KR20170027005A - Photosensitive resin comopsition and cured pattern formed from the same - Google Patents

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KR20170027005A
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조용환
임민주
박한우
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a photosensitive resin composition. More specifically, the present invention relates to a photosensitive resin composition which comprises: a first alkali-soluble resin (A) including a repetitive unit having a specific structure; a second alkali-soluble resin (B); a polymeric compound (C) polymerized by containing a bisphenol A-type epoxy monomer and a bisphenol F-type epoxy monomer, and having the weight average molecular weight of 50,000-60,000; a polymerizable compound (D); a photopolymerization initiator (E); and a solvent (F). According to the present invention, the photosensitive resin composition enables the formation of patterns which exhibit excellent low temperature curing reactivity as well as superior durability such as pencil hardness and chemical resistance.

Description

감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 광경화 패턴{PHOTOSENSITIVE RESIN COMOPSITION AND CURED PATTERN FORMED FROM THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition and a photocurable pattern formed therefrom.

본 발명은 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 광경화 패턴에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저온 경화 조건에서도 반응성이 우수하고 및 내구성이 뛰어난 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition and a photocurable pattern formed therefrom, and more particularly, to a photosensitive resin composition capable of forming a pattern having excellent reactivity and excellent durability even under low-temperature curing conditions.

디스플레이 분야에 있어서, 감광성 수지 조성물은 포토레지스트, 절연막, 보호막, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 등의 다양한 광경화 패턴을 형성하기 위해 사용된다. 구체적으로, 감광성 수지 조성물을 포토리소그래피 공정에 의해 선택적으로 노광 및 현상하여 원하는 광경화 패턴을 형성하는데, 이 과정에서 공정상의 수율을 향상시키고, 적용 대상의 물성을 향상시키기 위해, 고감도를 가지는 감광성 수지 조성물이 요구되고 있다.In the display field, the photosensitive resin composition is used for forming various photo-curing patterns such as a photoresist, an insulating film, a protective film, a black matrix, and a column spacer. Specifically, the photosensitive resin composition is selectively exposed and developed by a photolithography process to form a desired photo-curable pattern. In order to improve the process yield and improve the physical properties of the application object in this process, a photosensitive resin having a high sensitivity A composition is required.

감광성 수지 조성물의 패턴 형성은 포토리소그래피, 즉 광반응에 의해 일어나는 고분자의 극성변화 및 가교반응에 의한다. 특히, 노광 후 알칼리 수용액 등의 용제에 대한 용해성의 변화 특성을 이용한다. The pattern formation of the photosensitive resin composition is caused by photolithography, that is, a change in the polarity of the polymer caused by the photoreaction and a crosslinking reaction. Particularly, the change characteristics of the solubility in a solvent such as an aqueous alkali solution after exposure are utilized.

감광성 수지 조성물에 의한 패턴 형성은 감광된 부분의 현상에 대한 용해도에 따라 포지티브형과 네가티브형으로 분류된다. 포지티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 의해 용해되며, 네가티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 녹지 않고 노광되지 아니한 부분이 용해되어 패턴이 형성되는 방식이고, 포지티브형과 네가티브형은 사용되는 바인더 수지, 가교제 등이 서로 상이하다. The pattern formation by the photosensitive resin composition is classified into a positive type and a negative type according to the solubility of the photosensitive portion in development. In the positive type photoresist, the exposed portion is dissolved by the developing solution, and the negative type photoresist is a method in which the exposed portion is not dissolved in the developing solution and the unexposed portion is dissolved to form a pattern. In the positive type and negative type, A binder resin, a crosslinking agent, and the like are different from each other.

근래에 터치 패널을 구비한 터치 스크린의 사용이 폭발적으로 증가하고 있으며, 최근에는 플렉서블한 터치 스크린이 크게 주목받고 있다. 이에 따라 터치 스크린에 사용되는 각종 기판 등의 소재로 플렉서블한 특성을 구비해야 하는 바, 그에 따라 사용 가능한 소재도 플렉서블한 고분자 소재로 제한이 발생하여, 제조 공정 역시 보다 온화한 조건에서의 수행이 요구되고 있다.2. Description of the Related Art Recently, the use of a touch screen equipped with a touch panel has been explosively increased. Recently, a flexible touch screen has received much attention. Accordingly, it is necessary to provide a flexible characteristic for various substrates used for a touch screen, and accordingly, a usable material is also limited by a flexible polymer material, so that the manufacturing process is required to be performed under milder conditions have.

그에 따라, 감광성 수지 조성물의 경화 조건 역시 종래의 고온 경화에서 저온 경화의 필요성이 대두되고 있는데, 저온 경화는 반응성 저하, 형성된 패턴의 내구성 저하의 문제가 있다.Accordingly, the curing conditions of the photosensitive resin composition also require the necessity of low-temperature curing in the conventional high-temperature curing, and the low-temperature curing has a problem in that the reactivity is lowered and the durability of the formed pattern is deteriorated.

한국등록특허 제10-1302508호는 사이클로헥세닐 아크릴레이트계 단량체를 사용하여 중합된 공중합체를 포함함으로써 내열성 및 내광성이 우수하고 감도를 향상할 수 있는 네가티브 감광성 수지 조성물에 대해서 개시하고 있으나, 저온 경화 조건에서는 요구되는 내구성을 나타내지 못한다.Korean Patent No. 10-1302508 discloses a negative photosensitive resin composition which is excellent in heat resistance and light resistance and can improve sensitivity by including a copolymer polymerized by using a cyclohexenyl acrylate monomer, Conditions do not show required durability.

한국등록특허 제10-1302508호Korean Patent No. 10-1302508

본 발명은 저온에서 경화가 가능하면서도 반응성이 우수하고, 형성된 패턴의 경도 및 내화학성 등의 내구성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition capable of being cured at a low temperature, excellent in reactivity, and excellent in durability such as hardness and chemical resistance of a formed pattern.

또한, 본 발명은 포토리소그래피 공정에서 우수한 패턴 형성 능력을 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a photosensitive resin composition having an excellent pattern forming ability in a photolithography process.

또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로 형성된 광경화 패턴을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a photocurable pattern formed from the photosensitive resin composition.

1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위, 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위 및 카르복시산기를 포함하는 반복 단위를 포함하는 제1 알칼리 가용성 수지(A);1. A resin composition comprising: a first alkali-soluble resin (A) comprising a repeating unit represented by the following formula (1), a repeating unit represented by the following formula (2), and a repeating unit containing a carboxylic acid group;

하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위, 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위 및 카르복시산기를 포함하는 반복 단위를 포함하는 제2 알칼리 가용성 수지(B);A second alkali-soluble resin (B) comprising a repeating unit represented by the following formula (3), a repeating unit represented by the following formula (4), and a repeating unit containing a carboxylic acid group;

비스페놀 A형 에폭시 단량체 및 비스페놀 F형 에폭시 단량체를 포함하여 중합되고, 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000인 고분자 화합물(C);(C) polymerized with a bisphenol A type epoxy monomer and a bisphenol F type epoxy monomer and having a weight average molecular weight of 50,000 to 60,000;

중합성 화합물(D);Polymerizable compound (D);

광중합 개시제(E); 및 A photopolymerization initiator (E); And

용매(F)를 포함하는, 감광성 수지 조성물:A photosensitive resin composition comprising a solvent (F):

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 중에서, R1, R2, R4, R5 및 R6는 서로 독립적으로 수소 또는 메틸기이며, R3는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 알케닐기임).(Wherein R 1 , R 2 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently hydrogen or a methyl group, and R 3 is a straight or branched chain alkyl group or alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms).

2. 위 1에 있어서, 상기 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 중량평균분자량은 6,000 내지 14,000인, 감광성 수지 조성물.2. The photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the weight average molecular weight of the first alkali-soluble resin (A) is 6,000 to 14,000.

3. 위 1에 있어서, 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 중량평균분자량은 10,000 내지 30,000인, 감광성 수지 조성물.3. The photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the second alkali-soluble resin (B) has a weight average molecular weight of 10,000 to 30,000.

4. 위 1에 있어서, 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)는 반복 단위 총 100mol%에 대하여, 상기 화학식 4로 표시되는 반복 단위가 60 내지 65mol%로 포함되는, 감광성 수지 조성물.4. The photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the second alkali-soluble resin (B) contains 60 to 65 mol% of the repeating unit represented by the formula (4) based on 100 mol% of the total repeating units.

5. 위 1에 있어서, 상기 제1 알칼리 가용성 수지(A)와 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 혼합 중량비는 50:50 내지 90:10인, 감광성 수지 조성물.5. The photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the mixing weight ratio of the first alkali-soluble resin (A) and the second alkali-soluble resin (B) is 50:50 to 90:10.

6. 위 1에 있어서, 상기 고분자 화합물(C)의 비스페놀 A형 에폭시 단량체와 비스페놀 F형 에폭시 단량체의 중합 몰비는 50:50 내지 25:75인, 감광성 수지 조성물.6. The photosensitive resin composition according to item 1 above, wherein the polymerization molar ratio of the bisphenol A type epoxy monomer and the bisphenol F type epoxy monomer in the polymer compound (C) is 50:50 to 25:75.

7. 위 1에 있어서, 70 내지 150℃의 저온에서 경화가 가능한, 감광성 수지 조성물.7. The photosensitive resin composition according to item 1, wherein curing is possible at a low temperature of 70 to 150 占 폚.

8. 위 1 내지 7 중의 어느 한 항의 감광성 수지 조성물로 형성되는, 광경화 패턴.8. A photocurable pattern formed from the photosensitive resin composition of any one of items 1 to 7 above.

9. 위 8에 있어서, 상기 광경화 패턴은 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 블랙 매트릭스 패턴 및 컬럼 스페이서 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는, 광경화 패턴.9. The photocurable pattern according to the above 8, wherein the photocurable pattern is selected from the group consisting of an array planarizing film pattern, a protective film pattern, an insulating film pattern, a photoresist pattern, a black matrix pattern and a column spacer pattern.

10. 위 8의 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치.10. An image display device comprising the photocuring pattern of the above 8.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 특정 구조의 알칼리 가용성 수지를 사용함으로써 저온 경화 조건에서도 우수한 반응성을 나타낼 수 있으며, 이에 따라 해상도가 뛰어난 패턴을 구현할 수 있다.By using an alkali-soluble resin having a specific structure, the photosensitive resin composition of the present invention can exhibit excellent reactivity under low-temperature curing conditions, thereby realizing a pattern with excellent resolution.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지와 특정 구조의 고분자 화합물을 조합하여 사용함으로써, 우수한 연필 경도 및 내화학성을 가지는 패턴을 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention can form a pattern having excellent pencil hardness and chemical resistance by using the alkali-soluble resin and a polymer compound having a specific structure in combination.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 패턴의 Bottom CD size의 정의를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 현상 후 잔막 여부 평가에서, 현상 잔막이 없는 정상 패턴의 사진이다.
도 3 및 4는 현상 후 잔막 여부 평가에서, 현상 후 잔막이 발생한 경우의 패턴 사진이다.
도 6 내지 8은 연필 경도 평가 기준을 나타낸 것이다.
FIG. 1 schematically shows a definition of a bottom CD size of a pattern according to an embodiment of the present invention.
2 is a photograph of a normal pattern with no residual film in the evaluation of the residual film after development.
Figs. 3 and 4 are photographs of patterns in the case where a residual film is formed after development in the evaluation of residual film after development.
Figures 6 to 8 show pencil hardness evaluation criteria.

본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 특 정 구조의 반복 단위를 포함하는 제1 알칼리 가용성 수지(A); 제2 알칼리 가용성 수지(B); 비스페놀 A형 에폭시 단량체 및 비스페놀 F형 에폭시 단량체를 포함하여 중합되고, 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000인 고분자 화합물(C); 중합성 화합물(D); 광중합 개시제(E); 및 용매(F)를 포함함으로써, 저온 경화 반응성이 우수하고, 연필 경도 및 내화학성 등의 내구성이 뛰어난 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, and more particularly to a photosensitive resin composition comprising a first alkali-soluble resin (A) containing a repeating unit of a specific structure; A second alkali-soluble resin (B); (C) polymerized with a bisphenol A type epoxy monomer and a bisphenol F type epoxy monomer and having a weight average molecular weight of 50,000 to 60,000; Polymerizable compound (D); A photopolymerization initiator (E); And a solvent (F), thereby forming a pattern having excellent low temperature curing reactivity and excellent durability such as pencil hardness and chemical resistance.

이하, 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 제1 알칼리 가용성 수지(A), 제2 알칼리 가용성 수지(B), 비스페놀계 에폭시 단량체로부터 중합된 고분자 화합물(C), 중합성 화합물(D), 광중합 개시제(E) 및 용매(F)를 포함한다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises a first alkali-soluble resin (A), a second alkali-soluble resin (B), a polymer compound (C) polymerized from a bisphenol- And a solvent (F).

본 발명에 있어서, 화학식으로 표시되는 각 반복 단위는 그 반복단위의 이성질체를 포함하는 것으로서, 각 화학식으로 표시되는 반복단위가 이성질체가 있는 경우에는 해당 식으로 표시되는 반복단위는 그 이성질체까지 포함하는 대표 화학식을 의미한다.In the present invention, each repeating unit represented by the formula includes an isomer of the repeating unit, and when the repeating unit represented by each formula is an isomer, the repeating unit represented by the formula is represented by a Means a chemical formula.

본 발명에 있어서, 각 반복 단위는 정해진 mol% 범위 내에서 사슬의 어느 위치에라도 자유롭게 위치할 수 있다. 즉, 고분자 또는 수지를 나타내는 화학식 중 각 괄호는 mol%를 표현하기 위해 하나의 블록으로 표시되었으나, 각 반복단위는 해당 수지 내라면 제한없이 블록으로 또는 각각 분리되어 위치될 수 있다.In the present invention, each repeating unit can be freely positioned at any position of the chain within a predetermined mol% range. That is, the parentheses in the formulas representing the polymer or the resin are represented by one block for expressing the mol%, but each repeating unit may be placed in a block or separately as long as it is within the resin.

제1 알칼리 가용성 수지(A)The first alkali-soluble resin (A)

알칼리 가용성 수지는 패턴을 형성할 때의 현상 처리 공정에서 이용되는 알칼리 현상액에 대해서 가용성을 부여하는 성분으로, 본 발명은 특정 구조의 반복 단위를 가지는 알칼리 가용성 수지를 조합하여 사용함으로써, 저온 경화 조건(예를 들면, 70 내지 150℃)에서도 우수한 반응성으로 신뢰성이 뛰어난 패턴을 형성할 수 있게 한다.The alkali-soluble resin is a component which imparts solubility to the alkali developing solution used in the development processing at the time of forming the pattern. In the present invention, by using an alkali-soluble resin having a repeating unit having a specific structure in combination, For example, 70 to 150 DEG C), it is possible to form a pattern with excellent reliability and excellent reliability.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 반복 단위가 서로 상이한 제1 알칼리 가용성 수지(A) 및 제2 알칼리 가용성 수지(B)를 포함한다.The photosensitive resin composition according to the present invention comprises a first alkali-soluble resin (A) and a second alkali-soluble resin (B) in which the repeating units are different from each other.

본 발명에 따른 제1 알칼리 가용성 수지(A)는 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위, 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위 및 카르복시기를 포함하는 반복 단위를 포함하며, 감광성 수지 조성물의 저온에서의 반응성 및 내화학성을 개선하는 기능을 수행한다.The first alkali-soluble resin (A) according to the present invention comprises a repeating unit represented by the following formula (1), a repeating unit represented by the following formula (2) and a repeating unit containing a carboxyl group, And performs a function of improving chemical resistance.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 2](2)

Figure pat00006
Figure pat00006

식 중에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 또는 메틸기이며, R3는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 알케닐기이다.In the formula, R 1 and R 2 are each independently hydrogen or a methyl group, and R 3 is a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 제1 알칼리 가용성 수지(A)에서 상기 카르복시기를 포함하는 반복 단위는 알칼리 현상액에 대해서 가용성을 부여하는 기능을 하며, 메타아크릴산, 2-비닐아세트산 등에 의해 유도된 것일 수 있다.In the first alkali-soluble resin (A), the repeating unit containing a carboxyl group has a function of imparting solubility to an alkali developer, and may be one derived from methacrylic acid, 2-vinylacetic acid or the like.

본 발명에 따른 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 일 예는 하기 화학식 A로 표시되는 구조일 수 있다.An example of the first alkali-soluble resin (A) according to the present invention may be a structure represented by the following formula (A).

[화학식 A](A)

Figure pat00007
Figure pat00007

식 중에서, 상기 R1, R2 및 R3는 전술한 내용과 동일한 치환기이며, R7은 수소 또는 메틸기이며, a=20 내지 70mol%, b=20 내지 60mol%, c=5 내지 30mol%이다.In the formula, R 1 , R 2 and R 3 are the same substituents as described above, R 7 is hydrogen or a methyl group, a = 20 to 70 mol%, b = 20 to 60 mol% and c = 5 to 30 mol% .

본 발명에 따른 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 중량평균분자량은 특별히 한정되지 않으나, 감광성 수지 조성물의 저온 조건의 반응성 향상 및 내화학성의 향상 측면에서 6,000 내지 20,000인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 13,000 내지 17,000인 것이 좋다. 상기 범위를 만족하는 경우, 패턴의 CD-Bias가 적정 범위로 구현되어 우수한 해상도를 갖는 패턴을 형성할 수 있으며, 내화학성 및 연필경도 역시 향상시킬 수 있다. 한편, 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 중량평균분자량이 20,000을 초과하는 경우, 분자량이 과도하게 커져 감광성 수지 조성물의 다른 성분과의 상용성이 저하되어 현상 단계에서 도막의 백화가 발생할 수 있으며, 패턴의 선폭도 증가하여 CD-Bias 특성이 저하될 수 있다.The weight average molecular weight of the first alkali-soluble resin (A) according to the present invention is not particularly limited, but it is preferably 6,000 to 20,000 from the viewpoint of improving the reactivity and chemical resistance of the photosensitive resin composition at low temperature, 13,000 to 17,000. When the above range is satisfied, CD-Bias of the pattern can be realized in an appropriate range to form a pattern having excellent resolution, and the chemical resistance and pencil hardness can also be improved. On the other hand, when the weight average molecular weight of the first alkali-soluble resin (A) is more than 20,000, the molecular weight becomes excessively large and the compatibility with the other components of the photosensitive resin composition is lowered, The line width of the pattern also increases and the CD-Bias characteristic may be degraded.

제2 알칼리 가용성 수지(B)The second alkali-soluble resin (B)

본 발명에 따른 제2 알칼리 가용성 수지(B)는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위, 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위 및 카르복시기를 포함하는 반복 단위를 포함하며, 감광성 수지 조성물의 패턴 형성성 및 내화학성 등의 내구성을 개선하는 기능을 한다.The second alkali-soluble resin (B) according to the present invention comprises a repeating unit represented by the following formula (3), a repeating unit represented by the following formula (4) and a repeating unit containing a carboxyl group, And improves durability such as chemical resistance.

[화학식 3](3)

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00009
Figure pat00009

식 중에서, R4, R5 및 R6는 서로 독립적으로 수소 또는 메틸기이다.In the formulas, R 4 , R 5 and R 6 independently of one another are hydrogen or a methyl group.

본 발명에 있어서, 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 화학식 3으로 표시되는 반복 단위는 아크릴로일옥시 2-히드록시프로필기를 포함함으로써, 노광 단계의 광경화 반응에서 중합성 화합물과 중합 반응에 참여하여 경화네트워크를 형성하며, 이에 따라 패턴의 형성성을 향상시킬 수 있다.In the present invention, since the repeating unit represented by the general formula (3) of the second alkali-soluble resin (B) contains an acryloyloxy 2-hydroxypropyl group, the polymerization reaction with the polymerizable compound in the photopolymerization reaction in the exposure step Thereby forming a hardened network, thereby improving the pattern formability.

또한, 상기 화학식 4로 표시되는 반복 단위는 방향족 고리를 포함함으로써 바인더 폴리머와 불포화기를 포함하는 단량체 사이에 상용성을 증대시켜 패턴의 형성성 및 내구성을 개선시킬 수 있다.In addition, the repeating unit represented by the formula (4) includes an aromatic ring, thereby improving the compatibility between the binder polymer and the monomer containing an unsaturated group, thereby improving the pattern formability and durability.

상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)에서 상기 카르복시기를 포함하는 반복 단위는 알칼리 현상액에 대해서 가용성을 부여하는 기능을 하며, 메타아크릴산, 2-비닐아세트산 등에 의해 유도된 것일 수 있다.In the second alkali-soluble resin (B), the repeating unit containing a carboxyl group has a function of imparting solubility to an alkali developer and may be one derived from methacrylic acid, 2-vinylacetic acid, or the like.

상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 각 반복 단위의 몰 수는 특별히 한정되지 않으난, 반복 단위 총 100mol%에 대하여, 상기 화학식 4로 표시되는 반복 단위가 60 내지 65mol%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함되는 경우, 적정 현상성을 구현함과 동시에 우수한 연필 경도를 구현할 수 있어 바람직하다. 한편, 상기 화학식 4로 표시되는 반복 단위의 몰수가 65mol%를 초과하는 경우, 다른 관능기가 상대적으로 감소하게 되므로 경화 반응의 반응성이 저하될 수 있으며, 소수성이 다소 증가하여 현상성이 저하될 가능성이 있다.The number of moles of each repeating unit of the second alkali-soluble resin (B) is not particularly limited, and the repeating unit represented by the formula (4) may be contained in an amount of 60 to 65 mol% based on 100 mol% of the total repeating units. When it is included in the above-mentioned range, it is preferable that the pencil hardness can be realized while realizing proper developability. On the other hand, when the number of moles of the repeating unit represented by Formula 4 is more than 65 mol%, the reactivity of the curing reaction may be lowered because the other functional groups are relatively decreased, and the hydrophobicity may be somewhat increased, have.

본 발명에 따른 제2 알칼리 가용성 수지(B)는 상기 화학식 3, 화학식 4 및 카르복시기를 가지는 반복 구조만을 포함하는 것일 수 있으며, 하기 화학식 B로 표시되는 구조일 수 있다.The second alkali-soluble resin (B) according to the present invention may contain only a repeating structure having the above-mentioned formula (3), (4) and a carboxyl group, and may be a structure represented by the following formula (B).

[화학식 B][Chemical Formula B]

Figure pat00010
Figure pat00010

식 중에서, R4, R5 및 R6은 전술한 내용과 동일한 치환기이며, a=60 내지 65mol%, b=1 내지 10mol%, c=5 내지 35mol%, d=1 내지 25mol%이다.In the formula, R 4 , R 5 and R 6 are the same substituents as those described above, and a = 60 to 65 mol%, b = 1 to 10 mol%, c = 5 to 35 mol% and d = 1 to 25 mol%.

본 발명에 따른 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 중량평균분자량은 특별히 한정되지 않으나, 패턴의 형성성 및 내구성 향상의 측면에서 10,000 내지 30,000인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20,000 내지 25,000인 것이 좋다. 상기 범위를 만족하는 경우, 우수한 내구성 및 내화학성을 가지는 패턴을 형성할 수 있어 바람직하다. 한편, 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 중량평균분자량이 10,000 미만인 경우, 패턴의 연필 경도가 저하될 수 있다.The weight average molecular weight of the second alkali-soluble resin (B) according to the present invention is not particularly limited, but is preferably from 10,000 to 30,000, more preferably from 20,000 to 25,000 from the viewpoint of pattern formation and improvement in durability . When the above range is satisfied, a pattern having excellent durability and chemical resistance can be formed, which is preferable. On the other hand, when the weight average molecular weight of the second alkali-soluble resin (B) is less than 10,000, the pencil hardness of the pattern may be lowered.

본 발명에 따른 제1 알칼리 가용성 수지(A) 및 제2 알칼리 가용성 수지(B)는 서로 독립적으로 전술한 반복 단위 이외에도 당분야에서 공지된 다른 단량체로 형성된 반복단위를 더 포함할 수 있으며, 상기의 반복 단위로만 형성될 수도 있다.The first alkali-soluble resin (A) and the second alkali-soluble resin (B) according to the present invention may further comprise, independently of each other, a repeating unit formed from other monomers known in the art, It may be formed only as a repeating unit.

알칼리 가용성 수지의 합성에 있어서, 더 부가될 수 있는 반복 단위를 형성하는 단량체로는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 크로톤산 등의 모노카르복실산류; 푸마르산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산류 및 이들의 무수물; ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등의 양 말단에 카르복시기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트류; 비닐톨루엔, p-클로로스티렌, o-메톡시스티렌, m-메톡시스티렌, p-메톡시스티렌, o-비닐벤질메틸에테르, m-비닐벤질메틸에테르, p-비닐벤질메틸에테르, o-비닐 벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 방향족 비닐 화합물; N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, N-o-히드록시페닐말레이미드, N-m-히드록시페닐말레이미드, N-p-히드록시페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드, N-o-메톡시페닐말레이미드, N-m-메톡시페닐말레이미드, N-p-메톡시페닐말레이미드 등의 N-치환 말레이미드계 화합물; 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, i-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트류; 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트 등의 지환족(메타)아크릴레이트류; 페닐(메타)아크릴레이트 등의 아릴(메타)아크릴레이트류; 3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-트리플루오로메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-4-트리플루오로메틸옥세탄 등의 불포화 옥세탄 화합물; 메틸글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 옥시란 화합물; 탄소수 4 내지 16의 시클로알칸 또는 디시클로알칸고리로 치환된 (메타)아크릴레이트; 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.In the synthesis of the alkali-soluble resin, the monomer forming the repeating unit which can be further added is not particularly limited, and examples thereof include monocarboxylic acids such as crotonic acid; Dicarboxylic acids such as fumaric acid, mesaconic acid and itaconic acid, and anhydrides thereof; mono (meth) acrylates of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both terminals such as? -carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate; Vinyltoluene, p-chlorostyrene, o-methoxystyrene, m-methoxystyrene, p-methoxystyrene, o-vinylbenzylmethylether, m- vinylbenzylmethylether, p-vinylbenzylmethylether, o-vinyl Aromatic vinyl compounds such as benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether and p-vinyl benzyl glycidyl ether; N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-phenylmaleimide, No-hydroxyphenylmaleimide, Nm-hydroxyphenylmaleimide, Np-hydroxyphenylmaleimide, No-methylphenylmaleimide, Nm N-substituted maleimide-based compounds such as methylphenyl maleimide, Np-methylphenyl maleimide, No-methoxyphenyl maleimide, Nm-methoxyphenyl maleimide and Np-methoxyphenyl maleimide; Propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylates such as sec-butyl (meth) acrylate; Alicyclic (meth) acrylates such as cyclopentyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate and 2-dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate; Aryl (meth) acrylates such as phenyl (meth) acrylate; 3- (methacryloyloxymethyl) -2-trifluoromethyl oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) 2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -4-trifluoromethyloxetane, and the like Unsaturated oxetane compounds; Unsaturated oxirane compounds such as methyl glycidyl (meth) acrylate; A (meth) acrylate substituted with a cycloalkane or a dicycloalkane ring having 4 to 16 carbon atoms; And the like. These may be used alone or in combination of two or more.

제1 알칼리 가용성 수지(A) 및 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 산가는 서로 독립적으로 20 내지 200(KOH㎎/g)의 범위인 것이 바람직하다. 산가가 상기 범위에 있으면, 우수한 현상성 및 경시 안정성을 가질 수 있다.It is preferable that the acid value of the first alkali-soluble resin (A) and the second alkali-soluble resin (B) are independently in the range of 20 to 200 (KOH mg / g). When the acid value is in the above range, excellent developability and long-term stability can be obtained.

본 발명에 따른 제1 알칼리 가용성 수지(A)와 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 혼합 중량비는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 50:50 내지 90:10이며, 바람직하게는 70:30 내지 85:15일 수 있다. 저온 경화성을 확보하기 위해서 바람직하게는 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 함량이 제2 알칼리 가용성 수지(B)보다 많은 것이 좋아며, 다만, 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 함량이 제2 알칼리 가용성 수지(B) 중량의 9배를 초과하는 경우, 내화학성 등의 내구성이 저하될 수 있다.The mixing weight ratio of the first alkali-soluble resin (A) and the second alkali-soluble resin (B) according to the present invention is not particularly limited, but is, for example, 50:50 to 90:10, To 85:15. It is preferred that the content of the first alkali-soluble resin (A) is higher than that of the second alkali-soluble resin (B) in order to ensure low-temperature curability, but the content of the first alkali- If it exceeds 9 times the weight of the soluble resin (B), durability such as chemical resistance may be lowered.

본 발명에서 상기 제1 알칼리 가용성 수지(A)와 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)를 합한 알칼리 가용성 수지의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 고형분을 기준으로 감광성 수지 조성물 전체 100중량부에 대하여, 10 내지 90중량부, 바람직하게는 25 내지 70중량부로 포함될 수 있다. 상기의 범위내로 포함되는 경우, 현상액에의 용해성이 충분하여 현상성이 우수해지며, 우수한 기계적 물성을 갖는 광경화 패턴을 형성할 수 있게 한다.In the present invention, the content of the alkali-soluble resin in which the first alkali-soluble resin (A) and the second alkali-soluble resin (B) are combined is not particularly limited. For example, the total amount of the photosensitive resin composition 10 to 90 parts by weight, preferably 25 to 70 parts by weight. When it is contained within the above-mentioned range, solubility in a developing solution is sufficient, and the developing property is excellent, and a photocurable pattern having excellent mechanical properties can be formed.

비스페놀계Bisphenol-based 고분자 화합물(C) The polymer compound (C)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 특정 분자량의 비스페놀계 고분자 화합물(C)을 포함함으로써, 경화 후 도막의 연필 경도와 내화학성을 향상시킬 수 있다.By containing the bisphenol-based polymer (C) having a specific molecular weight, the photosensitive resin composition of the present invention can improve the pencil hardness and chemical resistance of the coating film after curing.

본 발명에 따른 고분자 화합물(C)은 비스페놀 A형 에폭시 단량체 및 비스페놀 F형 에폭시 단량체를 포함하여 에폭시 화합물의 개환 반응에 따른 열중합된 화합물로서, 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000인 화합물이다. 상기 고분자 화합물(C)은 상대적으로 큰 분자량과 강직한 방향족 고리 구조를 반복적으로 포함하여, 감광성 수지 조성물의 경화 후 연필 경도를 향상시킬 수 있으며, 강한 소수성을 나타내므로 내화학성 또한 향상시킬 수 있다.The polymer compound (C) according to the present invention is a compound thermally polymerized by ring-opening reaction of an epoxy compound including a bisphenol A type epoxy monomer and a bisphenol F type epoxy monomer and having a weight average molecular weight of 50,000 to 60,000. The polymer compound (C) includes a relatively large molecular weight and a rigid aromatic ring structure repeatedly so as to improve the pencil hardness after curing of the photosensitive resin composition and exhibit strong hydrophobicity, so that the chemical resistance can also be improved.

한편, 비스페놀 A형 에폭시 단량체 및 비스페놀 F형 에폭시 단량체를 감광성 수지 조성물의 중합성 화합물로 포함하는 경우, 상기 에폭시 단량체간의 경화 네트워크를 형성하기 어려워지며, 이에 따라 전술한 연필 경도 및 내화학성과 같은 효과를 구현하기 어렵다. 즉, 상기 두 에폭시 단량체를 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000인 고분자량의 화합물로 합성하여 첨가하는 경우에만 경화물의 기계적 물성을 확보할 수 있게 된다.On the other hand, when a bisphenol A-type epoxy monomer and a bisphenol F-type epoxy monomer are included as a polymerizable compound in a photosensitive resin composition, it is difficult to form a curing network between the epoxy monomers. As a result, Is difficult to implement. That is, only when the two epoxy monomers are synthesized with a high molecular weight compound having a weight average molecular weight of 50,000 to 60,000, the mechanical properties of the cured product can be secured.

본 발명에 따른 고분자 화합물(C)은 전술한 바와 같이, 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000인 화합물로서, 상기 고분자 화합물(C)의 분자량이 50,000 미만인 경우, 기계적 신뢰성이 저하될 수 있으며, 분자량이 60,000을 초과하는 경우, 소수성이 과도해져 패턴 형성시 주위의 잔막이 발생하고 표면에 백화가 발생하는 등, 패턴의 CD-Bias 특성 저하되는 문제가 있다. 또한, 현상성이 감소되고, 다른 성분과의 상용성도 저하될 수 있다.The polymer compound (C) according to the present invention is a compound having a weight average molecular weight of 50,000 to 60,000 as described above. When the molecular weight of the polymer compound (C) is less than 50,000, mechanical reliability may be deteriorated. , There is a problem that the hydrophobicity is excessively increased, a residual film around the pattern is formed at the time of pattern formation, whitening occurs on the surface, and the CD-Bias characteristic of the pattern is deteriorated. Also, the developability may be reduced, and compatibility with other components may be lowered.

본 발명에 따른 고분자 화합물(C)에 있어서, 비스페놀 A형 에폭시 단량체와 비스페놀 F형 에폭시 단량체의 중합 몰비는 특별히 한정되지 않는다. 다만, 비스페놀 A형 에폭시 단량체는 분자 내에 메틸기를 포함하므로 비스페놀 F형 에폭시 단량체 보다 상대적으로 소수성이 크며, 이에 따라, 비스페놀 A형 에폭시 단량체를 과량으로 사용하여 중합하는 경우, 조성물의 소수성을 증가시켜 패턴 형성시 주위의 잔막이 발생하고 표면에 백화가 발생하는 등 패턴의 CD-Bias 특성이 저하될 수 있으며, 현상 공정에서 현상액에 대한 속도가 저하되고, 감광성 수지 조성물의 다른 성분과의 상용성도 저하되는 문제가 있다.In the polymer compound (C) according to the present invention, the polymerization molar ratio of the bisphenol A-type epoxy monomer to the bisphenol F-type epoxy monomer is not particularly limited. However, since the bisphenol A type epoxy monomer contains a methyl group in the molecule, the bisphenol A type epoxy monomer is relatively more hydrophobic than the bisphenol F type epoxy monomer. Accordingly, when the bisphenol A type epoxy monomer is polymerized by using an excess amount of the bisphenol A type epoxy monomer, The CD-Bias characteristic of the pattern may be deteriorated, such as the occurrence of a residual film around the photosensitive drum and the formation of whiteness on the surface thereof. In this case, the speed with respect to the developer in the developing process is lowered and the compatibility with other components of the photosensitive resin composition is lowered there is a problem.

이러한 측면에서, 비스페놀 A형 에폭시 단량체 보다 비스페놀 F형 에폭시 단량체를 과량으로 사용하여 중합하는 것이 바람직하며, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 단량체와 비스페놀 F형 에폭시 단량체가 50:50 내지 25:75의 몰비로 포함되여 중합되는 것이 바람직하다.From this point of view, it is preferable to polymerize bisphenol F type epoxy monomers in an excess amount rather than bisphenol A type epoxy monomers. For example, bisphenol A type epoxy monomers and bisphenol F type epoxy monomers are used in an amount of 50:50 to 25:75 It is preferable that they are polymerized in a molar ratio.

본 발명에 따른 고분자 화합물(C)의 일 예는 하기 화학식 C로 표시되는 구조일 수 있다.An example of the polymer compound (C) according to the present invention may be a structure represented by the following formula (C).

[화학식 C]&Lt; RTI ID = 0.0 &

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 식 중에서, 반복 단위의 몰수(a, b)는 전술한 중량평균분자량 및 몰비를 만족하는 범위 내에서 적절하게 선택될 수 있다.In the above formula, the number of moles (a, b) of the repeating unit can be appropriately selected within a range that satisfies the above-mentioned weight-average molecular weight and molar ratio.

본 발명에 따른 고분자 화합물(C)의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 고형분을 기준으로 감광성 수지 조성물 전체 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 소량으로 첨가되어도 경화 후 도막의 연필 경도 및 내화학성을 향상시킬 수 있으며, 상기 범위로 포함되는 경우, 다른 성분과의 상용성이나 패턴의 현상성도 저하시키지 않아 바람직하다.The content of the polymer compound (C) according to the present invention is not particularly limited, but may be in the range of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the photosensitive resin composition based on the solid content. When added in a small amount in the above-mentioned range, the pencil hardness and chemical resistance of the coating film after curing can be improved, and when contained in the above range, compatibility with other components and developability of pattern are not lowered.

중합성Polymerizable 화합물(D) Compound (D)

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 중합성 화합물(D)은 제조 공정 중 가교 밀도를 증가시키며, 광경화 패턴의 기계적 특성을 강화시킬 수 있다.The polymerizable compound (D) used in the photosensitive resin composition of the present invention increases the crosslinking density during the production process and can enhance the mechanical properties of the photocuring pattern.

중합성 화합물(D)은 당분야에 사용되는 것이 특별한 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 단관능 단량체, 2관능 단량체 및 그 밖의 다관능 단량체로, 그 종류는 특별히 한정되지 않으나, 하기 화합물들을 그 예로 들 수 있다. The polymerizable compound (D) can be used in the art without any particular limitation, and examples thereof include monofunctional monomers, bifunctional monomers and other multifunctional monomers, and the kind thereof is not particularly limited, For example.

단관능 단량체의 구체예로는 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다. 2관능 단량체의 구체예로는 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 밖의 다관능 단량체의 구체예로서는 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 옥타(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서 2관능 이상의 다관능 단량체가 바람직하게 사용된다. Specific examples of monofunctional monomers include nonylphenylcarbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexylcarbitol acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, N- Money and so on. Specific examples of the bifunctional monomer include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) Bis (acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A, 3-methylpentanediol di (meth) acrylate, and the like. Specific examples of other polyfunctional monomers include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, propoxylated dipentaerythritol Hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol octa (meth) acrylate, and the like. Of these, multifunctional monomers having two or more functional groups are preferably used.

상기 중합성 화합물(D)의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 감광성 수지 조성물 중의 고형분을 기준으로 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 10 내지 90중량부, 바람직하게는 30 내지 80중량부의 범위에서 사용된다. 중합성 화합물(D)이 상기의 함량 범위로 포함되는 경우, 우수한 내구성을 가질 수 있고, 조성물의 현상성 향상시킬 수 있다.The content of the polymerizable compound (D) is not particularly limited, but may be, for example, 10 to 90 parts by weight, preferably 30 to 80 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin based on the solid content in the photosensitive resin composition Lt; / RTI &gt; When the polymerizable compound (D) is contained in the above-mentioned content range, it can have excellent durability and improve the developability of the composition.

광중합Light curing 개시제Initiator (E)(E)

본 발명에 따른 광중합 개시제(E)는 상기 중합성 화합물(D)을 중합시킬 수 있는 것이라면, 그 종류를 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있으며, 예를 들면, 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 트리아진계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 옥심에스테르계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 옥심에스테르계 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.The type of the photopolymerization initiator (E) according to the present invention is not particularly limited as long as it can polymerize the polymerizable compound (D), and examples thereof include acetophenone compounds, benzophenone compounds, At least one compound selected from the group consisting of a basic compound, a non-imidazole-based compound, a thioxanthone-based compound, and an oxime ester-based compound can be used, and an oxime ester-based compound is preferably used.

상기 아세토페논계 화합물의 구체적인 예를 들면, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 2-히드록시-1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-메틸프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판-1-온, 2-(4-메틸벤질)-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온 등을 들 수 있다. Specific examples of the acetophenone-based compound include diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzyldimethylketal, 2-hydroxy- 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1- (2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propane -1-one, 2- (4-methylbenzyl) -2- (dimethylamino) -1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one.

상기 벤조페논계 화합물의 구체적인 예를 들면, 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4-페닐벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드, 3,3',4,4'-테트라(tert-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논 등을 들 수 있다. Specific examples of the benzophenone compound include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylsulfide, 3,3 ', 4,4'-tetra (tert-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophenone, and the like.

상기 트리아진계 화합물의 구체적인 예를 들면, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-메틸퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다. Specific examples of the triazine compound include 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (4-methoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (4-methoxynaphthyl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6-piperonyl-1,3,5-triazine, 2,4 Bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-methylfuran-1-yl) Yl) ethenyl] -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (furan- Triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -1,3,5-triazine, 2,4- L-methylethyl) -6- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -1,3,5-triazine.

상기 비이미다졸계 화합물의 구체적인 예를 들면, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(알콕시페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(트리알콕시페닐)비이미다졸, 2,2-비스(2,6-디클로로페닐)-4,4’5,5’-테트라페닐-1,2’-비이미다졸 또는 4,4',5,5' 위치의 페닐기가 카르보알콕시기에 의해 치환되어 있는 이미다졸 화합물 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2-비스(2,6-디클로로페닐)-4,4’5,5’-테트라페닐-1,2’-비이미다졸 등을 들 수 있다.Specific examples of the imidazole-based compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbimidazole, 2,2'- 4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetra (alkoxyphenyl) (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (trialkoxyphenyl) biimidazole, 2,2-bis (2,6-dichlorophenyl) -4,4'5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole or an imidazole compound in which the phenyl group at the 4,4 ', 5,5' position is substituted by a carboalkoxy group , Preferably 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis , 4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2-bis (2,6-dichlorophenyl) -4,4'5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole .

상기 티오크산톤계 화합물의 구체적인 예를 들면, 2-이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤 등을 들 수 있다.Specific examples of the thioxanthone compound include 2-isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 1-chloro-4- propanedioxanthone And the like.

상기 옥심에스테르계 화합물의 구체적인 예를 들면, o-에톡시카르보닐-α-옥시이미노-1-페닐프로판-1-온, 1,2-옥탄디온,-1-(4-페닐치오)페닐,-2-(o-벤조일옥심), 에타논,-1-(9-에틸)-6-(2-메틸벤조일-3-일)-,1-(o-아세틸옥심) 등을 들 수 있으며, 시판품으로 CGI-124(시바가이기사), CGI-224(시바가이기사), Irgacure OXE-01(BASF사), Irgacure OXE-02(BASF사), N-1919(아데카사), NCI-831(아데카사) 등이 있다.Specific examples of the oxime ester compound include o-ethoxycarbonyl-α-oximino-1-phenylpropan-1-one, 1,2-octanedione, (O-benzoyloxime), 1- (9-ethyl) -6- (2-methylbenzoyl- Irgacure OXE-01 (BASF), Irgacure OXE-02 (BASF), N-1919 (Adeca), NCI-831 (Ciba Geigy), CGI- Adeca).

또한, 상기 광중합 개시제(E)는 본 발명의 감광성 수지 조성물의 감도를 향상시키기 위해서, 광중합 개시 보조제를 더 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 광중합 개시 보조제를 함유함으로써, 감도가 더욱 높아져 생산성을 향상시킬 수 있다.The photopolymerization initiator (E) may further include a photopolymerization initiator to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition of the present invention. Since the photosensitive resin composition according to the present invention contains a photopolymerization initiator, the sensitivity can be further increased and the productivity can be improved.

상기 광중합 개시 보조제로는, 아민 화합물, 카르복실산 화합물 및 티올기를 가지는 유기 황화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include at least one compound selected from the group consisting of an amine compound, a carboxylic acid compound, and an organic sulfur compound having a thiol group.

상기 아민 화합물의 구체적인 예를 들면, 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리이소프로판올아민 등의 지방족 아민 화합물, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산이소아밀, 4-디메틸아미노벤조산2-에틸헥실, 벤조산2-디메틸아미노에틸, N,N-디메틸파라톨루이딘, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논(통칭: 미힐러 케톤), 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등을 들 수 있으며, 방향족 아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.Specific examples of the amine compound include aliphatic amine compounds such as triethanolamine, methyldiethanolamine and triisopropanolamine; aliphatic amines such as methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylaminobenzoic acid isoamyl, 2-ethylhexyl dimethylbenzoate, 2-dimethylaminoethyl benzoate, N, N-dimethylparatoluidine, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone (commonly known as Michler's ketone), 4,4'-bis (Diethylamino) benzophenone, and the like, and it is preferable to use an aromatic amine compound.

상기 카르복실산 화합물의 구체적인 예를 들면, 방향족 헤테로아세트산류인 것이 바람직하며, 예를 들면. 페닐티오아세트산, 메틸페닐티오아세트산, 에틸페닐티오아세트산, 메틸에틸페닐티오아세트산, 디메틸페닐티오아세트산, 메톡시페닐티오아세트산, 디메톡시페닐티오아세트산, 클로로페닐티오아세트산, 디클로로페닐티오아세트산, N-페닐글리신, 페녹시아세트산, 나프틸티오아세트산, N-나프틸글리신, 나프톡시아세트산 등을 들 수 있다. Concrete examples of the carboxylic acid compound include aromatic heteroacetic acid compounds. Phenylthioacetic acid, methylphenylthioacetic acid, methylphenylthioacetic acid, methylphenylthioacetic acid, dimethylphenylthioacetic acid, methoxyphenylthioacetic acid, dimethoxyphenylthioacetic acid, chlorophenylthioacetic acid, dichlorophenylthioacetic acid, N-phenylglycine , Phenoxyacetic acid, naphthylthioacetic acid, N-naphthylglycine, and naphthoxyacetic acid.

상기 티올기를 가지는 유기 황화합물의 구체적인 예를 들면, 2-머캅토벤조티아졸, 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-머캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부틸레이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), 테트라에틸렌글리콜비스(3-머캅토프로피오네이트) 등을 들 수 있다.Specific examples of the organic sulfur compound having a thiol group include 2-mercaptobenzothiazole, 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane, 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxy Ethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -thione, trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), tetraethyleneglycol bis (3-mercaptopropionate), and the like can be used. .

상기 광중합 개시제(E)의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 고형분을 기준으로 감광성 수지 조성물 전체 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 감광성 수지 조성물이 고감도화되어 노광 시간이 단축되므로 생산성이 향상되며 높은 해상도를 유지할 수 있으며, 형성한 화소부의 강도와 화소부의 표면에서의 평활성이 양호해질 수 있다 한 점에서 좋다.The content of the photopolymerization initiator (E) is not particularly limited, but may be in the range of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the photosensitive resin composition based on the solid content . When the above range is satisfied, the sensitivity of the photosensitive resin composition is increased and the exposure time is shortened. Thus, the productivity is improved, the resolution can be maintained, and the strength of the formed pixel portion and the smoothness on the surface of the pixel portion can be improved. good.

용매(F)Solvent (F)

용매(F)는 당해 분야에서 통상적으로 사용하는 것이라면 어떠한 것이라도 제한 없이 사용할 수 있다.The solvent (F) can be used without limitation as long as it is commonly used in the art.

상기 용매(F)의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 및 에틸렌글리콜모노부틸에테르와 같은 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 메톡시펜틸아세테이트 등의 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르프로필렌글리콜프로필메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸프로필에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜부틸에테르프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류; 메톡시부틸알코올, 에톡시부틸알코올, 프로폭시부틸알코올, 부톡시부틸알코올 등의 부틸디올모노알킬에테르류; 메톡시부틸아세테이트, 에톡시부틸아세테이트, 프로폭시부틸아세테이트, 부톡시부틸아세테이트 등의 부탄디올모노알킬에테르아세테이트류; 메톡시부틸프로피오네이트, 에톡시부틸프로피오네이트, 프로폭시부틸프로피오네이트, 부톡시부틸프로피오네이트 등의 부탄디올모노알킬에테르프로피오네이트류; 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 아세톤, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜, 글리세린 등의 알코올류; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 히드록시아세트산메틸, 히드록시아세트산에틸, 히드록시아세트산부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산프로필, 락트산부틸, 3-히드록시프로피온산메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산프로필, 3-히드록시프로피온산부틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산프로필, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산프로필, 에톡시아세트산부틸, 프로폭시아세트산메틸, 프로폭시아세트산에틸, 프로폭시아세트산프로필, 프로폭시아세트산부틸, 부톡시아세트산메틸, 부톡시아세트산에틸, 부톡시아세트산프로필, 부톡시아세트산부틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-메톡시프로피온산부틸, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산부틸, 2-부톡시프로피온산메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피온산프로필, 2-부톡시프로피온산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-메톡시프로피온산부틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산프로필, 3-에톡시프로피온산부틸, 3-프로폭시프로피온산메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온산프로필, 3-프로폭시프로피온산부틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산프로필, 3-부톡시프로피온산부틸 등의 에스테르류; 테트라히드로푸란, 피란 등의 고리형 에테르류; γ-부티로락톤 등의 고리형 에스테르류 등을 들 수 있다. 여기서 예시한 용매는, 각각 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. Specific examples of the solvent (F) include ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether; Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol dipropyl ether and diethylene glycol dibutyl ether; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; Alkylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, methoxybutyl acetate, and methoxypentyl acetate; Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether; Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol propyl methyl ether and propylene glycol ethyl propyl ether; Propylene glycol alkyl ether propionates such as propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate and propylene glycol butyl ether propionate; Butyldiol monoalkyl ethers such as methoxybutyl alcohol, ethoxybutyl alcohol, propoxybutyl alcohol and butoxybutyl alcohol; Butanediol monoalkyl ether acetates such as methoxybutyl acetate, ethoxybutyl acetate, propoxybutyl acetate and butoxybutyl acetate; Butanediol monoalkyl ether propionates such as methoxy butyl propionate, ethoxy butyl propionate, propoxy butyl propionate and butoxy butyl propionate; Dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol methyl ethyl ether; Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and mesitylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, acetone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; Alcohols such as ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol and glycerin; Examples of the solvent include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methylhydroxyacetate, , Hydroxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate, Methyl methoxyacetate, methyl methoxyacetate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate, propoxy Methyl acetate, ethyl propoxyacetate, propoxypropylacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, butyl Methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, , Propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, Ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, Propoxy propionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, 3-butoxypropionic acid ethyl, 3-propoxypropionate, Esters such as ropil, 3-butoxy-propionic acid butyl; Cyclic ethers such as tetrahydrofuran and pyran; and cyclic esters such as? -butyrolactone. The solvents exemplified herein may be used alone or in combination of two or more.

상기 용매는 도포성 및 건조성을 고려하였을 때 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 케톤류, 부탄디올알킬에테르아세테이트류, 부탄디올모노알킬에테르류, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸 등의 에스테르류가 바람직하게 사용될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 메톡시부틸아세테이트, 메톡시부탄올, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸 등이 사용될 수 있다. The solvent may be selected from esters such as alkylene glycol alkyl ether acetates, ketones, butanediol alkyl ether acetates, butanediol monoalkyl ethers, ethyl 3-ethoxypropionate and methyl 3-methoxypropionate And more preferably propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, methoxybutyl acetate, methoxybutanol, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methoxypropionic acid Methyl and the like can be used.

상기 용매(F) 함량은 감광성 수지 조성물에 전체 100중량부에 대하여, 40 내지 95중량부, 바람직하게는 45 내지 85 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 스핀 코터, 슬릿 & 스핀 코터, 슬릿 코터(다이 코터, 커튼플로우 코터라고도 불리는 경우가 있다), 잉크젯 등의 도포 장치로 도포했을 때 도포성이 양호해지기 때문에 바람직하다.The content of the solvent (F) may be in the range of 40 to 95 parts by weight, preferably 45 to 85 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the photosensitive resin composition. When the above-mentioned range is satisfied, it is preferable because the coating property is improved when applied by a spin coater, a slit & spin coater, a slit coater (sometimes called a die coater, a curtain flow coater), an ink jet or the like.

첨가제(G)Additive (G)

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 당분야에 공지된 첨가제를 더 포함할 수도 있다. 이러한 첨가제로는 충진제, 다른 고분자 화합물, 경화제, 레벨링제, 밀착촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제, 연쇄 이동제 등을 예로 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.The photosensitive resin composition according to the present invention may further contain additives known in the art as needed. Examples of such additives include fillers, other polymer compounds, curing agents, leveling agents, adhesion promoters, antioxidants, ultraviolet absorbers, coagulation inhibitors and chain transfer agents. These additives may be used singly or in combination.

<< 광경화Photocuring 패턴 및 화상표시 장치> Pattern and image display device>

본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로 제조되는 광경화 패턴과 상기 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an image display device including the photo-curable pattern made of the photosensitive resin composition and the photo-curable pattern.

상기 감광성 수지 조성물로 제조된 광경화 패턴은 저온 경화성이 우수하고 내화학성, 연필 경도 등이 우수하다. 이에 따라 화상 표시 장치에 있어서 각종 패턴, 예를 들면 접착제층, 어레이 평탄화막, 보호막, 절연막 패턴 등으로 이용될 수 있고, 포토레지스트, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 패턴, 블랙 컬럼 스페이서 패턴 등으로 이용될 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 특히, 절연막 패턴에 적합하다.The photocurable pattern prepared from the photosensitive resin composition is excellent in low temperature curability and excellent in chemical resistance and pencil hardness. As a result, it can be used for various patterns such as an adhesive layer, an array flattening film, a protective film, an insulating film pattern, and the like in an image display apparatus, and can be used as a photoresist, a black matrix, a column spacer pattern, a black column spacer pattern, However, it is not limited to this, and is particularly suitable for an insulating film pattern.

이러한 광경화 패턴을 구비하거나 제조 과정 중에 상기 패턴을 사용하는 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치, OLED, 플렉서블 디스플레이 등이 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 적용이 가능한 당분야에 알려진 모든 화상 표시 장치를 예시할 수 있다.The image display device having the light curing pattern or using the pattern during the manufacturing process may include a liquid crystal display device, an OLED, a flexible display, and the like. However, the present invention is not limited thereto, Can be exemplified.

광경화 패턴은 전술한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하고, (필요에 따라 현상 공정 거친 후) 광경화 패턴을 형성함으로써 제조할 수 있다. The photo-curing pattern can be produced by applying the above-described photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate and forming a photo-curable pattern (after the development step if necessary).

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art that such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

제조예Manufacturing example 1. 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 합성 1. Synthesis of first alkali-soluble resin (A)

(1) (One) 제조예Manufacturing example A-1 A-1

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g을 넣고 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 이어서, 하기 화학식 6 및 화학식 7의 혼합물((몰비는 50:50) 132.2g(0.60mol), 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 55.3g(0.30mol) 및 메타크릴산 8.6g(0.10mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 100g에 용해하여 투입하였다.A 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with nitrogen at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere. 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added and heated to 70 캜 with stirring. Subsequently, 132.2 g (0.60 mol) of a mixture of the following formulas (6) and (7) (molar ratio of 50:50), 55.3 g (0.30 mol) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate and 8.6 g 0.10 mol) was dissolved in 100 g of diethylene glycol methyl ethyl ether.

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 7](7)

Figure pat00013
Figure pat00013

제조된 용해액을, 적하 깔대기를 사용하여 플라스크 내에 적하한 후, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 27.9g(0.11mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200g에 용해한 용액을, 별도의 적하 깔대기를 사용하여 4 시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료된 후, 4 시간 동안 70℃로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시키고, 고형분 35.9 질량%, 산가 62㎎-KOH/g (고형분 환산)의 하기 화학식 9의 반복단위로 표시되는 공중합체(수지 A-1)의 용액을 얻었고 중량 평균 분자량 Mw는 7,900, 분자량 분포는 1.8이었다.The resulting solution was dropped into a flask using a dropping funnel, 27.9 g (0.11 mol) of a polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added to 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether Was added dropwise to the flask over 4 hours using a separate dropping funnel. After the dropwise addition of the polymerization initiator solution was completed, the solution was maintained at 70 DEG C for 4 hours and then cooled to room temperature to obtain a copolymer having a solid content of 35.9% by mass and an acid value of 62 mg-KOH / g (in terms of solid content) (Resin A-1) represented by the following formula (1) was obtained. The weight average molecular weight Mw was 7,900 and the molecular weight distribution was 1.8.

(A-1)(A-1)

Figure pat00014
Figure pat00014

이때, 상기 분산수지의 중량평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)의 측정은 HLC-8120GPC(도소㈜ 제조)장치를 사용하였으며, 칼럼은 TSK-GELG4000HXL와 TSK-GELG2000HXL를 직렬 접속하여 사용하였고, 칼럼 온도는 40℃, 이동상 용매는 테트라히드로퓨란, 유속은 1.0㎖/분, 주입량은 50㎕, 검출기 RI를 사용하였으며, 측정 시료 농도는 0.6질량%(용매 = 테트라히드로퓨란), 교정용 표준 물질은 TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, A-500(도소㈜ 제조)을 사용하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the dispersion resin were measured by using HLC-8120GPC (manufactured by TOSOH CORPORATION), and the columns were TSK-GELG4000HXL and TSK-GELG2000HXL connected in series , The column temperature was 40 占 폚, the mobile phase solvent was tetrahydrofuran, the flow rate was 1.0 ml / min, the injection amount was 50 占, and the detector RI was used. The concentration of the test sample was 0.6 mass% (solvent = tetrahydrofuran) TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500 and A-500 (manufactured by TOSOH CORPORATION) were used.

상기에서 얻어진 중량평균분자량 및 수평균분자량의 비를 분자량 분포 (Mw/Mn)로 하였다.The ratio of the weight average molecular weight to the number average molecular weight obtained above was defined as a molecular weight distribution (Mw / Mn).

(2) (2) 제조예Manufacturing example A-2 A-2

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g을 넣고 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 이어서, 상기 화학식 6 및 화학식 7의 혼합물(몰비는 50:50) 132.2g(0.60mol), 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 55.3g(0.30mol) 및 메타크릴산 8.6g(0.10mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g에 용해하여 용액을 조제하였다.A 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with nitrogen at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere. 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added and heated to 70 캜 with stirring. Subsequently, 132.2 g (0.60 mol) of the mixture of the above-mentioned formulas (6) and (7) (molar ratio of 50:50), 55.3 g (0.30 mol) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate and 8.6 g mol) was dissolved in 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether to prepare a solution.

제조된 용해액을, 적하 깔대기를 사용하여 플라스크 내에 적하한 후, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 27.9g(0.11mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200g에 용해한 용액을, 별도의 적하 깔대기를 사용하여 6시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료된 후, 10시간 동안 70℃로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시키고, 고형분 35.6 질량%, 산가 63㎎-KOH/g (고형분 환산)의 공중합체 (수지 A-2)의 용액을 얻었고, A-2의 중량 평균 분자량 Mw는 12,800, 분자량 분포는 2.2이었다.The resulting solution was dropped into a flask using a dropping funnel, 27.9 g (0.11 mol) of a polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added to 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether Was added dropwise to the flask over 6 hours using a separate dropping funnel. After completion of the dropwise addition of the polymerization initiator solution, the mixture was maintained at 70 캜 for 10 hours, and then cooled to room temperature to obtain a copolymer (resin A-1) having a solid content of 35.6% by mass and an acid value of 63 mg-KOH / 2). A-2 had a weight average molecular weight Mw of 12,800 and a molecular weight distribution of 2.2.

(3) (3) 제조예Manufacturing example A-3 A-3

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g을 넣고 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 이어서, 하기 화학식 6 및 화학식 7의 혼합물(몰비는 50:50) 132.2g(0.60mol), 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 55.3g(0.30mol) 및 메타크릴산 8.6g(0.10mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g에 용해하여 용액을 조제하였다.A 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with nitrogen at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere. 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added and heated to 70 캜 with stirring. Subsequently, 132.2 g (0.60 mol) of a mixture of the following structural formula 6 and 7 (molar ratio 50:50), 55.3 g (0.30 mol) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate and 8.6 g mol) was dissolved in 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether to prepare a solution.

제조된 용해액을, 적하 깔대기를 사용하여 플라스크 내에 적하한 후, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 27.9g(0.11mol)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200g에 용해한 용액을, 별도의 적하 깔대기를 사용하여 8 시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료된 후, 18시간 동안 70℃로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시키고, 고형분 35.3 질량%, 산가 63㎎-KOH/g(고형분 환산)의 공중합체(수지 A-3)의 용액을 얻었고, A-3의 중량 평균 분자량 Mw는 25,600, 분자량 분포는 2.5이었다.The resulting solution was dropped into a flask using a dropping funnel, 27.9 g (0.11 mol) of a polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added to 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether Was added dropwise to the flask over 8 hours using a separate dropping funnel. After the completion of the dropwise addition of the polymerization initiator solution, the mixture was maintained at 70 캜 for 18 hours and then cooled to room temperature to obtain a copolymer (resin A-3) having a solid content of 35.3% by mass and an acid value of 63 mg-KOH / 3). A-3 had a weight average molecular weight Mw of 25,600 and a molecular weight distribution of 2.5.

(4) (4) 제조예Manufacturing example A-4 A-4

상기 제조예 A-1과 동일한 조건을 적용하여, 화학식 6 및 화학식 7의 혼합물(몰비는 50:50) 198.2g(0.90mol) 및 메타크릴산 8.6g(0.10mol)을 첨가하여 합성을 진행하여, 고형분 41.6 질량%, 산가 59㎎-KOH/g (고형분 환산)의 공중합체(수지 A-4)의 용액을 얻었다. 198.2 g (0.90 mol) of a mixture (molar ratio of 50:50) and 8.6 g (0.10 mol) of methacrylic acid were added under the same conditions as in Preparation Example A-1, , A solids content of 41.6% by mass, and an acid value of 59 mg-KOH / g (in terms of solid content) (resin A-4).

얻어진 수지 A-4의 중량 평균 분자량 Mw는 7,790, 분자량 분포는 1.9이었다.The resin A-4 thus obtained had a weight average molecular weight Mw of 7,790 and a molecular weight distribution of 1.9.

(A-4)(A-4)

Figure pat00015
Figure pat00015

제조예Manufacturing example 2. 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 합성 2. Synthesis of second alkali-soluble resin (B)

(1) (One) 제조예Manufacturing example B-1 B-1

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 21.6g(0.30몰), 노르보넨 4.7g(0.05몰), 비닐톨루엔 76.8g(0.65몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.0g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 6시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 12시간 더 교반을 계속하였다. In a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was introduced at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere, and 200 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced. After elevating the temperature to 100 캜, 21.6 g Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) 3.0 (trade name, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 4.7 g (0.05 mol) of norbornene, 76.8 g (0.65 mol) of vinyltoluene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate g was added dropwise to the flask over a period of 6 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 12 hours.

이어서, 플라스크내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 28.4g [0.20몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 67몰%)]을 플라스크내에 투입하여 110℃에서 8시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 53㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지(B-1)을 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 23,400이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.5이었다.Subsequently, the atmosphere in the flask was changed from nitrogen to air, and 28.4 g (0.20 mol) of glycidyl methacrylate (67 mol% based on the acrylic acid used in the present reaction) was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 8 hours , And an unsaturated group-containing resin (B-1) having a solid acid value of 53 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 23,400 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.5.

(B-1)(B-1)

Figure pat00016
Figure pat00016

(2) (2) 제조예Manufacturing example B-2 B-2

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 24.5g(0.34몰), 노르보넨 4.7g(0.05몰), 비닐톨루엔 72.1g(0.61몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.0g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 6시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 12시간 더 교반을 계속하였다. In a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was flowed at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere, and 200 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced. After raising the temperature to 100 캜, 24.5 g Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) 3.0 (2.9 g) was added to a mixture containing 4.7 g (0.05 mol) of norbornene, 72.1 g (0.61 mol) of vinyltoluene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate g was added dropwise to the flask over a period of 6 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 12 hours.

이어서, 플라스크내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 28.4g [0.20몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 59몰%)]을 플라스크내에 투입하여 110℃에서 6시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 71㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지 B-2를 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 25,700이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.7이었다.Subsequently, 28.4 g (0.20 mol (relative to acrylic acid used in this reaction) of 59 mol%) of glycidyl methacrylate was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 6 hours , And an unsaturated group-containing resin B-2 having a solid acid value of 71 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 25,700 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.7.

(3) (3) 제조예Manufacturing example B-3 B-3

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 28.8g(0.40몰), 노르보넨 4.7g(0.05몰), 비닐톨루엔 65.0g(0.55몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.0g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 5시간 더 교반을 계속하였다. In a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was introduced at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere, and 200 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced. After elevating the temperature to 100 캜, 28.8 g Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) 3.0 (0.07 mol) was added to a mixture containing 4.7 g (0.05 mol) of norbornene, 65.0 g (0.55 mol) of vinyltoluene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate g was added dropwise to the flask over a period of 2 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 5 hours.

이어서, 플라스크내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 28.4g [0.20몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 50몰%)]을 플라스크내에 투입하여 110℃에서 6시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 94㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지 B-3을 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 27,500이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 3.1이었다.Subsequently, 28.4 g (0.20 mol (relative to acrylic acid used in this reaction) of 50 mol%) of glycidyl methacrylate was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 6 hours To obtain an unsaturated group-containing resin B-3 having a solid acid value of 94 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 27,500 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 3.1.

(4) (4) 제조예Manufacturing example B-4 B-4

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 24.5g(0.34몰), 노르보넨 4.7g(0.05몰), 비닐톨루엔 72.1g(0.61몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.6g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 5시간 더 교반을 계속하였다. In a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was flowed at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere, and 200 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced. After raising the temperature to 100 캜, 24.5 g Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) 3.6 (4.7 g, 0.05 mole), norbornene 72.1 g (0.61 moles) of vinyltoluene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate g was added dropwise to the flask over a period of 2 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 5 hours.

이어서, 플라스크내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 28.4g [0.20몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 59몰%)]을 플라스크내에 투입하여 110℃에서 6시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 70㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지 B-4를 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 14,300이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.2이었다.Subsequently, 28.4 g (0.20 mol (relative to acrylic acid used in this reaction) of 59 mol%) of glycidyl methacrylate was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 6 hours , And an unsaturated group-containing resin B-4 having a solid acid value of 70 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 14,300 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.2.

(5) (5) 제조예Manufacturing example B-5 B-5

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 18.0g(0.25몰), 노르보넨 4.7g(0.05몰), 비닐톨루엔 82.7g(0.70몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.6g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 6시간 더 교반을 계속하여 고형분 산가가 138㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지 B-5를 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 18,400이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.4이었다.200 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced into a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer at a flow rate of 0.02 L / min to obtain a nitrogen atmosphere. After raising the temperature to 100 캜, 18.0 g Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) 3.6 (0.07 mol) was added to a mixture containing 4.7 g (0.05 mol) of norbornene, 82.7 g (0.70 mol) of vinyltoluene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate g was added dropwise to the flask over 2 hours from the dropping funnel and stirring was further continued at 100 ° C for 6 hours to obtain an unsaturated group-containing resin B-5 having an acid value of 138 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 18,400 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.4.

실시예Example  And 비교예Comparative Example

하기 표 1 및 표 2에 기재된 조성 및 함량(중량부)을 갖는 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition having the composition and the content (parts by weight) shown in the following Tables 1 and 2 was prepared.

구분
(중량부)
division
(Parts by weight)
실시예Example
1One 22 33 44 55 66 77 88 99 1010 1111 1212 1313 AA A-1A-1 8.478.47 8.478.47 8.478.47 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-2A-2 -- -- -- 8.478.47 8.478.47 8.478.47 10.5910.59 8.858.85 6.366.36 8.138.13 8.478.47 8.478.47 -- A-3A-3 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 8.478.47 A-4A-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- BB B-1B-1 4.244.24 -- 4.244.24 4.244.24 -- 4.244.24 2.122.12 4.424.42 6.366.36 4.074.07 -- -- 4.244.24 B-2B-2 -- 4.244.24 -- -- 4.244.24 -- -- -- -- -- -- -- -- B-3B-3 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 4.244.24 -- -- B-4B-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 4.244.24 -- B-5B-5 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- CC C-1C-1 -- -- 2.122.12 -- -- 2.122.12 -- -- -- -- -- -- -- C-2C-2 2.122.12 2.122.12 -- 2.122.12 2.122.12 -- 2.122.12 1.111.11 2.122.12 3.053.05 2.122.12 2.122.12 2.122.12 C-3C-3 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- C-4C-4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- C-5C-5 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- DD B-1B-1 8.478.47 8.478.47 8.478.47 8.478.47 8.478.47 8.478.47 8.478.47 8.858.85 8.478.47 8.138.13 8.478.47 8.478.47 8.478.47 EE E-1E-1 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.220.22 0.210.21 0.200.20 0.210.21 0.210.21 0.210.21 E-2E-2 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.660.66 0.640.64 0.610.61 0.640.64 0.640.64 0.640.64 E-3E-3 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.660.66 0.640.64 0.610.61 0.640.64 0.640.64 0.640.64 GG G-1G-1 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.220.22 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 FF F-1F-1 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 30.030.0 F-2F-2 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0 45.045.0

구분
(중량부)
division
(Parts by weight)
비교예Comparative Example
1One 22 33 44 55 66 77 88 AA A-1A-1 -- -- -- -- -- -- -- -- A-2A-2 12.7112.71 -- 9.269.26 8.478.47 -- 8.478.47 8.478.47 8.478.47 A-3A-3 -- -- -- -- -- -- -- -- A-4A-4 -- -- -- -- 8.478.47 -- -- -- BB B-1B-1 -- 12.7112.71 4.634.63 4.244.24 4.244.24 4.244.24 4.244.24 -- B-2B-2 -- -- -- -- -- -- -- -- B-3B-3 -- -- -- -- -- -- -- -- B-4B-4 -- -- -- -- -- -- -- -- B-5B-5 -- -- -- -- -- -- -- 4.244.24 CC C-1C-1 -- -- -- -- -- -- -- -- C-2C-2 2.122.12 2.122.12 -- -- 2.122.12 -- -- -- C-3C-3 -- -- -- 2.122.12 -- -- -- -- C-4C-4 -- -- -- -- -- 2.122.12 -- -- C-5C-5 -- -- -- -- -- -- 2.122.12 -- DD B-1B-1 8.478.47 8.478.47 9.269.26 8.478.47 8.478.47 8.478.47 8.478.47 8.478.47 EE E-1E-1 0.210.21 0.210.21 0.230.23 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 E-2E-2 0.640.64 0.640.64 0.690.69 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 E-3E-3 0.640.64 0.640.64 0.690.69 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 0.640.64 GG G-1G-1 0.210.21 0.210.21 0.230.23 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 0.210.21 FF F-1F-1 30.0030.00 30.0030.00 30.0030.00 30.0030.00 30.0030.00 30.0030.00 30.0030.00 30.0030.00 F-2F-2 45.0045.00 45.0045.00 45.0045.00 45.0045.00 45.0045.00 45.0045.00 45.0045.00 45.0045.00

제1 알칼리 가용성 수지(A)The first alkali-soluble resin (A)

A-1 내지 A-4: 제조예 1에 따라 제조된 알칼리 가용성 수지A-1 to A-4: An alkali-soluble resin prepared according to Production Example 1

제2 알칼리 가용성 수지(B)The second alkali-soluble resin (B)

B-1 내지 B-5: 제조예 2에 따라 제조된 알칼리 가용성 수지B-1 to B-5: The alkali-soluble resin prepared according to Production Example 2

고분자 화합물(C) - The polymer compound (C) - 실시예Example

C-1: 화학식 5의 구조를 가지는 고분자(Bispenol A형:Bispenol F형=50:50(jER®4250, ㈜ 미쓰비시화학 제조))(Mw=59,000)C-1: Polymer (Bispenol A type: Bispenol F type = 50: 50 (jER4250, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) having a structure of formula 5 (Mw = 59,000)

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00017
C-2: 화학식 5의 구조를 가지는 고분자(Bispenol A형:Bispenol F형=25:75(jER®4275, ㈜ 미쓰비시화학 제조))(Mw=60,000)
Figure pat00017
C-2: Polymer (Bispenol A type: Bispenol F type = 25: 75 (jER4275, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) having a structure of formula 5 (Mw = 60,000)

C-3: Bispenol A형으로만 중합된 고분자(jER®1256, ㈜ 미쓰비시화학 제조))(Mw=51000)C-3: Polymer polymerized only with Bispenol A type (jER®1256, Mitsubishi Chemical Corporation) (Mw = 51000)

C-4: 화학식 6으로 표시되는 Bispenol A형 2관능 에폭시 화합물(Fw=340.41)C-4: Bispenol A bifunctional epoxy compound (Fw = 340.41) represented by the formula (6)

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00018
Figure pat00018

C-5: 화학식 7로 표시되는 Bispenol F형 2관능 에폭시 화합물(Fw=312.36)C-5: Bispenol F-type bifunctional epoxy compound (Fw = 312.36) represented by the formula (7)

[화학식 7](7)

Figure pat00019
Figure pat00019

중합성Polymerizable 화합물(D) Compound (D)

D-1: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(KAYARAD DPHA: 일본화약㈜ 제조)D-1: dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD DPHA: manufactured by Nippon Yakuza Co., Ltd.)

광중합Light curing 개시제Initiator (E)(E)

E-1: 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸(B-CIM: 호도가야 화학공업㈜ 제조)E-1: 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole (B-CIM manufactured by Hodogaya Chemical Co.,

E-2: 옥심 에스테르계 화합물

Figure pat00020
E-2: Oxime ester compound
Figure pat00020

E-3: 다관능 Thiol계 화합물

Figure pat00021
E-3: Multifunctional Thiol compound
Figure pat00021

첨가제(G)Additive (G)

G-1: 4,4'-부틸리덴 비스[6-tert-부틸-3-메틸페놀](BBM-S: 스미토모정밀화학 제조)G-1: 4,4'-butylidenebis [6-tert-butyl-3-methylphenol] (BBM-S, manufactured by Sumitomo Fine Chemical)

용매(F)Solvent (F)

F-1: 디에틸렌글리콜 메틸에틸 에테르F-1: Diethylene glycol methyl ethyl ether

F-2: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트F-2: Propylene glycol monomethyl ether acetate

시험 방법Test Methods

가로 세로 2 인치의 유리 기판(이글 2000; 코닝사 제조)을 중성 세제, 물 및 알코올로 순차 세정한 후 건조하였다. 이 유리 기판 상에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 각각 스핀 코팅한 다음 Hot plate를 이용하여 80℃에서 120 초간 프리베이크하였다. 상기 프리베이크한 기판을 상온으로 냉각 후 석영 유리제 포토마스크와의 간격을 150㎛로 하여 노광기 (UX-1100SM; Ushio (주) 제조)를 사용하여 40mJ/㎠의 노광량(365㎚ 기준)으로 광을 조사하였다. 이때 포토마스크는 다음 패턴이 동일 평면 상에 형성된 포토마스크가 사용되었다. A glass substrate (Eagle 2000; Corning) having an aspect ratio of 2 inches was sequentially washed with a neutral detergent, water and alcohol, and then dried. The photosensitive resin compositions prepared in the above Examples and Comparative Examples were respectively spin-coated on this glass substrate and then pre-baked at 80 DEG C for 120 seconds using a hot plate. The prebaked substrate was cooled to room temperature and light was irradiated at an exposure dose of 40 mJ / cm 2 (based on 365 nm) using an exposure apparatus (UX-1100SM; Ushio Co., Ltd.) with an interval of 150 μm from the quartz glass photomask Respectively. At this time, the photomask used was a photomask in which the following pattern was formed on the same plane.

직경이 30㎛인 사각형의 개구부를 가지며, 상호 간격이 100㎛이고, 광조사 후, 2.38% 테트라암모늄 히드록시드 수용액에 상기 도막을 25℃에서 60초간 침지하여 현상하고 수세 및 건조 후, 클린 오븐을 이용하여 130℃에서 60분간 포스트베이크를 실시하였다. 얻어진 패턴 높이는 1.5㎛이었다. 이렇게 얻어진 패턴을 아래와 같이 물성 평가를 실시하고, 그 결과를 하기 표 3 및 4에 나타내었다.After the light irradiation, the coating film was immersed in an aqueous 2.38% tetraammonium hydroxide solution at 25 캜 for 60 seconds, developed, washed with water and dried, and then transferred to a clean oven , Post-baking was performed at 130 캜 for 60 minutes. The obtained pattern height was 1.5 占 퐉. The pattern thus obtained was evaluated for physical properties as described below, and the results are shown in Tables 3 and 4 below.

(1) 패턴의 Bottom CD size 측정(1) Bottom CD size measurement of pattern

얻어진 사각형 Dot패턴을 3차원 형상측정장치(SIS-2000 system; SNU Precision사 제조)로 관찰하여 사각형 패턴의 바닥 면으로부터 전체 높이의 5%인 지점을 Bottom CD로 정의하고, 가로 방향과 세로 방향의 측정 값의 평균 값을 패턴의 CD선폭으로 정의하였다. 그 결과를 하기 표 3 및 4에 기재하였다.The obtained rectangular Dot pattern was observed with a three-dimensional shape measuring device (SIS-2000 system; manufactured by SNU Precision), and a point 5% of the total height from the bottom surface of the rectangular pattern was defined as Bottom CD, The mean value of the measured values was defined as the CD line width of the pattern. The results are shown in Tables 3 and 4 below.

(2) 패턴의 CD-Bias(2) Pattern of CD-Bias

상기에서 얻어진 막두께 3.0㎛에서의 패턴 사이즈를 3차원 형상측정장치(SIS-2000 system; SNU Precision사 제조)를 사용하여 측정하고, 마스크 사이즈와의 차이를 CD-bias로 아래와 같이 산출하였으며, 그 결과를 하기 표 3 및 4에 기재하였다.The pattern size at the film thickness of 3.0 mu m obtained above was measured using a three-dimensional shape measuring apparatus (SIS-2000 system; manufactured by SNU Precision), and the difference from the mask size was calculated by CD-bias as follows. The results are shown in Tables 3 and 4 below.

CD-bias는 0에 근접할수록 양호하며, (+)는 패턴이 마스크보다 사이즈가 크고 (-)는 마스크보다 사이즈가 작음을 의미한다.CD-bias is better the closer to 0, (+) means that the pattern is larger in size than the mask and (-) is smaller in size than the mask.

(3) 현상 후 (3) After development 잔막Azure 여부 평가 Whether or not

상기에서 얻어진 Dot패턴을 주사전자 현미경(Hitachi, S-4700)으로 측정하여 패턴 주위에 막잔류가 있는지 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 3 및 4에 기재하였다.The Dot pattern obtained above was measured with a scanning electron microscope (Hitachi, S-4700) to confirm whether there was a film residue around the pattern. The results are shown in Tables 3 and 4 below.

여기서 정의하는 Contact Dot패턴의 잔막이라고 하는 것은 Dot 안에 잔막처럼 잔류하면서 Bottom부를 막아서 선폭을 줄이는 형태의 잔사를 의미한다. 도 2 는 현상 잔막이 없는 정상 패턴의 사진이고, 도 3 및 4는 현상 후 잔막이 발생한 경우의 사진이다.The remainder of the Contact Dot pattern defined here means a residue in which the line width is reduced by blocking the bottom portion while remaining like a residual film in the dot. 2 is a photograph of a normal pattern without a residual film, and FIGS. 3 and 4 are photographs of a residual film after development.

(4) 백화 발생 여부 확인(4) Check whether whitening occurs

상기 조건으로 유리 기판 위에 코팅된 레지스트 도막을 노광 및 현상 공정을 진행한 후 건조시키고 Post Bake를 실시하기 전에 육안으로 도막의 상태를 확인하여 백화 발생 여부를 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 3 및 4에 기재하였다.The resist coating film coated on the glass substrate under the above conditions was exposed and developed, dried, and visually checked for the state of the coating film before the post-baking, thereby confirming whether whitening occurred. The results are shown in Tables 3 and 4 .

백화가 발생되지 않은 도막은 무색 투명한 초기 상태를 유지하나, 백화가 발생하면 미세하게 표면이 거칠어지면서 백색으로 변하는 모양이 된다. 도 5는 백화 현상이 발생한 경우의 사진이다.The coating film free from whitening maintains the colorless transparent initial state, but when whitening occurs, the surface becomes finer and becomes white. Fig. 5 is a photograph of a case where whitening occurs.

(5) 내화학성 평가 (5) Chemical resistance evaluation

제조된 레지스트 용액을 유리 기판(이글 2000; 코닝사 제조)에 도포하여 각각 스핀 코팅한 다음 Hot plate를 이용하여 90℃에서 125 초간 프리베이크하였다. 상기 프리베이크한 기판을 상온으로 냉각 후. 노광기 (UX-1100SM; Ushio (주) 제조)를 사용하여 40mJ/㎠의 노광량(365㎚ 기준)으로 도막의 전면에 광을 조사하였다. 광조사 후, 2.38% 테트라암모늄 히드록시드 수용액에 상기 도막을 25℃에서 60초간 침지하여 현상하고 수세 및 건조 후, 클린 오븐을 이용하여 130℃에서 60분간 포스트베이크를 실시하였다. 제작된 도막을 HNO3와 HCl수용액(70%질산 (80%) + 농염산 (20%))에 담그고 45분/2분간 처리한 후, ASTM D-3359-08표준 시험 조건에 의거하여 커터로 도막을 Cutting한 후에 표면에 Tape를 붙였다가 떼어내는 방법으로 밀착성 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 3 및 4에 기재하였다.The prepared resist solution was applied to a glass substrate (Eagle 2000; Corning), spin-coated, and pre-baked at 90 DEG C for 125 seconds using a hot plate. After the prebaked substrate was cooled to room temperature. Light was irradiated onto the entire surface of the coating film with an exposure amount of 40 mJ / cm 2 (365 nm standard) using an exposure machine (UX-1100SM; Ushio Co., Ltd.). After the light irradiation, the coating film was immersed in a 2.38% aqueous solution of tetraammonium hydroxide at 25 DEG C for 60 seconds, developed, washed with water and dried, and post-baked at 130 DEG C for 60 minutes using a clean oven. The coated film was immersed in HNO3 and HCl aqueous solution (70% nitric acid (80%) + concentrated hydrochloric acid (20%)) and treated for 45 minutes / 2 minutes. The coated film was cut with a cutter according to ASTM D- After the tape was cut, the tape was attached to the surface and then peeled off. The results are shown in Tables 3 and 4 below.

약액 처리 후의 Cutting/Tape시험에서 도막의 박리가 발생하는 정도를 표준 시험법에 의거하여 0B~5B로 규정하여 5B가 가장 우수한 성능을 가지는 것으로 판단한다.It is judged that the degree of peeling of the coating film in Cutting / Tape test after the chemical solution treatment is defined as 0B to 5B according to the standard test method, and 5B has the best performance.

<내화학성 평가 기준><Evaluation criteria for chemical resistance>

5B 박리 0% > 4B 박리 5%미만 > 3B 박리 5~15% > 2B 박리 15~35% > 1B 박리 35~65% > 0B 박리 65%이상5B peeling 0%> 4B peeling less than 5%> 3B peeling 5 to 15%> 2B peeling 15 to 35%> 1B peeling 35 to 65%> 0B peeling 65% or more

(6) 연필 경도 평가(6) Evaluation of pencil hardness

상기 기판 제작 방법을 이용하여 얻어진 경화막의 표면 경도를 측정하였다. 표면 경도는 연필 경도 측정기(Pencil Hardness Tester)를 이용하여 미쓰비시 연필(Mitsu-Bish Pencil)을 기판에 접촉시킨 다음 그 위에 500g의 추를 올려놓아 하중을 증가시킨 상태에서 50mm/sec의 속도로 기판의 표면을 긁고 표면을 관찰함으로써 표면 경도를 측정하였다. 측정 기준은 연필경도에 해당하는 수준에서 표면의 마모, 벗겨짐, 찢김, 긁힘의 형상이 관찰되지 않을 때를 기준으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 3 및 4에 기재하였다. The surface hardness of the cured film obtained by using the substrate manufacturing method was measured. The surface hardness was measured by contacting a Mitsubishi pencil with a pencil hardness tester (Pencil Hardness Tester) and placing a weight of 500 g on the substrate. The surface hardness was measured at a rate of 50 mm / sec The surface hardness was measured by scratching the surface and observing the surface. The measurement standard was evaluated based on the case where no abrasion, peeling, tearing or scratching of the surface was observed at a level corresponding to the pencil hardness, and the results are shown in Tables 3 and 4 below.

<연필 경도의 강도 평가 기준>&Lt; Criteria for evaluating the strength of pencil hardness &

6B < 5B < 4B < 3B < 2B < B < HB < H < 2H < 3H < 4H < 5H < 6H < 7H < 8H < 9H(SOFTER -> HARDER)6B <5B <4B <3B <2B <HB <H <2H <3H <4H <5H <6H <7H <8H <9H (SOFTER -> HARDER)

연필경도 측정 시에 연필이 지나간 부위에 눌린 자국이나 마모 등이 발생한 경우가 일반적이었으나, 비교예에 정리한 것처럼 경도가 현저하게 낮아서 도막이 완전히 찢겨 벗겨지는 경우가 발생하는 경우가 있어 ○, △ 및 ×의 세 수준으로 나누어 구별하였다. In general, when the pencil hardness was measured, the marks and the abrasion occurred on the area where the pencil passed, but the hardness was remarkably low as summarized in the comparative example, so that the coating film may be peeled off completely, . The results of this study are as follows.

○의 경우는 눌림과 마모만이 발생한 일반적인 경우이고, △의 경우는 연필이 지나간 자리에 일부분이 찢겨서 벗겨진 경우, ×의 경우는 연필이 지나간 자리가 모두 긁혀져 벗겨 나간 경우를 나타낸다. In the case of ◯, only the pressing and abrasion occurs. In the case of △, the part where the pencil passes is peeled off. In the case of ×, the area where the pencil passes is peeled off.

도 6 내지 8은 상기 ○, △ 및 ×의 기준에 따른 연필 경도 평가 결과를 나타낸 것이다.Figs. 6 to 8 show the pencil hardness evaluation results according to the criteria of O, DELTA, and x.

구분division 실시예Example 1One 22 33 44 55 66 77 88 99 1010 1111 1212 1313 Bottom size(㎛)Bottom size (탆) 32.932.9 32.132.1 33.533.5 33.233.2 33.033.0 34.334.3 34.834.8 32.732.7 34.734.7 35.535.5 32.932.9 34.634.6 35.135.1 CD-Bias(㎛)CD-Bias (占 퐉) 2.92.9 2.12.1 3.53.5 3.23.2 3.03.0 4.34.3 4.84.8 2.72.7 4.74.7 5.55.5 2.92.9 4.64.6 5.15.1 패턴 주위 막잔류Film residue around pattern 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 발생Occur 없음none 없음none 발생Occur 현상백화The phenomenon 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none 내화학성Chemical resistance 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 5B5B 연필경도Pencil hardness 경도Hardness 3H3H 3H3H 4H4H 4H4H 3H3H 4H4H 3H3H 3H3H 3H3H 4H4H 2H2H 3H3H 4H4H 찢김발생Tearing

구분division 비교예Comparative Example 1One 22 33 44 55 66 77 88 Bottom size(㎛)Bottom size (탆) 36.936.9 29.329.3 30.430.4 42.442.4 33.933.9 37.437.4 34.534.5 패턴
박리
pattern
Exfoliation
CD-Bias(㎛)CD-Bias (占 퐉) 6.96.9 -0.7-0.7 0.40.4 12.412.4 3.93.9 7.47.4 4.54.5 패턴 주위 막잔류Film residue around pattern 없음none 없음none 없음none 발생Occur 없음none 발생Occur 발생Occur 현상백화The phenomenon 없음none 없음none 없음none 발생Occur 없음none 없음none 없음none 발생Occur 내화학성Chemical resistance 3B3B 0B0B 5B5B 5B5B 0B0B 4B4B 4B4B 0B0B 연필경도Pencil hardness 경도Hardness 2H2H 2H2H 2B2B 3H3H 2B2B HBHB 2B2B 2B2B 찢김발생Tearing XX XX XX

표 3및 4를 참고하면, 본 발명의 감광성 수지 조성물인 실시예를 사용하여 제조된 패턴의 CD-bias 값이 0에 근접할 뿐만 아니라 현상 후 잔막이 발생하지 않아 저온 경화 조건에서도 반응성이 우수하고 패턴 형성이 뛰어난 것을 확인할 수 있었다. 또한, 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 패턴은 현상 백화가 발생하지 않고, 내화학성 및 내구성이 우수한 것을 확인할 수 있었다.Referring to Tables 3 and 4, the CD-bias value of the pattern prepared using the photosensitive resin composition of the present invention was close to zero and the residual film was not generated after development, It was confirmed that pattern formation was excellent. Further, it was confirmed that the pattern produced by using the photosensitive resin composition according to the present invention did not cause development whitening, and was excellent in chemical resistance and durability.

한편, 본 발명의 고분자 화합물(C)을 약간 과량으로 첨가한 실시예 10의 경우, 소수성을 가지고 분자량이 큰 성분이 증가하여 다른 실시예보다 패턴 주위 잔사가 발생하는 경향이 나타나서 CD-Bias가 약간 저하되었다.On the other hand, in the case of Example 10 in which the polymeric compound (C) of the present invention was added in a slight excess, the components having high hydrophobicity and high molecular weight were increased, .

또한, 제2 알칼리 가용성 수지의 화학식 4로 표시되는 방향족 고리를 포함하는 반복단위의 몰수가 다소 작게 포함된 실시예 11의 경우, 기계적 성능에 기여하는 관능기 성분이 감소한 결과 다른 실시예보다 얻어지는 경화 조성물의 경도가 저하되는 결과를 보이며, 제1 알칼리 가용성 수지의 분자량이 다소 큰 실시예 13이 경우, 조성물 전체의 분자량 증가로 인한 현상성 저하로 인하여 다른 실시예와 비교하여 패턴 주위 잔사가 발생하여 CD-Bias가 약간 저하되는 결과를 확인할 수 있었다.In the case of Example 11 in which the number of moles of the repeating unit containing an aromatic ring represented by the general formula (4) of the second alkali-soluble resin was rather small, the functional group component contributing to the mechanical performance was decreased. As a result, In Example 13, in which the molecular weight of the first alkali-soluble resin was rather large, the residue around the pattern was generated as compared with other examples due to the decrease in development due to the increase in the molecular weight of the entire composition, -Bias is slightly decreased.

하지만, 본 발명의 감광성 수지 조성물이 아닌 비교예를 사용하여 제조된 패턴의 경우 CD-bias 값이 0에서 크게 벗어나거나 현상 후 잔막이 발생하여 패턴 형성이 우수하지 않은 것을 확인할 수 있고, 현상백화도 발생하였으며, 연필 경도 및 내화학성이 실시예들에 비해 저하된 것을 확인할 수 있었다.However, in the case of the pattern prepared using the comparative example other than the photosensitive resin composition of the present invention, it can be confirmed that the CD-bias value greatly deviates from 0 or the residual film is generated after development, and the pattern formation is not excellent. And it was confirmed that the pencil hardness and chemical resistance were lower than those of the examples.

Claims (10)

하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위, 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위 및 카르복시산기를 포함하는 반복 단위를 포함하는 제1 알칼리 가용성 수지(A);
하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위, 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위 및 카르복시산기를 포함하는 반복 단위를 포함하는 제2 알칼리 가용성 수지(B);
비스페놀 A형 에폭시 단량체 및 비스페놀 F형 에폭시 단량체를 포함하여 중합되고, 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000인 고분자 화합물(C);
중합성 화합물(D);
광중합 개시제(E); 및
용매(F)를 포함하는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00022

[화학식 2]
Figure pat00023

[화학식 3]
Figure pat00024

[화학식 4]
Figure pat00025

(식 중에서, R1, R2, R4, R5 및 R6는 서로 독립적으로 수소 또는 메틸기이며, R3는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 알케닐기임).
A first alkali-soluble resin (A) comprising a repeating unit represented by the following formula (1), a repeating unit represented by the following formula (2), and a repeating unit containing a carboxylic acid group;
A second alkali-soluble resin (B) comprising a repeating unit represented by the following formula (3), a repeating unit represented by the following formula (4), and a repeating unit containing a carboxylic acid group;
(C) polymerized with a bisphenol A type epoxy monomer and a bisphenol F type epoxy monomer and having a weight average molecular weight of 50,000 to 60,000;
Polymerizable compound (D);
A photopolymerization initiator (E); And
A photosensitive resin composition comprising a solvent (F):
[Chemical Formula 1]
Figure pat00022

(2)
Figure pat00023

(3)
Figure pat00024

[Chemical Formula 4]
Figure pat00025

(Wherein R 1 , R 2 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently hydrogen or a methyl group, and R 3 is a straight or branched chain alkyl group or alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms).
청구항 1에 있어서, 상기 제1 알칼리 가용성 수지(A)의 중량평균분자량은 6,000 내지 20,000인, 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the first alkali-soluble resin (A) has a weight average molecular weight of 6,000 to 20,000.
청구항 1에 있어서, 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 중량평균분자량은 10,000 내지 30,000인, 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the second alkali-soluble resin (B) has a weight average molecular weight of 10,000 to 30,000.
청구항 1에 있어서, 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)는 반복 단위 총 100mol%에 대하여, 상기 화학식 4로 표시되는 반복 단위가 60 내지 65mol%로 포함되는, 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the second alkali-soluble resin (B) contains 60 to 65 mol% of the repeating unit represented by the formula (4) based on 100 mol% of the total repeating units.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 알칼리 가용성 수지(A)와 상기 제2 알칼리 가용성 수지(B)의 혼합 중량비는 50:50 내지 90:10인, 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein a mixing weight ratio of the first alkali-soluble resin (A) and the second alkali-soluble resin (B) is 50:50 to 90:10.
청구항 1에 있어서, 상기 고분자 화합물(C)의 비스페놀 A형 에폭시 단량체와 비스페놀 F형 에폭시 단량체의 중합 몰비는 50:50 내지 25:75인, 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the polymerization molar ratio of the bisphenol A-type epoxy monomer to the bisphenol F-type epoxy monomer in the polymer compound (C) is 50:50 to 25:75.
청구항 1에 있어서, 70 내지 150℃의 저온에서 경화가 가능한, 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 1, which is capable of curing at a low temperature of 70 to 150 ° C.
청구항 1 내지 7 중의 어느 한 항의 감광성 수지 조성물로 형성되는, 광경화 패턴.
A photocurable pattern formed from the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7.
청구항 8에 있어서, 상기 광경화 패턴은 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 블랙 매트릭스 패턴 및 컬럼 스페이서 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는, 광경화 패턴.
9. The photocurable pattern according to claim 8, wherein the photocurable pattern is selected from the group consisting of an array planarizing film pattern, a protective film pattern, an insulating film pattern, a photoresist pattern, a black matrix pattern and a column spacer pattern.
청구항 8의 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치.An image display apparatus comprising the photocurable pattern of claim 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190087173A (en) * 2018-01-16 2019-07-24 동우 화인켐 주식회사 Negative-type Photosensitive Resin Composition
CN110673443B (en) * 2019-09-04 2022-09-02 深圳市邦得凌触控显示技术有限公司 Low-temperature curing type OC negative photoresist, insulating bridge and protective layer and OLED device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009086376A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp Photosensitive composition, photosensitive film, photosensitive layered product, permanent pattern forming method, printed circuit board
JP4544370B2 (en) * 2008-10-28 2010-09-15 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and production method thereof
JP2010224204A (en) * 2009-03-24 2010-10-07 Sumitomo Chemical Co Ltd Colored photosensitive resin composition
TWI515266B (en) * 2011-02-16 2016-01-01 Sumitomo Chemical Co Coloring hardening resin composition
KR101344786B1 (en) * 2011-12-02 2013-12-26 제일모직주식회사 Photosensitive resin composition for color filter comprising the same and color filter using the same
US8906594B2 (en) * 2012-06-15 2014-12-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Negative-working thick film photoresist
JP2014181326A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd Epoxy acrylate resin, epoxy acrylate acid anhydride adduct, curable resin composition, alkali development type photosensitive resin composition, and cured product of the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101302508B1 (en) 2006-02-03 2013-09-02 주식회사 동진쎄미켐 Negative photosensitive resin composition, liquid crystal display having that curing product, method of forming a pattern of liquid crystal display using the same

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