KR20220096139A - Evaporating source and apparatus for processing substrate having the same - Google Patents

Evaporating source and apparatus for processing substrate having the same Download PDF

Info

Publication number
KR20220096139A
KR20220096139A KR1020200188332A KR20200188332A KR20220096139A KR 20220096139 A KR20220096139 A KR 20220096139A KR 1020200188332 A KR1020200188332 A KR 1020200188332A KR 20200188332 A KR20200188332 A KR 20200188332A KR 20220096139 A KR20220096139 A KR 20220096139A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
evaporation source
lateral direction
crucible
guide member
deposition material
Prior art date
Application number
KR1020200188332A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102506553B1 (en
Inventor
신상호
이승환
Original Assignee
주식회사 에스에프에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스에프에이 filed Critical 주식회사 에스에프에이
Priority to KR1020200188332A priority Critical patent/KR102506553B1/en
Publication of KR20220096139A publication Critical patent/KR20220096139A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102506553B1 publication Critical patent/KR102506553B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Abstract

The present invention relates to an evaporation source and a substrate processing apparatus including the same and, more specifically, to an evaporation source and a substrate processing apparatus including the same, which can uniformly supply a deposition material. According to an embodiment of the present invention, the evaporation source comprises: a crucible having an internal space extended laterally to store a deposition material, wherein at least a portion of the upper surface thereof is opened; a nozzle member having a plurality of injection ports arranged laterally, and coupled to the opened upper surface of the crucible; and a guide member installed in the internal space to be positioned between the bottom of the crucible and the nozzle member. The guide member includes: a first guide member extended laterally to be installed in the internal space and having a plurality of opening parts arranged in the lateral direction; and a second guide member installed in the internal space to be arranged above the plurality of opening parts.

Description

증발원 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{EVAPORATING SOURCE AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE HAVING THE SAME}Evaporation source and substrate processing apparatus including the same

본 발명은 증발원 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착 물질을 균일하게 공급할 수 있는 증발원 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an evaporation source and a substrate processing apparatus including the same, and more particularly, to an evaporation source capable of uniformly supplying a deposition material, and a substrate processing apparatus including the same.

일반적으로, 유기 발광 소자(OLED: Organic Light Emitted Device)를 제작하는데 있어서, 가장 중요한 공정은 유기 박막을 형성하는 공정이며, 이러한 유기 박막을 형성하기 위해서는 진공 증착 방법이 주로 사용된다.In general, in manufacturing an organic light emitting device (OLED), the most important process is a process of forming an organic thin film, and a vacuum deposition method is mainly used to form the organic thin film.

이러한 진공 증착 방법은 증착 원료가 담긴 증발원과 기판을 챔버 내에 대향 배치하고, 증발원에 담긴 증착 원료를 증발시켜 증발된 증착 물질을 분사함으로써 기판의 일면에 유기 박막을 형성한다.In this vacuum deposition method, an organic thin film is formed on one surface of the substrate by arranging an evaporation source containing a deposition material and a substrate to face each other in a chamber, evaporating the deposition material contained in the evaporation source, and spraying the evaporated deposition material.

이러한, 증발원은 증착 원료가 저장되는 내부 공간 및 외형의 형상에 따라 포인트형 증발원과 선형 증발원으로 구분된다. 여기서, 포인트 증발원과 선형 증발원은 증착 공정의 조건, 기판의 조건 또는 형성될 증착막의 형태 등을 고려하여 그 사용이 결정되나, 대면적을 가지는 기판에 박막을 증착하기 위하여는 선형 증발원이 주로 이용되고 있다.The evaporation source is divided into a point type evaporation source and a linear evaporation source according to the shape of the outer space and the internal space in which the deposition raw material is stored. Here, the use of the point evaporation source and the linear evaporation source is determined in consideration of the conditions of the deposition process, the conditions of the substrate, or the shape of the deposition film to be formed, but the linear evaporation source is mainly used to deposit the thin film on the substrate having a large area, have.

그러나, 이와 같은 선형 증발원은 일 방향으로 연장되는 구조적인 특성상, 증발된 증착 물질의 분사량이 연장 방향을 따라 불균일하게 분포되는 문제점이 있었다. 즉, 선형 증발원을 가열하는 과정에서 균일한 가열이 이루어지지 않는 경우 가열량이 상대적으로 많은 부분의 증착 원료가 먼저 소모되어 증착 원료로부터 증발되는 증착 물질의 양이 불균일하게 되는 문제점이 있었다. 또한, 선형 증발원의 내부 공간에서 압력이 불균일하게 분포되어 증착 원료가 국부적으로 변성되는 문제점이 있었다.However, such a linear evaporation source has a problem in that, due to a structural characteristic of extending in one direction, the amount of spraying of the evaporated deposition material is non-uniformly distributed along the extending direction. That is, when uniform heating is not performed in the process of heating the linear evaporation source, a portion of the deposition material having a relatively large amount of heating is consumed first, so that the amount of the deposition material evaporated from the deposition source becomes non-uniform. In addition, there is a problem in that the deposition raw material is locally denatured because the pressure is non-uniformly distributed in the internal space of the linear evaporation source.

KRKR 10-2017-004131010-2017-0041310 AA

본 발명은 균일한 내압을 가져 증착 물질을 균일하게 공급할 수 있는 증발원 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides an evaporation source capable of uniformly supplying a deposition material having a uniform internal pressure and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명의 실시 예에 따른 증발원은, 증착 원료가 저장되도록 측 방향으로 연장된 내부 공간을 가지며, 상면의 적어도 일부가 개방되는 도가니; 측 방향으로 배열되는 복수의 분사구를 가지며, 상기 도가니의 개방된 상면에 결합되는 노즐 부재; 및 상기 도가니의 바닥과 상기 노즐 부재 사이에 위치하도록 상기 내부 공간에 설치되는 유도 부재;를 포함하고, 상기 유도 부재는, 측 방향으로 연장되어 상기 내부 공간에 설치되고, 측 방향을 따라 배열된 복수의 개방부를 가지는 제1 유도 부재; 및 상기 복수의 개방부의 상부에 각각 배치되도록 상기 내부 공간에 설치되는 복수의 제2 유도 부재;를 포함한다.An evaporation source according to an embodiment of the present invention includes: a crucible having an inner space extending laterally to store a deposition material, and having at least a portion of an upper surface open; a nozzle member having a plurality of injection holes arranged in a lateral direction and coupled to an open upper surface of the crucible; and a guide member installed in the inner space so as to be positioned between the bottom of the crucible and the nozzle member, wherein the guide member extends in a lateral direction and is installed in the inner space and is arranged in a lateral direction a first guide member having an opening of and a plurality of second guide members installed in the inner space so as to be respectively disposed above the plurality of openings.

상기 제1 유도 부재는, 상기 복수의 개방부가 형성되도록 측 방향을 따라 이격 배치되는 복수의 가림부;를 포함할 수 있다.The first guide member may include a plurality of shielding portions spaced apart from each other in a lateral direction to form the plurality of opening portions.

상기 복수의 가림부는 측 방향을 따라 서로 다른 간격을 가지도록 이격 배치될 수 있다.The plurality of shielding units may be spaced apart from each other to have different intervals along the lateral direction.

상기 복수의 가림부는 측 방향을 따른 중심부 측으로부터 단부 측으로 갈수록 이격 거리가 감소하도록 배치될 수 있다.The plurality of shielding portions may be arranged such that the separation distance decreases from the center side to the end side in the lateral direction.

상기 복수의 제2 유도 부재는, 상기 복수의 개방부와 각각 중첩되도록 이격 배치되는 복수의 차단부;를 포함할 수 있다.The plurality of second guide members may include a plurality of blocking parts spaced apart from each other to overlap the plurality of opening parts.

상기 복수의 제2 유도 부재는, 상기 복수의 차단부에 각각 마련되는 적어도 하나의 관통구;를 더 포함할 수 있다.The plurality of second guide members may further include at least one through hole provided in each of the plurality of blocking units.

상기 적어도 하나의 관통구는 측 방향으로 연장되어 마련될 수 있다.The at least one through hole may be provided to extend in a lateral direction.

상기 적어도 하나의 관통구는 상기 복수의 차단부에 서로 다른 크기로 마련될 수 있다.The at least one through hole may be provided in different sizes of the plurality of blocking parts.

상기 적어도 하나의 관통구는, 측 방향을 따른 중심부 측에 배치된 차단부로부터 단부 측에 배치된 차단부로 갈수록 크기가 감소하도록 마련될 수 있다.The at least one through hole may be provided to decrease in size from the blocking portion disposed on the central side in the lateral direction toward the blocking portion disposed on the end side.

상기 적어도 하나의 관통구는 상기 복수의 차단부에 서로 다른 개수로 마련될 수 있다.The at least one through hole may be provided in a different number to the plurality of blocking parts.

상기 적어도 하나의 관통구는, 측 방향을 따른 중심부 측에 배치된 차단부로부터 단부 측에 배치된 차단부로 갈수록 개수가 감소하도록 마련될 수 있다.The at least one through hole may be provided such that the number decreases from the blocking portion disposed on the central side in the lateral direction to the blocking portion disposed on the end side in the lateral direction.

상기 증발원은, 상기 제1 유도 부재를 둘러싸도록 연장되는 측벽; 및 측 방향과 교차하는 방향으로 연장되어, 상기 측벽의 양측 내벽면에 일단과 타단이 각각 결합되는 보강 핀;을 더 포함할 수 있다.The evaporation source may include: a side wall extending to surround the first guide member; and a reinforcing pin extending in a direction crossing the lateral direction and having one end and the other end coupled to both inner wall surfaces of the side wall, respectively.

상기 보강 핀은, 상기 복수의 개방부 및 상기 복수의 제2 유도 부재와 중첩되지 않는 위치에서 상기 측벽의 양측 내벽면에 결합될 수 있다.The reinforcing pins may be coupled to inner wall surfaces of both sides of the side wall at positions not overlapping the plurality of openings and the plurality of second guide members.

상기 도가니의 상단에는 내측으로 함몰되는 단차가 마련되고, 상기 측벽의 상단은 상기 함몰부에 의하여 지지되도록 적어도 일부가 외측으로 절곡될 수 있다.A step recessed inwardly is provided at an upper end of the crucible, and at least a portion of the upper end of the sidewall may be bent outwardly so as to be supported by the depression.

상기 제1 유도 부재 및 상기 측벽은 상기 제1 유도 부재가 탈착 가능하도록 일체로 형성될 수 있다.The first guide member and the sidewall may be integrally formed so that the first guide member is detachable.

상기 증발원은, 상기 측벽의 내벽면으로부터 돌출되어, 상기 복수의 제2 유도 부재를 지지하기 위한 돌출부;를 더 포함할 수 있다.The evaporation source may further include a protrusion protruding from an inner wall surface of the sidewall to support the plurality of second guide members.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 공정 공간을 제공하는 챔버; 상기 공정 공간에 반입되는 기판을 고정시키기 위하여, 상기 공정 공간에 마련되는 기판 홀더; 증착 원료를 가열시켜 증착 물질로 증발시키기 위하여, 상기 공정 공간에 마련되는 전술한 어느 하나의 증발원; 및 상기 기판 홀더 및 상기 증발원 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 이송부;를 포함한다.In addition, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include: a chamber providing a process space; a substrate holder provided in the process space to fix the substrate loaded into the process space; any one of the above-described evaporation sources provided in the process space to heat the deposition material to evaporate it into a deposition material; and a transfer unit for moving at least one of the substrate holder and the evaporation source.

상기 이송부는 상기 기판 홀더 및 상기 증발원 중 적어도 하나를 측 방향과 교차하는 방향으로 이동시킬 수 있다.The transfer unit may move at least one of the substrate holder and the evaporation source in a direction crossing the lateral direction.

본 발명의 실시 예에 따른 증발원 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 의하면, 측 방향으로 연장되는 도가니의 내부 공간에 측 방향을 따라 배열된 복수의 개방부를 가지는 제1 유도 부재를 설치하여, 증착 물질을 측 방향을 따른 복수의 영역에서 집중시켜 균일한 내압을 유지할 수 있다.According to the evaporation source and the substrate processing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention, by installing a first guide member having a plurality of openings arranged in the lateral direction in the inner space of the crucible extending in the lateral direction, the deposition material It is possible to maintain a uniform internal pressure by concentrating it in a plurality of regions along the lateral direction.

또한, 복수의 개방부의 상부에 복수의 제2 유도 부재를 배치하여 제1 유도 부재를 통과한 증착 물질을 측 방향으로 원활하게 유도할 수 있으며, 유도된 증착 물질을 제2 유도 부재 사이의 이격된 영역으로 충분하게 통과시킬 수 있다.In addition, by arranging a plurality of second guiding members on top of the plurality of openings, the deposition material passing through the first guiding member may be smoothly guided in the lateral direction, and the induced deposition material may be induced to be spaced apart between the second guiding members. enough to pass through the area.

이에 의하여, 도가니의 내부 공간에서 증착 원료가 균일한 양으로 소모될 수 있으며, 저장된 증착 원료가 국부적으로 변성되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 기판에 형성되는 박막의 두께를 균일하게 유지할 수 있다.Thereby, the deposition raw material can be consumed in a uniform amount in the inner space of the crucible, and the stored deposition raw material can be prevented from being denatured locally, and the thickness of the thin film formed on the substrate can be maintained uniformly.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증발원의 구성 요소를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 증발원이 X-Z 평면을 따라 절단된 모습을 나타내는 도면.
도 3은 단일의 개방부를 가지는 증발원의 내부 압력을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 복수의 개방부를 가지는 증발원의 내부 압력을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면.
1 is a view schematically showing components of an evaporation source according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a state in which the evaporation source according to an embodiment of the present invention is cut along the XZ plane.
3 is a diagram showing the internal pressure of an evaporation source having a single opening;
4 is a view showing an internal pressure of an evaporation source having a plurality of openings according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장되어 도시될 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only the embodiments of the present invention allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art It is provided to fully inform the In order to describe the invention in detail, the drawings may be exaggerated, and like reference numerals refer to like elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증발원의 구성 요소를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 증발원이 X-Z 평면을 따라 절단된 모습을 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing components of an evaporation source according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a state in which an evaporation source according to an embodiment of the present invention is cut along the X-Z plane.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)은 증착 원료가 저장되도록 측 방향으로 연장된 내부 공간을 가지며, 상면의 적어도 일부가 개방되는 도가니(110), 측 방향으로 배열되는 복수의 분사구(162)를 가지며, 상기 도가니(110)의 개방된 상면에 결합되는 노즐 부재(160) 및 상기 도가니(110)의 바닥과 상기 노즐 부재(160) 사이에 위치하도록 상기 내부 공간에 설치되는 유도 부재를 포함하고, 상기 유도 부재는 측 방향으로 연장되어 상기 내부 공간에 설치되고, 측 방향을 따라 배열된 복수의 개방부(124)를 가지는 제1 유도 부재(120) 및 상기 복수의 개방부(124)의 상부에 각각 배치되도록 상기 내부 공간에 설치되는 복수의 제2 유도 부재(130)를 포함한다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)는 상기 도가니(110)의 외면의 적어도 일부를 감싸도록 설치되어 증착 원료를 가열시키기 위한 히터(미도시)를 더 포함할 수 있다.1 and 2 , the evaporation source 100 according to an embodiment of the present invention has an internal space extending laterally to store a deposition raw material, and a crucible 110 in which at least a portion of its upper surface is opened, in the lateral direction. has a plurality of injection holes 162 arranged as a first guiding member 120 including a guiding member installed in a space, the guiding member extending laterally and installed in the inner space, the first guiding member 120 having a plurality of openings 124 arranged along the lateral direction; and a plurality of second guide members 130 installed in the inner space so as to be respectively disposed above the plurality of openings 124 . In addition, the evaporation source 100 according to an embodiment of the present invention may further include a heater (not shown) installed to surround at least a portion of the outer surface of the crucible 110 to heat the deposition material.

도가니(110)는 증착 원료를 저장하기 위한 내부 공간을 가지며, 증착 원료로부터 가열되어 증발된 증착 물질을 기판에 공급하기 위하여 상면의 적어도 일부가 개방된다. 이에 의하여, 도가니(110)는 증착 원료가 저장되도록 측 방향, 예를 들어 X축 방향으로 연장된 내부 공간을 가진다. 즉, 도가니(110)는 X축 방향으로 연장되는 바닥 및 상기 바닥부의 가장자리로부터 상향 연장된 외벽을 포함할 수 있다. 이때, 도가니(110)는 예를 들어, 상면이 개구된 박스(box) 형상을 가질 수 있다. 이와 같이 X축 방향으로 연장된 선형의 내부 공간을 가지는 도가니(110)에 의하여 보다 용이하게 대형 기판에 박막을 형성할 수 있다.The crucible 110 has an internal space for storing the deposition material, and at least a portion of the upper surface is opened to supply the deposition material heated and evaporated from the deposition material to the substrate. Accordingly, the crucible 110 has an internal space extending in the lateral direction, for example, the X-axis direction so that the deposition raw material is stored. That is, the crucible 110 may include a bottom extending in the X-axis direction and an outer wall extending upward from an edge of the bottom part. In this case, the crucible 110 may have, for example, a box shape with an open top surface. As described above, a thin film can be more easily formed on a large substrate by the crucible 110 having a linear inner space extending in the X-axis direction.

이때, 도가니(110)의 내부 공간은 X축 방향으로의 길이가 Y축 방향으로의 길이보다 5 내지 30배 긴 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 도가니(110)의 내부 공간은 X축 방향으로 50 내지 500cm의 길이를 가질 수 있으며, Y축 방향으로 5 내지 30cm의 길이를 가질 수 있다. 또한, 도가니(110)의 내부 공간은 10 내지 60cm의 높이를 가질 수 있다. 그러나, 도가니(110)의 내부 공간의 크기는 이에 한정되는 것이 아니며, X축 방향으로 연장되어 필요에 따라 다양한 크기를 가질 수 있음은 물론이다.At this time, the inner space of the crucible 110 may have a length in the X-axis direction 5 to 30 times longer than the length in the Y-axis direction. For example, the inner space of the crucible 110 may have a length of 50 to 500 cm in the X-axis direction, and may have a length of 5 to 30 cm in the Y-axis direction. In addition, the inner space of the crucible 110 may have a height of 10 to 60 cm. However, the size of the inner space of the crucible 110 is not limited thereto, and may have various sizes as needed by extending in the X-axis direction.

도가니(110)의 상단, 즉 도가니(100)의 외벽의 상단에는 후술하는 제1 유도 부재(120)를 지지하기 위하여 단차(112)가 형성될 수 있다. 즉, 도가니(110)의 외벽의 상단은 내측 가장자리가 함몰되어 단차(112)가 형성될 수 있으며, 이와 같은 단차(112)에 상기 제1 유도 부재(120)와 연결되는 측벽의 절곡된 가장자리가 안착됨으로써 제1 유도 부재(120)는 도가니(110)의 내부 공간에 지지될 수 있다. 단차(112)는 제1 유도 부재(120)가 도가니(110)의 상단으로부터 소정 길이만큼 하향 배치될 수 있도록 형성되는 깊이가 제어될 수 있다.At the upper end of the crucible 110 , that is, the upper end of the outer wall of the crucible 100 , a step 112 may be formed to support the first guide member 120 , which will be described later. That is, the inner edge of the upper end of the outer wall of the crucible 110 may be recessed to form a step 112 , and the bent edge of the side wall connected to the first induction member 120 is formed at the step 112 . By being seated, the first guide member 120 may be supported in the inner space of the crucible 110 . The depth of the step 112 may be controlled so that the first guide member 120 may be disposed downward by a predetermined length from the top of the crucible 110 .

제1 유도 부재(120)는 측 방향, 예를 들어 X축 방향으로 연장되어 도가니(110)의 내부 공간의 상측에 설치될 수 있다. 즉, 제1 유도 부재(120)는 X축 방향으로의 길이가 Y축 방향으로의 길이에 비해 상대적으로 길게 형성될 수 있다. 이때, 제1 유도 부재(120)는 측 방향을 따라 배열된 복수의 개방부(124)를 가진다. 여기서, 개방부(124)는 상기 도가니(110)의 내부 공간을 일 방향, 예를 들어 Y축 방향으로 전부 노출시킬 수 있다.The first guide member 120 may extend in a lateral direction, for example, an X-axis direction, and may be installed above the inner space of the crucible 110 . That is, the first guide member 120 may be formed to have a relatively long length in the X-axis direction compared to a length in the Y-axis direction. In this case, the first guide member 120 has a plurality of openings 124 arranged along the lateral direction. Here, the opening 124 may expose the entire inner space of the crucible 110 in one direction, for example, the Y-axis direction.

종래에는, 도가니(110)의 내부 공간에 저장된 증착 원료를 균일하게 증발시키기 위하여 복수의 관통 홀이 형성된 이너 플레이트(inner plate)를 사용하였다. 그러나, 이와 같이 복수의 관통 홀이 형성된 이너 플레이트를 사용하는 경우 도가니(110)가 균일하게 가열되지 않는 경우 복수의 관통 홀을 통하여 증착 원료로부터 증발되는 증착 물질의 양이 X축 방향을 따라 불균일하게 되는 문제점이 있었다.Conventionally, an inner plate having a plurality of through-holes formed therein is used to uniformly evaporate the deposition raw material stored in the inner space of the crucible 110 . However, when using the inner plate having a plurality of through-holes as described above, when the crucible 110 is not heated uniformly, the amount of deposition material evaporated from the deposition material through the plurality of through-holes is non-uniform along the X-axis direction. There was a problem being

이와 같이, 증착 물질의 양이 불균일하게 되는 문제점을 해결하기 위하여 관통 홀의 크기를 작게 하는 방안이 고려될 수 있다. 그러나, 관통 홀의 크기가 작아지면 도가니(110)의 내부 공간의 압력이 이너 플레이트 하부에서 필요 이상으로 상승하여 증착 원료가 변성되는 문제를 일으키게 된다.As such, in order to solve the problem that the amount of the deposition material becomes non-uniform, a method of reducing the size of the through hole may be considered. However, when the size of the through hole is reduced, the pressure in the inner space of the crucible 110 increases more than necessary under the inner plate, thereby causing a problem in that the deposition material is denatured.

또한, 증착 물질의 양이 불균일하게 되는 문제점을 해결하기 위하여 이너 플레이트를 복수 개로 마련하고, 하단에 배치된 이너 플레이트에는 중심부에만 관통 홀을 형성하고, 상단에 배치된 이너 플레이트에는 하단의 이너 플레이트에 형성된 관통 홀과 중첩되지 않는 위치로 관통 홀을 형성하는 방안이 고려될 수 있다. 이 경우, 증착 원료로부터 증발되는 증착 물질을 하단의 이너 플레이트를 통해 중심부로 집중시키고, 중심부에 집중된 증착 물질을 상단의 이너 플레이트를 통해 상부로 배출함으로써, 도가니(110)가 균일하게 가열되지 않는 경우에도 비교적 균일한 증착이 이루어질 수 있다.In addition, in order to solve the problem that the amount of deposition material becomes non-uniform, a plurality of inner plates are provided, a through hole is formed only in the center of the inner plate disposed at the bottom, and the inner plate disposed at the top has the inner plate at the bottom. A method of forming the through-hole at a position that does not overlap the formed through-hole may be considered. In this case, the crucible 110 is not heated uniformly by concentrating the deposition material evaporated from the deposition raw material to the center through the inner plate at the bottom, and discharging the deposition material concentrated in the center to the top through the inner plate at the top Relatively uniform deposition can also be achieved.

그러나, 이와 같이 하단의 이너 플레이트의 중심부에만 관통 홀을 형성하는 경우, 증착 물질이 하단의 이너 플레이트를 통해 중심부로 집중되어 중심부로 갈수록 증발량이 증가하는 가우스 분포를 가지게 된다. 즉, 하단의 이너 플레이트의 중심부에만 관통 홀을 형성하는 경우, 도가니(110)의 내부 공간에서 증착 물질의 체류 시간이 국부적으로 달라지게 되어 증착 원료의 소모량이 중심부에서 높아지고, 내압 또한 중심부에서 증가하게 되어 증착 원료가 변성되는 문제를 일으키게 된다.However, when the through hole is formed only in the center of the lower inner plate as described above, the deposition material is concentrated to the center through the lower inner plate and has a Gaussian distribution in which the evaporation amount increases toward the center. That is, when the through hole is formed only in the center of the lower inner plate, the residence time of the deposition material in the inner space of the crucible 110 is locally changed, so that the consumption of the deposition material increases in the center, and the internal pressure also increases in the center This causes a problem in that the deposition material is denatured.

이에, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)에서는 제1 유도 부재(120)가 도가니(110)의 내부 공간을 Y축 방향으로 전부 노출시키는 대면적의 개방부(124)를 가지도록 하여, 도가니(110)의 내압을 낮춰 증발 원료가 변성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)에서는 제1 유도 부재(120)가 X축 방향을 따라 배열된 복수의 개방부(124)를 가지도록 하여 제1 유도 부재(120)를 통과하는 증착 물질이 중심부로 집중되는 것을 방지하여 균일한 증착이 이루어지도록 한다. 이하에서, 제1 유도 부재(120)의 세부 구성에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.Accordingly, in the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention, the first induction member 120 has a large-area open portion 124 exposing all of the inner space of the crucible 110 in the Y-axis direction, By lowering the internal pressure of the crucible 110, it is possible to prevent the evaporation raw material from being denatured. In addition, in the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention, the first guide member 120 passes through the first guide member 120 by having a plurality of openings 124 arranged along the X-axis direction. The deposition material is prevented from being concentrated to the center so that uniform deposition is achieved. Hereinafter, a detailed configuration of the first guide member 120 will be described in more detail.

제1 유도 부재(120)는 복수의 개방부(124)가 형성되도록 측 방향을 따라 이격 배치되는 복수의 가림부(122)을 포함할 수 있다. 여기서, 가림부(122)은 X축 방향으로의 길이가 Y축 방향으로의 길이보다 길게 형성되고, 소정의 두께를 가지는 판형의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 가림부(122)은 X축 방향으로의 길이가 Y축 방향으로의 길이보다 길게 형성된 직사각판을 포함할 수 있다.The first guide member 120 may include a plurality of shielding portions 122 spaced apart from each other in a lateral direction such that a plurality of opening portions 124 are formed. Here, the shielding part 122 may have a plate-like shape having a length in the X-axis direction longer than a length in the Y-axis direction and having a predetermined thickness. For example, the shielding part 122 may include a rectangular plate in which the length in the X-axis direction is longer than the length in the Y-axis direction.

이와 같은 가림부(122)은 복수 개로 마련되며, 가림부(122) 사이에서 각각 개방부(124)가 형성되도록 복수 개의 가림부(122)은 측 방향, 예를 들어 X축 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 가림부(122)은 3개 이상으로 마련될 수 있으며, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 가림부(122)은 4개로 마련될 수 있다. 가림부(122)이 4개로 마련되고, 4개의 가림부(122)을 각각 이격 배치함으로써, X축 방향을 따른 내부 공간의 중심부 및 상기 중심부의 양측으로 각각 개방부(124)를 형성할 수 있다. 이와 같이 개방부(124)를 내부 공간의 중심부 및 상기 중심부의 양측을 포함하는 복수 개로 형성함으로써 제1 유도 부재(120)를 통과하는 증착 물질이 X축 방향을 따른 복수의 영역에서 각각 집중되도록 할 수 있다.The shielding part 122 is provided in plurality, and the plurality of shielding parts 122 are arranged to be spaced apart from each other in the lateral direction, for example, the X-axis direction so that an open part 124 is formed between the shielding parts 122, respectively. can be For example, three or more shielding parts 122 may be provided, and as shown in FIGS. 1 and 2 , four shielding parts 122 may be provided. Four shielding parts 122 are provided, and by arranging the four shielding parts 122 to be spaced apart from each other, the opening parts 124 may be formed in the center of the inner space along the X-axis direction and on both sides of the center, respectively. . In this way, by forming a plurality of openings 124 including the central portion of the inner space and both sides of the central portion, the deposition material passing through the first guide member 120 is concentrated in a plurality of regions along the X-axis direction, respectively. can

이때, 복수의 가림부(122)은 X축 방향을 따라 서로 다른 간격을 가지도록 이격 배치될 수 있다. 즉, 복수의 가림부(122)은 가림부(122) 사이에서 복수의 개방부(124)가 서로 다른 크기로 형성되도록 X축 방향을 따라 서로 다른 간격을 가지도록 이격 배치될 수 있다. 이때, 복수의 가림부(122)은, X축 방향을 따른 중심부 측으로부터 단부 측으로 갈수록 이격 거리가 감소하도록 배치될 수 있다. 즉, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 가림부(122)이 X축 방향으로 순차적으로 배치되는 제1 가림부(122A), 제2 가림부(122B), 제3 가림부(122C) 및 제4 가림부(122D)을 포함하는 경우, 제2 가림부(122B)과 제3 가림부(122C) 사이의 이격 거리는 제1 가림부(122A)과 제2 가림부(122B) 사이의 이격 거리 및 제3 가림부(122C)과 제4 가림부(122D) 사이의 이격 거리보다 길게 형성될 수 있다. 이와 같이, 복수의 가림부(122)을 X축 방향을 따른 중심부 측으로부터 단부 측으로 갈수록 이격 거리가 감소하도록 배치함으로써 중심부 측에 위치하는 개방부(124)의 면적을 상대적으로 크게 형성할 수 있으며, 이에 의하여 복수의 가림부(122)의 상부에서 증발 물질이 균일하게 분포되도록 제어할 수 있다.In this case, the plurality of shielding parts 122 may be spaced apart from each other to have different intervals along the X-axis direction. That is, the plurality of shielding parts 122 may be spaced apart from each other to have different intervals along the X-axis direction so that the plurality of opening parts 124 are formed in different sizes between the shielding parts 122 . In this case, the plurality of shielding parts 122 may be disposed such that the separation distance decreases from the center side along the X-axis direction toward the end side. That is, as shown in FIGS. 1 and 2 , a first shielding part 122A, a second shielding part 122B, and a third shielding part ( 122C) and the fourth shielding part 122D, the distance between the second shielding part 122B and the third shielding part 122C is between the first shielding part 122A and the second shielding part 122B. may be formed to be longer than a separation distance of , and a separation distance between the third shielding part 122C and the fourth shielding part 122D. In this way, by disposing the plurality of shielding parts 122 so that the separation distance decreases from the central side along the X-axis direction toward the end side, the area of the open part 124 located on the central side can be formed relatively large, Accordingly, it is possible to control the evaporation material to be uniformly distributed over the plurality of shielding parts 122 .

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)은 상기 제1 유도 부재(120)를 둘러싸도록 연장되는 측벽(140)을 더 포함할 수 있다. 이와 같은 측벽(140)은 복수의 가림부(122) 및 복수의 개방부(124)에 의하여 형성되는 영역의 가장자리로부터 상향 연장되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 유도 부재(120) 및 상기 측벽(140)은 상기 제1 유도 부재(120)가 탈착 가능하도록 일체로 형성될 수 있으며, 측벽(140)은 Y축 방향으로 서로 대향되도록 마련되는 제1 측벽(140A) 및 제2 측벽(140B)과 X축 방향으로 서로 대향되도록 마련되는 제3 측벽(140C) 및 제4 측벽(140D)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the evaporation source 100 according to an embodiment of the present invention may further include a side wall 140 extending to surround the first guide member 120 . The sidewall 140 may be formed to extend upward from the edge of the region formed by the plurality of shielding portions 122 and the plurality of opening portions 124 . At this time, the first guide member 120 and the side wall 140 may be integrally formed so that the first guide member 120 is detachable, and the side wall 140 is provided to face each other in the Y-axis direction. The first sidewall 140A and the second sidewall 140B may include a third sidewall 140C and a fourth sidewall 140D that are provided to face each other in the X-axis direction.

측벽(140)의 상단은 외측으로 절곡되어 형성될 수 있다. 즉, 제1 측벽(140A), 제2 측벽(140B), 제3 측벽(140C) 및 제4 측벽(140D)은 상단이 각각 외측으로 절곡되어 형성될 수 있으며, 각 측벽(140)이 절곡된 부분은 전술한 도가니(110)의 측벽부 상단에 형성된 단차(112)에 안착된다. 이에 의하여, 제1 유도 부재(120)는 도가니(110)의 내부 공간에 설치될 수 있다.The upper end of the side wall 140 may be bent outwardly. That is, the first sidewall 140A, the second sidewall 140B, the third sidewall 140C, and the fourth sidewall 140D may be formed by bending their upper ends to the outside, respectively, and each sidewall 140 is bent. The portion is seated on the step 112 formed at the top of the side wall of the crucible 110 described above. Accordingly, the first guide member 120 may be installed in the inner space of the crucible (110).

또한, 측벽(140)은 소정 높이에서 내측면이 내측으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 이와 같은 돌출부(142)는 후술하는 제2 유도 부재(130)를 안착시키기 위한 것으로, 제2 유도 부재(130)는 제1 유도 부재(120)의 측벽(140)의 내측면이 돌출된 부분에 안착되어 도가니(110)의 내부 공간에 설치될 수 있다. 여기서, 돌출부(142)는 제2 유도 부재(130)가 가림부(122)으로부터 소정 길이만큼 상향 이격되어 배치될 수 있도록 형성되는 높이가 제어될 수 있다.In addition, the sidewall 140 may be formed so that the inner surface protrudes inwardly at a predetermined height. The protrusion 142 is for seating the second guiding member 130 to be described later, and the second guiding member 130 is located on the protruding portion of the inner surface of the sidewall 140 of the first guiding member 120 . It may be seated and installed in the inner space of the crucible 110 . Here, the height of the protrusion 142 may be controlled so that the second guide member 130 may be disposed to be upwardly spaced apart from the shielding part 122 by a predetermined length.

여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)은 제1 측벽(140A)과 상기 제2 측벽(140B)을 연결하는 보강 핀(150)을 더 포함할 수 있다. 즉, 제1 측벽(140A)은 상기 복수의 가림부(122) 및 상기 복수의 개방부(124)의 측 방향을 따른 일측 가장자리로부터 상향 연장되는 제1 측벽(140A) 및 상기 복수의 가림부(122) 및 상기 복수의 개방부(124)의 측 방향을 따른 타측 가장자리로부터 상향 연장되는 제2 측벽(140B)을 포함할 수 있으며, 보강 핀(150)은 제1 측벽(140A)과 제2 측벽(140B)을 연결하여 제1 유도 부재(120)의 강성을 보완할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제2 유도 부재(130)는 복수의 개방부(124)의 상부에 각각 배치되는 바, 제2 유도 부재(130)가 배치되지 않는 위치에서는 제1 측벽(140A)과 제2 측벽(140B)의 상단이 지지되지 않아 제1 측벽(140A)과 제2 측벽(140B)이 내측 또는 외측으로 기울어질 수 있게 된다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 복수의 개방부(124) 및 복수의 제2 유도 부재(130)와 중첩되지 않는 위치에서 상기 제1 측벽(140A)과 상기 제2 측벽(140B)을 연결하는 보강 핀(150)을 설치하여 제1 유도 부재(120)의 강성을 보완할 수 있다.Here, the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention may further include a reinforcing pin 150 connecting the first sidewall 140A and the second sidewall 140B. That is, the first sidewall 140A includes the first sidewall 140A and the plurality of shielding parts ( 122) and a second sidewall 140B that extends upwardly from the other edge along the lateral direction of the plurality of openings 124, and the reinforcing pin 150 includes the first sidewall 140A and the second sidewall. The rigidity of the first guide member 120 may be supplemented by connecting 140B. As will be described later, the second guiding member 130 is disposed above the plurality of openings 124 , respectively, and in a position where the second guiding member 130 is not disposed, the first sidewall 140A and the second Since the upper end of the sidewall 140B is not supported, the first sidewall 140A and the second sidewall 140B may be inclined inwardly or outwardly. Therefore, in order to prevent this, a reinforcing pin ( 150) may be installed to supplement the rigidity of the first guide member 120 .

제2 유도 부재(130)는 복수의 개방부(124)의 상부에 각각 배치되도록 도가니(110)의 내부 공간에 설치된다. 즉, 제2 유도 부재(130)는 복수의 개방부(124)의 상부에 각각 배치되어 복수의 개방부(124)를 통과하는 증착 물질을 측 방향, 예를 들어 X축 방향으로 유도하는 역할을 한다.The second guide member 130 is installed in the inner space of the crucible 110 so as to be respectively disposed on the upper portions of the plurality of openings 124 . That is, the second guiding member 130 is disposed on each of the plurality of openings 124 to guide the deposition material passing through the plurality of openings 124 in the lateral direction, for example, in the X-axis direction. do.

이때, 제2 유도 부재(130)는 복수의 개방부(124)와 각각 중첩되도록 이격 배치되는 복수의 차단부(132)을 포함할 수 있다. 여기서, 차단부(132)은 X축 방향으로의 길이가 Y축 방향으로의 길이보다 길게 형성되고, 소정의 두께를 가지는 판형의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 차단부(132)은 X축 방향으로의 길이가 Y축 방향으로의 길이보다 길게 형성되며, 개방부(124) 이상의 면적을 가지는 직사각판을 포함할 수 있다. 이때, 차단부(132)은 개방부(124)와 동일한 면적을 가지도록 마련될 수 있으며, 이 경우 복수의 차단부(132)이 이격되는 면적을 최대로 확보할 수 있게 되어 제1 유도 부재(120)를 통과한 증착 물질을 제2 유도 부재(130)의 상부로 원활하게 이동시킬 수 있다.In this case, the second guide member 130 may include a plurality of blocking portions 132 spaced apart from each other to overlap the plurality of opening portions 124 . Here, the blocking part 132 may have a plate-like shape having a length in the X-axis direction longer than a length in the Y-axis direction and having a predetermined thickness. For example, the blocking part 132 may include a rectangular plate having a length in the X-axis direction longer than a length in the Y-axis direction and having an area equal to or larger than the open part 124 . At this time, the blocking part 132 may be provided to have the same area as the opening part 124 , and in this case, the area where the plurality of blocking parts 132 are spaced apart can be secured to the maximum, so that the first induction member ( The deposition material that has passed through 120 may be smoothly moved to the upper portion of the second guide member 130 .

한편, 차단부(132)은 복수의 개방부(124)와 각각 중첩되도록 2개 이상으로 마련될 수 있으며, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 차단부(132)은 내부 공간의 중심부 및 상기 중심부의 양측으로 형성된 개방부(124)와 각각 중첩되도록 3개로 마련될 수 있다. 이와 같이 차단부(132)을 복수의 개방부(124)와 각각 중첩되도록 개방부(124)의 상부에 이격 배치함으로써 제1 유도 부재(120)를 통과하는 증착 물질을 측 방향, 예를 들어 X축 방향으로 유도하고, 차단부(132) 사이의 이격된 영역을 통해 제2 유도 부재(130)의 상부로 이동시킬 수 있다.On the other hand, two or more blocking parts 132 may be provided to overlap the plurality of opening parts 124 , respectively, and as shown in FIGS. 1 and 2 , the blocking parts 132 are located at the center of the inner space and the Three openings 124 formed on both sides of the center may be provided to overlap each other. In this way, by arranging the blocking portion 132 to be spaced apart from the upper portion of the opening 124 so as to overlap the plurality of openings 124 , respectively, the deposition material passing through the first induction member 120 is directed in the lateral direction, for example, X It may be guided in the axial direction, and may be moved to the upper portion of the second guide member 130 through the spaced area between the blocking parts 132 .

복수의 차단부(132)에는 각각 적어도 하나의 관통구(134)가 마련될 수 있다. 전술한 바와 같이 차단부(132)에 의하여 제1 유도 부재(120)를 통과하는 증착 물질은 X축 방향으로 유도된다. 만일 차단부(132)에 관통구(134)가 마련되지 않는 경우, 증착 물질은 제2 유도 부재(130) 사이의 이격된 영역 상으로 보다 많은 양이 공급되고, 제2 유도 부재(130) 상에는 상대적으로 적은 양의 증착 물질이 공급된다. 따라서, 제2 유도 부재(130) 상에 증착 물질을 균일하게 공급하기 위하여 복수의 차단부(132)에는 각각 적어도 하나의 관통구(134)가 마련될 수 있다.At least one through hole 134 may be provided in each of the plurality of blocking parts 132 . As described above, the deposition material passing through the first guide member 120 by the blocking part 132 is guided in the X-axis direction. If the through-hole 134 is not provided in the blocking part 132 , a larger amount of the deposition material is supplied onto the spaced area between the second guide members 130 , and on the second guide member 130 , A relatively small amount of deposition material is supplied. Accordingly, at least one through hole 134 may be provided in each of the plurality of blocking parts 132 in order to uniformly supply the deposition material onto the second guide member 130 .

이때, 복수의 차단부(132)에 각각 형성되는 적어도 하나의 관통구(134)는 측 방향으로 연장되어 마련될 수 있다. 이와 같이, 관통구(134)는 측 방향으로 연장되는 형상으로 마련하는 경우, 관통구(134)를 통과하는 증착 물질의 양을 증가시킬 수 있다. 또한, 적어도 하나의 관통구(134)는 상기 복수의 차단부(132)에 서로 다른 크기로 마련될 수 있다. 전술한 바와 같이, 개방부(124)의 면적은 X축 방향을 따라 서로 다른 크기로 형성될 수 있다. 이때, 복수의 차단부(132)은 개방부(124)와 중첩되도록 마련되는 바, 복수의 차단부(132)은 서로 다른 크기를 가질 수 있으며, 이에 따라 복수의 차단부(132)에 X축 방향으로 연장되도록 각각 형성되는 적어도 하나의 관통구(134)는 서로 다른 크기로 마련될 수 있다. 이때, 복수의 차단부(132) 중 X축 방향을 따른 단부 측에 배치된 제1 차단부(132A) 및 제3 차단부(132C)는 X축 방향을 따른 중심부 측에 배치된 제2 차단부(132B)보다 작은 크기를 가질 수 있으므로, 복수의 차단부(132)에 각각 형성되는 적어도 하나의 관통구(134)는, 측 방향을 따른 중심부 측에 배치된 제2 차단부(132B)에 형성된 관통구(134B)보다 단부 측에 배치된 제1 차단부(132A)에 형성되는 관통구(134A) 및 제3 차단부(132C)에 형성된 관통구(134C)의 크기가 감소하도록 마련될 수 있다.At this time, at least one through hole 134 formed in each of the plurality of blocking parts 132 may be provided to extend in a lateral direction. As such, when the through hole 134 is provided in a shape extending in the lateral direction, the amount of the deposition material passing through the through hole 134 may be increased. In addition, the at least one through hole 134 may be provided in the plurality of blocking parts 132 in different sizes. As described above, the area of the opening 124 may be formed to have different sizes along the X-axis direction. At this time, the plurality of blocking portions 132 are provided to overlap the opening 124 , and the plurality of blocking portions 132 may have different sizes, and thus the plurality of blocking portions 132 may have different sizes along the X-axis. The at least one through hole 134 respectively formed to extend in the direction may be provided in different sizes. At this time, the first blocking part 132A and the third blocking part 132C disposed on the end side along the X-axis direction among the plurality of blocking parts 132 are the second blocking parts disposed on the center side along the X-axis direction. Since it may have a size smaller than that of 132B, at least one through hole 134 formed in each of the plurality of blocking portions 132 is formed in the second blocking portion 132B disposed on the central side in the lateral direction. The size of the through hole 134A formed in the first blocking portion 132A disposed on the end side of the through hole 134B and the through hole 134C formed in the third blocking portion 132C may be reduced. .

또한, 적어도 하나의 관통구(134)는 상기 복수의 차단부(132)에 서로 다른 개수로 마련될 수 있다. 이때, 적어도 하나의 관통구(134)는, 측 방향을 따른 중심부 측에 배치된 제2 차단부(132B)으로부터 단부 측에 배치된 제1 차단부(132A) 및 제3 차단부(132C)로 갈수록 개수가 감소하도록 마련될 수 있다. 전술한 바와 같이, 복수의 차단부(132) 중 X축 방향을 따른 단부 측에 배치된 제1 차단부(132A) 및 제3 차단부(132C)은 X축 방향을 따른 중심부 측에 배치된 제2 차단부(132B)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 이때, 복수의 차단부(132)에 동일한 개수로 X축 방향으로 연장되는 관통구(134)를 형성하는 경우 상대적으로 큰 면적을 가지는 중심부 측에 배치된 제2 차단부(132B)의 강성은 저하될 수 있다. 따라서, X축 방향을 따른 중심부 측에 배치된 제2 차단부(132B)에 형성되는 관통구(134B)를 상대적으로 많은 개수로 마련함으로써 상대적으로 큰 면적을 가지는 중심부 측에 배치된 제2 차단부(132B)의 강성을 보강할 수 있다.In addition, the at least one through hole 134 may be provided in different numbers in the plurality of blocking parts 132 . At this time, the at least one through-hole 134 extends from the second blocking part 132B disposed on the central side in the lateral direction to the first blocking part 132A and the third blocking part 132C disposed on the end side. It may be provided so that the number gradually decreases. As described above, among the plurality of blocking parts 132 , the first blocking part 132A and the third blocking part 132C disposed on the end side along the X-axis direction are the first blocking parts 132A and the third blocking part 132C disposed on the center side along the X-axis direction. 2 may have a smaller size than the blocking portion 132B. In this case, when the same number of through holes 134 extending in the X-axis direction are formed in the plurality of blocking portions 132 , the rigidity of the second blocking portions 132B disposed on the central side having a relatively large area is lowered. can be Accordingly, by providing a relatively large number of through holes 134B formed in the second blocking portion 132B disposed on the central side along the X-axis direction, the second blocking portion disposed on the central side having a relatively large area. The rigidity of (132B) can be reinforced.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)는 도가니(110)의 개방된 상면을 덮도록 마련되는 노즐 부재(160)를 더 포함할 수 있다. 노즐 부재(160)는 제2 유도 부재(130)의 상부에 상기 제2 유도 부재(130)와 이격되도록 상기 도가니(110)의 개방된 상면에 결합될 수 있다. 이와 같은 노즐 부재(160)에는 측 방향, 예를 들어 X축 방향으로 복수의 분사구(162)가 형성될 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 이와 같은 복수의 분사구(162)가 동일한 크기 및 형상을 가지며 X축 방향으로 동일 간격으로 형성되는 구조를 예로 들어 도시하였으나, 분사구(162)의 크기, 형상 및 배치 간격은 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.Meanwhile, the evaporation source 100 according to an embodiment of the present invention may further include a nozzle member 160 provided to cover the open upper surface of the crucible 110 . The nozzle member 160 may be coupled to the open upper surface of the crucible 110 so as to be spaced apart from the second guide member 130 on the upper portion of the second guide member 130 . A plurality of injection holes 162 may be formed in such a nozzle member 160 in a lateral direction, for example, an X-axis direction. 1 and 2 , a structure in which the plurality of injection holes 162 have the same size and shape and are formed at the same interval in the X-axis direction is illustrated as an example, but the size, shape and spacing of the injection holes 162 are various It is of course subject to change.

또한, 도시되지는 않았으나 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)는 도가니(110)의 외면의 적어도 일부를 감싸도록 설치되어 증착 원료를 가열시키기 위한 히터를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 히터는 도가니(110)의 외측에 도가니(110)의 외벽을 따라 배치될 수 있으며, 복수의 히팅 플레이트 또는 히팅 코일을 포함할 수도 있다. 이와 같은 가열 부재는 도가니(110)를 가열시키기 위한 열, 예를 들어 복사열을 제공하여 도가니(110)를 가열시킬 수 있다. 가열 부재에 의하여 도가니(110)에 수용된 증착 원료는 증착 물질로 증발되며, 기판에 증착된 증착 물질에 의하여 기판에 박막이 형성될 수 있다.In addition, although not shown, the evaporation source 100 according to an embodiment of the present invention is installed to surround at least a portion of the outer surface of the crucible 110 and may further include a heater for heating the deposition material. For example, the heater may be disposed along an outer wall of the crucible 110 on the outside of the crucible 110 , and may include a plurality of heating plates or heating coils. Such a heating member may heat the crucible 110 by providing heat for heating the crucible 110 , for example, radiant heat. The deposition raw material accommodated in the crucible 110 by the heating member is evaporated as a deposition material, and a thin film may be formed on the substrate by the deposition material deposited on the substrate.

도 3은 단일의 개방부를 가지는 증발원의 내부 압력을 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 복수의 개방부를 가지는 증발원의 내부 압력을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating the internal pressure of an evaporation source having a single opening, and FIG. 4 is a diagram illustrating an internal pressure of an evaporation source having a plurality of openings according to an embodiment of the present invention.

도 3에서는 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)와 내부 압력을 비교하기 위해 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')의 내부 압력을 시뮬레이션하였다. 보다 상세하게는, 도 3(a)는 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')의 내부 압력을 색상으로 나타내었으며, 도 3(b)는 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')의 제1 유도 부재(120) 상의 영역에서 압력 분포를 그래프로 나타내었다. 이때, 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')는 제1 유도 부재(120)에 포함되는 가림부(122)을 2개로 구성하여 X축 방향을 따른 중심부에만 단일의 개방부(124)가 형성되도록 구성하였으며, 이에 따라 개방부(124)와 중첩되도록 배치되는 제2 유도 부재(130) 또한 단일로 구성하였다.In FIG. 3 , the internal pressure of the evaporation source 100 ′ having a single opening 124 is simulated in order to compare the internal pressure with the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 3(a) shows the internal pressure of the evaporation source 100' having a single opening 124 in color, and FIG. 3(b) is an evaporation source having a single opening 124. The pressure distribution in the region on the first guiding member 120 of 100' is graphically shown. In this case, the evaporation source 100 ′ having a single opening 124 includes two shielding parts 122 included in the first induction member 120 , and only a single opening 124 in the center along the X-axis direction. ) was configured to be formed, and thus the second guide member 130 disposed to overlap the opening 124 was also configured as a single unit.

이와 같이 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')의 경우, 전체적인 내부 압력은 8.136 Pa의 값을 가지는 것으로 측정되었다. 또한, 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')의 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 유도 부재(120) 상의 영역에서 압력이 불균일하게 분포되는 것을 알 수 있다. 즉, 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')의 경우 X축 방향을 따른 중심부에서 제1 유도 부재(120) 상의 영역의 압력 비율을 1로 하였을 때, X축 방향을 따른 단부에서 제1 유도 부재(120) 상의 영역의 압력 비율은 0.8 이하로 감소함을 알 수 있다.As such, in the case of the evaporation source 100 ′ having a single opening 124 , the overall internal pressure was measured to have a value of 8.136 Pa. In addition, in the case of the evaporation source 100 ′ having a single opening 124 , it can be seen that the pressure is non-uniformly distributed in the region on the first guide member 120 as shown in FIG. 3 . That is, in the case of the evaporation source 100 ′ having a single opening 124 , when the pressure ratio of the area on the first induction member 120 is 1 at the center along the X-axis direction, at the end along the X-axis direction It can be seen that the pressure ratio of the region on the first guide member 120 decreases to 0.8 or less.

이에 따라, 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100')의 경우, 증착 물질이 제1 유도 부재(120) 상에서 중심부로 집중되는 가우스 분포를 가지게 되어, 증착 원료의 소모량이 중심부에서 높아지고, 내압 또한 중심부에서 증가하게 되어 증착 원료가 변성되는 문제를 일으키게 된다.Accordingly, in the case of the evaporation source 100 ′ having a single opening 124 , the deposition material has a Gaussian distribution concentrated to the center on the first induction member 120 , and the consumption of the deposition material increases at the center, The internal pressure also increases at the center, causing a problem in which the deposition material is denatured.

이에 대하여, 도 4에서는 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)의 내부 압력을 시뮬레이션하였다. 보다 상세하게는, 도 4(a)는 중심부와 상기 중심부의 양측으로 3개의 개방부(124)를 가지는 증발원(100)의 내부 압력을 색상으로 나타내었으며, 도 4(b)는 이와 같은 본 발명의 실시 예를 따른 증발원(100)의 제1 유도 부재(120) 상의 영역에서 압력 분포를 그래프로 나타내었다.In contrast, in FIG. 4 , the internal pressure of the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention is simulated. In more detail, FIG. 4(a) shows the internal pressure of the evaporation source 100 having the center and three openings 124 on both sides of the center in color, and FIG. 4(b) is the same as the present invention. The pressure distribution in the region on the first guide member 120 of the evaporation source 100 according to the embodiment of the graph is shown.

이와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)의 경우, 전체적인 내부 압력은 6.958 Pa의 값을 가져, 단일의 개방부(124)를 가지는 증발원(100)에 비하여 내부 압력을 효과적으로 저감시킬 수 있음을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 유도 부재(120) 상의 영역에서 압력이 균일하게 분포되는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)의 경우 X축 방향을 따른 단부에서 제1 유도 부재(120) 상의 영역의 압력 비율을 1로 하였을 때, X축 방향을 따른 중심부에서 제1 유도 부재(120) 상의 영역의 압력 비율 또한 0.9 이상의 값을 가져 제1 유도 부재(120) 상의 영역에서 압력이 균일하게 분포되는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)의 경우 제1 유도 부재(120) 상의 X축 방향을 따른 영역에서 압력 차이가 5% 이내의 매우 작은 값으로 발생하여, 증착 물질을 균일하게 공급할 수 있음을 알 수 있다.As such, in the case of the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention, the overall internal pressure has a value of 6.958 Pa, so that the internal pressure can be effectively reduced compared to the evaporation source 100 having a single opening 124 . can be known In addition, in the case of the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention, it can be seen that the pressure is uniformly distributed in the region on the first guide member 120 as shown in FIG. 4 . That is, in the case of the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention, when the pressure ratio of the region on the first induction member 120 at the end along the X-axis direction is 1, the first induction in the center along the X-axis direction The pressure ratio of the region on the member 120 also has a value of 0.9 or more, indicating that the pressure is uniformly distributed in the region on the first inducing member 120 . That is, in the case of the evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention, the pressure difference in the region along the X-axis direction on the first induction member 120 occurs at a very small value within 5%, so that the deposition material can be uniformly supplied. It can be seen that

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.5 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 챔버(10), 상기 공정 공간에 반입되는 기판(S)을 고정시키기 위하여, 상기 공정 공간에 마련되는 기판 홀더(20), 증착 원료를 가열시켜 증착 물질로 증발시키기 위하여, 상기 공정 공간에 마련되는 증발원(100) 및 상기 기판 홀더(20) 및 상기 증발원(100) 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 이송부(미도시)를 포함한다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판 홀더(20)와 증발원(100) 사이에 마련되는 마스크(30)를 더 포함할 수도 있다.Referring to FIG. 5 , in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, a chamber 10 providing a process space and a substrate holder provided in the process space to fix a substrate S loaded into the process space (20), a transfer unit (not shown) for moving the evaporation source 100 provided in the process space and at least one of the substrate holder 20 and the evaporation source 100 in order to heat the deposition material and evaporate it into a deposition material ) is included. In addition, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a mask 30 provided between the substrate holder 20 and the evaporation source 100 .

챔버(10)는 증착 공정을 수행하기 위한 공정 공간을 제공하기 위한 것으로, 기판의 반입 및 출입을 위한 출입구(미도시) 및 챔버(10) 내부의 압력을 제어하며 기판 상에 증착되지 않은 증착 물질을 배기시키기 위하여 진공 펌프(미도시)와 연결되는 배기부(미도시)를 포함할 수 있다. 여기서, 기판(S)은 유기 발광 소자용 기판을 포함할 수 있으며, 증착 물질은 유기 발광 소자의 박막을 형성하기 위한 유기물 또는 금속 물질을 포함할 수 있다.The chamber 10 is to provide a process space for performing a deposition process, and controls an entrance (not shown) for loading and exiting a substrate and a pressure inside the chamber 10, and depositing materials not deposited on the substrate. It may include an exhaust unit (not shown) connected to a vacuum pump (not shown) to exhaust the air. Here, the substrate S may include a substrate for an organic light emitting device, and the deposition material may include an organic material or a metal material for forming a thin film of the organic light emitting device.

기판 홀더(20)는 챔버(10)의 공정 공간으로 반입되는 기판을 안착시키기 위한 것으로, 증착 공정이 수행되는 동안 기판을 고정하기 위한 별도의 고정 부재를 더 포함할 수 있다. 도 5에서는 기판 홀더(20)가 공정 공간의 상부에 위치하여 기판을 수평하게 고정시키는 것으로 도시되어 있으나, 기판 홀더(20)는 중력에 의한 기판의 처짐을 방지하기 위하여 공정 공간의 측부에 위치하여 소정 각도의 경사각을 가지도록 기판을 고정시킬 수도 있음은 물론이다.The substrate holder 20 is for seating the substrate loaded into the process space of the chamber 10 , and may further include a separate fixing member for fixing the substrate while the deposition process is performed. In FIG. 5 , the substrate holder 20 is positioned at the upper portion of the process space to horizontally fix the substrate, but the substrate holder 20 is located on the side of the process space to prevent sagging of the substrate due to gravity. It goes without saying that the substrate may be fixed to have an inclination angle of a predetermined angle.

증발원(100)은 내부에 저장된 증착 원료를 가열시켜 증착 물질로 증발시킨다. 증발원(100)로부터 증발되는 증착 물질은 기판에 증착되어 박막을 형성하며, 증발원(100)는 일 방향, 예를 들어, X축 방향으로 연장되어 마련될 수 있으며, 증발원(100)은 도 1 내지 도 4를 참조하여 전술한 본 발명의 실시 예에 따른 증발원(100)이 그대로 포함되는 것으로, 전술한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.The evaporation source 100 heats the deposition raw material stored therein and evaporates it into a deposition material. The deposition material evaporated from the evaporation source 100 is deposited on a substrate to form a thin film, and the evaporation source 100 may be provided to extend in one direction, for example, the X-axis direction, and the evaporation source 100 is shown in FIGS. The evaporation source 100 according to the embodiment of the present invention described above with reference to FIG. 4 is included as it is, and a description overlapping with the above description will be omitted.

기판 홀더(20) 및 증발원(100) 중 적어도 하나는 이송부에 의하여 왕복 이동할 수 있다. 예를 들어, 이송부는 증발원(100)를 Y축 방향으로 왕복 이동시켜 기판의 전체 면에 증착 물질이 공급되도록 할 수 있다. 이와 같은 이송부는 볼 스크류, 볼 스크류를 회전시키기 위한 모터 및 증발원(100)의 이동 방향을 제어하기 위한 가이드를 포함할 수 있다.At least one of the substrate holder 20 and the evaporation source 100 may reciprocate by a transfer unit. For example, the transfer unit may reciprocate the evaporation source 100 in the Y-axis direction to supply the deposition material to the entire surface of the substrate. Such a transfer unit may include a ball screw, a motor for rotating the ball screw, and a guide for controlling the moving direction of the evaporation source 100 .

마스크(30)는 챔버(10)의 공정 공간에서 기판 홀더(20)와 증발원(100) 사이에 배치되며, 기판 홀더(20)에 의하여 고정되는 기판에 밀착되도록 배치될 수 있다. 마스크(30)는 기판에 형성하려고 하는 박막의 패턴과 대응되는 패턴을 가질 수 있다. 즉, 마스크(30)는 기판에 형성하려고 하는 박막의 패턴과 동일한 형상을 가지는 패턴이 관통 형성될 수 있다. 마스크(30)에 의하여 증발원(100)로부터 증발되는 증착 물질을 기판의 원하는 위치에 증착시킴으로써 기판에 원하는 패턴의 박막을 형성할 수 있으며, 마스크(30)는 공정 공간에 설치되는 프레임(미도시)에 의하여 지지될 수 있다.The mask 30 is disposed between the substrate holder 20 and the evaporation source 100 in the process space of the chamber 10 , and may be disposed to be in close contact with the substrate fixed by the substrate holder 20 . The mask 30 may have a pattern corresponding to the pattern of the thin film to be formed on the substrate. That is, the mask 30 may be formed through a pattern having the same shape as the pattern of the thin film to be formed on the substrate. By depositing the deposition material evaporated from the evaporation source 100 by the mask 30 at a desired position on the substrate, a thin film having a desired pattern can be formed on the substrate, and the mask 30 is a frame (not shown) installed in the process space. can be supported by

도시되지는 않았으나 마스크(30)와 증발원(100) 사이에는 가림 판이 배치될 수도 있음은 물론이다. 이와 같은 가림 판은 복수의 개구를 포함할 수 있으며, 복수의 개구는 증발원(100)로부터 증발되는 증착 물질의 이동을 가이드할 수 있다.Although not shown, of course, a shielding plate may be disposed between the mask 30 and the evaporation source 100 . Such a shielding plate may include a plurality of openings, and the plurality of openings may guide the movement of the deposition material evaporated from the evaporation source 100 .

이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 증발원 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 의하면, 측 방향으로 연장되는 도가니의 내부 공간에 측 방향을 따라 배열된 복수의 개방부를 가지는 제1 유도 부재를 설치하여, 증착 물질을 측 방향을 따른 복수의 영역에서 집중시켜 균일한 내압을 유지할 수 있다.As such, according to the evaporation source and the substrate processing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention, a first guide member having a plurality of openings arranged in the lateral direction is installed in the inner space of the crucible extending in the lateral direction, A uniform internal pressure may be maintained by concentrating the deposition material in a plurality of regions along the lateral direction.

또한, 복수의 개방부의 상부에 복수의 제2 유도 부재를 배치하여 제1 유도 부재를 통과한 증착 물질을 측 방향으로 원활하게 유도할 수 있으며, 유도된 증착 물질을 제2 유도 부재 사이의 이격된 영역으로 충분하게 통과시킬 수 있다.In addition, by arranging a plurality of second guiding members on top of the plurality of openings, the deposition material passing through the first guiding member may be smoothly guided in the lateral direction, and the induced deposition material may be induced to be spaced apart between the second guiding members. enough to pass through the area.

이에 의하여, 도가니의 내부 공간에서 증착 원료가 균일한 양으로 소모될 수 있으며, 저장된 증착 원료가 국부적으로 변성되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 기판에 형성되는 박막의 두께를 균일하게 유지할 수 있다.Accordingly, the deposition raw material can be consumed in a uniform amount in the inner space of the crucible, and the stored deposition raw material can be prevented from being denatured locally, and the thickness of the thin film formed on the substrate can be maintained uniformly.

상기에서, 본 발명의 바람직한 실시 예가 특정 용어들을 사용하여 설명 및 도시되었지만 그러한 용어는 오로지 본 발명을 명확하게 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 실시 예 및 기술된 용어는 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같이 변형된 실시 예들은 본 발명의 사상 및 범위로부터 개별적으로 이해되어져서는 안 되며, 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated using specific terms, but such terms are only for clearly explaining the present invention, and the embodiments of the present invention and the described terms are the spirit of the following claims And it is obvious that various changes and changes can be made without departing from the scope. Such modified embodiments should not be individually understood from the spirit and scope of the present invention, but should be said to fall within the scope of the claims of the present invention.

10: 챔버 20: 기판 홀더
30: 마스크 100: 증발원
110: 도가니 120: 제1 유도 부재
122: 가림부 124: 개방부
130: 제2 유도 부재 132: 차단부
134: 관통구 140: 측벽
150: 보강 핀 160: 노즐 부재
162: 분사구
10: chamber 20: substrate holder
30: mask 100: evaporation source
110: crucible 120: first guide member
122: shielding part 124: opening part
130: second guide member 132: blocking part
134: through hole 140: side wall
150: reinforcing pin 160: nozzle member
162: nozzle

Claims (18)

증착 원료가 저장되도록 측 방향으로 연장된 내부 공간을 가지며, 상면의 적어도 일부가 개방되는 도가니;
측 방향으로 배열되는 복수의 분사구를 가지며, 상기 도가니의 개방된 상면에 결합되는 노즐 부재; 및
상기 도가니의 바닥과 상기 노즐 부재 사이에 위치하도록 상기 내부 공간에 설치되는 유도 부재;를 포함하고,
상기 유도 부재는,
측 방향으로 연장되어 상기 내부 공간에 설치되고, 측 방향을 따라 배열된 복수의 개방부를 가지는 제1 유도 부재; 및
상기 복수의 개방부의 상부에 각각 배치되도록 상기 내부 공간에 설치되는 복수의 제2 유도 부재;를 포함하는 증발원.
a crucible having an inner space extending laterally to store a deposition material and having at least a portion of its upper surface open;
a nozzle member having a plurality of injection holes arranged in a lateral direction and coupled to an open upper surface of the crucible; and
Including; and a guide member installed in the inner space so as to be positioned between the bottom of the crucible and the nozzle member,
The guide member is
a first guide member extending in a lateral direction and installed in the inner space and having a plurality of openings arranged in the lateral direction; and
Evaporation source comprising a;
청구항 1에 있어서,
상기 제1 유도 부재는,
상기 복수의 개방부가 형성되도록 측 방향을 따라 이격 배치되는 복수의 가림부;를 포함하는 증발원.
The method according to claim 1,
The first guide member,
Evaporation source comprising a; a plurality of shielding portions spaced apart along the lateral direction to form the plurality of openings.
청구항 1에 있어서,
상기 복수의 가림부는 측 방향을 따라 서로 다른 간격을 가지도록 이격 배치되는 증발원.
The method according to claim 1,
The plurality of shielding units are spaced apart from each other to have different intervals along the lateral direction.
청구항 1에 있어서,
상기 복수의 가림부는 측 방향을 따른 중심부 측으로부터 단부 측으로 갈수록 이격 거리가 감소하도록 배치되는 증발원.
The method according to claim 1,
The evaporation source is disposed such that the separation distance of the plurality of shielding portions decreases from the center side to the end side in the lateral direction.
청구항 1에 있어서,
상기 복수의 제2 유도 부재는,
상기 복수의 개방부와 각각 중첩되도록 이격 배치되는 복수의 차단부;를 포함하는 증발원.
The method according to claim 1,
The plurality of second guide members,
Evaporation source comprising a; a plurality of blocking portions spaced apart so as to overlap each of the plurality of openings.
청구항 5에 있어서,
상기 복수의 제2 유도 부재는,
상기 복수의 차단부에 각각 마련되는 적어도 하나의 관통구;를 더 포함하는 증발원.
6. The method of claim 5,
The plurality of second guide members,
Evaporation source further comprising; at least one through hole provided in each of the plurality of blocking parts.
청구항 6에 있어서,
상기 적어도 하나의 관통구는 측 방향으로 연장되어 마련되는 증발원.
7. The method of claim 6,
The at least one through-hole is provided to extend in a lateral direction.
청구항 6에 있어서,
상기 적어도 하나의 관통구는 상기 복수의 차단부에 서로 다른 크기로 마련되는 증발원.
7. The method of claim 6,
The at least one through-hole is provided in the plurality of blocking portions to have different sizes.
청구항 6에 있어서,
상기 적어도 하나의 관통구는, 측 방향을 따른 중심부 측에 배치된 차단부로부터 단부 측에 배치된 차단부로 갈수록 크기가 감소하도록 마련되는 증발원.
7. The method of claim 6,
The at least one through-hole is provided to decrease in size from the blocking portion disposed on the central side in the lateral direction to the blocking portion disposed on the end side in the lateral direction.
청구항 6에 있어서,
상기 적어도 하나의 관통구는 상기 복수의 차단부에 서로 다른 개수로 마련되는 증발원.
7. The method of claim 6,
The at least one through-hole is provided in a different number in the plurality of blocking units.
청구항 6에 있어서,
상기 적어도 하나의 관통구는, 측 방향을 따른 중심부 측에 배치된 차단부로부터 단부 측에 배치된 차단부로 갈수록 개수가 감소하도록 마련되는 증발원.
7. The method of claim 6,
The evaporation source is provided such that the number of the at least one through hole decreases from the blocking portion disposed on the central side in the lateral direction to the blocking portion disposed on the end side in the lateral direction.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 유도 부재를 둘러싸도록 연장되는 측벽; 및
측 방향과 교차하는 방향으로 연장되어, 상기 측벽의 양측 내벽면에 일단과 타단이 각각 결합되는 보강 핀;을 더 포함하는 증발원.
The method according to claim 1,
a side wall extending to surround the first guide member; and
The evaporation source further comprising a; reinforcing pins extending in a direction crossing the lateral direction and having one end and the other end respectively coupled to inner wall surfaces of both sides of the side wall.
청구항 12에 있어서,
상기 보강 핀은, 상기 복수의 개방부 및 상기 복수의 제2 유도 부재와 중첩되지 않는 위치에서 상기 측벽의 양측 내벽면에 결합되는 증발원.
13. The method of claim 12,
The reinforcing pin is an evaporation source coupled to the inner wall surfaces of both sides of the side wall at positions not overlapping the plurality of openings and the plurality of second guide members.
청구항 12에 있어서,
상기 도가니의 상단에는 내측으로 함몰되는 단차가 마련되고,
상기 측벽의 상단은 상기 단차에 의하여 지지되도록 적어도 일부가 외측으로 절곡되는 증발원.
13. The method of claim 12,
A step recessed inward is provided at the top of the crucible,
An evaporation source in which at least a portion of the upper end of the side wall is bent outwardly so as to be supported by the step.
청구항 12에 있어서,
상기 제1 유도 부재 및 상기 측벽은 상기 제1 유도 부재가 탈착 가능하도록 일체로 형성되는 증발원.
13. The method of claim 12,
The first induction member and the sidewall is an evaporation source that is integrally formed so that the first induction member is detachable.
청구항 12에 있어서,
상기 측벽의 내벽면으로부터 돌출되어, 상기 복수의 제2 유도 부재를 지지하기 위한 돌출부;를 더 포함하는 증발원.
13. The method of claim 12,
The evaporation source further comprising a; protrusion protruding from the inner wall surface of the side wall to support the plurality of second guide members.
공정 공간을 제공하는 챔버;
상기 공정 공간에 반입되는 기판을 고정시키기 위하여, 상기 공정 공간에 마련되는 기판 홀더;
증착 원료를 가열시켜 증착 물질로 증발시키기 위하여, 상기 공정 공간에 마련되는 청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 하나의 증발원; 및
상기 기판 홀더 및 상기 증발원 중 적어도 하나를 이동시키기 위한 이송부;를 포함하는 기판 처리 장치.
a chamber providing process space;
a substrate holder provided in the process space to fix the substrate loaded into the process space;
The evaporation source according to any one of claims 1 to 15 provided in the process space to heat the deposition material to evaporate it into a deposition material; and
and a transfer unit for moving at least one of the substrate holder and the evaporation source.
청구항 17에 있어서,
상기 이송부는 상기 기판 홀더 및 상기 증발원 중 적어도 하나를 측 방향과 교차하는 방향으로 이동시키는 기판 처리 장치.
18. The method of claim 17,
The transfer unit moves at least one of the substrate holder and the evaporation source in a direction crossing a lateral direction.
KR1020200188332A 2020-12-30 2020-12-30 Evaporating source and apparatus for processing substrate having the same KR102506553B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200188332A KR102506553B1 (en) 2020-12-30 2020-12-30 Evaporating source and apparatus for processing substrate having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200188332A KR102506553B1 (en) 2020-12-30 2020-12-30 Evaporating source and apparatus for processing substrate having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220096139A true KR20220096139A (en) 2022-07-07
KR102506553B1 KR102506553B1 (en) 2023-03-07

Family

ID=82397505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200188332A KR102506553B1 (en) 2020-12-30 2020-12-30 Evaporating source and apparatus for processing substrate having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102506553B1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100063131A (en) * 2007-11-05 2010-06-10 가부시키가이샤 알박 Vacuum-evaporation source, and organic el element manufacturing apparatus
JP2011127137A (en) * 2009-12-15 2011-06-30 Seiko Epson Corp Vapor deposition crucible and vapor deposition device
KR20170041310A (en) 2015-10-06 2017-04-17 삼성디스플레이 주식회사 Deposition sorce and method of manufacturing the same
KR20180046306A (en) * 2016-10-27 2018-05-08 주식회사 원익아이피에스 Evaporation source and substrate processing apparatus having the same
KR20190023229A (en) * 2017-08-28 2019-03-08 주식회사 선익시스템 Linear evaporation source having slit nozzle, and apparatus having the same
WO2020082496A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Evaporation device and control method therefor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100063131A (en) * 2007-11-05 2010-06-10 가부시키가이샤 알박 Vacuum-evaporation source, and organic el element manufacturing apparatus
JP2011127137A (en) * 2009-12-15 2011-06-30 Seiko Epson Corp Vapor deposition crucible and vapor deposition device
KR20170041310A (en) 2015-10-06 2017-04-17 삼성디스플레이 주식회사 Deposition sorce and method of manufacturing the same
KR20180046306A (en) * 2016-10-27 2018-05-08 주식회사 원익아이피에스 Evaporation source and substrate processing apparatus having the same
KR20190023229A (en) * 2017-08-28 2019-03-08 주식회사 선익시스템 Linear evaporation source having slit nozzle, and apparatus having the same
WO2020082496A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Evaporation device and control method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
KR102506553B1 (en) 2023-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100773249B1 (en) Mask used for forming an electroluminescent layer
KR100964224B1 (en) Evaporating apparatus and method for forming thin film
KR100697663B1 (en) Apparatus for deposition organic compounds
KR101450339B1 (en) Evaporation source and vacuum evaporator using the same
KR100623730B1 (en) Evaporating source assembly and deposition apparatus having the same
KR101094299B1 (en) Linear Evaporating source and Deposition Apparatus having the same
KR101188163B1 (en) Organic material evaporation source and organic vapor deposition device
KR20060008602A (en) Method for depositing organic electroluminescent layer
KR102506553B1 (en) Evaporating source and apparatus for processing substrate having the same
KR20190080044A (en) Crucible for linear evaporation source and Linear evaporation source having the same
KR20200033457A (en) Linear source and substrate processing system having the same
JP5183285B2 (en) Vacuum deposition equipment
KR20060094711A (en) Side effusion type evaporation source and vapor deposion apparatus having the same
KR101907955B1 (en) Evaporation source for adjusting a flux
KR20190038754A (en) Material deposition arrangement, vacuum deposition system, and methods therefor
TWI607103B (en) Deposition source and deposition apparatus having the same
TWI816883B (en) Deposition apparatus
KR101084194B1 (en) Apparatus for thin film deposition having deposition blades
KR20170057646A (en) Apparatus of deposition having radiation angle controlling plate
KR102454716B1 (en) Evaporation Apparatus for Deposition of Different Kind of Materials
KR101620323B1 (en) Depositing device for thin film
KR20200033458A (en) Linear source and substrate processing system having the same
KR102329250B1 (en) Deposition apparatus and deposition method using the same
KR101405101B1 (en) Deposition apparatus
KR100994454B1 (en) Linear type evaporator and vacuum evaporation apparatus having the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant