KR20220068465A - 기판 처리 장치 및 그 방법 - Google Patents

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KR20220068465A KR1020200155268A KR20200155268A KR20220068465A KR 20220068465 A KR20220068465 A KR 20220068465A KR 1020200155268 A KR1020200155268 A KR 1020200155268A KR 20200155268 A KR20200155268 A KR 20200155268A KR 20220068465 A KR20220068465 A KR 20220068465A
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process chamber
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김상림
최현규
정도환
권세화
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세메스 주식회사
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Abstract

기판 처리 장치 및 그 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 기판에 대해 플라즈마 어닐링 공정을 수행하되, 펄스 마이크로파를 이용하여 내부의 처리 공간에 플라즈마를 형성하는 제1 공정 챔버 및 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 기판에 대해, 산화 공정을 수행하기 위한 제2 공정 챔버를 포함하고, 펄스 마이크로파의 파라미터를 조절하여, 산화 공정에 의해 기판 상에 생성되는 산화막의 두께를 제어한다.

Description

기판 처리 장치 및 그 방법{Substrate treating apparatus and method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라즈마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
안테나는 공정 가스에 마이크로파를 인가하여 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 고정 부재는 마이크로파를 안테나에 전달하는 내부 도체를 안테나에 고정하기 위해 안테나의 중심부에 제공된다. 일반적으로, 고정 부재는 반사체 재질로 제공되어 마이크로파의 전계가 안테나의 중심부에 집중됨으로써 플라즈마가 불균일하게 발생된다. 따라서 기판 지지부의 상부에 제공된 유전판 등에 손상을 일으키고, 이로 인해 발생된 파티클은 공정에 영향을 미친다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 파티클을 제거하고 산화막의 균일도를 개선할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 파티클을 제거하고 산화막의 균일도를 개선할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은 기판에 대해 플라즈마 어닐링 공정을 수행하되, 펄스 마이크로파를 이용하여 내부의 처리 공간에 플라즈마를 형성하는 제1 공정 챔버 및 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 기판에 대해, 산화 공정을 수행하기 위한 제2 공정 챔버를 포함하고, 펄스 마이크로파의 파라미터를 조절하여, 산화 공정에 의해 기판 상에 생성되는 산화막의 두께를 제어한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면은 제1 공정 챔버에서, 제1 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행하는 제1 단계, 제2 공정 챔버에서, 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 제1 기판에 대해, 산화 공정을 수행하는 제2 단계, 제1 공정 챔버에서, 제2 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행하는 제3 단계, 제2 공정 챔버에서, 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 제2 기판에 대해, 산화 공정을 수행하는 제4 단계를 포함하되, 제3 단계에서의 펄스 마이크로파의 파라미터를 제1 단계에서의 펄스 마이크로파의 파라미터를 다르게 제어하여, 제2 기판의 산화막 두께를 제1 기판의 산화막 두께와 다르게 제어한다.
도 1은 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 제2 공정 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 3은 마이크로파 발생부에서 생성되는 펄스 마이크로파를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예(펄스 마이크로파)에 있어서의, 펄스 주파수에 따른 듀티비를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예(펄스 마이크로파)에 있어서의, 펄스 주파수에 따른 듀티비를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예(펄스 마이크로파)에 있어서의, 펄스 주파수에 따른 듀티비를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 제1 공정 챔버(1)와 제2 공정 챔버(100)를 포함한다.
제1 공정 챔버(1)는 기판(W)에 대해 플라즈마 어닐링 공정을 수행할 수 있다. 제1 공정 챔버(1) 내부는 펄스 마이크로파를 이용하여 플라즈마를 형성할 수 있다. 플라즈마 어닐링 공정은 수소 분위기에서 진행될 수 있다.
제2 공정 챔버(100)는 제1 공정 챔버(1)에서 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 기판(W)에 대해 산화 공정을 수행할 수 있다.
제1 공정 챔버(1)와 제2 공정 챔버(100)는 펄스 마이크로파의 파라미터를 조절하여 산화 공정에 의해 기판(W)에 생성되는 산화막의 두께를 제어할 수 있다.
도 3을 참조하면, 펄스 마이크로파의 파라미터는 듀티비(duty) 및 주파수(1/PT) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
즉, 펄스 마이크로파의 듀티비(duty)를 1차적으로 조절하고, 조절된 펄스 마이크로파의 주파수(1/PT)를 2차적으로 조절할 수 있다. 상기 펄스 마이크로파의 파라미터를 조절하여 산화 공정에 의해 기판(W)에 생성되는 산화막의 두께를 제어할 수 있다.
도 2는 기판 처리 장치의 제2 공정 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 플라즈마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 제2 공정 챔버(100), 기판 지지부(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 그리고 안테나부(500)를 포함할 수 있다.
제2 공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성되며, 내부 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공될 수 있다.
제2 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. 바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.
제2 공정 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 제2 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.
기판 지지부(200)는 제2 공정 챔버(100)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)는 지지 플레이트(미도시)와 지지축(230)을 포함한다.
지지축(230)은 지지 플레이트(미도시)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(미도시)를 지지한다.
가스 공급 유닛(300)는 제2 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)는 제2 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다.
마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나부(500)로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생부(410)와 도파관(430)을 포함한다.
마이크로파 발생부(410)는 펄스(pulse) 마이크로파를 발생시킨다. 마이크로파 발생부(410)에서 발생된 펄스 마이크로파는 안테나부(500)로 전달된다.
도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.
외부 도체(432)는 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(532)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.
내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나(520)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나(520)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다.
몇몇 실시예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 펄스 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나(520)로 전파된다.
안테나부(500)는 안테나(520) 및 고정 부재(530)를 포함한다. 안테나(520)는 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다.
마이크로파 발생부(410)에서 발생된 펄스 마이크로파는 유전체(620)로 전달될 수 있다.
유전체(620)는 안테나(520)의 하부에 위치할 수 있다. 유전체(620)은 석영, SiO2 등을 포함한 재질로 제공될 수 있다. 따라서, 펄스 마이크로파 전계의 안테나(520) 중심부 집중 현상을 개선시킴으로써 플라즈마의 불균일한 발생으로 인한 유전체(620)의 손상 및 파티클 발생을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 고정 부재(530) 자체가 안테나 역할을 하여 마이크로파의 전계가 안테나(520)의 중심부에 집중됨으로써 플라즈마가 불균일하게 발생되는 경향이 있다. 따라서 기판 지지부(200)의 상부에 제공된 유전체(620) 등에 손상을 일으키고, 이로 인해 발생된 파티클은 공정에 영향을 미친다.
펄스 마이크로파는 유전체(620)를 거쳐 제2 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 펄스 마이크로파의 전계에 의하여 제2 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기된다.
도 3은 마이크로파 발생부에서 생성되는 펄스 마이크로파를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 펄스 마이크로파는 하이(high) 레벨과 로우(low) 레벨이 교대로 발생할 수 있다. 펄스 주기(PT)는 하이 레벨이 되는 타이밍의 간격이고, 듀티비(duty)는 펄스 주기(PT)에 대한 하이(high) 시간(HT)의 비이다. 즉, 듀티비(duty)는 HT/PT*100(%)로 정의될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 마이크로파 발생부(410)는, 펄스 주파수(1/PT) 및 듀티비(duty)에 근거하여 펄스 마이크로파를 생성할 수 있다. 마이크로파 발생부(410)는 생성된 펄스 마이크로파의 하이 레벨의 파워를 제어할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 생성된 펄스 마이크로파는 파라미터를 포함할 수 있다. 파라미터는 듀티비(duty) 및 펄스 주파수(1/PT) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 생성된 펄스 마이크로파의 파라미터를 조절 및/또는 제어할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 몇몇 실시예에서, 제1 크기의 듀티비(duty)에서 산화막은 제1 두께이고, 제1 크기보다 큰 제2 크기의 듀티비(duty)에서 산화막은 제1 두께보다 얇은 제2 두께일 수 있다.
또한 몇몇 실시예에서, 제3 크기의 주파수(1/PT)에서 산화막은 제3 두께이고, 제3 크기보다 큰 제4 크기의 주파수(1/PT)에서 산화막은 제3 두께보다 얇은 제4 두께일 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예(펄스 마이크로파)에 있어서의, 펄스 주파수에 따른 듀티비를 나타낸 그래프이다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예(펄스 마이크로파)에 있어서의, 펄스 주파수에 따른 듀티비를 나타낸 그래프이다. 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예(펄스 마이크로파)에 있어서의, 펄스 주파수에 따른 듀티비를 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 펄스 주파수(1/PT)가 0.2kHz인 경우 (a)는 설정 듀티비(duty)가 10%이고, (b)는 설정 듀티비(duty)가 50%이고, (c)는 설정 듀티비(duty) 90%이다. 이와 같이 펄스 마이크로파의 하이 레벨과 로우 레벨이 각각 구별되어 검출된다.
도 5를 참조하면, 펄스 주파수(1/PT)가 1kHz인 경우 (a)는 설정 듀티비(duty)가 10%이고, (b)는 설정 듀티비(duty)가 50%이고, (c)는 설정 듀티비(duty) 90%이다. 이와 같이 펄스 마이크로파의 하이 레벨과 로우 레벨이 각각 구별되어 검출된다.
도 6을 참조하면, 펄스 주파수(1/PT)가 10kHz인 경우 (a)는 설정 듀티비(duty)가 10%이고, (b)는 설정 듀티비(duty)가 50%이고, (c)는 설정 듀티비(duty) 90%이다. 이와 같이 펄스 마이크로파의 하이 레벨과 로우 레벨이 각각 구별되어 검출된다.
도 4 내지 도 6에서 살펴본 바와 같이, 펄스 마이크로파의 파라미터는 듀티비(duty) 및 주파수(1/PT) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 듀티비(duty)는 10% 내지 90%에서 선택될 수 있고, 주파수(1/PT)는 1kHz 내지 9kHz에서 선택될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 기판 처리 방법에 대해 설명하도록 한다.
먼저, 제1 공정 챔버에서 제1 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행한다.
예를 들어, 도 1을 참조하면 제1 공정 챔버(1)는 기판(W)에 대해 플라즈마 어닐링 공정을 수행할 수 있다. 펄스 마이크로파를 이용하여 내부의 처리 공간에 플라즈마를 형성할 수도 있다. 플라즈마 어닐링 공정은 수소 분위기에서 진행될 수 있다.
다음, 제2 공정 챔버에서 상기 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 제1 기판에 대해 산화 공정을 수행한다.
예를 들어, 도 1 및 도 2를 참조하면, 제2 공정 챔버(100)에서 제1 공정 챔버(1)에서 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 기판(W)에 대해 산화 공정을 수행할 수 있다. 제2 공정 챔버(100)의 내부는 제1 공정 챔버(1)와 달리 산소 분위기 일 수 있다.
다음, 제1 공정 챔버에서 제2 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행한다.
예를 들어, 도 1을 참조하면, 제1 공정 챔버(1)는 플라즈마 어닐링 공정을 수행할 수 있다. 플라즈마 어닐링 공정은 수소 분위기에서 진행될 수 있다. 따라서, 제1 공정 챔버(1)에서 기판(W)에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행할 수 있다.
마지막으로, 제2 공정 챔버에서, 상기 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 제2 기판에 대해 산화 공정을 수행한다.
예를 들어, 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 공정 챔버(1)에서 기판(W) 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 후, 기판(W)은 제2 공정 챔버(100)로 이동하여 산화 공정이 수행될 수 있다. 제2 공정 챔버(100)에서 펄스 마이크로파의 파라미터인 듀티비(duty) 및/또는 주파수(1/PT)를 조절하여 산화 공정에 의해 기판(W) 상에 생성되는 산화막의 두께를 제어할 수 있다.
제1 공정 챔버에서 제2 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행함으로써 상기 펄스 마이크로파의 파라미터를 제1 공정 챔버에서 제1 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파의 파라미터를 다르게 제어하여, 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께와 다르게 제어할 수 있다.
제1 공정 챔버에서 제2 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수항하는 단계에서, 듀티비(duty)를 증가시켜 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께보다 얇게 제어할 수 있다. 이와 반대로, 듀티비(duty)를 감소시켜 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께보다 두껍게 제어할 수 있다.
예를 들어, 몇몇 실시예에서, 주파수가 5kHz인 경우, 듀티비(duty)를 10%로 설정하였을 때 산화막의 두께는 20.43Å이고, 듀티비(duty)를 50%로 설정하였을 때 산화막의 두께는 170.4Å이고, 듀티비(duty)를 90%로 설정하였을 때 산화막의 두께는 15.97Å일 수 있다.
제1 공정 챔버에서 제2 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수항하는 단계에서, 주파수(1/PT)를 증가시켜 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께보다 얇게 제어할 수 있다. 이와 반대로, 주파수(1/PT)를 감소시켜 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께보다 두껍게 제어할 수 있다.
예를 들어, 몇몇 실시예에서, 듀티비가 50%인 경우, 주파수(1/PT)를 1kHz로 설정하였을 때 산화막의 두께는 17.01Å이고, 주파수(1/PT)를 5kHz로 설정하였을 때 산화막의 두께는 17.04Å이고, 주파수(1/PT)를 9kHz로 설정하였을 때 산화막의 두께는 16.56kHz일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판 처리 장치 100: 제2 공정 챔버
200: 기판 지지부 300: 가스 공급 유닛
400: 마이크로파 인가 유닛 500: 안테나부

Claims (10)

  1. 기판에 대해 플라즈마 어닐링 공정을 수행하되, 펄스 마이크로파를 이용하여 내부의 처리 공간에 플라즈마를 형성하는 제1 공정 챔버; 및
    상기 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 기판에 대해, 산화 공정을 수행하기 위한 제2 공정 챔버를 포함하고,
    상기 펄스 마이크로파의 파라미터를 조절하여, 상기 산화 공정에 의해 상기 기판 상에 생성되는 산화막의 두께를 제어하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 파라미터는 듀티비(duty) 및 주파수 중 적어도 어느 하나를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    제1 크기의 듀티비에서, 상기 산화막은 제1 두께이고,
    상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 듀티비에서, 상기 산화막은 제1 두께보다 얇은 제2 두께인, 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    제3 크기의 주파수에서, 상기 산화막은 제3 두께이고,
    상기 제3 크기보다 큰 제4 크기의 듀티비에서, 상기 산화막은 제3 두께보다 얇은 제4 두께인, 기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 펄스 마이크로파의 듀티비를 1차적으로 조절하고,
    상기 조절된 펄스 마이크로파의 주파수를 2차적으로 조절할 수 있는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 어닐링 공정은 수소 분위기에서 진행되는, 기판 처리 장치.
  7. 제1 공정 챔버에서, 제1 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행하는 제1 단계;
    제2 공정 챔버에서, 상기 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 제1 기판에 대해, 산화 공정을 수행하는 제2 단계;
    제1 공정 챔버에서, 제2 기판에 대해 수소 분위기에서 펄스 마이크로파를 이용한 플라즈마 어닐링 공정을 수행하는 제3 단계;
    제2 공정 챔버에서, 상기 플라즈마 어닐링 공정이 수행된 제2 기판에 대해, 산화 공정을 수행하는 제4 단계를 포함하되,
    상기 제3 단계에서의 상기 펄스 마이크로파의 파라미터를 상기 제1 단계에서의 상기 펄스 마이크로파의 파라미터를 다르게 제어하여, 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께와 다르게 제어하는, 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 파라미터는 듀티비(duty) 및 주파수 중 적어도 어느 하나를 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제3 단계에서 듀티비를 증가시켜, 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께보다 얇게 제어하는, 기판 처리 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제3 단계에서 주파수를 증가시켜, 상기 제2 기판의 산화막 두께를 상기 제1 기판의 산화막 두께보다 얇게 제어하는, 기판 처리 방법.
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