KR20220098136A - 광전자 부품 및 광전자 부품의 접촉 방법 - Google Patents
광전자 부품 및 광전자 부품의 접촉 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220098136A KR20220098136A KR1020227014690A KR20227014690A KR20220098136A KR 20220098136 A KR20220098136 A KR 20220098136A KR 1020227014690 A KR1020227014690 A KR 1020227014690A KR 20227014690 A KR20227014690 A KR 20227014690A KR 20220098136 A KR20220098136 A KR 20220098136A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrically conductive
- conductive particles
- optoelectronic component
- planarization layer
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims description 20
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 245
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 13
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007647 flexography Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004904 UV filter Substances 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical group 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/451—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a metal-semiconductor-metal [m-s-m] structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
- H10K30/83—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
-
- H01L51/4206—
-
- H01L51/441—
-
- H01L51/448—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
- H10K30/57—Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은, 하부 전극(2), 상부 전극(3), 상기 하부 전극(2)과 상기 상부 전극(3) 사이에 배치되며 하나 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템(4), 상기 적층 시스템(4)과 대면하지 않는 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3) 측면에 배치되는 평탄화층(5), 상기 평탄화층(5) 위에 배치되는 하나 이상의 배리어층(6), 및 상기 하나 이상의 배리어층(6) 위에 배치되는 하나 이상의 버스바(7)를 포함하는 광전자 부품(1), 특히 광기전 소자에 관한 것으로, 평탄화층(5)은 전기전도성 입자들(9, 10)을 함유하며, 이러한 전기전도성 입자들(9, 10)은 적어도 대부분이 평탄화층(5)에 도입되어 상기 하나 이상의 배리어층(6)을 통해 평탄화층(5)을 전기전도적으로 브릿지 연결함에 따라, 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3)이 상기 하나 이상의 버스바(7)와 전기전도적으로 접촉하게 된다.
Description
본 발명은 광전자 부품 및 이러한 광전자 부품의 접촉 방법에 관한 것이다.
광전자 공학은 광학 분야와 반도체 전자 분야를 합친 것이다. 구체적으로, 광전자 공학은 전자방식으로 생성된 에너지에서 광 방출로의 변환을 수월하게 하거나 방출되는 광을 에너지로 변환시키는 시스템 및 방법들을 포함한다. 광전자 부품, 특히 유기 광전자 부품, 예를 들어 유기 광기전 소자(OPV) 및 유기 발광 다이오드(OLED)는 전기 에너지를 생성하거나 전기 에너지를 광 방출로 변환하며, 이어서 이러한 에너지를 광전자 부품 외부로 또는 내부로 가이드하여 인가한다. 이를 위해 버스바가 사용된다. 버스바는 변환된 에너지가 집중되어 전류의 형태로 전달되는 광전자 부품 내 한 지점을 나타낸다.
예를 들어, 유기 광전자 부품은 관련 재료의 증발(기화), 폴리머(polymer) 인쇄, 또는 용액 공정을 통해 제조될 수 있다. 유기 광전자 부품의 기본 설계에 관해 WO2004083958 또는 WO2011138021에 개시되어 있다.
유기 광전자 부품, 특히 유기 광기전 전지는 공기, 산소, 물 및/또는 수분과의 직접적인 접촉의 결과로 사용수명이 상당히 짧으므로 봉지재로 감싸서 보호해야 한다. 이에 따라, 광전자 부품을 외부 영향으로부터 보호하기 위해, 특히 상기 광전자 부품을 기계적으로 보호하고 예컨대 수분이나 산소 확산과 같은 환경 영향으로부터 보호하기 위해 광전자 부품에 보호 필름을 제공하거나 광전자 부품을 봉지재로 감싸는 것이 일반적이다. 이러한 봉지공정은 배리어층을 사용하거나 직접 봉지재로 감싸는 식으로 수행될 수 있다.
유기 광전자 부품은 레이저 공정을 통해 구조화된다. 특히, 이러한 방법은 광전자 부품의 개별 광기전 전지들을 하나의 광전자 부품에 연결하고 또한 광기전 전지들을 전기적으로 절연하는 데 이용된다. 레이저 구조화 공정, 구체적으로는 전극들의 레이저 구조화 공정의 결과로서, 레이저 스크라이브로 알려진 돌출부(bulge)가 생길 수 있으며, 이들 돌출부의 높이는 유기 광기전 소자의 적층 시스템의 평면 토폴로지의 층들 높이의 수 배를 상회한다. 첫째, 이는 추가 층들, 특히 배리어층의 도포를 어렵게 만들고, 둘째, 이미 도포된 층이 후속의 봉지공정 시 손상될 수 있다. 박막 봉지재를 통합하는 공지된 공정들은 적층 시스템의 개별 층의 토폴로지와 관련하여 매우 민감하므로 적층 시스템의 층 내에 단차가 생긴다. 따라서, 대부분의 박막 봉지재는 배리어층이 도포되기 전 평탄화층을 갖는다.
광기전 소자, 특히 태양 전지에 박막 봉지재를 통합할 때 버스바를 통해 접촉이 이루어져야 한다. 박막 봉지재, 즉 배리어층이 위치하는 영역 내에서도 접촉이 이루어져야 한다. 그러나, 종래 기술은 특히 이러한 접촉이 아주 복잡하고 고비용이라는 점에서 불리하다.
본 발명의 목적은 배경 기술에 기재된 단점들이 없는, 광전자 부품 및 이러한 광전자 부품의 제조 방법을 제공하는 데에 있다. 본 발명의 토대가 되는 기술적 과제는, 구체적으로, 첫째, 광전자 부품의 개별 층들의 레이저 구조화로 인해 발생하는 레이저 스크라이브를 평탄화함으로써, 배리어층을 도포할 수 있게 만들어 박막을 통한 밀봉이 용이해지도록 하는 것과, 둘째, 광전자 부품의 한 층(특히, 전극층)과 배리어층 위에 배치된 층을 특히 버스바를 통해 전기전도적으로 접촉시키는 것이다. 특히, 본 방법을 롤투롤(roll-to-roll) 방식에 통합할 수 있어야 한다.
상기 목적은 청구범위의 독립항들의 주제로 달성된다. 여러 유리한 구성이 종속항들에서 명백하다.
상기 목적은, 특히, 하부 전극(base electrode), 상부 전극(top electrode), 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되며 하나 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템, 상기 적층 시스템과 대면하지 않는 하부 전극 및/또는 상부 전극 측면에 배치되는 평탄화층, 상기 평탄화층 위에 배치되는 하나 이상의 배리어층, 및 상기 하나 이상의 배리어층 위에 배치되는 하나 이상의 버스바를 포함하는 광전자 부품, 더 구체적으로는 광기전 소자를 제공함으로써 달성된다. 평탄화층은 전기전도성 입자들을 함유하며, 이러한 전기전도성 입자들은 적어도 대부분이 평탄화층에 도입되어 상기 하나 이상의 배리어층을 통해 평탄화층을 전기전도적으로 브릿지 연결함에 따라, 하부 전극 및/또는 상부 전극이 상기 하나 이상의 버스바와 전기전도적으로 접촉하게 된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하부 전극, 적층 시스템 및/또는 상부 전극은 레이저 구조화된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 적층 시스템은 레이저 구조화에 의해 하부 전극 및/또는 상부 전극에 전기전도적으로 연결된다. 본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 하부 전극은 캐소드를 형성하고 상부 전극은 애노드를 형성하며, 하부 전극과 상부 전극은 적층 시스템과 전기전도적으로 접촉한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들은 적어도 대부분이 평탄화층에 도입되어 상기 하나 이상의 배리어층을 통해 평탄화층을 전기전도적으로 브릿지 연결한다. 그 결과, 광전자 부품의 특히 상부 전극과 버스바가 전기전도성 입자들을 함유한 평탄화층에 의해 전기전도적으로 서로 연결된다.
평탄화층은, 특히, 광기전 부품의 적어도 하나의 다른 층, 구체적으로는 하부 전극의 한 층 및/또는 상부 전극의 한 층의, 요철을 없애기 위한, 구체적으로는 거칠기를 감소시키기 위한 층으로 이해하면 된다.
광전자 부품은, 특히, 전자기파를 방출하는 부품 또는 전자기파를 흡수하는 부품으로 이해하면 된다. 전자기파를 흡수하는 부품은 바람직하게는 유기 광기전 소자(OPV) 또는 유기 광전지이다. 전자기파를 방출하는 부품은 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 트랜지스터이다.
"광기전 소자"는 특히 광기전 전지, 구체적으로는 태양 전지를 의미하는 것으로 이해하면 된다. 광기전 소자는 바람직하게는, 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있는, 다수의 광기전 전지들로 구성된다. 이들 다수의 광기전 전지는 광기전 소자에서 다양한 방식으로 배치 및/또는 연결될 수 있다.
"버스바"는, 전기 접촉을 위해, 전기 에너지의 중앙 분배기로서, 인입 라인 및 인출 라인에 전기전도적으로 연결되는, 바람직하게는 하나 이상의 하부 전극 및/또는 하나 이상의 상부 전극에 연결되는 구성요소를 의미하는 것으로 이해하면 된다. 특히, 버스바는 밴드, 스트립, 평판 또는 금속층 형태의 평면 실시예를 갖는다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 상기 하나 이상의 버스바는 층 두께가 10 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 100 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 80 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 40 ㎛, 또는 바람직하게는 30 ㎛ 내지 50 ㎛이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하나 이상의 버스바는 배리어층 위에 직접 배치되거나, 또는 배리어층과 상기 하나 이상의 버스바 사이에 마련된 접착층에 의해 배리어층 위에 배치된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면 버스바는 접착층을 가지며, 이로써 버스바는 이러한 접착층에 의해 상기 하나 이상의 배리어층 위에 배치된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 버스바 및/또는 한 면에 접착층을 갖는 버스바는 층 두께가 10 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 80 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 80 ㎛, 바람직하게는 30 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 30 ㎛ 내지 80 ㎛, 또는 바람직하게는 30 ㎛ 내지 60 ㎛이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하부 전극 및/또는 상부 전극은 전기전도성 입자들에 의해 하나 이상의 배리어층을 통해 접착층 및/또는 하나 이상의 버스바에 전기전도적으로 연결된다.
광기전 소자의 적층 시스템으로 가능한 구조가 WO2004083958A2, WO2011013219A1, WO2011138021A2 및 WO2011161108A1에 기재되어 있다. 여기 명시된 출원들에 의하면, 증발 가능하며 진공 증착법에 의해 도포되거나 도포된 흡습제가 함유된 광활성층들을 갖는 적층 시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 특히 WO2006092134A1, WO2010133208A1, WO2014206860A1, WO2014128278A1, WO20171114937A1에 기재된 "저분자" 그룹에 속하는 물질을 사용한다. 이들 광활성층은 수여체/공여체 시스템을 형성하며, 평면 이종접합으로서, 바람직하게는 벌크 이종접합으로서, 다수의 개별 층 또는 혼합 층들로 이루어질 수 있다. 층들이 전적으로 진공 증착을 통해 도포되는 적층 시스템이 바람직하다.
적층 시스템은 단일형 전지, 탠덤형 전지 또는 다중형 전지 형태일 수 있으며, 이러한 명칭은 하위 전지들의 개수에 의해 결정되고, 각각의 하위 전지는 바람직하게는 수송층에 의해 분리되는 하나 이상의 광활성층 및 선택적으로 재조합층을 함유하며, 그 자체가 다수의 층들로 구성될 수 있다. 간단히 p층 또는 n층이라고도 불리는 p형 적층 시스템 또는 n형 적층 시스템은 다수의 층들로 구성될 수 있고, p층 또는 n층 시스템의 층들 중 하나 이상이 p형 도핑되거나 n형 도핑된, 바람직하게는 p형 도핑되거나 n형 도핑된 와이드 갭 층이다. i층이라고도 불리는 i형 적층 시스템은 하위 전지 내의 p층 및 n층에 비해 도핑되지 않거나 덜 도핑되며(다시 말해, 약하게 도핑됨), 광활성층의 형태이다. 이들 n층, p층, i층 각각은 추가 층들로 구성될 수 있고, 이때 n층과 p층은 하나 이상의 도핑된 n층과 p층으로 각각 구성될 수 있으며, 그 도핑의 결과로 전하 캐리어가 증가한다. 이는 광전자 부품의 적층 시스템이 p-, n- 및 i형 적층 시스템의 유용한 조합으로 구성된다는 것을 의미한다. 즉, 각각의 하위 전지는 i형 적층 시스템과, p형 적층 시스템 또는 n형 적층 시스템 중 하나를 포함한다.
광기전 부품의 개별 층들은 광전자 부품 제조를 위한 기판 위에 증착된다. 이 경우, 후속 층을 무결함 증착 및/또는 무결함 연결하기 위해서는 아래에 있는 층들의 표면을 평탄화시킬, 특히 표면의 요철을 감소시킬 필요가 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하부 전극은 기판, 특히 필름 위에 배치된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 광전자 부품은 특히 캐리어인 기판을 구비한다. 바람직한 일 구현예에서, 기판은 필름, 바람직하게는 플라스틱으로 형성된 필름으로써, 특히 적어도 부분적으로 투명한 필름이다.
"배리어층"은, 특히, 화학적 불순물, 수분 및/또는 산소에 저항하는 장벽을 형성하는 보호층을 의미하는 것으로 이해하면 된다. 구체적으로, 배리어층은 외부 영향, 특히 공기 중의 산소 및/또는 수분의 전달을 방지하기 위한 보호층이고/이거나, 기계적 내성, 특히 스크래치 내성을 증가시키기 위한 보호층이고/이거나, 필터층, 바람직하게는 UV 필터를 갖춘 층이다.
바람직한 일 실시예에서, 광전자 부품은 하나 이상의 광활성층을 갖는 전지, 구체적으로는 CIS-, CIGS- GaAs- 또는 Si-전지, 페로브스카이트 전지(perovskite cell), 또는 소위 유기 태양 전지로 불리는 유기 광기전 소자(OPV)를 하나 이상 포함한다. "유기 광기전 소자"는, 특히, 하나 이상의 유기 광활성층을 갖는 광기전 소자, 구체적으로는 저분자 물질-기반의, 폴리머 유기 광기전 소자 또는 유기 광기전 소자를 의미하는 것으로 이해하면 된다. 폴리머는 기화될 수 없어 용액 공정을 통해서만 도포될 수 있다는 점에서 구별되지만, 저분자 물질은 일반적으로 기화될 수 있으며 폴리머처럼 용액으로서 도포할 수 있을 뿐만 아니라 기상 증착 기법, 특히 진공 기화법으로도 도포될 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 적층 시스템의 하나 이상의 광활성층은 진공에서 기화될 수 있는 저분자 물질을 함유한다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 적층 시스템의 하나 이상의 광활성층은 진공에서 기상 증착된다.
"저분자 물질"은 특히 표준 압력(주변 대기의 공기 압력) 및 실온에서 고체 상태로 존재하는 100 내지 2000 g/mol의 단분산 몰질량을 갖는 비-중합성 유기 분자를 의미하는 것으로 이해하면 된다. 구체적으로, 저분자 물질은 광활성이며, 이때 "광활성"은 분자가 빛을 공급받으면 전하 상태 및/또는 편광 상태가 변화된다는 것을 의미하는 것으로 이해하면 된다. 이러한 저분자 물질-기반 흡습제의 장점은 진공에서 증발된다는 것이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하나 이상의 버스바는 한 가지 이상의 금속 또는 그의 합금, 바람직하게는 알루미늄 또는 그의 합금으로 이루어진 금속층으로서 형성된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하나 이상의 배리어층은 적어도 대체로 전기전도성을 나타내지 않는다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 평탄화층은 적어도 대체로 전기전도성을 나타내지 않는다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 상부 전극은 은(Ag) 또는 은 합금, 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금, 또는 이들 물질의 조합으로, 바람직하게는 Ag:Mg 또는 Ag:Ca로 이루어진 은 합금으로 제조된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하부 전극은 ITO(인듐 주석 산화물)를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 광기전 소자는 2개 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템을 포함함으로써 탠덤형 전지이거나, 바람직하게는 3개 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템을 포함함으로써 트리플 전지이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 적층 시스템은 하부 전극 또는 상부 전극과 광활성층 사이에 배치되는 하나 이상의 전하 캐리어 수송층을 추가로 포함하며, 바람직하게는 제1 전하 캐리어 수송층과 제2 전하 캐리어 수송층을 적어도 포함하되, 상기 제1 전하 캐리어 수송층은 하부 전극과 하나 이상의 광활성층 사이에 배치되고, 상기 제2 전하 캐리어 수송층은 하나 이상의 광활성층과 상부 전극 사이에 배치된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 평탄화층 및/또는 하나 이상의 배리어층은 광전자 부품의 전체 적층 시스템 위에 형성된다.
본 발명에 따른 광전자 부품은 종래 기술에 비해 여러 장점을 갖는다. 유리하게는, 밀폐된 평면 토폴로지의 전극층이 생성된다. 유리하게는, 광전자 부품의, 특히 광전자 부품 내의 버스바와 전극 사이에, 간단하면서 신뢰성 있는 전기전도성 접촉이 용이해진다. 유리하게는, 평탄화층은 전기전도성 입자들에 의해 전기전도적으로 브릿지 연결된다. 유리하게는, 접촉 범위 내의 적층 시스템 및/또는 전극들은 손상으로부터 보호된다. 유리하게는, 이러한 전기전도적 접촉의 경우에는 전기전도도의 손실이 전혀 또는 거의 관찰되지 않는다. 유리하게는, 상기 접촉은 비용효율적이면서 간단한 방식으로 가능하다. 유리하게는, 이러한 전기전도적 접촉에 의해 광전자 부품의 사용수명이 증가한다. 유리하게는, 전기전도성 입자들을 함유한 평탄화층은 그 아래에 있는 층의, 구체적으로는 그 아래에 있는 층의 표면의 요철을 감소시킬 수 있으며, 동시에 전기전도적 접촉을 가능하게 한다. 유리하게는, 전기전도성 입자들은 평탄화층에 특히 수월하게 혼입될 수 있다. 유리하게는, 본 방법은 롤투롤 방법으로 통합될 수 있다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 층 두께가 5 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 50 ㎛인 평탄화층 및/또는, 층 두께가 100 nm 내지 2000 nm, 바람직하게는 100 nm 내지 1000 nm, 바람직하게는 150 nm 내지 1000 nm, 바람직하게는 200 nm 내지 800 nm, 또는 바람직하게는 300 nm 내지 600 nm인 하나 이상의 배리어층을 제공한다.
바람직한 일 실시예에서, 평탄화층은 층 두께가 200 ㎛ 미만, 바람직하게는 100 ㎛ 미만, 바람직하게는 70 ㎛ 미만, 바람직하게는 50 ㎛ 미만, 바람직하게는 30 ㎛ 미만, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 70 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 50 ㎛, 또는 바람직하게는 10 ㎛ 내지 30 ㎛이다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 배리어층은 층 두께가 10 ㎛ 미만, 바람직하게는 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 3 ㎛ 미만, 또는 바람직하게는 1 ㎛ 미만이다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 평균 직경이 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛ 내지 50 ㎛인 전기전도성 입자들을 제공하고/하거나, 평균 직경은 평탄화층의 층 두께보다 크고, 바람직하게는 평탄화층의 층 두께보다 최대 100% 더 크거나, 바람직하게는 최대 10% 더 큰 전기전도성 입자들을 제공한다.
본 발명과 관련하여, "직경"은 구체적으로는 등가직경, 바람직하게는 기하학적 등가직경을 의미하는 것으로 이해하면 되며, 특히 모양이 불규칙한 입자들의 직경을 의미하는 것으로 이해하면 된다. 기하학적 등가직경은 동일한 기하학적 특징을 가진 구 또는 원의 직경을 측정함으로써 얻는다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들은 평균 직경이 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛ 내지 70 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛ 내지 50 ㎛, 또는 바람직하게는 1 ㎛ 내지 30 ㎛이다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들의 평균 직경은 평탄화층의 층 두께보다 크다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들은 특정 크기 분포를 가지며, 이러한 전기전도성 입자들의 특정 크기 분포는 바람직하게는 가능한 가장 작은 표준편차를 갖는다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들의 평균 직경은 평탄화층의 층 두께보다 더 크며, 바람직하게는 평탄화층의 층 두께보다 최대 200%, 바람직하게는 최대 150%, 바람직하게는 최대 100%, 바람직하게는 최대 80%, 바람직하게는 최대 60%, 바람직하게는 최대 50%, 바람직하게는 최대 40%, 바람직하게는 최대 30%, 바람직하게는 최대 20%, 바람직하게는 최대 10%, 바람직하게는 최대 5%, 바람직하게는 최대 2%, 또는 바람직하게는 최대 1% 더 크거나, 또는 바람직하게는 평탄화층의 층 두께보다 1% 이상, 바람직하게는 2% 이상, 바람직하게는 5% 이상, 바람직하게는 10% 이상, 바람직하게는 20% 이상, 바람직하게는 30% 이상, 또는 바람직하게는 50% 이상 더 크다.
본 발명의 바람직한 대안적 실시예에서, 전기전도성 입자들의 평균 직경은 평탄화층의 층 두께보다 작으며, 이에 따라 다수의 전기전도성 입자들이 평탄화층 내에서 서로 전기전도적으로 접촉함으로써 평탄화층을 통한 전기전도적 접촉을 보장한다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 구형, 각진형, 침상 및/또는 결정립 형상인 전기전도성 입자들을 제공하고/하거나, 바람직하게는 다양한 형상을 갖는 전기전도성 입자들을 제공하고/하거나, 바람직하게는 파편, 결정 또는 그래뉼 형태로 규칙적 또는 불규칙적 형상의 전기전도성 입자들을 제공한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들은 평탄화 재료와 쉽게 습윤될 수 있도록 하는 특정 표면 에너지를 갖는다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 전도성을 나타내도록 코팅된 유리, 바람직하게는 은으로 코팅된 유리로 형성되거나, 전도성 금속, 바람직하게는 니켈 또는 그의 합금으로 형성되거나, 결정자(crystallite)로 형성된 전기전도성 입자들을 제공한다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 제공되는 평탄화층 내의 전기전도성 입자들의 부피의 비율은 각 경우에 평탄화층의 전체 부피를 기준으로 10 내지 50%, 바람직하게는 20 내지 40%, 바람직하게는 10 내지 30%, 바람직하게는 10 내지 20%, 또는 바람직하게는 5 내지 20%이고/이거나, 배리어층과 대면하는 평탄화층 측면 상의 전기전도성 입자들의 표면은 각 경우에 평탄화층의 표면을 기준으로 10 내지 50%, 바람직하게는 10 내지 30%, 바람직하게는 10 내지 20%, 바람직하게는 5 내지 50%, 바람직하게는 5 내지 30%, 바람직하게는 5 내지 20%, 바람직하게는 5 내지 10%를 차지하고/하거나, 평탄화층 내의 전기전도성 입자들은 적어도 대부분이 상기 하나 이상의 버스바의 영역에 배치된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 평탄화층 내의 전기전도성 입자들은 후속으로 형성되는 하나 이상의 버스바의 영역에 적어도 대부분 배치된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 평탄화층 내의 전기전도성 입자들은 하나 이상의 버스바 아래에 적어도 대부분 배치된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 광전자 부품은 플렉서블 광전자 부품, 바람직하게는 플렉서블 광기전 소자, 특히 바람직하게는 플렉서블 유기 광기전 소자이다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 하나 이상의 광활성층에 바람직하게는 저분자 물질을 흡습제로서 함유한 유기 광기전 소자, 바람직하게는 플렉서블 유기 광기전 소자인, 광전자 부품을 제공한다.
특히, "플렉서블 광전자 부품"은 특정 영역에서 구부릴 수 있고/있거나 늘어날 수 있는(stretchable) 광전자 부품을 의미하는 것으로 이해하면 된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 광전자 부품은 하나 이상의 추가 배리어층에 의해 봉지되며, 하나 이상의 버스바는 상기 하나 이상의 추가 배리어층 외부로 가이드된다. 바람직하게, 이러한 봉지 공정은 박막 봉지재에 의해 이루어진다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 광전자 부품은 확산 방지 방식으로 광전자 부품을 둘러싸는, 즉 광전자 부품을 밀봉하는, 하나 이상의 배리어층으로 된 봉지재를 갖는다. 바람직한 일 실시예에서, 봉지재는 폴리머 봉지재이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 광전자 부품은 적어도 제1 광기전 전지와 제2 광기전 전지를 포함하고, 제1 광기전 전지와 제2 광기전 전지는 직렬로 연결되며, 바람직하게는 제1 광기전 전지의 상부 전극이 제2 광기전 전지의 하부 전극에 전기전도적으로 연결된다.
본 발명의 목적은 또한 특히 전술된 예시적 실시예들 중 어느 하나에 따른 광전자 부품, 특히 플렉서블 광전자 부품의 접촉 방법을 제공함으로써 달성된다. 이러한 광전자 부품의 접촉 방법은, 특히, 광전자 부품과 관련하여 이미 설명한 이점들을 제공한다. 이 경우, 상기 방법은,
a) 하부 전극이 위에 배치된 기판, 하나 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템 및 상부 전극을 제공하는 단계로서, 상기 적층 시스템이 하부 전극과 상부 전극 사이에 배치되는, 단계,
b) 하부 전극 및/또는 상부 전극 상에 평탄화 재료를 도포하는 단계,
c) 전기전도성 입자들을 상기 평탄화 재료 내부 및/또는 상부에 도입하는 단계,
d) 상기 평탄화 재료를 바람직하게는 UV 조사 및/또는 열처리를 통해 경화시켜, 전기전도성 입자들을 함유한 평탄화층을 형성하는 단계,
e) 상기 평탄화층에 하나 이상의 배리어층을 도포하는 단계로서, 바람직하게는 전기전도성 입자들이 상기 하나 이상의 배리어층의 적어도 일부에 침투하는 것인 단계,
f) 상기 하나 이상의 배리어층 상에 하나 이상의 버스바를 도포함으로써 하부 전극 및/또는 상부 전극이 상기 하나 이상의 버스바와 전기전도적으로 접촉하도록 하는 단계
를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 단계 b)와 단계 c)는 동시에 수행되며, 특히 전기전도성 입자들은 평탄화 재료 내부에 적어도 일부 이미 함유되어 있다.
"평탄화 재료"는, 특히, 표면에 도포된 후에 경화되어, 구체적으로는 가교 결합되어, 평탄화층을 형성하는 재료를 의미하는 것으로 이해하면 된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 평탄화 재료는 평탄화될 층, 구체적으로는 하부 전극 및/또는 상부 전극에 직접 도포된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 평탄화 재료는 평탄화 레지스트이다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 평탄화 재료는 액체 형태로 도포된다.
바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들이 단계 c)에서 잉크젯 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 플렉소그래피법, 음각법, 스크린 인쇄법 또는 닥터 블레이드법에 의해 평탄화층에 도입된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들이 단계 e) 및/또는 단계 f)에서 하나 이상의 배리어층의 적어도 일부에 침투한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 이들 층은 인쇄법, 바람직하게는 잉크젯법, 스크린 인쇄법, 및/또는 플렉소그래피법에 의해 도포되고/되거나 증착 재료를 기상 증착함으로써 도포된다. 이들 방법은 당업자에게 공지되어 있으므로 여기에서 더 이상 상세하게 설명하지 않는다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 단계 b)의 평탄화 재료는 습식 코팅법에 의해 도포되고/되거나, 전기전도성 입자들이 단계 c)에서 평탄화 재료의 특정 영역들에, 바람직하게는 단계 f)에서 하나 이상의 버스바가 후속으로 도포될 평탄화 재료 영역들에 도입된다.
본 발명의 한 전개방식에 따르면, 전기전도성 입자들은 단계 c)에서 가압 하에, 바람직하게는 가압 롤러에 의해, 평탄화 재료 내부에 도입되며, 자성 입자들의 경우에는 접촉될 광전자 부품 아래에 배치되는 자석에 의해 평탄화 재료 내부에 도입된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 상기 방법은 롤투롤 방식에 이용된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 전기전도성 입자들은 전사 테이프에 의해 배리어층에 도포된다. 평탄화층의 가교 결합 후에는, 도입된 입자들이 전사 테이프에보다 평탄화층 내부에서 더 잘 접착되므로, 전사 테이프를 평탄화층에서 벗겨낼 수 있다. 바람직하게는, 전기전도성 입자들을 도포하기 위한 전사 테이프는 UV 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명함에 따라 전사 테이프가 배리어층 위에 놓였을 때 배리어층을 경화시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하나 이상의 버스바는 배리어층 상에 각인(imprint)되며, 버스바 상에는 바람직하게는 평탄화층의 층 두께의 10 내지 100%, 바람직하게는 10 내지 70%, 바람직하게는 10 내지 50%, 바람직하게는 10 내지 30%의 크기를 갖는 특정 토폴로지가 형성된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 하나 이상의 버스바는 평탄화층의 도포 후에 평탄화 레지스트 상에 배치되고/되거나 평탄화 레지스트 내로 가압된다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 광전자 부품의 전극들과 함께, 적층 시스템의 구조에 대한 개략도를 나타낸다.
도 2는 전기전도성 입자들을 함유한 평탄화층을 갖는 광전자 부품의 예시적 실시예를 개략적으로 보여주는 측면도를 나타낸다.
도 1은 광전자 부품의 전극들과 함께, 적층 시스템의 구조에 대한 개략도를 나타낸다.
도 2는 전기전도성 입자들을 함유한 평탄화층을 갖는 광전자 부품의 예시적 실시예를 개략적으로 보여주는 측면도를 나타낸다.
도 1은 광전자 부품(1)의 전극들(2, 3)과 함께, 적층 시스템(4)의 구조에 대한 개략도를 나타낸다.
광전자 부품(1), 특히 유기 광기전 소자는, 바람직하게는 진공에서의 기상 증착이나 용액 공정을 통해 형성되는 하나 이상의 광활성층을 포함하는, 순차적으로 형성된 박막층들로 구성된다. 전기적 연결, 즉 접촉은 금속층, 투명 전도성 산화물 및/또는 투명 전도성 폴리머에 의해 이루어질 수 있다. 유기물층들의 진공 기상 증착은 다층 태양 전지, 구체적으로는 탠덤형 전지나 트리플형 구조의 전지를 제조할 때 유리하다. 도 1에서의 예시적 실시예에 이러한 광전자 부품(1)의 적층 시스템(4)을 도시하였다.
본 예시적 실시예에서, 광전자 부품(1)은 기판(11), 특히 유리 재질의 기판 상에 하부 전극(2), 특히 ITO 재질의 투명 하부 전극을 포함한다. 하부 전극 위에는, 풀러렌 C60을 함유한 전하 캐리어층으로서의 n층(12), 하나 이상의 흡습제와 풀러렌 C60을 함유한 광활성층(13) 및 Di-NPB와 NDP9 재질의 정공수송층으로서의 p층(14)을 포함하는, 적층 시스템(4)이 형성된다. 적층 시스템 위에는 특히 금 재질의 상부 전극(3)이 배치된다. 적층 시스템(4) 및/또는 전극(2, 3)은 일반적으로 레이저 구조화된다. 적층 시스템(4)은 추가로 정공주입층, 정공수송층, 광활성층, 전자수송층 및/또는 전자주입층을 포함할 수 있다.
레이저 구조화된 광전자 부품(1)의 토포그래피에는 일반적으로 레이저 스크라이브들(미도시)이 존재하는데, 이들은 후속 층, 특히 배리어층(6)을 위해 평탄화되어야 하며, 구체적으로는 평탄화층(5)을 통해 평탄화되어야 한다. 배리어층(6)은 상부 전극(3) 위에, 구체적으로는 앞서 도포된 평탄화층(5)에 이어서 배치된다. 특히, 배리어층(6)은 박막 봉지재일 수 있다.
도 2는 전기전도성 입자들(9. 10)을 함유한 평탄화층(5)을 갖는 광전자 부품(1)의 예시적 실시예를 개략적으로 보여주는 측면도를 나타낸다. 동일하고 기능적으로 동등한 구성요소들에는 동일한 참조 번호를 부여하였으므로 이와 관련해서는 위의 설명을 참조하면 된다. 적층 시스템(4)의 층들을 일정한 비율로 도시하지는 않았다.
광전자 부품(1), 더 구체적으로 광기전 소자는 하부 전극(2), 상부 전극(3), 상기 하부 전극(2)과 상기 상부 전극(3) 사이에 배치되며 하나 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템(4), 상기 적층 시스템(4)과 대면하지 않는 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3) 측면에 배치되는 평탄화층(5), 상기 평탄화층(5) 위에 배치되는 하나 이상의 배리어층(6), 및 상기 하나 이상의 배리어층(6) 위에 배치되는 하나 이상의 버스바(7)를 포함한다. 평탄화층(5)은 전기전도성 입자들(9, 10)을 함유하며, 이러한 전기전도성 입자들(9, 10)은 적어도 대부분이 평탄화층(5)에 도입되어 상기 하나 이상의 배리어층(6)을 통해 평탄화층(5)을 전기전도적으로 브릿지 연결함에 따라, 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3)이 상기 하나 이상의 버스바(7)와 전기전도적으로 접촉하게 된다.
그 결과, 광전자 부품(1)에서, 구체적으로는 광전자 부품(1) 내의 한 전극(2, 3)과 버스바(7) 사이에 간단하고 신뢰성 있는 전기전도적 접촉이 보장된다. 이에 따라 평탄화층(5)은, 특히, 전기전도성 입자들(9, 10)에 의해 전기전도적으로 브릿지 연결된다. 이러한 전기전도적 접촉의 경우에는 전기전도성의 손실이 전혀 또는 거의 관찰되지 않는다. 전기전도성 입자들(9, 10)은 평탄화층(5)에 특히 수월하게 혼입될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 평탄화층(5)은 층 두께가 5 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 50 ㎛이고/이거나, 하나 이상의 배리어층(6)은 층 두께가 100 nm 내지 2000 nm, 바람직하게는 200 nm 내지 800 nm이다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 전기전도성 입자들(9, 10)의 평균 직경이 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛ 내지 50 ㎛이고/이거나, 전기전도성 입자들(9, 10)의 평균 직경은 평탄화층(5)의 층 두께보다 크되, 바람직하게는 평탄화층(5)의 층 두께보다 최대 100%, 바람직하게는 최대 10% 더 크다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 전기전도성 입자들(9, 10)의 형상이 구형, 각진 모양, 침상 및/또는 결정립이고/이거나, 전기전도성 입자들(9, 10)의 형상이 바람직하게는 다양하고/하거나, 전기전도성 입자들(9, 10)의 형상이 바람직하게는 파편, 결정 또는 그래뉼 형태로 규칙적 또는 불규칙적이다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 전기전도성 입자들(9, 10)은 전도성을 나타내도록 코팅된 유리, 바람직하게는 은으로 코팅된 유리로 형성되거나, 전도성 금속, 바람직하게는 니켈 또는 그의 합금으로 형성되거나, 결정자로 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 평탄화층(5) 내의 전기전도성 입자들(9, 10)의 부피의 비율은 평탄화층(5)의 전체 부피를 기준으로 10 내지 30%이고/이거나, 배리어층(6)과 대면하는 평탄화층(5) 측면 상의 전기전도성 입자들(9, 10)의 표면은 평탄화층(5)의 표면을 기준으로 10 내지 50%, 바람직하게는 10 내지 30%를 차지하고/하거나, 평탄화층(5) 내의 전기전도성 입자들(9, 10)은 적어도 대부분이 상기 하나 이상의 버스바(7)의 영역에 배치된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 광전자 부품(1)은 유기 광기전 소자, 바람직하게는 플렉서블 유기 광기전 소자이며, 유기 광기전 소자의 하나 이상의 광활성층은 흡습제로서 저분자 물질을 함유한다.
광전자 부품(1), 특히 플렉서블 광전자 부품(1)의 접촉 방법은,
a) 하부 전극(2)이 위에 배치된 기판, 하나 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템(4) 및 상부 전극(3)을 제공하는 단계로서, 상기 적층 시스템(4)이 하부 전극(2)과 상부 전극(3) 사이에 배치되는, 단계,
b) 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3) 상에 평탄화 재료를 도포하는 단계,
c) 전기전도성 입자들(9, 10)을 상기 평탄화 재료 내부 및/또는 상부에 도입하는 단계,
d) 상기 평탄화 재료를 바람직하게는 UV 조사 및/또는 열처리를 통해 경화시켜, 전기전도성 입자들(9, 10)을 함유한 평탄화층(5)을 형성하는 단계,
e) 상기 평탄화층(5)에 하나 이상의 배리어층(6)을 도포하는 단계로서, 바람직하게는 전기전도성 입자들(9, 10)이 상기 하나 이상의 배리어층의 적어도 일부에 침투하는 것인 단계,
f) 상기 하나 이상의 배리어층(6) 상에 하나 이상의 버스바(7)를 도포함으로써 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3)이 상기 하나 이상의 버스바(7)와 전기전도적으로 접촉하도록 하는 단계
를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 단계 b)의 평탄화 재료는 습식 코팅법에 의해 도포되고/되거나, 전기전도성 입자들(9, 10)이 단계 c)에서 평탄화 재료의 특정 영역들에, 바람직하게는 단계 f)에서 하나 이상의 버스바(7)가 후속으로 도포될 평탄화 재료 영역들에 도입된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 전기전도성 입자들(9, 10)은 단계 c)에서 가압 하에, 바람직하게는 가압 롤러에 의해, 평탄화 재료 내부에 도입되며, 자성 입자들의 경우에는 접촉될 광전자 부품(1) 아래에 배치되는 자석에 의해 평탄화 재료 내부에 도입된다.
상기 하나 이상의 버스바(7)가 상기 하나 이상의 배리어층(6) 위에 도포되기 전 및/또는 도포되는 동안, 전기 접촉을 위한 침투가 배리어층(6)에 이루어진다. 즉, 전기전도성 입자들(9, 10)의 위치에 상응하는 배리어층(6)이 개방된다. 배리어층(6) 자체는 전기전도성이 아니거나 적어도 전기전도성이 약하며, 평탄화층(5)으로부터 돌출된 전기전도성 입자들(9, 10)을 커버한다.
특히, 본 방법은 롤투롤 방식에 통합될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 적층 시스템(4)은 2개 이상의 광활성 층을 가지며 이 경우 광기전 전지는 탠덤형 전지이고, 바람직하게는 3개 이상의 광활성 층을 가지며 이 경우 광기전 전지는 트리플형 전지이다. 추가로 또는 대안으로, 적층 시스템(4)은 하부 전극(2) 또는 상부 전극(3)과 광활성층 사이에 배치되는 하나 이상의 전하 캐리어 수송층을 더 포함하며, 바람직하게는 제1 전하 캐리어 수송층과 제2 전하 캐리어 수송층을 적어도 포함하되, 상기 제1 전하 캐리어 수송층은 하부 전극(2)과 하나 이상의 광활성층 사이에 배치되고, 상기 제2 전하 캐리어 수송층은 하나 이상의 광활성층과 상부 전극(3) 사이에 배치된다.
한 예시적 실시예에 의하면, 광전자 부품(1)의 접촉 구조의 개략적인 층 시퀀스는 다음과 같이 형성된다(도 2): 하부 전극(2) 위에 배치된 적층 시스템(4) 상에 상부 전극(3)이 위치한다. 이러한 상부 전극(3) 위에는 전기전도성 입자들(9, 10)을 함유한 평탄화층(5)이 배치되는데, 이때 평탄화층(5)은 50 ㎛의 층 두께를 가지며 이러한 평탄화층(5)의 층 두께보다 전기전도성 입자들(9, 10)의 평균 직경이 크다(본 예시적 실시예에서는, 50 ㎛ 초과). 전기전도성 입자들(9, 10)은 규칙적인 형상(9) 또는 불규칙적인 형상(10)을 가질 수 있다. 예를 들어, 전기전도성 입자들(9, 10)은 전도성 은으로 코팅된 유리 입자들로 형성되거나, 전도성 금속 입자들, 특히 니켈 또는 그의 합금으로 형성된다. 전기전도성 입자들(9, 10)을 함유한 평탄화층(5) 위에는 1 ㎛미만의 층 두께를 갖는 배리어층(6)이 배치된다. 배리어층(6)은 전기전도성 입자들(9, 10)이 매립되어 있는 평탄화층(5) 상부에 증착된다. 본 예시적 실시예에서, 배리어층(6)은 층 두께는 1 ㎛미만이다. 배리어층(6)의 적어도 일부에 전기전도성 입자들(9, 10)이 침투함에 따라 배리어층(6)을 통해 전기전도성 연결이 형성된다. 배리어층(6) 위에는 한 면에 접착층(8)이 마련된 버스바(7)가 배치된다. 따라서, 상부 전극(3)과 하나 이상의 버스바(7) 사이의 전기전도성 접촉이 특히 전기전도성 입자들(9, 10)에 의해 형성된다. 본 예시적 실시예에서, 한 면에 접착층(8)이 마련된 버스바(7)의 층 두께는 35 ㎛이다.
일 실시예에서, 단계 a)에서의, 기판(11) 상의 하부 전극(2), 상기 하부 전극(2) 상에 배치되는 적층 시스템(4) 및 상부 전극(3)은 다음과 같이 얻어질 수 있다: 기판(11)을 마련한 후, 광기전 소자의 하부 전극(2)을 기판 위에 도포하고 구조화한다. 이어서 적층 시스템(4)을 하부 전극(2)에 도포한다. 적층 시스템(4)은 바람직하게는 저분자 물질을 기화시킴으로써, 단일형 전지, 탠덤형 전지 또는 다중형 전지로서 적용될 수 있다. 이어서, 적층 시스템(4)을 구조화하고, 그런 후에는 상부 전극(3)을 도포하고 최종 구조화를 수행한다. 적층 시스템(4)을 형성하기 위해 상부 전극(3)의 한 영역에 층들을 도포하는 작업은 인쇄 공정, 바람직하게는 잉크젯, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄 또는 플렉소인쇄 공정을 통해, 또는 도포하고자 하는 재료의 기상 증착을 통해 적어도 일부가 구현될 수 있다. 예를 들어, 레이저 어블레이션, 전자 또는 이온 빔 어블레이션, 또는 섀도우 마스크를 이용하여 구조화될 수 있다.
Claims (10)
- 하부 전극(base electrode)(2), 상부 전극(top electrode)(3), 상기 하부 전극(2)과 상기 상부 전극(3) 사이에 배치되며 하나 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템(4), 상기 적층 시스템(4)과 대면하지 않는 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3) 측면에 배치되는 평탄화층(5), 상기 평탄화층(5) 위에 배치되는 하나 이상의 배리어층(6), 및 상기 하나 이상의 배리어층(6) 위에 배치되는 하나 이상의 버스바(7)를 포함하는 광전자 부품(1), 더 구체적으로는 광기전 소자로서,
평탄화층(5)은 전기전도성 입자들(9, 10)을 함유하며, 전기전도성 입자들(9, 10)은 적어도 대부분이 평탄화층(5)에 도입되어 상기 하나 이상의 배리어층(6)을 통해 평탄화층(5)을 전기전도적으로 브릿지 연결함에 따라, 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3)이 상기 하나 이상의 버스바(7)와 전기전도적으로 접촉하게 되는 것을 특징으로 하는 광전자 부품(1). - 제1항에 있어서,
상기 평탄화층(5)은 층 두께가 5 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 50 ㎛이고/이거나, 상기 하나 이상의 배리어층(6)은 층 두께가 100 nm 내지 2000 nm, 바람직하게는 200 nm 내지 800 nm인 것을 특징으로 하는 광전자 부품(1). - 제1항 또는 제2항에 있어서,
전기전도성 입자들(9, 10)은 평균 직경이 1 ㎛ 내지 100 ㎛, 바람직하게는 1 ㎛ 내지 50 ㎛이고/이거나, 전기전도성 입자들(9, 10)은 평균 직경이 평탄화층(5)의 층 두께보다 크고, 바람직하게는 평탄화층(5)의 층 두께보다 최대 100% 더 크거나, 바람직하게는 최대 10% 더 큰 것을 특징으로 하는 광전자 부품(1). - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
전기전도성 입자들(9, 10)의 형상이 구형, 각진 모양, 침상 및/또는 결정립이고/이거나, 바람직하게는 전기전도성 입자들(9, 10)의 형상이 다양하고/하거나, 전기전도성 입자들(9, 10)이 바람직하게는 파편, 결정 또는 그래뉼 형태로 규칙적 또는 불규칙적 형상인 것을 특징으로 하는 광전자 부품(1). - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
전기전도성 입자들(9, 10)은 전도성을 나타내도록 코팅된 유리, 바람직하게는 은으로 코팅된 유리로 형성되거나, 전도성 금속, 바람직하게는 니켈 또는 그의 합금으로 형성되거나, 결정자(crystallite)로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 부품(1). - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
평탄화층(5) 내의 전기전도성 입자들(9, 10)의 부피의 비율은 평탄화층(5)의 전체 부피를 기준으로 10 내지 30%이고/이거나, 배리어층(6)과 대면하는 평탄화층(5) 측면 상의 전기전도성 입자들(9, 10)의 표면은 평탄화층(5)의 표면을 기준으로 10 내지 50%, 바람직하게는 10 내지 30%를 차지하고/하거나, 평탄화층(5) 내의 전기전도성 입자들(9, 10)은 적어도 대부분이 상기 하나 이상의 버스바(7)의 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 광전자 부품(1). - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
광전자 부품(1)은 유기 광기전 소자, 바람직하게는 플렉서블 유기 광기전 소자이며, 유기 광기전 소자의 하나 이상의 광활성층은 흡습제로서 저분자 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 광전자 부품(1). - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 광전자 부품(1), 특히 플렉서블 광전자 부품(1)의 접촉 방법으로서,
a) 하부 전극(2)이 위에 배치된 기판, 하나 이상의 광활성층을 갖는 적층 시스템(4) 및 상부 전극(3)을 제공하는 단계로서, 상기 적층 시스템(4)이 하부 전극(2)과 상부 전극(3) 사이에 배치되는, 단계,
b) 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3) 상에 평탄화 재료를 도포하는 단계,
c) 전기전도성 입자들(9, 10)을 상기 평탄화 재료 내부 및/또는 상부에 도입하는 단계,
d) 상기 평탄화 재료를 바람직하게는 UV 조사 및/또는 열처리를 통해 경화시켜, 전기전도성 입자들(9, 10)을 함유한 평탄화층(5)을 형성하는 단계,
e) 상기 평탄화층(5)에 하나 이상의 배리어층(6)을 도포하는 단계로서, 바람직하게는 전기전도성 입자들(9, 10)이 상기 하나 이상의 배리어층의 적어도 일부에 침투하는 것인 단계,
f) 상기 하나 이상의 배리어층(6) 상에 하나 이상의 버스바(7)를 도포함으로써 하부 전극(2) 및/또는 상부 전극(3)이 전기전도성 입자들(9, 10)에 의해 상기 하나 이상의 버스바(7)와 전기전도적으로 접촉하도록 하는 단계
를 포함하는, 광전자 부품(1)의 접촉 방법. - 제8항에 있어서,
단계 b)의 평탄화 재료는 습식 코팅법에 의해 도포되고/되거나, 전기전도성 입자들(9, 10)이 단계 c)에서 평탄화 재료의 특정 영역들에, 바람직하게는 단계 f)에서 하나 이상의 버스바(7)가 후속으로 도포될 평탄화 재료 영역들에 도입되는 것인, 광전자 부품(1)의 접촉 방법. - 제8항 또는 제9항에 있어서,
전기전도성 입자들(9, 10)은 단계 c)에서 가압 하에, 바람직하게는 가압 롤러에 의해, 평탄화 재료 내부에 도입되며, 자성 입자들의 경우에는 접촉될 광전자 부품(1) 아래에 배치되는 자석에 의해 평탄화 재료 내부에 도입되는 것인, 광전자 부품(1)의 접촉 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102019129832.6 | 2019-11-05 | ||
| DE102019129832.6A DE102019129832A1 (de) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | Optoelektronisches Bauelement, sowie Verfahren zur Kontaktierung eines optoelektronischen Bauelements |
| PCT/DE2020/100950 WO2021089089A1 (de) | 2019-11-05 | 2020-11-05 | Optoelektronisches bauelement, sowie verfahren zur kontaktierung eines optoelektronischen bauelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220098136A true KR20220098136A (ko) | 2022-07-11 |
Family
ID=73646037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020227014690A KR20220098136A (ko) | 2019-11-05 | 2020-11-05 | 광전자 부품 및 광전자 부품의 접촉 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12029053B2 (ko) |
| EP (1) | EP4055638A1 (ko) |
| KR (1) | KR20220098136A (ko) |
| CN (1) | CN114616687A (ko) |
| DE (1) | DE102019129832A1 (ko) |
| WO (1) | WO2021089089A1 (ko) |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114046A (en) * | 1997-07-24 | 2000-09-05 | Evergreen Solar, Inc. | Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications |
| AU2004221377B2 (en) | 2003-03-19 | 2009-07-16 | Heliatek Gmbh | Photoactive component comprising organic layers |
| JP2005276857A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| DE102005010978A1 (de) | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Technische Universität Dresden | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
| CA2662202C (en) * | 2006-08-29 | 2013-04-30 | Takehiro Shimizu | Conductive adhesive film and solar cell module |
| US8414961B1 (en) * | 2006-12-13 | 2013-04-09 | Nanosolar, Inc. | Solution deposited transparent conductors |
| DE102007038324A1 (de) * | 2007-08-14 | 2009-02-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Organische elektronische Bauelemente |
| WO2010133208A1 (de) | 2009-05-19 | 2010-11-25 | Technische Universität Dresden | Halbleitendes bauelement |
| WO2011013219A1 (ja) | 2009-07-29 | 2011-02-03 | 株式会社 東芝 | パターンドメディア用原盤の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
| EP2385556B1 (de) | 2010-05-04 | 2021-01-20 | Heliatek GmbH | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
| EP2398056B1 (de) | 2010-06-21 | 2016-03-02 | Heliatek GmbH | Organische Solarzelle mit mehreren Transportschichtsystemen |
| JP5979932B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-08-31 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101816163B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2018-01-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| JP2014179354A (ja) * | 2011-06-30 | 2014-09-25 | Panasonic Corp | 光電変換膜素子およびその製造方法 |
| WO2013007592A1 (de) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes |
| WO2013128621A1 (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-06 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| ES2623258T3 (es) | 2013-02-21 | 2017-07-10 | Heliatek Gmbh | Elemento de construcción optoelectrónico |
| DE102013106639A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Heliatek Gmbh | Organisches, halbleitendes Bauelement |
| KR102137474B1 (ko) * | 2013-10-18 | 2020-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패드 전극 구조물 및 상기 패드 전극 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| DE102014103747B4 (de) * | 2014-03-19 | 2024-06-13 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| JP6325366B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2018-05-16 | エバック株式会社 | 合成樹脂製ホースの製造方法とその装置 |
| FR3023979B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2016-07-29 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
| KR102422960B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2022-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| EP3187496A1 (de) | 2015-12-30 | 2017-07-05 | Heliatek GmbH | Verbindung für fotoaktive organische elektronische bauelemente und fotoaktives organisches elektronisches bauelement enthaltend die verbindung |
| EP3188270B1 (de) | 2015-12-30 | 2018-12-26 | Heliatek GmbH | Organisches halbleitendes material und dessen verwendung in organischen bauelementen |
| JP2017151257A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2018054678A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2018116236A (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP6827332B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-02-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN109065757B (zh) * | 2018-08-07 | 2020-10-16 | 中国乐凯集团有限公司 | 用于oled照明器件的基板及照明器件 |
-
2019
- 2019-11-05 DE DE102019129832.6A patent/DE102019129832A1/de active Pending
-
2020
- 2020-11-05 CN CN202080076039.5A patent/CN114616687A/zh active Pending
- 2020-11-05 KR KR1020227014690A patent/KR20220098136A/ko unknown
- 2020-11-05 EP EP20816390.7A patent/EP4055638A1/de active Pending
- 2020-11-05 US US17/774,481 patent/US12029053B2/en active Active
- 2020-11-05 WO PCT/DE2020/100950 patent/WO2021089089A1/de unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114616687A (zh) | 2022-06-10 |
| EP4055638A1 (de) | 2022-09-14 |
| DE102019129832A1 (de) | 2021-05-06 |
| WO2021089089A1 (de) | 2021-05-14 |
| US20220393124A1 (en) | 2022-12-08 |
| US12029053B2 (en) | 2024-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101700989B1 (ko) | 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| KR100973018B1 (ko) | 광기전력 소자 및 광기전력 소자의 제조 방법 | |
| EP1432050B1 (en) | Large organic devices and methods of fabricating large organic devices | |
| US8425272B2 (en) | Laminated interconnects for organic opto-electronic device modules and method | |
| US8829506B2 (en) | Optoelectronic device having an embedded electrode | |
| US20060090791A1 (en) | Photovoltaic cell with mesh electrode | |
| KR101596070B1 (ko) | 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법 | |
| US20070108539A1 (en) | Stable organic devices | |
| TW200941789A (en) | Device with encapsulation arrangement | |
| JP2009531871A (ja) | 光起電力モジュールを製造するための技術 | |
| US11264581B2 (en) | Flexible substrate material and method of fabricating an electronic thin film device | |
| US10566559B2 (en) | Structure of photovoltaic cell | |
| KR101554763B1 (ko) | 밀폐된 광전 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR20220098136A (ko) | 광전자 부품 및 광전자 부품의 접촉 방법 | |
| US8772776B2 (en) | Electro-optic device and method for manufacturing the same | |
| KR20170071616A (ko) | 전자 컴포넌트 및 전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법 | |
| DE102008030845B4 (de) | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements | |
| KR20230109656A (ko) | 광기전 소자의 전지의 필드 폭 조정 | |
| US20180301649A1 (en) | Organic photoelectric conversion element |