KR20220082559A - Display device, data driving circuit and display driving method - Google Patents

Display device, data driving circuit and display driving method Download PDF

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홍무경
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Abstract

본 발명의 실시예들은, 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치의 구동 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 개구 면적을 넓히면서 서브 픽셀 내 발광 소자의 특성치 보상 시 전압 센싱 방식을 사용하여 고휘도 구현 및 비용 절감이 가능한 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. Embodiments of the present invention relate to a display device, a data driving circuit, and a driving method of the display device, and more particularly, to realize high luminance by using a voltage sensing method when compensating for characteristics of a light emitting device in a sub-pixel while increasing an aperture area; A display device capable of reducing cost, a data driving circuit, and a display device driving method may be provided.

Description

표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법{DISPLAY DEVICE, DATA DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY DRIVING METHOD}Display device, data driving circuit, and display device driving method

본 발명의 실시예들은 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법에 관한 것이다.SUMMARY Embodiments of the present invention relate to a display device, a data driving circuit, and a display device driving method.

최근, 표시 장치로서 각광받고 있는 유기발광 표시 장치는 스스로 발광하는 유기발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 큰 장점이 있다. Recently, an organic light emitting display device, which has been spotlighted as a display device, has advantages such as fast response speed, luminous efficiency, luminance, and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself.

이러한 유기발광 표시 장치의 각 서브 픽셀 내 구동 트랜지스터는 구동 시간이 길어짐에 따라 열화(Degradation) 되어 문턱전압, 이동도 등의 특성치가 변할 수 있다. The driving transistor in each sub-pixel of the organic light emitting diode display may be degraded as the driving time increases, and thus characteristic values such as threshold voltage and mobility may change.

그리고, 유기발광 다이오드 또한, 구동 시간의 증가에 따라 열화가 진행되어 문턱전압 등의 특성치가 변할 수 있고, 유기발광 다이오드 간의 열화 정도가 다를 수 있기 때문에, 각 서브 픽셀 내 유기발광 다이오드 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다. In addition, the organic light emitting diode also deteriorates as the driving time increases, so characteristic values such as threshold voltage may change, and since the degree of deterioration between the organic light emitting diodes may be different, the deviation of the characteristic values between the organic light emitting diodes in each sub-pixel may be can occur

이에, 구동 트랜지스터 간의 특성치 보상과 유기발광 다이오드의 열화로 인한 특성치를 보상하는 방법이 요구된다. Accordingly, there is a need for a method of compensating a characteristic value between driving transistors and compensating a characteristic value due to deterioration of an organic light emitting diode.

본 발명의 실시예들은 서브 픽셀 내 발광 소자의 특성치 변화를 센싱할 수 있는 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. Embodiments of the present invention may provide a display device capable of sensing a change in a characteristic value of a light emitting device in a sub-pixel, a data driving circuit, and a display device driving method.

본 발명의 실시예들은 1 스캔 구조 하에서 센싱 라인에 인가되는 전압을 센싱하여 발광 소자의 열화를 센싱할 수 있는 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. Embodiments of the present invention may provide a display device, a data driving circuit, and a display device driving method capable of sensing deterioration of a light emitting device by sensing a voltage applied to a sensing line under a one-scan structure.

본 발명의 실시예들은 개구율이 높고 데이터 구동 회로의 비용을 절감할 수 있는 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. Embodiments of the present invention may provide a display device, a data driving circuit, and a display device driving method having a high aperture ratio and reducing the cost of the data driving circuit.

본 발명의 실시예들은, 표시 장치에 있어서, 다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들과 발광 소자를 포함하는 다수의 서브 픽셀들을 포함하는 표시 패널, 상기 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로, 및 상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로를 포함하고, 상기 다수의 서브 픽셀들 각각은, 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터, 상기 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 센싱 라인 간의 연결을 제어하는 센싱 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터를 포함하며, 상기 표시 장치는, 상기 데이터 구동 회로 내 데이터 전압이 출력되는 데이터 전압 출력 노드와 상기 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 제1 스위치와, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압을 공급하는 제2 스위치와, 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 아날로그 디지털 컨버터와, 상기 센싱 라인과 상기 아날로그 디지털 컨버터 간의 전기적인 연결을 제어하는 제3 스위치를 더 포함하고, 상기 제1 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제1 노드의 전압은 변동되며, 상기 제2 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제2 노드에는 센싱 구동용 기준 전압이 인가되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제2 노드의 전압은 변동되며, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태이고, 상기 제1 노드의 전압이 증가하는 기간에서, 상기 제3 스위치가 턴-온 되어, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치를 제공할 수 있다.According to the exemplary embodiments of the present invention, in a display device, a display panel including a plurality of data lines, a plurality of gate lines and a plurality of sub-pixels including a light emitting device, and a data driving circuit for driving the plurality of data lines , and a gate driving circuit driving the plurality of gate lines, wherein each of the plurality of sub-pixels is controlled by a driving transistor driving the light emitting device and a gate signal, and includes a first node of the driving transistor and A switching transistor controlling a connection between the corresponding data lines, a sensing transistor controlled by the gate signal and controlling a connection between the second node of the driving transistor and the corresponding sensing line, and a first node and a second node of the driving transistor a storage capacitor electrically connected therebetween; A second switch for supplying a driving reference voltage, an analog-to-digital converter for sensing the voltage of the sensing line, and a third switch for controlling an electrical connection between the sensing line and the analog-to-digital converter, wherein the third switch When the first switch is in a turn-on state, a sensing driving data voltage is applied to the first node, and when the first switch is in the turn-off state, the voltage of the first node fluctuates, and the second switch When is in a turn-on state, a sensing driving reference voltage is applied to the second node, and when the second switch is in a turn-off state, the voltage of the second node varies, and the first switch and the In a period in which the second switch is turned off and the voltage of the first node is increased, the third switch is turned on, and the analog-to-digital converter provides a display device that senses the voltage of the sensing line. can

본 발명의 실시예들은, 제1 기간 동안, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치는 턴-온 되고, 상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 인가되는 표시 장치를 제공할 수 있다. In embodiments of the present invention, during a first period, the first switch and the second switch are turned on, a data voltage for sensing driving is applied to the first node, and a reference for driving sensing to the second node. A display device to which a voltage is applied may be provided.

본 발명의 실시예들은, 상기 제1 기간 이후 제2 기간 동안, 상기 제1 스위치는 턴-온 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치는 턴-오프 되며, 상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제2 노드는 전압이 상승하는 표시 장치를 제공할 수 있다. In embodiments of the present invention, during a second period after the first period, the first switch maintains a turned-on state, the second switch is turned off, and a data voltage for sensing driving is applied to the first node. is applied, and the second node may provide a display device in which a voltage rises.

본 발명의 실시예들은, 상기 제2 기간 이후 제3 기간 동안, 상기 제1 스위치는 턴-오프 되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태를 유지하며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 각각의 전압이 동시에 하강하고, 상기 제3 기간 이후 제4 기간 동안, 상기 제1 스위치는 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치는 턴-온 되며, 상기 센싱 구동용 기준 전압이 상기 제2 노드에 다시 인가되고, 상기 제1 노드의 전압은 상기 제2 노드의 전압 변동량만큼 변화하며, 상기 제4 기간 이후 제5 기간 동안, 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 각각의 전압이 동시에 상승하는 표시 장치를 제공할 수 있다.In embodiments of the present invention, during a third period after the second period, the first switch is turned off, the second switch maintains a turned-off state, and each of the first node and the second node is simultaneously decreased, and during a fourth period after the third period, the first switch maintains a turned-off state, the second switch is turned on, and the sensing driving reference voltage is set to the second is applied again to the node, the voltage of the first node changes by the amount of voltage fluctuation of the second node, the first switch maintains a turn-off state during a fifth period after the fourth period, and the second node It is possible to provide a display device in which a switch is turned off and voltages of the first node and the second node increase at the same time.

본 발명의 실시예들은, 상기 제5 기간 이후, 상기 제3 스위치는 턴-온 되고, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치를 제공할 수 있다.In embodiments of the present invention, after the fifth period, the third switch may be turned on and the analog-to-digital converter may provide a display device that senses the voltage of the sensing line.

본 발명의 실시예들은, 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 센싱 트랜지스터에 턴-온 레벨 전압 구간의 게이트 신호가 인가된 시점부터, 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 센싱 트랜지스터에 턴-오프 레벨 전압 구간의 게이트 신호가 인가되기 전까지의 기간에, 상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되거나, 상기 제1 노드의 전압이 변동되고, 상기 제2 노드에는 센싱 구동용 기준 전압이 인가되거나, 상기 제2 노드의 전압이 변동되는 표시 장치를 제공할 수 있다.In the embodiments of the present invention, from the point in time when the gate signal of the turn-on level voltage period is applied to the switching transistor and the sensing transistor, the gate signal of the turn-off level voltage period is applied to the switching transistor and the sensing transistor. In the period before, the data voltage for sensing driving is applied to the first node, the voltage of the first node is changed, the reference voltage for driving sensing is applied to the second node, or the voltage of the second node is It is possible to provide a variable display device.

본 발명의 실시예들은, 상기 센싱 라인에 전기적으로 연결된 라인 커패시터를 더 포함하고, 상기 라인 커패시터는, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 재차 인가되었다가 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태인 기간에 충전되는 표시 장치를 제공할 수 있다. Embodiments of the present invention further include a line capacitor electrically connected to the sensing line, wherein a reference voltage for sensing driving is applied to the second node again, and the line capacitor is the first switch and the second switch It is possible to provide a display device that is charged during a period in which is in a turn-off state.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 구동 방법은, 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 표시 장치는, 다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들과 발광 소자를 포함하는 다수의 서브 픽셀들을 포함하는 표시 패널, 상기 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로, 및 상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로를 포함하고, 상기 다수의 서브 픽셀들 각각은, 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터, 상기 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 센싱 라인 간의 연결을 제어하는 센싱 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터를 포함하며, 상기 표시 장치는, 상기 데이터 구동 회로 내 데이터 전압이 출력되는 데이터 전압 출력 노드와 상기 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 제1 스위치와, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압을 공급하는 제2 스위치와, 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 아날로그 디지털 컨버터와, 상기 센싱 라인과 상기 아날로그 디지털 컨버터 간의 전기적인 연결을 제어하는 제3 스위치를 더 포함하고, 상기 제1 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제1 노드의 전압은 변동되며, 상기 제2 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제2 노드에는 센싱 구동용 기준 전압이 인가되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제2 노드의 전압은 변동되며, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태이고, 상기 제1 노드의 전압이 증가하는 기간에서, 상기 제3 스위치가 턴-온 되어, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 표시 장치의 구동은, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-온 되고, 상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되며, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 인가되는 단계, 상기 제1 스위치가 턴-온 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되며, 상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제2 노드의 전압이 상승하는 단계, 상기 제1 스위치가 턴-오프 되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태를 유지하며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드의 전압이 낮아지는 단계, 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-온 되며, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 다시 인가되는 단계, 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되며, 상기 제1 노드의 전압과 상기 제2 노드의 전압이 동시에 상승하는 단계, 상기 제3 스위치가 턴-온 되고 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 단계를 포함하는 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다.A method of driving a display device according to an embodiment of the present invention is the method of driving a display device, wherein the display device includes a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of sub-pixels including a light emitting device. a display panel comprising: a display panel, a data driving circuit driving the plurality of data lines, and a gate driving circuit driving the plurality of gate lines, wherein each of the plurality of sub-pixels includes a driving transistor driving the light emitting device; A switching transistor controlled by a gate signal and controlling a connection between a first node of the driving transistor and a corresponding data line, controlled by the gate signal, and controlling a connection between a second node of the driving transistor and a corresponding sensing line a sensing transistor and a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor, wherein the display device includes a data voltage output node from which a data voltage in the data driving circuit is output and the data line A first switch for controlling a connection, a second switch for supplying a reference voltage for sensing driving to the second node, an analog-to-digital converter for sensing the voltage of the sensing line, and electricity between the sensing line and the analog-to-digital converter and a third switch for controlling an external connection, wherein when the first switch is in a turn-on state, a sensing driving data voltage is applied to the first node, and when the first switch is in a turn-off state , the voltage of the first node varies, and when the second switch is in a turn-on state, a sensing driving reference voltage is applied to the second node, and when the second switch is in a turn-off state, the The voltage of the second node is changed, the first switch and the second switch are in a turned-off state, and in a period in which the voltage of the first node is increased, the third switch is turned on, the analog digital In the method of driving a display device in which a converter senses the voltage of the sensing line, the driving of the display device includes: the first switch Q and the second switch are turned on, a data voltage for sensing driving is applied to the first node, and a reference voltage for driving sensing is applied to the second node, wherein the first switch is turned on maintain, the second switch is turned off, a sensing driving data voltage is applied to the first node, and the voltage of the second node is increased, the first switch is turned off, and the The second switch maintains the turn-off state, the voltages of the first node and the second node are lowered, the first switch maintains the turn-off state, and the second switch is turned on , applying a sensing driving reference voltage to the second node again, the first switch maintains a turned-off state, the second switch is turned off, and the voltage of the first node and the second The method may include simultaneously increasing a voltage of a node, turning on the third switch and sensing the voltage of the sensing line by the analog-to-digital converter.

본 발명의 실시예들은, 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 센싱 트랜지스터에 턴-온 레벨 전압 구간의 게이트 신호가 인가되는 기간에, 상기 제3 스위치는 턴-온 되고, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. In embodiments of the present invention, in a period in which a gate signal of a turn-on level voltage section is applied to the switching transistor and the sensing transistor, the third switch is turned on, and the analog-to-digital converter is the voltage of the sensing line A method of driving a display device that senses

본 발명의 실시예들에 따른 데이터 구동 회로는, 데이터 라인으로 데이터 전압을 출력하는 데이터 전압 출력부, 센싱 라인으로 센싱 구동용 기준 전압을 출력하는 기준 전압 출력부, 상기 센싱 라인과 연결되어 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 전압 센싱부, 데이터 전압 출력부의 데이터 전압 출력 노드와 연결되어, 상기 데이터 라인으로 센싱 구동용 데이터 전압의 출력을 제어하는 제1 스위치, 상기 기준 전압 출력부의 센싱 구동용 기준 전압 출력 노드와 연결되어, 상기 센싱 구동용 기준 전압의 출력을 제어하는 제2 스위치를 포함하고, 상기 전압 센싱부의 전압 입력 노드와 연결되어, 상기 전압 센싱부로 상기 센싱 라인의 전압의 입력을 제어하는 제3 스위치를 포함하고, 상기 제1 스위치가 턴-온 되어 센싱 구동용 데이터 전압이 출력되고, 상기 제2 스위치가 턴-온 되어 센싱 구동용 기준 전압이 출력되는 제1 기간, 상기 제1 기간 이후에 상기 제1 스위치가 턴-온 상태를 유지하고 센싱 구동용 데이터 전압이 출력되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되는 제2 기간, 상기 제2 기간 이후에 상기 제1 스위치는 턴-오프 되고 상기 제2 스위치는 턴-오프 상태를 유지하는 제3 기간, 상기 제3 기간 이후에 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고 상기 제2 스위치가 턴-온 되어 센싱 구동용 기준 전압이 출력되는 제4 기간, 상기 제4 기간 이후에 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태를 유지하는 제5 기간, 상기 제5 기간 이후에 상기 제3 스위치는 턴-온 되어 상기 전압 센싱부는 상기 센싱 라인의 전압을 입력받는 데이터 구동 회로를 제공할 수 있다.A data driving circuit according to embodiments of the present invention includes a data voltage output unit for outputting a data voltage to a data line, a reference voltage output unit for outputting a reference voltage for sensing driving to a sensing line, and a sensing line connected to the sensing line A voltage sensing unit sensing a line voltage, a first switch connected to a data voltage output node of a data voltage output unit to control an output of a data voltage for sensing driving to the data line, and a reference voltage for sensing driving of the reference voltage output unit a second switch connected to an output node to control an output of the sensing driving reference voltage, and connected to a voltage input node of the voltage sensing unit to control an input of a voltage of the sensing line to the voltage sensing unit A first period including three switches, wherein the first switch is turned on to output a sensing driving data voltage, and the second switch is turned on to output a sensing driving reference voltage, after the first period In a second period in which the first switch maintains a turn-on state, a sensing driving data voltage is output, and the second switch is turned off, after the second period, the first switch is turned off A third period in which the second switch maintains a turn-off state, and after the third period, the first switch maintains a turn-off state and the second switch is turned on to output a sensing driving reference voltage a fourth period in which the first switch maintains a turn-off state and the second switch maintains a turn-off state after the fourth period, a fifth period in which the third switch remains in the turn-off state, after the fifth period When turned on, the voltage sensing unit may provide a data driving circuit that receives the voltage of the sensing line.

본 발명의 실시예들은, 상기 데이터 구동 회로는, 상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치를 제어하는 컨트롤러와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치가 턴-온 되고 턴-오프 되는 타이밍은 상기 컨트롤러에서 출력되는 제어 신호에 의해 제어되는 데이터 구동 회로를 제공할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는, 다수의 데이터 라인들, 다수의 스캔 라인들과 발광 소자를 포함하는 다수의 서브 픽셀들을 포함하는 표시 패널, 상기 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로, 및 상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로를 포함하고, 상기 다수의 서브 픽셀들 각각은, 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터, 상기 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 센싱 라인 간의 연결을 제어하는 센싱 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터를 포함하며, 상기 데이터 라인이 로우 임피던스 상태일 때, 상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 데이터 라인이 하이 임피던스 상태일 때, 상기 제1 노드의 전압은 변동되며, 상기 데이터 라인의 임피던스가 미리 정의된 임계값 이상이면 상기 데이터 라인은 상기 하이 임피던스 상태이고, 상기 데이터 라인의 임피던스가 상기 임계값 미만이면 상기 데이터 라인은 상기 로우 임피던스 상태이며, 상기 센싱 라인으로 센싱 구동용 기준 전압이 공급될 때, 상기 제2 노드에는 센싱 구동용 기준 전압이 인가되고, 상기 센싱 라인으로의 상기 센싱 구동용 기준 전압의 공급이 차단될 때, 상기 제2 노드의 전압은 변동되며, 상기 데이터 라인이 로우 임피던스 상태인 기간은 상기 발광 소자가 발광하는 기간을 포함하고, 상기 데이터 라인이 하이 임피던스 상태인 기간은 상기 발광 소자가 발광하지 않는 기간을 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다. In embodiments of the present invention, the data driving circuit is electrically connected to a controller that controls the first switch, the second switch, and the third switch, and the first switch, the second switch, and the third switch The timing at which the switch is turned on and turned off may provide a data driving circuit controlled by a control signal output from the controller. A display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel including a plurality of data lines, a plurality of scan lines, and a plurality of sub-pixels including a light emitting device, and a data driving circuit for driving the plurality of data lines , and a gate driving circuit driving the plurality of gate lines, wherein each of the plurality of sub-pixels is controlled by a driving transistor driving the light emitting device and a gate signal, and includes a first node of the driving transistor and A switching transistor controlling a connection between the corresponding data lines, a sensing transistor controlled by the gate signal and controlling a connection between the second node of the driving transistor and the corresponding sensing line, and a first node and a second node of the driving transistor a storage capacitor electrically connected between a voltage fluctuates, and when the impedance of the data line is greater than or equal to a predefined threshold, the data line is in the high-impedance state; when the impedance of the data line is less than the threshold, the data line is in the low-impedance state; When the sensing driving reference voltage is supplied to the sensing line, the sensing driving reference voltage is applied to the second node, and when the supply of the sensing driving reference voltage to the sensing line is cut off, the second node A display device in which a voltage varies, a period in which the data line is in a low impedance state includes a period in which the light emitting element emits light, and a period in which the data line is in a high impedance state includes a period in which the light emitting element does not emit light. can provide

본 발명의 실시예들에 의하면, 서브 픽셀 내 발광 소자의 특성치 변화를 센싱할 수 잇는 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention, it is possible to provide a display device capable of sensing a change in a characteristic value of a light emitting device in a sub-pixel, a data driving circuit, and a display device driving method.

본 발명의 실시예들에 의하면, 1 스캔 구조 하에서 센싱 라인에 인가되는 전압을 센싱하여 발광 소자의 열화를 센싱할 수 있는 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention, it is possible to provide a display device, a data driving circuit, and a display device driving method capable of sensing deterioration of a light emitting device by sensing a voltage applied to a sensing line under a one-scan structure.

본 발명의 실시예들에 의하면, 개구율이 높고 데이터 구동 회로의 비용을 절감할 수 있는 표시 장치, 데이터 구동 회로 및 표시 장치 구동 방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention, it is possible to provide a display device, a data driving circuit, and a display device driving method having a high aperture ratio and reducing the cost of the data driving circuit.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 센싱 구동에서 각 기간별 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.
도 4는 초기화 기간에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압의 파형을 도시한 도면이다.
도 5는 트래킹 기간에 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.
도 6은 제1 센싱 기간에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.
도 7은 제2 센싱 기간에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.
도 8은 제3 센싱 기간에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.
도 9는 제4 센싱 기간에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 구동 회로 구조의 예시도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 센싱 구동을 단계적으로 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따라 유기발광 다이오드의 열화 정도를 센싱하기 위한 각 기간별 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.
1 is a system configuration diagram of a display device according to embodiments of the present invention.
2 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure according to embodiments of the present invention.
3 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform for each period in sensing driving according to embodiments of the present invention.
4 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and waveforms of control signals and voltages according to embodiments of the present invention in an initialization period.
5 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention during a tracking period.
6 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention in a first sensing period.
7 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention in a second sensing period.
8 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and control signals and voltage waveforms according to embodiments of the present invention in a third sensing period.
9 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention in a fourth sensing period.
10 is an exemplary diagram of a data driving circuit structure according to embodiments of the present invention.
11 is a diagram illustrating a sensing operation step by step according to embodiments of the present invention.
12 is a diagram illustrating control signals and voltage waveforms for each period for sensing the degree of deterioration of an organic light emitting diode according to embodiments of the present invention.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted. When "includes", "having", "consisting of", etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless "only" is used. When a component is expressed in the singular, it may include a case in which the plural is included unless otherwise explicitly stated.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, order, or number of the elements are not limited by the terms.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다. In the description of the positional relationship of the components, when it is described that two or more components are "connected", "coupled" or "connected", two or more components are directly "connected", "coupled" or "connected" ", but it will be understood that two or more components and other components may be further "interposed" and "connected," "coupled," or "connected." Here, other components may be included in one or more of two or more components that are “connected”, “coupled” or “connected” to each other.

구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the description of the temporal flow relationship related to the components, the operation method or the production method, for example, the temporal precedence relationship such as "after", "after", "after", "before", etc. Alternatively, when a flow precedence relationship is described, it may include a case where it is not continuous unless "immediately" or "directly" is used.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.On the other hand, when numerical values or corresponding information (eg, level, etc.) for a component are mentioned, even if there is no separate explicit description, the numerical value or the corresponding information is based on various factors (eg, process factors, internal or external shock, Noise, etc.) may be interpreted as including an error range that may occur.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram of a display device 100 according to embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 표시 패널(110)과, 표시 패널(110)을 구동하기 위한 구동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , a display device 100 according to example embodiments may include a display panel 110 and a driving circuit for driving the display panel 110 .

구동 회로는 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130) 등을 포함할 수 있으며, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140)를 더 포함할 수 있다.The driving circuit may include a data driving circuit 120 and a gate driving circuit 130 , and may further include a timing controller 140 controlling the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130 . .

표시 패널(110)은 기판(SUB)과, 기판(SUB) 상에 배치되는 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL) 등의 신호 배선들을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)과 연결된 다수의 서브 픽셀(SP)을 포함할 수 있다. The display panel 110 may include a substrate SUB and signal lines such as a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL disposed on the substrate SUB. The display panel 110 may include a plurality of sub-pixels SP connected to a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL.

표시 패널(110)은 영상이 표시되는 영역(AA)과 영상이 표시되지 않는 비-표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)에서, 표시 영역(AA)에는 이미지를 표시하기 위한 다수의 서브 픽셀(SP)이 배치되고, 비-표시 영역(NA)에는 구동 회로들(120, 130, 140)이 전기적으로 연결되거나 구동 회로들(120, 130, 140)이 실장될 수 있으며, 집적회로 또는 인쇄 회로 등이 연결되는 패드부가 배치될 수도 있다. The display panel 110 may include an area AA in which an image is displayed and a non-display area NA in which an image is not displayed. In the display panel 110 , a plurality of sub-pixels SP for displaying an image are disposed in the display area AA, and the driving circuits 120 , 130 , and 140 are electrically connected to the non-display area NA. The connected or driving circuits 120 , 130 , 140 may be mounted, and a pad unit to which an integrated circuit or a printed circuit is connected may be disposed.

데이터 구동 회로(120)는 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호들을 공급할 수 있다. 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위하여 데이터 구동 타이밍 제어 신호(DCS)를 데이터 구동 회로(120)에 공급할 수 있다. 컨트롤러는 게이트 구동 회로(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 구동 타이밍 제어 신호(GCS)를 게이트 구동 회로(130)에 공급할 수 있다. The data driving circuit 120 is a circuit for driving the plurality of data lines DL, and may supply data signals to the plurality of data lines DL. The gate driving circuit 130 is a circuit for driving the plurality of gate lines GL, and may supply gate signals to the plurality of gate lines GL. The controller 140 may supply the data driving timing control signal DCS to the data driving circuit 120 to control the operation timing of the data driving circuit 120 . The controller may supply the gate driving timing control signal GCS for controlling the operation timing of the gate driving circuit 130 to the gate driving circuit 130 .

컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 구동 회로(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data)를 데이터 구동 회로(120)에 공급하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 제어할 수 있다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, and converts the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driving circuit 120 to convert the converted image data (Data) may be supplied to the data driving circuit 120 and data driving may be controlled at an appropriate time according to the scan.

컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE: Data Enable), 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템(미도시))로부터 수신한다. The controller 140 includes various timing signals including a vertical synchronization signal VSYNC, a horizontal synchronization signal HSYNC, an input data enable signal DE, and a clock signal CLK, along with input image data. are received from the outside (eg, a host system (not shown)).

컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들(DCS, GCS)을 생성하여 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)로 출력한다. The controller 140 controls the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130 , a vertical synchronization signal VSYNC, a horizontal synchronization signal HSYNC, an input data enable signal DE, and a clock signal ( CLK), and the like, generate various control signals DCS and GCS, and output them to the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130 .

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enalbe) 등을 포함하는 각종 게이트 구동 타이밍 제어 신호(GCS: Gate Driving Timing Control Signal)를 출력한다. For example, the controller 140 controls the gate driving circuit 130 , a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE). : Outputs various gate driving timing control signals (GCS) including Gate Output Enalbe and the like.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock) 등을 포함하는 각종 데이터 구동 타이밍 제어 신호(DCS: Data Driving Timing Control Signal)를 출력한다. In addition, in order to control the data driving circuit 120 , the controller 140 includes various data driving timing control signals including a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), and the like. (DCS: Data Driving Timing Control Signal) is output.

컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 구동 회로(120)와 함께 통합되어 집적회로로 구현될 수도 있다. The controller 140 may be implemented as a separate component from the data driving circuit 120 , or may be integrated with the data driving circuit 120 and implemented as an integrated circuit.

데이터 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(Data)를 입력 받아 다수의 데이터 라인(DL)로 데이터 신호를 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 구동 회로(120)는 소스 구동 회로라고도 한다. The data driving circuit 120 drives the plurality of data lines DL by receiving image data Data from the controller 140 and supplying data signals to the plurality of data lines DL. Here, the data driving circuit 120 is also referred to as a source driving circuit.

이러한 데이터 구동 회로(120)는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 may include one or more source driver integrated circuits (SDICs).

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 시프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 경우에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit SDIC may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like. Each source driver integrated circuit SDIC may further include an analog-to-digital converter (ADC) in some cases.

예를 들어, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식으로 표시 패널(110)과 연결되거나, 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 또는 칩 온 패널(COP: Chip On Panel) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현되어 표시 패널(110)과 연결될 수 있다. For example, each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method, or is connected to a chip on glass (COG) or a chip on panel (COG). It may be connected to a bonding pad of the display panel 110 in a Chip On Panel (COP) method, or may be implemented in a Chip On Film (COF) method to be connected to the display panel 110 .

게이트 구동 회로(130)는 컨트롤러(140)의 제어에 다라, 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 출력하거나 턴-오프 레벨 전압의 게이트 신호를 출력할 수 있다. The gate driving circuit 130 may output a gate signal of a turn-on level voltage or a gate signal of a turn-off level voltage according to the control of the controller 140 .

게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)으로 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동할 수 있다. The gate driving circuit 130 may sequentially drive the plurality of gate lines GL by sequentially supplying a gate signal of a turn-on level voltage to the plurality of gate lines GL.

게이트 구동 회로(130)는 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식으로 표시 패널(110)과 연결되거나, 칩 온 글래스(COG) 또는 칩 온 패널(COP) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF) 방식에 따라 표시 패널(110)과 연결될 수 있다. 또는 게이트 구동 회로(130)는 게이트 인 패널(GIP: Gate In Panel) 타입으로 표시 패널(110)의 비-표시 영역(NA)에 형성될 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 기판(SUB) 상에 배치되거나 기판(SUB)에 연결될 수 있다. 즉, 게이트 구동 회로(130)는 GIP 타입인 경우 기판(SUB)의 비-표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 칩 온 글래스(COG) 타입, 칩 온 필름(COF) 타입 등인 겨우 기판(SUB)에 연결될 수 있다.The gate driving circuit 130 is connected to the display panel 110 by a tape automatic bonding (TAB) method or bonding pads of the display panel 110 by a chip-on-glass (COG) or chip-on-panel (COP) method. Pad) or may be connected to the display panel 110 according to a chip-on-film (COF) method. Alternatively, the gate driving circuit 130 may be formed in the non-display area NA of the display panel 110 in a gate in panel (GIP) type. The gate driving circuit 130 may be disposed on or connected to the substrate SUB. That is, in the case of the GIP type, the gate driving circuit 130 may be disposed in the non-display area NA of the substrate SUB. The gate driving circuit 130 may be connected to the substrate SUB only in a chip-on-glass (COG) type, a chip-on-film (COF) type, or the like.

데이터 구동 회로(120)는, 표시 패널(110)의 일 측(예: 상측 또는 하측)에 연결될 수도 있다. 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라, 데이터 구동 회로(120)는 표시 패널(110)의 양 측(예: 상측과 하측)에 모두 연결되거나, 표시 패널(110)의 4측면 중 둘 이상의 측면에 연결될 수도 있다. The data driving circuit 120 may be connected to one side (eg, an upper side or a lower side) of the display panel 110 . Depending on the driving method, the panel design method, etc., the data driving circuit 120 may be connected to both sides (eg, upper and lower sides) of the display panel 110 or to at least two of the four sides of the display panel 110 . may be

게이트 구동 회로(130)는 표시 패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에 연결될 수도 있다. 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라, 게이트 구동 회로(130)는 표시 패널(110)의 양 측(예: 좌측과 우측)에 모두 연결되거나, 표시 패널(110)의 4 측면 중 둘 이상의 측면에 연결될 수도 있다. The gate driving circuit 130 may be connected to one side (eg, left or right) of the display panel 110 . Depending on the driving method, the panel design method, etc., the gate driving circuit 130 may be connected to both sides (eg, left and right) of the display panel 110 , or may be connected to at least two of the four sides of the display panel 110 . may be

컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행할 수 있는 제어장치일 수 있으며, 타이밍 컨트롤러와 다른 제어장치일 수도 있으며, 제어장치 내 회로일 수도 있다. 컨트롤러(140)는 인쇄 회로 기판, 가요성 인쇄 회로 등에 실장 되고, 인쇄 회로 기판, 가요성 인쇄 회로 등을 통해 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. The controller 140 may be a timing controller used in a conventional display technology or a control device capable of further performing other control functions including the timing controller, and may be a control device different from the timing controller. It may also be a circuit in the control device. The controller 140 may be mounted on a printed circuit board, a flexible printed circuit, or the like, and may be electrically connected to the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130 through the printed circuit board or the flexible printed circuit.

본 실시예들에 따른 표시 장치(100)에 위치하는 서브 픽셀(SP) 각각은, 일 예로, 발광 소자(ED: Emitting Diode), 둘 이상의 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시터 등의 회로 소자로 구성될 수 있다. Each of the sub-pixels SP positioned in the display device 100 according to the present exemplary embodiments may include, for example, circuit elements such as a light emitting diode (ED), two or more transistors, and at least one capacitor. have.

각 서브 픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다. The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel SP may be variously determined according to a provided function and a design method.

도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀(SP) 구조의 예시도이다. 2 is an exemplary diagram of a sub-pixel (SP) structure according to embodiments of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 표시 패널(110)에 배치된 다수의 서브 픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED), 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor), 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor), 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing transistor) 및 스토리지 커패시터(Cst: Storage Capacitor) 등을 포함한다. Referring to FIG. 2 , each of the plurality of sub-pixels SP disposed on the display panel 110 of the display device 100 according to embodiments of the present invention includes a light emitting device ED and a driving transistor (DRT). ), a switching transistor (SWT), a sensing transistor (SENT), a storage capacitor (Cst), and the like.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는, OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이, 퀀텀닷(Quantum Dot) 디스플레이, 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 디스플레이 등의 자발광 디스플레이일 수 있다. Referring to FIG. 2 , the display device 100 according to the embodiments of the present invention includes chairs such as an organic light emitting diode (OLED) display, a quantum dot display, and a micro light emitting diode (LED) display. It may be a light emitting display.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)가 OLED 디스플레이인 경우, 각 서브 픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 유기발광다이오드(OLED)를 발광 소자(ED)로서 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)가 퀀텀닷 디스플레이인 경우, 각 서브 픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 반도체 결정인 퀀텀닷(Quantum Dot)으로 만들어진 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)가 마이크로 LED 디스플레이인 경우, 각 서브 픽셀(SP)은 스스로 빛을 내고 무기물을 기반으로 만들어진 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode)를 발광 소자(ED)로서 포함할 수 있다. When the display device 100 according to the embodiments of the present invention is an OLED display, each sub-pixel SP may include an organic light emitting diode (OLED) emitting light as a light emitting device ED. When the display device 100 according to the embodiments of the present invention is a quantum dot display, each sub-pixel SP may include a light emitting device ED made of quantum dots, which are semiconductor crystals that emit light by themselves. can When the display device 100 according to embodiments of the present invention is a micro LED display, each sub-pixel SP emits light by itself and uses a micro LED (Micro Light Emitting Diode) made from an inorganic material as a light emitting device (ED). can be included as

도 2를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)는, 발광 소자(ED)로 구동 전류를 공급해주어, 발광 소자(ED)를 구동하는 트랜지스터로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동 전압 라인(DVL)과 발광 소자(ED)의 제1 전극 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 2 , the driving transistor DRT is a transistor that supplies a driving current to the light emitting device ED to drive the light emitting device ED, and a driving voltage line DVL that supplies a driving voltage EVDD. and the first electrode of the light emitting device ED may be electrically connected.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 등을 포함할 수 있다. The driving transistor DRT may include a first node N1 , a second node N2 , and the like.

그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드일 수 있으며, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the first node N1 of the driving transistor DRT may be a gate node of the driving transistor DRT, and may be electrically connected to a source node or a drain node of the switching transistor SWT.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있으며, 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. The second node N2 of the driving transistor DRT may be a source node or a drain node of the driving transistor DRT, and may be electrically connected to a source node or a drain node of the sensing transistor SENT.

일 예로, 발광 소자(ED)의 제1 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)(예: 소스 노드 또는 드레인 노드)가 연결되고, 발광 소자(ED)의 제2 전극은 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. For example, the first electrode of the light emitting device ED is connected to a second node N2 (eg, a source node or a drain node) of the driving transistor DRT, and the second electrode of the light emitting device ED has a base voltage (EVSS) may be authorized.

스위칭 트랜지스터(SWT)는 게이트 신호의 일종인 스캔 펄스(SCAN)에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 연결될 수 있다. 다시 말해, 스위칭 트랜지스터(SWT)는, 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔 라인(SCL)에서 공급되는 스캔 펄스(SCAN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 간의 연결을 제어할 수 있다. The switching transistor SWT is controlled by a scan pulse SCAN, which is a type of a gate signal, and may be connected between the first node N1 of the driving transistor DRT and the data line DL. In other words, the switching transistor SWT is turned on or turned off according to the scan pulse SCAN supplied from the scan line SCL, which is a type of the gate line GL, and is driven with the data line DL. A connection between the first node N1 of the transistor DRT may be controlled.

스위칭 트랜지스터(SWT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 스캔 펄스(SCAN)에 의해 턴-온 되어, 데이터 라인(DL)에서 공급된 데이터 신호(Vdata)를 구동 트랜지스터의 제1 노드(N1)에 전달해줄 수 있다. The switching transistor SWT is turned on by the scan pulse SCAN having a turn-on level voltage to transmit the data signal Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor. can deliver

여기서, 스위칭 트랜지스터(SWT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 스캔 펄스(SCAN)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 스캔 펄스(SCAN)의 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. Here, when the switching transistor SWT is an n-type transistor, the turn-on level voltage of the scan pulse SCAN may be a high level voltage. When the switching transistor SWT is a p-type transistor, the turn-on level voltage of the scan pulse SCAN may be a low level voltage.

스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 양 단의 전압 차이에 해당하는 전하량이 충전되고, 정해진 프레임 시간 동안, 해당 서브 픽셀(SP)은 발광할 수 있다. The storage capacitor Cst may be connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. The storage capacitor Cst is charged with an amount of charge corresponding to the voltage difference between both ends, and during a predetermined frame time, the corresponding sub-pixel SP may emit light.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 표시 패널(110)에 배치된 다수의 서브 픽셀(SP) 각각은 센싱 트랜지스터(SENT)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , each of the plurality of sub-pixels SP disposed on the display panel 110 of the display device 100 according to example embodiments may further include a sensing transistor SENT.

센싱 트랜지스터(SENT)는 게이트 신호의 일종인 센스 펄스(SENSE)에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결될 수 있다.The sensing transistor SENT is controlled by a sense pulse SENSE, which is a type of a gate signal, and may be connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL.

도 2를 참조하면, 기준 전압 라인(RVL)은 센싱 라인(SL)일 수 있다.Referring to FIG. 2 , the reference voltage line RVL may be a sensing line SL.

한편, 도 2와 달리, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 게이트 라인(GL)의 한 종류인 센스 라인(SENL)에서 공급된 센스 펄스(SENSE)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되어, 센싱 라인(SL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2) 간의 연결을 제어할 수 있다. 즉, 스위칭 트랜지스터(SWT)를 제어하는 제1 게이트 라인(GL1)과 센싱 트랜지스터(SENT)를 제어하는 제2 게이트 라인(GL2)이 배치되어 하나의 서브 픽셀(SP)을 구동하기 위해 2 개의 게이트 라인이 배치될 수 있다. 이와 같은 구조는 아래에서 설명할 바와 같이, 2 스캔 구조로 호칭될 수 있다. Meanwhile, unlike FIG. 2 , the sensing transistor SENT is turned on or off according to the sense pulse SENSE supplied from the sense line SENL, which is a type of the gate line GL, and the sensing line ( SL) and the second node N2 of the driving transistor DRT may be controlled. That is, the first gate line GL1 controlling the switching transistor SWT and the second gate line GL2 controlling the sensing transistor SENT are disposed to drive one sub-pixel SP. A line may be placed. Such a structure may be referred to as a two-scan structure, as will be described below.

센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 펄스(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 센싱 라인(SL)에 공급된 기준 전압(VpreS)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전달해줄 수 있다. The sensing transistor SENT is turned on by a sense pulse SENSE having a turn-on level voltage, and applies the reference voltage VpreS supplied to the sensing line SL to the second node ( N2) can be forwarded.

또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 레벨 전압을 갖는 센스 펄스(SENSE)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱 라인(SL)으로 전달해줄 수 있다. In addition, the sensing transistor SENT is turned on by the sense pulse SENSE having a turn-on level voltage, and transmits the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT to the sensing line SL. can do it

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 센싱 라인(SL)에 라인 커패시터(Cline)가 형성되어 있을 수 있다. 라인 커패시터(Cline)는 센싱 라인(SL)에 인가되는 전압에 의해 전하가 충전될 수 있다. Referring to FIG. 2 , in the display device 100 according to embodiments of the present invention, a line capacitor Cline may be formed on a sensing line SL. The line capacitor Cline may be charged with a voltage applied to the sensing line SL.

도 2를 참조하면 센싱 라인(SL)에는 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)이 인가될 수 있으며, 이는 센싱 구동용 스위치(Spre)에 의해 제어될 수 있다. Referring to FIG. 2 , a sensing driving reference voltage VpreS may be applied to the sensing line SL, which may be controlled by a sensing driving switch Spre.

그리고, 도 2를 참조하면 센싱 라인(SL)은 센싱 라인(SL)의 전압 센싱을 제어하기 위한 샘플링 스위치(SAM)와 연결될 수 있으며, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면 센싱 라인(SL)의 전압이 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 인가될 수 있다. And, referring to FIG. 2 , the sensing line SL may be connected to a sampling switch SAM for controlling voltage sensing of the sensing line SL, and when the sampling switch SAM is turned on, the sensing line SL A voltage of may be applied to an analog-to-digital converter (ADC).

한편, 센싱 트랜지스터(SENT)가 n 타입 트랜지스터인 경우, 센스 펄스(SENSE)의 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)가 p 타입 트랜지스터인 경우, 센스 펄스(SENSE)의 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다.Meanwhile, when the sensing transistor SENT is an n-type transistor, the turn-on level voltage of the sense pulse SENSE may be a high level voltage. When the sensing transistor SENT is a p-type transistor, the turn-on level voltage of the sense pulse SENSE may be a low level voltage.

여기서, 센싱 트랜지스터(SENT)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱 라인(SL)으로 전달해주는 기능은 서브 픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 구동 시 이용될 수 있다. 이 경우, 센싱 라인(SL)으로 전달되는 전압은 서브 픽셀(SP)의 특성치를 산출하기 위한 전압이거나, 서브 픽셀(SP)의 특성치가 반영된 전압일 수 있다. Here, the function in which the sensing transistor SENT transfers the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT to the sensing line SL may be used during driving to sense the characteristic value of the sub-pixel SP. . In this case, the voltage transferred to the sensing line SL may be a voltage for calculating the characteristic value of the sub-pixel SP or a voltage to which the characteristic value of the sub-pixel SP is reflected.

본 발명에서 서브 픽셀(SP)의 특성치는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압과 이동도, 발광 소자(ED)의 문턱 전압을 포함할 수 있다. In the present invention, the characteristic value of the sub-pixel SP may include the threshold voltage and mobility of the driving transistor DRT, and the threshold voltage of the light emitting device ED.

구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SENT)는 n 타입 트랜지스터이거나, p 타입 트랜지스터일 수 있다. 본 발명의 실시예들에서는, 설명의 편의를 위해, 구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 n 타입인 것을 예로 든다. The driving transistor DRT, the switching transistor SWT, and the sensing transistor SENT may be an n-type transistor or a p-type transistor. In embodiments of the present invention, for convenience of description, each of the driving transistor DRT, the switching transistor SWT, and the sensing transistor SENT is an n-type example.

스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)를 제어하기 위해, 서로 다른 두 개의 게이트 라인(GL)을 사용하는 것도 가능하다. It is also possible to use two different gate lines GL to control the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT.

즉, 스위칭 트랜지스터(SWT)를 제어하기 위해 제1 게이트 라인(GL1)을 사용하고, 센싱 트랜지스터(SENT)를 제어하기 위해 제2 게이트 라인(GL2)을 사용할 수도 있다. 이와 같은 구조는 2 스캔 구조로 호칭될 수 있다. That is, the first gate line GL1 may be used to control the switching transistor SWT and the second gate line GL2 may be used to control the sensing transistor SENT. Such a structure may be referred to as a two-scan structure.

제1 게이트 라인(GL1)에는 스위칭 트랜지스터(SWT)를 제어하기 위한 스캔 신호(SCAN)가 출력되고, 제2 게이트 라인(GL2)에는 센싱 트랜지스터(SENT)를 제어하기 위해 센스 펄스(SENSE)가 출력될 수 있다. A scan signal SCAN for controlling the switching transistor SWT is output to the first gate line GL1 , and a sense pulse SENSE is outputted to control the sensing transistor SENT to the second gate line GL2 . can be

이와 같은 2 스캔 구조에서는 발광 소자(ED)의 특성치를 센싱하기 위해, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)에는 정전압을 인가해주고, 소스 노드(N2)는 플로팅 상태로 만들어 줄 수 있다. 발광 소자(ED)의 열화 정도에 따라, 소스 노드(N2)의 포화 전압이 달라지므로, 센싱 라인(SL)에 인가되는 전압에도 차이가 생길 수 있다.In such a two-scan structure, a constant voltage may be applied to the gate node N1 of the driving transistor DRT in order to sense the characteristic value of the light emitting device ED, and the source node N2 may be made floating. Since the saturation voltage of the source node N2 varies according to the degree of deterioration of the light emitting device ED, a difference may also occur in the voltage applied to the sensing line SL.

따라서, 2 스캔 구조에서는 센싱 라인(SL)에 인가되는 전압을 센싱하여 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱하는 전압 센싱 방식이 사용될 수 있다. Accordingly, in the two-scan structure, a voltage sensing method of sensing the degree of deterioration of the light emitting device ED by sensing the voltage applied to the sensing line SL may be used.

다만, 이 경우, 하나의 서브 픽셀(SP)에 두 개의 게이트 라인(GL1, GL2)이 각각 배치되어 하나의 서브 픽셀(SP)을 구동하기 위해 하나의 게이트 라인(GL)이 배치된 경우와 비교하여 발광 소자(ED)에서 방출된 빛이 상면으로 방출될 수 있는 개구 면적이 줄어드는 문제가 있다. However, in this case, compared with the case in which two gate lines GL1 and GL2 are respectively disposed in one sub-pixel SP and one gate line GL is disposed to drive one sub-pixel SP Accordingly, there is a problem in that the opening area through which the light emitted from the light emitting device ED can be emitted to the upper surface is reduced.

한편, 도 2를 참조하면, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)를 제어하기 위해, 하나의 게이트 라인(GL)이 배치될 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 2 , one gate line GL may be disposed to control the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT.

즉, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT) 각각의 게이트 노드는 하나의 게이트 라인(GL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 하나의 게이트 라인(GL)으로 인가되는 게이트 신호의 턴-온 레벨 전압과 턴-오프 레벨 전압에 의해, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)가 모두 제어될 수 있다. 이와 같은 구조는 1 스캔 구조로 호칭될 수 있다. That is, each gate node of the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT may be electrically connected to one gate line GL. Accordingly, both the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT may be controlled by the turn-on level voltage and the turn-off level voltage of the gate signal applied to one gate line GL. Such a structure may be referred to as a one-scan structure.

1 스캔 구조는 2 스캔 구조와 비교해, 필요한 게이트 라인(GL)의 수가 줄어듦에 따라 개구 면적이 커질 수 있다. 이에 따라, 휘도 측면에서 이점이 있을 수 있다. Compared to the two-scan structure, the 1-scan structure may increase the opening area as the number of required gate lines GL is reduced. Accordingly, there may be an advantage in terms of luminance.

이와 같은 1 스캔 구조에서는 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)가 하나의 게이트 라인(GL)에 연결되어 있어, 게이트 라인(GL)에 턴-온 레벨 전압이 인가되면 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)가 모두 턴-온 되고, 턴-오프 레벨 전압이 인가되면 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)가 모두 턴-오프 된다. In such a one-scan structure, the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are connected to one gate line GL, and when a turn-on level voltage is applied to the gate line GL, the switching transistor SWT and the All of the sensing transistors SENT are turned on, and when a turn-off level voltage is applied, both the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are turned off.

따라서, 1 스캔 구조에서는 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱하기 위해, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)에는 정전압을 인가해주고, 소스 노드(N2)는 플로팅 상태로 만들어주는 것이 제한될 수 있다. Therefore, in the one scan structure, in order to sense the degree of deterioration of the light emitting device ED, it is limited to apply a constant voltage to the gate node N1 of the driving transistor DRT and to make the source node N2 in a floating state. can

따라서, 1 스캔 구조에서는 발광 소자(ED)의 열화 정도에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)의 포화 전압이 달라지지 않아, 2 스캔 구조에서 사용하는 전압 센싱 방식이 제한될 수 있다. 이에 따라, 1 스캔 구조에서는 발광 소자(ED)의 기생 커패시터(미도시)에 충전되는 전하량에 따른 전류를 측정하여, 발광 소자(ED)의 열화 정도를 알 수 있다. Accordingly, in the one-scan structure, the saturation voltage of the source node N2 of the driving transistor DRT does not change according to the degree of deterioration of the light emitting element ED, and thus a voltage sensing method used in the two-scan structure may be limited. Accordingly, in the one-scan structure, the degree of deterioration of the light emitting element ED can be known by measuring a current according to the amount of charge charged in the parasitic capacitor (not shown) of the light emitting element ED.

한편, 상기 기생 커패시터(미도시)에 충전되는 전하량의 차이는 발광 소자(ED)의 열화 정도에 따른 차이가 매우 작아, 이를 전압 값으로 바꾸어줄 수 있는 적분기(미도시)가 추가적으로 배치된다. 적분기(미도시)는 데이터 구동 회로(120)에 배치될 수 있다. On the other hand, the difference in the amount of charge charged in the parasitic capacitor (not shown) is very small depending on the degree of deterioration of the light emitting device ED, and an integrator (not shown) capable of converting this into a voltage value is additionally disposed. An integrator (not shown) may be disposed in the data driving circuit 120 .

그런데, 적분기(미도시)를 데이터 구동 회로(120)에 추가적으로 배치할 경우, 데이터 구동 회로(120)의 가격이 상승하고, 데이터 구동 회로(120)의 크기가 커지는 문제가 있을 수 있다. However, when an integrator (not shown) is additionally disposed in the data driving circuit 120 , there may be problems in that the price of the data driving circuit 120 increases and the size of the data driving circuit 120 increases.

따라서, 개구 면적을 넓히면서, 발광 소자(ED)의 문턱전압을 센싱할 수 있는 방식이 요구되었다. Accordingly, a method capable of sensing the threshold voltage of the light emitting device ED while increasing the opening area has been required.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀(SP) 구조의 예시도와 센싱 구동에서 각 기간별 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating an exemplary structure of a sub-pixel (SP) and a control signal and voltage waveform for each period in sensing driving according to embodiments of the present invention.

도 3의 서브 픽셀(SP) 구조의 예시도를 참조하면, 데이터 라인(DL)과 데이터 전압(Vdata)의 출력 노드에 연결되어, 데이터 전압(Vdata)이 데이터 라인(DL)에 인가되는 것을 제어하는 데이터 라인 스위치(SWDL)가 배치될 수 있다. Referring to the exemplary diagram of the structure of the sub-pixel SP of FIG. 3 , it is connected to an output node of the data line DL and the data voltage Vdata to control the data voltage Vdata to be applied to the data line DL. A data line switch SWDL may be disposed.

한편, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 데이터 라인 스위치(SWDL)의 턴-온 및 턴-오프를 제어하는 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)가 출력될 수 있다. Meanwhile, the display device 100 according to embodiments of the present invention may output a switch control signal Data_Hi-z for controlling turn-on and turn-off of the data line switch SWDL.

도 3을 참조하면, 데이터 라인 스위치(SWDL)가 턴-온 상태일 때 데이터 라인 스위치(SWDL)는 하이 레벨 상태 또는 로우 레벨 상태 표현되고, 데이터 라인 스위치(SWDL)가 턴-오프 상태일 때 데이터 라인 스위치(SWDL)는 로우 레벨 상태 또는 하이 레벨 상태로 표현될 수 있다. 아래에서는 설명의 편의를 위해, 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-온 상태일 때 하이 레벨 상태로 표현하고, 턴-오프 상태일 때 로우 레벨 상태로 가정하여 설명하도록 한다. Referring to FIG. 3 , when the data line switch SWDL is in a turn-on state, the data line switch SWDL is expressed in a high level state or a low level state, and when the data line switch SWDL is in the turn-off state, data The line switch SWDL may be expressed as a low level state or a high level state. Hereinafter, for convenience of description, it is assumed that the data line switch SWDL is expressed as a high level state when it is turned on and a low level state when it is turned off.

도 3을 참조하면, 데이터 라인 스위치(SWDL)가 턴-온 되면 데이터 라인(DL)에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가될 수 있고, 이러한 데이터 라인(DL)의 상태를 로우 임피던스 상태로 정의할 수 있다. Referring to FIG. 3 , when the data line switch SWDL is turned on, a sensing driving data voltage may be applied to the data line DL, and the state of the data line DL may be defined as a low impedance state. have.

그리고, 데이터 라인 스위치(SWDL)가 턴-오프 되면 데이터 라인(DL)에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되지 않으며, 이러한 데이터 라인(DL)의 상태를 하이 임피던스 상태로 정의할 수 있다. In addition, when the data line switch SWDL is turned off, the data voltage for sensing driving is not applied to the data line DL, and the state of the data line DL may be defined as a high impedance state.

이와 달리, 데이터 라인(DL)의 로우 임피던스 상태와 하이 임피던스 상태는, 데이터 라인(DL)의 임피던스가 미리 설정된 임계치의 임피던스를 기준으로 구분될 수도 있다. 예를 들어, 데이터 라인(DL)의 임피던스가 미리 설정된 임계치의 임피던스보다 작은 경우, 데이터 라인(DL)은 로우 임피던스 상태라고 할 수 있고, 데이터 라인(DL)의 임피던스가 미리 설정된 임계치의 임피던스보다 큰 경우, 데이터 라인(DL)은 하이 임피던스 상태라고 할 수 있다. Alternatively, the low impedance state and the high impedance state of the data line DL may be divided based on an impedance of a threshold value at which the impedance of the data line DL is preset. For example, when the impedance of the data line DL is less than the impedance of the preset threshold, the data line DL may be in a low impedance state, and the impedance of the data line DL is greater than the impedance of the preset threshold. In this case, the data line DL may be in a high impedance state.

도 3을 참조하면, 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)가 로우 레벨 또는 하이 레벨일 때, 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-온 상태를 유지할 수 있다. 또한, 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)가 하이 레벨 또는 로우 레벨일 때, 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)가 로우 레벨일 때 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-온 상태로 유지되고, 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)가 하이 레벨일 때 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 상태로 유지되는 것으로 가정하고 설명한다. Referring to FIG. 3 , when the switch control signal Data_Hi-z is at a low level or a high level, the data line switch SWDL may maintain a turn-on state. Also, when the switch control signal Data_Hi-z is at a high level or a low level, the data line switch SWDL may maintain a turn-off state. Hereinafter, for convenience of description, when the switch control signal Data_Hi-z is at a low level, the data line switch SWDL is maintained in a turn-on state, and when the switch control signal Data_Hi-z is at a high level, It is assumed that the data line switch SWDL is maintained in a turned-off state.

스위치 제어 신호(Data_Hi-z)는 컨트롤러(140)에서 출력되어 데이터 라인 스위치(SWDL)에 인가되는 신호일 수 있다. 데이터 라인 스위치(SWDL)는 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)에 의해 턴-온되거나, 턴-오프 될 수 있다.The switch control signal Data_Hi-z may be a signal output from the controller 140 and applied to the data line switch SWDL. The data line switch SWDL may be turned on or turned off by the switch control signal Data_Hi-z.

도 3의 센싱 구동에서 각 기간별 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 센싱 구동은 초기화 기간(Initial), 트래킹 기간(Tracking)과 센싱 기간(Sensing)을 포함할 수 있다. 그리고 센싱 기간(Sensing)은 제어신호 및 전압에 따라 제1 센싱 기간(Sensing_1) 내지 제 4 센싱 기간(Sensing_4)으로 구분할 수 있다. Referring to the diagram illustrating the control signal and voltage waveform for each period in the sensing driving of FIG. 3 , the sensing driving of the display device 100 according to embodiments of the present invention includes an initialization period (Initial), a tracking period (Tracking) and It may include a sensing period (Sensing). In addition, the sensing period Sensing may be divided into a first sensing period Sensing_1 to a fourth sensing period Sensing_4 according to a control signal and a voltage.

도 4는 초기화 기간(Initial)에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀(SP) 구조의 예시도와 제어신호 및 전압의 파형을 도시한 도면이다. 4 is a diagram illustrating an exemplary structure of a sub-pixel SP and waveforms of control signals and voltages in an initialization period (Initial) according to embodiments of the present invention.

초기화 기간(Initial)에서, 구동 전압(EVDD)이 인가될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)는 게이트 라인(GL)과 연결되고, 게이트 라인(GL)에는 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호가 인가될 수 있다. 데이터 전압(Vdata)은 센싱 구동 기간 동안, 센싱 구동용 데이터 전압이 인가될 수 있다. In the initialization period Initial, the driving voltage EVDD may be applied. The switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are connected to the gate line GL, and a gate signal having a turn-on level voltage may be applied to the gate line GL. A data voltage for sensing driving may be applied to the data voltage Vdata during the sensing driving period.

초기화 기간(Initial)에서, 센싱 구동용 스위치(Spre)는 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)에 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)을 인가해줄 수 있다. 컨트롤러(140)는 데이터 라인 스위치(SWDL)를 턴-온 상태로 유지하기 위해, 로우 레벨의 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)를 출력할 수 있다. 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-온 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)에 센싱 구동용 데이터 전압을 인가해줄 수 있다. In the initialization period Initial, the sensing driving switch Spre is turned on to apply the sensing driving reference voltage VpreS to the source node N2 of the driving transistor DRT. The controller 140 may output a low-level switch control signal Data_Hi-z to maintain the data line switch SWDL in a turned-on state. The data line switch SWDL is turned on to apply a data voltage for sensing driving to the gate node N1 of the driving transistor DRT.

초기화 기간(Initial)에서, 샘플링 스위치(SAM)는 턴-오프 상태일 수 있다. In the initialization period Initial, the sampling switch SAM may be in a turn-off state.

따라서, 구동 트랜지스터의 게이트 노드(N1)에는 센싱 구동용 데이터 전압이 정전압으로 인가되고, 소스 노드(N2)에는 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)이 정전압으로 인가될 수 있다. Accordingly, the data voltage for sensing driving may be applied as a constant voltage to the gate node N1 of the driving transistor, and the reference voltage VpreS for sensing driving may be applied as a constant voltage to the source node N2 of the driving transistor.

초기화 기간(Initial)에서 발광 소자(ED)는 구동 트랜지스터의 소스 노드(N2)와 기저 전압(EVSS)과 연결되어 전류가 흘러 발광할 수 있다. In the initialization period Initial, the light emitting device ED is connected to the source node N2 of the driving transistor and the base voltage EVSS, and current flows to emit light.

그리고, 경우에 따라, 초기화 구간(Initial)이 시작되는 시점은 표시 장치(100)의 구동이 중단되어 전원이 꺼진 이후일 수 있다. In addition, in some cases, the starting point of the initialization period (Initial) may be after the driving of the display device 100 is stopped and the power is turned off.

도 5는 트래킹 기간(Tracking)에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다. 5 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention in a tracking period.

도 5를 참조하면, 트래킹 기간(Tracking)에서 구동 전압(EVDD)이 인가될 수 있다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)에는 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호가 인가될 수 있다. Referring to FIG. 5 , the driving voltage EVDD may be applied during the tracking period. In addition, a gate signal of a turn-on level voltage may be applied to the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT.

컨트롤러(140)는 데이터 라인 스위치(SWDL)를 턴-온 상태로 유지하기 위해, 로우 레벨의 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)를 출력할 수 있다. 이에 따라 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-온 상태가 유지될 수 있으며, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가될 수 있다. The controller 140 may output a low-level switch control signal Data_Hi-z to maintain the data line switch SWDL in a turned-on state. Accordingly, the data line switch SWDL may be maintained in a turned-on state, and a data voltage for sensing driving may be applied to the gate node N1 of the driving transistor DRT.

센싱 구동용 스위치(Spre)는 턴-오프 될 수 있다. 이에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)는 플로팅 상태가 되어, 전압이 가변될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2) 전압(Vs)은, 게이트 노드(N1)의 전압(Vg)이 일정한 상태에서 구동 전압(EVDD)이 인가됨에 따라, 높아질 수 있다. 그리고, 소스 노드(N2)의 전압(Vs)은 점차 증가하다가 더 이상 증가하지 않을 수 있으며, 이 때 소스 노드(N2)의 전압(Vs)은 포화되었다고 말한다. 소스 노드(N2)의 전압(Vs)이 포화된 이후에는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)의 전압(Vg)과 소스 노드(N2)의 전압(Vs) 차이(Vgs)는 일정하게 유지될 수 있다.The sensing driving switch Spre may be turned off. Accordingly, the source node N2 of the driving transistor DRT may be in a floating state, and the voltage may be varied. The voltage Vs of the source node N2 of the driving transistor DRT may increase as the driving voltage EVDD is applied while the voltage Vg of the gate node N1 is constant. In addition, the voltage Vs of the source node N2 may gradually increase and then no longer increase. At this time, it is said that the voltage Vs of the source node N2 is saturated. After the voltage Vs of the source node N2 is saturated, the difference Vgs between the voltage Vg of the gate node N1 of the driving transistor DRT and the voltage Vs of the source node N2 is maintained constant. can be

도 5를 참조하면, 트래킹 기간(Tracking)이 끝나는 시점에서 소스 노드(N2)의 전압은 포화된 것일 수 있다. Referring to FIG. 5 , the voltage of the source node N2 may be saturated when the tracking period ends.

한편, 도 12를 참조하면, 소스 노드(N2)의 전압이 포화되었을 때의 포화 전압은 발광 소자(ED)의 열화 정도에 따라 달라질 수 있다. 발광 소자(ED)의 열화 정도에 따라 발광 소자(ED)의 문턱 전압이 높아지므로, 발광 소자(ED)의 열화가 진행될수록, 구동 트랜지스터의 소스 노드(N2)에 포화되는 전압의 크기는 커질 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 12 , the saturation voltage when the voltage of the source node N2 is saturated may vary depending on the degree of deterioration of the light emitting device ED. Since the threshold voltage of the light emitting element ED increases according to the degree of deterioration of the light emitting element ED, as the deterioration of the light emitting element ED progresses, the level of the voltage saturated at the source node N2 of the driving transistor may increase. have.

스토리지 커패시터(Cstg)에는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)의 전압과 소스 노드(N2)의 전압의 차이(Vgs)에 의해 전하가 충전될 수 있다. 트래킹 기간(Tracking)에서 발광 소자(ED)는 발광할 수 있다. Charge may be charged in the storage capacitor Cstg by the difference Vgs between the voltage of the gate node N1 of the driving transistor DRT and the voltage of the source node N2. In the tracking period, the light emitting device ED may emit light.

도 6은 제1 센싱 기간(Sensing_1)에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다. 6 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention in a first sensing period (Sensing_1).

도 6을 참조하면, 제1 센싱 기간(Sensing_1)에 구동 전압(EVDD)이 인가되며, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)에는 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호가 인가될 수 있다. 데이터 구동 회로(120)는 센싱 구동용 데이터 전압을 출력할 수 있다.Referring to FIG. 6 , a driving voltage EVDD may be applied in the first sensing period Sensing_1 , and a gate signal having a turn-on level voltage may be applied to the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT. The data driving circuit 120 may output a data voltage for sensing driving.

도 6을 참조하면, 제1 센싱 기간(Sensing_1)에서, 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)는 플로팅 상태가 되어 전압이 가변될 수 있다. 컨트롤러(140)는 데이터 라인 스위치(SWDL)를 턴-오프 상태로 유지하기 위해, 하이 레벨의 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)를 출력할 수 있다.Referring to FIG. 6 , in the first sensing period Sensing_1 , the data line switch SWDL may be turned off. Accordingly, the gate node N1 of the driving transistor DRT may be in a floating state and a voltage may be varied. The controller 140 may output a high-level switch control signal Data_Hi-z to maintain the data line switch SWDL in a turned-off state.

제1 센싱 기간(Sensing_1)에서, 센싱 구동용 스위치(Spre)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)는 플로팅 상태가 되어 전압이 가변될 수 있다. In the first sensing period Sensing_1 , the sensing driving switch Spre may maintain a turn-off state. Accordingly, the source node N2 of the driving transistor DRT may be in a floating state and the voltage may be varied.

구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)는 센싱 라인(SL)의 라인 커패시터(Cline)와 연결되어 게이트 노드(N2)의 전압(Vs)이 감소하고, 라인 커패시터(Cline)에 충전되는 전하량이 증가할 수 있다. The gate node N1 of the driving transistor DRT is connected to the line capacitor Cline of the sensing line SL, so that the voltage Vs of the gate node N2 decreases, and the amount of charge charged in the line capacitor Cline can increase

그리고, 소스 노드(N2)와 전기적으로 커플링되어 있는 게이트 노드(N1)의 전압(Vg)도 감소할 수 있다.In addition, the voltage Vg of the gate node N1 electrically coupled to the source node N2 may also decrease.

도 7은 제2 센싱 기간(Sensing_2)에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다. 7 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure according to embodiments of the present invention in a second sensing period Sensing_2, and a diagram illustrating control signals and voltage waveforms.

도 7을 참조하면, 구동 전압(EVDD)이 인가되며, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)에는 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호가 인가될 수 있다. 데이터 구동 회로(120)는 센싱 구동용 데이터 전압을 출력할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a driving voltage EVDD may be applied, and a gate signal having a turn-on level voltage may be applied to the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT. The data driving circuit 120 may output a data voltage for sensing driving.

제2 센싱 기간(Sensing_2)에서, 컨트롤러(140)는 데이터 라인 스위치(SWDL)를 턴-오프 상태로 유지하기 위해, 하이 레벨의 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)를 출력할 수 있다. 이에 따라 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 상태가 유지될 수 있다. In the second sensing period Sensing_2 , the controller 140 may output a high-level switch control signal Data_Hi-z to maintain the data line switch SWDL in a turned-off state. Accordingly, the turn-off state of the data line switch SWDL may be maintained.

제2 센싱 기간(Sensing_2)에서, 센싱 구동용 스위치(Spre)는 턴-온 될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)에는 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)이 인가될 수 있다. In the second sensing period Sensing_2, the sensing driving switch Spre may be turned on. Accordingly, the sensing driving reference voltage VpreS may be applied to the source node N2 of the driving transistor DRT.

또한, 도 12를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)는 소스 노드(N2)와 커플링 되어 있어, 게이트 노드(N1)의 전압(Vg)은 낮아져 소스 노드(N2)의 전압(Vs)과 일정한 전압 차이를 가질 수 있다. 게이트 노드(N1)의 전압(Vs)이 낮아지는 정도는 발광 소자(ED)의 열화 정도에 따라서 달라질 수 있다. Also, referring to FIG. 12 , the gate node N1 of the driving transistor DRT is coupled to the source node N2 , so that the voltage Vg of the gate node N1 is lowered and the voltage of the source node N2 is lowered. (Vs) and may have a constant voltage difference. The degree to which the voltage Vs of the gate node N1 is lowered may vary according to the degree of deterioration of the light emitting device ED.

도 8은 제3 센싱 기간(Sensing_3)에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다. 8 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention in a third sensing period (Sensing_3).

도 8을 참조하면, 구동 전압(EVDD)이 인가되며, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)에는 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호가 인가될 수 있다. 데이터 구동 회로(120)는 센싱 구동용 데이터 전압을 출력할 수 있다.Referring to FIG. 8 , a driving voltage EVDD may be applied, and a gate signal having a turn-on level voltage may be applied to the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT. The data driving circuit 120 may output a data voltage for sensing driving.

제3 센싱 기간(Sensing_3)에서, 컨트롤러(140)는 데이터 라인 스위치(SWDL)를 턴-오프 상태로 유지하기 위해, 하이 레벨의 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)를 출력할 수 있다. 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 상태가 유지될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)는 플로팅 상태가 되어 전압이 가변될 수 있다. In the third sensing period Sensing_3 , the controller 140 may output a high-level switch control signal Data_Hi-z to maintain the data line switch SWDL in a turned-off state. The data line switch SWDL may be maintained in a turned-off state. Accordingly, the gate node N1 of the driving transistor DRT may be in a floating state and a voltage may be varied.

제3 센싱 기간(Sensing_3)에서, 센싱 구동용 스위치(Spre)는 턴-오프 될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)는 플로팅 상태가 되어, 전압이 가변될 수 있다.In the third sensing period Sensing_3, the sensing driving switch Spre may be turned off. Accordingly, the source node N2 of the driving transistor DRT may be in a floating state, and the voltage may be varied.

구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)는 플로팅 상태에서 전압이 증가할 수 있으며, 이 경우, 전압은 선형적으로 증가할 수 있다. The voltage of the source node N2 of the driving transistor DRT may increase in a floating state, and in this case, the voltage may increase linearly.

그리고, 소스 노드(N2)와 커플링 되어 있는 게이트 노드(N1)의 전압도 소스 노드(N2)의 전압이 증가함에 따라, 증가할 수 있다. In addition, the voltage of the gate node N1 coupled to the source node N2 may also increase as the voltage of the source node N2 increases.

한편, 센싱 라인(SL)은 구동 트랜지스터의 소스 노드(N2)와 연결되어, 소스 노드(N2)의 전압이 상승함에 따라, 라인 커패시터(Cline)에 충전되는 전하량은 증가할 수 있다. Meanwhile, the sensing line SL is connected to the source node N2 of the driving transistor, and as the voltage of the source node N2 increases, the amount of charge charged in the line capacitor Cline may increase.

도 9는 제4 센싱 기간(Sensing_4)에서 본 발명의 실시예들에 따른 서브 픽셀 구조의 예시도와 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다. 9 is a diagram illustrating an exemplary sub-pixel structure and a control signal and voltage waveform according to embodiments of the present invention in the fourth sensing period (Sensing_4).

도 9를 참조하면, 구동 전압(EVDD)이 인가되며, 스위칭 트랜지스터(SWT)와 센싱 트랜지스터(SENT)에는 턴-온 레벨 전압의 게이트 신호가 인가될 수 있다. 데이터 구동 회로(120)는 센싱 구동용 데이터 전압을 출력할 수 있다.Referring to FIG. 9 , a driving voltage EVDD may be applied, and a gate signal having a turn-on level voltage may be applied to the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT. The data driving circuit 120 may output a data voltage for sensing driving.

제4 센싱 기간(Sensing_4)에서, 컨트롤러(140)는 데이터 라인 스위치(SWDL)를 턴-오프 상태로 유지하기 위해, 하이 레벨의 스위치 제어 신호(Data_Hi-z)를 출력할 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)는 플로팅 상태로 전압이 가변될 수 있다. In the fourth sensing period Sensing_4 , the controller 140 may output a high-level switch control signal Data_Hi-z to maintain the data line switch SWDL in a turned-off state. Accordingly, the voltage of the gate node N1 of the driving transistor DRT may be varied in a floating state.

제4 센싱 기간(Sensing_4)에서, 센싱 구동용 스위치(Spre)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)는 플로팅 상태가 되어, 전압이 가변될 수 있다. In the fourth sensing period Sensing_4 , the sensing driving switch Spre may maintain a turn-off state. Accordingly, the source node N2 of the driving transistor DRT may be in a floating state, and the voltage may be varied.

도 9를 참조하면, 샘플링 스위치(SAM)는 턴-온 되면서, 라인 커패시터(Cline)로부터 전압을 인가받아, 센싱 라인(SL)에 인가된 전압을 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 인가해줄 수 있다. Referring to FIG. 9 , while the sampling switch SAM is turned on, it may receive a voltage from the line capacitor Cline and apply the voltage applied to the sensing line SL to the analog-to-digital converter ADC.

샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되는 시점은 당업자의 설계에 따라 달라질 수 있다. The timing at which the sampling switch SAM is turned on may vary according to a design of a person skilled in the art.

이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 센싱 라인(SL)에 인가되는 전압을 센싱할 수 있다. Accordingly, the analog-to-digital converter ADC may sense the voltage applied to the sensing line SL.

그리고, 이에 따라, 본 발명에 따른 실시예들은 개구 면적을 넓히면서, 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱함으로써 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱할 수 있다. In addition, according to embodiments of the present invention, the degree of deterioration of the light emitting device ED may be sensed by sensing the voltage of the sensing line SL while increasing the opening area.

도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 구동 회로(120)의 예시도이다. 10 is an exemplary diagram of a data driving circuit 120 according to embodiments of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 구동 회로(120)는 데이터 라인(DL)에 데이터 전압(Vdata)을 공급할 수 있는 디지털 아날로그 컨버터(DAC)와, 센싱 라인(SL)에 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)을 공급해줄 수 있는 기준 전압 출력부(1000)와, 센싱 라인(SL)의 전압을 인가 받을 수 있는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 10 , the data driving circuit 120 according to embodiments of the present invention includes a digital-to-analog converter DAC capable of supplying a data voltage Vdata to a data line DL, and a sensing line SL. It may include a reference voltage output unit 1000 capable of supplying a reference voltage VpreS for sensing driving, and an analog-to-digital converter ADC capable of receiving a voltage of the sensing line SL.

상기 디지털 아날로그 컨버터(DAC)는 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 포함하는 데이터 전압 출력부로 이루어질 수 있다. 디지털 아날로그 컨버터(DAC)는 컨트롤러(140)와 전기적으로 연결되어, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(Data)를 입력받아, 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 데이터 라인(DL)으로 출력하여 줄 수 있다. 초기화 기간(Initial) 내지 제4 센싱 기간(Sensing_4) 동안, 타이밍 컨트롤러(140)는 센싱 구동용 데이터 전압에 대응하는 디지털 값을 디지털 아날로그 컨버터(DAC)로 출력하여 줄 수 있다. 디지털 아날로그 컨버터(DAC)는 센싱 구동용 데이터 전압을 데이터 라인(DL)으로 출력할 수 있다. The digital-to-analog converter (DAC) may include a data voltage output unit including the digital-to-analog converter (DAC). The digital-to-analog converter (DAC) may be electrically connected to the controller 140 to receive image data (Data) from the controller 140, convert it into a data voltage (Vdata), and output it to the data line (DL). . During the initialization period Initial to the fourth sensing period Sensing_4 , the timing controller 140 may output a digital value corresponding to the sensing driving data voltage to the digital-to-analog converter DAC. The digital-to-analog converter DAC may output a data voltage for sensing driving to the data line DL.

기준 전압 출력부(1000)는 컨트롤러(140)로부터 입력받은 디지털 값을 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)으로 변환하여 센싱 라인(SL)으로 공급해줄 수 있다. The reference voltage output unit 1000 may convert a digital value input from the controller 140 into a reference voltage VpreS for sensing driving and supply it to the sensing line SL.

그리고, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 구동 회로(120)는 디지털 아날로그 컨버터(DAC)로부터 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압(Vdata)의 출력을 제어하는 데이터 라인 스위치(SWDL)와, 기준 전압 출력부(1000)와 센싱 라인(SL) 사이에 연결되어 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)의 출력을 제어할 수 있는 센싱 스위치(Spre)와, 센싱 라인(SL)으로부터 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 전압 공급을 제어할 수 있는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. In addition, the data driving circuit 120 according to embodiments of the present invention includes a data line switch SWDL for controlling the output of the data voltage Vdata from the digital-to-analog converter DAC to the data line DL, and a reference voltage. A sensing switch Spre connected between the output unit 1000 and the sensing line SL to control the output of the sensing driving reference voltage VpreS, and the sensing line SL to the analog-to-digital converter ADC A sampling switch (SAM) capable of controlling the voltage supply may be included.

도 1 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터 구동 회로(120)에 포함된 데이터 라인 스위치(SWDL)와 샘플링 스위치(SAM)와 센싱 스위치(Spre)는 컨트롤러(140)에서 인가되는 데이터 구동 회로 제어 신호(DCS)에 의해 작동 타이밍이 제어될 수 있다. 이들 스위치를 제어하는 신호는 데이터 구동 회로(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 구동 타이밍 제어 신호(DCS) 중 어느 신호일 수 있다. 1 and 10 , the data line switch SWDL, the sampling switch SAM, and the sensing switch Spre included in the data driving circuit 120 according to the embodiments of the present invention are configured in the controller 140 . The operation timing may be controlled by the applied data driving circuit control signal DCS. The signal controlling these switches may be any signal among the data driving timing control signals DCS for controlling the operation timing of the data driving circuit 120 .

이에 따라, 본 발명에 따른 실시예들은 1 스캔 구조 하에서도 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱하고 열화를 보상하기 위해, 기존의 2 스캔 구조에서 사용된 전압 센싱 방식을 도입하는 것이 가능하게 될 수 있다. Accordingly, in the embodiments according to the present invention, it will be possible to introduce the voltage sensing method used in the existing two-scan structure in order to sense the degree of deterioration of the light emitting device ED and compensate for the deterioration even under the one-scan structure. can

즉, 본 발명의 실시예들에 의할 경우, 1 스캔 구조를 채택하면서도, 전류 센싱 방식이 아닌 전압 센싱 방식을 이용하여 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱하고 열화를 보상하여 줄 수 있다.That is, according to the embodiments of the present invention, the degree of deterioration of the light emitting device ED may be sensed and the deterioration may be compensated for by using a voltage sensing method instead of a current sensing method while adopting a one-scan structure.

이에 따라, 적분기를 이용한 전류 센싱 방식을 사용하지 않고도 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱할 수 있어, 비용 절감 측면에서 이점이 있다.Accordingly, it is possible to sense the degree of deterioration of the light emitting device ED without using a current sensing method using an integrator, which is advantageous in terms of cost reduction.

따라서, 본 발명의 실시예들에 의할 경우 데이터 구동 회로(120)에 적분기를 포함하지 않고 1 스캔 구조에서 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱하고 열화를 보상할 수 있는 표시 장치(100)를 제공할 수 있다. Accordingly, according to embodiments of the present invention, the display device 100 capable of sensing the deterioration degree of the light emitting element ED and compensating for deterioration in a one-scan structure without including an integrator in the data driving circuit 120 . can provide

도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 센싱 구동을 단계적으로 나타낸 도면이다. 11 is a diagram illustrating a sensing operation step by step according to embodiments of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 센싱 구동은 초기화(Initial) 단계(S1110)와 트래킹(Tracking) 단계(S1120)와 센싱(Sensing) 단계(S1130~S1160)를 포함할 수 있으며, 센싱 단계는 다시, 제1 센싱 단계(S1130), 제2 센싱 단계(S1140), 제3 센싱 단계(S1150)와 제4 센싱 단계(S1160)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11, sensing driving according to embodiments of the present invention may include an initialization step (S1110), a tracking step (S1120), and a sensing step (S1130 to S1160). , the sensing step may again include a first sensing step (S1130), a second sensing step (S1140), a third sensing step (S1150), and a fourth sensing step (S1160).

도 11을 참조하면, 초기화(Initial) 단계(S1110)에서는 데이터 라인 스위치(SWDL)가 턴-온 되고, 센싱 스위치(Spre)가 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)와 소스 노드(N2)에 각각 정전압을 인가해줄 수 있다. 게이트 노드(N1)에 인가되는 전압은 센싱 구동용 데이터 전압일 수 있다. 소스 노드(N2)에 인가되는 전압은 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)일 수 있다. Referring to FIG. 11 , in the initialization step S1110 , the data line switch SWDL is turned on, the sensing switch Spre is turned on, and the gate node N1 of the driving transistor DRT is A constant voltage may be applied to each of the source nodes N2 . The voltage applied to the gate node N1 may be a data voltage for sensing driving. The voltage applied to the source node N2 may be a sensing driving reference voltage VpreS.

트래킹(tracking) 단계(S1120)에서 데이터 라인 스위치(SWDL)가 턴-온 상태를 유지하고, 센싱 스위치(Spre)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)에 정전압이 인가되고, 소스 노드(N2)의 전압은 가변될 수 있다. 소스 노드(N2)의 전압(Vs) 값은 커질 수 있다. 이 때, 소스 노드(N2)의 전압(Vs)은 발광 소자(ED)의 열화가 진행된 정도에 따라 더 높은 전압에서 포화될 수 있다. In the tracking step S1120 , the data line switch SWDL maintains a turned-on state, and the sensing switch Spre is turned off, and a constant voltage is applied to the gate node N1 of the driving transistor DRT. and the voltage of the source node N2 may be varied. The voltage Vs of the source node N2 may increase. In this case, the voltage Vs of the source node N2 may be saturated at a higher voltage according to the degree of deterioration of the light emitting device ED.

제1 센싱 단계(S1130)에서 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 되고, 센싱 스위치(Spre)는 턴-오프 상태를 유지하며, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)의 전압(Vs)이 낮아짐에 따라, 소스 노드(N2)와 커플링 된 게이트 노드(N1)의 전압도 낮아질 수 있다. In the first sensing step S1130 , the data line switch SWDL is turned off, the sensing switch Spre maintains a turned-off state, and the voltage Vs of the source node N2 of the driving transistor DRT is As this becomes lower, the voltage of the gate node N1 coupled to the source node N2 may also be lowered.

제2 센싱 단계(S1140)에서 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 상태를 유지하고, 센싱 스위치(Spre)는 턴-온 되며, 소스 노드(N2)에는 센싱 구동용 기준 전압(VpreS)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 소스 노드(N2)의 전압(Vs)은 일정한 값을 가지고, 소스 노드(N2)와 커플링 된 게이트 노드(N1)의 전압도 일정한 값을 가질 수 있다. In the second sensing step S1140 , the data line switch SWDL maintains a turned-off state, the sensing switch Spre is turned on, and a sensing driving reference voltage VpreS is applied to the source node N2 . can be Accordingly, the voltage Vs of the source node N2 may have a constant value, and the voltage of the gate node N1 coupled to the source node N2 may also have a constant value.

제3 센싱 단계(S1150)에서 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 상태를 유지하고, 센싱 스위치(Spre)는 턴-오프 되며, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)의 전압(Vs) 값은 커질 수 있다. 소스 노드(N2)와 커플링 되어 있는 게이트 노드(N1)의 전압 또한 커질 수 있다. 소스 노드(N2)의 전압이 커질수록, 소스 노드(N2)와 전기적으로 연결된 센싱 라인(SL)에 인가되는 전압도 커질 수 있다.In the third sensing step S1150 , the data line switch SWDL maintains a turned-off state, the sensing switch Spre is turned off, and the voltage Vs of the source node N2 of the driving transistor DRT. The value can be large. The voltage of the gate node N1 coupled to the source node N2 may also increase. As the voltage of the source node N2 increases, the voltage applied to the sensing line SL electrically connected to the source node N2 may also increase.

제4 센싱 단계(S1160)에서 데이터 라인 스위치(SWDL)는 턴-오프 상태를 유지하고, 센싱 스위치(Spre)는 턴-오프 상태를 유지하며, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되고, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 센싱 라인(SL)의 전압이 인가될 수 있다. In the fourth sensing step S1160, the data line switch SWDL maintains a turn-off state, the sensing switch Spre maintains a turn-off state, the sampling switch SAM is turned on, and the analog digital The voltage of the sensing line SL may be applied to the converter ADC.

이에 따라, 본 발명에 따른 실시예들은 개구 면적을 크게 하면서 저렴한 데이터 구동 회로(120)를 사용한 표시 장치(100)를 제공할 수 있다. Accordingly, embodiments according to the present invention can provide the display device 100 using the inexpensive data driving circuit 120 while increasing the opening area.

도 12는 본 발명의 실시예들에 따라 발광 소자(ED)의 열화 정도를 센싱하기 위한 각 기간별 제어신호 및 전압 파형을 도시한 도면이다.12 is a diagram illustrating control signals and voltage waveforms for each period for sensing the degree of deterioration of the light emitting device ED according to embodiments of the present invention.

도 3과 도 12를 참조하면, 발광 소자(ED)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)와 소스 노드(N2) 간 전압에 의해 발광한다. 구동 트랜지스터(DRT)와 발광 소자(ED)를 등가 회로 상에서 표현하면, 구동 트랜지스터(DRT)와 발광 소자(ED)는 각각 저항 성분으로 표현될 수 있다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2) 노드의 전압(Vs)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 저항 성분(R1)과 발광 소자(ED)의 제2 저항 성분(R2)의 전압 분배 법칙에 따라 결정될 수 있다. 3 and 12 , the light emitting device ED emits light according to a voltage between the gate node N1 and the source node N2 of the driving transistor DRT. When the driving transistor DRT and the light emitting device ED are expressed on an equivalent circuit, the driving transistor DRT and the light emitting device ED may be expressed as resistance components, respectively. In addition, the voltage Vs of the source node N2 node of the driving transistor DRT is divided by the voltage of the first resistance component R1 of the driving transistor DRT and the second resistance component R2 of the light emitting device ED. It can be determined by law.

발광 소자(ED)가 열화 되면 발광 소자의 저항 성분이 증가한다. 따라서, 등가 회로상에서 표현된다면 제2 저항(R2)이 증가한다고 말할 수 있다. 발광 소자(ED)의 열화로 인해 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드와 소스 노드간 전류(Ids)가 감소하기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)와 소스 노드(N2)간 전압은 열화 전에 비해, 열화 후에 작아진다. When the light emitting element ED is deteriorated, a resistance component of the light emitting element increases. Accordingly, it can be said that the second resistance R2 increases if expressed on an equivalent circuit. Since the current Ids between the drain node and the source node of the driving transistor DRT decreases due to the deterioration of the light emitting device ED, the voltage between the gate node N1 and the source node N2 of the driving transistor DRT is Compared with before deterioration, it becomes small after deterioration.

따라서, 센싱 라인(SL)의 라인 커패시터(Cline)에 저장되는 전하량의 크기도, 열화 정도에 따라 작은 값으로 충전된다. 단위 시간당 열화 정도에 따라 라인 커패시터(Cline)에 충전되는 전하량의 기울기는, 발광 소자(ED)의 열화의 정도가 높아짐에 따라, 작아질 수 있다. Accordingly, the amount of charge stored in the line capacitor Cline of the sensing line SL is also charged to a small value according to the degree of deterioration. The slope of the amount of charge charged in the line capacitor Cline according to the degree of degradation per unit time may decrease as the degree of degradation of the light emitting device ED increases.

따라서, 샘플링 스위치(SAM)가, 예를 들어, 센싱 스위치(Spre)가 턴-오프 되는 시점으로부터 일정한 시간 간격을 가지고 턴-온 되더라도, 발광 소자(ED)의 열화 정도에 따라, 라인 커패시터(Cline)에 의해 센싱 라인(SL)에 인가되는 전압의 크기는 달라질 수 있다. 이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 인가되는 전압 값은 달라질 수 있다. Therefore, even if the sampling switch SAM is turned on with a predetermined time interval from the point at which the sensing switch Spre is turned off, for example, depending on the degree of deterioration of the light emitting element ED, the line capacitor Cline ), the magnitude of the voltage applied to the sensing line SL may vary. Accordingly, a voltage value applied to the analog-to-digital converter (ADC) may vary.

즉, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압은 발광 소자(ED)의 열화 정도를 반영하는 전압 값일 수 있다. 예를 들어, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압 값은 발광 소자(ED)의 열화가 더 심해질수록, 낮아질 수 있다. That is, the voltage sensed by the analog-to-digital converter ADC may be a voltage value reflecting the degree of deterioration of the light emitting device ED. For example, the voltage value sensed by the analog-to-digital converter ADC may decrease as the deterioration of the light emitting element ED increases.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)에 포함된 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 센싱 라인(SL)의 전압을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값인 센싱 데이터(센싱 값)를 컨트롤러(140)로 전송할 수 있다.The analog-to-digital converter (ADC) included in the display device 100 according to the embodiments of the present invention converts the voltage of the sensing line SL into a digital value, and converts the sensed data (sensing value), which is the converted digital value, to the controller ( 140) can be transmitted.

컨트롤러(140)는 센싱 데이터를 수신하여, 센싱 데이터를 토대로 발광 소자(ED)의 열화를 파악하고, 이를 토대로 발광 소자(ED)들 간의 열화편차를 보상해주기 위한 보상값을 산출하여 메모리에 저장한다. The controller 140 receives the sensing data, detects deterioration of the light emitting device ED based on the sensed data, calculates a compensation value for compensating for deterioration deviation between the light emitting devices ED based on this, and stores it in the memory. .

컨트롤러(140)는 메모리에 저장된 보상값에 기초하여 해당 서브 픽셀(SP)로 공급할 영상 데이터(Data)를 변경하여 데이터 구동 회로(120)로 공급할 수 있다. 이에 따라, 데이터 구동 회로(120)는 변경된 영상 데이터(Data')를 아날로그 전압 형태의 데이터 전압(Vdata')으로 변환하여 해당 데이터 라인으로 출력할 수 있다. 이에 따라, 해당 서브 픽셀(SP) 내 발광 소자(ED)의 열화 보상이 실제로 이루어질 수 있다. The controller 140 may change the image data to be supplied to the corresponding sub-pixel SP based on the compensation value stored in the memory and supply it to the data driving circuit 120 . Accordingly, the data driving circuit 120 may convert the changed image data Data' into a data voltage Vdata' in the form of an analog voltage and output it to a corresponding data line. Accordingly, deterioration compensation of the light emitting device ED in the corresponding sub-pixel SP may be actually performed.

여기서, 발광 소자(ED)의 열화는 발광 소자(ED)의 문턱전압을 의미할 수 있으며, 발광 소자(ED)들 간의 열화편차는 발광 소자(ED)들 간의 문턱전압 편차를 의미하는 것일 수 있다. Here, the deterioration of the light emitting element ED may mean a threshold voltage of the light emitting element ED, and the deterioration deviation between the light emitting elements ED may mean a threshold voltage deviation between the light emitting elements ED. .

이에 따라, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 1 스캔 구조에서 데이터 구동 회로(120)에 적분기를 추가하지 않고도 발광 소자(ED)의 특성치 보상이 가능하게 될 수 있다. 이에 따라, 개구 면적이 넓어 고휘도를 구현함과 동시에, 데이터 구동 회로(120)의 제조 비용이 저렴한 표시 장치(100)를 제공할 수 있다. Accordingly, in the display device 100 according to the exemplary embodiments of the present invention, it is possible to compensate the characteristic value of the light emitting device ED without adding an integrator to the data driving circuit 120 in the one scan structure. Accordingly, it is possible to provide the display device 100 having a large opening area, realizing high luminance, and having a low manufacturing cost of the data driving circuit 120 .

또한, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 발광 소자(ED)의 열화를 보상함으로써, 장시간 표시 장치(100) 구동 시 잔상이 남는 문제를 개선해줄 수 있다. In addition, the display device 100 according to embodiments of the present invention compensates for deterioration of the light emitting device ED, thereby improving the problem of an afterimage remaining when the display device 100 is driven for a long time.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. In addition, since the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 표시 장치
110: 표시 패널
120: 데이터 구동 회로
130: 게이트 구동 회로
140: 컨트롤러
1000: 기준 전압 출력부
100: display device
110: display panel
120: data driving circuit
130: gate driving circuit
140: controller
1000: reference voltage output unit

Claims (12)

표시 장치에 있어서,
다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들과 발광 소자를 포함하는 다수의 서브 픽셀들을 포함하는 표시 패널;
상기 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로; 및
상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 서브 픽셀들 각각은,
상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터;
게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터;
상기 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 센싱 라인 간의 연결을 제어하는 센싱 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터를 포함하며,
상기 표시 장치는,
상기 데이터 구동 회로 내 데이터 전압이 출력되는 데이터 전압 출력 노드와 상기 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 제1 스위치;
상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압을 공급하는 제2 스위치;
상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 아날로그 디지털 컨버터; 및
상기 센싱 라인과 상기 아날로그 디지털 컨버터 간의 전기적인 연결을 제어하는 제3 스위치를 더 포함하고,
상기 제1 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제1 노드의 전압은 변동되며,
상기 제2 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제2 노드에는 센싱 구동용 기준 전압이 인가되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제2 노드의 전압은 변동되며,
상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태이고, 상기 제1 노드의 전압이 증가하는 기간에서, 상기 제3 스위치가 턴-온 되어, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치.
In the display device,
a display panel including a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of sub-pixels including a light emitting device;
a data driving circuit for driving the plurality of data lines; and
a gate driving circuit for driving the plurality of gate lines;
Each of the plurality of sub-pixels,
a driving transistor for driving the light emitting device;
a switching transistor controlled by a gate signal and controlling a connection between a first node of the driving transistor and a corresponding data line;
a sensing transistor controlled by the gate signal and controlling a connection between a second node of the driving transistor and a corresponding sensing line; and
a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor;
The display device is
a first switch for controlling a connection between a data voltage output node to which a data voltage is output in the data driving circuit and the data line;
a second switch for supplying a sensing driving reference voltage to the second node;
an analog-to-digital converter for sensing the voltage of the sensing line; and
Further comprising a third switch for controlling an electrical connection between the sensing line and the analog-to-digital converter,
When the first switch is in a turn-on state, a sensing driving data voltage is applied to the first node, and when the first switch is in a turn-off state, the voltage of the first node varies;
When the second switch is in a turn-on state, a sensing driving reference voltage is applied to the second node, and when the second switch is in a turn-off state, the voltage of the second node fluctuates;
In a period in which the first switch and the second switch are turned off and the voltage of the first node is increased, the third switch is turned on, and the analog-to-digital converter senses the voltage of the sensing line. display device.
제1항에 있어서,
제1 기간 동안,
상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치는 턴-온 되고,
상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 인가되는 표시 장치.
According to claim 1,
during the first period,
The first switch and the second switch are turned on,
A display device in which a sensing driving data voltage is applied to the first node and a sensing driving reference voltage is applied to the second node.
제2항에 있어서,
상기 제1 기간 이후 제2 기간 동안,
상기 제1 스위치는 턴-온 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치는 턴-오프 되며,
상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제2 노드는 전압이 상승하는 표시 장치.
3. The method of claim 2,
for a second period after the first period,
The first switch maintains a turned-on state, and the second switch is turned off,
A data voltage for sensing driving is applied to the first node, and a voltage is increased to the second node.
제3항에 있어서,
상기 제2 기간 이후 제3 기간 동안,
상기 제1 스위치는 턴-오프 되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태를 유지하며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 각각의 전압이 동시에 하강하고,
상기 제3 기간 이후 제4 기간 동안,
상기 제1 스위치는 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치는 턴-온 되며, 상기 센싱 구동용 기준 전압이 상기 제2 노드에 다시 인가되고, 상기 제1 노드의 전압은 상기 제2 노드의 전압 변동량만큼 변화하며,
상기 제4 기간 이후 제5 기간 동안,
상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 각각의 전압이 동시에 상승하는 표시 장치.
4. The method of claim 3,
for a third period after the second period,
The first switch is turned off, the second switch maintains a turned-off state, and the voltages of the first node and the second node decrease at the same time,
for a fourth period after the third period,
The first switch maintains a turned-off state, the second switch is turned on, the sensing driving reference voltage is again applied to the second node, and the voltage of the first node is applied to the second node changes by the amount of voltage fluctuation of
for a fifth period after the fourth period,
A display device in which the first switch maintains a turned-off state, the second switch is turned off, and voltages of the first node and the second node increase simultaneously.
제4항에 있어서,
상기 제5 기간 이후,
상기 제3 스위치는 턴-온 되고, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치.
5. The method of claim 4,
after the fifth period,
The third switch is turned on, and the analog-to-digital converter senses the voltage of the sensing line.
제1항에 있어서,
상기 스위칭 트랜지스터와 상기 센싱 트랜지스터에 턴-온 레벨 전압 구간의 게이트 신호가 인가된 시점부터, 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 센싱 트랜지스터에 턴-오프 레벨 전압 구간의 게이트 신호가 인가되기 전까지의 기간에,
상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되거나, 상기 제1 노드의 전압이 변동되고,
상기 제2 노드에는 센싱 구동용 기준 전압이 인가되거나, 상기 제2 노드의 전압이 변동되는 표시 장치.
According to claim 1,
In the period from when the gate signal of the turn-on level voltage period is applied to the switching transistor and the sensing transistor until the gate signal of the turn-off level voltage period is applied to the switching transistor and the sensing transistor,
A data voltage for sensing driving is applied to the first node, or the voltage of the first node is changed;
A display device in which a sensing driving reference voltage is applied to the second node or a voltage of the second node is varied.
제1항에 있어서,
상기 센싱 라인에 전기적으로 연결된 라인 커패시터를 더 포함하고,
상기 라인 커패시터는,
상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 재차 인가되었다가 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태인 기간에 충전되는 표시 장치.
According to claim 1,
Further comprising a line capacitor electrically connected to the sensing line,
The line capacitor is
A display device in which the sensing driving reference voltage is applied to the second node again and is charged during a period in which the first switch and the second switch are turned off.
표시 장치 구동 방법에 있어서,
상기 표시 장치는,
다수의 데이터 라인들, 다수의 게이트 라인들과 발광 소자를 포함하는 다수의 서브 픽셀들을 포함하는 표시 패널;
상기 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로; 및
상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 서브 픽셀들 각각은,
상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터;
게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터;
상기 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 센싱 라인 간의 연결을 제어하는 센싱 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터를 포함하며,
상기 표시 장치는,
상기 데이터 구동 회로 내 데이터 전압이 출력되는 데이터 전압 출력 노드와 상기 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 제1 스위치;
상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압을 공급하는 제2 스위치;
상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 아날로그 디지털 컨버터; 및
상기 센싱 라인과 상기 아날로그 디지털 컨버터 간의 전기적인 연결을 제어하는 제3 스위치를 더 포함하고,
상기 제1 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제1 노드의 전압은 변동되며,
상기 제2 스위치가 턴-온 상태일 때, 상기 제2 노드에는 센싱 구동용 기준 전압이 인가되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태일 때, 상기 제2 노드의 전압은 변동되며,
상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태이고, 상기 제1 노드의 전압이 증가하는 기간에서, 상기 제3 스위치가 턴-온 되어, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
상기 표시 장치의 구동은,
상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치가 턴-온 되고, 상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되며, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 인가되는 단계;
상기 제1 스위치가 턴-온 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되며, 상기 제1 노드에 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 제2 노드의 전압이 상승하는 단계;
상기 제1 스위치가 턴-오프 되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태를 유지하며, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드의 전압이 낮아지는 단계;
상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-온 되며, 상기 제2 노드에 센싱 구동용 기준 전압이 다시 인가되는 단계;
상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되며, 상기 제1 노드의 전압과 상기 제2 노드의 전압이 동시에 상승하는 단계;
상기 제3 스위치가 턴-온 되고 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 단계를 포함하는 표시 장치 구동 방법.
A method of driving a display device, comprising:
The display device is
a display panel including a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of sub-pixels including a light emitting device;
a data driving circuit for driving the plurality of data lines; and
a gate driving circuit for driving the plurality of gate lines;
Each of the plurality of sub-pixels,
a driving transistor for driving the light emitting device;
a switching transistor controlled by a gate signal and controlling a connection between a first node of the driving transistor and a corresponding data line;
a sensing transistor controlled by the gate signal and controlling a connection between a second node of the driving transistor and a corresponding sensing line; and
a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor;
The display device is
a first switch for controlling a connection between a data voltage output node to which a data voltage is output in the data driving circuit and the data line;
a second switch for supplying a sensing driving reference voltage to the second node;
an analog-to-digital converter for sensing the voltage of the sensing line; and
Further comprising a third switch for controlling an electrical connection between the sensing line and the analog-to-digital converter,
When the first switch is in a turn-on state, a sensing driving data voltage is applied to the first node, and when the first switch is in a turn-off state, the voltage of the first node varies;
When the second switch is in a turn-on state, a sensing driving reference voltage is applied to the second node, and when the second switch is in a turn-off state, the voltage of the second node fluctuates;
In a period in which the first switch and the second switch are turned off and the voltage of the first node is increased, the third switch is turned on, and the analog-to-digital converter senses the voltage of the sensing line. In the method of driving a display device,
Driving the display device,
turning on the first switch and the second switch, applying a sensing driving data voltage to the first node, and applying a sensing driving reference voltage to the second node;
maintaining the first switch in a turned-on state, turning the second switch off, applying a sensing driving data voltage to the first node, and increasing the voltage of the second node;
turning off the first switch, maintaining the second switch in a turned-off state, and lowering voltages of the first node and the second node;
maintaining the first switch in a turned-off state, turning the second switch on, and applying a sensing driving reference voltage to the second node again;
maintaining the first switch in a turned-off state, turning the second switch off, and simultaneously increasing the voltage of the first node and the voltage of the second node;
and the third switch is turned on and the analog-to-digital converter senses the voltage of the sensing line.
제8항에 있어서,
상기 스위칭 트랜지스터와 상기 센싱 트랜지스터에 턴-온 레벨 전압 구간의 게이트 신호가 인가되는 기간에,
상기 제3 스위치는 턴-온 되고, 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 표시 장치 구동 방법.
9. The method of claim 8,
During a period in which a gate signal of a turn-on level voltage section is applied to the switching transistor and the sensing transistor,
The third switch is turned on, and the analog-to-digital converter senses the voltage of the sensing line.
데이터 라인으로 데이터 전압을 출력하는 데이터 전압 출력부;
센싱 라인으로 센싱 구동용 기준 전압을 출력하는 기준 전압 출력부;
상기 센싱 라인과 연결되어 상기 센싱 라인의 전압을 센싱하는 전압 센싱부;
상기 데이터 전압 출력부의 데이터 전압 출력 노드와 연결되어, 상기 데이터 라인으로 센싱 구동용 데이터 전압의 출력을 제어하는 제1 스위치;
상기 기준 전압 출력부의 센싱 구동용 기준 전압 출력 노드와 연결되어, 상기 센싱 구동용 기준 전압의 출력을 제어하는 제2 스위치; 및
상기 전압 센싱부의 전압 입력 노드와 연결되어, 상기 전압 센싱부로 상기 센싱 라인의 전압의 입력을 제어하는 제3 스위치를 포함하고,
상기 제1 스위치가 턴-온 되어 센싱 구동용 데이터 전압이 출력되고, 상기 제2 스위치가 턴-온 되어 센싱 구동용 기준 전압이 출력되는 제1 기간;
상기 제1 기간 이후에 상기 제1 스위치가 턴-온 상태를 유지하고 센싱 구동용 데이터 전압이 출력되고, 상기 제2 스위치가 턴-오프 되는 제2 기간;
상기 제2 기간 이후에 상기 제1 스위치는 턴-오프 되고 상기 제2 스위치는 턴-오프 상태를 유지하는 제3 기간;
상기 제3 기간 이후에 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고 상기 제2 스위치가 턴-온 되어 센싱 구동용 기준 전압이 출력되는 제4 기간;
상기 제4 기간 이후에 상기 제1 스위치가 턴-오프 상태를 유지하고 상기 제2 스위치가 턴-오프 상태를 유지하는 제5 기간;
상기 제5 기간 이후에 상기 제3 스위치는 턴-온 되어 상기 전압 센싱부는 상기 센싱 라인의 전압을 입력받는 데이터 구동 회로.
a data voltage output unit outputting a data voltage to the data line;
a reference voltage output unit for outputting a reference voltage for sensing driving to the sensing line;
a voltage sensing unit connected to the sensing line to sense a voltage of the sensing line;
a first switch connected to a data voltage output node of the data voltage output unit to control an output of a data voltage for sensing driving to the data line;
a second switch connected to a reference voltage output node for sensing driving of the reference voltage output unit to control an output of the reference voltage for sensing driving; and
a third switch connected to a voltage input node of the voltage sensing unit to control input of a voltage of the sensing line to the voltage sensing unit;
a first period in which the first switch is turned on to output a sensing driving data voltage, and the second switch is turned on to output a sensing driving reference voltage;
a second period in which the first switch maintains a turn-on state after the first period, a sensing driving data voltage is output, and the second switch is turned off;
a third period in which the first switch is turned off and the second switch maintains a turned-off state after the second period;
a fourth period in which the first switch maintains a turn-off state and the second switch is turned on to output a sensing driving reference voltage after the third period;
a fifth period in which the first switch maintains a turn-off state and the second switch maintains a turn-off state after the fourth period;
After the fifth period, the third switch is turned on and the voltage sensing unit receives the voltage of the sensing line.
제10항에 있어서,
상기 데이터 구동 회로는,
상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치를 제어하는 컨트롤러와 전기적으로 연결되고,
상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치가 턴-온 되고 턴-오프 되는 타이밍은 상기 컨트롤러에서 출력되는 제어 신호에 의해 제어되는 데이터 구동 회로.
11. The method of claim 10,
The data driving circuit is
Electrically connected to a controller for controlling the first switch, the second switch, and the third switch,
The timing at which the first switch, the second switch, and the third switch are turned on and turned off is controlled by a control signal output from the controller.
표시 장치에 있어서,
다수의 데이터 라인들, 다수의 스캔 라인들과 발광 소자를 포함하는 다수의 서브 픽셀들을 포함하는 표시 패널;
상기 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 구동 회로; 및
상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로를 포함하고,
상기 다수의 서브 픽셀들 각각은,
상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터;
게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 해당 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터;
상기 게이트 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 해당 센싱 라인 간의 연결을 제어하는 센싱 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 커패시터를 포함하며,
상기 데이터 라인이 로우 임피던스 상태일 때, 상기 제1 노드에는 센싱 구동용 데이터 전압이 인가되고, 상기 데이터 라인이 하이 임피던스 상태일 때, 상기 제1 노드의 전압은 변동되며,
상기 데이터 라인의 임피던스가 미리 정의된 임계값 이상이면 상기 데이터 라인은 상기 하이 임피던스 상태이고, 상기 데이터 라인의 임피던스가 상기 임계값 미만이면 상기 데이터 라인은 상기 로우 임피던스 상태이며,
상기 센싱 라인으로 센싱 구동용 기준 전압이 공급될 때, 상기 제2 노드에는 상기 센싱 구동용 기준 전압이 인가되고, 상기 센싱 라인으로의 상기 센싱 구동용 기준 전압의 공급이 차단될 때, 상기 제2 노드의 전압은 변동되며,
상기 데이터 라인이 로우 임피던스 상태인 기간은 상기 발광 소자가 발광하는 기간을 포함하고, 상기 데이터 라인이 하이 임피던스 상태인 기간은 상기 발광 소자가 발광하지 않는 기간을 포함하는 표시 장치.
In the display device,
a display panel including a plurality of data lines, a plurality of scan lines, and a plurality of sub-pixels including a light emitting device;
a data driving circuit for driving the plurality of data lines; and
a gate driving circuit for driving the plurality of gate lines;
Each of the plurality of sub-pixels,
a driving transistor for driving the light emitting device;
a switching transistor controlled by a gate signal and controlling a connection between a first node of the driving transistor and a corresponding data line;
a sensing transistor controlled by the gate signal and controlling a connection between a second node of the driving transistor and a corresponding sensing line; and
a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor;
When the data line is in a low impedance state, a sensing driving data voltage is applied to the first node, and when the data line is in a high impedance state, the voltage of the first node varies;
When the impedance of the data line is greater than or equal to a predefined threshold, the data line is in the high-impedance state, and when the impedance of the data line is less than the threshold, the data line is in the low-impedance state;
When the sensing driving reference voltage is supplied to the sensing line, the sensing driving reference voltage is applied to the second node, and when the supply of the sensing driving reference voltage to the sensing line is cut off, the second The voltage at the node fluctuates,
A period in which the data line is in a low impedance state includes a period in which the light emitting element emits light, and a period in which the data line is in a high impedance state includes a period in which the light emitting element does not emit light.
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