JP2022125390A - 樹脂組成物、表面の保護方法、及び、被加工物の加工方法 - Google Patents
樹脂組成物、表面の保護方法、及び、被加工物の加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022125390A JP2022125390A JP2021022961A JP2021022961A JP2022125390A JP 2022125390 A JP2022125390 A JP 2022125390A JP 2021022961 A JP2021022961 A JP 2021022961A JP 2021022961 A JP2021022961 A JP 2021022961A JP 2022125390 A JP2022125390 A JP 2022125390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- wafer
- workpiece
- sheet
- protection sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 37
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 19
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 12
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical compound SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N octadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCS QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 2
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKCNEIWFQCSCM-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-4-phenylpent-4-en-2-yl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)CC(=C)C1=CC=CC=C1 ZOKCNEIWFQCSCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- PSTRAAIJGQNXGR-UHFFFAOYSA-N 1-iodo-2,3,4,5-tetramethylbenzene Chemical compound CC1=CC(I)=C(C)C(C)=C1C PSTRAAIJGQNXGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWHSTLLOZWTNTQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-sulfanylacetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)CS OWHSTLLOZWTNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDLAHBBJAGGIJZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCS YDLAHBBJAGGIJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGDIJTMOHORACQ-UHFFFAOYSA-N 9-prop-2-enoyloxynonyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCCCCOC(=O)C=C PGDIJTMOHORACQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOGTZOOQQBDUSI-UHFFFAOYSA-M Mesna Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCS XOGTZOOQQBDUSI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- YPCHGLDQZXOZFW-UHFFFAOYSA-N [2-[[4-methyl-3-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]carbonylamino]phenyl]carbamoyloxymethyl]-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound CC1=CC=C(NC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C)C=C1NC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C YPCHGLDQZXOZFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTLASYHTXGUCJU-UHFFFAOYSA-N benzyl 2,3,3a,4,5,6,7,7a-octahydro-1h-indole-2-carboxylate;4-methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1.C1C2CCCCC2NC1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 PTLASYHTXGUCJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N butanethiol Chemical compound CCCCS WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N decane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCS VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- ARNIBHATWCFIIK-UHFFFAOYSA-N dodecyl 3-sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CCS ARNIBHATWCFIIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIYINYIPIIMUOV-UHFFFAOYSA-N hexyl 3-sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)CCS KIYINYIPIIMUOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- MKIJJIMOAABWGF-UHFFFAOYSA-N methyl 2-sulfanylacetate Chemical group COC(=O)CS MKIJJIMOAABWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDTLDBDUBGAEDT-UHFFFAOYSA-N methyl 3-sulfanylpropanoate Chemical compound COC(=O)CCS LDTLDBDUBGAEDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWNSNYBMYBWJDN-UHFFFAOYSA-N octyl 3-sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)CCS LWNSNYBMYBWJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical group 0.000 description 1
- NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N thiomalic acid Chemical compound OC(=O)CC(S)C(O)=O NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJNLAPRQQJZBQN-UHFFFAOYSA-N tridecyl 3-sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCS MJNLAPRQQJZBQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F20/14—Methyl esters, e.g. methyl (meth)acrylate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/38—Polymerisation using regulators, e.g. chain terminating agents, e.g. telomerisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1808—C8-(meth)acrylate, e.g. isooctyl (meth)acrylate or 2-ethylhexyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/281—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing only one oxygen, e.g. furfuryl (meth)acrylate or 2-methoxyethyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/10—Esters
- C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
- C08F222/102—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/10—Esters
- C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
- C08F222/106—Esters of polycondensation macromers
- C08F222/1065—Esters of polycondensation macromers of alcohol terminated (poly)urethanes, e.g. urethane(meth)acrylates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
【課題】 表面保護シートを介して保持テーブルで保持されたウェーハに加工を施す際に、表面保護シートの表面が平坦でないことに起因する加工不良を防止するとともに、加工後にウェーハから表面保護シートを容易に剥離できる新規な技術を提供する。【解決手段】 被加工物に表面保護シートを介して樹脂層を形成するための樹脂組成物であって、(メタ)アクリレートと、連鎖移動剤と、光重合開始剤と、を含む樹脂組成物とする。【選択図】図4
Description
本発明は、被加工物の表面を保護する保護層を形成するための樹脂組成物、及び、被加工物の保護方法に関する。
従来、例えば、特許文献1に開示されるように、裏面研削されるウェーハの表面を保護する表面保護シートが知られている。
この種の表面保護シートの表面には糊層が形成され、ウェーハの表面に糊層を貼着することにより、粘着力によって表面保護シートとウェーハが一体化される。
しかし、特に、ウェーハの表面にデバイスが形成されている場合において、表面保護シートの糊がデバイスに残存してしまうと、後の洗浄工程でも糊の除去が難しく、デバイスを損傷させてしまうおそれがある。さらに、特にデバイス表面にバンプ等の突起電極が形成されている場合は、バンプの根元に付着した糊は除去が難しく、実装不良等の問題を引き起こしかねない。
そこで、糊層を有さない表面保護シートを利用することが考えられる。しかし、バンプの高さが表面保護シートの厚みよりも大きい場合などでは、ウェーハに貼着された表面保護シートの表面が平坦にならず、凹凸が形成されてしまうことになる。仮に、この状態でウェーハを表面保護シートを介して保持テーブルで保持した場合には、露出したウェーハの上面高さ(裏面の高さ)が均一とならないため、ウェーハの裏面側を加工する際に様々な問題が生じことが懸念される。
具体的には、裏面研削されたウェーハに厚みばらつきが生じることや、SD加工(ステルスダイシング(登録商標)加工)した場合に形成される改質層に高さばらつきが生じ、後の分割工程で分割されない領域等が生じてしまうことや、ブレードやレーザーで形成される溝の深さにばらつきが生じる、等の不具合が生じることが懸念される。
ここで、表面保護シート上に樹脂層を積層し、ウェーハの表面にバンプなどで形成される凹凸を埋めることで表面保護シートの表面を平坦にし、ウェーハの上面高さ(裏面の高さ)を均一にすることが考えられる。
しかし、加工後に表面保護シートを剥離する際に、表面保護シートと樹脂層が分離して、樹脂層だけが剥離してしまうことが懸念される。この場合、ウェーハに表面保護シートが貼り付いたままとなり、表面保護シート全体をウェーハから剥離できないこととなってしまう。
また、糊層を有する表面保護シートを利用する場合においても、表面保護シートと樹脂層を分離させずに、表面保護シート全体をウェーハから剥離させることが要求される。
本発明は以上の問題に鑑み、表面保護シートを介して保持テーブルで保持されたウェーハに加工を施す際に、表面保護シートの表面が平坦でないことに起因する加工不良を防止するとともに、加工後にウェーハから表面保護シートを容易に剥離できる新規な技術を提供するものである。
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。
本発明の一態様によれば、
被加工物に表面保護シートを介して樹脂層を形成するための樹脂組成物であって、
(メタ)アクリレートと、
連鎖移動剤と、
光重合開始剤と、を含む樹脂組成物とする。
被加工物に表面保護シートを介して樹脂層を形成するための樹脂組成物であって、
(メタ)アクリレートと、
連鎖移動剤と、
光重合開始剤と、を含む樹脂組成物とする。
また、本発明の一態様によれば、
該樹脂組成物における該連鎖移動剤の含有量が、該光重合開始剤に対して0.4~5倍である、こととする。
該樹脂組成物における該連鎖移動剤の含有量が、該光重合開始剤に対して0.4~5倍である、こととする。
また、本発明の一態様によれば、
該連鎖移動剤はチオールである、こととする。
該連鎖移動剤はチオールである、こととする。
また、本発明の一態様によれば、
樹脂組成物を用いた被加工物の一側の表面の保護方法であって、
被加工物の該表面に該表面保護シートを密着させる表面保護シート密着ステップと、
該表面保護シート上に該樹脂組成物を供給するとともに、該樹脂組成物に光を照射し硬化させ樹脂層を形成し、被加工物の該表面に少なくとも該表面保護シートと該樹脂層とを有した保護層を形成する保護層形成ステップと、を備える表面の保護方法とする。
樹脂組成物を用いた被加工物の一側の表面の保護方法であって、
被加工物の該表面に該表面保護シートを密着させる表面保護シート密着ステップと、
該表面保護シート上に該樹脂組成物を供給するとともに、該樹脂組成物に光を照射し硬化させ樹脂層を形成し、被加工物の該表面に少なくとも該表面保護シートと該樹脂層とを有した保護層を形成する保護層形成ステップと、を備える表面の保護方法とする。
また、本発明の一態様によれば、
樹脂組成物を用いた被加工物の加工方法であって、
被加工物の該表面に該表面保護シートを密着させる表面保護シート密着ステップと、
該表面保護シート上に該樹脂組成物を供給するとともに、該樹脂組成物に光を照射し硬化させ樹脂層を形成し、被加工物の該表面に少なくとも該表面保護シートと該樹脂層とを有した保護層を形成する保護層形成ステップと、
該保護層側を保持テーブルにて保持するとともに、被加工物の裏面側を加工して薄化する薄化加工ステップと、
該保護層を被加工物の表面から剥離させる剥離ステップと、
を備える被加工物の加工方法とする。
樹脂組成物を用いた被加工物の加工方法であって、
被加工物の該表面に該表面保護シートを密着させる表面保護シート密着ステップと、
該表面保護シート上に該樹脂組成物を供給するとともに、該樹脂組成物に光を照射し硬化させ樹脂層を形成し、被加工物の該表面に少なくとも該表面保護シートと該樹脂層とを有した保護層を形成する保護層形成ステップと、
該保護層側を保持テーブルにて保持するとともに、被加工物の裏面側を加工して薄化する薄化加工ステップと、
該保護層を被加工物の表面から剥離させる剥離ステップと、
を備える被加工物の加工方法とする。
本発明では、被加工物の表面に密着される表面保護シートと、表面保護シートに積層された樹脂層と、により保護層が形成される。樹脂層は、(メタ)アクリレートと連鎖移動剤と光重合開始材とを含む樹脂組成物から形成される。これにより、表面保護シートの表面に凹凸が形成されても樹脂層によって凹凸を吸収でき、保護層の表面を平坦に形成できる。また、表面保護シートと樹脂層が強固に一体化され、両者が分離することなく一体としてウェーハから剥離させることができる。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態について説明する。
図1には、被加工物の一例であるウェーハ10について示すものである。ウェーハ10は、シリコンを母材とする半導体ウェーハであり、円板形状のウェーハ10の表面10aには、複数のストリート12によって格子状に区画された複数の領域に、ICやLSI等のデバイス14が形成されている。
図1には、被加工物の一例であるウェーハ10について示すものである。ウェーハ10は、シリコンを母材とする半導体ウェーハであり、円板形状のウェーハ10の表面10aには、複数のストリート12によって格子状に区画された複数の領域に、ICやLSI等のデバイス14が形成されている。
図1の拡大部分に示すように、各デバイス14の周縁部分には、ウェーハ10の表面10aから突出する複数のバンプ16(電極)が形成されており、このバンプ16によってウェーハ10の表面10aに凹凸が形成される。なお、ストリート12にTEG(Test Element Group)が形成される場合には、このTEGによってもウェーハ10の表面10aに凹凸が形成される。
本発明の加工対象とする被加工物は、図1に示す形態以外にも種々のものがあり、半導体ウェーハのみならず光デバイスウェーハや樹脂基板、ガラス、セラミクス等も加工対象となる他、これらに限定されない。
以上のような表面10aにバンプ16による凹凸が形成されるウェーハ10について、表面10aに保護層を形成する方法について説明する。以下の実施例では、図2に示すフローチャートの各ステップが順に実施される。
<表面保護シート密着ステップ>
図1及び図3(A)(B)に示すように、被加工物であるウェーハ10の表面10aに表面保護シート20を密着させるステップである。
表面保護シート20は、PO(ポリオレフィン)、PVC(ポリ塩化ビニル)、PET(ポリエチレンテレフタレート)、ポリ塩化ビニリデン(PVDC)、PE(ポリエチレン)等からなる薄いシート状の部材であり、POはバンプ16の凹凸への追従性が良好なので特に好適に用いられる。
図1及び図3(A)(B)に示すように、被加工物であるウェーハ10の表面10aに表面保護シート20を密着させるステップである。
表面保護シート20は、PO(ポリオレフィン)、PVC(ポリ塩化ビニル)、PET(ポリエチレンテレフタレート)、ポリ塩化ビニリデン(PVDC)、PE(ポリエチレン)等からなる薄いシート状の部材であり、POはバンプ16の凹凸への追従性が良好なので特に好適に用いられる。
表面保護シート20の裏面20bは、ウェーハ10の表面10aに密着されるものであり、後に剥離されることが予定されるものである。表面保護シート20の裏面20bには粘着力を発揮する糊層が形成されておらず、ウェーハ10の表面10aのデバイス14や、バンプ16に対して表面保護シート20が粘着することがないものを用いることができる。
なお、表面保護シート20の裏面20bの全面、又は、一部に粘着力を発揮する糊層が形成されるものであってもよい。例えば、表面保護シート20の裏面20bにおいて、ウェーハ10の外周縁に沿うようにリング状の糊層を形成し、デバイス14が形成される領域の外側の領域において、表面保護シート20を糊層を介してウェーハ10に接着させることとしてもよい。
本実施例では、図3(A)に示すように、ウェーハ10の表面10aに、表面保護シート20の裏面20bを被せた状態とし、真空マウント装置3の真空チャンバー30内の加熱テーブル32上にウェーハ10をセットする。次いで、真空チャンバー30内を真空源34と通じさせて真空引きするとともに、加熱テーブル32にてウェーハ10を加熱し表面10aの温度を上昇させる。これにより、図3(B)に示すように、軟化した表面保護シート20がバンプ16等の凹凸に沿いつつ、ウェーハ10の表面10aに密着する。
図3(B)に示すように、表面保護シート20には、バンプ16等の凹凸に沿った凹凸が形成されることになるが、この凹凸が後述する樹脂層50(図5(B))によって解消されることになる。
なお、図3(A)に示すように、加熱テーブル32にてウェーハ10を加熱することで表面保護シート20を軟化させる他、表面保護シート20を直接加熱するヒーターやランプによって、表面保護シート20を軟化させることとしてもよい。
<保護層形成ステップ>
図4及び図5(A)(B)に示すように、表面保護シート20上に樹脂組成物5を供給するとともに、樹脂組成物5に光を照射し硬化させ樹脂層50を形成し、被加工物であるウェーハ10の表面10aに少なくとも表面保護シート20と樹脂層50とを有した保護層6を形成するステップである。
図4及び図5(A)(B)に示すように、表面保護シート20上に樹脂組成物5を供給するとともに、樹脂組成物5に光を照射し硬化させ樹脂層50を形成し、被加工物であるウェーハ10の表面10aに少なくとも表面保護シート20と樹脂層50とを有した保護層6を形成するステップである。
具体的には、図4に示すように、まず、ステージ40の平坦な支持面40a上に紫外線を透過させるフィルム41が配設され、フィルム41の上面に所定量の樹脂組成物5を載せた状態とする。樹脂組成物5は、後述するように、表面保護シート20に形成される凹凸に隙間なく入り込むことができる状態のものであり、粘度が高く流動性を有する液体のものとする他、定形性のないゲル状のもの、変形可能な固体(シート状のゲルなど)のものを使用することができる。なお、フィルム41を使用せず、ステージ40の支持面40aに直接樹脂組成物5を載せた状態としてもよい。
ステージ40は、ガラス等の透明部材で構成され、下方に配置される光照射器46の光源46aから照射される紫外線を透過させるものである。光源46aは、所定波長の紫外線を照射するLEDライト(又は低圧水銀ランプ等)にて構成することができる。
フィルム41は、紫外線を透過させる樹脂にて構成することができ、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)にて構成することができる。また、フィルム41は、樹脂組成物5と同一の樹脂により予めシート状に成形されたものを使用することもできる。
次いで、ウェーハ保持ユニット60の吸着保持面62によりウェーハ10の裏面10bを保持した状態とし、表面保護シート20を下側に配置する。吸着保持面62は吸引源63と通じており、負圧によりウェーハ10の裏面10bが吸着保持される。表面保護シート20は下側に配置され、フィルム41に載置された樹脂組成物5に対向する状態となる。ウェーハ保持ユニット60の吸着保持面62は、ステージ40の平坦な支持面40aと平行となるように構成される。
次いで、図5(A)に示すように、ウェーハ保持ユニット60を下降させることで、表面保護シート20によって樹脂組成物5を押し広げ、表面保護シート20とフィルム41の間の隙間を樹脂組成物5で埋めた状態とする。図5(B)に示すように、樹脂組成物5は、表面保護シート20に形成されていた凹凸に隙間なく入り込む。
次いで、図5(A)に示すように、光源46aから所定の波長の紫外線を、ステージ40、及び、フィルム41を介して樹脂組成物5に照射する。これにより、樹脂組成物5が紫外線により硬化して樹脂層50を形成する。
以上のようにして、図5(B)に示すように、被加工物であるウェーハ10の表面10aに、表面保護シート20と樹脂層50とを有した保護層6が形成される。本実施例では、保護層6にフィルム41が積層された状態となり、フィルム41の下面41aが、ステージ40の支持面40aに沿うように平坦になる。フィルム41を保護層6の構成要素とし、表面保護シート20、樹脂層50、フィルム41の3層から保護層6が構成されることとしてもよい。
なお、図6(A)(B)に示すように、表面保護シート密着ステップにおいて、環状フレーム24と一体化させた表面保護シート20をウェーハ10に密着させることとしてもよい。この場合、環状フレーム24と表面保護シート20は、ウェーハ10の位置よりも外側に配置される糊層26によって一体化される。
そして、図7及び、図8(A)に示すように、保護層形成ステップにおいて、環状フレーム24と一体化させた表面保護シート20に樹脂層50を積層させる。そして、図8(B)に示すように、樹脂層50を積層して保護層6を形成した後は、レーザー加工装置等により表面保護シート20を切断して環状フレーム24を分離することにより、図8(C)に示すように、保護層6が形成されたウェーハ10が構成される。なお、環状フレーム24を分離せず、ウェーハ10と一体としてハンドリングしてもよい。
また、以上に説明した例では、ウェーハ保持ユニット60にて保持したウェーハ10を上から下降させ、ステージ40に載せられた樹脂組成物5を押し広げて、表面保護シート20とフィルム41の間に樹脂層50を形成することとしたが、ウェーハ10をステージ40に載置して表面保護シート20に樹脂組成物5を載せるとともに、樹脂組成物5の上からフィルム41を被せて樹脂組成物5を押し広げることとしてもよい。
樹脂組成物5は、(メタ)アクリレートと、連鎖移動剤と、光重合開始剤と、を含んで構成される。
(メタ)アクリレートとは、アクリル酸化合物であるアクリレート、又はメタクリル酸化合物であるメタクリレートを指す。(メタ)アクリレートは、ウレタン結合(ウレタン基)を有するもの、及び/又は、有しないものを使用することができる。
(メタ)アクリレートとは、アクリル酸化合物であるアクリレート、又はメタクリル酸化合物であるメタクリレートを指す。(メタ)アクリレートは、ウレタン結合(ウレタン基)を有するもの、及び/又は、有しないものを使用することができる。
ウレタン結合を有する(メタ)アクリレートとは、分子内にウレタン基を有する(メタ)アクリレートのことをいうものである。
例えば、ライトアクリレートIAA、AT-600、UA-306H、UA-306T、UA-306I、UA-510H、UF-8001G、DAUA-167、UF-07DF(いずれも共栄社化学株式会社製)、R-1235、R-1220、RST-201、RST-402、R-1301、R-1304、R-1214、R- 1302XT、GX-8801A、R-1603、R-1150D、DOCR-102、DOCR-206(いずれも第一工業製薬株式会社製)、UX-3204、UX-4101、UXT-6100、UX-6101、UX-7101、UX-8101、UX-0937、UXF-4001-M35、UXF-4002、DPHA-40H、UX-5000、UX-5102D-M20、UX-5103D、UX-5005、UX-3204、UX-4101、UX-6101、UX-7101、UX-8101、UX-0937、UXF-4001-M35、UXF-4002、UXT-6100、DPHA-40H、UX-5000、UX-5102D-M20、UX-5103、UX-5005(いずれも日本化薬株式会社製)を用いることができる。
例えば、ライトアクリレートIAA、AT-600、UA-306H、UA-306T、UA-306I、UA-510H、UF-8001G、DAUA-167、UF-07DF(いずれも共栄社化学株式会社製)、R-1235、R-1220、RST-201、RST-402、R-1301、R-1304、R-1214、R- 1302XT、GX-8801A、R-1603、R-1150D、DOCR-102、DOCR-206(いずれも第一工業製薬株式会社製)、UX-3204、UX-4101、UXT-6100、UX-6101、UX-7101、UX-8101、UX-0937、UXF-4001-M35、UXF-4002、DPHA-40H、UX-5000、UX-5102D-M20、UX-5103D、UX-5005、UX-3204、UX-4101、UX-6101、UX-7101、UX-8101、UX-0937、UXF-4001-M35、UXF-4002、UXT-6100、DPHA-40H、UX-5000、UX-5102D-M20、UX-5103、UX-5005(いずれも日本化薬株式会社製)を用いることができる。
ウレタン結合を有しない(メタ)アクリレートは、分子内に(ウレタン基)を有しないものをいう。
例えば、テトラヒドロフルフリルアクリレート(Tetrahydrofurfuryl acrylate)、イソボルニルアクリレート(Isobornyl acrylate)、1,9-ノナンジオールジアクリレート(1,9-Nonanediol diacrylate)等を用いることができる。
例えば、テトラヒドロフルフリルアクリレート(Tetrahydrofurfuryl acrylate)、イソボルニルアクリレート(Isobornyl acrylate)、1,9-ノナンジオールジアクリレート(1,9-Nonanediol diacrylate)等を用いることができる。
連鎖移動剤としては、以下のものを用いることができる。
1-ブタンチオール、3-メルカプトプロピオン酸シクロヘキシル、1-デカンチオール、2,4-ジフェニル-4-メチル-1-ペンテン、1-ドデカンチオール、3-メルカプトプロピオン酸ドデシル、メルカプト酢酸2-エチルヘキシル、メルカプト酢酸エチル、1-ヘキサデカンチオール、3-メルカプトプロピオン酸ヘキシル、2-メルカプトエタノール、3-メルカプト-1,2-プロパンジオール、メルカプト酢酸、2-メルカプトエタンスルホン酸ナトリウム、3-メルカプトプロピオン酸、メルカプト酢酸メチル、メルカプトこはく酸、3-メルカプトプロピオン酸メチル、3-メルカプトプロピオン酸オクタデシル、3-メルカプトプロピオン酸オクチル、1-オクタンチオール、1-オクタデカンチオール、3-メルカプトプロピオン酸トリデシル、チオフェノール、等である。
この内、特に、1-ドデカンチオールが好適に用いられる。
1-ブタンチオール、3-メルカプトプロピオン酸シクロヘキシル、1-デカンチオール、2,4-ジフェニル-4-メチル-1-ペンテン、1-ドデカンチオール、3-メルカプトプロピオン酸ドデシル、メルカプト酢酸2-エチルヘキシル、メルカプト酢酸エチル、1-ヘキサデカンチオール、3-メルカプトプロピオン酸ヘキシル、2-メルカプトエタノール、3-メルカプト-1,2-プロパンジオール、メルカプト酢酸、2-メルカプトエタンスルホン酸ナトリウム、3-メルカプトプロピオン酸、メルカプト酢酸メチル、メルカプトこはく酸、3-メルカプトプロピオン酸メチル、3-メルカプトプロピオン酸オクタデシル、3-メルカプトプロピオン酸オクチル、1-オクタンチオール、1-オクタデカンチオール、3-メルカプトプロピオン酸トリデシル、チオフェノール、等である。
この内、特に、1-ドデカンチオールが好適に用いられる。
光重合開始剤は、樹脂組成物5の光(紫外線)重合を開始させるためのものであり、以下のものを用いることができる。
1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(例えば、BASF社製のIrgacure(登録商標)184等)、α-ヒドロキシアルキルフェノン(例えば、IGM Resins B.V.社製のOmnirad(登録商標)184等)、等である。
なお、光重合開始剤の分量は、樹脂組成物5の硬化性を維持できる範囲で任意に調整される。
1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(例えば、BASF社製のIrgacure(登録商標)184等)、α-ヒドロキシアルキルフェノン(例えば、IGM Resins B.V.社製のOmnirad(登録商標)184等)、等である。
なお、光重合開始剤の分量は、樹脂組成物5の硬化性を維持できる範囲で任意に調整される。
連鎖移動剤は、連鎖移動反応を発生させるためのものである。
本実施例において、連鎖移動剤は、(メタ)アクリレート同士の反応を断ち切るように機能し、(メタ)アクリレートの見かけ上の分子量を小さくする。小さい単位の(メタ)アクリレート同士を結合する為、硬化した樹脂組成物5の粘着力(タック力)を向上させることができる。これにより、樹脂組成物5により形成された樹脂層50と、表面保護シート20と、が強固に一体化され、互いに剥離し難い状況を作り出すことができる。
本実施例において、連鎖移動剤は、(メタ)アクリレート同士の反応を断ち切るように機能し、(メタ)アクリレートの見かけ上の分子量を小さくする。小さい単位の(メタ)アクリレート同士を結合する為、硬化した樹脂組成物5の粘着力(タック力)を向上させることができる。これにより、樹脂組成物5により形成された樹脂層50と、表面保護シート20と、が強固に一体化され、互いに剥離し難い状況を作り出すことができる。
樹脂組成物5の配合の比率の一例としては、例えば、以下とすることができる。
(メタ)アクリレートが80質量%以上99.4質量%以下
連鎖移動剤が0.5質量%以上15質量%以下
光重合開始剤が0.1質量%以上5質量%以下
(メタ)アクリレートが80質量%以上99.4質量%以下
連鎖移動剤が0.5質量%以上15質量%以下
光重合開始剤が0.1質量%以上5質量%以下
なお、(メタ)アクリレートについては、例えば、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレートと、ウレタン結合を有しない(メタ)アクリレートと、の質量%の比率が1:1のものを用いることができる。
さらに、樹脂組成物5における連鎖移動剤の含有量は、光重合開始剤に対して0.4~5倍とすることが好ましい。
光重合開始剤の含有量が多すぎると、連鎖移動剤を含有させることの効果(粘着力の向上)が低下してしまうことになるためである。
他方、連鎖移動剤の含有量が多すぎると、連鎖移動反応が多く発生し、紫外線硬化がし難くなるため、このことを防ぐためである。
光重合開始剤の含有量が多すぎると、連鎖移動剤を含有させることの効果(粘着力の向上)が低下してしまうことになるためである。
他方、連鎖移動剤の含有量が多すぎると、連鎖移動反応が多く発生し、紫外線硬化がし難くなるため、このことを防ぐためである。
<薄化加工ステップ>
図9(A)(B)に示すように、保護層6を保持テーブル70にて保持するとともに、ウェーハ10の裏面10b側を加工して薄化するステップである。
図9(A)(B)に示すように、保護層6を保持テーブル70にて保持するとともに、ウェーハ10の裏面10b側を加工して薄化するステップである。
具体的には、ウェーハ10の保護層6を下側とし、研削装置の保持テーブル70の吸引保持面72にウェーハ10を載置し、ウェーハ10の裏面10bを露出する。研削砥石74aを有する研削ホイール74を回転させるとともに、研削ホイール74を下方に研削送りすることで、ウェーハ10の裏面10bが研削砥石74aにて所定の厚みになるまで研削される。この際、保持テーブル70も回転され、ウェーハ10が回転しながら研削がされる。
この薄化加工ステップの際には、フィルム41の下面41aが平坦となっているため、平坦な吸引保持面72に載置されたウェーハ10の裏面10bも平坦となり、ウェーハ10の上面高さ(裏面10bの高さ)を均一とすることができる。これにより、ウェーハ10を均一に薄化することができ、ウェーハ10の厚みを均一に仕上げることができる。
なお、研削砥石74aを用いた研削加工により薄化する他、研磨パッドを用いた研磨加工や切削バイトを用いた切削加工により薄化することとしてもよい。
<剥離ステップ>
図10(A)(B)に示すように、保護層6をウェーハ10の表面10aから剥離させるステップである。
図10(A)(B)に示すように、保護層6をウェーハ10の表面10aから剥離させるステップである。
具体的には、図10(A)(B)に示すように、研削装置の保持テーブル70(図9(B))からウェーハ10を取り外して表裏反転させ、剥離装置の保持テーブル80の吸引保持面82にウェーハ10の裏面10bを載置し、保護層6を露出させる。保持テーブル80の吸引保持面82は吸引源83に通じており、吸引保持面82に生じる負圧によりウェーハ10の裏面10bが吸引保持される。
次いで、保護層6に剥離用のピールテープ84を貼り付けるとともに、剥離装置を構成するクランプ81にてピールテープ84を引っ張ることで、保護層6をウェーハ10から剥離させる。
以上のようにして、図11(A)に示すようにウェーハ10の表面10aに形成されていた保護層6が剥離して、図11(B)に示す状態となる。この際、ウェーハ10の表面10aが表面保護シート20で覆われているため、樹脂組成物5(樹脂層50)がウェーハ10の表面10aに残存することがなく、また、表面保護シート20には糊層が存在しないため、表面保護シート20を容易に剥離させることができ、ウェーハ10の表面10aに異物が残存することが防がれる。
以上のように、本発明では、被加工物の表面に密着される表面保護シートと、表面保護シートに積層された樹脂層と、により保護層が形成される。樹脂層は、(メタ)アクリレートと連鎖移動剤と光重合開始材とを含む樹脂組成物から形成される。これにより、表面保護シートの表面に凹凸が形成されても樹脂層によって凹凸を吸収でき、保護層の表面を平坦に形成できる。また、表面保護シートと樹脂層が強固に一体化され、両者が分離することなく一体としてウェーハから剥離させることができる。
5 樹脂組成物
6 保護層
10 ウェーハ
10a 表面
10b 裏面
12 ストリート
14 デバイス
16 バンプ
20 表面保護シート
20b 裏面
24 環状フレーム
26 糊層
30 真空チャンバー
32 加熱テーブル
34 真空源
40 ステージ
40a 支持面
41 フィルム
46 光照射器
46a 光源
50 樹脂層
60 ウェーハ保持ユニット
62 吸着保持面
70 保持テーブル
72 吸引保持面
74 研削ホイール
74a 研削砥石
80 保持テーブル
81 クランプ
82 吸引保持面
84 ピールテープ
6 保護層
10 ウェーハ
10a 表面
10b 裏面
12 ストリート
14 デバイス
16 バンプ
20 表面保護シート
20b 裏面
24 環状フレーム
26 糊層
30 真空チャンバー
32 加熱テーブル
34 真空源
40 ステージ
40a 支持面
41 フィルム
46 光照射器
46a 光源
50 樹脂層
60 ウェーハ保持ユニット
62 吸着保持面
70 保持テーブル
72 吸引保持面
74 研削ホイール
74a 研削砥石
80 保持テーブル
81 クランプ
82 吸引保持面
84 ピールテープ
Claims (5)
- 被加工物に表面保護シートを介して樹脂層を形成するための樹脂組成物であって、
(メタ)アクリレートと、
連鎖移動剤と、
光重合開始剤と、を含む樹脂組成物。 - 該樹脂組成物における該連鎖移動剤の含有量が、該光重合開始剤に対して0.4~5倍である、
ことを特徴とする請求項1に記載の樹脂組成物。 - 該連鎖移動剤はチオールである、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の樹脂組成物。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の樹脂組成物を用いた被加工物の一側の表面の保護方法であって、
被加工物の該表面に該表面保護シートを密着させる表面保護シート密着ステップと、
該表面保護シート上に該樹脂組成物を供給するとともに、該樹脂組成物に光を照射し硬化させ樹脂層を形成し、被加工物の該表面に少なくとも該表面保護シートと該樹脂層とを有した保護層を形成する保護層形成ステップと、を備える表面の保護方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の樹脂組成物を用いた被加工物の加工方法であって、
被加工物の該表面に該表面保護シートを密着させる表面保護シート密着ステップと、
該表面保護シート上に該樹脂組成物を供給するとともに、該樹脂組成物に光を照射し硬化させ樹脂層を形成し、被加工物の該表面に少なくとも該表面保護シートと該樹脂層とを有した保護層を形成する保護層形成ステップと、
該保護層側を保持テーブルにて保持するとともに、被加工物の裏面側を加工して薄化する薄化加工ステップと、
該保護層を被加工物の表面から剥離させる剥離ステップと、
を備える被加工物の加工方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021022961A JP2022125390A (ja) | 2021-02-17 | 2021-02-17 | 樹脂組成物、表面の保護方法、及び、被加工物の加工方法 |
KR1020220015192A KR20220117814A (ko) | 2021-02-17 | 2022-02-07 | 수지 조성물, 표면의 보호 방법, 및 피가공물의 가공 방법 |
DE102022201346.8A DE102022201346A1 (de) | 2021-02-17 | 2022-02-09 | Kunststoffzusammensetzung und bearbeitungsverfahren für ein werkstück |
CN202210120859.0A CN114989333A (zh) | 2021-02-17 | 2022-02-09 | 树脂组合物、表面的保护方法以及被加工物的加工方法 |
TW111105183A TW202233699A (zh) | 2021-02-17 | 2022-02-14 | 樹脂組成物、表面之保護方法以及被加工物之加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021022961A JP2022125390A (ja) | 2021-02-17 | 2021-02-17 | 樹脂組成物、表面の保護方法、及び、被加工物の加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022125390A true JP2022125390A (ja) | 2022-08-29 |
Family
ID=82610836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021022961A Pending JP2022125390A (ja) | 2021-02-17 | 2021-02-17 | 樹脂組成物、表面の保護方法、及び、被加工物の加工方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022125390A (ja) |
KR (1) | KR20220117814A (ja) |
CN (1) | CN114989333A (ja) |
DE (1) | DE102022201346A1 (ja) |
TW (1) | TW202233699A (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6461892B2 (ja) | 2016-12-06 | 2019-01-30 | リンテック株式会社 | 表面保護シート |
-
2021
- 2021-02-17 JP JP2021022961A patent/JP2022125390A/ja active Pending
-
2022
- 2022-02-07 KR KR1020220015192A patent/KR20220117814A/ko unknown
- 2022-02-09 DE DE102022201346.8A patent/DE102022201346A1/de active Pending
- 2022-02-09 CN CN202210120859.0A patent/CN114989333A/zh active Pending
- 2022-02-14 TW TW111105183A patent/TW202233699A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102022201346A1 (de) | 2022-08-18 |
KR20220117814A (ko) | 2022-08-24 |
TW202233699A (zh) | 2022-09-01 |
CN114989333A (zh) | 2022-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI402324B (zh) | 半導體表面保護薄片及方法 | |
TWI307545B (en) | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device | |
JP4791693B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP5802106B2 (ja) | 積層体、および分離方法 | |
TWI469204B (zh) | A polishing method for a semiconductor wafer, and a resin composition and a protective sheet used therefor | |
JP2005123382A (ja) | 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法 | |
JP2009033154A (ja) | 半導体ウェハの処理方法 | |
JP5762213B2 (ja) | 板状物の研削方法 | |
JP2013213075A (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JP2003338474A (ja) | 脆質部材の加工方法 | |
WO2004021432A1 (ja) | 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 | |
JP2009123907A (ja) | 回路素子形成方法 | |
JP2003338475A (ja) | 脆質材料の加工方法 | |
JP2002203822A (ja) | 脆性部材の加工方法および両面粘着シート | |
JP2009194287A (ja) | 電子部品集合体の研削方法とこれを用いた電子部品集合体の分割方法並びにこれら方法に用いる接着性樹脂 | |
JP2022125390A (ja) | 樹脂組成物、表面の保護方法、及び、被加工物の加工方法 | |
JP2006229076A (ja) | Icチップの製造方法 | |
JP2018147988A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
KR102144137B1 (ko) | 판형물의 접착 방법 | |
JP6429982B1 (ja) | マスク一体型表面保護テープ | |
JPH07193031A (ja) | 半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法 | |
KR20220155204A (ko) | 보호 부재를 갖는 피가공물의 제조 방법, 피가공물의 가공 방법 및 피가공물의 보호 부재 | |
JP6132502B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
WO2005055299A1 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JPH08203849A (ja) | 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の定盤への装着方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231227 |