KR20220084735A - 가스 저장부를 포함하는 반도체 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 반도체 제조 장치는, 기판을 처리하는 챔버; 상기 챔버에 가스를 공급하는 가스 저장부; 상기 가스 저장부에 마련되는 필터; 를 포함하고, 상기 가스 저장부 또는 필터에 의해, 상기 챔버에 공급되는 가스의 이물질이 제거되거나, 상기 챔버에 공급되는 가스의 온도가 균일하게 유지될 수 있다.

Description

가스 저장부를 포함하는 반도체 제조 장치{Semiconductor manufacturing device including Gas storage}
본 발명은 필터가 내장된 가스 저장부를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
ALD(Atomic Layer Deposition)는 원자를 이용해 초박막을 만드는 방법으로써, 나노미터 단위의 막을 위해 원자층을 한층 한층 쌓아 올려 막을 형성한다. 자기 제한적 표면처리에 의해 기판 처리시에 아무리 소스 가스를 많이 공급해도 원자층은 1개 층만 쌓이게 되어 초박막을 형성할 수 있다.
본 발명은 ALD로 막을 증착하는 과정에서 챔버로 공급되는 가스의 이물질을 제거하거나, 가스의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 반도체 제조 장치는, 기판을 처리하는 챔버; 상기 챔버에 가스를 공급하는 가스 저장부; 상기 가스 저장부에 마련되는 필터; 를 포함하고, 상기 가스 저장부 또는 필터에 의해, 상기 챔버에 공급되는 가스의 이물질이 제거되거나, 상기 챔버에 공급되는 가스의 온도가 균일하게 유지될 수 있다.
원자막 증착 공정을 단계별로 살펴보면, 한 층의 원자막 층이 증착되는 단계는 4단계로 형성될 수 있다.
제1 단계에서는 소스 가스와 연결된 관의 밸브가 열리고 소스 가스가 챔버내로 투입되어 기판에 증착될 수 있다.
제2 단계에서는 소스 가스와 연결된 관의 밸브가 닫히고, 퍼지 가스가 투입되어 제1 투입구와 연결되는 가스관과 챔버내의 소스 가스를 배기구로 배출할 수 있다. 소스 가스와 연결된 관의 밸브가 닫힌 후 퍼지 가스와 연결된 관의 밸브가 열리 거나 공정 동안 소스 가스와 연결된 관의 밸브가 열린 동안에만 닫히고 나머지 공정 시간에는 계속 열릴 수 있다.
제3 단계에서는 반응 가스와 연결된 밸브가 열리고 반응 가스가 챔버로 투입될 수 있고, 소스 가스와 반응 가스는 화학 반응을 하여 원하는 막 성분으로 치환될 수 있다.
4단계에서는 반응 가스와 연결된 관의 밸브가 닫히고, 퍼지 가스가 투입되어 제2 투입구와 연결되는 가스관의 가스와 챔버내의 반응 가스를 배기구로 배출할 수 있다. 반응 가스와 연결된 관의 밸브가 닫힌 후 퍼지 가스와 연결된 관의 밸브가 열리 거나 공정 동안 반응가스와 연결된 관의 밸브가 열린 동안에만 닫히고 나머지 공정 시간에는 계속 열릴 수 있다.
가스 저장부의 내부 직경은 가스 저장부의 양단에 연결되는 가스 관의 직경보다 클 수 있다. 가스 관을 통해 가스 저장부로 유입되는 가스는 통과하는 관의 직경이 증가하기에 통과하는 속도가 느려질 수 있다.
가스 저장부를 통과하는 가스는 내부의 열대류에 의해서 가열될 수 있고, 필터의 전도로 인해 가열될 수 있다.
따라서, 가스 저장부에 머무르는 시간이 늘어날 수 있고, 가스 저장부에 의해서 충분히 열을 공급받거나 필터를 통해 이물질이 효과적으로 제거될 수 있다.
도 1은 본 발명의 가스 저장부를 포함하는 원자 증착 장치를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 가스 저장부의 내부의 필터를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 가스 저장부의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 5는 도 2의 가스 저장부에 격벽이 마련된 것을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 가스 저장부의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 가스 저장부의 다른 실시 예를 도시한 것이다.
본 발명의 반도체 제조 장치는 예를 들어 원자막 증착(Atomic Layer Deposition) 장치일 수 있다. 반도체 제조 장치는 기판(W)의 막이 증착되는 공정이 진행되는 챔버(200); 챔버(200)에 원자막 증착에 필요한 가스를 공급하는 가스 저장부(300)를 포함할 수 있다.
챔버(200)는 기판(W)을 지지하는 기판 지지대(220), 반도체 제조 장치에서 공급되는 가스를 챔버(200)내 공간에 제공하는 샤워 헤드(210) 를 포함할 수 있다.
원자막 증착을 위해 소스 가스가 마련될 수 있고, 소스 가스와 화학 반응을 하는 반응 가스가 구비될 수 있다. 소스 가스와 반응 가스가 화학 반응하여 원하는 원자막 층이 형성될 수 있고, 반응 후 남겨진 성분들을 챔버(200)내에서 배기구(240)로 제거하기 위한 퍼지 가스가 마련될 수 있다.
공정 과정을 살펴보면, 반도체 제조 장치로부터 소스 가스가 챔버(200) 내에 투입될 수 있고, 소스 가스는 기판(W)에 한층이 증착될 수 있다. 기판(W)에 소스 가스에 의한 적층을 막기 위해 소정의 시간 후 퍼지 가스를 챔버(200)에 투입할 수 있다. 퍼지 가스는 소스 가스 또는 반응 가스와의 화학 반응 수준이 낮아야 하기에 퍼지 가스는 다른 화학종과 반응성이 낮은 성분으로 구비될 수 있다.
퍼지 가스 투입으로 챔버(200)내의 소스 가스의 농도가 낮아진 후 반응 가스를 챔버(200)에 투입할 수 있다. 투입된 반응 가스는 기판(W)에 증착된 소스 가스의 증착 성분과 화학 반응을 할 수 있다. 소스 가스와 반응 가스의 화학 반응에 의해서 생성된 성분으로 소스 가스의 원자막은 치환될 수 있다. 상시 새롭게 치환된 막 성분이 기판(W)에 증착되기 목표한 성분일 수 있다. 목표 막이 증착되면 나머지 반응에 사용되고 남은 성분들은 다시 퍼지 가스에 의해 챔버(200)에서 배기될 수 있다.
상기의 과정이 원하는 원자 증착막을 형성하는 1 싸이클일 수 있다. 이러한 방식으로, 1 싸이클당 하나의 원자 증착막 1층이 쌓여질 수 있고, 사용자가 원하는 두께로 증착 막의 두께를 조절할 수 있다. 상기 싸이클을 반복함으로써 증착 막의 두께를 두껍게할 수 있다.
퍼지 가스는 1 싸이클내내 공급되거나 소스 가스가 투입되는 동안에만 잠시 공급이 중단되거나 반응 가스가 투입되는 동안에만 잠시 공급이 중단되거나 소스 가스가 투입된 직후 투입 되거나 반응 가스가 투입된 직후 투입될 수 있다.
일 실시 예로써, 소스 가스는 사염화 티타늄(TiCl4)일 수 있고, 반응 가스는 암모(NH3)일 수 있으며, 퍼지 가스는 질소(N2,N3)일 수 있고, 원하는 증착막은 TiN 증착막일 수 있다. 화학 반응 후에 남는 성분은 염소(Cl)일 수 있다.
화학 반응 후에 남는 성분에 의해 증착된 막의 전기 전도도가 낮아질 수 있고, 챔버(200)내의 구성물을 부식시켜 내구성이 떨어질 수 있다. 챔버(200)는 트랩을 포함할 수 있고, 공정동안 머무를 수 있는 트랩과 챔버(200)내의 가스들을 배기시키는 배기구(240)를 부식시킬 수 있기에 빠르게 제거되어야 할 수 있다.
화학 반응 후에 남는 성분들을 제거하기 위해 처리 가스가 마련될 수 있다. 처리 가스는 반응 후 남는 성분들과 빠르게 결합하고, 반응 가스를 기판(W)에 처리한 후 투입되는 퍼지 가스와 함께 챔버(200) 내에서 제거될 수 있다. 처리 가스는 수소 가스일 수 있다.
따라서, 막 증착을 위해 반도체 제조 장치에서 챔버(200)내로 다양한 가스가 공급될 수 있기에 반도체 제조 장치에는 다양한 가스가 마련될 수 있다.
가스 공급원(110)에는 각 특정 가스가 구비될 수 있고, 각 특정 가스는 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스, 처리 가스를 포함할 수 있다.
일 실시 예로, 반도체 제조 장치에서 두개의 투입구를 통해 챔버(200)내로 가스가 투입될 수 있다.
반도체 제조 장치는 각 특정 가스를 공급할 수 있는 가스 공급원(110); 정밀한 가스의 유량을 조정할 수 있는 유량 조정부; 각 싸이클당 원하는 시간에 가스를 공급하고 중단할 수 있는 밸브(130); 를 포함할 수 있다.
유량 조정부는 매스플로우 컨트롤러에 의해 구성될 수 있다.
제1 투입구(230)로 들어가는 가스는 가스 A, 가스 B를 포함할 수 있고, 제2 투입구(232)로 들어가는 가스는 가스 C, 가스 D를 포함할 수 있다. 가스 A 내지 가스 D는 모두 다른 종류의 가스 일 수 있고, 일부는 동일할 수 있다.
일 실시 예로, 가스 A는 소스 가스이고, 가스 C는 반응 가스 일 수 있다. 가스 B와 가스 D는 퍼지 가스 일 수 있다. 소스 가스와 반응 가스의 가스 관은 각 가스간의 오염을 막기 위해 서로 중첩되지 않게 다른 가스 관으로 챔버(200)에 투입될 수 있다. 퍼지 가스는 제1 투입구(230), 제2 투입구(232)와는 별개의 투입구로 챔버(200)에 투입될 수 있다. 소스 가스 관 또는 반응 가스 관과 연결되어 제1 투입구(230) 또는 제2 투입구(232)으로 동일한 관을 통해서 챔버(200)에 투입될 수 있다. 퍼지 가스가 소스 가스나 반응 가스와 함께 투입구로 투입되는 경우에는, 막 증착 공정은 단속적으로 진행되기에 밸브(130)에 의해서 각 단계별로 투입되는 가스 관이 조절될 수 있다. 따라서, 연속적으로 가스를 공급하는 것이 아니기에 각 공정상 밸브(130)가 잠긴 동안 가스의 온도가 균일하게 유지되기 어려울 수 있다. 따라서, 각 소스 가스나 반응 가스의 투입이 끝난 후에 챔버(200)내의 소스 가스나 반응 가스를 없애는 것과 마찬가지로 각 소스 가스나 반응 가스의 관에 남아 있는 소스 가스나 반응 가스를 퍼지 가스로 제거할 수 있다.
각 소스 가스 투입 단계 또는 반응 가스의 투입 단계 후에 따라오는 퍼지 단계에서 밸브(130)에 의해 잠겨 소스 가스 관 또는 반응 가스 관 내에 머물고 있던 가스들도 같이 챔버(200)로 공급되지만 퍼지 단계동안에 챔버(200)내에 있던 소스 가스 또는 반응 가스와 함께 배기구(240)로 배출될 수 있다. 이와 같은 방법으로 소스 가스 또는 반응 가스를 투입구을 통해서 챔버(200)로 투입하는 경우, 균일한 온도를 가지는 소스 가스나 반응 가스를 투입할 수 있다.
소스 가스와 반응 가스의 주 반응을 하고 남은 성분들을 처리하는 처리 가스는 퍼지 가스에 첨가되어 같이 공급될 수 있고, 퍼지 가스와는 개별로 공정을 추가하여 공급될 수 있다. 일 실시 예로, 염소를 제거하기 위해서 처리 가스로 수소 가스가 마련되는 경우에는, 가스 D가 수소 가스 이거나 가스 D의 퍼지 단계 이후에 공급될 수 있다.
도 1은 반도체 제조 장치의 일 실시 예를 도시한 것이므로, 사용자의 설계에 따라 가스 공급원(110)의 수는 변할 수 있고, 가스의 종류와 각 가스 공급원(110)의 가스의 배분도 다를 수 있다.
막 증착 공정을 단계별로 살펴보면, 한 층의 원자막 층이 증착되는 단계는 4단계로 형성될 수 있다.
제1 단계에서는 소스 가스와 연결된 관의 밸브(130)가 열리고 소스 가스가 챔버(200)내로 투입되어 기판(W)에 증착될 수 있다.
제2 단계에서는 소스 가스와 연결된 관의 밸브(130)가 닫히고, 퍼지 가스가 투입되어 제1 투입구(230)와 연결되는 가스관과 챔버(200)내의 소스 가스를 배기구(240)로 배출할 수 있다. 소스 가스와 연결된 관의 밸브(130)가 닫힌 후 퍼지 가스(가스 B)와 연결된 관의 밸브(130)가 열리 거나 공정 동안 소스 가스와 연결된 관의 밸브(130)가 열린 동안에만 닫히고 나머지 공정 시간에는 계속 열릴 수 있다.
제3 단계에서는 반응 가스와 연결된 밸브(130)가 열리고 반응 가스가 챔버(200)로 투입될 수 있고, 소스 가스와 반응 가스는 화학 반응을 하여 원하는 막 성분으로 치환될 수 있다.
4단계에서는 반응 가스와 연결된 관의 밸브(130)가 닫히고, 퍼지 가스가 투입되어 제2 투입구(232)와 연결되는 가스관의 가스와 챔버(200)내의 반응 가스를 배기구(240)로 배출할 수 있다. 반응 가스와 연결된 관의 밸브(130)가 닫힌 후 퍼지 가스(가스 D)와 연결된 관의 밸브(130)가 열리 거나 공정 동안 반응가스와 연결된 관의 밸브(130)가 열린 동안에만 닫히고 나머지 공정 시간에는 계속 열릴 수 있다.
상기 각 가스에는 이물질이 포함될 수 있고, 긴 공정 시간동안과 관의 길이와 배치에 따라 가스의 온도가 균일하지 않을 수 있다. 가스 속의 이물질과 불균일한 온도의 가스는 미세한 원자를 조절하는 원자 증착 방식에 큰 불량을 가져올 수 있다. 이를 개선하기 위해 반도체 제조 장치에는 가스 저장부(300)가 마련될 수 있다.
가스 저장부(300)는 유량 조절부(120)와 제1 투입구(230) 또는 제2 투입구(232) 사이에 구비될 수 있다. 밸브(130)는 유량 조절부(120)와 가스 저장부(300) 사이 또는 가스 저장부(300)와 제1 투입구(230)과, 제2 투입구(232) 사이에 마련될 수 있다.
가스 저장부(300)에 흐르는 가스는 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스, 처리 가스 중 어느 하나일 수 있다.
가스 저장부(300)는 가스의 균일한 온도 유지를 위해 가스 저장부(300)를 감싸는 히터(350); 가스의 이물질을 제거하기 위해 가스 저장부(300)의 내부에 마련되는 필터(330); 를 포함할 수 있다.
가스 저장부(300)의 내부 직경은 가스 저장부(300)의 양단에 연결되는 가스 관의 직경보다 클 수 있다. 가스 관을 통해 가스 저장부(300)로 유입되는 가스는 통과하는 관의 직경이 증가하기에 통과하는 속도가 느려질 수 있다. 따라서, 가스 저장부(300)에 머무르는 시간이 늘어날 수 있고, 가스 저장부(300)에 의해서 충분히 열을 공급받거나 필터(330)를 통해 이물질이 효과적으로 제거될 수 있다.
히터(350)는 가스 저장부(300)의 외관을 감싸는 형태로 설계될 수 있다.
가스 저장부(300)의 양단과 연결되는 가스 관을 외부 관이라 정의할 수 있다.
상기 외부 관과 가스 저장부(300)를 통해 가스가 흐르는 방향을 제1 방향, 상기 제1 방향에 수직한 방향을 제2 방향이라고 정의할 수 있다.
가스 저장부(300)는 제1 방향으로 가스를 흘려 보내는 제1 부재(310); 일단은 외부 관과 연결되고, 타단은 제1 부재(310)와 연결되는 제2 부재(320); 를 포함할 수 있다. 제2 부재(320)는 가스 저장부(300)의 양단에 외부 관 각각에 대응하여 마련될 수 있다.
히터(350)는 제1 부재(310) 또는 제2 부재(320)를 외부에서 감싸는 방식으로 구비될 수 있고, 히터(350)에 의해 제1 부재(310) 또는 제2 부재(320)는 가열되며, 가스 저장부(300)의 내부의 가스는 대류에 의해 가열될 수 있다.
가스 저장부(300)는 외부 관과 마찬가지로 직경이 큰 관형상으로 원통형일 수 있다.
필터(330)의 양단은 가스 저장부(300)의 일부와 연결될 수 있다. 가스 저장부(300)는 히터(350)에 의해서 가열되고 있기에 필터(330)는 전도에 의해서 가열을 받을 수 있다.
가스 저장부(300)의 내부는 히터(350)에 의해 가열된 가스 저장부(300)의 본체로부터 복사열을 받아 공기의 대류 가열이 될 수 있다.
따라서, 가스 저장부(300)를 통과하는 가스는 내부의 열대류에 의해서 가열될 수 있고, 필터(330)의 전도로 인해 가열될 수 있다.
필터(330)는, 외부 관에서 들어오는 가스가 넓어진 가스 저장부(300)의 표면적으로 인해 유속이 느려지는 것 외에도 외부 관에서 들어오는 가스가 부딪혀 제2 방향으로 이동할 수 있는 제1 필터부(332); 제1 필터부(332)의 일단과 연결되고, 제1 필터부(332)에 의해서 제2 방향으로 퍼진 가스가 다시 가이드되어 이동하면서 필터에 의해서 공간 내부로 가스가 이동할 수 있는 제2 필터부(334); 를 포함할 수 있다.
제2 필터부(334)는 일단이 제1 부재(310) 또는 제2 부재(320)와 연결될 수 있고, 타단이 제1 필터부(332)와 연결될 수 있다.
제1 필터부(332)는 양단이 제2 필터부(334)와 연결되고, 가스 저장부(300)의 내부를 제2 방향으로 가로지르게 마련될 수 있다.
제1 부재(310)와 대면하는 제2 필터부(334)와 제1 부재(310) 사이의 제2 방향 거리는 제1 부재(310)와 연결되는 제2 부재(320)의 일단과 외부 관과 연결되는 제2 부재(320)의 타단간의 제2 방향 거리보다 짧을 수 있다.
제1 필터부(332)는 제2 방향과 평행할 수 있다. 이 경우에는, 제1 부재(310)와 제2 부재(320)간의 수직 거리는 제1 부재(310)와 대면하는 제2 필터부(334)와 제1 부재(310) 사이의 수직 거리보다 길 수 있다.
제1 부재(310)와 대면하는 제2 필터부(334)와 연결되고, 외부 가스 관과 제1 부재(310)보다 인접한 거리에 있는 제1 필터부(332)는 곡선 형태일 수 있다.
필터의 일단은 제1 부재(310) 또는 제2 부재(320)와 접촉할 수 있다. 히터(350)는 제1 부재(310) 또는 제2 부재(320)를 가열하고, 상기 부재의 어느 하나와 연결된 필터(330)는 전도에 의해서 전도 가열될 수 있다. 필터(330)는 히터(350)로 감싸여진 부재와 연결되는 것이 전도 효율이 높을 수 있다.
필터(330)의 일단이 제2 부재(320)와 연결되는 경우에는 필터(330)의 일단이 제1 부재(310)와 연결되는 경우와 비교하면, 제2 필터부(334)와 제1 부재(310) 사이를 가이드되어 흐르는 가스가 제2 필터부(334)를 지나고 나서 제1 부재(310)와 만나기에 큰 후반동 없이 가스 저장부(300)의 내부로 이동할 수 있다.
가스 저장부(300)에서 외부로 흘러나가는 위치에는 격벽(340)이 마련될 수 있다. 제2 필터부(334)와 제1 부재(310) 사이를 따라 가이드된 가스는 제1 부재(310)에 의해 반동된후 격벽(340)을 따라 가스 저장부(300)의 내부 방향으로 모일 수 있어 대류 현상 등에 의해 유속이 다시 저하되어 균일한 가스 온도를 형성할 수 있다.
격벽(340)은 제1 부재(310) 또는 제2 부재(320)에 구비될 수 있다.
제2 필터부(334)가 제1 부재(310)와 연결되고, 격벽(340)이 제1 부재(310)에 마련되는 경우에는, 제2 부재(320)에서 제2 필터부(334)가 제1 부재(310)와 만나는 위치까지의 거리는 제2 부재(320)에서 격벽(340)이 제1 부재(310)와 만나는 위치까지의 거리보다 짧을 수 있다.
격벽(340)은 제2 방향으로 기울기를 가질 수 있고, 기울기로 인해 가스 저장부(300) 내부의 가스는 중앙으로 잘 모여 대류에 의한 혼합이 잘 일어날 수 있다.
제1 필터부(332) 또는 제2 필터부(334)는 다공성 형태로 마련될 수 있고, 각 필터의 홈의 크기는 다르게 마련될 수 있다. 제1 필터부(332)는 외부 관에서 공급되는 가스와 1차적으로 부딪히기에 제1 필터부(332)의 홈의 크기는 제2 필터부(334)의 홈의 크기보다 작을 수 있다.
제1 필터부(332)에 의해 제2 방향으로 가스를 이동시키기 위해서 제1 필터부(332)에는 코팅막(333)이 마련될 수 있다. 코팅 막에 의해서 외부에서 유입된 가스는 제2 방향으로 더 많이 퍼질 수 있다.
필터(330)는 제1 부재(310) 방향으로 가스를 가이드하는 제2 필터부(334) 없이 제1 필터부(332)만으로 구성될 수도 있다. 이 경우 제1 필터부(332)의 끝단은 제1 부재(310)와 연결되고, 제2 방향으로 평행하게 복수로 마련될 수 있다. 복수의 제1 필터부(332)를 거치는 동안 가스는 필터에 의해 전도 가열되고, 필터 사이사이의 공간의 대류 가열로 인해서 가열될 수 있다.
따라서, 필터(330)는 도 3 내지 도 8 등의 실시 예를 통해 가스 저장부(300)를 통과하는 기체가 필터(330)의 표면적을 최대한 많이 통과하게 설계될 수 있다.
110... 가스 공급원
120... 유량 조절부 130... 밸브
200... 챔버 210... 샤워 헤드
220... 기판 지지대 230... 제1 투입구
232... 제2 투입구 240... 배기구
300... 가스 저장부 310... 제1 부재
320... 제2 부재 330... 필터
332... 제1 필터부 333... 코팅막
334... 제2 필터부
340... 격벽 350... 히터
W... 기판

Claims (7)

  1. 기판을 처리하는 챔버;
    상기 챔버에 가스를 공급하는 가스 저장부;
    상기 가스 저장부에 마련되는 필터; 를 포함하고,
    상기 가스 저장부 또는 필터에 의해, 상기 챔버에 공급되는 가스의 이물질이 제거되거나, 상기 챔버에 공급되는 가스의 온도가 균일하게 유지되는 반도체 제조 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 가스 저장부에는,
    상기 가스 저장부의 외부면을 감싸는 히터가 마련되고,
    상기 필터의 적어도 일부는 상기 가스 저장부와 대면하며,
    상기 히터는 전도에 의하여 상기 필터에 열을 전달하고,
    상기 가스 저장부 내부는 대류에 의하여 열을 전달하는 반도체 제조 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 필터는 제2 방향으로 상기 가스를 가이드하는 제1 필터부와, 상기 제2 방향에 수직한 제1 방향으로 상기 가스를 가이드하는 제2 필터부를 포함하는 반도체 제조 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 가스 저장부 내부에 격벽이 마련되고,
    상기 필터 및 격벽은 서로 이격되는 반도체 제조 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 필터의 표면에는 상기 가스의 흐름을 제한하는 코팅막이 형성되는 반도체 제조 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 필터는 상기 가스 저장부의 내부에 평행하게 복수로 배열되는 반도체 제조 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 가스를 공급하는 가스 공급원;
    상기 가스 공급원에 연결되며 상기 가스의 양을 조절하는 유량 조절부;
    상기 유량 조절부를 통과한 가스의 상기 챔버로의 공급을 조절하는 밸브;
    를 포함하고,
    상기 밸브는 상기 유량 조절부와 상기 가스 저장부 사이 또는 상기 가스 저장부와 상기 챔버 사이에 마련되는 반도체 제조 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR19990069986A (ko) * 1998-02-16 1999-09-06 윤종용 가스필터 및 가스공급 밸브를 사용하는 반도체소자의 제조장비
KR20050048845A (ko) * 2003-11-20 2005-05-25 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 가스필터
KR102072924B1 (ko) * 2018-11-05 2020-02-03 (주)에이텍솔루션 고효율 반도체 증착용 기화기

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