CN117015270A - 阵列基板、显示装置及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括:衬底基板,包括显示区和位于显示区内的局部透明区,局部透明区包括至少一个子区域,子区域至少包括一个透明区域;至少一个第一像素,包括第一反射电极、第一半透半反电极以及第一发光层,且位于显示区内;以及至少一个第二像素,包括第二反射电极、第二半透半反电极以及第二发光层,第二像素位于子区域中除了透明区域之外的区域,第二半透半反电极的反射率大于第一半透半反电极的反射率。
Description
本申请为于2019年01月04日递交的中国发明专利申请第201980000061.9号的分案申请,其为2019年01月04日递交的PCT国际申请PCT/CN2019/070475的中国国家阶段的专利申请,在此全文引用上述专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
技术领域
本公开的实施例涉及一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。
背景技术
目前,随着显示装置市场的不断发展,有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode,OLED)显示器因其具有自发光、对比度高、厚度薄、视角广响应速度快、可弯折以及使用温度范围广等优点成为了当前的主流的显示装置之一。
有机发光二极管通常包括阳极、阴极和夹在两个电极之间的有机电致发光单元,有机电致发光单元至少包括一个空穴传输层、一个发光层和一个电子传输层。有机发光二级管的有机电致发光单元被夹设在两个电极之间,并且有机电致发光单元的光学厚度几乎与发光波长在同一个量级,因此有机发光二级管的阴极和阳极可构成一个可窄化光谱的半导体微腔,使得发光层产生的光子被限制在由阴极和阳极可构成的半导体微腔内并形成多束光束的强干涉,从而可窄化发射光谱,对发射光谱的峰值波长有很好的调制作用。
发明内容
本公开实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板,包括:衬底基板,包括显示区和位于显示区内的局部透明区,所述局部透明区包括至少一个子区域,所述子区域至少包括一个透明区域;至少一个第一像素,包括第一反射电极、第一半透半反电极以及所述第一反射电极和所述第一半透半反电极之间的第一发光层,且位于所述显示区内;以及至少一个第二像素,包括第二反射电极、第二半透半反电极以及所述第二反射电极和所述第二半透半反电极之间的第二发光层,所述第二像素位于所述子区域中除了所述透明区域之外的区域,所述第二半透半反电极的反射率大于所述第一半透半反电极的反射率。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述第一半透半反电极的材料与所述第二半透半反电极的材料相同,所述第二半透半反电极的厚度大于所述第一半透半反电极的厚度。
例如,本公开一实施例提供的阵列基板还包括:第三像素,包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的第三发光层,位于所述透明区域,所述第一电极为透明电极或半透半反电极,所述第二电极为透明电极或半透半反电极。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述第一电极包括氧化铟锡。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述第二像素的出光光谱的半高宽小于所述第三像素的出光光谱的半高宽。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,多个所述第一像素包围所述局部透明区。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述第二像素的面积为所述第一像素面积的三分之二到四分之三。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述第二像素的出光光谱的半高宽小于所述第一像素的出光光谱的半高宽。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,各所述子区域包括呈2×2矩阵排列的四个面积相等的像素区域,所述第二像素和所述第三像素位于所述2×2矩阵的对角线上的两个所述像素区域中。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置,其包括:图像获取装置;以及上述的阵列基板,所述阵列基板具有一个发光侧,所述图像获取装置在所述衬底基板上的正投影落入所述局部透明区,且位于所述阵列基板的与所述发光侧相反的一侧。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述透明区域包括:第三像素,包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的第三发光层,所述第一电极为透明电极或半透半反电极,所述第二电极为透明电极或半透半反电极。
例如,本公开一实施例提供的阵列基板还包括:驱动器,与所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素分别相连,各所述子区域包括多个面积相等的像素区域,所述驱动器被配置为在所述子区域中一个或多个所述像素区域需要发光时,驱动所述第二像素和所述第三像素共同发光。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置的驱动方法,所述显示装置包括上述的显示装置,各所述子区域包括多个面积相等的像素区域,所述驱动方法包括:分别驱动所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素发光以共同显示画面包括:在所述子区域中一个或多个所述像素区域需要发光时,驱动所述第二像素和所述第三像素共同发光。
例如,本公开一实施例提供的显示装置的驱动方法还包括:采用配色方法对所述第二像素和所述第三像素分别进行配色以驱动所述第二像素和所述第三像素共同发光以与所述第一像素共同显示所述画面,所述配色方法包括:分别获取所述第二像素和所述第三像素的色坐标矩阵;根据所述子区域需要显示的颜色和亮度以及所述第二像素和所述第三像素的亮度分配比例分别获取所述第二像素和所述第三像素的三刺激值;根据所述色坐标矩阵和所述三刺激值分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度;根据所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的驱动电压。
例如,在本公开一实施例提供的显示装置的驱动方法中,根据所述色坐标矩阵和所述三刺激值分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度还包括:根据所述色坐标矩阵和所述三刺激值由以下配色公式分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度:
其中,LR、LG、LB分别为第二像素或第三像素中红绿蓝子像素的亮度;X、Y、Z为三刺激值;Rx、Ry、Rz、Gx、Gy、Gz、Bx、By、和Bz为R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的色坐标计算得到的参数;Rx、Ry、Rz、Gx、Gy、Gz、Bx、By、和Bz组成的矩阵即为第二像素或第三像素的色坐标矩阵。
例如,在本公开一实施例提供的显示装置的驱动方法中,分别获取所述第二像素和所述第三像素的色坐标矩阵包括:分别点亮所述第二像素和所述第三像素;以及根据所述第二像素中各子像素的亮度和颜色获取所述第二像素的色坐标矩阵,根据所述第三像素中各子像素的亮度和颜色获取所述第三像素的色坐标矩阵。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种显示装置的平面示意图;
图2为一种阵列基板的平面示意图;
图3为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的示意图;
图4为图3所示的阵列基板中的子区域的放大示意图;
图5为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板中第一像素和第二像素的剖面示意图;
图6为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板中第一像素和第三像素的剖面示意图;
图7为根据本公开一实施例提供的一种第二像素和第三像素的发光光谱的示意图;
图8为根据本公开一实施例提供一种显示装置的示意图;以及
图9为根据本公开一实施例提供的另一种显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
目前,随着智能手机市场的不断发展,“全面屏”设计,即高屏占比设计也越来越得到市场的认可,并因此成为各大厂商研究的热点。随着显示装置的屏占比逐渐提高,单纯通过减少边框宽度已经无法进一步增加屏占比。图1为一种显示装置的平面示意图。如图1所示,该显示装置的A面上设置有提供显示功能的显示屏幕01和提供拍照功能的前置摄像头02。例如,该显示装置可为手机、平板电脑等。如图1所示,若要进一步提高显示屏幕01的面积占A面的面积的比例,即屏占比,可通过将前置摄像头02设置在显示屏幕01之下。
然而,当前置摄像头设置在显示屏幕之下时,显示屏幕对应前置摄像头的区域需要具有一定的透过率以满足前置摄像头拍摄的需求。图2为一种阵列基板的平面示意图。如图2所示,该阵列基板包括衬底基板10、位于衬底基板10上的显示区20、和位于衬底基板10上的局部透明区30。局部透明区30位于显示区20之内;显示区20包括多个第一像素25;局部透明区30包括多个子区域32;各子区域32包括一个借用像素35;各子区域32中除了借用像素35之外的区域为透明区域34。各子区域32包括多个面积相等的像素区域,例如四个面积相等的像素区域,借用像素35占据一个像素区域。此时,由于该阵列基板的局部透明区30包括透明区域34,因此局部透明区30可透过光线(局部透明区30的透过率可通过设置像素区域的个数来调节,以满足前置摄像头拍摄的需求)。由此,采用该阵列基板的显示装置可将前置摄像头对应于局部透明区30设置,例如将前置摄像头设置在局部透明区30之下,从而使得该前置摄像头可获取外界光线以进行拍摄。并且,在该阵列基板用于显示时,借用像素35可在子区域32中任意一个像素区域需要发光时进行发光,从而使得该阵列基板的局部透明区30可用于显示。
然而,本申请的发明人注意到:当图2所示的阵列基板用于显示时,子区域中的多个像素区域都需要发光时,借用像素35的亮度是第一像素25的亮度的数倍。此时,驱动该借用像素35的电流密度较大,从而导致该借用像素35的寿命较短。并且,随着该阵列基板的使用时间的增加,借用像素35的发光亮度会衰减,从而导致显示不良。另一方面,由于子区域中借用像素较少,降低了子区域的分辨率,从而导致局部透明区显示的清晰度与显示区中的其他区域的清晰度有明显差异。
有鉴于此,本公开实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上的显示区、以及位于衬底基板上的局部透明区。显示区包括多个第一像素;局部透明区位于显示区之内并包括多个子区域;各子区域包括:透明区域以及第二像素,第一像素包括第一反射电极、第一半透半反电极以及第一反射电极和第一半透半反电极之间的第一发光层,第二像素包括第二反射电极、第二半透半反电极以及第二反射电极和第二半透半反电极之间的第二发光层,第二半透半反电极的反射率大于第一半透半反电极的反射率。由于第二半透半反电极的反射率大于第一半透半反电极的反射率,因此第二像素中第二反射电极和第二半透半反电极构成的微腔结构的微腔效应更强,导致第二像素的出光的半高宽较窄,从而使得第二像素的发光效率更高。相对于第一像素,第二像素在同样的电流密度驱动下的发光亮度大大提升。由此,当子区域中除了第二像素之外的一个或多个区域需要发光时,第二像素替代这些区域进行发光。由于第二像素比的发光效率大大提高,因此需要的电流密度较小,可大大延长第二像素的寿命,并避免因使用时间的增加而导致显示不良。
下面结合附图对本公开实施例提供的阵列基板、显示装置及其驱动方法进行说明。
图3为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的示意图。图4为图3所示的阵列基板中的子区域的放大示意图。图5为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板中第一像素和第二像素的剖面示意图。如图3和4所示,该阵列基板包括衬底基板110、位于衬底基板110上的显示区120和位于显示区120之内的局部透明区130,即衬底基板110包括显示区120和位于显示区120内的局部透明区130。显示区120包括多个第一像素125,用于显示画面。局部透明区130包括多个子区域132,各子区域132包括透明区域134和第二像素135,即,子区域132至少包括一个透明区域134,第二像素135位于子区域132除了透明区域134之外的区域。局部透明区130可与显示区120中的多个第一像素125共同显示画面;也就是说,局部透明区130是作为显示区120的一部分。如图5所示,第一像素125包括第一反射电极1251、第一半透半反电极1252以及第一反射电极1251和第一半透半反电极1252之间的第一发光层1253。第二像素135包括第二反射电极1351、第二半透半反电极1352以及第二反射电极1351和第二半透半反电极1352之间的第二发光层1353,并且第二半透半反电极1352的反射率大于第一半透半反电极1252的反射率。在本实施例提供的阵列基板中,在第一像素125中,第一反射电极1251和第一半透半反电极1252构成微腔结构,使得第一发光层1253直接发出的光和经过第一反射电极1251或第一半透半反电极1252反射的光可在上述的微腔结构中发生相互干涉,从而可窄化发射光谱。在第二像素135中,第二反射电极1351和第二半透半反电极1352也可构成微腔结构,使得第二发光层1253直接发出的光和经过第二反射电极1351或第二半透半反电极1352反射的光可在上述的微腔结构中发生相互干涉,从而可窄化发射光谱。由于第二半透半反电极1352的反射率大于第一半透半反电极1252的反射率,因此第二像素135中第二反射电极1351和第二半透半反电极1352构成的微腔结构的微腔效应更强,导致第二像素135的出光的半高宽较窄,从而使得第二像素135的发光效率更高。相对于第一像素125,第二像素135在同样的电流密度驱动下的发光亮度大大提升。由此,当子区域132中除了第二像素135之外的一个或多个区域需要发光时,第二像素135可替代这些区域进行发光。由于第二像素135比的发光效率大大提高,因此需要的电流密度较小,可大大延长第二像素135的寿命,并避免因使用时间的增加而导致显示不良。
需要说明的是,在通常的OLED显示装置中,为了兼顾可视角度等因素,像素中的微腔结构的微腔效应设置较低,像素的发光效率并非最高。因此,相对第一像素,本公开实施例提供的第二像素的发光效率具有提升的空间,从而可通过提高第二像素中第二半透半反电极的反射率以使第二像素的发光效率大于所述第一像素的发光效率。
在本公开的实施例中,如图3和4所示,第一像素125和第二像素135可分别包括用于发出不同颜色的光的多个子像素200,例如,红色子像素210、绿色子像素220和蓝色子像素230。此时,第一像素125的第一反射电极1251可为第一像素125包括的所有子像素200的反射电极,第一像素125的第一半透半反电极1252可为第一像素125包括的所有子像素200的半透半反电极,第一像素125的第一发光层1253可为第一像素125包括的所有子像素200的发光层。同理,第二像素135的第二反射电极1351可为第二像素135包括的所有子像素200的反射电极,第二像素135的第二半透半反电极1352可为第二像素135包括的所有子像素200的半透半反电极,第二像素135的第二发光层1353可为第二像素135包括的所有子像素200的发光层。
在公开的实施例中,当第一像素和第二像素可分别包括用于发出不同颜色的光的多个子像素,例如,红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素时,子像素中的反射电极和半透半反电极之间的距离可根据该子像素的出光颜色而确定,也就是说,第一像素包括的多个子像素的反射电极和半透半反电极之间的距离可以不同。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,如图5所示,该阵列基板还包括像素限定层180,用于限定各子像素。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,如图3和4所示,第一像素125包围局部透明区130。这里的“包围”包括完全包围和部分包围。例如,第一像素125可以分布于局部透明区130的整个周边区域,也可以分布于局部透明区130的部分周边区域。例如,在局部透明区130为矩形的情况下,第一像素125可以围绕该矩形的一个、两个、三个或四个边处。再例如,第一像素125围绕在局部透明区130的至少1/2周长处。
例如,在一些示例中,第一半透半反电极1252和第二半透半反电极1352可采用同样的材料制作,此时,第二半透半反电极1352的厚度大于第一半透半反电极1252的厚度,从而使得第二半透半反电极1352的反射率大于第一半透半反电极1252的折射率。
例如,在一些示例中,第一半透半反电极1252和第二半透半反电极1352可采用镁和银,第一半透半反电极1252的厚度可为10-15nm,第二半透半反电极1253的厚度可为15-20nm。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,第一反射电极1251与所述第二反射电极1351分别包括氧化铟锡和银的叠层。该氧化铟锡和银的叠层可为两层氧化铟锡层以及两层氧化铟锡之间的银层。例如,两层氧化铟锡层中任一层的厚度可为10nm,银层的厚度可为100nm。
例如,在一些示例中,透明区域134可以不包括用于显示的像素。对应于该区域,设置在衬底基板上的各层均为透明层,从而阵列基板的该区域为透明的。在这种情况下,透明区域134不用于显示。
例如,在一些示例中,如图3和4所示,在各子区域132中,透明区域134还包括第三像素137。图6为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板中第一像素和第三像素的剖面示意图。如图6所示,第三像素137包括第一电极1371、第二电极1372以及位于第一电极1371和第二电极1372之间的第三发光层1373。第一电极1371为透明电极或半透半反电极,第二电极1372为透明电极或半透半反电极。在第一电极1371和第二电极1372为透明电极时,对应于的透明区域也是透明的。当第一电极1371或第二电极1373为半透半反电极时,在半透半反电极的透过率能够满足透明区域透过率的要求下(具体的透过率也是按实际情况而设定),该区域也可以视为透明区域。
图7为根据本公开一实施例提供的一种第二像素和第三像素的发光光谱的示意图。在本示例提供的阵列基板中,由于第一电极1371为透明电极或半透半反电极,第二电极1372为透明电极或半透半反电极,因此,如图7所示,第三像素137中的第一电极1371和第二电极1372构成的微腔结构的微腔效应较弱,第三像素137的出光的半高宽较宽,而第二像素135为了提高发光效率,其半高宽较窄,容易产生大视角色偏现象。因此,当第二像素135和第三像素137共同显示时,第三像素137可有效地抵消第二像素135由于半高宽较窄而导致的大视角色偏现象。例如,当子区域132中除了第二像素135之外的一个或多个区域需要发光时,第二像素135和第三像素137可共同发光以替代这些区域进行发光。此时,第三像素137可有效地抵消第二像素135由于半高宽较窄而导致的大视角色偏现象。
另一方面,由于第一电极1371为透明电极或半透半反电极,第二电极1372为透明电极或半透半反电极,第三像素137本身为半透明的像素,对局部透明区130的总体透过率较小。并且,第三像素137还可增加局部透明区130中的像素密度,可提高局部透明区130的分辨率,从而可提升局部透明区的显示质量。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,第一电极包括氧化铟锡。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,为了进一步提高局部透明区130的透过率,第二像素135的面积可小于第一像素125的面积,例如,第二像素135的面积可为第一像素125的面积的三分之二到四分之三。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,第三像素137的面积也可小于第一像素125的面积。由此,由于第三像素137为半透明像素,并且第二像素135的面积小于第一像素125的面积,第三像素137的面积也小于第一像素125的面积,本示例提供的阵列基板虽然在局部透明区增加了像素密度,但是局部透明区的透过率可相对于图2所示的阵列基板保持不变,甚至更高。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,如图4所示,各子区域132包括2×2矩阵排列的四个面积相等的像素区域1320,第二像素135和第三像素137位于2×2矩阵的对角线上的两个像素区域1320中,从而可提高局部透明区的像素分布的均匀性。
图8为根据本公开一实施例提供一种显示装置的示意图。如图8所示,该显示装置包括阵列基板100和图像获取装置300,例如摄像头或红外发射装置。该阵列基板100可为上述实施例提供的任意一种阵列基板。例如,如图3和4所示,该阵列基板100包括:衬底基板110、位于衬底基板110上的显示区120和位于显示区120之内的局部透明区130。显示区120包括多个第一像素125,用于显示画面。局部透明区130包括多个子区域132,各子区域132包括透明显示区134和第二像素135。局部透明区130可与显示区120中的多个第一像素123共同显示画面;也就是说,局部透明区130是作为显示区120的一部分。如图5所示,第一像素125包括第一反射电极1251、第一半透半反电极1252以及第一反射电极1251和第一半透半反电极1252之间的第一发光层1253。第二像素135包括第二反射电极1351、第二半透半反电极1352以及第二反射电极1351和第二半透半反电极1352之间的第二发光层1353,并且第二半透半反电极1352的反射率大于第一半透半反电极1252的反射率。此时,图像获取装置300在衬底基板100上的正投影落入局部透明区130,该阵列基板100包括发光侧101(如图8所示的纸面朝外的一侧),图像获取装置300设置在该阵列基板100与发光侧101相反的一侧。
在本实施例提供的显示装置中,由于图像获取装置300在衬底基板100上的正投影落入局部透明区130,该显示装置的屏占比可进一步提高。另外,由于第二半透半反电极1352的反射率大于第一半透半反电极1252的反射率,因此第二像素135中第二反射电极1351和第二半透半反电极1352构成的微腔结构的微腔效应更强,导致第二像素135的出光的半高宽较窄,从而使得第二像素135的发光效率更高。相对于第一像素125,第二像素135在同样的电流密度驱动下的发光亮度大大提升。由此,由于第二像素135比的发光效率大大提高,因此需要的电流密度较小,可大大延长第二像素135的寿命,并避免因使用时间的增加而导致显示不良。
例如,在一些示例中,在各子区域132中,透明区域134还包括第三像素137。第三像素137包括第一电极1371、第二电极1372以及位于第一电极1371和第二电极1372之间的第三发光层1373。第一电极1371为透明电极或半透半反电极,第二电极1372为透明电极或半透半反电极。第三像素137中的第一电极1371和第二电极1372构成的微腔结构的微腔效应较弱,第三像素137的出光的半高宽较宽,而第二像素135为了提高发光效率,其半高宽较窄,容易产生大视角色偏现象。因此,当第二像素135和第三像素137共同显示时,第三像素137可有效地抵消第二像素135由于半高宽较窄而导致的大视角色偏现象。另一方面,第三像素137本身为半透明的像素,对局部透明区130的总体透过率较小。并且,第三像素137还可增加局部透明区130中的像素密度,可提高局部透明区130的分辨率,从而可提升局部透明区的显示质量。需要说明的是,虽然第三像素的第一电极为透明电极或半透半反电极,部分光线可能会射向图像获取装置,从而干扰图像获取装置;但是由于该部分光线较少,并且第三像素的位置和该部分光线的光强是已知的,可通过算法排出第三像素造成的干扰。
图9为根据本公开一实施例提供的另一种显示装置的示意图。如图9所示,当该阵列基板包括第三像素时,该显示装置还包括驱动器400,与第一像素125、第二像素135和第三像素137分别相连,并被配置为分别驱动第一像素125、第二像素135和第三像素137发光以共同显示画面,各子区域132包括多个面积相等的像素区域1320,驱动器300被配置为在子区域132中一个或多个像素区域1320需要发光时,驱动第二像素135和第三像素137共同发光以与第一像素125共同显示所述画面,从而即可保证局部透明区可正常进行显示,又可使得局部透明区具有一定透过率以满足图像获取装置的拍摄需求。
例如,驱动器可为可实现上述驱动方式的电路或者控制器(例如可编程逻辑控制器),也可包括可执行计算器程序的处理器和的存储有实现上述驱动方式的计算机程序的存储装置。
例如,在一些示例中,第一半透半反电极1252和第二半透半反电极1352可采用同样的材料制作,此时,第二半透半反电极1352的厚度大于第一半透半反电极1252的厚度,从而使得第二半透半反电极1352的反射率大于第一半透半反电极1252的折射率。
本公开一实施例提供一种显示装置的驱动方法。该显示装置可包括上述实施例提供的显示装置。该显示装置的驱动方法包括:分别驱动第一像素、第二像素和第三像素发光以共同显示画面,在子区域中除了第二像素和第三像素的其他区域需要发光时,驱动第二像素和第三像素共同发光以与第一像素共同显示所述画面。
例如,在一些示例中,该显示装置的驱动方法还包括:采用配色方法对第二像素和第三像素分别进行配色以驱动第二像素和第三像素共同发光以与第一像素共同显示所述画面。该配色方法包括以下步骤:
S301:分别获取第二像素和第三像素的色坐标矩阵。
例如,可分别点亮第二像素和第三像素,然后根据第二像素中各子像素的亮度和颜色获取第二像素的色坐标矩阵,根据第三像素中各子像素的亮度和颜色获取第三像素的色坐标矩阵。
S302:根据子区域需要显示的颜色和亮度以及第二像素和第三像素的亮度分配比例分别获取第二像素和第三像素的三刺激值。
例如,第二像素和第三像素的亮度分配比例可根据第二像素和第三像素的发光效率和使用寿命来确定。例如,当子区域需要显示的亮度为500nit时,第二像素和第三像素的亮度分配比例可为3:2,即第二像素的亮度可为300nit,第三像素的亮度可为200nit。当然,本公开实施例包括但不限于此,第二像素和第三像素的亮度分配比例还可为其他值。
S303:根据色坐标矩阵和三刺激值由配色公式分别获取所述第二像素和所述第三像素中各子像素的亮度。
例如,根据第二像素的色坐标矩阵和三刺激值可由配色公式得到第二像素中各子像素的亮度;根据第三像素的色坐标矩阵和三刺激值可由配色公式得到第三像素中各子像素的亮度。
例如,上述的配色公式可为:
其中,LR、LG、LB分别为第二像素或第三像素中红绿蓝子像素的亮度;X、Y、Z为三刺激值;Rx、Ry、Rz、Gx、Gy、Gz、Bx、By、和Bz为R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的色坐标计算得到的参数;Rx、Ry、Rz、Gx、Gy、Gz、Bx、By、和Bz组成的矩阵即为第二像素或第三像素的色坐标矩阵。
S304:根据第二像素和第三像素中各子像素的亮度分别获取第二像素和第三像素中各子像素的驱动电压。
例如,在一些示例中,该显示装置的驱动方法还包括:将对应的第二像素和第三像素中各子像素的亮度和驱动电压传输至驱动器以驱动第一像素、第二像素和第三像素发光以共同显示画面。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (16)
1.一种阵列基板,包括:
衬底基板,包括显示区和与显示区邻接的局部透明区,所述局部透明区包括至少一个子区域,所述子区域至少包括一个透明区域;
至少一个第一像素,位于所述显示区内,所述第一像素包括第一反射电极、第一半透半反电极以及位于所述第一反射电极和所述第一半透半反电极之间的第一发光层;以及
至少一个第二像素,位于所述局部透明区,所述第二像素包括第二反射电极、第二半透半反电极以及位于所述第二反射电极和所述第二半透半反电极之间的第二发光层,
其中,所述第二半透半反电极的反射率大于所述第一半透半反电极的反射率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一半透半反电极的材料与所述第二半透半反电极的材料相同,所述第二半透半反电极的厚度大于所述第一半透半反电极的厚度。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一半透半反电极的厚度的取值范围为10nm-15nm,所述第二半透半反电极的厚度的取值范围为15nm-20nm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第二像素位于所述子区域中除了所述透明区域之外的区域,
所述阵列基板还包括第三像素,位于所述透明区域,所述第三像素包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的第三发光层,
所述第一电极为透明电极或半透半反电极,所述第二电极为透明电极或半透半反电极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述第一电极包括氧化铟锡。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述第二像素的出光光谱的半高宽小于所述第三像素的出光光谱的半高宽。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,其中,多个所述第一像素包围所述局部透明区。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,其中,所述第二像素的面积为所述第一像素面积的三分之二到四分之三。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,其中,所述第二像素的出光光谱的半高宽小于所述第一像素的出光光谱的半高宽。
10.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,各所述子区域包括呈2×2矩阵排列的四个面积相等的像素区域,所述第二像素和所述第三像素位于所述2×2矩阵的对角线上的两个所述像素区域中。
11.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,其中,所述显示区包括多个第一像素,所述多个第一像素包括发出不同颜色的光的多个子像素,所述局部透明区包括多个第二像素,所述多个第二像素包括发出不同颜色的光的多个子像素。
12.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,其中,所述透明区域的各层为透明层。
13.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述第三像素的面积小于所述第一像素的面积。
14.一种显示装置,包括:
图像获取装装置;以及
根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,
其中,所述阵列基板具有一个发光侧,所述图像获取装装置在所述衬底基板上的正投影落入所述局部透明区,且位于所述阵列基板的与所述发光侧相反的一侧。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述透明区域包括:第三像素,包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的第三发光层,
其中,所述第一电极为透明电极或半透半反电极,所述第二电极为透明电极或半透半反电极。
16.根据权利要求15所述的显示装置,还包括:
驱动器,与所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素分别相连,
其中,各所述子区域包括多个面积相等的像素区域,所述驱动器被配置为在所述子区域中一个或多个所述像素区域需要发光时,驱动所述第二像素和所述第三像素共同发光。
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