KR20220092913A - 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및, 수지 - Google Patents

경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및, 수지 Download PDF

Info

Publication number
KR20220092913A
KR20220092913A KR1020227017557A KR20227017557A KR20220092913A KR 20220092913 A KR20220092913 A KR 20220092913A KR 1020227017557 A KR1020227017557 A KR 1020227017557A KR 20227017557 A KR20227017557 A KR 20227017557A KR 20220092913 A KR20220092913 A KR 20220092913A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
preferable
formula
compound
carbon atoms
Prior art date
Application number
KR1020227017557A
Other languages
English (en)
Inventor
아츠야스 노자키
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20220092913A publication Critical patent/KR20220092913A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
    • C08F290/14—Polymers provided for in subclass C08G
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
    • C08F290/14—Polymers provided for in subclass C08G
    • C08F290/145—Polyamides; Polyesteramides; Polyimides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/14—Polyamide-imides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387—Polyamides or polyimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285—Permanent coating compositions
    • H05K3/287—Photosensitive compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Abstract

하기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 하기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 수지, 및, 중합 개시제를 포함하는, 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및, 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스의 제공, 및, 특정 구조를 갖는 신규 수지.

Description

경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및, 수지
본 발명은, 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및, 수지에 관한 것이다.
폴리이미드는, 내열성 및 절연성이 우수하기 때문에, 다양한 용도에 적용되고 있다. 상기 용도로서는 특별히 한정되지 않지만, 실장용의 반도체 디바이스를 예로 들면, 절연막이나 밀봉재의 재료, 또는, 보호막으로서의 이용을 들 수 있다. 또, 플렉시블 기판의 베이스 필름이나 커버 레이 등으로서도 이용되고 있다.
예를 들면 상술한 용도에 있어서, 폴리이미드는, 폴리이미드를 포함하는 경화성 수지 조성물의 형태로 이용되는 경우도 있고, 폴리이미드 전구체 등을 포함하는 경화성 수지 조성물의 형태로 이용되는 경우가 있다. 상기 전구체는, 예를 들면 가열 등에 의하여, 환화하여 폴리이미드 등의 수지가 된다.
이들 경화성 수지 조성물은, 공지의 도포 방법 등에 의하여 기재 등에 적용 가능하기 때문에, 예를 들면, 적용되는 경화성 수지 조성물의 형상, 크기, 적용 위치 등의 설계의 자유도가 높은 등, 제조상의 적응성이 우수하다고 할 수 있다.
폴리이미드 등의 수지가 갖는 높은 성능에 더하여, 이와 같은 제조상의 적응성이 우수한 관점에서, 폴리이미드, 또는, 폴리이미드 전구체를 포함하는 경화성 수지 조성물에 대하여, 산업상의 응용 전개가 점차 기대되고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, 특정 구조를 갖는 폴리암산과, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공표특허공보 2009-251451호
폴리이미드를 포함하는 경화성 수지 조성물에 있어서, 얻어지는 경화막의 내약품성이 우수한 경화성 수지 조성물의 제공이 요망되고 있다.
본 발명의 일 실시형태는, 얻어지는 경화막의 내약품성이 우수한 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및, 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 본 발명의 다른 일 실시형태는, 신규 수지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이하, 본 발명의 대표적인 실시형태의 예를 기재한다.
<1> 하기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 하기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 수지, 및,
중합 개시제를 포함하는, 경화성 수지 조성물;
[화학식 1]
Figure pct00001
식 (1-1) 중, R11은 아마이드 결합을 복수 갖는 4가의 기를 나타내고, L11은 중합성기를 포함하는 2가의 연결기를 나타낸다;
식 (1-2) 중, R21은 아마이드 결합을 복수 갖는 4가의 기이며, L21은 중합성기를 포함하는 2가의 기를 나타내고, R22 및 R23은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
<2> 상기 수지가, 상기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위로서 하기 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위를 갖거나, 또는, 상기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로서 하기 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는, <1>에 기재된 경화성 수지 조성물;
[화학식 2]
Figure pct00002
식 (2-1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는, 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A1은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A2는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, 중합성기를 포함하는 기를 나타내며, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, n1 및 n2는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다;
식 (2-2) 중, X3 및 X4는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A3은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A4는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, G1 및 G2는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, n3 및 n4는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.
<3> 상기 식 (2-1) 중의 X1 및 X2가 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기이며, 상기 식 (2-2) 중의 X3 및 X4가 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기인, <2>에 기재된 경화성 수지 조성물.
<4> 상기 식 (2-1) 중의 Y1이 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기이며, 상기 식 (2-2) 중의 Y2가 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인, <2> 또는 <3>에 기재된 경화성 수지 조성물.
<5> 상기 식 (2-1) 중의 Q1이 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기이며, 상기 식 (2-2) 중의 Q2가 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인, <2> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.
<6> 중합성 화합물을 더 포함하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.
<7> 상기 중합성 화합물로서, 다관능 중합성 화합물을 더 포함하는, <6>에 기재된 경화성 수지 조성물.
<8> 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물.
<9> <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.
<10> <9>에 기재된 경화막을 2층 이상 갖고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 갖는, 적층체.
<11> <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 경화성 수지 조성물을 기판에 적용하여 막을 형성하는 막형성 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.
<12> 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 공정을 포함하는, <11>에 기재된 경화막의 제조 방법.
<13> <9>에 기재된 경화막 또는 <10>에 기재된 적층체를 갖는, 반도체 디바이스.
<14> 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 일방을 포함하는, 수지.
[화학식 3]
Figure pct00003
식 (2-1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A1은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A2는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, n1 및 n2는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다;
식 (2-2) 중, X3 및 X4는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A3은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A4는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, G1 및 G2는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, n3 및 n4는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 얻어지는 경화막의 내약품성이 우수한 경화성 수지 조성물, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 상기 경화막의 제조 방법, 및, 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스가 제공된다.
또, 본 발명의 다른 일 실시형태에 의하면, 신규 수지가 제공된다.
이하, 본 발명의 주요한 실시형태에 대하여 설명한다. 그러나, 본 발명은, 명시한 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서 "~"라는 기호를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
본 명세서에 있어서 "공정"이라는 용어는, 독립적인 공정뿐만 아니라, 그 공정의 소기의 작용을 달성할 수 있는 한에 있어서, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 공정도 포함하는 의미이다.
본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기(원자단)와 함께 치환기를 갖는 기(원자단)도 포함한다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다.
본 명세서에 있어서, 간단히 "지방족기" "지방족 탄화 수소기" "포화 지방족 탄화 수소기" "알킬기", "알킬렌기" 등이라고 기재한 경우, 특별한 기재가 없는 한, 이들 기는 분기 구조 및 환상 구조 중 적어도 일방을 갖고 있어도 되는 것으로 한다. 예를 들면, "알킬기"에는 특별한 기재가 없는 한, 직쇄 알킬기, 분기 알킬기, 환상 알킬기 및 이들 조합에 의하여 나타나는 알킬기가 포함된다.
본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 노광뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선을 이용한 노광도 포함한다. 또, 노광에 이용되는 광으로서는, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X선, 전자선 등의 활성광선 또는 방사선을 들 수 있다.
본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, "아크릴레이트" 및 "메타크릴레이트"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하고, "(메트)아크릴"은, "아크릴" 및 "메타크릴"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 구조식 중의 Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, Bu는 뷰틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 전고형분이란, 조성물의 전체 성분으로부터 용제를 제외한 성분의 총 질량을 말한다. 또 본 명세서에 있어서, 고형분 농도란, 조성물의 총 질량에 대한, 용제를 제외한 다른 성분의 질량 백분율이다.
본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명하지 않는 한, 젤 침투 크로마토그래피(GPC 측정)에 따라, 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8220GPC(도소(주)제)를 이용하고, 칼럼으로서 가드 칼럼 HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, TSKgel Super HZ2000(도소(주)제)을 이용함으로써 구할 수 있다. 그들의 분자량은 특별히 설명하지 않는 한, 용리액으로서 THF(테트라하이드로퓨란)를 이용하여 측정한 것으로 한다. 또, GPC 측정에 있어서의 검출은 특별히 설명하지 않는 한, UV선(자외선)의 파장 254nm 검출기를 사용한 것으로 한다.
본 명세서에 있어서, 적층체를 구성하는 각층(各層)의 위치 관계에 대하여, "상(上)" 또는 "하(下)"라고 기재했을 때에는, 주목하고 있는 복수의 층 중 기준이 되는 층의 상측 또는 하측에 다른 층이 존재하면 된다. 즉, 기준이 되는 층과 상기 다른 층의 사이에, 제3의 층이나 요소가 더 개재되어 있어도 되고, 기준이 되는 층과 상기 다른 층은 접하고 있을 필요는 없다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 기재에 대하여 층이 적층되어 가는 방향을 "상"이라고 칭하거나, 또는, 경화성 수지 조성물층이 존재하는 경우에는, 기재로부터 경화성 수지 조성물층을 향하는 방향을 "상"이라고 칭하며, 그 반대 방향을 "하"라고 칭한다. 또한, 이와 같은 상하 방향의 설정은, 본 명세서 중에 있어서의 편의를 위함이며, 실제의 양태에 있어서는, 본 명세서에 있어서의 "상" 방향은, 연직 상향과 상이한 경우도 있을 수 있다.
본 명세서에 있어서, 특별한 기재가 없는 한, 조성물은, 조성물에 포함되는 각 성분으로서, 그 성분에 해당하는 2종 이상의 화합물을 포함해도 된다. 또, 특별한 기재가 없는 한, 조성물에 있어서의 각 성분의 함유량이란, 그 성분에 해당하는 모든 화합물의 합계 함유량을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 특별히 설명하지 않는 한, 온도는 23℃, 기압은 101,325Pa(1기압), 상대 습도는 50% RH이다.
본 명세서에 있어서, 바람직한 양태의 조합은, 보다 바람직한 양태이다.
(경화성 수지 조성물)
본 발명의 경화성 수지 조성물(이하, 간단히, "본 발명의 조성물"이라고도 한다.)은, 하기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 하기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 수지, 및, 중합 개시제를 포함한다.
이하, 하기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 하기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 수지를, "특정 수지"라고도 한다.
[화학식 4]
Figure pct00004
식 (1-1) 중, R11은 아마이드 결합을 복수 갖는 4가의 기를 나타내고, L11은 중합성기를 포함하는 2가의 연결기를 나타낸다;
식 (1-2) 중, R21은 아마이드 결합을 복수 갖는 4가의 기이며, L21은 중합성기를 포함하는 2가의 기를 나타내고, R22 및 R23은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 아마이드 결합이란 (-C(=O)NR-)에 의하여 나타나는 구조를 말한다. 상기 R은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, 수소 원자 또는 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 방향족 탄화 수소기인 것이 보다 바람직하며, 수소 원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 또는, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기인 것이 더 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 간단히 "에스터 결합(-C(=O) O-)", "유레테인 결합(-O-C(=O)NR-)", "아마이드 결합" 등이라고 기재한 경우, 이들 결합의 방향은 한정되지 않는 것으로 한다. 상기 유레테인 결합(-O-C(=O)NR-)에 있어서의 R은, 상술한 아마이드 결합에 있어서의 R과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 네거티브형의 경화성 수지 조성물인 것이 바람직하다.
네거티브형의 경화성 수지 조성물이란, 경화성 수지 조성물로 형성된 층을 노광한 경우에, 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 현상액에 의하여 제거되는 조성물을 말한다.
또, 본 발명에 있어서, 반복 단위란, 반복 연결함으로써 수지를 구성하는 구성 단위 중 최소의 것을 말한다. 즉, 예를 들면 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위가 2개 결합된 구성 단위를 갖는 수지는, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위가 2개 결합된 반복 단위를 1개 갖는 수지가 아닌, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 2개 갖는 수지이다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 얻어지는 경화막의 내약품성이 우수하다.
상기 효과가 얻어지는 메커니즘은 확실하지 않지만, 하기와 같이 추측된다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 수지(이하, "특정 수지"라고도 한다.)를 포함한다.
여기에서, 종래 이용되어 온 폴리이미드 수지 또는 폴리이미드 전구체와는 달리, 특정 수지는, 식 (1-1) 또는 식 (1-2) 중의 R11 또는 R21에 복수의 아마이드 결합을 포함하고, 또한, L11 또는 L21에 중합성기를 포함한다.
아마이드 결합은 높은 수소 결합성을 갖기 때문에, 수지가 상기 복수의 아마이드 결합을 포함함으로써, 수지 간 또는 수지 내에서 상호작용이 발생한다고 생각된다. 경화 후의 경화막에 있어서는, 상기 상호작용과, 상기 아마이드 결합에 근접하는 L11 또는 L21에 포함되는 중합성기의 중합에 의한 가교에 의하여, 밀도가 높은 그물코상의 구조가 형성된다고 추측된다. 이와 같은 밀도가 높은 그물코상의 구조가 형성된 경화막에는, 약품이 침투하기 어려워진다고 생각된다. 이와 같이, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 의하면, 약품의 침투가 억제된, 내약품성이 우수한 경화막이 얻어진다고 추측된다.
경화막이 내약품성이 우수함으로써, 예를 들면, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막 상에, 용제를 포함하는 다른 경화성 수지 조성물을 더 적용, 경화하여 적층체를 제작하는 경우 등에, 경화막이 현상액 또는 다른 경화성 수지 조성물에 접했다고 해도, 경화막의 용해가 억제된다고 생각된다.
본 발명에 의하면, 예를 들면, 다이메틸설폭사이드(DMSO), N-메틸피롤리돈(NMP) 등의 극성 용제, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액 등의 알칼리 수용액, 또는, 상기 극성 용제와 상기 알칼리 수용액의 혼합액에 대한 용해성이 억제된, 내약품성이 우수한 경화막이 얻어진다고 생각된다.
또한, 특정 수지가 식 (1-1) 또는 식 (1-2) 중의 L11 또는 L21에 용제 용해성의 높은 중합성기를 가짐으로써, 중합 전의 조성물에 있어서는 현상액의 침투성이 향상되기 때문에, 현상성이 우수한 조성물막(감광막)이 얻어지기 쉽다고 추측된다.
여기에서, 특허문헌 1에는, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 수지에 대해서는 기재도 시사도 없다. 또, 특허문헌 1에 있어서의 경화성 수지 조성물에 있어서는, 얻어지는 경화막의 내약품성이 낮다는 문제점이 있었다.
<특정 수지>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 특정 수지를 포함한다.
특정 수지는, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 갖는다.
특정 수지는, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 측쇄에 가져도 되지만, 상기 반복 단위를 주쇄에 갖는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, "주쇄"란, 수지를 구성하는 고분자 화합물의 분자 중에서 상대적으로 가장 긴 결합쇄를 말하고, "측쇄"란 그 이외의 결합쇄를 말한다.
〔식 (1-1)로 나타나는 반복 단위〕
-R11-
식 (1-1) 중, R11은 아마이드 결합을 복수 갖는 4가의 기를 나타낸다.
R11에 포함되는 아마이드 결합은, 특정 수지의 주쇄에 포함되어도 되고, 특정 수지의 측쇄에 포함되어도 되지만, 내약품성의 관점에서는, 특정 수지의 주쇄에 포함되는 것이 바람직하다.
R11에 있어서의 아마이드 결합의 수는, 2 이상이면 되지만, 2~10인 것이 바람직하고, 2~5인 것이 보다 바람직하며, 2~4인 것이 더 바람직하고, 2 또는 3인 것이 특히 바람직하며, 2인 것이 가장 바람직하다.
R11은, 4가의 기이면 되지만, 지방족 탄화 수소기 및 방향족 탄화 수소기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기와, 2 이상의 아마이드 결합을 포함하는 것이 바람직하다.
현상성의 관점에서는, R11은 방향환족 탄화 수소기를 포함하는 기인 것이 바람직하다.
또, 내약품성의 관점에서는, R11은 중합성기를 포함하는 기인 것이 바람직하다. 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.
R11에 포함되는 중합성기의 수는, 1개 이상인 것이 바람직하고, 1~15개인 것이 보다 바람직하며, 1~10개인 것이 더 바람직하고, 1~5개인 것이 한층 바람직하며, 1 또는 2개인 것이 특히 바람직하고, 1개인 것이 가장 바람직하다.
현상액 용해성의 관점에서는, R11은, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 치환기로서 갖는 것이 바람직하다.
이들 치환기로서는, 후술하는 식 (P-4)로 나타나는 기가 바람직하다.
<<식 (R-1)>>
이들 중에서도, R11은 하기 식 (R-1)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 5]
Figure pct00005
식 (R-1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, L3은 2가의 연결기를 나타내며, *는 각각, 식 (1-1) 중의 2개의 이미드 구조 중 일방과의 결합 부위를 나타내고, #는 각각, 상기 이미드 구조 중 타방과의 결합 부위를 나타낸다.
<<<X1 및 X2>>>
식 (R-1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 또는, 탄소수 3~30의 지방족환기인 것이 바람직하다.
상기 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~10의 방향족 탄화 수소기가 더 바람직하고, 벤젠환으로부터 수소 원자를 3개 제거한 구조가 보다 바람직하다.
상기 탄소수 3~30의 지방족환기로서는, 탄소수 4~20의 지방족환기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~10의 지방족환기가 더 바람직하고, 6원환 구조인 지방족환 구조로부터 수소 원자를 3개 제거한 구조가 보다 바람직하다.
상기 지방족환기는, 포화 지방족환기여도 되고 불포화 지방족환기여도 되지만, 포화 지방족환기인 것이 바람직하다.
상기 지방족환기는, 지방족 탄화 수소환기여도 되고 지방족 복소환기여도 되지만, 지방족 탄화 수소환기인 것이 바람직하다.
이들 중에서도, 상기 지방족환기로서는, 포화 지방족 탄화 수소기가 바람직하다.
X1 또는 X2인 방향족 탄화 수소기 또는 지방족환기에 있어서, X1에 있어서의 2개의 *, 및, X2에 있어서의 2개의 #은, 방향족 탄화 수소기 또는 지방족환기에 있어서의 인접위(隣接位)에 존재하는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 2개의 결합 부위가 환 구조에 있어서의 인접위에 존재한다란, 어느 결합 부위가 존재하는 상기 환 구조에 있어서의 환원과, 다른 결합 부위가 존재하는 상기 환 구조에 있어서의 환원이, 환 구조에 있어서 인접하는 환원인 것을 말한다. 예를 들면, 환 구조가 벤젠환 구조인 경우, 인접위란 오쏘위이다.
상기 X1 및 X2는, 본 발명의 효과가 얻어지는 범위 내에 있어서, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 알킬기, 환상 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 할로젠화 알킬기, 하이드록시기, 카복시기, 설포기, 할로젠 원자 등을 들 수 있다.
<<<L1 및 L2>>>
식 (R-1) 중, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단결합, 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 또는, 이들이 2 이상 결합된 기가 바람직하고, 단결합이 보다 바람직하다. 상기 "이들이 2 이상 결합된 기"로서는, 유레아기 등을 바람직하게 들 수 있다.
상기 RN은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 수소 원자, 알킬기 또는 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 알킬기가 더 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.
상기 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~30의 포화 지방족 탄화 수소기, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 또는, 이들 조합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 포화 지방족 탄화 수소기, 벤젠환으로부터 2 이상의 수소 원자를 제거한 기, 또는, 이들의 결합에 의하여 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
또, L1 및 L2에 있어서의 탄화 수소기는, 중합성기를 포함하는 기를 치환기로서 가져도 된다. 중합성기로서는, 상술한 R11에 있어서의 중합성기를 들 수 있다.
현상액 용해성의 관점에서는, L1 및 L2에 있어서의 탄화 수소기는, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 적어도 포함하는 기를 치환기로서 갖는 것이 바람직하다. 이들 치환기로서는, 후술하는 식 (P-4)로 나타나는 기가 바람직하다.
식 (R-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 수소 원자, 알킬기 또는 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 알킬기가 더 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.
<<<L3>>>
식 (R-1) 중, L3은 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 또는, 이들이 2 이상 결합된 기가 바람직하고, 탄화 수소기, 또는, 적어도 하나의 탄화 수소기와, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 및, 유레아기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 구조가 결합된 기인 것이 바람직하다. 상기 RN은 상술한 바와 같다.
상기 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~30의 포화 지방족 탄화 수소기, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 또는, 이들 조합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 포화 지방족 탄화 수소기, 벤젠환으로부터 2 이상의 수소 원자를 제거한 기, 또는, 이들의 결합에 의하여 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
또, L3에 있어서의 탄화 수소기는, 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 치환기로서 가져도 된다. 중합성기로서는, 상술한 R11에 있어서의 중합성기를 들 수 있다.
얻어지는 경화막의 내약품성의 관점에서는, 중합성기를 적어도 포함하는 기를 치환기로서 갖는 것이 바람직하다.
현상액 용해성의 관점에서는, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 적어도 포함하는 기를 치환기로서 갖는 것이 바람직하다. 이들 치환기로서는, 후술하는 식 (P-4)로 나타나는 기가 바람직하다.
또, L3으로서는, 하기 식 (L-1)로 나타나는 기가 바람직하다.
[화학식 6]
Figure pct00006
식 (L-1) 중, Y1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A1은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, n1은 1 이상의 정수를 나타내고, *는 식 (R-1) 중의 R1이 결합하는 질소 원자와의 결합 부위를 나타내며, #는 식 (R-1) 중의 R2가 결합하는 질소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.
식 (L-1) 중, Y1은 탄화 수소기, 또는, 적어도 하나의 탄화 수소기와, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 구조가 결합된 기인 것이 바람직하고, 탄화 수소기, 또는, 적어도 하나의 탄화 수소기와 아마이드 결합이 결합된 구조인 것이 바람직하다.
또, Y1은 하기 식 (Y-1)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pct00007
식 (Y-1) 중, RY1, RY2 및 RY3은 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로, 아마이드 결합을 나타내며, a 및 b는 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타내고, 식 (Y-1)에 존재하는 RY1, RY2 및 RY3 중, 적어도 하나는 식 (L-1) 중의 A1과의 결합 부위를 나타낸다.
식 (Y-1) 중, RY1, RY2 및 RY3은 각각 독립적으로, 지방족 탄화 수소기, 또는, 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인 것이 바람직하다.
상기 지방족 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~30의 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 2~20의 지방족 탄화 수소기가 보다 바람직하다.
상기 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 방향족 탄화 수소기가 더 바람직하며, 탄소수 6의 방향족 탄화 수소기가 특히 바람직하다.
또, RY1, RY2 및 RY3은 각각 독립적으로, 하기 식 (Y1-1)~식 (Y1-4) 중 어느 하나로 나타나는 구조인 것이 바람직하고, 식 (Y1-3) 또는 식 (Y1-4)로 나타나는 구조인 것이 보다 바람직하며, 식 (Y1-3)으로 나타나는 구조인 것이 보다 바람직하다.
식 (Y1-1)~(Y1-4) 중, *는 각각, 다른 구조와의 결합 부위를, #은 각각, 식 (L-1)에 있어서의 A1과의 결합 부위 또는 수소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.
[화학식 8]
Figure pct00008
식 (Y1-1) 또는 식 (Y1-2) 중, LY1 및 LY2는 각각 독립적으로, 알킬렌기를 나타내며, 탄소수 1~10의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 메틸렌기가 더 바람직하다.
식 (Y1-3) 또는 식 (Y1-4) 중, LY4는 각각 독립적으로, 단결합 또는 2가의 탄화 수소기를 나타내고, 단결합이 바람직하다. 상기 2가의 탄화 수소기로서는, 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~4의 알킬렌기가 더 바람직하다.
식 (Y1-4) 중, LY3은 단결합, 또는, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NHC(=O)-, 혹은, 이들을 2 이상 조합한 기인 것이 바람직하고, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -C(=O)-, -S- 또는 -S(=O)2-인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -O-, -S-, -S(=O)2-, -C(CF3)2-, 및, -C(CH3)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기인 것이 더 바람직하다.
식 (Y1-3) 또는 식 (Y1-4) 중, n은 각각 독립적으로, 1~4의 정수를 나타내며, 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다.
식 (Y-1) 중, Z1 및 Z2에 있어서의 아마이드 결합은 각각 독립적으로, 상술한 R11에 있어서의 아마이드 결합과 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.
또, Z1 및 Z2에 있어서의 아마이드 결합의 방향은 특별히 한정되지 않는다.
식 (Y-1) 중, a 및 b는 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타내며, 0~4의 정수인 것이 바람직하고, 0~2의 정수인 것이 보다 바람직하며, 0 또는 1인 것이 더 바람직하고, 0이 특히 바람직하다.
식 (L-1) 중, A1은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타낸다.
중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 또는, 메틸올기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기, 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.
A1이 중합성기를 포함하는 기인 경우, A1에 포함되는 중합성기의 수는, 1개 이상이며, 1~15개인 것이 바람직하고, 1~10개인 것이 보다 바람직하며, 1~5개인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2개인 것이 특히 바람직하며, 1개인 것이 가장 바람직하다.
A1이 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 적어도 포함하는 기인 경우의 바람직한 양태는, 상술한 식 (R-1)에 있어서의 L3의 치환기로서 기재한 바와 같다.
또, A1이 중합성기를 포함하는 경우는 하기 식 (P-1)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 9]
Figure pct00009
식 (P-1) 중, L1은 단결합 또는 m+1가의 연결기를 나타내고, A2는 중합성기를 나타내며, m은 1 이상의 정수를 나타내고, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다.
식 (P-1) 중, L1은 단결합, 또는, 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 혹은, 이들이 2 이상 결합된 기가 바람직하고, 단결합, 또는, 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -NRN-, 혹은, 이들이 2 이상 결합된 기가 보다 바람직하다. 상기 "이들이 2 이상 결합된 기"로서는, 유레아기 등을 들 수 있다.
상기 RN은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 알킬기가 더 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.
상기 L1에 있어서의 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~30의 포화 지방족 탄화 수소기, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 또는, 이들 조합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 포화 지방족 탄화 수소기, 벤젠환으로부터 2 이상의 수소 원자를 제거한 기, 또는, 이들의 결합에 의하여 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
식 (P-1) 중, A2는 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 바람직하고, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하다.
식 (P-1) 중, m은 1~15의 정수인 것이 바람직하고, 1~10의 정수인 것이 보다 바람직하며, 1~5의 정수인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2인 것이 특히 바람직하며, 1인 것이 가장 바람직하다.
또, A1은 하기 식 (P-2) 또는 식 (P-3)으로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 10]
Figure pct00010
식 (P-2) 중, A2는 중합성기를 나타내고, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다.
식 (P-2) 중, A2는 식 (P-1)에 있어서의 A2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (P-3) 중, A2는 중합성기를 나타내고, L2는 탄화 수소기, 또는, 탄화 수소기와, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 카보네이트 결합, 유레아기, 혹은, 이들이 2 이상 결합된 기를 나타내며, Z1은 에터 결합, 에스터 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합, 카보네이트 결합, 또는, 아마이드 결합을 나타내고, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다. RN은 상술한 바와 같다.
식 (P-3) 중, A2는 식 (P-1)에 있어서의 A2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (P-3) 중, L2는 탄화 수소기, (폴리)알킬렌옥시기, 또는, 이들 조합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄화 수소기가 보다 바람직하다.
본 명세서에 있어서, (폴리)알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기 또는 폴리알킬렌옥시기를 의미한다. 또, 본 발명에 있어서, 폴리알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기가 2 이상 직접 결합된 기를 말한다. 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 복수의 알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌기는, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. 폴리알킬렌옥시기가, 알킬렌기가 상이한 복수 종의 알킬렌옥시기를 포함하는 경우, 폴리알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌옥시기의 배열은, 랜덤인 배열이어도 되고, 블록을 갖는 배열이어도 되며, 교호 등의 패턴을 갖는 배열이어도 된다.
상기 탄화 수소기로서는, 알킬렌기, 2가의 방향족 탄화 수소기, 또는 이들 조합에 의하여 나타나는 기인 것이 바람직하고, 알킬렌기인 것이 보다 바람직하다.
상기 알킬렌기로서는, 탄소수 1~30의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~20의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬렌기가 더 바람직하다.
본 발명에 있어서, 간단히 "지방족 탄화 수소기" "포화 지방족 탄화 수소기" "알킬기", "알킬렌기" 등이라고 기재한 경우, 특별한 기재가 없는 한, 이들 기는 분기 구조 및 환상 구조 중 적어도 일방을 갖고 있어도 되는 것으로 한다. 예를 들면, "알킬기"에는 특별한 기재가 없는 한, 직쇄 알킬기, 분기 알킬기, 환상 알킬기 및 이들 조합에 의하여 나타나는 알킬기가 포함된다.
상기 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 페닐렌기 또는 나프틸렌기가 더 바람직하고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.
상기 (폴리)알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌기로서는, 탄소수 2~10의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 2~4의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 에틸렌기 또는 프로필렌기가 보다 바람직하며, 에틸렌기가 더 바람직하다.
또, 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 알킬렌옥시기의 수(폴리알킬렌옥시기의 반복수)는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 2~5가 더 바람직하고, 2~4가 특히 바람직하다.
식 (P-3) 중, Z1은 에터 결합, 에스터 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합, 또는, 아마이드 결합을 나타내고, 에스터 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합, 또는, 아마이드 결합이 보다 바람직하다.
식 (P-3) 중, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다.
또, 내약품성의 관점에서는, A1에 포함되는 중합성기와, 특정 수지의 주쇄와의 거리는 0~15인 것이 바람직하고, 0~10인 것이 보다 바람직하다.
여기에서, A1에 포함되는 중합성기와, 특정 수지의 주쇄와의 거리란, 폴리이미드의 주쇄에 포함되는 원자와, 중합성기의 사이에 포함되는 원자수 중, 최소의 수를 말한다. 예를 들면, 후술하는 실시예에 있어서의 식 (PI-1)로 나타나는 수지에 있어서 메타크릴옥시기와 주쇄의 거리는 4이다.
즉, 폴리이미드가 주쇄 내부에 환 구조를 갖는 경우, "상술한 폴리이미드의 주쇄에 포함되는 원자"에는 상기 환 구조의 환원이 포함된다.
또, A1이 복수의 중합성기를 포함하는 경우, A1에 포함되는 중합성기 중, 가장 주쇄에 가까운 중합성기와, 폴리이미드의 주쇄와의 거리가 0~15인 것이 바람직하고, 0~10인 것이 보다 바람직하다. 또한, A1이 복수의 중합성기를 포함하는 경우, A1에 포함되는 모든 중합성기와, 폴리이미드의 주쇄와의 거리가 0~15인 것이 더 바람직하고, 0~10인 것이 특히 바람직하다.
A1이 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 기인 경우, A1은 하기 식 P-4로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 11]
Figure pct00011
식 (P-4) 중, L4는 단결합 또는 m+1가의 연결기를 나타내고, A4는 지방족 탄화 수소기, 폴리알킬렌옥시기 또는 이들의 결합에 의하여 나타나는 기를 나타내며, m은 1 이상의 정수를 나타내고, *는 Y1과의 결합 부위를 나타낸다.
식 (P-4) 중, L4는 단결합, 또는, 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 혹은, 이들이 2 이상 결합된 기가 바람직하고, 에스터 결합, 아마이드 결합, 유레아 결합, 또는 유레테인 결합이 보다 바람직하며, 에스터 결합이 더 바람직하다.
식 (P-4) 중, A4에 있어서의 지방족 탄화 수소기로서는, 알킬기가 바람직하고, 직쇄 알킬기 또는 분기 알킬기가 보다 바람직하며, 분기 알킬기가 더 바람직하다. 지방족 탄화 수소기의 탄소수는, 4~30이 바람직하고, 6~20이 보다 바람직하다.
식 (P-4) 중, A4에 있어서의 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 기로서는, 후술하는 R22에 있어서의 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 기와 동일한 기를 들 수 있고, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (P-4) 중, A4는 치환기로서 상술한 중합성기를 포함하는 기, 또는, 다른 공지의 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (P-4) 중, m은 1 이상의 정수를 나타내며, 1~10의 정수가 바람직하고, 1~4의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더 바람직하고, 1이 특히 바람직하다.
식 (L-1) 중, n1은 1 이상의 정수를 나타내며, 1~20의 정수인 것이 바람직하고, 1~10의 정수인 것이 보다 바람직하며, 1~4의 정수인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2인 것이 특히 바람직하며, 1인 것이 가장 바람직하다.
또, n1이 2 이상의 정수인 경우, n1개의 A1은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
<<<R1 및 R2>>>
식 (R-1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내며, 수소 원자, 알킬기 또는 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 수소 원자, 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 수소 원자가 더 바람직하다.
-L11-
식 (1-1) 중, L11은 중합성기를 포함하는 2가의 연결기를 나타낸다.
L11에 있어서의 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.
L11에 포함되는 중합성기의 수는, 1개 이상인 것이 바람직하고, 1~15개인 것이 보다 바람직하며, 1~10개인 것이 더 바람직하고, 1~5개인 것이 한층 바람직하며, 1 또는 2개인 것이 특히 바람직하고, 1개인 것이 가장 바람직하다.
또, 현상성의 관점에서는, L11은 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인 것이 보다 바람직하며, 벤젠환 구조, 또는, 나프탈렌환 구조를 포함하는 기인 것이 더 바람직하고, 벤젠환 구조를 포함하는 기인 것이 특히 바람직하다.
<<식 (L-2)>>
이들 중에서도, L11은, 하기 식 (L-2)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 12]
Figure pct00012
식 (L-2) 중, Q1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A2는 중합성기를 포함하는 기를 나타내며, n2는 1 이상의 정수를 나타내고, *는 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
<<Q1>>
Q1은 방향족 탄화 수소기를 포함하는 n2+2가의 기인 것이 바람직하다.
Q1에 있어서의 방향족 탄화 수소기는, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기인 것이 보다 바람직하며, 벤젠환으로부터 2 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 더 바람직하고, 벤젠환으로부터 3 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 특히 바람직하다.
식 (L-2) 중, Q1에 있어서의, 식 (L-2)에 기재된 2개의 *와의 결합 부위는, 모두 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다. 즉, 식 (1-1)에 기재된 2개의 질소 원자는, Q1에 포함되는 방향족 탄화 수소환 구조와 직접 결합하는 것이 바람직하다.
또, 식 (L-2) 중, Q1에 있어서의, A2와의 결합 부위는, 모두 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다. 즉, A2는, Q1에 포함되는 방향족 탄화 수소환 구조와 직접 결합하는 것이 바람직하다.
Q1은, 하기 식 (A2-1)~식 (A2-5)로 나타나는 구조로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 구조를 포함하는 것이 바람직하고, 상술한 식 (A2-1)~식 (A2-5)로 나타나는 구조로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 구조인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 13]
Figure pct00013
식 (A2-1)~(A2-5) 중, RA211~RA214, RA221~RA224, RA231~RA238, RA241~RA248 및 RA251~RA258은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 환상 알킬기, 알콕시기, 하이드록시기, 사이아노기, 할로젠화 알킬기, 또는, 할로젠 원자를 나타내고, LA231 및 LA241은 각각 독립적으로, 단결합, 카보닐기, 설폰일기, 2가의 포화 탄화 수소기, 2가의 불포화 탄화 수소기, 헤테로 원자, 헤테로환기, 또는, 할로젠화 알킬렌기를 나타내며, RA211~RA214 중 적어도 하나, RA221~RA224 중 적어도 하나, RA231~RA238 중 적어도 하나, RA241~RA248 중 적어도 하나, 및, RA251~RA258 중 적어도 하나가 상기 식 (L-2) 중의 A2와의 결합 부위여도 되고, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
이들 중에서도, 용제 용해성의 관점에서, Q1은 식 (A2-1)~식 (A2-4) 중 어느 하나로 나타나는 구조를 포함하는 것이 바람직하고, 식 (A2-1)로 나타나는 구조를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
식 (A2-1) 중, RA211~RA214는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 3~12의 환상 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 하이드록시기, 사이아노기, 탄소수 1~3의 할로젠화 알킬기, 또는, 할로젠 원자를 나타내는 것이 바람직하고, 용제 용해성의 관점에서는, 수소 원자, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 알콕시기, 탄소수 1~3의 할로젠화 알킬기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하다.
상기 RA211~RA214에 있어서의 상기 할로젠화 알킬기에 있어서의 할로젠 원자, 또는, 상기 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 염소 원자 또는 브로민 원자가 바람직하다.
또, 상기 RA211~RA214 중, 적어도 하나가 식 (L-2) 중의 A2와의 결합 부위인 것이 바람직하고, RA213이 상기 A2와의 결합 부위인 것이 보다 바람직하다.
식 (A2-2) 중, RA221~RA224는 각각, 식 (A2-1)에 있어서의 RA211~RA214와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
또, 상기 RA211~RA214 중, 적어도 하나가 식 (L-2) 중의 A2와의 결합 부위인 것이 바람직하고, 1개 또는 2개가 상기 A2와의 결합 부위인 것이 보다 바람직하다.
식 (A2-3) 중, RA231~RA238은 각각, 식 (A2-1)에 있어서의 RA211~RA214와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (A2-3) 중, LA231은, 단결합, 탄소수 1~6의 2가의 포화 탄화 수소기, 탄소수 5~24의 2가의 불포화 탄화 수소기, -O-, -S-, -NRN-, 유레아기, 헤테로환기, 또는, 탄소수 1~6의 할로젠화 알킬렌기를 나타내는 것이 바람직하고, 단결합, 탄소수 1~6의 포화 탄화 수소기, -O- 또는 헤테로환기를 나타내는 것이 바람직하며, 단결합 또는 -O-를 나타내는 것이 더 바람직하다. 상기 RN은 상술한 바와 같고, 바람직한 양태도 동일하다.
또, 상기 RA231~RA238 중, 적어도 하나가 식 (L-2) 중의 A2와의 결합 부위인 것이 바람직하고, 1개 또는 2개가 상기 A2와의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA231~RA234 중 하나와, RA235~RA238 중 하나가 상기 A2와의 결합 부위인 것이 더 바람직하다.
식 (A2-4) 중, RA241~RA248 및 LA241은 각각, 식 (A2-3)에 있어서의 RA231~RA238 및 LA231과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
또, 상기 RA241~RA248 중, 적어도 하나가 식 (L-2) 중의 A2와의 결합 부위인 것이 바람직하고, 1개 또는 2개가 상기 A2와의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA241~RA244 중 하나와, RA245~RA248 중 하나가 상기 A2와의 결합 부위인 것이 더 바람직하다.
식 (A2-4) 중, RA251~RA258은 식 (A2-1)에 있어서의 RA211~RA214와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
또, 상기 RA251~RA258 중, 적어도 하나가 식 (L-2) 중의 A2와의 결합 부위인 것이 바람직하고, 1개 또는 2개가 상기 A2와의 결합 부위인 것이 보다 바람직하며, RA251~RA254 중 하나와, RA255~RA258 중 하나가 상기 A2와의 결합 부위인 것이 더 바람직하다.
<<A2>>
식 (L-2) 중, A2는 중합성기를 포함하는 기를 나타낸다.
중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 또는, 메틸올기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기, 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.
A2에 포함되는 중합성기의 수는, 1개 이상이며, 1~15개인 것이 바람직하고, 1~10개인 것이 보다 바람직하며, 1~5개인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2개인 것이 특히 바람직하며, 1개인 것이 가장 바람직하다.
또, A2는 상술한 식 (P-1)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, 상술한 식 (P-2) 또는 상술한 식 (P-3)으로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
<<n2>>
식 (L-2) 중, n2는 1 이상의 정수를 나타내며, 1~20의 정수인 것이 바람직하고, 1~10의 정수인 것이 보다 바람직하며, 1~4의 정수인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2인 것이 특히 바람직하며, 1인 것이 가장 바람직하다.
또, n2가 2 이상의 정수인 경우, n2개의 A2는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
-식 (2-1)-
특정 수지가 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 특정 수지는, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위로서, 하기 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.
[화학식 14]
Figure pct00014
식 (2-1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는, 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고 A1은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A2는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, n1 및 n2는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.
상기 식 (2-1) 중, X1, X2, R1 및 R2는 각각, 상술한 식 (R-1) 중의 X1, X2, R1 및 R2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
상기 식 (2-1) 중, Y1, A1 및 n1은 각각, 상술한 식 (L-1) 중의 Y1, A1 및 n1과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
상기 식 (2-1) 중, Q1, A2 및 n2는 각각, 상술한 식 (L-2) 중의 Q1, A2 및 n2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
〔식 (1-2)로 나타나는 반복 단위〕
-R21-
식 (1-2) 중, R21은 식 (1-1) 중의 R11과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
-L21-
식 (1-2) 중, L21은 식 (1-1) 중의 L11과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
-R22, R23-
R22 및 R23은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, 모두 1가의 유기기인 것이 바람직하다.
R22 및 R23에 있어서의 1가의 유기기로서는, 중합성기를 포함하는 기, 또는, 헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기를 들 수 있고, 내약품성, 현상성 및 특정 수지의 용제 용해성의 관점에서, 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 기가 바람직하다.
<<중합성기를 포함하는 기>>
R22 및 R23에 있어서의 중합성기를 포함하는 기에 포함되는 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.
상기 중합성기를 포함하는 기에 포함되는 중합성기의 수는, 1개 이상이며, 1~15개인 것이 바람직하고, 1~10개인 것이 보다 바람직하며, 1~5개인 것이 더 바람직하고, 1 또는 2개인 것이 특히 바람직하며, 1개인 것이 가장 바람직하다.
상기 중합성기를 포함하는 기로서는, 바이닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기, 또는, 하기 식 (III)으로 나타나는 기인 것도 바람직하다.
[화학식 15]
Figure pct00015
식 (III) 중, R200은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기가 바람직하다.
식 (III) 중, R201은, 탄소수 2~12의 알킬렌기, -CH2CH(OH)CH2- 또는 탄소수 4~30의 (폴리)알킬렌옥시기(알킬렌기로서는 탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다; 반복수는 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다)를 나타낸다. 또한, (폴리)알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기 또는 폴리알킬렌옥시기를 의미한다.
적합한 R201의 예는, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, 테트라메틸렌기, 1,2-뷰테인다이일기, 1,3-뷰테인다이일기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기, 도데카메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-를 들 수 있으며, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-가 보다 바람직하다.
특히 바람직하게는, R200이 메틸기이며, R201이 에틸렌기이다.
식 (III) 중, *는 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
<<헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기>>
헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기는, 중합성기를 갖지 않는 유기기인 것이 바람직하다.
상기 헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기에 있어서의 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로젠 원자 등을 들 수 있고, 산소 원자가 바람직하다.
또, 상기 헤테로 원자는, 에터 결합(-O-)으로서 포함되는 것이 바람직하다.
상기 헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기로서는, 헤테로 원자를 포함해도 되는 탄소수 1~30의 유기기인 것이 바람직하고, 헤테로 원자를 포함해도 되는 탄소수 2~20의 유기기인 것이 보다 바람직하다.
<<<폴리알킬렌옥시기>>>
이들 중에서도, 상기 헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기는, 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 유기기인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 폴리알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기가 2 이상 직접 결합된 기를 말한다. 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 복수의 알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌기는, 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
폴리알킬렌옥시기가, 알킬렌기가 상이한 복수 종의 알킬렌옥시기를 포함하는 경우, 폴리알킬렌옥시기에 있어서의 알킬렌옥시기의 배열은, 랜덤인 배열이어도 되고, 블록을 갖는 배열이어도 되며, 교호 등의 패턴을 갖는 배열이어도 된다.
상기 알킬렌기의 탄소수(알킬렌기가 치환기를 갖는 경우, 치환기의 탄소수를 포함한다)는, 2 이상인 것이 바람직하고, 2~10인 것이 보다 바람직하며, 2~6인 것이 보다 바람직하고, 2~5인 것이 더 바람직하며, 2~4인 것이 한층 바람직하고, 2 또는 3인 것이 특히 바람직하며, 2인 것이 가장 바람직하다.
또, 상기 알킬렌기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 바람직한 치환기로서는, 알킬기, 아릴기, 할로젠 원자 등을 들 수 있다.
또, 폴리알킬렌옥시기에 포함되는 알킬렌옥시기의 수(폴리알킬렌옥시기의 반복수)는, 2~20이 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 2~5가 더 바람직하고, 2~4가 특히 바람직하며, 2가 가장 바람직하다.
폴리알킬렌옥시기로서는, 용제 용해성 및 내약품성의 양립의 관점에서는, 폴리에틸렌옥시기, 폴리프로필렌옥시기, 폴리트라이메틸렌옥시기, 폴리테트라메틸렌옥시기, 또는, 복수의 에틸렌옥시기와 복수의 프로필렌옥시기가 결합된 기가 바람직하고, 폴리에틸렌옥시기 또는 폴리프로필렌옥시기가 보다 바람직하며, 폴리에틸렌옥시기가 더 바람직하다. 상기 복수의 에틸렌옥시기와 복수의 프로필렌옥시기가 결합된 기에 있어서, 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기는 랜덤으로 배열되어 있어도 되고, 블록을 형성하여 배열되어 있어도 되며, 교호 등의 패턴상으로 배열되어 있어도 된다. 이들 기에 있어서의 에틸렌옥시기 등의 반복수의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다.
폴리알킬렌옥시기를 포함하는 유기기는, 하기 식 (PO-1)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 16]
Figure pct00016
식 (PO-1) 중, RP1은 각각 독립적으로, 알킬렌기를 나타내고, RP2는 1가의 유기기를 나타내며, n은 2 이상의 정수를 나타내고, LP1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, *는 식 (1-2) 중의 R22 또는 R23이 결합하는 산소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.
식 (PO-1) 중, RP1은 각각 독립적으로, 탄소수 2~10의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 2~4의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하며, 에틸렌기(-CH2-CH2-) 또는 프로필렌기(-CH2-CH(CH3)- 또는 -CH(CH3)-CH2-)인 것이 보다 바람직하고, 에틸렌기인 것이 더 바람직하다.
식 (PO-1) 중, RP2는 1가의 유기기를 나타내며, 알킬기, 방향족 탄화 수소기, 아랄킬기, 또는, 중합성기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
상기 알킬기로서는, 탄소수 1~10의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2~4의 알킬기가 보다 바람직하며, 에틸기가 더 바람직하다.
상기 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하며, 페닐기가 더 바람직하다.
상기 아랄킬기로서는, 탄소수 7~30의 아랄킬기가 바람직하고, 탄소수 7~20의 아랄킬기가 보다 바람직하며, 벤질기가 보다 바람직하다.
상기 중합성기를 포함하는 기에 포함되는 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기, 환상 에터기 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 기가 바람직하고, 바이닐기, (메트)알릴기, (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기, 말레이미드기, 바이닐페닐기, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기, (메트)아크릴아마이드기, 에폭시기, 메틸올기 또는 알콕시메틸기가 더 바람직하다.
상기 중합성기를 포함하는 기로서는, 상술한 식 (P-1)로 나타나는 기가 바람직하고, 상술한 식 (P-2) 또는 상술한 식 (P-3)으로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
식 (PO-1) 중, n은 2~20의 정수가 바람직하고, 2~10의 정수가 보다 바람직하며, 2~5의 정수가 더 바람직하고, 2~4의 정수가 특히 바람직하며, 2가 가장 바람직하다.
식 (PO-1) 중, LP1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 단결합이 바람직하다.
상기 2가의 연결기로서는, 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 또는, 이들이 2 이상 결합된 기가 바람직하고, 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -NRN-, 또는, 이들이 2 이상 결합된 기가 보다 바람직하며, 탄화 수소기, 에스터 결합, 아마이드 결합, 유레테인 결합, 유레아 결합, 또는 이들을 2 이상 조합한 기가 더 바람직하다.
상기 RN은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 알킬기가 더 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.
상기 LP1에 있어서의 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~30의 포화 지방족 탄화 수소기, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 또는, 이들 조합에 의하여 나타나는 기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 포화 지방족 탄화 수소기, 벤젠환으로부터 2 이상의 수소 원자를 제거한 기, 또는, 이들의 결합에 의하여 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
<<<할로젠 원자에 의하여 치환된 탄화 수소기>>>
또, 용제 용해성 및 막강도의 관점에서, 헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기는, 할로젠 원자에 의하여 치환된 탄화 수소기여도 된다.
할로젠 원자에 의하여 치환된 탄화 수소기에 있어서의 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.
상기 탄화 수소기로서는, 알킬기, 또는, 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 알킬기가 보다 바람직하다.
상기 알킬기로서는, 탄소수 1~30의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 2~4의 알킬기가 더 바람직하다.
상기 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 페닐기가 더 바람직하다.
즉, 할로젠 원자에 의하여 치환된 탄화 수소기는, 불소 원자에 의하여 적어도 하나의 수소 원자가 치환된 알킬기인 것이 바람직하다.
R22 또는 R23으로서 할로젠 원자에 의하여 치환된 탄화 수소기를 포함함으로써, 얻어지는 경화막의 막강도가 향상된다.
<<다른 치환기>>
R22 및 R23은, 다른 치환기여도 된다.
다른 치환기로서는, 산기를 갖는 탄화 수소기 등을 들 수 있다. 산기를 갖는 탄화 수소기로서는, 산기를 갖는 알킬기, 산기를 갖는 방향족 탄화 수소기, 또는, 산기를 갖는 아랄킬기 등을 들 수 있다.
상기 산기를 갖는 알킬기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1~30의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~20의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬기가 더 바람직하다.
상기 산기를 갖는 알킬기에 있어서의 산기로서는, 카복시기, 설포기, 인산기, 포스폰산기 등을 들 수 있고, 카복시기가 바람직하다.
상기 산기를 갖는 방향족 탄화 수소기에 있어서의 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하며, 페닐기가 더 바람직하다.
상기 산기를 갖는 아랄킬기로서는, 탄소수 7~30의 아랄킬기가 바람직하고, 탄소수 7~20의 아랄킬기가 보다 바람직하며, 벤질기가 더 바람직하다.
상기 산기를 갖는 방향족 탄화 수소기, 또는, 상기 산기를 갖는 아랄킬기에 있어서의 산기로서는, 페놀성 하이드록시기, 카복시기, 설포기, 인산기, 포스폰산기 등을 들 수 있으며, 페놀성 하이드록시기, 또는, 카복시기가 바람직하고, 페놀성 하이드록시기가 보다 바람직하다.
이들 중에서도, 산기를 갖는 방향족 탄화 수소기, 또는, 산기를 갖는 아랄킬기가 바람직하고, 페놀성 하이드록시기를 갖는 방향족 탄화 수소기, 또는, 페놀성 하이드록시기를 갖는 아랄킬기가 보다 바람직하며, 페놀성 하이드록시기를 갖는 페닐기, 또는, 페놀성 하이드록시기를 갖는 벤질기가 더 바람직하다.
또, 다른 치환기로서는, 알킬기, 아릴기, 알콕시알킬기, 아릴옥시기알킬기 등의 기여도 된다.
막강도 및 내약품성의 관점에서는, 특정 수지에 포함되는 모든 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위 중의 R22 및 R23의 전체 몰양에 대한, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 치환기인 R22 및 R23의 몰양의 비율이, 0~60%인 것이 바람직하고, 0~30%인 것이 보다 바람직하다.
막강도의 관점에서는, 상기 비율은, 0~10%인 것이 바람직하고, 0~5%인 것이 보다 바람직하며, 0~3%인 것이 더 바람직하다.
내약품성의 관점에서는, 상기 비율은, 10~30%인 것이 바람직하고, 15~30%인 것이 보다 바람직하다.
막강도, 내약품성 및 특정 수지의 용제 용해성의 관점에서는, 상기 수지에 포함되는 모든 상기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위 중의 R22 및 R23의 전체 몰양에 대한, 헤테로 원자를 포함해도 되는 탄소수 1~30의 유기기인 R22 및 R23의 몰양의 비율이, 20~100%인 것이 바람직하다.
막강도의 관점에서는, 상기 비율의 하한은, 30% 이상인 것이 바람직하고, 40% 이상인 것이 보다 바람직하며, 50% 이상인 것이 더 바람직하고, 60% 이상인 것이 특히 바람직하며, 70% 이상인 것이 가장 바람직하다.
내약품성의 관점에서는, 상기 비율의 상한은, 95% 이하인 것이 바람직하고, 90% 이하인 것이 보다 바람직하며, 85% 이하인 것이 더 바람직하고, 80% 이하인 것이 특히 바람직하며, 70% 이하인 것이 가장 바람직하다.
막강도, 내약품성 및 특정 수지의 용제 용해성의 관점에서는, 상기 수지에 포함되는 모든 상기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위 중의 R22 및 R23의 전체 몰양에 대한, 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 유기기인 상기 R22 및 R23의 몰양의 비율이, 20~100%인 것이 바람직하다.
상기 비율의 기재에 있어서의, 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 유기기는, 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 유기기이면, 중합성기를 더 포함하는 유기기여도 되지만, 폴리알킬렌옥시기를 포함하고, 또한, 중합성기를 갖지 않는 유기기인 것이 바람직하다.
막강도의 관점에서는, 상기 비율의 하한은, 30% 이상인 것이 바람직하고, 40% 이상인 것이 보다 바람직하며, 50% 이상인 것이 더 바람직하고, 60% 이상인 것이 특히 바람직하며, 70% 이상인 것이 가장 바람직하다.
내약품성의 관점에서는, 상기 비율의 상한은, 95% 이하인 것이 바람직하고, 90% 이하인 것이 보다 바람직하며, 85% 이하인 것이 더 바람직하고, 80% 이하인 것이 특히 바람직하며, 70% 이하인 것이 가장 바람직하다.
또, 현상액 용해성의 관점에서는, 예를 들면, 상술한 식 (1-2)에 있어서의 R21을, 상술한 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 적어도 포함하는 기를 치환기로서 포함하는 기로 하고, 또한, R22 및 R23을 상술한 다른 치환기로 하는 양태도 바람직하게 들 수 있다.
이 경우, 상기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위 중의 R22 및 R23의 전체 몰양에 대한, 상술한 다른 치환기인 상기 R22 및 R23의 몰양의 비율이, 50~100%인 것도 바람직하다.
-식 (2-2)-
특정 수지가 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 특정 수지는, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로서, 하기 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.
[화학식 17]
Figure pct00017
식 (2-2) 중, X3 및 X4는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A3은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A4는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, G1 및 G2는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, n3 및 n4는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.
식 (2-2) 중, X3 및 X4는 각각, 상술한 식 (2-1) 중의 X1 및 X2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (2-2) 중, R3 및 R4는 각각, 상술한 식 (2-1) 중의 R1 및 R2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (2-2) 중, Y2, A3 및 n3은 각각, 상술한 식 (2-1) 중의 Y1, A1 및 n1과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (2-2) 중, Q2, A4 및 n4는 각각, 상술한 식 (2-1) 중의 Q1, A2 및 n2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (2-2) 중, G1 및 G2는 각각, 상술한 식 (1-2) 중의 R23 및 R22와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
이들 중에서도, 특정 수지는, 상기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위로서 상기 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위를 갖거나, 또는, 상기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로서 상기 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.
용제 용해성, 현상성의 관점에서는, 상기 식 (2-1) 중의 X1 및 X2가 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기이며, 상기 식 (2-2) 중의 X3 및 X4가 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다.
용제 용해성, 현상성의 관점에서는, 상기 식 (2-1) 중의 Y1이 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기이며, 상기 식 (2-2) 중의 Y2가 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인 것이 바람직하다.
용제 용해성, 현상성의 관점에서는, 상기 식 (2-1) 중의 Q1이 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기이며, 상기 식 (2-2) 중의 Q2가 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인 것이 바람직하다.
-반복 단위의 함유량-
특정 수지에 있어서의 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위의 합계 함유량은, 특정 수지의 전체 반복 단위에 대하여 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 60몰% 이상인 것이 보다 바람직하며, 70몰% 이상인 것이 더 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않고, 100몰% 이하이면 된다.
또, 특정 수지에 있어서의 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위의 합계 함유량은, 특정 수지의 질량에 대하여 50질량% 이상인 것이 바람직하고, 60질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 70질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 80질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않고, 100질량% 이하이면 된다.
특정 수지가 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위의 함유량이, 특정 수지의 전체 반복 단위에 대하여 50몰% 이상인 양태로 할 수도 있다. 상기 함유량은, 60몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 70몰% 이상인 것이 더 바람직하며, 80몰% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않고, 100몰% 이하이면 된다.
특정 수지가 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위의 함유량이, 특정 수지의 전체 반복 단위에 대하여 50몰% 이상인 양태로 할 수도 있다. 상기 함유량은, 60몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 70몰% 이상인 것이 더 바람직하며, 80몰% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않고, 100몰% 이하이면 된다.
특정 수지가 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 1종 단독으로 포함해도 되고, 구조가 상이한 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 2종 이상 포함해도 된다. 특정 수지가, 구조가 상이한 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 2종 이상 포함하는 경우, 특정 수지에 포함되는 모든 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위의 합계 함유량이, 상기 함유량의 범위에 포함되는 것이 바람직하다.
특정 수지가 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 1종 단독으로 포함해도 되고, 구조가 상이한 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 2종 이상 포함해도 된다. 특정 수지가, 구조가 상이한 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 2종 이상 포함하는 경우, 특정 수지에 포함되는 모든 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위의 합계 함유량이, 상기 함유량의 범위에 포함되는 것이 바람직하다.
또, 특정 수지가 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 특정 수지의 이미드화율(폐환율)을, 70% 이상으로 하는 것도 바람직하다. 상기 이미드화율은, 80% 이상인 것이 보다 바람직하며, 90% 이상인 것이 더 바람직하다.
상기 이미드화율의 상한은 특별히 한정되지 않고, 100% 이하이면 된다.
상기 이미드화율은, 예를 들면 하기 방법에 의하여 측정된다.
특정 수지의 적외 흡수 스펙트럼을 측정하여, 이미드 구조 유래의 흡수 피크인 1377cm-1 부근의 피크 강도 P1을 구한다. 다음으로, 그 폴리이미드를 350℃에서 1시간 열처리한 후, 재차, 적외 흡수 스펙트럼을 측정하여, 1377cm-1 부근의 피크 강도 P2를 구한다. 얻어진 피크 강도 P1, P2를 이용하여, 하기 식에 근거하여, 특정 수지의 이미드화율을 구할 수 있다.
이미드화율(%)=(피크 강도 P1/피크 강도 P2)×100
〔다른 반복 단위〕
-식 (1)로 나타나는 반복 단위-
특정 수지는, 다른 반복 단위를 더 포함해도 된다.
다른 반복 단위로서는, 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 들 수 있다.
상술한 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위에 해당하는 반복 단위는, 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위에는 해당하지 않는 것으로 한다.
특정 수지가 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 특정 수지는 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 주쇄에 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 18]
Figure pct00018
식 (1) 중, AA1 및 AA2는, 각각 독립적으로 산소 원자 또는 NH를 나타내고, R111은, 2가의 유기기를 나타내며, R115는, 4가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
상기 식 (1)로 나타나는 반복 단위는, R115에 포함되는 아마이드 결합의 수가 1 이하이거나, 또는, R111이 중합성기를 갖지 않는 반복 단위이다.
식 (1) 중, AA1 및 AA2는 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내며, 산소 원자인 것이 바람직하다.
식 (1) 중, R113 및 R114는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, 1가의 유기기인 것이 바람직하다.
또, R113 및 R114 중 적어도 일방이 중합성기를 포함하는 것이 바람직하고, 양방이 중합성기를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
또, R113 및 R114에 있어서의 1가의 유기기로서는, 상술한 식 (1-2) 중의 R22 및 R23에 있어서 중합성기를 포함하는 기, 헤테로 원자를 포함해도 되는 유기기, 또는, 다른 치환기도 바람직하게 들 수 있다.
식 (1) 중, R115는, 상술한 식 (1-2) 중의 R21과 동일한 구조여도 된다. 식 (1) 중의 R115가, 상술한 식 (1-2) 중의 R21과 동일한 구조인 경우, 식 (1) 중의 R111은, 중합성기를 포함하지 않는 구조이다.
또, R115는 방향환을 포함하는 4가의 유기기가 바람직하고, 하기 식 (5) 또는 식 (6)으로 나타나는 기가 보다 바람직하다.
[화학식 19]
Figure pct00019
식 (5) 중, R112는, 단결합, 또는, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, 및 NHCO-, 및, 이들의 조합으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하고, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -CO-, -S- 및 -SO2-로부터 선택되는 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-, -O-, -CO-, -S- 및 -SO2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기인 것이 더 바람직하다.
식 (5) 및 식 (6) 중, *는 각각, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
R115는, 구체적으로는, 테트라카복실산 이무수물로부터 무수물기의 제거 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기 등을 들 수 있다. 테트라카복실산 이무수물은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다.
테트라카복실산 이무수물은, 하기 식 (O)로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 20]
Figure pct00020
식 (O) 중, R115는, 4가의 유기기를 나타낸다. R115는, 식 (1)에 있어서의 R115와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.
테트라카복실산 이무수물의 구체예로서는, 파이로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설파이드테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설폰테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 1,3-다이페닐헥사플루오로프로페인-3,3,4,4-테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,6-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,8,9,10-페난트렌테트라카복실산 이무수물, 1,1-비스(2,3-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,1-비스(3,4-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카복실산 이무수물, 및, 이들 탄소수 1~6의 알킬 및 탄소수 1~6의 알콕시 유도체를 들 수 있다.
또, 국제 공개공보 제2017/038598호의 단락 0038에 기재된 테트라카복실산 이무수물 (DAA-1)~(DAA-5)도 바람직한 예로서 들 수 있다.
식 (1) 중, R111은, 상술한 식 (1-2) 중의 L21과 동일한 구조여도 된다. 식 (1) 중의 R111이, 상술한 식 (1-2) 중의 L21과 동일한 구조인 경우, 식 (1) 중의 R115에 포함되는 아마이드 결합의 수는 1 이하이다.
식 (1) 중, R111은 중합성기를 포함하지 않는 구조여도 된다.
또, R111은 지방족 탄화 수소기, 방향족 탄화 수소기, 또는, 이들 기 중 적어도 하나와 -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NRN-, 및, 유레아기 중 적어도 하나가 결합된 기인 것이 바람직하다. RN은 상술한 바와 같다.
상기 지방족 탄화 수소기로서는, 탄소수 2~30의 지방족 포화 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 2~10의 지방족 포화 탄화 수소기가 보다 바람직하다.
또, 상기 지방족 탄화 수소기로서는, 환원수가 6~20인 포화 지방족 탄화 수소환기가 바람직하다.
상기 방향족 탄화 수소기로서는, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 6~12의 지방족 탄화 수소기가 바람직하며, 탄소수 6의 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하다.
이들 중에서도, 용제 용해성의 관점에서는, R111은 지방족 탄화 수소환기 또는 방향족 탄화 수소환기를 포함하는 기인 것이 바람직하고, 방향족 탄화 수소환기를 포함하는 기인 것이 보다 바람직하다.
또, 식 (1)에 있어서의 R111은, 얻어지는 경화막의 유연성의 관점에서, -Ar0-L0-Ar0-으로 나타나는 것이 바람직하다. Ar0은, 각각 독립적으로, 방향족 탄화 수소기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 특히 바람직하다)이고, 페닐렌기가 바람직하다. L0은, 상술한 식 (A2-3)에 있어서의 LA231과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (1)에 있어서의 R111은, i선 투과율의 관점에서 하기 식 (51) 또는 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 바람직하다. 특히, i선 투과율, 입수의 용이성의 관점에서 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 21]
Figure pct00021
식 (51) 중, R50~R57은 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이고, R50~R57 중 적어도 하나는 불소 원자, 메틸기, 플루오로메틸기, 다이플루오로메틸기, 또는, 트라이플루오로메틸기이며, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
R50~R57의 1가의 유기기로서는, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 불화 알킬기 등을 들 수 있다.
[화학식 22]
Figure pct00022
식 (61) 중, R58 및 R59는, 각각 독립적으로 불소 원자, 플루오로메틸기, 다이플루오로메틸기, 또는, 트라이플루오로메틸기이다.
식 (1)에 있어서의 R111은, 다이아민에서 유래하는 구조인 것이 바람직하다.
상기 다이아민으로서는, 1,2-다이아미노에테인, 1,2-다이아미노프로페인, 1,3-다이아미노프로페인, 1,4-다이아미노뷰테인, 1,6-다이아미노헥세인; 1,2- 또는 1,3-다이아미노사이클로펜테인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-다이아미노사이클로헥세인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-비스(아미노메틸)사이클로헥세인, 비스-(4-아미노사이클로헥실)메테인, 비스-(3-아미노사이클로헥실)메테인, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이메틸사이클로헥실메테인 또는 아이소포론다이아민; 메타 또는 파라페닐렌다이아민, 다이아미노톨루엔, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 3,3-다이아미노다이페닐에터, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐설파이드, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노벤조페논, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐(4,4'-다이아미노-2,2'-다이메틸바이페닐), 3,3'-다이메톡시-4,4'-다이아미노바이페닐, 비스(4-아미노-3-카복시페닐)메테인, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)설폰, 4,4'-다이아미노파라터페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]설폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 3,3'-다이에틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 9,9-비스(4-아미노페닐)-10-하이드로안트라센, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐에터, 1,4-다이아미노안트라퀴논, 1,5-다이아미노안트라퀴논, 3,3-다이하이드록시-4,4'-다이아미노바이페닐, 9,9'-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-다이메틸-3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 2-(3', 5'-다이아미노벤조일옥시)에틸메타크릴레이트, 2,4- 또는 2,5-다이아미노큐멘, 2,5-다이메틸-파라페닐렌다이아민, 아세토구아나민, 2,3,5,6-테트라메틸-파라페닐렌다이아민, 2,4,6-트라이메틸메타페닐렌다이아민, 4,6-다이하이드록시-1,3-페닐렌다이아민, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 2,7-다이아미노플루오렌, 2,5-다이아미노피리딘, 1,2-비스(4-아미노페닐)에테인, 다이아미노벤즈 아닐라이드, 다이아미노벤조산, 다이아미노벤조산의 에스터, 1,5-다이아미노나프탈렌, 다이아미노벤조트라이플루오라이드, 1,3-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 1,4-비스(4-아미노페닐)옥타플루오로뷰테인, 1,5-비스(4-아미노페닐)데카플루오로펜테인, 1,7-비스(4-아미노페닐)테트라데카플루오로헵테인, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-다이메틸페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-비스(트라이플루오로메틸)페닐]헥사플루오로프로페인, 파라비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 4,4'-비스(3-아미노-5-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노-2,2'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로톨리딘 및 4,4'-다이아미노쿼터페닐로부터 선택되는 적어도 1종의 다이아민을 들 수 있다.
또, 국제 공개공보 제2017/038598호의 단락 0030~0031에 기재된 다이아민 (DA-1)~(DA-18)도 바람직하다.
국제 공개공보 제2017/038598호의 단락 0032~0034에 기재된 2개 이상의 알킬렌글라이콜 단위를 주쇄에 갖는 다이아민도 바람직하게 이용된다.
또, 상술한 식 (51) 또는 (61)의 구조를 부여하는 다이아민으로서는, 다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-비스(플루오로)-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐 등을 들 수 있다. 이들 중 1종을 이용하거나, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
또, 이하의 다이아민도 적합하게 사용할 수 있다.
[화학식 23]
Figure pct00023
또, 기재와의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 다이아민 성분으로서, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 비스(파라아미노페닐)옥타메틸펜타실록세인 등의 실록세인 구조를 갖는 다이아민을 이용해도 된다.
-식 (4)로 나타나는 반복 단위-
특정 수지는, 식 (4)로 나타나는 반복 단위를 더 포함해도 된다.
특정 수지가 하기 식 (4)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 특정 수지는 하기 식 (4)로 나타나는 반복 단위를 주쇄에 포함하는 것이 바람직하다.
단, 상술한 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위는, 식 (4)로 나타나는 반복 단위에는 해당하지 않는 것으로 한다.
[화학식 24]
Figure pct00024
식 (4) 중, R131은, 2가의 유기기를 나타내고, R132는, 4가의 유기기를 나타낸다.
식 (4) 중, R131 및 R132는 각각, 식 (1) 중의 R111 및 R115와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
<<함유량>>
특정 수지에 있어서의 다른 반복 단위의 합계 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 특정 수지의 전체 질량에 대하여 30질량% 이하인 것이 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 10질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 합계 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0질량% 이상이면 된다.
또, 얻어지는 경화막의 내약품성의 관점에서, 특정 수지의 일 양태로서, 다른 반복 단위를 실질적으로 함유하지 않는 양태로 하는 것도 바람직하다.
이 경우, 특정 수지의 전체 질량에 대하여, 다른 반복 단위의 합계 함유량은, 5질량% 이하인 것이 바람직하고, 3질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 1질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0질량% 이상이면 된다.
특정 수지는, 다른 반복 단위를 1종 단독으로 포함해도 되고, 구조가 상이한 다른 것을 2종 이상 포함해도 된다. 특정 수지가, 구조가 상이한 다른 반복 단위를 2종 이상 포함하는 경우, 특정 수지에 포함되는 모든 다른 반복 단위의 합계 함유량이, 상기 함유량의 범위에 포함되는 것이 바람직하다.
-말단 구조-
특정 수지의 말단의 구조는 특별히 한정되지 않지만, 조성물의 보존 안정성을 향상시키기 위하여, 말단을 모노아민, 산무수물, 모노카복실산, 모노산 클로라이드 화합물, 모노 활성 에스터 화합물 등의 말단 밀봉제로 밀봉해도 된다. 이들 말단 밀봉제 중, 모노아민을 이용하는 것이 바람직하다. 모노아민으로서는, 아닐린, 2-에타인일아닐린, 3-에타인일아닐린, 4-에타인일아닐린, 5-아미노-8-하이드록시퀴놀린, 1-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-4-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-카복시-7-아미노나프탈렌, 1-카복시-6-아미노나프탈렌, 1-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-카복시-7-아미노나프탈렌, 2-카복시-6-아미노나프탈렌, 2-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 4-아미노살리실산, 5-아미노살리실산, 6-아미노살리실산, 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산, 3-아미노-4,6-다이하이드록시피리미딘, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2-아미노싸이오페놀, 3-아미노싸이오페놀, 4-아미노싸이오페놀, 4-아미노스타이렌 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 이용해도 되고, 복수의 말단 밀봉제를 반응시킴으로써, 복수의 상이한 말단기를 도입해도 된다.
〔함유량〕
본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서의 특정 수지의 함유량은, 얻어지는 경화막의 파단 신도를 향상시키는 관점에서는, 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 20질량% 이상인 것이 바람직하고, 30질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 40질량% 이상인 것이 더 바람직하다.
상기 함유량의 상한으로서는, 경화성 수지 조성물의 해상성을 향상시키는 관점에서는, 99.5질량% 이하인 것이 바람직하고, 99질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 98질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 97질량% 이하인 것이 한층 바람직하며, 95질량% 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.
〔특정 수지의 물성〕
-분자량-
특정 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 2,000~500,000인 것이 바람직하고, 5,000~200,000인 것이 보다 바람직하며, 10,000~100,000인 것이 더 바람직하다.
특정 수지의 수평균 분자량(Mn)은, 800~250,000인 것이 바람직하고, 2,000~100,000인 것이 보다 바람직하며, 4,000~50,000인 것이 더 바람직하다.
특정 수지의 분자량의 분산도는, 1.5~3.5가 바람직하고, 2~3이 보다 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 분자량의 분산도란, 중량 평균 분자량을 수평균 분자량에 의하여 나눈 값(중량 평균 분자량/수평균 분자량)을 말한다.
-산가-
특정 수지의 산가는, 0~2.0mmol/g인 것이 바람직하고, 0~1.5mmol/g인 것이 보다 바람직하며, 0~1.0mmol/g으로 하는 것이 더 바람직하다.
경화성 수지 조성물을, 후술하는 알칼리 현상에 이용하는 경우, 특정 수지의 산가는, 1.2~7mmol/g인 것이 바람직하고, 1.5~6mmol/g인 것이 보다 바람직하며, 2~5mmol/g인 것이 더 바람직하다.
본 발명에 있어서, 산가란, 특정 수지 1g에 포함되는 산기의 양(mmol)을 말한다.
산기란, pH12 이상의 알칼리(예를 들면 수산화 나트륨)에 의하여 중화되는 기를 말한다. 또, 상기 산기는, pKa가 10 이하인 기인 것이 바람직하다.
상기 산가는, 공지의 방법에 의하여 측정되고, 예를 들면, JIS K 0070:1992에 기재된 방법에 의하여 측정된다.
상기 산기로서는, 페놀성 하이드록시기, 카복시기, 설포기 등을 들 수 있으며, 카복시기가 바람직하다.
-중합성기가-
1g의 특정 수지에 포함되는 중합성기의 몰양(중합성기가, 단위는 mmol/g)은, 0.05~10mmol/g인 것이 바람직하고, 0.1~5mmol/g인 것이 보다 바람직하다.
특정 수지가 중합성기로서 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 경우, 1g의 특정 수지에 포함되는 에틸렌성 불포화 결합의 몰양은, 0.05~10mmol/g인 것이 바람직하고, 0.1~5mmol/g인 것이 보다 바람직하다.
특정 수지가 중합성기로서 환상 에터기, 메틸올기, 알콕시메틸기 등의 중합성기를 포함하는 경우, 1g의 특정 수지에 포함되는 상기 중합성기의 몰양은, 0.05~10mmol/g인 것이 바람직하고, 0.1~5mmol/g인 것이 보다 바람직하다.
〔구체예〕
특정 수지의 구체예로서는, 후술하는 실시예에 있어서 사용된 특정 수지를 들 수 있다.
〔제조 방법(식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지의 제조 방법)〕
특정 수지가 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 특정 수지는, 예를 들면, 후술하는 실시예에 있어서의 합성예에 나타낸 합성 방법에 의하여 합성된다.
또, 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지의 제조 방법은, 다이아민과, 4가 카복실산 화합물 또는 그 유도체를 반응시키는 공정(전구체 제조 공정)을 포함하는 것이 바람직하다.
-전구체 제조 공정-
상기 전구체 제조 공정에 있어서 이용되는 다이아민으로서는, 하기 식 (DA-1)로 나타나는 다이아민을 들 수 있다.
[화학식 25]
Figure pct00025
식 (DA-1) 중, L21은 식 (1-2) 중의 L21과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
또, 식 (1)의 설명에 있어서 기재한 다이아민을 더 이용함으로써, 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 특정 수지에 도입할 수도 있다.
상기 전구체 제조 공정에 있어서 이용되는 4가 카복실산 화합물로서는, 카복실산 이무수물이어도 되고, 4개의 카복시기 중 2개에 대하여 에스터화, 할로젠화 등의 변성이 행해진 구조의 화합물이어도 된다. 바람직하게는, 후술하는 식 (DC-1)로 나타나는 카복실산 이무수물에 있어서, 가수분해 후의 4개의 카복시기 중, 2개의 카복시기가 에스터화된 화합물을 들 수 있다.
상기 에스터화에 의하여, 상술한 식 (1-2)에 있어서의 R22 및 R23이 도입되어 있는 것이 바람직하다.
또, 상기 4개의 카복시기 중 2개가 에스터화된 화합물을 할로젠화제를 이용하여 할로젠화시킨 후, 다이아민과 반응시키는 것이 바람직하다.
그 외, 전구체 제조 공정에 있어서의 반응 조건은, 공지의 에스터화의 조건을 참고로 적절히 결정할 수 있다.
또, 전구체 제조 공정에 있어서는, 반응 시에, 유기 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 유기 용제는 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
유기 용제로서는, 원료에 따라 적절히 정할 수 있지만, 피리딘, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터(다이글라임), N-메틸-2-피롤리돈 및 N-에틸-2-피롤리돈이 예시된다.
전구체 제조 공정에 있어서는, 고체를 석출하는 공정을 포함하고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 반응액 중의 특정 수지를, 수중에 침전시켜, 테트라하이드로퓨란 등의 폴리이미드 전구체가 가용인 용제에 용해시킴으로써, 고체 석출할 수 있다.
-다이아민 제조 공정-
특정 수지의 제조 방법은, 2개의 나이트로기, 적어도 하나의 반응성기, 및, 방향족 탄화 수소기를 갖는 화합물 A와, 상기 반응성기와 결합을 형성 가능한 기, 및, 중합성기를 갖는 화합물 B를 반응시켜, 화합물 A와 화합물 B가 결합된 화합물 C를 얻은 후에, 상기 화합물 C에 있어서의 나이트로기를 환원하여, 다이아민을 얻는 공정(다이아민 제조 공정)을 포함해도 된다.
다이아민 제조 공정에 있어서 얻어진 다이아민이, 전구체 제조 공정에 있어서의 다이아민으로서 이용된다.
화합물 A에 있어서의 반응성기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 아미노기, 하이드록시기, 카복시기 등을 들 수 있다.
화합물 A는, 2개의 나이트로기와, 적어도 하나의 반응성기가, 방향족 탄화 수소기에 직접 결합된 구조인 것이 바람직하다.
화합물 B에 있어서의 반응성기와 결합을 형성 가능한 기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 하이드록시기, 카복시기, 카복실산 할라이드기, 에폭시기, 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다.
화합물 B에 있어서의 중합성기로서는, 상술한 식 (1-2)에 있어서의 L22에 포함되는 기로서 예시된 기를 들 수 있다.
화합물 C는 화합물 A와 화합물 B의 반응에 의하여 얻어지는 기이며, 2개의 나이트로기와, 적어도 하나의 중합성기를 포함하는 기를 갖는 화합물이다.
화합물 C에 있어서의 나이트로기를 환원함으로써, 다이아민 화합물이 얻어진다.
환원 방법으로서는, 베샴 환원, 팔라듐, 플래티넘, 니켈 등의 금속 촉매와 수소 가스, 폼산 암모늄 등의 수소원을 이용한 수소 첨가 반응, 금속 하이드라이드를 환원제로 한 환원 방법 등, 공지의 방법을 이용할 수 있다.
예를 들면, 후술하는 실시예에 있어서의 다이나이트로체 (A-1)의 합성은, 화합물 A인 3,5-다이나이트로벤조일 클로라이드와, 화합물 B인 메타크릴산 2-하이드록시에틸을 반응시켜 화합물 C인 다이나이트로체 (A-1)을 얻는 반응이다.
또, 후술하는 실시예에 있어서의 다이아민 (AA-1)의 합성은, 화합물 C인 다이나이트로체 (A-1)에 있어서의 2개의 나이트로기를 환원하여 다이아민 (AA-1)을 얻는 반응이다.
-카복실산 이무수물 제조 공정-
특정 수지의 제조 방법은, 다이아민 화합물과, 1개의 카복실산 무수물기, 및, 1개의 카복시기를 갖는 화합물을 반응시켜, 아마이드 결합을 2 이상 갖는 카복실산 이무수물을 얻는 공정(카복실산 이무수물 제조 공정)을 포함해도 된다.
상기 1개의 카복시기는, 카복실산 할라이드기여도 된다.
상기 반응의 상세는, 공지의 아마이드화 방법을 참고로 결정하면 된다.
예를 들면, 후술하는 실시예에 있어서의 무수물 (MA-1)의 합성은, 다이아민 화합물인 AA-1과, 1개의 카복실산 무수물기, 및, 1개의 카복실산 할라이드기를 갖는 화합물인 무수 트라이멜리트산 클로라이드를 반응시켜, 아마이드 결합을 2개 갖는 무수물 (MA-1)을 얻는 반응이다.
얻어지는 카복실산 이무수물로서는, 하기 식 (DC-1)로 나타나는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 26]
Figure pct00026
식 (DC-1) 중, R21은 식 (1-2) 중의 R21과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
〔제조 방법(식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지의 제조 방법)〕
특정 수지가 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 경우, 특정 수지는, 예를 들면, 후술하는 실시예에 있어서의 합성예에 나타낸 합성 방법에 의하여 합성된다.
또, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지의 제조 방법은, 상술한 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지를 이미드화하는 이미드화 공정을 포함해도 된다.
이미드화 공정에 있어서는, 상기 전구체 제조 공정 등에 있어서 얻어진 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지가 이미드화되어, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지가 얻어진다.
이미드화 공정은, 열 이미드화(예를 들면, 가열에 의한 이미드화), 화학 이미드화(예를 들면, 촉매를 이용한 이미드화) 및 이들 조합에 의한 이미드화 중 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 아민계 화합물 등의 촉매의 존재하에서 가열함으로써 행해진다.
또, 이미드화 공정에 있어서, 예를 들면 탈수제를 사용해도 된다. 탈수제로서는, 무수 아세트산 등의 카복실산 무수물 등을 들 수 있다.
그 외, 이미드화의 상세에 대해서는, 공지의 방법에 의하여 행할 수 있다.
-다른 제조 방법-
또, 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 특정 수지의 제조 방법은, 카복실산 이무수물 및 다이아민 화합물의 반응 시에 고온에서 가열, 탈수시켜, 1단계에서 수지를 합성하는 방법이어도 된다.
카복실산 이무수물로서는, 예를 들면, 상술한 식 (DC-1)로 나타나는 카복실산 이무수물을 들 수 있다. 상기 카복실산 이무수물은, 상술한 4가 카복실산 제조 공정에 있어서 얻어진 화합물인 것이 바람직하다.
다이아민 화합물로서는, 상술한 식 (DA-1)로 나타나는 다이아민 화합물을 이용할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 이용되는 수지의 제조 방법은, 카복실산 이무수물, 및, 다이아이소사이아네이트 화합물의 반응 시에 고온에서 탈탄산시켜, 1단계에서 수지를 합성하는 방법이어도 된다.
카복실산 이무수물로서는, 예를 들면, 상술한 식 (DC-1)로 나타나는 카복실산 이무수물을 들 수 있다. 상기 카복실산 이무수물은, 상술한 4가 카복실산 제조 공정에 있어서 얻어진 화합물인 것이 바람직하다.
다이아이소사이아네이트 화합물로서는, 상술한 식 (DA-1)로 나타나는 화합물에 있어서의 2개의 아미노기를, 각각 아이소사이아네이트기로 변경한 화합물을 들 수 있다.
이들 제조 방법의 상세는, 공지의 폴리이미드의 합성 방법을 참고로 할 수 있다.
또, 본 발명에 있어서 이용되는 수지의 제조 방법은, 3개의 카복시기를 갖는 화합물, 또는, 상기 3개의 카복시기를 갖는 화합물의 유도체와, 제1 다이아민 화합물, 또는, 다이아이소사이아네이트 화합물을 반응시켜 2개의 이미드환 구조와 2개의 카복실산을 갖는 화합물 D를 얻는 공정, 및, 상기 화합물 D와, 제2 다이아민 화합물을 반응시켜 수지를 얻는 공정을 포함하는 제조 방법이어도 된다.
상기 3개의 카복시기를 갖는 화합물, 또는, 상기 3개의 카복시기를 갖는 화합물의 유도체로서는, 3개의 카복시기를 갖는 화합물, 1개의 카복시기와 1개의 카복실산 무수물기를 갖는 화합물, 1개의 카복실산 할라이드기와 1개의 카복실산 무수물기를 갖는 화합물, 1개의 카복실산 에스터기와 1개의 카복실산 무수물기를 갖는 화합물, 3개의 카복실산 에스터기를 갖는 화합물, 1개의 카복실산 할라이드기와 2개의 카복실산 에스터기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
상기 제1 다이아민 화합물로서, 구체적으로는, 상술한 식 (DA-1)로 나타나는 다이아민 화합물을 이용할 수 있다.
상기 다이아이소사이아네이트 화합물로서, 구체적으로는, 상술한 식 (DA-1)로 나타나는 화합물에 있어서의 2개의 아미노기를, 각각 아이소사이아네이트기로 변경한 화합물을 들 수 있다.
상기 반응의 조건 등은, 공지의 이미드화 반응을 참고로 적절히 결정하면 된다.
상기 제2 다이아민 화합물로서는, 하기 식 (DA-2)로 나타나는 다이아민 화합물을 들 수 있다.
[화학식 27]
Figure pct00027
식 (DA-2) 중, L3은 식 (R-1) 중의 L3과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
상기 수지를 얻는 공정에 있어서의 반응의 조건은, 공지의 폴리아마이드의 제조 방법을 참고로 적절히 결정하면 된다.
<중합 개시제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 개시제를 포함한다.
중합 개시제로서는, 광중합 개시제가 바람직하다.
〔광중합 개시제〕
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 개시제로서, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.
광중합 개시제는, 광라디칼 중합 개시제인 것이 바람직하다. 광라디칼 중합 개시제로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 광라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 자외선 영역으로부터 가시 영역의 광선에 대하여 감광성을 갖는 광라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 또, 광여기된 증감제와 어떠한 작용을 발생시켜, 활성 라디칼을 생성하는 활성제여도 된다.
광라디칼 중합 개시제는, 약 300~800nm(바람직하게는 330~500nm)의 범위 내에서 적어도 약 50L·mol-1·cm-1의 몰 흡광 계수를 갖는 화합물을, 적어도 1종 함유하고 있는 것이 바람직하다. 화합물의 몰 흡광 계수는, 공지의 방법을 이용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 자외 가시 분광 광도계(Varian사제 Cary-5 spectrophotometer)로, 아세트산 에틸 용제를 이용하여, 0.01g/L의 농도로 측정하는 것이 바람직하다.
광라디칼 중합 개시제로서는, 공지의 화합물을 임의로 사용할 수 있다. 예를 들면, 할로젠화 탄화 수소 유도체(예를 들면, 트라이아진 골격을 갖는 화합물, 옥사다이아졸 골격을 갖는 화합물, 트라이할로메틸기를 갖는 화합물 등), 아실포스핀옥사이드 등의 아실포스핀 화합물, 헥사아릴바이이미다졸, 옥심 유도체 등의 옥심 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 케톤 화합물, 방향족 오늄염, 케톡심 에터, 아미노아세토페논 화합물, 하이드록시아세토페논, 아조계 화합물, 아자이드 화합물, 메탈로센 화합물, 유기 붕소 화합물, 철 아렌 착체 등을 들 수 있다. 이들의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0165~0182, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0138~0151의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.
케톤 화합물로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0087에 기재된 화합물이 예시되며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 시판품에서는, 가야큐어 DETX(닛폰 가야쿠(주)제)도 적합하게 이용된다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 광라디칼 중합 개시제로서는, 하이드록시아세토페논 화합물, 아미노아세토페논 화합물, 및, 아실포스핀 화합물을 적합하게 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 아미노아세토페논계 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 아실포스핀옥사이드계 개시제를 이용할 수 있다.
하이드록시아세토페논계 개시제로서는, IRGACURE 184(IRGACURE는 등록 상표), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE-2959, IRGACURE 127, IRGACURE 727(상품명: 모두 BASF사제)을 이용할 수 있다.
아미노아세토페논계 개시제로서는, 시판품인 IRGACURE 907, IRGACURE 369, 및, IRGACURE 379(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.
아미노아세토페논계 개시제로서, 365nm 또는 405nm 등의 파장 광원에 흡수 극대 파장이 매칭된 일본 공개특허공보 2009-191179호에 기재된 화합물도 이용할 수 있다.
아실포스핀계 개시제로서는, 2,4,6-트라이메틸벤조일-다이페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 또, 시판품인 IRGACURE-819나 IRGACURE-TPO(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.
메탈로센 화합물로서는, IRGACURE-784(BASF사제) 등이 예시된다.
광라디칼 중합 개시제로서, 보다 바람직하게는 옥심 화합물을 들 수 있다. 옥심 화합물을 이용함으로써, 노광 래티튜드를 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다. 옥심 화합물은, 노광 래티튜드(노광 마진)가 넓으며, 또한, 광경화 촉진제로서도 작용하기 때문에, 특히 바람직하다.
옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-080068호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2006-342166호에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.
바람직한 옥심 화합물로서는, 예를 들면, 하기의 구조의 화합물이나, 3-벤조일옥시이미노뷰탄-2-온, 3-아세톡시이미노뷰탄-2-온, 3-프로피온일옥시이미노뷰탄-2-온, 2-아세톡시이미노펜탄-3-온, 2-아세톡시이미노-1-페닐프로판-1-온, 2-벤조일옥시이미노-1-페닐프로판-1-온, 3-(4-톨루엔설폰일옥시)이미노뷰탄-2-온, 및 2-에톡시카보닐옥시이미노-1-페닐프로판-1-온 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서는, 특히 광라디칼 중합 개시제로서 옥심 화합물(옥심계의 광중합 개시제)을 이용하는 것이 바람직하다. 옥심계의 광중합 개시제는, 분자 내에 >C=N-O-C(=O)-의 연결기를 갖는다.
[화학식 28]
Figure pct00028
시판품에서는 IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 04(이상, BASF사제), 아데카 옵토머 N-1919((주)ADEKA제, 일본 공개특허공보 2012-014052호에 기재된 광라디칼 중합 개시제 2)도 적합하게 이용된다. 또, TR-PBG-304(창저우 강력 전자 신재료 유한공사(Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.)제), 아데카 아클즈 NCI-831 및 아데카 아클즈 NCI-930((주)ADEKA제)도 이용할 수 있다. 또, DFI-091(다이토 케믹스(주)제)을 이용할 수 있다. 또, 하기의 구조의 옥심 화합물을 이용할 수도 있다.
[화학식 29]
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
광중합 개시제로서는, 플루오렌환을 갖는 옥심 화합물을 이용할 수도 있다. 플루오렌환을 갖는 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2014-137466호에 기재된 화합물, 일본 특허공보 06636081호에 기재된 화합물을 들 수 있다.
광중합 개시제로서는, 카바졸환의 적어도 하나의 벤젠환이 나프탈렌환이 된 골격을 갖는 옥심 화합물을 이용할 수도 있다. 그와 같은 옥심 화합물의 구체예로서는, 국제 공개공보 제2013/083505호에 기재된 화합물을 들 수 있다.
또, 불소 원자를 갖는 옥심 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 그와 같은 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2010-262028호에 기재되어 있는 화합물, 일본 공표특허공보2014-500852호의 단락 0345에 기재되어 있는 화합물 24, 36~40, 일본 공개특허공보 2013-164471호의 단락 0101에 기재되어 있는 화합물 (C-3) 등을 들 수 있다.
가장 바람직한 옥심 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2007-269779호에 나타나는 특정 치환기를 갖는 옥심 화합물이나, 일본 공개특허공보 2009-191061호에 나타나는 싸이오아릴기를 갖는 옥심 화합물 등을 들 수 있다.
광라디칼 중합 개시제는, 노광 감도의 관점에서, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, 벤질다이메틸케탈 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조싸이아졸 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물 및 그 유도체, 사이클로펜타다이엔-벤젠-철 착체 및 그 염, 할로메틸옥사다이아졸 화합물, 3-아릴 치환 쿠마린 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물이 바람직하다.
더 바람직한 광라디칼 중합 개시제는, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물이며, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 벤조페논 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 한층 바람직하고, 메탈로센 화합물 또는 옥심 화합물을 이용하는 것이 보다 한층 바람직하며, 옥심 화합물이 더 한층 바람직하다.
또, 광라디칼 중합 개시제는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-다이아미노벤조페논(미힐러케톤) 등의 N,N'-테트라알킬-4,4'-다이아미노벤조페논, 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄온-1,2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)페닐]-2-모폴리노-프로판온-1 등의 방향족 케톤, 알킬안트라퀴논 등의 방향환과 축환된 퀴논류, 벤조인알킬에터 등의 벤조인에터 화합물, 벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물, 벤질다이메틸케탈 등의 벤질 유도체 등을 이용할 수도 있다. 또, 하기 식 (I)로 나타나는 화합물을 이용할 수도 있다.
[화학식 30]
Figure pct00032
식 (I) 중, RI00은, 탄소수 1~20의 알킬기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 할로젠 원자, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 탄소수 2~12의 알켄일기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~18의 알킬기 및 탄소수 1~4의 알킬기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 또는 바이페닐이고, RI01은, 식 (II)로 나타나는 기이거나, RI00과 동일한 기이며, RI02~RI04는 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 알킬, 탄소수 1~12의 알콕시기 또는 할로젠이다.
[화학식 31]
Figure pct00033
식 중, RI05~RI07은, 상기 식 (I)의 RI02~RI04와 동일하다.
또, 광라디칼 중합 개시제는, 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0048~0055에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.
광중합 개시제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 0.5~15질량%이고, 한층 바람직하게는 1.0~10질량%이다.
광중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<열중합 개시제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 열중합 개시제를 포함해도 되고, 특히 열라디칼 중합 개시제를 포함해도 된다. 열라디칼 중합 개시제는, 열의 에너지에 의하여 라디칼을 발생하고, 중합성을 갖는 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 중합 개시제를 첨가함으로써, 후술하는 가열 공정에 있어서, 특정 수지 및 중합성 화합물의 중합 반응을 진행시킬 수도 있으므로, 보다 내약품성을 향상시킬 수 있다.
열라디칼 중합 개시제로서, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-063554호의 단락 0074~0118에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.
열중합 개시제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 5~15질량%이다. 열중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 열중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
〔광산발생제〕
또, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 개시제로서, 광산발생제를 포함해도 된다.
광산발생제로서는, 노광에 의하여 산을 발생하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 퀴논다이아자이드 화합물, 다이아조늄염, 포스포늄염, 설포늄염, 아이오도늄염 등의 오늄염 화합물, 이미드설포네이트, 옥심설포네이트, 다이아조다이설폰, 다이설폰, o-나이트로벤질설포네이트 등의 설포네이트 화합물 등을 들 수 있다.
퀴논다이아자이드 화합물로서는, 폴리하이드록시 화합물에 퀴논다이아자이드의 설폰산이 에스터로 결합한 것, 폴리아미노 화합물에 퀴논다이아자이드의 설폰산이 설폰아마이드 결합한 것, 폴리하이드록시폴리아미노 화합물에 퀴논다이아자이드의 설폰산이 에스터 결합 및 설폰아마이드 결합 중 적어도 일방에 의하여 결합한 것 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 예를 들면, 이들 폴리하이드록시 화합물이나 폴리아미노 화합물의 관능기 전체의 50몰% 이상이 퀴논다이아자이드로 치환되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 퀴논다이아자이드는 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일기, 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일기 모두 바람직하게 이용된다. 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물은 수은등의 i선 영역에 흡수를 갖고 있으며, i선 노광에 적합하다. 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물은 수은등의 g선 영역까지 흡수가 뻗어 있으며, g선 노광에 적합하다. 본 발명에 있어서는, 노광하는 파장에 의하여 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물, 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물을 선택하는 것이 바람직하다. 또, 동일 분자 중에 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일기, 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일기를 갖는 나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물을 함유해도 되고, 4-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물과 5-나프토퀴논다이아자이드설폰일에스터 화합물을 함유해도 된다.
상기 나프토퀴논다이아자이드 화합물은, 페놀성 하이드록시기를 갖는 화합물과, 퀴논다이아자이드설폰산 화합물의 에스터화 반응에 의하여 합성 가능하고, 공지의 방법에 의하여 합성할 수 있다. 이들 나프토퀴논다이아자이드 화합물을 사용함으로써 해상도, 감도, 잔막률이 보다 향상된다.
상기 나프토퀴논다이아자이드 화합물로서는, 예를 들면, 1,2-나프토퀴논-2-다이아자이드-5-설폰산 또는 1,2-나프토퀴논-2-다이아자이드-4-설폰산, 이들 화합물의 염 또는 에스터 화합물 등을 들 수 있다.
오늄염 화합물, 또는, 설포네이트 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2008-013646호의 단락 0064~0122에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.
그 외에, 광산발생제로서는 시판품을 사용해도 된다. 시판품으로서는, WPAG-145, WPAG-149, WPAG-170, WPAG-199, WPAG-336, WPAG-367, WPAG-370, WPAG-469, WPAG-638, WPAG-699(모두 후지필름 와코 준야쿠(주)제) 등을 들 수 있다.
광산발생제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%인 것이 바람직하고, 0.1~20질량%인 것이 보다 바람직하며, 2~15질량%인 것이 더 바람직하다. 광산발생제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광산발생제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<열산발생제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 개시제로서, 열산발생제를 포함해도 된다.
열산발생제는, 가열에 의하여 산을 발생하고, 하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물, 에폭시 화합물, 옥세테인 화합물 및 벤즈옥사진 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물, 또는, 특정 수지에 포함되는 메틸올기 등의 가교 반응을 촉진시키는 효과가 있다.
또, 본 발명의 경화성 수지 조성물이 열산발생제를 포함하는 경우, 특정 수지는 중합성기로서 메틸올기 또는 알콕시메틸기를 포함하는 것이 바람직하다.
열산발생제의 열분해 개시 온도는, 50℃~270℃가 바람직하고, 50℃~250℃가 보다 바람직하다. 또, 경화성 수지 조성물을 기판에 도포한 후의 건조(프리베이크: 약 70~140℃) 시에는 산을 발생하지 않고, 그 후의 노광, 현상으로 패터닝 후의 최종 가열(큐어: 약 100~400℃) 시에 산을 발생하는 것을 열산발생제로서 선택하면, 현상 시의 감도 저하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
열분해 개시 온도는, 열산발생제를 내압 캡슐 중 5℃/분으로 500℃까지 가열한 경우에, 가장 온도가 낮은 발열 피크의 피크 온도로서 구해진다.
열분해 개시 온도를 측정할 때에 이용되는 기기로서는, Q2000(TA인스트루먼츠사제) 등을 들 수 있다.
열산발생제로부터 발생하는 산은 강(强)산이 바람직하고, 예를 들면, p-톨루엔설폰산, 벤젠설폰산 등의 아릴설폰산, 메테인설폰산, 에테인설폰산, 뷰테인설폰산 등의 알킬설폰산, 혹은 트라이플루오로메테인설폰산 등의 할로알킬설폰산 등이 바람직하다. 이와 같은 열산발생제의 예로서는, 일본 공개특허공보 2013-072935호의 단락 0055에 기재된 것을 들 수 있다.
그중에서도, 경화막 중의 잔류가 적고 경화막 물성을 저하시키기 어렵다는 관점에서, 탄소수 1~4의 알킬설폰산이나 탄소수 1~4의 할로알킬설폰산을 발생하는 것이 보다 바람직하며, 메테인설폰산(4-하이드록시페닐)다이메틸설포늄, 메테인설폰산(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)다이메틸설포늄, 메테인설폰산 벤질(4-하이드록시페닐)메틸설포늄, 메테인설폰산 벤질(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)메틸설포늄, 메테인설폰산(4-하이드록시페닐)메틸((2-메틸페닐)메틸)설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산(4-하이드록시페닐)다이메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)다이메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산 벤질(4-하이드록시페닐)메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산 벤질(4-((메톡시카보닐)옥시)페닐)메틸설포늄, 트라이플루오로메테인설폰산(4-하이드록시페닐)메틸((2-메틸페닐)메틸)설포늄, 3-(5-(((프로필설폰일)옥시)이미노)싸이오펜-2(5H)-이리덴)-2-(o-톨릴)프로페인나이트릴, 2,2-비스(3-(메테인설폰일아미노)-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인이, 열산발생제로서 바람직하다.
또, 일본 공개특허공보 2013-167742호의 단락 0059에 기재된 화합물도 열산발생제로서 바람직하다.
열산발생제의 함유량은, 특정 수지 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상이 바람직하고, 0.1질량부 이상이 보다 바람직하다. 0.01질량부 이상 함유함으로써, 가교 반응이 촉진되기 때문에, 경화막의 기계 특성 및 내약품성을 보다 향상시킬 수 있다. 또, 경화막의 전기 절연성의 관점에서, 20질량부 이하가 바람직하고, 15질량부 이하가 보다 바람직하며, 10질량부 이하가 더 바람직하다.
<중합성 화합물>
본 발명의 경화성 수지 조성물은 중합성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 상술한 특정 수지에 해당하는 화합물은, 중합성 화합물에는 해당하지 않는 것으로 한다.
중합성 화합물로서는, 다관능 중합성 화합물이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 다관능 중합성 화합물이란, 중합성기를 2 이상 갖는 화합물을 말한다.
또, 중합성 화합물로서는, 라디칼 중합성 화합물이 바람직하고, 라디칼 중합성기를 2 이상 갖는 화합물이 보다 바람직하다.
〔라디칼 중합성 화합물〕
중합성 화합물로서는, 라디칼 중합성 화합물을 이용할 수 있다. 라디칼 중합성 화합물은, 라디칼 중합성기를 갖는 화합물이다. 라디칼 중합성기로서는, 바이닐기, 알릴기, 바이닐페닐기, (메트)아크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있다. 라디칼 중합성기는, (메트)아크릴로일기가 바람직하고, 반응성의 관점에서는, (메트)아크릴옥시기가 보다 바람직하다.
라디칼 중합성 화합물이 갖는 라디칼 중합성기의 수는, 1개여도 되고, 2개 이상이어도 되지만, 라디칼 중합성 화합물은 라디칼 중합성기를 2개 이상 갖는 것이 바람직하며, 3개 이상 갖는 것이 보다 바람직하다. 상한은, 15개 이하가 바람직하고, 10개 이하가 보다 바람직하며, 8개 이하가 더 바람직하다.
라디칼 중합성 화합물의 분자량은, 2,000 이하가 바람직하고, 1,500 이하가 보다 바람직하며, 900 이하가 더 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물의 분자량의 하한은, 100 이상이 바람직하다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 현상성의 관점에서, 라디칼 중합성기를 2개 이상 포함하는 2관능 이상의 라디칼 중합성 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하고, 3관능 이상의 라디칼 중합성 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또, 2관능의 라디칼 중합성 화합물과 3관능 이상의 라디칼 중합성 화합물의 혼합물이어도 된다. 예를 들면 2관능 이상의 중합성 모노머의 관능기수란, 1분자 중에 있어서의 라디칼 중합성기의 수가 2개 이상인 것을 의미한다.
라디칼 중합성 화합물의 구체예로서는, 불포화 카복실산(예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산 등)이나 그 에스터류, 아마이드류를 들 수 있으며, 바람직하게는, 불포화 카복실산과 다가 알코올 화합물의 에스터, 및 불포화 카복실산과 다가 아민 화합물의 아마이드류이다. 또, 하이드록시기나 아미노기, 설판일기 등의 구핵성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능 아이소사이아네이트류 또는 에폭시류의 부가 반응물이나, 단관능 혹은 다관능의 카복실산의 탈수 축합 반응물 등도 적합하게 사용된다. 또, 아이소사이아네이트기나 에폭시기 등의 친전자성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 부가 반응물, 또한, 할로제노기나 토실옥시기 등의 탈리성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 또는 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류의 치환 반응물도 적합하다. 또, 다른 예로서, 상기의 불포화 카복실산 대신에, 불포화 포스폰산, 스타이렌 등의 바이닐벤젠 유도체, 바이닐에터, 알릴에터 등으로 치환된 화합물군을 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0113~0122의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.
또, 라디칼 중합성 화합물은, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다. 그 예로서는, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에테인트라이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 헥세인다이올(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(아크릴로일옥시프로필)에터, 트라이(아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 글리세린이나 트라이메틸올에테인 등의 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후, (메트)아크릴레이트화한 화합물, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공고특허공보 소50-006034호, 일본 공개특허공보 소51-037193호 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인(메트)아크릴레이트류, 일본 공개특허공보 소48-064183호, 일본 공고특허공보 소49-043191호, 일본 공고특허공보 소52-030490호 각 공보에 기재되어 있는 폴리에스터아크릴레이트류, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산의 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트류 등의 다관능의 아크릴레이트나 메타크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2008-292970호의 단락 0254~0257에 기재된 화합물도 적합하다. 또, 다관능 카복실산에 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 환상 에터기와 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트 등도 들 수 있다.
또, 상술한 것 이외의 바람직한 라디칼 중합성 화합물로서, 일본 공개특허공보 2010-160418호, 일본 공개특허공보 2010-129825호, 일본 특허공보 제4364216호 등에 기재되는, 플루오렌환을 갖고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 2개 이상 갖는 화합물이나, 카도 수지도 사용하는 것이 가능하다.
또한, 그 외의 예로서는, 일본 공고특허공보 소46-043946호, 일본 공고특허공보 평01-040337호, 일본 공고특허공보 평01-040336호에 기재된 특정 불포화 화합물이나, 일본 공개특허공보 평02-025493호에 기재된 바이닐포스폰산계 화합물 등도 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 소61-022048호에 기재된 퍼플루오로알킬기를 포함하는 화합물을 이용할 수도 있다. 또한 일본 접착 협회지 vol. 20, No. 7, 300~308페이지(1984년)에 광중합성 모노머 및 올리고머로서 소개되어 있는 것도 사용할 수 있다.
상기 외에, 일본 공개특허공보 2015-034964호의 단락 0048~0051에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0087~0131에 기재된 화합물도 바람직하게 이용할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.
또, 일본 공개특허공보 평10-062986호에 있어서 식 (1) 및 식 (2)로서 그 구체예와 함께 기재된, 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후에 (메트)아크릴레이트화한 화합물도, 라디칼 중합성 화합물로서 이용할 수 있다.
또한, 일본 공개특허공보 2015-187211호의 단락 0104~0131에 기재된 화합물도 다른 라디칼 중합성 화합물로서 이용할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.
라디칼 중합성 화합물로서는, 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠(주)제, A-TMMT: 신나카무라 가가쿠 고교(주)제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠(주)제, A-DPH; 신나카무라 가가쿠 고교사제), 및 이들의 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜 잔기 또는 프로필렌글라이콜 잔기를 개재하여 결합되어 있는 구조가 바람직하다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다.
라디칼 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 사토머사제의 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 4관능 아크릴레이트인 SR-494, 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 2관능 메타크릴레이트인 사토머사제의 SR-209, 231, 239, 닛폰 가야쿠(주)제의 펜틸렌옥시쇄를 6개 갖는 6관능 아크릴레이트인 DPCA-60, 아이소뷰틸렌옥시쇄를 3개 갖는 3관능 아크릴레이트인 TPA-330, 유레테인 올리고머 UAS-10, UAB-140(닛폰 세이시사제), NK 에스터 M-40G, NK 에스터 4G, NK 에스터 M-9300, NK 에스터 A-9300, UA-7200(신나카무라 가가쿠 고교사제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠(주)제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤 가가쿠사제), 블렘머 PME400(니치유(주)제) 등을 들 수 있다.
라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공개특허공보 소51-037193호, 일본 공고특허공보 평02-032293호, 일본 공고특허공보 평02-016765호에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-049860호, 일본 공고특허공보 소56-017654호, 일본 공고특허공보 소62-039417호, 일본 공고특허공보 소62-039418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 라디칼 중합성 화합물로서, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평01-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 화합물을 이용할 수도 있다.
라디칼 중합성 화합물은, 카복시기, 인산기 등의 산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물이어도 된다. 산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물은, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카복실산의 에스터가 바람직하고, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 라디칼 중합성 화합물이 보다 바람직하다. 특히 바람직하게는, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 라디칼 중합성 화합물에 있어서, 지방족 폴리하이드록시 화합물이 펜타에리트리톨 또는 다이펜타에리트리톨인 화합물이다. 시판품으로서는, 예를 들면, 도아 고세이 주식회사제의 다염기산 변성 아크릴 올리고머로서, M-510, M-520 등을 들 수 있다.
산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 바람직한 산가는, 0.1~40mgKOH/g이며, 특히 바람직하게는 5~30mgKOH/g이다. 라디칼 중합성 화합물의 산가가 상기 범위이면, 제조상의 취급성이 우수하고, 나아가서는, 현상성이 우수하다. 또, 중합성이 양호하다. 또한, 알칼리 현상하는 경우의 현상 속도의 관점에서는, 산기를 갖는 라디칼 가교제의 바람직한 산가는, 0.1~300mgKOH/g이며, 특히 바람직하게는 1~100mgKOH/g이다. 상기 산가는, JIS K 0070:1992의 기재에 준거하여 측정된다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 경화막의 탄성률 제어에 따른 휨 억제의 관점에서, 라디칼 중합성 화합물로서, 단관능 라디칼 중합성 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다. 단관능 라디칼 중합성 화합물로서는, n-뷰틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸(메트)아크릴레이트, 카비톨(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, N-메틸올(메트)아크릴아마이드, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 유도체, N-바이닐피롤리돈, N-바이닐카프로락탐 등의 N-바이닐 화합물류, 알릴글리시딜에터, 다이알릴프탈레이트, 트라이알릴트라이멜리테이트 등의 알릴 화합물류 등이 바람직하게 이용된다. 단관능 라디칼 중합성 화합물로서는, 노광 전의 휘발을 억제하기 위하여, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다. 또, 패턴의 해상성과 막의 신축성의 관점에서, 2관능의 메타아크릴레이트 또는 아크릴레이트를 이용하는 것도 바람직하다.
구체적인 화합물로서는, 트라이에틸렌글라이콜다이아크릴레이트, 트라이에틸렌글라이콜다이메타크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜다이메타크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜다이아크릴레이트, PEG200 다이아크릴레이트, PEG200 다이메타크릴레이트, PEG600 다이아크릴레이트, PEG600 다이메타크릴레이트, 폴리테트라에틸렌글라이콜다이아크릴레이트, 폴리테트라에틸렌글라이콜다이메타크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이메타크릴레이트, 3-메틸-1,5-펜테인다이올다이아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올다이아크릴레이트, 1,6헥세인다이올다이메타크릴레이트, 다이메틸올-트라이사이클로데케인다이아크릴레이트, 다이메틸올-트라이사이클로데케인다이메타크릴레이트, 비스페놀 A의 EO 부가물 다이아크릴레이트, 비스페놀 A의 EO 부가물 다이메타크릴레이트, 비스페놀 A의 PO 부가물 다이아크릴레이트, 비스페놀 A의 PO 부가물 다이메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 아이소사이아누르산 EO 변성 다이아크릴레이트, 아이소사이아누르산 변성 다이메타크릴레이트, 그 외 유레테인 결합을 갖는 2관능 아크릴레이트, 유레테인 결합을 갖는 2관능 메타크릴레이트를 사용할 수 있다. 이들은 필요에 따라, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 예를 들면 PEG200 다이아크릴레이트란, 폴리에틸렌글라이콜 다이아크릴레이트이며, 폴리에틸렌글라이콜쇄의 식량이 200 정도인 것을 말한다.
〔상술한 라디칼 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물〕
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상술한 라디칼 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물을 더 포함할 수 있다. 상술한 라디칼 중합성 화합물 이외의 중합성 화합물로서는, 하이드록시메틸기(메틸올기), 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물; 에폭시 화합물; 옥세테인 화합물; 벤즈옥사진 화합물을 들 수 있다.
-하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물-
하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물로서는, 하기 식 (AM1), (AM4) 또는 (AM5)로 나타나는 화합물이 바람직하다.
[화학식 32]
Figure pct00034
(식 중, t는, 1~20의 정수를 나타내고, R104는 탄소수 1~200의 t가의 유기기를 나타내며, R105는, -OR106 또는, -OCO-R107로 나타나는 기를 나타내고, R106은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내며, R107은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.)
[화학식 33]
Figure pct00035
(식 중, R404는 탄소수 1~200의 2가의 유기기를 나타내고, R405는, -OR406 또는, -OCO-R407로 나타나는 기를 나타내며, R406은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내고, R407은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.)
[화학식 34]
Figure pct00036
(식 중 u는 3~8의 정수를 나타내고, R504는 탄소수 1~200의 u가의 유기기를 나타내며, R505는, -OR506 또는, -OCO-R507로 나타나는 기를 나타내고, R506은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내며, R507은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.)
식 (AM4)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, 46DMOC, 46DMOEP(이상, 상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethylolBisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), NIKALAC MX-290(상품명, (주)산와 케미컬제), 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol 등을 들 수 있다.
또, 식 (AM5)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), TM-BIP-A(상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270, NIKALAC MW-100LM(이상, 상품명, (주)산와 케미컬제)을 들 수 있다.
-에폭시 화합물(에폭시기를 갖는 화합물)-
에폭시 화합물로서는, 1분자 중에 에폭시기를 2 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 에폭시기는, 200℃ 이하에서 가교 반응하며, 또한, 가교에서 유래하는 탈수 반응이 일어나지 않기 때문에 막수축이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 에폭시 화합물을 함유하는 것은, 경화성 수지 조성물의 저온 경화 및 휨의 억제에 효과적이다.
에폭시 화합물은, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 탄성률이 저하되고, 또 휨을 억제할 수 있다. 폴리에틸렌옥사이드기는, 에틸렌옥사이드의 반복 단위수가 2 이상인 것을 의미하고, 반복 단위수가 2~15인 것이 바람직하다.
에폭시 화합물의 예로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지; 비스페놀 F형 에폭시 수지; 프로필렌글라이콜다이글리시딜에터 등의 알킬렌글라이콜형 에폭시 수지; 폴리프로필렌글라이콜다이글리시딜에터 등의 폴리알킬렌글라이콜형 에폭시 수지; 폴리메틸(글리시딜옥시프로필)실록세인 등의 에폭시기 함유 실리콘 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 에피클론(등록 상표) 850-S, 에피클론(등록 상표) HP-4032, 에피클론(등록 상표) HP-7200, 에피클론(등록 상표) HP-820, 에피클론(등록 상표) HP-4700, 에피클론(등록 상표) EXA-4710, 에피클론(등록 상표) HP-4770, 에피클론(등록 상표) EXA-859CRP, 에피클론(등록 상표) EXA-1514, 에피클론(등록 상표) EXA-4880, 에피클론(등록 상표) EXA-4850-150, 에피클론 EXA-4850-1000, 에피클론(등록 상표) EXA-4816, 에피클론(등록 상표) EXA-4822, 에피클론(등록 상표) EXA-830LVP, 에피클론(등록 상표) EXA-8183, 에피클론(등록 상표) EXA-8169, 에피클론(등록 상표) N-660, 에피클론(등록 상표) N-665-EXP-S, 에피클론(등록 상표) N-740, 리카레진(등록 상표) BEO-20E(이상 상품명, DIC(주)제), 리카레진(등록 상표) BEO-60E, 리카레진(등록 상표) HBE-100, 리카레진(등록 상표) DME-100, 리카레진(등록 상표) L-200(상품명, 신니혼 리카(주)), EP-4003S, EP-4000S, EP-4088S, EP-3950S(이상 상품명, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하는 에폭시 수지가, 휨의 억제 및 내열성이 우수한 점에서 바람직하다. 예를 들면, 에피클론(등록 상표) EXA-4880, 에피클론(등록 상표) EXA-4822, 리카레진(등록 상표) BEO-60E는, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하므로 바람직하다.
-옥세테인 화합물(옥세탄일기를 갖는 화합물)-
옥세테인 화합물로서는, 1분자 중에 옥세테인환을 2개 이상 갖는 화합물, 3-에틸-3-하이드록시메틸옥세테인, 1,4-비스{[(3-에틸-3-옥세탄일)메톡시]메틸}벤젠, 3-에틸-3-(2-에틸헥실 메틸)옥세테인, 1,4-벤젠다이카복실산-비스[(3-에틸-3-옥세탄일)메틸]에스터 등을 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 도아 고세이 주식회사제의 아론 옥세테인 시리즈(예를 들면, OXT-121, OXT-221, OXT-191, OXT-223)를 적합하게 사용할 수 있으며, 이들은 단독으로, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.
-벤즈옥사진 화합물(벤즈옥사졸일기를 갖는 화합물)-
벤즈옥사진 화합물은, 개환 부가 반응에서 유래하는 가교 반응 때문에, 경화 시에 탈가스가 발생하지 않고, 또한 열수축을 작게 하여 휨의 발생이 억제되는 점에서 바람직하다.
벤즈옥사진 화합물의 바람직한 예로서는, B-a형 벤즈옥사진, B-m형 벤즈옥사진, P-d형 벤즈옥사진, F-a형 벤즈옥사진(이상, 상품명, 시코쿠 가세이 고교사제), 폴리하이드록시스타이렌 수지의 벤즈옥사진 부가물, 페놀 노볼락형 다이하이드로벤즈옥사진 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용하거나, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.
중합성 화합물의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0질량% 초과 60질량% 이하인 것이 바람직하다. 하한은 5질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 50질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 30질량% 이하인 것이 더 바람직하다.
중합성 화합물은 1종을 단독으로 이용해도 되지만, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 2종 이상을 병용하는 경우에는 합계량이 상기의 범위가 되는 것이 바람직하다.
<용제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 용제는, 공지의 용제를 임의로 사용할 수 있다. 용제는 유기 용제가 바람직하다. 유기 용제로서는, 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화 수소류, 설폭사이드류, 아마이드류, 유레아류, 알코올류 등의 화합물을 들 수 있다.
에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 헥실, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예를 들면, 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸, 헥산산 에틸, 헵탄산 에틸, 말론산 다이메틸, 말론산 다이에틸 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜에틸메틸에터, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 3-메틸사이클로헥산온, 레보글루코센온, 다이하이드로레보글루코센온 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
설폭사이드류로서, 예를 들면, 다이메틸설폭사이드를 적합한 것으로서 들 수 있다.
아마이드류로서, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이메틸아이소뷰틸아마이드, 3-메톡시-N,N-다이메틸프로피온아마이드, 3-뷰톡시-N,N-다이메틸프로피온아마이드, N-폼일모폴린, N-아세틸모폴린 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
유레아류로서, N,N,N',N'-테트라메틸유레아, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리딘온 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
알코올류로서, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-뷰탄올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 벤질알코올, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 1-메톡시-2-프로판올, 2-에톡시에탄올, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노헥실에터, 트라이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 폴리에틸렌글라이콜모노메틸에터, 폴리프로필렌글라이콜, 테트라에틸렌글라이콜, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜모노벤질에터, 에틸렌글라이콜모노페닐에터, 메틸페닐카비놀, n-아밀알코올, 메틸아밀알코올, 및, 다이아세톤알코올 등을 들 수 있다.
용제는, 도포면 성상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다.
본 발명에서는, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, N-메틸-2-피롤리돈, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 1종의 용제, 또는, 2종 이상으로 구성되는 혼합 용제가 바람직하다. 다이메틸설폭사이드와 γ-뷰티로락톤의 병용이 특히 바람직하다. 또, N-메틸-2-피롤리돈과 락트산 에틸, N-메틸-2-피롤리돈과 락트산 에틸, 다이아세톤알코올과 락트산 에틸, 사이클로펜탄온과 γ-뷰티로락톤의 조합도 각각 바람직하다.
용제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분 농도가 5~80질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 5~75질량%가 되는 양으로 하는 것이 보다 바람직하며, 10~70질량%가 되는 양으로 하는 것이 더 바람직하고, 40~70질량%가 되도록 하는 것이 한층 바람직하다. 용제 함유량은, 도막의 원하는 두께와 도포 방법에 따라 조절하면 된다.
용제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 용제를 2종 이상 함유하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<다른 수지>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상술한 특정 수지와는 상이한, 다른 수지(이하, 간단히 "다른 수지"라고도 한다.)를 포함해도 된다.
다른 수지로서는, 특정 수지와는 별종(別種)의 폴리이미드, 특정 수지와는 별종의 폴리이미드 전구체, 폴리실록세인, 실록세인 구조를 포함하는 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.
예를 들면, 아크릴 수지를 추가로 더함으로써, 도포성이 우수한 조성물이 얻어지고, 또, 내약품성이 우수한 경화막이 얻어진다.
예를 들면, 후술하는 중합성 화합물 대신에, 또는, 후술하는 중합성 화합물에 더하여, 중량 평균 분자량이 20,000 이하인 중합성기가가 높은 아크릴계 수지를 조성물에 첨가함으로써, 조성물의 도포성, 경화막의 내약품성 등을 향상시킬 수 있다.
〔폴리이미드(다른 수지)〕
얻어지는 경화막의 막강도의 관점에서는, 다른 수지인 폴리이미드는, 상술한 식 (4)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.
폴리이미드에 있어서, 식 (4)로 나타나는 반복 단위는 1종이어도 되지만, 2종 이상이어도 된다. 또, 폴리이미드는, 상기의 식 (4)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 단위도 포함해도 된다.
본 발명에 있어서의 폴리이미드의 일 실시형태로서, 전체 반복 단위의 50몰% 이상, 나아가서는 70몰% 이상, 특히 90몰% 이상이 식 (4)로 나타나는 반복 단위인 폴리이미드 전구체가 예시된다. 상한으로서는 100몰% 이하가 실제적이다.
폴리이미드의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 2,000~500,000이고, 보다 바람직하게는 5,000~100,000이며, 더 바람직하게는 10,000~50,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 800~250,000이고, 보다 바람직하게는, 2,000~50,000이며, 더 바람직하게는, 4,000~25,000이다.
폴리이미드의 분자량의 분산도는, 1.5~3.5가 바람직하고, 2~3이 보다 바람직하다.
폴리이미드는, 예를 들면, 후술하는 다른 수지인 폴리이미드 전구체를, 가열 등에 의하여 환화함으로써 얻어진다.
〔폴리이미드 전구체(다른 수지)〕
얻어지는 경화막의 막강도의 관점에서는, 폴리이미드 전구체는, 상술한 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.
폴리이미드 전구체에 있어서, 식 (1)로 나타나는 반복 단위는 1종이어도 되지만, 2종 이상이어도 된다. 또, 식 (1)로 나타나는 반복 단위의 구조 이성체를 포함하고 있어도 된다. 또, 폴리이미드 전구체는, 상기의 식 (1)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 단위도 포함해도 된다.
본 발명에 있어서의 폴리이미드 전구체의 일 실시형태로서, 전체 반복 단위의 50몰% 이상, 나아가서는 70몰% 이상, 특히 90몰% 이상이 식 (1)로 나타나는 반복 단위인 폴리이미드 전구체가 예시된다. 상한으로서는 100몰% 이하가 실제적이다.
폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 2,000~500,000이고, 보다 바람직하게는 5,000~100,000이며, 더 바람직하게는 10,000~50,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 800~250,000이고, 보다 바람직하게는, 2,000~50,000이며, 더 바람직하게는, 4,000~25,000이다.
폴리이미드 전구체의 분자량의 분산도는, 1.5~3.5가 바람직하고, 2~3이 보다 바람직하다.
폴리이미드 전구체는, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체와 다이아민을 반응시켜 얻어진다. 바람직하게는, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체를, 할로젠화제를 이용하여 할로젠화시킨 후, 다이아민과 반응시켜 얻어진다.
폴리이미드 전구체의 제조 방법에서는, 반응 시에, 유기 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 유기 용제는 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
유기 용제로서는, 원료에 따라 적절히 정할 수 있지만, 피리딘, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터(다이글라임), N-메틸피롤리돈 및 N-에틸피롤리돈이 예시된다.
폴리이미드 전구체의 제조 시에, 고체를 석출하는 공정을 포함하고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 반응액 중의 폴리이미드 전구체를, 수중에 침전시켜, 테트라하이드로퓨란 등의 폴리이미드 전구체가 가용인 용제에 용해시킴으로써, 고체 석출할 수 있다.
본 발명의 경화성 수지 조성물이 다른 수지를 포함하는 경우, 다른 수지의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 1질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 2질량% 이상인 것이 한층 바람직하며, 5질량% 이상인 것이 보다 한층 바람직하고, 10질량% 이상인 것이 더 한층 바람직하다.
또, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서의, 다른 수지의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 80질량% 이하인 것이 바람직하고, 75질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 70질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 60질량% 이하인 것이 한층 바람직하며, 50질량% 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.
또, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 바람직한 일 양태로서, 다른 수지의 함유량이 저함유량인 양태로 할 수도 있다. 상기 양태에 있어서, 다른 수지의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 15질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 10질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 5질량% 이하인 것이 한층 바람직하며, 1질량% 이하인 것이 보다 한층 바람직하다. 상기 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0질량% 이상이면 된다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 다른 수지를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<오늄염>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 오늄염을 포함하는 것이 바람직하다.
특히, 경화성 수지 조성물이 특정 수지로서 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 수지를 포함하는 경우, 경화성 수지 조성물은 열염기 발생제를 포함하는 것이 바람직하다.
오늄염의 종류 등은 특별히 정하는 것은 아니지만, 암모늄염, 이미늄염, 설포늄염, 아이오도늄염 또는 포스포늄염을 바람직하게 들 수 있다.
이들 중에서도, 열안정성이 높은 관점에서는 암모늄염 또는 이미늄염이 바람직하고, 폴리머와의 상용성의 관점에서는 설포늄염, 아이오도늄염 또는 포스포늄염이 바람직하다.
또, 오늄염은 오늄 구조를 갖는 양이온과 음이온의 염이며, 상기 양이온과 음이온은, 공유 결합을 통하여 결합하고 있어도 되고, 공유 결합을 통하여 결합하고 있지 않아도 된다.
즉, 오늄염은, 동일한 분자 구조 내에, 양이온부와 음이온부를 갖는 분자 내 염이어도 되고, 각각 별개 분자인 양이온 분자와 음이온 분자가 이온 결합한 분자 간 염이어도 되지만, 분자 간 염인 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서, 상기 양이온부 또는 양이온 분자와, 상기 음이온부 또는 음이온 분자는 이온 결합에 의하여 결합되어 있어도 되고, 해리되어 있어도 된다.
오늄염에 있어서의 양이온으로서는, 암모늄 양이온, 피리디늄 양이온, 설포늄 양이온, 아이오도늄 양이온 또는 포스포늄 양이온이 바람직하고, 테트라알킬암모늄 양이온, 설포늄 양이온 및 아이오도늄 양이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 양이온이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서 이용되는 오늄염은, 열염기 발생제여도 된다.
열염기 발생제란, 가열에 의하여 염기를 발생하는 화합물을 말하고, 예를 들면, 40℃ 이상으로 가열하면 염기를 발생하는 산성 화합물 등을 들 수 있다.
〔암모늄염〕
본 발명에 있어서, 암모늄염이란, 암모늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다.
-암모늄 양이온-
암모늄 양이온으로서는, 제4급 암모늄 양이온이 바람직하다.
또, 암모늄 양이온으로서는, 하기 식 (101)로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 35]
Figure pct00037
식 (101) 중, R1~R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내며, R1~R4 중 적어도 2개는 각각 결합하여 환을 형성해도 된다.
식 (101) 중, R1~R4는 각각 독립적으로, 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하다. R1~R4는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다.
R1~R4 중 적어도 2개는 각각 결합하여 환을 형성하는 경우, 상기 환은 헤테로 원자를 포함해도 된다. 상기 헤테로 원자로서는, 질소 원자를 들 수 있다.
암모늄 양이온은, 하기 식 (Y1-1) 및 (Y1-2) 중 어느 하나로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 36]
Figure pct00038
식 (Y1-1) 및 (Y1-2)에 있어서, R101은, n가의 유기기를 나타내고, R1은 식 (101)에 있어서의 R1과 동일한 의미이며, Ar101 및 Ar102는 각각 독립적으로, 아릴기를 나타내고, n은, 1 이상의 정수를 나타낸다.
식 (Y1-1)에 있어서, R101은, 지방족 탄화 수소, 방향족 탄화 수소, 또는, 이들이 결합된 구조로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 바람직하고, 탄소수 2~30의 포화 지방족 탄화 수소, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.
식 (Y1-1)에 있어서, n은 1~4인 것이 바람직하고, 1 또는 2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 더 바람직하다.
식 (Y1-2)에 있어서, Ar101 및 Ar102는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기인 것이 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다.
-음이온-
암모늄염에 있어서의 음이온으로서는, 카복실산 음이온, 페놀 음이온, 인산 음이온 및 황산 음이온으로부터 선택되는 1종이 바람직하고, 염의 안정성과 열분해성을 양립시킨다는 이유에서 카복실산 음이온이 보다 바람직하다. 즉, 암모늄염은, 암모늄 양이온과 카복실산 음이온의 염이 보다 바람직하다.
카복실산 음이온은, 2개 이상의 카복시기를 갖는 2가이상의 카복실산의 음이온이 바람직하고, 2가의 카복실산의 음이온이 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 경화성 수지 조성물의 안정성, 경화성 및 현상성을 보다 향상시킬 수 있다. 특히, 2가의 카복실산의 음이온을 이용함으로써, 경화성 수지 조성물의 안정성, 경화성 및 현상성을 더 향상시킬 수 있다.
카복실산 음이온은, 하기 식 (X1)로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 37]
Figure pct00039
식 (X1)에 있어서, EWG는, 전자 구인성기를 나타낸다.
본 실시형태에 있어서 전자 구인성기란, 하메트의 치환기 상수 σm이 양의 값을 나타내는 것을 의미한다. 여기에서 σm은, 쓰노 유호 총설, 유기 합성 화학 협회지 제23권 제8호(1965) p. 631-642에 자세히 설명되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 전자 구인성기는, 상기 문헌에 기재된 치환기에 한정되는 것은 아니다.
σm이 양의 값을 나타내는 치환기의 예로서는, CF3기(σm=0.43), CF3C(=O)기(σm=0.63), HC≡C기(σm=0.21), CH2=CH기(σm=0.06), Ac기(σm=0.38), MeOC(=O)기(σm=0.37), MeC(=O)CH=CH기(σm=0.21), PhC(=O)기(σm=0.34), H2NC(=O)CH2기(σm=0.06) 등을 들 수 있다. 또한, Me는 메틸기를 나타내고, Ac는 아세틸기를 나타내며, Ph는 페닐기를 나타낸다(이하, 동일).
EWG는, 하기 식 (EWG-1)~(EWG-6)으로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 38]
Figure pct00040
식 (EWG-1)~(EWG-6) 중, Rx1~Rx3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 하이드록시기 또는 카복시기를 나타내고, Ar은 방향족기를 나타낸다.
본 발명에 있어서, 카복실산 음이온은, 하기 식 (XA)로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 39]
Figure pct00041
식 (XA)에 있어서, L10은, 단결합, 또는, 알킬렌기, 알켄일렌기, 방향족기, -NRX- 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타내고, RX는, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기 또는 아릴기를 나타낸다.
카복실산 음이온의 구체예로서는, 말레산 음이온, 프탈산 음이온, N-페닐이미노 이아세트산 음이온 및 옥살산 음이온을 들 수 있다.
특정 수지의 환화가 저온에서 행해지기 쉽고, 또, 경화성 수지 조성물의 보존 안정성이 향상되기 쉬운 관점에서, 본 발명에 있어서의 오늄염은, 양이온으로서 암모늄 양이온을 포함하며, 상기 오늄염이 음이온으로서, 공액산의 pKa(pKaH)가 2.5 이하인 음이온을 포함하는 것이 바람직하고, 1.8 이하인 음이온을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
상기 pKa의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 발생하는 염기가 중화되기 어렵고, 특정 수지 등의 환화 효율을 양호하게 한다는 관점에서는, -3 이상인 것이 바람직하며, -2 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 pKa로서는, Determination of Organic Structures by Physical Methods(저자: Brown, H. C., McDaniel, D. H., Hafliger, O., Nachod, F. C.; 편찬: Braude, E. A., Nachod, F. C.; Academic Press, New York, 1955)나, Data for Biochemical Research(저자: Dawson, R. M. C. et al; Oxford, Clarendon Press, 1959)에 기재된 값을 참조할 수 있다. 이들 문헌에 기재가 없는 화합물에 대해서는, ACD/pKa(ACD/Labs제)의 소프트웨어를 이용하여 구조식으로부터 산출한 값을 이용하는 것으로 한다.
암모늄염의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 40]
Figure pct00042
〔이미늄염〕
본 발명에 있어서, 이미늄염이란, 이미늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-이미늄 양이온
이미늄 양이온으로서는, 피리디늄 양이온이 바람직하다.
또, 이미늄 양이온으로서는, 하기 식 (102)로 나타나는 양이온도 바람직하다.
[화학식 41]
Figure pct00043
식 (102) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내며, R7은 탄화 수소기를 나타내고, R5~R7 중 적어도 2개는 각각 결합하여 환을 형성해도 된다.
식 (102) 중, R5 및 R6은 상술한 식 (101)에 있어서의 R1~R4와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (102) 중, R7은 R5 및 R6 중 적어도 하나와 결합하여 환을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 환은 헤테로 원자를 포함해도 된다. 상기 헤테로 원자로서는, 질소 원자를 들 수 있다. 또, 상기 환으로서는 피리딘환이 바람직하다.
이미늄 양이온은, 하기 식 (Y1-3)~(Y1-5) 중 어느 하나로 나타나는 것인 것이 바람직하다.
[화학식 42]
Figure pct00044
식 (Y1-3)~(Y1-5)에 있어서, R101은, n가의 유기기를 나타내고, R5는 식 (102)에 있어서의 R5와 동일한 의미이며, R7은 식 (102)에 있어서의 R7과 동일한 의미이고, n은 1 이상의 정수를 나타내며, m은 0 이상의 정수를 나타낸다.
식 (Y1-3)에 있어서, R101은, 지방족 탄화 수소, 방향족 탄화 수소, 또는, 이들이 결합된 구조로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 바람직하고, 탄소수 2~30의 포화 지방족 탄화 수소, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.
식 (Y1-3)에 있어서, n은 1~4인 것이 바람직하고, 1 또는 2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 더 바람직하다.
식 (Y1-5)에 있어서, m은 0~4인 것이 바람직하고, 1 또는 2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 더 바람직하다.
이미늄염의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 43]
Figure pct00045
〔설포늄염〕
본 발명에 있어서, 설포늄염이란, 설포늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-설포늄 양이온-
설포늄 양이온으로서는, 제3급 설포늄 양이온이 바람직하고, 트라이아릴설포늄 양이온이 보다 바람직하다.
또, 설포늄 양이온으로서는, 하기 식 (103)으로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 44]
Figure pct00046
식 (103) 중, R8~R10은 각각 독립적으로 탄화 수소기를 나타낸다.
R8~R10은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하고, 페닐기인 것이 더 바람직하다.
R8~R10은 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 치환기로서, 알킬기, 또는, 알콕시기를 갖는 것이 바람직하고, 분기 알킬기 또는 알콕시기를 갖는 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3~10의 분기 알킬기, 또는, 탄소수 1~10의 알콕시기를 갖는 것이 더 바람직하다.
R8~R10은 동일한 기여도 되고, 상이한 기여도 되지만, 합성 적성상의 관점에서는, 동일한 기인 것이 바람직하다.
〔아이오도늄염〕
본 발명에 있어서, 아이오도늄염이란, 아이오도늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-아이오도늄 양이온-
아이오도늄 양이온으로서는, 다이아릴아이오도늄 양이온이 바람직하다.
또, 아이오도늄 양이온으로서는, 하기 식 (104)로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 45]
Figure pct00047
식 (104) 중, R11 및 R12는 각각 독립적으로 탄화 수소기를 나타낸다.
R11 및 R12는 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하고, 페닐기인 것이 더 바람직하다.
R11 및 R12는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 치환기로서, 알킬기, 또는 알콕시기를 갖는 것이 바람직하고, 분기 알킬기 또는 알콕시기를 갖는 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3~10의 분기 알킬기, 또는, 탄소수 1~10의 알콕시기를 갖는 것이 더 바람직하다.
R11 및 R12는 동일한 기여도 되고, 상이한 기여도 되지만, 합성 적성상의 관점에서는, 동일한 기인 것이 바람직하다.
〔포스포늄염〕
본 발명에 있어서, 포스포늄염이란, 포스포늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-포스포늄 양이온-
포스포늄 양이온으로서는, 제4급 포스포늄 양이온이 바람직하고, 테트라알킬포스포늄 양이온, 트라이아릴모노알킬포스포늄 양이온 등을 들 수 있다.
또, 포스포늄 양이온으로서는, 하기 식 (105)로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 46]
Figure pct00048
식 (105) 중, R13~R16은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다.
R13~R16은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하고, 페닐기인 것이 더 바람직하다.
R13~R16은 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 치환기로서, 알킬기, 또는 알콕시기를 갖는 것이 바람직하고, 분기 알킬기 또는 알콕시기를 갖는 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3~10의 분기 알킬기, 또는, 탄소수 1~10의 알콕시기를 갖는 것이 더 바람직하다.
R13~R16은 동일한 기여도 되고, 상이한 기여도 되지만, 합성 적성상의 관점에서는, 동일한 기인 것이 바람직하다.
본 발명의 경화성 수지 조성물이 오늄염을 포함하는 경우, 오늄염의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~50질량%가 바람직하다. 하한은, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하며, 0.85질량% 이상이 더 바람직하고, 1질량% 이상이 한층 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하며, 20질량% 이하가 더 바람직하고, 10질량% 이하가 한층 바람직하며, 5질량% 이하여도 되고, 4질량% 이하여도 된다.
오늄염은, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<열염기 발생제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 열염기 발생제를 포함해도 된다.
특히, 경화성 수지 조성물이 특정 수지로서 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 수지를 포함하는 경우, 경화성 수지 조성물은 열염기 발생제를 포함하는 것이 바람직하다.
열염기 발생제는, 상술한 오늄염에 해당하는 화합물이어도 되고, 상술한 오늄염 이외의 다른 열염기 발생제여도 된다.
다른 열염기 발생제로서는, 비이온계 열염기 발생제를 들 수 있다.
비이온계 열염기 발생제로서는, 식 (B1) 또는 식 (B2)로 나타나는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 47]
Figure pct00049
식 (B1) 및 식 (B2) 중, Rb1, Rb2 및 Rb3은 각각 독립적으로, 제3급 아민 구조를 갖지 않는 유기기, 할로젠 원자 또는 수소 원자이다. 단, Rb1 및 Rb2가 동시에 수소 원자가 되는 경우는 없다. 또, Rb1, Rb2 및 Rb3은 모두 카복시기를 갖는 경우는 없다. 또한, 본 명세서에서 제3급 아민 구조란, 3가의 질소 원자의 3개의 결합손이 모두 탄화 수소계의 탄소 원자와 공유 결합되어 있는 구조를 가리킨다. 따라서, 결합한 탄소 원자가 카보닐기를 이루는 탄소 원자의 경우, 즉 질소 원자와 함께 아마이드기를 형성하는 경우는 예외로 한다.
식 (B1), (B2) 중, Rb1, Rb2 및 Rb3은, 이들 중 적어도 1개가 환상 구조를 포함하는 것이 바람직하고, 적어도 2개가 환상 구조를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 환상 구조로서는, 단환 및 축합환 중 어느 것이어도 되고, 단환 또는 단환이 2개 축합된 축합환이 바람직하다. 단환은, 5원환 또는 6원환이 바람직하고, 6원환이 바람직하다. 단환은, 사이클로헥세인환 및 벤젠환이 바람직하고, 사이클로헥세인환이 보다 바람직하다.
보다 구체적으로 Rb1 및 Rb2는, 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 또는 아릴알킬기(탄소수 7~25가 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)인 것이 바람직하다. 이들 기는, 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기를 갖고 있어도 된다. Rb1과 Rb2는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 형성되는 환으로서는, 4~7원의 함질소 복소환이 바람직하다. Rb1 및 Rb2는 특히, 치환기를 가져도 되는 직쇄, 분기, 또는 환상의 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다)인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 사이클로알킬기(탄소수 3~24가 바람직하고, 3~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다)인 것이 보다 바람직하며, 치환기를 가져도 되는 사이클로헥실기가 더 바람직하다.
Rb3으로서는, 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~24가 바람직하고, 2~12가 보다 바람직하며, 2~6이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다), 아릴알켄일기(탄소수 8~24가 바람직하고, 8~20이 보다 바람직하며, 8~16이 더 바람직하다), 알콕실기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴옥시기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 또는 아릴알킬옥시기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)를 들 수 있다. 그중에서도, 사이클로알킬기(탄소수 3~24가 바람직하고, 3~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴알켄일기, 아릴알킬옥시기가 바람직하다. Rb3은 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기를 더 갖고 있어도 된다.
식 (B1)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (B1-1) 또는 하기 식 (B1-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 48]
Figure pct00050
식 중, Rb11 및 Rb12, 및, Rb31 및 Rb32는, 각각, 식 (B1)에 있어서의 Rb1 및 Rb2와 동일하다.
Rb13은 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~24가 바람직하고, 2~18이 보다 바람직하며, 3~12가 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)이며, 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기를 갖고 있어도 된다. 그중에서도, Rb13은 아릴알킬기가 바람직하다.
Rb33 및 Rb34는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~8이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~8이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다)이며, 수소 원자가 바람직하다.
Rb35는, 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)이며, 아릴기가 바람직하다.
식 (B1-1)로 나타나는 화합물은, 식 (B1-1a)로 나타나는 화합물도 또 바람직하다.
[화학식 49]
Figure pct00051
Rb11 및 Rb12는 식 (B1-1)에 있어서의 Rb11 및 Rb12와 동일한 의미이다.
Rb15 및 Rb16은 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다)이며, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.
Rb17은 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~10이 보다 바람직하며, 3~8이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~12가 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~12가 더 바람직하다)이며, 그중에서도 아릴기가 바람직하다.
비이온계 열염기 발생제의 분자량은, 800 이하인 것이 바람직하고, 600 이하인 것이 보다 바람직하며, 500 이하인 것이 더 바람직하다. 하한으로서는, 100 이상인 것이 바람직하고, 200 이상인 것이 보다 바람직하며, 300 이상인 것이 더 바람직하다.
상술한 오늄염 중, 열염기 발생제인 화합물의 구체예, 또는, 다른 열염기 발생제의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 50]
Figure pct00052
[화학식 51]
Figure pct00053
[화학식 52]
Figure pct00054
열염기 발생제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~50질량%가 바람직하다. 하한은, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하며, 1질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하며, 20질량% 이하가 더 바람직하다. 열염기 발생제는, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<마이그레이션 억제제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 마이그레이션 억제제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 마이그레이션 억제제를 포함함으로써, 금속층(금속 배선) 유래의 금속 이온이 경화성 수지 조성물층 내로 이동하는 것을 효과적으로 억제 가능해진다.
마이그레이션 억제제로서는, 특별히 제한은 없지만, 복소환(피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라졸환, 아이소옥사졸환, 아이소싸이아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 피페리딘환, 피페라진환, 모폴린환, 2H-피란환 및 6H-피란환, 트라이아진환)을 갖는 화합물, 싸이오 요소류 및 설판일기를 갖는 화합물, 힌더드 페놀계 화합물, 살리실산 유도체계 화합물, 하이드라자이드 유도체계 화합물을 들 수 있다. 특히, 1,2,4-트라이아졸, 벤조트라이아졸 등의 트라이아졸계 화합물, 1H-테트라졸, 5-페닐테트라졸, 5-메틸벤조트라이아졸, 4-메틸벤조트라이아졸 등의 테트라졸계 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
또는 할로젠 이온 등의 음이온을 포착하는 이온 트랩제를 사용할 수도 있다.
그 외의 마이그레이션 억제제로서는, 일본 공개특허공보 2013-015701호의 단락 0094에 기재된 방청제, 일본 공개특허공보 2009-283711호의 단락 0073~0076에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2011-059656호의 단락 0052에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2012-194520호의 단락 0114, 0116 및 0118에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0166에 기재된 화합물 등을 사용할 수 있다.
마이그레이션 억제제의 구체예로서는, 하기 화합물을 들 수 있다.
[화학식 53]
Figure pct00055
경화성 수지 조성물이 마이그레이션 억제제를 갖는 경우, 마이그레이션 억제제의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~5.0질량%인 것이 바람직하고, 0.05~2.0질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.1~1.0질량%인 것이 더 바람직하다.
마이그레이션 억제제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 마이그레이션 억제제가 2종 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<중합 금지제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 중합 금지제를 포함하는 것이 바람직하다.
중합 금지제로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, o-메톡시페놀, p-메톡시페놀, 다이-tert-뷰틸-p-크레졸, 파이로갈롤, p-tert-뷰틸카테콜, 1,4-벤조퀴논, 다이페닐-p-벤조퀴논, 4,4'-싸이오비스(3-메틸-6-tert-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-뷰틸페놀), N-나이트로소-N-페닐하이드록시아민알루미늄염, 페노싸이아진, N-나이트로소다이페닐아민, N-페닐나프틸아민, 에틸렌다이아민 사아세트산, 1,2-사이클로헥세인다이아민 사아세트산, 글라이콜에터다이아민 사아세트산, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, 5-나이트로소-8-하이드록시퀴놀린, 1-나이트로소-2-나프톨, 2-나이트로소-1-나프톨, 2-나이트로소-5-(N-에틸-N-설포프로필아미노)페놀, N-나이트로소페닐하이드록시아민 제1 세륨염, N-나이트로소-N-(1-나프틸)하이드록시아민암모늄염, 비스(4-하이드록시-3,5-tert-뷰틸)페닐메테인, 1,3,5-트리스(4-t-뷰틸-3-하이드록시-2,6-다이메틸벤질)-1,3,5-트라이아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트라이온, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼, 페노싸이아진, 1,1-다이페닐-2-피크릴하이드라질, 다이뷰틸다이싸이오카바네이트 구리(II), 나이트로벤젠, N-나이트로소-N-페닐하이드록실아민알루미늄염, N-나이트로소-N-페닐하이드록실아민암모늄염 등이 적합하게 이용된다. 또, 일본 공개특허공보 2015-127817호의 단락 0060에 기재된 중합 금지제, 및, 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0031~0046에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.
또, 하기 화합물을 이용할 수 있다(Me는 메틸기이다).
[화학식 54]
Figure pct00056
본 발명의 경화성 수지 조성물이 중합 금지제를 갖는 경우, 중합 금지제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~20.0질량%를 들 수 있으며, 0.01~5질량%인 것이 바람직하고, 0.02~3질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.05~2.5질량%인 것이 더 바람직하다.
중합 금지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 중합 금지제가 2종 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<금속 접착성 개량제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 전극이나 배선 등에 이용되는 금속 재료와의 접착성을 향상시키기 위한 금속 접착성 개량제를 포함하는 것이 바람직하다. 금속 접착성 개량제로서는, 실레인 커플링제, 알루미늄계 접착 조제(助劑), 타이타늄계 접착 조제, 설폰아마이드 구조를 갖는 화합물 및 싸이오유레아 구조를 갖는 화합물, 인산 유도체 화합물, β케토에스터 화합물, 아미노 화합물 등을 들 수 있다.
실레인 커플링제의 예로서는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0167에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191002호의 단락 0062~0073에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2011/080992호의 단락 0063~0071에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191252호의 단락 0060~0061에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-041264호의 단락 0045~0052에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2014/097594호의 단락 0055에 기재된 화합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2011-128358호의 단락 0050~0058에 기재된 바와 같이 상이한 2종 이상의 실레인 커플링제를 이용하는 것도 바람직하다. 또, 실레인 커플링제는, 하기 화합물을 이용하는 것도 바람직하다. 이하의 식 중, Et는 에틸기를 나타낸다.
[화학식 55]
Figure pct00057
또, 금속 접착성 개량제로서는, 일본 공개특허공보 2014-186186호의 단락 0046~0049에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-072935호의 단락 0032~0043에 기재된 설파이드계 화합물을 이용할 수도 있다. 다른 실레인 커플링제로서는, 예를 들면, 바이닐트라이메톡시실레인, 바이닐트라이에톡시실레인, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인, p-스타이릴트라이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이에톡시실레인, 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸다이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이에톡시실레인, 3-트라이에톡시실릴-N-(1,3-다이메틸-뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 트리스-(트라이메톡시실릴프로필)아이소사이아누레이트, 3-유레이도프로필트라이알콕시실레인, 3-머캅토프로필메틸다이메톡시실레인, 3-머캅토프로필트라이메톡시실레인, 3-아이소사이아네이트프로필트라이에톡시실레인, 3-트라이메톡시실릴프로필석신산 무수물을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
알루미늄계 접착 조제로서는, 예를 들면, 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트), 에틸아세토아세테이트알루미늄다이아이소프로필레이트 등을 들 수 있다.
금속 접착성 개량제의 함유량은 특정 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1~30질량부이고, 보다 바람직하게는 0.5~15질량부의 범위이며, 더 바람직하게는 0.5~5질량부의 범위이다. 상기 하한값 이상으로 함으로써 경화 공정 후의 경화막과 금속층의 접착성이 양호해지고, 상기 상한값 이하로 함으로써 경화 공정 후의 경화막의 내열성, 기계 특성이 양호해진다. 금속 접착성 개량제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<그 외의 첨가제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 각종 첨가물, 예를 들면, N-페닐다이에탄올아민 등의 증감제, 광염기 발생제, 연쇄 이동제, 계면활성제, 고급 지방산 유도체, 무기 입자, 경화제, 경화 촉매, 충전제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 합계 배합량은 경화성 수지 조성물의 고형분의 3질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.
〔증감제〕
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 증감제를 포함하고 있어도 된다. 증감제는, 특정 활성 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는, 열경화 촉진제, 열라디칼 중합 개시제, 광라디칼 중합 개시제 등과 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써, 열경화 촉진제, 열라디칼 중합 개시제, 광라디칼 중합 개시제는 화학 변화를 일으켜 분해하여, 라디칼, 산 또는 염기를 생성한다.
증감제로서는, N-페닐다이에탄올아민 등의 증감제를 들 수 있다.
또, 증감제로서는, 증감 색소를 이용해도 된다.
증감 색소의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0161~0163의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.
본 발명의 경화성 수지 조성물이 증감제를 포함하는 경우, 증감제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~20질량%인 것이 바람직하고, 0.1~15질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5~10질량%인 것이 더 바람직하다. 증감제는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
〔연쇄 이동제〕
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 연쇄 이동제를 함유해도 된다. 연쇄 이동제는, 예를 들면 고분자 사전 제3판(고분자 학회편, 2005년) 683-684페이지에 정의되어 있다. 연쇄 이동제로서는, 예를 들면, 분자 내에 SH, PH, SiH, 및 GeH를 갖는 화합물군이 이용된다. 이들은, 저활성의 라디칼에 수소를 공여하여, 라디칼을 생성하하거나, 혹은, 산화된 후, 탈프로톤함으로써 라디칼을 생성할 수 있다. 특히, 싸이올 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.
또, 연쇄 이동제는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0152~0153에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.
본 발명의 경화성 수지 조성물이 연쇄 이동제를 갖는 경우, 연쇄 이동제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분 100질량부에 대하여, 0.01~20질량부가 바람직하고, 1~10질량부가 보다 바람직하며, 1~5질량부가 더 바람직하다. 연쇄 이동제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 연쇄 이동제가 2종 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
〔계면활성제〕
본 발명의 경화성 수지 조성물에는, 도포성을 보다 향상시키는 관점에서, 각종류의 계면활성제를 첨가해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각 종류의 계면활성제를 사용할 수 있다. 또, 하기 계면활성제도 바람직하다. 하기 식 중, 주쇄의 반복 단위를 나타내는 괄호는 각 반복 단위의 함유량(몰%)을, 측쇄의 반복 단위를 나타내는 괄호는 각 반복 단위의 반복수를 각각 나타낸다.
[화학식 56]
Figure pct00058
또, 계면활성제는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0159~0165에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.
불소계 계면활성제로서는, 예를 들면, 메가팍 F171, 동 F172, 동 F173, 동 F176, 동 F177, 동 F141, 동 F142, 동 F143, 동 F144, 동R30, 동 F437, 동 F475, 동 F479, 동 F482, 동 F554, 동 F780, RS-72-K(이상, DIC(주)제), 플루오라드 FC430, 동 FC431, 동 FC171, 노벡 FC4430, 동 FC4432(이상, 3M 재팬(주)제), 서프론 S-382, 동 SC-101, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC1068, 동 SC-381, 동 SC-383, 동 S393, 동 KH-40(이상, 아사히 글라스(주)제), PF636, PF656, PF6320, PF6520, PF7002(OMNOVA사제) 등을 들 수 있다. 불소계 계면활성제는, 일본 공개특허공보 2015-117327호의 단락 0015~0158에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2011-132503호의 단락 0117~0132에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다. 불소계 계면활성제로서 블록 폴리머를 이용할 수도 있으며, 구체예로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2011-89090호에 기재된 화합물을 들 수 있다.
불소계 계면활성제는, 불소 원자를 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물에서 유래하는 반복 단위와, 알킬렌옥시기(바람직하게는 에틸렌옥시기, 프로필렌옥시기)를 2 이상(바람직하게는 5 이상) 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물에서 유래하는 반복 단위를 포함하는 함불소 고분자 화합물도 바람직하게 이용할 수 있다.
불소계 계면활성제는, 에틸렌성 불포화기를 측쇄에 갖는 함불소 중합체를 불소계 계면활성제로서 이용할 수도 있다. 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2010-164965호의 단락 0050~0090 및 단락 0289~0295에 기재된 화합물, 예를 들면 DIC(주)제의 메가팍 RS-101, RS-102, RS-718K 등을 들 수 있다.
불소계 계면활성제 중의 불소 함유율은, 3~40질량%가 적합하고, 보다 바람직하게는 5~30질량%이며, 특히 바람직하게는 7~25질량%이다. 불소 함유율이 이 범위 내인 불소계 계면활성제는, 도포막의 두께의 균일성이나 액 절감성의 점에서 효과적이며, 조성물 중에 있어서의 용해성도 양호하다.
실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면, 도레이 실리콘 DC3PA, 도레이 실리콘 SH7PA, 도레이 실리콘 DC11PA, 도레이 실리콘 SH21PA, 도레이 실리콘 SH28PA, 도레이 실리콘 SH29PA, 도레이 실리콘 SH30PA, 도레이 실리콘 SH8400(이상, 도레이·다우 코닝(주)제), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4460, TSF-4452(이상, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제), KP341, KF6001, KF6002(이상, 신에쓰 실리콘(주)제), BYK307, BYK323, BYK330(이상, 빅케미(주)제) 등을 들 수 있다.
탄화 수소계 계면활성제로서는, 예를 들면, 파이오닌 A-76, 뉴카르겐 FS-3PG, 파이오닌 B-709, 파이오닌 B-811-N, 파이오닌 D-1004, 파이오닌 D-3104, 파이오닌 D-3605, 파이오닌 D-6112, 파이오닌 D-2104-D, 파이오닌 D-212, 파이오닌 D-931, 파이오닌 D-941, 파이오닌 D-951, 파이오닌 E-5310, 파이오닌 P-1050-B, 파이오닌 P-1028-P, 파이오닌 P-4050-T 등(이상, 다케모토 유시사제), 등을 들 수 있다.
비이온형 계면활성제로서는, 글리세롤, 트라이메틸올프로페인, 트라이메틸올에테인 및 그들의 에톡실레이트 및 프로폭실레이트(예를 들면, 글리세롤프로폭실레이트, 글리세롤에톡실레이트 등), 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터, 폴리에틸렌글라이콜다이라우레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이스테아레이트, 소비탄 지방산 에스터, 플루로닉 L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2(BASF사제), 테트로닉 304, 701, 704, 901, 904, 150R1(BASF사제), 솔스퍼스 20000(니혼 루브리졸(주)제), NCW-101, NCW-1001, NCW-1002(와코 준야쿠 고교(주)제), 파이오닌 D-6112, D-6112-W, D-6315(다케모토 유시(주)제), 올핀 E1010, 서피놀 104, 400, 440(닛신 가가쿠 고교(주)제) 등을 들 수 있다.
양이온형 계면활성제로서 구체적으로는, 오가노실록세인 폴리머 KP341(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), (메트)아크릴산계 (공)중합체 폴리플로 No. 75, No. 77, No. 90, No. 95(교에이샤 가가쿠(주)제), W001(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.
음이온형 계면활성제로서 구체적으로는, W004, W005, W017(유쇼(주)제), 산뎃 BL(산요 가세이(주)제) 등을 들 수 있다.
본 발명의 경화성 수지 조성물이 계면활성제를 갖는 경우, 계면활성제의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.001~2.0질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005~1.0질량%이다. 계면활성제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
〔고급 지방산 유도체〕
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 산소에 기인하는 중합 저해를 방지하기 위하여, 베헨산이나 베헨산 아마이드와 같은 고급 지방산 유도체를 첨가하여, 도포 후의 건조의 과정에서 경화성 수지 조성물의 표면에 편재시켜도 된다.
또, 고급 지방산 유도체는, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0155에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.
본 발명의 경화성 수지 조성물이 고급 지방산 유도체를 갖는 경우, 고급 지방산 유도체의 함유량은, 본 발명의 경화성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~10질량%인 것이 바람직하다. 고급 지방산 유도체는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 고급 지방산 유도체가 2종 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
〔무기 입자〕
본 발명의 수지 조성물은, 무기 입자를 포함해도 된다. 무기 입자로서, 구체적으로는, 탄산 칼슘, 인산 칼슘, 실리카, 카올린, 탤크, 이산화 타이타늄, 알루미나, 황산 바륨, 불화 칼슘, 불화 리튬, 제올라이트, 황화 몰리브데넘, 유리 등을 포함할 수 있다.
상기 무기 입자의 평균 입자경으로서는, 0.01~2.0μm가 바람직하고, 0.02~1.5μm가 보다 바람직하며, 0.03~1.0μm가 더 바람직하고, 0.04~0.5μm가 특히 바람직하다.
상기 무기 입자의 평균 입자경을 다량으로 함유시킴으로써, 상기 경화막의 기계 특성이 열화되는 경우가 있다. 또, 상기 무기 입자의 평균 입자경이 2.0μm를 초과하면, 노광광의 산란에 의하여 해상도가 저하되는 경우가 있다.
〔자외선 흡수제〕
본 발명의 조성물은, 자외선 흡수제를 포함하고 있어도 된다. 자외선 흡수제로서는, 살리실레이트계, 벤조페논계, 벤조트라이아졸계, 치환 아크릴로나이트릴계, 트라이아진계 등의 자외선 흡수제를 사용할 수 있다.
살리실레이트계 자외선 흡수제의 예로서는, 페닐살리실레이트, p-옥틸페닐살리실레이트, p-t-뷰틸페닐살리실레이트 등을 들 수 있으며, 벤조페논계 자외선 흡수제의 예로서는, 2,2'-다이하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-다이하이드록시-4,4'-다이메톡시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,4-다이하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥톡시벤조페논 등을 들 수 있다. 또, 벤조트라이아졸계 자외선 흡수제의 예로서는, 2-(2'-하이드록시-3',5'-다이-tert-뷰틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-tert-뷰틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-tert-아밀-5'-아이소뷰틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-아이소뷰틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3'-아이소뷰틸-5'-프로필페닐)-5-클로로벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-3',5'-다이-tert-뷰틸페닐)벤조트라이아졸, 2-(2'-하이드록시-5'-메틸페닐)벤조트라이아졸, 2-[2'-하이드록시-5'-(1,1,3,3-테트라메틸)페닐]벤조트라이아졸 등을 들 수 있다.
치환 아크릴로나이트릴계 자외선 흡수제의 예로서는, 2-사이아노-3,3-다이페닐아크릴산 에틸, 2-사이아노-3,3-다이페닐아크릴산 2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 또한, 트라이아진계 자외선 흡수제의 예로서는, 2-[4-[(2-하이드록시-3-도데실옥시프로필)옥시]-2-하이드록시페닐]-4,6-비스(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2-[4-[(2-하이드록시-3-트라이데실옥시프로필)옥시]-2-하이드록시페닐]-4,6-비스(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2-(2,4-다이하이드록시페닐)-4,6-비스(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진 등의 모노(하이드록시페닐)트라이아진 화합물; 2,4-비스(2-하이드록시-4-프로필옥시페닐)-6-(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4-비스(2-하이드록시-3-메틸-4-프로필옥시페닐)-6-(4-메틸페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4-비스(2-하이드록시-3-메틸-4-헥실옥시페닐)-6-(2,4-다이메틸페닐)-1,3,5-트라이아진 등의 비스(하이드록시페닐)트라이아진 화합물; 2,4-비스(2-하이드록시-4-뷰톡시페닐)-6-(2,4-다이뷰톡시페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4,6-트리스(2-하이드록시-4-옥틸옥시페닐)-1,3,5-트라이아진, 2,4,6-트리스[2-하이드록시-4-(3-뷰톡시-2-하이드록시프로필옥시)페닐]-1,3,5-트라이아진 등의 트리스(하이드록시페닐)트라이아진 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 각종 자외선 흡수제는 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
본 발명의 조성물은, 자외선 흡수제를 포함해도 되고 포함하지 않아도 되지만, 포함하는 경우, 자외선 흡수제의 함유량은, 본 발명의 조성물의 전고형분 질량에 대하여, 0.001질량% 이상 1질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.01질량% 이상 0.1질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.
〔유기 타이타늄 화합물〕
본 실시형태의 수지 조성물은, 유기 타이타늄 화합물을 함유해도 된다. 수지 조성물이 유기 타이타늄 화합물을 함유함으로써, 저온에서 경화한 경우이더라도 내약품성이 우수한 수지층을 형성할 수 있다.
사용 가능한 유기 타이타늄 화합물로서는, 타이타늄 원자에 유기기가 공유 결합 또는 이온 결합을 개재하여 결합되어 있는 것을 들 수 있다.
유기 타이타늄 화합물의 구체예를, 이하의 I)~VII)에 나타낸다:
I) 타이타늄킬레이트 화합물: 그중에서도, 네거티브형 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 양호하여, 양호한 경화 패턴이 얻어지는 점에서, 알콕시기를 2개 이상 갖는 타이타늄킬레이트 화합물이 보다 바람직하다. 구체적인 예는, 타이타늄비스(트라이에탄올아민)다이아이소프로폭사이드, 타이타늄다이(n-뷰톡사이드)비스(2,4-펜테인다이오네이트), 타이타늄다이아이소프로폭사이드비스(2,4-펜테인다이오네이트), 타이타늄다이아이소프로폭사이드비스(테트라메틸헵테인다이오네이트), 타이타늄다이아이소프로폭사이드비스(에틸아세토아세테이트) 등이다.
II) 테트라알콕시타이타늄화합물: 예를 들면, 타이타늄테트라(n-뷰톡사이드), 타이타늄테트라에톡사이드, 타이타늄테트라(2-에틸헥소옥사이드), 타이타늄테트라아이소뷰톡사이드, 타이타늄테트라아이소프로폭사이드, 타이타늄테트라메톡사이드, 타이타늄테트라메톡시프로폭사이드, 타이타늄테트라메틸페녹사이드, 타이타늄테트라(n-노닐옥사이드), 타이타늄테트라(n-프로폭사이드), 타이타늄테트라스테아릴옥사이드, 타이타늄테트라키스[비스{2,2-(아릴옥시메틸)뷰톡사이드}] 등이다.
III) 타이타노센 화합물: 예를 들면, 펜타메틸사이클로펜타다이엔일타이타늄트라이메톡사이드, 비스(η5-2,4-사이클로펜타다이엔-1-일)비스(2,6-다이플루오로페닐)타이타늄, 비스(η5-2,4-사이클로펜타다이엔-1-일)비스(2,6-다이플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)타이타늄 등이다.
IV) 모노알콕시타이타늄 화합물: 예를 들면, 타이타늄트리스(다이옥틸포스페이트)아이소프로폭사이드, 타이타늄트리스(도데실벤젠설포네이트)아이소프로폭사이드 등이다.
V) 타이타늄옥사이드 화합물: 예를 들면, 타이타늄옥사이드비스(펜테인다이오네이트), 타이타늄옥사이드비스(테트라메틸헵테인다이오네이트), 프탈로사이아닌타이타늄옥사이드 등이다.
VI) 타이타늄테트라아세틸아세토네이트 화합물: 예를 들면, 타이타늄테트라아세틸아세토네이트 등이다.
VII) 타이타네이트 커플링제: 예를 들면, 아이소프로필트라이도데실벤젠설폰일타이타네이트 등이다.
그중에서도, 유기 타이타늄 화합물로서는, 상기 I) 타이타늄킬레이트 화합물, II) 테트라알콕시타이타늄 화합물, 및 III) 타이타노센 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것이, 보다 양호한 내약품성을 나타낸다는 관점에서 바람직하다. 특히, 타이타늄다이아이소프로폭사이드비스(에틸아세토아세테이트), 타이타늄테트라(n-뷰톡사이드), 및 비스(η5-2,4-사이클로펜타다이엔-1-일)비스(2,6-다이플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐)타이타늄이 바람직하다.
유기 타이타늄 화합물을 배합하는 경우, 그 배합량은, 환화 수지의 전구체 100질량부에 대하여, 0.05~10질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~2질량부이다. 배합량이 0.05질량부 이상인 경우, 얻어지는 경화 패턴에 양호한 내열성 및 내약품성이 발현되고, 한편 10질량부 이하인 경우, 조성물의 보존 안정성이 우수하다.
〔산화 방지제〕
본 발명의 조성물은, 산화 방지제를 포함하고 있어도 된다. 첨가제로서 산화 방지제를 함유함으로써, 경화 후의 막의 신도 특성이나, 금속 재료와의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 산화 방지제로서는, 페놀 화합물, 아인산 에스터 화합물, 싸이오에터 화합물 등을 들 수 있다. 페놀 화합물로서는, 페놀계 산화 방지제로서 알려진 임의의 페놀 화합물을 사용할 수 있다. 바람직한 페놀 화합물로서는, 힌더드 페놀 화합물을 들 수 있다. 페놀성 하이드록시기에 인접하는 부위(오쏘위)에 치환기를 갖는 화합물이 바람직하다. 상술한 치환기로서는 탄소수 1~22의 치환 또는 무치환의 알킬기가 바람직하다. 또, 산화 방지제는, 동일 분자 내에 페놀기와 아인산 에스터기를 갖는 화합물도 바람직하다. 또, 산화 방지제는, 인계 산화 방지제도 적합하게 사용할 수 있다. 인계 산화 방지제로서는 트리스[2-[[2,4,8,10-테트라키스(1,1-다이메틸에틸)다이벤조[d,f][1,3,2]다이옥사포스페핀-6-일]옥시]에틸]아민, 트리스[2-[(4,6,9,11-테트라-tert-뷰틸다이벤조[d,f][1,3,2]다이옥사포스페핀-2-일)옥시]에틸]아민, 아인산 에틸비스(2,4-다이-tert-뷰틸-6-메틸페닐) 등을 들 수 있다. 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스타브 AO-20, 아데카스타브 AO-30, 아데카스타브 AO-40, 아데카스타브 AO-50, 아데카스타브 AO-50F, 아데카스타브 AO-60, 아데카스타브 AO-60G, 아데카스타브 AO-80, 아데카스타브 AO-330(이상, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 또, 산화 방지제는, 일본 특허공보 제6268967호의 단락 번호 0023~0048에 기재된 화합물을 사용할 수도 있다. 또, 본 발명의 조성물은, 필요에 따라, 잠재 산화 방지제를 함유해도 된다. 잠재 산화 방지제로서는, 산화 방지제로서 기능하는 부위가 보호기로 보호된 화합물로서, 100~250℃에서 가열하거나, 또는 산/염기 촉매 존재하에서 80~200℃에서 가열함으로써 보호기가 탈리되어 산화 방지제로서 기능하는 화합물을 들 수 있다. 잠재 산화 방지제로서는, 국제 공개공보 제2014/021023호, 국제 공개공보 제2017/030005호, 일본 공개특허공보 2017-008219호에 기재된 화합물을 들 수 있다. 잠재 산화 방지제의 시판품으로서는, 아데카 아클즈 GPA-5001((주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 바람직한 산화 방지제의 예로서는, 2,2-싸이오비스(4-메틸-6-t-뷰틸페놀), 2,6-다이-t-뷰틸페놀 및 일반식 (3)으로 나타나는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 57]
Figure pct00059
일반식 (3) 중, R5는 수소 원자 또는 탄소수 2 이상의 알킬기를 나타내고, R6은 탄소수 2 이상의 알킬렌기를 나타낸다. R7은, 탄소수 2 이상의 알킬렌기, O 원자, 및 N 원자 중 적어도 어느 하나를 포함하는 1~4가의 유기기를 나타낸다. k는 1~4의 정수를 나타낸다.
일반식 (3)으로 나타나는 화합물은, 수지의 지방족기나 페놀성 수산기의 산화 열화를 억제한다. 또, 금속 재료에 대한 방청 작용에 의하여, 금속 산화를 억제할 수 있다.
수지와 금속 재료에 동시에 작용할 수 있기 때문에, k는 2~4의 정수가 보다 바람직하다. R7로서는, 알킬기, 사이클로알킬기, 알콕시기, 알킬에터기, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 아릴기, 아릴에터기, 카복실기, 카보닐기, 알릴기, 바이닐기, 복소환기, -O-, -NH-, -NHNH-, 그들을 조합한 것 등을 들 수 있으며, 치환기를 더 갖고 있어도 된다. 이 중에서도, 현상액에 대한 용해성이나 금속 밀착성의 점에서, 알킬에터, -NH-를 갖는 것이 바람직하고, 수지와의 상호 작용과 금속 착형성에 의한 금속 밀착성의 점에서 -NH-가 보다 바람직하다.
하기 일반식 (3)으로 나타나는 화합물은, 예로서는 이하의 것을 들 수 있지만, 하기 구조에 한정되지 않는다.
[화학식 58]
Figure pct00060
[화학식 59]
Figure pct00061
[화학식 60]
Figure pct00062
[화학식 61]
Figure pct00063
산화 방지제의 첨가량은, 수지에 대하여, 0.1~10질량부가 바람직하고, 0.5~5질량부가 보다 바람직하다. 첨가량이 0.1질량부보다 적은 경우는, 신뢰성 후의 신도 특성이나 금속 재료에 대한 밀착성 향상의 효과가 얻어지기 어렵고, 또 10질량부보다 많은 경우는, 감광제와의 상호 작용에 의하여, 수지 조성물의 감도 저하를 초래할 우려가 있다. 산화 방지제는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 이용해도 된다. 2종 이상을 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<그 외의 함유 물질에 대한 제한>
본 발명의 경화성 수지 조성물의 수분 함유량은, 도포면성상의 관점에서, 5질량% 미만이 바람직하고, 1질량% 미만이 보다 바람직하며, 0.6질량% 미만이 더 바람직하다. 수분의 함유량을 유지하는 방법으로서는, 보관 조건에 있어서의 습도의 조정, 수용 용기의 공극률 저감 등을 들 수 있다.
본 발명의 경화성 수지 조성물의 금속 함유량은, 절연성의 관점에서, 5질량ppm(parts per million) 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 더 바람직하다. 금속으로서는, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 철, 크로뮴, 니켈 등을 들 수 있다. 금속을 복수 포함하는 경우는, 이들 금속의 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 의도치 않게 포함되는 금속 불순물을 저감시키는 방법으로서는, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하거나, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하거나, 장치 내를 폴리테트라플루오로에틸렌 등으로 라이닝하여 컨태미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 등의 방법을 들 수 있다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 반도체 재료로서의 용도를 고려하면, 할로젠 원자의 함유량이, 배선 부식성의 관점에서, 500질량ppm 미만이 바람직하고, 300질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 200질량ppm 미만이 더 바람직하다. 그중에서도, 할로젠 이온 상태로 존재하는 것은, 5질량ppm 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 더 바람직하다. 할로젠 원자로서는, 염소 원자 및 브로민 원자를 들 수 있다. 염소 원자 및 브로민 원자, 또는 염소 이온 및 브로민 이온의 합계가 각각 상기 범위인 것이 바람직하다. 할로젠 원자의 함유량을 조절하는 방법으로서는, 이온 교환 처리 등을 바람직하게 들 수 있다.
본 발명의 경화성 수지 조성물의 수용 용기로서는 종래 공지의 수용 용기를 이용할 수 있다. 또, 수용 용기로서는, 원재료나 경화성 수지 조성물 중으로의 불순물 혼입을 억제할 것을 목적으로, 용기 내벽을 6종 6층의 수지로 구성한 다층 보틀이나, 6종의 수지를 7층 구조로 한 보틀을 사용하는 것도 바람직하다. 이와 같은 용기로서는 예를 들면 일본 공개특허공보 2015-123351호에 기재된 용기를 들 수 있다.
<경화성 수지 조성물의 조제>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 상기 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 혼합 방법은 특별히 한정은 없고, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다.
또, 경화성 수지 조성물 중의 분진이나 미립자 등의 이물을 제거할 목적으로, 필터를 이용한 여과를 행하는 것이 바람직하다. 필터 구멍 직경은, 1μm 이하가 바람직하고, 0.5μm 이하가 보다 바람직하며, 0.1μm 이하가 더 바람직하다. 한편, 생산성의 관점에서는, 5μm 이하가 바람직하고, 3μm 이하가 보다 바람직하며, 1μm 이하가 더 바람직하다. 필터의 재질은, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌 또는 나일론이 바람직하다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 또는 재질이 상이한 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 각종 재료를 복수 회 여과해도 된다. 복수 회 여과하는 경우는, 순환 여과여도 된다. 또, 가압하여 여과를 행해도 된다. 가압하여 여과를 행하는 경우, 가압하는 압력은 0.05MPa 이상 0.3MPa 이하가 바람직하다. 한편, 생산성의 관점에서는, 0.01MPa 이상 1.0MPa 이하가 바람직하고, 0.03MPa 이상 0.9MPa 이하가 보다 바람직하며, 0.05MPa 이상 0.7MPa 이하가 더 바람직하다.
필터를 이용한 여과 외에, 흡착재를 이용한 불순물의 제거 처리를 행해도 된다. 필터 여과와 흡착재를 이용한 불순물 제거 처리를 조합해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있다. 예를 들면, 실리카젤, 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 활성탄 등의 유기계 흡착재를 들 수 있다.
<경화성 수지 조성물의 용도>
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는 것이 바람직하다.
또, 그 외에, 반도체 디바이스의 절연막의 형성, 또는, 스트레스 버퍼 막의 형성 등에도 이용할 수 있다.
(경화막, 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법)
다음으로, 경화막, 적층체, 반도체 디바이스, 및 그들의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 경화막은, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어진다. 본 발명의 경화막의 막두께는, 예를 들면, 0.5μm 이상으로 할 수 있으며, 1μm 이상으로 할 수도 있다. 또, 상한값으로서는, 100μm 이하로 할 수 있으며, 30μm 이하로 할 수도 있다.
본 발명의 경화막을 2층 이상, 나아가서는, 3~7층 적층하여 적층체로 해도 된다. 본 발명의 적층체는, 경화막을 2층 이상 갖고, 경화막의 사이에 금속층을 갖는 적층체인 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 적층체는, 경화막을 2층 이상 포함하고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 포함하는 양태가 바람직하다. 예를 들면, 제1 경화막, 금속층, 제2 경화막의 3개의 층이 이 순서로 적층된 층구조를 적어도 포함하는 적층체를 바람직하게 들 수 있다. 상기 제1 경화막 및 상기 제2 경화막은, 모두 본 발명의 경화막이며, 예를 들면, 상기 제1 경화막 및 상기 제2 경화막 모두가, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 막인 양태를 바람직하게 들 수 있다. 상기 제1 경화막의 형성에 이용되는 본 발명의 경화성 수지 조성물과, 상기 제2 경화막의 형성에 이용되는 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 조성이 동일한 조성물이어도 되고, 조성이 상이한 조성물이어도 되지만, 제조 적성상의 관점에서는, 조성이 동일한 조성물인 것이 바람직하다. 이와 같은 금속층은, 재배선층 등의 금속 배선으로서 바람직하게 이용된다.
본 발명의 경화막의 적용 가능한 분야로서는, 반도체 디바이스의 절연막, 재배선층용 층간 절연막, 스트레스 버퍼막 등을 들 수 있다. 그 외에, 밀봉 필름, 기판 재료(플렉시블 프린트 기판의 베이스 필름이나 커버 레이, 층간 절연막), 또는 상기와 같은 실장 용도의 절연막을 에칭으로 패턴 형성하는 것 등을 들 수 있다. 이들의 용도에 대해서는, 예를 들면, 사이언스&테크놀로지 주식회사 "폴리이미드의 고기능화와 응용 기술" 2008년 4월, 가기모토 마사아키/감수, CMC 테크니컬 라이브러리 "폴리이미드 재료의 기초와 개발" 2011년 11월 발행, 일본 폴리이미드·방향족계 고분자 연구회/편 "최신 폴리이미드 기초와 응용" 엔·티·에스, 2010년 8월 등을 참조할 수 있다.
또, 본 발명에 있어서의 경화막은, 오프셋 판면(版面) 또는 스크린 판면 등의 판면의 제조, 성형 부품의 에칭으로의 사용, 일렉트로닉스, 특히, 마이크로일렉트로닉스에 있어서의 보호 래커 및 유전층의 제조 등에도 이용할 수도 있다.
본 발명의 경화막의 제조 방법(이하, 간단히 "본 발명의 제조 방법"이라고도 한다.)은, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막을 형성하는 막형성 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 경화막의 제조 방법은, 상기 막형성 공정을 포함하며, 또한, 상기 막을 노광하는 노광 공정 및 상기 막을 현상하는(상기 막에 대하여 현상 처리를 행하는) 현상 공정을 더 포함하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 경화막의 제조 방법은, 상기 막형성 공정(및, 필요에 따라 상기 현상 공정)을 포함하며, 또한, 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 가열 공정을 더 포함하는 것이 보다 바람직하다.
구체적으로는, 이하의 (a)~(d)의 공정을 포함하는 것도 바람직하다.
(a) 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막(경화성 수지 조성물층)을 형성하는 막형성 공정
(b) 막형성 공정 후, 막을 노광하는 노광 공정
(c) 노광된 상기 막에 대하여 현상 처리를 행하는 현상 공정
(d) 현상된 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 가열 공정
상기 가열 공정에 있어서 가열함으로써, 현상 후의 경화성 수지 조성물층을 더 경화시킬 수 있다. 이 가열 공정에서, 예를 들면 상술한 열염기 발생제가 분해되어, 충분한 경화성이 얻어진다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 적층체의 제조 방법은, 본 발명의 경화막의 제조 방법을 포함한다. 본 실시형태의 적층체의 제조 방법은, 상기의 경화막의 제조 방법에 따라, 경화막을 형성한 후, 또한, 재차, (a)의 공정, 또는 (a)~(c)의 공정, 또는 (a)~(d)의 공정을 행한다. 특히, 상기 각 공정을 순서대로, 복수 회, 예를 들면, 2~5회(즉, 합계로 3~6회) 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 경화막을 적층함으로써, 적층체로 할 수 있다. 본 발명에서는 특히 경화막을 마련한 부분의 위 또는 경화막의 사이, 또는 그 양자에게 금속층을 마련하는 것이 바람직하다. 또한, 적층체의 제조에 있어서는, (a)~(d)의 공정을 모두 반복할 필요는 없고, 상기와 같이, 적어도(a), 바람직하게는 (a)~(c) 또는 (a)~(d)의 공정을 복수 회 행함으로써 경화막의 적층체를 얻을 수 있다.
<막형성 공정(층형성 공정)>
본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 제조 방법은, 경화성 수지 조성물을 기재에 적용하여 막(층상)으로 하는, 막형성 공정(층형성 공정)을 포함한다.
기재의 종류는, 용도에 따라 적절히 정할 수 있지만, 실리콘, 질화 실리콘, 폴리실리콘, 산화 실리콘, 어모퍼스 실리콘 등의 반도체 제작 기재, 석영, 유리, 광학 필름, 세라믹 재료, 증착막, 자성(磁性)막, 반사막, Ni, Cu, Cr, Fe 등의 금속 기재, 종이, SOG(Spin On Glass), TFT(박막 트랜지스터) 어레이 기재, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극판 등 특별히 제약되지 않는다.
또, 이들 기재에는 표면에 밀착층이나 산화층 등의 층이 마련되어 있어도 된다. 본 발명에서는, 특히, 반도체 제작 기재가 바람직하고, 실리콘 기재, Cu 기재 및 몰드 기재가 보다 바람직하다.
또, 기재로서는, 예를 들면 판상의 기재(기판)가 이용된다.
기재의 형상은 특별히 한정되지 않고, 원형상이어도 되고 직사각형상이어도 되지만, 직사각형상인 것이 바람직하다.
이들 기재에는 헥사메틸다이실라제인(HMDS) 등에 의한 밀착층이나 산화층 등의 층이 표면에 마련되어 있어도 된다.
기재의 사이즈로서는, 원형상이면, 예를 들면 직경이 100~450mm이고, 바람직하게는 200~450mm이다. 직사각형상이면, 예를 들면 단변의 길이가 100~1000mm이고, 바람직하게는 200~700mm이다.
또, 경화성 수지 조성물층 등의 수지층의 표면이나 금속층의 표면에 경화성 수지 조성물층을 형성하는 경우는, 수지층이나 금속층이 기재가 된다.
경화성 수지 조성물을 기재에 적용하는 수단으로서는, 도포가 바람직하다.
구체적으로는, 적용하는 수단으로서는, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비어 코트법, 익스트루젼 코트법, 스프레이 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 및 잉크젯법 등이 예시된다. 경화성 수지 조성물층의 두께의 균일성의 관점에서, 보다 바람직하게는 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 스프레이 코트법, 잉크젯법이다. 방법에 따라 적절한 고형분 농도나 도포 조건을 조정함으로써, 원하는 두께의 수지층을 얻을 수 있다.
또, 기재의 형상에 따라서도 도포 방법을 적절히 선택할 수 있으며, 웨이퍼 등의 원형 기재이면 스핀 코트법이나 스프레이 코트법, 잉크젯법 등이 바람직하고, 직사각형 기재이면 슬릿 코트법이나 스프레이 코트법, 잉크젯법등이 바람직하다. 스핀 코트법의 경우는, 예를 들면, 500~2,000rpm(revolutions per minute)의 회전수로, 10초~1분 정도 적용할 수 있다. 수지 조성물의 점도나 설정하는 막두께에 따라서는, 300~3,500rpm의 회전수로, 10~180초 적용하는 것도 바람직하다. 또 막두께의 균일성을 얻기 위하여, 복수의 회전수를 조합하여 도포할 수도 있다.
또, 미리 가(假)지지체 상에 상기 부여 방법에 따라 부여하여 형성한 도막을, 기재 상에 전사(轉寫)하는 방법을 적용할 수도 있다.
전사 방법에 관해서는 일본 공개특허공보 2006-023696호의 단락 0023, 0036~0051이나, 일본 공개특허공보 2006-047592호의 단락 0096~0108에 기재된 제작 방법을 본 발명에 있어서도 적합하게 이용할 수 있다.
또, 기재의 단부(端部)에 있어서 여분의 막의 제거를 행하는 공정을 행해도 된다. 이와 같은 공정의 예에는, 에지 비드 린스(EBR), 에어 나이프, 백 린스 등을 들 수 있다. 수지 조성물을 기재에 도포하기 전에 기재를 다양한 용제를 도포하여, 기재의 젖음성을 향상시킨 후에 수지 조성물을 도포하는 프리웨트 공정을 채용해도 된다.
<건조 공정>
본 발명의 제조 방법은, 상기 막(경화성 수지 조성물층)을 형성한 후, 막형성 공정(층형성 공정) 후에, 용제를 제거하기 위하여 건조하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 바람직한 건조 온도는 50~150℃이고, 70℃~130℃가 보다 바람직하며, 90℃~110℃가 더 바람직하다. 건조 시간으로서는, 30초~20분이 예시되며, 1분 ~10분이 바람직하고, 3분 ~7분이 보다 바람직하다.
<노광 공정>
본 발명의 제조 방법은, 상기 막(경화성 수지 조성물층)을 노광하는 노광 공정을 포함해도 된다. 노광량은, 경화성 수지 조성물을 경화할 수 있는 한 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 파장 365nm에서의 노광 에너지 환산으로 100~10,000mJ/cm2 조사하는 것이 바람직하고, 200~8,000mJ/cm2 조사하는 것이 보다 바람직하다.
노광 파장은, 190~1,000nm의 범위에서 적절히 정할 수 있으며, 240~550nm가 바람직하다.
노광 파장은, 광원과의 관계로 말하면, (1) 반도체 레이저(파장 830nm, 532nm, 488nm, 405nm etc.), (2) 메탈할라이드 램프, (3) 고압 수은등, g선(파장 436nm), h선(파장 405nm), i선(파장 365nm), 브로드(g, h, i선의 3파장), (4) 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm), F2 엑시머 레이저(파장 157nm), (5) 극단 자외선; EUV(파장 13.6nm), (6) 전자선, (7) YAG 레이저의 제2 고주파 532nm, 제3 고주파 355nm 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화성 수지 조성물에 대해서는, 특히 고압 수은등에 의한 노광이 바람직하고, 그중에서도, i선에 의한 노광이 바람직하다. 이로써, 특히 높은 노광 감도가 얻어질 수 있다. 취급과 생산성의 관점에서는, 고압 수은등의 브로드(g, h, i선의 3파장) 광원이나 반도체 레이저 405nm도 적합하다.
<현상 공정>
본 발명의 제조 방법은, 노광된 막(경화성 수지 조성물층)에 대하여, 현상 처리를 행하는 현상 공정을 포함해도 된다. 현상을 행함으로써, 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 제거된다. 현상 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 노즐로부터의 현상액의 토출, 스프레이 분무, 기재의 현상액 침지 등을 들 수 있으며, 노즐로부터의 토출이 바람직하게 이용된다. 현상 공정에는, 현상액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 현상액이 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 현상액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.
현상은 현상액을 이용하여 행한다. 현상액은, 경화성 수지 조성물이 네거티브형의 경화성 수지 조성물이면 경화성 수지 조성물층의 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 제거되는 것을, 본 발명의 경화성 수지 조성물이 포지티브형의 경화성 수지 조성물이면 노광된 부분(노광부)이 제거되는 것을, 특별히 제한 없이 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 현상액으로서 알칼리 현상액을 이용하는 경우를 알칼리 현상, 현상액으로서 유기 용제를 50질량% 이상 포함하는 현상액을 이용하는 경우를 용제 현상이라고 한다.
알칼리 현상에 있어서, 현상액은, 유기 용제의 함유량이 현상액의 전체 질량에 대하여 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 5질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 1질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 유기 용제를 포함하지 않는 것이 특히 바람직하다.
알칼리 현상에 있어서의 현상액은, pH가 9~14인 수용액이 보다 바람직하다.
알칼리 현상에 있어서의 현상액에 포함되는 알칼리 화합물로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 탄산 수소 나트륨, 탄산 수소 칼륨, 규산 나트륨, 규산 칼륨, 메타규산 나트륨, 메타규산 칼륨, 암모니아 또는 아민 등을 들 수 있다. 아민으로서는, 예를 들면, 에틸아민, n-프로필아민, 다이에틸아민, 다이-n-프로필아민, 트라이에틸아민, 메틸다이에틸아민, 알칸올아민, 다이메틸에탄올아민, 트라이에탄올아민, 4급 암모늄 수산화물, 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH) 또는 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라뷰틸암모늄 등을 들 수 있다. 그중에서도 금속을 포함하지 않는 알칼리 화합물이 바람직하고, 암모늄 화합물이 보다 바람직하다.
알칼리 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 현상액에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은, 예를 들면 TMAH를 이용하는 경우, 현상액 전체 질량 중 0.01~10질량%가 바람직하고, 0.1~5질량%가 보다 바람직하며, 0.3~3질량%가 더 바람직하다.
용제 현상에 있어서, 현상액은, 유기 용제를 90% 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다. 본 발명에서는, 현상액은, ClogP값이 -1~5인 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하고, ClogP값이 0~3인 유기 용제를 포함하는 것이 보다 바람직하다. ClogP값은, ChemBioDraw에 구조식을 입력하여 계산값으로서 구할 수 있다.
유기 용제는, 에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 및, 에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및, 케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등, 및, 방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등, 설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드를 적합하게 들 수 있다.
본 발명에서는, 특히 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤이 바람직하고, 사이클로펜탄온이 보다 바람직하다. 현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제는 1종 또는, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
현상액은, 다른 성분을 더 포함해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들면, 공지의 계면활성제나 공지의 소포제 등을 들 수 있다.
〔현상액의 공급 방법〕
현상액의 공급 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없으며, 기재를 현상액에 침지하는 방법, 기재 상에 노즐을 이용하여 현상액을 공급하고 퍼들 현상, 또는, 현상액을 연속 공급하는 방법이 있다. 노즐의 종류는 특별히 제한은 없으며, 스트레이트 노즐, 샤워 노즐, 스프레이 노즐 등을 들 수 있다.
현상액의 침투성, 비화상부의 제거성, 제조상의 효율의 관점에서, 현상액을 스트레이트 노즐로 공급하는 방법, 또는 스프레이 노즐로 연속 공급하는 방법이 바람직하고, 화상부로의 현상액의 침투성의 관점에서는, 스프레이 노즐로 공급하는 방법이 보다 바람직하다.
또, 현상액을 스트레이트 노즐로 연속 공급 후, 기재를 스핀하여 현상액을 기재 상으로부터 제거하고, 스핀 건조 후에 재차 스트레이트 노즐로 연속 공급 후, 기재를 스핀하여 현상액을 기재 상으로부터 제거하는 공정을 채용해도 되며, 이 공정을 복수 회 반복해도 된다.
또 현상 공정에 있어서의 현상액의 공급 방법으로서는, 현상액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 현상액이 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 기재 상에서 현상액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.
현상액은, 50질량% 이상이 유기 용제인 것이 바람직하고, 70질량% 이상이 유기 용제인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 유기 용제인 것이 더 바람직하다. 또, 현상액은, 100질량%가 유기 용제여도 된다.
현상 시간으로서는, 5초~10분간이 바람직하고, 10초~5분이 보다 바람직하다. 현상 시의 현상액의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 통상, 10~45℃, 바람직하게는, 20~40℃에서 행할 수 있다.
현상액을 이용한 처리 후, 추가로, 린스를 행해도 된다. 또, 패턴 상에 접하는 현상액이 완전히 건조되기 전에 린스액을 공급하는 등의 방법을 채용해도 된다.
용제 현상의 경우, 린스는, 현상액과는 상이한 유기 용제를 이용하여 행하는 것이 바람직하다.
용제 현상의 경우의 린스액으로서는, PGMEA(프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트), IPA(아이소프로판올) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 PGMEA이다.
알칼리 현상의 경우, 린스는, 순수를 이용하여 행하는 것이 바람직하다.
린스 시간은, 10초~10분간이 바람직하고, 20초~5분간이 보다 바람직하며, 5초~1분이 더 바람직하다. 린스 시의 린스액의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 바람직하게는, 10~45℃, 보다 바람직하게는, 18℃~30℃에서 행할 수 있다.
린스액이 유기 용제를 포함하는 경우의 유기 용제로서는, 에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 및, 에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터(PGME), 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트(PGMEA), 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및, 케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등, 및, 방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등, 설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드, 및, 알코올류로서, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 뷰탄올, 펜탄올, 옥탄올, 다이에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 메틸아이소뷰틸카비놀, 트라이에틸렌글라이콜 등, 및, 아마이드류로서, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, 다이메틸폼아마이드 등을 적합하게 들 수 있다.
린스액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제는 1종 또는, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에서는 특히 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, PGMEA, PGME가 바람직하고, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, PGMEA, PGME가 보다 바람직하며, 사이클로헥산온, PGMEA가 더 바람직하다.
린스액이 유기 용제를 포함하는 경우, 린스액은, 50질량% 이상이 유기 용제인 것이 바람직하고, 70질량% 이상이 유기 용제인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 유기 용제인 것이 더 바람직하다. 또, 린스액은, 100질량%가 유기 용제여도 된다.
린스액은, 다른 성분을 더 포함해도 된다.
다른 성분으로서는, 예를 들면, 공지의 계면활성제나 공지의 소포제 등을 들 수 있다.
〔린스액의 공급 방법〕
린스액의 공급 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없으며, 기재를 린스액에 침지하는 방법, 기재 상에서의 퍼들 현상, 기재에 린스액을 샤워로 공급하는 방법, 기재 상에 스트레이트 노즐 등의 수단에 의하여 현상액을 연속 공급하는 방법이 있다.
린스액의 침투성, 비화상부의 제거성, 제조상의 효율의 관점에서, 린스액을 샤워 노즐, 스트레이트 노즐, 스프레이 노즐 등으로 공급하는 방법이 있으며, 스프레이 노즐로 연속 공급하는 방법이 바람직하고, 화상부로의 린스액의 침투성의 관점에서는, 스프레이 노즐로 공급하는 방법이 보다 바람직하다. 노즐의 종류는 특별히 제한은 없으며, 스트레이트 노즐, 샤워 노즐, 스프레이 노즐 등을 들 수 있다.
즉, 린스 공정은, 린스액을 상기 노광 후의 막에 대하여 스트레이트 노즐에 의하여 공급, 또는, 연속 공급하는 공정인 것이 바람직하고, 린스액을 스프레이 노즐에 의하여 공급하는 공정인 것이 보다 바람직하다.
또 린스 공정에 있어서의 린스액의 공급 방법으로서는, 린스액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 린스액이 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 기재 상에서 린스액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.
<가열 공정>
본 발명의 제조 방법은, 현상된 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 공정(가열 공정)을 포함하는 것이 바람직하다.
가열 공정은, 막형성 공정(층형성 공정), 건조 공정, 및 현상 공정 후에 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은 특정 수지 이외의 중합성 화합물을 포함하지만, 특정 수지 이외의 미반응의 중합성 화합물의 경화 반응, 특정 수지에 있어서의 미반응의 중합성기의 경화 반응 등을 이 공정으로 진행시킬 수 있다.
또, 특정 수지가 폴리이미드 전구체이며, 또한, 경화성 수지 조성물이 열염기 발생제를 포함하는 경우, 가열 공정에서는, 예를 들면 열염기 발생제가 분해됨으로써 염기가 발생하여, 폴리이미드 전구체의 환화 반응이 진행된다.
가열 공정에 있어서의 층의 가열 온도(최고 가열 온도)로서는, 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 140℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 특히 바람직하며, 160℃ 이상인 것이 한층 바람직하며, 170℃ 이상인 것이 가장 바람직하다. 상한으로서는, 450℃ 이하인 것이 바람직하고, 350℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 250℃ 이하인 것이 더 바람직하고, 220℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.
가열은, 가열 개시 시의 온도부터 최고 가열 온도까지 1~12℃/분의 승온 속도로 행하는 것이 바람직하고, 2~10℃/분이 보다 바람직하며, 3~10℃/분이 더 바람직하다. 승온 속도를 1℃/분 이상으로 함으로써, 생산성을 확보하면서, 아민의 과잉 휘발을 방지할 수 있으며, 승온 속도를 12℃/분 이하로 함으로써, 경화막의 잔존 응력을 완화시킬 수 있다. 또한, 급속 가열 가능한 오븐의 경우는, 가열 개시 시의 온도부터 최고 가열 온도까지 1~8℃/초의 승온 속도로 행하는 것이 바람직하고, 2~7℃/초가 보다 바람직하며, 3~6℃/초가 더 바람직하다.
가열 개시 시의 온도는, 20℃~150℃가 바람직하고, 20℃~130℃가 보다 바람직하며, 25℃~120℃가 더 바람직하다. 가열 개시 시의 온도는, 최고 가열 온도까지 가열하는 공정을 개시할 때의 온도를 말한다. 예를 들면, 경화성 수지 조성물을 기재 상에 적용한 후, 건조시키는 경우, 이 건조 후의 막(층)의 온도이며, 예를 들면, 경화성 수지 조성물에 포함되는 용제의 비점보다, 30~200℃ 낮은 온도로부터 서서히 승온시키는 것이 바람직하다.
가열 시간(최고 가열 온도에서의 가열 시간)은, 10~360분인 것이 바람직하고, 20~300분인 것이 보다 바람직하며, 30~240분인 것이 더 바람직하다.
특히 다층의 적층체를 형성하는 경우, 경화막의 층간의 밀착성의 관점에서, 가열 온도는 180℃~320℃에서 가열하는 것이 바람직하고, 180℃~260℃에서 가열하는 것이 보다 바람직하다. 그 이유는 확실하지 않지만, 이 온도로 함으로써, 층간의 특정 수지에 있어서의 중합성기끼리가 가교 반응을 진행하기 위함이라고 생각된다.
가열은 단계적으로 행해도 된다. 예로서, 25℃부터 180℃까지 3℃/분으로 승온시켜, 180℃에서 60분 유지하고, 180℃부터 200℃까지 2℃/분으로 승온시켜, 200℃에서 120분 유지함과 같은 전처리 공정을 행해도 된다. 전처리 공정으로서의 가열 온도는 100~200℃가 바람직하고, 110~190℃인 것이 보다 바람직하며, 120~185℃인 것이 더 바람직하다. 이 전처리 공정에 있어서는, 미국 특허공보 9159547호에 기재된 바와 같이 자외선을 조사하면서 처리하는 것도 바람직하다. 이와 같은 전처리 공정에 의하여 막의 특성을 향상시키는 것이 가능하다. 전처리 공정은 10초간~2시간 정도의 짧은 시간에 행하면 되고, 15초~30분간이 보다 바람직하다. 전처리는 2단계 이상의 스텝으로 해도 되고, 예를 들면 100~150℃의 범위에서 전처리 공정 1을 행하며, 그 후에 150~200℃의 범위에서 전처리 공정 2를 행해도 된다.
또한, 가열 후 냉각해도 되고, 이 경우의 냉각 속도로서는, 1~5℃/분인 것이 바람직하다.
가열 공정은, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스를 흐르게 하는 등에 의하여, 저산소 농도의 분위기에서 행하는 것이 특정 수지의 분해를 방지하는 점에서 바람직하다. 산소 농도는, 50ppm(체적비) 이하가 바람직하고, 20ppm(체적비) 이하가 보다 바람직하다.
가열 수단으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 핫플레이트, 적외로(赤外爐), 전열식 오븐, 열풍식 오븐 등을 들 수 있다.
<금속층 형성 공정>
본 발명의 제조 방법은, 현상 처리 후의 막(경화성 수지 조성물층)의 표면에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
금속층으로서는, 특별히 한정 없이, 기존의 금속종을 사용할 수 있으며, 구리, 알루미늄, 니켈, 바나듐, 타이타늄, 크로뮴, 코발트, 금, 텅스텐, 및, 이들 금속을 포함하는 합금이 예시되고, 구리 및 알루미늄이 보다 바람직하며, 구리가 더 바람직하다.
금속층의 형성 방법은, 특별히 한정 없이, 기존의 방법을 적용할 수 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2007-157879호, 일본 공표특허공보2001-521288호, 일본 공개특허공보 2004-214501호, 일본 공개특허공보 2004-101850호에 기재된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피, 리프트 오프, 전해 도금, 무전해 도금, 에칭, 인쇄, 및 이들을 조합한 방법 등이 생각된다. 보다 구체적으로는, 스퍼터링, 포토리소그래피 및 에칭을 조합한 패터닝 방법, 포토리소그래피와 전해 도금을 조합한 패터닝 방법을 들 수 있다.
금속층의 두께로서는, 가장 후육(厚肉)의 부분에서, 0.01~100μm를 예로서 들 수 있으며, 0.1~50μm가 바람직하고, 1~10μm가 보다 바람직하다.
<적층 공정>
본 발명의 제조 방법은, 적층 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
적층 공정이란, 경화막(수지층) 또는 금속층의 표면에, 재차, (a) 막형성 공정(층형성 공정), (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (d) 가열 공정을, 이 순서로 행하는 것을 포함하는 일련의 공정이다. 단, (a)의 막형성 공정만을 반복하는 양태여도 된다.
또, (d) 가열 공정은 적층의 마지막 또는 중간에 일괄적으로 행하는 양태로 해도 된다. 즉, (a)~(c)의 공정을 소정의 횟수 반복하여 행하고, 그 후에 (d)의 가열을 함으로써, 적층된 경화성 수지 조성물층을 일괄적으로 경화하는 양태로 해도 된다. 또, (c) 현상 공정 후에는 (e) 금속층 형성 공정을 포함해도 되고, 이 때에도 그 때마다 (d)의 가열을 행해도 되고, 소정 횟수 적층시킨 후에 일괄적으로 (d)의 가열을 행해도 된다. 적층 공정에는, 또한, 상기 건조 공정이나 가열 공정 등을 적절히 포함하고 있어도 되는 것은 말할 것도 없다.
적층 공정 후, 추가로, 적층 공정을 행하는 경우에는, 상기 가열 공정 후, 상기 노광 공정 후, 또는, 상기 금속층 형성 공정 후에, 추가로, 표면 활성화 처리 공정을 행해도 된다. 표면 활성화 처리로서는, 플라즈마 처리가 예시된다.
상기 적층 공정은, 2~5회 행하는 것이 바람직하고, 3~5회 행하는 것이 보다 바람직하다. 또, 적층 공정에 있어서의 각층은, 조성, 형상, 막두께 등이 동일한 층이어도 되고, 상이한 층이어도 된다.
예를 들면, 수지층/금속층/수지층/금속층/수지층/금속층과 같은, 수지층을 2층 이상 20층 이하로 하는 구성을 예로서 들 수 있으며, 수지층이 3층 이상 7층 이하인 구성이 바람직하고, 3층 이상 5층 이하가 더 바람직하다.
<표면 활성화 처리 공정>
본 발명의 경화막의 제조 방법은, 상기 금속층 및 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 표면 활성화 처리하는, 표면 활성화 처리 공정을 포함해도 된다.
표면 활성화 처리 공정은, 통상, 금속층 형성 공정 후에 행하지만, 상기 노광 현상 공정 후, 감광성 수지 조성물층에 표면 활성화 처리 공정을 행하고 나서, 금속층 형성 공정을 행해도 된다.
표면 활성화 처리는, 금속층의 적어도 일부에만 행해도 되고, 노광 후의 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부에만 행해도 되며, 금속층 및 노광 후의 감광성 수지 조성물층의 양방에 대하여, 각각, 적어도 일부에 행해도 된다. 표면 활성화 처리는, 금속층의 적어도 일부에 대하여 행하는 것이 바람직하고, 금속층 중, 표면에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 영역의 일부 또는 전부에 표면 활성화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 금속층의 표면에 표면 활성화 처리를 행함으로써, 그 표면에 마련되는 수지층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또, 표면 활성화 처리는, 노광 후의 감광성 수지 조성물층(수지층)의 일부 또는 전부에 대해서도 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 감광성 수지 조성물층의 표면에 표면 활성화 처리를 행함으로써, 표면 활성화 처리한 표면에 마련되는 금속층이나 수지층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
표면 활성화 처리로서는, 구체적으로는, 각종 원료 가스(산소, 수소, 아르곤, 질소, 질소/수소 혼합 가스, 아르곤/산소 혼합 가스 등)의 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, CF4/O2, NF3/O2, SF6, NF3, NF3/O2에 의한 에칭 처리, 자외선(UV) 오존법에 의한 표면 처리, 염산 수용액에 침지하여 산화 피막을 제거한 후에 아미노기와 싸이올기를 적어도 1종 갖는 화합물을 포함하는 유기 표면 처리제에 대한 침지 처리, 브러시를 이용한 기계적인 조면화(粗面化) 처리로부터 선택되며, 플라즈마 처리가 바람직하고, 특히 원료 가스에 산소를 이용한 산소 플라즈마 처리가 바람직하다. 코로나 방전 처리의 경우, 에너지는, 500~200,000J/m2가 바람직하고, 1,000~100,000J/m2가 보다 바람직하며, 10,000~50,000J/m2가 가장 바람직하다.
본 발명에서는 특히, 금속층을 마련한 후, 또한, 상기 금속층을 덮도록, 상기 경화성 수지 조성물의 경화막(수지층)을 형성하는 양태가 바람직하다. 구체적으로는, (a) 막형성 공정, (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (e) 금속층 형성 공정, (d) 가열 공정의 순서로 반복하는 양태, 또는, (a) 막형성 공정, (b) 노광 공정, (c) 현상 공정, (e) 금속층 형성 공정의 순서로 반복하고, 마지막 또는 중간에 일괄적으로 (d) 가열 공정을 마련하는 양태를 들 수 있다. 경화성 수지 조성물층(수지층)을 적층하는 적층 공정과, 금속층 형성 공정을 번갈아 행함으로써, 경화성 수지 조성물층(수지층)과 금속층을 번갈아 적층할 수 있다.
본 발명은, 본 발명의 경화막 또는 적층체를 포함하는 반도체 디바이스도 개시한다. 본 발명의 경화성 수지 조성물을 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용한 반도체 디바이스의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0213~0218의 기재 및 도 1의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.
(수지)
본 발명의 수지는, 상술한 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 상술한 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 일방을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 수지는, 상술한 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 상술한 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 일방을 포함하는 것 이외에는, 상술한 특정 수지와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
<용도>
본 발명의 수지는, 경화성 수지 조성물에 포함되는 수지로서 이용되는 것이 바람직하다.
또, 예를 들면 층간 절연막용의 조성물 등, 종래의 폴리이미드가 이용되는 조성물에 있어서, 특별히 제한 없이, 종래의 폴리이미드의 일부 또는 전부를 본 발명의 수지로 치환하여 이용할 수 있다.
본 발명의 수지는 내약품성이 우수하기 때문에, 본 발명의 수지는, 예를 들면, 절연막을 형성하기 위한 조성물, 적층체를 형성하기 위한 조성물 등의, 내약품성이 필요하게 되는 용도에 이용되는 조성물에 있어서, 적합하게 이용된다고 생각된다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 적절히, 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 이하, "부", "%"는 특별히 설명하지 않는 한, 질량 기준이다.
(특정 수지의 합성)
<다이아민의 합성>
〔다이나이트로체 (A-1)의 합성〕
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크 중에서, 메타크릴산 2-하이드록시에틸(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 26.0g(0.2몰), 탈수 피리딘(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 17.4g(0.22몰)을 78g의 아세트산 에틸에 용해하여, 5℃ 이하로 냉각했다. 이어서, 3,5-다이나이트로벤조일 클로라이드(도쿄 가세이 고교(주)제) 48.4g(0.21몰)을 145g의 아세트산 에틸에 용해하고, 이 용액을 적하 깔때기를 사용하여, 1시간 동안 플라스크 중에 적하했다. 적하 종료 후, 10℃ 이하에서 30분 교반하고, 25℃로 승온하여, 3시간 교반했다. 이어서, 반응액을 아세트산 에틸(CH3COOEt) 600mL로 희석하여, 분액 깔때기로 옮기고, 물 300mL, 포화 중조수 300mL, 희염산 300mL, 포화 식염수로 순서대로 세정했다. 분액 세정 후, 황산 마그네슘 30g으로 건조 후, 이배퍼레이터를 이용하여 농축, 진공 건조하여, 다이나이트로체 (A-1)을 61.0g 얻었다. 다이나이트로체 (A-1)인 것은 NMR 스펙트럼으로부터 확인했다. 다이나이트로체 (A-1)에 대하여 1H-NMR에 의한 분석을 행했다. 그 결과를 이하에 나타낸다.
1H-NMR 데이터(중클로로폼, 400MHz, 내부 표준: 테트라메틸실레인)δ(ppm)=1.97(s, 3H), 4.55-4.57(m, 2H), 4.70-4.73(m, 2H), 5.63(s, 1H), 6.16(s, 1H), 9.16-9.17(d, 2H), 9.24-9.25(d, 1H)
동일하게 하여, 후술하는 구조의 다이나이트로체 (A-2)~(A-9)를 합성했다.
〔다이아민 (AA-1)의 합성〕
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 환원 철(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 27.9g(500밀리몰), 염화 암모늄(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 5.9g(110밀리몰), 아세트산(후지필름 와코 준야쿠(주)제) 3.0g(50밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.03g을 칭량하고, 아이소프로필알코올(IPA) 200mL, 순수 30mL를 첨가하여, 교반했다.
이어서, 다이나이트로체 (A-1) 16.2g을 소량씩 1시간 동안 첨가하여, 30분 교반했다. 다음으로, 외온을 85℃로 승온하여, 2시간 교반하고, 25℃ 이하로 냉각한 후, 세라이트(등록 상표)를 사용하여 여과했다. 여과액을 로터리 이배퍼레이터로 농축하여, 아세트산 에틸 800mL에 용해했다. 이것을 분액 깔때기로 옮겨, 포화 중조수 300mL로 2회 세정하고, 물 300mL, 포화 식염수 300mL로 순서대로 세정했다. 분액 세정 후, 황산 마그네슘 30g으로 건조 후, 이배퍼레이터를 이용하여 농축, 진공 건조하여, 다이아민 (AA-1)을 11.0g 얻었다. 다이아민 (AA-1)인 것은 NMR 스펙트럼으로부터 확인했다.
1H-NMR 데이터(중클로로폼, 400MHz, 내부 표준: 테트라메틸실레인)δ(ppm)=1.95(s, 3H), 3.68(s, 4H), 4.45-4.47(m, 2H), 4.50-4.53(m, 2H), 5.58(s, 1H), 6.14(s, 1H), 6.19-6.20(t, 1H), 6.77-6.78(d, 2H)
동일하게 하여, 다이나이트로체 (A-1) 대신에 다이나이트로체 (A-2)~(A-9)를 이용함으로써, 하기 구조의 다이아민 (AA-2)~(AA-9)를 합성했다.
[화학식 62]
Figure pct00064
[화학식 63]
Figure pct00065
[화학식 64]
Figure pct00066
<카복실산 이무수물의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 무수 트라이멜리트산 클로라이드(도쿄 가세이 고교(주)제) 18.5g(0.88몰)을 아세트산 에틸 200g에 용해하고, -10℃ 이하로 냉각했다. 이어서, 다이아민 (AA-1) 10.6g(40밀리몰), 피리딘 7.12g(90밀리몰)을 아세트산 에틸 60g에 용해하고, 이것을 1시간 동안 적하했다. 적하 후, -10℃ 이하에서 1시간, 25℃에서 1시간 교반했다. 이어서, 아세트산 에틸 500mL, 및, 물 300mL를 첨가하여, 10분간 교반한 후, 이것을 분액 깔때기로 옮겨, 300mL의 물로 세정한 후, 200mL의 포화 중조 수용액으로 2회 세정하고, 200mL의 희염산 수용액, 포화 식염수의 순서로 세정했다. 이것을 황산 마그네슘으로 건조하여, 이배퍼레이터로 농축 후, 아세트산 에틸 용액을 헥세인에 정석(晶析)했다. 이것을 여과, 진공 건조하여, 무수물 (MA-1) 20.0g 얻었다. 무수물 (MA-1)인 것은 NMR 스펙트럼으로부터 확인했다. 무수물 (MA-1)에 대하여 1H-NMR에 의한 분석을 행한 결과를 이하에 나타낸다.
1H-NMR 데이터(중다이메틸설폭사이드(DMSO), 400MHz, 내부 표준: 테트라메틸실레인)
δ(ppm)=1.88(s, 3H), 4.44-4.47(q, 2H), 4.60-4.62(q, 2H), 5.70(s, 2H), 6.06(s, 1H), 8.23-8.26(m, 4H), 8.52-8.54(d, 2H), 8.65(s, 2H), 8.82-8.83(t, 1H), 10.98(s, 2H)
동일하게 하여, 무수물 (MA-1)의 합성에 있어서, 다이아민 (AA-1) 대신에 다이아민 (AA-2)~(AA-7)을 이용함으로써, 하기 구조의 무수물 (MA-2)~(MA-7)을 합성했다.
무수물 (MA-1)의 합성에 있어서, 다이아민 (AA-1) 대신에 4,4'-다이아미노벤즈아닐라이드를 이용함으로써 무수물 (MA-8)을 합성했다.
무수물 (MA-1)의 합성에 있어서, 다이아민 (AA-1) 대신에 하기 구조의 다이아민 (AA-10)을 이용함으로써 무수물 (MA-9)를 합성했다.
다이아민 (AA-10)은, 다이아민 (AA-1)과 4-나이트로벤조일 클로라이드를 반응시킴으로써 다이나이트로체 (A-10)을 제작한 후, 상기 다이나이트로체 (A-10)을, 다이나이트로체 (A-1)로부터 다이아민 (AA-1)을 합성하는 경우와 동일한 방법에 의하여 환원하여 합성했다.
무수물 (MA-1)의 합성에 있어서, 다이아민 (AA-1) 대신에 다이아민 (AA-8) 또는 (AA-9)를 이용함으로써, 하기 구조의 (MA-10) 및 (MA-11)을 각각 합성했다.
[화학식 65]
Figure pct00067
[화학식 66]
Figure pct00068
[화학식 67]
Figure pct00069
[화학식 68]
Figure pct00070
[화학식 69]
Figure pct00071
<폴리이미드 수지 PI-1의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-1) 11.0g(18밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 40.0g에 용해했다. 이어서, 다이아민 (AA-1) 4.76g(18밀리몰) 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 5.69g(72밀리몰), 무수 아세트산 4.59g(45밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 37.7g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 수지 PI-1을 얻었다. PI-1의 분자량은, Mw(중량 평균 분자량)=62,100, Mn(수평균 분자량)=22,900이었다.
PI-1의 구조는 하기 식 (PI-1)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 70]
Figure pct00072
<폴리이미드 수지 PI-2의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-2) 9.73g(18밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 40.0g에 용해했다. 이어서, 다이아민 (AA-4) 5.01g(18밀리몰) 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 5.69g(72밀리몰), 무수 아세트산 4.59g(45밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 34.4g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 수지 PI-2를 얻었다. PI-2의 분자량은, Mw=74,200, Mn=29,000이었다.
PI-2의 구조는 하기 식 (PI-2)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 71]
Figure pct00073
<폴리이미드 수지 PI-3의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-3) 9.45g(18밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 40.0g에 용해했다. 이어서, 다이아민 (AA-6) 8.27g(18밀리몰) 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 5.69g(72밀리몰), 무수 아세트산 4.59g(45밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 41.5g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 수지 PI-3을 얻었다. PI-3의 분자량은, Mw=81,000, Mn=32,700이었다.
PI-3의 구조는 하기 식 (PI-3)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 72]
Figure pct00074
<폴리이미드 수지 PI-4의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-1) 11.0g(18밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 40.0g에 용해했다. 이어서, 다이아민 (AA-4) 5.01g(18밀리몰) 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 5.69g(72밀리몰), 무수 아세트산 4.59g(45밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 41.5g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 수지 PI-4를 얻었다. PI-4의 분자량은, Mw=81,000, Mn=32,700이었다.
PI-4의 구조는 하기 식 (PI-4)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 73]
Figure pct00075
<폴리이미드 수지 PI-5의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-1) 11.0g(18밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 40.0g에 용해했다. 이어서, 다이아민 (AA-7) 3.75g(18밀리몰) 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 5.69g(72밀리몰), 무수 아세트산 4.59g(45밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 37.7g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 수지 PI-5를 얻었다. PI-5의 분자량은, Mw=32,600, Mn=14,100이었다.
PI-5의 구조는 하기 식 (PI-5)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 74]
Figure pct00076
<폴리이미드 수지 PI-6의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-9) 15.31g(18밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 40.0g에 용해했다. 이어서, 다이아민 (AA-6) 7.81g(17밀리몰) 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 5.69g(72밀리몰), 무수 아세트산 4.59g(45밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 41.5g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 수지 PI-6을 얻었다. PI-6의 분자량은, Mw=28,400, Mn=11,300이었다.
PI-6의 구조는 하기 식 (PI-6)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 75]
Figure pct00077
<폴리이미드 수지 PI-7의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-10) 11.5g(18밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.02g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 40.0g에 용해했다. 이어서, 다이아민 (AA-1) 4.76g(18밀리몰) 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 5.69g(72밀리몰), 무수 아세트산 4.59g(45밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 37.7g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 수지 PI-7을 얻었다. PI-7의 분자량은, Mw(중량 평균 분자량)=35,500, Mn(수평균 분자량)=13,900이었다.
PI-7의 구조는 하기 식 (PI-7)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 76]
Figure pct00078
<폴리이미드 전구체 수지 PA-1의 합성예>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-1) 29.3g(47.8밀리몰)을 다이글라임 100g 중에 현탁시켰다. 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터 13.4g(100밀리몰), 피리딘 16.8g(132밀리몰)을 계속해서 첨가하여, 60℃의 온도에서 5시간 교반했다. 이어서, 혼합물을 -20℃까지 냉각한 후, 염화 싸이온일 11.9g(100밀리몰)을 90분 동안 적하했다. 피리디늄하이드로 클로라이드의 백색 침전이 얻어졌다. 이어서, 혼합물을 실온까지 가온하여, 2시간 교반한 후, N-메틸피롤리돈(NMP) 30mL를 첨가하고, 다이아민 (AA-1) 11.9g(45밀리몰)을 N-메틸피롤리돈(NMP) 80mL 중에 용해시킨 것을, 1시간 동안 적하에 의하여 첨가했다. 상기 다이아민을 첨가하고 있는 동안, 점도가 증가했다. 이어서, 메탄올 6.0g(188밀리몰)과 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.05g을 더하여, 혼합물을 2시간 교반했다. 이어서, 5리터의 물 속에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 물 속에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하에서, 45℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 전구체 PA-1을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 PA-1의 분자량은, Mw=30,600, Mn=13,500이었다.
PA-1의 구조는 하기 식 (PA-1)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 77]
Figure pct00079
<폴리이미드 전구체 수지 PA-2의 합성예>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-1) 29.3g(47.8밀리몰)을 다이글라임 100g 중에 현탁시켰다. 트라이플루오로-1-프로판올 8.56g(75밀리몰), 메타크릴산 2-하이드록시에틸 3.25g(25밀리몰) 피리딘 16.8g(132밀리몰)을 계속해서 첨가하여, 60℃의 온도에서 5시간 교반했다. 이어서, 혼합물을 -20℃까지 냉각한 후, 염화 싸이온일 11.9g(100밀리몰)을 90분 동안 적하했다. 피리디늄하이드로 클로라이드의 백색 침전이 얻어졌다. 이어서, 혼합물을 실온까지 가온하여, 2시간 교반한 후, N-메틸피롤리돈(NMP) 30mL를 첨가하여, 다이아민 (AA-1) 11.9g(45밀리몰)을 N-메틸피롤리돈(NMP) 80mL 중에 용해시킨 것을, 1시간 동안 적하에 의하여 첨가했다. 상기 다이아민을 첨가하고 있는 동안, 점도가 증가했다. 이어서, 메탄올 6.0g(188밀리몰)과 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.05g을 더하여, 혼합물을 2시간 교반했다. 이어서, 5리터의 물 속에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 물 속에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하에서, 45℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 전구체 PA-2를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 PA-2의 분자량은, Mw=28,300, Mn=12,900이었다.
PA-2의 구조는 하기 식 (PA-2)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
식 (PA-2) 중, *는 R1이 결합하는 산소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.
[화학식 78]
Figure pct00080
<폴리이미드 전구체 수지 PA-3의 합성예>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 다이아민 (AA-4) 12.5g(45밀리몰), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.05g을 N-메틸피롤리돈(NMP) 122g 용해시켰다. 이어서, 무수물 (MA-4) 28.2g(45밀리몰)을 첨가하여, 25℃에서 5시간 교반했다. 이어서, N-메틸피롤리돈(NMP) 40g을 첨가한 후, 3리터의 물 속에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 물 속에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 전구체 PA-3을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 PA-3의 분자량은, Mw=50,300, Mn=21,500이었다.
PA-3의 구조는 하기 식 (PA-3)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 79]
Figure pct00081
<폴리이미드 전구체 수지 PA-4의 합성예>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-1) 29.3g(47.8밀리몰)을 다이글라임 100g 중에 현탁시켰다. 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터 13.4g(100밀리몰), 피리딘 16.8g(132밀리몰)을 계속해서 첨가하여, 60℃의 온도에서 5시간 교반했다. 이어서, 혼합물을 -20℃까지 냉각한 후, 염화 싸이온일 11.9g(100밀리몰)을 90분 동안 적하했다. 피리디늄하이드로 클로라이드의 백색 침전이 얻어졌다. 이어서, 혼합물을 실온까지 가온하여, 2시간 교반한 후, N-메틸피롤리돈(NMP) 30mL를 첨가하여, 다이아민 (AA-7) 9.37g(45밀리몰)을 N-메틸피롤리돈(NMP) 80mL 중에 용해시킨 것을, 1시간 동안 적하에 의하여 첨가했다. 상기 다이아민을 첨가하고 있는 동안, 점도가 증가했다. 이어서, 메탄올 6.0g(188밀리몰)과 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.05g을 더하여, 혼합물을 2시간 교반했다. 이어서, 5리터의 물 속에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 물 속에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하에서, 45℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 전구체 PA-4를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 PA-4의 분자량은, Mw=21,900, Mn=10,100이었다.
PA-4의 구조는 하기 식 (PA-4)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 80]
Figure pct00082
<폴리이미드 전구체 수지 PA-5의 합성예>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-9) 40.7g(47.8밀리몰)을 다이글라임 180g 중에 현탁시켰다. 트라이에틸렌글라이콜모노메틸에터 16.4g(100밀리몰), 피리딘 16.8g(132밀리몰)을 계속해서 첨가하여, 60℃의 온도에서 5시간 교반했다. 이어서, 혼합물을 -20℃까지 냉각한 후, 염화 싸이온일 11.9g(100밀리몰)을 90분 동안 적하했다. 피리디늄하이드로 클로라이드의 백색 침전이 얻어졌다. 이어서, 혼합물을 실온까지 가온하여, 2시간 교반한 후, N-메틸피롤리돈(NMP) 50mL를 첨가하여, 다이아민 (AA-1) 11.89g(45밀리몰)을 N-메틸피롤리돈(NMP) 100mL 중에 용해시킨 것을, 1시간 동안 적하에 의하여 첨가했다. 상기 다이아민을 첨가하고 있는 동안, 점도가 증가했다. 이어서, 메탄올 6.0g(188밀리몰)과 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.05g을 더하여, 혼합물을 2시간 교반했다. 이어서, 5리터의 물 속에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 물 속에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하에서, 45℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 전구체 PA-5를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 PA-5의 분자량은, Mw=28,000, Mn=13,500이었다.
PA-5의 구조는 하기 식 (PA-5)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 81]
Figure pct00083
<폴리이미드 전구체 수지 PA-6의 합성예>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (MA-11) 29.5g(47.8밀리몰)을 다이글라임 100g 중에 현탁시켰다. 에탄올 4.61g(100밀리몰), 피리딘 16.8g(132밀리몰)을 계속해서 첨가하여, 60℃의 온도에서 5시간 교반했다. 이어서, 혼합물을 -20℃까지 냉각한 후, 염화 싸이온일 11.9g(100밀리몰)을 90분 동안 적하했다. 피리디늄하이드로 클로라이드의 백색 침전이 얻어졌다. 이어서, 혼합물을 실온까지 가온하여, 2시간 교반한 후, N-메틸피롤리돈(NMP) 30mL를 첨가하고, 다이아민 (AA-1) 11.9g(45밀리몰)을 N-메틸피롤리돈(NMP) 80mL 중에 용해시킨 것을, 1시간 동안 적하에 의하여 첨가했다. 상기 다이아민을 첨가하고 있는 동안, 점도가 증가했다. 이어서, 메탄올 6.0g(188밀리몰)과 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.05g을 더하여, 혼합물을 2시간 교반했다. 이어서, 5리터의 물 속에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 물 속에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하에서, 45℃에서 1일 건조하여, 폴리이미드 전구체 PA-6을 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 PA-6의 분자량은, Mw=25,100, Mn=10,500이었다.
PA-6의 구조는 하기 식 (PA-6)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
[화학식 82]
Figure pct00084
<비교예용 폴리이미드 P-1의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 하기 식 (a-1)로 나타나는 무수물 (a-1) 11.4g(25밀리몰)을 N-메틸피롤리돈(NMP) 33.1g에 용해했다. 이어서, 1,3-페닐렌다이아민(도쿄 가세이 고교(주)제) 2.70g(25밀리몰)을 첨가하여, 25℃에서 3시간 교반하고, 45℃에서 3시간 더 교반했다. 이어서, 피리딘 7.50g(94.8밀리몰), 무수 아세트산 6.38g(62밀리몰), N-메틸피롤리돈(NMP) 20.0g 첨가하여, 80℃에서, 3시간 교반하고, N-메틸피롤리돈(NMP) 50g을 더하여, 희석했다.
이 반응액을, 1.2리터의 메탄올 중에서 침전시켜, 3,000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 수지를 여과하여 취득하고, 1리터의 메탄올 중에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 얻어진 수지를 감압하에서, 40℃에서 1일 건조하여, 비교예용 폴리이미드 P-1을 얻었다. P-1의 분자량은, Mw=74,300, Mn=30,100이었다.
P-1의 구조는 하기 식 (P-1)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
P-1은, 식 (1-1)에 있어서의 L11에 해당하는 위치에 중합성기를 갖지 않기 때문에, 특정 수지에는 해당하지 않는다.
[화학식 83]
Figure pct00085
[화학식 84]
Figure pct00086
<비교예용 폴리이미드 전구체 P-2의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 무수물 (a-1) 21.8g(47.8밀리몰)을 다이글라임 100g 중에 현탁시켰다. 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터 13.4g(100밀리몰), 피리딘 16.8g(132밀리몰)을 계속해서 첨가하여, 60℃의 온도에서 5시간 교반했다. 이어서, 혼합물을 -20℃까지 냉각한 후, 염화 싸이온일 11.9g(100밀리몰)을 90분 동안 적하했다. 피리디늄하이드로 클로라이드의 백색 침전이 얻어졌다. 이어서, 혼합물을 실온까지 가온하여, 2시간 교반한 후, N-메틸피롤리돈(NMP) 30mL를 첨가하여, 1,3-페닐렌다이아민(도쿄 가세이 고교(주)제) 4.87(45밀리몰)을 NMP 50mL 중에 용해시킨 것을, 1시간 동안 적하에 의하여 첨가했다. 상기 다이아민을 첨가하고 있는 동안, 점도가 증가했다. 이어서, 메탄올 6.0g(188밀리몰)과 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리 라디칼(도쿄 가세이 고교(주)제) 0.05g을 더하여, 혼합물을 2시간 교반했다. 이어서, 5리터의 물 속에서 폴리이미드 전구체 수지를 침전시키고, 물-폴리이미드 전구체 수지 혼합물을 500rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체 수지를 여과하여 취득하고, 4리터의 물 속에서 재차 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체 수지를 감압하에서, 45℃에서 1일 건조하여, 비교예용 폴리이미드 P-2를 얻었다. 이 폴리이미드 전구체 P-2의 분자량은, Mw=26,300, Mn=12,100이었다.
P-2의 구조는 하기 식 (P-2)에 의하여 나타나는 구조라고 추측된다.
P-2는, 식 (1-2)에 있어서의 L21에 해당하는 위치에 중합성기를 갖지 않기 때문에, 특정 수지에는 해당하지 않는다.
[화학식 85]
Figure pct00087
<비교예용 폴리이미드 전구체 P-3의 합성>
콘덴서 및 교반기를 장착한 플라스크에, 수분을 제거하면서, 1,12-도데케인다이아민 2.31g(12.5mmol), 4,4'-다이아미노다이페닐설폰 1.41g(5.7mmol) 및 N-메틸피롤리돈 5.0g을 더하여 실온에서 15분간 교반했다. 다음으로, 1,10-(데카메틸렌)비스트라이멜리테이트 이무수물 10.00g(19.1mmol) 및 N-메틸피롤리돈 10.00g의 혼합 용액을 15분 동안 첨가했다. 첨가 종료 후, 얻어진 혼합액을 60℃까지 승온하여, 8시간 교반함으로써, 비교예용 폴리이미드 전구체 P-3의 NMP 용액을 얻었다. 얻어진 용액 중의 고형분은 40질량%이며, P-3의 Mw는 42,000, Mn=20,000이었다.
P-3은, 식 (1-2)에 있어서의 L21에 해당하는 위치에 중합성기를 갖지 않기 때문에, 특정 수지에는 해당하지 않는다.
[화학식 86]
Figure pct00088
<실시예 및 비교예>
각 실시예에 있어서, 각각, 하기 표 1에 기재된 성분을 혼합하여, 각 경화성 수지 조성물을 얻었다. 또, 각 비교예에 있어서, 각각, 하기 표 1에 기재된 성분을 혼합하여, 각 비교용 조성물을 얻었다. 얻어진 경화성 수지 조성물 및 비교용 조성물을, 미세 구멍의 폭이 0.8μm인 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 통과시켜 가압 여과했다.
표 1 중, "질량부"란의 수치는 각 성분의 함유량(질량부)을 나타내고 있다.
표 1 중, 예를 들면, "종류"란의 "PA-1/PI-1", "질량부"란의 "18/14" 등의 기재는, PA-1을 18질량부, PI-1을 14질량부 각각 사용한 것을 나타내고 있다.
또, 표 1 중, "-"의 기재는 해당하는 성분을 함유하고 있지 않은 것을 나타내고 있다.
[표 1]
Figure pct00089
표 1에 기재한 각 성분의 상세는 하기와 같다.
〔수지(특정 수지 또는 비교용 수지)〕
·PI-1~PI-7: 상기에서 합성한 폴리이미드 수지 PI-1~PI-7
·PA-1~PA-6: 상기에서 합성한 폴리이미드 전구체 수지 PA-1~PA-6
·P-1~P-3: 상기에서 합성한 비교용 폴리이미드 P-1, 비교용 폴리이미드 전구체 P-2~P-3
〔용제〕
·DMSO: 다이메틸설폭사이드
·GBL: γ-뷰티로락톤
·EL: 락트산 에틸
·NMP: N-메틸피롤리돈
표 1 중, DMSO/GBL의 기재는, DMSO와 GBL을 DMSO:GBL=20:80(질량비)의 비율로 혼합하여 이용한 것을 나타내고 있다.
표 1 중, NMP/EL의 기재는, NMP와 EL을 NMP:EL=80:20(질량비)의 비율로 혼합하여 이용한 것을 나타내고 있다.
〔광중합 개시제〕
·OXE-01: IRGACURE OXE 01(BASF사제)
·OXE-02: IRGACURE OXE 02(BASF사제)
〔중합성 화합물〕
·SR-209: SR-209(사토머사제)
·SR-231: SR-231(사토머사제)
·ADPH: 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(신나카무라 가가쿠 고교사제)
〔중합 금지제〕
·F-1: 1,4-벤조퀴논
·F-2: 4-메톡시페놀
·F-3: 1,4-다이하이드록시벤젠
·F-4: 2-나이트로소-1-나프톨(도쿄 가세이 고교(주)제)
〔금속 접착성 개량제〕
·G-1~G-4: 하기 구조의 화합물. 이하의 구조식 중, Et는 에틸기를 나타낸다.
[화학식 87]
Figure pct00090
〔마이그레이션 억제제〕
·H-1: 1H-테트라졸
·H-2: 1,2,4-트라이아졸
·H-3: 5-페닐테트라졸
〔오늄염 또는 열염기 발생제〕
·I-1: 하기 구조의 화합물
[화학식 88]
Figure pct00091
〔첨가제〕
·J-1: N-페닐다이에탄올아민(도쿄 가세이 고교(주)제)
<평가>
〔내약품성의 평가〕
각 실시예 및 비교예에 있어서 조제한 각 경화성 수지 조성물 또는 비교용 조성물을, 각각, 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법에 의하여 적용하여, 경화성 수지 조성물층을 형성했다.
얻어진 경화성 수지 조성물층을 적용한 실리콘 웨이퍼를 핫플레이트 상에서, 100℃에서 5분간 건조하고, 실리콘 웨이퍼 상에 15μm의 균일한 두께의 경화성 수지 조성물층을 형성했다. 실리콘 웨이퍼 상의 경화성 수지 조성물층을, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여, 500mJ/cm2의 노광 에너지로 전면(全面) 노광하고, 노광한 경화성 수지 조성물층(수지층)을, 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온하여, 표 1의 "경화 조건"란에 기재된 온도에서 180분간 가열하여, 경화성 수지 조성물층의 경화층(수지층)을 얻었다.
얻어진 수지층에 대하여 하기의 약액에 하기의 조건에서 침지하여, 용해 속도를 산정했다.
약액: 다이메틸설폭사이드(DMSO)와 25질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액의 90:10(질량비)의 혼합물
평가 조건: 약액 중에 수지층을 75℃에서 15분간 침지하고 침지 전후의 막두께를 비교하여, 용해 속도(nm/분)를 산출했다.
평가는 하기 평가 기준에 따라 행하고, 평가 결과는 표 1의 "내약품성"란에 기재했다. 용해 속도가 작을수록, 내약품성이 우수하다고 할 수 있다.
-평가 기준-
A: 용해 속도가 200nm/분 미만이었다.
B: 용해 속도가 200nm/분 이상 300nm/분 미만이었다.
C: 용해 속도가 300nm/분 이상 400nm/분 미만이었다.
D: 용해 속도가 400nm/분 이상이었다.
〔현상액 용해성(현상성) 평가〕
현상액 용해성 평가는, 이하와 같이 하여 실시했다.
각 실시예 및 비교예에 있어서 조제한 각 경화성 수지 조성물 또는 비교용 조성물을, 각각, 스핀 코트법으로 실리콘 웨이퍼 상에 적용하여 경화성 수지 조성물층을 형성했다.
얻어진 경화성 수지 조성물층을 적용한 실리콘 웨이퍼를 핫플레이트 상에서, 100℃에서 5분간 건조하고, 실리콘 웨이퍼 상에 35μm의 두께가 균일한 경화성 수지 조성물층을 얻었다.
실리콘 웨이퍼 상의 경화성 수지 조성물층을, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여, 500mJ/cm2의 노광 에너지로 i선에 의하여 노광했다. 상기 노광은, 폭 50μm, 폭 70μm, 또는, 폭 100μm의 1:1 라인 앤드 스페이스 패턴이 형성된 바이너리 마스크를 이용하여 행했다.
상기 노광 후의 경화성 수지 조성물층에 대하여, 표 1의 "현상 방법(현상액)"란에 "용제"라고 기재된 예에 있어서는, 노광 후의 경화성 수지 조성물층에 대하여 현상액으로서 30℃의 사이클로펜탄온을 이용한 현상을 행하여, PGMEA(프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트)에 의한 린스를 행했다.
표 1의 "현상 방법(현상액)"란에 "알칼리"라고 기재된 예에 있어서는, 노광 후의 경화성 수지 조성물층에 대하여, 현상액으로서 30℃의 2.38질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액을 이용한 현상을 행하고, 이온 교환수에 의한 린스를 행했다.
노광 시에 폭 100μm의 1:1 라인 앤드 스페이스(L/S) 패턴을 이용하여, 경화성 수지 조성물층의 두께를 35μm로 한 경우의 미노광부의 용해에 최저한 필요한 시간을 최소 현상 시간으로 하여, 하기 평가 기준에 따라 평가했다. 최소 현상 시간이 짧을수록, 현상액 용해성이 우수하다고 할 수 있다. 평가 결과는 표 1의 "현상성"란에 기재했다.
-평가 기준-
A: 상기 최소 현상 시간이 30초 이내였다.
B: 상기 최소 현상 시간이 30초 초과 60초 이내였다.
C: 상기 최소 현상 시간이 60초 초과 120초 이내였다.
D: 120초에 완전히 용해되지 않았다.
〔해상성 평가〕
각 실시예 또는 비교예에 있어서, 상기 현상액 용해성 평가와 동일한 방법에 의하여, 경화성 수지 조성물층을 갖는 구리 피복 적층판을 제작하고, 폭 70μm, 또는 폭 100μm의 1:1 라인 앤드 스페이스 패턴(L/S 패턴)을 이용한 노광을 행했다.
현상 시간을, 상기 현상액 용해성 평가에 있어서의, 최소 현상 시간의 2배의 시간의 현상 시간으로 한 것 이외에는, 상기 현상액 용해성 평가와 동일한 방법에 의하여 현상 처리 및 린스 처리를 실시한 후, 용해부의 구리면이 나타나 있는 부분을 관찰하여, 해상할 수 있었는지를 확인했다.
현상 후의 경화막의 패턴에 있어서의 용해부에 대하여 27점의 측정을 행하여, 하기 평가 기준에 따라 평가했다. 평가 결과는 표 1의 "해상성"란에 기재했다.
-평가 기준-
A: 모든 50μm의 L/S 패턴을 해상할 수 있었다.
B: 50μm에서는 하나 이상이 해상되지 않고, 모든 70μm의 L/S 패턴을 해상할 수 있었다.
C: 70μm의 L/S 패턴의 하나 이상이 완전히 해상되지 않고, 모든 100μm의 L/S 패턴을 해상할 수 있었다.
D: 100μm의 L/S 패턴의 하나 이상이 현상 잔사 등에 의하여, 완전히 해상되지 않았다.
이상의 결과로부터, 본 발명에 관한, 특정 수지를 포함하는 경화성 수지 조성물은, 내약품성이 우수한 것을 알 수 있다.
비교예 1~3에 관한 비교용 조성물은, 특정 수지를 함유하지 않는다. 이 비교예 1~3에 관한 비교용 조성물은, 내약품성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있다.
<실시예 101>
실시예 1에 기재된 경화성 수지 조성물을, 표면에 구리박층이 형성된 수지 기재에 있어서의 구리박층의 표면에 막두께가 20μm가 되도록 스피닝하여 도포했다. 수지 기재에 도포한 경화성 수지 조성물을, 100℃에서 2분간 건조한 후, 스테퍼(니콘제, NSR1505 i6)를 이용하여 노광했다. 노광은 정사각형 패턴(종횡 각 100μm의 정사각형 패턴, 반복수 10)의 마스크를 통하여, 파장 365nm에서 400mJ/cm2의 노광량으로 행하여 정사각형 네거티브 패턴을 제작했다. 노광 후, 사이클로펜탄온으로 30초간 현상하고, PGMEA로 20초간 린스하여, 패턴을 얻었다.
이어서, 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온시켜, 표 1의 실시예 1의 "경화 조건"란에 기재된 온도에 도달한 후, 이 온도로 3시간 가열하여, 재배선층용 층간 절연막을 형성했다. 이 재배선층용 층간 절연막은, 절연성이 우수했다. 또, 이들 재배선층용 층간 절연막을 사용하여 반도체 디바이스를 제조한 결과, 문제없이 동작하는 것을 확인했다.

Claims (14)

  1. 하기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 하기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 수지, 및,
    중합 개시제를 포함하는, 경화성 수지 조성물;
    [화학식 1]
    Figure pct00092

    식 (1-1) 중, R11은 아마이드 결합을 복수 갖는 4가의 기를 나타내고, L11은 중합성기를 포함하는 2가의 연결기를 나타낸다;
    식 (1-2) 중, R21은 아마이드 결합을 복수 갖는 4가의 기이며, L21은 중합성기를 포함하는 2가의 기를 나타내고, R22 및 R23은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지가, 상기 식 (1-1)로 나타나는 반복 단위로서 하기 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위를 갖거나, 또는, 상기 식 (1-2)로 나타나는 반복 단위로서 하기 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위를 갖는, 경화성 수지 조성물;
    [화학식 2]
    Figure pct00093

    식 (2-1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는, 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A1은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A2는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, n1 및 n2는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다;
    식 (2-2) 중, X3 및 X4는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A3은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A4는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, G1 및 G2는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, n3 및 n4는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 식 (2-1) 중의 X1 및 X2가 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기이며, 상기 식 (2-2) 중의 X3 및 X4가 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기인, 경화성 수지 조성물.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 식 (2-1) 중의 Y1이 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기이며, 상기 식 (2-2) 중의 Y2가 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인, 경화성 수지 조성물.
  5. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식 (2-1) 중의 Q1이 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기이며, 상기 식 (2-2) 중의 Q2가 방향족 탄화 수소기를 포함하는 기인, 경화성 수지 조성물.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    중합성 화합물을 더 포함하는, 경화성 수지 조성물.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 중합성 화합물로서, 다관능 중합성 화합물을 더 포함하는, 경화성 수지 조성물.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용되는, 경화성 수지 조성물.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막.
  10. 청구항 9에 기재된 경화막을 2층 이상 갖고, 상기 경화막끼리 중 어느 하나의 사이에 금속층을 갖는, 적층체.
  11. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 기판에 적용하여 막을 형성하는 막형성 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 막을 50~450℃에서 가열하는 공정을 포함하는, 경화막의 제조 방법.
  13. 청구항 9에 기재된 경화막 또는 청구항 10에 기재된 적층체를 포함하는, 반도체 디바이스.
  14. 식 (2-1)로 나타나는 반복 단위, 및, 식 (2-2)로 나타나는 반복 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 일방을 포함하는, 수지.
    [화학식 3]
    Figure pct00094

    식 (2-1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q1은 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A1은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A2는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, n1 및 n2는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다;
    식 (2-2) 중, X3 및 X4는 각각 독립적으로, 탄소수 6~30의 방향족 탄화 수소기, 탄소수 2~30의 환상, 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족기를 나타내고, Y2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내며, Q2는 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, A3은 중합성기, 지방족 탄화 수소기, 및, 폴리알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 포함하는 기를 나타내며, A4는 중합성기를 포함하는 기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내며, G1 및 G2는 각각 독립적으로, 탄소수 1~30의 유기기를 나타내고, n3 및 n4는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.
KR1020227017557A 2019-11-27 2020-11-26 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및, 수지 KR20220092913A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-214433 2019-11-27
JP2019214433 2019-11-27
PCT/JP2020/044050 WO2021107024A1 (ja) 2019-11-27 2020-11-26 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス、及び、樹脂

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220092913A true KR20220092913A (ko) 2022-07-04

Family

ID=76129615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227017557A KR20220092913A (ko) 2019-11-27 2020-11-26 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및, 수지

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP7319387B2 (ko)
KR (1) KR20220092913A (ko)
CN (1) CN114730132A (ko)
TW (1) TW202130701A (ko)
WO (1) WO2021107024A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116982003A (zh) * 2021-03-22 2023-10-31 日产化学株式会社 感光性树脂组合物
WO2023106108A1 (ja) * 2021-12-09 2023-06-15 日産化学株式会社 感光性樹脂組成物

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009251451A (ja) 2008-04-09 2009-10-29 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及び感光性エレメント

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000221681A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
JP2002014469A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性重合体組成物並びにこれを用いた電子部品及びその製造法
TWI758415B (zh) * 2017-02-20 2022-03-21 日商富士軟片股份有限公司 感光性樹脂組成物、含雜環聚合物前體、硬化膜、積層體、硬化膜的製造方法及半導體裝置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009251451A (ja) 2008-04-09 2009-10-29 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及び感光性エレメント

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023153860A (ja) 2023-10-18
JPWO2021107024A1 (ko) 2021-06-03
WO2021107024A1 (ja) 2021-06-03
JP7319387B2 (ja) 2023-08-01
TW202130701A (zh) 2021-08-16
CN114730132A (zh) 2022-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102627683B1 (ko) 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 처리액
JP2023153860A (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス、及び、樹脂
WO2021246459A1 (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス
KR20220123434A (ko) 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스
KR20220107008A (ko) 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스
WO2023032820A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、化合物
WO2022210532A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、ポリイミド前駆体及びその製造方法
WO2022210225A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス
WO2022172996A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、塩基発生剤
KR20230152722A (ko) 수지 조성물, 경화물, 적층체, 경화물의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스, 및, 화합물
WO2022145136A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、化合物
WO2022050041A1 (ja) 硬化物の製造方法、積層体の製造方法、及び、電子デバイスの製造方法
WO2022050278A1 (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、光塩基発生剤
KR20220123540A (ko) 경화성 수지 조성물, 수지막, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스
KR20220052342A (ko) 패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 적층체의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스의 제조 방법
KR20220086621A (ko) 패턴 형성 방법, 광경화성 수지 조성물, 적층체의 제조 방법, 및, 전자 디바이스의 제조 방법
JP7425088B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス、及び、樹脂
WO2022224838A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、半導体デバイス、及び、樹脂
KR20240036090A (ko) 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및, 처리액, 및, 수지 조성물
WO2023008001A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス
WO2023286571A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス
WO2022196524A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス
KR20240028462A (ko) 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 수지 조성물, 경화물, 적층체, 및, 반도체 디바이스
WO2022172962A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス、並びに、環化樹脂の前駆体
KR20240027107A (ko) 경화물의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 수지 조성물, 경화물, 적층체, 및, 반도체 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal