KR20220071538A - 안테나를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

안테나를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 화소회로들이 배치되는 표시영역과, 표시영역의 주위에 배치되는 비표시영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 표시영역과 중첩되도록 배치되는 발광층, 기판 상에서 비표시영역과 중첩되는 위치에 배치되는 댐, 발광층 상에서 발광층과 중첩되게 배치되는 봉지층 및 댐과 중첩되게 배치되는 안테나를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다.

Description

안테나를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법{DISPLAY DEVICE INCLUDING ANTENNA AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명의 실시예들은 안테나를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치로는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display device), 전계발광 표시장치(ELD; Electroluminescence Display device) 등과 같은 여러 가지 타입의 표시장치가 활용되고 있다.
그리고, 전계발광 표시장치(ELD)는 퀀텀닷(QD: Quantum Dot)을 포함하는 퀀텀닷 발광표시장치(Quantum-dot Light Emitting Display device), 무기 발광 표시장치(Inorganic Light Emitting Display device), 및 유기 발광표시 장치(Organic Light Emitting Display device) 등을 포함할 수 있다.
상기의 표시장치 중 전계발광 표시장치는 응답속도, 시야각, 색재현성 등이 매우 우수하게 구현될 수 있다. 또한, 두께가 얇게 구현될 수 있는 장점이 있다.
최근에 표시장치를 채용한 전자기기는 외부로부터 무선신호를 수신하거나 무선신호를 송신하기 위한 안테나를 채택하고 있다. 전자장치는 근거리에서 통신을 할 수 있는 NFC(Near Field Communication)과 같은 근거리 통신 모듈이 채용되고 있다.
또한, 전자장치는 심미감 또는 휴대를 간편하게 하기 위해 베젤이 얇은 표시장치를 채용하고 있는데, 근거리 통신 모듈은 일정한 면적을 차지하고 있어서, 근거리 통신모듈을 채용한 표시장치는 베젤이 얇게 구현되는데 어려움이 있다.
본 발명의 실시예들은 근거리 통신을 위한 안테나를 실장하는 표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들은 베젤이 얇게 구현될 수 있는 표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 화소회로들이 배치되는 표시영역과, 표시영역의 주위에 배치되는 비표시영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 표시영역과 중첩되도록 배치되는 발광층, 기판 상에서 비표시영역과 중첩되는 위치에 배치되는 댐, 발광층 상에서 발광층과 중첩되게 배치되는 봉지층 및 댐과 중첩되게 배치되는 안테나를 포함하는 표시장치를 포함할 수 있다.
다른 일 측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 제조방법은 기판 상에 표시영역과, 상기 표시영역의 테두리에 배치되는 비표시영역을 형성하는 단계, 비표싱영역과 중첩되는 위치에 댐과 댐과 중첩되는 위치에 배치되는 안테나를 형성하는 단계 및 표시영역과 중첩되는 위치에 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 근거리 통신을 할 수 있는 안테나를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 베젤이 얇게 구현됨으로써 심미감 또는 휴대를 간편하게 할 수 있는 안테나를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치를 나타내는 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시에들에 따른 표시장치에서 채용된 화소의 일실시예를 나타내는 회로도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 표시장치의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 표시장치에서 Ⅰ-Ⅰ'의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 댐과 안테나가 중첩되어 있는 것을 나타내는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 제1영역에 배치되어 있는 화소회로의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 4에 도시된 표시장치에서 A 영역을 확대한 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 B 영역을 확대한 도면이다.
도 10은 도 8에 도시된 C 영역을 확대한 도면이다.
도 11은 도 9에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 10에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명에 따른 안테나를 포함하는 표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치를 나타내는 구조도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(100)는 표시패널(110), 데이터 드라이버 회로(120), 게이트 드라이버 회로(130) 및 타이밍 컨트롤러(140)를 포함할 수 있다.
표시패널(110)은 복수의 화소(101)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(101)는 표시패널(110) 내에서 매트릭스 형태로 배치될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 복수의 화소(101)는 각각 적색, 녹색, 청색의 빛을 발광할 수 있다. 하지만, 각각의 화소에서 발광하는 빛의 색은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 표시패널(110)은 사각형의 형상일 수 있다.
표시패널(110)에는 복수의 게이트라인(GL1 내지 GLn)과 복수의 데이터라인(DL1 내지 DLm)이 배치되고, 게이트 라인(GL1 내지 GLn)과 데이터라인(DL1 내지 DLm)에 복수의 화소(101)가 연결될 수 있다. 각 화소(101)는 게이트라인(GL1 내지 GLn)을 통해 전달되는 게이트신호에 대응하여 데이터라인(DL1 내지 DLm)을 통해 전달되는 데이터 신호를 전달받을 수 있다. 하지만, 표시패널(110)에 배치되는 배선들은 이에 한정되는 것은 아니다. .
데이터 드라이버 회로(120)는 복수의 데이터라인(DL1 내지 DLm)과 연결되어 데이터라인(DL1 내지 DLm)을 통해 데이터 신호를 화소(101)에 전달할 수 있다. 여기서, 데이터 드라이버 회로(120)는 한 개인 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 드라이버 회로(130)는 게이트라인(GL1 내지 GLn)과 연결되고 게이트라인(GL1 내지 GLn)을 통해 게이트신호를 복수의 화소(101)에 공급할 수 있다. 여기서, 게이트 드라이버 회로(130)는 표시패널(110)의 일측에 배치되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시패널(110)의 양측에 배치될 수 있다. 그리고, 하나의 게이트 드라이버 회로(130)는 홀수번째 게이트 라인에 연결되고 다른 하나의 게이트 드라이버 회로는 짝수번째 게이트 라인에 연결될 수 있다. 또한, 표시장치(100)는 별도의 게이트 드라이버 회로를 포함하지 않고 표시패널(110)에 게이트신호를 발생하는 게이트신호 발생회로가 배치될 수 있다.
또한, 게이트 드라이버 회로(130)는 표시패널(110) 내에 배치될 수 있다.
타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 드라이버 회로(120)와 게이트 드라이버 회로(130)를 제어할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(140)는 영상신호(RGB)와 데이터제어신호(DCS)를 데이터 드라이버 회로(120)에 공급하고 게이트제어신호(GCS)를 게이트 드라이버 회로(130)에 공급할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시에들에 따른 표시장치에서 채용된 화소의 일실시예를 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 화소(101)는 구동전류를 공급하는 화소회로(101P)와, 구동전류를 공급받아 빛을 발광하는 발광소자(ED)를 포함할 수 있다.
화소회로(101P)는 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2), 제3트랜지스터(M3) 및 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(M1)는 제1전극이 제1전원(EVDD)을 공급하는 제1전원라인(VL1)에 연결되고 제2전극이 제1노드(N1)에 연결될 수 있다. 또한, 제1트랜지스터(M1)는 게이트전극이 제2노드(N1)에 연결될 수 있다. 제1트랜지스터(M1)는 제2노드(N2)에 인가된 전압에 대응하여 제1노드(N1)로 구동전류가 흐르게 할 수 있다.
제2트랜지스터(M2)는 제1전극이 데이터라인(DL)에 연결되고 제2전극이 제2노드(N2)에 연결될 수 있다. 또한, 제2트랜지스터(M2)는 게이트 전극이 게이트라인(GL)에 연결될 수 있다. 제2트랜지스터(M2)는 게이트라인(GL)을 통해 전달되는 게이트신호(GATE)에 대응하여 데이터라인(DL)에 흐르는 데이터신호(Vdata)를 제2노드(N2)에 전달할 수 있다.
제3트랜지스터(M3)는 제1전극이 기준전압(Vref)을 공급할 수 있는 제2전압라인(VL2)에 연결되고 제2전극이 제1노드(N1)에 연결될 수 있다. 또한, 제3트랜지스터(M3)는 게이트전극이 센싱제어신호라인(SSL)에 연결될 수 있다. 제3트랜지스터(M3)는 센싱제어신호라인(SSL)을 통해 전달되는 센싱제어신호(SENSE)에 의해 제1노드(N2)에 기준전압(Vref)을 공급하거나 제1노드(N1)의 전압을 제2전압라인(VL2)에 공급할 수 있다.
캐패시터(Cst)는 제1전극이 제1노드(N1)에 연결되고 제2전극이 제2노드(N2)에 연결될 수 있다. 캐패시터(Cst)는 제2노드(N2)에 인가된 전압을 유지할 수 있다.
그리고, 발광소자(ED)는 애노드전극, 캐소드 전극 및 애노드전극과 캐소드 전극 사이에 배치되며 전류가 흐르면 빛을 발광하는 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은 유기물질, 무기물질 및 퀀텀닷(Quantaum Dot) 물질 중 적어도 하나일 수 있다.
또한, 제2전원라인(VL2)에는 샘플링스위치(SAM)을 통해 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 연결될 수 있다. 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 샘플링스위치(SAM)가 턴온되면 제2전원라인(VL2)에 전달된 제1노드(N1)의 전압을 전달받아 디지털신호로 변환하여 도 1에 도시된 타이밍 컨트롤러(140)로 공급할 수 있다. 제1노드(N1)의 전압은 제1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 대응하는 전압이 저장될 수 있어서, 타이밍 컨트롤러(140)는 디지털 신호로 변환된 제1노드(N1)의 전압을 이용하여 제1트랜지스터(M1)의 문턱전압의 크기를 산출할 수 있다.
상기와 같이 구성된 화소(101)에서 제1트랜지스터(M1) 내지 제3트랜지스터(M3)는 N 모스 타입의 트랜지스터일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 내지 제3트랜스터(M1 내지 M3)의 제1전극과 제2전극은 각각 드레인전극과 소스전극일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치를 나타내는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 표시장치(100)는 표시영역(110a)과, 표시영역(110a) 주위에 배치되는 비표시영역(110b)을 포함할 수 있다.
표시영역(110a)에는 복수의 화소회로(101P)가 배치되고, 비표시영역(110b)에는 화소회로(101P)에 신호 및/또는 전압을 인가하는 배선이 배치될 수 있다. 또한, 비표시영역(110b)에는 댐(320)이 배치될 수 있다. 표시영역(110a)과 중첩되게 배치되는 발광층과, 발광층 상에 배치되어 발광층에 수분과 같은 이물이 침투하는 것을 방지하는 봉지층이 배치될 수 있고, 봉지층은 댐(320)에 의해 댐(320)의 외측으로 넘치지 않게 될 수 있다. 댐(320)은 표시영역(110a)의 테두리와 인접하게 배치될 수 있다. 봉지층의 일부는 댐(320) 상부 또는 비표시영역(110b)에 배치될 수 있다. 또한, 표시장치(100)는 안테나(330)를 포함할 수 있다. 안테나(330)는 루프 형태의 안테나일 수 있다. 표시장치(100)가 안테나를 포함하고 있어서 NFC(Near Field Communication)과 같은 근거리 통신 모듈에서 안테나를 사용할 수 있다.
안테나(330)는 도 3a에 도시되어 있는 것과 같이 댐(320)의 외측에 배치될 수 있다. 또한, 안테나(330)는 도 3b에 도시되어 있는 것과 같이 댐(320)의 내측에 안테나(330)가 배치될 수 있다.
안테나(330)가 도 3b에 도시되어 있는 것과 같이 댐(320)의 내측에 배치되게 되면, 표시장치(100)에서 표시영역(110a)의 면적이 작아질 수 있다. 또한, 안테나(330)는 봉지층과 중첩되게 배치되기 때문에, 안테나(330)가 배치될 때, 봉지층이 손상받는 것을 방지하기 위한 공정이 필요하게 될 수 있다.
안테나(330)가 도 3b에 도시되어 있는 것과 같이 댐(320)의 내측에 배치되면 표시영역(110a)의 면적이 작아지고, 도 3a에 도시되어 있는 것과 같이 댐(320)의 외측에 배치되면, 표시장치(100)에서 비표시영역(110b)의 면적이 커질 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 표시장치의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시장치(100)는 표시영역(110a)과, 표시영역(110a) 주위에 배치되는 비표시영역(110b)을 포함할 수 있다.
표시영역(110a)에는 복수의 화소회로(101P)가 배치되고, 비표시영역(110b)에는 화소회로(101P)에 신호 및/또는 전압을 인가하는 배선이 배치될 수 있다. 또한, 비표시영역(110b)에는 댐(320)이 배치될 수 있다. 그리고, 표시장치(100)는 표시영역(110a)과 중첩되게 배치되는 발광층과, 발광층 상에서 발광층에 수분과 같은 이물이 침투하는 것을 방지하는 봉지층을 포함할 수 있다. 봉지층은 댐(320)에 의해 댐(320)의 외측으로 봉지층이 넘치는 것을 방지할 수 있다.
댐(320)은 표시영역(110a)의 테두리와 인접하게 배치될 수 있다. 봉지층의 일부는 댐(320) 상부 또는 비표시영역(110b)에 배치될 수 있다. 또한, 표시장치(100)는 댐(320)과 중첩되는 위치에 배치되는 안테나(330)를 포함할 수 있다. 안테나(330)는 루프 형태의 안테나일 수 있다. 표시장치(100)가 안테나를 포함하고 있어서 NFC(Near Field Communication)과 같은 근거리 통신 모듈에서 표시장치(100)에 포함된 안테나를 사용할 수 있다.
안테나(330)는 댐(320)과 중첩되는 위치에 배치되기 때문에, 안테나(330)에 의해 표시영역(110a)의 면적이 적어지거나 비표시영역(110b)의 면적이 커지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 표시장치(100)의 베젤이 얇게 구현될 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 표시장치에서 Ⅰ-Ⅰ'의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시장치(100)는 기판(501), 기판(501) 상에 배치되는 버퍼층(502), 버퍼층(502) 상에 배치되는 게이트메탈(GM), 게이트메탈(GM) 상에 배치되는 평탄화층(503), 평탄화층(503) 상에서 패터닝되어 형성되어 있는 뱅크(504), 뱅크(504) 상에 배치되는 제1보호층(505), 제1보호층(505) 상에 배치되는 봉지층(506), 봉지층(506) 상에 배치되는 제2보호층(507)을 포함할 수 있다. 기판(501)은 폴리아미드(Polyamide)를 포함할 수 있다. 버퍼층(502)은 복수의 층이 적층되어 있을 수 있다. 봉지층(506)은 유기막일 수 있다. 그리고, 제1보호층(505)과 제2보호층(507)은 무기막일 수 있다.
기판(501)은 제1영역(510), 제2영역(520) 및 제3영역(530)을 포함할 수 있다. 제1영역(510)에는 화소회로(101P)가 배치될 수 있다. 화소회로(101P)는 복수의 트랜지스터를 포함할 수 있다. 제2영역(520)은 도 1에 도시된 게이트 드라이버 회로(130)에 대응하는 게이트신호발생회로가 배치될 수 있다. 제3영역(530)에는 댐(320)이 배치될수 있다.
제1영역(510)은 도 4의 표시영역(110a)에 대응될 수 있다. 그리고, 제2영역(520)과 제3영역(530)은 도 4의 비표시영역(110b)에 대응될 수 있다. 제2영역(520)에는 게이트신호발생회로와 게이트신호발생회로에 신호 및/또는 전압을 전달하는 배선을 형성하는 게이트메탈(GM)이 패터닝되어 배치될 수 있다. 그리고, 제3영역(530)에는 댐(320)과, 댐(320)에 중첩되는 안테나(330)가 배치될 수 있다.
제3영역(530)에 배치되어 있는 댐(320)은 이중으로 배치될 수 있고, 각각의 댐(320)은 두 개의 층을 포함할 수 있다. 하지만, 이는 예시적인 것으로 이에 한정되는 것은 아니며, 댐(320)은 한 개이상일 수 있고, 댐(320)은 두 개 이상의 층을 포함할 수 있다. 또한, 두 개의 댐(320)의 높이는 동일한 것으로 도시하고 있지만, 이는 예시적인 것으로 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 댐(320)을 이루는 두 층은 유기막이고, 각각 평탄화막(503)과 뱅크(504)를 형성하는 유기막에 대응될 수 있다. 그리고, 댐(320)과 중첩되도록 안테나(330)가 배치될 수 있다.
댐(320)과 안테나(330)가 중첩되어 있으면, 안테나(330)로 인해 표시영역(110a)의 면적이 좁아지거나 비표시영역(110b)의 면적이 넓어지지않게 될 수 있다. 여기서, 안테나(330)는 댐(320)과 완전히 중첩되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 안테나(330)의 일부는 댐(320)과 중첩되고 다른 일부는 댐(320)과 중첩되지 않을 수 있다.
표시장치(100)에서 안테나(330)가 댐(320)과 중첩되도록 배치되기 때문에 봉지층(506)의 상부에 배치되어 있는 제2보호막(507) 상에 안테나(330)가 배치되지 않아 안테나(330)를 배치하는 과정에서 추가적인 레이어가 형성되지 않게 될 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 댐과 안테나가 중첩되어 있는 것을 나타내는 도면이다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 댐(320)은 버퍼층(502) 상에 적층된 제1유기막(321)과 제2유기막(322)을 포함할 수 있다. 버퍼층(502)는 무기막을 포함하고 있어, 댐(320)은 무기막 상에 배치될 수 있다.
제1유기막(321)은 도 5에 도시된 평탄화막(503)과 동일한 물질일 수 있다. 또한, 제2유기막(322)은 도 5에 도시된 뱅크(504)와 동일한 물질일 수 있다. 제1유기막(321)은 평탄화막(503)이 형성될 버퍼층(502) 상에 배치되고 제2유기막(322)은 뱅크(504)가 형성될 때 제1유기막(321) 상에 형성될 수 있다.
안테나(330)는 도 6a에 도시되어 있는 것과 같이, 버퍼층(502)과 제1유기막(321) 사이에 배치될 수 이다. 안테나(330)는 도 6b에 도시되어 있는 것과 같이 제1유기막(321)과 제2유기막(322) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 안테나(330)는 도 6c에 도시되어 있는 것과 같이 제2유기막(322) 상에 배치될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 제1영역에 배치되어 있는 화소회로의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 7a과 도 7b는 기판(501)상에 배치되어 있는 화소회로에 포함되어 있는 트랜지스터를 도시한다. 화소회로(101P)는 버퍼층(502) 상에 배치되는 액티브층(ACT), 액티브층(ACT) 상에 배치되는 게이트 절연막(503a), 게이트 절연막(503a) 상에 배치되는 게이트 전극(GE), 게이트전극(GE) 상에 배치되는 제1층간절연막(503b), 게이트 절연막(503a)와 제1층간절연막(503b)에 형성된 컨텍홀을 통해 액티브층(ACT)에 각각 접촉하는 소스전극(SE)과 드레인전극(DE), 소스전극(SE)과 드레인전극(DE)이 배치되어 있는 제1층간절연막(503b) 상에 배치되는 제2층간절연막(503c), 제2층간절연막(503c) 상에 배치되는 제3층간절연막(503d), 제3층간절연막(503d) 상에 배치되며, 제2층간절연막(503c)과 제3층간절연막(503d)에 형성된 컨텍홀을 통해 소스전극(SE)와 접촉하는 애노드전극(ANE)를 포함할 수 있다.
액티브층(ACT)은 폴리실리콘, 비정질실리콘, 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)는 게이트메탈(GM)이 패터닝되어 형성될 수 있고 소스전극(SE)과 드레인전극(DE)은 제1소스드레인메탈이 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한, 도 4에 도시되어 있는 안테나(330)는 제1소스드레인메탈을 포함하고 제1소스드레인메탈이 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한, 도 4에 도시되어 있는 안테나(330)는 게이트메탈(GM)을 포함하고 게이트메탈(GM)이 패터닝되어 형성될 수 있다. 하지만, 안테나(330)에 포함된 물질은 이에 한정되는 것은 아니다. 바꾸어 말하면, 안테나(330)는 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)과 동일한 층에 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 게이트전극(GE)과 동일한 층에 형성될 수도 있다.
또한, 도 7b에 도시되어 있는 것과 같이, 제2층간절연막(503c)과 제3층간절연막(503d) 사이에 전극라인(EDL)이 배치될 수 있다. 전극라인(EDL)은 도 2에 도시된 화소(101)에 공급되는 제1전원(EVDD), 기준전압(Vref) 중 어느 하나를 전달할 수 있다. 또한, 전극라인(EDL)은 제2소스드레인메탈이 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한, 도 4에 도시되어 있는 안테나(330)는 제2소스드레인메탈을 포함하고, 제2소스드레인메탈이 패터닝되어 형성될 수 있다. 하지만, 안테나(130)에 포함된 물질은 이에 한정되는 것은 아니다. 제2소스드레인 메탈은 제1소스드레인메탈과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제2소스드레인메탈을 포함하는 전극라인(EDL)은 애노드전극(ANE)와 연결될 수 있다. 바꾸어 말하면, 안테나(330)는 전극라인(EDL)과 동일한 층에 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 도 6a 내지 도 6c에 도시되어 있는 안테나(330)는 게이트메탈, 제1소스드레인메탈, 제2소스드레인메탈 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 8은 도 4에 도시된 표시장치에서 A 영역을 확대한 도면이고, 도 9는 도 8에 도시된 B 영역을 확대한 도면이다. 또한, 도 10은 도 8에 도시된 C 영역을 확대한 도면이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 표시장치(100)는 표시영역(110a)의 테두리를 따라 배치되는 댐(320)과, 댐(320)과 중첩되어 있는 안테나(330)를 포함할 수 있다. 안테나(330)는 루프 형태의 안테나로써, 표시영역(110a)을 둘러싸는 형태로 적어도 2번 감겨있는 안테나 배선(ANTL)과 안테나 배선(ANTL)에 신호를 전달하는 안테나링크라인(ARNK)을 포함할 수 있다. 안테나 배선(ANTL)은 댐을 따라 연장될 수 있다. 안테나링크라인(ARNK)은 기판(501)의 밴딩영역(103c)에 배치될 수 있다. 밴딩영역(103c)에서 기판(501)은 구부러질 수 있다.
댐(320)과 표시영역(110a) 사이에는 게이트신호 발생회로가 배치될 수 있다. 댐(320)은 나란하게 배치되어 있는 두 개의 댐패턴(DMP)을 포함하고, 안테나 배선(ANTL)은 두 개의 댐패턴(DMP)에 적어도 일부가 중첩되도록 배치될 수 있다.
게이트신호 발생회로와 댐(320) 사이에는 전원배선라인(VSS)이 배치될 수 있다. 댐(320)의 외측에는 기판(501)의 크랙이 발생되어 있는지를 감지하는 크랙감지배선(CDL)이 배치될 수 있다. 또한, 크랙감지배선(CDL)의 바깥쪽으로 안테나 배선(ANTL)이 더 배치될 수 있다. 크랙감지배선(CDL)의 바깥쪽에 배치되어 있는 안테나 배선(ANTL)은 댐(320)과 중첩되지 않게 된다.
그리고, 표시영역(110a)의 하단에 복수의 신호 링크 배선(RNK)이 배치될 수 있다. 복수의 신호 링크 배선(RNK)은 표시영역(110a)에 배치되어 있는 화소회로(101P)와 기판(501) 상에 배치되어 있는 복수의 패드를 연결할 수 있다. 복수의 링크 배선(RNK)은 패드로 전달되는 데이터신호를 화소회로(101P)에 공급할 수 있다. 또한, 복수의 링크 신호 배선(RNK)은 패드로부터 게이트신호 발생회로를 구동하는 신호 및/ 또는 전압을 게이트신호 발생회로로 공급할 수 있다.
또한, 안테나 배선(ANTL)은 복수의 신호 링크 배선(RNK)과 중첩될 수 있다. 안테나는 기판(501)의 하부에서 제1방향(1F)으로 나란하게 연장되는 세 개의 안테나 배선(ANTL)을 포함할 수 있다. 또한, 안테나는 제2방향(2F)으로 나란하게 연장되는 안테나 링크 배선(ARNK)을 포함할 수 있다. 안테나 배선(ANTL)은 평면 상에서 보았을 때 코일 형태로 감겨져 있어서, 일부가 댐패턴(DMP)과 중첩되지 않게 될 수 있다. 또한, 안테나 배선(ANTL)의 일부는 댐패턴(DMP)와 중첩되지 않고 경사지게 배치될 수 있다.
도 11은 도 9에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 표시장치(100)는 기판(501), 기판(501) 상에 배치되는 절연막(502), 절연막(502) 상에 배치되는 제1소스드레인메탈(SD1), 제1소스드레인메탈(SD1) 상에 배치되는 층간절연막(503), 층간절연막(503) 상에 배치되는 제2소스드레인메탈(SD2), 제2소스드레인메탈(SD2) 상에 배치되는 전원라인(504)을 포함할 수 있다.
그리고, 절연막(502) 상에 배치되는 제1소스드레인 메탈(SD1)과 층간절연막(503) 상에 배치되는 제2소스드레인메탈(SD2)은 서로 중첩되게 배치되며, 제1소스드레인 메탈(SD1)과 제2소스드레인메탈(SD2)는 층간절연막(503)에 형성된 컨텍홀을 통해 서로 연결될 수 있다. 그리고, 제1소스드레인 메탈(SD1)과 제2소스드레인메탈(SD2)은 전원라인(504)에 신호 및/또는 전압을 공급할 수 있다. 즉, 제1소스드레인 메탈(SD1)과 제2소스드레인메탈(SD2)을 중첩하여 배치하여 전원라인(504)의 저항을 낮출 수 있다. 전원라인(504)는 도 8 및 도 9에 도시되어 있는 전원배선라인(VSS)일 수 이다. 전원라인(504)는 애노드전극과 동일한 층에 형성될 수 있고, 애노드전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
그리고, 전원라인(504)이 배치되어 있는 층간절연막(503) 상에 제1보호층(505)이 형성되고, 제1보호층(505) 상에 봉지층(506)이 형성될 수 있다. 그리고, 봉지층(506) 상에 제2보호층(507)이 형성될 수 있다. 제1보호층(505)과 제2보호층(507)은 제1유기막(321)과 제2유기막(322)를 포함하는 댐(320)을 덮을 수 있다. 또한, 안테나(330)는 층간절연막(503) 상에 배치되며 댐(320)과 중첩될 수 있다. 댐(320)은 적층된 제1유기막(321)과 제2유기막(322)을 포함할 수 있다.
도 12는 도 10에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 표시장치(100)는 기판(501), 기판(501) 상에 배치되는 절연막(502), 절연막(502) 상에 배치되는 제1소스드레인메탈(SD1), 제1소스드레인메탈(SD1) 상에 배치되는 층간절연막(503), 층간절연막(503) 상에 배치되는 안테나(330), 제2소스드레인메탈(SD2) 상에 배치되는 전원라인(504)을 포함할 수 있다. 제1소스드레인메탈(SD1)은 제2방향으로 연장될 수 있다.
그리고, 절연막(502) 상에 배치되는 제1소스드레인 메탈(SD1)과 층간절연막(503) 상에 배치되는 제2소스드레인메탈(SD2)은 일부가 서로 중첩되게 배치되며, 제1소스드레인 메탈(SD1)과 안테나(330)은 층간절연막(503)에 형성된 컨텍홀을 통해 서로 연결될 수 있다. 그리고, 제1소스드레인 메탈(SD1)은 안테나(330)에 신호를 공급하는 안테나 링크 배선(ARNK)일 수 있다. 그리고, 안테나(330)은 안테나 배선(ANTL)일 수 있다. 안테나(330)의 일부는 댐(320)과 중첩되지 않을 수 있다.
그리고, 전원라인(504)이 배치되어 있는 층간절연막(503) 상에 제1보호층(505)이 형성되고, 제1보호층(505) 상에 봉지층(506)이 형성될 수 있다. 그리고, 봉지층(506) 상에 제2보호층(507)이 형성될 수 있다. 제1보호층(505)과 제2보호층(507)은 제1유기막(321)과 제2유기막(322)를 포함하는 댐(320)을 덮을 수 있다. 또한, 안테나(330)는 층간절연막(503) 상에 배치되며 댐(320)과 중첩될 수 있다. 댐(320)은 적층된 제1유기막(321)과 제2유기막(322)을 포함할 수 있다.
도 13은 본 발명에 따른 안테나를 포함하는 표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 13을 참조하면, 표시장치(100)의 기판(501) 상에 표시영역(110a)과 비표시영역(110b)이 형성될 수 있다.(S1300) 표시영역(110a)에는 복수의 화소회로(101P)가 배치되고, 표시영역(110a)과 중첩되도록 발광층이 배치될 수 있다. 또한, 비표시영역(110b)에는 화소회로(101P)에 신호 및/또는 전압을 공급하는 배선이 배치될 수 있다. 기판(501)은 폴리 아미드를 포함할 수 있다.
그리고, 기판(501) 상의 비표시영역에 댐(320)과 안테나(330)가 배치될 수 있다. 또한, 안테나(330)는 댐(320)에 중첩될 수 있다. 안테나(330)는 댐(320)의 하부에 배치되거나 댐(320)의 중단에 배치되거나 또는 댐(330)의 상단에 배치될 수 있다. 댐(320)은 제1유기막(321)과 제2유기막(321)이 적층되어 있을 수 있고, 제1유기막(321)의 하부에 안테나(330)가 배치되거나, 제1유기막(321)과 제2유기막(322) 사이에 안테나(330)가 배치될 수 있다. 또한, 제2유기막(322)의 상부에 안테나(330)가 배치될 수 있다. 안테나(330)는 화소회로(101P)에 포함되어 있는 트랜지스터의 소스전극과 드레인 전극을 형성하는 소스드레인메탈로 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 안테나(330)은 게이트메탈을 패터닝하여 형성할 수 있다.
또한, 소스 드레인 메탈은 제1소스드레인메탈과 제2소스드레인메탈을 포함할 수 있다. 안테나(330)는 안테나 배선(ANTL)과 안테나 링크라인(ARNK)을 포함할 수 있다. 또한, 안테나 링크라인(ARNK)은 제1소스드레인메탈을 포함하고 안테나 배선은 제2소스 드레인메탈을 포함할 수 있다. 안테나 배선(ANTL)과 안테나 링크라인(ARNK)과 사이에 절연막이 배치되고 절연막에 형성된 컨텍홀을 통해 안테나 배선(ANTL)과 안테나 링크라인(ARNK)은 서로 연결될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 안테나 배선(ANTL)과 안테나 링크라인(ARNK) 중 하나는 게이트 메탈을 포함할 수 있다.
표시영역(110a)과 중첩되도록 봉지층(506)이 배치될 수 있다. 봉지층(506)은 발광층에 수분과 같은 이물이 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(506)을 배치하기 전에 제1보호층(505)을 형성한 후 봉지층(506)을 형성하고, 봉지층(506) 상에 제2보호층(507)을 형성할 수 있다. 댐(320)은 봉지층(506)이 비표시영역(110b)을 덮는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(506)은 댐(320)의 상부를 덮을 수 있다. 제1보호층(505)과 제2보호층(507)은 댐(320)을 덮을 수 있다. 제1보호층(505)과 제2보호층(507)은 무기막일 수 있고 봉지층(506)은 유기막일 수 있다.
표시장치(100)에서 안테나(330)가 댐(320)과 중첩되도록 배치되고 제1보호막(505), 봉지층(506) 및 제2보호막(507)이 배치되기 전에 안테나(330)가 댐(320)의 상단, 중단 또는 하단에 배치되기 때문에, 안테나(330)를 배치하는 과정에서 제1보호막(505), 봉지층(506) 또는 제2보호막(507)을 보호하기 위한 추가적인 레이어가 형성되지 않게 될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시장치
101: 화소
110: 표시패널
120: 데이터 드라이버 회로
130: 게이트 드라이버 회로
140: 타이밍 컨트롤러

Claims (17)

  1. 화소회로들이 배치되는 표시영역과, 상기 표시영역의 주위에 배치되는 비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에서 상기 표시영역과 중첩되도록 배치되는 발광층;
    상기 기판 상에서 상기 비표시영역과 중첩되는 위치에 배치되는 댐;
    상기 발광층 상에서 상기 발광층과 중첩되게 배치되는 봉지층; 및
    상기 댐과 중첩되게 배치되는 안테나를 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 댐을 따라 연장되는 안테나 배선을 포함하는 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 댐의 하단, 상기 댐의 중단, 상기 댐의 상단 중 어느 한 곳에 배치되는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 댐은 적층된 제1유기막과 제2유기막을 포함하는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화소회로는,
    상기 기판 상에 배치되는 액티브층;
    상기 액티브층과 중첩되게 배치되며, 게이트메탈을 포함하는 게이트 전극;
    상기 액티브층과 연결되며, 제1소스드레인메탈을 포함하는 소스전극 및 드레인전극;
    상기 드레인전극과 연결되는 애노드전극을 포함하는 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 게이트메탈, 상기 제1소스 드레인 메탈 중 어느 하나를 포함하는 표시장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1소스드레인 메탈과 상기 애노드전극 사이에 제2소스드레인 메탈이 더 배치되고, 상기 안테나는 상기 제2소스드레인 메탈을 포함하는 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 댐과 상기 표시영역 사이에 배치되는 전원배선을 포함하는 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 댐과 상기 기판의 최외곽 사이에 배치되는 크랙검출배선을 포함하는 표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 비표시영역 중 일 영역에 상기 화소회로에 신호 또는 전압을 인가하는 신호 링크 배선이 배치되는 표시장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 안테나는 일부가 상기 댐과 교차하는 표시장치.
  12. 기판 상에 표시영역과, 상기 표시영역의 테두리에 배치되는 비표시영역을 형성하는 단계;
    상기 비표시영역과 중첩되는 위치에 댐과, 상기 댐과 중첩되는 위치에 배치되는 안테나를 형성하는 단계; 및
    상기 표시영역과 중첩되는 위치에 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 표시영역에는 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 포함하고, 상기 안테나는 상기 트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극을 형성하는 소스 드레인 메탈을 포함하는 표시장치의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 댐의 하단, 중단, 상단 중 어느 하나에 배치되는 표시장치의 제조방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 표시영역에는,
    상기 기판 상에 배치되는 액티브층;
    상기 액티브층과 중첩되게 배치되며, 게이트메탈을 포함하는 게이트 전극;
    상기 액티브층과 연결되며, 제1소스드레인메탈을 포함하는 소스전극 및 드레인전극;
    상기 제1소스드레인메탈 상에 배치되는 제2소스드레인메탈;
    상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 애노드전극을 포함하는 화소회로가 배치되는 표시장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 게이트메탈, 상기 제1소스드레인메탈, 상기 제2소스드레인메탈 중 어느 하나를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 댐은 적층된 제1유기막과 제2유기막을 포함하는 표시장치의 제조방법.
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