KR20220099549A - 변형된 구조부를 갖는 층 구조물 및 그의 제조 - Google Patents

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KR20220099549A
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게오르기오스 치오파라스
롤란트 퀸첼
크리스토프 쾰러
키라 플랑켄
슈테판 양케
하인츠 푸틀라이너
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코베스트로 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 운트 콤파니 카게
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Abstract

본 발명은 (A) 제1 표면 a1) 및 표면 a1)에 본질적으로 평행하게 이어지는 제2 표면 a2)를 갖는 제1 투명 방사선-조각가능 층 (A) - 상기 제1 층 (A)는 착색 또는 흑색 부분-조각부를 갖고, 상기 조각부는 층 구조물의 제1 외부 표면을 형성하는 제1 표면 a1) 상에 비이온화 전자기 방사선 (E)에 의해 생성됨 -; (B) 임의로, 제1 층 (A)의 방향으로 향하는 제1 표면 b1) 및 제1 층 (A)로부터 멀어지는 방향으로 향하고 상기 표면 b1)에 본질적으로 평행하게 이어지는 추가 표면 b2)를 갖는 추가의 투명 방사선-조각가능 층 (B); 및 (C) 임의로, 적어도 1개의 추가의 투명 플라스틱 층 (C) - 여기서 추가 층 (C)는 층 (A)의 제1 표면 a1)의 면 상에, 추가 층 (B)의 추가의 표면 b2)의 면 상에, 2개의 층 (A) 및 (B) 사이에, 또는 추가 층들 (C)의 경우에, 상기 옵션 중 적어도 2개의 조합으로 이루어진 옵션의 군 중 1개로 임의로 제공됨 - 를 함유하며, 착색 또는 흑색 부분 조각부의 이미지는, 층 구조물의 추가 외부 표면을 형성하고 제1 표면 a1)의 반대쪽에 놓이는 불투명 구조적 변형부의 형태로 층 구조물의 표면 상에 위치하는 것인 층 구조물에 관한 것이다. 본 발명은 마찬가지로 층 구조물의 제조 뿐만 아니라 본 발명에 따른 층 구조물을 함유하는 보안 문서에 관한 것이다.

Description

변형된 구조부를 갖는 층 구조물 및 그의 제조
본 발명은 영역의 일부에 걸쳐 구조적 변경부를 갖는 층 구조물 및 그의 제조, 및 상기 층 구조물을 포함하는 보안 문서에 관한 것이다.
플라스틱-기재 보안 문서 및/또는 가치 있는 문서, 특히 식별 문서, 예를 들어 ID 카드는 현재 바람직하게는 식별 특징의 교환을 위한 층 구조물의 후속 분리를 방지하기 위해, 고온 및 고압에서의 적층에 의해 다층 복합체로서 접착제 층의 사용 없이 제조된다. 상응하는 보안 특징은 적층 공정 전에 또는 적층 공정 동안에 이들 다층 복합체에 포함되고, 이들은 결과적으로 이들이 파괴 없이 적층 공정 파라미터를 견디도록 구성되어야 한다. 또한, 보안 특징은 복합체의 비파괴적 후속 개방을 다시 가능하게 하는 임의의 약한 지점을 다층 복합체에 도입해서는 안 된다. 특히 관심받는 것은 적층 공정 후에 또는 완성된 ID 문서에 도입될 수 있고, 위조의 경우에, 그 자체로 용이하게 식별될 수 있는 보안 특징이다. 이상적으로는, 보안 특징을 문서 소유자의 데이터에 연결할 수 있어야 한다.
보안 문서 및/또는 가치 있는 문서에서의 보안 특징은 전형적으로 3개의 안전 레벨로 나누어진다:
- 레벨 1 보안 특징은 추가 보조물의 사용 없이 육안으로 순전히 시각적으로 인지가능한 것이다.
- 레벨 2 보안 특징은 보기 위해 보조물 (예를 들어, 확대경, 광학 필터, 판독기 등)을 필요로 하는 것이다.
- 레벨 3 보안 특징은 법의학적 방법에 의해 실험실에서만 식별될 수 있는 것이다. 일반적으로, 이러한 분석은 문서의 적어도 부분적인 파괴와 연관된다.
따라서, 바람직하게는 시각적 또는 촉각 수단에 의해 신속하게 인지할 수 있고, 바람직하게는 문서 소유자의 개인 데이터를 포함할 수 있고, 위조의 경우에, 그 자체로 신속하게 그리고 보조물 없이 또는 적은 보조물을 사용해 인지할 수 있는 레벨 1 보안 특징에 대한 필요성이 증가한다. 이러한 보안 특징은 또한 하기에서 개인화된 보안 특징으로 불린다.
플라스틱, 특히 폴리카르보네이트로 제조된 ID 문서의 경우, 가장 중요한 개인화된 보안 특징은 문서 소유자의 사진이다. 그 이유는 블랭크 문서를 예를 들어 흑백 사진으로서 레이저 조각에 의해 완성시킨 후에 문서에 사진을 도입시킬 수 있기 때문이다. 레이저-조각된 사진의 위조 방지 (forgeryproofing)를 개선하기 위해, 출원 번호 EP 18190363.4를 갖는 유럽 특허 출원에 기재된 바와 같이, 컬러 사진의 레이저 조각을 가능하게 하는 방법이 개발되었다. 컬러 레이저 조각 이외에도, 이 방법은 사진을 위조와 보다 용이하게 구별할 수 있도록 부분 구조화를 갖는 사진의 제공을 가능하게 한다. 이러한 방식으로, 예를 들어, 추가의 구조화를 생성할 수 있도록 사진의 일부 영역을 보다 강한 레이저 방사선으로 조각하는 것이 가능하다. 그러나, 많은 노력을 들이면, 위조자는 또한 예를 들어 투명 래커의 부분적 적용에 의해 사진 상에 구조를 생성할 수 있다.
폴리카르보네이트로 제조된 ID 문서에서 대중적인 보안 특징은 투명 창이다. 이러한 위조 방지의 개선은 위조하려는 시도 시에 창의 투명도가 파괴된다는 것이다. 투명성의 파괴는, 예를 들어, 투명 필름을 ID 문서 위에 부착하는 경우, 또는 문서를 기계적 수단에 의해 분할하는 경우에 발생한다. 일부 경우에서, 투명 창에, 시도된 위조를 보다 어렵게 하기 위해 문서 소유자의 사진 또는 다른 사람-특정 정보를 조각하기 위해 레이저가 사용된다. 이것의 한 변형은 WO 2014/151377 A2에 기재되어 있다.
그러나, 위조에 대응하기 위한 컬러 레이저 조각 방법을 추가로 개선할 필요가 여전히 존재한다.
따라서, 본 발명의 목적은 층 구조물에 위조 방지 조각부를 갖는 층 구조물을 제공하고, 그로부터 제조된 보다 강력한 위조 방지 보안 문서를 제공하는 것이다. 추가의 목적은 보다 강력한 위조 방지 층 구조물을 제조하는 방법, 또는 상기 방법에 의해 제조된 보다 강력한 위조 방지 보안 문서를 제공하는 것이었다.
본 발명은 먼저 하기를 포함하는 층 구조물을 제공하고:
(A) 제1 표면 a1), 및 상기 표면 a1)에 본질적으로 평행하게 이어지는 제2 표면 a2)를 갖는 제1 투명 방사선-조각가능 층 (A)이며, 여기서 층 구조물의 제1 외부 면을 형성하는 제1 표면 a1) 상에 비이온화 전자기 방사선 (E)에 의해 생성된, 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부를 갖는 제1 층 (A) (비이온화 전자기 방사선은 바람직하게는 레이저 방사선임);
(B) 임의로, 상기 제1 층 (A)의 방향으로 향하는 제1 표면 b1) 및 상기 제1 층 (A)로부터 멀어지는 방향으로 향하고 표면 b1)에 본질적으로 평행하게 이어지는 추가 표면 b2)를 갖는 추가의 투명 방사선-조각가능 층 (B);
(C) 임의로, 추가 층(C)의 배열이 층 (A)의 제1 표면 a1)의 면 상에, 추가 층 (B2)의 추가 표면 b2)의 면 상에, 2개의 층 (A) 및 (B) 사이에, 또는 복수의 추가 층 (C)의 경우에 이들 중 적어도 2개의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택하여 선택된 것인, 적어도 1개의 추가 투명 중합체 층 (C),
여기서
상기 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부의 이미지는, 층 구조물의 외부 면을 형성하고 제1 표면 a1)의 반대쪽에 있는 층 구조물의 표면에 구조적 변경부의 형태로 존재하는 것이다. 구조적 변경부는 바람직하게는 불투명하다.
구조적 변경부는 또한 하기에서 "불투명 구조적 변경부" 또는 간단히 "변경된 구조부"로 불린다.
제1 층 (A)는 임의의 투명 방사선-조각가능 물질로부터 제조될 수 있으며, 그의 착색은 염료의 존재 하에 레이저에 의해 변경가능하다. 층 (A)는 바람직하게는 중합체 층이다. 본 출원에 따른 "레이저에 의해 변경가능한 착색"은, 제1 층의 물질에서, 레이저에 의한 지속 방사선에서 1 와트 또는 펄스 방사선에서 5 와트의 최소 에너지의 입력의 경우에, 염료에 의한 착색이 달성가능하여, 이러한 조각부가 육안으로 명백하다는 것을 의미한다. 펄스 방사선의 경우, 0.5 kHz 내지 1000 kHz, 바람직하게는 5 kHz 내지 100 kHz, 보다 바람직하게는 15 kHz 내지 50 kHz 범위 내의 펄스 주파수를 사용하는 것이 바람직하다. 펄스 방사선에 대해, 5 ns 내지 1000 ns, 보다 바람직하게는 10 ns 내지 200 ns의 펄스 지속시간을 선택하는 것이 바람직하다.
층 (A)는 바람직하게는 레이저-조각가능 층이다. 투명 방사선-조각가능 층 (A)는 바람직하게는 영역의 일부에 걸친 착색된 조각부를 갖는다. 조각부는 바람직하게는 0.005 내지 1mm, 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.5mm, 보다 바람직하게는 0.02 내지 0.1mm 범위 내의 폭을 갖는 구조, 예컨대 글씨 각인을 포함한다. 조각부는 바람직하게는 0.001 내지 2 mm, 보다 바람직하게는 0.002 내지 1 mm, 매우 바람직하게는 0.005 내지 0.5 mm, 보다 더 바람직하게는 0.01 내지 0.1 mm 범위 내의 깊이를 갖는다.
제1 층 (A) 및 바람직하게는 모든 다른 임의적인 층 (B) 및 (C)는 투명하고 (transparent) 청징 (clear)하다. 본 발명에 따른 "투명"은 400 내지 700 nm의 파장 범위 내의 광을 80% 초과의 정도로, 바람직하게는 85% 초과의 정도로, 보다 바람직하게는 90% 초과의 정도로, 가장 바람직하게는 95% 초과의 정도로 투과시키는 것으로 이해된다.
층 구조물의, 특히 제1 층 (A)의 물질은 바람직하게는 레이저로 처리하기 전에 청징하다. 본 출원의 맥락에서 "청징"은 층 구조물이 표준 ASTM D1003:2013에 따라 측정된, ≤ 20%, 바람직하게는 ≤ 15%, 보다 바람직하게는 ≤ 10%, 특히 바람직하게는 ≤ 5%의 헤이즈(haze) (또한 탁도 (turbidity)라고 불림)를 갖는다는 것을 의미한다.
임의적인 추가 층 (B)는 전자기 방사선 (E)가 착색을 가능하게 하기에 충분한 에너지로 층 (A)의 표면 a1)에 부딪힐 수 있도록 전자기 방사선 (E)를 적어도 부분적으로 투과시키는 임의의 물질로부터 제조될 수 있다. 층 (B)는 바람직하게는 중합체 층이다.
임의적인 적어도 1개의 추가 층 (C)는 마찬가지로 바람직하게는 투명 플라스틱을 포함한다. 추가 층 (C)는 바람직하게는 추가 층 (B) 또는 제1 층 (A)와 동일한 물질 조성을 갖는다.
상기 층 구조물은, 상기 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부의 이미지가, 상기 층 구조물의 외부 면을 형성하고 상기 제1 표면 a1)의 반대쪽에 있는 상기 층 구조물의 표면에서 구조적 변경부의 형태로 존재하는 것을 특징으로 한다. "이미지"에 의해 이해되는 것은 한쪽 면 상의 사실상 동일한 형태의 조각부가 층 구조물의 반대 면 상의 구조적 변경부의 형태로 존재한다는 것이다. 이미지는 조각부에 대해 약간 이동될 수 있거나, 조각부에 직접 반대쪽으로, 즉, 층 구조물을 통해 직각으로, 조각부로부터 층 구조물의 반대쪽 표면 상에 존재할 수 있다.
층 구조물의 바람직한 실시예에서, 제1 표면 a1)의 반대쪽에 있고 층 구조물의 추가 외부 면을 형성하는 층 구조물의 표면은 적어도, 조각부에서 시작하여 층 구조물을 통해 직각으로 이어지는 축에 대해 45° 내지 90° 범위의 각도로 존재하는 부위에서 변경된 구조부를 갖는다. 일반적으로, 조각부에서 시작하여 층 구조물을 통해 직각으로 이어지는 축에 대해, 적어도 0° 내지 90°, 보다 바람직하게는 5° 내지 80°, 가장 바람직하게는 10° 내지 70°의 범위 내의 각도에 있는 층 구조물 내의 부위에 변경된 구조부를 도입하는 것이 가능하다.
이는 착색 또는 흑색 조각부가 불투명 구조적 변경부를 갖는 층 구조물의 면으로부터 45° 내지 90°의 시야각에서 불투명 구조적 변경부에 의해 적어도 부분적으로, 바람직하게는 완전히 광학적으로 커버되는 효과를 달성한다. 불투명 구조적 변경부를 갖는 층 구조물의 면으로부터 적어도 45° 내지 90°의 범위 내의 시야각에서, 불투명 구조적 변경부에 의한 착색 또는 흑색 조각부의 광학적 커버리지는 착색 또는 흑색 조각부의 폭을 기준으로, 바람직하게는 50% 내지 100%, 보다 바람직하게는 60% 내지 90%, 특히 바람직하게는 70% 내지 80%의 범위 내에 있다.
층 구조물의 외부 면 상의 구조적 변경부는, 층이 구조적 변경부를 갖는 부위에서 더 이상 투명성을 나타내지 않거나 거의 나타내지 않지만, 여전히 반투명성일 수 있고, 이는 유백색 외관으로 시각적으로 나타나는 것을 특징으로 한다. 구조적 변경부에 대한 하나의 설명은, 전자기 방사선 (E)의 진입 부위에서 층의 매우 빠른 용융으로 인해, 층의 물질 내에 기포가 포획된다는 것일 수 있다. 다른 설명은 층 내로의 전자기 방사선 (E)의 진입 부위에서의 물질의 화학적 구조적 변경부일 수 있다.
층 구조물의 바람직한 실시양태에서, 변경된 구조부는 흐리거나 유백색 외관을 갖는다. 변경된 구조부를 포함하는 층 구조물의 영역은 표준 ASTM D1003:2013에 따라 BYK-가드너(Gardner) 헤이즈 가드 플러스 기기로 측정된, 바람직하게는 ≥ 20%, 바람직하게는 ≥ 50%, 보다 바람직하게는 ≥ 80%의 탁도 또는 헤이즈를 갖는다.
보다 바람직하게는, 변경된 구조부는 층 구조물 상에 백색 조각부로서 나타난다. 이미 언급한 바와 같이, 변경된 구조부는 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부가 존재하고 있는 표면의 반대쪽인 층 구조물의 표면 상에 존재한다. 따라서, 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부는 변경된 구조부와는 층 구조물의 반대 방향을 향한다. 변경된 구조부가 유백색이고 흐릿하기 때문에, 바람직하게는 착색 또는 흑색 조각부의 적어도 일부, 바람직하게는 전체가 변경된 구조부에 의해서 커버된다. 따라서, 변경된 구조부가 존재하는 면에서는 착색 또는 흑색 조각부가 더 이상 보이지 않는 것이 가능하다. 변경된 구조부의 면에서의 착색 또는 흑색 조각부의 가시성은 변경된 구조부의 폭의 선택을 통해 조정될 수 있다. 역으로, 변경된 구조부는, 층 구조물이 착색 또는 흑색 조각부의 면에서 보이는 경우, 착색 또는 흑색 조각부의 폭의 선택을 통해 커버될 수 있다.
층 구조물의 바람직한 실시양태에서, 변경된 구조부를 갖는 부위에서의 층 (B)는 변경된 구조부를 갖지 않는 지점에서보다 적어도 0.001 mm 더 두꺼운 층 두께를 갖는다.
층 구조물의 바람직한 실시양태에서, 층 (A), (B) 및 (C) 중 적어도 1개, 바람직하게는 이들 모두는 하기 특성:
I. 마이크로미터 스크류에 의해 또는 마이크로토말 섹션 및 후속 현미경 관찰 두께 측정에 의해 결정된, 10 μm 내지 10000 μm 범위 내; 바람직하게는 20 μm 내지 7000 μm 범위 내, 보다 바람직하게는 30 μm 내지 5000 μm 범위 내, 가장 바람직하게는 70 μm 내지 2000 μm 범위 내의 층 두께;
II. 바람직하게는 DIN EN ISO/IEC 17025에 따른 UV-VIS-NIR-MIR 방법에 의해 결정된, 선택된 방사선에 대한 ≥ 2% 내지 ≤ 99.95%, 바람직하게는 ≥ 4% 내지 ≤ 90%, 보다 바람직하게는 ≥ 5% 내지 ≤ 85%의 방사선 투과율
중 1개, 바람직하게는 이들 모두를 갖는다.
층 구조물의 바람직한 실시양태에서, 적어도 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)는 에틸렌성 불포화 단량체의 중합체, 이관능성 반응성 화합물의 중축합물 및 이관능성 반응성 화합물의 중부가 생성물 또는 이들 중 적어도 2종의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 물질을 포함한다.
바람직한 열가소성 물질은 디페놀을 기재로 하는 1종 이상의 폴리카르보네이트(들) 또는 코폴리카르보네이트(들), 폴리- 또는 코폴리아크릴레이트(들) 및 폴리- 또는 코폴리메타크릴레이트(들), 예컨대, 예로서 및 바람직하게는, 폴리메틸메타크릴레이트 또는 폴리(메트)아크릴레이트 (PMMA), 스티렌의 중합체(들) 또는 그와의 공중합체(들), 예컨대, 예로서 및 바람직하게는, 폴리스티렌 (PS), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 (ABS), 또는 폴리스티렌-아크릴로니트릴 (SAN), 열가소성 폴리우레탄(들) 및 또한 폴리올레핀(들), 예컨대, 예로서 및 바람직하게는, 폴리프로필렌 유형 또는 시클릭 올레핀을 기재로 하는 폴리올레핀 (예를 들어, 토파스(TOPAS)®, 훽스트(Hoechst)), 테레프탈산의 중축합물(들) 또는 공중축합물(들), 예컨대, 예로서 및 바람직하게는, 폴리- 또는 코폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET 또는 CoPET), 글리콜-개질된 PET (PETG), 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트 (PCTG) 또는 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 (PBT 또는 CoPBT), 폴리아미드 (PA), 나프탈렌디카르복실산의 중축합물(들) 또는 공중축합물(들), 예컨대, 예로서 및 바람직하게는, 폴리에틸렌 글리콜 나프탈레이트 (PEN), 적어도 1종의 시클로알킬디카르복실산의 중축합물(들) 또는 공중축합물(들), 예컨대, 예로서 및 바람직하게는, 폴리시클로헥산디메탄올시클로헥산디카르복실산 (PCCD), 폴리술폰 (PSU), 상기 중 적어도 2종의 혼합물 또는 그의 블렌드이다.
특히 바람직한 열가소성 물질은 디페놀을 기재로 하는 1종 이상의 폴리카르보네이트(들) 또는 코폴리카르보네이트(들), 또는 적어도 1종의 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트를 함유하는 블렌드이다. 적어도 1종의 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트, 및 테레프탈산, 나프탈렌디카르복실산 또는 시클로알킬디카르복실산, 바람직하게는 시클로헥산디카르복실산의 적어도 1종의 중축합물 또는 공중축합물을 함유하는 블렌드가 매우 특히 바람직하다. 특히 500 내지 100,000, 바람직하게는 10,000 내지 80,000, 보다 바람직하게는 15,000 내지 40,000의 평균 분자량 Mw를 갖는 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트, 또는 10,000 내지 200,000, 바람직하게는 21,000 내지 120,000의 평균 분자량 Mw를 갖는, 테레프탈산의 적어도 1종의 중축합물 또는 공중축합물과의 그의 블렌드가 매우 특히 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서 테레프탈산의 적합한 중축합물 또는 공중축합물은 폴리알킬렌 테레프탈레이트이다. 적합한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는, 예를 들어, 방향족 디카르복실산 또는 그의 반응성 유도체 (예를 들어, 디메틸 에스테르 또는 무수물) 및 지방족, 지환족 또는 아르지방족 디올의 반응 생성물 및 이들 반응 생성물의 혼합물이다.
바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는 공지된 방법에 의해 테레프탈산 (또는 그의 반응성 유도체) 및 2 내지 10개의 C 원자를 갖는 지방족 또는 지환족 디올로부터 제조될 수 있다 (Kunststoff-Handbuch [Plastics Handbook], vol. VIII, p. 695 ff, Karl-Hanser-Verlag, Munich 1973).
바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는 디카르복실산 성분을 기준으로, 적어도 80 mol%, 바람직하게는 적어도 90 mol%의 테레프탈산 라디칼, 및 디올 성분을 기준으로, 적어도 80 mol%, 바람직하게는 적어도 90 mol%의 에틸렌 글리콜 및/또는 부탄-1,4-디올 및/또는 시클로헥산-1,4-디메탄올 라디칼을 함유한다.
바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는, 테레프탈산 라디칼 이외에, 8 내지 14개의 탄소 원자를 갖는 다른 방향족 디카르복실산 또는 4 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 지방족 디카르복실산의 라디칼, 예컨대 프탈산, 이소프탈산, 나프탈렌-2,6-디카르복실산, 4,4'-디페닐디카르복실산, 숙신산, 아디프산, 세바스산, 아젤라산, 시클로헥산디아세트산의 라디칼을 20 mol% 이하로 함유할 수 있다.
바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는, 에틸렌 및/또는 부탄-1,4-디올 글리콜 라디칼 이외에, 80 mol% 이하의, 3 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 다른 지방족 디올 또는 6 내지 21개의 탄소 원자를 갖는 지환족 디올, 예를 들어 프로판-1,3-디올, 2-에틸프로판-1,3-디올, 네오펜틸 글리콜, 펜탄-1,5-디올, 헥산-1,6-디올, 시클로헥산-1,4-디메탄올, 3-메틸펜탄-2,4-디올, 2-메틸펜탄-2,4-디올, 2,2,4-트리메틸펜탄-1,3-디올 및 2-에틸헥산-1,6-디올, 2,2-디에틸프로판-1,3-디올, 헥산-2,5-디올, 1,4-디(베타]-히드록시에톡시)벤젠, 2,2-비스(4-히드록시시클로헥실)프로판, 2,4-디히드록시-1,1,3,3-테트라메틸시클로부탄, 2,2-비스(3-[베타]-히드록시에톡시페닐)프로판 및 2,2-비스(4-히드록시프로폭시페닐)프로판의 라디칼을 함유할 수 있다 (DE-A 24 07 674, 24 07 776, 27 15 932 참조).
폴리알킬렌 테레프탈레이트는, 예를 들어 DE-A 19 00 270 및 미국 특허 3 692 744에 기재된 바와 같이, 비교적 소량의 3가 또는 4가 알콜 또는 3염기성 또는 4염기성 카르복실산의 혼입에 의해 분지화될 수 있다. 바람직한 분지화제의 예는 트리메스산, 트리멜리트산, 트리메틸올에탄 및 트리메틸올프로판 및 펜타에리트리톨이다.
산 성분을 기준으로, 1 mol% 이하의 분지화제가 사용되는 것이 바람직하다.
테레프탈산 및 그의 반응성 유도체 (예를 들어, 그의 디알킬 에스테르) 및 에틸렌 글리콜 및/또는 부탄-1,4-디올 및/또는 시클로헥산-1,4-디메탄올 라디칼로부터 단독으로 제조된 폴리알킬렌 테레프탈레이트, 및 이들 폴리알킬렌 테레프탈레이트의 혼합물이 특히 바람직하다.
바람직한 폴리알킬렌 테레프탈레이트는 상기 언급된 산 성분 중 적어도 2종 및/또는 상기 언급된 알콜 성분 중 적어도 2종으로부터 제조된 코폴리에스테르를 추가로 포함한다. 특히 바람직한 코폴리에스테르는 폴리(에틸렌 글리콜/부탄-1,4-디올) 테레프탈레이트이다.
성분으로 바람직하게 사용되는 폴리알킬렌 테레프탈레이트는 각 경우에 25℃에서 페놀/o-디클로로벤젠 (1:1 중량부) 중에서 측정된, 바람직하게는 약 0.4 내지 1.5 dl/g, 바람직하게는 0.5 내지 1.3 dl/g의 고유 점도를 갖는다.
적어도 1종의 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트와 적어도 1종의 테레프탈산의 중축합물 또는 공중축합물의 블렌드는 바람직하게는 적어도 1종의 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트와 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트의 블렌드이다. 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트와 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트의 이러한 블렌드는 바람직하게는 1 중량% 내지 90 중량%의 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트 및 99 중량% 내지 10 중량%의 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 것, 바람직하게는 1 중량% 내지 90 중량%의 폴리카르보네이트 및 99 중량% 내지 10 중량%의 폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 것일 수 있고, 여기서 비율은 합하여 100 중량%가 된다. 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트와 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트의 이러한 블렌드는 보다 바람직하게는 20 중량% 내지 85 중량%의 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트 및 80 중량% 내지 15 중량%의 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 것, 바람직하게는 20 중량% 내지 85 중량%의 폴리카르보네이트 및 80 중량% 내지 15 중량%의 폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 것일 수 있고, 여기서 비율은 합하여 100 중량%가 된다. 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트와 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트의 이러한 블렌드는 가장 바람직하게는 35 중량% 내지 80 중량%의 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트 및 65 중량% 내지 20 중량%의 폴리- 또는 코폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리- 또는 코폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 것, 바람직하게는 35 중량% 내지 80 중량%의 폴리카르보네이트 및 65 중량% 내지 20 중량%의 폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 글리콜-개질된 폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 것일 수 있고, 여기서 비율은 합하여 100 중량%가 된다. 매우 특히 바람직한 실시양태는 상기 언급된 조성물 중의 폴리카르보네이트 및 글리콜-개질된 폴리시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트의 블렌드를 포함할 수 있다.
바람직한 실시양태에서 적합한 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트는 특히 방향족 폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트이다.
폴리카르보네이트 또는 코폴리카르보네이트는 공지된 방식으로 선형 또는 분지형일 수 있다.
이들 폴리카르보네이트는 디페놀, 탄산 유도체, 임의로 사슬 종결제 및 임의로 분지화제로부터 공지된 방식으로 제조될 수 있다. 폴리카르보네이트의 제조에 대한 상세사항은 지난 40년 정도 동안 많은 특허 명세서에 기재되어 있다. 여기서는 단지 예로서 문헌 [Schnell, "Chemistry and Physics of Polycarbonates", Polymer Reviews, Volume 9, Interscience Publishers, New York, London, Sydney 1964], [D. Freitag, U. Grigo, P. R. Mueller, H. Nouvertne BAYER AG, "Polycarbonates" in Encyclopedia of Polymer Science and Engineering, Volume 11, Second Edition, 1988, pages 648-718] 및 마지막으로 [Dres. U. Grigo, K. Kirchner and P. R. Mueller, "Polycarbonate" [Polycarbonates] in Becker/Braun, Kunststoff-Handbuch [Plastics Handbook], volume 3/1, Polycarbonate, Polyacetale, Polyester, Celluloseester [Polycarbonates, Polyacetals, Polyesters, Cellulose Esters], Carl Hanser Verlag Munich, Vienna 1992, pages 117-299]를 참조할 수 있다.
적합한 디페놀은, 예를 들어, 하기 화학식 I의 디히드록시아릴 화합물일 수 있고,
Figure pct00001
여기서, Z는 6 내지 34개의 탄소 원자를 갖는 방향족 라디칼이고, 1개 이상의 임의로 치환된 방향족 고리 및 지방족 또는 지환족 라디칼 또는 알킬아릴 또는 헤테로원자를 가교 요소로서 함유할 수 있다.
적합한 디히드록시아릴 화합물의 예는 디히드록시벤젠, 디히드록시디페닐, 비스(히드록시페닐)알칸, 비스(히드록시페닐)시클로알칸, 비스(히드록시페닐)아릴, 비스(히드록시페닐) 에테르, 비스(히드록시페닐) 케톤, 비스(히드록시페닐) 술피드, 비스(히드록시페닐) 술폰, 비스(히드록시페닐) 술폭시드, 1,1'-비스(히드록시페닐)디이소프로필벤젠 및 그의 고리-알킬화 및 고리-할로겐화 화합물을 포함한다.
이들 및 추가의 적합한 다른 디히드록시아릴 화합물은, 예를 들어 DE-A 3 832 396, FR-A 1 561 518, 문헌 [H. Schnell, Chemistry and Physics of Polycarbonates, Interscience Publishers, New York 1964, p. 28 ff; p. 102 ff], 및 [D. G. Legrand, J. T. Bendler, Handbook of Polycarbonate Science and Technology, Marcel Dekker New York 2000, p. 72 ff]에 기재되어 있다.
바람직한 디히드록시아릴 화합물은, 예를 들어 레조르시놀, 4,4'-디히드록시디페닐, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-히드록시페닐)디페닐메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-(1-나프틸)에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-(2-나프틸)에탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,4-비스(4-히드록시페닐)-2-메틸부탄, 2,4-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-메틸부탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸시클로헥산, 1,3-비스[2-(4-히드록시페닐)-2-프로필]벤젠, 1,1'-비스(4-히드록시페닐)-3-디이소프로필벤젠, 1,1'-비스(4-히드록시페닐)-4-디이소프로필벤젠, 1,3-비스[2-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-프로필]벤젠, 비스(4-히드록시페닐) 에테르, 비스(4-히드록시페닐) 술피드, 비스(4-히드록시페닐) 술폰, 비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐) 술폰 및 2,2',3,3'-테트라히드로-3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비[1H-인덴]-5,5'-디올 또는 하기 화학식 Ia의 디히드록시디페닐시클로알칸이다.
(Ia)
Figure pct00002
여기서,
R1 및 R2는 독립적으로 수소, 할로겐, 바람직하게는 염소 또는 브로민, C1-C8-알킬, C5-C6-시클로알킬, C6-C10-아릴, 바람직하게는 페닐, 및 C7-C12-아르알킬, 바람직하게는 페닐-C1-C4-알킬, 특히 벤질이고,
m은 4 내지 7, 바람직하게는 4 또는 5의 정수이고,
R3 및 R4는 각각의 X에 대해 개별적으로 선택될 수 있고, 독립적으로 수소 또는 C1-C6-알킬이고,
X는 탄소이고,
단, 적어도 1개의 원자 X 상에서, R3 및 R4는 둘 다 알킬이다. 바람직하게는, 화학식 Ia에서, 1 또는 2개의 X 원자(들) 상에서, 특히 단지 1개의 X 원자 상에서, R3 및 R4는 둘 다 알킬이다.
화학식 Ia에서 R3 및 R4 라디칼에 대한 바람직한 알킬 라디칼은 메틸이다. 디페닐-치환된 탄소 원자 (C-1)에 대해 알파 위치의 X 원자는 바람직하게는 디알킬-치환되지 않고; 대조적으로, C-1에 대해 베타 위치의 알킬 이치환이 바람직하다.
화학식 Ia의 특히 바람직한 디히드록시디페닐시클로알칸은 지환족 라디칼에 5 및 6개의 고리 탄소 원자 X를 갖는 것 (화학식 Ia에서 m = 4 또는 5), 예를 들어 하기 화학식 Ia-1 내지 Ia-3의 디페놀이다.
Figure pct00003
(Ia-1)
Figure pct00004
(Ia-2)
Figure pct00005
(Ia-3)
화학식 Ia의 매우 특히 바람직한 디히드록시디페닐시클로알칸은 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산 (R1 및 R2 = H인 화학식 Ia-1)이다.
이러한 폴리카르보네이트는 EP-A 359 953에 따라 화학식 Ia의 디히드록시디페닐시클로알칸으로부터 제조될 수 있다.
특히 바람직한 디히드록시아릴 화합물은 레조르시놀, 4,4'-디히드록시디페닐, 비스(4-히드록시페닐)디페닐메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 비스(4-히드록시페닐)-1-(1-나프틸)에탄, 비스(4-히드록시페닐)-1-(2-나프틸)에탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)프로판, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1'-비스(4-히드록시페닐)-3-디이소프로필벤젠 및 1,1'-비스(4-히드록시페닐)-4-디이소프로필벤젠이다.
매우 특히 바람직한 디히드록시아릴 화합물은 4,4'-디히드록시디페닐 및 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판이다.
1종의 디히드록시아릴 화합물을 사용하여 호모폴리카르보네이트를 형성하거나 또는 상이한 디히드록시아릴 화합물을 사용하여 코폴리카르보네이트를 형성할 수 있다. 화학식 I 또는 Ia의 1종의 디히드록시아릴 화합물을 사용하여 호모폴리카르보네이트를 형성하거나 또는 화학식(들), I 및/또는 Ia의 2종 이상의 디히드록시아릴 화합물을 사용하여 코폴리카르보네이트를 형성하는 것이 가능하다. 다양한 디히드록시아릴 화합물은 랜덤 또는 블록 방식으로 상호연결될 수 있다. 화학식 I 및 Ia의 디히드록시아릴 화합물로 구성된 코폴리카르보네이트의 경우에, 화학식 Ia의 디히드록시아릴 화합물 대 임의로 또한 사용가능한 화학식 I의 다른 디히드록시아릴 화합물의 몰비는 바람직하게는 99 mol%의 Ia 대 1 mol%의 I 및 2 mol%의 Ia 대 98 mol%의 I, 바람직하게는 99 mol%의 Ia 대 1 mol%의 I 및 10 mol%의 Ia 대 90 mol%의 I, 특히 99 mol%의 Ia 대 1 mol%의 I 및 30 mol%의 Ia 대 70 mol%의 I이다.
매우 특히 바람직한 코폴리카르보네이트는 화학식 Ia 및 화학식 I의 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산 및 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 디히드록시아릴 화합물을 사용하여 제조될 수 있다.
적합한 탄산 유도체는, 예를 들어, 하기 화학식 II의 디아릴 카르보네이트일 수 있고,
Figure pct00006
(II)
여기서
R, R' 및 R"는 동일하거나 상이하고, 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1-C34-알킬, C7-C34-알킬아릴 또는 C6-C34-아릴이고, R은 추가로 또한 -COO-R"'일 수 있고, 여기서 R"'는 수소, 선형 또는 분지형 C1-C34-알킬, C7-C34-알킬아릴 또는 C6-C34-아릴이다.
바람직한 디아릴 카르보네이트는, 예를 들어 디페닐 카르보네이트, 메틸페닐 페닐 카르보네이트 및 디(메틸페닐) 카르보네이트, 4-에틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-에틸페닐) 카르보네이트, 4-n-프로필페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-n-프로필페닐) 카르보네이트, 4-이소프로필페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-이소프로필페닐) 카르보네이트, 4-n-부틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-n-부틸페닐) 카르보네이트, 4-이소부틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-이소부틸페닐) 카르보네이트, 4-tert-부틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-tert-부틸페닐) 카르보네이트, 4-n-펜틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-n-펜틸페닐) 카르보네이트, 4-n-헥실페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-n-헥실페닐) 카르보네이트, 4-이소옥틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-이소옥틸페닐) 카르보네이트, 4-n-노닐페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-n-노닐페닐) 카르보네이트, 4-시클로헥실페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-시클로헥실페닐) 카르보네이트, 4-(1-메틸-1-페닐에틸)페닐 페닐 카르보네이트, 디[4-(1-메틸-1-페닐에틸)페닐] 카르보네이트, 비페닐-4-일 페닐 카르보네이트, 디(비페닐-4-일) 카르보네이트, 4-(1-나프틸)페닐 페닐 카르보네이트, 4-(2-나프틸)페닐 페닐 카르보네이트, 디[4-(1-나프틸)페닐] 카르보네이트, 디[4-(2-나프틸)페닐] 카르보네이트, 4-페녹시페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-페녹시페닐) 카르보네이트, 3-펜타데실페닐 페닐 카르보네이트, 디(3-펜타데실페닐) 카르보네이트, 4-트리틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-트리틸페닐) 카르보네이트, (메틸 살리실레이트) 페닐 카르보네이트, 디(메틸 살리실레이트) 카르보네이트, (에틸 살리실레이트) 페닐 카르보네이트, 디(에틸 살리실레이트) 카르보네이트, (n-프로필 살리실레이트) 페닐 카르보네이트, 디(n-프로필 살리실레이트) 카르보네이트, (이소프로필 살리실레이트) 페닐 카르보네이트, 디(이소프로필 살리실레이트) 카르보네이트, (n-부틸 살리실레이트) 페닐 카르보네이트, 디(n-부틸 살리실레이트) 카르보네이트, (이소부틸 살리실레이트) 페닐 카르보네이트, 디(이소부틸 살리실레이트) 카르보네이트, (tert-부틸 살리실레이트) 페닐 카르보네이트, 디(tert-부틸 살리실레이트) 카르보네이트, 디(페닐 살리실레이트) 카르보네이트 및 디(벤질 살리실레이트) 카르보네이트이다.
특히 바람직한 디아릴 화합물은 디페닐 카르보네이트, 4-tert-부틸페닐 페닐 카르보네이트, 디(4-tert-부틸페닐) 카르보네이트, 비페닐-4-일 페닐 카르보네이트, 디(비페닐-4-일) 카르보네이트, 4-(1-메틸-1-페닐에틸)페닐 페닐 카르보네이트, 디[4-(1-메틸-1-페닐에틸)페닐] 카르보네이트 및 디(메틸 살리실레이트) 카르보네이트이다. 디페닐 카르보네이트가 매우 특히 바람직하다.
1종의 디아릴 카르보네이트 또는 상이한 디아릴 카르보네이트를 사용할 수 있다.
말단 기의 제어 또는 변형을 위해, 예를 들어 사용된 디아릴 카르보네이트(들)의 제조에 사용되지 않은 1종 이상의 모노히드록시아릴 화합물(들)을 사슬 종결제로서 사용하는 것이 추가로 가능하다. 이들은 하기 화학식 III의 것일 수 있고,
Figure pct00007
(III)
여기서
RA는 선형 또는 분지형 C1-C34-알킬, C7-C34-알킬아릴, C6-C34-아릴 또는 -COO-RD이고, 여기서 RD는 수소, 선형 또는 분지형 C1-C34-알킬, C7-C34-알킬아릴 또는 C6-C34-아릴이고,
RB, RC는 동일하거나 상이하고, 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1-C34-알킬, C7-C34-알킬아릴 또는 C6-C34-아릴이다.
이러한 모노히드록시아릴 화합물은, 예를 들어, 1-, 2- 또는 3-메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 4-에틸페놀, 4-n-프로필페놀, 4-이소프로필페놀, 4-n-부틸페놀, 4-이소부틸페놀, 4-tert-부틸페놀, 4-n-펜틸페놀, 4-n-헥실페놀, 4-이소옥틸페놀, 4-n-노닐페놀, 3-펜타데실페놀, 4-시클로헥실페놀, 4-(1-메틸-1-페닐에틸)페놀, 4-페닐페놀, 4-페녹시페놀, 4-(1-나프틸)페놀, 4-(2-나프틸)페놀, 4-트리틸페놀, 메틸 살리실레이트, 에틸 살리실레이트, n-프로필 살리실레이트, 이소프로필 살리실레이트, n-부틸 살리실레이트, 이소부틸 살리실레이트, tert-부틸 살리실레이트, 페닐 살리실레이트 및 벤질 살리실레이트이다.
4-tert-부틸페놀, 4-이소옥틸페놀 및 3-펜타데실페놀이 바람직하다.
적합한 분지화제는 3개 이상의 관능기를 갖는 화합물, 바람직하게는 3개 이상의 히드록실 기를 갖는 화합물을 포함할 수 있다.
3개 이상의 페놀성 히드록실 기를 갖는 적합한 화합물은, 예를 들어, 플로로글루시놀, 4,6-디메틸-2,4,6-트리(4-히드록시페닐)헵트-2-엔, 4,6-디메틸-2,4,6-트리(4-히드록시페닐)헵탄, 1,3,5-트리(4-히드록시페닐)벤젠, 1,1,1-트리(4-히드록시페닐)에탄, 트리(4-히드록시페닐)페닐메탄, 2,2-비스(4,4-비스(4-히드록시페닐)시클로헥실]프로판, 2,4-비스(4-히드록시페닐이소프로필)페놀 및 테트라(4-히드록시페닐)메탄이다.
3개 이상의 관능기를 갖는 다른 적합한 화합물은, 예를 들어, 2,4-디히드록시벤조산, 트리메스산/트리메소일 트리클로라이드, 시아누르산 트리클로라이드 및 3,3-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)-2-옥소-2,3-디히드로인돌이다.
바람직한 분지화제는 3,3-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)-2-옥소-2,3-디히드로인돌 및 1,1,1-트리(4-히드록시페닐)에탄이다.
층 구조물의 바람직한 실시양태에서, 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)는 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 적어도 1종의 첨가제를 포함하거나, 또는 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)는 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 코팅 조성물 형태의 적어도 1종의 첨가제로 코팅된다.
적합한 첨가제는 원칙적으로 모든 레이저-감응성 첨가제, 소위 레이저 마킹 첨가제, 즉 사용되는 방사선 (C)의 파장 범위의 흡수제로 구성된 첨가제를 포함한다. 첨가제는 바람직하게는 적어도 1종 이상의 유기 및/또는 무기 IR 흡수제, 바람직하게는 무기 IR 흡수제를 포함한다. 이러한 첨가제 및 성형 배합물에서의 그의 용도는, 예를 들어 WO-A 2004/50766 및 WO-A 2004/50767에 기재되어 있고, DSM으로부터 브랜드명 마이캡스(Micabs)TM 하에 상업적으로 입수가능하다.
적합한 유기 IR 흡수제는 예를 들어 700 내지 2500 nm (근적외선 = NIR)에서 가능한 최고 흡수를 갖는 화합물이다. 적합한 적외선 흡수제는 예를 들어 문헌 [M. Matsuoka, Infrared Absorbing Dyes, Plenum Press, New York, 1990]에 물질 부류에 의해 기재된 바와 같이 문헌으로부터 공지된 것을 포함한다. 아조, 아조메틴, 메틴, 안트라퀴논, 인단트론, 피란트론, 플라반트론, 벤잔트론, 프탈로시아닌, 페릴렌, 디옥사진, 티오인디고, 이소인돌린, 이소인돌리논, 퀴나크리돈, 피롤로피롤 또는 퀴노프탈론 안료 뿐만 아니라 아조, 아조메틴 또는 메틴 염료의 금속 착물 또는 아조 화합물의 금속 염을 포함하는 물질 부류로부터의 적외선 흡수제가 특히 적합하다. 이들 중에서, 프탈로시아닌 및 나프탈로시아닌이 매우 특히 적합하다. 열가소성 플라스틱에서의 개선된 용해도 때문에, 부피가 큰 측기를 갖는 프탈로시아닌 및 나프탈로시아닌이 바람직하다.
적합한 무기 IR 흡수제는, 예를 들어 WO-A 2006/042714에 기재된 바와 같이, 예를 들어 금속의 혼합 산화물 예컨대 인-함유 주석-구리 혼합 산화물, 예를 들어 보라이드 및/또는 텅스테이트 및 그의 혼합물의 군으로부터의 것, 바람직하게는 보라이드 및/또는 텅스테이트 및 그의 혼합물의 군으로부터의 적어도 1종 이상의 IR 흡수제, 보다 바람직하게는 텅스테이트의 군으로부터의 적어도 1종 이상의 IR 흡수제이다.
보라이드의 군으로부터의 적합한 무기 IR 흡수제는 예를 들어 유형 MxBy (M= La, Ce, Pr, Nd, Tb, Dy, Ho, Y, Sm, Eu, Er, Tm, Yb, Lu, Sr, Ti, Zr, Hf, V, Ta, Cr, Mo, W 및 Ca; 및 x 및 y는 1 내지 6의 정수임)의 화합물, 예컨대 란타넘 헥사보라이드 (LaB6), 프라세오디뮴 보라이드 (PrB6), 네오디뮴 보라이드 (NdB6), 세륨 보라이드 (CeB6), 테르븀 보라이드 (TbB6), 디스프로슘 보라이드 (DyB6), 홀뮴 보라이드 (HoB6), 이트륨 보라이드 (YB6), 사마륨 보라이드 (SmB6), 유로퓸 보라이드 (EuB6), 에르븀 보라이드 (ErB6), 툴륨 보라이드 (TmB6), 이테르븀 보라이드 (YbB6), 루테튬 보라이드 (LuB6), 스트론튬 보라이드 (SrB6), 칼슘 보라이드 (CaB6), 티타늄 보라이드 (TiB2), 지르코늄 보라이드 (ZrB2), 하프늄 보라이드 (HfB2), 바나듐 보라이드 (VB2), 탄탈럼 보라이드 (TaB2), 크로뮴 보라이드 (CrB 및 CrB2), 몰리브데넘 보라이드 (MoB2, Mo2B5 및 MoB), 텅스텐 보라이드 (W2B5) 또는 그의 조합을 포함한다.
텅스테이트의 군으로부터의 적합한 무기 IR 흡수제는 또한 예를 들어 유형 WyOz (W = 텅스텐, O = 산소; z/y = 2.20 - 2.99) 및/또는 MxWyOz (M = H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류의 군으로부터의 금속, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi; x/y = 0.001-1.000; z/y = 2.2-3.0)의 텅스텐 화합물의 군으로부터의 것들을 포함하고, 여기서 M으로서 바람직한 원소는 H, Cs, Rb, K, Tl, In, Ba, Li, Ca, Sr, Fe 및 Sn이고, 이들 중 매우 특히 바람직한 것은 Cs이다. Ba0.33WO3, Tl0.33WO3, K0.33WO3, Rb0.33WO3, Cs0.33WO3, Na0.33WO3, Na0.75WO3 및 그의 혼합물이 특히 바람직하다. 본 발명의 특정 실시양태에서, 무기 IR 흡수제로서 Cs0.33WO3의 단독 사용이 매우 특히 바람직하다. 마찬가지로, 0.20 및 0.25의 Cs/W 비가 바람직하다.
무기 IR 흡수제 중에서, 본 발명의 방법이 DIN EN ISO/IEC 17025에 따른 UV-VIS-NIR-MIR 방법에 의해 결정된, 선택된 방사선에 대한 ≥ 10% 내지 ≤ 99%, 바람직하게는 ≥ 30% 내지 ≤ 95%, 보다 바람직하게는 ≥ 40% 내지 ≤ 93%의 방사선 투과율을 갖는 층 구조물 상에서 수행되어야 하는 경우에, 텅스테이트는 그의 낮은 고유 착색 때문에 보라이드에 비해 바람직하다.
이러한 텅스테이트는, 예를 들어 삼산화텅스텐, 이산화텅스텐, 산화텅스텐의 수화물, 육염화텅스텐, 텅스텐산암모늄 또는 텅스텐산 및 임의로 원소 M을 함유하는 추가의 염, 예를 들어 탄산세슘을, 개별 성분의 몰비가 화학식 MxWyOz에 의해 주어지도록 하는 특정한 화학량론적 비로 혼합함으로써 제조된다. 이 혼합물은 후속적으로 환원 분위기, 예를 들어 아르곤-수소 분위기에서 100℃ 내지 850℃의 온도에서 처리되고, 최종적으로 수득된 분말은 불활성 기체 분위기에서 550℃ 내지 1200℃의 온도에서 열 처리된다. 본 발명의 무기 IR 흡수제 나노입자는 IR 흡수제를 하기 기재된 분산제 및 추가의 유기 용매, 예를 들어 톨루엔, 벤젠 또는 유사한 방향족 탄화수소와 혼합하고, 적합한 밀, 예를 들어 볼 밀에서 분쇄하고, 산화지르코늄 (예를 들어 0.3 mm의 직경을 가짐)을 첨가하여 목적하는 입자 크기 분포를 생성함으로써 제조될 수 있다. 나노입자는 분산액의 형태로 수득된다. 분쇄 후, 임의로 추가의 분산제를 첨가할 수 있다. 용매는 승온 및 감압에서 제거된다. 평균 크기가 200 nm 미만, 보다 바람직하게는 100 nm 미만인 나노입자가 바람직하다. 입자의 크기는 투과 전자 현미경 (TEM)에 의해 결정될 수 있다. IR 흡수제 나노입자에 대한 이러한 종류의 측정은 예를 들어 문헌 [Adachi et al., J. Am. Ceram. Soc. 2008, 91, 2897-2902]에 기재되어 있다.
텅스테이트의 제조는, 예를 들어 EP-A 1 801 815에 보다 구체적으로 기재되어 있고, 이들은, 예를 들어 스미토모 메탈 마이닝 코., 엘티디.(Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.) (일본)로부터 명칭 YMDS 874 하에 상업적으로 입수가능하다.
예를 들어, DIN EN ISO/IEC 17025에 따른 UV-VIS-NIR-MIR 방법에 의해 결정된, 선택된 방사선에 대한 ≥ 10% 내지 ≤ 99%, 바람직하게는 ≥ 30% 내지 ≤ 95%, 보다 바람직하게는 ≥ 40% 내지 ≤ 93%의 방사선 투과율을 갖는 투명 열가소성 물질을 포함하는 적어도 1개의 층 (A)를 갖는 층 구조물에서의 사용을 위해, 이와 같이 수득된 입자를 유기 매트릭스, 예를 들어 아크릴레이트 중에 분산시키고, 임의로 상기 기재된 바와 같이 적합한 보조제, 예를 들어 이산화지르코늄을 사용하고, 임의로 유기 용매, 예를 들어 톨루엔, 벤젠 또는 유사한 탄화수소를 사용하여 밀에서 분쇄한다.
적합한 중합체-기재 분산제는 특히 높은 투과율을 갖는 분산제, 예를 들어 폴리아크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리에테르, 폴리에스테르 또는 폴리에스테르우레탄 및 그로부터 유도된 중합체이다.
바람직한 분산제는 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 및 폴리에스테르-기재 중합체이고, 높은 열 안정성을 갖는 특히 바람직한 분산제는 폴리아크릴레이트, 예를 들어 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리에스테르이다. 이들 중합체의 혼합물 또는 아크릴레이트를 기재로 하는 공중합체를 사용하는 것이 또한 가능하다. 이러한 종류의 분산 보조제 및 텅스테이트 분산액의 제조 방법은, 예를 들어 JP 2008214596 및 문헌 [Adachi et al. J. Am. Ceram. Soc. 2007, 90 4059-4061]에 기재되어 있다. 적합한 분산제는 상업적으로 입수가능하다.
특히 폴리아크릴레이트-기재 분산제가 적합하다. 이러한 적합한 분산제는, 예를 들어 시바 스페셜티 케미컬즈(Ciba Specialty Chemicals)로부터 상표명 EFKATM, 예를 들어 EFKATM 4500 및 EFKATM 4530 하에 입수가능하다. 폴리에스테르-함유 분산제가 마찬가지로 적합하다. 이들은, 예를 들어, 상표명 솔스퍼스(Solsperse)TM, 예를 들어 솔스퍼스TM 22000, 24000SC, 26000, 27000 하에 아베시아(Avecia)로부터 입수가능하다. 폴리에테르-함유 분산제는 또한, 예를 들어 쿠스모토 케미컬즈(Kusumoto Chemicals)로부터 상표명 디스팔론(Disparlon)TM DA234 및 DA325 하에 공지되어 있다. 폴리우레탄-기재 시스템이 또한 적합하다. 폴리우레탄-기재 시스템은 상표명 EFKATM 4046, EFKATM 4047 하에 시바 스페셜티 케미컬즈로부터 입수가능하다. 텍사포르TM P60 및 P63은 코그니스(Cognis)로부터의 상응하는 상표명이다.
첨가제는 바람직하게는 적어도 1종 이상의 유기 및/또는 무기 IR 흡수제를 포함한다.
분산제 중 IR 흡수제의 양은 본 발명에 따라 사용되는 무기 IR 흡수제의 분산액을 기준으로 0.2 중량% 내지 50.0 중량%, 바람직하게는 1.0 중량% 내지 40.0 중량%, 보다 바람직하게는 5.0 중량% 내지 35.0 중량%, 가장 바람직하게는 10.0 중량% 내지 30.0 중량%일 수 있다. 즉시 사용가능한 IR 흡수제 제제의 전체 조성물은 순수한 IR 흡수제 물질 및 분산제 뿐만 아니라 추가 보조제, 예를 들어 이산화지르코늄, 및 잔류 용매, 예를 들어 톨루엔, 벤젠 또는 유사한 방향족 탄화수소를 포함할 수 있다.
층 구조물의 중합체 조성물에서 무기 IR 흡수제, 보다 바람직하게는 텅스테이트의 군으로부터의 것의 양에 대한 어떠한 제한도 없다. 그러나, 무기 IR 흡수제, 특히 텅스테이트는 전형적으로, 총 중합체 조성물 중 무기 IR 흡수제의 고형물 분획으로서 계산된, ≥ 0.7 중량% 내지 ≤ 4.5 중량%, 바람직하게는 ≥ 0.6 중량% 내지 ≤ 2 중량%, 보다 바람직하게는 ≥ 0.7 중량% 내지 ≤ 1.5 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
본 발명의 문맥에서, 용어 "무기 IR 흡수제의 고형물 분획", 특히 텅스테이트는 순수한 물질로서의 무기 IR 흡수제, 특히 텅스테이트를 의미하고, 순수한 물질을 함유하는 분산액, 현탁액 또는 다른 배합물로서 의미하지는 않고, 여기서 하기에 보고된 IR 첨가제의 함량, 특히 텅스테이트 함량은 명백하게 달리 언급되지 않는 한 항상 이러한 고형물 분획에 관한 것이다.
바람직하게는, IR 흡수제로서의 텅스테이트에 추가로 추가의 IR 흡수제가 임의로 사용될 수 있고, 여기서 이러한 혼합물 중 그의 양의 관점에서의 비율은 항상 상기 기재된 텅스테이트의 양 미만이다. 혼합물의 경우, 2 내지 5 (포함)를 함유하는 조성물이 바람직하고, 2 또는 3종의 상이한 IR 흡수제가 특히 바람직하다. 추가의 IR 흡수제는 바람직하게는 보라이드 및 산화주석, 보다 바람직하게는 LaB6 또는 안티모니-도핑된 산화주석 또는 산화인듐주석의 군으로부터 선택된다.
대안적으로, 층 구조물은 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 코팅 조성물 형태의 첨가제로 코팅될 수 있다. 이들 코팅 조성물은 바람직하게는 ≥ 0.70 μm 내지 ≤ 1000 μm, 바람직하게는 ≥ 1.0 μm 내지 ≤ 50 μm, 보다 바람직하게는 ≥ 1.0 μm 내지 ≤ 2.5 μm의 파장 범위에서 흡수하는 IR 흡수제를 포함한다. 이들 코팅 조성물은, 예를 들어 LD920, LD930 또는 LD940 명칭 하에 클리어웰드(Clearweld)TM로서 상업적으로 입수가능하다.
사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 적어도 1종의 첨가제가 층 구조물에 존재할 수 있다.
본 발명은,
i) 적어도
i)1. 제1 표면 a1) 및 제2 표면 a2)를 가지며, 여기서 상기 표면은 본질적으로 서로 평행하게 이어지는 것인 제1 투명 방사선-조각가능 층 (A);
i)2. 임의로, 제1 층 (A)의 방향으로 향하는 제1 표면 b1) 및 반대 방향으로 그에 따라 제1 층 (A)로부터 멀어지게 향하는 추가 표면 b2)를 갖는 추가의 투명 방사선-조각가능 층 (B)
를 갖는 바람직하게는 비착색된 층 구조물을 제공하는 단계,
ii) 제1 투명 방사선-조각가능 층 (A)의 제1 표면 a1)의 적어도 일부를 착색제와, 바람직하게는 착색제를 함유하는 착색조 (F)와 접촉시키는 단계;
iii) ii)로부터의 층 구조물에 착색조 (F)로부터 멀리 떨어진 면으로부터 표면 a2) 또는 임의로 또한 b2)를 통해 집속된 비이온화 전자기 방사선을 조사하는 단계
를 포함하는, 착색된 층 구조물의 제조 방법을 추가로 제공한다.
층 구조물은 바람직하게는 단계 iii)에서 비이온화 전자기 방사선과 접촉하는 2개의 외부 면을 갖는다. 외부 면 중 1개는 바람직하게는 제1 표면 a1)에 의해 형성된다. 추가 외부 면은 바람직하게는 제2 표면 a2)에 의해 또는, 존재하는 경우, 추가 표면 b2)에 의해 형성된다. 단계 iv)에서, 층 구조물은 외부 면 중 1개 상에 추가 층 또는 코팅에 의해 오버레이될 수 있다.
본 발명의 층 구조물와 관련하여 이미 전술한 바와 같이, 제1 층 (A)의 제1 표면 a1) 상에 집속된 비이온화 방사선의 입사는 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부로 이어진다. 집속된 비이온화 방사선이 제1 층 (A)의 제2 표면 a2)에 의해 또는 추가 층 (B)의 추가 표면 b2)에 의해 형성된 외부 면 상에 입사될 때, 그 결과는 외부 면, 즉 층 구조물의 표면 a2) 또는 b2)에서의 불투명 구조적 변경부의 형태인 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부의 이미지이다.
착색조 (B)는 적어도 1종의 착색제, 바람직하게는 적어도 1종의 염료, 보다 바람직하게는 색 지수 분류에 따른 용매 염료 및/또는 분산 염료의 군으로부터의 적어도 1종의 염료 또는 이들 염료의 혼합물을 포함할 수 있다.
염료 및 채색자 학회 및 미국 직물 화학자 및 채색자 협회 (American Association of Textile Chemists and Colorists)의 색 지수 (CI)는 화학적 조성/화학적 구조에 대한 군 명칭 및 수를 통해 모든 착색제를 명확히 특징화한다.
색 지수 분류에 따른 용매 염료의 군으로부터의 염료는, 예를 들어, 독일 소재의 란세스 아게(Lanxess AG)로부터의 마크롤렉스(Macrolex)TM 염료라 불리는 것일 수 있다. 예는 마크롤렉스TM 블루 3R, 마크롤렉스TM 레드 H, 마크롤렉스TM 옐로우 6G (CI에 따른 솔벤트 옐로우(Solvent Yellow) 179), 마크롤렉스TM 바이올렛 레드 R (CI에 따른 디스퍼스 바이올렛(Disperse Violet) 31), 마크롤렉스TM 오렌지 R (CI에 따른 솔벤트 오렌지(Solvent Orange) 107) 또는 이들 염료의 혼합물을 포함한다.
색 지수 분류에 따른 분산 염료의 군으로부터의 염료는 예를 들어 디아조, 디페닐아민 및 안트라퀴논 화합물, 아세테이트 염료, 분산 염료 및/또는 디스퍼졸 염료일 수 있고, 디스퍼스 블루 #3, 디스퍼스 블루 #14, 디스퍼스 옐로우 #3, 디스퍼스 레드 #134 및 디스퍼스 레드 #7을 포함한다. 상기 언급된 염료의 분류 및 설명은 문헌 ["The Colour Index", 3rd edition, joint publication of the Society of Dyes and Colors and the American Association of Textile Chemists and Colorists (1971)]에 따른다. 매우 일반적으로, 염료는 목적하는 색에 따라 단일 염료 구성성분으로서 또는 혼합물의 성분으로서 사용될 수 있다. 따라서, 여기서 사용된 용어 "염료"는 또한 염료 혼합물을 포함한다.
적합한 염료는 수불용성 디아조-디페닐아민 및 안트라퀴논 화합물을 포함한다. 특히 적합한 것은 문헌 [Colour Index, 3rd edition, volume 2, The Society of Dyers and Colourists, 1971, p. 2479 and 2187-2743]에 개시된 아세테이트 염료, 분산 아세테이트 염료, 분산 염료 및 디스퍼졸 염료이다.
바람직한 분산 염료는 디스타(Dystar)의 팔라닐 블루 E-R150 (안트라퀴논/디스퍼스 블루), 디아닉스 오렌지(DIANIX Orange) E-3RN (아조 염료/Cl 디스퍼스-오렌지 25) 및 용매 염료로서 상기 언급된 마크롤렉스TM 염료를 포함한다.
착색조는 바람직하게는:
a) 용매 및/또는 분산제, 바람직하게는 물 및/또는 유기 용매, 보다 바람직하게는 물
b) 착색제, 바람직하게는 염료, 보다 바람직하게는 색 지수 분류에 따른 용매 염료 및/또는 분산 염료로부터의 염료
c) 이소프로판올
을 포함한다.
유리한 착색조는 > 80℃의 온도에서 폴리카르보네이트 층 구조물의 동시 착색에 적합한 것으로 밝혀졌다. 이들은 예를 들어 WO-A 03/040461, EP-A 2050866, WO-A 03/083207에 기재되어 있다. 본 발명의 방법의 조건 하에서, 층 구조물의 본질적으로 부분적인 착색이 조사된 영역에서 일어나서, 이들 부위에서 집중적인 조각부가 정밀하게 보이게 된다.
따라서, 더욱 바람직하게는, 착색조는 이미 언급된 성분 a) 및 b) 이외에 성분 c)를 포함한다.
성분 a) 내지 c)는 착색조의 총 중량을 기준으로 하기 양:
a) 10 중량% 내지 90 중량%, 바람직하게는 15 중량% 내지 85 중량%, 보다 바람직하게는 35 중량% 내지 50 중량%,
b) 0.01 중량% 내지 50 중량%, 바람직하게는 0.1 중량% 내지 20 중량%, 보다 바람직하게는 0.2 중량% 내지 15 중량%,
c) 5 중량% 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 중량% 내지 80 중량%, 보다 바람직하게는 15 중량% 내지 60 중량%
으로 존재할 수 있다.
착색조는 바람직하게는 색 지수 분류에 따른 분산 염료의 군으로부터 선택된 염료 및/또는 염료 혼합물, 매우 특히 아조, 디페닐아민 및 안트라퀴논 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 염료를 포함한다.
착색조는 바람직하게는 색 지수 분류에 따른 용매 염료의 군으로부터 선택된 염료 및/또는 염료 혼합물, 가장 바람직하게는 마크롤렉스TM 염료의 염료 및/또는 염료 혼합물을 포함한다.
사용되는 용매 및/또는 분산제 a)는 물 및/또는 유기 용매일 수 있다. 물을 사용하는 것이 바람직하다.
유용한 유기 용매는 접촉시 층 구조물을 공격하지 않는, 특히 이를 화학적 방식으로 공격하지 않는, 즉 보다 특히 그의 광학 특성에 영향을 미치지 않는 모든 표준 용매를 포함한다. 예는 부틸 알콜, 부틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 에틸 알콜, 에틸렌 글리콜, 헵탄, 헥산, 펜탄, 프로파르길 알콜, 프로필 알콜 또는 상기 언급된 용매의 혼합물을 포함한다.
본 발명의 방법에서 물 및 c)를 사용하는 것이 바람직하다.
단계 iii)에서 층 구조물의 조사는 집속된 비이온화 전자기 방사선으로 수행되고, 여기서 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위는, DIN EN ISO/IEC 17025에 따른 UV-VIS-NIR-MIR 방법에 의해 결정된, 선택된 방사선에 대해, 착색조가 ≥ 2% 내지 ≤ 99%, 바람직하게는 ≥ 30% 내지 ≤ 95%, 보다 바람직하게는 ≥ 40% 내지 ≤ 93%의 방사선 투과율을 갖도록 선택된다.
단계 iii)에서의 조사는 바람직하게는 ≥ 0.1 μm 내지 ≤ 1000 μm, 바람직하게는 ≥ 1.0 μm 내지 ≤ 50 μm, 보다 바람직하게는 ≥ 1.0 μm 내지 ≤ 2.5 μm 범위의 파장을 갖는 레이저 방사선으로 수행된다.
조사가 레이저에 의해 수행되는 경우, 이는 연속파 동작 (CW 레이저)으로, 특히 픽셀 파일 또는 회색 음영 파일의 조각부를 위해 수행될 수 있다. 층 구조물의 조사를 위해 또는 벡터 이미지, 또는 하프-톤 이미지를 위해 펄스 레이저 방사선을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 0.5 kHz 내지 1000 kHz의 펄스 주파수가 바람직하게 사용되고; 5 kHz 내지 100 kHz의 펄스 주파수를 사용하는 것이 바람직하고, 15 kHz 내지 50 kHz의 펄스 주파수를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
단계 iii)에서 조사에 사용되는 레이저 빔의 출력을 변화시킴으로써, 목적하는 적용에 대한 요구에 따라 레이저처리 부위에서의 착색 강도에 영향을 미칠 수 있다. 사용된 레이저 출력이 높을수록, 층 구조물의 레이저처리 부위에서의 착색이 보다 강해진다.
단계 iii)에서 조사에 사용되는 레이저 빔의 주파수를 변화시킴으로써, 층 (A)의 면 a1), 즉 착색조로부터 멀리 떨어진 층 구조물의 면의 촉각 조각부를 회색 음영으로 매칭시킬 수 있다. 저주파수의 경우, 펄스 지속기간은 유기 물질의 경우 면 a1)의 부분적 탄화를 가능하게 하기에 충분히 길다. 이는 조각부가 어두운 색으로 나타나게 한다. 이것은 60 와트의 공칭 출력을 갖는 레이저로, 30 kHz 미만의 주파수에서 달성된다. 30 kHz 이상의 주파수의 경우, 펄스 지속기간은 특히 짧다. 따라서, 물질의 구조적 변경부가 보이게 되고 인지가능해지지만, 유기 물질의 경우에서의 탄화는, 있다 하더라도, 제한된 정도로만 달성된다. 따라서, 구조적 변경부는 무색 또는 백색 조각부로서 나타난다.
방법에서 NdYAG 레이저 (네오디뮴-도핑된 이트륨 알루미늄 가넷 레이저)를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 층 구조물의 착색 레이저 조각부에 대해, 층 구조물와 같은 플라스틱 부품의 조각부 및 용접에 적합한 레이저 유형을 사용하는 것도 가능하다. 예를 들어, CO2 레이저를 사용하는 것도 가능하다.
착색조의 색 농도는 또한 조사 후에, 본 발명의 층 구조물와 같은 플라스틱 부품의 부분 착색의 강도에 영향을 줄 수 있다. 착색조의 총 중량을 기준으로 하여, 0.01 중량% 내지 50 중량%, 보다 바람직하게는 0.1 중량% 내지 30 중량%, 가장 바람직하게는 0.2 중량% 내지 20 중량%의 착색제, 바람직하게는 염료 b)의 농도가 바람직하다.
방법의 바람직한 실시양태에서, 단계 iii)에서의 층 구조물은 바람직하게는 추가 층 (B)를 통해 제1 층 (A) 상에 조사된다.
방법의 바람직한 실시양태에서, 적어도 층 (A), 바람직하게는 또한 층 (B)는 에틸렌계 불포화 단량체의 중합체, 이관능성 반응성 화합물의 중축합물 및 이관능성 반응성 화합물의 중부가 생성물 또는 이들 중 적어도 2종의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 물질을 포함한다.
반복을 피하기 위해, 본 발명의 층 구조물와 관련하여 바람직한 실시양태, 물질, 조성물 및 첨가제와 관련하여 열가소성 물질에 관한 상기 상세사항을 하기에서 참조한다.
방법의 바람직한 실시양태에서, 층 (A), 및 임의로 또한 층 (B)는, 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 적어도 1종의 첨가제를 포함하거나, 또는 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)는, 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 코팅 조성물 형태의 적어도 1종의 첨가제로 코팅된다. 바람직한 첨가제 및 그의 바람직한 양은 이미 상기에 언급되어 있다.
방법의 바람직한 실시양태에서, 첨가제는 적어도 1종 이상의 유기 및/또는 무기 IR 흡수제를 포함한다.
방법의 바람직한 실시양태에서, 착색제 또는 착색조 (F)는 색 지수 분류에 따른 용매 염료 및/또는 분산 염료의 군으로부터의 적어도 1종의 염료 또는 이들 염료의 혼합물을 포함한다.
방법의 바람직한 실시양태에서, 착색조 (F)는:
a) 용매 및/또는 분산제, 바람직하게는 물 및/또는 유기 용매,
b) 적어도 1종의 착색제, 바람직하게는 적어도 1종의 염료, 보다 바람직하게는 색 지수 분류에 따른 용매 염료 및/또는 분산 염료로부터의 적어도 1종의 염료 또는 상기 언급된 염료의 혼합물
을 포함한다.
층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)는, 바람직하게는 적어도 1종의 열가소성 물질 및/또는 적어도 1종의 흑색 안료, 바람직하게는 카본 블랙을 포함한다.
층 구조물의 제1 표면 a1)은 바람직하게는 착색조의 부재 하에 집속된 비이온화 전자기 방사선 (E)로 단계 ii) 전에 표면 a2)를 통해 조사된다.
층 구조물은 바람직하게는 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 적어도 1종의 첨가제, 바람직하게는 무기 IR 흡수제, 보다 바람직하게는 텅스테이트의 군으로부터의 무기 IR 흡수제를 포함하는 적어도 1개의 열가소성 물질의 층을 포함할 수 있고, 여기서 상기 적어도 1개의 열가소성 물질의 층은 DIN EN ISO/IEC 17025에 따른 UV-VIS-NIR-MIR 방법에 의해 결정된, 선택된 방사선에 대한 ≥ 10% 내지 ≤ 99%, 바람직하게는 ≥ 30% 내지 ≤ 95%, 보다 바람직하게는 ≥ 40% 내지 ≤ 93%의 방사선 투과율을 갖는다. 이 층은 바람직하게는 궁극적으로 또한 컬러 레이저 조각된 층 구조물의 외부 층을 형성한다.
층 구조물은 바람직하게는 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 적어도 1종의 첨가제, 바람직하게는 무기 IR 흡수제, 보다 바람직하게는 텅스테이트의 군으로부터의 무기 IR 흡수제를 함유하는 적어도 1개의 열가소성 물질의 외부 층을 포함하고, 여기서 상기 적어도 1개의 열가소성 물질의 층은 DIN EN ISO/IEC 17025에 따른 UV-VIS-NIR-MIR 방법에 의해 결정된, 선택된 방사선에 대한 ≥ 10% 내지 ≤ 99%, 바람직하게는 ≥ 30% 내지 ≤ 95%, 보다 바람직하게는 ≥ 40% 내지 ≤ 93%의 방사선 투과율을 갖고, 또한 적어도 1종의 열가소성 물질 및 적어도 1종의 레이저-감응성 첨가제, 바람직하게는 흑색 안료, 보다 바람직하게는 카본 블랙을 함유하는 추가 층을 포함한다.
본 실시양태는, 예를 들어, 본 발명의 착색 레이저 조각부와 흑색 레이저 조각부의 조합을 가능하게 한다. 이러한 목적을 위해, 단계 i) 전에 및/또는 단계 iii) 후에 층 구조물, 특히 층 (A)에 단계 iii)에서와 같이 착색조 (B)의 부재 하에 E)를 사용해 조사할 수 있다. 동일한 방사선 (C)가 이상적으로 이러한 추가의 조사에 사용될 수 있다. 착색조 (F)의 부재 하에 (C)를 사용한 조사는, 바람직하게는 그 아래의 층 구조물의 투명 층에서, 목적하는 부위의 표면에 흑색 조각부를 적용하는 것을 가능하게 한다. 착색조 외부에서의 레이저 조각부의 경우, 이들 층 구조물의 높은 레이저 반응성은 레이저-조사된 부위에서의 흑화를 유도한다. 층 구조물이 착색조 내에 있는 경우, 레이저 빔의 강도는 착색이 조사된 부위에서만 달성되지만 층 구조물의 표면의 흑화는 유발되지 않는 방식으로 착색조에 의해 약화된다.
착색조 외부에 흑색 또는 백색 레이저 조각부를 생성하기 위해, 절차는 바람직하게는 하기와 같다: 사용되는 레이저 빔의 주파수를 변화시킴으로써, 회색 음영으로 층 구조물의 촉각 조각부를 조정할 수 있다. 저주파수의 경우, 펄스 지속기간은 유기 물질의 경우 층에서 탄화를 가능하게 하기에 충분히 길다. 이는 조각부가 어두운 색으로 나타나게 한다. 이것은 60 와트의 공칭 출력을 갖는 레이저로, 30 kHz 미만의 주파수에서 달성된다. 30 kHz 이상의 주파수의 경우, 펄스 지속기간은 특히 짧다. 이는 물질의 구조적 변경부를 보이게 하고 인지가능하게 하고, 유기 물질의 경우에, 만약 있다면, 제한된 탄화만이 존재한다. 이는 조각부가 무색 또는 백색 외관을 갖는다는 것을 의미한다.
본 발명은 또한 본 발명의 층 구조물 또는 본 발명의 방법에 의해 수득가능한 층 구조물을 포함하는 보안 문서에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 방법에 의해 개인화되거나 착색 조각된 보안 문서, 예컨대 ID 카드, 여권 및 운전 면허증, 및 다른 개인화된 보안 문서는 적용된 개인화되거나 컬러 조각된 정보의 높은 위조 방지를 특징으로 한다. 본 발명의 방법은 흑백 조각부와 조합하는 것을 포함하여, 색이 분산되고 위조 방지되는 방식으로 블랭크 문서를 개인화하는데 사용될 수 있다. 추가로, 촉각 레이저 조각부를 컬러로 그리고 대안적으로 현재까지는 흑색으로만 가능한 흑백 조각부와 조합하여 생성하는 것이 가능하다.
실시예
필름 1: 코베스트로 도이칠란트 아게(Covestro Deutschland AG)로부터의, 600 μm의 두께의 폴리카르보네이트로 구성된 마크로폴(Makrofol)TM ID 6-2 00000 투명 (본 발명의 층 구조물의 층 (C)에 상응함).
필름 2: 100 μm 두께의 IR 흡수제 함유 투명 폴리카르보네이트 필름 (본 발명의 층 구조물의 층 (A) 또는 (B)에 상응함)을 하기와 같이 제조하였다:
마스터배치: 고농축 IR 마스터배치의 배합
필름 2의 제조를 위한 마스터배치는 250℃ 내지 330℃의 폴리카르보네이트에 대해 통상적인 가공 온도에서 통상의 이축-스크류 배합 압출기 (ZSK 32)로 제조되었다.
하기 조성:
· 코베스트로 도이칠란트 아게로부터의 마크롤론TM 3108 폴리카르보네이트 94.69 중량%
· 스미토모(Sumitomo)로부터의 YMDS 874 IR 흡수제 0.75 중량%
· 코베스트로 도이칠란트 아게로부터의 마크롤론TM 3108 분말 4.5 중량%
· 평균 입자 크기가 95 nm인 램프 블랙 101 (에보닉-데구사 게엠베하(Evonik-Degussa GmbH)로부터의 카본 블랙) 0.006 중량% (60 ppm)
를 갖는 마스터배치를 배합하고 후속적으로 펠릿화하였다.
압출 필름 2의 제조
압출 필름의 제조에 사용되는 장치는:
· 직경 (D) 60 mm 및 길이 33 D의 스크류를 갖는, 적어도 1종의 폴리카르보네이트를 함유하는 층의 압출을 위한 압출기. (스크류는 탈휘발화 대역을 가짐);
· 용융 펌프;
· 크로스헤드;
· 폭 450 mm의 슬롯 다이;
· 수평 롤 배열을 갖는 3-롤러 평활화 캘린더 (여기서 제3 롤은 수평에 대해 +/- 45°만큼 피벗가능함);
· 롤 컨베이어;
· 두께 측정 수단
· 보호 필름의 양면 적용을 위한 디바이스;
· 테이크-오프(take-off) 디바이스;
· 감기 스테이션
을 포함한다.
마스터배치의 펠릿을 건조기로부터 압출기의 충전 호퍼로 운반하였다. 물질을 용융시키고 압출기의 배럴/스크류 가소화 시스템에서 운반하였다. 용융물을 슬롯 다이로부터 평활 캘린더로 통과시켰다. 필름의 최종 성형 및 냉각을 평활 캘린더 (3개의 롤로 이루어짐) 상에서 수행하였다. 텍스쳐링된 강철 롤 (번호 6 면) 및 텍스쳐링된 실리콘 고무 롤 (번호 2 면)을 사용하여 표면을 엠보싱하였다. 필름 표면을 텍스처링하는 데 이용되는 고무 롤은 나우타 롤 코포레이션(Nauta Roll Corporation)의 US-4 368 240에 개시되어 있다. 이어서, 필름을 테이크-오프를 통해 수송한 다음, 필름을 권취하였다.
필름 1 및 2를 적층하여 적층물 A를 제공하는 단계:
버클(Buerckle) 50/100 적층 프레스 상에서 적층을 수행하였다.
적층물의 하기 층 구조물이 생성되었다:
필름 2, 100 μm
필름 1, 600 μm
필름 2, 100 μm
상기 층 구조물을 하기 프레스 설정으로 적층하였다:
프레스를 170-180℃로 예열
15 N/cm2의 압력에서 8분 동안 프레싱
100 N/cm2의 압력에서 2분 동안 프레싱
프레스를 38℃로 냉각하고 프레스를 개방.
고광택 적층 시트를 적층물을 위해 사용하였고; 따라서 적층물은 각각의 면 상에 고광택 표면을 제공받았고, 따라서 유리-투명 외관을 가졌다.
착색조의 조성
5 중량%의 물
15 중량%의 마크롤렉스TM 블루 3R (도이칠란트 란세스 아게로부터의 염료)
80 중량%의 이소프로판올
실시예 1:
4개의 스페이서를 상기 명시된 조성의 착색조 (F)에 넣었다. 상기 기재된 특성을 갖는 적층물 A 형태의 본 발명의 층 구조물을 스페이서 상에 놓았다. 적층물 A가 착색조 (F)에 의해 그의 하부 면으로부터만 적셔지도록 스페이서의 높이를 조정하였다.
포바(Foba) D84S NdYAG 1064 nm 레이저를 사용하여 적층물 A의 레이저 조사를 달성하였다. 이것은 약 7.5 와트의 레이저 전력, 펄스 동작에서 30 kHz의 레이저 주파수, 및 30 A의 전류로 동작되었다. 주행 속도는 60 mm/s로 설정하였다. 필름을 갖는 착색조 (F)를 포바 D84S 레이저 장치의 작업물 캐리어 상에 배치하였다. 레이저의 초점을 적층물 A의 필름 표면으로 조정하였다.
조사 후, 적층물 A를 착색조 (F)로부터 제거하고 물로 세정하였다. 적층물 A를 조사원과 대면하는 면에서 보았을 때, 하기와 같은 관찰이 이루어졌다: 어두운 배경과 대조하여 보았을 때, 레이저-조각된 요소는 백색으로 나타났고; 청색을 인지하는 것이 불가능하거나 거의 불가능하였고; 레이저 조각부는 백색으로 나타났다. 백색 배경과 대조하여 보았을 때, 청색을 명확하게 인지할 수 있었다.
적층물 A를 착색조 (F)를 향하는 면에서 보았을 때, 백색 또는 밝은 색의 배경 및 흑색 또는 어두운 색의 배경과 대조하여 둘 다 색을 명확하게 인지할 수 있었다.
이러한 효과에 대한 설명은 이미 구조적 변경부의 정의에서의 설명에서 주어졌다.
조사에서 레이저가 먼저 접촉하는 표면, 이 경우에 표면 a2)에서의 층 구조물의 헤이즈의 결정을 위해, ISO 13468-1과 동등한 표준 ASTM D1003:2013에 따라 탁도의 결정을 수행하였다. 이 목적을 위해, 표준 ASTM D1003:2013에 따라 헤이즈를 결정하기 위해 사용된 BYK-가드너 헤이즈 가드 플러스 기기를 사용하였다. 측정된 헤이즈는 87.2%의 값에 도달하였고, 여기서 0%는 유리-투명 층에 상응하는 제로 헤이즈를 나타낸다. 층 구조물은 레이저 광으로 조사되지 않은 부위에서 5%의 헤이즈를 가졌다. 동일한 표준을 사용하여, 레이저에 의한 조각부 전에 적층물 A를 통한 투과율은 81.1%인 것으로 밝혀진 반면, 조각된 부위에서 레이저에 의한 조각부의 도입 후의 투과율은 38.2%였다.
실시예 2
적색 착색조 및 황색 착색조를 사용하여 실시예 1을 반복하였다.
착색조의 조성은 염료를 제외하고는 실시예 1과 동일하였다. 사용된 적색 염료는: 마크롤렉스(Macrolex)® 레드 H였다.
사용된 황색 염료는 마크롤렉스® 옐로우 6G였다.
적층물을 어두운 배경과 대조하여 보았을 때, 레이저-조각된 요소는 백색으로 나타났다. 컬러를 인지하는 것이 불가능하였고; 레이저 조각부는 백색으로 보였다. 백색 배경과 대조하여 보았을 때, 적색 및 황색을 명확하게 인지할 수 있었다.
적층물을 착색조 (F)를 향하는 면에서 보았을 때, 백색 또는 밝은 색의 배경 및 흑색 또는 어두운 색의 배경과 대조하여 둘 다 색을 명확하게 인지할 수 있었다.
조사에서 레이저가 먼저 접촉하는 표면, 이 경우에 표면 a2)에서의 층 구조물의 헤이즈의 결정을 위해, ISO 13468-1과 동등한 표준 ASTM D1003:2013에 따라 탁도의 결정을 수행하였다. 이 목적을 위해, 표준 ASTM D1003:2013에 따라 헤이즈를 결정하기 위해 사용된 BYK-가드너 헤이즈 가드 플러스 기기를 사용하였다. 측정된 헤이즈는 87.2%의 값에 도달하였고, 여기서 0%는 유리-투명 층에 상응하는 제로 헤이즈를 나타낸다. 층 구조물은 레이저 광으로 조사되지 않은 부위에서 5%의 헤이즈를 가졌다.
도면의 간단한 설명
하기의 도면은, 이들 실시양태로 제한하지 않으면서, 구조적 변경부 및 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부가 레이저에 의해 층 구조물에 동시에 어떻게 도입되는지를 예로서 도시한다. 도면은 하기를 도시한다:
도 1a는 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부 및 불투명 구조적 변경부 둘 다가 서로에 대해 수직 이미지로서 레이저에 의해 도입되는 본 발명의 층 구조물의 측면도로서의 개략도이다.
도 1b는 층 구조물이 레이저에 대해 약 45°만큼 회전된 것 이외에는, 도 1에서와 같은 본 발명의 층 구조물의 개략도이다.
도 1c는 레이저가 층 구조물에 대해 약 45°회전된 것 이외에는, 도 1에서와 같은 본 발명의 층 구조물의 개략도이다.
도 2: 제조 방법의 개략도.
도 1a는 실시예 1 또는 2에 기재된 바와 같이 제조된 층 구조물(1) 상에 실시예에 대해 상기 기재된 조건 하에서 제1 표면 a1)(10) 상에 컬러(120)를 도입하고 추가 표면 a2)(20) 상에 불투명 구조적 변경부(110)를 도입하는 방법을 도시한다. 적층물 A 형태의 층 구조물(1)의 레이저 조사를 위해, 레이저 광(100)을 먼저 층 구조물(1)의 추가 표면 a2)(20) 상에 수직으로 향하게 하였다. 레이저 빔(100)이 층 구조물(1)의 추가 표면 a2)(20)에 부딪칠 때, 불투명 구조적 변경부(110)가 생성되었다. 그 다음, 레이저 빔(100)은 층 구조물(1)의 두께(D)를 통해 추가 표면 a2)(20)에 대해 수직으로 진행하였다. 레이저 빔이 제1 표면 a1)(10)에 부딪힐 때, 층 구조물(1)을 통과한 레이저 광(100)은 구조적 변경부(110)가 만들어지고 나면 착색 또는 흑색 조각부(120)를 생성하였다. 이러한 착색은 제1 표면(10)이 착색조(200)와 직접 접촉하였기 때문에 가능하였다.
도 1b는 레이저 빔(100)이 약 45°의 각도로 층 구조물(1)의 추가 표면(20)에 부딪치도록 층 구조물(1), 특히 층 구조물(1)의 추가 표면(20)이 레이저의 입사각에 대해 몇 도 회전된 것인, 도 1a에 도시된 것과 동일한 방법을 도시한다. 레이저 광(100)의 빔 경로는 마찬가지로 층 구조물의 두께(D)를 통하고, 레이저 빔은 도 1의 배열에서보다 다소 더 큰 거리를 커버한다. 그 결과, 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부(120)의 이미지를 구성하는 불투명 구조적 변경부(110)는 층 구조물(1)을 통한 법선에 대해 약간 이동된 배열이다.
도 1c는 레이저 빔(100)이 약 45°의 각도로 층 구조물(1)의 추가 표면 a2)(20)에 부딪치도록 레이저 및 따라서 레이저 광(100)이 층 구조물(1)의 추가 표면(20)에 대해 몇 도 회전된 것인, 도 1a에 도시된 것과 동일한 방법을 도시한다. 레이저 광(100)의 빔 경로는 마찬가지로 층 구조물의 두께(D)를 통하고, 레이저 빔은 도 1의 배열에서보다 다소 더 큰 거리를 커버한다. 결과적으로, 조각부(120)의 이미지를 구성하는 불투명 구조적 변경부(110)는 층 구조물(1)을 통한 법선에 대해 약간 이동된 배열이다.
도 2는 본 발명의 방법의 단계를 나타낸다. 단계 i)(300)에서, 비착색된 층 구조물(1)는 적층물 A의 형태로 제공되었다. 도 1a에 대해 전술한 바와 같이, 이는 포바 D84S 레이저 장치의 작업물 캐리어 상에서 이루어진다. 단계 ii)(400)의 경우, 착색조 (F)(200)는 제1 표면 a1)(10)만이 착색조 (F)(200)와 접촉하도록 층 구조물(1) 아래에 배치되었다. 제3 단계 iii)(500)에서, 층 구조물(1)은 먼저 레이저 빔(100)에 의해 층 구조물(1)의 추가 표면 a2)(20) 상에 조사되고, 레이저 광(100)에 의해 부딪힐 때 추가 표면 a2) 상에 불투명 구조적 변경부(110)가 생성된다. 그 후, 레이저 광은 제1 표면 a1)(10)에 부딪쳐서, 그 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부(120)를 생성한다.

Claims (15)

  1. 층 구조물로서,
    (A) 제1 표면 a1), 및 상기 표면 a1)에 본질적으로 평행하게 이어지는 제2 표면 a2)를 갖는 제1 투명 방사선-조각가능 층 (A)이며, 여기서 층 구조물의 제1 외부 면을 형성하는 제1 표면 a1) 상에 비이온화 전자기 방사선 (E)에 의해 생성된, 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부를 갖는 제1 층 (A);
    (B) 임의로, 상기 제1 층 (A)의 방향으로 향하는 제1 표면 b1) 및 상기 제1 층 (A)로부터 멀어지는 방향으로 향하고 표면 b1)에 본질적으로 평행하게 이어지는 추가 표면 b2)를 갖는 추가의 투명 방사선-조각가능 층 (B);
    (C) 임의로, 추가 층(C)의 배열이 층 (A)의 제1 표면 a1)의 면 상에, 추가 층 (B)의 추가 표면 b2)의 면 상에, 2개의 층 (A) 및 (B) 사이에, 또는 복수의 추가 층 (C)의 경우에 이들 중 적어도 2개의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택하여 선택된 것인, 적어도 1개의 추가 투명 중합체 층 (C)
    를 포함하며,
    여기서 상기 영역의 일부에 걸친 착색 또는 흑색 조각부의 이미지는, 층 구조물의 추가 외부 면을 형성하고 제1 표면 a1)의 반대쪽에 있는 층 구조물의 표면에 불투명 구조적 변경부의 형태로 존재하는 것인
    층 구조물.
  2. 제1항에 있어서, 제1 표면 a1)의 반대쪽에 있고 층 구조물의 추가 외부 면을 형성하는 층 구조물의 표면이, 조각부에서 시작하여 층 구조물을 통해 직각으로 이어지는 축에 대해 적어도 45° 내지 90°의 범위의 각도로 존재하는 변경된 구조부를 갖는 것인 층 구조물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 변경된 구조부가 흐리거나 유백색 외관을 갖고, 바람직하게는 20 내지 500 NTU 범위 내의 탁도, 보다 바람직하게는 50 내지 450 NTU 범위 내의 탁도를 갖는 것인 층 구조물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 변경된 구조부를 갖는 부위에서의 층 (B)가, 변경된 구조부를 갖지 않는 부위보다 적어도 0.001mm 더 두꺼운 층 두께를 갖는 것인 층 구조물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 층 (A), (B) 및 (C) 중 적어도 1개, 바람직하게는 모두가 하기 특성:
    I. 10 μm 내지 10,000 μm 범위 내의 층 두께;
    II. DIN EN ISO/IEC 17025에 따른 UV-VIS-NIR-MIR 방법에 의해 결정된, 선택된 방사선에 대한 ≥ 2% 내지 ≤ 99.95%, 바람직하게는 ≥ 4% 내지 ≤ 90%, 보다 바람직하게는 ≥ 5% 내지 ≤ 85%의 방사선 투과율
    중 1개, 바람직하게는 2개, 보다 바람직하게는 3개, 가장 바람직하게는 모두를 갖는 것인
    층 구조물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)가, 에틸렌계 불포화 단량체의 중합체, 이관능성 반응성 화합물의 중축합물 및 이관능성 반응성 화합물의 중부가 생성물 또는 이들 중 적어도 2종의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 물질을 포함하는 것인 층 구조물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)가, 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 적어도 1종의 첨가제를 포함하거나, 또는 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)가, 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 코팅 조성물 형태의 적어도 1종의 첨가제로 코팅된 것인 층 구조물.
  8. 착색된 층 구조물의 제조 방법으로서,
    i) 적어도
    i)1. 제1 표면 a1) 및 제2 표면 a2)를 가지며, 여기서 상기 표면은 본질적으로 서로 평행하게 이어지는 것인 제1 투명 방사선-조각가능 층 (A);
    i)2. 임의로, 제1 층 (A)의 방향으로 향하는 제1 표면 b1) 및 반대 방향으로 그에 따라 제1 층 (A)로부터 멀어지게 향하는 추가 표면 b2)를 갖는 추가의 투명 방사선-조각가능 층 (B);
    를 갖는 비착색된 층 구조물을 제공하는 단계,
    ii) 제1 투명 방사선-조각가능 층 (A)의 제1 표면 a1)의 적어도 일부를 착색제와, 바람직하게는 착색제를 함유하는 착색조 (F)와 접촉시키는 단계;
    iii) ii)로부터의 층 구조물에 착색조 (F)로부터 멀리 떨어진 면으로부터 표면 a2) 또는 임의로 또한 b2)를 통해 집속된 비이온화 전자기 방사선을 조사하는 단계
    를 포함하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 단계 iii)에서의 층 구조물이 바람직하게는 추가 층 (B)를 통해 제1 층 (A) 상에 조사되는 것인 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 적어도 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)가 에틸렌계 불포화 단량체의 중합체, 이관능성 반응성 화합물의 중축합물 및 이관능성 반응성 화합물의 중부가 생성물 또는 이들 중 적어도 2종의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 물질을 포함하는 것인 방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 층 (A), 및 임의로 또한 층 (B)가, 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 적어도 1종의 첨가제를 포함하거나, 또는 층 (A), 및 바람직하게는 또한 층 (B)가, 사용되는 집속된 비이온화 전자기 방사선의 파장 범위에서 흡수 최대치를 갖는 코팅 조성물 형태의 적어도 1종의 첨가제로 코팅되는 것인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 첨가제가 적어도 1종 이상의 유기 및/또는 무기 IR 흡수제를 포함하는 것인 방법.
  13. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 착색제 또는 착색조 (F)가 색 지수 분류에 따른 용매 염료 및/또는 분산 염료의 군으로부터의 적어도 1종의 염료 또는 이들 염료의 혼합물을 포함하는 것인 방법.
  14. 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 착색조 (F)가:
    a) 용매 및/또는 분산제, 바람직하게는 물 및/또는 유기 용매,
    b) 적어도 1종의 착색제, 바람직하게는 적어도 1종의 염료, 보다 바람직하게는 색 지수 분류에 따른 용매 염료 및/또는 분산 염료로부터의 적어도 1종의 염료 또는 상기 언급된 염료의 혼합물
    를 포함하는 것인 방법.
  15. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 층 구조물을 포함하거나 제8항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 수득가능한 보안 문서.
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