KR20220128419A - 아자인돌 유도체의 결정형 및 그 응용 - Google Patents

아자인돌 유도체의 결정형 및 그 응용 Download PDF

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KR20220128419A
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Abstract

한 가지 유형의 아자인돌 유도체의 결정형 및 그 제조방법을 공개한다.

Description

아자인돌 유도체의 결정형 및 그 응용
본 출원은 출원번호가 CN202010042713.X이고, 출원일이 2020년 01월 15인 발명의 우선권을 주장한다.
본 발명은 아자인돌 유도체의 결정형 및 그 제조방법에 관한 것이다.
FGFR는 생물 신호를 전달하고 세포 성장을 조절하며 조직 회복에 참여하는 등 기능을 가진 한 가지 유형의 생리활성물질로서, 근년래 이미 여러 FGFR 패밀리 맴버들이 종양 성장, 발전 과정에 중요한 역할을 한다는 것을 발견하였다. 섬유 아세포 성장 인자 수용체(FGFR)는 섬유 아세포 성장 인자(FGF)와 특이적으로 결합할 수 있는 한 가지 유형의 수용체 단백질로서, FGFRs 패밀리는 FGFR1b, FGFR1c, FGFR2b, FGFR2c, FGFR3b, FGFR3c, FGFR4 등 유형을 포함할 수 있다. 서로 다른 아류형의 FGFR와 결합하는 FGF가 다른 바, FGFs는 FGFRs와 결합한 후 세포 내 복수의 티로신 잔기의 자체 인산화를 초래하고, 인산화의 FGFRs가 활성화시키는 하류의 신호 채널은 MEK/MAPK, PLCy/PKC, PI3K/AKT, STATS 등을 포함한다. 종양 예를 들면 간암, 방광암, 폐암, 유방암, 자궁내막암, 신경교종, 전립선암 등에서, FGF는 돌연변이 또는 배위자/수용체 과발현을 활성화시켜 지속 구성형 활성화를 초래하여, 종양의 성장, 발전, 불량 예후 등과 밀접하게 상관될 뿐 아니라, 또한 종양 새 혈관 생성, 종양의 침습과 전이 등 과정에서 중요한 역할을 한다. 그러므로, FGFR는 항종양의 중요한 타겟으로 간주된다.
c-Met 단백질(간세포 성장 인자(HGF) 수용체라고도 칭함)은 티로신 인산화 효소 활성을 갖는 막경유 190kDa 헤테로다이머로서, c-Met 암 유전자 코드를 갖는다. c-MET는 현재 유일하게 알려진 간세포 성장 인자(HGF) 수용체이고, HGF는 c-MET와 결합하여 하류 신호 단계적 연쇄반응을 활성화시킬 수 있어, 먼저 세포질 티로신 인산화 효소가 인산회되게 하고, 나아가 MET의 자체 인산화를 초래한다. 여러 가지 세포질 효과 단백질을 모집 및 인산화시키는 바, GRB2, GAB1, PLC와 SOS를 포함한다. GAB1은 활성화되기만 하면 하류 단백질(PI3K 등)을 위하여 결합 사이트를 형성한다. RAS-MAPK 및 PI3K-AKT 신호 채널을 통하여 세포핵으로 진입하여 유전자 발현과 세포 주기 진행에 영향을 미친다. 이미 밝혀진데 의하면, HGF/c-Met 신호 경로는 여러 가지 세포 반응을 증명하는 바, 유사분열 활성, 증식 활성, 형태 발생 활성과 혈관 생성 활성을 촉진시키는 것을 포함한다. 약 5 - 10 ％의 종양 환자가 c-Met 이상이 존재하는 바, 간암, 위암, 비소세포 폐암, 방광암, 유방암, 결직장암, 두경부 편평 세포암, 하인두암, 난소암 등을 포함한다. 임상에서 증명된데 의하면 HGF/c-Met 경로의 억제제는 현저한 암 치료 잠재력을 갖는다. 특허 WO2010059771는 c-Met 활성을 갖는 소분자 억제제를 개시하고 있다.
FGFR와 c-Met은 공동으로 수용체 티로신 인산화 효소(RTK) 패밀리 맴버에 속하고, 양자의 공동 조절을 받는 신호 채널은 PI3K-AKT-mTOR과 RAS-RAF-MEK-ERK 등이 있다. 많은 연구에서 증명된데 의하면, FGFR과 c-Met 타겟 사이에 종양의 탈출이 발생한다.
분자 작용 매커니즘으로부터 보면, FGFR와 c-Met은 공동으로 수용체 티로신 인산화 효소(RTK) 패밀리 맴버에 속하고, 양자의 공동 조절을 받는 신호 채널은 PI3K-AKT-mTOR과 RAS-RAF-MEK-ERK 등이 있다. FGFR 타겟과 c-Met 타겟 사이는 협동적으로 상호 보완할 수 있고, FGFR 돌연변이는 상대방이 억제될 때 쉽게 신호 보상 역할을 발휘하여, 종양 세포가 단일 억제제에 대하여 약물 내성을 갖게 한다.
특허 WO2010059771A1은 Met와 RON 억제제를 공개하는 바, 대조예 1a와 1b; 현재, 동시에 FGFR과 c-Met에 대하여 모두 높은 활성을 갖는 이중 타겟 소분자 억제제를 발견하지 못하였다.
Figure pct00001
본 발명은 식 (II)의 화합물을 제공한다.
Figure pct00002
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 5.40°±0.20°, 11.99°±0.20°, 14.77°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.40±0.20°, 10.77±0.20°, 11.99±0.20°, 14.77±0.20°, 21.55±0.20°, 23.25±0.20°, 24.14±0.20°, 27.69±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.402°, 8.949°, 10.766°, 11.989°, 13.186°, 14.766°, 16.090°, 16.779°, 19.721°, 21.554°, 23.251°, 23.685°, 24.138°, 25.224°, 27.690°, 28.670°, 29.287°, 31.378°, 33.941°, 38.046°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 XRPD 패턴은 도 1에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 1에 표시된 바와 같다.
Figure pct00003
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 시차 주사 열량 곡선은 220.0±3.0℃에서 하나의 흡열 피크의 시작점을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 DSC 패턴은 도 2에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 열 중량 분석 곡선은 150.0℃±3.0℃일 때 중량 감소가 1.04％에 달한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 A 결정형의 TGA 패턴은 도 3에 도시된 바와 같다.
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 14.89°±0.20°, 21.00°±0.20°, 26.74°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 B 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 B 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 12.07±0.20°, 14.89±0.20°, 21.00±0.20°, 21.70±0.20°, 24.34±0.20°, 26.74±0.20°, 27.59±0.20°, 28.10±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 B 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.462°, 10.806°, 11.042°, 12.067°, 12.700°, 13.328°, 14.890°, 16.010°, 17.194°, 18.300°, 18.887°, 19.933°, 21.000°, 21.695°, 24.336°, 24.632°, 26.742°, 27.589°, 28.104°, 28.931°, 29.639°, 34.213°, 35.560°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 B 결정형의 XRPD 패턴은 도 4에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 B 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 2에 표시된 바와 같다.
Figure pct00004
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 23.21°±0.20°, 24.30°±0.20°, 27.71°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 C 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 C 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.16±0.20°, 10.25±0.20°, 13.76±0.20°, 15.42±0.20°, 23.21±0.20°, 24.30±0.20°, 26.43±0.20°, 27.71±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 C 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.161°, 10.250°, 13.765°, 15.420°, 15.619°, 22.423°, 23.214°, 24.296°, 26.430°, 27.711°, 28.381°, 29.997°, 31.376°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 C 결정형의 XRPD 패턴은 도 5에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 C 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 3에 표시된 바와 같다.
Figure pct00005
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 12.17°±0.20°, 26.12°±0.20°, 28.59°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 D 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 D 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.05±0.20°, 12.17±0.20°, 13.35±0.20°, 19.65±0.20°, 26.12±0.20°, 27.50±0.20°, 28.59±0.20°, 30.08±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 D 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.05°, 10.86°, 12.17°, 13.35°, 13.76°, 14.90°, 15.70°, 16.90°, 17.70°, 18.30°, 18.91°, 19.65°, 20.14°, 20.68°, 21.37°, 21.67°, 22.08°, 23.17°, 23.67°, 23.90°, 25.25°, 25.80°, 26.12°, 26.70°, 26.90°, 27.50°, 27.79°, 28.59°, 29.02°, 30.08°, 30.51°, 30.78°, 30.87°, 31.89°, 32.28°, 32.49°, 33.30°, 34.77°, 35.44°, 35.85°, 36.49°, 37.36°, 37.93°, 38.96°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 D 결정형의 XRPD 패턴은 도 6에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 D 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 4에 표시된 바와 같다.
Figure pct00006
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 13.10°±0.20°, 14.50°±0.20°, 24.87°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 E 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 E 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 10.64±0.20°, 13.10±0.20°, 14.50±0.20°, 15.77±0.20°, 17.47±0.20°, 21.57±0.20°, 24.87±0.20°, 27.42±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 E 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 10.64°, 13.10°, 14.50°, 15.77°, 17.47°, 20.17°, 21.57°, 22.28°, 23.87°, 24.87°, 26.02°, 27.42°, 28.67°, 30.18°, 31.52°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 E 결정형의 XRPD 패턴은 도 7에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 E 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 5에 표시된 바와 같다.
Figure pct00007
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 5.44°±0.20°, 14.06°±0.20°, 14.92°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 F 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 F 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.44±0.20°, 5.95±0.20°, 10.80±0.20°, 13.50±0.20°, 14.06±0.20°, 14.92±0.20°, 19.38±0.20°, 27.57±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 F 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.44°, 5.95°, 8.94°, 9.34°, 10.80°, 11.25°, 11.91°, 13.50°, 14.06°, 14.92°, 16.60°, 19.38°, 23.97°, 24.90°, 26.21°, 27.57°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 F 결정형의 XRPD 패턴은 도 8에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 F 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 6에 표시된 바와 같다.
Figure pct00008
본 발명은 식 (III)의 화합물을 제공한다.
Figure pct00009
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 6.86°±0.20°, 7.53°±0.20°, 15.46°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.86±0.20°, 7.53±0.20°, 9.21±0.20°, 9.80±0.20°, 10.70±0.20°, 13.06±0.20°, 15.46±0.20°, 20.53±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.859°, 7.532°, 9.211°, 9.799°, 10.704°, 13.057°, 13.525°, 14.847°, 15.029°, 15.461°, 17.473°, 18.656°, 19.382°, 19.585°, 20.235°, 20.528°, 20.805°, 21.158°, 21.420°, 22.109°, 22.604°, 23.368°, 23.663°, 24.058°, 24.356°, 25.203°, 26.822°, 27.157°, 27.571°, 28.601°, 28.970°, 29.583°, 30.223°, 32.483°, 34.552°, 34.748°, 35.268°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 XRPD 패턴은 도 9에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 7에 표시된 바와 같다.
Figure pct00010
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 시차 주사 열량 곡선은 각각 47.3±3.0℃, 86.8±3.0℃와 145.2±3.0℃에서 각각 하나의 흡열 피크의 시작점을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 DSC 패턴은 도 10에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 열 중량 분석 곡선은 120.0℃±3.0℃일 때 중량 감소가 3.30％에 달한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 G 결정형의 TGA 패턴은 도 11에 도시된 바와 같다.
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 7.49°±0.20°, 15.24°±0.20°, 22.03°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 H 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 H 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.76±0.20°, 7.49±0.20°, 9.16±0.20°, 10.73±0.20°, 13.09±0.20°, 15.24±0.20°, 20.17±0.20°, 22.03±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 H 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.76±0.20°, 7.49±0.20°, 9.18±0.20°, 10.73±0.20°, 13.09±0.20°, 15.24±0.20°, 20.17±0.20°, 22.03±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 H 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.761°, 7.493°, 9.165°, 9.917°, 10.728°, 12.701°, 13.092°, 13.405°, 15.243°, 18.264°, 19.600°, 20.173°, 20.489°, 22.030°, 24.280°, 27.037°, 29.843°, 35.438°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 H 결정형의 XRPD 패턴은 도 12에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 H 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 8에 표시된 바와 같다.
Figure pct00011
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 6.85°±0.20°, 7.49°±0.20°, 15.42°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 I 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 I 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.85±0.20°, 7.49±0.20°, 9.80±0.20°, 10.69±0.20°, 13.06±0.20°, 15.42±0.20°, 20.53±0.20°, 22.64±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 I 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 6.854°, 7.494°, 9.171°, 9.797°, 10.688°, 13.055°, 14.810°, 15.422°, 18.676°, 19.383°, 19.620°, 20.527°, 20.881°, 22.105°, 22.640°, 23.389°, 24.094°, 24.356°, 25.185°, 26.802°, 27.432°, 28.633°, 29.561°, 32.466°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 I 결정형의 XRPD 패턴은 도 13에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 I 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 9에 표시된 바와 같다.
Figure pct00012
본 발명은 식 (IV)의 화합물을 제공한다.
Figure pct00013
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 4.59°±0.20°, 7.02°±0.20°, 18.05°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 J 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 J 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.59±0.20°, 7.02±0.20°, 10.13±0.20°, 14.06±0.20°, 18.05±0.20°, 19.82±0.20°, 22.56±0.20°, 27.04±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 J 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.592°, 6.094°, 7.018°, 9.383°, 10.132°, 11.535°, 12.241°, 14.059°, 18.046°, 19.819°, 21.435°, 22.561°, 23.764°, 24.117°, 26.489°, 27.035°, 28.732°, 36.524°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 J 결정형의 XRPD 패턴은 도 14에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 J 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 10에 표시된 바와 같다.
Figure pct00014
본 발명의 일부 방안에서, 상기 J 결정형의 열 중량 분석 곡선은 120.0℃±3.0℃일 때 중량 감소가 4,97％에 달한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 J 결정형의 TGA 패턴은 도 15에 도시된 바와 같다.
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 4.57°±0.20°, 18.02°±0.20°, 19.76°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 K 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 K 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.57±0.20°, 6.98±0.20°, 12.68±0.20°, 13.98±0.20°, 18.02±0.20°, 19.76±0.20°, 22.56±0.20°, 26.96±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 K 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.570°, 6.111°, 6.980°, 9.069°, 10.173°, 11.023°, 11.591°, 12.680°, 13.980°, 15.953°, 17.119°, 18.024°, 19.760°, 20.213°, 20.942°, 21.419°, 22.560°, 24.081°, 24.611°, 26.960°, 28.121°, 28.575°, 29.640°, 31.733°, 36.329°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 K 결정형의 XRPD 패턴은 도 16에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 K 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 11에 표시된 바와 같다.
Figure pct00015
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 4.61°±0.20°, 7.02°±0.20°, 18.28°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 L 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 L 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.61±0.20°, 7.02±0.20°, 11.83±0.20°, 18.28±0.20°, 20.27±0.20°, 21.50±0.20°, 22.58±0.20°, 26.96±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 L 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.611°, 5.006°, 7.018°, 9.129°, 11.829°, 12.246°, 14.016°, 18.279°, 18.733°, 20.272°, 20.904°, 21.495°, 22.578°, 24.554°, 25.517°, 26.959°, 28.990°, 29.603°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 L 결정형의 XRPD 패턴은 도 17에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 L 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 12에 표시된 바와 같다.
Figure pct00016
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 5.77°±0.20°, 12.63°±0.20°, 15.40°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (I) 화합물의 M 결정형을 더 제공한다.
Figure pct00017
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.77±0.20°, 11.59±0.20°, 12.63±0.20°, 15.40±0.20°, 16.42±0.20°, 20.77±0.20°, 22.62±0.20°, 23.36±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 5.77°, 5.95°, 10.52°, 11.59°, 12.63°, 13.12°, 15.40°, 16.42°, 16.94°, 18.05°, 20.03°, 20.77°, 21.44°, 22.62°, 22.98°, 23.36°, 24.46°, 25.82°, 26.54°, 27.31°, 27.96°, 29.70°, 31.17°, 32.04°, 33.16°, 35.45°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 XRPD 패턴은 도 18에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 13에 표시된 바와 같다.
Figure pct00018
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 시차 주사 열량 곡선은 74.4±3.0℃에서 하나의 흡열 피크의 시작점을 가지고, 214.3±3.0℃에서 다른 하나의 흡열 피크의 시작점을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 DSC 패턴은 도 19에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 열 중량 분석 곡선은 120.0℃±3.0℃일 때 중량 감소가 7.54％에 달한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 M 결정형의 TGA 패턴은 도 20에 도시된 바와 같다.
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 12.64°±0.20°, 17.10°±0.20°, 20.92°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (I) 화합물의 N 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 N 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 11.02±0.20°, 12.64±0.20°, 17.10±0.20°, 18.22±0.20°, 20.92±0.20°, 21.73±0.20°, 24.63±0.20°, 26.65±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 N 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 9.111°, 11.022°, 12.642°, 13.289°, 15.934°, 16.626°, 17.096°, 18.221°, 18.753°, 19.876°, 20.234°, 20.922°, 21.733°, 22.659°, 22.972°, 24.631°, 25.416°, 25.776°, 26.646°, 27.454°, 28.103°, 28.360°, 28.835°, 29.561°, 32.683°, 34.041°, 35.459°, 36.959°, 37.886°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 N 결정형의 XRPD 패턴은 도 21에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 N 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 14에 표시된 바와 같다.
Figure pct00019
본 발명은 그 분말 X선 회절 패턴은 6.70°±0.20°, 10.41°±0.20°, 13.74°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (I) 화합물의 O 결정형을 더 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 O 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.63±0.20°, 6.70±0.20°, 9.80±0.20°, 10.41±0.20°, 13.74±0.20°, 14.16±0.20°, 16.57±0.20°, 18.97±0.20°의 2θ 각 위치에서 특정 회절 피크를 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 O 결정형의 분말 X선 회절 패턴은 4.633°, 5.227°, 6.701°, 8.278°, 9.800°, 10.407°, 12.267°, 13.743°, 14.156°, 14.432°, 15.519°, 16.566°, 18.970°, 20.395°, 24.479°의 2θ 각 위치에서 특정 회절을 가진다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 O 결정형의 XRPD 패턴은 도 22에 도시된 바와 같다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 O 결정형의 XRPD 패턴 분석 데이터는 표 15에 표시된 바와 같다.
Figure pct00020
본 발명은 상기 화합물, 상기 A 결정형, B 결정형, C 결정형, D 결정형, E 결정형, F 결정형, G 결정형, H 결정형, I 결정형, J 결정형, K 결정형, L 결정형, M 결정형, N 결정형 또는 O 결정형의 FGFR과 c-Met 관련 질환을 치료하는 약물 제조 중의 응용을 제공한다.
본 발명의 일부 방안에서, 상기 응용에서 상기 약물은 실체 종양을 치료하기 위한 약물이다.
본 발명 화합물의 각 결정형은 안정적이고, 빛/열/습도 영향을 적게 받으며 양호한 체내 약물 투여 약효를 갖고 있고, 제약 전망성이 넓다. 대조예와 비하여, 식 (II) 화합물 A 결정형의 FGFR1과 FGFR4에서의 활성은 모두 크게 향상되었고, 아울러 여전히 우수한 c-Met 활성을 유지하는 바, 이는 예기치 못한 것이다. 본 발명의 화합물은 c-Met와 FGFR 이중 키나아제 단백질 구조 분석에 기반하여, 동시에 c-Met와 FGFR을 억제하는 고활성 소분자 모핵을 찾아내었다. 이 이중 타겟의 억제제에서, FGFR 타겟과 c-Met 타겟 사이는 협동적으로 상호 보완할 수 있고, FGFR 돌연변이는 상대방이 억제될 때 쉽게 신호 보상 역할을 발휘하여, 종양 세포가 단일 억제제에 대하여 약물 내성을 갖게 하며, 이러한 유형의 이중 타겟의 억제는 종양 세포 의존성을 감소시키는 탈출이 잠재하여, 종양 치료 효과를 크게 향상시킨다. 정맥 약물 투여를 하면, 식 (II) 화합물 A 결정형은 중간보다 낮은 제거율, 높은 분포의 용적, 중등의 반감기, 높은 약물 노출량을 나타낸다. 경구 약물 투여를 하면, 식 (II) 화합물 A 결정형은 빠른 피크 도달, 높은 경구 투여 노출량을 나타내고, 노출량이 식(III) 화합물 G 결정형, 식 (III) 화합물 J 결정형보다 높다. 식 (II) 화합물 A 결정형은 종양 모델 SNU-16에서 우수한 종양 억제 효과를 나타낸다.
도 1은 식 (II) 화합물 A 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 2는 식 (II) 화합물 A 결정형의 DSC 패턴이다.
도 3은 식 (II) 화합물 A 결정형의 TGA 패턴이다.
도 4는 식 (II) 화합물 B 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 5는 식 (II) 화합물 C 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 6은 식 (II) 화합물 D 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 7은 식 (II) 화합물 E 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 8은 식 (II) 화합물 F 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 9는 식 (II) 화합물 G 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 10은 식 (III) 화합물 G 결정형의 DSC 패턴이다.
도 11은 식 (III) 화합물 G 결정형의 TGA 패턴이다.
도 12는 식 (III) 화합물 H 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 13은 식 (III) 화합물 I 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 14는 식 (IV) 화합물 J 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 15는 식 (IV) 화합물 J 결정형의 TGA 패턴이다.
도 16은 식 (IV) 화합물 K 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 17은 식 (IV) 화합물 L 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 18은 식 (I) 화합물 M 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 19는 식 (I) 화합물 M 결정형의 DSC 패턴이다.
도 20은 식 (I) 화합물 M 결정형의 TGA 패턴이다.
도 21은 식 (I) 화합물 N 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 22는 식 (I) 화합물 O 결정형의 Cu-Kα 방사의 XRPD 패턴이다.
도 23은 식 (II) 화합물 A 결정형의 DVS 패턴이다.
도 24는 식 (III) 화합물 G 결정형의 DVS 패턴이다.
도 25는 식 (II) 화합물 J 결정형의 DVS 패턴이다.
[정의와 설명]
별도의 설명이 없는 한, 본 명세서에서 사용되는 하기 용어와 구는 하기 뜻을 가진다. 한 특정된 구 또는 용어는 특별한 정의가 되어있지 않은 상황 하에서 불확실하거나 또는 불명확한 것으로 여겨져서는 아니되고, 응당 일반적인 뜻으로 이해되어야 한다. 본 명세서에 상품명이 나타날 때, 이는 이에 대응되는 상품 또는 활성 성분을 나타내기 위한 것이다.
본 발명의 중간체 화합물은 당업계 기술자들에 숙지된 여러 가지 합성 방법을 통하여 제조할 수 있는 바, 하기에 예로 든 구체적인 실시방식, 이와 기타 화학 합성 방법이 결합하여 형성된 실시방식 및 당업계 기술자들에게 숙지된 동등한 방식이 포함되고, 바람직한 실시방식에는 본 발명의 실시예가 포함되나 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 구체적인 실시방식의 화학반응은 적당한 용제에서 완성되는 것이고, 상기 용제는 반드시 본 발명의 화학반응 및 이에 필요한 시약과 재료에 적합한 것이어야 한다. 본 발명의 화합물을 취득하기 위하여, 때로는 당업계 기술자들이 기존의 실시방식의 기초 상에서 합성 단계 또는 반응 과정에 대하여 수정 또는 선택을 진행하여야 한다.
본 발명의 화합물은 당업계 기술자들에게 숙지된 일반적인 방법을 통하여 구조를 확인할 수 있는 바, 만일 본 발명이 화합물의 절대 배열에 관한 것이라면, 해당 절대 배열은 당업계의 일반적인 수단을 통하여 확인할 수 있다. 예를 들면 단결정 X선 회절법(SXRD)은, 배양한 단결정에 대하여 Bruker D8 venture 회절계를 사용하여 회절 강도 데이터를 수집하는 바, 광원이 CuKα 방사이고, 스캔 방식은,　
Figure pct00021
스캔으로 관련 데이터를 수집한 후, 진일보로 직접법(Shelxs97)을 사용하여 결정체 구조를 분석하면, 절대 배열을 확인할 수 있다.
아래 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 구체적으로 설명을 진행할 것이나, 이러한 실시예는 본 발명에 대하여 제한하는 것이 아니다.
본 발명에 사용된 모든 용제는 시중에 판매되는 것으로서, 더 이상 정제할 필요없이 바로 사용할 수 있다.
본 발명에 사용하는 용제는 시중에 판매하는 것을 통하여 획득할 수 있다. 본 발명은 하기 약자를 사용하는 바, EtOH는 에탄올을 표시하며; MeOH는 메탄올을 표시하며; TFA는 트리플루오로아세트산을 표시하며; TsOH는 p-톨루엔술폰산을 표시하며; mp는 용융점을 표시하며; THF는 테트라히드로푸란을 시하며; EtOAc는 에틸 아세테이트를 표시하며; Pd(dppf)Cl2는 [1,1'-비스(디페닐포스핀)페로센]디클로로 팔라듐을 표시한다.
화합물은 당업계 일반적인 명명 원칙 또는
Figure pct00022
소프트웨어로 명명되고, 시중에 판매되는 화합물은 공급상 리스트 명칭을 사용한다.
본 발명의 분말 - 방사선 회절(X-ray powder diffractometer, XRPD) 방법
기기 모델: PANalytical(파날리티칼)사의 X’Pert3형 분말 X선 회절계
테스트 방법: 대략 10mg의 샘플이 XRPD 검출에 사용된다.
상세한 XRPD 파라미터는 하기와 같다.
방사선 소스: Cu,kα(
Figure pct00023
Kα2/Kα1 강도 비례: 0.5)
튜브 전압: 45 kV, 튜브 전류: 40 mA
발산 슬릿: 고정 1/8 deg
제1 솔러 슬릿: 0.04 rad, 제2 솔러 슬릿: 0.0 4rad
수신 슬릿: 없음, 산란 방지 슬릿: 7.5 mm
측정 시간: 5 min
스캔 각도 범위: 3-40 deg
스텝 폭 각도: 0.0263 deg
스텝 길이: 46.665 초
샘플 디스크 회전 속도: 15 rpm
본 발명의 차등 열분석(Differential Scanning Calorimeter, DSC) 방법
기기 유형: TA 5500 시차 주사 열량계
테스트 방법: 샘플(약 1-5 mg)을 취하여 DSC 알루미늄 디스크에 놓고 테스트를 진행하는 바, 50 mL/min 질소 기체 조건 하에서, 10 ℃/min의 승온 속도로 25 ℃(실온)으로부터 샘플 분해 전까지 샘플을 가열한다.
본 발명의 열 중량 분석(Thermal Gravimetric Analyzer, TGA)방법
기기 유형: TA 2500 열 중량 분석기
테스트 방법: 샘플(약 1-5 mg)을 취하여 TGA 알루미늄 디스크에 놓고 테스트를 진행하는 바, 10 mL/min 질소 기체 조건 하에서, 10 ℃/min의 승온 속도로 실온으로부터 350 ℃까지 샘플을 가열한다.
본 발명의 동적 증기 흡착 분석(Dynamic Vapor Sorption, DVS) 방법
기기 모델: SMS DVS Intrinsic 동적 증기 흡착기
테스트 조건: 샘플(10 ~ 30 mg)을 취하여 DVS 샘플 디스크에 놓고 테스트를 진행한다.
상세한 DVS 파라미터는 하기와 같다.
온도: 25 ℃
평형: dm/dt＝0.002 %/min(최단: 10 min, 최장: 180 min)
RH(％) 테스트 단계: 10(0-90％), 5(90-95％)
RH(％) 테스트 단계 범위: 0 - 95 - 0
흡습성 평가 분류는 하기와 같다:
Figure pct00024
주: ΔW％는 시험품의 25℃/80％ RH 하의 흡습 중량 증가를 표시한다.
본 발명의 고효율 액상 크로마토그래프(High Performance Liquid Chromatograph, HPLC) 방법
Figure pct00025
본 발명의 내용에 대하여 더욱 잘 이해하도록 하기 위하여, 아래 구체적인 실시예를 참조하여 더욱 상세한 설명을 진행하지만, 구체적인 실시방식은 본 발명의 내용을 제한하는 것이 아니다.
실시예 1: 식 (II) 화합물 A 결정형 제조
Figure pct00026
합성 루트:
Figure pct00027
Figure pct00028
1 단계: 화합물 I-A의 합성
0℃ 조건 하에서, 브로모에탄올(500g, 4.00mol, 284.09mL)에 3,4-디히드로피란(500.00g, 5.94mol, 543.48mL), 농염산(1.02g, 10.35mmol, 1.00mL)을 첨가하고, 19℃에서 1 시간 교반한다. 반응 완성 후, 100g 탄산수소나트륨을 첨가하고 30분 동안 교반하며, 여과로 불용성 물질을 제거하고 조제품을 획득한다. 여과액을 감압 환류 0.09MPa시키고, 80℃ 유분을 수집하여, 화합물 I-A를 획득한다.
1H NMR(400MHz,CDCl　3)δ4.66-4.60(m,1H),4.00-3.76(m,3H),3.50-3.47(m,1H),1.83-1.50(m,6H).
2 단계: 화합물 I-B의 합성
화합물 I-A(600.78g, 2.87mol, 435.35mL), 4-붕산염-1H-피라졸(280g, 1.44mol)을 N,N-디메틸 포름아미드(1120mL)에 용해시키고, 탄산칼륨(397.12g, 2.87mol)을 첨가하며, 60℃에서 48 시간 교반한다. TLC이 원료 반응이 불완전하다고 표시한다. 여과로 불용성 물질을 제거하고, 초산 에틸로 필터 케이크를 세척하며, 여과액을 합병하고, 용제를 회전 제거하여 조제품을 획득한다. 조제품을 실리카 컬럼 크로마토그래피(n-헵탄: 초산 에틸: ＝ 8:1)를 거쳐 정제하여 화합물 I-B를 획득한다.
1H NMR(400MHz,CDCl　3)δ7.84-7.78(m,1H),4.52-4.51(m,1H),4.35-4.32(m,2H),4.05-4.04(m,1H),3.79-3.45(m,3H),1.79-1.47(m,6H),1.32(s,12H).
3 단계: 화합물 I-D의 합성
화합물 I-C(250g, 1.50mol)와 1-클로로메틸-4-플루오르-1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄디(테트라플루오르 붕산)염(1.33kg, 3.76mol)을 아세토니트릴(3750mL)에 넣고, 20～30℃ 하에서 48 시간 반응시킨다. 반응액에 천천히 19L 물을 첨가하고 여과하며, 필터 케이크를 물(50mL*2)로 세척하여 조제품을 획득한다. 조제품을 컬럼 크로마토그래피(PE/DCM/EA＝3/1/0 ~ 3/1/0.2)를 통하여 정제하여 생성물(470g)을 획득하여 n-헵탄(2L)에 넣고, 10 ~ 20℃ 하에서 30분 동안 교반하며; 반응 시스템을 균일하게 교반한다. 여과하고, 필터 케이크를 n-헵탄(50mL)으로 세척하여 화합물 I-D를 획득한다.
1H NMR(400MHz,CDCl　3)δ10.34-10.18(m,1H),6.90-6.73(m,1H),3.84(s,6H).
4 단계: 화합물 I-F의 합성
화합물 I-D(460g, 2.28mol)와 화합물 I-E(407.58g, 2.07mol)를 메탄올(1.8L)에 첨가하고, 반응물을 40℃까지 가열하며, 수산화칼륨(232.12g, 4.14mol)의 메탄올(1.8L) 용액을 반응 플라스크에 적정 추가하고, 반응물을 40℃에서 10분 동안 교반하며, 반응액을 용해시켜 맑게 하고, 반응 온도를 10 ~ 20℃로 낮추며, 해당 온도 하에서 16 시간 교반한다. 반응액을 감압 여과하고, 필터 케이크를 메탄올(50mL)로 세척하며, 필터 케이크를 40 ~ 50℃에서 감압 회전 건조시켜 화합물 I-F를 획득한다.
LCMS(ESI)m/z:398.6[M+1]　+,400.6[M+1]　+;
1H NMR(400MHz,CDCl　3)δ8.24(s,1H),8.00(s,1H),7.30(s,1H),6.94(t,J＝8.0Hz,1H),3.84(s,6H).
5 단계: 화합물 I-G의 합성
10-25℃에서 아세토니트릴 2.90L를 5L 반응 플라스크에 넣는다. 10℃-25℃에서 교반하기 시작하고, 화합물 I-F(290.00g)를 1회적으로 반응 플라스크에 첨가하며, 10℃-25℃에서 각각 순차적으로 트리에틸 실리칸(232mL)과 트리플루오로아세트산(161mL)을 반응 플라스크에 적정한다. 반응물을 내부 온도 55℃-60℃까지 가열시키고, 이 온도 범위에서 계속하여 4 시간 교반 반응시킨다. 반응액을 실온 10-25℃까지 냉각시키고, 정치시켜 밤을 지낸다. 감압 여과하고, 아세토니트릴(100mL*2)로 필터 케이크를 드립 세척하고, 필터 케이크는 오일 펌프를 통하여 유분이 떨어지지 않을 때까지 감압 농축하며, 온도 40-50℃, 진공도≤-0.08MPa로 화합물 I-G를 획득한다.
LCMS(ESI)m/z:382.6[M+1]　+,384.6[M+1]　+;
1H NMR(400MHz,DMSO-d　6)δ11.75(s,1H),8.25(s,1H),8.09(s,1H),7.25(s,1H),6.88(t,J＝8.0Hz,1H),4.02(s,2H),3.84(s,6H).
6 단계: 화합물 I-H의 합성
10 ~ 25℃ 하에서 테트라히드로푸란 2.6L와 증류수 0.52L을 5L 반응 플라스크에 넣고 교반하기 시작하며, 질소 기체로 3회 치환하고, 그 후 시스템을 줄곧 질소 기체로 보호하며, 탄산칼륨(105.51g)을 반응 플라스크에 넣고, 10℃ ~ 25℃, 질소 기체 보호 하에서, 화합물 I-G(130.00g), 화합물 I-B(100.91g)와 Pd(dppf)Cl2(5.64g)을 반응 플라스크에 첨가하고, 반응물을 내부 온도 65℃-70℃까지 가열하며, 이 온도 범위에서 계속하여 8 ~ 10 시간 교반 반응시킨다. 반응액을 실온(10-25℃)까지 냉각시킨다. 1회적으로 트리티오시아누릭산 삼나트륨염(130.00g)을 첨가하고, 10℃-25℃에서 16-20 시간 교반한다. 200-300g 규조토를 통하여 여과하고, 그 후 테트라히드로푸란(120mL*2)을 사용하여 필터 케이크를 드립 세척한다. 여과액에 1.2L 정제수를 첨가하고, 초산 에틸(3.6L*2)로 추출하며, 합병한 유기상을 포화 염화나트륨(1.2L*2)으로 세척하고, 무수황산나트륨(500g)으로 1-2 시간 건조하며, 여과하고, 여과액을 유분이 떨어지지 않을 때까지 감압 농축하여 조제품을 획득한다. 조제품을 컬럼 크로마트그래피를 통하여 정제하여 조생성물을 획득하다. 조생성물을 1.6L 초산 에틸로 용해하고, 45℃-50℃까지 가열하며, 용해시켜 맑게 한 후, 10℃-25℃까지 냉각시킨다. 교반하는 동시에 4.8L n-헵탄을 적정하는 바, 0.5-1 시간에 적정을 완료한다. 고체가 석출된 후, 계속하여 10℃-25℃에서 1 시간 교반하고, 여과하며, 필터 케이크는 n-헵탄(250mL*2)을 사용하여 드립 세척한다. 필터 케이크는 오일 펌프를 통하여 유분이 떨어지지 않을 때까지 감압 농축하여 조제품을 획득한다. 10℃-25℃ 하에서 조제품을 1.6L 테트라히드로푸란으로 용해하고, 그 후 고분자 수지 PSB-22Y 약 250g을 첨가하며, 55℃-60℃까지 승온시키고, 해당 온도 하에서 16-20 시간 교반한다(회전 수 300-305r/min). 액체를 200-300g 규조토를 통하여 열 여과하고, 테트라히드로푸란(150mL*2)을 사용하여 드립 세척하며; 그 후 여과액에 PSB-22Y 약 250g을 첨가한다. 55℃-60℃까지 승온시킨다. 16-20 시간 교반한다(회전 수 300-305r/min). 액체를 200-300g 규조토를 통하여 열 여과하고, 테트라히드로푸란(150mL*2)을 사용하여 드립 세척하며; 여과액은 오일 펌프를 통하여 유분이 떨어지지 않을 때까지 감압 농축하며, 온도 40-50℃, 진공도≤-0.08MPa로 화합물 I-H를 획득한다.
LCMS(ESI)m/z:499.5[M+1]　+;
1H NMR(400MHz,DMSO-d　6)δ11.75(s,1H),8.45(s,1H),8.15(s,1H),8.05(s,1H),7.87(s,1H),7.12(s,1H),6.88(t,J＝8.0Hz,1H),4.57(s,1H),4.38-4.32(m,2H),4.06(s,2H),3.97-3.92(m,1H),3.84(s,6H),3.79-3.78(m,1H),3.58-3.37(m,2H),1.76-1.36(m,6H).
단계 7: 식 (II) 화합물 A 결정형의 합성
-25℃ 하에서 에탄올 2.78L를 5L의 삼구 플라스크에 넣는다. 20 ~ 30℃까지 가열하고, 교반하는 동시에 화합물 I-H(139.00g)를 첨가하고, 현탁액을 20 ~ 30℃에서 약 30분 동안 교반하며, 20 ~ 30℃ 하로 제어하면서 염산/초산 에틸(137mL,4M)을 적정하는 바, 20분 동안에 적정 완료한다. 20 ~ 30℃ 하에서, 16 ~ 20 시간 기계적 교반한다. 10-25℃로 온도를 낮추고, 반응액을 감압 여과한다. 필터 케이크를 에탄올(200mL*2)로 드립 세척한다. 필터 케이크는 유분이 떨어지지 않을 때까지 감압 농축하며, 온도 40 ~ 50℃, 진공도≤-0.08MPa로 식 (II) 화합물 A 결정형을 획득한다.
LCMS(ESI)m/z:415.0[M+1]　+;
1H NMR(400MHz,DMSO-d　6)δ11.98(s,1H),8.58(s,1H),8.40(s,1H),8.24(s,1H),7.96(s,1H),7.19(s,1H),6.88(t,J＝8.0Hz,1H),4.57(s,1H),4.25-4.10(m,4H),3.85(s,6H),3.84-3.80(m,2H).
염화 개수 연구
분자식 C21H20F2N4O3·HCl을 결부시켜, Cl 이온 이온 함량이 7.87％인 것을 산출하는 바, 7.04％와 아주 근접하고, 식 (I) 화합물 염산염 염화 개수 1을 획득한다.
Figure pct00029
실시예 2
식 (I) 화합물 M 결정형의 제조
50 밀리그램 식 (II) 화합물 결정형 A 결정형을 달아 물에 용해시키고, 포화 중탄산나트륨 수용액으로 해리시키며, 15℃에서 1 시간 교반한다. 여과하고, 필터 케이크를 감압 회전 건조시켜, 식 (I) 화합물 M 결정형을 획득한다.
식 (II) 화합물 A 결정형의 제조
100 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 에탄올을 첨가하며, 천천히 염화수소/초산 에틸(4M, 60μL)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 A 결정형을 획득한다.
350 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 10mL의 메탄올을 첨가하며, 천천히 0.21mL의 염화수소/초산 에틸(4M)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기에 넣고 15℃에서 24 시간(빛을 피하여) 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 진공 건조함에서 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 A 결정형을 획득한다.
식 (II) 화합물 B 결정형의 제조
100 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 아세톤을 첨가하며, 천천히 염화수소/초산 에틸(4M, 60μL)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 B 결정형을 획득한다.
식 (II) 화합물 C 결정형의 제조
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 초산 에틸을 첨가하며, 천천히 염화수소/초산 에틸(4M, 30μL)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 C 결정형을 획득한다.
식 (II) 화합물 D 결정형의 제조
350 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 10mL의 아세톤을 첨가하며, 천천히 0.21mL의 염화수소/초산 에틸(4M)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기에 넣고 15℃에서 24 시간(빛을 피하여) 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 진공 건조함에서 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 D 결정형을 획득한다.
350 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 10mL의 초산 에틸을 첨가하며, 천천히 0.21mL의 염화수소/초산 에틸(4M)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기에 넣고 15℃에서 24 시간(빛을 피하여) 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 진공 건조함에서 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 D 결정형을 획득한다.
350 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 10mL의 테트라히드로푸란을 첨가하며, 천천히 0.21mL의 염화수소/초산 에틸(4M)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기에 넣고 15℃에서 24 시간(빛을 피하여) 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 진공 건조함에서 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 D 결정형을 획득한다.
350 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 10mL의 아세톤/물(v/v, 1/1)을 첨가하며, 천천히 0.21mL의 염화수소/초산 에틸(4M)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기에 넣고 15℃에서 24 시간(빛을 피하여) 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 진공 건조함에서 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 D 결정형을 획득한다.
식 (II) 화합물 E 결정형의 제조
350 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 10mL의 테트라히드로푸란/물(v/v, 1/1)을 첨가하며, 천천히 0.21mL의 염화수소/초산 에틸(4M)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기에 넣고 15℃에서 24 시간(빛을 피하여) 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 진공 건조함에서 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 E 결정형을 획득한다.
식 (II) 화합물 F 결정형의 제조
350 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 10mL의 에탄올/물(v/v, 1/1)을 첨가하며, 천천히 0.21mL의 염화수소/초산 에틸(4M)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기에 넣고 15℃에서 24 시간(빛을 피하여) 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 진공 건조함에서 건조시켜(40℃), 식 (II) 화합물 F 결정형을 획득한다.
식 (III) 화합물 G 결정형의 제조
Figure pct00030
100 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 에탄올을 첨가하며, 천천히 메탄술폰산(26mg, 1.1eq)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (III) 화합물 G 결정형을 획득한다.
1H NMR(400MHz,DMSO-d　6)δ11.66(s,1H),8.51(s,1H),8.20(s,2H),7.90(s,1H),7.15(s,1H),6.90(t,J＝8.0Hz,1H),4.08-4.21(m,4H),3.84(s,6H),3.76-3.78(m,2H),2.33(s,3H).
식 (III) 화합물 H 결정형의 제조
100 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 아세톤을 첨가하며, 천천히 메탄술폰산(26mg, 1.1eq)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (III) 화합물 H 결정형을 획득한다.
식 (III) 화합물 I 결정형의 제조
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 초산 에틸을 첨가하며, 천천히 메탄술폰산(13mg, 1.1eq)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (III) 화합물 I 결정형을 획득한다.
식 (IV) 화합물 J 결정형의 제조
Figure pct00031
100 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 에탄올을 첨가하며, 천천히 p-메탄술폰산(50mg, 1.1eq)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (IV) 화합물 J 결정형을 획득한다.
1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ11.91(s,1H),8.57(s,1H),8.40(s,1H),8.24(s,1H),7.95(s,1H),7.49-7.47(m,2H),7.21(s,1H),7.13-7.11(m,1H),6.90(t,J＝8.0Hz,1H),4.22-4.11(m,4H),3.85(s,6H),3.81-3.78(m,2H),2.29(s,3H).
식 (IV) 화합물 K 결정형의 제조
100 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 아세톤을 첨가하며, 천천히 p-메탄술폰산(50mg, 1.1eq)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (IV) 화합물 K 결정형을 획득한다.
식 (IV) 화합물 L 결정형의 제조
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 4.0mL의 초산 에틸을 첨가하며, 천천히 p-메탄술폰산(25mg, 1.1eq)을 첨가하고, 반응액을 15℃에서 48 시간 교반한다. 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (IV) 화합물 L 결정형을 획득한다.
식 (I) 화합물 N 결정형의 제조
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 2.0mL의 아세톤을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기(15℃)에 넣고 16 시간 교반하며, 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (I) 화합물 N 결정형을 획득한다.
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 2.0mL의 테트라히드로푸란을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기(15℃)에 넣고 16 시간 교반하며, 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (I) 화합물 N 결정형을 획득한다.
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 2.0mL의 에탄올을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기(15℃)에 넣고 16 시간 교반하며, 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (I) 화합물 N 결정형을 획득한다.
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 2.0mL의 초산 에틸을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기(15℃)에 넣고 16 시간 교반하며, 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (I) 화합물 N 결정형을 획득한다.
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 2.0mL의 에탄올/물(v/v, 1/1)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기(15℃)에 넣고 16 시간 교반하며, 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (I) 화합물 N 결정형을 획득한다.
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 2.0mL의 아세톤/물(v/v, 1/1)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기(15℃)에 넣고 16 시간 교반하며, 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (I) 화합물 N 결정형을 획득한다.
식 (I) 화합물 O 결정형의 제조
50 밀리그램 식 (I) 화합물의 M 결정형을 달아 유리 플라스크에 넣고, 2.0mL의 테트라히드로푸란/물(v/v, 1/1)을 첨가하여 현탁액을 획득한다. 현탁액을 자력 교반기(15℃)에 넣고 16 시간 교반하며, 반응액을 여과하고, 필터 케이크를 감압 건조시켜(40℃), 식 (I) 화합물 O 결정형을 획득한다.
실시예 3:
식 (II) 화합물 A 결정형의 흡습성 연구
실험 재료:
SMS DVS Intrinsic 동적 증기 흡착기
실험방법:
식 (II) 화합물 A 결정형 10 ~ 30mg을 취하여 DVS 샘플 디스크에 놓고 테스트를 진행한다.
실험 결과:
식 (II) 화합물 A 결정형의 DVS 패턴은 도23에 도시된 바와 같고, △W＝0.3710％이다.
실험 결론:
식 (II) 화합물 A 결정형의 25℃와 80％ RH 하의 흡습 중량 증가는 0.3710％이고, 약간 흡습성이 있다.
식 (III) 화합물 G 결정형의 흡습성 연구
실험 재료:
SMS DVS Intrinsic 동적 증기 흡착기
실험방법:
식 (III) 화합물 G 결정형 10 ~ 30mg을 취하여 DVS 샘플 디스크에 놓고 테스트를 진행한다.
실험 결과:
식 (III) 화합물 G 결정형의 DVS 패턴은 도24에 도시된 바와 같고, △W＝3.829％이다.
실험 결론:
식 (III) 화합물 G 결정형의 25℃와 80％ RH 하의 흡습 중량 증가는 3.928％이고, 흡습성이 있다.
식 (IV) 화합물 J 결정형의 흡습성 연구
실험 재료:
SMS DVS Intrinsic 동적 증기 흡착기
실험방법:
식 (IV) 화합물 J 결정형 10 ~ 30mg을 취하여 DVS 샘플 디스크에 놓고 테스트를 진행한다.
실험 결과:
식 (IV) 화합물 J 결정형의 DVS 패턴은 도25에 도시된 바와 같고, △W＝6.077％이다.
실험 결론:
식 (IV) 화합물 J 결정형의 25℃와 80％ RH 하의 흡습 중량 증가는 6.077％이고, 흡습성이 있다.
요약하면, DVS 데이터에 의하면, 염산염 흡습성이 가장 작다.
실시예 4: 식 (II) 화합물 A 결정형의 서로 다른 pH 중의 용해도 실험
식 (II) 화합물 A 결정형의 4 개의 서로 다른 pH 매질 중의 용해도를 테스트한다. 약 10mg의 식 (II) 화합물 A 결정형을 취하고, 그 후 각각 5.0mL의 서로 다른 매질에 넣고(물, SGF, FaSSIF, FeSSIF), 현탁핵으로 혼합한다. 자자를 상기 현탁액에 첨가하고, 자력 교반기에 넣고 교반을 진행한다. 2 시간 교반하고, 4 시간 후 샘플을 취하여 원심 분리하며, 상층 샘플을 HPLC를 사용하여 농도를 측정하고 pH를 측정한다. 실험 결과는 표16에 표시된 바와 같다.
Figure pct00032
·FaSSIF: 1.0.042g 수산화나트륨, 0.3438g 인산이수소나트륨과 0.6186g 염화나트륨을 달아 90mL 정제수를 첨가하여 균일하게 혼합하고, 1N 염산 또는 1N 수산화나트륨을 이용하여 pH＝6.5로 조정하고 정제수로 100mL로 용해시키며; 2. 50mL의 상기 완충액을 취하고 0.224g의 FaSSIF/FeSSIF/FaSSGF의 시중에 판매하는 분말을 추가하여, 용해될 때까지 교반하고, 정제수로 100mL로 용해시킨다. 조제된 완충액을 실온에 놓고, 2 시간 정치시킨 후 완충액을 관찰하여 옅은 유백색이면 사용할 수 있다. (인체 식사 전 장액 시뮬레이션)
·FeSSIF: 1.0.404g 수산화나트륨, 0.865g 빙초산과 1.1874g 염화나트륨을 달아 90mL 정제수를 첨가하여 균일하게 혼합하고, 1N 염산 또는 1N 수산화나트륨을 이용하여 pH＝5.0로 조정하고 정제수로 100mL로 용해시키며; 2. 50mL의 상기 완충액을 취하고 1.12g의 FaSSIF/FeSSIF/FaSSGF의 시중에 판매하는 분말을 추가하여, 용해될 때까지 교반하고, 정제수로 100mL로 용해시킨다. 조제된 완충액을 실온에 놓고, 2 시간 정치시킨 후 완충액을 관찰하여 투명 액체이면 사용할 수 있다. (인체 식사 후 소장 내 장액 시뮬레이션)
·FaSSGF(SGF): 1. 0.2g 염화나트륨을 달아 90mL 정제수를 첨가하여 균일하게 혼합한 후, 1N 염산을 이용하여 pH＝1.8로 조정하고 정제수로 100mL 일정 부피로 만들며 실온에 정치시킨다. (인체 식사 전 위액 시뮬레이션)
결론: 식 (II) 화합물 A 결정형의 생물 매질 중 용해도 데이터에 의하면, 액체상에서 용해되기 어려우며; 인체 식사 후 소장 내 장액 시뮬레이션과 인체 식사 전 위액 시뮬레이션에서 모두 용해도가 괜찮으며; 식사 전 장액 시뮬레이션에서는 용해되기 어렵다.
실시예 5: 식 (II) 화합물 A 결정형 고체 안정성 시험
실험 방법: 식 (II) 화합물 A 결정형 샘플 12개를 달아 취하는 바, 각각 약 1g이고, 각 샘플을 각각 이중층 LDPE 백에 담으며, 각 층의 LDPE 백을 각각 아구리를 밀봉시키고, 다시 LDPE 백을 알루미늄박 백에 넣고, 각각 60℃/75％ RH，92.5％ RH와 40℃/75％ RH 조건에 놓고 장기 가속을 관찰하며, 광 안정성 실험은 중국약전과 ICH Q1B의 요구를 준수하며; 광조사 샘플은 각각 가시광과 자외선광 하에서 조사한다.
실험 결과는 표 17에 표시된 바와 같다.
Figure pct00033
결론: 가속 조건과 영향 요소 조건 하에서, 식 (II) 화합물 A 결정형은 아주 안정적이고, 선명한 미지의 불순물이 생성되지 않았다.
실시예 6: 식 (II) 화합물 A 결정형과 B 결정형의 안정 시험
35 그램 식 (II) 화합물 B 결정형을 달아, 이를 에탄올에 넣고 16 시간 교반하며, XRPD에 의하면 식 (II) 화합물 B 결정형은 식 (II) 화합물 A 결정형으로 전환될 수 있기 때문에, 식 (II) 화합물 A 결정형은 식 (II) 화합물 B 결정형에 비하여 더욱 안정적이다.
실험예 1: 본 발명의 화합물의 체외 효소 활성 테스트
33P 동위 원소 표시 키나아제 활성 테스트(Reaction Biology Corp)를 이용하여 IC50 값을 측정하는 것을 통하여 시험 화합물의 인간 FGFR1, FGFR4, c-Met에 대한 억제 능력을 평가한다.
완충 조건: 20mM Hepes(pH 7.5), 10mM MgCl2, 1mM EGTA, 0.02％ Brij35, 0.02mg/ml BSA, 0.1mM Na3VO4, 2mM DTT, 1％DMSO.
시험 단계: 실온 하에서, 시험 화합물을 DMSO에 용해시켜 10mM 용액으로 조제하여 사용을 위하여 준비한다. 기질을 새로 조제한 완충액에 용해시키고, 거기에 테스트를 위한 키나아제를 첨가하여 균일하게 혼합한다. 음성학 기술(Echo 550)을 이용하여 시험 화합물이 용해된 DMSO 용액을 상기 균일하게 혼합한 반응액에 첨가한다. 반응액 중 화합물 농도는 1μM, 0.25μM, 0.156μM, 3.91nM, 0.977nM, 0.244nM, 0.061nM, 0.0153nM, 0.00381nM 또는 10μM, 2.50μM, 0.62μM, 0.156μM, 39.1nM, 9.8nM, 2.4nM, 0.61nM, 0.15nM, 0.038nM이다. 15분 동안 부화한 후, 33P-ATP(활성도 0.01μCi/μL, 상응한 농도는 표18에 표시)를 첨가하고 반응을 시작한다. FGFR1, FGFR4, c-Met와 그 기질의 공급 업체 화물 번호, 로트 번호 및 반응액 중의 농도 정보는 표18에 표시되었다. 반응은 실온 하에서 120분 동안 진행한 후, 반응액을 P81 이온 교환 여과지(Whatman#3698-915) 상에 떨군다. 0.75％ 인산 용액으로 반복하여 여과지를 세척한 후, 여과지 상에 잔류하는 인산화 기질의 방사성을 측정한다. 키나아제 활성 데이터는 시험 화합물을 함유하는 키나아제 활성과 공백 그룹(단지 DMSO만 함유)의 키나아제 활성의 대조를 이용하여 표시하고, Prism4 소프트웨어(GraphPad)를 통하여 곡선 정합을 진행하여 IC50 값을 획득하며, 실험 결과는 표 19에 표시된 바와 같다.
Figure pct00034
Figure pct00035
주: IC50 단위는 nM
결론: 대조예와 비하여, 식 (II) 화합물 A 결정형의 FGFR1과 FGFR4에서의 활성은 모두 크게 향상되었고, 아울러 여전히 우수한 c-Met 활성을 유지하는 바, 이는 예기치 못한 것이다. 본 발명의 화합물은 c-Met와 FGFR 이중 키나아제 단백질 구조 분석에 기반하여, 동시에 c-Met와 FGFR을 억제하는 고활성 소분자 모핵을 찾아내었다. 이 이중 타겟의 억제제에서, FGFR 타겟과 c-Met 타겟 사이는 협동적으로 상호 보완할 수 있고, FGFR 돌연변이는 상대방이 억제될 때 쉽게 신호 보상 역할을 발휘하여, 종양 세포가 단일 억제제에 대하여 약물 내성을 갖게 하며, 이러한 유형의 이중 타겟의 억제는 종양 세포 의존성을 감소시키는 탈출이 잠재하여, 종양 치료 효과를 크게 향상시킨다.
실험예 2: 본 발명의 화합물의 약물 동력학 평가
실험 과정:
정맥 약물 투여의 제제는 30％(v/v) PEG400 정제수 용액을 용매로 한다. 적당량의 화합물을 정확하게 달아 유리병에 넣고, 교반하면서 천천히 30％ 최종 체적의 PEG400을 용기에 첨가하며, 나머지 70％의 정제수를 최종 체적으로 부피 고정시키고 맑은 용액을 획득할 때까지 부단히 교반하며, 0.22μM의 여과막으로 여과하고, 실온에 보존하여 사용을 위하여 준비한다. 정맥 약물 투여 제제는 약물 투여 당일에 조제하고, 꼬리 정맥 주사를 통하여 수컷 SD 쥐 체내로 주입하며(약물 투여 전 밤을 지내며 금식), 약물 투여량은 0.5mg/kg이다. 정맥 약물 투여 후 0.0833, 0.25, 0.5, 1.0, 2.0, 4.0, 8.0과 24h 후 목 정맥 또는 꼬리 정맥으로부터 약 0.18mL 채혈한다. 대응되는 용매 중의 시험 화합물을 위내 투약으로 수컷 SD 쥐에게 투여하며(약물 투여 전 밤을 지내며 금식), 약물 투여량은 5mg/kg이다. 상세한 실험 조건은 표20을 참조할 수 있다. 경구 약물 투여 후 0.0833, 0.25, 0.5, 1.0, 2.0, 4.0, 6.0, 8.0과 24h 후 목 정맥 또는 꼬리 정맥으로부터 채혈한다. EDTA-K2를 첨가한 항응고관에 넣고 혈장을 원심 분리한다. LC-MS/MS법으로 혈액 농도를 측정하고, WinNonlin　TM　Version 6.3(Pharsight, Mountain View, CA) 약물 동력학 소프트웨어를 사용하여, 비구획 선형 대수 제형법으로 관련 약학 동력학 파라미터를 계산한다.
Figure pct00036
Figure pct00037
주: "/"는 측정하지 않은 것을 표시; 혈장 제거율(Cl), 안정적 분포 용적(Vdss), 제거 반감기(T1/2), 0부터 마지막 하나의 정량가능 시점 혈장 농도 곡선 아래 면적(AUC0-last), 피크 농도(Cmax), 피크 시간(Tmax).
결론: 정맥 약물 투여를 하면, 식 (II) 화합물 A 결정형은 중간보다 낮은 제거율, 높은 분포의 용적, 중등의 반감기, 높은 약물 노출량을 나타낸다. 경구 약물 투여를 하면, 식 (II) 화합물 A 결정형은 빠른 피크 도달, 높은 경구 투여 노출량을 나타내고, 노출량이 식(III) 화합물 G 결정형, 식 (III) 화합물 J 결정형보다 높다.
실험예 3: 본 발명의 화합물의 체내 약효 평가
대수 성장기 SNU-16 세포를 취하고, 카운트 후 재차 50％ PBS(pH7.4, 0.01M) 및 50％ Matrigel에 현탁시키고, 세포 농도를4Х107 세포/mL로 조정하며; 세포를 아이스 박스에 넣고, 1mL 주사기로 세포 현탁액을 흡취하여, 누드 마우스 앞 우측 겨드랑이 피하로 주사하는 바, 한 마리 당 200μL(8×106 세포/마리) 주사하여, SNU-16 이식 종양 모델을 구축한다. 정기적으로 동물 상태를 관찰하고, 전자 노기스로 종양 직경을 측정하며, 데이터를 Excel 전자 테이블에 기입하여 종양 체적을 산출하며, 종양 성장 상황을 모니터링한다. 종양 체적이 100 ~ 300mm3에 달하면, 건강 상태가 양호하고 종양 체적인 근접한 종양이 있는 쥐 35 마리(종양 체적 112 ~ 182mm3)를 선택하여, 무작위 그룹핑을 통하여 5 그룹(n＝7)으로 나누는 바, 각 그룹 평균 종양 체적은 약 150mm3이다. 실험 시작 후 매주 2회 종양 직경을 측정하고, 종양 체적을 계산하며, 아울러 동물 체중을 달고 기록한다.
종양 성장 억제(TGI) 분석, 종양의 진화 성장 추세는 종양 체적과 시간의 관계를 통하여 평가를 진행한다. 피하 종양의 장축(L)과 단축(W)은 캘리퍼를 통하여 매주 2회 측정하고, 종양의 체적(TV)은 공식 ((L×W2)/2)을 통하여 계산한다. TGI는 용제 그룹 마우스 종양 체적의 중간값과 약물 그룹 마우스 종양 체적 중간값의 차이값을 통하여 계산하고, 용제 대조 그룹 종양 체적 중간값의 백분율로 표시한다.
하기 공식을 통하여 계산을 진행한다.
％TGI＝((중간 종양 체적(대조) - 중간 종양 체적(약물 투여 그룹))/중간 종양 체적(대조 그룹))×100％
시험 데이터는 SPSS 19.0를 사용하여 계산과 관련 통계학 처리를 진행한다. 특별한 설명이 있는 외, 데이터는 평균수 ± 표준 오차(Mean±SE)로 표시하고, 두 그룹 사이의 비교는 T-test를 사용하여 분석을 진행한다. P<0.05는 현저한 차이가 존재한다는 것을 표시한다. 단독 용제 30％ PEG400(70％ 탈이온수 포함, v/v)는 음성 대조 그룹이다. 실험 결과는 표22에 표시된 바와 같다.
Figure pct00038
주: BID: 1일 1회, TGI％: 종양 성장 억제율
결론: 식 (II) 화합물 A 결정형은 종양 모델 SNU-16에서 우수한 종양 억제 효과를 나타낸다.

Claims (30)

  1. 식 (II) 화합물의 A 결정형에 있어서, 이의 분말 X선 회절 패턴은 5.40°±0.20°, 11.99°±0.20°, 14.77°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
    Figure pct00039
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 5.40±0.20°, 10.77±0.20°, 11.99±0.20°, 14.77±0.20°, 21.55±0.20°, 23.25±0.20°, 24.14±0.20°, 27.69±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 5.402°, 8.949°, 10.766°, 11.989°, 13.186°, 14.766°, 16.090°, 16.779°, 19.721°, 21.554°, 23.251°, 23.685°, 24.138°, 25.224°, 27.690°, 28.670°, 29.287°, 31.378°, 33.941°, 38.046°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절을 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
  4. 제3항에 있어서,
    XRPD 패턴이 도 1에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    시차 주사 열량 곡선은 220.0±3.0℃에서 하나의 흡열 피크의 시작점을 가지는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
  6. 제5항에 있어서,
    DSC 패턴이 도 2에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    열 중량 분석 곡선은 150.0℃±3.0℃일 때 중량 감소가 1.04％에 달하는 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
  8. 제7항에 있어서,
    TGA 패턴이 도 3에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (II) 화합물의 A 결정형.
  9. 식 (III) 화합물.
    Figure pct00040
  10. 식 (III) 화합물의 G 결정형에 있어서,
    이의 분말 X선 회절 패턴은 6.86°±0.20°, 7.53°±0.20°, 15.46°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 6.86±0.20°, 7.53±0.20°, 9.21±0.20°, 9.80±0.20°, 10.70±0.20°, 13.06±0.20°, 15.46±0.20°, 20.53±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 6.859°, 7.532°, 9.211°, 9.799°, 10.704°, 13.057°, 13.525°, 14.847°, 15.029°, 15.461°, 17.473°, 18.656°, 19.382°, 19.585°, 20.235°, 20.528°, 20.805°, 21.158°, 21.420°, 22.109°, 22.604°, 23.368°, 23.663°, 24.058°, 24.356°, 25.203°, 26.822°, 27.157°, 27.571°, 28.601°, 28.970°, 29.583°, 30.223°, 32.483°, 34.552°, 34.748°, 35.268°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절을 가지는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  13. 제12항에 있어서,
    XRPD 패턴이 도 9에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    시차 주사 열량 곡선은 47.3±3.0℃, 86.8±3.0℃와 145.2±3.0℃의 위치에서 각각 하나의 흡열 피크의 시작점을 가지는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  15. 제14항에 있어서,
    DSC 패턴이 도 10에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  16. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    열 중량 분석 곡선은 120.0℃±3.0℃일 때 중량 감소가 3.30％에 달하는 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  17. 제16항에 있어서,
    TGA 패턴이 도 11에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (III) 화합물의 G 결정형.
  18. 식 (IV) 화합물.
    Figure pct00041
  19. 식 (IV) 화합물의 J 결정형에 있어서,
    이의 분말 X선 회절 패턴은 4.59°±0.20°, 7.02°±0.20°, 18.05°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 J 결정형.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 4.59±0.20°, 7.02±0.20°, 10.13±0.20°, 14.06±0.20°, 18.05±0.20°, 19.82±0.20°, 22.56±0.20°, 27.04±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 J 결정형.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 4.592°, 6.094°, 7.018°, 9.383°, 10.132°, 11.535°, 12.241°, 14.059°, 18.046°, 19.819°, 21.435°, 22.561°, 23.764°, 24.117°, 26.489°, 27.035°, 28.732°, 36.524°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 J 결정형.
  22. 제21항에 있어서,
    XRPD 패턴이 도 14에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 J 결정형.
  23. 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    열 중량 분석 곡선은 120.0℃±3.0℃일 때 중량 감소가 4.97％에 달하는 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 J 결정형.
  24. 제23항에 있어서,
    TGA 패턴이 도 15에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (IV) 화합물의 J 결정형.
  25. 식 (I) 화합물의 N 결정형에 있어서,
    이의 분말 X선 회절 패턴은 12.64°±0.20°, 17.10°±0.20°, 20.92°±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (I) 화합물의 N 결정형.
    Figure pct00042
  26. 제25항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 11.02±0.20°, 12.64±0.20°, 17.10±0.20°, 18.22±0.20°, 20.92±0.20°, 21.73±0.20°, 24.63±0.20°, 26.65±0.20°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (I) 화합물의 N 결정형.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 분말 X선 회절 패턴은 9.111°, 11.022°, 12.642°, 13.289°, 15.934°, 16.626°, 17.096°, 18.221°, 18.753°, 19.876°, 20.234°, 20.922°, 21.733°, 22.659°, 22.972°, 24.631°, 25.416°, 25.776°, 26.646°, 27.454°, 28.103°, 28.360°, 28.835°, 29.561°, 32.683°, 34.041°, 35.459°, 36.959°, 37.886°의 2θ 각 위치에서 특징적 회절 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 식 (I) 화합물의 N 결정형.
  28. 제27항에 있어서,
    XRPD 패턴이 도 21에 도시된 바와 같은 것을 특징으로 하는 식 (I) 화합물의 N 결정형.
  29. 제9항 또는 제18항에 따른 상기 화합물, 또는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 A 결정형, 또는 제10항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 G 결정형, 또는 제19항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따른 J 결정형, 또는 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 따른 N 결정형의 FGFR과 c-Met 관련 질환을 치료하는 약물 제조 중의 응용.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 약물은 실체 종양을 치료하기 위한 약물인 것을 특징으로 하는 응용.
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