KR20220136223A - Information acquisition system and information acquisition method - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는 정보 취득 시스템 및 정보 취득 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to an information acquisition system and an information acquisition method.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 기재함)가 캐리어에 저장된 상태에서 기판 처리 장치로 반송되어 처리를 받는다. 이 처리로서는, 예를 들면 도포액의 공급에 의한 도포막의 형성 및 현상 등의 액 처리를 들 수 있다. 그 액 처리 시에는, 컵 내에 수납된 웨이퍼에 대하여 노즐로부터 처리액이 공급된다. 특허 문헌 1에는, 웨이퍼의 하면에 대향하는 환 형상 돌기를 구비한 컵을 구비하는 현상 장치에 대하여 기재되어 있다.In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a 'wafer') is transported to a substrate processing apparatus in a state stored in a carrier to be processed. As this process, liquid processing, such as formation of a coating film by supply of a coating liquid, and image development, is mentioned, for example. During the liquid treatment, the treatment liquid is supplied from the nozzle to the wafer accommodated in the cup. Patent Document 1 describes a developing apparatus including a cup provided with an annular projection facing the lower surface of the wafer.
본 개시는, 기판 처리 장치에서 처리되는 기판의 근처에 위치하는 부재가, 부적절한 위치에 배치되는 것에 따른 처리의 문제의 발생을 방지하는 것을 목적으로 한다.An object of the present disclosure is to prevent occurrence of a processing problem due to a member positioned in the vicinity of a substrate to be processed in a substrate processing apparatus being disposed at an inappropriate position.
본 개시의 정보 취득 시스템은, 기판 유지부에 유지된 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 정보를 취득하는 정보 취득 시스템에 있어서,The information acquisition system of the present disclosure is an information acquisition system for acquiring information on a substrate processing apparatus that processes a substrate held by a substrate holding unit,
상기 기판 유지부에 의해 상기 기판 대신에 유지되는 베이스체와,a base body held in place of the substrate by the substrate holding unit;
상기 베이스체에 대하여 고정되는 일단측과, 가동인 타단측을 각각 구비하는 간섭 검지부와,an interference detection unit each having one end fixed to the base and the other movable end;
상기 베이스체의 주변에 있어서의 검지 대상 부재와의 간섭에 의한 상기 간섭 검지부의 변형에 따라 변동하는 신호를 취득하기 위한 신호 취득부를 구비한다.and a signal acquisition unit for acquiring a signal that fluctuates according to deformation of the interference detection unit due to interference with a detection target member in the periphery of the base body.
본 개시는, 기판 처리 장치에서 처리되는 기판의 근처에 위치하는 부재가, 부적절한 위치에 배치되는 것에 따른 처리의 문제의 발생을 방지할 수 있다.The present disclosure can prevent the occurrence of a processing problem due to a member positioned in the vicinity of a substrate being processed in a substrate processing apparatus being disposed at an inappropriate position.
도 1은 본 개시의 실시 형태에 따른 정보 취득 시스템을 이루는 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치에 포함되는 레지스트막 형성 모듈의 종단 정면도이다.
도 3은 상기 레지스트막 형성 모듈의 평면도이다.
도 4는 상기 정보 취득 시스템을 구성하는 검사용 웨이퍼 및 연산 장치를 나타내는 설명도이다.
도 5는 상기 검사용 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 검사용 웨이퍼의 평면도이다.
도 7은 상기 검사용 웨이퍼의 사시도이다.
도 8은 상기 검사용 웨이퍼에 마련되는 제 1 빔 형상체의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 9는 상기 검사용 웨이퍼에 마련되는 제 2 빔 형상체의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 10은 상기 검사용 웨이퍼에 의해 취득되는 검출 신호의 예를 나타내는 설명도이다.
도 11은 카메라에 의해 취득되는 환 형상 돌기의 화상을 나타내는 설명도이다.
도 12는 카메라에 의해 취득되는 노즐의 화상을 나타내는 설명도이다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus constituting an information acquisition system according to an embodiment of the present disclosure.
2 is a longitudinal front view of a resist film forming module included in the substrate processing apparatus.
3 is a plan view of the resist film forming module.
Fig. 4 is an explanatory diagram showing a wafer for inspection and an arithmetic device constituting the information acquisition system.
5 is a longitudinal side view of the wafer for inspection.
6 is a plan view of the wafer for inspection.
7 is a perspective view of the wafer for inspection.
Fig. 8 is an explanatory view showing the operation of the first beam-shaped body provided on the wafer for inspection.
Fig. 9 is an explanatory view showing the operation of the second beam-shaped body provided on the wafer for inspection.
10 is an explanatory diagram showing an example of a detection signal acquired by the inspection wafer.
It is explanatory drawing which shows the image of an annular projection acquired by a camera.
It is explanatory drawing which shows the image of the nozzle acquired by a camera.
[제 1 실시 형태][First embodiment]
본 개시의 일실시 형태에 따른 정보 취득 시스템(1)에 대하여 도 1에 나타낸다. 정보 취득 시스템(1)은 기판 처리 장치(2), 검사용 웨이퍼(6) 및 연산 장치(9)에 의해 구성되어 있다. 먼저, 정보 취득 시스템(1)을 구성하는 각 부의 개요를 설명한다. 상기의 기판 처리 장치(2)는, 반송 기구에 의해 원형의 기판인 웨이퍼(W)를 처리 모듈 사이에서 반송하여 처리를 행한다. 이 처리에는 레지스트막 형성용의 처리 모듈에 있어서, 컵(4) 내에 배치된 웨이퍼(W)에 레지스트를 공급하여 당해 레지스트막을 형성하는 것이 포함된다.The information acquisition system 1 which concerns on one Embodiment of this indication is shown in FIG. The information acquisition system 1 is comprised by the substrate processing apparatus 2, the
검사용 웨이퍼(6)는 상기의 반송 기구에 의해 웨이퍼(W) 대신에, 상기의 처리 모듈(레지스트막 형성 모듈(3))로 반송된다. 이 검사용 웨이퍼(6)에는, 간섭 검지부가 마련되어 있다. 이 간섭 검지부가 컵(4)의 구성 부재인 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B) 중 적어도 하나에 간섭하는지 여부에 따라, 당해 검사용 웨이퍼(6)로부터 출력되는 검출 신호가 변동한다. 그 검출 신호에 대해서는 연산 장치(9)에 무선으로 송신되고, 이 검출 신호의 파형이 연산 장치(9)에 포함되는 표시부(95)에 표시됨으로써, 웨이퍼(W)를 처리할 시에, 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B) 중 적어도 하나가 적정한 위치에 배치되어 있는지 여부의 검사가 가능하게 되어 있다. 또한, 상기의 노즐(51B)은 EBR(Edge Bead Removal)용의 노즐이다. EBR은, 용제를 노즐로부터 토출하여 웨이퍼(W)의 표면 전체에 형성된 막(본 실시 형태에서는 레지스트막) 중, 당해 웨이퍼(W)의 주연부를 피복하는 부위를 한정적으로 제거하는 처리이다.The
또한 검사용 웨이퍼(6)에는, 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B)을 각각 촬상하여 화상 데이터를 취득하는 촬상부인 카메라(81, 82)도 마련되어 있다. 정보 취득 시스템(1)은 이 화상 데이터에 기초하여, 상기의 레지스트막 형성 모듈(3)에 웨이퍼(W)가 배치될 때의 당해 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 거리(후술하는 H0), 당해 웨이퍼(W)와 EBR용의 노즐(51B)과의 거리(후술하는 H1)를 각각 취득하는 것이 가능하다. 이들 거리의 취득 방법에 대해서는 제 2 실시 형태에서 설명하지만, 당해 거리의 취득을 행하기 위한 시스템의 구성에 대해서는, 이 제 1 실시 형태의 설명 중에서 그 일부를 기술한다.In addition, the
이하, 기판 처리 장치(2)에 대하여 상세하게 설명한다. 기판 처리 장치(2)는, 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)에 의해 구성되어 있다. 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)은 좌우로 배열되고, 서로 접속되어 있다. 웨이퍼(W)는, 반송 용기인 캐리어(C)에 저장된 상태에서, 도시하지 않는 캐리어(C)용의 반송 기구에 의해 캐리어 블록(D1)으로 반송된다. 캐리어 블록(D1)은 캐리어(C)를 배치하는 스테이지(21)를 구비하고 있다. 또한 캐리어 블록(D1)에는, 개폐부(22)와, 반송 기구(23)가 마련되어 있다. 개폐부(22)는 캐리어 블록(D1)의 측벽에 형성된 반송구를 개폐한다. 반송 기구(23)는 스테이지(21) 상의 캐리어(C)에 대하여, 상기의 반송구를 거쳐 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 2 is demonstrated in detail. The substrate processing apparatus 2 is comprised by the carrier block D1 and the processing block D2. The carrier block D1 and the processing block D2 are arranged left and right, and are connected to each other. The wafer W is transported to the carrier block D1 by a transport mechanism for the carrier C (not shown) in a state stored in the carrier C serving as a transport container. The carrier block D1 is provided with the
처리 블록(D2)은, 좌우 방향으로 연장되는 웨이퍼(W)의 반송로(24)와, 당해 반송로(24)에 마련되는 반송 기구(25)를 구비하고 있다. 당해 반송 기구(25) 및 상기의 반송 기구(23)에 의해, 캐리어(C)와 처리 블록(D2)에 마련되는 각 처리 모듈과의 사이에서, 웨이퍼(W)가 반송된다. 처리 모듈은, 반송로(24)의 전방측, 후방측의 각각에 좌우로 복수 배열하여 마련되어 있다. 후방측의 처리 모듈은 가열 모듈(26)이며, 레지스트막 중의 용제를 제거하기 위한 가열 처리를 행한다. 전방측의 처리 모듈은 레지스트막 형성 모듈(3)이다. 또한, 반송로(24)의 캐리어 블록(D1)쪽의 위치에는, 웨이퍼(W)가 임시 배치되는 전달 모듈(TRS)이 마련되어 있다. 당해 전달 모듈(TRS)을 개재하여, 캐리어 블록(D1)과 처리 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.The processing block D2 includes a
이어서, 레지스트막 형성 모듈(3)에 대하여 도 2의 종단 측면도 및 도 3의 평면도를 참조하여 설명한다. 레지스트막 형성 모듈(3)은 기판 유지부인 스핀 척(31)을 구비하고, 당해 스핀 척(31)은, 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡착하여 수평으로 유지한다. 스핀 척(31)은 연직으로 연장되는 축(32)을 개재하여 회전 기구(33)에 접속되고, 당해 회전 기구(33)에 의해 스핀 척(31)에 유지된 웨이퍼(W)가 연직축 둘레로 회전한다. 또한, 축(32)을 둘러싸는 원형의 울타리판(34)이 마련되어 있고, 당해 울타리판(34)을 관통하도록 연직 방향으로 연장되는 승강 핀(35)이 3 개(도 2에서는 2 개만 표시) 마련되어 있다. 승강 기구(36)에 의해 승강 핀(35)이 승강하고, 스핀 척(31)과 기술한 반송 기구(25)와의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.Next, the resist
스핀 척(31)에 유지되는 웨이퍼(W)의 주연부의 하측으로부터 측방에 걸쳐, 당해 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 원형의 컵(4)이 마련되어 있고, 당해 컵(4)은, 컵 본체(41), 하측 가이드부(42), 중간 가이드부(43), 상측 가이드부(44)에 의해 구성된다. 컵 본체(41)는 웨이퍼(W)의 둘레를 따른 원환 형상의 오목부를 이루도록 형성되고, 웨이퍼(W)로부터 낙하 혹은 비산한 처리액(레지스트 및 용제)을 받는다. 컵 본체(41)를 구성하는 각 부를, 외원통부(41A), 저부 본체(41B), 내원통부(41C)로서 나타내고 있다. 외원통부(41A), 내원통부(41C)는 기립한 통 형상 부재로, 상기의 원환 형상 오목부의 측벽을 이룬다. 저부 본체(41B)는 외원통부(41A)의 하단과 내원통부(41C)의 하단을 접속하는 수평인 환 형상 판이며, 원환 형상 오목부의 저부를 이룬다. 저부 본체(41B)에는, 컵(4) 내를 배기하기 위한 배기관(45A)이 마련되고, 또한 상기의 오목부로부터 처리액을 배액하기 위한 배액구(45B)가 개구되어 있다.A
이어서 하측 가이드부(42)에 대하여 기술하면, 이 하측 가이드부(42)는, 기술한 울타리판(34)의 주연부 상으로부터, 내원통부(41C) 상을 통과하여 외원통부(41A)를 향해 넓어지도록 형성되는 원환 부재이며, 스핀 척(31)에 유지되는 웨이퍼(W)의 하방에 위치한다. 그리고, 하측 가이드부(42)의 상면은 경사면(42A, 42B)으로서 형성되어 있고, 경사면(42A)은 경사면(42B)보다 컵(4)의 중심측에 위치하고 있다. 경사면(42A)은 컵(4)의 외방을 향함에 따라 올라가고, 경사면(42B)은 컵(4)의 외방을 향함에 따라 내려감으로써, 하측 가이드부(42)의 종단면에 대해서는 산 형상으로 형성되어 있다. 경사면(42B)은, 웨이퍼(W)로부터 낙하 혹은 비산하여 부착한 처리액이 저부 본체(41B)로 유하(流下)되도록 가이드한다.Next, when the
경사면(42A, 42B)이 이루는 산 형상의 정부(頂部)는 상방으로 돌출되어 환 형상 돌기(46)를 형성하고, 당해 환 형상 돌기(46)는 기술한 스핀 척(31)에 배치되는 웨이퍼(W)의 둘레를 따르고 또한 당해 웨이퍼(W)의 주연부에 근접한다. 환 형상 돌기(46)는 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 처리액이, 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되어 웨이퍼(W)의 중심쪽의 위치에 부착하거나, 처리액의 미스트가 웨이퍼(W)의 이면의 중심쪽의 위치에 부착하는 것을 방지한다. 하측 가이드부(42)의 높이는, 울타리판(34) 및 컵 본체(41)에 대하여 조정 가능하며, 따라서 환 형상 돌기(46)의 높이는 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 조정 가능하게 되어 있다. 도 2 중, 환 형상 돌기(46)와 웨이퍼(W)의 하면과의 거리(컵 이간 거리라 함)를 H0로서 나타내고 있다.The top of the mountain shape formed by the
컵(4)을 구성하는 중간 가이드부(43)는, 외원통부(41A)의 내주면에 장착되는 수직벽(43A)과, 수직벽(43A)의 상단으로부터 컵(4)의 중심측을 향해 기울기 상방으로 연장되는 경사부(43B)를 구비하고 있다. 또한, 경사부(43B)에는 세로 방향으로 액 배출용의 관통 홀(43C)이 천공되어 있다. 또한, 컵(4)을 구성하는 상측 가이드부(44)는, 외원통부(41A)의 내주면에 장착되는 수직벽(44A)과, 수직벽의 상단으로부터 컵(4)의 중심부를 향해 수평으로 연장되는 수평부(44B)와, 수평부(44B)의 선단으로부터 수직 상방으로 연장되는 통 형상의 입구벽(44C)을 구비하고 있다. 수직벽(44A)은, 중간 가이드부(43)의 수직벽(43A)보다 상방에 마련되어 있고, 수평부(44B)는, 중간 가이드부(43)의 경사부(43B)보다 상방에 위치한다.The
이어서, 레지스트막 형성 모듈(3)에 마련되는 레지스트 공급 기구(5A) 및 EBR 처리 기구(5B)에 대하여 설명한다. 레지스트 공급 기구(5A)는, 레지스트 공급 노즐(51A), 레지스트 공급부(52A), 암(53A), 이동 기구(54A) 및 대기부(55A)를 구비한다. 레지스트 공급 노즐(51A)은, 레지스트 공급부(52A)로부터 압송되는 레지스트를 연직 하방으로 토출한다. 암(53A)은 레지스트 공급 노즐(51A)을 지지하고, 이동 기구(54A)에 의해 승강 가능 또한 수평 이동 가능하게 구성되어 있다. 컵(4)의 외측에 상방으로 개구되는 대기부(55A)가 마련되어 있고, 이동 기구(54A)에 의해 레지스트 공급 노즐(51A)은, 대기부(55A)의 개구 내와 컵(4) 내와의 사이를 이동한다. 컵(4) 내로 이동한 레지스트 공급 노즐(51A)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부 상에 레지스트를 토출하고, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막이 형성된다.Next, the resist
EBR 처리 기구(5B)는 용제 공급 노즐(51B), 용제 공급부(52B), 암(53B), 이동 기구(54B) 및 대기부(55B)를 구비한다. 용제 공급 노즐(51B)은 EBR용의 노즐이며, 용제 공급부(52B)로부터 압송되는 용제를, 웨이퍼(W)의 중심측으로부터 주연측으로 기울기 하방을 향하도록 토출한다. 즉 연직 방향에 대하여 기운 방향으로 용제가 토출된다. 암(53B)은 용제 공급 노즐(51B)을 지지하고, 이동 기구(54B)에 의해 승강 가능 또한 수평 이동 가능하게 구성되어 있다. 컵(4)의 외측에, 상방으로 개구되는 대기부(55B)가 마련되어 있고, 이동 기구(54B)에 의해 용제 공급 노즐(51B)은, 대기부(55B)의 개구 내와, 컵(4) 내에 있어서의 웨이퍼(W)의 상방의 처리 위치와의 사이를 이동한다. 또한 도 3은 실선으로 처리 위치로 이동한 상태의 용제 공급 노즐(51B)을 나타내고 있고, 기술한 EBR은, 회전하는 웨이퍼(W)에 대하여, 당해 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)로부터 용제가 토출됨으로써 행해진다.The
예를 들면 암(53B)에 대하여 용제 공급 노즐(51B)은, 그 높이를 조정 가능하게 장착된다. 따라서, 도 2에 나타내는 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)과 웨이퍼(W)의 표면과의 거리('노즐 이간 거리'라 함)(H1)는 조정 가능하며, 이 노즐 이간 거리(H1)의 변경에 의해, 용제 공급 노즐(51B)로부터 토출된 용제의 웨이퍼(W)에 있어서의 착액 위치가 변화한다. 또한, 도 3에만 표시하고 있지만, 컵(4)의 근방에는 당해 컵(4)을 향해 광 조사 가능한 조명부(48)가 마련되어 있다. 카메라(82)에 의한 용제 공급 노즐(51B)의 촬상 시에, 당해 조명부(48)에 의해 용제 공급 노즐(51B)에 광이 조사된다.For example, the
기판 처리 장치(2)는, 컴퓨터에 의해 구성되는 제어부(20)를 구비하고 있고(도 1 참조), 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 메모리 카드 및 DVD 등의 기억 매체에 저장된 프로그램이 인스톨된다. 인스톨된 프로그램에 의해, 기판 처리 장치(2)의 각 부에 제어 신호가 출력되도록, 프로그램에는 명령(각 단계)이 탑재되어 있다. 그리고 이 제어 신호에 의해, 반송 기구(23, 25)에 의한 웨이퍼(W)의 반송, 각 처리 모듈에 의한 웨이퍼(W)의 처리가 행해진다.The substrate processing apparatus 2 is provided with the
그런데 작업원에 의한 레지스트막 형성 모듈(3)의 조립 시 또는 조정 시의 에러에 의해, 컵 이간 거리(H0) 및 제 2 거리인 노즐 이간 거리(H1) 중 적어도 하나가 적정 범위로부터 벗어난 상태가 되는 경우가 있다. 컵 이간 거리(H0)가 부적절한 상태에서 웨이퍼(W)에 처리가 행해지면, 환 형상 돌기(46)가 웨이퍼(W)에 접촉하여 당해 웨이퍼(W)의 이면을 손상시키거나, 환 형상 돌기(46)가 웨이퍼(W)로부터 너무 멀어짐으로써 그 역할을 충분히 완수할 수 없을 우려가 있다. 또한, 노즐 이간 거리(H1)가 부적절한 상태에서 웨이퍼(W)에 처리가 행해지면, 용제 공급 노즐(51B)이 웨이퍼(W)에 접촉하여 웨이퍼(W)를 손상시키거나, 착액 위치의 이상(異常)에 의한 레지스트막의 제거 영역의 폭의 이상이 발생한다.However, due to an error in assembling or adjusting the resist
상기의 검사용 웨이퍼(6)는, 웨이퍼(W) 대신에 스핀 척(31)에 흡착 유지된다. 그 검사용 웨이퍼(6)에 의해, 검지 대상 부재(환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B))에 대한 상기한 간섭의 검지를 행하는 것은, 컵 이간 거리(H0), 노즐 이간 거리(H1)가 각각 적정 범위보다 작은지 여부라고 하는 환 형상 돌기(46)의 높이, 용제 공급 노즐(51B)의 높이에 대한 정보를 취득하게 된다. 그 높이의 정보의 취득이 행해짐으로써, 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 접촉, 또는 용제 공급 노즐(51B)의 웨이퍼(W)에 대한 접촉 및 착액 위치가 이상이 되는 것에 대하여, 미연에 방지할 수 있다.The above-mentioned
이하, 검사용 웨이퍼(6)의 구성에 대하여, 도 4, 도 5의 종단 측면도, 도 6의 평면도를 참조하여 설명한다. 도 4, 도 5는 서로 상이한 위치의 종단 측면을 나타내고 있다. 또한 도 6에서는, 도 4, 도 5에 나타내는 일부의 구성 요소를 생략하고 있다. 검사용 웨이퍼(6)는 원형의 베이스체(61)와, 기판(62)을 구비하고 있다. 베이스체(61)는 웨이퍼(W)와 동일한 크기의 기판이며, 그 하면은, 웨이퍼(W)의 하면과 마찬가지로 평탄면으로서 구성되어 있다. 이 때문에, 베이스체(61)는 웨이퍼(W)와 마찬가지로, 반송 기구(23, 25)에 의한 반송 및 스핀 척(31)에 의한 흡착 유지가 가능하게 되어 있다. 도 4 ~ 도 6은 그와 같이 스핀 척(31)에 흡착 유지된 상태의 베이스체(61)(즉, 흡착 유지된 상태의 검사용 웨이퍼(6))를 나타내고 있다.Hereinafter, the structure of the
베이스체(61)의 상측에, 기판(62)이 적층되어 마련되어 있다. 당해 기판(62)은, 베이스체(61)의 중앙부 상에 마련되는 본체부(63)를 구비하고 있다. 또한, 도 6 및 후술하는 도 7에서는 도시의 편의상 본체부(63)를 원형으로 나타내고 있지만, 원형에 한정되지 않고 임의의 형상으로 할 수 있다. 당해 본체부(63) 상에는 각종 회로 부품 및 기기가 마련되어 있고, 도면 중에서는 일괄하여 부품군(64)으로서 나타내고 있다.Above the
부품군(64)을 구성하는 부품 및 기기로서는, CPU 및 무선으로 각종 데이터(신호를 포함함)를 송수신하는 통신 기기 등이 포함된다. 각 센서 또는 카메라로 취득된 데이터는, 이 통신 기기에 의해 연산 장치(9)로 무선 송신하는 것이 가능하다. 또한, 이 통신 기기를 개재하여 당해 데이터를 취득하기 위한 트리거가 되는 신호를 각 카메라 또는 각 센서로 송신할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 카메라(81, 82) 등은, 기판(62) 이외의 기판에 탑재되어 있지만, 기판끼리를 접속하는 와이어(60)를 개재하여, 이와 같이 연산 장치(9)로의 데이터 송신, 및 트리거 신호의 수신이 가능하다. 또한 베이스체(61)의 중앙부에는, 부품군(64), 각 센서, 각 카메라, 후술하는 조명부(85)에 전력을 공급하기 위한 배터리(65)가 마련되어 있다.The components and devices constituting the
도 7을 참조하여 베이스체(61) 상의 기판(62)에 대하여 더 설명하면, 당해 기판(62)의 본체부(63)는 베이스체(61)에 대하여 고정되어 있다. 이 본체부(63)의 주연의 일부가, 본체부(63)의 주연을 향해 연장되어, 베이스체(61)의 직경 방향을 따른 가늘고 긴 빔 형상체(66)를 형성하고 있다. 베이스체(61)의 주연부에는, 이 빔 형상체(66)의 선단측에 겹치는 위치에, 당해 베이스체(61)를 두께 방향으로 관통하는 관통 홀(67)이 형성되어 있다. 당해 관통 홀(67)은 베이스체(61)의 세로 방향의 일방측(상측)과 타방측(하측)을 접속하는 접속로를 이룬다.The
도 7 중의 화살표의 끝에, 이 관통 홀(67)의 주위의 각 부를 확대하여 나타내고 있다. 빔 형상체(66)의 선단측의 하면에는, 하방으로 돌출되어 이 관통 홀(67)로 진입하는 돌기(68)가 마련되어 있다. 돌기(68)의 선단(하단)은, 본체부(63)의 하면보다 하방에 위치하고 있고, 당해 본체부(63)의 하면으로부터 예를 들면 1 mm 정도 돌출되어 있다(도 4 참조). 또한, 돌기(68)는, 빔 형상체(66)의 선단보다 약간, 기단측으로 떨어져 위치하고 있고, 빔 형상체(66)의 선단은 관통 홀(67)보다 베이스체(61)의 주연쪽에 위치하고 있다. 그러한 돌기(68) 및 관통 홀(67)의 배치에 의해, 빔 형상체(66)에 대해서는 관통 홀(67)보다 기단측의 부위, 관통 홀(67)보다 선단측의 부위가, 각각 베이스체(61)에 접하여 지지되어 있다. 즉, 베이스체(61)에 있어서 관통 홀(67)의 외연을 포함하는 상면 영역이, 빔 형상체(66)를 지지하고 있다.At the end of the arrow in FIG. 7, each part around the through
제 1 빔 형상체인 상기의 빔 형상체(66)는 이른바 캔틸레버를 이루고, 환 형상 돌기(46)의 높이에 대한 정보를 취득하기 위한 제 1 간섭 검지부로서 구성되어 있다. 더 상세하게 기술하면, 빔 형상체(66)의 하면은, 베이스체(61)에 대하여 고정되어 있지 않고, 또한 세로 방향(베이스체(61)의 두께 방향)으로 가요성(可撓性)을 가지고 있다. 상기와 같이 빔 형상체(66)가 접속되는 본체부(63)는 베이스체(61)에 고정되어 있기 때문에, 빔 형상체(66)의 기단은 베이스체(61)에 대하여 고정되어 있다. 따라서, 당해 빔 형상체(66)는 일단측이 베이스체(61)의 중앙부측에 고정되는 한편, 베이스체(61)의 주연부를 향해 연장되는 타단측이 베이스체(61)에 대하여 가동인 구성으로 되어 있다. 그리고, 빔 형상체(66)의 기단부(일단부)의 상측에 변형 게이지(변형 센서)(69)가 마련되어 있다. 제 1 신호 취득부를 이루는 변형 게이지(69)는, 상기의 부품군(64)에 포함되는 부품과 함께 휘트스톤 브리지 회로를 구성하고, 당해 회로로부터 출력되는 전압 신호가 검출 신호로서 연산 장치(9)로 무선 송신된다.The said beam-shaped
베이스체(61)가 스핀 척(31)에 의해 흡착될 때에, 빔 형상체(66)의 돌기(68)는, 환 형상 돌기(46)의 상방에 위치한다. 웨이퍼(W)의 하면 및 베이스체(61)의 하면은 모두 평탄면이기 때문에, 스핀 척(31)에 배치되었을 때에는 각각 동일한 높이가 된다. 따라서, 컵 이간 거리(H0)(웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 사이의 거리)가 기준값 이하로 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)가 간섭하는 경우는, 도 8에 나타내는 바와 같이 검사용 웨이퍼(6)의 돌기(68)와 환 형상 돌기(46)와의 사이에서도 간섭이 일어난다. 그와 같이 돌기(68)가 간섭함으로써, 빔 형상체(66)의 선단측이 상방으로 밀어올려지도록 변형한다. 이 빔 형상체(66)의 변형에 따라 변형 게이지(69)도 변형하고, 이 변형에 의해 일어나는 당해 변형 게이지(69)의 저항 변화에 따라 상기의 휘트스톤 브리지 회로로부터 출력되는 신호가 변동한다. 따라서, 이 신호를 감시함으로써 환 형상 돌기(46)와 돌기(68)와의 사이에서의 간섭의 유무를 검출할 수 있으므로, 웨이퍼(W)와 환 형상 돌기(46)와의 사이에서 간섭이 일어나는지 여부를 판단할 수 있다.When the
또한, 베이스체(61)의 상면의 주연부에는, 빔 형상체(66)가 마련되는 위치와는 둘레 방향으로 상이한 위치에 노치가 마련되어 있다. 이 노치보다 베이스체(61)의 중앙부측에, 제 2 빔 형상체인 빔 형상체(71)의 기단부가 고정되어 마련되어 있다. 빔 형상체(71)의 선단측은 베이스체(61)의 직경 방향을 따라 노치 상을 연장되도록 가늘고 길게 형성되어 있다. 따라서, 빔 형상체(71)의 선단부는 베이스체(61)로부터 뜬 상태로 되어 있다. 즉, 베이스체(61)와의 사이에는, 상기의 노치가 이루는 간극이 개재되어 있고, 당해 간극을 72로서 나타내고 있다.Moreover, in the peripheral part of the upper surface of the
빔 형상체(71)에 대해서도 빔 형상체(66)와 마찬가지로 캔틸레버를 이루고, 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)의 높이에 대한 정보를 취득하기 위한 제 2 간섭 검지부로서 구성되어 있다. 상기와 같이 간극(72) 상에 마련됨으로써, 빔 형상체(71)의 선단부는 상하로 가동인 구성으로 되어 있다. 빔 형상체(71)의 기단부의 상측에 변형 게이지(73)가 마련되어 있다. 제 2 신호 취득부인 변형 게이지(73)는, 변형 게이지(69)와 마찬가지로 부품군(64)에 포함되는 부품과 함께 휘트스톤 브리지 회로를 구성하고, 당해 회로로부터의 전압 신호가 검출 신호로서 연산 장치(9)로 무선 송신된다.The beam-shaped
스핀 척(31)에 검사용 웨이퍼(6)를 흡착한 상태에서 당해 스핀 척(31)을 회전시키면(함께 검사용 웨이퍼(6)도 회전시키면), 노즐 이간 거리(H1)가 기준값 이하일 때에, 도 9에 나타내는 바와 같이 빔 형상체(71)에 용제 공급 노즐(51B)의 하단이 간섭하는 경우가 있다. 그와 같이 간섭함으로써, 빔 형상체(71)의 선단측이 간극(72)을 개재하여 하방으로 눌려, 간극(72)이 좁아지도록 변형한다. 이 빔 형상체(71)의 변형에 따라 변형 게이지(73)도 변형하고, 당해 변형 게이지(73)를 포함하는 휘트스톤 브리지 회로로부터 출력되는 신호가 변동한다. 따라서 이 신호를 감시함으로써, 용제 공급 노즐(51B)과 빔 형상체(71)와의 사이에서의 간섭의 유무를 검출할 수 있어, 용제 공급 노즐(51B)의 처리 위치가 적정한지 여부를 판단할 수 있다.When the
또한, 도 5, 도 6에 나타내는 바와 같이 베이스체(61)의 주연부에 있어서, 빔 형상체(66, 71)로부터 둘레 방향으로 떨어진 위치에 2 개의 기판(80)이 마련되어 있고, 이들 2 개의 기판(80)끼리도 둘레 방향으로 서로 떨어져 있다. 하나의 기판(80) 상에는 카메라(81)가, 다른 기판(80) 상에는 카메라(82)가 각각 마련되어 있고, 각각 시야가 베이스체(61)의 주연을 향해져 있다. 카메라(81, 82)는, 각각 환 형상 돌기(46) 촬상용, 용제 공급 노즐(51B) 촬상용이다. 카메라(81)의 광축 상에 미러(83)가 배치되어 있고, 또한 베이스체(61)에는 관통 홀(84)이 형성되어 있다. 검사용 웨이퍼(6)가 스핀 척(31)에 유지될 시에, 관통 홀(84)은 환 형상 돌기(46) 상에 위치하고, 당해 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향에 있어서의 일부의 상면이, 당해 관통 홀(84)을 개재하여 미러(83)에 비친다. 카메라(81)는 그 미러(83)에 비친 환 형상 돌기(46)의 일부의 상면을 촬상할 수 있다. 또한, 베이스체(61)에는 조명부(85)가 2 개 매설되어 있다. 각 조명부(85)는, 관통 홀(84)을 베이스체(61)의 둘레 방향으로 개재하도록 배치되어 있고, 하방에 광을 조사한다. 카메라(81)에 의해 촬상이 행해질 시에는, 각 조명부(85)로부터 하방의 피사체에 광이 조사된다.Moreover, as shown in FIG.5, FIG.6, in the periphery of the
베이스체(61) 상에는 예를 들면, 그 측벽이 베이스체(61)의 둘레를 따른 원형의 커버(86)가 마련되어 있고, 상기한 기판(62)의 본체부(63), 배터리(65), 카메라(81, 82), 미러(83)를 덮는다. 단, 카메라(82)에 의한 용제 공급 노즐(51B)의 촬상을 방해하지 않도록, 커버(86)의 측벽에는 당해 카메라(82)의 광축 상에 개구부가 마련되어 있다. 또한, 상기한 빔 형상체(66, 71)의 변형을 방해하지 않도록, 예를 들면 당해 커버(86)의 측벽의 하단부는 노치되어 있고, 이 노치를 개재하여 빔 형상체(66, 71)의 선단측은 커버(86)의 외측으로 돌출되어 있다. 또한, 커버(86)의 측단은, 용제 공급 노즐(51B)과의 간섭을 방지하기 위하여 처리 위치에 있어서의 용제 공급 노즐(51B)보다, 베이스체(61)의 중심쪽에 위치한다. On the
도 4, 도 5에 나타낸 예에서는, 커버(86)의 중앙부는, 커버(86)의 주연부에 비해 높이가 크고, 상방을 향하는 볼록부(87)를 형성하도록 형성되어 있다. 이러한 커버(86)의 구성에 맞추어, 기술한 바와 같이 베이스체(61)의 중앙부에 배터리(65) 및 부품군(64)을 배치할 수 있고, 베이스체(61)의 중심을 중앙부에 위치시킬 수 있다. 이 때문에 베이스체(61)를 스핀 척(31)에 배치했을 시에, 자중에 의한 베이스체(61)의 처짐을 방지할 수 있다. 따라서, 그 처짐에 의해 빔 형상체(66, 71), 카메라(81, 82)의 높이가 변화하여, 측정 결과에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 볼록부(87)를 구비하는 커버(86)는, 이상의 검출 정밀도를 높이는 것에 기여한다. 단, 비교적 두께를 크게 형성함으로써, 상면이 평탄면을 이루는 형상의 커버(86)로서 구성되어 있어도 된다.In the examples shown in FIGS. 4 and 5 , the central portion of the
또한, 예를 들면 작업원이 검사용 웨이퍼(6)를 캐리어(C)에 탑재하거나, 메인터넌스하는 등 하여 취급할 시에, 비교적 좁은 영역을 통과시키는 것으로 한다. 이 때에 커버(86)의 상면은, 빔 형상체(66, 71)보다 높은 위치에 위치하므로, 검사용 웨이퍼(6)가 당해 좁은 영역을 구획 형성하는 벽과 충돌한다 하더라도 커버(86)가 충돌하여, 빔 형상체(66, 71)의 벽과 충돌이 방지된다. 따라서, 빔 형상체(66, 71)가 소성 변형되거나, 파손되는 것이 억제된다. 따라서 커버(86)에 의해, 빔 형상체(66, 71)를 효과적으로 보호할 수 있다.In addition, for example, when an operator mounts the
이어서, 연산 장치(9)에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 연산 장치(9)는 컴퓨터이며, 버스(91)를 구비하고 있다. 그리고, 버스(91)에, 프로그램 저장부(92), 무선 송수신부(93), 메모리(94), 표시부(95), 조작부(96)가 각각 접속되어 있다. 프로그램 저장부(92)에는, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 메모리 카드 및 DVD 등의 기억 매체에 저장된 프로그램(90)이 인스톨된다. 당해 연산 장치는, 상기의 이간 거리(H0, H1)를 산출하는 정보 취득부로서 구성된다.Next, the
무선 송수신부(93)는, 검사용 웨이퍼(6)에 대하여 데이터를 취득하기 위한 트리거가 되는 신호를 무선 송신하고, 또한 상기한 변형 게이지(69, 73)를 포함하는 각 회로로부터의 검출 신호, 카메라(81, 82)에 의해 취득된 화상 데이터를 무선 수신한다. 메모리(94)에는, 각 센서, 카메라로부터 취득한 데이터가 기억된다. 후술하는 간섭의 유무의 판단의 기준이 되는 참조 데이터도, 당해 메모리(94)에 기억된다. 또한, 예를 들면 제 2 실시 형태에서 화상 데이터로부터 이간 거리(H0, H1)를 취득하기 위한 데이터가 저장되는데, 이에 대해서는 제 2 실시 형태에서 기술한다.The wireless transmission/
조작부(96)는 마우스 또는 키보드 등에 의해 구성되고, 정보 취득 시스템(1)의 유저는 당해 조작부(96)를 개재하여, 프로그램(90)에 의해 행할 수 있는 처리의 실행을 지시할 수 있다. 또한, 예를 들면 연산 장치(9)는 기판 처리 장치(2)의 제어부(20)에 접속되고, 예를 들면 검사용 웨이퍼(6)가 스핀 척(31)에 유지되면, 각종 데이터의 취득이 가능하게 된 것을 나타내는 신호가 제어부(20)로부터 연산 장치(9)로 송신된다.The
이어서, 이상에 기술한 정보 취득 시스템(1)의 운용 순서를 설명한다. 먼저, 검사용 웨이퍼(6)가 저장된 캐리어(C)를 기판 처리 장치(2)의 스테이지(21)로 반송한다. 당해 검사용 웨이퍼(6)는, 반송 기구(23) →전달 모듈(TRS) →반송 기구(25) →레지스트막 형성 모듈(3)의 순으로 반송되고, 승강 핀(35)을 개재하여 스핀 척(31)에 배치되어 흡착, 유지된다. 이러한 후, 용제 공급 노즐(51B)이 대기부(55B)로부터 처리 위치로 이동한다.Next, the operation procedure of the information acquisition system 1 described above is demonstrated. First, the carrier C in which the
작업원이 연산 장치(9)로부터 정해진 지시를 행하면, 스핀 척(31)이 회전하고, 검사용 웨이퍼(6)가 비교적 낮은 속도로 1 회전한다. 이 1 회전 시에는, 환 형상 돌기(46)와 빔 형상체(66)의 돌기(68)와의 간섭이 일어나지 않고, 또한 용제 공급 노즐(51B)과 빔 형상체(71)와의 간섭이 일어나지 않도록 레지스트막 형성 모듈(3)의 각 부의 높이를 조정이 끝난 상태에서 행한다. 이 1 회전 시에 있어서의 변형 게이지(69, 71)를 포함하는 각 회로로부터의 검출 신호가 각각 연산 장치(9)로 송신되어, 참조 데이터로서 기억된다. 검사용 웨이퍼(6)의 1 회전 후, 용제 공급 노즐(51B)은 대기부(55B)로 돌아온다. 그리고, 검사용 웨이퍼(6)는 승강 핀(35)을 개재하여 반송 기구(25)로 전달되고, 전달 모듈(TRS), 반송 기구(23)를 차례로 거쳐, 캐리어(C)로 되돌려진다.When the operator gives a predetermined instruction from the
그 후에 임의의 타이밍에, 검사용 웨이퍼(6)가 저장된 캐리어(C)를 기판 처리 장치(2)의 스테이지(21)로 반송한다. 그리고, 참조 데이터를 취득했을 시와 마찬가지로 검사용 웨이퍼(6)를 레지스트막 형성 모듈(3)로 반송하여, 스핀 척(31)에 배치되어 흡착, 유지하고, 용제 공급 노즐(51B)을 처리 위치로 이동시킨다. 참조 데이터의 취득시와 마찬가지로 예를 들면 작업원이 지시를 행하면, 스핀 척(31)에 의해 검사용 웨이퍼(6)가 1 회전하고, 이 1 회전 중에 있어서의 변형 게이지(69, 71)를 포함하는 각 회로로부터의 검출 신호가 각각 연산 장치(9)로 송신되어, 간섭의 검지용 데이터로서 기억된다. 데이터 취득 후의 검사용 웨이퍼(6)에 대해서는, 참조 데이터 취득 후의 검사용 웨이퍼(6)와 마찬가지로 캐리어(C)로 되돌려진다.Thereafter, at an arbitrary timing, the carrier C in which the
작업원은, 취득된 간섭의 검지용 데이터의 신호 파형과, 참조 데이터의 신호 파형을 표시부(95)에 표시하고, 비교하여 간섭의 유무를 검출한다. 도 10은 변형 게이지(69)를 포함하는 회로로부터 얻어진 신호 파형예를 나타내고 있다. 참조 데이터의 신호 파형예를 실선으로 나타내고, 도 8에서 나타낸 간섭이 일어난 경우의 검지용 데이터의 신호 파형예를 점선, 일점 쇄선으로 각각 나타내고 있다. 점선, 일점 쇄선의 신호 파형은, 후술하는 바와 같이 상이한 태양의 간섭에 의해 취득된다. 도면에 나타내는 바와 같이 참조 데이터는, 데이터 취득 중의 각 시각에서 신호 레벨에 큰 변화는 없다. 간섭이 없는 경우의 검지용 데이터는, 참조 데이터와 동일 내지는 대략 동일한 신호 파형이 된다.The operator displays the acquired signal waveform of the interference detection data and the reference data signal waveform on the
예를 들면 환 형상 돌기(46)를 구성하는 하측 가이드부(42)가 기울어 장착됨으로써, 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향의 일부하고만 간섭한 경우는 점선의 파형으로 나타내는 바와 같이, 검사용 웨이퍼(6)의 회전 중에 있어서의 특정한 시각의 신호 레벨이, 참조 데이터의 신호 레벨에 대하여 크게 상이한 것이 된다. 검사용 웨이퍼(6)의 회전 중에 환 형상 돌기(46)와 돌기(68)와 계속 접촉하는 경우는 일점 쇄선의 파형으로 나타내는 바와 같이, 데이터 취득 중의 각 시각의 신호 레벨이, 참조 데이터의 신호 레벨과 크게 상이하다.For example, when the
이와 같이 신호 파형의 차이로부터 간섭의 유무의 판단이 가능하다. 작업원이 간섭의 판단을 행한다고 했으나, 프로그램(90)이 판단을 행하도록 해도 된다. 또한, 변형 게이지(69)를 포함하는 회로로부터 얻어지는 신호 파형에 대하여 나타냈지만, 변형 게이지(73)를 포함하는 회로로부터 얻어지는 신호 파형에 대해서도 동일하다. 즉, 참조 데이터의 신호 레벨은 데이터 취득 중의 각 시각에서 큰 변경은 없으며, 노즐과의 간섭하는 경우에는 도 10의 점선으로 나타내는 바와 같이 특정한 타이밍에 크게 변화한다.In this way, it is possible to determine the presence or absence of interference from the difference in signal waveforms. Although it has been said that the operator makes the judgment of interference, the
작업원은, 상기의 참조 데이터와 검지용 데이터와의 비교로부터 환 형상 돌기(46) 또는 용제 공급 노즐(51B)의 높이 조정이 필요하다고 판단하면, 그와 같이 조정을 행한다. 이 후, 웨이퍼(W)가 저장된 캐리어(C)가 기판 처리 장치(2)의 스테이지(21)로 반송된다. 웨이퍼(W)는 반송 기구(23) → 전달 모듈(TRS) → 반송 기구(25) → 레지스트막 형성 모듈(3) → 반송 기구(25) → 가열 모듈(26) → 반송 기구(25) → 전달 모듈(TRS)의 순으로 반송되고, 반송 기구(23)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다. 이와 같이 반송됨에 있어, 레지스트막 형성 모듈(3)에서는 스핀 척(31)에 의해 회전되는 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에, 레지스트 공급 노즐(51A)로부터 레지스트가 토출되어 스핀 코트에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막이 형성된다. 이 후, 용제 공급 노즐(51B)이 대기부(55B)로부터 처리 위치로 이동하고, 회전하는 웨이퍼(W)의 주연부에 용제가 공급되어, 당해 주연부의 레지스트막이 제거된다.When the operator determines that the height adjustment of the
상기한 바와 같이 정보 취득 시스템(1)을 구성하는 검사용 웨이퍼(6)에 있어서는, 일단만이 각각 당해 검사용 웨이퍼(6)에 고정된 빔 형상체(66, 71)에 각각 변형 게이지(69, 73)를 마련하고 있다. 그리고 당해 빔 형상체(66, 71)가 간섭 검지용 부재로서, 이상인 높이에 배치되는 환 형상 돌기(46), 용제 공급 노즐(51B)에 대하여 간섭하는 구성으로 되어 있다. 상기의 구성에 의해 빔 형상체(66, 71)는 간섭에 의해 비교적 크게 변형되고, 변형 게이지(69, 73)에 대해서도 비교적 크게 변형된다. 이 때문에 비교적 큰 신호 변동을 검출할 수 있으므로, 이 신호 변동에 기초하여 간섭에 대한 검출을 행할 수 있다. 그리고, 이 간섭의 검출 결과에 기초하여 작업원이 레지스트막 형성 모듈(3)의 조정을 행할 수 있다. 따라서, 당해 레지스트막 형성 모듈(3)에서 웨이퍼(W)에 대한 처리가 불량이 되는 것이 방지되므로, 당해 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 제품의 수율의 저하를 방지할 수 있다.As described above, in the
또한, 상기의 빔 형상체(66, 71)의 일방만을 마련하고, 환 형상 돌기(46)의 간섭, 용제 공급 노즐(51B)에 있어서의 간섭 중 일방만을 검출해도 된다. 또한, 기술한 간섭의 검출을 행함에 있어 검사용 웨이퍼(6)를 회전시키고 있다. 단, 환 형상 돌기(46)가 높이 이상이 되면, 승강 핀(35)을 하강시켜 검사용 웨이퍼(6)를 스핀 척(31)에 흡착시킬 시에, 환 형상 돌기(46)와 빔 형상체(66)와의 사이에서의 간섭이 일어나고, 그 간섭에 대하여 검출할 수 있다. 즉, 환 형상 돌기(46)와의 간섭을 검출함에 있어, 검사용 웨이퍼(6)를 회전시키는 것이 필수라고는 한정되지 않는다.In addition, only one of the said beam-shaped
그런데, 기술한 바와 같이 빔 형상체(66)는 하방으로부터 베이스체(61)에 지지된다. 빔 형상체(66)가 환 형상 돌기(46)와 간섭하면 상하로 진동하는데, 가령 베이스체(61)의 지지가 없다고 하면, 예를 들면 검사용 웨이퍼(6)가 반복하여 사용되어 상기의 간섭이 반복되는 중에, 빔 형상체(66)의 선단측이 상기의 진동에 의해 처지도록 변형되는 것이 상정된다. 즉, 빔 형상체(66)의 하방으로부터의 지지는 그러한 빔 형상체(66)의 변형을 억제하여, 검사용 웨이퍼(6)의 수명의 장기화를 도모할 수 있다.By the way, as described above, the beam-shaped
또한 도 10에서 점선으로 나타낸 파형예가 얻어지는 경우와 같이, 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향의 일부만이 높이 이상이 되는 경우, 검사용 웨이퍼(6)의 회전에 의해, 빔 형상체(66)에 접속되는 돌기(68)에는 가로 방향으로부터 환 형상 돌기(46)가 접촉하게 된다. 그와 같이 가로 방향으로부터의 간섭이기 때문에, 빔 형상체(66)의 선단측에는 상방을 향하는 힘이 발생하는 한편, 빔 형상체(66)의 기단측에는 하방으로 향하는 힘이 발생한다. 즉, 가로 방향에서 봤을 때, 당해 빔 형상체(66)가 뒤틀리(빔 형상체(66)의 신장 방향으로 연장되는 축 둘레로 회전하)도록 힘이 발생한다. 그러나, 빔 형상체(66)의 기단측은 베이스체(61)에 지지되어 있으므로 하방향의 변형 또는 뒤틀림이 억제되어, 상측으로의 변형이 촉진된다. 즉, 변형 초기에 상방향으로 변형되기 쉬운 상태가 되기 때문에, 빔 형상체(66)의 선단은 크게 상방으로 휜다.In addition, when only a part of the circumferential direction of the
또한, 상기와 같은 가로 방향으로부터의 간섭이 일어났을 때, 빔 형상체(66)에 대하여 검사용 웨이퍼(6)의 반경 방향 단면에서 생각하면, 간섭한 측에서는 상방향으로 향하는 힘이 발생하고, 그 반대측에서는 하방으로 향하는 힘이 발생한다. 이 때 빔 형상체(66)에 있어서의 간섭측과는 반대측에서도, 베이스체(61)가 빔 형상체(66)를 하방에서 지지하기 때문에, 상기와 마찬가지로 하방향의 변형 또는 뒤틀림이 억제되어, 상방향으로의 변형이 촉진된다. 따라서, 간섭에 의한 큰 신호 변화를 취출할 수 있어, 검출 정밀도가 높아진다.In addition, when the interference from the transverse direction as described above occurs, when viewed from the radial cross section of the
이와 같이 베이스체(61)에 있어서 빔 형상체(66)의 기단측을 지지하는 부위, 구체적으로 관통 홀(67)보다 베이스체(61)의 중심쪽에서 빔 형상체(66)와 겹치는 부위에 대해서는, 빔 형상체(66)의 선단측을 상방으로 보다 확실하게 휘게 하기 위한 가이드라고 할 수 있다. 베이스체(61)가 빔 형상체(66, 71)를 하방에서 지지하는 부분은 본 실시 형태에서는 당해 빔 형상체(66, 71)의 하면을 따른 면을 이루고 있지만, 빔 형상체(66, 71)의 긴 방향 및 검사용 웨이퍼(6)의 둘레 방향 중 적어도 하나로 상이한 복수 개소를 가지고 있어도 된다. 즉, 간격이 벌어진 복수 점에서 빔 형상체(66, 71)가 하방으로부터 지지되도록 해도 된다. 또한, 빔 형상체(66, 71)에 대하여, 신장 방향을 향해 본 종단면은, 가로 방향 치수보다 세로 방향(상하 방향) 치수가 짧은 형상으로 되어 있어, 가로 방향보다 세로 방향으로 변형되기 쉬운 구조로 되어 있다.In this way, in the
또한, 돌기(68)는 베이스체(61)의 상하를 접속하는 접속로를 이루는 관통 홀(67)로 진입하는 구성으로 되어 있지만, 당해 접속로로서 베이스체(61)의 주연부에, 베이스체(61)의 중심측을 향하는 노치를 마련하고, 당해 노치 내로 돌기(68)가 진입하는 구성이어도 된다. 그리고, 그 노치의 외연을 포함하는 영역에서 빔 형상체(66)를 지지함으로써, 당해 영역을 기술한 가이드로서 작용시킬 수 있다.In addition, although the
[제 2 실시 형태][Second embodiment]
제 2 실시 형태로서, 카메라(81)로부터 취득되는 화상 데이터를 이용하여 컵 이간 거리(H0)를 취득하고, 카메라(82)로부터 취득되는 화상 데이터를 이용하여 노즐 이간 거리(H1)를 취득한다. 컵 이간 거리(H0)의 취득 방법에 대하여 설명한다. 도 11은 카메라(81)에 의해 촬상되는 환 형상 돌기(46)의 상면의 둘레 방향의 일부에 있어서의 화상 데이터이다. 점선의 테두리는 화상의 화소를 나타내고 있다. 이와 같이 취득되는 화상 데이터로부터 환 형상 돌기(46)의 폭(L3)의 화소수에 대하여 검출한다(단계(S1)). 미리 취득해 둔 당해 폭(L3)의 화소수와 컵 이간 거리(H0)와의 대응 관계에 기초하여, 컵 이간 거리(H0)를 산출한다(단계(S2)). 이 대응 관계로서는, 컵 이간 거리(H0), 폭(L3)의 화소수를 변수로 하고, H0가 커짐에 따라 L3가 작아지는 관계가 되는 것을 나타낸 임의의 차수의 방정식을 준비해 두면 된다. 그리고, 그 대응 관계로부터 산출된 컵 이간 거리(H0)가 연산 장치(9)의 표시부(95)에 표시된다(단계(S3)).As 2nd Embodiment, the cup separation distance H0 is acquired using the image data acquired from the
노즐 이간 거리(H1)의 취득 방법에 대하여 설명한다. 도 12는 카메라(82)에 의해 촬상되는 용제 공급 노즐(51B)의 측면의 화상 데이터이다. 당해 화상 데이터에 있어서, 용제 공급 노즐(51B)의 폭(L4)에 대응하는 화소수가 검출된다(단계(T1)). 이어서 화상 데이터에 있어서, 단계(T1)에서 특정된 용제 공급 노즐(51B)의 하단과, 기준 높이(H10)(화상 데이터 중, 미리 설정된 높이의 화소)와의 사이의 높이(H20)에 있어서의 화소수가 검출된다(단계(T2)). 당해 H20에 대하여, 노즐 기준 높이라 한다. 그리고, 사전에 취득해 둔 용제 공급 노즐(51B)의 폭(L4) / 단계(T1)에서 취득한 폭(L4)에 대응하는 화소수에 대하여 연산되고, 이 연산값이 1 화소에 있어서의 거리로 여겨진다(단계(T3)). 그리고, 단계(T2)에서 구한 노즐 기준 높이(H20)의 화소수 × 단계(T3)에서 구한 1 화소에 있어서의 거리가 산출된다. 즉, 화상 데이터 상의 화소수인 노즐 기준 높이(H20)에 대하여, 실제의 높이(거리)로의 변환이 이루어진다(단계(T4)).The acquisition method of the nozzle separation distance H1 is demonstrated. 12 : is image data of the side surface of the
또한, 스핀 척(31)에 웨이퍼(W)를 흡착 유지했을 때의 웨이퍼(W)의 표면과, 스핀 척(31)에 검사용 웨이퍼(6)를 흡착 유지했을 때에 카메라(82)로 취득되는 화상에 있어서의 기술한 기준 높이(H10)와의 높이의 차(H30이라 함)를 미리 취득해 둔다. 상기의 단계(T4)에서 구한 실제의 노즐 기준 높이(H20)와, 높이의 차(H30)에 기초하여, 노즐 이간 거리(H1)를 산출한다(단계(T5)). 구체적으로, 도 12에 나타내는 바와 같이 화상 중에서 노즐(51B)이 기준 높이(H20)보다 상측에 비칠 때에는 H20 + H30, 화상 중에서 노즐(51B)이 기준 높이(H20)보다 하측에 비칠 때에는 H30 - H20로서, 노즐 이간 거리(H1)를 산출한다. 산출된 노즐 이간 거리(H1)가, 연산 장치(9)의 표시부(95)에 표시된다(단계(T6)). 또한, 이와 같이 미리 취득해 둔 높이의 차(H30)를 이용하는 것은 베이스체(61) 상에 마련됨으로써, 카메라(82)의 시야가 제한되기 때문이다.In addition, the surface of the wafer W when the wafer W is adsorbed and held by the
이상의 단계(S1 ~ S3, T1 ~ T6)는, 상기의 프로그램(90)에 의해 행해진다. 이들 단계를 실행하기 위한 폭(L3)의 화소수와 컵 이간 거리(H0)와의 대응 관계, 높이의 차(H30), 용제 공급 노즐(51B)의 실제의 폭(L4)에 대해서는, 미리 취득하여 연산 장치(9)의 메모리(94)에 저장해 둔다.The above steps S1 to S3 and T1 to T6 are performed by the
컵 이간 거리(H0) 및 노즐 이간 거리(H1)를 취득하는 경우의 정보 취득 시스템(1)의 운용 순서를 설명하면, 제 1 실시 형태에서 기술한 바와 같이 캐리어(C)로부터 검사용 웨이퍼(6)를 레지스트막 형성 모듈(3)로 반송하고, 스핀 척(31)에 흡착 유지한다. 그리고, 노즐(51B)이 대기부(55B)로부터 처리 위치로 이동한다. 유저가 연산 장치(9)로부터 정해진 지시를 행하면, 스핀 척(31)이 예를 들면 정해진 각도의 간격으로 간헐적으로 회전하고, 회전의 정지 시에 카메라(81, 82)에 의한 촬상이 행해져 화상 데이터가 취득된다. 취득된 화상 데이터는, 연산 장치(9)로 순차, 무선 송신된다. 검사용 웨이퍼(6)가 1 회전하면, 용제 공급 노즐(51B)은 대기부(55B)로 돌아오고, 검사용 웨이퍼(6)는 캐리어(C)로 되돌려진다.When the operation procedure of the information acquisition system 1 in the case of acquiring the cup separation distance H0 and the nozzle separation distance H1 is described, as described in the first embodiment, the
카메라(81)에 의해 취득된 각 화상 데이터에 대하여, 상기한 단계(S1 ~ S3)가 실행되고, 컵 이간 거리(H0)가 산출되어 화면 표시된다. 또한, 카메라(82)에 의해 취득된 복수의 화상 데이터 중, 예를 들면 연산 장치(9)의 프로그램(90)에 의해 도 12에 나타낸 바와 같이 용제 공급 노즐(51B)이 비친 것이 선택된다. 그리고, 당해 선택된 화상 데이터에 대하여 상기한 단계(T1 ~ T6)가 실행되고, 노즐 이간 거리(H1)가 산출되어 화면 표시된다. 이와 같이 표시된 이간 거리(H0, H1)를 본 작업원이, 필요에 따라 환 형상 돌기(46) 및 노즐(51B) 중 적어도 하나의 높이 조정을 행하도록 한다.For each image data acquired by the
제 1 실시 형태에서 나타낸 간섭의 검출, 및 제 2 실시 형태에서 나타낸 이간 거리(H0, H1)의 취득 중 일방이 선택하여 행해지도록 기술했지만, 이들을 양방 행해도 된다. 일방만을 선택하여 행할 경우, 이간 거리(H0, H1)를 취득하도록 하면, 이들 이간 거리(H0, H1)가 비교적 커짐으로써 발생하는 각 문제도 미연에 방지할 수 있다. 단, 취득되는 화상의 흔들림을 방지하기 위하여, 카메라(81, 82)에 의한 촬상 시에는, 상기한 바와 같이 검사용 웨이퍼(6)의 회전을 정지시킨다. 그러나, 간섭의 검출을 행함에 있어서는, 그러한 검사용 웨이퍼(6)의 회전을 정지시킬 필요가 없다. 따라서, 검사에 요하는 시간이 짧게 해결된다고 하는 이점이 있다.Although it has been described that one of the detection of the interference shown in the first embodiment and the acquisition of the separation distances H0 and H1 shown in the second embodiment is performed selectively, both of these may be performed. When only one is selected and the separation distances H0 and H1 are acquired, each problem caused by the relatively large separation distances H0 and H1 can also be prevented in advance. However, in order to prevent shaking of the acquired image, the rotation of the
또한, 상기의 제 2 실시 형태에서는, 카메라(81)에 의해 복수 회 촬상을 행하고, 환 형상 돌기(46)의 둘레 방향의 각 부에 있어서의 화상을 취득하여 각 화상 데이터로부터 컵 이간 거리(H0)를 취득하고 있지만, 1 개소만의 화상 데이터를 취득하고, 당해 개소만의 컵 이간 거리(H0)를 취득해도 된다. 또한, 제 1 실시 형태에 있어서는 빔 형상체(66, 81)에 간섭에 의해, 출력되는 신호가 변동하는 구성으로 하면 되기 때문에, 변형 게이지(69, 73)를 이용하는 것에는 한정되지 않는다. 구체적으로 예를 들면 변형 게이지(69, 73) 대신에 진동 센서를 마련하고, 진동에 대한 검출 신호가 연산 장치(9)에 출력되는 구성으로 해도 된다. 또한, 변형 게이지(69, 73)에 대하여 빔 형상체(66, 71)의 기단측에 마련하도록 나타냈지만, 신호의 변동을 검출할 수 있으면 되며, 그와 같이 기단측에 마련하는 것에 한정되지 않는다.Further, in the second embodiment described above, the
기술한 정보 취득 시스템(1)에서는 제어부(20)와 연산 장치(9)가 개별로 마련되어 있지만, 제어부(20)가 연산 장치(9)의 역할을 겸용하는 구성이어도 된다. 또한, 각 데이터에 대하여 기술한 예에서는 연산 장치(9)로 무선 송신되지만, 예를 들면 검사용 웨이퍼(6)의 베이스체(61)에 착탈 가능한 메모리를 탑재하고, 당해 메모리에 저장되도록 해도 된다. 그 경우, 데이터의 취득을 끝내고 캐리어(C)로 되돌려진 검사용 웨이퍼(6)로부터 작업원이 당해 메모리를 떼어내, 연산 장치(9)로 각 데이터를 옮기면 된다. 따라서, 검사용 웨이퍼(6)에 대해서는 화상 데이터를 무선 송신하도록 구성되어 있지 않아도 된다. 또한, 유선으로 검사용 웨이퍼(6)와 연산 장치(9)가 접속되어, 각종 데이터가 연산 장치(9)로 송신되는 구성이어도 된다.In the described information acquisition system 1, although the
그런데 카메라(82)에 대해서는 용제 공급 노즐(51B)을 촬상하도록 마련되어 있지만, 레지스트 공급 노즐(51A)을 촬상 가능하도록 마련하고, 레지스트 공급 노즐(51A)과 웨이퍼(W)의 표면과의 거리가 취득되도록 해도 된다. 또한, 기판 처리 장치(2)에 마련되는 액 처리 모듈로서는 레지스트막 형성 모듈(3)에 한정되지 않는다. 노즐로부터 반사 방지막 또는 절연막 등의 레지스트막 이외의 도포막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여 성막하는 모듈이어도 되고, 노즐로부터 세정액, 현상액, 혹은 복수의 웨이퍼(W)를 서로 붙이기 위한 접착제를 웨이퍼(W)의 표면에 공급하는 모듈이어도 된다. 그와 같이 레지스트 이외의 처리액을 공급하는 노즐과 웨이퍼(W)표면과의 사이의 높이의 정보에 대해서도, 기술한 실시 형태의 방법에 의해 취득할 수 있다.By the way, although the
또한 노즐로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 공급되는 처리액으로서는 용제에 한정되지 않고, 예를 들면 도포막 형성용의 도포액이어도 된다. 이 노즐과 웨이퍼(W) 표면과의 높이에 대한 정보를, 기술한 각 방법에 의해 취득할 수 있다. 또한 검사용 웨이퍼(6)는, 캐리어(C)에 의해 외부로부터 기판 처리 장치(2)로 반송되는 것에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판 처리 장치(2) 내에 당해 검사용 웨이퍼(6)의 저장용의 모듈을 마련하고, 당해 모듈과 레지스트막 형성 모듈(3)과의 사이에서 반송이 이루어지도록 해도 된다.In addition, the processing liquid supplied from the nozzle to the periphery of the wafer W is not limited to a solvent, and may be, for example, a coating liquid for forming a coating film. Information about the height of this nozzle and the surface of the wafer W can be acquired by each described method. In addition, the
금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 및 조합이 이루어져도 된다.It should be considered that embodiment disclosed this time is not restrictive by an illustration in all points. The above embodiment may be omitted, replaced, changed, and combined in various forms without departing from the scope of the appended claims and the spirit thereof.
Claims (12)
상기 기판 유지부에 의해 상기 기판 대신에 유지되는 베이스체와,
상기 베이스체에 대하여 고정되는 일단측과, 가동인 타단측을 각각 구비하는 간섭 검지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 상기 베이스체의 주변에 있어서의 검지 대상 부재와의 간섭에 의한 상기 간섭 검지부의 변형에 따라 변동하는 신호를 취득하기 위한 신호 취득부
를 구비하는 정보 취득 시스템.An information acquisition system for acquiring information on a substrate processing apparatus for processing a substrate held by a substrate holding unit, the information acquisition system comprising:
a base body held in place of the substrate by the substrate holding unit;
an interference detection unit each having one end fixed to the base and the other movable end;
A signal acquisition unit for acquiring a signal that fluctuates according to deformation of the interference detection unit due to interference with a detection target member in the periphery of the base body held by the substrate holding unit
An information acquisition system comprising a.
상기 기판 유지부는 상기 베이스체와 함께 회전 가능하며,
상기 기판 유지부 및 베이스체의 회전 중의 상기 간섭 검지부의 변형에 따라, 상기 검지 대상 부재의 높이의 정보를 취득하는 정보 취득 시스템.The method of claim 1,
The substrate holding part is rotatable together with the base body,
The information acquisition system which acquires the information of the height of the said detection target member according to the deformation|transformation of the said interference detection part during rotation of the said board|substrate holding part and the base body.
상기 간섭 검지부는 빔 형상체이며, 상기 일단측은 상기 베이스체의 중앙부측에 고정되고, 상기 타단측은 상기 베이스체의 가장자리부를 향해 연장되는 정보 취득 시스템.The method of claim 1,
The interference detection unit is a beam-shaped body, and the one end is fixed to a central portion of the base body, and the other end is extended toward an edge of the base body.
상기 베이스체에는 노치 또는 홀인 세로 방향의 일방측과 타방측을 접속하는 접속로가 마련되고,
상기 빔 형상체는 상기 베이스체의 세로 방향의 일방측에 마련되고,
상기 빔 형상체의 타단측에는 상기 접속로로 진입하여 상기 베이스체의 세로 방향의 타방측으로 돌출되어, 상기 타방측에 위치하는 상기 검지 대상 부재를 향하는 돌기가 마련되고,
상기 베이스체에 있어서의 상기 접속로의 외연은, 상기 빔 형상체에 접하는 정보 취득 시스템.4. The method of claim 3,
The base body is provided with a connection path for connecting one side and the other side in the longitudinal direction, which is a notch or a hole,
The beam-shaped body is provided on one side of the longitudinal direction of the base body,
The other end side of the beam-shaped body is provided with a protrusion that enters the connection path and protrudes toward the other side in the longitudinal direction of the base body, toward the detection target member located on the other side,
The information acquisition system in which the outer edge of the said connection path in the said base body is in contact with the said beam shape body.
상기 세로 방향의 타방측은 하방측이며,
상기 베이스체에는, 상기 베이스체의 하방측을 촬상하여 화상 데이터를 취득하기 위한 촬상부가 마련되고,
상기 화상 데이터에 기초하여 상기 베이스체와 상기 간섭 검지부와의 거리에 대한 정보를 취득하는 정보 취득부가 마련되는 정보 취득 시스템.5. The method of claim 4,
The other side in the longitudinal direction is a downward side,
An imaging unit for acquiring image data by imaging a lower side of the base body is provided in the base body;
and an information acquisition unit configured to acquire information on a distance between the base body and the interference detection unit based on the image data.
상기 간섭 검지부는 상기 베이스체의 상측에 마련되고,
상기 간섭 검지부의 타단측과 상기 베이스체와의 사이에는 간극이 개재되는 정보 취득 시스템.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The interference detection unit is provided on the upper side of the base body,
An information acquisition system in which a gap is interposed between the other end side of the interference detection unit and the base body.
상기 기판 유지부에 의해 상기 기판 대신에 베이스체를 유지하는 공정과,
상기 베이스체에 대하여 고정되는 일단측과 가동인 타단측을 각각 구비하는 간섭 검지부에 대하여, 상기 기판 유지부에 유지되는 상기 베이스체의 주변에 있어서의 검지 대상 부재와 간섭시켜 변형시키는 공정과,
상기 간섭 검지부의 변형에 따라 변동하는 신호를 취득하는 공정
을 구비하는 정보 취득 방법.An information acquisition method for acquiring information about a substrate processing apparatus for processing a substrate held by a substrate holding unit, the information acquisition method comprising:
holding a base body instead of the substrate by the substrate holding part;
deforming an interference detection unit having one end fixed to the base body and the other movable end side, respectively, to interfere with a detection target member in the periphery of the base body held by the substrate holding unit;
A step of acquiring a signal that fluctuates according to the deformation of the interference detection unit
An information acquisition method comprising a.
상기 베이스체와 함께 상기 기판 유지부를 회전시키는 공정과,
상기 기판 유지부 및 베이스체의 회전 중의 상기 간섭 검지부의 변형에 따라, 상기 검지 대상 부재의 높이의 정보를 취득하는 공정
을 포함하는 정보 취득 방법.8. The method of claim 7,
rotating the substrate holding part together with the base body;
a step of acquiring information on the height of the detection target member in accordance with deformation of the interference detecting unit during rotation of the substrate holding unit and the base body
A method of obtaining information, including
상기 간섭 검지부는 빔 형상체이며, 상기 일단측은 상기 베이스체의 중앙부측에 고정되고, 상기 타단측은 상기 베이스체의 가장자리부를 향해 연장되는 정보 취득 방법.8. The method of claim 7,
The interference detecting unit is a beam-shaped body, the one end is fixed to the central portion of the base body, and the other end is extended toward the edge of the base body.
상기 베이스체에는 노치 또는 홀인 세로 방향의 일방측과 타방측을 접속하는 접속로가 마련되고, 상기 빔 형상체는 상기 베이스체의 세로 방향의 일방측에 마련되고,
상기 빔 형상체의 타단측에는 상기 접속로로 진입하여 상기 베이스체의 세로 방향의 타방측으로 돌출되어, 상기 타방측에 위치하는 상기 검지 대상 부재를 향하는 돌기가 마련되고,
상기 베이스체에 있어서의 상기 접속로의 외연은, 상기 빔 형상체에 접하고,
상기 돌기와 상기 검지 대상 부재를 간섭시켜, 상기 빔 형상체를 변형시키는 공정을 포함하는 정보 취득 방법.10. The method of claim 9,
The base body is provided with a connection path for connecting one side and the other side in the longitudinal direction, which is a notch or hole, and the beam-shaped body is provided on one side in the longitudinal direction of the base body,
The other end side of the beam-shaped body is provided with a protrusion that enters the connection path and protrudes toward the other side in the longitudinal direction of the base body, toward the detection target member located on the other side,
an outer edge of the connection path in the base body is in contact with the beam-shaped body;
and interfering with the projection and the detection target member to deform the beam shape.
상기 세로 방향의 타방측은 하방측이며,
상기 베이스체에 마련되는 촬상부에 의해, 상기 베이스체의 하방측을 촬상하여 화상 데이터를 취득하는 공정과,
상기 화상 데이터에 기초하여 상기 베이스체와 상기 간섭 검지부와의 거리에 대한 정보를 취득하는 공정
을 구비하는 정보 취득 방법.11. The method of claim 10,
The other side in the longitudinal direction is a downward side,
a step of acquiring image data by imaging a lower side of the base body by an imaging unit provided in the base body;
a step of acquiring information on a distance between the base body and the interference detection unit based on the image data
An information acquisition method comprising a.
상기 간섭 검지부는 상기 베이스체의 상측에 마련되고, 상기 간섭 검지부의 타단측은 상기 베이스체로부터 떠서 마련되고,
상기 간섭 검지부의 타단측과 상기 베이스체와의 사이에는 간극이 개재되고,
상기 간섭 검지부와 상기 검지 대상 부재와의 간섭에 의해, 상기 간극이 좁아지도록 상기 간섭 검지부를 변형시키는 공정
을 구비하는 정보 취득 방법.10. The method according to any one of claims 7 to 9,
The interference detection unit is provided above the base body, and the other end side of the interference detection unit is provided floating from the base body,
A gap is interposed between the other end side of the interference detection unit and the base body,
deforming the interference detecting unit so that the gap is narrowed by the interference between the interference detecting unit and the detection target member
An information acquisition method comprising a.
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