズル122が支持されている。アーム121は、図6に示すノズル駆動部123により、レール120上を移動自在である。これにより、塗布ノズル122は、カップ112のY方向正方向側の外方に設置された待機部124からカップ112内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハW上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム121は、ノズル駆動部123によって昇降自在であり、塗布ノズル122の高さを調節できる。塗布ノズル122は、当該塗布ノズル122にレジスト液を供給する供給部(図示せず)が接続されている。
The
なお、現像処理装置30の構成は、上述のレジスト塗布装置31の構成と同様である。ただし、現像処理装置30等とレジスト塗布装置31とでは塗布ノズルから供給される処理液は異なる。
The structure of the developing
<レジスト塗布処理>
ここで、レジスト塗布装置31におけるレジスト膜形成処理の一例について説明する。なお、以下の処理は、制御部6の制御の下、行われる。
<Resist coating process>
Here, an example of the resist film forming process in the resist
まず、スピンチャック110が、搬送装置70との間でウェハWを受け渡すための受け渡し位置に上昇される。次いで、ウェハWを保持した搬送装置70の搬送アーム70aが、処理容器100内に挿入され、スピンチャック110の上方の受け渡し開始位置に移動される。続いて、搬送アーム70aが受け渡し完了位置まで下降され、ウェハWが搬送アーム70aからスピンチャック110に受け渡される。また、上記受け渡し完了位置は、後述のフォークの位置調整処理時に調整される基準高さ位置に基づいて定められ、基準高さ位置から、下方に所定距離離間している。その後、搬送アーム70aが処理容器100内から抜き出されると共に、スピンチャック110によるウェハWの吸着及びスピンチャック110の処理位置までの下降が行われる。
First, the
次いで、塗布ノズル122が、吐出を行う処理位置(例えば、ウェハWの中心の上方の位置)に移動される。続いて、スピンチャック110が回転され、これによりウェハWが回転され、この回転中に、塗布ノズル122からレジスト液がウェハWに連続的に吐出される。吐出されたレジスト液は、ウェハWの回転によりウェハW全面に拡散される。
Next, the
その後、レジスト液の吐出が停止され、塗布ノズル122が待機部124に退避される。また、スピンチャック110の回転は継続され、つまり、ウェハWの回転は継続され、ウェハW上のレジスト液の乾燥が行われる。これにより、ウェハW上にレジスト膜が形成される。
After that, the ejection of the resist liquid is stopped, and the
その後、レジスト膜が形成されたウェハWが、処理容器100への搬入手順と逆の手順で、処理容器100から搬出される。これにより一連のレジスト膜形成処理が完了する。
After that, the wafer W on which the resist film is formed is unloaded from the
<熱処理装置40>
続いて、熱処理装置40の構成について説明する。図7及び図8はそれぞれ、熱処理装置40の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
<
Next, the configuration of the
例えば熱処理装置40は、図7に示すように、筐体130内に、ウェハWを加熱処理する加熱部131と、ウェハWを冷却処理する冷却部132を備えている。筐体130の冷却部132近傍の側面には、ウェハWを搬入出するための搬入出口(図示せず)が形成されている。
For example, the
加熱部131は、上側に位置して上下動自在な蓋体140と、下側に位置してその蓋体140と一体となって処理室Sを形成する熱板収容部141を備えている。
The
蓋体140は、下面が開口した略筒形状を有し、後述の熱板142上に載置されたウェハWの被処理面である上面を覆う。蓋体140の上面中央部には、排気部140aが設けられている。処理室S内の雰囲気は、排気部140aから排気される。
The
熱板収容部141の中央には、ウェハWが載置され、該載置されたウェハWを加熱する熱板142が設けられている。熱板142は、厚みのある略円盤形状を有しており、熱板142の上面すなわちウェハWの搭載面を加熱するヒータ150がその内部に設けられている。ヒータ150としては、例えば電気ヒータが用いられる。
A
熱板収容部141には、熱板142を厚み方向に貫通する昇降ピン151が設けられている。昇降ピン151は、昇降駆動機構152に接続されている。昇降駆動機構152は、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、昇降駆動機構152により、昇降ピン151は、上下動可能である。昇降ピン151は、上下動することにより、熱板142の上面に突出して後述する冷却板170との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。昇降駆動機構152は制御部6により制御される。
The hot
熱板収容部141は、例えば熱板142を収容して熱板142の外周部を保持する環状の保持部材160と、その保持部材160の外周を囲む略筒状のサポートリング161を有している。
The hot
加熱部131に隣接する冷却部132には、例えばウェハWを載置して冷却する冷却板170が設けられている。冷却板170は、例えば図8に示すように略方形の平板形状を有し、加熱部131側の端面が円弧状に湾曲している。冷却板170の内部には、例えばペルチェ素子等の図示しない冷却部材が内蔵されており、冷却板170を所定の設定温度に調整できる。
A
冷却板170は、例えば図7に示すように支持アーム171に支持され、その支持アーム171は、加熱部131側のX方向に向かって延伸するレール172に取付けられている。冷却板170は、支持アーム171に取り付けられた駆動機構173によりレール172上を移動できる。これにより、冷却板170は、加熱部131側の熱板142の上方まで移動できる。
The
冷却板170には、例えば図8のX方向に沿った2本のスリット174が形成されている。スリット174は、冷却板170の加熱部131側の端面から冷却板170の中央部付近まで形成されている。このスリット174により、加熱部131側に移動した冷却板170と、熱板142上の昇降ピン151との干渉が防止される。
The
図7に示すように冷却部132内に位置する冷却板170の下方には、基板載置部としての昇降ピン175が設けられている。昇降ピン175は、昇降駆動機構176に接続されている。昇降駆動機構176は、シリンダ等の昇降駆動源が設けられており、昇降駆動機構176により、昇降ピン175は、上下動可能である。昇降ピン175は、上下動することにより、冷却板170の下方から上昇してスリット174を通過し、冷却板170の上方に突出して、例えば前述の搬入出口から筐体130の内部に進入する搬送装置70との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。昇降駆動機構176は制御部6により制御される。
As shown in FIG. 7, elevating
<熱処理>
ここで、熱処理装置40における熱処理の一例について説明する。なお、以下の処理は、制御部6の制御の下、行われる。
<Heat treatment>
Here, an example of heat treatment in the
まず、昇降ピン175が、搬送装置70との間でウェハWを受け渡すための受け渡し位置に上昇される。次いで、ウェハWを保持した搬送装置70の搬送アーム70aが、筐体130内に挿入され、昇降ピン175の上方の受け渡し開始位置に移動される。続いて、搬送アーム70aが受け渡し完了位置まで下降され、ウェハWが搬送アーム70aから昇降ピン175に受け渡される。その後、搬送アーム70aが筐体130内から抜き出されると共に、昇降ピン175の下降が行われ、ウェハWが昇降ピン175から冷却板170に受け渡される。
First, the lift pins 175 are raised to the transfer position for transferring the wafer W to and from the
続いて冷却板170が熱板142の上方に移動される。次いで、昇降ピン151が上昇し、冷却板170上のウェハWが昇降ピン151に受け渡される。その後、冷却板170が熱板142の上方から退避し、昇降ピン151が下降され、熱板142上にウェハWが受け渡される。また、蓋体140が下降して処理室Sが形成され、ウェハWの加熱処理が開始される。
Subsequently, the
所定時間ウェハWの加熱処理が行われると、蓋体140が上昇されると共に、昇降ピン151が上昇され、ウェハWが熱板142の上方に移動する。また、冷却板170がウェハWと熱板142の間の位置まで移動される。そして、昇降ピン151が下降され、冷却板170にウェハWが受け渡される。その後、冷却板170が冷却部132に移動される。冷却板170に受け渡されたウェハWは、例えば冷却部132において室温まで冷却された後、筐体130への搬入手順と逆の手順で、筐体130から搬出される。これにより一連の熱処理が完了する。
When the wafer W is heated for a predetermined time, the
<搬送装置70>
続いて、搬送装置70の構成について説明する。図9は、搬送装置70の側面図である。図10は、搬送アーム70aの上面図であり、後述のフレームの図示を省略している。
<
Next, the configuration of the
搬送装置70は、図9に示すように搬送領域Dの長さ方向であるY方向に延伸するガイド301に沿ってウェハWを搬送する搬送アーム70aを有している。
The
搬送アーム70aは、ガイド301に沿って移動するフレーム302と、該フレーム302に沿って昇降する昇降体303と、該昇降体303上を回動する回動体304と、該回動体304上を進退する基板保持部としてのフォーク305と、を有する。
The conveying
フォーク305は、例えば図10に示すように、ウェハWより僅かに大きい径の略C字型に形成されている。フォーク305の内側には、内側に向かって突出し、ウェハWの外周部を支持する爪310が複数個所に設けられている。爪310それぞれには、ウェハWを吸着保持するための吸着孔(図示せず)が設けられている。
The
また、搬送装置70は、図9に示すように、アーム駆動機構320を有する。アーム駆動機構320は、昇降体303の昇降のための駆動力を発生するシリンダ等の駆動源(図示せず)を有する。アーム駆動機構320は、同様に、回動体304の回動のための駆動力を発生するモータ等の駆動源(図示せず)と、フォーク305の身体のための駆動力を発生するモータ等の駆動源(図示せず)を有する。アーム駆動機構320は制御部6により制御される。
Further, the
さらに、搬送装置70は、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置を検出するための検出部330を有する。検出部330は、フォーク305上のウェハWのエッジを検出する受発光ユニット331を複数有する。
Further, the
各受発光ユニット331は、受光センサ332と光源333とを有する。受光センサ332及び光源333のいずれか一方は、基端側に後退したフォーク305の上方に配設され、他方は下方に配設されている。本例では、受光センサ332が上方に配設されている。
Each light receiving/emitting
受光センサ332は例えばCCDラインセンサであり、フォーク305に支持されたウェハWのエッジを横切るように設けられている。
各受発光ユニット331において、光源333は、受光センサに対向するように設けられている。各光源333は、例えば、直線状に配列されたLEDにより構成される。
The
In each light receiving/emitting
各受光センサ332と光源333は、回動体304に対して固定されている。具体的には、例えば、受光センサ332は、支持部材(図示せず)を介して回動体304に支持され、光源333は、回動体304の上面上に配設される。そのため、フォーク305が進退したときに、受光センサ332と光源333は移動しない。
受光センサ332による検出結果は制御部6に出力される。また、光源333は制御部6により制御される。
Each
A detection result by the
<位置調整処理の例1>
続いて、本実施形態における、フォーク305の基準高さ位置の調整処理の一例について、レジスト塗布装置31のスピンチャック110に対する基準高さ位置を例に説明する。この基準高さ位置の調整処理は、例えば、塗布現像処理システム1の立ち上げ時や、メンテナンス時に行われる。図11は、フォーク305の基準高さ位置の調整処理の一例を示すフローチャートである。図12は、上記調整処理中の搬送アーム70aとレジスト塗布装置31の状態を示す図であり、調整処理に係る部分以外の図示を省略している。なお、以下の処理は、制御部6の制御の下、行われる。
<Example 1 of position adjustment processing>
Next, an example of processing for adjusting the reference height position of the
(ステップS1)
図11に示すように、まず、フォーク305によりウェハWが支持される。ここで用いられるウェハWは、センサ等が設けられた治具ウェハではなく、例えばベアウェハである。
(Step S1)
As shown in FIG. 11, first, the wafer W is supported by the
(ステップS2)
続いて、ウェハWを支持したフォーク305が、スピンチャック110の上方まで移動される。
(Step S2)
Subsequently,
(ステップS2a)
具体的には、まず、ウェハWを支持したフォーク305上における当該ウェハWの水平方向の位置が検出部330により検出される。
より具体的には、例えば、図12(a)に示すように、ウェハWを支持したフォーク305が基端側に後退され処理容器100外に位置した状態で、光源333からの発光が行われ、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置が、受光センサ332による受光結果に基づいて、制御部6により算出すなわち検出される。
(Step S2a)
Specifically, first, the horizontal position of the wafer W on the
More specifically, for example, as shown in FIG. 12(a), the
(ステップS2b)
検出後、例えば、ウェハWを支持したフォーク305が、受け渡し位置まで上昇されたスピンチャック110の上方まで水平に移動される。
より具体的には、ウェハWを支持したフォーク305が、挿入高さ位置まで上昇された後、水平に前進され、これにより、図12(b)に示すように、処理容器100内に挿入され、上記スピンチャック110の上方まで移動される。
(Step S2b)
After detection, for example, the
More specifically, the
(ステップS3)
ステップS2に続いて、ウェハWを支持したフォーク305が、現在設定中の基準高さ位置まで下降される。
具体的には、ウェハWを支持したフォーク305が、図12(c)に示すように、ウェハWを吸着しない状態で、現在設定中の基準高さまで下降される。
後述するように、本実施形態にかかる位置調整処理では、ステップS3を含むステップS2~S5が繰り返し行われ得る。塗布現像処理システム1の立ち上げ時における初回のステップS3では、ウェハWを支持したフォーク305が、初期設定の基準高さ位置まで下降される。
現在設定中の基準高さが十分低ければ、本ステップS3の終了後、ウェハWが、フォーク305からスピンチャック110に受け渡され載置されるが、十分低くない場合、ウェハWは、フォーク305に支持されたままとなる。
なお、このステップS3におけるフォーク305の下降は、例えば、レジスト膜形成処理時のフォーク305の下降速度より低速で行われる。
また、初期設定の基準高さ位置は、例えば基準高さ位置の設計値より高い位置に設定される。
(Step S3)
Following step S2, the
Specifically, the
As will be described later, in the position adjustment process according to this embodiment, steps S2 to S5 including step S3 can be repeatedly performed. In the first step S3 when starting up the coating and developing
If the currently set reference height is sufficiently low, the wafer W will be transferred from the
Note that the
Further, the initial setting reference height position is set to a position higher than the design value of the reference height position, for example.
(ステップS4)
ステップS3に続いて、フォーク305が、検出部330まで移動され、フォーク305上のウェハWが検出部330により検出される。
(Step S4)
Following step S<b>3 ,
(ステップS4a)
具体的には、まず、フォーク305が、図12(d)に示すように、上記現在設定中の基準高さ位置で水平に、所定の距離L(例えば1mm)前進または後退される。
ここでは、フォーク305が前進されたものとする。また、上記所定の距離Lは、後述のステップS4bで、ウェハWを支持していなかったフォーク305が上昇されたときに、ウェハWが、スピンチャック110から当該フォーク305に適切に受け渡されるよう、微小な値が設定される。
(Step S4a)
Specifically, first, as shown in FIG. 12(d), the
Here, it is assumed that the
(ステップS4b)
続いて、フォーク305が、スピンチャック110の上方まで上昇される。
例えば、フォーク305が、例えば前述の挿入高さ位置まで上昇される。
これにより、ステップS3において現在設定中の基準高さ位置が十分低く、ウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されていた場合、フォーク305にウェハWが戻され、再支持される。このように戻される場合、ステップS4aでフォーク305の水平移動が行われるため、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置は、フォーク305に戻される前と後とで、すなわち、ステップS4の前とステップS4bの後とで変化する。
一方、ステップS3において現在設定中の基準高さが高く、ウェハWがフォーク305からスピンチャック110に受け渡されていなかった場合、ステップS4において、ウェハWがフォーク305に支持され続け、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置は、ステップS4の前とステップS4bの後とで変化しない。
(Step S4b)
Subsequently,
For example,
As a result, when the reference height position currently being set is sufficiently low in step S3 and the wafer W is placed on the
On the other hand, if the currently set reference height is high in step S3 and the wafer W has not been transferred from the
(ステップS4c)
次いで、ウェハWを支持したフォーク305上における当該ウェハWの水平方向の位置が検出部330により検出される。
より具体的には、例えば、ウェハWを支持したフォーク305が基端側に後退され処理容器100外に移動され、その後、光源333からの発光が行われ、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置が、受光センサ332による受光結果に基づいて、制御部6により算出すなわち検出される。
(Step S4c)
Next, the horizontal position of the wafer W on the
More specifically, for example, the
(ステップS5)
ステップS4に続いて、ステップS4による検出結果に基づいて、ステップS3でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが、制御部6により判定される。
(Step S5)
Following step S4, the
具体的には、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置の、ステップS2aでの検出結果と、ステップS4cでの検出結果と、に基づいて、ステップS3でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが、制御部6により判定される。
より具体的には、例えば、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置の、ステップS2aでの検出結果(Amm)と、ステップS4cでの検出結果(Bmm)と、の差分(A-B)が閾値(S4bでL=1mmの場合、例えば0.1mm)未満であるか否かに基づいて、判定される。閾値未満の場合、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていない、と判定され、閾値以上の場合、載置されていると判定される。
Specifically, based on the detection result in step S2a and the detection result in step S4c of the horizontal position of wafer W on
More specifically, for example, the difference (AB) between the detection result (Amm) in step S2a and the detection result (Bmm) in step S4c of the horizontal position of the wafer W on the
(ステップS6)
そして、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていないと判定された場合(ステップS5、Noの場合)、制御部6により、基準高さ位置が所定距離H(例えば2mm)下方に修正される。
上述のような修正の上、ステップS2~S5が再度行われる。
(Step S6)
Then, when it is determined in step S3 that the wafer W is not placed on the spin chuck 110 (step S5, No), the
After the correction as described above, steps S2 to S5 are performed again.
再度行った結果、ステップS5において、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていないと再び判定された場合、制御部6により、基準高さ位置がさらに所定距離H(例えば2mm)下方に修正される。
つまり、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されたとステップS5において判定されるまで、ステップS2~S5が繰り返し行われ、行う度に基準高さ位置が所定距離H下方に修正される。
As a result of re-execution, when it is determined again in step S5 that the wafer W is not placed on the
That is, steps S2 to S5 are repeated until it is determined in step S5 that the wafer W is placed on the
なお、ステップS2~S5を繰り返し行う場合、2回目以降は、ステップS2aを省略し、ステップS5において、以下のようにしてもよい。すなわち、直前のステップS4における検出部330での検出結果Bと、1回前のステップS4における検出部330での検出結果B´と、に基づいて、ステップS3でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが判定されるようにしてもよい。
具体的には、n(nは2以上の自然数)回目のステップS5においては、n回目のステップS4における検出部330での検出結果Bと、n-1回前におけるステップS4における検出部330での検出結果B´との差が、閾値未満であるか否かに基づいて、ステップS3でウェハWが載置されたか否かが判定されてもよい。
When steps S2 to S5 are repeated, step S2a may be omitted from the second time onwards, and step S5 may be performed as follows. That is, based on the detection result B of the
Specifically, in the n-th (n is a natural number of 2 or more) step S5, the detection result B in the
ステップS5において、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定された場合(YESの場合)、現在設定中の基準高さ位置が、実際の基準高さ位置として設定され、または、後述の厳密調整処理が行われる。なお、以下では、図11を用いて説明した基準高さ位置の調整処理を粗調整処理という。
In step S5, if it is determined that the wafer W is placed on the
<厳密調整処理の例>
図13は、厳密調整処理の一例を示すフローチャートである。本処理も、制御部6の制御の下、行われる。
<Example of strict adjustment processing>
FIG. 13 is a flowchart illustrating an example of strict adjustment processing. This processing is also performed under the control of the
(ステップS11)
厳密調整処理では、まず、制御部6により、現在設定中の基準高さ位置が上述の所定距離Hより短い距離上方に修正される。
所定距離Hより短い距離とは、例えば所定距離Hの1/2、すなわちH/2である。
(Step S11)
In the strict adjustment process, first, the
The distance shorter than the predetermined distance H is, for example, 1/2 of the predetermined distance H, that is, H/2.
(ステップS12)
その上で、ステップS2~S5が再度順に行われる。なお、この際、フォーク305が、ステップS4aにおいて基準高さ位置で水平方向に移動される際、粗調整処理とは反対側(逆側)に移動されてもよい。これにより、フォーク305上におけるウェハWの水平方向のずれが蓄積されるのを防止することができ、このずれの蓄積を起因とした不具合(例えばウェハWのフォーク305上からの落下等)を防ぐことができる。
(Step S12)
After that, steps S2 to S5 are sequentially performed again. At this time, when the
(ステップS13)
再度順に行われたステップS2~S5のうちのステップS5においてステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されたと判定された場合、制御部6により、現在設定中の基準高さ位置が、上述の短い距離よりさらに短い距離、上方に修正される。
上記さらに短い距離とは、例えば所定距離Hの1/4、すなわちH/4である。
(Step S13)
If it is determined in step S5 of steps S2 to S5 that are sequentially performed again that the wafer W has been placed on the
The shorter distance is, for example, 1/4 of the predetermined distance H, that is, H/4.
(ステップS14)
また、再度順に行われたステップS2~S5のうちのステップS5において、ステップS3でウェハWがスピンチャック110に載置されたと判定されなかった場合、制御部6により、現在設定中の基準高さ位置が、上述の短い距離よりさらに短い距離、下方に修正される。
(Step S14)
Further, in step S5 of steps S2 to S5 which are sequentially performed again, if it is not determined in step S3 that the wafer W is placed on the
(ステップS15)
ステップS13またはステップS14の後、ステップS2~S5が再度順に行われる。
以降、ステップS13及びステップS14のような直近のステップS5における判定結果に基づく、現在設定中の基準高さ位置の修正と、ステップS15のようなステップS2~S5の再実施が、所定の条件を満たすまで繰り返される。その際、基準高さ位置の修正量は徐々に小さくされる。
(Step S15)
After step S13 or step S14, steps S2 to S5 are sequentially performed again.
Thereafter, correction of the currently set reference height position based on the determination result in the most recent step S5, such as steps S13 and S14, and re-execution of steps S2 to S5, such as step S15, are performed to meet predetermined conditions. Repeat until full. At that time, the correction amount of the reference height position is gradually reduced.
つまり、ステップS5においてステップS3でフォーク305からスピンチャック110に載置されたと初めて判定された後は、
最後に行われたステップS5においてステップS3でフォーク305からスピンチャック110に載置されたと判定されたときには、現在設定中の基準高さ位置を上方に修正した上で、ステップS2~S5が再度順に行われ、
最後に行われたステップS5においてステップS3でフォーク305からスピンチャック110に載置されていないと判定されたときには、現在設定中の基準高さ位置を下方に修正した上で、ステップS2~S5が再度順に行われることが、
基準高さ位置の修正量が徐々に小さくされながら、所定の条件を満たすまで繰り返される。
That is, after it is first determined in step S5 that the
When it is determined in step S5 that the
When it is determined in step S5 that the
While the amount of correction of the reference height position is gradually reduced, the process is repeated until a predetermined condition is satisfied.
例えば、修正量は修正の度に半減される。
また、上記所定の条件とは、例えば、基準高さ位置の精度が所望の範囲になるという条件、すなわち、現在設定中の基準高さ位置の徐々の修正とステップS2~S5の再実施の繰り返し回数が予め定められた回数になるという条件である。
For example, the amount of correction is halved for each correction.
Further, the predetermined condition is, for example, a condition that the accuracy of the reference height position is within a desired range, that is, the gradual correction of the reference height position currently being set and repetition of re-execution of steps S2 to S5. The condition is that the number of times becomes a predetermined number of times.
なお、ステップS15においてステップS4aを再実施する際に、フォーク305が、前回のステップS4aのときと反対側に水平に移動されてもよい。前述のように、フォーク305上におけるウェハWの水平方向のずれが蓄積されるのを防止するためである。例えば、現在設定中の基準高さ位置を下方に修正した後のステップS4aでは、フォーク305が水平に前進され、現在設定中の基準高さ位置を下方に修正した後のステップS4aでは、フォーク305が水平に後退されるようにしてもよい。
Note that when step S4a is performed again in step S15, the
<粗調整処理の例2>
図14は、フォーク305の基準高さ位置の粗調整処理の、他の例を示すフローチャートである。なお、本処理も、制御部6の制御の下、行われる。
<Example 2 of coarse adjustment processing>
FIG. 14 is a flow chart showing another example of rough adjustment processing of the reference height position of the
(ステップS1)
図示するように、本例においても、上記粗調整処理の例1と同様に、まず、フォーク305によりウェハWが支持される。
(Step S1)
As shown in the figure, also in this example, the wafer W is first supported by the
(ステップS2´)
続いて、ウェハWを支持したフォーク305が、スピンチャック110の上方まで移動される。
(Step S2')
Subsequently,
(ステップS2b)
ただし、本例では、上記粗調整処理の例1と異なり、ステップS2aが行われず省略され、ステップS2bが行われる。すなわち、例えば、ウェハWを支持したフォーク305が、受け渡し位置まで上昇されたスピンチャック110の上方まで水平に移動される。
(Step S2b)
However, in this example, unlike Example 1 of the coarse adjustment process, step S2a is omitted and step S2b is performed. That is, for example, the
(ステップS3´)
次いで、上記粗調整処理の例1のステップS3と同様、ウェハWを支持したフォーク305が、現在設定中の基準高さ位置まで下降される。
現在設定中の基準高さが十分低ければ、本ステップS3の終了後、ウェハWが、フォーク305からスピンチャック110に受け渡され載置されるが、十分低くない場合、ウェハWは、フォーク305に支持されたままとなる。
(Step S3')
Next, the
If the currently set reference height is sufficiently low, the wafer W will be transferred from the
(ステップS4´)
続いて、フォーク305が、検出部330まで移動され、フォーク305上のウェハWが検出部330により検出される。
(Step S4')
Subsequently,
(ステップS4c´)
具体的には、上記例1と異なり、ステップS4a及びステップS4bが行われず省略され、まず、フォーク305が、上記現在設定中の基準高さ位置で水平に後退された後、処理容器100外に移動され、その後、光源333からの発光が行われ、フォーク305上のウェハWの有無が、受光センサ332による受光結果に基づいて、制御部6により判定すなわち検出される。
(Step S4c')
Specifically, unlike Example 1, steps S4a and S4b are not performed and are omitted. After that, light is emitted from the
(ステップS5´)
ステップS4´に続いて、ステップS4´による検出結果に基づいて、ステップS3´でウェハWがフォーク305からスピンチャック110に載置されたか否かが、制御部6により判定すなわち検出される。
(Step S5')
Following step S4', the
具体的には、ステップS4cにおいてフォーク305上にウェハWがあると判定された場合、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていない、と判定され、ステップS4cにおいてウェハWがないと判定された場合、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定される。
Specifically, if it is determined in step S4c that the wafer W is on the
(ステップS6)
そして、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていないと判定された場合(ステップS5´、Noの場合)、制御部6により、基準高さ位置が所定距離H(例えば2mm)下方に修正される。
上述のような修正の上、ステップS2´~S5´が再度行われる。
(Step S6)
Then, when it is determined that the wafer W is not placed on the
After the correction as described above, steps S2' to S5' are performed again.
ステップS5´において、ステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定された場合(YESの場合)、現在設定中の基準高さ位置が、実際の基準高さ位置として設定され、または、厳密調整処理が行われる。
In step S5', if it is determined that the wafer W is placed on the
厳密調整処理が、粗調整処理の例2と同様、ステップS2´~S5´の再実施を伴う場合、ステップS4cにおいてフォーク305上にウェハWがないと判定され、ステップS5´においてステップS3´でウェハWがスピンチャック110に載置されていると判定されたときは、ステップS2´~S5´は以下のようにして再度行われる。すなわち、スピンチャック110上のウェハWがフォーク305に回収されてから、ステップS2´~S5´は再度行われる。前述の例の厳密調整処理では、このようなフォーク305によるウェハWの回収動作が不要であるため、より高速に、基準高さ位置を調整することができる。
When the strict adjustment process involves re-execution of steps S2' to S5' as in the example 2 of the coarse adjustment process, it is determined in step S4c that there is no wafer W on the
以上のように、本実施形態では、制御部6が、
(a)搬送装置70を制御し、ウェハWを支持したフォーク305を、スピンチャック110の上方まで水平に移動させ、
(b)搬送装置70を制御し、ウェハWを支持したフォーク305を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させ、
(c)搬送装置70及び検出部330を制御し、検出部330まで、フォーク305を移動させ、当該フォーク305上のウェハを検出部300で検出し、
(d)上記(c)による検出結果に基づいて、上記(b)でフォーク305かスピンチャック110に載置されたか否か判定し、
上記(b)工程でフォーク305からスピンチャック110に載置されたと判定されるまで、上記(a)~上記(d)を繰り返し順に行い、繰り返す度に現在設定中の基準高さ位置を所定距離下方に修正する。
このように、本実施形態では、フォーク305の基準高さ位置の設定に、フォーク305によるウェハWの保持等に用いられる吸引力の検出結果を用いていない。したがって、上記吸引力の低下の影響を受けることなく、フォーク305の基準高さ位置の調整を適切に行うことができる。
As described above, in this embodiment, the
(a) controlling the
(b) controlling the
(c) controlling the
(d) Based on the detection result of (c) above, determine whether or not the
Until it is determined that the
Thus, in this embodiment, the detection result of the suction force used for holding the wafer W by the
上述のように、フォーク305の基準高さ位置の調整を適切に行うことができるため、フォーク305の下降速度を一様に低下させるのではなく、フォーク305からスピンチャック110にウェハWが受け渡される瞬間のみ、フォーク305の下降速度を低下させることができる。したがって、スループットを低下させることなく、ウェハWに対しスピンチャック110から衝撃が加わるのを抑制することができる。
As described above, since the reference height position of the
また、本実施形態においてフォーク305の基準高さ位置の設定に用いた検出部330は、フォーク305上におけるウェハWの水平方向の位置を検出するものであり、スピンチャック110に対するフォーク305の水平方向の基準位置の設定にも用いられるものである。つまり、本実施形態では、フォーク305の基準高さ位置の設定と、フォーク305の水平方向の基準位置の設定とに共通の検出部330を用いているため、両設定に別々のユニットを用いる場合に比べて高コスト化を防ぐことができる。
Further, the
以上の粗調整処理の例1及び厳密調整処理の例では、スピンチャック110にウェハWが載置された状態での、フォーク305の大きな水平移動がない。そのため、フォーク305が水平移動したときに、スピンチャック110に載置されたウェハWと接触するのを抑制することができる。
In the rough adjustment processing example 1 and the strict adjustment processing example described above, there is no large horizontal movement of the
以上では、搬送装置70のフォーク305の、スピンチャック110に対する基準高さ位置を調整していた。しかし、本開示にかかる技術は、搬送装置70のフォーク305の、熱処理装置40の昇降ピン175に対する基準高さ位置を調整する場合や、搬送装置20の搬送アームの、載置板13上のカセットCの棚板C11に対する基準高さ位置を調整する場合等にも適用することができる。
In the above, the reference height position of the
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The embodiments described above may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.
1 塗布現像処理システム
6 制御部
20 搬送装置
70 搬送装置
72 搬送装置
73 搬送装置
110 スピンチャック
175 昇降ピン
305 フォーク
330 検出部
C11 棚板
H 所定距離
W ウェハ
1 Coating and developing
Claims (9)
(A)基板を支持した前記基板保持部を、基板が載置されるべき基板載置部の上方まで水平に移動させる工程と、
(B)基板を支持した前記基板保持部を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させる工程と、
(C)前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を検出するための検出部まで、前記基板保持部を移動させ、当該基板保持部上の基板を前記検出部で検出する工程と、
(D)前記(C)工程による検出結果に基づいて、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定する工程と、を含み、
前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと前記(D)工程において判定されるまで、前記(A)工程~前記(D)工程を繰り返し順に行い、行う度に前記基準高さ位置を所定距離下方に修正する、基板保持部の位置調整方法。 A method for adjusting the position of a substrate holding portion of a substrate transport device, comprising:
(A) horizontally moving the substrate holding part supporting the substrate to above the substrate placing part on which the substrate is to be placed;
(B) lowering the substrate holding part supporting the substrate to a currently set reference height position;
(C) moving the substrate holding part to a detection part for detecting the horizontal position of the substrate on the substrate holding part, and detecting the substrate on the substrate holding part with the detection part;
(D) determining whether or not the substrate has been placed on the substrate platform from the substrate holder in the step (B) based on the detection result in the step (C);
The steps (A) to (D) are repeated in order until it is determined in the step (D) that the substrate is placed on the substrate mounting portion from the holding portion in the step (B). and correcting the reference height position downward by a predetermined distance.
最後に行われた前記(D)工程において前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたと判定されたときには、前記基準高さ位置を上方に修正した上で、前記(A)工程~前記(D)工程を再度順に行い、
最後に行われた前記(D)工程において前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されていないと判定されたときには、前記基準高さ位置を下方に修正した上で、前記(A)工程~前記(D)工程を再度順に行うことを、
前記基準高さ位置の修正量を徐々に小さくしながら、所定の条件を満たすまで繰り返す、請求項2に記載の基板保持部の位置調整方法。 After it is first determined in the step (D) that the substrate has been placed on the substrate placement portion from the substrate holding portion in the step (B),
When it is determined in the last step (D) that the substrate has been placed on the substrate mounting portion from the substrate holding portion in the step (B), the reference height position is corrected upward, Performing the steps (A) to (D) again in order,
When it is determined in the last step (D) that the substrate is not placed on the substrate mounting portion from the substrate holding portion in the step (B), the reference height position is corrected downward. Then, performing the steps (A) to (D) again in order,
3. The method of adjusting the position of the substrate holding part according to claim 2, wherein the amount of correction of the reference height position is gradually decreased until a predetermined condition is satisfied.
前記(C)工程は、
前記基板保持部を、前記現在設定中の基準高さ位置で水平に別の所定距離前進または後退させる工程と、
続いて、前記基板保持部を前記基板載置部の上方まで上昇させる工程と、を含み、
その後、前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を前記検出部で検出し、
前記(D)工程は、少なくとも初回において、直前の前記(A)工程における前記検出部での検出結果と、直前の前記(C)工程における前記検出部での検出結果とに基づいて、前記(B)工程で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定する、請求項1~3のいずれか1項に記載の位置調整方法。 The step (A) includes, at least for the first time, detecting a horizontal position of the substrate on the substrate holding portion that supports the substrate with the detecting portion,
The step (C) is
a step of horizontally advancing or retreating the substrate holder by another predetermined distance at the currently set reference height position;
followed by a step of raising the substrate holding part above the substrate mounting part,
After that, the detection unit detects the horizontal position of the substrate on the substrate holding unit,
In the step (D), at least at the first time, the ( 4. The position adjustment method according to any one of claims 1 to 3, wherein in the step B), it is determined whether or not the substrate has been placed from the substrate holding portion to the substrate placement portion.
基板を保持可能に構成された基板保持部を有し、前記基板保持部が移動することにより基板を搬送する基板搬送装置と、
基板が載置される基板載置部と、
前記基板保持部上における基板の水平方向の位置を検出するための検出部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
(a)前記基板搬送装置を制御し、基板を支持した前記基板保持部を、前記基板載置部の上方まで水平に移動させ、
(b)前記基板搬送装置を制御し、基板を支持した前記基板保持部を、現在設定中の基準高さ位置まで下降させ、
(c)前記基板搬送装置及び前記検出部を制御し、前記検出部まで、前記基板保持部を移動させ、当該基板保持部上の基板を前記検出部で検出し、
(d)前記(c)による検出結果に基づいて、前記(b)で前記基板保持部から前記基板載置部に載置されたか否か判定し、
前記(b)工程で前記基板載置部から前記基板載置部に載置されたと判定されるまで、前記(a)~前記(d)を繰り返し順に行い、繰り返す度に前記基準高さ位置を所定距離下方に修正する、基板処理システム。 A substrate processing system for processing a substrate,
a substrate transport device having a substrate holding part configured to hold a substrate, and transporting the substrate by moving the substrate holding part;
a substrate mounting portion on which the substrate is mounted;
a detection unit for detecting the horizontal position of the substrate on the substrate holding unit;
a control unit;
The control unit
(a) controlling the substrate transport device to horizontally move the substrate holding unit supporting the substrate to above the substrate mounting unit;
(b) controlling the substrate transport device to lower the substrate holding unit supporting the substrate to a currently set reference height position;
(c) controlling the substrate transport device and the detection unit, moving the substrate holding unit to the detection unit, and detecting the substrate on the substrate holding unit with the detection unit;
(d) determining whether or not the substrate has been placed on the substrate placement portion from the substrate holding portion in (b) based on the detection result in (c);
The steps (a) to (d) are repeated in order until it is determined that the substrate is placed on the substrate placement portion from the substrate placement portion in the step (b), and the reference height position is adjusted each time it is repeated. A substrate processing system that corrects downward a predetermined distance.
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