KR20220117814A - 수지 조성물, 표면의 보호 방법, 및 피가공물의 가공 방법 - Google Patents

수지 조성물, 표면의 보호 방법, 및 피가공물의 가공 방법 Download PDF

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KR20220117814A
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Abstract

(과제) 표면 보호 시트를 개재하여 유지 테이블로 유지된 웨이퍼에 가공을 실시할 때에, 표면 보호 시트의 표면이 평탄하지 않은 것에 기인하는 가공 불량을 방지함과 함께, 가공 후에 웨이퍼로부터 표면 보호 시트를 용이하게 박리할 수 있는 신규한 기술을 제공한다.
(해결 수단) 피가공물에 표면 보호 시트를 개재하여 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물에 있어서, (메트)아크릴레이트와, 연쇄 이동제와, 광중합 개시제를 포함하는 수지 조성물.

Description

수지 조성물, 표면의 보호 방법, 및 피가공물의 가공 방법{RESIN COMPOSITION, METHOD OF PROTECTING SURFACE, AND METHOD OF PROCESSING WORKPIECE}
본 발명은, 피가공물의 표면을 보호하는 보호층을 형성하기 위한 수지 조성물, 및 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.
종래, 예를 들어, 특허문헌 1에 개시되는 바와 같이, 이면 연삭되는 웨이퍼의 표면을 보호하는 표면 보호 시트가 알려져 있다.
이 종류의 표면 보호 시트의 표면에는 풀층이 형성되고, 웨이퍼의 표면에 풀층을 첩착함으로써, 점착력에 의해 표면 보호 시트와 웨이퍼가 일체화된다.
그러나, 특히, 웨이퍼의 표면에 디바이스가 형성되어 있는 경우에 있어서, 표면 보호 시트의 풀이 디바이스에 잔존해 버리면, 이후의 세정 공정에서도 풀의 제거가 어려워, 디바이스를 손상시켜 버릴 우려가 있다. 또한, 특히 디바이스 표면에 범프 등의 돌기 전극이 형성되어 있는 경우에는, 범프의 근원에 부착된 풀은 제거가 어려워, 실장 불량 등의 문제를 일으킬 수도 있다.
일본 공개특허공보 제2017-85122호
그래서, 풀층을 갖지 않는 표면 보호 시트를 이용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 범프의 높이가 표면 보호 시트의 두께보다 큰 경우 등에서는, 웨이퍼에 첩착된 표면 보호 시트의 표면이 평탄해지지 않고, 요철이 형성되게 된다. 만일, 이 상태에서 웨이퍼를 표면 보호 시트를 개재하여 유지 테이블로 유지한 경우에는, 노출된 웨이퍼의 상면 높이가 균일해지지 않기 때문에, 웨이퍼의 이면측을 가공할 때에 여러 가지 문제가 발생하는 것이 염려된다.
구체적으로는, 이면 연삭된 웨이퍼에 두께 편차가 발생하는 것이나, SD 가공(스텔스 다이싱(등록 상표) 가공)한 경우에 형성되는 개질층에 높이 편차가 발생하고, 후의 분할 공정에서 분할되지 않는 영역 등이 발생하는 것이나, 블레이드나 레이저로 형성되는 홈의 깊이에 편차가 발생하는 것, 등의 문제가 발생하는 것이 염려된다.
여기서, 표면 보호 시트 상에 수지층을 적층하고, 웨이퍼의 표면에 범프 등으로 형성되는 요철을 메움으로써 표면 보호 시트의 표면을 평탄하게 하여, 웨이퍼의 상면 높이를 균일하게 하는 것을 생각할 수 있다.
그러나, 가공 후에 표면 보호 시트를 박리할 때에, 표면 보호 시트와 수지층이 분리되어, 수지층만이 박리되어 버리는 것이 염려된다. 이 경우, 웨이퍼에 표면 보호 시트가 부착된 상태로 되어, 표면 보호 시트 전체를 웨이퍼로부터 박리할 수 없게 되어 버린다.
또한, 풀층을 갖는 표면 보호 시트를 이용하는 경우에 있어서도, 표면 보호 시트와 수지층을 분리시키지 않고, 표면 보호 시트 전체를 웨이퍼로부터 박리시키는 것이 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 표면 보호 시트를 개재하여 유지 테이블로 유지된 웨이퍼에 가공을 실시할 때에, 표면 보호 시트의 표면이 평탄하지 않은 것에서 기인하는 가공 불량을 방지함과 함께, 가공 후에 웨이퍼로부터 표면 보호 시트를 용이하게 박리할 수 있는 신규 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 피가공물에 표면 보호 시트를 개재하여 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물에 있어서, (메트)아크릴레이트와, 연쇄 이동제와, 광중합 개시제를 포함하는 수지 조성물이 제공된다.
바람직하게는, 상기 수지 조성물에 있어서의 상기 연쇄 이동제의 함유량이, 그 광중합 개시제에 대하여 0.4∼5 배이다.
바람직하게는, 상기 연쇄 이동제는 티올이다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 수지 조성물을 사용한 피가공물의 일측의 표면의 보호 방법에 있어서, 피가공물의 상기 표면에 상기 표면 보호 시트를 밀착시키는 표면 보호 시트 밀착 단계와, 상기 표면 보호 시트 상에 상기 수지 조성물을 공급함과 함께, 상기 수지 조성물에 광을 조사하여 경화시켜 수지층을 형성하고, 피가공물의 상기 표면에 적어도 상기 표면 보호 시트와 상기 수지층을 가진 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 구비하는 표면의 보호 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 수지 조성물을 사용한 피가공물의 가공 방법에 있어서, 피가공물의 상기 표면에 상기 표면 보호 시트를 밀착시키는 표면 보호 시트 밀착 단계와, 상기 표면 보호 시트 상에 상기 수지 조성물을 공급함과 함께, 상기 수지 조성물에 광을 조사하여 경화시켜 수지층을 형성하고, 피가공물의 상기 표면에 적어도 상기 표면 보호 시트와 상기 수지층을 가진 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계와, 상기 보호층측을 유지 테이블로 유지함과 함께, 피가공물의 이면측을 가공하여 박화하는 박화 가공 단계와, 상기 보호층을 피가공물의 표면으로부터 박리시키는 박리 단계를 구비하는 피가공물의 가공 방법이 제공된다.
본 발명에서는, 피가공물의 표면에 밀착되는 표면 보호 시트와, 표면 보호 시트에 적층된 수지층에 의해 보호층이 형성된다. 수지층은, (메트)아크릴레이트와 연쇄 이동제와 광중합 개시제를 포함하는 수지 조성물로 형성된다. 이로써, 표면 보호 시트의 표면에 요철이 형성되어도 수지층에 의해 요철을 흡수할 수 있어, 보호층의 표면을 평탄하게 형성할 수 있다. 또한, 표면 보호 시트와 수지층이 강고하게 일체화되어, 양자가 분리되지 않고 일체로서 웨이퍼로부터 박리시킬 수 있다.
도 1은 피가공물의 일례인 웨이퍼에 대해서 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 흐름도이다.
도 3(A)는 진공 마운트 장치에 의한 표면 보호 시트의 밀착에 대해서 나타내는 단면도이다. 도 3(B)는 표면 보호 시트를 웨이퍼의 표면에 밀착시킨 상태에 대해 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 보호층 형성 단계에 대해 나타내는 단면도이다.
도 5(A)는 수지 조성물을 경화시키는 모습에 대해서 도시하는 단면도이다. 도 5(B)는 웨이퍼의 표면에 보호층이 형성된 모습에 대해 나타내는 확대 단면도이다.
도 6(A)는 표면 보호 시트 밀착 단계에 있어서 환형 프레임을 이용하는 예에 대해 나타내는 단면도이다. 도 6(B)는 진공 마운트 장치에 의한 표면 보호 시트의 밀착에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 7은 보호층 형성 단계의 다른 예에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 8(A)는 수지 조성물을 경화시키는 모습에 대해서 도시하는 단면도이다. 도 8(B)는 웨이퍼의 표면에 보호층이 형성된 모습에 대해 나타내는 단면도이다. 도 8(C)는 환형 프레임을 제거한 상태에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 9(A)는 웨이퍼의 보호층을 하측에 배치한 상태에 대해서 나타내는 단면도이다. 도 9(B)는 박화 가공 단계에 대해서 나타내는 단면도이다.
도 10(A)는 박화된 웨이퍼의 박리 장치의 유지 테이블로의 재치에 대해서 나타내는 단면도이다. 도 10(B)는 박리 단계에 대해 나타내는 단면도이다.
도 11(A)는 박리 단계에 있어서 보호층이 박리되는 과정에 대해 나타내는 단면도이다. 도 11(B)는 보호층이 박리된 후의 상태에 대해 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명 실시형태에 대해 설명한다. 도 1에는, 피가공물의 일례인 웨이퍼(10)에 대해 나타내는 것이다. 웨이퍼(10)는, 실리콘을 모재로 하는 반도체 웨이퍼이며, 원판 형상의 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 복수의 스트리트(12)에 의해 격자형으로 구획된 복수의 영역에, IC나 LSI 등의 디바이스(14)가 형성되어 있다.
도 1의 확대 부분에 도시한 바와 같이, 각 디바이스(14)의 주연 부분에는, 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 돌출되는 복수의 범프(16)(전극)가 형성되어 있고, 이 범프(16)에 의해 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 요철이 형성된다. 또한, 스트리트(12)에 TEG(Test Element Group)가 형성되는 경우에는, 이 TEG에 의해서도 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 요철이 형성된다.
본 발명의 가공 대상으로 하는 피가공물은, 도 1에 나타내는 형태 이외에도 여러 가지의 것이 있고, 반도체 웨이퍼뿐만 아니라 광 디바이스 웨이퍼나 수지 기판, 유리, 세라믹스 등도 가공 대상이 되는 것 이외에, 이들에 한정되지 않는다.
이상과 같은 표면(10a)에 범프(16)에 의한 요철이 형성되는 웨이퍼(10)에 대해서, 표면(10a)에 보호층을 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 이하의 실시 형태에서는, 도 2에 도시하는 흐름도의 각 단계가 순서대로 실시된다.
<표면 보호 시트 밀착 단계>
도 1 및 도 3(A), 도 3(B)에 나타내는 바와 같이, 피가공물인 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 표면 보호 시트(20)를 밀착시키는 단계이다. 표면 보호 시트(20)는, PO(폴리올레핀), PVC(폴리염화비닐), PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), 폴리염화비닐리덴(PVDC), PE(폴리에틸렌) 등으로 이루어지는 얇은 시트 형상의 부재이며, PO는 범프(16)의 요철로의 추종성이 양호하므로 특히 적합하게 이용된다.
표면 보호 시트(20)의 이면(20b)은, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 밀착되는 것이며, 후에 박리될 것이 예정되는 것이다. 표면 보호 시트(20)의 이면(20b)에는 점착력을 발휘하는 풀층이 형성되어 있지 않고, 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 디바이스(14)나, 범프(16)에 대하여 표면 보호 시트(20)가 점착되는 일이 없는 것을 이용할 수 있다.
또한, 표면 보호 시트(20)의 이면(20b)의 전체면, 또는 일부에 점착력을 발휘하는 풀층이 형성되는 것이라도 좋다. 예를 들어, 표면 보호 시트(20)의 이면(20b)에 있어서, 웨이퍼(10)의 외주 가장자리를 따르도록 링 형상의 풀층을 형성하고, 디바이스(14)가 형성되는 영역의 외측의 영역에 있어서, 표면 보호 시트(20)를 풀층을 개재하여 웨이퍼(10)에 접착시키는 것으로 해도 좋다.
본 실시형태에서는, 도 3(A)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 표면 보호 시트(20)의 이면(20b)을 덮어 씌운 상태로 하고, 진공 마운트 장치(3)의 진공 챔버(30) 내의 가열 테이블(32) 상에 웨이퍼(10)를 세트한다. 계속해서, 진공 챔버(30) 내를 진공원(34)과 통하게 하여 진공화함과 함께, 가열 테이블(32)에서 웨이퍼(10)를 가열하여 표면(10a)의 온도를 상승시킨다. 이에 따라, 도 3(B)에 나타내는 바와 같이, 연화된 표면 보호 시트(20)가 범프(16) 등의 요철을 따르면서, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 밀착된다.
도 3(B)에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 시트(20)에는, 범프(16) 등의 요철을 따른 요철이 형성되게 되지만, 이 요철이 후술하는 수지층(50)(도 5(B))에 의해 해소되게 된다.
또한, 도 3(A)에 나타내는 바와 같이, 가열 테이블(32)에서 웨이퍼(10)를 가열함으로써 표면 보호 시트(20)를 연화시키는 것 이외에, 표면 보호 시트(20)를 직접 가열하는 히터나 램프에 의해, 표면 보호 시트(20)를 연화시키는 것으로 해도 좋다.
<보호층 형성 단계>
도 4 및 도 5(A), 도 5(B)에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 시트(20) 상에 수지 조성물(5)을 공급함과 함께, 수지 조성물(5)에 광을 조사하여 경화시켜 수지층(50)을 형성하고, 피가공물인 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 적어도 표면 보호 시트(20)와 수지층(50)을 가진 보호층(6)을 형성하는 단계이다.
구체적으로는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 우선, 스테이지(40)의 평탄한 지지면(40a) 상에 자외선을 투과시키는 필름(41)이 배치되고, 필름(41)의 상면에 소정량의 수지 조성물(5)을 재치한 상태로 한다. 수지 조성물(5)은, 후술하는 바와 같이, 표면 보호 시트(20)에 형성되는 요철에 간극 없이 인입할 수 있는 상태의 것이며, 점도가 높고 유동성을 갖는 액체의 것으로 하는 것 이외에, 정형성이 없는 겔상의 것, 변형 가능한 고체(시트 형상의 겔 등)의 것을 사용할 수 있다. 또한, 필름(41)을 사용하지 않고, 스테이지(40)의 지지면(40a)에 직접 수지 조성물(5)을 재치한 상태로 해도 된다.
스테이지(40)는, 유리 등의 투명 부재로 구성되고, 하방에 배치되는 광 조사기(46)의 광원(46a)으로부터 조사되는 자외선을 투과시키는 것이다. 광원(46a)은, 소정 파장의 자외선을 조사하는 LED 라이트(또는 저압 수은 램프 등)로 구성할 수 있다.
필름(41)은, 자외선을 투과시키는 수지로 구성할 수 있고, 예를 들어, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)로 구성할 수 있다. 또한, 필름(41)은, 수지 조성물(5)과 동일한 수지에 의해 미리 시트 형상으로 성형된 것을 사용할 수도 있다.
이어서, 웨이퍼 유지 유닛(60)의 흡착 유지면(62)에 의해 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 유지한 상태로 하여, 표면 보호 시트(20)를 하측에 배치한다. 흡착 유지면(62)은 흡인원(63)과 통해 있고, 부압에 의해 웨이퍼(10)의 이면(10b)이 흡착 유지된다. 표면 보호 시트(20)는 하측에 배치되고, 필름(41)에 탑재된 수지 조성물(5)에 대향하는 상태가 된다. 웨이퍼 보유 지지 유닛(60)의 흡착 유지면(62)은, 스테이지(40)의 평탄한 지지면(40a)과 평행해지도록 구성된다.
이어서, 도 5(A)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 유지 유닛(60)을 하강시킴으로써, 표면 보호 시트(20)에 의해 수지 조성물(5)을 확장하여, 표면 보호 시트(20)와 필름(41) 사이의 간극을 수지 조성물(5)로 메운 상태로 한다. 도 5(B)에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물(5)은, 표면 보호 시트(20)에 형성되어 있던 요철에 간극없이 들어간다.
이어서, 도 5(A)에 나타내는 바와 같이, 광원(46a)으로부터 소정 파장의 자외선을, 스테이지(40), 및 필름(41)을 통해 수지 조성물(5)에 조사한다. 이에 의해, 수지 조성물(5)이 자외선에 의해 경화되어 수지층(50)을 형성한다.
이상과 같이 하여, 도 5(B)에 나타내는 바와 같이, 피가공물인 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 표면 보호 시트(20)와 수지층(50)을 가진 보호층(6)이 형성된다. 본 실시 형태에서는, 보호층(6)에 필름(41)이 적층된 상태로 되고, 필름(41)의 하면(41a)이, 스테이지(40)의 지지면(40a)을 따르도록 평탄하게 된다. 필름(41)을 보호층(6)의 구성 요소로 하고, 표면 보호 시트(20), 수지층(50), 필름(41)의 3층으로 보호층(6)이 구성되는 것으로 해도 좋다.
또한, 도 6(A), 도 6(B)에 나타낸 바와 같이, 표면 보호 시트 밀착 단계에 있어서, 환형 프레임(24)과 일체화시킨 표면 보호 시트(20)를 웨이퍼(10)에 밀착시키는 것으로 해도 좋다. 이 경우, 환형 프레임(24)과 표면 보호 시트(20)는, 웨이퍼(10)의 위치보다 외측에 배치되는 풀층(26)에 의해 일체화된다.
그리고, 도 7 및 도 8(A)에 나타내는 바와 같이, 보호층 형성 단계에 있어서, 환형 프레임(24)과 일체화시킨 표면 보호 시트(20)에 수지층(50)을 적층시킨다. 그리고, 도 8(B)에 나타내는 바와 같이, 수지층(50)을 적층하여 보호층(6)을 형성한 후에는, 레이저 가공 장치 등에 의해 표면 보호 시트(20)를 절단하여 환형 프레임(24)을 분리함으로써, 도 8(C)에 나타내는 바와 같이, 보호층(6)이 형성된 웨이퍼(10)가 구성된다. 또한, 환형 프레임(24)을 분리하지 않고, 웨이퍼(10)와 일체로서 핸들링해도 좋다.
이상에서 설명한 예에서는, 웨이퍼 유지 유닛(60)으로 유지한 웨이퍼(10)를 위로부터 하강시켜, 스테이지(40)에 재치된 수지 조성물(5)을 확장하여, 표면 보호 시트(20)와 필름(41)의 사이에 수지층(50)을 형성하는 것으로 했지만, 웨이퍼(10)를 스테이지(40)에 재치하여 표면 보호 시트(20)에 수지 조성물(5)을 재치함과 함께, 수지 조성물(5)의 위로부터 필름(41)을 덮어 씌워 수지 조성물(5)을 확장하는 것으로 해도 된다.
수지 조성물(5)은, (메트)아크릴레이트와, 연쇄 이동제와, 광중합 개시제를 포함하여 구성된다. (메트)아크릴레이트는, 아크릴산 화합물인 아크릴레이트, 또는 메타크릴산 화합물인 메타크릴레이트를 가리킨다. (메트)아크릴레이트는, 우레탄 결합(우레탄기)을 갖는 것, 및/또는 갖지 않는 것을 사용할 수 있다.
우레탄 결합을 갖는 (메트)아크릴레이트는, 분자 내에 우레탄기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 말하는 것이다. 예를 들면, 라이트 아크릴레이트 IAA, AT-600, UA-306H, UA-306T, UA-306I, UA-510H, UF-8001G, DAUA-167, UF-07DF(모두 교에이샤카가쿠 가부시키가이샤 제조), R-1235, R-1220, RST-201, RST-402, R-1301, R-1304, R-1214, R-1302XT, GX-8801A, R-1603, R-1150D, DOCR-102, DOCR-206(모두 다이치 코교 세이야쿠 가부시키가이샤 제조), UX-3204, UX-4101, UXT-6100, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, UXF-4001-M35, UXF-4002, DPHA-40H, UX-5000, UX-5102D-M20, UX-5103D, UX-5005, UX-3204, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, UXF-4001-M35, UXF-4002, UXT-6100, DPHA-40H, UX-5000, UX-5102D-M20, UX-5103, UX-5005(모두 닛폰 카야쿠 가부시키가이샤 제조)를 이용할 수 있다.
우레탄 결합을 갖지 않는 (메트)아크릴레이트는, 분자 내에 (우레탄기)를 갖지 않는 것을 말한다. 예를 들어, 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트(Tetrahydrofurfuryl acrylate), 이소보르닐 아크릴레이트(Isobornyl acrylate), 1,9-노난디올 디아크릴레이트(1,9-Nonanediol diacrylate) 등을 이용할 수 있다.
연쇄 이동제로서는, 이하의 것을 사용할 수 있다. 1-부탄티올, 3-머캅토프로피온산 사이클로헥실, 1-데칸티올, 2,4-디페닐-4-메틸-1-펜텐, 1-도데칸티올, 3-머캅토프로피온산도데실, 머캅토아세트산 2-에틸헥실, 머캅토아세트산에틸, 1-헥사데칸티올, 3-머캅토프로피온산헥실, 2-머캅토에탄올, 3-머캅토-1, 2-프로판디올, 머캅토아세트산, 2-머캅토에탄술폰산나트륨, 3-머캅토프로피온산, 머캅토아세트산메틸, 머캅토숙신산, 3-머캅토프로피온산메틸, 3-머캅토프로피온산옥타데실, 3-머캅토프로피온산옥틸, 1-옥탄티올, 1-옥타데칸티올, 3-머캅토프로피온산트리데실, 티오페놀 등이다.
이 중, 특히, 1-도데칸티올이 바람직하게 사용된다.
광중합 개시제는, 수지 조성물(5)의 광(자외선) 중합을 개시시키기 위한 것이며, 이하의 것을 사용할 수 있다. 1-하이드록시 사이클로헥실페닐케톤(예를 들어, BASF사 제조의 Irgacure(등록 상표) 184 등), α-하이드록시 알킬페논(예를 들어, IGM Resins B.V.사 제조의 Omnirad(등록 상표) 184 등) 등이다. 또한, 광중합 개시제의 분량은, 수지 조성물(5)의 경화성을 유지할 수 있는 범위에서 임의로 조정된다.
연쇄 이동제는, 연쇄 이동 반응을 발생시키기 위한 것이다. 본 실시 형태에 있어서, 연쇄 이동제는, (메트)아크릴레이트끼리의 반응을 단절하도록 기능하고, (메트)아크릴레이트의 외견상의 분자량을 작게 한다. 작은 단위의 (메트)아크릴레이트끼리를 결합하기 위해, 경화한 수지 조성물(5)의 점착력(택력(tack force))을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 수지 조성물(5)에 의해 형성된 수지층(50)과, 표면 보호 시트(20)가 강고하게 일체화되어, 서로 박리되기 어려운 상황을 만들어 낼 수 있다.
수지 조성물(5)의 배합의 비율의 일례로서는, 예를 들어, 이하로 할 수 있다.
(메트)아크릴레이트가 80질량% 이상 99.4질량% 이하
연쇄 이동제가 0.5질량% 이상 15질량% 이하
광중합 개시제가 0.1질량% 이상 5질량% 이하
또한, (메트)아크릴레이트에 대해서는, 예를 들어, 우레탄 결합을 갖는 (메트)아크릴레이트와, 우레탄 결합을 갖지 않는 (메트)아크릴레이트의 질량%의 비율이 1:1인 것을 사용할 수 있다.
또한, 수지 조성물(5)에 있어서의 연쇄 이동제의 함유량은, 광중합 개시제에 대하여 0.4∼5 배로 하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 함유량이 지나치게 많으면, 연쇄 이동제를 함유시키는 것의 효과(점착력의 향상)가 저하되어 버리게 되기 때문이다. 한편, 연쇄 이동제의 함유량이 지나치게 많으면, 연쇄 이동 반응이 많이 발생하여, 자외선 경화가 되기 어려워지기 때문에, 이것을 방지하기 위함이다.
<박화 가공 단계>
도 9(A), 도 9(B)에 나타낸 바와 같이, 보호층(6)을 유지 테이블(70)에서 유지함과 함께, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측을 가공하여 박화하는 단계이다.
구체적으로는, 웨이퍼(10)의 보호층(6)을 하측으로 하고, 연삭 장치의 유지 테이블(70)의 흡인 유지면(72)에 웨이퍼(10)를 재치하여, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 노출시킨다. 연삭 지석(74a)을 갖는 연삭 휠(74)을 회전시킴과 함께, 연삭 휠(74)을 하방으로 연삭 이송함으로써, 웨이퍼(10)의 이면(10b)이 연삭 지석(74a)으로 소정의 두께가 될 때까지 연삭된다. 이 때, 유지 테이블(70)도 회전되어, 웨이퍼(10)가 회전하면서 연삭이 이루어진다.
이 박화 가공 단계 시에는, 필름(41)의 하면(41a)이 평탄하게 되어 있기 때문에, 평탄한 흡인 유지면(72)에 재치된 웨이퍼(10)의 이면(10b)도 평탄하게 되어, 웨이퍼(10)의 상면 높이(이면(10b)의 높이)를 균일하게 할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(10)를 균일하게 박화할 수 있어, 웨이퍼(10)의 두께를 균일하게 마무리할 수 있다.
또한, 연삭 지석(74a)을 사용한 연삭 가공에 의해 박화하는 것 이외에, 연마 패드를 사용한 연마 가공이나 절삭 바이트를 사용한 절삭 가공에 의해 박화하는 것으로 해도 된다.
<박리 단계>
도 10(A), 도 10(B)에 도시된 바와 같이, 보호층(6)을 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 박리시키는 단계이다.
구체적으로는, 도 10(A), 도 10(B)에 나타낸 바와 같이, 연삭 장치의 유지 테이블(70)(도 9(B))로부터 웨이퍼(10)를 분리하여 표리 반전시키고, 박리 장치의 유지 테이블(80)의 흡인 유지면(82)에 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 재치하고, 보호층(6)을 노출시킨다. 유지 테이블(80)의 흡인 유지면(82)은 흡인원(83)에 통하고 있고, 흡인 유지면(82)에 생기는 부압에 의해 웨이퍼(10)의 이면(10b)이 흡인 유지된다.
계속해서, 보호층(6)에 박리용의 필 테이프(84)를 부착함과 함께, 박리 장치를 구성하는 클램프(81)로 필 테이프(84)를 인장함으로써, 보호층(6)을 웨이퍼(10)로부터 박리시킨다.
이상과 같이 하여, 도 11(A)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성되어 있던 보호층(6)이 박리되어, 도 11(B)에 나타내는 상태가 된다. 이 때, 웨이퍼(10)의 표면(10a)이 표면 보호 시트(20)로 덮여 있기 때문에, 수지 조성물(5)(수지층(50))이 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 잔존하는 일이 없고, 또한 표면 보호 시트(20)에는 풀층이 존재하지 않기 때문에, 표면 보호 시트(20)를 용이하게 박리시킬 수 있어, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 이물이 잔존하는 것이 방지된다.
이상과 같이, 본 발명에서는 피가공물의 표면에 밀착되는 표면 보호 시트와, 표면 보호 시트에 적층된 수지층에 의해 보호층이 형성된다. 수지층은, (메트)아크릴레이트와 연쇄 이동제와 광중합 개시제를 포함하는 수지 조성물로 형성된다. 이에 의해, 표면 보호 시트의 표면에 요철이 형성되어도 수지층에 의해 요철을 흡수할 수 있어, 보호층의 표면을 평탄하게 형성할 수 있다. 또한, 표면 보호 시트와 수지층이 강고하게 일체화되어, 양자가 분리되지 않고 일체로서 웨이퍼로부터 박리시킬 수 있다.
5 수지 조성물 6 보호층
10 웨이퍼 10a 표면
10b 이면 12 스트리트
14 디바이스 16 범프
20 표면 보호 시트 20b 이면
24 환형 프레임 26 풀층
30 진공 챔버 32 가열 테이블
34 진공원 40 스테이지
40a 지지면 41 필름
46 광 조사기 46a 광원
50 수지층 60 웨이퍼 유지 유닛
62 흡착 유지면 70 유지 테이블
72 흡인 유지면 74 연삭 휠
74a 연삭 지석 80 유지 테이블
81 클램프 82 흡인 유지면
84 필 테이프

Claims (5)

  1. 피가공물에 표면 보호 시트를 개재하여 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물에 있어서,
    (메트)아크릴레이트와,
    연쇄 이동제와,
    광중합 개시제를 포함하는 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물에 있어서의 상기 연쇄 이동제의 함유량이, 상기 광중합 개시제에 대하여 0.4∼5 배인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 연쇄 이동제는 티올인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물을 사용한 피가공물의 일측의 표면의 보호 방법에 있어서,
    피가공물의 상기 표면에 상기 표면 보호 시트를 밀착시키는 표면 보호 시트 밀착 단계와,
    상기 표면 보호 시트 상에 상기 수지 조성물을 공급함과 함께, 상기 수지 조성물에 광을 조사하여 경화시켜 수지층을 형성하고, 피가공물의 상기 표면에 적어도 상기 표면 보호 시트와 상기 수지층을 가진 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 구비하는 표면의 보호 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물을 사용한 피가공물의 가공 방법에 있어서,
    피가공물의 상기 표면에 상기 표면 보호 시트를 밀착시키는 표면 보호 시트 밀착 단계와,
    상기 표면 보호 시트 밀착 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 시트 상에 상기 수지 조성물을 공급함과 함께, 상기 수지 조성물에 광을 조사하여 경화시켜 수지층을 형성하고, 피가공물의 상기 표면에 적어도 상기 표면 보호 시트와 상기 수지층을 가진 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계와,
    상기 보호층 형성 단계를 실시한 후, 상기 보호층측을 유지 테이블로 유지함과 함께, 피가공물의 이면측을 가공하여 박화하는 박화 가공 단계와,
    상기 가공 단계를 실시한 후, 상기 보호층을 피가공물의 표면으로부터 박리시키는 박리 단계
    를 구비하는 피가공물의 가공 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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