KR20220105136A

KR20220105136A - Resin composition and syringe filled with resin composition

Info

Publication number: KR20220105136A
Application number: KR1020220006765A
Authority: KR
Inventors: 히로유키 사카우치
Original assignee: 아지노모토 가부시키가이샤
Priority date: 2021-01-19
Filing date: 2022-01-17
Publication date: 2022-07-26
Also published as: CN114806080A; TW202237369A; JP2022110920A

Abstract

The present invention relates to a syringe filled with a resin composition having good dispensing properties, dispensing workability and resin flow properties. The syringe filled with a resin composition comprises: a syringe and a resin composition filled in the syringe. In an evaluation test of a resin composition in which the resin composition is dispensed on a surface of a silicon wafer placed horizontally to form a resin dome of the resin composition and the shape change of the resin dome is measured, when the height from a contact surface of the resin dome with the silicon wafer to an apex of the resin dome 60 seconds after the completion of dispensing is H_1, and when the height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer to the apex of the resin dome 180 seconds after the completion of dispensing is H_2, following formula 1 is satisfied. The formula 1 is 0.15 < H_2/H_1 < 0.90.

Description

A resin composition and a resin composition filled syringe {RESIN COMPOSITION AND SYRINGE FILLED WITH RESIN COMPOSITION}

본 발명은, 수지 조성물 및 수지 조성물 충전 완료 시린지 등에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a syringe filled with the resin composition, and the like.

최근, 스마트폰, 태블릿형 디바이스와 같은 소형의 고기능 전자 기기의 수요가 증대하고 있다. 이들 소형의 전자 기기에는 통상 반도체 칩 패키지용의 밀봉 재료가 사용된다. 이러한 밀봉 재료로서, 수지 조성물을 경화해서 형성되는 것이 알려져 있다(특허문헌 1 내지 3).In recent years, the demand for small and high-function electronic devices such as smart phones and tablet-type devices is increasing. A sealing material for semiconductor chip packages is usually used for these small electronic devices. As such a sealing material, what is formed by hardening|curing a resin composition is known (patent documents 1-3).

밀봉 재료를 성형하는 방법으로서는, 용융 주형법, 트랜스퍼 성형법, 인젝션 성형법, 압축 성형법 등이 알려져 있다. 압축 성형법에서는, 예를 들어, 시린지를 사용하여 기판 위에 수지 조성물을 디스펜스하고, 형체결하여, 수지 조성물에 압력과 필요에 따라서 열을 가하여, 압축 성형한다. 시린지를 사용하여 수지 조성물을 디스펜스할 때에는, 작업성을 높이는 관점에서, 디스펜스성이나 토출 작업성이 양호할 것이 요구된다. 또한, 압축 성형시에서의 형틀로부터의 수지 누출 등을 방지하기 위해, 수지 플로우성이 양호할 것이 요구된다. 그러나, 현재 시점에서 이들 과제는, 수지 조성물의 틱소트로피성(thixotropic)이나 점도를 조절하는 것만으로는 충분히 해결할 수 있다는 데까지는 이르고 있지 않다.As a method of molding a sealing material, a melt molding method, a transfer molding method, an injection molding method, a compression molding method, and the like are known. In the compression molding method, for example, a resin composition is dispensed on a substrate using a syringe, molded, and pressure and, if necessary, heat is applied to the resin composition for compression molding. When dispensing a resin composition using a syringe, from a viewpoint of improving workability|operativity, it is calculated|required that dispensing property and discharge workability|operativity are favorable. In addition, in order to prevent leakage of resin from the mold at the time of compression molding, etc., good resin flowability is required. However, at the present time, these problems have not reached the point that it can be sufficiently solved only by adjusting the thixotropic properties and viscosity of the resin composition.

한편, 지금까지, 간헐 토출의 원인이 되는 공기 혼입을 억제하는 것이 가능한 보이드를 함유하는 수지 조성물 충전 완료 시린지가 알려져 있다(특허문헌 4).On the other hand, a resin composition-filled syringe containing a void capable of suppressing air entrainment that causes intermittent discharge is known until now (Patent Document 4).

[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 특개2004-137370호[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 2004-137370 [특허문헌 2] 일본 공개특허공보 특개2012-188555호[Patent Document 2] Japanese Patent Laid-Open No. 2012-188555 [특허문헌 3] 일본 공개특허공보 특개2016-74920호[Patent Document 3] Japanese Patent Laid-Open No. 2016-74920 [특허문헌 4] 일본 공개특허공보 특개2020-127919호[Patent Document 4] Japanese Patent Laid-Open No. 2020-127919

본 발명의 과제는, 디스펜스성, 토출 작업성 및 수지 플로우성이 양호한 수지 조성물 및 수지 조성물 충전 완료 시린지를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a resin composition having good dispensing properties, dispensing workability and resin flow properties, and a syringe filled with the resin composition.

본 발명의 과제를 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 수지 조성물을 디스펜스하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성한 후, 수지 돔의 형상의 경시적 변화가 소정의 조건을 충족하는 경우에, 의외로도, 디스펜스성, 토출 작업성 및 수지 플로우성이 양호해지는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.In order to achieve the object of the present invention, the present inventors have studied intensively, and as a result of dispensing a resin composition on the surface of a silicon wafer to form a resin dome of the resin composition, a change in the shape of the resin dome with time is a predetermined condition. It was found that, unexpectedly, dispensability, dispensing workability, and resin flow property were satisfactory, leading to the completion of the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] 시린지와, 시린지 내에 충전된 수지 조성물을 구비하는 수지 조성물 충전 완료 시린지로서,[1] A syringe filled with a resin composition comprising a syringe and a resin composition filled in the syringe, the syringe comprising:

수지 조성물이,The resin composition,

수평으로 설치한 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 수지 조성물을 디스펜스하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하고, 수지 돔의 형상 변화를 측정하는 수지 조성물의 평가 시험에 있어서,In the evaluation test of the resin composition in which the resin composition is dispensed on the silicon wafer surface installed horizontally, the resin dome of the resin composition is formed, and the shape change of the resin dome is measured,

디스펜스 완료 시점으로부터 60초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면으로부터 수지 돔 정점까지의 높이를 H₁,The height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer to the apex of the resin dome after 60 seconds from the dispensing completion time is H ₁ ,

디스펜스 완료 시점으로부터 180초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면으로부터 수지 돔 정점까지의 높이를 H₂라고 한 경우,When the height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer 180 seconds after the dispensing is completed to the apex of the resin dome is H ₂ ,

하기 식 (1)의 조건을 충족시키는, 수지 조성물 충전 완료 시린지.A syringe filled with a resin composition that satisfies the conditions of the following formula (1).

0.15<H₂/H₁<0.90 …(1)0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)

[2] 상기 평가 시험이,[2] The evaluation test,

실리콘 웨이퍼 표면으로부터 높이 5cm의 위치에 설치한 토출구로부터, 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 23℃ 조건하, 2g/초의 속도로 23℃의 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스하고, 디스펜스를 정지하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하는 것을 포함하는, 상기 [1]에 기재된 수지 조성물 충전 완료 시린지.From a discharge port provided at a height of 5 cm from the silicon wafer surface, 40 g±1.5 g of a resin composition at 23° C. is dispensed at a rate of 2 g/sec under 23° C. conditions on the silicon wafer surface, the dispensing is stopped, and the resin composition is A syringe filled with the resin composition according to the above [1], comprising forming a resin dome.

[3] 상기 평가 시험에 있어서,[3] In the evaluation test,

수지 조성물의 디스펜스를 정지한 시점에서 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있지 않은 경우, 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스한 시점을 상기 디스펜스 완료 시점으로 하고,When the discharge port and the resin dome are not in contact at the time when dispensing of the resin composition is stopped, the time point at which 40 g ± 1.5 g of the resin composition is dispensed is the dispensing completion time,

수지 조성물의 디스펜스를 정지한 시점에서 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있는 경우, 디스펜스의 정지 후에 토출구를 끌어올려, 토출구를 수지 돔으로부터 떼어 놓는 조작을 수행하고, 토출구가 수지 돔으로부터 떨어진 시점을 상기 디스펜스 완료 시점으로 하는, 상기 [2]에 기재된 수지 조성물 충전 완료 시린지.When the discharge port and the resin dome are in contact when the dispensing of the resin composition is stopped, after the dispensing is stopped, the discharge port is pulled up to separate the discharge port from the resin dome, and the time when the discharge port is separated from the resin dome is the dispensing The syringe having been filled with the resin composition according to the above [2], which is set as the completion time.

[4] 디스펜스 완료 시점으로부터 60초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면의 직경을 L₁,[4] The diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer after 60 seconds from the dispensing completion point is L ₁ ,

디스펜스 완료 시점으로부터 180초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면의 직경을 L₂라고 한 경우, 하기 식 (2)의 조건을 추가로 충족시키는, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 충전 완료 시린지.When the diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer after 180 seconds from the dispensing completion time is L ₂ , the condition of the following formula (2) is further satisfied, as described in any one of [1] to [3] above. A syringe filled with the resin composition.

0.40<L₁/L₂<0.96 …(2)0.40<L ₁ /L ₂ <0.96 … (2)

[5] 수지 조성물의 25℃에서의 점도가, 100Pa·s 이상 500Pa·s 이하인, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 충전 완료 시린지.[5] The resin composition-filled syringe according to any one of [1] to [4], wherein the resin composition has a viscosity at 25°C of 100 Pa·s or more and 500 Pa·s or less.

[6] 수지 조성물이, (A) 열 경화성 수지를 포함하는, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 충전 완료 시린지.[6] The resin composition-filled syringe according to any one of [1] to [5] above, wherein the resin composition contains (A) a thermosetting resin.

[7] 수지 조성물이, (B) 무기 충전재를 포함하는, 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 충전 완료 시린지.[7] The resin composition-filled syringe according to any one of [1] to [6] above, wherein the resin composition contains (B) an inorganic filler.

[8] 수지 조성물이, (C) 실란 커플링제를 포함하는, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 충전 완료 시린지.[8] The resin composition-filled syringe according to any one of the above [1] to [7], wherein the resin composition contains (C) a silane coupling agent.

[9] 수평으로 설치한 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 수지 조성물을 디스펜스하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하고, 수지 돔의 형상 변화를 측정하는 수지 조성물의 평가 시험에 있어서,[9] In the evaluation test of a resin composition in which a resin composition is dispensed on the surface of a silicon wafer installed horizontally to form a resin dome of the resin composition, and the shape change of the resin dome is measured,

하기 식 (1)의 조건을 충족시키는, 수지 조성물.The resin composition which satisfies the conditions of following formula (1).

0.15<H₂/H₁<0.90 …(1)0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)

[10] 상기 평가 시험이,[10] The evaluation test,

실리콘 웨이퍼 표면으로부터 높이 5cm의 위치에 설치한 토출구로부터, 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 23℃ 조건하, 2g/초의 속도로 23℃의 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스하고, 디스펜스를 정지하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하는 것을 포함하는, 상기 [9]에 기재된 수지 조성물.From a discharge port provided at a height of 5 cm from the silicon wafer surface, 40 g±1.5 g of a resin composition at 23° C. is dispensed at a rate of 2 g/sec under 23° C. conditions on the silicon wafer surface, the dispensing is stopped, and the resin composition is The resin composition according to the above [9], comprising forming a resin dome.

[11] 상기 평가 시험에 있어서,[11] In the evaluation test,

수지 조성물의 디스펜스를 정지한 시점에서 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있지 않은 경우, 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스한 시점을 상기 디스펜스 완료 시점으로 하고, When the discharge port and the resin dome are not in contact at the time when dispensing of the resin composition is stopped, the time point at which 40 g ± 1.5 g of the resin composition is dispensed is the dispensing completion time,

수지 조성물의 디스펜스를 정지한 시점에서 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있는 경우, 디스펜스의 정지 후에 토출구를 끌어올려, 토출구를 수지 돔으로부터 떼어 놓는 조작을 수행하고, 토출구가 수지 돔으로부터 떨어진 시점을 상기 디스펜스 완료 시점으로 하는, 상기 [10]에 기재된 수지 조성물.When the discharge port and the resin dome are in contact when the dispensing of the resin composition is stopped, after the dispensing is stopped, the discharge port is pulled up to separate the discharge port from the resin dome, and the time when the discharge port is separated from the resin dome is the dispensing The resin composition according to the above [10], which is set as the completion time.

[12] 디스펜스 완료 시점으로부터 60초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면의 직경을 L₁,[12] The diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer after 60 seconds from the completion of dispensing is L ₁ ,

디스펜스 완료 시점으로부터 180초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면의 직경을 L₂라고 한 경우,When the diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer 180 seconds after dispensing is completed is L ₂ ,

하기 식 (2)의 조건을 추가로 충족시키는, 상기 [9] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to any one of [9] to [11], which further satisfies the condition of the following formula (2).

0.40<L₁/L₂<0.96 …(2)0.40<L ₁ /L ₂ <0.96 … (2)

[13] 수지 조성물의 25℃에서의 점도가 100Pa·s 이상 500Pa·s 이하인, 상기 [9] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[13] The resin composition according to any one of [9] to [12], wherein the resin composition has a viscosity at 25°C of 100 Pa·s or more and 500 Pa·s or less.

[14] (A) 열경화성 수지를 포함하는, 상기 [9] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[14] (A) The resin composition according to any one of [9] to [13], comprising a thermosetting resin.

[15] (B) 무기 충전재를 포함하는, 상기 [9] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[15] (B) The resin composition according to any one of [9] to [14], comprising an inorganic filler.

[16] (C) 실란 커플링제를 포함하는, 상기 [9] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[16] (C) The resin composition according to any one of [9] to [15], comprising a silane coupling agent.

[17] 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 상기 [9] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[17] The resin composition according to any one of [9] to [16], for forming an insulating layer of a semiconductor chip package.

[18] 회로 기판의 절연층을 형성하기 위한 상기 [9] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[18] The resin composition according to any one of [9] to [16], for forming an insulating layer of a circuit board.

[19] 반도체 칩 패키지의 반도체 칩을 밀봉하기 위한 상기 [9] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[19] The resin composition according to any one of [9] to [16], for sealing a semiconductor chip in a semiconductor chip package.

[20] 상기 [9] 내지 [19] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물.[20] A cured product of the resin composition according to any one of [9] to [19].

[21] 상기 [9] 내지 [19] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는 회로 기판.[21] A circuit board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [9] to [19].

[22] 상기 [21]에 기재된 회로 기판과, 당해 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩 패키지.[22] A semiconductor chip package comprising the circuit board according to [21], and a semiconductor chip mounted on the circuit board.

[23] 반도체 칩과, 당해 반도체 칩을 밀봉하는 상기 [9] 내지 [19] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반도체 칩 패키지.[23] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to any one of [9] to [19], which seals the semiconductor chip.

[24] 상기 [22] 또는 [23]에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치.[24] A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to [22] or [23].

[25] 수평으로 설치한 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 수지 조성물을 디스펜스하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하고, 수지 돔의 형상 변화를 측정하는 수지 조성물의 평가 방법으로서,[25] A method for evaluating a resin composition in which a resin composition is dispensed on a horizontally installed surface of a silicon wafer to form a resin dome of the resin composition, and the shape change of the resin dome is measured,

하기 식 (1)의 조건을 충족시키는지 여부를 판정하는 것을 포함하는, 수지 조성물의 평가 방법.The evaluation method of a resin composition including determining whether the conditions of following formula (1) are satisfied.

0.15<H₂/H₁<0.90 …(1)0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)

본 발명의 수지 조성물에 의하면, 디스펜스성, 토출 작업성 및 수지 플로우성이 양호한 수지 조성물 및 수지 조성물 충전 완료 시린지를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the resin composition of this invention, the resin composition and resin composition-filled syringe with good dispensing property, discharge workability, and resin flow property can be provided.

[도 1] 도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물 충전 완료 시린지의 일례를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
[도 2] 도 2는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물 충전 완료 시린지에 장착하는 노즐의 일례를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
[도 3] 도 3은, 일 실시형태의 평가 시험에서의 디스펜스 완료 시점의 실리콘 웨이퍼 위에 형성한 수지 돔을 수지 조성물 충전 완료 시린지의 일부와 함께 모식적으로 나타내는 수평 방향에서 본 단면도이다.
[도 4] 도 4는, 일 실시형태의 평가 시험에서의 디스펜스 완료 시점의 실리콘 웨이퍼 위에 형성한 수지 돔을 모식적으로 나타내는 연직 방향에서 본 평면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a syringe filled with a resin composition according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view schematically showing an example of a nozzle attached to a syringe filled with a resin composition according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a cross-sectional view in the horizontal direction schematically showing a resin dome formed on a silicon wafer at the time of completion of dispensing in an evaluation test according to an embodiment together with a part of a syringe filled with a resin composition.
Fig. 4 is a plan view viewed from the vertical direction schematically showing a resin dome formed on a silicon wafer at the time of completion of dispensing in an evaluation test according to an embodiment.

이하, 본 발명을 그 적합한 실시형태에 입각해서 상세히 설명한다. 단, 본 발명은, 하기 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구의 범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경해서 실시될 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail based on the suitable embodiment. However, this invention is not limited to the following embodiment and an illustration, The range which does not deviate from the range which does not deviate from the claim of this invention and its equivalent range can be implemented by changing arbitrarily.

<수지 조성물 충전 완료 시린지><Syringe filled with resin composition>

본 발명의 수지 조성물 충전 완료 시린지는, 시린지와, 시린지 내에 충전된 수지 조성물을 구비한다.The resin composition-filled syringe of the present invention includes a syringe and a resin composition filled in the syringe.

본 발명의 수지 조성물 충전 완료 시린지와 그것에 장착하는 노즐의 구성에 대하여 일례를 사용하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물 충전 완료 시린지의 일례를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 2는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물 충전 완료 시린지에 장착하는 노즐의 일례를 개략적으로 나타내는 측면도이다.An example is used and an example is demonstrated about the structure of the resin composition filled syringe of this invention, and the nozzle attached to it. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a syringe filled with a resin composition according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a side view schematically showing an example of a nozzle attached to a syringe filled with a resin composition according to an embodiment of the present invention.

도 1에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)는, 시린지(11)와, 시린지(11) 안에 충전된 수지 조성물(12)을 구비하고, 시린지(11) 안에는, 수지 조성물(12)을 밀어내기 위한 플런저(13)를 구비한다. 또한, 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)는, 시린지(11)의 직경이 축소된 측의 일단의 내표면에 노즐(20)을 장착하기 위한 나사산으로 이루어진 암나사부(14)를 구비하고, 당해 일단의 선단에 수지 조성물을 토출하기 위한 토출구(15)를 갖고, 토출구(15)와는 반대측의 타단에, 플런저 로드가 삽입되는 개구부(16)를 구비한다. 토출구(15)는, 토출구(15)를 폐쇄하고, 사용시에 제거하는 선단 캡(17)을 갖고, 개구부(16)는, 개구부(16)를 폐쇄하고, 사용시에 제거하는 엔드 캡(18)을 갖는다.As shown in FIG. 1 , a syringe 10 filled with a resin composition includes a syringe 11 and a resin composition 12 filled in the syringe 11 , and a resin composition 12 in the syringe 11 . and a plunger 13 for pushing the . In addition, the syringe 10 filled with the resin composition includes a female threaded portion 14 having a thread for attaching the nozzle 20 to the inner surface of one end of the syringe 11 on the reduced diameter side, and the one end is provided with a screw thread. has a discharge port 15 for discharging the resin composition at its tip, and an opening 16 into which the plunger rod is inserted at the other end opposite to the discharge port 15 . The discharge port 15 has a tip cap 17 that closes the discharge port 15 and is removed during use, and the opening 16 closes the opening 16 and an end cap 18 that is removed during use. have

시린지(11)는, 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물을 충전할 수 있는 밀봉 재료의 디스펜스용 시린지로서 사용할 수 있는 것이면 좋지만, 특히, 제품 규격 「12Oz시린지」를 사용하는 것이 적합하다. 「12Oz시린지」의 시판품의 예로서는, 예를 들어, 산에이텍사 제조 「5194C」 등을 들 수 있다. 「12Oz시린지」는, 토출구(15)의 내경이 14.22mm, 외경이 19.30mm, 개구부(16)의 내경이 40.26mm, 시린지(11)의 토출구(15)로부터 개구부(16)까지 길이가 311.40mm일 수 있다.In one embodiment, the syringe 11 may be used as a syringe for dispensing of a sealing material that can be filled with the resin composition of the present invention. In particular, it is suitable to use a product standard "12 Oz syringe". As an example of the commercial item of "12Oz syringe", "5194C" by San-A-Tech, etc. are mentioned, for example. "12Oz syringe", the inner diameter of the discharge port 15 is 14.22 mm, the outer diameter is 19.30 mm, the inner diameter of the opening 16 is 40.26 mm, the length from the discharge port 15 to the opening 16 of the syringe 11 is 311.40 mm can be

수지 조성물 충전 완료 시린지(10)는, 노즐(20)을 장착해서 사용하는 경우가 있다. 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)에 노즐(20)을 장착할 경우에는 선단 캡(17)을 제거한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 노즐(20)은, 튜브부(21)와 시린지 연결부(22)로 이루어지고, 튜브부(21)는, 그 일부가 시린지 연결부(22)에 끼워넣어져 고정되어 있다. 튜브부(21)측의 선단에는, 수지 조성물을 토출하기 위한 노즐 토출부(23)를 갖고, 시린지 연결부(22)측의 타단에는, 노즐(20)을 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)에 고정한 경우에 시린지(11) 내로부터 수지 조성물(12)을 보내기 위한 노즐 개구부(24)를 갖고, 전체로서 관 형상을 이룬다. 시린지 연결부(22)측의 타단의 외표면에는, 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)에 노즐(20)을 장착하여 고정하기 위한 암나사부(14)와 맞물리는 나사산으로 이루어진 수나사부(25)를 갖는다. 튜브부(21)는, 연질 재료로 형성되고, 외압에 의해 눌러, 수지 조성물을 막음으로써 디스펜스를 정지할 수 있는 구조로 되어 있다.The syringe 10 filled with the resin composition may be used with the nozzle 20 attached thereto. When the nozzle 20 is mounted on the syringe 10 filled with the resin composition, the tip cap 17 is removed. As shown in FIG. 2 , the nozzle 20 includes a tube portion 21 and a syringe connecting portion 22 , and the tube portion 21 is partially fitted into the syringe connecting portion 22 and fixed. . At the tip of the tube portion 21 side, a nozzle discharge portion 23 for discharging the resin composition is provided, and at the other end of the syringe connection portion 22 side, the nozzle 20 is fixed to the syringe 10 filled with the resin composition It has a nozzle opening part 24 for sending the resin composition 12 from the inside of the syringe 11 in this case, and forms a tubular shape as a whole. On the outer surface of the other end of the syringe connection part 22 side, a male threaded part 25 made of a thread engaged with a female threaded part 14 for attaching and fixing the nozzle 20 to the syringe 10 filled with the resin composition is provided. . The tube part 21 is formed of a soft material, and has a structure in which dispensing can be stopped by pressing with an external pressure to block the resin composition.

<수지 조성물 및 그 평가 시험(평가 방법)><Resin composition and its evaluation test (evaluation method)>

본 발명에서 사용하는 수지 조성물은, 하기에서 설명하는 수지 조성물의 평가 시험의 결과에 있어서 하기에서 설명하는 식 (1)의 조건(바람직하게는 추가로 식 (2)의 조건)을 충족시킨다.The resin composition used in the present invention satisfies the conditions of the formula (1) described below (preferably the conditions of the formula (2) further) in the results of the evaluation tests of the resin compositions described below.

이하, 수지 조성물의 평가 시험(평가 방법)에 대하여 설명한다.Hereinafter, the evaluation test (evaluation method) of a resin composition is demonstrated.

수지 조성물 평가를 위한 평가 시험에서는, 수평으로 설치한 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 수지 조성물을 디스펜스하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하고, 수지 돔의 형상 변화를 측정하고, 하기에서 설명하는 식 (1)의 조건(바람직하게는 추가로 식 (2)의 조건)을 충족시키는지 여부를 판정한다.In the evaluation test for evaluating the resin composition, the resin composition is dispensed on the surface of a horizontally installed silicon wafer, a resin dome of the resin composition is formed, the shape change of the resin dome is measured, and the following formula (1) It is determined whether or not the condition of (preferably, the condition of Equation (2) additionally) is satisfied.

평가 시험에서는 시린지를 사용하고, 시린지의 토출구로부터, 디스펜스해도 좋다. 평가 시험에서 사용하는 시린지는, 예를 들어, 도 1에 나타내는 바와 같은 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)일 수 있다. 디스펜스시에는, 시린지의 선단 캡(17) 및 엔드 캡(18)은 제거한다. 또한, 수지 돔의 형상에 관한 하기에서 설명하는 소정의 조건을 측정할 때의 디스펜스시에는 노즐(20)은 장착해도 좋고, 하지 않아도 좋다. 평가 시험에서는 디스펜스시에 통상 디스펜서를 사용한다. 평가 시험에서 사용하는 디스펜서의 시판품의 예로서는, 아픽크 야마다사 제조 「액상 메뉴얼 디스펜서」 등을 들 수 있다.In the evaluation test, a syringe may be used, and the syringe may be dispensed from the outlet. The syringe used in the evaluation test may be, for example, a syringe 10 filled with a resin composition as shown in FIG. 1 . When dispensing, the tip cap 17 and the end cap 18 of the syringe are removed. In addition, at the time of dispensing at the time of measuring the predetermined|prescribed condition demonstrated below regarding the shape of a resin dome, the nozzle 20 may or may not be attached. In the evaluation test, a dispenser is usually used for dispensing. As an example of the commercial item of the dispenser used by an evaluation test, the Apik Yamada company "liquid manual dispenser" etc. are mentioned.

평가 시험에서 사용하는 실리콘 웨이퍼로서는, 산술 평균 거칠기(Ra)가 10Å 이하의 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있고, 사이즈는 평가 시험이 가능한 한에서 특별히 한정되지 않는다.As the silicon wafer used in the evaluation test, a silicon wafer having an arithmetic mean roughness (Ra) of 10 angstroms or less can be used, and the size is not particularly limited as long as the evaluation test is possible.

일 실시형태의 평가 시험에서의 디스펜스에 의한 수지 돔을 형성에 대하여 모식도를 이용해서 설명한다. 도 3은, 일 실시형태의 평가 시험에서의 디스펜스 완료 시점의 실리콘 웨이퍼 위에 형성한 수지 돔을 수지 조성물 충전 완료 시린지의 일부와 함께 모식적으로 나타내는 수평 방향으로부터의 단면도이다. 도 4는, 일 실시형태의 평가 시험에서의 디스펜스 완료 시점의 실리콘 웨이퍼 위에 형성한 수지 돔을 모식적으로 나타내는 연직 방향에서의 평면도이다.Formation of the resin dome by dispensing in the evaluation test of one Embodiment is demonstrated using a schematic diagram. 3 : is sectional drawing from the horizontal direction which shows typically the resin dome formed on the silicon wafer at the time of dispensing completion|finish in the evaluation test of one Embodiment with a part of a resin composition filling syringe. Fig. 4 is a plan view in the vertical direction schematically showing a resin dome formed on a silicon wafer at the time of completion of dispensing in the evaluation test of the embodiment.

당해 실시형태에서는, 평가 시험에서 노즐 미장착의 시린지를 사용한다. 당해 실시형태에서는, 하기 시험예 3과 동일 노즐(20)은 장착하지 않는 경우에 대하여 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 우선, 수평으로 설치한 실리콘 웨이퍼(40) 표면으로부터 토출구(15)까지의 높이 H_s가 5cm가 되도록 선단 캡(17) 및 엔드 캡(18)을 제거한 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)를 설치한다.In this embodiment, a syringe without a nozzle is used in the evaluation test. In this embodiment, the case in which the nozzle 20 which is the same as that of the following test example 3 is not attached is demonstrated. As shown in FIG. 3 , first, the resin composition filling is completed by removing the tip cap 17 and the end cap 18 so that the height H _s from the surface of the horizontally installed silicon wafer 40 to the discharge port 15 is 5 cm. Install the syringe (10).

다음에, 당해 실시형태에서는, 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)에서의 토출구(15)로부터, 실리콘 웨이퍼 표면 위에, 23℃ 조건하, 2g/초의 속도로 외기와 동일한 23℃의 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스하고, 40g±1.5g 디스펜스한 시점에서 디스펜스를 정지하고, 수지 조성물의 수지 돔(20)을 형성한다. 디스펜스의 정지란, 플런저의 정지, 토출구(노즐 토출구)의 차단, 노즐 사용시에는 노즐의 튜브부를 막는 등에 의해, 실리콘 웨이퍼 표면 위로의 수지 조성물의 공급을 끊는 것을 의미한다. 당해 실시형태에서는, 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스한 시점에서, 디스펜스를 정지하므로, 수지 돔(20)의 수지 조성물량은 40g±1.5g이 된다.Next, in this embodiment, from the discharge port 15 of the syringe 10 filled with the resin composition, 40 g ± the same 23 ° C resin composition as outside air at 23 ° C. conditions and 2 g / sec. on the surface of the silicon wafer. Dispensing is stopped at the time of dispensing 1.5 g and dispensing 40 g ± 1.5 g, and the resin dome 20 of the resin composition is formed. Stop of dispensing means stopping the supply of the resin composition onto the surface of the silicon wafer by stopping the plunger, blocking the discharge port (nozzle discharge port), or blocking the tube portion of the nozzle when using the nozzle. In this embodiment, since dispensing is stopped at the time of dispensing 40 g ± 1.5 g of the resin composition, the amount of the resin composition in the resin dome 20 is set to 40 g ± 1.5 g.

또한, 당해 실시형태에 있어서는, 수지 조성물의 디스펜스를 정지한 시점에서 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있는 경우, 디스펜스의 정지 후에 토출구를 끌어올려, 토출구를 수지 돔으로부터 떼어 놓는 조작을 수행한다.In addition, in this embodiment, when the discharge port and the resin dome are in contact when the dispensing of the resin composition is stopped, the discharge port is pulled up after the dispensing is stopped to separate the discharge port from the resin dome.

또한, 당해 실시형태에서는, 수지 조성물의 디스펜스를 정지한 시점에서 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있지 않은 경우, 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스한 시점을 디스펜스 완료 시점으로 하고, 수지 조성물의 디스펜스를 정지한 시점에서 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있는 경우, 디스펜스의 정지 후에 토출구를 끌어올려, 토출구를 수지 돔으로부터 떼어 놓는 조작을 수행하고, 토출구가 수지 돔으로부터 떨어진 시점을 디스펜스 완료 시점으로 한다.In addition, in this embodiment, when the discharge port and the resin dome are not in contact when dispensing of the resin composition is stopped, the time when 40 g ± 1.5 g of the resin composition is dispensed is set as the dispensing completion time, and dispensing of the resin composition is stopped. When the discharge port and the resin dome are in contact at one point in time, after the dispensing is stopped, the discharge port is pulled up to separate the discharge port from the resin dome, and the point at which the discharge port is separated from the resin dome is regarded as the dispensing completion time.

수지 조성물의 수지 돔(30)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 액상의 수지 조성물의 돔 형상의 덩어리이고, 통상 수지 조성물의 낙하점을 중심으로 원형상으로 수지 조성물이 퍼지므로, 도 4에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(40)와의 접촉면은 원형이 될 수 있다.As shown in FIG. 3, the resin dome 30 of the resin composition is a dome-shaped mass of the liquid resin composition, and since the resin composition usually spreads in a circular shape centering on the drop point of the resin composition, it is shown in FIG. As shown, the contact surface with the silicon wafer 40 may be circular.

수지 조성물의 수지 돔(30)은, 통상, 디스펜스 후, 경시적으로, 수지 조성물의 낙하점을 중심으로 원형상으로 퍼진다. 따라서, 수지 돔(30)의 실리콘 웨이퍼(40)와의 접촉면으로부터 수지 돔 정점까지의 높이 H₀는, 경시적으로 낮아진다. 이로써, 본 발명에서의 수지 조성물은, 수지 돔(30)의 형상의 경시 변화를 나타내는 소정의 제1 조건으로서, 디스펜스 완료 시점으로부터 60초 후의 수지 돔(30)의 실리콘 웨이퍼(40)와의 접촉면으로부터 수지 돔 정점까지의 높이(실리콘 웨이퍼(40)의 면에 대하여 수직 방향의 거리)을 H₁, 디스펜스 완료 시점으로부터 180초 후의 수지 돔(20)의 실리콘 웨이퍼(30)와의 접촉면으로부터 수지 돔 정점까지의 높이(실리콘 웨이퍼(40)의 면에 대하여 수직 방향의 거리)를 H₂라고 한 경우에, 하기식 (1)의 조건을 충족시킨다.The resin dome 30 of the resin composition usually spreads circularly around the drop point of the resin composition with time after dispensing. Therefore, the height H ₀ from the contact surface of the resin dome 30 with the silicon wafer 40 to the apex of the resin dome decreases with time. Accordingly, the resin composition in the present invention is a predetermined first condition indicating a change in the shape of the resin dome 30 over time, from the contact surface of the resin dome 30 with the silicon wafer 40 60 seconds after the dispensing is completed. The height to the apex of the resin dome (distance in the vertical direction with respect to the surface of the silicon wafer 40) is H ₁ , from the contact surface of the resin dome 20 with the silicon wafer 30 to the apex of the resin dome 180 seconds after dispensing is completed. When the height of (the distance in the vertical direction with respect to the surface of the silicon wafer 40) is H ₂ , the condition of the following formula (1) is satisfied.

0.15<H₂/H₁<0.90 …(1)0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)

상기 식 (1)의 조건에 있어서, H₂/H₁은, 0.15<H₂/H₁을 충족시키고, 바람직하게는 0.20<H₂/H₁, 보다 바람직하게는 0.25<H₂/H₁, 더욱 바람직하게는 0.30<H₂/H₁, 특히 바람직하게는 0.33<H₂/H₁이다. 한편으로, H₂/H₁은, H₂/H₁<0.90을 충족시키고, 바람직하게는 H₂/H₁<0.85, 특히 바람직하게는 H₂/H₁<0.82이다.In the condition of the formula (1), H ₂ /H ₁ satisfies 0.15 <H ₂ /H ₁ , preferably 0.20 <H ₂ /H ₁ , more preferably 0.25 <H ₂ /H ₁ . , more preferably 0.30<H ₂ /H ₁ , particularly preferably 0.33<H ₂ /H ₁ . On the one hand, H ₂ /H ₁ satisfies H ₂ /H ₁ <0.90, preferably H ₂ /H ₁ <0.85, particularly preferably H ₂ /H ₁ <0.82.

본 발명에서의 수지 조성물은, 상기 식 (1)의 조건을 충족시킴으로써, 일 실시형태에 있어서, 디스펜스성이 양호하다는 특징을 가질 수 있다. 디스펜스성이 양호한 것으로부터, 수지 조성물 충전 완료 시린지(10)에서의 토출구(15)(노즐 토출부(23))로부터 원활하게 토출할 수 있고, 백플로우 현상이 생기기 어려우므로, 작업성이 양호해질 수 있다.The resin composition in this invention can have the characteristic that dispensability is favorable in one Embodiment by satisfying the condition of said Formula (1). Since the dispensing property is good, it can be smoothly discharged from the discharge port 15 (nozzle discharge unit 23) in the syringe 10 filled with the resin composition, and backflow phenomenon is difficult to occur, so that the workability becomes good. can

또한, 본 발명에서의 수지 조성물은, 상기 식 (1)의 조건을 충족시킴으로써, 일 실시형태에 있어서, 토출 작업성이 양호하다는 특징을 가질 수 있다. 토출 작업성이 양호한 것으로부터, 액절이 양호하고, 액 분리나 수지 늘어짐이 생기기 어려워, 정확한 수지 공급량으로 수지 조성물을 디스펜스할 수 있다. 액절이란, 디스펜스를 정지하였을 때에, 신속하게 노즐 토출부(23)로부터의 수지 조성물의 토출이 정지하는 성질을 나타낸다. 또한, 액 분리란, 노즐 토출부(23)로부터 나온 수지 조성물이, 토출구(15)에 부착하지 않고 용이하게 떨어지는 성질을 나타낸다.Moreover, the resin composition in this invention may have the characteristic that discharge workability is favorable in one Embodiment by satisfying the condition of said Formula (1). Since the discharge workability is favorable, liquid removal is favorable, and liquid separation and resin sagging are hard to occur, and the resin composition can be dispensed with an accurate resin supply amount. The liquid removal refers to a property in which the discharge of the resin composition from the nozzle discharge unit 23 stops quickly when dispensing is stopped. In addition, liquid separation represents the property that the resin composition discharged from the nozzle discharge part 23 does not adhere to the discharge port 15, but falls off easily.

또한, 본 발명에서의 수지 조성물은, 상기 식 (1)의 조건을 충족시킴으로써, 일 실시형태에 있어서, 수지 플로우성이 양호하다는 특징을 가질 수 있다. 수지 플로우성이 양호하므로, 형틀 내에서 미충전 부분이 생기기 어렵고, 또한, 압축 성형시의 형틀로부터의 수지 누출이 생기기 어려우므로, 압축 성형성이 뛰어날 수 있다.Moreover, the resin composition in this invention can have the characteristic that resin flow property is favorable in one Embodiment by satisfying the condition of said Formula (1). Since the resin flow property is good, an unfilled part is less likely to occur in the mold, and the resin leakage from the mold is less likely to occur during compression molding, so that the compression moldability can be excellent.

또한, 수지 돔(30)의 실리콘 웨이퍼(40)와의 접촉면의 직경 L₀은, 디스펜스후, 경시적으로 커진다. 이로써, 본 발명에서의 수지 조성물은, 수지 돔(30)의 형상의 경시 변화를 나타내는 소정의 제2 조건으로서, 디스펜스 완료 시점으로부터 60초 후의 수지 돔(30)의 실리콘 웨이퍼(40)와의 접촉면의 직경을 L₁, 디스펜스 완료 시점으로부터 180초 후의 수지 돔(30)의 실리콘 웨이퍼(40)와의 접촉면의 직경을 L₂라고 한 경우, 하기 식 (2)의 조건을 추가로 충족시키는 것이 바람직하다. In addition, the diameter L ₀ of the contact surface of the resin dome 30 with the silicon wafer 40 increases with time after dispensing. As a result, the resin composition in the present invention is the second predetermined condition showing the change in the shape of the resin dome 30 over time. If the diameter is L ₁ , and the diameter of the contact surface of the resin dome 30 with the silicon wafer 40 after 180 seconds from the dispensing completion time is L ₂ , it is preferable to further satisfy the condition of the following formula (2).

0.40<L₁/L₂<0.96 …(2)0.40<L ₁ /L ₂ <0.96 … (2)

상기 식 (2)의 조건에 있어서, L₁/L₂는, 0.40<L₁/L₂를 충족시키고, 바람직하게는 0.45<L₁/L₂, 특히 바람직하게는 0.48<L₁/L₂이다. 한편으로, L₁/L₂는, L₁/L₂<0.96을 충족시키고, 바람직하게는 L₁/L₂<0.94, 보다 바람직하게는 L₁/L₂<0.92, 특히 바람직하게는 L₁/L₂<0.90이다.In the condition of the formula (2), L ₁ /L ₂ satisfies 0.40 < L ₁ /L ₂ , preferably 0.45 < L ₁ /L ₂ , particularly preferably 0.48 < L ₁ /L _{2 .} to be. On the one hand, L ₁ /L ₂ satisfies L ₁ /L ₂ <0.96, preferably L ₁ /L ₂ <0.94, more preferably L ₁ /L ₂ <0.92, particularly preferably L ₁ /L ₂ <0.90.

본 발명에서의 수지 조성물은, 상기 식 (2)의 조건을 충족시킴으로써, 일 실시형태에 있어서, 수지 조성물의 디스펜스성, 토출 작업성 및 수지 플로우성을 보다 한층 향상시킬 수 있다.In one embodiment, the resin composition in this invention can improve the dispensing property of a resin composition, discharge workability|operativity, and resin flow property further by satisfying the conditions of said Formula (2).

한편, 디스펜스 완료 시점으로부터 180초 후까지는, 디스펜스시와 동일하게 23℃ 조건 하이다.On the other hand, it is under 23 degreeC conditions similarly to the time of dispensing until 180 second after dispensing completion time.

본 발명에서의 수지 조성물의 25℃에서의 점도는, 수지 플로우성을 보다 향상시키고, 압축 성형시의 형틀로부터의 수지 누출을 더욱 방지하는 관점에서, 통상 1Pa·s 이상, 바람직하게는 2.5Pa·s 이상, 10Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 30Pa·s 이상, 50Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 80Pa·s 이상, 90Pa·s 이상, 보다 더 바람직하게는 100Pa·s 이상, 110Pa·s 이상, 특히 바람직하게는 120Pa·s 이상, 130Pa·s 이상이다. 또한, 수지 조성물의 25℃에서의 점도의 상한은, 디스펜스성을 보다 향상시키고, 백플로우 현상을 더욱 방지하는 관점에서, 통상 2000Pa·s 이하, 바람직하게는 1000Pa·s 이하, 900Pa·s 이하, 바람직하게는 800Pa·s 이하, 700Pa·s 이하, 바람직하게는 650Pa·s 이하, 600Pa·s 이하, 바람직하게는 500Pa·s 이하, 450Pa·s 이하, 특히 바람직하게는 400Pa·s 이하, 380Pa·s 이하이다. 상기의 점도는, E형 점도계를 이용해서 측정할 수 있다.The viscosity at 25°C of the resin composition in the present invention is usually 1 Pa·s or more, preferably 2.5 Pa·s or more, from the viewpoint of further improving the resin flowability and further preventing the resin leakage from the mold during compression molding. s or more, 10 Pa·s or more, more preferably 30 Pa·s or more, 50 Pa·s or more, still more preferably 80 Pa·s or more, 90 Pa·s or more, even more preferably 100 Pa·s or more, 110 Pa·s or more , particularly preferably 120 Pa·s or more and 130 Pa·s or more. The upper limit of the viscosity at 25°C of the resin composition is usually 2000 Pa·s or less, preferably 1000 Pa·s or less, 900 Pa·s or less, from the viewpoint of further improving dispensability and further preventing the backflow phenomenon, Preferably 800 Pa·s or less, 700 Pa·s or less, preferably 650 Pa·s or less, 600 Pa·s or less, preferably 500 Pa·s or less, 450 Pa·s or less, particularly preferably 400 Pa·s or less, 380 Pa·s or less s or less. Said viscosity can be measured using an E-type viscometer.

본 발명에 있어서 수지 조성물은, (A) 열경화성 수지, (B) 무기 충전재, (C)라디칼 중합성 화합물, (D) 라디칼 중합 개시제, (E) 열가소성 수지, (F) 경화 촉진제, (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물, (H) 기타 첨가제, 및 (I) 유기 용제로부터 선택되는 성분을 포함하고 있어도 좋다. 당업자는, 이들 성분의 선택 및 함유량의 변경에 의해, 수지 조성물을 상기 식 (1) 및 (2)의 조건을 충족시키도록 조정하는 것이 가능하다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.In the present invention, the resin composition comprises (A) a thermosetting resin, (B) an inorganic filler, (C) a radically polymerizable compound, (D) a radical polymerization initiator, (E) a thermoplastic resin, (F) a curing accelerator, (G) A component selected from a polyether skeleton-containing compound, (H) other additives, and (I) an organic solvent may be included. A person skilled in the art can adjust the resin composition to satisfy the conditions of the formulas (1) and (2) by selecting these components and changing the content. Hereinafter, each component contained in a resin composition is demonstrated in detail.

<(A) 열경화성 수지><(A) thermosetting resin>

본 발명에 있어서 수지 조성물은, (A) 열경화성 수지를 포함하고 있어 있어도 좋다. 열경화성 수지로서는, 전자 기기의 밀봉 재료로서 사용 가능한 열경화성 수지를 사용할 수 있다. (A) 열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 에폭시아크릴레이트 수지, 우레탄아크릴레이트 수지, 우레탄 수지, 시아네이트 수지, 벤조옥사진 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.In this invention, the resin composition may contain the (A) thermosetting resin. As a thermosetting resin, the thermosetting resin which can be used as a sealing material of an electronic device can be used. (A) As a thermosetting resin, For example, an epoxy resin, an epoxy acrylate resin, a urethane acrylate resin, a urethane resin, a cyanate resin, a benzoxazine resin, an unsaturated polyester resin, a phenol resin, a melamine resin, a silicone resin, etc. can be heard

<(A-1) 에폭시 수지><(A-1) Epoxy Resin>

본 발명에 있어서 수지 조성물은, (A) 열경화성 수지로서, (A-1) 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋다. (A-1) 에폭시 수지란, 에폭시기를 갖는 수지를 의미한다.In this invention, the resin composition may contain the (A-1) epoxy resin as (A) thermosetting resin. (A-1) An epoxy resin means resin which has an epoxy group.

(A-1) 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-1) Examples of the epoxy resin include a bixylenol-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a bisphenol S-type epoxy resin, a bisphenol AF-type epoxy resin, and a dicyclopentadiene-type epoxy resin. , Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type Epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring containing epoxy Resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexane dimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, etc. are mentioned. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

본 발명에 있어서 수지 조성물은, (A-1) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, (A-1) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.In this invention, it is preferable that the resin composition contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule as (A-1) epoxy resin. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, (A-1) the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100% by mass of the nonvolatile component of the epoxy resin, preferably 50% by mass or more , More preferably, it is 60 mass % or more, Especially preferably, it is 70 mass % or more.

(A-1) 에폭시 수지에는, 온도 25℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음.)와, 온도 25℃에서 고체상의 에폭시 수지 (이하 「고체상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음.)가 있다. 본 발명에 있어서 수지 조성물은, (A-1) 에폭시 수지로서, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 혹은 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋지만, 액상 에폭시 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하고, (A-1) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지만을 포함하는 것이 특히 바람직하다.(A-1) The epoxy resin includes a liquid epoxy resin at a temperature of 25°C (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”) and a solid epoxy resin at a temperature of 25°C (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”). There are cases.) In the present invention, the resin composition (A-1) as the epoxy resin, may contain only a solid epoxy resin, may contain only a liquid epoxy resin, or a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin, Although there may be, it is more preferable that a liquid epoxy resin is included, and it is especially preferable that only a liquid epoxy resin is included as (A-1) epoxy resin.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As a liquid epoxy resin, the liquid epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 글리시롤형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 환상 지방족 글리시딜에테르, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 글리시롤형 에폭시 수지, 환상 지방족 글리시딜에테르, 비스페놀A형 에폭시 수지, 및 비스페놀F형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include glycyrole-type epoxy resin, bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol AF-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, glycidyl ester-type epoxy resin, glycidylamine-type epoxy resin, Preferred are phenol novolak-type epoxy resins, alicyclic epoxy resins having an ester skeleton, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, cyclic aliphatic glycidyl ethers, and epoxy resins having a butadiene structure, glycyrole-type epoxy resins, and cyclic aliphatic Glycidyl ether, a bisphenol A epoxy resin, and a bisphenol F epoxy resin are more preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-992L」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7400」, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코토 828EL」(비스페놀A형 에폭시 수지);미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사제조의 「630」, 「630LSD」, 「604」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-3950L」, 「EP-3980S」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-4088S」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX1059」(비스페놀A형 에폭시 수지와 비스페놀F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-991L」 (알킬렌옥시 골격 함유 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 닛폰 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「EG-280」(플루오렌 구조 함유 에폭시 수지); 나가세 켐텍스사 제조 「EX-201」(환상 지방족 글리시딜에테르) 등을 들 수 있다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "EX-992L" by Nagase Chemtex, "YX7400" by Mitsubishi Chemical, "HP4032" by DIC, "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin); "828US", "828EL", "jER828EL", "825", "Epicoto 828EL" (bisphenol A epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER807", "1750" (bisphenol F type) manufactured by Mitsubishi Chemical epoxy resin); "jER152" by Mitsubishi Chemical (phenol novolak type epoxy resin); "630", "630LSD", and "604" manufactured by Mitsubishi Chemical (glycidylamine type epoxy resin); "ED-523T" by ADEKA (glycyrol type epoxy resin); "EP-3950L" by ADEKA, "EP-3980S" (glycidylamine type epoxy resin); "EP-4088S" by ADEKA (dicyclopentadiene type epoxy resin); "ZX1059" (mixture of a bisphenol A epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "EX-721" by the Nagase Chemtex company (glycidyl ester type epoxy resin); "EX-991L" by the Nagase Chemtex company (alkyleneoxy skeleton containing epoxy resin); "Celoxide 2021P" by Daicel (alicyclic epoxy resin which has ester skeleton); "PB-3600" by Daicel Corporation, "JP-100" by Nippon Soda Corporation, "JP-200" (epoxy resin having a butadiene structure); "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1, 4- glycidyl cyclohexane type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "EG-280" by Osaka Gas Chemicals (fluorene structure containing epoxy resin); "EX-201" (cyclic aliphatic glycidyl ether) by the Nagase Chemtex company etc. are mentioned.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid epoxy resin, the solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지, 페놀프탈레인형 에폭시 수지가 바람직하다.Examples of the solid epoxy resin include a bixylenol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, a naphthol novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a trisphenol type epoxy resin , Naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, phenol A phthalimidine-type epoxy resin and a phenolphthalein-type epoxy resin are preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200L」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」 (나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3000FH」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN485」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN375」(디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YX4000HK」, 「YL7890」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(페놀아랄킬형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(비스페놀A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「WHR991S」(페놀프탈이미딘형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이것들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a solid epoxy resin, "HP4032H" by DIC (naphthalene type epoxy resin); "HP-4700", "HP-4710" by DIC company (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin); "N-690" by DIC (cresol novolak-type epoxy resin); "N-695" by DIC (cresol novolak-type epoxy resin); "HP-7200", "HP-7200HH", "HP-7200H", "HP-7200L" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" by DIC company (naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" by a Nippon Kayaku company (trisphenol type epoxy resin); "NC7000L" by a Nippon Kayaku company (naphthol novolak-type epoxy resin); "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3000FH", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) by a Nippon Kayaku company; "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "ESN485" (naphthol type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "ESN375" (dihydroxynaphthalene type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "YX4000H", "YX4000", "YX4000HK", "YL7890" by Mitsubishi Chemical Corporation (bixylenol type epoxy resin); "YL6121" by Mitsubishi Chemical (biphenyl type epoxy resin); "YX8800" by Mitsubishi Chemical (anthracene type epoxy resin); "YX7700" by Mitsubishi Chemical (phenol aralkyl type epoxy resin); "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemicals; "YL7760" by a Mitsubishi Chemical company (bisphenol AF type|mold epoxy resin); "YL7800" by Mitsubishi Chemical (fluorene type epoxy resin); "jER1010" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A epoxy resin); "jER1031S" by Mitsubishi Chemical (tetraphenylethane type epoxy resin); "WHR991S" (phenol phthalimidine type epoxy resin) by a Nippon Kayaku company, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(A-1) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 3000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2000/eq., 보다 더 바람직하게는 110g/eq. 내지 1000g/eq.이다. 에폭시 당량은, 에폭시기 1당량당의 수지의 질량이다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라서 측정할 수 있다.(A-1) The epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 50 g/eq. to 5000 g/eq., more preferably 50 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 80 g/eq. to 2000/eq., even more preferably 110 g/eq. to 1000 g/eq. Epoxy equivalent is the mass of resin per equivalent of epoxy group. This epoxy equivalent can be measured according to JISK7236.

(A-1) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.(A-1) The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, still more preferably 400 to 1500 from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. . The weight average molecular weight of resin can be measured as a polystyrene conversion value by the gel permeation chromatography (GPC) method.

수지 조성물 중의 (A-1) 에폭시 수지의 함유율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.01질량% 이상, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 15질량% 이하이며, 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재 이외의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 1질량% 이상, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 특히 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 85질량% 이하, 특히 바람직하게는 80질량% 이하이다.Although the content rate of the (A-1) epoxy resin in the resin composition is not specifically limited, When all the non-volatile components in the resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.01 mass % or more, Preferably is 0.1 mass % or more, more preferably 1 mass % or more, particularly preferably 3 mass % or more, preferably 30 mass % or less, more preferably 20 mass % or less, particularly preferably 15 mass % or less and (B) in the resin composition, when non-volatile components other than the inorganic filler are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 1 mass % or more, preferably 10 mass % or more, more preferably 20 mass % % or more, particularly preferably 30 mass% or more, preferably 90 mass% or less, more preferably 85 mass% or less, particularly preferably 80 mass% or less.

<(A-2) 에폭시 경화제><(A-2) Epoxy curing agent>

본 발명에 있어서 수지 조성물은, (A) 열경화성 수지로서 (A-1) 에폭시 수지를 포함하는 경우, 추가로 임의 성분으로서 (A-2) 에폭시 경화제를 포함하고 있어도 좋다. (A-2) 에폭시 경화제는, (A-1) 에폭시 수지와 반응해서 수지 조성물을 경화시키는 에폭시 수지 경화제로서의 기능을 갖는다.In the present invention, when the resin composition contains (A-1) an epoxy resin as the (A) thermosetting resin, the (A-2) epoxy curing agent may be further included as an optional component. (A-2) Epoxy curing agent has a function as an epoxy resin curing agent which reacts with (A-1) an epoxy resin and hardens a resin composition.

(A-2) 에폭시 경화제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 카르보디이미드계 경화제, 산 무수물계 경화제, 아민계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 티올계 경화제 등을 들 수 있다. (A-2) 에폭시 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (A-2) 에폭시 경화제는, 활성 에스테르계 경화제, 및 페놀계 경화제로부터 선택되는 에폭시 경화제를 포함하는 것이 바람직하다.(A-2) The epoxy curing agent is not particularly limited, and for example, an active ester curing agent, a phenol curing agent, a carbodiimide curing agent, an acid anhydride curing agent, an amine curing agent, a benzoxazine curing agent, and cyanate. an ester-based curing agent, a thiol-based curing agent, and the like. (A-2) An epoxy curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. (A-2) The epoxy curing agent preferably contains an epoxy curing agent selected from an active ester curing agent and a phenol curing agent.

활성 에스테르계 경화제로서는, 일반적으로 페놀 에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다.As the active ester curing agent, generally a compound having two or more ester groups in one molecule with high reactive activity, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds. This is preferably used.

활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.It is preferable that an active ester type hardening|curing agent is obtained by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable.

활성 에스테르계 경화제로서는, 예를 들어 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀A, 메틸화 비스페놀F, 메틸화 비스페놀S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기에서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합해서 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the active ester curing agent include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac, etc. are mentioned. Here, a "dicyclopentadiene type diphenol compound" means a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol to one molecule of dicyclopentadiene.

구체적으로는, 활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 경화제, 나프탈렌 구조를 포함하는 나프탈렌형 활성 에스테르계 경화제, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 그 중에서도 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 경화제, 및 나프탈렌형 활성 에스테르계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다. 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다.Specifically, examples of the active ester curing agent include a dicyclopentadiene type active ester curing agent, a naphthalene type active ester curing agent containing a naphthalene structure, an active ester curing agent containing an acetylated product of phenol novolac, and phenol novolac. An active ester-based curing agent containing a benzoyl compound is preferable, and among these, at least one selected from a dicyclopentadiene-type active ester-based curing agent and a naphthalene-type active ester-based curing agent is more preferable. As the dicyclopentadiene-type active ester-based curing agent, an active ester-based curing agent having a dicyclopentadiene-type diphenol structure is preferable.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「EXB-8000L」, 「EXB-8000L-65M」, 「EXB-8000L-65TM」, 「HPC-8000L-65TM」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000H-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「EXB-8151-62T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150-60T」, 「EXB-8150-62T」, 「EXB-9416-70BK」, 「HPC-8150-60T」, 「HPC-8150-62T」(DIC사 제조); 인 함유 활성 에스테르계 경화제로서, 「EXB9401」(DIC사 제조), 페놀 노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조), 페놀 노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」, 「YLH1030」, 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조), 스티릴기 및 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「PC1300-02-65MA」(에어워터사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester-based curing agents include “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “EXB-8000L”, “EXB-8000L-65M” as an active ester-based curing agent containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure. , "EXB-8000L-65TM", "HPC-8000L-65TM", "HPC-8000", "HPC-8000-65T", "HPC-8000H", "HPC-8000H-65TM" (manufactured by DIC); As an active ester curing agent containing a naphthalene structure, "EXB-8151-62T", "EXB-8100L-65T", "EXB-8150-60T", "EXB-8150-62T", "EXB-9416-70BK", "HPC-8150-60T", "HPC-8150-62T" (manufactured by DIC); "EXB9401" (manufactured by DIC Corporation) as a phosphorus-containing active ester curing agent, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent that is an acetylated product of phenol novolac, and an active ester curing agent that is a benzoyl product of phenol novolac "YLH1026", "YLH1030", "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and "PC1300-02-65MA" (manufactured by Air Water Corporation) as an active ester-based curing agent containing a styryl group and a naphthalene structure. .

페놀계 경화제로서는, 벤젠환, 나프탈렌환 등의 방향환에 결합한 수산기를 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 경화제를 들 수 있다. 그 중에서도, 벤젠환에 결합한 수산기를 갖는 화합물이 바람직하다.As a phenolic hardening|curing agent, the hardening|curing agent which has 1 or more, preferably 2 or more hydroxyl groups couple|bonded with aromatic rings, such as a benzene ring and a naphthalene ring, is mentioned in 1 molecule. Especially, the compound which has the hydroxyl group couple|bonded with the benzene ring is preferable.

페놀계 경화제의 구체예로서는, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH-8000H」; 닛폰 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「TD-2090-60M」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」; 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」, 「ELPC75」; 시그마알드릿치사 제조의 「2,2-디알릴비스페놀A」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenolic hardening|curing agent, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH-8000H" by Meiwa Kasei Corporation; "NHN", "CBN", and "GPH" manufactured by Nippon Kayaku Corporation; "TD-2090", "TD-2090-60M", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018", "LA-3018-50P" manufactured by DIC Corporation, "EXB-9500", "HPC-9500", "KA-1160", "KA-1163", "KA-1165"; "GDP-6115L", "GDP-6115H", "ELPC75" manufactured by Gunei Chemical Company; "2,2-diallylbisphenol A" by the Sigma-Aldrich company, etc. are mentioned.

카르보디이미드계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 카르보디이미드 구조를 갖는 경화제를 들 수 있고, 예를 들어, 테트라메틸렌-비스(t-부틸카르보디이미드), 사이클로헥산비스(메틸렌-t-부틸카르보디이미드)등의 지방족 비스카르보디이미드; 페닐렌-비스(크실릴카르보디이미드) 등의 방향족 비스카르보디이미드 등의 비스카르보디이미드; 폴리헥사메틸렌카르보디이미드, 폴리트리메틸헥사메틸렌카르보디이미드, 폴리사이클로헥실렌카르보디이미드, 폴리(메틸렌비스사이클로헥실렌카르보디이미드), 폴리(이소포론카르보디이미드) 등의 지방족 폴리카르보디이미드; 폴리(페닐렌카르보디이미드), 폴리(나프틸렌카르보디이미드), 폴리(톨릴렌카르보디이미드), 폴리(메틸디이소프로필페닐렌카르보디이미드), 폴리(트리에틸페닐렌카르보디이미드), 폴리(디에틸페닐렌카르보디이미드), 폴리(트리이소프로필페닐렌카르보디이미드), 폴리(디이소프로필페닐렌카르보디이미드), 폴리(크실릴렌카르보디이미드), 폴리(테트라메틸크실릴렌카르보디이미드), 폴리(메틸렌디페닐렌카르보디이미드), 폴리[메틸렌비스(메틸페닐렌)카르보디이미드] 등의 방향족 폴리카르보디이미드 등의 폴리카르보디이미드를 들 수 있다.Examples of the carbodiimide-based curing agent include curing agents having one or more, preferably two or more carbodiimide structures in one molecule, for example, tetramethylene-bis(t-butylcarbodiimide); aliphatic biscarbodiimides such as cyclohexanebis(methylene-t-butylcarbodiimide); biscarbodiimides such as aromatic biscarbodiimides such as phenylene-bis(xylylcarbodiimide); Aliphatic polycarbodiimides such as polyhexamethylenecarbodiimide, polytrimethylhexamethylenecarbodiimide, polycyclohexylenecarbodiimide, poly(methylenebiscyclohexylenecarbodiimide), and poly(isophoronecarbodiimide) ; Poly(phenylenecarbodiimide), poly(naphthylenecarbodiimide), poly(tolylenecarbodiimide), poly(methyldiisopropylphenylenecarbodiimide), poly(triethylphenylenecarbodiimide) , poly(diethylphenylenecarbodiimide), poly(triisopropylphenylenecarbodiimide), poly(diisopropylphenylenecarbodiimide), poly(xylylenecarbodiimide), poly(tetramethyl) polycarbodiimides such as aromatic polycarbodiimides such as xylylenecarbodiimide), poly(methylenediphenylenecarbodiimide), and poly[methylenebis(methylphenylene)carbodiimide].

카르보디이미드계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들어, 닛신보 케미컬사 제조의 「카르보디라이트 V-02B」, 「카르보디라이트 V-03」, 「카르보디라이트 V-04K」, 「카르보디라이트 V-07」 및 「카르보디라이트 V-09」; 라인케미사 제조의 「스타바쿠졸 P」, 「스타바쿠졸 P400」, 「하이카딜 510」 등을 들 수 있다. As a commercial item of a carbodiimide type hardening|curing agent, "Carbodilite V-02B", "Carbodilite V-03", "Carbodilite V-04K", "Carbodilite" by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. product, for example, are, for example, V-07" and "Carbodilite V-09"; "Stabakusol P", "Stabakusol P400", "Hicardil 510" by a Reinchemi company, etc. are mentioned.

산 무수물계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 들 수 있고, 1분자내 중에 2개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제가 바람직하다. 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형의 산 무수물 등을 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 시판품으로서는, 신닛폰 리카사 제조의 「HNA-100」, 「MH-700」, 「MTA-15」, 「DDSA」, 「OSA」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YH-306」, 「YH-307」, 히타치 카세이사 제조의 「HN-2200」, 「HN-5500」등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride curing agent include curing agents having one or more acid anhydride groups in one molecule, and curing agents having two or more acid anhydride groups in one molecule are preferable. Specific examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride, and trialkyltetrahydrophthalic anhydride. , dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride , benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a ,4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho [1,2-C] furan-1,3-dione, ethylene glycol bis ( anhydrotrimellitate), and polymer-type acid anhydrides, such as styrene maleic acid resin which copolymerized styrene and maleic acid, etc. are mentioned. As a commercial item of an acid anhydride type hardening|curing agent, "HNA-100", "MH-700", "MTA-15", "DDSA", "OSA" by Shin-Nippon Rika Corporation, "YH-306" by Mitsubishi Chemical Corporation , "YH-307", "HN-2200" by Hitachi Kasei Corporation, "HN-5500", etc. are mentioned.

아민계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 아미노기를 갖는 경화제를 들 수 있고, 예를 들어, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 나타내는 관점에서, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 경화제는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰, 등을 들 수 있다. 아민계 경화제는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 세이카사 제조 「SEIKACURE-S」, 닛폰 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.Examples of the amine-based curing agent include curing agents having one or more, preferably two or more amino groups in one molecule, for example, aliphatic amines, polyetheramines, alicyclic amines, aromatic amines, and the like. Among them, aromatic amines are preferable from the viewpoint of exhibiting the desired effect of the present invention. Primary amine or secondary amine is preferable and, as for an amine type hardening|curing agent, primary amine is more preferable. Specific examples of the amine curing agent include 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylaniline), 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'- Diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobi Phenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 3,3 -Dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethanediamine, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)propane , 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,4'-bis( 4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone, etc. are mentioned. A commercial item may be used for an amine hardening|curing agent, For example, "SEIKACURE-S" by Seika Corporation, "KAYABOND C-200S" by Nippon Kayaku Corporation, "KAYABOND C-100", "Kayahard A-A", "Kaya Hard A-B", "Kaya Hard A-S", "Epicure W" by Mitsubishi Chemical, etc. are mentioned.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OP100D」, 「ODA-BOZ」; 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」; 시코쿠 카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」 등을 들 수 있다.As a specific example of a benzoxazine type hardening|curing agent, "JBZ-OP100D" by JFE Chemicals, "ODA-BOZ"; "HFB2006M" by Showa Kobunshi Corporation; "P-d", "F-a" manufactured by Shikoku Kaseiko Co., Ltd., etc. are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 비스페놀A디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트)), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀A디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화한 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(모두 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀A디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate)), 4,4'-methylenebis(2,6). -Dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4 -Cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4- Bifunctional cyanate resins such as cyanatephenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolac, etc., these cyanate resins are partially triazined One prepolymer, etc. are mentioned. As a specific example of a cyanate ester type hardening|curing agent, "PT30" and "PT60" (all are phenol novolac-type polyfunctional cyanate ester resin), "BA230", "BA230S75" (a part of bisphenol A dicyanate by Ronza Japan) Or the prepolymer which all was triazine-ized and became a trimer) etc. are mentioned.

티올계 경화제로서는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.Examples of the thiol-based curing agent include trimethylolpropane tris(3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis(3-mercaptobutyrate), tris(3-mercaptopropyl)isocyanurate, and the like. can

(A-2) 에폭시 경화제의 반응기 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 반응기 당량은, 반응기 1당량당의 경화제의 질량이다.(A-2) The reactive weight of the epoxy curing agent is preferably 50 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 1000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 500 g/eq., particularly preferably 100 g/eq. to 300 g/eq. The reactor equivalent is the mass of the curing agent per equivalent of the reactor.

수지 조성물 중의 (A-2) 에폭시 경화제의 함유율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.01질량% 이상, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 2질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 7질량% 이하이고, 수지 조성물중의 (B) 무기 충전재 이외의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.1질량% 이상, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 특히 바람직하게는 10질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 특히 바람직하게는 60질량% 이하이다.Although the content rate of the (A-2) epoxy curing agent in the resin composition is not particularly limited, when the total non-volatile components in the resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.01 mass % or more, preferably is 0.1 mass% or more, more preferably 1 mass% or more, particularly preferably 2 mass% or more, preferably 20 mass% or less, more preferably 10 mass% or less, particularly preferably 7 mass% or less and, when the nonvolatile components other than (B) inorganic filler in the resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.1 mass % or more, preferably 1 mass % or more, more preferably 5 It is mass % or more, Especially preferably, it is 10 mass % or more, Preferably it is 80 mass % or less, More preferably, it is 70 mass % or less, Especially preferably, it is 60 mass % or less.

<(B) 무기 충전재><(B) Inorganic filler>

본 발명에 있어서 수지 조성물은, 임의의 성분으로서 (B) 무기 충전재를 포함하고 있어도 좋다.In this invention, the resin composition may contain the (B) inorganic filler as an arbitrary component.

(B) 무기 충전재의 재료로서는, 무기 화합물을 사용한다. 무기 충전재의 재료의 예로서는, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티타늄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는, 구상 실리카가 바람직하다. (B) 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(B) As a material of an inorganic filler, an inorganic compound is used. Examples of the inorganic filler material include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, carbonic acid. Calcium, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, zircon Barium acid, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium phosphate tungstate, etc. are mentioned. Among these, silica is particularly suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. (B) An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(B) 무기 충전재의 50% 누적직경 D50은, 바람직하게는 0.2㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.4㎛ 이상이고, 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 바람직하게는 12㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이하이다. (B) 무기 충전재의 50% 누적 직경 D50이 너무 작으면, 디스펜스성이 저하되고, 백플로우 현상이 생기기 쉬워질 수 있다.(B) The 50% cumulative diameter D50 of the inorganic filler is preferably 0.2 µm or more, more preferably 0.3 µm or more, particularly preferably 0.4 µm or more, preferably 15 µm or less, more preferably 12 µm or more. Below, more preferably, it is 10 micrometers or less. (B) When the 50% cumulative diameter D50 of the inorganic filler is too small, the dispensability may deteriorate and the backflow phenomenon may easily occur.

(B) 무기 충전재의 90% 누적 직경 D90은, 바람직하게는 2㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 3.5㎛ 이상이고, 바람직하게는 30㎛ 이하, 보다 바람직하게는 27㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이하이다. 90% 누적직경 D90이 이와 같이 작은 것은, (C) 무기 충전재가 거대 입자를 포함하지 않는 것을 나타낸다. (B) 무기 충전재의 90% 누적 직경 D90이 너무 작으면, 디스펜스성이 저하되고, 백플로우 현상이 생기기 쉬워질 수 있다.(B) The 90% cumulative diameter D90 of the inorganic filler is preferably 2 µm or more, more preferably 3 µm or more, particularly preferably 3.5 µm or more, preferably 30 µm or less, more preferably 27 µm or more. Below, more preferably, it is 25 micrometers or less. Such a small 90% cumulative diameter D90 indicates that (C) the inorganic filler does not contain large particles. (B) When the 90% cumulative diameter D90 of the inorganic filler is too small, the dispensability may deteriorate and the backflow phenomenon may easily occur.

(B) 무기 충전재의 50% 누적 직경 D50과 90% 누적 직경 D90과의 비 D50/D90은, 바람직하게는 0.2 이상, 보다 바람직하게는 0.3 이상, 특히 바람직하게는 0.35 이상이며, 바람직하게는 0.8 이하, 보다 바람직하게는 0.7 이하, 더욱 바람직하게는 0.65 이하이다.(B) The ratio D50/D90 of the 50% cumulative diameter D50 and the 90% cumulative diameter D90 of the inorganic filler is preferably 0.2 or more, more preferably 0.3 or more, particularly preferably 0.35 or more, and preferably 0.8 It is below, More preferably, it is 0.7 or less, More preferably, it is 0.65 or less.

(B) 무기 충전재의 50% 누적 직경 D50과 90% 누적 직경 D90과의 차(D90-D50)는, 바람직하게는 2㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2.5㎛ 이상, 특히 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 18㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 16㎛ 이하이다.(B) the difference (D90-D50) between the 50% cumulative diameter D50 and the 90% cumulative diameter D90 of the inorganic filler is preferably 2 µm or more, more preferably 2.5 µm or more, particularly preferably 3 µm or more, , Preferably it is 20 micrometers or less, More preferably, it is 18 micrometers or less, More preferably, it is 16 micrometers or less.

(B) 무기 충전재의 50% 누적 직경 D50 및 90% 누적 직경 D90은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자직경 분포 측정 장치에 의해, (B) 무기 충전재의 입자직경 분포를 체적 기준으로 작성한다. 그리고, 그 소경측으로부터의 누적 빈도가 50%인 입자직경(즉, 중간 직경)을 50% 누적 직경 D50으로 할 수 있다. 또한, 그 소경측으로부터의 누적 빈도가 90%인 입자직경을 90% 누적 직경 D90으로 할 수 있다. 측정 샘플은, (B) 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 칭량하여 취하고, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자직경 분포 측정 장치를 사용하고, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우셀 방식으로 (B) 무기 충전재의 체적 기준의 입자직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자직경 분포로부터 50% 누적 직경 D50 및 90% 누적 직경 D90을 산출할 수 있다. 레이저 회절식 입자직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.(B) The 50% cumulative diameter D50 and the 90% cumulative diameter D90 of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the (B) inorganic filler is created on a volume basis by a laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer. Incidentally, the particle diameter (that is, the intermediate diameter) whose cumulative frequency from the small-diameter side is 50% can be defined as the 50% cumulative diameter D50. Further, the particle diameter whose cumulative frequency from the small-diameter side is 90% can be defined as the 90% cumulative diameter D90. As the measurement sample, 100 mg of (B) inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed in a vial bottle, and what was dispersed for 10 minutes by ultrasonic wave can be used. The particle size distribution obtained by measuring the particle size distribution based on the volume of the (B) inorganic filler by a flow cell method using a laser diffraction type particle size distribution measuring device for the measurement sample, using a light source wavelength as blue and red, and measuring the sample. 50% cumulative diameter D50 and 90% cumulative diameter D90 can be calculated from As a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus, "LA-960" by Horiba Corporation, etc. are mentioned, for example.

(B) 무기 충전재의 비표면적은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은, BET법에 따르고, 비표면적 측정 장치(마운텍사 Macsorb HM-1210)를 사용해서 시료 표면에 질소 가스를 흡착시켜, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.(B) The specific surface area of the inorganic filler is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, particularly preferably 3 m 2 /g or more from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. . Although there is no particular limitation on the upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas to the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210, manufactured by Mountec) in accordance with the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(B) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 신닛테츠 스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」; 등을 들 수 있다.(B) As a commercial item of an inorganic filler, For example, "SP60-05", "SP507-05" by the Shin-Nitetsu Sumikin Materials company; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation; "UFP-30" by Denka Corporation; "Silly writing NSS-3N", "Silly writing NSS-4N", "Silly writing NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1" manufactured by Adomatex Corporation; and the like.

(B) 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.(B) It is preferable that the inorganic filler is treated with the surface treating agent from a viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. As the surface treatment agent, for example, a fluorine-containing silane coupling agent, an aminosilane-based coupling agent, an epoxysilane-based coupling agent, a mercaptosilane-based coupling agent, a silane-based coupling agent, an alkoxysilane, an organosilazane compound, a titanate-based coupler A ring agent etc. are mentioned. In addition, a surface treatment agent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types arbitrarily.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a surface treatment agent, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxy) silane), "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical “SZ-31” (hexamethyldisilazane) manufactured by Kogyo Co., Ltd. “KBM103” (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM-4803” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (long-chain epoxy type silane couple) ring agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-7103" (3,3,3-trifluoropropyl trimethoxysilane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (B) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, (B) 무기 충전재 100질량부는, 0.2질량부 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the grade of the surface treatment by a surface treating agent falls within a predetermined range from a viewpoint of the dispersibility improvement of (B) inorganic filler. Specifically, (B) 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with a surface treatment agent of 0.2 parts by mass to 5 parts by mass, preferably surface-treated at 0.2 parts by mass to 3 parts by mass, 0.3 parts by mass to It is preferable that the surface treatment is carried out in 2 mass parts.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (B) 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 의해 평가할 수 있다. (B) 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, (B) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 수지 시트층에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The grade of the surface treatment by a surface treating agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of (B) inorganic filler. (B) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and 0.2 mg/m 2 or more from the viewpoint of improving the dispersibility of the (B) inorganic filler. The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in the resin sheet layer, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable. .

(B) 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 (B) 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 (B)무기 충전재에 더하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 이용해서 (B) 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.(B) The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the (B) inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, MEK in a sufficient amount as a solvent is added to the (B) inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the (B) inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horiba Corporation, etc. can be used.

수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재의 함유율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 본 발명의 원하는 효과를 보다 현저히 얻는 관점에서, 예를 들어 0질량% 이상, 1질량% 이상, 바람직하게는 10질량% 이상, 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 40질량% 이상, 더욱 바람직하게는 50질량% 이상, 60질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 65질량% 이상, 70질량% 이상, 특히 바람직하게는 75질량% 이상, 78질량% 이상이고, 상한은, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 92질량% 이하, 더욱 바람직하게는 90질량% 이하, 특히 바람직하게는 89질량% 이하이다. (B) 무기 충전재의 함유율이 너무 높으면, 디스펜스성이 저하되고, 백플로우 현상이 생기기 쉬워질 수 있다.Although the content rate of the (B) inorganic filler in a resin composition is not specifically limited, When the nonvolatile component in a resin composition is 100 mass %, from a viewpoint of acquiring the desired effect of this invention more remarkably, for example, 0 mass % or more, 1% by mass or more, preferably 10% by mass or more, 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, 40% by mass or more, still more preferably 50% by mass or more, 60% by mass or more, even more Preferably it is 65 mass % or more, 70 mass % or more, Especially preferably, it is 75 mass % or more and 78 mass % or more, The upper limit is preferably 95 mass % or less, More preferably, it is 92 mass % or less, More preferably Preferably it is 90 mass % or less, Especially preferably, it is 89 mass % or less. (B) When the content rate of an inorganic filler is too high, dispensability may fall and it may become easy to produce a backflow phenomenon.

<(C) 실란 커플링제><(C) Silane coupling agent>

본 발명에 있어서 수지 조성물은, (A) 및 (B) 성분 이외의 임의 성분으로서 (C) 실란 커플링제를 포함하고 있어도 좋다.In this invention, the resin composition may contain the (C) silane coupling agent as arbitrary components other than (A) and (B) component.

(C) 실란 커플링제로서는, 예를 들어, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기를 함유하는 에폭시실란계 커플링제, 및 머캅토기를 함유하는 머캅토실란계 커플링제가 바람직하다. 또한, 실란 커플링제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(C) Examples of the silane coupling agent include an aminosilane coupling agent, an epoxysilane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound, and a titanate coupling agent. . Especially, the epoxysilane-type coupling agent containing an epoxy group, and the mercaptosilane-type coupling agent containing a mercapto group are preferable. In addition, a silane coupling agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(C) 실란 커플링제로서는, 예를 들어, 시판품을 사용해도 좋다. 실란 커플링제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-7103」 (3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM503」 (3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM5783」 등을 들 수 있다.(C) As a silane coupling agent, you may use a commercial item, for example. As a commercial item of a silane coupling agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM803" (3-mercaptopropyl trime), for example, oxysilane), "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Kakuko Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy type silane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. coupling agent), "KBM-7103" (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM503" (3-methacryloxypropyl trime) manufactured by Shin-Etsu Chemical Company oxysilane), "KBM5783" by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned.

(C) 실란 커플링제의 양은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.0001질량% 이상, 바람직하게는 0.001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.01질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.05질량% 이상이고, 바람직하게는 1질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.3질량% 이하이며, 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재 이외의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.001질량% 이상, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이상이고, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 특히 바람직하게는 2질량% 이하이다.(C) Although the quantity of a silane coupling agent is not specifically limited, When all the non-volatile components in a resin composition are 100 mass %, For example, 0 mass % or more, 0.0001 mass % or more, Preferably 0.001 mass % or more. , More preferably 0.01 mass % or more, particularly preferably 0.05 mass % or more, preferably 1 mass % or less, more preferably 0.5 mass % or less, particularly preferably 0.3 mass % or less, in the resin composition (B) When non-volatile components other than the inorganic filler are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.001 mass % or more, preferably 0.01 mass % or more, more preferably 0.1 mass % or more, particularly preferably Preferably it is 0.5 mass % or more, Preferably it is 10 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less, Especially preferably, it is 2 mass % or less.

<(D) 경화 촉진제><(D) curing accelerator>

본 발명에서의 수지 조성물은, (A) 내지 (C) 성분 이외의 임의의 성분으로서 (D) 경화 촉진제를 포함하고 있어도 좋다. (D) 경화 촉진제는, 수지 조성물의 경화를 촉진시키는 경화 촉매로서의 기능을 갖는다.The resin composition in this invention may contain the (D) hardening accelerator as arbitrary components other than (A)-(C)component. (D) A hardening accelerator has a function as a hardening catalyst which accelerates|stimulates hardening of a resin composition.

(D) 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(D) As a hardening accelerator, a phosphorus type hardening accelerator, an amine type hardening accelerator, an imidazole type hardening accelerator, a guanidine type hardening accelerator, a metal type hardening accelerator, etc. are mentioned, for example. Especially, an imidazole type hardening accelerator is preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphoniumdecanoate, (4-methylphenyl)triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6,-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센, 1,8-디아자비사이클로[5,4,0]운데센-7,4-디메틸아미노피리딘, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6,-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1, 8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene, 1,8-diazabicyclo[5,4,0]undecene-7,4-dimethylaminopyridine, 2,4,6-tris(dimethyl aminomethyl) phenol and the like, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct Water, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2 -a] an imidazole compound such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and an imidazole compound of an epoxy resin An adduct body is mentioned, 2-ethyl- 4-methylimidazole and 1-benzyl- 2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」, 시코쿠 카세이코교사 제조의 「큐어졸 2MZ」, 「2E4MZ」, 「C11Z」, 「C11Z-CN」, 「C11Z-CNS」, 「C11Z-A」, 「2MZ-OK」, 「2MA-OK」, 「2MA-OK-PW」, 「2PHZ」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, for example, “P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical, “Curesol 2MZ”, “2E4MZ”, “C11Z”, “C11Z” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. -CN", "C11Z-CNS", "C11Z-A", "2MZ-OK", "2MA-OK", "2MA-OK-PW", "2PHZ", etc. are mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴비구아니드 등을 들 수 있다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolylbiguanide, etc. are mentioned.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.As a metal type hardening accelerator, the organometallic complex or organometallic salt of metals, such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin, is mentioned, for example. Specific examples of the organometallic complex include organocobalt complexes such as cobalt(II)acetylacetonate and cobalt(III)acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II)acetylacetonate, and zinc(II)acetylacetonate. Organic iron complexes, such as an organic zinc complex, iron(III) acetylacetonate, organic nickel complexes, such as nickel (II) acetylacetonate, organic manganese complexes, such as manganese (II) acetylacetonate, etc. are mentioned. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

수지 조성물 중의 (D) 경화 촉진제의 함유율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.001질량% 이상, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이고, 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재 이외의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.01질량% 이상, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 1질량% 이상, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 5질량% 이하이다.Although the content rate of (D) hardening accelerator in a resin composition is not specifically limited, When all the non-volatile components in a resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.001 mass % or more, Preferably 0.01 mass % or more. mass % or more, more preferably 0.05 mass % or more, particularly preferably 0.1 mass % or more, preferably 5 mass % or less, more preferably 1 mass % or less, particularly preferably 0.5 mass % or less, When non-volatile components other than (B) inorganic filler in a resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.01 mass % or more, Preferably it is 0.1 mass % or more, More preferably, it is 0.5 mass % or more. , Especially preferably, it is 1 mass % or more, Preferably it is 20 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or less, Especially preferably, it is 5 mass % or less.

<(E) 라디칼 중합성 화합물><(E) radically polymerizable compound>

본 발명에서의 수지 조성물은, (A) 내지 (D) 성분 이외의 임의의 성분으로서 (E) 라디칼 중합성 화합물을 포함하고 있어도 좋다.The resin composition in this invention may contain the (E) radically polymerizable compound as arbitrary components other than (A)-(D) component.

(E) 라디칼 중합성 화합물로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이러한 (E) 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들어, 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 푸마로일기, 말레오일기, 비닐페닐기, 스티릴기, 신나모일기 및 말레이미드기(2,5-디하이드로-2,5-디옥소-1H-피롤-1-일기) 등의 라디칼 중합성기를 갖는 화합물을 들 수 있다. (E) 라디칼 중합성 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(E) As a radically polymerizable compound, the compound which has an ethylenically unsaturated bond can be used. Examples of the radically polymerizable compound (E) include a vinyl group, an allyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a fumaroyl group, a maleoyl group, a vinylphenyl group, The compound which has radically polymerizable groups, such as a styryl group, a cinnamoyl group, and a maleimide group (2,5-dihydro-2,5-dioxo-1H-pyrrol-1-yl group), is mentioned. (E) A radically polymerizable compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(E) 라디칼 중합성 화합물의 구체예로서는, 1개 또는 2개 이상의 아크릴로일기 및/또는 메타크릴로일기를 갖는 (메타)아크릴계 라디칼 중합성 화합물; 방향족 탄소 원자에 직접 결합한 1개 또는 2개 이상의 비닐기를 갖는 스티렌계 라디칼 중합성 화합물; 1개 또는 2개 이상의 알릴기를 갖는 알릴계 라디칼 중합성 화합물; 1개 또는 2개 이상의 말레이미드기를 갖는 말레이미드계 라디칼 중합성 화합물; 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메타)아크릴계 라디칼 중합성 화합물이 바람직하다.(E) As a specific example of a radically polymerizable compound, It is a (meth)acrylic-type radically polymerizable compound which has 1 or 2 or more acryloyl group and/or methacryloyl group; a styrenic radical polymerizable compound having one or two or more vinyl groups directly bonded to an aromatic carbon atom; an allyl radical polymerizable compound having one or two or more allyl groups; a maleimide-based radically polymerizable compound having one or two or more maleimide groups; and the like. Especially, a (meth)acrylic-type radically polymerizable compound is preferable.

(E) 라디칼 중합성 화합물은, 폴리알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 것이 바람직하다. 폴리알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 (E) 라디칼 중합성 화합물을 사용함으로써, 본 발명에서의 수지 조성물의 경화물의 유연성을 높여서, 경화물의 휨을 저감하고, 또는, 경화물과 도체층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.(E) It is preferable that a radically polymerizable compound contains a polyalkylene oxide structure. By using the (E) radically polymerizable compound containing a polyalkylene oxide structure, the flexibility of the cured product of the resin composition in the present invention is increased, the curvature of the cured product is reduced, or the adhesion between the cured product and the conductor layer is improved. can do it

폴리알킬렌옥사이드 구조는, 식 -(R^fO)_n-으로 표시될 수 있다. 당해 식에 있어서, n은, 통상 2 이상의 정수를 나타낸다. 이 정수 n은, 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 9 이상, 더욱 바람직하게는 11 이상이고, 통상 101 이하, 바람직하게는 90 이하, 보다 바람직하게는 68 이하, 더욱 바람직하게는 65 이하이다. 식 (4)에 있어서, R^f는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬렌기를 나타낸다. 상기의 알킬렌기의 탄소 원자수는, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 6 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 더욱 바람직하게는 4 이하, 더욱 바람직하게는 3 이하이며, 특히 바람직하게는 2이다. 폴리알킬렌옥사이드 구조의 구체예로서는, 폴리에틸렌옥사이드 구조, 폴리프로필렌옥사이드 구조, 폴리n-부틸렌옥사이드 구조, 폴리(에틸렌옥사이드-co-프로필렌옥사이드) 구조, 폴리(에틸렌옥사이드-ran-프로필렌옥사이드) 구조, 폴리(에틸렌옥사이드-alt-프로필렌옥사이드) 구조 및 폴리(에틸렌옥사이드-block-프로필렌옥사이드) 구조를 들 수 있다.The polyalkylene oxide structure may be represented by the formula -(R ^f O) _n -. In the formula, n usually represents an integer of 2 or more. The integer n is preferably 4 or more, more preferably 9 or more, still more preferably 11 or more, and is usually 101 or less, preferably 90 or less, more preferably 68 or less, still more preferably 65 or less. . In Formula (4), R ^f each independently represents the alkylene group which may have a substituent. The number of carbon atoms in the alkylene group is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, preferably 6 or less, more preferably 5 or less, still more preferably 4 or less, still more preferably 3 or less. , and particularly preferably 2. Specific examples of the polyalkylene oxide structure include a polyethylene oxide structure, a polypropylene oxide structure, a polyn-butylene oxide structure, a poly(ethylene oxide-co-propylene oxide) structure, a poly(ethylene oxide-ran-propylene oxide) structure, poly(ethylene oxide-alt-propylene oxide) structure and poly(ethylene oxide-block-propylene oxide) structure are mentioned.

(E) 라디칼 중합성 화합물이 1분자 중에 포함하는 폴리알킬렌옥사이드 구조의 수는, 1이라도 좋고, 2 이상이라도 좋다. (E) 라디칼 중합성 화합물이 1분자 중에 포함하는 폴리알킬렌옥사이드 구조의 수는, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 4 이상, 더욱 바람직하게는 9 이상, 특히 바람직하게는 11 이상이고, 바람직하게는 101 이하, 보다 바람직하게는 90 이하, 더욱 바람직하게는 68 이하, 특히 바람직하게는 65 이하이다. (E) 라디칼 중합성 화합물이 1분자 중에 2 이상의 폴리알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 경우, 그것들의 폴리알킬렌옥사이드 구조는, 서로 동일해도 좋고, 달라도 좋다.(E) One may be sufficient as the number of the polyalkylene oxide structure which a radically polymerizable compound contains in 1 molecule, and 2 or more may be sufficient as it. (E) the number of polyalkylene oxide structures contained in one molecule of the radically polymerizable compound is preferably 2 or more, more preferably 4 or more, still more preferably 9 or more, particularly preferably 11 or more, Preferably it is 101 or less, More preferably, it is 90 or less, More preferably, it is 68 or less, Especially preferably, it is 65 or less. (E) When a radically polymerizable compound contains 2 or more polyalkylene oxide structures in 1 molecule, those polyalkylene oxide structures may mutually be same or different.

폴리알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 (E) 라디칼 중합성 화합물의 시판품의 예를 들면, 신나카무라 카가쿠코교사 제조의 단관능 아크릴레이트 「AM-90G」, 「AM-130G」, 「AMP-20GY」; 2관능 아크릴레이트 「A-1000」, 「A-B1206PE」, 「A-BPE-20」, 「A-BPE-30」; 단관능 메타크릴레이트 「M-20G」, 「M-40G」, 「M-90G」, 「M-130G」, 「M-230G」; 및, 2관능 메타크릴레이트 「23G」, 「BPE-900」, 「BPE-1300N」, 「1206PE」를 들 수 있다. 또한, 다른 예로서는, 교에이샤 카가쿠사 제조의 「라이트 에스테르 BC」, 「라이트 에스테르 041MA」, 「라이트 아크릴레이트 EC-A」, 「라이트 아크릴레이트 EHDG-AT」; 히타치 카세이사 제조의 「FA-023M」; 니치유사 제조의 「블렌머(등록상표) PME-4000」, 「블렌머(등록상표) 50POEO-800B」, 「블렌머(등록상표) PLE-200」, 「블렌머(등록상표) PLE-1300」, 「블렌머(등록상표) PSE-1300」, 「블렌머(등록상표) 43PAPE-600B」, 「블렌머(등록상표) ANP-300」 등을 들 수 있다. 이 중, 폴리알킬렌옥사이드 구조(상세하게는, 폴리에틸렌옥사이드 구조)를 갖는 「M-130G」(n이 평균 13); 및, 폴리알킬렌옥사이드 구조(상세하게는, 폴리에틸렌옥사이드 구조)를 갖는 「M-230G」(n이 평균 23)이 바람직하다.Monofunctional acrylates "AM-90G", "AM-130G", "AMP-20GY" manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., when examples of the commercial items of the (E) radically polymerizable compound containing a polyalkylene oxide structure are given. '; bifunctional acrylate "A-1000", "A-B1206PE", "A-BPE-20", "A-BPE-30"; monofunctional methacrylate "M-20G", "M-40G", "M-90G", "M-130G", "M-230G"; And bifunctional methacrylate "23G", "BPE-900", "BPE-1300N", and "1206PE" are mentioned. Moreover, as another example, "light ester BC", "light ester 041MA", "light acrylate EC-A", "light acrylate EHDG-AT" manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.; "FA-023M" by Hitachi Kasei Co., Ltd.; "Blender (registered trademark) PME-4000", "Blender (registered trademark) 50POEO-800B", "Blender (registered trademark) PLE-200", "Blender (registered trademark) PLE-1300" manufactured by Nichiyu Corporation ', "Blender (registered trademark) PSE-1300", "Blenmer (registered trademark) 43PAPE-600B", "Blenmer (registered trademark) ANP-300", etc. are mentioned. Among these, "M-130G" which has a polyalkylene oxide structure (in detail, a polyethylene oxide structure) (n is an average of 13); And "M-230G" (n is an average of 23) which has a polyalkylene oxide structure (in detail, a polyethylene oxide structure) is preferable.

(E) 라디칼 중합성 화합물의 에틸렌성 불포화 결합 당량은, 바람직하게는 20g/eq. 내지 3000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 2500g/eq., 더욱 바람직하게는 70g/eq. 내지 2000g/eq., 특히 바람직하게는 90g/eq. 내지 1500g/eq.이다. 에틸렌성 불포화 결합 당량은, 에틸렌성 불포화 결합 1당량당의 라디칼 중합성 화합물의 질량을 나타낸다.(E) The ethylenically unsaturated bond equivalent of a radically polymerizable compound becomes like this. Preferably it is 20 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 50 g/eq. to 2500 g/eq., more preferably 70 g/eq. to 2000 g/eq., particularly preferably 90 g/eq. to 1500 g/eq. The ethylenically unsaturated bond equivalent represents the mass of the radically polymerizable compound per equivalent of the ethylenically unsaturated bond.

(E) 라디칼 중합성 화합물의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 150 이상, 보다 바람직하게는 250 이상, 더욱 바람직하게는 400 이상이고, 바람직하게는 40000 이하, 보다 바람직하게는 10000 이하, 더욱 바람직하게는 5000 이하, 특히 바람직하게는 3000 이하이다.(E) The weight average molecular weight (Mw) of the radically polymerizable compound is preferably 150 or more, more preferably 250 or more, still more preferably 400 or more, preferably 40000 or less, more preferably 10000 or less, More preferably, it is 5000 or less, Especially preferably, it is 3000 or less.

수지 조성물 중의 (E) 라디칼 중합성 화합물의 함유율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.1질량% 이상, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 5질량% 이하이고, 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재 이외의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 1질량% 이상, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 특히 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 25질량% 이하이다.Although the content rate of (E) radically polymerizable compound in a resin composition is not specifically limited, When all the non-volatile components in a resin composition are 100 mass %, For example, 0 mass % or more, 0.1 mass % or more, Preferably is 0.5 mass % or more, more preferably 1 mass % or more, particularly preferably 3 mass % or more, preferably 15 mass % or less, more preferably 10 mass % or less, particularly preferably 5 mass % or less And, when the nonvolatile components other than the (B) inorganic filler in the resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 1 mass % or more, preferably 5 mass % or more, more preferably 10 mass % % or more, particularly preferably 20 mass% or more, preferably 40 mass% or less, more preferably 30 mass% or less, particularly preferably 25 mass% or less.

<(F) 라디칼 중합 개시제><(F) radical polymerization initiator>

본 발명에서의 수지 조성물은, 추가로 임의의 성분으로서 (F) 라디칼 중합 개시제를 포함하고 있어도 좋다. (F) 라디칼 중합 개시제로서는, 가열시에 프리 라디칼을 발생시키는 열중합 개시제가 바람직하다. (F) 라디칼 중합 개시제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition in this invention may contain the (F) radical polymerization initiator as an arbitrary component further. (F) As a radical polymerization initiator, the thermal polymerization initiator which generate|occur|produces a free radical at the time of heating is preferable. (F) A radical polymerization initiator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(F) 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들어, 과산화물계 라디칼 중합 개시제, 아조계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 과산화물계 라디칼 중합 개시제가 바람직하다.(F) As a radical polymerization initiator, a peroxide type radical polymerization initiator, an azo type radical polymerization initiator, etc. are mentioned, for example. Especially, a peroxide type radical polymerization initiator is preferable.

과산화물계 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들어, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드 등의 하이드로퍼옥사이드 화합물; tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 디-tert-헥실퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 1,4-비스(1-tert-부틸퍼옥시-1-메틸에틸)벤젠, 2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시)헥산, 2,5-디메틸-2,5-비스(tert-부틸퍼옥시)-3-헥신 등의 디알킬퍼옥사이드 화합물; 디라우로일퍼옥사이드, 디데카노일퍼옥사이드, 디사이클로헥실퍼옥시디카보네이트, 비스(4-tert-부틸사이클로헥실)퍼옥시디카보네이트 등의 디아실퍼옥사이드 화합물; tert-부틸퍼옥시아세테이트, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, tert-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트, tert-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, tert-부틸퍼옥시네오데카노에이트, tert-헥실퍼옥시이소프로필모노카보네이트, tert-부틸퍼옥시라우레이트, (1,1-디메틸프로필)2-에틸퍼헥사노에이트, tert-부틸2-에틸퍼헥사노에이트, tert-부틸3,5,5-트리메틸퍼헥사노에이트, tert-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카보네이트, tert-부틸퍼옥시말레산 등의 퍼옥시에스테르 화합물; 등을 들 수 있다.As a peroxide radical polymerization initiator, For example, Hydroperoxide compounds, such as 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide; tert-butylcumyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, di-tert-hexyl peroxide, dicumyl peroxide, 1,4-bis(1-tert-butylperoxy-1-methylethyl)benzene, 2, dialkyl peroxide compounds such as 5-dimethyl-2,5-bis(tert-butylperoxy)hexane and 2,5-dimethyl-2,5-bis(tert-butylperoxy)-3-hexine; diacyl peroxide compounds such as dilauroyl peroxide, didecanoyl peroxide, dicyclohexylperoxydicarbonate, and bis(4-tert-butylcyclohexyl)peroxydicarbonate; tert-butylperoxyacetate, tert-butylperoxybenzoate, tert-butylperoxyisopropylmonocarbonate, tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate, tert-butylperoxyneodecanoate, tert- Hexyl peroxyisopropyl monocarbonate, tert-butyl peroxy laurate, (1,1-dimethylpropyl) 2-ethyl perhexanoate, tert-butyl 2-ethyl perhexanoate, tert-butyl 3,5, peroxyester compounds such as 5-trimethylperhexanoate, tert-butylperoxy-2-ethylhexyl monocarbonate, and tert-butylperoxymaleic acid; and the like.

아조계 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들어, 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(사이클로헥산-1-카르보니트릴), 1-[(1-시아노-1-메틸에틸)아조]포름아미드, 2-페닐아조-4-메톡시-2,4-디메틸-발레로니트릴 등의 아조니트릴 화합물; 2,2'-아조비스[2-메틸-N-[1,1-비스(하이드록시메틸)-2-하이드록시에틸]프로피온아미드], 2,2'-아조비스[2-메틸-N-[1,1-비스(하이드록시메틸)에틸]프로피온아미드], 2,2'-아조비스[2-메틸-N-[2-(1-하이드록시부틸)]-프로피온아미드], 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-하이드록시에틸)-프로피온아미드], 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미드)디하이드레이트, 2,2'-아조비스[N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피온아미드], 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-사이클로헥실)-2-메틸프로피온아미드) 등의 아조아미드 화합물; 2,2'-아조비스(2,4,4-트리메틸펜탄), 2,2'-아조비스(2-메틸프로판) 등의 알킬아조 화합물; 등을 들 수 있다.As the azo radical polymerization initiator, for example, 2,2'-azobis(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile) ), 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis(2-methylbutyronitrile), 1,1'-azobis(cyclohexane-1-carbonitrile), 1-[ azonitrile compounds such as (1-cyano-1-methylethyl)azo]formamide and 2-phenylazo-4-methoxy-2,4-dimethyl-valeronitrile; 2,2'-azobis[2-methyl-N-[1,1-bis(hydroxymethyl)-2-hydroxyethyl]propionamide], 2,2'-azobis[2-methyl-N- [1,1-bis(hydroxymethyl)ethyl]propionamide], 2,2'-azobis[2-methyl-N-[2-(1-hydroxybutyl)]-propionamide], 2,2 '-Azobis[2-methyl-N-(2-hydroxyethyl)-propionamide], 2,2'-azobis(2-methylpropionamide)dihydrate, 2,2'-azobis[N- (2-propenyl)-2-methylpropionamide], 2,2'-azobis(N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2'-azobis(N-cyclohexyl)-2-methyl azoamide compounds such as propionamide); alkylazo compounds such as 2,2'-azobis(2,4,4-trimethylpentane) and 2,2'-azobis(2-methylpropane); and the like.

(F) 라디칼 중합 개시제는, 중온 활성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, (F) 라디칼 중합 개시제는, 10시간 반감기 온도 T10(℃)가, 특정의 낮은 온도범위에 있는 것이 바람직하다. 상기의 10시간 반감기 온도 T10은, 바람직하게는 50℃ 내지 110℃, 보다 바람직하게는 50℃ 내지 100℃, 더욱 바람직하게는 50℃ 내지 80℃이다. 이러한 (F) 라디칼 중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들어, 알케마 후지사 제조 「루페록스 531M80」, 니치유사 제조 「퍼헥실(등록상표) O」, 및, 후지 필름 와코 쥰야쿠사 제조 「MAIB」를 들 수 있다.(F) It is preferable that a radical polymerization initiator has mesophilic activity. Specifically, the (F) radical polymerization initiator preferably has a 10-hour half-life temperature T10 (°C) in a specific low temperature range. The 10-hour half-life temperature T10 is preferably 50°C to 110°C, more preferably 50°C to 100°C, still more preferably 50°C to 80°C. As a commercial item of such (F) radical polymerization initiator, For example, "Luperox 531M80" by Alkema Fuji, "Perhexyl (registered trademark) O" by Nichiyu Corporation, and "MAIB" by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Fujifilm can be heard

수지 조성물 중의 (F) 라디칼 중합 개시제의 함유율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.0001질량% 이상, 바람직하게는 0.001질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.01질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.05질량% 이상이고, 바람직하게는 1질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이하이며, 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재 이외의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.001질량% 이상, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.3질량% 이상이며, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.Although the content rate of (F) radical polymerization initiator in the resin composition is not specifically limited, When all the non-volatile components in a resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.0001 mass % or more, Preferably 0.001 mass % or more, more preferably 0.01 mass % or more, particularly preferably 0.05 mass % or more, preferably 1 mass % or less, more preferably 0.5 mass % or less, particularly preferably 0.1 mass % or less, , When non-volatile components other than (B) inorganic filler in the resin composition are 100 mass %, for example, 0 mass % or more, 0.001 mass % or more, Preferably 0.01 mass % or more, More preferably, 0.1 mass % More preferably, it is 0.3 mass % or more, Preferably it is 3 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less, Especially preferably, it is 0.5 mass % or less.

<(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물><(G) Polyether skeleton-containing compound>

본 발명에서의 수지 조성물은, (A) 내지 (F) 성분 이외의 임의의 성분으로서 (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물을 포함하고 있어도 좋다. (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물은, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition in this invention may contain the (G) polyether skeleton containing compound as arbitrary components other than (A)-(F) component. (G) Polyether skeleton containing compound may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물은, 폴리에테르 골격을 갖는 폴리머 화합물이다. (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물에 포함되는 폴리에테르 골격은, 에틸렌옥사이드 단위 및 프로필렌옥사이드 단위로부터 선택되는 1종 이상의 모노머 단위로 구성된 폴리옥시알킬렌 골격인 것이 바람직하다. 따라서, (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물은, 부틸렌옥사이드 단위, 페닐렌옥사이드 단위 등의, 탄소수 4 이상의 모노머 단위를 포함하는 폴리에테르 골격을 포함하지 않는 것이 바람직하다.(G) The polyether skeleton-containing compound is a polymer compound having a polyether skeleton. (G) The polyether skeleton contained in the polyether skeleton-containing compound is preferably a polyoxyalkylene skeleton composed of one or more monomer units selected from ethylene oxide units and propylene oxide units. Therefore, it is preferable that the (G) polyether skeleton containing compound does not contain the polyether skeleton containing monomeric units of 4 or more carbon atoms, such as a butylene oxide unit and a phenylene oxide unit.

(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물은, 실리콘 골격을 함유하고 있어도 좋다. 실리콘 골격으로서는, 예를 들어, 폴리디메틸실록산 골격 등의 폴리디알킬실록산 골격; 폴리디페닐실록산 골격 등의 폴리디아릴실록산 골격; 폴리메틸페닐실록산 골격 등의 폴리알킬아릴실록산 골격; 폴리디메틸-디페닐실록산 골격 등의 폴리디알킬-디아릴실록산 골격; 폴리디메틸-메틸페닐실록산 골격 등의 폴리디알킬-알킬아릴실록산 골격; 폴리디페닐-메틸페닐실록산 골격 등의 폴리디아릴-알킬아릴실록산 골격 등을 들 수 있고, 폴리디알킬실록산 골격이 바람직하고, 폴리디메틸실록산 골격이 특히 바람직하다. 실리콘 골격을 함유하는 (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물은, 예를 들어, 폴리옥시알킬렌 변성 실리콘, 알킬에테르화 폴리옥시알킬렌 변성 실리콘(폴리에테르 골격 말단의 적어도 일부가 알콕시기의 폴리옥시알킬렌 변성 실리콘) 등일 수 있다. 또한, (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물은, 하이드록시기를 함유하고 있어도 좋다.(G) The polyether skeleton-containing compound may contain a silicone skeleton. Examples of the silicone skeleton include polydialkylsiloxane skeletons such as polydimethylsiloxane skeleton; polydiarylsiloxane skeletons such as polydiphenylsiloxane skeletons; polyalkylarylsiloxane skeletons such as polymethylphenylsiloxane skeleton; polydialkyl-diarylsiloxane skeletons such as polydimethyl-diphenylsiloxane skeleton; polydialkyl-alkylarylsiloxane skeletons such as polydimethyl-methylphenylsiloxane skeleton; Polydiaryl-alkylarylsiloxane skeletons, such as polydiphenyl-methylphenylsiloxane skeleton, etc. are mentioned, Polydialkylsiloxane skeleton is preferable, and polydimethylsiloxane skeleton is especially preferable. The (G) polyether skeleton-containing compound containing a silicone skeleton is, for example, a polyoxyalkylene-modified silicone, an alkyletherified polyoxyalkylene-modified silicone (at least a part of the polyether skeleton terminal is polyoxyalkyl of an alkoxy group) Ren-modified silicone) and the like. Moreover, the (G) polyether skeleton containing compound may contain the hydroxyl group.

(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜 등의 직쇄형 폴리옥시알킬렌글리콜(직쇄형 폴리알킬렌글리콜); 폴리옥시에틸렌글리세릴에테르, 폴리옥시프로필렌글리세릴에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리세릴에테르, 폴리옥시에틸렌트리메틸올프로판에테르, 폴리옥시프로필렌트리메틸올프로판에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌트리메틸올프로판에테르, 폴리옥시에틸렌디글리세릴에테르, 폴리옥시프로필렌디글리세릴에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌디글리세릴에테르, 폴리옥시에틸렌펜타에리스리톨에테르, 폴리옥시프로필렌펜타에리스리톨에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌펜타에리스리톨에테르, 폴리옥시에틸렌소르비트, 폴리옥시프로필렌소르비트, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌소르비트 등의 다쇄형 폴리옥시알킬렌글리콜(다쇄형 폴리알킬렌글리콜) 등의 폴리옥시알킬렌글리콜(폴리알킬렌글리콜); 폴리옥시에틸렌모노알킬에테르, 폴리옥시에틸렌디알킬에테르, 폴리옥시프로필렌모노알킬에테르, 폴리옥시프로필렌디알킬에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌모노알킬에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌디알킬에테르 등의 폴리옥시알킬렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌모노에스테르, 폴리옥시에틸렌디에스테르, 폴리프로필렌글리콜모노에스테르, 폴리프로필렌글리콜디에스테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌모노에스테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌디에스테르 등의 폴리옥시알킬렌에스테르(아세트산 에스테르, 프로피온산 에스테르, 부티르산 에스테르, (메타)아크릴산 에스테르 등을 포함함); 폴리옥시에틸렌모노에스테르, 폴리옥시에틸렌디에스테르, 폴리옥시프로필렌모노에스테르, 폴리옥시프로필렌디에스테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌모노에스테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌디에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르에스테르, 폴리옥시프로필렌알킬에테르에스테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르에스테르 등의 폴리옥시알킬렌알킬에테르에스테르(아세트산 에스테르, 프로피온산 에스테르, 부티르산 에스테르, (메타)아크릴산 에스테르 등을 포함함); 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시프로필렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬아민 등의 폴리옥시알킬렌알킬아민; 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시프로필렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬아미드 등의 폴리옥시알킬렌알킬아미드; 폴리옥시에틸렌디메치콘, 폴리옥시프로필렌디메치콘, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌디메치콘, 폴리옥시에틸렌폴리디메틸실록시알킬디메치콘, 폴리옥시프로필렌폴리디메틸실록시알킬디메치콘, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌폴리디메틸실록시알킬디메치콘 등의 폴리옥시알킬렌 변성 실리콘; 폴리옥시에틸렌알킬에테르디메치콘, 폴리옥시프로필렌알킬에테르디메치콘, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르디메치콘, 폴리옥시에틸렌알킬에테르폴리디메틸실록시알킬디메치콘, 폴리옥시프로필렌알킬에테르폴리디메틸실록시알킬디메치콘, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르폴리디메틸실록시알킬디메치콘 등의 알킬에테르화 폴리옥시알킬렌 변성 실리콘(폴리에테르 골격 말단이 적어도 일부가 알콕시기의 폴리옥시알킬렌 변성 실리콘) 등을 들 수 있다.(G) As a polyether skeleton containing compound, For example, Linear polyoxyalkylene glycol (linear polyalkylene glycol), such as polyethyleneglycol, polypropylene glycol, and polyoxyethylene polyoxypropylene glycol; Polyoxyethylene glyceryl ether, polyoxypropylene glyceryl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene glyceryl ether, polyoxyethylene trimethylol propane ether, polyoxypropylene trimethylol propane ether, polyoxyethylene polyoxypropylene trimethylol propane ether , polyoxyethylene diglyceryl ether, polyoxypropylene diglyceryl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene diglyceryl ether, polyoxyethylene pentaerythritol ether, polyoxypropylene pentaerythritol ether, polyoxyethylene polyoxypropylene pentaerythritol Polyoxyalkylene glycol (polyalkylene), such as polyoxyalkylene glycol (multi-chain polyalkylene glycol), such as ether, polyoxyethylene sorbit, polyoxypropylene sorbit, and polyoxyethylene polyoxypropylene sorbit glycol); Polyoxyethylene monoalkyl ether, polyoxyethylene dialkyl ether, polyoxypropylene monoalkyl ether, polyoxypropylene dialkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene monoalkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene dialkyl ether, etc. oxyalkylene alkyl ether; Polyoxyalkylene esters (acetic acid) such as polyoxyethylene monoester, polyoxyethylene diester, polypropylene glycol monoester, polypropylene glycol diester, polyoxyethylene polyoxypropylene monoester, and polyoxyethylene polyoxypropylene diester esters, propionic acid esters, butyric acid esters, (meth)acrylic acid esters, etc.); Polyoxyethylene monoester, polyoxyethylene diester, polyoxypropylene monoester, polyoxypropylene diester, polyoxyethylene polyoxypropylene monoester, polyoxyethylene polyoxypropylene diester, polyoxyethylene alkyl ether ester, poly polyoxyalkylene alkyl ether esters such as oxypropylene alkyl ether ester and polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether ester (including acetic acid ester, propionic acid ester, butyric acid ester, and (meth)acrylic acid ester); polyoxyalkylenealkylamines such as polyoxyethylenealkylamine, polyoxypropylenealkylamine, and polyoxyethylenepolyoxypropylenealkylamine; polyoxyalkylenealkylamides such as polyoxyethylenealkylamide, polyoxypropylenealkylamide, and polyoxyethylenepolyoxypropylenealkylamide; Polyoxyethylene dimethicone, polyoxypropylene dimethicone, polyoxyethylene polyoxypropylene dimethicone, polyoxyethylene polydimethylsiloxyalkyl dimethicone, polyoxypropylene polydimethylsiloxyalkyl dimethicone, polyoxyethylene polyoxypropylene poly polyoxyalkylene-modified silicones such as dimethylsiloxyalkyldimethicone; Polyoxyethylene alkyl ether dimethicone, polyoxypropylene alkyl ether dimethicone, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether dimethicone, polyoxyethylene alkyl ether polydimethylsiloxyalkyl dimethicone, polyoxypropylene alkyl ether polydimethylsiloxyalkyl alkyl etherified polyoxyalkylene-modified silicones such as dimethicone and polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether polydimethylsiloxyalkyl dimethicone (polyoxyalkylene-modified silicones whose polyether skeleton ends are at least partly alkoxy groups); can be heard

(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 500 내지 40000, 보다 바람직하게는 500 내지 20000, 더욱 바람직하게는 500 내지 10000이다. (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 500 내지 40000, 보다 바람직하게는 500 내지 20000, 더욱 바람직하게는 500 내지 10000이다. 수 평균 분자량 및 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.(G) The number average molecular weight of a polyether skeleton containing compound becomes like this. Preferably it is 500-40000, More preferably, it is 500-20000, More preferably, it is 500-10000. (G) The weight average molecular weight of a polyether skeleton containing compound becomes like this. Preferably it is 500-40000, More preferably, it is 500-20000, More preferably, it is 500-10000. A number average molecular weight and a weight average molecular weight can be measured as a polystyrene conversion value by the gel permeation chromatography (GPC) method.

(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물은, 25℃에서 액상인 것이 바람직하다. (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물의 25℃에서의 점도는, 바람직하게는 100000mPa·s 이하, 보다 바람직하게는 50000mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 30000mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 5000mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 4000mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 3000mPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 2000mPa·s 이하, 특히 바람직하게는 1500mPa·s 이하이다. (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물의 25℃에서의 점도의 하한은, 바람직하게는 10mPa·s 이상, 보다 바람직하게는 20mPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 30mPa·s 이상, 더욱 바람직하게는 40mPa·s 이상, 특히 바람직하게는 50mPa·s 이상이다. 점도는, B형 점도계에 의해 측정해서 얻어지는 점도(mPa·s)일 수 있다.(G) It is preferable that a polyether skeleton containing compound is liquid at 25 degreeC. (G) The viscosity of the polyether skeleton-containing compound at 25°C is preferably 100000 mPa·s or less, more preferably 50000 mPa·s or less, still more preferably 30000 mPa·s or less, still more preferably 10000 mPa·s or less. , more preferably 5000 mPa·s or less, still more preferably 4000 mPa·s or less, still more preferably 3000 mPa·s or less, still more preferably 2000 mPa·s or less, particularly preferably 1500 mPa·s or less. (G) The lower limit of the viscosity at 25°C of the polyether skeleton-containing compound is preferably 10 mPa·s or more, more preferably 20 mPa·s or more, still more preferably 30 mPa·s or more, still more preferably 40 mPa·s or more. s or more, particularly preferably 50 mPa·s or more. The viscosity may be a viscosity (mPa·s) obtained by measuring with a B-type viscometer.

(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물의 시판품으로서는, 예를 들어, 니치유사 제조의 「프로논#102」, 「프로논#104」, 「프로논#201」, 「프로논#202B」, 「프로논#204」, 「프로논#208」, 「유니루브 70DP-600B」, 「유니루브 70DP-950B」 (폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜); ADEKA사 제조의 「플루로닉 L-23」, 「플루로닉 L-31」, 「플루로닉 L-44」, 「플루로닉 L-61」, 「아데카플루로닉 L-62」, 「플루로닉 L-64」, 「플루로닉 L-71」, 「플루로닉 L-72」, 「플루로닉 L-101」, 「플루로닉 L-121」, 「플루로닉 P-84」, 「플루로닉 P-85」, 「플루로닉 P-103」, 「플루로닉 F-68」, 「플루로닉 F-88」, 「플루로닉 F-108」, 「플루로닉 25R-1」, 「플루로닉 25R-2」, 「플루로닉 17R-2」, 「플루로닉 17R-3」, 「플루로닉 17R-4」(폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜); 신에츠 실리콘사 제조의 「KF-6011」, 「KF-6011P」, 「KF-6012」, 「KF-6013」, 「KF-6015」, 「KF-6016」, 「KF-6017」, 「KF-6017P」, 「KF-6043」, 「KF-6004」, 「KF351A」, 「KF352A」, 「KF353」, 「KF354L」, 「KF355A」, 「KF615A」, 「KF945」, 「KF-640」, 「KF-642」, 「KF-643」, 「KF-644」, 「KF-6020」, 「KF-6204」, 「X22-4515」, 「KF-6028」, 「KF-6028P」, 「KF-6038」, 「KF-6048」, 「KF-6025」(폴리옥시알킬렌 변성 실리콘) 등을 들 수 있다.(G) As a commercial item of a polyether skeleton containing compound, "Pronon #102", "Pronon #104", "Pronon #201", "Pronon #202B", "Pronon #102" manufactured by Nichiyu Corporation, for example, Non #204", "Pronon #208", "Unilube 70DP-600B", "Unilube 70DP-950B" (polyoxyethylene polyoxypropylene glycol); ADEKA's "Pluronic L-23", "Pluronic L-31", "Pluronic L-44", "Pluronic L-61", "Adeka Pluronic L-62" , "Pluronic L-64", "Pluronic L-71", "Pluronic L-72", "Pluronic L-101", "Pluronic L-121", "Pluronic P-84", "Pluronic P-85", "Pluronic P-103", "Pluronic F-68", "Pluronic F-88", "Pluronic F-108", "Pluronic 25R-1", "Pluronic 25R-2", "Pluronic 17R-2", "Pluronic 17R-3", "Pluronic 17R-4" (polyoxyethylene polyoxy propylene glycol); "KF-6011", "KF-6011P", "KF-6012", "KF-6013", "KF-6015", "KF-6016", "KF-6017", "KF-" manufactured by Shin-Etsu Silicone 6017P”, “KF-6043”, “KF-6004”, “KF351A”, “KF352A”, “KF353”, “KF354L”, “KF355A”, “KF615A”, “KF945”, “KF-640”, “ KF-642”, “KF-643”, “KF-644”, “KF-6020”, “KF-6204”, “X22-4515”, “KF-6028”, “KF-6028P”, “KF- 6038", "KF-6048", "KF-6025" (polyoxyalkylene modified silicone), etc. are mentioned.

수지 조성물 중의 (G) 폴리에테르 골격 함유 화합물의 함유율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.001질량% 이상, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이상이며, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 특히 바람직하게는 1질량% 이하이고, 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재 이외의 불휘발 성분을 100질량%라고 한 경우, 예를 들어 0질량% 이상, 0.1질량% 이상, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상이며, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 7질량% 이하이다.Although the content rate of the (G) polyether skeleton containing compound in the resin composition is not particularly limited, when all nonvolatile components in the resin composition are 100 mass%, for example, 0 mass% or more, 0.001 mass% or more, preferably Preferably it is 0.01 mass % or more, More preferably, it is 0.1 mass % or more, Especially preferably, it is 0.5 mass % or more, Preferably it is 5 mass % or less, More preferably, it is 2 mass % or less, Especially preferably, it is 1 mass % or less. % or less, and when the nonvolatile components other than the (B) inorganic filler in the resin composition are 100% by mass, for example, 0% by mass or more, 0.1% by mass or more, preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1 mass % or more, Especially preferably, it is 5 mass % or more, Preferably it is 15 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or less, Especially preferably, it is 7 mass % or less.

<(H) 기타 첨가제><(H) Other additives>

본 발명에서의 수지 조성물은, 상술한 (A) 내지 (G) 성분 이외의 불휘발 성분으로서, 임의의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어, 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등의 유기 충전재; 폴리카보네이트 수지, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에스테르 수지 등의 열가소성 수지; 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 프탈로시아닌 블루, 프탈로시아닌 그린, 아이오딘 그린, 디아조 옐로우, 크리스탈 바이올렛, 산화 티타늄, 카본 블랙 등의 착색제; 하이드로퀴논, 카테콜, 피로갈롤, 페노티아진 등의 중합 금지제; 실리콘계 레벨링제, 아크릴 폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제 등의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소 실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드페놀계 산화 방지제, 힌더드아민계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 스틸벤 유도체 등의 형광 증백제; 불소계 계면 활성제 등의 계면 활성제; 인계 난연제(예를 들어 인산 에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적인), 질소계 난연제(예를 들어 황산 멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들어 3산화 안티몬) 등의 난연제; 인산 에스테르계 분산제, 폴리옥시알킬렌계 분산제, 아세틸렌계 분산제, 실리콘계 분산제, 음이온성 분산제, 양이온성 분산제 등의 분산제; 보레이트계 안정제, 티타네이트계 안정제, 알루미네이트계 안정제, 지르코네이트계 안정제, 이소시아네이트계 안정제, 카복실산계 안정제, 카복실산 무수물계 안정제 등의 안정제 등을 들 수 있다. 첨가제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition in this invention may contain arbitrary additives as non-volatile components other than (A)-(G) components mentioned above. As such an additive, For example, organic fillers, such as a rubber particle, polyamide microparticles|fine-particles, and a silicone particle; thermoplastic resins such as polycarbonate resin, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polysulfone resin, and polyester resin; organometallic compounds such as an organocopper compound, an organozinc compound, and an organocobalt compound; colorants such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, diazo yellow, crystal violet, titanium oxide, and carbon black; polymerization inhibitors such as hydroquinone, catechol, pyrogallol, and phenothiazine; leveling agents such as silicone-based leveling agents and acrylic polymer-based leveling agents; thickeners such as bentone and montmorillonite; Antifoaming agents, such as a silicone type antifoamer, an acrylic type antifoamer, a fluorine type antifoamer, and a vinyl resin type antifoamer; ultraviolet absorbers such as benzotriazole-based ultraviolet absorbers; adhesion improvers such as urea silane; adhesion-imparting agents such as triazole-based adhesion-imparting agents, tetrazole-based adhesion-imparting agents, and triazine-based adhesion-imparting agents; antioxidants such as hindered phenol antioxidants and hindered amine antioxidants; optical brighteners such as stilbene derivatives; Surfactants, such as a fluorochemical surfactant; Flame retardants such as phosphorus-based flame retardants (eg, phosphoric acid ester compounds, phosphazene compounds, phosphinic acid compounds, red), nitrogen-based flame retardants (eg, melamine sulfate), halogen-based flame retardants, and inorganic flame retardants (eg, antimony trioxide); dispersants such as phosphoric acid ester dispersants, polyoxyalkylene dispersants, acetylene dispersants, silicone dispersants, anionic dispersants, and cationic dispersants; and stabilizers such as borate stabilizers, titanate stabilizers, aluminate stabilizers, zirconate stabilizers, isocyanate stabilizers, carboxylic acid stabilizers, and carboxylic acid anhydride stabilizers. An additive may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

<(I) 유기 용제><(I) organic solvent>

본 발명에서의 수지 조성물은, 휘발성 성분으로서, 추가로 (I) 임의의 유기 용제를 함유하고 있어도 좋다. (I) 유기 용제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 용제는, 양이 적을수록 바람직하다. 용제의 양은, 본 발명에서의 수지 조성물 중의 전체 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.01질량% 이하이고, 포함하지 않는 것(0질량%)이 특히 바람직하다.The resin composition in this invention may contain (I) arbitrary organic solvents further as a volatile component. (I) An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. A solvent is so preferable that there is little quantity. The amount of the solvent is preferably 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less, further preferably with respect to 100% by mass of all nonvolatile components in the resin composition in the present invention. is 0.1% by mass or less, more preferably 0.01% by mass or less, and particularly preferably not containing (0% by mass).

<수지 조성물의 제조 방법><Method for producing a resin composition>

본 발명에서의 수지 조성물은, 예를 들어, 상술한 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 상술한 성분은, 일부 또는 전부를 동시에 혼합해도 좋고, 차례로 혼합해도 좋다. 각 성분을 혼합하는 과정에서, 온도를 적절히 설정해도 좋고, 따라서, 일시적으로 또는 시종에 걸쳐, 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 혼합하는 과정에 있어서, 교반 또는 진탕을 수행하여도 좋다.The resin composition in this invention can be manufactured by mixing the above-mentioned component, for example. A part or all of the above-mentioned components may be mixed simultaneously, and may be mixed in order. In the process of mixing each component, you may set temperature suitably, Therefore, you may heat and/or cool over temporarily or continuously. In addition, in the process of mixing each component, you may perform stirring or shaking.

<수지 조성물의 용도><Use of the resin composition>

본 발명에서의 수지 조성물은, 유기 EL 장치 및 반도체 등의 전자 기기를 밀봉하기 위한 수지 조성물(밀봉용의 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 특히, 반도체를 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 밀봉용의 수지 조성물), 바람직하게는 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용의 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 수지 조성물은, 밀봉 용도 이외에 절연층용의 절연 용도의 수지 조성물로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기의 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 패키지의 절연층용의 수지 조성물), 및, 회로 기판(프린트 배선판을 포함함.)의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(회로 기판의 절연층용의 수지 조성물)로서, 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition in this invention can be used suitably as a resin composition (resin composition for sealing) for sealing electronic devices, such as an organic electroluminescent device and a semiconductor, In particular, the resin composition (for semiconductor sealing) for sealing a semiconductor. of resin composition), Preferably it can use suitably as a resin composition for sealing a semiconductor chip (resin composition for semiconductor chip sealing). In addition, the resin composition can be used as a resin composition for insulating uses for insulating layers other than a sealing use. For example, the above resin composition comprises a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package), and an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board). It can be used suitably as a resin composition (resin composition for insulating layers of a circuit board) for forming.

본 발명에서의 수지 조성물의 경화물층 위에 형성되는 감광성 수지 조성물의 층의 해상성을 개선할 수 있다는 이점을 활용하는 관점에서는, 본 발명에서의 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 밀봉층 또는 절연층을 형성하기 위한 재료로서 사용하는 것이 바람직하다. 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지, Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in형 PLP를 들 수 있다.From a viewpoint of utilizing the advantage of being able to improve the resolution of the layer of the photosensitive resin composition formed on the hardened|cured material layer of the resin composition in this invention, the resin composition in this invention is a sealing layer or insulating layer of a semiconductor chip package It is preferable to use it as a material for forming As a semiconductor chip package, For example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, Fan-out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package) , and a fan-in type PLP.

또한, 상기의 수지 조성물은, 언더필재로서 사용해도 좋고, 예를 들어, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF(Molding Under Filling)의 재료로서 사용해도 좋다.In addition, the said resin composition may be used as an underfill material, and may be used as a material of MUF (Molding Under Filling) used after connecting a semiconductor chip to a board|substrate, for example.

또한, 상기의 수지 조성물은, 수지 시트, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 다이본딩재, 구멍 메움 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물이 사용되는 광범위한 용도에 사용할 수 있다.In addition, the said resin composition can be used for the wide range of uses in which the resin composition is used, such as a sheet-like laminated material, such as a resin sheet and a prepreg, a soldering resist, a die-bonding material, a hole filling resin, and a component embedding resin.

<수지 시트><Resin sheet>

수지 시트는, 지지체와, 당해 지지체 위에 마련된 수지 조성물층을 갖는다. 수지 조성물층은, 본 발명에서의 수지 조성물에 의해 형성되는 층이다.A resin sheet has a support body and the resin composition layer provided on the said support body. A resin composition layer is a layer formed of the resin composition in this invention.

수지 조성물층의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 600㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 바람직하게는 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이상, 특히 바람직하게는 100㎛ 이상일 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 600 µm or less, more preferably 500 µm or less from the viewpoint of thickness reduction. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is preferably 1 µm or more, 5 µm or more, more preferably 10 µm or more, still more preferably 50 µm or more, and particularly preferably 100 µm or more.

또한, 이 수지 조성물층을 경화시켜서 얻어지는 경화물층의 두께는, 바람직하게는 600㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500㎛ 이하이다. 경화물층의 두께의 하한은, 바람직하게는 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이상, 특히 바람직하게는 100㎛ 이상이다.Moreover, the thickness of the hardened|cured material layer obtained by hardening|curing this resin composition layer becomes like this. Preferably it is 600 micrometers or less, More preferably, it is 500 micrometers or less. The lower limit of the thickness of the cured product layer is preferably 1 µm or more, 5 µm or more, more preferably 10 µm or more, still more preferably 50 µm or more, and particularly preferably 100 µm or more.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As a support body, the film which consists of a plastic material, metal foil, and a release paper are mentioned, for example, The film which consists of a plastic material, and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용할 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음.) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음.); 폴리메틸메타크릴레이트(이하 「PMMA」라고 약칭하는 경우가 있음.) 등의 아크릴 폴리머; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하 「TAC」라고 약칭하는 경우가 있음.); 폴리에테르설파이드(이하 「PES」라고 약칭하는 경우가 있음.); 폴리에테르케톤; 폴리이미드; 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material is, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”). .) polyesters such as; polycarbonate (hereinafter, it may be abbreviated as "PC".); acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter, may be abbreviated as "PMMA".); cyclic polyolefin; triacetyl cellulose (hereinafter sometimes abbreviated as "TAC"); polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"); polyether ketone; polyimide; and the like. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용할 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, copper foil, aluminum foil etc. are mentioned as metal foil, for example. Especially, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. good night.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.The support body may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, or an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들어, 토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니치카사 제조의 「유니필」; 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer on the surface to join with a resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example. As a commercial item of a mold release agent, "SK-1", "AL-5", "AL-7" etc. which are alkyd resin type mold release agents, the Lintec company make are mentioned, for example. Moreover, as a support body with a mold release layer, For example, "Lumira T60" by Tore Corporation; "Purex" manufactured by Teijin Corporation; "Uni-pil" manufactured by Unichika Corporation; and the like.

지지체의 두께는, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 한편, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The range of 5 micrometers - 75 micrometers is preferable, and, as for the thickness of a support body, the range of 10 micrometers - 60 micrometers is more preferable. On the other hand, when using a support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is the said range.

수지 시트는, 예를 들어, 본 발명에서의 수지 조성물을, 다이코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체 위에 도포하여, 제조할 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 본 발명에서의 수지 조성물을 유기 용제에 용해해서 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를 도포해서 수지 시트를 제조해도 좋다. 유기 용제를 사용함으로써, 점도를 조정하여, 도포성을 향상시킬 수 있다. 유기 용제를 포함하는 본 발명에서의 수지 조성물 또는 수지 바니시를 사용한 경우, 통상은, 도포 후에 본 발명에서의 수지 조성물 또는 수지 바니시를 건조시켜서, 본 발명에서의 수지 조성물층을 형성한다.A resin sheet can be manufactured by apply|coating the resin composition in this invention on a support body using coating devices, such as a die-coater, for example. Moreover, as needed, the resin composition in this invention may be melt|dissolved in the organic solvent, a resin varnish may be prepared, this resin varnish may be apply|coated, and a resin sheet may be manufactured. By using an organic solvent, a viscosity can be adjusted and applicability|paintability can be improved. When the resin composition or resin varnish in this invention containing an organic solvent is used, the resin composition or resin varnish in this invention is usually dried after application|coating, and the resin composition layer in this invention is formed.

유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥사논 등의 케톤 용제; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르 용제; 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제; 등을 들 수 있다. 유기 용제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.As an organic solvent, For example, ketone solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; acetic acid ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; carbitol solvents such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; and the like. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 본 발명에서의 수지 조성물 또는 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 의해서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 본 발명에서의 수지 조성물 또는 수지 바니시를 사용할 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.You may perform drying by well-known methods, such as a heating and hot air spraying. Drying conditions dry so that content of the organic solvent in a resin composition layer may become normally 10 mass % or less, Preferably it may become 5 mass % or less. Although it changes also depending on the boiling point of the organic solvent in the resin composition or resin varnish in this invention, for example, when using the resin composition or resin varnish in this invention containing 30 mass % - 60 mass % of an organic solvent, 50 degreeC - A resin composition layer can be formed by drying at 150 degreeC for 3 minutes - 10 minutes.

수지 시트는, 필요에 따라서, 지지체 및 수지 조성물층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들어, 수지 시트에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 마련되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 수지 시트는 사용 가능해진다. 또한, 수지 시트는, 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다.The resin sheet may contain arbitrary layers other than a support body and a resin composition layer as needed. For example, a resin sheet WHEREIN: The protective film according to a support body may be provided in the surface (namely, the surface on the opposite side to a support body) which is not joined to the support body of a resin composition layer. The thickness of a protective film is 1 micrometer - 40 micrometers, for example. The protective film can prevent adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and scratches. When a resin sheet has a protective film, a resin sheet becomes usable by peeling off a protective film. Moreover, it is possible to wind up and preserve|save a resin sheet in roll shape.

수지 시트는, 반도체 칩 패키지의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위해(반도체 칩 패키지의 절연용 수지 시트)에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해(회로 기판의 절연층용 수지 시트)에 사용할 수 있다. 이러한 기판을 사용한 패키지의 예로서는, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지를 들 수 있다.A resin sheet can be used suitably in manufacture of a semiconductor chip package, in order to form an insulating layer (resin sheet for insulation of a semiconductor chip package). For example, a resin sheet can be used for forming the insulating layer of a circuit board (resin sheet for insulating layers of a circuit board). Examples of the package using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

또한, 수지 시트는, 반도체 칩을 밀봉하기 위해(반도체 칩 밀봉용 수지 시트)에 적합하게 사용할 수 있다. 적용 가능한 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP, Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP, Fan-in형 PLP 등을 들 수 있다.Moreover, in order to seal a semiconductor chip (resin sheet for semiconductor chip sealing), a resin sheet can be used suitably. As an applicable semiconductor chip package, a fan-out type WLP, a fan-in type WLP, a fan-out type PLP, a fan-in type PLP, etc. are mentioned, for example.

또한, 수지 시트를, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF의 재료에 사용해도 좋다.Moreover, you may use a resin sheet for the material of MUF used after connecting a semiconductor chip to a board|substrate.

또한, 수지 시트는 높은 절연 신뢰성이 요구되는 것 외의 광범한 용도에 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 프린트 배선판 등의 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해 적합하게 사용할 수 있다.In addition, the resin sheet can be used for a wide range of applications other than those requiring high insulation reliability. For example, a resin sheet can be used suitably in order to form the insulating layer of circuit boards, such as a printed wiring board.

<회로 기판><circuit board>

회로 기판은, 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 통상, 회로 기판은, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물층을 포함하고, 이 경화물층은, 절연층 또는 밀봉층으로서 기능할 수 있다. 이 회로 기판은, 예를 들어, 하기의 공정 (1) 및 공정 (2)를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.A circuit board contains the hardened|cured material of a resin composition. Usually, a circuit board contains the hardened|cured material layer formed from the hardened|cured material of the resin composition, This hardened|cured material layer can function as an insulating layer or a sealing layer. This circuit board can be manufactured by the manufacturing method containing the following process (1) and process (2), for example.

(1) 기판 위에, 수지 조성물층을 형성하는 공정.(1) The process of forming a resin composition layer on a board|substrate.

(2) 수지 조성물층을 열경화하여, 경화물층을 형성하는 공정.(2) A step of thermosetting the resin composition layer to form a cured product layer.

공정 (1)에서는, 기판을 준비한다. 기판으로서는, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판(스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC), 실리콘 웨이퍼 등), 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있다. 또한, 기판은, 당해 기판의 일부로서 표면에 동박 등의 금속층을 갖고 있어도 좋다. 예를 들어, 양쪽의 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층을 갖는 기판을 사용해도 좋다. 이러한 기판을 사용할 경우, 통상, 회로 배선으로서 기능할 수 있는 배선층으로서의 도체층이, 제2 금속층의 제1 금속층과는 반대측의 면에 형성된다. 금속층의 재료로서는, 동박, 캐리어 부착 동박, 후술하는 도체층의 재료 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 금속층을 갖는 기판으로서는, 예를 들어, 미츠이 킨조쿠코교사 제조의 캐리어 동박 부착 극박 동박 「MicroThin」을 들 수 있다.In step (1), a board|substrate is prepared. As the substrate, for example, a glass epoxy substrate, a metal substrate (stainless steel, cold rolled steel sheet (SPCC), silicon wafer, etc.), a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, etc. can be heard Moreover, the board|substrate may have metal layers, such as copper foil, on the surface as a part of the said board|substrate. For example, you may use the board|substrate which has a peelable 1st metal layer and a 2nd metal layer on both surfaces. When using such a board|substrate, the conductor layer as a wiring layer which can function as circuit wiring is normally formed in the surface opposite to the 1st metal layer of a 2nd metal layer. As a material of a metal layer, copper foil, copper foil with a carrier, the material of the conductor layer mentioned later, etc. are mentioned, Copper foil is preferable. As a board|substrate which has a metal layer, the ultra-thin copper foil "MicroThin" with carrier copper foil by the Mitsui Kinzoku Co., Ltd. product is mentioned, for example.

또한, 기판의 한쪽 또는 양쪽의 표면에는, 도체층이 형성되어 있어도 좋다. 이하의 설명에서는, 기판과, 이 기판 표면에 형성된 도체층을 포함하는 부재를, 적절히 「배선층 부착 기판」이라고 하는 경우가 있다. 도체층에 포함되는 도체 재료로서는, 예를 들어, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 재료를 들 수 있다. 도체 재료로서는, 단금속을 사용해도 좋고, 합금을 사용해도 좋다. 합금으로서는, 예를 들어, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티타늄 합금)을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성의 관점에서, 단금속으로서의 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리; 및, 합금으로서의 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티타늄 합금의 합금; 이 바람직하다. 그중에서도, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속; 및, 니켈·크롬 합금; 이 보다 바람직하고, 구리의 단금속이 특히 바람직하다.Moreover, a conductor layer may be formed in the surface of one or both sides of a board|substrate. In the following description, a member including a substrate and a conductor layer formed on the surface of the substrate is appropriately referred to as a "substrate with a wiring layer" in some cases. As a conductor material included in the conductor layer, for example, one type selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. The material containing the above metals is mentioned. As the conductor material, a single metal may be used, or an alloy may be used. Examples of the alloy include alloys of two or more metals selected from the group described above (eg, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, and copper-titanium alloy). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper as a single metal from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, and ease of patterning; and alloys of nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys, and copper-titanium alloys as alloys; This is preferable. Among them, single metals of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and a nickel-chromium alloy; This is more preferable, and a single metal of copper is especially preferable.

도체층은, 예를 들어 배선층으로서 기능시키기 위해, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 이 때, 도체층의 라인(회로 폭)/스페이스(회로 간의 폭) 비는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 20/20㎛ 이하(즉 피치가 40㎛ 이하), 보다 바람직하게는 10/10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5/5㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 1/1㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.5/0.5㎛ 이상이다. 피치는, 도체층의 전체에 걸쳐 동일할 필요는 없다. 도체층의 최소 피치는, 예를 들어, 40㎛ 이하, 36㎛ 이하, 또는 30㎛ 이하라도 좋다.The conductor layer may be patterned, for example, in order to function as a wiring layer. At this time, the line (circuit width)/space (width between circuits) ratio of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 µm or less (that is, the pitch is 40 µm or less), more preferably 10/10 μm or less, more preferably 5/5 μm or less, still more preferably 1/1 μm or less, particularly preferably 0.5/0.5 μm or more. The pitch need not be the same throughout the conductor layer. The minimum pitch of the conductor layer may be, for example, 40 µm or less, 36 µm or less, or 30 µm or less.

도체층의 두께는, 기판의 디자인에 따르지만, 바람직하게는 3㎛ 내지 35㎛, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 20㎛, 특히 바람직하게는 15㎛ 내지 20㎛이다. The thickness of the conductor layer depends on the design of the substrate, but preferably 3 µm to 35 µm, more preferably 5 µm to 30 µm, still more preferably 10 µm to 20 µm, particularly preferably 15 µm to 20 µm. to be.

기판을 준비한 후에, 기판 위에, 수지 조성물층을 형성한다. 기판의 표면에 도체층이 형성되어 있는 경우, 수지 조성물층의 형성은, 도체층이 수지 조성물층에 매립되도록 수행하는 것이 바람직하다.After preparing the substrate, a resin composition layer is formed on the substrate. When the conductor layer is formed on the surface of the substrate, the formation of the resin composition layer is preferably performed so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

수지 조성물층의 형성은, 예를 들어, 압축 성형법에 의해 수행할 수 있다. 압축 성형법에서는, 예를 들어, 시린지를 사용하여 수지 조성물을 디스펜스한 기판을 형틀에 배치하고, 그 형틀 내에서 수지 조성물에 압력 및 필요에 따라서 열을 가하여, 기판 위에 수지 조성물층을 형성한다.Formation of a resin composition layer can be performed by the compression molding method, for example. In the compression molding method, for example, a substrate on which a resin composition is dispensed using a syringe is placed on a mold, and a pressure and, if necessary, heat is applied to the resin composition in the mold to form a resin composition layer on the substrate.

압축 성형법의 구체적인 조작은, 예를 들어, 하기와 같이 할 수 있다. 압축 성형용의 형틀로서, 상형 및 하형을 준비한다. 또한, 시린지를 사용하여 기판 위에 수지 조성물을 디스펜스한다. 수지 조성물이 디스펜스된 기판을, 하형에 부착한다. 그 후, 상형과 하형을 형체결하여, 수지 조성물에 열 및 압력을 가하여, 압축 성형을 수행한다.Specific operation of the compression molding method can be performed, for example, as follows. As a mold for compression molding, an upper mold and a lower mold are prepared. Further, the resin composition is dispensed onto the substrate using a syringe. The board|substrate to which the resin composition was dispensed is affixed to the lower mold|type. Thereafter, the upper mold and the lower mold are clamped, heat and pressure are applied to the resin composition to perform compression molding.

성형 조건은, 수지 조성물의 조성에 따라 다르고, 양호한 밀봉이 달성되도록 적절한 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 성형시의 형틀의 온도는, 바람직하게는 70℃ 이상, 보다 바람직하게는 80℃ 이상, 특히 바람직하게는 90℃ 이상이며, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 170℃ 이하, 특히 바람직하게는 150℃ 이하이다. 또한, 성형시에 가하는 압력은, 바람직하게는 1MPa 이상, 보다 바람직하게는 3MPa 이상, 특히 바람직하게는 5MPa 이상이고, 바람직하게는 50MPa 이하, 보다 바람직하게는 30MPa 이하, 특히 바람직하게는 20MPa 이하이다. 큐어 타임은, 바람직하게는 1분 이상, 보다 바람직하게는 2분 이상, 특히 바람직하게는 3분 이상이고, 바람직하게는 60분 이하, 보다 바람직하게는 30분 이하, 특히 바람직하게는 20분 이하이다. 통상, 수지 조성물층의 형성 후, 형틀은 떼내어진다. 형틀의 탈착은, 수지 조성물층의 열경화 전에 수행하여도 좋고, 열경화 후에 수행하여도 좋다.Molding conditions vary depending on the composition of the resin composition, and suitable conditions can be adopted so that good sealing may be achieved. For example, the temperature of the mold at the time of molding is preferably 70°C or higher, more preferably 80°C or higher, particularly preferably 90°C or higher, preferably 200°C or lower, more preferably 170°C or lower. , particularly preferably 150° C. or less. Further, the pressure applied during molding is preferably 1 MPa or more, more preferably 3 MPa or more, particularly preferably 5 MPa or more, preferably 50 MPa or less, more preferably 30 MPa or less, particularly preferably 20 MPa or less. . The curing time is preferably 1 minute or more, more preferably 2 minutes or more, particularly preferably 3 minutes or more, preferably 60 minutes or less, more preferably 30 minutes or less, particularly preferably 20 minutes or less. to be. Usually, after formation of a resin composition layer, a mold is removed. Desorption of the mold may be performed before thermal curing of the resin composition layer, or may be performed after thermal curing.

또한, 수지 조성물층의 형성은, 예를 들어, 수지 시트와 기판을 적층함으로써 수행하여도 좋다. 이 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 기판에 가열 압착함으로써, 기판에 수지 조성물층을 첩합함으로써 수행할 수 있다. 수지 시트를 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고 말하는 경우가 있음.)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등) 등을 들 수 있다. 한편, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니고, 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.In addition, you may perform formation of the resin composition layer by laminating|stacking a resin sheet and a board|substrate, for example. This lamination|stacking can be performed by bonding a resin composition layer to a board|substrate by thermocompression-bonding a resin sheet to a board|substrate from the support body side, for example. As a member that heat-compresses a resin sheet to a substrate (hereinafter sometimes referred to as a "thermocompression-bonding member"), for example, a heated metal plate (SUS head plate, etc.) or a metal roll (SUS roll etc.), etc. are mentioned. have. On the other hand, it is preferable not to press the thermocompression-compression-bonding member directly to the resin sheet, but to press through an elastic material, such as a heat-resistant rubber, so that a resin sheet may fully follow the surface unevenness|corrugation of a board|substrate.

기판과 수지 시트와의 적층은, 예를 들어, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이다. 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이다. 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.You may perform lamination|stacking of a board|substrate and a resin sheet by the vacuum lamination method, for example. In the vacuum lamination method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C. The thermocompression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions of a pressure of 13 hPa or less.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 수행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 한편, 적층과 평활화 처리는, 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 수행하여도 좋다.After lamination, a smoothing treatment of the laminated resin sheet may be performed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the thermocompression-bonding member from the support side. The press conditions of the smoothing process can be made into the conditions similar to the thermocompression-bonding conditions of the said lamination|stacking. In addition, you may perform lamination|stacking and smoothing process continuously using a vacuum laminator.

기판 위에 수지 조성물층을 형성한 후, 수지 조성물층을 열경화하여, 경화 물층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류에 따라서도 다를 수 있지만, 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간의 범위, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간의 범위)이다.After forming the resin composition layer on the substrate, the resin composition layer is thermosetted to form a cured product layer. Although the thermosetting conditions of the resin composition layer may vary depending on the type of the resin composition, the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably in the range of 170°C to 200°C), and the curing time is in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably in the range of 10 minutes to 100 minutes, more preferably in the range of 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간), 예비 가열해도 좋다.Before thermosetting a resin composition layer, you may perform the preliminary heat processing of heating at temperature lower than hardening temperature with respect to a resin composition layer. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, usually at a temperature of 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 110 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 100 ° C or less), the resin composition layer may be preheated for usually 5 minutes or longer (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

이상과 같이 해서, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물층을 갖는 회로 기판을 제조할 수 있다. 또한, 회로 기판의 제조 방법은, 추가로, 임의의 공정을 포함하고 있어도 좋다. As mentioned above, the circuit board which has the hardened|cured material layer formed from the hardened|cured material of the resin composition can be manufactured. In addition, the manufacturing method of a circuit board may further include arbitrary processes.

예를 들어, 수지 시트를 사용하여 회로 기판을 제조한 경우, 회로 기판의 제조 방법은, 수지 시트의 지지체를 박리하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 지지체는, 수지 조성물층의 열경화 전에 박리해도 좋고, 수지 조성물층의 열경화 후에 박리해도 좋다.For example, when a circuit board is manufactured using a resin sheet, the manufacturing method of a circuit board may include the process of peeling the support body of a resin sheet. A support body may peel before thermosetting of a resin composition layer, and may peel after thermosetting of a resin composition layer.

회로 기판의 제조 방법은, 예를 들어, 경화물층을 형성한 후에, 그 경화물층의 표면을 연마하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 연마 방법은 특별히 한정되지 않는다. 연마 방법의 예로서는, 화학 기계 연마 장치에 의한 화학 기계 연마 방법, 버프 등의 기계 연마 방법, 숫돌 회전에 의한 평면 연삭 방법, 등을 들 수 있다.The manufacturing method of a circuit board may include the process of grinding|polishing the surface of the hardened|cured material layer, after forming a hardened|cured material layer, for example. The polishing method is not particularly limited. Examples of the polishing method include a chemical mechanical polishing method using a chemical mechanical polishing apparatus, a mechanical polishing method such as buffing, a flat grinding method using a grinding wheel, and the like.

회로 기판의 제조 방법은, 예를 들어, 도체층을 층간 접속하는 공정 (3), 예를 들어, 경화물층에 천공을 하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이로써 경화물층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 비아홀의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 레이저 조사, 에칭, 메카니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 비아홀의 치수나 형상은 회로 기판의 디자인에 따라서 적절히 결정해도 좋다. 한편, 공정 (3)은, 경화물층의 연마 또는 연삭에 의해 층간 접속을 수행하여도 좋다.The manufacturing method of a circuit board may include the process (3) of interlayer connection of a conductor layer, for example, the process of perforating a hardened|cured material layer, for example. Thereby, holes such as via holes and through holes can be formed in the cured material layer. As a method of forming a via hole, laser irradiation, etching, mechanical drilling, etc. are mentioned, for example. The dimension and shape of the via hole may be appropriately determined according to the design of the circuit board. In addition, in step (3), you may perform interlayer connection by grinding|polishing or grinding|polishing of a hardened|cured material layer.

비아홀의 형성 후, 비아홀 내의 스미어를 제거하는 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 이 공정은, 디스미어 공정이라고 불리는 경우가 있다. 예를 들어, 경화물층 위로의 도체층의 형성을 도금 공정에 의해 수행할 경우에는, 비아홀에 대하여, 습식의 디스미어 처리를 수행하여도 좋다. 또한, 경화물층 위로의 도체층의 형성을 스퍼터 공정에 의해 수행하는 경우에는, 플라즈마 처리 공정 등의 드라이 디스미어 공정을 수행하여도 좋다. 또한, 디스미어 공정에 의해, 경화물층에 조화 처리가 실시되어도 좋다.After the via hole is formed, it is preferable to perform a process of removing smear in the via hole. This process may be called a desmear process. For example, when the formation of the conductor layer on the cured product layer is performed by the plating process, the via hole may be subjected to a wet desmear treatment. In addition, when formation of the conductor layer on the hardened|cured material layer is performed by a sputtering process, you may perform dry desmear processes, such as a plasma processing process. In addition, a roughening process may be performed to hardened|cured material layer by a desmear process.

또한, 경화물층 위에 도체층을 형성하기 전에, 경화물층에 대하여, 조화 처리를 수행하여도 좋다. 이 조화 처리에 의하면, 통상, 비아홀 내를 포함시킨 경화 물층의 표면이 조화된다. 조화 처리로서는, 건식 및 습식 중 어느 조화 처리를 수행하여도 좋다. 건식의 조화 처리의 예로서는, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 또한, 습식의 조화 처리의 예로서는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 및, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 수행하는 방법을 들 수 있다.Moreover, before forming a conductor layer on a hardened|cured material layer, you may perform a roughening process with respect to hardened|cured material layer. According to this roughening process, the surface of the hardened|cured material layer which included the inside of a via hole is roughened normally. As a roughening process, you may perform any roughening process of a dry type and a wet type. Plasma processing etc. are mentioned as an example of a dry roughening process. Moreover, as an example of a wet roughening process, the method of performing the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralizing liquid in this order is mentioned.

비아홀을 형성 후, 경화물층 위에 도체층을 형성해도 좋다. 비아홀이 형성된 위치에 도체층을 형성함으로써, 새롭게 형성된 도체층과 기판 표면의 도체층이 도통해서, 층간 접속이 수행하여진다. 도체층의 형성 방법은, 예를 들어, 도금법, 스퍼터법, 증착법 등을 들 수 있다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 적절한 방법에 의해 경화물층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성해도 좋다. 또한, 예를 들어, 수지 시트에서의 지지체가 금속박인 경우, 서브트랙티브법에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성해도 좋다. 형성되는 도체층의 재료는, 단금속이라도 좋고, 합금이라도 좋다. 또한, 이 도체층은, 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 다른 종류의 재료의 층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다.After forming the via hole, a conductor layer may be formed on the cured product layer. By forming the conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the substrate conduct electricity, and interlayer connection is performed. As for the formation method of a conductor layer, a plating method, a sputtering method, a vapor deposition method, etc. are mentioned, for example. For example, the surface of the cured product layer may be plated by an appropriate method such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Moreover, for example, when the support body in a resin sheet is metal foil, you may form the conductor layer which has a desired wiring pattern by a subtractive method. A single metal may be sufficient as the material of the conductor layer to be formed, and an alloy may be sufficient as it. In addition, this conductor layer may have a single-layer structure, and may have a multilayer structure containing two or more layers of different types of material.

여기에서, 경화물층 위에 도체층을 형성하는 실시형태의 예를, 상세히 설명한다. 경화물층의 표면에 마스크층을 형성하고, 이 마스크층의 일부에 마스크 패턴으로서 개구 부분을 형성한다. 그 후, 스퍼터에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크층을 제거한다. 이로써, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 상기의 마스크층은, 통상, 감광성 수지 조성물의 층에 의해 형성된다. 또한, 마스크층의 개구 부분은, 감광성 수지 조성물의 층에 노광 및 현상을 실시함으로써 형성될 수 있다.Here, the example of embodiment which forms a conductor layer on a hardened|cured material layer is demonstrated in detail. A mask layer is formed on the surface of the cured material layer, and an opening portion is formed as a mask pattern in a part of the mask layer. Then, after forming a metal layer by sputtering, the mask layer is removed. Thereby, the conductor layer which has a desired wiring pattern can be formed. Said mask layer is normally formed with the layer of the photosensitive resin composition. Further, the opening portion of the mask layer can be formed by exposing and developing the layer of the photosensitive resin composition.

회로 기판의 제조 방법은, 기판을 제거하는 공정 (4)를 포함하고 있어도 좋다. 기판을 제거함으로써, 경화물층과, 이 경화물층에 매립된 도체층을 갖는 회로 기판을 얻을 수 있다. 이 공정 (4)는, 예를 들어, 박리 가능한 금속층을 갖는 기판을 사용한 경우에 수행할 수 있다.The manufacturing method of a circuit board may include the process (4) of removing a board|substrate. By removing the board|substrate, the circuit board which has a hardened|cured material layer and the conductor layer embedded in this hardened|cured material layer can be obtained. This step (4) can be performed, for example, when a substrate having a peelable metal layer is used.

<반도체 칩 패키지><Semiconductor Chip Package>

반도체 칩 패키지는, 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 이 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, 하기의 것을 들 수 있다.A semiconductor chip package contains the hardened|cured material of a resin composition. As this semiconductor chip package, the following is mentioned, for example.

제1예에 따른 반도체 칩 패키지는, 상술한 회로 기판과, 이 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함한다. 이 반도체 칩 패키지는, 회로 기판에 반도체 칩을 접합함으로써 제조할 수 있다.The semiconductor chip package according to the first example includes the above-described circuit board and a semiconductor chip mounted on the circuit board. This semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

회로 기판과 반도체 칩과의 접합 조건은, 반도체 칩의 단자 전극과 회로 기판의 회로 배선이 도체 접속할 수 있는 임의의 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 반도체 칩의 플립칩 실장에서 사용되는 조건을 채용할 수 있다. 또한, 예를 들어, 반도체 칩과 회로 기판 사이에, 절연성의 접착제를 개재하여 접합해도 좋다.As the bonding condition between the circuit board and the semiconductor chip, any condition in which the terminal electrode of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board can be electrically connected can be adopted. For example, conditions used in flip-chip mounting of semiconductor chips may be employed. In addition, for example, you may join between a semiconductor chip and a circuit board through an insulating adhesive agent.

접합 방법의 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착하는 방법을 들 수 있다. 압착 조건으로서는, 압착 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130℃ 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 통상 1초간 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5초간 내지 30초간의 범위)이다.As an example of the bonding method, the method of crimping|bonding a semiconductor chip to a circuit board is mentioned. As the crimping conditions, the crimping temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 130°C to 200°C, more preferably in the range of 140°C to 180°C), and the crimping time is usually in the range of 1 second to 60 seconds. range (preferably in the range of 5 seconds to 30 seconds).

또한, 접합 방법의 다른 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우해서 접합하는 방법을 들 수 있다. 리플로우 조건은, 120℃ 내지 300℃의 범위로 해도 좋다.Moreover, as another example of the bonding method, the method of reflowing and bonding a semiconductor chip to a circuit board is mentioned. The reflow conditions may be in the range of 120°C to 300°C.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전해도 좋다. 이 몰드 언더필재로서, 상술한 수지 조성물을 사용해도 좋다.After bonding the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As this mold underfill material, you may use the above-mentioned resin composition.

제2예에 따른 반도체 칩 패키지는, 반도체 칩과, 이 반도체 칩을 밀봉하는 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 이러한 반도체 칩 패키지에서는, 통상, 수지 조성물의 경화물은 밀봉층으로서 기능한다. 제2예에 따른 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP를 들 수 있다.A semiconductor chip package according to the second example includes a semiconductor chip and a cured product of a resin composition for sealing the semiconductor chip. In such a semiconductor chip package, the hardened|cured material of a resin composition functions as a sealing layer normally. As the semiconductor chip package according to the second example, for example, a fan-out type WLP is mentioned.

이러한 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,The manufacturing method of such a semiconductor chip package,

(A) 기판에 가고정 필름을 적층하는 공정,(A) the step of laminating a temporarily fixed film on the substrate,

(B) 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(B) the step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporarily fixing film,

(C) 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,(C) forming a sealing layer on the semiconductor chip;

(D) 기판 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(D) the step of peeling the substrate and the temporarily fixed film from the semiconductor chip,

(E) 반도체 칩의 기판 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층을 형성하는 공정,(E) the step of forming a redistribution layer on the surface of the semiconductor chip and the temporarily fixed film peeled off,

(F) 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정, 및,(F) forming a redistribution layer as a conductor layer on the redistribution forming layer; and

(G) 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정,(G) forming a solder resist layer on the redistribution layer;

을 포함한다. 또한, 상기의 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,includes In addition, the manufacturing method of the semiconductor chip package,

(H) 복수의 반도체 칩 패키지를, 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하여, 개편화하는 공정(H) A step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages to separate them into pieces

을 포함하고 있어도 좋다.may contain

(공정 (A))(Process (A))

공정 (A)는, 기판에 가고정 필름을 적층하는 공정이다. 기판과 가고정 필름의 적층 조건은, 회로 기판의 제조 방법에서의 기판과 수지 시트와의 적층 조건과 동일할 수 있다.Process (A) is a process of laminating|stacking a temporarily fixed film on a board|substrate. Lamination conditions of the substrate and the temporarily fixed film may be the same as the lamination conditions of the substrate and the resin sheet in the manufacturing method of the circuit board.

기판으로서는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 구리, 티타늄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; FR-4 기판 등의, 유리섬유에 에폭시 수지 등을 배어들게 하여 열경화 처리한 기판; BT 수지 등의 비스말레이미드 트리아진 수지로 이루어진 기판; 등을 들 수 있다.As the substrate, for example, a silicon wafer; glass wafer; glass substrate; metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, and cold rolled steel sheet (SPCC); substrates subjected to thermal curing treatment by impregnating glass fibers with an epoxy resin or the like, such as FR-4 substrates; a substrate made of a bismaleimide triazine resin such as a BT resin; and the like.

가고정 필름은, 반도체 칩으로부터 박리할 수 있고, 또한, 반도체 칩을 가고정할 수 있는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 닛토 덴코사 제조 「리바알파」 등을 들 수 있다.The temporarily fixed film can be peeled from a semiconductor chip, and can use arbitrary materials which can fix a semiconductor chip temporarily. As a commercial item, the Nitto Denko company "Riva Alpha" etc. are mentioned.

(공정 (B))(Process (B))

공정 (B)는, 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정이다. 반도체 칩의 가고정은, 예를 들어, 플립칩 본더, 다이 본더 등의 장치를 이용해서 수행할 수 있다. 반도체 칩의 배치의 레이아웃 및 배치수는, 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 칩 패키지의 생산수 등에 따라서 적절히 설정할 수 있다. 예를 들어, 복수행이고, 또한 복수열의 매트릭스 형상으로 반도체 칩을 정렬시켜서, 가고정해도 좋다.A process (B) is a process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixing film. Temporarily fixing the semiconductor chip, for example, can be performed using a device such as a flip chip bonder, die bonder. The layout of the arrangement of the semiconductor chip and the number of arrangements can be appropriately set according to the shape and size of the temporarily fixed film, the number of production of the target semiconductor chip package, and the like. For example, the semiconductor chips may be arranged in a plurality of rows and in a matrix shape of a plurality of columns, and may be temporarily fixed.

(공정 (C))(Process (C))

공정 (C)는, 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정이다. 밀봉층은, 수지 조성물의 경화물에 의해 형성할 수 있다. 밀봉층은, 통상, 반도체 칩 위에 수지 조성물층을 형성하는 공정과, 이 수지 조성물층을 열경화시켜서 밀봉층으로서의 경화물층을 형성하는 공정을 포함하는 방법으로 형성한다. 반도체 칩 위로의 수지 조성물층의 형성은, 예를 들어, 기판 대신에 반도체 칩을 사용하는 것 이외에는, 상기 <회로 기판>에서 설명한 기판 위로의 수지 조성물층의 형성 방법과 같은 방법으로 수행할 수 있다.A process (C) is a process of forming a sealing layer on a semiconductor chip. A sealing layer can be formed with the hardened|cured material of a resin composition. A sealing layer is normally formed by the method including the process of forming a resin composition layer on a semiconductor chip, and the process of thermosetting this resin composition layer and forming the hardened|cured material layer as a sealing layer. Formation of the resin composition layer on the semiconductor chip can be performed in the same manner as the method for forming the resin composition layer on the substrate described in <Circuit Board> above, except that, for example, a semiconductor chip is used instead of the substrate. .

반도체 칩 위에 수지 조성물층을 형성한 후에, 이 수지 조성물층을 열경화시켜서, 반도체 칩을 덮는 밀봉층을 얻는다. 이로써, 수지 조성물의 경화물에 의한 반도체 칩의 밀봉이 수행하여진다. 수지 조성물층의 열경화 조건은, 회로 기판의 제조 방법에서의 수지 조성물층의 열경화 조건과 같은 조건을 채용해도 좋다. 또한, 수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도로 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 이 예비 가열 처리의 처리 조건은, 회로 기판의 제조 방법에서의 예비 가열 처리와 같은 조건을 채용해도 좋다.After forming a resin composition layer on a semiconductor chip, this resin composition layer is thermosetted and the sealing layer which covers a semiconductor chip is obtained. Thereby, sealing of the semiconductor chip with the hardened|cured material of the resin composition is performed. As for the thermosetting conditions of the resin composition layer, you may employ|adopt the conditions similar to the thermosetting conditions of the resin composition layer in the manufacturing method of a circuit board. Moreover, before thermosetting a resin composition layer, you may perform the preliminary heat processing of heating to the temperature lower than hardening temperature with respect to a resin composition layer. As the processing conditions of this preliminary heating treatment, the same conditions as those of the preliminary heating processing in the method for manufacturing a circuit board may be employed.

(공정 (D))(Process (D))

공정 (D)는, 기판 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정이다. 박리 방법은, 가고정 필름의 재질에 따른 적절한 방법을 채용하는 것이 바람직하다. 박리 방법으로서는, 예를 들어, 가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜서 박리하는 방법을 들 수 있다. 또한, 박리 방법으로서는, 예를 들어, 기판을 통하여 가고정 필름에 자외선을 조사하여, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜서 박리하는 방법을 들 수 있다.A process (D) is a process of peeling a board|substrate and a temporarily fixed film from a semiconductor chip. As the peeling method, it is preferable to employ an appropriate method according to the material of the temporarily fixed film. As a peeling method, the method of heating, foaming, or expanding a temporarily fixed film, and peeling is mentioned, for example. Moreover, as a peeling method, for example, by irradiating an ultraviolet-ray to a temporarily fixed film through a board|substrate, the adhesive force of a temporarily fixed film is reduced, and the method of peeling is mentioned.

가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜서 박리하는 방법에 있어서, 가열 조건은, 통상, 100℃ 내지 250℃에서 1초간 내지 90초간 또는 5분간 내지 15분간이다. 또한, 자외선을 조사해서 가고정 필름의 점착력을 저하시켜서 박리하는 방법에 있어서, 자외선의 조사량은, 통상, 10mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이다.In the method of peeling a temporarily fixed film by heating, foaming or expanding, heating conditions are usually at 100 ° C. to 250 ° C. for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. In addition, in the method of peeling by irradiating ultraviolet rays to reduce the adhesive force of the temporarily fixed film, the irradiation amount of ultraviolet rays is usually 10 mJ/cm 2 to 1000 mJ/cm 2 .

상기와 같이 기판 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하면, 밀봉층의 면이 노출된다. 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 이 노출된 밀봉층의 면을 연마하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 연마에 의해, 밀봉층의 표면의 평활성을 향상시킬 수 있다. 연마 방법으로서는, 회로 기판의 제조 방법으로 설명한 것과 같은 방법을 이용할 수 있다.When the substrate and the temporarily fixed film are peeled from the semiconductor chip as described above, the surface of the sealing layer is exposed. The manufacturing method of a semiconductor chip package may include grinding|polishing the surface of this exposed sealing layer. Polishing can improve the smoothness of the surface of the sealing layer. As the polishing method, the same method as described for the circuit board manufacturing method can be used.

(공정 (E))(Process (E))

공정 (E)는, 반도체 칩의 기판 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정이다. 통상, 이 재배선 형성층은, 반도체 칩 및 밀봉층 위에 형성된다.A process (E) is a process of forming the redistribution formation layer as an insulating layer in the surface which peeled the board|substrate and temporarily fixed film of a semiconductor chip. Usually, this rewiring forming layer is formed on a semiconductor chip and a sealing layer.

재배선 형성층의 재료는, 절연성을 갖는 임의의 재료를 이용할 수 있다. 수지 조성물의 경화물에 의해 밀봉층을 형성한 경우, 이 밀봉층 위에 형성되는 재배선 형성층은, 감광성 수지 조성물에 의해 형성하는 것이 바람직하다.As the material of the rewiring forming layer, any material having insulating properties can be used. When the sealing layer is formed with the hardened|cured material of a resin composition, it is preferable to form the redistribution forming layer formed on this sealing layer with the photosensitive resin composition.

재배선 형성층을 형성한 후, 반도체 칩과 재배선층을 층간 접속하기 위해, 통상, 재배선 형성층에 비아홀을 형성한다. 재배선 형성층이 감광성 수지로 형성되어 있는 경우, 비아홀의 형성 방법은, 통상, 재배선 형성층의 표면을, 마스크를 통하여 노광하는 것을 포함한다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있고, 특히 자외선이 바람직하다. 노광 방법으로서는, 예를 들어, 마스크를 재배선 형성층에 밀착시켜서 노광하는 접촉 노광법, 마스크를 재배선 형성층에 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용해서 노광하는 비접촉 노광법, 등을 들 수 있다.After forming the redistribution layer, in order to connect the semiconductor chip and the redistribution layer between layers, a via hole is usually formed in the redistribution layer. When the redistribution forming layer is formed of a photosensitive resin, the method of forming a via hole usually includes exposing the surface of the redistribution forming layer to light through a mask. As an active energy ray, an ultraviolet-ray, a visible light ray, an electron beam, X-ray etc. are mentioned, for example, Especially an ultraviolet-ray is preferable. Examples of the exposure method include a contact exposure method in which a mask is brought into close contact with the redistribution layer for exposure, a non-contact exposure method in which a mask is exposed using parallel light without being in close contact with the redistribution layer, and the like.

상기의 노광에 의해, 재배선 형성층에는 잠상이 형성될 수 있으므로, 그 후, 현상을 수행함으로써, 재배선 형성층의 일부를 제거하여, 재배선 형성층을 관통하는 개구 부분으로서 비아홀을 형성할 수 있다. 현상은, 웨트 현상, 드라이 현상 중 어느 것을 수행하여도 좋다. 현상의 방식으로서는, 예를 들어, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱 방식, 스크래핑 방식 등을 들 수 있고, 해상성의 관점에서, 패들 방식이 적합하다.Since a latent image may be formed in the redistribution forming layer by the above exposure, development is then performed to remove a part of the redistribution forming layer, thereby forming a via hole as an opening portion penetrating the redistribution forming layer. The development may be performed either by wet development or dry development. As a method of image development, a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method etc. are mentioned, for example, From a viewpoint of resolution, a paddle method is suitable.

비아홀의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)으로 한다. 비아홀의 탑 지름은, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하, 특히 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 여기에서, 비아홀의 탑 지름이란, 재배선 형성층의 표면에서의 비아홀의 개구의 직경을 말한다.Although the shape of a via hole is not specifically limited, Generally, let it be circular (approximately circular). The top diameter of the via hole is preferably 50 µm or less, more preferably 30 µm or less, still more preferably 20 µm or less, particularly preferably 10 µm or less. Here, the top diameter of the via hole means the diameter of the opening of the via hole in the surface of the redistribution forming layer.

(공정 (F))(Process (F))

공정 (F)는, 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정이다. 재배선 형성층 위에 재배선층을 형성하는 방법은, 회로 기판의 제조 방법에서의 경화물층 위로의 도체층의 형성 방법과 동일할 수 있다. 또한, 공정 (E) 및 공정 (F)를 반복해서 수행하고, 재배선층 및 재배선 형성층을 교대로 포개어 쌓아도(빌드업해도) 좋다.A process (F) is a process of forming a redistribution layer as a conductor layer on a redistribution forming layer. The method of forming the redistribution layer on the redistribution forming layer may be the same as the method of forming the conductor layer on the cured product layer in the manufacturing method of the circuit board. Further, the steps (E) and (F) may be repeatedly performed, and the redistribution layers and the redistribution forming layers may be alternately stacked (build-up).

(공정 (G))(Process (G))

공정 (G)는, 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정이다. 솔더 레지스트층의 재료는, 절연성을 갖는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지 및 열경화성 수지가 바람직하다. 또한, 열경화성 수지로서, 수지 조성물을 사용해도 좋다.A process (G) is a process of forming a soldering resist layer on a redistribution layer. Any material which has insulation can be used for the material of a soldering resist layer. Especially, a photosensitive resin and a thermosetting resin are preferable from a viewpoint of the easiness of manufacture of a semiconductor chip package. Moreover, you may use a resin composition as a thermosetting resin.

또한, 공정 (G)에서는, 필요에 따라서, 범프를 형성하는 범핑 가공을 수행하여도 좋다. 범핑 가공은, 땜납 볼, 땜납 도금 등의 방법으로 수행할 수 있다. 또한, 범핑 가공에서의 비아홀의 형성은, 공정 (E)와 동일하게 수행할 수 있다.In addition, in the process (G), you may perform the bumping process which forms a bump as needed. The bumping process can be performed by methods, such as a solder ball and solder plating. In addition, formation of a via hole in a bumping process can be performed similarly to a process (E).

(공정 (H))(Process (H))

반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (A) 내지 (G) 이외에, 공정 (H)를 포함하고 있어도 좋다. 공정 (H)는, 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하여, 개편화하는 공정이다. 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하는 방법은 특별히 한정되지 않는다.The manufacturing method of a semiconductor chip package may include the process (H) other than the process (A)-(G). The step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages to separate them into pieces. A method of dicing the semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited.

<반도체 장치><Semiconductor device>

반도체 장치는, 반도체 칩 패키지를 구비한다. 반도체 장치로서는, 예를 들어, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기, 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.A semiconductor device is provided with a semiconductor chip package. As the semiconductor device, for example, electrical appliances (eg, computers, mobile phones, smartphones, tablet-type devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, and televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, and various semiconductor devices provided in automobiles, electric vehicles, ships, aircraft, etc.).

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이들 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 특히 온도 및 압력의 지정이 없는 경우의 온도 조건 및 압력 조건은, 각각 실온(25℃) 및 대기압(1atm)이다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of Examples. The present invention is not limited to these examples. In addition, in the following, "part" and "%" which show quantity means "mass part" and "mass %", respectively, unless otherwise indicated. In particular, when temperature and pressure are not specified, the temperature and pressure conditions are room temperature (25° C.) and atmospheric pressure (1 atm), respectively.

<실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 4><Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4>

하기 표 1에 나타내는 바와 같이 소정량의 각 성분을 혼합하여, 수지 조성물을 조제하였다. 표 1에 나타내는 각 성분의 상세는, 하기와 같다.As shown in Table 1 below, a predetermined amount of each component was mixed to prepare a resin composition. The detail of each component shown in Table 1 is as follows.

(A-1) 에폭시 수지:(A-1) Epoxy resin:

셀록사이드 2021P: 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지(다이셀 제조 「셀록사이드 2021P」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 126g/eq.)Celoxide 2021P: alicyclic epoxy resin having an ester skeleton (“Celoxide 2021P” manufactured by Daicel, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 126 g/eq.)

HP4032D: 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조의 「HP4032D」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 151g/eq.)HP4032D: naphthalene type epoxy resin ("HP4032D" manufactured by DIC, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 151 g/eq.)

EX-991L: 알킬렌옥시 골격 함유 에폭시 수지(나가세 켐텍스사 제조 「EX-991L」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 450g/eq.)EX-991L: alkyleneoxy skeleton-containing epoxy resin ("EX-991L" manufactured by Nagase Chemtex, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 450 g/eq.)

EG-280: 플루오렌 구조 함유 에폭시 수지(오사카 가스 케미컬사 제조 「EG-280」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 460g/eq.)EG-280: Epoxy resin containing fluorene structure ("EG-280" manufactured by Osaka Gas Chemicals, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 460 g/eq.)

YX7400: 폴리알킬렌옥시 구조 함유 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 440g/eq)YX7400: Polyalkyleneoxy structure-containing resin (“YX7400” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 440 g/eq)

EP-3950L: 글리시딜아민형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-3950L」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 95g/eq.)EP-3950L: glycidylamine type epoxy resin ("EP-3950L" manufactured by ADEKA, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 95 g/eq.)

EP-3980S: 글리시딜아민형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-3980S」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 115g/eq.)EP-3980S: glycidylamine type epoxy resin ("EP-3980S" manufactured by ADEKA, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 115 g/eq.)

EP-4088S: 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-4088S」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 170g/eq.)EP-4088S: dicyclopentadiene type epoxy resin ("EP-4088S" manufactured by ADEKA, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 170 g/eq.)

ZX1059: 비스페놀A형 에폭시 수지와 비스페놀F형 에폭시 수지의 1:1(질량비) 혼합품(닛테츠 케미컬 & 머티리얼즈사 제조 「ZX1059」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 169g/eq.)ZX1059: A 1:1 (mass ratio) mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nittetsu Chemicals & Materials, liquid epoxy resin, epoxy equivalent 169 g/eq.)

JP-100: 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지(닛폰 소다사 제조 「JP-100」, 액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 210g/eq.)JP-100: Epoxy resin having a butadiene structure (“JP-100” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., liquid epoxy resin, epoxy equivalent 210 g/eq.)

(A-2) 에폭시 경화제:(A-2) Epoxy curing agent:

2,2-디알릴비스페놀A: 페놀계 경화제(시그마알드리치사 제조, 활성기(페놀성 수산기) 당량 154g/eq.)2,2-diallylbisphenol A: phenolic curing agent (manufactured by Sigma-Aldrich, active group (phenolic hydroxyl group) equivalent 154 g/eq.)

카야하드 A-A: 아민계 경화제(4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 닛폰 카야쿠 제조의 「카야하드 A-A」, 활성기(아미노기) 당량 64g/eq.)Kayahard A-A: amine curing agent (4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane, "Kayahard A-A" manufactured by Nippon Kayaku, active group (amino group) equivalent 64 g/eq.)

MH-700: 산 무수물계 경화제(신닛폰 리카사 제조 「MH-700」, 활성기(산 무수물기) 당량 164g/eq.(산 무수물기(-COOCO-) 1당량에 대하여 활성기 2당량으로서 환산))MH-700: acid anhydride curing agent (“MH-700” manufactured by Nippon Rica Corporation, active group (acid anhydride group) equivalent of 164 g/eq. (converted as 2 equivalents of active group with respect to 1 equivalent of acid anhydride group (-COOCO-)) )

(B) 무기 충전재:(B) inorganic fillers:

실리카 A: 실리카 입자(50% 누적직경 D50=1.5㎛, D90=3.5㎛, 비표면적 2.78㎡/g, KBM573(신에츠 카가쿠코교사 제조)로 표면 처리한 것)Silica A: silica particles (50% cumulative diameter D50 = 1.5 μm, D90 = 3.5 μm, specific surface area 2.78 m 2 /g, surface treated with KBM573 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.))

실리카 B: 실리카 입자(50% 누적직경 D50=4㎛, D90=12㎛, 비표면적 3.01㎡/g, KBM573(신에츠 카가쿠코교사 제조)로 표면 처리한 것)Silica B: silica particles (50% cumulative diameter D50 = 4 µm, D90 = 12 µm, specific surface area 3.01 m 2 /g, surface-treated with KBM573 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.))

(C) 실란 커플링제:(C) silane coupling agent:

KBM-803: (신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」, 3-머캅토프로필트리메톡시실란)KBM-803: (“KBM803” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-mercaptopropyltrimethoxysilane)

KBM-403: (신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란)KBM-403: (“KBM403” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)

(D) 경화 촉진제:(D) curing accelerators:

2E4MZ: 이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 카세이코교사 제조 「2E4MZ」)2E4MZ: imidazole-based curing accelerator (“2E4MZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)

2MA-OK-PW: 이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 카세이사 제조 「2MA-OK-PW」)2MA-OK-PW: imidazole-based curing accelerator (“2MA-OK-PW” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)

(E) 라디칼 중합성 화합물:(E) radically polymerizable compounds:

M-130G: 메타크릴로일기와 폴리에틸렌옥사이드 구조를 갖는 화합물(신나카무라 카가쿠코교사 제조 「M-130G」, 메타크릴로일기 당량: 628g/eq.)M-130G: a compound having a methacryloyl group and a polyethylene oxide structure (“M-130G” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., methacryloyl group equivalent: 628 g/eq.)

M-230G: 메타크릴로일기와 폴리에틸렌옥사이드 구조를 갖는 화합물(신나카무라 카가쿠코교사 제조 「M-230G」, 메타크릴로일기 당량: 1068g/eq.)M-230G: a compound having a methacryloyl group and a polyethylene oxide structure (“M-230G” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., methacryloyl group equivalent: 1068 g/eq.)

(F) 라디칼 중합 개시제:(F) radical polymerization initiator:

퍼헥실 O: 라디칼 중합 개시제(니치유사 제조 「퍼헥실(등록상표) O」)Perhexyl O: radical polymerization initiator ("Perhexyl (registered trademark) O" manufactured by Nichiyu Corporation)

(G) 폴리에테르 골격 함유 화합물:(G) polyether backbone-containing compounds:

폴리에테르폴리올 A: 이하와 같이 합성한 수지이다. 반응 용기에 ε-카프로락톤모노머(다이셀사 제조 「프락셀 M」) 22.6g, 폴리프로필렌글리콜, 디올형, 3,000(후지 필름 와코 쥰야쿠사 제조) 10g, 2-에틸헥산산 주석(II)(후지 필름 와코쥰야쿠 제조) 1.62g을 주입하고, 질소 분위기 하 130℃로 승온하여, 약 16시간 교반시켜 반응시켰다. 반응 후의 생성물을 클로로포름에 녹이고, 그 생성물을 메탄올로 재침전시킨 후 건조시켜, 지방족 골격으로 이루어진 하이드록실기 말단의 폴리에스테르폴리올 수지 A를 얻었다. GPC 분석으로부터 Mn=9000이었다.Polyether polyol A: It is resin synthesize|combined as follows. In a reaction vessel, 22.6 g of ε-caprolactone monomer (“Fraxel M” manufactured by Daicel Co., Ltd.), polypropylene glycol, diol type, 3,000 (Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 10 g, 2-ethylhexanoate tin(II) (Fuji Film) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 1.62 g, heated to 130° C. under a nitrogen atmosphere, and stirred for about 16 hours to react. The product after the reaction was dissolved in chloroform, and the product was reprecipitated with methanol and dried to obtain a hydroxyl group-terminated polyester polyol resin A composed of an aliphatic skeleton. Mn=9000 from GPC analysis.

L-64: 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜(ADEKA사 제조 「L-64」)L-64: polyoxyethylene polyoxypropylene glycol ("L-64" manufactured by ADEKA)

KF-6012: 폴리옥시알킬렌 변성 실리콘 수지(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KF-6012」, 점도(25℃): 1500㎟/s)KF-6012: polyoxyalkylene-modified silicone resin (“KF-6012” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity (25° C.): 1500 mm 2 /s)

<시험예 1: 점도의 측정><Test Example 1: Measurement of Viscosity>

실시예 또는 비교예에서 얻어진 수지 조성물의 점도를, 점도 교정용 표준액JS52000으로 교정한 E형 점도계 RE-80U(토키 산교사 제조) 콘 로터 3°×R9.7을 사용하고, 온도 25℃ 및 회전수 1rpm의 조건으로 측정하였다.Using an E-type viscometer RE-80U (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) cone rotor 3°×R9.7 in which the viscosity of the resin composition obtained in Examples or Comparative Examples was calibrated with a viscosity calibration standard solution JS52000, at a temperature of 25° C. and rotation It was measured under the condition of several 1 rpm.

<시험예 2: 디스펜스성, 토출 작업성, 및 수지 플로우성의 평가><Test Example 2: Evaluation of dispensing property, dispensing workability, and resin flow property>

실시예 또는 비교예에서 얻어진 수지 조성물(실온(23℃))을 200g 충전한 12Oz시린지(산에이텍사 제조 5194C, 엔드 캡 A605, 선단 캡 5192RT, 플런저 5196PRS, 시린지의 토출구의 내경 14.22mm, 외경 19.30mm, 개구부의 내경 40.26mm, 토출구로부터 개구부까지 길이 311.40mm)를 준비하고, 시린지의 토출구에 노즐(튜브부의 재질 실리콘제, 시린지 연결부의 재질 폴리프로필렌제, 튜브부의 전장 52mm, 튜브부의 시린지 연결부로부터 노출되어 있는 부분의 길이 25mm, 시린지 연결부의 전장 52mm, 노즐 토출부(튜브부측)의 외경 12mm, 내경 9mm, 노즐 개구부(시린지 연결부측)의 외경 14.22mm)를 장착하고, 시린지를 디스펜서(아픽크 야마다사 제조 「액상 메뉴얼 디스펜서」)에 장착하였다. 수평으로 설치한 12인치 실리콘 웨이퍼(Ra 10Å 이하) 표면으로부터 노즐 토출구까지의 높이(실리콘 웨이퍼의 면에 대하여 수직 방향의 거리)를 3cm로 설정하고, 노즐 토출구로부터, 12인치 실리콘 웨이퍼 위에, 실온(23℃) 하, 2g/초의 속도로, 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스 하고, 40g±1.5g 디스펜스한 시점에서 디스펜스를 정지하고, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하였다.A 12oz syringe filled with 200 g of the resin composition (room temperature (23°C)) obtained in Examples or Comparative Examples (SAN-A-Tech 5194C, end cap A605, tip cap 5192RT, plunger 5196PRS, syringe outlet inner diameter 14.22 mm, outer diameter 19.30) mm, inner diameter of opening 40.26 mm, length 311.40 mm from discharge port to opening), prepare a nozzle (material made of silicone for the tube part, material for the syringe connection part made of polypropylene, total length of the tube part 52 mm, from the syringe connection part of the tube part) to the discharge port of the syringe The exposed part length is 25 mm, the total length of the syringe connection part is 52 mm, the outer diameter of the nozzle discharge part (tube side) is 12 mm, the inner diameter is 9 mm, the outer diameter of the nozzle opening part (syringe connection part side) is 14.22 mm), and the syringe is installed with a dispenser (Apick). It was attached to the Yamada company "liquid manual dispenser"). The height from the surface of the horizontally installed 12-inch silicon wafer (Ra 10 Å or less) to the nozzle outlet (distance in the vertical direction with respect to the silicon wafer surface) was set to 3 cm, and from the nozzle outlet, on the 12-inch silicon wafer, at room temperature ( At 23°C), 40 g±1.5 g of the resin composition was dispensed at a rate of 2 g/sec, and dispensing was stopped when 40 g±1.5 g of the resin composition was dispensed to form a resin dome of the resin composition.

디스펜스성의 평가: 디스펜스 도중에 수지 조성물이 플런저 옆으로부터 새는 백플로우 현상이 발생한 경우를 「×」, 발생하지 않은 경우를 「○」라고 하였다.Evaluation of dispensing property: The case where the backflow phenomenon in which the resin composition leaked from the plunger side occurred in the middle of dispensing was made into "x", and the case where it did not generate|occur|produce was made into "(circle)".

토출 작업성의 평가: 수지 조성물과 노즐 토출구 간의 액 분리가 나쁜 것에 의해, 디스펜스 정지시에 노즐 토출구와 디스펜스한 수지 조성물이 붙어서 떨어지지 않는 상태가 생긴 경우, 또는 디스펜스 종료 후에 노즐 토출구로부터의 수지 늘어짐이 생긴 경우를 「×」, 이것들이 생기지 않은 경우를 「○」라고 하였다.Evaluation of dispensing workability: When a state in which the nozzle discharge port and the dispensed resin composition adhere to each other at the time of stopping dispensing due to poor liquid separation between the resin composition and the nozzle discharge port, and a state in which the dispensed resin composition does not come off occurs, or the resin droops from the nozzle discharge port after dispensing ends A case was designated as "x", and a case where these did not occur was designated as "○".

수지 플로우성의 평가: 디스펜스 후, 컴프레션 몰드 장치로 120℃, 6MPa의 조건으로 몰드하고, 금형 내에서 미충전 부분 없이 몰드할 수 있는 경우를 「○」, 수지가 금형으로부터 누출되어 장치를 더럽힌 경우를 「×」라고 하였다.Evaluation of resin flow properties: After dispensing, molding with a compression molding device at 120°C and 6 MPa conditions, “○” indicates that the mold can be molded without an unfilled part in the mold, and when the resin leaks from the mold and soils the device "X" was said.

<시험예 3: H₂/H₁값 및 L₁/L₂값의 산출><Test Example 3: Calculation of H ₂ /H ₁ Values and L ₁ /L ₂ Values>

실시예 또는 비교예에서 얻어진 수지 조성물(실온(23℃))을 200g 충전한 12Oz시린지(산에이텍사 제조 5194C, 엔드 캡 A605, 선단 캡 5192RT, 플런저5196PRS, 시린지의 토출구의 내경 14.22mm, 외경 19.30mm, 개구부의 내경이 40.26mm, 토출구로부터 개구부까지 길이가 311.40mm)를 준비하고, 시린지에 노즐을 장착하지 않고, 시린지를 디스펜서(아픽 야마다사 제조 「액상 메뉴얼 디스펜서」)에 장착하였다. 수평으로 설치한 12인치 실리콘 웨이퍼(Ra 10Å 이하) 표면으로부터 시린지의 토출구까지의 높이(실리콘 웨이퍼의 면에 대하여 수직 방향의 거리)를 5cm로 설정하고, 시린지의 토출구로부터, 12인치 실리콘 웨이퍼 위에, 실온(23℃) 하, 2g/초의 속도로, 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스하고, 40g±1.5g 디스펜스한 시점에서 디스펜스를 정지하여, 수지 조성물의 수지 돔을 형성하였다. 또한, 비교예 3에서는, 디스펜스 정지시에 토출구와 수지 돔이 접촉하고 있었기 때문에, 디스펜스의 정지 후에 토출구를 끌어올려서, 토출구를 수지 돔으로부터 떼어 놓는 조작을 수행하였다.A 12Oz syringe filled with 200 g of the resin composition (room temperature (23° C.)) obtained in Examples or Comparative Examples (SAN-A-Tek 5194C, end cap A605, tip cap 5192RT, plunger 5196PRS, syringe outlet inner diameter 14.22 mm, outer diameter 19.30) mm, the inner diameter of the opening is 40.26 mm, and the length from the discharge port to the opening is 311.40 mm) was prepared, and the syringe was mounted in a dispenser (“Liquid Manual Dispenser” manufactured by Apik Yamada) without attaching a nozzle to the syringe. Set the height from the surface of a horizontally installed 12-inch silicon wafer (Ra 10 Å or less) to the discharge port of the syringe (the distance in the vertical direction with respect to the surface of the silicon wafer) to 5 cm, from the discharge port of the syringe to the 12-inch silicon wafer, At room temperature (23°C), at a rate of 2 g/sec, 40 g ± 1.5 g of the resin composition was dispensed, and when 40 g ± 1.5 g was dispensed, dispensing was stopped to form a resin dome of the resin composition. In Comparative Example 3, since the discharge port and the resin dome were in contact when the dispensing was stopped, the discharge port was pulled up after the dispensing was stopped to separate the discharge port from the resin dome.

수지 돔의 형성 후, 실온(23℃) 하에서 수지 돔의 형상 변화를 관찰하고, 디스펜스 완료 시점으로부터 60초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면으로부터 수지 돔 정점까지의 높이 H₁, 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면의 직경 L₁, 디스펜스 완료 시점으로부터 180초 후의 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면으로부터 수지 돔 정점까지의 높이 H₂, 수지 돔의 실리콘 웨이퍼와의 접촉면의 직경 L₂을 측정하고, H₂/H₁값, 및 L₁/L₂값을 산출하고, 하기의 식 (1) 및 (2)를 충족시키는 경우를 「○」, 충족시키지 않는 경우를 「×」라고 평가하였다.After the formation of the resin dome, the shape change of the resin dome was observed at room temperature (23° C.), and the height H ₁ from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer to the apex of the resin dome 60 seconds after the dispensing was completed, the silicon of the resin dome. Measure the diameter L ₁ of the contact surface with the wafer, the height H ₂ from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer 180 seconds after dispensing is completed to the apex of the resin dome, and the diameter L ₂ of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer, The H ₂ /H ₁ value and the L ₁ /L ₂ value were calculated, and the case where the following formulas (1) and (2) were satisfied was evaluated as “○” and the case where it was not satisfied was evaluated as “x”.

한편, 비교예 3 이외의 실시예 및 비교예에서는, 수지 조성물을 40g±1.5g 디스펜스한 시점을 디스펜스 완료 시점으로 하고, 비교예 3에서는, 토출구를 수지 돔으로부터 떼어 놓는 조작 후, 토출구가 수지 돔으로부터 떨어진 시점을 디스펜스 완료 시점으로 하였다.On the other hand, in Examples and Comparative Examples other than Comparative Example 3, the time point at which 40 g ± 1.5 g of the resin composition was dispensed was set as the dispensing completion time. The time point away from the dispensing was set as the dispensing completion time.

0.15<H₂/H₁<0.90 …(1)0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)

0.40<L₁/L₂<0.96 …(2)0.40<L ₁ /L ₂ <0.96 … (2)

실시예 및 비교예의 수지 조성물의 불휘발 성분의 함유량, 시험예의 측정 결과 및 평가 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The content of the nonvolatile component of the resin compositions of Examples and Comparative Examples, and the measurement results and evaluation results of Test Examples are shown in Table 1 below.

표 1에 나타내는 바와 같이, 조건 (1)을 충족시키는 경우에 디스펜스성, 토출 작업성 및 수지 플로우성이 양호함을 알 수 있다.As shown in Table 1, when condition (1) is satisfied, it turns out that dispensing property, discharge workability, and resin flow property are favorable.

10 수지 조성물 충전 완료 시린지
11 시린지
12 수지 조성물
13 플런저
14 암나사부
15 토출구
16 개구부
17 선단 캡
18 엔드 캡
20 노즐
21 튜브부
22 시린지 연결부
23 노즐 토출부
24 노즐 개구부
25 수나사부
30 수지 돔
40 실리콘 웨이퍼10 Syringe filled with resin composition
11 syringe
12 Resin composition
13 plunger
14 female thread
15 outlet
16 opening
17 tip cap
18 end cap
20 nozzles
21 tube
22 syringe connection
23 Nozzle discharge part
24 nozzle opening
25 male thread
30 resin dome
40 silicon wafers

Claims

A resin composition filled syringe comprising a syringe and a resin composition filled in the syringe,
The resin composition,
In the evaluation test of the resin composition in which the resin composition is dispensed on the silicon wafer surface installed horizontally, the resin dome of the resin composition is formed, and the shape change of the resin dome is measured,
The height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer to the apex of the resin dome after 60 seconds from the dispensing completion time is H ₁ ,
When the height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer 180 seconds after the dispensing is completed to the apex of the resin dome is H ₂ ,
A syringe filled with a resin composition that satisfies the conditions of the following formula (1).
0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)

According to claim 1, wherein the evaluation test,
From a discharge port provided at a height of 5 cm from the silicon wafer surface, 40 g±1.5 g of a resin composition at 23° C. is dispensed at a rate of 2 g/sec under 23° C. conditions on the silicon wafer surface, and dispensing is stopped, A syringe filled with a resin composition comprising forming a resin dome.

The method according to claim 2, wherein in the evaluation test,
When the discharge port and the resin dome are not in contact when the dispensing of the resin composition is stopped, the time when 40 g ± 1.5 g of the resin composition is dispensed is the dispensing completion time,
When the discharge port and the resin dome are in contact when the dispensing of the resin composition is stopped, after the dispensing is stopped, the discharge port is pulled up and the discharge port is separated from the resin dome, and the dispensing point is the point at which the discharge port is separated from the resin dome A syringe filled with the resin composition as the completion point.

According to claim 1, wherein the diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer after 60 seconds from the dispensing completion time L ₁ ,
When the diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer 180 seconds after dispensing is completed is L ₂ ,
A syringe filled with a resin composition, which further satisfies the condition of the following formula (2).
0.40<L ₁ /L ₂ <0.96 … (2)

The resin composition-filled syringe according to claim 1, wherein the resin composition has a viscosity at 25°C of 100 Pa·s or more and 500 Pa·s or less.

The resin composition-filled syringe according to claim 1, wherein the resin composition contains (A) a thermosetting resin.

The resin composition-filled syringe according to claim 1, wherein the resin composition contains (B) an inorganic filler.

The resin composition-filled syringe according to claim 1, wherein the resin composition contains (C) a silane coupling agent.

In the evaluation test of the resin composition in which the resin composition is dispensed on the silicon wafer surface installed horizontally, the resin dome of the resin composition is formed, and the shape change of the resin dome is measured,
The height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer to the apex of the resin dome after 60 seconds from the dispensing completion time is H ₁ ,
When the height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer 180 seconds after the dispensing is completed to the apex of the resin dome is H ₂ ,
The resin composition which satisfies the conditions of following formula (1).
0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)

10. The method of claim 9, wherein the evaluation test,
From a discharge port provided at a height of 5 cm from the silicon wafer surface, 40 g±1.5 g of a resin composition at 23° C. is dispensed at a rate of 2 g/sec under 23° C. conditions on the silicon wafer surface, and dispensing is stopped, A resin composition comprising forming a resin dome.

The method according to claim 10, wherein in the evaluation test,
When the discharge port and the resin dome are not in contact when the dispensing of the resin composition is stopped, the time when 40 g ± 1.5 g of the resin composition is dispensed is the dispensing completion time,
When the discharge port and the resin dome are in contact when the dispensing of the resin composition is stopped, after the dispensing is stopped, the discharge port is pulled up and the discharge port is separated from the resin dome, and the dispensing point is the point at which the discharge port is separated from the resin dome A resin composition as the completion point.

The method according to claim 9, wherein the diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer after 60 seconds from the dispensing completion point is L ₁ ,
When the diameter of the contact surface of the resin dome with the silicon wafer 180 seconds after dispensing is completed is L ₂ ,
The resin composition which further satisfies the conditions of following formula (2).
0.40<L ₁ /L ₂ <0.96 … (2)

The resin composition according to claim 9, wherein the resin composition has a viscosity at 25°C of 100 Pa·s or more and 500 Pa·s or less.

The resin composition according to claim 9, comprising (A) a thermosetting resin.

The resin composition according to claim 9, comprising (B) an inorganic filler.

The resin composition of Claim 9 containing (C) a silane coupling agent.

The resin composition according to claim 9, for forming an insulating layer of a semiconductor chip package.

The resin composition according to claim 9, for forming an insulating layer of a circuit board.

The resin composition according to claim 9, for sealing a semiconductor chip of a semiconductor chip package.

A cured product of the resin composition according to any one of claims 9 to 19.

The circuit board containing the insulating layer formed with the hardened|cured material of the resin composition in any one of Claims 9-19.

A semiconductor chip package comprising the circuit board according to claim 21 and a semiconductor chip mounted on the circuit board.

A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to claim 22 .

The semiconductor chip package containing a semiconductor chip and the hardened|cured material of the resin composition in any one of Claims 9-19 which seals the said semiconductor chip.

A semiconductor device comprising the semiconductor chip package according to claim 24 .

A method for evaluating a resin composition comprising dispensing a resin composition on a horizontally installed silicon wafer surface to form a resin dome of the resin composition, and measuring a shape change of the resin dome,
The height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer to the apex of the resin dome after 60 seconds from the dispensing completion point is H ₁ ,
When the height from the contact surface of the resin dome with the silicon wafer to the apex of the resin dome 180 seconds after dispensing is completed is H ₂ ,
The evaluation method of a resin composition including determining whether the conditions of following formula (1) are satisfied.
0.15<H ₂ /H ₁ <0.90 … (One)