KR20220124312A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220124312A
KR20220124312A KR1020210027354A KR20210027354A KR20220124312A KR 20220124312 A KR20220124312 A KR 20220124312A KR 1020210027354 A KR1020210027354 A KR 1020210027354A KR 20210027354 A KR20210027354 A KR 20210027354A KR 20220124312 A KR20220124312 A KR 20220124312A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
light emitting
light
layer
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020210027354A
Other languages
English (en)
Inventor
이정헌
최시영
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210027354A priority Critical patent/KR20220124312A/ko
Priority to US17/523,410 priority patent/US20220285457A1/en
Priority to CN202210097194.6A priority patent/CN115000127A/zh
Publication of KR20220124312A publication Critical patent/KR20220124312A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H01L27/326—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
    • A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
    • A61L2/08—Radiation
    • H01L27/3211—
    • H01L27/322—
    • H01L51/5004—
    • H01L51/5036—
    • H01L51/5221—
    • H01L51/525—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H01L2251/558—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Abstract

본 개시는 표시 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 의한 표시 장치는 기판, 및 상기 기판 위에 위치하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 제3 발광 소자 및 제4 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 및 상기 제3 발광 소자는 가시광선의 광을 방출하고, 상기 제4 발광 소자는 가시광선 이외의 파장의 광을 방출하고, 상기 제4 발광 소자의 발광 영역의 크기는 평면상에서 상기 제1 내지 제3 발광 소자의 발광 영역의 크기에 비해 작다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 화면을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다. 이러한 표시 장치는 휴대 전화, 네비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기, 또는 각종 단말기 등과 같이 다양한 전자 기기들에 사용되고 있다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성한다. 여기자가 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 변하면서 에너지를 방출하여 발광한다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수의 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터(Capacitor)가 형성되어 있다. 복수의 화소는 서로 다른 색을 표시하는 화소들을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소를 포함할 수 있다.
실시예들은 가시광선 파장 이외에 다른 파장의 광을 방출하는 화소를 더 포함함으로써, 영상을 표시하는 기능 이외에 다른 추가적인 기능을 가지는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 추가되는 화소가 다른 화소에 미치는 영향을 최소화할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 기판, 및 상기 기판 위에 위치하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 제3 발광 소자 및 제4 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 및 상기 제3 발광 소자는 가시광선의 광을 방출하고, 상기 제4 발광 소자는 가시광선 이외의 파장의 광을 방출하고, 상기 제4 발광 소자의 발광 영역의 크기는 평면상에서 상기 제1 내지 제3 발광 소자의 발광 영역의 크기에 비해 작다.
상기 제4 발광 소자는 자외선 또는 적외선의 광을 방출할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 제1 발광 소자가 위치하는 제1 화소, 상기 제2 발광 소자가 위치하는 제2 화소, 상기 제3 발광 소자가 위치하는 제3 화소, 및 상기 제4 발광 소자가 위치하는 제4 화소를 더 포함하고, 상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소, 및 상기 제4 화소가 하나의 화소 그룹을 구성할 수 있다.
상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소는 직사각형으로 이루어지고, 상기 제2 화소 및 상기 제4 화소는 상기 제1 화소와 상기 제3 화소 사이에 위치할 수 있다.
상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소의 행 방향의 폭은 동일하고, 상기 제4 화소의 열 방향의 길이는 상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 및 상기 제3 화소의 열 방향의 길이보다 짧을 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 제1 발광 소자가 위치하는 제1 화소, 상기 제2 발광 소자가 위치하는 제2 화소, 상기 제3 발광 소자가 위치하는 제3 화소, 및 상기 제4 발광 소자가 위치하는 제4 화소를 더 포함하고, 1개의 상기 제1 화소, 2개의 상기 제2 화소, 1개의 상기 제3 화소, 및 2개의 상기 제4 화소가 하나의 화소 그룹을 구성할 수 있다.
상기 화소 그룹은 다이아몬드 형상으로 이루어지고,상기 제1 화소 및 상기 제3 화소는 다이아몬드 형상으로 이루어지고, 상기 제2 화소 및 상기 제4 화소는 직사각형으로 이루어질 수 있다.
상기 화소 그룹의 좌측부에 상기 제1 화소가 위치하고, 상기 화소 그룹의 우측부에 상기 제3 화소가 위치하고, 상기 화소 그룹의 상측부에 상기 제2 화소 및 상기 제4 화소가 위치하고, 상기 화소 그룹의 하측부에 상기 제2 화소 및 상기 제4 화소가 위치할 수 있다.
상기 제1 발광 소자는 상기 기판 위에 위치하는 제1 화소 전극, 및 상기 제1 화소 전극 위에 위치하고, 제1 색의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제1 발광층을 포함하고, 상기 제2 발광 소자는 상기 기판 위에 위치하는 제2 화소 전극, 및 상기 제2 화소 전극 위에 위치하고, 제2 색의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제2 발광층을 포함하고, 상기 제3 발광 소자는 상기 기판 위에 위치하는 제3 화소 전극, 및 상기 제3 화소 전극 위에 위치하고, 제3 색의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제3 발광층을 포함하고, 상기 제4 발광 소자는 상기 기판 위에 위치하는 제4 화소 전극, 및 상기 제4 화소 전극 위에 위치하고, 자외선의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제4 발광층을 포함할 수 있다.
상기 제4 발광층과 상기 제1 내지 제3 발광층 사이의 거리는 상기 제1 내지 제3 발광층들 사이의 거리보다 멀게 배치될 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 제1 화소 전극과 중첩하는 제1 화소 개구부, 상기 제2 화소 전극과 중첩하는 제2 화소 개구부, 상기 제3 화소 전극과 중첩하는 제3 화소 개구부, 상기 제4 화소 전극과 중첩하는 제4 화소 개구부를 포함하는 격벽을 더 포함하고,상기 제1 발광층은 상기 제1 화소 개구부 내에 위치하고, 상기 제2 발광층은 상기 제2 화소 개구부 내에 위치하고, 상기 제3 발광층은 상기 제3 화소 개구부 내에 위치하고, 상기 제4 발광층은 상기 제4 화소 개구부 내에 위치할 수 있다.
상기 제4 발광층을 둘러싸는 격벽의 폭은 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 위치하는 격벽의 폭보다 크고, 상기 제4 발광층을 둘러싸는 격벽의 폭은 상기 제2 발광층과 상기 제3 발광층 사이에 위치하는 격벽의 폭보다 클 수 있다.
상기 제4 화소 개구부의 폭은 상기 제1 내지 제3 화소 개구부의 폭보다 좁을 수 있다.
상기 제4 발광층의 폭은 상기 제1 내지 제3 발광층의 폭보다 좁을 수 있다.
상기 제4 발광층의 두께는 상기 제1 내지 제3 발광층의 두께보다 얇을 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층, 상기 제3 발광층 및 상기 제4 발광층 위에 위치하고, 일체로 이루어져 있는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 기판은 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함하고, 상기 제4 발광 소자는 상기 제1 표시 영역에 위치하지 않고, 상기 제2 표시 영역에 위치할 수 있다.
상기 제1 표시 영역에는 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자가 위치하고, 상기 제2 표시 영역에는 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 제4 발광 소자가 위치할 수 있다.
상기 기판은 복수의 제2 표시 영역을 포함하고, 상기 복수의 제2 표시 영역은 일정한 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다.
상기 기판은 복수의 제2 표시 영역을 포함하고, 상기 복수의 제2 표시 영역은 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다.
실시예들에 따르면, 표시 장치가 가시광선 파장 이외에 다른 파장의 광을 방출하는 화소를 더 포함함으로써, 영상을 표시하는 기능 이외에 살균 등의 다른 추가적인 기능을 가질 수 있다.
또한, 추가되는 화소가 다른 화소에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 의한 표시 장치의 평면도이다.
도 5는 일 실시예에 의한 표시 장치의 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 일 실시예에 의한 표시 장치의 다양한 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 기판(110) 및 기판(110) 위에 위치하는 복수의 화소(PX)를 포함한다.
기판(110)은 리지드(rigid)한 물질로 이루어지거나 가요성 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)은 다양한 형태로 변화될 수 있다. 기판(110)은 플렉서블(flexible)하거나, 스트렛쳐블(stretchable)하거나, 폴더블(foldable)하거나, 벤더블(bendable)하거나, 롤러블(rollable)할 수 있다.
기판(110)은 평면상에서 대략 장변 및 단변을 포함하는 직사각형으로 이루어질 수 있고, 코너부가 모따기되어 곡면을 가지는 형상으로 이루어질 수 있다. 다만, 이러한 기판(110)의 형상은 하나의 예시에 불과하며 다양한 형상으로 변경될 수 있다. 기판(110)은 표시 영역과 주변 영역을 포함할 수 있으며, 예를 들면 주변 영역이 표시 영역을 둘러싸는 형태로 이루어질 수 있다.
복수의 화소(PX)는 기판(110)의 표시 영역에 위치할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 행렬로 배치될 수 있으며, 복수의 화소(PX) 중 적어도 일부는 영상 신호를 입력 받아 이에 따라 영상을 표시할 수 있다. 이때, 복수의 화소(PX)의 배치 형태는 다양하게 변경될 수 있다. 도시는 생략하였으나 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 신호선을 더 포함할 수 있다. 신호선은 복수의 스캔선, 복수의 발광 제어선, 복수의 데이터선, 복수의 구동 전압선 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 신호선은 각각 스캔 신호, 발광 제어 신호, 데이터 신호, 구동 전압 등을 전달할 수 있다. 복수의 신호선은 행 방향 또는 열 방향으로 서로 교차하도록 위치할 수 있다. 또한, 각 화소(PX)는 복수의 신호선에 연결되어 있는 복수의 트랜지스터, 커패시터, 그리고 적어도 하나의 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있다. 즉, 일 실시예에 의한 표시 장치는 유기 발광 표시 장치로 이루어질 수 있다. 다만, 표시 장치의 종류는 이에 한정되지 않으며, 다양한 종류의 표시 장치로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 표시 장치는 액정 표시 장치, 양자점 표시 장치, 마이크로 LED 표시 장치 등으로 이루어질 수도 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치의 복수의 화소에 대해 설명한다.
도 2는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)를 포함한다. 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)는 제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXuv)를 포함할 수 있다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에는 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)가 위치할 수 있다. 제1 화소(PXr)에는 제1 발광 소자(EDr)가 위치하고, 제2 화소(PXg)에는 제2 발광 소자(EDg)가 위치하며, 제3 화소(PXb)에는 제3 발광 소자(EDb)가 위치하고, 제4 화소(PXuv)에는 제4 발광 소자(EDuv)가 위치할 수 있다. 제1 내지 제4 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)는 각각 서로 다른 파장의 광을 방출할 수 있다.
제1 발광 소자(EDr), 제2 발광 소자(EDg) 및 제3 발광 소자(EDb)는 가시광선의 광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 제1 발광 소자(EDr)는 적색 광을 방출할 수 있고, 제1 화소(PXr)는 적색 화소일 수 있다. 제2 발광 소자(EDg)는 녹색 광을 방출할 수 있고, 제2 화소(PXg)는 녹색 화소일 수 있다. 제3 발광 소자(EDb)는 청색 광을 방출할 수 있고, 제3 화소(PXb)는 청색 화소일 수 있다. 다만 이는 하나의 예시에 불과하며, 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)에서 방출되는 광의 색은 다양하게 변경될 수 있다. 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)로부터 나오는 광의 조합을 통해 영상을 표시할 수 있다. 제4 발광 소자(EDuv)는 자외선의 광을 방출할 수 있다. 제4 화소(PXuv)에서 나오는 자외선 광을 이용하여 살균을 할 수 있다. 표시 장치에서 영상이 표시되는 면은 외부로부터 오염이 발생할 수 있다. 예를 들면, 표시 장치가 휴대 전화에 적용되는 경우 휴대 전화의 표시면을 터치하고, 전화를 받으면서 표시 면이 얼굴에 닿게 되는 등의 과정에서 표시 장치의 상부면이 오염될 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 제4 화소(PXuv)를 구동함으로써, 오염된 표시 장치의 상부면을 살균할 수 있다. 뿐만 아니라, 마스크, 유아용품 등과 같이 일상 생활에서 사용되는 다양한 물품들을 표시 장치의 상부면에 대응시키고, 제4 화소(PXuv)를 구동하여 자외선을 방출시킴으로써, 살균의 효과를 얻을 수 있다. 외출 시에 별도의 자외선 살균 기구를 휴대하지 않더라도 휴대 전화를 이용하여 간편하게 다양한 물품들을 살균할 수 있다.
제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)는 동시에 구동될 수 있다. 제4 화소(PXuv)는 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)와 동시에 또는 별도로 구동될 수 있다. 즉, 제4 화소(PXuv)는 선택적으로 구동할 수 있다. 예를 들면, 표시 장치가 영상을 표시하는 동안에도 살균 기능을 실행하고자 하는 경우 제1 내지 제4 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)를 동시에 구동할 수 있다. 이때, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 자외선 광은 인체의 안구 등에 무해한 정도로 방출되도록 제어될 수 있다. 표시 장치가 영상을 표시하는 동안에는 살균 기능을 실행하지 않고자 하는 경우 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)가 구동되는 동안 제4 화소(PXuv)는 구동되지 않는다. 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 구동을 정지하여 영상을 표시하지 않고, 제4 화소(PXuv)를 구동할 수 있다. 이때, 제4 화소(PXuv)는 살균 기능을 최적화할 수 있는 정도로 구동될 수 있다. 또한, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 자외선의 세기를 표시 장치의 버튼이나 앱 등으로 조절할 수도 있다.
제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXuv)는 하나의 화소 그룹(PXGr)을 이룰 수 있으며, 복수의 화소 그룹이 반복하여 배치될 수 있다. 복수의 화소 그룹은 행 방향 및 열 방향을 따라 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 하나의 화소 그룹 내에서 제1 화소(PXr)와 제3 화소(PXb) 사이에는 제2 화소(PXg) 및 제4 화소(PXuv)가 위치할 수 있다. 다만, 이러한 제1 내지 제4 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 배치 형태는 하나의 예시에 불과하며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 제1 화소(PXr)와 제2 화소(PXg)의 위치가 서로 바뀌거나, 제1 화소(PXr)와 제3 화소(PXb)의 위치가 서로 바뀔 수 있다.
제4 화소(PXuv)의 크기는 평면상에서 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 크기에 비해 상대적으로 작을 수 있다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 크기는 각 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)의 발광 영역의 크기를 의미할 수 있다. 따라서, 제4 발광 소자(EDuv)의 발광 영역의 크기는 평면상에서 제1 내지 제3 발광 소자(EDr, EDg, EDb)의 발광 영역의 크기에 비해 작을 수 있다. 예를 들면, 제4 화소(PXuv)의 크기는 제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg) 및 제3 화소(PXb) 중 적어도 어느 하나의 1% 내지 80%의 크기를 가질 수 있다. 제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXuv)의 행 방향의 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXuv)의 열 방향의 길이는 상이할 수 있다. 제4 화소(PXuv)의 열 방향의 길이는 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 열 방향의 길이에 비해 상대적으로 짧을 수 있다.
제4 화소(PXuv)는 영상을 표시하는데 기여하지 않으므로, 제4 화소(PXuv)에 의해 표시 장치 전체의 개구율은 낮아질 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 제4 화소(PXuv)를 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)에 비해 작게 형성함으로써, 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 자외선 광에 의해 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)가 영향을 받을 수 있다. 예를 들면, 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 유기 물질층이 자외선 광에 의해 손상되거나, 수명이 짧아질 우려가 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 제4 화소(PXuv)를 상대적으로 작게 형성함으로써, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 자외선 광이 다른 화소에 미치는 영향을 줄일 수 있다. 제4 화소(PXuv)의 크기는 표시 장치의 살균력을 고려하여 적절한 크기로 선택할 수 있다. 즉, 제4 화소(PXuv)의 크기를 적절하게 설계함으로써, 살균력을 충분히 확보하면서 개구율을 향상시키고, 다른 화소에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.
이하에서는 도 3을 더욱 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치의 복수의 화소의 단면 형상에 대해 설명한다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 반도체(131), 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 트랜지스터(TFT), 게이트 절연막(120), 층간 절연막(160), 평탄화층(180), 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv), 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv), 격벽(350), 공통 전극(270) 및 봉지층(400)을 포함할 수 있다. 여기서, 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv), 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv) 및 공통 전극(270)은 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)를 구성할 수 있다.
기판(110)은 유리 등의 리지드(rigid)한 특성을 가져 휘지 않는 물질을 포함하거나 플라스틱이나 폴리이미드(Polyimid)와 같이 휘어질 수 있는 플렉서블한 물질을 포함할 수 있다. 도시는 생략하였으나, 기판(110) 위에는 기판(110)의 표면을 평탄하게 하고 불순 원소의 침투를 차단하기 위한 하부 버퍼층(미도시)이나 베리어층(미도시) 등이 더 위치할 수 있다. 이때, 기판(110) 위에 베리어층이 위치할 수 있고, 베리어층 위에 버퍼층이 위치할 수 있다. 베리어층은 무기 물질을 포함할 수 있으며, 일례로 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 베리어층(BA)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다. 버퍼층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층은 상기 물질의 단일층 혹은 다층구조일 수 있다.
반도체(131)는 기판(110) 위에 위치할 수 있다. 반도체(131)는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 반도체(131)는 저온폴리실리콘(LTPS)을 포함하거나 또는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 반도체(131)는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다. 반도체(131)는 불순물 도핑 여부에 따라 구분되는 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역은 도전체에 상응하는 도전 특성을 가질 수 있다.
게이트 절연막(120)은 반도체(131) 및 기판(110)을 덮을 수 있다. 게이트 절연막(120)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(120)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
게이트 전극(124)은 게이트 절연막(120) 위에 위치할 수 있다. 게이트 전극(124)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 게이트 전극(124)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 반도체(131) 중 평면상 게이트 전극(124)과 중첩하는 영역이 채널 영역일 수 있다.
층간 절연막(160)은 게이트 전극(124) 및 게이트 절연막(120)을 덮을 수 있다. 층간 절연막(160)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 층간 절연막(160)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 층간 절연막(160) 위에 위치할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(120)에 형성된 오프닝에 의해 반도체(131)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 연결되어 있다. 이에 따라, 전술한 반도체(131), 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 트랜지스터(TFT)를 구성한다. 제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXuv) 각각에는 적어도 하나의 트랜지스터(TFT)가 위치할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)마다 복수의 트랜지스터가 위치할 수 있다. 실시예에 따라서는 트랜지스터(TFT)가 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 대신 반도체(131)의 소스 영역 및 드레인 영역만을 포함할 수도 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따른 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 상부층, 중간층 및 하부층을 포함하는 삼중층으로 구성될 수 있으며, 상부층 및 하부층은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 중간층은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
평탄화층(180)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에 위치할 수 있다. 평탄화층(180)은 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 층간 절연막(160)을 덮을 수 있다. 평탄화층(180)은 트랜지스터(TFT)가 구비된 기판(110)의 표면을 평탄화하기 위한 것으로, 유기 절연막일 수 있으며, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)은 평탄화층(180) 위에 위치할 수 있다. 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)은 애노드 전극이라고도 하며, 투명 전도성 산화막 및 금속 물질을 포함하는 단일층 또는 이들을 포함하는 다중층으로 구성될 수 있다. 투명 전도성 산화막은 ITO(Indium Tin Oxide), 폴리(poly)-ITO, IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등을 포함할 수 있다. 금속 물질은 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)은 제1 화소(PXr)에 위치하는 제1 화소 전극(191r), 제2 화소(PXg)에 위치하는 제2 화소 전극(191g), 제3 화소(PXb)에 위치하는 제3 화소 전극(191b) 및 제4 화소(PXuv)에 위치하는 제4 화소 전극(191uv)을 포함할 수 있다.
평탄화층(180)은 드레인 전극(175)을 노출시키는 비아홀(81)(또는 오프닝이라고도 함)을 포함할 수 있다. 평탄화층(180)의 비아홀(81)을 통해 드레인 전극(175)과 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)은 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)은 드레인 전극(175)으로부터 발광층(370)으로 전달할 출력 전류를 인가 받을 수 있다.
화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv) 및 평탄화층(180) 위에는 격벽(350)이 위치할 수 있다. 격벽(350)은 화소 정의층(Pixel Defining Layer; PDL)이라고도 하며, 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)의 상면 일부가 노출되는 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv)를 포함한다. 격벽(350)은 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)의 상면에서 노출된 부분에 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)이 위치할 수 있도록, 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)의 형성 위치를 구획할 수 있다. 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv)는 제1 화소(PXr)에 위치하는 제1 화소 개구부(351r), 제2 화소(PXg)에 위치하는 제2 화소 개구부(351g), 제3 화소(PXb)에 위치하는 제3 화소 개구부(351b), 및 제4 화소(PXuv)에 위치하는 제4 화소 개구부(351uv)를 포함할 수 있다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 평면상 크기는 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv)의 크기에 의해 결정될 수 있다. 또한, 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)의 발광 영역의 크기는 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv)의 크기에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서 제4 화소 개구부(351uv)의 크기는 제1 내지 제3 화소 개구부(351r, 351g, 351b)의 크기에 비해 상대적으로 작을 수 있다. 즉, 제4 화소(PXuv)의 크기는 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 크기보다 작을 수 있다. 격벽(350)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다. 실시예에 따라 격벽(350)은 검은색 안료를 포함하는 검정 화소 정의층(Black Pixel Define Layer; BPDL)으로 형성될 수 있다.
발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 격벽(350)에 의해 구획된 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv) 내에 위치할 수 있다. 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 제1 화소 개구부(351r) 내에 위치하는 제1 발광층(370r), 제2 화소 개구부(351g) 내에 위치하는 제2 발광층(370g), 제3 화소 개구부(351b) 내에 위치하는 제3 발광층(370b), 및 제4 화소 개구부(351uv) 내에 위치하는 제4 발광층(370uv)을 포함할 수 있다. 제1 발광층(370r), 제2 발광층(370g) 및 제3 발광층(370b)은 가시광선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 발광층(370r)은 적색 광을 방출하는 유기물을 포함하고, 제2 발광층(370g)은 녹색 광을 방출하는 유기물을 포함하며, 제3 발광층(370uv)은 청색 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제4 발광층(370uv)은 자외선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 저분자 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 도 3에서 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)을 단일층으로 도시하고 있지만, 실제로는 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)의 상하에 전자 주입층, 전자 전달층, 정공 전달층, 및 정공 주입층과 같은 보조층도 포함될 수 있으며, 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)의 하부에 정공 주입층 및 정공 전달층이 위치하고, 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)의 상부에 전자 전달층 및 전자 주입층이 위치할 수 있다.
공통 전극(270)은 격벽(350) 및 발광층(370) 위에 위치할 수 있다. 공통 전극(270)은 기판(110) 위에 전체적으로 위치할 수 있다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에 위치하는 공통 전극(270)은 서로 연결되어 일체로 이루어질 수 있다. 공통 전극(270)은 캐소드 전극이라고도 하며, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등을 포함하는 투명 도전층으로 형성될 수 있다. 또한, 공통 전극(270)은 반투명 특성을 가질 수 있으며, 이 때에는 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv)과 함께 마이크로 캐비티를 구성할 수 있다. 마이크로 캐비티 구조에 의하면, 양 전극 사이의 간격 및 특성에 의하여, 특정 파장의 빛이 상부로 방출되도록 할 수 있다.
각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에서 화소 전극(191r, 191g, 191b, 191uv), 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv) 및 공통 전극(270)은 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)를 구성할 수 있다. 제1 화소(PXr)에서 제1 화소 전극(191r), 제1 발광층(370r) 및 공통 전극(270)은 제1 발광 소자(EDr)를 구성할 수 있으며, 제1 화소 개구부(351r)를 통해 적색 광을 방출할 수 있다. 제2 화소(PXg)에서 제2 화소 전극(191g), 제2 발광층(370g) 및 공통 전극(270)은 제2 발광 소자(EDg)를 구성할 수 있으며, 제2 화소 개구부(351g)를 통해 녹색 광을 방출할 수 있다. 제3 화소(PXb)에서 제3 화소 전극(191b), 제3 발광층(370b) 및 공통 전극(270)은 제3 발광 소자(EDb)를 구성할 수 있으며, 제3 화소 개구부(351b)를 통해 청색 광을 방출할 수 있다. 제4 화소(PXuv)에서 제4 화소 전극(191uv), 제4 발광층(370uv) 및 공통 전극(270)은 제4 발광 소자(EDuv)를 구성할 수 있으며, 제4 화소 개구부(351uv)를 통해 자외선 광을 방출할 수 있다. 제4 발광 소자(EDuv)의 발광 영역의 크기는 평면상에서 제1 내지 제3 발광 소자(EDr, EDg, EDb)의 발광 영역의 크기에 비해 작을 수 있다.
상기에서 제4 화소(PXuv)의 제4 발광 소자(EDuv)가 자외선 광을 방출할 수 있는 제4 발광층(370uv)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 다양한 방식으로 제4 화소(PXuv)가 자외선 광을 방출할 수 있으며, 제4 화소(PXuv)의 자외선 광을 방출하는 층은 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 가시광선의 광을 방출하는 층과 동일한 층에 위치할 수도 있고, 상이한 층에 위치할 수도 있다.
봉지층(400)은 공통 전극(270) 위에 위치할 수 있다. 봉지층(400)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 봉지층(400)은 제1 무기 봉지층(410), 유기 봉지층(420) 및 제2 무기 봉지층(430)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 봉지층(400)을 구성하는 무기막과 유기막의 수는 다양하게 변경될 수 있다. 봉지층(400)은 외부로부터 유입될 수 있는 수분이나 산소 등으로부터 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)를 보호하기 위한 것으로, 제1 무기 봉지층(410) 및 제2 무기 봉지층(430)의 일 단은 직접 접촉하도록 형성할 수 있다.
다음으로, 도 4를 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 4에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 제4 발광 소자가 적외선 광을 방출한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 4는 일 실시예에 의한 표시 장치의 평면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXir)를 포함한다. 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXir)는 제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXir)를 포함할 수 있다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXir)에는 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDir)가 위치할 수 있다.
제1 발광 소자(EDr), 제2 발광 소자(EDg) 및 제3 발광 소자(EDb)는 가시광선의 광을 방출할 수 있다. 제4 발광 소자(EDir)는 적외선의 광을 방출할 수 있다. 제4 화소(PXir)에서 나오는 적외선 광을 이용하여 야간 촬영을 하거나, 적외선 치료 등을 할 수 있다.
제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)는 동시에 구동될 수 있다. 제4 화소(PXir)는 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)와 동시에 또는 별도로 구동될 수 있다. 즉, 제4 화소(PXir)는 선택적으로 구동할 수 있다. 또한, 제4 화소(PXir)로부터 나오는 적외선의 세기를 표시 장치의 버튼이나 앱 등으로 조절할 수도 있다.
제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXir)는 하나의 화소 그룹을 이룰 수 있으며, 복수의 화소 그룹이 반복하여 배치될 수 있다.
제4 화소(PXir)의 크기는 평면상에서 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 크기에 비해 상대적으로 작을 수 있다. 따라서, 제4 발광 소자(EDir)의 발광 영역의 크기는 평면상에서 제1 내지 제3 발광 소자(EDr, EDg, EDb)의 발광 영역의 크기에 비해 작을 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 제4 화소(PXir)를 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)에 비해 작게 형성함으로써, 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 제4 화소(PXir)를 상대적으로 작게 형성함으로써, 제4 화소(PXir)로부터 나오는 적외선 광이 다른 화소에 미치는 영향을 줄일 수 있다.
제4 화소(PXir)에는 적외선의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제4 발광층이 위치할 수 있다. 제4 화소 전극, 제4 발광층 및 공통 전극이 제4 발광 소자를 구성할 수 있으며, 제4 화소 개구부를 통해 적외선 광을 방출할 수 있다. 이때, 제4 화소 개구부의 크기를 상대적으로 작게 형성함으로써, 제4 화소(PXir)의 크기를 상대적으로 작게 형성할 수 있으며, 제4 발광 소자(EDir)의 발광 영역의 크기가 상대적으로 작을 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 5에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 제1 내지 제4 화소의 평면상 배치 형태가 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 5는 일 실시예에 의한 표시 장치의 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)를 포함한다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에는 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)가 위치할 수 있다. 제1 내지 제4 발광 소자(EDr, EDg, EDb, EDuv)는 각각 서로 다른 파장의 광을 방출할 수 있다. 제1 발광 소자(EDr), 제2 발광 소자(EDg) 및 제3 발광 소자(EDb)는 적색, 녹색, 청색 등과 같은 가시광선의 광을 방출할 수 있다. 제4 발광 소자(EDuv)는 가시광선 이외의 파장의 광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 제4 발광 소자(EDuv)는 자외선의 광을 방출할 수 있다.
제1 화소(PXr), 제2 화소(PXg), 제3 화소(PXb) 및 제4 화소(PXuv)는 하나의 화소 그룹(PXGr)을 이룰 수 있으며, 복수의 화소 그룹이 반복하여 배치될 수 있다. 복수의 화소 그룹은 행 방향 및 열 방향을 따라 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 하나의 화소 그룹 내에는 1개의 제1 화소(PXr), 2개의 제2 화소(PXg), 1개의 제3 화소(PXb) 및 2개의 제4 화소(PXuv)가 위치할 수 있다. 화소 그룹(PXGr)은 대략 다이아몬드 형상으로 이루어질 수 있다. 제1 화소(PXr) 및 제3 화소(PXb)는 다이아몬드 형상으로 이루어질 수 있고, 제2 화소(PXg) 및 제4 화소(PXuv)는 직사각형으로 이루어질 수 있다. 화소 그룹(PXGr) 내에서 제1 화소(PXr)와 제3 화소(PXb)가 각각 좌측부 및 우측부에 배치될 수 있다. 또한, 화소 그룹(PXGr)의 상측부에 제2 화소(PXg) 및 제4 화소(PXuv)가 배치될 수 있고, 화소 그룹(PXGr)의 우측부에 제2 화소(PXg) 및 제4 화소(PXuv)가 배치될 수 있다. 다만, 이러한 제1 내지 제4 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 형상 및 배치 형태 등은 하나의 예시에 불과하며, 다양하게 변경될 수 있다.
제4 화소(PXuv)의 크기는 평면상에서 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)의 크기에 비해 상대적으로 작을 수 있다. 따라서, 제4 발광 소자(EDuv)의 발광 영역의 크기는 평면상에서 제1 내지 제3 발광 소자(EDr, EDg, EDb)의 발광 영역의 크기에 비해 작을 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 제4 화소(PXuv)를 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)에 비해 작게 형성함으로써, 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 일 실시예에 의한 표시 장치에서는 제4 화소(PXuv)를 상대적으로 작게 형성함으로써, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 자외선 광이 다른 화소에 미치는 영향을 줄일 수 있다.
다음으로, 도 6을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 6에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 제4 화소와 다른 화소들 사이의 거리를 상대적으로 멀게 배치한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 6은 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다. 도 6은 각 화소의 일부 층만을 도시하고 있다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 격벽(350), 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv), 및 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)을 도시하고 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)를 포함한다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에는 발광 소자가 위치할 수 있다. 각 발광 소자는 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)을 포함하고, 제1 내지 제4 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 각각 서로 다른 파장의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제1 발광층(370r), 제2 발광층(370g) 및 제3 발광층(370b)은 적색, 녹색, 청색 등과 같은 가시광선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제4 발광층(370uv)은 가시광선 이외의 파장의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제4 발광층(370uv)은 자외선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다.
각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 격벽(350)의 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv) 내에 위치할 수 있다. 따라서, 각 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv) 사이에는 격벽(350)이 위치할 수 있으며, 각 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 격벽(350)에 의해 구분될 수 있다. 제1 발광층(370r)과 제2 발광층(370g) 사이에 격벽(350)이 위치할 수 있고, 제2 발광층(370g)과 제3 발광층(370b) 사이에 격벽(350)이 위치할 수 있으며, 제3 발광층(370b)과 제4 발광층(370uv) 사이에 격벽(350)이 위치할 수 있다.
앞선 실시예에서는 격벽(350)의 폭이 일정할 수 있고, 본 실시예에서는 격벽(350)의 폭이 상이할 수 있다. 격벽(350)의 폭이 클수록 격벽(350)의 양측에 위치하는 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv) 사이의 거리가 멀어질 수 있다. 즉, 격벽(350)의 폭이 클수록 격벽(350)의 양측에 위치하는 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv) 사이의 거리가 멀어질 수 있다. 제1 발광층(370r)과 제2 발광층(370g) 사이에 위치하는 격벽(350)의 폭은 제2 발광층(370g)과 제3 발광층(370b) 사이에 위치하는 격벽(350)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다. 제3 발광층(370b)과 제4 발광층(370uv) 사이에 위치하는 격벽(350)의 폭은 제2 발광층(370g)과 제3 발광층(370b) 사이에 위치하는 격벽(350)의 폭보다 클 수 있다. 제4 발광층(370uv)을 둘러싸는 격벽(350)의 폭은 제1 발광층(370r)과 제2 발광층(370g) 사이에 위치하는 격벽(350)의 폭보다 상대적으로 클 수 있다. 제4 발광층(370uv)을 둘러싸는 격벽(350)의 폭은 제2 발광층(370g)과 제3 발광층(370b) 사이에 위치하는 격벽(350)의 폭보다 상대적으로 클 수 있다. 따라서, 제4 발광층(370uv)과 제1 내지 제3 발광층(370r, 370g, 370b) 사이의 거리는 제1 내지 제3 발광층(370r, 370g, 370b)들간의 거리에 비해 상대적으로 멀게 배치될 수 있다. 즉, 제4 화소(PXuv)와 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)들 사이의 거리를 상대적으로 멀게 배치할 수 있다.
발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)으로부터 나오는 광(Lr, Lg, Lb, Luv)은 주변으로 확산될 수 있다. 따라서, 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)로부터 나오는 광(Lr, Lg, Lb, Luv)은 다른 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에 영향을 미칠 수도 있다. 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 자외선의 광(Luv)이 다른 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에 영향을 미치는 경우 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)이 손상될 우려가 있다. 본 실시예에서는 제4 발광층(370uv)과 제1 내지 제3 발광층(370r, 370g, 370b) 사이의 거리를 상대적으로 멀게 배치함으로써, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 자외선 광(Luv)이 다른 화소에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 7을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 7에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 제4 화소의 폭을 좁게 형성한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 7은 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)를 포함한다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에는 발광 소자가 위치할 수 있다. 각 발광 소자는 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)을 포함하고, 제1 내지 제4 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 각각 서로 다른 파장의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제1 발광층(370r), 제2 발광층(370g) 및 제3 발광층(370b)은 적색, 녹색, 청색 등과 같은 가시광선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제4 발광층(370uv)은 가시광선 이외의 파장의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제4 발광층(370uv)은 자외선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다.
앞선 실시예에서는 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 폭이 일정할 수 있고, 본 실시예에서는 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 폭이 상이할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치에서 격벽(350)의 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv)의 폭은 상이할 수 있다. 제4 화소 개구부(351uv)의 폭은 제1 내지 제3 화소 개구부(351r, 351g, 351b)의 폭에 비해 상대적으로 좁을 수 있다. 제4 발광층(370uv)의 폭은 제1 내지 제3 발광층(370r, 370g, 370b)의 폭보다 좁을 수 있다. 화소 개구부(351r, 351g, 351b, 351uv)의 폭이 좁을수록 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)로부터 나오는 광(Lr, Lg, Lb, Luv)이 확산되는 범위가 줄어들 수 있다. 제4 화소 개구부(351uv)의 폭이 상대적으로 좁게 형성되어 있으며, 제4 발광층(371uv)으로부터 방출된 자외선의 광(Luv)의 확산 범위는 상대적으로 좁아질 수 있다. 따라서, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 광(Luv)이 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 8을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 8에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 제4 발광층의 두께를 얇게 형성한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)를 포함한다. 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)에는 발광 소자가 위치할 수 있다. 각 발광 소자는 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)을 포함하고, 제1 내지 제4 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)은 각각 서로 다른 파장의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제1 발광층(370r), 제2 발광층(370g) 및 제3 발광층(370b)은 적색, 녹색, 청색 등과 같은 가시광선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제4 발광층(370uv)은 가시광선 이외의 파장의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제4 발광층(370uv)은 자외선의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다.
앞선 실시예에서는 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)의 두께가 일정할 수 있고, 본 실시예에서는 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)의 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)의 두께가 상이할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치에서 제4 발광층(370uv)의 두께는 제1 내지 제3 발광층(370r, 370g, 370b)의 두께에 비해 상대적으로 얇을 수 있다. 발광층(370r, 370g, 370b, 370uv)의 두께가 얇을수록 각 화소(PXr, PXg, PXb, PXuv)로부터 나오는 광(Lr, Lg, Lb, Luv)이 확산되는 범위가 줄어들 수 있다. 제4 발광층(370uv)의 두께가 상대적으로 얇게 형성됨으로써, 제4 발광층(370uv)으로부터 방출된 자외선의 광(Luv)의 확산 범위는 상대적으로 좁아질 수 있다. 따라서, 제4 화소(PXuv)로부터 나오는 광(Luv)이 제1 내지 제3 화소(PXr, PXg, PXb)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 9 내지 도 11을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 9 내지 도 11에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 제4 발광 소자가 일부 영역에만 위치한다는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 9 내지 도 11은 일 실시예에 의한 표시 장치의 다양한 평면도이다.
도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 기판(110) 및 기판(110) 위에 위치하는 복수의 화소(PX)를 포함한다.
기판(110)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)에 위치하는 화소(PX)는 가시광선의 광을 방출하는 화소들로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제1 표시 영역(DA1)에는 적색 광을 방출하는 제1 발광 소자, 녹색 광을 방출하는 제2 발광 소자, 및 청색 광을 방출하는 제3 발광 소자가 위치할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)에 위치하는 화소(PX)는 가시광선의 광을 방출하는 화소들과 가시광선 이외의 파장의 광을 방출하는 화소를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 표시 영역(DA2)에는 적색 광을 방출하는 제1 발광 소자, 녹색 광을 방출하는 제2 발광 소자, 청색 광을 방출하는 제3 발광 소자, 및 자외선 광을 방출하는 제4 발광 소자가 위치할 수 있다. 따라서, 가시광선을 광을 방출하는 발광 소자들은 기판(110)의 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)에 위치할 수 있고, 자외선 광을 방출하는 제4 발광 소자는 기판(110)의 제2 표시 영역(DA2)에만 위치할 수 있다. 즉, 가시광선을 광을 방출하는 발광 소자들은 기판(110) 위에 전체적으로 위치할 수 있고, 자외선 광을 방출하는 제4 발광 소자는 기판(110) 위의 일부 영역에만 위치할 수 있다.
먼저, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 표시 영역(DA2)은 대략 직사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 기판(110)의 상측부로부터 하측부에 이르도록 일정한 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)은 제2 표시 영역(DA2)을 둘러싸는 형태로 이루어질 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제2 표시 영역(DA2)은 대략 직사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 기판(110)의 상측부에 위치할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)은 기판(110)의 하측부에 위치할 수 있고, 기판(110)의 상측부에서 제2 표시 영역(DA2)을 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 제2 표시 영역(DA2)은 대략 직사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 행 방향 및 열 방향을 따라 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)은 제2 표시 영역(DA2)을 둘러싸는 형태로 이루어질 수 있다.
도 9 내지 도 11에 도시된 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)의 평면상 형상, 크기, 개수, 배치 형태 등은 예시들에 불과하며, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 일 실시예에 의한 표시 장치의 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)의 평면상 형상, 크기, 개수, 배치 형태 등은 다양하게 변경될 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치에서는 자외선의 광을 방출하는 제4 발광 소자가 일부 영역에만 위치함으로써, 개구율을 향상시킬 수 있고, 제4 발광 소자로부터 나오는 자외선의 광이 다른 화소에 미치는 영향을 줄일 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판
PXr, PXg, PXb, PXuv: 화소
191r, 191g, 191b, 191uv: 화소 전극
350: 격벽
351r, 351g, 351b, 351uv: 화소 개구부
370r, 370g, 370b, 370uv: 발광층
DA1: 제1 표시 영역
DA2: 제2 표시 영역

Claims (20)

  1. 기판, 및
    상기 기판 위에 위치하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 제3 발광 소자 및 제4 발광 소자를 포함하고,
    상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 및 상기 제3 발광 소자는 가시광선의 광을 방출하고,
    상기 제4 발광 소자는 가시광선 이외의 파장의 광을 방출하고,
    상기 제4 발광 소자의 발광 영역의 크기는 평면상에서 상기 제1 내지 제3 발광 소자의 발광 영역의 크기에 비해 작은 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제4 발광 소자는 자외선 또는 적외선의 광을 방출하는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 발광 소자가 위치하는 제1 화소,
    상기 제2 발광 소자가 위치하는 제2 화소,
    상기 제3 발광 소자가 위치하는 제3 화소, 및
    상기 제4 발광 소자가 위치하는 제4 화소를 더 포함하고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소, 및 상기 제4 화소가 하나의 화소 그룹을 구성하는 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소는 직사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 화소 및 상기 제4 화소는 상기 제1 화소와 상기 제3 화소 사이에 위치하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소의 행 방향의 폭은 동일하고,
    상기 제4 화소의 열 방향의 길이는 상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 및 상기 제3 화소의 열 방향의 길이보다 짧은 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 제1 발광 소자가 위치하는 제1 화소,
    상기 제2 발광 소자가 위치하는 제2 화소,
    상기 제3 발광 소자가 위치하는 제3 화소, 및
    상기 제4 발광 소자가 위치하는 제4 화소를 더 포함하고,
    1개의 상기 제1 화소, 2개의 상기 제2 화소, 1개의 상기 제3 화소, 및 2개의 상기 제4 화소가 하나의 화소 그룹을 구성하는 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 화소 그룹은 다이아몬드 형상으로 이루어지고,
    상기 제1 화소 및 상기 제3 화소는 다이아몬드 형상으로 이루어지고,
    상기 제2 화소 및 상기 제4 화소는 직사각형으로 이루어지는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 화소 그룹의 좌측부에 상기 제1 화소가 위치하고,
    상기 화소 그룹의 우측부에 상기 제3 화소가 위치하고,
    상기 화소 그룹의 상측부에 상기 제2 화소 및 상기 제4 화소가 위치하고,
    상기 화소 그룹의 하측부에 상기 제2 화소 및 상기 제4 화소가 위치하는 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 발광 소자는
    상기 기판 위에 위치하는 제1 화소 전극, 및
    상기 제1 화소 전극 위에 위치하고, 제1 색의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제1 발광층을 포함하고,
    상기 제2 발광 소자는
    상기 기판 위에 위치하는 제2 화소 전극, 및
    상기 제2 화소 전극 위에 위치하고, 제2 색의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제2 발광층을 포함하고,
    상기 제3 발광 소자는
    상기 기판 위에 위치하는 제3 화소 전극, 및
    상기 제3 화소 전극 위에 위치하고, 제3 색의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제3 발광층을 포함하고,
    상기 제4 발광 소자는
    상기 기판 위에 위치하는 제4 화소 전극, 및
    상기 제4 화소 전극 위에 위치하고, 자외선의 광을 방출하는 유기물을 포함하는 제4 발광층을 포함하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제4 발광층과 상기 제1 내지 제3 발광층 사이의 거리는 상기 제1 내지 제3 발광층들 사이의 거리보다 멀게 배치되어 있는 표시 장치.
  11. 제9항에서,
    상기 제1 화소 전극과 중첩하는 제1 화소 개구부, 상기 제2 화소 전극과 중첩하는 제2 화소 개구부, 상기 제3 화소 전극과 중첩하는 제3 화소 개구부, 상기 제4 화소 전극과 중첩하는 제4 화소 개구부를 포함하는 격벽을 더 포함하고,
    상기 제1 발광층은 상기 제1 화소 개구부 내에 위치하고,
    상기 제2 발광층은 상기 제2 화소 개구부 내에 위치하고,
    상기 제3 발광층은 상기 제3 화소 개구부 내에 위치하고,
    상기 제4 발광층은 상기 제4 화소 개구부 내에 위치하는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제4 발광층을 둘러싸는 격벽의 폭은 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 위치하는 격벽의 폭보다 크고,
    상기 제4 발광층을 둘러싸는 격벽의 폭은 상기 제2 발광층과 상기 제3 발광층 사이에 위치하는 격벽의 폭보다 큰 표시 장치.
  13. 제9항에서,
    상기 제4 화소 개구부의 폭은 상기 제1 내지 제3 화소 개구부의 폭보다 좁은 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 제4 발광층의 폭은 상기 제1 내지 제3 발광층의 폭보다 좁은 표시 장치.
  15. 제9항에서,
    상기 제4 발광층의 두께는 상기 제1 내지 제3 발광층의 두께보다 얇은 표시 장치.
  16. 제9항에서,
    상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층, 상기 제3 발광층 및 상기 제4 발광층 위에 위치하고, 일체로 이루어져 있는 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 기판은 제1 표시 영역 및 제2 표시 영역을 포함하고,
    상기 제4 발광 소자는 상기 제1 표시 영역에 위치하지 않고, 상기 제2 표시 영역에 위치하는 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 제1 표시 영역에는 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자가 위치하고,
    상기 제2 표시 영역에는 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자 및 상기 제4 발광 소자가 위치하는 표시 장치.
  19. 제17항에서,
    상기 기판은 복수의 제2 표시 영역을 포함하고,
    상기 복수의 제2 표시 영역은 일정한 간격으로 이격되도록 배치되어 있는 표시 장치.
  20. 제17항에서,
    상기 기판은 복수의 제2 표시 영역을 포함하고,
    상기 복수의 제2 표시 영역은 행 방향 및 열 방향을 따라 배치되어 있는 표시 장치.
KR1020210027354A 2021-03-02 2021-03-02 표시 장치 KR20220124312A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210027354A KR20220124312A (ko) 2021-03-02 2021-03-02 표시 장치
US17/523,410 US20220285457A1 (en) 2021-03-02 2021-11-10 Display device
CN202210097194.6A CN115000127A (zh) 2021-03-02 2022-01-27 显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210027354A KR20220124312A (ko) 2021-03-02 2021-03-02 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220124312A true KR20220124312A (ko) 2022-09-14

Family

ID=83023697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210027354A KR20220124312A (ko) 2021-03-02 2021-03-02 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220285457A1 (ko)
KR (1) KR20220124312A (ko)
CN (1) CN115000127A (ko)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070205423A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5117326B2 (ja) * 2008-08-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 カラー表示装置及びその製造方法
US8937302B2 (en) * 2012-08-06 2015-01-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode
JP6815090B2 (ja) * 2016-03-31 2021-01-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル及びその製造方法
KR20180085288A (ko) * 2017-01-18 2018-07-26 삼성전자주식회사 지문 인식 기능을 가지는 전자 장치
KR102463734B1 (ko) * 2017-03-08 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN110634908A (zh) * 2018-06-21 2019-12-31 上海自旭光电科技有限公司 有机发光二极管显示器的画素结构
CN117015270A (zh) * 2019-01-04 2023-11-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其驱动方法
KR20210083917A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN115000127A (zh) 2022-09-02
US20220285457A1 (en) 2022-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101936619B1 (ko) 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US9263704B2 (en) Organic light emitting diode display device
US9088003B2 (en) Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display
US9147718B2 (en) Organic light-emitting display apparatus
US9443920B2 (en) Organic light emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same
US9887252B2 (en) Transparent display apparatus
KR102091664B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
KR20200049943A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20110157110A1 (en) Pixel structure and electroluminescence device
US9947725B2 (en) Display device
US20130222217A1 (en) Organic light emitting display device
WO2017195560A1 (ja) 表示装置および電子機器
KR20100001598A (ko) 유기 발광 표시 장치, 그 제조 방법 및 이에 사용되는섀도우 마스크
US8330353B2 (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof
US20140253856A1 (en) Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
US9887248B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR20160030444A (ko) 표시 장치
KR102476562B1 (ko) 전계발광 표시장치
US20140098077A1 (en) Organic light emitting diode display
KR101933567B1 (ko) 유기 발광 표시 패널 및 이를 포함하는 휴대용 표시 장치
KR102476561B1 (ko) 전계발광 표시장치
US20150214285A1 (en) Light emitting element display device
US20220320472A1 (en) Display device
KR20220124312A (ko) 표시 장치
KR20150126503A (ko) 유기전계 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination