KR20220136223A - Information acquisition system and information acquisition method - Google Patents

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KR20220136223A
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준노스케 마키
코우다이 히가시
료 코니시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

Prevented is the occurrence of problems in processing, which is caused by disposing a member, which is placed adjacently to a substrate to be processed, at an inappropriate position in a substrate processing apparatus. An information acquisition system for acquiring information on a substrate processing apparatus for processing a substrate held by a substrate holder comprises: a base body held instead of the substrate by the substrate holder; an interference detection part including one end side fixed to the base body and the other end side, which is movable; and a signal acquisition part for acquiring a signal fluctuated depending on the deformation of the interference detection part by interference with a member to be detected around the base body.

Description

정보 취득 시스템 및 정보 취득 방법 {INFORMATION ACQUISITION SYSTEM AND INFORMATION ACQUISITION METHOD}INFORMATION ACQUISITION SYSTEM AND INFORMATION ACQUISITION METHOD

본 개시는 정보 취득 시스템 및 정보 취득 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to an information acquisition system and an information acquisition method.

반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 기재함)가 캐리어에 저장된 상태에서 기판 처리 장치로 반송되어 처리를 받는다. 이 처리로서는, 예를 들면 도포액의 공급에 의한 도포막의 형성 및 현상 등의 액 처리를 들 수 있다. 그 액 처리 시에는, 컵 내에 수납된 웨이퍼에 대하여 노즐로부터 처리액이 공급된다. 특허 문헌 1에는, 웨이퍼의 하면에 대향하는 환 형상 돌기를 구비한 컵을 구비하는 현상 장치에 대하여 기재되어 있다.In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a 'wafer') is transported to a substrate processing apparatus in a state stored in a carrier to be processed. As this process, liquid processing, such as formation of a coating film by supply of a coating liquid, and image development, is mentioned, for example. During the liquid treatment, the treatment liquid is supplied from the nozzle to the wafer accommodated in the cup. Patent Document 1 describes a developing apparatus including a cup provided with an annular projection facing the lower surface of the wafer.

일본특허공개공보 2020-13932호Japanese Patent Laid-Open No. 2020-13932

본 개시는, 기판 처리 장치에서 처리되는 기판의 근처에 위치하는 부재가, 부적절한 위치에 배치되는 것에 따른 처리의 문제의 발생을 방지하는 것을 목적으로 한다.An object of the present disclosure is to prevent occurrence of a processing problem due to a member positioned in the vicinity of a substrate to be processed in a substrate processing apparatus being disposed at an inappropriate position.

본 개시의 정보 취득 시스템은, 기판 유지부에 유지된 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 정보를 취득하는 정보 취득 시스템에 있어서,The information acquisition system of the present disclosure is an information acquisition system for acquiring information on a substrate processing apparatus that processes a substrate held by a substrate holding unit,

상기 기판 유지부에 의해 상기 기판 대신에 유지되는 베이스체와,a base body held in place of the substrate by the substrate holding unit;

상기 베이스체에 대하여 고정되는 일단측과, 가동인 타단측을 각각 구비하는 간섭 검지부와,an interference detection unit each having one end fixed to the base and the other movable end;

상기 베이스체의 주변에 있어서의 검지 대상 부재와의 간섭에 의한 상기 간섭 검지부의 변형에 따라 변동하는 신호를 취득하기 위한 신호 취득부를 구비한다.and a signal acquisition unit for acquiring a signal that fluctuates according to deformation of the interference detection unit due to interference with a detection target member in the periphery of the base body.

본 개시는, 기판 처리 장치에서 처리되는 기판의 근처에 위치하는 부재가, 부적절한 위치에 배치되는 것에 따른 처리의 문제의 발생을 방지할 수 있다.The present disclosure can prevent the occurrence of a processing problem due to a member positioned in the vicinity of a substrate being processed in a substrate processing apparatus being disposed at an inappropriate position.

도 1은 본 개시의 실시 형태에 따른 정보 취득 시스템을 이루는 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치에 포함되는 레지스트막 형성 모듈의 종단 정면도이다.
도 3은 상기 레지스트막 형성 모듈의 평면도이다.
도 4는 상기 정보 취득 시스템을 구성하는 검사용 웨이퍼 및 연산 장치를 나타내는 설명도이다.
도 5는 상기 검사용 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 검사용 웨이퍼의 평면도이다.
도 7은 상기 검사용 웨이퍼의 사시도이다.
도 8은 상기 검사용 웨이퍼에 마련되는 제 1 빔 형상체의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 9는 상기 검사용 웨이퍼에 마련되는 제 2 빔 형상체의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 10은 상기 검사용 웨이퍼에 의해 취득되는 검출 신호의 예를 나타내는 설명도이다.
도 11은 카메라에 의해 취득되는 환 형상 돌기의 화상을 나타내는 설명도이다.
도 12는 카메라에 의해 취득되는 노즐의 화상을 나타내는 설명도이다.
1 is a plan view of a substrate processing apparatus constituting an information acquisition system according to an embodiment of the present disclosure.
2 is a longitudinal front view of a resist film forming module included in the substrate processing apparatus.
3 is a plan view of the resist film forming module.
Fig. 4 is an explanatory diagram showing a wafer for inspection and an arithmetic device constituting the information acquisition system.
5 is a longitudinal side view of the wafer for inspection.
6 is a plan view of the wafer for inspection.
7 is a perspective view of the wafer for inspection.
Fig. 8 is an explanatory view showing the operation of the first beam-shaped body provided on the wafer for inspection.
Fig. 9 is an explanatory view showing the operation of the second beam-shaped body provided on the wafer for inspection.
10 is an explanatory diagram showing an example of a detection signal acquired by the inspection wafer.
It is explanatory drawing which shows the image of an annular projection acquired by a camera.
It is explanatory drawing which shows the image of the nozzle acquired by a camera.

[제 1 실시 형태][First embodiment]

본 개시의 일실시 형태에 따른 정보 취득 시스템(1)에 대하여 도 1에 나타낸다. 정보 취득 시스템(1)은 기판 처리 장치(2), 검사용 웨이퍼(6) 및 연산 장치(9)에 의해 구성되어 있다. 먼저, 정보 취득 시스템(1)을 구성하는 각 부의 개요를 설명한다. 상기의 기판 처리 장치(2)는, 반송 기구에 의해 원형의 기판인 웨이퍼(W)를 처리 모듈 사이에서 반송하여 처리를 행한다. 이 처리에는 레지스트막 형성용의 처리 모듈에 있어서, 컵(4) 내에 배치된 웨이퍼(W)에 레지스트를 공급하여 당해 레지스트막을 형성하는 것이 포함된다.The information acquisition system 1 which concerns on one Embodiment of this indication is shown in FIG. The information acquisition system 1 is comprised by the substrate processing apparatus 2, the wafer 6 for inspection, and the arithmetic unit 9. As shown in FIG. First, the outline|summary of each part which comprises the information acquisition system 1 is demonstrated. The above-described substrate processing apparatus 2 performs processing by transporting the wafer W, which is a circular substrate, between processing modules by means of a transport mechanism. This process includes forming the resist film by supplying the resist to the wafer W placed in the cup 4 in the processing module for forming the resist film.

검사용 웨이퍼(6)는 상기의 반송 기구에 의해 웨이퍼(W) 대신에, 상기의 처리 모듈(레지스트막 형성 모듈(3))로 반송된다. 이 검사용 웨이퍼(6)에는, 간섭 검지부가 마련되어 있다. 이 간섭 검지부가 컵(4)의 구성 부재인 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B) 중 적어도 하나에 간섭하는지 여부에 따라, 당해 검사용 웨이퍼(6)로부터 출력되는 검출 신호가 변동한다. 그 검출 신호에 대해서는 연산 장치(9)에 무선으로 송신되고, 이 검출 신호의 파형이 연산 장치(9)에 포함되는 표시부(95)에 표시됨으로써, 웨이퍼(W)를 처리할 시에, 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B) 중 적어도 하나가 적정한 위치에 배치되어 있는지 여부의 검사가 가능하게 되어 있다. 또한, 상기의 노즐(51B)은 EBR(Edge Bead Removal)용의 노즐이다. EBR은, 용제를 노즐로부터 토출하여 웨이퍼(W)의 표면 전체에 형성된 막(본 실시 형태에서는 레지스트막) 중, 당해 웨이퍼(W)의 주연부를 피복하는 부위를 한정적으로 제거하는 처리이다.The inspection wafer 6 is transferred to the processing module (resist film forming module 3) instead of the wafer W by the transfer mechanism described above. This inspection wafer 6 is provided with an interference detection unit. The detection signal output from the inspection wafer 6 fluctuates depending on whether the interference detection unit interferes with at least one of the annular projection 46 and the nozzle 51B, which are constituent members of the cup 4 . The detection signal is transmitted wirelessly to the arithmetic unit 9, and the waveform of this detection signal is displayed on the display unit 95 included in the arithmetic unit 9, so that when processing the wafer W, an annular shape It is possible to check whether at least one of the projection 46 and the nozzle 51B is disposed at an appropriate position. In addition, the said nozzle 51B is a nozzle for EBR (Edge Bead Removal). EBR is a process in which a portion covering the peripheral edge of the wafer W is limitedly removed from a film (resist film in this embodiment) formed on the entire surface of the wafer W by discharging a solvent from a nozzle.

또한 검사용 웨이퍼(6)에는, 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B)을 각각 촬상하여 화상 데이터를 취득하는 촬상부인 카메라(81, 82)도 마련되어 있다. 정보 취득 시스템(1)은 이 화상 데이터에 기초하여, 상기의 레지스트막 형성 모듈(3)에 웨이퍼(W)가 배치될 때의 당해 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 거리(후술하는 H0), 당해 웨이퍼(W)와 EBR용의 노즐(51B)과의 거리(후술하는 H1)를 각각 취득하는 것이 가능하다. 이들 거리의 취득 방법에 대해서는 제 2 실시 형태에서 설명하지만, 당해 거리의 취득을 행하기 위한 시스템의 구성에 대해서는, 이 제 1 실시 형태의 설명 중에서 그 일부를 기술한다.In addition, the wafer 6 for inspection is also provided with cameras 81 and 82 which are imaging units for acquiring image data by imaging the annular projection 46 and the nozzle 51B, respectively. The information acquisition system 1 determines the distance (to be described later) between the wafer W and the annular projection 46 when the wafer W is placed on the resist film forming module 3, based on this image data. H0) and the distance between the wafer W and the nozzle 51B for EBR (H1 to be described later) can be acquired, respectively. The method for acquiring these distances will be described in the second embodiment, but a part of the configuration of the system for acquiring the distance will be described in the description of the first embodiment.

이하, 기판 처리 장치(2)에 대하여 상세하게 설명한다. 기판 처리 장치(2)는, 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)에 의해 구성되어 있다. 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)은 좌우로 배열되고, 서로 접속되어 있다. 웨이퍼(W)는, 반송 용기인 캐리어(C)에 저장된 상태에서, 도시하지 않는 캐리어(C)용의 반송 기구에 의해 캐리어 블록(D1)으로 반송된다. 캐리어 블록(D1)은 캐리어(C)를 배치하는 스테이지(21)를 구비하고 있다. 또한 캐리어 블록(D1)에는, 개폐부(22)와, 반송 기구(23)가 마련되어 있다. 개폐부(22)는 캐리어 블록(D1)의 측벽에 형성된 반송구를 개폐한다. 반송 기구(23)는 스테이지(21) 상의 캐리어(C)에 대하여, 상기의 반송구를 거쳐 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 2 is demonstrated in detail. The substrate processing apparatus 2 is comprised by the carrier block D1 and the processing block D2. The carrier block D1 and the processing block D2 are arranged left and right, and are connected to each other. The wafer W is transported to the carrier block D1 by a transport mechanism for the carrier C (not shown) in a state stored in the carrier C serving as a transport container. The carrier block D1 is provided with the stage 21 on which the carrier C is arrange|positioned. Moreover, the carrier block D1 is provided with the opening/closing part 22 and the conveyance mechanism 23. As shown in FIG. The opening/closing unit 22 opens and closes the transport port formed on the sidewall of the carrier block D1. The transfer mechanism 23 transfers the wafer W to the carrier C on the stage 21 through the transfer port described above.

처리 블록(D2)은, 좌우 방향으로 연장되는 웨이퍼(W)의 반송로(24)와, 당해 반송로(24)에 마련되는 반송 기구(25)를 구비하고 있다. 당해 반송 기구(25) 및 상기의 반송 기구(23)에 의해, 캐리어(C)와 처리 블록(D2)에 마련되는 각 처리 모듈과의 사이에서, 웨이퍼(W)가 반송된다. 처리 모듈은, 반송로(24)의 전방측, 후방측의 각각에 좌우로 복수 배열하여 마련되어 있다. 후방측의 처리 모듈은 가열 모듈(26)이며, 레지스트막 중의 용제를 제거하기 위한 가열 처리를 행한다. 전방측의 처리 모듈은 레지스트막 형성 모듈(3)이다. 또한, 반송로(24)의 캐리어 블록(D1)쪽의 위치에는, 웨이퍼(W)가 임시 배치되는 전달 모듈(TRS)이 마련되어 있다. 당해 전달 모듈(TRS)을 개재하여, 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.The processing block D2 includes a conveyance path 24 for the wafer W extending in the left-right direction, and a conveyance mechanism 25 provided in the conveyance path 24 . The wafer W is conveyed between the carrier C and each processing module provided in the processing block D2 by the conveying mechanism 25 and the above-mentioned conveying mechanism 23 . A plurality of processing modules are provided in a left-right arrangement on each of the front side and the rear side of the conveyance path 24 . The processing module on the rear side is the heating module 26, and heat processing for removing the solvent in the resist film is performed. The processing module on the front side is the resist film forming module 3 . Further, at a position on the carrier block D1 side of the transfer path 24 , a transfer module TRS in which the wafer W is temporarily placed is provided. The wafer W is transferred between the carrier block D1 and the processing block D2 via the transfer module TRS.

이어서, 레지스트막 형성 모듈(3)에 대하여 도 2의 종단 측면도 및 도 3의 평면도를 참조하여 설명한다. 레지스트막 형성 모듈(3)은 기판 유지부인 스핀 척(31)을 구비하고, 당해 스핀 척(31)은, 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡착하여 수평으로 유지한다. 스핀 척(31)은 연직으로 연장되는 축(32)을 개재하여 회전 기구(33)에 접속되고, 당해 회전 기구(33)에 의해 스핀 척(31)에 유지된 웨이퍼(W)가 연직축 둘레로 회전한다. 또한, 축(32)을 둘러싸는 원형의 울타리판(34)이 마련되어 있고, 당해 울타리판(34)을 관통하도록 연직 방향으로 연장되는 승강 핀(35)이 3 개(도 2에서는 2 개만 표시) 마련되어 있다. 승강 기구(36)에 의해 승강 핀(35)이 승강하고, 스핀 척(31)과 기술한 반송 기구(25)와의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.Next, the resist film forming module 3 will be described with reference to a longitudinal side view of FIG. 2 and a plan view of FIG. 3 . The resist film forming module 3 includes a spin chuck 31 serving as a substrate holding part, and the spin chuck 31 sucks and holds the central part of the back surface side of the wafer W horizontally. The spin chuck 31 is connected to the rotation mechanism 33 via a shaft 32 extending vertically, and the wafer W held by the spin chuck 31 by the rotation mechanism 33 is rotated around the vertical axis. rotate In addition, a circular fence plate 34 surrounding the shaft 32 is provided, and three lifting pins 35 extending in the vertical direction to penetrate the fence plate 34 (only two are shown in FIG. 2 ). is provided. The lifting pins 35 are raised and lowered by the lifting mechanism 36 , and the wafer W is transferred between the spin chuck 31 and the transfer mechanism 25 described above.

스핀 척(31)에 유지되는 웨이퍼(W)의 주연부의 하측으로부터 측방에 걸쳐, 당해 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 원형의 컵(4)이 마련되어 있고, 당해 컵(4)은, 컵 본체(41), 하측 가이드부(42), 중간 가이드부(43), 상측 가이드부(44)에 의해 구성된다. 컵 본체(41)는 웨이퍼(W)의 둘레를 따른 원환 형상의 오목부를 이루도록 형성되고, 웨이퍼(W)로부터 낙하 혹은 비산한 처리액(레지스트 및 용제)을 받는다. 컵 본체(41)를 구성하는 각 부를, 외원통부(41A), 저부 본체(41B), 내원통부(41C)로서 나타내고 있다. 외원통부(41A), 내원통부(41C)는 기립한 통 형상 부재로, 상기의 원환 형상 오목부의 측벽을 이룬다. 저부 본체(41B)는 외원통부(41A)의 하단과 내원통부(41C)의 하단을 접속하는 수평인 환 형상 판이며, 원환 형상 오목부의 저부를 이룬다. 저부 본체(41B)에는, 컵(4) 내를 배기하기 위한 배기관(45A)이 마련되고, 또한 상기의 오목부로부터 처리액을 배액하기 위한 배액구(45B)가 개구되어 있다.A circular cup 4 is provided so as to surround the wafer W from the lower side to the side of the periphery of the wafer W held by the spin chuck 31 , and the cup 4 is a cup body 41 . ), a lower guide portion 42 , an intermediate guide portion 43 , and an upper guide portion 44 . The cup body 41 is formed to form an annular recessed portion along the circumference of the wafer W, and receives the processing liquid (resist and solvent) that has fallen or scattered from the wafer W. Each part constituting the cup body 41 is shown as an outer cylindrical portion 41A, a bottom main body 41B, and an inner cylindrical portion 41C. The outer cylindrical part 41A and the inner cylindrical part 41C are an upright cylindrical member, and constitute the side wall of the said annular|cyclic|annular recessed part. The bottom main body 41B is a horizontal annular plate connecting the lower end of the outer cylindrical portion 41A and the lower end of the inner cylindrical portion 41C, and forms the bottom of the annular recessed portion. An exhaust pipe 45A for exhausting the inside of the cup 4 is provided in the bottom main body 41B, and a drain port 45B for draining the processing liquid from the concave portion is opened.

이어서 하측 가이드부(42)에 대하여 기술하면, 이 하측 가이드부(42)는, 기술한 울타리판(34)의 주연부 상으로부터, 내원통부(41C) 상을 통과하여 외원통부(41A)를 향해 넓어지도록 형성되는 원환 부재이며, 스핀 척(31)에 유지되는 웨이퍼(W)의 하방에 위치한다. 그리고, 하측 가이드부(42)의 상면은 경사면(42A, 42B)으로서 형성되어 있고, 경사면(42A)은 경사면(42B)보다 컵(4)의 중심측에 위치하고 있다. 경사면(42A)은 컵(4)의 외방을 향함에 따라 올라가고, 경사면(42B)은 컵(4)의 외방을 향함에 따라 내려감으로써, 하측 가이드부(42)의 종단면에 대해서는 산 형상으로 형성되어 있다. 경사면(42B)은, 웨이퍼(W)로부터 낙하 혹은 비산하여 부착한 처리액이 저부 본체(41B)로 유하(流下)되도록 가이드한다.Next, when the lower guide part 42 is described, this lower guide part 42 goes from on the periphery of the described fence board 34 toward the outer cylindrical part 41A through the inner cylindrical part 41C. It is an annular member formed so as to be widened, and is located below the wafer W held by the spin chuck 31 . And the upper surface of the lower guide part 42 is formed as inclined surfaces 42A, 42B, and the inclined surface 42A is located at the center side of the cup 4 rather than the inclined surface 42B. The inclined surface 42A rises toward the outside of the cup 4, and the inclined surface 42B descends toward the outside of the cup 4, thereby forming a mountain shape with respect to the longitudinal cross-section of the lower guide part 42. have. The inclined surface 42B guides the processing liquid attached by falling or scattering from the wafer W to flow down to the bottom body 41B.

경사면(42A, 42B)이 이루는 산 형상의 정부(頂部)는 상방으로 돌출되어 환 형상 돌기(46)를 형성하고, 당해 환 형상 돌기(46)는 기술한 스핀 척(31)에 배치되는 웨이퍼(W)의 둘레를 따르고 또한 당해 웨이퍼(W)의 주연부에 근접한다. 환 형상 돌기(46)는 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 처리액이, 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되어 웨이퍼(W)의 중심쪽의 위치에 부착하거나, 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)의 이면의 중심쪽의 위치에 부착하는 것을 방지한다. 하측 가이드부(42)의 높이는, 울타리판(34) 및 컵 본체(41)에 대하여 조정 가능하며, 따라서 환 형상 돌기(46)의 높이는 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 조정 가능하게 되어 있다. 도 2 중, 환 형상 돌기(46)와 웨이퍼(W)의 하면과의 거리(컵 이간 거리라 함)를 H0로서 나타내고 있다.The top of the mountain shape formed by the inclined surfaces 42A and 42B protrudes upward to form an annular projection 46, the annular projection 46 being disposed on the spin chuck 31 described above. It is along the periphery of W) and is close to the periphery of the said wafer W. In the annular protrusion 46 , the processing liquid supplied to the surface of the wafer W flows into the back surface of the wafer W and adheres to the central position of the wafer W, or mist of the processing liquid flows into the wafer W ) to prevent it from attaching to the center of the back surface. The height of the lower guide part 42 is adjustable with respect to the barrier plate 34 and the cup body 41 , and therefore the height of the annular projection 46 is adjustable with respect to the lower surface of the wafer W . In FIG. 2 , the distance between the annular projection 46 and the lower surface of the wafer W (referred to as the distance between the cups) is indicated as H0.

컵(4)을 구성하는 중간 가이드부(43)는, 외원통부(41A)의 내주면에 장착되는 수직벽(43A)과, 수직벽(43A)의 상단으로부터 컵(4)의 중심측을 향해 기울기 상방으로 연장되는 경사부(43B)를 구비하고 있다. 또한, 경사부(43B)에는 세로 방향으로 액 배출용의 관통 홀(43C)이 천공되어 있다. 또한, 컵(4)을 구성하는 상측 가이드부(44)는, 외원통부(41A)의 내주면에 장착되는 수직벽(44A)과, 수직벽의 상단으로부터 컵(4)의 중심부를 향해 수평으로 연장되는 수평부(44B)와, 수평부(44B)의 선단으로부터 수직 상방으로 연장되는 통 형상의 입구벽(44C)을 구비하고 있다. 수직벽(44A)은, 중간 가이드부(43)의 수직벽(43A)보다 상방에 마련되어 있고, 수평부(44B)는, 중간 가이드부(43)의 경사부(43B)보다 상방에 위치한다.The intermediate guide portion 43 constituting the cup 4 includes a vertical wall 43A attached to the inner circumferential surface of the outer cylindrical portion 41A, and an upper end of the vertical wall 43A toward the center side of the cup 4 . It is provided with the inclined part 43B extended diagonally upward. Further, a through hole 43C for discharging the liquid is perforated in the inclined portion 43B in the vertical direction. Further, the upper guide portion 44 constituting the cup 4 includes a vertical wall 44A mounted on the inner circumferential surface of the outer cylindrical portion 41A, and horizontally from the upper end of the vertical wall toward the center of the cup 4 . It is provided with the extending horizontal part 44B, and the cylindrical entrance wall 44C extending vertically upward from the front-end|tip of the horizontal part 44B. The vertical wall 44A is provided above the vertical wall 43A of the intermediate guide part 43 , and the horizontal part 44B is located above the inclined part 43B of the intermediate guide part 43 .

이어서, 레지스트막 형성 모듈(3)에 마련되는 레지스트 공급 기구(5A) 및 EBR 처리 기구(5B)에 대하여 설명한다. 레지스트 공급 기구(5A)는, 레지스트 공급 노즐(51A), 레지스트 공급부(52A), 암(53A), 이동 기구(54A) 및 대기부(55A)를 구비한다. 레지스트 공급 노즐(51A)은, 레지스트 공급부(52A)로부터 압송되는 레지스트를 연직 하방으로 토출한다. 암(53A)은 레지스트 공급 노즐(51A)을 지지하고, 이동 기구(54A)에 의해 승강 가능 또한 수평 이동 가능하게 구성되어 있다. 컵(4)의 외측에 상방으로 개구되는 대기부(55A)가 마련되어 있고, 이동 기구(54A)에 의해 레지스트 공급 노즐(51A)은, 대기부(55A)의 개구 내와 컵(4) 내와의 사이를 이동한다. 컵(4) 내로 이동한 레지스트 공급 노즐(51A)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부 상에 레지스트를 토출하고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막이 형성된다.Next, the resist supply mechanism 5A and the EBR processing mechanism 5B provided in the resist film forming module 3 will be described. The resist supply mechanism 5A includes a resist supply nozzle 51A, a resist supply unit 52A, an arm 53A, a movement mechanism 54A, and a standby unit 55A. The resist supply nozzle 51A discharges the resist pressure-feed from the resist supply part 52A vertically downward. The arm 53A supports the resist supply nozzle 51A, and is configured to be able to move up and down and move horizontally by a moving mechanism 54A. An air portion 55A that opens upwardly is provided on the outside of the cup 4 , and the resist supply nozzle 51A is moved into the opening of the air portion 55A and the inside of the cup 4 by the moving mechanism 54A. move between The resist supply nozzle 51A moved into the cup 4 discharges the resist onto the central portion of the rotating wafer W, and a resist film is formed on the entire surface of the wafer W by spin coating.

EBR 처리 기구(5B)는 용제 공급 노즐(51B), 용제 공급부(52B), 암(53B), 이동 기구(54B) 및 대기부(55B)를 구비한다. 용제 공급 노즐(51B)은 EBR용의 노즐이며, 용제 공급부(52B)로부터 압송되는 용제를, 웨이퍼(W)의 중심측으로부터 주연측으로 기울기 하방을 향하도록 토출한다. 즉 연직 방향에 대하여 기운 방향으로 용제가 토출된다. 암(53B)은 용제 공급 노즐(51B)을 지지하고, 이동 기구(54B)에 의해 승강 가능 또한 수평 이동 가능하게 구성되어 있다. 컵(4)의 외측에, 상방으로 개구되는 대기부(55B)가 마련되어 있고, 이동 기구(54B)에 의해 용제 공급 노즐(51B)은, 대기부(55B)의 개구 내와, 컵(4) 내에 있어서의 웨이퍼(W)의 상방의 처리 위치와의 사이를 이동한다. 또한 도 3은 실선으로 처리 위치로 이동한 상태의 용제 공급 노즐(51B)을 나타내고 있고, 기술한 EBR은, 회전하는 웨이퍼(W)에 대하여, 당해 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)로부터 용제가 토출됨으로써 행해진다.The EBR processing mechanism 5B is provided with the solvent supply nozzle 51B, the solvent supply part 52B, the arm 53B, the movement mechanism 54B, and the standby|standby part 55B. The solvent supply nozzle 51B is a nozzle for EBR, and discharges the solvent pressurized from the solvent supply part 52B in a downward direction from the center side of the wafer W to the peripheral side. That is, the solvent is discharged in a direction inclined with respect to the vertical direction. The arm 53B supports the solvent supply nozzle 51B, and is comprised so that raising/lowering by the movement mechanism 54B is possible and horizontal movement is possible. An air portion 55B that opens upward is provided on the outside of the cup 4 , and the solvent supply nozzle 51B is connected to the inside of the opening of the air portion 55B and the cup 4 by the moving mechanism 54B. It moves between the processing position above the wafer W in the inside. 3 shows the solvent supply nozzle 51B in a state of being moved to the processing position by a solid line, and the described EBR is directed from the solvent supply nozzle 51B at the processing position with respect to the rotating wafer W. This is done by discharging the solvent.

예를 들면 암(53B)에 대하여 용제 공급 노즐(51B)은, 그 높이를 조정 가능하게 장착된다. 따라서, 도 2에 나타내는 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)과 웨이퍼(W)의 표면과의 거리('노즐 이간 거리'라 함)(H1)는 조정 가능하며, 이 노즐 이간 거리(H1)의 변경에 의해, 용제 공급 노즐(51B)로부터 토출된 용제의 웨이퍼(W)에 있어서의 착액 위치가 변화한다. 또한, 도 3에만 표시하고 있지만, 컵(4)의 근방에는 당해 컵(4)을 향해 광 조사 가능한 조명부(48)가 마련되어 있다. 카메라(82)에 의한 용제 공급 노즐(51B)의 촬상 시에, 당해 조명부(48)에 의해 용제 공급 노즐(51B)에 광이 조사된다.For example, the solvent supply nozzle 51B is attached with respect to the arm 53B so that the height is adjustable. Therefore, the distance between the solvent supply nozzle 51B and the surface of the wafer W at the processing position shown in FIG. 2 (referred to as 'nozzle separation distance') H1 is adjustable, and this nozzle separation distance H1 is adjustable. ), the liquid landing position on the wafer W of the solvent discharged from the solvent supply nozzle 51B changes. In addition, although shown only in FIG. 3, the illumination part 48 which can irradiate light toward the said cup 4 is provided in the vicinity of the cup 4. As shown in FIG. In the case of imaging of the solvent supply nozzle 51B by the camera 82, light is irradiated to the solvent supply nozzle 51B by the said illumination part 48.

기판 처리 장치(2)는, 컴퓨터에 의해 구성되는 제어부(20)를 구비하고 있고(도 1 참조), 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 메모리 카드 및 DVD 등의 기억 매체에 저장된 프로그램이 인스톨된다. 인스톨된 프로그램에 의해, 기판 처리 장치(2)의 각 부에 제어 신호가 출력되도록, 프로그램에는 명령(각 단계)이 탑재되어 있다. 그리고 이 제어 신호에 의해, 반송 기구(23, 25)에 의한 웨이퍼(W)의 반송, 각 처리 모듈에 의한 웨이퍼(W)의 처리가 행해진다.The substrate processing apparatus 2 is provided with the control part 20 comprised by a computer (refer FIG. 1), The program stored in storage media, such as a compact disk, a hard disk, a memory card, and DVD, is installed. Instructions (each step) are mounted in the program so that a control signal is output to each unit of the substrate processing apparatus 2 by the installed program. Then, the wafer W is transported by the transport mechanisms 23 and 25 and the wafer W is processed by the respective processing modules according to this control signal.

그런데 작업원에 의한 레지스트막 형성 모듈(3)의 조립 시 또는 조정 시의 에러에 의해, 컵 이간 거리(H0) 및 제 2 거리인 노즐 이간 거리(H1) 중 적어도 하나가 적정 범위로부터 벗어난 상태가 되는 경우가 있다. 컵 이간 거리(H0)가 부적절한 상태에서 웨이퍼(W)에 처리가 행해지면, 환 형상 돌기(46)가 웨이퍼(W)에 접촉하여 당해 웨이퍼(W)의 이면을 손상시키거나, 환 형상 돌기(46)가 웨이퍼(W)로부터 너무 멀어짐으로써 그 역할을 충분히 완수할 수 없을 우려가 있다. 또한, 노즐 이간 거리(H1)가 부적절한 상태에서 웨이퍼(W)에 처리가 행해지면, 용제 공급 노즐(51B)이 웨이퍼(W)에 접촉하여 웨이퍼(W)를 손상시키거나, 착액 위치의 이상(異常)에 의한 레지스트막의 제거 영역의 폭의 이상이 발생한다.However, due to an error in assembling or adjusting the resist film forming module 3 by an operator, at least one of the cup distance H0 and the second distance between the nozzles H1 is out of the proper range. there may be cases When processing is performed on the wafer W in a state where the cup separation distance H0 is inadequate, the annular projection 46 may come into contact with the wafer W to damage the back surface of the wafer W, or 46) is too far away from the wafer W, there is a fear that the role cannot be sufficiently fulfilled. In addition, if processing is performed on the wafer W in a state where the nozzle separation distance H1 is inadequate, the solvent supply nozzle 51B may contact the wafer W to damage the wafer W, or an abnormal liquid landing position (異常) causes an abnormality in the width of the region where the resist film is removed.

상기의 검사용 웨이퍼(6)는, 웨이퍼(W) 대신에 스핀 척(31)에 흡착 유지된다. 그 검사용 웨이퍼(6)에 의해, 검지 대상 부재(환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B))에 대한 상기한 간섭의 검지를 행하는 것은, 컵 이간 거리(H0), 노즐 이간 거리(H1)가 각각 적정 범위보다 작은지 여부라고 하는 환 형상 돌기(46)의 높이, 용제 공급 노즐(51B)의 높이에 대한 정보를 취득하게 된다. 그 높이의 정보의 취득이 행해짐으로써, 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 접촉, 또는 용제 공급 노즐(51B)의 웨이퍼(W)에 대한 접촉 및 착액 위치가 이상이 되는 것에 대하여, 미연에 방지할 수 있다.The above-mentioned inspection wafer 6 is adsorbed and held by the spin chuck 31 instead of the wafer W. The detection of the above-described interference with the detection target member (annular protrusion 46 and nozzle 51B) by the inspection wafer 6 is determined by the cup separation distance H0 and the nozzle separation distance H1. Information about the height of the annular protrusion 46 and the height of the solvent supply nozzle 51B, which is whether or not is smaller than the appropriate range, is acquired. As a result of obtaining the height information, the contact between the wafer W and the annular projection 46 or the contact of the solvent supply nozzle 51B with the wafer W and the liquid landing position become abnormal. can be prevented in

이하, 검사용 웨이퍼(6)의 구성에 대하여, 도 4, 도 5의 종단 측면도, 도 6의 평면도를 참조하여 설명한다. 도 4, 도 5는 서로 상이한 위치의 종단 측면을 나타내고 있다. 또한 도 6에서는, 도 4, 도 5에 나타내는 일부의 구성 요소를 생략하고 있다. 검사용 웨이퍼(6)는 원형의 베이스체(61)와, 기판(62)을 구비하고 있다. 베이스체(61)는 웨이퍼(W)와 동일한 크기의 기판이며, 그 하면은, 웨이퍼(W)의 하면과 마찬가지로 평탄면으로서 구성되어 있다. 이 때문에, 베이스체(61)는 웨이퍼(W)와 마찬가지로, 반송 기구(23, 25)에 의한 반송 및 스핀 척(31)에 의한 흡착 유지가 가능하게 되어 있다. 도 4 ~ 도 6은 그와 같이 스핀 척(31)에 흡착 유지된 상태의 베이스체(61)(즉, 흡착 유지된 상태의 검사용 웨이퍼(6))를 나타내고 있다.Hereinafter, the structure of the wafer 6 for inspection is demonstrated with reference to the longitudinal side view of FIG. 4, FIG. 5, and the top view of FIG. 4 and 5 show longitudinal sides at different positions. In addition, in FIG. 6, some components shown in FIG. 4, FIG. 5 are abbreviate|omitted. The inspection wafer 6 includes a circular base body 61 and a substrate 62 . The base body 61 is a board|substrate of the same size as the wafer W, and its lower surface is comprised as a flat surface similarly to the lower surface of the wafer W. As shown in FIG. For this reason, similarly to the wafer W, the base body 61 can be conveyed by the conveying mechanisms 23 and 25 and held by the spin chuck 31 by suction. 4 to 6 show the base body 61 (that is, the inspection wafer 6 in the state of being sucked and held) by the spin chuck 31 as described above.

베이스체(61)의 상측에, 기판(62)이 적층되어 마련되어 있다. 당해 기판(62)은, 베이스체(61)의 중앙부 상에 마련되는 본체부(63)를 구비하고 있다. 또한, 도 6 및 후술하는 도 7에서는 도시의 편의상 본체부(63)를 원형으로 나타내고 있지만, 원형에 한정되지 않고 임의의 형상으로 할 수 있다. 당해 본체부(63) 상에는 각종 회로 부품 및 기기가 마련되어 있고, 도면 중에서는 일괄하여 부품군(64)으로서 나타내고 있다.Above the base body 61, the board|substrate 62 is laminated|stacked and provided. The board|substrate 62 is equipped with the main-body part 63 provided on the center part of the base body 61. As shown in FIG. In addition, although the main body part 63 is shown in the circular shape in FIG. 6 and FIG. 7 mentioned later for convenience of illustration, it is not limited to a circular shape, It can be made into any shape. Various circuit components and equipment are provided on the main body portion 63 , and are collectively shown as a component group 64 in the drawing.

부품군(64)을 구성하는 부품 및 기기로서는, CPU 및 무선으로 각종 데이터(신호를 포함함)를 송수신하는 통신 기기 등이 포함된다. 각 센서 또는 카메라로 취득된 데이터는, 이 통신 기기에 의해 연산 장치(9)로 무선 송신하는 것이 가능하다. 또한, 이 통신 기기를 개재하여 당해 데이터를 취득하기 위한 트리거가 되는 신호를 각 카메라 또는 각 센서로 송신할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 카메라(81, 82) 등은, 기판(62) 이외의 기판에 탑재되어 있지만, 기판끼리를 접속하는 와이어(60)를 개재하여, 이와 같이 연산 장치(9)로의 데이터 송신, 및 트리거 신호의 수신이 가능하다. 또한 베이스체(61)의 중앙부에는, 부품군(64), 각 센서, 각 카메라, 후술하는 조명부(85)에 전력을 공급하기 위한 배터리(65)가 마련되어 있다.The components and devices constituting the component group 64 include a CPU and a communication device that wirelessly transmits and receives various data (including signals). The data acquired by each sensor or camera can be wirelessly transmitted to the computing device 9 by this communication device. Further, a signal serving as a trigger for acquiring the data can be transmitted to each camera or each sensor via this communication device. In addition, although the cameras 81, 82, etc. are mounted on board|substrates other than the board|substrate 62 as mentioned later, via the wire 60 which connects board|substrates, data transmission to the calculating|arithmetic device 9 in this way , and it is possible to receive a trigger signal. In addition, in the central part of the base body 61, the battery 65 for supplying electric power to the component group 64, each sensor, each camera, and the illumination part 85 mentioned later is provided.

도 7을 참조하여 베이스체(61) 상의 기판(62)에 대하여 더 설명하면, 당해 기판(62)의 본체부(63)는 베이스체(61)에 대하여 고정되어 있다. 이 본체부(63)의 주연의 일부가, 본체부(63)의 주연을 향해 연장되어, 베이스체(61)의 직경 방향을 따른 가늘고 긴 빔 형상체(66)를 형성하고 있다. 베이스체(61)의 주연부에는, 이 빔 형상체(66)의 선단측에 겹치는 위치에, 당해 베이스체(61)를 두께 방향으로 관통하는 관통 홀(67)이 형성되어 있다. 당해 관통 홀(67)은 베이스체(61)의 세로 방향의 일방측(상측)과 타방측(하측)을 접속하는 접속로를 이룬다.The substrate 62 on the base body 61 will be further described with reference to FIG. 7 . The body part 63 of the substrate 62 is fixed with respect to the base body 61 . A part of the periphery of the main body 63 extends toward the periphery of the main body 63 to form an elongated beam-shaped body 66 along the radial direction of the base body 61 . A through hole 67 penetrating through the base body 61 in the thickness direction is formed in the peripheral portion of the base body 61 at a position overlapping the tip side of the beam-shaped body 66 . The through hole 67 forms a connection path for connecting one side (upper side) and the other side (lower side) in the longitudinal direction of the base body 61 .

도 7 중의 화살표의 끝에, 이 관통 홀(67)의 주위의 각 부를 확대하여 나타내고 있다. 빔 형상체(66)의 선단측의 하면에는, 하방으로 돌출되어 이 관통 홀(67)로 진입하는 돌기(68)가 마련되어 있다. 돌기(68)의 선단(하단)은, 본체부(63)의 하면보다 하방에 위치하고 있고, 당해 본체부(63)의 하면으로부터 예를 들면 1 mm 정도 돌출되어 있다(도 4 참조). 또한, 돌기(68)는, 빔 형상체(66)의 선단보다 약간, 기단측으로 떨어져 위치하고 있고, 빔 형상체(66)의 선단은 관통 홀(67)보다 베이스체(61)의 주연쪽에 위치하고 있다. 그러한 돌기(68) 및 관통 홀(67)의 배치에 의해, 빔 형상체(66)에 대해서는 관통 홀(67)보다 기단측의 부위, 관통 홀(67)보다 선단측의 부위가, 각각 베이스체(61)에 접하여 지지되어 있다. 즉, 베이스체(61)에 있어서 관통 홀(67)의 외연을 포함하는 상면 영역이, 빔 형상체(66)를 지지하고 있다.At the end of the arrow in FIG. 7, each part around the through hole 67 is enlarged and shown. On the lower surface of the front-end|tip side of the beam-shaped body 66, the projection 68 which protrudes downward and enters this through-hole 67 is provided. The tip (lower end) of the protrusion 68 is located below the lower surface of the main body 63 and protrudes from the lower surface of the main body 63 by, for example, about 1 mm (see FIG. 4 ). In addition, the projection 68 is located slightly away from the tip of the beam-shaped body 66 toward the base end, and the tip of the beam-shaped body 66 is located on the peripheral side of the base body 61 rather than the through-hole 67 . . Due to the arrangement of the protrusions 68 and the through-holes 67, the base body 66 has a base end at a proximal end of the through-hole 67 and a front end side of the through-hole 67, respectively. It is supported in contact with (61). That is, in the base body 61 , the upper surface area including the outer edge of the through hole 67 supports the beam-shaped body 66 .

제 1 빔 형상체인 상기의 빔 형상체(66)는 이른바 캔틸레버를 이루고, 환 형상 돌기(46)의 높이에 대한 정보를 취득하기 위한 제 1 간섭 검지부로서 구성되어 있다. 더 상세하게 기술하면, 빔 형상체(66)의 하면은, 베이스체(61)에 대하여 고정되어 있지 않고, 또한 세로 방향(베이스체(61)의 두께 방향)으로 가요성(可撓性)을 가지고 있다. 상기와 같이 빔 형상체(66)가 접속되는 본체부(63)는 베이스체(61)에 고정되어 있기 때문에, 빔 형상체(66)의 기단은 베이스체(61)에 대하여 고정되어 있다. 따라서, 당해 빔 형상체(66)는 일단측이 베이스체(61)의 중앙부측에 고정되는 한편, 베이스체(61)의 주연부를 향해 연장되는 타단측이 베이스체(61)에 대하여 가동인 구성으로 되어 있다. 그리고, 빔 형상체(66)의 기단부(일단부)의 상측에 변형 게이지(변형 센서)(69)가 마련되어 있다. 제 1 신호 취득부를 이루는 변형 게이지(69)는, 상기의 부품군(64)에 포함되는 부품과 함께 휘트스톤 브리지 회로를 구성하고, 당해 회로로부터 출력되는 전압 신호가 검출 신호로서 연산 장치(9)로 무선 송신된다.The said beam-shaped body 66 which is a 1st beam-shaped body forms a so-called cantilever, and is comprised as a 1st interference detection part for acquiring information about the height of the annular projection 46. As shown in FIG. In more detail, the lower surface of the beam-shaped body 66 is not fixed with respect to the base body 61, and is flexible in the longitudinal direction (thickness direction of the base body 61). Have. Since the main body part 63 to which the beam shape body 66 is connected as mentioned above is being fixed to the base body 61, the base end of the beam shape body 66 is being fixed with respect to the base body 61. As shown in FIG. Accordingly, the beam-shaped body 66 has one end fixed to the central portion of the base body 61 , while the other end extending toward the periphery of the base body 61 is movable with respect to the base body 61 . is made of And a strain gauge (strain sensor) 69 is provided above the base end (one end) of the beam-shaped body 66 . The strain gauge 69 constituting the first signal acquisition unit together with the components included in the component group 64 constitutes a Wheatstone bridge circuit, and a voltage signal output from the circuit is used as a detection signal in the arithmetic unit 9 is transmitted wirelessly.

베이스체(61)가 스핀 척(31)에 의해 흡착될 때에, 빔 형상체(66)의 돌기(68)는, 환 형상 돌기(46)의 상방에 위치한다. 웨이퍼(W)의 하면 및 베이스체(61)의 하면은 모두 평탄면이기 때문에, 스핀 척(31)에 배치되었을 때에는 각각 동일한 높이가 된다. 따라서, 컵 이간 거리(H0)(웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 사이의 거리)가 기준값 이하로 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)가 간섭하는 경우는, 도 8에 나타내는 바와 같이 검사용 웨이퍼(6)의 돌기(68)와 환 형상 돌기(46)와의 사이에서도 간섭이 일어난다. 그와 같이 돌기(68)가 간섭함으로써, 빔 형상체(66)의 선단측이 상방으로 밀어올려지도록 변형한다. 이 빔 형상체(66)의 변형에 따라 변형 게이지(69)도 변형하고, 이 변형에 의해 일어나는 당해 변형 게이지(69)의 저항 변화에 따라 상기의 휘트스톤 브리지 회로로부터 출력되는 신호가 변동한다. 따라서, 이 신호를 감시함으로써 환 형상 돌기(46)와 돌기(68)와의 사이에서의 간섭의 유무를 검출할 수 있으므로, 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 사이에서 간섭이 일어나는지 여부를 판단할 수 있다.When the base body 61 is sucked by the spin chuck 31 , the projection 68 of the beam-shaped body 66 is located above the annular projection 46 . Since both the lower surface of the wafer W and the lower surface of the base body 61 are flat surfaces, when they are disposed on the spin chuck 31 , they have the same height. Therefore, when the cup separation distance H0 (distance between the wafer W and the annular protrusion 46) is equal to or less than the reference value and the wafer W and the annular protrusion 46 interfere with each other, as shown in FIG. As described above, interference also occurs between the protrusions 68 and the annular protrusions 46 of the inspection wafer 6 . Thus, when the projection 68 interferes, it deform|transforms so that the front-end|tip side of the beam-shaped body 66 may be pushed upward. The strain gauge 69 also deforms according to the deformation of the beam-shaped body 66, and the signal output from the Wheatstone bridge circuit changes according to the change in the resistance of the strain gauge 69 caused by this deformation. Therefore, by monitoring this signal, the presence or absence of interference between the annular protrusion 46 and the protrusion 68 can be detected. can judge

또한, 베이스체(61)의 상면의 주연부에는, 빔 형상체(66)가 마련되는 위치와는 둘레 방향으로 상이한 위치에 노치가 마련되어 있다. 이 노치보다 베이스체(61)의 중앙부측에, 제 2 빔 형상체인 빔 형상체(71)의 기단부가 고정되어 마련되어 있다. 빔 형상체(71)의 선단측은 베이스체(61)의 직경 방향을 따라 노치 상을 연장되도록 가늘고 길게 형성되어 있다. 따라서, 빔 형상체(71)의 선단부는 베이스체(61)로부터 뜬 상태로 되어 있다. 즉, 베이스체(61)와의 사이에는, 상기의 노치가 이루는 간극이 개재되어 있고, 당해 간극을 72로서 나타내고 있다.Moreover, in the peripheral part of the upper surface of the base body 61, the notch is provided in the position different from the position in which the beam-shaped body 66 is provided in the circumferential direction. The base end of the beam-shaped body 71 which is a 2nd beam-shaped body is fixed and provided in the center part side of the base body 61 rather than this notch. The front-end|tip side of the beam-shaped body 71 is formed long and thin so that the top of a notch may be extended along the radial direction of the base body 61. As shown in FIG. Therefore, the front-end|tip part of the beam-shaped body 71 is in the state which floated from the base body 61. As shown in FIG. That is, a gap formed by the notch is interposed between the base body 61 and the gap is indicated as 72 .

빔 형상체(71)에 대해서도 빔 형상체(66)와 마찬가지로 캔틸레버를 이루고, 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)의 높이에 대한 정보를 취득하기 위한 제 2 간섭 검지부로서 구성되어 있다. 상기와 같이 간극(72) 상에 마련됨으로써, 빔 형상체(71)의 선단부는 상하로 가동인 구성으로 되어 있다. 빔 형상체(71)의 기단부의 상측에 변형 게이지(73)가 마련되어 있다. 제 2 신호 취득부인 변형 게이지(73)는, 변형 게이지(69)와 마찬가지로 부품군(64)에 포함되는 부품과 함께 휘트스톤 브리지 회로를 구성하고, 당해 회로로부터의 전압 신호가 검출 신호로서 연산 장치(9)로 무선 송신된다.The beam-shaped body 71 also forms a cantilever similarly to the beam-shaped body 66, and is configured as a second interference detection unit for acquiring information about the height of the solvent supply nozzle 51B at the processing position. By providing on the clearance gap 72 as mentioned above, the front-end|tip part of the beam-shaped body 71 becomes the structure movable up and down. A strain gauge 73 is provided above the base end of the beam-shaped body 71 . The strain gauge 73 serving as the second signal acquisition unit constitutes a Wheatstone bridge circuit together with the components included in the component group 64, similarly to the strain gauge 69, and a voltage signal from the circuit is used as a detection signal in an arithmetic unit. (9) is transmitted wirelessly.

스핀 척(31)에 검사용 웨이퍼(6)를 흡착한 상태에서 당해 스핀 척(31)을 회전시키면(함께 검사용 웨이퍼(6)도 회전시키면), 노즐 이간 거리(H1)가 기준값 이하일 때에, 도 9에 나타내는 바와 같이 빔 형상체(71)에 용제 공급 노즐(51B)의 하단이 간섭하는 경우가 있다. 그와 같이 간섭함으로써, 빔 형상체(71)의 선단측이 간극(72)을 개재하여 하방으로 눌려, 간극(72)이 좁아지도록 변형한다. 이 빔 형상체(71)의 변형에 따라 변형 게이지(73)도 변형하고, 당해 변형 게이지(73)를 포함하는 휘트스톤 브리지 회로로부터 출력되는 신호가 변동한다. 따라서 이 신호를 감시함으로써, 용제 공급 노즐(51B)과 빔 형상체(71)와의 사이에서의 간섭의 유무를 검출할 수 있어, 용제 공급 노즐(51B)의 처리 위치가 적정한지 여부를 판단할 수 있다.When the spin chuck 31 is rotated in a state in which the inspection wafer 6 is adsorbed to the spin chuck 31 (when the inspection wafer 6 is also rotated), when the nozzle separation distance H1 is equal to or less than the reference value, As shown in FIG. 9 , the lower end of the solvent supply nozzle 51B may interfere with the beam-shaped body 71 . By such interference, the front-end|tip side of the beam shape body 71 is pressed downward through the clearance gap 72, and it deform|transforms so that the clearance gap 72 may become narrow. As the beam-shaped body 71 is deformed, the strain gauge 73 also deforms, and the signal output from the Wheatstone bridge circuit including the strain gauge 73 fluctuates. Therefore, by monitoring this signal, the presence or absence of interference between the solvent supply nozzle 51B and the beam shape 71 can be detected, and it can be determined whether the processing position of the solvent supply nozzle 51B is appropriate. have.

또한, 도 5, 도 6에 나타내는 바와 같이 베이스체(61)의 주연부에 있어서, 빔 형상체(66, 71)로부터 둘레 방향으로 떨어진 위치에 2 개의 기판(80)이 마련되어 있고, 이들 2 개의 기판(80)끼리도 둘레 방향으로 서로 떨어져 있다. 하나의 기판(80) 상에는 카메라(81)가, 다른 기판(80) 상에는 카메라(82)가 각각 마련되어 있고, 각각 시야가 베이스체(61)의 주연을 향해져 있다. 카메라(81, 82)는, 각각 환 형상 돌기(46) 촬상용, 용제 공급 노즐(51B) 촬상용이다. 카메라(81)의 광축 상에 미러(83)가 배치되어 있고, 또한 베이스체(61)에는 관통 홀(84)이 형성되어 있다. 검사용 웨이퍼(6)가 스핀 척(31)에 유지될 시에, 관통 홀(84)은 환 형상 돌기(46) 상에 위치하고, 당해 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향에 있어서의 일부의 상면이, 당해 관통 홀(84)을 개재하여 미러(83)에 비친다. 카메라(81)는 그 미러(83)에 비친 환 형상 돌기(46)의 일부의 상면을 촬상할 수 있다. 또한, 베이스체(61)에는 조명부(85)가 2 개 매설되어 있다. 각 조명부(85)는, 관통 홀(84)을 베이스체(61)의 둘레 방향으로 개재하도록 배치되어 있고, 하방에 광을 조사한다. 카메라(81)에 의해 촬상이 행해질 시에는, 각 조명부(85)로부터 하방의 피사체에 광이 조사된다.Moreover, as shown in FIG.5, FIG.6, in the periphery of the base body 61, the two board|substrates 80 are provided in the position away from the beam-shaped bodies 66,71 in the circumferential direction, These two board|substrates (80) are also separated from each other in the circumferential direction. A camera 81 is provided on one substrate 80 , and a camera 82 is provided on the other substrate 80 , and a field of view is directed to the periphery of the base body 61 , respectively. The cameras 81 and 82 are for imaging the annular projection 46 and for imaging the solvent supply nozzle 51B, respectively. A mirror 83 is disposed on the optical axis of the camera 81 , and a through hole 84 is formed in the base body 61 . When the inspection wafer 6 is held by the spin chuck 31 , the through-hole 84 is located on the annular projection 46 , and a part of the upper surface of the annular projection 46 in the circumferential direction. This is reflected on the mirror 83 through the through hole 84 . The camera 81 can image the upper surface of a part of the annular projection 46 reflected by the mirror 83 . In addition, two lighting units 85 are embedded in the base body 61 . Each lighting unit 85 is arranged so that a through hole 84 is interposed in the circumferential direction of the base body 61 and irradiates light downward. When imaging is performed by the camera 81 , light is irradiated to a subject below from each lighting unit 85 .

베이스체(61) 상에는 예를 들면, 그 측벽이 베이스체(61)의 둘레를 따른 원형의 커버(86)가 마련되어 있고, 상기한 기판(62)의 본체부(63), 배터리(65), 카메라(81, 82), 미러(83)를 덮는다. 단, 카메라(82)에 의한 용제 공급 노즐(51B)의 촬상을 방해하지 않도록, 커버(86)의 측벽에는 당해 카메라(82)의 광축 상에 개구부가 마련되어 있다. 또한, 상기한 빔 형상체(66, 71)의 변형을 방해하지 않도록, 예를 들면 당해 커버(86)의 측벽의 하단부는 노치되어 있고, 이 노치를 개재하여 빔 형상체(66, 71)의 선단측은 커버(86)의 외측으로 돌출되어 있다. 또한, 커버(86)의 측단은, 용제 공급 노즐(51B)과의 간섭을 방지하기 위하여 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)보다, 베이스체(61)의 중심쪽에 위치한다. On the base body 61, for example, a circular cover 86 having a side wall along the circumference of the base body 61 is provided. The cameras 81 and 82 and the mirror 83 are covered. However, an opening is provided in the side wall of the cover 86 on the optical axis of the camera 82 so as not to obstruct the imaging of the solvent supply nozzle 51B by the camera 82 . Further, in order not to interfere with the deformation of the beam-shaped bodies 66 and 71, for example, the lower end of the side wall of the cover 86 is notched, and the beam-shaped bodies 66 and 71 are cut through the notch. The tip side protrudes to the outside of the cover (86). In addition, the side end of the cover 86 is located closer to the center of the base body 61 than the solvent supply nozzle 51B in the processing position in order to prevent interference with the solvent supply nozzle 51B.

도 4, 도 5에 나타낸 예에서는, 커버(86)의 중앙부는, 커버(86)의 주연부에 비해 높이가 크고, 상방을 향하는 볼록부(87)를 형성하도록 형성되어 있다. 이러한 커버(86)의 구성에 맞추어, 기술한 바와 같이 베이스체(61)의 중앙부에 배터리(65) 및 부품군(64)을 배치할 수 있고, 베이스체(61)의 중심을 중앙부에 위치시킬 수 있다. 이 때문에 베이스체(61)를 스핀 척(31)에 배치했을 시에, 자중에 의한 베이스체(61)의 처짐을 방지할 수 있다. 따라서, 그 처짐에 의해 빔 형상체(66, 71), 카메라(81, 82)의 높이가 변화하여, 측정 결과에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 볼록부(87)를 구비하는 커버(86)는, 이상의 검출 정밀도를 높이는 것에 기여한다. 단, 비교적 두께를 크게 형성함으로써, 상면이 평탄면을 이루는 형상의 커버(86)로서 구성되어 있어도 된다.In the examples shown in FIGS. 4 and 5 , the central portion of the cover 86 is formed so as to form a convex portion 87 that is higher in height than the peripheral portion of the cover 86 and faces upward. According to the configuration of the cover 86, the battery 65 and the component group 64 can be arranged in the central part of the base body 61 as described above, and the center of the base body 61 can be located in the central part. can For this reason, when the base body 61 is arranged on the spin chuck 31, sagging of the base body 61 due to its own weight can be prevented. Therefore, it can be prevented that the heights of the beam-shaped bodies 66 and 71 and the cameras 81 and 82 change due to the deflection, thereby affecting the measurement result. Therefore, the cover 86 provided with the convex part 87 contributes to improving the detection accuracy of an abnormality. However, by forming a relatively large thickness, it may be comprised as the cover 86 of the shape which makes an upper surface a flat surface.

또한, 예를 들면 작업원이 검사용 웨이퍼(6)를 캐리어(C)에 탑재하거나, 메인터넌스하는 등 하여 취급할 시에, 비교적 좁은 영역을 통과시키는 것으로 한다. 이 때에 커버(86)의 상면은, 빔 형상체(66, 71)보다 높은 위치에 위치하므로, 검사용 웨이퍼(6)가 당해 좁은 영역을 구획 형성하는 벽과 충돌한다 하더라도 커버(86)가 충돌하여, 빔 형상체(66, 71)의 벽과 충돌이 방지된다. 따라서, 빔 형상체(66, 71)가 소성 변형되거나, 파손되는 것이 억제된다. 따라서 커버(86)에 의해, 빔 형상체(66, 71)를 효과적으로 보호할 수 있다.In addition, for example, when an operator mounts the wafer 6 for inspection on the carrier C, performs maintenance, etc. and handles it, let it pass through a comparatively narrow area|region. At this time, since the upper surface of the cover 86 is located at a higher position than the beam-shaped bodies 66 and 71, even if the inspection wafer 6 collides with the wall defining the narrow area, the cover 86 collides. Thus, collision with the walls of the beam shapes 66 and 71 is prevented. Accordingly, it is suppressed that the beam-shaped bodies 66 and 71 are plastically deformed or broken. Therefore, by the cover 86, the beam-shaped bodies 66 and 71 can be protected effectively.

이어서, 연산 장치(9)에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 연산 장치(9)는 컴퓨터이며, 버스(91)를 구비하고 있다. 그리고, 버스(91)에, 프로그램 저장부(92), 무선 송수신부(93), 메모리(94), 표시부(95), 조작부(96)가 각각 접속되어 있다. 프로그램 저장부(92)에는, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 메모리 카드 및 DVD 등의 기억 매체에 저장된 프로그램(90)이 인스톨된다. 당해 연산 장치는, 상기의 이간 거리(H0, H1)를 산출하는 정보 취득부로서 구성된다.Next, the arithmetic unit 9 is demonstrated with reference to FIG. The computing device 9 is a computer and has a bus 91 . A program storage unit 92 , a wireless transmission/reception unit 93 , a memory 94 , a display unit 95 , and an operation unit 96 are respectively connected to the bus 91 . In the program storage unit 92, a program 90 stored in a storage medium such as a compact disk, hard disk, memory card, and DVD is installed. The arithmetic unit is configured as an information acquisition unit that calculates the above separation distances H0 and H1.

무선 송수신부(93)는, 검사용 웨이퍼(6)에 대하여 데이터를 취득하기 위한 트리거가 되는 신호를 무선 송신하고, 또한 상기한 변형 게이지(69, 73)를 포함하는 각 회로로부터의 검출 신호, 카메라(81, 82)에 의해 취득된 화상 데이터를 무선 수신한다. 메모리(94)에는, 각 센서, 카메라로부터 취득한 데이터가 기억된다. 후술하는 간섭의 유무의 판단의 기준이 되는 참조 데이터도, 당해 메모리(94)에 기억된다. 또한, 예를 들면 제 2 실시 형태에서 화상 데이터로부터 이간 거리(H0, H1)를 취득하기 위한 데이터가 저장되는데, 이에 대해서는 제 2 실시 형태에서 기술한다.The wireless transmission/reception unit 93 wirelessly transmits a trigger signal for acquiring data to the inspection wafer 6, and a detection signal from each circuit including the strain gauges 69 and 73 described above; The image data acquired by the cameras 81 and 82 are wirelessly received. The memory 94 stores data acquired from each sensor and camera. Reference data serving as a criterion for judging the presence or absence of interference, which will be described later, is also stored in the memory 94 . Further, for example, in the second embodiment, data for acquiring the separation distances H0 and H1 from the image data is stored, which will be described in the second embodiment.

조작부(96)는 마우스 또는 키보드 등에 의해 구성되고, 정보 취득 시스템(1)의 유저는 당해 조작부(96)를 개재하여, 프로그램(90)에 의해 행할 수 있는 처리의 실행을 지시할 수 있다. 또한, 예를 들면 연산 장치(9)는 기판 처리 장치(2)의 제어부(20)에 접속되고, 예를 들면 검사용 웨이퍼(6)가 스핀 척(31)에 유지되면, 각종 데이터의 취득이 가능하게 된 것을 나타내는 신호가 제어부(20)로부터 연산 장치(9)로 송신된다.The operation unit 96 is constituted by a mouse, a keyboard, or the like, and the user of the information acquisition system 1 can instruct the execution of a process that can be performed by the program 90 via the operation unit 96 . Further, for example, the arithmetic unit 9 is connected to the control unit 20 of the substrate processing apparatus 2 , and when, for example, the inspection wafer 6 is held by the spin chuck 31 , acquisition of various data is performed. A signal indicating that it has become possible is transmitted from the control unit 20 to the arithmetic unit 9 .

이어서, 이상에 기술한 정보 취득 시스템(1)의 운용 순서를 설명한다. 먼저, 검사용 웨이퍼(6)가 저장된 캐리어(C)를 기판 처리 장치(2)의 스테이지(21)로 반송한다. 당해 검사용 웨이퍼(6)는, 반송 기구(23) →전달 모듈(TRS) →반송 기구(25) →레지스트막 형성 모듈(3)의 순으로 반송되고, 승강 핀(35)을 개재하여 스핀 척(31)에 배치되어 흡착, 유지된다. 이러한 후, 용제 공급 노즐(51B)이 대기부(55B)로부터 처리 위치로 이동한다.Next, the operation procedure of the information acquisition system 1 described above is demonstrated. First, the carrier C in which the wafer 6 for inspection is stored is conveyed to the stage 21 of the substrate processing apparatus 2 . The wafer 6 for inspection is conveyed in the order of the conveying mechanism 23 → the transfer module (TRS) → the conveying mechanism 25 → the resist film forming module 3 , and the spin chuck is interposed through the lifting pins 35 . (31) is arranged, adsorbed and held. After this, the solvent supply nozzle 51B moves from the standby portion 55B to the processing position.

작업원이 연산 장치(9)로부터 정해진 지시를 행하면, 스핀 척(31)이 회전하고, 검사용 웨이퍼(6)가 비교적 낮은 속도로 1 회전한다. 이 1 회전 시에는, 환 형상 돌기(46)와 빔 형상체(66)의 돌기(68)와의 간섭이 일어나지 않고, 또한 용제 공급 노즐(51B)과 빔 형상체(71)와의 간섭이 일어나지 않도록 레지스트막 형성 모듈(3)의 각 부의 높이를 조정이 끝난 상태에서 행한다. 이 1 회전 시에 있어서의 변형 게이지(69, 71)를 포함하는 각 회로로부터의 검출 신호가 각각 연산 장치(9)로 송신되어, 참조 데이터로서 기억된다. 검사용 웨이퍼(6)의 1 회전 후, 용제 공급 노즐(51B)은 대기부(55B)로 돌아온다. 그리고, 검사용 웨이퍼(6)는 승강 핀(35)을 개재하여 반송 기구(25)로 전달되고, 전달 모듈(TRS), 반송 기구(23)를 차례로 거쳐, 캐리어(C)로 되돌려진다.When the operator gives a predetermined instruction from the arithmetic unit 9 , the spin chuck 31 rotates and the inspection wafer 6 rotates once at a relatively low speed. During this one rotation, the resist does not interfere with the annular protrusion 46 and the protrusion 68 of the beam-shaped body 66 and the solvent supply nozzle 51B and the beam-shaped body 71 do not interfere with each other. The height of each part of the film forming module 3 is adjusted in the state of being adjusted. The detection signals from each circuit including the strain gauges 69 and 71 at the time of this one rotation are respectively transmitted to the arithmetic unit 9, and are memorize|stored as reference data. After one rotation of the inspection wafer 6 , the solvent supply nozzle 51B returns to the standby unit 55B. Then, the inspection wafer 6 is transferred to the transfer mechanism 25 via the lifting pins 35 , and is returned to the carrier C through the transfer module TRS and the transfer mechanism 23 in order.

그 후에 임의의 타이밍에, 검사용 웨이퍼(6)가 저장된 캐리어(C)를 기판 처리 장치(2)의 스테이지(21)로 반송한다. 그리고, 참조 데이터를 취득했을 시와 마찬가지로 검사용 웨이퍼(6)를 레지스트막 형성 모듈(3)로 반송하여, 스핀 척(31)에 배치되어 흡착, 유지하고, 용제 공급 노즐(51B)을 처리 위치로 이동시킨다. 참조 데이터의 취득시와 마찬가지로 예를 들면 작업원이 지시를 행하면, 스핀 척(31)에 의해 검사용 웨이퍼(6)가 1 회전하고, 이 1 회전 중에 있어서의 변형 게이지(69, 71)를 포함하는 각 회로로부터의 검출 신호가 각각 연산 장치(9)로 송신되어, 간섭의 검지용 데이터로서 기억된다. 데이터 취득 후의 검사용 웨이퍼(6)에 대해서는, 참조 데이터 취득 후의 검사용 웨이퍼(6)와 마찬가지로 캐리어(C)로 되돌려진다.Thereafter, at an arbitrary timing, the carrier C in which the inspection wafer 6 is stored is transferred to the stage 21 of the substrate processing apparatus 2 . Then, as in the case of acquiring the reference data, the inspection wafer 6 is transferred to the resist film forming module 3, placed on the spin chuck 31, sucked and held, and the solvent supply nozzle 51B is moved to the processing position. move to As in the case of acquisition of reference data, for example, when an operator gives an instruction, the wafer 6 for inspection rotates by one rotation by the spin chuck 31, including strain gauges 69 and 71 during this rotation. The detection signals from the respective circuits are transmitted to the arithmetic unit 9, respectively, and stored as interference detection data. The wafer 6 for inspection after data acquisition is returned to the carrier C in the same manner as the wafer 6 for inspection after reference data acquisition.

작업원은, 취득된 간섭의 검지용 데이터의 신호 파형과, 참조 데이터의 신호 파형을 표시부(95)에 표시하고, 비교하여 간섭의 유무를 검출한다. 도 10은 변형 게이지(69)를 포함하는 회로로부터 얻어진 신호 파형예를 나타내고 있다. 참조 데이터의 신호 파형예를 실선으로 나타내고, 도 8에서 나타낸 간섭이 일어난 경우의 검지용 데이터의 신호 파형예를 점선, 일점 쇄선으로 각각 나타내고 있다. 점선, 일점 쇄선의 신호 파형은, 후술하는 바와 같이 상이한 태양의 간섭에 의해 취득된다. 도면에 나타내는 바와 같이 참조 데이터는, 데이터 취득 중의 각 시각에서 신호 레벨에 큰 변화는 없다. 간섭이 없는 경우의 검지용 데이터는, 참조 데이터와 동일 내지는 대략 동일한 신호 파형이 된다.The operator displays the acquired signal waveform of the interference detection data and the reference data signal waveform on the display unit 95 and compares them to detect the presence or absence of interference. 10 shows an example of a signal waveform obtained from a circuit including the strain gauge 69. As shown in FIG. An example of a signal waveform of the reference data is indicated by a solid line, and an example of a signal waveform of the detection data in the case of interference shown in Fig. 8 is indicated by a dotted line and a dashed-dotted line, respectively. The signal waveforms of the dotted line and the dashed-dotted line are acquired by interference of different modes as will be described later. As shown in the figure, in the reference data, there is no significant change in the signal level at each time during data acquisition. The detection data in the case of no interference has the same or substantially the same signal waveform as the reference data.

예를 들면 환 형상 돌기(46)를 구성하는 하측 가이드부(42)가 기울어 장착됨으로써, 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향의 일부하고만 간섭한 경우는 점선의 파형으로 나타내는 바와 같이, 검사용 웨이퍼(6)의 회전 중에 있어서의 특정한 시각의 신호 레벨이, 참조 데이터의 신호 레벨에 대하여 크게 상이한 것이 된다. 검사용 웨이퍼(6)의 회전 중에 환 형상 돌기(46)와 돌기(68)와 계속 접촉하는 경우는 일점 쇄선의 파형으로 나타내는 바와 같이, 데이터 취득 중의 각 시각의 신호 레벨이, 참조 데이터의 신호 레벨과 크게 상이하다.For example, when the lower guide part 42 constituting the annular protrusion 46 is mounted at an angle and interferes with only a part of the annular protrusion 46 in the circumferential direction, as indicated by the dotted line waveform, for inspection The signal level at a specific time during the rotation of the wafer 6 is greatly different from the signal level of the reference data. When the annular protrusion 46 and the protrusion 68 continue to come into contact during the rotation of the inspection wafer 6, the signal level at each time during data acquisition is the signal level of the reference data, as indicated by the dashed-dotted waveform. is significantly different from

이와 같이 신호 파형의 차이로부터 간섭의 유무의 판단이 가능하다. 작업원이 간섭의 판단을 행한다고 했으나, 프로그램(90)이 판단을 행하도록 해도 된다. 또한, 변형 게이지(69)를 포함하는 회로로부터 얻어지는 신호 파형에 대하여 나타냈지만, 변형 게이지(73)를 포함하는 회로로부터 얻어지는 신호 파형에 대해서도 동일하다. 즉, 참조 데이터의 신호 레벨은 데이터 취득 중의 각 시각에서 큰 변경은 없으며, 노즐과의 간섭하는 경우에는 도 10의 점선으로 나타내는 바와 같이 특정한 타이밍에 크게 변화한다.In this way, it is possible to determine the presence or absence of interference from the difference in signal waveforms. Although it has been said that the operator makes the judgment of interference, the program 90 may make the judgment. In addition, although shown with respect to the signal waveform obtained from the circuit containing the strain gauge 69, it is the same also about the signal waveform obtained from the circuit containing the strain gauge 73. As shown in FIG. That is, the signal level of the reference data does not change significantly at each time point during data acquisition, and when it interferes with the nozzle, it changes greatly at a specific timing as indicated by the dotted line in Fig. 10 .

작업원은, 상기의 참조 데이터와 검지용 데이터와의 비교로부터 환 형상 돌기(46) 또는 용제 공급 노즐(51B)의 높이 조정이 필요하다고 판단하면, 그와 같이 조정을 행한다. 이 후, 웨이퍼(W)가 저장된 캐리어(C)가 기판 처리 장치(2)의 스테이지(21)로 반송된다. 웨이퍼(W)는 반송 기구(23) → 전달 모듈(TRS) → 반송 기구(25) → 레지스트막 형성 모듈(3) → 반송 기구(25) → 가열 모듈(26) → 반송 기구(25) → 전달 모듈(TRS)의 순으로 반송되고, 반송 기구(23)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다. 이와 같이 반송됨에 있어, 레지스트막 형성 모듈(3)에서는 스핀 척(31)에 의해 회전되는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에, 레지스트 공급 노즐(51A)로부터 레지스트가 토출되어 스핀 코트에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막이 형성된다. 이 후, 용제 공급 노즐(51B)이 대기부(55B)로부터 처리 위치로 이동하고, 회전하는 웨이퍼(W)의 주연부에 용제가 공급되어, 당해 주연부의 레지스트막이 제거된다.When the operator determines that the height adjustment of the annular projection 46 or the solvent supply nozzle 51B is necessary from the comparison between the reference data and the detection data, the operator performs the adjustment in this way. Thereafter, the carrier C in which the wafer W is stored is transferred to the stage 21 of the substrate processing apparatus 2 . The wafer W is transferred by a transfer mechanism 23 → transfer module TRS → transfer mechanism 25 → resist film forming module 3 → transfer mechanism 25 → heating module 26 → transfer mechanism 25 → transfer It is conveyed in order of the module TRS, and is returned to the carrier C by the conveyance mechanism 23. During the transfer in this way, in the resist film forming module 3, the resist is discharged from the resist supply nozzle 51A to the center of the surface of the wafer W rotated by the spin chuck 31, and by spin coating, the wafer A resist film is formed over the entire surface of (W). Thereafter, the solvent supply nozzle 51B moves from the standby portion 55B to the processing position, and the solvent is supplied to the peripheral portion of the rotating wafer W, and the resist film in the peripheral portion is removed.

상기한 바와 같이 정보 취득 시스템(1)을 구성하는 검사용 웨이퍼(6)에 있어서는, 일단만이 각각 당해 검사용 웨이퍼(6)에 고정된 빔 형상체(66, 71)에 각각 변형 게이지(69, 73)를 마련하고 있다. 그리고 당해 빔 형상체(66, 71)가 간섭 검지용 부재로서, 이상인 높이에 배치되는 환 형상 돌기(46), 용제 공급 노즐(51B)에 대하여 간섭하는 구성으로 되어 있다. 상기의 구성에 의해 빔 형상체(66, 71)는 간섭에 의해 비교적 크게 변형되고, 변형 게이지(69, 73)에 대해서도 비교적 크게 변형된다. 이 때문에 비교적 큰 신호 변동을 검출할 수 있으므로, 이 신호 변동에 기초하여 간섭에 대한 검출을 행할 수 있다. 그리고, 이 간섭의 검출 결과에 기초하여 작업원이 레지스트막 형성 모듈(3)의 조정을 행할 수 있다. 따라서, 당해 레지스트막 형성 모듈(3)에서 웨이퍼(W)에 대한 처리가 불량이 되는 것이 방지되므로, 당해 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 제품의 수율의 저하를 방지할 수 있다.As described above, in the inspection wafer 6 constituting the information acquisition system 1, only one end of the strain gauge 69 is attached to the beam-shaped bodies 66 and 71 respectively fixed to the inspection wafer 6, respectively. , 73) are being prepared. The beam-shaped bodies 66 and 71 are configured to interfere with the annular protrusion 46 and the solvent supply nozzle 51B arranged at an ideal height as an interference detection member. With the above configuration, the beam-shaped bodies 66 and 71 are deformed relatively large due to the interference, and the strain gauges 69 and 73 are also relatively greatly deformed. For this reason, since a relatively large signal fluctuation can be detected, interference can be detected based on this signal fluctuation. Then, the operator can adjust the resist film forming module 3 based on the detection result of this interference. Therefore, since the processing of the wafer W in the resist film forming module 3 is prevented from becoming defective, a decrease in the yield of the semiconductor product manufactured from the wafer W can be prevented.

또한, 상기의 빔 형상체(66, 71)의 일방만을 마련하고, 환 형상 돌기(46)의 간섭, 용제 공급 노즐(51B)에 있어서의 간섭 중 일방만을 검출해도 된다. 또한, 기술한 간섭의 검출을 행함에 있어 검사용 웨이퍼(6)를 회전시키고 있다. 단, 환 형상 돌기(46)가 높이 이상이 되면, 승강 핀(35)을 하강시켜 검사용 웨이퍼(6)를 스핀 척(31)에 흡착시킬 시에, 환 형상 돌기(46)와 빔 형상체(66)와의 사이에서의 간섭이 일어나고, 그 간섭에 대하여 검출할 수 있다. 즉, 환 형상 돌기(46)와의 간섭을 검출함에 있어, 검사용 웨이퍼(6)를 회전시키는 것이 필수라고는 한정되지 않는다.In addition, only one of the said beam-shaped bodies 66 and 71 may be provided, and only one of the interference in the annular projection 46 and the interference in the solvent supply nozzle 51B may be detected. In addition, the inspection wafer 6 is rotated in the above-described detection of interference. However, when the annular protrusion 46 becomes higher than or equal to the height, when the lifting pin 35 is lowered to suck the inspection wafer 6 to the spin chuck 31 , the annular protrusion 46 and the beam-shaped body Interference with (66) occurs, and the interference can be detected. That is, in detecting the interference with the annular protrusion 46 , it is not necessarily necessary to rotate the inspection wafer 6 .

그런데, 기술한 바와 같이 빔 형상체(66)는 하방으로부터 베이스체(61)에 지지된다. 빔 형상체(66)가 환 형상 돌기(46)와 간섭하면 상하로 진동하는데, 가령 베이스체(61)의 지지가 없다고 하면, 예를 들면 검사용 웨이퍼(6)가 반복하여 사용되어 상기의 간섭이 반복되는 중에, 빔 형상체(66)의 선단측이 상기의 진동에 의해 처지도록 변형되는 것이 상정된다. 즉, 빔 형상체(66)의 하방으로부터의 지지는 그러한 빔 형상체(66)의 변형을 억제하여, 검사용 웨이퍼(6)의 수명의 장기화를 도모할 수 있다.By the way, as described above, the beam-shaped body 66 is supported by the base body 61 from below. When the beam-shaped body 66 interferes with the annular projection 46, it vibrates up and down. During this repetition, it is assumed that the tip side of the beam-shaped body 66 is deformed so as to sag due to the above vibration. That is, the support from below of the beam-shaped body 66 suppresses such a deformation|transformation of the beam-shaped body 66, and the lifetime of the wafer 6 for inspection can be achieved.

또한 도 10에서 점선으로 나타낸 파형예가 얻어지는 경우와 같이, 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향의 일부만이 높이 이상이 되는 경우, 검사용 웨이퍼(6)의 회전에 의해, 빔 형상체(66)에 접속되는 돌기(68)에는 가로 방향으로부터 환 형상 돌기(46)가 접촉하게 된다. 그와 같이 가로 방향으로부터의 간섭이기 때문에, 빔 형상체(66)의 선단측에는 상방을 향하는 힘이 발생하는 한편, 빔 형상체(66)의 기단측에는 하방으로 향하는 힘이 발생한다. 즉, 가로 방향에서 봤을 때, 당해 빔 형상체(66)가 뒤틀리(빔 형상체(66)의 신장 방향으로 연장되는 축 둘레로 회전하)도록 힘이 발생한다. 그러나, 빔 형상체(66)의 기단측은 베이스체(61)에 지지되어 있으므로 하방향의 변형 또는 뒤틀림이 억제되어, 상측으로의 변형이 촉진된다. 즉, 변형 초기에 상방향으로 변형되기 쉬운 상태가 되기 때문에, 빔 형상체(66)의 선단은 크게 상방으로 휜다.In addition, when only a part of the circumferential direction of the annular projection 46 becomes higher than or equal to the height, as in the case where the waveform example indicated by the dotted line in FIG. 10 is obtained, the rotation of the inspection wafer 6 causes the beam shape 66 to The protrusion 68 to be connected is brought into contact with the annular protrusion 46 from the transverse direction. Because of such interference from the lateral direction, an upward force is generated on the tip side of the beam-shaped body 66 , while a downward force is generated on the proximal end side of the beam-shaped body 66 . That is, when viewed in the transverse direction, a force is generated such that the beam shape 66 is twisted (rotated about an axis extending in the extension direction of the beam shape 66 ). However, since the proximal end side of the beam-shaped body 66 is supported by the base body 61, downward deformation or distortion is suppressed, and upward deformation is promoted. That is, since it will be in a state easily deformed upward at the initial stage of deformation, the tip of the beam-shaped body 66 is greatly bent upward.

또한, 상기와 같은 가로 방향으로부터의 간섭이 일어났을 때, 빔 형상체(66)에 대하여 검사용 웨이퍼(6)의 반경 방향 단면에서 생각하면, 간섭한 측에서는 상방향으로 향하는 힘이 발생하고, 그 반대측에서는 하방으로 향하는 힘이 발생한다. 이 때 빔 형상체(66)에 있어서의 간섭측과는 반대측에서도, 베이스체(61)가 빔 형상체(66)를 하방에서 지지하기 때문에, 상기와 마찬가지로 하방향의 변형 또는 뒤틀림이 억제되어, 상방향으로의 변형이 촉진된다. 따라서, 간섭에 의한 큰 신호 변화를 취출할 수 있어, 검출 정밀도가 높아진다.In addition, when the interference from the transverse direction as described above occurs, when viewed from the radial cross section of the inspection wafer 6 with respect to the beam-shaped body 66, an upward force is generated on the interfering side, and the On the opposite side, a downward force is generated. At this time, also on the side opposite to the interference side of the beam shape 66, since the base body 61 supports the beam shape 66 from below, downward deformation or distortion is suppressed similarly to the above. The upward deformation is promoted. Therefore, a large signal change due to interference can be extracted, and the detection accuracy is increased.

이와 같이 베이스체(61)에 있어서 빔 형상체(66)의 기단측을 지지하는 부위, 구체적으로 관통 홀(67)보다 베이스체(61)의 중심쪽에서 빔 형상체(66)와 겹치는 부위에 대해서는, 빔 형상체(66)의 선단측을 상방으로 보다 확실하게 휘게 하기 위한 가이드라고 할 수 있다. 베이스체(61)가 빔 형상체(66, 71)를 하방에서 지지하는 부분은 본 실시 형태에서는 당해 빔 형상체(66, 71)의 하면을 따른 면을 이루고 있지만, 빔 형상체(66, 71)의 긴 방향 및 검사용 웨이퍼(6)의 둘레 방향 중 적어도 하나로 상이한 복수 개소를 가지고 있어도 된다. 즉, 간격이 벌어진 복수 점에서 빔 형상체(66, 71)가 하방으로부터 지지되도록 해도 된다. 또한, 빔 형상체(66, 71)에 대하여, 신장 방향을 향해 본 종단면은, 가로 방향 치수보다 세로 방향(상하 방향) 치수가 짧은 형상으로 되어 있어, 가로 방향보다 세로 방향으로 변형되기 쉬운 구조로 되어 있다.In this way, in the base body 61, the portion supporting the base end side of the beam-shaped body 66, specifically, the portion overlapping the beam-shaped body 66 from the center of the base body 61 rather than the through hole 67, , it can be said that it is a guide for bending the front-end|tip side of the beam-shaped body 66 upward more reliably. The part where the base body 61 supports the beam-shaped bodies 66 and 71 from below constitutes the surface along the lower surface of the said beam-shaped bodies 66, 71 in this embodiment, but the beam-shaped bodies 66, 71 ) may have a plurality of different locations in at least one of the longitudinal direction and the circumferential direction of the wafer 6 for inspection. That is, the beam-shaped bodies 66 and 71 may be supported from below at a plurality of points with a gap. In addition, with respect to the beam-shaped bodies 66 and 71, the longitudinal section viewed in the extension direction has a shape in which the longitudinal (vertical) dimension is shorter than the transverse dimension, so that it is more easily deformed in the longitudinal direction than in the transverse direction. has been

또한, 돌기(68)는 베이스체(61)의 상하를 접속하는 접속로를 이루는 관통 홀(67)로 진입하는 구성으로 되어 있지만, 당해 접속로로서 베이스체(61)의 주연부에, 베이스체(61)의 중심측을 향하는 노치를 마련하고, 당해 노치 내로 돌기(68)가 진입하는 구성이어도 된다. 그리고, 그 노치의 외연을 포함하는 영역에서 빔 형상체(66)를 지지함으로써, 당해 영역을 기술한 가이드로서 작용시킬 수 있다.In addition, although the projection 68 is configured to enter through a hole 67 forming a connection path connecting the upper and lower sides of the base body 61, as the connection path, the protrusion 68 is disposed at the periphery of the base body 61 as the connection path. 61), the notch facing the center side may be provided, and the structure in which the projection 68 enters into the said notch may be sufficient. And by supporting the beam-shaped body 66 in the area|region including the outer edge of the notch, the said area|region can act as the described guide.

[제 2 실시 형태][Second embodiment]

제 2 실시 형태로서, 카메라(81)로부터 취득되는 화상 데이터를 이용하여 컵 이간 거리(H0)를 취득하고, 카메라(82)로부터 취득되는 화상 데이터를 이용하여 노즐 이간 거리(H1)를 취득한다. 컵 이간 거리(H0)의 취득 방법에 대하여 설명한다. 도 11은 카메라(81)에 의해 촬상되는 환 형상 돌기(46)의 상면의 둘레 방향의 일부에 있어서의 화상 데이터이다. 점선의 테두리는 화상의 화소를 나타내고 있다. 이와 같이 취득되는 화상 데이터로부터 환 형상 돌기(46)의 폭(L3)의 화소수에 대하여 검출한다(단계(S1)). 미리 취득해 둔 당해 폭(L3)의 화소수와 컵 이간 거리(H0)와의 대응 관계에 기초하여, 컵 이간 거리(H0)를 산출한다(단계(S2)). 이 대응 관계로서는, 컵 이간 거리(H0), 폭(L3)의 화소수를 변수로 하고, H0가 커짐에 따라 L3가 작아지는 관계가 되는 것을 나타낸 임의의 차수의 방정식을 준비해 두면 된다. 그리고, 그 대응 관계로부터 산출된 컵 이간 거리(H0)가 연산 장치(9)의 표시부(95)에 표시된다(단계(S3)).As 2nd Embodiment, the cup separation distance H0 is acquired using the image data acquired from the camera 81, and the nozzle separation distance H1 is acquired using the image data acquired from the camera 82. A method of acquiring the cup separation distance H0 will be described. 11 : is image data in a part of the circumferential direction of the upper surface of the annular projection 46 imaged by the camera 81. As shown in FIG. The frame of the dotted line indicates the pixel of the image. From the image data obtained in this way, the number of pixels of the width L3 of the annular projection 46 is detected (step S1). Based on the previously acquired correspondence between the number of pixels of the width L3 and the cup separation distance H0, the cup separation distance H0 is calculated (step S2). As this correspondence relationship, an equation of any order showing that the number of pixels of the cup separation distance H0 and the width L3 is used as variables, and L3 becomes smaller as H0 increases, may be prepared. And the cup separation distance H0 calculated from the correspondence relationship is displayed on the display part 95 of the calculating|arithmetic apparatus 9 (step S3).

노즐 이간 거리(H1)의 취득 방법에 대하여 설명한다. 도 12는 카메라(82)에 의해 촬상되는 용제 공급 노즐(51B)의 측면의 화상 데이터이다. 당해 화상 데이터에 있어서, 용제 공급 노즐(51B)의 폭(L4)에 대응하는 화소수가 검출된다(단계(T1)). 이어서 화상 데이터에 있어서, 단계(T1)에서 특정된 용제 공급 노즐(51B)의 하단과, 기준 높이(H10)(화상 데이터 중, 미리 설정된 높이의 화소)와의 사이의 높이(H20)에 있어서의 화소수가 검출된다(단계(T2)). 당해 H20에 대하여, 노즐 기준 높이라 한다. 그리고, 사전에 취득해 둔 용제 공급 노즐(51B)의 폭(L4) / 단계(T1)에서 취득한 폭(L4)에 대응하는 화소수에 대하여 연산되고, 이 연산값이 1 화소에 있어서의 거리로 여겨진다(단계(T3)). 그리고, 단계(T2)에서 구한 노즐 기준 높이(H20)의 화소수 × 단계(T3)에서 구한 1 화소에 있어서의 거리가 산출된다. 즉, 화상 데이터 상의 화소수인 노즐 기준 높이(H20)에 대하여, 실제의 높이(거리)로의 변환이 이루어진다(단계(T4)).The acquisition method of the nozzle separation distance H1 is demonstrated. 12 : is image data of the side surface of the solvent supply nozzle 51B imaged by the camera 82. As shown in FIG. In the image data, the number of pixels corresponding to the width L4 of the solvent supply nozzle 51B is detected (step T1). Next, in the image data, a pixel at a height H20 between the lower end of the solvent supply nozzle 51B specified in step T1 and the reference height H10 (a pixel of a preset height in the image data). The number is detected (step T2). With respect to the said H20, let it be a nozzle reference height. Then, it is calculated with respect to the number of pixels corresponding to the width L4 of the solvent supply nozzle 51B obtained in advance / the width L4 obtained in the step T1, and this calculated value is the distance in one pixel. It is considered (step T3). Then, the number of pixels of the nozzle reference height H20 obtained in the step T2 × the distance in one pixel obtained in the step T3 is calculated. That is, the conversion into the actual height (distance) is performed with respect to the nozzle reference height H20, which is the number of pixels on the image data (step T4).

또한, 스핀 척(31)에 웨이퍼(W)를 흡착 유지했을 때의 웨이퍼(W)의 표면과, 스핀 척(31)에 검사용 웨이퍼(6)를 흡착 유지했을 때에 카메라(82)로 취득되는 화상에 있어서의 기술한 기준 높이(H10)와의 높이의 차(H30이라 함)를 미리 취득해 둔다. 상기의 단계(T4)에서 구한 실제의 노즐 기준 높이(H20)와, 높이의 차(H30)에 기초하여, 노즐 이간 거리(H1)를 산출한다(단계(T5)). 구체적으로, 도 12에 나타내는 바와 같이 화상 중에서 노즐(51B)이 기준 높이(H20)보다 상측에 비칠 때에는 H20 + H30, 화상 중에서 노즐(51B)이 기준 높이(H20)보다 하측에 비칠 때에는 H30 - H20로서, 노즐 이간 거리(H1)를 산출한다. 산출된 노즐 이간 거리(H1)가, 연산 장치(9)의 표시부(95)에 표시된다(단계(T6)). 또한, 이와 같이 미리 취득해 둔 높이의 차(H30)를 이용하는 것은 베이스체(61) 상에 마련됨으로써, 카메라(82)의 시야가 제한되기 때문이다.In addition, the surface of the wafer W when the wafer W is adsorbed and held by the spin chuck 31 and the camera 82 when the inspection wafer 6 is adsorbed and held by the spin chuck 31 . The difference (referred to as H30) of the height from the reference height H10 described in the image is acquired in advance. Based on the difference between the actual nozzle reference height H20 and the height difference H30 obtained in the step T4, the nozzle separation distance H1 is calculated (step T5). Specifically, as shown in Fig. 12, when the nozzle 51B is projected above the reference height H20 in the image, H20 + H30, and in the image, when the nozzle 51B is projected below the reference height H20, H30 - H20 As , the nozzle separation distance H1 is calculated. The calculated nozzle separation distance H1 is displayed on the display unit 95 of the calculating device 9 (step T6). In addition, the reason for using the difference H30 of height acquired in this way is because the field of view of the camera 82 is restrict|limited by providing on the base body 61. As shown in FIG.

이상의 단계(S1 ~ S3, T1 ~ T6)는, 상기의 프로그램(90)에 의해 행해진다. 이들 단계를 실행하기 위한 폭(L3)의 화소수와 컵 이간 거리(H0)와의 대응 관계, 높이의 차(H30), 용제 공급 노즐(51B)의 실제의 폭(L4)에 대해서는, 미리 취득하여 연산 장치(9)의 메모리(94)에 저장해 둔다.The above steps S1 to S3 and T1 to T6 are performed by the above program 90 . The correspondence relationship between the number of pixels of the width L3 and the distance between the cups H0 for executing these steps, the difference in height H30, and the actual width L4 of the solvent supply nozzle 51B are obtained in advance. It is stored in the memory 94 of the arithmetic unit 9.

컵 이간 거리(H0) 및 노즐 이간 거리(H1)를 취득하는 경우의 정보 취득 시스템(1)의 운용 순서를 설명하면, 제 1 실시 형태에서 기술한 바와 같이 캐리어(C)로부터 검사용 웨이퍼(6)를 레지스트막 형성 모듈(3)로 반송하고, 스핀 척(31)에 흡착 유지한다. 그리고, 노즐(51B)이 대기부(55B)로부터 처리 위치로 이동한다. 유저가 연산 장치(9)로부터 정해진 지시를 행하면, 스핀 척(31)이 예를 들면 정해진 각도의 간격으로 간헐적으로 회전하고, 회전의 정지 시에 카메라(81, 82)에 의한 촬상이 행해져 화상 데이터가 취득된다. 취득된 화상 데이터는, 연산 장치(9)로 순차, 무선 송신된다. 검사용 웨이퍼(6)가 1 회전하면, 용제 공급 노즐(51B)은 대기부(55B)로 돌아오고, 검사용 웨이퍼(6)는 캐리어(C)로 되돌려진다.When the operation procedure of the information acquisition system 1 in the case of acquiring the cup separation distance H0 and the nozzle separation distance H1 is described, as described in the first embodiment, the inspection wafer 6 from the carrier C ) is transferred to the resist film forming module 3 and held by the spin chuck 31 . Then, the nozzle 51B moves from the standby portion 55B to the processing position. When the user gives a predetermined instruction from the arithmetic unit 9, the spin chuck 31 intermittently rotates, for example, at intervals of a predetermined angle, and when the rotation is stopped, imaging is performed by the cameras 81 and 82, and image data is acquired The acquired image data is sequentially wirelessly transmitted to the arithmetic device 9 . When the inspection wafer 6 rotates once, the solvent supply nozzle 51B returns to the standby unit 55B, and the inspection wafer 6 returns to the carrier C.

카메라(81)에 의해 취득된 각 화상 데이터에 대하여, 상기한 단계(S1 ~ S3)가 실행되고, 컵 이간 거리(H0)가 산출되어 화면 표시된다. 또한, 카메라(82)에 의해 취득된 복수의 화상 데이터 중, 예를 들면 연산 장치(9)의 프로그램(90)에 의해 도 12에 나타낸 바와 같이 용제 공급 노즐(51B)이 비친 것이 선택된다. 그리고, 당해 선택된 화상 데이터에 대하여 상기한 단계(T1 ~ T6)가 실행되고, 노즐 이간 거리(H1)가 산출되어 화면 표시된다. 이와 같이 표시된 이간 거리(H0, H1)를 본 작업원이, 필요에 따라 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B) 중 적어도 하나의 높이 조정을 행하도록 한다.For each image data acquired by the camera 81, the above-described steps S1 to S3 are executed, and the cup separation distance H0 is calculated and displayed on the screen. Moreover, as shown in FIG. 12 by the program 90 of the calculating|arithmetic apparatus 9, for example, the thing reflected by the solvent supply nozzle 51B is selected among the several image data acquired by the camera 82. Then, the above-described steps T1 to T6 are executed for the selected image data, and the nozzle separation distance H1 is calculated and displayed on the screen. The operator who saw the separation distances H0 and H1 displayed in this way makes the height adjustment of at least one of the annular projection 46 and the nozzle 51B as necessary.

제 1 실시 형태에서 나타낸 간섭의 검출, 및 제 2 실시 형태에서 나타낸 이간 거리(H0, H1)의 취득 중 일방이 선택하여 행해지도록 기술했지만, 이들을 양방 행해도 된다. 일방만을 선택하여 행할 경우, 이간 거리(H0, H1)를 취득하도록 하면, 이들 이간 거리(H0, H1)가 비교적 커짐으로써 발생하는 각 문제도 미연에 방지할 수 있다. 단, 취득되는 화상의 흔들림을 방지하기 위하여, 카메라(81, 82)에 의한 촬상 시에는, 상기한 바와 같이 검사용 웨이퍼(6)의 회전을 정지시킨다. 그러나, 간섭의 검출을 행함에 있어서는, 그러한 검사용 웨이퍼(6)의 회전을 정지시킬 필요가 없다. 따라서, 검사에 요하는 시간이 짧게 해결된다고 하는 이점이 있다.Although it has been described that one of the detection of the interference shown in the first embodiment and the acquisition of the separation distances H0 and H1 shown in the second embodiment is performed selectively, both of these may be performed. When only one is selected and the separation distances H0 and H1 are acquired, each problem caused by the relatively large separation distances H0 and H1 can also be prevented in advance. However, in order to prevent shaking of the acquired image, the rotation of the inspection wafer 6 is stopped as described above during imaging by the cameras 81 and 82 . However, in detecting the interference, it is not necessary to stop the rotation of the wafer 6 for inspection. Therefore, there is an advantage that the time required for the inspection is solved short.

또한, 상기의 제 2 실시 형태에서는, 카메라(81)에 의해 복수 회 촬상을 행하고, 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향의 각 부에 있어서의 화상을 취득하여 각 화상 데이터로부터 컵 이간 거리(H0)를 취득하고 있지만, 1 개소만의 화상 데이터를 취득하고, 당해 개소만의 컵 이간 거리(H0)를 취득해도 된다. 또한, 제 1 실시 형태에 있어서는 빔 형상체(66, 81)에 간섭에 의해, 출력되는 신호가 변동하는 구성으로 하면 되기 때문에, 변형 게이지(69, 73)를 이용하는 것에는 한정되지 않는다. 구체적으로 예를 들면 변형 게이지(69, 73) 대신에 진동 센서를 마련하고, 진동에 대한 검출 신호가 연산 장치(9)에 출력되는 구성으로 해도 된다. 또한, 변형 게이지(69, 73)에 대하여 빔 형상체(66, 71)의 기단측에 마련하도록 나타냈지만, 신호의 변동을 검출할 수 있으면 되며, 그와 같이 기단측에 마련하는 것에 한정되지 않는다.Further, in the second embodiment described above, the camera 81 captures images a plurality of times, acquires an image at each portion in the circumferential direction of the annular projection 46 , and obtains the cup separation distance H0 from each image data. ), the image data of only one location may be acquired, and the cup separation distance H0 of only the said location may be acquired. In addition, in 1st Embodiment, since what is necessary is just to set it as the structure in which the signal outputted by interference with the beam shape bodies 66 and 81 fluctuate|varies, it is not limited to using the strain gauges 69, 73. Specifically, for example, a vibration sensor may be provided instead of the strain gauges 69 and 73 , and a detection signal for vibration may be output to the calculating device 9 . In addition, although the strain gauges 69 and 73 have been shown to be provided on the proximal end side of the beam-shaped bodies 66 and 71, it is only necessary to detect a signal fluctuation, and it is not limited to providing it on the proximal end side in this way. .

기술한 정보 취득 시스템(1)에서는 제어부(20)와 연산 장치(9)가 개별로 마련되어 있지만, 제어부(20)가 연산 장치(9)의 역할을 겸용하는 구성이어도 된다. 또한, 각 데이터에 대하여 기술한 예에서는 연산 장치(9)로 무선 송신되지만, 예를 들면 검사용 웨이퍼(6)의 베이스체(61)에 착탈 가능한 메모리를 탑재하고, 당해 메모리에 저장되도록 해도 된다. 그 경우, 데이터의 취득을 끝내고 캐리어(C)로 되돌려진 검사용 웨이퍼(6)로부터 작업원이 당해 메모리를 떼어내, 연산 장치(9)로 각 데이터를 옮기면 된다. 따라서, 검사용 웨이퍼(6)에 대해서는 화상 데이터를 무선 송신하도록 구성되어 있지 않아도 된다. 또한, 유선으로 검사용 웨이퍼(6)와 연산 장치(9)가 접속되어, 각종 데이터가 연산 장치(9)로 송신되는 구성이어도 된다.In the described information acquisition system 1, although the control part 20 and the arithmetic device 9 are provided separately, the structure in which the control part 20 doubles the role of the arithmetic device 9 may be sufficient. In the example described with respect to each data, the data is transmitted wirelessly to the arithmetic unit 9. For example, a detachable memory may be mounted on the base body 61 of the inspection wafer 6 and stored in the memory. . In that case, the worker may remove the memory from the inspection wafer 6 returned to the carrier C after data acquisition is completed, and transfer each data to the arithmetic unit 9 . Therefore, it is not necessary to be configured to transmit image data wirelessly to the inspection wafer 6 . Moreover, the structure in which the wafer 6 for inspection and the calculating|arithmetic apparatus 9 are connected by wire, and various data is transmitted to the calculating|arithmetic apparatus 9 may be sufficient.

그런데 카메라(82)에 대해서는 용제 공급 노즐(51B)을 촬상하도록 마련되어 있지만, 레지스트 공급 노즐(51A)을 촬상 가능하도록 마련하고, 레지스트 공급 노즐(51A)과 웨이퍼(W)의 표면과의 거리가 취득되도록 해도 된다. 또한, 기판 처리 장치(2)에 마련되는 액 처리 모듈로서는 레지스트막 형성 모듈(3)에 한정되지 않는다. 노즐로부터 반사 방지막 또는 절연막 등의 레지스트막 이외의 도포막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여 성막하는 모듈이어도 되고, 노즐로부터 세정액, 현상액, 혹은 복수의 웨이퍼(W)를 서로 붙이기 위한 접착제를 웨이퍼(W)의 표면에 공급하는 모듈이어도 된다. 그와 같이 레지스트 이외의 처리액을 공급하는 노즐과 웨이퍼(W)표면과의 사이의 높이의 정보에 대해서도, 기술한 실시 형태의 방법에 의해 취득할 수 있다.By the way, although the camera 82 is provided so that the solvent supply nozzle 51B may be imaged, the resist supply nozzle 51A is provided so that an image can be captured, and the distance between the resist supply nozzle 51A and the surface of the wafer W is acquired. you can make it happen In addition, the liquid processing module provided in the substrate processing apparatus 2 is not limited to the resist film formation module 3 . It may be a module that forms a film by supplying a processing liquid for forming a coating film other than a resist film such as an anti-reflection film or an insulating film to the surface of the wafer W from the nozzle, A module for supplying an adhesive for sticking to the surface of the wafer W may be used. As described above, information on the height between the nozzle that supplies the processing liquid other than the resist and the surface of the wafer W can also be acquired by the method of the above-described embodiment.

또한 노즐로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 공급되는 처리액으로서는 용제에 한정되지 않고, 예를 들면 도포막 형성용의 도포액이어도 된다. 이 노즐과 웨이퍼(W) 표면과의 높이에 대한 정보를, 기술한 각 방법에 의해 취득할 수 있다. 또한 검사용 웨이퍼(6)는, 캐리어(C)에 의해 외부로부터 기판 처리 장치(2)로 반송되는 것에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판 처리 장치(2) 내에 당해 검사용 웨이퍼(6)의 저장용의 모듈을 마련하고, 당해 모듈과 레지스트막 형성 모듈(3)과의 사이에서 반송이 이루어지도록 해도 된다.In addition, the processing liquid supplied from the nozzle to the periphery of the wafer W is not limited to a solvent, and may be, for example, a coating liquid for forming a coating film. Information about the height of this nozzle and the surface of the wafer W can be acquired by each described method. In addition, the wafer 6 for inspection is not limited to being conveyed from the outside to the substrate processing apparatus 2 by the carrier C. As shown in FIG. For example, a module for storing the inspection wafer 6 may be provided in the substrate processing apparatus 2 , and transport may be made between the module and the resist film forming module 3 .

금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 및 조합이 이루어져도 된다.It should be considered that embodiment disclosed this time is not restrictive by an illustration in all points. The above embodiment may be omitted, replaced, changed, and combined in various forms without departing from the scope of the appended claims and the spirit thereof.

Claims (12)

기판 유지부에 유지된 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 정보를 취득하는 정보 취득 시스템에 있어서,
상기 기판 유지부에 의해 상기 기판 대신에 유지되는 베이스체와,
상기 베이스체에 대하여 고정되는 일단측과, 가동인 타단측을 각각 구비하는 간섭 검지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 상기 베이스체의 주변에 있어서의 검지 대상 부재와의 간섭에 의한 상기 간섭 검지부의 변형에 따라 변동하는 신호를 취득하기 위한 신호 취득부
를 구비하는 정보 취득 시스템.
An information acquisition system for acquiring information on a substrate processing apparatus for processing a substrate held by a substrate holding unit, the information acquisition system comprising:
a base body held in place of the substrate by the substrate holding unit;
an interference detection unit each having one end fixed to the base and the other movable end;
A signal acquisition unit for acquiring a signal that fluctuates according to deformation of the interference detection unit due to interference with a detection target member in the periphery of the base body held by the substrate holding unit
An information acquisition system comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 유지부는 상기 베이스체와 함께 회전 가능하며,
상기 기판 유지부 및 베이스체의 회전 중의 상기 간섭 검지부의 변형에 따라, 상기 검지 대상 부재의 높이의 정보를 취득하는 정보 취득 시스템.
The method of claim 1,
The substrate holding part is rotatable together with the base body,
The information acquisition system which acquires the information of the height of the said detection target member according to the deformation|transformation of the said interference detection part during rotation of the said board|substrate holding part and the base body.
제 1 항에 있어서,
상기 간섭 검지부는 빔 형상체이며, 상기 일단측은 상기 베이스체의 중앙부측에 고정되고, 상기 타단측은 상기 베이스체의 가장자리부를 향해 연장되는 정보 취득 시스템.
The method of claim 1,
The interference detection unit is a beam-shaped body, and the one end is fixed to a central portion of the base body, and the other end is extended toward an edge of the base body.
제 3 항에 있어서,
상기 베이스체에는 노치 또는 홀인 세로 방향의 일방측과 타방측을 접속하는 접속로가 마련되고,
상기 빔 형상체는 상기 베이스체의 세로 방향의 일방측에 마련되고,
상기 빔 형상체의 타단측에는 상기 접속로로 진입하여 상기 베이스체의 세로 방향의 타방측으로 돌출되어, 상기 타방측에 위치하는 상기 검지 대상 부재를 향하는 돌기가 마련되고,
상기 베이스체에 있어서의 상기 접속로의 외연은, 상기 빔 형상체에 접하는 정보 취득 시스템.
4. The method of claim 3,
The base body is provided with a connection path for connecting one side and the other side in the longitudinal direction, which is a notch or a hole,
The beam-shaped body is provided on one side of the longitudinal direction of the base body,
The other end side of the beam-shaped body is provided with a protrusion that enters the connection path and protrudes toward the other side in the longitudinal direction of the base body, toward the detection target member located on the other side,
The information acquisition system in which the outer edge of the said connection path in the said base body is in contact with the said beam shape body.
제 4 항에 있어서,
상기 세로 방향의 타방측은 하방측이며,
상기 베이스체에는, 상기 베이스체의 하방측을 촬상하여 화상 데이터를 취득하기 위한 촬상부가 마련되고,
상기 화상 데이터에 기초하여 상기 베이스체와 상기 간섭 검지부와의 거리에 대한 정보를 취득하는 정보 취득부가 마련되는 정보 취득 시스템.
5. The method of claim 4,
The other side in the longitudinal direction is a downward side,
An imaging unit for acquiring image data by imaging a lower side of the base body is provided in the base body;
and an information acquisition unit configured to acquire information on a distance between the base body and the interference detection unit based on the image data.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 간섭 검지부는 상기 베이스체의 상측에 마련되고,
상기 간섭 검지부의 타단측과 상기 베이스체와의 사이에는 간극이 개재되는 정보 취득 시스템.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The interference detection unit is provided on the upper side of the base body,
An information acquisition system in which a gap is interposed between the other end side of the interference detection unit and the base body.
기판 유지부에 유지된 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 정보를 취득하는 정보 취득 방법에 있어서,
상기 기판 유지부에 의해 상기 기판 대신에 베이스체를 유지하는 공정과,
상기 베이스체에 대하여 고정되는 일단측과 가동인 타단측을 각각 구비하는 간섭 검지부에 대하여, 상기 기판 유지부에 유지되는 상기 베이스체의 주변에 있어서의 검지 대상 부재와 간섭시켜 변형시키는 공정과,
상기 간섭 검지부의 변형에 따라 변동하는 신호를 취득하는 공정
을 구비하는 정보 취득 방법.
An information acquisition method for acquiring information about a substrate processing apparatus for processing a substrate held by a substrate holding unit, the information acquisition method comprising:
holding a base body instead of the substrate by the substrate holding part;
deforming an interference detection unit having one end fixed to the base body and the other movable end side, respectively, to interfere with a detection target member in the periphery of the base body held by the substrate holding unit;
A step of acquiring a signal that fluctuates according to the deformation of the interference detection unit
An information acquisition method comprising a.
제 7 항에 있어서,
상기 베이스체와 함께 상기 기판 유지부를 회전시키는 공정과,
상기 기판 유지부 및 베이스체의 회전 중의 상기 간섭 검지부의 변형에 따라, 상기 검지 대상 부재의 높이의 정보를 취득하는 공정
을 포함하는 정보 취득 방법.
8. The method of claim 7,
rotating the substrate holding part together with the base body;
a step of acquiring information on the height of the detection target member in accordance with deformation of the interference detecting unit during rotation of the substrate holding unit and the base body
A method of obtaining information, including
제 7 항에 있어서,
상기 간섭 검지부는 빔 형상체이며, 상기 일단측은 상기 베이스체의 중앙부측에 고정되고, 상기 타단측은 상기 베이스체의 가장자리부를 향해 연장되는 정보 취득 방법.
8. The method of claim 7,
The interference detecting unit is a beam-shaped body, the one end is fixed to the central portion of the base body, and the other end is extended toward the edge of the base body.
제 9 항에 있어서,
상기 베이스체에는 노치 또는 홀인 세로 방향의 일방측과 타방측을 접속하는 접속로가 마련되고, 상기 빔 형상체는 상기 베이스체의 세로 방향의 일방측에 마련되고,
상기 빔 형상체의 타단측에는 상기 접속로로 진입하여 상기 베이스체의 세로 방향의 타방측으로 돌출되어, 상기 타방측에 위치하는 상기 검지 대상 부재를 향하는 돌기가 마련되고,
상기 베이스체에 있어서의 상기 접속로의 외연은, 상기 빔 형상체에 접하고,
상기 돌기와 상기 검지 대상 부재를 간섭시켜, 상기 빔 형상체를 변형시키는 공정을 포함하는 정보 취득 방법.
10. The method of claim 9,
The base body is provided with a connection path for connecting one side and the other side in the longitudinal direction, which is a notch or hole, and the beam-shaped body is provided on one side in the longitudinal direction of the base body,
The other end side of the beam-shaped body is provided with a protrusion that enters the connection path and protrudes toward the other side in the longitudinal direction of the base body, toward the detection target member located on the other side,
an outer edge of the connection path in the base body is in contact with the beam-shaped body;
and interfering with the projection and the detection target member to deform the beam shape.
제 10 항에 있어서,
상기 세로 방향의 타방측은 하방측이며,
상기 베이스체에 마련되는 촬상부에 의해, 상기 베이스체의 하방측을 촬상하여 화상 데이터를 취득하는 공정과,
상기 화상 데이터에 기초하여 상기 베이스체와 상기 간섭 검지부와의 거리에 대한 정보를 취득하는 공정
을 구비하는 정보 취득 방법.
11. The method of claim 10,
The other side in the longitudinal direction is a downward side,
a step of acquiring image data by imaging a lower side of the base body by an imaging unit provided in the base body;
a step of acquiring information on a distance between the base body and the interference detection unit based on the image data
An information acquisition method comprising a.
제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 간섭 검지부는 상기 베이스체의 상측에 마련되고, 상기 간섭 검지부의 타단측은 상기 베이스체로부터 떠서 마련되고,
상기 간섭 검지부의 타단측과 상기 베이스체와의 사이에는 간극이 개재되고,
상기 간섭 검지부와 상기 검지 대상 부재와의 간섭에 의해, 상기 간극이 좁아지도록 상기 간섭 검지부를 변형시키는 공정
을 구비하는 정보 취득 방법.
10. The method according to any one of claims 7 to 9,
The interference detection unit is provided above the base body, and the other end side of the interference detection unit is provided floating from the base body,
A gap is interposed between the other end side of the interference detection unit and the base body,
deforming the interference detecting unit so that the gap is narrowed by the interference between the interference detecting unit and the detection target member
An information acquisition method comprising a.
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