KR20220083395A - 전계 발광 표시장치와 그 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 명세서의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 영상 데이터(DATA)에 따라 발광하는 복수의 픽셀들이 구비된 표시패널(10); 상기 영상 데이터에 대응되는 스트레스 누적값이 저장된 제1 메모리(210); 및 상기 스트레스 누적값을 기반으로 상기 영상 데이터를 보상하기 위한 보상 게인을 증가시키는 보상 게인 연산회로(113)를 포함하고, 상기 스트레스 누적값은 상기 보상 게인이 증가될 때마다 상기 제1 메모리로부터 리셋된다.

Description

전계 발광 표시장치와 그 구동방법{Electroluminescence Display Device And Driving Method Thereof}
이 명세서는 전계 발광 표시장치와 그 구동방법에 관한 것이다.
전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 전계 발광 표시장치로 나뉘어진다. 전계 발광 표시장치의 각 픽셀들은 스스로 발광하는 발광 소자를 포함하며, 영상 데이터의 계조에 따른 데이터전압으로 발광 소자의 발광량을 제어하여 휘도를 조절한다. 각 픽셀 회로는 구동 소자를 포함할 수 있다.
구동 시간의 경과에 따라 픽셀의 열화 특성이 픽셀들에서 달라질 수 있다. 픽셀들 간 열화 편차가 생기면, 동일한 데이터전압이 인가되더라도 픽셀들에서 발광에 기여하는 발광 전류가 달라질 수 밖에 없다. 이러한 발광 전류의 편차는 휘도 불균일을 초래하여 화상 품위를 떨어뜨린다.
전계 발광 표시장치에서, 픽셀들 간 열화 편차를 보상하기 위한 다양한 시도가 이뤄지고 있으나, 대용량의 메모리가 필요하고 파워 온 시의 초기 기동 시간이 길어지는 등의 문제점이 있다.
따라서, 본 명세서에 개시된 실시예는 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 픽셀들 간 열화 편차를 보상하는 데 필요로 하는 메모리 용량을 줄일 수 있도록 한 전계 발광 표시장와 그 구동방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 영상 데이터에 따라 발광하는 복수의 픽셀들이 구비된 표시패널; 상기 영상 데이터에 대응되는 스트레스 누적값이 저장된 제1 메모리; 및 상기 스트레스 누적값을 기반으로 상기 영상 데이터를 보상하기 위한 보상 게인을 증가시키는 보상 게인 연산회로를 포함하고, 상기 스트레스 누적값은 상기 보상 게인이 증가될 때마다 상기 제1 메모리로부터 리셋된다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는 영상 데이터에 따라 발광하는 복수의 픽셀들이 구비된 표시패널; 및 상기 영상 데이터에 대응되는 스트레스 누적값이 저장된 제1 메모리를 포함하고, 상기 스트레스 누적값은 스트레스 값의 누적 중에 상기 제1 메모리로부터 리셋된다.
본 실시예는 다음과 같은 효과가 있다.
본 실시예는 스트레스 값의 누적 도중에 보상 게인이 바뀔 때마다 메모리를 리셋하여 구간별 스트레스 누적값만을 저장한다. 본 실시예는 구동 시간의 경과에 따른 총 스트레스 누적값을 메모리에 저장하지 않고, 각 보상 게인에 대응되는 구간별 스트레스 누적값만을 리셋 동작과 결부하여 메모리에 저장한다. 이로 인해, 본 실시예는 보상에 필요한 메모리 용량을 획기적으로 줄일 수 있고, 별도의 데이터 압축 로직을 제거할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 메모리의 용량 감소로 인해 제조 비용이 줄어들고, 메모리에 대한 로딩 시간이 짧아져 파워 온 타임이 감소되는 효과도 있다. 또한, 본 실시예에 따르면, 데이터 압축 로직의 제거로 인해 타이밍 콘트롤러의 회로 사이즈와 제조 비용이 감소되는 효과도 있다.
본 명세서에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 보상 회로를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2의 스트레스 변환회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2의 보상 게인 연산회로에서 수행되는 열화 모델링 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 보상 게인과 구간별 누적데이터 간의 관계를 나타내는 열화 모델링 그래프에 대한 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 6은 보상 게인들과 임계 스트레스 누적값들이 맵핑되어 있는 룩업 테이블을 보여주는 도면이다.
도 7은 보상 게인이 업데이트될 때마다 누적데이터를 리셋시키기 위한 누적 열화량 재설정 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 7의 누적 열화량 재설정 동작을 통해 메모리 사용량이 줄어드는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 보상 게인과 구간별 누적데이터 간의 관계 그래프에 대한 비교예를 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 비교예에서 메모리 사용량이 증가하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 도 2의 데이터 보상회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 명세서의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 이 명세서 내용과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 불필요하게 내용 이해를 흐리게 하거나 방해할 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치는, 표시 패널(10), 타이밍 컨트롤러(11), 데이터 드라이버(12), 게이트 드라이버(13), 메모리 회로(20), 및 보상 회로(30)를 포함할 수 있다. 도 1에서, 타이밍 컨트롤러(11), 데이터 드라이버(12)는 전체 또는 일부가 드라이브 집적회로 내에서 일체화될 수 있다. 도 1에서, 타이밍 컨트롤러(11)와 메모리 회로(20)는 보상 회로(30)를 구성할 수 있다.
표시 패널(10)에서 입력 영상이 표시되는 화면에는 열(Column) 방향(또는 수직 방향)으로 연장된 데이터 라인들(14)과 행(Row) 방향(또는 수평 방향)으로 연장된 게이트 라인들(15)이 교차하고, 교차 영역마다 픽셀들(PIX)이 매트릭스 형태로 배치되어 픽셀 어레이를 형성한다. 각 데이터 라인(14)은 열 방향으로 이웃한 픽셀들(PIX)에 공통으로 연결되고, 각 게이트 라인(15)은 행 방향으로 이웃한 픽셀들(PIX)에 공통으로 연결된다.
픽셀 어레이에 포함된 픽셀들(PIX)은 복수개씩 그룹핑되어 다양한 컬러를 표현할 수 있다. 컬러 표현을 위한 픽셀 그룹을 단위 픽셀로 정의할 때, 1 단위 픽셀은 R(적색), G(녹색), B(청색) 픽셀들을 포함하여 구성될 수도 있고, R(적색), G(녹색), B(청색), W(백색) 픽셀들을 포함하여 구성될 수도 있다.
픽셀들(PIX) 각각은 발광 소자와, 게이트-소스 간 전압에 따라 발광 전류를 생성하여 발광 소자를 구동시키는 구동 소자를 포함한다. 발광 소자는 애노드전극, 캐소드전극 및 이 전극들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함할 수 있다. 유기 화합물층은 정공 주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공 수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자 수송층(Electron transport layer, ETL), 전자 주입층(Electron Injection layer, EIL) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자에 픽셀 전류가 흐를 때 정공 수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자 수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동하여 여기자가 형성되고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 방출할 수 있다. 한편, 유기 화합물층은 무기 화합물층으로 대체될 수도 있다.
구동 소자는 유기 기판(또는 플라스틱 기판) 기반의 저온 폴리 실리콘(Low-Temperature-Poly-Silicon, LTPS) 또는 산화물(Oxide) 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 구동 소자는 실리콘 웨이퍼(Si-wafer) 기반의 CMOS 트랜지스터로 구현될 수도 있다.
픽셀 회로에 포함된 일부 소자(특히, 소스 또는 드레인이 구동 소자의 게이트에 연결된 스위칭 소자)를 산화물 트랜지스터로 구현하는 시도가 늘고 있다. 산화물 트랜지스터는 반도체 물질로 폴리 실리콘 대신 산화물(Oxide), 즉 In(인듐), Ga(갈륨), Zn(아연), O(산소)를 결합한 IGZO라는 산화물이 사용된다. 산화물 트랜지스터는, 비정질 실리콘 트랜지스터에 비해서 전자 이동도가 10배 이상 높고, LTPS 트랜지스터에 비해 제조 비용이 훨씬 낮은 장점이 있다. 또한, 산화물 트랜지스터는 오프 전류가 낮기 때문에, 트랜지스터의 오프 기간이 상대적으로 긴 저속 구동시 구동 안정성과 신뢰성이 높은 장점도 있다. 따라서, 고해상도와 저전력 구동이 필요하거나 저온 폴리 실리콘 공정으로 화면 크기를 대응할 수 없는 OLED TV에 산화물 트랜지스터가 채용될 수 있다.
발광 소자의 전기적 특성(예컨대, 동작점 전압 또는 문턱 전압)은 모든 픽셀들에서 균일하여야 하지만 구동 시간 경과에 따른 스트레스로 인하여 픽셀들(PIX) 간에 차이(이하, 픽셀들 간 열화 편차라 함)가 있을 수 있다.
보상 회로(30)는 픽셀들 간 열화 편차를 보상하기 위하여 데이터 카운팅 보상기술을 사용한다. 데이터 카운팅 보상기술은 입력 영상 데이터(DATA)를 통해 발광 소자의 열화 정도를 예측하고 상기 열화를 보상하기 위한 보상 게인을 도출한 후, 상기 보상 게인을 기반으로 입력 영상 데이터(DATA)를 보정하는 기술이다. 보상 회로(30)는 입력 영상 데이터(DATA)를 스트레스 값으로 변환하여 누적하고, 모델링 된 스테레스 누적값과 보상 게인 간의 관계를 이용하여 보상 게인을 도출한다. 보상 게인의 크기는 구동 시간이 경과함에 따라, 다시 말해 스트레스 누적값이 증가함에 따라 증가한다. 보상 회로(30)는 스트레스 누적값을 저장하기 위한 메모리 용량을 경감하기 위하여, 보상 게인이 바뀔 때마다 메모리에 저장된 스트레스 누적값을 리셋한다.
보상 회로(30)는 입력 영상 데이터(DATA)에 보상 게인을 적용하여 보정 영상 데이터(CDATA)를 생성하고, 보정 영상 데이터(CDATA)를 데이터 드라이버(12)에 공급한다. 보상 회로(30)에 포함된 타이밍 컨트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 도트 클럭(DCLK) 등의 타이밍 신호를 입력 받아 데이트 드라이버(12)와 게이트 드라이버(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 생성한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)와 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)를 포함할 수 있다.
데이터 드라이버(12)는 데이터라인들(14)을 통해 픽셀들(PIX)에 연결된다. 데이터 드라이버(12)는 픽셀들(PIX)의 구동에 필요한 데이터전압을 생성하여 데이터라인들(14)에 공급한다. 데이터 드라이버(12)는 보상회로(30)로부터 입력되는 보정 영상 데이터(CDATA)를 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)를 기반으로 샘플링 및 래치 하여 병렬 데이터로 바꾸고, 병렬 데이터를 감마 보상 전압들에 따라 아날로그 데이터전압으로 변환한다. 데이터 전압은 픽셀들(PIX)에서 표현될 영상 계조들에 대응되도록 서로 다른 전압 레벨의 아날로그 전압 값들일 수 있다.
데이터 드라이버(12)는 복수 개의 소스 드라이버 집적회로들로 구성될 수 있다. 소스 드라이버 집적회로는 쉬프트 레지스터(shift register), 래치, 레벨 시프터, DAC(Digital to Analog Converter), 및 출력 버퍼를 포함할 수 있다.
게이트 드라이버(13)는 게이트라인들(15)을 통해 픽셀들(PIX)에 연결된다. 게이트 드라이버(13)는, 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)를 기반으로 스캔 신호들을 생성하고, 각 스캔 신호를 데이터전압의 공급 타이밍에 맞추어 게이트 라인들(15)에 공급한다. 스캔 신호에 의해 데이터전압이 공급될 수평 픽셀 라인이 선택된다. 스캔 신호 각각은 게이트 온 전압(Gate On Voltage)과 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage) 사이에서 스윙(swing)하는 펄스 타입으로 생성될 수 있다. 게이트 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압보다 높은 전압으로 설정되며, 게이트 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 트랜지스터는 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 게이트 오프 전압에 응답하여 턴-오프(turn-off)된다.
게이트 드라이버(13)는, 게이트 쉬프트 레지스터, 게이트 쉬프트 레지스터의 출력 신호를 픽셀의 트랜지스터 구동에 적합한 스윙 폭으로 변환하기 위한 레벨 시프터 및 출력 버퍼 등을 각각 포함하는 다수의 게이트 드라이브 집적 회로들로 구성될 수 있다. 또는, 게이트 드라이버(13)는 GIP(Gate driver In Panel)) 방식으로 표시 패널(10)의 기판 상에 직접 형성될 수도 있다. GIP 방식의 경우, 레벨 시프터는 PCB(Printed Circuit Board) 위에 실장되고, 게이트 쉬프트 레지스터는 표시 패널(10)의 비 표시영역인 베젤 영역에 형성될 수 있다. 게이트 쉬프트 레지스터는 캐스 캐이드(Cascade) 방식으로 서로 연결된 다수의 스캔 출력 스테이지들을 포함한다. 스캔 출력 스테이지들은 게이트라인들에 독립적으로 연결되어 게이트라인들(15)로 스캔 신호들을 출력한다.
메모리 회로(20)는 스트레스 누적값이 저장되는 제1 메모리와 보상 게인이 저장되는 제2 메모리를 포함할 수 있다. 제1 메모리는 스트레스 값의 누적 도중에 보상 게인이 바뀔 때마다 리셋 되어 구간별 스트레스 누적값만을 저장한다. 제1 메모리는 구동 시간의 경과에 따른 총 스트레스 누적값을 저장하지 않고, 각 보상 게인에 대응되는 구간별 스트레스 누적값만을 리셋 동작과 결부하여 저장하기 때문에, 보상에 필요한 메모리 용량이 획기적으로 줄어들 수 있고, 타이밍 콘트롤러(11)에서 데이터 압축 로직이 제거될 수 있다. 제1 메모리의 용량 감소로 인해 제조 비용이 줄어들고, 제1 메모리에 대한 로딩 시간이 짧아져 파워 온 타임이 감소되는 효과도 있다. 또한, 데이터 압축 로직의 제거로 인해 타이밍 콘트롤러(11)의 회로 사이즈가 감소되는 효과도 있다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 보상 회로(30)를 보여주는 블록도이다. 도 3 내지 도 11은 보상 회로(30)를 설명하는 데 필요한 참조 도면들이다.
도 2를 참조하면, 보상 회로(30)는 스트레스 변환회로(111), 스트레스 누적회로(112), 보상 게인 연산회로(113), 데이터 보상회로(114), 제1 메모리(210), 및 제2 메모리(220)을 포함할 수 있다.
스트레스 변환회로(111)는 도 3과 같이 미리 설정된 스트레스 변환 룩업 테이블을 참조하여 입력 영상 데이터(DATA)의 각 계조에 대응되는 스트레스값을 도출한다. 스트레스 값은 발광 소자의 예측 열화량을 지시한다. 스트레스 변환 룩업 테이블에는 입력 영상 데이터(DATA)의 각 계조에 대응되는 스트레스 값이 맵핑되어 있다. 스트레스 변환 룩업 테이블은 측정 패턴 인가 과정, 스트레스값 변환 과정을 통해 미리 만들어질 수 있다. 측정 패턴 인가 과정에서는 열화 전 초기 상태에서 계조별 측정 패턴을 표시패널에 인가하여 전류를 측정한다. 스트레스값 변환 과정에서는 상기 측정 전류값을 미리 정해진 함수식을 이용하여 스트레스값으로 변환한다.
스트레스 누적회로(112)는 스트레스 변환회로(111)에서 도출한 스트레스값을 제1 메모리(210)에 저장한다.
보상 게인 연산회로(113)는 제1 메모리(210)로부터 읽어 낸 현재 스트레스 누적값을 도 5와 같은 열화 모델링 그래프에 적용하여 현재 보상 게인을 도출한다. 그리고, 보상 게인 연산회로(113)는 현재 스트레스 누적값에 대응되는 현재 보상 게인으로부터 그에 대응되는 임계 스트레스 누적값(누적 Th)을 도출한다. 이때, 보상 게인 연산회로(113)는 도 6과 같은 임계값 도출 룩업 테이블을 이용하여 현재 보상 게인에 맵핑되어 있는 임계 스트레스 누적값을 알아낼 수 있다. 도 5의 열화 모델링 그래프는 도 4와 같은 열화 모델링 과정을 통해 미리 만들어질 수 있다. 도 4의 열화 모델링은 시간에 따른 휘도 게인(보상 게인)을 누적 열화량(누적 스트레스값)에 따른 휘도 게인으로 모델링하는 과정이다.
보상 게인 연산회로(113)는 현재 스트레스 누적값을 대응 임계 스트레스 누적값(누적 Th)과 비교하고, 상기 비교 결과 현재 스트레스 누적값이 대응 임계 스트레스 누적값(누적 Th)보다 커지면 현재 보상 게인을 증가시키고, 업데이트된 보상 게인을 제2 메모리(220)에 저장한다.
보상 게인 연산회로(113)는 현재 보상 게인을 증가시킬 때 현재 스트레스 누적값에 대한 리셋 동작을 실시한다. 따라서, 제1 메모리(210)에 저장된 스트레스 누적값은 보상 게인이 증가될 때마다 제1 메모리(210)로부터 리셋되어 제거된다. 이러한 제1 메모리(210)에 대한 리셋 동작으로 인해, 제1 메모리(210)의 최대 필요 용량은 스트레스 누적값(∑stress)과 보상 게인(Gain) 간의 관계를 나타내는 열화 모델링 그래프(도 5 참조)의 특정 보상 게인 구간에 따라 결정될 수 있다. 여기서, 특정 보상 게인 구간은 복수 개가 아니라 한 개이기 때문에 스트레스값 누적에 필요한 제1 메모리(210)의 최대 필요 용량은 크게 줄어들 수 있는 것이다. 특정 보상 게인 구간은 열화 모델링 그래프의 기울기가 가장 큰 보상 게인 구간이다. 도 5와 같은 열화 모델링 그래프에서는 보상 게인 구간0가 특정 보상 게인 구간이 된다.
참고로, 도 5에서, 보상 게인0는 보상 게인 구간0에 적용되며 임계 스트레스 누적값 Th0에 맵핑되어 있다. 보상 게인1은 보상 게인 구간1에 적용되며 임계 스트레스 누적값 Th1에 맵핑되어 있다. 그리고, 보상 게인2은 보상 게인 구간2에 적용되며 임계 스트레스 누적값 Th2에 맵핑되어 있다. 보상 게인이 8비트로 구현되는 경우, 전술한 방식으로 보상 게인3 내지 보상 게인255도 각각의 보상 게인 구간에 적용되고 임계 스트레스 누적값에 맵핑될 수 있다. 보상 게인의 크기는 보상 게인0< 보상 게인1< 보상 게인2< 보상 게인3??< 보상 게인255이 된다(도 11 참조).
제1 메모리(210)는 구간별 스트레스 누적값(△∑stress)을 저장한다. 구체적으로, 열화 모델링 그래프에서 제1 보상 게인이 적용되는 제1 보상 게인 구간과 제1 보상 게인보다 큰 제2 보상 게인이 적용되는 제2 보상 게인 구간이 미리 설정되어 있을 때, 제1 메모리(210)는 모든 보상 게인 구간들에 대응되는 총 스트레스 누적값(∑stress)을 저장하는 것이 아니라, 제1 보상 게인 구간과 제2 보상 게인 구간에 각각 대응되는 구간별 스트레스 누적값(△∑stress)만을 저장한다.
구간별 스트레스 누적값들(△∑stress)은 도 5 및 도 7과 같이, 임계 스트레스 누적값들이 된다. 보상 게인 구간0에는 제1 구간 스트레스 누적값(Th0)이 대응되고, 보상 게인 구간1에는 제2 구간 스트레스 누적값(Th1)이 대응되고, 보상 게인 구간2에는 제3 구간 스트레스 누적값(Th2)이 대응될 수 있다. 구간별 스트레스 누적값들(△∑stress)의 크기는 Th0>Th1>Th2??가 된다.
후속 구간의 스트레스 누적값(△∑stress)만이 제1 메모리(210)이 저장되도록 이전 구간의 스트레스 누적값(△∑stress)이 제1 메모리(210)로부터 리셋된다. 다시 말해, 스트레스 값의 누적 중에 보상 게인 구간이 바뀔 때 제1 메모리(210)의 스트레스 누적값이 리셋된다. 예를 들어, 상기 제2 보상 게인 구간에 대응되는 제2 구간 스트레스 누적값이 제1 메모리(210)에 저장되기 전에, 제1 보상 게인 구간에 대응되는 제1 구간 스트레스 누적값이 제1 메모리(210)로부터 리셋 및 소거된다.
도 8에는 구간별 스트레스 누적값들(△∑stress)이 리셋 및 저장 과정을 거치면서 제1 메모리(210)에 업데이트되는 것이 도시되어 있다. 도 8을 통해 명확히 알 수 있듯이, 제1 메모리(210)의 최대 필요 용량은 "A"가 되는 데, "A"는 열화 모델링 그래프의 기울기가 가장 큰 보상 게인 구간0에 대응되는 제1 구간 스트레스 누적값(Th0)의 크기로 결정된다. 이는 제2 내지 제m(m은 3 이상의 양의 정수) 구간 스트레스 누적값들(Th1,Th2,??)은 각각 제1 구간 스트레스 누적값(Th0)보다 작기 때문이다.
도 8과 같은 실시예의 메모리 저장 방법은 도 9 및 도 10의 비교예에 비해 제1 메모리(210)의 최대 필요 용량을 획기적으로 줄일 수 있다. 도 9 및 도 10의 비교예의 경우, 제1 메모리(210)는 모든 보상 게인 구간들에 대응되는 총 스트레스 누적값(∑stress)을 저장해야 하기 때문에, 최대 필요 용량(B)이 상대적으로 커야만 한다. 다시 말해, 총 스트레스 누적값(∑stress)은 제품의 수명 기간 동안 지속적으로 증가하기 때문에, 제1 메모리(210)의 최대 필요 용량(B)은 구동 시간을 고려하여 충분히 커야 한다. 제1 메모리(210)의 최대 필요 용량(B)이 커지면, 제조 비용, 메모리 로딩 시간 등에서 불리하다.
제2 메모리(220)는 보상 게인 연산회로(113)에서 도출한 보상 게인을 저장한다. 보상 게인은 도 11과 같이 휘도 레인지에 따라 구분되도록 제2 메모리(220)에 저장될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 휘도 레인지의 선택은 설계 스펙에 따라 결정될 수 있다. 보상 게인은 1보다 크므로, 열화에 따른 휘도 저하가 보상될 수 있는 것이다. 동일한 휘도 레인지에서, 보상 게인은 구동 시간의 경과에 따라 증가한다.
데이터 보상회로(114)는 제2 메모리(220)로부터 읽어 들인 보상 게인을 데이터 보정에 이용한다. 데이터 보상회로(114)는 보상 게인을 입력 영상 데이터(DATA)에 곱하여 보정 영상 데이터(CDATA)를 생성한다. 보정 영상 데이터(CDATA)는 발광 소자의 열화로 인한 휘도 감소분이 보상될 수 있는 값이다.
도 12는 본 명세서의 실시예에 따른 전계 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.
도 12를 참조하면, 이 전계 발광 표시장치의 구동방법은 현재 스트레스 누적값에 대응되는 현재 보상 게인으로부터 임계 스트레스 누적값을 도출한다(S11).
이 전계 발광 표시장치의 구동방법은 현재 스트레스 누적값을 대응 임계 스트레스 누적값(누적 Th)과 비교하고(S12), 상기 비교 결과 현재 스트레스 누적값이 대응 임계 스트레스 누적값(누적 Th)과 같거나 그보다 작으면 현재 보상 게인을 유지하고(S13), 현재 스트레스 누적값이 대응 임계 스트레스 누적값(누적 Th)보다 커지면 현재 보상 게인을 증가시킨다(S14).
이 전계 발광 표시장치의 구동방법은 현재 보상 게인을 증가시킬 때 현재 스트레스 누적값에 대한 리셋 동작을 실시한다(S15).
전술한 바와 같이, 본 실시예는 스트레스 값의 누적 도중에 보상 게인이 바뀔 때마다 메모리를 리셋하여 구간별 스트레스 누적값만을 저장한다. 본 실시예는 구동 시간의 경과에 따른 총 스트레스 누적값을 메모리에 저장하지 않고, 각 보상 게인에 대응되는 구간별 스트레스 누적값만을 리셋 동작과 결부하여 메모리에 저장한다. 이로 인해, 본 실시예는 보상에 필요한 메모리 용량을 획기적으로 줄일 수 있고, 별도의 데이터 압축 로직을 제거할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 메모리의 용량 감소로 인해 제조 비용이 줄어들고, 메모리에 대한 로딩 시간이 짧아져 파워 온 타임이 감소되는 효과도 있다. 또한, 본 실시예에 따르면, 별도의 데이터 압축 로직이 필요없기 때문에 타이밍 콘트롤러의 회로 사이즈와 제조 비용이 감소되는 효과도 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10: 표시 패널 11: 타이밍 컨트롤러
12: 데이터 드라이버 13: 게이트 드라이버
20: 메모리 회로 30: 보상회로
113: 보상 게인 연산회로 210: 제1 메모리

Claims (14)

  1. 영상 데이터(DATA)에 따라 발광하는 복수의 픽셀들이 구비된 표시패널(10);
    상기 영상 데이터에 대응되는 스트레스 누적값이 저장된 제1 메모리(210); 및
    상기 스트레스 누적값을 기반으로 상기 영상 데이터를 보상하기 위한 보상 게인을 증가시키는 보상 게인 연산회로(113)를 포함하고,
    상기 스트레스 누적값은 상기 보상 게인이 증가될 때마다 상기 제1 메모리로부터 리셋되는 전계 발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 메모리의 최대 필요 용량은,
    상기 스트레스 누적값과 상기 보상 게인 간의 관계를 나타내는 열화 모델링 그래프의 특정 보상 게인 구간에 따라 결정되고,
    상기 특정 보상 게인 구간은 하나인 전계 발광 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 특정 보상 게인 구간은 상기 열화 모델링 그래프의 기울기가 가장 큰 보상 게인 구간인 전계 발광 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 특정 보상 게인 구간은 보상 게인이 제1 값(gain0)인 첫 번째 보상 게인 구간인 전계 발광 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 첫 번째 보상 게인 구간의 제1 임계 스트레스 누적값(Th0)은, 보상 게인이 제2 값(gain1)인 두 번째 보상 게인 구간의 제2 임계 스트레스 누적값(Th1)보다 더 크고,
    상기 제2 값(gain1)은 상기 제1 값(gain0)보다 더 큰 전계 발광 표시장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 열화 모델링 그래프에는 제1 보상 게인이 적용되는 제1 보상 게인 구간과 상기 제1 보상 게인보다 큰 제2 보상 게인이 적용되는 제2 보상 게인 구간이 미리 설정되고,
    상기 제1 메모리는 상기 제1 보상 게인 구간과 상기 제2 보상 게인 구간에 각각 대응되는 구간별 스트레스 누적값을 저장하며,
    상기 제2 보상 게인 구간에 대응되는 제2 구간 스트레스 누적값이 상기 제1 메모리에 저장되기 전에, 상기 제1 보상 게인 구간에 대응되는 제1 구간 스트레스 누적값이 상기 제1 메모리로부터 리셋되는 전계 발광 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 보상 게인 연산회로는,
    상기 스트레스 누적값에 대응되는 현재 보상 게인으로부터 임계 스트레스 누적값을 도출하고, 상기 스트레스 누적값이 상기 임계 스트레스 누적값보다 커지면 상기 현재 보상 게인을 증가시키는 전계 발광 표시장치.
  8. 영상 데이터(DATA)에 따라 발광하는 복수의 픽셀들이 구비된 표시패널(10); 및
    상기 영상 데이터에 대응되는 스트레스 누적값이 저장된 제1 메모리(210)를 포함하고,
    상기 스트레스 누적값은 스트레스 값의 누적 중에 상기 제1 메모리로부터 리셋되는 전계 발광 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 메모리의 최대 필요 용량은,
    상기 영상 데이터를 보상하기 위한 보상 게인과 상기 스트레스 누적값 간의 관계를 나타내는 열화 모델링 그래프의 특정 보상 게인 구간에 따라 결정되고,
    상기 특정 보상 게인 구간은 하나인 전계 발광 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 특정 보상 게인 구간은 상기 열화 모델링 그래프의 기울기가 가장 큰 보상 게인 구간인 전계 발광 표시장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 스트레스 누적값은 스트레스 값의 누적 중에 상기 열화 모델링 그래프의 보상 게인 구간이 바뀔 때 상기 제1 메모리로부터 리셋되는 전계 발광 표시장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    제1 보상 게인이 적용되는 제1 보상 게인 구간 동안에 상기 제1 메모리에 저장되는 제1 스트레스 누적값은, 제2 보상 게인이 적용되는 제2 보상 게인 구간 동안에 상기 제1 메모리에 저장되는 제2 스트레스 누적값 보다 더 크고,
    상기 제2 보상 게인은 상기 제1 보상 게인보다 더 큰 전계 발광 표시장치.
  13. 영상 데이터(DATA)에 따라 발광하는 복수의 픽셀들을 갖는 전계 발광 표시장치의 구동방법에 있어서,
    상기 영상 데이터에 대응되는 스트레스 누적값을 제1 메모리(210)에 저장하는 단계;
    상기 스트레스 누적값을 기반으로 상기 영상 데이터를 보상하기 위한 보상 게인을 증가시키는 단계; 및
    상기 보상 게인이 증가될 때마다 상기 스트레스 누적값을 상기 제1 메모리로부터 리셋시키는 단계를 포함한 전계 발광 표시장치의 구동방법.
  14. 영상 데이터(DATA)에 따라 발광하는 복수의 픽셀들을 갖는 전계 발광 표시장치의 구동방법에 있어서,
    상기 영상 데이터에 대응되는 스트레스 누적값을 제1 메모리(210)에 저장하는 단계; 및
    스트레스 값을 누적하는 중에 상기 스트레스 누적값을 상기 제1 메모리로부터 리셋시키는 단계를 포함한 전계 발광 표시장치의 구동방법.
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