CN115000127A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN115000127A
CN115000127A CN202210097194.6A CN202210097194A CN115000127A CN 115000127 A CN115000127 A CN 115000127A CN 202210097194 A CN202210097194 A CN 202210097194A CN 115000127 A CN115000127 A CN 115000127A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
light emitting
light
emitting element
emission layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210097194.6A
Other languages
English (en)
Inventor
李廷宪
崔时荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115000127A publication Critical patent/CN115000127A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
    • A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
    • A61L2/08—Radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Abstract

本申请涉及显示设备。显示设备包括设置在衬底上的第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件，其中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件发射可见光，第四发光元件发射不可见光，并且在平面图中，第四发光元件的发光区域的尺寸小于第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的每一个的发光区域的尺寸。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年3月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0027354号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
显示设备是显示屏幕的设备，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等。显示设备用于各种电子设备，诸如移动电话、导航设备、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端。
有机发光二极管显示器包括两个电极和设置在两个电极之间的有机发射层，并且从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中结合，从而形成激子。当激子从激发态变化到基态时，能量被发射并且激子发射光。
有机发光二极管显示器包括像素，像素包括作为自发光元件的有机发光二极管，并且每个像素包括用于驱动有机发光二极管的晶体管和至少一个电容器。像素可以包括显示不同颜色的像素，并且可以包括例如红色像素、绿色像素和蓝色像素。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景技术的理解，并且因此其可以包含不形成本国家中本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式提供了显示设备，该显示设备具有除了通过还包括发射可见光的像素来显示图像的功能之外的附加功能。
此外，本发明提供可以最小化(或减少)附加像素对其它像素的影响的显示设备。
根据实施方式的显示设备包括设置在衬底上的第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件。第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件可以发射可见光，第四发光元件可以发射不可见光，并且在平面图中，第四发光元件的发光区域的尺寸可以小于第一发光元件至第三发光元件中的每一个的发光区域的尺寸。
第四发光元件可以发射紫外光或红外光。根据实施方式的显示设备还可以包括其中设置有第一发光元件的第一像素、其中设置有第二发光元件的第二像素、其中设置有第三发光元件的第三像素、以及其中设置有第四发光元件的第四像素，其中，第一像素、第二像素、第三像素和第四像素可以形成像素组。
第一像素、第二像素、第三像素和第四像素可以具有矩形形状，并且第二像素和第四像素可以设置在第一像素和第三像素之间。
第一像素、第二像素、第三像素和第四像素中的每一个的在行方向上的宽度可以彼此相等，并且第四像素的在列方向上的长度可以比第一像素、第二像素和第三像素中的每一个的在列方向上的长度短。
根据实施方式的显示设备还可以包括其中设置有第一发光元件的第一像素、其中设置有第二发光元件的第二像素、其中设置有第三发光元件的第三像素、以及其中设置有第四发光元件的第四像素，其中，一个第一像素、两个第二像素、一个第三像素和两个第四像素可以形成像素组。
像素组可以具有菱形形状，第一像素和第三像素可以各自具有菱形形状，并且第二像素和第四像素可以各自具有矩形形状。
第一像素可以设置在像素组的左侧部分上，第三像素可以设置在像素组的右侧部分上，第二像素和第四像素可以设置在像素组的上部部分上，并且第二像素和第四像素可以设置在像素组的下部部分上。
第一发光元件可以包括：第一像素电极，设置在衬底上；以及第一发射层，设置在第一像素电极上并且包括发射第一颜色光的有机材料，第二发光元件可以包括：第二像素电极，设置在衬底上；以及第二发射层，设置在第二像素电极上并且包括发射第二颜色光的有机材料，第三发光元件可以包括：第三像素电极，设置在衬底上；以及第三发射层，设置在第三像素电极上并且包括发射第三颜色光的有机材料，并且第四发光元件可以包括：第四像素电极，设置在衬底上；以及第四发射层，设置在第四像素电极上并包括发射紫外光的有机材料。
第四发射层和第一发射层至第三发射层之间的距离可以设置得比第一发射层至第三发射层之间的距离更远。
根据实施方式的显示设备还可以包括堤，堤包括与第一像素电极重叠的第一像素开口、与第二像素电极重叠的第二像素开口、与第三像素电极重叠的第三像素开口、以及与第四像素电极重叠的第四像素开口。第一发射层可以设置在第一像素开口中，第二发射层可以设置在第二像素开口中，第三发射层可以设置在第三像素开口中，并且第四发射层可以设置在第四像素开口中。
围绕第四发射层的堤的宽度可以大于设置在第一发射层和第二发射层之间的堤的宽度，并且围绕第四发射层的堤的宽度可以大于设置在第二发射层和第三发射层之间的堤的宽度。
第四像素开口的宽度可以比第一像素开口至第三像素开口中的每一个的宽度窄。
第四发射层的宽度可以比第一发射层至第三发射层中的每一个的宽度窄。
第四发射层的厚度可以比第一发射层至第三发射层中的每一个的厚度薄。
根据实施方式的显示设备还可以包括设置在第一发射层、第二发射层、第三发射层和第四发射层上并且从第一发射层延伸到第四发射层的公共电极。
衬底可以包括第一显示区域和第二显示区域，并且第四发光元件可以不设置在第一显示区域中并且可以设置在第二显示区域中。
第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件可以设置在第一显示区域中，并且第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件可以设置在第二显示区域中。
衬底可以包括第二显示区域，并且第二显示区域可以设置成间隔开恒定间距。
衬底可以包括第二显示区域，并且第二显示区域可以在行方向和列方向上设置。
根据实施方式，显示设备还包括发射不可见光的像素，从而使得除了显示图像的功能之外，其可以具有其它附加功能，诸如消毒。
此外，可以最小化所添加的像素对其它像素的影响。
附图说明
通过参考附图详细描述其实施方式，根据本公开的实施方式的附加的理解将变得更加显而易见，其中：
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图；
图3是沿着图2的线III-III截取的示意性剖视图；
图4是根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图5是根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图6是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图7是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图8是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；并且
图9至图11是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的实施方式。如本领域的技术人员将认识到的，在所有不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施方式。
省略了与本公开无关的部分的描述，并且在整个说明书中相同的附图标记表示相同的元件。
此外，由于为了解释方便，在附图中示出的相应结构部件的尺寸和厚度被任意地示出，因此本公开不一定限于如所示出的。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好理解和易于描述，一些层和区域的厚度可以被夸大。
应当理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当元件被称为“直接”在另一个元件“上”时，不存在介于中间的元件。此外，词语“在……上”意味着位于对象部分上或对象部分下方，但本质上不意味着基于重力方向位于对象部分的上侧上。
此外，除非明确地相反描述，否则词语“包括(comprise)”和诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变型将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。
此外，在本说明书中，短语“在平面图中”意味着当从上方观察对象部分时，并且短语“在截面中”意味着当从侧面观察通过垂直切割对象部分而截取的截面时。
如本文中所使用的，术语“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
应当理解，术语“接触”、“连接至”和“联接至”可以包括物理和/或电接触、连接或联接。
出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的集合的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为是指“A、B或A和B”。
除非本文另外限定或暗示，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文清楚地如此限定，否则不应当以理想的或过于正式的含义进行解释。
首先，参考图1描述根据实施方式的显示设备。
图1是示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
如图1中所示，根据实施方式的显示设备1000包括衬底110和设置在衬底110上的像素PX。
衬底110可以由刚性材料或柔性材料形成。
衬底110可以以各种形式改变。衬底110可以是柔性的、可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷起的。
衬底110可以形成为包括相对长的边和短的边的矩形，并且拐角部分可以形成为具有是倒角的弯曲表面的形状。
然而，衬底110的形状仅仅是示例，并且可以改变成各种形状。
衬底110可以包括显示区域和外围区域，并且例如，外围区域可以形成为具有围绕显示区域的形状。
像素PX可以设置在衬底110的显示区域中。像素PX可以设置成矩阵，并且像素PX的至少一些可以接收图像信号，从而显示图像。
在这种情况下，可以不同地改变像素PX的布置。尽管未示出，但是根据实施方式的显示设备1000还可以包括信号线。信号线可以包括扫描线、发光控制线、数据线、驱动电压线等。这些信号线可以分别发送扫描信号、发光控制信号、数据信号和驱动电压。信号线可以设置成在行方向或列方向上交叉。此外，每个像素PX可以包括连接到信号线的晶体管、电容器和至少一个发光二极管(LED)。例如，根据实施方式的显示设备1000可以形成为有机发光二极管显示器。然而，显示设备1000的类型不限于此，并且它可以形成为各种类型的显示设备。例如，显示设备1000可以是液晶显示器、量子点显示设备、微型LED显示设备等。
接下来，参考图2描述根据实施方式的显示设备的像素。
图2是示出根据实施方式的显示设备中的一部分的示意性平面图。
如图2中所示，根据实施方式的显示设备包括像素PXr、PXg、PXb和PXuv。像素PXr、PXg、PXb和PXuv可以包括第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv。发光元件EDr、EDg、EDb和EDuv中的每一个可以分别设置在像素PXr、PXg、PXb和PXuv中的每一个中。第一发光元件EDr可以位于第一像素PXr中，第二发光元件EDg可以位于第二像素PXg中，第三发光元件EDb可以位于第三像素PXb中，并且第四发光元件EDuv可以位于第四像素PXuv中。第一发光元件EDr、第二发光元件EDg、第三发光元件EDb和第四发光元件EDuv可以发射彼此不同的波长的光。
第一发光元件EDr、第二发光元件EDg和第三发光元件EDb可以发射可见光。可见光的波长可以在约380nm至约700nm的范围内。例如，第一发光元件EDr可以发射红光，并且第一像素PXr可以是红色像素。第二发光元件EDg可以发射绿光，并且第二像素PXg可以是绿色像素。第三发光元件EDb可以发射蓝光，并且第三像素PXb可以是蓝色像素。然而，这仅仅是一个示例，并且从第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb发射的光的颜色可以不同地改变。可以通过从第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb发射的光的组合来设置图像。第四发光元件EDuv可以发射紫外光。可以通过使用从第四像素PXuv发射的紫外光来执行消毒。在显示设备上其上显示图像的表面可能从外部污染。例如，当显示设备应用于便携式电话时，在触摸便携式电话的显示表面和在接收呼叫时显示表面触摸面部的过程中，显示设备的上表面可能被污染。在根据实施方式的显示设备中，可以通过驱动第四像素PXuv来对被污染的显示设备的上表面进行消毒。通过将在日常生活中使用的各种物品(诸如面罩和婴儿产品)匹配到显示设备的上表面并驱动第四像素PXuv发射紫外光，可以获得消毒效果。即使在出去时单独的紫外光消毒设备不是便携式的，也可以使用便携式电话容易地对各种物品进行消毒。
可以同时驱动第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb。第四像素PXuv可以与第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb同时驱动或分别驱动。
例如，可以选择性地驱动第四像素PXuv。例如，即使当在显示设备显示图像的同时执行消毒功能时，也可以同时驱动第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv。
此时，来自第四像素PXuv的紫外光可以被控制放电以对人体的眼睛无害。当显示设备在图像的显示期间不执行消毒功能时，在第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的驱动期间不驱动第四像素PXuv。通过停止第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的驱动来不显示图像，并且可以驱动第四像素PXuv。在这种情况下，可以驱动第四像素PXuv以优化消毒功能。此外，从第四像素PXuv发射的紫外光的强度可以通过显示设备的按钮或app来控制。
第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv可以形成像素组PXGr，并且可以重复地设置像素组PXGr。像素组PXGr可以沿着行方向和列方向设置成矩阵形式。在像素组PXGr中，第二像素PXg和第四像素PXuv可以位于第一像素PXr和第三像素PXb之间。然而，第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv的布置形状仅仅是示例，并且可以被不同地改变。例如，可以交换第一像素PXr和第二像素PXg的位置，并且可以交换第一像素PXr和第三像素PXb的位置。
在平面图中，第四像素PXuv的尺寸可以相对小于第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的尺寸。像素PXr、PXg、PXb和PXuv的每个尺寸可以是指每个发光元件EDr、EDg、EDb和EDuv的发光区域的尺寸。因此，在平面图中，第四发光元件EDuv的发光区域的尺寸可以小于第一发光元件EDr、第二发光元件EDg和第三发光元件EDb的发光区域的尺寸。例如，第四像素PXuv的尺寸可以是第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb中的至少一个的尺寸的约1％到约80％。第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv的行方向的宽度可以基本上相同。第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv的列方向的长度可以不同。第四像素PXuv的列方向的长度可以比第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的列方向的长度短。
由于第四像素PXuv对图像的显示没有贡献，所以整个显示设备的孔径比可以被第四像素PXuv降低。在根据实施方式的显示设备中，第四像素PXuv被形成为小于第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb，从而提高孔径比。此外，第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb可能被从第四像素PXuv发射的紫外光影响。例如，第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的有机材料层可能被紫外光损坏或其寿命可能缩短。在根据实施方式的显示设备中，第四像素PXuv可以形成得相对小，从第四像素PXuv发射的紫外光对其它像素的影响可以减小。考虑到显示设备的消毒能力，第四像素PXuv的尺寸可以被选择为适当的尺寸。例如，通过适当地设计第四像素PXuv的尺寸，可以在确保足够的消毒能力的同时提高孔径比，并且可以减小或最小化对其它像素的影响。
接下来，参考图3详细描述根据实施方式的显示设备的像素的截面形状。
图3是沿着图2的线III-III截取的示意性剖视图。
如图3中所示，根据实施方式的显示设备可以包括衬底110、包括半导体131、栅电极124、源电极173和漏电极175的晶体管TFT、栅极绝缘层120、层间绝缘层160、平坦化层180、像素电极191r、191g、191b和191uv、发射层370r、370g、370b和370uv、分隔壁或堤350、公共电极270和封装层400。此处，像素电极191r、191g、191b和191uv、发射层370r、370g、370b和370uv以及公共电极270可以配置(或形成)发光元件EDr、EDg、EDb和EDuv。
衬底110可以包括由于刚性特性而不弯曲的材料，诸如玻璃，或者可以包括可以弯曲的柔性材料，诸如塑料或聚酰亚胺。尽管未示出，但下缓冲层(未示出)或阻挡层(未示出)还可以位于衬底110上，以使衬底110的表面变平并阻挡杂质元素的渗透。在这种情况下，阻挡层可以位于衬底110上，并且缓冲层可以位于阻挡层上。阻挡层可以包括无机材料，例如可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。阻挡层可以是上面的材料的单层或多层结构。缓冲层可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。缓冲层可以是上面的材料的单层或多层结构。
半导体131可以设置在衬底110上。半导体131可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的任一种。例如，半导体131可以包括低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体材料，氧化物半导体材料包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)及其混合物中的至少一种。例如，半导体131可以包括IGZO(铟镓锌氧化物)。半导体131可以包括根据杂质掺杂分类的沟道区、源极区和漏极区。源极区和漏极区可以具有对应于导体的导电特性。
栅极绝缘层120可以覆盖(或重叠)半导体131和衬底110。栅极绝缘层120可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。栅极绝缘层120可以是上面的材料的单层或多层结构。
栅电极124可以设置在栅极绝缘层120上。栅电极124可以包括金属或金属合金，诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等。栅电极124可以由单层或多层组成(或包括单层或多层)。半导体131的在平面图中与栅电极124重叠的区域可以是沟道区。
层间绝缘层160可以覆盖(或重叠)栅电极124和栅极绝缘层120。层间绝缘层160可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。层间绝缘层160可以是上面的材料的单层或多层结构。
源电极173和漏电极175可以设置在层间绝缘层160上。源电极173和漏电极175通过在层间绝缘层160和栅极绝缘层120中形成的开口分别连接到半导体131的源极区和漏极区。因此，上述半导体131、栅电极124、源电极173和漏电极175构成(或形成)晶体管TFT。至少一个晶体管TFT可以位于第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv中的每一个中。然而，本公开不限于此，并且可以为每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv放置晶体管TFT。基于实施方式，晶体管TFT可以仅包括半导体131的源极区和漏极区，而不包括源电极173和漏电极175。
源电极173和漏电极175可以包括金属或金属合金，诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)和钽(Ta)。源电极173和漏电极175可以由单层或多层组成。根据实施方式的源电极173和漏电极175可以由三层组成，该三层包括上层、中间层和下层，其中，上层和下层可以包括钛(Ti)，并且中间层可以包括铝(Al)。
平坦化层180可以设置在源电极173和漏电极175上。平坦化层180可以覆盖(或重叠)源电极173、漏电极175和层间绝缘层160。平坦化层180用于平坦化配备有晶体管TFT的衬底110的表面，并且可以是有机绝缘体，并且可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和苯酚树脂组成的集合中的至少一种材料。
像素电极191r、191g、191b和191uv可以设置在平坦化层180上。像素电极191r、191g、191b和191uv也被称为阳极，并且可以由包括透明导电氧化物膜和金属材料的单层或包括这些的多层组成。透明导电氧化物膜可以包括ITO(氧化铟锡)、聚-ITO、IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、ITZO(氧化铟锡锌)等。金属材料可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)等。像素电极191r、191g、191b和191uv可以包括位于第一像素PXr中的第一像素电极191r、位于第二像素PXg中的第二像素电极191g、位于第三像素PXb中的第三像素电极191b、以及位于第四像素PXuv中的第四像素电极191uv。
平坦化层180可以包括暴露漏电极175的通孔81(称为开口)。漏电极175和像素电极191r、191g、191b和191uv可以通过平坦化层180的通孔81物理连接和电连接。因此，像素电极191r、191g、191b和191uv可以接收从漏电极175传输到发射层370的输出电流。
堤350可以位于像素电极191r、191g、191b和191uv以及平坦化层180上。堤350也被称为像素限定层(PDL)，并且包括像素开口351r、351g、351b和351uv，像素电极191r、191g、191b和191uv的上表面的部分通过像素开口351r、351g、351b和351uv暴露。堤350可以限定发射层370r、370g、370b和370uv的形成位置，使得发射层370r、370g、370b和370uv可以位于像素电极191r、191g、191b和191uv的上表面上的暴露部分上。像素开口351r、351g、351b和351uv可以包括位于第一像素PXr中的第一像素开口351r、位于第二像素PXg中的第二像素开口351g、位于第三像素PXb中的第三像素开口351b、以及位于第四像素PXuv中的第四像素开口351uv。平面图中每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的尺寸可以由像素开口351r、351g、351b和351uv的尺寸来确定。每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的发光元件EDr、EDg、EDb和EDuv的发光区域的尺寸可以由像素开口351r、351g、351b和351uv的尺寸来确定。在根据实施方式的显示设备中，第四像素开口351uv的尺寸可以小于第一像素开口351r、第二像素开口351g和第三像素开口351b的尺寸。例如，第四像素PXuv的尺寸可以小于第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的尺寸。堤350可以是有机绝缘体，该有机绝缘体包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和苯酚树脂组成的集合中的至少一种材料。根据实施方式，堤350可以由包括黑色颜料的黑色像素限定层(BPDL)形成。
发射层370r、370g、370b和370uv可以位于由堤350分隔的像素开口351r、351g、351b和351uv内。发射层370r、370g、370b和370uv可以包括位于第一像素开口351r中的第一发射层370r、位于第二像素开口351g中的第二发射层370g、位于第三像素开口351b中的第三发射层370b、以及位于第四像素开口351uv中的第四发射层370uv。第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b可以包括发射可见光的有机材料。例如，第一发射层370r可以包括发射红光的有机材料，第二发射层370g可以包括发射绿光的有机材料，并且第三发射层370b可以包括发射蓝光的有机材料。第四发射层370uv可以包括发射紫外光的有机材料。发射层370r、370g、370b和370uv可以包括低分子或高分子有机材料。在图3中，发射层370r、370g、370b和370uv被示出为单层，但在实施方式中，辅助层(例如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层)可以包括在发射层370r、370g、370b和370uv上方和下方，并且空穴注入层和空穴传输层可以位于发射层370r、370g、370b和370uv之下，而电子传输层和电子注入层可以位于发射层370r、370g、370b和370uv上。
公共电极270可以位于堤350和发射层370上。公共电极270可以完全位于衬底110上。位于每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv处的公共电极270连接至彼此并且可以被集成。公共电极270也称为阴极，并且可以形成为透明导电层，透明导电层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)。公共电极270可以具有半透明特性，并且在这种情况下，微腔可以与像素电极191r、191g、191b和191uv一起形成。根据微腔结构，具有特定波长的光可以通过两个电极之间的间隔和特性向上发射。
在每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv中，像素电极191r、191g、191b和191uv、发射层370r、370g、370b和370uv以及公共电极270可以配置发光元件EDr、EDg、EDb和EDuv。在第一像素PXr中，第一像素电极191r、第一发射层370r和公共电极270可以构成第一发光元件EDr，并且可以通过第一像素开口351r发射红光。在第二像素PXg中，第二像素电极191g、第二发射层370g和公共电极270可以形成第二发光元件EDg，并且可以通过第二像素开口351g发射绿光。在第三像素PXb中，第三像素电极191b、第三发射层370b和公共电极270可以构成第三发光元件EDb，并且可以通过第三像素开口351b发射蓝光。在第四像素PXuv中，第四像素电极191uv、第四发射层370uv和公共电极270可以构成第四发光元件EDuv，并且可以通过第四像素开口351uv发射紫外光。在平面图中，第四发光元件EDuv的发光区域的尺寸可以小于第一发光元件EDr、第二发光元件EDg和第三发光元件EDb的发光区域的尺寸。
在上文中，已经描述了第四像素PXuv的第四发光元件EDuv包括能够发射紫外光的第四发射层370uv，但不限于此。以各种其它方式，第四像素PXuv可以发射紫外光，并且第四像素PXuv的发射紫外光的层可以位于与第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的发射可见光的层相同的层上，或者位于与第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的发射可见光的层不同的层上。
封装层400可以设置在公共电极270上。封装层400可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在实施方式中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。然而，这仅仅是示例，构成封装层400的无机层和有机层的数量可以不同地改变。封装层400用于保护发光元件EDr、EDg、EDb和EDuv免受可能从外部流入的湿气或氧气的影响，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430中的每一个的一端(或第一端)可以形成为彼此直接接触。
接下来，参考图4描述根据实施方式的显示设备。
图4中所示的根据实施方式的显示设备可以与图1至图3中所示的根据实施方式的显示设备基本上相同或相似，并且省略对相同或相似部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于第四发光元件发射红外光，这将在下面进一步描述。
图4是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
如图4中所示，根据实施方式的显示设备包括像素PXr、PXg、PXb和PXir。像素PXr、PXg、PXb和PXir可以包括第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXir。在每个像素PXr、PXg、PXb和PXir中，每个发光元件EDr、EDg、EDb和EDir可以被放置。
第一发光元件EDr、第二发光元件EDg和第三发光元件EDb可以发射可见光。第四发光元件EDir可以发射红外光。第四像素PXir可以用于夜间摄影或红外处理。
第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb可以同时被驱动。第四像素PXir可以与第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb同时驱动或者与第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb分别驱动。例如，可以选择性地驱动第四像素PXir。此外，可以利用显示设备上的按钮或app来调节从第四像素PXir发射的红外光的强度。
第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXir可以形成像素组，并且可以重复地设置像素组。
在平面图中，与第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的尺寸相比，第四像素PXir的尺寸可以相对小。因此，在平面图中，第四发光元件EDir的发光区域的尺寸可以小于第一发光元件EDr、第二发光元件EDg和第三发光元件EDb的发光区域的尺寸。在根据实施方式的显示设备中，可以通过形成比第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb小的第四像素PXir来提高孔径比。在根据实施方式的显示设备中，通过形成相对小的第四像素PXir，可以减小从第四像素PXir发射的红外光对其它像素的影响。
第四像素PXir可以具有包括发射红外光的有机材料的第四发射层。第四像素电极、第四发射层和公共电极可以构成第四发光元件EDir，并且可以通过第四像素开口发射红外光。在这种情况下，通过使第四像素开口的尺寸相对小，可以使第四像素PXir的尺寸相对小，并且第四发光元件EDir的发光区域的尺寸可以相对小。
接下来，参考图5描述根据实施方式的显示设备。
图5中所示的根据实施方式的显示设备可以与图1至图3中所示的根据实施方式的显示设备基本上相同或相似，因此省略对相同或相似部分的描述。在该实施方式中，第一像素至第四像素的平面布置不同于前面的实施方式，并且将在下面进一步描述。
图5是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
如图5中所示，根据实施方式的显示设备包括像素PXr、PXg、PXb和PXuv。每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv可以包括每个发光元件EDr、EDg、EDb和EDuv。第一发光元件EDr、第二发光元件EDg、第三发光元件EDb和第四发光元件EDuv可以各自发射不同波长的光。第一发光元件EDr、第二发光元件EDg和第三发光元件EDb可以发射可见光，诸如红色、绿色和蓝色。第四发光元件EDuv可以发射具有不同于可见光波长的波长的光。例如，第四发光元件EDuv可以发射紫外光。
第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv可以形成一个像素组PXGr，并且可以重复地设置像素组PXGr。像素组PXGr可以沿着行方向和列方向设置成矩阵形式。在一个像素组PXGr中，可以放置一个第一像素PXr、两个第二像素PXg、一个第三像素PXb和两个第四像素PXuv。像素组PXGr可以具有近似钻石形形状或菱形形状。第一像素PXr和第三像素PXb可以具有菱形形状，并且第二像素PXg和第四像素PXuv可以具有矩形形状。在像素组PXGr中，第一像素PXr和第三像素PXb可以分别设置在左侧部分和右侧部分上。第二像素PXg和第四像素PXuv可以设置在像素组PXGr的上部部分上，并且第二像素PXg和第四像素PXuv可以设置在像素组PXGr的下部部分上。然而，第一像素PXr、第二像素PXg、第三像素PXb和第四像素PXuv的形状和布置形状仅仅是示例，并且可以被不同地改变。
在平面图中，与第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb的尺寸相比，第四像素PXuv的尺寸可以相对小。因此，在平面图中，第四发光元件EDuv的发光区域的尺寸可以小于第一发光元件EDr、第二发光元件EDg和第三发光元件EDb的发光区域的尺寸。在根据实施方式的显示设备中，可以通过形成比第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb小的第四像素PXuv来提高孔径比。在根据实施方式的显示设备中，通过形成相对小的第四像素PXuv，可以减小从第四像素PXuv发射的紫外光对其它像素的影响。
接下来，参考图6描述根据实施方式的显示设备。
图6中所示的根据实施方式的显示设备可以与图1至图3中所示的根据实施方式的显示设备基本上相同或相似，因此省略对相同或相似部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于第四像素和其它像素之间的距离相对远，并且将在下面进一步描述。
图6是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。图6仅示出了每个像素的一些层。示出了堤350、像素开口351r、351g、351b和351uv、以及每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的发射层370r、370g、370b和370uv。
如图6中所示，根据实施方式的显示设备包括像素PXr、PXg、PXb和PXuv。发光元件可以位于每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv中。每个发光元件包括发射层370r、370g、370b和370uv，并且第一发射层370r、第二发射层370g、第三发射层370b和第四发射层370uv分别包含发射不同波长的光的有机材料。第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b可以包括发射可见光(诸如，红色、绿色和蓝色)的有机材料。第四发射层370uv可以包括发射具有除了可见光波长之外的波长的光的有机材料。例如，第四发射层370uv可以包括发射紫外光的有机材料。
每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的发射层370r、370g、370b和370uv可以位于堤350的像素开口351r、351g、351b和351uv内。因此，堤350可以位于发射层370r、370g、370b和370uv之间，并且发射层370r、370g、370b和370uv可以分别被堤350分隔。堤350可以位于第一发射层370r和第二发射层370g之间，堤350可以位于第二发射层370g和第三发射层370b之间，并且堤350可以位于第三发射层370b和第四发射层370uv之间。
在前面的实施方式中，堤350的宽度可以是恒定的，并且在该实施方式中，堤350的宽度可以是可变的。随着堤350的宽度增加，位于堤350的两侧上的发射层370r、370g、370b和370uv之间的距离可以增加。例如，随着堤350的宽度增加，位于堤350的两侧上的像素PXr、PXg、PXb和PXuv之间的距离可以增加。位于第一发射层370r和第二发射层370g之间的堤350的宽度可以基本上等于位于第二发射层370g和第三发射层370b之间的堤350的宽度。位于第三发射层370b和第四发射层370uv之间的堤350的宽度可以大于位于第二发射层370g和第三发射层370b之间的堤350的宽度。围绕第四发射层370uv的堤350的宽度可以大于位于第一发射层370r和第二发射层370g之间的堤350的宽度。围绕第四发射层370uv的堤350的宽度可以大于位于第二发射层370g和第三发射层370b之间的堤350的宽度。因此，与第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b之间的距离相比，第四发射层370uv和第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b之间的距离可以相对远地设置。例如，第四像素PXuv和第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb之间的距离可以相对远地设置。
从发射层370r、370g、370b和370uv发射的光Lr、Lg、Lb和Luv可以扩散到周围环境。因此，从每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv发射的光Lr、Lg、Lb和Luv可以影响其它像素PXr、PXg、PXb和PXuv。如果从第四像素PXuv发射的紫外光的光(Luv)影响其它像素PXr、PXg、PXb和PXuv，则发射层370r、370g、370b和370uv可能被损坏。在实施方式中，通过形成在第四发射层370uv和第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b之间的距离相对远，可以防止来自第四像素PXuv的紫外光(Luv)影响其它像素PXr、PXg、PXb和PXuv。
接下来，参考图7描述根据实施方式的显示设备。
图7中所示的根据实施方式的显示设备可以与图1至图3中所示的根据实施方式的显示设备基本上相同或相似，因此省略对相同或相似部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于，第四像素的宽度变窄，并且将在下面进一步描述。
图7是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。
如图7中所示，根据实施方式的显示设备包括像素PXr、PXg、PXb和PXuv。发光元件可以位于每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv中。每个发光元件包括发射层370r、370g、370b和370uv，并且第一发射层370r、第二发射层370g、第三发射层370b和第四发射层370uv可以分别包括发射不同波长的光的有机材料。第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b可以包括发射可见光(诸如红色、绿色和蓝色)的有机材料。第四发射层370uv可以包括发射具有除了可见光波长之外的波长的光的有机材料。例如，第四发射层370uv可以包括发射紫外光的有机材料。
在前面的实施方式中，每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的宽度可以是恒定的，并且在该实施方式中，每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的宽度可以是不同的。
在根据实施方式的显示设备中，堤350的像素开口351r、351g、351b和351uv的宽度可以是不同的。与第一像素开口351r、第二像素开口351g和第三像素开口351b的宽度相比，第四像素开口351uv的宽度可以相对窄。第四发射层370uv的宽度可以比第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b的宽度窄。随着像素开口351r、351g、351b和351uv的宽度更窄，其中从每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv发射的光Lr、Lg、Lb和Luv被扩散的范围可以减小。第四像素开口351uv的宽度相对窄，并且从第四发射层370uv发射的紫外光的扩散范围可以相对窄。因此，可以防止从第四像素PXuv发射的光Luv影响第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb。
接下来，参考图8描述根据实施方式的显示设备。
图8中所示的根据实施方式的显示设备可以与图1至图3中所示的根据实施方式的显示设备基本上相同或相似，因此省略对相同或相似部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在，第四发射层的厚度形成为薄的，并且将在下面进一步描述。
图8是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。
如图8中所示，根据实施方式的显示设备包括像素PXr、PXg、PXb和PXuv。发光元件可以位于每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv中。每个发光元件包括发射层(370r、370g、370b和370uv)，并且第一发射层、第二发射层、第三发射层和第四发射层(370r、370g、370b和370uv)可以各自包括发射不同波长的光的有机材料。第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b可以包括发射可见光(诸如红色、绿色和蓝色)的有机材料。第四发射层370uv可以包括发射具有除了可见光波长之外的波长的光的有机材料。例如，第四发射层370uv可以包括发射紫外光的光的有机材料。
在前面的实施方式中，每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的发射层370r、370g、370b和370uv的厚度可以是恒定的，并且在该实施方式中，每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv的发射层370r、370g、370b和370uv的厚度可以是不同的。
在根据实施方式的显示设备中，第四发射层370uv的厚度可以比第一发射层370r、第二发射层370g和第三发射层370b的厚度相对更薄。随着发射层370r、370g、370b和370uv的厚度更薄，其中从每个像素PXr、PXg、PXb和PXuv发射的光Lr、Lg、Lb和Luv被扩散的范围可以减小。由于第四发射层370uv的厚度形成得相对薄，所以从第四发射层370uv发射的紫外光的光Luv的扩散范围可以相对窄。因此，可以防止从第四像素PXuv发射的光Luv影响第一像素PXr、第二像素PXg和第三像素PXb。
接下来，参考图9至图11描述根据实施方式的显示设备。
图9至图11中所示的根据实施方式的显示设备可以与图1至图3中所示的根据实施方式的显示设备基本上相同或相似，因此省略了对相同或相似部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于，第四发光元件仅位于一些区域中，并且将在下面进一步描述。
图9至图11是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
如图9至图11中所示，根据实施方式的显示设备1000包括衬底110和设置在衬底110上的像素PX。
衬底110可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。位于第一显示区域DA1中的像素PX可以由发射可见光的像素组成。例如，发射红光的第一发光元件、发射绿光的第二发光元件和发射蓝光的第三发光元件可以位于第一显示区域DA1中。位于第二显示区域DA2中的像素PX可以包括发射可见光的像素和发射不可见光的像素。不可见光的波长可以短于约400nm或长于约700nm。例如，在第二显示区域DA2中，可以放置发射红光的第一发光元件、发射绿光的第二发光元件、发射蓝光的第三发光元件和发射紫外光的第四发光元件。因此，发射可见光的发光元件可以位于衬底110的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中，并且发射紫外光的第四发光元件可以仅位于衬底110的第二显示区域DA2中。例如，发射可见光的发光元件可以完全位于衬底110上，并且发射紫外光的第四发光元件可以仅位于衬底110上的一些区域中。
首先，如图9中所示，第二显示区域DA2可以形成为近似矩形。第二显示区域DA2可以被设置为从衬底110的上侧到下侧以恒定间距间隔开。第一显示区域DA1可以具有围绕第二显示区域DA2的形状。
如图10中所示，第二显示区域DA2可以形成为近似矩形。第二显示区域DA2可以位于衬底110的上侧上。第一显示区域DA1可以位于衬底110的下侧处，并且可以具有在衬底110的上侧处围绕第二显示区域DA2的形状。
如图11中所示，第二显示区域DA2可以形成为近似矩形。第二显示区域DA2可以在行方向和列方向上设置成矩阵形式。第一显示区域DA1可以具有围绕第二显示区域DA2的形状。
图9至图11中所示的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的平面形状、尺寸、数量和布置形状仅仅是示例，而不限于此。例如，根据实施方式的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的平面形状、尺寸、数量和布置形状可以不同地改变。
在根据实施方式的显示设备中，由于发射紫外光的第四发光元件仅位于一些区域中，因此可以提高孔径比并且可以降低来自第四发光元件的紫外光对其它像素的影响。
尽管已经结合当前被认为是实际实施方式的实施方式描述了本公开，但是应当理解，本公开不限于所公开的实施方式。相反，本公开旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (10)

1.显示设备，包括：
衬底；以及
第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件，设置在所述衬底上，其中，
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发射可见光，
所述第四发光元件发射不可见光，以及
在平面图中，所述第四发光元件的发光区域的尺寸小于所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的每一个的发光区域的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第四发光元件发射紫外光或红外光。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一发光元件包括：
第一像素电极，设置在所述衬底上；以及
第一发射层，设置在所述第一像素电极上并且包括发射第一颜色光的有机材料，
所述第二发光元件包括：
第二像素电极，设置在所述衬底上；以及
第二发射层，设置在所述第二像素电极上并且包括发射第二颜色光的有机材料，
所述第三发光元件包括：
第三像素电极，设置在所述衬底上；以及
第三发射层，设置在所述第三像素电极上并且包括发射第三颜色光的有机材料，以及
所述第四发光元件包括：
第四像素电极，设置在所述衬底上；以及
第四发射层，设置在所述第四像素电极上并且包括发射紫外光的有机材料。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第四发射层和所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层之间的距离被设置得比所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层之间的距离更远。
5.根据权利要求3所述的显示设备，还包括
堤，包括：
第一像素开口，与所述第一像素电极重叠；
第二像素开口，与所述第二像素电极重叠；
第三像素开口，与所述第三像素电极重叠；以及
第四像素开口，与所述第四像素电极重叠，其中，
所述第一发射层设置在所述第一像素开口中，
所示第二发射层设置在所述第二像素开口中，
所述第三发射层设置在所述第三像素开口中，以及
所述第四发射层设置在所述第四像素开口中。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
围绕所述第四发射层的所述堤的宽度大于设置在所述第一发射层和所述第二发射层之间的所述堤的宽度，以及
围绕所述第四发射层的所述堤的宽度大于设置在所述第二发射层和所述第三发射层之间的所述堤的宽度。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第四像素开口的宽度比所述第一像素开口、所述第二像素开口和所述第三像素开口中的每一个的宽度窄。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第四发射层的宽度比所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层中的每一个的宽度窄。
9.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第四发射层的厚度比所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层中的每一个的厚度薄。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述衬底包括第一显示区域和第二显示区域，以及
所述第四发光元件未设置在所述第一显示区域中并且设置在所述第二显示区域中。
CN202210097194.6A 2021-03-02 2022-01-27 显示设备 Pending CN115000127A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0027354 2021-03-02
KR1020210027354A KR20220124312A (ko) 2021-03-02 2021-03-02 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115000127A true CN115000127A (zh) 2022-09-02

Family

ID=83023697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210097194.6A Pending CN115000127A (zh) 2021-03-02 2022-01-27 显示设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220285457A1 (zh)
KR (1) KR20220124312A (zh)
CN (1) CN115000127A (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070205423A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5117326B2 (ja) * 2008-08-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 カラー表示装置及びその製造方法
US8937302B2 (en) * 2012-08-06 2015-01-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode
JP6815090B2 (ja) * 2016-03-31 2021-01-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル及びその製造方法
KR20180085288A (ko) * 2017-01-18 2018-07-26 삼성전자주식회사 지문 인식 기능을 가지는 전자 장치
KR102463734B1 (ko) * 2017-03-08 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN110634908A (zh) * 2018-06-21 2019-12-31 上海自旭光电科技有限公司 有机发光二极管显示器的画素结构
WO2020140284A1 (zh) * 2019-01-04 2020-07-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其驱动方法
KR20210083917A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220124312A (ko) 2022-09-14
US20220285457A1 (en) 2022-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230018408A1 (en) Stretchable display device
US10411080B2 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US9634075B2 (en) Organic light emitting display device
CN109315049B (zh) 显示装置和电子设备
US10304386B2 (en) Display device
US9252268B2 (en) Array substrate for display device
US20190027092A1 (en) Oled display device, circuit therein, and method of manufacturing oled display device
US20170053975A1 (en) Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
US9887252B2 (en) Transparent display apparatus
US20130099218A1 (en) Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
KR20100001598A (ko) 유기 발광 표시 장치, 그 제조 방법 및 이에 사용되는섀도우 마스크
KR101600816B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170002730A (ko) 유기 발광 표시 장치
US8330353B2 (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof
US20140098077A1 (en) Organic light emitting diode display
US20220320472A1 (en) Display device
JP2013229292A (ja) 表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器
CN107564939B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20220285457A1 (en) Display device
US20240074239A1 (en) Display device
US11610961B2 (en) Display device having a flat plate-shaped pixel electrode for improving contrast and method of manufacturing display device
US20230232679A1 (en) Display device
CN220342751U (zh) 显示装置
US11925091B2 (en) Light emitting display device and manufacturing method thereof
US20220367768A1 (en) Display device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination