KR20220111658A - 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

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KR20220111658A
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고우스케 시라이시
쇼이치 테라다
요헤이 야마시타
하야토 타노우에
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

EBR(엣지 비드 리무벌) 처리에 있어서의 도포막의 험프 및 침식의 발생을 억제한다. 기판 처리 장치로서, 패턴 형성용의 도포막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판에 보호막을 형성하기 위한 처리액을 토출하는 처리액 토출부와, 상기 보호막이 형성된 상기 기판의 주연부에 레이저를 조사하는 레이저 조사부와, 상기 보호막에 당해 보호막을 제거하기 위한 제거액을 토출하는 제거액 토출부를 구비하고 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
특허 문헌 1은, 기판을 그 주면에 수직인 회전축 둘레로 회전시키는 회전 수단과, 레이저 광을 출력하는 광원과, 레이저 광을 분기시켜 제 1 광 빔과 제 2 광 빔을 생성하고, 제 1 광 빔과 제 2 광 빔과의 파워비를 변경 가능한 광 분기 수단과, 제 1 광 빔의 진행 방향을 변화시켜, 기판의 제 1 주면으로부터 당해 제 1 주면과는 반대측인 제 2 주면을 향하는 방향의 성분을 가지는 제 1 입사 방향을 따라 기판의 주연부에 제 1 광 빔을 입사시키는 제 1 광로 조정 수단과, 제 2 광 빔의 진행 방향을 변화시켜, 제 2 주면으로부터 제 1 주면을 향하는 방향의 성분을 가지는 제 2 입사 방향을 따라 기판의 주연부에 제 2 광 빔을 입사시키는 제 2 광로 조정 수단을 구비하는 기판 처리 장치를 개시하고 있다.
일본특허공개공보 2016-115893호
본 개시에 따른 기술은, 기판의 EBR(엣지 비드 리무벌) 처리에 있어서의 도포막의 험프 및 침식의 발생을 억제한다.
본 개시의 일태양은, 기판 처리 장치로서, 패턴 형성용의 도포막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판에 보호막을 형성하기 위한 처리액을 토출하는 처리액 토출부와, 상기 보호막이 형성된 상기 기판의 주연부에 레이저를 조사하는 레이저 조사부와, 상기 보호막에 상기 보호막을 제거하기 위한 제거액을 토출하는 제거액 토출부를 구비하고 있다.
본 개시에 따르면, 기판의 EBR(엣지 비드 리무벌) 처리에 있어서의 도포막의 험프 및 침식의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 배면도이다.
도 4는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 측면 단면도이다.
도 5는 레이저 조사부, 처리액 토출부 및 제거액 토출부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 플로우를 나타내는 도이다.
도 7은 도 6의 플로우에 따라 기판 처리를 행할 시의 레이저 조사부, 처리액 토출부 및 제거액 토출부의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 8은 레이저의 조사 방법을 설명하기 위한 기판 주연부의 확대도이다.
도 9는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 측면 단면도이다.
도 10은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 11은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 플로우를 나타내는 도이다.
도 12는 제 2 실시 형태에 따른 다른 기판 처리 플로우를 나타내는 도이다.
도 13은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 측면 단면도이다.
도 14는 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 플로우를 나타내는 도이다.
도 15는 도 14의 플로우에 따라 기판 처리를 행할 시의 기판 상의 도포막의 상태를 나타내는 설명도이다.
반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 하는 경우가 있음) 등의 기판의 표면에 패턴 형성용의 도포막으로서 레지스트막을 형성하는 공정이 있다. 이 공정에 있어서는, 레지스트막이 형성된 웨이퍼의 주연부에 시너 등의 용제를 토출하여, 웨이퍼 주연부의 불필요한 레지스트막을 제거하는 처리, 이른바 엣지 비드 리무벌 처리(이하, 'EBR 처리'라 하는 경우가 있음)가 행해진다.
이 EBR 처리를 시너 등의 용제를 이용하여 행하는 경우, 용제에 의해 불필요한 레지스트막이 제거되는 한편, 패턴 형성에 필요한 레지스트막의 융기(이하, '험프'라 함) 또는 침식이 생겨, 패턴 형성용의 레지스트막의 주연부 형상이 무너지는 경우가 있다. 이러한 레지스트막의 형상 무너짐이 발생하면, 후공정에 있어서 패턴 이상 등의 결함을 일으키는 것이 염려된다.
따라서, 본 개시에 따른 기술은, 기판의 EBR 처리에 있어서의 도포막의 험프 및 침식의 발생을 억제한다.
이하, 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
<제 1 실시 형태>
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 설명함에 있어, 먼저 당해 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 대하여 설명한다.
(기판 처리 시스템)
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 또한 도 2 및 도 3은, 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도와 배면도이다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판으로서의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입반출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)을 가진다. 그리고, 기판 처리 시스템(1)은, 카세트 스테이션(10)과, 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 배치대(20)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입반출할 시에, 카세트(C)를 배치하는 카세트 배치판(21)이 복수 마련되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도 1의 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수 예를 들면 4 개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 마련되어 있다. 예를 들면 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제 1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제 2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제 3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제 4 블록(G4)이 마련되어 있다.
제 1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들면 현상 처리 장치(30), 도포 처리 장치로서의 레지스트 도포 장치(31)가 마련되어 있다. 현상 처리 장치(30)는, 웨이퍼(W)를 현상 처리한다. 레지스트 도포 장치(31)는, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하여 도포막으로서 레지스트막을 형성한다. 이들 현상 처리 장치(30), 레지스트 도포 장치(31)의 수 및 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
이들 현상 처리 장치(30), 레지스트 도포 장치(31)에서는, 예를 들면 웨이퍼(W) 상에 정해진 처리액, 도포액을 이용한 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예를 들면 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 처리액 및 도포액을 토출하고, 또한 웨이퍼(W)를 회전시켜, 처리액 및 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다.
제 2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 열 처리 장치(40)와, 주변 노광 장치(41)가 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 열 처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)의 가열 또는 냉각과 같은 열 처리를 행한다. 예를 들면 열 처리 장치(40)는 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)의 베이크 처리를 행한다. 주변 노광 장치(41)는, 웨이퍼(W)의 외주부를 노광한다. 이들 열 처리 장치(40), 주변 노광 장치(41)의 수 및 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
예를 들면 제 3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 차례로 마련되어 있다. 또한, 제 4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 차례로 마련되어 있다.
도 1 및 도 3에 나타내는 바와 같이 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(70)는 각각, 예를 들면 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(70a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 상하로 복수 대 배치되어 있고, 각 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 예를 들면 각 블록(G1 ~ G4)의 동일 정도의 높이의 정해진 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)과의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들면 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하여, 제 3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제 3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들면 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(90a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(100a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 반송 암(100a)에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(101)및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 제어부(200)가 마련되어 있다. 제어부(200)는, 예를 들면 CPU 및 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 당해 기억 매체(H)로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 된다. 프로그램의 일부 또는 전부는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현되어도 된다. 기억 매체(H)는 일시적 기억 매체인지 비일시적 기억 매체인지를 묻지 않는다.
이어서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트 도포 장치(31)에 대하여 설명한다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 레지스트 도포 장치(31)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 측면 단면도이다.
레지스트 도포 장치(31)는, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(301)를 가지고 있다. 처리 용기(301)의 측면에는, 웨이퍼(W)의 반입반출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
처리 용기(301) 내에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지부로서의 스핀 척(302)이 마련되어 있다. 이 스핀 척(302)은, 예를 들면 모터 등의 액츄에이터를 가지는 척 구동부(303)에 의해 정해진 속도로 회전 가능하며, 스핀 척(302)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 또한, 척 구동부(303)에는, 예를 들면 실린더 등의 승강 구동 기구가 마련되어 있고, 스핀 척(302)은 승강 가능하게 되어 있다.
또한, 처리 용기(301) 내에는, 스핀 척(302)의 외측에 배치된, 스핀 척(302)에 유지되는 웨이퍼(W)를 둘러싸는 컵(304)이 마련되어 있다. 컵(304)은, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 회수하는 아우터 컵(305)과, 아우터 컵(305)의 내주측에 위치하는 이너 컵(306)을 포함한다. 아우터 컵(305)의 상면에는, 스핀 척(302)에 대한 웨이퍼(W)의 전달의 전후에 웨이퍼(W)가 통과하는 개구(307)가 형성되어 있다. 또한 처리 용기(301) 내에는, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 토출하기 위한 노즐 유닛(308)이 상하 방향 및 수평 방향으로 이동 가능하게 마련되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 장치(31)는, 웨이퍼(W)의 주연부에 레이저를 조사하는 레이저 조사 기구(310)와, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 보호막 형성용의 처리액을 토출하는 처리액 토출 기구(320)를 구비하고 있다.
레이저 조사 기구(310)는, 레이저 광원(311)과, 어테뉴에이터(312)와, 마스크(313)와, 레이저 조사부(314)를 구비하고 있다. 레이저 조사부(314)의 내부에는 미러(315)가 마련되어 있다. 레이저 광원(311)으로부터 수평 방향으로 출력된 도 4의 파선 화살표로 나타내는 레이저 광은, 어테뉴에이터(312)와 마스크(313)를 통과하여, 미러(315)의 반사에 의해 연직 방향 하향으로 나아가고, 레이저 조사부(314)가 가지는 도시하지 않는 렌즈를 개재하여 웨이퍼(W)에 조사된다. 본 실시 형태에 있어서의 레이저 조사부(314)는, 도시하지 않는 구동 기구를 구비하는 암에 의해 왕복 화살표(A)를 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
또한, 레이저 조사 기구(310)의 구조 및 설치 위치 등은 특별히 한정되지 않으며, 웨이퍼 주연부의 레지스트막을 향해 레이저를 조사 가능한 구조이면 된다. 예를 들면 본 실시 형태에 있어서는 레이저 조사부(314)를 왕복 화살표(A)를 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 구성하고 있지만, 스핀 척(302)을 왕복 화살표(A)를 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 구성해도 된다. 또한, 웨이퍼(W)에 대한 레이저 조사 위치의 변경은, 레이저 조사부(314) 또는 스핀 척(302)의 수평 이동이 아니라, 미러(315)의 각도 조절에 의해 행해져도 된다. 또한, 레이저 광의 종류 및 발진 형태, 파장은, 레지스트막의 제거가 가능하면 특별히 한정되지 않지만, 레이저는 파장이 240 nm 이상의 고체 레이저인 것이 바람직하다. 또한, 레이저는 펄스 레이저인 것이 바람직하다.
처리액 토출 기구(320)는, 보호막 형성용의 처리액을 공급하는 처리액 공급원(321)과, 처리액의 유로가 되는 처리액 공급관(322)과, 처리액 토출부로서의 처리액 노즐(323)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 처리액 노즐(323)은, 노즐 본체(323a)와, 노즐 본체(323a)를 지지하는 노즐 지지부(323b)로 구성되어 있다. 처리액 노즐(323)은, 도시하지 않는 구동 기구를 구비하는 암에 의해 왕복 화살표(B)를 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 처리액 토출 기구(320)의 구조 및 설치 위치 등은 특별히 한정되지 않으며, 레지스트막의 상면에 대한 처리액의 토출이 가능한 구조이면 된다.
처리액의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 후술하는 보호막의 제거액에 대하여 가용성을 가지고, 또한, 기판 및 도포막의 품질에 악영향을 주지 않는 것이면 된다. 예를 들면 기판에 형성되는 도포막이 레지스트막인 경우, 보호막의 제거액으로서 시너 등의 유기 용제를 이용하여 보호막의 제거를 행하면, 보호막과 함께 레지스트막이 용해된다. 이 때문에, 도포막이 레지스트막인 경우에는, 보호막은 수용성의 막인 것이 바람직하다. 보호막이 수용성의 막인 경우, 보호막의 제거액으로서 예를 들면 순수를 사용할 수 있으며, 레지스트막을 용해시키지 않고 보호막만을 제거할 수 있다. 그러한 수용성의 보호막을 형성하는 처리액으로서는, 예를 들면 PVA(폴리비닐 알코올) 등, 수용성의 레지스트 등이 이용된다.
도 5는 레이저 조사부(314)와 처리액 노즐(323)을 위에서 본 모식도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 장치(31)에 있어서는, 처리액 토출 기구(320)와 동일한 구조를 가지는, 보호막 제거용의 제거액을 토출하는 제거액 토출 기구(330)가 마련되어 있다. 제거액 토출 기구(330)는, 제거액을 공급하는 제거액 공급원(331)과, 제거액의 유로가 되는 제거액 공급관(332)과, 제거액 토출부로서의 제거액 노즐(333)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 제거액 노즐(333)은, 노즐 본체(333a)와, 노즐 본체(333a)를 지지하는 노즐 지지부(333b)로 구성되어 있다. 제거액 노즐(333)은, 도시하지 않는 구동 기구를 구비하는 암에 의해 왕복 화살표(C)를 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 제거액 토출 기구(330)의 구조 및 설치 위치 등은 특별히 한정되지 않으며, 레지스트막의 상면에 형성된 보호막에 대한 제거액의 토출이 가능한 구조이면 된다.
제거액의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 보호막을 용해시키는 것이 가능하고, 또한, 기판 및 도포막의 품질에 악영향을 주지 않는 것이면 된다. 예를 들면 레지스트막의 상면에 형성된 수용성의 보호막에 대해서는 제거액으로서 순수를 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 장치(31)는 이상과 같이 구성되어 있다. 이어서, 이 레지스트 도포 장치(31)를 이용한 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 따른 웨이퍼(W)의 처리는 도 6에 나타내는 플로우에 따라 행해진다.
먼저 스핀 척(302) 상에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부에 레지스트액을 토출하고, 스핀 척(302)을 회전시켜 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성한다.
이어서, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이 보호막 형성용의 처리액 노즐(323)을, 레지스트막(R)이 형성된 웨이퍼(W)의 주연부까지 이동시킨다. 이 때, 처리액의 토출 위치가 적어도 후술하는 레이저 조사 영역보다 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측의 영역에 위치하도록 처리액 노즐(323)을 이동시킨다. 이어서, 스핀 척(302)을 회전시키면서 처리액을 토출하고, 스핀 척(302)의 회전에 의해, 토출된 처리액을 건조시키고, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이 레지스트막(R)의 상면에 보호막(P)을 형성한다. 또한 본 실시 형태에 있어서는, 레지스트막(R)이 형성된 웨이퍼(W)의 주연부에만 보호막(P)을 형성하고 있지만, 처리액을 웨이퍼(W)의 중심부에 토출하고, 스핀 척(302)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 전체에 보호막(P)을 형성해도 된다.
이어서, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이 처리액 노즐(323)을 웨이퍼(W)의 외측으로 퇴피시키고, 레이저 조사부(314)를 웨이퍼(W)의 주연부로 이동시킨다. 이어서, 스핀 척(302)을 회전시키면서 레이저를 조사한다.
레이저가 펄스 레이저인 경우는, 예를 들면 도 8과 같이 레이저 조사를 행한다. 도 8은 레이저 조사 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 주연부의 모습을 모식적으로 나타낸 확대 평면도이다. 또한, 도 8의 지면 좌측은 웨이퍼(W)의 중심부측, 지면 우측은 웨이퍼(W)의 단부측이다. 도 8에 나타내는 예에서는 레이저 조사는 1 회당 조사 영역이 웨이퍼(W)의 둘레 방향(도면 중의 화살표 방향)에 있어서 서로 중첩되도록 실시된다. 상술하면, 먼저 영역(L1)에 1 회째의 레이저 조사를 행한 후, 영역(L1)과 중첩되도록 2 회째의 레이저 조사를 행한다. 이어서, 2 회째에 레이저를 조사한 영역(L2)과 중첩되도록 3 회째의 레이저 조사를 행한다. 이와 같이 하여 각 영역(L1 ~ L6)이 차례로 중첩되도록 레이저 조사를 행함으로써, 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 레지스트막이 제거되어 간다. 이 때, 레이저 조사부(314)(도 7의 (b))의 위치는 고정되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 1 주분의 레지스트막의 제거가 완료된 후, 레이저 조사가 완료된 영역으로부터 웨이퍼(W)의 중심부측으로 레이저 조사부(314)를 이동시켜, 레이저 미조사 영역의 레이저 조사를 행한다. 또한, 펄스 레이저의 조사 피치와 스핀 척(302)의 회전수는 상기와 같은 레이저 조사가 가능하게 되도록 적절히 설정된다.
웨이퍼(W)를 향해 조사된 레이저는, 보호막(P)을 투과하여 레지스트막(R)에 달한다. 이에 수반하여, 웨이퍼(W)와 레지스트막(R)의 계면에 열이 발생하고, 열 발생부에 있어서의 레지스트막(R)의 팽창에 의해, 레이저 조사 개소에 있어서의 레지스트막(R)은 당해 레지스트막(R)의 상면에 형성된 보호막(P)과 함께 웨이퍼(W)로부터 박리된다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서의 불필요한 레지스트막(R)이 제거된다. 또한 도 7의 (a) 및 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는 처리액 토출과 레이저 조사를 별개의 타이밍에 행하고 있다. 단, 웨이퍼(W)에 토출된 처리액이 레이저의 조사 위치에 달할 때까지의 사이에 건조되어 보호막(P)으로서 기능하는 장치 구성이면, 처리액 노즐(323)과 레이저 조사부(314)의 각각을 웨이퍼(W)의 주연부로 이동시켜, 처리액 토출과 레이저 조사를 동일한 공정으로 실시해도 된다.
이어서, 도 7의 (d)에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사부(314)를 웨이퍼(W)의 외측으로 퇴피시켜, 레이저가 조사된 웨이퍼(W)에 잔존하는 보호막(P)의 형성 영역까지 제거액 노즐(333)을 이동시킨다. 이 때, 제거액의 토출 위치가 보호막(P)의 형성 영역보다 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측의 영역에 위치하도록 제거액 노즐(333)을 이동시킨다. 이어서, 스핀 척(302)을 회전시키면서 제거액을 토출하고, 이에 의해 보호막(P)이 제거된다. 그리고, 보호막(P)이 제거됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서는 불필요한 레지스트막(R)이 제거되고, 또한, 패턴 형성에 필요한 레지스트막(R)만이 잔존한 상태가 되어, EBR 처리가 완료된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 예를 들면 열 처리 장치(40)로 반송되어 베이크 처리가 행해진다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 방법에 있어서는, 레이저를 이용하여 EBR 처리를 행하기 때문에, EBR 처리 시에 시너 등의 용제를 사용하지 않는다. 이에 의해, 패턴 형성을 위하여 필요한 레지스트막의 험프 및 침식의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 레이저를 이용하여 EBR 처리를 행하는 경우, 레이저 조사에 의해, 건조된 레지스트가 웨이퍼(W)의 주연부 이외의 개소에 데브리로서 비산하는 것이 염려된다. 그러나, 본 실시 형태에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 방법에 있어서는, 레이저의 조사 전에 레지스트막(R)의 상면에 보호막(P)을 형성하고 있기 때문에, 레이저 조사에 의해 발생하는 데브리는 보호막(P)의 상면에 비산한다. 이 보호막(P)은 제거액에 의해 제거되는 것으로부터, 보호막(P)의 상면에 비산한 데브리도 보호막(P)과 함께 제거된다. 즉, 본 실시 형태와 같은 레이저 조사 전에 보호막(P)을 형성하는 처리 방법에 의하면, 레지스트막(R)의 험프 및 침식의 발생을 억제할 수 있고, 또한 레이저 조사 시에 있어서의 데브리 대책도 행할 수 있다. 또한 데브리 대책으로서는, 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측으로부터 외측을 향해 질소 가스 등의 기체를 분사하면서 레이저 조사를 행하는 방법도 있다.
<제 2 실시 형태>
제 1 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 장치(31)는, 레이저 조사 기능을 구비하고 있던 것에 의해 웨이퍼(W)의 EBR 처리를 행하는 기능을 가지고 있었지만, 이 레이저 조사 기능은 전용의 모듈로 실현되어도 된다. 도 9는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레이저 조사 장치(32)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 측면 단면도이다.
도 9에 나타내는 본 실시 형태에 있어서의 레이저 조사 장치(32)는, 도 4에 나타내는 레지스트 도포 장치(31)에 대하여 노즐 유닛(308)이 마련되어 있지 않지만, 그 외의 구조는 레지스트 도포 장치(31)와 실질적으로 동일한 구조이다. 즉, 레이저 조사 장치(32)는, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(401)를 가지고, 처리 용기(401) 내에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지부로서의 스핀 척(402)이 마련되어 있다. 또한, 스핀 척(402)은, 척 구동부(403)에 의해 정해진 속도로 회전 가능하며, 처리 용기(401) 내에는, 스핀 척(402)의 외측에 배치된, 스핀 척(402)에 유지되는 웨이퍼(W)를 둘러싸는 컵(404)이 마련되어 있다.
또한 레이저 조사 장치(32)는, 웨이퍼(W)의 주연부에 레이저를 조사하는 레이저 조사 기구(410)를 구비하고 있다. 레이저 조사 기구(410)는, 레이저 광원(411)과, 어테뉴에이터(412)와, 마스크(413)와, 레이저 조사부(414)를 구비하고 있다. 레이저 조사부(414)의 내부에는 미러(415)가 마련되어 있다.
또한, 레이저 조사 장치(32)는, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 보호막 형성용의 처리액을 토출하는 처리액 토출 기구(420)를 구비하고 있다. 처리액 토출 기구(420)는, 처리액 공급원(421)과, 처리액 공급관(422)과, 처리액 토출부로서의 처리액 노즐(423)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 처리액 노즐(423)은, 노즐 본체(423a)와, 노즐 본체(423a)를 지지하는 노즐 지지부(423b)로 구성되어 있다. 또한, 도시는 생략하지만, 레이저 조사 장치(32)는, 도 4에 나타내는 레지스트 도포 장치(31)의 제거액 토출 기구(330)와 동일한 제거액 토출 기구를 구비하고 있다. 또한, 레이저 조사 장치(32)의 구조는 특별히 한정되지 않으며, 레이저 조사 장치(32)로 반송된 웨이퍼(W)의 주연부에 레이저 조사가 가능한 구조이면 된다.
상기의 레이저 조사 장치(32)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 기판 처리 시스템(1)의 제 1 블록(G1)에 배치된다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템(1)은, 도포 처리 장치로서의 레지스트 도포 장치(31)와, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 열 처리 장치(40)(도 3)와, EBR 처리를 행하는 기판 처리 장치로서의 레이저 조사 장치(32)가 각각 독립된 처리 장치로서 배치되어 있다. 또한, 본 실시 형태와 같이 레이저 조사 기능을 전용의 모듈로 실현하는 경우, 레지스트 도포 장치의 구성은 공지의 구성을 적용할 수 있다. 또한, 열 처리 장치(40)의 구성에 대해서도 공지의 구성을 적용할 수 있다.
이러한 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 레지스트 도포 장치(31), 열 처리 장치(40), 레이저 조사 장치(32)의 순으로 웨이퍼(W)를 반송하고, 각각의 장치에서 정해진 처리를 행함으로써 예를 들면 도 11에 나타내는 플로우의 처리를 행할 수 있다. 또한, 도 11에 나타내는 레지스트막 형성, 보호막 형성, 레이저 조사 및 보호막 제거는, 제 1 실시 형태에서 설명한 방법과 동일하게 실시해도 된다. 또한, 도 11에 나타내는 베이크 처리는 공지의 방법으로 실시해도 된다.
도 11에 나타내는 웨이퍼(W)의 처리와 같이 레지스트막의 형성 후에 베이크 처리를 행하는 경우, 베이크 처리에 의해 레지스트막이 고화되기 때문에, 시너 등의 용제를 이용한 EBR 처리에서는, 베이크 처리 후의 레지스트막을 제거할 수 없다. 한편, 본 실시 형태에 따른 레이저 조사 장치(32)를 이용한 웨이퍼(W)의 처리에 있어서는, 베이크 처리 후의 고화된 레지스트막을 제거할 수 있다. 즉, 도 11과 같은 플로우의 EBR 처리는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의해 실현할 수 있는 처리이다.
또한, 레이저 조사 장치(32)를 구비한 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 예를 들면 도 12에 나타내는 플로우와 같이 레지스트 도포 장치(31)에 있어서의 레지스트 도포 처리와, 열 처리 장치(40)에 있어서의 베이크 처리를 교호로 2 회 이상(도 12의 예에서는 3 회) 실시하고, 그 후에 EBR 처리를 행할 수도 있다. 전술한 대로, 베이크 처리 후의 레지스트막을 용제로 제거하는 것은 곤란하기 때문에, 웨이퍼(W)에 다층의 레지스트막을 형성하는 경우에 있어서, 용제를 이용한 EBR 처리를 행할 시에는, 레지스트막의 형성과 베이크 처리의 사이에 EBR 처리를 행할 필요가 있다. 예를 들면 도 11과 같이 3층 구조의 레지스트막을 형성함에 있어, 용제만으로 EBR 처리를 행하는 경우에는, 각 층의 레지스트막을 형성할 때마다 EBR 처리가 실시되기 때문에, 합계 3 회의 EBR 처리가 필요해진다. 이에 대하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 3층의 레지스트막을 형성한 후에 EBR 처리를 1 회 행함으로써 불필요한 레지스트막의 제거 처리가 완료되기 때문에, 스루풋을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다. 또한, 다층의 레지스트막을 형성한 후에 불필요한 레지스트막을 동시에 제거할 수 있는 점에서, 각 레지스트막에 있어서의 주연부의 위치가 일치되어, 각 레지스트막의 중합 정밀도가 높아진다.
<제 3 실시 형태>
이상의 실시 형태에서는, 레이저 조사 시에 있어서의 데브리 대책의 관점으로부터 보호막을 형성하고 있었지만, 용제와의 접촉에 기인하는 도포막의 험프 및 침식을 억제한다고 하는 관점으로부터는, 보호막의 형성은 필수는 아니다.
보호막의 형성을 필수로 하지 않는 본 개시의 다른 일태양은, 기판 처리 장치로서, 패턴 형성용의 도포막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 주연부에 레이저를 조사하는 레이저 조사부와, 용제를 토출하는 용제 토출부와, 상기 레이저 조사부 및 상기 용제 토출부의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 미리 설정된, 상기 도포막의 목표 제거 영역에 상기 레이저를 조사하고, 상기 레이저의 조사 영역보다 상기 기판의 반경 방향 외측의 영역에 잔존하는 상기 도포막에 상기 용제를 토출하는 제어를 행하도록 구성되어 있다.
제 3 실시 형태에서는 상기 태양의 실시의 형태에 대하여 설명한다. 도 13은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트 도포 장치(31)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 측면 단면도이다.
본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 장치(31)는, 제 1 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 장치(31)의 처리액 토출 기구(320)(도 4)와 제거액 토출 기구(330)(도 5)를 구비하고 있지 않은 한편, 용제를 토출하는 용제 토출 기구(340)(도 13)를 구비하고 있다. 용제 토출 기구(340)는, 용제를 공급하는 용제 공급원(341)과, 용제의 유로가 되는 용제 공급관(342)과, 용제 토출부로서의 용제 토출 노즐(343)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 용제 토출 노즐(343)은, 노즐 본체(343a)와, 노즐 본체(343a)를 지지하는 노즐 지지부(343b)로 구성되어 있다. 용제 토출 노즐(343)은, 도시하지 않는 구동 기구를 구비하는 암에 의해 왕복 화살표(B)를 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 용제 토출 기구(340)의 구조는 특별히 한정되지 않으며, 레지스트막에 대한 용제의 토출이 가능한 구조이면 된다. 용제로서는 예를 들면 시너가 이용된다.
본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 장치(31)는 이상과 같이 구성되어 있다. 이어서, 이 레지스트 도포 장치(31)를 이용한 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 따른 웨이퍼(W)의 처리는 도 14에 나타내는 플로우에 따라 행해진다.
먼저 스핀 척(302) 상에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부에 레지스트액을 토출하고, 스핀 척(302)을 회전시켜 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성한다.
이어서, 도 13에 나타내는 레이저 조사부(314)를 웨이퍼(W)의 주연부로 이동시켜 레이저의 조사를 행한다. 통상, EBR 처리에 있어서는, 웨이퍼(W)의 수율 향상의 관점으로부터 불필요한 레지스트막을 제거하는 영역이 미리 설정되어 있다. 전술한 제 1 실시 형태에서는, 레이저 조사에 의해 당해 영역 내에 있는 모든 레지스트막을 제거하고 있지만, 제 3 실시 형태에서는, 레이저 조사에 의해 불필요한 레지스트막의 일부만을 제거하고 있다.
도 15는 웨이퍼 표면의 레지스트막의 형성 상태를 나타내는 설명도이다. 도 15의 지면 좌측이 웨이퍼(W)의 단부측이며, 지면 우측이 웨이퍼(W)의 중심부측이다. 도 15의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서, 웨이퍼(W)의 단부 이외의 영역(LT)이 미리 설정되어 있고, 당해 영역(LT)에 레이저를 조사한다. 본 명세서에 있어서는 당해 영역(LT)을 '목표 제거 영역'이라 한다. 즉, 본 실시 형태에 있어서의 EBR 처리에 있어서는, 레지스트막의 목표 제거 영역(LT)에 레이저를 조사하고, 목표 제거 영역(LT)의 레지스트막을 제거한다. 목표 제거 영역(LT)은, 웨이퍼(W)의 수율 및 용제의 토출 위치 등을 고려하여 임의로 설정되는 영역이다. 또한 목표 제거 영역(LT)은, 용제만을 이용하여 웨이퍼 주연부의 레지스트막 제거 처리(EBR 처리)를 행할 시에 용제와 도포막이 접촉함으로써 험프가 발생하는 영역인 것이 바람직하다. 환언하면, 목표 제거 영역(LT)은, 용제와의 접촉으로 도포막이 완전히 용해되지 않고, 도포막의 경도가 용제와 접촉되기 전보다 연화되는 영역인 것이 바람직하다. 당해 영역에 레이저를 조사하여 레지스트막을 제거하면, 험프의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 15의 (a)에 나타내는 목표 제거 영역(LT)에 레이저를 조사한 후, 도 15의 (b)에 나타내는 바와 같이, 용제 토출 노즐(343)을 웨이퍼(W)의 주연부로 이동시킨다. 이 때, 용제의 토출 위치가 레이저 조사 영역(L)과 제거 대상이 되는 레지스트막(R1)의 경계 근방이 되도록 용제 토출 노즐(343)을 이동시킨다. 이어서, 스핀 척(302)을 회전시키면서 용제를 토출한다. 이에 의해, 도 15의 (c)에 나타내는 바와 같이 레이저 조사 영역의 외측에 잔존하고 있던 불필요한 레지스트막(R1)이 제거되어, EBR 처리가 완료된다.
본 실시 형태에 있어서의 EBR 처리에서는, 종전과 마찬가지로 용제를 이용하여 불필요한 레지스트막을 제거하고 있지만, 용제를 토출하는 공정에 있어서는, 불필요한 레지스트막(R1)과, 패턴 형성을 위하여 필요한 레지스트막(R2)의 사이에 레지스트막이 형성되어 있지 않은 영역(L)이 존재한다. 이 때문에, 불필요한 레지스트막(R1)에 용제를 토출할 시에는, 토출된 용제가 패턴 형성에 필요한 레지스트막(R2)에 접촉하기 어려워, 레지스트막(R2)에 있어서의 험프 및 침식의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 EBR의 처리 방법에서는, 제 1 ~ 제 2 실시 형태에서 설명한 보호막이 마련되어 있지 않지만, 본 실시 형태에 있어서의 EBR 처리에 있어서도 보호막을 마련해도 된다. 예를 들면 도 15의 (a)에 나타내는 레이저의 조사 전의 단계에 있어서, 레지스트막(R)의 상면에 보호막이 형성되어 있으면, 레이저의 조사에 의해 발생하는 데브리가 당해 보호막의 상면에 비산한다. 그리고, 그 데브리는 보호막과 함께 제거되는 것으로부터, 패턴 형성을 위하여 필요한 레지스트막(R2)의 상면에는 데브리는 잔존하지 않는다. 즉, 제 3 실시 형태에 따른 레지스트 도포 장치(31)가, 제 1 실시 형태에서 설명한 보호막 형성용의 처리액 토출 기구(320)(도 4)와, 보호막 제거용의 제거액 토출 기구(330)(도 5)를 구비하고 있으면, 레지스트막의 험프 및 침식의 발생의 억제와 함께 데브리 대책의 효과가 얻어진다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
또한, 본 개시에 따른 EBR 처리를 행하는 기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼 이외의 처리 대상 기판, 예를 들면 FPD(플랫 패널 디스플레이) 기판의 처리 장치에도 적용할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판 처리 장치로서,
    패턴 형성용의 도포막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판에 보호막을 형성하기 위한 처리액을 토출하는 처리액 토출부와,
    상기 보호막이 형성된 상기 기판의 주연부에 레이저를 조사하는 레이저 조사부와,
    상기 보호막에 상기 보호막을 제거하기 위한 제거액을 토출하는 제거액 토출부를 구비한,
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도포막은 레지스트막이며, 상기 보호막은 수용성의 막인, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저는, 파장이 240 nm 이상의 고체 레이저인, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저는, 파장이 240 nm 이상의 고체 레이저인, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    용제를 토출하는 용제 토출부와,
    상기 레이저 조사부 및 상기 용제 토출부의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 미리 설정된 상기 도포막의 목표 제거 영역에 상기 레이저를 조사하고, 상기 레이저의 조사 영역보다 상기 기판의 반경 방향 외측의 영역에 잔존하는 상기 도포막에 상기 용제를 토출하는 제어를 행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    용제를 토출하는 용제 토출부와,
    상기 레이저 조사부 및 상기 용제 토출부의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 미리 설정된 상기 도포막의 목표 제거 영역에 상기 레이저를 조사하고, 상기 레이저의 조사 영역보다 상기 기판의 반경 방향 외측의 영역에 잔존하는 상기 도포막에 상기 용제를 토출하는 제어를 행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    용제를 토출하는 용제 토출부와,
    상기 레이저 조사부 및 상기 용제 토출부의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 미리 설정된 상기 도포막의 목표 제거 영역에 상기 레이저를 조사하고, 상기 레이저의 조사 영역보다 상기 기판의 반경 방향 외측의 영역에 잔존하는 상기 도포막에 상기 용제를 토출하는 제어를 행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  8. 기판 처리 시스템으로서,
    기판에 패턴 형성용의 도포막을 형성하는 도포 처리를 행하는 도포 처리 장치와,
    상기 기판의 가열 처리를 행하는 열 처리 장치와,
    상기 기판의 주연부에 있어서의 상기 도포막을 제거하는 기판 처리 장치와,
    상기 도포 처리 장치, 상기 열 처리 장치 및 상기 기판 처리 장치를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판에 보호막을 형성하기 위한 처리액을 토출하는 처리액 토출부와,
    상기 보호막이 형성된 상기 기판의 주연부에 레이저를 조사하는 레이저 조사부와,
    상기 보호막에 상기 보호막을 제거하기 위한 제거액을 토출하는 제거액 토출부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 도포 처리와 상기 가열 처리를 교호로 2 회 이상 실행하여 상기 기판에 2층 이상의 상기 도포막을 형성하고, 상기 도포막에 상기 처리액을 토출하여 상기 도포막의 상면에 상기 보호막을 형성하고, 상기 보호막이 형성된 기판의 주연부에 상기 레이저를 조사하고, 상기 레이저가 조사된 상기 기판에 잔존하는 상기 보호막에 상기 제거액을 토출하는 제어를 행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 시스템.
  9. 기판 처리 방법으로서,
    패턴 형성용의 도포막이 형성된 기판에 처리액을 토출하여 상기 기판에 보호막을 형성하는 공정과,
    상기 보호막이 형성된 상기 기판의 주연부에 레이저를 조사하는 공정과,
    상기 레이저가 조사된 상기 기판에 잔존하는 상기 보호막에 제거액을 토출하고, 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한, 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 기억한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.
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