KR20220119459A - 결정질 및 액상 결정질 25-히드록시-콜레스트-5-엔-3-술페이트 소듐 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
25HC3S 소듐의 결정질 및 액상 결정질 형태가 본 명세서에서 기술된다. 본 개시는 25HC3S 소듐의 형태 I, II, III, V, IX, XI, 및 XIII 및 이의 조합을 포함한다. 상기 형태, 또는 이의 조합의 약학 제제, 및 질환 예컨대 고콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태 (예를 들어, 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 및 아테롬성 동맥 경화증)의 치료 또는 예방 방법이 또한 본 명세서에 개시된다. 25HC3S를 제조하기 위한 방법이 또한 제공된다.
Description
관련 출원에 대한 교차 참조
본 출원은 2019년 12월 27일 출원된 미국 가출원 제62/954,279호에 대한 우선권의 이득을 청구하고, 이 출원의 개시는 참조로 본 명세서에 편입된다.
콜레스테롤 대사산물, 5-콜레스텐-3β-25-디올-3-술페이트 ("25HC3S")는 지질 생합성을 감소시키고 콜레스테롤 분비 및 분해를 증가시키며, 콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태 (예를 들어, 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 및 아테롬성 동맥 경화증)의 치료 및 예방을 위해 유용할 수 있다고 이전에 확인되었다.
콜레스테롤은 세포막의 제조 및 복구, 및 스테로이드 호르몬 및 비타민 D의 합성을 위해 신체에서 사용되고, 간에서 답즙산으로 전환된다. 콜레스테롤의 외생성 및 내생성 공급원 둘 모두가 존재한다. 미국인들은 평균 매일 약 450 mg의 콜레스테롤을 소비하고 간 및 다른 조직에서 추가적으로 500 mg 내지 1,000 mg을 생산한다. 다른 공급원은 매일 장으로 분비되는 500 mg 내지 1,000 mg의 담즙 콜레스테롤로서, 약 50%는 재흡수된다 (장간 순환).
높은 혈청 지질 수준 (고콜레스테롤혈증 및 고중성지질혈증)은 동맥벽 내에 콜레스테롤의 축적과 연관되고, NAFLD 및 아테롬성 동맥 경화증을 일으킬 수 있다. 아테롬성 동맥 경화증을 특징으로 하는 플라크는 혈액 흐름을 억제하고 혈괴 형성을 촉진하여, 궁극적으로 심장 마비 및/또는 졸중을 통해 사망 또는 중증 장애를 야기시킬 수 있다. 고지질혈증에 대한 수많은 치료제가 개발되었고 의사들이 광범위하게 처방하고 있다. 불행하게도, 환자의 오직 약 35%만이 현재 이용가능한 요법에 반응성이다.
비알콜성 지방간 질환 (NAFLD)은 미국에서 가장 일반적인 간 질환이다. 이 병태는 비만, II형 성인 발병 당뇨병, 좌식 생활방식, 및 고지방 식이와 연관된다. NAFLD의 초기 단계인, 지방 간은 적절한 치료 단계를 선택할 때 잠재적으로 가역적이다. 그러나, 치료하지 않은 채로 두면, 치료하기 훨씬 더 어려운 간 세포의 염증 (비알콜성 지방간염, 또는 NASH)으로 진행할 수 있다. 치료없이, NASH는 간경변, 간부전, 및 간암을 초래할 잠재성을 수반하는, 간 조직의 비가역적 상처 (지방괴사)를 일으킬 수 있다.
25HC3S는 약학적으로 허용가능한 염, 예컨대 예를 들어 소듐 염으로서 개시되었다 (예를 들어, 미국 특허 제10,144,759호 및 Ogawa et al., Steroids, 74, 81-87 (2009)). 결정질 고체는 비-결정질 고체에 비해서 가공, 저장, 및 안정성에 더 호의적인 경향이 있다. 그러나, 에너지학은 적합한 결정질 고체의 신속한 형성을 선호하지 않을 수 있고 다형체는 특정 활성 약학 성분의 생성된 안정한 결정질 고체를 비실용적이게 만들 수 있다. 본 명세서에서, 본 발명자는 안정한 무수물, 용매화물 및 수화물을 포함한 결정질 25HC3S 소듐뿐만 아니라 액상 결정 25HC3S 소듐을 개시한다. 25HC3S을 제조하기 위한 방법이 또한 제공된다.
본 개시의 일부 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐이 제공된다.
본 개시의 일부 양태에서, 안정한 결정질 25HC3S 소듐이 제공된다.
본 개시의 추가 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐의 수화물이 제공된다.
본 개시의 더 추가 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐의 일수화물이 제공된다.
본 개시의 여전히 추가 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐의 이수화물이 제공된다.
본 개시의 추가 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐의 다양한 수화물이 제공된다.
본 개시의 일부 양태에서, 무수 결정질 25HC3S 소듐이 제공된다.
본 개시의 추가 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐의 형태 I, 형태 II, 형태 III, 형태 IX, 형태 XI, 및 형태 XIII이 제공된다.
본 개시의 추가 양태에서, 액상 결정 25HC3S 소듐이 제공된다.
본 개시의 일부 양태에서, 25HC3S 소듐의 중간상이 제공된다.
본 개시의 추가 양태에서, 형태 V 25HC3S 소듐이 제공된다.
본 개시의 역시 추가 양태에서, 25HC3S 소듐의 형태 I, 25HC3S 소듐의 형태 II, 25HC3S 소듐의 형태 III, 25HC3S 소듐의 형태 V, 25HC3S 소듐의 형태 IX, 25HC3S 소듐의 형태 XI, 또는 25HC3S 소듐의 형태 XIII 중 둘 이상의 혼합물이 제공된다.
본 개시의 일부 양태에서, 결정질 또는 액상 결정 중간상 25HC3S 소듐의 화합물 또는 이의 약학 조성물의 유효량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여하는 단계를 포함하는, 고콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태, 예를 들어, 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 또는 아테롬성 동맥 경화증 중 하나 이상을 치료하는 방법이 제공된다.
본 개시의 추가 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐 또는 액상 결정 25HC3S 소듐 또는 둘 모두 및 적어도 하나의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물이 제공된다.
본 개시의 추가 양태에서, 결정질 25HC3S 소듐 형태 I, 결정질 25HC3S 소듐 형태 II, 결정질 25HC3S 소듐 형태 III, 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V, 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX, 결정질 25HC3S 소듐 형태 XI, 또는 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII 및 적어도 하나의 약학적으로 허용가능한 부형제의 둘 이상의 혼합물을 포함하는 약학 조성물이 제공된다.
본 개시의 양태는 또한 25HC3S를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화제와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생산하는 단계를 포함한다.
일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드 착체, 황산 화합물, 술폰산 화합물, 및 술포네이트 화합물로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드-피리딘 착체이다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드 디메틸 포름아미드, 황 트리옥시드 트리에틸아민, 및 황 트리옥시드 트리메틸아민로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 황산 및 아세트산 무수물 및 피리딘이다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 황 트리옥시드 트리에틸아민 및 피리딘이다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 클로로술폰산 및 피리딘 및 클로로술폰산 및 2,6-루티딘으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 에틸 클로로술포네이트이다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염이다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 무수물과 접촉된다. 일부 경우에, 무수물은 아세트산 무수물, 트리플루오로아세트산 무수물 및 트리플산 무수물로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 존재에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉된다. 일정 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 입자로서 존재한다 (예를 들어, 이전 반응 또는 정제된 반응 뱃치에서 생산된 씨드 결정).
일정 경우에, 술페이트화 시약은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉되기 전에 특징규명된다. 일정 경우에, 술페이트화 시약은 1H-NMR에 의해 특징규명된다. 일부 경우에, 술페이트화 시약의 특징규명은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 술페이트화 시약의 분해 정도를 결정하는 단계를 포함한다. 일정 경우에, 술페이트화 시약의 분해 정도를 특징규명하는 단계는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 술페이트화 시약 중 불순물의 양을 결정하는 단계를 포함한다.
일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산한 이후에 미반응된 술페이트화제를 켄칭하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 미반응된 술페이트화제를 켄칭하는 단계는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산한 이후에 반응 혼합물에 물을 첨가하는 단계를 포함한다. 일정 경우에, 미반응된 술페이트화제를 켄칭하는 단계는 반응 혼합물에 물을 첨가한 이후에 반응 혼합물에 적어도 하나의 염기 피리딘을 첨가하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 트리알킬아민 예컨대 트리에틸아민 또는 트리메틸아민으로부터 선택된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 2,6-루티딘 또는 피리딘으로부터 선택된다. 일정 경우에서, 염기는 피리딘이다. 일부 경우에, 반응 혼합물 중 미반응된 술페이트화제는 느린 교반 하에서 켄칭된다.
일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시키기 전에 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 정제하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 정제된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 70% 이상, 예컨대 80% 이상, 90% 이상, 95% 이상, 98% 이상, 또는 99% 이상의 순도를 갖는다.
일정 경우에, 정제된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 술페이트화의 하나 이상의 부산물, 예를 들어, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화로부터의 부산물을 갖고, 하나 이상의 부산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해서, 5% w/w 이하, 4% w/w 이하, 3% w/w 이하, 2% w/w 이하, 또는 1% w/w 이하의 양으로 존재한다. 일부 경우에, 비스-술페이트화된 생산물 (즉, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트)은 정제된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 조성물 중에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해서, 5% w/w 이하, 4% w/w 이하, 3% w/w 이하, 2% w/w 이하, 또는 1% w/w 이하의 양으로 존재한다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 액상 크로마토그래피에 의해 정제된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 정제하는 단계는 실리카 겔 정지상 및 적어도 하나의 염기를 포함하는 이동상을 적용하는 액상 크로마토그래피를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 피리딘이다.
일부 경우에, 액상 크로마토그래피로부터 수득된 하나 이상의 분획을 배합할 수 있다. 일부 경우에, 배합된 분획은 농축될 수 있다. 일정 경우에, 배합된 분획은 증류를 통해 농축된다. 일정 경우에, 배합된 분획은 진공 하에 농축된다. 일정 경우에, 배합된 분획은 진공 하에 증류를 통해서 농축된다. 일부 경우에, 배합된 분획은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉된다. 일정 경우에, 배합된 분획은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 하나 이상의 입자와 접촉된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 (예를 들어, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자)은 배합된 분획의 증류 동안 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 첨가하여 배합된 분획과 접촉된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 배합된 분획의 증류 이후에 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 첨가하여 배합된 분획과 접촉된다. 일부 경우에, 배합된 분획은 농축되어서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자 및 적어도 하나의 용매를 함유하는 조성물과 접촉된다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 금속 염을 제조하기 위한 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 소듐 염과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 소듐 염은 소듐 아세테이트, 소듐 아이오다이드, 소듐 클로라이드, 소듐 히드록시드 및 소듐 메톡시드로부터 선택된다. 일정 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 소듐 아이오다이드와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 소듐 염을 생산하는 단계를 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트를 제조하기 위한 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 황 트리옥시드-피리딘 착체와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 생산하는 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 적어도 하나의 소듐 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 소듐 염을 생산하는 단계를 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트를 제조하기 위한 방법은 (3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화제와 접촉시켜서 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 유기 염기와 접촉시켜서 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 산화시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 탈산소화를 통해서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염으로부터 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생산하는 단계를 포함한다.
일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드 착체, 황산 화합물, 술폰산 화합물, 및 술포네이트 화합물로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드-피리딘 착체이다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드 디메틸 포름아미드, 황 트리옥시드 트리에틸아민, 및 황 트리옥시드 트리메틸아민으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황산 및 아세트산 무수물 및 피리딘이다. 일부 경우에, 술페이트화제는 클로로술폰산 및 피리딘으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 클로로술폰산 및 2,6-루티딘으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 에틸 클로로술포네이트로부터 선택된다. 일부 경우에, 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염이다.
일부 경우에,제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉되는 유기 염기는 히드록시드 염기로부터 선택된다. 일부 경우에, 히드록시드 염기는 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드 및 테트라메틸암모늄 히드록시드로부터 선택된다. 일부 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 테트라에틸암모늄 양이온 염, 테트라부틸암모늄 양이온 염, 테트라프로필암모늄 양이온 염 및 테트라메틸암모늄 양이온 염으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 산화된다. 일부 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시키는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화제 및 적어도 하나의 계면활성제를 갖는 조성물과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 포타슘 퍼옥시모노술페이트를 갖는 조성물과 적어도 하나의 계면활성제의 존재 하에서 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제 및 쌍성이온 계면활성제로부터 선택된다. 비이온성 계면활성제는 다른 비이온성 계면활성제 중에서, 폴리옥시에틸렌 글리콜 에테르 계면활성제 (예를 들어, 폴리옥시에틸렌 글리콜 옥틸페놀 에테르), 폴리옥시에틸렌 글리콜 솔비탄알킬 에스테르, 솔비탄알킬 에스테르, 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리프로필렌 글리콜의 블록 공중합체로부터 선택될 수 있다. 음이온성 계면활성제는 음이온성 작용성 헤드 기, 예컨대 술포네이트, 포스페이트, 술페이트 또는 카르복실레이트 헤드 기-함유 계면활성제를 갖는 계면활성제로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 음이온성 계면활성제는 다른 음이온성 계면활성제 중에서, 알킬 술페이트 예컨대 암모늄 라우릴 술페이트, 디옥틸 소듐 술포숙시네이트, 퍼플루오로옥탄술포네이트, 퍼플루오로노나노에이트, 퍼플루오로옥타노에이트, 선형 알킬벤젠 술포네이트, 알킬-아릴 에테르 포스페이트, 소듐 라우릴 에테르 술페이트, 리그노술페이트 또는 소듐 스테아레이트로부터 선택될 수 있다. 양이온성 계면활성제는 양이온성 작용성 헤드 기, 예컨대 피리디늄 또는 4차 암모늄 헤드 기를 갖는 계면활성제로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 양이온성 계면활성제는 세틸트리메틸암모늄 수소 술페이트, 테트라부틸암모늄 수소 술페이트, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 테트라부틸암모늄 브로마이드, 테트라부틸암모늄 아이오다이드, 테트라부틸포스포늄 브로마이드, 테트라옥틸암모늄 브로마이드, 테트라옥틸암모늄 아이오다이드, 벤질트리에틸암모늄 클로라이드, 벤질트리에틸암모늄 브로마이드, 벤질세틸디메틸암모늄 클로라이드 및 벤질세틸디메틸암모늄 브로마이드로부터 선택될 수 있다. 쌍성이온 계면활성제는 양이온 및 음이온 센터 둘 모두, 예컨대 술타인 (예를 들어, 3-[(3-콜라미도프로필)디메틸암모니오]-1-프로판술포네이트) 또는 베타인 (예를 들어, 코카미도프로필 베타인)을 포함한다. 일정 경우에, 계면활성제는 Extran laboratory 비누, La Parisienne 비누 또는 DL-α-토코페롤 메톡시폴리에틸렌 글리콜 숙시네이트 (예를 들어, TPGS-750-M-2)이다.
일부 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 산화제 및 적어도 하나의 케톤과 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 접촉된다. 일부 경우에, 방법은 별도 산화 반응성 혼합물 중에 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 산화제 (예를 들어, 포타슘 퍼옥시모노술페이트)를 적어도 하나의 케톤과 접촉시키는 단계 및 산화 반응성 혼합물을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일정 경우에, 방법은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 물의 존재에서 산화시키는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 적어도 하나의 케톤은 테트라히드로티오피란-4-온 1,1-디옥시드 및 할로겐화 케톤으로부터 선택된다. 일부 경우에, 할로겐화 케톤은 1,1,1-트리플루오로-2-부타논, 4,4-디플루오로시클로헥사논, 2-2-2-4'-테트라플루오로아세토페논, 및 1,1,1-트리플루오로아세톤으로부터 선택된다. 일정 경우에, 적어도 하나의 케톤은 1,1,1-트리플루오로-2-부타논이다.
일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시키는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 산화 종과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 적어도 하나의 산화 종은 디옥시란으로부터 선택된다. 일부 예에서, 디옥시란은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 갖는 조성물 중에 제자리에서 생성된다. 일부 예에서, 디옥시란은 별도로 생성되고 (예를 들어, 별도 반응 용기, 예를 들어, 플라스크), 그 다음에 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 갖는 조성물과 접촉된다.
일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 염기의 존재에서 산화된다. 일정 경우에, 적어도 하나의 염기는 약 염기로부터 선택된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 포타슘 수소 카보네이트, 소듐 수소 카보네이트, 포타슘 페녹시드, 소듐 시트레이트 완충제, 소듐 포스페이트 완충제, 포타슘 포르메이트 및 포타슘 아세테이트로부터 선택된다. 일정 경우에, 적어도 하나의 염기는 포타슘 수소 카보네이트이다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염으로부터 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염과 아연의 접촉에 의한 탈산소화를 포함한다. 일부 예에서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 할라이드 및 적어도 하나의 산의 존재에서 아연과 접촉된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 할라이드는 아이오딘 및 금속 할라이드로부터 선택된다. 일부 경우에, 금속 할라이드는 소듐 아이오다이드 및 리튬 아이오다이드로부터 선택된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 산은 약산으로부터 선택된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 산은 아세트산, 염산, 시트르산, 파라-톨루엔 술폰산, 포름산, 및 메탄 술폰산으로부터 선택된다. 일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 아연과 아세트산의 존재에서 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계를 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 금속 염을 제조하기 위한 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 소듐 염과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 소듐 염은 소듐 아세테이트, 소듐 아이오다이드, 소듐 클로라이드, 소듐 히드록시드 및 소듐 메톡시드로부터 선택된다. 일정 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 소듐 아이오다이드와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 소듐 염을 생산하는 단계를 포함한다.
도 1은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 2는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 3은 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 4는 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 5는 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX의 XRPD 회절도이다.
도 6은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XI의 XRPD 회절도이다.
도 7은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XI의 XRPD 회절도이다.
도 8은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 9는 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 10은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 인덱싱 결과이다.
도 11은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 온도기록도이다.
도 12는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 가변 온도 XRPD 실험이다.
도 13은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I 및 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 가변 습도 XRPD 실험이다.
도 14는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 탈수로부터의 XRPD 회절도이다.
도 15는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 탈수로부터의 XRPD 회절도 (확장)이다.
도 16은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 DVS 등온성이다.
도 17은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II (99:01 아세토니트릴 (ACN)/H2O 슬러리, 0.21 aw, 3일)의 인덱싱 결과이다.
도 18은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II (95:05 EtOH/H2O 슬러리, 0.30 aw, 10일)의 인덱싱 결과이다.
도 19는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II (아세톤 슬러리, 55℃, 1일)의 인덱싱 결과이다.
도 20은 대략 4°2θ 내지 대략 11°2θ에 표시된 도 17-19에서 인덱싱된 슬러리에 대한 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 피크 위치 가변성이다
도 21은 대략 13°2θ 내지 대략 21.5°2θ에 표시된, 도 17-19에서 인덱싱된 슬러리에 대한 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 피크 위치 가변성이다
도 22는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 가변 습도 XRPD 실험이다.
도 23은 대략 7.5°2θ 내지 대략 10.2°2θ에 표시된, 가변 습도 XRPD에 의해 관찰된 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 피크 위치 가변성이다.
도 24는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 TGA 온도기록도이다.
도 25는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 DSC 온도기록도이다.
도 26은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 사이클링 DSC 실험이다.
도 27은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 가변 온도 XRPD 실험이다.
도 28은 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 TGA 온도기록도이다.
도 29는 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 DSC 온도기록도이다.
도 30은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII (70℃ 진공에 2일 동안 노출된 결정질 25HC3S 소듐 형태 I 및 형태 XIII의 혼합물로부터 생성)의 인덱싱 결과이다.
도 31은 결정질 25HC3S 소듐 형태 III 및 형태 IX의 XRPD 회절도이다.
도 32는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 인덱싱 결과이다.
도 33은 용액 중 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX의 1H-NMR 스펙트럼이다.
도 34는 용액 중 25HC3S 소듐의 1H-NMR 스펙트럼이다.
도 35는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도이다.
도 36은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 37은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 38은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 39는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I 및 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 40은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 41은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 42는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 43은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 44는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 45는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III 및 형태 IX 혼합물의 XRPD 회절도이다.
도 46은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 47은 액상 결정질 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 48은 액상 결정질 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 49는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도이다.
도 50은 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도이다.
도 51은 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX의 XRPD 회절도이다.
도 52는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도 및 확대도이다.
도 53은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 54는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 55는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 56은 액상 결정질 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 57은 중수소화 아세톤 중 황 트리옥시드 피리딘의 3개 상이한 샘플의 1H-NMR 스펙트럼이다.
도 58A는 중수소화 아세톤 중 21% 불순물이 존재하는 황 트리옥시드-피리딘의 샘플의 1H-NMR 스펙트럼에서 8.1 내지 9.3 ppm 영역의 강화이다. 도 58B는 중수소화 아세톤 중 33% 불순물이 존재하는 황 트리옥시드-피리딘의 샘플의 1H-NMR 스펙트럼에서 8.1 내지 9.3 ppm 영역의 강화이다. 도 58C는 중수소화 아세톤 중 36% 불순물이 존재하는 황 트리옥시드-피리딘의 샘플의 1H-NMR 스펙트럼에서 8.1 내지 9.3 ppm의 영역의 강화이다.
도 2는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 3은 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 4는 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 5는 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX의 XRPD 회절도이다.
도 6은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XI의 XRPD 회절도이다.
도 7은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XI의 XRPD 회절도이다.
도 8은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 9는 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 10은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 인덱싱 결과이다.
도 11은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 온도기록도이다.
도 12는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 가변 온도 XRPD 실험이다.
도 13은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I 및 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 가변 습도 XRPD 실험이다.
도 14는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 탈수로부터의 XRPD 회절도이다.
도 15는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 탈수로부터의 XRPD 회절도 (확장)이다.
도 16은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 DVS 등온성이다.
도 17은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II (99:01 아세토니트릴 (ACN)/H2O 슬러리, 0.21 aw, 3일)의 인덱싱 결과이다.
도 18은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II (95:05 EtOH/H2O 슬러리, 0.30 aw, 10일)의 인덱싱 결과이다.
도 19는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II (아세톤 슬러리, 55℃, 1일)의 인덱싱 결과이다.
도 20은 대략 4°2θ 내지 대략 11°2θ에 표시된 도 17-19에서 인덱싱된 슬러리에 대한 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 피크 위치 가변성이다
도 21은 대략 13°2θ 내지 대략 21.5°2θ에 표시된, 도 17-19에서 인덱싱된 슬러리에 대한 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 피크 위치 가변성이다
도 22는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 가변 습도 XRPD 실험이다.
도 23은 대략 7.5°2θ 내지 대략 10.2°2θ에 표시된, 가변 습도 XRPD에 의해 관찰된 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 피크 위치 가변성이다.
도 24는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 TGA 온도기록도이다.
도 25는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 DSC 온도기록도이다.
도 26은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 사이클링 DSC 실험이다.
도 27은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 가변 온도 XRPD 실험이다.
도 28은 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 TGA 온도기록도이다.
도 29는 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V의 DSC 온도기록도이다.
도 30은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII (70℃ 진공에 2일 동안 노출된 결정질 25HC3S 소듐 형태 I 및 형태 XIII의 혼합물로부터 생성)의 인덱싱 결과이다.
도 31은 결정질 25HC3S 소듐 형태 III 및 형태 IX의 XRPD 회절도이다.
도 32는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 인덱싱 결과이다.
도 33은 용액 중 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX의 1H-NMR 스펙트럼이다.
도 34는 용액 중 25HC3S 소듐의 1H-NMR 스펙트럼이다.
도 35는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도이다.
도 36은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 37은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 38은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 39는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I 및 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 40은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 41은 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 XRPD 회절도이다.
도 42는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 43은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 44는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 45는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III 및 형태 IX 혼합물의 XRPD 회절도이다.
도 46은 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 47은 액상 결정질 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 48은 액상 결정질 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 49는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도이다.
도 50은 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도이다.
도 51은 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX의 XRPD 회절도이다.
도 52는 결정질 25HC3S 소듐 형태 III의 XRPD 회절도 및 확대도이다.
도 53은 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 54는 결정질 25HC3S 소듐 형태 II의 XRPD 회절도이다.
도 55는 결정질 25HC3S 소듐 형태 I의 XRPD 회절도이다.
도 56은 액상 결정질 25HC3S 소듐 형태 V의 XRPD 회절도이다.
도 57은 중수소화 아세톤 중 황 트리옥시드 피리딘의 3개 상이한 샘플의 1H-NMR 스펙트럼이다.
도 58A는 중수소화 아세톤 중 21% 불순물이 존재하는 황 트리옥시드-피리딘의 샘플의 1H-NMR 스펙트럼에서 8.1 내지 9.3 ppm 영역의 강화이다. 도 58B는 중수소화 아세톤 중 33% 불순물이 존재하는 황 트리옥시드-피리딘의 샘플의 1H-NMR 스펙트럼에서 8.1 내지 9.3 ppm 영역의 강화이다. 도 58C는 중수소화 아세톤 중 36% 불순물이 존재하는 황 트리옥시드-피리딘의 샘플의 1H-NMR 스펙트럼에서 8.1 내지 9.3 ppm의 영역의 강화이다.
결정질 및 액상 결정질 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트 (25HC3S)
결정질 25HC3S 소듐 및 액상 결정질 25HC3S는 x-선 분말 회절을 통해서 쉽게 분석된다. x-선 분말 회절 패턴은 x-축에 °2θ (회절각) 및 y-축에 강도를 표시한 x-y 그래프이다. x-축은 또한 2dsinθ = nλ (식에서, d는 면간 거리이고 λ는 입사 x-선파의 파징임)의 브래그 법칙 (Bragg's law)을 통한 회절각과 관련된 면간 거리의 형태일 수 있다. 패턴은 결정질 25HC3S 소듐을 특징규명하는데 사용될 수 있는 피크를 함유한다. 달리 명시되지 않으면, 피크는 그들 y-축 강도가 아니라 x-축 상의 그들 위치를 의미한다. 또한 샘플 배향으로 인해 한 장비 상의 한 샘플에 존재하는 피크는 장비에 대한 샘플 배향에 기인해 상이한 장비에서 얻은 다른 샘플에는 존재하지 않을 수 있다.
x-선 분말 회절의 데이터는 결정질 형태를 특징규명하기 위해 다수 방식으로 사용될 수 있다. 회절계로부터의 예를 들어, 전체 x-선 분말 회절 패턴 출력을 사용해 25HC3S 소듐을 특징규명할 수 있다. 그러나, 이러한 데이터의 더 작은 서브세트가 또한 25HC3S 소듐의 특징규명에 적합할 수 있고, 전형적으로 적합하다. 예를 들어, 이러한 패턴으로부터의 하나 이상의 피크의 컬렉션을 사용하여 결정질 25HC3S 소듐을 특징규명할 수 있다. 본 출원에서 모든 보고된 피크 값은 실시예 16 및 실시예 17에 기재된 바와 같이 Cu-Kα 방사선을 사용한 °2θ이다. 실제로, 종종 단일 x-선 분말 회절 피크이더라도 이러한 결정질 형태를 특징규명하는데 사용될 수 있다. 본 명세서의 결정질 25HC3S 소듐이 x-선 분말 회절 패턴의 "하나 이상의 피크"를 특징으로 하고 이러한 피크들이 열거될 때, 일반적으로 열거된 피크의 임의 조합이 25HC3S 소듐을 특징규명하는데 사용될 수 있다. 또한, 다른 피크가 x-선 분말 회절 패턴에 존재한다는 사실은 일반적으로 그 특징을 무시하거나 또는 달리 제한하지 않는다.
피크 강도의 가변성 이외에도, x-축 상의 피크 위치에 가변성이 존재할 수 있다. 그러나, 이러한 가변성은 전형적으로 특징규명 목적을 위한 피크의 위치를 보고할 때 설명된다. x-축을 따라서 피크의 위치에서 이러한 가변성은 몇몇 출처 (예를 들어, 샘플 제조, 입자 크기, 수분 함량, 용매 함량, 장비 매개변수, 데이터 분석 소프트웨어, 및 샘플 배향)로부터 유래될 수 있다. 예를 들어, 상이한 조건 하에서 제조된 동일 결정질 물질의 샘플은 약간 상이한 회절도를 산출할 수 있고, 상이한 x-선 장비는 상이한 매개변수를 사용해 작동될 수 있으며, 이들은 동일 결정질 고체로부터 약간 상이한 회절 패턴을 유발시킬 수 있다.
이러한 가변성 출처에 기인하여,°2θ의 피크 값 앞에 단어 "약"을 사용하여 x-선 회절 피크를 나열하는 것이 통상적이다. 본 명세서에 보고된 데이터의 목적을 위해서, 그 값은 일반적으로 ±0.1°2θ이다. 이것은 일반적으로 잘 유지된 장비 상에서 피크 측정의 가변성은 ±0.1°2θ로 예상된다는 것을 의미한다. 달리 명시하지 않으면, 본 명세서에서 열거되는 x-선 분말 회절 피크는 일반적으로±0.1°2θ의 이러한 가변성으로 기록되고, 이란적으로 단어 "약"이 존재하는지 여부와 무관하게 본 명세서에 개시될 때마다 이러한 가변성과 함께 기록하고자 하지만, 일부 예에서, 가변성은 장비 상태에 따라서 ±0.2°2θ 이상일 수도 있다.
본 명세서에 기술된는, 화합물 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트 (25HC3S)는 하기 화학식 I의 화합물인, [(3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트를 의미한다:
본 개시에서 결정질 25HC3S 소듐 또는 액상 결정질 형태의 상이한 결정질 형태를 식별하기 위해 용어 "형태"를 사용한다. 형태의 차이는 구조, 예컨대 x-선 분말 회절; 성질 예컨대 흡습성 또는 열적 거동; 및/또는 둘 모두로 이해될 수 있다. 용어 "형태 I"의 사용은 형태 I의 결정질 25HC3S 소듐을 의미한다. 유사하게, "형태 II"는 형태 II의 결정질 25HC3S 소듐을 의미한다. 유사하게, 형태 III, 형태 IX, 형태 XI, 및 형태 XIII은 각각 형태 III, 형태 IX, 형태 XI, 및 형태 XIII의 결정질 25HC3S 소듐을 의미한다. 형태 V는 액상 결정질 상인 25HC3S 소듐의 형태를 의미한다.
생성된 고체는 편광 현미경 및 x-선 분말 회절 중 하나 이상을 통해서 관찰하였다. 이들 물질과 연관된 피크의 육안 검사를 기반으로 고유한 결정질 x-선 분말 회절 패턴을 나타내는 물질은 본 개시에 기재된 명칭이 제공되었다.
표 1은 본 명세서에 개시된 25HC3S 소듐의 보고된 형태를 수득하기 위해 수행된 실험의 일부, 즉 실시예 1-36과 연관된 실험을 요약한다.
별표 (*)된 표 1의 셀은 형태 I, 형태 II, 형태 III, 형태 V, 형태 IX, 형태 XI, 또는 형태 XIII 중 하나가 아닌 것으로 확인된 고체를 표시한다.
표 1의 시간, 온도, 및 습도는 근사치이다. 용어 "B"는 복굴절을 의미하고 "NB"는 샘플을 교차 극성의 편광 현미경으로 샘플을 볼때 비-복굴절임을 의미한다. 용매-기반 방법은 표 1에 기재된 바와 같은 다양한 용매 및 조건을 사용해 결정질 25HC3S 소듐에 대해 스크리닝하기 위해 사용되었다. 용매 또는 용매 혼합물을 사용하는 방법에는 예를 들어, 용액의 냉각, 증발, 반용매 첨가, 및 현탁액 (슬러리)를 포함할 수 있다. 이들 방법에서의 변동은 몇가지 가능성을 언급하면, 용매, 용매 혼합물, 반용매, 온도, 냉각률, 농도, 첨가율, 및 혼합 순서를 포함할 수 있다.
수화 상태에 대한 수분 활성도 (aw)의 효과는 다양한 수성 용매 혼합물 중에서 경쟁적 수분 활성도 분쇄 실험 (슬러리)을 통해서 조사할 수 있다. 최종 고체상은 x-선 분말 회절을 통해서 특징규명할 수 있다. 실험은 다양한 aw 에서 물리적으로 안정한 형태를 규명할 수 있다. 수분 활성도는 또한 RH % = aw x 100인 상대 습도와 관련될 수 있다. 그러므로, 슬러리 실험에서 무수/수화물 시스템의 안정성을 고체-상태 안정성화 직접적으로 관련시키는 것이 가능하다. 제어된 수분 활성도에서 슬러리 기술은 무수/수화물 시스템에서 물리적으로 안정한 형태를 신속하게 예측하는 정확한 방법을 제공할 수 있다. 수분 활성도 실험으로부터의 결과는 표 2에 제공되고 대략 실온에서 수행하였다. 시간, 온도, 및 습도는 근사치이다. 표 1에서 처럼, 용어 "B"는 교차 극성의 편광 현미경을 통해서 볼때 복굴절을 의미한다.
몇몇 x-선 분말 회절 패턴을 인덱싱하였다. 본 명세서에서 사용되는 '인덱싱"은 일반적으로 회절 패턴에서 피크 위치를 고려하여 결정학적 단위 셀의 크기 및 형상을 결정하는 방법에 관한 것이다. 이 용어는 개별 피크에 대한 밀러 (Miller) 인덱스 표지의 지정으로부터 그 명칭을 얻는다. 예를 들어, 패턴의 모든 피크가 단일 단위 셀에 의해 인덱싱되면, 이것은 샘플이 단일 결정질상을 함유한다는 강력한 증거일 수 있다. 인덱싱 해법이 주어지면, 단위 셀 부피는 직접 계산할 수 있고 그들 용매화 상태를 결정하는데 유용할 수 있다. 인덱싱화는 또한 결정질 형태의 설명일 수 있고, 특정 열역학적 상태 지점에서 해당 상에 대한 모든 이용가능한 피크 위치의 간결한 요약을 제공한다.
결정질 25HC3S 소듐의 다수의 안정한 결정질 형태가 본 명세서에서 보고된다: - 형태 I, II, IX, XI, 및 XIII, 및 하나의 액상 결정 형태, 형태 V. 본 개시에서, "안정한"은 형태가 주어진 조건 세트 하에서 다른 형태로 쉽게 상호전환되지 않는다는 것을 의미한다. 그러나, 준안정 형태는 일정 조건에 노출될 때 쉽게 전환될 수 있다. 따라서, 하나의 조건 (예를 들어, 습도) 세트 하에서 안정한 형태는 다른 조건 세트 하에서 안정하지 않을 수 있다. 모든 형태가 본 명세서에서 인덱싱될 수 있는 것은 아니다. 또한, 형태 III은 형성된 준안정 형태이고 형태 IX에 대한 출발 물질일 수 있다. 준안정하지만, 형태 III은 XRPD를 위한 단리에 충분히 안정하였다.
많은 경우에, 결정질 25HC3S 소듐은 안정한 결정질 25HC3S 소듐을 포함한 것이 제공된다. 결정질 25HC3S 소듐의 예는 무수 결정질 25HC3S 소듐, 결정질 25HC3S 소듐의 수화물, 및 결정질 25HC3S 소듐의 용매화물을 포함한다.
결정질 25HC3S 소듐의 수화물은 일수화물, 이수화물, 및 가변 수화물을 포함한다. 25HC3S 소듐의 액상 결정 수화물이 또한 본 명세서에서 제공된다.
일부 경우에, 결정질 25HC3S 소듐의 수화물은 (i) 약 2.8°2θ 미만 예컨대 약 2.1°2θ 내지 약 2.6°2θ에서의 피크, (ii) 약 4.3°2θ 내지 약 4.6°2θ에서의 피크, (iii) 약 5.0°2θ 내지 약 5.5°2θ에서의 피크, (iv) 약 8.6°2θ 내지 약 9.1°2θ에서의 피크, 및 (v) 약 15.0°2θ 내지 약 15.3°2θ에서의 피크 중 하나 이상을 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. 이들 및 다른 경우에서, 결정질 25HC3S 소듐의 수화물은 (i) 약 2.1°2θ 내지 약 2.3°2θ에서의 피크 및 (ii) 약 9.9°2θ 내지 약 10.0°2θ에서의 피크 중 하나 이상을 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다.
일부 경우에, 무수 결정질 25HC3S 소듐은 (i) 약 4.5°2θ 내지 약 4.8°2θ에서의 피크, (ii) 약 9.8°2θ 내지 약 9.9°2θ에서의 피크, (iii) 약 14.1°2θ 내지 약 14.3°2θ에서의 피크, 및 (iv) 약 16.1°2θ에서의 피크 중 하나 이상을 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다.
많은 경우에, 결정질 25HC3S 소듐 형태 I이 본 개시에서 제공된다. 형태 I은 결정질 25HC3S 소듐의 이수화물이다. 형태 I은 표 1에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다. 예를 들어, 아세톤/H2O 용액 중에서 25HC3S 소듐의 슬러리화, 가열, 용액의 제거, 물의 첨가, 및 주변에서 정치를 통해서 형태 I이 얻어진다. 형태 I은 또한 메탄올로부터 제조될 수 있다. 형태 I의 제조는 실시예 20-23 실시예 20-23, 및 실시예 24에서 형태 XIII과의 혼합물에서 더욱 기술된다. 하기 표 3은 상응하는 XRPD 회절도 도면과 형태 I을 생산하는 실시예를 상관지은 것이다.
표 4는 도 55에서 확인된 피크를 도시하는 반면, 표 3의 다른 도면에 대한 피크는 도면 자체에 표시된다.
결정질 25HC3S 소듐의 형태 I은 x-선 분말 회절을 포함한, 다양한 분석 기술을 통해서 특징규명될 수 있다. 형태 I의 x-선 분말 회절 패턴, 또는 이의 일부는 형태 I을 확인하는데 사용될 수 있다. 형태 I은 단독으로 또는 함께 형태 I의 존재를 확인하는데 도움을 줄 수 있는 다양한 x-선 분말 회절 피크를 함유한다. 예를 들어, 많은 경우에, 형태 I은 약 2.1°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다 (본 명세서의 모든 회절도가 이러한 낮은 각 피크를 나타내는 것은 아님). 약 2.1°2θ에서의 피크이외에도, x-선 분말 회절 패턴은 예를 들어, 약 5.4°2θ, 약 6.5°2θ, 약 10.8°2θ, 및 약 15.0°2θ에서의 하나 이상의 피크를 포함할 수 있다.
많은 경우에, 형태 I은 약 2.1°2θ, 약 6.5°2θ, 및 약 10.8°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. x-선 분말 회절 패턴은 일부 경우에, 약 9.9°2θ, 약 15.0°2θ, 및 약 15.6°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
도 1은 x-축이 0°2θ에서 시작하여 40°2θ로 가는 형태 I의 대표적인 샘플의 x-선 분말 회절 패턴인 한편, 도 53은 동일한 패턴이지만 약 3°2θ 내지 약 39°2θ인 것을 도시한다. 도 1 또는 도 53 중 어느 하나는 예를 들어, 형태 I을 특징규명하는데 사용될 수 있다.
형태 I은 약 38% 내지 약 70% RH에서의 상대 습도에서 안정한 것으로 나타난다. 이와 같이, 형태 I은 약 0.38 내지 약 0.70 aw 에서 수분 활성도를 갖는 수성 용매 혼합물 중 슬러리로부터 생성되었다. 형태 I은 상승된 온도 또는 0% RH에 가까운 습도 조건에 노출될 때 형태 XIII로 탈수된다. 형태 I은 흡습성이고 0.73 aw 이상의 수분 활성도 조건에서 형태 V로 불리는 액상 결정을 형성하는 것으로 여겨진다.
형태 I의 x-선 분말 회절 패턴은 성공적으로 인덱싱되어서, 패턴이 단일 결정질상을 나타낸다는 것을 의미한다 (도 10). 인덱싱 결과는 25HC3S 소듐의 6개 분자를 함유하는 단사정계 단위 셀을 갖는다. 4544.7 Å3 (±5%)의 단위 세포 부피는 수화물과 일치되는 757 Å3 (±5%) (6 분자/셀)의 공식 단위 부피를 생성한다. 형태 I의 공식 단위 부피는 대략 52 Å3 만큼, 무수 형태, 형태 XIII에 대한 공식 단위에 비해서 크다. 부피의 차이는 2 mol/mol 이하의 물을 수용할 만큼 충분한 공간을 제공한다. 참조로, 1개 물 분자는 약 22 Å3 을 차지한다.
형태 I의 온도기록도는 도 11에 도시된다. TGA 온도기록도는 DSC 온도기록도에서 광범위 탈수 흡열과 동시에 발생되는 130℃ 이하에서의 8% 중량 손실을 제공한다 (도 11). 손실이 휘발수에 기인한다고 가정하면, 중량 손실은 대략 2.4 mol/mol의 물에 상응한다. 도 11의 DSC 곡선은 또한 168℃ 및 182℃ 근처에서 흡열을 보인다. 이들 사건은 분해와 연관된다.
형태 I의 탈수는 형태 XIII으로의 형태 전환을 일으킨다. 전환은 170℃로 가열 이후 135℃로 하락 시 형태 XIII (도 12의 패턴 5)을 나타내는 가변 온도 x-선 분말 회절 실험 (도 12)으로 확인되었다. 동일 실험 동안, 트리소듐 수소 디술페이트, Na3H(SO4)2 로서 확인된 분해 생산물은 170℃로 분명해졌다. 이들 결과는 도 11의 형태 I에 대한 온도기록도와 일치된다.
주로 형태 I 및 소량의 형태 XIII으로 구성된 혼합물에 대한 가변 습도 x-선 분말 회절 실험이 도 13에 표시된다. 분석을 위해 샘플을 제조한 실험실 흡도는 15% 상대 습도 ("RH")였다. 물질은 x-선 분말 회절 분석 동안 상승 및 이후 하락 흡도에 노출되었다. 물질은 25% 내지 85% RH를 포괄하는 습도 조건에서 형태 I로서 확인되었다. 그러나, 물질은 0% RH에 노출시 즉시 형태 XIII로 다시 부분 탈수되었다. 0% RH에서 형태 XIII으로 완전 탈수가 20분 이후에 분명해졌다. 진공 하에 0% RH 또는 70℃에 노출은 형태 I을 형태 XIII으로 탈수시켰다. 도 14 및 도 15는 형태 I을 형태 XIII으로 탈수시 물질의 x-선 분말 회절 패턴을 비교한다.
실질적으로 순수한 형태 I을 더욱 개시한다. 본 명세서에 기술된 바와 같은, "실질적으로 순수한"은 결정질 25HC3S 소듐, 25HC3S 소듐의 액상 결정질 형태, 또는 비-결정질 25HC3S 예컨대 비정질 25HC3S 소듐의 다른 형태의 잠재적인 미량 수준 이외에, 임의의 인지할만한 양없이 존재하는 본 명세서의 형태를 의미한다. 미량 수준의 예는 존재하는 25HC3S 소듐의 총량에 대해서 총 약 10%, 5%, 2%, 1.5%, 1%, 0.5%, 0.25%, 0.1% 이하를 포함한다.
실질적으로 순수한 형태 II 결정질 25HC3S 소듐을 포함하는, 형태 II 결정질 25HC3S 소듐은 본 개시의 많은 경우에 제공된다. 형태 II는 결정질 25HC3S 소듐의 가변 수화물이다. 수분 함량은 전형적으로 25HC3S 소듐의 몰 당 약 3 몰 이하의 물로 존재한다. 일부 경우에, 25HC3S 소듐에 대한 물의 몰 함량은 예를 들어, 약 2 내지 3을 포함하여, 약 1 내지 3이다. 형태 II는 표 1에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다. 예를 들어, 아세톤 중 25HC3S 소듐의 슬러리화 및 질소 하에서 건조의 결과로 형태 II가 형성된다. 형태 II는 또한 실시예 27-30에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다. 하기 표 5는 상응하는 XRPD 회절도 도면과 형태 II 생산 예를 상관시킨다.
표 6은 도 46에서 확인된 피크를 도시하는 한편, 표 5의 다른 도면에 대한 피크는 도면 자체에 표시된다.
형태 II는 x-선 분말 회절을 포함한, 다양한 분석 기술에 의해 특징규명될 수 있다. 형태 II의 x-선 분말 회절 패턴, 또는 이의 일부는 형태 II를 확인하는데 사용될 수 있다. 형태 II는 단독으로 또는 함께 형태 II의 존재를 확인하는데 도움을 줄 수 있는 다양한 x-선 분말 회절 피크를 함유한다. 많은 경우에, 형태 II는 약 2.3°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. 약 2.3°2θ에서의 피크 이외에도, x-선 분말 회절 패턴은 예를 들어, 약 4.5°2θ에서의 하나 이상의 피크, 약 5.0°2θ 내지 약 5.1°2θ에서의 피크, 약 5.9°2θ 내지 약 6.1°2θ에서의 피크, 및 약 14.8°2θ 내지 약 15.1°2θ에서의 적어도 하나의 피크를 포함할 수 있다.
많은 경우에, 형태 II는 약 2.3°2θ 내지 약 5.0°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. x-선 분말 회절 패턴은 일부 경우에, 약 4.5°2θ, 약 5.9°2θ, 약 9.1°2θ, 및 약 15.1°2θ에서의 하나 이상의 피크를 포함한다.
도 2는 x-축이 약 0°2θ에서 시작되어 약 40°2θ로 가는 형태 II의 x-선 분말 회절 패턴인 한편, 도 54는 약 3°2θ 내지 약 39°2θ이지만, 동일한 패턴을 도시한다. 도 2 또는 도 54 중 어느 하나는 형태 II를 특징규명하는데 사용될 수 있다.
형태 II는 온도 및 습도의 다양한 조건 하에서 안정하다. 형태 II 및 실질적으로 순수한 형태 II 둘 모두가 본 명세서에 기술된다. 형태 II는 약 21% 내지 약 30% RH 범위인 상대 습도에서 안정하다. 이와 같이, 형태 II는 0.21 내지 0.30 aw 에서의 수분 활성도를 갖는 수성 용매 혼합물 중 슬러리로부터 생성되었다. 이렇게 제조된 가변 수화물은 동역학적으로 안정한 것으로 보인다. 형태 II는 상승된 온도 또는 낮은 습도 조건에 노출시 형태 전환없이 무수 상태로 탈수되는 것으로 확인되었다. 완전하게 수화된 상태에서, 형태 II는 대략 3 mol/mol의 물을 수용하는 것으로 보인다 (도 16은 형태 I의 85% RN에서 DVS 흡착 등온선을 도시함). 75% 이상의 RH에 연장 노출 시, 형태 II는 25HC3S 소듐의 액상 결정질 형태 V로 전환된다.
다양한 실험으로부터 수득된 형태 II의 다중 x-선 분말 회절 패턴은 성공적으로 인덱싱되었다 (도 17, 도 18, 및 도 19). 이들 인덱스는 형태 II의 단위 셀 부피가 다양한 양의 물을 수용하도록 변화되고 따라서 형태 II가 가변 수화물이라는 것을 보여준다. 피크의 위치에서 변동으로 인한, 이들 패턴의 차이는 관찰된 패크에 대한 범위가 존재한다는 것을 시사한다 (도 18 및 19). 도 20 및 21은 슬러리의 x-선 분말 회절 패턴의 확장된 영역이다. x-선 분말 회절 피크 위치가 단위 세포 매개변수의 직접 결과임을 고려하면, 하나의 x-선 분말 회절 패턴은 가변 수화 및 격자 매개변수에 대한 이의 효과에 기인하여 모든 조건 하에서 결정 형태를 반드시 의미하는 것은 아니다. x-선 분말 회절 패턴은 형태 II의 동일한 결정질상의 별개 상태로서 간주되어야 한다. 일반 경향은 셀 부피가 증가함에 따라서 더 작은 산란 각도를 향해 피크가 이동하는 것이다. 이방성 변형은 셀 부피가 증가함에 따라서 더 높은 산란각을 향해서 일부 피크가 이동하게 할 수 있다. 일부 피크 위치는 셀 부피의 변화에서 다른 것들에 비해 더 민감하다. 셀 부피의 변화에 민감한 피크는 특정 표본에 대한 셀 부피를 결정하는데 유용할 수 있다. 이동하는 피크는 육안 검사를 통해서 정성적으로 상이한 것으로 보이지만, 결정질상의 변화를 의미하지 않는 x-선 분말 회절 패턴을 생성한다.
다수 x-선 분말 회절 패턴은 일반적으로 실시예 18에 따라서 수행된 제자리 가변 습도 x-선 분말 회절 실험을 통해서 0% 내지 85% RH를 포괄하는 상이한 RH 조건 및 주변 온도에서 형태 II에 대해 수득되었다. 실험은 셀이 물을 수용하도록 팽창/수축되는, 물 흡착에 의해 결정되는 단위 셀 부피의 변동을 결정하기 위한 체계적 접근법을 제공한다. 예상대로, 형태 변화가 일어나지 않았지만, 패턴 간 피크 이동이 단위 셀 부피 차이에 기인하여 관찰된다 (도 22 및 도 23). 더 높은 습도에서 더 작은 산란각을 향한 피크 이동은 단위 셀 부피가 상대 습도에 직접 비례하고 아마도 물을 도입시키도록 증가된다는 것을 시사한다.
도 16에 제공된, DVS 등온선은 동역학적 형태 안정성이 가변 습도 x-선 분말 회절을 통해서 입증된 동일 상대 습도 조건에서 형태 II에 대한 수분 함량 가변성을 도시한다. 형태 II는 5 내지 55% RH (1 mol/mol의 물)에서 대략 3.5 wt%, 55 내지 85% RH에서 7 wt% (2 mol/mol의 물), 및 85 내지 95% RH에서 다른 7 wt%를 획득하였다. 장비가 85% RH 초과하여 시간 초과되어서, 이 조건에서 더 오래 방치되면 추가 물 흡착이 가능할 수 있다는 것을 시사한다. 이력현상은 탈착 시 관찰되었다. 물질을 회수하였고 형태 II 및 형태 V의 혼합물로서 확인되었다. 형태 II는 4일 이하 동안 건조 질소 하에서, x-선 분말 회절을 통해서, 비변화된 채로 남았거나 도는 35일 이하 동안 0% RH에서 저장되었다. 형태 V로 전환은 75% RH에 노출 시 35일 이내에 발생되었다.
수득된 3개 인덱싱 해법 중에서, 형태 II에 대한 인덱싱 결과로부터 관찰된 가장 큰 단위 셀 부피는 도 17에 제공된다. 사방정계 단위 셀이 12 분자의 25HC3S 소듐을 함유한다고 가정하면, 756 Å3 의 공식 단위 부피는 대략 50 Å3 만큼, 무수 형태, 형태 XIII에 대한 공식 단위에 비해서 커야한다. 이것은 9066.5 Å3 (±5%)의 단위 셀 부피에 상응한다. 부피의 차이는 2 mol/mol 이하의 물을 수용하기에 충분한 공간을 제공한다.
열적으로, 150℃ 이하에서, 5% 및 6%의 중량 손실이 TGA를 통해 관찰된다 (도 24 참조). 손실이 휘발수에 기인한다고 가정하면, 중량 손실은 각각 대략 1.5 및 1.8 mol/mol의 물에 상응한다. 손실은 DSC에서 광범위 탈수 흡열과 동시에 발생된다 (도 25). DSC 곡선은 또한 167℃ 및 189℃ 근처에서 흡열을 보인다. 이들 사건은 분해와 연관된다.
형태 II에 대한 사이클링 DSC 실험은 도 26에 도시된다. 광범위 탈용매화 흡열은 수화물에 대해 예상되는 바와 같이, 130℃ 이하의 제1 가열 (추적 1) 사이클 동안 관찰된다. 그러나, 냉각 (추적 2) 또는 130℃ 이하의 제2 가열 (추적 3) 시에 사건이 관찰되지 않는다. 이것은 형태 변화가 탈수 시에 일어나지 않았고, 다시 130℃ 까지 가열되면, 물질이 물을 함유하지 않는다는 것을 시사한다. 다음으로 샘플은 167℃ 및 188℃ 근처에서 흡열을 통해 입증되는 바와 같이 분해를 진행한다. 상승 온도에서 탈수를 통한 형태 II의 동역학적 안정성은 일반적으로 실시예 19에 따라서 수행된 가변 온도 x-선 분말 회절 실험으로 확증되었다 (도 27). 형태 II는 여전히 x-선 분말 회절을 통해 135℃에서 관찰된다. 그러므로, 가변 온도 x-선 분말 회절 및 사이클링 DSC 실험 둘 모두로부터의 결과는 형태 II가 완전 탈수를 통해 유지될 수 있다는 것을 보여준다. 동일한 가변 온도 x-선 분말 회절 실험 동안, 트리소듐 수소 디술페이트, Na3H(SO4)2 로서 확인되는 분해 생산물은 170℃에서 분명하였다.
일부 경우에, 실질적으로 순수한 형태 XI을 포함한, 형태 XI은 결정질 25HC3S 소듐으로 제공된다. 형태 XI은 표 1에 기재된 바와 같이 제조될 수 있는 결정질 25HC3S 소듐의 수화물이다. 예를 들어, 형태 XI은 디에틸 에테르 중 슬러리화 및 14일 동안 주위 조건에 노출, 여과, 및 질소 하 건조에 의해 제조될 수 있다. 따라서 안정한 형태로 제조될 수 있다. 또한, 실시예 37은 형태 XI의 제조를 표시한다. 형태 XI은 x-선 분말 회절을 포함한, 다양한 분석 기술을 통해서 특징규명될 수 있다. 형태 XI의 x-선 분말 회절 패턴, 또는 이의 일부는 형태 XI를 확인하는데 사용될 수 있다. 형태 XI은 단독으로 또는 함께 형태 XI의 존재를 확인하는데 도움을 줄 수 있는 다양한 x-선 분말 회절 피크를 함유한다.
많은 경우에, 형태 XI은 약 2.6°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. 약 2.6°2θ에서의 피크이외에도, x-선 분말 회절 패턴은 예를 들어, 약 3.1°2θ, 약 3.5°2θ, 및 약 14.5°2θ에서의 하나 이상의 피크를 포함할 수 있다. 형태 XI에 대한 x-선 분말 회절 패턴은 도 6 및 도 7에 있다. 도 6 또는 도 7 중 어느 하나를 사용하여 형태 XI을 특징규명할 수 있다.
일부 경우에, 형태 V, 실질적으로 순수한 형태 V를 포함한, 25HC3S 소듐의 유방성 중간상 (액상 결정으로도 공지됨)이 본 명세서에서 제공된다. 유방성 중간상은 용매의 존재에 의해 유도된다. 또한, 농도 및 온도는 그들 상 전이에서 결정 인자이다. 형태 V는 표 1에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다. 예를 들어, 투명한 점성 겔이 물,0.73 aw 이상의 수분 활성도를 갖는 수성 용매 혼합물, 메탄올, 및 DMSO로부터 형성되었다. 물, 0.73 aw 이상의 수분 활성도를 갖는 수성 용매계, 및 메탄올로부터 특별히 겔로서 형성된 형태 V는 무질서한 x-선 분말 회절 패턴을 나타내었다. 형태 V는 또한 형태 I 또는 II가 75% RH 또는 그 이상에서 상대 습도에 노출되었을 때 형성되었다. 이들 겔은 전형적으로 전단력, 예컨대 2개 유리 슬라이드 상에서 슬라이딩이 적용되었을 때 편광 현미경 하에서 복굴절을 나타내지 않는다. 광학 복굴절은 적어도 1차원의 차수를 갖는 정돈된 상을 암시한다. 물질의 흐름이 또한 관찰되었다. 또한, 형태 V는 예를 들어, 실시예 34, 35, 및 36에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다.
중간상은 비정질 고체 또는 등방성 액체에 부재하고 결정질 고체에서 거의 모든 경우에 존재하는, 이의 복굴절을 특징으로 한다. 또한, 물질은 고체처럼 파괴 및 분열되기 보다는, 압착 시 액체처럼 흐른다. 중간상에 전형적으로, 형태 V의 x-선 분말 회절 패턴은 확산된 배경 상에 중첩된 소수 피크를 나타낸다 (도 3).
많은 경우에, 형태 V는 약 2.2°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. 약 2.2°2θ에서의 피크 이외에도, x-선 분말 회절 패턴은 예를 들어, 약 4.4°2θ, 약 6.6°2θ, 및 약 8.8°2θ에서 하나 이상의 피크를 포함할 수 있다.
많은 경우에, 형태 V는 약 2.2°2θ, 약 6.6°2θ에서의 피크, 및 약 4.0°2θ 내지 약 6.0°2θ에서의 단일 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. x-선 분말 회절은 일부 경우에, 약 8.8°2θ, 약 9.9°2θ, 및 약 14.9°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함할 수 있다. 형태 V의 x-선 분말 회절 패턴은 도 3 및 도 4에 있다. 도 3 또는 도 4 중 어느 하나가 형태 V를 특징규명하는데 사용될 수 있다.
형태 V는 DSC (도 29)에서 광범위 탈수 흡열과 동시에 발생되는 TGA (도 28)에 따른 147℃ 이하에서의 7% 중량 손실을 나타낸다. 분해와 연관된 사건은 148℃ 이상에서 분명하다.
형태 V의 물리적 안정성은 25일 동안 주위 조건에서 저장 시 x-선 분말 회절에 의해 관찰되는 변화가 보이지 않았다. 또한, 물질은 55℃ 및 진공에 1일 동안 노출 시 형태 V인 채로 남았다. 따라서, 본 명세서는 또한 안정한 형태 V를 개시한다. 하기 표 7은 형태 V를 생산하는 실시예를 상응하는 XRPD 회절도 도면과 상관시킨다.
표 8은 도 56에서 확인된 피크를 도시하는 한편, 표 8의 다른 도면에 대한 피크는 도면 자체에 표시된다.
많은 경우에, 실질적으로 순수한 형태 XIII 결정질 25HC3S 소듐을 포함한, 형태 XIII 결정질 25HC3S 소듐이 제공된다. 형태 XIII은 무수물이고 130℃, 70℃ 및 진공, 또는 0% RH 근처의 습도 조건에 노출 시 형태 I의 탈수를 통해 관찰되었다. 주위 조건 하에서, 형태 XIII은 형태 I로 신속하게 수화된다. 형태 XIII은 또한 표 1에 기재된 바와 같이 아세토니트릴/H2O 용액 중에 용해시키고 건조하여 확인되었다. 형태 XIII은 또한 예를 들어 실시예 25 및 26에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다.
형태 XIII의 x-선 분말 회절 패턴은 성공적으로 인덱싱되었고, 패턴이 단일 결정질상을 나타낸다는 것을 의미한다 (도 30). 인덱싱 결과는 6개 분자의 25HC3S 소듐을 함유하는 단사정계 단위 셀을 갖는다. 결론적으로, 705Å3 (±5%)의 공식 단위 부피는 무수 형태와 일치하고 4230.8Å3 (±5%)의 단위 셀 부피로, 임의의 추가 용매 또는 물 분자를 수용할 수 없다.
많은 경우에, 형태 XIII은 약 2.3°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. 약 2.3°2θ에서의 피크 이외에도, x-선 분말 회절 패턴은 예를 들어, 약 4.6°2θ, 약 9.3°2θ, 약 14.3°2θ, 및 약 15.0°2θ에서의 하나 이상의 피크를 포함할 수 있다 (도 8 및 도 9).
많은 경우에, 형태 XIII은 약 2.3°2θ, 약 5.4°2θ, 약 9.3°2θ, 및 약 11.6°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. x-선 분말 회절 패턴은, 일부 경우에, 약 4.6°2θ 및 약 15.0°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함할 수 있다. 도 8 또는 도 9 중 어느 하나를 사용해 형태 XIII을 특징규명할 수 있다.
주로 형태 I 및 소량의 형태 XIII을 포함하는 혼합물에 대한 가변 습도 x-선 분말 회절 실험은 도 13에 표시된다. 물질은 x-선 분말 회절 분석 동안 증가되고 이어서 하락하는 습도에 노출되었다. 이들 결과는 형태 I 및 XIII이 신속하게 상호전환된다는 증거를 제공한다. 형태 I 및 XIII의 혼합물은 14% RH에서 분명하였다. 형태 XIII은 25% RH에 도달전에 형태 I로 수화되는 것으로 확인되었다. 반대로, 형태 I은 0% RH에 노출 시 수 분 내에 형태 XIII로 탈수되고 이들 조건에서 안정하게 유지되는 것으로 확인되었다.
본 개시의 많은 경우에, 25HC3S 소듐의 실질적으로 순수한 결정질 용매화물을 포함하여, 결정질 25HC3S 소듐의 용매화물이 제공된다..
많은 경우에, 실질적으로 순수한 형태 III 결정질 25HC3S 소듐을 포함한, 형태 III 결정질 25HC3S 소듐이 제공된다. 형태 III은 결정질 25HC3S 소듐의 에탄올 용매화물이다. 형태 III의 x-선 분말 회절 패턴은 도 35, 도 49, 및 도 50에 기재된다. 형태 III은 에탄올을 포함한 실험으로부터만 결정화된다. 형태 III은 준안정하고 주위 조건에서 형태 II로 탈용매화된다. 58℃ 및 진공에서 밤새, 또는 130℃의 온도에 노출되었을 때, 무수 형태, 형태 IX로 탈용매화된다 (도 31). 형태 III의 제조는 실시예 38-39에 더욱 기술된다.
표 9는 도 50에서 확인된 피크를 도시하는 한편, 도 35 및 49의 피크는 도면 그 자체에 표시된다.
형태 III의 x-선 분말 회절 패턴은 성공적으로 인덱싱되었고, 도 32에 표시된 바와 같이 패턴이 단일 결정질상을 나타낸다는 것을 의미한다. 인덱싱 결과는 2개 분자의 25HC3S 소듐을 함유하는 삼사정계 단위 셀을 갖는다. 결론적으로, 768Å3 의 공식 단위 부피는 모노에탄올레이트와 일치된다. 부피는 대략 63Å3 만큼, 무수 형태, 형태 XIII에 대한 공식 단위에 비해서 더 크다. 부피의 차이는 1 mol/mol 이하의 에탄올을 수용하기에 충분한 공간을 제공하여서, 형태 III이 모노에탄올레이트임을 더욱 시사한다.
많은 경우에, 형태 III은 약 4.9°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. 약 4.9°2θ에서의 피크가 표 9에서 보이지 않지만, 도 52의 회절도의 확장도는 약 4.9°2θ에서의 피크의 존재를 보여준다. 약 4.9°2θ에서의 피크 이외에도, x-선 분말 회절 패턴은 예를 들어, 약 6.3°2θ, 약 7.8°2θ, 및 약 9.8°2θ에서의 하나 이상의 피크를 포함할 수 있다.
많은 경우에, 형태 III은 약 4.9°2θ 및 약 6.3°2θ에서의 피크를 특징으로 할 수 있다. x-선 분말 회절 패턴은, 일부 경우에, 약 7.8°2θ, 약 9.8°2θ, 약 13.3°2θ, 및 약 15.5°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함할 수 있다. 형태 III은 도 35의 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다.
형태 IX에 대해서, 많은 경우에, 형태 IX는 약 4.9°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. x-선 분말 회절 패턴은 예를 들어, 약 7.9°2θ, 약 11.2°2θ, 약 14.1°2θ, 약 16.1°2θ, 및 약 16.6°2θ에서의 하나 이상의 피크를 포함할 수 있다.
많은 경우에, 형태 IX는 약 2.2°2θ, 약 4.9°2θ, 및 약 7.9°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 특징으로 할 수 있다. x-선 회절 패턴은 일부 경우에, 약 14.1°2θ, 약 16.1°2θ, 및 약 16.6°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함할 수 있다. 형태 IX는 도 5를 더 특징으로 할 수 있다.
잔류 유기 용매, 예컨대 에탄올이 관찰되지 않았다. 145℃ 이하에서 TGA에 의해 관찰된 1.6% 중량 손실은 아마도 물의 휘발에 기인하는 듯 하다. 합동 탈수 흡열은 DSC에 의해 분명하고, 150℃ 이상에서의 사건은 분해와 연관된다. 형태 IX는 실시예 32 및 실시예 33에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다. 도 5는 실시예 32에 상응하고 도 51은 실시예 33에 상응한다.
표 10은 도 51에서 확인된 피크를 표시하는 한편, 도 5의 피크는 그 도면에 표시된다.
본 개시는 또한 본 명세서에 개시된 바와 같은 결정질 25HC3S 소듐을 함유하는 약학 조성물에 관한 것이다. 이러한 약학 조성물은 하나 이상의 약학적으로 허용가능한 부형제 및 본 명세서에 개시된 바와 같은 결정질 25HC3S 소듐을 포함한다. 이러한 약학 조성물은 경구로 투여될 수 있거나 또는 예를 들어, 즉시, 지연 및 시간-방출 경구 조제물, 비경구, 국소, 비내, 안구, 시각, 설하, 직장, 질 등을 포함한, 임의의 효과적인 통상의 단위 제형으로서 전달되도록 구성된다.
본 개시는 25HC3S 소듐의 형태의 혼합물 예컨대 서로와의 결정질 25HC3S 소듐 형태 및/또는 25HC3S 소듐의 유방성 형태를 더 포함한다. 예를 들어, 결정질 25HC3S 소듐 형태 I, 결정질 25HC3S 소듐 형태 II, 액상 결정 25HC3S 소듐 형태 V, 결정질 25HC3S 소듐 형태 IX, 결정질 25HC3S 소듐 형태 XI, 또는 결정질 25HC3S 소듐 형태 XIII의 둘 이상의 혼합물이 제공된다. 이러한 혼합물에 존재하는 각 형태의 양은 예를 들어, 약 0.01 중량% 내지 약 99.9 중량% 범위이다. 다른 범위는 약 0.1 중량% 내지 약 95 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 90 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 85 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 80 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 75 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 70 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 65 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 60 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 55 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 50 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 45 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 40 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 35 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 30 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 25 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 20 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 15 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%를 포함한다. 다른 범위는 약 0.1 중량% 내지 약 9 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 8 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 7 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 6 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 4 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 3 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 2 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 1 중량%를 포함한다. 추가 범위는 약 0.1 중량% 내지 약 0.9 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 0.8 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 0.7 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 0.6 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 0.5 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 0.4 중량%, 약 0.1 중량% 내지 약 0.3 중량%, 및 약 0.1 중량% 내지 약 0.2 중량%를 포함한다. 추가 범위는 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%를 포함한다. 추가 범위는 약 0.01 중량% 내지 약 0.09 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 0.08 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 0.07 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 0.06 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 0.05 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 0.04 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 0.03 중량% 및 약 0.01 중량% 내지 약 0.02 중량%를 포함한다. 이러한 혼합물은 또한 하나 이상의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물로 존재할 수 있다.
본 개시는 본 개시의 결정질 25HC3S 소듐 및/또는 결정질 25HC3S 소듐을 포함하는 약학 조성물의 유효량으로 인간에서 질환 예컨대 하나 이상의 고콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태 (예를 들어, 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 및 아테롬성 동맥 경화증)를 치료하기 위한 방법 및 용도를 더 포함한다.
25-히드록시-콜레스텐-5-엔-3-술페이트 (25HC3S)를 제조하기 위한 방법
상기 요약된 바와 같이, 본 개시는 또한 25-히드록시-콜레스텐-5-엔-3-술페이트, 예컨대 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트 (25HC3S)를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 본 명세서의 많은 교시가 3β 위치에 술페이트를 포함하지만, 본 개시의 교시는 또한 일반적으로 3α 위치의 술페이트에도 일반적으로 적용가능하다. 본 명세서에 기술된 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트를 제조하기 위한 대상 방법의 각 단계에서 사용되는 성분은 정제된 조성물 또는 바람직하다면 미정제 조성물일 수 있다. 용어 "정제된"은 적어도 일부 단리 또는 정제 과정, 예컨대 예를 들어 반응 혼합물의 여과 또는 수성 워크업을 수행한 조성물을 의미하고자 이의 통상의 의미로 사용된다. 일부 예에서, 정제는 액상 크로마토그래피, 재결정화, 증류 (예를 들어, 공비 증류) 및 다른 유형의 화합물 정제 중 적어도 하나를 포함한다. 예를 들어, 본 명세서에 기술된 바와 같은 화합물은 크로마토그래피 수단, 예컨대 고성능 액상 크로마토그래피 (HPLC), 초임계 유체 크로마토그래피 (SFC), 박막 크로마토그래피, 플래시 컬럼 크로마토그래피 및 이온 교환 크로마토그래피를 통해서 정제될 수 있다. 정상 및 역상을 비롯한 이온 수지를 포함하는, 임의의 적합한 정지상을 사용할 수 있다. 이동상은 극성 용매 및 비극성 용매로부터 선택될 수 있다. 일부 경우에, 이동상은 극성 용매를 포함한다. 일부 경우에, 극성 용매는 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라히드로퓨란, 디클로로에탄, 아세톤, 디옥산, 에틸 아세테이트, 디메틸술폭시드, 아닐린, 디에틸아민, 니트로메탄, 아세토니트릴, 피리딘, 이소프로판올, 에탄올, 메탄올, 에틸렌 글리콜, 아세트산 및 물로부터 선택된다. 일부 경우에, 이동상은 비극성 용매를 포함한다. 일부 경우에, 비극성 용매는 디에틸 에테르, 톨루엔, 벤젠, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 페트롤륨 에테르 및 사염화탄소로부터 선택된다 (참조: 예를 들어, Introduction to Modern Liquid Chromatography, 2nd Edition, ed. L. R. Snyder and J. J. Kirkland, John Wiley and Sons, 1979; and Thin Layer Chromatography, ed. E. Stahl, Springer-Verlag, New York, 1969).
일부 경우에, 반응 혼합물은 반응 혼합물의 정제 또는 다른 워크업이 수행되지 않은 미정제 혼합물로서 본 명세서에 기술된 방법에서 후속 단계에서 사용된다. 일부 예에서, 미정제 혼합물은 충분한 순도의 관심 화합물을 포함하고 예컨대 반응 혼합물은 크로마토그래피 (예를 들어, HPLC 또는 SFC), 핵 자기 공명 분광법 (예를 들어, 1H NMR 또는 13C NMR) 또는 이의 조합으로 측정하여, 미정제 반응 혼합물 (존재 시 용매 제외)에 대해서, 70% 이상, 예컨대 75% 이상, 예컨대 80% 이상, 예컨대 85% 이상, 예컨대 90% 이상, 예컨대 95% 이상, 예컨대 97% 이상, 예컨대 99% 이상, 예컨대 99.5% 이상, 예컨대 99.9% 이상, 예컨대 99.99% 이상 및 99.999% 이상을 포함한, 순도로 관심 화합물을 포함한다. 일부 경우에, 관심 화합물은 미정제 반응 혼합물 (존재 시 용매 제외)에 대해서 30 중량% 이상, 예컨대 미정제 반응 혼합물에 대해서 40 중량% 이상, 예컨대 50 중량% 이상, 예컨대 60 중량% 이상, 예컨대 70 중량% 이상, 예컨대 75 중량% 이상, 예컨대 by 80 중량% 이상, 예컨대 85 중량% 이상, 예컨대 90 중량% 이상, 예컨대 95 중량% 이상, 예컨대 97 중량% 이상, 예컨대 99 중량% 이상, 예컨대 99.5 중량% 이상, 예컨대 99.9 중량% 이상, 예컨대 99.99 중량% 이상 및 99.999 중량% 이상을 포함하는 양으로 반응 혼합물에 존재하고, 5 중량% 내지 99.999 중량%, 예컨대 30 중량% 내지 99.99 중량%, 40 중량% 내지 99.9 중량%, 50 중량% 내지 99 중량%, 70 중량% 내지 95 중량%, 75 중량% 내지 90 중량%, 80 중량% 내지 99 중량%, 또는 80 중량% 내지 95 중량%의 범위일 수 있다. 일부 경우에, 관심 화합물은 미정제 반응 혼합물 (존재 시 용매 제외)에 30 mol% 이상, 예컨대 미정제 반응 혼합물에 대해서 40 mol% 이상, 예컨대 50 mol% 이상, 예컨대 60 mol% 이상, 예컨대 70 mol% 이상, 예컨대 75 mol% 이상, 예컨대 80 mol% 이상, 예컨대 85 mol% 이상, 예컨대 90 mol% 이상, 예컨대 95 mol% 이상, 예컨대 97 mol% 이상, 예컨대 99 mol% 이상, 예컨대 99.5 mol% 이상, 예컨대 99.9 mol% 이상, 예컨대 99.99 mol% 이상 및 99.999 mol% 이상을 포함하여 존재하고, 30 mol% 내지 99.999 mol%, 예컨대 50 mol% 내지 99 mol%, 70 mol% 내지 95 mol%, 75 mol% 내지 90 mol%, 80 mol% 내지 99 mol%, 또는 80 mol% 내지 95 mol% 범위일 수 있다.
본 개시에 따른 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트 ([(3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트 금속 염)의 금속 염을 제조하기 위한 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화제와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생산하는 단계를 포함한다 (반응식 Ia).
반응식 Ia
반응식 IA1
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 술페이트화제와 접촉하여 술페이트화된다 (반응식 IA1). 일부 경우에, 술페이트화 시약은 황 트리옥시드 착체, 황산 화합물, 술폰산 화합물, 및 술포네이트 화합물로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 황 트리옥시드 디메틸 포름아미드, 황 트리옥시드 트리에틸아민, 및 황 트리옥시드 트리메틸아민으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 황산 및 아세트산 무수물 및 피리딘을 포함한다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 황 트리옥시드 트리에틸아민 및 피리딘을 포함한다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 1) 클로로술폰산 및 피리딘 및 2) 클로로술폰산 및 2,6-루티딘으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화 시약은 에틸 클로로술포네이트이다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 -10℃ 내지 50℃, 예컨대 -5℃ 내지 45℃, 예컨대 -4℃ 내지 40℃, 예컨대 -3℃ 내지 35℃, 예컨대 -2℃ 내지 30℃, 예컨대 -1℃ 내지 25℃, 및 0℃ 내지 20℃를 포함한 범위의 온도에서 술페이트화될 수 있다. 반응은 0.1시간 내지 72시간, 예컨대 0.2시간 내지 48시간, 예컨대 0.3시간 내지 24시간, 예컨대 0.4시간 내지 21시간, 예컨대 0.5시간 내지 20시간, 예컨대 0.6시간 내지 19시간, 예컨대 0.7시간 내지 18시간, 예컨대 0.8시간 내지 17시간, 예컨대 0.9시간 내지 16시간 및 1시간 내지 15시간을 포함한 범위의 기간 동안 수행될 수 있다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올에 대해서 사용된 술페이트화제의 양은 다양할 수 있고 0.001 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상일 수 있고, 10 당량 이상을 포함할 수 있으며, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올에 대해서, 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 5 당량, 0.5 당량 내지 10 당량, 0.5 당량 내지 8 당량, 0.5 당량 내지 5 당량, 0.9 당량 내지 10 당량, 0.9 당량 내지 8 당량, 0.9 당량 내지 5 당량, 1.3 당량 내지 10 당량, 1.3 당량 내지 8 당량, 1.3 당량 내지 5 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 5 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 5 당량, 또는 1 당량 내지 2 당량, 1 당량 내지 1.5 당량, 또는 1.1 내지 1.2 당량 범위일 수 있다.
일부 경우에, 방법은 적어도 하나의 용매 중에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화하는 단계를 포함하고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 저용해도를 나타낸다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 적어도 하나의 용매 중에서 술페이트화되고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 100 mmol/L 이하, 예컨대 90 mmol/L 이하, 예컨대 80 mmol/L 이하, 예컨대 70 mmol/L 이하, 예컨대 60 mmol/L 이하, 예컨대 50 mmol/L 이하, 예컨대 40 mmol/L 이하, 예컨대 30 mmol/L 이하, 예컨대 20 mmol/L 이하, 예컨대 10 mmol/L 이하의 용해도를 나타내고, 적어도 하나의 용매 중에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화시키는 단계를 포함하고 여기서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 5 mmol/L 이하의 용해도를 나타낸다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 적어도 하나의 용매 중에서 술페이트화되고, 여기서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 형성 이후에 침전된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 용매는 클로로포름, 메틸렌 클로라이드, 아세톤, 아세토니트릴, 톨루엔, 테트라히드로퓨란, 및 메틸테트라히드로퓨란으로부터 선택된다.
일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 비스-술페이트화를 감소시키거나 또는 제거시키기에 충분한 방식으로 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화시키는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 술페이트화되고 비스-술페이트 생산물 (즉, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트, 구조 IA)은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화제와 접촉시켜서 형성된 반응 생산물 중 10% 이하의 양, 예컨대 9 중량% 이하, 예컨대 8 중량% 이하, 예컨대 7 중량% 이하, 예컨대 6 중량% 이하, 예컨대 5 중량% 이하, 예컨대 4 중량% 이하, 예컨대 3 중량% 이하, 예컨대 2 중량% 이하, 예컨대 1 중량% 이하, 예컨대 0.5 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이하, 예컨대 0.01 중량% 이하, 예컨대 0.001 중량% 이하으로 형성되고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올이 술페이트화되는 경우를 포함하며 비스-술페이트 생산물은 0.0001 중량% 이하의 양으로 형성되고, 10 중량% 내지 0.001 중량%, 예컨대 10 중량% 내지 0.1 중량%, 10 중량% 내지 1 중량%, 10 중량% 내지 2 중량%, 8 중량% 내지 0.001 중량%, 8 중량% 내지 0.1 중량%, 8 중량% 내지 1 중량%, 8 중량% 내지 2 중량%, 6 중량% 내지 0.001 중량%, 6 중량% 내지 0.1 중량%, 6 중량% 내지 1 중량%, 6 중량% 내지 2 중량%, 4 중량% 내지 0.001 중량%, 4 중량% 내지 0.1 중량%, 4 중량% 내지 1 중량%, 4 중량% 내지 2 중량%, 3 중량% 내지 0.001 중량%, 3 중량% 내지 0.1 중량%, 3 중량% 내지 1 중량%, 2 중량% 내지 0.001 중량%, 2 중량% 내지 0.1 중량%, 또는 2 중량% 내지 1 중량%의 범위일 수 있다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성되는 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비는 10:1 이상, 예컨대 25:1 이상, 예컨대 50:1 이상, 예컨대 100:1 이상, 예컨대 예컨대 250:1 이상, 예컨대 500:1 이상, 예컨대 1000:1 이상, 예컨대 2500:1 이상, 예컨대 5000:1 이상, 예컨대 10,000:1 이상, 예컨대 25,000:1 이상, 예컨대 50,000:1 이상, 예컨대 100,000:1 이상, 예컨대 106:1 이상, 예컨대 107:1 이상, 예컨대 108:1 이상이고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성된 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비가 109:1 이상인 경우를 포함하며, 10:1의 중량비 내지 109:1의 중량비, 예컨대 10:1의 중량비 대 106:1의 중량비, 10:1의 중량비 대 103:1의 중량비, 10:1의 중량비 대 100:1의 중량비, 100:1의 중량비 내지 109:1의 중량비, 100:1의 중량비 내지 106:1의 중량비, 100:1의 중량비 내지 103:1의 중량비, 250:1의 중량비 내지 109:1의 중량비, 250:1의 중량비 내지 106:1의 중량비, 250:1의 중량비 내지 103:1의 중량비, 500:1의 중량비 내지 109:1의 중량비, 500:1의 중량비 내지 106:1의 중량비, 500:1의 중량비 내지 103:1의 중량비, 103:1의 중량비 내지 109:1의 중량비, 103:1의 중량비 내지 106:1의 중량비, 또는 250:1의 중량비 대 103:1의 중량비 범위일 수 있다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올이 술페이트화될 때 형성된 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트는 적어도 하나의 용매 중에서 가용화된 채로 남는다. 일부 경우에, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트는 적어도 하나의 용매 중에서 높은 용해도를 갖는다. 일부 예에서, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트는 적어도 하나의 용매 중에서 500 mmol/L 이상, 예컨대 600 mmol/L 이상, 예컨대 700 mmol/L 이상, 예컨대 800 mmol/L 이상, 예컨대 900 mmol/L, 이상의 용해도, 및 적어도 하나의 용매 중 1 mol/L 이상의 용해도를 포함한, 용해도를 갖는다.
일정 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물을 비스-술페이트 생산물 (즉, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트)로부터 분리시키는 단계를 더 포함한다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 진공 여과를 통해서 비스-술페이트 생산물로부터 분리된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물의 재결정화를 통해서 비스-술페이트 생산물로부터 분리된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 비스-술페이트 생산물로부터 크로마토그래피 (예를 들어, 실리카 컬럼)를 통해서 분리된다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 5.0 내지 8.0 범위의 pH, 예컨대 5.1 내지 7.9의 pH, 예컨대 5.2 내지 7.8의 pH, 예컨대 5.3 내지 7.7의 pH, 예컨대 5.4 내지 7.6의 pH, 예컨대 5.5 내지 7.5의 pH, 예컨대 5.6 내지 7.4의 pH, 예컨대 5.7 내지 7.3의 pH, 예컨대 5.8 내지 7.2의 pH, 예컨대 5.9 내지 7.1의 pH를 갖는 반응 혼합물 중에서 술페이트화되고, 6.0 내지 7.0의 pH를 갖는 반응 혼합물 중에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화를 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 존재에서 술페이트화된다. 일정 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 입자 (예를 들어, 이전 반응 또는 정제된 반응 뱃치에서 생산된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 씨드 결정)로서 존재한다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 (예를 들어, 입자로서)의 존재에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염이 존재하지 않을 때의 용해도와 비교하여 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 술페이트화제의 반응으로 생산된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 용해도를 감소시키기에 충분하다. 일정 경우에, 반응 혼합물 중에서 생산된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 용해도는 첨가된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염이 존재하지 않을 때의 용해도와 비교하여 5% 이상, 예컨대 10% 이상, 예컨대 25% 이상, 예컨대 50% 이상, 예컨대 75% 이상, 예컨대 90% 이상 만큼 감소되고, 99% 이상 만큼 생산된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 용해도의 감소를 포함한다. 반응 혼합물에 첨가되는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자의 크기는 가변적일 수 있고, 0.01 mm 이상, 예컨대 0.025 mm 이상, 예컨대 0.05 mm 이상, 예컨대 0.075 mm 이상, 예컨대 0.1 mm 이상, 예컨대 0.25 mm 이상, 예컨대 0.5 mm 이상, 예컨대 0.75 mm 이상, 예컨대 1 mm 이상, 예컨대 2 mm 이상, 예컨대 3 mm 이상, 예컨대 4 mm 이상, 및 5 mm 이상을 포함한, 치수 (예를 들어, 길이, 너비, 또는 직경)를 가질 수 있다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자는 술페이트화제를 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉시킨 직후에 반응 혼합물에 첨가된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자는 술페이트화제를 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 후 1분 이상, 예컨대 5분 이상, 예컨대 10분 이상, 예컨대 15분 이상, 예컨대 20분 이상, 예컨대 30분 이상, 예컨대 40분 이상, 예컨대 50분 이상에 반응 혼합물에 첨가되고, 술페이트화제를 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 후 60분 이상에 반응 혼합물에 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자의 첨가를 포함한다.
일정 경우에, 술페이트화제는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 특징규명된다. 일부 경우에, 술페이트화제의 특징규명은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 술페이트화제의 분해 정도를 결정하는 단계를 포함한다. 일정 경우에, 술페이트화 시약의 분해 정도를 결정하는 단계는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 술페이트화 시약 중에서 불순물의 양을 결정하는 단계를 포함한다.
일부 예에서, 술페이트화제의 분해는 양자 핵 자기 공명 분광법 (1H-NMR)으로 결정된다. 술페이트화제의 양자 NMR 분광법은 적어도 하나의 중수소화 용매에서 수행될 수 있다. 일정 경우에, 적어도 하나의 중수소화 용매는 중수소화 아세톤 ((CD3)2CO)이다. 일정 경우에, 적어도 하나의 중수소화 용매는 중수소화 벤젠 (C6D6)이 아니다. 일정 경우에, 적어도 하나의 중수소화 용매는 중수소화 아세토니트릴 (CD3CN)이 아니다. 일정 경우에, 적어도 하나의 중수소화 용매는 중수소화 클로로포름 (CD3Cl)이 아니다.
일부 예에서, 분해 정도를 결정하기 위한 방법은 9.2 ppm에서 9.3 ppm으로 화학 이동에서 1H-NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하는 단계 및 적분 피크를 기반으로 술페이트화제의 불순물 순도를 계산하는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 분해 정도를 결정하기 위한 방법은 약 9.25 ppm의 화학 이동에서 1H-NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하는 단계 및 적분된 피크를 기반으로 술페이트화제의 불순물 수준을 계산하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 술페이트화제는 술페이트화제의 불순물 수준이 사정결정된 한계치 미만일 때 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉되고, 예컨대 불순물 수준은 9.2 ppm에서 9.3 ppm으로 화학 이동에서 양자 NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하여 결정시 25% 이하, 예컨대 24% 이하, 예컨대 23% 이하, 예컨대 22% 이하, 예컨대 21% 이하, 예컨대 20% 이하, 예컨대 19% 이하, 예컨대 18% 이하, 예컨대 17% 이하, 예컨대 16% 이하, 예컨대 15% 이하, 예컨대 14% 이하 예컨대 13% 이하, 예컨대 12% 이하, 예컨대 11% 이하, 예컨대 10% 이하, 예컨대 9% 이하, 예컨대 8% 이하, 예컨대 7% 이하, 예컨대 6% 이하, 예컨대 5% 이하, 예컨대 4% 이하, 예컨대 3% 이하 예컨대 2% 이하이고, 9.2 ppm에서 9.3 ppm으로 화학 이동에서 양자 NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하여 결정시 불순물 수준이 1% 이하인 경우를 포함한다. 일부 경우에, 술페이트화제는 불순물 수준이 사전결정된 한계치 이상일 때 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉되지 않고, 예컨대 불순물 수준은 9.2 ppm에서 9.3 ppm으로 화학 이동에서 양장 NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하여 결정시 25% 이상, 예컨대 26% 이상, 예컨대 27% 이상, 예컨대 28% 이상, 예컨대 29% 이상, 예컨대 30% 이상, 예컨대 31% 이상, 예컨대 32% 이상, 예컨대 33% 이상, 예컨대 34% 이상이고, 9.2 ppm에서 9.3 ppm으로 화학 이동에서 양자 NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하여 결정시 불순물 수준이 35% 이상인 경우를 포함한다.
일정 경우에, 생성된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물은 하나 이상의 부산물을 포함한다. 일부 경우에, 부산물은 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트이다. 일부 경우에, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트 부산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해서 10 중량% 이하, 예컨대 9 중량% 이하, 예컨대 8 중량% 이하, 예컨대 7 중량% 이하, 예컨대 6 중량% 이하, 예컨대 5 중량% 이하, 예컨대 4 중량% 이하, 예컨대 3 중량% 이하, 예컨대 2 중량% 이하, 예컨대 1 중량% 이하, 예컨대 0.5 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이하, 예컨대 0.01 중량% 이하, 예컨대 0.001 중량% 이하의 양으로, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화에 의해 생산된 조성물 중에 존재하고, 0.001 중량% 이하의 양으로 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화에 의해 생산된 조성물 중에 존재하는 경우를 포함하고, 0.1 중량% 내지 50 중량%, 예컨대 0.5 중량% 내지 20 중량% 또는 1 중량% 내지 12 중량% 범위일 수 있다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성된 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트 부산물의 중량비는 10:1 이상, 예컨대 25:1 이상, 예컨대 50:1 이상, 예컨대 100:1 이상, 예컨대 예컨대 250:1 이상, 예컨대 500:1 이상, 예컨대 1000:1 이상, 예컨대 2500:1 이상, 예컨대 5000:1 이상, 예컨대 10,000:1 이상, 예컨대 25,000:1 이상, 예컨대 50,000:1 이상, 예컨대 100,000:1 이상, 예컨대 106:1 이상, 예컨대 107:1 이상, 예컨대 108:1 이상이고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성된 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량부가 109:1 이상인 경우를 포함한다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 형성된 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비는 10:1 내지 109:1, 예컨대 100:1 내지 108:1, 예컨대 1000:1 내지 107:1 범위이고 10000:1 내지 106:1을 포함한다.
본 개시의 양태는 또한 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해서 10 중량% 이하, 예컨대 9 중량% 이하, 예컨대 8 중량% 이하, 예컨대 7 중량% 이하, 예컨대 6 중량% 이하, 예컨대 5 중량% 이하, 예컨대 4 중량% 이하, 예컨대 3 중량% 이하, 예컨대 2 중량% 이하, 예컨대 1 중량% 이하, 예컨대 0.5 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이하, 예컨대 0.01 중량% 이하, 예컨대 0.001 중량% 이하의 양, 및 0.001 중량% 이하를 포함하는 양으로 조성물에 존재하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트를 갖는 조성물을 포함하고, 10 중량% 내지 0.001 중량%, 예컨대 10 중량% 내지 0.1 중량%, 10 중량% 내지 1 중량%, 10 중량% 내지 2 중량%, 8 중량% 내지 0.001 중량%, 8 중량% 내지 0.1 중량%, 8 중량% 내지 1 중량%, 8 중량% 내지 2 중량%, 6 중량% 내지 0.001 중량%, 6 중량% 내지 0.1 중량%, 6 중량% 내지 1 중량%, 6 중량% 내지 2 중량%, 4 중량% 내지 0.001 중량%, 4 중량% 내지 0.1 중량%, 4 중량% 내지 1 중량%, 4 중량% 내지 2 중량%, 3 중량% 내지 0.001 중량%, 3 중량% 내지 0.1 중량%, 3 중량% 내지 1 중량%, 2 중량% 내지 0.001 중량%, 2 중량% 내지 0.1 중량%, 또는 2 중량% 내지 1 중량% 범위일 수 있다.
일부 경우에, 조성물은 10:1 이상, 예컨대 25:1 이상, 예컨대 50:1 이상, 예컨대 100:1 이상, 예컨대 예컨대 250:1 이상, 예컨대 500:1 이상, 예컨대 1000:1 이상, 예컨대 2500:1 이상, 예컨대 5000:1 이상, 예컨대 10,000:1 이상, 예컨대 25,000:1 이상, 예컨대 50,000:1 이상, 예컨대 100,000:1 이상, 예컨대 106:1 이상, 예컨대 107:1 이상, 예컨대 108:1 이상의 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비를 포함하고, 조성물 중 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비가 109:1 이상인 경우를 포함한다. 일부 경우에, 조성물은 10:1 내지 109:1, 예컨대 100:1 내지 108:1, 예컨대 1000:1 내지 107:1 범위, 및 10000:1 내지 106:1를 포함한 범위인 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비를 포함한다.
일부 경우에, 부산물은 술페이트화된 데스모스테롤 (구조 IB)이다.
일부 경우에, 술페이트화된 데스모스테롤 ([(3S,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-1,5-디메틸헥스-4-에닐]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트)은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해서 10 중량% 이하, 예컨대 9 중량% 이하, 예컨대 8 중량% 이하, 예컨대 7 중량% 이하, 예컨대 6 중량% 이하, 예컨대 5 중량% 이하, 예컨대 4 중량% 이하, 예컨대 3 중량% 이하, 예컨대 2 중량% 이하, 예컨대 1 중량% 이하, 예컨대 0.5 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이하, 예컨대 0.01 중량% 이하, 예컨대 0.001 중량% 이하의 양으로 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화에 의해 생산된 조성물에 존재하고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해 0.001 중량% 이하의 양으로 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화에 의해 생산된 조성물에 존재하는 경우를 포함하고, 0.1 중량% 내지 10 중량%, 예컨대 0.2 중량% 내지 5 중량% 또는 0.3 중량% 내지 3 중량% 범위일 수 있다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성된 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비는 10:1 이상, 예컨대 25:1 이상, 예컨대 50:1 이상, 예컨대 100:1 이상, 예컨대 예컨대 250:1 이상, 예컨대 500:1 이상, 예컨대 1000:1 이상, 예컨대 2500:1 이상, 예컨대 5000:1 이상, 예컨대 10,000:1 이상, 예컨대 25,000:1 이상, 예컨대 50,000:1 이상, 예컨대 100,000:1 이상, 예컨대 106:1 이상, 예컨대 107:1 이상, 예컨대 108:1 이상이고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성된 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비가 109:1 이상인 경우를 포함한다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 형성된 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비는 10:1 내지 109:1, 예컨대 100:1 내지 108:1, 예컨대 1000:1 내지 107:1 범위이고 10000:1 내지 106:1을 포함한다.
본 개시의 양태는 또한 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해서 10 중량% 이하, 예컨대 9 중량% 이하, 예컨대 8 중량% 이하, 예컨대 7 중량% 이하, 예컨대 6 중량% 이하, 예컨대 5 중량% 이하, 예컨대 4 중량% 이하, 예컨대 3 중량% 이하, 예컨대 2 중량% 이하, 예컨대 1 중량% 이하, 예컨대 0.5 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이하, 예컨대 0.01 중량% 이하, 예컨대 0.001 중량% 이하의 양, 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해서 0.001% w/w 이하를 포함하는 양으로 조성물에 존재하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 술페이트화된 데스모스테롤을 갖는 조성물을 포함하고, 10 중량% 내지 0.001 중량%, 예컨대 10 중량% 내지 0.1 중량%, 10 중량% 내지 1 중량%, 10 중량% 내지 2 중량%, 8 중량% 내지 0.001 중량%, 8 중량% 내지 0.1 중량%, 8 중량% 내지 1 중량%, 8 중량% 내지 2 중량%, 6 중량% 내지 0.001 중량%, 6 중량% 내지 0.1 중량%, 6 중량% 내지 1 중량%, 6 중량% 내지 2 중량%, 4 중량% 내지 0.001 중량%, 4 중량% 내지 0.1 중량%, 4 중량% 내지 1 중량%, 4 중량% 내지 2 중량%, 3 중량% 내지 0.001 중량%, 3 중량% 내지 0.1 중량%, 3 중량% 내지 1 중량%, 2 중량% 내지 0.001 중량%, 2 중량% 내지 0.1 중량%, 또는 2 중량% 내지 1 중량% 범위일 수 있다.
일부 경우에, 조성물은 10:1 이상, 예컨대 25:1 이상, 예컨대 50:1 이상, 예컨대 100:1 이상, 예컨대 예컨대 250:1 이상, 예컨대 500:1 이상, 예컨대 1000:1 이상, 예컨대 2500:1 이상, 예컨대 5000:1 이상, 예컨대 10,000:1 이상, 예컨대 25,000:1 이상, 예컨대 50,000:1 이상, 예컨대 100,000:1 이상, 예컨대 106:1 이상, 예컨대 107:1 이상, 예컨대 108:1 이상의 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비를 포함하고, 조성물 중 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비가 109:1 이상인 경우를 포함한다. 일부 경우에, 조성물은 10:1 내지 109:1, 예컨대 100:1 내지 108:1, 예컨대 1000:1 내지 107:1 범위, 및 10000:1 내지 106:1을 포함한 범위로 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비를 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 조성물에 존재하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화의 부산물은 열 분해 생산물이다. 일부 경우에, 부산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 조성물의 성분이 액상 크로마토그래피 (예를 들어, HPLC)에 의해 분리될 때 상대 체류 시간으로 확인된다. 일정 경우에, 부산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 조성물의 성분이 약 45℃에서 C8 정지상으로 작동되는 HPLC에 의해 분리되고 조성물의 성분을 완충액을 포함하는 제1 이동상 (예를 들어, 소듐 포스페이트의 수성 완충액) 및 하나 이상의 유기 용매를 포함하는 제2 이동상 (참조, 예를 들어 하기 표 13 및 14)으로 분리할 때 약 18.3분의 체류 시간을 갖는 화합물로서, 술페이트화된 데스모스테롤이다. 일부 경우에, 제1 이동상은 수성 완충액이다. 일정 경우에, 제1 이동상은 소듐 포스페이트를 포함한다. 일부 경우에, 제2 이동상은 메톡시프로필 아세테이트, 아세토니트릴 및 메탄올 중 하나 이상으로부터 선택된다. 일부 경우에, 제1 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분이다. 일부 경우에, 제2 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분 이상이다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 동일한 HPLC 조건 하에서 약 7.7 분의 체류 시간을 갖는다. 일부 경우에, 부산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 조성물의 성분이 약 45℃에서 C8 정지상으로 작동되는 HPLC에 의해 분리되고 조성물의 성분을 완충액을 포함하는 제1 이동상 (예를 들어, 소듐 포스페이트의 수성 완충액) 및 하나 이상의 유기 용매를 포함하는 제2 이동상 (예를 들어, 하기 표 13 및 14 참조)으로 분리할 때 약 37.7분의 체류 시간을 갖는 화합물이다. 이론에 국한하고 싶지 않지만, 약 37.7분의 체류 시간을 갖는 화합물은 데스모스테롤이라고 여겨진다. 일부 경우에, 제1 이동상은 수성 완충액이다. 일정 경우에, 제1 이동상은 소듐 포스페이트를 포함한다. 일부 경우에, 제2 이동상은 메톡시프로필 아세테이트, 아세토니트릴 및 메탄올 중 하나 이상으로부터 선택된다. 일부 경우에, 제1 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분이다. 일부 경우에, 제2 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분 이상이다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 동일한 HPLC 조건 하에서 약 7.7분의 체류 시간을 가져서 술페이트화된 데스모스테롤은 약 2.4의 상대 체류 시간 (= 18.3/7.7)을 갖고 데스모스테롤이라고 여겨지는 화합물은 약 4.9의 상대 체류 시간 (= 37.7/7.7)을 갖는다.
본 개시의 양태는 또한 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화의 하나 이상의 부산물을 갖는 조성물을 포함한다. 일부 경우에, 하나 이상의 부산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해서 10 중량% 이하, 예컨대 9 중량% 이하, 예컨대 8 중량% 이하, 예컨대 7 중량% 이하, 예컨대 6 중량% 이하, 예컨대 5 중량% 이하, 예컨대 4 중량% 이하, 예컨대 3 중량% 이하, 예컨대 2 중량% 이하, 예컨대 1 중량% 이하, 예컨대 0.5 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이하, 예컨대 0.01 중량% 이하, 예컨대 0.001 중량% 이하의 양, 및 0.001 중량% 이하를 포함한 양으로 조성물에 존재하고,0.1 중량% 내지 5 중량%, 예컨대 0.2 중량% 내지 10 중량% 또는 0.3 중량% 내지 15 중량% 범위일 수 있다. 일부 경우에, 조성물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트에 대해서 0.0001 중량% 내지 10 중량%, 예컨대 0.005 중량% 내지 9.5 중량%, 예컨대 0.001% to 9.0 중량%, 예컨대 0.05 중량% 내지 8.5 중량%, 예컨대 0.1 중량% 내지 8.0 중량%, 예컨대 0.5 중량% 내지 7.5 중량%, 예컨대 1 중량% 내지 7 중량%, 예컨대 1.5 중량% 내지 6.5 중량% 범위의 양, 및 2 중량% 내지 6 중량%를 포함하는 양으로 하나 이상의 부산물을 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성된 하나 이상의 부산물의 중량비는 10:1 이상, 예컨대 25:1 이상, 예컨대 50:1 이상, 예컨대 100:1 이상, 예컨대 예컨대 250:1 이상, 예컨대 500:1 이상, 예컨대 1000:1 이상, 예컨대 2500:1 이상, 예컨대 5000:1 이상, 예컨대 10,000:1 이상, 예컨대 25,000:1 이상, 예컨대 50,000:1 이상, 예컨대 100,000:1 이상, 예컨대 106:1 이상, 예컨대 107:1 이상, 예컨대 108:1 이상이고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 형성된 하나 이상의 부산물의 중량비가 109:1 이상인 경우를 포함한다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 및 형성된 하나 이상의 부산물의 중량비는 10:1 내지 109:1, 예컨대 100:1 내지 108:1, 예컨대 1000:1 내지 107:1 범위이고, 10000:1 내지 106:1 범위를 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염이다 (반응식 IA2).
반응식 IA2
일정 경우에, 술페이트화제는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 무수물과 접촉된다. 일부 경우에, 무수물은 아세트산 무수물, 트리플루오로아세트산 무수물 및 트리플산 무수물로부터 선택된다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올에 대한 무수물의 양은 다양할 수 있고 0.001 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상일 수 있고, 10 당량 이상을 포함할 수 있고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올에 대해서 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 5 당량, 0.5 당량 내지 10 당량, 0.5 당량 내지 8 당량, 0.5 당량 내지 5 당량, 0.9 당량 내지 10 당량, 0.9 당량 내지 8 당량, 0.9 당량 내지 5 당량, 1.3 당량 내지 10 당량, 1.3 당량 내지 8 당량, 1.3 당량 내지 5 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 5 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 5 당량, 0.1 당량 내지 1.5 당량, 0.5 당량 내지 1.1 당량, 또는 0.1 당량 내지 1 당량 범위일 수 있다.
일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산한 후에 미반응된 술페이트화제를 켄칭 (즉, 탈활성화)하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 술페이트화제를 켄칭하는 단계는 반응 혼합물에 물을 첨가하는 단계를 포함한다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉되는 술페이트화제의 양에 대한 반응 혼합물에 첨가되는 물의 양은 다양할 수 있고, 1 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상, 예컨대 6 당량 이상, 예컨대 7 당량 이상, 예컨대 8 당량 이상, 예컨대 9 당량 이상, 예컨대 10 당량 이상, 예컨대 15 당량 이상, 예컨대 20 당량 이상일 수 있고 25 당량 이상을 포함한다.
일정 경우에, 미반응된 술페이트화제의 반응성을 켄칭하는 단계는 반응 혼합물에 물을 첨가하고 나서 적어도 하나의 염기의 첨가를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 트리알킬아민, 예컨대 트리메틸아민 또는 트리에틸아민이다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 2,6-루티딘이다. 일정 경우에, 적어도 하나의 염기는 피리딘이다. 피리딘은 물을 첨가한 후에 1분 이상, 예컨대 5분 이상, 예컨대 10분 이상, 예컨대 15분 이상, 예컨대 30분 이상, 예컨대 45분 이상, 예컨대 60분 이상, 예컨대 90분 이상, 예컨대 120분 이상, 예컨대 150분 이상, 예컨대 180분 이상, 예컨대 210분 이상에 반응 혼합물에 첨가될 수 있고 반응 혼합물에 물 첨가 후 240분 이상을 포함할 수 있다. 일정 경우에, 피리딘은 물에 첨가 후 60분에 반응 혼합물에 첨가된다. 술페이트화제의 양에 대해서 반응 혼합물에 첨가되는 피리딘의 양은 다양할 수 있고 0.001 당량 이상, 예컨대 0.005 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.05 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상, 예컨대 6 당량 이상일 수 있고, 10 당량 이상을 포함한다.
일부 경우에, 반응 혼합물 중 미반응된 술페이트화제는 느린 교반 하에서 켄칭된다. 일정 경우에, 느린 교반 하에서 미반응된 술페이트화제를 켄칭하는 단계는 반응 혼합물 중 미반응된 술페이트화제의 응집물을 유지시키기에 충분한 방식으로 반응 혼합물을 교반하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 반응 혼합물의 느린 교반은 미반응된 술페이트화제의 응집물은 켄칭 동안 크기가 10% 이하, 예컨대 9% 이하, 예컨대 8% 이하, 예컨대 7% 이하, 예컨대 6% 이하, 예컨대 5% 이하, 예컨대 4% 이하, 예컨대 3% 이하, 예컨대 2% 이하, 예컨대 1% 이하 만큼 감소되기에 충분하고 미반응된 술페이트화제의 응집물이 켄칭 동안 크기가 0.1% 이하만큼 감소되도록 반응 혼합물을 서서히 교반하는 경우를 포함한다. 일정 경우에, 반응 혼합물의 느린 교반은 켄칭 동안 반응 플라스크의 바닥에 미반응된 술페이트화제의 응집체가 남아있기에 충분하다. 일정 경우에, 반응 혼합물의 느린 교반은 미반응된 술페이트화제의 응집체가 교반된 반응 혼합물의 교반 와류에서 거의 존재하지 않거나 또는 전혀 존재하지 않기에 충분하다.
일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시키기 전에 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 정제하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 정제된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 97% 이상의 순도, 예컨대 98% 이상의 순도, 예컨대 99% 이상의 순도, 예컨대 99.5% 이상의 순도, 예컨대 99.7% 이상의 순도, 예컨대 99.9% 이상의 순도를 갖고, 99.99% 이상의 순도를 포함한다. 일정 경우에, 정제된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 술페이트화의 하나 이상의 부산물 (예를 들어, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올이 술페이트화로부터의 부산물)을 갖고, 하나 이상의 부산물은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해서 5% w/w 이하의 양, 예컨대 4% w/w 이하, 예컨대 3% w/w 이하, 예컨대 2% w/w 이하, 예컨대 1% w/w 이하, 예컨대 0.9% w/w 이하, 예컨대 0.8% w/w 이하, 예컨대 0.7% w/w 이하, 예컨대 0.6% w/w 이하, 예컨대 0.5% w/w 이하, 예컨대 0.4% w/w 이하, 예컨대 0.3% w/w 이하, 예컨대 0.2% w/w 이하, 예컨대 0.1% w/w 이하, 예컨대 0.05% w/w 이하, 예컨대 0.01% w/w 이하의 양으로 존재하고 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해 0.001% w/w 이하의 양으로 존재하는 것을 포함한다. 일부 경우에, 비스-술페이트화된 생산물 (즉, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트)은 정제된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 조성물에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해 1% w/w 이하의 양, 예컨대 0.9% w/w 이하, 예컨대 0.8% w/w 이하, 예컨대 0.7% w/w 이하, 예컨대 0.6% w/w 이하, 예컨대 0.5% w/w 이하, 예컨대 0.4% w/w 이하, 예컨대 0.3% w/w 이하, 예컨대 0.2% w/w 이하, 예컨대 0.1% w/w 이하, 예컨대 0.05% w/w 이하, 예컨대 0.01% w/w 이하의 양으로 존재하고, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해서 0.001% w/w 이하의 양으로 존재하는 경우를 포함한다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 액상 크로마토그래피에 의해 정제된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 정제하는 단계는 실리카 겔 정지상 (예를 들어, 실리카 겔 플러그 컬럼, ≥5 질량 당량)을 사용한 액상 크로마토그래피를 포함한다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 실리카 겔 정지상 및 피리딘을 포함한 이동상을 사용해 정제된다. 일정 경우에, 이동상은 메틸렌 클로라이드, 메탄올, 및 피리딘을 포함한다. 일정 경우에, 이동상은 메틸렌 클로라이드-메탄올 (85:15) 및 피리딘 (1%)의 혼합물을 포함한다.
일부 경우에, 정지상으로부터 수집된 하나 이상의 분획을 배합할 수 있다. 일부 경우에, 배합된 분획은 농축될 수 있다. 일정 경우에, 배합된 분획은 증류를 통해 농축된다. 일정 경우에, 배합된 분획은 진공 하에 농축된다. 일정 경우에, 배합된 분획은 진공 하에 증류를 통해 농축된다.
일부 경우에, 배합된 분획은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 하나 이상의 입자 (예를 들어, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 이전에 정제된 샘플로부터의 입자)와 접촉된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자를 배합된 분획과 접촉시키는 단계는 배합된 분획 중에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 침전시키기에 충분하다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자를 배합된 분획과 접촉시키는 단계는 배합된 분회의 증류 동안 입자를 첨가하는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자는 배합된 분획을 증류하기 전에 배합된 분획에 첨가된다. 일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자를 예컨대 증류 시작 이후 1분 이상, 예컨대 5분 이상, 예컨대 10분 이상, 예컨대 15분 이상, 예컨대 20분 이상, 예컨대 30분 이상, 예컨대 40분 이상, 예컨대 50분 이상에 배합된 분획을 증류하면서 배합된 분획에 첨가하고, 배합된 분획의 증류 시작 이후 60분 이상에 배합된 분획에 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자의 첨가를 포함한다. 일정 경우에, 배합된 분획은 일정 압력 하에 증류되고, 예컨대 압력은 10% 이하, 예컨대 9% 이하, 예컨대 8% 이하, 예컨대 7% 이하, 예컨대 6% 이하, 예컨대 5% 이하, 예컨대 4% 이하, 예컨대 3% 이하, 예컨대 2% 이하, 예컨대 1% 이하 만큼 변화되고, 0.1% 이하 만큼의 변화를 포함한다. 일부 경우에, 증류 동안 압력은 10 inHg 이하, 예컨대 9 inHg 이하, 예컨대 8 inHg 이하, 예컨대 7 inHg 이하, 예컨대 6 inHg 이하, 예컨대 5 inHg 이하, 예컨대 4 inHg 이하, 예컨대 3 inHg 이하, 예컨대 2 inHg 이하, 예컨대 1 inHg 이하, 예컨대 0.5 inHg 이하, 예컨대 0.1 inHg 이하, 예컨대 0.05 inHg 이하 만큼 변화되고 0.01 inHg 이하 만큼을 포함한다. 일부 경우에, 배합된 분획은 감압 하에서 증류되고 압력은 15 inHg 내지 30 inHg, 예컨대 17.5 inHg 내지 27.5 inHg, 예컨대 20 inHg 내지 25 inHg, 예컨대 21 inHg 내지 24 inHg에서 유지되고, 22 inHg 내지 23 inHg의 압력에서 유지를 포함한다.
일부 경우에, 배합된 분획은 진공 하에 농축되고 농축된 배합된 분획은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자를 함유하는 조성물과 접촉된다. 일정 경우에, 농축된 배합된 분획은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자 및 적어도 하나의 용매를 함유하는 조성물과 접촉된다. 일정 경우에, 적어도 하나의 용매는 테트라히드로퓨란, 예컨대 2-메틸테트라히드로퓨란으로부터 선택된다. 농축된 배합된 분획은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자를 함유하는 조성물과 0.001분 이상의 기간, 예컨대 0.005분 이상, 예컨대 0.01분 이상, 예컨대 0.05분 이상, 예컨대 0.1분 이상, 예컨대 0.5분 이상, 예컨대 1분 이상, 예컨대 2분 이상, 예컨대 3분 이상, 예컨대 4분 이상, 예컨대 5분 이상, 예컨대 10분 이상, 예컨대 15분 이상, 예컨대 30분 이상, 예컨대 45분 이상의 기간, 및 60분 이상을 포함한 기간 동안 접촉된다. 일정 경우에, 배합된 분획은 2-메틸테트라히드로퓨란 중 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 함유하는 조성물에 점적된다.
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 금속 염과 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 금속 염을 생산한다 (반응식 IB1).
반응식 IB1
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 금속 염을 생산하기 위한 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 소듐 염과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 소듐 염은 소듐 아세테이트, 소듐 아이오다이드, 소듐 클로라이드, 소듐 히드록시드 및 소듐 메톡시드로부터 선택된다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 -10℃ 내지 75℃, 예컨대 -5℃ 내지 70℃, 예컨대 -4℃ 내지 65℃, 예컨대 -3℃ 내지 60℃, 예컨대 -2℃ 내지 55℃, 예컨대 -1℃ 내지 50℃, 예컨대 0℃ 내지 45℃, 예컨대 5℃ 내지 40℃ 범위의 온도, 및 10℃ 내지 35℃를 포함한 범위의 온도에서 금속 염과 접촉될 수 있다.
반응은 0.1시간 내지 72시간, 예컨대 0.2시간 내지 48시간, 예컨대 0.3시간 내지 24시간, 예컨대 0.4시간 내지 21시간, 예컨대 0.5시간 내지 20시간, 예컨대 0.6시간 내지 19시간, 예컨대 0.7시간 내지 18시간, 예컨대 0.8시간 내지 17시간, 예컨대 0.9시간 내지 16시간 범위, 및 1시간 내지 15시간을 포함한 범위인 기간 동안 수행될 수 있다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해 사용되는 금속 염의 양은 다양할 수 있고 0.0001 당량 이상, 예컨대 0.001 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상일 수 있고, 10 당량 이상을 포함하고, 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 6 당량, 0.1 당량 내지 4 당량, 0.1 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 6 당량, 1 당량 내지 4 당량, 1 당량 내지 3 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 6 당량, 1.5 당량 내지 4 당량, 1.5 당량 내지 3 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 6 당량, 2 당량 내지 4 당량, 또는 2 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 100 당량, 1 당량 내지 5 당량, 1 당량 내지 2 당량 범위일 수 있다.
일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 소듐 아이오다이드와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 소듐 염을 생산하는 단계를 포함한다 (반응식 IB2).
반응식 IB2
일부 경우에, 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트를 제조하기 위한 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 황 트리옥시드-피리딘 착체와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 생산하는 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 소듐 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 소듐 염을 생산하는 단계를 포함한다 (반응식 Ib).
반응식 Ib
일부 경우에, 25-히드록시-3β-콜레스텐-5-엔-3-술페이트를 제조하기 위한 방법은 (3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화제와 접촉시켜서 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 유기 염기와 접촉시켜서 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 산화시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 탈산소화를 통해서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염으로부터 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생산하는 단계를 포함한다 (반응식 IIa).
반응식 IIa
일부 경우에, 콜레스테롤은 술페이트화제로 술페이트화된다 (반응식 IIA1). 일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드 착체, 황산 화합물, 술폰산 화합물, 및 술포네이트 화합물로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드-피리딘 착체이다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황 트리옥시드 디메틸 포름아미드, 황 트리옥시드 트리에틸아민, 및 황 트리옥시드 트리메틸아민으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 황산 및 아세트산 무수물 및 피리딘이다. 일부 경우에, 술페이트화제는 클로로술폰산 및 피리딘으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 클로로술폰산 및 2,6-루티딘으로부터 선택된다. 일부 경우에, 술페이트화제는 에틸 클로로술포네이트로부터 선택된다.
콜레스테롤은 0℃ 내지 100℃, 예컨대 5℃ 내지 95℃, 예컨대 10℃ 내지 90℃, 예컨대 15℃ 내지 85℃, 예컨대 20℃ 내지 80℃, 예컨대 25℃ 내지 75℃ 범위, 및 30℃ 내지 70℃를 포함한 범위의 온도에서 술페이트화될 수 있다. 반응은 0.1시간 내지 72시간, 예컨대 0.2시간 내지 48시간, 예컨대 0.3시간 내지 24시간, 예컨대 0.4시간 내지 21시간, 예컨대 0.5시간 내지 20시간, 예컨대 0.6시간 내지 19시간 범위, 0.7시간 내지 18시간을 포함한 범위의 기간 동안 수행될 수 있다. 콜레스테롤에 대해 사용되는 술페이트화제의 양은 다양할 수 있고 0.0001 당량 이상, 예컨대 0.001 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상일 수 있고, 10 당량 이상을 포함하고, 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 6 당량, 0.1 당량 내지 4 당량, 0.1 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 6 당량, 1 당량 내지 4 당량, 1 당량 내지 3 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 6 당량, 1.5 당량 내지 4 당량, 1.5 당량 내지 3 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 6 당량, 2 당량 내지 4 당량, 2 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 30 당량, 1 당량 내지 5 당량, 또는 1 당량 내지 2 당량 범위일 수 있다.
반응식 IIA1
일부 경우에, 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염이다 (반응식 IIA2).
반응식 IIA2
일부 경우에, 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 (구조 IIA)은 유기 염기와 접촉하여 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 (구조 IIB)을 생산한다 (반응식 IIB1).
반응식 VB1
일부 경우에, 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉되는 유기 염기는 히드록시드 염기로부터 선택된다. 일부 경우에, 히드록시드 염기는 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드 및 테트라메틸암모늄 히드록시드로부터 선택된다. 일부 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 테트라에틸암모늄 양이온 염, 테트라부틸암모늄 양이온 염, 테트라프로필암모늄 양이온 염 및 테트라메틸암모늄 양이온 염으로부터 선택된다. 일부 경우에, 유기 염기는 -10℃ 내지 75℃, 예컨대 -5℃ 내지 70℃, 예컨대 -4℃ 내지 65℃, 예컨대 -3℃ 내지 60℃, 예컨대 -2℃ 내지 55℃, 예컨대 -1℃ 내지 50℃ 범위, 및 0℃ 내지 15℃를 포함한 범위의 온도에서 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉된다. 반응은 0.1시간 내지 72시간, 예컨대 0.2시간 내지 48시간, 예컨대 0.3시간 내지 24시간, 예컨대 0.4시간 내지 21시간, 예컨대 0.5시간 내지 20시간, 예컨대 0.6시간 내지 19시간, 예컨대 0.7시간 내지 18시간, 예컨대 0.8시간 내지 17시간, 예컨대 0.9시간 내지 16시간 범위, 및 1시간 내지 15시간을 포함한 범위인 기간 동안 수행될 수 있다. 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해 사용된 유기 염기의 양은 다양할 수 있고 0.0001 당량 이상, 예컨대 0.001 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상일 수 있고, 및 10 당량 이상을 포함하고, 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 6 당량, 0.1 당량 내지 4 당량, 0.1 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 6 당량, 1 당량 내지 4 당량, 1 당량 내지 3 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 6 당량, 1.5 당량 내지 4 당량, 1.5 당량 내지 3 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 6 당량, 2 당량 내지 4 당량, 2 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 5 당량, 또는 1 당량 내지 2 당량 범위일 수 있다.
일정 경우에, 방법은 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 테트라부틸암모늄 히드록시드와 접촉시켜서 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 테트라부틸암모늄 양이온 염 (구조 IIB1)을 생성시키는 단계를 포함한다 (반응식 IIB2).
반응식 VB1
일부 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 산화되어서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염 (구조 IIC)을 생산한다 (반응식 IIC1).
반응식 IIC1
일부 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시키는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화제 및 적어도 하나의 계면활성제를 갖는 조성물과 접촉시키는 단계를 포함한다.
일부 경우에, 적어도 하나의 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제 및 쌍성이온 계면활성제로부터 선택된다. 비이온성 계면활성제는 다른 비이온성 계면활성제 중에서, 폴리옥시에틸렌 글리콜 에테르 (예를 들어, 폴리옥시에틸렌 글리콜 옥틸페놀 에테르), 폴리옥시에틸렌 글리콜 솔비탄알킬 에스테르, 솔비탄알킬 에스테르, 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리프로필렌 글리콜의 블록 공중합체로부터 선택될 수 있다. 음이온성 계면활성제는 음이온성 작용성 헤드 기를 갖는 계면활성제, 예컨대 술포네이트, 포스페이트, 술페이트 또는 카르복실레이트 헤드 기-함유 계면활성제로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 음이온성 계면활성제는 다른 음이온성 계면활성제 중에서 알킬 술페이트 예컨대 암모늄 라우릴 술페이트, 디옥틸 소듐 술포숙시네이트, 퍼플루오로옥탄술포네이트, 퍼플루오로노나노에이트, 퍼플루오로옥타노에이트, 선형 알킬벤젠 술포네이트, 알킬-아릴 에테르 포스페이트, 소듐 라우릴 에테르 술페이트, 리그노술페이트 또는 소듐 스테아레이트로부터 선택될 수 있다. 양이온성 계면활성제는 양이온성 작용성 헤드 기, 예컨대 피리디늄 또는 4차암모늄 헤드 기를 갖는 계면활성제로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 양이온성 계면활성제는 세틸트리메틸암모늄 수소 술페이트, 테트라부틸암모늄 수소 술페이트, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 테트라부틸암모늄 브로마이드, 테트라부틸암모늄 아이오다이드, 테트라부틸포스포늄 브로마이드, 테트라옥틸암모늄 브로마이드, 테트라옥틸암모늄 아이오다이드, 벤질트리에틸암모늄 클로라이드, 벤질트리에틸암모늄 브로마이드, 벤질세틸디메틸암모늄 클로라이드 또는 벤질세틸디메틸암모늄 브로마이드로부터 선택될 수 있다. 쌍성이온 계면활성제는 양이온 및 음이온 센터 둘 모두, 예컨대 술타인 (예를 들어, 3-[(3-콜라미도프로필)디메틸암모니오]-1-프로판술포네이트) 또는 베타인 (예를 들어, 코카미도프로필 베타인)을 포함한다. 일정 경우에, 적어도 하나의 계면활성제는 Extran laboratory 비누, La Parisienne 비누 또는 DL-α-토코페롤 메톡시폴리에틸렌 글리콜 숙시네이트 (예를 들어, TPGS-750-M-2)이다.
제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해 사용되는 계면활성제의 양은 다양할 수 있고, 일부 예에서, 0.0001 당량 이상의 계면활성제가 사용되고, 예컨대 0.001 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상, 및 10 당량 이상을 포함한 계면활성제가 사용되고, 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 6 당량, 0.1 당량 내지 4 당량, 0.1 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 6 당량, 1 당량 내지 4 당량, 1 당량 내지 3 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 6 당량, 1.5 당량 내지 4 당량, 1.5 당량 내지 3 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 6 당량, 2 당량 내지 4 당량, 2 당량 내지 3 당량, 0.1 당량 내지 5 당량, 0.15 당량 내지 1 당량, 또는 0.2 당량 내지 0.3 당량 범위일 수 있다.
일부 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시키는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 계면활성제의 존재 하에서 산화제 및 적어도 하나의 케톤과 접촉시키는 단계를 포함한다.
일부 예에서, 적어도 하나의 케톤은 테트라히드로티오피란-4-온 1,1-디옥시드 및 할로겐화 케톤으로부터 선택된다. 일부 경우에, 할로겐화 케톤은 1,1,1-트리플루오로-2-부타논, 4,4-디플루오로시클로헥사논, 2-2-2-4'-테트라플루오로아세토페논, 및 1,1,1-트리플루오로아세톤으로부터 선택된다. 일정 경우에, 적어도 하나의 케톤은 1,1,1-트리플루오로-2-부타논이다. 대상 반응 중 산화제에 대해 사용되는 케톤의 양은 다양할 수 있고, 1 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상, 예컨대 6 당량 이상, 예컨대 7 당량 이상, 예컨대 8 당량 이상, 예컨대 9 당량 이상, 예컨대 10 당량 이상, 예컨대 15 당량 이상, 예컨대 20 당량 이상, 예컨대 25 당량 이상, 예컨대 30 당량 이상, 예컨대 35 당량 이상일 수 있고, 50 당량 이상의 케톤을 포함할 수 있고, 1 당량 내지 50 당량, 예컨대 1 당량 내지 35 당량, 1 당량 내지 25 당량, 1 당량 내지 15 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 5 당량, 2 당량 내지 50 당량, 2 당량 내지 35 당량, 2 당량 내지 25 당량, 2 당량 내지 15 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 5 당량, 4 당량 내지 50 당량, 4 당량 내지 35 당량, 4 당량 내지 25 당량, 4 당량 내지 15 당량, 4 당량 내지 10 당량, 4 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 50 당량, 2 당량 내지 25 당량, 또는 5 당량 내지 10 당량 범위일 수 있다.
일정 경우에, 케톤은 사용 전에 더 정제된다. 예를 들어, 케톤은 사용 전에 증류를 통해 정제될 수 있다. 일부 예에서, 정제가 필요한지 여부를 결정하기 위해서 케톤의 반응성을 시험한다 (예를 들어, 1H-NMR로 불순물에 대해 시험).
일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시키는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 계면활성제 및 물의 존재에서 산화제 및 적어도 하나의 케톤과 접촉시키는 단계를 포함한다. 존재하는 물의 양은 반응 혼합물 중 0.0000001% w/v 이상, 예컨대 0.000001% w/v 이상, 0.00001% w/v 이상, 예컨대 0.0001% w/v 이상, 예컨대 0.001% w/v, 예컨대 0.01% w/v 이상, 예컨대 0.1% w/v, 예컨대 0.05% w/v 이상, 예컨대 0.1% w/v 이상, 예컨대 0.5% w/v 이상, 예컨대 1% w/v 이상, 예컨대 5% w/v 이상, 예컨대 10% w/v 이상, 예컨대 15% w/v 이상의 범위, 및 반응 혼합물 중 25% w/v 이상을 포함하여, 가변적일 수 있고, 0.0000001% w/v 내지 25% w/v, 예컨대 0.0000001% w/v 내지 15% w/v, 0.0000001% w/v 내지 10% w/v, 0.0000001% w/v 내지 5% w/v, 0.0000001% w/v 내지 1% w/v, 0.001% w/v 내지 25% w/v, 0.001% w/v 내지 15% w/v, 0.001% w/v 내지 10% w/v, 0.001% w/v 내지 5% w/v, 0.001% w/v 내지 1% w/v, 0.1% w/v 내지 25% w/v, 0.1% w/v 내지 15% w/v, 0.1% w/v 내지 10% w/v, 0.1% w/v 내지 5% w/v, 0.1% w/v 내지 1% w/v, 1% w/v 내지 25% w/v, 1% w/v 내지 15% w/v, 1% w/v 내지 10% w/v, 1% w/v 내지 5% w/v, 0.1% w/v 내지 50% w/v, 0.1% w/v 내지 10% w/v, 또는 0.5% w/v 내지 1% w/v 범위일 수 있다.
제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 -25℃ 내지 50℃, 예컨대 -20℃ 내지 45℃, 예컨대 -15℃ 내지 40℃, 예컨대 -10℃ 내지 35℃, 예컨대 -5℃ 내지 30℃, 예컨대 -1℃ 내지 25℃ 범위, 및 0℃ 내지 15℃를 포함한 범위의 온도에서 산화될 수 있다. 일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 0℃ 내지 5℃의 온도에서 산화된다. 반응 혼합물이 일정 물의 양을 포함하는 경우에, 반응은 -10℃ 내지 50℃, 예컨대 -5℃ 내지 45℃, 예컨대 0℃ 내지 40℃, 예컨대 0℃ 내지 35℃, 예컨대 0℃ 내지 30℃, 예컨대 0℃ 내지 25℃, 예컨대 0℃ 내지 20℃, 예컨대 0℃ 내지 15℃, 및 0℃ 내지 10℃를 포함한 온도에서 수행될 수 있다.
제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 5 내지 7.5 범위의 pH, 예컨대 5.5 내지 7.0의 pH 및 5.5 내지 6.5를 포함한 pH에서 산화될 수 있다. 일부 경우에, 반응 혼합물이 물 (예를 들어, 이상성 용매계 중)을 함유하는 경우에, pH는 5.0 내지 6.0 범위, 예컨대 5.0 내지 5.9의 pH, 예컨대 5.0 내지 5.8의 pH, 예컨대 5.0 내지 5.7의 pH, 예컨대 5.0 내지 5.6의 pH, 및 5.0 내지 5.5의 pH를 포함한 범위이다.
반응은 0.1시간 내지 72시간, 예컨대 0.2시간 내지 48시간, 예컨대 0.3시간 내지 24시간, 예컨대 0.4시간 내지 21시간, 예컨대 0.5시간 내지 20시간, 예컨대 0.6시간 내지 19시간, 예컨대 0.7시간 내지 18시간, 예컨대 0.8시간 내지 17시간, 예컨대 0.9시간 내지 16시간, 및 1시간 내지 15시간을 포함한 범위의 기간 동안 수행될 수 있다.
일부 예에서, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 포타슘 퍼옥시모노술페이트 및 적어도 하나의 케톤을 갖는 조성물과 제자리에서 접촉된다. 일부 경우에, 방법은 포타슘 퍼옥시모노술페이트를 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 적어도 하나의 케톤과 접촉시켜서 별개 산화 반응성 혼합물을 형성시키는 단계 및 산화 반응성 혼합물을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 첨가하는 단계를 포함한다. 이들 경우에, 포타슘 퍼옥시모노술페이트는 산화 반응성 혼합물을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉시키기 전 0.1분 이상, 예컨대 1분 이상, 예컨대 2분 이상, 예컨대 3분 이상, 예컨대 5분 이상, 및 10분 이상을 포함한 기간 동안 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 적어도 하나의 케톤과 접촉될 수 있고, 시간은 2분 내지 180분, 예컨대 3분 내지 120분 또는 4분 내지 60분 범위일 수 있다. 일부 예에서, 포타슘 퍼옥시모노술페이트는 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 적어도 하나의 케톤과 접촉시켜서 별개 산화 반응성 혼합물을 형성시킬 수 있는 단계 및 즉시 산화 반응성 혼합물을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉시키는 단계를 포함한다. 산화 반응성 혼합물은 -10℃ 내지 50℃, 예컨대 -5℃ 내지 45℃, 예컨대 -4℃ 내지 40℃, 예컨대 -3℃ 내지 35℃, 예컨대 -2℃ 내지 30℃, 예컨대 -1℃ 내지 25℃, 및 0℃ 내지 15℃를 포함하는 범위의 온도에서 형성될 수 있다. 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 즉시 접촉되지 않는 경우에, 산화 반응성 혼합물은 -10℃ 내지 50℃, 예컨대 -5℃ 내지 45℃, 예컨대 -4℃ 내지 40℃, 예컨대 -3℃ 내지 35℃, 예컨대 -2℃ 내지 30℃, 예컨대 -1℃ 내지 25℃, 및 0℃ 내지 15℃를 포함한 범위의 온도에서 유지될 수 있다.
일부 경우에, 방법은 산화 반응성 혼합물을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 첨가하는 단계를 더 포함한다. 일부 예에서, 방법은 산화 반응성 혼합물은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 점적하는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 산화 반응성 혼합물은 계량된 양으로 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 첨가된다. 계량된 양은 연속적으로 또는 사전결정된 시간 간격 (예를 들어, 30초, 1분, 2분, 3분, 5분, 또는 일부 다른 간격 마다)으로 첨가될 수 있다. 일부 예에서, 산화 반응성 혼합물은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 제어된 첨가로, 예컨대 기계적 또는 컴퓨터 제어 펌프, 예를 들어, 시린지 펌프를 통해 첨가된다. 일부 경우에, 방법은 산화 반응성 혼합물을 생성시키는 단계 및 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 함유하는 조성물을 산화 반응성 혼합물에 첨가하는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 방법은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화 반응성 혼합물에 점적하는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 계량된 양으로 산화 반응성 혼합물에 첨가된다. 계량된 양은 연속적으로 또는 사전 결정된 시간 간격 (예를 들어, 30초, 1분, 2분, 3분, 5분, 또는 일부 다른 간격 마다)으로 첨가될 수 있다. 일부 예에서, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 제어된 첨가, 예컨대 기계적으로 또는 컴퓨터-제어된 펌프, 예를 들어 시린지 펌프를 통해 산화 반응성 혼합물에 첨가된다.
일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화하는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 산화 종과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 적어도 하나의 산화 종은 디옥시란으로부터 선택된다. 일부 예에서, 디옥시란은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 갖는 조성물 중에서 제자리에서 생성된다. 일부 예에서, 디옥시란은 별도로 (예를 들어, 별개 반응 용기, 예를 들어, 플라스크) 생성되고 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 갖는 조성물에 첨가된다.
일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 염기 존재에서 산화된다. 일정 경우에, 적어도 하나의 염기는 약 염기로부터 선택된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 포타슘 수소 카보네이트, 소듐 수소 카보네이트, 포타슘 페녹시드, 소듐 시트레이트 완충제, 소듐 포스페이트 완충제, 포타슘 포르메이트 및 포타슘 아세테이트로부터 선택된다. 일정 경우에, 적어도 하나의 염기는 포타슘 수소 카보네이트이다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 반응 혼합물에 일정 시간 동안, 예컨대 계량된 양으로 첨가되고, 여기서 염기는 사정 결정된 간격 (예를 들어, 30초, 1분, 2분, 3분, 5분 또는 일부 다른 간격 마다)으로 첨가된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 염기는 물을 갖는 조성물일 수 있고 조성물 중 존재하는 염기는 조성물의 0.0000001% w/v 이상, 예컨대 0.000001% w/v 이상, 예컨대 0.00001% w/v 이상, 예컨대 0.0001% w/v 이상, 예컨대 0.001% w/v 이상, 예컨대 0.01% w/v 이상, 예컨대 0.05% w/v 이상, 예컨대 0.1% w/v 이상, 예컨대 0.5% w/v 이상, 예컨대 1% w/v 이상, 예컨대 5% w/v 이상, 예컨대 10% w/v 이상, 예컨대 15% w/v 이상, 및 조성물의 25% w/v 이상을 포함할 수 있고, 0.0000001% w/v 내지 25% w/v, 예컨대 0.0000001% w/v 내지 15% w/v, 0.0000001% w/v 내지 10% w/v, 0.0000001% w/v 내지 5% w/v, 0.0000001% w/v 내지 1% w/v, 0.001% w/v 내지 25% w/v, 0.001% w/v 내지 15% w/v, 0.001% w/v 내지 10% w/v, 0.001% w/v 내지 5% w/v, 0.001% w/v 내지 1% w/v, 0.1% w/v 내지 25% w/v, 0.1% w/v 내지 15% w/v, 0.1% w/v 내지 10% w/v, 0.1% w/v 내지 5% w/v, 0.1% w/v 내지 1% w/v, 1% w/v 내지 25% w/v, 1% w/v 내지 15% w/v, 1% w/v 내지 10% w/v, 1% w/v 내지 5% w/v, 0.1% w/v 내지 20% w/v, 0.2% w/v 내지 15% w/v, 또는 0.3% w/v 내지 10% w/v 범위일 수 있다. 일정 경우에, 적어도 하나의 염기는 수성 포타슘 수소 카보네이트 조성물일 수 있다.
일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 세틸트리메틸암모늄 수소 술페이트 (CTAHS)의 존재에서 옥손과 접촉시키고 나서 트리플루오로부타논 및 포타슘 수소 술페이트를 첨가하여 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 형성시켜서 산화된다 (반응식 IIC2).
반응식 IIC2
일부 예에서, 방법은 예컨대 포타슘 퍼옥시모노술페이트 및 트리플루오로부타논을 반응 혼합물 중 세틸트리메틸암모늄 수소 술페이트 (CTAHS)의 존재에서 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉시켜서 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 제자리에서 산화 종을 형성시키는 단계를 포함한다. 일정 경우에, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 제자리에서 산화 종을 형성시키는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 제자리에서 디옥시란을 형성시키는 단계를 포함한다.
일정 경우에, 방법은 별개 반응으로 디옥시란을 형성시키는 단계 및 디옥시란을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 첨가하는 단계를 포함한다. 이들 경우에, 포타슘 퍼옥시모노술페이트는 트리플루오로부타논과 세틸트리메틸암모늄 수소 술페이트 (CTAHS)의 존재에서 반응성 조성물을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉시키기 전 0.1분 이상의 기간, 예컨대 1분 이상, 예컨대 2분 이상, 예컨대 3분 이상, 예컨대 5분 이상, 및 10분 이상 포함)의 기간 동안 접촉될 수 있고, 시간은 0.01분 내지 120분, 예컨대 0.1분 내지 90분 또는 0.5분 내지 60분 범위일 수 있다. 일부 예에서, 포타슘 퍼옥시모노술페이트는 트리플루오로부타논과 세틸트리메틸암모늄 수소 술페이트 (CTAHS)의 존재에서 접촉되어서 산화 반응성 조성물을 형성시킬 수 있고, 이것은 즉시 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염과 접촉된다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염은 탈산소화되어서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 (구조 IID)을 생산한다 (반응식 IID1).
반응식 IID1
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염으로부터 생성시키는 단계는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 아연과 접촉시켜 탈산소화시키는 단계를 포함한다. 일부 예에서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 할라이드 및 적어도 하나의 산의 존재에서 아연과 접촉된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 할라이드는 아이오딘 및 금속 할라이드로부터 선택된다. 일부 경우에, 금속 할라이드는 소듐 아이오다이드 및 리튬 아이오다이드로부터 선택된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 산은 약산으로부터 선택된다. 일부 경우에, 적어도 하나의 산은 아세트산, 염산, 시트르산, 파라-톨루엔 술폰산, 포름산 및 메탄 술폰산으로부터 선택된다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 탈산소화하는데 사용되는 시약의 양은 다양할 수 있고, 일부 예에서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해 0.0001 당량 이상의 시약이 사용되고, 예컨대 0.001 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상, 및 10 당량 이상을 포함하여, 사용되고, 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 6 당량, 0.1 당량 내지 4 당량, 0.1 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 6 당량, 1 당량 내지 4 당량, 1 당량 내지 3 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 6 당량, 1.5 당량 내지 4 당량, 1.5 당량 내지 3 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 6 당량, 2 당량 내지 4 당량, 2 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 20 당량, 1 당량 내지 10 당량, 또는 4 당량 내지 6 당량 범위일 수 있다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염은 -10℃ 내지 75℃, 예컨대 -5℃ 내지 70℃, 예컨대 -4℃ 내지 65℃, 예컨대 -3℃ 내지 60℃, 예컨대 -2℃ 내지 55℃, 예컨대 -1℃ 내지 50℃ 범위, 및 0℃ 내지 25℃를 포함한 범위의 온도에서 탈산소화될 수 있다. 반응은 0.1시간 내지 72시간, 예컨대 0.2시간 내지 48시간, 예컨대 0.3시간 내지 24시간, 예컨대 0.4시간 내지 21시간, 예컨대 0.5시간 내지 20시간, 예컨대 0.6시간 내지 19시간, 예컨대 0.7시간 내지 18시간, 예컨대 0.8시간 내지 17시간, 예컨대 0.9시간 내지 16시간 범위, 및 1시간 내지 15시간을 포함한 범위의 기간 동안 수행될 수 있다.
일부 예에서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 아연과 아이오딘 및 아세트산의 존재에서 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계를 포함한다 (반응식 IID2).
반응식 IID2
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 (구조 IID)은 금속 염과 접촉되어서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 금속 염 (구조 IIE)을 생산한다 (반응식 IIE1).
반응식 IIE1
일부 경우에, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 금속 염을 제조하기 위한 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 소듐 염과 접촉시키는 단계를 포함한다. 일부 경우에, 적어도 하나의 소듐 염은 소듐 아세테이트, 소듐 아이오다이드, 소듐 클로라이드, 소듐 히드록시드 및 소듐 메톡시드로부터 선택된다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 -10℃ 내지 75℃, 예컨대 -5℃ 내지 70℃, 예컨대 -4℃ 내지 65℃, 예컨대 -3℃ 내지 60℃, 예컨대 -2℃ 내지 55℃, 예컨대 -1℃ 내지 50℃, 예컨대 0℃ 내지 45℃, 예컨대 5℃ 내지 40℃ 범위, 및 10℃ 내지 35℃를 포함한 범위의 온도에서 금속 염과 접촉될 수 있다.
반응은 0.1시간 내지 72시간, 예컨대 0.2시간 내지 48시간, 예컨대 0.3시간 내지 24시간, 예컨대 0.4시간 내지 21시간, 예컨대 0.5시간 내지 20시간, 예컨대 0.6시간 내지 19시간, 예컨대 0.7시간 내지 18시간, 예컨대 0.8시간 내지 17시간, 예컨대 0.9시간 내지 16시간 범위, 및 1시간 내지 15시간을 포함한 범위의 기간 동안 수행될 수 있다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염에 대해 사용되는 금속 염의 양은 다양할 수 있고, 0.0001 당량 이상, 예컨대 0.001 당량 이상, 예컨대 0.01 당량 이상, 예컨대 0.1 당량 이상, 예컨대 0.2 당량 이상, 예컨대 0.3 당량 이상, 예컨대 0.4 당량 이상, 예컨대 0.5 당량 이상, 예컨대 0.6 당량 이상, 예컨대 0.7 당량 이상, 예컨대 0.8 당량 이상, 예컨대 0.9 당량 이상, 예컨대 1 당량 이상, 예컨대 1.1 당량 이상, 예컨대 1.2 당량 이상, 예컨대 1.3 당량 이상, 예컨대 1.4 당량 이상, 예컨대 1.5 당량 이상, 예컨대 1.6 당량 이상, 예컨대 1.7 당량 이상, 예컨대 1.8 당량 이상, 예컨대 1.9 당량 이상, 예컨대 2 당량 이상, 예컨대 3 당량 이상, 예컨대 4 당량 이상, 예컨대 5 당량 이상일 수 있고, 10 당량 이상을 포함할 수 있고, 0.001 당량 내지 10 당량, 예컨대 0.1 당량 내지 10 당량, 0.1 당량 내지 8 당량, 0.1 당량 내지 6 당량, 0.1 당량 내지 4 당량, 0.1 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 10 당량, 1 당량 내지 8 당량, 1 당량 내지 6 당량, 1 당량 내지 4 당량, 1 당량 내지 3 당량, 1.5 당량 내지 10 당량, 1.5 당량 내지 8 당량, 1.5 당량 내지 6 당량, 1.5 당량 내지 4 당량, 1.5 당량 내지 3 당량, 2 당량 내지 10 당량, 2 당량 내지 8 당량, 2 당량 내지 6 당량, 2 당량 내지 4 당량, 2 당량 내지 3 당량, 1 당량 내지 20 당량, 1 당량 내지 10 당량, 또는 1 당량 내지 7 당량 범위일 수 있다.
일부 경우에, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 소듐 아이오다이드와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 소듐 염을 생산하는 단계를 포함한다 (반응식 IIE2).
반응식 IIE2
조항
본 개시는 하기 비제한적인 조항 중 하나 이상을 통해서 더욱 기술될 수 있다.
조항 1. 결정질 25HC3S 소듐.
조항 1. 결정질 25HC3S 소듐.
조항 2. 결정질 25HC3S 소듐의 수화물.
조항 3. 결정질 25HC3S 소듐의 일수화물.
조항 4. 결정질 25HC3S 소듐의 이수화물.
조항 5. 결정질 25HC3S 소듐의 가변 수화물.
조항 6. 결정질 25HC3S 소듐의 형태 I.
조항 7. 조항 2-6 중 어느 하나의 결정질 수화물에 있어서, 약 2.1°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 8. 조항 1 또는 7의 결정질 수화물에 있어서, 약 5.4°2θ, 약 6.5°2θ, 약 10.8°2θ, 및 약 15.0°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 9. 조항 7-8 및 85-86 중 어느 하나의 결정질 수화물에 있어서, 결정질 수화물은 10℃/분의 속도로 주위로부터 130℃로 가열했을 때 약 8%의 중량 손실을 갖는다.
조항 10. 조항 2-9 및 조항 85-86 중 어느 하나의 25HC3S 소듐의 실질적으로 순수한 결정질 수화물.
조항 11. 약 4544.7 Å3 ± 5%의 단위 셀 부피를 갖는 조항 2-10 및 조항 85-86 중 어느 하나의 결정질 수화물.
조항 12. 단사정계 단위 셀을 갖는 조항 2-11 및 조항 85-86 중 어느 하나의 결정질 수화물.
조항 13. 조항 2-12 및 조항 85-86 중 어느 하나의 안정한 결정질 수화물.
조항 14. 조항 13의 안정한 결정질 수화물에 있어서, 안정한 결정질 수화물은 약 38% 내지 약 70%의 상대 습도에서 안정하다.
조항 15. 결정질 25HC3S 소듐의 형태 II.
조항 16. 조항 2 또는 5의 결정질 수화물에 있어서, 수분 함량은 25HC3S 소듐의 몰 당 약 3몰 이하의 물이다.
조항 17. 조항 2 또는 5의 결정질 수화물에 있어서, 수분 함량은 25HC3S 소듐의 몰 당 약 2몰의 물 내지 약 3몰의 물이다.
조항 18. 조항 2 또는 5의 결정질 수화물에 있어서, 수분 함량은 25HC3S 소듐 1몰 당 약 1몰의 물 내지 약 3몰의 물이다.
조항 19. 조항 15-18 중 어느 하나의 결정질 수화물에 있어서, 약 2.3°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 패턴을 갖는다.
조항 20. 조항 2 또는 19의 결정질 수화물에 있어서, 약 4.5°2θ에서의 하나 이상의 피크, 약 5.0°2θ 내지 약 5.1°2θ에서의 피크, 약 5.9°2θ 내지 약 6.1°2θ에서의 피크, 및 약 14.8°2θ 내지 약 15.1°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 패턴을 더 포함한다.
조항 21. 조항 15-20 및 조항 87-88 중 어느 하나의 25HC3S 소듐의 실질적으로 순수한 결정질 수화물.
조항 22. 조항 15-21 및 조항 87-88 중 어느 하나의 안정한 결정질 수화물.
조항 23. 조항 22의 안정한 결정질 수화물에 있어서, 안정한 결정질 수화물은 약 21% 내지 약 30% 범위의 상대 습도에서 안정하다.
조항 24. 결정질 25HC3S 소듐의 형태 XI.
조항 25. 약 2.6°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 조항 2 및 24 중 어느 하나의 25HC3S 소듐의 결정질 수화물.
조항 26. 조항 2 또는 25의 결정질 수화물에 있어서, 약 3.1°2θ, 약 3.5°2θ, 및 약 14.5°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 27. 조항 24-26 중 어느 하나의 25HC3S 소듐의 실질적으로 순수한 결정질 수화물.
조항 28. 조항 24-27 중 어느 하나의 안정한 결정질 수화물.
조항 29. 무수 결정질 25HC3S 소듐.
조항 30. 형태 XIII 결정질 25HC3S 소듐.
조항 31. 약 2.3°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 조항 1, 29, 또는 30의 결정질 25HC3S 소듐
조항 32. 조항 1 또는 31의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 약 4.6°2θ, 약 9.3°2θ, 약 14.3°2θ, 및 약 15.0°2θ에서 하나 이상의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 33. 조항 1, 29, 또는 30 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 단위 셀은 약 4230.8 Å3 ±5%의 부피를 갖는다.
조항 34. 조항 29-33 및 조항 91-92 중 어느 하나의 안정한 결정질 25HC3S 소듐.
조항 35. 조항 29-34 및 조항 91-92 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 결정질 25HC3S는 약 0% 내지 약 14% RH 범위의 상대 습도에서 안정하다.
조항 36. 조항 29-35 및 조항 91-92 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 결정질 25HC3S는 70℃ 이상의 온도에서 안정하다.
조항 37. 조항 29-36 및 조항 91-92 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 단위 셀은 단사정계이다.
조항 38. 조항 30-37 및 조항 91-92 중 어느 하나의 실질적으로 순수한 결정질 25HC3S 소듐.
조항 39. 형태 IX 결정질 25HC3S 소듐.
조항 40. 조항 1 또는 39의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 약 4.9°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 41. 조항 1 또는 39의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 약 7.9°2θ, 약 11.2°2θ, 약 14.1°2θ, 약 16.1°2θ, 및 약 16.6°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 42. 25HC3S 소듐의 액상 결정.
조항 43. 25HC3S 소듐의 중간상.
조항 44. 25HC3S 소듐의 형태 V.
조항 45. 조항 1 또는 44의 액상 결정질 물질로서, 약 2.2°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 46. 조항 1 또는 45의 결정질 물질로서, 약 4.4°2θ, 약 6.6°2θ, 및 약 8.8°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 47. 조항 42-46 및 조항 89-90 중 어느 하나의 실질적으로 순수한 결정질 25HC3S 소듐.
조항 48. 조항 42-46 및 조항 89-90 중 어느 하나의 안정한 결정질 25HC3S 소듐.
조항 49. 조항 1 또는 6의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 1과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴 및 도 11에 도시된 바와 실질적으로 동일한 TGA 온도기록도 중 적어도 하나를 갖는다.
조항 50. 조항 1 또는 6의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 53과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴 및 도 11에 도시된 바와 실질적으로 동일한 TGA 온도기록도 중 적어도 하나를 갖는다.
조항 51. 조항 1 또는 15의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 2와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴 및 도 24에 도시된 것과 실질적으로 동일한 TGA 온도기록도 중 적어도 하나를 갖는다.
조항 52. 조항 1 또는 15의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 54와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴 및 도 24에 도시된 바와 실질적으로 동일한 TGA 온도기록도 중 적어도 하나를 갖는다.
조항 53. 조항 1 또는 44의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 3과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴 및 도 28에 도시된 바와 실질적으로 동일한 TGA 온도기록도 중 적어도 하나를 갖는다.
조항 54. 조항 1 또는 44의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 4와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴 및 도 28에 도시된 바와 실질적으로 동일한 TGA 온도기록도 중 적어도 하나를 갖는다.
조항 55. 조항 1 또는 39의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 5와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 56. 조항 1 또는 24의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 6과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 57. 조항 1 또는 24의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 7과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 58. 조항 1 또는 30의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 8과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 59. 조항 1 또는 35의 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 도 9와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 60. 고콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태 중 하나 이상을 치료하는 방법으로서, 이를 필요로 하는 환자에게 조항 1-59 또는 64 중 어느 하나의 25HC3S 소듐의 화합물의 유효량을 투여하는 단계를 포함한다.
조항 61. 조항 1-59, 64, 68-83, 및 85-96 중 어느 하나의 25HC3S 소듐 및 적어도 하나의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물.
조항 62. 고콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태 중 하나 이상을 치료하는 방법으로서, 이를 필요로 하는 환자에게 조항 61의 25HC3S 소듐의 약학 조성물의 유효량을 투여하는 단계를 포함한다.
조항 63. 조항 60 또는 62의 방법에 있어서, 지방 축적 및 염증과 관련된 병태는 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD)을 포함한다.
조항 64. 안정한 결정질 25HC3S 소듐.
조항 65. 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 및 아테롬성 동맥 경화증을 치료하기 위한 조항 60의 방법에 있어서, 이를 필요로 하는 환자에게 조항 1-59, 64, 68-83, 및 85-96 중 어느 하나의 25HC3S 소듐의 화합물의 유효량을 투여하는 단계를 포함한다.
조항 66. 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 및 아테롬성 동맥 경화증을 치료하기 위한 조항 65의 방법에 있어서, 이를 필요로 하는 환자에게 조항 61의 25HC3S 소듐의 약학 조성물의 유효량을 투여하는 단계를 포함한다.
조항 67. 형태 I 25HC3S 소듐, 형태 II 25HC3S 소듐, 형태 III 25HC3S 소듐, 형태 V 25HC3S 소듐, 형태 IX 25HC3S 소듐, 형태 XI 25HC3S 소듐, 및 형태 XIII 25HC3S 소듐 중 둘 이상을 포함하는 조성물.
조항 68. 도 1과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 I.
조항 69. 도 53과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 I.
조항 70. 도 2와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 II.
조항 71. 도 54와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 II.
조항 72. 도 6 또는 도 7과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 XI.
조항 73. 도 3과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 V.
조항 74. 도 4와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 V.
조항 75. 도 8과 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 XIII.
조항 76. 도 9와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 XIII.
조항 77. 도 35와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 III.
조항 78. 도 5와 실질적으로 동일한 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 25HC3S 소듐의 형태 IX.
조항 79. 결정질 25HC3S 소듐의 형태 III.
조항 80. 결정질 25HC3S 소듐의 용매화물.
조항 81. 결정질 25HC3S 소듐의 에탄올 용매화물.
조항 82. 조항 1 또는 79의 결정질 용매화물에 있어서, 약 4.9°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 83. 조항 1 또는 82의 결정질 물질로서, 약 6.3°2θ, 약 7.8°2θ, 및 약 9.8°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 84. 형태 I 25HC3S 소듐, 형태 II 25HC3S 소듐, 형태 III 25HC3S 소듐, 형태 V 25HC3S 소듐, 형태 IX 25HC3S 소듐, 형태 XI 25HC3S 소듐, 및 형태 XIII 25HC3S 소듐 중 둘 이상 및 적어도 하나의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물.
조항 85. 약 2.1°2θ, 약 6.5°2θ, 및 약 10.8°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 결정질 25HC3S 소듐의 형태 I.
조항 86. 조항 85의 결정질 25HC3S 소듐의 형태 I에 있어서, 약 9.9°2θ, 약 15.0°2θ, 및 약 15.6°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 87. 약 2.3°2θ 및 약 5.0°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 결정질 25HC3S 소듐의 형태 II.
조항 88. 조항 87의 결정질 25HC3S 소듐의 형태 II에 있어서, 약 4.5°2θ, 약 5.9°2θ, 약 9.1°2θ, 및 약 15.1°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 89. 약 2.2°2θ, 약 6.6°2θ에서의 피크, 및 약 4.0°2θ 내지 약 6.0°2θ에서의 단일 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 결정질 25HC3S 소듐의 형태 V.
조항 90. 조항 89의 결정질 25HC3S 소듐의 형태 II로서, 약 8.8°2θ, 약 9.9°2θ, 및 약 14.9°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 91. 약 2.3°2θ, 약 5.4°2θ, 약 9.3°2θ, 및 약 11.6°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 결정질 25HC3S 소듐의 형태 XIII.
조항 92. 조항 91의 결정질 25HC3S 소듐의 형태 XIII에 있어서, 약 4.6°2θ 및 약 15.0°2θ에서의 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 93. 약 4.9°2θ 및 약 6.3°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 결정질 25HC3S 소듐의 형태 III.
조항 94. 조항 93의 결정질 25HC3S 소듐의 형태 III에 있어서, 7.8°2θ, 약 9.8°2θ, 약 13.3°2θ, 및 약 15.5°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함한다.
조항 95. 약 2.2°2θ, 약 4.9°2θ, 및 약 7.9°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는 결정질 25HC3S 소듐의 형태 IX.
조항 96. 조항 95의 결정질 25HC3S 소듐의 형태 IX에 있어서, 약 14.1°2θ, 약 16.1°2θ, 및 약 16.6°2θ에서 하나 이상의 피크를 더 포함한다
조항 97. 결정질 25HC3S 소듐 또는 액상 결정 25HC3S 소듐 또는 둘 모두 및 적어도 하나의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물.
조항 98. 조항 97의 약학 조성물에 있어서, 조항 1-59, 64, 68-83, 및 85-96 중 어느 하나를 포함하는 결정질 25HC3S 소듐 또는 액상 결정 25HC3S 소듐.
조항 99. 조항 97의 약학 조성물에 있어서, 결정질 25HC3S 소듐 또는 액상 결정 25HC3S 소듐은 25HC3S 소듐의 형태 I 및 25HC3S 소듐의 형태 II의 혼합물을 포함한다.
조항 100. 5-콜레스텐-3β,25-디올-3-술페이트 금속 염을 제조하기 위한 방법으로서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 적어도 하나의 용매 중 적어도 하나의 술페이트화제와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계로서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 용매 중에서 낮은 용해도를 갖는 것인 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생산하는 단계를 포함한다.
조항 101. 조항 100에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 술페이트화제는 황 트리옥시드 착체이다.
조항 102. 조항 101에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 술페이트화제는 황 트리옥시드-피리딘 착체이다.
조항 103. 조항 100-102 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 금속 염은 소듐 아세테이트이다.
조항 104. 조항 100-102 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 금속 염은 소듐 아이오다이드이다.
조항 105. 조항 100-104 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 술페이트화제는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 아세트산 무수물과 접촉된다.
조항 106. 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 소듐 염을 제조하는 방법으로서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 적어도 하나의 용매 중 황 트리옥시드-피리딘 착체와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 생산하는 단계로서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염은 적어도 하나의 용매 중에서 낮은 용해도를 갖는 것인 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 소듐 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 소듐 염을 생산하는 단계를 포함한다.
조항 107. 조항 106에 따른 방법에 있어서, 소듐 염은 소듐 아세테이트이다.
조항 108. 조항 106에 따른 방법에 있어서, 소듐 염은 소듐 아이오다이드이다.
조항 109. 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 제조하는 방법으로서, 방법은 (3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 적어도 하나의 술페이트화제와 접촉시켜서 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 유기 염기와 접촉시켜서 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 산화시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 생산하는 단계; 탈산소화를 통해서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염으로부터 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염와 접촉시커서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생산하는 단계를 포함한다.
조항 110. 조항 109에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 술페이트화제는 황 트리옥시드 착체이다.
조항 111. 조항 110에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 술페이트화제는 황 트리옥시드-피리딘 착체이다.
조항 112. 조항 109-111 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 유기 염기는 테트라에틸암모늄 히드록시드이다.
조항 113. 조항 109-112 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서,제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시키는 단계는 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화제를 포함하는 조성물과 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 114. 조항 113에 따른 방법에 있어서, 방법은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화제 및 적어도 하나의 케톤을 포함하는 조성물과 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 115. 조항 114에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 케톤은 1,1,1-트리플루오로-2-부타논이다.
조항 116. 조항 114-115 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 산화제 및 적어도 하나의 케톤을 포함하는 조성물은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 및 적어도 하나의 계면활성제를 더 포함한다.
조항 117. 조항 114-116 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화시키는 단계는 산화제 및 적어도 하나의 케톤을 포함하는 조성물을 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 포함하는 제2 조성물과 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 118. 조항 114-117 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 방법은 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 산화제와 적어도 하나의 염기의 존재에서 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 119. 조항 118에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 염기는 포타슘 수소 카보네이트이다.
조항 120. 조항 113-119 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 산화제는 포타슘 퍼옥시모노술페이트이다.
조항 121. 조항 109-120 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 계면활성제는 세틸트리메틸암모늄 수소 술페이트이다.
조항 122. 조항 109-121 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염으로부터 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 아연과 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 123. 조항 122에 따른 방법에 있어서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 아연과 적어도 하나의 할라이드 및 적어도 하나의 산의 존재 하에서 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 124. 조항 123에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 산은 아세트산이다.
조항 125. 조항 123-124 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 할라이드는 아이오딘이다.
조항 126. 조항 109-125 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 금속 염은 소듐 아세테이트이다.
조항 127. 조항 109-125 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 금속 염은 소듐 아이오다이드이다.
조항 128. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트; 및 술페이트화된 데스모스테롤를 포함하는 조성물.
조항 129. 조항 128에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비는 100:1 내지 10000:1이다.
조항 130. 조항 128에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 술페이트화된 데스모스테롤의 중량비는 100:1 내지 1000:1이다.
조항 131. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트; 및 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트를 포함하는 조성물.
조항 132. 조항 131에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비는 100:1 내지 10000:1이다.
조항 133. 조항 131에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비는 100:1 내지 1000:1이다.
조항 134. 조항 133에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비는 250:1 내지 500:1이다.
조항 135. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화하여 적어도 하나의 용매 중에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 생산하는 단계로서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 적어도 하나의 용매 중에서 낮은 용해도를 갖는 것인 단계; 및 용매 중에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 침전시키는 단계를 포함하는 방법.
조항 136. 조항 135에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 적어도 하나의 용매 중에 100 mmol/L 이하의 용해도를 갖는다.
조항 137. 조항 136에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 적어도 하나의 용매 중에 10 mmol/L 이하의 용해도를 갖는다.
조항 138. 조항 135-137 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 용매는 클로로포름, 메틸렌 클로라이드, 아세톤, 아세토니트릴, 톨루엔, 테트라히드로퓨란 및 메틸테트라히드로퓨란으로부터 선택된다.
조항 139. 조항 135-138 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화는 적어도 하나의 용매 중에서 용해된 채로 남아있는 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트를 생성시킨다.
조항 140. 조항 139에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 생성된 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비는 100:1 내지 10000:1이다.
조항 141. 조항 140에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 생성된 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 중량비는 100:1 내지 1000:1이다.
조항 142. 조항 139-141 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트는 적어도 하나의 용매 중에 높은 용해도를 갖는다.
조항 143. 조항 142에 따른 방법에 있어서, 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트는 적어도 하나의 용매 중에 500 mmol/L 이상의 용해도를 갖는다.
조항 144. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트; 및 약 18.3분의 고압 액상 크로마토그래피 (HPLC) 체류 시간을 포함하는 제1 화합물, 약 37.7분의 HPLC 체류 시간을 포함하는 제2 화합물, 또는 이의 임의 조합, 및 약 7.7분의 HPLC 체류 시간을 포함하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 포함하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화로부터의 부산물을 포함하는 조성물로서, 제1 화합물, 제2 화합물 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 약 45℃에서 완충액을 포함하는 제1 이동상 및 하나 이상의 유기 용매를 포함하는 제2 이동상으로 작동되는 C8 정지상을 포함하는 HPLC에 의해 분리될 수 있다.
조항 145. 조항 144에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 부산물의 중량비는 100:1 내지 10000:1이다.
조항 146. 조항 144에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 부산물의 중량비는 100:1 내지 1000:1이다.
조항 147. 조항 144-146 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제1 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분이다.
조항 148. 조항 144-147 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제2 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분이다.
조항 149. 조항 144-148 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제1 이동상은 소듐 포스페이트를 포함한다.
조항 150. 조항 144-149 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제2 이동상은 메톡시프로필 아세테이트, 아세토니트릴 및 메탄올 중 하나 이상으로부터 선택된다.
조항 151. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트; 및 술페이트화된 데스모스테롤, 약 37.7 분의 HPLC 체류 시간을 포함하는 제2 화합물, 또는 이의 임의 조합, 및 약 7.7분의 HPLC 체류 시간을 포함하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 포함하는, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 술페이트화로부터의 부산물을 포함하는 조성물로서, 술페이트화된 데스모스테롤, 제2 화합물 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 약 45℃에서 완충액을 포함하는 제1 이동상 및 하나 이상의 유기 용매를 포함하는 제2 이동상으로 작동되는 C8 정지상을 포함한 HPLC에 의해 분리될 수 있다.
조항 152. 조항 151에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 부산물의 중량비는 100:1 내지 10000:1이다.
조항 153. 조항 151에 따른 조성물에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 대 부산물의 중량비는 100:1 내지 1000:1이다.
조항 154. 조항 151-152 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제1 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분이다.
조항 155. 조항 151-154 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제2 이동상의 유속은 약 1.0 mL/분이다.
조항 156. 조항 151-155 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제1 이동상은 소듐 포스페이트를 포함한다.
조항 157. 조항 151-156 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제2 이동상은 메톡시프로필 아세테이트, 아세토니트릴 및 메탄올 중 하나 이상으로부터 선택된다.
조항 158. 조항 151-157 중 어느 하나에 따른 조성물에 있어서, 제2 화합물은 데스모스테롤이다.
조항 159. 5-콜레스텐-3β,25-디올-3-술페이트 금속 염을 제조하는 방법으로서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 적어도 하나의 술페이트화제와 적어도 하나의 용매 중에서 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계로서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 용매 중에 낮은 용해도를 갖는 것인 단계; 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생산하는 단계를 포함한다.
조항 160. 조항 159에 따른 방법에 있어서, 술페이트화 시약은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 1H-NMR (양자 핵 자기 공명) 분광법을 통해 특징규명된다.
조항 161. 조항 160에 따른 방법에 있어서, 방법은 술페이트화 시약에 존재하는 불순물이 양을 결정하여 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올과 접촉 전에 술페이트화 시약의 분해 정도를 결정하는 단계를 포함한다.
조항 162. 조항 161에 따른 방법에 있어서, 술페이트화 시약의 분해 정도는 술페이트화 시약 중 불순물의 존재를 의미하는 화학 이동에서 1H-NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하여 양자 핵 자기 공명 분광법을 통해 결정된다.
조항 163. 조항 162에 따른 방법에 있어서, 술페이트화제의 양자 핵 자기 공명 분광법은 적어도 하나의 중수소화 용매에서 수행된다.
조항 164. 조항 163에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 중수소화 용매는 중수소화 아세톤이다.
조항 165. 조항 164에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 중수소화 용매는 중수소화 벤젠, 중수소화 아세토니트릴, 또는 중수소화 클로로포름이 아니다.
조항 166. 조항 162-165 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 방법은 9.2 pp에서 9.3 ppm으로 화학 이동에서 양자 NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하는 단계 및 적분된 피크를 기반으로 술페이트화제의 불순물 수준을 계산하는 단계를 포함한다.
조항 167. 조항 166에 따른 방법에 있어서, 방법은 약 9.25 ppm의 화학 이동에서 양자 NMR 스펙트럼 중 하나 이상의 피크를 적분하는 단계를 포함한다.
조항 168. 조항 159-167 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자의 존재에서 술페이트화제와 접촉된다.
조항 169. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자는 0.1 mm 이상의 평균 입자 너비를 갖는다.
조항 170. 조항 159-169 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 방법은 미반응된 술페이트화제를 켄칭하는 단계를 더 포함한다.
조항 171. 조항 170에 따른 방법에 있어서, 미반응된 술페이트화제를 켄칭하는 단계는 반응 혼합물을 물과 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 172. 조항 171에 따른 방법에 있어서, 1 당량 이상의 물은 반응 혼합물과 접촉된다.
조항 173. 조항 171-172 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 미반응된 술페이트화제를 켄칭하는 단계는 반응 혼합물을 물 및 피리딘과 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 174. 조항 173에 따른 방법에 있어서, 피리딘은 반응 혼합물을 물과 접촉시킨 후 사전결정된 시간 기간 이후 반응 혼합물과 접촉된다.
조항 175. 조항 170-174 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 미반응된 술페이트화제의 반응성은 느린 교반 하에 켄칭된다.
조항 176. 조항 159-175 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 정제하는 단계를 더 포함한다.
조항 177. 조항 176에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 액상 크로마토그래피를 통해서 정제된다.
조항 178. 조항 177에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 실리카 겔 정지상을 포함하는 액상 크로마토그래피 및 피리딘을 포함하는 이동상을 통해서 정제된다.
조항 179. 조항 178에 따른 방법에 있어서, 이동상은 메틸렌 클로라이드, 메탄올, 및 피리딘을 포함한다.
조항 180. 조항 178-179 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 액상 크로마토그래피로부터 수득된 분획은 배합되고 증류를 통해서 농축된다.
조항 181. 조항 178-179 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 액상 크로마토그래피로부터 수득된 분획은 배합되고 진공 하에 농축된다.
조항 182. 조항 180-181 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 농축된 분획은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 중 하나 이상의 입자와 접촉된다.
조항 183. 조항 182에 따른 방법에 있어서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자는 배합된 분획의 증류 동안 접촉된다.
조항 184. 조항 182에 따른 방법에 있어서, 방법은
진공 하에 배합된 분획을 농축시키는 단계; 및
농축된 분획을 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 입자 및 적어도 하나의 용매와 접촉시키는 단계를 포함한다.
조항 185. 조항 184에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 용매는 2-메틸 테트라히드로퓨란, 헵탄, 또는 이의 조합으로부터 선택된다.
조항 186. 조항 184-185 중 어느 하나에 따른 방법에 있어서, 적어도 하나의 용매는 2-메틸 테트라히드로퓨란이다.
조항 187. 조항 2의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 2.8°2θ 미만의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 188. 조항 187의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 2.1°2θ 내지 약 2.6°2θ에서의 피크를 포함하는 회절 패턴을 갖는다.
조항 189. 조항 188의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 2.1°2θ 내지 약 2.3°2θ에서 피크를 포함하는 분획 패턴을 갖는다.
조항 190. 조항 2, 187, 또는 188 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 4.3°2θ 내지 약 4.6°2θ에서의 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다
조항 191. 조항 2, 187, 188, 189, 또는 190 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 5.0°2θ 내지 약 5.5°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 192. 조항 2, 187-191 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 8.6°2θ 내지 약 9.1°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 회절 패턴을 갖는다.
조항 193. 조항 2, 187-192 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 15.0°2θ 내지 약 15.3°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 194. 조항 2 또는 188 중 어느 하나의 결정질 25HC3S 소듐의 수화물에 있어서, 약 9.9°2θ 내지 약 10.0°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 195. 조항 29, 30, 또는 39 중 어느 하나의 무수 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 약 4.5°2θ 내지 약 4.8°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 196. 조항 29, 30, 39, 또는 195 중 어느 하나의 무수 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 약 9.8°2θ 내지 약 9.9°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
조항 197. 조항 29, 30, 39, 195, 또는 196 중 어느 하나의 무수 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 약 14.1°2θ 내지 약 14.3°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다
조항 198. 조항 29, 30, 39, 195, 197, 또는 197 중 어느 하나의 무수 결정질 25HC3S 소듐에 있어서, 약 16.1°2θ에서 피크를 포함하는 x-선 분말 회절 패턴을 갖는다.
실험
하기 실시예는 본 발명을 만들고 사용하는 방법의 완전한 개시 및 설명을 당업자에게 제공하기 위해 제시되고, 발명자가 그들 발명으로서 간주하는 범위를 제한하려는 의도가 없거나 또는 하기 실험이 전부이거나 또는 유일한 실험을 수행한다는 것을 의미하려는 의도가 아니다. 사용된 수치 (예를 들어, 양, 온도 등)에 대한 정확도를 보장하기 위해 노력하였지만, 일부 실험 오차 및 편차를 고려해야 한다.
실시예 1-19는 표 1 및 실시예 20, 21, 22, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 31, 32, 34, 35, 37, 및 38에 따라 제조된 샘플과 연관된다. 실시예 23, 30, 33, 36 및 39는 작성된 대로 제조하였고; XRPD 패턴은 실시예 40에 따라 수집되었고 다른 분석 데이터는 이들 실시예의 개시에서 기록되지 않는다.
실시예 1 - 스크린에서 사용된 25HC3S 소듐의 분석
대략 10 그램의 25HC3S 소듐이 스크리닝에 사용되었다. x-선 분말 회절 분석은 수화물의 물리적 혼합물 (형태 I 및 형태 II)로서 물질을 확인한다. 용액 1H-NMR 스펙트럼은 화학 구조와 일치한다 (25HC3S의 1H-NMR 구조의 예로서 도 34 참조). 혼합물은 칼 피셔 적정을 통해서 6.1 wt% 물을 함유하였다. 이는 대략 1.8 mol/mol의 물에 상응한다. DVS 등온선은 물질이 흡습성임을 의미한다. 혼합물은 5 내지 25% RH에서 대략 5 wt% (1.5 mol/mol의 물), 25 내지 85% RH에서 대략 5 wt% (1.8 mol/mol의 물), 및 85 내지 95% RH에서 다른 6 wt%를 획득하였다. 물질을 회수하였고 x-선 분말 회절을 통해서 8.8°(2θ) 근처에 추가 피크를 갖는 주로 형태 I로서 확인되었다. 피크는 형태 V인 것으로 여겨진다.
TGA는 DSC에서 광범위 탈수 흡열과 동시에 발생되는 128℃ 이하에서 5.4% 중량 손실을 제공하였다. DSC 곡선은 또한 167℃ 및 184℃ 근처에서 흡열을 보였다. 이들 사건은 분해와 연관되었다. 핫 스테이지 현미경은 58℃ 내지 112℃에서 탈수에 이어서, 163℃ 근처에서 분해와 일치되었다.
간략하게, 혼합물의 130℃에 노출은 형태 I, II, 및 XIII의 혼합물을 생성시켰다. 또한, 형태 II와 연관된 피크가 이동하였다. 10일 동안 75% RH에 노출은 주로 형태 I 및 x-선 분말 회절에 의해 4.4°2θ 및 8.8°2θ 근처에서 2개 추가 피크를 생성시켰고 그 피크들은 형태 V에 의한 것으로 여겨졌다.
실시예 2 - 일반 스크리닝 방법
용매 또는 용매 혼합물을 사용하는 방법은 용액의 냉각, 증발, 반용매 첨가, 및 현탁액 (슬러리)을 포함한다. 이들 방법의 변동은 몇몇 가능성을 언급하면, 용매, 용매 혼합물, 반용매, 온도, 냉각률, 농축, 첨가율, 및 혼합 순서에서 변화를 포함한다. 생성된 고체는 편광 현미경을 통해서 관찰되었고/되었거나 x-선 분말 회절에 의해 분석된다.
스크리닝의 특별한 방법은 실시예 3-7에 기재되어 있다. 방법 및 결과는 예를 들어 본 개시의 표 1 및 도면에 요약된다.
실시예 3 - 반용매 첨가
용액은 반용매와 접촉되었다. 이들 반용매 첨가는 용매계의 용해도를 낮추고 결정화를 유도하는데 도움이 되기 위해 첨가되었다.
실시예 4 - 냉각 및 느린 냉각
용액은 선택된 용매 또는 용매/반용매계에서 제조되었다. 이들 용액은 핵형성을 유도하기 위한 시도로 다양한 시간 길이 동안 냉장고 내 실온 이하에서 냉각시킨다. 고체의 존재 또는 부재를 유의하였다. 분석에 충분한 분량으로, 고체의 관찰 시에, 물질의 단리를 수행하였다. 불충분한 분량이 존재하면, 냉장고에서 추가 냉각을 수행하였다. 샘플은 습식 또는 건식 분말로서 분석을 위해 단리하였다.
실시예 5 - 빠른 증발
용액은 선택된 용매에서 제조하였고 용해를 돕기 위해 분취액 첨가 사이에 교반하였다. 육안 관찰로 판단하여, 혼합물이 완전한 용해에 도달하면, 용액은 0.2-μm 나일론 필터를 통해 여과하였고 질소 하 주위 온도에서 또는 뚜껑을 연 바이알 중 주위 조건에서 증발되게 하였다. 형성된 고체는 평가를 위해 단리하였다.
실시예 6 - 느린 증발
용액은 선택된 용매에서 제조하였고 용해를 보조하기 위해서 분취액 첨가 사이에 교반하였다. 육안 관찰로 판단하여, 혼합물을 완전한 용해에 도달하면, 용액은 0.2-μm 나일론 필터를 통해서 샘플 바이알에 여과해 넣었다. 바이알 개방구는 포일로 덮고 3x로 구멍을 내고 주위 조건에서 증발되게 두었다. 형성된 고체는 평가를 위해 단리하였다.
실시예 7 - 슬러리
용액은 과량 고체가 존재하게 소정 용매에 충분한 고체를 첨가하여 제조하였다. 다음으로 혼합물은 주위 또는 상승 온도에서 밀봉 바이알 중에 교반하였다. 소정량의 시간 이후에, 고체는 분석을 위해 단리되었다.
실시예 8 - 시차 주사 열량계 (DSC)
시차 주사 열량계 분석은 메틀러-톨레도 (Mettler-Toledo) DSC3+ 시차 주사 열량계를 사용해 수행하였다. 온도 보정은 옥탄, 페닐 살리실레이트, 인듐, 주석 및 아연을 사용해 수행하였다. 샘플은 기밀 밀봉 또는 개방 알루미늄 DSC 팬에 위치시켰고, 중량을 기록하였다. 샘플 팬으로서 구성된 칭량된 알루미늄 팬을 셀의 기준면에 위치시켰다. 샘플은 10℃/분의 램프 속도로 -30℃ 내지 250℃에서 분석되었다. 온도기록도를 기준 온도에 따라 그래프화하였지만 (x-축), 결과는 샘플 온도에 따라 기록하였다.
실시예 9 - 동적 증기 흡착/탈착 (DVS)
수분 흡착/탈착 데이터는 VTI SGA-100 증기 흡착 분석기 상에서 수집하였다. NaCl 및 PVP는 보정 표준으로서 사용하였다. 샘플은 분석 전에 건조하지 않았다. 흡착 및 탈착 데이터는 질소 퍼지 하에서 10% RH 증분으로 5% 내지 95% RH 범위 상에서 수집되었다. 분석에 사용되는 평형 기준은 3시간의 최대 평형 시간으로 5분에 0.0100 중량% 미만의 변화였다. 데이터는 샘플의 초기 수분 함량에 대해 교정되었다.
실시예 10 - 핫 스테이지 현미경
핫 스테이지 현미경은 SPOT Insight™ 컬러 디지털 카메라가 구비된 Leica DM LP 현미경 상에 장착된 Linkam 핫 스테이지 (FTIR 600)를 사용해 수행하였다. 온도 보정은 USp 용융점 표준을 사용해 수행하였다. 샘플은 순수 또는 미네랄유로 제조된, 커버 유리에 위치되었고, 제2 커버 유리는 샘플의 상부에 위치되었다. 스테이지를 가열되면서, 각 샘플은 10x 0.22 또는 20x 0.40 개구수 대물렌즈와 교차 편광판 및 1차 적색 보정기를 사용해 육안으로 관찰하였다. 이미지는 SPOT 소프트웨어 (v. 4.5.9)를 사용해 캡처하였다.
실시예 11 - 칼 피셔
수분 결정을 위한 전기량 칼 피셔 (KF) 분석은 메틀러 톨레도 DL39 KF 적정기를 사용해 수행하였다. NIST-추적가능 물 표준 (Hydranal Water Standard 1.0)은 전기량계의 작동을 검토하기 위해 분석하였다. 블랭크 적정을 샘플 분석 전에 수행하였다. 샘플은 주위 조건에서 제조하였고, 샘플의 칭량된 양은 사전 건조된 바이알 중 대략 1 mL Hydranal-Coulomat AD 에서 용해되었다. 전체 용액은 격막을 통해서 KF 전기량계에 첨가하였고 10초 동안 혼합하였다. 다음으로 샘플은 전기화학 산화에 의해 아이오딘을 생산하는, 발생기 전극을 사용해 적정하였다: 2 I- → I2 + 2e-. 2개 복제물은 재현성을 보장하기 위해 수득되었다.
실시예 12 - 편광 현미경
편광 현미경은 Motic SMZ-168을 사용해 수행하였다. 각 샘플은 교차 편광판을 사용하여 0.75 내지 5.0x 배율에서 10x 대물렌즈를 사용해 관찰하였다.
실시예 13 -
1
H NMR 분광법
용액 1H NMR 스펙트럼은 Spectral Data Solutions에서 수득하였다.
실시예 14 - 열중량 분석 (TGA)
열중량 분석은 메틀러 톨레도 TGA/DSC3+ 분석기를 사용해 수행하였다. 온도 보정은 페닐 살리실레이트, 인듐, 주석, 및 아연을 사용해 수행하였다. 샘플은 알루미늄 판에 위치시켰다. 개방 판은 TG 로에 삽입하였다. 로는 질소 하에 가열하였다. 각 샘플은 10°C/분으로 주위 온도에서 350℃까지 가열하였다. 온도기록도는 기준 온도 (x-축)에 따라 그래프화하였지만, 결과는 샘플 온도에 따라 기록되었다.
실시예 15 - x-선 분말 회절 (XRPD)
XRPD 패턴 (회절도라고도 함)은 투과 또는 반사 모드에서 수집되었다.
실시예 16 - 투과
x-선 분말 회절 패턴은 긴, 미세-초점 소스를 사용하여 Cu 방사선의 입사빔을 사용해 PANalytical X'Pert PRO MPD 또는 PANalytical Empyrean 회절계에서 수집하였다. 타원형으로 경사진 다층 거울을 사용해 표본을 통해 검출기 상에 Cu Kα x-선을 집중시켰다. 분석 전에, 실리콘 표본 (NIST SRM 640e)을 분석하여서 Si 111 피크의 관찰된 위치가 NIST-인증 위치와 일치한다는 것을 검증하였다. 샘플의 표본을 3-μm-두께 필름 사이에 샌드위치시켰고 투과 기하학으로 분석하였다. 빕-스톱, 짧은 산란 방지 연장, 및 산란 방지 나이프 에지를 사용해 공기에 의해 생성된 배경을 최소화하였다. 입사 및 회절 빔에 대한 솔러 슬릿을 사용해 축 발산으로부터 확장 및 비대칭을 최소화하였다. 회절 패턴은 표본으로부터 240 mm에 위치된 주사 위치-민감 검출기 (X'Celerator) 및 Data Collector 소프트웨어 v. 2.2b 또는 5.5를 사용해 수집하였다. 모든 이미지는 사용된 장비와 무관하게 X'Pert PRO MPD로 표지된 장비에서 생성되었다.
실시예 17 - 반사
x-선 분말 회절 패턴은 긴, 미세-초점 소스 및 니켈 필터를 사용해 생성된 Cu Kα 방사선의 입사빔을 사용한 PANalytical X'Pert PRO MPD 회절계에서 수집하였다. 회절계는 대칭 Bragg - Brentano 기하학을 사용해 구성되었다. 분석 전에, 실리콘 표본 (NIST SRM 640e)은 Si 111 피크의 관찰 위치가 NIST-인증 위치와 일관된다는 것을 검증하기 위해 분석하였다. 샘플의 표본은 웰에 충전되었다. 산란 방지 슬릿을 사용하여 공기로 생성된 배경을 최소화하였다. 입사 및 회절 빔에 대한 솔러 슬릿은 축 분기로부터 확장을 최소화하기 위해 사용되었다. 회절 패턴은 샘플로부터 240 mm에 위치된 주사 위치-민감 검출기 (X'Celerator) 및 Data Collector 소프트웨어 v. 2.2b를 사용해 수집되었다.
실시예 18 - 가변 습도 (VH-XRPD)
x-선 분말 회절 패턴은 긴, 미세-초점 소스 및 니켈 필터를 사용해 생성된 Cu Kα 방사선의 입사빔을 사용한 PANalytical X'Pert PRO MPD 회절계에서 수집하였다. 회절계는 대칭 Bragg -Brentano 기하학을 사용해 구성되었다. 데이터는 Data Collector 소프트웨어 v. 2.2b를 사용해 수집 및 분석하였다. 분석 전에, 실리콘 표본 (NIST SRM 640e) 은 Si 111 피크의 관찰된 위치가 NIST-인증 위치와 일치되는 것을 검증하기 위해 분석되었다. 샘플의 표본은 니켈-코팅된 구리 웰에 충전시켰다. 산란 방지 슬릿을 사용하여 공기로 생성된 배경을 최소화하였다. 입사 및 회절 빔에 대한 솔러 슬릿을 사용해 축 발산으로 인한 확장을 최소화하였다. 회절 패턴은 샘플로부터 240 mm에 위치된 주사 위치-민감 검출기 (X'Celerator) 및 Data Collector 소프트웨어 v. 2.2b를 사용해 수집하였다.
Anton Paar 온도-습도 챔버 (THC)는 습도 함수에 따라 제자리 x-선 분말 회절 패턴을 수집하는데 사용되었다. 표본의 온도는 표본 홀더 하에 직접 위치된 Peltier 열전 장치를 사용해 수집하였고 표본 홀더에 위치된 백금-100 저항 센서로 모니터링하였다. 열전 장치는 Data Collector 소프트웨어와 인터페이스된 Anton Paar TCU 50에 의해 전력 공급 및 제어된다.
습도는 VTI Inc.가 제조한 RH-200으로 생성되었고 질소 가스 흐름으로 운반하였다. 습도 및 온도는 THC 내부에서 표본 옆에 위치된 Rotronic HygroClip 센서에 의해 모니터링되었다.
실시예 19 - 가변 온도 (VT-XRPD)
x-선 분말 회절 패턴은 긴, 미세-초점 소스 및 니켈 필터를 사용해 생성된 Cu Kα 방사선의 입사빔을 사용해 PANalytical X'Pert PRO MPD 회절계에서 수집하였다. 회절계는 대칭 Bragg -Brentano 기하학을 사용해 구성되었다. 데이터는 Data Collector 소프트웨어 v. 2.2b를 사용해 수집 및 분석하였다. 분석 전에, 실리콘 표본 (NIST SRM 640e)은 Si 111 피크의 관찰된 위치가 NIST-인증 위치와 일치되는 것을 검증하기 위해 분석되었다. 샘플의 표본은 니켈-코팅된 구리 웰에 충전시켰다. 산란 방지 슬릿을 사용하여 공기 산란으로 생성된 배경을 최소화하였다. 입사 및 회절 빔에 대한 솔러 슬릿을 사용해 축 발산으로 인한 확장을 최소화하였다. 회절 패턴은 샘플로부터 240 mm에 위치된 주사 위치-민감 검출기 (X'Celerator)를 사용해 수집하였다.
Anton Paar TTK 450 스테이지는 온도 함수에 따라 제자리 x-선 분말 회절 패턴을 수집하는데 사용하였다. 샘플은 샘플 홀더 하에 직접 위치된 저항 히터로 가열시켰고, 온도는 표본 홀더에 위치된 백금-100 저항 센서로 모니터링하였다. 히터는 Data Collector 소프트웨어가 인터페이스된 Anton Paar TCU 100으로 전력공급하고 제어하였다.
실시예 20 - 형태 I - 제조물 1
25HC3S 소듐 (164.6 mg) 및 메탄올 (2 mL)은 맑은 용액을 획득할 때까지 75℃로 설정된 핫 플레이트 상에서 가열하였다. 용액은 0.2-μm 나일론 필터를 통해 20 mL의 디클로로메탄로 여과하였다. 이 결과는 겔의 즉시 침전으로서, 물-흡입 진공 여과를 통해 수확하였다. 겔은 단리 후 형태 I로 결정화되었다. 도 36은 이 조제물의 XRPD 회절도이다.
실시예 21 - 형태 I - 제조물 2
슬러리는 64.5 mg의 25HC3S 소듐 및 1 mL의 톨루엔으로 수득되었다. 슬러리는 대략 400 RPM에 실온에서 21일 동안 자성 교반하였다. 형태 I은 현탁 고체를 침전시키고 고체로부터 과량 용액을 디켄칭하여 수득되었다. 도 37은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 22 - 형태 I - 제조물 3
슬러리는 41.9 mg의 25HC3S 소듐 및 12 mL의 아세톤으로 수득되었다. 슬러리는 간략하게 85℃로 설정된 핫 플레이트 상에서 가열하였고 대략 200 RPM에서 자성 교반하였다. 슬러리는 열원으로부터 제거하였고, 1 mL의 물을 대략 400 RPM에서 자성 교반하면서 첨가하였다. 거의 완전한 용해는 이후에 응결 현탁액의 형성이 이어지고, 핵형성되어 미세 수지상이 된다. 슬러리는 4일 동안 교반된 채로 방치하였다. 형태 I은 물-흡입 진공 여과를 통해 수확하고, 대략 10분 동안 질소 하에 건조시켰다. 도 38은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 23 - 형태 I - 제조물 4
형태 I은 하기 동적 증기 흡착 시험을 수행하여 수득되었다:
동적 증기 흡착 (DVS)은 SMS (Surface Measurement Systems) DVS Intrinsic을 사용해 측정하였다. DVS 시험에 대한 매개변수는 표 11에 열거된다.
상기 DVS 시험으로부터, 화합물은 흡습성으로 확인되었고, 출발 물질은 30% RH 이하에서 7.0% 수분 및 95% RH 까지 8.5% 물을 가역적으로 흡착하였다. 도 355은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 24 - 형태 I + XIII
슬러리는 586.6 mg의 25HC3S 소듐 및 10 mL의 97:03 v/v 아세토니트릴/물로 수득되었다. 슬러리는 대략 250 RPM에서 4일 동안 실온에서 자성 교반되었다. 형태 I+XIII의 혼합물을 물-흡입 진공 여과를 통해 수확하였고 대략 30분 동안 질소 하에 건조하였다. 도 39는 이 혼합물의 XRPD 회절도이다.
실시예 25 - 형태 XIII - 제조물 1
형태 XIII은 형태 I+XIII의 혼합물 (실시예 24에서 수득)을 2일 동안 진공 하에 70℃에 노출시켜 수득되었다. 도 40은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 26 - 형태 XIII - 제조물 2
15% RH 에서 단리된 형태 I+XIII의 혼합물 (실시예 24에서 수득)은 연속적으로 25%, 55%, 75%, 85%, 75%, 25%, 및 0% RH에 노출되었다. 물질은 다음 조건으로 진행 전에 최소 1시간 동안 각 RH 조건에서 유지시켰다. 혼합물은 25% RH로 노출되면 형태 I로 전환되었고 55%, 75%, 85%, 75%, 및 25% RH에서 형태 I로 남아있었다. 형태 I은 0% RH에 도달 시 형태 I+ XIII의 혼합물로 전환되었다. 형태 I+XIII의 혼합물은 0% RH에 계속 노출의 20분 이내에 형태 XIII으로 전환되었다. 도 41은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 27 - 형태 II - 제조물 1
슬러리는 75.4 mg의 25HC3S 소듐 및 20 mL의 아세톤으로 수득되었다. 슬러리는 대략 400 RPM에서 14일 동안 실온에서 자성 교반하였다. 형태 II는 물-흡입 진공 여과를 통해 수확되었고 간략히 질소 하에 건조되었다. 도 42는 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 28 - 형태 II - 제조물 2
슬러리는 66.9 mg의 25HC3S 소듐 및 19 mL의 아세토니트릴로 수득되었다. 슬러리는 대략 400 RPM에서 14일 동안 실온에서 자성 교반하였다. 형태 II는 물-흡입 진공 여과를 통해 수확하였고 간단히 질소 하에 건조하였다. 도 43은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 29 - 형태 II - 제조물 3
슬러리는 75.4 mg의 25HC3S 소듐 및 8 mL의 에탄올로 수득되었다. 슬러리는 0.2-μm 나일론 필터를 통해 여과하여 맑은 용액을 얻었다. 맑은 용액의 4-mL 분취액을 고체가 분명해지고 대략 0.1 mL의 모액이 남아있을 때까지 주위 조건에서 증발되게 두었다. 형태 II는 디켄팅으로 수확하였다. 도 44는 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 30 - 형태 II - 제조물 4
형태 II는 반용매 첨가 (디메틸아세타미드 (DMA) 용매 및 메틸 이소부틸 케톤 (MIBK) 반용매)로 수득되었다. 반용매 방법은 다음과 같았다: 출발 물질의 농축된 스톡은 DMA에서 제조하였다. 용액을 교반하였고 MIBK를 빨리 첨가하여 침전을 유도하였다. 고체는 원심분리 및 여과 이후에 XRPD 분석을 위해 단리하여 형태 II를 산출하였다. 도 46은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 31 - 형태 III + 형태 IX
슬러리는 46.6 mg의 25HC3S 소듐 및 0.5 mL의 에탄올로 수득하였다. 슬러리는 75℃에서 설정된 핫 플레이트 상에서 간단히 가열하여, 용매의 흡착을 일으켰다. 형태 III+IX의 혼합물은 열원으로부터 제거하였고 15분 동안 질소 하에 건조하였다. 도 45는 형태 III 및 형태 IX의 혼합물의 XRPD 회절도이다.
실시예 32 - 형태 IX - 제조물 1
형태 IX는 형태 III+IX의 혼합물 (실시예 31로부터 수득)을 진공 하에 1일 동안 58℃에 노출시켜 수득되었다. 도 5는 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 33 - 형태 IX - 제조물 2
20.3 mg의 25HC3S 소듐을 3-mL 바이알에 칭량해 넣었다. 이 3-mL 바이알은 3 내지 4 mL의 에탄올을 함유하는 20 mL 바이알 내부에 위치시켰고, 외부 바이알은 밀봉하였다. 시스템은 실온에서 12시간 동안 유지시켰고, 단리된 고체는 XRPD로 분석하였다. 도 51은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 34 - 형태 V - 제조물 1
탁한 현탁액은 85.1 mg의 25HC3S 소듐 및 7 mL의 메탄올로 수득하였다. 현탁액은 0.2-μm 나일론 필터를 통해 여과하여 맑은 용액을 제공하였다. 형태 V는 주위 조건에서 육안으로 건조까지 용액을 증발시켜서 제공하였다. 도 47은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 35 - 형태 V - 제조물 2
슬러리는 70.4 mg의 25HC3S 소듐 및 20 mL의 물로 수득하였다. 슬러리는 대략 400 RPM에서 14일 동안 자성 교반하였다. 불투명 겔을 물-흡입 진공 여과를 통해 수확하였다. 겔은 단리 후에 형태 V로 전환되었다. 도 48은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 36 - 형태 V - 제조물 3
형태 V는 반용매 첨가 (MeOH 용매 및 EtOAc 반용매)에 의해 수득되었다. 반용매 방법은 다음과 같았다: 출발 물질의 농축 스톡은 MeOH에 제조하였다. 용액을 교반하였고 EtOAC을 신속하게 첨가하여 침전을 유도하였다. 원심분리 및 여과 후 XRPD 분석을 위해 단리된 고체는 형태 V를 산출하였다. 도 56은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 37 - 형태 XI
슬러리는 97.5 mg의 25HC3S 소듐 및 20 mL의 디에틸 에테르로 수득하였다. 슬러리는 대략 400 RPM에서 14일 동안 자성 교반하였다. 형태 XI은 물-흡입 진공 여과를 통해 수확하였고 질소 하에 건조하였다. 도 6 및 7은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 38 - 형태 III - 제조물 I
탁한 현탁액이 97 mg의 25HC3S 소듐 및 8 mL의 에탄올로 수득되었다. 현탁액은 주위 온도에서 ∼1일 동안 침전되게 정치되었다. 현탁액을 원심분리하였고, 습식 고체를 디켄팅하여 수확하였다. 도 49는 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 39 - 형태 III - 제조물 2
25HC3S 소듐 (1.98 mg)은 3-mL 유리 바이알에 칭량해 넣었다. EtOH (3 mL)은 유리 바이알에 첨가하여 실온에서 현탁액을 생성시키고 50℃로 가열하였다. 용액을 50℃에서 0.45-μm PTFE 필터로 여과하였고, 여과물은 깨끗한 바이알에 수집하였다. 용액을 실온으로 냉각하였고 -20℃에 저장하였다. 고체는 14,000 RPM에서 5분 동안 원심분리하여 단리하고 나서, 수집하고 XRPD로 분석하였다. 도 50은 이 제조물의 XRPD 회절도이다.
실시예 40 - 실시예 23, 30, 33, 35, 및 36에 대한 XRPD 분석.
XRPD는 Si 제로-배경 홀더 상에서 Panalytical X'Pert3 Powder XRPD로 수행하였다. 2θ 위치는 Panalytical 640 Si 분말 표준에 대해 보정하였다. 4-min 방법이 대부분의 샘플에 사용되었다. 분무-건조 분산 안정성 샘플은 80-min 방법을 사용해 분석하였다. 실험에서 사용되는 XRPD의 상세사항은 하기 표 12에 열거된다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 제조하기 위한 일반 합성 절차
25HC3S는 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 본 명세서는 25HC3S를 제조하는 예시적인 방법을 개시한다.
모든 온도는 섭씨 도 (℃)이고 미교정된다. 시약 등급 화학물 및 무수 용매는 상업적 출처로부터 구매하였고, 달리 언급하지 않으면, 추가 정제없이 사용하였다. 생산물의 명칭은 Biovia 전자 랩 노트북에 포함된 명명 소프트웨어를 사용해 결정하였다. 실리카 겔 크로마토그래피는 15 내지 200 mL/분의 용출 유속으로 사전 충전된 일회용 SiO2 정지상 컬럼을 사용하여 Teledyne Isco 장비에서 수행하였다. 분석 HPLC 크로마토그램은 DAD 검출기 (190 nm 내지 300 nm)와 Agilent 1100 시리즈 장비를 사용해 수행하였다. 질량 스페트럼은 Waters Micromass ZQ 검출기를 사용해 130℃에서 기록하였다. 질량 분광계는 양이온 방식에서 작동되고 0.3 s 스캔 시간으로 m/z 150-750에서 스캔되도록 설정된 전자분무 이온 소스 (ESI)가 장착되었다. 생산물 및 중간체는 3.5분 실행 (B05) 동안 1.8 mL/분에서 2.5분 동안 H2O 중 5% 내지 100%의 MeCN (0.03% (NH4)2CO3/ 0.375% NH4OH)의 고 pH 완충액 농도구배를 사용하는 Gemini-NX (5 νM, 2.0 x 30 mm), 및 3.5분 실행 (A05) 동안 2.2 mL/분에서 2.5분 동안 H2O 중 5% 내지 100%의 MeCN (0.1% HCOOH)의 저 pH 완충액 농도구배를 사용해 EVO C18 (5 νM, 3.0 x 50 mm)에서 HPLC/MS를 통해 분석하였다. 1H NMR 스펙트럼은 Bruker UltraShield 500 MHz/54 mm 장비 (BZH 43/500/70B, D221/54-3209) 상에서 기록하였다. 화학 이동은 1H NMR에서, CDCl3 경우 7.26 ppm, DMSO-d6 경우 2.50 ppm, 및 CD3OD 경우 3.31 ppm인 용매 피크를 참조한다.
소듐 [(3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
건조 3-구 플라스크는 피리딘 황 트리옥시드 착체 (12.45 g, 78 mmol)를 충전하였고, 고체를 톨루엔 (1.5 L) 및 아세트산 무수물 (7.2 mL, 74.5 mmol)에 현탁하였다. 혼합물은 20℃에서 40분 동안 교반하였고, 피리딘 (60 mL, 745 mmol)을 첨가하였다. 혼합물을 20℃에서 20분 동안 교반하였다. (3S,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-올 (30 g, 74.5 mmol)을 고체로서 단일 부분에 첨가하였다. 혼합물은 20℃에서 23시간 동안 교반하였다. 수성 소듐 아세테이트 용액 (10 wt %, 123 mL, 149 mmol)은 5분 동안 강한 교반으로 점적하였다. 최종 혼합물을 20℃에서 1시간 동안 교반하였다. 용매는 반응기 밖으로 펌핑하였고, 유리 플릿 상에서 임의 고체를 수집하였다. ACN (700 mL)을 첨가하였고, 슬러리를 강력하게 3시간 동안 교반하였다. 슬러리를 동일 프릿 상에서 반응기 밖으로 펌핑하였고, 반응기 내 나머지 고체를 다시 ACN (700 mL)에서 현탁하였고 반응기로부터 유리 프릿으로 펌핑하기 전 1시간 동안 교반하였다. 프릿의 고체를 디에틸 에테르 (750 mL)로 세정한 다음 DMF (800 mL)에 현탁하였다. 혼합물을 1시간 동안 20℃에서 교반하였다. 현탁액을 여과하고 여과물을 수집하였다. 여과물에 교반하면서, 디에틸 에테르 (3.2 L)를 첨가하였다. 최종 고체를 진공 여과를 통해 수집하였고, 필터 케이크를 디에틸 에테르 (1 L)로 세정하였다. 고체를 감압 하에 건조하여 고체로서 표제 화합물을 제공하였다 (15 g, 40%). 1H NMR (500 MHz, MeOD) δ 5.56 - 5.32 (m, 1H), 4.17 (tt, J = 11.5, 4.8 Hz, 1H), 2.55 (dd, J = 4.9, 2.2 Hz, 1H), 2.47 - 2.29 (m, 1H), 2.14 - 2.06 (m, 2H), 2.01 (ddd, J = 12.4, 7.7, 5.1 Hz, 1H), 1.97 - 1.85 (m, 2H), 1.73 - 1.22 (m, 15H), 1.20 (s, 6H), 1.19 - 1.08 (m, 4H), 1.07 (s, 3H), 1.04 - 0.95 (m, 1H), 1.00 (d, J = 6.5 Hz, 3H), 0.76 (s, 3H); m/z: ES- [M]- 481.3; LCMS (B05); tR = 1.18 m.
소듐 [(3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
건조 3-구 플라스크에 황 트리옥시드 피리딘 착체 (4.74 g, 29.8 mmol)를 충전하였다. 고체는 톨루엔 (500 mL)에 현탁하였고, 아세트산 무수물 (2.61 mL, 27.67 mmol)을 단일 부분으로 첨가하였다. 최종 혼합물을 23℃에서 1시간 동안 교반하였다. 피리딘 (20 mL, 248.4 mmol)을 첨가하였고, 혼합물을 23℃에서 5분 동안 교반하였다. (3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-올 (10 g, 24.83 mmol)을 고체로서 단일 부분으로 첨가하였다. 혼합물을 23℃에서 23시간 동안 교반하였다. 반응물을 MeOH (2.01 mL, 49.7 mmol)로 희석하였고 23℃에서 1시간 동안 교반하였다. 현탁액을 여과하고 고체를 톨루엔 (2 x 200 mL)으로 세척하였다. 고체를 수집하고 고진공 하에 건조하여 고체를 제공하였다. 고체를 ACN (600 mL)에 부분 용해시켰고, 소듐 아이오다이드 (14.9 g, 99.3 mmol)를 첨가하였다. 혼합물은 얼음-수조에서 0℃까지 냉각하기 전에 10분 동안 23℃에서 교반하고 1.5시간 동안 교반한다. 현탁액을 여과하였고, 고체를 냉 ACN (2 x 275 mL) 및 아세톤 (2 x 200 mL)으로 세척하였다. 고체를 수집하고 고 진공 하에 건조하여 표제 화합물을 고체로서 제공하였다 (7.24 g, 57 %). 1H NMR (500 MHz, MeOD) δ 5.56 - 5.32 (m, 1H), 4.17 (tt, J = 11.5, 4.8 Hz, 1H), 2.55 (dd, J = 4.9, 2.2 Hz, 1H), 2.47 - 2.29 (m, 1H), 2.14 - 2.06 (m, 2H), 2.01 (ddd, J = 12.4, 7.7, 5.1 Hz, 1H), 1.97 - 1.85 (m, 2H), 1.73 - 1.22 (m, 15H), 1.20 (s, 6H), 1.19 - 1.08 (m, 4H), 1.07 (s, 3H), 1.04 - 0.95 (m, 1H), 1.00 (d, J = 6.5 Hz, 3H), 0.76 (s, 3H); m/z: ES- [M]- 481.3; LCMS (B05); tR = 1.18 m.
소듐 [(3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
15 L 자켓형 반응기를 60℃로 가열하였고 1.5시간 동안 질소로 퍼징하였다. 자켓 온도는 30℃로 설정하고 2-MeTHF (7 L)를 충전하였다. (3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-올 (495 g, 1.23 mol)을 충전하였고, 맨웨이/유리제품을 2-MeTHF (6 L)로 세정하였다. 용액을 25℃로 냉각하였고, 추가 2-MeTHF (1 L)를 첨가하였고, 황 트리옥시드 피리딘 착체 (234.8 g, 1.47 mol)를 첨가하였다. 혼합물을 28℃에서 24시간 동안 교반하였다. 2-MeTHF (2 L)를 첨가하였고, 혼합물을 추가 16시간 동안 교반하였고, 20℃로 냉각하고 여과하였다. 고체는 2-MeTHF (3.5 L)로 세정하였다. 고체를 MeOH (6 L) 중 NaOH (118 g, 2.95 mmol)의 용액 중에서 얻었다. 혼합물을 25℃에서 1시간 동안 교반하였고 Celite의 플러스에서 여과하였다. 여과물을 3.5 L로 농축하였고 디에틸 에테르 (8 L)로 희석하였다. 현탁액을 15℃로 냉각하였고 여과하여 표제 화합물을 고체로서 제공하였다 (146.8 g, 24 %). 여과물을 1 L로 농축시켰고 다시 디에틸 에테르 (4 L)와 혼합하였다. 고체를 진공 여과로 수집하여 표제 화합물을 고체로서 제공하였다 (68.5 g, 11 %). Celite는 MeOH (2 L)로 추출하였고, 500 mL로 농축하였고 디에틸 에테르 (3 L)로 희석하고 고체를 진공 여과로 수집하여 표제 화합물을 고체로서 제공하였다 (53.3 g, 8.6 %). 제4 작물을 여과물로부터 단리하였다 (11.88 g, 2 %). 총 수율: 280.5 g, 45 %. 1H NMR (500 MHz, MeOD) δ 5.56-5.32 (m, 1H), 4.17 (tt, J = 11.5, 4.8 Hz, 1H), 2.55 (dd, J = 4.9, 2.2 Hz, 1H), 2.47 - 2.29 (m, 1H), 2.14-2.06 (m, 2H), 2.01 (ddd, J = 12.4, 7.7, 5.1 Hz, 1H), 1.97-1.85 (m, 2H), 1.73-1.22 (m, 15H), 1.20 (s, 6H), 1.19-1.08 (m, 4H), 1.07 (s, 3H), 1.04-0.95 (m, 1H), 1.00 (d, J = 6.5 Hz, 3H), 0.76 (s, 3H); m/z: ES- [M]- 481.3; LCMS (B05); tR = 1.18 m.
암모늄 [(3S,10R,13R,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
황 트리옥시드 디메틸 포름아미드 착체 (42 mg, 0.273 mmol)를 0℃에서 무수 DCM (20 mL) 중 (3S,10R,13R,17R)-17-(5-히드록시-1,5-디메틸-헥실)-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-올 (100 mg, 0.25 mmol)의 교반 용액에 첨가하였다. 혼합물을 0℃에서 5시간 동안 교반하고 나서, 반응물을 20℃로 승온시켰다. 혼합물을 감압 하에 농축하여 미정제 고체를 얻고 DCM 및 MeOH (0 - 20 %)의 혼합물로 용출하는 실리카 겔 (12 g 카트리지) 상에서 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 불순한 표제 화합물을 얻었다. m/z: ES- [M-H]- 481.
피리딘-1-이움[(3S,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-1,5-디메틸헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
오븐-건조 둥근 바닥 플라스크에서, 황 트리옥시드 피리딘 착체 (4.53 g, 28.5 mmol)를 톨루엔 (240 mL)에 현탁하였다. 아세트산 무수물 (2.44 mL)을 첨가하고 나서, 피리딘 (20.8 mL)을 첨가하였다. 반응물을 1시간 동안 23℃에서 교반하였고, 콜레스테롤 (10 g, 25.9 mmol)을 단일 부분으로 고체로서 첨가하였다. 현탁액을 23℃에서 18시간 동안 교반하고, 유리 프릿 상에서 여과하고, 고체를 톨루엔 (100 mL)과 이어서 헥산 (100 mL)으로 세정하였다. 고체를 클로로포름 (400 mL)에 현탁하였고 동일 프릿 상에서 여과하였다. 프릿을 클로로포름 (200 mL)으로 세정하였고 여과물을 수집하였다. 여과물을 1.8 L 까지 헥산으로 희석하였고 1시간 동안 냉장하였다. 현탁액을 여과하였고, 고체를 디에틸 에테르 (100 mL)로 세정하고 고진공 하에 건조하여 표제 화합물을 고체로서 제공하였다 (10.06 g, 71 %). 1H NMR (500 MHz, MeOD) δ 8.89 (dd, J = 6.6, 1.4 Hz, 2H), 8.79-8.61 (m, 1H), 8.27-8.05 (m, 2H), 5.38 (d, J = 5.3 Hz, 1H), 4.13 (tt, J = 11.5, 4.7 Hz, 1H), 2.53 (ddd, J = 13.3, 5.0, 2.3 Hz, 1H), 2.43-2.28 (m, 1H), 2.12- 2.02 (m, 2H), 2.01-1.94 (m, 1H), 1.94-1.80 (m, 2H), 1.70-0.83 (m, 20H), 1.03 (s, 3H), 0.95 (d, J = 6.6 Hz, 3H), 0.88 (dd, J = 6.6, 1.9 Hz, 6H), 0.72 (s, 3H); m/z: ES- [M]- 465.3; LCMS (B05); tR = 1.40 m.
피리딘-1-이움[(3S,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-1,5-디메틸헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
콜레스테롤 술페이트 피리디늄 염은 황 트리옥시드 피리딘 착체 (4.53 g, 28.5 mmol)를 2-MeTHF (250 mL) 중 콜레스테롤 (10 g, 25.9 mmol)의 용액에 30℃에서 첨가하고 혼합물을 16시간 동안 교반하여 제조하였다. 현탁액을 여과하고, 고체를 2-MeTHF (50 mL)로 세정하여 표제 화합물을 제공하였다.
소듐 [(3S,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-1,5-디메틸헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
클로로술폰산 (0.03 mL, 0.45 mmol)은 분자체 상에서 아세톤 (2.5 mL) 중 2,6-루티딘 (0.08 mL, 0.69 mmol)의 용액에 첨가하였다. 용액을 0℃로 냉각전에 1분 동안 20℃에서 교반하였다. 이전에 분자체 상에서 건조시킨 아세톤 (5 mL) 중 콜레스테롤 (100 mg, 0.26 mmol)의 용액을 점적하였다. 20℃로 16시간 동안 승온시키기 전에 혼합물을 0℃에서 2시간 동안 교반하였다. 혼합물을 여과하고 고체를 수집하였다. 고체를 아세톤 (10 mL)에 현탁하고 수성 소듐 바이카보네이트를 기포가 가라앉을 때까지 첨가하였다. 현탁액을 여과하였고 고체는 MeOH (10 mL) 및 DCM (10 mL)으로 분쇄하였다. 용매를 감압 하에 제거하여 고체를 얻었다. 고체는 ACN (30 mL)으로 분쇄하고, 여과하고, 여과물을 동결건조하여 표제 화합물을 고체로서 얻었다 (7.3 mg, 5.8 %). 1H NMR (500 MHz, DMSO) δ 5.31-5.19 (m, 1H), 4.10 (s, 1H), 3.87 - 3.78 (m, 1H), 2.42-2.31 (m, 1H), 2.13 (dd, J = 14.5, 7.6 Hz, 1H), 2.02 - 1.69 (m, 5H), 1.62-0.95 (m, 20H), 0.94 (s, 3H), 0.89 (d, J = 6.5 Hz, 4H), 0.84 (dd, J = 6.6, 2.5 Hz, 7H), 0.65 (s, 3H).
암모늄 [(3S,5S,8R,9S,10S,13R,14S,17R)-17-[(1R)-1,5-디메틸헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-테트라데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
황 트리옥시드 피리딘 착체 (300 mg, 1.88 mmol)를 피리딘 (5.00 mL) 중 콜레스탄올 (300 mg, 0.772 mmol)의 용액에 첨가하였고, 20℃에서 16시간 동안 교반하였다. 잔류물을 MeOH (0-30 %)의 혼합물로 용출하여 DCM 중 MeOH (5% NH4OH)로 실리카 겔 크로마토그래피 (24 g 카트리지)를 통해 정제하여 표제 화합물을 고체로서 얻었다 (314 mg, 84%). 1H NMR (500 MHz, DMSO-d6) δ 7.08 (s, 4H), 3.97-3.86 (m, 1H), 1.91 (dd, J = 12.5, 3.5 Hz, 1H), 1.86 - 1.71 (m, 2H), 1.69-1.55 (m, 3H), 1.55-1.41 (m, 3H), 1.38-1.25 (m, 5H), 1.25-0.90 (m, 15H), 0.88 (d, J = 6.6 Hz, 4H), 0.84 (dd, J = 6.6, 2.4 Hz, 7H), 0.74 (s, 3H), 0.62 (s, 3H); m/z: ES [M-NH4]- 467.3; HPLC (BEH Ambicarb/ACN 5- 100%) tR = 7.48분.
암모늄 [(3R,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-1,5-디메틸헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
황 트리옥시드 피리딘 착체 (206 mg, 1.29 mmol)를 피리딘 (5.00 mL) 중 (3R,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-1,5-디메틸헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-올 (200 mg, 0.517 mmol)의 용액에 첨가하였다. 현탁액을 20℃에서 16시간 동안 교반한 다음에, 간압 하에 농축하였다. 잔류물은 MeOH (0- 30 %) 중 DCM 및 5% NH4OH의 혼합물로 용출하여 실리카 겔 크로마토그래피 (24.0 g 카트리지)를 통해 정제하여 표제 화합물을 고체로서 얻었다 (160 mg, 64%). 1H NMR (500 MHz, DMSO) δ 7.07 (s, 4H), 5.18 - 5.14 (m, 1H), 4.32-4.27 (m, 1H), 2.40-2.29 (m, 1H), 2.16 (dt, J = 14.9, 2.4 Hz, 1H), 2.01 - 1.72 (m, 4H), 1.60-0.96 (m, 22H), 0.94 (s, 3H), 0.90 (d, J = 6.5 Hz, 3H), 0.84 (dd, J = 6.6, 2.4 Hz, 6H), 0.65 (s, 3H); m/z: ES [M-NH4]- 465.6; HPLC (BEH AmForm/ACN 5-100%) tR = 2.76분.
피리디늄 [(3S,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-일] 술페이트의 합성
아세트산 무수물 (0.0704 mL, 0.745 mmol)은 무수 톨루엔 (15.0 mL) 중 황 트리옥시드 피리딘 착체 (125 mg, 0.782 mmol)의 현탁액에 첨가하였다. 현탁액을 20℃에서 40분 동안 교반하였고, 피리딘 (0.600 mL)을 첨가하였다. 현탁액을 20℃에서 20분 동안 교반하였다. (3S,8S,9S,10R,13R,14S,17R)-17-[(1R)-5-히드록시-1,5-디메틸-헥실]-10,13-디메틸-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-도데카히드로-1H-시클로펜타[a]펜안트렌-3-올 (300 mg, 0.745 mmol)을 단일 부분으로 고체로서 첨가하였다. 현탁액을 20℃에서 20시간 동안 교반하였다. 혼합물을 유리 프릿 상에서 여과하여 표제 화합물을 고체로서 얻었다 (329 mg, 92% 순도, 72% 수율). 1H NMR (500 MHz, DMSO-d6) δ 8.99-8.88 (m, 2H), 8.65-8.53 (m, 1H), 8.13-7.97 (m, 2H), 5.30-5.20 (m, 1H), 3.93-3.71 (m, 1H), 2.41-2.32 (m, 1H), 2.18-2.08 (m, 1H), 2.02-1.71 (m, 5H), 1.59-0.95 (m, 20H), 1.05 (s, 6H), 0.94 (s, 3H), 0.90 (d, J = 6.4 Hz, 3H), 0.65 (s, 3H); m/z ES+ [M+H]+ 481.32; HPLC (DUR B) tR = 1.36분.
3β-25-히드록시콜레스트-5-엔 술페이트 (1, 소듐 염으로서)의 합성
3β-25-히드록시콜레스트-5-엔 술페이트의 제조 - 경로 1
3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (4.6 g, 0.011 mol) 및 트리에틸아민 (1.7 ml, 0.023 mol)을 피리딘 (57 ml) 중에 현탁하였고 50℃로 가열하였다. 황 트리옥시드 트리메틸아민 착체 (3.2 g, 0.023 mol)를 첨가하고 혼합물을 24시간 동안 교반하였다. 황 트리옥시드 트리메틸아민 착체 (0.77 g, 0.006 mol)의 추가 충전을 하였고 혼합물을 추가 4시간 동안 교반하였다. 50℃에 자켓에서, 반응 혼합물을 초기 부피의 -20% 까지 증류하였다. 잔류물은 에틸 아세테이트/메탄올/트리에틸아민 (90/9/1 v/v) 혼합물로 용출하는, 실리카 겔 크로마토그래피 (110 g)로 정제하여서, 분획을 포스포몰리브드산 염색을 사용해 TLC (4:1 메틸렌 클로라이드:메탄올)로 분석하였다. 3- 및 25-술페이트 위치이성체를 함유한 분획을 배합하였고 증발하였다 (수조 온도 <35℃). 잔류물 (4.2 g, 0.0072 mol)은 아세토니트릴 (25 g)에서 슬러리화하였고, 1 N 소듐 히드록시드 (7.2 ml, 30% 소듐 히드록시드 용액으로 희석)로 1시간 동안 처리하였고, 그 다음에 여과하였다. 고체를 아세토니트릴 (25 g)를 통해 세정하여 일정 중량 (2.77 g)까지 건조하였다. 3- 및 25-소듐 술페이트 염의 혼합물 (2.77 g)을 함유하는 고체는 에탄올 (27.7 g, 10S)로 50℃에서 1시간 동안 분쇄하였고 5℃에서 여과하였다. 단리된 고체는 일정 중량 (1.2 g)까지 건조하였다. 고체 (1.2 g)는 6:1 아세토니트릴/물 (10 S)에 30℃에서 30분 동안 현탁한 다음에 여과하였다. 여과는 약 40분을 요구하였다. 고체는 일정 중량 (0.86 g)까지 건조하고 분석하였다.
3β-25-히드록시콜레스트-5-엔 술페이트의 제조 - 경로 2 - 과량 술페이트화제
과량의 황 트리옥시드 트리메틸아민 착체를 사용하여 디술페이트의 형성에 대한 반응을 유발시켰다. 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔의 3-히드록시 기는 25-히드록실에 비해서 술페이트화에 대해 약 6배 더 반응성이다. 과량의 술페이트화제를 제공하고 반응이 고전환으로 진행하게 하여 더 높은 위치이성체 순도의 모노술페이트를 제공하게 된다. 이 결과는 이 합성 동안 관찰되었다. 피리딘 (75 ml) 중 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (4.1 g)의 용액을 진공 증류하여 부피를 50 ml로 감소시켰다. 이것을 수행하여 이소프로판올 (디올의 재결정화로부터) 및 존재하는 임의 수분을 제거하였다. 트리에틸아민 (2 당량) 및 이어서 총 1.75 당량의 황 트리옥시드 트리메틸아민 착체를 18시간의 기간 동안 50℃에서 반응물에 부분 첨가 (1.0, 0.5 및 0.25 당량)하였고 반응물이 총 43시간 동안 실시되게 하였다. 반응 혼합물을 진공 증류를 통해 농축하였고 잔류물을 SiO2 (10 g) 상에서 흡착시켰다. 로딩된 SiO2 는 SiO2 컬럼에 위치시켰고 2-50% 메탄올/에틸 아세테이트/1% 트리에틸아민으로 용리하였다. 컬럼으로부터의 적절한 분획을 배합하고 증발시켜서 디술페이트 (3.1 g, 39.7%) 및 모노술페이트 (2.6 g, 44.7%)를 산출하였다. 모노술페이트는 3-술페이트 및 25-술페이트의 22:1 혼합물로서 수득하였다. 고체를 아세토니트릴 (25 g)에 현탁하였고, 1 N 소듐 히드록시드 (4.44 ml)를 처리한 다음에 여과하였다. 조작이 어렵고, 여과되지 않는 두꺼운 겔이 형성되었다. 생산물은 아세토니트릴/물 중 현탁액이다. 용매는 40℃에서 회전 증발을 통해 제거하였고 잔류물은 진공 오븐에 40℃에서 건조하였다. 아세톤으로 고체의 분쇄는 흰색 고체를 산출하였다: 1.27 g, 24.9%. 이러한 생산물은 오직 3β-술페이트화 생산물을 보였지만, RRT 8.18 (미지, 2.0%), RRT 15.17 (디올, 2.2%) 및 RRT 16.70 (미지, 1.8%)에서의 피크로 오염되었다.
제조 규모 합성
3β-25-히드록시콜레스트-5-엔 술페이트 (1, 소듐 염으로서)의 합성
오버헤드 교반기가 장착된 2 L, 3구, 둥근 바닥 플라스크는 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (34) (30 g, 74.5 mmol) 및 무수 피리딘 (500 mL, Sigma-Aldrich, cat. #270970-1L, lot #SHBC6287V)이 충전되었다. 황 트리옥시드-트리메틸아민 착체 (12.2 g, 89.4 mmol, Sigma-Aldrich, cat. #135879-100G, lot # MKBH5585V)는 한 부분으로 첨가되었다. 현탁액을 실온에서 밤새 교반하였다. 반응 혼합물을 농축하였고 잔류물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 25.9 g (59%)의 백식 고체로서 트리에틸아민 염 (HPLC: 98.6% 순도)을 얻었다. ACN (1 L) 중 트리에틸아민 염의 현탁액 34.1 (64 g, 110.1 mmol)에 1 N NaOH (110 mL, 110.1 mmol, NaOH, Fisher, cat. #S318-3, lot #034906)를 첨가하였고, 혼합물을 1시간 동안 실온에서 교반하였다. 고체를 여과하고, ACN (1 L)으로 세척하고, 감압 하 (P2O5)에 밤새 건조하였다, 수율: 51.5 g, 93% (HPLC: 98.6% 순도).
밤새 교반 후에, 반응물은 겔-유사 혼합물이었다. TLC는 주요 스폿으로서 예상 생산물 (TLC: DCM 중 20% MeOH, Rf = 0.4)과, 양쪽 출발 물질 (Rf >0.9) 및 소수 스폿으로서 3b-25-히드록시콜레스테롤 디술페이트 (Rf <0.1)를 보였다. 실리카 겔 (1 kg, Sorbent Technologies, cat. #40930-2.5kg)은 10 cm x 42 cm 치수의 컬럼을 형성하도록 충전되었다. 컬럼 평형은 DCM (2.8 L) 중 1% 트리에틸아민 (Et3N, Fisher, cat #04885-4, lot #062833)로 수행하였다. 미정제 생성물을 DCM (200 mL) 및 Et3N (20 mL)에 용해시켰고, 직접 컬럼에 로딩하였다. 트리에틸아민은 이 단계에서 사용하여 생산물 및 디술페이트의 분해를 피하였다 (이후 생산물로부터 제거하기가 매우 어려운 올레핀을 형성). 초기 용출은 DCM (1%Et3N) (2 L)과 이어서, DCM 중 1% MeOH (1% Et3N)(1 L), DCM 중 2% MeOH(1% Et3N)(3 L), DCM 중 5% MeOH(1% Et3N)(1 L)이었다. 생산물은 CH2Cl2 중 2% MeOH (1% Et3N)에서 용출을 시작하였다. 수집된 분획을 36℃ 이하의 회전 증발을 통해 농축하였다 (온도가 45℃ 보다 높으면, MeOH의 존재에서 생산물의 분해가 관찰됨). TLC 및 NMR 둘 모두는 선택 분획에 대해 검토되었다. HPLC (Zorbax SB-18, 4.6 x 150 mm, 5 μm, 202 nm, 유속 0.8 mL/분): 용매 A: MeOH/5%ACN/7.4 mM NH4OAc; 용매 B: H2O/5%ACN/7.4 mM NH4OAc. 농도구배 75% A 및 25% B 내지 100% A. 생산물: 98.6% 순도; 1.4% (출발 물질 34). HPLC: Durashell C18 (Agela Technologies, 4.6x50 mm, 3 mm, 100 Å); 용매 A: MeOH/5%ACN/7.4 mM NH4OAc; 용매 B: H2O/5%ACN/7.4 mM NH4OAc. 생산물: 98.6% 순도; 1.4% (출발 물질 34).
대규모 합성
3β-25-히드록시콜레스트-5-엔 술페이트 (1, 소듐 염으로서)의 합성
킬로그램-규모 제조의 요약
3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (34) (2.6 kg) 및 피리딘 (39.2 kg)을 배합하고 혼합물을 2개 50 L 반응기에서 교반하면서 40℃로 가열하였다. 황 트리옥시드-트리메틸아민 (1.1 kg)을 혼합물에 첨가하였고 반응이 완료될 때까지 6-12시간 동안 40℃에서 교반하였다. 혼합물을 진공 증류 하에서 최소 교반 부피까지 농축하고 나서 메틸렌 클로라이드 및 트리에틸아민으로 희석하였다.
메틸렌 클로라이드 중 미정제 반응 혼합물을 실리칸 겔이 충전된 2.33 ft3 스테일레스강 컬럼 (C-105) 상에 로딩하였고 메틸렌 클로라이드 (1% 메탄올 및 1% 트리에틸아민 함유)로 용출하였다. 바람직하지 않는 생산물을 함유하는 분획은 폐기물 드럼에서 수집하였다. 바람직한 생산물을 함유하는 분획을 수집하고 반응기에서 농축하였다.
아세토니트릴, 물 및 소듐 히드록시드를 바람직한 생산물을 함유하는 반응기에 첨가하였고 혼합물은 반응이 완료될 때까지 교반하였다. 최종 슬러리는 10-15℃로 냉각하였고 여과하여 화합물 1을 단리하였다. 단리된 화합물 1의 케이크를 아세토니트릴로 세척하였고 그 다음에 일정한 중량이 획득될 때까지 진공 하에 40℃에서 건조하였다.
고체를 여과하였고, 아세토니트릴 (1 L)을 세척하였고, 진공 (P2O5) 하에 밤새 건조하였다. 수율: 51.5 g, 93% (HPLC: 98.6% 순도).
고찰
6시간 이후에 HPLC를 통한 반응 혼합물의 분석은 44.1%의 잔류 출발 물질을 보였다. 반응물은 완료된 것으로 간주되었고 진공 하에 최소 교반 부피까지 증류하였다 (단계 5.3). 최종 진한 잔류물에 메틸렌 클로라이드 및 트리에틸아민을 첨가하였고, 용액을 깨끗한 5 갤론 유리 카보이로 옮겼다. 용액을 밤새 유지시킨 후에 유리 카보이에서 두꺼운 고체를 침전시켰다. 고체를 벤치탑 필터를 사용해 여과하였다. 맑은 여과물의 대략 1/3을 C-105 컬럼 상부에 충전시켰다. C-105 컬럼 중 실리카를 이전에 에틸 아세테이트 및 메탄올로 플러싱하였고, 그 다음에 메틸렌 클로라이드 용출액 중 1% 트리에틸아민으로 평형화시켰다.
미정제 용액을 컬럼의 상부에 로딩하면, 용출액을 충전하여 ∼10 psi의 압력을 유지하였다. 용출액을 10분 내지 15분 마다 컬럼에서 나올때 샘플링하였다. 피리딘 및 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔은 제1 2개 샘플에 존재하였지만, 3β-트리에틸아민 염 및 25-술페이트 위치이성체가 피리딘 및 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 이외에도 제3 샘플에서 검출되었다. 최소 분리가 일어났으므로, 모든 나머지 물질을 극성 용출액 (1% MeOH, 1% NEt3, 및 98% DCM)을 사용해 컬럼으로부터 용출하였다. 여과물을 농축하였고 카보이로부터의 미정제 용액의 나머지 2/3와 배합하였다. 증류 이후에, 미정제 용액을 깨끗한 카보이로 옮겼다. 컬럼을 나오는 용출액을 분석하였고 1.7% 메탄올 (1H NMR 면적%)을 함유하였다. 컬럼을 용출액 (메틸렌 클로라이드 중 1% 트리에틸아민)으로 평형화하고 메탄올에 대해 분석하였다 (0.25% 메탄올, 1H NMR 면적%). 고체는 이 시간 동안 카보이에서 형성되기 시작하였다. 슬러리를 여과하였고, 여과물을 깨끗한 카보이에 수집하였다.
대략, 미정제 용액의 1/3을 제2 C-105 컬럼 상에 로딩하였다. 용출액을 <5 psi를 유지하기 위해 컬럼에 충전하였다. 박막 크로마토그래피 (TLC)를 통해서 컬럼을 떠난 용출액의 분석은 분리가 일어났음을 보였다. 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔이 더 이상 TLC를 통해 검출되지 않으면, 용출액을 1H NMR을 통해 분리하여 3β-트리에틸아민 염이 25-술페이트 위치이성체로부터 분리되는 것을 보장하였다. 샘플은 용출액 함유 드럼으로부터 제거하였고, 3β-트리에틸아민 염의 순도는 85%였고 15% 25-술페이트 위치이성체가 존재하였다 (1H NMR). HPLC 중량% 어세이는 127 g의 3β-트리에틸아민 염/25-술페이트 위치이성체를 드럼에서 수집하였음을 보여주었다 (85% 3β-트리에틸아민 염). 정제된 물질은 따로 보관하였고 미정제 용액의 나머지 2/3은 크로마토그래피로 정제하였다. C-105 컬럼 중 실리카는 메탄올로 플러싱하였고 그 다음에 메틸렌 클로라이드 중 1% 트리에틸아민으로 평형화하였다 (재행 후 용출액 중 1H NMR 면적%에 의한 0.2% 메탄올).
카보이로부터 침전된 고체는 1H NMR로 분석하였고 메틸렌 클로라이드와 트리에틸아민 (SO3NMe3 시약 유래) 및 메틸렌 클로라이드와 트리에틸아민의 반응으로부터 생산된 4차 암모늄 염으로서 확인되었다. 메틸렌 클로라이드-트리에틸아민 착체는 여과하여 분리하는 한편, 메틸렌 클로라이드-트리에틸아민 착체는 크로마토그래피에서 형성되었다. 염의 형성은 주위 조건 하에서 발생되었고 일정 예에서 가압 환경에서 빨랐다. 3β-트리에틸아민 염의 트리에틸암모늄 모이어티가 4차 암모늄 염으로 교환되는 평형화의 확립은 4차 암모늄 착체 및 트리에틸아민 히드로클로라이드를 제공한다. 평형은 더 많은 메틸렌 클로라이드-트리에틸아민 착체가 존재하므로 4차 암모늄 착체의 형성을 선호한다. 트리에틸아민 히드로클로라이드를 단리하고 특징규명하였다.
카보이 중 미정제 혼합물의 나머지 2/3 중에서, 1/3에 대해서 제4 컬럼 상에서 크로마토그래피를 수행하였다. 압력은 전체 정제 동안 0-1 psi에서 유지하였다. 25-술페이트 위치이성체로부터 3β-트리에틸아민염의 분리는 성공적이었고, 드럼 중 3β-트리에틸아민 염의 순도는 HPLC로 99.79% 였다. 대략 0.050 kg의 34.1을 컬럼으로부터 단리하였다 (HPLC 중량% 어세이). 실리카 겔을 메탄올로 세정하였고 메틸렌 클로라이드 중 1% 트리에틸아민으로 재생하였다. 재생 후 존재하는 메탄올의 양은 0.44% (1H NMR 면적%)였다. 이 컬럼에서 분리가 일어나지 않았다. 제4 컬럼으로부터 물질로는 추가 정제를 수행하지 않았다. 제3 컬럼으로부터의 용출액 (∼50 g의 3β-트리에틸아민 염)에 대해서 아세토니트릴로 용매 교환으로 시작하여 양이온 교환을 수행하였다. 아세토니트릴, 물, 및 30% 소듐 히드록시드의 첨가 후에, 슬러리를 교반하고 나서 밤새 유지하였다. 고체는 교반 이후에 반응기에 존재하였다. 혼합물을 냉각하였고 새로운 8.5" 벤치탑 필터를 사용해 여과하였다. 케이크를 신선한 아세토니트릴로 세척하였고 건조하였다. 샘플은 1H NMR로 분석하였고 4차 암모늄 염과 일치되는 피크가 스펙트럼에 존재하였다. 25-술페이트 위치이성체는 HPLC를 통해 존재하였다.
제2 컬럼으로부터의 용출액을 진공 하에 농축하였고 일정 중량까지 건조하였다. 1H NMR에 의해 노란색 분말 (540 g)의 분석은 메틸렌 클로라이드-트리에틸아민 4차 암모늄염 대 모 노술페이트 화합물의 비율 (3:1)을 보였다. 모든 미정제 물질 (540 g)을 3 L 자켓형 반응기에 충전하였다. 아세토니트릴 (1400 g)을 충전하였고, 슬러리를 50 ± 5℃ 까지 30분 동안 가열하였다. 슬러리를 26℃로 냉각한 다음 여과하였다. 습식 케이크를 분석하였고 3β-트리에틸아민 염 /25- 술페이트 위치이성체 대 4차 암모늄 염의 비율은 ∼1:1이었다. 정제된 고체 및 신선한 아세토니트릴 (1400 g)을 다시 반응기에 충전하였다. 물 (200 g)을 45분 이후에 충전하였고, 15분 동안 교반하였고, 그 다음에 여과하였다. 과립 분말은 진공 오븐에 40℃에서 밤새 건조하였다. 여과물을 농축 건조하였고, 잔류물을 건조 물질과 배합하였고 둘 모두를 3 L 반응기에 충전하였다. 아세토니트릴 (1500 g), 1 N 소듐 히드록시드 (600 g), 및 30% 소듐 히드록시드 (40 g)를 반응기에 순차적으로 충전하였다. 슬러리는 48시간 동안 교반하였고 그 다음에 주위 온도에서 여과하였다. 케이크를 일정 중량 (173 g)까지 건조하였고 HPLC로 분석하였다.
화합물 1로부터 25-술페이트 위치이성체를 분리하기 위한 정제
몇몇 용매를 분석하여 25-술페이트 소듐 염을 화합물 1로부터 퍼지하였다. 고체는 극성 용매 중 불순한 화합물 1을 용해시키고 나서 반용매를 충전한 후에 회수되지 않았다 (항목 1 및 2, 표 13). 최소 고체는 메탄올 중 물질을 용해하고 나서 아세토니트릴을 첨가하여 형성되었다 (항목 3, 표 13). 2-프로판올 (항목 4, 표 13) 및 메탄올 및 물의 혼합물의 사용을 형태 변화를 일으켰고, 물질이 전달되거나 또는 여과되지 않는 두꺼운 페이스트가 되게 하였다. 40-50℃에서 에탄올로 불순한 화합물 1의 분쇄는 대부분의 25-술페이트 위치이성체를 퍼지하는데 충분하였다 (항목 6, 표 13). 화합물 1 (1 g) 및 에탄올 (10 mL)의 혼합물은 환류 가열하였고, 냉각시켰고, 여과하였다. 단리된 물질 (55% 회수)은 99.6% 순수하였고 25-술페이트 및 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 생산물은 각각 0.1% 및 0.3%로 감소되었다.
3β-트리에틸아민 염의 정제
3β-트리에틸아민 염은 트리메틸아민 및 트리에틸아민과의 반응성으로 인해 메틸렌 클로라이드를 제거하기 위해 정제되었다. 정제는 90% 에틸 아세테이트, 9% 메탄올 및 1% 트리에틸아민을 포함하는 등용매 용매계를 사용해 획득하였다.
SO
3
NMe
3
당량의 최적화
3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔을 완전하게 소비하거나 또는 비스-술페이트 및 비반응된 출발 물질 부산물이 최소인 지점에 도착하는데 필요한 첨가된 SO3NMe3 착체의 양을 결정하였다. 트리에틸 아민 (0.5S)을 함유하는 피리딘 (18.6S) 중 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (0.5 g, 1.0S)의 용액을 50℃로 가열하였다. 샘플은 30분 마다 반응물로부터 제거하였고, 그 다음에 SO3NMe3 착체를 첨가하였다. SO3NMe3 착체의 최종 충전 이후에, 바이알은 50℃에서 총 24시간 동안 교반되게 하였다 (표 14). 대략 1.75 당량의 SO3NMe3 착체는 86.6%의 출발 물질 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔을 소비하는데 충분하였다 (샘플 7, 표 14). 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔은 2.5 당량의 SO3NMe3 착체가 첨가된 이후에 완전히 소비되었다. 비스-술페이트의 형성은 반응이 진행됨에 따라서 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔의 모노-술페이트를 이기게 된다. 3β-트리에틸아민 염은 24시간 이후에 비스-술페이트로 완전히 전환되었다.
3β-25-히드록시콜레스트-5-엔 술페이트 (1, 소듐 염으로서)의 100 그램 규모 합성
피리딘 (15.6S) 중 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (100 g, 1.0S) 및 트리에틸아민 (0.5S)의 슬러리를 50℃로 가열하였다. SO3NMe3 착체 (1.75 당량, 0.6S)는 한부분으로 충전되었다. 혼합물을 5시간 동안 교반하였고 그 다음에 HPLC를 통해 반응 종료에 대해 분석하였다 (샘플 1 - 3β-트리에틸아민 염 /25-술페이트 위치이성체 (67.1%); 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (12.2%); 비스-술페이트 (20.8%)). 자켓은 70℃로 설정하였고 반응물을 초기 부피의 <20%로 농축하였다. 샘플을 제거하였고 안정성에 대하여 HPLC로 분석하였다 (샘플 2- 3β-트리에틸아민 염 /25-술페이트 위치이성체 (60.5%); 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (10.0%); 비스-술페이트 (29.5%)). 모노술페이트의 양은 증류 동안 67.1%에서 60.5%로 감소되었는데 반해서, 바이술페이트의 양은 ∼9% 증가되었다. 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔의 양은 증류 종은 훨씬 감소되지 않았다.
고체는 교반 이후 48시간 후에 반응기에 존재하였고, 메탄올의 첨가 (0.5S)는 고체를 용해시키지 않았다. 미정제 물질 (300 g)에 대해서 90% 에틸 아세테이트, 9% 메탄올, 및 1% 트리에틸아민으로 용출하여 실리카 겔 크로마토그래피를 통해 정제를 수행하였다. 실리카 겔 (2.4 kg)을 용출액 중에서 슬러리화하였고 충전하여 5.25" x 28" 컬럼을 형성하였다. 미정제 혼합물을 컬럼으로 옮겼고 정제를 3일 동안 수행하였다. 용출액은 1 L 분획으로 수집하였다. 분획 1-7은 TLC를 통해 검출된 물질을 함유하지 않았고: 분획 8-11은 피리딘 및 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔을 함유하였고; 분획 12-20은 TLC를 통해 검출된 물질을 함유하지 않았고; 분획 21-22는 미결정된 화합물을 함유하였고 분획 23-59는 3β-트리에틸아민 염 /25-술페이트 위치이성체를 함유하였다.
대략 82 g의 3β-트리에틸아민 염 /25-술페이트 위치이성체 (56.5% 수율) 는 중량% 분석로 결정된 컬럼 이후 단리하였다. 크로마토그래피 이후에, 3β-트리에틸아민 염 /25-술페이트 위치이성체의 혼합물을 함유하는 용출액을 슬러리로 농축하였고 2 리터 반응기로 옮겼다. 용매는 아세토니트릴로 교환하였고, 슬러리를 10℃로 냉각하였고, 1 N 소듐 히드록시드 (1.8S, 82 g의 3β-트리에틸아민 염 /25-술페이트 위치이성체 기반 1 당량)를 10분 동안 충전하였다. 슬러리를 1시간 동안 교반하였고 여과하였다. 여과는 매우 빨랐고, <5 분이 필요하였다. 고체를 40℃에서 진공 하에 일정 중량으로 건조하였다 (70 g, 양이온 교환을 위해 99% 수율). 샘플을 HPLC (샘플 1, 표 15)로 분석하였고 25-술페이트 위치이성체가 5.1%로 존재하였다는 것을 의미하였다. 흰색 분말 (70 g)을 2 L 반응기로 옮겼고 에탄올 (700 g)로 50℃에서 1시간 동안 슬러리화하였다. 형태 변화는 슬러리 혼합물의 증점화를 통해 교반 30분 후에 관찰되었다. 슬러리는 10℃로 냉각하였고, 1시간 동안 교반한 다음에 10℃에서 여과하였다. 반응기를 에탄올 (170 g)로 세정하였고, 10℃로 냉각한 다음에 케이크 세척으로 필터로 옮겼다. 고체를 일정 중량까지 건조하였고 (64.6 g, 92.3% 회수) HPLC로 분석하였다 (샘플 2, 표 15). 분쇄 후에, 화합물 1의 순도는 97.4%로 개선되었지만, 25-술페이트 위치이성체는 1.6%였다. 불순한 화합물 1 (64.6 g, 1.0S)을 에탄올 (581 g, 9S) 중에 55℃에서 1.5시간 동안 슬러리화하였다. 슬러리는 10℃로 냉각하였고 그 다음에 여과하였다. 반응기 및 케이크를 에탄올 (84 g)로 10℃에서 세정하였고, 최종 고체를 40℃에 진공 하에서 일정 중량까지 건조하였다 (60.4 g, 5.9%로 에탄올 존재, 87.9% 회수).
에탄올 분쇄 이후에 화합물 1의 샘플은 HPLC로 분석하였다 (샘플 3, 표 15). 25-술페이트 위치이성체를 퍼지하였지만, 미지 1의 양은 0.9%로 증가하였다. 정제된 물질 (56.8 g)은 아세토니트릴 (5S) 및 물 (0.9S)에서 30℃에서 30분 동안 1 리터 반응기 중에서 슬러리화하였다. 슬러리는 이 시간 동안 극심한 피크를 형성하였지만, 페이스트는 FMI 펌프를 사용해 여과 셋업으로 쉽게 옮겨졌다. 반응기 및 케이크는 신선한 아세토니트릴 (30 g)로 세정하였고, 물질은 일정 중량으로 건조하였다 (54.5 g, 90.2% 회수). 1H NMR에 의한 분석은 에탄올은 부재하지만, 물은 1.2 중량%로 존재한다는 것을 보여주었다. 최종 물질의 순도는 >99% 까지 개선되었다 (샘플 4, 표 15). RRT 1.68 및 1.85에서 미지 불순물은 각각 0.6% 및 0.2%로 존재하였다. 잔류 수분을 고려하여, 100 g의 입증 실행에서 화합물 1의 최종 단리된 수율은 43.2%였다.
3
β,
25-디히드록시콜레스트-5-엔으로부터 물의 공비 제거
3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔 (5 g, 1.0S) 및 피리딘 (15.6S, 0.016% 물, 항목 1, 표 16)의 슬러리를 50℃로 가열하였다. 반응 샘플은 물 함량 분석을 위해 제거하였다 (0.29%, 항목 2, 표 16). 반응 부피는 50%로 감소되었고 수분 함량에 대해 샘플링되었다 (0.042%, 항목 3, 표 16). 증류물로 수집된 피리딘의 양 (39 g)은 반응기 중 신선한 피리틴으로 교체하였고 다시 물에 대해 샘플링하였다 (0.027%, 항목 4, 표 16). 내부 온도가 50℃에 도달하면, 트리에틸아민 (0.5S) 및 SO3NMe3 (0.6S)를 반응기에 충전하였다. 얇은 흰색 슬러리가 15분 이내에 맑은 용액이 되었고, 반응물을 50℃에서 교반하였다. 샘플은 2시간 및 3시간에서 IPC 분석 동안 제거하였다 (항목 1 및 2, 표 17). 오직 7.1% 3β, 25-디히드록시콜레스트-5-엔이 2시간 이후에 남아있었다. SO3NMe3 의 첨가 전에 물의 공비 제거는 출발 물질의 소비를 개선시킨다.
미정제 화합물 1의 에탄올 분쇄
미정제 화합물 1은 에탄올 중에 현탁하였고 55℃로 가열하였고 1시간 동안 슬러리화하였다. 슬러리 혼합물을 냉각하였고, 여과하고, 에탄올로 세척하였다. 최종 케이크를 밤새 50℃에서 건조하였다. 케이크를 다시 반응기에 충전하고 아세토니트릴 및 물에 현탁하였다. 혼합물을 30℃로 가열하고 1시간 동안 교반하였다. 다음으로 혼합물은 15℃로 냉각하고, 여과하고 아세토니트릴 및 물 (90:10)로 세척하였다. 최종 케이크는 일정 중량을 획득할 때까지 50℃에서 24시간 이하 동안 건조하였다. 정제된 화합물 1 중 불순물 함량은 HPLC로 결정하였다 (RRT 0.67 <0.05%; RRT 0.77 <0.05%; RRT 0.79 <0.05%; RRT 0.95 <0.05%; RRT 1.13 <0.05%; RRT 1.22 <0.05%; RRT 1.31 <0.05%; RRT 1.95 = 0.09%; RRT 2.09 <0.05%; RRT 2.67 <0.05%; RRT 2.75 = 0.05%; RRT 3.04 <0.05%; RRT 3.23 = 0.09%; RRT 3.64 = 0.3%; RRT 5.00 <0.05%; 총 불순물 = 1.1%.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화하여 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트의 생산으로부터 부산물의 확인
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 조성물은 톨루엔 중 황-트리옥시드 피리딘 착체로 23℃에서 1시간 동안 술페이트화하여 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 생산하였다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 생산물을 제조할 때 반응 혼합물에 형성된 화합물은 고성능 액상 크로마토그래피를 통해 분석하였다. 표 13 및 14는 HPLC 크로마토그래피 조건을 제공한다. 표 15는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 황-트리옥시드 피리딘 착체로 술페이트화시 반응 혼합물 중 형성된 것으로 확인된 화합물의 체류 시간을 열거한다.
[표 17]
황 트리옥시드 피리딘 술페이트화제의 순도 결정
양자 핵 자기 공명 분광법 (1H-NMR)은 중수소화 용매 중 황 트리옥시드 피리딘의 샘플에 대해 수행되었다. 황 트리옥시드 피리딘은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올 술페이트화의 재현성 및 전체 수율에 영향을 미칠 수 있는, 수분 존재로 인해 분해될 수 있는 무색 고체이다. 3개 로트 (A-C)로부터 황 트리옥시드 피리딘의 샘플을 중수소화 아세톤 ((CD3)2CO)에 용해시켰고 양자 NMR 스펙트럼은 500 MHz Bruker 분광계를 사용해 기록하였다 (도 57). NMR 스펙트럼에서 8.1 내지 9.3 ppm 영역의 강화는 도 58A-58C에 도시된다. 도 58A에서 로트 A의 NMR 스펙트럼은 각각 도 58B 및 58에서 로트 B 및 C의 NMR 스펙트럼에 비해서 9.25 ppm에서 더 작은 피크 세트를 나타낸다. 각 스펙트럼의 9.25 ppm에서 적분 피크를 기반으로, 21%의 불순물 수준은 로트 A의 술페이트화제에 대해 계산되었고 (도 58A), 33%의 불순물 수준은 로트 B의 술페이트화제에 대해 계산되었고 (도 58B) 36%의 불순물 수준은 로트 C의 술페이트화제에 대해 계산되었다 (도 58C).
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올 술페이트화에 대한 과정 매개변수
비스-술페이트화된 생산물 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 형성을 최소화하고 제어하기 위해 술페이트화 반응 연구가 수행되었다.
반응 혼합물 중 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올의 입자로 술페이트화
술페이트화 반응 동안, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 반응 동안 겔-유사 고체로서 침전된다는 것을 관찰하였다. 이러한 콜로이드 물질의 일부는 이의 입자 크기 덕분에 반응 혼합물 중에서 가용화될 수 있다. 이러한 용해도 효과를 최소화하기 위해서, 생산물 결정 형상을 변형시키기 위해서 반응물로 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 씨드 결정의 첨가를 시험하였다. 반응이 황 트리옥시드-피리딘 착체를 충전하여 진행되면서, 술페이트화 반응 동안 생산된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 겔-유사 고체는 입자 크기가 더 큰 비정질 슬러리로 변하였다. 이는 반응 혼합물 중 생성된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 용해도의 제어를 허용하였다. 이것은 또한 반응 혼합물 중 비스-술페이트화된 생산물 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 형성을 최소화하였다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올은 2-메틸 테트라히드로퓨란 (30V)으로 용해시켰고; 약 35-40℃로 가열하였다. 용액은 약 20 ± 5℃로 냉각하였고 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 씨드 결정을 첨가하였다. 술페이트화제 황-트리옥시드-피리딘 착체는 서로 2시간 간격으로 유지하면서 4개 부분으로 첨가하였다. 물 (2 당량)을 슬러리에 첨가하였고 1시간 동안 유지하였다. 이 시점에, 교반은 최소 와류 깊이로 감소되었다. 2-메틸 테트라히드로퓨란 중 피리딘 (2 당량)을 첨가하였고 슬러리를 12시간 이상 동안 유지하였다. 미정제 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물은 여과를 통해 수집하였고 2-메틸 테트라히드로퓨란 - 피리딘 (5%)으로 세척하였다. 비스-술페이트화된 생산물 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 존재는 미정제 생산물 중 약 2-5%로 추정되었다.
미반응된 황 트리옥시드-피리딘 술페이트화 시약의 켄칭
과량의 미반응된 황-트리옥시드 피리딘 술페이트화 시약의 켄칭은 염기성 조건을 유지하고 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물의 가수분해를 피하기 위해서 2당량의 물 및 피리딘을 사용해 평가하였다. 표 20의 항목 1-3에서, 물 및 피리딘은 동시에 첨가하였고 1시간 동안 유지하였고, 그 다음에 생산물을 진공 여과로 단리하였다. 표 20의 항목 4에서, 유지 시간은 시한 연장을 모방하기 위해서 연장되었다. 시약 가수분해 및 비스-술페이트화 간 경쟁 반응을 제어하기 위해서, 시약 가수분해는 물을 첨가하고 1시간 동안 유지시켜 평가되었다. 다음으로 피리딘을 첨가하여 생산물 가수분해를 최소화하였다 (항목 5, 표 20). 표 20에 요약된 바와 같이, 1시간 동안 물의 첨가에 이어서 피리딘과 밤새 혼합하여 최고 수율의 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물 및 최저량의 비스-술페이트화된 생산물 및 데스모스테롤 불순물을 제공하였다.
과량의 미반응된 술페이트화 시약의 켄칭 동안, 비스-술페이트화된 생산물 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트의 형성 및 시약 켄칭 간 경쟁에서 역할을 할 수 있다고 결정되었다. 높은 교반 속도에서, 비켄칭된 황 트리옥시드-피리딘 착체 응집물은 분쇄되어서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물과 추가 반응을 허용한다. 낮은 교반 속도에서 응집된 착체는 이러한 부반응을 최소화한 채로 반응기 바닥에 잔류한다. 비스-술페이트화된 생산물 5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트 형성은 2-5% 범위의 이들 반응 조건 하에서 관찰된다. 단리된 미정제 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물은 추가 정제에 충분히 안정하였다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물의 액상 크로마토그래피 및 재결정화
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물은 실리카 겔 (≥ 질량 당량) 정지상 및 메틸렌 클로라이드-메탄올 (85:15) 및 피리딘 (1%) 이동상의 혼합물을 적용하는 플러그 컬럼을 사용해 정제하였다. 크로마토그래피 컬럼은 1:2 비율 직경-실리카 겔을 사용한, 실리카 겔 (5mass-eq)/DCM-피리딘 (1%)로 제조하였다. 컬럼은 실리카 겔 상층 파괴를 피하도록 조심스럽게 제조하였다. 미정제 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물은 메틸렌 클로라이드-메탄올 (1:1) -피리딘 (1%) (2.4V)에 용해하였고, 용액을 컬럼에 충전하고, 메틸렌 클로라이드-메탄올 (15%)-피리딘 (1%) (2V)으로 세정하였다. 컬럼은 메틸렌 클로라이드-메탄올 (15%)-피리딘 (1%) (∼75V)에서 용리하였다. 약 10V의 샘플을 얻고 박막 크로마토그래피로 모니터링하였다 (이동상 메틸렌 클로라이드 -메탄올 7:3 1액적 피리틴 및 CAM 염색). 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물을 함유하는 분획을 배합하였고 비스-술페이트화된 생산물을 함유하는 분획은 배제하였다.
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물은 2개 상이한 과정을 통해서 수집된 분획으로부터 단리 및 정제되었다:
단리 및 재결정화 과정 (IP)-A. 플러그 컬럼으로부터 생산물을 갖는 분획을 일정 부피 기술 하에 농축하였다. 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물 용액은 2-메틸 테트라히드로퓨란-헵탄 (1:2)의 초기 일정 부피 (28V)에 첨가하였고 - 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물의 입자 씨드는 증류 및 첨가를 동기화하면서 첨가하였다. 압력은 20-25 inHg로 유지하였다. 이들 조건 하에서, 생산물은 즉시 침전하였고 증류 동안 슬러리로서 남아있는다. 슬러리 온도는 20-25℃로 조정하였고 최소 1시간 동안 유지하였다. 생산물은 여과를 통해 수집하고 2-메틸 테트라히드로퓨란-헵탄 (1:2)에 이어서 헵탄으로 세정하였다. 수집된 물질은 진공 하에 30-35℃에서 24시간 동안 건조시켰다.
단리 과정 (IP)-B. 플러그 컬럼으로부터 생산물을 갖는 분획은 ∼7V 까지 진공 하에 농축하였다. 용액이 남아있거나 또는 탁하게 변하거나 또는 고체가 관찰되었으면, 맑은 용액을 수득할 때까지 메틸렌 클로라이드를 첨가하였다. 이러한 농축된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물 용액을 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염의 씨드를 함유하는 2-메틸 테트라히드로퓨란-헵탄 (1:3)의 혼합물을 1시간 내지 1.5시간 동안 점적하였다. 생산물은 메틸렌 클로라이드-메탄올 (1:1) (0.5V)이 존재하는 용기 중에서 1시간 동안 20-25℃에서 세정하였다. 슬러리를 숙성시킨 후에, 생산물을 여과 수집하였고 2-메틸 테트라히드로퓨란-헵탄 (1:3)과 이어서 헵탄으로 세정하였다. 고체는 진공 하에 30-35℃에서 24시간 동안 건조하였다.
각 단리 및 재결정화 과정으로 수득된 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염 생산물의 순도는 표 21에 요약된다.
Claims (21)
- 결정질 25HC3S 소듐.
- 결정질 25HC3S 소듐의 수화물.
- 결정질 25HC3S 소듐의 형태 I.
- 결정질 25HC3S 소듐의 형태 II.
- 결정질 25HC3S 소듐의 형태 XI.
- 무수 결정질 25HC3S 소듐.
- 형태 XIII 결정질 25HC3S 소듐.
- 형태 IX 결정질 25HC3S 소듐.
- 고콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태 중 하나 이상을 치료하는 방법으로서, 이를 필요로 하는 환자에게 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항의 25HC3S 소듐의 화합물의 유효량을 투여하는 단계를 포함하는 것인 치료 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항의 25HC3S 소듐 및 적어도 하나의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물.
- 고콜레스테롤혈증, 고중성지질혈증, 및 지방 축적 및 염증과 관련된 병태 중 하나 이상을 치료하는 방법으로서, 이를 필요로 하는 환자에게 제10항의 25HC3S 소듐의 약학 조성물의 유효량을 투여하는 단계를 포함하는 것인 치료 방법.
- 제9항에 있어서, 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항의 25HC3S 소듐의 화합물의 유효량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여하는 단계를 포함하는, 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 및 아테롬성 동맥 경화증을 치료하기 위한 것인 치료 방법.
- 제11항에 있어서, 제10항의 25HC3S 소듐의 약학 조성물의 유효량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여하는 단계를 포함하는, 비알콜성 지방간 질환 (NAFLD), 비알콜성 지방간염 (NASH), 알콜성 간염, 급성 신장 손상 (AKI), 건선, 및 아테롬성 동맥 경화증을 치료하기 위한 것인 치료 방법.
- 형태 I 25HC3S 소듐, 형태 II 25HC3S 소듐, 형태 III 25HC3S 소듐, 형태 V 25HC3S 소듐, 형태 IX 25HC3S 소듐, 형태 XI 25HC3S 소듐, 및 형태 XIII 25HC3S 소듐 중 둘 이상을 포함하는 것인 조성물.
- 5-콜레스텐-3β,25-디올-3-술페이트 금속 염을 제조하는 방법으로서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 적어도 하나의 용매 중에 적어도 하나의 술페이트화제와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계로서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염은 적어도 하나의 용매 중에서 낮은 용해도를 가지는 것인 단계; 및
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생성시키는 단계
를 포함하는 것인 제조 방법. - 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 소듐 염을 제조하는 방법으로서, 방법은 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 적어도 하나의 용매 중에 황 트리옥시드-피리딘 착체와 접촉시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 생성시키는 단계로서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염은 적어도 하나의 용매 중에서 낮은 용해도를 갖는 것인 단계; 및
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 피리디늄 염을 소듐 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 소듐 염을 생성시키는 단계
를 포함하는 것인 제조 방법. - 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 제조하는 방법으로서, 방법은 (3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 적어도 하나의 술페이트화제와 접촉시켜서 제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계;
제1 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 유기 염기와 접촉시켜서 제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계;
제2 (3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 계면활성제의 존재에서 산화시켜서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계;
탈산소화를 통해서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-(5,6-에폭시)-3-술페이트 유기 양이온 염으로부터 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 생성시키는 단계; 및
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트 유기 양이온 염을 적어도 하나의 금속 염과 접촉시켜서 5-콜레스텐-3β,25-디올 3-술페이트 금속 염을 생성시키는 단계
를 포함하는 것인 제조 방법. - 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트; 및
술페이트화된 데스모스테롤을 포함하는 조성물. - 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트; 및
5-콜레스텐-3β-25-디올-디술페이트를 포함하는 조성물. - 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-올을 술페이트화시켜서 적어도 하나의 용매 중에서 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 생성시키는 단계로서, 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 적어도 하나의 용매 중에서 낮은 용해도를 갖는 것인 단계; 및
25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 용매 중에서 침전시키는 단계
를 포함하는 것인 방법. - 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트; 및
약 18.3 분의 고압 액상 크로마토그래피 (HPLC) 체류시간을 포함하는 제1 화합물, 약 37.7 분의 HPLC 체류 시간을 포함하는 제2 화합물, 또는 이의 임의 조합, 및 약 7.7 분의 HPLC 체류 시간을 포함하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트를 포함하는 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-올의 술페이트화로부터의 부산물
을 포함하고,
제1 화합물, 제2 화합물, 및 25-히드록시-(3β)-콜레스트-5-엔-3-술페이트는 완충액을 포함하는 제1 이동상 및 하나 이상의 유기 용매를 포함하는 제2 이동상을 사용하여 약 45℃에서 작동하는 C8 정지상을 포함한 HPLC에 의해 분리되는 것인 조성물.
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