KR20220100542A - 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치 및 이를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치 - Google Patents

페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치 및 이를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 페로브스카이트 광물을 이용한 태양전지 제조 공정 중 페로브스카이트 층을 기판에 코팅하기 위한 메니스커스 솔루션 시어링에 관한 기술로, 더욱 상세하게는 시어링 시 페로브스카이트를 포함하는 메니스커스 솔루션의 시어링 과정을 실시간으로 모니터링 하여 페로브스카이트 층 코팅 시 고속으로 시어링 공정을 수행하면서도 양질의 페로브스카이트 결정을 얻을 수 있는 조건을 도출하고, 이를 메니스커스 솔루션 시어링 장치에 적용한 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치 및 이를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치에 관한 것이다.

Description

페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치 및 이를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치{Meniscus Solution Shearing Visible Device for the Rapidization Process of Perovskite Solar Cells and Meniscus Solution Shearing Device using the Same}
본 발명은 페로브스카이트 광물을 이용한 태양전지 제조 공정 중 페로브스카이트 층을 기판에 코팅하기 위한 메니스커스 솔루션 시어링에 관한 기술로, 더욱 상세하게는 시어링 시 페로브스카이트를 포함하는 메니스커스 솔루션의 시어링 과정을 실시간으로 모니터링 하여 페로브스카이트 층 코팅 시 고속으로 시어링 공정을 수행하면서도 양질의 페로브스카이트 결정을 얻을 수 있는 조건을 도출하고, 이를 메니스커스 솔루션 시어링 장치에 적용한 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치 및 이를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치에 관한 것이다.
태양전지란 태양광으로부터 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생시키는 광기전 효과를 이용하여 전류-전압을 생성하는 전지를 의미한다. 즉, 태양전지는 상대적으로 큰 밴드갭을 갖는 흡수층을 포함하는 단일접합 태양전지와 상대적으로 밴드갭이 작은 흡수층을 포함하는 단일접합 태양전지가 중간층(또는 접합층, 터널 접합층, inter-layer 라고도 한다)을 매개로 하여 터널 접합된다.
이에 따라 상대적으로 큰 밴드갭을 가지는 흡수층을 포함하는 단일접합 태양전지를 페로브스카이트(perovskite) 태양전지로 사용하는 페로브스카이트/결정질 실리콘 텐덤 태양전지는 30% 이상의 높은 광전 변환 효율을 달성할 수 있어 많은 주목을 받고 있다.
페로브스카이트 태양전지는 음극, 전자 수송층, 페로브스카이트 층(광활성층), 정공 수송층 및 양극을 포함하는 층 구조를 갖는다. 그러나 높은 광전 변환 효율을 가짐에도 불구하고 페로브스카이트 태양전지는 음극과 전자 수송층으로 사용된 ITO, FTO 및 TiO2 등의 금속산화물이 강성(rigidity)으로서, 깨지기 쉽고 유연성이 낮아 롤-투-롤(roll to roll)공정 등에 의한 연속적인 생산이 어렵다.
또한, 페로브스카이트 층(광활성층)은 음각의 메니스커스를 형성하기 위해 기판에 일정량의 잉크(메니스커스 솔루션)를 산포하고, 블레이드에 잉크의 일부를 접촉시켜 블레이드와 기판의 상대적인 이동을 통해 잉크를 필름에 넓게 도포하는 시어링 공정이 수행되어야 하나, 시어링 속도를 일정 속도 이상으로 가속할 경우 시어링 후 드라이된 페로브스카이트 층의 결정이 작거나 깨지는 문제가 발생한다.
페로브스카이트 결정이 일정 크기 이하이거나 깨지는 경우 태양전지의 기능을 수행할 수 없기 때문에 양질의 페로브스카이트 결정을 얻기 위해 시어링 속도를 일정 속도 이하로 줄일 수밖에 없어 시어링 공정에 많은 시간이 소요되어 생산성이 떨어지는 문제가 발생한다.
또한, 이를 개선하기 위해 시어링 시 양질의 페로브스카이트 결정을 얻으면서도 시어링 공정의 고속화를 위해 다양한 시어링 조건을 적용하여 시어링 공정을 수행하기 위한 기술이 요구되나, 페로브스카이트 층이 드라이되어 결정이 완성된 후에는 시어링 조건을 파악하기 어렵기 때문에 다양한 시어링 조건을 설정한 후 최적화된 결정을 도출하기 위한 조건을 파악하는 기술이 전무한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 페로브스카이트 층 제조를 위한 메니스커스 솔루션 시어링 공정에서 블레이드의 각도나, 간격, 기판의 온도, 시어링 속도와 같은 다양한 조건의 설정하고, 이를 정밀하게 모니터링 할 수 있도록 하여 고속으로 시어링 공정을 수행하면서도 양질의 페로브스카이트 결정을 얻기 위한 최적의 조건을 도출할 수 있는 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치를 제공함에 있다.
또한, 상기 장치를 통해 도출한 최적의 조건을 적용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 일실시 예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치는, 페로브스카이트 층 형성을 위한 기판이 거치되는 스테이지; 상기 기판에 도포되는 메니스커스 솔루션의 시어링을 위한 블레이드; 상기 블레이드부 또는 스테이지의 이송을 위한 이송부; 상기 블레이드부의 시어링 각도를 가변시키기 위한 각도 조절부; 상기 블레이드부의 시어링 간격을 가변시키기 위한 갭 조절부; 및 상기 메니스커스 솔루션의 시어링 과정에서 메니스커스 솔루션의 상태를 모니터링 하기 위한 카메라부를 포함한다.
또한, 상기 시어링 각도는, 상기 블레이드의 면 방향과 상기 기판의 면 방향 사이의 각도이고, 상기 시어링 간격은, 상기 블레이드의 단부와, 상기 기판 사이의 거리인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가시화 장치는, 상기 기판의 온도를 가변시키기 위해 상기 기판에 열을 가하는 온도조절부; 및 상기 이송부의 이송 속도를 조절하기 위한 속도조절부; 를 더 포함한다.
본 발명의 일실시 예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치는, 페로브스카이트 층 형성을 위한 기판이 거치되는 스테이지; 상기 기판에 도포되는 메니스커스 솔루션의 시어링을 위한 블레이드; 및 상기 블레이드부 또는 스테이지의 이송을 위한 이송부를 포함하되, 상기 블레이드의 시어링 각도는 2~4도이고, 간격은 50~150 마이크로미터인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 시어링 장치는, 상기 기판의 온도를 섭씨 140~160도로 가열한 상태에서 15~25mm/s 의 시어링 속도로 시어링 하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치는, 페로브스카이트 층 제조를 위한 메니스커스 솔루션 시어링 공정 시 고속으로 시어링 공정을 수행하면서도 양질의 페로브스카이트 결정을 얻기 위한 최적의 조건을 도출하여 솔루션 시어링 공정을 위한 장치에 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 메니스커스 솔루션 시어링 장치는 양질의 페로브스카이트 결정을 얻으면서도 시어링 공정 속도를 기존 공정 대비 4배 이상 빠르게 구현할 수 있어 페로브스카이트 태양전지의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치의 사시도
도 2는 시어링 공정 시 기판과, 기판에 도포된 메니스커스 솔루션과, 시어링을 위한 블레이드를 나타낸 단면도
도 3은 블레이드와 기판의 간격 및 시어링 속도에 따른 메니스커스의 두께를 나타낸 그래프
도 4는 기판의 온도, 시어링 간격 및 시어링 속도에 따른 메니스커스의 페로브스카이트 결정의 크기를 나타낸 사진
도 5는 기판의 온도가 섭씨 150도인 경우 시어링 속도와 간격에 따른 메니스커스의 페로브스카이트 결정의 크기를 나타낸 사진
도 6은 기판의 온도에 따른 결정의 크기를 나타낸 그래프
도 7은 블레이드의 시어링 각도와, 시어링 간격에 따른 결정의 크기를 나타낸 사진
도 8은 블레이드의 시어링 각도에 따른 메니스커스의 볼륨과, 결정의 크기를 나타낸 사진
도 9는 블레이드의 시어링 간격과 각도에 따른 메니스커스의 볼륨과 결정의 사진
본 발명의 일실시 예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치는 페로브스카이트 층 제조를 위한 메니스커스 시어링 공정 시 공정 속도를 증가시키기 위한 목적을 갖는다. 따라서 고속 공정 시에도 일정 크기 이상의 양질의 페로브스카이트 결정을 갖는 페로브스카이트 층을 형성하도록 블레이드와 메니스커스 솔루션의 시어링 각도와, 메니스커스 솔루션이 도포되는 기판과 블레이드 사이의 갭(간격)과, 시어링 공정 시 기판의 온도와, 시어링 속도 등의 조건을 최적화하기 위해 구성될 수 있다.
도 1에는 본 발명의 일실시 예에 따른 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치(100)(이하, "가시화 장치")의 사시도가 도시되어 있다.
도시된 바와 같이 가시화 장치(100)는, 페로브스카이트 층 형성을 위한 기판(S)이 거치되는 스테이지(110)와, 기판(S)에 도포되는 메니스커스 솔루션의 시어링을 위한 다수의 블레이드(121)를 포함하는 블레이드부(120)와, 블레이드부(120)를 지지하는 블레이드 지지대(125)를 포함한다. 따라서 메니스커스 솔루션이 기판(S)에 도포된 상태에서 블레이드부(120) 또는 스테이지(110)의 이동을 통해 블레이드(121)가 메니스커스 솔루션을 시어링 시키도록 구성될 수 있다.
이때 본 발명의 가시화 장치(100)는 블레이드 지지대(125)에 구비되어 블레이드(121)와 메니스커스 솔루션의 시어링 각도를 조절하기 위한 각도 조절부(130)와, 블레이드(121)와 기판(S) 사이의 갭을 조절하기 위한 갭 조절부(140)를 더 포함할 수 있다. 추가적으로 도면상에는 도시되지 않았으나, 가시화 장치(100)는 기판(S)의 온도를 가변시킬 수 있는 온도조절부와, 시어링 속도를 조절할 수 있는 속도조절부를 더 포함할 수 있다. 상기 온도조절부는 통상의 기판을 가열할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 적용할 수 있고, 상기 속도조절부 역시 통상의 속도 조절을 위한 기술이 적용될 수 있음은 자명하다.
기판(S)은 유리기판, 연성기판 등 다양한 기판이 적용될 수 있다.
또한, 가시화 장치(100)는 다양한 조건에서 시어링 시 시어링 과정에서 메니스커스의 형상(부피)과, 페로브스카이트 결정의 형상이나 크기를 모니터링 하기 위한 카메라부(150)를 더 포함할 수 있다. 카메라부(150)는 모니터링 효율을 높이기 위한 조명부(155)를 더 포함할 수 있다.
도 2에는, 시어링 공정 시 기판(S)과, 기판(S)에 도포된 메니스커스 솔루션(L)과, 시어링을 위한 블레이드(121)를 나타낸 단면도가 도시되어 있다.
도시된 바와 같이 블레이드(121)와 메니스커스 솔루션(L)의 시어링 각도는 블레이드(121)의 면 방향과 기판(S)의 면 방향 사이의 각도로 정의될 수 있다.
또한, 블레이드(121)와 기판(S) 사이의 갭은 블레이드(121)의 단부와 기판(S) 사이의 거리일 수 있다. 다른 표현으로 블레이드(121)와 기판(S) 사이의 최단거리일 수 있다. 시어링 속도는 블레이드(121)와 기판(S)의 상대속도일 수 있다. 여기서 기판(S)에 도포되는 메니스커스 솔루션(L)은 솔벤트와 페로브스카이트의 혼합물일 수 있고, 메니스커스 솔루션(L)은 기판(S)에 도포된 상태에서 블레이드(121)를 통해 시어링 된 후 솔벤트가 증발하는 과정을 통해 메니스커스(M)가 형성될 수 있다. 솔벤트가 증발하는 과정에서 페로브스카이트는, 마랑고니 흐름(Marangoni Flow)과 캐필러리 흐름(Capillary Flow) 원리를 통해 결정화되어 메니스커스(M)를 형성할 수 있다.
이때, 상술된 각도, 갭, 속도, 기판이 온도 등에 의해 결정의 크기가 달라질 수 있는바 상기 속도를 빠르게 하면서도 결정의 크기가 일정 크기 이상이 될 수 있도록 최적화된 조건을 도출하기 위한 과정에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3에는 블레이드와 기판의 간격 및 시어링 속도에 따른 메니스커스의 두께를 나타낸 그래프가 도시되어 있다.
기본 조건은 기판의 온도는 실온(Room Temperature, R.T)이고, 블레이드의 시어링 각도는 3도이다.
이때 블레이드와 기판의 간격과 시어링 속도에 따른 메니스커스의 두께는 아래 표 및 도시된 그래프와 같다.
6mm/s 13mm/s 20mm/s 27mm/s
100 micrometer 73.33nm 73.08nm 71.08nm 68.79nm
200 micrometer 73.50nm 72.62nm 70.82nm 68.60nm
도시된 바와 같이 메니스커스의 두께는, 시어링 속도가 증가될수록 감소하는 것을 알 수 있었고, 간격이 클수록 감소율이 더 증가하는 것을 알 수 있다.
따라서 메니스커스의 두께가 일정 두께 미만이면 페로브스카이트 결정이 깨질 수 있기 때문에 메니스커스 두께를 일정 두께 이상 유지할 수 있는 최고의 속도는 20mm/s 임을 알 수 있다.
기본 조건으로 상기 간격이 100 마이크로미터이고, 블레이드의 시어링 각도가 3도일 때, 기판의 온도와, 시어링 속도에 따른 메니스커스의 두께는 아래 표와 같다.
6mm/s 13mm/s 20mm/s 27mm/s
R.T 386.96nm 380.65nm 376.33nm 373.57nm
섭씨50도 377.84nm 373.78nm 365.62nm 363.90nm
섭씨100도 379.24nm 370.14nm 358.69nm 344.62nm
섭씨150도 372.38nm 365.79nm 351.31nm 341.06nm
따라서 메니스커스의 두께는 시어링 속도가 증가할수록 감소하고, 기판의 온도가 증가할수록 감소율이 더 증가하는 것을 알 수 있다.
도 4a에는 기판의 온도가 실온 인 경우 시어링 간격과 시어링 속도에 따른 메니스커스의 페로브스카이트 결정의 크기를 나타낸 사진이 도시되어 있고, 도 4b에는, 기판의 온도가 섭씨50도 인 경우 시어링 간격과 시어링 속도에 따른 메니스커스의 페로브스카이트 결정의 크기를 나타낸 사진이 도시되어 있고, 도 4c에는 기판의 온도가 섭씨100도 인 경우 시어링 간격과 시어링 속도에 따른 메니스커스의 페로브스카이트 결정의 크기를 나타낸 사진이 도시되어 있다.
도시된 바와 같이 실온에서 시어링 속도가 증가하는 경우 결정이 형성되지 않거나, 결정의 크기가 작아지는 것을 알 수 있고, 기판의 온도가 섭씨50도 인 경우 시어링 속도가 13mm/s를 초과하는 경우에는 결정이 형성되지 않고, 13mm/s 이하에서는 결정이 조금씩 생성되는 것을 알 수 있다.
섭씨 100도인 경우 속도가 증가하여도 일정 크기 이상의 결정이 생성되는 것을 알 수 있었다. 또한 간격이 클 때보다 간격이 작을 때 결정이 더 잘 생성되는 것을 알 수 있었다.
따라서 고속화 시어링 공정에서도 양질의 결정을 얻기 위해서는 기판의 온도를 섭씨100도 이상으로 설정해야함을 알 수 있다.
도 5a에는 시어링 간격에 따른 메니스커스의 볼륨을 나타낸 사진이 도시되어 있다. 또한 도 5b에는 기판의 온도가 섭씨 150도인 경우 시어링 속도와 간격에 따른 메니스커스의 페로브스카이트 결정의 크기를 나타낸 사진이 도시되어 있다.
기본 조건으로는 기판의 온도는 섭씨150도 이고, 블레이드의 각도는 3도이다. 도시된 바와 같이 간격이 100마이크로미터인 경우 메니스커스의 볼륨은 2.28mm3 이고, 200마이크로미터인 경우 메니스커스의 볼륨은 3.15mm3 임을 알 수 있다.
또한, 시어링 속도가 20mm/s 이고, 간격이 100마이크로미터인 경우 가장 큰 결정을 갖는 메니스커스가 형성됨을 알 수 있다.
도 6에는 기판의 온도에 따른 결정의 크기를 나타낸 그래프가 도시되어 있다.
기본 조건으로는 시어링 속도는 20mm/s 이고, 블레이드의 각도는 3도이다.
위 조건에서 기판의 온도와 간격에 따른 결정의 크기는 아래 표 및 도시된 바와 같다.
섭씨 50도 섭씨 100도 섭씨 150도
100
마이크로미터		 7311.69 8273.78 10246.54
200
마이크로미터		 6553.12 7693.48 9845.98
상술한 바와 같이 기판의 온도가 증가할수록 또한 간격이 좁을수록 결정의 크기가 증가하는 것을 알 수 있었다.
도 7a에는 블레이드의 시어링 각도와, 시어링 간격에 따른 결정의 크기를 나타낸 사진이 도시되어 있다. 또한 도 7b에는 시어링 각도에 따른 메니스커스의 볼륨을 나타낸 사진이 도시되어 있다.
기본 조건으로는 기판의 온도는 섭씨 150도이고, 시어링 속도는 20mm/s 이다.
위 조건에서 블레이드의 시어링 각도와 간격에 따른 결정의 크기는 다음과 같다. 즉 블레이드의 각도가 작아질수록 결정의 크기가 커지고, 간격이 넓어질수록 결정의 크기가 작아지는 것을 알 수 있었다.
또한, 각도가 작아질수록 메니스커스의 볼륨도 커지는 것을 알 수 있었다.
또한, 메니스커스의 형상은 각도와 간격이 커져도 유지됨을 알 수 있었다.
도 8에는 블레이드의 시어링 각도에 따른 메니스커스의 볼륨과, 결정의 크기를 나타낸 사진이 도시되어 있다.
기본 조건으로는 기판의 온도는 섭씨150도이고, 시어링 속도는 20mm/s 이다. 위 조건에서 블레이드의 시어링 각도에 따른 결정의 크기는 다음과 같다.
즉 시어링 각도가 9도까지 증가하여도 메니스커스의 형상이 유지됨을 알 수 있고, 결정도 형성됨을 알 수 있다. 또한, 각도가 작아질수록 결정의 크기가 커지고, 메니스커스의 볼륨이 커짐을 알 수 있다.
도 9에는 블레이드의 시어링 간격과 각도에 따른 메니스커스의 볼륨과 결정의 사진이 도시되어 있다.
기본 조건으로는 기판의 온도는 섭씨150도이고, 시어링 속도는 20mm/s 이다. 위 조건에서 블레이드의 시어링 간격과 각도에 따른 메니스커스의 볼륨과 결정의 크기는 다음과 같다.
도시된 바와 같이 간격이 좁고, 각도가 작을수록 메니스커스 형상이 잘 유지되고, 결정이 커지는 것을 볼 수 있다. 반면, 간격이 넓고 각도가 클수록 메니스커스 형상이 깨지기 쉽고, 결정의 크기도 작은 것을 볼 수 있다. 즉 메니스커스의 형상이 깨지면, 결정의 크기가 작아지고, 결점이 생기기 쉬워지는 것을 알 수 있다.
위와 같은 실험을 통해 도출된 본 발명의 메니스커스 솔루션 시어링을 위한 최적의 조건은 다음과 같다.
기판의 온도는 섭씨150도이고, 시어링 속도는 20mm/s 이다.
또한, 블레이드의 시어링 각도는 3도이고, 간격은 100 마이크로미터이다.
위와 같은 조건으로 생성된 메니스커스의 볼륨은 2.28mm3 이고, 페로브스카이트 결정의 크기는 10246.54 마이크로미터2 이다.
위와 같이 본 발명은 메니스커스 솔루션 시어링 장치에 CCD 카메라를 도입하여 시어링 공정(코팅)이 수행되는 동안 메니스커스 형상의 변화를 실시간으로 확인할 수 있기 때문에 다양한 조건을 적용하여 메니스커스 솔루션 시어링 공정 시 최적의 조건을 용이하게 도출할 수 있었다.
또한, 이전 장비 대비 4~10배 이상 빠른 고속(20mm/s)에서 공정이 가능하고, 기판에 열을 가할 수 있는 수단을 추가하여, 고속화 공정의 적용이 가능해짐에 따라 페로브스카이트 태양전지의 제조 시간을 단축할 수 있다.
본 발명의 상기한 실시 예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안 된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.
100 : 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치
110 : 스테이지
120 : 블레이드부
121 : 블레이드
125 : 블레이드 지지대
130 : 각도 조절부
140 : 갭 조절부
150 : 카메라부
155 : 조명부
S : 기판
L : 메니스커스 솔루션
M : 메니스커스

Claims (5)

  1. 페로브스카이트 층 형성을 위한 기판이 거치되는 스테이지;
    상기 기판에 도포되는 메니스커스 솔루션의 시어링을 위한 블레이드;
    상기 블레이드부 또는 스테이지의 이송을 위한 이송부;
    상기 블레이드부의 시어링 각도를 가변시키기 위한 각도 조절부;
    상기 블레이드부의 시어링 간격을 가변시키기 위한 갭 조절부; 및
    상기 메니스커스 솔루션의 시어링 과정에서 메니스커스 솔루션의 상태를 모니터링 하기 위한 카메라부;
    를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 시어링 각도는,
    상기 블레이드의 면 방향과 상기 기판의 면 방향 사이의 각도이고,
    상기 시어링 간격은,
    상기 블레이드의 단부와, 상기 기판 사이의 거리인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 가시화 장치는,
    상기 기판의 온도를 가변시키기 위해 상기 기판에 열을 가하는 온도조절부; 및
    상기 이송부의 이송 속도를 조절하기 위한 속도조절부;
    를 더 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치.
  4. 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치에 있어서,
    페로브스카이트 층 형성을 위한 기판이 거치되는 스테이지;
    상기 기판에 도포되는 메니스커스 솔루션의 시어링을 위한 블레이드; 및
    상기 블레이드부 또는 스테이지의 이송을 위한 이송부를 포함하되,
    상기 블레이드의 시어링 각도는 2~4도이고, 간격은 50~150 마이크로미터인 것을 특징으로 하는, 메니스커스 솔루션 시어링 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 시어링 장치는,
    상기 기판의 온도를 섭씨 140~160도로 가열한 상태에서 15~25mm/s 의 시어링 속도로 시어링 하는 것을 특징으로 하는, 메니스커스 솔루션 시어링 장치.
KR1020220002813A 2021-01-08 2022-01-07 페로브스카이트 태양전지의 고속화 공정을 위한 메니스커스 솔루션 시어링 가시화 장치 및 이를 이용한 메니스커스 솔루션 시어링 장치 KR20220100542A (ko)

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