KR20220087213A - 리플 패터닝 방법 - Google Patents

리플 패터닝 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220087213A
KR20220087213A KR1020200177696A KR20200177696A KR20220087213A KR 20220087213 A KR20220087213 A KR 20220087213A KR 1020200177696 A KR1020200177696 A KR 1020200177696A KR 20200177696 A KR20200177696 A KR 20200177696A KR 20220087213 A KR20220087213 A KR 20220087213A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ripple
organometallic
laser beam
organometallic layer
incident
Prior art date
Application number
KR1020200177696A
Other languages
English (en)
Inventor
황준식
이후승
Original Assignee
충남대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 충남대학교산학협력단 filed Critical 충남대학교산학협력단
Priority to KR1020200177696A priority Critical patent/KR20220087213A/ko
Publication of KR20220087213A publication Critical patent/KR20220087213A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 저가의 레이저 장비를 이용하여 가격경쟁력을 가지면서도 기판의 표면에 리플 패턴을 효과적으로 형성할 수 있고, 다양한 형상이나 방향성 및 간격을 가지는 리플 패턴을 형성할 수 있는 리플 패터닝 방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 기판 상에 유기금속화합물용액을 코팅하는 유기금속화합물용액 코팅단계; 상기 유기금속화합물용액을 가열하여 상기 기판 상에 유기금속층을 형성하는 유기금속층 형성단계; 상기 유기금속층에 레이저를 조사하여 리플 패턴을 형성하는 패터닝단계; 및 상기 리플 패턴이 형성된 상기 유기금속층에 세정액을 공급하여 비패턴 영역에 존재하는 상기 유기금속층을 제거하는 세정단계;를 포함하는 특징을 개시한다.

Description

리플 패터닝 방법{RIPPLE PATTERNING METHOD}
본 발명은 리플 패터닝 방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판을 향해 레이저를 조사하여 기판 상에 원하는 형상의 리플 패턴을 형성하는 리플 패터닝 방법에 관한 것이다.
디스플레이, 태양전지, 터치패널, 센서 등에 적용되는 각종 전자 소자 제조 시, 적절한 세기의 광원을 이용하여 대상 기판 상에 원하는 크기 및 형상의 미세 패턴을 가공하는 기술은 전체 공정 중에서도 핵심 공정에 해당한다.
일반적으로, 레이저를 이용한 표면 처리 시, 대상 기판의 표면에는 잔물결 즉, 리플(Ripple) 구조가 관찰되며, 이를 레이저 유도 주기적 표면 구조(Laser Induced Periodic Surface Structure: LIPSS)라고도 한다.
LIPSS에 의하여 대상 기판의 표면에 형성되는 리플 구조는, 대상 기판의 표면에 입사, 굴절되는 레이저 빔과 대상 기판의 표면 근처에서 산란 또는 회절되는 빔의 간섭에 의해 발생된다.
이처럼 LIPSS 공정을 통하여 대상 기판의 표면에 의도적으로 형성되는 리플 구조는, 외부에서 바라보는 각도에 따라 다양한 색상 및 이미지를 연출할 수 있으며, 이는 홀로그램 등 다양한 분야에서 활용될 수 있다.
기존 LIPSS 공정은 펨토초와 같은 극초단파의 레이저 빔을 이용하여 대상 기판 표면의 일부를 직접 어블레이션(Ablation)함으로써, 원하는 리플 패턴을 형성하도록 하고 있는데, 해당 공정은 극초단파 레이저 빔의 높은 단가로 인하여 실용적이지 못한 문제가 있다.
그리고, 대상 기판에 직접 레이저 빔을 조사하기 때문에 리플 패턴을 형성하는 과정에서 대상 기판이 쉽게 손상될 수 있는 문제가 있다.
또한, 레이저 빔과 반응한 패턴 영역뿐만 아니라 비패턴 영역이 대상 기판에 그대로 남아 있을 경우 리플 패턴의 형상이나 광학적 특성을 실용적으로 이용하기 어려운 단점이 있다.
따라서, 상대적으로 저가의 레이저 장비를 이용하여 가격경쟁력을 가지면서도 대상 기판의 표면에 리플 패턴을 효과적으로 형성할 수 있는 새로운 리플 패터닝 기술이 요구된다.
대한민국 등록특허공보 제2114858호 (2020.05.25. 공고)
본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 저가의 레이저 장비를 이용하여 가격경쟁력을 가지면서도 대상 기판의 표면에 리플 패턴을 효과적으로 형성할 수 있는 리플 패터닝 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 대상 기판의 표면에 다양한 형상이나 방향성 및 간격을 가지는 리플 패턴을 형성할 수 있는 리플 패터닝 방법을 제공함에 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 리플 패터닝 방법은, 기판 상에 유기금속화합물용액을 코팅하는 유기금속화합물용액 코팅단계; 상기 유기금속화합물용액을 가열하여 상기 기판 상에 유기금속층을 형성하는 유기금속층 형성단계; 상기 유기금속층에 레이저를 조사하여 리플 패턴을 형성하는 패터닝단계; 및 상기 리플 패턴이 형성된 상기 유기금속층에 세정액을 공급하여 비패턴 영역에 존재하는 상기 유기금속층을 제거하는 세정단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 리플 패터닝 방법에 있어서, 상기 패터닝단계 이전에 수행될 수 있으며, 상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 입사조건을 설정하는 입사조건 설정단계;를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 입사조건 설정단계는 상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 편광방향을 조절하는 것일 수 있다.
그리고, 상기 레이저 빔의 편광방향은 비편광, 선형편광, 방위편광 및 방사편광 들 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 입사조건 설정단계는 상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 입사각도를 조절하는 것일 수도 있다.
여기서, 상기 레이저 빔의 입사각도가 수직에 가까울수록 상기 리플 패턴의 간격은 상대적으로 작아질 수 있고, 상기 레이저 빔의 입사각도가 수평에 가까울수록 상기 리플 패턴의 간격은 상대적으로 커질 수 있다.
또한, 상기 입사조건 설정단계는 상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 파장을 조절하는 것일 수도 있다.
여기서, 상기 레이저 빔의 파장이 상대적으로 클수록 상기 리플 패턴의 간격은 커질 수 있고, 상기 레이저 빔의 파장이 상대적으로 작을수록 상기 리플 패턴의 간격은 작아질 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 코팅되는 유기금속화합물용액으로부터 유기금속층을 형성하고, 이후 유기금속층에 레이저를 조사하여 소결된 리플 패턴을 형성하며, 이후 유기용매를 이용하여 비패턴 영역의 유기금속층을 제거하는 과정을 통하여, 기판 표면에 리플 패터닝을 수행함으로써, 펨토초와 같은 고가의 레이저 장비를 이용하지 않더라도 기판 상에 리플 패턴을 효과적으로 형성할 수 있고, 이에 따른 비용을 크게 줄일 수 있다.
본 발명에 따르면, 원하는 리플 패턴에 상응하도록 입사되는 레이저 빔의 편광방향이나 입사각도 또는 파장을 적절히 조절함으로써, 다양한 형상이나 방향성 및 간격을 가지는 리플 패턴을 형성할 수 있고, 이에 따라 다양한 색상 및 이미지 구현이 요구되는 표면 홀로그램 제작 등 다양한 분야에서 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리플 패터닝 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 리플 패터닝 방법을 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 빔이 다양한 방향으로 편광되어 기판에 입사되는 경우를 설명하기 위한 평면 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시에에 따른 기판에 입사되는 레이저 빔의 입사각도가 변화되는 경우를 설명하기 위한 예시도이다.
이하 상술한 해결하고자 하는 과제가 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 본 실시예들을 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용될 수 있으며 이에 따른 부가적인 설명은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리플 패터닝 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 리플 패터닝 방법을 나타낸 개념도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 리플 패터닝 방법은 유기금속화합물용액 코팅단계(S110), 유기금속층 형성단계(S130), 패터닝단계(S150) 및 세정단계(S170)를 포함할 수 있다.
유기금속화합물용액 코팅단계(S110)는 기판(101) 상에 유기금속화합물용액(120)을 코팅하는 단계일 수 있다.
기판(101)은 사용 목적에 따라 다양한 소재가 사용될 수 있으며, 예를 들어 투명기판 등이 사용될 수 있다.
유기금속화합물용액(120)로는 유기은(Ag)화합물용액이 사용될 수 있으며, 유기은화합물은 굴절률 및 흡광계수가 우수한 것으로 알려져 있다.
유기금속화합물용액(120)은 스핀(Spin) 코팅 방법으로 기판(101) 상에 코팅될 수 있다.
유기금속층 형성단계(S130)는 기판(101) 상에 코팅된 유기금속화합물용액(120)을 가열하여 기판(101) 상에 유기금속층(121)을 형성하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 유기금속화합물용액(120)이 코팅된 기판(101)을 핫 플레이트(Hot plate)에 넣고 일정 시간 동안 가열함으로써, 유기금속화합물용액(120)에 포함된 유기금속을 제외하고 나머지 용매는 기화되어 제거될 수 있다.
이러한 가열과정을 거친 후 기판(101) 상에는 유기금속만이 남아 유기금속층(121)이 형성될 수 있다.
패터닝단계(S150)는 유기금속층(121)에 레이저 빔(L)을 조사하여 리플 패턴(121P)을 형성하는 단계일 수 있다.
유기금속층(121)에 레이저 빔(L)을 조사하면, 입사 또는 굴절된 빔과, 유기금속층(121)의 표면 근처에서 산란 또는 회절된 빔의 간섭에 의해, 유기금속층(121)에는 잔물결 모양 즉, 리플 패턴(121P)이 형성될 수 있다.
여기서, 리플 패턴(121P)은 레이저 빔(L)과 반응하여 소결된 영역에 해당할 수 있다. 즉, 레이저 빔(L)과 반응한 유기금속층(121)의 일부분은 소결된 상태에서 리플 패턴(121P)을 형성하게 되고, 레이저 빔(L)과 반응하지 않은 유기금속층(121)의 나머지 부분은 소결되지 않은 상태에서 비패턴 영역을 형성하게 된다.
이처럼 패터닝단계(S150)에서 조사되는 레이저 빔(L)은 유기금속층(121)의 일부분을 소결하여서 리플 패턴(121P)을 형성하기에, 펨토초와 같은 고가의 레이저 장비가 아니더라도 리플 패턴(121P)을 효과적으로 형성할 수 있다.
그리고, 패터닝단계(S150)에서 조사되는 레이저 빔(L)은 기판(101)의 표면에 직접 리플 패턴을 형성하는 것이 아니라 유기금속층(121)에 리플 패턴(121P)을 형성하기에, 기판(101)의 손상을 최소화할 수 있다.
세정단계(S170)는 리플 패턴(121P)이 형성된 유기금속층(121)에 세정액을 공급하여 비패턴 영역에 존재하는 유기금속층(121)을 제거하는 단계일 수 있다.
세정액으로는 유기용매가 사용될 수 있으며, 앞서 기판(101) 상에 형성된 유기금속층(121)은 불완전한 열분해로 인하여, 금속 입자, 이온 및 유기물 등이 복합적으로 결합된 상태를 유지하는데, 레이저 빔(L)과 반응하지 않은 비패턴 영역에 존재하는 유기금속층(121)은 유기용매에 의하여 기판(101) 상에서 쉽게 제거될 수 있다.
그리고, 세정액을 이용하여 비패턴 영역에 존재하는 유기금속층(121)을 세정한 다음, DI워터를 이용하여 리플 패턴(121P)이 형성된 기판(101)에 대한 추가 세정 작업이 수행될 수도 있다.
또한, 본 실시예에 따른 리플 패터닝 방법은 건조단계를 더 포함할 수 있다. 건조단계는 세정단계(S170) 이후에 수행될 수 있으며, 질소가스 등의 건조 가스를 리플 패턴(121P)이 형성된 기판(101)의 표면에 분사하는 것으로 수행될 수 있다.
이렇게 건조단계까지 최종 완료함으로써, 대상 기판(101)의 표면에 대한 리플 패터닝이 완료될 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 리플 패터닝 방법은 입사조건 설정단계를 더 포함할 수 있다.
입사조건 설정단계는 패터닝단계(S150) 이전에 수행될 수 있으며, 미리 설정된 리플 패턴(121P)에 상응하도록 레이저 빔(L)의 입사조건을 설정하는 단계일 수 있다.
즉, 유기금속층(121)을 항하는 레이저 빔(L)의 입사조건을 변화시킴에 따라, 리플 패턴(121P)의 형상이나 방향성 또는 간격은 조절될 수 있다.
입사조건 설정단계는 편광방향 조절단계를 포함할 수 있다.
편광방향 조절단계는 유기금속층(121)에 입사되는 레이저 빔(L)의 편광방향을 조절하여, 유기금속층(121)에 형성되는 리플 패턴(121P)의 형상이나 방향성을 조절 및 설정할 수 있다.
실시예에 따른 입사광의 편광방향은 비편광, 선형편광, 방위편광 및 방사편광 들 중 어느 하나의 형태로 조절될 수 있다.
레이저 빔(L)의 편광방향은 광학계에 구비되는 편광기를 이용하여 조절될 수 있다.
일반적으로 레이저 발진기에서 조사되는 빔은 임의의 방향으로 편광된 빔이 무수히 많이 섞인 비편광 상태를 유지하고, 이러한 비편광 상태의 빔은 전기장과 자기장이 서로 수직을 유지하면서 그 진행방향에 대해 횡으로 진동하면서 전파되는데, 어느 한 방향으로 진행하는 빔에 대해 전기장이 진행하는 방향(편광방향)은 진행방향에 수직인 평면 위에 어떠한 방향으로나 놓일 수 있기 때문에, 각 방향에 대한 성분으로 분리될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 빔이 다양한 방향으로 편광되어 기판에 입사되는 경우를 설명하기 위한 평면 예시도이다.
기본적으로 레이저 발진기에서 조사되는 빔은 비편광 상태를 유지하는 바, 선형편광, 방위편광 및 방사편광에 대해서만 설명한다.
도 3 (a)에서와 같이, 선형(linear)편광은 빔의 진행방향에 수직한 두 축 성분의 위상이 동일하도록 편광된 것으로, 선형편광된 빔의 전기장은 진행방향과 나란한 수평을 이룬다. 이 경우 기판(101) 표면 즉, 유기금속층(121)에는 선형의 리플 패턴(121P)이 형성될 수 있다.
그리고, 도 3 (b)에서와 같이, 방위(Azimuthal)편광은 빔의 전기장 벡터가 기판(101)의 표면에 대한 법선 벡터와 수직이 되도록 편광된 것으로, 방위편광된 빔의 전기장은 기판(101)의 표면에 대한 XY평면 상에서 보면 중심을 둘러싸고 있는 형태를 이룬다. 이 경우 유기금속층(121)에는 방위 형상의 리플 패턴(121P)이 형성될 수 있다.
또한, 도 3 (c)에서와 같이, 방사(Radial)편광은 빔의 전기장 벡터가 빔의 진행방향에 대한 벡터와 기판(101)의 표면에 대한 법선 벡터가 형성하는 평면 상에 있도록 편광된 것으로, 방사편광된 빔의 전기장은 기판(101)의 표면에 대한 XY평면 상에서 보면 중심으로부터 퍼져나가는 형태를 이룬다. 이 경우 유기금속층(121)에는 방사 형상의 리플 패턴(121P)이 형성될 수 있다.
이상에서와 같이, 유기금속층(121)을 향하여 조사되는 레이저 빔(L)의 편광방향을 조절함으로써, 다양한 형상 및 방향성을 가지는 리플 패턴(121P)을 형성할 수 있고, 이는 다양한 색상 및 이미지 구현이 요구되는 표면 홀로그램 제작 등에 효과적으로 활용될 수 있다.
그리고, 상술한 편광방향 조절단계는 패터닝단계(S150) 이전에 미리 설정되는 것으로 설명하였지만, 이와 달리 편광방향 조절단계는 패터닝단계(S150) 중에 수행될 수도 있다.
즉, 미리 설정된 리플 패턴(121P)에 상응하도록 빔의 편광방향은 미리 조절 및 설정될 수 있고, 이렇게 설정된 빔의 편광방향은 패터닝단계(S150)를 수행하는 도중에 변경될 수 있다. 이에 따라 기판(101)의 표면 즉, 유기금속층(121)에는 서로 다른 형상 및 방향성을 가지는 리플 패턴(121P)이 복합적으로 형성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시에에 따른 기판에 입사되는 레이저 빔의 입사각도가 변화되는 경우를 설명하기 위한 예시도이다.
도 4를 추가 참조하면, 입사조건 설정단계는 입사각 조절단계를 더 포함할 수 있다.
입사각 조절단계는 유기금속층(121)에 입사되는 빔(L)의 입사각도(a)를 조절하여, 유기금속층(121)에 형성되는 리플 패턴(121P)의 간격(d1,d2)을 조절할 수 있다.
도 4 (a)에서와 같이, 유기금속층(121)을 향하는 빔(L)의 입사각도(a1)가 수직에 가까우면, 유기금속층(121)에 형성되는 리플 패턴(121P)의 간격(d1)은 상대적으로 작아질 수 있다.
도 4 (b)에서와 같이, 유기금속층(121)을 향하는 빔(L)의 입사각도(a2)가 수평에 가까울수록 유기금속층(121)에 형성되는 리플 패턴(121P)의 간격(d2)은 상대적으로 커질 수 있다.
유기금속층(121)을 향하는 빔(L)의 입사각도(a)는 광학계를 이용하여 직접 조절할 수 있고, 유기금속층(121)을 포함한 기판(101)의 위치를 조절하는 것으로도 빔(L)의 입사각도(a)는 조절될 수 있다.
이상에서와 같이, 유기금속층(121)을 향하여 레이저 빔(L)의 입사각도(a)를 조절함으로써, 다양한 간격(d1,d2)을 가지는 리플 패턴(121P)을 형성할 수 있다.
그리고, 입사각 조절단계 역시 패터닝단계(S150) 이전에 미리 조절 및 설정될 수 있고, 이와 달리 패터닝단계(S150) 중에 수행될 수도 있다.
즉, 미리 설정된 리플 패턴(121P)에 상응하도록 빔(L)의 입사각도(a)는 미리 조절 및 설정될 수 있고, 이렇게 설정된 빔(L)의 입사각도(a)는 패터닝단계(S150)를 수행하는 도중에 변경될 수 있다. 이에 따라 유기금속층(121)에는 서로 다른 간격을 가지는 리플 패턴(121P)이 복합적으로 형성될 수도 있다.
한편, 입사조건 설정단계는 파장 조절단계를 더 포함할 수도 있다.
파장 조절단계는 유기금속층(121)에 입사되는 빔의 파장을 조절하여, 유기금속층(121)에 형성되는 리플 패턴(121P)의 간격을 조절할 수 있다.
예를 들어, 유기금속층(121)을 향하는 빔의 파장이 상대적으로 클수록, 유기금속층(121)에 형성되는 리플 패턴(121P)의 간격은 파장과 비례하여 커질 수 있다.
그리고, 유기금속층(121)을 향하는 빔의 파장이 상대적으로 작을수록, 유기금속층(121)에 형성되는 리플 패턴(121P)의 간격은 파장과 비례하여 작아질 수 있다.
이상에서와 같이, 유기금속층(121)을 향하여 조사되는 빔의 파장을 조절함으로써, 다양한 간격을 가지는 리플 패턴(121P)을 형성할 수 있다.
그리고, 파장 조절단계 역시 패터닝단계(S150) 이전에 미리 조절 및 설정될 수 있고, 이와 달리 패터닝단계(S150) 중에 수행될 수도 있다.
즉, 미리 설정된 리플 패턴(121P)에 상응하도록 빔의 파장은 미리 조절 및 설정될 수 있고, 이렇게 설정된 빔의 파장은 패터닝단계(S150)를 수행하는 도중에 변경될 수 있다. 이에 따라 유기금속층(121)에는 서로 다른 간격을 가지는 리플 패턴(121P)이 복합적으로 형성될 수도 있다.
상술한 바와 같이 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면, 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변경시킬 수 있다.
101: 기판
120: 유기금속화합물용액
121: 유기금속층
121P: 리플 패턴

Claims (8)

  1. 기판 상에 유기금속화합물용액을 코팅하는 유기금속화합물용액 코팅단계;
    상기 유기금속화합물용액을 가열하여 상기 기판 상에 유기금속층을 형성하는 유기금속층 형성단계;
    상기 유기금속층에 레이저를 조사하여 리플 패턴을 형성하는 패터닝단계; 및
    상기 리플 패턴이 형성된 상기 유기금속층에 세정액을 공급하여 비패턴 영역에 존재하는 상기 유기금속층을 제거하는 세정단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패터닝단계 이전에 수행되며,
    상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 입사조건을 설정하는 입사조건 설정단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 입사조건 설정단계는 상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 편광방향을 조절하는 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 레이저 빔의 편광방향은 비편광, 선형편광, 방위편광 및 방사편광 들 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 입사조건 설정단계는 상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 입사각도를 조절하는 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 레이저 빔의 입사각도가 수직에 가까울수록 상기 리플 패턴의 간격은 상대적으로 작아지고,
    상기 레이저 빔의 입사각도가 수평에 가까울수록 상기 리플 패턴의 간격은 상대적으로 커지는 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 입사조건 설정단계는 상기 유기금속층에 입사되는 레이저 빔의 파장을 조절하는 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 레이저 빔의 파장이 상대적으로 클수록 상기 리플 패턴의 간격은 커지고,
    상기 레이저 빔의 파장이 상대적으로 작을수록 상기 리플 패턴의 간격은 작아지는 것을 특징으로 하는 리플 패터닝 방법.
KR1020200177696A 2020-12-17 2020-12-17 리플 패터닝 방법 KR20220087213A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200177696A KR20220087213A (ko) 2020-12-17 2020-12-17 리플 패터닝 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200177696A KR20220087213A (ko) 2020-12-17 2020-12-17 리플 패터닝 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220087213A true KR20220087213A (ko) 2022-06-24

Family

ID=82215699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200177696A KR20220087213A (ko) 2020-12-17 2020-12-17 리플 패터닝 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220087213A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114858B1 (ko) 2016-02-19 2020-05-25 주식회사 엘지화학 레이저를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114858B1 (ko) 2016-02-19 2020-05-25 주식회사 엘지화학 레이저를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3293136B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR101074408B1 (ko) 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법
KR101811209B1 (ko) 주파수 빗 및 나노플라즈모닉스 기술을 이용한 광자 발생기 및 광자 발생 방법
EP2431120B1 (en) Method of forming periodic structures in thin films using interfering laser beams
JP2001330728A (ja) ワイヤーグリット型偏光子及びその製造方法
US20160064110A1 (en) Plasmonic activated graphene terahertz generating devices and systems
JP4498309B2 (ja) レーザー干渉による加工方法及び該加工方法で加工された回折格子、反射防止構造
Geng et al. Artificial Seeds‐Regulated Femtosecond Laser Plasmonic Nanopatterning
KR20200074196A (ko) 보호 물질을 사용한 관통 유리 비아 제조방법
KR20220087213A (ko) 리플 패터닝 방법
US9904176B2 (en) Interference lithography device
KR20140118915A (ko) 그리드 편광 소자 및 광배향 장치
JP3371304B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びに液晶パネル
Gotovski et al. Investigation of the Pancharatnam–Berry phase element for the generation of the top-hat beam
Šlevas et al. An optical needle with elongated transversal profile created using Airy beams for laser processing of glasses
BR0013846A (pt) Processo para formação de um padrão condutor em substratos dielétricos
US20190384087A1 (en) Manufacturing method of graphene electrode and liquid crystal display panel
KR20120112586A (ko) 도핑 반도체 물질용 시스템 및 방법
US9046777B2 (en) Method for manufacturing a fine metal electrode
Choi et al. A study of ultrafast ablation on ITO thin films with wavelengths of 513 and 1026 nm for high resolution patterning
US20090176033A1 (en) Manufacturing Optical Elements With Refractive Functions
KR100304914B1 (ko) 액정표시소자의배향장치및배향방법
JPH03226392A (ja) レーザ加工方法
CN117706673B (zh) 一种液晶偏振光栅制备装置以及制备方法
CN108681216A (zh) 一种制备多周期多形貌的微纳米复合结构的装置和方法

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
X601 Decision of rejection after re-examination