KR20220121733A - 엘이디 조명 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

LED 조명 장치의 제조 방법은 기판 상에 분리막을 형성하는 단계, 분리막을 패터닝하는 단계, 분리막 상에 LED를 각각 형성하는 단계, LED의 상면 및 이격 공간에 연신 필름을 결합하는 단계, 분리막을 기판에서 분리하는 단계, 연신 필름을 연신하는 단계, LED의 상면을 노출하는 단계, LED의 상면, 그리고 분리막의 하면 또는 LED의 하면에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

엘이디 조명 장치 및 그 제조 방법{Lighting Fixture with LED and Manufacturing Method thereof}
본 발명은 LED(Light Emitting Diode) 조명 장치에 관한 것으로, 상세하게는 LED를 마이크로 단위로 균일하게 배열하여 빛 균일도를 향상시킨 LED 조명 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
LED는 휘도가 높고, 열량이 적고, 수명이 길고, 환경친화적이고, 재활용이 가능한 장점을 보유하고 있어, 21세기 가장 발전 전망이 있는 차세대 녹색 조명으로 불리고 있다.
종래의 LED 조명 장치는 LED 칩을 기판 상에 고정하여 LED 칩 전극과 기판 전극을 결합하는 단계, LED 칩 및 기판을 지지체 반사컵의 컵 바닥에 고정시키는 단계, 도선을 이용하여 고정된 기판의 전극을 지지체의 전극에 각각 연결하는 단계 등을 거쳐 제조하고 있다.
그런데, LED 조명 장치의 제조 방법으로는 LED 칩을 최대한 조밀하게 배열하더라도 이격 간격을 좁히는데 한계가 있어 마이크로 단위의 LED 조명 장치를 제조하는 것은 사실상 불가능하다.
또한, 종래의 LED 조명 장치의 제조 방법은 LED 칩의 이격 간격이 넓기 때문에 LED 칩이 시인될 수 있고, 이때 확산부를 추가로 결합하는 경우가 많아, 원가 상승의 원인이 되고 있다.
[선행기술문헌]
1. 한국특허공개 제10-2018-0022861호(이형 유기 실리콘 수지 광변환체로 LED를 본딩 패키징하는 장비 시스템)
2. 한국특허공개 제10-2014-0061015호(프레임리스 패키지 LED 칩을 이용한 백라이트 유닛 및 그 제조 방법)
본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로,
첫째, LED를 마이크로 단위로 균일하게 배열하여 빛 균일도를 향상시킬 수 있고,
둘째, 내구성과 효율성이 높은, LED 조명 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법은, 기판 상에 분리막을 형성하는 단계; 분리막을 패터닝하는 단계; 분리막 상에 LED를 각각 형성하는 단계; LED의 상면 및 이격 공간에 연신 필름을 결합하는 단계; 분리막을 기판에서 분리하는 단계; 연신 필름을 연신하는 단계; LED의 상면을 노출하는 단계; LED의 상면, 그리고 분리막의 하면 또는 LED의 하면에 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, 분리막을 형성하는 단계는 분리막을 0.2 ~ 1.1 nm의 두께로 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, 분리막을 형성하는 단계는 그래핀 결정 박막을 1~5개 층으로 적층하여 분리막을 구성할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, 분리막을 형성하는 단계는, 분리막을 구리 호일 상에 형성하는 단계; 분리막을 기판에 전사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, 분리막을 패터닝하는 단계는 분리막을 위치별로 선택적으로 제거하거나 분리막에 가림막을 위치별로 선택적으로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
분리막 상에 LED를 각각 형성하는 단계는 기판과 동일한 결정 구조를 갖는 반도체층을 결정 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, LED의 상면 및 이격 공간에 연신 필름을 결합하는 단계는 연신 필름을 열가압하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, 연신 필름을 연신하는 단계는 연신 필름을 연신된 상태로 형태 고정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, LED의 상면을 노출하는 단계는 연신 필름의 일부를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, 연신 필름의 일부를 제거하는 단계는 연신 필름을 드라이 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법에서, LED의 상면, 그리고 분리막의 하면 또는 LED의 하면에 전극을 형성하는 단계는 도전 필름을 LED의 상면, 그리고 분리막의 하면 또는 LED의 하면에 라미네이팅하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치는, 이격 배열되는 다수의 LED, LED의 이격 공간에 형성되는 연신 필름, LED에 라미네이팅되는 필름 형태의 전극을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치는 LED의 일측에 결합하는 분리막을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치에서, 분리막은 0.2 ~ 1.1 nm의 두께를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치에서, 분리막은 그래핀 결정 박막을 1~5개 층으로 적층한 구조를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치에서, 연신 필름은 녹는 온도와 인장강도 0.46Mpa에서 열변형 온도의 차이가 40℃ 이상인 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 이 경우, 고분자 유기물은 ABS 수지, 나일론 6, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, HDPE, PET, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 중에서 선택할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 조명 장치에서, 연신 필름은 LED의 이격 공간에 삽입 융착될 수 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 LED 조명 장치 및 그 제조 방법은 연신 필름을 통해 LED를 마이크로 단위로 균일하게 배열할 수 있어 빛 균일도를 크게 높일 수 있다.
본 발명의 LED 조명 장치 및 그 제조 방법은 LED 이격 공간에 연신 필름을 융착시킴으로써 조명 장치의 내구성을 크게 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 LED 조명 장치 및 그 제조 방법은 연신 필름을 이용하여 LED를 균일하고 조밀하게 이격시켜 고정함으로써 유기 EL의 면광원 특성과 유사하면서도 높은 효율성을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 과정을 도시하는 공정 단면도이다.
도 2a,2b는 본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제1,2 실시예를 도시하는 단면도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 과정을 도시하는 공정 단면도이다.
도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제조 방법은, 먼저 기판(100) 상에 분리막(210)을 형성한 후, 분리막(210)을 위치별로 선택적으로 제거하는 방식으로 패터닝할 수 있다.
기판(100)은 실리콘 기판 등을 사용할 수 있다.
분리막(210)은 LED(220)를 기판(100)에서 분리하는데 사용하는 것으로, 도전물일 수도 있고, 절연물일 수도 있다. 도전물로 구성하는 경우, 분리막(210)은 Cu, Ni, Ag, Au, Co, Cu-Co, Ni-Co, Cu-Mo, Ni/Cu, Ni/Cu-Mo, 그래핀 등으로 구성할 수 있다. 절연물로 구성하는 경우, 분리막(210)은 고분자 유기막, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스타일렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene) 등으로 구성할 수 있다. 분리막(210)은 증착 등을 통해 형성할 수 있는데, 예를 들어 전착(electro-deposition), 무전해도금(electroless-deposition), 화학기상증착(CVD), 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD), 물리증착(PVD), 플라즈마 용사(plasma spray) 등의 방법을 사용할 수 있다.
분리막(210)은, 상부에 LED(220)를 결정 성장시킬 때 기판(100)의 결정 구조가 LED(220)의 결정 성장에 영향을 미쳐야 하므로, 가능한 얇게 구성하는 것이 바람직하다. 분리막(210)의 두께가 1.1 nm를 넘으면, 상부에 형성되는 LED(220)가 기판(100)의 결정 구조와 동일한 결정 구조로 성장하는데 장애가 되므로, 분리막(210)의 두께는 1.1 nm 이하로 구성하는 것이 바람직할 수 있다.
분리막(210)은, 추후 공정에서 기판(100), LED(220) 등에 열이 가해질 수 있어, 내열성 재질로 구성하는 것이 바람직할 수 있다.
이와 같이, 분리막(210)은 박막으로 구성할 수 있어야 하고 열에도 강해야 하는데, 이러한 조건을 가장 만족시키는 재질은 그래핀(graphene)임을 확인하였다. 그래핀은 결정 박막의 1개층 두께가 0.2nm 정도인데, 이 경우 그래핀으로 분리막(210)을 형성하면, 분리막(210)의 두께 상한값인 1.1 nm까지는 5개 층의 그래핀 결정 박막을 적층하여 분리막(210)의 두께를 0.2 ~ 1.0 nm 범위로 형성할 수 있다.
분리막(210)을 그래핀으로 구성하는 경우, 1~5개 층의 그래핀 결정 박막을 구리 호일에 형성한 후, 이것을 기판(100)에 전사하는 방식으로 분리막(210)을 형성할 수 있다.
도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 분리막(210) 상에 LED(220)를 각각 형성할 수 있다. LED(220)는 발광층으로서 N형 반도체층, 활성층, P형 반도체층 등을 포함할 수 있다.
N형 반도체층은 n형 GaN 층을 성장시켜 구성할 수 있는데, n형 분순물로서는 실리콘(Si) 등을 사용할 수 있다.
활성층은 N형 반도체층에 형성될 수 있다. 활성층은 이중 이종구조(double heterostructure), 단일 양자 우물(single quantum well), 또는 다중 양자 우물(multiple quantum wells)일 수 있다.
P형 반도체층은 p형 GaN층을 활성층에 형성될 수 있다. p형 불순물은 마그네슘(Mg) 등을 사용할 수 있다.
LED(220)를 구성하는 N형 반도체층, 활성층, P형 반도체층은 기판(100)과 동일한 결정 구조를 가지면서 결정 성장되는 층일 수 있다. 결정 성장은 예를 들어 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등을 사용할 수 있다. 이를 통해, LED(220)를 분리막(210)에서 수직 상방으로 성장시킬 수 있고, 그 결과 이격 간격이 좁은 인접 LED(220)와 접촉, 즉 쇼트되는 것을 차단할 수 있다.
도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, LED(220)의 상면에 연신 필름(230)을 결합할 수 있다. 이 단계에서, 연신 필름(230) 또는 기판(100)에 열을 가하면서 연신 필름(230)을 가압하면, LED(220)의 이격 공간에 연신 필름이 삽입될 수 있다. 이를 통해, 연신 필름(230)은 다수의 LED(220)를 이격 및 절연 상태로 견고하게 지지할 수 있다.
연신 필름(230)은 예를 들어 200~500% 범위의 연신율을 갖는 고분자 유기물을 사용할 수 있다.
연신 필름(230)은 LED(220)의 이격 공간에 삽입하는 과정과 연신 과정을 거치는데, 삽입 과정은 열변형 온도(Deformation temperature) 이상에서 진행하고, 연신 과정은 녹는 온도(Melting Point) 이하에서 진행할 수 있다. 이러한 삽입과 연신의 공정 온도 차이로 인해, 연신 필름(230)의 재료는 열변형 온도(Deformation temperature)와 녹는 온도(Melting Point)의 차이가 클수록 유리할 수 있다.
아래의 표 1은 여러 고분자 유기물의 열변형 온도와 녹는 온도를 비교하고 있다. 여기서, 열변형 온도는 보통 인장강도 0.46 Mpa와 1.8 Mpa에서 측정한 값(온도)를 사용하는데, 본 발명에서는 연성이 양호한 재질을 사용하는 것이 바람직하므로, 인장강도 0.46 Mpa에서 측정한 값을 사용하였다.
종류 열변형 온도(℃) 녹는 온도(℃) 온도 차이(℃)
ABS 98 200 102
아세탈 공중합체 160 160-184 0
아크릴 95 130 35
나일론 6 160 220 60
폴리카보네이트 140 230-260 90
폴리에틸렌 85 130 45
고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 85 130 45
PET 70 250 180
폴리프로필렌 100 160 60
폴리스테렌 95 270 175
위에서 예시한 고분자 유기물 중에서, 온도 차이가 40℃ 미만인 아세탈 공중합체와 아크릴은 삽입 공정과 연신 공정을 분리하여 수행하기에는 온도 차이가 작아서 실제 공정에 적용하기가 어려웠다. 따라서, 위에 예시한 고분자 유기물 중에서는 ABS 수지, 나일론 6, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, HDPE, PET, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 중에서 선택하여 사용할 수 있다.
나아가, 실제 공정을 수행해 본 결과, 온도 차이가 60℃ 이상일 때, 삽입 공정과 연신 공정의 분리 수행이 수월하게 진행되었기에, 본 발명에서는 위의 고분자 유기물 중에서 ABS 수지, 나일론 6, 폴리카보네이트, PET, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 중에서 선택하는 것이 바람직할 수 있다.
한편, 공정을 실제 수행할 때, 공정 온도가 높으면 공정 유지가 까다롭고 제조 비용도 증가하므로, 온도 차이가 60℃ 이상의 조건을 충족하면, 열변형 온도와 녹는 온도가 모두 낮는 것이 바람직하고, 특히 열변형 온도가 낮는 것이 바람직할 수 있다. 이런 측면에서 보면, 본 발명에서는 위의 고분자 유기물 중에서 열변형 온도가 100℃ 이하인 ABS 수지, PET, 폴리스티렌 중에서 선택하는 것이 바람직하고, 나아가 이들 중에서는 열변형 온도가 가장 낮은 PET를 선택하는 것이 가장 바람직할 수 있다.
위에서 선택되지 않은 재료라도 본 발명에서 언급된 공정에 적용 가능한 특성을 가질 수 있도록 생산 혹은 가공된 것이면, 당업자가 이것을 연신 필름(230)으로 사용하는데 특별히 제한할 필요는 없을 것이다. 예를 들어, 폴리프로필렌(PP) 필름의 경우, 가공 방식에 따라 필름 특성 분포가 상당히 차이가 생길 수 있다. 예를 들어, DCP, CPP, SCP 등은 동일하게 폴리프로필렌 원재료를 사용함에도 인장 강도나 신장율에서 많은 차이를 보일 수 있다. PET 필름의 경우에도, 각 방향별 연신비, 열고정 온도, 압출 온도, 어닐링 온도 등의 조건에 따라 특성 변화가 다양할 수 있다. 이와 같이, 현재 적용 가능하다고 판단된 위의 선택 물질들 외에도 제조 조건에 따라서는 연신 필름으로 적용 가능한 재료가 있다면, 이러한 물질들을 연신 필름(230) 재료로 사용하는 것을 배제하지 않는다.
도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 분리막(210)을 기판(100)에서 분리할 수 있다. 이 때, LED(220)는 연신 필름(230)에 고정되어 있다.
도 1의 (d) 단계에서, 분리막(210)을 도전 물질로 구성하는 경우에는 분리막(210)을 LED(220)에 부착된 채 분리막(210)을 기판에서 분리할 수 있고, 분리막(210)을 절연 물질로 구성하는 경우에는 분리막(210)을 기판(100)에 부착된 채 LED(220)만을 기판(100)에서 분리할 수 있다. 본 발명에서는 LED(220)의 손상이나 전극 형성 등에서 작업 용이를 위해 분리막(210)을 도전 물질로 구성하는 것이 바람직할 수 있다.
도 1의 (e)에 도시한 바와 같이, 연신 필름(230)을 연신할 수 있다. 연신 필름(230)은, 200~500%의 연신율을 가질 경우, 1축에서 2~5배 확장될 수 있고, 그 결과 평면상에서 LED(220)를 4~25배 면적으로 펼칠 수 있다.
도 1의 (e) 단계에서, 연신 필름(230)은 연신된 상태로 형태를 고정할 수 있는데, 연신 상태의 형태 고정은 연신을 임계값을 초과하여 수행하거나 연신 필름(230)에 임계값을 초과하는 열을 가하는 등의 방법을 사용할 수 있다.
예를 들어, PET의 경우, 예를 들면 80~100℃로 예열하고, 예열된 PET 연신 필름을 먼저 세로 방향으로 200~500%로 연신할 수 있다. 세로 방향으로 연신된 PET 연신 필름은 일단 냉각시킨 다음 다시 130~150℃의 온도에서 200~500%로 연신할 수 있다. 연신된 PET 연신 필름은 180~250℃에서 1~30초 동안 열처리한 후, 천천히 냉각시킬 수 있다. 이 경우, PET 연신 필름은 연신된 상태로 형상이 고정될 수 있다.
도 1의 (f)에 도시한 바와 같이, 연신 필름(230)의 일부, 즉 상부를 제거하여 LED(220)의 상면을 노출시킬 수 있다. LED(220) 상면의 노출은 연신 필름(230)의 상부에 드라이 에칭 가스를 가하는, 즉 드라이 에칭 방법을 사용할 수 있다.
도 1의 (g)에 도시한 바와 같이, LED(220)의 상면, 그리고 분리막(210)의 하면에 전극을 형성할 수 있다.
도 1의 (g) 단계에서는, LED(220)의 상면과 분리막(210)의 하면에 필름 형태의 전극, 즉 전극(240)을 라미네이팅할 수 있다. 전극(240)은 Cu, Ni, Ag, Au, Co, Cu-Co, Ni-Co, Cu-Mo, Ni/Cu, Ni/Cu-Mo 등의 도전 필름일 수 있다. 이 경우, 다수 LED(220)는 한 쌍의 전극에 연결되어 조명 등의 용도로 사용될 수 있다.
도 1의 (g) 단계에서, 분리막(210)이 없는 경우, 전극(240)은 LED(220)의 상면과 하면에 각각 결합할 수 있다.
위의 설명에서는 분리막(210)을 선택적으로 제거하는 방식의 분리막 패터닝을 예시하였으나, LED(220)의 성장 특성이 기판(100)의 선택적 구분에 의존하는 점에 비추어 보면, 분리막(210)의 패터닝은 분리막(210)에 가림막(성장 방해층)을 위치별로 선택적으로 형성하는 방식도 가능하다.
도 2a,2b는 본 발명에 따른 LED 조명 장치의 제1,2 실시예를 도시하는 단면도이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 제1 실시예의 LED 조명 장치는 LED(220), 연신 필름(230), 분리막(210), 전극(240) 등을 포함할 수 있다.
LED(220)는 발광층으로, N형 반도체층, 활성층, P형 반도체층 등을 적층한 구조를 가질 수 있다.
LED(220)는 마이크로 LED로서, 예를 들어 10㎛×10㎛의 크기를 가질 수 있고, 각각의 LED(220)는 예를 들어 20~60㎛로 이격시켜 구성할 수 있다.
연신 필름(230)은 LED(220)를 지지 고정하는 것으로, LED(220)의 이격 공간에 융착 삽입될 수 있다. 연신 필름(230)은 TPU, PET, 실리콘 등의 연신 가능한 재질로 구성할 수 있다. 연신 필름(230)은 원 상태에서 200~500%로 연신된 변형체일 수 있다.
분리막(210)은 도전 물질의 박막일 수 있다. 분리막(210)은 0.2 ~ 1.1 nm의 두께를 가질 수 있다. 분리막(210)의 두께가 0.2nm 미만이면 형성이 어려울 뿐 아니라 기판(100)에서 분리할 때 박리가 어려울 수 있다. 분리막(210)의 두께가 1.1nm를 초과하면 분리막(210) 상에 LED(220)를 형성할 때 LED(220)를 기판(100)의 결정 구조와 동일한 결정 구조로 형성하기가 어려울 수 있다.
분리막(210)은 박막 형성, LED(220) 결정 성장 등을 위해서 그래핀을 재질로 하는 것이 바람직할 수 있다. 이 경우, 분리막(210)은 0.2 ~ 1.1 nm 두께 범위에서 그래핀 결정 박막을 1~5개 층으로 구성할 수 있는데, LED(220) 결정의 양호한 성장을 위해서는 1~2개 층으로 구성하는 것이 바람직하고, 이 경우 분리막(210)은 0.2 ~ 0.4 nm의 두께를 가질 수 있다.
전극(240)은 도전 금속으로 구성되는 필름으로서, Cu, Ni, Ag, Au, Co, Cu-Co, Ni-Co, Cu-Mo, Ni/Cu, Ni/Cu-Mo 등의 도전 물질을 재질로 할 수 있다. 전극(240)은 다수 LED(220)의 양측에 각각 일체로(전체적으로) 결합할 수 있다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 제2 실시예의 LED 조명 장치는, 제1 실시예의 LED 조명 장치에서 분리막(210)을 제거하여, LED(220), 연신 필름(230), 전극(240) 등을 포함하도록 구성할 수 있다.
LED(220), 연신 필름(230), 전극(240)은 위의 제1 실시예에서 설명한 대응 구성요소와 동일하므로, 이들에 대한 상세한 설명은 위의 관련 설명으로 갈음한다.
이상, 본 발명을 여러 실시예로서 설명하였는데, 이들은 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 기술자라면 이러한 실시예들을 다른 형태로 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명의 권리범위는 아래의 특허청구범위에 의해 정해지므로, 그러한 변형이나 수정이 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.
100 : 기판 210 : 분리막
220 : LED 230 : 연신 필름
240 : 전극

Claims (17)

  1. 기판 상에 분리막을 형성하는 단계;
    상기 분리막을 패터닝하는 단계;
    상기 분리막 상에 LED를 각각 형성하는 단계;
    상기 LED의 상면 및 이격 공간에 연신 필름을 결합하는 단계;
    상기 분리막을 상기 기판에서 분리하는 단계;
    상기 연신 필름을 연신하는 단계;
    상기 LED의 상면을 노출하는 단계;
    상기 LED의 상면, 그리고 상기 분리막의 하면 또는 상기 LED의 하면에 전극을 형성하는 단계를 포함하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분리막을 형성하는 단계는
    상기 분리막을 0.2 ~ 1.1 nm의 두께로 형성하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 분리막을 형성하는 단계는
    그래핀 결정 박막을 1~5개 층으로 적층하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 분리막을 형성하는 단계는
    상기 분리막을 구리 호일 상에 형성하는 단계;
    상기 분리막을 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분리막을 패터닝하는 단계는
    상기 분리막을 위치별로 선택적으로 제거하거나 상기 분리막에 가림막을 위치별로 선택적으로 형성하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 LED의 상면 및 이격 공간에 연신 필름을 결합하는 단계는
    상기 연신 필름을 열가압하는 단계를 포함하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 연신 필름을 연신하는 단계는
    상기 연신 필름을 연신된 상태로 형태 고정하는 단계를 포함하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 LED의 상면을 노출하는 단계는
    상기 연신 필름의 일부를 제거하는 단계를 포함하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 연신 필름의 일부를 제거하는 단계는
    상기 연신 필름을 드라이 에칭하는 단계를 포함하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 LED의 상면, 그리고 상기 분리막의 하면 또는 상기 LED의 하면에 전극을 형성하는 단계는
    도전 필름을 상기 LED의 상면, 그리고 상기 분리막의 하면 또는 상기 LED의 하면에 라미네이팅하는 단계를 포함하는, LED 조명 장치의 제조 방법.
  11. 이격 배열되는 다수의 LED;
    상기 LED의 이격 공간에 형성되는 연신 필름;
    상기 LED에 라미네이팅되는 필름 형태의 전극을 포함하는, LED 조명 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 LED의 일측에 결합하는 분리막을 포함하는, LED 조명 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 분리막은
    0.2 ~ 1.1 nm의 두께를 갖는, LED 조명 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 분리막은
    그래핀 결정 박막을 1~5개 층으로 적층한 구조를 갖는, LED 조명 장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 연신 필름은
    녹는 온도와 인장강도 0.46Mpa에서 열변형 온도의 차이가 40℃ 이상인 고분자 유기물을 사용하는, LED 조명 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 고분자 유기물은
    ABS 수지, 나일론 6, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, HDPE, PET, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 중에서 선택하는, LED 조명 장치.
  17. 제11항에 있어서, 상기 연신 필름은
    상기 LED의 이격 공간에 삽입 융착되는, LED 조명 장치.
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