KR20220117141A - 시뮬레이션 방법, 시뮬레이션 장치, 막 형성 장치, 물품 제조 방법 및 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 - Google Patents

시뮬레이션 방법, 시뮬레이션 장치, 막 형성 장치, 물품 제조 방법 및 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 Download PDF

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유이치로 오구치
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물의 복수의 액적을 제2 부재와 접촉시키고, 제1 부재와 제2 부재 사이의 공간에 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스에서 경화성 조성물의 액적 거동을 예측하는 시뮬레이션 방법을 제공하며, 이 방법은 경화성 조성물의 복수의 액적 각각에 대해, 인접한 액적들 사이의 접합 정도에 관한 관계를 평가하기 위한 평가 값에 기초하여, 서로 접합하는 인접한 액적들에 의해 형성되는 폐쇄 영역에 포획된 기체의 몰값을 적어도 포함하는 기체 정보를 획득하는 단계, 및 획득 단계에서 획득된 기체 정보를, 기체 정보에 대응하는 액적의 상태를 표시하는 정보와 함께 표시하는 단계를 포함한다.

Description

시뮬레이션 방법, 시뮬레이션 장치, 막 형성 장치, 물품 제조 방법 및 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체{SIMULATION METHOD, SIMULATION APPARATUS, FILM FORMING APPARATUS, ARTICLE MANUFACTURING METHOD AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은 시뮬레이션 방법, 시뮬레이션 장치, 막 형성 장치, 물품 제조 방법 및 비일시적 저장 매체에 관한 것이다.
반도체 소자들, MEMS 등의 미세패턴화의 요구가 증가함에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술 이외에, 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재(경화성 조성물)를 형성하고, 기판 상에 임프린트재 조성물을 형성하는 미세패턴화 기술이 주목받고 있다. 이 미세패턴화 기술은 임프린트 기술이라고도 지칭되며, 기판 상에 대략 수 nm의 미세한 패턴(구조체)을 형성할 수 있다.
임프린트 기술은 임프린트재를 경화시키는 방법으로서 광경화법을 포함한다. 광경화법에서는, 기판 상에 배치된 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시킨 상태에서 광을 조사함으로써 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재를 몰드로부터 분리함으로써 기판 상에 임프린트재 패턴을 형성한다.
이러한 임프린트 기술에서는, 기판 상에 액적의 상태로 임프린트재를 배치하고, 후속하여 임프린트재 액적에 몰드를 가압한다. 그 결과, 기판 상의 임프린트재 액적이 확산되어 임프린트재 막이 형성된다. 이때, 임프린트재 막은 균일한 두께를 갖고 막 내에 기포가 잔류하지 않도록 형성되는 것이 중요하다. 이를 구현하기 위해, 임프린트재의 액적의 배치, 임프린트재에 몰드를 가압하는 방법 및 조건 등이 조정될 것이다. 이러한 조정을, 장치를 사용하여 시행착오에 의해 구현하기 위해서는 엄청난 양의 시간 및 비용이 요구될 것이다. 따라서, 이러한 조정을 지원할 수 있는 시뮬레이터의 개발이 요구된다.
일본 특허 제5599356호에는 패턴 형성 표면 상에 배치된 복수의 액적의 습윤, 확산, 및 합체(액적의 접합(merging of droplets))를 예측하기 위해 기체-액체 2상 유동 분석을 사용하는 시뮬레이션 방법, 및 이 시뮬레이션 방법을 사용하는 액적 배치 패턴 생성 방법이 개시되어 있다.
임프린트 프로세스에서, 임프린트재 액적들 사이에 포획된 기포(기체)는 몰드의 가압이 완료된 시점에서도 사라지지 않을 수 있고, 그에 의해 미충전된 부분으로 인한 결함을 초래한다. 따라서, 임프린트재 액적들 사이에 포획된 각각의 기포를 파악할 필요가 있다. 일본 특허 제5599356호에 개시된 기술은 평면 상의 액적의 습윤 및 확산만을 고려하고 높이를 고려하고 있지 않기 때문에, 임프린트재 액적들 사이에 포획된 기포의 압력 및 체적 등의 물리량을 파악할 수 없다. 임프린트재 액적들 사이에 포획된 기포의 압력 및 체적 등의 물리량은 기포가 소멸하는데 필요한 시간을 파악하는데 필요한 정보의 피스들이다.
본 발명은 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스에서, 경화성 조성물의 액적 거동을 예측함으로써, 경화성 조성물의 액적들 사이에 포획된 기체를 파악하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물의 복수의 액적을 제2 부재와 접촉시키고, 제1 부재와 제2 부재 사이의 공간에 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스에서 경화성 조성물의 액적 거동을 예측하는 시뮬레이션 방법이 제공되며, 이 방법은 경화성 조성물의 복수의 액적 각각에 대해, 인접한 액적들 사이의 접합 정도에 관한 관계를 평가하기 위한 평가 값에 기초하여, 서로 접합하는 인접한 액적들에 의해 형성되는 폐쇄 영역에 포획된 기체의 몰값(mole)을 적어도 포함하는 기체 정보를 획득하는 단계, 및 획득 단계에서 획득된 기체 정보를, 기체 정보에 대응하는 액적의 상태를 표시하는 정보와 함께 표시하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 양태들은 첨부된 도면들을 참조하여 이하의 예시적인 실시예들의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 막 형성 장치 및 시뮬레이션 장치의 배치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 시뮬레이션 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 3은 경화성 조성물의 액적 요소들의 개념을 도시하는 도면이다.
도 4는 인접하는 액적 요소들이 접합했는지를 판정하는 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 시뮬레이션 장치에 의해 계산된 경화성 조성물의 액적의 거동의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 18개의 각도에 의해 정의된 경화성 조성물의 액적 요소들을 도시하는 도면이다.
도 7은 디스플레이 상에 표시될 화상의 예를 도시하는 도면이다.
도 8은 디스플레이 상에 표시될 화상의 예를 도시하는 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 폐쇄 영역에 포획된 기체의 기체 정보를 계산하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 10a 내지 도 10d는 디스플레이 상에 표시될 화상들의 예들을 도시하는 도면들이다.
도 11은 디스플레이 상에 표시될 화상의 예를 도시하는 도면이다.
도 12a 내지 도 12f는 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
이하, 첨부 도면들을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명할 것이다. 이하의 실시예들은 청구된 발명의 범위를 한정하려는 것이 아니라는 점에 유의한다. 실시예들에서는 다수의 특징이 설명되지만, 이러한 모든 특징이 필요한 발명으로 한정되지 않으며, 이러한 다수의 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면들에서는, 동일하거나 또는 마찬가지의 구성들에 동일한 참조 번호들을 부여하고, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 막 형성 장치(1) 및 시뮬레이션 장치(30)의 배치를 나타내는 개략도이다. 막 형성 장치(1)는 기판(10) 상에 배치된 경화성 조성물(9)의 복수의 액적을 몰드(7)(원판, 템플릿)와 접촉시키고, 기판(10)과 몰드(7) 사이의 공간에 경화성 조성물(9)의 막을 형성하는 프로세스를 실행한다. 본 실시예에서, 막 형성 장치(1)는 임프린트 장치로서 형성되지만, 평탄화 장치로서 형성될 수 있다. 기판(10)과 몰드(7)는 교환가능하고, 몰드(7) 상에 배치된 경화성 조성물(9)의 복수의 액적을 기판(10)과 접촉시킴으로써 몰드(7)와 기판(10) 사이의 공간에 경화성 조성물(9)의 막을 형성할 수 있다. 따라서, 포괄적으로는, 막 형성 장치(1)는 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물(9)의 복수의 액적을 제2 부재와 접촉시키고, 제1 부재와 제2 부재 사이의 공간에 경화성 조성물(9)의 막을 형성하는 프로세스를 실행하는 장치이다. 본 실시예에서는 제1 부재를 기판(10)으로서 가정하고 제2 부재를 몰드(7)로서 가정함으로써 설명하고 있다. 그러나, 제1 부재는 몰드(7)로서 가정될 수 있고, 제2 부재는 기판(10)으로서 가정될 수 있다. 이 경우, 이하의 설명에서의 기판(10)과 몰드(7)는 서로 교환된다.
임프린트 장치로서 구성된 막 형성 장치(1)는 패턴을 갖는 몰드(7)를 사용하여 몰드(7)의 패턴을 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)에 전사한다. 임프린트 프로세스로서, 막 형성 장치(1)는 패턴이 제공된 패턴 영역(7a)을 갖는 몰드(7)를 사용한다. 막 형성 장치(1)는 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)을 몰드(7)의 패턴 영역(7a)과 접촉시키고, 기판(10)의 패턴이 형성될 영역과 몰드(7) 사이의 공간을 경화성 조성물(9)로 충전한 후, 경화성 조성물(9)을 경화시킨다. 이에 의해, 몰드(7)의 패턴 영역(7a)의 패턴이 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)에 전사된다. 예를 들어, 막 형성 장치(1)는 기판(10)의 복수의 샷 영역 각각에 경화성 조성물(9)의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다.
평탄화 장치는, 평탄화 프로세스로서, 평탄면을 갖는 몰드를 사용하여, 기판 상의 경화성 조성물을 몰드의 평탄면과 접촉시키고, 경화성 조성물을 경화시킴으로써, 평탄한 상면을 갖는 막을 형성한다. 기판의 전체 영역을 커버하는 치수(크기)를 갖는 몰드가 사용되는 경우, 평탄화 장치는 기판 전체 영역 상에 경화성 조성물의 경화물로 이루어진 막을 형성한다.
경화성 조성물로서는, 경화용 에너지를 받아 경화될 재료가 사용된다. 경화용 에너지로서, 전자파 또는 열이 사용될 수 있다. 전자파는 예를 들어, 10nm(포함) 내지 1mm(포함)의 파장 범위로부터 선택된 광, 보다 구체적으로는, 적외선, 가시광선, 또는 자외선을 포함한다. 경화성 조성물은, 광의 조사 혹은 가열에 의해 경화되는 조성물이다.
광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용매를 추가로 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다.
임프린트재는, 액체 분사 헤드를 사용하여 액적 형상 또는 복수의 액적이 연결되어서 형성되는 섬 또는 막 형상으로 기판 상에 부여될 수 있다. 경화성 조성물의 점도(25°C에서의 점도)는 예를 들어, 1mPa·s(포함) 내지 100mPa·s(포함)이다.
기판의 재료로서는, 예를 들어, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용된다. 필요에 따라, 기판의 표면에, 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 제공될 수 있다. 기판은 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 또는 실리카 유리를 포함한다.
본 명세서 및 첨부 도면들에서, 기판(10)의 표면에 평행한 방향들이 X-Y 평면으로서 정의되는 XYZ 좌표계에서 방향들이 표시될 것이다. XYZ 좌표계의 X-축, Y-축, 및 Z-축에 평행한 방향들은 각각 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향이다. X-축 둘레의 회전, Y-축 둘레의 회전, 및 Z-축 둘레의 회전은 각각 θX, θY, θZ이다. X-축, Y-축, 및 Z-축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X-축에 평행한 방향, Y-축에 평행한 방향, 및 Z-축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, θX-축, θY-축, 및 θZ-축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X-축에 평행한 축 둘레의 회전, Y-축에 평행한 축 둘레의 회전, 및 Z-축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, 위치는 X-, Y-, 및 Z-축의 좌표들에 기초하여 특정되는 정보이고, 배향은 θX-, θY-, 및 θZ-축의 값들에 의해 특정되는 정보이다. 위치 결정은 위치 및/또는 배향을 제어하는 것을 의미한다.
본 실시예에서는, 막 형성 장치(1)가 광 조사에 의해 경화성 조성물(9)을 경화시키는 광경화법을 채용하는 것으로 가정될 것이다. 막 형성 장치(1)는 조사 유닛(2), 몰드 보유지지 유닛(3), 기판 보유지지 유닛(4), 공급 유닛(5), 제어 유닛(6), 및 얼라인먼트 계측 유닛(21)을 포함한다. 또한, 막 형성 장치(1)는 기판 보유지지 유닛(4)이 배치되는 기준면을 특정하는 플레이트(22), 몰드 보유지지 유닛(3)을 고정하는 브리지 플레이트(23), 바닥으로부터의 진동을 제거하는 진동 방지 디바이스(24), 및 대응하는 진동 방지 디바이스(24)를 통해 브리지 플레이트(23)를 지지하는 기둥(25)을 포함한다. 또한, 막 형성 장치(1)는 장치의 외부와 몰드 보유지지 유닛(3) 사이에서 몰드(7)를 반송하는 몰드 반송 유닛(도시되지 않음) 그리고 장치의 외부와 기판 보유지지 유닛(4) 사이에서 기판(10)을 반송하는 기판 반송 유닛을 또한 포함한다.
몰드 보유지지 유닛(3)은 진공 흡착력 또는 정전기력에 의해 몰드(7)를 끌어 당겨서 보유지지하는 몰드 척(11)과, 몰드 척(11)을 보유지지하면서 몰드(7)(몰드 척(11))를 구동하는 몰드 구동 기구(12)를 포함한다. 몰드 척(11) 및 몰드 구동 기구(12)는 각각 조사 유닛(2)으로부터의 광이 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)에 조사될 수 있도록 중심부(내측)에 개구를 포함한다. 몰드 구동 기구(12)는 기판(10) 상의 경화성 조성물(9) 상에 몰드(7)를 선택적으로 가압(임프린트)하거나, 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)로부터 몰드(7)를 분리(이형)하기 위해서 몰드(7)를 Z 방향으로 구동한다. 몰드 구동 기구(12)에 적용가능한 액추에이터는, 예를 들어, 리니어 모터 또는 에어 실린더를 포함할 것이다. 몰드 구동 기구(12)는 몰드(7)의 정확한 위치 결정을 가능하게 하기 위해서, 조동 구동계(coarse driving system), 미동 구동계(fine driving system) 등의 복수의 구동계로 형성될 수 있다. 또한, 몰드 구동 기구(12)는 Z 방향뿐만 아니라 X 방향 및 Y 방향으로도 몰드(7)를 구동할 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 몰드 구동 기구(12)는 θ(Z축 둘레의 회전) 방향의 몰드(7)의 위치 및 몰드(7)의 기울기를 조정할 수 있는 기울기 기능을 갖도록 형성될 수 있다.
몰드(7)는 직사각형의 주변 형상을 갖고, 기판(10)에 대향하는 면에 3차원으로 형성된 패턴(기판(10)에 전사될 회로 패턴 등의 요철 패턴)을 포함하는 패턴 영역(7a)을 포함한다. 몰드(7)는 광을 투과시킬 수 있는 재료, 예를 들어, 석영으로 이루어진다. 또한, 몰드(7)는 조사될 표면 상에, 원형 평면 형상 및 어느 정도의 깊이를 갖는 캐비티를 가질 수 있다.
임프린트 프로세스에서, 조사 유닛(2)은 몰드(7)를 통해 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)에 광(예를 들어, 자외선)을 조사한다. 조사 유닛(2)은 광원(도시되지 않음)과, 광원으로부터의 광을 임프린트 프로세스에 적절한 상태(광 강도 분포, 조사 영역 등)로 조정하기 위한 광학계(13)(렌즈, 미러, 차광판 등)를 포함한다. 본 실시예에서는 광경화법이 채용되기 때문에, 막 형성 장치(1)는 조사 유닛(2)을 포함한다. 그러나, 열경화법을 채용하는 경우, 막 형성 장치(1)는 조사 유닛(2) 대신에 열경화성 조성물을 경화시키기 위한 열원을 포함할 것이다.
기판 보유지지 유닛(4)은 진공 흡착력 또는 정전기력에 의해 기판(10)을 끌어 당겨서 보유지지하는 기판 척(14), 기판 척(14)을 보유지지함으로써 기판(10)(기판 척(14))을 구동하는 기판 구동 기구(16), 및 보조 부재(15)를 포함한다. 기판 척(14) 및 기판 구동 기구(16)는 XY 평면에서 구동될 수 있는 기판 스테이지를 형성한다는 점에 유의한다.
보조 부재(15)는 기판 척(14)에 의해 보유지지된 기판(10)을 둘러싸도록 기판 척(14)의 주변에 배치된다. 보조 부재(15)는 또한 보조 부재(15)의 상면과 기판 척(14)에 의해 보유지지된 기판(10)의 상면이 대략 동일 평면이 되도록 기판 구동 기구(16) 상에 배치된다. 예를 들어, 보조 부재(15)의 상면의 높이와 기판 척(14)에 의해 보유지지되는 기판(10)의 높이 사이의 차이는 1mm 이하이거나 더 바람직하게는 0.1mm 이하일 수 있다.
몰드(7)의 위치 및 기판(10)의 위치는 몰드(7)의 패턴 영역(7a)이 기판(10) 상의 경화성 조성물(9) 상에 가압될 때 기판 보유지지 유닛(4)의 위치를 조정함으로써 서로에 대해 조정(정렬)될 수 있다. 기판 구동 기구(16)에 적용가능한 액추에이터는, 예를 들어, 리니어 모터 또는 에어 실린더를 포함할 것이다. 기판 구동 기구(16)는 X 방향 및 Y 방향뿐만 아니라 Z 방향으로도 기판(10)을 구동할 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 기판 구동 기구(16)는 기판(10)의 θ(Z-축 둘레의 회전) 방향의 위치 및 기판(10)의 기울기를 조정하는 기울기 기능을 갖도록 형성될 수 있다.
본 실시예에서는, 몰드(7)를 Z 방향으로 구동함으로써, 몰드(7)의 가압 및 이형을 구현한다. 그러나, 몰드(7)의 가압 및 이형은, 기판(10)을 Z 방향으로 구동하거나, 몰드(7)와 기판(10) 양쪽을 상대적으로 Z 방향으로 구동함으로써 구현될 수도 있다.
기판 보유지지 유닛(4)은 그 측면에, X, Y, Z, ωx, ωy, 및 ωz 방향에 각각 대응하는 복수의 참조 미러(17)를 포함한다. 기준 미러(17) 중 대응하는 것에 헬륨 네온 등의 레이저 빔을 조사함으로써 기판 보유지지 유닛(4)을 계측하도록 각각 형성된 복수의 레이저 간섭계(18)가 배치된다. 도 1에는 참조 미러(17)와 레이저 간섭계(18)의 1개의 세트만이 도시된다는 점에 유의한다. 레이저 간섭계(18)는, 예를 들어, 기판 보유지지 유닛(4)의 위치를 실시간으로 계측한다. 기판(10)(기판 보유지지 유닛(4))은 레이저 간섭계(18)의 계측 결과에 기초하여 위치 결정된다. 기판 보유지지 유닛(4)의 위치를 계측하기 위해 각각의 레이저 간섭계(18) 대신에 인코더가 사용될 수 있다는 점에 유의한다.
공급 유닛(5)은 몰드 보유지지 유닛(3)의 근방에 배치되고, 기판(10)(의 샷 영역) 상에 경화성 조성물(9)의 액적을 배치(공급)하는 기능을 갖는다. 본 실시예에서, 공급 유닛(5)은 잉크젯 방법을 채용하고, 미경화된 경화성 조성물(9)을 저장하는 용기(19) 및 용기(19)에 저장된 경화성 조성물(9)의 액적을 토출하는 토출 유닛(20)을 포함한다.
용기(19)의 내부 분위기는, 경화성 조성물(9)에 경화 반응을 일으키지 않는 분위기, 예를 들어, 산소를 함유하는 분위기로 설정되고, 경화성 조성물(9)을 관리할 수 있게 할 것이다. 또한, 용기(19)는 입자 또는 화학적 불순물이 경화성 조성물(9)에 혼입되는 것을 방지하는 재료로 구성된다.
토출 유닛(20)은, 예를 들어, 복수의 토출구(orifice)를 포함하는 압전 토출 기구(잉크젯 헤드)를 포함한다. 토출 유닛(20)으로부터 토출되는 경화성 조성물(9)의 양(토출량)은, 0.1pL/액적 내지 10pL/액적의 범위 내에서 조정될 수 있고, 통상 약 1pL/액적으로 설정된다. 경화성 조성물(9)의 전체 공급은 몰드(7)의 패턴의 밀도 또는 잔막 두께(remaining film thickness)에 따라 결정된다는 점에 유의한다.
얼라인먼트 계측 유닛(21)은 기판(10)에 제공된 얼라인먼트 마크들을 검출함으로써 기판(10)의 위치를 계측한다.
제어 유닛(6)은 CPU, 메모리 등을 포함하는 컴퓨터로 형성되고, 저장 유닛에 저장된 프로그램에 따라 막 형성 장치(1)의 각 유닛을 통괄적으로 제어함으로써 막 형성 장치(1)를 동작시킨다. 예를 들어, 제어 유닛(6)은 몰드(7)를 사용하여 기판 상에 경화성 조성물(9)로 이루어진 임프린트재 패턴을 형성하는 임프린트 프로세스를 제어할 것이다. 제어 유닛(6)은 막 형성 장치(1)의 다른 부분들과 (공통 하우징 내에) 일체로 형성될 수 있거나, 막 형성 장치(1)의 다른 부분들과 (다른 하우징 내에) 별도로 형성될 수 있다.
여기서, 막 형성 장치(1)에 의해 행해지는 임프린트 프로세스에 대해서 설명할 것이다. 임프린트 프로세스에서는, 먼저, 공급 유닛(5)을 사용하여 기판 상의 경화성 조성물(9)을 배치(공급)한다(공급 프로세스). 다음으로, 몰드 구동 기구(12)를 사용하여, 기판 상의 경화성 조성물(9)과 몰드(7)를 서로 접촉시키고, 몰드(7)의 패턴 영역(7a)을 기판 상의 경화성 조성물(9) 상에 가압한다(접촉 프로세스). 다음으로, 기판 상의 경화성 조성물(9)과 몰드(7)를 서로 접촉시킨 상태에서, 조사 유닛(2)으로부터의 광을 몰드(7)를 통해 경화성 조성물(9)에 조사하고, 기판 상의 경화성 조성물(9)을 경화시킨다(경화 프로세스). 다음으로, 몰드 구동 기구(12)를 사용하여 기판 상의 경화된 경화성 조성물(9)을 몰드(7)로부터 분리한다(이형 프로세스). 그 결과, 몰드(7)의 패턴에 따라 3차원 형상을 갖는 경화성 조성물(9)로 이루어진 패턴(막)이 기판(10) 상에 형성된다. 이러한 일련의 프로세스는 기판 상의 복수의 샷 영역 각각에 대해 행해질 것이다.
기판 상의 경화성 조성물(9)과 몰드(7)를 접촉시켜 몰드(7)의 패턴을 경화성 조성물(9)로 충전할 때, 몰드(7)와 기판(10) 사이에 존재하는 공기가 몰드(7)의 패턴에 들어가면, 기판 상에 형성된 경화성 조성물(9)의 패턴에 미충전된 부분에 의한 결함이 발생할 것이라는 점에 유의한다. 따라서, 경화성 조성물(9)에 대하여 높은 용해도 및 높은 확산성의 특성 중 적어도 하나를 갖는 기체를 몰드(7)와 기판(10) 사이의 공간에 공급하는 것이 바람직하다.
시뮬레이션 장치(30)는 막 형성 장치(1)에 의해 실행되는 프로세스에서 경화성 조성물(9)의 거동을 예측하는 계산을 실행한다. 보다 구체적으로, 시뮬레이션 장치(30)는 기판(10) 상에 배치된 경화성 조성물(9)의 복수의 액적을 몰드(7)와 접촉시키고, 기판(10)과 몰드(7) 사이의 공간에 경화성 조성물(9)의 막을 형성하는 프로세스에서 경화성 조성물(9)의 거동을 예측하는 계산을 실행한다.
시뮬레이션 장치(30)는 예를 들어, 범용 또는 전용 컴퓨터에 시뮬레이션 프로그램(33)을 포함시킴으로써 형성된다. 시뮬레이션 장치(30)는 FPGA(Field Programmable Gate Array)와 같은 PLD(Programmable Logic Device)에 의해 형성될 수 있다는 점에 유의한다. 대안적으로, 시뮬레이션 장치(30)는 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 시뮬레이션 장치(30)는 프로세서(31), 메모리(32), 디스플레이(34) 및 입력 디바이스(35)를 포함하는 컴퓨터 내의 메모리(32)에 시뮬레이션 프로그램(33)을 저장함으로써 형성된다. 메모리(32)는, 반도체 메모리, 하드 디스크와 같은 디스크, 또는 다른 형태의 메모리일 수 있다. 시뮬레이션 프로그램(33)은, 컴퓨터에 의해 판독가능한 메모리 매체에 저장될 수 있거나, 또는 전기 통신 네트워크 등의 통신 설비를 통해 시뮬레이션 장치(30)에 제공될 수 있다.
본 발명의 시뮬레이션 방법 및 시뮬레이션 장치는 기판과 몰드 사이의 공간에 경화성 조성물 막을 형성하는 프로세스, 즉 임프린트 프로세스에서의 경화성 조성물의 거동의 시뮬레이션에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 시뮬레이션 방법 및 시뮬레이션 장치는 기판 상의 경화성 조성물의 액적들 사이의 상호작용을 포함하여 액적들의 확산을 시뮬레이션함으로써 임의의 시간에 액적들의 확산을 예측하고 시각적으로 표시할 것이다. 또한, 본 발명의 시뮬레이션 방법 및 시뮬레이션 장치는 기판 상의 경화성 조성물의 액적들의 접합 상태 또는 접합 상태의 변화로 인해 액적들 사이에 포획되는 기체, 즉 기체(기포)의 물리량을 획득하여 시각적으로 표시할 것이다. 기체의 물리량은 적어도 기체의 몰값을 포함하는 기체 정보의 피스들이며, 보다 구체적으로는 기체의 몰값 이외에 기체의 체적, 압력, 및 농도 중 적어도 하나를 포함한다. 이는 기판 상의 경화성 조성물의 액적 확산의 거동(상태)이 시각적으로 확인될 수 있게 할 뿐만 아니라, 미충전된 부분으로 인한 결함이 생성될 수 있는 각각의 위치가 액적들 사이에 포획된 기체의 물리량 분포로부터 예측(파악)될 수 있게 할 것이다. 이러한 정보에 기초하여 기판 상의 경화성 조성물의 액적들의 배치를 조정함으로써, 임프린트 프로세스를 실제로 행하지 않고 미충전된 부분으로 인한 결함을 억제할 수 있을 것이다. 몰값(mole)은 P, V, n, R, 및 T가 각각 이상적인 기체의 압력, 체적, 질량, 기체 상수, 및 온도를 나타낼 때의 상태 방정식인 PV=nRT일 때의 n에 대응한다는 점에 유의한다. 본 실시예에서 몰값은 기체의 양(기체량)을 나타낸다고 가정한다.
이하, 도 2를 참조하여, 시뮬레이션 장치(30)에 의해 실행되는 시뮬레이션 방법에 대해서 상세하게 설명할 것이다. 시뮬레이션 방법은, 프로세스들로서, 단계들 S001, S002, S003, S004, S005, S006, S007, S008, S009, 및 S010을 포함한다. 시뮬레이션 장치(30)는 도 2에 도시된 시뮬레이션 방법의 프로세스들을 실행하는 하드웨어 요소들의 집합인 것으로 이해될 수 있다.
단계 S001은 시뮬레이션에 필요한 조건들(시뮬레이션 조건들)을 설정하는 프로세스이다. 단계 S002는 단계 S001에서 설정된 시뮬레이션 조건들에 기초하여 경화성 조성물(9)의 초기 상태를 설정하는 프로세스이다. 단계들 S001 및 S002의 프로세스들은 또한 단일 통합 프로세스, 예를 들어, 준비 프로세스로서 이해될 수 있다. 단계 S003은 몰드(7)의 운동을 계산하고, 몰드(7)의 위치(기판(10)과 몰드(7) 사이의 거리)를 갱신(계산)하는 프로세스이다. 단계 S004는 단계 S003에서 갱신된 몰드(7)의 위치에 기초하여, 경화성 조성물(9)의 복수의 액적 각각에 대해 몰드(7)에 의해 확산되는 각각의 액적의 거동(각각의 액적의 유동)을 계산하는 프로세스이다. 단계 S005는 단계 S004에서 계산된 각각의 액적의 거동에 기초하여, 인접한 액적들이 경화성 조성물(9)의 복수의 액적 중에서 함께 접합되었는지를 판정하는 프로세스이다. 단계 S006은 경화성 조성물(9)의 각각의 액적에 대해, 각각의 액적이 단계 S004에서 판정된 각각의 인접한 액정과 접합되었는지에 관한 정보에 기초하여 접합 정보를 계산하는 프로세스이다. 단계 S007은 단계 S006에서 계산된 접합 정보를 표시하는 프로세스이다. 단계 S007에서는, 단계 S006에서 계산한 접합 정보를, 경화성 조성물(9)의 복수의 액적 상태(경화성 조성물(9)의 거동)를 표시하는 정보의 피스들과 함께 표시할 수 있다. 단계 S008은 단계 S006에서 계산된 접합 정보에 기초하여, 경화성 조성물(9)의 액적들(상호 인접하는 액적들의 접합에 의해 형성되는 각각의 폐쇄 영역) 사이에 포획된 기체의 몰값을 적어도 포함하는 기체 정보를 계산하는 프로세스이다. 단계 S009에서는, 단계 S008에서 계산된 기체 정보를, 경화성 조성물(9)의 복수의 액적의 상태(경화성 조성물(9)의 거동)를 표시하는 정보와 함께 표시한다. 단계 S010은 계산(시뮬레이션)의 시간이 종료 시간에 도달했는지를 판정하는 프로세스이다. 계산 시간이 종료 시간에 도달하지 않은 경우, 시간은 다음 시간으로 진행하고, 프로세스는 단계 S003으로 이행한다. 한편, 계산 시간이 종료 시간에 도달한 경우, 시뮬레이션이 종료된다.
이하, 도 2에 도시된 시뮬레이션 방법의 각 프로세스에 대해서 상세하게 설명할 것이다.
단계 S001에서는, 시뮬레이션에 필요한 조건들로서 각종 파라미터가 설정된다. 파라미터들은 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)의 액적들의 배치, 각 액적의 체적, 경화성 조성물(9)의 물성값, 몰드(7)의 표면의 요철에 관한 정보(예를 들어, 패턴 영역(7a)의 패턴의 정보), 기판(10)의 표면의 요철에 관한 정보 등을 포함한다. 파라미터들은 또한 몰드(7)를 기판 상의 경화성 조성물(9)과 접촉시킬 때 설정되는 조건들(가압 조건들), 보다 구체적으로는 몰드(7)를 휘게 하는 압력, 몰드(7)를 기판 상의 경화성 조성물(9)과 접촉시킬 때의 속도 및 힘 등을 포함한다. 또한, 파라미터들은 몰드(7)를 기판 상의 경화성 조성물(9)과 접촉시킬 때 몰드(7)와 기판(10) 사이의 공간에 공급되는 기체의 종류 및 양을 포함한다.
단계 S002에서는, 경화성 조성물(9)의 복수의 액적 각각의 초기 상태(시뮬레이션을 개시할 때의 각각의 액적 상태)를 설정한다. 이러한 초기 상태는 기판(10) 상에 배치된 경화성 조성물(9)의 각 액적이 습윤되어 확산되었을 때의 각 액적의 윤곽(형상) 및 높이를 포함한다. 이러한 초기 상태는 또한 경화성 조성물(9)의 물성값을 사용하여 정적 평형 상태로서 가정함으로써 계산될 수 있다. 대안적으로, 경화성 조성물(9)의 물성값 이외에, 경화성 조성물(9)의 액적들이 기판(10) 상에 배치된 이후의 경과 시간 등을 입력하고, 일반적인 유동 시뮬레이션을 실행함으로써, 경화성 조성물의 동적 습윤 및 확산 거동으로부터 초기 상태를 계산할 수 있다.
본 실시예에 따른 시뮬레이션 모델에서, 경화성 조성물(9)의 각 액적은 도 3에 도시된 바와 같이 액적 요소 DRP로서 모델링된다. 도 3은 경화성 조성물(9)의 액적 요소 DRP의 개념을 도시하는 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, DRPi가 i번째 액적 요소를 표시하고, 아래첨자 i가 액적 요소 DRP의 번호를 나타낸다고 가정한다.
먼저, 경화성 조성물(9)의 각각의 액적 요소 내에 대표점을 설정한다. Ci(x0, y0)가 대표점의 좌표라고 가정한다. 경화성 조성물(9)의 각 액적의 대표점은 액적의 무게 중심 또는 액적의 무게 중심과는 상이한 점(위치)일 수 있지만, 액적의 윤곽의 내부에 설정될 필요가 있다. 또한, 경화성 조성물(9)의 액적 요소의 대표점으로부터 각도 θ(대표점을 액적의 윤곽 상의 점과 연결하는 선과 기준선에 의해 형성되는 각도)의 위치에 있는 액적 요소의 윤곽(주변) 상의 점까지의 거리는 반경 r(θ)을 나타낸다. 반경 r(θ)의 값은 각각의 각도 θ에 따라 변한다. 액적 요소의 윤곽 상의 각각의 점이 인접한 액적 요소와 접합되었는지를 표시하는 정보도 여기서 보유지지될 것이다. 인접한 액적 요소와 접합된 윤곽 상의 각각의 점의 위치(반경 r(θ))는 그 시점에 고정될 것이다. 이러한 방식으로, 고정된 반경 r(θ)을 갖는 각도 θ의 영역은 도 3에서 사선으로 표시된 바와 같이 고정된 영역 FIXi로서 설정될 것이다. 한편, 고정된 반경 r(θ)이 없는 각도 θ의 영역은 도 3에서 실선으로 표시된 바와 같이 자유 영역 FREi로서 설정될 것이다. 경화성 조성물(9)의 각 액적의 초기 상태에서, 모든 각도 θ는 자유 영역에 속할 것이다.
본 실시예에 따른 시뮬레이션 방법이 실제 프로그램으로서 구현될 경우, 각도 θ는 유한하게 분할됨으로써 처리될 수 있다(즉, 액적의 윤곽을 정의하기 위해 각각의 액적의 윤곽 상에 유한개의 점들이 설정될 것이다). 도 6은 18개의 각도 θ(각도 θ1 내지 θ18)로 정의(분할)된 경화성 조성물(9)의 액적 요소를 도시하는 도면이다. 이 경우, 각각의 각도 θ는 360°를 균등하게 분할함으로써 설정되거나 임의의 각도로 설정될 수 있다. 유한개의 점들에 의해 표현되는 윤곽 상의 인접한 점들 사이의 윤곽을 획득할 때 임의의 보간이 적용될 수 있다. 예를 들어, 윤곽 상의 인접하는 점들은 선에 의해 연결될 수 있거나 고차 보간이 적용될 수 있다.
단계 S003에서는, 몰드(7)의 운동을 계산하고, 몰드(7)의 위치를 갱신한다. 몰드(7)의 운동은, 경화성 조성물(9)의 액적들 또는 액적들에 의해 형성된 액막(liquid film)이 서로 접합할 때 생성되는 힘이 가압되고 쭈그러질 때 생성하는 힘, 몰드(7)와 기판(10) 사이의 공간에서의 기체의 유동으로 인한 힘, 몰드(7)에 가해지는 하중, 몰드(7)의 탄성 변형의 영향 등을 고려한 계산 역학에 의해 계산된다.
단계 S004에서는, 몰드(7)에 의해 확산된 각각의 액적 요소 DRP의 거동이 계산된다. 단계 S004는 각각의 액적 요소 DRP가 몰드(7)와 접촉하는지를 판정하는 프로세스를 포함한다. 단계 S002에서 획득된 액적 요소 DRPi의 높이 hdrp,i와 액적 요소 DRPi의 대표점 Ci(x0, y0)에서의 몰드(7)와 기판(10) 사이의 거리 hi가 비교되고, 액적 요소 DRPi는 수학식 (1)이 충족될 때 몰드(7)와 접촉되는 것으로 판정될 것이다.
Figure pat00001
...(1)
한편, 수학식 (1)이 충족되지 않는 경우, 계산에 있어서의 현재 시간에 액적 요소 DRPi가 몰드(7)와 접촉하고 있지 않다고 판정될 것이다. 이러한 경우, 액적 요소 DRPi의 거동 계산은 수행되지 않을 것이다.
몰드(7)와 접촉하고 있다고 판정되고 몰드(7)의 운동에 의해 확산된 각각의 액적 요소 DRPi의 거동이 계산된다. 이 프로세스에서, 경화성 조성물(9)의 각 액적의 체적은 저장(유지)될 것이다. 따라서, 액적 요소 DRPi의 체적 Vi 및 현재 시간에서의 액적 요소 위치의 거리 hi를 사용함으로써, 현재 시간에서의 액적 요소 DRPi의 면적 Snew은 다음과 같이 표현될 수 있다.
Figure pat00002
...(2)
단계 S005에서, 인접한 액적 요소들이 접합되었는지가 결정된다. 단계 S004에서 각 액적 요소의 윤곽을 계산한 결과, 자유 영역 FREi에 속하는 각도 θ를 갖는 윤곽 상의 점이 인접하는 액적 요소의 내부(윤곽의 내부)에 들어가는 상태가 발생할 것이다. 이 경우, 각도 θ의 반경 r(θ)은 고정될 것이다(즉, 대표점으로부터 액적들의 접합된 부분에 대응하는 윤곽 상의 점까지의 거리는 고정될 것이다). 즉, 각도 θ는 고정된 영역 FIXi에 포함될 것이고, 경화성 조성물(9)의 액적 요소의 확산(유동)은 그 이후의 시간에서 각도 θ의 방향으로 발생하지 않을 것이다. 단계 S005에서, 액적들이 서로 접합되었는지가 상술된 바와 같이 액적 요소들의 모든 세트에 대해 판정된다.
도 4를 참조하여, 인접하는 액적 요소들이 접합하였는지, 즉, 액적의 윤곽 상의 점이 인접하는 액적의 윤곽의 내부에 위치하는지를 판정하는 처리에 대해서 설명할 것이다. 먼저, 액적 요소 DRPi에 주목하고 액적 요소 DRPi의 자유 영역 FREi에 속하는 각도 방향에서의 윤곽 상의 점 P를 고려할 것이다. 액적 요소 DRPj는 액적 요소 DRPi에 인접한 액적 요소를 나타내는 것으로 가정될 것이고, 점 P와 액적 요소 DRPj의 대표점 Cj(중심)을 연결하는 선분 PCj의 길이가 획득될 것이다. 또한, 선분 PCj와 액적 요소 DRPj의 기준선에 의해 형성된 각도 θj가 획득될 것이고, 각도 θj에서의 액적 요소 DRPj의 반경 QCj의 길이가 획득될 것이다. 이어서, 반경 QCj의 길이와 선분 PCj의 길이가 비교될 것이다. 반경 QCj의 길이가 선분 PCj의 길이보다 길면, 액적 요소 DRPi의 윤곽 상의 점 P가 인접한 액적 요소 DRPj의 윤곽 내부에 위치하고 있다고, 즉 이러한 인접한 액적 요소들의 세트가 접합되었다고 판정될 것이다. 한편, 반경 QCj의 길이가 선분 PCj의 길이보다 짧으면, 액적 요소 DRPi의 윤곽 상의 점 P는 인접한 액적 요소 DRPj의 윤곽 내부에 위치하고 있지 않다고, 즉 이러한 인접한 액적 요소들의 세트가 접합되지 않았다고 판정될 것이다. 도 4에서는, 액적 요소 DRPi의 윤곽 상의 점 P가 인접하는 액적 요소 DRPj의 내부를 크게 관통한 것처럼 도시되었지만, 그 도시는 본 실시예의 특징을 강조할 뿐이라는 점에 유의한다. 실제 계산에서, 시간 간격은 액적 요소 DRPi의 윤곽 상의 점 P가 인접한 액적 요소 DRPj의 내부로 침투하게 될 침투량을 무시할 수 있는 크기로 설정하도록 충분히 단축될 수 있다.
도 5는 본 실시예에 따른 시뮬레이션 방법을 구현하는 시뮬레이션 장치(30)가 경화성 조성물(9)의 액적들의 거동(확산)을 계산한 예를 도시하는 도면이다. 몰드(7)와 기판(10) 사이의 거리는 도 5의 중심에 가까워질수록 감소하고 도 5의 중심에 멀어질수록 증가한다. 도 5를 참조하면, 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)의 액적의 배치에 따라, 액적들 사이의 복잡한 접합 상태가 표현될 수 있다는 것을 알 수 있다.
단계 S006에서는, 인접하는 액적 요소들이 접합되었는지에 관한 판정의 결과를 사용하여 접합 정보를 계산한다. 접합 정보는 인접하는 액적과의 접합 정도에 관한 관계를 평가하기 위한 평가 값을 나타낸다. 예를 들어, 본 실시예에서, 접합 정보는 경화성 조성물(9)의 각 액적의 윤곽의 일부가 다른 액적의 윤곽과 얼마나 많이 접촉하는지를 표시하는 정보라고 가정한다. 보다 구체적으로, 접합 정보는, 경화성 조성물(9)의 액적의 윤곽의 길이에 대한, 인접하는 액적의 윤곽과 접촉하는 것으로 판정된 부분의 비, 즉, 액적의 전체 윤곽에 대한, 인접하는 액적의 윤곽과 접촉하는 부분의 비라고 가정한다. 이 경우, 경화성 조성물(9)의 액적의 윤곽을 복수의 각도로 분할할 수 있고, 액적의 복수의 각도에 대한 다른 액적과 접촉하는 것으로 판정된 각도의 비를 접합 정보로서 설정할 수 있다.
도 6을 참조하여, 경화성 조성물(9)의 액적의 윤곽의 길이에 대한 인접하는 액적과의 접합의 비, 즉, 본 실시예에 따른 접합 정보의 개념에 대해서 설명할 것이다. 도 6에서, 참조 번호(601)는 관심있는 액적 요소의 윤곽을 표시하고, 참조 번호(602)는 관심있는 액적에 인접한 각각의 액적의 윤곽을 표시한다. 관심있는 액적 요소의 윤곽(601)의 복수의 점(603)이 샘플링되고, 복수의 점(603) 각각이 대응하는 인접한 액적 요소의 윤곽(602)과 접촉하는지가 판정된다. 예를 들어, 복수의 점(603) 중, 각각의 점(604)은 대응하는 인접한 액적 요소의 윤곽(602)과 접촉하는 것으로 판정된 점이다. 궁극적으로, 관심있는 액적 요소의 윤곽(601) 상에 샘플링된 점(603)의 전체 개수에 대한 인접한 액적 요소의 윤곽(602)과 접촉하는 점(604)의 비가 접합 정보로서 설정될 것이다.
단계 S007에서는, 이러한 방식으로 획득된 접합 정보를, 예를 들어, 접합 정보에 대응하는 경화성 조성물(9)의 각 액적의(확산의) 상태를 나타내는 정보와 함께 디스플레이(34)에 표시한다. 도 7은 단계 S007에서 디스플레이(34) 상에 표시되는 접합 정보를 포함하는 화상의 일례를 도시하는 도면이다. 도 7에서, 접합 정보는 기판(10)의 샷 영역 ST에 배치된 각각의 액적 요소 DRPi의 분포에 대해 색으로 표시된다. 본 실시예에서, 각각의 액적 요소 DRPi의 영역 내의 색은 액적 요소 DRPi의 윤곽의 길이에 대한 대응하는 인접한 액적의 접합의 비에 따라 변경된다.
몰드(7)를 기판(10) 상의 경화성 조성물(9)과 접촉시킬 때, 몰드(7)가 기판(10)을 향해 볼록 형상으로 변형되는 경우를 고려할 것이다. 이 경우, 액적 요소 DRPi는 샷 영역 ST의 중앙에 배치된 각각의 액적 요소 DRPi로부터 샷 영역 ST의 주변 측에 배치된 각각의 액적 요소 DRPi로 순차적으로 확산될 것이다. 따라서, 샷 영역 ST의 중앙에 배치된 각각의 액적 요소 DRPi는 ST의 주변 측에 배치된 각각의 액적 요소 DRPi보다 각각의 인접한 액적 요소와 더 높은 접합 비를 갖는 경향이 있다. 도 7에서, 각각의 액적 요소 DRPi의 영역 내의 밀도는 각각의 액적 요소 DRPi에 따른 각각의 인접한 액적과의 접합의 비에 따라 변경되었고, 각각의 인접한 액적과의 접합의 비가 더 높은 각각의 액적 요소 DRPi의 영역은 더 어두운 색으로 표시된다. 보다 구체적으로, 액적 요소 DRP1, 액적 요소 DRP2, 및 액적 요소 DRP3의 각각의 영역이 순차적으로, 즉 샷 영역 ST의 중앙으로부터의 거리가 증가하는 순서로 밝은 색으로 표시되도록 배치된다. 또한, 액적 요소가 각각의 액적 요소 DRP4의 방식으로 인접한 액적과 접촉하고 있지 않으면, 그러한 액적 요소의 영역은 백식으로 표시된다. 각각의 액적 요소 DRPi와 각각의 대응하는 인접한 액적 요소 사이의 경계는 또한 각각의 액적 요소 DRPi의 영역 및 각각의 액적 요소 DRPi의 윤곽을 구별하고 (식별 가능하게) 표시하기 위해 상이한 색들을 사용함으로써 확인될 수 있다는 점에 유의한다.
본 실시예에서는 접합 정보의 피스에 대응하는 각각의 액적의 영역의 밀도가 이러한 접합 정보의 피스의 크기에 따라 변경되는 경우를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 접합 정보의 피스에 대응하는 각각의 액적의 영역의 색조는 이러한 접합 정보의 피스의 크기에 따라 변경될 수 있다. 또한, 접합 정보는 접합 정보의 크기를 나타내는 각 색이 그 색에 의해 표시된 접합 정보의 크기 관계(본 실시예에서는 인접하는 액적과의 접합 비)와 연관된 범례를 표시함으로써 수치적으로도 파악될 수 있다. 그 결과, 경화성 조성물(9)의 복수의 액적 각각에 대한 각각의 액적의 확산 상태인 접촉 상태를 시각적으로 파악할 수 있을 것이다.
단계 S008에서는, 단계 S006에서 계산한 접합 정보(및 접합 정보의 연대적 변화)로부터, 경화성 조성물(9)의 액적들 사이에 포획된 기체의 몰값을 적어도 포함하는 기체 정보를 계산한다. 도 9a 및 도 9b를 참조하여, 경화성 조성물(9)의 액적들 사이에 포획된 기체의 몰값, 즉 기체량을, 기체 정보로서 계산하는 방법에 대해 설명할 것이다. 본 실시예에서는, 액적 요소 DRP1, DRP2, 및 DRP3에 의해 형성된 폐쇄 영역에 포획된 기체량 Vbub가 계산될 것이다. 도 9a는 기판(10)을 위에서 본 상태를 나타내고, 도 9b는 기판(10)을 도 9a에 표시된 선(901)을 따라 측면에서 본 상태를 나타낸다.
먼저, 도 9a에 도시된 바와 같이, 폐쇄 영역에 포획된 기체를 위에서 보았을 때의 기체 면적 Sbub가 계산된다. 기체 면적 Sbub는 경계로서 폐쇄 영역을 형성하는 링크들 LK를 갖는 폐쇄 영역 Sclose과, 폐쇄 영역에 포함된 액적 요소들 DRP1, DRP2, 및 DRP3의 면적 Sdrp 사이의 차이로서 다음과 같이 획득된다.
Figure pat00003
...(3)
도 9b를 참조하면, 기체량 Vbub는 몰드(7), 기판(10), 및 경화성 조성물(9)의 액적들 사이에 포획된 기체량이며, 다음과 같이 획득된다.
Figure pat00004
...(4)
여기서, h는 몰드(7)와 기판(10) 사이의 거리(높이) 또는 잔막 두께이다.
또한, 수학식 (4)에서는 폐쇄 영역에 포획된 기체량으로서 기체의 체적이 계산되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 점에 유의한다. 예를 들어, 폐쇄 영역에 포획된 기체량으로서, 기체에 포함된 분자수 nbub는 다음과 같이 계산될 수 있다.
Figure pat00005
...(5)
여기서, R은 기체 상수이고, T는 온도이다.
이러한 방식으로, 폐쇄 영역 내에 포획된 기체의 분자수는 기체 압력과 기체 내의 기포의 체적의 곱에 비례하는 양으로서 획득될 수 있다. 기체 압력은 몰드(7)의 가압에 의해 기체가 받은 힘으로서 계산될 수 있다는 점에 유의한다.
단계 S009에서는, 이러한 방식으로 획득된 기체 정보를, 기체 정보에 대응하는 경화성 조성물(9)의 액적들의(확산의) 상태를 표시하는 정보와 함께 디스플레이(34) 상에 표시한다. 도 8은 단계 S009에서 디스플레이(34) 상에 표시되는 기체 정보를 포함하는 화상의 일례를 도시하는 도면이다. 그러나, 기체 정보는 항상 경화성 조성물(9)의 액적들의 상태를 표시하는 정보와 함께 표시될 필요는 없고, 기체 정보만이 디스플레이(34) 상에 표시되도록 배치될 수도 있다. 도 8에서는, 기판(10)의 샷 영역 ST에 배치된 액적 요소 DRPi의 분포에 대하여, 각각의 기체량을 기체 정보(40)의 피스로서 나타내는 원으로 표시한다. 또한, 본 실시예에서는, 인접한 액적 요소들에 의해 형성된 폐쇄 영역에 대해 계산된 기체 정보(40)의 피스가 폐쇄 영역의 표시 위치에 표시된다. 따라서, 기체 정보(40)의 각 피스는 또한 기판(10)의 샷 영역 ST 상에 배치된 액적 요소 DRPi의 분포에서 폐쇄 영역에 포획된 기체의 위치를 나타낸다. 각각의 폐쇄 영역 내에 포획된 기체의 위치가 보다 용이하게 시각적으로 확인되게 하기 위해, 기체 정보(40)의 피스를 나타내는 각각의 원(윤곽 또는 내부)이 특정 색으로 표시될 수 있거나 깜박이게 될 수 있다는 점에 유의한다.
본 실시예에서는, 도 7에 도시된 화상과 도 8에 도시된 화상이 디스플레이(34) 상에 독립적으로 표시되는 경우를 설명했지만, 도 7에 도시된 화상과 도 8에 도시된 화상이 병렬로 표시될 수 있다는 점에 유의한다. 또한, 단계 S006에서 계산된 접합 정보 및 단계 S008에서 계산된 기체 정보는 또한 접합 정보 및 기체 정보에 대응하는 경화성 조성물(9)의 각각의 액적 상태를 표시하는 정보와 함께 디스플레이(34) 상에 표시될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 샷 영역 ST의 중앙에 배치된 각각의 액적 요소 DRPi로부터 샷 영역 ST의 주변 측에 배치된 각각의 액적 요소 DRPi로 액적 요소 DRPi가 순차적으로 확산된다. 따라서, 기판 상의 경화성 조성물(9)과 몰드(7)를 먼저 접촉시키는 중앙 영역으로부터 기체 정보(40)가 표시될 것이다. 시간이 경과함에 따라, 기체 정보(40)는 중앙 영역에 표시되는 것이 중단될 것이고, 기체 정보(40)는 주변 영역을 따라 표시될 것이다. 궁극적으로, 경화성 조성물(9)의 액적들의 배치, 및 몰드(7)를 경화성 조성물(9)에 가압하는 방법, 조건 등이 적절하고, 임프린트 프로세스에서 이상이 발생하지 않는 한, 기체 정보(40)의 표시가 정지될 것이다. 즉, 전체 샷 영역 ST는 경화성 조성물(9)에 의해 피복될 것이다.
도 10a 내지 도 10d를 참조하여, 본 실시예에 따른 디스플레이(34)에 표시될 화상에 포함되는 기체 정보(40)의 표시 예에 대해 설명할 것이다. 도 10a 내지 도 10d는 디스플레이(34) 상에 표시될 기체 정보(40)를 포함하는 화상의 일례를 각각 도시하는 도면들이다.
도 10a 내지 도 10d는 임프린트 프로세스의 가압 프로세스 동안 이상이 발생하고, 경화성 조성물(9)의 인접하는 액적에 의해 형성되는 폐쇄 영역들에 기체가 포획(잔류)된 경우를 도시한다. 도 10a에서, 기체 정보(40)의 각 피스는 원으로 표시되고, 폐쇄 영역에 포획된 기체의 위치를 표시한다. 도 10b에서, 기체 정보(40)의 각 피스는 폐쇄 영역 내에 포획된 기체의 위치 이외에, 원의 크기에 기초한 기체량의 크기를 식별 가능하게 표시한다. 그 결과, 각각의 폐쇄 영역에 포획된 기체량(분포)이 시각적으로 파악될 수 있다. 도 10b에서는 원의 크기에 기초하여 각 폐쇄 영역에 포획된 기체량이 표시되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 점에 유의한다. 예를 들어, 기체량의 크기는 색에 의해 식별가능하게 표시될 수 있다.
또한, 도 10c 및 도 10d에서, 기체 정보(40)는 원의 크기에 기초하여, 각각의 폐쇄 영역 내에 포획된 기체의 위치 이외에, 기체의 압력 및 기체의 체적을 각각 식별 가능하게 표시한다. 도 10c 및 도 10d를 참조하면, 각각의 폐쇄 영역에 포획된 기체량이 동일하더라도 기체의 압력 및 체적이 변할 것임을 시각적으로 파악하는 것이 가능하다. 예를 들어, 몰드(7)와 기판 상의 경화성 조성물(9)을 먼저 접촉시키는 샷 영역 ST의 중앙 영역에서, 각각의 폐쇄 영역에 포획된 기체는 높은 압력을 갖지만, 작은 체적을 갖는다. 몰드(7)와 경화성 조성물(9)을 접촉시킨 후, 기체가 조기에 각각의 폐쇄 영역에서 포획(생성)되고, 장시간이 경과했기 때문에, 이는 각각의 액적이 확산함에 따라 체적을 감소시키고 압력을 증가시킨 것으로 생각될 수 있다. 한편, 샷 영역 ST의 주변 영역에서는, 기체가 각각의 폐쇄 영역에 늦게 포획되었고 몰드(7)와 경화성 조성물(9)이 접촉된 이후로 짧은 시간이 경과했기 때문에, 각각의 액적이 아직 충분히 확산되지 않았기에 기체의 체적이 증가한 것으로 생각될 수 있다.
또한, 도 10c에 나타낸 화상과 도 10d에 나타낸 화상을 디스플레이(34) 상에 병렬로 표시함으로써, 경화성 조성물(9)의 인접하는 액적에 의해 형성된 각 폐쇄 영역에 기체가 포획된 원인을 파악할 수 있을 것이다. 그 결과, 경화성 조성물(9)의 액적들의 배치, 및 몰드(7)를 경화성 조성물(9)에 가압하는 방법, 조건 등을 용이하게 최적화(조정)할 수 있을 것이다. 예를 들어, 원인이 기체의 압력인 경우, 몰드(7)가 기판 상의 경화성 조성물(9) 상에 가압되는 힘 및 속도가 최적화될 것이다. 한편, 원인이 기체의 체적인 경우, 경화성 조성물(9)의 액적들 사이의 거리에 문제가 있을 것이기 때문에, 경화성 조성물(9)의 액적들의 배치가 최적화될 것이다.
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 디스플레이(34) 상의 기체 정보(40)의 피스가 선택될 때 기체 정보(40)의 피스에 대응하는 기체의 ID, 위치(좌표), 생성 시간, 시간 경과에 따른 변화, 양 및 체적이 표시되도록 배치될 수 있다. 그 결과, 경화성 조성물(9)의 인접하는 액적에 의해 형성되는 폐쇄 영역에 포획된 기체량의 증가의 원인이 기체의 압력 또는 기체의 체적에 의한 것인지를 용이하게 판별할 수 있다. 기체가 각각의 폐쇄 영역에 포획되는 원인을 명확하게 파악함으로써, 상술한 바와 같이, 경화성 조성물(9)의 액적의 배치 및 경화성 조성물(9)에 대한 몰드(7)의 가압 방법, 조건 등이 보다 용이하게 최적화될 것이다.
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 경화성 조성물(9)의 인접하는 액적에 의해 형성된 각각의 폐쇄 영역에 기체가 포획되는 시간(생성 시간) 및 시간의 경과에 따른 기체 정보의 변화를 표시하는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로 사용자로부터의 지시에 따라 시간의 경과에 따른 기체 정보의 변화 및 생성 시간 중 적어도 하나를 표시함으로써, 각각의 폐쇄 영역에 포획된 기체가 사라지는데 걸리는 시간을 예측함으로써 가압 프로세스에 요구되는 시간을 계산하는 것이 가능하게 될 것이다. 예를 들어, 가압 프로세스에 필요한 시간이 매우 길면, 생산성의 관점에서 불리하기 때문에, 경화성 조성물(9)의 액적들의 배치, 및 경화성 조성물(9)에 대한 몰드(7)의 가압 방법, 조건 등을 최적화할 필요가 있을 것이다. 도 11은 각각의 폐쇄 영역에 포획된 기체량의 시간 경과에 따른 변화를 도시하지만, 시간 경과에 따른 기체의 압력 또는 체적의 변화가 또한 동시에 표시될 수 있다는 점에 유의한다.
또한, 몰드(7)의 패턴 또는 기판(10)의 표면 상에 배치된 패턴으로 인해, 경화성 조성물(9)의 인접하는 액적들에 의해 형성된 각각의 폐쇄 영역에 기체가 포획될 수 있다. 예를 들어, 몰드(7) 또는 기판(10) 상에 배치된 패턴이 수직 방향으로 연장되는 라인 및 스페이스 패턴과 같은 패턴인 경우, 경화성 조성물(9)의 액적들은 수직 방향으로 보다 용이하게 확산될 것이지만, 수평 방향으로 확산하기 어려울 것이다. 또한, 얼라인먼트 마크와 같은 비교적 큰 패턴에는 다량의 경화성 조성물(9)이 필요하기 때문에, 얼라인먼트 마크의 주변에서 경화성 조성물(9)이 불충분해지는 경향이 있어, 기체가 각각의 폐쇄 영역에 포획되게 된다. 따라서, 도 10a 내지 도 10d 및 도 11에 도시된 화상들 상에 몰드(7)의 패턴 또는 기판(10)의 표면에 배치된 패턴을 중첩하여 표시하는 것이 바람직하다. 즉, 각 폐쇄 영역에 포획된 기체의 기체 정보 및 기체 정보에 대응하는 각 액적의 상태를 표시하는 정보 아외에, 몰드(7)에 배치된 패턴에 관한 정보 및 기판(10)에 배치된 패턴에 관한 정보 중 적어도 하나를 표시하는 것이 바람직하다.
단계 S003, S004, S005, S006, 및 S008의 프로세스를 포함하는 계산 프로세스는 미리 설정된 복수의 시간에 실행된다. 복수의 시간은 몰드(7)가 초기 위치로부터 하강하기 시작하는 시간으로부터 몰드가 복수의 액적과 접촉되고, 복수의 액적이 가압될 때 확산되고, 복수의 액적이 각각 접합되어 궁극적으로 단일 막을 형성한 후에 경화성 조성물의 경화가 행해지는 시간까지의 기간 내에 임의로 설정될 것이다. 복수의 시간은 전형적으로 일정한 시간 간격을 갖도록 설정된다.
단계 S010에서, 계산 시간이 종료 시간에 도달했는지가 판정된다. 상술한 바와 같이, 계산 시간이 종료 시간에 도달하지 않은 경우, 그 시간은 다음 시간으로 진행되어 프로세스를 단계 S003으로 이행시킬 것이다. 계산 시간이 종료 시간에 도달하면, 시뮬레이션은 종료될 것이다. 일례에서, 단계 S010에서, 현재 시간은 지정된 시간량만큼만 진행되고 새로운 시간으로 설정될 것이다. 이어서, 새로운 시간이 종료 시간에 도달했을 때, 시뮬레이션이 종료될 것이다.
본 실시예는 경화성 조성물(9)의 경화법으로서 광경화법을 채용하기 때문에, 수학식 (5)로부터 획득된 기체량은 임프린트 환경의 온도를 일정하게 설정함으로써 기체의 압력 및 체적에 의해 표현될 수 있다. 한편, 경화성 조성물(9)의 경화 방법으로서 열경화법을 채용하는 경우에는, 기체의 온도가 적절할 것이기 때문에, 기체의 온도와 몰드(7) 및 기판(10)의 온도 분포를 함께 표시할 수 있다.
또한, 몰드(7)와 기판(10) 사이의 공간의 분위기는 경화성 조성물(9)에 대하여 높은 용해도 또는 높은 분산성을 갖는 기체로 대체될 수 있어, 예를 들어, 액적들 사이에 포획된 기체가 보다 용이하게 사라질 수 있을 것이다. 이러한 경우, 몰드(7)와 기판(10) 사이의 공간에 공급되는 기체의 종류 및 농도 분포가 함께 표시될 수 있다. 경화성 조성물(9)에 대하여 높은 용해도 또는 높은 분산성을 갖는 기체는, 예를 들어, 헬륨, 이산화탄소, 펜타플루오로프로판 등을 포함할 수 있다는 점에 유의한다.
본 실시예에 따르면, 기판(10) 상에 배치된 경화성 조성물(9)의 복수의 액적의 거동, 특히 액적들 사이에 포획된 기체를 시각적으로 확인할 수 있다. 따라서, 막 형성 장치(1)에서의 경화성 조성물(9)을 형성하는 프로세스에서, 액적들 사이에 포획된 기체에 의한 미충전된 부분으로 인한 결함이 생성되는 경향이 있는 위치를 예측할 수 있을 것이다. 또한, 본 실시예에 따른 시뮬레이션 방법 및 그 결과를 사용하여, 경화성 조성물(9)의 액적들의 배치, 및 몰드(7)를 경화성 조성물(9)에 가압하는 방법, 조건 등을 반복적으로 조정함으로써, 미충전된 부분에 의한 결함의 생성을 억제하면서, 이러한 배치들, 방법들 및 조건들을 보다 용이하게 설정할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예(들)는 또한 저장 매체(이는 더 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'로서 지칭될 수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독하고 실행하여, 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하고, 및/또는 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하기 위한 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어, 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독하고 실행함으로써 및/또는 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행된 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 장치(CPU), 마이크로 처리 장치(MPU))를 포함할 수 있으며, 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독하고 실행하기 위해 개별 컴퓨터 또는 개별 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어들은 예를 들어, 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는 예를 들어, 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)™), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
시뮬레이션 장치(30)를 포함하는 막 형성 장치(1)는, 시뮬레이션 장치(30)를 사용하여 경화성 조성물의 거동을 예측함으로써, 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물을 제2 부재와 접촉시킴으로써 제1 부재 상에 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스를 제어한다.
본 실시예에 따른 물품의 제조 방법은, 상술한 시뮬레이션 방법을 반복적으로 실행하면서, 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물을 제2 부재와 접촉시킴으로써, 제1 부재 상에 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스를 위한 조건들을 결정하는 프로세스와, 결정된 조건들에 따라 형성하는 프로세스를 실행하는 처리를 포함한다. 비록 몰드가 패턴을 포함하는 실시예가 전술되었지만, 본 발명은 또한 기판이 패턴을 포함하는 실시예에 적용될 수 있다.
도 12a 내지 도 12f는 물품 제조 방법의 보다 구체적인 예를 도시한다. 도 12a에 도시되는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 준비한다. 다음으로, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재의 표면에 임프린트재(경화성 조성물)를 부여한다. 여기에서는, 임프린트재가 복수의 액적으로서 기판 상에 부여된 상태를 나타낸다.
도 12b에 나타내는 바와 같이, 임프린트용 몰드의, 돌출부 및 홈 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재를 향해 대향시킨다. 도 12c에 도시되는 바와 같이, 임프린트재가 부여된 기판을 몰드와 접촉시키고, 압력을 가한다. 몰드와 피가공재 사이의 간극에 임프린트재가 충전된다. 이 상태에서, 경화 에너지로서 광을 몰드를 통해서 임프린트재에 조사하면, 임프린트재는 경화한다.
도 12d에 나타내는 바와 같이, 임프린트재가 경화된 후, 몰드는 기판으로부터 이형된다. 따라서, 기판 상에 임프린트재의 경화물의 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 홈은 경화물의 돌출부에 대응하며, 몰드의 돌출부는 경화물의 홈에 대응한다. 즉, 임프린트재에 몰드의 돌출부 및 홈 패턴이 전사된다.
도 12e에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 또는 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈을 형성한다. 도 12f에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재의 표면에 홈이 형성된 물품을 획득할 수 있다. 여기에서는 경화재의 패턴이 제거되었으나, 예를 들어, 패턴은 처리(processing) 이후 제거되지 않고서 반도체 소자 등에 포함되는 층들 사이의 절연용 막으로서, 즉 물품의 구성 부재로서 사용될 수 있다.
본 발명은 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예들에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물의 복수의 액적을 제2 부재와 접촉시키고, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이의 공간에 상기 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스에서 상기 경화성 조성물의 액적 거동을 예측하는 시뮬레이션 방법으로서,
    상기 경화성 조성물의 복수의 액적 각각에 대해, 인접하는 액적들 간의 접합 정도(degree of merging)에 관한 관계를 평가하기 위한 평가 값에 기초하여, 서로 접합하는 인접하는 액적들에 의해 형성되는 폐쇄 영역에 포획된 기체의 몰값(mole)을 적어도 포함하는 기체 정보를 획득하는 획득 단계, 및
    상기 획득 단계에서 획득된 상기 기체 정보를, 상기 기체 정보에 대응하는 상기 액적의 상태를 표시하는 정보와 함께 표시하는 표시 단계를 포함하는, 시뮬레이션 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표시 단계에서, 상기 획득 단계에서 획득된 상기 기체 정보는 상기 기체 정보가 획득된 상기 폐쇄 영역의 표시 위치에 표시되는, 시뮬레이션 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기체 정보는 상기 폐쇄 영역에 포획된 기체의 체적과 압력 중 적어도 하나를 포함하는, 시뮬레이션 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 표시 단계에서, 상기 획득 단계에서 획득된 상기 몰값의 크기는 원의 크기에 기초하여 식별가능하게 표시되는, 시뮬레이션 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표시 단계에서, 상기 획득 단계에서 획득된 몰값의 크기는 색으로 식별가능하게 표시되는, 시뮬레이션 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 표시 단계에서, 사용자로부터의 지시에 따라, 상기 기체가 상기 폐쇄 영역에 포획되는 시간 및 시간 경과에 따른 상기 기체 정보의 변화 중 적어도 하나가 추가로 표시되는, 시뮬레이션 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 표시 단계에서, 상기 제1 부재 상에 배치된 패턴에 관한 정보 및 상기 제2 부재 상에 배치된 패턴에 관한 정보 중 적어도 하나는, 상기 획득 단계에서 획득된 상기 기체 정보 및 상기 기체 정보에 대응하는 액적의 상태를 표시하는 정보와 함께 표시되는, 시뮬레이션 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 평가 값은, 상기 경화성 조성물의 복수의 액적 각각에 대해, 상기 액적의 전체 윤곽에 대한 인접한 액적의 윤곽과 접촉하는 부분의 비를 포함하는, 시뮬레이션 방법.
  9. 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물의 복수의 액적을 제2 부재와 접촉시키고 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이의 공간에 상기 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스에서 경화성 조성물의 액적 거동을 예측하는 시뮬레이션 장치로서,
    상기 경화성 조성물의 복수의 액적 각각에 대해, 인접하는 액적들 간의 접합 정도에 관한 관계를 평가하기 위한 평가 값에 기초하여, 서로 접합하는 인접하는 액적들에 의해 형성되는 폐쇄 영역에 포획된 기체의 몰값을 적어도 포함하는 기체 정보가 획득되고,
    획득된 상기 기체 정보는, 상기 기체 정보에 대응하는 액적의 상태를 표시하는 정보와 함께 표시되는, 시뮬레이션 장치.
  10. 제9항에 정의된 시뮬레이션 장치를 포함하는 막 형성 장치로서,
    제1 기판 상에 배치된 경화성 조성물의 복수의 액적을 제2 부재와 접촉시키고, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이의 공간에 상기 경화성 조성물로 이루어진 막을 형성하는 프로세스는 상기 시뮬레이션 장치를 사용하여 상기 경화성 조성물의 거동을 예측함으로써 제어되는, 막 형성 장치.
  11. 물품 제조 방법으로서,
    제1항에서 정의된 시뮬레이션 방법을 반복하면서, 제1 부재 상에 배치된 경화성 조성물의 복수의 액적을 제2 부재와 접촉시키고, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이의 공간에 상기 경화성 조성물의 막을 형성하는 프로세스를 위한 조건을 결정하는 단계, 및
    상기 조건에 따라 상기 프로세스를 실행하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
  12. 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서,
    컴퓨터가 제1항에 정의된 시뮬레이션 방법을 실행하게 하는 프로그램을 저장하는, 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
KR1020220015403A 2021-02-15 2022-02-07 시뮬레이션 방법, 시뮬레이션 장치, 막 형성 장치, 물품 제조 방법 및 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 KR20220117141A (ko)

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