KR20220118921A - 연삭 방법 및 연삭 장치 - Google Patents

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츠바사 반도
에이치 야마모토
타카히코 미츠이
유 혼다
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가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼
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Abstract

기판을 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 연삭 방법으로서, 상기 기판에는, 상기 기판의 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입되어 있고, 회전하고 있는 상기 기판을 향해, 상기 연삭 숫돌을 회전시키면서 하강시켜, 상기 기판을 상기 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 공정과, 상기 연삭 가공 중, 상기 기판의 가공면을 화상 센서로 연속적으로 촬상하는 공정과, 상기 화상 센서에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 공정과, 해석된 상기 노출량에 기초하여, 상기 이종 재료부가 노출되기 시작한 상태로부터, 상기 이종 재료부의 상기 노출량이 소정의 설정값에 도달하는 단계까지, 상기 연삭 가공을 계속하여 실행하는 공정을 포함한다.

Description

연삭 방법 및 연삭 장치{GRINDING METHOD AND GRINDING APPARATUS}
본 개시는 연삭 방법 및 연삭 장치에 관한 것이다.
본원은 2021년 2월 19일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2021-025126호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
종래, 반도체 기판 등의 제조에 있어서, 기판을 구성하는 층의 내부에 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 전극 등이 삽입된 기판을 연삭하여, 박화하는 기술이 알려져 있다.
예를 들면, 일본 공개특허공보 2019-140162호에는, Si 관통 전극(TSV: Through Silicon Via)이 삽입되는, 절연 분리 Si 기판을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, Si 지지 기판을 연삭법 등에 의해 제거하여, Si 관통 전극의 Cu막을 노출시키는 것이 개시되어 있다.
또한 예를 들면, 일본 공개특허공보 2020-102481호에는, FOPLP(Fan Out Panel Level Package) 기술에 의한, 수지, 금속, 및 반도체 디바이스 칩을 포함하는 대형 복합 기판을 연삭하는 기술이 개시되어 있다.
그러나, 상기 종래 기술의 기판 연삭 방법 및 장치에는, 가공 시간을 단축하여 기판의 생산 효율을 향상시키기 위해 개선해야 할 점이 있었다.
구체적으로는, 기판을 구성하는 층의 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입된 기판을 연삭하는 공정에는, 이종 재료부를 전부 노출시키는 것이 요구되는 경우가 있다. 예를 들면, 몰드 수지 또는 실리콘 웨이퍼 등의 내부에 구리 전극(Cu Via) 등이 삽입된 기판을 연삭하는 공정에서는, 구리 전극 등을 전면 노출시키는 것이 요구된다.
상기 종래 기술의 연삭 방법에서는, 연삭 가공이 개시되고, 미리 설정된 종점 두께까지 연삭 가공이 실행된 후, 연삭 가공이 정지하여 워크의 회전이 멈춘다. 그 후, 육안 검사 또는 현미경 검사에 의해, 가공면의 구리 전극의 노출 확인을 행한다.
또한, 접촉식 두께 측정기에 의해 가공면의 치수를 측정하는 방법에서는, 기판의 두께를 측정하기 위해, 연삭 가공을 종료하여 워크의 회전을 정지할 필요가 있다.
육안 검사 또는 현미경 검사의 결과, 구리 전극이 전면 노출되어 있지 않다고 판정되었을 경우, 또는, 두께 측정기에 의한 측정 결과, 기판의 두께가 소정의 치수에 도달하지 않았다고 판정되었을 경우에는, 연삭 가공이 재차 실행된다.
매우 얇은 기판에 대해 고정밀도 가공이 요구되는 상황에 있어서, 1회의 연삭 가공으로 구리 전극을 전면 노출시켜, 소정의 치수로 완성하는 것은 곤란하다. 이 때문에, 상술한 연삭 가공, 측정, 및 육안 검사 또는 현미경 검사는, 구리 전극이 전면 노출되어 소정의 목표 치수에 도달할 때까지 반복 실행된다.
이 때문에, 상기 종래 기술의 연삭에서는, 연삭 가공의 실행 및 정지를 반복할 필요가 있어, 연삭 가공의 횟수, 측정 횟수, 및 검사 횟수가 많아, 가공 시간의 단축이 어려웠다. 이것이 기판의 생산성을 향상시키는데 있어 과제가 되고 있었다.
특히, 수지 기판 내에 Cu(구리) 등의 이종 재료부가 삽입된 구조의 기판을 연삭 가공하는 경우에는, 수지 기판의 수지 중에, 예를 들면, 구형 실리카 등의 필러가 많이 포함되어 있는 경우, 즉, 예를 들면 필러가 50％ 이상 포함되어 있는 경우는, 비접촉 근적외광에 의해 수지의 두께를 측정하는 것은 곤란하다. 이는 필러에 의해 적외광이 산란하기 때문에, 기판 표면과 기판 이면으로부터의 적외광에 의한 간섭 파형을 취득할 수 없기 때문이다.
본 개시는 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 이종 재료부가 삽입된 기판을 단시간에 고정밀도로 연삭할 수 있는 연삭 방법 및 연삭 장치를 제공하는 것에 있다.
본 개시의 실시형태에 따른 연삭 방법은, 기판을 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 연삭 방법으로서, 상기 기판에는, 상기 기판의 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입되어 있고, 회전하고 있는 상기 기판을 향해, 상기 연삭 숫돌을 회전시키면서 하강시켜, 상기 기판을 상기 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 공정과, 상기 연삭 가공 중, 상기 기판의 가공면을 화상 센서로 연속적으로 촬상하는 공정과, 상기 화상 센서에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 공정과, 해석된 상기 노출량에 기초하여, 상기 이종 재료부가 노출되기 시작한 상태로부터, 상기 이종 재료부의 상기 노출량이 소정의 설정값에 도달하는 단계까지, 상기 연삭 가공을 계속하여 실행하는 공정을 포함하도록 구성되어 있다.
본 개시의 연삭 방법은, 기판을 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 연삭 방법으로서, 상기 기판에는, 상기 기판의 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입되어 있고, 회전하고 있는 상기 기판을 향해, 상기 연삭 숫돌을 회전시키면서 하강시켜, 상기 기판을 상기 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 공정과, 상기 연삭 가공 중, 상기 기판의 가공면을 화상 센서로 연속적으로 촬상하는 공정과, 상기 화상 센서에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 공정과, 해석된 상기 노출량에 기초하여, 상기 이종 재료부가 노출되기 시작한 상태로부터, 상기 이종 재료부의 상기 노출량이 소정의 설정값에 도달하는 단계까지, 상기 연삭 가공을 계속하여 실행하는 공정을 포함한다.
또한, 본 개시의 연삭 장치는, 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입된 기판을 유지하며 회전하는 기판 척과, 상기 기판 척에 유지된 상기 기판에 대향하는 연삭 숫돌을 유지하고, 상기 기판 척의 회전축으로부터 직경 방향으로 오프셋한 위치를 회전축으로 회전하는 연삭 헤드와, 상기 연삭 숫돌과 상기 기판이 접근 혹은 이간하는 방향으로, 상기 연삭 헤드 또는 상기 기판 척을 이송하는 이송 기구와, 회전하는 상기 기판을 회전하는 상기 연삭 숫돌로 연삭하는 공정에 있어서, 상기 기판의 가공면을 촬상하는 화상 센서와, 상기 화상 센서로 촬상된 상기 가공면의 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 화상 해석 장치를 갖고, 상기 화상 해석 장치에서 해석된 상기 노출량에 기초하여 상기 이송 기구가 제어되어, 상기 가공면으로부터 노출된 상기 이종 재료부가 연삭된다.
본 개시의 연삭 방법은, 기판을 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 연삭 방법으로서, 상기 기판에는, 상기 기판의 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입되어 있고, 회전하고 있는 상기 기판을 향해, 상기 연삭 숫돌을 회전시키면서 하강시켜, 상기 기판을 상기 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 공정과, 상기 연삭 가공 중, 상기 기판의 가공면을 화상 센서로 연속적으로 촬상하는 공정과, 상기 화상 센서에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 공정과, 해석된 상기 노출량에 기초하여, 상기 이종 재료부가 노출되기 시작한 상태로부터, 상기 이종 재료부의 상기 노출량이 소정의 설정값에 도달하는 단계까지, 상기 연삭 가공을 계속하여 실행하는 공정을 포함한다. 이에 의해, 종래 기술처럼 이종 재료부의 노출을 검지하기 위해 연삭 가공을 일단 종료하지 않고, 연삭 상황을 정확하게 파악할 수 있다. 따라서, 연삭 가공의 실행 및 정지를 반복하지 않고, 이종 재료부가 삽입된 기판을 단시간에 효율적으로 고정밀도로 연삭할 수 있다.
또한, 본 개시의 연삭 방법에 의하면, 상기 기판은 수지 기판이며, 상기 이종 재료부는 금속 재료를 포함해도 된다. 본 개시의 연삭 방법은, 상기와 같이 금속 재료가 삽입된 수지 기판을 연삭함으로써, 금속 재료로 이루어지는 이종 재료부를 고효율적이면서 고정밀도로 노출시킬 수 있다.
또한, 본 개시의 연삭 방법에 의하면, 상기 화상 센서에 의한 촬상은 스폿 스트로보 발생형 광원을 이용하여, 1∼100마이크로초의 화상 취득 시간으로 행해져도 된다. 이러한 구성에 의해, 연삭 가공 중에 노출되는 이종 재료부를 고정밀도로 고속 검출할 수 있다. 이 때문에, 연삭 가공의 실행 및 정지를 반복하지 않고, 기판의 연삭 가공을 단시간에 효율적으로 실행할 수 있다.
또한, 본 개시의 연삭 장치에 의하면, 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입된 기판을 유지하며 회전하는 기판 척과, 상기 기판 척에 유지된 상기 기판에 대향하는 연삭 숫돌을 유지하고, 상기 기판 척의 회전축으로부터 직경 방향으로 오프셋한 위치를 회전축으로 회전하는 연삭 헤드와, 상기 연삭 숫돌과 상기 기판이 접근 혹은 이간하는 방향으로, 상기 연삭 헤드 또는 상기 기판 척을 이송하는 이송 기구와, 회전하는 상기 기판을 회전하는 상기 연삭 숫돌로 연삭하는 공정에 있어서, 상기 기판의 가공면을 촬상하는 화상 센서와, 상기 화상 센서로 촬상된 상기 가공면의 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 화상 해석 장치를 갖고, 상기 화상 해석 장치에서 해석된 상기 노출량에 기초하여 상기 이송 기구가 제어되어, 상기 가공면으로부터 노출된 상기 이종 재료부가 연삭된다. 이에 의해, 고정밀도의 기판 연삭을 단시간에 효율적으로 실행할 수 있어, 기판의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시형태에 따른 연삭 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시형태에 따른 연삭 장치의 화상 센서의 선단 근방을 나타내는 도면이다.
도 3(A)는 본 개시의 실시형태에 따른 연삭 방법에 있어서의 워크의 연삭 가공 전의 개략 형태를 나타내는 도면이다. 도 3(B)는 워크의 연삭 가공 중의 개략 형태를 나타내는 도면이다. 도 3(C)는 워크의 연삭 가공 후의 개략 형태를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 개시의 다른 실시형태에 따른 연삭 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
이하의 상세한 설명에서는, 개시된 실시형태의 전반적인 이해를 제공하기 위해 많은 세부사항이 구체적으로 설명된다. 그러나, 이들 구체적인 세부사항이 없이도 하나 이상의 실시형태가 실시될 수 있음은 명백하다. 다른 예에서는 도면을 단순화하기 위해 주지의 구조와 장치를 모식적으로 나타낸다.
이하, 본 개시의 실시형태에 따른 연삭 장치(1) 및 이를 이용한 연삭 방법을 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 개시의 실시형태에 따른 연삭 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 연삭 장치(1)는 기판(40)의 일주면을 연삭하는 가공에 이용되는 가공 장치이다. 상세하게는, 연삭 장치(1)는 이종 재료로 이루어지는 이종 재료부(42)가 삽입되어 있는 기판(40)의 평면을 연삭하여, 기판(40)에 삽입되어 있는 이종 재료부(42)를 노출시키는 공정에 이용된다.
연삭 장치(1)의 가공 대상이 되는 기판(40)에는, 기판(40)의 본체부(41)를 구성하는 주된 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부(42)가 삽입되어 있다. 예를 들면, 기판(40)은, 수지 재료 등을 주된 구성 재료로서 구성되는 본체부(41)에, 본체부(41)를 구성하는 주된 재료와는 상이한 Cu(구리) 전극 등의 이종 재료부(42)가 삽입되어 있다.
연삭 장치(1)는, 기판(40)을 유지하는 기판 척(4)과, 연삭 숫돌(3)을 유지하는 연삭 헤드(2)와, 연삭 헤드(2)를 이송하는 도시하지 않은 이송 기구와, 기판(40)의 가공면을 촬상하는 화상 센서(10)와, 화상 센서(10)의 화상 데이터로부터 이종 재료부(42)의 노출량을 해석하는 화상 해석 장치(20)를 갖는다.
기판 척(4)은 기판(40)을 흡착하여 유지하는 포러스 척이다. 기판 척(4)은 대략 평판 형상의 형태를 이루며, 도시하지 않은 연삭 테이블의 상방에 장착되어 있다. 기판 척(4)은 예를 들면, 진공 척이며, 기판 척(4)에는, 기판 척(4) 내를 부압으로 하여 기판(40)을 흡착하기 위한, 도시하지 않은 진공 펌프 등이 설치되어 있다.
기판 척(4)이 재치되는 연삭 테이블은, 도시하지 않은 구동 수단에 의해 회전 구동된다. 이에 의해, 기판 척(4)은 수평 회전한다. 연삭 가공시에는, 기판 척(4)의 상면에 기판(40)이 재치되고, 기판(40)은, 기판 척(4)과 함께 수평 회전한다.
연삭 헤드(2)는 연삭 숫돌(3)을 유지하며 회전시키는 기구이다. 연삭 헤드(2)는 그 회전축이 기판 척(4)의 회전축으로부터 직경 방향으로 오프셋한 위치가 되도록 형성되어 있다. 연삭 헤드(2)의 하방에는, 기판 척(4)에 유지된 기판(40)의 상면에 대향하도록, 연삭 숫돌(3)이 유지된다.
연삭 숫돌(3)은 수평 회전하는 기판(40)을 상방으로부터 연삭하는, 컵 휠형 연삭 숫돌이다. 연삭 숫돌(3)은 연삭 헤드(2)에 유지되어 수평 회전하는 대략 원반상의 컵 휠을 갖는다. 연삭 숫돌(3)의 칼끝은 그 컵 휠의 하부 주연 근방에 대략 원 형상으로 장착되어 있다.
도시를 생략하지만, 이송 기구는 예를 들면, 볼 나사 등을 갖고, 연삭 숫돌(3)과 기판(40)이 접근 혹은 이간하도록, 연삭 헤드(2)를 회전축 방향, 즉 상하 방향으로 이송하는 기구이다. 한편, 이송 기구는 기판(40)을 상하 방향으로 이송하도록, 기판 척(4)측에 설치되어도 된다.
연삭 헤드(2)는 도시하지 않은 구동 수단으로 구동되어 수평 회전함과 함께, 도시하지 않은 이송 기구에 의해 상하 방향으로 이송된다. 즉, 연삭 숫돌(3)은 연삭 헤드(2)와 함께 수평 회전하면서 이송 기구에 이송되고, 기판(40)에 접근하는 방향 혹은 이간하는 방향으로 이동한다. 기판(40)을 연삭하는 공정에 있어서는, 기판 척(4)의 상면에 흡착되어 수평 회전하는 기판(40)의 상면에, 수평 회전하는 연삭 숫돌(3)의 하부에 있는 칼끝이 접촉하여, 기판(40)이 연삭된다.
또한, 연삭 장치(1)는 연삭수 공급 장치(25)와, 연삭수 공급 장치(25)에 형성된 연삭수 공급 노즐(26)을 갖는다. 연삭수 공급 장치(25)는 연삭수 공급 노즐(26)을 개재하여, 기판(40)과 연삭 숫돌(3)의 접촉 부분 근방에 순수를 공급하는 장치이다. 즉, 연삭수 공급 장치(25)로부터 공급된 순수가, 연삭수 공급 노즐(26)의 분출구로부터, 기판(40)의 상면과, 연삭 숫돌(3)의 칼끝의 접촉 부분 근방을 향해 분사된다.
화상 센서(10)는 기판(40)의 가공면을 촬상하는 장치이다. 화상 센서(10)는 CCD(Charge-Coupled Device), CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 등의 촬상 소자를 사용한 촬상 센서이다.
특히, 회전하는 기판(40)의 가공면을 고속 촬영하여, 이종 재료부(42)를 노출시키는 연삭 가공을 가능하게 하는 고정밀도의 화상 데이터를 취득하기 위해, 화상 센서(10)는 CMOS의 촬상 소자를 이용한 센서가 바람직하다.
또한, 도시를 생략하지만, 화상 센서(10)는 기판(40)의 촬상 개소 근방에 광을 조사하는 광원을 갖고, 기판(40)으로부터의 반사광을 받아 촬상을 행한다. 이와 같이 강한 광을 발하는 광원을 구비함으로써, 연삭 가공을 실현하기 위한 고속이면서 고정밀도인 촬상이 가능해진다.
화상 센서(10)는 기판 척(4)에 유지된 기판(40)의 상방이면서, 수평 회전하는 기판(40)을 수평 회전하는 연삭 숫돌(3)로 연삭하는 공정에 있어서, 연삭 숫돌(3)에 접촉하지 않는 위치에 설치되어 있다. 환언하면, 화상 센서(10)는 연삭 공정에 있어서, 연삭 숫돌(3)로부터 떨어진 위치에 설치되어 있고, 연삭 숫돌(3)로부터 떨어진 기판(40)의 가공면을 촬상한다.
화상 해석 장치(20)는 화상 센서(10)로 촬상된 기판(40)의 가공면의 화상 데이터로부터, 이종 재료부(42)의 노출량을 해석하는 장치이다. 화상 해석 장치(20)는 화상 센서(10)에 접속되어 있음과 함께, 연삭 장치(1)의 연삭 가공을 제어하는, 도시하지 않은 제어 장치에 접속되어 있다.
화상 해석 장치(20)에서 해석된 화상 데이터는 제어 장치에 보내진다. 제어 장치는 화상 해석 장치(20)에서 해석된 이종 재료부(42)의 노출량에 기초하여, 기판(40)을 회전시키는 구동 수단, 연삭 숫돌(3)을 회전시키는 구동 수단, 및 기판(40)과 연삭 숫돌(3)을 상대 이동시키는 이송 기구를 제어한다. 이에 의해, 기판(40)의 가공면으로부터 노출된 이종 재료부(42)가 연삭된다.
즉, 연삭 장치(1)는 연삭 가공 중에 기판(40)의 가공면을 화상 센서(10)로 연속적으로 촬상하여, 이종 재료부(42)가 노출되기 시작한 상태(단계)로부터 이종 재료부(42)의 노출량이 소정의 설정값에 도달하는 단계까지, 연삭 가공을 계속하여 실행한다.
연삭 장치(1)는 종래 기술처럼 연삭 가공의 실행 및 정지를 반복하지 않고, 기판(40)의 고정밀도 연속 연삭 가공을 단시간에 효율적으로 실행할 수 있다. 따라서, 연삭 장치(1)는 기판(40)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
연삭 장치(1)는 화상 센서(10)에 의한 촬상 개소 근방에 순수를 공급하는, 촬상수 공급 장치(19)를 갖는다. 구체적으로는, 화상 센서(10)의 선단 근방은 하우징(12)으로 덮여 있고, 하우징(12)에는, 촬상수 공급 장치(19)로부터의 순수를 공급하는 배관(18)이 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 배관(18)을 개재하여 촬상수 공급 장치(19)로부터 하우징(12) 내부에 순수가 공급된다. 한편, 촬상수 공급 장치(19)는 상술한 연삭수 공급 장치(25)를 겸해도 된다.
도 2는 연삭 장치(1)의 화상 센서(10)의 선단 근방을 나타내는 도면이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 화상 센서(10)의 선단 근방, 즉 촬상구(11) 근방은 하우징(12)으로 덮여 있다. 연삭 가공시에는, 촬상구(11) 근방에 촬상수 공급 장치(19)(도 1 참조)로부터 순수가 공급된다.
상세하게는, 하우징(12)은 화상 센서(10)의 촬상구(11) 근방을 덮는 내하우징(13)과, 내하우징(13)을 덮는 외하우징(15)을 갖는다. 그리고, 내하우징(13)과 외하우징(15) 사이의 영역, 즉 내하우징(13)의 외측이면서 외하우징(15)의 내측 영역이 순수의 유로가 된다.
촬상구(11) 근방의 내하우징(13)에는, 촬상 창부(14)가 형성되어 있다. 촬상 창부(14)는 도시하지 않은 광원으로부터 조사되는 광을 투과함과 함께, 기판(40)의 촬상 개소로부터의 반사광을 투과한다. 촬상 창부(14)는 촬상용 광은 투과하지만, 액체가 유통 가능한 개구는 아니다. 촬상수 공급 장치(19)로부터 공급되는 순수가 하우징(12) 내로부터 화상 센서(10)측으로 유입되지는 않는다.
따라서, 기판(40)의 연삭 부스러기 등이 화상 센서(10)의 촬상구(11)에 부착되지 않고, 촬상 성능의 저하가 억제된다. 또한, 화상 센서(10)의 소자 및 배선 계 등이 순수에 젖어 파손될 우려도 없다.
외하우징(15)의 하부에는, 하우징(12) 내의 순수를 기판(40)을 향해 유출시키는 수출구(17)가 형성되어 있다. 즉, 연삭 가공에 있어서는, 촬상수 공급 장치(19)로부터 하우징(12) 내에 공급된 순수는, 화상 센서(10)의 촬상구(11) 근방, 즉 내하우징(13)의 촬상 창부(14) 근방을 통과하여, 기판(40)의 촬상 개소 근방으로 유출된다.
상술한 구성에 의해, 기판(40)의 연삭 부스러기 등이, 화상 센서(10)의 촬상구(11) 근방에 비산하는 것, 또는, 유통하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들면, 금속 재료로 이루어지는 이종 재료부(42)가 삽입된 수지제의 기판(40)을 연삭 가공하는 경우에도, 화상 센서(10)의 촬상구(11) 및 하우징(12)의 촬상 창부(14)가, 딱딱한 금속 부스러기에 의해 손상되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 연삭 부스러기 등에 기인하는 촬상 정밀도의 저하를 억제할 수 있기 때문에, 고정밀도 촬상이 가능해진다.
또한, 상술한 바와 같이, 화상 센서(10)는 기판(40)에 광을 조사하는 광원과, 반사광을 촬상하는 카메라를 갖는다. 화상 센서(10)의 광원은 예를 들면 스폿 스트로보 발생형이다. 그리고, 화상 센서(10)의 카메라의 화상 취득 시간, 즉 셔터 스피드는, 예를 들면 1∼100마이크로초이다. 한편, 화상 센서(10)의 화상 취득 시간은 기판(40)의 회전 속도에 동기하여 설정된다. 이러한 구성에 의해, 연삭 가공 중에 노출되는 이종 재료부(42)를 고정밀도로 고속 검출할 수 있다.
이와 같이, 연삭 장치(1)는 연삭 중에 수평 회전하는 기판(40)의 가공면의 화상을, 화상 센서(10)로 고속도로 연속적으로 취득할 수 있다. 예를 들면, 기판(40)이 가로세로 약 300㎜의 FOPLP 기판이며, 그 회전 속도가 약 300rpm이어도, 기판(40)의 가공면을 고정밀도로 촬상할 수 있다.
그리고, 화상 해석 장치(20)에 의해, 화상 데이터의 색채 및 화상 패턴이 고정밀도로 해석되어, 이종 재료부(42)의 노출 상황이 정확하게 파악된다. 그리고, 연삭 장치(1)는 이종 재료부(42)의 노출량이 미리 설정한 목표치에 도달하면, 연삭 가공을 정지한다.
이와 같이, 연삭 장치(1)는 고속도로 화상 데이터를 취득하는 화상 센서(10)에 의해, 상 결손이 없는 고정밀도 화상 데이터를 수집할 수 있다. 이 때문에, 종래 기술의 연삭 장치와 같이, 접촉식 센서로 기판(40)의 두께를 측정하기 위해 연삭의 개시 및 정지가 반복하여 행해지지 않고, 가공 목표 위치의 종점까지 정지하지 않고 연속하여 확실히 연삭할 수 있다.
또한, 하우징(12)의 촬상 창부(14)는 기판(40)의 가공면, 즉 수평면에 대해 경사되도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 기판(40)의 가공면에 대한 촬상 창부(14)의 경사 각도는, 예를 들면, 5도∼15도이며, 바람직하게는 5도∼12도, 보다 바람직하게는, 5도∼10도이다.
이와 같이 촬상 창부(14)의 경사 각도가 5도 이상임으로써, 촬상 창부(14)에 있어서의 난반사를 억제할 수 있기 때문에, 화상 데이터의 정확성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 고정밀도 화상 데이터 취득이 가능해져, 고정밀도 연삭 가공이 가능해진다.
한편, 촬상 창부(14)의 경사 각도가 15도를 초과하여 커지면, 굴절에 의해 광선의 각도 어긋남이 커지므로, 촬상 대상 개소로부터의 간격이 커져, 계측값에 오차가 발생한다. 이 때문에, 상술한 범위 내의 경사 각도가 바람직하다. 바람직한 경사 각도에 의해 고정밀도 촬상 데이터 취득을 행함으로써, 고정밀도 연삭 가공이 실현된다.
한편, 도시를 생략하지만, 연삭 장치(1)는 화상 센서(10)의 위치를 조절하는 포커스 기구와, 화상 센서(10)의 기울기를 조정하는 틸트 기구를 구비하고 있다. 포커스 기구는 화상 센서(10)의 광원, 카메라, 및 촬상 창부(14) 중 적어도 1개의 위치, 구체적으로는 기판(40)으로부터의 높이를 미세 조정할 수 있다. 틸트 기구는 화상 센서(10)의 광원, 카메라, 및 촬상 창부(14) 중 적어도 1개의 기울기, 즉 기판(40)의 가공면에 대한 경사 각도를 미세 조정할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 화상 센서(10)는 고정밀도 촬상 데이터를 취득할 수 있다.
이어서, 도 1, 도 2, 및 도 3(A)∼도 3(C)를 참조하여, 연삭 장치(1)를 이용한 연삭 방법에 대해 상세하게 설명한다.
도 3(A)∼도 3(C)는 본 개시의 실시형태에 따른 연삭 방법에 있어서의 워크 근방을 나타내는 도면이다. 도 3(A)는 연삭 가공 전, 도 3(B)는 연삭 가공 중, 도 3(C)는 연삭 가공 후의 기판(40)의 형태를 모식적으로 나타내고 있다.
도 3(A)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상인 기판(40)의 본체부(41) 내부에는, 본체부(41)를 구성하는 주된 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부(42)가 삽입되어 있다. 즉, 적어도, 본체부(41)와, 본체부(41)에 삽입된 이종 재료부(42)는 상이한 재료로 구성되어 있다.
구체적으로는, 연삭 장치(1)의 가공 대상이 되는 기판(40)은 수지 기판, 반도체 기판, 또는 절연성 기판 등이며, 기판(40)의 주된 구성 재료는 각종 수지, 실리콘, SiC(탄화규소), 비화갈륨, 또는 사파이어 등이다.
연삭 장치(1)는 특히 수지 기판에 대해 우수한 가공 성능을 발휘한다. 예를 들면, 연삭 장치(1)는 FOPLP 기술에 의한, 몰드 수지, 금속, 및 반도체 디바이스 칩을 포함하는 대형 복합 기판의 연삭에 이용된다.
또한, 연삭 장치(1)는 몰드 수지를 이용하는 그 밖의 기판 제조 공정, 예를 들면, FOWLP(Fan Out Wafer Level Package), 또는, SiP(System In a Package)에 있어서도 이용 가능하다.
기판(40)을 구성하는 주된 재료로는, 에폭시계 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지 등의 각종 수지 재료를 채용할 수 있다. 또한, 수지 기판으로서의 기판(40)을 구성하는 수지 재료는, 전기 특성을 개선하기 위한 실리카 필러를 포함해도 된다.
기판(40)에 삽입된 이종 재료부(42)는, Cu, Au(금), Ti(티탄), Al(알루미늄), 또는 Pt(백금) 등의 금속 재료를 포함하는 전극 등이어도 된다. 또한, 이종 재료부(42)에는, 반도체 재료 또는 절연성 재료 등이 포함되어도 된다.
도 1 및 도 3(A)에 나타내는 바와 같이, 기판(40)의 연삭 공정에 있어서, 기판(40)은 기판 척(4)의 상면에 유지되고, 구동 수단으로 구동되어 수평 회전한다. 회전하고 있는 기판(40)의 가공면, 즉 기판(40)의 상면을 향해, 도시하지 않은 구동 수단으로 구동되어 수평 회전하는 연삭 숫돌(3)이 하강한다. 하강한 연삭 숫돌(3)의 칼끝이 당접함으로써, 기판(40)의 가공면이 연삭된다. 기판(40)의 가공면은 이와 같이 기판(40)과 연삭 숫돌(3)의 양쪽을 회전시키고, 연삭 숫돌(3)을 하강시켜 연삭을 행하는 다운 피드 연삭 방식에 의해 연삭된다.
연삭 가공 중에는, 화상 센서(10)에 의해 기판(40)의 가공면이 연속적으로 촬상된다. 그리고, 화상 센서(10)에서 얻어진 화상 데이터는 화상 해석 장치(20)에 의해 해석된다. 즉, 가공면의 색채 정보 및 화상 패턴 정보로부터, 이종 재료부(42)의 노출량이 구해진다.
연삭 가공을 행하면, 기판(40)의 상부의 본체부(41)가 연삭되고, 도 3(B)에 나타내는 바와 같이, 이종 재료부(42)의 노출이 시작된다. 상술한 바와 같이, 화상 센서(10)에 의해 기판(40)의 가공면이 촬상되고, 화상 해석 장치(20)에 의해 화상 데이터가 해석됨으로써, 이종 재료부(42)의 노출 상황이 정확하게 검지된다.
구체적으로는, 화상 해석 장치(20)는 기판(40)의 가공면의 화상 데이터 중, 미리 지정된 색채 패턴을 검출하면, 그 색채 패턴의 셀 수에 기초하여, 이종 재료부(42)의 노출량을 해석한다. 이에 의해 이종 재료부(42)의 노출도가 정확하게 구해진다.
이 때문에, 본 실시형태의 연삭 방법에서는, 종래 기술의 연삭 방법과 같이, 연삭 숫돌(3)에 의한 연삭 가공을 일시 정지하여 기판(40)의 회전을 멈추고, 접촉식 센서 등을 이용하여 이종 재료부(42)의 기판(40)의 두께를 측정하는 공정이 불필요하다.
계속해서, 도 3(C)에 나타내는 바와 같이, 모든 이종 재료부(42)의 상단이 기판(40)으로부터 노출되면, 화상 해석 장치(20)는 화상 데이터를 해석함으로써, 이종 재료부(42)의 노출량이 설정된 종료값에 도달한 것을 정확하게 검지한다.
구체적으로는, 화상 해석 장치(20)는 미리 지정된 색채 패턴의 셀 수가 일정 조건 이상에 도달하면, 이종 재료부(42)의 노출량이 종료값에 도달했다고 판단한다.
그리고, 제어 장치에 의해, 연삭 숫돌(3)을 기판(40)의 가공면으로부터 이간하는 제어를 행한다. 이어서, 연삭 숫돌(3)과 기판(40)의 회전을 정지하는 제어를 행하고, 연삭 가공이 종료된다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 연삭 방법에 의하면, 이종 재료부(42)가 노출되기 시작한 상태로부터 이종 재료부(42)의 노출량이 소정의 설정값에 도달하는 단계까지, 연삭 가공이 계속하여 행해진다. 즉, 기판(40)이 금속 등의 이종 재료부(42)가 삽입된 수지 기판이어도, 연삭 가공의 실행 및 정지를 반복하지 않고, 생산성이 우수한 연속적이고 효율적인 연삭 가공을 행할 수 있다.
이어서, 본 개시의 다른 실시형태에 따른 연삭 장치(101)에 대해, 도 4를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 4는 연삭 장치(101)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 한편, 이미 설명한 실시형태와 동일 혹은 유사한 작용 또는 효과를 나타내는 구성요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 연삭 장치(101)는, 고압수를 공급하는 고압수 발생 장치(30)와, 고압수 발생 장치(30)로부터 공급된 고압수를 연삭 숫돌(3)에 분사하는 고압수 노즐(31)을 갖는다.
고압수 노즐(31)은, 연삭 가공시 기판(40)의 가공면에 접촉되어 있지 않는 연삭 숫돌(3)의 하방 근방에 형성되어 있다. 고압수 노즐(31)은 기판(40)의 가공면에 접촉되어 있지 않는 연삭 숫돌(3)의 칼끝을 향해, 고압수를 분출한다.
고압수 노즐(31)로부터 분출되는 고압수의 압력은 예를 들면, 3MPa∼20MPa이며, 바람직하게는, 10MPa∼14MPa이다. 고압수 노즐(31)로부터 분출되는 고압수의 분출각은 5도∼20도가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 8도∼12도이다.
또한, 고압수 노즐(31)은 복수 형성되어도 된다. 또한, 고압수 노즐(31)은 1∼20㎜/sec의 속도, 또한 1∼10㎜의 요동폭으로 요동하는 기구를 가져도 된다.
이러한 고압수 발생 장치(30) 및 고압수 노즐(31)이 형성되는 구성은, 수지제 기판(40)에 금속 재료로 이루어지는 이종 재료부(42)가 삽입되어 있을 때, 특히 유효하다. 즉, 고압수 노즐(31)로부터 분출되는 고압수에 의해, 연삭 숫돌(3)에 부착된 금속 부스러기 등을 제거하여, 연삭 숫돌(3)의 클로깅을 억제할 수 있다.
이와 같이 연삭 숫돌(3)의 클로깅을 억제할 수 있음으로써, 연속된 장시간의 연삭 가공이 가능해진다. 따라서, 이러한 연삭 숫돌(3)의 클로깅을 억제하는 구성과, 고속 촬상이 가능한 화상 센서(10)를 이용하여 이종 재료부(42)의 노출 상태를 정확하게 검출하여, 연속된 연삭 가공을 행하는 구성의 조합에 의해, 종래 기술에서는 불가능했던 고효율적이면서 고정밀도인 연속 연삭 가공을 실현할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에 따른 연삭 방법은 종래의 다이아몬드 바이트를 사용한 밀링 커터에 의한 절삭 가공과는 완전히 상이한 가공 방법이다. 상기 실시형태의 연삭 방법에 의하면, 밀링 커터에 의한 절삭 가공에서는 실현될 수 없는 우수한 가공 성능이 얻어지고, 저비용으로 효율적이면서 고평탄도의 연삭 가공이 가능하다.
한편, 본 개시는 상기 실시형태로 한정되는 것이 아니고, 그 외에 본 개시의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경 실시가 가능하다.
상술한 상세한 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제시된 것이다. 상기 개시 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 상기 개시된 구체적인 형태로 본 발명을 망라하거나 제한하는 것은 아니다. 본 발명은 구조적인 특징 및/또는 방법적인 행위에 대한 용어로 기재되어 있지만, 첨부된 청구범위에 따른 본 발명은 상술한 구체적인 특징 또는 행위로 전혀 제한되지 않는 것을 이해해야 한다. 상술한 구체적인 특징 또는 행위는 단지 상기 첨부된 청구범위를 실시하기 위한 예시로서 개시되어 있는 것이다.

Claims (4)

  1. 기판을 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 연삭 방법으로서,
    상기 기판에는, 상기 기판의 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입되어 있고,
    회전하고 있는 상기 기판을 향해, 상기 연삭 숫돌을 회전시키면서 하강시켜, 상기 기판을 상기 연삭 숫돌로 연삭 가공하는 공정과,
    상기 연삭 가공 중, 상기 기판의 가공면을 화상 센서로 연속적으로 촬상하는 공정과,
    상기 화상 센서에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 공정과,
    해석된 상기 노출량에 기초하여, 상기 이종 재료부가 노출되기 시작한 상태로부터, 상기 이종 재료부의 상기 노출량이 소정의 설정값에 도달하는 단계까지, 상기 연삭 가공을 계속하여 실행하는 공정을 포함하는, 연삭 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 수지 기판이며, 상기 이종 재료부는 금속 재료를 포함하는 연삭 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화상 센서에 의한 촬상은 스폿 스트로보 발생형 광원을 이용하여, 1∼100마이크로초의 화상 취득 시간으로 행해지는 연삭 방법.
  4. 주된 구성 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 이종 재료부가 삽입된 기판을 유지하며 회전하는 기판 척과,
    상기 기판 척에 유지된 상기 기판에 대향하는 연삭 숫돌을 유지하고, 상기 기판 척의 회전축으로부터 직경 방향으로 오프셋한 위치를 회전축으로 회전하는 연삭 헤드와,
    상기 연삭 숫돌과 상기 기판이 접근 혹은 이간하는 방향으로, 상기 연삭 헤드 또는 상기 기판 척을 이송하는 이송 기구와,
    회전하는 상기 기판을 회전하는 상기 연삭 숫돌로 연삭하는 공정에 있어서, 상기 기판의 가공면을 촬상하는 화상 센서와,
    상기 화상 센서로 촬상된 상기 가공면의 화상 데이터에 기초하여 상기 이종 재료부의 노출량을 해석하는 화상 해석 장치를 갖고,
    상기 화상 해석 장치에서 해석된 상기 노출량에 기초하여 상기 이송 기구가 제어되어, 상기 가공면으로부터 노출된 상기 이종 재료부가 연삭되는, 연삭 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5773316A (en) * 1994-03-11 1998-06-30 Fujitsu Limited Method and device for measuring physical quantity, method for fabricating semiconductor device, and method and device for measuring wavelength
JP3183259B2 (ja) * 1998-06-03 2001-07-09 日本電気株式会社 半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及び研磨終了点検出方法
US6609946B1 (en) * 2000-07-14 2003-08-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for polishing a semiconductor wafer
JP4165467B2 (ja) * 2004-07-12 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 ダイシングシート、半導体装置の製造方法
JP5731806B2 (ja) * 2010-12-02 2015-06-10 株式会社ディスコ 研削装置
US10565701B2 (en) * 2015-11-16 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Color imaging for CMP monitoring
JP6475604B2 (ja) * 2015-11-24 2019-02-27 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP6637831B2 (ja) * 2016-04-28 2020-01-29 株式会社ディスコ デバイスの製造方法及び研削装置
JP7270373B2 (ja) * 2018-12-20 2023-05-10 株式会社岡本工作機械製作所 樹脂を含む複合基板の研削方法及び研削装置

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