KR20220091266A - Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same - Google Patents

Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same Download PDF

Info

Publication number
KR20220091266A
KR20220091266A KR1020200182595A KR20200182595A KR20220091266A KR 20220091266 A KR20220091266 A KR 20220091266A KR 1020200182595 A KR1020200182595 A KR 1020200182595A KR 20200182595 A KR20200182595 A KR 20200182595A KR 20220091266 A KR20220091266 A KR 20220091266A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
resin composition
photosensitive resin
formula
alkali
Prior art date
Application number
KR1020200182595A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김정식
유진형
이현보
조승현
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020200182595A priority Critical patent/KR20220091266A/en
Priority to CN202111177474.XA priority patent/CN114660894A/en
Publication of KR20220091266A publication Critical patent/KR20220091266A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/06Silver salts
    • G03F7/063Additives or means to improve the lithographic properties; Processing solutions characterised by such additives; Treatment after development or transfer, e.g. finishing, washing; Correction or deletion fluids
    • G03F7/066Organic derivatives of bivalent sulfur, e.g. onium derivatives
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물(A), 알칼리 가용성 수지(B), 광중합성 화합물(C), 광중합 개시제(D), 및 용제(E)를 포함함으로써 기존의 에스테르 결합을 가지는 티올 화합물을 갖는 수지 조성물에 비하여 내수성, 내열성, 내알칼리성 및 내화학성이 더욱 우수한 특성을 나타낼 뿐 아니라, 보존안정성이 우수한 패턴을 제조할 수 있는 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thiol compound having an ester bond by including a thiol compound (A) containing an ether bond, an alkali-soluble resin (B), a photopolymerizable compound (C), a photoinitiator (D), and a solvent (E) It relates to a photosensitive resin composition capable of producing a pattern having excellent water resistance, heat resistance, alkali resistance and chemical resistance as well as excellent storage stability compared to a resin composition having .

Description

감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 표시장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOCURABLE PATTERN AND DISPLAY DEVICE FORMED FROM THE SAME}Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed therefrom

본 발명은 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photocurable pattern formed therefrom, and a display device.

디스플레이 분야에 있어서, 경화성 수지 조성물은 포토레지스트, 절연막, 보호막, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 등의 다양한 경화 패턴을 형성하기 위해 사용된다. 구체적으로, 경화성 수지 조성물은 포토리소그래피 공정에 의해 선택적으로 노광 및 현상되어 원하는 패턴을 형성하는데, 이 과정에서 공정상의 수율을 향상시키고, 적용 대상의 물성을 향상시키기 위해, 고감도를 가지는 경화성 수지 조성물이 요구되고 있다. 경화성 수지 조성물은 경화 기전에 따라 열경화성 수지 조성물과 광경화성인 감광성 수지 조성물로 나눌 수 있다.In the display field, the curable resin composition is used to form various cured patterns such as a photoresist, an insulating film, a protective film, a black matrix, and a column spacer. Specifically, the curable resin composition is selectively exposed and developed by a photolithography process to form a desired pattern. In this process, in order to improve the yield in the process and improve the physical properties of the target, the curable resin composition having high sensitivity is is being demanded The curable resin composition may be divided into a thermosetting resin composition and a photosensitive photosensitive resin composition according to a curing mechanism.

구체적으로, 감광성 수지 조성물의 패턴 형성은 포토리소그래피, 즉 광반응에 의해 일어나는 고분자의 극성변화 및 가교반응에 의한다. 특히, 상기 패턴 형성은 노광 후 알칼리 수용액 등의 용매에 대한 용해성의 변화 특성을 이용한다.Specifically, the pattern formation of the photosensitive resin composition is caused by photolithography, that is, a change in polarity of a polymer and a crosslinking reaction caused by a photoreaction. In particular, the pattern formation utilizes a characteristic of changing solubility in a solvent such as an aqueous alkali solution after exposure.

감광성 수지 조성물을 포토리소그래피 공정에 의해 선택적으로 노광 및 현상하여 원하는 광경화 패턴을 형성하는데, 이 과정에서 공정상의 수율을 향상시키고, 적용 대상의 물성을 향상시키기 위해, 우수한 화학적 및 물리적 특성을 가지는 감광성 수지 조성물이 요구되고 있다.The photosensitive resin composition is selectively exposed and developed by a photolithography process to form a desired photocurable pattern. In this process, in order to improve the yield in the process and to improve the physical properties of the target, photosensitivity having excellent chemical and physical properties A resin composition is calculated|required.

근래에 터치 패널을 구비한 터치 스크린의 사용이 폭발적으로 증가하고 있으며, 최근에는 플렉서블한 터치 스크린이 크게 주목 받고 있다. 이에 따라 터치 스크린에 사용되는 각종 기판 등의 소재 역시 플렉서블한 특성을 구비해야 하는 바, 사용 가능한 소재도 플렉서블한 고분자 소재로 제한이 발생하여, 제조 공정 역시 보다 온화한 저온 조건에서의 수행이 요구되고 있다.Recently, the use of a touch screen having a touch panel has been explosively increased, and recently, a flexible touch screen has been receiving great attention. Accordingly, materials such as various substrates used for touch screens must also have flexible characteristics, and the available materials are also limited to flexible polymer materials, so the manufacturing process is also required to be performed under milder low-temperature conditions. .

그에 따라, 감광성 수지 조성물의 경화 조건 역시 종래의 고온 경화에서 저온 경화의 필요성이 대두되고 있다. 그러나 저온 경화 조건은 반응성 저하 및 형성된 패턴의 내구성 저하의 문제가 있다. 또한, 내열성이 저하될 뿐 아니라, 특히, 후 공정 상에서 사용하는 용제에 노출됨으로써 표면 침투에 의한 스웰링 및 접착력 저하와 같은 내화학적 특성 저하, 패턴 표면손상, 하부 기재와의 밀착성 저하 등의 어려움이 존재하였다.Accordingly, the curing conditions of the photosensitive resin composition are also required for low-temperature curing in the conventional high-temperature curing. However, the low-temperature curing conditions have problems of reduced reactivity and reduced durability of the formed pattern. In addition, not only the heat resistance is lowered, but in particular, by exposure to the solvent used in the post-process, the chemical resistance deterioration such as swelling and adhesion decrease due to surface penetration, damage to the pattern surface, and the difficulty of lowering adhesion to the underlying substrate existed.

대한민국 등록특허 제10-1464312호의 경우, 저온에서 경화가 가능한 감광성 수지 조성물을 개시하고 있으나, 100 ℃ 미만에서는 경화를 개시하지 못하고 있어, 폴리머를 포함하는 플렉서블 기판 또는 하부에 유기물 층이 존재하는 기판 상에 패턴을 형성할 때 사용할 수 없다는 한계가 있다.In the case of Korean Patent Registration No. 10-1464312, a photosensitive resin composition that can be cured at a low temperature is disclosed, but curing is not initiated at less than 100 ° C. There is a limitation that it cannot be used when forming a pattern on

대한민국 등록특허 제10-1464312호 (2014.11.21. 공고)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1464312 (2014.11.21. Announcement)

본 발명은, 종래 문제를 해결하기 위하여, 저온 경화 공정 조건에서도 우수한 내수성, 내열성, 내알칼리성 및 내화학성 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 현상공정에서 뛰어난 명암비로 인해 노광부와 비노광부가 분명하도록 현상속도의 비를 나타내고, 후공정에서 박리액에 노출되었을 때에도 우수한 하부 기재와의 밀착성을 나타낼 수 있으며, 표면 손상이나 팽윤, 막 수축이 발생하지 않고, 보존안정성이 우수한 패턴을 제조할 수 있는 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the conventional problems, the present invention not only exhibits excellent water resistance, heat resistance, alkali resistance and chemical resistance characteristics even under low temperature curing process conditions, but also increases the developing speed so that the exposed and unexposed areas are clearly due to the excellent contrast ratio in the developing process. A photosensitive resin composition that exhibits a ratio, can exhibit excellent adhesion to the underlying substrate even when exposed to a stripper in a post-process, does not cause surface damage, swelling, or film shrinkage, and can produce a pattern with excellent storage stability; An object of the present invention is to provide a photocurable pattern and a display device formed therefrom.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물(A), 알칼리 가용성 수지(B), 광중합성 화합물(C), 광중합 개시제(D), 및 용제(E)를 포함하는, 감광성 수지 조성물을 제공한다: In order to achieve the above object, the present invention provides a thiol compound (A) comprising an ether bond represented by Formula 1 or Formula 2, an alkali-soluble resin (B), a photopolymerizable compound (C), a photopolymerization initiator (D), and A photosensitive resin composition comprising a solvent (E) is provided:

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1 내지 2에 있어서,In Formulas 1 and 2,

R1은 하나 이상의 티올기(-SH)로 치환된 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,R1 is a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with one or more thiol groups (-SH),

R2 내지 R4는, 각각 독립적으로, 수소 또는 하나 이상의 티올기(-SH)로 치환된 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.R2 to R4 are each independently hydrogen or a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with one or more thiol groups (-SH).

또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 광경화 패턴을 제공한다. In addition, the present invention provides a photocurable pattern formed from the photosensitive resin composition.

또한, 본 발명은 상기 광경화 패턴을 포함하는 표시장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a display device including the photocurable pattern.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 에테르 결합을 가지는 티올 화합물을 포함함으로써 기존의 에스테르 결합을 가지는 티올 화합물을 갖는 수지 조성물에 비하여 내수성, 내열성, 내알칼리성 및 내화학성이 우수한 특성을 나타낼 수 있다.Since the photosensitive resin composition of the present invention includes a thiol compound having an ether bond, it can exhibit excellent properties in water resistance, heat resistance, alkali resistance and chemical resistance as compared to a resin composition having a conventional thiol compound having an ester bond.

또한, 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 보존 안정성이 우수하며, 저온 경화 공정에서도 현상공정에서 뛰어난 명암비로 인해 노광부와 비노광부가 분명하도록 현상속도의 비를 나타내고, 후공정에서 박리액에 노출되었을 때에도 우수한 하부 기재와의 밀착성을 나타낼 수 있으며, 표면 손상이나 팽윤, 막 수축이 발생하지 않는 패턴을 제조할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition according to the present invention has excellent storage stability, and exhibits a ratio of the development speed so that the exposed and unexposed parts are clear due to the excellent contrast ratio in the developing process even in the low-temperature curing process. It can exhibit excellent adhesion to the underlying substrate even when it is used, and it is possible to manufacture a pattern in which surface damage, swelling, or film shrinkage does not occur.

본 발명은 특정 화학식으로 표시되는 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물(A), 알칼리 가용성 수지(B), 광중합성 화합물(C), 광중합 개시제(D), 및 용제(E)를 포함하는 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition comprising a thiol compound (A) containing an ether bond represented by a specific formula (A), an alkali-soluble resin (B), a photopolymerizable compound (C), a photopolymerization initiator (D), and a solvent (E) , to a photocurable pattern and a display device formed therefrom.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 표시장치는 에테르 결합을 가지는 티올 화합물을 포함함으로써 기존의 에스테르 결합을 가지는 티올 화합물을 갖는 수지 조성물에 비하여 내수성, 내열성, 내알칼리성 및 내화학성이 뛰어난 특성을 나타낼 수 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention, a photocurable pattern and a display device formed therefrom include a thiol compound having an ether bond, and thus have water resistance, heat resistance, alkali resistance and chemical resistance compared to a resin composition having a thiol compound having an ester bond. This excellent characteristic can be exhibited.

또한, 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 보존 안정성이 우수하며, 저온 경화 공정에서도 현상공정에서 뛰어난 명암비로 인해 노광부와 비노광부가 분명하도록 현상속도의 비를 나타내고, 후공정에서 박리액에 노출 되었을 때에도 우수한 하부 기재와의 밀착성을 나타낼 수 있으며, 표면 손상이나 팽윤, 막 수축이 발생하지 않는 패턴을 제조할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition according to the present invention has excellent storage stability, and exhibits a ratio of the development speed so that the exposed and unexposed areas are clear due to the excellent contrast ratio in the developing process even in the low-temperature curing process. It can exhibit excellent adhesion to the underlying substrate even when it is used, and it is possible to manufacture a pattern in which surface damage, swelling, or film shrinkage does not occur.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물(A), 알칼리 가용성 수지(B), 광중합성 화합물(C), 광중합 개시제(D), 및 용제(E)를 포함한다.The photosensitive resin composition according to the present invention includes a thiol compound (A) containing an ether bond, an alkali-soluble resin (B), a photopolymerizable compound (C), a photoinitiator (D), and a solvent (E).

티올 화합물(A)Thiol compound (A)

본 발명의 티올 화합물은, 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물을 포함한다.The thiol compound of this invention contains the thiol compound containing an ether bond.

구체적으로, 본 발명의 티올 화합물은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 티올 화합물을 포함한다.Specifically, the thiol compound of the present invention includes a thiol compound represented by the following formula (1) or formula (2).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 1 내지 2에 있어서,In Formulas 1 and 2,

R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기일 수 있으며, 적어도 하나 이상은 티올기(-SH)를 갖는다.R1 to R4 may each independently be hydrogen or an alkyl group, and at least one of them has a thiol group (-SH).

바람직하게, R1은 하나 이상의 티올기(-SH)로 치환된 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 말단에 티올기(-SH)를 갖는 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.Preferably, R1 is a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with one or more thiol groups (-SH), and more preferably, a straight-chain or branched chain alkyl group having a thiol group (-SH) at the terminal having 1 carbon number. to 10 alkyl groups.

바람직하게, R2 내지 R4는, 각각 독립적으로, 수소 또는 하나 이상의 티올기(-SH)로 치환된 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며, 더욱 바람직하게는, 각각 독립적으로, 수소 또는 말단에 티올기(-SH)를 가지는 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.Preferably, R2 to R4 are each independently hydrogen or a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with one or more thiol groups (-SH), more preferably, each independently, hydrogen or a terminal It is a linear or branched C1-C10 alkyl group having an thiol group (-SH).

본 명세서에서 사용되는 알킬렌기(alkylene group)는 탄소수 1 내지 20으로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 2가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸렌, 에틸렌, n-프로필렌, i-프로필렌 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.As used herein, the alkylene group (alkylene group) refers to a straight-chain or branched divalent hydrocarbon composed of 1 to 20 carbon atoms, for example, methylene, ethylene, n-propylene, i-propylene, etc. are included, but It is not limited.

또한, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 티올 화합물(A)을 포함할 수 있다.In addition, in one embodiment of the present invention, the photosensitive resin composition of the present invention may include a thiol compound (A) represented by the following Chemical Formula 3 or Chemical Formula 4.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 3에서,In Formula 3,

R5는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이며, m1 및 n1은 1 내지 3의 정수이고, m1 + n1= 4이다.R5 is each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, m1 and n1 are integers of 1 to 3, and m1 + n1 = 4.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 4에서,In Formula 4,

R5는, 각각 독립적으로, 탄소수 1내지 10의 알킬렌기이며, m2, m3, n2 및 n3은, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고, m2+n2=3이고, m3+n3=3이다.R5 is each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, m2, m3, n2 and n3 are each independently an integer of 1 to 3, m2+n2=3, and m3+n3=3.

종래, 티올 화합물로 사용되고 있는 펜타에리스리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트) 및 펜타에리스리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트) 등과 같은 화합물은 모두 분자 구조 내 에스테르 결합을 포함하고 있다. 이러한 에스테르 결합을 포함하는 티올 화합물의 경우 가용제분해에 대하여 반응성이 높기 때문에 내수성 및 내알칼리성 등의 효과가 현저히 떨어지게 되며, 장기간의 보존안정성 및 경시안정성 등의 특성 역시 열등한 문제가 발생할 수 있다.Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate) and Compounds such as pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate) all contain an ester bond in their molecular structure. In the case of a thiol compound containing such an ester bond, the effect of water resistance and alkali resistance is remarkably reduced because it is highly reactive to solvent decomposition, and properties such as long-term storage stability and aging stability may also occur.

그러나 본 발명에 따른 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물의 경우 높은 내가용제분해성으로 내수성, 내열성, 내알칼리성 및 내화학성이 우수한 특성을 가질 수 있다.However, in the case of the photosensitive resin composition including the thiol compound having an ether bond according to the present invention, it may have excellent properties such as water resistance, heat resistance, alkali resistance and chemical resistance due to high solvent decomposition resistance.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물의 유연한 골격으로 인하여 기재와의 우수한 밀착력을 나타낼 수 있으며, 저온 공정에서도 뛰어난 명암비로 인해 노광부와 비노광부가 분명하도록 현상속도의 비를 나타내고, 후공정에서 박리액에 노출 되었을 때에도 표면 손상이나 팽윤, 막 수축이 발생하지 않고, 보존안정성이 우수한 특성을 가질 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the present invention can exhibit excellent adhesion to the substrate due to the flexible skeleton of the thiol compound including an ether bond, and the ratio of the development speed to the exposed and unexposed areas due to the excellent contrast ratio even in the low temperature process , and there is no surface damage, swelling, or film shrinkage even when exposed to a stripper in the post-process, and excellent storage stability can be obtained.

본 발명의 티올 화합물은 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 25 중량%, 바람직하게는 1 내지 9 중량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 6 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 미만으로 포함되는 경우, 후공정에서 박리액에 노출되었을 때 팽윤 및 막수축이 발생하게 되는 문제점이 발생할 수 있으며, 상기 함량을 초과하여 포함되는 경우, 미노광부가 현상액에 용해가 되지 않아, 잔사가 발생하게 되는 문제점이 있다.The thiol compound of the present invention may be included in an amount of 1 to 25% by weight, preferably 1 to 9% by weight, more preferably 1 to 6% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition. When the content is less than the above content, swelling and film shrinkage may occur when exposed to the stripper in the subsequent process. There is a problem in that residues are generated.

알칼리 가용성 수지(B)Alkali-soluble resin (B)

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물에 포함되는 알칼리 가용성 수지는 현상 공정에서 이용되는 알칼리 현상액에 대해서 가용성을 부여하는 성분으로 알칼리 현상액에 용해 가능하다면 제한 없이 사용 가능하다. 상기 알칼리 가용성 수지는 패턴을 형성할 때의 현상 처리 공정에서 이용되는 알칼리 현상액에 대해서 가용성을 갖기 위해, (b1) 카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체를 공중합하여 제조하는 것이 바람직하다.The alkali-soluble resin included in the photosensitive resin composition according to the present invention is a component that imparts solubility to the alkali developer used in the developing process, and can be used without limitation as long as it is soluble in the alkali developer. The alkali-soluble resin is preferably prepared by copolymerizing (b1) an ethylenically unsaturated monomer having a carboxyl group in order to have solubility in the alkali developer used in the developing treatment step for forming the pattern.

(b1) 카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체(b1) an ethylenically unsaturated monomer having a carboxyl group

카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체의 구체적인 예로는 아크릴산, 메타아크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산류; 푸마르산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산류; 및 상기 디카르복실산의 무수물; ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등의 양 말단에 카르복실기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트류 등을 들 수 있으며, 아크릴산 및 메타아크릴산이 바람직하다.Specific examples of the ethylenically unsaturated monomer having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; dicarboxylic acids such as fumaric acid, mesaconic acid, and itaconic acid; and anhydrides of the dicarboxylic acids; Polymer mono(meth)acrylates having a carboxyl group and a hydroxyl group at both terminals, such as ω-carboxypolycaprolactone mono(meth)acrylate, etc. are mentioned, and acrylic acid and methacrylic acid are preferable.

또한, 상기 카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체와 (b2) 공중합 가능한 불포화 단량체를 중합하여 상기 알칼리 가용성 수지를 제조할 수 있다.In addition, the alkali-soluble resin can be prepared by polymerizing the ethylenically unsaturated monomer having a carboxyl group and an unsaturated monomer copolymerizable with (b2).

(b2) 공중합 가능한 불포화 단량체(b2) copolymerizable unsaturated monomers

상기 공중합이 가능한 불포화 중합 단량체의 구체적인 예로는,Specific examples of the copolymerizable unsaturated polymerization monomer include,

글리시딜기를 갖는 불포화 단량체인 글리시딜메타아크릴레이트;glycidyl methacrylate which is an unsaturated monomer having a glycidyl group;

2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필 (메타)아크릴레이트, N-히드록시에틸 아크릴아마이드 등의 히드록시에틸(메타)아크릴레이트류 등의 수산기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체;2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate, N -ethylenically unsaturated monomers having a hydroxyl group, such as hydroxyethyl (meth)acrylates such as hydroxyethyl acrylamide;

스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌, p-클로로스티렌, o-메톡시스티렌, m-메톡시스티렌, p-메톡시스티렌, o-비닐벤질메틸에테르, m-비닐벤질메틸에테르, p-비닐벤질메틸에테르, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 방향족 비닐 화합물;Styrene, vinyltoluene, α-methylstyrene, p-chlorostyrene, o-methoxystyrene, m-methoxystyrene, p-methoxystyrene, o-vinylbenzylmethyl ether, m-vinylbenzylmethyl ether, p-vinyl Aromatic vinyl compounds, such as benzyl methyl ether, o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, and p-vinyl benzyl glycidyl ether;

N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, N-o-히드록시페닐말레이미드, N-m-히드록시페닐말레이미드, N-p-히드록시페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드, N-o-메톡시페닐말레이미드, N-m-메톡시페닐말레이미드, N-p-메톡시페닐말레이미드 등의 N-치환 말레이미드계 화합물;N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-o-hydroxyphenylmaleimide, N-m-hydroxyphenylmaleimide, N-p-hydroxyphenylmaleimide, N-o-methylphenylmaleimide, N-m -N-substituted maleimide compounds, such as methylphenylmaleimide, N-p-methylphenylmaleimide, N-o-methoxyphenylmaleimide, N-m-methoxyphenylmaleimide, and N-p-methoxyphenylmaleimide;

메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, i-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트류; 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.0 2,6 ]데칸-8-일(메타)아크릴레이트, 2-디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트 등의 지환족(메타)아크릴레이트류;Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, alkyl (meth)acrylates such as sec-butyl (meth)acrylate and t-butyl (meth)acrylate; Cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl (meth) acrylate, 2- alicyclic (meth)acrylates such as dicyclopentanyloxyethyl (meth)acrylate and isobornyl (meth)acrylate;

페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등의 아릴(메타)아크릴레이트류;aryl (meth)acrylates such as phenyl (meth)acrylate and benzyl (meth)acrylate;

3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-트리플루오로메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-4-트리플루오로메틸옥세탄 등의 불포화 옥세탄 화합물; 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.3-(methacryloyloxymethyl)oxetane, 3-(methacryloyloxymethyl)-3-ethyloxetane, 3-(methacryloyloxymethyl)-2-trifluoromethyloxetane; 3-(methacryloyloxymethyl)-2-phenyloxetane, 2-(methacryloyloxymethyl)oxetane, 2-(methacryloyloxymethyl)-4-trifluoromethyloxetane, etc. of unsaturated oxetane compounds; and the like, but is not limited thereto.

상기 공중합 가능한 불포화 단량체 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Each of the above copolymerizable unsaturated monomers may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에 따른 알칼리 가용성 수지는 산가와 분자량에 따라 감광성 수지 조성물의 패턴화 과정에 영향을 줄 수 있다.The alkali-soluble resin according to the present invention may affect the patterning process of the photosensitive resin composition depending on the acid value and molecular weight.

산가는 아크릴계 중합체 1g을 중화하는 데 필요한 수산화칼륨의 양(mg)으로서 측정되는 값으로, 통상적으로 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정함으로써 구할 수 있고, 공정 과정 중 패턴 형성에 영향을 줄 수 있다.The acid value is a value measured as the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of the acrylic polymer, and can be obtained by titration using an aqueous potassium hydroxide solution, and may affect pattern formation during the process.

상기 알칼리 가용성 수지의 산가는 10 내지 200 mgKOH/g일 수 있으며, 20 내지 100 mgKOH/g인 것이 바람직하다. 산가가 상기 범위에 있으면, 현상액 중의 용해성이 향상되어, 비-노출부가 쉽게 용해되고 감도가 증가하여, 결과적으로 노출부의 패턴이 현상 시에 남아서 잔막율(film remaining ratio)을 개선하게 되어 바람직하다.The alkali-soluble resin may have an acid value of 10 to 200 mgKOH/g, preferably 20 to 100 mgKOH/g. When the acid value is in the above range, the solubility in the developer is improved, so that the non-exposed portion is easily dissolved and the sensitivity is increased, so that the pattern of the exposed portion remains at the time of development, which is preferable, thereby improving the film remaining ratio.

상기 알칼리 가용성 수지의 중량 평균 분자량(예를 들면, 표준 물질로서 폴리스티렌을 사용하여 겔 침투 크로마토그래피(GPC)로 측정)은 감광성 수지 조성물의 저온 조건의 반응성 향상 및 내화학성의 향상 측면에서 1,500 내지 30,000일 수 있으며, 바람직하게는 1,500 내지 10,000 일 수 있다. 상기 중량평균분자량의 범위를 만족하는 경우, 패턴의 CD-Bias가 적정 범위로 구현되어 우수한 해상도를 갖는 패턴을 형성할 수 있으며, 패턴의 내화학성 및 연필경도 역시 향상시킬 수 있다. 한편, 알칼리 가용성 수지의 중량평균분자량이 30,000을 초과하는 경우, 분자량이 과도하게 커져 감광성 수지 조성물의 다른 성분과의 상용성이 저하되어 현상 단계에서 도막의 백화가 발생할 수 있으며, 패턴의 선폭도 증가하여 CD-Bias 특성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.The weight average molecular weight of the alkali-soluble resin (eg, measured by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard material) is 1,500 to 30,000 in terms of improved reactivity and chemical resistance of the photosensitive resin composition under low temperature conditions. may be, preferably 1,500 to 10,000. When the above weight average molecular weight range is satisfied, the CD-Bias of the pattern is implemented in an appropriate range to form a pattern having excellent resolution, and chemical resistance and pencil hardness of the pattern can also be improved. On the other hand, when the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin exceeds 30,000, the molecular weight is excessively large, and compatibility with other components of the photosensitive resin composition is lowered, so that whitening of the coating film may occur in the developing step, and the line width of the pattern is also increased. As a result, the CD-Bias characteristic may be deteriorated.

본 발명에 따른 알칼리 가용성 수지는 감광성 수지 조성물 총 중량에 대하여 8 내지 80 중량%로 포함될 수 있다. 알칼리 가용성 수지가 상기의 범위로 포함될 경우, 현상액에서의 용해성이 충분하여 비화소 부분의 기판상에 현상 잔사가 발생하기 어렵고, 현상시에 노광부의 화소 부분의 막 감소가 생기기 어려워 비화소 부분의 누락성이 양호한 경향이 있으므로 바람직하다.The alkali-soluble resin according to the present invention may be included in an amount of 8 to 80% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition. When the alkali-soluble resin is included in the above range, the solubility in the developer is sufficient, so that it is difficult to generate a developing residue on the substrate of the non-pixel portion, and it is difficult to reduce the film of the pixel portion of the exposed portion during development, so that the non-pixel portion is omitted It is preferable because the property tends to be good.

광중합성 화합물 (C)Photopolymerizable compound (C)

상기 광중합성 화합물은 하기 (D) 광중합 개시제의 작용으로 중합할 수 있는 화합물로, 단관능 단량체, 2관능 단량체 또는 다관능 단량체를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 2관능 이상의 다관능 단량체를 사용할 수 있다.The photopolymerizable compound is a compound that can be polymerized by the action of the photopolymerization initiator (D) below, and a monofunctional monomer, a bifunctional monomer or a polyfunctional monomer may be used, and preferably a bifunctional or more polyfunctional monomer may be used. .

상기 단관능 단량체의 구체적인 예로는, 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸 아크릴레이트 또는 N-비닐피롤리돈 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Specific examples of the monofunctional monomer include nonylphenylcarbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexylcarbitol acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, or N-vinylpi Rollidone, and the like, but is not limited thereto.

상기 2관능 단량체의 구체적인 예로는, 1,6-헥산디올디(메타) 아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타) 아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르 또는 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the bifunctional monomer include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and triethylene glycol di (meth) acrylate. , bis(acryloyloxyethyl)ether of bisphenol A, or 3-methylpentanediol di(meth)acrylate, but is not limited thereto.

상기 다관능 화합물의 구체적인 예로는, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트 또는 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트 등의 모노머 또는 올리고머가 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the polyfunctional compound include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, propoxylated dipentaerythritol hexa(meth) Monomers or oligomers such as acrylate or dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, but not limited thereto.

본 발명의 광중합성 화합물은, 감광성 수지 조성물의 총 중량에 대하여, 1 내지 70 중량%, 바람직하게는 9 내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 광중합성 화합물이가 상기의 범위로 포함되는 경우, 패턴 특성이 양호하게 형성될 수 있고, 우수한 경도 및 내구성을 가질 수 있으며, 조성물의 현상성을 향상시킬 수 있다.The photopolymerizable compound of the present invention may be included in an amount of 1 to 70% by weight, preferably 9 to 70% by weight, based on the total weight of the photosensitive resin composition. When the photopolymerizable compound is included in the above range, pattern properties may be favorably formed, may have excellent hardness and durability, and developability of the composition may be improved.

광중합 개시제(D)Photoinitiator (D)

본 발명의 광중합 개시제(D)는 감광성 수지 조성물의 라디칼 반응을 개시시켜, 경화를 일으키고 감도를 향상시키는 역할을 한다.The photopolymerization initiator (D) of the present invention initiates a radical reaction of the photosensitive resin composition to cause curing and improve sensitivity.

상기 광중합 개시제는, 대표적으로 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, 옥심에스테르계 화합물 및 티오크산톤계 화합물 등이 있다.The photopolymerization initiator is typically an acetophenone-based compound, a benzophenone-based compound, a biimidazole-based compound, a triazine-based compound, an oxime ester-based compound, and a thioxanthone-based compound.

본 발명에 있어서, 광중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며 옥심에스테르계 화합물을 1종 이상 사용하는 것이 바람직하다.In the present invention, the photopolymerization initiator may be used alone or in mixture of two or more, and it is preferable to use one or more oxime ester-based compounds.

상기 아세토페논계 화합물로는, 예를 들면, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 2-히드록시-1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-메틸프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판-1-온, 2-(4-메틸벤질)-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the acetophenone-based compound include diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzyldimethyl ketal, 2-hydroxy-1-[4-( 2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-methyl-1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropane-1 -one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)butan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl] propan-1-one, 2-(4-methylbenzyl)-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)butan-1-one, and the like.

상기 벤조페논계 화합물로는, 예를 들면, 벤조페논, 2,2'-하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-페닐조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐설파이드, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카보닐)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the benzophenone-based compound include benzophenone, 2,2'-hydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylzophenone, and 4-benzoyl-4 '-methyldiphenyl sulfide, 3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophenone, etc. are mentioned.

상기 비이미다졸계 화합물로는, 예를 들면, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다.Examples of the biimidazole compound include 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetrakis(4-ethoxycarbonylphenyl)-1; 2'-biimidazole, 2,2'-bis(2-bromophenyl)-4,4',5,5'-tetrakis(4-ethoxycarbonylphenyl)-1,2'-biimi Dazole, 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4-dichlorophenyl) )-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4,6-trichlorophenyl)-4,4',5,5 '-Tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2-bromophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4-dibromophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4, 6-tribromophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, etc. are mentioned.

상기 트리아진계 화합물로는, 예를 들면, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-메틸퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4디메톡시페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다.Examples of the triazine-based compound include 2,4-bis(trichloromethyl)-6-(4-methoxyphenyl)-1,3,5-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl). )-6-(4-methoxynaphthyl)-1,3,5-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-(4-methoxystyryl)-1,3,5- Triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(5-methylfuran-2-yl)ethenyl]-1,3,5-triazine, 2,4-bis(trichloro methyl)-6-[2-(furan-2-yl)ethenyl]-1,3,5-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(4-diethylamino) -2-methylphenyl)ethenyl]-1,3,5-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(3,4 dimethoxyphenyl)ethenyl]-1,3, 5-triazine etc. are mentioned.

상기 옥심에스테르계 화합물로는, 예를 들면, o-에톡시카르보닐-α-옥시이미노-1-페닐프로판-1-온,1,2-옥타디온,-1-(4-페닐치오)페닐,-2-(o-벤조일옥심), 에타논,-1-(9-에틸)-6-(2-메틸벤조일-3-일)-,1-(o-아세틸옥심) 등을 포함하며, 상용되는 제품으로 CGI-124(시바가이기社), CGI-224(시바가이기社), Irgacure OXE-01(BASF社), Irgacure OXE-02(BASF社), N-1919(아데카社), NCI-831(아데카社) 등을 들 수 있다.Examples of the oxime ester compound include o-ethoxycarbonyl-α-oxyimino-1-phenylpropan-1-one, 1,2-octadione, and-1-(4-phenylthio)phenyl. , -2-(o-benzoyloxime), ethanone, -1-(9-ethyl)-6-(2-methylbenzoyl-3-yl)-,1-(o-acetyloxime), and the like; Commercially available products include CGI-124 (Ciba Geig), CGI-224 (Ciba Geig), Irgacure OXE-01 (BASF), Irgacure OXE-02 (BASF), N-1919 (Adeka) , NCI-831 (Adeka Corporation), and the like.

상기 티오크산톤계 화합물로는, 예를 들면, 2-이소프로필티옥산톤, 4-이소프로필티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤 등을 들 수 있다.As the thioxanthone-based compound, for example, 2-isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 1- Chloro-4-propoxythioxanthone etc. are mentioned.

상기 광중합 개시제(D)는 광중합 개시 보조제를 더 포함할 수 있다. 상기 광중합 개시제(D)에 광중합 개시 보조제를 더 포함하는 경우, 이들을 함유하는 감광성 수지 조성물은 감도가 더욱 높아져 경화도 및 중합 효율이 향상될 수 있다.The photopolymerization initiator (D) may further include a photopolymerization initiation auxiliary agent. When the photopolymerization initiator (D) further includes a photopolymerization initiation auxiliary agent, the sensitivity of the photosensitive resin composition containing them may be further increased, thereby improving the degree of curing and polymerization efficiency.

상기 광중합 개시 보조제는, 예를 들어, 카르복실산 및 술폰산 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하게 사용될 수 있다.As the photopolymerization initiation adjuvant, for example, at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acid and sulfonic acid compounds may be preferably used.

상기 카르복실산 화합물은 방향족 헤테로 아세트산류인 것이 바람직하며, 구체적으로 페닐티오아세트산, 메틸페닐티오아세트산, 에틸페닐티오아세트산, 메틸에틸페닐티오아세트산, 디메틸페닐티오아세트산, 메톡시페닐티오아세트산, 디메톡시페닐티오아세트산, 클로로페닐티오아세트산, 디클로로페닐티오아세트산, N-페닐글리신, 페녹시아세트산, 나프틸티오아세트산, N-나프틸글리신, 나프톡시아세트산 등을 들 수 있다.The carboxylic acid compound is preferably aromatic heteroacetic acid, specifically phenylthioacetic acid, methylphenylthioacetic acid, ethylphenylthioacetic acid, methylethylphenylthioacetic acid, dimethylphenylthioacetic acid, methoxyphenylthioacetic acid, dimethoxyphenylthio Acetic acid, chlorophenylthioacetic acid, dichlorophenylthioacetic acid, N-phenylglycine, phenoxyacetic acid, naphthylthioacetic acid, N-naphthylglycine, naphthoxyacetic acid, etc. are mentioned.

상기 술폰산 화합물은 술폰산기(-SO3H)가 있는 화합물을 총칭하는 것이며, 메탄술폰산 등의 고리형 또는 사슬형 탄화수소계 술폰산 화합물, 벤젠 술폰산, 톨루엔 술폰산 등의 방향족 술폰산, 아미노 술폰산 등의 무기 술폰산 화합물, 할로술폰산 및 술파민산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다The sulfonic acid compound is a generic term for compounds having a sulfonic acid group (-SO3H), cyclic or chain hydrocarbon-based sulfonic acid compounds such as methanesulfonic acid, aromatic sulfonic acids such as benzenesulfonic acid and toluenesulfonic acid, and inorganic sulfonic acid compounds such as aminosulfonic acid; It may include at least one selected from the group consisting of halosulfonic acid and sulfamic acid.

본 발명에 따른 광중합 개시제(D)는 감광성 수지 조성물의 총 중량에 대하여 1 내지 10 중량%, 바람직하게는 2 내지 8 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함되는 경우, 패턴 형성 조절이 용이하며 경화도 및 직진성 향상의 측면에서 바람직하다.The photopolymerization initiator (D) according to the present invention may be included in an amount of 1 to 10 wt%, preferably 2 to 8 wt%, based on the total weight of the photosensitive resin composition. When included within the above range, it is easy to control the pattern formation, and it is preferable in terms of curing degree and straightness improvement.

또한, 상기 광중합 개시 보조제를 더 포함하는 경우, 광중합 개시제 1몰 당 통상적으로 10몰 이하, 바람직하게는 0.01 내지 5몰의 범위 내에서 사용하는 것이 바람직하다. 상기 범위 내에서 광중합 개시 보조제를 사용할 경우 중합 효율을 높여 감광성 수지 조성물의 감도가 더 높아지고, 생산성 향상 효과를 기대할 수 있다.In addition, when the photopolymerization initiation adjuvant is further included, it is usually 10 moles or less, preferably 0.01 to 5 moles per 1 mole of the photopolymerization initiator. When the photopolymerization initiation auxiliary agent is used within the above range, the polymerization efficiency is increased, the sensitivity of the photosensitive resin composition is further increased, and the effect of improving productivity can be expected.

용제(E)Solvent (E)

본 발명에서 용제(E)는 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 유기 용제를 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있다. 상기 용제(E)로는 에테르류, 아세테이트류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 및 에스테르류 등을 들 수 있으며, 이로부터 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the solvent (E) may be used without any particular limitation on organic solvents commonly used in the art. Examples of the solvent (E) include ethers, acetates, aromatic hydrocarbons, ketones, alcohols, and esters.

예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르,에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류,메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 메톡시부틸아세테이트 및 메톡시펜틸아세테이트 등의 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소류, 메틸에틸케톤, 아세톤, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논등의 케톤류, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥사놀, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜, 글리세린 등의 알코올류, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸 등의 에스테르류, γ-부티롤락톤 등의 환상 에스테르류 등을 들 수 있다.For example, ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol Diethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dipropyl ether and diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene alkylene glycol alkyl ether acetates such as glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, methoxybutyl acetate and methoxypentyl acetate; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, and mesitylene; methyl ethyl ketone; Ketones such as acetone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone, alcohols such as ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, and glycerin, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methyl Esters, such as methyl oxypropionate, Cyclic esters, such as (gamma)-butyrolactone, etc. are mentioned.

바람직하게 상기 용제 중 도포성, 건조성의 효율을 증가시키기 위하여 비점이 100 내지 200 ℃인 유기 용제를 사용할 수 있고, 보다 바람직하게는 알킬렌글리콜 알킬에테르 아세테이트류, 케톤류, 3-에톡시프로피온산 에틸이나, 3-메톡시프로피온산 메틸 등의 에스테르류를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 시클로헥사논, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸 등을 사용할 수 있다. 이들 용제는 각각 단독으로 또는 2종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Preferably, an organic solvent having a boiling point of 100 to 200° C. may be used in order to increase the applicability and drying efficiency of the solvent, and more preferably, alkylene glycol alkyl ether acetates, ketones, 3-ethoxypropionate ethyl or , 3-methoxy methyl propionate, etc. can be used, more preferably propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, 3-ethoxypropionate ethyl, 3-methoxypropionic acid methyl and the like can be used. These solvents can be used individually or in mixture of 2 or more types, respectively.

상기 용제의 함량은 감광성 수지 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량으로 포함될 수 있다. 구체적으로, 본 발명에서 "잔량"은 본 발명의 필수 성분 및 그 외 추가 성분들을 더 포함한 조성물의 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량을 의미하며, 상기 "잔량"의 의미로 인해 본 발명의 조성물에 추가 성분이 포함되지 않는 것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 용제는 감광성 수지 조성물의 총 중량에 대하여 60 내지 90 중량%, 바람직하게는 70 내지 85 중량%로 포함될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The content of the solvent may be included in a residual amount such that the total weight of the photosensitive resin composition is 100% by weight. Specifically, in the present invention, "residual amount" means a remaining amount such that the total weight of the composition further including the essential components and other additional components of the present invention becomes 100% by weight, and due to the meaning of the "residual amount", the It is not limited to the absence of additional ingredients in the composition. For example, the solvent may be included in an amount of 60 to 90% by weight, preferably 70 to 85% by weight, based on the total weight of the photosensitive resin composition, but is not limited thereto.

다관능 티올 화합물(F)Polyfunctional thiol compound (F)

필요에 따라, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 다관능 티올 화합물(F)을 더 포함할 수 있다.If necessary, the photosensitive resin composition of the present invention may further include a polyfunctional thiol compound (F).

다관능 티올 화합물(F)은 가교 밀도를 더 향상시켜 광경화 패턴의 내구성 및 기재와의 밀착성을 더욱 향상시키고, 고온에서의 황변 현상을 방지하는 기능을 할 수 있다.The polyfunctional thiol compound (F) may function to further improve the crosslinking density to further improve the durability of the photocurable pattern and adhesion to the substrate, and to prevent yellowing at high temperatures.

상기 다관능 티올 화합물은 에스테르 결합을 가지는 2 내지 9 관능 티올 화합물일 수 있다.The polyfunctional thiol compound may be a 2 to 9 functional thiol compound having an ester bond.

다관능 티올 화합물로는, 예를 들면, 펜타에리스리톨테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트) 및 펜타에리스리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트) 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional thiol compound include pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), and dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate). cionate) and pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate).

상기 다관능 티올 화합물(F)은 감광성 수지 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 1 내지 8 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함되는 경우, 우수한 감광 특성으로 도막의 표면 경화를 향상 시켜서 알칼리 현상액에 대하여 우수한 잔막율을 나타낼 수 있다.The polyfunctional thiol compound (F) may be included in an amount of 0.1 to 10 wt%, preferably 1 to 8 wt%, based on the total weight of the photosensitive resin composition. When included within the above range, the surface hardening of the coating film can be improved with excellent photosensitive properties, thereby exhibiting an excellent residual film rate with respect to an alkali developer.

첨가제 (G)Additive (G)

추가로, 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 다양한 목적으로 인해 공지의 첨가제를 더욱 포함할 수 있다. 바람직하게, 코팅성 및 밀착성을 증진시키기 위하여 실란 커플링제 또는 레벨링제 등을 더욱 포함할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition according to the present invention may further include known additives for various purposes. Preferably, a silane coupling agent or a leveling agent may be further included in order to improve coating properties and adhesion.

상기 실란 커플링제는 기판과의 밀착성을 높이기 위한 것으로, 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제를 포함하는 것일 수 있다.The silane coupling agent is for increasing adhesion to the substrate, and may include a silane coupling agent having a reactive substituent selected from the group consisting of a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group, and combinations thereof.

상기 실란 커플링제로는, 예를 들어, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)-실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸트리메톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에톡시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.Examples of the silane coupling agent include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris(2-methoxyethoxy)-silane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyl Dimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyl Triethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2-(3,4-ethoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxy silane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, or 3-mercaptopropyltrimethoxysilane may be used, but is not limited thereto.

상기 레벨링제는 조성물을 도포시, 도막의 평활성 및 도포성을 향상시키기 위해 첨가되는 것으로서, 실리콘 레벨링제, 불소계 레벨링제 및 아크릴계 레벨링제 등을 사용할 수 있다.The leveling agent is added to improve the smoothness and applicability of the coating film when the composition is applied, and a silicone leveling agent, a fluorine-based leveling agent, and an acrylic-based leveling agent may be used.

상기 실리콘계 레벨링제로는 분자 내에 실록산 결합을 갖는 레벨링제를 들 수 있으며, 상기 불소계 레벨링제로는 분자 내에 플루오로카본쇄를 갖는 레벨링제를 들 수 있다.The silicone-based leveling agent may include a leveling agent having a siloxane bond in a molecule, and the fluorine-based leveling agent may include a leveling agent having a fluorocarbon chain in the molecule.

상기 레벨링제의 시판품으로는, 케미사의 BYK-323, BYK-331, BYK-333, BYK-337, BYK-373, BYK-375, BYK-377, BYK-378, 대구사의 TEGO Glide 410, TEGO Glide 411, TEGO Glide 415, TEGO Glide 420, TEGO Glide 432, TEGO Glide 435, TEGO Glide 440, TEGO Glide 450, TEGO Glide 455, TEGO Rad 2100, TEGO Rad 2200N, TEGO Rad 2250, TEGO Rad 2300, TEGO Rad 2500, 3M사의 FC- 4430, FC-4432 등을 사용할 수 있다.Commercial products of the leveling agent include BYK-323, BYK-331, BYK-333, BYK-337, BYK-373, BYK-375, BYK-377, BYK-378 by Chemi, TEGO Glide 410, TEGO Glide by Daegu. 411, TEGO Glide 415, TEGO Glide 420, TEGO Glide 432, TEGO Glide 435, TEGO Glide 440, TEGO Glide 450, TEGO Glide 455, TEGO Rad 2100, TEGO Rad 2200N, TEGO Rad 2250, TEGO Rad 2300, TEGO Rad 3M's FC-4430, FC-4432, etc. can be used.

본 발명에 따른 첨가제는 감광성 수지 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 1 내지 8 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함되는 경우, 감광성 수지 조성물의 물성을 해치지 않으면서, 하부 기재와의 밀착성 또는 코팅성 향상의 목적을 달성할 수 있다.The additive according to the present invention may be included in an amount of 0.1 to 10% by weight, preferably 1 to 8% by weight, based on the total weight of the photosensitive resin composition. When included within the above range, it is possible to achieve the purpose of improving adhesion or coating properties with the lower substrate without impairing the physical properties of the photosensitive resin composition.

<광경화 패턴><Photocuring pattern>

본 발명은 감광성 수지 조성물을 이용하여 기판상에 형성된 광경화 패턴을 포함한다.The present invention includes a photocurable pattern formed on a substrate using a photosensitive resin composition.

본 발명에 따른 패턴은 상술한 감광성 수지 조성물로 형성된다는 점을 제외하고는, 당해 기술분야에서 알려진 방법을 통해 제조된 것일 수 있다. 광경화 패턴 형성에 있어, 상술한 감광성 수지 조성물을 기판 상에 코팅 후 노광 및 현상하는 단계를 거쳐 패턴을 형성할 수 있으며, 이 때 각 단계 사이에 프리 베이크, 또는 포스트 베이크 공정을 수행할 수 있다.The pattern according to the present invention may be prepared by a method known in the art, except that it is formed of the above-described photosensitive resin composition. In the photocurable pattern formation, the pattern may be formed by coating the above-described photosensitive resin composition on a substrate, then exposing and developing, and in this case, a pre-baking or post-baking process may be performed between each step. .

상기 광경화 패턴은 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 블랙 매트릭스 패턴, 컬럼 스페이서 패턴, 블랙 컬럼 스페이서, 컬러 레지스트 패턴, 산란체를 포함하는 패턴 및 양자점을 포함하는 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는 광경화 패턴일 수 있다.The photocurable pattern includes an array planarization layer pattern, a protective layer pattern, an insulating layer pattern, a photoresist pattern, a black matrix pattern, a column spacer pattern, a black column spacer, a color resist pattern, a pattern including a scattering body, and a pattern including quantum dots. It may be a photocuring pattern selected from the group.

본 발명에 따른 광경화 패턴은 에테르 구조를 포함하는 다관능 티올 화합물을 이용하여 노광 공정 중 산소에 의해서 라디칼이 산소장애를 받는 것을 막아 우수한 현상 잔막율을 나타내는 도막을 형성할 수 있으며, 후공정에서 박리액에 노출이 되었을 때, 가용제분해를 억제하여 도막의 팽윤이나 수축, 밀착성 저하를 막을 수 있는 이점이 있다.The photocurable pattern according to the present invention uses a polyfunctional thiol compound having an ether structure to prevent radicals from receiving oxygen hindrance during the exposure process, thereby forming a coating film exhibiting an excellent development film remaining rate. When exposed to the stripper, there is an advantage in that it is possible to suppress the decomposition of the solvent, thereby preventing swelling or shrinkage of the coating film, and deterioration in adhesion.

<표시장치> <Display device>

본 발명은 상술한 감광성 수지 조성물로부터 제조된 광경화 패턴을 포함하는 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device including a photocurable pattern prepared from the above-described photosensitive resin composition.

상기 표시장치는 구체적으로, 액정 디스플레이(액정표시장치; LCD), 유기 EL 디스플레이(유기 EL 표시장치, OLED 및 QLED 포함), 플렉서블 디스플레이, 액정 프로젝터, 게임기용 표시장치, 휴대전화 등의 휴대단말용 표시장치, 디지털 카메라용 표시장치, 네비게이션용 표시장치 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The display device is specifically, a liquid crystal display (liquid crystal display device; LCD), an organic EL display (including an organic EL display device, OLED and QLED), a flexible display, a liquid crystal projector, a display device for a game machine, a portable terminal such as a mobile phone a display device, a display device for a digital camera, a display device for navigation, and the like, but is not limited thereto.

상기 표시장치는 상기 광경화 패턴을 구비한 것을 제외하고는 당 분야에서 통상적으로 사용되는 구성을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a configuration commonly used in the art except for having the photocurable pattern.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples.

그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.However, the following examples are provided to explain the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.

또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.In addition, "%" and "part" indicating the content hereinafter are based on weight unless otherwise specified.

합성예 1: 펜타에리스리톨 트리프로판티올 (A-1)의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of pentaerythritol tripropanethiol (A-1)

원형 플라스크에 펜타에리스리톨 트리알릴에테르 1.37 mol을 넣은 후, 40 ℃로 가열했다. 펜타에리스리톨 트리알릴에테르와의 몰비율을 1:3.3으로 하여 티오 초산 4.51 mol을 적하한 후, 혼합 액체를 40 ℃에서 4시간 동안 교반하였다. 반응물에 20 % 암모니아 수용액 560 g을 첨가 후, 55 ℃에서 15시간 반응을 진행하였다. 유기층을 분리한 후, 톨루엔 490 g과 5 % 황산 수용액 350 g을 넣고 세정한 후, 유기층을 분리하여 취하고, 유기층에 물 350 g을 더하였다.After putting 1.37 mol of pentaerythritol triallyl ether in a round flask, it heated to 40 degreeC. After 4.51 mol of thioacetic acid was added dropwise at a molar ratio of pentaerythritol triallyl ether to 1:3.3, the mixed liquid was stirred at 40° C. for 4 hours. After adding 560 g of a 20% aqueous ammonia solution to the reaction mass, the reaction was carried out at 55 °C for 15 hours. After separating the organic layer, 490 g of toluene and 350 g of a 5% sulfuric acid aqueous solution were added and washed, and the organic layer was separated and taken, and 350 g of water was added to the organic layer.

유기층을 분리농축 건조하여, 펜타에리스리톨 트리프로판티올 (478g, 수율 98%) (PEPT라고 칭한다)을 무색 투명의 오일로서 합성하였으며, NMR분석 결과를 이하에 나타내었다.The organic layer was separated and concentrated to dryness, and pentaerythritol tripropanethiol (478 g, yield 98%) (referred to as PEPT) was synthesized as a colorless and transparent oil, and the results of NMR analysis are shown below.

<펜타에리스리톨 트리프로판티올 NMR 분석 결과><Pentaerythritol tripropanethiol NMR analysis result>

1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 1.35 (t,3H), δ 1.80-1.86 (m,6H), δ 2.55-2.61 (m, 6H), δ 2.79 (br, 1H), δ 3.40 (s, 6H), δ 3.48 (t, 6H), δ 3.65 (s, 2H)1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 1.35 (t,3H), δ 1.80-1.86 (m,6H), δ 2.55-2.61 (m, 6H), δ 2.79 (br, 1H), δ 3.40 (s, 6H), δ 3.48 (t, 6H), δ 3.65 (s, 2H)

합성예 2: 디펜타에리스리톨 테트라프로판티올(A-2)의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of dipentaerythritol tetrapropanethiol (A-2)

합성예1의 펜타에리스리톨 트리알릴에테르 대신 디펜타에리스리톨 테트라알릴에테르로 변경하여 몰비율을 1:4.4로 하여 티오초산을 적하한 것 외에는 합성예1과 동일하게 진행하여 합성하였다.It was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except that thioacetic acid was added dropwise at a molar ratio of 1:4.4 by changing to dipentaerythritol tetraallyl ether instead of pentaerythritol triallyl ether of Synthesis Example 1.

합성예 3: 디펜타에리스리톨 펜타프로판티올(A-3)의 합성Synthesis Example 3: Synthesis of dipentaerythritol pentapropanethiol (A-3)

합성예1의 펜타에리스리톨 트리알릴에테르 대신 디펜타에리스리톨 펜타알릴에테르로 변경하여 몰비율을 1:5.5로 하여 티오초산을 적하한 것 외에는 합성예1과 동일하게 진행하여 합성하였다.It was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except that thioacetic acid was added dropwise at a molar ratio of 1:5.5 by changing to dipentaerythritol pentaallyl ether instead of pentaerythritol triallyl ether of Synthesis Example 1.

합성예 4: 알칼리 가용성 수지 (B)의 합성Synthesis Example 4: Synthesis of alkali-soluble resin (B)

교반기, 온도계 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크에 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 120 g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 80 g, 2,2'-아조비스이소부티로나이트릴 2 g, 이소데실메타아크릴레이트 10 g, 아크릴산 5 g, 글리시딜 메타아크릴레이트 35 g, 비닐톨루엔 50 g, n-도데실머캅탄 3 g을 투입하고 질소 치환하였다.120 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, 80 g of propylene glycol monomethyl ether, 2 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile, 10 g of isodecyl methacrylate, 5 g of acrylic acid, 35 g of glycidyl methacrylate, 50 g of vinyltoluene, and 3 g of n-dodecyl mercaptan were added, followed by nitrogen substitution.

그 후 교반하며 반응액의 온도를 70 ℃로 상승시키고 8 시간동안 반응하였다. 이렇게 합성된 알칼리 가용성 수지의 고형분 산가는 58 ㎎KOH/g 이며 GPC로 측정한 중량 평균 분자량 Mw는 약 7,450이었다.After that, the temperature of the reaction solution was raised to 70 °C with stirring, and the reaction was carried out for 8 hours. The alkali-soluble resin thus synthesized had a solid content acid value of 58 mgKOH/g, and a weight average molecular weight Mw measured by GPC of about 7,450.

<감광성 수지 조성물의 제조><Production of photosensitive resin composition>

하기 표 1에 기재된 조성 및 중량부에 따라, 실시예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 제조하였다.According to the composition and parts by weight described in Table 1 below, photosensitive resin compositions according to Examples and Comparative Examples were prepared.

  에테르 결합을
포함하는 티올 화합물
etheric bond
thiol compounds comprising
다관능 티올 화합물polyfunctional thiol compound 알칼리
가용성
수지
alkali
availability
Suzy
광중합성
화합물
photopolymerization
compound
광중합
개시제
light curing
initiator
용제 solvent
A-1A-1 A-2A-2 A-3A-3 F-1F-1 F-2F-2 F-3F-3 F-4F-4 BB CC DD EE 실시예Example 1One 1.01.0 -- -- -- -- -- -- 9.59.5 12.512.5 2.02.0 75.075.0 22 -- 1.01.0 -- -- -- -- -- 9.59.5 12.512.5 2.02.0 75.075.0 33 -- -- 1.01.0 -- -- -- -- 9.59.5 12.512.5 2.02.0 75.075.0 44 2.02.0 -- -- -- -- -- -- 9.09.0 12.012.0 2.02.0 75.075.0 55 6.06.0 -- -- -- -- -- -- 8.08.0 9.09.0 2.02.0 75.075.0 66 2.02.0 -- -- 2.02.0 -- -- -- 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 77 2.02.0 -- -- -- 2.02.0 -- -- 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 88 2.02.0 -- -- -- -- 2.02.0 -- 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 99 2.02.0 -- -- -- -- -- 2.02.0 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 1010 10.010.0 -- -- -- -- -- -- 6.06.0 7.07.0 2.02.0 75.075.0 1111 -- 10.010.0 -- -- -- -- -- 6.06.0 7.07.0 2.02.0 75.075.0 1212 -- -- 10.010.0 -- -- -- -- 6.06.0 7.07.0 2.02.0 75.075.0 비교예comparative example 1One -- -- -- 4.04.0 -- -- -- 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 22 -- -- -- -- 4.04.0 -- -- 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 33 -- -- -- -- -- 4.04.0 -- 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 44 -- -- -- -- -- -- 4.04.0 9.09.0 10.010.0 2.02.0 75.075.0 55 -- -- -- -- -- -- -- 1010 13.013.0 2.02.0 75.075.0

- A-1: 합성예 1에 따른 티올 화합물- A-1: thiol compound according to Synthesis Example 1

- A-2: 합성예 2에 따른 티올 화합물- A-2: thiol compound according to Synthesis Example 2

- A-3: 합성예 3에 따른 티올 화합물- A-3: thiol compound according to Synthesis Example 3

- F-1: 하기 화학식 (a) 구조를 갖는 트리메틸올프로판 디프로판티올(TMPT), SC유기화학 제조- F-1: trimethylolpropane dipropanethiol (TMPT) having the following formula (a) structure, manufactured by SC Organic Chemical

Figure pat00007
Figure pat00007

- F-2: 1,4-비스(3-머캅토부틸일옥시)부탄 (1,4-bis (3-mercaptobutylyloxy) butane, 쇼와덴코 제조)- F-2: 1,4-bis (3-mercaptobutylyloxy) butane (1,4-bis (3-mercaptobutylyloxy) butane, manufactured by Showa Denko)

- F-3: 디펜타에리스리톨 헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), SC유기화학 제조- F-3: dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), manufactured by SC Organic Chemical

- F-4: 글리콜우릴 유도체 (TS-G), 시코쿠 화성 제조- F-4: glycoluril derivative (TS-G), manufactured by Shikoku Chemical

- B: 합성예 4에 따른 알칼리 가용성 수지- B: alkali-soluble resin according to Synthesis Example 4

- C: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(KAYARAD DPHA), 일본화약 제조- C: dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD DPHA), manufactured by Japan Explosives

- D: Irgacure OXE-01, BASF 제조- D: Irgacure OXE-01, manufactured by BASF

- E: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시그마-알드리치 제조- E: propylene glycol monomethyl ether acetate, manufactured by Sigma-Aldrich

실험예 1: 패턴의 물성 평가Experimental Example 1: Evaluation of the physical properties of the pattern

5×5 cm의 유리 기판(이글 2000; 코닝사 제조)을 중성 세제, 물 및 알코올로 순차 세정한 후 건조하였다. 상기 유리 기판 상에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 각각 스핀 코팅한 다음 핫 플레이트(Hot plate)를 이용하여 80 ℃에서 120 초간 프리-베이크하였다. 상기 프리-베이크한 기판을 상온으로 냉각 후 석영 유리제 포토마스크와의 간격을 50 ㎛로 하여 노광기 (MA6; Karl suss (주) 제조)를 사용하여 30 mJ/㎠의 노광량(365 ㎚ 기준)으로 광을 조사하였다.A 5×5 cm glass substrate (Eagle 2000; manufactured by Corning) was sequentially washed with a neutral detergent, water and alcohol, and then dried. Each of the photosensitive resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were spin-coated on the glass substrate and then pre-baked at 80° C. for 120 seconds using a hot plate. After cooling the pre-baked substrate to room temperature, the distance from the quartz glass photomask was set to 50 μm, and the exposure machine (MA6; manufactured by Karl suss Co., Ltd.) was used at an exposure dose of 30 mJ/cm 2 (based on 365 nm) to light. was investigated.

이 때 포토마스크는 30 ㎛ square pattern인 정사각형의 개구부(Hole 패턴)를 가지며, 상호 간격이 100 ㎛인 패턴이 동일 평면 상에 형성된 포토마스크가 사용되었다. 광 조사 후 2.38 중량% 테트라메틸 암모늄 수산화 수용액에서 60 초간 현상하고 초순수로 세척한 후, 질소 하에서 건조하여 상기 감광성 수지 조성물 막에 패턴을 형성하였다. 오븐 중에서, 85 ℃에서 2 시간 동안 포스트-베이크(post-bake)를 실시하였다.In this case, a photomask having a 30 µm square pattern of square openings (Hole pattern) and a pattern having an interval of 100 µm formed on the same plane was used. After light irradiation, it was developed in a 2.38 wt% aqueous tetramethyl ammonium hydroxide solution for 60 seconds, washed with ultrapure water, and dried under nitrogen to form a pattern on the photosensitive resin composition layer. Post-bake in oven at 85° C. for 2 hours.

상기 패턴에 대하여 하기 (1) 내지 (4)의 물성 평가를 실시하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었으며, 하기 (5) 내지 (6)의 물성 평가를 실시하고, 그 결과를 하기 표3에 나타내었다. The following (1) to (4) physical property evaluation was performed on the pattern, the results are shown in Table 2 below, and the physical property evaluation of the following (5) to (6) is performed, and the results are shown in Table 3 shown in

(1) 잔사 평가(1) Residue evaluation

Hole 패턴에서 잔사 여부를 광학 현미경으로 평가하였다.The presence or absence of residues in the hole pattern was evaluated with an optical microscope.

<평가 기준><Evaluation criteria>

잔사 없음: ○No residue: ○

잔사 있음: XResidue: X

(2) 내습성 평가(2) moisture resistance evaluation

상기 패턴을 온도 25 ℃, 습도 85 %의 챔버에 각각 24시간 보관하여, 전, 후의 막두께 변화를 평가하였다.The pattern was stored in a chamber at a temperature of 25° C. and a humidity of 85% for 24 hours, respectively, to evaluate the change in film thickness before and after.

(3) 내열성 평가(3) Heat resistance evaluation

상기 패턴을 온도 85 ℃의 오븐에 각각 1시간 넣어서, 전, 후의 막두께 변화를 평가하였다.The pattern was placed in an oven at a temperature of 85° C. for 1 hour, respectively, and the film thickness change before and after was evaluated.

(4) 내알칼리성 평가(4) Alkali resistance evaluation

상기 패턴을 2.38 중량% 테트라메틸 암모늄 수산화 수용액에 각각 5 분간 넣어서, 전, 후의 막두께 변화를 평가하였다.The pattern was placed in a 2.38 wt% tetramethyl ammonium hydroxide aqueous solution for 5 minutes, respectively, and the film thickness change before and after was evaluated.

(2) 내지 (4)의 막 두께 변화 평가 기준은 다음과 같다:The film thickness change evaluation criteria in (2) to (4) are as follows:

<평가 기준><Evaluation criteria>

◎: 막 두께 변화 1 % 미만(double-circle): Film thickness change less than 1%

○: 막 두께 변화 1 % 이상, 2 % 미만○: Film thickness change 1% or more, less than 2%

△: 막 두께 변화 2 % 이상, 5 % 미만△: film thickness change 2% or more, less than 5%

X: 막 두께 변화 5 % 이상X: film thickness change 5% or more

잔사residue 내습성moisture resistance 내열성heat resistance 내알칼리성alkali resistance 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 실시예 9Example 9 실시예 10Example 10 실시예 11Example 11 실시예 12Example 12 비교예 1Comparative Example 1 XX 비교예 2Comparative Example 2 XX 비교예 3Comparative Example 3 XX 비교예 4Comparative Example 4 XX 비교예 5Comparative Example 5 XX XX

(5) 내화학성(밀착성) 평가(5) Evaluation of chemical resistance (adhesion)

상기 패턴을 NMP 수용액에 각각 6분간 담근 후의 라인 앤드 스페이스 마스크 패턴의 밀착된 최소 넓이로 평가하였다.The pattern was evaluated as the minimum area closely adhered to the line and space mask pattern after each of the patterns were immersed in the NMP aqueous solution for 6 minutes.

<평가 기준><Evaluation criteria>

10: 최소 밀착 라인 패턴 마스크 폭 10 ㎛10: Minimum adhesion line pattern mask width 10 μm

20: 최소 밀착 라인 패턴 마스크 폭 20 ㎛20: Minimum adhesion line pattern mask width 20 μm

30: 최소 밀착 라인 패턴 마스크 폭 30 ㎛30: Minimum adhesion line pattern mask width 30 μm

40: 최소 밀착 라인 패턴 마스크 폭 40 ㎛40: minimum adhesion line pattern mask width 40 μm

X: 박리 발생X: peeling occurs

(6) 내화학성(막 두께 변화) 평가(6) Chemical resistance (film thickness change) evaluation

상기 패턴을 NMP 수용액에 각각 6분간 담그기 전, 후의 패턴의 두께 변화를 측정하였다.The thickness change of the pattern before and after immersing the pattern in the NMP aqueous solution for 6 minutes, respectively, was measured.

실험예 2: 보존 안정성 평가Experimental Example 2: Storage stability evaluation

상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 감광성 수지 조성물을 40 ℃ 오븐에 넣고, 24 시간 후의 점도 변화를 평가하여, 하기 표 3에 나타내었다.The photosensitive resin compositions prepared according to Examples and Comparative Examples were placed in an oven at 40° C., and the viscosity change after 24 hours was evaluated, as shown in Table 3 below.

<평가 기준><Evaluation criteria>

◎: 점도 변화 1 % 미만◎: Viscosity change less than 1%

○: 점도 변화 1 % 이상 2 % 미만○: Viscosity change 1% or more and less than 2%

△: 점도 변화 2 % 이상 5 % 미만△: Viscosity change 2% or more and less than 5%

X: 점도 변화 5 % 이상X: Viscosity change 5% or more

  밀착성adhesion 막두께 변화change in film thickness 보존 안정성storage stability 실시예Example 1One 1010 00 22 1010 -0.01-0.01 33 1010 -0.03-0.03 44 1010 -0.01-0.01 55 1010 00 66 1010 00 77 1010 -0.01-0.01 88 1010 0.020.02 99 1010 0.010.01 1010 2020 0.060.06 1111 2020 0.050.05 1212 2020 0.070.07 비교예comparative example 1One 5050 -0.57-0.57 22 5050 -0.74-0.74 33 5050 -0.43-0.43 44 5050 -0.81-0.81 55 박리peeling 박리peeling

상기 표 2 및 3의 평가 결과를 참조하면, 본 발명에 따른 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물을 포함하는 실시예의 경우 잔사가 남지 않으며, 내습성, 내열성 및 내알칼리성 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다. 또한, 내화학성 및 보존 안정성의 특성 역시 우수한 것을 확인할 수 있다.Referring to the evaluation results in Tables 2 and 3, it can be seen that, in the case of the example containing the thiol compound having an ether bond according to the present invention, no residue is left, and moisture resistance, heat resistance and alkali resistance properties are excellent. In addition, it can be confirmed that the properties of chemical resistance and storage stability are also excellent.

반면, 본 발명에 따른 티올 화합물의 구조를 벗어나거나, 에테르 결합이 아닌 에스테르 결합을 포함하는 티올 화합물을 포함하는 경우, 패턴의 잔사가 발생하고, 내습성, 내열성, 내알칼리성 및 내화학성이 불량한 것을 확인할 수 있었으며, 보존 안정성 역시 실시예에 비하여 열위한 것을 확인할 수 있다.On the other hand, when the thiol compound according to the present invention is out of the structure or contains a thiol compound containing an ester bond rather than an ether bond, a pattern residue is generated, and moisture resistance, heat resistance, alkali resistance and chemical resistance are poor. It could be confirmed, and it can be confirmed that the storage stability is also inferior to that of the Example.

Claims (9)

화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 에테르 결합을 포함하는 티올 화합물(A), 알칼리 가용성 수지(B), 광중합성 화합물(C), 광중합 개시제(D) 및 용제(E)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00008

[화학식 2]
Figure pat00009

상기 화학식 1 내지 2에 있어서,
R1은 하나 이상의 티올기(-SH)로 치환된 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,
R2 내지 R4는, 각각 독립적으로, 수소 또는 하나 이상의 티올기(-SH)로 치환된 직쇄 또는 분지쇄의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
A thiol compound (A) containing an ether bond represented by Formula 1 or Formula 2, an alkali-soluble resin (B), a photopolymerizable compound (C), a photopolymerization initiator (D) and a solvent (E) comprising , photosensitive resin composition:
[Formula 1]
Figure pat00008

[Formula 2]
Figure pat00009

In Formulas 1 to 2,
R1 is a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with one or more thiol groups (-SH),
R2 to R4 are each independently hydrogen or a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with one or more thiol groups (-SH).
제1항에 있어서,
상기 티올 화합물(A)은 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 것을 특징으로 하는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure pat00010

상기 화학식 3에서,
R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이며,
m1 및 n1은, 각각 독립적으로, 1 내지 3의 정수이고, m1 + n1= 4이다.
[화학식 4]
Figure pat00011

상기 화학식 4에서,
R5는, 각각 독립적으로, 탄소수 1내지 10의 알킬렌기이며,
m2, m3, n2 및 n3은, 각각 독립적으로, 1 내지 3의 정수이고, m2+n2=3이고, m3+n3=3이다.
According to claim 1,
The thiol compound (A) is characterized in that represented by Formula 3 or Formula 4, the photosensitive resin composition:
[Formula 3]
Figure pat00010

In Formula 3,
R5 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
m1 and n1 are each independently an integer of 1 to 3, and m1 + n1 = 4.
[Formula 4]
Figure pat00011

In Formula 4,
R5 is each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms,
m2, m3, n2 and n3 are each independently an integer of 1 to 3, m2+n2=3, and m3+n3=3.
제1항에 있어서,
상기 티올 화합물(A)은 감광성 수지 조성물의 총 중량에 대하여 1 내지 25중량 %로 포함되는 것을 특징으로 하는, 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The thiol compound (A) is characterized in that included in 1 to 25% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition, the photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지(B)는 중량평균분자량 (Mw)이 1,500 내지 10,000인 것을 특징으로 하는, 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The alkali-soluble resin (B) has a weight average molecular weight (Mw) of 1,500 to 10,000, the photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지(B)의 산가가 20 mgKOH/g 내지 100 mgKOH/g인 것을 특징으로 하는, 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition, characterized in that the acid value of the alkali-soluble resin (B) is 20 mgKOH / g to 100 mgKOH / g.
제1항에 있어서,
에스테르 결합을 포함하는 2 내지 9 관능 티올 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition, characterized in that it further comprises a 2 to 9 functional thiol compound containing an ester bond.
청구항 1 내지 6항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물로 형성되는, 광경화 패턴.
A photocurable pattern formed of the photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 6.
제7항에 있어서,
상기 광경화 패턴은 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 블랙 매트릭스 패턴, 컬럼 스페이서 패턴, 블랙 컬럼 스페이서, 컬러 레지스트 패턴, 산란체를 포함하는 패턴 및 양자점을 포함하는 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광경화 패턴.
8. The method of claim 7,
The photocurable pattern includes an array planarization layer pattern, a protective layer pattern, an insulating layer pattern, a photoresist pattern, a black matrix pattern, a column spacer pattern, a black column spacer, a color resist pattern, a pattern including a scattering body, and a pattern including quantum dots. A photocurable pattern, characterized in that at least one selected from the group.
청구항 7항의 광경화 패턴을 포함하는 표시장치.
A display device comprising the photocurable pattern of claim 7 .
KR1020200182595A 2020-12-23 2020-12-23 Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same KR20220091266A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200182595A KR20220091266A (en) 2020-12-23 2020-12-23 Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same
CN202111177474.XA CN114660894A (en) 2020-12-23 2021-10-09 Photosensitive resin composition, photocuring pattern formed by using same and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200182595A KR20220091266A (en) 2020-12-23 2020-12-23 Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220091266A true KR20220091266A (en) 2022-06-30

Family

ID=82026428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200182595A KR20220091266A (en) 2020-12-23 2020-12-23 Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20220091266A (en)
CN (1) CN114660894A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101464312B1 (en) 2008-03-03 2014-11-21 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition which is capable of being cured at a low temperature

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101464312B1 (en) 2008-03-03 2014-11-21 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition which is capable of being cured at a low temperature

Also Published As

Publication number Publication date
CN114660894A (en) 2022-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102316002B1 (en) Negative photosensitive resin composition, resin cured film, partition wall, and optical element
KR101963931B1 (en) Black photosensitive resin composition, black matrix and image display device comprising thereof
JP2010262028A (en) Photosensitive resin composition for black matrix
KR102041929B1 (en) Photosensitive resin comopsition and cured pattern formed from the same
KR102392964B1 (en) Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate
JP2015052112A (en) Alkali-soluble resin, photosensitive resin composition, color filter and method for manufacturing the same, liquid crystal display apparatus
CN105974733B (en) Negative photosensitive resin composition, pattern formed using the same, and image display device
CN105938298B (en) Negative photosensitive resin composition, photocured pattern formed by using same and image display device
JP2016206661A (en) Photosensitive resin composition, pixel layer, protective film, spacer, thin film transistor, color filter, and liquid crystal display device
TWI697736B (en) Black photosensitive resin composition and column spacer comprising the same
KR101970325B1 (en) Black photosensitive resin composition, black matrix, column sapcer and column spacer combined with black matrix for image display device produced using the same
KR101420868B1 (en) A colored photosensitive resin composition, color filter and liquid crystal display device having the same
KR102135064B1 (en) Negative-type photosensitive resin comopsition
KR20220091266A (en) Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same
KR102120973B1 (en) Photosensitive resin comopsition
CN110018615B (en) Green photosensitive resin composition, color filter and image display device
KR102330078B1 (en) Negative-type Photosensitive Resin Composition
KR20170027005A (en) Photosensitive resin comopsition and cured pattern formed from the same
CN113467183B (en) Resin composition for forming insulating film, insulating film produced using the same, image display device, and method for producing insulating film
KR20220091270A (en) Photosensitive resin composition, photocurable pattern and display device formed from the same
KR20170027501A (en) Photosensitive resin comopsition and cured pattern formed from the same
KR20230030464A (en) Photosensitive Resin Composition, Protrusion Pattern and Display Device Using the Same
KR20230030467A (en) Photosensitive Resin Composition, Protrusion Pattern and Display Device Using the Same
CN114450322B (en) Compound, binder resin, negative-type photosensitive resin composition, and display device including black bank formed using the negative-type photosensitive resin composition
KR20110045528A (en) A colored photo sensitive resin composition, color filter and liquid crystal display device having the same